KR20220157448A - 노광 장치 및 노광 방법 - Google Patents

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켄 미야케
토시히로 타카기
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상에이 기켄 가부시키가이샤
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Abstract

고정밀도의 회로 묘화(描畵)가 가능한 노광 장치 및 노광 방법을 제공한다. 기판 스테이지(5)에 대해 소정 방향으로 상대 이동하여 기판(10) 상에 회로를 그리는 묘화 헤드(4X)와, 상기 기판 스테이지(5)와 일체적으로 설치된 기준 마크(9C)와, 상기 기판 스테이지(5)에 대해 상기 소정 방향으로 상대 이동하여 상기 기판(10) 상의 위치 마크(10a)를 판독하는 기판 위치 검출 수단(6)과, 상기 기판 스테이지(5)와 일체적으로 설치된 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)을 구비한 노광 장치에 있어서, 상기 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)은, 상기 기준 마크(9C)와 상기 묘화 헤드(4X)로부터의 광 빔(4a)을 겹쳐서 판독한 결과에 근거하여 묘화 헤드 좌표계를 보정하고, 상기 기판 위치 검출 수단(6)은, 상기 기준 마크(9C)를 판독한 결과에 근거하여 기판 위치 검출 좌표계를 보정함으로써, 상기 묘화 헤드 좌표계와 상기 기판 위치 검출 좌표계를 서로 일치시킨다.

Description

노광 장치 및 노광 방법
[0001] 본 발명은, 고정밀도의 회로 묘화(描畵)가 가능한 노광 장치 및 노광 방법에 관한 것이다.
[0002] 종래에는, 표면에 감광층을 갖는 기판의 노광면에 도전 패턴 등을 형성하기 위해, 기판과, 패턴이 그려진 포토마스크를 겹쳐서 배치하고, 포토마스크를 통과하여 기판에 광을 조사(照射)함으로써, 패턴을 기판 표면의 감광층에 전사(轉寫)하는 노광 방법이 널리 행해져 왔다. 이에 반해, 포토마스크를 이용하지 않고 소정의 패턴을 기판에 직접 형성하는 마스크리스(maskless) 노광(직접 노광) 방식이 제안된 바 있다(예컨대, 하기의 특허문헌 1). 이러한 마스크리스 노광 방식에 의하면, 포토마스크가 불필요해지기 때문에, 비용적으로 유리하고, 또한, 고정밀도의 노광이 가능한 것으로 여겨지고 있다.
일본 특허공개공보 제2006-250982호
[0004] 이러한 마스크리스 노광 장치의 종래의 일례로서는, 예컨대, 기판을 올려놓고 왕복 이동하는 기판 스테이지를 가지며, 기판 위치 검출 카메라에 의해 기판 상의 기판 위치 마크를 판독하여, 기판 스테이지 상의 기판 위치를 인식하고, 그 결과를 토대로 기판 스테이지를 왕복 이동시키면서, 묘화 헤드로부터 광 빔을 기판 상에 조사하여 회로 묘화를 행한다. 기판 위치 검출 카메라의 CCD(촬상 소자) 및 묘화 헤드의 DMD(Digital Mirror Device=광학 변조 소자)는, 열(熱) 등에 의해 미소한 위치 어긋남을 일으키므로, 각각 별개로 설치된 기준 마크를 이용하여, 기판 위치 검출 카메라 및 묘화 헤드의 좌표 보정을 행하였다. 마스크리스 노광 장치는, 기판 위치를 검출하는 위치와 그리는 위치가 다르기 때문에, 높은 정밀도로 그리기 위해서는, 기판 위치 검출 좌표계와 묘화 헤드 좌표계 간의 상관 관계를 구해 둘 필요가 있다. 그러나, 종래의 마스크리스 노광 장치는 전술한 바와 같이, 각각 별개로 설치된 기준 마크를 이용하여 좌표계의 보정을 하는 것에 머무를 뿐, 상관 관계를 구하지 못하여, 결과적으로 양호한 회로 묘화 정밀도를 얻는 것이 곤란하였다.
