TW202138776A - 用以聲學測試微機電系統(mems)裝置之方法及設備 - Google Patents

用以聲學測試微機電系統(mems)裝置之方法及設備 Download PDF

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Abstract

實施例提供一種用於對複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置進行聲學測試之方法。該方法包含提供至少一個MEMS裝置之一步驟。另外，該方法包含激發該至少一個MEMS裝置以產生一聲學振動之一步驟。另外，該方法包含藉由至少一個聲音感測器對該至少一個MEMS裝置之該聲學振動進行偵測之一步驟。另外，該方法包含評估該至少一個MEMS裝置藉由該至少一個聲音感測器偵測之該聲學振動，用以針對一意欲功能測試該至少一個MEMS裝置之一步驟。

Description

用以聲學測試微機電系統(MEMS)裝置之方法及設備
本發明之實施例提供用於對複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置(微機電系統)進行聲學測試之方法。進一步實施例係有關於用於對複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置進行聲學測試之設備。一些實施例係有關於對MEMS進行聲學測試。
對微機電系統(MEMS)針對其所欲功能模式進行檢查涉及非平凡技術問題。因此，經證明具有完全電氣功能之一MEMS可能存在機械性缺陷。反之亦然，能機械性移動、但無電氣功能之一狀況亦屬可能，例如電氣短路之狀況。
另外，由於所欲功能中之某些MEMS結構僅有非常低之電流通過，並且存在相應高電阻/阻抗(MOhm或GOhm之範圍)，因此一純電氣測量可能有問題。結果是，計量方法經常需要較長之積分時間。關於最佳化之生產線，這些方法似乎並不經濟。一潛在解決方案是檢查MEMS之一電氣激發(或刺激)是否導致一機械性移動。如在先前技術中那樣，這可採用光學方式進行，但那樣對於多於單一晶片之測量而言，代表複雜度非常高。下方光學器件及其形狀因子係問題之部分。在非常小之MEMS結構中，需要非常昂貴之測量距離，這由於其模式功能(例如：頻閃儀)而也會非常耗時。再者，在目前之先前技術中，不能對受罩覆或蓋住之MEMS進行內部結構光學測試，結果是無法檢驗因罩覆/加蓋所產生之缺陷。另外，目前正在研究之可藉由矽來曝露結構，即外罩/蓋體，之光學系統在其範圍方面仍然受到限制，因此無法對更大之晶片進行完整檢驗。已在生產程序期間存在或引進之一缺陷越晚在供應鏈中發現，整個製造程序便越昂貴。
因此，本發明之基本目的係改良目前之情況。
實施例提供一種用於對至少一個MEMS裝置進行聲學測試之方法。該方法包含提供該至少一個MEMS裝置之一步驟。另外，該方法包含激發該至少一個MEMS裝置以產生一聲學振動(或振盪)之一步驟。另外，該方法包含藉由至少一個聲音感測器(或聲學感測器)對該至少一個MEMS裝置之該聲學振動進行偵測之一步驟。另外，該方法包含評估該至少一個MEMS裝置藉由該至少一個聲音感測器偵測之該聲學振動，用以針對一意欲功能測試該至少一個MEMS裝置之一步驟。
在實施例中，在提供該至少一個MEMS裝置方面，可提供包含複數個MEMS裝置之一晶圓，其中在激發該至少一個MEMS裝置方面，該複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置可受激發。
在實施例中，在切割該複數個MEMS裝置之前，可在該晶圓級上測試該至少一個MEMS裝置。
在實施例中，在提供該至少一個MEMS裝置方面，可提供包含該至少一個MEMS裝置之一積體電路或晶片。
在實施例中，在製造該積體電路或晶片的同時，可測試該至少一個MEMS裝置。
在實施例中，在該積體電路或晶片製造結束時，可測試該至少一個MEMS裝置。
在實施例中，該方法可另外包含提供一測試設備，並且藉由該測試設備接觸該至少一個MEMS裝置，其中該至少一個MEMS裝置係藉由該測試設備來激發。
在實施例中，該測試設備可以是一探針、一探針之一部分或一測試卡。
在實施例中，該測試設備可包含該至少一個聲音感測器。
在實施例中，該測試設備在相鄰於該至少一個MEMS裝置之一區域中可至少部分聲學透射，其中該至少一個聲音感測器可布置在相鄰於該測試設備之該至少部分聲學透射區域處。
在實施例中，該至少一個MEMS裝置可以是一組MEMS裝置，其中該測試設備在相鄰於該組MEMS裝置之區域中係至少部分聲學透射，其中該至少一個聲音感測器係布置在相鄰於該測試設備之該等至少部分聲學透射區域處。
在實施例中，該測試設備可以是一第一測試設備，該第一測試設備接觸該至少一個MEMS裝置之一第一側，其中該方法可另外包含提供一第二測試設備，並且藉由該第二測試設備接觸該至少一個MEMS裝置之與該第一側相對之一第二側，該第二測試設備包含該至少一個聲音感測器。
在實施例中，該第二測試設備可包含用於該晶圓之一撐體，該撐體在相鄰於該至少一個MEMS裝置之一區域中係至少部分聲學透射，其中該至少一個聲音感測器係布置在相鄰於該撐體之該等至少部分聲學透射區域處。
在實施例中，該至少一個MEMS裝置可以是一組MEMS裝置，其中該撐體在相鄰於該組MEMS裝置之區域中係至少部分聲學透射，其中該至少一個聲音感測器係布置在相鄰於該撐體之該等至少部分聲學透射區域處。
在實施例中，該至少一個MEMS裝置可以是一組MEMS裝置，其中該組MEMS裝置受激發以產生聲學振動，其中該組MEMS裝置之該等聲學振動係藉由該至少一個聲音感測器來偵測。
在實施例中，該至少一個聲音感測器可以精確地是與該組MEMS裝置相關聯之一個聲音感測器。
在實施例中，該至少一個聲音感測器可精確地包含與該組MEMS裝置相關聯之一個聲音感測器陣列。
在實施例中，該至少一個聲音感測器可包含複數個聲音感測器，其中該複數個聲音感測器之一個聲音感測器各與該組MEMS裝置之一MEMS裝置相關聯。
在實施例中，該至少一個聲音感測器可包含複數個聲音感測器陣列，其中該複數個聲音感測器陣列之一個聲音感測器陣列各與該組MEMS裝置之一MEMS裝置相關聯。
