TWI807889B

TWI807889B - 電連接用連接器

Info

Publication number: TWI807889B
Application number: TW111124217A
Authority: TW
Inventors: 鄭永倍; 李柄周; 金彦中; 金奎炫; 池周鉉
Original assignee: 南韓商Ｉｓｃ股份有限公司
Priority date: 2021-07-01
Filing date: 2022-06-29
Publication date: 2023-07-01
Also published as: KR20230005530A; TW202308243A; KR102626152B1; WO2023277442A1

Abstract

本發明提供電連接用連接器，配置在檢查裝置與受檢設備之間。連接器包括信號導電部、接地導電部及框架部。信號導電部包括傳輸部和絕緣部。傳輸部由可導電接觸的多個第一導電粒子組成。絕緣部以包圍傳輸部的方式與傳輸部形成為一體，其水準方向上的厚度大於傳輸部的最大寬度。框架部使上述信號導電部和上述接地導電部沿著上下方向維持，沿著水準方向隔開，包括沿著上下方向交替層疊的金屬框架層和絕緣框架層。

Description

電連接用連接器

本發明涉及用於電連接檢查裝置與受檢設備的連接器。

為了檢查受檢設備的工作特性，在所屬技術領域中使用用於電連接受檢設備與檢查裝置的連接器。作為這種連接器已知有彈簧針片、導電橡膠片等。導電橡膠片包括：多個導電部，分別由多個金屬粒子沿著上下方向聚集而成；以及框架，由用於維持多個導電部的矽橡膠製成。

用於移動通信設備的半導體設備需檢查射頻(RF，radio frequency)特性。但由於，導電橡膠片因其較薄厚度而具備比彈簧針片更加優秀的射頻特性，因此，導電橡膠片用於半導體設備的射頻檢查。作為一例，日本公開專利公報特開2004-335450號公開了可回應高頻信號的導電連接器。

現有技術文獻

日本公開專利公報特開2004-335450號

現有的導電橡膠片具有無法充分抑制高頻射頻相關雜訊且損失大量信號的局限性。因此，現有的導電橡膠片難以有效用於40GHz以上的高頻射頻檢查。並且，現有的導電橡膠片無法具備與受檢設備的阻抗及檢查裝置的阻抗相匹配的阻抗。若用於檢查的導電橡膠片所表現的阻抗未匹配於受檢設備及檢查裝置的阻抗，則因在導電橡膠片產生信號反射而損失大量信號。由於現有的導電橡膠片表現出無法匹配的阻抗，因此，不可避免地具有不合格的射頻特性。

並且，作為高頻射頻相關雜訊遮罩層的金屬框架為厚金屬層，因此，存在難以將用於收容信號導電部的貫通孔加工成精密規格的問題。

為此，本公開的目的在於，提供防止產生信號干擾或雜訊並適用於高頻射頻檢查的電連接用連接器。本公開的一實施例提供的電連接用連接器具有與受檢設備的阻抗及檢查裝置的阻抗相匹配的阻抗，而且防止產生因阻抗不匹配而引起信號損失。

本發明一實施例的電連接用連接器包括：至少一個信號導電部，包括傳輸部及絕緣部，上述傳輸部由多個第一導電粒子組成，上述絕緣部以在水準方向上包圍上述傳輸部的方式與上述傳輸部形成為一體；至少一個接地導電部，沿著上述水準方向與上述信號導電部隔開配置；以及框架部，使上述信號導電部和上述接地導電部沿著上下方向維持並沿著上述水準方向隔開，與上述接地導電部實現電連接，上述框架部包括沿著上下方向交替層疊的金屬框架層和絕緣框架層。

上述金屬框架層及上述絕緣框架層分別包括：第一貫通孔，用於收容上述信號導電部；以及第二貫通孔，用於收容上述接地導電部，上述框架部的最上側框架層包括直徑大於上述第二貫通孔的直徑的第三貫通孔。

上述接地導電部包括：第二導電粒子；以及彈性物質，用於維持上述第二導電粒子。

本發明一實施例的電連接用連接器還包括接地端子保護部，位於上述第三貫通孔並包圍接地導電部。

接地端子保護部呈圓環狀，當從平面上觀察時，由隔開規定間隔的兩個以上絕緣片組成。

第二導電粒子和彈性物質可填充在絕緣片之間的空間。

金屬框架層可包括：金屬板；以及高導電性金屬膜，塗敷或鍍敷在上述金屬板的表面。高導電性金屬膜由金(Au)、銀(Ag)及銅(Cu)中的至少一種製成。

上述最上側框架層的第三貫通孔呈倒錐狀，內徑從上端朝向下端逐漸減少，上述接地端子保護部以與上述第三貫通孔相對應的方式使外徑從上端朝向下端逐漸減少。

上述金屬框架層和上述絕緣框架層分別包括用於收容上述信號導電部的第一貫通孔，上述金屬框架層及上述絕緣框架層中的一部分包括用於收容上述接地導電部的第二貫通孔，形成有沿著上述上下方向隔開的第一槽及第二槽，上述接地導電部包括：上側接地導電部，位於上述第一槽；以及下側接地導電部，位於上述第二槽。

上述金屬框架層及上述絕緣框架層中的另一部分不包括用於收容上述接地導電部的第二貫通孔，與上述上側接地導電部和上述下側接地導電部的一端相接觸。

根據本公開的一實施例，信號導電部包括：傳輸部；以及絕緣部，以包圍傳輸部的方式與傳輸部形成為一體，信號導電部針對實現電連接的接地導電部及框架部進行絕緣。由此，可通過顯著減少接地導電部和框架部的信號干擾或雜訊來防止信號導電部受到信號干擾或雜訊的影響。並且，根據本公開的一實施例，傳輸部和絕緣部以特定範圍的比例形成在信號導電部，使得阻抗與受檢設備的阻抗及檢查裝置的阻抗相匹配。因此，一實施例的連接器不僅可防止產生因阻抗不匹配而導致的信號損失，而且可有效用於高頻射頻檢查。