[0005] 본 발명의 제1의 형태는, 묘화 헤드(4X)에 의해 기판(10)을 노광하여 해당 기판 상에 직접적으로 회로를 그리는 노광 장치로서,
한 개 이상의 기판 위치 마크(10a)를 갖는 상기 기판(10)이 놓여진 기판 스테이지(5)와,
묘화 헤드 좌표계를 가지며, 상기 기판 스테이지(5)에 대해 소정 방향으로 상대적으로 이동하여 상기 기판(10) 상에 회로를 그리는 상기 묘화 헤드(4X)와,
상기 기판 스테이지(5)와 일체적으로 설치되고, 한 개 이상의 기준 마크(9C)를 갖는 기준 마크 수단(9; 9A, 9B)과,
기판 위치 검출 좌표계를 가지며, 상기 기판 스테이지(5)에 대해 적어도 상기 소정 방향으로 상대적으로 이동하여 상기 기판(10)의 기판 위치 마크(10a)를 판독하는 기판 위치 검출 수단(6)과,
상기 기판 스테이지(5)와 일체적으로 설치되고, 상기 묘화 헤드(4X)로부터의 광 빔(4a)과 상기 기준 마크 수단(9; 9A, 9B) 상의 기준 마크(9C)를 겹쳐서 판독하는 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)을 구비하며,
상기 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)은, 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)와 상기 광 빔(4a)을 겹쳐서 판독하여 그 결과에 근거해서 상기 묘화 헤드 좌표계를 보정하고, 상기 기판 위치 검출 수단(6)은, 상기 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)이 판독한 것과 동일한 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)를 판독하여 그 결과에 근거해서 상기 기판 위치 검출 좌표계를 보정함으로써, 상기 묘화 헤드 좌표계와 상기 기판 위치 검출 좌표계를 서로 일치시키는 것을 특징으로 하는 노광 장치이다.
[0006] 본 발명의 제2의 형태는, 상기 묘화 헤드(4X)가 적어도 상기 소정 방향에 대해 위치가 고정되어 있고, 또한 상기 기판 스테이지(5) 및 기판 위치 검출 수단(6)이 상기 소정 방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 노광 장치이다.
[0007] 본 발명의 제3의 형태는, 상기 묘화 헤드(4X)가 적어도 상기 소정 방향에 대해 이동 가능하고, 또한 상기 기판 스테이지(5)가 적어도 상기 소정 방향에 대해 위치가 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치이다.
[0008] 본 발명의 제4의 형태는, 상기 보정 작업을, 다른 기판(10)마다 매회 행하는 것을 특징으로 하는 노광 장치이다.
본 발명의 제5의 형태는, 상기 기판 스테이지(5)의 상기 기판(10) 상의 회로가 그려지는 기판면과, 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)면의 높이가 동일해지도록 조정할 수 있는 높이 조정 수단(11)이 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치이다.
[0009] 본 발명의 제6의 형태는, 상기 기판 스테이지(5)가, 상기 소정 방향상(上)에 상기 묘화 헤드(4X)를 사이에 두고 서로 대향(對向)하여 한 쌍(5A, 5B)이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치이다.
[0010] 본 발명의 제7의 형태는, 묘화 헤드(4X)에 의해 기판(10)을 노광하여 해당 기판 상에 직접적으로 회로를 그리는 노광 방법으로서,
한 개 이상의 기판 위치 마크(10a)를 갖는 상기 기판(10)이 놓여지고 또한 소정 방향으로 이동 가능한 기판 스테이지(5)를 설치하는 단계와,
묘화 헤드 좌표계를 가지며, 또한 상기 기판 스테이지(5)에 대해 소정 방향으로 상대적으로 이동하여 상기 기판(10) 상에 회로를 그리는 상기 묘화 헤드(4X)를 설치하는 단계와,
상기 기판 스테이지(5)와 일체적으로 설치되고, 한 개 이상의 기준 마크(9C)를 갖는 기준 마크 수단(9; 9A, 9B)을 설치하는 단계와,
기판 위치 검출 좌표계를 가지며, 또한 상기 기판 스테이지(5)에 대해 적어도 상기 소정 방향으로 상대적으로 이동하여 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)를 판독하는 기판(10)의 기판 위치 마크(10a)를 판독하는 기판 위치 검출 수단(6)을 설치하는 단계와,
상기 기판 스테이지(5)와 일체적으로 설치되고, 상기 묘화 헤드(4X)로부터의 광 빔(4a)과 상기 기준 마크 수단(9; 9A, 9B) 상의 기준 마크(9C)를 겹쳐서 판독하는 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)을 설치하는 단계를 구비하며,
상기 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)은, 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)와 상기 광 빔(4a)을 겹쳐서 판독하여 그 결과에 근거해서 상기 묘화 헤드 좌표계를 보정하고, 상기 기판 위치 검출 수단(6)은, 상기 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)이 판독한 것과 동일한 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)를 판독하여 그 결과에 근거해서 상기 기판 위치 검출 좌표계를 보정함으로써, 상기 묘화 헤드 좌표계와 상기 기판 위치 검출 좌표계를 서로 일치시키는 것을 특징으로 하는 노광 방법이다.
[0011] 본 발명의 제8의 형태는, 상기 묘화 헤드(4X)가 적어도 상기 소정 방향에 대해 위치가 고정되어 있고, 또한 상기 기판 스테이지(5) 및 기판 위치 검출 수단(6)이 상기 소정 방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 노광 방법이다.
[0012] 본 발명의 제9의 형태는, 상기 묘화 헤드(4X)가 적어도 상기 소정 방향에 대해 이동 가능하고, 또한 상기 기판 스테이지(5)가 적어도 상기 소정 방향에 대해 위치가 고정되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 방법이다.
