JP2012119395A - Adhesive tape for semiconductor device dicing and manufacturing method of semiconductor device chip - Google Patents

Adhesive tape for semiconductor device dicing and manufacturing method of semiconductor device chip Download PDF

Info

Publication number
JP2012119395A
JP2012119395A JP2010265688A JP2010265688A JP2012119395A JP 2012119395 A JP2012119395 A JP 2012119395A JP 2010265688 A JP2010265688 A JP 2010265688A JP 2010265688 A JP2010265688 A JP 2010265688A JP 2012119395 A JP2012119395 A JP 2012119395A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
pressure
sensitive adhesive
dicing
resin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010265688A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Takeuchi
剛 竹内
Tsutomu Yoshitani
勉 芳谷
Shozo Yano
正三 矢野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Furukawa Electric Co Ltd
Original Assignee
Furukawa Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Furukawa Electric Co Ltd filed Critical Furukawa Electric Co Ltd
Priority to JP2010265688A priority Critical patent/JP2012119395A/en
Publication of JP2012119395A publication Critical patent/JP2012119395A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive tape for semiconductor device dicing in which attachment of fibrous cut wastes during a dicing process is reduced and adherence of an adhesive is also reduced in a part around a semiconductor device laser mark, and a manufacturing method of a semiconductor device chip using the adhesive tape.SOLUTION: The present invention relates to an adhesive tape 100 for semiconductor device dicing in which an adhesive layer 20 is formed on a base material resin film 10. Resin composition constituting the base material resin film 10 contacting the adhesive layer 20 has a base resin component of an ethylene vinyl acetate copolymer which has melt flow rate of 1 to 20 as well as weight average molecular weight of 150000 to 600000.

Description

本発明は、半導体デバイスを小片に切断分離する半導体デバイスダイシング工程に用いられる半導体デバイスダイシング用粘着テープ及びそれを用いた半導体デバイスチップの製造方法に関する。本明細書において半導体デバイスとは、半導体デバイスウエハや半導体デバイス一括モールド封止パッケージの両者を含む。   The present invention relates to a semiconductor device dicing pressure-sensitive adhesive tape used in a semiconductor device dicing step for cutting and separating a semiconductor device into small pieces and a method for manufacturing a semiconductor device chip using the same. In this specification, a semiconductor device includes both a semiconductor device wafer and a semiconductor device collective mold sealing package.

回路パターンの形成された半導体デバイスウエハをチップ状に分離する、いわゆるウエハダイシング加工を行うに際し、半導体デバイスウエハをダイシング用粘着テープに固定し、ピックアップする方式が提案されている。この方式では、半導体デバイスウエハは、マウント工程に移されるまでにウエハダイシング用粘着テープに貼着、固定された状態で、チップ状にウエハダイシングされる。その後、得られた半導体デバイスウエハチップは洗浄され、乾燥された後に、ピックアップされ、硬化樹脂による封止によりパッケージ化されて、半導体デバイスパッケージとされる。   In performing so-called wafer dicing, in which a semiconductor device wafer on which a circuit pattern is formed is separated into chips, a method of fixing a semiconductor device wafer on a dicing adhesive tape and picking it up has been proposed. In this method, the semiconductor device wafer is diced into a chip shape in a state of being stuck and fixed to a wafer dicing adhesive tape before being transferred to the mounting process. Thereafter, the obtained semiconductor device wafer chip is washed and dried, and then picked up and packaged by sealing with a cured resin to obtain a semiconductor device package.

従来、上記の工程で半導体デバイスウエハチップ作製した後に別個に封止する方法が用いられてきた。近年、一枚の基板上にボンディングされた複数の半導体デバイスウエハチップを硬化樹脂で一括封止したパッケージをパッケージダイシングして個々の半導体デバイスを得る、一括モールド封止パッケージダイシングが行われている。   Conventionally, a method of sealing separately after manufacturing a semiconductor device wafer chip in the above process has been used. 2. Description of the Related Art In recent years, collective mold sealing package dicing has been performed in which a plurality of semiconductor device wafer chips bonded on a single substrate are collectively sealed with a curable resin to obtain individual semiconductor devices by package dicing.

一括封止方式における硬化樹脂からなる封止樹脂層には、製品ロット番号やメーカーのロゴマーク等の捺印加工がレーザー光で行われている。この方法は、封止樹脂層の表面にレーザー光によりわずかな溝を形成し、さらにその溝の表面に、レーザー光のエネルギーによって変性・発色した封止樹脂からなる微量の灰もしくは屑を堆積させることによりレーザーマーキングする方法である。ところが、従来のパッケージダイシング用粘着テープが、前記樹脂面に貼着され、パッケージダイシング後に半導体デバイスをピックアップする際、捺印加工部に該粘着テープの粘着剤が付着し、半導体デバイスの歩留まりが低下することがあった。
そこで粘着剤層にエネルギー線硬化型の粘着剤を用い、かつ該粘着剤層のエネルギー線硬化前の貯蔵弾性率が特定の値以上である半導体パッケージダイシング用粘着テープが提案されている(例えば特許文献1参照)。しかし特許文献1記載の粘着テープでは、粘着剤の付着低減については十分とはいえない。
The sealing resin layer made of a cured resin in the batch sealing method is subjected to a laser beam to perform a marking process such as a product lot number or a manufacturer's logo mark. In this method, a slight groove is formed on the surface of the sealing resin layer by a laser beam, and a small amount of ash or debris made of a sealing resin modified and colored by the energy of the laser beam is further deposited on the surface of the groove. This is a method of laser marking. However, the conventional adhesive tape for package dicing is stuck on the resin surface, and when the semiconductor device is picked up after package dicing, the adhesive of the adhesive tape adheres to the stamped portion, which reduces the yield of the semiconductor device. There was a thing.
Thus, an adhesive tape for semiconductor package dicing has been proposed in which an energy ray curable adhesive is used for the adhesive layer and the storage elastic modulus of the adhesive layer before energy ray curing is a specific value or more (for example, a patent) Reference 1). However, the pressure-sensitive adhesive tape described in Patent Document 1 is not sufficient for reducing the adhesion of the pressure-sensitive adhesive.

一方、ダイシング工程においては、回転刃であるダイシングブレード(以下ブレード)が、半導体デバイスウエハダイシング用粘着テープ、または半導体デバイスパッケージダイシング用粘着テープの基材樹脂フィルムの一部まで切り込まれる。このため、半導体デバイスウエハ、または半導体デバイスパッケージ切削屑の他に、該粘着テープの基材樹脂フィルムが切削時に溶融・延伸された糸状のヒゲ状切削屑が発生し、この切削屑が半導体デバイス表面の凹凸に残留することが多い。特に、一括封止されたパッケージをダイシングする際にはダイシングブレード刃厚が0.1〜0.5mm程度の厚いものを用いるため、ダイシングブレード刃厚が0.02〜0.1mm程度の薄いものを用いる半導体デバイスウエハをダイシングする場合と比較して、特にヒゲ状切削屑が発生しやすい。
また近年、半導体デバイスパッケージを小型化する要求が大きくなっている。このため、ダイシング切削予定ラインを狭くし、ダイシングブレードを薄くする必要がある。この場合、ダイシング工程でのダイシングブレード切削負荷が過剰になることによるブレード破損を防止するため、ダイシングブレードは硬くされている。このため、ダイシングブレードの自己磨耗による自己発刃機能が低下し、ヒゲ状切削屑が増加する傾向にある。一般に、ダイシングブレードは自己磨耗により自己発刃機能を活性化させて切削性能を出すため、逆に自己磨耗を活発にしすぎるとブレードの寿命が短くなる。このため切削性を低下させて耐磨耗性を上げたブレードも上市されている。この場合、ヒゲ状切削屑がさらに発生しやすくなっている。
On the other hand, in the dicing process, a dicing blade (hereinafter referred to as a blade) that is a rotary blade is cut into a part of the base resin film of the adhesive tape for semiconductor device wafer dicing or the adhesive tape for semiconductor device package dicing. For this reason, in addition to the semiconductor device wafer or semiconductor device package cutting waste, thread-like beard-like cutting waste is generated by melting and stretching the base resin film of the adhesive tape during cutting, and this cutting waste is generated on the surface of the semiconductor device. Often remains on the uneven surface. In particular, when dicing a package that is collectively sealed, a dicing blade with a thickness of about 0.1 to 0.5 mm is used, so that the dicing blade has a thickness of about 0.02 to 0.1 mm. Compared with the case of dicing a semiconductor device wafer that uses swarf, particularly bearded chips are likely to be generated.
In recent years, there has been an increasing demand for downsizing semiconductor device packages. For this reason, it is necessary to narrow the dicing cutting scheduled line and thin the dicing blade. In this case, the dicing blade is hardened to prevent blade breakage due to excessive cutting load on the dicing blade in the dicing process. For this reason, the self-blade function by the self-abrasion of a dicing blade falls, and there exists a tendency for a beard-like cutting waste to increase. In general, since the dicing blade activates the self-blade function by self-wearing to produce cutting performance, conversely, if the self-wearing is made too active, the life of the blade is shortened. For this reason, blades with reduced machinability and increased wear resistance are also on the market. In this case, beard-like cutting waste is more likely to be generated.

特許文献2には粘着剤面側の基材フィルム樹脂として、エチレン、(メタ)アクリル酸及び(メタ)アクリル酸アルキルエステルを重合体の構成成分とする3元共重合体を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂を用いた半導体ウエハダイシング用粘着テープが提案されている。特許文献2記載の粘着テープでは、アイオノマー化によってカルボキシル基が金属架橋に消費されることにより、基材樹脂フィルムと粘着剤層との密着性が低下して半導体デバイスレーザーマーク部に粘着剤が付着し、半導体デバイスパッケージダイシングに使用するには十分とはいえない。   In Patent Document 2, as a base film resin on the pressure-sensitive adhesive side, a terpolymer having ethylene, (meth) acrylic acid, and (meth) acrylic acid alkyl ester as a polymer component is cross-linked with a metal ion. An adhesive tape for semiconductor wafer dicing using an ionomer resin has been proposed. In the pressure-sensitive adhesive tape described in Patent Document 2, the carboxyl group is consumed for metal cross-linking by ionomerization, whereby the adhesion between the base resin film and the pressure-sensitive adhesive layer is reduced, and the pressure-sensitive adhesive adheres to the semiconductor device laser mark portion. However, this is not sufficient for use in semiconductor device package dicing.

特開2005−277297号公報JP 2005-277297 A 特許第3845129号公報Japanese Patent No. 3845129

本発明は、ダイシング工程におけるヒゲ状切削屑の付着が低減され、半導体デバイスレーザーマークを中心とした部分に粘着剤付着が低減された半導体デバイスパッケージダイシング用粘着テープ及びそれを用いた半導体デバイスパッケージチップの製造方法を提供することを課題とする。   The present invention relates to a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device package dicing in which adhesion of bearded cutting waste in a dicing process is reduced, and adhesion of adhesive is reduced in a portion centering on a semiconductor device laser mark, and a semiconductor device package chip using the same It is an object to provide a manufacturing method.

