KR102525559B1 - 신호 손실 방지용 테스트 소켓 - Google Patents
신호 손실 방지용 테스트 소켓 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102525559B1 KR102525559B1 KR1020230000037A KR20230000037A KR102525559B1 KR 102525559 B1 KR102525559 B1 KR 102525559B1 KR 1020230000037 A KR1020230000037 A KR 1020230000037A KR 20230000037 A KR20230000037 A KR 20230000037A KR 102525559 B1 KR102525559 B1 KR 102525559B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- conductive plate
- contact pin
- test socket
- hole
- signal loss
- Prior art date
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 62
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 43
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 20
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 16
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 16
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 13
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 6
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 3
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 3
- 239000002174 Styrene-butadiene Substances 0.000 description 3
- 229920006311 Urethane elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 3
- YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N chloroprene Chemical compound ClC(=C)C=C YACLQRRMGMJLJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003244 diene elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 3
- 229920005558 epichlorohydrin rubber Polymers 0.000 description 3
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 3
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 229920000346 polystyrene-polyisoprene block-polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 2
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0433—Sockets for IC's or transistors
- G01R1/0441—Details
- G01R1/0466—Details concerning contact pieces or mechanical details, e.g. hinges or cams; Shielding
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06733—Geometry aspects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
- G01R31/286—External aspects, e.g. related to chambers, contacting devices or handlers
- G01R31/2863—Contacting devices, e.g. sockets, burn-in boards or mounting fixtures
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Monitoring And Testing Of Exchanges (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
Abstract
본 발명은 전기 소자의 전기적 특성 측정에 사용되는 테스트 소켓에 관한 것이다. 본 발명은, 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓으로서, 제1 면과 제2 면을 구비하며, 적어도 하나의 제1 관통 구멍과 적어도 하나의 제2 관통 구멍이 형성된 전도성 플레이트와; 상기 전도성 플레이트의 상기 제1 면에 부착되며, 상기 제1 관통 구멍 및 상기 제2 관통 구멍에 대응하는 위치에 제1 개구들이 형성된 제1 절연성 필름과; 상기 전도성 플레이트와 전기적으로 연결되도록, 적어도 일부가 상기 제1 관통 구멍의 내벽에 접촉하게 배치되며, 그 양단부가 마주보는 접지 단자들과 접촉하는 제1 접촉 핀과; 상기 전도성 플레이트와 전기적으로 분리되도록, 상기 제2 관통 구멍의 내벽으로부터 거리를 두고 배치되며, 그 양단부가 마주보는 파워 또는 신호 단자들과 접촉하는 제2 접촉 핀과; 상기 제2 접촉 핀을 지지하고, 상기 전도성 플레이트로부터 상기 제2 접촉 핀을 절연시키는 절연성 지지부를 포함하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다. 본 발명에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓은 신호 손실이 최소화된다. 따라서 검사 속도와 정확도가 향상된다.
Description
본 발명은 전기 소자의 전기적 특성 측정에 사용되는 테스트 소켓에 관한 것이다.
반도체 소자가 제조되면, 제조된 반도체 소자에 대한 성능 검사가 필요하다. 반도체 소자의 검사에는 검사 장치의 접촉 패드와 반도체 소자의 단자를 전기적으로 연결하는 테스트 소켓이 필요하다.
테스트 소켓 중에서 전도성 입자들을 실리콘 고무의 두께 방향으로 배치한 접촉부와 인접한 접촉부들을 절연시키며 지지하는 절연부를 구비한 이방 전도성 시트를 구비한 테스트 소켓은 기계적인 충격이나 변형을 흡수하여 유연한 접속이 가능하며, 제조 비용이 저렴하다는 장점이 있다.
도 1은 종래 기술의 테스트 소켓을 나타내는 도면이다. 종래 기술의 테스트 소켓의 이방 전도성 시트(5)는 반도체 소자(1)의 단자(2)와 접촉하는 접촉부(6)와 인접한 접촉부(6)들을 절연시키며 지지하는 절연부(8)로 구성된다. 접촉부(6)의 상단부와 하단부는 각각 반도체 소자(1)의 단자(2)와 반도체 검사 장치(3)의 접촉 패드(4)와 접촉하여, 단자(2)와 접촉 패드(4)를 전기적으로 연결한다. 접촉부(6)는 실리콘 수지에 크기가 작은 구형의 전도성 입자(7)들을 혼합하여 굳힌 것으로서 전기가 흐르는 도체로 작용한다.
그런데 이러한 종래의 테스트 소켓은 절연부(8)가 절연성 소재만으로 이루어지므로, 고주파 신호 전달시 접촉부(6) 간 신호의 간섭을 피할 수 없어서, 고주파 신호 전송 특성이 저하된다는 문제가 있었다.
