KR20220119178A - 인버터 용 부하 이상 검출 회로 - Google Patents

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타카히코 카나이
유에 양
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고오슈우하네쓰렌 가부시기가이샤
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Abstract

본 발명은 스위칭 소자로서 자기 소호형(self-arc-extinguishing) 소자 및 출력 주파수가 부하의 공진 주파수가 되도록 제어하는 위상 동기 루프를 갖는 인버터의 동작 동안 부하의 이상을 검출하는 인버터 용 부하 이상 검출 회로에 관한 것으로서, 부하 이상 검출 회로는 자기 소호형 소자의 ON/OFF를 제어하는 게이트 전압 신호와 부하에 인가되는 인버터의 출력 전류 사이의 위상 시프트를 검출하고, 위상 시프트에 기초하여 제1 이상 부하 신호를 송신하는 위상 시프트 검출부를 포함한다.

Description

인버터 용 부하 이상 검출 회로{LOAD ABNORMALITY DETECTING CIRCUIT FOR INVERTER}
본 발명은 이상(abnormality)이 부하에서 발생할 때 인버터로부터 전력을 공급받는 부하의 이상으로 인한 영향으로부터 인버터를 보호하기 위해 제공되는 인버터 용 부하 이상 검출 회로에 관한 것이다.
관련된 기술에서, 인버터 장치는 AC 전력을 부하에 공급하는 전력 공급 디바이스로서 사용된다. 전력이 인버터 장치에 공급될 때, 그것의 주파수가 부하에 공급되는 전압 값 및 전류 값과 마찬가지로 임의로 설정될 수 있으므로, 전력이 부하의 특성 및 요구되는 작업의 양에 따라 공급됨으로써, 부하에 대한 전력의 공급에 낭비가 없고 따라서 전력의 공급이 효율적으로 수행될 수 있다.
인버터 장치의 일 예로서, 도 5에 예시된 바와 같이, 다이오드(11) 및 평활 커패시터(12)에 의해 3상 AC 전력을 DC 전력으로 변환하는 정류 회로(10), 정류 회로(10)의 출력 전압을 미리결정된 전압으로 형상화하는 정전압 회로(20), 정전압 회로(20)로부터의 DC 전압을 AC 전력으로 변환하는 인버터 회로(30), 및 인버터 회로(30)로부터 출력되는 AC 전력의 주파수를 부하(2)의 공진 주파수가 되도록 제어하는 위상 동기 루프 회로(이하, "PLL 회로"로서 약칭됨)(40)를 포함하는 공지된 인버터 장치(1)가 존재한다. 인버터 장치(1)는 고주파로서 간주될 수 있는 고주파를 갖는 AC 전력을 생성하고 작은 출력 임피던스를 갖는 전압형 인버터 장치이다.
정전압 회로(20)는 부하 또는 입력 전압에 변화들(variations)이 있더라도 미리결정된 DC 전압을 출력 측에 안정적으로 공급하는 쵸퍼형(chopper type) 정전압 회로이다. 정전압 회로(20)는 쵸퍼 본체(body)의 역할을 하는 고속 스위칭 소자인 전력 제어를 위한 MOSFET(21), 전압 및 전류 평활화를 위한 리액터(22) 및 커패시터(23), 그리고 MOSFET(21)가 턴 오프될 때 부하 전류 경로의 역할을 하는 프리휠링(freewheeling) 다이오드(24)를 구비한다. 정전압 회로(20)는 MOSFET(21)의 게이트에 인가되는 주기 신호의 ON 타임의 폭을 변경함으로써 출력 전압을 조정할 수 있다.
인버터 회로(30)는 주파수 제어를 위한 MOSFET들(31)을 구비하며, 이는 브리지 형상으로 연결되는 고속 스위칭 소자들이다. 다이오드(32)는 지연(lagging) 전류 성분을 유도성 부하의 경우 DC 회로로 복귀시키거나 지연 전류 성분을 브리지로 환류시키기 위해 MOSFET들(31) 각각에 병렬로 연결된다. 더욱이, 인버터 회로(30)는 부하(2)에 대한 전류(I1) 및 전압(V1)을 검출하기 위해 인덕터(L) 및 커패시터(C)를 포함하는 부하(2)에 연결되는 변류기(current transformer)(33) 및 변압기(34)를 구비한다.
