KR20220126758A

KR20220126758A - 리소그래피 스티칭을 위한 시스템, 소프트웨어 애플리케이션 및 방법

Info

Publication number: KR20220126758A
Application number: KR1020227027881A
Authority: KR
Inventors: 용안 쑤; 크리스토퍼 데니스 벤처; 로버트 얀 비저; 루도빅 고데
Original assignee: 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date: 2020-01-21
Filing date: 2020-12-11
Publication date: 2022-09-16
Also published as: WO2021150316A1; EP4094126A1; CN114945870A; US11237485B2; JP2023511069A; TW202144909A; EP4094126A4; CN114945870B; US20210223704A1

Abstract

본 개시내용의 실시예들은 광원의 전파 방향으로 마스크들을 포지셔닝하기 위한 방법들에 관한 것이다. 마스크들은 기판의 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴에 대응한다. 마스크들은 제1 마스크 및 제2 마스크를 스티칭함으로써 포지셔닝된다. 제1 마스크는 제1 피처들의 세트를 포함하고, 제1 피처들의 세트는 제1 피처 계면들에서 제1 피처들의 세트부터 연장되는 제1 피처 연장부들을 갖는다. 제2 마스크는 제2 피처들의 세트를 포함하고, 제2 피처들의 세트는 제2 피처 계면들에서 제2 피처들의 세트로부터 연장되는 제2 연장부를 갖는다. 각각의 제1 피처 연장부는 제1 쌍의 마스크들의 제1 스티칭된 부분의 각각의 스티칭된 부분을 형성하도록 각각의 대응하는 제2 피처 연장부들과 스티칭된다. 제1 쌍의 마스크들의 스티칭된 부분은 포토레지스트 층에 기록될 패턴의 일부를 정의한다.

Description

리소그래피 스티칭을 위한 시스템, 소프트웨어 애플리케이션 및 방법

[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로 포토리소그래피 시스템들에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 개시내용의 실시예들은 마스크들 간의 계면의 스티칭을 위한 시스템, 소프트웨어 애플리케이션, 및 방법에 관한 것이다.

[0002] 포토리소그래피는 반도체 디바이스들의 제조, 이를테면 반도체 디바이스들의 백엔드(back-end) 프로세싱을 위해, 그리고 LCD(liquid crystal display)들과 같은 디스플레이 디바이스들의 제조에 널리 사용된다. 예컨대, 대면적 기판들은 증강 현실 또는 가상 현실(AR/VR) 디바이스들에서 사용되는 광학 칩들과 같은 디스플레이 디바이스들의 제조에서 종종 사용된다. 포토리소그래피 시스템은 하나 이상의 마스크들의 방향으로 기록 빔(write beam)들을 투영하는 투영 유닛을 갖는다. 하나 이상의 마스크들은 기판의 표면 상의 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴에 대응하는 패턴을 갖는다. 그러나 포토리소그래피 시스템에 의해 전사된 단일 마스크 패턴은 기판의 전체 영역을 커버하지 않을 수 있다. 더욱이, 대면적을 커버하기 위해 다수의 마스크 패턴들이 서로 인접하게 전사될 수 있지만, 마스크들 사이의 계면의 스티칭 영역은 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴에서 간극들을 형성할 수 있다. 포토레지스트 내로 기록될 패턴에서 간극들은 패턴 결함들을 형성하여 디스플레이 디바이스들의 감소된 품질을 초래한다. 따라서, 마스크들의 리소그래피 스티칭(lithography stitching)을 위한 개선된 방법들이 당업계에 필요하다.

[0003] 일 실시예에서, 방법이 제공된다. 방법은 광원의 전파 방향으로 2개 이상의 마스크들을 포지셔닝하는 것을 포함하고, 마스크들은 마스크들 아래에 배치된 기판의 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴에 대응한다. 마스크들을 포지셔닝하는 것은 마스크들의 쌍을 스티칭하는 것을 포함한다. 쌍 중 제1 마스크는 제1 피처들의 세트를 포함하고, 제1 피처들의 세트는 제1 피처 계면들에서 제1 피처들의 세트로부터 연장되는 제1 피처 연장부들을 가지며, 제2 마스크는 제2 피처들의 세트를 포함하고, 제2 피처들의 세트는 제2 피처 계면들에서 제2 피처들의 세트로부터 연장되는 제2 피처 연장부들을 갖는다. 각각의 제1 피처 연장부는 제1 쌍의 마스크들의 제1 스티칭된 부분의 각각의 스티칭된 부분을 형성하기 위해 각각의 대응하는 제2 피처 연장부들과 스티칭되고, 제1 쌍의 마스크들의 스티칭된 부분은 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴의 일부를 정의한다.

[0004] 다른 실시예에서, 비-일시적 컴퓨터-판독 가능 매체가 제공된다. 비-일시적 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로세서에 의해 실행될 때, 컴퓨터 시스템으로 하여금, 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴을 갖는 설계 파일을 생성하게 하는 명령들의 세트를 포함한다. 그 후, 컴퓨터 시스템은 2개 이상의 마스크 패턴들 사이에서 설계 파일을 분할하고 마스크 패턴들 각각에 대한 복수의 피처들을 생성한다. 마스크 패턴들의 각각의 피처들은 인접 마스크 패턴들의 제2 피처 연장부들과 스티칭될 제1 피처 연장부들을 포함하고, 제2 피처 연장부들과 스티칭될 제1 피처 연장부들은 2개 이상의 마스크 패턴들로부터 형성된 2개 이상의 마스크들의 인터페이싱에서 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴의 부분들을 정의한다.

[0005] 다른 실시예에서, 비-일시적 컴퓨터-판독 가능 매체가 제공된다. 비-일시적 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로세서에 의해 실행될 때, 컴퓨터 시스템으로 하여금, 2개 이상의 마스크 패턴들 사이에서 설계 파일을 분할하게 하는 명령들의 세트를 포함한다. 그 후, 컴퓨터 시스템은 θ1 = f(L1, λ1, Δ), Δ = f(L1, λ1, θ1), θ2 = f(L2, λ2, Δ), 및 Δ = f(L2, λ2, θ2) 중 하나 이상을 사용하여 2개 이상의 마스크 패턴들의 스티칭된 부분들의 모델을 생성한다. 스티칭된 부분들은 제1 피처들 및 대응하는 제2 피처들을 포함하고, 제1 피처들은 제1 피처 계면들에서 제1 피처들로부터 연장되는 제1 피처 연장부들을 가지며 제2 피처들은 제2 피처 계면들에서 제2 피처들로부터 연장되는 제2 피처 연장부들을 갖는다. 제1 피처 단부 로케이션(θ1)은 각각의 제2 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제1 피처 연장부의 반대 단부까지의 거리이다. 스티칭 시프트(Δ)는 각각의 제1 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제2 피처 계면까지의 거리의 절반이다. 제1 피처 폭(L1)은 각각의 스티칭된 부분의 제1 피처 계면들 각각에서 제1 피처 폭이다. 제1 피처 연장부 길이(λ1)는 각각의 제1 피처 연장부의 길이이다. 제2 피처 단부 로케이션(θ2)은 각각의 제1 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제2 피처 연장부의 반대 단부까지의 거리이다. 제2 피처 폭(L2)은 각각의 스티칭된 부분의 제2 피처 계면들 각각에서 제2 피처 폭이다. 제2 피처 연장부 길이(λ2)는 각각의 제2 피처 연장부의 길이이다.