並且，根據本公開的一實施例，框架部由分割層疊方式製成，由此，不僅可提高用於定位信號導電部和接地導電部的貫通孔的精度，而且可自由選擇連接器的整體厚度，因此，可通過變更設計來製造多種結構的連接器。

並且，根據本公開的一實施例，可通過在金屬框架層之間層疊絕緣框架層來提高連接器的彈力。

10:檢查裝置

11:檢查電路

12:信號端子

13:接地端子

20:受檢設備

21:信號端子

22:接地端子

30:測試插口

100:連接器

110:信號導電部

111:傳輸部

112:絕緣部

113:第一導電粒子

114:上端部

115:下端部

116:氣孔

120:接地導電部

121:上側接地導電部

122:下側接地導電部

123:第二導電粒子

124:彈性物質(絕緣物質)

125:上端部

126:下端部

130:金屬框架部(框架部)

131:金屬框架層

132:第一貫通孔

133:第一槽

134:第二槽

135:第二貫通孔

136:第三貫通孔

137:絕緣環(接地端子保護部)

138:絕緣框架層

139:金屬膜

C:傳輸部的中心軸

W:傳輸部的最大寬度

T:絕緣部的厚度

D1:信號導電部的直徑(內徑)

D2:外徑

HD:水準方向

VD:上下方向

第1圖為簡要示出一實施例的連接器適用例的剖視圖。

第2圖為示出本發明第一實施例的連接器的一部分的剖視圖。

第3圖為示出本發明第一實施例的連接器的一部分的俯視圖。

第4圖為示出本發明第一實施例的連接器的一部分的剖視立體圖。

第5圖為示出本發明第二實施例的連接器的剖視圖。

第6圖為示出本發明第三實施例的連接器的剖視圖。

第7圖為示出本發明第四實施例的連接器的剖視圖。

第8圖為示出本發明第五實施例的連接器的剖視圖。

第9圖為簡要示出本發明第三實施例的連接器製造一例的剖視圖。

本公開的實施例是以說明本公開的技術思想為目的進行例示的。本公開的保護範圍並不限定於以下公開的實施例或實施例的具體說明。

除非另有定義，否則在本公開中所使用的所有技術術語及科學術語具有本公開所屬技術領域的普通技術人員通常所理解的含義。在本公開中使用的所有術語用於進一步明確說明本公開，並非用於限制本公開的保護範圍。

除非在包括以下表達方式的句子或文章中另有說明，否則在本公開中所使用的「包括」、「設置」、「具有」等表達方式應以開放性術語(open-ended terms)加以理解，具有包括其他實施例的可能性。

除非另有定義，否則在本公開中所記述的單數的表達可包括複數的含義，這也同樣適用於在申請專利範圍中所記載的單數的表達。

在本公開中所使用的「第一」、「第二」等表達方式用於相互區分多個結構要素，並不限定相應結構要素的順序或重要性。

在本公開中，當表示某結構要素與其他結構要素「相連接」或「相結合」時，應當理解為上述某結構要素可直接連接或結合在上述另一結構要素，或者，以新的其他結構要素為介質相連接或相結合。

在本公開中所使用的方向指示語「上方」是指連接器相對於檢查裝置所處的方向，而方向指示語「下方」是指與上方相反的方向。並且，在本公開中所使用的方向指示語「上下方向」包括上方方向和下方方向，不應以上方方向和下方方向中的特定一個方向加以理解。

以下，參照附圖所示出的例說明實施例。

在附圖中，對於相同或相對應的結構要素賦予了相同的附圖標記。並且，在說明以下實施例的過程中，可省略對於相同或相對應的結構要素的說明。但是，即使省略了對於有關結構要素的記述，也並不意味著這種結構要素不屬於某實施例。

以下說明的實施例和附圖所示出的例涉及用於電連接兩個電子設備的連接器。在實施例的連接器的適用例中，上述兩個電子設備中的一個可以為檢查裝置，上述兩個電子設備中的另一個可以為由檢查裝置進行檢查的受檢設備。因此，當進行受檢設備的電檢查時，實施例的連接器可用於檢查裝置與受檢設備之間的電連接。作為一例，在半導體設備的製造工序中的後段工序中，實施例的連接器可用於半導體設備的最終電檢查。但是，適用實施例連接器進行檢查的例並不限定於上述檢查。

第1圖示出第一實施例的連接器的適用例，為了便於理解實施例，第1圖簡要示出了連接器、檢查裝置及受檢設備。

第一實施例的連接器100為片(sheet)形狀的結構物，配置在檢查裝置10與受檢設備20之間。作為一例，連接器100可通過測試插口30設置在檢查裝置10上。測試插口30能夠以可裝拆的方式安裝在檢查裝置10。測試插口30用於在其內部收容通過手動或搬運裝置搬運到檢查裝置10的受檢設備20，使得受檢設備20對準連接器100。當檢查受檢設備20時，連接器100沿著上下方向VD與檢查裝置10和受檢設備20相接觸，使得檢查裝置10與受檢設備20實現電連接。

受檢設備20可以為用樹脂材料將半導體積體電路(IC)晶片和多個端子封裝成六面體形狀的半導體設備。作為一例，受檢設備20可以為用於移動通信設備的半導體設備，但並不限定於此。在受檢設備20的下側形成有半球形的多個端子。受檢設備20的多個上述端子可包括信號端子21和接地端子22。

檢查裝置10可檢查受檢設備20的各種工作特性。檢查裝置10可包括執行檢查的板，上述板可包括用於檢查受檢設備的檢查電路11。並且，檢查電路11具有通過連接器100與受檢設備的端子21、22實現電連接的多個端子。檢查裝置10的上述端子可包括：信號端子12，用於發送測試信號並接收回應信號；以及接地端子13，位於信號端子12的周圍。

