KR20220126636A - 레이저 가공 방법 - Google Patents

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KR20220126636A
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laser beam
wafer
axis direction
processing
unit
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KR1020220026470A
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나오토시 키리하라
타카마사 카네코
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

(과제) 유기막의 박리를 억제할 수 있는 레이저 가공 방법을 제공하는 것이다.
(해결 수단) 기재 상에 기능층을 가진 웨이퍼에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 방법에 있어서, 기능층에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저빔을 레이저 발진기로부터 출사시키고, 기능층이 가공되는 가공 임계값 이상의 에너지의 펄스 레이저빔을, 연속하여 기능층에 조사되는 펄스 레이저빔의 중첩률이 90% 이상 100% 미만이 되도록 기능층에 조사하여 기능층을 흑색화시키는 흑색화 단계와, 흑색화 단계를 실시한 후, 흑색화한 기능층에 펄스 레이저빔을 조사하여 흑색화한 기능층에 펄스 레이저빔을 흡수시켜 레이저 가공홈을 형성하는 홈 가공 단계를 포함한다.

Description

레이저 가공 방법{LASER MACHINING METHOD}
본 발명은, 기재(基材) 상에 유기막을 가진 웨이퍼에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 디바이스의 처리 속도를 고속화하기 위해, 실리콘 웨이퍼 상에 폴리이미드계, 파릴렌계 등의 폴리머막인 유기물의 저유전율 재료(이른바, Low-k 재료)로 이루어지는 층간 절연막을 회로층과 적층시켜 반도체 디바이스를 형성하고, 실리콘으로 이루어지는 기판의 표면에 유기막을 적층한 반도체 웨이퍼가 실용화되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2015-126054호
Low-k 재료는, 운모와 같이 무르고, 절삭 블레이드로 절삭하면 박리되어 버린다. 그래서 상기 특허문헌 1에 개시되어 있는 바와 같이, 레이저 어블레이션 기술을 이용하여 Low-k 재료를 포함하는 디바이스층에 레이저 가공홈을 형성하는 것이 실시되고 있다.
반도체 웨이퍼의 어블레이션 가공에는 예를 들면 355nm나 532nm의 파장의 레이저빔이 이용되고 있지만, Low-k 재료인 층간 절연막은 이들 자외~가시광 영역의 레이저빔에 대하여 투명하고 조사된 레이저빔을 흡수하지 않기 때문에, 실리콘 웨이퍼에 레이저빔을 집광함으로써 실리콘 웨이퍼와 함께 디바이스층을 가공하고 있었다.
그러나, 실리콘 웨이퍼에 레이저빔이 집광되어 실리콘 웨이퍼가 승화함에 따라 유기막이 국소적으로 박리되어 버리는 등의 문제가 있어, 개선이 갈망되고 있었다.
따라서, 본 발명의 목적은, 유기막의 박리를 억제할 수 있는 레이저 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 기재 상에 유기막을 가진 웨이퍼에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 방법에 있어서, 상기 유기막에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저빔을 레이저 발진기로부터 출사시키고, 상기 유기막이 가공되는 가공 임계값 이상의 에너지의 상기 펄스 레이저빔을, 연속하여 상기 유기막에 조사되는 상기 펄스 레이저빔의 중첩률이 90% 이상 100% 미만이 되도록 상기 유기막에 조사하여 상기 유기막을 흑색화시키는 흑색화 단계와, 상기 흑색화 단계를 실시한 후, 흑색화한 상기 유기막에 상기 펄스 레이저빔을 조사하여 흑색화한 상기 유기막에 펄스 레이저빔을 흡수시켜 레이저 가공홈을 형성하는 홈 가공 단계를 구비한 레이저 가공 방법이 제공된다.
바람직하게는, 상기 흑색화 단계에 있어서, 상기 유기막에 조사되는 펄스 레이저빔은, 가우시안 분포의 가장자리 부분이 수직인 분포로 수정됨으로써 상기 가공 임계값보다 낮은 에너지의 상기 펄스 레이저빔이 상기 유기막을 투과하여 상기 기재에 조사되는 것을 방지한다.
본 발명은 유기막의 박리를 억제할 수 있다는 효과를 발휘한다.
도 1은, 실시 형태에 따른 레이저 가공 방법의 가공 대상의 웨이퍼의 사시도이다.
도 2는, 도 1에 도시된 웨이퍼의 주요부의 확대 단면도이다.
도 3은, 실시 형태에 따른 레이저 가공 방법의 일부를 실시하는 레이저 가공 장치의 구성예를 나타내는 사시도이다.
도 4는, 도 3에 도시된 레이저 가공 장치의 레이저빔 조사 유닛의 구성을 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 5는, 도 4에 도시된 레이저빔 조사 유닛의 마스크에 의해 정형되기 전의 펄스 레이저빔의 에너지 분포를 모식적으로 도시하는 도면이다.
도 6은, 도 4에 나타낸 레이저빔 조사 유닛의 마스크에 의해 정형된 펄스 레이저빔의 에너지 분포를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 7은, 실시 형태에 따른 레이저 가공 방법의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
도 8은, 도 7에 도시된 레이저 가공 방법의 보호막 형성 단계를 일부 단면에서 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 9는, 도 7에 나타낸 레이저 가공 방법의 펄스 레이저빔의 중첩률을 모식적으로 설명하는 도면이다.
도 10은, 도 7에 도시된 레이저 가공 방법의 흑색화 단계를 일부 단면에서 모식적으로 도시한 측면도이다.
도 11은, 도 7에 도시된 레이저 가공 방법의 홈 가공 단계를 일부 단면에서 모식적으로 도시한 측면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대하여, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 이하의 실시 형태에 기재한 내용에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에 기재한 구성 요소에는, 당업자가 용이하게 상정할 수 있는 것, 실질적으로 동일한 것이 포함된다. 또한, 이하에 기재한 구성은 적절히 조합하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성의 다양한 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.
