KR20220155320A - 폴리실란 조성물로부터 실란의 발생을 억제하기 위한 안정화제 및 실란의 발생의 억제 방법 - Google Patents

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KR20220155320A
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히데유키 다카기시
나오코 나카모토
아츠히코 사토
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메르크 파텐트 게엠베하
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Abstract

[과제] 폴리실란 조성물로부터 실란의 발생을 억제하기 위한 안정화제, 및 실란의 발생의 억제 방법을 제공하는 것. 폴리실란의 불활성화 방법, 및 폴리실란 불활성화 처리 조성물을 제공하는 것.
[해결 수단] 폴리실란 조성물로부터 실란의 발생을 억제하기 위한, 하기 화학식: CH2=CH-R1 (식 중, R1 은 C3-20 선형, 분지형 또는 시클릭 알킬기, C2-15 선형 또는 분지형 알케닐기, 또는 알케닐기로 치환된 C7-20 아릴기이다) 으로 표시되는 안정화제.

Description

폴리실란 조성물로부터 실란의 발생을 억제하기 위한 안정화제 및 실란의 발생의 억제 방법
본 발명은 폴리실란 조성물로부터 실란의 발생을 억제하기 위한 안정화제, 및 실란의 발생의 억제 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 폴리실란의 불활성화 방법, 및 폴리실란 불활성화 처리 조성물에 관한 것이다.
실리콘 필름은 비교적 높은 경도 및 밀봉성을 가지며, 반도체 제조 분야에서 다양한 용도에 사용된다. 구체적으로, 실리콘 필름은 기판, 회로 등의 하드 코팅 필름, 기체 차단 필름 및 기판 강도 향상 필름과 같은 용도에 사용된다.
고분자량 폴리실란은 용매 중에서의 이들의 용해도로 인해 진공 상태 없이, 코팅 용액을 적용하고 가열하는 것을 포함하는 간단한 공정으로 얇은 필름을 형성할 수 있다. 폴리실란은 액체 모세관 작용에 의해 반도체 장치의 층간 절연 필름의 미세한 홈을 채우기 위해 사용될 수 있다.
폴리실란은 오랜 저장 후에 분해되어 실란 기체 (SiH4 기체) 를 발생할 수 있는 것으로 알려져 있다. SiH4 기체는 매우 높은 휘발성을 가지며, 공기 중에서 자발적으로 발화될 수 있다. 안전성의 관점에서, 이러한 실란 기체는 오랜 시간 동안 알칼리 용액에 의한 가수분해, 금속 산화물을 사용한 흡착 제거 또는 연소와 같은 방법에 의해 처리되어 왔다. 그러나, 모든 이들 처리 방법은 장비를 사용할 필요가 있다. 또한, 이들 방법은 발생된 실란을 처리하기 위한 것이며, 실란 발생을 억제하기 위한 것이 아니다. 따라서, 처리가 완료될 때까지 위험이 존재한다.
폴리실란을 포함하는 코팅 용액을 적용하여 얇은 필름을 형성하는 경우, 예를 들어 스핀 코팅 방법이 사용될 수 있다. 상기 용액을 스핀 코팅 방법에 의해 기판 상에 코팅하는 경우, 에지 비드가 기판의 주변에 형성되고, 또한 용액이 기판의 후면으로 스며든다. 에지 비드의 존재로 인해 기판의 주변 부분에서 코팅 필름의 두께가 불균일해지는 것을 방지하기 위해서, 일반적으로 에지 비드 제거 처리 (이하, "EBR 처리" 라고 함) 가 수행된다. 코팅 용액의 코팅 후, 처리 용매를 기판의 표면측 상에 코팅 또는 분무하여 주변 부분에서 코팅 필름을 제거 (에지 커트) 한다. 또한, 기판의 후면 상에 스며들어 부착된 폴리실란을 제거하여 후면을 깨끗하게 하기 위해서 역 린스가 또한 수행된다. 역 린스 후의 이러한 린스 용액은 폴리실란을 포함한다.