[0006] 본 개시내용의 위에서 인용된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략하게 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있으며, 이러한 실시예들 중 일부가 첨부된 도면들에 예시되어 있다. 그러나, 첨부된 도면들이 본 개시내용의 통상적인 실시예들만을 예시하는 것이므로, 본 개시내용 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0007] 도 1a는 일 실시예에 따른 리소그래피 시스템의 개략도이다.
[0008] 도 1b는 리소그래피 프로세스에 노출된 기판의 개략적 평면도이다.
[0009] 도 2는 일 실시예에 따른 리소그래피 환경의 개략도이다.
[0010] 도 3은 일 실시예에 따른 리소그래피 프로세스의 흐름도이다.
[0011] 도 4a 및 도 4b는 일 실시예에 따른 마스크 패턴 파일의 예시적인 도면들이다.
[0012] 도 4c는 일 실시예에 따른 스티칭된 부분의 예시적인 도면이다.
[0013] 도 4d 및 도 4e는 일 실시예에 따른 마스크 패턴 파일들의 예시적인 도면들이다.
[0014] 도 4f 내지 도 4i는 실시예들에 따른 피처 연장부들의 예시적인 도면들이다.
[0015] 이해를 용이하게 하기 위하여, 동일한 참조 번호들은 가능한 경우, 도면들에 공통적인 동일한 엘리먼트들을 지정하기 위해 사용되었다. 일 실시예에서 개시되는 엘리먼트들이 구체적인 설명 없이 다른 실시예들에 대해 유익하게 활용될 수 있다는 것이 고려된다.

[0016] 본 개시내용의 실시예들은 리소그래피 스티칭을 위한 시스템, 소프트웨어 애플리케이션, 및 방법에 관한 것이다. 방법의 일부 실시예들은 광원의 전파 방향으로 2개 이상의 마스크들을 포지셔닝하는 것을 포함한다. 마스크들은 마스크 아래에 배치된 기판의 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴에 대응한다. 마스크들을 포지셔닝하는 것은 마스크들의 쌍을 스티칭하는 것을 포함한다. 쌍 중 제1 마스크는 제1 피처들의 세트를 포함하고, 제1 피처들의 세트는 제1 피처 계면들에서 제1 피처들의 세트로부터 연장되는 제1 피처 연장부들을 갖고, 제2 마스크는 제2 피처들의 세트를 포함하고, 제2 피처들의 세트는 제2 피처 계면들에서 제2 피처들의 세트부터 연장되는 제2 피처 연장부들을 갖는다. 각각의 제1 피처 연장부는 제1 쌍의 마스크들의 제1 스티칭된 부분의 각각의 스티칭된 부분을 형성하기 위해 각각의 대응하는 제2 피처 연장부들과 스티칭되고, 제1 쌍의 마스크들의 스티칭된 부분은 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴의 일부를 정의한다.

[0017] 도 1a는 리소그래피 시스템(100)의 개략도이다. 도 1b는 리소그래피 프로세스에 노출된 기판(106)의 개략적인 평면도이다. 리소그래피 시스템(100)은 예시적인 시스템이고, 다른 제조자들로부터의 시스템들을 포함하는 다른 시스템들이 본 개시내용의 양상들을 달성하기 위해 사용되거나 수정될 수 있다는 것이 이해될 것이다. 시스템은 2개 이상의 마스크들(104a, 104b, 104c, ... 104(n-1), 104n)(집합적으로, "2개 이상의 마스크들(104)"로서 지칭됨) 방향으로 기록 빔들을 투영할 수 있는 LED(light emitting diode)들 또는 레이저들과 같은 하나 이상의 광원들을 포함하는 투영 유닛(102)을 포함한다. 마스크들은 기판(106) 위에 배치된다. 2개 이상의 마스크들(104)은 마스크 패턴들(405a, 405b, 405c, ... 405(n-1), 405n)(집합적으로, 도 4a 및 도 4b에서 "마스크 패턴들(405)"로서 지칭됨)을 가질 수 있다.

[0018] 기판(106)은 평면 패널 디스플레이의 일부로서 사용되는 임의의 적합한 재료 예컨대, 유리를 포함한다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 기판(106)은 평면 패널 디스플레이의 일부로서 사용될 수 있는 다른 재료로 만들어진다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 다른 실시예들에서, 기판은 약 5mm 내지 약 70mm, 이를테면, 약 5mm 내지 약 100mm, 이를테면, 약 5mm 내지 약 20mm, 대안적으로 약 50 mm 내지 60 mm의 표면 폭을 가질 수 있다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 기판은 약 5mm 내지 약 100 mm, 이를테면, 약 5mm 내지 약 60mm, 이를테면, 약 5mm 내지 약 20mm, 대안적으로 약 50 mm 내지 60 mm의 표면 길이를 가질 수 있다. 예컨대, 기판은 약 30mm 내지 약 60mm x 약 25mm 내지 약 60mm의 치수들을 가질 수 있다. 기판(106)은 기판 위에 형성된, 이를테면, 패턴 에칭에 의해 패턴화될 필름 층, 및 패턴화될 필름 층 상에 형성된 포토레지스트 층(110) ― 이는 전자기 방사선 예컨대, UV(ultraviolet), EUV(extreme ultraviolet) 또는 딥(deep) UV "광"에 민감함 ― 을 갖는다. 포지티브 톤 포토레지스트(positive tone photoresist)는 포토레지스트 층(110)의 일부들을 포함하며, 이들은 방사선에 노출될 때, 패턴이 전자기 방사선을 사용하여 포토레지스트 층(110)에 기록된 후 포토레지스트 층(110)에 적용된 포토레지스트 현상제에 각각 용해성이다. 네거티브 톤 포토레지스트는 포토레지스트 층(110)의 일부들을 포함하며, 이들은 방사선에 노출될 때, 패턴이 전자기 방사선을 사용하여 포토레지스트 층(110)에 기록된 후 포토레지스트 층(110)에 적용된 포토레지스트 현상제에 각각 불용성일 것이다. 네거티브 톤 현상은 명시야 마스크에 의해 노출된 포지티브 톤 포토레지스트 층(110)을 포함하며, 여기서 노출된 영역은 각각 유기 용매(예컨대, n-부탄올)에 불용성이고 현상 후 웨이퍼 상에 남아 있을 것이다. 포토레지스트 층(110)의 화학적 조성은 포토레지스트 층(110)이 포지티브 포토레지스트인지 또는 네거티브 포토레지스트인지를 결정한다.