受檢設備20的信號端子21通過連接器100實現與檢查裝置10的信號端子12的電連接，受檢設備20的接地端子22通過連接器100與實現檢查裝置10的接地端子13的電連接。當檢查受檢設備時，連接器100使得受檢設備的各個端子21、22與對應其的檢查裝置的各個端子12、13沿著上下方向VD實現電連接，由此，連接器100通過檢查裝置10執行受檢設備20的檢查。作為一例，連接器100可配置在受檢設備20與檢查裝置10之間，以便檢查受檢設備20的高頻射頻。

參照第1圖，連接器100包括至少一個信號導電部110、至少一個接地導電部120、框架部130。

信號導電部110沿著上下方向VD延伸，可實現上下方向VD的導電。

信號導電部110在其上端與受檢設備的信號端子21相接觸，在其下端與檢查裝置的信號端子12相接觸。由此，在對應於一個信號導電部110的信號端子12與信號端子21之間以信號導電部110為介質形成上下方向的導電路徑。檢查裝置的測試信號可通過信號導電部110從信號端子12向受檢設備20的信號端子21傳輸，受檢設備20的回應信號可通過信號導電部110從信號端子21向檢查裝置10的信號端子12傳輸。

信號導電部110的上端從框架部130的上表面向上突出，信號導電部110的下端從框架部130的下表面向下突出。

接地導電部120沿著與上下方向VD正交的水準方向HD與信號導電部110隔開配置。

參照第1圖，接地導電部120配置在沿著框架部130的上下方向貫通的貫通孔。

接地導電部120的上端從框架部130的上表面向上突出，接地導電部120的下端從框架部130的下表面向下突出。

框架部130使信號導電部110和接地導電部120沿著上下方向維持並沿著水準方向HD隔開。

信號導電部110與框架部130絕緣，與接地導電部120及框架部130實現電連接。接地導電部120的上端從框架部130的上表面向上突出，接地導電部120的下端從框架部130的下表面向下突出。接地導電部120與框架部130實現電連接。

以下，參照第2圖至第4圖所示的例說明第一實施例的連接器。雖然，第2圖至第4圖簡要示出了連接器的結構要素的形狀、配置及排列，但是，這僅為用於理解實施例而選擇的示例。第2圖為示出第一實施例的連接器的一部分的剖視圖，第3圖為示出第一實施例的連接器的一部分的俯視圖，第4圖為示出第一實施例的連接器的一部分的剖視立體圖。

在連接器100中，信號導電部110用於在檢查裝置與受檢設備之間執行上下方向VD的信號傳輸。信號導電部110可具有沿著上下方向VD延伸的圓柱形狀。信號導電部110包括：傳輸部111，用於執行信號傳輸；以及絕緣部112，使得傳輸部111沿著水準方向HD與金屬框架部130絕緣。

參照第2圖，信號導電部110以相同直徑沿著上下方向VD形成在框架部130內。

作為再一實施例，雖未圖示，但信號導電部110可具有朝向框架部130的中心部逐漸變大的直徑。

傳輸部111由多個第一導電粒子113組成，多個上述第一導電粒子113沿著上下方向VD聚集並沿著上下方向VD以能夠導電的方式接觸配置。沿著上下方向VD以能夠導電的方式接觸的多個第一導電粒子113可在信號導電部110內執行上下方向VD的信號傳輸。

第一導電粒子113可以為由高導電性金屬材料形成的粒子。作為一例，上述高導電性金屬材料可以為金屬，但並不限定於此。或者，第一導電粒子113也可在由具備彈性的樹脂材料或金屬材料製成的芯粒子塗敷上述高導電性金屬材料來形成。

作為具體一例，第一導電粒子113可通過如下方式形成，即，將鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)等具備磁性的金屬粒子或它們的合金粒子或含有這些金屬的粒子作為芯粒子在相應芯粒子的表面塗敷金、銀、鈀、銠等導電性優秀的金屬，或者，將非磁性金屬粒子或玻璃珠等無機物質粒子或聚合物粒子作為芯粒子在相應芯粒子的表面塗敷鎳、鈷等導電磁體，或者，在芯粒子均塗敷導電磁體及導電性優秀的金屬等。

並且，雖未圖示，但傳輸部111可由一個以上的導電線或多個碳納米管組成，上述導電線沿著上下方向VD聚集並沿著上下方向VD以能夠導電的方式接觸配置。

絕緣部112由彈性絕緣物質製成，具有沿著上下方向VD延伸的圓筒狀。

絕緣部112可具有與金屬框架部130的高度相同的高度。並且，雖未圖示，但不同於第2圖，絕緣部112具有與傳輸部111相同的高度，可從框架部130的上表面或下表面突出形成。因此，絕緣部112的高度可小於或等於傳輸部111的高度。

構成絕緣部112的彈性絕緣物質包括電容量相對較低的絕緣物質。作為一例，構成絕緣部112的彈性絕緣物質可以為矽橡膠、特氟龍等絕緣物質，但並不限定於此。絕緣部112與傳輸部111形成為一體，從而構成信號導電部110。絕緣部112可在水準方向HD包圍傳輸部111。

由於傳輸部111與絕緣部112形成為一體，因此，形成絕緣部112的彈性絕緣物質可填充在第一導電粒子113之間。

即，絕緣部112使得多個第一導電粒子113維持傳輸部111的形狀，絕緣部112可以與填充在多個第一導電粒子113之間的彈性絕緣物質形成為一體。因此，絕緣部112沿著上下方向VD和水準方向HD向信號導電部110賦予彈性。與框架部130相接觸的信號導電部110的部位因框架部130而難以彈性變形。