PLL 회로(40)는 부하(2)에 대한 전류(I1) 및 전압(V1)의 위상 시프트를 검출하는 위상 비교 회로(41), 위상 비교 회로(41)에 의해 검출되는 전류(I1) 및 전압(V1)의 위상 시프트와 일치하기 위해 미리설정된 주파수 설정 값을 가산/감산하는 아날로그 가산기/감산기(42), 아날로그 가산기/감산기(42)로부터 출력되는 전압에 대응하는 주파수를 갖는 신호를 출력하는 전압 제어 발진기(43), 및 전압 제어 발진기(43)로부터 출력되는 신호의 주파수에 따라 인버터 회로(30)의 MOSFET들(31)의 게이트들(A 내지 D)에 신호를 순차적으로 송신하는 게이트 신호 제어 회로(44)를 구비한다.
그러한 인버터 장치(1)에 따르면, 고주파로서 간주할 수 있는 고주파를 갖는 AC 전력이 생성될 수 있음으로써, 그것은 강재 등의 고주파 경화(hardening)에 사용될 수 있다. 게다가, 출력 주파수가 부하(2)에 대한 전류(I1) 및 전압(V1)의 위상 시프트와 일치하도록 제어되므로, 출력 전력 주파수가 인덕터(L) 및 커패시터(C)를 포함하는 부하(2)의 공진 주파수와 일치함으로써, 부하(2)를 효율적으로 동작시키는 것이 가능하다.
인버터 장치(1)의 동작 동안, 부하(2)-측 회로의 일부의 단락 회로 및 개방과 같은 이상이 발생할 때, 부하(2)의 임피던스가 급속히 변화되므로, 공진 주파수가 크게 가변된다. 그 다음, 인버터 장치(1)의 PLL 회로(40)가 부하(2)의 공진 주파수에서 출력 주파수가 동작하도록 제어하므로, 큰 전류 또는 전압이 과도 상태(transient state)에서 순간적으로 생성될 수 있고 따라서 MOSFET들(31)이 파손될 수 있다. 특히, 전류(I1)의 위상이 부하(2)의 임피던스에서의 변화로 인해 전압(V1)의 위상에 대하여 진행될 때, 상대적으로 큰 서지 전압이 생성되어, MOSFET들(31)이 서지 전압에 의해 쉽게 파손되는 문제를 야기한다.
관련 기술의 인버터 용 부하 이상 검출 회로는 전술한 인버터 장치(1)에 추가되고, 부하(2)에 대한 인버터 장치(1)로부터 출력되는 출력 전압(V1) 및 출력 전류(I1)의 위상 시프트를 검출하고, 위상 시프트에 기초하여 이상 부하 신호를 송신한다(예를 들어, PTL 1:JP3652098 참조). 부하 이상 검출 회로는 PLL 회로(40)에 연결되는 변류기(33) 및 변압기(34)로부터 각각 획득되는 전류(I1) 및 전압(V1)을 수신한다. 그 다음, 부하 이상 검출 회로는 입력 전류(I1) 및 전압(V1)을 미리결정된 구형파들로 형상화하고, 그들 중 하나(예를 들어, 전류(I1))의 파형을 반전시키고, 전류(I1)의 반전된 파형을 전압(V1)의 파형과 비교한다.
이상이 부하(2)에서 발생하고 공진 주파수가 인버터 장치(1)의 동작 주파수로부터 시프트될 때, 부하(2)의 공진 회로가 용량성 부하의 역할을 하므로, 전류(I1)의 위상은 전압(V1)의 위상에 대하여 진행된다. 이 경우, 부하 이상 검출 회로는 인버터 회로(30)의 MOSFET들(31)의 모든 게이트 신호들을 턴 오프하고 또한 쵸퍼형 정전압 회로(20)에서 사용되는 MOSFET(21)를 턴 오프하여, 그것에 의해 입력 측으로부터 전류의 유입을 방지한다. 이 방식으로, 부하(2)에 대한 전력의 공급이 정지되고 MOSFET들(31)이 보호된다.
