KR20220142552A - 감광 디바이스 저하를 테스트하는 시스템 및 방법 - Google Patents
감광 디바이스 저하를 테스트하는 시스템 및 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20220142552A KR20220142552A KR1020227035896A KR20227035896A KR20220142552A KR 20220142552 A KR20220142552 A KR 20220142552A KR 1020227035896 A KR1020227035896 A KR 1020227035896A KR 20227035896 A KR20227035896 A KR 20227035896A KR 20220142552 A KR20220142552 A KR 20220142552A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light source
- photosensitive
- light
- source plate
- container
- Prior art date
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 124
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title description 72
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 title description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 23
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 85
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 9
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 claims 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000010365 information processing Effects 0.000 description 44
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 38
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 17
- 238000013461 design Methods 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000011089 carbon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013515 script Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 241000699670 Mus sp. Species 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000004870 electrical engineering Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 210000003813 thumb Anatomy 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000001960 triggered effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/006—Electronic inspection or testing of displays and display drivers, e.g. of LED or LCD displays
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
- H02S50/00—Monitoring or testing of PV systems, e.g. load balancing or fault identification
- H02S50/10—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells
- H02S50/15—Testing of PV devices, e.g. of PV modules or single PV cells using optical means, e.g. using electroluminescence
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Resistance To Weather, Investigating Materials By Mechanical Methods (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Circuit Arrangement For Electric Light Sources In General (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Testing Of Optical Devices Or Fibers (AREA)
- Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Debugging And Monitoring (AREA)
- Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)
Abstract
시간에 따른 감광 디바이스들의 성능이, 컨테이너 내의 감광 디바이스들을 특정된 광 세기로 노광하는 광원 플레이트를 포함하는 감광 디바이스 테스트 시스템을 구성함으로써 테스트될 수 있다. 광 세기는 하나 이상의 임계치에 따라 프로그래머블 전원에 의해 조정될 수 있다. 테스트는 설정된 지속기간 동안 지속될 수 있고 성능 측정들이 이 지속기간 동안 미리 결정된 간격들로 행해진다. 감광 디바이스 테스트 시스템으로부터의 피드백은 광 세기를 증가시킬지, 테스팅을 중지할지, 테스팅을 계속할지, 및 하나 이상의 환경 조건이 변경되어야 할지를 결정하기 위해 기록될 수 있다. 측정치들은 분석 및 사용자에게의 디스플레이를 위해 클라이언트에 보내질 수 있다.
Description
본원은 일반적으로 감광 디바이스 저하 시스템에 관한 것으로, 특히 가속된 저하 시스템을 사용하여 시간에 따른 감광 디바이스의 성능을 결정하는 시스템에 관한 것이다.
태양 에너지 또는 방사광으로부터 전력을 발생하기 위해 광전지(PV들) 또는 태양 전지들과 같은 감광 디바이스들을 사용하면 예를 들어, 전원, 낮은 또는 제로 방출들, 전력 그리드에 독립한 전력 생산, 내구성이 있는 물리적 구조들(이동 부품들이 없음), 안정하고 신뢰성 있는 시스템, 모듈러 구성, 비교적 빠른 설치, 안전한 제조 및 사용, 및 사용의 좋은 여론 및 수용을 포함하는 많은 이점들이 제공될 수 있다. 다른 감광 디바이스들은 또한 태양열 전지들, 포토다이오드들, 포토레지스터들, 포토커패시터들, 포토트랜스듀서들, 및 포토트랜지스터들을 포함할 수 있다.
그러나, 이러한 감광 디바이스들의 고장은 교체 또는 수리하는 데 비용이 많이 들 수 있고 상당한 시간을 필요로 할 수 있다. 선적 또는 설치 전의 감광 디바이스들의 테스팅은 비용이 많이 들 수 있고 심지어 감광 디바이스 자체를 파손시킬 수 있다. 그러므로, 전통적으로 감광 디바이스들의 샘플이 주어진 감광 디바이스 설계 또는 구성의 성능을 결정하기 위해 테스트될 것이다.
예를 들어, 저하율들을 결정하기 위한 감광 디바이스들의 통상적인 테스팅은 광원으로서 황 플라즈마 또는 백열 전구들을 사용할 수 있다. 전통적인 저하 테스팅에서, 감광 디바이스는 전구들 하에서 노광될 것이고 가끔 패널들의 성능이 샘플링될 것이다. 이들 시스템은 전형적으로 연장된 시간 주기 또는 심지어 연속적으로 연장된 시간 주기 동안 1 태양 등가(1,000 W/m2 광 세기) 또는 심지어 그 이하로 감광 디바이스를 노광한다. 스펙트럼은 미국 재료 시험 협회(American Society for Testing and Materials)(ASTM) AM1.5G 규격에 따라 더 정의될 수 있다. 감광 디바이스 설계 또는 구성의 비용을 줄이고, 출시까지의 시간을 줄이고, 고객들에게 보증 연장을 제공하고, 투자 수익률을 결정하도록 전체적인 테스팅 시간을 감소시키고 감광 디바이스 성능을 결정하는 정확성을 증가시키는 것이 바람직하다.
본 개시내용의 특징들 및 장점들은 본 기술 분야의 통상의 기술자들에게 쉽게 이해될 것이다. 수많은 변화들이 본 기술 분야의 통상의 기술자들에 의해 이루어질 수 있지만, 이러한 변화들은 본 발명의 취지 내에 있다.
본 개시내용의 교시들에 따르면, 통상적인 감광 디바이스 저하 기술들과 연관된 단점들 및 문제들이 감소 및/또는 제거될 수 있다. 예를 들어, 감광 디바이스의 저하 테스팅을 위한 한 방법은 하나 이상의 저하 테스팅 파라미터를 초기화하는 것을 포함한다. 광원의 광 세기가 설정되고, 광원은 설정된 광 세기의 광으로 하나 이상의 감광 디바이스를 노광한다. 화소 성능 측정치가 하나 이상의 감광 디바이스의 화소에 대해 요청되고, 각각의 감광 디바이스의 각각의 화소는 유일한 어드레스에 맵핑되고, 화소 성능 측정치는 지속기간 임계치에 적어도 부분적으로 기초하여 요청된다. 화소 성능 측정치가 수신되고 성능 레이팅 임계치와 비교된다. 화소가 성능 레이팅 임계치와의 화소 성능 측정치의 비교에 적어도 부분적으로 기초하여 고장났는지가 결정된다. 화소와 연관된 테스팅 표시자가 마크되고, 테스팅 표시자는 화소의 고장의 결정을 표시한다. 추가의 테스팅이 필요한지가 결정되고, 추가의 테스팅이 필요한지의 결정은 화소와 연관된 테스팅 표시자에 적어도 부분적으로 기초한다.
한 실시예에서, 화소가 고장난 것으로 결정되면, 화소들과 연관된 감광 디바이스는 또한 고장으로서 마크되거나, 개별적인 화소를 고장으로서 마크하는 것 대신에, 고장으로서 마크될 수 있다. 한 실시예에서 화소와 연관된 감광 디바이스는 화소 고장 임계치에 적어도 부분적으로 기초하여 고장난 것으로 마크된다.
한 실시예에서, 광 세기는 광 세기 임계치가 도달될 때까지 미리 결정된 시간 간격으로 변경된다. 성능 측정들은 각각의 미리 결정된 시간 간격 또는 기타 개재하는 또는 후속하는 시간 간격으로 행해질 수 있다.
한 실시예에서, 화소 성능 측정치는 화소와 연관된 감광 디바이스를 하우징하는 기판과 연관된 파일 내에 저장된다. 화소 성능 측정치들은 테스트된 각각의 개별적인 화소에 대해 또는 테스트된 화소들의 임의의 조합에 대해 저장될 수 있다.
한 실시예에서, 온도 측정치, 습도 측정치, 및 대기 측정치 중 하나 이상이 요청되고 수신된다. 테스팅 환경과 연관된 온도, 습도, 및 대기의 요소 중 하나 이상은 온도 측정치, 습도 측정치, 및 대기 측정치 중 하나 이상에 적어도 부분적으로 기초하여 변경된다.
한 실시예에서 성능 측정치가 지속기간 임계치가 도달될 때까지 매 특정된 간격마다 각각의 화소에 대해 요청된다.
한 실시예에서, 시스템은 시스템의 정보를 처리하는 하나 이상의 프로세서, 하나 이상의 프로세서에 통신적으로 결합된 시스템의 메모리, 및 하나 이상의 프로세서에 의해 실행될 때 본 개시내용의 따른 하나 이상의 실시예를 포함하는 동작들을 수행하도록 동작가능한, 메모리 내에 저장된 명령어들을 포함하는 하나 이상의 모듈을 포함한다.
한 실시예에서, 시스템은 광원 플레이트 - 광원 플레이트는 세기 레벨에서 광을 방출함 -, 셀 인터페이스 플레이트, 광원 플레이트에 인접하고 셀 인터페이스 플레이트에 결합된 컨테이너 - 컨테이너는 하나 이상의 감광 디바이스 및 하나 이상의 감광 디바이스의 적어도 한 측면에 인접한 열전도 복합체를 포함하고, 하나 이상의 감광 디바이스의 하나 이상의 화소와 연관된 하나 이상의 핀은 컨테이너와 인터페이스하고, 컨테이너는 하나 이상의 핀을 셀 인터페이스 플레이트에 인터페이스함 -, 광원 플레이트에 근접한 광 미터링 디바이스 - 광 미터링 디바이스는 광원 플레이트로부터 감광 디바이스들까지의 방출들의 세기를 측정함 -, 광원 플레이트에 결합된 광 전원 - 광 전원은 광원 플레이트로의 전류 및 전압 중 하나 이상을 제어함 -, 셀 인터페이스 플레이트에 결합된 멀티플렉서 - 멀티플렉서는 하나 이상의 화소를 어드레스하도록 회로를 작동시킴 -, 및 멀티플렉서에 결합된 측정 디바이스 - 측정 디바이스는 하나 이상의 화소와 연관된 하나 이상의 성능 측정치를 수신함 - 를 포함한다.
한 실시예에서, 광 전원은 프로그래머블 전원 공급 장치이다.
한 실시예에서, 시스템은 컨테이너 내에 온도 미터링 디바이스를 추가로 포함하고, 온도 미터링 디바이스는 하나 이상의 감광 디바이스와 연관된 온도를 측정한다.
한 실시예에서, 시스템은 광 전원, 멀티플렉서 및 측정 디바이스에 통신적으로 결합된 클라이언트를 추가로 포함한다.
한 실시예에서, 시스템은 감광 디바이스 테스트 시스템을 포함하고, 감광 디바이스 테스트 시스템은 광원 플레이트, 셀 인터페이스 플레이트, 및 컨테이너를 포함한다.
한 실시예에서, 시스템은 컨테이너 내에 하나 이상의 기판을 추가로 포함하고, 하나 이상의 기판 각각은 하나 이상의 감광 디바이스를 포함한다.
본 개시내용의 다른 기술적 장점들은 다음의 도면, 설명, 및 청구범위로부터 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 쉽게 이해될 것이다. 더구나, 특정한 조사 기술들 및 조합들의 다른 특정한 장점들이 아래에 논의된다. 더구나, 특정한 장점들이 본 개시내용에서 설명되지만, 다양한 실시예들은 이들 장점의 일부, 모두를 포함할 수 있거나, 아무것도 포함하지 않을 수 있다.
본 발명 및 그것의 특징들 및 장점들의 보다 완전한 이해를 위해, 다음의 첨부 도면과 함께 이루어진 다음의 설명이 이제 참조된다.
도 1은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 예시적인 정보 처리 시스템을 도시한 블록도이고;
도 2는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 예시적인 네트워크 구성을 도시한 블록도이고;
도 3은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 예시적인 저하 테스팅 시스템을 도시한 블록도이고;
도 4는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 테스트 저하 시스템을 위한 예시적인 방법을 도시한 플로우차트이다.
도 1은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 예시적인 정보 처리 시스템을 도시한 블록도이고;
도 2는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 예시적인 네트워크 구성을 도시한 블록도이고;
도 3은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 예시적인 저하 테스팅 시스템을 도시한 블록도이고;
도 4는 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 테스트 저하 시스템을 위한 예시적인 방법을 도시한 플로우차트이다.