또한, 후속 처리를 수행할 필요성에 따라 기판으로부터 코팅 필름을 제거할 필요가 있으며, 스핀 코터와 같은 코팅 장치 상에 증착된 폴리실란을 세정하거나 또는 제거할 필요가 있다. 이러한 처리 후의 제거제 등은 폴리실란을 포함한다.
폴리실란을 포함하는 이러한 린스 용액 및 제거제는 폐액 탱크에 일시적으로 보유될 수 있다. 폐액 탱크에서는 실란 기체가 발생하므로, 실란 기체를 상기에서 기술한 바와 같이 처리할 필요가 있다.
최근, 보다 정밀한 품질 관리, 확실한 안전성 등에 대한 요구에 부응하는 관점에서, 폴리실란을 보다 안전하고 보다 간단한 방식으로 사용할 수 있는 방법이 요구되고 있다.
본 발명의 목적은 폴리실란 조성물로부터 실란의 발생을 억제하기 위한 안정화제, 및 실란의 발생의 억제 방법을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명의 목적은 폴리실란의 불활성화 방법, 및 폴리실란 불활성화 처리 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 폴리실란 조성물로부터 실란의 발생을 억제하기 위한 안정화제는 하기 화학식으로 표시된다:
CH2=CH-R1
(식 중, R1
C3-20 선형, 분지형 또는 시클릭 알킬기,
C2-15 선형 또는 분지형 알케닐기, 또는
알케닐기로 치환된 C7-20 아릴기이다).
폴리실란 조성물로부터 실란의 발생이 상기에서 언급한 안정화제를 첨가함으로써 억제되는, 본 발명에 따른 안정화제의 용도.
상기에서 언급한 안정화제를 폴리실란과 공존시키는 것을 포함하는, 본 발명에 따른 실란의 발생의 억제 방법.
폴리실란 함유 폐액을 상기에서 언급한 안정화제와 혼합하는 것을 포함하는, 본 발명에 따른 폴리실란 함유 폐액의 불활성화 방법.
상기에서 언급한 안정화제 및 용매를 포함하는, 본 발명에 따른 폴리실란 불활성화 처리 조성물.
본 발명에 따르면, 폴리실란 조성물로부터 실란의 발생이 억제되고, 실란 농도가 간단한 방식으로 낮게 유지될 수 있다.
이하에서 본 발명의 구현예를 상세히 설명한다. 이하에서, 기호, 단위, 약어 및 용어는 본 명세서에서 달리 명시하지 않는 한, 하기의 의미를 가진다.
본 명세서에 있어서, 달리 특별히 언급하지 않는 한, 단수는 복수를 포함하며, "하나" 또는 "그것" 은 "적어도 하나" 를 의미한다. 본 명세서에 있어서, 달리 특별히 언급하지 않는 한, 하나의 개념의 요소는 복수의 종으로 표현될 수 있으며, 양 (예를 들어, 질량% 또는 mol%) 이 기재되는 경우, 이것은 복수의 종의 합을 의미한다. "및/또는" 은 모든 요소의 조합을 포함하며, 또한 요소의 단일 사용도 포함한다.
본 명세서에 있어서, 수치 범위가 "내지" 또는 "-" 를 사용하여 표시되는 경우, 이들은 양쪽 끝점을 포함하며, 이들의 단위는 공통이다. 예를 들어, 5 내지 25 mol% 는 5 mol% 이상 25 mol% 이하를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 탄화수소는 탄소 및 수소를 포함하는 것, 및 임의로 산소 또는 질소를 포함하는 것을 의미한다. 히드로카르빌기는 1가 또는 2가 또는 고가의 탄화수소를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 지방족 탄화수소는 선형, 분지형 또는 시클릭 지방족 탄화수소를 의미하며, 지방족 탄화수소기는 1가 또는 2가 또는 고가의 지방족 탄화수소를 의미한다. 방향족 탄화수소는 치환기로서 지방족 탄화수소기를 임의로 포함할 수 있을 뿐만 아니라 지환족과 축합될 수 있는 방향족 고리를 포함하는 탄화수소를 의미한다. 방향족 탄화수소기는 1가 또는 2가 또는 고가의 방향족 탄화수소를 의미한다. 또한, 방향족 고리는 공액 불포화 고리 구조를 포함하는 탄화수소를 의미하며, 지환족은 고리 구조를 포함하지만 공액 불포화 고리 구조를 포함하지 않는 탄화수소를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 알킬은 선형 또는 분지형, 포화 탄화수소로부터 임의의 하나의 수소를 제거함으로써 수득되는 기를 의미하며, 선형 알킬 및 분지형 알킬을 포함하고, 시클로알킬은 시클릭 구조를 포함하는 포화 탄화수소로부터 하나의 수소를 제거함으로써 수득되는 기를 의미하며, 필요에 따라 시클릭 구조 내에 측쇄로서 선형 또는 분지형 알킬을 포함한다.
