KR20220124812A - Mems 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents
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Abstract
실시 예는 복수의 MEMS 장치 중 적어도 하나의 MEMS 장치를 음향적으로 테스트하기 위한 방법을 제공한다. 상기 방법은 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 제공하는 단계를 포함한다. 추가적으로, 상기 방법은 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향 진동으로 여기시키는 단계를 포함한다. 추가적으로, 상기 방법은 적어도 하나의 사운드 센서에 의해 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 음향 진동을 검출하는 단계를 포함한다. 추가적으로, 상기 방법은 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 의도된 기능에 대해 테스트하기 위해 적어도 하나의 사운드 센서에 의해 검출된 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 음향 진동을 평가하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명의 실시 예는 복수의 마이크로 전자 기계 시스템(MEMS) 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하는 방법에 관한 것이다. 추가 실시 예는 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치에 관한 것이다. 일부 실시 예는 MEMS를 음향적으로 테스트하는 것에 관한 것이다.
원하는 기능 모드와 관련하여 마이크로 전기 기계 시스템(MEMS)를 확인하는 것은 사소하지 않은 기술적 문제를 수반한다. 따라서 전기적으로 완전히 기능하는 것으로 입증되는 MEMS에도 기계적으로 결함이 있을 수 있다. 이와 반대로, 기계적인 움직임이 가능하지만, 예를 들어 전기 단락의 경우와 같이 전기적 기능이 없는 경우도 또한 있을 수 있다.
또한, 원하는 기능의 특정 MEMS 구조는 매우 낮은 전류만이 통과하고 그에 따라 높은 저항/임피던스(MOhm 또는 GOhm 범위)가 존재하기 때문에, 순수한 전기 측정은 문제가 될 수 있다. 그 결과 도량형 방법은 종종 긴 통합 시간을 수반한다. 최적화된 생산 라인과 관련하여 이러한 방법은 비경제적으로 보인다. 잠재적인 솔루션은 MEMS의 전기적 여기(또는 자극)가 기계적 움직임을 초래하는지 여부를 확인하는 것이다. 이것은 종래 기술에서 행해진 바와 같이 광학적으로 수행될 수 있지만, 이는 단일 칩 이상의 측정에는 매우 높은 복잡성을 나타낸다. 기본 광학 및 이들의 폼 팩터가 문제의 일부가 된다. 매우 작은 MEMS 구조에서는 매우 값비싼 측정 거리가 필요하며, 이 구조는 모드 기능(예: 스트로보스코프)으로 인해 시간이 많이 소요될 수도 있다. 또한, 현재의 선행 기술에서는 하우징 또는 캡핑된 MEMS의 내부 구조에 대한 광학 테스트를 수행할 수 없으며, 그 결과 하우징/캡핑으로 인한 결함을 검사할 수 없다. 또한, 하우징/캡과 같은 실리콘으로 구조를 노출시킬 수 있는 현재 연구되고 있는 광학 시스템은 여전히 범위가 제한되어 있으므로 더 큰 칩을 완전히 검사할 수가 없다. 생산 과정 동안 이미 존재하거나 도입된 결함이 공급망에서 늦게 발견될수록, 전체 제조 과정에는 더 많은 비용이 소요된다.
결과적으로, 본 발명의 기본 목적은 현 상황을 개선하고 하는 것이다.
실시 예는 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 방법을 제공한다. 상기 방법은 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 제공하는 단계를 포함한다. 추가하여, 상기 방법은 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향 진동으로 여기시키는 단계를 포함한다. 추가하여, 상기 방법은 적어도 하나의 사운드 센서에 의해 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 상기 음향 진동을 검출하는 단계를 포함한다. 추가하여, 상기 방법은 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 의도된 기능에 대해 테스트하기 위해서, 상기 적어도 하나의 사운드 센서에 의해 검출된, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 상기 음향 진동을 평가하는 단계를 포함한다.
실시 예에서, 복수의 MEMS 디바이스를 포함하는 웨이퍼는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 제공할 때 제공될 수 있고, 상기 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 여기할 때 여기될 수 있다.
실시 예에서, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스는 상기 복수의 MEMS 디바이스를 다이싱하기 전에 웨이퍼 레벨에서 테스트될 수 있다.
실시 예에서, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 포함하는 집적 회로 또는 칩은 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 제공할 때 제공될 수 있다.
실시 예에서, 상기 집적 회로 또는 칩을 제조하는 동안 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스가 테스트될 수 있고/있거나, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스는 상기 집적 회로 또는 칩의 제조 종료시 테스트될 수 있다.
실시 예에서, 상기 방법은: 상기 테스트 장치를 제공하고 상기 테스트 장치에 의해 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스와 접촉하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스는 상기 테스트 장치를 통해 여기된다.
실시 예에서, 상기 테스트 장치는 프로브, 프로브의 일부 또는 프로브 카드일 수 있다.
실시 예에서, 상기 테스트 장치는 상기 적어도 하나의 사운드 센서를 포함할 수 있다.
실시 예에서, 상기 테스트 장치는 적어도 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스에 인접한 영역에서 적어도 부분적으로 음향 전달 가능할 수 있으며, 상기 적어도 하나의 사운드 센서는 상기 테스트 장치의 상기 적어도 부분적으로 음향 전달 가능 영역에 인접하게 배열될 수 있다.
실시 예에서, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스는 MEMS 디바이스의 그룹일 수 있고, 상기 테스트 장치는 상기 MEMS 디바이스의 그룹에 인접한 영역에서 적어도 부분적으로 음향 전달 가능하며, 기 적어도 하나의 사운드 센서는 상기 테스트 장치의 상기 적어도 부분적으로 음향 전달 가능 영역에 인접하게 배열될 수 있다.
실시 예에서, 상기 테스트 장치는 제1 테스트 장치일 수 있고, 상기 제1 테스트 장치는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 제1 측면과 접촉하고, 상기 방법은: 제2 테스트 장치를 제공하고 상기 제2 테스트 장치에 의해 상기 제1 측면 반대편인 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 제2 측면과 접촉하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 제 2 테스트 장치는 상기 적어도 하나의 사운드 센를 포함한다.
실시 예에서, 상기 제2 테스트 장치는 상기 웨이퍼를 위한 지지체를 포함하고, 상기 지지체는 적어도 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스에 인접하는 영역에서 적어도 부분적으로 음향 전달 가능하며, 상기 적어도 하나의 사운드 센서는 상기 지지체의 상기 적어도 부분적으로 음향 전달 가능한 영역에 인접하게 배열된다.
실시 예에서, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스는 MEMS 디바이스의 그룹일 수 있고, 상기 지지체는 상기 MEMS 디바이스의 그룹에 인접한 영역에서 적어도 부분적으로 음향 전달 가능하며, 상기 적어도 하나의 사운드 센서는 상기 지지체의 상기 적어도 부분적으로 음향 투과성 영역에 인접하게 배열된다.
실시 예에서, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스는 MEMS 디바이스의 그룹일 수 있고, 상기 MEMS 디바이스의 그룹은 음향 진동으로 여기되고, 상기 MEMS 디바이스의 그룹의 상기 음향 진동은 상기 적어도 하나의 사운드 센서에 의해 검출되다.
실시 예에서, 상기 적어도 하나의 사운드 센서는 MEMS 디바이스의 그룹과 연관된 정확히 하나의 사운드 센서이고, 상기 적어도 하나의 사운드 센서는 상기 MEMS 디바이스의 그룹과 연관된 정확히 하나의 사운드 센서 어레이를 포함한다.
실시 예에서, 상기 적어도 하나의 사운드 센서는 복수의 사운드 센서를 포함하고, 상기 복수의 사운드 센서의 각각의 하나의 사운드 센서는 상기 MEMS 디바이스의 그룹의 MEMS 디바이스와 연관된다.
실시 예에서, 상기 적어도 하나의 사운드 센서는 복수의 사운드 센서 어레이를 포함할 수 있고, 상기 복수의 사운드 센서 어레이 각각의 하나의 사운드 센서 어레이는 상기 MEMS 디바이스 그룹의 MEMS 디바이스와 연관된다.
실시 예에서, 상기 복수의 사운드 센서 또는 사운드 센서 어레이는 서로 음향적으로 차폐될 수 있다.