본 발명의 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법을 도면에 근거하여 설명한다. 도 1은, 실시 형태에 따른 레이저 가공 방법의 가공 대상의 웨이퍼의 사시도이다. 도 2는, 도 1에 도시된 웨이퍼의 주요부의 단면도이다. 도 3은, 실시 형태에 따른 레이저 가공 방법의 일부를 실시하는 레이저 가공 장치의 구성예를 도시하는 사시도이다. 도 4는, 도 3에 도시된 레이저 가공 장치의 레이저빔 조사 유닛의 구성을 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 5는, 도 4에 도시된 레이저빔 조사 유닛의 마스크에 의해 정형되기 전의 펄스 레이저빔의 에너지 분포를 모식적으로 도시하는 도면이다. 도 6은, 도 4에 나타낸 레이저빔 조사 유닛의 마스크에 의해 정형된 펄스 레이저빔의 에너지 분포를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 7은, 실시 형태에 따른 레이저 가공 방법의 흐름을 나타내는 흐름도이다.
(웨이퍼)
실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법은, 도 1 및 도 2에 나타내는 웨이퍼(200)에 레이저 가공을 실시하는 방법이다. 실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법의 가공 대상의 웨이퍼(200)는, 실리콘을 기재(201)로 하는 원판형의 반도체 웨이퍼이다. 웨이퍼(200)는, 표면(202)에 서로 교차하는 분할 예정 라인(203)이 복수 설정되고, 분할 예정 라인(203)에 의해 구획된 영역에 디바이스(204)가 형성되어 있다.
디바이스(204)는, 예를 들면, IC(Integrated Circuit), 또는 LSI(Large Scale Integration) 등의 집적 회로, CCD(Charge Coupled Device), 또는 CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) 등의 이미지 센서이다.
실시 형태에 있어서, 웨이퍼(200)는 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 기재(201) 상에 유기막인 기능층(205)을 갖고 있다. 기능층(205)은, SiOF, BSG(SiOB) 등의 무기물계의 막이나 폴리이미드계, 파릴렌계 등의 폴리머막인 유기물계의 막 또는 탄소 함유 산화실리콘(SiOCH)으로 이루어지는 저유전율 절연체 피막(이하, Low-k막이라고 부른다)과, 도전성의 금속에 의해 구성된 회로층을 구비한다.
Low-k막은, 회로층과 적층되어, 디바이스(204)를 형성한다. 회로층은, 디바이스(204)의 회로를 구성한다. 이 때문에, 디바이스(204)는, 기재(201) 상에 적층된 기능층(205)의 서로 적층된 Low-k막과, Low-k막 사이에 적층된 회로층에 의해 형성된다. 또한, 분할 예정 라인(203)의 기능층(205)은, 복수층 형성한 Low-k막에 의해 형성되고, TEG(Test Element Group)를 제외하고 도전체막을 구비하고 있지 않다. TEG는, 디바이스(204)에 발생하는 설계상이나 제조상의 문제를 찾아내기 위한 평가용의 소자이다.
실시 형태에 있어서, 웨이퍼(200)는, 도 3에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(200)의 외경보다 대직경인 원판형이고 또한 외연부에 환형 프레임(210)이 첩착된 점착 테이프(209)가 표면(202)의 이면측의 이면(206)에 첩착되어, 환형 프레임(210)의 개구 내에 지지된다. 웨이퍼(200)는, 분할 예정 라인(203)을 따라 절단되어, 개개의 디바이스(204)로 분할된다.
(레이저 가공 장치)
실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법은, 도 3에 나타낸 레이저 가공 장치(1)에 의해 일부가 실시된다. 도 3에 나타내는 레이저 가공 장치(1)는, 웨이퍼(200)에 대하여 펄스형의 펄스 레이저빔(21)을 조사하여, 웨이퍼(200)에 레이저 가공(가공에 상당)을 실시하는 장치이다. 레이저 가공 장치(1)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(200)를 유지하는 유지면(11)을 갖는 척 테이블(10)과, 레이저빔 조사 유닛(20)과, 이동 유닛(30)과, 촬상 유닛(40)과, 제어 유닛(100)을 구비한다.
척 테이블(10)은, 웨이퍼(200)를 수평 방향과 평행한 유지면(11)으로 유지한다. 유지면(11)은, 다공성 세라믹 등으로 형성된 원반 형상이며, 도시하지 않는 진공 흡인 경로를 통해 도시하지 않는 진공 흡인원과 접속되어 있다. 척 테이블(10)은, 유지면(11)상에 재치된 웨이퍼(200)를 흡인 유지한다. 척 테이블(10)의 주위에는, 웨이퍼(200)를 개구 내에 지지하는 환형 프레임(210)을 협지하는 클램프부(12)가 복수 배치되어 있다.
또한, 척 테이블(10)은, 이동 유닛(30)의 회전 이동 유닛(34)에 의해 유지면(11)에 대하여 직교하고 또한 연직 방향과 평행한 Z축 방향과 평행한 축심 둘레로 회전된다. 척 테이블(10)은, 회전 이동 유닛(34)과 함께, 이동 유닛(30)의 X축 이동 유닛(31)에 의해 수평 방향과 평행한 X축 방향으로 이동되고 또한 Y축 이동 유닛(32)에 의해 수평 방향과 평행하며 또한 X축 방향과 직교하는 Y축 방향으로 이동된다. 척 테이블(10)은, 이동 유닛(30)에 의해 레이저빔 조사 유닛(20)의 하방의 가공 영역과, 레이저빔 조사 유닛(20)의 하방으로부터 떨어져 웨이퍼(200)가 반입, 반출되는 반입출 영역에 걸쳐 이동된다.
레이저빔 조사 유닛(20)은, 척 테이블(10)에 유지된 웨이퍼(200)에 대하여 펄스형의 펄스 레이저빔(21)을 조사하는 유닛이다. 실시 형태에서는, 레이저빔 조사 유닛(20)은, 웨이퍼(200)의 기재(201)에 대하여 흡수성을 갖고, 또한 기능층(205)에 대하여 투과성을 갖는 파장(실시 형태에서는, 514nm이며, 본 발명에서는, 355nm 또는 266nm이라도 좋음)의 펄스형의 펄스 레이저빔(21)을 조사하여, 웨이퍼(200)에 레이저 가공을 실시하는 레이저빔 조사 수단이다.
실시 형태에서는, 레이저빔 조사 유닛(20)의 일부는, 도 1에 도시된 바와 같이, 장치 본체(2)로부터 세워져 설치된 입설(立設)벽(3)에 설치된 이동 유닛(30)의 Z축 이동 유닛(33)에 의해 Z축 방향으로 이동되는 승강 부재(4)에 지지되어 있다.