본 명세서에 있어서, 알케닐은 하나의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 선형 또는 분지형 탄화수소의 탄소로부터 임의의 하나의 수소를 제거함으로써 수득되는 기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, 아릴은 방향족 탄화수소로부터 임의의 하나의 수소를 제거함으로써 수득되는 기를 의미한다. 알킬렌은 선형 또는 분지형, 포화 탄화수소로부터 임의의 2 개의 수소를 제거함으로써 수득되는 기를 의미한다. 아릴렌은 방향족 탄화수소로부터 임의의 2 개의 수소를 제거함으로써 수득되는 탄화수소기를 의미한다.
본 명세서에 있어서, "Cx-y", "Cx-Cy" 및 "Cx" 와 같은 기재는 분자 또는 치환기에서의 탄소수를 의미한다. 예를 들어, C1-6 알킬은 1 내지 6 개의 탄소를 갖는 알킬 (예컨대, 메틸, 에틸, 프로필, 부틸, 펜틸 및 헥실) 을 의미한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 바와 같은 플루오로알킬은 알킬에서의 하나 이상의 수소가 불소로 대체된 것을 지칭하며, 플루오로아릴은 아릴에서의 하나 이상의 수소가 불소로 대체된 것이다.
본 명세서에 있어서, 중합체가 복수 유형의 반복 단위를 포함하는 경우, 이들 반복 단위는 공중합된다. 이들 공중합은 교대 공중합, 랜덤 공중합, 블록 공중합, 그래프트 공중합, 또는 이들의 임의의 혼합 중 임의의 것일 수 있다.
본 명세서에 있어서, "%" 는 중량% 를 나타내며, "비율" 은 중량비를 나타낸다.
본 명세서에 있어서, 온도 단위로서 섭씨를 사용한다. 예를 들어, 20° 는 20 ℃ 를 의미한다.
<안정화제>
본 발명에 따른 안정화제는 폴리실란 조성물로부터 실란의 발생을 억제하기 위해 사용되며, 하기 화학식으로 표시된다:
CH2=CH-R1
(식 중, R1
C3-20 선형, 분지형 또는 시클릭 알킬기,
C2-15 선형 또는 분지형 알케닐기, 또는
알케닐기로 치환된 C7-20 아릴기이다).
바람직하게는, R1
(i) C3-20 선형 또는 분지형 알킬기,
(ii) C5-8 시클릭 알킬기,
(iii) 말단에 불포화 결합을 갖는 C3-15 선형 알케닐기, 또는
(iv) 말단에 불포화 결합을 갖는 알케닐기로 치환된 C7-10 페닐기
이다.
R1 이 (i) 인 경우, 안정화제의 예는 1-펜텐, 1-헥센, 3-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 3,3-디메틸-1-부텐, 1-헵텐, 5-메틸-1-헥센, 1-옥텐, 1-노넨, 1-데센, 1-도데센, 1-테트라데센, 1-헥사데센 및 1-옥타데센을 포함한다.
R1 이 (ii) 인 경우, 안정화제는 바람직하게는 5 원 고리 또는 6 원 고리이며, 안정화제의 예는 비닐시클로펜탄, 비닐시클로헥산 및 알릴시클로헥산을 포함한다.
R1 이 (iii) 인 경우, 안정화제의 예는 1,4-펜타디엔, 1,5-헥사디엔, 1,6-헵타디엔, 1,7-옥타디엔, 1,8-노나디엔, 1,9-데카디엔, 1,10-운데카디엔 및 1,11-도데카디엔을 포함한다.