本発明者らは、半導体デバイスダイシング用粘着テープの粘着剤層に接する基材樹脂フィルムの重量平均分子量とメルトフローレートが特定の範囲内のエチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分として用いることにより、半導体デバイスレーザーマークを中心とした部分に粘着剤付着を著しく低減できることを見出した。
さらに、本発明者らは、粘着剤層に接する基材樹脂フィルムの重量平均分子量とメルトフローレートを特定の範囲内のエチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分とすることにより、粘着剤付着の低減だけでなく、ダイシング工程でのブレードと被切削体との切削抵抗熱による溶融物の発生を少なくでき、溶融したヒゲ状切削屑が発生してもその切削屑が切れやすく、半導体デバイスチップにヒゲ状切削屑が付着しにくくなることを見出した。
本発明はこの知見に基づきなされたものである。
The present inventors use, as a base resin component, an ethylene-vinyl acetate copolymer having a weight average molecular weight and a melt flow rate of a base resin film in contact with an adhesive layer of an adhesive tape for semiconductor device dicing within a specific range. Thus, it has been found that the adhesion of the adhesive can be remarkably reduced in the portion centering on the semiconductor device laser mark.
Furthermore, the present inventors use the ethylene-vinyl acetate copolymer having a weight average molecular weight and a melt flow rate of the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer within a specific range as a base resin component, thereby attaching the pressure-sensitive adhesive. In addition to reducing the amount of heat generated, it is possible to reduce the generation of molten material due to cutting resistance heat between the blade and the workpiece in the dicing process. It has been found that beard-like cutting scraps are difficult to adhere to.
The present invention has been made based on this finding.

すなわち本発明は、以下の半導体デバイスダイシング用粘着テープ及びそれを用いた半導体デバイスチップの製造方法を提供するものである。
<1>基材樹脂フィルム上に粘着剤層が形成された半導体デバイスダイシング用粘着テープであって、該粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物は、メルトフローレートが1〜20かつ重量平均分子量が15万〜60万のエチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分とすることを特徴とする半導体デバイスダイシング用粘着テープ。
<2>前記エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含量が5〜50%であることを特徴とする<1>記載の半導体デバイスダイシング用粘着テープ。
<3>前記基材樹脂フィルムが少なくとも3層以上の樹脂フィルムからなり、該樹脂フィルムの最外層と粘着剤層に接する樹脂フィルムに挟まれた層の曲げ弾性率が、粘着剤層に接する基材樹脂フィルム層の曲げ弾性率より大きいことを特徴とする<1>又は<2>記載の半導体デバイスダイシング用粘着テープ。
<4>前記樹脂フィルムの最外層と粘着剤層に接する樹脂フィルムに挟まれた層を構成する樹脂組成物が、ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、及びオレフィン系熱可塑性エラストマーからなる群から選ばれた少なくとも1種を含有することを特徴とする<3>記載の半導体デバイスダイシング用粘着テープ。
<5>前記粘着剤層を構成する粘着剤が放射線硬化性であることを特徴とする<1>〜<4>のいずれか1項記載の半導体デバイスダイシング用粘着テープ。
<6> 基材樹脂フィルム上に粘着剤層が形成された半導体デバイスダイシング用粘着テープであって、該粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物は、メルトフローレートが1〜20でかつ重量平均分子量が15万〜60万のエチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分とする半導体デバイスダイシング用粘着テープを、半導体デバイスウエハまたは半導体デバイス一括モールド封止パッケージモールド樹脂面に貼合してダイシングを行う工程を含む方法により半導体デバイスチップを作製することを特徴とする半導体デバイスチップの製造方法。
That is, the present invention provides the following semiconductor device dicing pressure-sensitive adhesive tape and a method for producing a semiconductor device chip using the same.
<1> A semiconductor device dicing pressure-sensitive adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer formed on a base resin film, wherein the resin composition constituting the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer has a melt flow rate of 1 to 1. A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing, comprising an ethylene-vinyl acetate copolymer having a weight average molecular weight of 150,000 to 600,000 as a base resin component.
<2> The adhesive tape for dicing a semiconductor device according to <1>, wherein the ethylene-vinyl acetate copolymer has a vinyl acetate content of 5 to 50%.
<3> The base resin film is composed of at least three resin films, and the bending elastic modulus of the layer sandwiched between the outermost layer of the resin film and the resin film in contact with the adhesive layer is a group in contact with the adhesive layer. The adhesive tape for semiconductor device dicing according to <1> or <2>, wherein the adhesive tape has a flexural modulus greater than that of the material resin film layer.
<4> The resin composition constituting the layer sandwiched between the outermost layer of the resin film and the resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer is selected from the group consisting of polypropylene, high-density polyethylene, low-density polyethylene, and olefin-based thermoplastic elastomer. The pressure-sensitive adhesive tape for dicing a semiconductor device according to <3>, comprising at least one selected.
<5> The adhesive tape for semiconductor device dicing according to any one of <1> to <4>, wherein the adhesive constituting the adhesive layer is radiation curable.
<6> A semiconductor device dicing pressure-sensitive adhesive tape having a pressure-sensitive adhesive layer formed on a base resin film, wherein the resin composition constituting the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer has a melt flow rate of 1 to 1. A semiconductor device dicing adhesive tape having an ethylene-vinyl acetate copolymer having a weight average molecular weight of 150,000 to 600,000 as a base resin component is affixed to a semiconductor device wafer or a semiconductor device batch mold sealing package mold resin surface. A method of manufacturing a semiconductor device chip, comprising manufacturing a semiconductor device chip by a method including a step of performing dicing.

本発明の半導体デバイスダイシング用粘着テープを用いることにより、ダイシング工程におけるヒゲ状切削屑の付着を低減することができ、半導体デバイスチップへの粘着剤付着を低減でき、製品の外観歩留まりを大幅に向上させることができる。
また本発明の半導体デバイスダイシング用粘着テープを、樹脂組成物で一括封止された半導体デバイスウェハまたは半導体デバイス一括モールド封止パッケージモールド樹脂面に貼合してダイシングを行う工程を含む方法により半導体デバイスチップを作製する方法により、ヒゲ状切削屑の付着を低減することができ、半導体デバイスチップへの粘着剤付着を低減することができる。
By using the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing according to the present invention, it is possible to reduce the adhesion of the shavings in the dicing process, to reduce the pressure-sensitive adhesive adhesion to the semiconductor device chip, and to greatly improve the appearance yield of the product. Can be made.
In addition, the semiconductor device dicing method may include a step of dicing the adhesive tape for semiconductor device dicing of the present invention to a semiconductor device wafer encapsulated with a resin composition or a semiconductor device encapsulated mold sealing package mold resin surface. By the method for manufacturing the chip, the adhesion of the beard-like cutting waste can be reduced, and the adhesion of the adhesive to the semiconductor device chip can be reduced.

本発明の半導体デバイスダイシング用粘着テープの一実施形態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically one Embodiment of the adhesive tape for semiconductor device dicing of this invention. 本発明の半導体デバイスダイシング用粘着テープの他の一実施形態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically other one Embodiment of the adhesive tape for semiconductor device dicing of this invention. 本発明の半導体デバイスダイシング用粘着テープのさらに他の一実施形態を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically another one Embodiment of the adhesive tape for semiconductor device dicing of this invention.

本発明を、図面を参照しながら説明する。図1には、本発明の半導体デバイスダイシング用粘着テープの好ましい一実施態様が模式的に示されている。半導体デバイスダイシング用粘着テープ100には、基材樹脂フィルム10と、基材樹脂フィルム10上に粘着剤層20が形成されている。
また図2には、本発明の半導体デバイスダイシング用粘着テープ好ましい他の一実施形態が模式的に示されている。半導体デバイスダイシング用粘着テープ100では、基材樹脂フィルム10が最外層の樹脂フィルム層1と粘着剤層に接する樹脂フィルム層2とからなり、基材樹脂フィルム10上に粘着剤層20が形成されている。
さらに図3には、本発明の半導体デバイスダイシング用粘着テープ好ましい他の一実施形態が模式的に示されている。半導体デバイスダイシング用粘着テープ100では、基材樹脂フィルム10が最外層の樹脂フィルム層1、最外層の樹脂フィルムと粘着剤層に接する樹脂フィルムに挟まれた樹脂フィルム層2及び粘着剤層に接する樹脂フィルム層3とからなり、基材樹脂フィルム10上に粘着剤層20が形成されている。
The present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 schematically shows a preferred embodiment of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing according to the present invention. In the adhesive tape 100 for semiconductor device dicing, a base resin film 10 and an adhesive layer 20 are formed on the base resin film 10.
FIG. 2 schematically shows another preferred embodiment of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing of the present invention. In the adhesive tape 100 for semiconductor device dicing, the base resin film 10 is composed of the outermost resin film layer 1 and the resin film layer 2 in contact with the adhesive layer, and the adhesive layer 20 is formed on the base resin film 10. ing.
Further, FIG. 3 schematically shows another preferred embodiment of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing of the present invention. In the semiconductor device dicing adhesive tape 100, the base resin film 10 is in contact with the outermost resin film layer 1, the resin film layer 2 sandwiched between the outermost resin film and the resin film in contact with the adhesive layer, and the adhesive layer. The pressure-sensitive adhesive layer 20 is formed on the base resin film 10.

1.基材樹脂フィルム
本発明の半導体デバイスダイシング用粘着テープの粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物は、メルトフローレートが1〜20で、重量平均分子量が15万〜60万のエチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分とする。本発明においては、メルトフローレート(以下、MFRともいう)は、JIS K 7210で規定された、190℃、2.16kg荷重条件による値をいうものとする。また本発明における粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物の重量平均分子量は、以下の方法によって求めた値をいうものとする。
(使用装置)
測定装置:ゲルパーミエイションクロマトグラフ(Waters社製150−C型)
解析装置:システムコントローラ(東ソー(株)製SC−8010型)
検出器:示差屈折計
(測定条件)
カラム:TSKgel GMH6−HT×1+TSKgel GMH6−HTL×1(7.8mmID×60mmL、東ソー(株)製)
移動相:o−ジクロロベンゼン(以下ODCBと略する)
移動相安定剤:2,6−ジ−tert−ブチル−p−クレゾール(5g/20kg−ODCB)
カラム温度:140℃
流速:1.0ml/min
注入量:500μl
測定試料濃度:30mg/20ml−ODCB
標準試料濃度:15mg/20ml−ODCB
分子量校正:単分散ポリスチレン16種(東ソー(株)製)
粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物のメルトフローレートと重量平均分子量が上記の範囲内のエチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分として用いることにより、粘着剤の付着を著しく低減することができ、ヒゲ状切削屑を低減するとともに、切削屑が発生したとしても、その切削屑を切れやすくすることができる。
1. Base resin film The resin composition constituting the base resin film in contact with the adhesive layer of the adhesive tape for semiconductor device dicing of the present invention has a melt flow rate of 1 to 20 and a weight average molecular weight of 150,000 to 600,000. An ethylene-vinyl acetate copolymer is used as a base resin component. In the present invention, the melt flow rate (hereinafter also referred to as MFR) refers to a value defined by JIS K 7210 under a 190 ° C., 2.16 kg load condition. Moreover, the weight average molecular weight of the resin composition which comprises the base resin film which touches the adhesive layer in this invention shall say the value calculated | required with the following method.
(Device used)
Measuring device: Gel permeation chromatograph (Waters 150-C type)
Analysis device: System controller (SC-8010 manufactured by Tosoh Corporation)
Detector: differential refractometer (measurement conditions)
Column: TSKgel GMH6-HT × 1 + TSKgel GMH6-HTL × 1 (7.8 mm ID × 60 mmL, manufactured by Tosoh Corporation)
Mobile phase: o-dichlorobenzene (hereinafter abbreviated as ODCB)
Mobile phase stabilizer: 2,6-di-tert-butyl-p-cresol (5 g / 20 kg-ODCB)
Column temperature: 140 ° C
Flow rate: 1.0 ml / min
Injection volume: 500 μl
Measurement sample concentration: 30 mg / 20 ml-ODCB
Standard sample concentration: 15 mg / 20 ml-ODCB
Molecular weight calibration: 16 types of monodisperse polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)
By using an ethylene-vinyl acetate copolymer having a melt flow rate and a weight average molecular weight of the resin composition constituting the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer as the base resin component, adhesion of the pressure-sensitive adhesive is achieved. It can be remarkably reduced, and whisker-like cutting waste can be reduced, and even if cutting waste is generated, the cutting waste can be easily cut.