[0013] 본 발명의 제10의 형태는, 상기 보정 작업을, 다른 기판(10)마다 매회 행하는 것을 특징으로 하는 노광 방법이다.
본 발명의 제11의 형태는, 상기 기판 스테이지(5)의 상기 기판(10) 상의 회로가 그려지는 기판면 레벨과, 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C) 레벨 의 높이 레벨이 동일해지도록 조정할 수 있는 높이 레벨 조정 수단(11)이 더 설치되는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 노광 방법이다.
[0014] 본 발명의 제12의 형태는, 상기 기판 스테이지(5)가, 상기 소정 방향상에 상기 묘화 헤드(4X)를 사이에 두고 서로 대향하여 한 쌍(5A, 5B)이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 방법이다.
[0015] 본 발명은, 공통(동일)의 기준 원기(基準原器)(9)에 기초하여 상기 묘화 헤드 좌표계와 상기 기판 위치 검출 좌표계의 보정을 행함으로써, 양(兩) 좌표계의 상관 관계를 구할 수 있으므로, 기판(10)의 회로의 묘화 정밀도를 향상시킬 수 있다.
[0016] 도 1은, 본 발명의 하나의 실시예에 따른 노광 장치의 개략적인 구성을 나타낸 사시도이다.
도 2는, 도 1에 도시된 노광 장치의 주요부의 정면도이다.
도 3은, 도 2 중, 좌측 기판 스테이지 부분의 확대 정면도이다.
도 4는, 도 1에 도시된 노광 장치의 주요부의 제1 공정을 나타낸 정면도이다.
도 5는, 도 1에 도시된 노광 장치의 주요부의 제2 공정을 나타낸 정면도이다.
도 6은, 도 1에 도시된 노광 장치의 주요부의 제3 공정을 나타낸 정면도이다.
도 7은, 도 1에 도시된 노광 장치의 주요부의 모든 공정을 나타낸 평면도이다.
도 8의 (A) 및 (B)는 각각, 기판 위치 검출 카메라와 기준 마크 부재의 구성 부분, 및 묘화 헤드와 기준 마크 부재의 구성 부분을 나타낸 확대 정면도이다.
도 9는, 기판 위치 검출 카메라와 기준 마크 부재를 나타낸 사시도이다.
도 10은, 묘화 헤드로부터의 광 빔과 기준 원기의 기준 마크 간의 위치 어긋남을 나타낸 도면이다.
도 11은, 기판 스테이지(5A 및 5B)에 관련하여, 세로축이 그 동작 단계를 나타내고, 가로축이 시간을 나타내는 타임 차트이다.
[0017] 도 1 내지 도 3은, 본 발명의 하나의 실시예에 따른 노광 장치의 개략적인 구성을 나타낸 사시도, 도 1에 도시된 노광 장치의 주요부의 정면도, 및 도 2 중의 좌측 기판 스테이지의 확대 정면도이다.
도 1 중, 노광 장치(1)는, 가대(架臺)(2) 상의 베드(3)(화살표 A 및 B 방향으로 연장되어 있음) 상에 놓여진, 묘화 헤드 유닛(4)(상기 화살표 A 및 B 방향과 직교하는 방향으로 복수(본 실시예에서는 5개)의 묘화 헤드(4X)를 가짐)과, 묘화 헤드 유닛(4)의 화살표 A 및 B 방향의 양측의 한 쌍의 기판 스테이지(5A 및 5B)(각각 기판(10A 및 10B)이 놓여짐)와, 마찬가지로 양측의 한 쌍의 기판 위치 검출 카메라 유닛(6A 및 6B)(각각 상기 직교 방향으로 예컨대 3개의 기판 위치 검출 카메라(6AX, 6BX)를 가짐)을 구비한다.
[0018] 또한, 묘화 헤드(4X)는, 기판(10) 상에 회로를 그리기 위한 묘화 헤드 좌표계를 구비하며, 또한 기판 위치 검출 카메라(6AX, 6BX)는, 기판(10) 상의 위치를 검출하기 위한 기판 위치 검출 좌표계를 구비하고 있다. 또한, 후술하는 바와 같이, 묘화 헤드(4X)는, 화살표 A 및 B 방향(메인(主) 주사 방향)뿐만 아니라, 그 직교 방향(서브(副) 주사 방향)으로도 왕복 이동이 가능하다.
[0019] 기판 스테이지(5A 및 5B)(각각 캐리지(carriage)(7A 및 7B)에 놓여져 있음)와, 기판 위치 검출 카메라 유닛(6A 및 6B)은 각각 화살표 A 및 B 방향으로 왕복 이동이 가능하다. 또한, 기판 위치 검출 카메라(6AX, 6BX)는 기판(10) 상의 위치를 검출하기 위해 화살표 A 및 B 방향뿐만 아니라, 그 직교 방향으로도 왕복 이동이 가능하도록 해도 된다.