PTL 1: JP3652098
인버터 회로(30)의 MOSFET(31)로서, Si-MOSFET가 일반적으로 사용되며; 그러나, 최근에, SiC-MOSFET는 하나의 소자 당 정격 전류가 크고 스위칭 속도가 Si로 이루어지는 MOSFET와 비교하여 빠르기 때문에 사용된다. 그러나, SiC-MOSFET에서, 링잉(ringing)은 Si-MOSFET와 비교하여, 고속 동작에서의 OFF 시 쉽게 발생한다. 관련 기술의 부하 이상 검출 회로에서, 링잉이 MOSFET(31)에서 발생할 때, 고주파 잡음이 부하 이상 검출 회로에 입력되는 전압(V1)의 파형 상에 중첩되므로, 에러 동작이 잡음 성분에서의 증가로 인해 발생할 수 있다.
관련 기술의 부하 이상 검출 회로는 입력 전압(V1)을 구형파로 형상화하는 파형 형상기를 구비하며, 여기서, 파형 형상기는 저항, 전압(V1)의 파형에 포함되는 불필요한 고조파 성분을 커팅하기 위한 커패시터 등을 포함한다. 커패시터의 용량이 증가될 때, 전압(V1)의 파형에 포함되는 잡음 성분이 제거될 수 있으며; 그러나, 커패시터의 용량이 지나치게 증가될 때, 저항 및 커패시터를 포함하는 필터의 시상수(time constant)가 커지게 되므로, 지연은 입력 전압(V1)의 파형의 위상에 대하여 형상화된 구형파의 위상에서 발생할 수 있다. 부하 이상 검출 회로는 전압(V1) 및 전류(I1)의 위상 시프트에 기초하여 부하 이상을 검출하지만, 오검출(erroneous detection)은 전압(V1)으로부터 생성되는 구형파의 위상의 지연으로 인해 발생할 수 있다.
하나 이상의 실시예들은 부하의 이상을 정확하고 신속하게 검출하고 인버터의 중요한 소자인 스위칭 소자의 파손을 방지할 수 있는, 인버터 용 부하 이상 검출 회로를 제공한다.
일 양태(1)인, 스위칭 소자로서 자기 소호형(self-arc-extinguishing) 소자 및 출력 주파수가 부하의 공진 주파수가 되도록 제어하는 위상 동기 루프를 갖는 인버터의 동작 동안 부하의 이상(ab-normality)을 검출하는 인버터 용 부하 이상 검출 회로에서, 부하 이상 검출 회로는 자기 소호형 소자의 ON/OFF를 제어하는 게이트 전압 신호와 부하에 인가되는 인버터의 출력 전류 사이의 위상 시프트를 검출하고, 위상 시프트에 기초하여 제1 이상 부하 신호를 송신하는 위상 시프트 검출부를 포함한다.
인버터 용 부하 이상 검출 회로는 부하의 이상을 정확하고 신속하게 검출하고 인버터의 중요한 소자인 스위칭 소자의 파손을 방지할 수 있다.
도 1은 제1 실시예에 따른 인버터 장치를 예시하는 회로도이다.
도 2는 제1 실시예의 부하 이상 검출에 사용되는 게이트 신호의 신호 전압(Vg)과 인버터 장치로부터 부하로 출력되는 출력 전압 사이의 관계를 예시하는 그래프이다.
도 3은 제1 실시예에 따른 부하 이상 검출 회로를 예시하는 회로도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 부하 이상 검출 회로를 예시하는 회로도이다.
도 5는 관련 기술을 예시하는 회로도이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 도면들에 기초하여 설명된다. 다음 설명에서, 동일한 참조 번호들은 이전에 설명된 동일한 소자들 및 회로들을 지정하기 위해 사용되고, 그 설명은 생략되거나 단순화된다. 도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 인버터 장치(3)를 예시한다. 인버터 장치(3)는 부하 이상 검출 회로(50)를 전술한 인버터 장치(1)에 추가함으로써 획득된다. 인버터 회로(30)의 MOSFET들(31)로서, 예를 들어, Si-MOSFET, SiCMOSFET 등이 사용된다.
부하 이상 검출 회로(50)는 PLL 회로(40)로부터 MOSFET들(31)에 인가되는 게이트 전압 신호의 신호 전압(Vg) 및 인버터 장치(3)로부터 부하(2)로 출력되는 출력 전류(I1)의 위상 시프트를 검출하고, 위상 시프트에 기초하여 제1 이상 부하 신호를 송신하기 위해 위상 시프트 검출 방법을 사용한다. PLL 회로(40)로부터 획득되는 게이트 전압 신호 및 PLL 회로(40)에 연결되는 변류기(33)로부터 획득되는 전류(I1)는 부하 이상 검출 회로(50)에 입력되도록 구성된다.