다음으로, 레이저빔 조사 유닛(20)의 구성을 설명한다. 레이저빔 조사 유닛(20)은, 도 4에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(200)를 가공하기 위한 펄스형의 레이저를 발진하여, 펄스 레이저빔(21)을 출사하는 레이저 발진기(22)와, 척 테이블(10)의 유지면(11)에 유지된 웨이퍼(200)에 레이저 발진기(22)로부터 출사된 펄스 레이저빔(21)을 집광하는 집광 렌즈(23)와, 레이저 발진기(22)와 집광 렌즈(23) 사이의 펄스 레이저빔(21)의 광로 상에 설치되고 또한 레이저 발진기(22)로부터 출사된 펄스 레이저빔(21)을 레이저 발진기(22)로부터 집광 렌즈(23)로 유도하는 적어도 하나의 광학 부품(24)과, 마스크 유닛(25)을 구비한다.
실시 형태에 있어서, 레이저 발진기(22)로부터 출사된 펄스 레이저빔(21)의 에너지 분포(212)는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 펄스 레이저빔(21)의 광로의 중심(211) 상의 에너지가 가장 강하고, 중심(211)으로부터 멀어짐에 따라 에너지가 서서히 저하되는 가우시안 분포로 되어 있다. 또한, 도 5의 횡축은, Y축 방향의 위치를 나타내고, 횡축의 중앙이 펄스 레이저빔(21)의 광로의 중심(211)을 나타내고 있다. 또한, 도 5의 종축은, 에너지를 나타내고 있다. 또한, 도 5는, Y축 방향과 평행한 위치에서의 펄스 레이저빔(21)의 에너지 분포(212)를 나타내고 있지만, 펄스 레이저빔(21)의 에너지 분포(212)는, X축 방향과 평행한 위치에서도 가우시안 분포가 된다.
집광 렌즈(23)는, 척 테이블(10)의 유지면(11)과 Z축 방향으로 대향하는 위치에 배치되어 있다. 집광 렌즈(23)는, 레이저 발진기(22)로부터 출사된 펄스 레이저빔(21)을 투과하여, 펄스 레이저빔(21)을 집광점(21-1)에 집광한다. 실시 형태에서는, 레이저빔 조사 유닛(20)은, 광학 부품(24)으로서, 펄스 레이저빔(21)을 반사하는 미러를 구비하고 있지만, 본 발명에서는, 광학 부품(24)은, 미러에 한정되지 않는다.
마스크 유닛(25)은, 레이저 발진기(22)로부터 출사된 펄스 레이저빔(21)의 에너지 분포를 수정(변경)하는 것이다. 마스크 유닛(25)은, 레이저 발진기(22)와 광학 부품(24)과의 사이의 펄스 레이저빔(21)의 광로 상에 설치되어 있다. 실시 형태에서는, 마스크 유닛(25)은, 도 4에 나타내는 바와 같이, 한 쌍의 Y축 방향 마스크 부재(251)와, 한 쌍의 이동 유닛(252)과, 한 쌍의 X축 방향 마스크 부재(253)와, 도시되지 않은 한 쌍의 X축 방향 이동 유닛을 구비한다.
한 쌍의 Y축 방향 마스크 부재(251)는, 펄스 레이저빔(21)을 차단하는(즉, 투과하지 않는) 재료로 구성되어 있다. 한 쌍의 Y축 방향 마스크 부재(251)는, 서로 Y축 방향으로 간격을 두고 배치되며, 서로의 사이에 레이저 발진기(22)와 광학 부품(24)의 사이의 펄스 레이저빔(21)의 광로의 중심(211)을 위치시키고 있다. 한 쌍의 Y축 방향 마스크 부재(251)는, Y축 방향으로 서로 가까워지거나 멀어지는 방향으로 이동 가능하게 설치되어 있다.
이동 유닛(252)은, 한 쌍의 Y축 방향 마스크 부재(251)를 Y축 방향으로 서로 가까워지거나 멀어지는 방향으로 이동시키는 것이다. 실시 형태에서는, 이동 유닛(252)은, Y축 방향 마스크 부재(251)와 1 대 1 로 대응하여 설치되고, 대응하는 Y축 방향 마스크 부재(251)를 Y축 방향으로 이동시킨다.
한 쌍의 X축 방향 마스크 부재(253)는, 펄스 레이저빔(21)을 차단하는(즉, 투과하지 않는) 재료로 구성되어 있다. 한 쌍의 X축 방향 마스크 부재(253)는, 서로 X축 방향으로 간격을 두고 배치되며, 서로의 사이에 레이저 발진기(22)와 광학 부품(24)의 사이의 펄스 레이저빔(21)의 광로의 중심(211)을 위치시키고 있다. 한 쌍의 X축 방향 마스크 부재(253)는, X축 방향으로 서로 가까워지거나 멀어지는 방향으로 이동 가능하게 형성되어 있다.
X축 방향 이동 유닛은, 한 쌍의 X축 방향 마스크 부재(253)를 X축 방향으로 서로 가까워지거나 멀어지는 방향으로 이동시키는 것이다. 실시 형태에서는, X축 방향 이동 유닛은, X축 방향 마스크 부재(253)와 1 대 1로 대응하여 설치되고, 대응하는 X축 방향 마스크 부재(253)를 X축 방향으로 이동한다. 또한, 마스크 유닛(25)의 설명에서 기재한 X축 방향, Y축 방향은, 척 테이블(10)에 유지된 웨이퍼(200)에 조사되었을 때의 펄스 레이저빔(21)의 X축 방향, Y축 방향을 나타내고 있다.
마스크 유닛(25)은, 한 쌍의 Y축 방향 마스크 부재(251) 및 한 쌍의 X축 방향 마스크 부재(253)가 레이저 발진기(22)로부터 출사된 펄스 레이저빔(21)의 중심(211)으로부터 멀어진 부분(가우시안 분포의 가장자리 부분)을 차광하여, 레이저 발진기(22)로부터 출사 펄스 레이저빔(21)의 도 5에 나타내는 에너지 분포(212)를, 마스크 부재(251, 253)의 펄스 레이저빔(22)의 중심으로부터 거리(254)만큼, 펄스 레이저빔(21)의 중심(211)으로부터 멀어진 위치에서 에너지가 도 5에 도시된 에너지 분포(212)상의 값(213)으로부터 0까지 급격하게 감소하는 도 6에 도시한 에너지 분포(214)로 수정한다.