然而，信號導電部110的傳輸部111可包括：上端部114，從框架部130的上表面向上突出；以及下端部115，從框架部130的下表面向下突出。

因此，上端部114和下端部115為信號導電部110的傳輸部111的一部分。參照第2圖，上端部114的上端包括傳輸部111的上端，下端部115的下端包括傳輸部111的下端。信號導電部的上端部114和下端部115可通過上端部114和下端部115所包括的第一導電粒子113之間的彈性絕緣物質來實現上下方向VD和水準方向HD的彈性變形。例如，當信號導電部110被受檢設備的信號端子21(參照第1圖)向下按壓時，上端部114和下端部115可沿著水準方向HD彈性變形。

若從連接器去除受檢設備，則上端部114和下端部115可被彈性復原。

不同於第2圖，信號導電部110的傳輸部111和絕緣部112可從金屬框架部130的下表面向下突出。

包圍傳輸部111的絕緣部112具有規定厚度，由此，從框架部130有效絕緣傳輸部111，並且，可實現沒有信號損失的信號傳輸。水準方向HD上的傳輸部111兩端之間的最大距離可被定義為傳輸部111的最大寬度W。作為一例，上述兩端之間的最大距離是指在與傳輸部111的中心軸C正交的水準方向HD上相距最遠的第一導電粒子之間的距離。絕緣部112沿著相對於傳輸部111的中心軸C的半徑方向(即，水準方向HD)具有厚度T。絕緣部112的厚度T與傳輸部111的最大寬度W的比(W/T)為0.5至3。

由此，信號導電部110具有同軸(coaxial)結構，絕緣部112的中心軸可以與傳輸部111的中心軸C相同。

接地導電部120位於信號導電部110的周圍，可通過框架部130沿著水準方向HD與信號導電部110隔開。

傳輸部111因信號導電部110的絕緣部112而不會與接地導電部120及框架部130發生短路。

如第2圖至第4圖所示，多個接地導電部120可沿著水準方向HD與一個信號導電部110隔開配置。如第3圖所示，在因框架部130而沿著水準方向HD與一個信號導電部110隔開的狀態下，多個接地導電部120可配置在一個信號導電部110的周圍。

第3圖所示的信號導電部110和多個接地導電部120的平面配置僅為示例，並不限定於第3圖所示的平面配置。信號導電部110和接地導電部120的平面配置可基於受檢設備的多個端子相關平面配置而變得不同。例如，至少一個或多個接地導電部120可沿著水準方向與信號導電部110隔開配置，多個接地導電部120之間的間隔也可不同。並且，由多個接地導電部120分別組成的多個組也可沿著水準方向與一個信號導電部110或多個信號導電部110隔開配置。並且，多個信號導電部110也可組成一個組，多個接地導電部120也可沿著水準方向與上述組隔開並配置在上述組的周圍。

接地導電部120可導電。

並且，接地導電部120與框架部130實現電連接。由此，接地導電部120和金屬框架部130相互發生短路，並且，可用作一個短路部件。由此，接地導電部120與框架部130實現電連接。

接地導電部120包括：多個第二導電粒子123，以能夠導電的方式沿著上下方向VD聚集而接觸；彈性物質124，沿著上下方向VD維持多個第二導電粒子123。

在第二導電粒子123之間，彈性物質124被固化並維持第二導電粒子123。彈性物質124可具有絕緣性，也可具有導電性。作為一例，彈性物質124可包括彈性絕緣物質，用於形成信號導電部110的絕緣部112，但並不限定於此。

接地導電部120包括：上端部125，從框架部130的上表面向上突出；以及下端部126，從框架部130的下表面向下突出。上端部125的突出高度可以與信號導電部的上端部114的突出高度相同，下端部126的突出高度可以與信號導電部的下端部115的突出高度相同。

當檢查受檢設備時，可通過接地導電部120的上端部125和下端部126來使得接地導電部120彈性變形及彈性復原。

框架部130可以為扁平體，可由不銹鋼或鋁等金屬材料製成。框架部130使得信號導電部110與接地導電部120相互隔開。框架部130可以與接地導電部120實現電連接，與接地導電部120發生短路。

框架部130與安裝在檢查裝置的板的測試插口引導件相連接，可向外部接地。若金屬框架部130通過測試插口引導件向外部接地，則可通過連接器100的測試插口引導件擴張接地範圍來進一步改善射頻特性。

參照第2圖，框架部130包括交替層疊的金屬框架層131和絕緣框架層138。例如，金屬框架層131和絕緣框架層138可以為3層至10層。金屬框架層131和絕緣框架層138可通過粘結劑相結合。

框架部130的最上層及最下端框架層可以為金屬框架層131，但並不限定於此，也可以為絕緣框架層138。

例如，金屬框架層131可以為由不銹鋼、鋁等金屬材料製成的金屬板。並且，各個金屬框架層131可包括在金屬板的表面蒸鍍或鍍敷有金、銀、銅等的高導電性金屬膜。相比於僅由不銹鋼或鋁金屬板本體製成的金屬框架層，塗敷或鍍敷有高導電性金屬粒子的金屬框架層的電磁波遮罩性更加優秀。