도 2에 예시된 바와 같이, 게이트 전압 신호의 신호 전압(Vg)의 사이클 및 인버터 장치(3)로부터 부하(2)로 출력되는 출력 전압(V1)의 사이클은 서로 일치한다. 게이트 전압 신호의 신호 전압(Vg)은 MOSFET(31)의 링잉으로 인해 출력 전압(V1)에 중첩되는 잡음 성분을 포함하지 않는다. 결과적으로, 게이트 전압 신호의 신호 전압(Vg)은 바람직하게는 출력 전압(V1) 대신에, 출력 전류(I1)로 위상 시프트를 검출하기 위한 전압으로서 사용될 수 있다.
그러나, 두 전압들(Vg 및 V1) 사이에서, 위상 시프트는 게이트 전압 신호에 기초하여 턴 온/오프되는 MOSFET(31)의 응답 지연 시간(Δ)으로 인해 발생할 수 있다. 응답 지연 시간(Δ)은 턴-온 지연 시간(td) 및 상승 시간(tr)의 합으로써 정의되며, 여기서, 턴-온 지연 시간(td)은 게이트-소스 전압(VGS)의 상승 10%에서 드레인-소스 전압(VDS)의 상승 10%까지의 시간이고 상승 시간(tr)은 드레인-소스 전압(VDS)의 상승 10%에서 90%까지의 시간이다. MOSFET(31)의 응답 지연 시간(Δ)은 바람직하게는 출력 전압(V1)의 반주기(λ/2)보다 더 짧고, 그것이 반주기(λ/2)보다 충분히 더 짧은 것(예를 들어, 반주기(λ/2)의 1/10 이하)이 더 바람직하다. 상술된 바와 같이, 출력 전압(V1)에 대하여 출력 전류(I1)의 위상의 진행(advance)이 서지 전압을 야기하므로, MOSFET(31)의 응답 지연 시간(Δ)이 출력 전압(V1)의 반주기(λ/2) 이상일 때, 출력 전압(V1)에 대하여 출력 전류(I1)의 위상 시프트가 진행된 위상 또는 지연된 위상에 대응하는지 여부는 출력 전류(I1) 및 신호 전압(Vg)의 위상 시프트의 검출 결과에 기초하여 결정되는 것이 어렵다.
부하 이상 검출 회로(50)에 입력되는 게이트 전압 신호는 PLL 회로(40)로부터 게이트들(A 내지 D)에 송신되는 게이트 전압 신호들 중 임의의 하나(예를 들어, 게이트(A) 또는 게이트(B)에 송신되는 게이트 전압 신호), 또는 동기적으로 턴 온/오프되는 복수의 MOSFET들(31)의 게이트들(예를 들어, 게이트(A) 및 게이트(D))에 송신되는 복수의 게이트 전압 신호들의 평균일 수 있다.
도 3에 예시된 바와 같이, 부하 이상 검출 회로(50)는 전압(Vg)의 파형을 미리결정된 구형파로 형상화하기 위한 파형 형상기(shaper)(51), 전류(I1)의 파형을 미리결정된 구형파로 형상화하기 위한 파형 형상기(52), 전압(Vg) 및 전류(I1)의 위상 시프트를 검출하기 위한 위상 시프트 검출 수단의 역할을 하는 데이터 플립-플롭(53), 데이터 플립-플롭(53)의 출력을 유지하기 위한 래치의 역할을 하는 플립-플롭(54), 전류(I1)의 크기가 기준 값에 도달하는지를 검출하기 위한 비교기(55), 및 비교기(55)의 출력 신호를 반전시키기 위한 인버터(56)를 구비한다.
파형 형상기(51)는 데이터 플립-플롭(53)에 대한 입력 전압에 대응하는 DC 저항 값을 갖는 저항(51A), 전압(Vg)의 파형에 포함되는 불필요한 고조파 성분을 커팅하기 위한 커패시터(51B) 등을 포함한다. 파형 형상기(51)와 유사하게, 파형 형상기(52)는 데이터 플립-플롭(53)에 대한 입력 전압에 대응하는 DC 저항 값을 갖는 저항(52A), 전류(I1)의 파형에 포함되는 불필요한 고조파 성분을 커팅하기 위한 커패시터(52B) 등을 포함한다.