在實施例中，該複數個聲音感測器或聲音感測器陣列可相互受聲學屏蔽。
在實施例中，該組MEMS裝置之該等MEMS裝置可相互受聲學屏蔽。
在實施例中，該組MEMS裝置可藉由頻率不重疊之不同信號來同時激發。
在實施例中，該組MEMS裝置可藉由頻率重疊之不同信號來同時激發。
在實施例中，該組MEMS裝置可藉由相同信號來接續激發。
在實施例中，該組MEMS裝置可同時受激發。
在實施例中，該至少一個MEMS裝置可以是一MEMS揚聲器、MEMS麥克風、MEMS泵、MEMS驅動機、MEMS傳輸或基於MEMS之醫學測試設備。
在實施例中，該至少一個聲音感測器可以是一麥克風或一結構傳音感測器。
進一步實施例提供一種測試設備，用於對布置在一晶圓上之複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置進行聲學測試，該測試設備被組配用以接觸布置在該晶圓上之該複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置，該測試設備被組配用以激發該至少一個MEMS裝置以產生一聲學振動，該測試設備包含被組配用以對該至少一個MEMS裝置之該聲學振動進行偵測之至少一個聲音感測器，該測試設備被組配用以提供與該至少一個MEMS裝置藉由該聲音感測器偵測之該聲學振動相依之至少一個信號，該測試設備係一探針或測試卡。
進一步實施例提供一種用於對布置在一晶圓上之複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置進行聲學測試之設備，該設備包含一第一測試設備及一第二測試設備，該第一測試設備被組配用以接觸布置在該晶圓上之該複數個MEMS裝置之該至少一個MEMS裝置之一第一側，該第一測試設備被組配用以激發該至少一個MEMS裝置以產生一聲學振動，該第二測試設備被組配用以接觸該至少一個MEMS裝置之與該第一側相對之一第二側，該第二測試設備包含被組配用以對該至少一個MEMS裝置之該聲學振動進行偵測之至少一個聲音感測器，該設備被組配用以評估該至少一個MEMS裝置藉由該至少一個聲音感測器偵測之該聲學振動，用以針對一意欲功能測試該至少一個MEMS裝置。
進一步實施例提供用於對微機電系統(MEMS)進行聲學測試及聲學特性化之方法、設備及電腦程式。
在本發明之實施例之以下說明中，同等元件或同等效果之元件將在圖式中以同等參考編號提供，以使得其說明具有相互可交換性。
圖1根據本發明之一實施例，展示用於對複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置進行聲學測試之一方法100的一流程圖。方法100包含提供至少一個MEMS裝置之一步驟102。另外，方法100包含激發該至少一個MEMS裝置以產生一聲學振動之一步驟104。另外，方法100包含藉由至少一個聲音感測器對該至少一個MEMS裝置之該聲學振動進行偵測之一步驟106。另外，方法100包含評估該至少一個MEMS裝置藉由該至少一個聲音感測器偵測之該聲學振動，用以針對一意欲功能測試該至少一個MEMS裝置之一步驟108。
在實施例中，在步驟102中，可提供包含複數個MEMS裝置之一晶圓，其中，在步驟104中，該複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置受激發以產生一聲學振動。當然，在步驟104中，該複數個MEMS裝置之更多個(舉例而言，如一真子集)或全部可受激發以產成一聲學振動，亦即，一個接著一個、成組或同時受激發。因此，有可能在切割複數個MEMS裝置之前，例如針對一意欲功能，在晶圓級上測試複數個MEMS裝置之至少一個、更多個或全部。
在實施例中，在步驟102中，當然亦可提供並激發個別或數個已切割MEMS裝置以產生一聲學振動，在步驟104中，用以例如在封裝之前及/或之後針對一意欲功能測試該等MEMS裝置。
另外，在實施例中，在步驟102中，可提供包含至少一個MEMS裝置之一部分產品或最終產品，並且在步驟104中，激發該部分產品或最終產品以產生一聲學振動，用以針對一意欲功能測試該部分產品或最終產品。因此，有可能在製造包含至少一個MEMS裝置之一產品期間(即線內)或緊接製造該產品之後(即線尾)測試該產品。
本發明之實施例允許在製造至少一個MEMS裝置期間或之後、在封裝該至少一個MEMS裝置之前或之後、或在一產品中整合該至少一個MEMS裝置期間或之後，測試該至少一個MEMS裝置。
隨後，將更詳細地說明圖1所示方法100及用於執行方法100之一電腦程式、以及一對應設備之詳細實施例。
實施例允許例如在半導體製造領域中、以及在生產線或產品價值鏈領域中之一手動、半自動或全自動實作態樣中對一或多個MEMS裝置進行聲學測試及/或聲學特性化。因此，實施例可有關於整個生產程序或其一部分之生產線內之價值鏈之各步驟。因此，各別實施例可包含一項或數項子態樣，下文將有簡要說明。
在實施例中，半導體製造領域中一或多個MEMS裝置之聲學測試及/或聲學特性化另外還包含晶圓測試，例如藉助使用一探針之手動或半自動測試(探針測試)、或將一探針卡用於該晶圓之全自動測試(晶圓探針卡測試)，以及組裝期間之測試(組裝測試)，如模封/封裝後之測試及其他適合的或特定於半導體之製造步驟。
在實施例中，半導體製造、生產線或產品價值鏈領域中一或多個MEMS裝置之聲學測試及/或聲學特性化包含製造(線內測試)期間鏈中可能之任何測試，如印刷電路板組裝期間之測試(PCB組裝測試或內電路測試)或一溫度步進後之測試(後溫度測試)或應力測試，以及對應產品製造後之測試(線尾測試)或產品子步驟。
聲學測試及聲學特性化之實施例係有關於一或多個DUT (DUT=被測裝置)，其中，在半導體製造領域中，DUT意指為晶片或晶片之子結構，在生產線領域中，意指為具有整合式MEMS之產品或子產品，其係藉助電氣或機械性或機電激發/啟動/信號針對電氣及/或機械性參數予以檢查，並且從所定義及/或所制定聲學測試之觀點評估這些功能。
