KR20220145437A - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220145437A
KR20220145437A KR1020210051544A KR20210051544A KR20220145437A KR 20220145437 A KR20220145437 A KR 20220145437A KR 1020210051544 A KR1020210051544 A KR 1020210051544A KR 20210051544 A KR20210051544 A KR 20210051544A KR 20220145437 A KR20220145437 A KR 20220145437A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
suction
flow line
chemical
sludge
Prior art date
Application number
KR1020210051544A
Other languages
English (en)
Inventor
백승대
허금동
이강원
공운
Original Assignee
주식회사 제우스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 제우스 filed Critical 주식회사 제우스
Priority to KR1020210051544A priority Critical patent/KR20220145437A/ko
Priority to TW111113207A priority patent/TWI828106B/zh
Priority to US17/725,054 priority patent/US20220344177A1/en
Priority to CN202210424527.1A priority patent/CN115223848A/zh
Publication of KR20220145437A publication Critical patent/KR20220145437A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/02—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work
    • B05C5/0208—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work the liquid or other fluent material being discharged through an outlet orifice by pressure, e.g. from an outlet device in contact or almost in contact, with the work for applying liquid or other fluent material to separate articles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/14—Removing waste, e.g. labels, from cleaning liquid; Regenerating cleaning liquids
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
    • B08B5/04—Cleaning by suction, with or without auxiliary action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02076—Cleaning after the substrates have been singulated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

기판처리장치 및 기판처리방법에 대한 발명이 개시된다. 본 발명의 기판처리장치는: 컵하우징에서 슬러지를 흡입하는 흡입노즐부; 슬러지와 약액이 유동되도록 흡입노즐부에 연결되는 유동라인부; 슬러지와 약액이 유입되도록 유동라인부에 연결되는 흡입탱크부; 및 흡입노즐부와 유동라인부에 흡입압력을 형성하도록 유동라인부에 설치되는 이젝터부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{WAFER PROCESSING APPARATUS AND WAFER PROCESSING METHOD}
본 발명은 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판이 재오염되는 것을 방지하고, 유동라인부가 막히는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 공정에서는 기판을 식각하는 식각공정과, 기판을 복수의 다이로 절단하는 싱귤레이션공정과, 기판을 세정하는 세정공정 등이 수행된다. 기판 식각공정이나 세정공정에서 기판처리장치가 사용된다.
기판처리장치는 컵하우징과, 컵하우징의 내부에 회전 가능하게 설치되며, 상부에 기판이 안착되는 회전척부와, 기판에 약액을 분사하는 분사노즐부를 포함한다. 회전척부가 회전되는 상태에서 분사노즐부가 약액을 기판에 분사한다.
그러나, 종래에는 기판의 처리가 완료된 후 기판의 표면에 이물질이 잔존하는 경우, 후속 공정에서 기판 불량이 발생될 수 있다.
또한, 기판 처리 공정이 종료된 후 분사노즐부에 잔존하는 약액과 슬러지가 기판에 떨어짐에 따라 기판이 재오염될 수 있다.
본 발명의 배경기술은 대한민국 공개특허공보 제2020-0045071호(2020. 05. 04 공개, 발명의 명칭: 액 공급 노즐 및 기판 처리 장치)에 개시되어 있다.
본 발명의 목적은 기판이 재오염되는 것을 방지하고, 유동라인부가 막히는 것을 방지할 수 있는 기판처리장치 및 기판처리방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 기판처리장치는: 컵하우징에서 슬러지를 흡입하는 흡입노즐부; 상기 슬러지와 약액이 유동되도록 상기 흡입노즐부에 연결되는 유동라인부; 상기 슬러지와 상기 약액이 유입되도록 상기 유동라인부에 연결되는 흡입탱크부; 및 상기 흡입노즐부와 상기 유동라인부에 흡입압력을 형성하도록 상기 유동라인부에 설치되는 이젝터부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 이젝터부는, 상기 유동라인부에 흡입되는 상기 슬러지와 상기 약액이 유입되는 이젝터 바디부; 및 상기 이젝터 바디부에 가스를 공급하도록 상기 이젝터 바디부에 연결되는 가스공급부를 포함할 수 있다.