전류(I1)는 원래 파형으로부터 180°의 위상 반전을 받고 그 다음 데이터 플립-플롭(53)에 입력된다. 다시 말해서, 전류(I1)의 원래 파형이 전압(Vg)의 원래 파형과 동일한 위상을 가질 때, 데이터 플립-플롭(53)에 입력되는 전류(I1)의 신호는 전압(Vg)의 신호에 대향하는 위상을 갖는다.
데이터 플립-플롭(53)은 클록 신호가 입력되는 클록 입력 포트(CL), 데이터 신호가 입력되는 데이터 입력 포트(D), 설정 신호가 입력되는 설정 입력 포트(S), 재설정 신호가 입력되는 재설정 입력 포트(R), 및 설정 상태가 도달된 때 설정 신호를 송신하기 위한 설정 신호 포트(Q)를 가지며, 여기서, 데이터 신호가 클록 신호에 동시에 입력될 때, 설정 상태가 도달되므로, 설정 신호는 설정 신호 포트(Q)로부터 설정된다.
비교기(55)는 그것의 2개의 입력 포트들에 각각 입력되는 AC 신호들의 크기들을 서로 비교한다. 부하(2)에 대한 전류(I1)의 값을 나타내는 AC 신호는 비교기(55)의 하나의 입력 포트에 입력된다. 가변 저항(57)에 의해 미리결정된 AC 전압(V2)을 분할함으로써 획득되는 AC 신호는 미리결정된 기준 값으로서 비교기(55)의 다른 입력 포트에 입력된다. 이 경우, 전류(I1)가 지준 값보다 더 클 때, 정상 동작 신호가 비교기(55)로부터 출력된다. 정상 동작 신호는 인버터(56)에 의해 반전되고 데이터 플립-플롭(53)의 재설정 입력 포트에 송신된다. 비교기(55), 인버터(56), 및 가변 저항(57)에 의해, 마스크 수단(58)은 전류(I1)의 값이 기준 값보다 더 클 때까지 재설정 신호를 데이터 플립-플롭(53)에 연속적으로 출력하도록 형성된다.
상술된 바와 같은 본 실시예에서, 인버터 장치(3)가 동작하기 시작한 후, 인버터 장치(3)의 동작이 정상 상태에 도달할 때까지, 특별히, 인버터 장치(3)의 동작 주파수가 부하(2)의 공진 주파수와 일치하고 부하(2)에 대한 전류(I1)가 기준 값보다 더 클 때까지, 마스크 수단(58)은 재설정 신호를 데이터 플립-플롭(53)에 연속적으로 출력하고 부하 이상 검출 회로(50)의 위상 시프트 검출은 정지된다. 이러한 방식으로, 인버터 장치(3)가 부하(2)에 대한 전류(I1)가 불안전하고 전류(I1) 및 전압(Vg)의 위상들이 서로 일치하지 않는 인버터 장치(3)의 시동 직후 강제로 정지되는 것을 나타내는 문제가 해결된다.
그 다음, 인버터 장치(3)의 동작이 정상 상태에 도달할 때, 부하 이상 검출 회로(50)의 위상 시프트 검출 동작이 시작된다.
부하(2)에 이상이 없을 때, 부하(2)의 공진 주파수는 인버터 장치(3)의 동작 주파수와 일치하고, 전압(Vg) 및 전류(I1)의 위상들은 서로 일치하고, 데이터 플립-플롭(53)의 클록 입력 포트(CL) 및 데이터 입력 포트(D)에 각각 입력되는 신호들의 위상들은 서로 반전된다. 따라서, 데이터 플립-플롭(53)이 여전히 재설정 상태에 있고 설정 상태로 시프트되지 않고 설정 신호가 설정 신호 포트(Q)로부터 송신되지 않으므로, 인버터 장치(3)는 지속적으로 동작한다.