基材樹脂フィルムは、上記のメルトフローレートと重量平均分子量が上記の範囲内のエチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分として用い、ダイシング工程でのブレードによる一括モールド封止パッケージの切断に対する耐熱性に優れているものであれば特に制限なく、他の樹脂やゴムなどシート状に成形できるものを併用してもよい。例えば、ポリプロピレン、低密度ポリエチレン(LDPE)、直鎖低密度ポリエチレン(LLDPE)、エチレン・プロピレン共重合体、プロピレン共重合体、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体加硫物、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸メチル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エチル共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸ブチル共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、エチレン−塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリウレタン、ポリアミド、アイオノマー、ニトリルゴム、ブチルゴム、スチレンイソプレンゴム、スチレンブタジエンゴム、天然ゴムおよびその水添加物または変性物等などを、上記のエチレン−酢酸ビニル共重合体と併用した樹脂組成物を使用することができる。
しかしレーザーマーク部への粘着剤付着については、従来の半導体ウエハダイシング用粘着テープとは比較できないほど高レベルのものが必要とされることから、上記のエチレン−酢酸ビニル共重合体は、樹脂組成物中、好ましくは50〜100質量%、さらに好ましくは、メルトフローレートと重量平均分子量が上記の範囲内のエチレン−酢酸ビニル共重合体のみを用いることが好ましい。
The base resin film uses the above-described melt flow rate and ethylene-vinyl acetate copolymer having a weight average molecular weight within the above range as a base resin component, and has a heat resistance against cutting of a batch mold sealed package with a blade in a dicing process. If it is excellent in property, there is no restriction | limiting in particular, What can be shape | molded in sheet form, such as other resin and rubber | gum, may be used together. For example, polypropylene, low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), ethylene / propylene copolymer, propylene copolymer, ethylene-propylene-diene copolymer vulcanizate, polybutene, polybutadiene, polymethyl Pentene, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) methyl acrylate copolymer, ethylene- (meth) ethyl acrylate copolymer, ethylene- (meth) butyl acrylate copolymer, poly Vinyl chloride, vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, ethylene-vinyl chloride-vinyl acetate copolymer, polyurethane, polyamide, ionomer, nitrile rubber, butyl rubber, styrene isoprene rubber, styrene butadiene rubber, natural rubber and its water additive or Denatured products etc. It may be a resin composition in combination with vinyl acetate copolymer - Len.
However, the adhesion of the adhesive to the laser mark portion requires a high level that cannot be compared with conventional adhesive tapes for semiconductor wafer dicing, so the ethylene-vinyl acetate copolymer has a resin composition. Of these, it is preferable to use only an ethylene-vinyl acetate copolymer having a melt flow rate and a weight average molecular weight within the above ranges, preferably 50 to 100% by mass.

粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物としては、基材樹脂フィルムと粘着剤の密着性を高め、半導体デバイスチップ上に形成されたレーザーマーク部への粘着剤の剥離を低減するために、エチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分とした樹脂組成物を用いる。
粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物のベース樹脂成分として、エチレン−(メタ)アクリル酸アルキルエステル共重合体を用いた場合には、前記樹脂組成物のメルトフローレートが1〜20、かつ重量平均分子量が15万〜60万のものを用いたとしても、粘着剤層との密着力が十分ではなく、レーザーマーク部への粘着剤付着の問題が生じるため、従来の半導体ウエハダイシング用粘着テープに使用することができても、本発明の半導体デバイスダイシング用粘着テープに使用することができない。レーザーマーク部への粘着剤付着については、従来の半導体ウエハダイシング用粘着テープとは比較できないほど高い剥離性が要求されるからである。
これに対して、粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物のベース樹脂成分として、エチレン−酢酸ビニル共重合体を用いることにより、粘着層との密着性が一層向上され、レーザーマーク部への粘着剤付着がない優れた半導体デバイスダイシング用粘着テープを提供することができる。さらにエチレン−酢酸ビニル共重合体は様々な品種のものが容易に入手でき、粘着剤との密着性が優れるため、半導体デバイスダイシング用粘着テープに好適に使用することができる。
後述の図3に示すように、基材樹脂フィルム10が少なくとも3層以上の樹脂フィルムからなり、樹脂フィルム層2を構成する樹脂組成物が、ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレンなどを含有する場合は、粘着剤層に接する層3として上記のエチレン−酢酸ビニル共重合体を用いた場合には、特に粘着剤層との密着性に優れ、レーザーマーク部への粘着剤の付着を著しく低減することができる。
As a resin composition that constitutes the base resin film in contact with the adhesive layer, the adhesion between the base resin film and the adhesive is increased, and the peeling of the adhesive to the laser mark portion formed on the semiconductor device chip is reduced. Therefore, a resin composition having an ethylene-vinyl acetate copolymer as a base resin component is used.
When an ethylene- (meth) acrylic acid alkyl ester copolymer is used as the base resin component of the resin composition constituting the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer, the resin composition has a melt flow rate of 1. Even when a material having a weight average molecular weight of 150,000 to 600,000 is used, the adhesive strength with the pressure-sensitive adhesive layer is not sufficient, and the problem of adhesion of the pressure-sensitive adhesive to the laser mark portion arises. Even if it can be used for the adhesive tape for wafer dicing, it cannot be used for the adhesive tape for semiconductor device dicing of the present invention. This is because the adhesiveness to the laser mark portion is required to have high peelability that cannot be compared with the conventional adhesive tape for semiconductor wafer dicing.
In contrast, by using an ethylene-vinyl acetate copolymer as the base resin component of the resin composition constituting the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer, the adhesion with the pressure-sensitive adhesive layer is further improved, and laser An excellent pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing in which no adhesive is attached to the mark portion can be provided. Furthermore, since ethylene-vinyl acetate copolymers of various varieties can be easily obtained and have excellent adhesiveness with adhesives, they can be suitably used for adhesive tapes for semiconductor device dicing.
As shown in FIG. 3 to be described later, the base resin film 10 is composed of at least three resin films, and the resin composition constituting the resin film layer 2 contains polypropylene, high-density polyethylene, low-density polyethylene, or the like. In this case, when the above-mentioned ethylene-vinyl acetate copolymer is used as the layer 3 in contact with the pressure-sensitive adhesive layer, the adhesion to the pressure-sensitive adhesive layer is particularly excellent, and the adhesion of the pressure-sensitive adhesive to the laser mark portion is significantly reduced. can do.

粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物として、エチレン−酢酸ビニル共重合体を用いる場合には、酢酸ビニル含量が5〜50%のものを使用することが好ましい。酢酸ビニル含量がこの範囲内のエチレン−酢酸ビニル共重合体を用いることにより、粘着剤層との密着性を特に上げることができ、半導体デバイスパッケージチップ上に形成されたレーザーマーク部への粘着剤の剥離を特に低減することができる。なお基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物がエチレン−酢酸ビニル共重合体の場合の酢酸ビニル含量は、JIS K 6730によって求めることができる。   When an ethylene-vinyl acetate copolymer is used as the resin composition constituting the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer, it is preferable to use one having a vinyl acetate content of 5 to 50%. By using an ethylene-vinyl acetate copolymer having a vinyl acetate content within this range, the adhesiveness to the adhesive layer can be particularly improved, and the adhesive to the laser mark portion formed on the semiconductor device package chip Can be particularly reduced. The vinyl acetate content when the resin composition constituting the base resin film is an ethylene-vinyl acetate copolymer can be determined according to JIS K 6730.

基材樹脂フィルムは図1に示されるように単層でもよく、図2、3に示されるように複層(2層以上)でもよい。図1に示されるように基材樹脂フィルムが単層で構成されている場合は、基材樹脂フィルム10を上記のメルトフローレートと重量平均分子量を有するエチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分として用いるものとする。
図2に示されるように基材樹脂フィルムが複層で構成されている場合は、基材樹脂フィルム10のうち、少なくとも樹脂フィルム層2を上記のメルトフローレートと重量平均分子量を有するエチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分として用いるものとする。また本発明の半導体デバイスダイシング用粘着テープは、図3に示されるように、最外層の樹脂フィルム層1、最外層の樹脂フィルムと粘着剤層に接する樹脂フィルムに挟まれた樹脂フィルム層2及び粘着剤層に接する樹脂フィルム層3が積層された基材樹脂フィルム10上に粘着剤層20が形成されたものでもよい。さらに基材樹脂フィルムは4層以上のフィルムが積層されたものでもよい。基材樹脂フィルムが2層以上からなる場合、粘着剤層に接する樹脂フィルムを上記のメルトフローレートと重量平均分子量を有するエチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分として用いることが必要である。この場合、さらに粘着剤層に接する層以外のフィルムも上記のメルトフローレートと重量平均分子量を有するものを使用してもよい。基材樹脂フィルムが2層以上からなる場合は、基材樹脂フィルム間の層間密着が良好なものを組み合わせることが好ましい。
The base resin film may be a single layer as shown in FIG. 1, or may be a multilayer (two or more layers) as shown in FIGS. When the base resin film is composed of a single layer as shown in FIG. 1, the base resin component is made of the ethylene-vinyl acetate copolymer having the above melt flow rate and the weight average molecular weight. It shall be used as
When the base resin film is composed of multiple layers as shown in FIG. 2, at least the resin film layer 2 of the base resin film 10 is ethylene-acetic acid having the above melt flow rate and weight average molecular weight. A vinyl copolymer is used as the base resin component. Moreover, as shown in FIG. 3, the adhesive tape for semiconductor device dicing of the present invention comprises an outermost resin film layer 1, a resin film layer 2 sandwiched between an outermost resin film and a resin film in contact with the adhesive layer, and The adhesive layer 20 may be formed on the base resin film 10 on which the resin film layer 3 in contact with the adhesive layer is laminated. Further, the base resin film may be a laminate of four or more layers. When the base resin film is composed of two or more layers, it is necessary to use an ethylene-vinyl acetate copolymer having the above melt flow rate and weight average molecular weight as the base resin component for the resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer. In this case, a film having a melt flow rate and a weight average molecular weight other than the layer in contact with the pressure-sensitive adhesive layer may be used. When the base resin film is composed of two or more layers, it is preferable to combine those having good interlayer adhesion between the base resin films.