各個金屬框架層131在上下方向VD上的相同位置形成有用於收容第一導電部111的第一貫通孔132。

金屬框架層131的第一貫通孔132分別以相同直徑和相同中心排列而成並收容信號導電部110。

並且，各個絕緣框架層138在上下方向VD上的相同位置形成有用於收容第一導電部111的第一貫通孔132。

絕緣框架層138的第一貫通孔132分別以相同直徑和相同中心排列而成並收容信號導電部110。

作為再一實施例，雖未圖示，但金屬框架層131和絕緣框架層138的第一貫通孔132可具有朝向框架部130的中心部逐漸變大的直徑。

絕緣框架層138通過增加連接器的彈力來提高連接器的工作效率，並且，通過分散施加於檢查裝置10及受檢設備20的壓力來防止受檢設備20的端子受損。

絕緣框架層138可由矽材料或聚醯亞胺膜製成。並且，各個絕緣框架層可由不同材料製成。

參照第2圖，為了改善作為傳輸到信號導電部110的射頻信號的電磁波遮罩性能，絕緣框架層138可包括在聚合物膜的表面蒸鍍或鍍敷有金、銀、銅等的高導電性金屬膜139。相比於僅由聚合物本體製成的金屬框架層，塗敷高導電性金屬粒子的金屬框架層的電磁波遮罩性更加優秀。

金屬膜139可通過陽極氧化、濺射或蒸發(evaporation)形成在絕緣框架層138的壁面。

當金屬膜139由鋁製成時，可通過陽極氧化來形成作為非導體的氧化鋁(Al2O3)的絕緣氧化膜。

並且，絕緣框架層138可在上表面和下表面包括金屬膜139。

並且，接地導電部120因與金屬框架層131和絕緣框架層138發生短路而無需遮罩電磁波，因此，絕緣框架層138可在第二貫通孔135的壁面不包括金屬膜。

並且，絕緣框架層138可由與絕緣部112的絕緣物質124相同的材料製成。

信號導電部110因信號導電部的絕緣部112而不會與接地導電部120及金屬框架部130發生短路。

參照第2圖，金屬框架層131和絕緣框架層138分別包括第二貫通孔135，沿著上下方向VD貫通形成並以相同直徑和相同中心排列而成，用於收容接地導電部120。

以下，將省略與第一實施例的連接器重複的內容並以不同點為中心說明第二實施例的連接器。

第5圖為示出第二實施例的連接器的一部分的剖視圖。參照第5圖，接地導電部120形成在分別形成於框架部130的上表面及下表面的槽。由此，接地導電部120的一端位於框架部130的內部。

信號導電部110可被框架部130絕緣，無法與接地導電部120及框架部130實現電連接。接地導電部120的上端從框架部130的上表面向上突出，接地導電部120的下端從框架部130的下表面向下突出。接地導電部120與框架部130實現電連接。

在連接器100中，信號導電部110在檢查裝置與受檢設備之間執行上下方向VD上的信號傳輸。信號導電部110可具有沿著上下方向VD延伸的圓柱狀。信號導電部110包括：傳輸部111，用於執行信號的傳輸；以及絕緣部112，使得傳輸部111沿著水準方向HD與框架部130絕緣。

參照第5圖，信號導電部110沿著上下方向VD具有相同直徑。

作為再一實施例，雖未圖示，但信號導電部110可具有朝向框架部的中心部逐漸變大的直徑。

傳輸部111由多個第一導電粒子113組成，多個上述第一導電粒子113沿著上下方向VD聚集，沿著上下方向VD以能夠導電的方式接觸配置。沿著上下方向VD以能夠導電的方式接觸的多個第一導電粒子113可在信號導電部110內執行上下方向VD上的信號傳輸。

絕緣部112可具有與金屬框架部130的高度相同的高度。並且，雖未圖示，但不同於第5圖，絕緣部112具有與傳輸部111相同的高度，可從框架部130的上表面或下表面突出形成。因此，絕緣部112的高度可小於或等於傳輸部111的高度。

絕緣部112與傳輸部111形成為一體，從而構成信號導電部110。絕緣部112可在水準方向HD上包圍傳輸部111。

由於傳輸部111與絕緣部112形成為一體，因此，形成絕緣部112的上述彈性絕緣物質可填充在多個第一導電粒子 113之間。

即，絕緣部112使得多個第一導電粒子113維持傳輸部111的形狀，絕緣部112可以與填充在多個第一導電粒子113之間的絕緣物質形成為一體。因此，絕緣部112沿著上下方向VD和水準方向HD向信號導電部110賦予彈性。與框架部130相接觸的信號導電部110的部位因框架部130而難以彈性變形。

如第5圖所示，多個接地導電部120可沿著水準方向HD與一個信號導電部110隔開配置。

接地導電部120可導電。

並且，接地導電部120與框架部130實現電連接。由此，接地導電部120和框架部130相互發生短路，並且，可用作一個短路部件。

根據一實施例，各個接地導電部120包括上側接地導電部121和下側接地導電部122。上側接地導電部121和下側接地導電部122可沿著上下方向VD排列而成，被框架部130沿著上下方向VD隔開。上側接地導電部121和下側接地導電部122與框架部130實現電連接。

上側接地導電部121和下側接地導電部122包括：多個第二導電粒子123，以能夠導電的方式沿著上下方向VD聚集接觸；彈性物質124，沿著上下方向VD維持多個第二導電粒子123。

構成上側接地導電部121和下側接地導電部122的第二導電粒子123可以與上述第一導電粒子113相同或不同。由沿著上下方向VD接觸的多個第二導電粒子123形成的組合體在其上端或下端與框架部130相接觸，使得上側接地導電部121及下側接地導電部122與框架部130實現電連接。因此，上側接地導電部121和下側接地導電部122通過框架部130發生短路。

上側接地導電部121包括從框架部130的上表面向上突出的上端部125，下側接地導電部122包括從框架部130的下表面向下突出的下端部126。上端部125的突出高度可以與信號導電部的上端部114的突出高度相同，下端部126的突出高度可以與信號導電部的下端部115的突出高度相同。