또한, 마스크 유닛(25)은 이동 유닛(252)에 의해 한 쌍의 Y축 방향 마스크 부재(251)의 펄스 레이저빔(21)의 중심(211)으로부터의 거리(254)를 변경하고, X축 방향 이동 유닛에 의해 한 쌍의 X축 방향 마스크 부재(253)의 펄스 레이저빔(21)의 중심(211)으로부터의 거리를 변경함으로써, 도 5에 도시된 에너지 분포(212) 상의 값(213)으로부터 0까지 급격하게 감소하는 도 6에 도시된 에너지 분포(214)의 위치(215)를 변경한다. 또한, 이하, 0까지 급격하게 감소하는 위치(215)의 에너지 분포(214) 상의 값(213)을 경계값이라고 기재한다. 이와 같이, 마스크 유닛(25)은, 펄스 레이저빔(21)의 가우시안 분포의 도 5에 나타내는 에너지 분포(212)를, 가장자리 부분이 수직인 분포의 도 6에 나타내는 에너지 분포(214)로 수정한다.
이렇게 하여, 실시 형태에 있어서, 마스크 유닛(25)은, 한 쌍의 X축 방향 마스크 부재(253)의 X축 방향의 간격을 한 쌍의 Y축 방향 마스크 부재(251)의 Y축 방향의 간격보다 좁게 설정함으로써, 집광 렌즈(23)에 의해 집광된 펄스 레이저빔(21)의 스폿(216)을, 긴 길이 방향이 Y축 방향과 평행하고 또한 짧은 길이 방향이 X축 방향과 평행한 직사각 형상으로 형성한다. 또한, 도 6의 횡축은, Y축 방향의 위치를 나타내고, 횡축의 중앙이 펄스 레이저빔(21)의 중심(211)을 나타내고 있다. 또한, 도 6의 종축은, 에너지를 나타내고 있다. 또한, 도 6은, Y축 방향과 평행한 위치에서의 펄스 레이저빔(21)의 에너지 분포(214)를 나타내고 있지만, 레이저빔의 에너지 분포(214)는, X축 방향과 평행한 위치에서도 도 6과 동일한 분포로 되어 있다.
또한, 실시 형태에서는, 레이저빔 조사 유닛(20)은, 펄스 레이저빔(21)의 에너지 분포를 수정하는 수단으로서 마스크 유닛(25)을 구비하고 있지만, 본 발명에서는, 펄스 레이저빔(21)의 에너지 분포를 수정하는 수단으로서, 마스크 유닛(25) 대신에 DMD(Digital Micro-mirror Device)을 구비해도 좋다.
이동 유닛(30)은, 레이저빔 조사 유닛(20)과 척 테이블(10)을 X축 방향, Y축 방향, Z축 방향 및 Z축 방향과 평행한 축심 둘레로 상대적으로 이동시키는 것이다. X축 방향 및 Y축 방향은 유지면(11)과 평행한 방향이다. X축 방향은, 척 테이블(10)에 유지된 웨이퍼(200)의 일방의 분할 예정 라인(203)과 평행한 방향이고, 레이저 가공 장치(1)가 웨이퍼(200)에 레이저 가공을 실시할 때에 척 테이블(10)을 가공 이송하는 소위 가공 이송 방향이다. Y축 방향은, X축 방향과 직교하고, 레이저 가공 장치(1)가 웨이퍼(200)에 레이저 가공을 실시할 때에 척 테이블(10)을 인덱싱 이송하는 소위 인덱싱 이송 방향이다.
이동 유닛(30)은, 도 3에 도시된 바와 같이, 척 테이블(10)을 X축 방향으로 이동시키는 가공 이송 유닛인 X축 이동 유닛(31)과, 척 테이블(10)을 Y축 방향으로 이동시키는 인덱싱 이송 유닛인 Y축 이동 유닛(32)과, 레이저빔 조사 유닛(20)에 포함되는 집광 렌즈(23)를 Z축 방향으로 이동시키는 Z축 이동 유닛(33)과, 척 테이블(10)을 Z축 방향과 평행한 축심 둘레로 회전하는 회전 이동 유닛(34)을 구비한다.
Y축 이동 유닛(32)은, 척 테이블(10)과, 레이저빔 조사 유닛(20)을 상대적으로 인덱싱 이송하는 유닛이다. 실시 형태에서는, Y축 이동 유닛(32)은, 레이저 가공 장치(1)의 장치 본체(2) 상에 설치되어 있다. Y축 이동 유닛(32)은, X축 이동 유닛(31)을 지지한 이동 플레이트(15)를 Y축 방향으로 이동 가능하게 지지하고 있다.
X축 이동 유닛(31)은, 척 테이블(10)과, 레이저빔 조사 유닛(20)을 상대적으로 가공 이송하는 유닛이다. X축 이동 유닛(31)은, 이동 플레이트(15) 상에 설치되어 있다. X축 이동 유닛(31)은, 척 테이블(10)을 Z축 방향과 평행한 축심 둘레로 회전시키는 회전 이동 유닛(34)을 지지한 제2 이동 플레이트(16)를 X축 방향으로 이동 가능하게 지지하고 있다. Z축 이동 유닛(33)은, 입설벽(3)에 설치되고, 승강 부재(4)를 Z축 방향으로 이동 가능하게 지지하고 있다.
X축 이동 유닛(31), Y축 이동 유닛(32) 및 Z축 이동 유닛(33)은, 축심 둘레로 회전 가능하게 설치된 주지의 볼 나사, 볼 나사를 축심 둘레로 회전시키는 주지의 펄스 모터, 이동 플레이트(15, 16)를 X축 방향 또는 Y축 방향으로 이동 가능하게 지지함과 함께, 승강 부재(4)를 Z축 방향으로 이동 가능하게 지지하는 주지의 가이드 레일을 구비한다.
또한, 레이저 가공 장치(1)는, 척 테이블(10)의 X축 방향의 위치를 검출하기 위한 도시하지 않은 X축 방향 위치 검출 유닛과, 척 테이블(10)의 Y축 방향의 위치를 검출하기 위한 도시하지 않은 Y축 방향 위치 검출 유닛과, 레이저빔 조사 유닛(20)에 포함되는 집광 렌즈(23)의 Z축 방향의 위치를 검출하는 Z축 방향 위치 검출 유닛을 구비한다. 각 위치 검출 유닛은, 검출 결과를 제어 유닛(100)에 출력한다.