실시 예에서, 상기 MEMS 디바이스의 그룹의 상기 MEMS 디바이스는 상호 음향적으로 차폐될 수 있다.
실시 예에서, 상기 MEMS 디바이스의 그룹은 주파수가 겹치지 않는 서로 다른 신호에 의해 동시에 여기될 수 있다.
실시 예에서, 상기 MEMS 디바이스의 그룹은 주파수가 겹치는 서로 다른 신호에 의해 동시에 여기될 수 있다.
실시 예에서, 상기 MEMS 디바이스의 그룹은 동일한 신호에 의해 연속적으로 여기될 수 있다.
실시 예에서, 상기 MEMS 디바이스의 그룹은 동시에 여기될 수 있다.
실시 예에서, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스는 MEMS 확성기, MEMS 마이크로폰, MEMS 펌프, MEMS 드라이브, MEMS 전송 또는 MEMS 기반 의료 테스트 장치일 수 있다.
실시 예에서, 상기 적어도 하나의 사운드 센서는 마이크로폰 또는 구조 기반 사운드 센서일 수 있다.
다른 실시 예는 웨이퍼 상에 배열된 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향 테스트하기 위한 테스트 장치를 제공하고, 상기 테스트 장치는 상기 웨이퍼 상에 배열된 상기 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스와 접촉하도록 구성되고, 상기 테스트 장치는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향 진동으로 여기시키도록 구성되고, 상기 테스트 장치는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 상기 음향 진동을 검출하도록 구성된 적어도 하나의 사운드 센서를 포함하고, 상기 테스트 장치는 상기 사운드 센서에 의해 검출된 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 상기 음향 진동에 의존하는 적어도 하나의 신호를 제공하도록 구성되고, 상기 테스트 장치는 프로브, 프로브의 일부 또는 프로브 카드이다.
다른 실시 예는 웨이퍼 상에 배열된 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향 테스트하기 위한 장치를 제공하고, 상기 장치는 제1 테스트 장치 및 제2 테스트 장치를 포함하고, 상기 제1 테스트 장치는 상기 웨이퍼 상에 배열된 상기 복수의 MEMS 디바이스 중 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 제1 측면과 접촉하도록 구성되고, 상기 제1 테스트 장치는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향 진동으로 여기시키도록 구성되고, 상기 제2 테스트 장치는 상기 제1 측면의 반대편인 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 제2 측면과 접촉하도록 구성되고, 제2 테스트 장치는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 상기 음향 진동을 검출하도록 구성된 적어도 하나의 사운드 센서를 포함하고, 상기 장치는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 의도된 기능에 대해 테스트하기 위해 상기 적어도 하나의 사운드 센서에 의해 검출된 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 상기 음향 진동을 평가하도록 구성된다.
추가 실시예는 마이크로 전자기계 시스템(MEMS)을 음향적으로 테스트하고 음향적으로 특성화하기 위한 방법, 장치 및 컴퓨터 프로그램을 제공한다.
본 발명의 실시 예는 첨부된 도면을 참조하여 더 상세히 설명될 것이다:
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른, 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
도 2는 일 실시 예에 따른, 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른, 사운드 센서를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른, 사운드 센서 어레이를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹의 MEMS 디바이스당 하나의 사운드 센서를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 6은 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹의 MEMS 디바이스당 하나의 사운드 센서 어레이를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 7은 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹용 사운드 센서를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹에 대한 사운드 센서 어레이를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른, 사운드 센서를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른, 사운드 센서 어레이를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 11은 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹의 MEMS 디바이스당 하나의 사운드 센서를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 12는 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹의 MEMS 디바이스당 하나의 사운드 센서 어레이를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 13은 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹에 대한 사운드 센서를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 14는 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹에 대한 사운드 센서 어레이를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 15는 도 3 내지 도 14에 설명된 실시 예가 사용될 수 있는 프로브를 갖는 웨이퍼 테스터의 개략도이다.
도 16은 일 실시 예에 따른, 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 성형/패키징한 후에 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 17은 생산 라인 및 생산 라인의 끝에서 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 검사하는 개략도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른, 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
도 2는 일 실시 예에 따른, 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 3은 일 실시 예에 따른, 사운드 센서를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 4는 일 실시 예에 따른, 사운드 센서 어레이를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 5는 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹의 MEMS 디바이스당 하나의 사운드 센서를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 6은 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹의 MEMS 디바이스당 하나의 사운드 센서 어레이를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 7은 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹용 사운드 센서를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 8은 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹에 대한 사운드 센서 어레이를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 9는 일 실시 예에 따른, 사운드 센서를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 10은 일 실시 예에 따른, 사운드 센서 어레이를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 11은 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹의 MEMS 디바이스당 하나의 사운드 센서를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 12는 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹의 MEMS 디바이스당 하나의 사운드 센서 어레이를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 13은 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹에 대한 사운드 센서를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 14는 일 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 그룹에 대한 사운드 센서 어레이를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 MEMS 디바이스 그룹을 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 15는 도 3 내지 도 14에 설명된 실시 예가 사용될 수 있는 프로브를 갖는 웨이퍼 테스터의 개략도이다.
도 16은 일 실시 예에 따른, 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 성형/패키징한 후에 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 장치의 개략도이다.
도 17은 생산 라인 및 생산 라인의 끝에서 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 검사하는 개략도이다.
본 발명의 실시 예에 대한 이하의 설명에서, 동일한 구성요소 또는 동일한 효과를 갖는 구성요소는 상호 교환가능하도록 도면에서 동일한 참조부호를 부여한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른, 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하기 위한 방법(100)의 흐름도를 도시한다. 방법(100)은 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 제공하는 단계(102)를 포함한다. 또한, 방법(100)은 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향 진동으로 여기시키는 단계(104)를 포함한다. 추가적으로, 방법(100)은 적어도 하나의 사운드 센서에 의해 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 음향 진동을 검출하는 단계(106)를 포함한다. 또한, 방법(100)은 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 의도된 기능에 대해 테스트하기 위해서, 적어도 하나의 사운드 센서에 의해 검출된 적어도 하나의 MEMS 디바이스의 음향 진동을 평가하는 단계(108)를 포함한다.
실시 예에서, 단계(102)에서, 복수의 MEMS 디바이스를 포함하는 웨이퍼가 제공될 수 있고, 여기서, 단계(104)에서, 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스는 음향 진동으로 여기된다. 물론, 단계(104)에서, (예를 들어, 진정한 서브세트와 같이) 더 많은 또는 복수의 MEMS 디바이스 모두가 음향 진동으로, 즉 차례로, 그룹으로 또는 동시에 여기될 수 있다. 따라서, 예를 들어 의도된 기능에 대해 복수의 MEMS 디바이스를 다이싱하기 전에 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나, 그 이상 또는 모두를 테스트하는 것이 가능하다.
실시 예에서, 단계(102)에서, 개별적인 또는 몇개의 이미 다이싱된 MEMS 디바이스가 물론 제공되고, 단계(104)에서, 예를 들어 패키징 전 및/또는 후에, 의도된 기능에 대해 이들을 테스트하기 위해 음향 진동으로 여기될 수 있다.
또한, 실시 예에서, 단계(102)에서, 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 포함하는 부분 제품 또는 최종 제품이 제공되고, 단계 104에서 의도된 기능에 대해 이를 테스트하기 위해 음향 진동으로 여기될 수 있다. 따라서 제품을 제조하는 동안(즉, 인-라인) 또는 제품을 제조한 직후(즉, 엔드-오브-라인(end-of-line)) 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 포함하는 제품을 테스트하는 것이 가능하다.
본 발명의 실시 예는 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 제조하는 동안 또는 제조한 후에, 이를 패키징하기 전 또는 후에, 또는 제품에 이를 통합하는 동안 또는 그 후에 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 테스트하는 것을 가능하게 한다.
다음으로, 도 1에 도시된 방법(100) 및 이를 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램, 및 대응하는 장치의 상세한 실시 예가 보다 상세하게 설명될 것이다.