상기 흡입탱크부는, 상기 유동라인부에 연결되는 흡입탱크 바디부; 상기 유동라인부에서 배출되는 상기 슬러지가 여과되도록 상기 흡입탱크 바디부의 내부에 배치되는 필터부; 및 상기 필터부에서 여과된 상기 약액이 배출되도록 상기 흡입탱크 바디부에 연결되는 드레인부를 포함할 수 있다.
상기 필터부는 상기 유동라인부와 상기 드레인부 사이에 적층되는 복수의 필터를 포함하고, 복수의 상기 필터는 상기 드레인부 측으로 갈수록 작은 메쉬를 가질 수 있다.
상기 기판처리장치는 상기 흡입탱크 바디부와 상기 드레인부에 연결되는 오버플로우 라인부를 더 포함할 수 있다.
상기 오버플로우 라인부는 상기 흡입탱크부에서 상기 필터부의 상측에 연결될 수 있다.
상기 기판처리장치는 상기 흡입탱크 바디부의 상기 약액이 상기 오버플로우 라인부에 유입되는 것을 감지하는 오버플로우 감지부를 더 포함할 수 있다.
상기 기판처리장치는 상기 흡입탱크부의 약액흄과 상기 기체를 배출시키도록 상기 흡입탱크부에 연결되는 배출라인부를 더 포함할 수 있다.
상기 기판처리장치는 상기 컵하우징의 기판에 상기 약액을 분사하는 분사노즐부를 더 포함하고, 상기 분사노즐부이 상기 기판에 상기 약액을 분사할 때에 상기 흡입노즐부는 상기 약액에 부유하는 상기 슬러지를 흡입할 수 있다.
상기 이젝터부는 기판 처리 공정이 종료된 후 기 설정된 시간동안 상기 흡입노즐부와 상기 유동라인부에 흡입압력을 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 기판처리방법은: 컵하우징에 약액이 공급되고, 기판이 처리되는 단계; 이젝터부가 흡입노즐부와 유동라인부에 흡입압력을 발생시키는 단계; 상기 약액의 상측에 부유되는 슬러지와 상기 약액을 상기 흡입노즐부에서 흡입하는 단계; 및 상기 유동라인부에서 유동되는 상기 슬러지와 상기 약액이 흡입탱크부에 유입되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 이젝터부가 상기 흡입노즐부와 상기 유동라인부에 흡입압력을 발생시키는 단계에서는, 상기 이젝터부가 상기 유동라인부에 가스를 공급할 수 있다.
상기 유동라인부에서 유동되는 상기 슬러지와 상기 약액이 상기 흡입탱크부에 유입되는 단계에서는, 상기 흡입탱크부에 유입되는 약액이 필터부에서 여과된 후 드레인부를 통해 배출되고, 상기 흡입탱크부에서 발생되는 약액흄과 상기 기체가 배출라인부를 통해 배출될 수 있다.
상기 기판처리방법은 오버플로우 감지부가 상기 흡입탱크부에서 상기 약액이 오버플로우되는 것을 감지하는 단계; 및 상기 오버플로우 감지부에서 상기 약액의 오버플로우가 감지되면, 제어부가 상기 컵하우징에 상기 약액의 공급을 중단하도록 제어하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 기판처리방법은 상기 이젝터부가 기판 처리 공정이 종료된 후 기 설정된 시간동안 상기 흡입노즐부와 상기 유동라인부에 흡입압력을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따르면, 이젝터부가 유동라인부에 설치되므로, 흡입노즐부가 확관되게 형성되고, 이젝터부의 크기를 증가시킬 수 있다. 따라서, 흡입노즐부와 이젝터부가 슬러지에 의해 막히는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 이젝터부가 기판 처리 공정이 종료된 후 기 설정된 시간 동안 구동되므로, 흡입노즐부에 약액이 잔류하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 흡입노즐부에 잔류되는 약액에 의해 기판이 재오염되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 흡입탱크부를 개략적으로 도시한 확대도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 노즐암을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 노즐암의 선회 각도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 흡입노즐부와 분사노즐부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 기판처리장치 및 기판처리방법의 일 실시예를 설명한다. 기판처리장치 및 기판처리방법을 설명하는 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 흡입탱크부를 개략적으로 도시한 확대도이고, 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 노즐암을 개략적으로 도시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 노즐암의 선회 각도를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치에서 흡입노즐부와 분사노즐부를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(100)는 흡입노즐부(125), 유동라인부(130), 흡입탱크부(140) 및 이젝터부(150)를 포함한다.
