KR20220159984A - Sheets for manufacturing semiconductor devices - Google Patents

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KR20220159984A
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KR
South Korea
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adhesive
intermediate layer
film adhesive
sheet
film
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Application number
KR1020227032634A
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Korean (ko)
Inventor
와타루 이와야
요스케 사토
Original Assignee
린텍 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제를 구비하고, 상기 기재 상에 상기 점착제층, 상기 중간층, 및 상기 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있으며, 상기 기재, 상기 점착제층, 상기 중간층, 및 필름형 접착제는 동심원 형상으로 배치되어 있고, 상기 중간층의 폭의 최대값은 상기 점착제층의 폭의 최대값 및 상기 기재의 폭의 최대값보다 작으며, 상기 필름형 접착제의 폭의 최대값은 상기 점착제층의 폭의 최대값 및 상기 기재의 폭의 최대값보다 작고, 상기 중간층이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 주성분으로서 함유하며, 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전광선 투과율은 60％ 이하이고, 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전광선 투과율은, 상기 기재 및 상기 점착제층으로 이루어지는 지지 시트의 전광선 투과율 미만인, 반도체 장치 제조용 시트.A substrate, a pressure-sensitive adhesive layer, an intermediate layer, and a film adhesive are provided, and the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, and the film adhesive are laminated in this order on the substrate, and the substrate, the pressure-sensitive adhesive layer, The middle layer and the film adhesive are arranged in a concentric circle shape, the maximum width of the middle layer is smaller than the maximum width of the pressure-sensitive adhesive layer and the maximum width of the substrate, and the width of the film adhesive The maximum value is smaller than the maximum value of the width of the pressure-sensitive adhesive layer and the maximum value of the width of the base material, and the intermediate layer contains, as a main component, a non-silicon-based resin having a weight average molecular weight of 100,000 or less, and is composed of the intermediate layer and the film adhesive. The total light transmittance of one or more types selected from the group is 60% or less, and the total light transmittance of one or more types selected from the group consisting of the intermediate layer and the film adhesive is less than the total light transmittance of the support sheet made of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer, Sheets for manufacturing semiconductor devices.

Description

반도체 장치 제조용 시트Sheets for manufacturing semiconductor devices

본 발명은 반도체 장치 제조용 시트에 관한 것이다. 본원은 2020년 3월 27일에 일본에 출원된 일본 특허출원 2020-058734호에 기초하여 우선권을 주장하고, 이들 내용을 여기에 원용한다.The present invention relates to a sheet for manufacturing a semiconductor device. This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2020-058734 for which it applied to Japan on March 27, 2020, and uses these content here.

반도체 장치의 제조시에는 반도체 칩과, 그 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 사용된다.In manufacturing a semiconductor device, a semiconductor chip formed with a film adhesive having a semiconductor chip and a film adhesive formed on the back surface thereof is used.

필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법의 일 예로는 예를 들면, 이하에 나타내는 것을 들 수 있다.As an example of the manufacturing method of the semiconductor chip with a film adhesive, what is shown below is mentioned, for example.

즉, 우선, 반도체 웨이퍼의 이면에 다이싱 다이 본딩 시트를 첩부한다.That is, first, a dicing die bonding sheet is affixed to the back surface of a semiconductor wafer.

다이싱 다이 본딩 시트로는 예를 들면, 지지 시트와, 상기 지지 시트의 한쪽 면 상에 형성된 필름형 접착제를 구비한 것을 들 수 있고, 지지 시트가 다이싱 시트로서 이용 가능해지고 있다. 지지 시트로는 예를 들면, 기재와, 상기 기재의 한쪽 면 상에 형성된 점착제층을 구비한 것; 기재만으로 이루어지는 것 등, 구성이 상이한 것이 복수종 존재한다. 점착제층을 구비한 지지 시트는 그 점착제층측의 최표면이 필름형 접착제가 형성되는 면이 된다. 다이싱 다이 본딩 시트는 그 중의 필름형 접착제에 의해, 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부된다.Examples of the dicing die-bonding sheet include a support sheet and one provided with a film adhesive formed on one side of the support sheet, and the support sheet is becoming available as a dicing sheet. Examples of the support sheet include those provided with a base material and an adhesive layer formed on one side of the base material; There are multiple types of things having different configurations, such as those composed only of a base material. As for the support sheet provided with the adhesive layer, the outermost surface at the side of the adhesive layer becomes the surface on which the film adhesive is formed. The dicing die bonding sheet is attached to the back surface of the semiconductor wafer with the film adhesive in it.

이어서, 블레이드 다이싱에 의해, 지지 시트 상의 반도체 웨이퍼와 필름형 접착제를 함께 절단한다. 반도체 웨이퍼의 「절단」은 「분할」이라고도 칭해지고, 이에 의해, 반도체 웨이퍼는 목적으로 하는 반도체 칩으로 개편화된다. 필름형 접착제는 반도체 칩의 외주를 따라 절단된다. 이에 의해, 반도체 칩과, 그 이면에 형성된 절단 후의 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 얻어짐과 함께, 지지 시트 상에서, 복수개의 이들 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 정렬된 상태로 유지되어 구성된, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군이 얻어진다.Next, by blade dicing, the semiconductor wafer and film adhesive on the support sheet are cut together. "Cutting" of a semiconductor wafer is also referred to as "division", whereby the semiconductor wafer is divided into target semiconductor chips. The film adhesive is cut along the periphery of the semiconductor chip. While this obtains a semiconductor chip with a film adhesive provided with a semiconductor chip and a film adhesive after cutting formed on its back surface, a semiconductor chip with a plurality of these film adhesives is aligned on a support sheet A semiconductor chip group formed with a film adhesive, which is maintained and configured, is obtained.

이어서, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 지지 시트로부터 분리하여 픽업한다. 경화성 점착제층을 구비한 지지 시트를 사용한 경우에는, 이 때, 점착제층을 경화시켜 점착성을 저하시켜 둠으로써, 픽업이 용이해진다.Next, the semiconductor chip on which the film adhesive is formed is separated from the support sheet and picked up. In the case of using a support sheet with a curable pressure-sensitive adhesive layer, pick-up becomes easy by curing the pressure-sensitive adhesive layer at this time to lower the adhesiveness.

이상에 의해, 반도체 장치의 제조에 사용하는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 얻어진다.By the above, the semiconductor chip with the film adhesive used for manufacture of a semiconductor device is obtained.

필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법의 다른 예로는 예를 들면, 이하에 나타내는 것을 들 수 있다.As another example of the manufacturing method of the semiconductor chip with a film adhesive, what is shown below is mentioned, for example.

즉, 우선, 반도체 웨이퍼의 회로 형성면에 백 그라인드 테이프(「표면 보호 테이프」라고 칭하는 경우도 있다)를 첩부한다.That is, first, back grind tape (sometimes referred to as "surface protection tape") is affixed to the circuit formation surface of the semiconductor wafer.

이어서, 반도체 웨이퍼의 내부에 있어서, 분할 예정 개소를 설정하고, 이 개소에 포함되는 영역을 초점으로 하여, 이 초점에 집속하도록, 레이저광을 조사함으로써, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성한다. 이어서, 그라인더를 이용하여, 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭함으로써, 반도체 웨이퍼의 두께를 목적으로 하는 값으로 조절함과 함께, 이 때의 반도체 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 개질층의 형성 부위에 있어서, 반도체 웨이퍼를 분할(개편화)하여, 복수개의 반도체 칩을 제작한다. 이와 같이 개질층의 형성을 수반하는 반도체 웨이퍼의 분할 방법은, 스텔스 다이싱(등록상표)이라고 불리고 있고, 반도체 웨이퍼에 레이저광을 조사함으로써, 조사 부위의 반도체 웨이퍼를 절삭하면서, 반도체 웨이퍼를 그 표면으로부터 절단해가는 레이저 다이싱과는, 본질적으로 완전히 상이하다.Next, inside the semiconductor wafer, a portion to be divided is set, and a region included in the portion is set as a focal point, and a laser beam is irradiated so as to focus on the focal point, thereby forming a modified layer inside the semiconductor wafer. Then, while adjusting the thickness of the semiconductor wafer to a target value by grinding the back side of the semiconductor wafer using a grinder, forming a modified layer by using the force applied to the semiconductor wafer at the time of grinding at this time In the site, a semiconductor wafer is divided (individualized) to produce a plurality of semiconductor chips. The method of dividing a semiconductor wafer involving formation of a modified layer in this way is called stealth dicing (registered trademark). It is essentially completely different from laser dicing, which cuts from

이어서, 백 그라인드 테이프 상에서 고정화되어 있는 이들 모든 반도체 칩의 상술한 연삭을 행한 이면(다시 말하면, 연삭면)에 1장의 다이 본딩 시트를 첩부한다. 다이 본딩 시트로는, 상기 다이싱 다이 본딩 시트와 동일한 것을 들 수 있다. 다이 본딩 시트는 이와 같이, 반도체 웨이퍼의 다이싱시에는 사용하지 않을 뿐, 다이싱 다이 본딩 시트와 동일한 구성을 갖도록 설계하는 것이 가능한 경우가 있다. 다이 본딩 시트도 그 중의 필름형 접착제에 의해, 반도체 칩의 이면에 첩부된다.Next, one die bonding sheet is affixed to the back surface (in other words, the ground surface) on which all of these semiconductor chips fixed on the back grind tape have undergone the above grinding. As a die bonding sheet, the same thing as the said dicing die bonding sheet is mentioned. In this way, there are cases in which the die bonding sheet can be designed to have the same configuration as that of the dicing die bonding sheet, except that it is not used for dicing of semiconductor wafers. The die-bonding sheet is also attached to the back surface of the semiconductor chip with the film adhesive in it.

이어서, 반도체 칩으로부터 백 그라인드 테이프를 제거한 후, 다이 본딩 시트를 냉각하면서 그 표면(예를 들면, 필름형 접착제의 반도체 칩에 대한 첩부면)에 대해 평행한 방향으로 연신하는, 이른바 익스팬드(쿨 익스팬드)를 행함으로써, 필름형 접착제를 반도체 칩의 외주를 따라 절단한다. Then, after removing the back grind tape from the semiconductor chip, the die bonding sheet is stretched in a direction parallel to the surface (for example, the sticking surface of the film adhesive to the semiconductor chip) while cooling, so-called expand (cool Expand), the film adhesive is cut along the outer periphery of the semiconductor chip.

이상에 의해, 반도체 칩과, 그 이면에 형성된 절단 후의 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 얻어진다.By the above, the semiconductor chip with the film adhesive provided with the semiconductor chip and the film adhesive after cutting formed on the back surface is obtained.

이어서, 상기 블레이드 다이싱을 채용한 경우와 동일하게, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 지지 시트로부터 분리하여 픽업함으로써, 반도체 장치의 제조에 사용하는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 얻어진다.Next, similarly to the case where the blade dicing is employed, the semiconductor chip with the film adhesive used for manufacturing the semiconductor device is obtained by separating and picking up the semiconductor chip with the film adhesive from the support sheet.

다이싱 다이 본딩 시트 및 다이 본딩 시트는 모두, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조를 위해 사용할 수 있고, 최종적으로는, 목적으로 하는 반도체 장치의 제조를 가능하게 한다. 본 명세서에 있어서는, 다이싱 다이 본딩 시트 및 다이 본딩 시트를 포괄하여 「반도체 장치 제조용 시트」라고 칭한다.Both the dicing die-bonding sheet and the die-bonding sheet can be used for production of a semiconductor chip on which a film adhesive is formed, and finally enables production of a target semiconductor device. In this specification, a dicing die-bonding sheet and a die-bonding sheet are collectively referred to as a "semiconductor device manufacturing sheet".

익스팬드에 의해 절단 가능한 필름형 접착제를 구비한 반도체 장치 제조용 시트로는 예를 들면, 기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성된 것이 개시되어 있다(특허문헌 1 참조).As a sheet for manufacturing a semiconductor device provided with a film adhesive that can be cut by expansion, a substrate, a pressure-sensitive adhesive layer, an intermediate layer, and a film adhesive are laminated in this order, and constituted, for example, is disclosed (Patent Document 1). Reference).

특허문헌 1에 기재된 반도체 장치 제조용 시트는 예를 들면, 다음에 나타내는 바와 같은 공정에 의해 제조할 수 있다.The sheet|seat for semiconductor device manufacture described in patent document 1 can be manufactured by the process as shown below, for example.

우선, 기재 및 점착제층이 적층된 구성을 갖는 제1 중간 적층체와, 중간층, 및 필름형 접착제가 적층된 구성을 갖는 제2 중간 적층체를 미리 제작한다.First, a first intermediate laminate having a configuration in which a base material and an adhesive layer are laminated, and a second intermediate laminate having a configuration in which an intermediate layer and a film adhesive are laminated are prepared in advance.

이어서, 제1 중간 적층체 중의 점착제층과, 제2 중간 적층체 중의 중간층을 첩합하여, 반도체 장치 제조용 시트를 제조한다.Next, the adhesive layer in the 1st intermediate|middle laminated body and the intermediate|middle layer in a 2nd intermediate|middle laminated body are bonded together, and the sheet for semiconductor device manufacture is manufactured.

특허문헌 1에 기재된 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법에 있어서는, 반도체 장치 제조용 시트의 각 층을, 센서 등으로 광학적으로 인식하는 것이 요구되고 있었다.In the manufacturing method of the sheet for semiconductor device manufacture described in Patent Literature 1, it has been required to optically recognize each layer of the sheet for semiconductor device manufacture with a sensor or the like.

이에 대해, 특허문헌 2에는, 파장 영역이 290∼450㎚의 범위 내에 있는 광을 흡수 또는 반사시키는 안료를 함유하는 것을 특징으로 하는, 반도체 장치 제조용 접착 시트가 개시되어 있다.In contrast, Patent Document 2 discloses an adhesive sheet for semiconductor device manufacture characterized by containing a pigment that absorbs or reflects light in a wavelength range of 290 to 450 nm.

이 접착 시트를 사용함으로써, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 각 제조 공정 사이에서의 반도체 웨이퍼의 반송시, 반도체 웨이퍼에 첩부되어 있는 접착 시트의 유무를 검지할 수 있다고 되어 있다.It is supposed that by using this adhesive sheet, the presence or absence of the adhesive sheet attached to the semiconductor wafer can be detected during transportation of the semiconductor wafer between each manufacturing step in the manufacturing method of the semiconductor device.

또한, 특허문헌 3에는, 다음에 나타내는 바와 같은, 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법이 기재되어 있다.In addition, Patent Literature 3 describes a manufacturing method of a sheet for semiconductor device manufacturing as shown below.

우선, 이형 필름과 접착제층으로 이루어지는 접착 필름의 접착제층에 소정의 형상(예를 들면, 원형)의 제1 절입을 넣고, 제1 절입의 외측의 불필요한 접착제층 부분을 이형 필름으로부터 박리하며, 이형 필름 상에 소정의 형상의 접착제층이 형성된 접착 필름을 얻는다.First, a first incision of a predetermined shape (for example, circular shape) is put into the adhesive layer of the adhesive film composed of the release film and the adhesive layer, and the unnecessary adhesive layer portion outside the first incision is peeled off from the release film, and the release film is released. An adhesive film in which an adhesive layer having a predetermined shape is formed on the film is obtained.

이어서, 이 접착 필름과, 점착제층과, 기재 필름으로 이루어지는 점착 필름을 접착제층과 점착제층이 접하도록 첩합한다.Next, the adhesive film composed of this adhesive film, the pressure-sensitive adhesive layer, and the base film is bonded so that the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer are in contact with each other.

이어서, 접착 필름의 이형 필름에 형성된 제1 절입의 위치를 인식하여 정렬한 후, 점착 필름에 접착제층의 형상을 둘러싸는 소정의 형상(예를 들면, 원형)의 제2 절입을 넣고, 제2 절입의 외측의 불필요한 점착 필름 부분을 접착 필름(이형 필름)으로부터 박리하여 권취하며, 접착 필름(이형 필름) 상에 소정의 형상의 점착 필름을 형성한다.Then, after recognizing and aligning the position of the first incision formed on the release film of the adhesive film, putting a second incision of a predetermined shape (eg circular) surrounding the shape of the adhesive layer on the adhesive film, The unnecessary adhesive film portion outside the incision is peeled off from the adhesive film (release film) and wound up, and an adhesive film of a predetermined shape is formed on the adhesive film (release film).

특허문헌 3에 기재된 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법에서는, 접착 필름의 이형 필름에 형성된 제1 절입의 깊이를 조정한다.In the manufacturing method of the sheet|seat for semiconductor device manufacture described in patent document 3, the depth of the 1st incision formed in the release film of an adhesive film is adjusted.

이에 의해, 절입부가 있는 위치에 있어서의 투과율과, 절입부가 없는 위치에 있어서의 투과율의 차이를 센서로 검출할 수 있다(즉, 제1 절입의 위치를 인식할 수 있다)고 되어 있다.Thus, it is said that the difference between the transmittance at the position where the cutout is present and the transmittance at the position without the cutout can be detected by the sensor (ie, the position of the first cutout can be recognized).

그 결과, 접착 필름(이형 필름) 상에 소정의 형상의 점착 필름을 형성할 수 있다고 되어 있다.As a result, it is said that an adhesive film of a predetermined shape can be formed on the adhesive film (release film).

국제공개 제2020/179897호International Publication No. 2020/179897 일본 공개특허공보 2009-059917호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2009-059917 일본 공개특허공보 2012-080023호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2012-080023

그러나, 특허문헌 2에 기재된 접착 시트는 안료를 함유하기 때문에, 접착 시트의 신뢰성, 전단 강도가 저하되는 경우가 있었다.However, since the adhesive sheet described in Patent Literature 2 contains a pigment, the reliability and shear strength of the adhesive sheet may decrease.

또한, 특허문헌 3에 기재된 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법에서는, 절입부가 있는 위치에 있어서의 투과율과, 절입부가 없는 위치에 있어서의 투과율의 차이를 센서로 검출할 수 없는 경우가 있었다.Further, in the method for manufacturing a sheet for manufacturing a semiconductor device described in Patent Literature 3, there is a case where a sensor cannot detect a difference between the transmittance at a position where there is a cutout and the transmittance at a position where there is no cutout.

이에, 본 발명에서는, 중간층 또는 필름형 접착제를 센서에 의해 광학적으로 인식할 수 있는, 반도체 장치 제조용 시트를 제공하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a sheet for manufacturing a semiconductor device capable of optically recognizing an intermediate layer or a film adhesive by a sensor.

본 발명은 이하의 양태를 갖는다.The present invention has the following aspects.

(1) 기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제를 구비하고,(1) A base material, an adhesive layer, an intermediate layer, and a film adhesive are provided,

상기 기재 상에 상기 점착제층, 상기 중간층, 및 상기 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있으며, 상기 기재, 상기 점착제층, 상기 중간층, 및 필름형 접착제는 동심원 형상으로 배치되어 있고, 상기 중간층의 폭의 최대값은 상기 점착제층의 폭의 최대값 및 상기 기재의 폭의 최대값보다 작으며, 상기 필름형 접착제의 폭의 최대값은 상기 점착제층의 폭의 최대값 및 상기 기재의 폭의 최대값보다 작고, 상기 중간층이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 주성분으로서 함유하며, 상기 중간층 및 상기 필름형 접착제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전광선 투과율은 60％ 이하이고,The pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, and the film adhesive are laminated in this order on the substrate, and the substrate, the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, and the film adhesive are concentrically arranged, and the intermediate layer The maximum value of the width of is smaller than the maximum value of the width of the pressure-sensitive adhesive layer and the maximum value of the width of the base material, and the maximum value of the width of the film adhesive is the maximum value of the width of the pressure-sensitive adhesive layer and the width of the base material. It is smaller than the maximum value, and the intermediate layer contains, as a main component, a non-silicon-based resin having a weight average molecular weight of 100,000 or less, and a total light transmittance of at least one selected from the group consisting of the intermediate layer and the film adhesive is 60% or less,

상기 중간층 및 상기 필름형 접착제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전광선 투과율은, 상기 기재 및 상기 점착제층으로 이루어지는 지지 시트의 전광선 투과율 미만인, 반도체 장치 제조용 시트.The sheet for manufacturing a semiconductor device, wherein a total light transmittance of at least one kind selected from the group consisting of the intermediate layer and the film adhesive is less than the total light transmittance of the support sheet composed of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer.

(2) 상기 지지 시트의 전광선 투과율은 70％ 이상인, (1)에 기재된 반도체 장치 제조용 시트.(2) The sheet for semiconductor device manufacture according to (1), wherein the support sheet has a total light transmittance of 70% or more.

(3) 상기 중간층의 폭의 최대값 및 상기 필름형 접착제의 폭의 최대값은, 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜인, (1) 또는 (2)에 기재된 반도체 장치 제조용 시트.(3) The semiconductor device according to (1) or (2), wherein the maximum value of the width of the intermediate layer and the maximum value of the width of the film adhesive are 150 to 160 mm, 200 to 210 mm, or 300 to 310 mm. sheet for manufacturing.

(4) 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서, 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광을 조사함으로써, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정과, 상기 개질층을 형성 후의 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭함과 함께, 상기 반도체 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 상기 개질층의 형성 부위에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하고, 복수개의 반도체 칩이 정렬된 상태의 반도체 칩군을 얻는 공정과, (1)∼(3) 중 어느 한 항의 반도체 장치 제조용 시트를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제를, 상기 반도체 칩군 중의 모든 반도체 칩의 이면에 첩부하는 공정과, 상기 반도체 칩에 첩부한 후의 상기 반도체 장치 제조용 시트를 냉각하면서, 그 표면에 대해 평행한 방향으로 연신함으로써, 상기 필름형 접착제를 상기 반도체 칩의 외주를 따라 절단하며, 복수개의 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이, 상기 중간층 상에서 정렬된 상태의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻는 공정과, 상기 중간층으로부터, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 분리하여 픽업하는 공정을 갖는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법.(4) A method for manufacturing a semiconductor chip formed with a film adhesive comprising a semiconductor chip and a film adhesive formed on a back surface of the semiconductor chip, by irradiating a laser beam so as to focus on a focal point set inside a semiconductor wafer, A step of forming a modified layer inside a semiconductor wafer, grinding the back surface of the semiconductor wafer after forming the modified layer, and using the force applied to the semiconductor wafer during grinding, whereby the modified layer is formed In the step of dividing the semiconductor wafer and obtaining a group of semiconductor chips in which a plurality of semiconductor chips are aligned, while heating the sheet for semiconductor device manufacturing according to any one of (1) to (3), the film adhesive therein A step of attaching to the back surface of all the semiconductor chips in the group of semiconductor chips, and cooling the sheet for manufacturing a semiconductor device after being attached to the semiconductor chip by stretching it in a direction parallel to the surface, thereby forming the film adhesive. A step of cutting along the outer periphery of a semiconductor chip and obtaining a group of semiconductor chips formed with a film adhesive in which a plurality of semiconductor chips formed with the film adhesive are aligned on the intermediate layer, and from the intermediate layer, the film adhesive is formed The manufacturing method of the semiconductor chip with film adhesive which has the process of separating and picking up a semiconductor chip.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트의 평면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 3c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 4a는 반도체 칩의 제조 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 4b는 반도체 칩의 제조 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 4c는 반도체 칩의 제조 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.
도 5c는 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a sheet for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a plan view of the sheet for semiconductor device manufacture shown in FIG. 1 .
3A is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a method of using a sheet for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3B is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a method of using a sheet for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
3C is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a method of using a sheet for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
4A is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a method of manufacturing a semiconductor chip.
4B is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a method of manufacturing a semiconductor chip.
4C is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a method of manufacturing a semiconductor chip.
5A is a cross-sectional view for schematically explaining another example of a method of using a sheet for semiconductor device manufacture according to an embodiment of the present invention.
5B is a cross-sectional view for schematically explaining another example of a method of using a sheet for semiconductor device manufacture according to an embodiment of the present invention.
5C is a cross-sectional view for schematically explaining another example of a method of using a sheet for semiconductor device manufacture according to an embodiment of the present invention.

◇반도체 장치 제조용 시트◇Seat for semiconductor device manufacturing

본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트는, 기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제를 구비하고, 기재를 구비하며, 상기 기재 상에 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있고, 상기 중간층이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 주성분으로서 함유한다.A sheet for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes a substrate, a pressure-sensitive adhesive layer, an intermediate layer, and a film adhesive, and includes a substrate, wherein the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, and the film adhesive are formed on the substrate. It is structured by laminating in this order, and the said intermediate|middle layer contains as a main component the non-silicon-type resin whose weight average molecular weight is 100000 or less.

본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트를 다이싱 다이 본딩 시트로서 사용하여 블레이드 다이싱을 행한 경우에는, 상기 반도체 장치 제조용 시트가 상기 중간층을 구비함으로써, 블레이드가 기재에 도달하는 것을 용이하게 회피할 수 있고, 기재로부터의 수염 형상의 절삭 부스러기(별명: 위스커(Whisker), 이하, 기재에서 유래하는 것에 한정되지 않고, 단순히 「절삭 부스러기」라고 칭하는 경우가 있다)의 발생을 억제할 수 있다. 그리고, 블레이드에 의해 절단되는 상기 중간층의 주성분이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지인 것, 특히, 중량 평균 분자량이 100000 이하임으로써, 중간층으로부터의 상기 절삭 부스러기의 발생도 억제할 수 있다.When blade dicing is performed using the sheet for manufacturing a semiconductor device of the present embodiment as a dicing die bonding sheet, the sheet for manufacturing a semiconductor device can easily avoid reaching the base material by providing the intermediate layer, , It is possible to suppress the generation of whisker-like cutting chips (alias: Whisker, hereinafter not limited to those derived from the substrate, but sometimes simply referred to as “cutting chips”) from the substrate. Further, the main component of the intermediate layer cut by the blade is a non-silicon-based resin having a weight average molecular weight of 100,000 or less, particularly, when the weight average molecular weight is 100,000 or less, the generation of cutting chips from the intermediate layer can also be suppressed.

한편, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트를 다이 본딩 시트로서 사용하여, 반도체 웨이퍼에서의 개질층의 형성을 수반하는 다이싱(스텔스 다이싱(등록상표))을 행한 경우에는, 상기 반도체 장치 제조용 시트가 상기 중간층을 구비함으로써, 계속하여 반도체 장치 제조용 시트를 그 표면(예를 들면, 필름형 접착제의 반도체 칩에 대한 첩부면)에 대해 평행한 방향으로 연신하는, 이른바 익스팬드를 행함으로써, 필름형 접착제가 목적으로 하는 개소에서 고정밀도로 절단되어 절단 불량을 억제할 수 있다.On the other hand, when the sheet for semiconductor device manufacture of the present embodiment is used as a die bonding sheet and dicing (stealth dicing (registered trademark)) accompanied with formation of a modified layer in a semiconductor wafer is performed, the sheet for semiconductor device manufacture is performed. By providing the above-mentioned intermediate layer, the sheet for semiconductor device production is subsequently stretched in a direction parallel to the surface (for example, the sticking surface of the film adhesive to the semiconductor chip), so-called expanding, to form a film. The adhesive is cut with high precision at the target location, and cutting defects can be suppressed.

이와 같이, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트는 블레이드 다이싱시에는, 기재 및 중간층으로부터의 절삭 부스러기의 발생을 억제하고, 상기 익스팬드시에는, 필름형 접착제의 절단 불량을 억제하는 것이며, 반도체 웨이퍼의 분할시에 문제의 발생을 억제하는 특성을 갖고 있어, 반도체 웨이퍼의 분할 적성이 우수하다.Thus, the sheet for semiconductor device manufacture of the present embodiment suppresses the generation of cutting chips from the base material and the intermediate layer during blade dicing, and suppresses cutting defects of the film adhesive during the expansion, and semiconductor wafer It has a characteristic of suppressing the occurrence of problems at the time of division of the semiconductor wafer, and is excellent in division suitability of semiconductor wafers.

본 명세서에 있어서, 「중량 평균 분자량」이란, 특별히 언급이 없는 한, 겔·퍼미에이션·크로마토그래피(GPC)법에 의해 측정되는 폴리스티렌 환산값이다.In this specification, "weight average molecular weight" is a polystyrene conversion value measured by the gel permeation chromatography (GPC) method unless otherwise specified.

본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법에 대해서는, 추후 상세하게 설명한다.A method of using the sheet for semiconductor device manufacture of the present embodiment will be described in detail later.

이하, 도면을 참조하면서, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트에 대해 상세하게 설명한다. 한편, 이하의 설명에서 사용하는 도면은 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대하여 나타내고 있는 경우가 있고, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 동일한 것으로 한정되지는 않는다.Hereinafter, the sheet for semiconductor device manufacture of this embodiment is explained in detail, referring drawings. On the other hand, in the drawings used in the following description, in order to make the features of the present invention easier to understand, for convenience, the main part may be enlarged and shown, and the dimensional ratio of each component is not limited to being the same as the actual one. don't

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트를 모식적으로 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트의 평면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing a sheet for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of the sheet for manufacturing a semiconductor device shown in FIG. 1 .

한편, 도 2 이후의 도면에 있어서, 이미 설명된 도면에 나타내는 것과 동일한 구성요소에는, 그 설명된 도면의 경우와 동일한 부호를 부여하고, 그 상세한 설명은 생략한다.On the other hand, in the drawings subsequent to Fig. 2, the same reference numerals as those in the previously described drawings are assigned the same reference numerals, and detailed descriptions thereof are omitted.

여기에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트(101)는 기재(11)를 구비하고, 기재(11) 상에 점착제층(12), 중간층(13), 및 필름형 접착제(14)가 이 순서로 적층되어 구성되어 있다. 반도체 장치 제조용 시트(101)는 추가로, 필름형 접착제(14)의 중간층(13)이 형성되어 있는 측과는 반대측 면(이하, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(14a) 상에 박리 필름(15)을 구비하고 있다.The sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture shown here is equipped with the base material 11, and the adhesive layer 12, the intermediate|middle layer 13, and the film adhesive 14 are laminated|stacked in this order on the base material 11, and are comprised. has been The sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture is further on the side opposite to the side in which the intermediate|middle layer 13 of the film adhesive 14 is formed (it may be hereafter referred to as "the 1st surface") 14a A peeling film 15 is provided.

반도체 장치 제조용 시트(101)에 있어서는, 기재(11)의 한쪽 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(11a) 상에, 점착제층(12)이 형성되고, 점착제층(12)의 기재(11)가 형성되어 있는 측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(12a) 상에, 중간층(13)이 형성되며, 중간층(13)의 점착제층(12)이 형성되어 있는 측과는 반대측 면(본 명세서에 있어서는, 「제1 면」이라고 칭하는 경우가 있다)(13a) 상에, 필름형 접착제(14)가 형성되고, 필름형 접착제(14)의 제1 면(14a) 상에, 박리 필름(15)이 형성되어 있다. 이와 같이, 반도체 장치 제조용 시트(101)는 기재(11), 점착제층(12), 중간층(13), 및 필름형 접착제(14)가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있다.In the sheet 101 for semiconductor device manufacture, an adhesive layer 12 is formed on one surface (in this specification, sometimes referred to as “first surface”) 11a of the substrate 11, and the adhesive The intermediate layer 13 is formed on the side opposite to the side of the layer 12 on which the base material 11 is formed (in this specification, it may be referred to as "the first surface") 12a, the intermediate layer On the side opposite to the side on which the pressure-sensitive adhesive layer 12 of (13) is formed (in this specification, it may be referred to as "the first surface") 13a, the film adhesive 14 is formed , On the 1st surface 14a of the film adhesive 14, the peeling film 15 is formed. Thus, the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture is comprised by the base material 11, the adhesive layer 12, the intermediate|middle layer 13, and the film adhesive 14 laminated|stacked in this order in these thickness directions. .

반도체 장치 제조용 시트(101)는 박리 필름(15)이 제거된 상태로, 그 중의 필름형 접착제(14)의 제1 면(14a)이 반도체 웨이퍼, 반도체 칩, 또는, 완전히는 분할되어 있지 않은 반도체 웨이퍼(도시 생략)의 이면에 첩부되어 사용된다.The sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture is the state in which the peeling film 15 was removed, and the 1st surface 14a of the film adhesive 14 in it is a semiconductor wafer, a semiconductor chip, or the semiconductor which is not completely divided. It is used by being attached to the back side of a wafer (not shown).

본 명세서에 있어서는, 반도체 웨이퍼 및 반도체 칩 중 어느 경우에도, 그 회로가 형성되어 있는 측의 면을 「회로 형성면」이라고 칭하고, 회로 형성면과는 반대측 면을 「이면」이라고 칭한다.In this specification, in either case of a semiconductor wafer and a semiconductor chip, the surface on which circuits are formed is referred to as a "circuit formation surface", and the surface opposite to the circuit formation surface is referred to as a "rear surface".

본 명세서에 있어서는, 기재 및 점착제층이 이들 두께 방향에 있어서 적층되고, 또한 중간층이 적층되지 않은 구성을 갖는 적층물을 「지지 시트」라고 칭하는 경우가 있다. 도 1에 있어서는, 부호 1을 부여하여 지지 시트를 나타내고 있다.In this specification, a laminate having a configuration in which the base material and the pressure-sensitive adhesive layer are laminated in these thickness directions and the intermediate layer is not laminated is sometimes referred to as a "support sheet". In Fig. 1, reference numeral 1 is given to indicate the support sheet.

또한, 기재, 점착제층, 및 중간층이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층된 구성을 갖는 적층물을 「적층 시트」라고 칭하는 경우가 있다. 도 1에 있어서는, 부호 10을 부여하여 적층 시트를 나타내고 있다. 상기 지지 시트 및 중간층의 적층물은 상기 적층 시트에 포함된다.In addition, a laminate having a configuration in which a base material, an adhesive layer, and an intermediate layer are laminated in this order in the thickness direction may be referred to as a "laminated sheet". In Fig. 1, reference numeral 10 is given to indicate a laminated sheet. The laminate of the support sheet and the intermediate layer is included in the laminate sheet.

중간층(13) 및 필름형 접착제(14)를 이들의 상방으로부터 내려다 보아 평면에서 보았을 때의 평면 형상은 모두 원 형상이고, 중간층(13)의 직경과 필름형 접착제(14)의 직경은 동일하다.The planar shapes of the intermediate layer 13 and the film adhesive 14 when viewed from above as viewed from above are all circular, and the diameter of the intermediate layer 13 and the film adhesive 14 are the same.

그리고, 반도체 장치 제조용 시트(101)에 있어서, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)는 이들의 중심이 일치하도록, 다시 말하면, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)의 외주의 위치가 이들의 직경 방향에 있어서, 모두 일치하도록 배치되어 있다.And in the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture, the intermediate|middle layer 13 and the film adhesive 14 are so that these centers may coincide, in other words, the position of the outer periphery of the intermediate layer 13 and the film adhesive 14 is In these diametrical directions, all are arranged so that they coincide.

중간층(13)의 제1 면(13a)과, 필름형 접착제(14)의 제1 면(14a)은 모두, 점착제층(12)의 제1 면(12a)보다 면적이 작게 되어 있다. 그리고, 중간층(13)의 폭(W13)의 최대값(즉, 직경)과, 필름형 접착제(14)의 폭(W14)의 최대값(즉, 직경)은 모두, 점착제층(12)의 폭의 최대값과, 기재(11)의 폭의 최대값보다 작게 되어 있다. 따라서, 반도체 장치 제조용 시트(101)에 있어서, 점착제층(12)의 제1 면(12a)의 일부는 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)에 의해 덮여있지 않다. 이러한, 점착제층(12)의 제1 면(12a)에 있어서의 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되어 있지 않은 영역에는, 박리 필름(15)이 직접 접촉하여 적층되어 있으며, 박리 필름(15)이 제거된 상태에서는 이 영역은 노출되어 있다(이하, 본 명세서에 있어서는, 이 영역을 「비적층 영역」이라고 칭하는 경우가 있다).Both the first surface 13a of the intermediate layer 13 and the first surface 14a of the film adhesive 14 have a smaller area than the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 . And the maximum value (ie, diameter) of the width (W 13 ) of the intermediate layer 13 and the maximum value (ie, diameter) of the width (W 14 ) of the film adhesive 14 are both the pressure-sensitive adhesive layer 12 It is smaller than the maximum value of the width of and the maximum value of the width of the substrate 11. Therefore, in the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture, a part of 1st surface 12a of the adhesive layer 12 is not covered by the intermediate layer 13 and the film adhesive 14. In the area where the intermediate layer 13 and the film adhesive 14 are not laminated on the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12, the release film 15 is laminated in direct contact with the peeling film 15. In a state where the film 15 is removed, this area is exposed (hereafter, in this specification, this area is sometimes referred to as a "non-laminated area").

한편, 박리 필름(15)을 구비한 반도체 장치 제조용 시트(101)에 있어서는, 점착제층(12)의 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)에 의해 덮여있지 않은 영역에는, 여기에 나타내는 바와 같이, 박리 필름(15)이 적층되어 있지 않은 영역이 있어도 되고, 없어도 된다.On the other hand, in the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture provided with the peeling film 15, the area|region which is not covered with the intermediate|middle layer 13 of the adhesive layer 12 and the film adhesive 14, as shown here , there may or may not be a region where the release film 15 is not laminated.