실시 예는 예를 들어 반도체 제조의 분야 및 생산 라인 또는 제품 가치 사슬의 분야에서 수동, 반자동 또는 완전 자동 구현으로 하나 이상의 MEMS 디바이스의 음향 테스트 및/또는 음향 특성화를 가능하게 한다. 따라서 실시 예는 전체 생산 공정 또는 그 일부의 생산 라인 내에서 가치 사슬의 각 단계에 관한 것이다. 따라서, 각각의 실시 예는 아래에서 간략하게 설명될 하나 또는 여러 하위 측면을 포함할 수 있다.
실시 예에서, 반도체 제조 영역에서 하나 이상의 MEMS 디바이스의 음향 테스트 및/또는 음향 특성화는, 예를 들어, 프로브를 사용한 수동 또는 반자동 테스트(프로브 테스트) 또는 웨이퍼용 프로브 카드를 사용한 완전 자동 테스트(웨이퍼 프로브 카드 테스트)를 이용한 웨이퍼 테스트, 뿐만 아니라 몰딩/패키징 및 추가로 적합 또는 반도체 특정의 제조 단계 이후의 테스트와 같은 조립 중 테스트(조립 테스트)를 포함한다.
실시 예에서, 반도체 제조, 생산 라인 또는 제품 가치 사슬의 분야에서 하나 이상의 MEMS 디바이스의 음향 테스트 및/또는 음향 특성화는, 인쇄 회로 기판 조립 동안의 테스트 (PCB 어셈블리 테스트 또는 회로 내 테스트), 또는 온도 단계 후 테스트 (사후 온도 테스트) 또는 스트레스 테스트, 및 해당 제품 또는 제품 하위 단계의 제조 이후 테스트(엔드-오브-라인 테스트)와 같이, 제조 중 체인(인-라인 테스트)에서 가능한 모든 테스트를 포함한다.
음향 테스트 및 음향 특성화의 실시 예는 하나 이상의 DUT(테스트 대상 디바이스)에 관한 것이고, 여기서 반도체 제조 분야에서, DUT는 칩 또는 칩의 하위 구조를 말하며, 생산 라인 분야에서는, 전기적 또는 기계적 또는 전자기계적 여기/활성화/신호에 의해 전기적 및/또는 기계적 매개변수에 대해 확인되는 통합 MEMS를 갖는 제품 또는 하위 제품을 의미하며, 이러한 기능은 정의 및/또는 확립된 음향 테스트의 관점에서 평가된다.
예를 들어, DUT는 평가를 통해 4개의 그룹으로 분류될 수 있다: 1) DUT는 완전한 음향 기능(예: 녹색 특성)을 나타내고, 2) DUT는 제한된 음향 기능을 나타내지만, 정의된 음향 한계내는 아님(예: 노란색 특성), 3) DUT는 제한된 음향 기능을 나타내지만 정의된 음향 한계 외는 아님(예: 주황색 특성) 및 4) DUT는 음향 기능을 나타내지 않는다(빨간색). 실시 예에서, DUT는 물론 다음의 두 그룹과 같이, 평가를 통해 상이한 그룹으로 분류할 수도 있다: 1) DUT 기능 및 2) DUT 비기능.
DUT를 평가하기 위해, 예를 들어 아래에 설명된 음향 테스트를 사용할 수 있으며 DUT의 음향 한계를 정의할 수 있다.
실시 예에서, 개별 결함 DUT의 시간 효율적인 인식은 구별 가능한 자극을 사용하여 많은 DUT의 협대역 동시 여기를 통해 수행될 수 있다.
실시 예에서, 획득된 음압 레벨에 대해 개별 DUT를 테스트하는 것은 광대역 여기를 통해 수행될 수 있다.
실시 예에서, "러브 앤 버즈(rub and buzz)" 원리에 따른 음향 검사가 수행될 수 있다. 느슨하거나 너무 조인 디바이스로 인해 발생하는 긁힘 또는 덜거덕거리는 소음은 구체적으로 검색될 수 있다. 예시적으로, 결함은 광대역 스펙트럼을 초래하는 협대역 여기를 생성한다. 여기서, 환경 소음의 절연 또는 보상이 수행될 수 있다.
구현예에서, DUT는 공진 주파수, 상호 변조 왜곡, 다중 톤 왜곡, 전체 고조파 왜곡 및/또는 위상 응답/그룹 지연과 관련하여 테스트할 수 있다.
실시 예에서, 마이크로폰 어레이를 사용하면 간섭, 또는 모아레 효과를 통해 개별 DUT의 방출 특성을 인식하고 정의할 수 있다. 또한 웨이퍼의 결함 영역을 매우 빠르게 인식할 수 있다. 예를 들어, 이는 초기 단계에서 치명적인 생산 오류를 인식하기 위한 단기 테스트 역할을 할 수 있다. 또한 시간 지연을 고려하면서 임펄스 측정을 통해 모든 DUT의 병렬 측정을 실현할 수 있다.
실시 예에서, DUT는 음향 스트레스 테스트를 받을 수 있다.
실시 예에서, MEMS 또는 DUT, 프로브를 수용하기 위한 장치 및/또는 음향 검사에 사용되는 추가 장치나 디바이스는 아래에서 설명되는 특정 설정에 의해 확장 및/또는 보완된다. 여기서 일차적 작업은 하나 이상의 DUT에 직접 근접한 위치에서, 음향학적으로 감지할 수 있는 위치, 예를 들어 DUT의 사운드 출구 위에서, 사운드 센서(예: 마이크로폰 또는 구조 기반 사운드 센서) 또는 사운드 센서 어레이(예: 마이크로폰 어레이 또는 구조 기반 사운드 센서 어레이)를 배치하는 것이다. 따라서 반도체 제조에서 프로브를 현명하게 배치하는 것은 MEMS의 생산 방법 및 테스트 변형에 따라 웨이퍼 또는 칩의 위 또는 아래 위치로 표시된다. 이것은 생산 라인에서 상당히 다를 수 있으며 앞에서 언급한 주요 지점에만 연결된다. 이차적인 것은 하나 이상의 DUT에 대한 올바른 전기, 기계 또는 전기 기계 구동을 보장하는 것이다. 반도체 생산과 생산 라인 모두에서, 전기적 구동은 예를 들어 적용 시나리오에 해당하는 접촉 압력을 통해, 현미경 바늘이나 핀과 같은 적절한 전기 접촉을 사용하여 수행될 수 있다. 필요한 경우, 예를 들어 확성기와 같은 적절한 액추에이터를 사용하여 기계적 구동을 달성할 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시 예를 설명한다.
1. 웨이퍼 테스트
실시 예에서, (하나 이상의 MEMS의) 음향 검사 및/또는 음향 특성화는 여전히 순수한 MEMS IC(집적 회로)를 갖는 웨이퍼를 마무리한 후에 수행될 수 있다.
1.1 음향 프로브 테스트
도 2는 일 실시 예에 따른, 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)를 음향적으로 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다.
장치(11)는 복수의 MEMS 디바이스를 갖는 웨이퍼(2)를 수용하기 위한(예를 들어, 위치설정하기 위한) 수용 디바이스(1)를 포함할 수 있다. 또한, 장치(11)는 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)와 접촉하도록 구성된 테스트 장치(10)(예를 들어, 프로브 카드, 프로브 또는 프로브의 일부와 같은)를 포함할 수 있으며, 예를 들어, 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 접점(6)과 접촉하는 테스트 바늘(5)에 의해, 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)를 음향 진동으로, 예를 들어 기계적으로 또는 전기적으로 여기한다. 테스트 장치(10)는 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 음향 진동을 검출하도록 구성된 적어도 하나의 사운드 센서(8)(마이크로폰와 같은)를 추가로 포함할 수 있다.
여기서 적어도 하나의 사운드 센서(8)는 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)에 인접하여, 예를 들어, 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)와 접촉하는 테스트 바늘(5) 사이의 (또는 이에 인접한) 영역과 같은, 예를 들어 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 음향 진동의 방출 각도(예를 들어, 주 방출 각도와 같은)의 영역에, 및/또는 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)에 인접하게 배열되고 (예를 들어 사운드 홀에 의해) 적어도 부분적으로 음향 전달 가능한, 테스트 장치(10)의 영역(14) 위에 배열될 수 있다. (예를 들어, 테스트 장치(10)와 같은) 장치(11)는 선택적으로 (예를 들어, 필요한 경우) 복수의 MEMS 디바이스의 환경 및/또는 다른 MEMS 디바이스로부터 적어도 하나의 사운드 센서(8)를 차폐하도록 구성된 음향 차폐 장치(13)(노이즈 보호와 같은)를 포함할 수 있다.