當檢查受檢設備時，可通過上側接地導電部121的上端部125和下側接地導電部122的下端部126來使得接地導電部120彈性變形及彈性復原。

框架部130包括交替層疊的金屬框架層131和絕緣框架層138。

框架部130使得信號導電部110與接地導電部120相互隔開。框架部130可以與接地導電部120實現電連接，與接地導電部120發生短路。

絕緣框架層138可包括在聚合物膜的表面蒸鍍或鍍敷有金、銀、銅等的高導電性金屬膜。相比於僅由聚合物本體製成的金屬框架層，塗敷有高導電性金屬粒子的金屬框架層的電磁波遮罩性更加優秀。並且，框架部130包括：第一槽133，從上表面向下凹陷；第二槽134，從下表面向上凹陷。上側接地導電部121形成在第一槽133，下側接地導電部122形成在第二槽134。

由此，參照第5圖，為了形成第一槽133及第二槽134，在金屬框架層131和絕緣框架層138的一部分形成沿著上下方向VD貫通並以相同直徑和相同中心排列而成的第二貫通孔135，在金屬框架層131和絕緣框架層138的另一部分未形成沿著上下方向VD貫通的第二貫通孔135。由此，不形成用於收容接地導電部120的第二貫通孔135，使得金屬框架層131和絕緣框架層138中的另一部分與上側接地導電部121和下側接地導電部122的一端相接觸。

第一槽133與第二槽134沿著上下方向VD隔開。形成在第一槽133的上側接地導電部121通過第一槽133實現與框架部130的電連接，形成在第二槽134的下側接地導電部122通過第二槽134實現與框架部130的電連接。由此，上側接地導電部121和下側接地導電部122可通過框架部130發生短路。

然而，信號導電部110不會因信號導電部110的絕緣部112而與上側接地導電部121、下側接地導電部122及框架部130發生短路。

以下，將省略與第二實施例的連接器重複的內容並以不同點為中心說明第三實施例的連接器。

第6圖為示出第三實施例的連接器的一部分的剖視圖。

參照第6圖，信號導電部110的上端位於與框架部130的上表面相同的平面上，信號導電部110的下端位於與框架部130的下表面相同的平面上，或者，可從金屬框架部130的下表面突出形成。在第6圖中，雖然傳輸部111從框架部130的下表面突出形成，但並不限定於此，傳輸部111也可與絕緣部112一併從框架部130的下表面突出形成。

接地導電部120可具有通過與信號導電部110相同的方式貫通框架部130並沿著上下方向VD延伸的圓柱狀。

接地導電部120的上端位於與框架部130的上表面相同的平面上，接地導電部120的下端可突出位於與框架部130的下表面相同的平面上。

接地導電部120還包括接地端子保護部137，形成在最上側框架層。

框架部130包括交替層疊的金屬框架層131和絕緣框架層138。例如，金屬框架層131和絕緣框架層138可以為3層至10層。

框架部130包括用於收容接地導電部的第二貫通孔135。在此情況下，接地導電部形成為一體，不分為上下側。由此，金屬框架層131和絕緣框架層138分別包括沿著上下方向VD貫通形成並以相同直徑和相同中心排列而成的第二貫通孔135，以便收容接地導電部120。

框架部130的最上側框架層包括第三貫通孔136，大於形成在剩餘金屬框架層131或絕緣框架層138的第二貫通孔135。為了收容接地導電部120和接地端子保護部137，第三貫通孔136與第二貫通孔135具有相同的中心，其直徑大於第二貫通孔135。

並且，雖未圖示，但代替第6圖所示的第三貫通孔136，金屬框架部130的最上側金屬框架層可具有大於形成在剩餘金屬框架層的第二貫通孔135的貫通槽。為了收容接地導電部120和接地端子保護部137，貫通槽與第二貫通孔135具有相同中心，具有大於第二貫通孔135的直徑。在此情況下，貫通槽通過對最上側框架層進行蝕刻或鑽削來形成小於最上側框架層厚度的深度來形成。

參照第6圖，為了改善作為傳輸到信號導電部110的射頻信號的電磁波遮罩性能，絕緣框架層可包括在第一貫通孔132的壁面蒸鍍或鍍敷的金屬膜139。金屬膜139可通過陽極氧化、濺射或蒸發(evaporation)形成在絕緣框架層138的壁面。

並且，絕緣框架層138可包括在上表面和下表面鍍敷或蒸鍍的金屬膜139。

並且，雖未圖示，但以與絕緣框架層138相同的方式，金屬框架層131可包括高導電性金屬膜。

參照第6圖，接地端子保護部137位於第三貫通孔136或貫通槽的相向位置並包圍接地導電部120周圍。

如第3圖所示從平面上觀察第三實施例的連接器時，接地端子保護部137可具有圓環狀。但是，接地端子保護部的形狀並不限定於此，隨著圓環的一部分被切割，可由C字形、「┐」字形或「匚」字形中的一個組成的兩個以上絕緣片組成。當接地端子保護部137的絕緣片隔開規定間隔時，第二導電粒子123和彈性物質124可填充在絕緣片之間的空間。

接地端子保護部137可由與絕緣部112相同的彈性絕緣物質製成，但並不限定於此，可由其他彈性物質製成。

並且，接地端子保護部137可以與位於最上側金屬框架層的下部的絕緣框架層138的上表面相接觸。

接地端子保護部137起到測試插口的引導部件作用，由此，當與受檢設備20的接地端子22相接觸時，可防止接地端子22受損。

參照第6圖，信號導電部110的傳輸部111從框架部130的下表面向下突出。但並不限定於此，也可只有信號導電部110 的傳輸部111從金屬框架部130的下表面向下突出。

以下，將省略與第一實施例至第三實施例的連接器重複的內容並以不同點為中心說明第四實施例的連接器。

第7圖為示出第四實施例的連接器的一部分的剖視圖。

參照第7圖，框架部130包括交替層疊的金屬框架層131和絕緣框架層138。例如，金屬框架層131和絕緣框架層138可以為3層至10層。

框架部130的最上層和最下層可以為金屬框架層131。

框架部130包括用於收容接地導電部的第二貫通孔135。在此情況下，接地導電部120形成為一體，不區分上下側。由此，金屬框架層131和絕緣框架層138分別包括沿著上下方向VD貫通形成並以相同直徑和相同中心排列而成的第二貫通孔135，以便收容接地導電部120。