후술하는 바와 같이, 반도체 장치 제조용 시트는 예를 들면, 다음과 같이 제조할 수 있다. 우선, 박리 필름 상에 점착제층, 중간층, 필름형 접착제를 각각 형성한다.As will be described later, the sheet for semiconductor device manufacture can be manufactured as follows, for example. First, an adhesive layer, an intermediate layer, and a film adhesive are respectively formed on a peeling film.

이어서, 점착제층의 박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 노출면을, 기재의 한쪽 표면과 첩합함으로써, 박리 필름이 형성된 제1 중간 적층체(다시 말하면, 박리 필름이 형성된 지지 시트)를 제작한다.Next, the exposed surface on the opposite side to the side provided with the release film of the pressure-sensitive adhesive layer is bonded to one surface of the base material to prepare a first intermediate laminate with a release film (in other words, a support sheet with a release film) do.

이어서, 필름형 접착제의 박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 노출면을, 상기에서 얻어진 중간층의 박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 노출면과 첩합함으로써, 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체(박리 필름, 중간층, 필름형 접착제, 및 박리 필름의 적층물)를 제작한다.Next, the exposed surface on the opposite side to the side provided with the release film of the film adhesive is bonded to the exposed surface on the opposite side to the side provided with the release film of the intermediate layer obtained above, thereby forming the second intermediate layer where the release film was formed. A laminate (a laminate of a release film, an intermediate layer, a film adhesive, and a release film) is prepared.

이어서, 1차 추출 가공을 행한다.Next, a primary extraction process is performed.

구체적으로는, 이 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체에 대해, 중간층측의 박리 필름으로부터 필름형 접착제까지, 절단날을 이용하여 펀칭 가공을 행하고, 불필요 부분을 제거한다.Specifically, with respect to this 2nd intermediate|middle laminated body in which this peeling film was formed, punching is performed using a cutting blade from the peeling film on the intermediate|middle layer side to the film adhesive, and an unnecessary part is removed.

이에 의해, 필름형 접착제측의 박리 필름 상에 필름형 접착제, 중간층, 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있고, 또한, 평면 형상이 원형인, 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체 가공물을 제작한다.Thereby, a film adhesive, an intermediate layer, and a release film are laminated in this order on the release film on the film adhesive side in their thickness direction, and a release film having a circular planar shape is formed. A second intermediate laminate workpiece is produced.

이어서, 상기에서 얻어진 박리 필름이 형성된 제1 중간 적층체로부터, 박리 필름을 제거하고, 점착제층의 한쪽 면을 노출시킨다.Next, the release film is removed from the first intermediate laminate with the release film obtained above, and one side of the pressure-sensitive adhesive layer is exposed.

또한, 상기에서 얻어진 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체 가공물로부터, 원형의 박리 필름을 제거하고, 중간층의 한쪽 면을 노출시킨다.Further, from the second intermediate laminate workpiece on which the release film was formed obtained above, the circular release film is removed, and one side of the intermediate layer is exposed.

이어서, 제1 중간 적층체 중의 점착제층의 새롭게 생긴 노출면과, 제2 중간 적층체 가공물 중의 중간층의 새롭게 생긴 노출면을 첩합하여, 제3 중간 적층체를 얻는다.Next, the newly formed exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer in the first intermediate laminate and the newly formed exposed surface of the intermediate layer in the processed product of the second intermediate laminate are bonded together to obtain a third intermediate laminate.

이어서, 이 제3 중간 적층체에 대해, 2차 추출 가공을 행한다.Next, a secondary extraction process is performed with respect to this 3rd intermediate|middle laminated body.

구체적으로는, 제3 중간 적층체에 대해, 절단날을 이용하여 기재측으로부터 펀칭 가공을 행하고, 불필요 부분을 제거한다.Specifically, with respect to the 3rd intermediate|middle laminated body, punching is performed from the base material side using a cutting blade, and an unnecessary part is removed.

이에 의해, 지지 시트의 평면 형상이 원형이고, 또한, 지지 시트가 원형의 필름형 접착제 및 중간층과 동심형이 되어 있는, 반도체 장치 제조용 시트가 얻어진다.Thereby, the sheet|seat for semiconductor device manufacture in which the planar shape of a support sheet is circular, and the support sheet is concentric with the circular film adhesive and an intermediate|middle layer is obtained.

상술한 2차 추출 가공에 있어서는, 원 형상의 필름형 접착제 및 중간층을 센서에 의해 인식하고, 필름형 접착제 및 중간층을 절단하지 않도록, 기재측으로부터 펀칭 가공할 필요가 있다.In the secondary extraction process described above, it is necessary to punch out from the base material side so that the circular film adhesive and the intermediate layer are recognized by the sensor and the film adhesive and the intermediate layer are not cut.

중간층 및 필름형 접착제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전광선 투과율은 60％ 이하이고, 50％ 이하인 것이 바람직하며, 40％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 30％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The total light transmittance of at least one selected from the group consisting of an intermediate layer and a film adhesive is 60% or less, preferably 50% or less, more preferably 40% or less, and still more preferably 30% or less.

이에 의해, 중간층 또는 필름형 접착제를 센서에 의해 광학적으로 인식할 수 있다.Thereby, the intermediate layer or film adhesive can be optically recognized by the sensor.

중간층의 전광선 투과율은 60％ 이하인 것이 바람직하고, 50％ 이하인 것이 바람직하며, 40％ 이하인 것이 보다 바람직하고, 30％ 이하인 것이 더욱 바람직하다.The total light transmittance of the middle layer is preferably 60% or less, preferably 50% or less, more preferably 40% or less, still more preferably 30% or less.

이에 의해, 보다 확실히 중간층을 센서에 의해 광학적으로 인식할 수 있다.Thereby, the intermediate layer can be optically recognized by the sensor more reliably.

중간층의 전광선 투과율의 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 10％로 하는 것이 가능하다.Although the lower limit of the total light transmittance of the intermediate layer is not particularly limited, it is possible, for example, to be 10%.

필름형 접착제의 전광선 투과율은 60％ 이상인 것이 바람직하고, 70％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 75％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that it is 60 % or more, as for the total light transmittance of a film adhesive, it is more preferable that it is 70 % or more, and it is still more preferable that it is 75 % or more.

후술하는 바와 같이, 접착제 조성물에 착색제를 함유시킴으로써, 필름형 접착제의 전광선 투과율을 조절하는 경우, 필름형 접착제의 전광선 투과율이 상기 하한값 이상임으로써, 필름형 접착제와 반도체 칩의 전단 강도 등의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.As will be described later, when the total light transmittance of the film adhesive is adjusted by including a colorant in the adhesive composition, the reliability of the film adhesive and the shear strength of the semiconductor chip is improved when the total light transmittance of the film adhesive is equal to or more than the lower limit. can make it

필름형 접착제의 전광선 투과율의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 100％로 하는 것이 가능하다.Although the upper limit of the total light transmittance of a film adhesive is not specifically limited, For example, it is possible to set it as 100%.

기재 및 점착제층으로 이루어지는 지지 시트의 전광선 투과율은, 70％ 이상인 것이 바람직하고, 75％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 80％ 이상인 것이 더욱 바람직하고, 85％ 이상인 것이 특히 바람직하다.The total light transmittance of the support sheet composed of the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 70% or more, more preferably 75% or more, still more preferably 80% or more, and particularly preferably 85% or more.

이에 의해, 2차 추출 가공에 있어서, 원 형상의 필름형 접착제 및 중간층을 센서에 의해, 보다 확실히 인식할 수 있다.Thereby, in the secondary extraction process, the circular film adhesive and the intermediate layer can be more reliably recognized by the sensor.

지지 시트의 전광선 투과율의 상한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 100％로 하는 것이 가능하다.The upper limit of the total light transmittance of the support sheet is not particularly limited, but can be, for example, 100%.

필름형 접착제(14)가 미절단이고, 또한 필름형 접착제(14)에 의해 상술한 반도체 웨이퍼 또는 반도체 칩 등에 첩부된 상태의 반도체 장치 제조용 시트(101)는, 그 중의 점착제층(12)에 있어서의 상기 비적층 영역의 일부를, 반도체 웨이퍼 고정용의 링 프레임 등의 지그에 첩부함으로써 고정할 수 있다. 따라서, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 상기 지그에 고정하기 위한 지그용 접착제층을 반도체 장치 제조용 시트(101)에 별도 형성할 필요가 없다. 그리고, 지그용 접착제층을 형성할 필요가 없기 때문에, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 저가로, 그리고 효율적으로 제조할 수 있다.The film adhesive 14 is uncut, and the sheet 101 for semiconductor device manufacture in a state where it is adhered to the above-mentioned semiconductor wafer or semiconductor chip or the like by the film adhesive 14, in the pressure-sensitive adhesive layer 12 therein It is possible to fix a part of the non-laminated region of the above by attaching it to a jig such as a ring frame for fixing a semiconductor wafer. Therefore, it is not necessary to separately form a jig adhesive layer for fixing the semiconductor device manufacturing sheet 101 to the jig on the semiconductor device manufacturing sheet 101 . And since there is no need to form a jig adhesive layer, the sheet 101 for semiconductor device manufacture can be manufactured inexpensively and efficiently.

이와 같이, 반도체 장치 제조용 시트(101)는 지그용 접착제층을 구비하지 않음으로써, 유리한 효과를 나타내지만, 지그용 접착제층을 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 지그용 접착제층은 반도체 장치 제조용 시트(101)를 구성하는 어느 층의 표면 중, 주연부 근방의 영역에 형성된다. 이러한 영역으로는, 점착제층(12)의 제1 면(12a)에 있어서의 상기 비적층 영역 등을 들 수 있다.Thus, although the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture shows an advantageous effect by not providing a jig adhesive layer, you may be provided with the jig adhesive agent layer. In this case, the jig adhesive layer is formed in a region near the periphery of the surface of a certain layer constituting the sheet 101 for semiconductor device manufacture. As such an area, the above non-laminated area in the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the like are exemplified.

지그용 접착제층은 공지의 것이어도 되고, 예를 들면, 접착제 성분을 함유하는 단층 구조여도 되며, 심재가 되는 시트의 양면에 접착제 성분을 함유하는 층이 적층된 복수층 구조여도 된다.The jig adhesive layer may be a known one, and may have, for example, a single-layer structure containing an adhesive component, or a multi-layer structure in which layers containing an adhesive component are laminated on both sides of a sheet serving as a core material.

또한, 후술하는 바와 같이, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 그 표면(예를 들면, 점착제층(12)의 제1 면(12a))에 대해 평행한 방향으로 연신하는, 이른바 익스팬드를 행할 때에는, 점착제층(12)의 제1 면(12a)에 상기 비적층 영역이 존재함으로써, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 용이하게 익스팬드할 수 있다. 그리고, 필름형 접착제(14)를 용이하게 절단할 수 있을 뿐만 아니라, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)의 점착제층(12)으로부터의 박리가 억제되는 경우도 있다.In addition, as will be described later, when the sheet 101 for semiconductor device manufacture is stretched in a direction parallel to the surface (for example, the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12), so-called expansion is performed. , When the non-laminated region exists on the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12, the sheet 101 for semiconductor device manufacture can be easily expanded. And not only the film adhesive 14 can be easily cut|disconnected, but also peeling from the adhesive layer 12 of the intermediate|middle layer 13 and the film adhesive 14 may be suppressed.

반도체 장치 제조용 시트(101)에 있어서는, 중간층(13)이 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 주성분으로서 함유한다.In the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture, the intermediate|middle layer 13 contains a non-silicon-type resin whose weight average molecular weight is 100000 or less as a main component.

본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트는 도 1 및 도 2에 나타내는 것으로 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 도 1 및 도 2에 나타내는 것에 있어서 일부의 구성이 변경, 삭제, 또는 추가된 것이어도 된다.The semiconductor device manufacturing sheet of the present embodiment is not limited to those shown in Figs. 1 and 2, and some of the configurations of those shown in Figs. 1 and 2 are changed, deleted, and Or it may be added.

예를 들면, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트는 기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제와, 박리 필름과, 지그용 접착제층 중 어느 것에도 해당하지 않는 다른 층을 구비하고 있어도 된다. 단, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트는 도 1에 나타내는 바와 같이, 점착제층을 기재에 직접 접촉한 상태로 구비하고, 중간층을 점착제층에 직접 접촉한 상태로 구비하며, 필름상 접착제를 중간층에 직접 접촉한 상태로 구비하고 있는 것이 바람직하다.For example, the sheet for semiconductor device manufacture of the present embodiment may include a base material, an adhesive layer, an intermediate layer, a film adhesive, a peeling film, and another layer that does not correspond to any of the jig adhesive layer. . However, as shown in Fig. 1, the sheet for semiconductor device manufacture of the present embodiment includes a pressure-sensitive adhesive layer in direct contact with the base material and an intermediate layer in direct contact with the pressure-sensitive adhesive layer, and a film-like adhesive to the intermediate layer. It is preferable to provide in a state of direct contact.

예를 들면, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트에 있어서, 중간층 및 필름형 접착제의 평면 형상은 원 형상 이외의 형상이어도 되고, 중간층 및 필름형 접착제의 평면 형상은 서로 동일해도 되며, 상이해도 된다. 또한, 중간층의 제1 면의 면적과, 필름형 접착제의 제1 면의 면적은 모두, 이들보다 기재측의 층의 면(예를 들면, 점착제층의 제1 면)의 면적보다 작은 것이 바람직하고, 서로 동일해도 되며, 상이해도 된다. 그리고, 중간층 및 필름형 접착제의 외주의 위치는 이들의 직경 방향에 있어서 모두 일치하고 있어도 되고, 일치하고 있지 않아도 된다.For example, in the semiconductor device manufacturing sheet of the present embodiment, the planar shapes of the intermediate layer and the film adhesive may be shapes other than circular, and the planar shapes of the intermediate layer and the film adhesive may be the same or different. Further, both the area of the first surface of the intermediate layer and the area of the first surface of the film adhesive are preferably smaller than the area of the layer on the base material side (for example, the first surface of the pressure-sensitive adhesive layer). , may be the same as or different from each other. And the position of the outer periphery of an intermediate|middle layer and a film adhesive may or may not all coincide in these radial directions.

이어서, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트를 구성하는 각 층에 대해, 보다 상세하게 설명한다.Next, each layer constituting the sheet for semiconductor device manufacture of the present embodiment will be described in more detail.

○기재○Remarks

상기 기재는 시트형 또는 필름형이다.The substrate is in the form of a sheet or film.

상기 기재의 구성 재료는 각종 수지인 것이 바람직하고, 구체적으로는 예를 들면, 폴리에틸렌(저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE 등)), 폴리프로필렌(PP), 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 스티렌·에틸렌부틸렌·스티렌 블록 공중합체, 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리부틸렌테레프탈레이트(PBT), 폴리우레탄, 폴리우레탄아크릴레이트, 폴리이미드(PI), 아이오노머 수지, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체, 에틸렌·(메타)아크릴산 공중합체, 및 에틸렌·(메타)아크릴산에스테르 공중합체 이외의 에틸렌 공중합체, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 불소 수지, 이들 중 어느 하나의 수지의 수첨가물, 변성물, 가교물, 또는 공중합물 등을 들 수 있다.It is preferable that the constituent material of the base material is various resins, specifically, for example, polyethylene (low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), high density polyethylene (HDPE, etc.)), polypropylene (PP), Polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, styrene/ethylenebutylene/styrene block copolymer, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polyurethane, poly Urethane acrylate, polyimide (PI), ionomer resin, ethylene/(meth)acrylic acid copolymer, ethylene/(meth)acrylic acid ester copolymer, ethylene/(meth)acrylic acid copolymer, and ethylene/(meth)acrylic acid ester Ethylene copolymers other than copolymers, polystyrene, polycarbonate, fluororesins, and hydrogenated products, modified products, crosslinked products, or copolymers of any one of these resins are exemplified.

한편, 본 명세서에 있어서, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」 및 「메타크릴산」의 양쪽을 포함하는 개념으로 한다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 동일하고, 예를 들면, 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」 및 「메타크릴레이트」의 양쪽을 포함하는 개념이며, 「(메타)아크릴로일기」란, 「아크릴로일기」 및 「메타크릴로일기」의 양쪽을 포함하는 개념이다.In addition, in this specification, "(meth)acrylic acid" is taken as the concept containing both "acrylic acid" and "methacrylic acid." The same applies to terms similar to (meth)acrylic acid. For example, "(meth)acrylate" is a concept including both "acrylate" and "methacrylate", and "(meth)acryloyl group " is a concept including both "acryloyl group" and "methacryloyl group".

기재를 구성하는 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The resin constituting the substrate may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.

기재는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 된다. 기재가 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 한 특별히 한정되지 않는다. The base material may consist of one layer (single layer) or may consist of a plurality of layers of two or more layers. When the base material consists of multiple layers, these multiple layers may be the same as or different from each other, and the combination of these multiple layers is not particularly limited as long as the effect of the present invention is not impaired.

본 명세서에 있어서는, 기재의 경우에 한정되지 않고, 「복수층이 서로 동일해도 상이해도 된다」란, 「모든 층이 동일해도 되고, 모든 층이 상이해도 되며, 일부 층만이 동일해도 된다」는 것을 의미하고, 또한 「복수층이 서로 상이하다」란, 「각 층의 구성 재료 및 두께의 적어도 한쪽이 서로 상이하다」는 것을 의미한다.In this specification, it is not limited to the case of the description, and "a plurality of layers may be the same or different from each other" means "all layers may be the same, all layers may be different, and only some layers may be the same." In addition, "a plurality of layers are different from each other" means that "at least one of the constituent materials and thickness of each layer is different from each other."

기재의 두께는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 50∼300㎛인 것이 바람직하고, 60∼150㎛인 것이 보다 바람직하다. 기재의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 기재의 구조가 보다 안정화된다. 기재의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 블레이드 다이싱시와 반도체 장치 제조용 시트의 상기 익스팬드시에 있어서, 필름형 접착제를 보다 용이하게 절단할 수 있다.The thickness of the substrate can be appropriately selected depending on the purpose, but it is preferably 50 to 300 μm, and more preferably 60 to 150 μm. When the thickness of the substrate is equal to or greater than the lower limit, the structure of the substrate is further stabilized. When the thickness of the substrate is equal to or less than the above upper limit, the film adhesive can be more easily cut at the time of blade dicing and the above expansion of the sheet for semiconductor device manufacture.

여기서, 「기재의 두께」란, 기재 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 기재의 두께란, 기재를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.Here, "thickness of a base material" means the thickness of the whole base material, and, for example, the thickness of a base material consisting of a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the base material.

본 명세서에 있어서, 「두께」는 특별히 언급이 없는 한, 무작위로 선출된 5개소에서 두께를 측정한 평균으로 나타내는 값으로서, JIS K7130에 준거하여, 정압 두께 측정기를 이용하여 취득할 수 있다.In this specification, unless otherwise specified, "thickness" is a value expressed as an average of thickness measurements at five randomly selected locations, and can be obtained using a static pressure thickness gauge in accordance with JIS K7130.

기재는 그 위에 형성되는 점착제층 등의 다른 층과의 밀착성을 향상시키기 위해, 샌드 블라스트 처리, 용제 처리, 엠보싱 가공 처리 등에 의한 요철화 처리; 코로나 방전 처리, 전자선 조사 처리, 플라즈마 처리, 오존·자외선 조사 처리, 화염 처리, 크롬산 처리, 열풍 처리 등의 산화 처리; 등이 표면에 실시되어 있어도 된다.In order to improve adhesion with other layers such as an adhesive layer formed thereon, the base material is subjected to roughening treatment by sandblasting treatment, solvent treatment, embossing treatment or the like; oxidation treatments such as corona discharge treatment, electron beam irradiation treatment, plasma treatment, ozone/ultraviolet radiation treatment, flame treatment, chromic acid treatment, and hot air treatment; etc. may be given to the surface.

또한, 기재의 표면은 프라이머 처리되어 있어도 된다. In addition, the surface of the substrate may be subjected to primer treatment.

또한, 기재는 대전 방지 코트층; 다이 본딩 시트를 중첩하여 보존할 때, 기재가 다른 시트에 접착하는 것이나, 기재가 흡착 테이블에 접착하는 것을 방지하는 층; 등을 갖고 있어도 된다.In addition, the substrate may include an antistatic coating layer; a layer that prevents the substrate from adhering to another sheet or the substrate from adhering to the adsorption table when the die bonding sheets are stacked and stored; You may have your back.

기재는 상기 수지 등의 주된 구성 재료 이외에, 충전재, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 된다.The base material may contain various known additives such as fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, organic lubricants, catalysts, and softeners (plasticizers) in addition to main constituent materials such as the above resins.

기재의 광학 특성은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 특별히 한정되지 않는다. 기재는 예를 들면, 레이저광 또는 에너지선을 투과시키는 것이면 된다.The optical properties of the substrate are not particularly limited within a range that does not impair the effects of the present invention. The substrate may be, for example, one that transmits a laser beam or an energy ray.

기재는 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 수지를 함유하는(수지를 구성 재료로 하는) 기재는 상기 수지 또는 상기 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다.The base material can be manufactured by a known method. For example, a base material containing resin (with resin as a constituent material) can be produced by molding the resin or a resin composition containing the resin.

○점착제층○Adhesive layer

상기 점착제층은 시트형 또는 필름형이고, 점착제를 함유한다.The pressure-sensitive adhesive layer is in the form of a sheet or film and contains an adhesive.

점착제층은 상기 점착제를 함유하는 점착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 점착제층의 형성 대상면에 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 점착제층을 형성할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer can be formed using a pressure-sensitive adhesive composition containing the pressure-sensitive adhesive. For example, the pressure-sensitive adhesive layer can be formed on the target site by coating the pressure-sensitive adhesive composition on the surface to be formed of the pressure-sensitive adhesive layer and drying as necessary.

점착제층에 있어서, 점착제층의 총 질량에 대한 점착제층의 1종 또는 2종 이상의 후술하는 함유 성분의 합계 함유량의 비율은 100질량％를 초과하지 않는다.In the pressure-sensitive adhesive layer, the ratio of the total content of one or two or more of the later-described components of the pressure-sensitive adhesive layer to the total mass of the pressure-sensitive adhesive layer does not exceed 100% by mass.

마찬가지로, 점착제 조성물에 있어서, 점착제 조성물의 총 질량에 대한 점착제 조성물의 1종 또는 2종 이상의 후술하는 함유 성분의 합계 함유량의 비율은 100질량％를 초과하지 않는다.Similarly, in the pressure-sensitive adhesive composition, the ratio of the total content of one or two or more of the later-described components of the pressure-sensitive adhesive composition to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition does not exceed 100% by mass.

점착제 조성물의 도공은 공지의 방법으로 행하면 되고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커튼 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 메이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.Coating of the pressure-sensitive adhesive composition may be performed by a known method, and examples thereof include an air knife coater, a blade coater, a bar coater, a gravure coater, a roll coater, a roll knife coater, a curtain coater, a die coater, a knife coater, a screen coater, and a Mayer bar. A method using various coaters such as a coater and a kiss coater is exemplified.

점착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않지만, 점착제 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다.Drying conditions for the pressure-sensitive adhesive composition are not particularly limited, but when the pressure-sensitive adhesive composition contains a solvent described later, it is preferable to heat-dry the pressure-sensitive adhesive composition. In this case, for example, at 70 to 130°C for 10 seconds to 5 minutes Drying is preferred.

상기 점착제로는 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 고무계 수지, 실리콘 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의 점착성 수지를 들 수 있고, 아크릴 수지가 바람직하다.Examples of the adhesive include adhesive resins such as acrylic resins, urethane resins, rubber-based resins, silicone resins, epoxy-based resins, polyvinyl ether, polycarbonate, and ester-based resins, and acrylic resins are preferable.

한편, 본 명세서에 있어서, 「점착성 수지」에는, 점착성을 갖는 수지와, 접착성을 갖는 수지의 양쪽이 포함된다. 예를 들면, 상기 점착성 수지에는, 수지 자체가 점착성을 갖는 것뿐만 아니라, 첨가제 등의 다른 성분과의 병용에 의해 점착성을 나타내는 수지나, 열 또는 물 등의 트리거의 존재에 의해 접착성을 나타내는 수지 등도 포함된다.On the other hand, in this specification, "adhesive resin" includes both a resin having adhesiveness and a resin having adhesiveness. For example, in the above-mentioned adhesive resin, not only the resin itself has adhesiveness, but also a resin that exhibits adhesiveness when used in combination with other components such as additives, and a resin that exhibits adhesiveness due to the presence of a trigger such as heat or water. etc. are also included.

점착제층은 경화성 및 비경화성 중 어느 것이어도 되고, 예를 들면, 에너지선 경화성 및 비에너지선 경화성 중 어느 것이어도 된다. 경화성 점착제층은 그 경화 전 및 경화 후에서의 물성을 용이하게 조절할 수 있다.The pressure-sensitive adhesive layer may be either curable or non-curable, and may be, for example, energy ray curable or non-energy ray curable. The physical properties of the curable pressure-sensitive adhesive layer before and after curing can be easily adjusted.

본 명세서에 있어서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 갖는 것을 의미한다. 에너지선의 예로는, 자외선, 방사선, 전자선 등을 들 수 있다. 자외선은 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨전 램프, 크세논 램프, 블랙 라이트, 또는 LED 램프 등을 사용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은 전자선 가속기 등에 의해 발생시킨 것을 조사할 수 있다. In this specification, an "energy ray" means one having energy quanta in an electromagnetic wave or a charged particle beam. Examples of energy rays include ultraviolet rays, radiation, and electron beams. Ultraviolet rays can be irradiated by using, for example, a high-pressure mercury lamp, a fusion lamp, a xenon lamp, a black light, or an LED lamp as an ultraviolet source. Electron beams generated by an electron beam accelerator or the like can be irradiated.

또한, 본 명세서에 있어서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다.In addition, in this specification, “energy ray curability” means a property that is cured by irradiation with energy rays, and “non-energy ray curability” means a property that is not cured even when irradiated with energy rays.

점착제층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.The pressure-sensitive adhesive layer may consist of one layer (single layer) or may consist of a plurality of layers of two or more layers. It doesn't work.

점착제층의 두께는 1∼100㎛인 것이 바람직하고, 1∼60㎛인 것이 보다 바람직하며, 1∼30㎛인 것이 특히 바람직하다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 1 to 100 μm, more preferably 1 to 60 μm, and particularly preferably 1 to 30 μm.

여기서, 「점착제층의 두께」란, 점착제층 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 점착제층의 두께란, 점착제층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.Here, the "thickness of the pressure-sensitive adhesive layer" means the thickness of the entire pressure-sensitive adhesive layer, and, for example, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer composed of a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the pressure-sensitive adhesive layer.

점착제층의 광학 특성은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 점착제층은 에너지선을 투과시키는 것이어도 된다.The optical properties of the pressure-sensitive adhesive layer are not particularly limited within a range that does not impair the effects of the present invention. For example, the pressure-sensitive adhesive layer may transmit energy rays.

이어서, 상기 점착제 조성물에 대해 설명한다.Next, the pressure-sensitive adhesive composition will be described.

＜＜점착제 조성물＞＞<<Adhesive composition>>

점착제층이 에너지선 경화성인 경우, 에너지선 경화성 점착제를 함유하는 점착제 조성물, 즉, 에너지선 경화성 점착제 조성물로는 예를 들면, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)(이하, 「점착성 수지(I-1a)」라고 약기하는 경우가 있다)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-1); 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)(이하, 「점착성 수지(I-2a)」라고 약기하는 경우가 있다)를 함유하는 점착제 조성물(I-2); 상기 점착성 수지(I-2a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 점착제 조성물(I-3) 등을 들 수 있다.When the pressure-sensitive adhesive layer is energy ray-curable, the pressure-sensitive adhesive composition containing the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive, that is, the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition, is, for example, a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) (hereinafter referred to as "adhesive resin ( Sometimes abbreviated as "I-1a)") and an energy ray-curable compound, pressure-sensitive adhesive composition (I-1); Energy ray-curable adhesive resin (I-2a) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of non-energy ray-curable adhesive resin (I-1a) (hereinafter sometimes abbreviated as "adhesive resin (I-2a)") containing Pressure-sensitive adhesive composition (I-2); The adhesive composition (I-3) containing the said adhesive resin (I-2a) and an energy ray-curable compound, etc. are mentioned.

＜점착제 조성물(I-1)＞<Adhesive composition (I-1)>

상기 점착제 조성물(I-1)은 상술한 바와 같이, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유한다.As described above, the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) contains a non-energy ray-curable adhesive resin (I-1a) and an energy ray-curable compound.

[점착성 수지(I-1a)][Adhesive resin (I-1a)]

상기 점착성 수지(I-1a)는 아크릴 수지인 것이 바람직하다.The adhesive resin (I-1a) is preferably an acrylic resin.

상기 아크릴 수지로는 예를 들면, 적어도 (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위를 갖는 아크릴 중합체를 들 수 있다.As said acrylic resin, the acrylic polymer which has a structural unit derived from the (meth)acrylic-acid alkylester at least is mentioned, for example.

상기 아크릴 수지가 갖는 구성 단위는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.1 type of structural unit which the said acrylic resin has may be sufficient as it, and 2 or more types may be sufficient as it. In the case of 2 or more types, these combination and ratio can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 점착성 수지(I-1a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The adhesive resin (I-1a) contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-1)에 있어서, 점착제 조성물(I-1)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-1a)의 함유량의 비율은 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량％인 것이 특히 바람직하다.In the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the ratio of the content of the adhesive resin (I-1a) to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is preferably 5 to 99% by mass, and preferably 10 to 95% by mass. It is more preferable, and it is especially preferable that it is 15-90 mass %.

[에너지선 경화성 화합물][Energy ray curable compound]

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선의 조사에 의해 경화 가능한 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다.Examples of the energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) include monomers or oligomers that have an energy ray polymerizable unsaturated group and can be cured by energy ray irradiation.

에너지선 경화성 화합물 중, 모노머로는 예를 들면, 트리메틸올프로판트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨헥사(메타)아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올(메타)아크릴레이트 등의 다가 (메타)아크릴레이트; 우레탄(메타)아크릴레이트; 폴리에스테르(메타)아크릴레이트; 폴리에테르(메타)아크릴레이트; 에폭시(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Among the energy ray-curable compounds, examples of monomers include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, polyhydric (meth)acrylates such as 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate and 1,6-hexanediol (meth)acrylate; Urethane (meth)acrylate; polyester (meth)acrylate; polyether (meth)acrylate; Epoxy (meth)acrylate etc. are mentioned.

에너지선 경화성 화합물 중 올리고머로는 예를 들면, 상기에서 예시한 모노머가 중합하여 이루어지는 올리고머 등을 들 수 있다. Examples of oligomers among energy ray-curable compounds include oligomers formed by polymerization of the above-exemplified monomers.

에너지선 경화성 화합물은 분자량이 비교적 크고, 점착제층의 저장 탄성률을 저하시키기 어렵다는 점에서는, 우레탄(메타)아크릴레이트, 우레탄(메타)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다. The energy ray-curable compound has a relatively large molecular weight and is preferably urethane (meth)acrylate or urethane (meth)acrylate oligomer from the viewpoint of being difficult to reduce the storage modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-1)에 있어서, 점착제 조성물(I-1)의 총 질량에 대한 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량의 비율은 1∼95질량％인 것이 바람직하고, 5∼90질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼85질량％인 것이 특히 바람직하다.In the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the ratio of the content of the energy ray-curable compound to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is preferably 1 to 95% by mass, and more preferably 5 to 90% by mass. It is preferable, and it is especially preferable that it is 10-85 mass %.

[가교제][Crosslinking agent]

점착성 수지(I-1a)로서, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에 추가로, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-1)은 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. As the adhesive resin (I-1a), in the case of using the acrylic polymer having a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from a (meth)acrylic acid alkyl ester, the adhesive composition (I-1) further comprises It is preferable to contain a crosslinking agent.

상기 가교제는 예를 들면, 상기 관능기와 반응하여, 점착성 수지(I-1a)끼리를 가교한다. The crosslinking agent reacts with the functional group to crosslink the adhesive resins (I-1a).

가교제로는 예를 들면, 톨릴렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 자일릴렌디이소시아네이트, 이들 디이소시아네이트의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제(이소시아네이트기를 갖는 가교제); 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제(글리시딜기를 갖는 가교제); 헥사[1-(2-메틸)-아지리디닐]트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제); 알루미늄 킬레이트 등의 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제); 이소시아누레이트계 가교제(이소시아누르산 골격을 갖는 가교제) 등을 들 수 있다. Examples of the crosslinking agent include isocyanate-based crosslinking agents (crosslinking agents having an isocyanate group) such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, and adducts of these diisocyanates; Epoxy type crosslinking agents (crosslinking agents having a glycidyl group) such as ethylene glycol glycidyl ether; aziridine-based crosslinking agents (crosslinking agents having an aziridinyl group) such as hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine; metal chelate type crosslinking agents such as aluminum chelate (crosslinking agent having a metal chelate structure); An isocyanurate-type crosslinking agent (a crosslinking agent having an isocyanuric acid skeleton); and the like.

점착제의 응집력을 향상시켜 점착제층의 점착력을 향상시키는 점 및 입수가 용이한 것 등의 점에서, 가교제는 이소시아네이트계 가교제인 것이 바람직하다. It is preferable that the crosslinking agent is an isocyanate-based crosslinking agent from the viewpoints of improving the cohesive force of the pressure-sensitive adhesive to improve the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer and easy availability.

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

가교제를 사용하는 경우, 상기 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-1a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼20질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼15질량부인 것이 특히 바람직하다. In the case of using a crosslinking agent, the content of the crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is preferably 0.01 to 50 parts by mass, and preferably 0.1 to 20 parts by mass, based on 100 parts by mass of the adhesive resin (I-1a). It is more preferable, and it is especially preferable that it is 0.3-15 mass parts.

[광중합 개시제][Photoinitiator]

점착제 조성물(I-1)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-1)은 자외선 등의 비교적 저에너지인 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may further contain a photopolymerization initiator. Even if the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) containing a photopolymerization initiator is irradiated with relatively low-energy energy rays such as ultraviolet rays, the curing reaction sufficiently proceeds.

상기 광중합 개시제로는 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드 등의 설파이드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 2-클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다. Examples of the photopolymerization initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, and benzoin dimethyl ketal. phosphorus compounds; acetophenone compounds such as acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; acylphosphine oxide compounds such as bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; sulfide compounds such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthiuram monosulfide; α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; azo compounds such as azobisisobutyronitrile; titanocene compounds such as titanocene; thioxanthone compounds such as thioxanthone; peroxide compounds; diketone compounds such as diacetyl; benzyl; dibenzyl; benzophenone; 2,4-diethylthioxanthone; 1,2-diphenylmethane; 2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl]propanone; 2-chloro anthraquinone etc. are mentioned.

또한, 상기 광중합 개시제로는 예를 들면, 1-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물; 아민 등의 광증감제 등을 사용할 수도 있다. In addition, examples of the photopolymerization initiator include quinone compounds such as 1-chloroanthraquinone; Photosensitizers, such as an amine, etc. can also be used.

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The photopolymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

광중합 개시제를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.In the case of using a photopolymerization initiator, the content of the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is preferably 0.01 to 20 parts by mass, and preferably 0.03 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the energy ray-curable compound. It is more preferable, and it is especially preferable that it is 0.05-5 mass parts.

[그 밖의 첨가제][Other additives]

점착제 조성물(I-1)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may contain other additives that do not correspond to any of the components described above within a range that does not impair the effects of the present invention.

상기 그 밖의 첨가제로는 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전재(필러), 방청제, 착색제(안료, 염료), 증감제, 점착 부여제, 반응 지연제, 가교 촉진제(촉매) 등의 공지의 첨가제를 들 수 있다.Examples of the other additives include antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers (fillers), rust preventives, colorants (pigments, dyes), sensitizers, tackifiers, reaction retardants, and crosslinking accelerators (catalysts). ) and other known additives.

반응 지연제란, 예를 들면, 점착제 조성물(I-1) 중에 혼입되어 있는 촉매의 작용에 의해, 보존 중의 점착제 조성물(I-1)에 있어서, 목적으로 하지 않는 가교 반응이 진행되는 것을 억제하기 위한 성분이다. 반응 지연제로는 예를 들면, 촉매에 대한 킬레이트에 의해 킬레이트 착체를 형성하는 것을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 1분자 중에 카르보닐기(-C(=O)-)를 2개 이상 갖는 것을 들 수 있다. The reaction retardant is, for example, used to suppress an undesired crosslinking reaction from proceeding in the PSA composition (I-1) during storage by the action of a catalyst incorporated in the PSA composition (I-1). is an ingredient for Examples of the reaction retardant include those that form a chelate complex by chelating the catalyst, and more specifically, those having two or more carbonyl groups (-C(=O)-) in one molecule. have.

점착제 조성물(I-1)이 함유하는 그 밖의 첨가제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The other additives contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-1)의 그 밖의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다. The content of other additives in the PSA composition (I-1) is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type.

[용매][menstruum]

점착제 조성물(I-1)은 용매를 함유하고 있어도 된다. 점착제 조성물(I-1)은 용매를 함유하고 있음으로써, 도공 대상면에 대한 도공 적성이 향상된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may contain a solvent. By containing a solvent, the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) improves the coating aptitude to the surface to be coated.