採例示方式，可藉助以下評估將DUT分類成四個群組：1.) DUT呈現完整聲學功能(例如，特性化綠色)，2.) DUT呈現受限聲學功能，但在定義之聲學限制範圍內(例如，特性化黃色)，3.) DUT呈現受限聲學功能，但在定義之聲學限制範圍外(例如，特性化橙色)以及4.) DUT未呈現聲學功能(紅色)。在實施例中，當然亦可藉助評估將DUT分類成不同數量之群組，如兩個群組，例如：1.) DUT功能性及2.) DUT非功能性。
為了評估DUT，可例如使用下文所述之聲學測試及例如定義DUT之聲學限制。
在實施例中，個別有缺陷的DUT之時效辨識可藉助許多DUT使用可區別刺激之窄波段同時激發來進行。
在實施例中，針對所取得聲壓位準測試個別DUT可藉助寬波段激發來進行。
在實施例中，可進行以「摩擦及蜂鳴」原理為依據之聲學檢驗。可專門搜尋由鬆動或太緊之裝置所造成之刮擦聲或嘎嘎聲。採例示方式，一缺陷產生一窄波段激發，其導致一寬波段頻譜。在這裡，可進行環境噪音之絕緣或補償。
在實施例中，可針對共振頻率、互調變失真、多音調失真、總諧波失真及/或相位響應/群延遲測試DUT。
在實施例中，使用麥克風陣列允許例如經由干涉或雲紋效應來辨識及定義個別DUT之發射特性。另外，可非常快速地辨識晶圓上之缺陷區域。這舉例而言，可當作一短期測試，用以在一早期階段辨識致命之生產錯誤。另外，在考量時間延遲的同時，任何DUT之一平行測量均可藉助帶有脈衝之一測量來實現。
在實施例中，可對DUT進行一聲學應力測試。
在實施例中，用於容納MEMS或DUT之設備、探針及/或用於聲學檢查之進一步設備或裝置係藉由下文所述之一特定設置來擴充及/或補充。這裡之主要動作係將一聲音感測器(舉例而言，如一麥克風或結構傳音感測器)或聲音感測器陣列(舉例而言，如一麥克風陣列或結構傳音感測器陣列)置放在一聲學可感測位置處，舉例而言，置放在DUT之出音孔上面，直接貼近於一或多個DUT。因此，取決於MEMS之生產方法及測試變化，半導體製造中採用可感測方式置放探針係藉由晶圓或晶片上面或下面之位置來表示。這在生產線中可有相當大的變化，並且僅與前述主要點連貫。次要點是確保一或多個DUT之電氣、機械性或機電驅動正確。在半導體生產中及在生產線中，電氣驅動都可使用如微觀針或銷之適合電氣觸點來進行，舉例而言，藉助對應於應用情境之接觸壓力來進行。若有必要，舉例而言，機械性驅動可使用如揚聲器之適合致動器來實現。
下面將說明本發明之特定實施例。 1.   晶圓測試
在實施例中，(一或多個MEMS之)聲學檢查及/或聲學特性化可在完成具有仍然純淨之MEMS IC (IC = 積體電路)之晶圓後才進行。 1.1 聲學探針測試
圖2根據一實施例，展示用於在晶圓級上對複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置7進行聲學測試之一設備11的一示意圖。
設備11可包含一容納裝置1，用於容納(並且舉例而言，用於安置)具有複數個MEMS裝置之晶圓2。另外，設備11可包含一測試設備10 (舉例而言，如探針卡、探針或一探針之部分)，其被組配用以接觸至少一個MEMS裝置7，並且例如以機械或電氣方式激發至少一個MEMS裝置7以產生一聲學振動，舉例而言，藉助與至少一個MEMS裝置7之觸點6接觸之測試針5來激發。測試設備10可另外包含被組配用以對至少一個MEMS裝置7之聲學振動進行偵測之至少一個聲音感測器8 (如麥克風)。
在這裡，可將至少一個聲音感測器8布置在相鄰於至少一個MEMS裝置7處，舉例而言，布置在至少一個MEMS裝置7之聲學振動之一發射角(舉例而言，如主發射角)之區域中，如介於與至少一個MEMS裝置7接觸之測試針5之間(或與之相鄰)的區域中，及/或布置在相鄰於至少一個MEMS裝置7處、及係至少部分聲學透射(例如藉助音孔透射)之測試設備10之一區域14上面。設備11 (舉例而言，如測試設備10)可任選地包含(舉例而言，若有必要)一聲學屏蔽裝置13 (如噪音防禦)，其被組配用以屏蔽至少一個聲音感測器8免受環境及/或複數個MEMS裝置之其他MEMS裝置影響。
如圖2所示採例示方式，測試設備10可以是一探針卡或設備11之一探針3之部分。探針3舉例而言，可包含用於探針卡10之一裝置4及例如一板材9，板材9具有評估單元，並且如果適用，還具有連至一測試器之一連接。
換句話說，圖2根據一實施例，展示用於聲學探針測試之一設備的一示意圖，其中一個別DUT (MEMS裝置)係藉助單一聲音感測器(例如：麥克風)來測試。
在圖2所示之實施例中，雖然係採例示方式假設複數個MEMS裝置之單一MEMS裝置7係藉助單一聲音感測器8來測試，但仍指出本發明並不受限於此類實施例。反而，在實施例中，可對複數個MEMS裝置之單一MEMS裝置、一組MEMS裝置或所有MEMS裝置進行聲學測試。在這裡，可每個MEMS裝置各將一個聲音感測器或聲音感測器陣列、或可將一個聲音感測器或聲音感測器陣列用於複數個MEMS裝置之數個MEMS裝置(如具有至少兩個MEMS裝置之一組MEMS裝置)或所有MEMS裝置。下文將參照圖3至14簡要地論述這些不同實作態樣。
圖3根據一實施例，展示用於使用一聲音感測器8在晶圓級上對複數個MEMS裝置之一MEMS裝置7進行聲學測試之一設備11的一示意圖。類比於圖2所示之實施例，測試設備10可包含布置在相鄰於複數個MEMS裝置之一個MEMS裝置7處之一聲音感測器8。換句話說，圖3展示藉助單一聲音感測器(舉例而言，如麥克風)進行之一所謂的單一DUT測試(MEMS裝置測試)。
圖4根據一實施例，展示用於使用一聲音感測器陣列8在晶圓級上對複數個MEMS裝置之一MEMS裝置7進行聲學測試之一設備11的一示意圖。當相較於圖3所示之實施例時，在圖4所示之實施例中，可使用一聲音感測器陣列(舉例而言，如麥克風陣列) 8代替單一聲音感測器來對MEMS裝置7進行聲學測試。換句話說，圖4展示藉助一聲音感測器陣列(舉例而言，如麥克風陣列)進行之一所謂的單一DUT (MEMS裝置)測試。