[0020] 도 2 중, 8A 및 8B는 각각, 좌우의 기판 스테이지(5A 및 5B)에 일체적으로 부착된 한 쌍의 묘화 광 빔 검출 카메라(센서)이며, 5개의 묘화 헤드(4X)에 대응하여 각각 5개의 묘화 광 빔 검출 카메라(8A 및 8B)를 갖는다(도 9 참조).
또한, 9A 및 9B는 각각, 좌우의 캐리지(7A 및 7B)에 일체적으로 부착된 기준 원기이며, 복수 개의 기준 마크(9C)(도 9 참조)를 갖는다.
[0021] 또한 도 3 중, 11은 좌측 기판 스테이지(5A)의 높이를 조절하는 높이 조절 기구로서, 전동 모터(12)로부터 감속 기구(13)를 개재(介在)한 구동축(14)이 기판 스테이지(5A)의 플랜지부(5a)의 수직 방향의 긴 구멍(도시 생략)을 삽입통과하는 동시에 편심 캠(15)을 갖고 있어, 편심 캠(15)이 회전 구동됨으로써, 기판 스테이지(5A)가 가압되어 상하 방향으로 높이가 미세하게 조절되어 이동된다. 우측 기판 스테이지(5B)에 대해서도 동일한 높이 조절 기구가 설치된다.
[0022] 다음으로, 본 발명의 노광 장치(1)의 동작에 대해, 주로 도 4 내지 도 7 및 도 11(타임 차트)을 이용하여 설명한다. 참고로, 도 11은 세로축이 우측 기판 스테이지(5B) 및 좌측 기판 스테이지(5A)의 각 동작 단계(B1∼B7, A1∼A7)이며, 가로축은 각 동작 단계에 소요된 시간을 나타낸다.
[0023] 도 4 중, 우측 기판 스테이지(5B)(미(未)노광된 기판(10B)이 놓여져 있음)가, 화살표 B 방향 이동 한계인 대기 위치(도 7 중의 위치 10B1에 대응)로부터, 화살표 A 방향으로 이동하여, 도 4에 나타낸 묘화 준비 위치(도 7 중의 위치 10B2에 대응)에 도달한다(도 11의 단계 B1 참조). 이 묘화 준비 위치에 있어서, 묘화 헤드(4X)로부터의 광 빔(4a)이 우측 기준 원기(9B)의 기준 마크(9C) 부근을 통과하여 묘화 광 빔 검출 카메라(8B)에 의해 촬상되고, 기준 마크(9C)와 광 빔(4a)이 겹쳐져 판독된다(도 10 참조). 여기서, 기준 마크(9C)와 광 빔(4a)은 본래 일치되는 것이 바람직하지만, 묘화 헤드의 DMD가 열 등에 기인하여 미소한 위치 어긋남 δ1, 즉 묘화 헤드(4X)의 묘화 헤드 좌표계의 어긋남을 일으킨다. 따라서, 이 묘화 헤드 좌표계의 어긋남이 제로가 되도록 제어 회로(도시 생략)에 의해 소프트웨어적인 보정을 행한다(도 11의 단계 B2 참조). 이 보정 작업은 묘화 헤드(4X)가 기준 원기(9)(9A, 9B)에 대해 반복 대응할 때마다 행해지므로, 묘화 헤드(4X)의 기준 원기(9)에 대한 위치 교정(또는 보정)이 그때마다 행해지게 된다.
[0024] 그동안, 좌측 기판 스테이지(5A)는 그 이전의 묘화 종료 위치(도 7 중의 위치 10A2에 대응)로부터, 도 4에 나타낸 화살표 A 방향 이동 한계인 대기 위치(도 7 중의 위치 10A1에 대응)로 이동되어 있으며(도 11의 단계 A4 참조), 이 위치에서 기판 척(도시 생략)에 의해 노광·묘화가 종료된 기판(10A)이 제거되고, 새로운 미노광 기판(10A)이 기판 스테이지(5A) 상에 놓여진다(도 11의 단계 A5 및 A6 참조).
이 대기 위치에서, 도 4 중, 좌측 기판 위치 검출 카메라(6AX)가 좌측 기준 원기(9A)의 기준 마크(9C)를 촬상하였을 때, 카메라(6AX)의 촬상용 CCD의 열에 의한 흔들림 등에 기인하여 기준 마크(9C)와 촬상 중심 간의 위치 어긋남량 δ2, 즉 기판 위치 검출 카메라(6AX)의 기판 위치 검출 좌표계의 어긋남을 일으킨다. 따라서, 이 기판 위치 검출 좌표계의 어긋남이 제로가 되도록 제어 회로(도시 생략)에 의해 소프트웨어적인 보정을 행한다(도 11의 단계 A7 참조). 이 보정 작업은 기판 위치 검출 카메라(6AX)(또는 6BX)가 기준 원기(9)(9A, 9B)에 대해 반복 대응할 때마다 행해지므로, 기판 위치 검출 카메라(6AX, 6BX)의 기준 원기(9)에 대한 위치 교정(또는 보정)이 그때마다 행해지게 된다.