상기 용매는 유기 용매인 것이 바람직하다.It is preferable that the said solvent is an organic solvent.

＜점착제 조성물(I-2)＞<Adhesive composition (I-2)>

상기 점착제 조성물(I-2)은 상술한 바와 같이, 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성 점착성 수지(I-2a)를 함유한다.As described above, the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) contains the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-1a).

[점착성 수지(I-2a)][Adhesive resin (I-2a)]

상기 점착성 수지(I-2a)는 예를 들면, 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기에 에너지선 중합성 불포화기를 갖는 불포화기 함유 화합물을 반응시킴으로써 얻어진다. The adhesive resin (I-2a) is obtained, for example, by reacting a compound containing an unsaturated group having an energy ray polymerizable unsaturated group with a functional group in the adhesive resin (I-1a).

상기 불포화기 함유 화합물은 상기 에너지선 중합성 불포화기 이외에, 추가로 점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 반응함으로써, 점착성 수지(I-1a)와 결합 가능한 기를 갖는 화합물이다.The compound containing an unsaturated group is a compound having a group capable of bonding to the adhesive resin (I-1a) by further reacting with a functional group in the adhesive resin (I-1a) in addition to the energy ray polymerizable unsaturated group.

상기 에너지선 중합성 불포화기로는 예를 들면, (메타)아크릴로일기, 비닐기(에테닐기), 알릴기(2-프로페닐기) 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기가 바람직하다.Examples of the energy ray polymerizable unsaturated group include a (meth)acryloyl group, a vinyl group (ethenyl group), an allyl group (2-propenyl group), and the like, and a (meth)acryloyl group is preferable.

점착성 수지(I-1a) 중의 관능기와 결합 가능한 기로는 예를 들면, 수산기 또는 아미노기와 결합 가능한 이소시아네이트기 및 글리시딜기, 그리고 카르복시기 또는 에폭시기와 결합 가능한 수산기 및 아미노기 등을 들 수 있다.Examples of groups capable of bonding to functional groups in the adhesive resin (I-1a) include isocyanate groups and glycidyl groups bondable to hydroxyl groups or amino groups, hydroxyl groups and amino groups bondable to carboxy groups or epoxy groups, and the like.

상기 불포화기 함유 화합물로는 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, (메타)아크릴로일이소시아네이트, 글리시딜(메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Examples of the unsaturated group-containing compound include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, and glycidyl (meth)acrylate.

점착제 조성물(I-2)이 함유하는 점착성 수지(I-2a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The adhesive resin (I-2a) contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-2)에 있어서, 점착제 조성물(I-2)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-2a)의 함유량의 비율은 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼90질량％인 것이 특히 바람직하다.In the pressure-sensitive adhesive composition (I-2), the ratio of the content of the adhesive resin (I-2a) to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is preferably 5 to 99% by mass, and preferably 10 to 95% by mass. It is more preferable, and it is especially preferable that it is 10-90 mass %.

[가교제][Crosslinking agent]

점착성 수지(I-2a)로서 예를 들면, 점착성 수지(I-1a)에 있어서의 것과 동일한 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-2)은 추가로 가교제를 함유하고 있어도 된다. In the case of using, for example, the acrylic polymer having structural units derived from the same functional group-containing monomers as those in the adhesive resin (I-1a) as the adhesive resin (I-2a), the adhesive composition (I-2) is further may contain a crosslinking agent.

점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 가교제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 가교제와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the crosslinking agent in the PSA composition (I-2) include the same crosslinking agent in the PSA composition (I-1).

점착제 조성물(I-2)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

가교제를 사용하는 경우, 상기 점착제 조성물(I-2)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼20질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼15질량부인 것이 특히 바람직하다. In the case of using a crosslinking agent, the content of the crosslinking agent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is preferably 0.01 to 50 parts by mass, and preferably 0.1 to 20 parts by mass, based on 100 parts by mass of the adhesive resin (I-2a). It is more preferable, and it is especially preferable that it is 0.3-15 mass parts.

[광중합 개시제][Photoinitiator]

점착제 조성물(I-2)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-2)은 자외선 등의 비교적 저에너지인 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may further contain a photopolymerization initiator. Even if the adhesive composition (I-2) containing a photoinitiator is irradiated with relatively low-energy energy rays, such as an ultraviolet-ray, a hardening reaction fully advances.

점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 광중합 개시제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다.As said photoinitiator in adhesive composition (I-2), the thing similar to the photoinitiator in adhesive composition (I-1) is mentioned.

점착제 조성물(I-2)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The photopolymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

광중합 개시제를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-2)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. When using a photopolymerization initiator, the content of the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is preferably 0.01 to 20 parts by mass, and preferably 0.03 to 10 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin (I-2a). It is more preferable that it is negative, and it is particularly preferable that it is 0.05 to 5 parts by mass.

[그 밖의 첨가제, 용매][Other additives, solvents]

점착제 조성물(I-2)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may contain other additives that do not correspond to any of the components described above within a range that does not impair the effects of the present invention.

또한, 점착제 조성물(I-2)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다. In addition, the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may contain a solvent for the same purpose as that of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).

점착제 조성물(I-2)에 있어서의 상기 그 밖의 첨가제 및 용매로는, 각각, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 그 밖의 첨가제 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. 점착제 조성물(I-2)이 함유하는 그 밖의 첨가제 및 용매는 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As said other additive and solvent in adhesive composition (I-2), the thing similar to the other additive and solvent in adhesive composition (I-1) is mentioned, respectively. The other additives and solvents contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be used individually or in combination of two or more, and in the case of two or more, their combination and ratio may be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-2)의 그 밖의 첨가제 및 용매의 함유량은 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.Contents of the other additives and the solvent in the PSA composition (I-2) are not particularly limited, respectively, and may be appropriately selected according to the type.

＜점착제 조성물(I-3)＞<Adhesive composition (I-3)>

상기 점착제 조성물(I-3)은 상술한 바와 같이, 상기 점착성 수지(I-2a)와, 에너지선 경화성 화합물을 함유한다. As described above, the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) contains the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) and an energy ray-curable compound.

점착제 조성물(I-3)에 있어서, 점착제 조성물(I-3)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-2a)의 함유량의 비율은 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량％인 것이 특히 바람직하다. In the pressure-sensitive adhesive composition (I-3), the ratio of the content of the adhesive resin (I-2a) to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) is preferably 5 to 99% by mass, and preferably 10 to 95% by mass. It is more preferable, and it is especially preferable that it is 15-90 mass %.

[에너지선 경화성 화합물][Energy ray curable compound]

점착제 조성물(I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 갖고, 에너지선 조사에 의해 경화 가능한 모노머 및 올리고머를 들 수 있으며, 점착제 조성물(I-1)이 함유하는 에너지선 경화성 화합물과 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) include monomers and oligomers that have an energy ray-polymerizable unsaturated group and can be cured by energy ray irradiation, and the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) contains The same thing as the energy ray-curable compound to be mentioned.

점착제 조성물(I-3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

상기 점착제 조성물(I-3)에 있어서, 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량은 점착성 수지(I-2a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼300질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼200질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼100질량부인 것이 특히 바람직하다.In the pressure-sensitive adhesive composition (I-3), the content of the energy ray-curable compound is preferably 0.01 to 300 parts by mass, and more preferably 0.03 to 200 parts by mass, based on 100 parts by mass of the adhesive resin (I-2a). It is preferable, and it is especially preferable that it is 0.05-100 mass parts.

[광중합 개시제][Photoinitiator]

점착제 조성물(I-3)은 추가로 광중합 개시제를 함유하고 있어도 된다. 광중합 개시제를 함유하는 점착제 조성물(I-3)은 자외선 등의 비교적 저에너지인 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may further contain a photopolymerization initiator. Even if the adhesive composition (I-3) containing a photoinitiator is irradiated with relatively low-energy energy rays, such as an ultraviolet-ray, a hardening reaction fully advances.

점착제 조성물(I-3)에 있어서의 상기 광중합 개시제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 광중합 개시제와 동일한 것을 들 수 있다. As said photoinitiator in adhesive composition (I-3), the thing similar to the photoinitiator in adhesive composition (I-1) is mentioned.

점착제 조성물(I-3)이 함유하는 광중합 개시제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The photopolymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

광중합 개시제를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-3)에 있어서, 광중합 개시제의 함유량은 점착성 수지(I-2a) 및 상기 에너지선 경화성 화합물의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.03∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.05∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.In the case of using a photopolymerization initiator, the content of the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) is 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total content of the adhesive resin (I-2a) and the energy ray curable compound. It is preferable, that it is 0.03-10 mass parts is more preferable, and it is especially preferable that it is 0.05-5 mass parts.

[그 밖의 첨가제, 용매][Other additives, solvents]

점착제 조성물(I-3)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may contain other additives that do not correspond to any of the components described above within a range that does not impair the effects of the present invention.

또한, 점착제 조성물(I-3)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다. In addition, the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may contain a solvent for the same purpose as that of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).

점착제 조성물(I-3)에 있어서의 상기 그 밖의 첨가제 및 용매로는, 각각, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 그 밖의 첨가제 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. 점착제 조성물(I-3)이 함유하는 그 밖의 첨가제 및 용매는 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As said other additive and solvent in adhesive composition (I-3), the thing similar to the other additive and solvent in adhesive composition (I-1) is mentioned, respectively. The other additives and solvents contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be used individually or in combination of two or more, and in the case of two or more, their combination and ratio may be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-3)의 그 밖의 첨가제 및 용매의 함유량은 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.Contents of the other additives and the solvent in the PSA composition (I-3) are not particularly limited, respectively, and may be appropriately selected according to the type.

＜점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물＞<Adhesive compositions other than (I-1) to (I-3)>

여기까지는 점착제 조성물(I-1), 점착제 조성물(I-2), 및 점착제 조성물(I-3)에 대해 주로 설명했지만, 이들의 함유 성분으로서 설명한 것은, 이들 3종의 점착제 조성물 이외의 전반적인 점착제 조성물(본 명세서에 있어서는, 「점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물」이라고 칭한다)에서도, 동일하게 사용할 수 있다. Up until now, the adhesive composition (I-1), the adhesive composition (I-2), and the adhesive composition (I-3) have been mainly described, but the components contained in them are general adhesives other than these three types of adhesive compositions. It can be similarly used also for a composition (in this specification, it is called "adhesive composition other than adhesive composition (I-1) - (I-3)").

점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물로는, 에너지선 경화성 점착제 조성물 이외에, 비에너지선 경화성 점착제 조성물도 들 수 있다. As an adhesive composition other than adhesive composition (I-1) - (I-3), a non-energy ray-curable adhesive composition other than an energy ray-curable adhesive composition is also mentioned.

비에너지선 경화성 점착제 조성물로는 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 고무계 수지, 실리콘 수지, 에폭시계 수지, 폴리비닐에테르, 폴리카보네이트, 에스테르계 수지 등의 비에너지선 경화성 점착성 수지(I-1a)를 함유하는 점착제 조성물(I-4)을 들 수 있고, 아크릴 수지를 함유하는 것이 바람직하다. Examples of the non-energy ray-curable adhesive composition include, for example, non-energy ray-curable adhesive resins such as acrylic resins, urethane resins, rubber-based resins, silicone resins, epoxy-based resins, polyvinyl ether, polycarbonate, and ester-based resins (I-1a ), and the PSA composition (I-4) containing an acrylic resin is preferable.

점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물은 1종 또는 2종 이상의 가교제를 함유하는 것이 바람직하고, 그 함유량은 상술한 점착제 조성물(I-1) 등의 경우와 동일하게 할 수 있다.PSA compositions other than PSA compositions (I-1) to (I-3) preferably contain one or more crosslinking agents, the content of which is the same as in the above-mentioned PSA composition (I-1) or the like. can do.

＜점착제 조성물(I-4)＞<Adhesive composition (I-4)>

점착제 조성물(I-4)로 바람직한 것으로는 예를 들면, 상기 점착성 수지(I-1a)와, 가교제를 함유하는 것을 들 수 있다. Preferable examples of the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) include those containing the above-mentioned pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) and a crosslinking agent.

[점착성 수지(I-1a)][Adhesive resin (I-1a)]

점착제 조성물(I-4)에 있어서의 점착성 수지(I-1a)로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 점착성 수지(I-1a)와 동일한 것을 들 수 있다. As adhesive resin (I-1a) in adhesive composition (I-4), the same thing as adhesive resin (I-1a) in adhesive composition (I-1) is mentioned.

점착제 조성물(I-4)이 함유하는 점착성 수지(I-1a)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The adhesive resin (I-1a) contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-4)에 있어서, 점착제 조성물(I-4)의 총 질량에 대한 점착성 수지(I-1a)의 함유량의 비율은 5∼99질량％인 것이 바람직하고, 10∼95질량％인 것이 보다 바람직하며, 15∼90질량％인 것이 특히 바람직하다.In the pressure-sensitive adhesive composition (I-4), the ratio of the content of the adhesive resin (I-1a) to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) is preferably 5 to 99% by mass, and preferably 10 to 95% by mass. It is more preferable, and it is especially preferable that it is 15-90 mass %.

[가교제][Crosslinking agent]

점착성 수지(I-1a)로서, (메타)아크릴산알킬에스테르 유래의 구성 단위 이외에 추가로, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 갖는 상기 아크릴 중합체를 사용하는 경우, 점착제 조성물(I-4)은 추가로 가교제를 함유하는 것이 바람직하다. As the adhesive resin (I-1a), in the case of using the acrylic polymer having a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from a (meth)acrylic acid alkyl ester, the adhesive composition (I-4) further comprises It is preferable to contain a crosslinking agent.

점착제 조성물(I-4)에 있어서의 가교제로는, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 가교제와 동일한 것을 들 수 있다. Examples of the crosslinking agent in the PSA composition (I-4) include the same ones as the crosslinking agent in the PSA composition (I-1).

점착제 조성물(I-4)이 함유하는 가교제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. The crosslinking agent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

상기 점착제 조성물(I-4)에 있어서, 가교제의 함유량은 점착성 수지(I-1a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼50질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼25질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼10질량부인 것이 특히 바람직하다.In the PSA composition (I-4), the content of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 25 parts by mass, and 0.1 to 25 parts by mass based on 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-1a). It is especially preferable that it is -10 mass parts.

[그 밖의 첨가제, 용매][Other additives, solvents]

점착제 조성물(I-4)은 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위 내에 있어서, 상술한 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 밖의 첨가제를 함유하고 있어도 된다. The pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may contain other additives that do not correspond to any of the components described above within a range that does not impair the effects of the present invention.

또한, 점착제 조성물(I-4)은 점착제 조성물(I-1)의 경우와 동일한 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 된다. In addition, the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may contain a solvent for the same purpose as that of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).

점착제 조성물(I-4)에 있어서의 상기 그 밖의 첨가제 및 용매로는, 각각, 점착제 조성물(I-1)에 있어서의 그 밖의 첨가제 및 용매와 동일한 것을 들 수 있다. 점착제 조성물(I-4)이 함유하는 그 밖의 첨가제 및 용매는 각각, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다. As said other additive and solvent in adhesive composition (I-4), the thing similar to the other additive and solvent in adhesive composition (I-1) is mentioned, respectively. The other additives and solvents contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be used individually or in combination of two or more, and in the case of two or more, their combination and ratio may be arbitrarily selected.

점착제 조성물(I-4)의 그 밖의 첨가제 및 용매의 함유량은 각각, 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.Contents of the other additives and the solvent of the PSA composition (I-4) are not particularly limited, respectively, and may be appropriately selected according to the type.

＜＜점착제 조성물의 제조 방법＞＞<<Method for producing pressure-sensitive adhesive composition>>

점착제 조성물(I-1)∼(I-3)이나, 점착제 조성물(I-4) 등의 점착제 조성물(I-1)∼(I-3) 이외의 점착제 조성물은 상기 점착제와, 필요에 따라 상기 점착제 이외의 성분 등의 점착제 조성물을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다. Pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) and pressure-sensitive adhesive compositions (I-4) and other pressure-sensitive adhesive compositions other than pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) are the above-mentioned pressure-sensitive adhesive and, if necessary, It is obtained by mix|blending each component for comprising adhesive compositions, such as components other than an adhesive.

각 성분의 배합시에 있어서의 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 된다. The order of adding each component at the time of blending is not particularly limited, and two or more components may be added simultaneously.

용매를 사용하는 경우에는, 용매를 용매 이외 중 어느 하나의 배합 성분과 혼합하여 이 배합 성분을 미리 희석해 둠으로써 사용해도 되고, 용매 이외 중 어느 하나의 배합 성분을 미리 희석해 두지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합함으로써 사용해도 된다. In the case of using a solvent, the solvent may be used by mixing the solvent with any one of the ingredients other than the solvent and diluting this blending ingredient in advance, or using the solvent without diluting any of the ingredients other than the solvent in advance. You may use by mixing with these compounding components.

배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가하여 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 된다.The method of mixing each component at the time of blending is not particularly limited, and a method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade or the like; Mixing using a mixer; What is necessary is just to select suitably from well-known methods, such as the method of mixing by applying ultrasonic waves.

각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도와 시간은 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 되지만, 온도는 15∼30℃인 것이 바람직하다.The temperature and time at the time of addition and mixing of each component are not particularly limited as long as each compounding component does not deteriorate, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30°C.

○중간층, 중간층 형성용 조성물○ Intermediate layer, composition for forming an intermediate layer

상기 중간층은 시트형 또는 필름형이고, 상기 비규소계 수지를 주성분으로서 함유한다.The intermediate layer is in the form of a sheet or film, and contains the non-silicon resin as a main component.

중간층은 비규소계 수지만을 함유하는 것(비규소계 수지로 이루어지는 것)이어도 되고, 비규소계 수지와 그 이외의 성분을 함유하는 것이어도 된다.The intermediate layer may contain only non-silicon resin (made of non-silicon resin), or may contain non-silicon resin and other components.

중간층은 예를 들면, 상기 비규소계 수지를 함유하는 중간층 형성용 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 중간층은 중간층의 형성 대상면에, 상기 중간층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 형성할 수 있다.The intermediate layer can be formed using, for example, a composition for forming an intermediate layer containing the non-silicon-based resin. For example, the intermediate layer can be formed on a target site by coating the intermediate layer-forming composition on the surface to be formed of the intermediate layer and drying it, if necessary.

중간층에 있어서, 중간층의 총 질량에 대한 중간층의 1종 또는 2종 이상의 후술하는 함유 성분의 합계 함유량의 비율은 100질량％를 초과하지 않는다.In the middle layer, the ratio of the total content of one or two or more of the below-mentioned components in the middle layer to the total mass of the middle layer does not exceed 100% by mass.

마찬가지로, 중간층 형성용 조성물에 있어서, 중간층 형성용 조성물의 총 질량에 대한 중간층 형성용 조성물의 1종 또는 2종 이상의 후술하는 함유 성분의 합계 함유량의 비율은 100질량％를 초과하지 않는다.Similarly, in the composition for forming an intermediate layer, the ratio of the total content of one or two or more of the following components in the composition for forming an intermediate layer to the total mass of the composition for forming an intermediate layer does not exceed 100% by mass.

중간층 형성용 조성물의 도공은 상술한 점착제 조성물의 도공의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.Coating of the composition for forming an intermediate layer can be performed in the same manner as in the case of coating of the above-described pressure-sensitive adhesive composition.

중간층 형성용 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않는다. 중간층 형성용 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우 예를 들면, 60∼130℃에서 1∼6분의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다.Drying conditions of the composition for forming an intermediate layer are not particularly limited. When the composition for forming an intermediate layer contains a solvent described later, it is preferable to heat dry it, and in this case, it is preferable to dry it under conditions of 1 to 6 minutes at 60 to 130°C, for example.

상기 비규소계 수지의 중량 평균 분자량은 100000 이하이다.The weight average molecular weight of the said non-silicon resin is 100000 or less.

상기 반도체 장치 제조용 시트의 상술한 반도체 웨이퍼의 분할 적성이 더욱 향상하는 점에서는, 상기 비규소계 수지의 중량 평균 분자량은 예를 들면, 80000 이하, 60000 이하, 및 40000 이하 중 어느 하나여도 된다.In order to further improve the semiconductor wafer splitting ability of the sheet for semiconductor device manufacture, the weight average molecular weight of the non-silicon resin may be, for example, 80000 or less, 60000 or less, and 40000 or less.

상기 비규소계 수지의 중량 평균 분자량의 하한값은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 중량 평균 분자량이 5000 이상인 상기 비규소계 수지는 입수가 보다 용이하다.Although the lower limit of the weight average molecular weight of the said non-silicone resin is not specifically limited, For example, the said non-silicone resin with a weight average molecular weight of 5000 or more is easier to obtain.

상기 비규소계 수지의 중량 평균 분자량은 상술한 하한값과, 어느 하나의 상한값을 임의로 조합하여 설정되는 범위 내로, 적절히 조절할 수 있다. 예를 들면, 일 실시형태에 있어서, 상기 중량 평균 분자량은 예를 들면, 5000∼100000, 5000∼80000, 5000∼60000, 및 5000∼40000 중 어느 하나여도 된다.The weight average molecular weight of the non-silicon-based resin can be appropriately adjusted within a range set by arbitrarily combining the above-described lower limit and either upper limit. For example, in one embodiment, any one of 5000-100000, 5000-80000, 5000-60000, and 5000-40000 may be sufficient as the said weight average molecular weight, for example.

본 실시형태에 있어서, 「중간층이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 주성분으로서 함유한다」란, 「중간층이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 함유하고 있음에 의한 효과를 충분히 발휘할 수 있는 정도의 양으로, 상기 비규소계 수지를 함유하고 있다」는 것을 의미한다. 이러한 관점에서, 중간층에 있어서, 중간층의 총 질량에 대한 상기 비규소계 수지의 함유량의 비율(다시 말하면, 중간층 형성용 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 상기 비규소계 수지의 함유량의 비율)은 80질량％ 이상인 것이 바람직하고, 90질량％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 95질량％ 이상, 97질량％ 이상, 및 99질량％ 이상 중 어느 하나여도 된다.In the present embodiment, "the middle layer contains a non-silicon-based resin having a weight average molecular weight of 100,000 or less as a main component" means that "the middle layer contains a non-silicon-based resin having a weight average molecular weight of 100,000 or less" and "can sufficiently exhibit the effect of containing. contains the non-silicon-based resin in an acceptable amount.” From this point of view, in the intermediate layer, the ratio of the content of the non-silicon-based resin to the total mass of the intermediate layer (in other words, in the composition for forming an intermediate layer, the content of the non-silicon-based resin relative to the total content of all components other than the solvent Ratio) is preferably 80% by mass or more, more preferably 90% by mass or more, and may be, for example, 95% by mass or more, 97% by mass or more, and 99% by mass or more.

한편, 상기 비율은 100질량％ 이하이다.On the other hand, the said ratio is 100 mass % or less.

중량 평균 분자량이 100000 이하인 상기 비규소계 수지는, 구성 원자로서 규소 원자를 갖지 않는, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 수지 성분이면, 특별히 한정되지 않는다.The non-silicon-based resin having a weight average molecular weight of 100,000 or less is not particularly limited as long as it is a resin component having a weight average molecular weight of 100,000 or less without having a silicon atom as a constituent atom.

상기 비규소계 수지는 예를 들면, 극성기를 갖는 극성 수지 및 극성기를 갖지 않는 비극성 수지 중 어느 것이어도 된다.The non-silicon-based resin may be, for example, either a polar resin having a polar group or a non-polar resin having no polar group.

예를 들면, 상기 비규소계 수지는 상기 중간층 형성용 조성물에서의 용해성이 높고, 상기 중간층 형성용 조성물의 도공 적성이 보다 높은 점에서는, 극성 수지인 것이 바람직하다.For example, the non-silicon-based resin is preferably a polar resin in terms of high solubility in the composition for forming an intermediate layer and higher coatability of the composition for forming an intermediate layer.

본 명세서에 있어서는, 특별히 언급이 없는 한, 「비규소계 수지」란, 상술한 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 의미한다.In this specification, "non-silicon-type resin" means a non-silicon-type resin whose above-mentioned weight average molecular weight is 100000 or less unless there is particular notice.

상기 비규소계 수지는 예를 들면, 1종의 모노머의 중합체인(다시 말하면, 구성 단위를 1종만 갖는) 단독 중합체여도 되고, 2종 이상의 모노머의 중합체인(다시 말하면, 구성 단위를 2종 이상 갖는) 공중합체여도 된다.The non-silicon-based resin may be, for example, a homopolymer that is a polymer of one type of monomer (in other words, having only one type of structural unit), or a polymer of two or more types of monomers (in other words, that has two or more types of structural units). ) may be a copolymer.

상기 극성기로는 예를 들면, 카르보닐옥시기(-C(=O)-O-), 옥시카르보닐기(-O-C(=O)-) 등을 들 수 있다.As said polar group, a carbonyloxy group (-C(=O)-O-), an oxycarbonyl group (-O-C(=O)-) etc. are mentioned, for example.

상기 극성 수지는 극성기를 갖는 구성 단위만을 가져도 되고, 극성기를 갖는 구성 단위와, 극성기를 갖지 않는 구성 단위의 양쪽을 갖고 있어도 된다.The said polar resin may have only the structural unit which has a polar group, and may have both the structural unit which has a polar group and the structural unit which does not have a polar group.

상기 극성기를 갖는 구성 단위로는 예를 들면, 초산비닐로부터 유도된 구성 단위 등을 들 수 있다.As a structural unit having the said polar group, the structural unit derived from vinyl acetate, etc. are mentioned, for example.

상기 극성기를 갖지 않는 구성 단위로는 예를 들면, 에틸렌으로부터 유도된 구성 단위 등을 들 수 있다.As a structural unit which does not have the said polar group, the structural unit derived from ethylene etc. are mentioned, for example.

여기서 말하는 「유도된」이란, 상기 모노머가 중합하는데 필요한 구조의 변화를 겪은 것을 의미한다."Derived" as used herein means that the monomer has undergone structural changes required for polymerization.

상기 극성 수지에 있어서, 모든 구성 단위의 합계 질량에 대한 극성기를 갖는 구성 단위의 질량의 비율은 5∼70질량％인 것이 바람직하고, 예를 들면, 7.5∼55질량％ 및 10∼40질량％ 중 어느 하나여도 된다. 다시 말하면, 상기 극성 수지에 있어서, 모든 구성 단위의 합계 질량에 대한 극성기를 갖지 않는 구성 단위의 질량의 비율은 30∼95질량％인 것이 바람직하고, 예를 들면, 45∼92.5질량％ 및 60∼90질량％ 중 어느 하나여도 된다. 극성기를 갖는 구성 단위의 질량의 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 상기 극성 수지는 극성기를 갖는 것의 특성을 보다 현저히 갖는다. 극성기를 갖는 구성 단위의 질량의 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 상기 극성 수지는 극성기를 갖지 않는 것의 특성을 보다 적당히 갖는다.In the polar resin, the ratio of the mass of the structural units having polar groups to the total mass of all the structural units is preferably 5 to 70% by mass, for example, 7.5 to 55% by mass and 10 to 40% by mass. It can be any one. In other words, in the polar resin, the ratio of the mass of structural units without polar groups to the total mass of all the structural units is preferably 30 to 95% by mass, for example, 45 to 92.5% by mass and 60 to 95% by mass. Any of 90 mass % may be sufficient. When the ratio of the mass of constituent units having a polar group is equal to or greater than the lower limit, the polar resin has the characteristic of having a polar group more remarkably. When the ratio of the mass of constituent units having a polar group is equal to or less than the above upper limit, the polar resin has characteristics of not having a polar group more appropriately.

상기 극성 수지로는 예를 들면, 에틸렌초산비닐 공중합체 등을 들 수 있다.As said polar resin, an ethylene-vinyl acetate copolymer etc. are mentioned, for example.

그 중에서도, 바람직한 상기 극성 수지로는 예를 들면, 에틸렌초산비닐 공중합체에 있어서, 모든 구성 단위의 합계 질량에 대한 초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 질량의 비율(본 명세서에 있어서는, 「초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 함유량」이라고 칭하는 경우가 있다)이 10∼40질량％인 것을 들 수 있다. 다시 말하면, 바람직한 상기 극성 수지로는 예를 들면, 에틸렌초산비닐 공중합체에 있어서, 모든 구성 단위의 합계 질량에 대한 에틸렌으로부터 유도된 구성 단위의 질량의 비율이 60∼90질량％인 것을 들 수 있다.Among them, the preferred polar resin is, for example, in an ethylene-vinyl acetate copolymer, the ratio of the mass of structural units derived from vinyl acetate to the total mass of all the structural units (in this specification, "from vinyl acetate (sometimes referred to as "content of derived structural units") is 10 to 40% by mass. In other words, preferred polar resins include, for example, ethylene-vinyl acetate copolymers in which the ratio of the mass of constituent units derived from ethylene to the total mass of all constituent units is 60 to 90% by mass. .

상기 비극성 수지로는 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE), 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE), 메탈로센 촉매 직쇄형 저밀도 폴리에틸렌(메탈로센 LLDPE), 중밀도 폴리에틸렌(MDPE), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE) 등의 폴리에틸렌(PE); 폴리프로필렌(PP) 등을 들 수 있다.Examples of the non-polar resin include low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), metallocene catalyst linear low density polyethylene (metallocene LLDPE), medium density polyethylene (MDPE), and high density polyethylene (HDPE). polyethylene (PE) such as; Polypropylene (PP) etc. are mentioned.

중간층 형성용 조성물 및 중간층이 함유하는 상기 비규소계 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition for forming an intermediate layer and the non-silicon-based resin contained in the intermediate layer may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof may be arbitrarily selected.

예를 들면, 중간층 형성용 조성물 및 중간층은 극성 수지인 비규소계 수지를 1종 또는 2종 이상 함유하고, 또한, 비극성 수지인 비규소계 수지를 함유하고 있지 않아도 되며, 비극성 수지인 비규소계 수지를 1종 또는 2종 이상 함유하고, 또한, 극성 수지인 비규소계 수지를 함유하고 있지 않아도 되며, 극성 수지인 비규소계 수지와, 비극성 수지인 비규소계 수지를 함께 1종 또는 2종 이상 함유해도 된다.For example, the composition for forming the intermediate layer and the intermediate layer may contain one or two or more polar resin non-silicon-based resins, and may not contain non-polar non-silicon-based resins. It may contain a species or two or more species, and may not contain a polar resin non-silicon-based resin, and may contain one or two or more species of a polar resin non-silicon-based resin and a non-polar non-silicon-based resin together.

중간층 형성용 조성물 및 중간층은 적어도 극성 수지인 비규소계 수지를 함유하고 있는 것이 바람직하다.It is preferable that the composition for forming the intermediate layer and the intermediate layer contain at least a non-silicon-based resin which is a polar resin.

중간층 형성용 조성물 및 중간층에 있어서, 상기 비규소계 수지의 총 함유량에 대한 극성 수지인 상기 비규소계 수지의 함유량의 비율은 80질량％ 이상인 것이 바람직하고, 90질량％ 이상인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 95질량％ 이상, 97질량％ 이상, 및 99질량％ 이상 중 어느 하나여도 된다. 상기 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 상기 극성 수지를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다.In the composition for forming an intermediate layer and the intermediate layer, the ratio of the content of the non-silicon-based resin, which is a polar resin, to the total content of the non-silicon-based resin is preferably 80% by mass or more, and more preferably 90% by mass or more. For example, , 95 mass % or more, 97 mass % or more, and any one of 99 mass % or more may be sufficient. When the ratio is equal to or greater than the lower limit, the effect of using the polar resin is obtained more remarkably.

한편, 상기 비율은 100질량％ 이하이다.On the other hand, the said ratio is 100 mass % or less.

즉, 중간층 형성용 조성물 및 중간층에 있어서, 상기 비규소계 수지의 총 함유량에 대한 비극성 수지인 상기 비규소계 수지의 함유량의 비율은 20질량％ 이하인 것이 바람직하고, 10질량％ 이하인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 5질량％ 이하, 3질량％ 이하, 및 1질량％ 이하 중 어느 하나여도 된다.That is, in the composition for forming an intermediate layer and the intermediate layer, the ratio of the content of the non-silicon-based resin, which is a non-polar resin, to the total content of the non-silicon-based resin is preferably 20% by mass or less, more preferably 10% by mass or less. For example, any one of 5 mass % or less, 3 mass % or less, and 1 mass % or less may be sufficient.

한편, 상기 비율은 0질량％ 이상이다.On the other hand, the said ratio is 0 mass % or more.

중간층 형성용 조성물은 그 취급성이 양호하다는 점에서는, 상기 비규소계 수지 이외에, 용매를 함유하고 있는 것이 바람직하고, 상기 비규소계 수지와, 용매 중 어느 것에도 해당하지 않는 성분(본 명세서에 있어서는, 「첨가제」라고 칭하는 경우가 있다)을 함유하고 있어도 된다.The composition for forming an intermediate layer preferably contains a solvent in addition to the non-silicon-based resin in view of its good handleability, and a component that does not correspond to either of the non-silicon-based resin or the solvent (in this specification, (sometimes referred to as "additives") may be contained.

중간층은 상기 비규소계 수지만을 함유하고 있어도 되고, 상기 비규소계 수지와, 상기 첨가제를 함께 함유하고 있어도 된다.The intermediate layer may contain only the non-silicon resin, or may contain both the non-silicon resin and the additive.

상기 첨가제는 수지 성분(본 명세서에 있어서는, 「다른 수지 성분」이라고 칭하는 경우가 있다)과, 비수지 성분 중 어느 것이어도 된다.Any of a resin component (in this specification, it may be called "other resin component") and a non-resin component may be sufficient as the said additive.

상기 다른 수지 성분으로는 예를 들면, 중량 평균 분자량(Mw)이 100000 초과인 비규소계 수지와, 규소계 수지를 들 수 있다.As said other resin component, the weight average molecular weight (Mw) of more than 100000 non-silicon type resin and silicon type resin are mentioned, for example.

중량 평균 분자량이 100000 초과인 비규소계 수지는 이러한 조건을 만족하면, 특별히 한정되지 않는다.A non-silicon-based resin having a weight average molecular weight of more than 100,000 is not particularly limited as long as it satisfies these conditions.

상기 규소계 수지를 함유하는 중간층은 후술하는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 픽업을 보다 용이하게 한다.As will be described later, the intermediate layer containing the silicon-based resin makes it easier to pick up the semiconductor chip on which the film adhesive is formed.

상기 규소계 수지는 구성 원자로서 규소 원자를 갖는 수지 성분이면, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 규소계 수지의 중량 평균 분자량은 특별히 한정되지 않는다.The silicon-based resin is not particularly limited as long as it is a resin component having a silicon atom as a constituent atom. For example, the weight average molecular weight of the silicon-based resin is not particularly limited.

바람직한 규소계 수지로는 예를 들면, 점착제 성분에 대해 이형 작용을 나타내는 수지 성분을 들 수 있고, 실록산계 수지(실록산 결합(-Si-O-Si-)을 갖는 수지 성분, 실록산계 화합물이라고도 한다)인 것이 보다 바람직하다.Preferred silicon-based resins include, for example, resin components exhibiting a mold release action with respect to the pressure-sensitive adhesive component, and siloxane-based resins (also referred to as resin components having a siloxane bond (-Si-O-Si-) and siloxane-based compounds) ) is more preferred.

상기 실록산계 수지로는 예를 들면, 폴리디알킬실록산 등을 들 수 있다. 상기 폴리디알킬실록산이 갖는 알킬기의 탄소수는 1∼20인 것이 바람직하다.As said siloxane-type resin, polydialkylsiloxane etc. are mentioned, for example. It is preferable that the carbon number of the alkyl group of the said polydialkylsiloxane is 1-20.

상기 폴리디알킬실록산으로는, 폴리디메틸실록산 등을 들 수 있다.As said polydialkylsiloxane, polydimethylsiloxane etc. are mentioned.

상기 폴리디알킬실록산에 있어서, 1개의 규소 원자에 결합되어 있는 2개의 알킬기는 서로 동일해도 되고, 서로 상이해도 된다. 1개의 규소 원자에 결합되어 있는 2개의 알킬기가 서로 상이한 경우에는, 이들 2개의 알킬기의 조합은 특별히 한정되지 않는다.In the above polydialkylsiloxane, the two alkyl groups bonded to one silicon atom may be the same as or different from each other. When two alkyl groups bonded to one silicon atom are different from each other, the combination of these two alkyl groups is not particularly limited.

상기 폴리디알킬실록산으로는, 폴리디메틸실록산 등을 들 수 있다.As said polydialkylsiloxane, polydimethylsiloxane etc. are mentioned.

상기 비수지 성분은 예를 들면, 유기 화합물 및 무기 화합물 중 어느 것이어도 되고, 특별히 한정되지 않는다.The non-resin component may be, for example, either an organic compound or an inorganic compound, and is not particularly limited.

중간층 형성용 조성물 및 중간층이 함유하는 상기 첨가제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition for forming an intermediate layer and the above-mentioned additives contained in the intermediate layer may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

예를 들면, 중간층 형성용 조성물 및 중간층은 상기 첨가제로서, 수지 성분을 1종 또는 2종 이상 함유하고, 또한, 비수지 성분을 함유하고 있지 않아도 되며, 비수지 성분을 1종 또는 2종 이상 함유하고, 또한, 수지 성분을 함유하고 있지 않아도 되며, 수지 성분 및 비수지 성분을 함께, 1종 또는 2종 이상 함유하고 있어도 된다.For example, the composition for forming an intermediate layer and the intermediate layer may contain one or two or more resin components as the above additives, and may not contain non-resin components, and may contain one or two or more non-resin components. Moreover, it is not necessary to contain a resin component, and you may contain 1 type(s) or 2 or more types of resin component and non-resin component together.