컵하우징(112)의 내부에는 회전척부(110)가 회전 가능하게 설치된다. 회전척부(110)의 상측에는 웨이퍼와 같은 기판(W)이 안착된다. 기판(W)은 복수의 다이(미도시)가 메트릭스 형태로 절단된 상태일 수 있다. 복수의 다이() 사이의 틈새에는 이물질이 잔존할 수 있다.
컵하우징(112)의 외측에는 노즐암(120)이 설치된다. 노즐암(120)은 구동부(122)에 연결된다. 노즐암(120)은 구동부(122)에 의해 컵하우징(112)의 상하방향으로 이동되고, 컵하우징(112)의 외측에서 내측으로 회전 가능하게 설치된다.
노즐암(120)에는 흡입노즐부(125) 및 분사노즐부(126,127)가 설치된다. 분사노즐부(126,127)는 제1분사노즐부(126) 및 제2분사노즐부(127)를 포함한다. 흡입노즐부(125)는 컵하우징(112)에 수용된 약액과 슬러지를 흡입하도록 약액에 침지된다. 또한, 제1분사노즐부(126)와 제2분사노즐부(127)는 약액을 회전척부(110)에 안착된 기판(W)에 분사하도록 약액에서 일정 높이 이격되게 배치된다. 제1분사노즐부(126)는 순수수와 질소가 혼합된 약액을 기판(W)에 분사한다. 제2분사노즐부(127)는 질소가 혼합되지 않은 약액을 기판(W)에 분사한다. 제1분사노즐부(126)과 제2분사노즐부(127) 중 하나에서 약액을 분사하여 기판(W)을 처리할 때에 흡입노즐부(125)는 약액에 부유하는 슬러지를 흡입한다.
약액은 기판(W)의 처리공정, 기판(W)의 처리속도 및 기판(W)의 소재 등에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
기판(W)이 회전척부(110)에 안착된 후 노즐암(120)이 컵하우징(112)의 상측으로 이동된다. 제1분사노즐부(126) 또는 제2분사노즐부(127)에서 약액을 기판(W)에 분사한다. 약액이 기판(W)에 분사됨에 따라 다이 사이의 틈새에 잔존하는 이물질 등이 약액의 상측으로 떠올라 부유하게 된다. 기판(W)에 잔존하는 이물질을 슬러지라고 칭하기로 한다.
유동라인부(130)는 슬러지와 약액이 유동되도록 흡입노즐부(125)에 연결된다. 유동라인부(130)에 흡입압력이 발생되면, 흡입노즐부(125)는 약액의 상측에서 부유하는 슬러지를 흡입한다. 흡입노즐부(125)에 흡입된 슬러지와 약액은 유동라인부(130)에서 유동된다.
흡입탱크부(140)는 슬러지와 약액이 유입되도록 유동라인부(130)에 연결된다. 흡입탱크부(140)의 내부에는 슬러지와 약액이 흡입되도록 대기압보다 낮은 음압이 형성된다.
이젝터부(150)는 흡입노즐부(125)와 유동라인부(130)에 흡입압력을 형성하도록 유동라인부(130)에 설치된다. 이젝터부(150)가 유동라인부(130)에 설치되므로, 흡입노즐부(125)에 이젝터부(150)가 설치되는 구조에 비해 흡입노즐부(125)를 확관시킬 수 있다. 또한, 이젝터부(150)의 크기를 증가시킬 수 있다. 따라서, 흡입노즐부(125)와 이젝터부(150)가 슬러지에 의해 막히는 것을 방지할 수 있다.
이젝터부(150)는 기판 처리 공정이 종료된 후 기 설정된 시간 동안 구동될 수 있다. 예를 들면, 기판 처리 공정이 종료된 후 이젝터부(150)가 대략 3-5분 정도 구동된다. 따라서, 흡입노즐부(125)와 유동라인부(130)에 잔류하는 슬러지와 약액이 흡입탱크부(140)에 완전히 배출되므로, 흡입노즐부(125)에서 약액이 떨어져 기판(W)을 재오염시키는 것을 방지할 수 있다.
이젝터부(150)는 이젝터 바디부(151)와 가스공급부(153)를 포함한다. 이젝터 바디부(151)에는 유동라인부(130)에 흡입되는 슬러지와 약액이 유입된다. 가스공급부(153)는 이젝터 바디부(151)에 가스를 공급하도록 이젝터 바디부(151)에 연결된다. 가스로는 폭발성이나 약액에 화학적으로 결합되는 것을 방지하는 수소가스를 제시하다. 가스공급부(153)가 이젝터 바디부(151)에 가스를 공급하므로, 이젝터 바디부(151)의 내부에 대기압보나 낮은 흡입압력이 발생된다. 또한, 이젝터 바디부(151)의 가스가 흡입탱크부(140)에 유입된 후 배기되므로, 흡입탱크부(140)의 내부에 음압이 형성된다.
흡입탱크부(140)는 흡입탱크 바디부(141), 필터부(144) 및 드레인부(146)를 포함한다.
흡입탱크 바디부(141)는 유동라인부(130)에 연결된다. 흡입탱크 바디부(141)에는 유동라인부(130)에서 유동되는 약액, 슬러지 및 가스가 유입된다. 가스가 배출라인부(167)를 통해 배출됨에 따라 흡입탱크 바디부(141)에는 대기압보다 낮은 음압이 형성된다. 흡입탱크 바디부(141)의 바닥면은 약액이 모아지도록 중심부 측으로 경사지게 형성된다.
흡입탱크 바디부(141)의 상측에는 외부에서 흡입탱크 내부를 볼 수 있도록 윈도우부(143)가 설치된다. 따라서, 작업자가 윈도우부(143)를 보고 흡입탱크 바디부(141)의 내부 상태를 점검할 수 있다.
필터부(144)는 유동라인부(130)에서 배출되는 슬러지가 여과되도록 흡입탱크 바디부(141)의 내부에 배치된다. 필터부(144)는 서포터부(145)에 의해 지지된다.
필터부(144)는 유동라인부(130)와 드레인부(146) 사이에 적층되는 복수의 필터(144a)를 포함하고, 복수의 필터(144a)는 드레인부(146) 측으로 갈수록 작은 메쉬를 갖는다. 따라서, 상측의 필터(144a)에는 입자가 큰 슬러지가 여과되고, 하측의 필터(144a)에는 입자가 작은 슬러지가 여과된다. 복수의 필터(144a)는 서포터부(145)에 분리 가능하게 설치된다. 따라서, 필터(144a)가 막히는 경우 서포터부(145)에서 필터(144a)를 분리한 후 필터(144a)를 세척하고, 세척된 필터(144a)를 다시 서포터부(145)에 설치할 수 있다.
드레인부(146)는 필터부(144)에서 여과된 약액이 배출되도록 흡입탱크 바디부(141)에 연결된다. 드레인부(146)는 흡입탱크 바디부(141)의 바닥면부(142)에서 가장 낮은 부분에 연결된다. 드레인부(146)는 약액 회수부(미도시)나 컵하우징(112)에 연결될 수 있다. 드레인부(146)가 흡입탱크 바디부(141)의 바닥면부(142)에서 가장 낮은 부분에 연결되므로, 흡입탱크 바디부(141)의 내부에 약액이 잔존하는 것을 방지할 수 있다.
기판처리장치(100)는 흡입탱크 바디부(141)와 드레인부(146)에 연결되는 오버플로우 라인부(161)를 더 포함한다. 오버플로우 라인부(161)는 흡입탱크부(140)에서 필터부(144)의 상측에 연결된다. 필터부(144)가 슬러지에 의해 막히는 경우, 흡입탱크 바디부(141)의 상측으로 약액이 오버플로우될 수 있다. 이때, 오버플로우되는 약액은 오버플로우 라인부(161)를 통해 드레인부(146)에 배출된다.
기판처리장치(100)는 흡입탱크 바디부(141)의 약액이 오버플로우 라인부(161)에 유입되는 것을 감지하는 오버플로우 감지부(163)를 더 포함한다. 오버플로우 감지부(163)는 약액의 수위를 감지하는 수위감지센서일 수 있다. 오버플로우 감지부(163)에서 약액이 오버플로우되는 것을 감지하면, 오버플로우 감지부(163)는 제어부(170)에 신호를 전송한다. 제어부(170)는 알람을 발생하도록 알람부(165)를 제어하고, 제1분사노즐부(126)와 제2분사노즐부(127)에서 약액이 공급되는 것을 중단시키도록 제어한다. 작업자는 흡입탱크 바디부(141)를 개방시킨 후 필터부(144)를 교체하거나 세척한다.
기판처리장치(100)는 흡입탱크부(140) 내부의 약액흄(fume)과 가스를 배출시키도록 흡입탱크부(140)에 연결되는 배출라인부(167)를 더 포함한다. 배출라인부(167)는 회수장치(미도시)에 연결될 수 있다. 약액이 증발함에 따라 약액흄이 발생되고, 약액흄과 기체가 배출라인부(167)를 통해 배출되므로, 흡입탱크부(140)의 내부에 음압이 형성된다. 따라서, 유동라인부(130)의 약액, 슬러지 및 가스가 흡입탱크부(140)의 내부로 빨려 들어간다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처장치의 기판처리방법에 관해 설명하기로 한다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리방법을 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6을 참조하면, 분사노즐부(126,127)가 컵하우징(112)에 약액을 공급하고, 회전척부(110)가 회전됨에 따라 기판(W)이 처리된다(S11). 이때, 분사노즐부(126,127)의 단부는 약액의 수면에서 일정한 높이 이격되고, 흡입노즐부(125)의 단부는 약액의 상측에 약간 침지된다. 분사노즐부(126,127)가 기판(W)의 반경방향을 따라 약액을 분사하도록 노즐암(120)이 일정 각도(θ) 내에서 반복적으로 선회된다. 회전하는 기판(W)에 약액이 전체적으로 분사됨에 따라 기판(W)의 다이 사이의 틈새에 끼어 있는 이물질이나 기판(W)에 부착된 이물질 등이 분리된 후 약액의 상측에 부유하게 된다.
이젝터부(150)가 흡입노즐부(125)와 유동라인부(130)에 흡입압력을 발생시킨다(S12). 이때, 이젝터부(150)가 유동라인부(130)에 가스를 공급함에 따라 유동라인부(130)에 흡입압력이 발생된다.
약액의 상측에 부유되는 슬러지와 약액을 흡입노즐부(125)에서 흡입한다(S13). 슬러지와 약액은 유동라인부(130)를 따라 유동된다.
유동라인부(130)에서 유동되는 슬러지, 약액 및 가스가 흡입탱크부(140)에 유입된다(S14). 가스가 배출라인부(167)를 통해 배출됨에 따라 흡입탱크부(140)의 내부에는 대기압보다 낮은 음압이 형성된다.
흡입탱크부(140)에 유입되는 약액은 필터부(144)에서 여과된 후 드레인부(146)를 통해 배출되고(S15), 흡입탱크부(140)에서 발생되는 약액흄과 기체는 배출라인부(167)를 통해 배출된다(S16). 이때, 상측의 필터(144a)에는 입자가 큰 슬러지가 여과되고, 하측의 필터(144a)에는 입자가 작은 슬러지가 여과된다. 또한, 흡입탱크 바디부(141)의 바닥면은 약액이 모아지도록 중심부 측으로 경사지게 형성되므로, 약액이 드레인부(146)를 통해 원활하게 배출될 수 있다. 또한, 약액흄과 기체가 배출라인부(167)를 통해 배출되므로, 흡입탱크부(140)의 내부에 음압이 유지될 수 있다.
오버플로우 감지부(163)가 흡입탱크부(140)에서 약액이 오버플로우되는지를 감지한다(S17). 이때, 필터부(144)가 슬러지에 의해 막히는 경우, 흡입탱크 바디부(141)의 상측으로 약액이 오버플로우될 수 있다. 오버플로우되는 약액은 오버플로우 라인부(161)를 통해 드레인부(146)에 배출된다.
오버플로우 감지부(163)가 흡입탱크부(140)에서 약액이 오버플로우되는 것을 감지하면(S18), 제어부(170)가 컵하우징(112)에 약액의 공급을 중단하도록 분사노즐부(126,127)를 제어한다(S19). 또한, 제어부(170)는 알람을 발생하도록 알람부(165)를 제어한다. 알람부(165)에서 알람이 울리면, 작업자가 흡입탱크부(140)를 개방시킨 후 필터부(144)를 교체하거나 세척한다.
이젝터부(150)는 기판 처리 공정이 종료된 후 기 설정된 시간 동안 구동될 수 있다. 예를 들면, 기판 처리 공정이 종료된 후 이젝터부(150)가 대략 3-5분 정도 구동된다. 따라서, 흡입노즐부(125)와 유동라인부(130)에 잔류하는 슬러지와 약액이 흡입탱크부(140)에 완전히 배출되므로, 흡입노즐부(125)에서 약액이 떨어져 기판(W)을 재오염시키는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 청구범위에 의해서 정하여져야 할 것이다.
100: 기판처리장치 110: 회전척부
112: 컵하우징 120: 노즐암
122: 구동부 125: 흡입노즐부
126: 제1분사노즐부 127: 제2분사노즐부
130: 유동라인부 140: 흡입탱크부
141: 흡입탱크 바디부 142: 바닥면부
143: 윈도우부 144: 필터부
144a: 필터 145: 서포터부
146: 드레인부 150: 이젝터부
151: 이젝터 바디부 153: 가스공급부
161: 오버플로우 라인부 163: 오버플로우 감지부
165: 알람부 167: 배출라인부
170: 제어부 W: 기판

Claims (15)

  1. 컵하우징에서 슬러지를 흡입하는 흡입노즐부;
    상기 슬러지와 약액이 유동되도록 상기 흡입노즐부에 연결되는 유동라인부;
    상기 슬러지와 상기 약액이 유입되도록 상기 유동라인부에 연결되는 흡입탱크부; 및
    상기 흡입노즐부와 상기 유동라인부에 흡입압력을 형성하도록 상기 유동라인부에 설치되는 이젝터부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 이젝터부는,
    상기 유동라인부에 흡입되는 상기 슬러지와 상기 약액이 유입되는 이젝터 바디부; 및
    상기 이젝터 바디부에 가스를 공급하도록 상기 이젝터 바디부에 연결되는 가스공급부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 흡입탱크부는,
    상기 유동라인부에 연결되는 흡입탱크 바디부;
    상기 유동라인부에서 배출되는 상기 슬러지가 여과되도록 상기 흡입탱크 바디부의 내부에 배치되는 필터부; 및
    상기 필터부에서 여과된 상기 약액이 배출되도록 상기 흡입탱크 바디부에 연결되는 드레인부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 필터부는 상기 유동라인부와 상기 드레인부 사이에 적층되는 복수의 필터를 포함하고,
    복수의 상기 필터는 상기 드레인부 측으로 갈수록 작은 메쉬를 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 흡입탱크 바디부와 상기 드레인부에 연결되는 오버플로우 라인부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 오버플로우 라인부는 상기 흡입탱크부에서 상기 필터부의 상측에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 흡입탱크 바디부의 상기 약액이 상기 오버플로우 라인부에 유입되는 것을 감지하는 오버플로우 감지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 흡입탱크부의 약액흄과 상기 기체를 배출시키도록 상기 흡입탱크부에 연결되는 배출라인부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 컵하우징의 기판에 상기 약액을 분사하는 분사노즐부를 더 포함하고,
    상기 분사노즐부이 상기 기판에 상기 약액을 분사할 때에 상기 흡입노즐부는 상기 약액에 부유하는 상기 슬러지를 흡입하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 이젝터부는 기판 처리 공정이 종료된 후 기 설정된 시간동안 상기 흡입노즐부와 상기 유동라인부에 흡입압력을 형성하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 컵하우징에 약액이 공급되고, 기판이 처리되는 단계;
    이젝터부가 흡입노즐부와 유동라인부에 흡입압력을 발생시키는 단계;
    상기 약액의 상측에 부유되는 슬러지와 상기 약액을 상기 흡입노즐부에서 흡입하는 단계; 및
    상기 유동라인부에서 유동되는 상기 슬러지와 상기 약액이 흡입탱크부에 유입되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 이젝터부가 상기 흡입노즐부와 상기 유동라인부에 흡입압력을 발생시키는 단계에서는,
    상기 이젝터부가 상기 유동라인부에 가스를 공급하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 유동라인부에서 유동되는 상기 슬러지와 상기 약액이 상기 흡입탱크부에 유입되는 단계에서는,
    상기 흡입탱크부에 유입되는 약액이 필터부에서 여과된 후 드레인부를 통해 배출되고, 상기 흡입탱크부에서 발생되는 약액흄과 상기 기체가 배출라인부를 통해 배출되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  14. 제11항에 있어서,
    오버플로우 감지부가 상기 흡입탱크부에서 상기 약액이 오버플로우되는 것을 감지하는 단계; 및