圖5根據一實施例，展示用於複數個MEMS裝置之一組30 MEMS裝置7_1至7_3之每個MEMS裝置7_1至7_3使用一個聲音感測器8_1至8_3在晶圓級上對該組30 MEMS裝置7_1至7_3進行聲學測試之一設備11的一示意圖。當相較於圖3所示之實施例時，在圖5所示之實施例中，可測試一組30 MEMS裝置7_1至7_3，其中一個聲音感測器8_1至8_3各與該組30 MEMS裝置7_1至7_3之各MEMS裝置相關聯。在這裡，可將聲音感測器8_1至8_3布置在相鄰於該組30 MEMS裝置7_1至7_3之相應MEMS裝置7_1至7_3處，如在介於接觸相應MEMS裝置7_1至7_3之測試針之間(或與之相鄰)的區域中、及/或布置在相鄰於相應MEMS裝置7_1至7_3處、及能夠至少部分聲學透射(例如藉助音孔透射)之測試設備10之一相應區域14_1至14_3上面。換句話說，圖5展示每個DUT藉助單一聲音感測器(舉例而言，如麥克風)進行之一所謂的多重DUT (MEMS裝置)測試。
圖6根據一實施例，展示用於複數個MEMS裝置之一組30 MEMS裝置7_1至7_3之每個MEMS裝置7_1至7_3使用一聲音感測器陣列8_1至8_3在晶圓級上對該組30 MEMS裝置7_1至7_3進行聲學測試之一設備11的一示意圖。當相較於圖5所示之實施例時，在圖6所示之實施例中，代替每個MEMS裝置一個聲音感測器，該組30 MEMS裝置7_1至7_3每個MEMS裝置7_1至7_3可使用一個聲音感測器陣列8_1至8_3。換句話說，圖6展示每個DUT藉助一個聲音感測器陣列(舉例而言，如麥克風陣列)進行之一所謂的多重DUT (MEMS裝置)測試。
圖7根據一實施例，展示用於針對複數個MEMS裝置之一組30 MEMS裝置7_1至7_3使用一聲音感測器8在晶圓級上對該組30 MEMS裝置7_1至7_3進行聲學測試之一設備11的一示意圖。當相較於圖5所示之實施例時，在圖7所示之實施例中，可使用單一聲音感測器8對該組30 MEMS裝置7_1至7_3進行聲學測試，而不是每個MEMS裝置使用一個聲音感測器進行聲學測試。換句話說，圖7展示藉助單一聲音感測器(舉例而言，如麥克風)進行之一所謂的多重DUT (MEMS裝置)測試。
圖8根據一實施例，展示用於針對複數個MEMS裝置之一組30 MEMS裝置7_1至7_3使用一聲音感測器陣列8在晶圓級上對該組30 MEMS裝置7_1至7_3進行聲學測試之一設備11的一示意圖。當相較於圖7所示之實施例時，在圖8所示之實施例中，可使用一聲音感測器陣列8對該組30 MEMS裝置7_1至7_3進行聲學測試，而不是使用單一聲音感測器進行聲學測試。換句話說，圖8展示藉助單一聲音感測器陣列(舉例而言，如麥克風陣列)進行之一所謂的多重DUT (MEMS裝置)測試。
圖9根據一實施例，展示用於使用一聲音感測器8在晶圓級上對複數個MEMS裝置之一MEMS裝置7進行聲學測試之一設備11的一示意圖。設備11可包含一第一測試設備10 (探針卡、探針或一探針之部分)，其被組配用以接觸至少一個MEMS裝置7之一第一側32，並且例如以機械或電氣方式激發至少一個MEMS裝置7以產生一聲學振動，舉例而言，藉助與至少一個MEMS裝置7之觸點6接觸之測試針5來激發。另外，設備11可包含一第二測試設備34，其被組配用以接觸MEMS裝置7之一第二側36，其中第二測試設備34可包含被組配用以對至少一個MEMS裝置7之聲學振動進行偵測之至少一個聲音感測器8 (舉例而言，如麥克風)。
在這裡，可將至少一個聲音感測器8布置在相鄰於至少一個MEMS裝置7處，舉例而言，在至少一個MEMS裝置7之聲學振動之一(背面)發射角(如主發射角)之區域中，舉例而言，在布置在相鄰於至少一個MEMS裝置7處、及係至少部分聲學透射(舉例而言，藉助音孔透射)之測試設備10之一區域14下面。替代地(或另外)，亦可將聲音感測器布置在介於接觸MEMS裝置7之檢查針之間(或與之相鄰)的第一測試設備10之區域中，如圖7所指。設備11 (舉例而言，如第二測試設備34)可任選地(舉例而言，若有必要)包含一聲學屏蔽裝置13 (如噪音防禦)，其被組配用以屏蔽至少一個聲音感測器8免受環境及/或複數個MEMS裝置之其他MEMS裝置影響。
如圖9中採例示方式所示，第二測試設備34可以是一容納設備1之部分，用於容納(並且舉例而言，安置)晶圓2。
換句話說，圖9展示藉助單一聲音感測器(麥克風8)進行之一所謂的單一DUT (MEMS裝置)測試。
圖10根據一實施例，展示用於使用一聲音感測器陣列8在晶圓級上對複數個MEMS裝置之一MEMS裝置7進行聲學測試之一設備11的一示意圖。當相較於圖9所示之實施例時，在圖10所示之實施例中，可使用一聲音感測器陣列(舉例而言，如麥克風陣列) 8對MEMS裝置7進行聲學測試，而不是使用單一聲音感測器來進行聲學測試。換句話說，圖10展示藉助一聲音感測器陣列(舉例而言，如麥克風陣列)進行之一所謂的單一DUT (MEMS裝置)測試。
圖11根據一實施例，展示用於複數個MEMS裝置之一組30 MEMS裝置7_1至7_3之每個MEMS裝置7_1至7_3使用聲音感測器8_1至8_3在晶圓級上對該組30 MEMS裝置7_1至7_3進行聲學測試之一設備11的一示意圖。當相較於圖10所示之實施例時，在圖11所示之實施例中，可測試一組30 MEMS裝置7_1至7_3，其中一個聲音感測器8_1至8_3各與該組30 MEMS裝置7_1至7_3之各MEMS裝置7_1至7_3相關聯。在這裡，可將各聲音感測器8_1至8_3布置在相鄰於該組30 MEMS裝置7_1至7_3之相應MEMS裝置7_1至7_3處，如在布置在相鄰於相應MEMS裝置7_1至7_3處、及係至少部分聲學透射(例如藉助音孔透射)之第二測試設備34之一相應區域14_1-14_3下面。替代地(或另外)，亦可將相應聲音感測器各布置在介於接觸相應MEMS裝置7_1至7_3之探針之間(或與之相鄰)的第一測試設備10之區域中，如圖11所指。換句話說，圖11展示每個DUT藉助單一聲音感測器(舉例而言，如麥克風)進行之一所謂的多重DUT (MEMS裝置)測試。
圖12根據一實施例，展示用於複數個MEMS裝置之一組30 MEMS裝置7_1至7_3之每個MEMS裝置7_1至7_3使用聲音感測器陣列8_1至8_3在晶圓級上對該組30 MEMS裝置7_1至7_3進行聲學測試之一設備11的一示意圖。當相較於圖11所示之實施例時，在圖12所示之實施例中，該組30 MEMS裝置7_1至7_3之每個MEMS裝置7_1至7_3可使用一個聲音感測器陣列8_1至8_3，而不是每個MEMS裝置使用單一聲音感測器。換句話說，圖12展示每個DUT藉助一個聲音感測器陣列(舉例而言，如麥克風陣列)進行之一所謂的多重DUT (MEMS裝置)測試。