도 2에 예시적으로 도시된 바와 같이, 테스트 장치(10)는 프로브 카드 또는 장치(11)의 프로브(3)의 일부일 수 있다. 프로브(3)는, 예를 들어, 프로브 카드(10)용 디바이스(4), 및 예를 들어 평가 유닛 및 적용 가능한 경우, 테스터에 대한 연결부를 갖는 보드(9)를 포함할 수 있다.
다시 말해, 도 2는 일 실시 예에 따른, 개별 DUT(MEMS 디바이스)가 단일 사운드 센서(예: 마이크로폰)를 통해 테스트되는, 음향 프로브 테스트를 위한 장치의 개략도를 도시한다.
도 2에 도시된 실시 예에서, 복수의 MEMS 디바이스 중 단일 MEMS 디바이스(7)가 단일 사운드 센서(8)에 의해 테스트되는 것으로 예시적으로 가정되고 있지만, 본 발명은 이러한 실시 예에 제한되지 않는다. 오히려, 실시 예들에서, 단일 MEMS 디바이스, MEMS 디바이스들의 그룹 또는 복수의 MEMS 디바이스의 모든 MEMS 디바이스가 음향학적으로 테스트될 수 있다. 여기에서, (적어도 2개의 MEMS 디바이스가 있는 MEMS 디바이스 그룹과 같은) MEMS 디바이스당 또는 여러 MEMS 디바이스 또는 복수의 MEMS 디바이스의 모든 MEMS 디바이스에 대한 하나의 사운드 센서 또는 사운드 센서 어레이당 각각 하나의 사운드 센서 또는 사운드 센서 어레이를 사용할 수 있다. 이들 상이한 구현은 도 3 내지 도 14를 참조하여 아래에서 간략하게 논의될 것이다.
도 3은 일 실시 예에 따라 사운드 센서(8)를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 MEMS 디바이스(7)를 음향적으로 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다. 도 2에 도시된 실시 예와 유사하게, 테스트 장치(10)는 복수의 MEMS 디바이스 중 하나의 MEMS 디바이스(7)에 인접하게 배열된 사운드 센서(8)를 포함할 수 있다. 즉, 도 3은 단일 사운드 센서(예를 들어, 마이크로폰)를 사용한 소위 단일 DUT 테스트(MEMS 디바이스 테스트)를 보여준다.
도 4는 일 실시 예에 따른, 사운드 센서 어레이(8)를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 MEMS 디바이스(7)를 음향적으로 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다. 도 3에 도시된 실시 예와 비교할 때, 도 4에 도시된 실시 예에서, (예를 들어, 마이크로폰 어레이와 같은) 사운드 센서 어레이(8)는 단일 사운드 센서 대신 MEMS 디바이스(7)를 음향적으로 테스트하기 위해 사용될 수 있다. 즉, 도 4는 사운드 센서 어레이(예: 마이크 어레이)를 사용한 소위 단일 DUT(MEMS 디바이스) 테스트를 보여준다.
도 5는 실시 예에 따르면, MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30) 중 MEMS 디바이스(7_1-7_3) 당 하나의 사운드 센서(8_1-8_3)를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)을 음향 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다. 도 3에 도시된 실시 예와 비교할 때, 도 5에 도시된 실시 예에서, MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)이 테스트될 수 있고, 여기서 하나의 사운드 센서(8_1-8_3) 각각은 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)의 각 MEMS 디바이스와 연관된다. 여기서 사운드 센서(8_1-8_3)는 각각의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)와 접촉하는 테스트 바늘 사이(또는 인접한) 영역에서 및/또는 각각의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)에 인접하게 배열되고 (예를 들어, 사운드 홀을 통해) 적어도 부분적으로 음향적으로 전달 가능한 테스트 장치(10)의 각각의 영역(14_1-14_3) 위에서와 같이, MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)의 각 MEMS 디바이스(7_1-7_3)에 인접하게 배열될 수 있다. 즉, 도 5는 DUT당 단일 사운드 센서(예: 마이크)를 사용한 소위 다중 DUT(MEMS 디바이스) 테스트를 보여준다.
도 6은 실시 예에 따른, MEMS 디바이스 7_1-7_3의 그룹 30 중 MEMS 디바이스(7_1-7_3) 당 사운드 센서 어레이(8_1-8_3)를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)을 음향적으로 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다. 도 5에 도시된 실시 예와 비교할 때, 도 6에 도시된 실시 예에서, MEMS 디바이스당 하나의 사운드 센서 대신에, 하나의 사운드 센서 어레이(8_1-8_3)는 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)마다 사용될 수 있다. 즉, 도 6은 DUT당 하나의 사운드 센서 어레이(예를 들어, 마이크로폰 어레이)를 사용한 소위 다중 DUT(MEMS 디바이스) 테스트를 보여준다.
도 7은 실시 예에 따른, MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)에 대한 사운드 센서(8)를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)을 음향 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다. 도 5에 도시된 실시 예와 비교할 때, 도 7에 도시된 실시 예에서, 단일 사운드 센서(8)는 MEMS 디바이스당 하나의 사운드 센서 대신 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)을 음향적으로 테스트하는 데 사용될 수 있다. 즉, 도 7은 단일 사운드 센서(예를 들어, 마이크로폰)를 사용한 소위 다중 DUT(MEMS 디바이스) 테스트를 보여준다.
도 8은 실시 예에 따른, MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)에 대한 사운드 센서 어레이(8)를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)을 음향적으로 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다. 도 7에 도시된 실시 예와 비교할 때, 도 8에 도시된 실시 예에서, 사운드 센서 어레이(8)는 단일 사운드 센서 대신에 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)을 음향적으로 테스트하기 위해 사용될 수 있다. 즉, 도 8은 단일 사운드 센서 어레이(예: 마이크로폰 어레이)를 사용한 소위 다중 DUT(MEMS 디바이스) 테스트를 보여준다.
도 9는 일 실시 예에 따른, 사운드 센서(8)를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 하나의 MEMS 디바이스(7)를 음향적으로 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다. 장치(11)는 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 제1 측면(32)과 접촉하도록 구성된 제1 테스트 장치(10)(프로브 카드, 프로브 또는 프로브의 일부)를 포함하고, 예를 들어, 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 접점(6)과 접촉하는 테스트 바늘(5)에 의해 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)를 음향 진동으로 예를 들어 기계적으로 또는 전기적으로 여기한다. 추가로, 장치(11)는 MEMS 디바이스(7)의 제2 측면(36)과 접촉하도록 구성된 제2 테스트 장치(34)를 포함할 수 있고, 여기서 제2 테스트 장치(34)는 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 음향 진동을 검출하도록 구성된 적어도 하나의 사운드 센서(8)(예를 들어, 마이크로폰)를 포함할 수 있다.
여기서 적어도 하나의 사운드 센서(8)는 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)에 인접하게, 예를 들어, 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)에 인접하게 배열되고 (예를 들어 사운드 홀에 의해) 적어도 부분적으로 음향 전달 가능한 테스트 장치(10)의 영역(14) 아래에서, 예를 들어, 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 음향 진동의 (주 방출 각도와 같은) (후면) 방출 각도 영역에, 배열될 수 있다. 대안적으로 (또는 추가적으로), 사운드 센서는 또한 도 7에 나타낸 바와 같이 MEMS 디바이스(7)와 접촉하는 검사 바늘 사이의 (또는 이에 인접하는) 제1 테스트 장치(10)의 영역에 배열될 수 있다. (예를 들어, 제2 테스트 장치(34)와 같은) 장치(11)는 선택적으로(예를 들어 필요한 경우) 적어도 하나의 사운드 센서(8)를 환경 및/또는 복수의 MEMS 디바이스 중 다른 MEMS 디바이스로부터 차폐하도록 구성되는, (소음 보호와 같은) 음향 차폐 장치(13)를 포함할 수 있다.
도 9에 예시적으로 도시한 바와 같이, 제2 테스트 장치(34)는 웨이퍼(2)를 수용하기 위한 (예를 들어, 위치를 설정하기 위한) 수용 디바이스(1)의 일부일 수 있다.