R1 이 (iv) 인 경우, 안정화제의 예는 1,2-디비닐벤젠, 1,3-디비닐벤젠 및 1,4-디비닐벤젠을 포함한다.
본 발명에 따른 안정화제는 2 종 이상의 상기에서 기술한 화합물을 함유하는 혼합물일 수 있다.
본 발명에 따른 안정화제는 일반적으로 임의의 폴리실란 조성물에 적용될 수 있다. 폴리실란 조성물은 폴리실란으로만 이루어질 수 있으며, 폴리실란 이외의 성분, 예를 들어 용매를 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 안정화제에 의해 안정화될 수 있는 폴리실란은 Si-Si 결합으로만 이루어진 주쇄를 갖는 선형, 분지형 또는 시클릭 화합물이면, 특별히 제한되지 않는다. 분지형 구조를 갖는 폴리실란은 이의 보다 많은 말단기로 인해 실란의 발생을 억제하는 효과를 발휘하기가 보다 쉽기 때문에 바람직하다.
폴리실란은 본 발명에 따른 안정화제의 효과가 더 높아지기 때문에, 바람직하게는 폴리퍼하이드로실란이다.
폴리실란의 질량 분자량은 특별히 제한되지 않는다. 폴리실란의 질량 분자량이 300 내지 10,000, 보다 바람직하게는 500 내지 5,000 인 경우, 이것은 본 발명에 따른 안정화제의 효과가 더 높기 때문에 바람직하다. 질량 평균 분자량은 폴리스티렌 환산의 질량 평균 분자량이며, 이것은 폴리스티렌을 기준으로 하는 겔 투과 크로마토그래피에 의해 측정될 수 있다.
폴리실란 조성물로부터 실란의 발생은, 본 발명에 따른 안정화제를 폴리실란 조성물에 첨가하여 안정화제를 폴리실란과 공존시킴으로써 억제할 수 있다. 이론에 얽매이는 것은 아니지만, 이것은 다음과 같은 이유 때문이라고 여겨진다.
본 발명에 따른 안정화제는 말단에 C-C 이중 결합을 가진다. 폴리실란은 분해되어 실릴렌 라디칼을 형성하며, 실릴렌 라디칼은 다른 폴리실란과 반응하여 폴리실란의 분자량을 증가시킨다. 실릴렌 라디칼은 이중 결합을 갖는 화합물과 결합하여 안정한 화합물을 형성하기 쉽다. 따라서, 본 발명에 따른 안정화제를 폴리실란과 공존시키면, 형성된 실릴렌 라디칼과 안정화제의 반응으로 인한 폴리실란의 추가의 중합을 방지할 수 있다. 폴리실란의 분자량이 높을수록, 짧은 시간에 더 많은 실란 기체가 발생한다. 그러므로, 본 발명에 따른 안정화제를 사용하여 추가의 중합 반응을 억제함으로써 실란 기체 발생량이 감소될 수 있다.
본 발명에 따른 안정화제의 몰수는 폴리실란에 함유된 Si 의 몰수에 대해서, 바람직하게는 10 내지 1,000 mol%, 및 보다 바람직하게는 50 내지 300 mol% 이다.
<폴리실란 불활성화 처리 조성물>
본 발명에 따른 폴리실란 불활성화 처리 조성물 (이하, 때때로 "처리 조성물" 이라고 함) 은 상기에서 기술한 안정화제 및 용매를 포함한다. 본 발명에 따른 폴리실란 불활성화 처리 조성물은 에지 비이드 제거 처리 조성물 또는 폐액 처리 조성물로서 적합하게 사용될 수 있다.