圖13根據一實施例，展示用於針對複數個MEMS裝置之一組30 MEMS裝置7_1至7_3使用一聲音感測器8在晶圓級上對該組30 MEMS裝置7_1至7_3進行聲學測試之一設備11的一示意圖。當相較於圖11所示之實施例時，在圖13所示之實施例中，可使用單一聲音感測器8對該組30 MEMS裝置7_1至7_3進行聲學測試，而不是每個MEMS裝置使用一個聲音感測器進行聲學測試。換句話說，圖13展示藉助單一聲音感測器(舉例而言，如麥克風)進行之一所謂的多重DUT (MEMS裝置)測試。
圖14根據一實施例，展示用於針對複數個MEMS裝置之一組30 MEMS裝置7_1至7_3使用一聲音感測器陣列8在晶圓級上對該組30 MEMS裝置7_1至7_3進行聲學測試之一設備11的一示意圖。當相較於圖13所示之實施例時，在圖8所示之實施例中，可使用一聲音感測器陣列8對該組30 MEMS裝置7_1至7_3進行聲學測試，而不是使用單一聲音感測器進行聲學測試。換句話說，圖14展示藉助單一聲音感測器陣列(舉例而言，如麥克風陣列)進行之一所謂的多重DUT (MEMS裝置)測試。
在實施例中，可在手動或半自動程序中使用所謂的聲學探針測試。在這裡，在將晶圓2帶到一經定義位置之一設備1中引進被測晶圓2。在晶圓2上面(取決於設置)施用包括一相應裝置4之探針3。與DUT 7之個別MEMS-IC之微觀小型觸點6相連之一電氣連接係藉助施用至探針3上之測試針5來施作。隨應用狀況(請參照圖3至8及圖9至14)而有不同安置之一麥克風8或麥克風陣列(例如，請參照圖3)係安置於測試針陣列內。在經定義位置處將測試針5及麥克風8或麥克風陣列8裝配至探針3。位置結果取決於被測MEMS或DUT 7之類型及複雜度。以一經定義位置及經定義接觸壓力在晶圓2處施用探針3。探測器9初始化電氣、機械性或機電信號、進行上述聲學檢驗/測試，並且產生MEMS-IC或DUT 7之一個別聲學特性化，其決定將個別MEMS-IC或DUT 7分配到哪個功能類別。 1.2 聲學晶圓探針卡測試
圖15展示一晶圓探測器的一示意圖，其具有一探針17、用於探針之一裝置18、一探測器卡10及用於晶圓之容納裝置16(晶圓卡盤)，其中可在該晶圓探測器中使用之前在圖3至14所述之實施例。特別的是，圖3及8中所述之測試設備10可例如在探針17與晶圓2之間採用一探針卡10之形式用於對晶圓2之至少一個MEMS裝置進行聲學測試。當然，亦可使用圖9至14中所述之測試設備10及34，其中可例如在探針17與晶圓2之間採用一探針卡10之形式使用第一設備10，並且其中可在晶圓2與晶圓卡盤16之間或採用一(擴充式)晶圓卡盤16之形式使用第二測試設備34。換句話說，圖15展示一所謂的晶圓探測器，其具有一所謂的聲學晶圓探針測試探針。
在實施例中，在全自動程序中，可使用所謂的聲學晶圓探針卡測試。在這裡，在晶圓卡盤16上之一裝置15中引進被測晶圓2。包括一相應裝置18在內，晶圓2上面施用之探針17 (例如，在探針18與探針卡10之間)包含連至探針卡10之一介面，晶圓2係使用該介面來測試。附接至探針卡10之測試針5與個別MEMS IC或DUT 7 (比照圖2)之微觀小型觸點6 (比照圖2)進行電氣接觸。在測試針陣列中，存在不同安置之一麥克風或麥克風陣列8 (比照圖2)，端視應用狀況(請參照圖2至14)而定。在探針卡之經定義位置處施用測試針及麥克風或麥克風陣列。位置導致相依於被測MEMS或DUT 7之類型及複雜度。因此，探針卡之尺寸定義MEMS或DUT之可能最大數量。以一經定義位置及一經定義接觸壓力對晶圓施用具有探針卡之探針。探測器19初始化電氣、機械性或機電信號、進行上述聲學檢查/測試，並且產生MEMS IC或DUT之一個別聲學特性化，其決定將個別MEMS IC或DUT分配到哪個功能類別。另外，探測器20可使用探測器使目前被測之MEMS IC或DUT經受進一步電氣測試。測試程序可藉由視場22來檢查。機器之狀態可藉由信號燈21來辨識。在這裡，舉例而言，顏色寫碼可如下：紅色-程式流中之錯誤或機器中之功能錯誤、黃色-用於目前程式流之警告或用於一機器功能之警告、綠色-程式或機器功能成功完成。所有子單元都連接至線路(如纜線束) 23。 2.   組裝測試/組裝期間之測試
圖16根據一實施例，展示用於在模封/封裝至少一個MEMS裝置7之後對該至少一個MEMS裝置進行聲學測試之一設備11的一示意圖。
設備11可包含用於容納(並且舉例而言，用於安置)至少一個MEMS裝置之一容納裝置25，如具有至少一個MEMS裝置之一積體電路。另外，設備11可包含一測試設備10 (如一探針卡或一探針之部分)，其被組配用以接觸至少一個MEMS裝置7，並且藉助例如與至少一個MEMS裝置7之觸點6接觸之測試針5，例如以機械或電氣方式激發至少一個MEMS裝置7以產生一聲學振動。測試設備10可另外包含被組配用以對至少一個MEMS裝置7之聲學振動進行偵測之至少一個聲音感測器8 (如麥克風)。
在這裡，可將至少一個聲音感測器8布置在相鄰於至少一個MEMS裝置7處，舉例而言，布置在至少一個MEMS裝置7之聲學振動之一發射角(如主發射角)之區域中，如介於與至少一個MEMS裝置7接觸之測試針5之間(或與之相鄰)的區域中，及/或布置在相鄰於至少一個MEMS裝置7處、及係至少部分聲學透射(例如藉助音孔透射)之測試設備10之一區域14上面。設備11 (例如：測試設備10)可任選地(舉例而言，若有必要)包含一聲學屏蔽裝置13 (如噪音防禦)，其被組配用以屏蔽至少一個聲音感測器8免受環境及/或複數個MEMS裝置之其他MEMS裝置影響。
如圖16所示採例示方式，測試設備10可以是一探針卡或設備11之一探針27之部分。探針27可採例示方式包含用於探針卡10之一裝置24及例如電子組件12，並且如果適用，包含連至評估單元之一連接26，以及如果適用，包含連至一探測器之連接。
換句話說，圖16展示所謂的組裝測試或在使用所謂的聲學後模封/封裝測試進行組裝期間之測試之一實施例。