즉, 도 9는 단일 사운드 센서(마이크 8)에 의한 소위 단일 DUT(MEMS 디바이스) 테스트를 나타낸다.
도 10은 일 실시 예에 따른, 사운드 센서 어레이(8)를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 하나의 MEMS 디바이스(7)를 음향적으로 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다. 도 9에 도시된 실시 예와 비교할 때, 도 10에 도시된 실시 예에서, 단일 사운드 센서 대신에 (예를 들어, 마이크로폰 어레이와 같은) 사운드 센서 어레이(8)가 MEMS 디바이스(7)를 음향적으로 테스트하기 위해 사용될 수 있다. 즉, 도 10은 (예를 들어, 마이크로폰 어레이와 같은) 사운드 센서 어레이에 의한 소위 단일 DUT(MEMS 디바이스) 테스트를 도시한다.
도 11은 실시 예에 따른, MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30) 중 MEMS 디바이스(7_1-7_3)당 사운드 센서(8_1-8_3)를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 그룹(30)의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)를 음향 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다. 도 10에 도시된 실시 예와 비교할 때, 도 11에 도시된 실시 예에서, MEMS 디바이스들(7_1-7_3)의 그룹(30)이 테스트될 수 있고, 여기서 하나의 사운드 센서(8_1-8_3) 각각은 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)의 각 MEMS 디바이스(7_1-7_3)와 연관된다. 여기서 사운드 센서(8_1-8_3)는 각각 각각의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)에 인접하게 배열되고 (예를 들어 사운드 홀에 의해) 적어도 부분적으로 음향 전달 가능한, 제2 테스트 장치(34)의 각각의 영역(14_1-14_3) 아래와 같이, MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)의 각 MEMS 디바이스(7_1-7_3)에 인접하게 배열될 수 있다. 대안적으로 (또는 추가로), 각각의 사운드 센서는 또한 도 11에 나타낸 바와 같이 각각의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)와 접촉하는 프로브 바늘 사이의 (또는 이에 인접하는) 제1 테스트 장치(10)의 영역에 각각 배열될 수 있다. 즉, 도 11은 DUT당 단일 사운드 센서 (예를 들어, 마이크로폰)를 사용한 소위 다중 DUT(MEMS 디바이스) 테스트를 보여준다.
도 12는 일 실시 예에 따라, MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)당, 사운드 센서 어레이(8_1-8_3)를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 그룹(30)의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)를 음향 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다. 도 11에 도시된 실시 예와 비교할 때, 도 12에 도시된 실시 예에서, 하나의 사운드 센서 어레이(8_1-8_3)는 MEMS 디바이스당 단일 사운드 센서 대신에, MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)당 사용될 수 있다. 즉, 도 12는 DUT당 하나의 사운드 센서 어레이(예를 들어, 마이크로폰 어레이)를 사용한 소위 다중 DUT(MEMS 디바이스) 테스트를 보여준다.
도 13은 일 실시 예에 따라, MEMS 디바이스들(7_1-7_3)의 그룹(30)에 대해 사운드 센서(8)를 사용하여, 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스 중 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)을 음향적으로 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다. 도 11에 도시된 실시 예와 비교할 때, 도 13에 도시된 실시 예에서, 단일 사운드 센서(8)는 MEMS 디바이스당 하나의 사운드 센서 대신 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)을 음향적으로 테스트하는 데 사용될 수 있다. 즉, 도 13은 단일 사운드 센서(예를 들어, 마이크로폰)를 사용한 소위 다중 DUT(MEMS 디바이스) 테스트를 보여준다.
도 14는 일 실시 예에 따라, MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)에 대해 사운드 센서 어레이(8)를 사용하여 웨이퍼 레벨에서 복수의 MEMS 디바이스의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)을 음향적으로 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다. 도 13에 도시된 실시 예와 비교할 때, 도 8에 도시된 실시 예에서, 사운드 센서 어레이(8)는 단일 사운드 센서 대신에 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹(30)을 음향적으로 테스트하기 위해 사용될 수 있다. 즉, 도 14는 단일 사운드 센서 어레이(예를 들어, 마이크로폰 어레이)를 사용한 소위 다중 DUT(MEMS 디바이스) 테스트를 보여준다.
실시 예에서, 소위 음향 프로브 테스트는 수동 또는 반자동 프로세스에서 사용될 수 있다. 여기에서, 테스트 중인 웨이퍼(2)는 이를 정의된 위치로 가져오는 디바이스(1)에 안내된다. 각각의 디바이스(4)를 포함하는 프로브(3)는 (설정에 따라) 웨이퍼(2) 위에 적용된다. DUT(7)의 개별 MEMS-IC의 미시적으로 작은 접점(6)에 대한 전기적 연결은 프로브(3)에 적용된 테스트 바늘(5)을 통해 이루어진다. 적용 사례(도 3 내지 8 및 도 9 내지 14 참조)에 따라 다르게 위치되는 마이크로폰(8) 또는 마이크로폰 어레이(예를 들어, 도 3 참조)는 시험 바늘 어레이 내에 위치된다. 테스트 바늘(5) 및 마이크로폰(8) 또는 마이크로폰 어레이(8)는 정의된 위치에서 프로브(3)에 장착된다. 위치는 테스트 중인 MEMS 또는 DUT(7)의 유형과 복잡성에 따라 달라진다. 프로브(3)는 정의된 위치 및 정의된 접촉 압력으로 웨이퍼(2)에 적용된다. 프로버(9)는 전기, 기계 또는 전기 기계 신호를 초기화하고, 위에서 언급한 음향 검사/테스트를 수행하고, MEMS-IC 또는 DUT(7)의 개별 음향 특성을 생성하고, 이는 개별 MEMS-IC 또는 DUT(7)이 어느 기능 클래스에 할당되는지를 결정한다.
1.2 음향 웨이퍼 프로브 카드 테스트
도 15는 프로브(17), 프로브용 장치(18), 프로브 카드(10) 및 웨이퍼(웨이퍼 척)용 수용 장치(16)를 갖는 웨이퍼 프로버의 개략도를 도시하고, 여기서 도 3 내지 도 14에서 상술된 실시 예가 웨이퍼 프로버에 사용될 수 있다. 특히, 예를 들어, 프로브(17)와 웨이퍼(2) 사이의 프로브 카드(10)의 형태인 도 3 내지 도 8에 도시된 테스트 장치(10)는 웨이퍼(2)의 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하는데 사용될 수 있다. 물론, 도 9 내지 도 14에 도시된 테스트 장치(10, 34)가 사용될 수 있으며, 여기서 예를 들어, 프로브(17)와 웨이퍼(2) 사이의 프로브 카드(10) 형태의 제1 장치(10)가 사용될 수 있고, 웨이퍼(2)와 웨이퍼 척(16) 사이에 또는 (확장된) 웨이퍼 척(16) 형태의 제2 테스트 장치(34)가 사용될 수 있다. 즉, 도 15는 소위 음향 웨이퍼 프로브 테스트 프로브를 갖는 소위 웨이퍼 프로버를 도시한다.