감광 디바이스의 저하는 전력 시스템의 예기치 않은 고장을 초래할 수 있고 설치 전에 알려지지 않는다면 해결하는 데 비용이 들 수 있다. 그러므로, 감광 디바이스의 저하율을 아는 것이 중요하다. 테스팅은 유용하고 주어진 설계 또는 구성을 위한 전체 비용들을 줄일 수 있다. 주어진 감광 디바이스에 대한 저하율은 예를 들어, 감광 디바이스에 의해 발생된 전력에 역비례한다. 즉, 저하율이 높을수록, 시간에 따라 발생되는 전력은 적어진다. 또한, 저하율은 고장율에 정비례한다. 즉, 저하율이 높을수록, 주어진 감광 디바이스가 고장날 확률이 높을 것이다. 감광 디바이스가 감광 디바이스의 원래의 성능 메트릭의 20%만큼 저하했을 때 감광 디바이스는 고장난 것으로 고려될 수 있다. 고장 임계치는 특정한 감광 디바이스 구성 또는 설치에 대한 주어진 기준들에 따라 위 또는 아래로 조정될 수 있다. 테스팅이 중요하지만, 감광 디바이스의 새로운 설계의 즉각적인 구현 또는 구성 또는 설치를 보장하기 위해 테스팅 시간을 줄이는 것이 또한 중요하다. 감광 디바이스들이 수년 또는 심지어 수십 년 동안 지속하도록 설계될 수 있을 때, 가속된 저하가 전체적인 비용들을 감소시키고 성능을 개선시키기 위해 필요하다. 본 개시내용은 주어진 감광 디바이스에 대한 가속된 저하 및 성능 측정치를 제공하는 시스템 및 방법을 제공한다.
여기의 예시적인 실시예들은 사용자에게 로컬인 단일 정보 처리 시스템을 이용할 수 있다. 소정의 실시예들에서 하나보다 많은 정보 처리 시스템이 이용될 수 있다. 다른 실시예들에서, 서버와 같이, 하나 이상의 정보 처리 시스템은 원격일 수 있다. 하나 이상의 실시예에서, 개시된 방법들 및 시스템들은 다른 감광 디바이스 저하 테스팅 기술들과 함께 수행될 수 있다. 본 개시내용의 교시들은 실시예들의 임의의 조합을 포함하고자 한다.
특정한 장점들이 논의되지만, 다양한 실시예들은 열거된 장점들의 모두, 일부를 포함할 수 있거나, 아무것도 포함하지 않을 수 있다. 본 개시내용의 실시예들 및 그것의 장점들이 유사한 번호들이 여러 도면들의 유사하고 대응하는 부분들을 참조하는 도 1 내지 4를 참조함으로써 최상으로 이해된다.
도 1은 여기에 개시된 하나 이상의 실시예를 구현하는 예시적인 정보 처리 시스템(100)을 도시한다. 정보 처리 시스템(100)는 여기에 개시된 임의의 실시예를 구현하는 임의의 기능성을 수행하도록 동작가능한 하나 이상의 요소, 소자, 수단 등, 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 정보 처리 시스템(100)은 내장된 정보 처리 시스템, 시스템-온-칩(SOC), 단일-보드 정보 처리 시스템, 메인프레임, 키오스크와 같은 대화형 디바이스, 클라이언트 디바이스, 서버(예를 들어, 블레이드 서버 또는 랙 서버), 퍼스널 컴퓨터(예를 들어, 데스크탑 또는 랩탑), 태블릿 컴퓨터, 이동 디바이스(예를 들어, 개인 휴대 단말기(PDA) 또는 스마트폰), 소비자 전자 디바이스, 네트워크 저장 디바이스, 프린터, 스위치, 라우터, 데이터 수집 디바이스, 가상 머신, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 적합한 컴퓨팅 디바이스일 수 있다. 하나 이상의 실시예에서, 정보 처리 시스템(100)은 단일 정보 처리 시스템(100)일 수 있거나 다수의 정보 처리 시스템(100)일 수 있고, 자립 또는 분배된(예를 들어, 다수의 데이터 센터에 걸쳐 있을 수 있음) 것일 수 있고, 클라우드로 호스트될 수 있고, 하나 이상의 다른 컴퓨팅 디바이스의 부분일 수 있거나 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 적합한 구성일 수 있다. 정보 처리 시스템(100)은 실시간으로, 타이밍된 간격들로, 일괄 모드에서, 단일 정보 처리 시스템(100)에서 또는 다수의 정보 처리 시스템들(100)에서, 단일 위치 또는 다수의 위치들에서, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 순차 또는 방식으로 하나 이상의 동작을 수행할 수 있다.
정보 처리 시스템(100)은 임의 수의 적합한 소자들일 수 있고 도 1에 도시한 소자들의 수 및 배열로 제한되지 않는다. 정보 처리 시스템(100)은 프로세서(102), 메모리(104), 스토리지(106), 입출력(I/O) 인터페이스(108), 디스플레이(110), 버스(112), 및 네트워크 접속 디바이스(114)를 포함할 수 있다. 버스(112)는 프로세서(102), 메모리(104), 스토리지(106), I/O 인터페이스(108), 및 네트워크 접속 디바이스(114)를 서로 결합시킬 수 있다. 버스(112)는 또한 정보 처리 시스템(100)의 기타 적절한 소자들 중 임의의 하나 이상을 정보 처리 시스템(100)의 기타 하나 이상의 소자에 결합시킬 수 있다. 버스(112)는 정보 처리 시스템(100)의 임의의 하나 이상의 소자를 결합시키는 하드웨어, 소프트웨어 또는 이들의 임의의 조합을 포함할 수 있다. 버스(112)는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 임의 유형의 버스 또는 버스들의 조합일 수 있다.
정보 처리 시스템(100)은 메모리 디바이스들 메모리(104) 및 스토리지(106)와 통신하는 프로세서(102)를 포함할 수 있다. 프로세서(102)는 일반 처리 장치(GPU), 마이크로프로세서, 중앙 처리 장치(CPU), 다수의 CPU들, 단일-코어, 듀얼-코어, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 적합한 프로세서일 수 있다. 프로세서(102)는 내부 리드 온리 메모리(ROM)(및 그것의 임의의 변형), 랜덤 액세스 메모리(RAM)(및 그것의 임의의 변형), 캐시, 내부 레지스터들, 버퍼, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 유형의 적합한 저장 소자, 산술 논리 장치(ALU), 및 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 적절한 소자들 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
프로세서(102)는 하나 이상의 명령어 또는 모듈, 예를 들어, 소프트웨어 프로그램 또는 컴퓨터 프로그램을 실행하는 하드웨어를 포함한다. 정보 처리 시스템(100) 상으로 실행가능한 명령어들을 프로그램 및/또는 로드함으로써, 프로세서(102), 메모리(104), 및 스토리지(106) 중 적어도 하나는 변화되고, 정보 처리 시스템(100)을 본 개시내용에 의해 교시된 신규한 기능성을 갖는 특정한 머신 또는 장치로 부분적으로 변형시킨다는 것이 이해된다. 실행가능한 소프트웨어를 정보 처리 시스템(100) 내로 로드함으로써 구현될 수 있는 기능성이 널리 공지된 설계 규칙들에 의해 하드웨어 구현으로 변환될 수 있다는 것은 전기 공학 또는 소프트웨어 공학 기술들에서는 기본적인 것이다. 개념을 소프트웨어와 하드웨어 중 어느 것으로 구현하느냐의 결정들은 전형적으로 소프트웨어 영역으로부터 하드웨어 영역으로 변환하는 것과 관련된 어떤 문제들이라기보다는 설계의 적합성의 고려들 및 제조될 유닛들의 수들에 달려 있다. 일반적으로, 빈번한 변화가 계속 되는 설계는 소프트웨어에서 구현되는 것이 선호될 수 있는데, 왜냐하면 하드웨어 구현을 리스핀하는 것이 소프트웨어 설계를 리스핀하는 것보다 비용이 많이 들기 때문이다. 일반적으로, 큰 체적으로 제조되기에 적합한 설계는 하드웨어에서, 예를 들어 주문형 집적 회로(ASIC)에서 구현되는 것이 선호될 수 있는데, 왜냐하면 대량 생산 가동을 위해 하드웨어 구현이 소프트웨어 구현보다 비용이 덜 들 수 있기 때문이다. 보통 설계는 소프트웨어 형태로 개발되어 테스트되고 나중에 널리 공지된 설계 규칙들에 의해, 소프트웨어의 명령어들을 하드와이어하는 주문형 집적 회로 내의 등가적인 하드웨어 구현으로 변환될 수 있다. 새로운 ASIC에 의해 제어되는 머신과 동일한 방식으로 특정한 머신 또는 장치, 마찬가지로 실행가능한 명령어들로 프로그램 및/또는 로드된 컴퓨터가 특정한 머신 또는 장치로서 여겨질 수 있다.
메모리(104)는 프로세서(102) 내부 또는 외부에 있을 수 있다. 메모리(104)는 RAM, 다이내믹 RAM(DRAM), 스태틱 RAM(SRAM) 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 적합한 유형의 메모리일 수 있다. 단지 하나의 메모리(104)가 도시되지만, 본 개시내용은 임의 수의 메모리(104)를 고려한다. 메모리(104)는 프로세서(102)에 의해 실행되는 하나 이상의 명령어를 저장하는 주 메모리를 포함할 수 있다. 정보 처리 시스템은 스토리지(106) 또는 기타 정보 처리 시스템(100)으로부터 메모리(104)에 하나 이상의 명령어를 로드할 수 있다. 프로세서(102)는 메모리(104)로부터 실행하기 위해 프로세서(102)의 내부 메모리에, 예를 들어, 내부 레지스터 또는 내부 캐시에 하나 이상의 명령어를 로드할 수 있다.
스토리지(106)는 데이터, 하나 이상의 명령어, 하나 이상의 모듈, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 유형의 적합한 정보를 위한 대량 스토리지를 포함할 수 있다. 스토리지(106)는 하드 디스크 드라이브(HDD), 플로피 디스크 드라이브, 플래시 메모리, 광학 디스크 드라이브, 자기-광학 디스크 드라이브, 자기 테이프, 유니버설 시리얼 버스(USB) 드라이브, 비휘발성 고상 메모리, 리드 온리 메모리(ROM), 마스크-프로그램되는 ROM, 프로그래머블 ROM(PROM), 소거가능한 PROM(EPROM), 전기적으로 소거가능한 PROM(EEPROM), 전기적으로 변경가능한 ROM(EAROM), 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 유형의 ROM, 플래시 메모리, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 스토리지, 또는 이들 중 2가지 이상의 임의의 조합일 수 있다. 스토리지(106)는 하나 이상의 스토리지(106)를 포함할 수 있다. 스토리지(106)는 전형적으로 비휘발성 스토리지용으로 그리고 메모리(104)를 위한 오버-플로우 스토리지로서 사용된다. 스토리지(106)는 그러한 프로그램들이 실행을 위해 선택될 때 메모리(104) 내로 로드될 수 있는 소프트웨어 프로그램들 또는 컴퓨터 프로그램들과 같은 실행가능한 프로그램들을 저장할 수 있다. 메모리(104) 및 스토리지(106)는 일부 맥락들에서 컴퓨터 판독가능 저장 매체 및/또는 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체라고 할 수 있다.