在實施例中，在將個別MEMS (IC)或DUT嵌埋於環氧樹脂中之模封/封裝程序之後，舉例而言，可在隨後之最終半導體測試中–所謂的聲學後模封/封裝測試中，使完成之個別化MEMS (IC)或DUT經受聲學測試及聲學特性化。測試台包含用於安置及固定MEMS IC或DUT 7之一裝置24及25，端視封裝而定。其容納MEMS IC或DUT 7。探針27包括聲學測試單元28，取決於應用狀況而具有一不同設置(請參照圖2至14之實施例)，係安置於MEMS IC或DUT 7上面，並且經由觸點6進行一經定義連接。探測器19 (請參照圖15)初始化電氣、機械性或機電信號、進行上述聲學檢查/測試，並且產生MEMS IC或DUT之一個別聲學特性化，其決定將個別MEMS IC或DUT分配到哪個功能類別。再者，探測器20 (請參照圖15)可使用探測器使目前被測之MEMS IC或DUT 7經受進一步電氣測試。 3.   生產線測試 3.1 聲學線內測試
所謂的聲學線內測試說明一種程序，其中子產品在個別產品製造步驟之間經受聲學測試及聲學特性化，如圖17所示。
詳言之，圖17展示在生產線中(線內)及在生產線之末端處(線尾)對至少一個MEMS裝置進行聲學測試的一示意圖。換句話說，圖17針對藉助具有一特殊探針裝置之一特殊容納裝置進行之所謂的生產線測試，即所謂的聲學線內測試及所謂的聲學線尾測試，展示位置。
特定於應用狀況之容納裝置30持有DUT。具有聲學測試單元28 (請參照圖16)之探針27 (請參照圖16)係安置於DUT上面。探測器19 (請參照圖15)初始化電氣、機械性或機電信號、進行上述聲學檢查/測試，並且產生DUT之一個別聲學特性化，其決定DUT是否適合繼續生產、要予以修理或予以拒絕。這項實施例之另一態樣係進行分類一直到識別個別晶片之可能性。為了辨識目的，可憑藉此方法新增位於MEMS上之標記，以使晶片與生產之一位置及時間相關聯。 3.2 聲學線尾測試
所謂的聲學線尾測試說明一種程序，其使最終產品在一條或數條生產鏈之末端處經受聲學測試及聲學特性化。特定於應用狀況之容納裝置30持有DUT。具有聲學測試單元28 (請參照圖16)之探針27 (請參照圖16)係安置於DUT上面。探測器19 (請參照圖15)初始化電氣或機械性或機電信號及進行上述聲學檢查/測試，並且產生DUT之一個別聲學特性化，其決定DUT是否符合經定義品質要求或其是否遭拒絕。 3.3 MEMS最終應用之運作
當MEMS在最終應用中於運作期間受監測、特性化且驅動受到追蹤時，使用之前作為子態樣所述之所有方法。在這裡，使用藉由一電腦程式進行之信號處理，其使用系統中轉換之能量進行驅動。藉由來自前述實施例之資料饋伺，行為係使用之前實現之參數來評估，不用進行連續聲學特性化，並且驅動係調整至MEMS狀態。 4.   進一步實施例
使用本文中所述之實施例，存在一種對MEMS所接收電能之轉換進行聲學評估之方式。在價值鏈之一個、更多個或各步驟中，可採例示方式(例如，藉助一電腦程式)對裝置將涉及預定參數、及針對是否可從一經濟觀點感測其進一步處理起作用之一機率進行分配。從電能轉換成熱能及聲能(如大氣噪音)之能量類型可用於評估。在進一步實施例中，電磁波可使用該布置結構來偵測。
雖然本文中所述之實施例中，係藉助一聲音感測器直接偵測藉由MEMS裝置所產生之聲學振動，仍要指出的是，在實施例中，亦可在聲音路徑中提供濾聲器。另外，要指出的是，在驅動方面，可提供放大器或信號處理裝置。
在實施例中，可偵測並例如評估MEMS中之能量分布。
在實施例中(例如，使用一電腦程式)，可進行一聲學特性化，用於評估藉助聲音感測器(舉例而言，如麥克風)所發射及測量之能量之信號或信號類別。在這裡，可運用補償非線性行為用之方法。
要指出的是，也要將尺寸縮減之MEMS裝置理解為MEMS裝置，如NEMS (奈米機電系統)裝置或甚至進一步小型化機電系統。
雖然已以一設備為背景說明一些態樣，清楚可知的是，這些態樣也代表對應方法之一說明，使得一設備之一程序塊或裝置對應於一對應方法步驟或一方法步驟之一特徵。類似的是，以一方法步驟為背景或作為一方法步驟所述之態樣也代表一對應程序塊或一對應設備之項目或特徵的說明。舉例而言，該等方法步驟中有一些或全部可藉由(或使用)一硬體設備來執行，如一微處理器、一可規劃電腦或一電子電路。在一些實施例中，最重要之方法步驟中有一些或數種可藉由此一設備來執行。
取決於某些實作態樣要求，本發明之實施例可實施成硬體或軟體。實作態樣可使用上有儲存電子可讀控制信號之一數位儲存媒體來進行，例如一軟式磁片、DVD、藍光光碟、CD、ROM、PROM、EPROM、EEPROM或一快閃記憶體、一硬碟機或另一磁性或光學記憶體，該等電子可讀控制信號與一可規劃電腦系統相配合或能夠相配合而得以進行相應方法。因此，數位儲存媒體可以是電腦可讀。
根據本發明之一些實施例包括一包含電子可讀控制信號之資料載體，該等電子可讀控制信號能夠與一可規劃電腦系統相配合而得以進行本文中所述方法之一。
一般而言，本發明之實施例可實施成一具有一程式碼之電腦程式產品，當該電腦程式產品在一電腦上執行時，該程式碼係運作來進行該等方法之一。
該程式碼舉例而言，可儲存在一機器可讀載體上。
其他實施例包含用於進行本文中所述方法之一的電腦程式，其中該電腦程式係儲存在一機器可讀載體上。
換句話說，本發明方法之一實施例因此係一電腦程式，該電腦程式包含一程式碼，當該電腦程式在一電腦上運行時，該程式碼係用於進行本文中所述方法之一。
本發明方法之再一實施例因此係一資料載體(或一數位儲存媒體、或一電腦可讀媒體)，其包含、上有記錄用於進行本文中所述方法之一的電腦程式。資料載體、數位儲存媒體或電腦可讀媒體典型係有形及/或非暫時性或非依電性。
本發明方法之再一實施例因此係一資料串流或一信號串，其代表用於進行本文中所述方法之一的電腦程式。資料串流或信號串舉例而言，可被組配用以經由一資料通訊連線來轉移，例如經由網際網路轉移。
再一實施例包含例如一電腦之處理手段、或一可規劃邏輯裝置，其被組配經調適用以進行本文中所述方法之一。
再一實施例包含一電腦，該電腦具有安裝於其上用於進行本文中所述方法之一的電腦程式。