실시 예에서, 완전 자동 프로세스에서, 소위 음향 웨이퍼 프로브 카드 테스트가 사용될 수 있다. 여기에서, 테스트 중인 웨이퍼(2)는 웨이퍼 척(16) 상의 디바이스(15)에 도입된다. 각각의 디바이스(18)를 포함하여 웨이퍼(2) 위에 적용된 프로브(17)는 웨이퍼(2)가 테스트될 때 사용하는 프로브 카드(10)에 대한 인터페이스(예를 들어, 프로브(18)와 프로브 카드(10) 사이)를 포함한다. 프로브 카드(10)에 부착된 테스트 바늘(5)은 개별 MEMS IC 또는 DUT(7)(도 2 참조)의 미시적으로 작은 접점(6)(도 2 참조)과 전기적으로 접촉한다. 텍스트 바늘 어레이 내에서, 적용 사례에 따라 다르게 위치되는 마이크로폰 또는 마이크로폰 어레이(8)(도 2 참조)는 존재한다(도 2 내지 14 참조). 테스트 바늘과 마이크 또는 마이크 어레이는 프로브 카드의 정의된 위치에 적용된다. 위치는 테스트 중인 MEMS 또는 DUT(7)의 유형 및 복잡성에 따라 다르다. 따라서 프로브 카드의 크기는 가능한 MEMS 또는 DUT의 최대 수를 정의한다. 프로브 카드가 있는 프로브는 정의된 위치와 정의된 접촉 압력으로 웨이퍼에 적용된다. 프로버(19)는 전기, 기계 또는 전기 기계 신호를 초기화하고, 위에서 언급한 음향 검사/테스트를 수행하고, MEMS IC 또는 DUT의 개별 음향 특성을 생성하고, 이것은 개별 MEMS IC 또는 DUT가 어느 기능 클래스에 할당되는지를 결정한다. 또한, 프로버(20)는 추가의 전기적 테스트를 위해 프로버를 사용하여 현재 테스트 중인 MEMS IC 또는 DUT를 처리할 수 있다. 테스트 과정은 시야(22)로 확인될 수 있다. 기계의 상태는 신호 등(21)으로 알 수 있다. 여기에서 색상 코딩은 예를 들어 다음과 같다: 빨간색 - 프로그램 플로우의 오류 또는 기계의 기능적 오류, 노란색 - 현재 프로그램 플로우에 대한 경고 또는 기계 기능에 대한 경고, 녹색 - 프로그램 또는 기계 기능이 성공적으로 완료됨. 모든 하위 장치는 (케이블 번들과 같은) 라인(23)에 연결된다.
2. 조립 테스트/조립 중 테스트
도 16은 일 실시 예에 따른, 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 성형/패키징한 후 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)를 음향 테스트하기 위한 장치(11)의 개략도를 도시한다.
장치(11)는 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 갖는 집적 회로와 같이, 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 수용하기 위한 (및 예를 들어, 위치를 지정하기 위한) 수용 장치(25)를 포함할 수 있다. 또한, 장치(11)는 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)와 접촉하도록 구성된 (프로브 카드 또는 프로브의 일부와 같은) 테스트 장치(10)를 포함하고, 예를 들어 기계적으로 또는 전기적으로 예를 들어, 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 접점(6)과 접촉하는 테스트 바늘(5)에 의해 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)를 음향 진동으로 여기한다. 테스트 장치(10)는 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 음향 진동을 검출하도록 구성된 적어도 하나의 사운드 센서(8)(마이크와 같은)를 추가로 포함할 수 있다.
본 명세서에서 적어도 하나의 사운드 센서(8)는 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)에 인접하여, 예를 들어, 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)와 접촉하는 테스트 바늘(5) 사이의 (또는 이에 인접한) 영역과 같은, 예를 들어 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 음향 진동의 방출 각도(주 방출 각도와 같은) 영역에서 및/또는 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)에 인접하게 배열되고 (예를 들어 사운드 홀에 의해) 적어도 부분적으로 음향 전달 가능한, 테스트 장치(10)의 영역(14) 위에 배열될 수 있다. 장치(11) (예를 들어 테스트 장치(10))는 선택적으로 (예를 들어 필요한 경우) 환경 및/또는 복수의 MEMS 디바이스의 다른 MEMS 디바이스로부터 적어도 하나의 사운드 센서(8)를 차폐하도록 구성되는 (노이즈 보호와 같은) 음향 차폐 장치(13)를 포함할 수 있다.
도 16에 예시적으로 도시된 바와 같이, 테스트 장치(10)는 프로브 카드 또는 장치(11)의 프로브(27)의 일부일 수 있다. 프로브(27)는 예시적으로 프로브 카드(10)를 위한 디바이스(24), 및 예를 들어, 전자 요소(12), 및 적용 가능한 경우 평가 유닛에 대한 연결부(26) 및 적용 가능한 경우 프로버에 대한 연결부를 포함할 수 있다.
다시 말해서, 도 16은 소위 음향 사후-몰딩/패키징 테스트를 사용하는 소위 어셈블리 테스팅 또는 어셈블리 중 테스트의 실시 예를 도시한다.
실시 예에서, 개별 MEMS(IC) 또는 DUT가 에폭시 수지에 내장되는 몰딩/패키징 공정 후, 예를 들어 완성된 개별화된 MEMS(IC) 또는 DUT는 후속 최종 반도체 테스트, 소위 음향 포스트 몰딩/패키징 테스트에서 음향 테스트 및 음향 특성화의 대상이 될 수 있다. 테스트 스탠드는 패키징에 따라 MEMS IC 또는 DUT(7)를 배치하고 고정하기 위한 장치(24 및 25)를 포함한다. 이것은 MEMS IC 또는 DUT(7)을 수용한다. 적용 사례에 따라 다른 설정을 갖는 음향 테스트 유닛(28)을 포함하는 프로브(27)(도 2 내지 도 14의 실시 예 참조)는 MEMS IC 또는 DUT(7) 위에 위치하며 접점(6)을 통해 정의된 연결을 만든다. 프로버(19)(도 15 참조)는 전기, 기계 또는 전기 기계 신호를 초기화하고 위에서 언급한 음향 검사/테스트를 수행하고 MEMS IC 또는 DUT의 개별 음향 특성을 생성하고, 이는 개별적 MEMS IC 또는 DUT가 어느 기능 클래스에 할당되는지를 결정한다. 또한, 프로버(20)(도 15 참조)는 추가 전기 테스트를 위해 프로버를 사용하여 MEMS IC 또는 DUT(7)에 현재 테스트를 적용할 수 있다.
3. 생산 라인 테스트
3.1 음향 인라인 테스트
소위 음향 인라인 테스트는 도 17에서 도시한 바와 같이 하위 제품에 개별 제품 제조 단계 사이에서 음향 테스트 및 음향 특성화가 적용되는 프로세스를 설명한다.
구체적으로, 도 17은 생산 라인 및 생산 라인의 끝(엔드-오브-라인)에서 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 음향적으로 테스트하는 개략도를 도시한다. 즉, 도 17은 특수 프로브 디바이스를 갖는 특수 수용 디바이스를 통해, 소위 생산 라인 테스트, 즉 소위 음향 인-라인 테스트 및 소위 음향 엔드-오브-라인 테스트의 위치를 보여준다.
적용 케이스에 특정한 수용 장치(30)는 DUT를 유지한다. 음향 테스트 유닛(28)(도 16 참조)을 갖는 프로브(27)(도 16 참조)는 DUT 위에 위치된다. 프로버(19)(도 15 참조)는 전기, 기계 또는 전기 기계 신호를 초기화하고 위에서 언급한 음향 검사/테스트를 수행하고 DUT의 개별 음향 특성을 생성하고, 이는 DUT가 지속적인 생산에 적합한지, 수리되거나 거부되는지 결정한다. 이 실시 예의 다른 측면은 개별 칩을 식별할 때까지 분류한다는 것이다. 칩을 생산 위치 및 시간에 연결하기 위해 MEMS에 있는 표시는 인식 목적으로 이 방법에 추가될 수 있다.
3.2 음향 엔드-오브-라인 테스트
소위 음향 엔드-오브-라인 테스트는 하나 또는 여러 생산 체인의 끝에서 최종 제품을 음향 테스트 및 음향 특성화에 적용하는 프로세스를 설명한다. 적용 사례에 고유한 수용 장치(30)가 DUT를 유지한다. 음향 테스트 유닛(28)(도 16 참조)을 갖는 프로브(27)(도 16 참조)는 DUT 위에 위치된다. 프로버(19)(도 15 참조)는 전기 또는 기계 또는 전기 기계 신호를 초기화하고 위에서 언급한 음향 검사/테스트를 수행하고 DUT의 개별적 음향 특성을 생성하며, 이것은 DUT가 정의된 품질 요구 사항을 준수하는지 또는 거부되는지 결정한다.
3.3 MEMS의 최종 적용의 작동
하위 측면으로 언급된 모든 방법은 최종 적용의 MEMS가 작동 중 모니터링되고 특성화되고 주행이 추적될 때 사용된다. 본 명세서에서 시스템에서 변환된 에너지를 사용하여 구동을 수행하는 컴퓨터 프로그램에 의한 신호 처리가 사용된다. 이전에 언급된 실시 예로부터 데이터에 의해 공급되면, 동작은 연속적인 음향 특성화 없이 이전에 달성된 매개변수를 사용하여 평가되고, 구동은 MEMS 상태로 조정된다.