[0019] 동작 동안, 투영 유닛(102)은 마스크들(104) 중 하나 이상의 마스크들(104)의 방향으로 기록 빔들을 투영한다. 본원에서 설명된 방법(300)의 실시예들에 따라 포지셔닝된 2개 이상의 마스크들(104)의 마스크 패턴들(405)은 기록 빔들이 마스크들(104) 중 하나 이상의 마스크들(104)의 방향으로 투영될 때, 포토레지스트 층(110) 내로 기록될 디바이스 패턴(112)에 대응한다. 포토레지스트 층(110) 내로 기록된 디바이스 패턴(112)의 디바이스 부분들(114)은 마스크 패턴들(405)의 스티칭된 부분들(403a, 403b, ... 403(n-1))(집합적으로, 도 4b 및 도 4c에 도시된 "스티칭된 부분들(403)"로서 지칭됨)에 대응한다. 2개 이상의 마스크들(104)(도 4a 및 도 4b에 도시됨)의 인터페이싱 마스크들의 마스크 패턴들(405)의 피처 연장부들(407)은 함께 스티칭되도록 모델링되고 포지셔닝된다. 패턴 스티칭을 달성하기 위해, 상이한 마스크들의 마스크 패턴들(405)이 별개의 노출에 의해 획득되고 서로 오버랩된다. 예시적인 리소그래피 노출 프로세스에서, 제1 마스크(104a)가 로딩되고 나서, 포토레지스트 층(110) 내로 기록되는 제1 마스크 패턴(405a)을 형성하는 노출이 이어지고; 그 후, 제2 마스크(104b)가 로딩되고 나서, 제2 마스크 패턴(405b)을 형성하는 노출이 이어지고, 제1 및 제2 피처 연장부 패턴들이 오버랩되어 스티칭된 마스크 패턴(405)을 발생시킨다. 2개 이상의 마스크들(104)의 인터페이싱 마스크들의 피처 연장부들(407)은 디바이스 패턴(112)이 디바이스 부분들(114)에서 실질적으로 이음매가 없도록 모델링 및 포지셔닝된다(즉, 오버랩된다). 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 2개 이상의 마스크들(104)의 인터페이싱 마스크들의 피처 연장부들(407)은 디바이스 패턴(112)이 포토레지스트 층(110)에 기록된 디바이스 부분들(114)에서 이음매가 없도록 모델링되고 포지셔닝된다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 디바이스 패턴(112)은 기판(106) 또는 기판(106) 상에 배치된 필름 층 내로 패턴화될 디바이스에 대응할 수 있다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 다른 실시예들에서, 디바이스 패턴(112)은 기판(106) 또는 기판(106) 상에 배치된 필름 층 내로 패턴화될 하나 이상의 디바이스들에 대응할 수 있다.

[0020] 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 리소그래피 시스템(100)은 기판(106) 상의 전체 포토레지스트 층을 노출시킬 수 있도록 크기가 정해진다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 다른 실시예들에서, 기판(106)은 마스크들(104) 중 하나 이상 아래의 미리 결정된 경로에 기판(106)을 포지토닝(positon)하도록 동작 가능한 스테이지(116)에 의해 지지될 수 있다. 기판의 움직임은 제어기(108)에 의해 제어될 수 있다. 제어기(108)는 일반적으로 마스크 패턴 파일에 기초한 리소그래피 프로세스의 제어 및 자동화를 용이하게 하도록 설계된다. 마스크 패턴 파일(예컨대, 도 4a 및 도 4b에 도시된 마스크 패턴 파일(400))은 본원에서 설명된 방법(300)의 실시예들에 따라 2개 이상의 마스크들(104)의 포지셔닝을 위한 명령들을 갖는 마스크 패턴 데이터를 포함한다. 제어기(108)는 적어도 투영 유닛(102), 스테이지(116), 및 인코더(118)에 커플링되거나 이들과 통신할 수 있다. 투영 유닛(102) 및 인코더(118)는 기판 프로세싱 및 기판 정렬에 관하여 제어기(108)에 정보를 제공할 수 있다. 예컨대, 투영 유닛(102)은 기판 프로세싱이 완료되었음을 제어기(108)에게 알리기 위해 제어기(108)에 정보를 제공할 수 있다.

[0021] 도 2는 리소그래피 환경(200)의 개략도이다. 도 2에 도시된 바와 같이, 리소그래피 환경(200)은 가상 설계 디바이스(202), 마스크 모델링 디바이스(204), 마스크 제조 디바이스(206), 리소그래피 시스템(100), 제어기(210), 및 복수의 통신 링크들(201) 및 전달 시스템(203)을 포함한다(그러나 이에 제한되지 않음). 리소그래피 환경 디바이스들 각각은 통신 링크(201)에 의해 제어기(210)에 연결되도록 동작 가능하다. 대안적으로 또는 부가적으로, 리소그래피 환경 디바이스들 각각은 먼저 제어기(210)와 통신하고 나서, 제어기가 해당 리소그래피 환경 디바이스와 통신하는 것이 이어짐으로써 간접적으로 통신할 수 있다. 리소그래피 환경(200)의 리소그래피 환경 디바이스들 각각은 동일한 영역 또는 생산 시설에 로케이팅될 수 있거나, 리소그래피 환경 디바이스들 각각은 상이한 영역들에 로케이팅될 수 있다.

[0022] 가상 설계 디바이스(202)는 설계 파일을 생성하는 것, 최적화하는 것, 검증하는 것 그리고 업데이트하는 것 중 적어도 하나를 행하도록 동작 가능하다. 설계 파일은 포토레지스트 층(110)에 기록될 디바이스 패턴(112)에 대응한다. 마스크 모델링 디바이스(204)는 본원에서 설명된 방법(300) 동작들에 따라 설계 파일을 분할하고 마스크 패턴 파일(400)을 생성하도록 동작 가능하다. 마스크 패턴 파일(400)은 본원에서 설명된 방법(300) 동작들에 따라 2개 이상의 마스크들(104)에 대한 마스크 패턴 데이터를 포함한다. 마스크 제조 디바이스(206)는 마스크 모델링 디바이스(204)로부터 송신된 2개 이상의 마스크들(104)에 대한 마스크 패턴 데이터를 수신하도록 동작 가능하다. 본원에서 설명된 방법(300) 동작들에 따르면, 마스크 제조 디바이스(206)는 2개 이상의 마스크들(104)이 본원에서 설명된 실시예들에 따라 포지셔닝될 때 포토레지스트 층(110) 내로 기록될 디바이스 패턴(112)에 대응하는, 2개 이상의 마스크들(104)의 마스크 패턴들(405)을 제조하도록 동작 가능하다. 리소그래피 시스템(100)은 본원에서 설명된 방법(300) 동작들에 따라 2개 이상의 마스크들(104)을 수용하도록 동작 가능하다.