根據本發明之再一實施例包含一設備或一系統，其被組配用以將用於進行本文中所述其中至少一種方法之一電腦程式轉移至一接收器。傳輸舉例而言，可採用電子方式或採用光學方式來進行。接收器舉例而言，可以是一電腦、一行動裝置、一記憶體裝置或類似者。該設備或系統舉例而言，可包含用於轉移此電腦程式至此接收器之一檔案伺服器。
在一些實施例中，一可規劃邏輯裝置(例如：一可現場規劃閘陣列，簡稱FPGA)可用於進行本文中所述方法之功能的一些或全部。在一些實施例中，一可現場規劃閘陣列可與一微處理器相配合，以便進行本文中所述方法之一。一般而言，在一些實施例中，該等方法係藉由任何硬體設備來進行。這可以是通用適用硬體，諸如一電腦處理器(CPU)，也可以是該方法專用硬體，諸如ASIC。
本文中所述之設備舉例而言，可使用一硬體設備、或使用一電腦、或使用一硬體設備與一電腦之一組合來實施。
本文中所述之設備、或本文中所述設備之任何組件可予以至少部分實施成硬體及/或軟體(電腦程式)。
本文中所述之方法舉例而言，可使用一硬體設備、或使用一電腦、或使用一硬體設備與一電腦之一組合來實施。
本文中所述之方法、或本文中所述方法之任何組件可予以至少部分藉由硬體及/或藉由軟體來執行。
上述實施例對於本發明之原理而言只具有說明性。據瞭解，本文中所述布置結構與細節的修改及變例對於所屬技術領域中具有通常知識者將會顯而易見。因此，意圖使本發明僅受限於隨附專利請求項之範疇，並且不受限於藉由本文中實施例之說明及解釋所介紹之特定細節。
1:撐體 2:晶圓 3,17,27:探針 4,15,18,24,25:裝置 5:測試針 6:觸點 7,7_1~7_3:MEMS裝置 8,8_1~8_3:聲音感測器 9:板材 10:探針卡 11:設備 12:電子組件 13:聲學屏蔽裝置 14,14_1~14_3:至少部分聲學透射區域 16:晶圓卡盤 19,20:探測器 21:信號燈 22:視場 23:線路 26:連接 28:聲學測試單元 30:容納裝置 32:第一側 34:第二測試設備 36:第二側 100:方法 102~108:步驟
本發明之實施例將參照附圖予以更詳細地說明，其中： 圖1根據本發明之一實施例，展示用於對複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置進行聲學測試之一方法的一流程圖， 圖2根據一實施例，係用於在晶圓級上對複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖3根據一實施例，係用於使用一聲音感測器在晶圓級上對複數個MEMS裝置之一MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖4根據一實施例，係用於使用一聲音感測器陣列在晶圓級上對複數個MEMS裝置之一MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖5根據一實施例，係用於複數個MEMS裝置之一組MEMS裝置之每個MEMS裝置使用一個聲音感測器在晶圓級上對該組MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖6根據一實施例，係用於複數個MEMS裝置之一組MEMS裝置之每個MEMS裝置使用一個聲音感測器陣列在晶圓級上對該組MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖7根據一實施例，係用於針對複數個MEMS裝置之一組MEMS裝置使用一聲音感測器在晶圓級上對該組MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖8根據一實施例，係用於針對複數個MEMS裝置之一組MEMS裝置使用一聲音感測器陣列在晶圓級上對該組MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖9根據一實施例，係用於使用一聲音感測器在晶圓級上對複數個MEMS裝置之一MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖10根據一實施例，係用於使用一聲音感測器陣列在晶圓級上對數個MEMS裝置之一MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖11根據一實施例，係用於複數個MEMS裝置之一組MEMS裝置之每個MEMS裝置使用一個聲音感測器在晶圓級上對該組MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖12根據一實施例，係用於複數個MEMS裝置之一組MEMS裝置之每個MEMS裝置使用一個聲音感測器陣列在晶圓級上對該組MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖13根據一實施例，係用於針對複數個MEMS裝置之一組MEMS裝置使用一聲音感測器在晶圓級上對該組MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖14根據一實施例，係用於針對複數個MEMS裝置之一組MEMS裝置使用一聲音感測器陣列在晶圓級上對該組MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖， 圖15係具有一探針之一晶圓測試器的一示意圖，其中可運用圖3至14中所述之實施例， 圖16根據一實施例，係用於在模封/封裝至少一個MEMS裝置之後對該至少一個MEMS裝置進行聲學測試之一設備的一示意圖，以及 圖17係在生產線中及在生產線末端對至少一個MEMS裝置進行聲學檢查的一示意圖。
100:方法
102,104,106,108:步驟

Claims (26)

  1. 一種用於對至少一個MEMS裝置進行聲學測試之方法： 提供該至少一個MEMS裝置， 激發該至少一個MEMS裝置以產生一聲學振動， 藉由至少一個聲音感測器對該至少一個MEMS裝置之該聲學振動進行偵測， 評估該至少一個MEMS裝置之該聲學振動， 藉由該至少一個聲音感測器進行偵測，用以針對一意欲功能測試該至少一個MEMS裝置。