4. 추가 실시 예
본 명세서에서 설명된 실시 예들을 사용하여, MEMS에 의해 수신된 전기 에너지의 변환을 음향학적으로 평가하는 방법이 있다. 예시적으로 (예를 들어, 컴퓨터 프로그램을 통해), 가치 사슬의 하나, 하나 이상 또는 각각의 단계에서, 미리 결정된 매개변수와 관련하여 디바이스가 기능하게 되는지 또한 그 추가 처리가 경제적 관점에서 합리적인지에 대한 가능성의 할당이 수행될 수 있다. 전기 에너지에서 열 및 음향 에너지(예: 공기 중 소리)로 변환된 에너지 유형이 평가에 사용될 수 있다. 추가 실시 예에서, 전자기파는 이 구성을 사용하여 검출될 수 있다.
MEMS 디바이스에 의해 생성된 음향 진동이 사운드 센서에 의해 직접 검출되는 실시 예가 본 명세서에서 설명되었지만, 실시 예에서, 음향 필터가 또한 사운드 경로에 제공될 수 있다는 것에 유의한다. 또한, 구동시 증폭기 또는 신호 처리 장치가 제공될 수 있음에 유의한다.
실시 예에서, MEMS의 에너지 분포가 검출될 수 있고, 예를 들어 평가될 수 있다.
(예를 들어, 컴퓨터 프로그램을 사용하는) 실시 예에서, 사운드 센서(예를 들어, 마이크로폰)를 통해 방출 및 측정된 에너지의 신호 또는 신호 클래스를 평가하기 위한 음향 특성화가 수행될 수 있다. 여기서 비선형 거동을 보상하는 방법을 사용할 수 있다.
축소된 크기의 MEMS 디바이스는 또한 NEMS(나노 전자 기계적) 디바이스 또는 더욱 소형화된 전자 기계 시스템과 같은, MEMS 디바이스로 이해되어야 한다는 것에 유의한다.
일부 측면이 장치의 맥락에서 설명되었지만, 이러한 측면은 또한 해당 방법에 대한 설명을 나타내므로 장치의 블록 또는 장치가 해당 방법 단계 또는 방법 단계의 특징에도 대응한다는 것이 명백하다. 유사하게, 방법 단계의 맥락에서 또는 방법 단계로서 설명된 측면은 또한 대응하는 장치의 대응 블록 또는 항목 또는 특징의 설명을 나타낸다. 방법 단계의 일부 또는 전부는 예를 들어 마이크로프로세서, 프로그램 가능한 컴퓨터 또는 전자 회로와 같은 하드웨어 장치에 의해(또는 사용하여) 실행될 수 있다. 일부 실시 예에서, 가장 중요한 방법 단계 중 일부 또는 몇 개는 이러한 장치에 의해 실행될 수 있다.
특정 구현 요구 사항에 따라, 본 발명의 실시 예들은 하드웨어 또는 소프트웨어로 또는 적어도 부분적으로 하드웨어로 또는 적어도 부분적으로 소프트웨어로 구현될 수 있다. 구현은 각각의 방법이 수행되도록 프로그램 가능한 컴퓨터 시스템과 협력하는 (또는 협력할 수 있는) 전자적으로 판독 가능한 제어 신호가 저장되어 있는, 플로피 디스크, DVD, Blu-Ray, CD, ROM, PROM, EPROM, EEPROM 또는 FLASH 메모리와 같은 디지털 저장 매체를 사용하여 수행할 수 있다. 따라서, 디지털 저장 매체는 컴퓨터 판독 가능하다.
본 발명에 따른 일부 실시 예는 본 명세서에서 설명된 방법 중 하나가 수행되도록 프로그램 가능한 컴퓨터 시스템과 협력할 수 있는 전자적으로 판독 가능한 제어 신호를 갖는 데이터 캐리어를 포함한다.
일반적으로, 본 발명의 실시 예는 프로그램 코드를 갖는 컴퓨터 프로그램 제품으로서 구현될 수 있으며, 컴퓨터 코드는 컴퓨터 프로그램 제품이 컴퓨터에서 실행될 때 방법 중 하나를 수행하기 위해 작동한다.
프로그램 코드는 예를 들어, 기계 판독 가능한 캐리어에 저장될 수 있다.
다른 실시 예는 본 명세서에 설명된 방법 중 하나를 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램을 포함하고, 여기서 컴퓨터 프로그램은 기계 판독 가능한 캐리어에 저장된다.
다시 말해, 본 발명의 방법의 실시 예는 컴퓨터 프로그램이 컴퓨터에서 실행될 때, 본 발명에 설명된 방법들 중 하나를 수행하기 위한 프로그램 코드를 갖는 컴퓨터 프로그램이다.
따라서, 본 발명의 방법의 추가 실시 예는 본 명세서에서 설명된 방법 중 하나를 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록되어 있는 데이터 캐리어(또는 디지털 저장 매체, 또는 컴퓨터 판독 가능 매체)이다. 데이터 캐리어, 디지털 저장 매체 또는 컴퓨터 기록 매체는 일반적으로 유형 및/또는 비일시적 또는 비휘발성이다.
따라서, 본 발명의 방법의 다른 실시 예는 본 명세서에서 설명된 방법들 중 하나를 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램을 나타내는 데이터 스트림 또는 신호들의 시퀀스이다. 데이터 스트림 또는 신호의 시퀀스는 예를 들어 인터넷을 통해 데이터 통신 연결을 통해 전송되도록 구성될 수 있다.
추가 실시 예는 본 명세서에서 설명된 방법들 중 하나를 수행하도록 구성되거나 적응된, 처리 수단, 예를 들어 컴퓨터, 또는 프로그램 가능 논리 장치를 포함한다.
추가 실시 예는 본 명세서에서 설명된 방법 중 하나를 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 설치된 컴퓨터를 포함한다.
본 발명에 따른 추가 실시 예는 본 명세서에 기술된 방법들 중 적어도 하나를 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램을 수신기로 전송하도록 구성된 장치 또는 시스템을 포함한다. 전송은 예를 들어 전자적으로 또는 광학적으로 수행될 수 있다. 수신기는 예를 들어 컴퓨터, 모바일 장치, 메모리 장치 등일 수 있다. 장치 또는 시스템은 예를 들어 컴퓨터 프로그램을 수신기로 전송하기 위한 파일 서버를 포함할 수 있다.
일부 실시 예에서, 프로그래머블 로직 디바이스(예를 들어, 전계 프로그래머블 게이트 어레이, FPGA)는 본 명세서에서 설명하는 방법의 기능 중 일부 또는 전부를 수행하는 데 사용할 수 있다. 일부 실시 예에서, 전계 프로그래머블 게이트 어레이는 본 명세서에서 설명된 방법 중 하나를 수행하기 위해 마이크로프로세서와 협력할 수 있다. 일반적으로, 일부 실시 예에서, 방법은 임의의 하드웨어 장치에 의해 수행된다. 이것은 컴퓨터 프로세서(CPU)와 같은 보편적으로 적용 가능한 하드웨어 또는 ASIC과 같은 방법에 특정한 하드웨어일 수 있다
본 명세서에 설명된 장치는 하드웨어 장치를 사용하여, 또는 컴퓨터를 사용하여, 또는 하드웨어 장치와 컴퓨터의 조합을 사용하여 구현될 수 있다.
본 명세서에서 설명된 장치 또는 본 명세서에서 설명된 장치의 임의의 구성요소는 적어도 부분적으로 하드웨어 및/또는 소프트웨어(컴퓨터 프로그램)로 구현될 수 있다.
본 명세서에서 설명된 방법은 하드웨어 장치를 사용하거나, 컴퓨터를 사용하거나, 하드웨어 장치와 컴퓨터의 조합을 사용하여 수행될 수 있다.
본 명세서에 설명된 방법 또는 본 명세서에 설명된 방법의 임의의 구성요소는 적어도 부분적으로 하드웨어 및/또는 소프트웨어에 의해 실행될 수 있다.
상술한 실시 예는 본 발명의 원리를 설명하기 위한 것일 뿐이다. 본 명세서에 설명된 배열 및 세부 사항의 수정 및 변형이 당업자에게 명백할 것임을 이해해야 한다. 따라서, 본 발명은 첨부된 특허 청구범위의 범위에 의해서만 제한되고 본 명세서의 실시 예에 대한 설명을 통해 제공된 특정 세부사항에 의해 제한되는 것은 아니다.