[0025] 이어서, 우측 기판 스테이지(5B)(우측 기판(10B)이 놓여짐)는, 도 4에 나타낸 묘화 준비 위치(도 7 중의 위치 10B2에 대응)로부터, 도 5에 나타낸 위치(도 7 중의 위치 10B3에 대응)까지 화살표 A 방향으로 이동하면서, 묘화 헤드(4X)로부터 광 빔(4a)을 우측 기판(10B)에 대해 조사하여, 직접적으로 회로를 그린다. 그리고, 묘화 헤드(4X)가 소정량만큼 서브 주사 방향으로 이동한 후, 우측 기판 스테이지(5B)는, 도 7 중의 위치 10B3으로부터 도 4에 나타낸 묘화 준비 위치(도 7 중의 위치 10B2에 대응)까지 화살표 B 방향으로 복귀 이동하면서, 묘화 헤드로부터 광 빔(4a)을 우측 기판(10B)에 대해 조사하여, 직접적으로 회로를 그린다. 이러한 일련의 왕복 이동에 의한 묘화 동작은, 기판의 서브 주사 방향으로 기판의 전체 폭이 묘화될 때까지 필요에 따라서 반복된다. 그러나, 필요가 없다면, 앞서 기술한 A 방향으로의 이동 및 묘화만으로 종료해도 된다(도 11의 단계 B3 참조). 이 회로 묘화 작업은, 그 이전에 우측 기판(10B)의 기판 위치 마크(10a)를 토대로 하여 우측 기판 위치 검출 카메라(6BX)로부터 얻어진 기판 위치(얼라인먼트) 정보(도 11의 단계 B7 참조)를 토대로 하여 행해진다.
[0026] 한편 그동안, 도 5에 나타낸 바와 같이, 대기 위치에 정지한 채로 있는 좌측 기판 스테이지(5A)에 놓여진 기판(10A)에 대해, 좌측 기판 위치 검출 카메라(6AX)가 화살표 A 방향으로 상대적으로 이동하면서, 기판(10A) 상에 설치된 기판 위치 마크(10a)(예컨대, 도 7에 있어서는 총 9군데의 마크(10a)가 존재하지만 9군데 이하 또는 이상의 개수여도 됨)를 촬상(판독)하여, 그려야 할 기판(10A)의 위치(얼라인먼트) 정보를 검출한다. 이를 얼라인먼트 작업이라고 부른다(도 11의 단계 A7 참조).
이어서, 도 6에 나타낸 바와 같이, 우측 기판 스테이지(5B)는 화살표 B 방향 이동 한계인 대기 위치(도 7 중의 위치 10B1에 대응)까지 되돌아오며(도 11의 단계 B4 참조), 이 대기 위치에서, 기판 척에 의해 상기와 같이 노광·묘화가 종료된 기판(10B)이 제거되고, 새로운 미노광 기판(10B)이 기판 스테이지(5B) 상에 놓여진다(도 11의 단계 B5 및 B6 참조). 또한 이 대기 위치에서, 우측 기판 위치 검출 카메라(6BX)가 우측 기준 원기(9B)의 기준 마크(9C)를 촬상하여, 도 4의 좌측 기판(10A)에서 언급한 경우와 마찬가지로 촬상한 기준 마크(9C)와 촬상 중심 간의 위치 어긋남량 δ2에 근거하여 기판 위치 검출 좌표계가 보정된다(도 11의 단계 B7 참조).
그동안, 도 6 중, 좌측 기판 스테이지(5A)가 화살표 B 방향으로 이동하여 묘화 준비 위치(도 7 중, 위치 10A2에 대응)에 있으며, 묘화 광 빔 검출 카메라(8A)가 묘화 헤드(4X)로부터의 광 빔(4a)과 좌측 기준 원기(9A)의 기준 마크(9C)를 겹쳐서 촬상하고 그 위치 어긋남 δ1에 근거하여 마찬가지로 묘화 헤드 좌표계가 보정된다.
[0027] 이어서, 우측 기판 스테이지(5B)가 대기 위치에 정지한 채로, 도 5의 기판(10A)에 대한 것과 동일한 얼라인먼트 작업이, 우측 기판 스테이지(5B)에 놓여진 기판(10B)에 대해 행해지고(도 11의 단계 B7 참조), 이후, 반복 작업이 마찬가지로 하여 행해진다.