  2. 如請求項1之方法， 其中在提供該至少一個MEMS裝置方面，提供包含複數個MEMS裝置之一晶圓， 其中在激發該至少一個MEMS裝置方面，該複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置受激發。
  3. 如請求項2之方法， 其中在切割該複數個MEMS裝置之前，在一晶圓級上測試該至少一個MEMS裝置。
  4. 如請求項1之方法， 其中在提供該至少一個MEMS裝置方面，提供包含該至少一個MEMS裝置之一積體電路或晶片。
  5. 如請求項4之方法， 其中在製造該積體電路或晶片的同時，測試該至少一個MEMS裝置，及/或 其中在該積體電路或晶片製造結束時，測試該至少一個MEMS裝置。
  6. 如請求項1至5中任一項之方法， 其中該方法更包含： 提供一測試設備，並且藉由該測試設備接觸該至少一個MEMS裝置， 其中該至少一個MEMS裝置係經由該測試設備受激發。
  7. 如請求項3之方法， 其中該測試設備係一探針、一探針之部分或一探針卡。
  8. 如請求項6至7中任一項之方法， 其中該測試設備包含該至少一個聲音感測器。
  9. 如請求項8之方法， 其中該測試設備至少在相鄰於該至少一個MEMS裝置之一區域中係至少部分聲學透射， 其中該至少一個聲音感測器係布置在相鄰於該測試設備之該至少部分聲學透射區域處。
  10. 如請求項9之方法， 其中該至少一個MEMS裝置係一組MEMS裝置， 其中該測試設備至少在相鄰於該組MEMS裝置之區域中係至少部分聲學透射， 其中該至少一個聲音感測器係布置在相鄰於該測試設備之該等至少部分聲學透射區域處。
  11. 如請求項6至7中任一項之方法， 其中該測試設備係一第一測試設備， 其中該第一測試設備接觸該至少一個MEMS裝置之一第一側， 其中該方法更包含： 提供一第二測試設備，並且藉由該第二測試設備接觸該至少一個MEMS裝置之與該第一側相對之一第二側， 其中該第二測試設備包含該至少一個聲音感測器。
  12. 如請求項11之方法， 其中該第二測試設備包含用於該晶圓之一撐體，其中該撐體在相鄰於該至少一個MEMS裝置之一區域中係至少部分聲學透射，以及 其中該至少一個聲音感測器係布置在相鄰於該撐體之該等至少部分聲學透射區域處。
  13. 如請求項12之方法， 其中該至少一個MEMS裝置係一組MEMS裝置， 其中該撐體至少在相鄰於該組MEMS裝置之區域中係至少部分聲學透射， 其中該至少一個聲音感測器係布置在相鄰於該撐體之該等至少部分聲學透射區域處。
  14. 如請求項1至13中任一項之方法， 其中該至少一個MEMS裝置係一組MEMS裝置， 其中該組MEMS裝置受激發以產生聲學振動， 其中該組MEMS裝置之該等聲學振動係藉由該至少一個聲音感測器來偵測。
  15. 如請求項14之方法， 其中該至少一個聲音感測器精確地係與該組MEMS裝置相關聯之一個聲音感測器， 或其中該至少一個聲音感測器精確地包含與該組MEMS裝置相關聯之一個聲音感測器陣列。
  16. 如請求項14之方法， 其中該至少一個聲音感測器包含複數個聲音感測器，其中該複數個聲音感測器之一個聲音感測器各與該組MEMS裝置之一MEMS裝置相關聯， 或其中該至少一個聲音感測器包含複數個聲音感測器陣列，其中該複數個聲音感測器陣列之一個聲音感測器陣列各與該組MEMS裝置之一MEMS裝置相關聯。
  17. 如請求項16之方法， 其中該複數個聲音感測器或聲音感測器陣列係相互受聲學屏蔽， 及/或其中該組MEMS裝置之該等MEMS裝置係相互受聲學屏蔽。
  18. 如請求項14至17中任一項之方法， 其中該組MEMS裝置係藉由頻率不重疊之不同信號來同時激發。
  19. 如請求項14至17中任一項之方法， 其中該組MEMS裝置係藉由頻率重疊之不同信號來同時激發。
  20. 如請求項14至17中任一項之方法， 其中該組MEMS裝置係藉由相同信號來接續激發。
  21. 如請求項17之方法， 其中該組MEMS裝置同時受激發。
  22. 如請求項1至21中任一項之方法， 其中該至少一個MEMS裝置係一MEMS揚聲器、MEMS麥克風、MEMS泵、MEMS驅動機、MEMS傳輸或基於MEMS之醫學測試設備。
  23. 如請求項1至22中任一項之方法， 其中該至少一個聲音感測器係一麥克風或一結構傳音感測器。
  24. 一種電腦程式，當該電腦程式在一電腦、微處理器、FPGA或ASIC上運行時，用於進行如請求項1至23中任一項之方法。
  25. 一種測試設備，用於對布置在一晶圓上之複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置進行聲學測試， 其中該測試設備被組配用以接觸布置在該晶圓上之該複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置， 其中該測試設備被組配用以激發該至少一個MEMS裝置以產生一聲學振動， 其中該測試設備包含被組配用以對該至少一個MEMS裝置之該聲學振動進行偵測之至少一個聲音感測器， 其中該測試設備被組配用以提供與該至少一個MEMS裝置藉由該聲音感測器偵測之該聲學振動相依之至少一個信號， 其中該測試設備係一探針、一探針之部分或一探針卡。
  26. 一種用於對布置在一晶圓上之複數個MEMS裝置之至少一個MEMS裝置進行聲學測試之設備， 其中該設備包含一第一測試設備及一第二測試設備， 其中該第一測試設備被組配用以接觸布置在該晶圓上之該複數個MEMS裝置之該至少一個MEMS裝置之一第一側， 其中該第一測試設備被組配用以激發該至少一個MEMS裝置以產生一聲學振動， 其中該第二測試設備被組配用以接觸該至少一個MEMS裝置之與該第一側相對之一第二側， 其中該第二測試設備包含被組配用以對該至少一個MEMS裝置之該聲學振動進行偵測之至少一個聲音感測器， 其中該設備被組配用以評估該至少一個MEMS裝置藉由該至少一個聲音感測器偵測之該聲學振動，用以針對一意欲功能測試該至少一個MEMS裝置。
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