본 발명은 상술한 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 신호 손실을 최소화하여 검사 속도 및 정확도가 향상된 새로운 구조의 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은, 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓으로서, 제1 면과 상기 제1 면과 나란한 제2 면을 구비하며, 상기 제1 면과 상기 제2 면을 관통하는 적어도 하나의 제1 관통 구멍과 적어도 하나의 제2 관통 구멍이 형성된 전도성 플레이트와; 상기 단자들이 상기 전도성 플레이트의 상기 제1 면과 접촉하는 것을 방지하도록, 상기 전도성 플레이트의 상기 제1 면에 부착되며, 상기 제1 관통 구멍 및 상기 제2 관통 구멍에 대응하는 위치에 제1 개구들이 형성된 제1 절연성 필름과; 상기 전도성 플레이트와 전기적으로 연결되도록, 적어도 일부가 상기 제1 관통 구멍의 내벽에 접촉하게 배치되며, 그 양단부가 마주보는 접지 단자들과 접촉하는 제1 접촉 핀과; 상기 전도성 플레이트와 전기적으로 분리되도록, 상기 제2 관통 구멍의 내벽으로부터 거리를 두고 배치되며, 그 양단부가 마주보는 파워 또는 신호 단자들과 접촉하는 제2 접촉 핀과; 상기 제2 접촉 핀을 지지하고, 상기 전도성 플레이트로부터 상기 제2 접촉 핀을 절연시키는 절연성 지지부를 포함하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
상기 제1 접촉 핀은, 기둥 형태의 제1 탄성 매트릭스와, 상기 제1 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제1 탄성 매트릭스의 길이방향으로 배열되는 다수의 제1 전도성 입자들을 구비한다.
상기 제2 접촉 핀은, 기둥 형태의 제2 탄성 매트릭스와, 상기 제2 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제2 탄성 매트릭스의 길이방향으로 배열되는 다수의 제2 전도성 입자들을 구비한다.
또한, 본 발명은, 상기 제1 접촉 핀의 양단부 중에서 적어도 하나는 상기 전도성 플레이트의 외측으로 돌출된 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 제2 접촉 핀의 양단부 중에서 적어도 하나는 상기 전도성 플레이트의 외측으로 돌출된 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 제1 접촉 핀은, 상기 제1 전도성 입자들이 상기 제1 접촉 핀의 길이방향을 따라서 배열되며, 상기 제1 관통 구멍의 내벽과 접촉하지 않는 기둥부와, 일단은 상기 기둥부의 외측면과 연결되고, 타단은 상기 제1 관통 구멍의 내벽과 접촉하도록 상기 제1 전도성 입자들이 배열되는 적어도 하나의 연장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 연장부는 상기 단자에서 멀어질수록 상기 제1 관통 구멍의 내벽과 멀어지도록 경사진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 연장부는 상기 제1 접촉 핀의 중심부에 배치되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 연장부는 상기 제1 접촉 핀의 양단부 중 적어도 하나의 단부 측에 배치되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 전도성 플레이트는 비자성인 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 전도성 플레이트는 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 전도성 플레이트는 적층된 복수의 서브 플레이트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 절연 지지부, 상기 제1 탄성 매트릭스, 상기 제2 탄성 매트릭스는 동일한 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 절연 지지부, 상기 제1 탄성 매트릭스, 상기 제2 탄성 매트릭스는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE)계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
또한, 상기 단자들이 상기 전도성 플레이트의 상기 제2 면과 접촉하는 것을 방지하도록, 상기 전도성 플레이트의 상기 제2 면에 부착되며, 상기 제1 관통 구멍 및 상기 제2 관통 구멍에 대응하는 위치에 제2 개구들이 형성된 제2 절연성 필름 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 제공한다.
본 발명에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓은 신호 손실이 최소화된다. 따라서 검사 속도와 정확도가 향상된다.
도 1은 종래기술에 따른 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 3과 4는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓들을 나타내는 도면들이다.
도 5 내지 7은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓들을 나타내는 도면들이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
도 3과 4는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓들을 나타내는 도면들이다.
도 5 내지 7은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓들을 나타내는 도면들이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면들에 의거하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예는 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓을 나타내는 도면이다.
신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)은 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 역할을 한다. 예를 들어, 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)은 검사 장치(3)의 단자(4a, 4b)와 반도체 소자(1)의 단자(2a, 2b)를 전기적으로 연결하는 역할을 한다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)은 전도성 플레이트(10)와, 복수의 제1 접촉 핀(20)들과, 복수의 제2 접촉 핀(30)들과, 절연성 지지부(40)와, 제1 절연 필름(50)과, 제2 절연 필름(60)을 포함한다.
전도성 플레이트(10)에는 복수의 제1 관통 구멍(12)들과 복수의 제2 관통 구멍(14)들이 형성된다. 도 2에는 2개의 제1 관통 구멍(12)들과 2개의 제2 관통 구멍(14)들이 도시되어 있으나, 더 많은 수의 제1 관통 구멍(12)들과 제2 관통 구멍(14)들이 형성될 수 있다.
전도성 플레이트(10)는 비자성체인 것이 바람직하다. 예를 들어, 전도성 플레이트(10)는 구리 또는 구리 합금으로 이루어질 수 있다.
전도성 플레이트(10)는 하나의 플레이트로 이루어질 수도 있으며, 복수의 서브 플레이트들을 적층하여 형성할 수도 있다. 제1 관통 구멍(12)들과 제2 관통 구멍(14)들은 레이저를 이용하여 형성하거나, 마이크로 드릴을 이용하여 형성할 수 있다.
도 2에는 두 개의 제1 접촉 핀(20)들과 두 개의 제2 접촉 핀(30)들이 도시되어 있으나, 제1 접촉 핀(20)과 제2 접촉 핀(30)의 합은 수십 내지 수천 개일 수도 있다.