촬상 유닛(40)은, 척 테이블(10)에 유지된 웨이퍼(200)를 촬상하는 것이다. 촬상 유닛(40)은, 척 테이블(10)에 유지된 웨이퍼(200)를 촬상하는 CCD(Charge Coupled Device) 촬상 소자 또는 CMOS(Complementary MOS) 촬상 소자 등의 촬상 소자를 구비한다. 실시 형태에서는, 촬상 유닛(40)은 승강 부재의 선단에 장착되고, 레이저빔 조사 유닛(20)의 집광 렌즈(23)와 X축 방향으로 배열되는 위치에 배치되어 있다. 촬상 유닛(40)은, 웨이퍼(200)를 촬상하여, 웨이퍼(200)와 레이저빔 조사 유닛(20)의 위치 맞춤을 행하는 얼라인먼트를 수행하기 위한 화상을 얻고, 얻은 화상을 제어 유닛(100)에 출력한다.
또한, 실시 형태에 있어서, 레이저 가공 장치(1)는, 파워미터(50)를 구비한다. 파워미터(50)는, 레이저빔 조사 유닛(20)으로부터 펄스 레이저빔(21)이 조사되어, 레이저빔 조사 유닛(20)이 조사하는 펄스 레이저빔(21)의 에너지 분포를 측정하는 것이다. 파워미터(50)는, 측정한 에너지 분포를 제어 유닛(100)을 향해 출력한다. 실시 형태에서는, 파워미터(50)는, 제2 이동 플레이트(16) 상에 설치되어, 이동 유닛(252)에 의해 레이저빔 조사 유닛(20)의 집광 렌즈(23)와 Z축 방향으로 대향할 수 있다.
제어 유닛(100)은, 레이저 가공 장치(1)의 상술한 구성 요소를 각각 제어하여, 웨이퍼(200)에 대한 레이저 가공 동작을 레이저 가공 장치(1)에 실시시키는 것이다. 또한, 제어 유닛(100)은, CPU(central processing unit)와 같은 마이크로프로세서를 갖는 연산 처리 장치와, ROM(read only memory) 또는 RAM(random access memory)과 같은 메모리를 갖는 기억 장치와, 입출력 인터페이스 장치를 갖는 컴퓨터이다. 제어 유닛(100)의 연산 처리 장치는, 기억 장치에 기억되어 있는 컴퓨터 프로그램에 따라서 연산 처리를 실시하여, 레이저 가공 장치(1)를 제어하기 위한 제어 신호를 입출력 인터페이스 장치를 통해 레이저 가공 장치(1)의 상술한 구성 요소에 출력하여, 제어 유닛(100)의 기능을 실현한다.
또한, 제어 유닛(100)은, 가공 동작의 상태나 화상 등을 표시하는 액정 표시 장치 등에 의해 구성되는 표시 유닛(110)과, 오퍼레이터가 가공 내용 정보 등을 등록할 때에 이용하는 도시하지 않은 입력 유닛이 접속되어 있다. 입력 유닛은, 표시 유닛(110)에 설치된 터치 패널과, 키보드 등의 외부 입력 장치 중 적어도 하나에 의해 구성된다.
또한, 제어 유닛(100)은 레이저 가공 장치(1)의 가공 조건을 설정하기 위해서도 이용된다. 가공 조건은, 예컨대, 펄스 레이저빔(21)의 에너지, 펄스형의 펄스 레이저빔(21)의 반복 주파수, 후술하는 중첩률, 기능층(205)의 가공 임계값, 레이저 가공 시의 척 테이블(10)의 X축 방향의 이동 속도(이하, 가공 이송 속도라고 기재함) 등을 포함한다. 다만, 펄스 레이저빔(21)의 에너지란, 에너지 분포(212, 214)의 중심(211) 상의 에너지를 나타내고 있다.
또한, 제어 유닛(100)은, 펄스 레이저빔(21)의 에너지에 따라, 마스크 부재(251, 253)의 펄스 레이저빔(21)의 중심(211)으로부터의 거리(254)와 에너지 분포(214)의 경계값(213)과의 관계를 산출하는 기능, 가공 임계값 등에 기초하여 스폿(216)의 X축 방향의 폭(WX)(도 9에 도시함)을 산출하는 기능, 중첩률, 폭(WX) 및 반복 주파수 등에 기초하여 가공 이송 속도를 산출하여, 가공 조건으로서 입력하는 기능을 갖고 있다. 이들 기능은, 연산 처리 장치가 기억 장치에 기억된 프로그램을 실행함으로써 실현된다. 또한, 본 발명에서는, 전술한 기능은, 프로그램을 실행함으로써 실현되는 것 외에, 작업원이 산출해도 된다.
실시 형태에 따른 레이저 가공 방법은, 기재(201) 상의 유기막인 기능층(205)을 가진 웨이퍼(200)에 레이저 가공을 실시하는 방법에 있어서, 레이저 가공 장치(1)의 가공 동작을 포함한다. 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법은, 도 7에 나타낸 바와 같이, 에너지 분포 설정 단계(1001)와, 보호막 형성 단계(1002)와, 흑색화 단계(1003)와, 홈 가공 단계(1004)를 구비한다.
(에너지 분포 설정 단계)
에너지 분포 설정 단계(1001)는, 마스크 부재(251, 253)의 중심(211)으로부터의 거리를 조정하여, 에너지 분포(214)의 경계값(213)을 설정하는 단계이다. 전술한 구성의 레이저 가공 장치(1)는, 오퍼레이터가 입력 유닛 등을 조작하여 입력한 가공 조건을 제어 유닛(100)이 접수한다. 또한, 가공 조건은, 웨이퍼(200)의 기능층(205)의 가공 임계값, 흑색화 단계(1003)의 펄스 레이저빔(21)의 에너지, 반복 주파수, 중첩률, 홈 가공 단계(1004)의 펄스 레이저빔(21)의 에너지, 반복 주파수, 중첩률 등을 포함한다.