[0023] 복수의 리소그래피 환경 디바이스들 각각은 본원에서 설명된 방법(300) 동작들에 따라 부가적으로 인덱싱된다. 가상 설계 디바이스(202), 마스크 모델링 디바이스(204), 마스크 제조 디바이스(206), 리소그래피 시스템(100) 및 제어기(210) 각각은 온-보드 프로세서 및 메모리를 포함하며, 여기서 메모리는 아래에서 설명되는 방법(300)의 임의의 부분에 대응하는 명령들을 저장하도록 구성된다. 통신 링크들(201)은 유선 연결들, 무선 연결들, 위성 연결들 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 통신 링크들(201)은 본원에서 추가로 설명되는 실시예에 따라, UMF(universal metrology file) 또는 데이터를 저장하는 데 사용되는 임의의 다른 파일을 전송 및 수신하는 것을 포함한다. 통신 링크들(201)은 파일들 또는 데이터를 리소그래피 시스템 도구로 전달 또는 복사하기 전에 파일들 또는 데이터를 클라우드에 일시적으로 또는 영구적으로 저장하는 것을 포함할 수 있다. 마스크 제조 디바이스(206) 및 마스크 모델링 디바이스(204)는 전달 시스템(203)에 의해 연결된다. 전달 시스템(203)은 마스크 제조 디바이스(206)와 리소그래피 시스템(100) 사이에서 기판을 전달하도록 동작 가능하다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 전달 시스템(203)은 하나 이상의 마스크들(104)을 전달하도록 동작 가능한 제어기(210)에 연결 가능한 로봇들 또는 다른 장비를 포함할 수 있다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일 실시예에서, 전달 시스템(203)은 사용자에 의해 물리적으로 동작 가능하다.

[0024] 제어기(210)는 CPU(central processing unit)(212), 지원 회로들(214) 및 메모리(216)를 포함한다. CPU(212)는 리소그래피 환경 디바이스들을 제어하기 위해 산업 현장에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 컴퓨터 프로세서 중 하나일 수 있다. 메모리(216)는 CPU(212)에 커플링된다. 메모리(216)는 쉽게 입수 가능한 메모리, 이를테면 RAM(random access memory), ROM(read only memory), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 로컬 또는 원격의 임의의 다른 형태의 디지털 저장소 중 하나 이상일 수 있다. 지원 회로들(214)은 통상적인 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU(212)에 커플링된다. 이들 회로들은 캐시, 전력 공급부들, 클록 회로들, 입력/출력 회로망, 서브시스템들 등을 포함한다. 제어기(210)는 메모리(216) 및 지원 회로(214)에서 발견되는 입력/출력(I/O) 디바이스들에 커플링된 CPU(212)를 포함할 수 있다.

[0025] 메모리(216)는 제어 소프트웨어 프로그램과 같은 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션들을 포함할 수 있다. 메모리(216)는 또한 본원에서 설명된 방법(300)을 수행하기 위해 CPU(212)에 의해 사용되는 저장된 미디어 데이터를 포함할 수 있다. CPU(212)는, 소프트웨어 애플리케이션들을 실행하고 데이터를 프로세싱할 수 있는, 하드웨어 유닛 또는 하드웨어 유닛들의 조합일 수 있다. CPU(212)는 일반적으로 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션들을 실행하고 메모리(216) 내에 각각 포함될 수 있는 저장된 미디어 데이터를 프로세싱하도록 구성된다. 제어기(210)는 다양한 리소그래피 환경 디바이스들로 그리고 다양한 리소그래피 환경 디바이스들로부터의 데이터 및 파일들의 전달을 제어한다. 메모리(216)는 본원에서 설명된 실시예들에 따라 방법(300)의 임의의 동작에 대응하는 명령들을 저장하도록 구성된다.

[0026] 도 3은 리소그래피 프로세스의 방법(300)의 흐름도이다. 선택적 동작(301)에서, 설계 파일이 가상 설계 디바이스(202)에 의해 생성된다. 설계 파일은 포토레지스트 층(110)에 기록될 디바이스 패턴(112)에 대응한다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 설계 파일은 본원에서 설명된 방법(300)의 동작들 이전에 생성된다. 동작(302)에서, 마스크 모델링 디바이스(204)는 설계 파일을 분할하고 2개 이상의 마스크들(104)에 대한 마스크 패턴 데이터를 갖는 마스크 패턴 파일(400)을 생성한다(도 4a, 도 4b, 도 4d 및 도 4e에서 도시되고 설명됨).

[0027] 동작(303)에서, 마스크 제조 디바이스(206)는 2개 이상의 마스크들(104)이 본원에서 설명된 실시예들에 따라 포지셔닝될 때 포토레지스트 층(110) 내로 기록될 디바이스 패턴(112)에 대응하는, 2개 이상의 마스크들(104)의 마스크 패턴들(405)을 제조한다. 동작(304)에서, 2개 이상의 마스크들(104)은 리소그래피 시스템(100)에 의해 수용되고, 인접 마스크들(104)의 마스크 패턴들(405)의 피처 연장부들(407)이 함께 스티칭된 채로 마스크 패턴 데이터에 따라 투영 유닛(102) 아래에서 별개로 포지셔닝된다. 2개 이상의 마스크들(104)(도 4a 및 도 4b에 도시됨)의 인접 마스크들의 마스크 패턴들(405)의 피처 연장부들(407)은 함께 스티칭되도록 모델링되고 포지셔닝된다. 패턴 스티칭을 달성하기 위해, 상이한 마스크들의 마스크 패턴들(405)이 별개의 노출에 의해 획득되고 서로 오버랩된다. 예시적인 리소그래피 노출 프로세스에서, 제1 마스크(104a)가 로딩되고 나서, 포토레지스트 층(110) 내로 기록되는 제1 마스크 패턴(405a)을 형성하는 노출이 이어지고; 그 후, 제2 마스크(104b)가 로딩되고 나서, 제2 마스크 패턴(405b)을 형성하는 노출이 이어지고, 제1 및 제2 피처 연장부 패턴들이 오버랩되어 스티칭된 마스크 패턴(405)을 발생시킨다.