제1 접촉 핀(20)은 서로 마주보는 접지 단자(2a, 4a)들을 연결한다.
제1 접촉 핀(20)의 대부분은 제1 관통 구멍(12)의 내부에 배치된다. 본 실시예에서, 제1 접촉 핀(20)의 도면상 하단은 전도성 플레이트(10)의 외측으로 돌출된다. 측정 시에 제1 접촉 핀(20)에 가해지는 힘을 줄이기 위함이다. 제1 접촉 핀(20)의 외측면은 제1 관통 구멍(12)의 내면에 접촉한다. 따라서 제1 접촉 핀(20)은 전도성 플레이트(10)와 전기적으로 연결된다. 모든 제1 접촉 핀(20)들은 전도성 플레이트(10)를 통해서 전기적으로 연결된다. 제1 접촉 핀(20)의 높이는 전도성 플레이트(10)의 두께와 동일하거나 그 이상일 수 있다.
제1 접촉 핀(20)은 제1 탄성 매트릭스(22)와 다수의 제1 전도성 입자(24)들을 구비한다.
제1 탄성 매트릭스(22)는 기둥 형태이다. 예를 들어, 원기둥이나 사각, 육각, 팔각 등의 다각 기둥 형태일 수 있다. 제1 탄성 매트릭스(22)는 제1 전도성 입자(24)들을 지지하는 역할을 한다. 또한, 측정시에 탄성 변형되면서 단자들(2a, 4a)에 가해지는 압력을 감소시키면서, 제1 접촉 핀(20)을 단자들(2a, 4a)에 밀착시키는 역할을 한다.
제1 탄성 매트릭스(22)는 다양한 종류의 고분자 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 실리콘, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, SBR, NBR 등 및 그들의 수소화합물과 같은 디엔형 고무로 구현될 수 있다. 또한, 스티렌부타디엔 블럭코폴리머, 스티렌이소프렌 블럭코폴리머 등 및 그들의 수소 화합물과 같은 블럭코폴리머로 구현될 수도 있다. 또한, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에틸렌형 고무, 에피클로로히드린 고무, 에틸렌-프로필렌 코폴리머, 에틸렌프로필렌디엔 코폴리머 등으로 구현될 수도 있다. 또한, 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현될 수도 있다. 제1 탄성 매트릭스(22)는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현되는 것이 바람직하다.
제1 탄성 매트릭스(22)는 액상 수지를 경화하여 얻을 수 있다.
제1 전도성 입자(24)들은 제1 탄성 매트릭스(22)의 길이방향으로 배열된다. 제1 전도성 입자(24)들은 서로 접촉하여 제1 접촉 핀(20)의 길이방향으로 전도성을 부여한다. 반도체 소자(1)의 검사를 위해서 제1 접촉 핀(20)의 길이방향으로 압력이 가해지면, 제1 접촉 핀(20)이 길이방향으로 압축된다. 그리고 제1 전도성 입자(24)들이 서로 더욱 가까워지면서 제1 접촉 핀(20)의 길이방향 전기 전도도가 더욱 높아진다.
또한, 제1 접촉 핀(20)의 길이방향으로 압력이 가해지면, 제1 접촉 핀(20)의 중심부의 제1 전도성 입자(24)들이 제1 관통 구멍(12)의 내면 방향으로 눌리면서, 제1 접촉 핀(20)과 제1 관통 구멍(12)의 내면의 접촉 면적도 더욱 증가할 수 있다.
제1 전도성 입자(24)들은 철, 구리, 아연, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄 등과 같은 단일 도전성 금속재 또는 이들 금속재료 둘 이상의 합금으로 구현될 수 있다. 또한, 제1 전도성 입자(24)들은 코어 금속의 표면을 전도성이 뛰어난 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 또는 은과 금, 은과 로듐, 은과 팔라듐 등과 같은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수도 있다.
제조방법을 단순화하기 위해서, 제1 전도성 입자(24)들은 자성을 가지는 입자들인 것이 바람직하다. 예를 들어, 자성을 가지는 금속으로 이루어진 코어의 표면을 전도성이 높은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수 있다.
제2 접촉 핀(30)은 서로 마주보는 전원 단자 또는 신호 단자들(2b, 4b)을 전기적으로 접속시키는 역할을 한다. 제2 접촉 핀(30)의 대부분은 제2 관통 구멍(14)의 내부에 배치된다. 제2 접촉 핀(30)의 도면상 하단은 전도성 플레이트(10)의 외측으로 돌출된다. 측정 시에 제2 접촉 핀(30)에 가해지는 힘을 줄이기 위함이다. 제2 접촉 핀(30)은 제2 관통 구멍(14)의 내면과 간격을 두고 떨어져 있으며, 전기적으로 분리된다. 제2 관통 구멍(14)의 내면은 제2 접촉핀(30)과 함께 동축 케이블(coaxial cable)과 유사한 구조를 이루어, 고속 신호 전달 시에 제2 접촉 핀(30)의 신호 손실을 최소화하는 역할을 한다. 전도성 플레이트(10)는 제1 접촉 핀(20)을 통해서 접지 단자들(2a, 4a)과 연결되므로 전도성 플레이트(10)도 접지된 상태가 된다. 제2 접촉 핀(30)의 높이는 전도성 플레이트(10)의 두께와 동일하거나 그 이상일 수 있다.