네트워크 접속 디바이스(114)는 임의의 하나 이상의 네트워크 접속 디바이스(114)일 수 있고 모뎀들, 모뎀 뱅크들, 이더넷 카드들, USB 인터페이스 카드들, 시리얼 인터페이스들, 토큰 링 카드들, 파이버 분배된 데이터 인터페이스(FDDI) 카드들, 무선 근거리 네트워크(WLAN) 카드들, 코드 분할 다중 액세스(CDMA)와 같은 무선 송수신기 카드들, 이동 통신들을 위한 글로벌 시스템(GSM), 롱텀 에볼루션(LTE), 마이크로웨이브 액세스를 위한 월드와이드 상호운용성(WiMAX), 및/또는 다른 에어 인터페이스 프로토콜 무선 송수신기 카드들, 및 다른 널리 공지된 네트워크 디바이스들의 형태를 취할 수 있다. 이들 네트워크 접속 디바이스(114)는 프로세서(102)가 인터넷 또는 하나 이상의 인트라넷과 통신하게 할 수 있다. 이러한 네트워크 접속으로, 프로세서(102)는 위에 설명된 방법 단계들을 수행하는 과정에서 네트워크(예를 들어, 도 2의 네트워크(210))로부터 정보를 수신할 수 있거나, 정보를 네트워크에 출력할 수 있다. 프로세서(102)를 사용하여 실행될 명령어들의 순차로서 보통 나타내지는 이러한 정보는 예를 들어, 캐리어 파로 구체화된 컴퓨터 데이터 신호의 형태로, 네트워크로부터 수신되고 네트워크에 출력될 수 있다.
예를 들어, 프로세서(102)를 사용하여 실행될 데이터, 명령어들, 또는 모듈들을 포함할 수 있는 이러한 정보는 예를 들어, 캐리어 파로 구체화된 컴퓨터 데이터 기저대역 신호 또는 신호의 형태로 네트워크로부터 수신되고 네트워크에 출력될 수 있다. 네트워크 접속 디바이스(114)에 의해 발생된 캐리어 파로 구체화된 기저대역 신호 또는 신호는 전기 도체들의 표면 내에 또는 상에, 동축 케이블들에서, 웨이브가이드들에서, 도파관, 예를 들어, 광 섬유에서, 또는 공기 또는 자유 공간에서 전파할 수 있다. 캐리어 파 내에 매립된 기저대역 신호 또는 신호에 포함된 정보는 정보를 처리 또는 발생하거나 정보를 송신 또는 수신하기 위해 바람직할 수 있는 것 같이, 상이한 순차들에 따라 순서가 매겨질 수 있다. 캐리어 파 내에 매립된 기저대역 신호 또는 신호, 또는 현재 사용되거나 이후에 개발되는 다른 유형들의 신호들은 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 널리 공지된 여러 방법들에 따라 발생될 수 있다. 캐리어 파 내에 매립된 기저대역 신호 또는 신호는 일부 맥락들에서 일시적 신호라고 할 수 있다.
프로세서(102)는 그것이 메모리(104), 스토리지(106) 또는 네트워크 접속 디바이스(114)로부터 액세스하는 명령어들, 코드들, 컴퓨터 프로그램들, 스크립트들을 실행한다. 단지 하나의 프로세서(102)가 도시되지만, 다수의 프로세서들이 존재할 수 있다. 그러므로, 명령어들이 프로세서에 의해 실행되는 것으로 논의될 수 있지만, 명령어들은 동시에, 직렬로, 또는 기타의 경우 하나 또는 다수의 프로세서들에 의해 실행될 수 있다. 스토리지(106), 예를 들어, 하드 드라이브들, 플로피 디스크들, 광학 디스크들, 및/또는 다른 디바이스, ROM, 및/또는 RAM으로부터 액세스될 수 있는 명령어들, 코드들, 컴퓨터 프로그램들, 스크립트들, 및/또는 데이터는 일부 맥락들에서 비일시적 명령어들 및/또는 비일시적 정보라고 할 수 있다.
I/O 인터페이스(108)는 하드웨어, 소프트웨어, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. I/O 인터페이스(108)는 정보 처리 시스템(100)과 하나 이상의 I/O 디바이스 사이의 통신을 위한 하나 이상의 인터페이스를 제공한다. 한 실시예에서, I/O 인터페이스(108)는 디스플레이(110)에 결합하고 디스플레이(110)와 정보를 통신할 수 있다. 단지 디스플레이(110)만이 도시되지만, 본 발명은 비디오 모니터들, 액정 디스플레이(LCD들), 터치 스크린 디스플레이들, 프린터들, 키보드를, 키패드들, 스위치들, 다이얼들, 마우스들, 트랙 볼들, 음성 인식기들, 카드 리더기들, 페이퍼 테이프 리더들, 엄지손가락 크기 드라이브들, 하드 디스크 드라이브들, 광학 디스크 드라이브들, 마이크로폰들, 비디오 카메라들, 스타일러스, 태블릿들, 스틸 카메라들, 스피커들, 센서들, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 디바이스들과 같은 I/O 인터페이스(108)에 결합된 임의 수의 내부 또는 외부 I/O 디바이스를 고려한다. 정보 처리 시스템(100)은 또한 외부 디바이스들과 통신하기 위한 하나 이상의 통신 포트(도시 안됨)를 포함할 수 있다. I/O 인터페이스(108)는 또한 정보 처리 시스템(100)에 결합된 임의의 하나 이상의 I/O 디바이스를 위한 하나 이상의 디바이스 드라이버를 포함할 수 있다.
실시예에서, 정보 처리 시스템(100)은 작업을 수행하도록 협력하는 서로 통신하는 2개 이상의 정보 처리 시스템들(100)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 그러나 제한 없이, 애플리케이션은 애플리케이션의 명령어들의 동시 또는 병렬 처리를 허용하도록 분할될 수 있다. 대안적으로, 애플리케이션에 의해 처리되는 데이터는 2개 이상의 컴퓨터들에 의해 설정된 데이터의 상이한 부분들의 동시 또는 병렬 처리를 허용하도록 분할될 수 있다. 실시예에서, 가상화 소프트웨어는 주어진 구성에서 정보 처리 시스템들(100)의 수로 직접 한정되지 않는 많은 서버들의 기능성을 제공하기 위해 정보 처리 시스템(100)에 의해 이용될 수 있다. 예를 들어, 가상화 소프트웨어는 4개의 물리적 컴퓨터들 상에 20개의 가상 서버들을 제공할 수 있다. 실시예에서, 위에 개시된 기능성은 클라우드 컴퓨팅 환경 내의 애플리케이션 및/또는 애플리케이션들을 실행함으로써 제공될 수 있다. 클라우드 컴퓨팅은 동적으로 스케일가능한 컴퓨팅 리소스들을 사용하여 네트워크 접속을 통해 컴퓨팅 서비스들을 제공하는 것을 포함할 수 있다. 클라우드 컴퓨팅은 가상화 소프트웨어에 의해 적어도 부분적으로 지원될 수 있다. 클라우드 컴퓨팅 환경은 기업에 의해 확립될 수 있고/있거나 제3자 제공자로부터의 필요에 따라 임차될 수 있다. 일부 클라우드 컴퓨팅 환경들은 기업에 의해 소유 및 운영되는 클라우드 컴퓨팅 리소스들뿐만 아니라 제3자 제공자로부터 임차 및/또는 리스되는 클라우드 컴퓨팅 리소스들을 포함할 수 있다.
실시예에서, 위에 개시된 기능성의 일부 또는 모두는 컴퓨터 프로그램 또는 소프트웨어 제품으로서 제공될 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 위에 개시된 기능성을 구현하기 위해 그 안에서 실시되는 컴퓨터 사용가능 프로그램 코드를 갖는 하나 이상의 컴퓨터 판독가능 저장 매체를 포함할 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 데이터 구조들, 실행가능한 명령어들, 및 다른 컴퓨터 사용가능 프로그램 코드를 포함할 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 착탈가능한 컴퓨터 저장 매체 및/또는 비착탈가능한 컴퓨터 저장 매체에서 구체화될 수 있다. 착탈가능한 컴퓨터 판독가능 저장 매체는 제한 없이, 페이퍼 테이프, 자기 테이프, 자기 디스크, 광학 디스크, 고상 메모리 칩, 예를 들어, 아날로그 자기 테이프, 컴팩트 디스크 리드 온리 메모리(CD-ROM) 디스크들, 플로피 디스크들, 점프 드라이브들, 디지털 카드들, 멀티미디어 카드들 등을 포함할 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 정보 처리 시스템(100)에 의해, 컴퓨터 프로그램 제품의 내용들의 적어도 일부들을 정보 처리 시스템(100)의 스토리지(106)에, 메모리(104)에, 및/또는 다른 비휘발성 메모리 및 휘발성 메모리에 로드하기에 적합할 수 있다. 프로세서(102)는 컴퓨터 프로그램 제품에 직접 액세스함으로써, 예를 들어 정보 처리 시스템(100)의 디스크 드라이브 주변 장치 내로 삽입된 CD-ROM 디스크로부터 판독함으로써 실행가능한 명령어들 및/또는 데이터 구조들을 부분적으로 처리할 수 있다. 대안적으로, 프로세서(102)는 컴퓨터 프로그램 제품에 원격 액세스함으로써, 예를 들어 네트워크 접속 디바이스(114)를 통해 원격 서버로부터 실행가능한 명령어들 및/또는 데이터 구조들을 다운로드함으로써 실행가능한 명령어들 및/또는 데이터 구조들을 처리할 수 있다. 컴퓨터 프로그램 제품은 정보 처리 시스템(100)의 스토리지(106), 메모리(104), 및/또는 다른 비휘발성 메모리 및 휘발성 메모리에의 데이터, 데이터 구조들, 파일들, 및/또는 실행가능한 명령어들의 로드 및/또는 복사를 촉진하는 명령어들을 포함할 수 있다.
일부 맥락들에서, 캐리어 파로 구체화된 기저대역 신호 및/또는 신호는 일시적 신호라고 할 수 있다. 일부 맥락들에서, 스토리지(106) 및 메모리(104)는 비일시적 컴퓨터 판독가능 저장 매체 또는 컴퓨터 판독가능 저장 매체라고 할 수 있다. 메모리(104)의 다이내믹 RAM 실시예는 다이내믹 RAM이 예를 들어 정보 처리 시스템(100)이 턴 온되고 동작하는 시간 주기 동안 전기 전력을 수신하고 그것의 설계에 따라 동작되지만, 다이내믹 RAM은 그것에 기입된 정보를 저장한다는 점에서 마찬가지로 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체라고 할 수 있다. 유사하게, 프로세서(102)는 일부 맥락들에서 비일시적 컴퓨터 판독가능 매체 또는 컴퓨터 판독가능 저장 매체라고 할 수 있는 내부 RAM, 내부 ROM, 캐시 메모리, 및/또는 다른 비일시적 저장 블록들, 섹션들, 또는 소자들을 포함할 수 있다.
도 2는 하나 이상의 정보 처리 시스템(100)을 위한 예시적인 네트워크된 구성을 도시한 블록도이다. 한 실시예에서, 하나 이상의 클라이언트(220)가 네트워크(210)를 통해 하나 이상의 서버(240)에 결합된다. 네트워크(210)는 공중 네트워크, 사설 네트워크, 무선 네트워크, 근거리 네트워크(LAN), 원거리 네트워크(WAN), 인터넷, 엑스트라넷, 인트라넷, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 네트워크일 수 있다. 한 실시예에서, 네트워크(210)는 하나 이상의 클라이언트(220)와 하나 이상의 서버(240) 사이의 정보를 라우팅하는 하나 이상의 라우터를 포함할 수 있다.
클라이언트(220)는 임의 유형의 정보 처리 시스템(100)일 수 있다. 한 실시예에서, 클라이언트(220)는 제한된 처리 및 저장 능력들을 갖는 소형 클라이언트일 수 있다. 서버(240)는 임의 유형의 정보 처리 시스템(100)일 수 있다. 한 실시예에서 서버(240)는 가상 머신 또는 데스크탑 세션일 수 있다. 하나 이상의 서버(240)는 하나 이상의 클라이언트(220)에의 소프트웨어 및/또는 하드웨어에 액세스를 제공할 수 있다. 예를 들어, 서버(240)는 가상 디바이스 및/또는 가상 애플리케이션에의 클라이언트(220)에 액세스를 제공할 수 있다. 임의의 하나 이상의 클라이언트(240)는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 하나 이상의 프로토콜 중 어느 것을 통해 하나 이상의 서버(240)와 통신할 수 있다.