Claims (26)
- 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)를 음향적으로 테스트하기 위한 방법(100)에 있어서,
상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)를 제공하는 단계(102),
상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)를 음향 진동으로 여기시키는 단계(104),
적어도 하나의 사운드 센서(8)에 의해 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 상기 음향 진동을 검출하는 단계(106), 및
상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)를 의도된 기능에 대해 테스트하기 위해서, 상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)에 의해 검출된, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 상기 음향 진동을 평가하는 단계(108)
를 포함하는, 방법. - 제1항에 있어서,
복수의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)를 포함하는 웨이퍼(2)는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)를 제공할 때 제공되고,
상기 복수의 MEMS 디바이스(7_1-7_3) 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스를 여기할 때 여기되는, 방법. - 선행 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)는 상기 복수의 MEMS 디바이스(7_1-7_3)를 다이싱하기 전에 웨이퍼 레벨에서 테스트되는, 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)를 포함하는 집적 회로 또는 칩은 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)를 제공할 때 제공되는, 방법.
- 제4항에 있어서, 상기 집적 회로 또는 칩을 제조하는 동안 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)가 테스트되고/되거나,
상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)는 상기 집적 회로 또는 칩의 제조 종료시 테스트되는, 방법. - 선행 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 방법(100)은:
상기 테스트 장치(10)를 제공하고 상기 테스트 장치(10)에 의해 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)와 접촉하는 단계를 더 포함하고,
상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)는 상기 테스트 장치(10)를 통해 여기되는, 방법. - 제3항에 있어서, 상기 테스트 장치(10)는 프로브, 프로브의 일부 또는 프로브 카드인, 방법.
- 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 테스트 장치(10)는 상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)를 포함하는, 방법.
- 선행 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 테스트 장치(10)는 적어도 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)에 인접한 영역(14)에서 적어도 부분적으로 음향 전달 가능하며,
상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)는 상기 테스트 장치(10)의 상기 적어도 부분적으로 음향 전달 가능 영역(14)에 인접하게 배열되는, 방법. - 선행 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)는 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹이고,
상기 테스트 장치(10)는 상기 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹에 인접한 영역(14_1-14_3)에서 적어도 부분적으로 음향 전달 가능하며,
상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)는 상기 테스트 장치(10)의 상기 적어도 부분적으로 음향 전달 가능 영역(14_1-14_3)에 인접하게 배열되는, 방법. - 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 테스트 장치(10)는 제1 테스트 장치이고,
상기 제1 테스트 장치(10)는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 제1 측면(32)과 접촉하고,
상기 방법(100)은:
제2 테스트 장치(34)를 제공하고 상기 제2 테스트 장치(34)에 의해 상기 제1 측면(32) 반대편인 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)의 제2 측면(36)과 접촉하는 단계
를 더 포함하고,
상기 제 2 테스트 장치(34)는 상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)를 포함하는, 방법. - 선행 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 테스트 장치(34)는 상기 웨이퍼(2)를 위한 지지체(1)를 포함하고, 상기 지지체(1)는 적어도 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)에 인접하는 영역(14)에서 적어도 부분적으로 음향 전달 가능하며,
상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)는 상기 지지체(1)의 상기 적어도 부분적으로 음향 전달 가능한 영역(14)에 인접하게 배열되는, 방법. - 선행 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)는 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹이고,
상기 지지체(1)는 상기 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹에 인접한 영역(14_1-14_3)에서 적어도 부분적으로 음향 전달 가능하며,
상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)는 상기 지지체(1)의 상기 적어도 부분적으로 음향 투과성 영역(14_1-14_3)에 인접하게 배열되는, 방법. - 선행 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7)는 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹이고,
상기 MEMS 디바이스의 그룹(7_1-7_3)은 음향 진동으로 여기되고,
상기 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹의 상기 음향 진동은 상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)에 의해 검출되는, 방법. - 제14항에 있어서, 상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)는 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹과 연관된 정확히 하나의 사운드 센서이고,
상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)는 상기 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹과 연관된 정확히 하나의 사운드 센서 어레이를 포함하는, 방법. - 제14항에 있어서, 상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)는 복수의 사운드 센서(8_1-8_3)를 포함하고, 상기 복수의 사운드 센서(8_1-8_3)의 각각의 하나의 사운드 센서는 상기 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹의 MEMS 디바이스와 연관되거나,
상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)는 복수의 사운드 센서 어레이(8_1-8_3)를 포함하고, 상기 복수의 사운드 센서 어레이(8_1-8_3) 각각의 하나의 사운드 센서 어레이는 상기 MEMS 디바이스(7_1-7_3) 그룹의 MEMS 디바이스와 연관되는, 방법. - 제16항에 있어서, 상기 복수의 사운드 센서(8_1-8_3) 또는 사운드 센서 어레이(8_1-8_3)는 서로 음향적으로 차폐되고/되거나,
상기 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹의 상기 MEMS 디바이스는 상호 음향적으로 차폐되는, 방법. - 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹은 주파수가 겹치지 않는 서로 다른 신호에 의해 동시에 여기되는, 방법.
- 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹은 주파수가 겹치는 서로 다른 신호에 의해 동시에 여기되는, 방법.
- 제14항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹은 동일한 신호에 의해 연속적으로 여기되는, 방법.
- 제17항에 있어서, 상기 MEMS 디바이스(7_1-7_3)의 그룹은 동시에 여기되는, 방법.
- 선행 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(8)는 MEMS 확성기, MEMS 마이크로폰, MEMS 펌프, MEMS 드라이브, MEMS 전송 또는 MEMS 기반 의료 테스트 장치인, 방법.
- 선행 항들 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)는 마이크로폰 또는 구조 기반 사운드 센서인, 방법.
- 상기 컴퓨터 프로그램이 컴퓨터, 마이크로프로세서, FPGA 또는 ASIC에서 실행될 때 선행 항들 중 어느 한 항에 따른 방법(100)을 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램.
- 웨이퍼(2) 상에 배열된 복수의 MEMS 디바이스(7_1-7_3) 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)를 음향 테스트하기 위한 테스트 장치(10)에 있어서,
상기 테스트 장치(10)는 상기 웨이퍼(2) 상에 배열된 상기 복수의 MEMS 디바이스(7_1-7_3) 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)와 접촉하도록 구성되고,
상기 테스트 장치(10)는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)를 음향 진동으로 여기시키도록 구성되고,
상기 테스트 장치는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)의 상기 음향 진동을 검출하도록 구성된 적어도 하나의 사운드 센서(8)를 포함하고,
상기 테스트 장치(10)는 상기 사운드 센서에 의해 검출된 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)의 상기 음향 진동에 의존하는 적어도 하나의 신호를 제공하도록 구성되고,
상기 테스트 장치(10)는 프로브, 프로브의 일부 또는 프로브 카드인, 장치(10). - 웨이퍼(2) 상에 배열된 복수의 MEMS 디바이스(7_1-7_3) 중 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)를 음향 테스트하기 위한 장치(11)에 있어서,
상기 장치(11)는 제1 테스트 장치(10) 및 제2 테스트 장치(34)를 포함하고,
상기 제1 테스트 장치(10)는 상기 웨이퍼(2) 상에 배열된 상기 복수의 MEMS 디바이스(7_1-7_3) 중 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)의 제1 측면(32)과 접촉하도록 구성되고,
상기 제1 테스트 장치(10)는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)를 음향 진동으로 여기시키도록 구성되고,
상기 제2 테스트 장치(34)는 상기 제1 측면(32)의 반대편인 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)의 제2 측면(34)과 접촉하도록 구성되고,
제2 테스트 장치(34)는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)의 상기 음향 진동을 검출하도록 구성된 적어도 하나의 사운드 센서(8)를 포함하고,
상기 장치(11)는 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)를 의도된 기능에 대해 테스트하기 위해 상기 적어도 하나의 사운드 센서(8)에 의해 검출된 상기 적어도 하나의 MEMS 디바이스(7_2)의 상기 음향 진동을 평가하도록 구성되는, 장치(11).
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