실시 형태에 있어서, 레이저 가공 장치(1)는, 제어 유닛(100)이 웨이퍼(200)의 기능층(205)의 가공 임계값, 흑색화 단계(1003)의 펄스 레이저빔(21)의 에너지 등에 기초하여, 경계값(213)이 가공 임계값이 되는 마스크 부재(251, 253)의 중심(211)으로부터의 거리(254)를 산출하고, 이동 유닛(252)을 제어하여, 각 마스크 부재(251, 253)의 중심(211)으로부터의 거리(254)를 경계값(213)이 가공 임계값이 되는 거리로 설정한다.
또한, 실시 형태에서는, 가공 조건이 웨이퍼(200)의 기능층(205)의 가공 임계값을 포함하고 있지만, 기능층(205)의 가공 임계값이 불분명한 경우, 척 테이블(10)에 웨이퍼(200)를 흡인 유지하여, 웨이퍼(200)의 다양한 에너지의 펄스 레이저빔(21)을, 집광점(21-1)을 기능층(205)에 설정하고, 조사하여, 기능층(205)이 탄화하여 흑색화한 펄스 레이저빔(21)의 에너지를 가공 임계값으로서 설정해도 좋다. 또한, 흑색화했는지 여부의 확인은, 레이저 가공 장치(1)의 오퍼레이터가 눈으로 확인해도 좋고, 촬상 유닛(40)으로 촬상하여, 주지의 화상 처리를 실시함으로써 확인해도 좋다. 또한, 흑색화하면, 기능층(205)은, 펄스 레이저빔(21)의 흡수성이 흑색화 전보다도 향상된다.
이와 같이, 본 발명에서 말하는 가공 임계값이란, 가공 임계값 이상의 에너지의 펄스 레이저빔(21)을, 집광점(21-1)을 기능층(205)에 설정하여 조사함으로써, 기능층(205)을 탄화시켜 펄스 레이저빔(21)을 흡수할 수 있을 정도로 흑색화할 수 있는 펄스 레이저빔(21)의 에너지의 값을 말한다.
(보호막 형성 단계)
도 8은 도 7에 도시된 레이저 가공 방법의 보호막 형성 단계를 일부 단면에서 모식적으로 나타내는 측면도이다. 보호막 형성 단계(1002)는, 웨이퍼(200)의 표면(202)측에 수용성 보호막을 피복하는 단계이다.
보호막 형성 단계(1002)에서는, 보호막 피복 장치(60)가, 점착 테이프(209)를 통해 웨이퍼(200)의 이면(206)측을 스피너 테이블(61)의 유지면(62)에 흡인 유지하고, 환형 프레임(210)을 스피너 테이블(61)의 주위에 설치된 클램프부(63)로 클램프한다. 보호막 형성 단계(1002)에서는, 보호막 피복 장치(60)가, 도 8에 도시한 바와 같이, 스피너 테이블(61)을 축심 둘레로 회전함과 함께, 수용성 수지 공급 노즐(64)로부터 수용성 수지(65)를 웨이퍼(200)의 표면(202)에 적하(滴下)한다.
적하된 수용성 수지(45)는, 스피너 테이블(61)의 회전에 의해 발생하는 원심력에 의해, 웨이퍼(200)의 표면(202) 상을 중심측으로부터 외주측을 향해 흘러가, 웨이퍼(200)의 표면(202)의 전체면에 도포된다.
또한, 수용성 수지(65)는, 예를 들어, 폴리비닐알코올(polyvinyl alcohol: PVA) 또는 폴리비닐피롤리돈(Polyvinylpyrrolidone: PVP) 등의 수용성 수지이다. 보호막 형성 단계(1002)에서는, 웨이퍼(200)의 표면(202)의 전체면에 도포된 수용성 수지(65)를 경화함으로써, 웨이퍼(200)의 표면(202)의 전체면을 피복하는 수용성 보호막을 형성한다.
(흑색화 단계)
도 9는, 도 7에 나타낸 레이저 가공 방법의 펄스 레이저빔의 중첩률을 모식적으로 설명하는 도면이다. 도 10은 도 7에 도시된 레이저 가공 방법의 흑색화 단계를 일부 단면에서 모식적으로 도시한 측면도이다. 또한, 도 10은 수용성 보호막을 생략하고 있다.
흑색화 단계(1003)는, 기능층(205)에 대하여 투과성을 가진 파장의 펄스 레이저빔(21)을 레이저 발진기(22)에서 발생시키고, 기능층(205)이 가공되는 가공 임계값 이상의 에너지의 펄스 레이저빔(21)을, 연속하여 기능층(205)에 조사되는 펄스 레이저빔(21)의 중첩률이 90% 이상이고 또한 100% 미만이 되도록 기능층(205)에 조사하여 기능층(205)을 흑색화시키는 단계이다.
또한, 중첩률이란, 도 9에 나타내는 연속이면서도 전후(前後)하여 조사되는 펄스 레이저빔(21)의 웨이퍼(200)의 기능층(205) 상의 스폿(216) 중 앞의 펄스 레이저빔(21)의 스폿(216)(이하, 206-1이라고 기재함)과, 뒤의 펄스 레이저빔(21)의 스폿(216)(이하, 206-2라고 기재함)이 겹치는 영역(216-3)(도 9 중에 평행 사선으로 나타냄)의 각 스폿(216-1, 216-2)의 면적에 대한 비율(%)을 말한다.
여기서, 가공 이송 속도(mm/초)를 S로 하고, 스폿(216-1, 216-2)의 X축 방향의 폭(mm)을 WX(도 9에 도시함)로 하고, 펄스 레이저빔(21)의 반복 주파수(Hz)를 F로 하면, 중첩률(Ｏ)(%)는, 이하의 식 1에 의해 정의된다.
Ｏ=[1-{S/(WX×F)}]×100 ···식 1
또한, 중첩률(Ｏ)이 90% 미만이면, 기능층(205)을 흑색화할 수 없어, 홈 가공 단계(1004)를 실시했을 때에, 기능층(205)의 기재(201)로부터의 막 박리를 억제할 수 없기 때문이다. 또한, 중첩률(Ｏ)이 100%이면, 항상 동일한 위치에 펄스 레이저빔(21)을 계속해서 조사하게 된다. 또한, 중첩률(Ｏ)은, 기능층(205)을 흑색화할 수 있어, 홈 가공 단계(1004)를 실시했을 때에, 기능층(205)의 기재(201)로부터의 막 박리를 양호하게 억제하기 위해서는, 95% 이상인 것이 바람직하다.