図3に示すように、基材樹脂フィルム10が少なくとも3層以上の樹脂フィルムからなる場合は、樹脂フィルムの最外層1と粘着剤層に接する樹脂フィルム3に挟まれた層2の曲げ弾性率が、粘着剤層に接する樹脂フィルム層3の曲げ弾性率より大きいことが好ましい。これによりテープ背面からに回転丸刃が入り込み易くなり、半導体デバイスに半導体デバイスダイシングテープを貼合するときに、ロール状のテープのカッティング性を向上させることができる。この中でも樹脂フィルム層2を構成する樹脂組成物が、ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、及びオレフィン系熱可塑性エラストマーからなる群から選ばれた少なくとも1種を含有することが好ましい。これにより、ダイシング中の切削熱に耐えることができ、また粘着剤層として放射線硬化性の樹脂組成物を使用した場合の、放射線、例えば紫外線を照射して粘着剤層を硬化させる工程における発熱に耐えうるテープとすることができる。   As shown in FIG. 3, when the base resin film 10 is composed of at least three resin films, the bending elastic modulus of the layer 2 sandwiched between the outermost layer 1 of the resin film and the resin film 3 in contact with the adhesive layer Is preferably larger than the flexural modulus of the resin film layer 3 in contact with the pressure-sensitive adhesive layer. Accordingly, the rotating round blade can easily enter from the back surface of the tape, and the cutting property of the roll tape can be improved when the semiconductor device dicing tape is bonded to the semiconductor device. Among these, it is preferable that the resin composition which comprises the resin film layer 2 contains at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of a polypropylene, a high density polyethylene, a low density polyethylene, and an olefin type thermoplastic elastomer. Thereby, it can withstand the heat of cutting during dicing, and when a radiation curable resin composition is used as the pressure-sensitive adhesive layer, it generates heat in the process of curing the pressure-sensitive adhesive layer by irradiating radiation, for example, ultraviolet rays. It can be a tolerable tape.

粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する層には密着性をさらに向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施してもよい。
ダイシング加工時に使用されるブレード外周部断面はR形状を持っていることから、半導体デバイスの側面であるダイシングブレード切削面を平滑にするためには、ブレード刃厚の厚いものを用いるときほどダイシングテープに深く切り込む必要がある。このため、ブレード刃厚の厚いものを用いるときほど基材樹脂フィルムを厚くする必要がある。そこで、基材樹脂フィルムの厚さは、ダイシングに用いるブレード厚さの最低30%以上の厚さとすることが好ましい。一方、基材樹脂フィルムが厚くなりすぎると、半導体デバイスパッケージダイシング用粘着テープの剛性が上がり、作業性が悪化することがある。
モールド樹脂一括封止パッケージダイシング用のブレードとしては刃厚50〜400μm程度のブレードが使用されるので、本発明の半導体デバイスパッケージダイシング用粘着テープの基材樹脂フィルムの厚さは、好ましくは30〜300μm、さらに好ましくは50〜250μmである。
In order to further improve the adhesion, the layer constituting the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer may be subjected to a corona treatment or a treatment such as a primer.
Since the blade outer peripheral section used at the time of dicing has an R shape, a dicing tape is used more smoothly when a blade having a thicker blade is used to smooth the cutting surface of the dicing blade, which is the side of the semiconductor device. It is necessary to cut deeply. For this reason, it is necessary to increase the thickness of the base resin film as the blade blade thickness is increased. Therefore, the thickness of the base resin film is preferably at least 30% of the thickness of the blade used for dicing. On the other hand, if the base resin film becomes too thick, the rigidity of the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device package dicing increases, and workability may deteriorate.
Since a blade with a blade thickness of about 50 to 400 μm is used as the blade for mold resin batch sealing package dicing, the thickness of the base resin film of the adhesive tape for semiconductor device package dicing of the present invention is preferably 30 to It is 300 micrometers, More preferably, it is 50-250 micrometers.

粘着剤層には、種々の粘着剤を使用することができる。粘着剤としては、何ら限定されるものではない。例えば、ベース樹脂として、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリビニルエーテル系等の材料を用いたものが粘着剤として用いられる。   Various pressure-sensitive adhesives can be used for the pressure-sensitive adhesive layer. The pressure-sensitive adhesive is not limited at all. For example, as the base resin, a material using rubber, acrylic, silicone, polyvinyl ether or the like is used as the adhesive.

これらのベース樹脂に凝集力を付加するために架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ベース樹脂に対応して、例えばイソシアネート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤、アミン樹脂などが挙げられる。さらに粘着剤には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、各種添加成分を含有させることができる。   In order to add cohesive force to these base resins, a crosslinking agent can be blended. Examples of the crosslinking agent include an isocyanate-based crosslinking agent, an epoxy-based crosslinking agent, a metal chelate-based crosslinking agent, an aziridine-based crosslinking agent, and an amine resin corresponding to the base resin. Further, the pressure-sensitive adhesive can contain various additive components as desired within the range in which the object of the present invention is not impaired.

粘着剤として、放射線硬化型や加熱発泡型の粘着剤を用いることができる。放射線硬化型の粘着剤としては、紫外線、電子線等で硬化し、剥離時には剥離しやすくなる粘着剤を使用することができ、加熱発泡型の粘着剤とは、加熱により発泡剤や膨張剤により剥離しやすくなる粘着剤を使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、たとえば、特開平7−135189号公報等に記載のものが好ましく使用されるがこれらに限定されることはない。本発明においては、紫外線硬化型粘着剤を用いることが好ましい。その場合には、放射線により硬化し三次元網状化する性質を有すればよく、ベース樹脂成分として、主鎖の有する官能基に対して、放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基及び官能基を併せ持つ単量体の官能基部を結合した重合体(a)を主成分とするものを使用することができる。本発明において、重合体(a)を主成分とするとは、ベース樹脂中の含有割合が50〜100質量%のものをいう。また本発明においては、(メタ)アクリル系単量体は、アクリル系単量体とメタクリル系単量体の両者を含むものとする。
前記重合体(a)はどのようにして製造されたものでもよい。例えば、官能基を有するアクリル系共重合体及び/又はメタクリル系共重合体を(a1)とし、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有するとともに(a1)の官能基と反応し得る官能基を有する化合物を(a2)とし、これらを反応させて、重合体(a)とすることができる。
前記の官能基を有するアクリル系共重合体及び/又はメタクリル系共重合体(a1)は、例えば、炭素−炭素二重結合を有するアクリル酸アルキルエステル及び/又はメタクリル酸アルキルエステルなどの単量体(a1−1)と、官能基および炭素−炭素二重結合を有する単量体(a1−2)とを共重合させて得ることができる。
As the pressure-sensitive adhesive, a radiation curable or heat-foamed pressure-sensitive adhesive can be used. As the radiation curable adhesive, it is possible to use an adhesive that is cured by ultraviolet rays, electron beams, etc., and easily peels off at the time of peeling. An adhesive that easily peels can be used. As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, for example, those described in JP-A-7-135189 are preferably used, but are not limited thereto. In the present invention, it is preferable to use an ultraviolet curable adhesive. In that case, it only needs to have a property of being cured by radiation to form a three-dimensional network, and as a base resin component, a functional group having a main chain, a radiation-curable carbon-carbon double bond-containing group and a functional group. Those having as a main component the polymer (a) in which the functional group part of the monomer having both is bonded can be used. In the present invention, the polymer (a) as a main component means that the content in the base resin is 50 to 100% by mass. In the present invention, the (meth) acrylic monomer includes both an acrylic monomer and a methacrylic monomer.
The polymer (a) may be produced by any method. For example, an acrylic copolymer and / or a methacrylic copolymer having a functional group is defined as (a1), and a functional group that has a radiation-curable carbon-carbon double bond and can react with the functional group of (a1) The compound having (a2) can be reacted to give a polymer (a).
The acrylic copolymer and / or methacrylic copolymer (a1) having the above functional group is, for example, a monomer such as an alkyl acrylate and / or an alkyl methacrylate having a carbon-carbon double bond. It can be obtained by copolymerizing (a1-1) and a monomer (a1-2) having a functional group and a carbon-carbon double bond.

単量体(a1−1)としては、例えば、アルキルエステルのアルキル基の炭素数が6〜12の(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、ヘキシルアクリレート、n−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート)を挙げることができる。また、単量体(a1−1)としては、例えば、アルキルエステルのアルキル基の炭素数が5以下の(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、ペンチルアクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレートなど)を挙げることができる。   Examples of the monomer (a1-1) include (meth) acrylic acid alkyl esters having 6 to 12 carbon atoms in the alkyl ester alkyl group (for example, hexyl acrylate, n-octyl acrylate, isooctyl acrylate, 2- Ethyl hexyl acrylate, dodecyl acrylate, decyl acrylate). Examples of the monomer (a1-1) include (meth) acrylic acid alkyl esters having 5 or less carbon atoms in the alkyl ester alkyl group (for example, pentyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, ethyl acrylate). , Methyl acrylate, or methacrylates similar to these).

単量体(a1−1)として、アルキルエステルを適宜選択することにより、所望のガラス転移点を有する重合体(a)を得ることができる。
また、ガラス転移点の他、他の成分との相溶性や各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリルなどの炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を(a1−1)に加えて重合体(a)を得ることができる。これらの低分子化合物の配合量は、単量体(a1−1)の5質量%以下とすることが好ましい。
A polymer (a) having a desired glass transition point can be obtained by appropriately selecting an alkyl ester as the monomer (a1-1).
In addition to the glass transition point, a low molecular compound having a carbon-carbon double bond such as vinyl acetate, styrene or acrylonitrile is added to (a1-1) for the purpose of improving compatibility with other components and various performances. A polymer (a) can be obtained. The blending amount of these low molecular compounds is preferably 5% by mass or less of the monomer (a1-1).