    상기 오버플로우 감지부에서 상기 약액의 오버플로우가 감지되면, 제어부가 상기 컵하우징에 상기 약액의 공급을 중단하도록 제어하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 이젝터부가 기판 처리 공정이 종료된 후 기 설정된 시간동안 상기 흡입노즐부와 상기 유동라인부에 흡입압력을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
KR1020210051544A 2021-04-21 2021-04-21 기판처리장치 및 기판처리방법 KR20220145437A (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210051544A KR20220145437A (ko) 2021-04-21 2021-04-21 기판처리장치 및 기판처리방법
TW111113207A TWI828106B (zh) 2021-04-21 2022-04-07 基板處理裝置及基板處理方法
US17/725,054 US20220344177A1 (en) 2021-04-21 2022-04-20 Wafer processing apparatus and wafer processing method
CN202210424527.1A CN115223848A (zh) 2021-04-21 2022-04-20 基板处理装置及基板处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020210051544A KR20220145437A (ko) 2021-04-21 2021-04-21 기판처리장치 및 기판처리방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220145437A true KR20220145437A (ko) 2022-10-31

Family

ID=83608049

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210051544A KR20220145437A (ko) 2021-04-21 2021-04-21 기판처리장치 및 기판처리방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220344177A1 (ko)
KR (1) KR20220145437A (ko)
CN (1) CN115223848A (ko)
TW (1) TWI828106B (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN118268310A (zh) * 2022-12-30 2024-07-02 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 防反灌装置及基板处理设备

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3116297B2 (ja) * 1994-08-03 2000-12-11 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
US8828145B2 (en) * 2009-03-10 2014-09-09 Lam Research Corporation Method of particle contaminant removal
KR102203646B1 (ko) * 2019-06-17 2021-01-18 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20220344177A1 (en) 2022-10-27
TWI828106B (zh) 2024-01-01
TW202243080A (zh) 2022-11-01
CN115223848A (zh) 2022-10-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100284557B1 (ko) 레지스트 처리장치 및 레지스트 처리방법
JP6927814B2 (ja) ドライ研磨装置
KR101202202B1 (ko) 액처리 장치 및 액처리 방법
TW202037458A (zh) 廢液處理裝置
KR20220145437A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP4457046B2 (ja) 基板処理装置
KR20140111593A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4583216B2 (ja) 基板処理方法
JP7164426B2 (ja) 基板処理装置およびフィルタの気泡抜き方法
JP3495121B2 (ja) 洗浄方法及び装置
JP2003203894A (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4446917B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2003109935A (ja) 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法
JPH10340876A (ja) 洗浄処理方法および洗浄処理装置
JPH0888168A (ja) スピンナ
JP2006231185A (ja) 洗浄方法および洗浄システム
JP2007053274A (ja) 洗浄装置および洗浄液の分別回収方法
JP2003282516A (ja) 基板処理装置
JP2010056312A (ja) ダイシング装置及びワーク洗浄乾燥方法
KR102646842B1 (ko) 기판처리장치
JPH10261609A (ja) 薬液処理装置及び薬液処理方法
JP2008060260A (ja) 基板処理装置
KR102681953B1 (ko) 약액 누설 방지 장치 및 약액 누설 방지 방법
KR101724450B1 (ko) 세정액 공급 유닛과, 이를 포함하는 수지 도포 장치 및 보호막 형성 시스템
JP2009130122A (ja) 基板処理装置および基板処理方法