용매는 안정화제를 균일하게 용해시키는 것으로부터 선택된다. 특히, 용매의 예는 에틸렌 글리콜 모노알킬 에테르, 예컨대 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르 및 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르; 디에틸렌 글리콜 디알킬 에테르, 예컨대 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디프로필 에테르 및 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르; 에틸렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 예컨대 메틸 셀로솔브 아세테이트 및 에틸 셀로솔브 아세테이트; 프로필렌 글리콜 모노알킬 에테르, 예컨대 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 (PGME) 및 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르; 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 아세테이트, 예컨대 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (PGMEA), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르 아세테이트 및 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르 아세테이트; 방향족 탄화수소, 예컨대 벤젠, 톨루엔, 자일렌 및 메시틸렌; 케톤, 예컨대 메틸 에틸 케톤, 아세톤, 메틸 아밀 케톤, 메틸 이소부틸 케톤 및 시클로헥사논; 알코올, 예컨대 이소프로판올 및 프로판디올; 및 지환족 탄화수소, 예컨대 시클로옥탄 및 데칼린을 포함한다. 시클로옥탄, 톨루엔, 데칼린 및 메시틸렌이 바람직하다.
이들 용매는 단독으로 또는 이들 중 임의의 2 종 이상을 조합하여 사용될 수 있다.
용매의 혼합비는 용도에 따라 다르다. 용매 이외의 다른 성분의 비율은 바람직하게는 1 내지 96 질량%, 및 보다 바람직하게는 2 내지 60 질량% 이다.
본 발명에 따른 처리 조성물에 있어서, 필요한 경우, 추가의 화합물이 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 정도로 포함될 수 있다. 안정화제 및 용매 이외의 성분의 비율은 바람직하게는 10 질량% 이하, 및 보다 바람직하게는 5 질량% 이하이다.
이하에서, 실시예에 의해 본 발명을 설명한다. 이들 실시예는 설명을 위한 것이며, 본 발명의 범위를 제한하려는 것이 아니다.
이하의 설명에서, "부" 는 달리 명시하지 않는 한, 질량 기준이다.
하기의 합성예 및 실시예에서 폴리실란을 처리하는 단계는 질소 분위기하에서 1.0 ppm 이하의 산소 농도 및 -76.0 ℃ 이하의 이슬점 온도를 갖도록 조절된 글로브 박스 내에서 모두 수행된다.
폴리실란의 합성
교반기 팁을 50 mL 스크류 튜브에 넣고, 이것에 30 g (0.166 mol) 의 시클로헥사실란을 첨가하고, 교반기를 사용하여 교반한다. 여기에서, 광원으로서 수은 크세논 램프를 사용하여 365 nm 의 파장을 갖는 자외선을 8.5 J/㎠ 조사한다. 자외선 조사 후, 이것을 시클로옥탄에 용해시키고, 고체 함량이 19 질량% 가 되도록 시클로옥탄을 첨가한다. 수득된 폴리실란의 질량 평균 분자량은 800 이다.
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 및 2
20 mL 유리 시린지 바이알 (ASLAB2017-V, SCW223: AS ONE Corporation) 에, 합성예에서 수득한 0.2 g 의 시클로옥탄 용액 및 표 1 에 기재한 안정화제를 첨가한다. 이어서, 폴리실란의 농도가 용액의 총 질량에 대해서 10 질량% 가 되도록 시클로옥탄을 첨가한다. 비교예 1 은 안정화제를 함유하지 않는다는 것에 주목한다.
시린지 바이알의 기체 상은 공기이며, 밀봉되어 있다. 동일한 조건인 3 개의 시린지 바이알을 준비하고, 이들을 23 ± 1 ℃ 에서 72 시간 동안 저장한다. 72 시간 후, 기체 상에서의 실란 농도를 기체 크로마토그래피에 의해 측정한다. 3 회 측정한 값의 평균 값을 측정 값으로서 사용한다.
표 1
Figure pct00001
실란 농도의 측정
기체 상에서의 실란 농도를 GC-8A 기체 크로마토그래피 (Shimadzu Corporation), 캐리어 가스: N2, 컬럼: PoraPak Q80/100, 검출기: TCD 에 의해 측정한다. 보정은 1000 ppm 실란 표준 기체를 사용하여 수행한다.

Claims (11)

  1. 폴리실란 조성물로부터 실란의 발생을 억제하기 위한, 하기 화학식:
    CH2=CH-R1
    (식 중, R1
    C3-20 선형, 분지형 또는 시클릭 알킬기,
    C2-15 선형 또는 분지형 알케닐기, 또는
    알케닐기로 치환된 C7-20 아릴기이다)
    으로 표시되는 안정화제.