흑색화 단계(1003)에서는, 레이저 가공 장치(1)는, 점착 테이프(208)를 통해 반입출 영역에 위치된 척 테이블(10)의 유지면(11)에 수용성 보호막에 의해 표면(202)이 피복된 웨이퍼(200)가 재치된다. 실시 형태에 있어서, 흑색화 단계(1003)에서는, 레이저 가공 장치(1)는, 제어 유닛(100)이 입력 유닛으로부터 오퍼레이터의 가공 동작 개시 지시를 접수하면, 가공 동작을 개시하고, 웨이퍼(200)를 점착 테이프(208)를 통해, 척 테이블(10)의 유지면(11)에 흡인 유지하고, 클램프부(12)로 환형 프레임(210)을 클램프한다.
또한, 흑색화 단계(1003)에서는, 레이저 가공 장치(1)는, 제어 유닛(100)이 가공 임계값 및 산출한 거리(254) 등에 기초하여, 스폿(216-1, 216-2)의 폭(WX)을 산출하고, 가공 조건에서 정해진 중첩률(Ｏ), 반복 주파수(F)에 기초하여, 식 1을 만족하는 가공 이송 속도(S)를 산출한다. 흑색화 단계(1003)에서는, 레이저 가공 장치(1)는, 이동 유닛(30)이 척 테이블(10)을 가공 영역을 향하여 이동시켜, 촬상 유닛(40)이 웨이퍼(200)를 촬영한다. 레이저 가공 장치(1)가, 촬상 유닛(40)이 촬상하여 얻은 화상에 기초하여, 얼라인먼트를 수행한다.
실시 형태에 있어서, 레이저 가공 장치(1)는, 가공 조건 및 산출한 가공 이송 속도(S) 등에 기초하여, 펄스 레이저빔(21)의 집광점(21-1)을 기능층(205)으로 설정하고, 도 10에 나타내는 바와 같이, 가공 조건에서 설정된 중첩률(Ｏ)이 되도록, 이동 유닛(30)이 척 테이블(10)에 유지된 웨이퍼(200)와, 레이저빔 조사 유닛(20)이 조사하는 펄스 레이저빔(21)의 집광점(21-1)을 분할 예정 라인(203)을 따라 산출한 가공 이송 속도(S)로 상대적으로 이동시키면서, 레이저빔 조사 유닛(20)이 펄스형의 펄스 레이저빔(21)을 분할 예정 라인(203)에 조사함으로써, 웨이퍼(200)에 레이저 가공을 실시하여, 모든 분할 예정 라인(203) 상의 기능층(205)을 흑색화한다.
또한, 실시 형태에서는, 흑색화 단계(1003)에서는, 펄스 레이저빔(21)의 파장을 514nm으로 하고, 펄스 레이저빔(21)의 에너지를 0.2μJ 이상이고 또한 2μJ 이하(바람직하게는, 0.2μJ 이상이고 또한 0.5μJ 이하)로 한다.
또한, 실시 형태에서는, 흑색화 단계(1003)에서는, 예를 들어 각 스폿(216-1, 216-2)의 X축 방향의 폭(WX)(도 9에 도시함)이 5㎛, 펄스 레이저빔(21)의 반복 주파수(F)를 1MHz, 가공 이송 속도(S)를 50mm/초로 하면, 중첩률(Ｏ)은 99%가 된다. 중첩률(Ｏ)이 99%인 경우, 영역(216-3)의 X축 방향의 폭(216-4)(도 9에 도시함)은 4.95㎛가 된다. 실시 형태에 있어서, 흑색화 단계(1003)에서는, 예를 들어, 중첩률(Ｏ)이 99%로 레이저 가공을 실시한다.
또한, 흑색화 단계(1003)에 있어서, 기능층(205)에 조사되는 펄스 레이저빔(21)은, 도 5에 도시된 에너지 분포(212)로부터 도 6에 도시된 에너지 분포(214)로 수정되어 있다. 이와 같이, 흑색화 단계(1003)에 있어서, 기능층(205)에 조사되는 펄스 레이저빔(21)은, 도 4에 도시된 에너지 분포(212)로부터 가장자리 부분이 수직인 도 5에 도시된 에너지 분포(214)로 수정됨으로써, 가공 임계값보다도 낮은 에너지의 펄스 레이저빔(21)이 기능층(205)을 투과하여 기재(201)에 조사되는 것을 방지한다.
(홈 가공 단계)
도 11은, 도 7에 도시된 레이저 가공 방법의 홈 가공 단계를 일부 단면에서 모식적으로 도시한 측면도이다. 또한, 도 11은, 수용성 보호막을 생략하고 있다. 홈 가공 단계(1004)는, 흑색화 단계(1003)를 실시한 후, 흑색화한 기능층(205)에 펄스 레이저빔(21)을 조사하여 흑색화한 기능층(205)에 펄스 레이저빔(21)을 흡수시켜 레이저 가공홈(207)을 형성하는 단계이다.
실시 형태에 있어서, 홈 가공 단계(1004)에서는, 레이저 가공 장치(1)는, 펄스 레이저빔(21)을, 중첩률(Ｏ)이 0%를 초과하고 또한 80% 미만이 되도록 흑색화한 기능층(205)에 조사하여, 기능층(205) 및 기재(201)의 표층을 제거하여, 레이저 가공홈(207)을 형성한다. 홈 가공 단계(1004) 에서는, 레이저 가공 장치(1)는, 제어 유닛(100)이 가공 조건에서 정해진 중첩률(Ｏ), 반복 주파수(F)에 기초하여, 식 1을 만족하는 가공 이송 속도(S)를 산출한다.
홈 가공 단계(1004)에서는, 레이저 가공 장치(1)는, 가공 조건 및 산출한 가공 이송 속도(S)에 기초하여, 펄스 레이저빔(21)의 집광점(21-1)을 흑색화한 기능층(205)으로 설정하고, 도 11에 나타내는 바와 같이, 가공 조건으로 설정된 중첩률(Ｏ)이 되도록, 이동 유닛(30)이 척 테이블(10)에 유지된 웨이퍼(200)와, 레이저빔 조사 유닛(20)이 조사하는 펄스 레이저빔(21)의 집광점(21-1)을 분할 예정 라인(203)에 따라 산출한 가공 이송 속도(S)로 상대적으로 이동시키면서, 레이저빔 조사 유닛(20)이 펄스형의 펄스 레이저빔(21)을 분할 예정 라인(203)에 조사한다.