[0028] 상기 구성 및 동작에 따르면, 예컨대 좌측 기판 스테이지(5A)에 주목해 보자면, 묘화 헤드(4X) 자체의 묘화 헤드 좌표계는, 묘화 광 빔 검출 카메라(8A)에 의해 판독한 광 빔(4a)과 기준 원기(9A)의 기준 마크(9C) 간의 어긋남량 δ1을 제로 보정함으로써 교정되고, 또한 기판 위치 검출 카메라(6AX) 자체의 기판 위치 검출 좌표계는 카메라 촬상 중심과 기준 원기(9A)의 기준 마크(9C) 간의 어긋남량 δ2를 제로 보정함으로써 교정된다. 또한, 기판 위치 검출 카메라(6AX)에 의해 기판 위치 마크(10a)를 판독할 때, 상기 2개의 좌표계가 제로 보정되고 있는 것에 기인하여, 실제의 기판의 위치를 정확하게 검출할 수 있어, 묘화 헤드(4X)에 의해 기판 상에 정확한 회로를 그릴 수가 있다. 그런데, 본 발명에서는 특히, 상기 2개의 좌표계의 보정 작업 시에, 동일한 기준 원기(9A)를 공통으로 사용하고 있기 때문에, 종래와 같이 쌍방의 좌표계에서 별개의 기준 원기를 사용한 경우에 비해, 상기 보정 후의 2개의 좌표계(묘화 헤드 좌표계 및 기판 위치 검출 좌표계)를 서로 일치시킬 수 있기 때문에, 상기 기판에 대한 묘화를 한층 더 높은 정밀도로 행할 수 있다. 이것은 우측 기판 스테이지(5B)에 대해서도 마찬가지이다. 또한, 「서로 일치」란, 엄밀하게 일치되는 것만을 의미하는 것은 아니며, 미소한 어긋남은 포함해도 된다.
[0029] 또한, 묘화 헤드(4X) 및 기판 위치 검출 카메라(6AX, 6BX)에 대한 교정 작업을, 기준 원기(9A)에 대향할 때마다, 즉 묘화 작업을 행할 때마다 매회 행하고 있으므로, 그 만큼 묘화 정밀도를 향상시킬 수 있다.
[0030] 또한, 상기 묘화 헤드 좌표계의 보정 작업과 상기 기판 위치 검출 좌표계의 보정 작업을 공통(동일)의 기준 원기(9A)를 이용하여 행하는 것이라면, 경우에 따라서는, 기준 마크(9C)는 공통되지(동일하지) 않고 상이해도 된다.
[0031] 또한, 일측(一方)의 기판 스테이지(5A)(또는 5B)에 있어서 기판(10)의 탈부착 및 기판 위치 검출 카메라(6)에 의한 촬상(판독) 작업이 행해지는 동안, 동시에 타측(他方)의 기판 스테이지(5B)(또는 5A)에 있어서 묘화 헤드(4X)에 의한 기판(10)에 대한 묘화 작업이 행해지기 때문에, 생산성을 해치는 일 없이, 충분한 시간을 들여서, 얼라인먼트 작업 및 좌표계 보정을 행할 수 있다.
[0032] 다음으로, 기판(10)(10A, 10B) 상면의 높이 조절 작업에 대해 설명한다. 묘화 헤드(4X)로부터의 광 빔(4a)의 초점 위치 및 기판 위치 검출 카메라(6AX, 6BX)에 의한 촬상의 초점 위치가, 기준 원기(9)(9A, 9B)의 검출용 기준 마크면과 기판(10)(10A, 10B) 상면의 쌍방에 일치하고 있는 것이 고정밀도의 묘화를 행하는 데 있어서 바람직하다.
[0033] 이를 위해, 도 3에 나타낸 바와 같이, 기판(10A)을 높이 방향으로 조절하는 높이 조절 기구(11)가 설치되어 있다. 동 도면에 있어서, 높이 조절 기구(11)는, 캐리지(7A)에, 전동 모터(12)와, 감속 기구(13)를 개재하여 설치한 구동축(14)과, 해당 구동축(14)에 설치한 편심 캠(15)을 가지며, 구동축(14)이 기판 스테이지(5A)에 설치한 플랜지부(5a)의 수직 방향의 긴 구멍(도시 생략)에 삽입통과되어 있다. 따라서, 전동 모터(12)가 구동되면 편심 캠(15)이 회전하여 기판 스테이지(5A)를 밀어 올려 상승시키거나 또는 중력에 의한 하강을 허용하여, 기판(10) 상면을 기준 원기(9A)의 기준 마크(9C)와 동일한 높이 위치가 되도록 조절한다. 또한, 기판 스테이지(5A)를 상하이동시키는 기구는 편심 캠에 한정되지 않고, 나사 기구 또는 테이퍼 기구를 이용한 기구 등의 다양한 기구를 고려할 수 있으며, 또한 기판(10)을 상하이동시키는 것이 아니라 기준 원기(9A)를 상하이동시켜도 된다. 참고로, 우측 기판(10B)에 대해서도 마찬가지이다.