  2. 제 1 항에 있어서, R1
    C3-20 선형 또는 분지형 알킬기,
    C5-8 시클릭 알킬기,
    말단에 불포화 결합을 갖는 C3-15 선형 알케닐기, 또는
    말단에 불포화 결합을 갖는 알케닐기로 치환된 C7-10 페닐기인 안정화제.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 안정화제가 1-펜텐, 1-헥센, 3-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 3,3-디메틸-1-부텐, 1-헵텐, 5-메틸-1-헥센, 1-옥텐, 1-노넨, 1-데센, 1-도데센, 1-테트라데센, 1-헥사데센, 1-옥타데센, 비닐시클로펜탄, 비닐시클로헥산, 알릴시클로헥산, 1,4-펜타디엔, 1,5-헥사디엔, 1,6-헵타디엔, 1,7-옥타디엔, 1,8-노나디엔, 1,9-데카디엔, 1,10-운데카디엔, 1,11-도데카디엔, 1,2-디비닐벤젠, 1,3-디비닐벤젠 및 1,4-디비닐벤젠으로 이루어진 군에서 선택되는 안정화제.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 폴리실란이 폴리퍼하이드로실란인 안정화제.
  5. 폴리실란 조성물로부터 실란의 발생이 안정화제를 첨가함으로써 억제되는, 제 1 항 내지 제 4 항 중 하나 이상의 항에 따른 안정화제의 용도.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 하나 이상의 항에 따른 안정화제를 폴리실란과 공존시키는 것을 포함하는, 실란의 발생의 억제 방법.
  7. 폴리실란 함유 폐액을 하기 화학식:
    CH2=CH-R1
    (식 중, R1
    C3-20 선형, 분지형 또는 시클릭 알킬기,
    C2-15 선형 또는 분지형 알케닐기, 또는
    알케닐기로 치환된 C7-20 아릴기이다)
    으로 표시되는 안정화제와 혼합하는 것을 포함하는, 폴리실란 함유 폐액의 불활성화 방법.
  8. 하기 화학식:
    CH2=CH-R1
    (식 중, R1
    C3-20 선형, 분지형 또는 시클릭 알킬기,
    C2-15 선형 또는 분지형 알케닐기, 또는
    알케닐기로 치환된 C7-20 아릴기이다)
    으로 표시되는 안정화제; 및
    용매를 포함하는 폴리실란 불활성화 처리 조성물.
  9. 제 8 항에 있어서, R1
    C3-20 선형 또는 분지형 알킬기,
    C5-8 시클릭 알킬기,
    말단에 불포화 결합을 갖는 C3-15 선형 알케닐기, 또는
    말단에 불포화 결합을 갖는 알케닐기로 치환된 C7-10 페닐기
    인 조성물.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 안정화제가 1-펜텐, 1-헥센, 3-메틸-1-펜텐, 4-메틸-1-펜텐, 3,3-디메틸-1-부텐, 1-헵텐, 5-메틸-1-헥센, 1-옥텐, 1-노넨, 1-데센, 1-도데센, 1-테트라데센, 1-헥사데센, 1-옥타데센, 비닐시클로펜탄, 비닐시클로헥산, 알릴시클로헥산, 1,4-펜타디엔, 1,5-헥사디엔, 1,6-헵타디엔, 1,7-옥타디엔, 1,8-노나디엔, 1,9-데카디엔, 1,10-운데카디엔, 1,11-도데카디엔, 1,2-디비닐벤젠, 1,3-디비닐벤젠 및 1,4-디비닐벤젠으로 이루어진 군에서 선택되는 조성물.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 하나 이상의 항에 있어서, 조성물이 에지 비이드 제거 처리 조성물 또는 폐액 처리 조성물인 조성물.
KR1020227034942A 2020-03-18 2021-03-15 폴리실란 조성물로부터 실란의 발생을 억제하기 위한 안정화제 및 실란의 발생의 억제 방법 KR20220155320A (ko)

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