框架部130的最上側框架層包括第三貫通孔136，具有直徑從上端朝向下端逐漸減小的倒錐狀。這可使得受檢設備20的接地端子輕鬆接觸接地導電部120。

第三貫通孔136的上端大於第二貫通孔135的直徑，下端與第二貫通孔135的直徑相同。

並且，雖未圖示，但代替第6圖所示的第三貫通孔136，框架部130的最上側框架層可具有大於形成在剩餘框架層的第二貫通孔135的貫通槽。為了收容接地導電部120和接地端子保護部137，貫通槽與第二貫通孔135具有相同的中心，具有大於第二貫通孔135的直徑。並且，貫通槽具有內徑朝向下端逐漸減小的倒錐狀。在此情況下，貫通槽通過對最上側框架層進行蝕刻或鑽削來形成小於最上側框架層厚度的深度來形成。參照第7圖，接地端子保護部137具有外徑從上端朝向下端逐漸減小的倒錐狀，包圍接地導電部120周圍並配置在第三貫通孔136或貫通槽(未圖示)。

如第3圖所示從平面上觀察第四實施例的連接器時，接地端子保護部137可具有圓環狀。但是，接地端子保護部的形狀並不限定於此，隨著圓環的一部分被切割，可由C字形、「┐」字形或「匚」字形中的一個組成的兩個以上絕緣片組成。當接地端子保護部137的絕緣片隔開規定間隔時，第二導電粒子123可填充在絕緣片之間的空間。

第8圖為示出本發明第五實施例的連接器的剖視圖。在第8圖所示的連接器中，絕緣部112包括多個氣孔116，多個氣孔116可分佈在整個彈性部112。通過部分消除構成絕緣部112的上述彈性絕緣物質來在絕緣部112內形成氣孔116。相比於未形成有氣孔的絕緣部，由於形成有氣孔116的絕緣部112具備相對較低的電容率，因此，可進一步減少信號導電部110的信號損失。

在成型連接器100的過程中，氣孔116可形成在絕緣部112內。為此，用於成型信號導電部110的上述第一液態材料可包含用於形成絕緣部112的液態狀態的彈性絕緣物質、分散在液態狀態的彈性絕緣物質中的第一導電粒子及液態狀態的彈性絕緣物質所包含的發泡劑。上述發泡劑與液態的彈性絕緣物質產生反應並生成氣體。所生成的氣體將擠壓液態的彈性絕緣物質。由此，隨著所生成的氣體在絕緣部112內部分消除液態的彈性絕緣物質，可在整體絕緣部112形成多個氣孔116。與此不同地，絕緣部112的氣孔也可由液態矽和中空型粒子混合固化而成。

當信號導電部的絕緣部形成有氣孔時，在對上部加壓的情況下，因形成導電部沿著水準方向膨脹的空間而能夠提高連接器的行程並降低絕緣部的電容率，因此，將有利於阻抗匹配。

本發明實施例的連接器可表示與檢查裝置的檢查電路的阻抗和受檢設備的阻抗相匹配的阻抗。由於接地導電部120 和框架部130可用作一個短路部件，因此，框架部130與信號導電部110的傳輸部111之間的距離可對於連接器的阻抗產生影響。為了表現與檢查裝置的阻抗和受檢設備的阻抗相匹配的阻抗，傳輸部111的尺寸和絕緣部112的尺寸可定在特定比例的範圍內。當按照特定比例確定的尺寸形成構成同軸結構的傳輸部111和絕緣部112時，不僅能夠防止因阻抗不匹配而導致的信號損失，而且，可向連接器100賦予與受檢設備和檢查裝置的阻抗相匹配的阻抗。

參照第2圖及第3圖，信號導電部110可具有內徑D1和外徑D2。與此關聯地，信號導電部110的內徑D1可對應於水準方向HD中的傳輸部111的最大寬度W，信號導電部110的外徑D2可對應於水準方向HD中的絕緣部112兩端之間的寬度(或者，框架部130的貫通孔的直徑)。信號導電部的阻抗可取決於傳輸部的直徑(即，內徑D1)和絕緣部的直徑(即，外徑D2)。

內徑D1與外徑D2的比例應以使得一實施例的連接器的阻抗與檢查裝置的檢查電路的阻抗及被檢查裝置檢查的受檢設備的阻抗相匹配的方式確定。可通過內徑D1與外徑D2的比例來確定信號導電部的阻抗值。

作為一例，受檢設備可具有約50歐姆的阻抗，為了檢查這種受檢設備，檢查裝置的檢查電路可具有約50歐姆的阻抗。受檢設備約50歐姆的阻抗及檢查電路約50歐姆的阻抗可以為用於實現沒有信號失真的信號傳輸而確定的阻抗。基於內徑D1與外徑D2的比例調節，一實施例的連接器可表現約50歐姆的阻抗。由此，若一實施例的連接器配置在受檢設備與檢查裝置之間，則連接器的阻抗與受檢設備的阻抗及檢查裝置的阻抗相匹配。因此，一實施例的連接器不僅可防止產生信號反射等信號損失，而且可針對受檢設備實現高可靠性的高頻射頻檢查。

根據一實施例，為了使得信號導電部110應用於多種受檢設備及用於檢查其的檢查裝置，外徑D2可以為內徑D1的1.5倍至5倍。即，內徑D1與外徑D2的比例可定在1：1.5~1：5的範圍內。作為具體一例，當外徑D2為內徑D1的4倍時，即，當內徑D1與外徑D2的比例為1：4時，一實施例的連接器可表現約50歐姆的阻抗。