하나 이상의 클라이언트(220)는 하나 이상의 저하 테스팅 시스템(230)과 결합될 수 있다. 단지 하나의 저하 테스팅 시스템(230)이 주어진 클라이언트(220)에 결합된 것으로 도시되지만, 본 개시내용은 단일 클라이언트(220)에 또는 다수의 클라이언트(220)에 결합된 임의의 하나 이상의 저하 시스템(230)을 고려한다. 한 실시예에서 하나 이상의 저하 테스팅 시스템(230)은 동일한 하나 이상의 클라이언트(230)에 결합될 수 있다. 저하 테스팅 시스템들(230)의 임의의 조합이 임의의 하나 이상의 클라이언트(220)에 임의 수의 구성들로 결합될 수 있는 것이 본 개시내용에 의해 고려된다. 하나 이상의 실시예에서, 클라이언트(220)는 임의의 하나 이상의 저하 테스팅 시스템(230)으로부터 수신된 정보를 네트워크(210)를 통해 임의의 하나 이상의 서버(240)에 전달할 수 있다.
도 3은 본 개시내용의 하나 이상의 실시예에 따른 예시적인 저하 테스팅 시스템(230)을 도시한 블록도이다. 소정의 소자들만이 도시되지만, 본 개시내용은 저하 테스팅 시스템(230)이 임의 수의 소자들을 포함할 수 있는 것을 고려한다. 하나 이상의 소자가 저하 테스팅 시스템(230) 내에 도시되지만, 본 개시내용은 소자들 중 임의의 하나 이상이 단일 구조 또는 유닛 내에 또는 다수의 구조들 또는 유닛들 내에 포함될 수 있는 것을 고려한다.
저하 테스팅 시스템(230)은 감광 디바이스들의 저하를 테스트하는 효율적인 방식을 제공한다. 저하 테스팅 시스템(230)은 광 전원(302), 멀티플렉서(먹스)(304), 전기 소스 측정 디바이스(또는 측정 디바이스)(306), 및 감광 디바이스 테스트 시스템(308)을 포함할 수 있다. 하나 이상의 실시예에서, 광 전원(302), 먹스(304), 측정 디바이스(306), 및 감광 디바이스 테스트 시스템(308)은 별개의 디바이스들일 수 있거나 단일 디바이스 내에 있을 수 있고, 하나 이상의 랙 내에 하우징될 수 있거나 단일 랙 내에 있을 수 있고, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다.
광 전원(302)은 전류, 전압, 시간 스탬프들, 또는 하나 이상의 광원에 전력을 공급하는 것과 연관된 기타 파라미터들 중 하나 이상을 제어할 수 있는 프로그래머블 전원 공급 장치일 수 있다. 한 실시예에서, 광 전원(302)은 Keithley 2231A-30-3 트리플 채널 DC 전원 공급 장치(Triple Channel DC Power Supply), 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 광 전원(302), 또는 광 전원들(302)의 임의의 조합일 수 있다. 광 전원(302)은 광원 플레이트(312)에 의해 방출된 광 세기를 제어한다. 광 전원(302)은 사용자가 광 전원(302)의 임의의 하나 이상의 파라미터를 (수동으로, 자동으로, 또는 프로그램으로) 조정하게 하는 하나 이상의 로컬 컨트롤을 가질 수 있다. 광 전원(302)은 광 전원(302)과 클라이언트(220) 사이의 양방향 통신을 가능하게 하기 위해 클라이언트(220)에 결합될 수 있다. 광 전원(302)과 연관된 하나 이상의 파라미터 중 어느 것은 클라이언트(220)에 의해 제어가능할 수 있다. 광 전원(302)은 하나 이상의 파라미터 중 어느 것에 대한 값들을 클라이언트(220)에 송신할 수 있다. 광 전원(302)과 연관된 하나 이상의 파라미터에 적어도 부분적으로 기초하여, 클라이언트(220)는 광 전원(302)과 연관된 하나 이상의 파라미터 중 어느 것을 변경할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 파라미터 중 임의의 하나 이상은 임계치 값과 비교될 수 있고 그 비교에 적어도 부분적으로 기초하여, 클라이언트(220)는 광 전원(302)에 이들 파라미터 중 하나 이상을 변경 또는 변화시키라는 명령을 전달할 수 있다. 예를 들어, 클라이언트(220)는 광 전원(302)에 의해 출력되는 전압 레벨을 표시하는 파라미터를 수신할 수 있고 그 파라미터는 미리 정의된 임계치 또는 한계와 비교될 수 있고 그에 대해 클라이언트(220)는 (광 전원(302)에 현재의 전압 레벨을 증가, 감소, 또는 유지하라는 명령을 보내는 것과 같은) 임계치에 도달하도록 전압을 조정하라는 명령을 광원(302)에 보낼 수 있다.
저하 테스팅 시스템(230)은 또한 먹스(304)를 포함할 수 있다. 먹스(304)는 감광 디바이스(318)의 화소들을 결합된 측정 디바이스(306)에 멀티플렉스하는 멀티플렉서이다. 한 실시예에서, 먹스(304)는 Agilent 34792 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 적합한 스위치 유닛일 수 있다. 한 실시예에서, 측정 디바이스(306)는 Keithley 2450 소스 미터 유닛 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 측정 디바이스들일 수 있다. 측정 디바이스(306)는 단지 한번에 감광 디바이스(318)의 하나의 화소를 측정할 수 있다. 측정 디바이스(306)는 선택된 화소에 대한 정보 또는 측정치를 요청하는 신호 또는 명령을 먹스(304)에 보낼 수 있다. 응답하여, 먹스(304)는 선택된 화소와 연관된 측정치를 측정 디바이스(306)에 보낸다. 이러한 방식으로, 각각의 감광 디바이스(318)의 각각의 화소가 테스트될 수 있다. 단지 하나의 먹스(304)가 도시되지만, 임의 수의 먹스들(304)이 먹스(304)에 의해 허용된 입력들의 수 및 측정될 필요가 있는 감광 디바이스들(318)의 화소들의 수에 따라 이용될 수 있다. 한 실시예에서, 제1 세트의 먹스들(304)(여기서 세트는 하나 이상일 수 있음)은 제1 측정 디바이스(306)에 결합될 수 있지만 제2 세트의 먹스들(여기서 세트는 하나 이상일 수 있음)은 제2 측정 디바이스(306)에 결합될 수 있다. 먹스들(304)과 측정 디바이스들(306)의 임의의 조합이 주어진 테스팅 구성의 특정한 요건들에 따라 이용될 수 있다.
먹스(304) 및 측정 디바이스(306)는 또한 클라이언트(220)에 결합된다. 클라이언트(220)는 (측정을 위한 감광 디바이스(318)의 화소)를 테스트하기 위해 선택된 감광 디바이스(318)의 특정한 화소를 먹스(304)에 전달한다. 예를 들어, 클라이언트(220)는 선택된 화소와 연관된 필요한 회로를 완성, 개방 또는 다르게는 접속하기 위해 먹스(304)와 연관된 하나 이상의 릴레이를 폐쇄 또는 개방하도록 먹스(304)와 통신할 수 있다. 클라이언트(220)는 다음에 측정 디바이스(306)로부터의 선택된 화소에 대한 측정치를 요청할 수 있다.
저하 테스팅 시스템(230)은 또한 감광 디바이스 테스트 시스템(308)을 포함한다. 감광 디바이스 테스트 시스템(308)은 테스트하기 위해 지정 또는 선택된 감광 디바이스(318)에 대한 기타 동작들을 소스, 하우즈, 냉각, 유지, 액세스, 그와 통신 또는 수행하기 위해 필요한 소자들을 포함한다. 예를 들어, 감광 디바이스 테스트 시스템(308)은 광원 플레이트 온도 제어 디바이스(310), 광원 플레이트(312), 셀 인터페이스 플레이트(314), 컨테이너(316), 및 셀 인터페이스 온도 제어 디바이스(326)를 포함할 수 있다. 광원 플레이트 온도 제어 디바이스(310), 광원 플레이트(312), 셀 인터페이스 플레이트(314), 컨테이너(316), 및 셀 인터페이스 온도 제어 디바이스(326)가 감광 디바이스 테스트 시스템(308) 내에 도시되지만, 임의의 하나 이상은 감광 디바이스 테스트 시스템(308) 외부에 있을 수 있다.
광원 플레이트 온도 제어 디바이스(310)는 광원 플레이트(312) 및 후속하여 그 위에 장착된 임의의 광원들을 가열, 냉각하거나, 가열과 냉각 둘 다를 한다. 한 실시예에서, 열전도 복합체(320)는 유전체 재료이다. 한 실시예에서, 열전도 복합체(320)는 열전도 그리스 또는 에폭시, 카본 나노 튜브들, 흑연, 카본 블랙, CHO-THERM 패드들, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 적합한 열전도 재료 중 하나, 또는 이들의 임의의 조합이다.
광원 플레이트 온도 제어 디바이스(310)는 열전 냉각기, 물 순환조, 드라이 아이스, 플레임, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 것과 같은 가열 또는 냉각을 제공하는 임의의 소스, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. 한 실시예에서, 광원 플레이트 온도 제어 디바이스(310)는 감광 디바이스 테스트 시스템(308) 외부에 있다. 한 실시예에서, 광원 플레이트 온도 제어 디바이스(310)는 광원 플레이트(312)의 온도를 제어하는 외부 소스에 결합한다. 광원 플레이트 온도 제어 디바이스(310)는 일반적으로 요구된 가열/냉각을 제공하기 위해 광원 플레이트(312)에 충분히 가깝게 근접하여 있다.
광원 플레이트(312)는 하나 이상의 전구용과 같은, 광원을 위한 장착 표면을 제공한다. 광원 플레이트(312)는 광 전원(302)에 결합된다. 광원 플레이트(312)는 하나 이상의 광원을 포함할 수 있다. 하나 이상의 광원은 광자들을 발생하는 임의의 디바이스일 수 있다. 예를 들어, 광원은 형광, 백열, 레이저, 열 이온 방출기, 발광 다이오드(LED), 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 유형의 광원일 수 있다. 한 실시예에서, 세기가 단지 전력 와트 입력을 변화시킴으로써 변조될 수 있을 때 하나 이상의 LED 전구가 광원으로서 이용될 수 있다. 광원 플레이트(312) 세기는 전형적으로 1 태양 등가(1,000 W/m2 광 세기)로서 공지된 측정치의 단위로 측정되지만 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 측정치의 기타 적용가능한 단위가 또한 사용될 수 있다. 광 전원(302)은 광원 플레이트(312)의 세기를 증가 또는 감소시키라는 신호 또는 명령을 광원 플레이트(312)에 보낼 수 있다. 예를 들어, 세기는 1 태양 또는 부분적 태양의 증분들로 변경될 수 있다. 한 실시예에서, 감광 디바이스(318)는 광원 플레이트(312)로부터 10 태양 등가들의 방출에 노광된다.
셀 인터페이스 플레이트(314)는 컨테이너(316)를 포함할 수 있다. 컨테이너(316)는 감광 디바이스(318)가 광원 플레이트(312)로부터의 방출들에 노광되도록 감광 디바이스(318)를 하우징 또는 지지하는 척, 홀더, 또는 기타 컨테이너일 수 있다. 감광 디바이스(318)는 광전지(PV들), 태양 전지들, 포토다이오드들, 포토레지스터들, 포토커패시터들, 포토트랜스듀서들, 포토트랜지스터들, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 감광 디바이스 중 임의의 하나 이상, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. 감광 디바이스(318)는 주어진 구성에 따라 임의 수의 개별적인 감광 디바이스들(또한 여기서 "화소들"이라고 함)을 포함할 수 있다. 컨테이너(316)는 열전도 재료, 예를 들어, 알루미늄으로 구성될 수 있다. 컨테이너(316)는 감광 디바이스들(318)의 패드들과 전기적 접속을 형성하도록 쌍이 되는 핀들을 포함한다. 안정성을 제공하고 감광 디바이스(318)의 패드들이 컨테이너(316)의 핀들을 전기적으로 접속하는 것을 보장하기 위해 감광 디바이스(318)에 압력을 가하기 위해 컨테이너(316)의 상부 위에 뚜껑이 배치될 수 있다. 소정의 소자들만이 도시되지만, 본 개시내용은 컨테이너(316)가 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 임의 수의 소자들을 포함할 수 있는 것을 고려한다.