중간층 형성용 조성물은 첨가제로서, 착색제를 함유하는 것이 바람직하다.The composition for forming an intermediate layer preferably contains a colorant as an additive.

이에 의해, 중간층의 전광선 투과율을 원하는 값으로 조절할 수 있다.Accordingly, the total light transmittance of the intermediate layer can be adjusted to a desired value.

착색제로는 예를 들면, 무기계 안료, 유기계 안료, 유기계 염료 등, 공지의 것을 들 수 있다. 착색제로는, 무기계 안료를 사용하는 것이 바람직하다.As a coloring agent, well-known things, such as an inorganic pigment, organic pigment, and organic dye, are mentioned, for example. As a coloring agent, it is preferable to use an inorganic pigment.

상기 유기계 안료 및 유기계 염료로는 예를 들면, 아미늄계 색소, 시아닌계 색소, 메로시아닌계 색소, 크로코늄계 색소, 스쿠아릴륨계 색소, 아즈레늄계 색소, 폴리메틴계 색소, 나프토퀴논계 색소, 피릴륨계 색소, 프탈로시아닌계 색소, 나프탈로시아닌계 색소, 나프토락탐계 색소, 아조계 색소, 축합 아조계 색소, 인디고계 색소, 페리논계 색소, 페릴렌계 색소, 디옥사진계 색소, 퀴나크리돈계 색소, 이소인돌리논계 색소, 퀴노프탈론계 색소, 피롤계 색소, 티오인디고계 색소, 금속 착체계 색소(금속 착염 염료), 디티올 금속 착체계 색소, 인돌페놀계 색소, 트리알릴메탄계 색소, 안트라퀴논계 색소, 디옥사진계 색소, 나프톨계 색소, 아조메틴계 색소, 벤즈이미다졸론계 색소, 피란트론계 색소, 및 트렌계 색소 등을 들 수 있다.Examples of the organic pigments and organic dyes include aminium-based pigments, cyanine-based pigments, merocyanine-based pigments, croconium-based pigments, squarylium-based pigments, azurenium-based pigments, polymethine-based pigments, and naphthoquinone-based pigments. , Pyrylium pigment, phthalocyanine pigment, naphthalocyanine pigment, naphtholactam pigment, azo pigment, condensed azo pigment, indigo pigment, perinone pigment, perylene pigment, dioxazine pigment, quinacridone pigment, Isoindolinone pigment, quinophthalone pigment, pyrrole pigment, thioindigo pigment, metal complex pigment (metal complex dye), dithiol metal complex pigment, indolephenol pigment, triallylmethane pigment, anthra and quinone-based pigments, dioxazine-based pigments, naphthol-based pigments, azomethine-based pigments, benzimidazolone-based pigments, pyranthrone-based pigments, and threne-based pigments.

상기 무기계 안료로는 예를 들면, 카본 블랙, 코발트계 색소, 철계 색소, 크롬계 색소, 티탄계 색소, 바나듐계 색소, 지르코늄계 색소, 몰리브덴계 색소, 루테늄계 색소, 백금계 색소, ITO(인듐 주석 옥사이드)계 색소, ATO(안티몬 주석 옥사이드)계 색소 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 카본 블랙이 바람직하다.Examples of the inorganic pigment include carbon black, cobalt pigment, iron pigment, chromium pigment, titanium pigment, vanadium pigment, zirconium pigment, molybdenum pigment, ruthenium pigment, platinum pigment, ITO (indium tin oxide)-based pigments, ATO (antimony tin oxide)-based pigments, and the like. Among these, carbon black is preferable.

중간층 형성용 조성물 및 중간층이 함유할 수 있는 착색제는, 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The composition for forming an intermediate layer and the colorant that the intermediate layer may contain may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

중간층 형성용 조성물 및 중간층이 착색제를 함유하는 경우, 중간층에 있어서, 중간층의 총 질량 100질량％에 대한 착색제의 질량의 비율(다시 말하면, 중간층 형성용 조성물에 있어서의 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 착색제의 함유량의 비율)은 0.2∼50질량％인 것이 바람직하고, 0.3∼20질량％인 것이 보다 바람직하며, 0.5∼15질량％인 것이 특히 바람직하다.When the composition for forming an intermediate layer and the intermediate layer contain a colorant, in the intermediate layer, the ratio of the mass of the colorant to 100% by mass of the total mass of the intermediate layer (in other words, the total content of all components other than the solvent in the composition for forming an intermediate layer) The ratio of the content of the coloring agent to) is preferably 0.2 to 50% by mass, more preferably 0.3 to 20% by mass, and particularly preferably 0.5 to 15% by mass.

중간층 형성용 조성물 및 중간층이 상기 첨가제를 함유하고, 또한, 상기 첨가제가 착색제를 함유하지 않는 경우, 중간층 형성용 조성물의 각 성분의 함유량은, 이하와 같은 것이어도 된다.When the composition for forming an intermediate layer and the intermediate layer contain the additive and the additive does not contain a coloring agent, the content of each component in the composition for forming an intermediate layer may be as follows.

중간층에 있어서, 중간층의 총 질량에 대한 상기 비규소계 수지의 함유량의 비율(다시 말하면, 중간층 형성용 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 상기 비규소계 수지의 함유량의 비율)은 90∼99.99질량％인 것이 바람직하고, 예를 들면, 90∼97.5질량％, 90∼95질량％, 및 90∼92.5질량％ 중 어느 하나여도 되며, 92.5∼99.99질량％, 95∼99.99질량％, 및 97.5∼99.99질량％ 중 어느 하나여도 되고, 92.5∼97.5질량％여도 된다.In the intermediate layer, the ratio of the content of the non-silicon-based resin to the total mass of the intermediate layer (in other words, in the composition for forming an intermediate layer, the ratio of the content of the non-silicon-based resin to the total content of all components other than the solvent) is 90 It is preferably -99.99% by mass, and may be, for example, any one of 90-97.5% by mass, 90-95% by mass, and 90-92.5% by mass, 92.5-99.99% by mass, 95-99.99% by mass, and Any one of 97.5-99.99 mass % may be sufficient, and 92.5-97.5 mass % may be sufficient.

중간층에 있어서, 중간층의 총 질량에 대한 상기 첨가제의 함유량의 비율(다시 말하면, 중간층 형성용 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 상기 첨가제의 함유량의 비율)은 0.01∼10질량％인 것이 바람직하고, 예를 들면, 2.5∼10질량％, 5∼10질량％, 및 7.5∼10질량％ 중 어느 하나여도 되며, 0.01∼7.5질량％, 0.01∼5질량％, 및 0.01∼2.5질량％ 중 어느 하나여도 되고, 2.5∼7.5질량％여도 된다.In the intermediate layer, the ratio of the content of the additive to the total mass of the intermediate layer (in other words, the ratio of the content of the additive to the total content of all components other than the solvent in the composition for forming the intermediate layer) is 0.01 to 10% by mass. It is preferable, and may be any one of 2.5-10 mass %, 5-10 mass %, and 7.5-10 mass %, for example, 0.01-7.5 mass %, 0.01-5 mass %, and 0.01-2.5 mass %. Any of % may be sufficient, and 2.5-7.5 mass % may be sufficient.

중간층 형성용 조성물 및 중간층이 상기 다른 수지 성분을 함유하는 경우, 중간층에 있어서, 상기 비규소계 수지의 총 함유량에 대한 상기 다른 수지 성분의 총 함유량의 비율(다시 말하면, 중간층 형성용 조성물에 있어서, 상기 비규소계 수지의 총 함유량에 대한 상기 다른 수지 성분의 총 함유량의 비율)은 0∼10질량％인 것이 바람직하고, 3∼10질량％인 것이 보다 바람직하며, 6∼10질량％인 것이 더욱 바람직하다.When the composition for forming an intermediate layer and the intermediate layer contain the other resin component, the ratio of the total content of the other resin component to the total content of the non-silicon-based resin in the intermediate layer (in other words, in the composition for forming an intermediate layer, the above The ratio of the total content of the other resin components to the total content of the non-silicon resin) is preferably 0 to 10% by mass, more preferably 3 to 10% by mass, still more preferably 6 to 10% by mass. .

중간층 형성용 조성물이 함유하는 상기 용매는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로는 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.The solvent contained in the composition for forming an intermediate layer is not particularly limited, but preferred examples include hydrocarbons such as toluene and xylene; alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol), and 1-butanol; esters such as ethyl acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as tetrahydrofuran; amides (compounds having an amide bond) such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone; and the like.

중간층 형성용 조성물이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The solvent contained in the composition for forming an intermediate layer may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.

중간층 형성용 조성물이 함유하는 용매는 중간층 형성용 조성물 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 테트라히드로푸란 등인 것이 바람직하다.The solvent contained in the composition for forming an intermediate layer is preferably tetrahydrofuran or the like from the viewpoint of being able to more uniformly mix the components contained in the composition for forming an intermediate layer.

중간층 형성용 조성물의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.The content of the solvent in the composition for forming an intermediate layer is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type of components other than the solvent, for example.

후술하는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있는 점에서는, 바람직한 중간층으로는 예를 들면, 상기 비규소계 수지인 에틸렌초산비닐 공중합체와, 상기 첨가제인 실록산계 화합물을 함유하고, 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 상기 에틸렌초산비닐 공중합체(상기 비규소계 수지)의 함유량의 비율이 상술한 어느 하나의 수치 범위이며, 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 상기 실록산계 화합물(상기 첨가제)의 함유량의 비율이 상술한 어느 하나의 수치 범위인 것을 들 수 있다.As will be described later, from the point of being able to more easily pick up the semiconductor chip on which the film adhesive is formed, as a preferable intermediate layer, for example, the non-silicon-based resin ethylene-vinyl acetate copolymer and the additive siloxane-based compound and the ratio of the content of the ethylene-vinyl acetate copolymer (the non-silicon-based resin) to the total mass of the intermediate layer in the intermediate layer is within any one of the above-mentioned numerical ranges, and to the total mass of the intermediate layer in the intermediate layer. It is exemplified that the ratio of the content of the siloxane-based compound (the above additive) is within any one of the numerical ranges described above.

예를 들면, 이러한 중간층으로는, 상기 비규소계 수지인 에틸렌초산비닐 공중합체와, 상기 첨가제인 실록산계 화합물을 함유하고, 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 상기 에틸렌초산비닐 공중합체의 함유량의 비율이 90∼99.99질량％이며, 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 상기 실록산계 화합물의 함유량의 비율이 0.01∼10질량％인 것을 들 수 있다. 단, 이는 바람직한 중간층의 일 예이다.For example, such an intermediate layer contains an ethylene-vinyl acetate copolymer as the non-silicon resin and a siloxane-based compound as the additive, and the content of the ethylene-vinyl acetate copolymer relative to the total mass of the intermediate layer in the intermediate layer is The ratio is 90-99.99 mass %, and the ratio of content of the said siloxane type compound with respect to the total mass of the intermediate|middle layer in an intermediate|middle layer is 0.01-10 mass % is mentioned. However, this is an example of a preferred intermediate layer.

보다 바람직한 중간층으로는 예를 들면, 상기 중간층이 상기 비규소계 수지인 에틸렌초산비닐 공중합체와, 상기 첨가제인 실록산계 화합물을 함유하고, 상기 에틸렌초산비닐 공중합체에 있어서, 모든 구성 단위의 합계 질량에 대한 초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 질량의 비율(다시 말하면, 초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 함유량)이 10∼40질량％이며, 상기 중간층에 있어서, 상기 중간층의 총 질량에 대한 상기 에틸렌초산비닐 공중합체의 함유량의 비율이 90∼99.99질량％이고, 상기 중간층에 있어서, 상기 중간층의 총 질량에 대한 상기 실록산계 화합물의 함유량의 비율이 0.01∼10질량％인 것을 들 수 있다. 단, 이는 보다 바람직한 중간층의 일 예이다.As a more preferable intermediate layer, for example, the intermediate layer contains the ethylene-vinyl acetate copolymer as the non-silicon resin and the siloxane-based compound as the additive, and in the ethylene-vinyl acetate copolymer, the total mass of all constituent units is The ratio of the mass of structural units derived from vinyl acetate (in other words, the content of structural units derived from vinyl acetate) to the mass of the vinyl acetate is 10 to 40% by mass, and in the intermediate layer, the ethylene-vinyl acetate with respect to the total mass of the intermediate layer Examples include those in which the content of the copolymer is 90 to 99.99% by mass, and in the middle layer, the content of the siloxane compound to the total mass of the middle layer is 0.01 to 10% by mass. However, this is an example of a more preferable intermediate layer.

필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 중간층을 보다 확실히 인식하는 점에서는, 바람직한 중간층으로는, 상기 비규소계 수지인 에틸렌초산비닐 공중합체와, 상기 첨가제인 착색제를 함유하고, 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 상기 에틸렌초산비닐 공중합체의 함유량의 비율이 85∼99.5질량％이며, 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 착색제의 함유량의 비율이 0.5∼15질량％인 것을 들 수 있다. 단, 이는 바람직한 중간층의 일 예이다.In terms of more reliably recognizing the intermediate layer of the semiconductor chip on which the film adhesive is formed, the preferred intermediate layer contains the ethylene-vinyl acetate copolymer as the non-silicon resin and the colorant as the additive, and the total mass of the intermediate layer in the intermediate layer 85 to 99.5% by mass of the content of the ethylene-vinyl acetate copolymer, and 0.5 to 15% by mass of the colorant relative to the total mass of the middle layer in the middle layer. However, this is an example of a preferred intermediate layer.

보다 바람직한 중간층으로는 예를 들면, 상기 중간층이 상기 비규소계 수지인 에틸렌초산비닐 공중합체와, 상기 첨가제인 착색제를 함유하고, 상기 에틸렌초산비닐 공중합체에 있어서, 모든 구성 단위의 합계 질량에 대한 초산 비닐로부터 유도된 구성 단위의 질량의 비율(다시 말하면, 초산 비닐로부터 유도된 구성 단위의 함유량)이 10∼40질량％이며, 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 상기 에틸렌초산비닐 공중합체의 함유량의 비율이 85∼99.5질량％이고, 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 착색제의 함유량의 비율이 0.5∼15질량％인 것을 들 수 있다. 단, 이는 바람직한 중간층의 일 예이다.As a more preferable intermediate layer, for example, the intermediate layer contains the ethylene-vinyl acetate copolymer as the non-silicon resin and the colorant as the additive, and in the ethylene-vinyl acetate copolymer, acetic acid with respect to the total mass of all constituent units The ratio of the mass of the structural units derived from vinyl (in other words, the content of the structural units derived from vinyl acetate) is 10 to 40% by mass, and the content of the ethylene-vinyl acetate copolymer relative to the total mass of the intermediate layer in the intermediate layer The ratio of is 85-99.5 mass %, and the ratio of content of the coloring agent with respect to the total mass of the intermediate|middle layer in an intermediate|middle layer is 0.5-15 mass %. However, this is an example of a preferred intermediate layer.

반도체 장치 제조용 시트에 있어서, 중간층의 필름형 접착제측 면(예를 들면, 도 1에 있어서는, 중간층(13)의 제1 면(13a))에 대해, X선 광전자 분광법(X-ray Photoelectron Spectroscopy, 본 명세서에 있어서는 「XPS」라고 칭하는 경우가 있다)에 의해 분석을 행했을 때, 탄소, 산소, 질소, 및 규소의 합계 농도에 대한 규소 농도의 비율(본 명세서에 있어서는, 「규소 농도의 비율」이라고 약기하는 경우가 있다)은 원소의 몰 기준으로, 1∼20％인 것이 바람직하다. 이러한 중간층을 구비한 반도체 장치 제조용 시트를 사용함으로써, 후술하는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.In the sheet for semiconductor device manufacture, X-ray photoelectron spectroscopy (X-ray photoelectron spectroscopy, In this specification, sometimes referred to as "XPS"), when analysis is performed, the ratio of silicon concentration to the total concentration of carbon, oxygen, nitrogen, and silicon (in this specification, "silicon concentration ratio" may be abbreviated as ) is preferably 1 to 20% on a molar basis of the element. By using the sheet|seat for semiconductor device manufacture provided with such an intermediate|middle layer, as mentioned later, the semiconductor chip on which the film adhesive was formed can be picked up more easily.

상기 규소 농도의 비율은 하기 식:The ratio of the silicon concentration is given by the formula:

[XPS 분석에서의 규소 농도의 측정값(atomic ％)]／{[XPS 분석에서의 탄소 농도의 측정값(atomic ％)]＋[XPS 분석에서의 산소 농도의 측정값(atomic ％)]＋[XPS 분석에서의 질소 농도의 측정값(atomic ％)]＋[XPS 분석에서의 규소 농도의 측정값(atomic ％)]}×100[measured value of silicon concentration in XPS analysis (atomic %)]/{[measured value of carbon concentration in XPS analysis (atomic %)] + [measured value of oxygen concentration in XPS analysis (atomic %)] + [ Measured value of nitrogen concentration in XPS analysis (atomic %)] + [measured value of silicon concentration in XPS analysis (atomic %)]} × 100

에 의해 산출할 수 있다.can be calculated by

XPS 분석은 필름형 접착제측의 중간층의 표면에 대해, X선 광전자 분광 분석 장치(예를 들면, 알박사 제조 「Quantra SXM」)를 이용하여, 조사 각도 45°, X선 빔 직경 20㎛φ, 출력 4.5W의 조건에서 행할 수 있다.XPS analysis was performed on the surface of the intermediate layer on the film adhesive side using an X-ray photoelectron spectroscopy analyzer (for example, "Quantra SXM" manufactured by Alvac Co., Ltd.) at an irradiation angle of 45 °, an X-ray beam diameter of 20 µmφ, It can be performed under the condition of output 4.5W.

이러한 효과가 보다 현저해지는 점에서는, 상기 규소 농도의 비율은 예를 들면, 원소의 몰 기준으로 4∼20％, 8∼20％, 및 12∼20％ 중 어느 하나여도 되고, 1∼16％, 1∼12％, 및 1∼8％ 중 어느 하나여도 되며, 4∼16％ 및 8∼12％ 중 어느 하나여도 된다.In view of this effect being more remarkable, the ratio of the silicon concentration may be, for example, any one of 4 to 20%, 8 to 20%, and 12 to 20% on a molar basis of the element, 1 to 16%, Any of 1 to 12% and 1 to 8% may be sufficient, and any of 4 to 16% and 8 to 12% may be sufficient.

상술한 바와 같이 XPS 분석을 행했을 때에는, 중간층의 상기 면(XPS의 분석 대칭면)에 있어서, 탄소와, 산소와, 질소와, 규소 중 어느 것에도 해당하지 않는 다른 원소가 검출될 가능성이 있다. 그러나, 통상은 상기 다른 원소가 검출되었다고 해도, 그 농도는 미량이기 때문에, 상기 규소 농도의 비율을 산출할 때에는, 탄소, 산소, 질소, 및 규소 농도의 측정값을 사용하면, 상기 규소 농도의 비율을 고정밀도로 산출할 수 있다.When the XPS analysis is performed as described above, there is a possibility that other elements that do not correspond to any of carbon, oxygen, nitrogen, and silicon are detected on the above-mentioned plane of the intermediate layer (XPS analysis symmetry plane). However, even if the other element is normally detected, its concentration is insignificant, so when calculating the silicon concentration ratio, if the measured values of the carbon, oxygen, nitrogen, and silicon concentrations are used, the silicon concentration ratio can be calculated with high precision.

중간층은 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.The intermediate layer may consist of one layer (single layer) or may consist of a plurality of layers of two or more layers. don't

앞서 설명한 바와 같이, 중간층의 폭의 최대값은 점착제층의 폭의 최대값과, 기재의 폭의 최대값보다 작게 되어 있는 것이 바람직하다.As described above, the maximum width of the intermediate layer is preferably smaller than the maximum width of the pressure-sensitive adhesive layer and the maximum width of the base material.

중간층의 폭의 최대값은 반도체 웨이퍼의 크기를 고려하여, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 중간층의 폭의 최대값은 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜여도 된다. 이들 3개의 수치 범위는 반도체 장치 제조용 시트와의 첩부면에 대해 평행한 방향에 있어서의 폭의 최대값이 150㎜인 반도체 웨이퍼, 200㎜인 반도체 웨이퍼, 또는 300㎜인 반도체 웨이퍼에 대응하고 있다. 단, 앞서 설명한 바와 같이, 반도체 웨이퍼에서의 개질층의 형성을 수반하는 다이싱을 행한 후, 반도체 장치 제조용 시트를 익스팬드함으로써, 필름형 접착제를 절단하는 경우에는, 후술하는 바와 같이, 다이싱 후의 다수의 반도체 칩(반도체 칩군)을 하나로 하여 이들 반도체 칩에 반도체 장치 제조용 시트를 첩부한다.The maximum value of the width of the intermediate layer can be appropriately selected in consideration of the size of the semiconductor wafer. For example, the maximum width of the middle layer may be 150 to 160 mm, 200 to 210 mm, or 300 to 310 mm. These three numerical ranges correspond to semiconductor wafers of 150 mm, 200 mm, or 300 mm of the maximum width in the direction parallel to the sticking surface with the sheet for semiconductor device manufacture. However, as described above, in the case of cutting the film adhesive by expanding the sheet for semiconductor device manufacture after performing dicing accompanying formation of the modified layer in the semiconductor wafer, as will be described later, after dicing A plurality of semiconductor chips (semiconductor chip groups) are united, and a sheet for semiconductor device manufacturing is affixed to these semiconductor chips.

본 명세서에 있어서는, 특별히 언급이 없는 한, 「중간층의 폭」이란, 예를 들면, 「중간층의 제1 면에 대해 평행한 방향에 있어서의 중간층의 폭」을 의미한다. 예를 들면, 평면 형상이 원 형상인 중간층의 경우, 상술한 중간층의 폭의 최대값은 상기 평면 형상인 원의 직경이 된다.In this specification, unless otherwise specified, "the width of the intermediate layer" means, for example, "the width of the intermediate layer in a direction parallel to the first surface of the intermediate layer". For example, in the case of an intermediate layer having a circular planar shape, the maximum width of the intermediate layer described above is the diameter of the circular circular shape.

이는 반도체 웨이퍼의 경우에도 동일하다. 즉, 「반도체 웨이퍼의 폭」이란, 「반도체 웨이퍼의 반도체 장치 제조용 시트와의 첩부면에 대해 평행한 방향에 있어서의 반도체 웨이퍼의 폭」을 의미한다. 예를 들면, 평면 형상이 원 형상인 반도체 웨이퍼의 경우, 상술한 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값은 상기 평면 형상인 원의 직경이 된다.This is the same also in the case of a semiconductor wafer. That is, "the width|variety of a semiconductor wafer" means "the width|variety of the semiconductor wafer in the direction parallel with respect to the sticking surface of a semiconductor wafer with the sheet|seat for semiconductor device manufacture." For example, in the case of a semiconductor wafer having a circular planar shape, the maximum width of the semiconductor wafer described above is the diameter of the circular circular planar shape.

150∼160㎜라는 중간층의 폭의 최대값은 150㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.The maximum value of the width of the intermediate layer of 150 to 160 mm is equivalent to the maximum value of the width of the semiconductor wafer of 150 mm or larger within a range not exceeding 10 mm.

마찬가지로, 200∼210㎜라는 중간층의 폭의 최대값은 200㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.Similarly, the maximum width of the intermediate layer of 200 to 210 mm is equivalent to the maximum width of the semiconductor wafer of 200 mm or larger within a range not exceeding 10 mm.

마찬가지로, 300∼310㎜라는 중간층의 폭의 최대값은 300㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.Similarly, the maximum width of the intermediate layer of 300 to 310 mm is equivalent to the maximum width of the semiconductor wafer of 300 mm or larger within a range not exceeding 10 mm.

즉, 본 실시형태에 있어서는, 중간층의 폭의 최대값과, 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값의 차이는 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값이 150㎜, 200㎜, 및 300㎜ 중 어느 것이어도, 0∼10㎜여도 된다.That is, in the present embodiment, the difference between the maximum width of the intermediate layer and the maximum width of the semiconductor wafer is, for example, whichever of 150 mm, 200 mm, and 300 mm is the maximum width of the semiconductor wafer. 0 to 10 mm may be sufficient.

중간층의 두께는 목적에 따라 적절히 선택할 수 있지만, 5∼150㎛인 것이 바람직하고, 5∼120㎛인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 10∼90㎛ 및 10∼60㎛ 중 어느 하나여도 되고, 30∼120㎛ 및 60∼120㎛ 중 어느 하나여도 된다. 중간층의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 중간층의 구조가 보다 안정화된다. 중간층의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 블레이드 다이싱시와 반도체 장치 제조용 시트의 상기 익스팬드시에 있어서, 필름형 접착제를 보다 용이하게 절단할 수 있다.The thickness of the intermediate layer can be appropriately selected depending on the purpose, but is preferably 5 to 150 μm, more preferably 5 to 120 μm, and may be, for example, 10 to 90 μm or 10 to 60 μm. Any one of 30-120 micrometers and 60-120 micrometers may be sufficient. When the thickness of the intermediate layer is equal to or greater than the lower limit, the structure of the intermediate layer is further stabilized. When the thickness of an intermediate|middle layer is below the said upper limit, in the case of blade dicing and the said expansion of the sheet|seat for semiconductor device manufacture, a film adhesive can be cut|disconnected more easily.

여기서, 「중간층의 두께」란, 중간층 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 중간층의 두께란, 중간층을 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.Here, the "thickness of the intermediate layer" means the thickness of the entire intermediate layer, and for example, the thickness of an intermediate layer composed of a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the intermediate layer.

중간층이 상기 규소계 수지를 함유하는 경우, 특히, 규소계 수지와, 주성분인 상기 비규소계 수지의 상용성이 낮은 경우에는, 반도체 장치 제조용 시트에 있어서, 중간층 중의 규소계 수지는 중간층의 양면(제1 면과 그 반대측 면)과 그 근방 영역에 편재하기 쉽다. 그리고, 이러한 경향이 강할수록, 중간층에 인접하고 있는(직접 접촉하고 있는) 필름형 접착제는 중간층으로부터 박리하기 쉽고, 후술하는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.When the intermediate layer contains the silicon-based resin, particularly when the compatibility between the silicon-based resin and the non-silicon-based resin as a main component is low, in the sheet for manufacturing a semiconductor device, the silicon-based resin in the intermediate layer is present on both sides of the intermediate layer (first 1 side and the opposite side) and are likely to be ubiquitous in the area around it. And, the stronger this tendency is, the film adhesive adjacent to (directly contacting) the intermediate layer is easily peeled off from the intermediate layer, and as described later, the semiconductor chip formed with the film adhesive can be picked up more easily.

예를 들면, 두께만이 서로 상이하고, 조성, 상기 양면의 면적 등, 두께 이외의 점이 서로 동일한 중간층끼리를 비교한 경우, 이들 중간층에 있어서는, 중간층의 총 질량에 대한 규소계 수지의 함유량의 비율(질량％)은 서로 동일하다. 그러나, 중간층의 규소계 수지의 함유량(질량부)은 두께가 두꺼운 중간층이, 두께가 얇은 중간층보다 많다. 따라서, 규소계 수지가 중간층 중에서 상기와 같이 편재하기 쉬운 경우에는, 두께가 두꺼운 중간층이, 두께가 얇은 중간층보다, 양면(제1 면과 그 반대측 면)과 그 근방 영역에 편재하는 규소계 수지의 양이 많아진다. 이 때문에, 상기 비율을 변경하지 않아도, 반도체 장치 제조용 시트 중의 중간층의 두께를 조절함으로써, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 픽업 적성을 조절하는 것이 가능하다. 예를 들면, 반도체 장치 제조용 시트 중의 중간층의 두께를 두껍게 함으로써, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.For example, when comparing intermediate layers that differ from each other only in thickness and are identical in points other than thickness, such as composition and area on both sides, the ratio of the content of silicon-based resin to the total mass of the intermediate layers in these intermediate layers. (% by mass) are the same as each other. However, the content (part by mass) of the silicon-based resin in the middle layer is higher in the thicker middle layer than in the thin middle layer. Therefore, when the silicon-based resin tends to be unevenly distributed in the intermediate layer as described above, the thicker intermediate layer is more unevenly distributed on both surfaces (the first surface and the opposite side surface) and in the vicinity thereof than in the thin intermediate layer. quantity increases For this reason, even if it does not change the said ratio, it is possible to adjust the pick-up aptitude of the semiconductor chip with film adhesive by adjusting the thickness of the intermediate|middle layer in the sheet|seat for semiconductor device manufacture. For example, the semiconductor chip with film adhesive can be picked up more easily by thickening the thickness of the intermediate|middle layer in the sheet|seat for semiconductor device manufacture.

중간층은 그 구성 재료를 함유하는 접착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 필름형 접착제의 형성 대상면에 접착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 필름형 접착제를 형성할 수 있다.The intermediate layer can be formed using an adhesive composition containing the constituent materials. For example, a film adhesive can be formed in a target site|part by coating an adhesive composition on the formation target surface of a film adhesive and drying it as needed.

중간층 형성용 조성물의 도공은 상술한 점착제 조성물의 도공의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.Coating of the composition for forming an intermediate layer can be performed in the same manner as in the case of coating of the above-described pressure-sensitive adhesive composition.

중간층 형성용 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않는다. 중간층 형성용 조성물은 상기 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 60∼130℃에서 1∼6분의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다.Drying conditions of the composition for forming an intermediate layer are not particularly limited. When the composition for forming an intermediate layer contains the above solvent, it is preferable to dry it by heating, and in this case, it is preferable to dry it under conditions of 1 to 6 minutes at 60 to 130°C, for example.

○필름형 접착제○Film type adhesive

상기 필름형 접착제는 경화성을 갖고, 열경화성을 갖는 것이 바람직하며, 감압 접착성을 갖는 것이 바람직하다. 열경화성 및 감압 접착성을 함께 갖는 필름형 접착제는, 미경화 상태에서는 각종 피착체에 가볍게 가압함으로써 첩부할 수 있다. 또한, 필름형 접착제는 가열하여 연화시킴으로써, 각종 피착체에 첩부할 수 있는 것이어도 된다. 필름형 접착제는 경화에 의해 최종적으로는 내충격성이 높은 경화물이 되고, 이 경화물은 혹독한 고온·고습도 조건하에 있어서도 충분한 접착 특성을 유지할 수 있다.The film adhesive has curability, preferably has thermosetting properties, and preferably has pressure-sensitive adhesive properties. A film adhesive having both thermosetting and pressure-sensitive adhesive properties can be applied to various adherends by lightly pressing them in an uncured state. Moreover, a film adhesive may be what can be affixed to various to-be-adhered bodies by heating and softening. The film adhesive finally becomes a cured product with high impact resistance by curing, and this cured product can maintain sufficient adhesive properties even under severe high temperature and high humidity conditions.

반도체 장치 제조용 시트를 상방으로부터 내려다 보아 평면에서 보았을 때, 필름형 접착제의 면적(즉, 제1 면의 면적)은 분할 전의 반도체 웨이퍼의 면적에 가깝게 되도록, 기재의 면적(즉, 제1 면의 면적) 및 점착제층의 면적(즉, 제1 면의 면적)보다 작게 설정되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 반도체 장치 제조용 시트에서는, 점착제층의 제1 면의 일부에 중간층 및 필름형 접착제와 접촉하고 있지 않은 영역(즉, 상기 비적층 영역)이 존재한다. 이에 의해, 반도체 장치 제조용 시트의 익스팬드가 보다 용이해짐과 함께, 익스팬드시에 필름형 접착제에 가해지는 힘이 분산되지 않기 때문에, 필름형 접착제를 보다 용이하게 절단할 수 있다.When the sheet for semiconductor device production is viewed from above and viewed in plan, the area of the film adhesive (ie, the area of the first surface) is close to the area of the semiconductor wafer before division, so that the area of the substrate (ie, the area of the first surface) ) and the area of the pressure-sensitive adhesive layer (ie, the area of the first surface). In such a sheet for semiconductor device manufacture, a region not in contact with the intermediate layer and the film adhesive (i.e., the non-laminated region) exists on a part of the first surface of the pressure-sensitive adhesive layer. While expanding of the sheet for semiconductor device manufacture becomes easier by this, since the force applied to the film adhesive at the time of expansion is not dispersed, the film adhesive can be cut more easily.

필름형 접착제는 그 구성 재료를 함유하는 접착제 조성물을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 필름형 접착제의 형성 대상면에 접착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 필름형 접착제를 형성할 수 있다.A film adhesive can be formed using the adhesive composition containing the constituent material. For example, a film adhesive can be formed in a target site|part by coating an adhesive composition on the formation target surface of a film adhesive and drying it as needed.

필름형 접착제에 있어서, 필름형 접착제의 총 질량에 대한 필름형 접착제의 1종 또는 2종 이상의 후술하는 함유 성분의 합계 함유량의 비율은 100질량％를 초과하지 않는다.Film adhesive WHEREIN: The ratio of the total content of the 1 type(s) or 2 or more types of below-mentioned components of the film adhesive with respect to the gross mass of the film adhesive does not exceed 100 mass %.

마찬가지로, 접착제 조성물에 있어서, 접착제 조성물의 총 질량에 대한 접착제 조성물의 1종 또는 2종 이상의 후술하는 함유 성분의 합계 함유량의 비율은 100질량％를 초과하지 않는다.Similarly, in the adhesive composition, the ratio of the total content of one or two or more of the following components of the adhesive composition to the total mass of the adhesive composition does not exceed 100% by mass.

접착제 조성물의 도공은 상술한 점착제 조성물의 도공의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.Coating of adhesive composition can be performed by the same method as the case of coating of the above-mentioned adhesive composition.

접착제 조성물의 건조 조건은 특별히 한정되지 않는다. 접착제 조성물은 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 70∼130℃에서 10초∼5분의 조건으로 건조시키는 것이 바람직하다.Drying conditions of the adhesive composition are not particularly limited. When the adhesive composition contains the solvent described below, it is preferable to heat dry it, and in this case, it is preferable to dry it under conditions of 10 seconds to 5 minutes at 70 to 130°C, for example.

필름형 접착제는 1층(단층)으로 이루어지는 것이어도 되고, 2층 이상의 복수층으로 이루어지는 것이어도 되며, 복수층으로 이루어지는 경우, 이들 복수층은 서로 동일해도 상이해도 되고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.The film adhesive may consist of one layer (single layer) or may consist of two or more layers, and when it consists of a plurality of layers, these multiple layers may be the same or different from each other, and the combination of these multiple layers is particularly Not limited.

앞서 설명한 바와 같이, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 점착제층의 폭의 최대값과, 기재의 폭의 최대값보다 작게 되어 있는 것이 바람직하다.As described above, the maximum value of the width of the film adhesive is preferably smaller than the maximum value of the width of the pressure-sensitive adhesive layer and the maximum value of the width of the base material.

필름형 접착제의 폭의 최대값은 반도체 웨이퍼의 크기에 대해, 앞서 설명한 중간층의 폭의 최대값과 동일해도 된다.The maximum value of the width of the film adhesive may be the same as the maximum value of the width of the intermediate layer described above with respect to the size of the semiconductor wafer.

즉, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 반도체 웨이퍼의 크기를 고려하여, 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜여도 된다. 이들 3개의 수치 범위는 반도체 장치 제조용 시트와의 첩부면에 대해 평행한 방향에 있어서의 폭의 최대값이 150㎜인 반도체 웨이퍼, 200㎜인 반도체 웨이퍼, 또는 300㎜인 반도체 웨이퍼에 대응하고 있다.That is, the maximum value of the width|variety of a film adhesive can consider the size of a semiconductor wafer, and can select suitably. For example, 150-160 mm, 200-210 mm, or 300-310 mm may be sufficient as the maximum of the width|variety of a film adhesive. These three numerical ranges correspond to semiconductor wafers of 150 mm, 200 mm, or 300 mm of the maximum width in the direction parallel to the sticking surface with the sheet for semiconductor device manufacture.

본 명세서에 있어서는, 특별히 언급이 없는 한, 「필름형 접착제의 폭」이란, 예를 들면, 「필름형 접착제의 제1 면에 대해 평행한 방향에 있어서의 필름형 접착제의 폭」을 의미한다. 예를 들면, 평면 형상이 원 형상인 필름형 접착제의 경우, 상술한 필름형 접착제의 폭의 최대값은 상기 평면 형상인 원의 직경이 된다.In this specification, "the width|variety of a film adhesive" means "the width|variety of the film adhesive in the direction parallel to the 1st surface of a film adhesive", for example, unless there is particular notice. For example, in the case of a film adhesive having a flat circular shape, the maximum value of the width of the aforementioned film adhesive is the diameter of the flat circular circular shape.