単量体(a1−2)が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。単量体(a1−−2)の具体例としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、けい皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、2−ヒドロキシアルキルアクリレート類、2−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、4−ヒドロキシアルキルアクリレート類、4−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、N−メチロールアクリルアミド、N−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、N−アルキルアミノエチルアクリレート類、N−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したものなどを列挙することができる。   Examples of the functional group that the monomer (a1-2) has include a carboxyl group, a hydroxyl group, an amino group, a cyclic acid anhydride group, an epoxy group, and an isocyanate group. Specific examples of the monomer (a1-2) include, for example, acrylic acid, methacrylic acid, cinnamic acid, itaconic acid, fumaric acid, phthalic acid, 2-hydroxyalkyl acrylates, 2-hydroxyalkyl methacrylates, 4-hydroxyalkyl acrylates, 4-hydroxyalkyl methacrylates, glycol monoacrylates, glycol monomethacrylates, N-methylolacrylamide, N-methylolmethacrylamide, allyl alcohol, N-alkylaminoethyl acrylates, N-alkylamino Ethyl methacrylates, acrylamides, methacrylamides, maleic anhydride, itaconic anhydride, fumaric anhydride, phthalic anhydride, glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, allyl glycidyl ether The portion of the isocyanate groups of the polyisocyanate compound a hydroxyl group or a carboxyl group and a radiation-curable carbon - can enumerate such as those urethanization a monomer having a carbon-carbon double bond.

前記(a2)の官能基がカルボキシル基や環状酸無水基の場合は、(a1)の有する官能基としては、例えば、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。また(a2)の官能基が水酸基の場合は、(a1)の有する官能基としては、例えば、環状酸無水基、イソシアネート基などを挙げることができる。(a2)の官能基がアミノ基の場合は、(a1)の有する官能基としては、エポキシ基、イソシアネート基などを挙げることができる。(a2)の官能基がエポキシ基である場合には、(a1)の有する官能基としては、例えば、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基などを挙げることができる。
具体例としては、単量体(a1−2)の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
When the functional group (a2) is a carboxyl group or a cyclic acid anhydride group, examples of the functional group (a1) include a hydroxyl group, an epoxy group, and an isocyanate group. When the functional group (a2) is a hydroxyl group, examples of the functional group (a1) include a cyclic acid anhydride group and an isocyanate group. When the functional group (a2) is an amino group, examples of the functional group (a1) include an epoxy group and an isocyanate group. When the functional group of (a2) is an epoxy group, examples of the functional group of (a1) include a carboxyl group, a cyclic acid anhydride group, and an amino group.
As specific examples, those similar to those listed in the specific examples of the monomer (a1-2) can be listed.

(a1)と(a2)の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価などを好ましくは、後述の通りの範囲に適宜設定することができる。
主鎖に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基を1つ以上有する(メタ)アクリル系単量体を構成単位として含む重合体(a)は、各種の溶剤中で溶液重合することにより得ることができる。溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができる。一般にアクリル系重合体の良溶媒で、沸点60〜120℃の溶剤を使用することが好ましい。例えば、トルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトンなどを使用することができる。重合開始剤としては、α,α’−アゾビスイソブチルニトリルなどのアゾビス系、ベンゾイルペルオキシドなどの有機過酸化物系などのラジカル発生剤を用いることができる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の重合体(a)を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、重合体(a)の合成は、溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
In the reaction of (a1) and (a2), by leaving an unreacted functional group, the acid value or the hydroxyl value can be suitably set within a range as described later.
The polymer (a) containing as a constituent unit a (meth) acrylic monomer having one or more radiation-curable carbon-carbon double bond-containing groups with respect to the main chain should be solution-polymerized in various solvents. Can be obtained. As the organic solvent in the case of solution polymerization, a ketone, ester, alcohol, or aromatic solvent can be used. In general, it is preferable to use a solvent having a boiling point of 60 to 120 ° C. as a good solvent for an acrylic polymer. For example, toluene, ethyl acetate, isopropyl alcohol, benzene, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, acetone, methyl ethyl ketone, and the like can be used. As the polymerization initiator, radical generators such as azobis compounds such as α, α′-azobisisobutylnitrile and organic peroxide compounds such as benzoyl peroxide can be used. At this time, if necessary, a catalyst and a polymerization inhibitor can be used in combination, and the polymer (a) having a desired molecular weight can be obtained by adjusting the polymerization temperature and the polymerization time. In terms of adjusting the molecular weight, it is preferable to use a mercaptan or carbon tetrachloride solvent. The synthesis of the polymer (a) is not limited to solution polymerization, and other methods such as bulk polymerization and suspension polymerization may be used.

本発明において、主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基を1つ以上有する(メタ)アクリル系単量体部を有する残基を結合した重合体(a)の重量平均分子量は、10万〜100万程度が好ましい。重量平均分子量が小さすぎると、凝集力が小さくなって、ウエハをダイシングする時に、素子のずれが生じやすくなり、画像認識が困難となることがある。この素子のずれを、極力防止するためには、分子量が、20万以上である方が好ましい。重量平均分子量が大きすぎると、合成時にゲル化する可能性がある。   In the present invention, the polymer (a) in which a residue having a (meth) acrylic monomer portion having one or more radiation-curable carbon-carbon double bond-containing groups to the repeating unit of the main chain is bonded. The weight average molecular weight is preferably about 100,000 to 1,000,000. If the weight average molecular weight is too small, the cohesive force is reduced, and when the wafer is diced, the device is likely to be displaced, and image recognition may be difficult. In order to prevent this element shift as much as possible, the molecular weight is preferably 200,000 or more. If the weight average molecular weight is too large, gelation may occur during synthesis.

前記重合体(a)の水酸基価が5〜100の場合は、放射線照射後の粘着力を減少することによりピックアップミスの危険性をさらに低減することができるので好ましい。また、重合体(a)の酸価は0.5〜30となることが好ましい。ここで水酸基価はJIS K 0070に記載のピリジンー塩化アセチル法により測定された値をいい、酸価はJIS K 0070に記載の中和滴定法により測定された値をいうものとする。重合体(a)の水酸基価を適切な範囲内とすることにより、放射線照射後の粘着剤層の流動性を適切な範囲内とすることができ、放射線照射後の粘着力を十分に低下させることができる。重合体(a)の酸価を適切な範囲内とすることにより、放射線照射後の粘着剤層の流動性を適切な範囲内とすることができ、テープ復元性を満足させることができる。
本発明の粘着剤層を構成する放射線硬化性樹脂組成物に使用されるベース樹脂成分には、本発明の趣旨を損なわない範囲内で、従来のものを配合してもよい。例えば、天然ゴム、各種の合成ゴムなどのゴム系ポリマー、あるいはポリ(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸アルキルエステル、(メタ)アクリル酸アルキルエステルとこれと共重合可能な他の不飽和単量体との共重合物などのアクリル系共重合体を使用することができる。
When the hydroxyl value of the polymer (a) is 5 to 100, it is preferable because the risk of pick-up mistakes can be further reduced by reducing the adhesive strength after radiation irradiation. Moreover, it is preferable that the acid value of a polymer (a) will be 0.5-30. Here, the hydroxyl value refers to the value measured by the pyridine-acetyl chloride method described in JIS K 0070, and the acid value refers to the value measured by the neutralization titration method described in JIS K 0070. By setting the hydroxyl value of the polymer (a) within an appropriate range, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive layer after irradiation can be set within an appropriate range, and the adhesive strength after irradiation is sufficiently reduced. be able to. By setting the acid value of the polymer (a) within an appropriate range, the fluidity of the pressure-sensitive adhesive layer after irradiation can be set within an appropriate range, and the tape recoverability can be satisfied.
The base resin component used in the radiation curable resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer of the present invention may be blended with conventional ones as long as the gist of the present invention is not impaired. For example, natural rubber, rubber-based polymers such as various synthetic rubbers, or poly (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylic acid alkyl ester and other non-polymerizable copolymers thereof. Acrylic copolymers such as copolymers with saturated monomers can be used.

その他、通常のゴム系あるいはアクリル系の感圧性ベース樹脂に対して、分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個有する化合物を配合することにより、粘着剤層を構成する樹脂組成物を放射線硬化性とすることができる。本発明における分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個有する化合物は、放射線の照射により硬化して三次元網状化するものであれば特に制限なく使用することができる。該化合物の分子量としては、重量平均分子量が10,000以下のものが好ましい。放射線の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、分子量が5,000以下でかつ分子内の放射線重合性の炭素−炭素二重結合の数が2〜6個であるものが好ましい。
放射線重合性化合物としては、たとえば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オルガノポリシロキサン組成物、市販のオリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレートなどが挙げられる。
In addition, a resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive layer by blending a compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule with an ordinary rubber-based or acrylic pressure-sensitive base resin The object can be made radiation curable. The compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule of the present invention can be used without particular limitation as long as it is cured by irradiation with radiation to form a three-dimensional network. The molecular weight of the compound is preferably a weight average molecular weight of 10,000 or less. The molecular weight is 5,000 or less and the number of radiation-polymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule is 2 to 6 so that the three-dimensional network of the pressure-sensitive adhesive layer can be efficiently formed by radiation irradiation. Those are preferred.
Examples of radiation-polymerizable compounds include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene. Examples include glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, organopolysiloxane composition, commercially available oligoester acrylate, and urethane acrylate.

分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも2個有する低分子量化合物は、1種を単独で用いても、2種以上を併用してもよい。配合量は、ベース樹脂100質量部に対し、1〜300質量部である。好ましくは、ベース樹脂100質量部に対し、30〜200質量部、さらに好ましくは、50〜150質量部である。この量が少なすぎると、粘着剤層の放射線の照射による三次元網状化が不十分となり、半導体デバイスパッケージダイシング用粘着テープを半導体デバイスパッケージから剥離しにくくなり、該パッケージを汚染するおそれがある。この量が多すぎると、放射線による重合反応が過度に進み、放射線の照射による硬化収縮が発生する。その結果、粘着剤層が被着体の表面に追従して食い込み、ダイシング後の半導体チップをピックアップする際に、ピックアップしにくくなる。また、放射線重合性化合物の量が多すぎると、粘着剤層の形状を保持しにくくなり、厚み精度が悪くなるなどの問題がある。   The low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in the molecule may be used alone or in combination of two or more. A compounding quantity is 1-300 mass parts with respect to 100 mass parts of base resins. Preferably, it is 30-200 mass parts with respect to 100 mass parts of base resin, More preferably, it is 50-150 mass parts. If the amount is too small, three-dimensional reticulation of the pressure-sensitive adhesive layer by irradiation with radiation becomes insufficient, and it becomes difficult to peel the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device package dicing from the semiconductor device package, which may contaminate the package. If this amount is too large, the polymerization reaction due to radiation proceeds excessively and curing shrinkage due to radiation irradiation occurs. As a result, the pressure-sensitive adhesive layer follows the surface of the adherend and becomes difficult to pick up when picking up the semiconductor chip after dicing. Moreover, when there is too much quantity of a radiation polymerizable compound, there exists a problem that it becomes difficult to hold | maintain the shape of an adhesive layer and thickness accuracy worsens.

粘着剤を構成する樹脂組成物に、イソシアネート系硬化剤を混合することにより、初期の接着力を任意の値に設定することができる。このような硬化剤としては、具体的には多価イソシアネート化合物、たとえば2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、1,3−キシリレンジイソシアネート、1,4−キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジフェニルメタン−2,4’−ジイソシアネート、3−メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−4,4’−ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン−2,4’−ジイソシアネート、リジンイソシアネートなどが用いられる。   The initial adhesive force can be set to an arbitrary value by mixing an isocyanate curing agent with the resin composition constituting the pressure-sensitive adhesive. Specific examples of such a curing agent include polyvalent isocyanate compounds such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylene diisocyanate, diphenylmethane. -4,4'-diisocyanate, diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, Lysine isocyanate and the like are used.