[0028] 도 4a 및 도 4b는 마스크 패턴 파일(400)의 예시적인 도면들이다. 도 4a에 도시된 바와 같이, 2개 이상의 마스크들(104)의 인터페이싱 마스크들의 마스크 패턴(405)의 피처 연장부들(407)은 스티칭되지 않는다. 도 4b에 도시된 바와 같이, 2개 이상의 마스크들(104)의 인터페이싱 마스크들의 마스크 패턴들(405)의 피처 연장부들(407a, 407b, 407c, 407d, 407e ... 407(n-1), 407n, 407(n+1))(집합적으로, 도 4a 및 도 4b에 도시된 "피처 연장부들(407)로서 지칭됨)은, 동작(304)에서 설명된 바와 같이 마스크 패턴 파일(400)의 마스크 패턴 데이터에 따라 스티칭된다. 마스크 패턴 파일(400)은 마스크 패턴들(405)의 피처들(402a, 402b, 402c, ...402(n-1), 402n)(집합적으로, 도 4a 및 도 4b에 도시된 "피처들(402)"로서 지칭됨)을 갖는 2개 이상의 마스크들(104)을 포함한다. 스티칭된 부분(403)은 스티칭될 피처들(402)의 피처 연장부들(407)을 포함한다. 예컨대, 스티칭된 부분(403a)은 피처들(402a 및 402b) 사이의 스티칭이다.

[0029] 예컨대, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 제1 마스크(104a) 및 제2 마스크(104b)를 포함하는 제1 쌍의 마스크들이 도시된다. 제1 마스크(104a)는 제1 피처 계면(406a)으로부터 제1 피처 연장부들의 반대 단부(408a)로 연장되는 제1 피처 연장부들(407a)을 갖는 피처들의 제1 세트를 갖는다. 제2 마스크(104b)는 제2 피처 계면(406b)으로부터 제2 피처 연장부들의 반대 단부(408b)로 연장되는 제2 피처 연장부들(407b)을 갖는 피처들의 제2 세트를 갖는다. 제1 피처 연장부들(407a)은 제1 쌍의 마스크 패턴들(예컨대, 405a 및 405b)의 제1 스티칭된 부분(403a)에서 각각의 대응하는 제2 피처 연장부들(407b)과 스티칭된다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 제2 마스크(104b) 및 제3 마스크(104c)를 포함하는 제2 쌍의 마스크들이 도시된다. 제2 마스크는 제2 쌍의 마스크들의 제2 스티칭된 부분(403b)을 형성하도록 제3 마스크와 스티칭된다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 단일 마스크는 본 개시내용의 일부 실시예들에 따라 하나 이상의 부가적인 마스크들과 스티칭될 수 있다. 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, n번째 마스크(104n)는 스티칭된 부분(403(n-1))에서 인접한 (n-1)번째 마스크(104(n-1))와 스티칭될 수 있다. 인터페이싱 부분들의 피처 연장부들(407)은 도 4c에 도시되고 설명된 바와 같이 모델링 및 스티칭된다.

[0030] 도 4c는 스티칭된 부분(403)의 예시적인 도면이다. 도 4c에 도시된 바와 같이, 오버랩하는 마스크 패턴들의 각각의 쌍(예컨대, 405a 및 405b, 405b 및 405c, … 405(n-1) 및 405n)에 대해 각각의 스티칭된 부분(403)에 대한 마스크 패턴 설계를 모델링하기 위해 여러 파라미터들이 사용될 수 있다. 일 예에서, 스티칭된 부분(403)에서 오버랩하는 제1 마스크 패턴(405a) 및 제2 마스크 패턴(405b)을 갖는 제1 오버랩 마스크 패턴들의 쌍(예컨대, 405a 및 405b)이 제공된다. 본원에서 설명된 파라미터들 각각은 제1 쌍의 스티칭된 부분(403)의 스티칭된 마스크들의 제1 피처(402a) 및 제2 피처(402b)를 참조하여 설명된다.

[0031] 스티칭된 부분(403)의 제1 피처 폭(L1)은 제1 피처 연장부(407a)와 마스크 패턴(405)의 제1 피처(402a) 사이의 제1 피처 계면(406a)에서의 폭을 표현한다. 제2 피처 폭(L2)은 제2 피처 연장부(407b)와 마스크 패턴(405)의 제2 피처(402b) 사이의 제2 피처 계면(406b)에서의 폭을 표현한다. 본원에서 사용된 바와 같은 피처 폭들(L1 및 L2)은 집합적으로 "L"로서 표현될 수 있다. 스티칭된 부분(403)은 추가로 제2 피처 계면(406b)으로부터 스티칭된 부분(403)에서 대응하는 제1 피처 연장부(407a)의 반대 단부(408a)까지의 거리인 제1 피처 단부 로케이션(θ1)을 제공한다. 제2 피처 단부 로케이션(θ2)은 제1 피처 계면(406a)으로부터 스티칭된 부분(403)에서 대응하는 제2 피처 연장부(407b)의 반대 단부(408b)까지의 거리이다. 본원에서 사용된 바와 같은 피처 단부 로케이션들(θ1 및 θ2)은 집합적으로 "θ"로서 표현될 수 있다. 스티칭 시프트(Δ)는 제1 피처 계면(406a)으로부터 스티칭된 부분(403)의 대응하는 제2 피처 계면(406b)까지의 거리의 절반이다. 제1 피처 연장부 길이(λ1)는 각각의 제1 피처 연장부(407a)의 길이이다. 예컨대, λ1은 제1 피처 계면(406a)으로부터 스티칭된 부분(403)의 반대 단부(408a)까지의 거리이다. 제2 피처 연장부 길이(λ2)는 각각의 제2 피처 연장부(407b)의 길이이다. 예컨대, λ2는 제1 피처 계면(406a)으로부터 스티칭된 부분(403)의 반대 단부(408a)까지의 거리이다.

[0032] 일 예에서, θ1 및 θ2가 0과 동일할 때, λ1 = λ2 = Δ + Δ이다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, θ는 음의 값을 갖는다. 예컨대, θ1은, 제1 피처 연장부(407a)의 반대 단부(408a)가 제2 피처 연장부(407b)와 오버랩하도록 포지셔닝되지만, 제2 피처 계면(406b)과 오버랩하지 않을 때 음수이다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, θ는 양의 값을 갖는다. 예컨대, θ1은 제1 피처 연장부(407a)의 반대 단부(408a)가 제2 피처 연장부(407b)와 오버랩되고 제2 피처 계면(406b)과 오버랩될 때 양수일 수 있다. 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 마스크 모델링 디바이스(204)는 θ1 = f(L1, λ1, Δ) 또는 Δ = f(L1, λ1, θ)를 사용하여 2개 이상의 마스크 패턴들(405)의 스티칭된 부분들(403)의 모델을 생성하고, 스티칭된 부분들(403)은 제1 피처 계면들(406a)에서 그로부터 연장되는 제1 피처 연장부들(407a)을 갖는 제1 피처들(402a) 및 제2 피처 계면들(406b)에서 그로부터 연장되는 제2 피처 연장부들(407b)을 갖는 대응하는 제2 피처들(402b)을 포함한다.