다른 한편, 이상이 부하(2)에서 발생할 때, 부하(2)의 공진 주파수는 인버터 장치(3)의 동작 주파수로부터 시프트되고, 전압(Vg) 및 전류(I1)의 위상들은 서로 일치하지 않는다. 그러한 상태에서, 동시에 양극(positive electrode)의 역할을 하는 부분들(parts)이 데이터 플립-플롭(53)의 클록 입력 포트(CL) 및 데이터 입력 포트(D)에 각각 입력되는 신호들에서 발생하기 시작한다. 따라서, 데이터 플립-플롭(53)은 설정 상태로 시프트되고 설정 신호는 설정 신호 포트(Q)로부터 송신된다. 설정 신호는 제1 이상 부하 신호로서 플립-플롭(54)을 통해 인버터 장치(3)의 PLL 회로(40)에 입력된다.
제1 이상 부하 신호를 수신하는 PLL 회로(40)는 MOSFET들(31)을 적절하게 턴 오프하고 부하(2)에 대한 전력의 공급을 정지시키며, 그것에 의해 MOSFET들(31)의 파손을 방지한다. 제1 이상 부하 신호는 플립-플롭(54)이 재설정될 때까지 연속적으로 출력된다.
전술한 본 실시예에 따르면, 다음의 효과들이 존재한다.
즉, 부하 이상 검출 회로(50)가 부하(2)에 대한 전류(I1) 및 게이트 전압 신호의 신호 전압(Vg)의 위상 시프트로부터 부하(2)의 위상을 검출하기 위해 제공되므로, 부하(2)의 임피던스가 사고 등으로 인해 변화될 때, 부하(2)의 이상은 부하(2)의 공진 주파수의 변화들에 의해 발생하는 전류(I1) 및 전압(Vg)의 위상 시프트로부터 신속하게 검출될 수 있고, PLL 회로(40)가 부하(2)의 공진 주파수에서 실행하는 동작을 완료하기 전에 부하(2)의 이상을 신뢰가능하게 검출하는 것이 가능하다.
부하 이상 검출 회로(50)가 부하 이상을 검출할 때, 부하 이상 검출 회로(50)는 인버터 장치(3)의 MOSFET들(31)을 적절한게 턴 오프하고 부하(2)에 대한 전력의 공급을 정지시킴으로써, 부하의 이상으로 인한 MOSFET들(31)의 파손을 방지하는 것이 가능하다.
더욱이, MOSFET들(31)의 링잉을 야기하는 잡음 성분을 포함하지 않는 게이트 전압 신호의 신호 전압(Vg)이 MOSFET들(31)의 링잉으로 인해 잡음 성분이 중첩되는 부하(2)에 대한 전압(V1) 대신에, 전류(I1)로 위상 시프트를 검출하기 위한 전압으로서 사용됨으로써, 잡음 성분에서의 증가로 인한 부하 이상 검출 회로(50)의 오동작을 방지하고 부하(2)의 이상을 정확하게 검출하는 것이 가능하다.
더욱이, 부하 이상 검출 회로(50)는 클록 신호와 함께 동시에 입력되는 데이터 신호에 의해 설정 상태로 진입하고 설정 상태에서의 신호인 설정 출력을 송신하는 데이터 플립-플롭(53)을 사용하도록 구성되고, 부하(2)를 통해 흐르는 전류(I1)의 반전 위상 신호는 클록 입력 포트(CL)에 입력되도록 허용되고, 게이트 전압 신호의 신호 전압(Vg)은 데이터 입력 포트(D)에 입력되도록 허용됨으로써, 설정 신호는 전류(I1) 및 전압(Vg)의 위상들이 서로로부터 시프트될 때에만 데이터 플립-플롭(53)으로부터 출력된다. 이 방식으로, 부하(2)에 대한 전류 및 게이트 전압 신호의 신호 전압(Vg)의 위상 시프트는 단순 회로 구성을 사용하여 검출될 수 있고 부하 이상 검출 회로(50)는 상당히 단순화될 수 있다.