放射線硬化性の粘着剤の場合には、粘着剤中に光重合開始剤を混入することにより、放射線照射による重合硬化時間ならびに放射線照射量を少なくなることができる。
このような光重合開始剤としては、具体的には、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ジベンジル、ジアセチル、β−クロールアンスラキノンなどが挙げられる。
In the case of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, by mixing a photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive, it is possible to reduce the polymerization curing time and the amount of radiation irradiation by radiation irradiation.
Specific examples of such a photopolymerization initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzyl diphenyl sulfide, tetramethyl thiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, dibenzyl, diacetyl, β-chloranthraquinone and the like can be mentioned.

粘着剤層の厚さは特に制限されないが、好ましくは4〜100μm、特に好ましくは5〜40μmである。粘着剤層の厚さについては配合組成にもよるが、厚さが薄すぎると、半導体デバイスパッケージへの密着性不足や、ダイシング中のダイフライによる歩留まり低下、さらには飛散したダイがブレードに当たることによるブレード破損が起こる場合がある。粘着剤層の厚さが薄すぎると、ダイシング中ブレード回転により粘着剤層がかき上げられ、ピックアップ工程において半導体デバイスからの剥離不良が起こる場合がある。   Although the thickness in particular of an adhesive layer is not restrict | limited, Preferably it is 4-100 micrometers, Most preferably, it is 5-40 micrometers. Although the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer depends on the composition, if the thickness is too thin, the adhesiveness to the semiconductor device package will be insufficient, the yield will decrease due to die fly during dicing, and the scattered die will hit the blade. Blade damage may occur. If the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is too thin, the pressure-sensitive adhesive layer is lifted up by rotating the blade during dicing, and peeling failure from the semiconductor device may occur in the pickup process.

本発明の半導体デバイスパッケージダイシング用粘着テープに、一括モールド封止パッケージのパッケージ面を貼合し、ダイシングを行うことにより、半導体チップを作製することができる。   A semiconductor chip can be manufactured by bonding the package surface of the batch mold sealing package to the adhesive tape for semiconductor device package dicing of the present invention and performing dicing.

以下、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例で用いた粘着剤組成、基材構成樹脂は以下のとおりである。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail based on an Example, this invention is not limited to these Examples. In addition, the adhesive composition and base-material-constituting resin used in Examples and Comparative Examples are as follows.

(粘着剤を構成する樹脂組成物A)
ブチルアクリレート(79質量%)、メタクリル酸(1質量%)、2−ヒドロキシエチルアクリレート(20質量%)からなるアクリル系共重合体に、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート(昭和電工製カレンズMOI(商品名))を反応させて、主鎖の繰り返し単位に対して放射線硬化性炭素−炭素二重結合含有基を有するアクリル系単量体部を有する残基を結合した重合体を得た。重合体(a)の重量平均分子量は600,000であった。重量平均分子量は、テトラヒドロフランに溶解して得た1%溶液を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(ウオータース社製、商品名:150−C ALC/GPC)により測定した値をポリスチレン換算して算出したものである。また、Wijs法により算出したヨウ素価は1.0であった。重合体(a)100質量部に対して、ポリイソシアネートとして日本ポリウレンタン社製のコロネートL(商品名)を0.5質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製のイルガキュアー184(商品名)を0.5質量部加えて混合し、放射線硬化性の粘着剤樹脂組成物Aを調製した。
(Resin composition A constituting the adhesive)
A compound having a photopolymerizable carbon-carbon double bond and a functional group on an acrylic copolymer comprising butyl acrylate (79% by mass), methacrylic acid (1% by mass), and 2-hydroxyethyl acrylate (20% by mass) As an acrylic monomer having a radiation-curable carbon-carbon double bond-containing group with respect to a repeating unit of the main chain by reacting 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (Karenz MOI (trade name) manufactured by Showa Denko) The polymer which couple | bonded the residue which has a part was obtained. The weight average molecular weight of the polymer (a) was 600,000. The weight average molecular weight was calculated by converting a 1% solution obtained by dissolving in tetrahydrofuran by gel permeation chromatography (trade name: 150-C ALC / GPC, manufactured by Waters) in terms of polystyrene. It is. The iodine value calculated by the Wijs method was 1.0. 0.5 parts by weight of Coronate L (trade name) manufactured by Nippon Polyurentane Co., Ltd. as a polyisocyanate, and Irgacure 184 (trade name) manufactured by Ciba Geigy Co., Ltd. as a photopolymerization initiator with respect to 100 parts by weight of the polymer (a) Was added and mixed to prepare a radiation-curable pressure-sensitive adhesive resin composition A.

(粘着剤を構成する樹脂組成物B)
ブチルアクリレート(89質量%)、メタクリル酸(1質量%)、2−ヒドロキシエチルアクリレート(10質量%)からなるアクリル系共重合体100質量部に対して、光重合性炭素−炭素二重結合を有する化合物としてペンタエリスリトールテトラアクリレート50質量部、ポリイソシアネートとして日本ポリウレンタン社製のコロネートL(商品名)を0.5質量部、光重合開始剤として日本チバガイギー社製のイルガキュアー184(商品名)を0.5質量部加えて混合し、放射線硬化性の粘着剤樹脂組成物Bを調製した。
(Resin composition B constituting the adhesive)
A photopolymerizable carbon-carbon double bond is added to 100 parts by mass of an acrylic copolymer composed of butyl acrylate (89% by mass), methacrylic acid (1% by mass), and 2-hydroxyethyl acrylate (10% by mass). 50 parts by mass of pentaerythritol tetraacrylate as the compound having, 0.5 parts by mass of Coronate L (trade name) manufactured by Nippon Polyurethane as the polyisocyanate, and Irgacure 184 (trade name) manufactured by Ciba Geigy Japan as the photopolymerization initiator 0.5 parts by mass was added and mixed to prepare a radiation curable pressure-sensitive adhesive resin composition B.

(基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物)
基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物として、以下のA1〜A8、B1、B2、C1、C2、及びD1〜D4を用いた。
なお基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物のメルトフローレートは、JIS K 7210で規定された、190℃、2.16kg荷重条件で測定した。また基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物がエチレン−酢酸ビニル共重合体の場合の酢酸ビニル含量は、JIS K 6730によって求めた。さらに重量平均分子量は、以下の方法によって求めた。
(使用装置)
測定装置:ゲルパーミエイションクロマトグラフ(Waters社製150−C型)
解析装置:システムコントローラ(東ソー(株)製SC−8010型)
検出器:示差屈折計
(測定条件)
カラム:TSKgel GMH6−HT×1+TSKgel GMH6−HTL×1(7.8mmID×60mmL、東ソー(株)製)
移動相:o−ジクロロベンゼン(以下ODCBと略する)
移動相安定剤:2,6−ジ−tert−ブチル−p−クレゾール(5g/20kg−ODCB)
カラム温度:140℃
流速:1.0ml/min
注入量:500μl
測定試料濃度:30mg/20ml−ODCB
標準試料濃度:15mg/20ml−ODCB
分子量校正:単分散ポリスチレン16種(東ソー(株)製)
(Resin composition constituting base resin film)
The following A1 to A8, B1, B2, C1, C2, and D1 to D4 were used as the resin composition constituting the base resin film.
In addition, the melt flow rate of the resin composition which comprises a base resin film was measured on 190 degreeC and a 2.16kg load condition prescribed | regulated by JISK7210. Moreover, the vinyl acetate content in case the resin composition which comprises a base resin film is an ethylene-vinyl acetate copolymer was calculated | required by JISK6730. Further, the weight average molecular weight was determined by the following method.
(Device used)
Measuring device: Gel permeation chromatograph (Waters 150-C type)
Analysis device: System controller (SC-8010 manufactured by Tosoh Corporation)
Detector: differential refractometer (measurement conditions)
Column: TSKgel GMH6-HT × 1 + TSKgel GMH6-HTL × 1 (7.8 mm ID × 60 mmL, manufactured by Tosoh Corporation)
Mobile phase: o-dichlorobenzene (hereinafter abbreviated as ODCB)
Mobile phase stabilizer: 2,6-di-tert-butyl-p-cresol (5 g / 20 kg-ODCB)
Column temperature: 140 ° C
Flow rate: 1.0 ml / min
Injection volume: 500 μl
Measurement sample concentration: 30 mg / 20 ml-ODCB
Standard sample concentration: 15 mg / 20 ml-ODCB
Molecular weight calibration: 16 types of monodisperse polystyrene (manufactured by Tosoh Corporation)