[0033] 제2 피처들(402b)에 대해 측정된 파라미터들 각각은 제1 피처들(402a)에 대한 측정들과 반드시 동일한 값들을 가질 필요는 없다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 제1 복수의 피처 계면들의 각각의 제1 피처 계면(406a)은 제1 피처 폭(L1)을 포함하고, 제2 복수의 피처 계면들의 각각의 제2 피처 계면(406b)은 제2 피처 폭(L2)을 포함한다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, L1은 L2와 실질적으로 동일하고, 대안적으로 L1은 L2와 동일하지 않다. 유사하게, 파라미터들 λ 및 θ의 각각은 스티칭된 부분(403)에서 제1 피처(402a)와 제2 피처(402b) 사이에서 동일하거나 상이할 수 있다. 부가적으로, 각각의 마스크는 균일한 스티칭된 부분들(403)을 가질 수 있거나, 스티칭된 부분들(403)은 마스크 패턴들(405) 각각의 상이한 부분들에서 상이할 수 있다.

[0034] 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, θ는 λ, Δ, L 및 이들의 조합들 중 하나 이상에 기초하여 결정될 수 있다. 예컨대, 하나 이상의 방정식들, 이를테면, θ = f(L, λ, Δ), Δ = f(L, λ, θ), θ1 = f(L1, λ1, Δ), θ2 = f(L2, λ2, Δ), Δ = f(L1, λ1, θ1), Δ = f(L2, λ2, θ2), Δ = f(L1, λ1, θ1) = f(L2, λ2, θ2) 또는 이들의 조합들은 θ, Δ, θ1, θ2, λ1, λ2 또는 이들의 조합들과 같은 파라미터들 중 하나 이상에 대해 모델링하거나 풀어질 수 있다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 피처 계면(예컨대, 406a, 406b)에서의 피처 폭(L)은 대응하는 피처 연장부(예컨대, 408a, 408b)의 반대 단부 폭보다 크다.

[0035] 도 4d 및 도 4e는 마스크 패턴 파일들(400)의 예시적인 도면들이다. 도 4d는 피치(422) 및 피치(424)를 도시한다. 피치(422)는 피처(410)의 제1 리딩 에지(421) 및 피처(411)의 제1 리딩 에지(423)로부터 측정된다. 유사하게, 피치(424)는 피처(416)의 제1 리딩 에지(425) 및 피처(417)의 제1 리딩 에지(427)로부터 측정된다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 마스크 패턴들(405) 각각의 인접 피처들 사이의 피치(예컨대, 422, 424)에 기초하여 θ 및/또는 Δ를 결정하기 위한 모델이 생성될 수 있다. 본원에서 사용되는 바와 같은 "피치(pitch)"는 인접 피처들의 제1 리딩 에지들 사이의 거리이다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 마스크 패턴(예컨대, 405b)은 피처들(예컨대, 410 및 411) 사이에서 균일한 피치(예컨대, 422)를 가질 수 있다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 마스크 패턴(예컨대, 405b)은 도 4d의 피치(422 및 424)에 의해 도시된 바와 같이 상이한 피치들을 가질 수 있다.

[0036] 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 본 개시내용의 방법들 및 시스템들로 생성될 수 있는 마스크 패턴들(400)은 또한 도 4d에 도시된 바와 같이 각을 이루는 피처들을 포함할 수 있다. 알 수 있는 바와 같이, 도 4d에 도시된 마스크 패턴 파일(400)은 제1 마스크(104a) 및 스티칭된 부분들(403)에서 제1 마스크(104a)와 스티칭되는 제2 마스크(104b)를 포함한다. 더욱이, 피처들(예컨대, 410, 411, 412, 413, 414, 415, 416 및 417)은 피처들(예컨대, 410-417) 사이의 피치(예컨대, 422, 424)가 변동되고 각도들 β가 변동될 수 있다. 예컨대, 피처들(예컨대, 410-417)은 약 0도, 또는 약 30도, 또는 약 90도, 또는 약 120도, 또는 약 150도에서 β 각을 이룰 수 있다.

[0037] 도 4e는 추가로, 스티칭된 부분들(403)을 포함하는 제1 마스크(104a) 및 제2 마스크(104b)를 갖는 다른 예시적인 마스크 패턴 파일(400)을 예시한다. 도 4e의 마스크 패턴 파일(400)은 연속적인 피처들보다는 불연속적인 피처들(예컨대, 430)을 도시한다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 피처들(예컨대, 410-417)은 도 4d에 도시된 바와 같은 라인 피처들이다. 알 수 있는 바와 같이, 본 개시내용의 스티칭 방법들(300) 및 리소그래피 시스템들(100)에 대해 다수의 상이한 마스크 패턴들(405)이 가능하다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, 인접 마스크 패턴들(예컨대, 405a 및 405b) 사이의 스티칭된 부분들(403)은 이음매가 없다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, Δ는 λ 미만, 이를테면, λ의 절반 미만이다. 본원에서 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에서, Δ는 L 미만, 이를테면, L보다 25% 미만이다. 피처 폭(L)과 관련하여, 도 4e에 도시된 바와 같이, 마스크 패턴(예컨대, 405a)은 스티칭된 부분들(예컨대, 403a, 403b, 403c, 403d, 403f)의 피처 인터페이스(예컨대, 406a)에서 균일한 피처 폭을 가질 수 있거나, 또는 마스크 패턴(예컨대, 405a)은 스티칭된 부분들(예컨대, 403d, 403e)의 피처 계면(예컨대, 442 및 444)에서 상이한 피처 폭들(예컨대, 432 및 434)을 가질 수 있다.