홈 가공 단계(1004)에서는, 레이저 가공 장치(1)는, 흑색화한 기능층(205) 및 기재(201)에 대하여 흡수성을 갖는 파장의 펄스 레이저빔(21)을 조사함으로써, 웨이퍼(200)에 분할 예정 라인(203)을 따라 레이저 가공, 즉 어블레이션 가공을 실시하여, 모든 분할 예정 라인(203)에 레이저 가공홈(207)을 형성한다.
또한, 실시 형태에서는, 홈 가공 단계(1004)에서는, 펄스 레이저빔(21)의 파장을 514nm으로 하고, 펄스 레이저빔(21)의 에너지를 5μJ 이상이고 또한 10μJ 이하(바람직하게는, 8μJ 이상이고 또한 10μJ 이하)로 한다. 또한, 실시 형태에서는, 홈 가공 단계(1004)에서는, 예를 들어 중첩률(Ｏ)이 75%로 레이저 가공을 실시한다.
또한, 실시 형태에서는, 홈 가공 단계(1004)에서는, 레이저 가공 장치(1)는, 흑색화 단계(1003)와 마찬가지로, 도 6에 도시하는 에너지 분포(214)이며 또한 스폿(216-1, 216-2)의 형상이 직사각 형상의 펄스 레이저빔(21)을 조사하지만, 본 발명에서는, 스폿의 형상이 둥근 형상(원형)인 펄스 레이저빔(21)을 조사해도 된다.
이렇게 하여, 실시 형태에 따른 레이저 가공 방법은, 흑색화 단계(1003)에 있어서, 홈 가공 단계(1004)보다 높은 중첩률(Ｏ)이면서도 낮은 에너지의 펄스 레이저빔(21)을 조사하여 기능층(205)을 흑색화하고, 홈 가공 단계(1004)에 있어서, 흑색화 단계(1003)보다 낮은 중첩률(Ｏ)이면서도 높은 에너지의 펄스 레이저빔(21)을 조사하여, 레이저 가공홈(207)을 형성한다.
실시 형태에 있어서, 레이저 가공 장치(1)는, 웨이퍼(200)의 모든 분할 예정 라인(203)에 레이저 가공홈(207)을 형성하면, 펄스 레이저빔(21)의 조사를 정지한다. 실시 형태에 있어서 레이저 가공 장치(1)는, 이동 유닛(30)이 척 테이블(10)을 반입출 영역을 향해 이동시켜, 척 테이블(10)을 반입출 영역에 정지하고, 척 테이블(10)이 웨이퍼(200)의 흡인 유지를 정지함과 함께, 클램프부(12)가 환형 프레임(210)의 클램프를 해제하고, 척 테이블(10)의 유지면(11)으로부터 웨이퍼(200)가 반출되어, 가공 동작 및 레이저 가공 방법을 종료한다.
실시 형태에 관련된 레이저 가공 방법이 실시된 웨이퍼(200)는, 수용성 보호막이 제거되고, 분할 예정 라인(203)을 따라 절삭 가공이 실시되어, 개개의 디바이스(204)로 분할된다.
이상 설명한 바와 같이, 실시 형태에 관한 레이저 가공 방법은, 흑색화 단계(1003)와 홈 가공 단계(1004)를 구비한다. 레이저 가공 방법은, 흑색화 단계(1003)에서는, 홈 가공 단계(1004)보다도 낮은 에너지의 펄스 레이저빔(21)을, 홈 가공 단계(1004)보다도 큰 중첩률(Ｏ)로 펄스 레이저빔(21)을 겹쳐 조사한다. 또한, 레이저 가공 방법은, 홈 가공 단계(1004)에서는, 흑색화한 기능층(205)에 집광점(21-1)을 설정하고, 펄스 레이저빔(21)을 조사한다.
이 때문에, 레이저 가공 방법은, 흑색화되어 펄스 레이저빔(21)의 흡수성이 향상된 상태의 기능층(205)에 홈 가공 단계(1004)에 있어서 펄스 레이저빔(21)을 조사하기 때문에, 기재(201)에 집광점(21-1)을 설정하지 않고, 즉, 기능층(205)의 박리를 억제한 상태에서 펄스 레이저빔(21)을 조사함으로써 레이저 가공홈(207)을 형성할 수 있다. 그 결과, 레이저 가공 방법은, 기능층(205)의 박리를 억제하면서도 웨이퍼(200)에 레이저 가공홈(207)을 형성할 수 있다는 효과를 발휘한다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명의 골자를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.
21 펄스 레이저빔
22 레이저 발진기
200 웨이퍼
201 기재
205 기능층(유기막)
207 레이저 가공홈

Claims (2)

  1. 기재(基材) 상에 유기막을 가진 웨이퍼에 레이저 가공을 실시하는 레이저 가공 방법에 있어서,
    상기 유기막에 대하여 투과성을 갖는 파장의 펄스 레이저빔을 레이저 발진기로부터 출사시키고, 상기 유기막이 가공되는 가공 임계값 이상의 에너지의 상기 펄스 레이저빔을, 연속하여 상기 유기막에 조사되는 상기 펄스 레이저빔의 중첩률이 90% 이상 100% 미만이 되도록 상기 유기막에 조사하여 상기 유기막을 흑색화시키는 흑색화 단계와,
    상기 흑색화 단계를 실시한 후, 흑색화한 상기 유기막에 상기 펄스 레이저빔을 조사하여 흑색화한 상기 유기막에 펄스 레이저빔을 흡수시켜 레이저 가공홈을 형성하는 홈 가공 단계
    를 구비한 레이저 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 흑색화 단계에 있어서, 상기 유기막에 조사되는 펄스 레이저빔은, 가우시안 분포의 가장자리 부분이 수직인 분포로 수정됨으로써 상기 가공 임계값보다 낮은 에너지의 상기 펄스 레이저빔이 상기 유기막을 투과하여 상기 기재에 조사되는 것을 방지하는, 레이저 가공 방법.
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