[0034] 상기 실시예에서는, 묘화 헤드 유닛(4)은 화살표 A 및 B 방향(메인 주사 방향)의 위치가 고정되고, 또한 기판 스테이지(5A 및 5B)(각각 캐리지(7A 및 7B)에 놓여져 있음)와, 기판 위치 검출 카메라 유닛(6A 및 6B)이 각각, 동일 방향으로 왕복 이동 가능하였지만, 이에 한정되지 않으며, 기판 스테이지(5A 및 5B)가 화살표 A 및 B 방향으로 위치 고정되고, 묘화 헤드 유닛(4)이 이들 위치 고정된 기판 스테이지(5A 및 5B)에 대해 왕복 이동하도록 해도 되며, 또는 묘화 헤드 유닛(4) 및 기판 위치 검출 카메라(6)가 각각 위치 고정되고, 기판 스테이지(5A 및 5B)가 화살표 A 및 B 방향으로 왕복 이동 가능해도 된다.
[0035] 또한, 상기 실시예에서는, 묘화 헤드 유닛(4)의 복수의 묘화 헤드(4X)는 화살표 A 및 B 방향과 직교하는 방향으로 1열이었지만, 이에 한정되지 않으며, 상기 직교 방향으로 2열 이상 설치하고, 각 열끼리 묘화 헤드(4X)를 지그재그 형상으로 배열해도 되며, 이에 따르면 묘화 헤드(4X)가 서브 주사 방향으로 왕복 이동하는 거리를 열수(列數) 분의 1로 저감할 수 있다.
[0036] 이상, 몇 가지의 실시예에 근거하여 본 발명의 실시형태에 대해 설명하였지만, 상기한 발명의 실시형태는, 본 발명의 이해를 용이하게 하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것은 아니다. 본 발명은, 그 취지를 벗어나는 일 없이, 변경 및 개량될 수 있는 동시에, 본 발명에는 그 등가물이 포함되는 것은 물론이다. 또한, 상술한 과제 중 적어도 일부를 해결할 수 있는 범위, 또는, 효과 중 적어도 일부를 나타내는 범위에 있어서, 특허 청구 범위 및 명세서에 기재된 각 구성 요소의 조합, 또는, 생략이 가능하다.
[0037] 1 : 노광 장치
2 : 가대
3 : 베드
4 : 묘화 헤드 유닛
4X : 묘화 헤드
4a : 광 빔
5(5A, 5B) : 기판 스테이지
5a : 플랜지부
6(6A, 6B) : 기판 위치 검출 카메라 유닛
6AX, 6BX : 기판 위치 검출 카메라
7(7A, 7B) : 캐리지
8(8A, 8B) : 묘화 광 빔 검출 카메라
9(9A, 9B) : 기준 원기
9C : 기준 마크
10(10A, 10B) : 기판
10a : 기판 위치 마크
11 : 높이 조절 기구
12 : 전동 모터
13 : 감속 기구
14 : 구동축
15 : 편심 캠

Claims (12)

  1. 묘화(描畵) 헤드(4X)에 의해 기판(10)을 노광하여 해당 기판 상에 직접적으로 회로를 그리는 노광 장치로서,
    한 개 이상의 기판 위치 마크(10a)를 갖는 상기 기판(10)이 놓여진 기판 스테이지(5)와,
    묘화 헤드 좌표계를 가지며, 상기 기판 스테이지(5)에 대해 소정 방향으로 상대적으로 이동하여 상기 기판(10) 상에 회로를 그리는 상기 묘화 헤드(4X)와,
    상기 기판 스테이지(5)와 일체적으로 설치되고, 한 개 이상의 기준 마크(9C)를 갖는 기준 마크 수단(9; 9A, 9B)과,
    기판 위치 검출 좌표계를 가지며, 상기 기판 스테이지(5)에 대해 적어도 상기 소정 방향으로 상대적으로 이동하여 상기 기판(10)의 기판 위치 마크(10a)를 판독하는 기판 위치 검출 수단(6)과,
    상기 기판 스테이지(5)와 일체적으로 설치되고, 상기 묘화 헤드(4X)로부터의 광 빔(4a)과 상기 기준 마크 수단(9; 9A, 9B) 상의 기준 마크(9C)를 겹쳐서 판독하는 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)
    을 구비하며,
    상기 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)은, 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)와 상기 광 빔(4a)을 겹쳐서 판독하여 그 결과에 근거해서 상기 묘화 헤드 좌표계를 보정하고, 상기 기판 위치 검출 수단(6)은, 상기 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)이 판독한 것과 동일한 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)를 판독하여 그 결과에 근거해서 상기 기판 위치 검출 좌표계를 보정함으로써, 상기 묘화 헤드 좌표계와 상기 기판 위치 검출 좌표계를 서로 일치시키는,
    노광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 묘화 헤드(4X)는 적어도 상기 소정 방향에 대해 위치가 고정되어 있고, 또한 상기 기판 스테이지(5) 및 기판 위치 검출 수단(6)이 상기 소정 방향으로 이동 가능한,
    노광 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 묘화 헤드(4X)는 적어도 상기 소정 방향에 대해 이동 가능하고, 또한 상기 기판 스테이지(5)가 적어도 상기 소정 방향에 대해 위치가 고정되어 있는,
    노광 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보정 작업은, 다른 기판(10)마다 매회 행하는
    노광 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 스테이지(5)의 상기 기판(10) 상의 회로가 그려지는 기판면과, 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)면의 높이가 동일해지도록 조정할 수 있는 높이 조정 수단(11)이 더 설치되어 있는
    노광 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 스테이지(5)는, 상기 소정 방향상에 상기 묘화 헤드(4X)를 사이에 두고 서로 대향(對向)하여 한 쌍(5A, 5B)이 설치되어 있는
    노광 장치.