감광 디바이스(318)는 열 전달을 제공하기 위해 열전도 복합체(320) 상에 또는 위에 놓인다. 열전도 복합체(320)가 감광 디바이스들(318) 아래에 도시되지만, 본 개시내용은 열전도 복합체(320)가 감광 디바이스들(318) 위 또는 아래에 있을 수 있거나, 그들을 완전히 둘러싸거나, 이들의 임의의 조합으로 있을 수 있는 것을 고려한다. 예를 들어, 한 실시예에서, 열전도 복합체(320)는 감광 디바이스(318) 위와 아래에 있을 수 있다.
감광 디바이스(318)는 하나 이상의 기판을 포함할 수 있고 여기서 각각의 기판은 하나 이상의 개별적인 감광 디바이스를 포함한다. 한 실시예에서, 감광 디바이스(318)는 기판 당 6개의 개별적인 감광 디바이스가 있는 4개의 기판을 포함한다. 한 실시예에서, 감광 디바이스 테스트 시스템(308)는 다수의 컨테이너(316)를 포함하고 각각의 컨테이너(316)는 각각의 감광 디바이스(318) 내에 다수의 기판들을 포함할 수 있다. 한 실시예에서, 감광 디바이스 테스트 시스템(308)은 각각 감광 디바이스(318)를 갖는 4개의 컨테이너(316)를 포함하고 여기서 감광 디바이스(318)는 기판 당 6개의 개별적인 감광 디바이스가 있는 4개의 기판을 포함하여 총 96개의 개별적인 감광 디바이스가 있다.
광 미터링 디바이스(322)는 광원 플레이트(312)로부터의 방출의 세기를 측정한다. 광 미터링 디바이스(322)는 포토 다이오드, 서미스터, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 임의의 광 측정 디바이스(322), 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. 광 미터링 디바이스(322)는 광원 플레이트(312)로부터의 광 세기의 성능의 임의의 변동들을 측정한다. 감광 디바이스(318)의 구성들의 성능의 변동들은 감광 디바이스들(318) 자체의 성능의 변동들 또는 광원 플레이트(312)의 변동들에 기인할 수 있다. 광 미터링 디바이스(322)가 컨테이너(316) 내에 도시되지만, 본 개시내용은 광 미터링 디바이스(322)가 컨테이너(316) 외부에 있는 것을 고려한다. 광 미터링 디바이스(322)는 테스팅 구성을 위한 하나 이상의 광 세기 측정치 기준에 적어도 부분적으로 기초하여 하나 이상의 광 세기 측정치를 전달할 수 있다. 예를 들어, 광 미터링 디바이스(322)는 먹스(304)로부터의 광 세기 측정치에 대한 요청, 타이밍된 간격, 인터럽트, 수동 명령 또는 사용자에 의한 입력, 임계치 또는 범위가 (위 또는 아래로) 초과되었다는 결정, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 기준들, 또는 이들의 임의의 조합에 적어도 부분적으로 기초하여 먹스(304)에 하나 이상의 광 세기 측정치를 전달할 수 있다. 광 미터딩 디바이스(322)가 컨테이너(322) 내에 도시되지만, 본 개시내용은 광 미터링 디바이스(322)가 감광 디바이스들(318)에 노광된 광 세기를 정확히 측정할 수 있도록 광 미터링 디바이스(322)가 컨테이너(316) 외부에 있지만 광원 플레이트(312)에 근접하여 있는 것을 고려한다. 광 미터링 디바이스(322)는 광원 플레이트(312)로부터 임의의 거리에 있을 수 있지만 정확한 측정치를 위해 감광 디바이스(318)에 노광된 광원 플레이트(312)로부터의 방출들을 측정하기 위해 허용오차 내에 있어야 한다. 한 실시예에서, 광 미터링 디바이스(322)는 열전도 복합체(320)의 양측 상에서 감광 디바이스(318)에 결합된다. 한 실시예에서, 광 미터링 디바이스(322)는 감광 디바이스들(318)과 광원 플레이트(312) 사이에 있지만 감광 디바이스들(318)로의 광원(312)의 어떤 광을 방해하지 않거나 그 광 세기를 저하시키지 않는다.
온도 미터링 디바이스(324)는 감광 디바이스들(318)의 온도를 모니터한다. 온도 미터링 디바이스(324)가 컨테이너(316) 내에 도시되지만, 본 개시내용은 온도 미터링 디바이스(324)가 컨테이너(316) 외부에 있고, 감광 디바이스 테스트 시스템(308) 내에 있거나 감광 디바이스 테스트 시스템(308) 외부에 있을 수 있는 것을 고려한다. 온도 미터링 디바이스(324)는 감광 디바이스들(318)의 정확한 측정치를 제공하도록 감광 디바이스들(318) 가까이 근접하여 있는데 여기서 근접도는 온도 미터링 디바이스(324)의 감도, 테스팅 구성에 요구되는 정확도, 감광 디바이스들(318)의 유형, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 기준들에 적어도 부분적으로 기초하여 결정될 수 있다. 온도 미터링 디바이스(324)는 셀 인터페이스 플레이트(314)의 인터페이스를 통해 먹스(304)와 통신한다. 온도 미터링 디바이스(324)는 테스팅 구성을 위한 하나 이상의 온도 측정치 기준에 적어도 부분적으로 기초하여 하나 이상의 온도 측정치를 전달할 수 있다. 예를 들어, 온도 미터링 디바이스(324)는 먹스(304)로부터의 온도 측정치에 대한 요청, 타이밍된 간격, 인터럽트, 수동 명령 또는 사용자에 의한 입력, 임계치 또는 범위가 (위 또는 아래로) 초과되었다는 결정, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 기준들, 또는 이들의 임의의 조합에 적어도 부분적으로 기초하여 먹스(304)에 하나 이상의 온도 측정치를 전달할 수 있다.
감광 디바이스 테스트 시스템(308)은 또한 셀 인터페이스 온도 제어 디바이스(326)를 포함할 수 있다. 셀 인터페이스 온도 제어 디바이스(326)는 셀 인터페이스 플레이트(314) 및 감광 디바이스(318)를 포함하는 컨테이너(316)의 온도를 제어한다. 셀 인터페이스 온도 제어 디바이스(326)는 열전 냉각기, 물 순환조, 드라이 아이스, 플레임, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 것과 같은 가열 또는 냉각을 제공하는 임의의 소스, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. 한 실시예에서, 셀 인터페이스 온도 제어 디바이스(326)는 감광 디바이스 테스트 시스템(308) 외부에 있다. 한 실시예에서, 셀 인터페이스 온도 제어 디바이스(326)는 셀 인터페이스 플레이트(314)의 온도를 제어하는 외부 소스(예를 들어, 프로그래머블 논리 제어기 및 전원 공급 장치)에 결합한다. 셀 인터페이스 온도 제어 디바이스(326)는 일반적으로 요구된 가열/냉각을 제공하기 위해 셀 인터페이스 플레이트(314)에 가깝게 근접하여 있다.
도 4는 저하 테스팅 시스템(230)을 위한 예시적인 방법(400)을 도시한 플로우차트이다. 단계 402에서, 저하 테스팅 시스템(230)이 초기화되고 구성된다. 하나 이상의 저하 테스팅 파라미터 또는 구성이 클라이언트(220)에서 초기화되거나 설정될 수 있다. 저하 테스팅 파라미터들 또는 구성들은 저하 테스팅 시스템(230)을 위한 테스팅의 구성 및 유형을 표시할 수 있다. 저하 테스팅 파라미터들 또는 구성들 중 하나 이상이 그래픽 사용자 인터페이스(GUI), 명령-라인 인터페이스(CLI)를 통해, 저하 테스팅 시스템(230)의 하나 이상의 소자, 예를 들어, 감광 디바이스들(318)을 폴링하는 엑스퍼트 시스템을 통해 자동으로, 또는 이들의 임의의 조합, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 방식으로 초기화될 수 있다. 하나 이상의 저하 테스팅 파라미터 또는 구성은 사용자에 의해 또는 하나 이상의 다른 클라이언트(220) 또는 서버(240)에 의해 자동으로 초기화되거나 설정될 수 있다. 한 실시예에서, 사용자는 (도 3에 도시한) 클라이언트(220)에 원격으로 로그인하고 하나 이상의 저하 테스팅 파라미터를 설정하거나 초기화한다. 또 하나의 실시예에서, 사용자는 (도 3에 도시한) 클라이언트(220)에서 하나 이상의 저하 테스팅 파라미터를 로컬로 설정하거나 초기화한다. 하나 이상의 실시예에서, (도 3에 도시한) 클라이언트(220)는 저하 테스팅 시스템(230)에 로컬이다. 하나 이상의 실시예에서, (도 3에 도시한) 클라이언트(220)는 저하 테스팅 시스템(230)에 원격이다.
한 실시예에서 저하 테스팅 파라미터들은 감광 디바이스 핀 룩업 테이블을 포함할 수 있다. 감광 디바이스 핀 룩업 테이블은 각각의 감광 디바이스(318)에 대한 유일한 엔트리들 또는 어드레스 맵을 포함할 수 있다. 감광 디바이스들(318)의 각각의 개별적인 감광 디바이스의 각각의 핀은 감광 디바이스 핀 룩업 테이블 내에 저장된 유일한 어드레스를 가질 수 있다. 감광 디바이스 핀 룩업 테이블은 플랫 파일, 데이터베이스, 링크된 리스트, (메모리(104) 또는 스토리지(106)와 같은) 메모리 위치 내에 저장된 어드레스된 값, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 적합한 형태, 또는 이들의 임의의 조합일 수 있다. 감광 디바이스 핀 룩업 테이블은 그래픽 사용자 인터페이스(GUI), 명령-라인 인터페이스(CLI)를 통해 사용자에 의해, 감광 디바이스들(318)의 각각의 개별적인 감광 디바이스를 폴링하는 엑스퍼트 시스템, 저하 테스팅 시스템(230)을 통해 자동으로, 또는 이들의 임의의 조합, 또는 감광 디바이스들(318)의 개별적인 감광 디바이스의 각각의 개별적인 핀에 대한 식별 또는 어드레스들을 획득하기 위해 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 방식으로 초기화될 수 있다. 감광 디바이스 핀 룩업 테이블은 먹스(304)로부터 감광 디바이스들(318)의 각각의 감광 디바이스의 각각의 핀까지의 배선에 상관할 수 있다.
또한 단계 402에서, 하나 이상의 저하 테스팅 임계치가 설정될 수 있다. 하나 이상의 저하 테스팅 임계치는 감광 디바이스 고장 임계치, 화소 성능 레이팅, 화소 고장 임계치, 광 세기 임계치, 광 세기 시간 간격, 온도 임계치, 습도 임계치, 전압 임계치, 전류 임계치, 대기 임계치(예를 들어, 산소, 질소, 아르곤, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 대기 기준들에 대한 설정된 레벨들), 테스팅 지속기간 임계치(예를 들어, 1일, 10일, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 측정치의 기타 적합한 단위) 중 하나 이상 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 임계치들 또는 이들의 조합들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 저하 테스팅 시스템(230)은 기준선을 확립하기 위해 1 태양의 미리 정의된 기준선 광 세기 임계치에서 감광 디바이스들(318)을 테스트하도록 구성될 수 있다. 또 하나의 예에서, 기준선이 확립된 후에, 저하 테스팅 시스템(230)은 10 태양의 광 세기 임계치에서 감광 디바이스들(318)을 테스트하도록 구성될 수 있다.
또한 단계 402에서, 저하 테스팅 시스템(230)은 데이터 포인트들의 범위에 걸쳐 그리고 그 범위 내의 특정된 간격으로 하나 이상의 유형의 측정치들을 획득하도록 구성될 수 있다. 한 실시예에서, 범위는 측정 디바이스(306)에 의해 -0.2볼트 내지 +1.3볼트로 설정되고 매 0.1V 간격마다 감광 디바이스들(318)의 성능 측정들이 행해진다. 간격 지속기간은 또한 각각의 간격과 연관될 수 있다. 한 실시예에서 간격 지속기간은, 헤르쯔로 측정된 시간 주기로 측정되도록 주파수에 기초할 수 있다. 또 하나의 실시예에서, 간격의 지속기간은 또한 날들 및 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 측정치의 기타 적합한 단위로 측정될 수 있다. 스캔 방향은 또한 측정들이 초기에 음의 전압으로부터 양의 전압으로 또는 양의 전압으로부터 음의 전압으로 행해지도록 특정될 수 있다.