(樹脂A1)
酢酸ビニル含量が19質量%のエチレン−酢酸ビニル共重合体(メルトフローレート2.5、重量平均分子量373,000、曲げ弾性率38MPa)A1を用いた。
(樹脂A2)
酢酸ビニル含量9質量%で、メルトフローレート1.7、重量平均分子量259,000、曲げ弾性率73MPaのエチレン−酢酸ビニル共重合体A2を用いた。
(樹脂A3)
酢酸ビニル含量10質量%で、メルトフローレート9、重量平均分子量189,000、曲げ弾性率72MPaのエチレン−酢酸ビニル共重合体A3を用いた。
(樹脂A4)
酢酸ビニル含量28質量%、メルトフローレート15、重量平均分子量143,000、曲げ弾性率14MPaのエチレン−酢酸ビニル共重合体A4を用いた。
(樹脂A5)
酢酸ビニル含量7質量%、メルトフローレート1.5、重量平均分子量595,000、曲げ弾性率91MPaのエチレン−酢酸ビニル共重合体A5を用いた。
(樹脂A6)
酢酸ビニル含量19質量%、メルトフローレート1.5、重量平均分子量158,000、曲げ弾性率39MPaのエチレン−酢酸ビニル共重合体A6を用いた。
(樹脂A7)
酢酸ビニル含量35質量%、メルトフローレート15、重量平均分子量573,000、曲げ弾性率10MPaのエチレン−酢酸ビニル共重合体A7を用いた。
(樹脂A8)
酢酸ビニル含量9質量%、メルトフローレート16、重量平均分子量186,000、曲げ弾性率74MPaのエチレン−酢酸ビニル共重合体A8を用いた。
(樹脂B1)
酢酸ビニル含量10質量%、メルトフローレート3、重量平均分子量120,000、曲げ弾性率80MPaのエチレン−酢酸ビニル共重合体B1を用いた。
(樹脂B2)
酢酸ビニル含量19質量%、メルトフローレート2.5、重量平均分子量88,000、曲げ弾性率40MPaのエチレン酢酸ビニル共重合体B2を用いた。
(樹脂C1)
三井・デュポンポリケミカル社製Znアイオノマー樹脂、商品名「ハイミラン1706」(曲げ弾性率310MPa)を用いた。
(樹脂C2)
樹脂C2として、三井・デュポンポリケミカル社製Znアイオノマー樹脂、商品名「ハイミランAM7316」(曲げ弾性率38MPa)を用いた。
(樹脂D1)
樹脂D1として、日本ポリプロ社製ポリプロピレン、商品名「ノバテックPP FX4E」(曲げ弾性率650MPa)を用いた。
(樹脂D2)
樹脂D2として、日本ポリエチレン社製高密度ポリエチレン、商品名「ノバテックHD HF560」(曲げ弾性率1,050MPa)を用いた。
(樹脂D3)
樹脂D3として、日本ポリエチレン社製低密度ポリエチレン、商品名「ノバテックLD LF640MA」(曲げ弾性率160MPa)を用いた。
(樹脂D4)
樹脂D4として、日本ポリプロ社製ポリプロピレン、商品名「ノバテックPP FX4E」を70質量パーセントと、クラレ社製スチレンー水添イソプレンースチレンブロック共重合体、商品名「セプトン KF−2104」を30質量%、ドライブレンドし、溶融混練した樹脂組成物(曲げ弾性率240MPa)を用いた。
(Resin A1)
An ethylene-vinyl acetate copolymer (melt flow rate 2.5, weight average molecular weight 373,000, flexural modulus 38 MPa) A1 having a vinyl acetate content of 19% by mass was used.
(Resin A2)
An ethylene-vinyl acetate copolymer A2 having a vinyl acetate content of 9% by mass, a melt flow rate of 1.7, a weight average molecular weight of 259,000, and a flexural modulus of 73 MPa was used.
(Resin A3)
An ethylene-vinyl acetate copolymer A3 having a vinyl acetate content of 10% by mass, a melt flow rate of 9, a weight average molecular weight of 189,000, and a flexural modulus of 72 MPa was used.
(Resin A4)
An ethylene-vinyl acetate copolymer A4 having a vinyl acetate content of 28% by mass, a melt flow rate of 15, a weight average molecular weight of 143,000, and a flexural modulus of 14 MPa was used.
(Resin A5)
An ethylene-vinyl acetate copolymer A5 having a vinyl acetate content of 7% by mass, a melt flow rate of 1.5, a weight average molecular weight of 595,000, and a flexural modulus of 91 MPa was used.
(Resin A6)
An ethylene-vinyl acetate copolymer A6 having a vinyl acetate content of 19% by mass, a melt flow rate of 1.5, a weight average molecular weight of 158,000, and a flexural modulus of 39 MPa was used.
(Resin A7)
An ethylene-vinyl acetate copolymer A7 having a vinyl acetate content of 35% by mass, a melt flow rate of 15, a weight average molecular weight of 573,000, and a flexural modulus of 10 MPa was used.
(Resin A8)
An ethylene-vinyl acetate copolymer A8 having a vinyl acetate content of 9% by mass, a melt flow rate of 16, a weight average molecular weight of 186,000, and a flexural modulus of 74 MPa was used.
(Resin B1)
An ethylene-vinyl acetate copolymer B1 having a vinyl acetate content of 10% by mass, a melt flow rate of 3, a weight average molecular weight of 120,000, and a flexural modulus of 80 MPa was used.
(Resin B2)
An ethylene vinyl acetate copolymer B2 having a vinyl acetate content of 19% by mass, a melt flow rate of 2.5, a weight average molecular weight of 88,000, and a flexural modulus of 40 MPa was used.
(Resin C1)
A Zn ionomer resin manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., trade name “HIMILAN 1706” (flexural modulus of 310 MPa) was used.
(Resin C2)
As the resin C2, Zn ionomer resin manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd., trade name “Himiran AM7316” (flexural modulus 38 MPa) was used.
(Resin D1)
As the resin D1, polypropylene manufactured by Nippon Polypro Co., Ltd., trade name “Novatech PP FX4E” (flexural modulus 650 MPa) was used.
(Resin D2)
As the resin D2, high-density polyethylene manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd., trade name “Novatec HD HF560” (flexural modulus 1,050 MPa) was used.
(Resin D3)
As the resin D3, low density polyethylene manufactured by Nippon Polyethylene Co., Ltd., trade name “Novatech LD LF640MA” (flexural modulus 160 MPa) was used.
(Resin D4)
As resin D4, 70% by mass of polypropylene manufactured by Nippon Polypro Co., Ltd., trade name “Novatech PP FX4E”, styrene-hydrogenated isoprene-styrene block copolymer manufactured by Kuraray Co., Ltd., 30% by mass of trade name “Septon KF-2104”, A dry-blended, melt-kneaded resin composition (flexural modulus 240 MPa) was used.

Figure 2012119395
Figure 2012119395

(実施例1〜13、比較例1〜4)
表2の構成の通り、粘着剤層に接する層の基材樹脂フィルムの厚さ45μm、基材樹脂フィルムの最外層の厚さ45μm、これらの基材樹脂フィルム層に挟まれた層の厚さ60μmとなる様に、2軸混練機で約200℃でフィルム押出成形し、厚さの合計が150μmの実施例1〜13及び比較例1〜4の各基材樹脂フィルムを製造した。
得られた各基材樹脂フィルムの粘着剤層に接する層に、上記の粘着剤を表2の組み合わせの通り、乾燥後の厚さが20μmになるように塗工して、粘着剤層を形成し、実施例1〜13及び比較例1〜4のパッケージダイシング加工用粘着テープを製造した。
(Examples 1-13, Comparative Examples 1-4)
As shown in Table 2, the thickness of the base resin film of the layer in contact with the adhesive layer is 45 μm, the thickness of the outermost layer of the base resin film is 45 μm, and the thickness of the layers sandwiched between these base resin films Each base resin film of Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 4 having a total thickness of 150 μm was produced by extruding the film at about 200 ° C. with a twin-screw kneader so as to be 60 μm.
Apply the above-mentioned pressure-sensitive adhesive to the layer in contact with the pressure-sensitive adhesive layer of each base resin film so that the thickness after drying is 20 μm as shown in the combination of Table 2 to form a pressure-sensitive adhesive layer. And the adhesive tape for package dicing process of Examples 1-13 and Comparative Examples 1-4 was manufactured.

リングフレームに、実施例1〜13および比較例1〜4のパッケージダイシング加工用粘着テープを貼合し、リングフレーム中央部に、巾50mm、長さ150mm、厚さ500μmの一括封止型パッケージを固定した。その後、ダイシング装置(DISCO社製、DAD−340(商品名))を使用して、チップサイズが6mm角となるようにダイシングブレード(三菱マテリアル社製レジンボンドブレードSDC230−R100IP05(商品名)、60×0.32×40)によりパッケージダイシングをおこなった。ダイシング条件は、回転丸刃回転数:30000rpm、切削速度:100mm/s、切削水流量はブレードクーラー:2L/min、シャワー:1L/min、スプレー:1L/minとした。また、ダイシングブレードがパッケージダイシングテープに切り込む深さは100μmとなるように、ダイシングを行った。   The adhesive tape for package dicing processing of Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 4 is bonded to the ring frame, and a batch sealed package having a width of 50 mm, a length of 150 mm, and a thickness of 500 μm is provided at the center of the ring frame. Fixed. Then, using a dicing apparatus (DISCO, DAD-340 (trade name)), a dicing blade (resin bond blade SDC230-R100IP05 (trade name), 60, manufactured by Mitsubishi Materials Corporation) so that the chip size is 6 mm square. Package dicing was performed by × 0.32 × 40). The dicing conditions were a rotating round blade rotation speed: 30000 rpm, a cutting speed: 100 mm / s, and a cutting water flow rate: blade cooler: 2 L / min, shower: 1 L / min, spray: 1 L / min. Further, dicing was performed so that the depth of the dicing blade cut into the package dicing tape was 100 μm.

以下の試験を行い、その性能を評価した。結果を表2に示した。
(ヒゲ状切削屑残存率)
実施例1〜13および比較例1〜4において、パッケージダイシング後、100チップを観察し、ヒゲ状切削屑の有無を観察した。1チップ当たり50μm以上のヒゲ状切削屑が一つでも残存しているものをヒゲ状切削屑の残存率として表2に表示した。ヒゲ状切削屑の残存率が10%以下のものを合格とし、10%を越えるものを不合格とした。
The following tests were conducted to evaluate the performance. The results are shown in Table 2.
(Bearded cutting scrap remaining rate)
In Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 4, 100 chips were observed after package dicing, and the presence or absence of bearded cutting waste was observed. Table 1 shows the residual ratio of the beard-like cutting waste in which at least one mustache-like cutting waste of 50 μm or more remains per chip. When the residual ratio of the shaving-like cutting waste was 10% or less, it was accepted, and when it exceeded 10%, it was rejected.

(粘着剤付着率)
実施例1〜13および比較例1〜4において、パッケージダイシング後、照度4mW/cm2のブラックライトにて積算照射量200mJ/cm2の紫外線を照射し、ピックアップを行った。ピックアップ条件は、キヤノンマシナリー社製CAP−300IIを用い、先端径R:150μmのピンで、突き上げスピード:50mm/sec、ピン突き上げ高さ:1mmとした。ピックアップを行った100チップを観察し、レーザーマーク部の粘着剤の付着の様子を観察した。1チップあたり、レーザーマーク部において10μm以上の粘着剤が一つでも付着しているものを粘着剤付着率とした。粘着剤付着率が1%以下のものを合格、1%を越えるものを不合格とした。
(Adhesive adhesion rate)
In Examples 1 to 13 and Comparative Examples 1 to 4, after package dicing, a black light with an illuminance of 4 mW / cm 2 was irradiated with ultraviolet rays with an integrated irradiation amount of 200 mJ / cm 2 to perform pickup. The pickup conditions were CAP-300II manufactured by Canon Machinery Co., Ltd., the tip diameter R was 150 μm, the push-up speed was 50 mm / sec, and the pin push-up height was 1 mm. The 100 chips that were picked up were observed, and the state of adhesion of the adhesive at the laser mark portion was observed. An adhesive adhesion rate was defined as one having at least 10 μm or more of an adhesive adhered to the laser mark portion per chip. Those having an adhesive adhesion rate of 1% or less were accepted and those exceeding 1% were rejected.

Figure 2012119395
Figure 2012119395

表2に示されているように、粘着剤層に接する層の重量平均分子量が小さい比較例1及び2では、粘着剤付着率は0%と合格レベルであったが、ヒゲ状切削屑が大きく、半導体デバイスダイシング用粘着テープとして使用できるものではなかった。また、比較例3、4では、ヒゲ状切削屑は合格レベルであったが、粘着剤付着率がきわめて大きい結果となった。比較例3、4では、基材樹脂フィルム層と粘着剤層の間での層間剥離が観察され、粘着剤層がデバイスに付着して、半導体デバイスダイシング用粘着テープとして使用できるものではなかった。
これに対して、実施例1〜13の半導体デバイスパッケージダイシング用粘着テープは、ヒゲ状切削屑の残存率と粘着剤付着率がともに合格レベルで、優れた効果を奏するものであった。
As shown in Table 2, in Comparative Examples 1 and 2 in which the weight average molecular weight of the layer in contact with the pressure-sensitive adhesive layer is small, the pressure-sensitive adhesive adhesion rate was an acceptable level of 0%, but the beard-like cutting waste was large. It was not usable as an adhesive tape for semiconductor device dicing. Moreover, in Comparative Examples 3 and 4, although the beard-like cutting waste was at an acceptable level, the adhesive adhesion rate was extremely high. In Comparative Examples 3 and 4, delamination between the base resin film layer and the pressure-sensitive adhesive layer was observed, and the pressure-sensitive adhesive layer adhered to the device and could not be used as a pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing.
On the other hand, the adhesive tapes for semiconductor device package dicing of Examples 1 to 13 exhibited excellent effects with both the residual rate of bearded cutting waste and the adhesive adhesion rate being acceptable levels.

