JP6861526B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 90
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 46
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 46
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 31
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 29
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 6
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 8
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 6
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 6
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 6
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 5
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 5
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229920001817 Agar Polymers 0.000 description 2
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000008272 agar Substances 0.000 description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 2
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- -1 etc.) Polymers 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Description
レーザー光線光源 :YAGレーザー
波長 :355nm
繰り返し周波数 :50kHz
平均出力 :3W
スポット径 :φ10μm
送り速度 :100nm/秒
6:保持手段
8:移動手段
10:ウエーハ
12:分割予定ライン
14:デバイス
20:スピンコーター
21:ノズル
22:保持テーブル
24:レーザー光線照射手段
26:撮像手段
34:チャックテーブル
50:枠体
60:微粉末
70:洗浄手段
71:ノズル
100:分割溝
L1:第1の液状樹脂
L2:第2の液状樹脂
M1:第1の保護膜
M2:第2の保護膜
Claims (3)
- 複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの表面に水溶性樹脂からなり光を吸収する微粉末を含まない第1の液状樹脂を被覆して第1の保護膜を形成する第1の保護膜形成工程と、
該第1の保護膜の上面に水溶性樹脂に光を吸収する微粉末が混入した第2の液状樹脂を被覆して第2の保護膜を形成する第2の保護膜形成工程と、
分割予定ラインに沿ってレーザー光線を照射して溝を形成しウエーハを個々のデバイスに分割する分割加工工程と、
第2の保護膜及び第1の保護膜を水で溶解し除去する洗浄工程と、から、少なくとも構成されるウエーハの加工方法。 - 該第2の保護膜の溶解速度は、該第1の保護膜の溶解速度より早く設定される請求項1に記載のウエーハの加工方法。
- 該微粉末は、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化セリウム、カーボンブラックのいずれかを含む、請求項1、又は2に記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017017505A JP6861526B2 (ja) | 2017-02-02 | 2017-02-02 | ウエーハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017017505A JP6861526B2 (ja) | 2017-02-02 | 2017-02-02 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018125448A JP2018125448A (ja) | 2018-08-09 |
JP6861526B2 true JP6861526B2 (ja) | 2021-04-21 |
Family
ID=63111650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017017505A Active JP6861526B2 (ja) | 2017-02-02 | 2017-02-02 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6861526B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7171138B2 (ja) * | 2018-12-06 | 2022-11-15 | 株式会社ディスコ | デバイスチップの製造方法 |
JP2023074084A (ja) | 2021-11-17 | 2023-05-29 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53105964A (en) * | 1977-02-26 | 1978-09-14 | Nec Home Electronics Ltd | Manufacture of semiconductor device |
JPH0220685A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-24 | Hitachi Ltd | レーザ加工材とその製造方法 |
JP4532358B2 (ja) * | 2005-06-15 | 2010-08-25 | 株式会社ディスコ | 半導体チップの製造方法 |
JP5385060B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2014-01-08 | 株式会社ディスコ | 保護膜被覆方法および保護膜被覆装置 |
US8557682B2 (en) * | 2011-06-15 | 2013-10-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-layer mask for substrate dicing by laser and plasma etch |
JP2014124646A (ja) * | 2012-12-25 | 2014-07-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ加工方法および微粒子層形成剤 |
-
2017
- 2017-02-02 JP JP2017017505A patent/JP6861526B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018125448A (ja) | 2018-08-09 |
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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