또한, 특별히 언급이 없는 한, 「필름형 접착제의 폭」이란, 후술하는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 과정에 있어서의 절단 후의 필름형 접착제의 폭이 아니고, 「절단 전(미절단)의 필름형 접착제의 폭」을 의미한다.In addition, unless otherwise specified, the "width of the film adhesive" is not the width of the film adhesive after cutting in the manufacturing process of the semiconductor chip with the film adhesive described later, but "before cutting (uncut) The width of the film adhesive" is meant.

150∼160㎜라는 필름형 접착제의 폭의 최대값은 150㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.The maximum value of the width of the film adhesive of 150 to 160 mm is equivalent to the maximum value of the width of a semiconductor wafer of 150 mm, or it means a large thing within a range not exceeding 10 mm.

마찬가지로, 200∼210㎜라는 필름형 접착제의 폭의 최대값은 200㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.Similarly, the maximum value of the width of the film adhesive of 200 to 210 mm is equivalent to the maximum value of the width of a semiconductor wafer of 200 mm, or it means a large thing within a range that does not exceed 10 mm.

마찬가지로, 300∼310㎜라는 필름형 접착제의 폭의 최대값은 300㎜라는 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값에 대해, 동등하거나 또는 10㎜를 초과하지 않는 범위에서 큰 것을 의미한다.Similarly, the maximum value of the width of the film adhesive of 300 to 310 mm is equivalent to the maximum value of the width of a semiconductor wafer of 300 mm, or it means a large thing within a range not exceeding 10 mm.

즉, 본 실시형태에 있어서는, 필름형 접착제의 폭의 최대값과, 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값의 차이는 예를 들면, 반도체 웨이퍼의 폭의 최대값이 150㎜, 200㎜, 및 300㎜ 중 어느 것이어도, 0∼10㎜여도 된다.That is, in this embodiment, the difference between the maximum value of the width of a film adhesive and the maximum value of the width of a semiconductor wafer is, for example, the maximum value of the width of a semiconductor wafer among 150 mm, 200 mm, and 300 mm. Any of them may be 0 to 10 mm.

본 실시형태에 있어서는, 중간층의 폭의 최대값과, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 모두, 상술한 수치 범위 중 어느 하나여도 된다.In this embodiment, any of the numerical ranges mentioned above may be sufficient as both the maximum value of the width|variety of an intermediate|middle layer, and the maximum value of the width|variety of a film adhesive.

즉, 본 실시형태의 반도체 장치 제조용 시트의 일 예로는, 중간층의 폭의 최대값과, 필름형 접착제의 폭의 최대값이 함께, 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜인 것을 들 수 있다.That is, in an example of the sheet for semiconductor device manufacture of the present embodiment, the maximum value of the width of the intermediate layer and the maximum value of the width of the film adhesive are 150 to 160 mm, 200 to 210 mm, or 300 to 310 mm. can hear

필름형 접착제의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 1∼30㎛인 것이 바람직하고, 2∼20㎛인 것이 보다 바람직하며, 3∼10㎛인 것이 특히 바람직하다. 필름형 접착제의 두께가 상기 하한값 이상임으로써, 피착체(반도체 칩)에 대해 보다 높은 접착력이 얻어진다. 필름형 접착제의 두께가 상기 상한값 이하임으로써, 블레이드 다이싱시와 반도체 장치 제조용 시트의 상기 익스팬드시에 있어서, 필름형 접착제를 보다 용이하게 절단할 수 있다.The thickness of the film adhesive is not particularly limited, but is preferably 1 to 30 μm, more preferably 2 to 20 μm, and particularly preferably 3 to 10 μm. When the thickness of the film adhesive is equal to or more than the lower limit, higher adhesive strength is obtained with respect to an adherend (semiconductor chip). When the thickness of the film adhesive is equal to or less than the above upper limit, the film adhesive can be more easily cut at the time of blade dicing and the expansion of the sheet for semiconductor device manufacture.

여기서, 「필름형 접착제의 두께」란, 필름형 접착제 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 필름형 접착제의 두께란, 필름형 접착제를 구성하는 모든 층의 합계 두께를 의미한다.Here, "the thickness of a film adhesive" means the thickness of the whole film adhesive, and, for example, the thickness of a film adhesive consisting of multiple layers means the total thickness of all the layers which comprise a film adhesive. .

이어서, 상기 접착제 조성물에 대해 설명한다.Next, the adhesive composition will be described.

하기 접착제 조성물은 예를 들면, 하기의 1종 이상의 성분을 함유량(질량％)의 합계가 100질량％를 초과하지 않도록 함유할 수 있다.The following adhesive composition can contain, for example, the following 1 or more types of components so that the total content (mass %) may not exceed 100 mass %.

＜＜접착제 조성물＞＞<<adhesive composition>>

바람직한 접착제 조성물로는 예를 들면, 중합체 성분(a) 및 열경화성 성분(b)을 함유하는 것을 들 수 있다. 이하, 각 성분에 대해 설명한다.Preferred adhesive compositions include, for example, those containing a polymer component (a) and a thermosetting component (b). Hereinafter, each component is demonstrated.

한편, 이하에 나타내는 접착제 조성물은 바람직한 것의 일 예이고, 본 실시형태에 있어서의 접착제 조성물은 이하에 나타내는 것으로 한정되지 않는다.On the other hand, the adhesive composition shown below is an example of a preferable one, and the adhesive composition in this embodiment is not limited to what is shown below.

[중합체 성분(a)][Polymer component (a)]

중합체 성분(a)은 중합성 화합물이 중합 반응하여 형성되었다고 볼 수 있는 성분이고, 필름형 접착제에 조막성이나 가요성 등을 부여함과 함께, 반도체 칩 등의 접착 대상에 대한 접착성(다시 말하면, 첩부성)을 향상시키기 위한 중합체 화합물이다. 중합체 성분(a)은 열가소성을 갖고, 열경화성을 갖지 않는다. 본 명세서에 있어서 중합체 화합물에는, 중축합 반응의 생성물도 포함된다.The polymer component (a) is a component that can be considered to have been formed by a polymerization reaction of a polymerizable compound, and provides film-formability and flexibility to the film adhesive, as well as adhesion to an adhesive object such as a semiconductor chip (in other words, , adhesiveness) is a polymer compound for improving. The polymer component (a) has thermoplasticity and does not have thermosetting properties. In this specification, the product of polycondensation reaction is also contained in a polymer compound.

접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 중합체 성분(a)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The polymer component (a) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

중합체 성분(a)으로는 예를 들면, 아크릴 수지, 우레탄 수지, 페녹시 수지, 실리콘 수지, 포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.Examples of the polymer component (a) include acrylic resins, urethane resins, phenoxy resins, silicone resins, and saturated polyester resins.

이들 중에서도, 중합체 성분(a)은 아크릴 수지인 것이 바람직하다.Among these, it is preferable that the polymer component (a) is an acrylic resin.

접착제 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 중합체 성분(a)의 함유량의 비율(즉, 필름형 접착제에 있어서의 필름형 접착제의 총 질량에 대한 중합체 성분(a)의 함유량의 비율)은 20∼75질량％인 것이 바람직하고, 30∼65질량％인 것이 보다 바람직하다.In the adhesive composition, the ratio of the content of the polymer component (a) to the total content of all components other than the solvent (that is, the ratio of the content of the polymer component (a) to the total mass of the film adhesive in the film adhesive) ) is preferably 20 to 75% by mass, and more preferably 30 to 65% by mass.

[열경화성 성분(b)][Thermosetting component (b)]

열경화성 성분(b)은 열경화성을 갖고, 필름형 접착제를 열경화시키기 위한 성분이다.The thermosetting component (b) has thermosetting properties and is a component for thermosetting the film adhesive.

접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 열경화성 성분(b)은 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The thermosetting component (b) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.

열경화성 성분(b)으로는 예를 들면, 에폭시계 열경화성 수지, 폴리이미드 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.Examples of the thermosetting component (b) include epoxy thermosetting resins, polyimide resins, and unsaturated polyester resins.

이들 중에서도, 열경화성 성분(b)은 에폭시계 열경화성 수지인 것이 바람직하다.Among these, it is preferable that the thermosetting component (b) is an epoxy-type thermosetting resin.

○에폭시계 열경화성 수지○Epoxy type thermosetting resin

에폭시계 열경화성 수지는 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)로 이루어진다. 접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 에폭시계 열경화성 수지는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The epoxy-based thermosetting resin is composed of an epoxy resin (b1) and a thermosetting agent (b2). The epoxy-based thermosetting resin contained in the adhesive composition and the film adhesive may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.

·에폭시 수지(b1)・Epoxy resin (b1)

에폭시 수지(b1)로는 공지의 것을 들 수 있고, 예를 들면, 다관능계 에폭시 수지, 비페닐 화합물, 비스페놀A 디글리시딜에테르, 및 그 수첨물, 오쏘크레졸 노볼락 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 페닐렌 골격형 에폭시 수지 등, 2관능 이상의 에폭시 화합물을 들 수 있다.Examples of the epoxy resin (b1) include known epoxy resins, such as polyfunctional epoxy resins, biphenyl compounds, bisphenol A diglycidyl ether, and hydrogenated products thereof, orthocresol novolak epoxy resins, and dicyclopenta. Diene-type epoxy resins, biphenyl-type epoxy resins, bisphenol A-type epoxy resins, bisphenol F-type epoxy resins, phenylene skeleton type epoxy resins, and the like, and bifunctional or higher functional epoxy compounds.

에폭시 수지(b1)로는, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용해도 된다. 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지는 불포화 탄화수소기를 갖지 않는 에폭시 수지보다 아크릴 수지와의 상용성이 높다. 이 때문에, 불포화 탄화수소기를 갖는 에폭시 수지를 사용함으로써, 필름형 접착제를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 향상된다.As the epoxy resin (b1), an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group may be used. An epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group has higher compatibility with an acrylic resin than an epoxy resin having no unsaturated hydrocarbon group. For this reason, the reliability of the package obtained using the film adhesive improves by using the epoxy resin which has an unsaturated hydrocarbon group.

접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 에폭시 수지(b1)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The epoxy resin (b1) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be one type or two or more types.

·열경화제(b2)・Heat curing agent (b2)

열경화제(b2)는 에폭시 수지(b1)에 대한 경화제로서 기능한다.The thermal curing agent (b2) functions as a curing agent for the epoxy resin (b1).

열경화제(b2)로는 예를 들면, 1분자 중에 에폭시기와 반응할 수 있는 관능기를 2개 이상 갖는 화합물을 들 수 있다. 상기 관능기로는 예를 들면, 페놀성 수산기, 알코올성 수산기, 아미노기, 카르복시기, 산기가 무수물화된 기 등을 들 수 있고, 페놀성 수산기, 아미노기, 또는 산기가 무수물화된 기인 것이 바람직하며, 페놀성 수산기 또는 아미노기인 것이 보다 바람직하다.Examples of the heat curing agent (b2) include compounds having two or more functional groups capable of reacting with epoxy groups in one molecule. Examples of the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxy group, and an anhydride acid group. It is more preferable that it is a hydroxyl group or an amino group.

열경화제(b2) 중, 페놀성 수산기를 갖는 페놀계 경화제로는 예를 들면, 다관능 페놀 수지, 비페놀, 노볼락형 페놀 수지, 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 아랄킬형 페놀 수지 등을 들 수 있다.Among the thermosetting agents (b2), examples of the phenolic curing agent having a phenolic hydroxyl group include polyfunctional phenolic resins, biphenols, novolak-type phenolic resins, dicyclopentadiene-type phenolic resins, and aralkyl-type phenolic resins. can

열경화제(b2) 중, 아미노기를 갖는 아민계 경화제로는 예를 들면, 디시안디아미드(DICY) 등을 들 수 있다.Among the thermal curing agents (b2), examples of the amine-based curing agent having an amino group include dicyandiamide (DICY) and the like.

열경화제(b2)는 불포화 탄화수소기를 갖고 있어도 된다.The heat curing agent (b2) may have an unsaturated hydrocarbon group.

접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 열경화제(b2)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The heat curing agent (b2) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

접착제 조성물 및 필름형 접착제에 있어서, 열경화제(b2)의 함유량은 에폭시 수지(b1)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼500질량부인 것이 바람직하고, 1∼200질량부인 것이 보다 바람직하며, 예를 들면, 1∼100질량부, 1∼50질량부, 및 1∼25질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화제(b2)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 필름형 접착제의 경화가 보다 진행되기 쉬워진다. 열경화제(b2)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 필름형 접착제의 흡습률이 저감되고, 필름형 접착제를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다.In the adhesive composition and the film adhesive, the content of the heat curing agent (b2) is preferably 0.1 to 500 parts by mass, more preferably 1 to 200 parts by mass, based on 100 parts by mass of the epoxy resin (b1). For example, any one of 1-100 mass parts, 1-50 mass parts, and 1-25 mass parts may be sufficient. Hardening of a film adhesive advances more easily because the said content of a thermosetting agent (b2) is more than the said lower limit. When the said content of a thermosetting agent (b2) is below the said upper limit, the moisture absorptivity of a film adhesive reduces and the reliability of the package obtained using a film adhesive improves more.

접착제 조성물 및 필름형 접착제에 있어서, 열경화성 성분(b)의 함유량(예를 들면, 에폭시 수지(b1) 및 열경화제(b2)의 총 함유량)은, 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 5∼100질량부인 것이 바람직하고, 5∼75질량부인 것이 보다 바람직하며, 5∼50질량부인 것이 특히 바람직하고, 예를 들면, 5∼35질량부 및 5∼20질량부 중 어느 하나여도 된다. 열경화성 성분(b)의 상기 함유량이 이러한 범위임으로써, 중간층과 필름형 접착제 사이의 박리력이 보다 안정된다.In the adhesive composition and the film adhesive, the content of the thermosetting component (b) (for example, the total content of the epoxy resin (b1) and the thermosetting agent (b2)) is based on 100 parts by mass of the content of the polymer component (a). , preferably 5 to 100 parts by mass, more preferably 5 to 75 parts by mass, particularly preferably 5 to 50 parts by mass, and may be, for example, 5 to 35 parts by mass or 5 to 20 parts by mass. . When the content of the thermosetting component (b) is within this range, the peeling force between the intermediate layer and the film adhesive is more stable.

접착제 조성물 및 필름형 접착제는 필름형 접착제의 각종 물성을 개량하기 위해, 중합체 성분(a) 및 열경화성 성분(b) 이외에 추가로 필요에 따라, 이들에 해당하지 않는 다른 성분을 함유하고 있어도 된다.In order to improve various physical properties of the adhesive composition and the film adhesive, in addition to the polymer component (a) and the thermosetting component (b), the adhesive composition and the film adhesive may further contain other components not corresponding to these as needed.

접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 다른 성분으로 바람직한 것으로는 예를 들면, 경화 촉진제(c), 충전재(d), 커플링제(e), 가교제(f), 에너지선 경화성 수지(g), 광중합 개시제(h), 범용 첨가제(i) 등을 들 수 있다.Preferred other components contained in the adhesive composition and the film adhesive include, for example, a curing accelerator (c), a filler (d), a coupling agent (e), a crosslinking agent (f), an energy ray curable resin (g), and photopolymerization. An initiator (h), a general purpose additive (i), etc. are mentioned.

[경화 촉진제(c)][Curing accelerator (c)]

경화 촉진제(c)는 접착제 조성물의 경화 속도를 조절하기 위한 성분이다.The curing accelerator (c) is a component for controlling the curing rate of the adhesive composition.

바람직한 경화 촉진제(c)로는 예를 들면, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3차 아민; 2-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸 등의 이미다졸류(1개 이상의 수소 원자가 수소 원자 이외의 기로 치환된 이미다졸); 트리부틸포스핀, 디페닐포스핀, 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류(1개 이상의 수소 원자가 유기기로 치환된 포스핀); 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 트리페닐포스핀테트라페닐보레이트 등의 테트라페닐보론염 등을 들 수 있다.Preferred curing accelerators (c) include, for example, tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, and tris(dimethylaminomethyl)phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5 -Imidazoles such as hydroxymethylimidazole (imidazoles in which one or more hydrogen atoms are substituted with groups other than hydrogen atoms); organic phosphines (phosphine in which one or more hydrogen atoms are substituted with organic groups) such as tributylphosphine, diphenylphosphine, and triphenylphosphine; tetraphenyl boron salts such as tetraphenylphosphonium tetraphenyl borate and triphenylphosphine tetraphenyl borate; and the like.

접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 경화 촉진제(c)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The curing accelerator (c) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

경화 촉진제(c)를 사용하는 경우, 접착제 조성물 및 필름형 접착제에 있어서, 경화 촉진제(c)의 함유량은 열경화성 성분(b)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼5질량부인 것이 보다 바람직하다. 경화 촉진제(c)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 경화 촉진제(c)를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 경화 촉진제(c)의 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 예를 들면, 고극성의 경화 촉진제(c)가 고온·고습도 조건하에서, 필름형 접착제 중에 있어서 피착체와의 접착 계면측으로 이동하여 편석하는 것을 억제하는 효과가 높아지고, 필름형 접착제를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다. When using the curing accelerator (c), in the adhesive composition and the film adhesive, the content of the curing accelerator (c) is preferably 0.01 to 10 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the content of the thermosetting component (b), 0.1 It is more preferable that it is -5 mass parts. When the said content of a hardening accelerator (c) is more than the said lower limit, the effect by using a hardening accelerator (c) is acquired more remarkably. When the content of the curing accelerator (c) is equal to or less than the above upper limit, for example, the highly polar curing accelerator (c) is prevented from migrating and segregating toward the adhesion interface side with the adherend in the film adhesive under high temperature and high humidity conditions. The suppressing effect increases and the reliability of the package obtained by using the film adhesive is further improved.

[충전재(d)][Filling material (d)]

필름형 접착제는 충전재(d)를 함유함으로써, 익스팬드에 의한 그 절단성이 보다 향상된다. 또한, 필름형 접착제는 충전재(d)를 함유함으로써, 그 열팽창 계수의 조정이 용이해지고, 이 열팽창 계수를 필름형 접착제의 첩부 대상물에 대해 최적화함으로써, 필름형 접착제를 사용하여 얻어진 패키지의 신뢰성이 보다 향상된다. 또한, 필름형 접착제가 충전재(d)를 함유함으로써, 경화 후의 필름형 접착제의 흡습률을 저감하거나 방열성을 향상시킬 수도 있다.When the film adhesive contains the filler (d), its cutting properties by expansion are further improved. In addition, by containing the filler (d), the film adhesive becomes easy to adjust the thermal expansion coefficient, and by optimizing this thermal expansion coefficient with respect to the object to which the film adhesive is attached, the reliability of the package obtained by using the film adhesive is higher. It improves. Moreover, the moisture absorptivity of the film adhesive after hardening can be reduced or heat dissipation property can also be improved because a film adhesive contains a filler (d).

충전재(d)는 유기 충전재 및 무기 충전재 중 어느 것이어도 되지만, 무기 충전재인 것이 바람직하다.The filler (d) may be either an organic filler or an inorganic filler, but is preferably an inorganic filler.

바람직한 무기 충전재로는 예를 들면, 실리카, 알루미나, 탤크, 탄산칼슘, 티탄 화이트, 벵갈라, 탄화규소, 질화붕소 등의 분말; 이들 무기 충전재를 구형화한 비즈; 이들 무기 충전재의 표면 개질품; 이들 무기 충전재의 단결정 섬유; 유리 섬유 등을 들 수 있다.Preferred inorganic fillers include, for example, powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, bengala, silicon carbide, boron nitride and the like; Beads which spheroidized these inorganic fillers; surface-modified products of these inorganic fillers; single crystal fibers of these inorganic fillers; Glass fiber etc. are mentioned.

이들 중에서도, 무기 충전재는 실리카 또는 알루미나인 것이 바람직하다.Among these, the inorganic filler is preferably silica or alumina.

접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 충전재(d)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The filler (d) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

충전재(d)를 사용하는 경우, 접착제 조성물에 있어서, 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량에 대한 충전재(d)의 함유량의 비율(즉, 필름형 접착제에 있어서의 필름형 접착제의 총 질량에 대한 충전재(d)의 함유량의 비율)은 5∼80질량％인 것이 바람직하고, 10∼70질량％인 것이 보다 바람직하며, 20∼60질량％인 것이 특히 바람직하다. 상기 비율이 이러한 범위임으로써, 상기 충전재(d)를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다.When using the filler (d), in the adhesive composition, the ratio of the content of the filler (d) to the total content of all components other than the solvent (that is, the filler to the total mass of the film adhesive in the film adhesive) The ratio of the content of (d)) is preferably 5 to 80% by mass, more preferably 10 to 70% by mass, and particularly preferably 20 to 60% by mass. When the ratio is within this range, the effect of using the filler (d) is obtained more remarkably.

[커플링제(e)][Coupling agent (e)]

필름형 접착제는 커플링제(e)를 함유함으로써, 그 피착체에 대한 접착성 및 밀착성이 향상된다. 또한, 필름형 접착제가 커플링제(e)를 함유함으로써, 그 경화물은 내열성을 저해하지 않고, 내수성이 향상된다. 커플링제(e)는 무기 화합물 또는 유기 화합물과 반응 가능한 관능기를 갖는다.By containing the coupling agent (e), the film adhesive improves the adhesiveness and adhesiveness to the adherend. Moreover, when a film adhesive contains a coupling agent (e), the hardened|cured material does not impair heat resistance, and water resistance improves. The coupling agent (e) has a functional group capable of reacting with an inorganic compound or an organic compound.

커플링제(e)는 중합체 성분(a), 열경화성 성분(b) 등이 갖는 관능기와 반응 가능한 관능기를 갖는 화합물인 것이 바람직하고, 실란 커플링제인 것이 보다 바람직하다.The coupling agent (e) is preferably a compound having a functional group capable of reacting with a functional group of the polymer component (a), the thermosetting component (b), and the like, and more preferably a silane coupling agent.

접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 커플링제(e)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.As for the coupling agent (e) which adhesive composition and a film adhesive contain, only 1 type may be sufficient as it, and 2 or more types may be sufficient as it, and in the case of 2 or more types, these combination and ratio can be arbitrarily selected.

커플링제(e)를 사용하는 경우, 접착제 조성물 및 필름형 접착제에 있어서, 커플링제(e)의 함유량은 중합체 성분(a) 및 열경화성 성분(b)의 총 함유량 100질량부에 대해, 0.03∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.05∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.1∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 충전재(d)의 수지에 대한 분산성의 향상이나, 필름형 접착제의 피착체와의 접착성의 향상 등, 커플링제(e)를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 커플링제(e)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 아웃 가스의 발생이 보다 억제된다.When using the coupling agent (e), in the adhesive composition and the film adhesive, the content of the coupling agent (e) is 0.03 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total content of the polymer component (a) and the thermosetting component (b). It is preferable that it is a mass part, it is more preferable that it is 0.05-10 mass parts, and it is especially preferable that it is 0.1-5 mass parts. When the content of the coupling agent (e) is equal to or greater than the lower limit, the effect of using the coupling agent (e), such as improvement of the dispersibility of the filler (d) in the resin and improvement of the adhesion of the film adhesive to the adherend, etc. is more significantly obtained. Generation|occurrence|production of outgas is suppressed more because the said content of a coupling agent (e) is below the said upper limit.

[가교제(f)][Crosslinking agent (f)]

중합체 성분(a)으로서, 상술한 아크릴 수지 등의 다른 화합물과 결합 가능한 비닐기, (메타)아크릴로일기, 아미노기, 수산기, 카르복시기, 이소시아네이트기 등의 관능기를 갖는 것을 사용하는 경우, 접착제 조성물 및 필름형 접착제는 가교제(f)를 함유하고 있어도 된다. 가교제(f)는 중합체 성분(a) 중의 상기 관능기를 다른 화합물과 결합시켜 가교하기 위한 성분이고, 이와 같이 가교함으로써, 필름형 접착제의 초기 접착력 및 응집력을 조절할 수 있다.As the polymer component (a), when using a polymer component having a functional group such as a vinyl group, a (meth)acryloyl group, an amino group, a hydroxyl group, a carboxy group, and an isocyanate group that can be bonded to other compounds such as the above-mentioned acrylic resin, adhesive composition and film The mold adhesive may contain a crosslinking agent (f). The crosslinking agent (f) is a component for linking the functional group in the polymer component (a) with another compound for crosslinking, and by crosslinking in this way, the initial adhesive force and cohesive force of the film adhesive can be adjusted.

가교제(f)로는 예를 들면, 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물, 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 갖는 가교제), 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 갖는 가교제) 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent (f) include an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, a metal chelate crosslinking agent (a crosslinking agent having a metal chelate structure), and an aziridine crosslinking agent (a crosslinking agent having an aziridinyl group).

가교제(f)로서 유기 다가 이소시아네이트 화합물을 사용하는 경우, 중합체 성분(a)으로는, 수산기 함유 중합체를 사용하는 것이 바람직하다. 가교제(f)가 이소시아네이트기를 갖고, 중합체 성분(a)이 수산기를 갖는 경우, 가교제(f)와 중합체 성분(a)의 반응에 의해, 필름형 접착제에 가교 구조를 간편하게 도입할 수 있다.When using an organic polyhydric isocyanate compound as a crosslinking agent (f), it is preferable to use a hydroxyl group-containing polymer as a polymer component (a). When the crosslinking agent (f) has an isocyanate group and the polymer component (a) has a hydroxyl group, a crosslinked structure can be easily introduced into the film adhesive by reaction between the crosslinking agent (f) and the polymer component (a).

접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 가교제(f)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The crosslinking agent (f) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

가교제(f)를 사용하는 경우, 접착제 조성물에 있어서, 가교제(f)의 함유량은 중합체 성분(a)의 함유량 100질량부에 대해, 0.01∼20질량부인 것이 바람직하고, 0.1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 0.3∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 가교제(f)의 상기 함유량이 상기 하한값 이상임으로써, 가교제(f)를 사용함에 의한 효과가 보다 현저히 얻어진다. 가교제(f)의 상기 함유량이 상기 상한값 이하임으로써, 가교제(f)의 과잉 사용이 억제된다.When using a crosslinking agent (f), the content of the crosslinking agent (f) in the adhesive composition is preferably 0.01 to 20 parts by mass, and more preferably 0.1 to 10 parts by mass, based on 100 parts by mass of the polymer component (a). It is preferable, and it is especially preferable that it is 0.3-5 mass parts. When the content of the cross-linking agent (f) is equal to or greater than the lower limit, the effect of using the cross-linking agent (f) is obtained more remarkably. Excessive use of the crosslinking agent (f) is suppressed because the said content of the crosslinking agent (f) is below the said upper limit.

[에너지선 경화성 수지(g)][Energy ray curable resin (g)]

접착제 조성물 및 필름형 접착제가 에너지선 경화성 수지(g)를 함유하고 있음으로써, 필름형 접착제는 에너지선의 조사에 의해, 그 특성을 변화시킬 수 있다.Since the adhesive composition and the film adhesive contain the energy ray-curable resin (g), the properties of the film adhesive can be changed by irradiation with energy rays.

에너지선 경화성 수지(g)는 에너지선 경화성 화합물로부터 얻어진 것이다.The energy ray-curable resin (g) is obtained from an energy ray-curable compound.

상기 에너지선 경화성 화합물로는 예를 들면, 분자 내에 적어도 1개의 중합성 이중 결합을 갖는 화합물을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기를 갖는 아크릴레이트계 화합물이 바람직하다.Examples of the energy ray-curable compound include a compound having at least one polymerizable double bond in the molecule, and an acrylate-based compound having a (meth)acryloyl group is preferable.

접착제 조성물이 함유하는 에너지선 경화성 수지(g)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The energy ray-curable resin (g) contained in the adhesive composition may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

에너지선 경화성 수지(g)를 사용하는 경우, 접착제 조성물에 있어서, 접착제 조성물의 총 질량에 대한 에너지선 경화성 수지(g)의 함유량의 비율은 1∼95질량％인 것이 바람직하고, 5∼90질량％인 것이 보다 바람직하며, 10∼85질량％인 것이 특히 바람직하다.In the case of using the energy ray curable resin (g), in the adhesive composition, the ratio of the content of the energy ray curable resin (g) to the total mass of the adhesive composition is preferably 1 to 95 mass%, and preferably 5 to 90 mass%. It is more preferable that it is %, and it is especially preferable that it is 10-85 mass %.

[광중합 개시제(h)][Photoinitiator (h)]

접착제 조성물 및 필름형 접착제는 에너지선 경화성 수지(g)를 함유하는 경우, 에너지선 경화성 수지(g)의 중합 반응을 효율적으로 진행하기 위해, 광중합 개시제(h)를 함유하고 있어도 된다.When the adhesive composition and the film adhesive contain the energy ray curable resin (g), they may contain a photopolymerization initiator (h) in order to efficiently advance the polymerization reaction of the energy ray curable resin (g).

접착제 조성물에 있어서의 광중합 개시제(h)로는 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀옥사이드, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 등의 아실포스핀옥사이드 화합물; 벤질페닐설파이드, 테트라메틸티우람모노설파이드 등의 설파이드 화합물; 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨 화합물; 아조비스이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥사이드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질; 디벤질; 벤조페논; 2,4-디에틸티옥산톤; 1,2-디페닐메탄; 2-히드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로파논; 1-클로로안트라퀴논, 2-클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator (h) in the adhesive composition include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, and benzoin. benzoin compounds such as indimethyl ketal; acetophenone compounds such as acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; acylphosphine oxide compounds such as bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; sulfide compounds such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthiuram monosulfide; α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; azo compounds such as azobisisobutyronitrile; titanocene compounds such as titanocene; thioxanthone compounds such as thioxanthone; peroxide compounds; diketone compounds such as diacetyl; benzyl; dibenzyl; benzophenone; 2,4-diethylthioxanthone; 1,2-diphenylmethane; 2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methylvinyl)phenyl]propanone; and quinone compounds such as 1-chloroanthraquinone and 2-chloroanthraquinone.

또한, 광중합 개시제(h)로는 예를 들면, 아민 등의 광증감제 등도 들 수 있다.Moreover, as a photoinitiator (h), photosensitizers, such as an amine, etc. are mentioned, for example.

접착제 조성물이 함유하는 광중합 개시제(h)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The photopolymerization initiator (h) contained in the adhesive composition may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

광중합 개시제(h)를 사용하는 경우, 접착제 조성물에 있어서, 광중합 개시제(h)의 함유량은 에너지선 경화성 수지(g)의 함유량 100질량부에 대해, 0.1∼20질량부인 것이 바람직하고, 1∼10질량부인 것이 보다 바람직하며, 2∼5질량부인 것이 특히 바람직하다.In the case of using a photopolymerization initiator (h), the content of the photopolymerization initiator (h) in the adhesive composition is preferably 0.1 to 20 parts by mass, and preferably 1 to 10 parts by mass, based on 100 parts by mass of the energy ray curable resin (g). It is more preferable that it is a mass part, and it is especially preferable that it is 2-5 mass parts.

[범용 첨가제(i)][Universal additive (i)]

범용 첨가제(i)는 공지의 것이어도 되고, 목적에 따라 임의로 선택할 수 있으며, 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로는 예를 들면, 가소제, 대전 방지제, 산화 방지제, 착색제(염료, 안료), 게터링제 등을 들 수 있다.The general-purpose additive (i) may be a known one, and may be arbitrarily selected depending on the purpose, and is not particularly limited, but preferable examples include plasticizers, antistatic agents, antioxidants, colorants (dyes, pigments), and gettering agents. etc. can be mentioned.

접착제 조성물 및 필름형 접착제가 함유하는 범용 첨가제(i)는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The general-purpose additive (i) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.

접착제 조성물 및 필름형 접착제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 목적에 따라 적절히 선택하면 된다.Content of adhesive composition and film adhesive is not specifically limited, What is necessary is just to select suitably according to the purpose.

착색제로는, 중간층 형성용 조성물에 있어서 예시한 것을 들 수 있다.As a coloring agent, what was illustrated in the composition for intermediate|middle layer formation is mentioned.

접착제 조성물이 함유할 수 있는 착색제는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The coloring agents that the adhesive composition may contain may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

접착제 조성물에 있어서의 용매 이외의 모든 성분의 총 질량 100질량％에 대한 착색제의 함유량의 비율(즉, 필름형 접착제에 있어서의 필름형 접착제 총 질량에 대한 착색제의 질량의 비율)은 0.2∼50질량％인 것이 바람직하고, 0.3∼20질량％인 것이 보다 바람직하며, 0.5∼15질량％인 것이 특히 바람직하다.The ratio of the content of the colorant to 100% by mass of the total mass of all components other than the solvent in the adhesive composition (that is, the ratio of the mass of the colorant to the total mass of the film adhesive in the film adhesive) is 0.2 to 50 mass It is preferably %, more preferably 0.3 to 20% by mass, and particularly preferably 0.5 to 15% by mass.

착색제의 함유량의 비율이 상기 하한값 이상임으로써, 보다 확실히 필름형 접착제를 센서에 의해 광학적으로 인식할 수 있다.When the ratio of content of a coloring agent is more than the said lower limit, a film adhesive can be optically recognized with a sensor more reliably.

착색제의 함유량의 비율이 상기 상한값 이하임으로써, 필름형 접착제와 반도체 칩과의 전단 강도 등의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. Reliability, such as the shear strength of a film adhesive and a semiconductor chip, can be improved because the ratio of content of a coloring agent is below the said upper limit.

[용매][menstruum]

접착제 조성물은 추가로 용매를 함유하는 것이 바람직하다. 용매를 함유하는 접착제 조성물은 취급성이 양호해진다.It is preferable that the adhesive composition further contains a solvent. An adhesive composition containing a solvent has good handleability.

상기 용매는 특별히 한정되지 않지만, 바람직한 것으로는 예를 들면, 톨루엔, 자일렌 등의 탄화수소; 메탄올, 에탄올, 2-프로판올, 이소부틸알코올(2-메틸프로판-1-올), 1-부탄올 등의 알코올; 초산에틸 등의 에스테르; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤; 테트라히드로푸란 등의 에테르; 디메틸포름아미드, N-메틸피롤리돈 등의 아미드(아미드 결합을 갖는 화합물) 등을 들 수 있다.The solvent is not particularly limited, but preferred examples include hydrocarbons such as toluene and xylene; alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol), and 1-butanol; esters such as ethyl acetate; ketones such as acetone and methyl ethyl ketone; ethers such as tetrahydrofuran; amides (compounds having an amide bond) such as dimethylformamide and N-methylpyrrolidone; and the like.

접착제 조성물이 함유하는 용매는 1종만이어도 되고, 2종 이상이어도 되며, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The solvent contained in the adhesive composition may be one type or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.

접착제 조성물이 함유하는 용매는 접착제 조성물 중의 함유 성분을 보다 균일하게 혼합할 수 있는 점에서, 메틸에틸케톤 등인 것이 바람직하다.The solvent contained in the adhesive composition is preferably methyl ethyl ketone or the like from the viewpoint of being able to more uniformly mix the components contained in the adhesive composition.

접착제 조성물의 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 용매 이외의 성분의 종류에 따라 적절히 선택하면 된다.Content of the solvent of adhesive composition is not specifically limited, What is necessary is just to select suitably according to the kind of components other than a solvent, for example.

＜＜접착제 조성물의 제조 방법＞＞<<Method for producing adhesive composition>>

접착제 조성물은 이를 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.An adhesive composition is obtained by combining each component for constituting it.

접착제 조성물은 예를 들면, 배합 성분의 종류가 상이한 점 이외에는, 앞서 설명한 점착제 조성물의 경우와 동일한 방법으로 제조할 수 있다.The adhesive composition can be prepared by the same method as in the case of the adhesive composition described above, for example, except that the types of ingredients are different.

◇반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법◇Manufacturing method of sheet for semiconductor device manufacturing

상기 반도체 장치 제조용 시트는 상술한 각 층을 대응하는 위치 관계가 되도록 적층함으로써 제조할 수 있다. 각 층의 형성 방법은 앞서 설명했던 바와 같다.The sheet for semiconductor device manufacture can be manufactured by laminating each of the above-described layers so as to have a corresponding positional relationship. The formation method of each layer is as described above.

예를 들면, 상기 반도체 장치 제조용 시트는 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제를 각각 미리 준비해 두고, 이들을 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제의 순서가 되도록 첩합하여 적층함으로써 제조할 수 있다.For example, the semiconductor device manufacturing sheet may be prepared by preparing a base material, an adhesive layer, an intermediate layer, and a film adhesive in advance, and bonding and laminating them in the order of the base material, the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, and the film adhesive. have.

단, 이는 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법의 일 예이다.However, this is an example of a manufacturing method of a sheet for semiconductor device manufacturing.

상기 반도체 장치 제조용 시트는 예를 들면, 이를 구성하기 위한 복수층이 적층되어 구성된 2종 이상의 중간 적층체를 미리 제작해 두고, 이들 중간 적층체끼리를 첩합함으로써도 제조할 수 있다. 중간 적층체의 구성은 적절히 임의로 선택할 수 있다. 예를 들면, 기재 및 점착제층이 적층된 구성을 갖는 제1 중간 적층체(상기 지지 시트에 상당)와, 중간층 및 필름형 접착제가 적층된 구성을 갖는 제2 중간 적층체를 미리 제작해 두고, 제1 중간 적층체 중의 점착제층과, 제2 중간 적층체 중의 중간층을 첩합함으로써, 반도체 장치 제조용 시트를 제조할 수 있다.The semiconductor device manufacturing sheet can also be manufactured by, for example, preparing in advance two or more types of intermediate laminates formed by laminating a plurality of layers for constituting the same, and bonding these intermediate laminates to each other. The configuration of the intermediate laminate can be appropriately selected arbitrarily. For example, a first intermediate laminate (corresponding to the support sheet) having a laminated structure of a base material and an adhesive layer, and a second intermediate laminate having a laminated constitution of an intermediate layer and a film adhesive are prepared in advance, The sheet|seat for semiconductor device manufacture can be manufactured by bonding the adhesive layer in a 1st intermediate|middle laminated body and the intermediate|middle layer in a 2nd intermediate|middle laminated body together.