  7. 묘화 헤드(4X)에 의해 기판(10)을 노광하여 해당 기판 상에 직접적으로 회로를 그리는 노광 방법으로서,
    한 개 이상의 기판 위치 마크(10a)를 갖는 상기 기판(10)이 놓여지고 또한 소정 방향으로 이동 가능한 기판 스테이지(5)를 설치하는 것과,
    묘화 헤드 좌표계를 가지며, 또한 상기 기판 스테이지(5)에 대해 소정 방향으로 상대적으로 이동하여 상기 기판(10) 상에 회로를 그리는 상기 묘화 헤드(4X)를 설치하는 것과,
    상기 기판 스테이지(5)와 일체적으로 설치되고, 한 개 이상의 기준 마크(9C)를 갖는 기준 마크 수단(9; 9A, 9B)을 설치하는 것과,
    기판 위치 검출 좌표계를 가지며, 또한 상기 기판 스테이지(5)에 대해 적어도 상기 소정 방향으로 상대적으로 이동하여 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)를 판독하는 기판(10)의 기판 위치 마크(10a)를 판독하는 기판 위치 검출 수단(6)을 설치하는 것과,
    상기 기판 스테이지(5)와 일체적으로 설치되고, 상기 묘화 헤드(4X)로부터의 광 빔(4a)과 상기 기준 마크 수단(9; 9A, 9B) 상의 기준 마크(9C)를 겹쳐서 판독하는 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)을 설치하는 것
    을 구비하며,
    상기 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)은, 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)와 상기 광 빔(4a)을 겹쳐서 판독하여 그 결과에 근거해서 상기 묘화 헤드 좌표계를 보정하고, 상기 기판 위치 검출 수단(6)은, 상기 묘화 헤드 위치 검출 수단(8)이 판독한 것과 동일한 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)를 판독하여 그 결과에 근거해서 상기 기판 위치 검출 좌표계를 보정함으로써, 상기 묘화 헤드 좌표계와 상기 기판 위치 검출 좌표계를 서로 일치시키는,
    노광 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 묘화 헤드(4X)는 적어도 상기 소정 방향에 대해 위치가 고정되어 있고, 또한 상기 기판 스테이지(5) 및 기판 위치 검출 수단(6)이 상기 소정 방향으로 이동 가능한 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 묘화 헤드(4X)는 적어도 상기 소정 방향에 대해 이동 가능하고, 또한 상기 기판 스테이지(5)가 적어도 상기 소정 방향에 대해 위치가 고정되어 있는,
    노광 방법.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보정 작업은, 다른 기판(10)마다 매회 행하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  11. 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 스테이지(5)의 상기 기판(10) 상의 회로가 그려지는 기판면과, 상기 기준 마크 수단(9) 상의 기준 마크(9C)면의 높이가 동일해지도록 조정할 수 있는 높이 조정 수단(11)이 더 설치되는 단계를 갖는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  12. 제7항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 스테이지(5)는, 상기 소정 방향상에 상기 묘화 헤드(4X)를 사이에 두고 서로 대향하여 한 쌍(5A, 5B)이 설치되어 있는
    노광 방법.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006186302A (ja) * 2004-11-26 2006-07-13 Sanee Giken Kk 走査型露光用光源ユニット
JP2006330534A (ja) * 2005-05-30 2006-12-07 Nikon Corp 基準指標板、基準指標板の調整方法、露光装置及びマイクロデバイスの製造方法
JP2008233638A (ja) * 2007-03-22 2008-10-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置および描画方法
JP2010231062A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 描画装置および描画方法
JP6082884B2 (ja) * 2012-06-12 2017-02-22 サンエー技研株式会社 露光装置、露光方法
JP6117594B2 (ja) * 2013-03-29 2017-04-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置および描画方法
JP2017067888A (ja) * 2015-09-29 2017-04-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 描画装置および位置情報取得方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006250982A (ja) 2005-03-08 2006-09-21 Hitachi Via Mechanics Ltd マスクレス露光装置及びその露光方法並びに配線基板の製造方法

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