1 最外層の樹脂フィルム層
2 最外層の樹脂フィルムと粘着剤層に接する樹脂フィルムに挟まれた樹脂フィルム層
3 粘着剤層に接する樹脂フィルム樹脂フィルム層
10 基材樹脂フィルム
20 粘着剤層
100 半導体デバイスダイシング用粘着テープ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Outermost resin film layer 2 Resin film layer pinched | interposed into resin film in contact with outermost resin film and adhesive layer 3 Resin film resin film layer in contact with adhesive layer 10 Base resin film 20 Adhesive layer 100 Semiconductor Device dicing adhesive tape

Claims (6)

基材樹脂フィルム上に粘着剤層が形成された半導体デバイスダイシング用粘着テープであって、該粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物は、メルトフローレートが1〜20かつ重量平均分子量が15万〜60万のエチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分とすることを特徴とする半導体デバイスダイシング用粘着テープ。   A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing having a pressure-sensitive adhesive layer formed on a base resin film, wherein the resin composition constituting the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer has a melt flow rate of 1 to 20 and a weight A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing, comprising an ethylene-vinyl acetate copolymer having an average molecular weight of 150,000 to 600,000 as a base resin component. 前記エチレン−酢酸ビニル共重合体の酢酸ビニル含量が5〜50%であることを特徴とする請求項1記載の半導体デバイスダイシング用粘着テープ。   The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing according to claim 1, wherein the ethylene-vinyl acetate copolymer has a vinyl acetate content of 5 to 50%. 前記基材樹脂フィルムが少なくとも3層以上の樹脂フィルムからなり、該樹脂フィルムの最外層と粘着剤層に接する樹脂フィルムに挟まれた層の曲げ弾性率が、粘着剤層に接する基材樹脂フィルム層の曲げ弾性率より大きいことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体デバイスダイシング用粘着テープ。   The base resin film is composed of at least three resin films, and the flexural modulus of the layer sandwiched between the resin film in contact with the outermost layer and the adhesive layer of the resin film is in contact with the adhesive layer. 3. The pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive tape is larger than the bending elastic modulus of the layer. 前記樹脂フィルムの最外層と粘着剤層に接する樹脂フィルムに挟まれた層を構成する樹脂組成物が、ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、及びオレフィン系熱可塑性エラストマーからなる群から選ばれた少なくとも1種を含有することを特徴とする請求項3記載の半導体デバイスダイシング用粘着テープ。   The resin composition constituting the layer sandwiched between the outermost layer of the resin film and the resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer was selected from the group consisting of polypropylene, high-density polyethylene, low-density polyethylene, and olefin-based thermoplastic elastomer. The adhesive tape for semiconductor device dicing according to claim 3, comprising at least one kind. 前記粘着剤層を構成する粘着剤が放射線硬化性であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項記載の半導体デバイスダイシング用粘着テープ。   The pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer is radiation curable, and the pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing according to any one of claims 1 to 4. 基材樹脂フィルム上に粘着剤層が形成された半導体デバイスダイシング用粘着テープであって、該粘着剤層に接する基材樹脂フィルムを構成する樹脂組成物は、メルトフローレートが1〜20でかつ重量平均分子量が15万〜60万のエチレン−酢酸ビニル共重合体をベース樹脂成分とする半導体デバイスダイシング用粘着テープを、半導体デバイスウエハまたは半導体デバイス一括モールド封止パッケージモールド樹脂面に貼合してダイシングを行う工程を含む方法により半導体デバイスチップを作製することを特徴とする半導体デバイスチップの製造方法。   A pressure-sensitive adhesive tape for semiconductor device dicing in which a pressure-sensitive adhesive layer is formed on a base resin film, wherein the resin composition constituting the base resin film in contact with the pressure-sensitive adhesive layer has a melt flow rate of 1 to 20 and A semiconductor device dicing adhesive tape having an ethylene-vinyl acetate copolymer having a weight average molecular weight of 150,000 to 600,000 as a base resin component is bonded to a semiconductor device wafer or a semiconductor device batch mold sealing package mold resin surface. A method of manufacturing a semiconductor device chip, comprising manufacturing a semiconductor device chip by a method including a step of dicing.
JP2010265688A 2010-11-29 2010-11-29 Adhesive tape for semiconductor device dicing and manufacturing method of semiconductor device chip Pending JP2012119395A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010265688A JP2012119395A (en) 2010-11-29 2010-11-29 Adhesive tape for semiconductor device dicing and manufacturing method of semiconductor device chip

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010265688A JP2012119395A (en) 2010-11-29 2010-11-29 Adhesive tape for semiconductor device dicing and manufacturing method of semiconductor device chip

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012119395A true JP2012119395A (en) 2012-06-21

Family

ID=46501935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010265688A Pending JP2012119395A (en) 2010-11-29 2010-11-29 Adhesive tape for semiconductor device dicing and manufacturing method of semiconductor device chip

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2012119395A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015076126A1 (en) * 2013-11-22 2015-05-28 リンテック株式会社 Dicing-sheet base film, dicing sheet containing said base film, and method for manufacturing said base film
WO2015146596A1 (en) * 2014-03-28 2015-10-01 リンテック株式会社 Base film for dicing sheet, dicing sheet including said base film, and process for producing said base film
KR20160078908A (en) * 2014-12-25 2016-07-05 히다치 막셀 가부시키가이샤 Adhesive tape for dicing and method of manufacturing semiconductor chip
WO2020203287A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-08 三井化学東セロ株式会社 Method for producing electronic device and adhesive film
WO2021193936A1 (en) * 2020-03-27 2021-09-30 リンテック株式会社 Sheet for semiconductor device fabrication

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001260262A (en) * 2000-03-07 2001-09-25 Three M Innovative Properties Co Composite base and adhesive film
JP2004303999A (en) * 2003-03-31 2004-10-28 Lonseal Corp Adhesive tape for wafer dicing
JP2012062405A (en) * 2010-09-16 2012-03-29 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive tape
JP2012062406A (en) * 2010-09-16 2012-03-29 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive tape

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001260262A (en) * 2000-03-07 2001-09-25 Three M Innovative Properties Co Composite base and adhesive film
JP2004303999A (en) * 2003-03-31 2004-10-28 Lonseal Corp Adhesive tape for wafer dicing
JP2012062405A (en) * 2010-09-16 2012-03-29 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive tape
JP2012062406A (en) * 2010-09-16 2012-03-29 Nitto Denko Corp Pressure-sensitive adhesive tape

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015076126A1 (en) * 2013-11-22 2015-05-28 リンテック株式会社 Dicing-sheet base film, dicing sheet containing said base film, and method for manufacturing said base film
WO2015146596A1 (en) * 2014-03-28 2015-10-01 リンテック株式会社 Base film for dicing sheet, dicing sheet including said base film, and process for producing said base film
KR20160078908A (en) * 2014-12-25 2016-07-05 히다치 막셀 가부시키가이샤 Adhesive tape for dicing and method of manufacturing semiconductor chip
JP2016122812A (en) * 2014-12-25 2016-07-07 日立マクセル株式会社 Adhesive tape for dicing and method of manufacturing semiconductor chip
TWI655682B (en) * 2014-12-25 2019-04-01 日商麥克賽爾控股股份有限公司 Adhesive tape for dicing and manufacturing method of semiconductor wafer
KR102440961B1 (en) * 2014-12-25 2022-09-07 맥셀 주식회사 Adhesive tape for dicing and method of manufacturing semiconductor chip
JPWO2020203287A1 (en) * 2019-03-29 2021-11-18 三井化学東セロ株式会社 Electronic device manufacturing method and adhesive film
WO2020203287A1 (en) * 2019-03-29 2020-10-08 三井化学東セロ株式会社 Method for producing electronic device and adhesive film
TWI838496B (en) * 2019-03-29 2024-04-11 日商三井化學東賽璐股份有限公司 Method for manufacturing electronic device and adhesive film
JP7158567B2 (en) 2019-03-29 2022-10-21 三井化学東セロ株式会社 Electronic device manufacturing method
WO2021193936A1 (en) * 2020-03-27 2021-09-30 リンテック株式会社 Sheet for semiconductor device fabrication
WO2021193934A1 (en) * 2020-03-27 2021-09-30 リンテック株式会社 Method for producing semiconductor chip with film-form adhesive
WO2021193935A1 (en) * 2020-03-27 2021-09-30 リンテック株式会社 Sheet for production of semiconductor device and method for producing semiconductor chip with film-form adhesive
WO2021193942A1 (en) * 2020-03-27 2021-09-30 リンテック株式会社 Sheet for production of semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100743772B1 (en) Wafer processing tape
KR100940421B1 (en) Dicing-die bonding film
JP7079200B2 (en) Adhesive tape for protecting the surface of semiconductor wafers and processing methods for semiconductor wafers
JP5901422B2 (en) Semiconductor wafer dicing method and semiconductor processing dicing tape used therefor
JP5019657B1 (en) Adhesive tape for semiconductor device processing
JP2009164556A (en) Tape for processing wafer
JP2007073930A (en) Tape for wafer processing
JP6034522B1 (en) Adhesive tape for semiconductor wafer processing and method for processing semiconductor wafer
KR101559190B1 (en) Dicing method
JP5026832B2 (en) Adhesive tape for semiconductor device processing
JP2006156754A (en) Dicing die bond tape
JP5415833B2 (en) Adhesive tape for fixing semiconductor and method for manufacturing the same
JP2012119395A (en) Adhesive tape for semiconductor device dicing and manufacturing method of semiconductor device chip
JP2009231413A (en) Wafer processing tape
JP2012028598A (en) Tape for wafer processing
JP2010182761A (en) Film for processing semiconductor wafer and base film of the same
JP2013153088A (en) Tape for processing wafer
JP5603279B2 (en) Radiation curable adhesive tape for semiconductor processing
JP2012023161A (en) Wafer processing sheet used for semiconductor device manufacturing, manufacturing method of the same and semiconductor device manufacturing method
JP5480415B1 (en) Adhesive tape for semiconductor wafer processing
JP2011210887A (en) Adhesive tape for processing radiation curing wafer
JP2009158503A (en) Tape for processing wafer
JP6800062B2 (en) Adhesive tape
JP4805549B2 (en) Adhesive sheet
JP2006286808A (en) Wafer-working tape and method of working wafer using the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20131003

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140902

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20150106