단, 이것도 반도체 장치 제조용 시트의 제조 방법의 일 예이다.However, this is also an example of the manufacturing method of the sheet|seat for semiconductor device manufacture.

상기 반도체 장치 제조용 시트로서 예를 들면, 도 1에 나타내는 바와 같은, 중간층의 제1 면의 면적과, 필름형 접착제의 제1 면의 면적이, 모두 점착제층의 제1 면과, 기재의 제1 면의 면적보다 작은 것을 제조하는 경우에는, 상술한 제조 방법 중 어느 하나의 단계에서, 중간층과 필름형 접착제를 목적으로 하는 크기로 가공하는 공정(이 공정을 추출 가공이라고 하는 경우가 있다)을 추가하여 행해도 된다.The area of the first surface of the intermediate layer and the area of the first surface of the film adhesive are both the first surface of the pressure-sensitive adhesive layer and the first surface of the base material as shown in FIG. 1 as the sheet for semiconductor device manufacture, for example. In the case of manufacturing a product smaller than the surface area, a step of processing the intermediate layer and the film adhesive to the target size (this step is sometimes referred to as extraction processing) is added in any one of the above manufacturing methods. you can do it

예를 들면, 상기 제2 중간 적층체를 사용하는 제조 방법에 있어서, 제2 중간 적층체 중의 중간층 및 필름형 접착제를 목적으로 하는 크기로 가공하는 공정을 추가하여 행함으로써, 반도체 장치 제조용 시트를 제조해도 된다.For example, in the manufacturing method using the second intermediate laminate, a semiconductor device manufacturing sheet is manufactured by adding a step of processing the intermediate layer and the film adhesive in the second intermediate laminate to a target size. You can do it.

상술한 추출 가공은 예를 들면, 다음에 기술하는 1차 추출 가공, 2차 추출 가공을 포함하는 것이어도 된다.The extraction processing described above may include, for example, primary extraction processing and secondary extraction processing described below.

1차 추출 가공에서는, 이 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체에 대해, 중간층측의 박리 필름으로부터 필름형 접착제까지, 절단날을 이용하여 펀칭 가공을 행하고, 불필요 부분을 제거한다.In the primary extraction process, a punching process is performed using a cutting blade from the release film on the intermediate layer side to the film adhesive to the second intermediate laminate on which the release film is formed, and unnecessary portions are removed.

이에 의해, 필름형 접착제측의 박리 필름 상에 필름형 접착제, 중간층, 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있고, 또한, 평면 형상이 원형인, 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체 가공물을 제작한다.Thereby, a film adhesive, an intermediate layer, and a release film are laminated in this order on the release film on the film adhesive side in their thickness direction, and a release film having a circular planar shape is formed. A second intermediate laminate workpiece is produced.

이어서, 상기에서 얻어진 박리 필름이 형성된 제1 중간 적층체로부터, 박리 필름을 제거하고, 점착제층의 한쪽 면을 노출시킨다.Next, the release film is removed from the first intermediate laminate with the release film obtained above, and one side of the pressure-sensitive adhesive layer is exposed.

또한, 상기에서 얻어진 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체 가공물로부터, 원형의 박리 필름을 제거하고, 중간층의 한쪽 면을 노출시킨다.Further, from the second intermediate laminate workpiece on which the release film was formed obtained above, the circular release film is removed, and one side of the intermediate layer is exposed.

이어서, 제1 중간 적층체 중의 점착제층의 새롭게 생긴 노출면과, 제2 중간 적층체 가공물 중의 중간층의 새롭게 생긴 노출면을 첩합하여, 제3 중간 적층체를 얻는다.Next, the newly formed exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer in the first intermediate laminate and the newly formed exposed surface of the intermediate layer in the processed product of the second intermediate laminate are bonded together to obtain a third intermediate laminate.

이어서, 이 제3 중간 적층체에 대해, 2차 추출 가공을 행한다.Next, a secondary extraction process is performed with respect to this 3rd intermediate|middle laminated body.

구체적으로는, 제3 중간 적층체에 대해, 절단날을 이용하여 기재측으로부터 펀칭 가공을 행하고, 불필요 부분을 제거한다.Specifically, with respect to the 3rd intermediate|middle laminated body, punching is performed from the base material side using a cutting blade, and an unnecessary part is removed.

이에 의해, 지지 시트의 평면 형상이 원형이고, 또한, 지지 시트가 원형의 필름형 접착제 및 중간층과 동심형이 되어 있는, 반도체 장치 제조용 시트가 얻어진다.Thereby, the sheet|seat for semiconductor device manufacture in which the planar shape of a support sheet is circular, and the support sheet is concentric with the circular film adhesive and an intermediate|middle layer is obtained.

상술한 추출 가공에 의해, 중간층의 제1 면의 면적과, 필름형 접착제의 제1 면의 면적이 모두, 점착제층의 제1 면과, 기재의 제1 면의 면적보다 작은 것을 제조할 수 있다.By the extraction processing described above, both the area of the first surface of the intermediate layer and the area of the first surface of the film adhesive can be manufactured smaller than the area of the first surface of the pressure-sensitive adhesive layer and the first surface of the base material. .

한편, 필름형 접착제 상에 박리 필름을 구비한 상태의 반도체 장치 제조용 시트를 제조하는 경우에는, 예를 들면, 박리 필름 상에 필름형 접착제를 제작하고, 이 상태를 유지한 채로, 나머지의 층을 적층하여, 반도체 장치 제조용 시트를 제작해도 되고, 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제를 모두 적층한 후, 필름형 접착제 상에 박리 필름을 적층하여, 반도체 장치 제조용 시트를 제작해도 된다. 박리 필름은 반도체 장치 제조용 시트의 사용시까지, 필요한 단계에서 제거하면 된다.On the other hand, when manufacturing the sheet|seat for semiconductor device manufacture of the state equipped with the peeling film on the film adhesive, for example, the film adhesive is produced on the peeling film, and the remaining layers are maintained with this state maintained. It may be laminated to produce a sheet for semiconductor device manufacture, or after laminating all of the base material, pressure-sensitive adhesive layer, intermediate layer, and film adhesive, a release film may be laminated on the film adhesive to produce a semiconductor device manufacture sheet. What is necessary is just to remove a peeling film at a necessary stage until the use of the sheet|seat for semiconductor device manufacture.

기재, 점착제층, 중간층, 필름형 접착제, 및 박리 필름 이외의 다른 층을 구비하고 있는 반도체 장치 제조용 시트는, 상술한 제조 방법에 있어서, 적절한 타이밍에서, 이 다른 층을 형성하고 적층하는 공정을 추가하여 행함으로써 제조할 수 있다.A sheet for semiconductor device manufacture comprising a base material, an adhesive layer, an intermediate layer, a film adhesive, and other layers than a release film includes a step of forming and laminating these other layers at an appropriate timing in the manufacturing method described above. It can be manufactured by doing.

◇반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법(필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법)◇How to use the sheet for semiconductor device manufacturing (manufacturing method of semiconductor chip with film adhesive)

상기 반도체 장치 제조용 시트는, 반도체 장치의 제조 과정에 있어서, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조시에 사용할 수 있다.The said sheet|seat for semiconductor device manufacture can be used at the time of manufacture of the semiconductor chip on which the film adhesive was formed in the manufacturing process of a semiconductor device.

이하, 도면을 참조하면서, 상기 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법(필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법)에 대해, 상세하게 설명한다.Hereinafter, the usage method of the said sheet|seat for semiconductor device manufacture (the manufacturing method of the semiconductor chip with film adhesive) is demonstrated in detail, referring drawings.

도 3a, 도 3b, 및 도 3c는 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이고, 반도체 장치 제조용 시트를 반도체 웨이퍼에 첩부한 후 사용하는 경우에 대해 나타내고 있다. 이 방법에서는, 반도체 장치 제조용 시트를 다이싱 다이 본딩 시트로서 사용한다. 여기서는, 도 1에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트(101)를 예로 들어, 그 사용 방법에 대해 설명한다.3A, 3B, and 3C are cross-sectional views for schematically explaining an example of a method of using a semiconductor device manufacturing sheet, and show a case in which the semiconductor device manufacturing sheet is attached to a semiconductor wafer and then used. In this method, the sheet for semiconductor device manufacture is used as a dicing die bonding sheet. Here, taking the sheet 101 for semiconductor device manufacture shown in FIG. 1 as an example, the usage method is demonstrated.

우선, 도 3a에 나타내는 바와 같이, 박리 필름(15)을 제거한 상태의 반도체 장치 제조용 시트(101)를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제(14)를 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')에 첩부한다.First, as shown in FIG. 3A, heating the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture in the state from which the peeling film 15 was removed, the film adhesive 14 in it is set on the back surface 9b' of the semiconductor wafer 9'. attach to

부호 9a'는 반도체 웨이퍼(9')의 회로 형성면을 나타내고 있다.Reference numeral 9a' denotes a circuit formation surface of the semiconductor wafer 9'.

반도체 장치 제조용 시트(101)의 첩부시의 가열 온도는 특별히 한정되지 않지만, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 가열 첩부 안정성이 보다 향상하는 점에서, 40∼70℃인 것이 바람직하다.Although the heating temperature at the time of sticking of the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture is not specifically limited, It is preferable that it is 40-70 degreeC from the point which the heating sticking stability of the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture improves more.

반도체 장치 제조용 시트(101) 중의 중간층(13)의 폭(W13)의 최대값과, 필름형 접착제(14)의 폭(W14)의 최대값은 모두, 반도체 웨이퍼(9')의 폭(W9')의 최대값과 완전히 동일하거나, 또는 동일하지 않지만, 오차가 경미하여, 거의 동등하게 되어 있다.The maximum value of the width (W 13 ) of the intermediate layer 13 in the sheet 101 for semiconductor device manufacture and the maximum value of the width (W 14 ) of the film adhesive 14 are both the width of the semiconductor wafer 9' ( It is completely equal to or not equal to the maximum value of W 9' ), but the error is slight and is almost equal.

이어서, 상기에서 얻어진 반도체 장치 제조용 시트(101)와 반도체 웨이퍼(9')의 적층물을, 반도체 웨이퍼(9')의 회로 형성면(9a')측으로부터 블레이드로 절입함(블레이드 다이싱을 행함)으로써, 반도체 웨이퍼(9')를 분할함과 함께, 필름형 접착제(14)를 절단한다.Next, the laminate of the semiconductor device manufacturing sheet 101 obtained above and the semiconductor wafer 9' is cut with a blade from the circuit formation surface 9a' side of the semiconductor wafer 9' (blade dicing is performed). ), while dividing the semiconductor wafer 9', the film adhesive 14 is cut.

블레이드 다이싱은 공지의 방법으로 행할 수 있다. 예를 들면, 반도체 장치 제조용 시트(101) 중의 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되어 있지 않은 주연부 근방의 영역(상기 비적층 영역)을, 링 프레임 등의 지그(도시 생략)에 고정한 후, 블레이드를 이용하여, 반도체 웨이퍼(9')의 분할과, 필름형 접착제(14)의 절단을 행할 수 있다.Blade dicing can be performed by a known method. For example, in the 1st surface 12a of the adhesive layer 12 in the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture, the area|region of the periphery vicinity where the intermediate|middle layer 13 and the film adhesive 14 are not laminated (the said non-lamination) After fixing the area) to a jig (not shown) such as a ring frame, the semiconductor wafer 9' can be divided and the film adhesive 14 can be cut using a blade.

본 공정에 의해, 도 3b에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(9)과, 그 이면(9b)에 형성된 절단 후의 필름형 접착제(140)를 구비한 복수개의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)이 얻어진다. 이들 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)은 적층 시트(10) 중의 중간층(13) 상에서 정렬되어 고정된 상태로 되어 있고, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군(910)을 구성하고 있다.By this process, as shown in FIG. 3B, the semiconductor chip 914 in which the several film adhesive provided with the semiconductor chip 9 and the film adhesive 140 after cutting formed on the back surface 9b was formed is obtained These semiconductor chips 914 formed with film adhesive are aligned and fixed on the intermediate layer 13 in the laminated sheet 10, and constitute a group of semiconductor chips 910 formed with film adhesive.

반도체 칩(9)의 이면(9b)은 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')에 대응하고 있다. 또한, 도 3 중, 부호 9a는 반도체 칩(9)의 회로 형성면을 나타내고 있고, 반도체 웨이퍼(9')의 회로 형성면(9a')에 대응하고 있다.The back surface 9b of the semiconductor chip 9 corresponds to the back surface 9b' of the semiconductor wafer 9'. In Fig. 3, reference numeral 9a indicates the circuit formation surface of the semiconductor chip 9, and corresponds to the circuit formation surface 9a' of the semiconductor wafer 9'.

블레이드 다이싱시에는, 블레이드에 의해, 반도체 웨이퍼(9')에 대해서는, 그 두께 방향의 전체 영역을 절입함으로써 분할함과 함께, 반도체 장치 제조용 시트(101)에 대해서는, 필름형 접착제(14)의 제1 면(14a)으로부터 중간층(13)의 도중의 영역까지를 절입함으로써, 필름형 접착제(14)를 그 두께 방향의 전체 영역에서 절단하고, 또한 점착제층(12)까지는 절입하지 않는 것이 바람직하다.At the time of blade dicing, while dividing by cutting the entire area|region of the thickness direction about the semiconductor wafer 9' with a blade, about the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture, of the film adhesive 14 It is preferable not to cut the film adhesive 14 in the whole area|region of the thickness direction by cutting from the 1st surface 14a to the area|region in the middle of the intermediate|middle layer 13, and also not cut to the adhesive layer 12. .

즉, 블레이드 다이싱시에는, 블레이드에 의해, 반도체 장치 제조용 시트(101)와 반도체 웨이퍼(9')의 적층물을, 이들의 적층 방향에 있어서, 반도체 웨이퍼(9')의 회로 형성면(9a')으로부터, 적어도 중간층(13)의 제1 면(13a)까지 절입하고, 또한, 중간층(13)의 제1 면(13a)과는 반대측 면(즉, 점착제층(12)과의 접촉면)까지는 절입하지 않는 것이 바람직하다.That is, at the time of blade dicing, the laminate of the semiconductor device manufacturing sheet 101 and the semiconductor wafer 9' is cut with a blade in the direction of these lamination, and the circuit formation surface 9a of the semiconductor wafer 9' ') to at least the first surface 13a of the intermediate layer 13, and to the surface opposite to the first surface 13a of the intermediate layer 13 (that is, the contact surface with the pressure-sensitive adhesive layer 12). It is preferable not to cut in.

본 공정에 있어서는, 이와 같이 블레이드가 기재(11)에 도달하는 것을 용이하게 회피할 수 있고, 이에 의해, 기재(11)로부터의 절삭 부스러기의 발생을 억제할 수 있다. 그리고, 블레이드에 의해 절단되는 중간층(13)의 주성분이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지인 것, 특히, 중량 평균 분자량이 100000 이하임으로써, 중간층(13)으로부터의 절삭 부스러기의 발생도 억제할 수 있다.In this step, it is possible to easily avoid that the blade reaches the substrate 11 in this way, and thereby, generation of cutting chips from the substrate 11 can be suppressed. And, since the main component of the middle layer 13 cut by the blade is a non-silicon-based resin having a weight average molecular weight of 100,000 or less, particularly, the weight average molecular weight is 100,000 or less, the generation of cutting chips from the middle layer 13 is also suppressed. can do.

블레이드 다이싱의 조건은 목적에 따라 적절히 조절하면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 통상, 블레이드의 회전 속도는 15000∼50000rpm인 것이 바람직하고, 블레이드의 이동 속도는 5∼75㎜/sec인 것이 바람직하다.The conditions of blade dicing may be appropriately adjusted according to the purpose, and are not particularly limited. Usually, the rotation speed of the blade is preferably 15000 to 50000 rpm, and the moving speed of the blade is preferably 5 to 75 mm/sec.

블레이드 다이싱 후에는, 도 3c에 나타내는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 적층 시트(10) 중의 중간층(13)으로부터 분리하여 픽업한다. 여기서는, 진공 콜릿 등의 분리 수단(7)을 이용하여, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 화살표 P 방향으로 분리하는 경우를 나타내고 있다. 한편, 여기서는, 분리 수단(7)을 단면 표시하고 있지 않다.After blade dicing, as shown to FIG. 3C, the semiconductor chip 914 with film adhesive is separated from the intermediate|middle layer 13 in the laminated sheet 10, and is picked up. Here, the case where the semiconductor chip 914 on which the film adhesive is formed is separated in the direction of the arrow P is shown using a separating means 7 such as a vacuum collet. On the other hand, the separating means 7 is not cross-sectioned here.

필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)은 공지의 방법으로 픽업할 수 있다.The semiconductor chip 914 on which the film adhesive is formed can be picked up by a known method.

중간층(13)의 제1 면(13a)에 있어서, 상기 규소 농도의 비율이 1∼20％인 경우에는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 보다 용이하게 픽업할 수 있다. 중간층(13)이 예를 들면, 상기 비규소계 수지인 에틸렌초산비닐 공중합체와, 상기 첨가제인 실록산계 화합물을 함유하고, 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 에틸렌초산비닐 공중합체의 함유량의 비율이 90∼99.99질량％이며, 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 상기 실록산계 화합물의 함유량의 비율이 0.01∼10질량％인 경우에는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.In the 1st surface 13a of the intermediate|middle layer 13, when the ratio of the said silicon concentration is 1 to 20 %, the semiconductor chip 914 with film adhesive can be picked up more easily. The intermediate layer 13 contains, for example, the ethylene-vinyl acetate copolymer as the non-silicon resin and the siloxane-based compound as the additive, and the ratio of the content of the ethylene-vinyl acetate copolymer to the total mass of the intermediate layer in the intermediate layer When the ratio of the content of the siloxane-based compound to the total mass of the middle layer is 0.01 to 10% by mass, the semiconductor chip 914 with the film adhesive is more easily formed. can pick up

여기까지 설명한 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법에서, 바람직한 실시형태로는 예를 들면, 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서,In the manufacturing method of the semiconductor chip with the film adhesive described so far, in a preferred embodiment, for example, the semiconductor chip with the film adhesive provided with the semiconductor chip and the film adhesive formed on the back surface of the semiconductor chip As a manufacturing method,

상기 반도체 장치 제조용 시트는 상기 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제를 구비하고 있고,The sheet for manufacturing a semiconductor device includes the base material, an adhesive layer, an intermediate layer, and a film adhesive,

상기 제조 방법은 상기 반도체 장치 제조용 시트를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제를 상기 반도체 웨이퍼의 이면에 첩부하는 공정과, 상기 필름형 접착제가 첩부된 상기 반도체 웨이퍼를 그 회로 형성면측으로부터, 그 두께 방향의 전체 영역을 절입하여 분할함으로써, 반도체 칩을 제작함과 함께, 상기 반도체 장치 제조용 시트를 그 두께 방향에 있어서, 그 상기 필름형 접착제측으로부터, 상기 중간층의 도중의 영역까지를 절입하여, 상기 필름형 접착제를 절단하고, 또한 상기 점착제층까지는 절입하지 않음으로써, 복수개의 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이, 상기 중간층 상에서 정렬된 상태의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻는 공정과, 상기 중간층으로부터, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 분리하여 픽업하는 공정을 갖는 것(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법 1」이라고 칭하는 경우가 있다)을 들 수 있다.The manufacturing method includes a step of applying a film adhesive therein to the back surface of the semiconductor wafer while heating the semiconductor device manufacturing sheet, and the semiconductor wafer to which the film adhesive is affixed, from the circuit formation surface side, in the thickness direction While producing a semiconductor chip by cutting and dividing the entire region of , the above-mentioned sheet for semiconductor device manufacture is cut in the thickness direction from the film adhesive side to a region midway through the above-mentioned intermediate layer, and the above-mentioned film A process of obtaining a group of semiconductor chips formed with a film adhesive in which a plurality of semiconductor chips formed with the film adhesive are aligned on the intermediate layer by cutting the mold adhesive and not cutting through to the pressure-sensitive adhesive layer; and , What has the process of isolate|separating and picking up the semiconductor chip on which the said film adhesive was formed (in this specification, it may call "the manufacturing method 1") is mentioned.

도 4a, 도 4b, 및 도 4c는 반도체 장치 제조용 시트의 사용 대상인 반도체 칩의 제조 방법의 일 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이고, 반도체 웨이퍼에서의 개질층의 형성을 수반하는 다이싱을 행함으로써, 반도체 칩을 제조하는 경우에 대해 나타내고 있다.4A, 4B, and 4C are cross-sectional views for schematically explaining an example of a method for manufacturing a semiconductor chip, which is an object of use for a sheet for manufacturing a semiconductor device, in which dicing accompanying formation of a modified layer is performed in a semiconductor wafer. By doing so, it shows about the case of manufacturing a semiconductor chip.

도 5a, 도 5b, 및 도 5c는 반도체 장치 제조용 시트의 사용 방법의 다른 예를 모식적으로 설명하기 위한 단면도이고, 반도체 장치 제조용 시트를 반도체 칩에 첩부한 후 사용하는 경우에 대해 나타내고 있다. 이 방법에서는, 반도체 장치 제조용 시트를 다이 본딩 시트로서 사용한다. 여기서는, 도 1에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트(101)를 예로 들어, 그 사용 방법에 대해 설명한다.5A, 5B, and 5C are cross-sectional views for schematically explaining another example of a method of using a semiconductor device manufacturing sheet, showing a case in which the semiconductor device manufacturing sheet is used after being attached to a semiconductor chip. In this method, a sheet for semiconductor device manufacture is used as a die bonding sheet. Here, taking the sheet 101 for semiconductor device manufacture shown in FIG. 1 as an example, the usage method is demonstrated.

우선, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 사용에 앞서, 도 4a에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')를 준비하고, 그 회로 형성면(9a')에 백 그라인드 테이프( 「표면 보호 테이프」라고 칭하는 경우도 있다)(8)를 첩부한다.First, prior to use of the semiconductor device manufacturing sheet 101, as shown in Fig. 4A, a semiconductor wafer 9' is prepared, and a back grind tape (referred to as "surface protection tape") is applied to the circuit forming surface 9a'. (8) is attached.

도 4 중, 부호 W9'는 반도체 웨이퍼(9')의 폭을 나타내고 있다.In Fig. 4, symbol W 9' represents the width of the semiconductor wafer 9'.

이어서, 반도체 웨이퍼(9')의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광(도시 생략)을 조사함으로써, 도 4b에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')의 내부에 개질층(90')을 형성한다.Subsequently, a modified layer 90' is formed inside the semiconductor wafer 9' as shown in FIG. form

상기 레이저광은 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')측으로부터 반도체 웨이퍼(9')에 조사하는 것이 바람직하다.It is preferable to irradiate the semiconductor wafer 9' with the laser beam from the back surface 9b' side of the semiconductor wafer 9'.

이 때의 초점의 위치는 반도체 웨이퍼(9')의 분할(다이싱) 예정 위치이고, 반도체 웨이퍼(9')로부터 목적으로 하는 크기, 형상, 및 개수의 반도체 칩이 얻어지도록 설정된다.The position of the focal point at this time is the expected division (dicing) position of the semiconductor wafer 9', and is set so that semiconductor chips of a target size, shape, and number can be obtained from the semiconductor wafer 9'.

이어서, 그라인더(도시 생략)를 이용하여, 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')을 연삭한다. 이에 의해, 반도체 웨이퍼(9')의 두께를 목적으로 하는 값으로 조절함과 함께, 이 때의 반도체 웨이퍼(9')에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 개질층(90')의 형성 부위에 있어서, 반도체 웨이퍼(9')를 분할하여, 도 4c에 나타내는 바와 같이, 복수개의 반도체 칩(9)을 제작한다.Next, the back surface 9b' of the semiconductor wafer 9' is ground using a grinder (not shown). As a result, the thickness of the semiconductor wafer 9' is adjusted to a target value, and the modified layer 90' is formed by using the force applied to the semiconductor wafer 9' at the time of grinding. In the part, the semiconductor wafer 9' is divided, and as shown in FIG. 4C, a plurality of semiconductor chips 9 are produced.

반도체 웨이퍼(9')의 개질층(90')은 반도체 웨이퍼(9')의 다른 개소와는 달리, 레이저광의 조사에 의해 변질되어 있어, 강도가 약해져 있다. 이 때문에, 개질층(90')이 형성된 반도체 웨이퍼(9')에 힘을 가함으로써, 개질층(90')에 힘이 가해지고, 이 개질층(90')의 부위에 있어서 반도체 웨이퍼(9')가 분할되어, 복수개의 반도체 칩(9)이 얻어진다.Unlike other portions of the semiconductor wafer 9', the modified layer 90' of the semiconductor wafer 9' is altered by laser light irradiation, and the strength is weakened. For this reason, by applying force to the semiconductor wafer 9' on which the modified layer 90' is formed, the force is applied to the modified layer 90', and at the portion of the modified layer 90', the semiconductor wafer 9 ') is divided, and a plurality of semiconductor chips 9 are obtained.

이상에 의해, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 사용 대상인 반도체 칩(9)이 얻어진다. 보다 구체적으로는, 본 공정에 의해, 백 그라인드 테이프(8) 상에서 복수개의 반도체 칩(9)이 정렬되어 고정된 상태의 반도체 칩군(901)이 얻어진다.By the above, the semiconductor chip 9 which is the use object of the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture is obtained. More specifically, by this process, a semiconductor chip group 901 in a state where a plurality of semiconductor chips 9 are arranged and fixed on the back grind tape 8 is obtained.

반도체 칩군(901)을 상방으로부터 내려다 보아 평면으로 보았을 때, 반도체 칩군(901)의 가장 외측의 부위를 이어 형성되는 평면 형상(본 명세서에 있어서는, 이러한 평면 형상을 단순히 「반도체 칩군의 평면 형상」이라고 칭하는 경우가 있다)은, 반도체 웨이퍼(9')를 동일하게 평면에서 보았을 때의 평면 형상과 완전히 동일하거나, 또는, 이들 평면 형상끼리의 차이점은 무시할 수 있을 정도로 경미하여, 반도체 칩군(901)의 상기 평면 형상은 반도체 웨이퍼(9')의 상기 평면 형상과 대체로 동일하다고 할 수 있다.When the semiconductor chip group 901 is viewed as a planar view from above, the planar shape formed by connecting the outermost portions of the semiconductor chip group 901 (in this specification, such a planar shape is simply referred to as “planar shape of the semiconductor chip group”). (sometimes referred to as) is completely the same as the planar shape when the semiconductor wafer 9' is viewed from the same plane, or the difference between these planar shapes is negligible, so that the semiconductor chip group 901 It can be said that the planar shape is substantially the same as the planar shape of the semiconductor wafer 9'.

따라서, 반도체 칩군(901)의 상기 평면 형상의 폭은 도 4c에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')의 폭(W9')과 동일하다고 볼 수 있다. 그리고, 반도체 칩군(901)의 상기 평면 형상의 폭의 최대값은 반도체 웨이퍼(9')의 폭(W9')의 최대값과 동일하다고 볼 수 있다.Accordingly, the width of the planar shape of the semiconductor chip group 901 can be regarded as equal to the width W 9' of the semiconductor wafer 9 ' , as shown in FIG. 4C. Also, the maximum value of the width of the planar shape of the semiconductor chip group 901 can be regarded as the same as the maximum value of the width W 9 ' of the semiconductor wafer 9'.

한편, 여기서는, 반도체 웨이퍼(9')로부터 반도체 칩(9)을 목적과 같이 제작할 수 있었던 경우에 대해 나타내고 있지만, 반도체 웨이퍼(9')의 이면(9b')의 연삭시의 조건에 따라서는, 반도체 웨이퍼(9')의 일부의 영역에 있어서, 반도체 칩(9)으로의 분할이 행해지지 않는 경우도 있다.On the other hand, here, although the case where the semiconductor chip 9 can be produced from the semiconductor wafer 9' as intended is shown, depending on the conditions at the time of grinding the back surface 9b' of the semiconductor wafer 9', In some regions of the semiconductor wafer 9', division into semiconductor chips 9 may not be performed.

이어서, 상기에서 얻어진 반도체 칩(9)(반도체 칩군(901))을 사용하여, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 제조한다.Next, a semiconductor chip with a film adhesive is manufactured using the semiconductor chip 9 (semiconductor chip group 901) obtained above.

우선, 도 5a에 나타내는 바와 같이, 박리 필름(15)을 제거한 상태의 1장의 반도체 장치 제조용 시트(101)를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제(14)를 반도체 칩군(901) 중의 모든 반도체 칩(9)의 이면(9b)에 첩부한다. 이 때의 필름형 접착제(14)의 첩부 대상은 완전히는 분할되지 않은 반도체 웨이퍼여도 된다.First, as shown in FIG. 5A , heating the sheet 101 for semiconductor device manufacture of one sheet in a state from which the release film 15 has been removed, the film adhesive 14 in them is all semiconductor chips in the semiconductor chip group 901 ( It is affixed to the back surface 9b of 9). The sticking object of the film adhesive 14 at this time may be the semiconductor wafer which is not completely divided|segmented.

반도체 장치 제조용 시트(101) 중의 중간층(13)의 폭(W13)의 최대값과, 필름형 접착제(14)의 폭(W14)의 최대값은 모두, 반도체 웨이퍼(9')의 폭(W9')(다시 말하면, 반도체 칩군(901)의 폭)의 최대값과 완전히 동일하거나, 또는, 동일하지 않지만 오차가 경미하여, 거의 동등하게 되어 있다.The maximum value of the width (W 13 ) of the intermediate layer 13 in the sheet 101 for semiconductor device manufacture and the maximum value of the width (W 14 ) of the film adhesive 14 are both the width of the semiconductor wafer 9' ( W 9' (that is, the width of the semiconductor chip group 901) is completely equal to, or not equal to, the maximum value, but the error is slight and is almost equal.

이 때의 반도체 칩군(901)에 대한 필름형 접착제(14)(반도체 장치 제조용 시트(101))의 첩부는, 반도체 웨이퍼(9') 대신에 반도체 칩군(901)을 사용하는 점을 제외하면, 상기 제조 방법 1에 있어서의 반도체 웨이퍼(9')에 대한 필름형 접착제(14)(반도체 장치 제조용 시트(101))의 첩부의 경우와 동일한 방법으로 행할 수 있다.The sticking of the film adhesive 14 (sheet 101 for semiconductor device manufacture) to the semiconductor chip group 901 at this time, except that the semiconductor chip group 901 is used instead of the semiconductor wafer 9 ', It can perform by the method similar to the case of sticking of the film adhesive 14 (sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture) with respect to the semiconductor wafer 9' in the said manufacturing method 1.

이어서, 이 고정된 상태의 반도체 칩군(901)으로부터 백 그라인드 테이프(8)를 제거한다. 그리고, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 냉각하면서, 그 표면(예를 들면, 점착제층(12)의 제1 면(12a))에 대해 평행한 방향으로 연신함으로써 익스팬드한다. 여기에서는, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 익스팬드의 방향을 화살표 E1으로 나타내고 있다. 이와 같이 익스팬드함으로써, 필름형 접착제(14)를 반도체 칩(9)의 외주를 따라 절단한다.Next, the back grind tape 8 is removed from the semiconductor chip group 901 in a fixed state. Then, as shown in FIG. 5B, while cooling the semiconductor device manufacturing sheet 101, it is expanded by extending in a direction parallel to the surface (for example, the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12). do. Here, the direction of the expand of the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture is shown by arrow E1 . By expanding in this way, the film adhesive 14 is cut|disconnected along the outer periphery of the semiconductor chip 9.

본 공정에 의해, 반도체 칩(9)과, 그 이면(9b)에 형성된 절단 후의 필름형 접착제(140)를 구비한 복수개의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)이 얻어진다. 이들 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)은 적층 시트(10) 중의 중간층(13) 상에서 정렬되어 고정된 상태로 되어 있고, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군(910)을 구성하고 있다.By this process, the semiconductor chip 914 with the several film adhesive provided with the semiconductor chip 9 and the film adhesive 140 after cutting formed in the back surface 9b is obtained. These semiconductor chips 914 formed with film adhesive are aligned and fixed on the intermediate layer 13 in the laminated sheet 10, and constitute a group of semiconductor chips 910 formed with film adhesive.

여기서 얻어지는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914) 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군(910)은, 모두, 앞서 설명한 제조 방법 1에서 얻어지는 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914) 및 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군(910)과 실질적으로 동일하다.The semiconductor chip 914 with film adhesive obtained here and the group of semiconductor chips 910 with film adhesive formed thereon are both the semiconductor chip 914 with film adhesive obtained in the manufacturing method 1 described above and the semiconductor chip with film adhesive formed thereon. It is substantially the same as the semiconductor chip group 910 .

앞서 설명한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(9')의 분할시, 반도체 웨이퍼(9')의 일부 영역에 있어서, 반도체 칩(9)으로의 분할을 행하지 않았던 경우에는, 본 공정을 행함으로써, 이 영역은 반도체 칩으로 분할된다.As described above, when the semiconductor wafer 9' is divided, in the case where the division into semiconductor chips 9 is not performed in a partial region of the semiconductor wafer 9', this region is changed by performing this step. Divided into semiconductor chips.

반도체 장치 제조용 시트(101)는 그 온도를 -5∼5℃로서 익스팬드 하는 것이 바람직하다. 반도체 장치 제조용 시트(101)를 이와 같이 냉각하여 익스팬드함(쿨 익스팬드를 행함)으로써, 필름형 접착제(14)를 보다 용이하게, 또한 고정밀도로 절단할 수 있다.It is preferable to expand the temperature of the sheet 101 for semiconductor device manufacture as -5 to 5°C. By cooling the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture in this way and expanding (cool expanding), the film adhesive 14 can be cut more easily and with high precision.

반도체 장치 제조용 시트(101)의 익스팬드는 공지의 방법으로 행할 수 있다. 예를 들면, 반도체 장치 제조용 시트(101) 중의 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되어 있지 않은 주연부 근방의 영역(상기 비적층 영역)을 링 프레임 등의 지그(도시 생략)에 고정한 후, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되어 있는 영역 전체를, 기재(11)로부터 점착제층(12)으로 향하는 방향으로, 기재(11)측으로부터 밀어올림으로써, 반도체 장치 제조용 시트(101)를 익스팬드할 수 있다.The expansion of the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture can be performed by a well-known method. For example, in the 1st surface 12a of the adhesive layer 12 in the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture, the area|region of the periphery vicinity where the intermediate|middle layer 13 and the film adhesive 14 are not laminated (the said non-lamination) region) to a jig (not shown) such as a ring frame, then the entire region where the intermediate layer 13 and the film adhesive 14 of the sheet 101 for semiconductor device manufacture are laminated is removed from the base material 11 into the pressure-sensitive adhesive layer. In the direction toward (12), the sheet 101 for semiconductor device manufacture can be expanded by pushing up from the substrate 11 side.

도 5b에서는, 점착제층(12)의 제1 면(12a) 중, 중간층(13) 및 필름형 접착제(14)가 적층되어 있지 않은 상기 비적층 영역은, 중간층(13)의 제1 면(13a)에 대해 대략 평행으로 되어 있지만, 상술한 바와 같이, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 밀어올림에 의해 익스팬드하고 있는 상태에서는, 상기 비적층 영역은 점착제층(12)의 외주에 가까워짐에 따라, 상기 밀어올림 방향과는 역방향으로 높이가 하강하는 경사면을 포함한다.In FIG. 5B , among the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12, the non-laminated region in which the intermediate layer 13 and the film adhesive 14 are not laminated is the first surface 13a of the intermediate layer 13 ), but, as described above, in the state in which the sheet 101 for semiconductor device manufacture is being expanded by pushing up, the non-laminated region approaches the outer periphery of the pressure-sensitive adhesive layer 12, It includes an inclined surface whose height decreases in a direction opposite to the pushing up direction.

본 공정에서는, 반도체 장치 제조용 시트(101)가 중간층(13)을 구비하고 있음(다시 말하면, 절단 전의 필름형 접착제(14)가 중간층(13) 상에 형성되어 있음)으로써, 필름상 접착제(14)가 목적으로 하는 개소에서(다시 말하면, 반도체 칩(9)의 외주를 따라) 고정밀도로 절단되어, 절단 불량을 억제할 수 있다.In this process, since the sheet|seat 101 for semiconductor device manufacture is provided with the intermediate|middle layer 13 (in other words, the film adhesive 14 before cutting is formed on the intermediate|middle layer 13), the film adhesive 14 ) is cut with high precision at the target location (in other words, along the outer periphery of the semiconductor chip 9), and cutting defects can be suppressed.

익스팬드 후에는, 도 5c에 나타내는 바와 같이, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 적층 시트(10) 중의 중간충(13)으로부터 분리하여 픽업한다.After expansion, as shown in FIG. 5C, the semiconductor chip 914 on which the film adhesive was formed is separated from the intermediate layer 13 in the laminated sheet 10 and picked up.