단계 402에서, 초기화되거나 설정될 수 있는 하나 이상의 다른 구성 또는 파라미터는 저하 테스팅 시스템들(230)의 수, 각각의 저하 테스팅 시스템(230) 내의 컨테이너들(316)의 수, 각각의 컨테이너(316) 내의 감광 디바이스들(318)의 수, 각각의 감광 디바이스들(318) 내의 개별적인 감광 디바이스들의 수, 감광 디바이스들(318)의 각각의 개별적인 감광 디바이스를 제조하는 데 사용되는 공정, 각각의 개별적인 기판에 대한 파일 명 또는 다른 유일한 식별자, 각각의 감광 디바이스들(318)의 각각의 개별적인 감광 디바이스의 어느 핀들이 측정(또는 테스트)되는지의 식별, 테스팅 온도, 테스팅 대기(예를 들어, 수증기, 공기, 순수 질소, 순수 산소, 순수 아르곤 등, 또는 이들의 임의의 조합) 및 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 파라미터들을 포함할 수 있다.
단계 404에서, 광 세기는 광 세기 임계치(또는 기준선이면, 기준선 광 세기 임계치)에 적어도 부분적으로 기초하여 설정된다. 한 실시예에서, 클라이언트(220)는 광원 플레이트(312)에 특정한 전압 또는 전류를 출력하라는 명령을 광 전원(302)(예를 들어, 프로그래머블 전원)에 보낸다. 명령은 저하 테스팅 파라미터들 중 임의의 하나 이상에 기초할 수 있다. 예를 들어, 한 실시예에서 광 세기 임계치는 10 태양으로 설정되고 10 태양에서의 테스팅하는 지속기간은 매 10일로 설정되고, 간격이 광 세기를 1 태양으로 조정하고 감광 디바이스(318) 테스팅 사이클 동안 1 태양 광 세기를 유지하기 위해 설정되고, 테스팅 사이클 완료 시에 10 태양으로 복귀된다. 이 실시예에서, 클라이언트(220)는 광원 플레이트(312)의 광 세기를 요구된 레벨로 설정하도록 대응하는 전압 또는 전류 명령을 광 전원(302)에 보낸다.
단계 406에서 측정치가 요청되어야 하는지가 결정된다. 예를 들어, 저하 테스팅 파라미터들 중 하나 이상은 측정치가 언제 요청되는지를 표시할 수 있고, 사용자는 측정치를 요청할 수 있거나 또는 클라이언트(220)는 임의 수의 기준들, 저하 테스팅 파라미터들, 또는 이들의 임의의 조합에 기초하여 측정치를 요청할 수 있다. 한 실시예에서, 특정한 간격이 지났거나 지속기간이 도달되었는지가 결정된다. 예를 들어, 저하 테스팅 시스템(230)은 소정의 시간 간격 또는 지속기간의 만료 시에 감광 디바이스들(318)의 임의의 하나 이상의 화소의 성능 측정을 행하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, 성능 측정들(또는 기타 요청된 측정치들)은 인터럽트의 결과로서, 또는 기타 시간 간격에 기초하여 타이머의 만료 후에(예를 들어, 설정된 시간 주기의 만료 시에) 매일, 하루에 2번 행해질 수 있다. 시간 간격은 임계치가 초과될 때, 인터럽트가 트리거되도록 지속기간 임계치 또는 간격 임계치로서 저장될 수 있고, 또는 클라이언트(220)는 임계치가 초과되었는지를 결정하기 위해 계속 폴링할 수 있고, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 방식으로 할 수 있다. 하나 이상의 저하 시스템 파라미터 또는 조건이 측정치가 요청되지 않도록 충족되지 않으면, 시스템은 406에서 계속 루프할 수 있다. 과정은 인터럽트 또는 저하 시스템 파라미터들 또는 조건들 중 하나 이상(예를 들어, 지속기간 임계치 또는 간격 임계치)가 충족되었다는 기타 표시에 대해 계속 폴링하기 위해 별개의 쓰레드를 낳을 수 있다. 이러한 폴링은 별개의 쓰레드에서 수행될 필요가 없지만 오히려 단일 쓰레드에서 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 임의의 방식으로 수행될 수 있다.
한 실시예에서, 측정치는 도 3과 관련하여 위에 설명된 것과 같이 하나 이상의 컨테이너(316) 중 어느 것에 대한 감광 디바이스들(318)의 하나 이상의 개별적인 감광 디바이스의 (개별적인 핀에 대응하는) 하나 이상의 화소의 성능에 대해 요청될 수 있다. 측정치는 임의의 하나 이상의 저하 테스팅 파라미터와 연관된 임의의 조건을 포함하는 임의의 측정가능한 저하 테스팅 시스템 조건에 대해 요청될 수 있다. 예를 들어, 화소의 측정치를 획득하는 것 외에, 습도, 온도, 대기, 또는 기타 적합한 조건이 측정될 수 있다. 하나 이상의 조건이 주어진 화소의 성능과 별도로 측정될 수 있다. 예를 들어, 클라이언트(220)는 측정치들을 요청할 수 있거나 측정 디바이스(306), 온도 미터링 디바이스(324), 및 광 미터링 디바이스(322)를 포함하지만, 이들로 제한되지 않는 하나 이상의 측정 디바이스를 사용하여 하나 이상의 조건에 대한 측정치들을 자동으로 수신할 수 있다. 하나 이상의 조건은 요청된 측정치의 각각의 유형과 연관될 수 있다. 예를 들어, 특정한 화소에 대한 성능 측정치는 연관된 지속기간 임계치, 간격 임계치, 범위 임계치, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 적합한 조건을 가질 수 있다. 단계 406은 임의의 이러한 연관된 조건들이, 특정된 측정치가 요청된다는 것을 요청하기 전에 충족되는지를 결정한다.
측정치가 요청되면, 단계 408에서, 클라이언트(220)는 적절한 디바이스에 특정한 측정치 요청을 보낸다. 예를 들어, 클라이언트(220)는 특정한 화소에 대한 성능 측정치 요청을 보낸다. 요청(또는 명령)은 먹스(304)에 보내진다. 요청은 어드레스가 감광 디바이스 핀 룩업 테이블로부터 획득될 수 있는 측정될 (감광 디바이스(318)의 개별적인 감광 디바이스의 특정한 핀에 대응하는) 화소의 어드레스, 컨테이너(316)의 식별, 관심 있는 특정한 화소를 포함하는 기판의 식별, 감광 디바이스들(318) 내의 개별적인 감광 디바이스의 식별, 특정한 저하 테스팅 시스템(230)의 식별, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 기준들 또는 식별자에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 먹스(304)는 식별된 화소와 연관된 성능 측정치를 수신하도록 적절한 전기적 접속들을 이룬다.
단계 410에서, 클라이언트(220)로부터 수신된 어드레스에 적어도 부분적으로 기초하여 먹스(304)는 식별된 화소에 대한 성능 측정치를 획득한다. 예를 들어, 전형적으로 범위에 걸친 전압이 감광 디바이스(318)에 (또는 감광 디바이스(318)의 개별적인 감광 디바이스에) 먹스(304)를 통해 측정 디바이스(306)에 의해 인가되고 각각의 간격에서 발생된 전류가 먹스(304)를 통해 측정 디바이스(306)에 의해 측정된다. 이들 측정치는 다음에 모든 정보가 도출될 수 있는 전류/전압(또는 I-V) 곡선을 발생하기 위해 사용될 수 있다. 예를 들어, 저항, 최대 전력, 커패시턴스, 개방 회로 전압, 단락 회로 전류, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 관련된 정보가 도출될 수 있다. 한 실시예에서, 측정 디바이스(306)는 성능 측정치를 클라이언트(220)에 의한 소비를 위해 적합한 형태로 변환할 수 있고 그 결과를 클라이언트(220)에 전달한다. 한 실시예에서, 측정 디바이스(306)는 하나 이상의 적합한 인터페이스, 소자 또는 디바이스를 통해 클라이언트(220)에 성능 측정치를 전달한다. 한 실시예에서, 클라이언트(220)는 측정된 화소와 연관된 기판 파일 내에 측정치를 저장한다. 측정치는 플랫 파일, 데이터베이스, 링크된 리스트, (메모리(104) 또는 스토리지(106)와 같은) 메모리 위치 내에 저장된 어드레스된 값, 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 적합한 형태, 또는 이들의 임의의 조합 내의 엔트리로서 저장될 수 있다.
단계 412에서, 클라이언트(220)는 감광 디바이스(318)의 개별적인 감광 디바이스의 고장이 발생하였는지를 성능 측정치에 대해 단계 410으로부터 수신된 결과에 적어도 부분적으로 기초하여 결정한다. 감광 디바이스 고장이 발생하지 않았다면, 과정은 단계 416으로 이어진다. 감광 디바이스 고장은 특정한 감광 디바이스의 임의의 하나 이상의 화소의 성능 측정치에 적어도 부분적으로 기초하여 결정될 수 있다. 예를 들어, 임의의 하나 이상의 화소의 성능 측정치가 소정의 화소 성능 레이팅 아래로 (예를 들어, 소정의 퍼센티지 아래로) 떨어지면 특정한 감광 디바이스가 고장난 것으로 결정될 수 있다. 한 예에서, 화소 고장 임계치는 하나의 화소가 특정된 화소 성능 레이팅을 충족시키지 않은 경우에, 전체의 개별적인 감광 디바이스가 고장난 것으로 결정되도록 1로 설정된다. 또 하나의 실시예에서, 화소 고장 임계치는 화소들의 특정된 수 또는 퍼센티지이고 그 임계치가 충족될 때 특정한 감광 디바이스는 고장난 것으로 결정된다.
단계 412에서 특정한 감광 디바이스 또는 화소가 고장난 것으로 결정되면, 감광 디바이스 또는 화소는 추가의 테스팅이 감광 디바이스들(318) 내의 그 특정한 감광 디바이스 또는 화소에 대해 수행되지 않도록 단계 414에서 테스팅 표시자로 마크될 수 있다. 테스팅 표시자는 단일 비트일 수 있고 여기서 하나의 설정은 고장을 표시하고 또 하나의 설정은 통과, 고장이 아닌 것을 표시하거나, 테스팅이 특정한 화소 또는 감광 디바이스에 대해 계속되어야 하는 것을 표시한다. 또 하나의 실시예에서, 사용자에게 특정한 감광 디바이스가 고장났고 교체될 필요가 있다는 것이 통지된다. 사용자에게 전자 메일, GUI, CLI, 경고 메시지, 알람, 표시등을 통해, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 방식으로 통지될 수 있다. 한 실시예에서, 고장은 특정한 감광 디바이스와 연관된 기판 파일 내에 기록된다.
단계 416에서 하나 이상의 저하 테스팅 시스템 중 어느 것의 추가의 테스팅이 계속되어야 하는지가 결정된다. 예를 들어, 단계 416의 결정은 고장난 화소들의 수, 고장들로서 마크된 특정한 감광 디바이스들의 수, 또는 기타 저하 테스팅 임계치들 또는 이들의 임의의 조합에 적어도 부분적으로 기초하여 이루어질 수 있다. 하나 이상의 실시예에서, 감광 디바이스(318)의 개별적인 감광 디바이스들의 수가 감광 디바이스 고장 임계치를 초과하면 과정은 종료할 수 있다. 예를 들어, 하나의 실시예에서 감광 디바이스 고장 임계치는 하나보다 많은 감광 디바이스가 감광 디바이스들(318) 내에 포함되어도 단일 감광 디바이스가 고장나면 테스트가 종료하도록 1로 설정될 수 있다. 하나 이상의 실시예에서, 2개 이상의 저하 테스팅 시스템들(230)이 하나의 저하 테스팅 시스템(230)에 대한 테스팅이 종료하여도 다른 것들이 계속될 수 있도록 존재한다. 테스팅을 계속할지는 지속기간 임계치(예를 들어, 테스팅은 미리 결정된 시간 한계의 만료 시에 종료할 수 있다), 테스팅 환경의 적합성(예를 들어, 테스팅은 습도, 온도, 대기 등이 허용가능한 레벨들에 있지 않으면 종료할 수 있다), 화소 고장률, 감광 디바이스 고장률, 고장들로서 마크된 감광 디바이스들의 수, 고장들로서 마크된 화소들의 수, 사용자 입력(예를 들어, 사용자는 GUI, CLI, 또는 다른 입력을 통해 테스팅이 계속되어야 하는지를 표시한다), 하나 이상의 측정된 파라미터들의 하나 이상의 평가, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 기준들에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다.