더욱이, 부하 이상 검출 회로(50)는 부하(2)에 인가되는 전류(I1)의 전류 값을 미리결정된 기준 값과 비교하고 전류(I1)의 값이 기준 값보다 더 클 때까지 재설정 신호를 데이터 플립-플롭(53)에 연속적으로 출력하는 마스크 수단(58)을 구비함으로써, 부하 이상 검출 회로(50)의 위상 시프트 검출 동작이 부하(2)에 대한 전류가 불안정한 인버터의 시동에서 일시적으로 정지하고, 전류(I1) 및 전압(Vg)의 위상들이 서로 일치하지 않고, 인버터 장치(3)가 시동 직후 강제로 정지되는 문제의 발생을 방지하는 것이 가능하다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예의 주요 부분을 예시한다. 본 실시예에서, 전류 감소 검출 수단(60)이 전술한 제1 실시예의 위상 시프트 검출 방법을 사용하는 부하 이상 검출 회로(50)에 추가된다. 다음의 설명에서, 전류 감소 검출 수단(60) 이외의 부분들은 제1 실시예의 부분들과 유사하므로, 전류 감소 검출 수단(60)만이 설명된다.
전류 감소 검출 수단(60)은, 도 4에 도시된 바와 같이, 부하(2)를 통해 흐르는 전류(I1)의 값에 기초하여 제2 이상 부하 신호를 송신하고, 부하(2)에 인가되는 전류(I1)의 값을 미리결정된 기준 값과 비교하고 전류(I1)의 값이 기준 값보다 더 작을 때 제2 이상 부하 신호를 송신하는 비교기(61)을 포함한다.
전류 감소 검출 수단(60)은 비교기(61)로부터 제2 이상 부하 신호를 수신하고 제2 이상 부하 신호가 미리결정된 시간 또는 그 이상 동안 연속될 때에만 제2 이상 부하 신호를 출력하는 타이밍 수단의 역할을 하는 타이머(62), 인버터 장치(3)의 동작 신호를 수신하고 동작 신호가 입력될 때에만 제2 이상 부하 신호를 출력하는 마스크 수단의 역할을 하는 AND 회로(63), 및 AND 회로(63)의 출력을 유지하기 위한 래치의 역할을 하는 플립-플롭(64)을 구비한다.
본 실시예에서, 부하(2)의 공진 주파수가 인버터 장치(3)의 동작 주파수와 일치하므로, 부하(2)의 임피던스가 사고 등으로 인해 변경되고 그것의 공진 주파수가 부하(2)를 통해 흐르는 전류가 최대인 상태로부터 가변될 때, 공진 주파수가 인버터 장치(3) 측의 출력 전압에 변화가 없는 경우에도 동작 주파수로부터 시프트됨으로써, 부하(2)를 통해 흐르는 전류(I1)는 감소된다. 비교기(61)가 부하(2)에 대한 전류의 감소를 검출할 때, PLL 회로(40)가 부하(2)의 공진 주파수에서 실행하는 동작을 완료하기 전에 부하(2)의 이상을 신뢰가능하게 검출하는 것이 가능하다. 부하 이상이 검출될 때, 전체 회로가 인버터의 동작을 정지시키도록 구성되는 경우, 즉, 부하에 대한 전력의 공급을 정지시키기 위해 스위칭 소자를 적절하게 턴 오프하도록 구성되는 경우, 부하의 이상으로 인한 스위칭 소자의 파손은 미리 보다 신뢰가능하게 방지된다.
더욱이, 전류(I1)가 잡음 등에 의해 순간적으로 감소되더라도, 부하(2)에 대한 전류(I1)가 타이머(62)에 의해 감소되지 않는 것으로 간주됨으로써, 인버터 장치(3)는 안정적으로 동작한다.
더욱이, 부하(2)에 대한 전류(I1)가 정격 전압에 도달하지 않은 인버터 장치(3)의 시동에서, 비교기(61)로부터의 제2 이상 부하 신호는 AND 회로(63)에 의해 일시적으로 차단되며, 그것에 의해 인버터 장치(3)가 시동 직후 강제적으로 정지되는 문제를 해결한다.
지금까지, 본 발명은 바람직한 실시예들을 사용하여 설명되었으며: 그러나, 본 발명은 실시예들 및 다양한 구현예들에 제한되지 않고 설계 변경들은 본 발명의 범위로부터 벗어나지 않는 범위에서 이루어질 수 있다.
예를 들어, 정류 회로의 정류 방법은 다이오드가 정류 소자로서 이용되는 수동 방법에 제한되지 않고; SCR과 같은 능동 정류 소자가 이용될 수 있고 능동 정류 소자를 위상 제어하기 위한 능동 방법이 이용될 수 있다.