이 때의 픽업은 앞서 설명한 제조 방법 1에 있어서의 픽업과 동일한 방법으로 행할 수 있고, 픽업 적성도, 제조 방법 1에 있어서의 픽업 적성과 동일하다.The pick-up at this time can be performed by the same method as the pick-up in the manufacturing method 1 described above, and the pick-up aptitude is also the same as the pick-up aptitude in the manufacturing method 1.

예를 들면, 본 공정에 있어서도, 중간층(13)의 제1 면(13a)에 있어서, 상기 규소 농도의 비율이 1∼20％인 경우에는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.For example, also in this step, in the case where the ratio of the silicon concentration is 1 to 20% in the first surface 13a of the intermediate layer 13, the semiconductor chip 914 with the film adhesive is more easily can be picked up.

또한, 중간층(13)이 예를 들면, 상기 비규소계 수지인 에틸렌초산비닐 공중합체와, 상기 첨가제인 실록산계 화합물을 함유하고, 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 에틸렌초산비닐 공중합체의 함유량의 비율이 90∼99.99질량％이며, 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 상기 실록산계 화합물의 함유량의 비율이 0.01∼10질량％인 경우에는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(914)을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.Further, the middle layer 13 contains, for example, the ethylene-vinyl acetate copolymer as the non-silicon resin and the siloxane-based compound as the additive, and the content of the ethylene-vinyl acetate copolymer relative to the total mass of the middle layer in the middle layer When the ratio of is 90 to 99.99% by mass and the ratio of the content of the siloxane-based compound to the total mass of the intermediate layer in the middle layer is 0.01 to 10% by mass, the semiconductor chip 914 with the film adhesive is more Can be easily picked up.

여기까지 설명한 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법에서, 바람직한 실시형태로는 예를 들면, 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서,In the manufacturing method of the semiconductor chip with the film adhesive described so far, in a preferred embodiment, for example, the semiconductor chip with the film adhesive provided with the semiconductor chip and the film adhesive formed on the back surface of the semiconductor chip As a manufacturing method,

상기 반도체 장치 제조용 시트는 상기 기재, 점착제층, 중간층, 및 필름형 접착제를 구비하고 있고,The sheet for manufacturing a semiconductor device includes the base material, an adhesive layer, an intermediate layer, and a film adhesive,

상기 제조 방법은 반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광을 조사함으로써, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정과, 상기 개질층을 형성 후의 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭함과 함께, 상기 반도체 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 상기 개질층의 형성 부위에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩이 정렬된 상태의 반도체 칩군을 얻는 공정과, 상기 반도체 장치 제조용 시트를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제를 상기 반도체 칩군 중의 모든 반도체 칩의 이면에 첩부하는 공정과, 상기 반도체 칩에 첩부한 후의 상기 반도체 장치 제조용 시트를 냉각하면서, 그 표면에 대해 평행한 방향으로 연신함으로써, 상기 필름형 접착제를 상기 반도체 칩의 외주를 따라 절단하며, 복수개의 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이, 상기 중간층 상에서 정렬된 상태의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻는 공정과, 상기 중간층으로부터, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 분리하여 픽업하는 공정을 갖는 것(본 명세서에 있어서는, 「제조 방법 2」라고 칭하는 경우가 있다)을 들 수 있다.The manufacturing method includes a step of forming a modified layer inside the semiconductor wafer by irradiating laser light so as to focus on a focal point set inside the semiconductor wafer, grinding the back surface of the semiconductor wafer after forming the modified layer, In addition, by using the force applied to the semiconductor wafer during grinding, the semiconductor wafer is divided at the formation site of the modified layer to obtain a semiconductor chip group in which a plurality of semiconductor chips are aligned, and the semiconductor While heating the sheet for device manufacture, the step of attaching the film adhesive therein to the back surface of all the semiconductor chips in the group of semiconductor chips, cooling the sheet for semiconductor device manufacture after being affixed to the semiconductor chip, parallel to the surface By stretching in the direction, the film adhesive is cut along the outer circumference of the semiconductor chip, and a plurality of semiconductor chips formed with the film adhesive are aligned on the intermediate layer to obtain a group of semiconductor chips formed with the film adhesive; , What has the process of isolate|separating and picking up the semiconductor chip with the said film adhesive from the said intermediate|middle layer (in this specification, it may call "the manufacturing method 2") is mentioned.

여기까지는, 제조 방법 1 및 제조 방법 2 중 어느 경우에도, 도 1에 나타내는 반도체 장치 제조용 시트(101)를 예로 들어, 그 사용 방법에 대해 설명했지만, 그 이외의 본 실시형태에 따른 반도체 장치 제조용 시트도, 동일하게 사용할 수 있다. 그 경우, 필요에 따라, 이 반도체 장치 제조용 시트와, 반도체 장치 제조용 시트(101)의 구성의 차이점에 기초하여, 다른 공정을 적절히 추가하고, 반도체 장치 제조용 시트를 사용해도 된다.So far, in both cases of Manufacturing Method 1 and Manufacturing Method 2, the method of using the sheet 101 shown in FIG. also can be used in the same way. In that case, based on the difference in structure between this sheet for semiconductor device manufacture and the sheet 101 for semiconductor device manufacture, another process may be added appropriately and the semiconductor device manufacture sheet may be used as needed.

제조 방법 1 및 제조 방법 2의 경우에 한정하지 않고, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻은 후에는, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 픽업하기 전에, 상기 적층 시트를 상기 점착제층의 상기 중간층측 면(제1 면)에 대해 평행한 방향으로 익스팬드하고, 또한 이 상태를 유지한 채로, 상기 적층 시트 중, 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩(필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군)이 재치되어 있지 않은 주연부를 가열해도 된다.Not limited to the case of Manufacturing Method 1 and Manufacturing Method 2, after obtaining the semiconductor chip group on which the film adhesive is formed, before picking up the semiconductor chip on which the film adhesive is formed, the laminated sheet is placed as the intermediate layer of the pressure-sensitive adhesive layer. It expands in a direction parallel to the side surface (first surface), and while maintaining this state, the semiconductor chip with the film adhesive (semiconductor chip group with the film adhesive) is placed in the laminated sheet, You may heat the periphery which does not exist.

이와 같이 함으로써, 상기 주연부를 수축시키면서, 상기 적층 시트 상에 있어서는, 인접하는 반도체 칩 사이의 거리, 즉, 커프 폭을 충분히 넓게 또한 높은 균일성으로 유지할 수 있다. 그리고, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 보다 용이하게 픽업할 수 있다.By doing in this way, the distance between adjacent semiconductor chips, ie, the kerf width, can be kept sufficiently wide and with high uniformity on the laminated sheet while shrinking the periphery. And the semiconductor chip on which the film adhesive was formed can be picked up more easily.

상기의 제조 방법 2에 있어서, 필름형 접착제의 폭의 최대값은 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜인 것이 바람직하다.In said manufacturing method 2, it is preferable that the maximum value of the width|variety of a film adhesive is 150-160 mm, 200-210 mm, or 300-310 mm.

이들 3개의 수치 범위는 반도체 장치 제조용 시트의 첩부면에 대해 평행한 방향에 있어서의 폭의 최대값이, 150㎜인 반도체 웨이퍼, 200㎜인 반도체 웨이퍼, 또는 300㎜인 반도체 웨이퍼에 대응하고 있다.These three numerical ranges correspond to semiconductor wafers whose maximum width in the direction parallel to the sticking surface of the sheet for semiconductor device manufacture is 150 mm, 200 mm, or 300 mm.

실시예에 있어서 후술하는 바와 같이, 필름형 접착제의 폭의 최대값이 상기 범위 내임으로써, 반도체 장치 제조용 시트의 익스팬드시에 있어서, 필름형 접착제의 비산을 억제할 수 있다.As mentioned later in an Example, when the maximum value of the width|variety of a film adhesive is in the said range, at the time of the expansion of the sheet|seat for semiconductor device manufacture, scattering of a film adhesive can be suppressed.

실시예Example

이하, 구체적 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 나타내는 실시예에 한정되는 것은 전혀 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples. However, the present invention is not at all limited to the examples shown below.

＜＜접착제 조성물의 제조 원료＞＞<<Manufacturing Raw Material of Adhesive Composition>>

접착제 조성물의 제조에 사용한 원료를 이하에 나타낸다.The raw material used for manufacture of adhesive composition is shown below.

[중합체 성분(a)][Polymer component (a)]

(a)-1: 아크릴산메틸(95질량부) 및 아크릴산-2-히드록시에틸(5질량부)을 공중합하여 이루어지는 아크릴 수지(중량 평균 분자량 800000, 유리 전이 온도 9℃)(a)-1: Acrylic resin obtained by copolymerizing methyl acrylate (95 parts by mass) and 2-hydroxyethyl acrylate (5 parts by mass) (weight average molecular weight: 800,000, glass transition temperature: 9°C)

[에폭시 수지(b1)][Epoxy resin (b1)]

(b1)-1: 아크릴로일기가 부가된 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(닛폰 카야쿠사 제조「CNA147」, 에폭시 당량 518g/eq, 수평균 분자량 2100, 불포화기 함유량은 에폭시기와 등량)(b1)-1: Cresol novolak-type epoxy resin with an acryloyl group added (“CNA147” manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., epoxy equivalent 518 g/eq, number average molecular weight 2100, unsaturated group content equal to epoxy group)

[열경화제(b2)][Heat curing agent (b2)]

(b2)-1: 아랄킬형 페놀 수지(미츠이 카가쿠사 제조「미렉스 XLC-4L」, 수평균 분자량 1100, 연화점 63℃)(b2)-1: aralkyl type phenolic resin (Mirex XLC-4L manufactured by Mitsui Chemicals, number average molecular weight: 1100, softening point: 63°C)

[충전재(d)][Filling material (d)]

(d)-1: 구형 실리카(아드마텍스사 제조「YA050C-MJE」, 평균 입경 50㎚, 메타크릴실란 처리품)(d)-1: Spherical silica ("YA050C-MJE" manufactured by Admatechs, average particle diameter 50 nm, methacrylic silane treatment)

[커플링제(e)][Coupling agent (e)]

(e)-1: 실란 커플링제, 3-글리시독시프로필메틸디에톡시실란(신에츠 실리콘사 제조「KBE-402」)(e)-1: Silane coupling agent, 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane (“KBE-402” manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.)

[가교제(f)][Crosslinking agent (f)]

(f)-1: 톨릴렌디이소시아네이트계 가교제(토소사 제조「코로네이트 L」)(f)-1: tolylene diisocyanate-based crosslinking agent (“Coronate L” manufactured by Tosoh Corporation)

[참고예 1][Reference Example 1]

＜＜반도체 장치 제조용 시트의 제조 및 평가(1)＞＞<<Production and Evaluation of Sheet for Manufacturing Semiconductor Devices (1)>>

＜기재의 제조＞<Manufacture of base material>

압출기를 이용하여, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE, 스미토모 카가쿠사 제조 「스미카센 L705」)을 용융시켜, T 다이법에 의해 용융물을 압출하고, 냉각 롤러를 이용하여 압출물을 2축으로 연신함으로써, LDPE제의 기재(두께 110㎛)를 얻었다.Using an extruder, low-density polyethylene (LDPE, Sumitomo Chemical Co., Ltd. "Sumikasen L705") is melted, the melt is extruded by the T-die method, and the extrudate is biaxially stretched using a cooling roller, thereby making LDPE. A substrate (thickness of 110 μm) was obtained.

＜점착제층의 제작＞<Production of pressure-sensitive adhesive layer>

점착성 수지(I-1a)로서 아크릴 수지(도요켐사 제조 「오리바인 BPS 6367X」)(100질량부)와, 가교제(도요켐사 제조 「BXX 5640」)(1질량부)를 함유하는 비에너지선 경화성 점착제 조성물을 제조했다.Specific energy ray curing properties containing an acrylic resin ("Oribine BPS 6367X" manufactured by Toyochem) (100 parts by mass) and a crosslinking agent ("BXX 5640" manufactured by Toyochem Corporation) (1 part by mass) as the adhesive resin (I-1a) An adhesive composition was prepared.

이어서, 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 점착제 조성물을 도공하고, 100℃에서 2분 가열 건조시킴으로써, 비에너지선 경화성 점착제층(두께 10㎛)을 제작했다.Next, using a release film in which one side of the film made of polyethylene terephthalate has been subjected to a release treatment by silicone treatment, the adhesive composition obtained above is coated on the release treatment surface and heated and dried at 100 ° C. for 2 minutes. A curable pressure-sensitive adhesive layer (thickness of 10 μm) was produced.

＜중간층의 제작＞＜Production of the middle layer＞

상온하에서, 에틸렌초산비닐 공중합체(EVA, 중량 평균 분자량 30000, 초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 함유량 25질량％)(15g)를 테트라히드로푸란 85g에 용해시켜 얻어진 용액에, 실록산계 화합물(폴리디메틸실록산, 빅케미·재팬사 제조 「BYK-333」, 1분자 중의 식 「-Si(-CH3)2-O-」로 나타내는 구성 단위의 수가 45∼230)(1.5g)을 첨가하고, 교반함으로써, 중간층 형성용 조성물을 제작했다.A siloxane-based compound (polydimethyl Siloxane, "BYK-333" manufactured by Big Chemie Japan Co., Ltd., the number of structural units represented by the formula "-Si(-CH 3 ) 2 -O-" in 1 molecule (45 to 230) (1.5 g) was added and stirred. By doing so, a composition for forming an intermediate layer was produced.

폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에, 상기에서 얻어진 중간층 형성용 조성물을 도공하고, 70℃에서 5분 가열 건조시킴으로써, 중간층(두께 20㎛)을 제작했다.An intermediate layer ( thickness 20 μm) was produced.

＜필름형 접착제의 제작＞<Production of film adhesive>

중합체 성분(a)-1(100질량부), 에폭시 수지(b1)-1(10질량부), 열경화제(b2)-1(1.5질량부), 충전재(d)-1(75질량부), 커플링제(e)-1(0.5질량부), 및 가교제(f)-1(0.5질량부)를 함유하는 열경화성 접착제 조성물을 제조했다.Polymer component (a)-1 (100 parts by mass), epoxy resin (b1)-1 (10 parts by mass), heat curing agent (b2)-1 (1.5 parts by mass), filler (d)-1 (75 parts by mass) , coupling agent (e)-1 (0.5 parts by mass), and crosslinking agent (f)-1 (0.5 parts by mass) were prepared.

이어서, 폴리에틸렌테레프탈레이트제 필름의 편면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름을 사용하여, 그 상기 박리 처리면에 상기에서 얻어진 접착제 조성물을 도공하고, 80℃에서 2분 가열 건조시킴으로써, 열경화성 필름형 접착제(두께 7㎛)를 제작했다.Next, using a release film in which one side of the film made of polyethylene terephthalate has been subjected to a release treatment by silicone treatment, the adhesive composition obtained above is coated on the release treatment surface and heat-dried at 80° C. for 2 minutes to form a thermosetting film. An adhesive (thickness of 7 μm) was prepared.

＜반도체 장치 제조용 시트의 제조＞<Production of Sheet for Manufacturing Semiconductor Devices>

상기에서 얻어진 점착제층의 박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 노출면을, 상기에서 얻어진 기재의 한쪽 표면과 첩합함으로써, 박리 필름이 형성된 제1 중간 적층체(다시 말하면, 박리 필름이 형성된 지지 시트)를 제작했다.The first intermediate laminate with a release film (in other words, a support with a release film) by bonding the exposed surface on the opposite side to the side provided with the release film of the pressure-sensitive adhesive layer obtained above with one surface of the base material obtained above. sheet) was created.

상기에서 얻어진 필름형 접착제의 박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 노출면을, 상기에서 얻어진 중간층의 박리 필름을 구비하고 있는 측과는 반대측의 노출면과 첩합함으로써, 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체(박리 필름, 중간층, 필름형 접착제, 및 박리 필름의 적층물)를 제작했다.2nd with the release film formed by bonding the exposed surface on the opposite side to the side provided with the release film of the film adhesive obtained above with the exposed surface on the opposite side to the side provided with the release film of the intermediate layer obtained above. An intermediate laminate (a laminate of a release film, an intermediate layer, a film adhesive, and a release film) was produced.

이어서, 1차 추출 가공을 행했다.Subsequently, primary extraction processing was performed.

구체적으로는, 이 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체에 대해, 중간층측의 박리 필름으로부터 필름형 접착제까지, 절단날을 이용하여 펀칭 가공을 행하고, 불필요 부분을 제거했다.Specifically, with respect to the 2nd intermediate|middle laminated body in which this peeling film was formed, the punching process was performed using the cutting blade from the peeling film on the intermediate layer side to the film adhesive, and the unnecessary part was removed.

이에 의해, 필름형 접착제측의 박리 필름 상에 필름형 접착제(두께 7㎛), 중간층(두께 20㎛), 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있고, 또한, 평면 형상이 원형(직경 305㎜)인 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체 가공물을 제작했다.Thereby, on the release film on the side of the film adhesive, the film adhesive (thickness: 7 μm), the intermediate layer (thickness: 20 μm), and the release film are laminated in this order in their thickness direction, and are configured. A second intermediate laminate workpiece with a release film having a circular planar shape (diameter: 305 mm) was produced.

이어서, 상기에서 얻어진 박리 필름이 형성된 제1 중간 적층체로부터, 박리 필름을 제거하고, 점착제층의 한쪽 면을 노출시켰다.Next, the release film was removed from the first intermediate laminate with the release film obtained above, and one side of the pressure-sensitive adhesive layer was exposed.

또한, 상기에서 얻어진 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체 가공물로부터, 원형의 박리 필름을 제거하고, 중간층의 한쪽 면을 노출시켰다.Further, from the second intermediate laminate workpiece on which the release film was formed obtained above, the circular release film was removed to expose one side of the intermediate layer.

이어서, 제1 중간 적층체 중의 점착제층의 새롭게 생긴 노출면과, 제2 중간 적층체 가공물 중의 중간층의 새롭게 생긴 노출면을 첩합하여, 제3 중간 적층체를 얻었다.Next, the newly formed exposed surface of the pressure-sensitive adhesive layer in the first intermediate laminate and the newly formed exposed surface of the intermediate layer in the processed product of the second intermediate laminate were bonded together to obtain a third intermediate laminate.

이어서, 이 제3 중간 적층체에 대해, 2차 추출 가공을 행했다.Next, the secondary extraction process was performed with respect to this 3rd intermediate|middle laminated body.

구체적으로는, 제3 중간 적층체에 대해, 절단날(370㎜)을 이용하여 기재측으로부터 펀칭 가공을 행하고, 불필요 부분을 제거했다.Specifically, with respect to the 3rd intermediate|middle laminated body, the punching process was performed from the base material side using the cutting blade (370 mm), and the unnecessary part was removed.

이에 의해, 지지 시트의 평면 형상이 원형(직경 370㎜)이고, 또한, 지지 시트가 원형의 필름형 접착제 및 중간층(직경 305㎜)과 동심형이 되어 있는, 반도체 장치 제조용 시트를 얻었다.This obtained a sheet for semiconductor device manufacture in which the planar shape of the support sheet was circular (370 mm in diameter) and the support sheet was concentric with the circular film adhesive and the intermediate layer (305 mm in diameter).

이상에 의해, 기재(두께 110㎛), 점착제층(두께 10㎛), 중간층(두께 20㎛), 필름형 접착제(두께 7㎛), 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 박리 필름이 형성된 반도체 장치 제조용 시트를 얻었다.As described above, the base material (thickness: 110 μm), the pressure-sensitive adhesive layer (thickness: 10 μm), the intermediate layer (thickness: 20 μm), the film adhesive (thickness: 7 μm), and the release film are laminated in this order in their thickness direction. Thus, a sheet for manufacturing a semiconductor device having a release film formed thereon was obtained.

＜중간층의 필름형 접착제측 면에 있어서의 규소 농도의 비율의 산출＞<Calculation of the ratio of the silicon concentration in the surface of the film adhesive side of the intermediate layer>

상술한 반도체 장치 제조용 시트의 제조 과정에 있어서, 점착제층과 첩합하기 전의 단계의 중간층의 노출면에 대해, XPS에 의해 분석을 행하여, 탄소(C), 산소(O), 질소(N), 및 규소(Si) 농도(atomic ％)를 측정하고, 그 측정값으로부터, 탄소, 산소, 질소, 및 규소의 합계 농도에 대한 규소 농도의 비율(％)을 구했다.In the manufacturing process of the above-mentioned semiconductor device manufacturing sheet, the exposed surface of the intermediate layer in the step before bonding with the pressure-sensitive adhesive layer was analyzed by XPS, and carbon (C), oxygen (O), nitrogen (N), and The silicon (Si) concentration (atomic %) was measured, and the ratio (%) of the silicon concentration to the total concentration of carbon, oxygen, nitrogen, and silicon was determined from the measured value.

XPS 분석은 X선 광전자 분광 분석 장치(알박사 제조 「Quantra SXM」)를 이용하여, 조사 각도 45°, X선 빔 직경 20㎛φ, 출력 4.5W의 조건에서 행했다. 결과를 다른 원소의 농도의 비율(％)과 함께, 표 1 중의 「중간층의 원소 농도의 비율(％)」 란에 나타낸다.The XPS analysis was performed using an X-ray photoelectron spectroscopy apparatus (“Quantra SXM” manufactured by Albac Co., Ltd.) under the conditions of an irradiation angle of 45°, an X-ray beam diameter of 20 µmφ, and an output of 4.5 W. The results are shown in the "Concentration ratio of elements in the middle layer (%)" column in Table 1 together with the ratio (%) of the concentrations of other elements.

＜블레이드 다이싱시에 있어서의 절삭 부스러기의 발생 억제 효과의 평가＞<Evaluation of the effect of suppressing the generation of cutting chips during blade dicing>

[필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군의 제조][Production of Silicon Chip Group with Film Adhesive]

상기에서 얻어진 반도체 장치 제조용 시트에 있어서, 박리 필름을 제거했다.In the sheet for semiconductor device manufacture obtained above, the release film was removed.

이면을 드라이 폴리시 마무리로 연마한 실리콘 웨이퍼(직경 300㎜, 두께 75㎛)를 사용하고, 그 이면(연마면)에 테이프 마운터(린텍사 제조 「Adwill RAD2500」)를 이용하여, 상기 반도체 장치 제조용 시트를 60℃로 가열하면서, 그 필름형 접착제에 의해 첩부했다. 이에 의해, 기재, 점착제층, 중간층, 필름형 접착제, 및 실리콘 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 적층물(상기 적층 시트와, 필름형 접착제와, 실리콘 웨이퍼가 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성된 적층물)을 얻었다.Using a silicon wafer (diameter: 300 mm, thickness: 75 μm) whose back surface was polished by dry polishing, and using a tape mounter (“Adwill RAD2500” manufactured by Lintec) on the back surface (polished surface), the above semiconductor device manufacturing sheet was attached with the film adhesive while heating at 60°C. Thus, a laminate composed of a base material, an adhesive layer, an intermediate layer, a film adhesive, and a silicon wafer being laminated in this order in their thickness direction (the laminated sheet, the film adhesive, and the silicon wafer in this order) , a laminate structured by being laminated in their thickness direction) was obtained.

이어서, 상기 적층물 중의 점착제층의 제1 면 중, 중간층이 형성되지 않은 주연부 근방의 영역(상기 비적층 영역)을, 웨이퍼 다이싱용 링 프레임에 고정했다.Next, of the first surface of the pressure-sensitive adhesive layer in the laminate, a region in the vicinity of the periphery where no intermediate layer was formed (the non-laminated region) was fixed to a ring frame for wafer dicing.

이어서, 다이싱 장치(디스코사 제조 「DFD6361」)를 이용하여 다이싱함으로써, 실리콘 웨이퍼를 분할함과 함께, 필름형 접착제도 절단하여, 크기가 8㎜×8㎜인 실리콘 칩을 얻었다. 이 때의 다이싱은 블레이드의 회전 속도를 30000rpm, 블레이드의 이동 속도를 30㎜/sec로 하고, 반도체 장치 제조용 시트에 대해, 그 필름형 접착제의 실리콘 웨이퍼의 첩부면부터, 중간층의 도중의 영역까지(즉, 필름형 접착제의 그 두께 방향의 전체 영역과, 중간층의 그 필름형 접착제측 면부터 도중의 영역까지) 블레이드로 절입함으로써 행했다. 블레이드로는, 디스코사 제조 「Z05-SD2000-D1-90 CC」를 사용했다.Next, while dividing|segmenting a silicon wafer by dicing using a dicing apparatus ("DFD6361" by a Disco company), the film adhesive was also cut, and the size obtained the silicon chip of 8 mm x 8 mm. In the dicing at this time, the rotational speed of the blade is 30000 rpm and the moving speed of the blade is 30 mm/sec, and the film adhesive is applied to the sheet for semiconductor device production from the surface of the silicon wafer to the intermediate layer area. (That is, from the whole area|region of the film adhesive in the thickness direction, and the area|region in the middle from the surface on the film adhesive side of an intermediate|middle layer) It performed by cutting with a blade. As a blade, "Z05-SD2000-D1-90 CC" manufactured by Disco was used.

이상에 의해, 실리콘 칩과, 그 이면에 형성된 절단 후의 필름형 접착제를 구비한 다수의 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩이, 그 중의 필름형 접착제에 의해, 상기 적층 시트 중의 중간층 상에서 정렬되어 고정된 상태의 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군을 얻었다.As a result of the above, the silicon chip and the silicon chip formed with a large number of film adhesives having a film adhesive formed on the back surface after cutting are aligned and fixed on the intermediate layer in the laminated sheet by the film adhesive therein. A silicon chip group having a film adhesive of was obtained.

[절삭 부스러기의 발생 억제 효과의 평가][Evaluation of the effect of suppressing the generation of cutting chips]

디지털 현미경(키엔스사 제조 「VH-Z100」)을 이용하여, 상기에서 얻어진 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군을, 그 실리콘 칩측의 상방으로부터 관찰하고, 절삭 부스러기의 발생 유무를 확인했다. 그리고, 절삭 부스러기가 전혀 발생하고 있지 않는 경우에는 「A」라고 판정하고, 약간이라도 절삭 부스러기가 발생하고 있는 경우에는 「B」라고 판정했다. 결과를 표 1에 나타낸다.Using a digital microscope (“VH-Z100” manufactured by Keyence Corporation), the silicon chip group with the film adhesive obtained above was observed from above on the silicon chip side, and the presence or absence of cutting chips was confirmed. And when no cutting chips were generated at all, it was determined as "A", and when cutting chips were generated even slightly, it was determined as "B". The results are shown in Table 1.

＜익스팬드시에 있어서의 필름형 접착제의 절단성 평가＞<Evaluation of cutability of film adhesive at the time of expansion>

[필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군의 제조][Production of Silicon Chip Group with Film Adhesive]

평면 형상이 원형이고, 그 직경이 300㎜이며, 두께가 775㎛인 실리콘 웨이퍼를 사용하여, 그 한쪽 면에 백 그라인드 테이프(린텍사 제조「Adwill E-3100TN」)를 첩부했다.A silicon wafer having a circular planar shape, a diameter of 300 mm, and a thickness of 775 µm was used, and a back grind tape ("Adwill E-3100TN" manufactured by Lintec) was attached to one side thereof.

이어서, 레이저광 조사 장치(디스코사 제조「DFL73161」)를 이용하여, 이 실리콘 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광을 조사함으로써, 실리콘 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성했다. 이 때, 상기 초점은 이 실리콘 웨이퍼로부터 크기가 8㎜×8㎜인 실리콘 칩이 다수 얻어지도록 설정했다. 또한, 레이저광은 실리콘 웨이퍼에 대해, 그 다른쪽 면(백 그라인드 테이프가 첩부되지 않은 면)측으로부터 조사했다.Subsequently, a modified layer was formed inside the silicon wafer by irradiating a laser beam so as to focus on a focal point set inside the silicon wafer using a laser beam irradiation device ("DFL73161" manufactured by Disco). At this time, the focus was set such that a large number of silicon chips having a size of 8 mm x 8 mm were obtained from the silicon wafer. Further, the laser beam was irradiated from the other surface (surface to which the back grind tape was not applied) to the silicon wafer.

이어서, 그라인더를 이용하여, 실리콘 웨이퍼의 상기 다른쪽 면을 연삭함으로써, 실리콘 웨이퍼의 두께를 30㎛로 함과 함께, 이 때의 실리콘 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 개질층의 형성 부위에 있어서, 실리콘 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 실리콘 칩을 제작했다. 이에 의해, 백 그라인드 테이프 상에서 복수개의 실리콘 칩이 정렬되어 고정된 상태의 실리콘 칩군을 얻었다.Next, by grinding the other surface of the silicon wafer using a grinder, the thickness of the silicon wafer is set to 30 μm, and the force applied to the silicon wafer at this time is used to form a modified layer by using the grinding force At the site, a silicon wafer was divided to produce a plurality of silicon chips. As a result, a silicon chip group in a state where a plurality of silicon chips were aligned and fixed on the back grind tape was obtained.

이어서, 테이프 마운터(린텍사 제조「Adwill RAD2500」)를 이용하여, 상기에서 얻어진 1장의 반도체 장치 제조용 시트를 60℃로 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제를 모든 상기 실리콘 칩(실리콘 칩군)의 상기 다른쪽 면(다시 말하면, 연삭면)에 첩부했다.Next, using a tape mounter (“Adwill RAD2500” manufactured by Lintec Corporation), while heating the obtained sheet for semiconductor device manufacturing at 60° C., the film adhesive in it is applied to all of the silicon chips (silicon chip group) to the other silicon chips (group of silicon chips). It was affixed to the side (that is to say, the grinding side).

이어서, 이 실리콘 칩군에 첩부 후의 반도체 장치 제조용 시트 중의 점착제층의 제1 면 중, 중간층이 형성되지 않은 주연부 근방의 영역(상기 비적층 영역)을, 웨이퍼 다이싱용 링 프레임에 고정했다.Next, of the first surface of the pressure-sensitive adhesive layer in the sheet for semiconductor device manufacturing after being attached to this silicon chip group, a region in the vicinity of the periphery where no intermediate layer was formed (the non-laminated region) was fixed to a ring frame for wafer dicing.

이어서, 이 고정된 상태의 실리콘 칩군으로부터 백 그라인드 테이프를 제거했다. 그리고, 전자동 다이 세퍼레이터(디스코사 제조「DDS2300」)를 이용하여, 0℃의 환경하에서, 반도체 장치 제조용 시트를 냉각하면서, 그 표면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드함으로써, 필름형 접착제를 실리콘 칩의 외주를 따라 절단했다. 이 때, 반도체 장치 제조용 시트의 주연부를 고정하고, 반도체 장치 제조용 시트의 중간층 및 필름형 접착제가 적층되어 있는 영역 전체를, 그 기재측으로부터 15㎜의 높이만큼 밀어올림으로써 익스팬드했다.Next, the back grind tape was removed from this group of silicon chips in a fixed state. Then, using a fully automatic die separator (“DDS2300” manufactured by Disco), the sheet for semiconductor device manufacturing is expanded in a direction parallel to the surface while cooling the sheet for semiconductor device manufacturing in an environment of 0° C. Cut along the outer circumference. At this time, the peripheral edge of the sheet|seat for semiconductor device manufacture was fixed, and the whole area|region in which the intermediate|middle layer of the sheet|seat for semiconductor device manufacture and the film adhesive were laminated|stacked was expanded by pushing only the height of 15 mm from the base material side.

이에 의해, 실리콘 칩과, 그 상기 다른쪽 면(연삭면)에 형성된 절단 후의 필름형 접착제를 구비한 복수개의 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩이 중간층 상에서 정렬되어 고정된 상태의, 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군을 얻었다.As a result, a film adhesive in which a silicon chip and a plurality of film adhesives including a silicon chip and a film adhesive after cutting formed on the other surface (grinding surface) thereof are formed are aligned and fixed on the intermediate layer. A group of silicon chips was obtained.

이어서, 상술한 반도체 장치 제조용 시트의 익스팬드를 한 번 해제한 후, 상온하에서, 기재, 점착제층, 및 중간층이 적층되어 구성된 적층물(즉, 상기 적층 시트)을 점착제층의 제1 면에 대해 평행한 방향으로 익스팬드했다. 또한, 이 익스팬드한 상태를 유지한 채로, 상기 적층 시트 중, 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩이 재치되어 있지 않은 주연부를 가열했다. 이에 의해, 상기 주연부를 수축시키면서, 상기 적층 시트 상에 있어서는, 인접하는 실리콘 칩 사이의 커프 폭을 일정값 이상으로 유지했다.Next, after canceling the expansion of the above-described sheet for semiconductor device manufacture once, a laminate composed of a base material, an adhesive layer, and an intermediate layer (i.e., the laminated sheet) being laminated at room temperature with respect to the first surface of the pressure-sensitive adhesive layer. Expanded in a parallel direction. In addition, while maintaining this expanded state, the periphery where the silicon chip on which the film adhesive was formed was not mounted was heated among the laminated sheets. As a result, the kerf width between adjacent silicon chips was maintained at a constant value or more on the laminated sheet while shrinking the peripheral portion.

[필름형 접착제의 절단성 평가][Evaluation of cutability of film adhesive]

상술한 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군의 제조시에 있어서, 디지털 현미경(키엔스사 제조「VH-Z100」)을 이용하여, 상기에서 얻어진 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군을 그 실리콘 칩측의 상방으로부터 관찰했다. 그리고, 반도체 장치 제조용 시트의 익스팬드에 의해, 필름형 접착제가 정상적으로 절단되었다고 가정한 경우에 형성되어 있을, 한 방향으로 신장하는 복수개의 필름형 접착제의 절단선과, 이 방향과 직교하는 방향으로 신장하는 복수개의 필름형 접착제의 절단선 중, 실제로는 형성되어 있지 않은 절단선 및 형성이 불완전한 절단선의 개수를 확인하여, 하기 평가 기준에 따라, 필름형 접착제의 절단성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.In the production of the silicon chip group with the above-described film adhesive, the silicon chip group with the film adhesive obtained above was observed from above the silicon chip side using a digital microscope (“VH-Z100” manufactured by Keyence Corporation). . And, by the expansion of the sheet for semiconductor device manufacture, the cutting line of a plurality of film adhesives extending in one direction, which will be formed when it is assumed that the film adhesive is normally cut, and the extension in the direction orthogonal to this direction Among the cutting lines of a plurality of film adhesives, the number of cutting lines not actually formed and cutting lines with incomplete formation was confirmed, and the cutting property of the film adhesive was evaluated according to the following evaluation criteria. The results are shown in Table 1.

(평가 기준)(Evaluation standard)

A: 실제로는 형성되어 있지 않은 필름형 접착제의 절단선 및 형성이 불완전한 필름형 접착제의 절단선의 합계 개수가, 5개 이하이다.A: The total number of pieces of the cutting line of the film adhesive which is not actually formed and the cutting line of the film adhesive in which formation is incomplete is 5 or less.

B: 실제로는 형성되어 있지 않은 필름형 접착제의 절단선 및 형성이 불완전한 필름형 접착제의 절단선의 합계 개수가, 6개 이상이다.B: The total number of pieces of the cutting line of the film adhesive which is not actually formed and the cutting line of the film adhesive in which formation is incomplete is 6 or more.

＜익스팬드 후에 있어서의 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩의 픽업성 평가＞<Evaluation of pickup properties of silicon chips with film adhesive after expansion>

상술한 필름형 접착제의 절단성 평가 후, 계속하여, 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군과, 다이 본딩 장치(파스포드 테크놀로지사 제조 「PU100」)를 이용하여, 밀어올림 높이 250㎛, 밀어올림 속도 5㎜/s, 밀어올림 시간 500ms의 조건에서, 상기 적층 시트 중의 중간층으로부터, 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩을 픽업했다. 그리고, 모든 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩을 정상적으로 픽업할 수 있었던 경우에는 「A」라고 평가하고, 1개 이상의 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩을 정상적으로 픽업할 수 없었던 경우에는 「B」라고 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.After evaluating the cutability of the above-described film adhesive, successively, using a silicon chip group on which the film adhesive was formed and a die bonding device (“PU100” manufactured by Fasford Technology Co., Ltd.), a lifting height of 250 μm and a lifting speed of 5 On conditions of mm/s and a pushing-up time of 500 ms, the silicon chip with the film adhesive was picked up from the intermediate layer in the laminated sheet. And when all the silicon chips with film adhesive were able to be picked up normally, it was evaluated as "A", and when the silicon chip with one or more film adhesives could not be picked up normally, it was evaluated as "B". The results are shown in Table 1.

＜중간층 및 필름형 접착제 사이의 T자 박리 강도의 측정＞<Measurement of T-shaped peel strength between the intermediate layer and the film adhesive>

상기에서 얻어진 반도체 장치 제조용 시트에 있어서, 박리 필름을 제거했다.In the sheet for semiconductor device manufacture obtained above, the release film was removed.