[0038] 부가적으로, 피처 연장부 형상은 또한 λ, θ, L, Δ 및 피치(예컨대, 422, 424) 중 하나 이상에 의존하여 형상이 변동될 수 있다. 도 4f 내지 도 4i는 다양한 형상들을 갖는 예시적인 피처 연장부들(407)의 예시적인 도면들이다. 특히, 도 4f는 삼각형 형상을 갖는 피처 연장부(407)를 도시하고, 도 4g는 볼록 형상을 갖는 피처 연장부(407)를 도시하고, 도 4h는 볼록 형상을 갖는 피처 연장부(407)를 도시하고, 도 4i는 직각 형상을 갖는 피처 연장부(407)를 도시한다. 예컨대, 도 4f를 참조하면, 상수 Δ 및 λ가 공칭 조건으로서 사용된다. 스티칭이 더 많은 오버랩 영역을 요구하는 경우, 도 4g의 피처 연장부(407) 형상이 사용될 것이다. 대안적으로, 스티칭이 더 적은 오버랩 영역을 요구하는 경우, 도 4h의 피처 연장부(407) 형상이 사용될 것이다. 도 4i에서 알 수 있는 바와 같이, 피처 연장부(407) 형상은 또한 라인 계면 축(예컨대, 축 y)에 수직인 축(예컨대, 축 x)을 중심으로 비대칭일 수 있다. 예컨대, 피처 연장부(407) 형상은 직각 삼각형일 수 있다.

[0039] 요약하면, 2개 이상의 마스크들의 스티칭된 부분들에서 이음매 없는 전사들로 대형 기판들로의 마스크 패턴들의 전사를 가능하게 하는, 2개 이상의 마스크들을 스티칭하는 리소그래피 프로세스의 방법이 제공된다. 방법의 일부 실시예들은 광원의 전파 방향으로 2개 이상의 마스크들을 포지셔닝하는 것을 포함한다. 마스크들은 마스크들 아래에 배치된 기판의 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴에 대응한다. 마스크들을 포지셔닝하는 것은 마스크들의 쌍을 스티칭하는 것을 포함한다. 쌍 중 제1 마스크는 제1 피처 계면들에서 그로부터 연장되는 제1 피처 연장부들을 갖는 제1 피처들의 세트를 포함하고, 제2 마스크는 제2 피처 계면들에서 그로부터 연장되는 제2 피처 연장부들을 갖는 제2 피처들의 세트를 포함한다. 각각의 제1 피처 연장부는 제1 쌍의 마스크들의 제1 스티칭된 부분의 각각의 스티칭된 부분을 형성하기 위해 각각의 대응하는 제2 피처 연장부들과 스티칭되고, 제1 쌍의 마스크들의 스티칭된 부분은 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴의 일부를 정의한다.

[0040] 전술한 바가 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 및 부가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있고, 본 개시내용의 범위는 다음의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims

방법으로서,
광원의 전파 방향으로 2개 이상의 마스크들을 포지셔닝하는 단계를 포함하고,
상기 마스크들은 상기 마스크들 아래에 배치된 기판의 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴에 대응하고,
상기 마스크들을 포지셔닝하는 단계는 제1 마스크 및 제2 마스크를 포함하는 제1 쌍의 마스크들을 스티칭(stitching)하는 단계를 포함하고,
상기 제1 마스크는 제1 피처들의 세트를 포함하며, 상기 제1 피처들의 세트는 제1 피처 계면들에서 상기 제1 피처들의 세트로부터 연장되는 제1 피처 연장부들을 갖고;
상기 제2 마스크는 제2 피처들의 세트를 포함하며, 상기 제2 피처들의 세트는 제2 피처 계면들에서 상기 제2 피처들의 세트로부터 연장되는 제2 피처 연장부들을 갖고; 그리고
각각의 제1 피처 연장부는 상기 제1 쌍의 마스크들의 제1 스티칭된 부분의 각각의 스티칭된 부분을 형성하기 위해 각각의 대응하는 제2 피처 연장부들과 스티칭되고, 상기 제1 쌍의 마스크들의 스티칭된 부분은 상기 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴의 일부를 정의하는,
방법.
제1 항에 있어서,
각각의 제2 피처 계면으로부터 상기 제1 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제1 피처 연장부의 반대 단부까지의 거리로서 정의된 제1 피처 단부 로케이션(θ1)을 결정하는 단계를 더 포함하는,
방법.
제2 항에 있어서,
각각의 θ1을 결정하는 단계는,
각각의 스티칭된 부분의 상기 제1 피처 계면들 각각에서 제1 피처 폭으로서 정의되는 제1 피처 폭(L1); 및
각각의 제1 피처 계면으로부터 상기 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제2 피처 계면까지의 거리의 절반으로서 정의된 스티칭 시프트(Δ)에 기초하는,
방법.
제2 항에 있어서,
상기 θ1을 결정하는 단계는,
각각의 스티칭된 부분의 상기 제1 피처 계면들 각각에서 제1 피처 폭으로서 정의되는 제1 피처 폭(L1); 및
각각의 제1 피처 연장부의 길이로서 정의된 제1 피처 연장부 길이(λ1)에 기초하는,
방법.
제2 항에 있어서,
상기 제1 마스크의 인접 피처들 사이의 피치에 기초하여 θ1을 결정하는 단계를 더 포함하고, 상기 피치는 각각의 인접 피처의 제1 리딩 에지들 사이의 거리인,
방법.
제1 항에 있어서,
각각의 제1 피처 계면은 각각의 제1 피처 계면의 폭으로서 정의된 제1 피처 폭(L1)을 포함하고, 각각의 L1은 상기 제1 피처 연장부의 각각의 대응하는 반대 단부에서의 폭보다 크고; 그리고
각각의 제2 피처 계면은 각각의 제2 피처 계면의 폭으로서 정의된 제2 피처 폭(L2)을 포함하고, 각각의 L2은 상기 제2 피처 연장부의 각각의 대응하는 반대 단부에서의 폭보다 큰,
방법.
제6 항에 있어서,
L1은 L2와 실질적으로 동일한,
방법.
제6 항에 있어서,
L1은 L2와 동일하지 않은,
방법.
제1 항에 있어서,
각각의 제2 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제1 피처 연장부의 반대 단부까지의 거리로서 정의된 제1 피처 단부 로케이션(θ1)에 기초하여 제1 피처 연장부 형상을 결정하는 단계를 더 포함하는,
방법.
제9 항에 있어서,
상기 제1 피처 연장부 형상은 하나의 삼각형 형상, 볼록 형상 및 오목 형상중 하나를 갖는,
방법.
제1 항에 있어서,
θ1 = f(L1, λ1, Δ) 또는 Δ = f(L1, λ1, θ1)를 풀음으로써 상기 스티칭된 부분의 치수들을 결정하는 단계를 더 포함하고,
제1 피처 단부 로케이션(θ1)은 각각의 제2 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제1 피처 연장부의 반대 단부까지의 거리로서 정의되고;
스티칭 시프트(Δ)는 각각의 제1 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제2 피처 계면까지의 거리의 절반으로서 정의되고;
제1 피처 폭(L1)은 각각의 스티칭된 부분의 상기 제1 피처 계면들 각각에서 제1 피처 폭으로서 정의되고; 그리고
제1 피처 연장부 길이(λ1)는 각각의 제1 피처 연장부의 길이로서 정의되는,
방법.
제1 항에 있어서,
제2 스티칭된 부분을 형성하도록 상기 제1 마스크를 제3 마스크와 스티칭하는 단계를 더 포함하고,
상기 제2 스티칭된 부분은 상기 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴의 제2 부분을 정의하는,
방법.
제1 항에 있어서,
상기 마스크들을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 마스크들을 형성하는 단계는,
설계 파일을 생성하는 단계 ― 상기 설계 파일은 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴을 가져야 함 ― ;
2개 이상의 마스크 패턴들 사이에서 상기 설계 파일을 분할하는 단계; 및
상기 마스크 패턴들 각각에 대한 복수의 피처들을 생성하는 단계를 포함하고,
상기 마스크 패턴들 각각의 스티칭 피처들은 인접 마스크 패턴들의 제2 피처 연장부들과 스티칭될 제1 피처 연장부들을 포함하고; 그리고
상기 제2 피처 연장부들과 스티칭될 상기 제1 피처 연장부들은 상기 마스크 패턴들로부터 형성된 상기 마스크들의 스티칭에서 상기 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴의 부분들을 정의하는,
방법.
명령들을 저장하는 비-일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체로서,
상기 명령들은, 프로세서에 의해 실행될 때, 컴퓨터 시스템으로 하여금,
설계 파일을 생성하는 단계 ― 상기 설계 파일은 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴을 가져야 함 ― ;
복수의 마스크 패턴들 사이에서 상기 설계 파일을 분할하는 단계; 및
상기 마스크 패턴들 각각에 대한 복수의 피처들을 생성하는 단계를 수행하게 하고,
상기 마스크 패턴들 각각의 오버랩하는 피처들은 인접 마스크 패턴들의 제2 피처 연장부들과 스티칭될 제1 피처 연장부들을 포함하고; 그리고
상기 제2 피처 연장부들 각각과 스티칭될 상기 제1 피처 연장부들 각각은 상기 마스크 패턴들로부터 형성된 상기 마스크들의 스티칭에서 상기 포토레지스트 층 내로 기록될 패턴의 각각의 스티칭된 부분들을 정의하는,
비-일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체.
제14 항에 있어서,
θ1 = f(L1, λ1, Δ), Δ = f(L2, λ2, θ2), θ2 = f(L2, λ2, Δ), 및 Δ = f(L2, λ2, θ2) 중 하나 이상을 풀음으로써 각각의 스티칭된 부분의 치수들을 결정하는 단계를 더 포함하고,
제1 피처 단부 로케이션(θ1)은 각각의 제2 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분에서 각각의 대응하는 제1 피처 연장부의 반대 단부까지의 거리로서 정의되고;
스티칭 시프트(Δ)는 각각의 제1 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제2 피처 계면까지의 거리의 절반으로서 정의되고;
제1 피처 폭(L1)은 각각의 스티칭된 부분의 상기 제1 피처 계면들 각각에서 제1 피처 폭으로서 정의되고;
제1 피처 연장부 길이(λ1)는 각각의 제1 피처 연장부의 길이로서 정의되고;
제2 피처 단부 로케이션(θ2)은 각각의 제1 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분에서 각각의 대응하는 제2 피처 연장부의 반대 단부까지의 거리로서 정의되고;
제2 피처 폭(L2)은 각각의 스티칭된 부분의 상기 제2 피처 계면들 각각에서 제2 피처 폭으로서 정의되고; 그리고
제2 피처 연장부 길이(λ2)는 각각의 제2 피처 연장부의 길이로서 정의되는,
비-일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체.
제15 항에 있어서,
θ1, L1, λ1, 및 Δ 중 하나 이상에 기초하여 제1 피처 연장부 형상을 결정하는 단계를 더 포함하는,
비-일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체.
제14 항에 있어서,
각각의 제2 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제1 피처 연장부의 반대 단부까지의 거리로서 정의된 제1 피처 단부 로케이션(θ1)을 결정하는 단계를 더 포함하는,
비-일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체.
제17 항에 있어서,
θ1을 결정하는 단계는, 각각의 스티칭된 부분의 상기 제1 피처 계면들 각각에서 제1 피처 폭으로서 정의되는 제1 피처 폭(L1) 및 각각의 제1 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제2 피처 계면까지의 거리의 절반으로서 정의된 스티칭 시프트(Δ)에 기초하는,
비-일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체.
제17 항에 있어서,
θ1을 결정하는 단계는 마스크 패턴의 인접 피처들 사이의 피치에 기초하고, 상기 피치는 각각의 인접 피처들의 제1 리딩 에지들 사이의 거리인 것을 더 포함하는,
비-일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체.
명령들을 저장하는 비-일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체로서,
상기 명령들은, 프로세서에 의해 실행될 때, 컴퓨터 시스템으로 하여금,
2개 이상의 마스크 패턴들 사이에서 설계 파일을 분할하는 단계; 및
θ1 = f(L1, λ1, Δ), Δ = f(L2, λ2, θ2), θ2 = f(L2, λ2, Δ), 및 Δ = f(L2, λ2, θ2) 중 하나 이상을 사용하여 상기 2개 이상의 마스크 패턴들의 스티칭된 부분들의 모델을 생성하는 단계를 수행하게 하고,
상기 스티칭된 부분들은 제1 피처들 및 대응하는 제2 피처들을 포함하고, 상기 제1 피처들은 제1 피처 계면들에서 상기 제1 피처들로부터 연장되는 제1 피처 연장부들을 가지며 상기 제2 피처들은 제2 피처 계면들에서 상기 제2 피처들로부터 연장되는 제2 피처 연장부들을 갖고,
제1 피처 단부 로케이션(θ1)은 각각의 제2 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분에서 각각의 대응하는 제1 피처 연장부의 반대 단부까지의 거리로서 정의되고;
스티칭 시프트(Δ)는 각각의 제1 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제2 피처 계면까지의 거리의 절반으로서 정의되고;
제1 피처 폭(L1)은 각각의 스티칭된 부분의 상기 제1 피처 계면들 각각에서 제1 피처 폭으로서 정의되고;
제1 피처 연장부 길이(λ1)는 각각의 제1 피처 연장부의 길이로서 정의되고;
제2 피처 단부 로케이션(θ2)은 각각의 제1 피처 계면으로부터 각각의 스티칭된 부분의 각각의 대응하는 제2 피처 연장부의 반대 단부까지의 거리로서 정의되고;
제2 피처 폭(L2)은 각각의 스티칭된 부분의 상기 제2 피처 계면들 각각에서 제2 피처 폭으로서 정의되고; 그리고
제2 피처 연장부 길이(λ2)는 각각의 제2 피처 연장부의 길이로서 정의되는,
비-일시적인 컴퓨터 판독 가능 매체.