더욱이, 정전압 회로의 쵸퍼 방법은 MOSFET를 이용하는 방법에 제한되지 않고; 다른 바이폴라 트랜지스터와 같은 스위칭 소자가 이용될 수 있고 다이오드 정류 회로 및 펄스 폭 변조형 인버터 회로가 서로 결합될 때, 쵸퍼형 정전압 회로는 생략될 수 있다.
더욱이, 인버터 회로는 MOSFET를 이용하는 회로에 제한되지 않고; 다른 바이폴라 트랜지스터와 같은 스위칭 소자가 이용될 수 있고 간단하게 말해서, 본 발명의 인버터 장치의 본체 측의 전기 소자들, 전자 소자들, 및 회로 구성들은 그것이 구현될 때 적절하게 선택될 수 있다.
게다가, 전술한 제1 실시예의 마스크 수단 및 제2 실시예의 마스크 수단은 서로 대체될 수 있고, 제2 실시예의 타이밍 수단은 또한 전술한 제1 실시예에 추가될 수 있다.
본 출원은 2017년 11월 1일자로 출원된 일본 특허 출원 번호 제2017- 212183호에 기초하며, 그 전체 내용은 본원에 참조로 통합된다.

Claims (7)

  1. 스위칭 소자로서 자기 소호형(self-arc-extinguishing) 소자 및 출력 주파수가 부하의 공진 주파수가 되도록 제어하는 위상 동기 루프를 갖는 인버터의 동작 동안 상기 부하의 이상을 검출하는 상기 인버터 용 부하 이상 검출 회로에 있어서, 상기 부하 이상 검출 회로는:
    상기 자기 소호형 소자의 ON/OFF를 제어하고, 상기 자기 소호형 소자에 인가되는 게이트 전압 신호와 상기 부하에 인가되는 상기 인버터의 출력 전류 사이의 위상 시프트를 검출하고, 상기 위상 시프트에 기초하여 제1 이상 부하 신호를 송신하는 위상 시프트 검출부;
    상기 위상 시프트 검출부에 입력되는 상기 게이트 전압 신호의 파형을 형상화하는 제1 파형 형상기; 및
    상기 위상 시프트 검출부에 입력되는 상기 출력 전류의 파형을 형상화하는 제2 파형 형상기를 포함하는, 부하 이상 검출 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 게이트 전압 신호에 대하여 상기 자기 소호형 소자의 응답 지연 시간은 상기 인버터의 상기 출력 주파수의 반주기보다 더 짧은, 부하 이상 검출 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 위상 시프트 검출부는 클록 신호와 동기화되어 입력되는 데이터 신호에 의해 설정 상태로 전이되고, 설정 출력을 설정 상태의 신호로서 송신하는 데이터 플립-플롭인, 부하 이상 검출 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 데이터 플립-플롭은 상기 데이터 플립-플롭을 상기 설정 상태로부터 재설정 상태로 전이시키는 재설정 신호가 입력되는 재설정 입력 포트를 갖고, 상기 부하 이상 검출 회로는 상기 부하에 인가되는 상기 출력 전류의 전류 값을 미리결정된 기준 값과 비교하고 상기 전류 값이 상기 기준 값보다 더 클 때까지 상기 재설정 신호를 상기 데이터 플립-플롭에 출력하는 마스크부(mask part)를 갖는, 부하 이상 검출 회로.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부하에 인가되는 상기 인버터의 상기 출력 전류의 상기 전류 값을 미리결정된 기준 값과 비교하고, 상기 전류 값이 상기 기준 값보다 더 작을 때 제2 이상 부하 신호를 송신하는 전류 감소 검출부를 더 포함하는, 부하 이상 검출 회로.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 이상 부하 신호가 상기 상기 전류 감소 검출부로부터 입력되고 상기 제2 이상 부하 신호가 미리결정된 시간 또는 그 이상 동안 연속적으로 입력될 때에만 상기 제2 이상 부하 신호를 출력하는 타이밍부를 더 포함하는, 부하 이상 검출 회로.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 인버터의 동작 신호가 입력되고 상기 동작 신호가 입력될 때에만 상기 제2 이상 부하 신호를 출력하는 마스크부를 더 포함하는, 부하 이상 검출 회로.
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