이에 의해 생긴 반도체 장치 제조용 시트 중의 필름형 접착제의 노출면의 전체면을, 폴리에틸렌테레프탈레이트층을 갖는 점착 테이프(린텍사 제조 「PET50(A) PL신 8LK」)의 점착면에 첩합하여 얻어진 적층물을, 50㎜×100㎜의 크기로 잘라냄으로써, 시험편을 제작했다.Laminate obtained by bonding the entire surface of the exposed surface of the film adhesive in the resulting sheet for semiconductor device manufacture to the adhesive surface of an adhesive tape having a polyethylene terephthalate layer ("PET50(A) PL new 8LK" manufactured by Lintec). A test piece was produced by cutting out to a size of 50 mm × 100 mm.

이 시험편에 있어서, JIS K6854-3에 준거하여, 기재, 점착제층, 및 중간층의 적층물(즉, 상기 적층 시트)과, 필름형 접착제 및 점착 테이프의 적층물을 박리함으로써, 시험편을 T자 형상으로 박리시키고, 이 때 측정되는 박리력(mN/50㎜)의 최대값을 T자 박리 강도로서 채용했다. 이 때, 박리 속도를 50㎜/min으로 했다. 결과를 표 1에 나타낸다.In this test piece, in accordance with JIS K6854-3, the laminate of the base material, the pressure-sensitive adhesive layer, and the intermediate layer (namely, the laminated sheet), the laminate of the film adhesive and the adhesive tape is peeled off to make the test piece T-shaped. was peeled off, and the maximum value of the peel force (mN/50 mm) measured at this time was employed as the T-shaped peel strength. At this time, the peeling speed was 50 mm/min. The results are shown in Table 1.

＜＜반도체 장치 제조용 시트의 제조 및 평가(1)의 연속＞＞<<Production of Sheet for Manufacturing Semiconductor Devices and Continuation of Evaluation (1)>>

[참고예 2][Reference Example 2]

중간층 형성용 조성물의 도공량을 증대시키고, 중간층의 두께를 20㎛ 대신에 80㎛로 한 점 이외에는, 참고예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조하고 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.A sheet for semiconductor device manufacture was prepared and evaluated in the same manner as in Reference Example 1, except that the coating amount of the composition for forming an intermediate layer was increased and the thickness of the intermediate layer was changed to 80 μm instead of 20 μm. The results are shown in Table 1.

[참고예 3][Reference Example 3]

중간층 형성용 조성물의 제작시, 상기 실록산계 화합물을 첨가하지 않고, 상기 에틸렌초산비닐 공중합체의 사용량을 15g 대신에 16.5g로 한(다시 말하면, 상기 실록산계 화합물을 동일한 질량의 상기 에틸렌초산비닐 공중합체로 치환하고, 테트라히드로푸란에 상기 에틸렌초산비닐 공중합체만 용해시킨) 점 이외에는, 참고예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조하고 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다. 표 1 중의 첨가제의 란의 「-」이라는 기재는 이 첨가제가 미사용인 것을 의미한다.In preparing the composition for forming an intermediate layer, the siloxane-based compound was not added, and the amount of the ethylene-vinyl acetate copolymer was 16.5 g instead of 15 g (in other words, the siloxane-based compound was mixed with the same mass of the ethylene-vinyl acetate copolymer). A sheet for semiconductor device manufacture was prepared and evaluated in the same manner as in the case of Reference Example 1, except that the mixture was substituted with a compound and only the ethylene-vinyl acetate copolymer was dissolved in tetrahydrofuran. The results are shown in Table 1. Description of "-" in the column of additives in Table 1 means that this additive is not used.

[비교예 1][Comparative Example 1]

중간층 형성용 조성물의 제작시, 상기 에틸렌초산비닐 공중합체 대신에, 동일한 질량의 에틸렌초산비닐 공중합체(EVA, 중량 평균 분자량 200000, 초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 함유량 25질량％)를 사용한 점과, 중간층 형성용 조성물의 도공량을 증대시키고, 중간층의 두께를 20㎛ 대신에 80㎛로 한 점 이외에는, 참고예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조하고 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.In preparing the composition for forming the intermediate layer, an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA, weight average molecular weight: 200,000, content of structural units derived from vinyl acetate: 25% by mass) of the same mass was used instead of the above ethylene-vinyl acetate copolymer, and A sheet for semiconductor device manufacture was prepared and evaluated in the same manner as in Reference Example 1, except that the coating amount of the composition for forming an intermediate layer was increased and the thickness of the intermediate layer was changed to 80 μm instead of 20 μm. The results are shown in Table 1.

[비교예 2][Comparative Example 2]

중간층 형성용 조성물의 제작시, 상기 에틸렌초산비닐 공중합체 대신에, 동일한 질량의 에틸렌초산비닐 공중합체(EVA, 중량 평균 분자량 200000, 초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 함유량 25질량％)를 사용한 점 이외에는, 참고예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조하고 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다.In the preparation of the composition for forming the intermediate layer, an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA, weight average molecular weight: 200000, content of structural units derived from vinyl acetate: 25% by mass) of the same mass was used instead of the above-mentioned ethylene-vinyl acetate copolymer, except that , in the same manner as in the case of Reference Example 1, a sheet for semiconductor device manufacture was manufactured and evaluated. The results are shown in Table 1.

Figure pct00001
Figure pct00001

상기 결과로부터 명백한 바와 같이, 참고예 1∼3에 있어서는, 블레이드 다이싱시에는, 절삭 부스러기의 발생이 억제되고, 익스팬드시에는, 필름형 접착제의 절단 불량이 억제되고 있어, 실리콘 웨이퍼의 분할 적성이 우수했다.As is clear from the above results, in Reference Examples 1 to 3, the generation of cutting chips was suppressed during blade dicing, and the cutting defect of the film adhesive was suppressed during expansion, resulting in silicon wafer division aptitude. this was excellent

참고예 1∼3에 있어서는, 반도체 장치 제조용 시트 중의 중간층이 주성분으로서 함유하는 에틸렌초산비닐 공중합체의 중량 평균 분자량이 30000이었다.In Reference Examples 1 to 3, the weight average molecular weight of the ethylene-vinyl acetate copolymer contained as a main component in the intermediate layer in the sheet for semiconductor device manufacture was 30000.

한편, 참고예 1∼3에서는, 상기 중간층에 있어서, 상기 중간층의 총 질량에 대한 상기 에틸렌초산비닐 공중합체의 함유량의 비율이 90.9질량％ 이상이고, 상기 중간층의 총 질량에 대한 상기 실록산계 화합물의 함유량의 비율이 9.1질량％ 이하였다.On the other hand, in Reference Examples 1 to 3, in the middle layer, the ratio of the content of the ethylene-vinyl acetate copolymer to the total mass of the middle layer is 90.9% by mass or more, and the siloxane-based compound with respect to the total mass of the middle layer The ratio of content was 9.1 mass % or less.

또한, 참고예 1∼2에 있어서는, 또한, 익스팬드 후의 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩의 픽업성이 우수했다.Moreover, in Reference Examples 1 and 2, the pick-up property of the silicon chip with the film adhesive after expansion was excellent.

참고예 1∼2에 있어서는, 중간층 및 필름형 접착제 사이의 T자 박리 강도가 100mN/50㎜ 이하로, 적당히 낮아져 있고, 또한, 중간층의 상기 규소 농도의 비율이 9％로서, 적당히 높아져 있었다. 이들 평가 결과는 상기 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩의 픽업성의 평가 결과와 정합하고 있었다.In Reference Examples 1 and 2, the T-shaped peel strength between the intermediate layer and the film adhesive was moderately low, such as 100 mN/50 mm or less, and the ratio of the silicon concentration in the intermediate layer was moderately high as 9%. These evaluation results matched the evaluation results of pick-up properties of the silicon chip with the film adhesive.

참고예 3에 있어서는, 반도체 장치 제조용 시트 중의 중간층이 상기 실록산계 화합물을 함유하지 않았다.In Reference Example 3, the intermediate layer in the sheet for semiconductor device production did not contain the siloxane-based compound.

참고예 1∼2의 반도체 장치 제조용 시트의 차이점은, 중간층의 두께만이지만, 참고예 2의 반도체 장치 제조용 시트가 참고예 1의 반도체 장치 제조용 시트보다 중간층 및 필름형 접착제 사이의 T자 박리 강도가 작고, 참고예 2가 참고예 1보다 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩의 픽업이 보다 용이했다. 이는 중간층에 있어서의 중간층의 총 질량에 대한 실록산계 화합물의 함유량의 비율(질량％)이 참고예 1∼2의 반도체 장치 제조용 시트로 동일해도, 중간층의 실록산계 화합물의 함유량(질량부)은 참고예 2가 참고예 1보다 많아져 있고, 또한 중간층 중에서는, 실록산계 화합물이 중간층의 양면과 그 근방 영역에 편재하기 쉽기 때문에, 중간층의 양면과 그 근방 영역에 편재하고 있는 실록산계 화합물의 양도, 참고예 2가 참고예 1보다 많기 때문으로 추측되었다.The difference between the semiconductor device manufacturing sheets of Reference Examples 1 and 2 is only the thickness of the intermediate layer, but the T-shaped peel strength between the intermediate layer and the film adhesive is higher in the semiconductor device manufacturing sheet of Reference Example 2 than in the semiconductor device manufacturing sheet of Reference Example 1. It was small, and the pick-up of the silicon chip on which the film adhesive was formed was easier in Reference Example 2 than in Reference Example 1. This means that even if the ratio (mass%) of the content of the siloxane-based compound to the total mass of the intermediate layer in the intermediate layer is the same as the semiconductor device manufacturing sheet of Reference Examples 1 and 2, the content (part by mass) of the siloxane-based compound in the intermediate layer is referenced. Example 2 is larger than Reference Example 1, and in the middle layer, since the siloxane-based compound tends to be unevenly distributed on both surfaces of the intermediate layer and in the vicinity thereof, the amount of the siloxane-based compound unevenly distributed on both surfaces of the intermediate layer and in the vicinity thereof, It was estimated because the reference example 2 was more than the reference example 1.

한편, 참고예 1∼3에 있어서는, 중간층의 노출면에 대한 XPS 분석시, 질소는 검출되지 않았다.On the other hand, in Reference Examples 1 to 3, nitrogen was not detected upon XPS analysis of the exposed surface of the intermediate layer.

이에 대해, 비교예 1∼2에 있어서는, 블레이드 다이싱시, 절삭 부스러기의 발생이 억제되지 않고, 실리콘 웨이퍼의 분할 적성이 열악했다.In contrast, in Comparative Examples 1 and 2, during blade dicing, the generation of cutting chips was not suppressed, and the silicon wafer splitting ability was poor.

비교예 1∼2에 있어서는, 반도체 장치 제조용 시트 중의 중간층이 주성분으로서 함유하는 에틸렌초산비닐 공중합체의 중량 평균 분자량이 200000이었다.In Comparative Examples 1 and 2, the weight average molecular weight of the ethylene-vinyl acetate copolymer contained as a main component in the intermediate layer in the sheet for semiconductor device manufacture was 200,000.

한편, 비교예 1∼2의 반도체 장치 제조용 시트의 차이점은, 중간층의 두께만이고, 비교예 1∼2에 있어서의 중간층 및 필름형 접착제 사이의 T자 박리 강도의 관계는 참고예 1∼2의 경우와 동일한 경향을 나타냈다.On the other hand, the difference between the semiconductor device manufacturing sheets of Comparative Examples 1 and 2 is only the thickness of the intermediate layer, and the relationship between the T-shaped peel strength between the intermediate layer and the film adhesive in Comparative Examples 1 and 2 is that of Reference Examples 1 and 2. showed the same trend as in the case of

또한, 비교예 1∼2에 있어서도, 중간층의 노출면에 대한 XPS 분석시, 질소는 검출되지 않았다.Also in Comparative Examples 1 and 2, nitrogen was not detected in the XPS analysis of the exposed surface of the intermediate layer.

[실시예 1][Example 1]

＜＜반도체 장치 제조용 시트의 제조 및 평가(2)＞＞<<Manufacture and Evaluation of Sheet for Manufacturing Semiconductor Devices (2)>>

중간층 형성용 조성물에 실록산계 화합물을 첨가하지 않고, 추가로, 착색제로서, 카본 블랙(미츠비시 카가쿠사 제조 「MA600B」)을 첨가했다. 중간층 형성용 조성물에 있어서의 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량 100질량％에 대한 카본 블랙의 함유량의 비율은 0.5질량％였다.A siloxane-based compound was not added to the composition for forming an intermediate layer, and carbon black (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation “MA600B”) was further added as a coloring agent. The ratio of the content of carbon black to 100% by mass of the total content of all components other than the solvent in the composition for forming an intermediate layer was 0.5% by mass.

또한, 중간층 형성용 조성물의 제작시, 에틸렌초산비닐 공중합체(EVA, 중량 평균 분자량 30000, 초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 함유량 25질량％) 대신에 에틸렌초산비닐 공중합체(EVA, 중량 평균 분자량 30000, 초산비닐로부터 유도된 구성 단위의 함유량 20질량％)를 사용했다.In addition, when preparing the composition for forming an intermediate layer, an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA, weight-average molecular weight 30000, content of structural units derived from vinyl acetate: 25% by mass) was replaced with an ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA, weight-average molecular weight 30000) , 20% by mass of a structural unit derived from vinyl acetate) was used.

또한, 점착제 조성물의 도공량을 증대시키고, 점착제층의 두께를 20㎛로 변경했다.Moreover, the coating amount of the adhesive composition was increased and the thickness of the adhesive layer was changed to 20 μm.

이들의 점 이외에는, 참고예 3과 동일하게 하여, 반도체 장치 제조용 시트를 제작했다.A sheet for semiconductor device manufacture was produced in the same manner as in Reference Example 3 except for these points.

＜전광선 투과율의 측정＞<Measurement of total light transmittance>

상술한 필름형 접착제의 제작 과정에 있어서, 박리 필름이 형성된 필름형 접착제(두께 7㎛), 박리 필름이 형성된 중간층(두께 20㎛), 및 제1 중간 적층체(박리 필름이 형성된 지지 시트)의 각각에 대해, 헤이즈 미터(니혼 덴쇼쿠 코교사 제조, NDH7000)를 이용하여, JIS K7361-1:1997에 준거하여 전광선 투과율(％)을 측정했다. 결과를 표 2에 나타낸다.In the manufacturing process of the above-described film adhesive, the film adhesive (thickness 7 μm) on which the release film is formed, the intermediate layer (thickness 20 μm) on which the release film is formed, and the first intermediate laminate (support sheet on which the release film is formed) For each, the total light transmittance (%) was measured using a haze meter (Nippon Denshoku Kogyo Co., Ltd., NDH7000) in accordance with JIS K7361-1:1997. The results are shown in Table 2.

＜중간층 또는 필름형 접착제의 인식＞<Recognition of intermediate layer or film type adhesive>

상술한 반도체 장치 제조용 시트의 제조의 2차 추출 가공에 있어서, 제3 중간 적층체에 있어서의 중간층 또는 필름형 접착제를 센서에 의해 인식함으로써, 정상적으로 2차 추출 가공을 할 수 있었는지의 여부를 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.In the above-mentioned secondary extraction processing in the manufacture of the sheet for semiconductor device manufacture, by recognizing the intermediate layer or film adhesive in the third intermediate laminate with a sensor, it is evaluated whether or not the secondary extraction processing was normally performed. did. The results are shown in Table 2.

(평가 기준)(Evaluation standard)

A: 정상적으로 2차 추출 가공을 할 수 있었다.A: The secondary extraction process could be normally carried out.

B: 정상적으로 2차 추출 가공을 할 수 없었다.B: The secondary extraction process could not be performed normally.

＜익스팬드시에 있어서의 필름형 접착제의 비산 억제성 평가＞<Evaluation of scattering suppression property of film adhesive at the time of expansion>

＜＜반도체 장치 제조용 시트의 제조 및 평가(1)＞＞의 ＜블레이드 다이싱시에 있어서의 절삭 부스러기의 발생 억제 효과의 평가＞에 기재된 방법에 의해, 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군을 제조했다.<<Manufacture and evaluation (1) of sheet for semiconductor device manufacture>> <Evaluation of the effect of suppressing the generation of cutting chips during blade dicing> The silicon chip group with the film adhesive was manufactured.

상술한 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군의 제조에 있어서, 상기에서 얻어진 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군을, 그 실리콘 칩측의 상방으로부터 육안으로 관찰했다. 그리고, 실리콘 칩의 회로 형성면에 있어서, 비산한 절단 후의 필름형 접착제의 부착 유무를 확인하고, 하기 평가 기준에 따라, 필름형 접착제의 비산 억제성을 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.In the manufacture of the silicon chip group with the film adhesive described above, the silicon chip group with the film adhesive obtained above was visually observed from above on the silicon chip side. And in the circuit formation surface of a silicon chip, the presence or absence of adhesion of the film adhesive after the scattering cutting|disconnection was confirmed, and the scattering suppression property of the film adhesive was evaluated according to the following evaluation criteria. The results are shown in Table 2.

(평가 기준)(Evaluation standard)

A: 회로 형성면에 있어서, 필름형 접착제의 부착이 확인되는 실리콘 칩의 개수는 0개였다.A: On the circuit formation surface, the number of silicon chips on which adhesion of the film adhesive was confirmed was zero.

B: 회로 형성면에 있어서, 필름형 접착제의 부착이 확인되는 실리콘 칩의 개수는 1개 이상이었다.B: On the circuit formation surface, the number of silicon chips on which adhesion of the film adhesive was confirmed was one or more.

＜필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩의 전단 접착 강도의 평가＞<Evaluation of shear adhesive strength of silicon chip with film adhesive>

우선, 테이프 마운터(린텍사 제조 「Adwill RAD2500」)를 이용하여, 드라이 폴리시(＃2000)가 실시된 실리콘 웨이퍼(150㎜ 직경, 두께 350㎛)의 연마면에, 상술한 반도체 장치 제조용 시트를 60℃로 가열하면서, 그 필름형 접착제를 개재하고 첩부했다.First, using a tape mounter (“Adwill RAD2500” manufactured by Lintec), the above-mentioned sheet for semiconductor device manufacturing is applied to the polished surface of a silicon wafer (150 mm diameter, 350 μm thick) to which dry polish (#2000) has been applied. It was affixed through the film adhesive, heating at degreeC.

이어서, 이 실리콘 웨이퍼를 다이싱 장치(디스코사 제조 「DFD651」)를 이용하여, 2㎜×2㎜의 사이즈로 다이싱(50㎜/초, 30000rpm)하고 칩을 얻었다.Next, this silicon wafer was diced (50 mm/sec, 30000 rpm) into a size of 2 mm x 2 mm using a dicing device ("DFD651" manufactured by Disco) to obtain a chip.

이어서, 반도체 장치 제조용 시트가 첩부된 상기의 칩을 구리판에 150℃, 0.98N(100gf), 1초간의 조건으로 압착했다.Subsequently, the above chip to which the sheet for semiconductor device manufacturing was affixed was bonded to a copper plate under conditions of 150°C, 0.98 N (100 gf), and 1 second.

그리고, 이 웨이퍼를 가열 오븐을 이용하여 175℃, 5시간의 조건으로 가열함으로써, 반도체 장치 제조용 시트의 필름형 접착제를 열경화시킨 후, 본드 테스터(Dage사 제조 「본드 테스터 dage4000 시리즈」)를 이용하여, 상온에서 전단 접착 강도(N/2㎜□)를 측정했다. 9회 측정하고, 그 최저값을 기록했다. 결과를 표 2에 나타낸다.And, after heat-curing the film adhesive of the sheet|seat for semiconductor device manufacture by heating this wafer on conditions of 175 degreeC and 5 hours using a heating oven, a bond tester ("bond tester dage4000 series" by Dage) was used. Then, the shear adhesive strength (N/2 mm square) was measured at room temperature. Nine times were measured, and the lowest value was recorded. The results are shown in Table 2.

[실시예 2][Example 2]

접착제 조성물에 카본 블랙을 첨가하지 않고, 접착제 조성물에 추가로, 카본 블랙을 첨가했다. 접착제 조성물에 있어서의 용매 이외의 모든 성분의 총 질량 100질량％에 대한 카본 블랙의 함유량의 비율은 0.5질량％였다. 이들의 점 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 반도체 장치 제조용 시트를 제조하고 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.Carbon black was not added to the adhesive composition, but carbon black was added to the adhesive composition. The ratio of the content of carbon black to 100% by mass of the total mass of all components other than the solvent in the adhesive composition was 0.5% by mass. Except for these points, it carried out similarly to Example 1, and manufactured and evaluated the sheet|seat for semiconductor device manufacture. The results are shown in Table 2.

[실시예 3][Example 3]

상술한 반도체 장치 제조용 시트의 제조 공정의 1차 추출 가공에 있어서, 필름형 접착제(두께 7㎛), 중간층(두께 20㎛), 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있고, 또한, 평면 형상이 원형(직경 330㎜)인 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체 가공물을 제작한 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조하고 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.In the primary extraction processing of the manufacturing process of the sheet for semiconductor device manufacture described above, a film adhesive (thickness: 7 μm), an intermediate layer (thickness: 20 μm), and a release film are laminated in this order in their thickness direction. In addition, a semiconductor device manufacturing sheet was manufactured and evaluated in the same manner as in Example 1, except that a second intermediate laminate workpiece having a release film having a circular planar shape (diameter: 330 mm) was produced. . The results are shown in Table 2.

[실시예 4][Example 4]

상술한 반도체 장치 제조용 시트의 제조 공정의 1차 추출 가공에 있어서, 필름형 접착제측의 박리 필름 상에 필름형 접착제, 중간층, 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있고, 또한, 평면 형상이 원형(직경 155㎜)인 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체 가공물을 제작했다.In the primary extraction processing of the above-mentioned manufacturing process of the sheet for semiconductor device manufacture, a film adhesive, an intermediate layer, and a release film are laminated in this order on the release film on the film adhesive side in their thickness direction. In addition, a second intermediate laminate workpiece with a release film having a circular planar shape (diameter: 155 mm) was produced.

또한, 상술한 반도체 장치 제조용 시트의 제조 공정의 2차 추출 가공에 있어서, 절단날(207㎜)을 이용하여, 지지 시트의 평면 형상이 원형(직경 207㎜)이 되도록 펀칭 가공했다.In addition, in the secondary extraction processing of the manufacturing process of the sheet|seat for semiconductor device manufacture mentioned above, it punched using the cutting blade (207 mm) so that the planar shape of a support sheet might become circular (diameter 207 mm).

또한, 상술한 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군의 제조에 있어서, 평면 형상이 원형으로, 그 직경이 150㎜이고, 두께가 775㎛인 실리콘 웨이퍼를 사용했다.In addition, in the production of the above-described silicon chip group on which the film adhesive was formed, a silicon wafer having a circular planar shape, a diameter of 150 mm, and a thickness of 775 µm was used.

상기의 3점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조하고 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.Except for the above three points, a sheet for semiconductor device manufacture was manufactured and evaluated in the same manner as in the case of Example 1. The results are shown in Table 2.

[실시예 5][Example 5]

상술한 반도체 장치 제조용 시트의 제조 공정의 1차 추출 가공에 있어서, 필름형 접착제측의 박리 필름 상에 필름형 접착제, 중간층, 및 박리 필름이 이 순서로, 이들의 두께 방향에 있어서 적층되어 구성되어 있고, 또한, 평면 형상이 원형(직경 205㎜)인 박리 필름이 형성된 제2 중간 적층체 가공물을 제작했다.In the primary extraction processing of the above-mentioned manufacturing process of the sheet for semiconductor device manufacture, a film adhesive, an intermediate layer, and a release film are laminated in this order on the release film on the film adhesive side in their thickness direction. In addition, a second intermediate laminate workpiece with a release film having a circular planar shape (diameter: 205 mm) was produced.

또한, 상술한 반도체 장치 제조용 시트의 제조 공정의 2차 추출 가공에 있어서, 절단날(270㎜)을 이용하여, 지지 시트의 평면 형상이 원형(직경 270㎜)이 되도록 펀칭 가공했다.In addition, in the secondary extraction processing of the manufacturing process of the sheet|seat for semiconductor device manufacture mentioned above, it punched using the cutting blade (270 mm) so that the planar shape of a support sheet might become circular (diameter 270 mm).

또한, 상술한 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩군의 제조에 있어서, 평면 형상이 원형으로, 그 직경이 200㎜이고, 두께가 775㎛인 실리콘 웨이퍼를 사용했다.Further, in the production of the above-described silicon chip group on which the film adhesive was formed, a silicon wafer having a circular planar shape, a diameter of 200 mm, and a thickness of 775 µm was used.

상기의 3점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조하고 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.Except for the above three points, a sheet for semiconductor device manufacture was manufactured and evaluated in the same manner as in the case of Example 1. The results are shown in Table 2.

[비교예 3][Comparative Example 3]

또한, 점착제 조성물 중, 카본 블랙을 첨가했다. 점착제 조성물에 있어서의 용매 이외의 모든 성분의 총 질량 100질량％에 대한 카본 블랙의 함유량의 비율은 1.0질량％였다.Moreover, carbon black was added in the adhesive composition. The ratio of the content of carbon black to 100% by mass of the total mass of all components other than the solvent in the pressure-sensitive adhesive composition was 1.0% by mass.

상기의 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조하고 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.A sheet for semiconductor device manufacture was manufactured and evaluated in the same manner as in the case of Example 1 except for the above points. The results are shown in Table 2.

[비교예 4][Comparative Example 4]

중간층 형성용 조성물 중에 첨가하는 카본 블랙의 양을 줄였다. 중간층 형성용 조성물에 있어서의 용매 이외의 모든 성분의 총 함유량 100질량％에 대한 카본 블랙의 함유량의 비율은 0.1질량％였다.The amount of carbon black added in the composition for forming the intermediate layer was reduced. The ratio of the content of carbon black to 100% by mass of the total content of all components other than the solvent in the composition for forming an intermediate layer was 0.1% by mass.

상기의 점 이외에는, 실시예 1의 경우와 동일한 방법으로, 반도체 장치 제조용 시트를 제조하고 평가했다. 결과를 표 2에 나타낸다.A sheet for semiconductor device manufacture was manufactured and evaluated in the same manner as in the case of Example 1 except for the above points. The results are shown in Table 2.

Figure pct00002
Figure pct00002

실시예 1∼5에 있어서는, 중간층 및 필름형 접착제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전광선 투과율이 60％ 이하였다. 또한, 실시예 1∼5에 있어서는, 중간층 및 필름형 접착제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전광선 투과율은, 기재 및 점착제층으로 이루어지는 지지 시트의 전광선 투과율 미만이었다.In Examples 1 to 5, the total light transmittance of one or more types selected from the group consisting of an intermediate layer and a film adhesive was 60% or less. Further, in Examples 1 to 5, the total light transmittance of at least one member selected from the group consisting of the intermediate layer and the film adhesive was less than the total light transmittance of the support sheet composed of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer.

실시예 1∼5에 있어서는, 2차 추출 가공에 있어서, 중간층 또는 필름형 접착제를 센서에 의해 인식할 수 있어, 정상적으로 2차 추출할 수 있었다.In Examples 1 to 5, in the secondary extraction process, the intermediate layer or film adhesive could be recognized by the sensor, and secondary extraction could be carried out normally.

이에 대해, 비교예 3에 있어서는, 중간층 및 필름형 접착제의 전광선 투과율은 지지 시트의 전광선 투과율 이상이었다.On the other hand, in Comparative Example 3, the total light transmittance of the intermediate layer and the film adhesive was equal to or higher than the total light transmittance of the support sheet.

또한, 비교예 4에 있어서는, 중간층 및 필름형 접착제의 전광선 투과율은 60％ 초과였다.In Comparative Example 4, the total light transmittance of the intermediate layer and the film adhesive was more than 60%.

비교예 3∼4에 있어서는, 2차 추출 가공에 있어서, 중간층 또는 필름형 접착제를 센서에 의해 인식할 수 없어, 정상적으로 2차 추출할 수 없었다.In Comparative Examples 3 and 4, in the secondary extraction process, the middle layer or the film adhesive could not be recognized by the sensor, and secondary extraction could not be carried out normally.

비교예 3∼4에 있어서는, 육안으로 보고 정렬을 행하여, 추출 가공을 수동에 의해 행했다. 얻어진 반도체 장치 제조용 시트를 실리콘 웨이퍼에 첩부하고, 이어서 필름형 접착제의 비산 억제 및 필름형 접착제가 형성된 실리콘 칩의 전단 접착 강도를 평가했다.In Comparative Examples 3 and 4, alignment was performed by visual observation, and extraction processing was performed manually. The obtained sheet|seat for semiconductor device manufacture was affixed to the silicon wafer, and then, the shear adhesive strength of the silicon chip on which scattering suppression of a film adhesive and film adhesive were formed was evaluated.

실시예 1∼2, 비교예 3∼4에 있어서는, 반도체 장치 제조용 시트의 평면 형상이 원형(직경 305㎜)이고, 필름형 접착제의 비산 억제성 평가는 A였다.In Examples 1-2 and Comparative Examples 3-4, the planar shape of the sheet|seat for semiconductor device manufacture was circular (305 mm in diameter), and the scattering suppression evaluation of the film adhesive was A.

실시예 4에 있어서는, 반도체 장치 제조용 시트의 평면 형상이 원형(직경 155㎜)이고, 필름형 접착제의 비산 억제성 평가는 A였다.In Example 4, the planar shape of the sheet|seat for semiconductor device manufacture was circular (155 mm in diameter), and the scattering inhibitory evaluation of the film adhesive was A.

실시예 5에 있어서는, 반도체 장치 제조용 시트의 평면 형상이 원형(직경 205㎜)이고, 필름형 접착제의 비산 억제성 평가는 A였다.In Example 5, the planar shape of the sheet|seat for semiconductor device manufacture was circular (205 mm in diameter), and the scattering suppression evaluation of the film adhesive was A.

이에 대해, 실시예 3에 있어서는, 반도체 장치 제조용 시트의 평면 형상이 원형(직경 330㎜)이고, 필름형 접착제의 비산 억제성 평가는 B였다.On the other hand, in Example 3, the planar shape of the sheet|seat for semiconductor device manufacture was circular (330 mm in diameter), and the scattering suppression evaluation of the film adhesive was B.

실시예 1∼2, 실시예 4∼5, 비교예 3∼4에 있어서는, 반도체 장치 제조용 시트에 있어서의 실리콘 칩이 재치되어 있지 않은 영역이 좁기 때문에, 익스팬드시에 필름형 접착제의 비산이 억제되었다고 생각된다.In Examples 1 and 2, Examples 4 and 5, and Comparative Examples 3 and 4, since the area where the silicon chip is not mounted in the sheet for semiconductor device manufacture is narrow, scattering of the film adhesive at the time of expansion is suppressed. I think it happened.

이에 대해, 실시예 3에 있어서는, 반도체 장치 제조용 시트에 있어서의 실리콘 칩이 재치되어 있지 않은 영역이 넓기 때문에, 익스팬드시에 필름형 접착제가 비산하기 쉬웠다고 생각된다.On the other hand, in Example 3, since the area|region in which the silicon chip in the sheet|seat for semiconductor device manufacture is not mounted is wide, it is thought that the film adhesive was easy to scatter at the time of expansion.

실시예 1, 실시예 3∼5, 비교예 3∼4에 있어서는, 접착제 조성물이 카본 블랙을 함유하지 않고, 전단 접착 강도의 최저값은 40N/2㎜□였다.In Example 1, Examples 3 to 5, and Comparative Examples 3 to 4, the adhesive composition did not contain carbon black, and the lowest value of the shear adhesive strength was 40 N/2 mm square.

이에 대해, 실시예 2에 있어서는, 접착제 조성물이 카본 블랙을 함유하고, 전단 강도의 최저값은 30N/2㎜□였다.In contrast, in Example 2, the adhesive composition contained carbon black, and the lowest value of shear strength was 30 N/2 mm square.

본 발명은 반도체 장치의 제조에 이용 가능하다.The present invention can be used for manufacturing semiconductor devices.

101…반도체 장치 제조용 시트, 11…기재, 12…점착제층, 13…중간층, 13a…중간층의 제1 면, 14…필름형 접착제101... sheet for semiconductor device manufacture, 11 . . . description, 12 . . . pressure-sensitive adhesive layer, 13 . . . middle layer, 13a... 1st side of the middle layer, 14 . . . film adhesive

Claims (4)

기재와, 점착제층과, 중간층과, 필름형 접착제를 구비하고,
상기 기재 상에 상기 점착제층, 상기 중간층, 및 상기 필름형 접착제가 이 순서로 적층되어 구성되어 있으며,
상기 기재, 상기 점착제층, 상기 중간층, 및 필름형 접착제는 동심원 형상으로 배치되어 있고,
상기 중간층의 폭의 최대값은 상기 점착제층의 폭의 최대값 및 상기 기재의 폭의 최대값보다 작으며,
상기 필름형 접착제의 폭의 최대값은 상기 점착제층의 폭의 최대값 및 상기 기재의 폭의 최대값보다 작고,
상기 중간층이, 중량 평균 분자량이 100000 이하인 비규소계 수지를 주성분으로서 함유하며,
상기 중간층 및 상기 필름형 접착제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전광선 투과율은 60％ 이하이고,
상기 중간층 및 상기 필름형 접착제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 전광선 투과율은, 상기 기재 및 상기 점착제층으로 이루어지는 지지 시트의 전광선 투과율 미만인, 반도체 장치 제조용 시트.A base material, an adhesive layer, an intermediate layer, and a film adhesive,
The pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, and the film adhesive are laminated in this order on the base material,
The base material, the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, and the film adhesive are arranged in a concentric circle shape,
The maximum value of the width of the intermediate layer is smaller than the maximum value of the width of the pressure-sensitive adhesive layer and the maximum value of the width of the substrate,
The maximum value of the width of the film adhesive is smaller than the maximum value of the width of the pressure-sensitive adhesive layer and the maximum value of the width of the substrate,
The intermediate layer contains, as a main component, a non-silicon-based resin having a weight average molecular weight of 100,000 or less;
The total light transmittance of at least one selected from the group consisting of the intermediate layer and the film adhesive is 60% or less,
The sheet for manufacturing a semiconductor device, wherein a total light transmittance of at least one kind selected from the group consisting of the intermediate layer and the film adhesive is less than the total light transmittance of the support sheet composed of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer. 상기 지지 시트의 전광선 투과율은 70％ 이상인, 반도체 장치 제조용 시트.The sheet for manufacturing a semiconductor device, wherein the support sheet has a total light transmittance of 70% or more. 상기 중간층의 폭의 최대값 및 상기 필름형 접착제의 폭의 최대값은, 150∼160㎜, 200∼210㎜, 또는 300∼310㎜인, 반도체 장치 제조용 시트.The maximum value of the width of the said intermediate layer and the maximum value of the width of the said film adhesive are 150-160 mm, 200-210 mm, or 300-310 mm, The sheet|seat for semiconductor device manufacture. 반도체 칩과, 상기 반도체 칩의 이면에 형성된 필름형 접착제를 구비한 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법으로서,
반도체 웨이퍼의 내부에 설정된 초점에 집속하도록, 레이저광을 조사함으로써, 상기 반도체 웨이퍼의 내부에 개질층을 형성하는 공정과,
상기 개질층을 형성 후의 상기 반도체 웨이퍼의 이면을 연삭함과 함께, 상기 반도체 웨이퍼에 가해지는 연삭시의 힘을 이용함으로써, 상기 개질층의 형성 부위에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 분할하여, 복수개의 반도체 칩이 정렬된 상태의 반도체 칩군을 얻는 공정과,
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항의 반도체 장치 제조용 시트를 가열하면서, 그 중의 필름형 접착제를 상기 반도체 칩군 중의 모든 반도체 칩의 이면에 첩부하는 공정과,
상기 반도체 칩에 첩부한 후의 상기 반도체 장치 제조용 시트를 냉각하면서, 그 표면에 대해 평행한 방향으로 연신함으로써, 상기 필름형 접착제를 상기 반도체 칩의 외주를 따라 절단하고, 복수개의 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩이 상기 중간층 상에서 정렬된 상태의 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩군을 얻는 공정과,
상기 중간층으로부터 상기 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩을 분리하여 픽업하는 공정을 갖는, 필름형 접착제가 형성된 반도체 칩의 제조 방법.A method for manufacturing a semiconductor chip formed with a film adhesive having a semiconductor chip and a film adhesive formed on the back surface of the semiconductor chip,
forming a modified layer inside the semiconductor wafer by irradiating laser light so as to focus on a focal point set inside the semiconductor wafer;
By grinding the back surface of the semiconductor wafer after forming the modified layer and using the force applied to the semiconductor wafer during grinding, the semiconductor wafer is divided into a plurality of semiconductors at the formation site of the modified layer, a step of obtaining a group of semiconductor chips in a state in which the chips are aligned;
A step of attaching the film adhesive therein to the back surface of all the semiconductor chips in the semiconductor chip group while heating the sheet for semiconductor device manufacture according to any one of claims 1 to 3;
The film adhesive is cut along the outer periphery of the semiconductor chip by stretching in a direction parallel to the surface while cooling the semiconductor device manufacturing sheet after being attached to the semiconductor chip, and a plurality of the film adhesive is formed A step of obtaining a group of semiconductor chips formed with a film adhesive in which the semiconductor chips are aligned on the intermediate layer;
A method for manufacturing a semiconductor chip formed with a film adhesive, comprising a step of separating and picking up the semiconductor chip formed with the film adhesive from the intermediate layer.
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