단계 416에서, 추가의 테스팅이 필요한 것으로 결정되면, 단계 418에서 광 세기가 변경되어야 하는지가 결정된다. 예를 들어, 기준선을 획득할 때, 광 세기는 초기에 설정 및 유지되거나 기준선 테스트의 지속기간 동안 초기 레벨로 고정될 수 있다. 광 세기가 변경될 필요가 없으면 과정은 단계 406으로 이어진다. 광 세기가 변경될 필요가 있으면 과정은 단계 404로 이어진다. 광 세기의 변경은 광 세기 시간 간격, 소정의 측정치 간격들(예를 들어, 각각의 측정치 후에, 각각의 제2 측정치 후에 등등)에서의 광 세기 임계치, 지속기간 간격들, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 적합한 파라미터 중 임의의 하나 이상에 적어도 부분적으로 기초하여 결정될 수 있다.
한 실시예에서, 단계 418에서 저하 테스팅 시스템(230)과 연관된 기타 구성들이 또한 변경될 수 있다. 예를 들어, 저하 테스팅 시스템(230) 환경의 온도, 습도, 대기, 또는 기타 조건이 변경되어야 하는지가 결정될 수 있다.
한 실시예에서, 400으로 도시한 과정은 기준선 측정치를 획득하도록 실행된다. 기준선 측정치는 임의의 하나 이상의 저하 테스팅 임계치 파라미터 및 저하 테스팅 임계치 파라미터들에 대한 하나 이상의 값을 사용하여 확립될 수 있다. 예를 들어, 기준선은 1 태양의 광 세기 임계치로 1일의 지속기간 동안 계속될 수 있다. 기준선 측정치를 확립하는 것에 후속하여, 400으로 도시한 과정은 임의의 주어진 시간 주기 동안 그리고 임의의 광 세기 임계치에 대해(예를 들어, 10 태양의 광 세기에서 10일) 정상 동작에서 실행될 수 있다. 하나 이상의 실시예에서, 클라이언트(220)는 임의의 하나 이상의 알람에 기초하여 저하 테스팅 시스템(230)의 테스팅을 멈출 수 있다. 하나 이상의 알람은 연기 검출기, 일산화탄소 검출기, 온도 측정치, 습도 측정치, 대기 측정치, 전압 측정, 전류 측정치, 전력 측정치, 진동 검출기(예를 들어, 저하 테스팅 시스템(230)을 하우징하는 구조 내의 진동 또는 이동, 예를 들어, 지진으로 인한 진동들을 검출하는 디바이스), 단락 회로, 개방 회로, 또는 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 공지된 기타 알람 중 임의의 하나 이상에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다.
여기서, "또는"은 명시적으로 달리 표시되거나 문맥에 의해 달리 표시되는 것이 아니면 포괄적이고 배타적이 아니다. 그러므로, 여기서, "A 또는 B"는 명시적으로 달리 표시되거나 문맥에 의해 달리 표시되는 것이 아니면 "A, B, 또는 둘 다"를 의미한다. 더구나, "및"은 명시적으로 달리 표시되거나 문맥에 의해 달리 표시되는 것이 아니면 공동으로와 개별적으로 둘 다이다. 그러므로, 여기서, "A 및 B"는 명시적으로 달리 표시되거나 문맥에 의해 달리 표시되는 것이 아니면 "공동으로 또는 개별적으로 A와 B"를 의미한다.
본 개시내용은 본 기술 분야의 통상의 기술자가 이해하는 여기의 예시적인 실시예들에 대한 모든 변화들, 대체들, 변형들, 변경들, 및 수정들을 포함한다. 유사하게, 적절한 경우에, 첨부된 청구범위는 본 기술 분야의 통상의 기술자가 이해하는 여기의 예시적인 실시예들에 대한 모든 변화들, 대체들, 변형들, 변경들, 및 수정들을 포함한다. 더구나, 첨부된 청구범위의 장치 또는 시스템 또는 장치 또는 시스템의 소자는 그것 또는 그 특정한 기능이 장치, 시스템, 또는 소자가 그렇게 적응, 배열, 가능, 구성, 허용, 동작가능, 또는 동작하는 한, 작동, 턴 온, 또는 언록되든지 간에 그 장치, 시스템, 소자를 포함하는 특정한 기능을 수행하도록 적응, 배열, 가능, 구성, 허용, 동작가능, 또는 동작하는 것으로 참조된다.
여기에 설명된 단계들, 동작들, 또는 과정들의 어느 것은 전체적으로 하드웨어로 또는 전체적으로 (펌웨어, 모듈들, 명령어들, 마이크로-코드 등을 포함하는) 소프트웨어로 또는 하드웨어와 소프트웨어의 임의의 조합으로 수행 또는 구현될 수 있다. 한 실시예에서, 소프트웨어 모듈은 설명된 단계들, 동작들, 또는 과정들의 일부 또는 모두를 수행하는 컴퓨터 프로세서에 의해 실행될 수 있는 컴퓨터 프로그램 코드를 포함하는 컴퓨터 판독가능 매체를 포함하는 컴퓨터 프로그램 제품으로 구현된다.
본 발명의 실시예들은 또한 여기의 동작들을 수행하는 장치에 관한 것이다. 이 장치는 요구된 목적을 위해 특별히 구성될 수 있고, 및/또는 그것은 정보 처리 시스템 내에 저장된 컴퓨터 프로그램에 의해 선택적으로 작동 또는 재구성되는 정보 처리 시스템과 같은, 범용 컴퓨팅 디바이스를 포함할 수 있다. 이러한 컴퓨터 프로그램은 실재하는 컴퓨터 판독가능 저장 매체 또는 전자적 명령어들을 저장하는 임의 유형의 매체 내에 저장될 수 있고, 정보 처리 시스템 버스에 결합된다. 더욱이 명세서에 참조되는 임의의 컴퓨팅 시스템들은 단일 프로세서를 포함할 수 있거나 증가된 컴퓨팅 능력을 위한 다수의 프로세서 설계들을 이용하는 아키텍처들일 수 있다.
본 발명이 여러 실시예들로 설명되었지만, 수많은 변화들, 변형들, 변경들, 변환들, 및 수정들이 본 기술 분야의 통상의 기술자에게 제안될 수 있고, 본 발명은 첨부된 청구범위의 범위 내에 드는 이러한 변화들, 변형들, 변경들, 변환들, 및 수정들을 포함하고자 한다. 더욱이, 본 개시내용이 다양한 실시예들과 관련하여 설명되었지만, 본 개시내용의 교시는 적절한 것으로 단일 실시예 내에 조합될 수 있다는 것이 완전히 예상된다.
Claims (21)
- 시스템으로서,
광원 플레이트 - 상기 광원 플레이트는 광 세기의 광을 방출함 -;
셀 인터페이스 플레이트;
상기 광원 플레이트에 근접하고 상기 셀 인터페이스 플레이트에 결합된 컨테이너 - 상기 컨테이너는 복수의 감광 디바이스를 포함하고, 상기 복수의 감광 디바이스 각각의 복수의 화소와 연관된 복수의 핀은 상기 컨테이너와 인터페이스하고, 상기 컨테이너는 상기 복수의 핀을 상기 셀 인터페이스 플레이트에 인터페이스함 -;
상기 광원 플레이트에 근접한 광 미터링 디바이스 - 상기 광 미터링 디바이스는 상기 광원 플레이트로부터 상기 감광 디바이스들로의 방출들의 세기를 측정함 -;
상기 광원 플레이트에 결합된 광 전원 - 상기 광 전원은 상기 광원 플레이트로의 전류 및 전압 중 하나 이상을 제어함 -;
상기 셀 인터페이스 플레이트에 결합된 멀티플렉서 - 상기 멀티플렉서는 상기 복수의 화소를 어드레스하도록 회로를 활성화시킴 -;
상기 멀티플렉서에 결합된 측정 디바이스 - 상기 측정 디바이스는 상기 복수의 화소와 연관된 하나 이상의 성능 측정치를 수신함 -; 및
상기 광원 플레이트에 결합된 광원 플레이트 온도 제어 디바이스 - 상기 광원 플레이트 온도 제어 디바이스는 상기 광원 플레이트의 온도를 제어함 -
를 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 광원 플레이트 온도 제어 디바이스는 상기 광원 플레이트를 가열, 냉각, 또는 가열과 냉각 둘 다 하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 광 전원은 프로그래머블 전원 공급 장치인, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 컨테이너 내에 온도 미터링 디바이스를 추가로 포함하고, 상기 온도 미터링 디바이스는 하나 이상의 상기 감광 디바이스와 연관된 온도를 측정하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 감광 디바이스의 적어도 한 측면에 인접한 열전도 복합체를 추가로 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 셀 인터페이스 플레이트에 결합된 셀 인터페이스 온도 제어 디바이스를 추가로 포함하고, 상기 셀 인터페이스 온도 제어 디바이스는 상기 컨테이너 및 상기 셀 인터페이스 플레이트의 온도를 제어하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 광 전원, 상기 멀티플렉서, 및 상기 측정 디바이스에 통신적으로 결합된 클라이언트를 추가로 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
감광 디바이스 테스트 시스템을 추가로 포함하고, 상기 감광 디바이스 테스트 시스템은 상기 광원 플레이트, 상기 셀 인터페이스 플레이트, 상기 컨테이너, 상기 광원 플레이트 온도 제어 디바이스, 및 상기 셀 인터페이스 온도 제어 디바이스를 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 컨테이너 내에 하나 이상의 기판을 추가로 포함하고, 상기 하나 이상의 기판 각각은 하나 이상의 감광 디바이스를 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 컨테이너 내에 습도 측정 디바이스를 추가로 포함하고, 상기 습도 측정 디바이스는 상기 컨테이너 내의 습도를 측정하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 컨테이너 내에 대기 측정 디바이스를 추가로 포함하고, 상기 대기 측정 디바이스는 상기 컨테이너 내의 대기를 측정하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
진동 검출기를 추가로 포함하고, 상기 진동 검출기는 하나 이상의 상기 감광 디바이스가 노출된 모든 진동을 측정하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 광원 플레이트는 형광 광원, 백열 광원, 레이저, 열 이온 방출기, 또는 발광 다이오드 중 하나 이상을 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 광원 플레이트는 발광 다이오드를 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 광 세기는 1 태양 등가 이하인, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 광 세기는 1 태양 등가 이상인, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 광 세기는 10 태양 등가인, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 감광 디바이스는 광전지들, 포토다이오드들, 포토레지스터들, 포토커패시터들, 포토트랜스듀서들, 또는 포토트랜지스터들 중 하나 이상을 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 복수의 감광 디바이스는 적어도 하나의 광 전지를 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 광 미터링 디바이스는, 포토다이오드 또는 서미스터(thermistor)를 포함하는, 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 광 미터링 디바이스는 타이밍된 간격에서의 상기 광 세기를 측정하는, 시스템.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201562232088P | 2015-09-24 | 2015-09-24 | |
| US62/232,088 | 2015-09-24 | ||
| PCT/US2016/053806 WO2017053984A1 (en) | 2015-09-24 | 2016-09-26 | System and method for testing photosensitive device degradation |
| KR1020217042702A KR102456604B1 (ko) | 2015-09-24 | 2016-09-26 | 감광 디바이스 저하를 테스트하는 시스템 및 방법 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020217042702A Division KR102456604B1 (ko) | 2015-09-24 | 2016-09-26 | 감광 디바이스 저하를 테스트하는 시스템 및 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20220142552A true KR20220142552A (ko) | 2022-10-21 |
| KR102567433B1 KR102567433B1 (ko) | 2023-08-14 |
Family
ID=58387553
Family Applications (4)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020227035896A KR102567433B1 (ko) | 2015-09-24 | 2016-09-26 | 감광 디바이스 저하를 테스트하는 시스템 및 방법 |
| KR1020197022257A KR102345502B1 (ko) | 2015-09-24 | 2016-09-26 | 감광 디바이스 저하를 테스트하는 시스템 및 방법 |
| KR1020187011241A KR20180049123A (ko) | 2015-09-24 | 2016-09-26 | 감광 디바이스 저하를 테스트하는 시스템 및 방법 |
| KR1020217042702A KR102456604B1 (ko) | 2015-09-24 | 2016-09-26 | 감광 디바이스 저하를 테스트하는 시스템 및 방법 |
Family Applications After (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197022257A KR102345502B1 (ko) | 2015-09-24 | 2016-09-26 | 감광 디바이스 저하를 테스트하는 시스템 및 방법 |
| KR1020187011241A KR20180049123A (ko) | 2015-09-24 | 2016-09-26 | 감광 디바이스 저하를 테스트하는 시스템 및 방법 |
| KR1020217042702A KR102456604B1 (ko) | 2015-09-24 | 2016-09-26 | 감광 디바이스 저하를 테스트하는 시스템 및 방법 |
Country Status (13)
| Country | Link |
|---|---|
| US (5) | US9831829B2 (ko) |
| EP (3) | EP4290765A3 (ko) |
| JP (4) | JP6738051B2 (ko) |
| KR (4) | KR102567433B1 (ko) |
| CN (2) | CN110690856B (ko) |
| AU (3) | AU2016325716B2 (ko) |
| BR (1) | BR112018005784B1 (ko) |
| CA (2) | CA3022433C (ko) |
| ES (2) | ES2955826T3 (ko) |
| MX (2) | MX2018003586A (ko) |
| MY (1) | MY185260A (ko) |
| PL (1) | PL3353890T3 (ko) |
| WO (1) | WO2017053984A1 (ko) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2823182T3 (es) | 2016-07-19 | 2021-05-06 | Autronica Fire & Security As | Sistema y método de verificación de la integridad operativa de un detector de humo |
| CN109918045A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-21 | 徐文婷 | 一种改进的光量子随机数产生的实现方法 |
| CN109918046A (zh) * | 2019-02-28 | 2019-06-21 | 徐文婷 | 一种改进的基于光学的量子随机数产生的装置 |
| EP3726810B1 (en) * | 2019-04-16 | 2023-12-06 | ABB Schweiz AG | System and method for interoperable communication of automation system components |
| CN113205780B (zh) * | 2021-04-16 | 2022-08-30 | 广州朗国电子科技股份有限公司 | 一种一体机集成i2c光感模块的适配方法和系统 |
| EP4443743A2 (en) | 2021-06-16 | 2024-10-09 | Conti Innovation Center, LLC | Solar module racking system |