제2 접촉 핀(30)은 제1 접촉 핀(20)과 마찬가지로 제2 탄성 매트릭스(32)와 다수의 제2 전도성 입자(34)들을 구비한다.
제2 탄성 매트릭스(32)는 제1 탄성 매트릭스(22)와 마찬가지로 다양한 종류의 고분자 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 실리콘, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, SBR, NBR 등 및 그들의 수소화합물과 같은 디엔형 고무로 구현될 수 있다. 또한, 스티렌부타디엔 블럭코폴리머, 스티렌이소프렌 블럭코폴리머 등 및 그들의 수소 화합물과 같은 블럭코폴리머로 구현될 수도 있다. 또한, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에틸렌형 고무, 에피클로로히드린 고무, 에틸렌-프로필렌 코폴리머, 에틸렌프로필렌디엔 코폴리머 등으로 구현될 수도 있다. 또한, 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현될 수도 있다. 제2 탄성 매트릭스(32)도 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현되는 것이 바람직하다. 제2 탄성 매트릭스(32)는 액상 수지를 경화하여 얻을 수 있다.
제2 탄성 매트릭스(32)는 제1 탄성 매트릭스(22)와 동일한 재질로 형성될 수 있다.
제2 전도성 입자(34)들은 제2 탄성 매트릭스(32)의 길이방향으로 배열된다. 제2 전도성 입자(34)들은 서로 접촉하여 제2 접촉 핀(30)의 길이방향으로 전도성을 부여한다. 반도체 소자(1)의 검사를 위해서 제2 접촉 핀(30)의 길이방향으로 압력이 가해지면, 제2 접촉 핀(30)이 길이방향으로 압축된다. 그리고 제2 전도성 입자(34)들이 서로 더욱 가까워지면서 제2 접촉 핀(30)의 길이방향 전기 전도도가 더욱 높아진다.
제2 전도성 입자(34)들은 제1 전도성 입자(24)들과 마찬가지로, 철, 구리, 아연, 크롬, 니켈, 은, 코발트, 알루미늄 등과 같은 단일 도전성 금속재 또는 이들 금속재료 둘 이상의 합금으로 구현될 수 있다. 또한, 제2 전도성 입자(34)들도 코어 금속의 표면을 전도성이 뛰어난 금, 은, 로듐, 팔라듐, 백금 또는 은과 금, 은과 로듐, 은과 팔라듐 등과 같은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수도 있다.
제조방법을 단순화하기 위해서, 제2 전도성 입자(34)들도 자성을 가지는 입자들인 것이 바람직하다. 예를 들어, 자성을 가지는 금속으로 이루어진 코어의 표면을 전도성이 높은 금속으로 코팅하는 방법으로 구현할 수 있다.
절연성 지지부(40)는 제2 접촉 핀(30)을 지지하고, 전도성 플레이트(10)로부터 제2 접촉 핀(20)을 절연시키는 역할을 한다.
절연성 지지부(40)는 제1 탄성 매트릭스(22)와 마찬가지로 다양한 종류의 고분자 물질로 형성할 수 있다. 예를 들어, 실리콘, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, SBR, NBR 등 및 그들의 수소화합물과 같은 디엔형 고무로 구현될 수 있다. 또한, 스티렌부타디엔 블럭코폴리머, 스티렌이소프렌 블럭코폴리머 등 및 그들의 수소 화합물과 같은 블럭코폴리머로 구현될 수도 있다. 또한, 클로로프렌, 우레탄 고무, 폴리에틸렌형 고무, 에피클로로히드린 고무, 에틸렌-프로필렌 코폴리머, 에틸렌프로필렌디엔 코폴리머 등으로 구현될 수도 있다. 또한, 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현될 수도 있다. 절연성 지지부(40)는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE) 수지로 구현되는 것이 바람직하다. 절연성 지지부(40)는 액상 수지를 경화하여 얻을 수 있다.
절연성 지지부(40)는 제1 탄성 매트릭스(22) 및 제2 탄성 매트릭스(32)와 동일한 재질로 형성될 수 있다.
제1 절연 필름(50)은 단자(2a, 2b)들이 전도성 플레이트(10) 상면과 접촉하는 것을 방지하는 역할을 한다. 제1 절연 필름(50)은 전도성 플레이트(10)의 상면에 부착된다. 제1 절연 필름(50)에는 제1 관통 구멍(12) 및 제2 관통 구멍(14)에 대응하는 제1 개구(51)들이 형성된다. 제1 절연 필름(50)은, 예를 들어, 폴리이미드 필름일 수 있다. 전도성 플레이트(10) 상면과의 접촉을 확실하게 방지할 수 있도록, 제1 개구(51)들은 대응하는 제1 관통 구멍(12) 및 제2 관통 구멍(14)에 비해서 약간 작다. 따라서 전도성 플레이트(10)의 상면뿐 아니라 제1 접촉 핀(20)의 외곽도 제1 절연 필름(50)에 의해서 덮인다.
제2 절연 필름(60)은 단자(4a, 4b)들이 전도성 플레이트(10) 하면과 접촉하는 것을 방지하는 역할을 한다. 제2 절연 필름(60)은 전도성 플레이트(10)의 하면에 부착된다. 제2 절연 필름(60)에는 제1 관통 구멍(12) 및 제2 관통 구멍(14)에 대응하는 제2 개구(61)들이 형성된다. 제2 절연 필름(60)은, 예를 들어, 폴리이미드 필름일 수 있다. 전도성 플레이트(10) 하면과의 접촉을 확실하게 방지할 수 있도록, 제2 개구(61)들은 대응하는 제1 관통 구멍(12) 및 제2 관통 구멍(14)에 비해서 약간 작다. 따라서 전도성 플레이트(10)의 상면뿐 아니라 제2 접촉 핀(30)의 외곽도 제2 절연 필름(60)에 의해서 덮인다.
이하, 상술한 신호 손실 방지용 테스트 소켓의 제조방법의 일 예를 설명한다.
먼저, 금형의 내부에 제1 관통 구멍(12)들과 제2 관통 구멍(14)들이 형성된 전도성 플레이트(10)를 배치한다. 전도성 플레이트(10)는 비자성인 것이 바람직하다.
다음, 금형에 액상 수지와 자성을 가진 전도성 입자들의 혼합물을 투입한다. 그러면 전도성 플레이트(10)의 제1 관통 구멍(12)들과 제2 관통 구멍(14)들에 액상 수지와 전도성 입자들의 혼합물이 채워진다. 혼합물을 계속 투입하면, 금형의 측면과 전도성 플레이트(10)의 상면에 의해서 둘러싸인 공간에도 혼합물이 채워진다.
다음, 제1 관통 구멍(12)들과 제2 관통 구멍(14)들에 자력선을 통과시켜서 전도성 입자들이 제1 관통 구멍(12)들과 제2 관통 구멍(14)들의 내부에 몰리도록 한다. 이때, 제1 관통 구멍(12)들을 통과하는 자력선을 조절하여, 전도성 입자들이 제1 관통 구멍(12)의 내부를 가득 채워 전도성 입자들이 제1 관통 구멍(12)의 내면과 접촉하도록 한다.
그리고 제2 관통 구멍(14)들을 통과하는 자력선을 조절하여, 전도성 입자들이 제2 관통 구멍(14)의 중심부에만 몰리도록 하여, 전도성 입자들이 제2 관통 구멍(14)의 내면으로부터 멀어지도록 한다.
전도성 플레이트(10)로 비자성체를 사용하면, 전도성 플레이트(10)에 의한 자력선의 왜곡이 발생하지 않아서 전도성 입자들이 안정한 접촉 핀 형상을 이루게 할 수 있다는 장점이 있다.
그리고 자력선의 형성과 동시에 액상 수지를 경화한다. 그러면 도 2에 도시된 바와 같이 전도성 입자들이 제1 관통 구멍(12)과 제2 관통 구멍(14)에 신호 손실 방지용 테스트 소켓(100)의 두께 방향으로 정렬된 상태로 액상 수지가 경화된다.
도 3과 4는 본 발명의 다른 실시예들에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓들을 나타내는 도면들이다.
도 3에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓(200)은 제1 접촉 핀(120)과, 제2 접촉 핀(130)의 도면상 하단뿐 아니라 상단도 전도성 플레이트(10)의 외측으로 돌출된다는 점에서, 도 2에 도시된 실시예와 차이가 있다. 측정 시에 제1 접촉 핀(120)과 제2 접촉 핀(130)에 가해지는 힘을 줄이기 위함이다.
도 4에 도시된 신호 손실 방지용 테스트 소켓(300)은 제1 접촉 핀(220)의 형태에 있어서 도 2에 도시된 실시예와 차이가 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 제1 접촉 핀(220)은 기둥부(225)와 연장부(227)를 포함한다.
기둥부(225)는 제1 접촉 핀(220)의 중심부에 배치된다. 기둥부(225)의 제1 전도성 입자(224)들은 제1 접촉 핀(220)의 길이방향을 따라서 배열된다. 기둥부(225)는 제1 관통 구멍(12)의 내벽과 접촉하지 않는다.
연장부(227)의 일단은 기둥부(225)의 외측면과 연결된다. 그리고 연장부(227)의 타단은 제1 관통 구멍(12)의 내벽과 접촉한다. 연장부(227)의 제1 전도성 입자(224)들은 대체로 제1 접촉 핀(220)의 폭 방향을 따라서 배열된다.
본 실시예는 측정시에 제1 접촉 핀(220)에 과도한 압력이 가해지는 것을 방지할 수 있다는 장점이 있다. 제1 접촉 핀(220)에 가해지는 압력이 증가하면, 연장부(227)와 기둥부(225) 사이의 탄성 매트릭스(222) 부분이 변형되면서 제1 접촉 핀(220)에 과도한 압력이 걸리는 것을 방지한다. 연장부(227)와 기둥부(225) 사이의 탄성 매트릭스(222) 부분에는 제1 전도성 입자(224)들이 배치되지 않거나, 제1 전도성 입자(224)들의 밀도가 매우 낮게 유지된다. 따라서 연장부(227)와 기둥부(225) 사이의 탄성 매트릭스(222) 부분은 완충부 역할을 할 수 있다.
도 5 내지 7은 본 발명의 또 다른 실시예들에 따른 신호 손실 방지용 테스트 소켓들을 나타내는 도면들이다. 본 실시예들은 도 3에 도시된 실시예와 제1 접촉 핀의 구조에 차이가 있다. 본 실시예들은 도 4의 실시예와 마찬가지로, 측정시에 제1 접촉 핀에 과도한 압력이 가해지는 것을 방지할 수 있다는 장점이 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 신호 손실 방지용 테스트 소켓(400)에서, 제1 접촉 핀(320)의 기둥부(325)는 제1 접촉 핀(320)의 중심부에 제1 관통 구멍(12)의 내벽과 접촉하지 않도록 배치되며, 연장부(327)는 기둥부(325)의 중심부와 하부로부터 연장된다. 연장부(327)는 단자(4a)에서 멀어질수록 제1 관통 구멍(12)의 내벽과 멀어지도록 경사질 수 있다. 기둥부(325)의 중심부로부터 연장된 연장부(327)는 제1 관통 구멍(12)의 내벽과 접촉하지 않으며, 하부로부터 연장된 연장부(327)는 제1 관통 구멍(12)의 내벽과 접촉한다. 압력이 높아지면, 중심부로부터 연장된 연장부(327)도 제1 관통 구멍(12)의 내벽과 접촉할 수 있다.
또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 신호 손실 방지용 테스트 소켓(500)에서, 제1 접촉 핀(420)의 연장부(427)는 제1 접촉 핀(420)의 길이 방향 중심부에 배치될 수 있다. 연장부(427)는 기둥부(425)의 길이 방향 중심부의 외측면으로부터 수평으로 연장된다.
또한, 도 7에 도시된 바와 같이, 신호 손실 방지용 테스트 소켓(600)에서, 제1 접촉 핀(520)의 연장부(527)는 제1 접촉 핀(520)의 양단부 측에 모두에 배치될 수도 있다. 연장부(527)는 기둥부(525)의 양단부 측의 외측면으로부터 수평으로 연장된다. 도 7에 도시된 실시예는 제2 절연 필름을 구비하지 않는다는 점에서도, 도 3에 도시된 실시예와 차이가 있다.
이상에서 설명된 실시예는 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한 것에 불과하고, 본 발명의 권리범위는 설명된 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 특허청구범위 내에서 이 분야의 당업자에 의하여 다양한 변경, 변형 또는 치환이 가능할 것이며, 그와 같은 실시예들은 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
100, 200, 300, 400, 500, 600: 신호 손실 방지용 테스트 소켓
10, 110: 전도성 플레이트
12: 제1 관통 구멍
14: 제2 관통 구멍
20, 120, 220, 320, 420, 520, 620: 제1 접촉 핀
22: 제1 탄성 매트릭스
24: 제1 전도성 입자
30: 제2 접촉 핀
32: 제2 탄성 매트릭스
34: 제2 전도성 입자
40, 140: 절연성 지지부
50: 제1 절연성 필름
60: 제2 절연성 필름
225, 325, 425, 525, 625: 기둥부
227, 327, 427, 527, 627: 연장부
10, 110: 전도성 플레이트
12: 제1 관통 구멍
14: 제2 관통 구멍
20, 120, 220, 320, 420, 520, 620: 제1 접촉 핀
22: 제1 탄성 매트릭스
24: 제1 전도성 입자
30: 제2 접촉 핀
32: 제2 탄성 매트릭스
34: 제2 전도성 입자
40, 140: 절연성 지지부
50: 제1 절연성 필름
60: 제2 절연성 필름
225, 325, 425, 525, 625: 기둥부
227, 327, 427, 527, 627: 연장부
Claims (13)
- 마주보는 단자들 사이에 배치되어 단자들을 전기적으로 접속시키는 테스트 소켓으로서,
제1 면과 상기 제1 면과 나란한 제2 면을 구비하며, 상기 제1 면과 상기 제2 면을 관통하는 적어도 하나의 제1 관통 구멍과 적어도 하나의 제2 관통 구멍이 형성된 전도성 플레이트와,
상기 단자들이 상기 전도성 플레이트의 상기 제1 면과 접촉하는 것을 방지하도록, 상기 전도성 플레이트의 상기 제1 면에 부착되며, 상기 제1 관통 구멍 및 상기 제2 관통 구멍에 대응하는 위치에 제1 개구들이 형성된 제1 절연성 필름과,
상기 전도성 플레이트와 전기적으로 연결되도록, 적어도 일부가 상기 제1 관통 구멍의 내벽에 접촉하게 배치되며, 그 양단부가 마주보는 접지 단자들과 접촉하는 제1 접촉 핀과,
상기 전도성 플레이트와 전기적으로 분리되도록, 상기 제2 관통 구멍의 내벽으로부터 거리를 두고 배치되며, 그 양단부가 마주보는 파워 또는 신호 단자들과 접촉하는 제2 접촉 핀과,
상기 제2 접촉 핀을 지지하고, 상기 전도성 플레이트로부터 상기 제2 접촉 핀을 절연시키는 절연성 지지부를 포함하며,
상기 제1 접촉 핀은,
기둥 형태의 제1 탄성 매트릭스와, 상기 제1 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제1 탄성 매트릭스의 길이방향으로 배열되는 다수의 제1 전도성 입자들을 구비하며,
상기 제2 접촉 핀은,
기둥 형태의 제2 탄성 매트릭스와, 상기 제2 탄성 매트릭스의 내부에 상기 제2 탄성 매트릭스의 길이방향으로 배열되는 다수의 제2 전도성 입자들을 구비하며,
상기 제1 접촉 핀은,
상기 제1 전도성 입자들이 상기 제1 접촉 핀의 길이방향을 따라서 배열되며, 상기 제1 관통 구멍의 내벽과 접촉하지 않는 기둥부와,
일단은 상기 기둥부의 외측면과 연결되고, 타단은 상기 제1 관통 구멍의 내벽과 접촉하도록 상기 제1 전도성 입자들이 배열되는 적어도 하나의 연장부를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓. - 제1항에 있어서,
상기 제1 접촉 핀의 양단부 중에서 적어도 하나는 상기 전도성 플레이트의 외측으로 돌출된 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓. - 제1항에 있어서,
상기 제2 접촉 핀의 양단부 중에서 적어도 하나는 상기 전도성 플레이트의 외측으로 돌출된 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 연장부는 상기 단자에서 멀어질수록 상기 제1 관통 구멍의 내벽과 멀어지도록 경사진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓. - 제1항에 있어서,
상기 연장부는 상기 제1 접촉 핀의 중심부에 배치되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓. - 제1항에 있어서,
상기 연장부는 상기 제1 접촉 핀의 양단부 중 적어도 하나의 단부 측에 배치되는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓. - 제1항에 있어서,
상기 전도성 플레이트는 비자성인 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓. - 제8항에 있어서,
상기 전도성 플레이트는 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓. - 제1항에 있어서,
상기 전도성 플레이트는 적층된 복수의 서브 플레이트들을 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓. - 제1항에 있어서,
상기 절연성 지지부, 상기 제1 탄성 매트릭스, 상기 제2 탄성 매트릭스는 동일한 소재로 이루어진 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓. - 제11항에 있어서,
상기 절연 지지부, 상기 제1 탄성 매트릭스, 상기 제2 탄성 매트릭스는 실리콘계 수지 또는 폴리테트라플루오로에틸렌(Polytetrafluoroethylene, PTFE)계 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓. - 제1항에 있어서,
상기 단자들이 상기 전도성 플레이트의 상기 제2 면과 접촉하는 것을 방지하도록, 상기 전도성 플레이트의 상기 제2 면에 부착되며, 상기 제1 관통 구멍 및 상기 제2 관통 구멍에 대응하는 위치에 제2 개구들이 형성된 제2 절연성 필름 더 포함하는 것을 특징으로 하는 신호 손실 방지용 테스트 소켓.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020230000037A KR102525559B1 (ko) | 2023-01-02 | 2023-01-02 | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 |
PCT/KR2023/019519 WO2024147491A1 (ko) | 2023-01-02 | 2023-11-30 | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 |
TW112150916A TW202429085A (zh) | 2023-01-02 | 2023-12-27 | 訊號損失防止用測試座 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020230000037A KR102525559B1 (ko) | 2023-01-02 | 2023-01-02 | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR102525559B1 true KR102525559B1 (ko) | 2023-04-25 |
KR102525559B9 KR102525559B9 (ko) | 2023-08-04 |
Family
ID=86101963
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020230000037A KR102525559B1 (ko) | 2023-01-02 | 2023-01-02 | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102525559B1 (ko) |
TW (1) | TW202429085A (ko) |
WO (1) | WO2024147491A1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024147491A1 (ko) * | 2023-01-02 | 2024-07-11 | 주식회사 새한마이크로텍 | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 |
Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100375117B1 (ko) | 1998-12-30 | 2003-08-19 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 위치 결정부를 구비한 이방 도전성 시트_ |
JP2004296301A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Enplas Corp | コンタクトユニット |
KR20090006326A (ko) | 2007-07-11 | 2009-01-15 | 주식회사 포스코 | 강판 코팅용액의 이물 처리장치 |
KR20100037431A (ko) * | 2008-10-01 | 2010-04-09 | (주)리뉴젠 | 고주파수용 반도체 테스트 소켓 |
KR20110125185A (ko) * | 2010-05-12 | 2011-11-18 | 박광엽 | 반도체 칩 패키지의 성능 테스트를 위한 테스트 소켓용 신호검출 핀 |
KR20130102473A (ko) * | 2012-03-07 | 2013-09-17 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 소켓, 소켓보드, 전자부품 시험장치 |
KR101682230B1 (ko) * | 2015-08-04 | 2016-12-02 | 주식회사 아이에스시 | 테스트용 소켓 |
KR20170066981A (ko) | 2015-12-07 | 2017-06-15 | 주식회사 아이에스시 | 테스트용 소켓 및 테스트용 소켓 제조 방법 |
KR102133675B1 (ko) | 2019-07-03 | 2020-07-13 | 주식회사 새한마이크로텍 | 테스트용 소켓 |
KR20200111025A (ko) * | 2019-03-18 | 2020-09-28 | 주식회사 아이에스시 | 테스트 소켓 |
KR20200137625A (ko) * | 2019-05-31 | 2020-12-09 | 주식회사 이노글로벌 | 테스트 소켓 및 이의 제조방법 |
KR102211358B1 (ko) * | 2020-03-19 | 2021-02-03 | (주)티에스이 | 테스트 소켓 및 이를 포함하는 테스트 장치와, 테스트 소켓의 제조방법 |
KR102359547B1 (ko) * | 2020-09-25 | 2022-02-08 | (주)티에스이 | 테스트 소켓 및 이를 포함하는 테스트 장치 |
KR102357723B1 (ko) | 2021-09-15 | 2022-02-08 | (주)새한마이크로텍 | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102525559B1 (ko) * | 2023-01-02 | 2023-04-25 | (주)새한마이크로텍 | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 |
-
2023
- 2023-01-02 KR KR1020230000037A patent/KR102525559B1/ko active IP Right Grant
- 2023-11-30 WO PCT/KR2023/019519 patent/WO2024147491A1/ko unknown
- 2023-12-27 TW TW112150916A patent/TW202429085A/zh unknown
Patent Citations (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100375117B1 (ko) | 1998-12-30 | 2003-08-19 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 위치 결정부를 구비한 이방 도전성 시트_ |
JP2004296301A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-10-21 | Enplas Corp | コンタクトユニット |
KR20090006326A (ko) | 2007-07-11 | 2009-01-15 | 주식회사 포스코 | 강판 코팅용액의 이물 처리장치 |
KR20100037431A (ko) * | 2008-10-01 | 2010-04-09 | (주)리뉴젠 | 고주파수용 반도체 테스트 소켓 |
KR20110125185A (ko) * | 2010-05-12 | 2011-11-18 | 박광엽 | 반도체 칩 패키지의 성능 테스트를 위한 테스트 소켓용 신호검출 핀 |
KR20130102473A (ko) * | 2012-03-07 | 2013-09-17 | 가부시키가이샤 아드반테스트 | 소켓, 소켓보드, 전자부품 시험장치 |
KR101682230B1 (ko) * | 2015-08-04 | 2016-12-02 | 주식회사 아이에스시 | 테스트용 소켓 |
KR20170066981A (ko) | 2015-12-07 | 2017-06-15 | 주식회사 아이에스시 | 테스트용 소켓 및 테스트용 소켓 제조 방법 |
KR20200111025A (ko) * | 2019-03-18 | 2020-09-28 | 주식회사 아이에스시 | 테스트 소켓 |
KR20200137625A (ko) * | 2019-05-31 | 2020-12-09 | 주식회사 이노글로벌 | 테스트 소켓 및 이의 제조방법 |
KR102133675B1 (ko) | 2019-07-03 | 2020-07-13 | 주식회사 새한마이크로텍 | 테스트용 소켓 |
KR102211358B1 (ko) * | 2020-03-19 | 2021-02-03 | (주)티에스이 | 테스트 소켓 및 이를 포함하는 테스트 장치와, 테스트 소켓의 제조방법 |
KR102359547B1 (ko) * | 2020-09-25 | 2022-02-08 | (주)티에스이 | 테스트 소켓 및 이를 포함하는 테스트 장치 |
KR102357723B1 (ko) | 2021-09-15 | 2022-02-08 | (주)새한마이크로텍 | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024147491A1 (ko) * | 2023-01-02 | 2024-07-11 | 주식회사 새한마이크로텍 | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202429085A (zh) | 2024-07-16 |
WO2024147491A1 (ko) | 2024-07-11 |
KR102525559B9 (ko) | 2023-08-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20040012383A1 (en) | Electric resistance measuring connector and measuring device and measuring method for circuit board electric resistance | |
KR102002694B1 (ko) | 전도성 접촉부 및 이를 포함하는 이방 전도성 시트 | |
KR102357723B1 (ko) | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 | |
KR102389136B1 (ko) | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 | |
KR102133675B1 (ko) | 테스트용 소켓 | |
KR102525559B1 (ko) | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 | |
KR102271503B1 (ko) | 신호 전송 커넥터 | |
KR101973609B1 (ko) | 정형 및 비정형의 도전성 입자가 혼재된 도전부를 구비하는 반도체 검사용 러버소켓 | |
TWI778778B (zh) | 測試插座及包括其的測試設備 | |
KR102153221B1 (ko) | 이방 전도성 시트 | |
KR101614472B1 (ko) | 검사용 커넥터 | |
CN115699466A (zh) | 用于电连接的连接器 | |
KR102063762B1 (ko) | Bga 타입 전자부품 연결용 커넥터 및 그 제조방법 | |
KR20210014051A (ko) | 이방 전도성 시트 | |
TWI750030B (zh) | 電連接用連接器 | |
KR102463229B1 (ko) | 고주파 특성이 향상된 이방 전도성 시트 | |
KR102046283B1 (ko) | 이방 전도성 시트 | |
KR102004501B1 (ko) | 이방 전도성 시트 | |
TWI852224B (zh) | 訊號損失防止測試座 | |
KR102707994B1 (ko) | 신호 손실 방지용 테스트 소켓 | |
JP2002107408A (ja) | Bga用高周波ソケット | |
KR20200111538A (ko) | 도전성 입자 및 이를 포함하는 전기접속용 커넥터 | |
KR102661984B1 (ko) | 신호 전송 커넥터 | |
KR102388678B1 (ko) | 검사용 소켓 | |
KR102556867B1 (ko) | 전기접속용 커넥터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
G170 | Re-publication after modification of scope of protection [patent] |