作為一例，當外徑D2為內徑D1的4倍時，阻抗可通過能夠計算同軸結構相關阻抗的軟體(例如，同軸線計算工具(coaxial line calculator))來確認。在絕緣部112的電容量為2.95、內徑D1為0.1mm、外徑D2為0.4mm的條件下，使用上述軟體計算阻抗。根據在上述條件下計算的結果，可確認到阻抗為約50歐姆。並且，可通過上述計算過程計算出寄生電容(parasitic capacitance)為118.222pF/m，電感為277.259nH/m，相速度為174667km/s，時間延遲為5.719ns/m。

在沒有信號干擾或雜訊且沒有信號損失的前提下，一實施例的連接器實現阻抗匹配的同時能夠實現40GHz以上的高頻射頻檢查。作為一例，具有表示約50歐姆阻抗的信號導電部的一實施例的連接器可覆蓋高頻帶，可有效檢查在高頻帶進行工作的移動通信設備的半導體設備。根據一實施例的連接器，在信號導電部的同軸結構下，由於內徑D1和外徑D2的尺寸被調節，信號導電部未與接地導電部及框架部發生短路，因此，可具備改善的射頻特性。

參照第9圖，針對第三實施例的連接器的製造一例進行說明。第9圖為簡要示出了第三實施例的連接器的製造一例，第9圖所示的結構要素僅用於理解實施例而選擇的示例。

參照第9圖的(a)部分，準備2層至10層的用於製造上述框架部的金屬框架層131和絕緣框架層138，分別在金屬框架層131和絕緣框架層138中要形成信號導電部的位置形成具有相同直徑和相同中心的第一貫通孔132。例如，第一貫通孔132可通過鑽削或鐳射形成。

並且，在金屬框架層131和絕緣框架層138中，第二貫通孔135沿著水準方向HD與第一貫通孔132隔開，以在應形成接地導電部的位置具有相同直徑和相同中心的方式形成。例如，第二貫通孔135可通過鑽削或鐳射形成。

接著，參照第9圖的(a)部分，在絕緣框架層138的第一貫通孔132的壁面鍍敷或蒸鍍金屬膜139。金屬膜139可通過陽極氧化、濺射或蒸發(evaporation)形成在絕緣框架層138的壁面。

當金屬膜由鋁製成時，可通過陽極氧化來形成氧化鋁(Al2O3)的絕緣氧化膜作為非導體。

並且，接地導電部120因與金屬框架層131和絕緣框架層138發生短路而無需遮罩電磁波，因此，絕緣框架層138可在第二貫通孔135的壁面不包括金屬膜139。

參照第9圖的(b)部分，在框架部130的最上側框架層形成大於形成在剩餘金屬框架層131和絕緣框架層138的第二貫通孔135的第三貫通孔136。第三貫通孔136與第二貫通孔135具有相同的中心，其直徑大於第二貫通孔135。

接著，雖未圖示，但為了形成信號導電部110及接地導電部120而將框架部130的最上側框架層放置於具有相同的第一貫通孔及第二貫通孔的模具上。

隨後，向最上側框架層和模具的第一貫通孔注入第一液態材料，向第二貫通孔及第三貫通孔注入第二液態材料。第一液態材料包含用於形成上述信號導電部110的絕緣部112的液態狀態的彈性絕緣物質、分散在這種液態狀態的彈性絕緣物質中的第一導電粒子113。第二液態材料包含構成上述接地導電部120的彈性物質的液態狀態的彈性物質及分散於此的第二導電粒子123。第一液態材料的彈性絕緣物質和第二液態材料的彈性物質可相同。第一導電粒子113和第二導電粒子123可相同。

然後，沿著上下方向VD向注入於模具的第一貫通孔的第一液態材料和注入於第二貫通孔及第三貫通孔的第二液態材料施加磁場。隨著磁場的施加，第一液態材料內的第一導電粒子113在磁場內沿著上下方向VD緊湊聚集並導電接觸，第二液態材料內的第二導電粒子123在磁場內沿著上下方向VD緊湊聚集並導電接觸。

由此，沿著上下方向VD緊湊聚集並接觸的多個第一導電粒子113將形成上述信號導電部的傳輸部。

沿著上下方向VD緊湊聚集並接觸的多個第二導電粒子123可形成接地導電部120。

施加磁場後，通過固化處理針對從第一液態材料中除外第一導電粒子113的液態的彈性絕緣物質進行固化，由此，可形成上述信號導電部110的絕緣部112。

並且，通過固化處理針對第二液態材料中配置在第二導電粒子123之間的液態的彈性物質進行固化來沿著上下方向維持第二導電粒子123。在形成於最上端金屬框架層的第三貫通孔136中，隨著以與第二貫通孔135的直徑相同的方式配置在第二導電粒子123之間的液態的彈性物質被固化，維持第二導電粒子123並形成大於第二貫通孔135直徑的絕緣環137。

接著，參照第9圖的(b)部分，從模具分離與信號導電部110、絕緣環137及接地導電部120相結合的最上側框架層。

參照第9圖的(c)部分，使用粘結劑交替層疊金屬框架層131和絕緣框架層138以使得第一貫通孔132至第三貫通孔136的中心相互一致。

粘結劑可以為導電粘結劑、環氧類及矽類中的一種。

隨後，參照第9圖的(d)部分，向交替層疊的金屬框架層131和絕緣框架層138插入與最上側框架層相結合的信號導電部110及接地導電部120後，使用粘結劑向金屬框架層131或絕緣框架層138粘結最上側框架層來完成連接器。

以上，雖然通過部分實施例和附圖所示的例說明了本公開的技術思想，但應當理解的是，本公開所屬技術領域的普通技術人員可在不脫離本公開的技術思想及範疇內進行多種修改、變形及變更。並且，這種修改、變形及變更均屬於所附的申請專利範圍內。