| CN116466268B (zh) * | 2023-06-19 | 2024-06-07 | 力高(山东)新能源技术股份有限公司 | 一种光敏传感器的故障检测方法、系统及设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218298A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Eko Instruments Trading Co Ltd | 太陽電池の特性計測装置、太陽電池の特性計測方法 |
| KR20100009844A (ko) * | 2008-07-21 | 2010-01-29 | 세크론 주식회사 | 태양전지 검사장치 |
| JP2011082202A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 検査装置 |
| JP2015135882A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 日清紡メカトロニクス株式会社 | 太陽電池の出力測定方法 |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8921561D0 (en) * | 1989-09-23 | 1989-11-08 | Univ Edinburgh | Designs and procedures for testing integrated circuits containing sensor arrays |
| US5689340A (en) * | 1995-12-06 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Apparatus and method for measuring alignment in lenticular media |
| US6714296B2 (en) * | 2001-10-25 | 2004-03-30 | Fuji Photo Film. Co., Ltd. | Method and apparatus for inspecting photosensitive material for surface defects |
| US7215361B2 (en) * | 2003-09-17 | 2007-05-08 | Micron Technology, Inc. | Method for automated testing of the modulation transfer function in image sensors |
| US6861686B2 (en) * | 2003-01-16 | 2005-03-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Structure of a CMOS image sensor and method for fabricating the same |
| US20060234398A1 (en) * | 2005-04-15 | 2006-10-19 | International Business Machines Corporation | Single ic-chip design on wafer with an embedded sensor utilizing rf capabilities to enable real-time data transmission |
| WO2006130717A2 (en) * | 2005-06-02 | 2006-12-07 | The Regents Of The University Of California | Effective organic solar cells based on triplet materials |
| JP5054326B2 (ja) * | 2006-05-01 | 2012-10-24 | 昭和シェル石油株式会社 | Ｃｉｓ系薄膜太陽電池モジュールの改良された耐久性試験方法 |
| WO2008129010A2 (en) * | 2007-04-19 | 2008-10-30 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Test equipment for automated quality control of thin film solar modules |
| JP2009043987A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Toyota Motor Corp | 太陽電池モジュールの故障診断装置 |
| JP2009200446A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置の特性評価方法および光電変換装置の製造方法 |
| US20100236035A1 (en) | 2009-03-19 | 2010-09-23 | Kyo Young Chung | System and method for detecting defects in a solar cell and repairing and characterizing a solar cell |
| US20100237895A1 (en) | 2009-03-19 | 2010-09-23 | Kyo Young Chung | System and method for characterizing solar cell conversion performance and detecting defects in a solar cell |
| KR200453384Y1 (ko) * | 2009-03-30 | 2011-04-27 | (주)신성이지텍 | 무선 주파수 방식의 가구 개폐장치 |
| US20110140531A1 (en) | 2009-12-16 | 2011-06-16 | Nagendra Srinivas Cherukupalli | Systems, Circuits, and Methods for Voltage Matching of an Adaptive Solar Power System |
| TWI397708B (zh) * | 2010-04-06 | 2013-06-01 | Ind Tech Res Inst | 太陽能電池之量測系統和太陽光模擬器 |
| US8432177B2 (en) * | 2010-05-12 | 2013-04-30 | Intermolecular, Inc. | High throughput current-voltage combinatorial characterization tool and method for combinatorial solar test substrates |
| CN201925842U (zh) * | 2010-11-26 | 2011-08-10 | 湖北民族学院 | 一种基于无线传感器网络的太阳能路灯 |
| US8439530B2 (en) * | 2011-02-16 | 2013-05-14 | The Boeing Company | Method and apparatus for simulating solar light |
| US9863890B2 (en) | 2011-06-10 | 2018-01-09 | The Boeing Company | Solar cell testing apparatus and method |
| JP6312257B2 (ja) | 2011-07-06 | 2018-04-18 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン | エピタキシャルリフトオフを使用した組み込まれた太陽光集光と冷間圧接接合された半導体太陽電池 |
| DE102011085392B4 (de) | 2011-10-28 | 2014-05-28 | Ims Connector Systems Gmbh | Verfahren zur Überwachung von Photovoltaikmodulen |
| JP5214792B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2013-06-19 | シャープ株式会社 | 擬似太陽光照射装置 |
| JP2013122998A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Npc Inc | 太陽電池の検査装置及び検査方法 |
| JP2013131678A (ja) * | 2011-12-22 | 2013-07-04 | Pulstec Industrial Co Ltd | 太陽電池パネルの検査方法 |
| JP5057599B1 (ja) * | 2011-12-26 | 2012-10-24 | 株式会社計測技術研究所 | 負荷装置 |
| US9083946B2 (en) * | 2012-02-21 | 2015-07-14 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | System to detect failed pixels in a sensor array |
| JP2013191688A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Sharp Corp | 光発電モジュール、および移動体 |
| TWI457575B (zh) * | 2012-04-06 | 2014-10-21 | Ind Tech Res Inst | 具有自我測試的像素陣列模組及其自我測試方法 |
| EP2850441B1 (en) * | 2012-05-14 | 2018-01-03 | Tuv Rheinland (Shanghai) Co., Ltd. | Photovoltaic element evaluation method, measurement system configuration and process for using a measurement system configuration |
| FR2996079B1 (fr) * | 2012-09-24 | 2016-01-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de caracterisation d'un element photovoltaique, dispositif de caracterisation de l'element photovoltaique, programme et support d'enregistrement associes |
| US8836944B2 (en) * | 2012-09-27 | 2014-09-16 | Uchicago Argonne, Llc | Spatially resolved imaging of opto-electrical property variations |
| EP2824434A1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-14 | Applied Materials Italia S.R.L. | System and method for calibrating a light source for simulating a spectrum of solar radiation |
| JP6418542B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2018-11-07 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 検査装置および検査方法 |
| CN104143959B (zh) | 2014-08-01 | 2017-06-30 | 苏州德睿科仪仪器设备有限公司 | 光伏电池性能衰减监测系统 |
-
2016
- 2016-09-26 CN CN201910950664.7A patent/CN110690856B/zh active Active
- 2016-09-26 MY MYPI2018701149A patent/MY185260A/en unknown
- 2016-09-26 ES ES21180168T patent/ES2955826T3/es active Active
- 2016-09-26 EP EP23192024.0A patent/EP4290765A3/en active Pending
- 2016-09-26 JP JP2018515498A patent/JP6738051B2/ja active Active
- 2016-09-26 WO PCT/US2016/053806 patent/WO2017053984A1/en active Application Filing
- 2016-09-26 ES ES16849881T patent/ES2895514T3/es active Active
- 2016-09-26 KR KR1020227035896A patent/KR102567433B1/ko active IP Right Grant
- 2016-09-26 EP EP21180168.3A patent/EP3958461B8/en active Active
- 2016-09-26 KR KR1020197022257A patent/KR102345502B1/ko active IP Right Grant
- 2016-09-26 MX MX2018003586A patent/MX2018003586A/es unknown
- 2016-09-26 CA CA3022433A patent/CA3022433C/en active Active
- 2016-09-26 US US15/276,378 patent/US9831829B2/en active Active
- 2016-09-26 MX MX2021014474A patent/MX2021014474A/es unknown
- 2016-09-26 AU AU2016325716A patent/AU2016325716B2/en active Active
- 2016-09-26 CN CN201680065103.3A patent/CN108352809B/zh active Active
- 2016-09-26 EP EP16849881.4A patent/EP3353890B1/en active Active
- 2016-09-26 KR KR1020187011241A patent/KR20180049123A/ko active Search and Examination
- 2016-09-26 PL PL16849881T patent/PL3353890T3/pl unknown
- 2016-09-26 BR BR112018005784-3A patent/BR112018005784B1/pt active IP Right Grant
- 2016-09-26 KR KR1020217042702A patent/KR102456604B1/ko active IP Right Grant
- 2016-09-26 CA CA2999939A patent/CA2999939C/en active Active
-
2017
- 2017-11-27 US US15/822,349 patent/US9985583B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-25 US US15/989,530 patent/US10797641B2/en active Active
- 2018-06-14 AU AU2018204249A patent/AU2018204249B2/en active Active
- 2018-10-17 AU AU2018250421A patent/AU2018250421B2/en active Active
- 2018-11-02 JP JP2018207151A patent/JP6905303B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-18 JP JP2020157804A patent/JP7032498B2/ja active Active
- 2020-10-05 US US17/063,157 patent/US11387779B2/en active Active
-
2022
- 2022-02-24 JP JP2022026521A patent/JP2022060487A/ja active Pending
- 2022-06-09 US US17/836,944 patent/US11863122B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218298A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Eko Instruments Trading Co Ltd | 太陽電池の特性計測装置、太陽電池の特性計測方法 |
| KR20100009844A (ko) * | 2008-07-21 | 2010-01-29 | 세크론 주식회사 | 태양전지 검사장치 |
| JP2011082202A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-21 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 検査装置 |
| JP2015135882A (ja) * | 2014-01-17 | 2015-07-27 | 日清紡メカトロニクス株式会社 | 太陽電池の出力測定方法 |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102456604B1 (ko) | 감광 디바이스 저하를 테스트하는 시스템 및 방법 | |
| EP4066377A1 (en) | Reusable interface for solar cell test and characterization |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |