KR20220106706A - 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 - Google Patents

포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220106706A
KR20220106706A KR1020220008754A KR20220008754A KR20220106706A KR 20220106706 A KR20220106706 A KR 20220106706A KR 1020220008754 A KR1020220008754 A KR 1020220008754A KR 20220008754 A KR20220008754 A KR 20220008754A KR 20220106706 A KR20220106706 A KR 20220106706A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
bond
fluorinated
anion
ester
Prior art date
Application number
KR1020220008754A
Other languages
English (en)
Inventor
준 하타케야마
Original Assignee
신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Publication of KR20220106706A publication Critical patent/KR20220106706A/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2004—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light
    • G03F7/2006—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the use of a particular light source, e.g. fluorescent lamps or deep UV light using coherent light; using polarised light
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322—Aqueous alkaline compositions
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38—Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40—Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

불소화 카르복실산 음이온, 불소화 페녹시드 음이온, 불소화 술폰아미드 음이온, 불소화 알콕시드 음이온, 불소화 1,3-디케톤 음이온, 불소화 β-케토 에스테르 음이온 또는 불소화 이미드 음이온과, 제3급 에스테르 구조를 갖는 질소 함유 양이온으로 이루어진 반복 단위를 포함하는 베이스 폴리머를 포함하는 포지티브형 레지스트 재료는, 감도 및 해상도가 높고, 에지 러프니스나 치수 불균일이 작으며, 노광 및 현상 후에 양호한 형상의 패턴을 형성한다.

Description

포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법{POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERN FORMING PROCESS}
관련 출원에 대한 상호 참조
본 정규 출원은 35 U.S.C.§119(a) 하에 2021년 1월 22일에 일본에서 출원된 특허 출원 제2021-008403호를 우선권으로 주장하며, 상기 특허 출원의 전체 내용은 본원에 참조로 인용되어 있다.
기술 분야
본 발명은 포지티브형 레지스트 재료 및 그 재료를 이용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
LSI의 고집적화와 고속도화에 따라 패턴 룰의 미세화가 급속히 진행되고 있다. 5G의 고속 통신과 인공 지능(AI)의 보급이 진행되고, 이것을 처리하기 위한 고성능 디바이스가 필요하게 되고 있기 때문이다. 최첨단 미세화 기술로서, 파장 13.5 nm의 EUV 리소그래피에 의한 5 nm 노드의 디바이스의 양산이 이루어지고 있다. 차세대 3 nm 노드, 차차세대 2 nm 노드 디바이스에 있어서도 EUV 리소그래피를 이용한 검토가 진행되고 있다.
미세화의 진행과 함께 산의 확산에 의한 상의 흐려짐이 문제가 되고 있다. 치수 사이즈 45 nm 이후의 미세 패턴에서의 해상성을 확보하기 위해서는, 종래 제안되어 있는 용해 콘트라스트의 향상뿐만 아니라, 산 확산의 제어가 중요하다는 것이 비특허문헌 1에 제안되어 있다. 그러나, 화학 증폭 레지스트 재료는, 산의 확산에 의해서 감도와 콘트라스트를 올리고 있기 때문에, 포스트 익스포져 베이크(PEB) 온도 및/또는 시간을 감소시켜 산 확산을 최대한 억제하고자 하면, 감도와 콘트라스트가 현저히 저하한다.
감도, 해상도 및 에지 러프니스(LWR)의 트라이앵글 트레이드오프 관계가 드러나 있다. 해상도를 향상시키기 위해서는 산 확산을 억제할 필요가 있지만, 산 확산 거리가 짧아지면 감도가 저하한다.
벌키(bulky)한 산이 발생하는 산 발생제를 첨가하여 산 확산을 억제하는 것은 유효하다. 그래서, 중합성 불포화 결합을 갖는 오늄염에 유래하는 반복 단위를 폴리머에 포함하게 하는 것이 제안되어 있다. 이때, 폴리머는 산 발생제로서도 기능한다(폴리머 바운드형 산 발생제). 특허문헌 1에는, 특정 술폰산을 발생하는 중합성 불포화 결합을 갖는 술포늄염이나 요오도늄염이 제안되어 있다. 특허문헌 2에는, 술폰산이 주쇄에 직결된 술포늄염이 제안되어 있다.
특허문헌 3 및 4에는, 산 확산을 억제하기 위해서, 아미노기를 갖는 반복 단위를 포함하는 폴리머를 포함하는 레지스트 재료가 제안되어 있다. 폴리머형의 아민은 산 확산을 억제하는 효과가 높다는 특징이 있다. 특허문헌 5에는, 산 발생제로서 기능하는 반복 단위 및 아미노기를 갖는 반복 단위를 포함하는 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 레지스트 재료가 제안되어 있다. 이것은, 산 발생제의 기능과 켄처의 기능을 동일 폴리머에 갖는 단일 성분 레지스트 재료이며, 산 확산의 영향을 최대한 저감할 수 있다. 그러나, 이 경우, 산 확산 거리를 지나치게 작게 하면 용해 콘트라스트 및 감도가 저하한다고 하는 문제가 생긴다.
또한, 특허문헌 6에는, 제3급 에스테르 구조의 산 불안정기 중에 아미노기를 갖는 반복 단위를 포함하는 폴리머를 포함하는 레지스트 재료도 제안되어 있다. 이것은, 폴리머형 아민에 의한 낮은 산 확산에 있어서의 콘트라스트 저하를 막기 위해서 유효한 방법이다. 그러나, 상기 산 불안정기의 탈리 반응성은 낮고, 콘트라스트 향상 효과가 불충분하다고 하는 문제가 있었다.
특허문헌 1: JP-A 2006-045311 (USP 7482108) 특허문헌 2: JP-A 2006-178317 특허문헌 3: JP-A 2008-133312 특허문헌 4: JP-A 2009-181062 특허문헌 5: JP-A 2011-039266 특허문헌 6: JP-A 2020-098329
비특허문헌 1: SPIE Vol. 6520 65203L-1 (2007)
본 발명은, 종래의 포지티브형 레지스트 재료를 웃도는 감도 및 해상도를 가지고, LWR이나 치수 불균일이 작고, 노광 후의 패턴 형상이 양호한 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는, 최근 요구되는 고해상도이며 LWR이나 CDU가 작은 포지티브형 레지스트 재료를 얻기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 이것에는 산 확산 거리를 극한까지 짧게 해야 한다는 것, 산 확산 거리를 분자 레벨로 균일하게 할 필요가 있고, 불소화 소정의 음이온과 제3급 에스테르 구조를 갖는 질소 함유 양이온으로 이루어진 반복 단위를 포함하는 폴리머를 베이스 폴리머로 함으로써 산 확산이 매우 작은 것으로 되고, 불소 원자의 반발로 켄처가 되는 암모늄염끼리의 응집을 억제함으로써 산 확산 거리를 균일화시키는 효과와, 3급 에스테르의 산에 의한 탈리 반응에 의해서 콘트라스트를 향상시키는 효과, 이 두 가지 효과에 의해서, LWR이나 CDU가 양호한 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료의 베이스 폴리머로서 유효하다는 것을 지견했다.
더욱이, 용해 콘트라스트를 향상시키기 위해서, 카르복시기 또는 수소가 산 불안정기로 치환된 페놀성 히드록시기를 갖는 반복 단위를 도입함으로써, 고감도이며 노광 전후의 알칼리 용해 속도 콘트라스트가 대폭 높고, 고감도이며 산 확산을 억제하는 효과가 높고, 고해상성을 가지고, 노광 후의 패턴 형상과 감소된 엣지 러프니스(LWR) 및 개선된 크기 변화(CDU)를 가져서, 특히 VLSI 제조용 또는 포토마스크의 미세 패턴 형성 재료로서 적합한 포지티브형 레지스트 재료를 얻을 수 있다는 것을 지견하여, 본 발명을 완성시켰다.
한 양태에서, 본 발명은 불소화 카르복실산 음이온, 불소화 페녹시드 음이온, 불소화 술폰아미드 음이온, 불소화 알콕시드 음이온, 불소화 1,3-디케톤 음이온, 불소화 β-케토 에스테르 음이온 또는 불소화 이미드 음이온과, 제3급 에스테르 구조를 갖는 질소 함유 양이온으로 이루어진 반복 단위 (a)를 포함하는 베이스 폴리머를 포함하는 포지티브형 레지스트 재료를 제공한다.
바람직하게는, 반복 단위 (a)는 하기 식 (a)를 갖는다:
Figure pat00001
식 중, RA는 수소 또는 메틸이고,
X1은 각각 독립적으로 단일 결합, 페닐렌, 나프틸렌, 또는 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 락톤환을 함유하는 C1-C16 연결기이며,
R은 하기 식 (a1) 또는 (a2)를 갖는 질소 함유 제3급 탄화수소기이고,
Figure pat00002
식 중, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 C1-C8 지방족 히드로카르빌기 또는 C6-C10 아릴기이며, 히드로카르빌기 또는 아릴기는 에테르 결합, 에스테르 결합, 할로겐 또는 트리플루오로메틸을 함유하고 있어도 좋고,
RN1 및 RN2는 각각 독립적으로 수소, C1-C10 알킬기 또는 C2-C10 알콕시카르보닐기이며, 알킬기 또는 알콕시카르보닐기는 에테르 결합을 함유하고 있어도 좋고,
원 Ra는 질소 원자를 포함하는 C2-C10 지환식 기이며,
파선은 원자가 결합을 나타내고,
X-는 불소화 카르복실산 음이온, 불소화 페녹시드 음이온, 불소화 술폰아미드 음이온, 불소화 알콕시드 음이온, 불소화 1,3-디케톤 음이온, 불소화 β-케토 에스테르 음이온 또는 불소화 이미드 음이온이다.
바람직한 실시양태에서, 불소화 카르복실산 음이온ㅇ; 하기 식 (Xa)를 갖고, 불소화 페녹시드 음이온이 하기 식 (Xb)를 갖고, 불소화 술폰아미드 음이온이 하기 식 (Xc)를 갖고, 불소화 알콕시드 음이온이 하기 식 (Xd)를 갖고, 그리고 불소화 1,3-디케톤 음이온, 불소화 β-케토 에스테르 음이온 및 불소화 이미드 음이온이 하기 식 (Xe)를 갖는다:
Figure pat00003
식 중, R4 및 R6은 각각 독립적으로 불소 또는 C1-C30 불소화 히드로카르빌기이며, 이 불소화 히드로카르빌기는 에스테르 결합, 락톤환, 에테르 결합, 카보네이트 결합, 티오에테르 결합, 히드록시, 아미노, 니트로, 시아노, 술포, 술폰산 에스테르 결합, 염소 및 브롬 중에서 선택된 적어도 1종의 모이어티를 함유하고 있어도 좋고,
Rf는 불소, 트리플루오로메틸 또는 1,1,1-트리플루오로-2-프로판올이며,
R5는 염소, 브롬, 히드록시, C1-C6 포화 히드로카르빌옥시기, C2-C6 포화 히드로카르빌옥시카르보닐기, 아미노기 또는 니트로기이고,
R7은 수소이거나, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C30 히드로카르빌기이며,
R8은 트리플루오로메틸, C1-C20 히드로카르빌옥시기 또는 C2-C21 히드로카르빌옥시카르보닐기이며, 이 히드로카르빌옥시기 및 히드로카르빌옥시카르보닐기에서의 히드로카르빌 모이어티는, 에테르 결합, 에스테르 결합, 티올, 시아노, 니트로, 히드록시, 술톤, 술폰산 에스테르 결합, 아미드 결합 및 할로겐에서 선택된 적어도 1종의 모이어티를 함유하고 있어도 좋고,
R9 및 R10은 각각 독립적으로 C1-C10 알킬기 또는 페닐기이고, R9 및 R10의 한쪽 또는 양쪽에서 적어도 하나의 수소는 불소로 치환되어 있으며,
X는 -C(H)=또는 -N=이고,
m은 1∼5의 정수이고, n은 0∼3의 정수이며, m+n은 1∼5이다.
바람직한 실시양태에서, 상기 베이스 폴리머는, 수소가 산 불안정기로 치환된 카르복시기를 갖는 반복 단위 (b1) 및/또는 수소가 산 불안정기로 치환된 페놀성 히드록시기를 갖는 반복 단위 (b2)를 더 포함한다.
더 바람직하게는, 반복 단위 (b1)은 하기 식 (b1)을 갖고, 반복 단위 (b2)는 하기 식 (b2)를 갖는다:
Figure pat00004
식 중, RA는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이고, Y1은 단일 결합, 페닐렌, 나프틸렌, 또는 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 락톤환을 함유하는 C1-C12 연결기이며, Y2는 단일 결합, 에스테르 결합 또는 아미드 결합이고, Y3은 단일 결합, 에테르 결합 또는 에스테르 결합이며, R11 및 R12는 각각 독립적으로 산 불안정기이고, R13은 불소, 트리플루오로메틸, 시아노 또는 C1-C6 포화 히드로카르빌기이며, R14는 단일 결합 또는 C1-C6 알칸디일기이고, 이 알칸디일기는 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 함유하고 있어도 좋으며, a는 1 또는 2이고, b는 0∼4의 정수이며, a+b는 1∼5이다.
바람직한 실시양태에서, 베이스 폴리머는, 히드록시, 카르복시, 락톤환, 카보네이트 결합, 티오카보네이트 결합, 카르보닐, 환형 아세탈, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산 에스테르 결합, 시아노, 아미드 결합, -O-C(=O)-S- 및 -O-C(=O)-NH-로 이루어진 군에서 선택된 밀착성 기를 함유하는 반복 단위 (c)를 더 포함한다.
바람직한 실시양태에서, 베이스 폴리머는, 하기 식 (d1)∼(d3)을 갖는 반복 단위로부터 선택된 적어도 1종의 반복 단위를 더 포함한다:
Figure pat00005
식 중, RA는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이고; Z1은 단일 결합, C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 나프틸렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기, 또는 -O-Z11-, -C(=O)-O-Z11- 또는 -C(=O)-NH-Z11-이며, Z11은 C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 나프틸렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기이고, 카르보닐 모이어티, 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 히드록시 모이어티를 함유하고 있어도 좋으며; Z2는 단일 결합 또는 에스테르 결합이며; Z3은 단일 결합, -Z31-C(=O)-O-, -Z31-O- 또는 -Z31-O-C(=O)-이고, Z31은 C1-C12 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기이며, 카르보닐 모이어티, 에스테르 결합, 에테르 결합, 브롬 또는 요오드를 함유하고 있어도 좋고; Z4는 메틸렌, 2,2,2-트리플루오로-1,1-에탄디일 또는 카르보닐이며; Z5는 단일 결합, 메틸렌, 에틸렌, 페닐렌, 불소화 페닐렌, 트리플루오로메틸-치환된 페닐렌, -O-Z51-, -C(=O)-O-Z51- 또는 -C(=O)-NH-Z51-이다. Z51은 C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 불소화 페닐렌 또는 트리플루오로메틸-치환된 페닐렌이며, 카르보닐 모이어티, 에스테르 결합, 에테르 결합, 할로겐 또는 히드록시 모이어티를 함유하고 있어도 좋고; R21∼R28은 각각 독립적으로 할로겐이거나, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이고; R23과 R24 또는 R26과 R27의 쌍은 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 고리를 형성하고 있어도 좋으며; M-는 비구핵성 반대 이온이다.
포지티브형 레지스트 재료는 산 발생제, 유기 용제, 켄처를, 및/또는 계면활성제를 더 포함할 수 있다.
다른 양태에서, 본 발명은 본원에 정의된 포지티브형 레지스트 재료를 기판 상에 적용하여 그 기판 상에 레지스트 막을 형성하는 단계, 레지스트 막을 고에너지선으로 노광하는 단계, 및 노광된 레지스트 막을 현상액에서 현상하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.ㄴ
일반적으로, 고에너지선은 i선, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, EB, 또는 파장 3∼15 nm의 EUV이다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료는, 산 발생제의 분해 효율을 높일 수 있기 때문에, 산의 확산을 억제하는 효과가 높고, 고감도이며, 고해상성을 가지고, 노광 후의 패턴 형상이나, 에지 러프니스나 치수 불균일이 작아, 양호하다. 따라서, 이와 같은 우수한 특성을 가지므로 실용성이 매우 높고, 특히 VLSI 제조용 또는 EB 묘화에 의한 포토마스크의 미세 패턴 형성 재료, EB 또는 EUV 리소그래피용의 패턴 형성 재료로서 매우 유용하다. 본 발명의 포지티브형 레지스트 재료는, 예컨대 반도체 회로 형성에 있어서의 리소그래피뿐만 아니라, 마스크 회로 패턴의 형성, 마이크로머신, 박막 자기 헤드 회로 형성에도 응용할 수 있다.
본원에서 사용될 때, 단수형 "한", "하나" 및 "그"는 문맥상 달리 명확하게 나타내지 않은 한, 복수형을 포함한다. "임의의" 또는 "임의로"는 그 뒤에 기재된 사건 또는 상황이 발생하거나 발생하지 않을 수 있음을 의미하며, 그 기재는 사건 또는 상황이 발생하는 경우 및 그렇지 않은 경우를 포함한다. 표기법 (Cn-Cm)은 기당 n 내지 m 개의 탄소 원자를 함유하는 기를 의미한다. 화학식에서 파선은 원자가 결합을 나타내고, Me는 메틸을 나타내며, Ac는 아세틸을 나타낸다. 본원에서 사용될 때, 용어 "불소화된"은 불소 치환된, 또는 불소 함유 화합물 또는 기를 가리킨다. 용어 "기"와 "모이어티"는 상호 교환 가능하다.
약어 및 두문자어는 다음의 의미를 갖는다.
EB: 전자선
EUV: 극단 자외선
Mw: 중량 평균 분자량
Mn: 수 평균 분자량
Mw/Mn: 분자량 분산도
GPC: 겔 투과 크로마토그래피
PEB: 포스트 익스포저 베이크(post-exposure bake)
PAG: 광산 발생제
LWR: 라인 폭 러프니스(line width roughness)
CDU: 임계 치수 균일성
포지티브형 레지스트 재료
베이스 폴리머
본 발명의 한 실시양태는, 불소화 카르복실산 음이온, 불소화 페녹시드 음이온, 불소화 술폰아미드 음이온, 불소화 알콕시드 음이온, 불소화 1,3-디케톤 음이온, 불소화 β-케토 에스테르 음이온 또는 불소화 이미드 음이온과, 제3급 에스테르 구조를 갖는 질소 함유 양이온으로 이루어진 반복 단위 (a)를 포함하는 베이스 폴리머를 포함하는 포지티브형 레지스트 재료이다.
바람직하게는 반복 단위 (a)는 하기 식 (a)를 갖는다:
Figure pat00006
식 (a) 중, RA는 수소 또는 메틸이다.
X1은 각각 독립적으로 단일 결합, 페닐렌, 나프틸렌, 또는 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 락톤환을 함유하는 C1-C16 연결기이다.
X1로 표시되는 2가의 연결기는, 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 락톤환을 함유하는 것이라면 특별히 한정되지 않지만, 적어도 1종의 C1-C16 히드로카르빌렌기와, 에스테르 결합, 에테르 결합 및 락톤환에서 선택되는 적어도 1종을 조합하여 얻어지는 기 중, 탄소수가 1∼16인 것이 바람직하다. 상기 C1-C16 히드로카르빌렌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 메탄디일기, 에탄-1,1-디일기, 에탄-1,2-디일기, 프로판-1,3-디일기, 부탄-1,4-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 헥산-1,6-디일기, 헵탄-1,7-디일기, 옥탄-1,8-디일기, 노난-1,9-디일기, 데칸-1,10-디일기, 운데칸-1,11-디일기, 도데칸-1,12-디일기, 트리데칸-1,13-디일기, 테트라데칸-1,14-디일기, 펜타데칸-1,15-디일기, 헥사데칸-1,16-디일기 등의 C1-C16 알칸디일기; 시클로펜탄디일기, 시클로헥산디일기, 노르보르난디일기, 아다만탄디일기 등의 탄소수 3∼16의 환식 포화 히드로카르빌렌기; 페닐렌, 메틸페닐렌, 에틸페닐렌, n-프로필페닐렌, 이소프로필페닐렌, n-부틸페닐렌, 이소부틸페닐렌, sec-부틸페닐렌, tert-부틸페닐렌, 나프틸렌기, 메틸나프틸렌기, 에틸나프틸렌기, n-프로필나프틸렌기, 이소프로필나프틸렌기, n-부틸나프틸렌기, 이소부틸나프틸렌기, sec-부틸나프틸렌기, tert-부틸나프틸렌기 등의 탄소수 6∼16의 아릴렌기; 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다.
반복 단위 (a)를 부여하는 모노머로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 하기 식 중, RA는 상기와 같고, R에 관해서는 후술한다.
Figure pat00007
식 (a) 중, R은 하기 식 (a1) 또는 (a2)를 갖는 질소 함유 제3급 탄화수소기이다:
Figure pat00008
식 (a1) 및 (a2) 중, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 C1-C8 지방족 히드로카르빌기 또는 C6-C10 아릴기이며, 히드로카르빌기 또는 아릴기는 에테르 결합, 에스테르 결합, 할로겐 또는 트리플루오로메틸을 함유하고 있어도 좋다. RN1 및 RN2는 각각 독립적으로 수소, C1-C10 알킬기 또는 C2-C10 알콕시카르보닐기이며, 알킬기 또는 알콕시카르보닐기는 에테르 결합을 함유하고 있어도 좋다. 원 Ra는 질소 원자를 포함하는 C2-C10 지환식 기이다. 파선은 원자가 결합을 나타낸다. X-는 불소화 카르복실산 음이온, 불소화 페녹시드 음이온, 불소화 술폰아미드 음이온, 불소화 알콕시드 음이온, 불소화 1,3-디케톤 음이온, 불소화 β-케토 에스테르 음이온 또는 불소화 이미드 음이온이다.
R1, R2 및 R3으로 표시되는 C1-C8 지방족 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기 등의 C1-C8 알킬기; 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등의 탄소수 3∼8의 환식 포화 히드로카르빌기; 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기 등의 탄소수 2∼8의 알케닐기; 시클로헥세닐기 등의 탄소수 3∼8의 환식 불포화 지방족 히드로카르빌기; 에티닐기, 부티닐기 등의 탄소수 2∼8의 알키닐기; 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다.
RN1 및 RN2로 표시되는 C1-C10 알킬기 및 C2-C10 알콕시카르보닐기의 알킬부로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 등을 들 수 있다. RN1 및 RN2로서는 수소 원자, 메틸기, 에틸기 및 이소프로필기가 바람직하다.
불소화 카르복실산 음이온으로서는 하기 식 (Xa)를 갖는 것이 바람직하고, 불소화 페녹시드 음이온으로서는 하기 식 (Xb)를 갖는 것이 바람직하고, 불소화 술폰아미드 음이온으로서는 하기 식 (Xc)를 갖는 것이 바람직하고, 불소화 알콕시드 음이온으로서는 하기 식 (Xd)를 갖는 것이 바람직하고, 불소화 1,3-디케톤 음이온, 불소화 β-케토 에스테르 음이온 및 불소화 이미드 음이온로서는 하기 식 (Xe)를 갖는 것이 바람직하다:
Figure pat00009
식 (Xa) 및 (Xc) 중, R4 및 R6은 각각 독립적으로 불소 또는 C1-C30 불소화 히드로카르빌기이다. 상기 C1-C30 불소화 히드로카르빌기는 C1-C30 히드로카르빌기의 적어도 하나의 수소 원자가 불소화 기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 C1-C30 알킬기, 탄소수 3∼30의 환식 포화 히드로카르빌기, 탄소수 2∼30의 알케닐기, 탄소수 2∼30의 알키닐기, 탄소수 3∼30의 환식 불포화 지방족 히드로카르빌기, 탄소수 6∼30의 아릴기, 탄소수 7∼30의 아랄킬기, 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다. 상기 불소화 히드로카르빌기는 에스테르 결합, 락톤환, 에테르 결합, 카보네이트 결합, 티오에테르 결합, 히드록시, 아미노, 니트로, 시아노, 술포, 술폰산 에스테르 결합, 염소 및 브롬 중에서 선택된 적어도 1종의 모이어티를 함유하고 있어도 좋다.
식 (Xb) 중, Rf는 불소, 트리플루오로메틸 또는 1,1,1-트리플루오로-2-프로판올이다.
식 (Xb) 중, R5는 염소, 브롬, 히드록시, C1-C6 포화 히드로카르빌옥시기, C2-C6 포화 히드로카르빌옥시카르보닐기, 아미노기 또는 니트로기이다. m은 1∼5의 정수이고, n은 0∼3의 정수이며, m+n은 1∼5이다.
식 (Xc) 중, R7은 수소이거나, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C30 히드로카르빌기이다. 상기 C1-C30 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 C1-C30 알킬기, 탄소수 3∼30의 환식 포화 히드로카르빌기, 탄소수 2∼30의 알케닐기, 탄소수 2∼30의 알키닐기, 탄소수 3∼30의 환식 불포화 지방족 히드로카르빌기, 탄소수 6∼30의 아릴기, 탄소수 7∼30의 아랄킬기, 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다. 또한, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자, 할로겐 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋고, 이들 기의 -CH2-의 일부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋으며, 그 결과, 에스테르 결합, 에테르 결합, 티오에테르 결합, 카르보닐기, 술포닐기, 카보네이트기, 카바메이트기, 술폰기, 아미노기, 아미드 결합, 히드록시기, 티올기, 니트로기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 포함하고 있어도 좋다.
식 (Xd) 중, R8은 트리플루오로메틸, C1-C20 히드로카르빌옥시기 또는 C2-C21 히드로카르빌옥시카르보닐기이며, 이 히드로카르빌옥시기 및 히드로카르빌옥시카르보닐기에서의 히드로카르빌 모이어티는, 에테르 결합, 에스테르 결합, 티올, 시아노, 니트로, 히드록시, 술톤, 술폰산 에스테르 결합, 아미드 결합 및 할로겐에서 선택된 적어도 1종의 모이어티를 함유하고 있어도 좋다.
R8로 표시되는 히드로카르빌옥시기 및 히드로카르빌옥시카르보닐기에서의 히드로카르빌 모이어티는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, 이소펜틸기, sec-펜틸기, 3-펜틸기, tert-펜틸기, 네오펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기 등의 C1-C20 알킬기; 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 아다만틸기, 노르보르닐기, 시클로프로필메틸기, 시클로프로필에틸기, 시클로부틸메틸기, 시클로부틸에틸기, 시클로펜틸메틸기, 시클로펜틸에틸기, 시클로헥실메틸기, 시클로헥실에틸기, 메틸시클로프로필기, 메틸시클로부틸기, 메틸시클로펜틸기, 메틸시클로헥실기, 에틸시클로프로필기, 에틸시클로부틸기, 에틸시클로펜틸기, 에틸시클로헥실기 등의 탄소수 3∼20의 환식 포화 히드로카르빌기; 비닐기, 1-프로페닐기, 2-프로페닐기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기, 헵테닐기, 노네닐기, 데세닐기, 운데세닐기, 도데세닐기, 트리데세닐기, 테트라데세닐기, 펜타데세닐기, 헥사데세닐기, 헵타데세닐기, 옥타데세닐기, 노나데세닐기, 이코세닐기 등의 탄소수 2∼20의 알케닐기; 에티닐기, 프로피닐기, 부티닐기, 펜티닐기, 헥시닐기, 헵티닐기, 옥티닐기, 노니닐기, 데시닐기, 운데시닐기, 도데시닐기, 트리데시닐기, 테트라데시닐기, 펜타데시닐기, 헥사데시닐기, 헵타데시닐기, 옥타데시닐기, 노나데시닐기, 이코시닐기 등의 탄소수 2∼20의 알키닐기; 시클로펜테닐기, 시클로헥세닐기, 메틸시클로펜테닐기, 메틸시클로헥세닐기, 에틸시클로펜테닐기, 에틸시클로헥세닐기, 노르보르네닐기 등의 탄소수 3∼20의 환식 불포화 지방족 히드로카르빌기; 페닐기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, n-프로필페닐기, 이소프로필페닐기, n-부틸페닐기, 이소부틸페닐기, sec-부틸페닐기, tert-부틸페닐기, 나프틸기, 메틸나프틸기, 에틸나프틸기, n-프로필나프틸기, 이소프로필나프틸기, n-부틸나프틸기, 이소부틸나프틸기, sec-부틸나프틸기, tert-부틸나프틸기 등의 탄소수 6∼20의 아릴기; 벤질기, 페네틸기, 페닐프로필기, 페닐부틸기, 1-나프틸메틸기, 2-나프틸메틸기, 9-플루오레닐메틸기, 1-나프틸에틸기, 2-나프틸에틸기, 9-플루오레닐에틸기 등의 탄소수 7∼20의 아랄킬기; 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다.
식 (Xe) 중, R9 및 R10은 각각 독립적으로 C1-C10 알킬기 또는 페닐기이며, R9 및 R10의 한쪽 또는 양쪽에서 적어도 하나의 수소는 불소로 치환되어 있다. X는 -C(H)= 또는 -N=이다.
식 (a1)를 갖는 기의 양이온부로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00010
식 (a2)를 갖는 기의 양이온부로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00011
불소화 카르복실산 음이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00012
Figure pat00013
불소화 페녹시드 음이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00014
Figure pat00015
불소화 술폰아미드 음이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00016
Figure pat00017
Figure pat00018
Figure pat00019
Figure pat00020
Figure pat00021
Figure pat00022
Figure pat00023
Figure pat00024
Figure pat00025
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
Figure pat00029
Figure pat00030
Figure pat00031
Figure pat00032
Figure pat00033
Figure pat00034
Figure pat00035
Figure pat00036
Figure pat00037
Figure pat00038
Figure pat00039
불소화 알콕시드 음이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00040
Figure pat00041
Figure pat00042
Figure pat00043
Figure pat00044
Figure pat00045
Figure pat00046
불소화 1,3-디케톤 음이온, 불소화 β-케토 에스테르 음이온 및 불소화 이미드 음이온로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00047
Figure pat00048
Figure pat00049
반복 단위 (a)는 질소 원자를 가지고 있기 때문에 켄처로서 기능한다. 즉, 상기 베이스 폴리머는 켄처 바운드 폴리머이다. 켄처 바운드 폴리머는 산 확산을 억제하는 효과가 높고, 상술한 것과 같이 해상성이 우수하다고 하는 특징이 있다. 동시에, 반복 단위 (a)는, 불소 원자를 가지고 있기 때문에, 마이너스의 전하를 띤 불소 원자의 반발에 의해 켄처끼리 응집하는 일이 없으므로 산 확산 거리가 균일화된다. 더욱이, 불소 원자의 흡수에 의해 노광 중에 이차전자가 발생하여 산 발생제의 분해를 촉진함으로써 고감도화한다. 이에 따라, 고감도, 고해상, 저LWR 및 저CDU를 동시에 달성할 수 있다.
반복 단위 (a) 내의 불소화 카르복실산 음이온, 불소화 페녹시드 음이온, 불소화 술폰아미드 음이온, 불소화 알콕시드 음이온, 불소화 1,3-디케톤 음이온, 불소화 β-케토 에스테르 음이온 또는 불소화 이미드 음이온은, 알칼리 현상액과 접촉시, 그 현상액 내의 알칼리 화합물과 염을 형성하여 폴리머 주쇄로부터 떨어진다. 이에 따라, 충분한 알칼리 용해성을 확보할 수 있어, 결함의 발생을 억제할 수 있게 된다.
반복 단위 (a)를 부여하는 모노머는 중합성의 질소 함유 염 모노머이다. 상기 질소 함유 염 모노머는, 상기 반복 단위의 양이온부의 질소 원자에 결합한 수소 원자가 1개 탈리한 구조를 갖는 아민 화합물인 모노머와, 식 (Xa)∼(Xe)의 어느 하나로 표시되는 음이온에 수소 원자를 더한 화합물과의 중화 반응에 의해서 얻을 수 있다. 상기 중화 반응은, 아민 화합물인 모노머와 식 (Xa)∼(Xe)의 어느 하나로 표시되는 음이온에 수소 원자를 더한 화합물의 물질량비(몰비)가 1:1이 되는 양으로 행하는 것이 바람직하지만, 어느 한쪽이 과잉이라도 좋다.
반복 단위 (a)는, 상기 질소 함유 염 모노머를 이용하여 중합 반응을 행함으로써 형성되는데, 상기 아민 화합물인 모노머를 이용하여 중합 반응을 행하여 폴리머를 합성한 후, 얻어진 반응 용액 또는 정제한 폴리머를 포함하는 용액에 식 (Xa)∼(Xe)의 어느 하나로 표시되는 음이온에 수소 원자를 더한 화합물을 첨가하여 중화 반응을 행함으로써 형성하여도 좋다.
상기 베이스 폴리머는, 용해 콘트라스트를 높이기 위해서, 수소가 산 불안정기로 치환된 카르복시기를 갖는 반복 단위(이하, 반복 단위 (b1)이라고도 한다.) 및/또는 수소가 산 불안정기로 치환된 페놀성 히드록시기를 갖는 반복 단위(이하, 반복 단위 (b2)라고도 한다.)를 포함하여도 좋다.
바람직한 반복 단위 (b1) 및 (b2)는 각각 하기 식 (b1) 및 (b2)를 갖는다.
Figure pat00050
식 (b1) 및 (b2) 중, RA는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이다. Y1은 단일 결합, 페닐렌, 나프틸렌, 또는 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 락톤환을 함유하는 C1-C12 연결기이다. Y2는 단일 결합, 에스테르 결합 또는 아미드 결합이다. Y3은 단일 결합, 에테르 결합 또는 에스테르 결합이다. R11 및 R12는 각각 독립적으로 산 불안정기이다. R13은 불소, 트리플루오로메틸, 시아노 또는 C1-C6 포화 히드로카르빌기이다. R14는 단일 결합 또는 C1-C6 알칸디일기이며, 이 알칸디일기는 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 함유하고 있어도 좋다. 아랫 첨자 "a"는 1 또는 2이고, b는 0∼4의 정수이며, 1≤a+b≤5이다.
반복 단위 (b1)을 부여하는 모노머로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 하기 식 중, RA 및 R11은 상기와 같다.
Figure pat00051
반복 단위 (b2)를 부여하는 모노머로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 하기 식 중, RA 및 R12는 상기와 같다.
Figure pat00052
R11 또는 R12로 표시되는 산 불안정기로서는 여러 가지가 선정되지만, 예컨대 하기 식 (AL-1)∼(AL-3)으로 표시되는 것을 들 수 있다.
Figure pat00053
식 (AL-1) 중, c는 0∼6의 정수이다. RL1은 탄소수 4∼20, 바람직하게는 4∼15의 제3급 히드로카르빌기, 각 히드로카르빌기가 각각 C1-C6 포화 히드로카르빌기인 트리히드로카르빌실릴기, 카르보닐기, 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 포함하는 탄소수 4∼20의 포화 히드로카르빌기 또는 식 (AL-3)으로 표시되는 기이다. 또한, 제3급 히드로카르빌기란, 탄화수소의 제3급 탄소 원자로부터 수소 원자가 탈리하여 얻어지는 기를 의미한다.
RL1로 표시되는 제3급 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 분기상이라도 환상이라도 좋다. 그 구체예로서는 tert-부틸기, tert-펜틸기, 1,1-디에틸프로필기, 1-에틸시클로펜틸기, 1-부틸시클로펜틸기, 1-에틸시클로헥실기, 1-부틸시클로헥실기, 1-에틸-2-시클로펜테닐기, 1-에틸-2-시클로헥세닐기, 2-메틸-2-아다만틸기 등을 들 수 있다. 상기 트리히드로카르빌실릴기로서는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 디메틸-tert-부틸실릴기 등을 들 수 있다. 상기 카르보닐기, 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 포함하는 포화 히드로카르빌기로서는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋지만, 환상인 것이 바람직하고, 그 구체예로서는 3-옥소시클로헥실기, 4-메틸-2-옥소옥산-4-일기, 5-메틸-2-옥소옥솔란-5-일기, 2-테트라히드로피라닐기, 2-테트라히드로푸라닐기 등을 들 수 있다.
식 (AL-1)를 갖는 산 불안정기로서는 tert-부톡시카르보닐기, tert-부톡시카르보닐메틸기, tert-펜틸옥시카르보닐기, tert-펜틸옥시카르보닐메틸기, 1,1-디에틸프로필옥시카르보닐기, 1,1-디에틸프로필옥시카르보닐메틸기, 1-에틸시클로펜틸옥시카르보닐기, 1-에틸시클로펜틸옥시카르보닐메틸기, 1-에틸-2-시클로펜테닐옥시카르보닐기, 1-에틸-2-시클로펜테닐옥시카르보닐메틸기, 1-에톡시에톡시카르보닐메틸기, 2-테트라히드로피라닐옥시카르보닐메틸기, 2-테트라히드로푸라닐옥시카르보닐메틸기 등을 들 수 있다.
더욱이, 식 (AL-1)를 갖는 산 불안정기로서 하기 식 (AL-1)-1∼(AL-1)-10으로 표시되는 기도 들 수 있다.
Figure pat00054
식 (AL-1)-1∼(AL-1)-10 중, c는 상기와 같다. RL8은 각각 독립적으로 C1-C10 포화 히드로카르빌기 또는 탄소수 6∼20의 아릴기이다. RL9는 수소 원자 또는 C1-C10 포화 히드로카르빌기이다. RL10은 C2-C10 포화 히드로카르빌기 또는 탄소수 6∼20의 아릴기이다. 상기 포화 히드로카르빌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다.
식 (AL-2) 중, RL2 및 RL3은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C18,바람직하게는 C1-C10의 포화 히드로카르빌기이다. 상기 포화 히드로카르빌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋고, 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, n-옥틸기 등을 들 수 있다.
식 (AL-2) 중, RL4는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C18, 바람직하게는 C1-C10의 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 상기 히드로카르빌기로서는 C1-C18 포화 히드로카르빌기 등을 들 수 있고, 이들 수소 원자의 일부가 히드록시기, 알콕시기, 옥소기, 아미노기, 알킬아미노기 등으로 치환되어 있어도 좋다. 이와 같은 치환된 포화 히드로카르빌기로서는 이하에 나타내는 것 등을 들 수 있다.
Figure pat00055
RL2와 RL3, RL2와 RL4 또는 RL3과 RL4의 쌍은 상호 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 또는 탄소 원자와 산소 원자와 함께 고리를 형성하여도 좋고, 이 경우, 고리의 형성에 관여하는 RL2 및 RL3, RL2 및 RL4 또는 RL3 및 RL4는 각각 독립적으로 C1-C18, 바람직하게는 C1-C10의 알칸디일기이다. 이들이 결합하여 얻어지는 고리의 탄소수는 바람직하게는 3∼10, 보다 바람직하게는 4∼10이다.
식 (AL-2)를 갖는 산 불안정기 중, 직쇄상 또는 분기상인 것으로서는, 하기 식 (AL-2)-1∼(AL-2)-69로 표시되는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00056
Figure pat00057
Figure pat00058
식 (AL-2)를 갖는 산 불안정기 중, 환상인 것으로서는, 테트라히드로푸란-2-일기, 2-메틸테트라히드로푸란-2-일기, 테트라히드로피란-2-일기, 2-메틸테트라히드로피란-2-일기 등을 들 수 있다.
또한, 산 불안정기로서 하기 식 (AL-2a) 또는 (AL-2b)를 갖는 기를 들 수 있다. 상기 산 불안정기에 의해서 베이스 폴리머가 분자 사이 또는 분자 내 가교되어 있어도 좋다.
Figure pat00059
식 (AL-2a) 또는 (AL-2b) 중, RL11 및 RL12는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C8 포화 히드로카르빌기이다. 상기 포화 히드로카르빌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 또한, RL11과 RL12는 상호 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 고리를 형성하여도 좋고, 이 경우, RL11 및 RL12는 각각 독립적으로 C1-C8 알칸디일기이다. RL13은 각각 독립적으로 C1-C10 포화 히드로카르빌렌기이다. 상기 포화 히드로카르빌렌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. d 및 e는 각각 독립적으로 0∼10의 정수, 바람직하게는 0∼5의 정수이고, f는 1∼7의 정수, 바람직하게는 1∼3의 정수이다.
식 (AL-2a) 또는 (AL-2b) 중, LA는 (f+1)가의 탄소수 1∼50의 지방족 포화 탄화수소기, (f+1)가의 탄소수 3∼50의 지환식 포화 탄화수소기, (f+1)가의 탄소수 6∼50의 방향족 탄화수소기 또는 (f+1)가의 탄소수 3∼50의 헤테로환기이다. 또한, 이들 기의 -CH2-의 일부가 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋고, 이들 기의 수소 원자의 일부가 히드록시기, 카르복시기, 아실기 또는 불소로 치환되어 있어도 좋다. LA로서는 C1-C20 포화 히드로카르빌렌기, 3가 포화 탄화수소기, 4가 포화 탄화수소기 등의 포화 탄화수소기, 탄소수 6∼30의 아릴렌기 등이 바람직하다. 상기 포화 탄화수소기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. LB는 -C(=O)-O-, -NH-C(=O)-O- 또는 -NH-C(=O)-NH-이다.
식 (AL-2a) 또는 (AL-2b)를 갖는 가교형 아세탈기로서는 하기 식 (AL-2)-70∼(AL-2)-77로 표시되는 기 등을 들 수 있다.
Figure pat00060
식 (AL-3) 중, RL5, RL6 및 RL7은 각각 독립적으로 C1-C20 히드로카르빌기이며, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자, 불소 원자 등의 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 C1-C20 알킬기, 탄소수 3∼20의 환식 포화 히드로카르빌기, 탄소수 2∼20의 알케닐기, 탄소수 3∼20의 환식 불포화 히드로카르빌기, C6-C10 아릴기 등을 들 수 있다. 또한, RL5와 RL6, RL5와 RL7 또는 RL6과 RL7은 상호 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 탄소수 3∼20의 지환을 형성하여도 좋다.
식 (AL-3)으로 표시되는 기로서는 tert-부틸기, 1,1-디에틸프로필기, 1-에틸노르보닐기, 1-메틸시클로펜틸기, 1-에틸시클로펜틸기, 1-이소프로필시클로펜틸기, 1-메틸시클로헥실기, 2-(2-메틸)아다만틸기, 2-(2-에틸)아다만틸기, tert-펜틸기 등을 들 수 있다.
또한, 식 (AL-3)으로 표시되는 기로서 하기 식 (AL-3)-1∼(AL-3)-19로 표시되는 기도 들 수 있다.
Figure pat00061
식 (AL-3)-1∼(AL-3)-19 중, RL14는 각각 독립적으로 C1-C8 포화 히드로카르빌기 또는 탄소수 6∼20의 아릴기이다. RL15 및 RL17은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C20 포화 히드로카르빌기이다. RL16은 탄소수 6∼20의 아릴기이다. 상기 포화 히드로카르빌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 또한, 상기 아릴기로서는 페닐기 등이 바람직하다. RF는 불소 또는 트리플루오로메틸이다. g는 1∼5의 정수이다.
더욱이, 산 불안정기로서 하기 식 (AL-3)-20 또는 (AL-3)-21로 표시되는 기를 들 수 있다. 상기 산 불안정기에 의해서 폴리머가 분자 내 또는 분자 사이 가교되어 있어도 좋다.
Figure pat00062
식 (AL-3)-20 및 (AL-3)-21 중, RL14는 상기와 같다. RL18은 C1-C20 (h+1)가의 포화 히드로카르빌렌기 또는 탄소수 6∼20의 (h+1)가의 아릴렌기이며, 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋다. 상기 포화 히드로카르빌렌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. h는 1∼3의 정수이다.
식 (AL-3)으로 표시되는 산 불안정기를 포함하는 반복 단위를 부여하는 모노머로서는 하기 식 (AL-3)-22로 표시되는 엑소체 구조를 포함하는 (메트)아크릴산에스테르를 들 수 있다.
Figure pat00063
식 (AL-3)-22 중, RA는 상기와 같다. RLc1은 C1-C8 포화 히드로카르빌기 또는 치환되어 있어도 좋은 탄소수 6∼20의 아릴기이다. 상기 포화 히드로카르빌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. RLc2∼RLc11은 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 탄소수 1∼15의 히드로카르빌기이다. 상기 헤테로 원자로서는 산소 원자 등을 들 수 있다. 상기 히드로카르빌기로서는 탄소수 1∼15의 알킬기, 탄소수 6∼15의 아릴기 등을 들 수 있다. RLc2와 RLc3, RLc4와 RLc6, RLc4와 RLc7, RLc5와 RLc7, RLc5와 RLc11, RLc6과 RLc10, RLc8과 RLc9 또는 RLc9와 RLc10은 상호 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 고리를 형성하고 있어도 좋고, 이 경우, 결합에 관여하는 기는 탄소수 1∼15의 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 히드로카르빌렌기이다. 또한, RLc2와 RLc11, RLc8과 RLc11 또는 RLc4와 RLc6은 인접하는 탄소 원자에 결합하는 것끼리 아무것도 통하지 않고서 결합하여, 이중 결합을 형성하여도 좋다. 또, 본 식에 의해 거울상체도 나타낸다.
여기서, 식 (AL-3)-22로 표시되는 반복 단위를 부여하는 모노머로서는 USP 6,448,420 (JP-A 2000-327633)에 기재된 것 등을 들 수 있다. 구체적으로는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 하기 식 중, RA는 상기와 같다.
Figure pat00064
식 (AL-3)으로 표시되는 산 불안정기를 포함하는 반복 단위를 부여하는 모노머로서는, 하기 식 (AL-3)-23으로 표시되는, 푸란디일기, 테트라히드로푸란디일기 또는 옥사노르보르난디일기를 포함하는 (메트)아크릴산에스테르도 들 수 있다.
Figure pat00065
식 (AL-3)-23 중, RA는 상기와 같다. RLc12 및 RLc13은 각각 독립적으로 C1-C10 히드로카르빌기이다. RLc12와 RLc13은 상호 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 지환을 형성하여도 좋다. RLc14는 푸란디일일기, 테트라히드로푸란디일기 또는 옥사노르보르난디일기이다. RLc15는 수소이거나, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C10 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 C1-C10 포화 히드로카르빌기 등을 들 수 있다.
식 (AL-3)-23으로 표시되는 반복 단위를 부여하는 모노머로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 하기 식 중, RA는 상기와 같다.
Figure pat00066
상기 산 불안정기에 더하여, JP 5565293, JP 5434983, JP 5407941, JP 5655756 및 JP 5655755에 기재된 방향족기를 포함하는 산 불안정기를 이용할 수도 있다.
상기 베이스 폴리머는, 히드록시, 카르복시, 락톤환, 카보네이트 결합, 티오카보네이트 결합, 카르보닐, 환형 아세탈, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산 에스테르 결합, 시아노, 아미드 결합, -O-C(=O)-S- 및 -O-C(=O)-NH-로 이루어진 군에서 선택된 밀착성 기를 함유하는 반복 단위 (c)를 더 포함하여도 좋다.
반복 단위 (c)를 부여하는 모노머로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 하기 식 중, RA는 상기와 같다.
Figure pat00067
Figure pat00068
Figure pat00069
Figure pat00070
Figure pat00071
Figure pat00072
Figure pat00073
Figure pat00074
Figure pat00075
Figure pat00076
추가의 실시양태에서, 상기 베이스 폴리머는, 하기 식 (d1), (d2) 및 (d3)을 갖는 반복 단위에서 선택된 적어도 1종의 반복 단위 (d)를 더 포함하여도 좋다. 이하, 이들 단위를 반복 단위 (d1), (d2) 및 (d3)이라고도 한다.
Figure pat00077
식 (d1)∼(d3) 중, RA는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이다. Z1은 단일 결합, C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 나프틸렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기, 또는 -O-Z11-, -C(=O)-O-Z11- 또는 -C(=O)-NH-Z11-이다. Z11은 C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 나프틸렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기이며, 카르보닐 모이어티, 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 히드록시 모이어티를 함유하고 있어도 좋다. Z2는 단일 결합 또는 에스테르 결합이다. Z3은 단일 결합, -Z31-C(=O)-O-, -Z31-O- 또는 -Z31-O-C(=O)-이다. Z31은 C1-C12 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기이며, 카르보닐 모이어티, 에스테르 결합, 에테르 결합, 브롬 또는 요오드를 함유하고 있어도 좋다. Z4는 메틸렌, 2,2,2-트리플루오로-1,1-에탄디일 또는 카르보닐이다. Z5는 단일 결합, 메틸렌, 에틸렌, 페닐렌, 불소화 페닐렌, 트리플루오로메틸-치환된 페닐렌, -O-Z51-, -C(=O)-O-Z51- 또는 -C(=O)-NH-Z51-이다. Z51은 C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 불소화 페닐렌 또는 트리플루오로메틸-치환된 페닐렌이며, 카르보닐 모이어티, 에스테르 결합, 에테르 결합, 할로겐 또는 히드록시 모이어티를 함유하고 있어도 좋다. 또, Z1, Z11, Z31 및 Z51로 표시되는 지방족 히드로카르빌렌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다.
식 (d1)∼(d3) 중, R21∼R28은 각각 독립적으로 할로겐이거나, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 후술하는 식 (1-1) 및 (1-2) 중의 R101∼R105의 설명에 있어서 예시하는 것과 같은 것을 들 수 있다. 또한, R23과 R24 또는 R26과 R27의 쌍이 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 고리를 형성하고 있어도 좋다. 이때, 상기 고리로서는, 후술하는 식 (1-1)의 설명에 있어서 R101과 R102가 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 형성할 수 있는 고리로서 예시하는 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (d1) 중, M-는 비구핵성 반대 이온이다. 상기 비구핵성 반대 이온으로서는, 염화물 이온, 브롬화물 이온 등의 할로겐화물 이온, 트리플레이트 이온, 1,1,1-트리플루오로에탄술포네이트 이온, 노나플루오로부탄술포네이트 이온 등의 플루오로알킬술포네이트 이온, 토실레이트 이온, 벤젠술포네이트 이온, 4-플루오로벤젠술포네이트 이온, 1,2,3,4,5-펜타플루오로벤젠술포네이트 이온 등의 아릴술포네이트 이온, 메실레이트 이온, 부탄술포네이트 이온 등의 알킬술포네이트 이온, 비스(트리플루오로메틸술포닐)이미드 이온, 비스(퍼플루오로에틸술포닐)이미드 이온, 비스(퍼플루오로부틸술포닐)이미드 이온 등의 이미드 이온, 트리스(트리플루오로메틸술포닐)메티드 이온, 트리스(퍼플루오로에틸술포닐)메티드 이온 등의 메티드이온을 들 수 있다.
상기 비구핵성 반대 이온으로서는, 또한 하기 식 (d1-1)를 갖는 α 위치가 불소화 술폰산 이온, 하기 식 (d1-2)를 갖는 α 위치가 불소로 치환되며 β 위치가 트리플루오로메틸-치환된 술폰산 이온 등을 들 수 있다.
Figure pat00078
식 (d1-1) 중, R31은 수소 원자 또는 C1-C20 히드로카르빌기이며, 이 히드로카르빌기는 에테르 결합, 에스테르 결합, 카르보닐기, 락톤환 또는 불소 원자를 함유하고 있어도 좋다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 후술하는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시하는 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (d1-2) 중, R32는 수소, C1-C30 히드로카르빌기 또는 탄소수 2∼30의 히드로카르빌카르보닐기이며, 이 히드로카르빌기 및 히드로카르빌카르보닐기는 에테르 결합, 에스테르 결합, 카르보닐기 또는 락톤환을 함유하고 있어도 좋다. 상기 히드로카르빌기 및 히드로카르빌카르보닐기 중의 히드로카르빌 모이어티는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 후술하는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시하는 것과 같은 것을 들 수 있다.
반복 단위 d1을 부여하는 모노머의 양이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 하기 식 중, RA는 상기와 같다.
Figure pat00079
반복 단위 d2 또 d3을 부여하는 모노머의 양이온의 구체예로서는 후술하는 식 (1-1)를 갖는 술포늄염의 양이온으로서 예시하는 것과 같은 것을 들 수 있다.
반복 단위 d2를 부여하는 모노머의 음이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 하기 식 중, RA는 상기와 같다.
Figure pat00080
Figure pat00081
Figure pat00082
Figure pat00083
Figure pat00084
Figure pat00085
Figure pat00086
Figure pat00087
반복 단위 (d3)을 부여하는 모노머의 음이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 하기 식 중, RA는 상기와 같다.
Figure pat00088
반복 단위 d1∼d3은 산 발생제로서 기능한다. 폴리머 주쇄에 산 발생제를 결합시킴으로써 산 확산을 작게 하고, 산 확산의 흐려짐에 의한 해상도의 저하를 방지할 수 있다. 또한, 산 발생제가 균일하게 분산함으로써 LWR이나 CDU가 개선된다. 또한, 반복 단위 d1∼d3을 포함하는 베이스 폴리머(즉, 폴리머 바운드형 산 발생제)를 이용하는 경우, 후술하는 첨가형 산 발생제의 배합을 생략할 수 있다.
상기 베이스 폴리머는, 아미노기를 포함하지 않고, 요오드 원자를 포함하는 반복 단위 (e)를 더 포함하여도 좋다. 반복 단위 (e)를 부여하는 모노머로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 하기 식 중, RA는 상기와 같다.
Figure pat00089
상기 베이스 폴리머는 상술한 반복 단위 이외의 반복 단위 f를 포함하여도 좋다. 반복 단위 f로서는 스티렌, 비닐나프탈렌, 인덴, 아세나프탈렌, 쿠마린, 쿠말론 등에 유래하는 것을 들 수 있다.
상기 베이스 폴리머에 있어서, 반복 단위 (a), (b1), (b2), (c), (d1), (d2), (d3), (e) 및 (f)의 함유 비율은 0<a<1.0, 0≤b1≤0.9, 0≤b2≤0.9, 0≤b1+b2≤0.9, 0≤c≤0.9, 0≤d1≤0.5, 0≤d2≤0.5, 0≤d3≤0.5, 0≤d1+d2+d3≤0.5, 0≤e≤0.5 및 0≤f≤0.5가 바람직하고, 0.001≤a≤0.8, 0≤b1≤0.8, 0≤b2≤0.8, 0≤b1+b2≤0.8, 0≤c≤0.8, 0≤d1≤0.4, 0≤d2≤0.4, 0≤d3≤0.4, 0≤d1+d2+d3≤0.4, 0≤e≤0.4 및 0≤f≤0.4가 보다 바람직하고, 0.01≤a≤0.7, 0≤b1≤0.7, 0≤b2≤0.7, 0≤b1+b2≤0.7, 0≤c≤0.7, 0≤d1≤0.3, 0≤d2≤0.3, 0≤d3≤0.3, 0≤d1+d2+d3≤0.3, 0≤e≤0.3 및 0≤f≤0.3이 더욱 바람직하다. 단, a+b1+b2+c+d1+d2+d3+e+f=1.0이다.
상기 베이스 폴리머를 합성하기 위해서는, 예컨대 상술한 반복 단위를 부여하는 모노머를, 유기 용제 중, 라디칼 중합개시제를 가하고 가열하여 중합을 행하면 된다. 중합 시에 사용하는 유기 용제로서는 톨루엔, 벤젠, 테트라히드로푸란(THF), 디에틸에테르, 디옥산 등을 들 수 있다. 중합개시제로서는 2,2'-아조비스이소부티로니트릴(AIBN), 2,2'-아조비스(2,4-디메틸발레로니트릴), 디메틸2,2-아조비스(2-메틸프로피오네이트), 벤조일퍼옥사이드, 라우로일퍼옥사이드 등을 들 수 있다. 중합 시의 온도는 바람직하게는 50∼80℃이다. 반응 시간은 바람직하게는 2∼100시간, 보다 바람직하게는 5∼20시간이다.
히드록시기를 함유하는 모노머를 공중합하는 경우, 중합 시에 히드록시기를 에톡시에톡시기 등의 산에 의해서 탈보호하기 쉬운 아세탈기로 치환해 두고서 중합 후에 약산과 물에 의해서 탈보호를 행하여도 좋고, 아세틸기, 포르밀기, 피발로일기 등으로 치환해 두고서 중합 후에 알칼리 가수분해를 행하여도 좋다.
히드록시스티렌이나 히드록시비닐나프탈렌을 공중합하는 경우는, 히드록시스티렌이나 히드록시비닐나프탈렌 대신에 아세톡시스티렌이나 아세톡시비닐나프탈렌을 이용하고, 중합 후에 상기 알칼리 가수분해에 의해서 아세톡시기를 탈보호하여 히드록시스티렌이나 히드록시비닐나프탈렌으로 하여도 좋다.
알칼리 가수분해 시의 염기로서는 암모니아수, 트리에틸아민 등을 사용할 수 있다. 또한, 반응 온도는 바람직하게는 -20∼100℃, 보다 바람직하게는 0∼60℃이다. 반응 시간은 바람직하게는 0.2∼100시간, 보다 바람직하게는 0.5∼20시간이다.
상기 베이스 폴리머는, 용제로서 테트라히드로푸란(THF)을 이용한 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량(Mw)이 바람직하게는 1,000∼500,000, 보다 바람직하게는 2,000∼30,000이다. Mw가 지나치게 작으면 레지스트 재료가 내열성이 뒤떨어지는 것으로 되고, 지나치게 크면 알칼리 용해성이 저하하여, 패턴 형성 후에 풋팅 현상이 생기기 쉽게 된다.
또한, 상기 베이스 폴리머에 있어서 분자량 분포(Mw/Mn)가 넓은 경우는, 저분자량이나 고분자량의 폴리머가 존재하기 때문에, 노광 후에 패턴 상에 이물이 보이거나 패턴의 형상이 악화하거나 할 우려가 있다. 패턴 룰이 미세화함에 따라서, Mw나 Mw/Mn의 영향이 커지기 쉬우므로, 미세한 패턴 치수에 적합하게 이용되는 레지스트 재료를 얻기 위해서는 상기 베이스 폴리머의 Mw/Mn은 1.0∼2.0, 특히 1.0∼1.5로 협분산인 것이 바람직하다.
상기 베이스 폴리머는 조성 비율, Mw, Mw/Mn이 다른 2개 이상의 폴리머를 포함하여도 좋다. 또한, 반복 단위 (a)를 포함하는 폴리머와, 반복 단위 (a)를 포함하지 않고 반복 단위 (b1) 및/또는 b2를 포함하는 폴리머를 블렌드하여도 좋다.
산 발생제
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료는 강산을 발생하는 산 발생제(이하, 첨가형 산 발생제라고도 한다.)를 포함하여도 좋다. 여기서 말하는 강산이란, 베이스 폴리머의 산 불안정기의 탈보호 반응을 일으키기에 충분한 산성도를 가지고 있는 화합물을 의미한다.
상기 산 발생제로서는 예컨대 활성 광선 또는 방사선에 감응하여 산을 발생하는 화합물(광산 발생제)을 들 수 있다. 광산 발생제로서는, 고에너지선 조사에 의해 산을 발생하는 화합물이라면 어떠한 것라도 상관없지만, 술폰산, 이미드산 또는 메티드산을 발생하는 것이 바람직하다. 적합한 광산 발생제로서는 술포늄염, 요오도늄염, 술포닐디아조메탄, N-술포닐옥시이미드, 옥심-O-술포네이트형 산 발생제 등이 있다. 광산 발생제의 구체예로서는 USP 7,537,880(JP-A 2008-111103, 단락 [0122]-[0142]).에 기재되어 있는 것을 들 수 있다.
또한, 광산 발생제로서 하기 식 (1-1)를 갖는 술포늄염이나 하기 식 (1-2)를 갖는 요오도늄염도 적합하게 사용할 수 있다.
Figure pat00090
식 (1-1) 및 (1-2) 중, R101∼R105는 각각 독립적으로 할로겐이거나, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이다.
상기 할로겐로서는 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자 등을 들 수 있다.
R101∼R105로 표시되는 C1-C20 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, 운데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헵타데실기, 옥타데실기, 노나데실기, 이코실기 등의 C1-C20 알킬기; 시클로프로필기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로프로필메틸기, 4-메틸시클로헥실기, 시클로헥실메틸기, 노르보르닐기, 아다만틸기 등의 탄소수 3∼20의 환식 포화 히드로카르빌기; 비닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 헥세닐기 등의 탄소수 2∼20의 알케닐기; 에티닐기, 프로피닐기, 부티닐기 등의 탄소수 2∼20의 알키닐기; 시클로헥세닐기, 노르보르네닐기 등의 탄소수 3∼20의 환식 불포화 지방족 히드로카르빌기; 페닐기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, n-프로필페닐기, 이소프로필페닐기, n-부틸페닐기, 이소부틸페닐기, sec-부틸페닐기, tert-부틸페닐기, 나프틸기, 메틸나프틸기, 에틸나프틸기, n-프로필나프틸기, 이소프로필나프틸기, n-부틸나프틸기, 이소부틸나프틸기, sec-부틸나프틸기, tert-부틸나프틸기 등의 탄소수 6∼20의 아릴기; 벤질기, 페네틸기 등의 탄소수 7∼20의 아랄킬기; 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다.
또한, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자, 할로겐 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋고, 이들 기의 -CH2-의 일부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋으며, 그 결과, 히드록시기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 시아노기, 니트로기, 카르보닐기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산 에스테르 결합, 카보네이트 결합, 락톤환, 술톤환, 카르복실산무수물, 할로알킬기 등을 포함하고 있어도 좋다.
또한, R101과 R102가 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 고리를 형성하여도 좋다. 이때, 상기 고리로서는 이하에 나타내는 구조의 것이 바람직하다.
Figure pat00091
식 중, 파선은 R103에 부착점을 나타낸다.
식 (1-1)를 갖는 술포늄염의 양이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00092
Figure pat00093
Figure pat00094
Figure pat00095
Figure pat00096
Figure pat00097
Figure pat00098
Figure pat00099
Figure pat00100
Figure pat00101
Figure pat00102
Figure pat00103
Figure pat00104
Figure pat00105
Figure pat00106
Figure pat00107
Figure pat00108
식 (1-2)를 갖는 요오도늄염의 양이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다.
Figure pat00109
식 (1-1) 및 (1-2) 중, Xa-는 하기 식 (1A)∼(1D)에서 선택되는 음이온이다.
Figure pat00110
식 (1A) 중, Rfa는 불소 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 탄소수 1∼40의 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 후술하는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시하는 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (1A)를 갖는 음이온으로서는 하기 식 (1A')를 갖는 것이 바람직하다.
Figure pat00111
식 (1A') 중, RHF는 수소 원자 또는 트리플루오로메틸이며, 바람직하게는 트리플루오로메틸이다.
R111은 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 탄소수 1∼38의 히드로카르빌기이다. 상기 헤테로 원자로서는 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 할로겐 원자 등이 바람직하고, 산소 원자가 보다 바람직하다. 상기 히드로카르빌기로서는, 미세 패턴 형성에 있어서 높은 해상도를 얻는다는 점에서, 특히 탄소수 6∼30인 것이 바람직하다. R111로 표시되는 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 운데실기, 트리데실기, 펜타데실기, 헵타데실기, 이코사닐기 등의 탄소수 1∼38의 알킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-아다만틸메틸기, 노르보르닐기, 노르보르닐메틸기, 트리시클로데카닐기, 테트라시클로도데카닐기, 테트라시클로도데카닐메틸기, 디시클로헥실메틸기 등의 탄소수 3∼38의 환식 포화 히드로카르빌기; 알릴기, 3-시클로헥세닐기 등의 탄소수 2∼38의 불포화 지방족 히드로카르빌기; 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등의 탄소수 6∼38의 아릴기; 벤질기, 디페닐메틸기 등의 탄소수 7∼38의 아랄킬기; 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다.
또한, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자, 할로겐 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋고, 이들 기의 -CH2-의 일부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋으며, 그 결과, 히드록시기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 시아노기, 니트로기, 카르보닐기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산 에스테르 결합, 카보네이트 결합, 락톤환, 술톤환, 카르복실산무수물, 할로알킬기 등을 포함하다 있어도 좋다. 헤테로 원자를 포함하는 히드로카르빌기로서는 테트라히드로푸릴기, 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 메틸티오메틸기, 아세트아미드메틸기, 트리플루오로에틸기, (2-메톡시에톡시)메틸기, 아세톡시메틸기, 2-카르복시-1-시클로헥실기, 2-옥소프로필기, 4-옥소-1-아다만틸기, 3-옥소시클로헥실기 등을 들 수 있다.
식 (1A')를 갖는 음이온을 포함하는 술포늄염의 합성에 관해서는 JP-A 2007-145797, JP-A 2008-106045, JP-A 2009-007327, 및 JP-A 2009-258695에 자세히 나와 있다. 또한, JP-A 2010-215608, JP-A 2012-041320, JP-A 2012-106986, 및 JP-A 2012-153644에 기재된 술포늄염도 적합하게 이용된다.
식 (1A)를 갖는 음이온으로서는 JP-A 2018-197853의 식 (1A)를 갖는 음이온으로서 예시된 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (1B) 중, Rfb1 및 Rfb2는 각각 독립적으로 불소 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 탄소수 1∼40의 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다. Rfb1 및 Rfb2로서 바람직하게는 불소 또는 탄소수 1∼4의 직쇄상 불소화알킬기이다. 또한, Rfb1과 Rfb2는 상호 결합하여 이들이 결합하는 기: -CF2-SO2-N--SO2-CF2-와 함께 고리를 형성하여도 좋고, 이때, Rfb1과 Rfb2가 상호 결합하여 얻어지는 기는 불소화에틸렌기 또는 불소화프로필렌기인 것이 바람직하다.
식 (1C) 중, Rfc1, Rfc2 및 Rfc3은 각각 독립적으로 불소 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 탄소수 1∼40의 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다. Rfc1, Rfc2 및 Rfc3으로서 바람직하게는 불소 또는 탄소수 1∼4의 직쇄상 불소화알킬기이다. 또한, Rfc1과 Rfc2는 상호 결합하여 이들이 결합하는 기(-CF2-SO2-C--SO2-CF2-)와 함께 고리를 형성하여도 좋고, 이때, Rfc1과 Rfc2가 상호 결합하여 얻어지는 기는 불소화에틸렌기 또는 불소화프로필렌기인 것이 바람직하다.
식 (1D) 중, Rfd는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 탄소수 1∼40의 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (1D)를 갖는 음이온을 포함하는 술포늄염의 합성에 관해서는 JP-A 2010-215608 및 JP-A 2014-133723에 자세히 나와 있다.
식 (1D)를 갖는 음이온으로서는 USP 11,022,883 (JP-A 2018-197853)의 식 (1D)를 갖는 음이온으로서 예시된 것과 같은 것을 들 수 있다.
또한, 식 (1D)를 갖는 음이온을 포함하는 광산 발생제는, 술포기의 α 위치에 불소 원자를 갖고 있지 않지만, β 위치에 2개의 트리플루오로메틸기를 가지고 있음에 기인하여, 베이스 폴리머 중의 산 불안정기를 절단하기에 충분한 산성도를 가지고 있다. 그 때문에 광산 발생제로서 사용할 수 있다.
광산 발생제로서 하기 식 (2)를 갖는 것도 적합하게 사용할 수 있다.
Figure pat00112
식 (2) 중, R201 및 R202는 각각 독립적으로 할로겐이거나, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C30 히드로카르빌기이다. R203은 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C30 히드로카르빌렌기이다. 또한, R201, R202 및 R203 중의 어느 2개가 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 고리를 형성하여도 좋다. 이때, 상기 고리로서는, 식 (1-1)의 설명에 있어서, R101과 R102가 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 형성할 수 있는 고리로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
R201 및 R202로 표시되는 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, n-펜틸기, tert-펜틸기, n-헥실기, n-옥틸기, 2-에틸헥실기, n-노닐기, n-데실기 등의 C1-C30 알킬기; 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 시클로펜틸메틸기, 시클로펜틸에틸기, 시클로펜틸부틸기, 시클로헥실메틸기, 시클로헥실에틸기, 시클로헥실부틸기, 노르보르닐기, 트리시클로[5.2.1.02,6]데카닐기, 아다만틸기 등의 탄소수 3∼30의 환식 포화 히드로카르빌기; 페닐기, 메틸페닐기, 에틸페닐기, n-프로필페닐기, 이소프로필페닐기, n-부틸페닐기, 이소부틸페닐기, sec-부틸페닐기, tert-부틸페닐기, 나프틸기, 메틸나프틸기, 에틸나프틸기, n-프로필나프틸기, 이소프로필나프틸기, n-부틸나프틸기, 이소부틸나프틸기, sec-부틸나프틸기, tert-부틸나프틸기, 안트라세닐기 등의 탄소수 6∼30의 아릴기; 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다. 또한, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자, 할로겐 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋고, 이들 기의 -CH2-의 일부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋으며, 그 결과, 히드록시기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 시아노기, 니트로기, 카르보닐기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산 에스테르 결합, 카보네이트 결합, 락톤환, 술톤환, 카르복실산무수물, 할로알킬기 등을 포함하고 있어도 좋다.
R203으로 표시되는 히드로카르빌렌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 메탄디일기, 에탄-1,1-디일기, 에탄-1,2-디일기, 프로판-1,3-디일기, 부탄-1,4-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 헥산-1,6-디일기, 헵탄-1,7-디일기, 옥탄-1,8-디일기, 노난-1,9-디일기, 데칸-1,10-디일기, 운데칸-1,11-디일기, 도데칸-1,12-디일기, 트리데칸-1,13-디일기, 테트라데칸-1,14-디일기, 펜타데칸-1,15-디일기, 헥사데칸-1,16-디일기, 헵타데칸-1,17-디일기 등의 C1-C30 알칸디일기; 시클로펜탄디일기, 시클로헥산디일기, 노르보르난디일기, 아다만탄디일기 등의 탄소수 3∼30의 환식 포화 히드로카르빌렌기; 페닐렌±, 메틸페닐렌, 에틸페닐렌, n-프로필페닐렌, 이소프로필페닐렌, n-부틸페닐렌, 이소부틸페닐렌, sec-부틸페닐렌, tert-부틸페닐렌, 나프틸렌기, 메틸나프탈렌기, 에틸나프탈렌기, n-프로필나프탈렌기, 이소프로필나프탈렌기, n-부틸나프탈렌기, 이소부틸나프탈렌기, sec-부틸나프탈렌기, tert-부틸나프탈렌기 등의 탄소수 6∼30의 아릴렌기; 이들을 조합하여 얻어지는 기 등을 들 수 있다. 또한, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자, 할로겐 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋고, 이들 기의 -CH2-의 일부가 산소 원자, 황 원자, 질소 원자 등의 헤테로 원자를 포함하는 기로 치환되어 있어도 좋으며, 그 결과, 히드록시기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 요오드 원자, 시아노기, 니트로기, 카르보닐기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산 에스테르 결합, 카보네이트 결합, 락톤환, 술톤환, 카르복실산무수물, 할로알킬기 등을 포함하고 있어도 좋다. 상기 헤테로 원자로서는 산소 원자가 바람직하다.
식 (2) 중, LC는 단일 결합, 에테르 결합 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌렌기이다. 상기 히드로카르빌렌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 R203으로 표시되는 히드로카르빌렌기로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (2) 중, XA, XB, XC 및 XD는 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 또는 트리플루오로메틸이다. 단, XA, XB, XC 및 XD 중 적어도 하나는 불소 또는 트리플루오로메틸이다.
식 (2) 중, t는 0∼3의 정수이다.
식 (2)를 갖는 PAG로서는 하기 식 (2')를 갖는 것이 바람직하다.
Figure pat00113
식 (2') 중, LC는 상기와 같다. RHF는 수소 원자 또는 트리플루오로메틸이며, 바람직하게는 트리플루오로메틸이다. R301, R302 및 R303은 각각 독립적으로 수소이거나, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는 식 (1A') 중의 R111로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다. x 및 y는 각각 독립적으로 0∼5의 정수이고, z는 0∼4의 정수이다.
식 (2)를 갖는 PAG로서는 USP 9,720,324 (JP-A 2017-026980)의 식 (2)를 갖는 광산 발생제로서 예시된 것과 같은 것을 들 수 있다.
상기 광산 발생제 중, 식 (1A') 또는 (1D)를 갖는 음이온을 포함하는 것은, 산 확산이 작으면서 또한 용제에의 용해성도 우수하여 특히 바람직하다. 또한, 식 (2')를 갖는 것은 산 확산이 매우 작아 특히 바람직하다.
상기 광산 발생제로서 요오드 원자 또는 브롬 원자로 치환된 방향환을 갖는 음이온을 포함하는 술포늄염 또는 요오도늄염을 이용할 수도 있다. 이러한 염으로서는 하기 식 (3-1) 또는 (3-2)를 갖는 것을 들 수 있다.
Figure pat00114
식 (3-1) 및 (3-2) 중, p는 1≤p≤3을 만족하는 정수이다. q 및 r은 1≤q≤5, 0≤r≤3 및 1≤q+r≤5를 만족하는 정수이다. q는 1≤q≤3을 만족하는 정수가 바람직하고, 2 또는 3이 보다 바람직하다. r은 0≤r≤2를 만족하는 정수가 바람직하다.
식 (3-1) 및 (3-2) 중, XBI는 요오드 원자 또는 브롬 원자이고, p 및/또는 q가 2 이상일 때, 상호 동일하더라도 다르더라도 좋다.
식 (3-1) 및 (3-2) 중, L1은 단일 결합, 에테르 결합 또는 에스테르 결합, 또는 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 함유하고 있어도 좋은 C1-C6 포화 히드로카르빌렌기이다. 상기 포화 히드로카르빌렌기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다.
식 (3-1) 및 (3-2) 중, L2는 p가 1일 때는 단일 결합 또는 C1-C20 2가의 연결기이고, p가 2 또는 3일 때는 C1-C20 (p+1)가의 연결기이며, 상기 연결기는 산소 원자, 황 원자 또는 질소 원자를 함유하고 있어도 좋다.
식 (3-1) 및 (3-2) 중, R401은 히드록시기, 카르복시기, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 아미노기, 또는 불소 원자, 염소, 브롬, 히드록시, 아미노기 또는 에테르 결합을 함유하고 있어도 좋은, C1-C20 히드로카르빌기, C1-C20 히드로카르빌옥시기, 탄소수 2∼20의 히드로카르빌카르보닐기, 탄소수 2∼20의 히드로카르빌옥시카르보닐기, 탄소수 2∼20의 히드로카르빌카르보닐옥시기 또는 C1-C20 히드로카르빌술포닐옥시기, 또는 -N(R401A)(R401B), -N(R401C)-C(=O)-R401D 또는 -N(R401C)-C(=O)-O-R401D이다. R401A 및 R401B는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 C1-C6 포화 히드로카르빌기이다. R401C는 수소 원자 또는 C1-C6 포화 히드로카르빌기이며, 할로겐, 히드록시기, C1-C6 포화 히드로카르빌옥시기, C2-C6 포화 히드로카르빌카르보닐기 또는 C2-C6 포화 히드로카르빌카르보닐옥시기를 포함하고 있어도 좋다. R401D는 C1-C16 지방족 히드로카르빌기, 탄소수 6∼12의 아릴기 또는 탄소수 7∼15의 아랄킬기이며, 할로겐, 히드록시기, C1-C6 포화 히드로카르빌옥시기, C2-C6 포화 히드로카르빌카르보닐기 또는 C2-C6 포화 히드로카르빌카르보닐옥시기를 포함하고 있어도 좋다. 상기 지방족 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 상기 히드로카르빌기, 히드로카르빌옥시기, 히드로카르빌카르보닐기, 히드로카르빌옥시카르보닐기, 히드로카르빌카르보닐옥시기 및 히드로카르빌술포닐옥시기는 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. p 및/또는 r이 2 이상일 때, 각 R401은 상호 동일하더라도 다르더라도 좋다.
이들 중, R401로서는 히드록시기, -N(R401C)-C(=O)-R401D, -N(R401C)-C(=O)-O-R401D, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자, 메틸기, 메톡시기 등이 바람직하다.
식 (3-1) 및 (3-2) 중, Rf1∼Rf4는 각각 독립적으로 수소 원자, 불소 또는 트리플루오로메틸이지만, 이들 중 적어도 하나는 불소 또는 트리플루오로메틸이다. 또한, Rf1과 Rf2가 합쳐져 카르보닐기를 형성하여도 좋다. 특히 Rf3 및 Rf4가 함께 불소 원자인 것이 바람직하다.
식 (3-1) 및 (3-2) 중, R402∼R406은 각각 독립적으로 할로겐이거나, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이다. 상기 히드로카르빌기는 포화라도 불포화라도 좋고, 직쇄상, 분기상, 환상의 어느 것이라도 좋다. 그 구체예로서는, 식 (1-1) 및 (1-2)의 설명에 있어서 R101∼R105로 표시되는 히드로카르빌기로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다. 또한, 이들 기의 수소 원자의 일부 또는 전부가 히드록시기, 카르복시기, 할로겐, 시아노기, 니트로기, 메르캅토기, 술톤기, 술폰기 또는 술포늄염 함유 기로 치환되어 있어도 좋고, 이들 기의 -CH2-의 일부가 에테르 결합, 에스테르 결합, 카르보닐기, 아미드 결합, 카보네이트 결합 또는 술폰산 에스테르 결합으로 치환되어 있어도 좋다. 또한, R402 및 R403이 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 고리를 형성하여도 좋다. 이때, 상기 고리로서는, 식 (1-1)의 설명에 있어서 R101과 R102가 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 함께 형성할 수 있는 고리로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (3-1)를 갖는 술포늄염의 양이온으로서는 식 (1-1)를 갖는 술포늄염의 양이온으로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다. 또한, 식 (3-2)를 갖는 요오도늄염의 양이온으로서는 식 (1-2)를 갖는 요오도늄염의 양이온으로서 예시한 것과 같은 것을 들 수 있다.
식 (3-1) 또는 (3-2)를 갖는 오늄염의 음이온으로서는 이하에 나타내는 것을 들 수 있지만, 이들에 한정되지 않는다. 또, 하기 식 중, XBI는 상기와 같다.
Figure pat00115
Figure pat00116
Figure pat00117
Figure pat00118
Figure pat00119
Figure pat00120
Figure pat00121
Figure pat00122
Figure pat00123
Figure pat00124
Figure pat00125
Figure pat00126
Figure pat00127
Figure pat00128
Figure pat00129
Figure pat00130
Figure pat00131
Figure pat00132
Figure pat00133
Figure pat00134
Figure pat00135
Figure pat00136
Figure pat00137
Figure pat00138
Figure pat00139
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료가 첨가형 산 발생제를 포함하는 경우, 그 함유량은 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0.1∼50 질량부가 바람직하고, 1∼40 질량부가 보다 바람직하다. 상기 베이스 폴리머가 반복 단위 d1∼d3을 포함함 으로써 및/또는 첨가형 산 발생제를 포함함으로써, 본 발명의 포지티브형 레지스트 재료는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료로서 기능할 수 있다.
유기 용제
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료는 유기 용제를 포함하여도 좋다. 상기 유기 용제는 상술한 각 성분 및 후술하는 각 성분이 용해 가능한 것이라면 특별히 한정되지 않는다. 상기 유기 용제로서는 JP-A 2008-111103의 단락 [0144]-[0145](USP 7,537,880)에 기재된, 시클로헥사논, 시클로펜타논, 메틸-2-n-펜틸케톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 3-메톡시부탄올, 3-메틸-3-메톡시부탄올, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 디아세톤알코올(DAA) 등의 알코올류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르(PGME), 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 프로필렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 에테르류; 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 젖산에틸, 피루브산에틸, 아세트산부틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 아세트산tert-부틸, 프로피온산tert-부틸, 프로필렌글리콜모노tert-부틸에테르아세테이트 등의 에스테르류; γ-부티로락톤 등의 락톤류 등을 들 수 있다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료 중, 상기 유기 용제의 함유량은, 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 100∼10,000 질량부가 바람직하고, 200∼8,000 질량부가 보다 바람직하다. 상기 유기 용제는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 혼합하여 사용하여도 좋다.
그 밖의 성분
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료는, 상술한 성분에 더하여, 계면활성제, 용해저지제, 켄처, 발수성향상제, 아세틸렌알코올류 등을 포함하여도 좋다.
상기 계면활성제로서는 JP-A 2008-111103의 단락 [0165]-[0166]에 기재된 것을 들 수 있다. 계면활성제를 첨가함으로써, 레지스트 재료의 도포성을 한층 더 향상 또는 제어할 수 있다. 본 발명의 포지티브형 레지스트 재료가 상기 계면활성제를 포함하는 경우, 그 함유량은 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0.0001∼10 질량부가 바람직하다. 상기 계면활성제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료에 용해저지제를 배합함으로써, 노광부와 미노광부의 용해 속도의 차를 한층 더 크게 할 수 있어, 해상도를 한층 더 향상시킬 수 있다. 상기 용해저지제로서는, 분자량이 바람직하게는 100∼1,000, 보다 바람직하게는 150∼800이면서 또한 분자 내에 페놀성 히드록시기를 2개 이상 포함하는 화합물의 상기 페놀성 히드록시기의 수소 원자를 산 불안정기에 의해서 전체적으로 0∼100 몰%의 비율로 치환한 화합물, 또는 분자 내에 카르복시기를 포함하는 화합물의 상기 카르복시기의 수소 원자를 산 불안정기에 의해서 전체적으로 평균 50∼100 몰%의 비율로 치환한 화합물을 들 수 있다. 구체적으로는 비스페놀A, 트리스페놀, 페놀프탈레인, 크레졸노볼락, 나프탈렌카르복실산, 아다만탄카르복실산, 콜산의 히드록시기, 카르복시기의 수소 원자를 산 불안정기로 치환한 화합물 등을 들 수 있으며, 예컨대 USP 7,771,914 (JP-A 2008-122932, 단락 [0155]-[0178])에 기재되어 있다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료가 상기 용해저지제를 포함하는 경우, 그 함유량은 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0∼50 질량부가 바람직하고, 5∼40 질량부가 보다 바람직하다. 상기 용해저지제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 켄처로서는 종래 형태의 염기성 화합물을 들 수 있다. 종래 형태의 염기성 화합물로서는, 제1급, 제2급, 제3급의 지방족 아민류, 혼성 아민류, 방향족 아민류, 복소환 아민류, 카르복시기를 갖는 함질소 화합물, 술포닐기를 갖는 함질소 화합물, 히드록시기를 갖는 함질소 화합물, 히드록시페닐기를 갖는 함질소 화합물, 알코올성 함질소 화합물, 아미드류, 이미드류, 카바메이트류 등을 들 수 있다. 특히 JP-A 2008-111103의 단락 [0146]∼[0164]에 기재된 제1급, 제2급, 제3급의 아민 화합물, 특히 히드록시기, 에테르 결합, 에스테르 결합, 락톤환, 시아노기, 술폰산 에스테르 결합을 갖는 아민 화합물 또는 JP 3790649에 기재된 카바메이트기를 갖는 화합물 등이 바람직하다. 이러한 염기성 화합물을 첨가함으로써, 예컨대 레지스트 막 내에서의 산의 확산 속도를 더욱 억제하거나 형상을 보정하거나 할 수 있다.
또한, 상기 켄처로서, JP-A 2008-158339에 기재되어 있는 α 위치가 불소화되어 있지 않은 술폰산 및 카르복실산의, 술포늄염, 요오도늄염, 암모늄염 등의 오늄염을 들 수 있다. α 위치가 불소화 술폰산, 이미드산 또는 메티드산은, 카르복실산에스테르의 산 불안정기를 탈보호시키기 위해서 필요하지만, α 위치가 불소화되어 있지 않은 오늄염과의 염 교환에 의해서 α 위치가 불소화되어 있지 않은 술폰산 또는 카르복실산이 방출된다. α 위치가 불소화되어 있지 않은 술폰산 및 카르복실산은 탈보호 반응을 일으키지 않기 때문에 켄처로서 기능한다.
상기 켄처의 다른 예로서 USP 7,598,016 (JP-A 2008-239918)에 기재된 폴리머형의 켄처를 들 수 있다. 이것은 레지스트 막 표면에 배향함으로써 레지스트 패턴의 직사각형성을 높인다. 폴리머형 켄처는 액침 노광용의 보호막을 적용했을 때의 패턴의 막 감소나 패턴 톱의 라운딩을 방지하는 효과도 있다.
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료가 상기 켄처를 포함하는 경우, 그 함유량은 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0∼5 질량부가 바람직하고, 0∼4 질량부가 보다 바람직하다. 상기 켄처는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
상기 발수성향상제는, 레지스트 막 표면의 발수성을 향상시키는 것으로, 톱코트를 이용하지 않는 액침 리소그래피에 이용할 수 있다. 상기 발수성향상제로서는 불화알킬기를 포함하는 폴리머, 특정 구조의 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로판올 잔기를 포함하는 폴리머 등이 바람직하고, JP-A 2007-297590 및 JP-A 2008-111103에 예시되어 있는 것이 보다 바람직하다. 상기 발수성향상제는 알칼리 현상액이나 유기 용제 현상액에 용해할 필요가 있다. 상술한 특정 1,1,1,3,3,3-헥사플루오로-2-프로판올 잔기를 갖는 발수성향상제는 현상액에의 용해성이 양호하다. 발수성향상제로서, 아미노기나 아민염을 포함하는 반복 단위를 포함하는 폴리머는, PEB 중의 산의 증발을 막아 현상 후의 홀 패턴의 개구 불량을 방지하는 효과가 높다. 본 발명의 포지티브형 레지스트 재료가 발수성향상제를 포함하는 경우, 그 함유량은 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0∼20 질량부가 바람직하고, 0.5∼10 질량부가 보다 바람직하다. 상기 발수성향상제는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
상기 아세틸렌알코올류로서는 USP 7,771,914 (JP-A 2008-122932, 단락 [0155]-[0178])에 기재된 것을 들 수 있다. 본 발명의 포지티브형 레지스트 재료가 아세틸렌알코올류를 포함하는 경우, 그 함유량은 베이스 폴리머 100 질량부에 대하여 0∼5 질량부가 바람직하다. 상기 아세틸렌알코올류는 1종 단독으로 사용하여도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
방법
본 발명의 포지티브형 레지스트 재료를 다양한 집적 회로 제조에 이용하는 경우는 공지된 리소그래피 기술을 적용할 수 있다. 예컨대 패턴 형성 방법으로서는, 상술한 레지스트 재료를 기판 상에 적용하여 그 기판 상에 레지스트 막을 형성하는 단계와, 상기 레지스트 막을 고에너지선으로 노광하는 단계와, 상기 노광된 레지스트 막을 현상액에서 현상하는 단계를 포함하는 방법을 들 수 있다.
우선, 본 발명의 포지티브형 레지스트 재료를, 집적 회로 제조용의 기판(Si, SiO2, SiN, SiON, TiN, WSi, BPSG, SOG, 유기반사방지막 등) 또는 마스크 회로 제조용의 기판(Cr, CrO, CrON, MoSi2, SiO2 등) 상에 스핀코트, 롤코트, 플로우코트, 딥코트, 스프레이코트, 닥터코트 등의 적당한 도포 방법에 의해 도포막 두께가 0.01∼2 ㎛가 되도록 도포한다. 이것을 핫플레이트 상에서 바람직하게는 60∼150℃, 10초∼30분간, 보다 바람직하게는 80∼120℃, 30초∼20분간 프리베이크하여 레지스트 막을 형성한다.
이어서, 고에너지선을 이용하여 상기 레지스트 막을 노광한다. 상기 고에너지선으로서는 UV, 원자외선, EB, 파장 3∼15 nm의 EUV, X선, 연X선, 엑시머 레이저, γ선, 싱크로트론 방사선 등을 들 수 있다. 상기 고에너지선으로서 UV, 원자외선, EUV, X선, 연X선, 엑시머 레이저, γ선, 싱크로트론 방사선 등을 이용하는 경우는, 직접 또는 목적으로 하는 패턴을 형성하기 위한 마스크를 이용하여, 노광량이 바람직하게는 1∼200 mJ/㎠ 정도, 보다 바람직하게는 10∼100 mJ/㎠ 정도가 되도록 조사한다. 고에너지선으로서 EB를 이용하는 경우는, 노광량이 바람직하게는 0.1∼100 μC/㎠ 정도, 보다 바람직하게는 0.5∼50 μC/㎠ 정도로 직접 또는 목적으로 하는 패턴을 형성하기 위한 마스크를 이용하여 묘화한다. 또한, 본 발명의 포지티브형 레지스트 재료는, 특히 고에너지선 중에서도 KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, EB, EUV, X선, 연X선, γ선, 싱크로트론 방사선에 의한 미세 패터닝에 적합하며, 특히 EB 또는 EUV에 의한 미세 패터닝에 적합하다.
노광 후, 핫플레이트 상 또는 오븐 내에서, 바람직하게는 50∼150℃, 10초∼30분간, 보다 바람직하게는 60∼120℃, 30초∼20분간 PEB를 행하여도 좋다.
노광 후 또는 PEB 후, 0.1∼10 질량%, 바람직하게는 2∼5 질량%의 테트라메틸암모늄히드록시드(TMAH), 테트라에틸암모늄히드록시드(TEAH), 테트라프로필암모늄히드록시드(TPAH), 테트라부틸암모늄히드록시드(TBAH) 등의 알칼리 수용액의 현상액을 이용하여, 3초∼3분간, 바람직하게는 5초∼2분간, 침지(dip)법, 퍼들(puddle)법, 스프레이(spray)법 등의 통상의 방법에 의해 노광된 레지스트 막을 현상함으로써, 빛을 조사한 부분은 현상액에 용해하고, 노광되지 않은 부분은 용해하지 않아, 기판 상에 목적으로 하는 포지티브형의 패턴이 형성된다.
상기 포지티브형 레지스트 재료를 이용하여 유기 용제 현상에 의해서 네거티브 패턴을 얻는 네거티브 현상을 행할 수도 있다. 이때에 이용하는 현상액으로서는 2-옥타논, 2-노나논, 2-헵타논, 3-헵타논, 4-헵타논, 2-헥사논, 3-헥사논, 디이소부틸케톤, 메틸시클로헥사논, 아세토페논, 메틸아세토페논, 아세트산프로필, 아세트산부틸, 아세트산이소부틸, 아세트산펜틸, 아세트산부테닐, 아세트산이소펜틸, 포름산프로필, 포름산부틸, 포름산이소부틸, 포름산펜틸, 포름산이소펜틸, 발레르산메틸, 펜텐산메틸, 크로톤산메틸, 크로톤산에틸, 프로피온산메틸, 프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 젖산메틸, 젖산에틸, 젖산프로필, 젖산부틸, 젖산이소부틸, 젖산펜틸, 젖산이소펜틸, 2-히드록시이소부티르산메틸, 2-히드록시이소부티르산에틸, 안식향산메틸, 안식향산에틸, 아세트산페닐, 아세트산벤질, 페닐아세트산메틸, 포름산벤질, 포름산페닐에틸, 3-페닐프로피온산메틸, 프로피온산벤질, 페닐아세트산에틸, 아세트산2-페닐에틸 등을 들 수 있다. 이들 유기 용제는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
현상의 종료 시에는 린스를 행한다. 린스액으로서는 현상액과 혼용(混溶)하여 레지스트 막을 용해시키지 않는 용제가 바람직하다. 이러한 용제로서는 탄소수 3∼10의 알코올, 탄소수 8∼12의 에테르 화합물, 탄소수 6∼12의 알칸, 알켄, 알킨, 방향족계의 용제가 바람직하게 이용된다.
구체적으로 탄소수 3∼10의 알코올로서는 n-프로필알코올, 이소프로필알코올, 1-부틸알코올, 2-부틸알코올, 이소부틸알코올, tert-부틸알코올, 1-펜탄올, 2-펜탄올, 3-펜탄올, tert-펜틸알코올, 네오펜틸알코올, 2-메틸-1-부탄올, 3-메틸-1-부탄올, 3-메틸-3-펜탄올, 시클로펜탄올, 1-헥산올, 2-헥산올, 3-헥산올, 2,3-디메틸-2-부탄올, 3,3-디메틸-1-부탄올, 3,3-디메틸-2-부탄올, 2-에틸-1-부탄올, 2-메틸-1-펜탄올, 2-메틸-2-펜탄올, 2-메틸-3-펜탄올, 3-메틸-1-펜탄올, 3-메틸-2-펜탄올, 3-메틸-3-펜탄올, 4-메틸-1-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 4-메틸-3-펜탄올, 시클로헥산올, 1-옥탄올 등을 들 수 있다.
탄소수 8∼12의 에테르 화합물로서는 디-n-부틸에테르, 디이소부틸에테르, 디-sec-부틸에테르, 디-n-펜틸에테르, 디이소펜틸에테르, 디-sec-펜틸에테르, 디-tert-펜틸에테르, 디-n-헥실에테르 등을 들 수 있다.
탄소수 6∼12의 알칸으로서는 헥산, 헵탄, 옥탄, 노난, 데칸, 운데칸, 도데칸, 메틸시클로펜탄, 디메틸시클로펜탄, 시클로헥산, 메틸시클로헥산, 디메틸시클로헥산, 시클로헵탄, 시클로옥탄, 시클로노난 등을 들 수 있다. 탄소수 6∼12의 알켄으로서는 헥센, 헵텐, 옥텐, 시클로헥센, 메틸시클로헥센, 디메틸시클로헥센, 시클로헵텐, 시클로옥텐 등을 들 수 있다. 탄소수 6∼12의 알킨으로서는 헥신, 헵틴, 옥틴 등을 들 수 있다.
방향족계 용제로서는 톨루엔, 크실렌, 에틸벤젠, 이소프로필벤젠, tert-부틸벤젠, 메시틸렌 등을 들 수 있다.
린스를 행함으로써 레지스트 패턴의 붕괴나 결함의 발생을 저감시킬 수 있다. 또한, 린스는 반드시 필수는 아니며, 린스를 하지 않음으로써 용제의 사용량을 절감할 수 있다.
현상 후의 홀 패턴이나 트렌치 패턴을, 서멀플로우, RELACS 기술 또는 DSA 기술로 수축(shrink)할 수도 있다. 홀 패턴 상에 수축제를 도포하고, 베이크 중인 레지스트 막으로부터의 산 촉매의 확산에 의해서 레지스트 막의 표면에서 수축제의 가교가 일어나, 수축제가 홀 패턴의 측벽에 부착된다. 베이크 온도는 바람직하게는 70∼180℃, 보다 바람직하게는 80∼170℃이고, 베이크 시간은 바람직하게는 10∼300초이며, 필요 이상의 수축제를 제거하여 홀 패턴을 축소시킨다.
실시예
이하, 본 발명의 실시예를 제한적이 아닌 예시적 방식으로 제시한다. 모든 부는 중량 기준이다(pbw). THF는 테트라히드로푸란을 나타낸다.
[1] 모노머의 합성
합성예 1-1∼1-17
하기 양이온을 부여하는 아미노기를 갖는 중합성의 3급 에스테르 화합물과, 하기 음이온을 부여하는 불소 원자를 갖는 화합물을 1:1(몰비)로 혼합하여, 하기 모노머 M-1∼M-17을 얻었다.
Figure pat00140
Figure pat00141
[2] 베이스 폴리머의 합성
베이스 폴리머의 합성에 이용한 모노머 AM-1∼AM-7 및 PM-1∼PM-3은 이하와 같다. 또한, 폴리머의 Mw는 용제로서 THF를 이용한 GPC에 의한 폴리스티렌 환산 측정치이다.
Figure pat00142
합성예 2-1
폴리머 P-1의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-1을 1.5 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 4-히드록시스티렌을 5.4 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-1을 얻었다. 폴리머 P-1의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00143
합성예 2-2
폴리머 P-2의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-2를 2.0 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로헥실을 7.3 g, 4-히드록시스티렌을 4.8 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-2를 얻었다. 폴리머 P-2의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00144
합성예 2-3
폴리머 P-3의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-3을 2.0 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-1을 11.9 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-3을 얻었다. 폴리머 P-3의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00145
합성예 2-4
폴리머 P-4의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-4를 2.1 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-3을 10.6 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-4를 얻었다. 폴리머 P-4의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00146
합성예 2-5
폴리머 P-5의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-5를 2.1 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-5를 얻었다. 폴리머 P-5의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00147
합성예 2-6
폴리머 P-6의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-6을 2.3 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 4-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-3을 10.6 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-6을 얻었다. 폴리머 P-6의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00148
합성예 2-7
폴리머 P-7의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-7을 2.2 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-7을 얻었다. 폴리머 P-7의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00149
합성예 2-8
폴리머 P-8의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-8을 2.1 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-8을 얻었다. 폴리머 P-8의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00150
합성예 2-9
폴리머 P-9의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-9를 2.2 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 4-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-9를 얻었다. 폴리머 P-9의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00151
합성예 2-10
폴리머 P-10의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-10을 2.0 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 4-히드록시스티렌을 3.8 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-10을 얻었다. 폴리머 P-10의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00152
합성예 2-11
폴리머 P-11의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-11을 2.2 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 4-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-11을 얻었다. 폴리머 P-11의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00153
합성예 2-12
폴리머 P-12의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-12를 2.4 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-12를 얻었다. 폴리머 P-12의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00154
합성예 2-13
폴리머 P-13의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-13을 2.6 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 4-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-13을 얻었다. 폴리머 P-13의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00155
합성예 2-14
폴리머 P-14의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-14를 2.7 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 4-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-14를 얻었다. 폴리머 P-14의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00156
합성예 2-15
폴리머 P-15의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-15를 2.5 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-15를 얻었다. 폴리머 P-15의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00157
합성예 2-16
폴리머 P-16의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-16을 2.9 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-16을 얻었다. 폴리머 P-16의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00158
합성예 2-17
폴리머 P-17의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-17을 2.7 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 4-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-17을 얻었다. 폴리머 P-17의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00159
합성예 2-18
폴리머 P-18의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-12를 2.4 g, 모노머 AM-1을 8.9 g, 4-히드록시스티렌을 4.8 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하고, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-18을 얻었다. 폴리머 P-18의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00160
합성예 2-19
폴리머 P-19의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-12를 2.4 g, 모노머 AM-2를 8.2 g, 3-히드록시스티렌을 4.8 g, 모노머 PM-2를 11.0 g, 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-19를 얻었다. 폴리머 P-19의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00161
합성예 2-20
폴리머 P-20의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-12를 2.4 g, 모노머 AM-3을 4.5 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 4.2 g, 3-히드록시스티렌 3.6 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-20을 얻었다. 폴리머 P-20의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00162
합성예 2-21
폴리머 P-21의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-12를 2.4 g, 모노머 AM-4를 4.5 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 5.0 g, 3-히드록시스티렌 4.2 g, 모노머 PM-2를 3.7 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-21을 얻었다. 폴리머 P-21의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00163
합성예 2-22
폴리머 P-22의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-12를 2.4 g, 모노머 AM-5를 4.6 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 4.2 g, 3-히드록시스티렌 4.2 g, 모노머 PM-2를 11.0 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-22를 얻었다. 폴리머 P-22의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00164
합성예 2-23
폴리머 P-23의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-18을 2.3 g, 모노머 AM-6을 10.8 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-1을 11.9 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-23을 얻었다. 폴리머 P-23의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00165
합성예 2-24
폴리머 P-24의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-19를 2.4 g, 모노머 AM-6을 10.8 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-1을 11.9 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-24를 얻었다. 폴리머 P-24의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00166
합성예 2-25
폴리머 P-25의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-20을 2.3 g, 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 8.4 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-1을 11.9 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-25를 얻었다. 폴리머 P-25의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00167
합성예 2-26
폴리머 P-26의 합성
2 L의 플라스크에, 모노머 M-21을 2.3 g, 모노머 AM-7을 11.1 g, 3-히드록시스티렌을 3.6 g, 모노머 PM-1을 11.9 g 및 용제로서 THF를 40 g 첨가했다. 이 반응 용기를 질소 분위기 하 -70℃까지 냉각하여, 감압 탈기 및 질소 블로우를 3회 반복했다. 실온까지 승온한 후, 중합개시제로서 AIBN을 1.2 g 가하고, 60℃까지 승온하여, 15시간 반응시켰다. 이 반응 용액을 이소프로필알코올 1 L 중에 가하여, 석출된 백색 고체를 여과 분별했다. 얻어진 백색 고체를 60℃에서 감압 건조하여, 폴리머 P-26을 얻었다. 폴리머 P-26의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00168
비교 합성예 1
비교 폴리머 cP-1의 합성
모노머 M-1을 이용하지 않은 것 이외에는, 합성예 2-1과 같은 방법으로 비교 폴리머 cP-1을 얻었다. 비교 폴리머 cP-1의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00169
비교 합성예 2
비교 폴리머 cP-2의 합성
모노머 M-1 대신에 메타크릴산2-(디메틸아미노)에틸을 이용한 것 이외에는, 합성예 2-1과 같은 방법으로 비교 폴리머 cP-2를 얻었다. 비교 폴리머 cP-2의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00170
비교 합성예 3
비교 폴리머 cP-3의 합성
모노머 M-2를 이용하지 않고, 메타크릴산1-메틸-1-시클로헥실의 대신에 메타크릴산1-메틸-1-시클로펜틸을 이용한 것 이외에는, 합성예 2-2와 같은 방법으로 비교 폴리머 cP-3을 얻었다. 비교 폴리머 cP-3의 조성은 13C-NMR 및 1H-NMR에 의해, Mw 및 Mw/Mn은 GPC에 의해 확인했다.
Figure pat00171
[3] 포지티브형 레지스트 재료의 조제 및 평가
실시예 1∼26 및 비교예 1∼3
계면활성제로서 계면활성제 PolyFox PF-636(Omnova Solutions Inc.)을 50 ppm 용해시킨 용제에, 표 1∼3에 나타내는 조성으로 각 성분을 용해시킨 용액을, 0.2 ㎛ 사이즈의 필터로 여과하여, 포지티브형 레지스트 재료를 조제했다. 표 1∼3 중, 각 성분은 이하와 같다.
·유기 용제:
PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트)
DAA(디아세톤알코올)
EL(젖산에틸)
·산 발생제: 하기 구조식의 PAG-1
Figure pat00172
·켄처: 하기 구조식의 Q-1 및 Q-2
Figure pat00173
EUV 리소그래피 평가
표 1∼3에 나타내는 각 레지스트 재료를, 신에츠카가쿠고교(주) 제조의 규소 함유 스핀온 하드마스크 SHB-A940(규소의 함유량이 43 질량%)을 막 두께 20 nm로 형성한 Si 기판 상에 스핀코트하고, 핫플레이트를 이용하여 105℃에서 60초간 프리베이크하여 막 두께 60 nm의 레지스트 막을 제작했다. ASML사 제조 EUV 스캐너 NXE3400(NA0.33, σ0.9/0.6, 쿼드러플 조명, 웨이퍼 상 치수가 피치 46 nm, +20% 바이어스의 홀 패턴의 마스크)을 이용하여 상기 레지스트 막을 노광하고, 핫플레이트 상에서 표 1∼3에 기재한 온도에서 60초간 PEB를 행하고, 2.38 질량%의 TMAH 수용액으로 30초간 현상을 행하여 치수 23 nm의 홀 패턴을 얻었다.
홀 치수가 각각 23 nm로 형성될 때의 노광량을 측정하여 이것을 감도로 했다. 또한, (주)히타치하이테크 제조 측장 SEM(CG5000)를 이용하여 홀 50개의 치수를 측정하고, 그 결과로부터 산출한 표준편차(σ)의 3배치(3σ)를 CDU로서 구했다.
레지스트 조성을 EUV 리소그래피의 감도 및 CDU와 함께 표 1 내지 3에 제시한다.
Figure pat00174
Figure pat00175
Figure pat00176
표 1∼3에 나타낸 결과로부터, 본 발명의 불소화 소정의 음이온과, 제3급 에스테르 구조를 갖는 질소 함유 양이온으로 이루어진 반복 단위를 포함하는 폴리머를 이용한 포지티브형 레지스트 재료는, 충분한 감도와 개선된 CDU를 만족하고 있는 것을 알 수 있었다.
일본 특허 출원 제2021-008403호는 본원에 참고로 인용되어 있다.
몇몇 바람직한 실시양태를 설명하였으나, 상기 교시에 비추어 다수의 변화 및 변형이 그에 이루어질 수 있다. 따라서, 본 발명은, 첨부의 청구범위를 벗어나지 않으면서, 구체적으로 설명된 것과 다르게 실시될 수 있음을 이해해야 한다.

Claims (13)

  1. 불소화 카르복실산 음이온, 불소화 페녹시드 음이온, 불소화 술폰아미드 음이온, 불소화 알콕시드 음이온, 불소화 1,3-디케톤 음이온, 불소화 β-케토 에스테르 음이온 또는 불소화 이미드 음이온과, 제3급 에스테르 구조를 갖는 질소 함유 양이온으로 이루어진 반복 단위 (a)를 포함하는 베이스 폴리머를 포함하는 포지티브형 레지스트 재료.
  2. 제1항에 있어서, 반복 단위 (a)는 하기 식 (a)를 갖는 것인 포지티브형 레지스트 재료:
    Figure pat00177

    식 중,
    RA는 수소 또는 메틸이고,
    X1은 각각 독립적으로 단일 결합, 페닐렌, 나프틸렌, 또는 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 락톤환을 함유하는 C1-C16 연결기이며,
    R은 하기 식 (a1) 또는 (a2)를 갖는 질소 함유 제3급 탄화수소기이고,
    Figure pat00178

    식 중, R1, R2 및 R3은 각각 독립적으로 C1-C8 지방족 히드로카르빌기 또는 C6-C10 아릴기이며, 히드로카르빌기 또는 아릴기는 에테르 결합, 에스테르 결합, 할로겐 또는 트리플루오로메틸을 함유하고 있어도 좋고,
    RN1 및 RN2는 각각 독립적으로 수소, C1-C10 알킬기 또는 C2-C10 알콕시카르보닐기이며, 알킬기 또는 알콕시카르보닐기는 에테르 결합을 함유하고 있어도 좋고,
    원 Ra는 질소 원자를 포함하는 C2-C10 지환식 기이며,
    파선은 원자가 결합을 나타내고,
    X-는 불소화 카르복실산 음이온, 불소화 페녹시드 음이온, 불소화 술폰아미드 음이온, 불소화 알콕시드 음이온, 불소화 1,3-디케톤 음이온, 불소화 β-케토 에스테르 음이온 또는 불소화 이미드 음이온이다.
  3. 제1항에 있어서, 불소화 카르복실산 음이온은 하기 식 (Xa)를 갖고, 불소화 페녹시드 음이온은 하기 식 (Xb)를 가지며, 불소화 술폰아미드 음이온은 하기 식 (Xc)를 갖고, 불소화 알콕시드 음이온은 하기 식 (Xd)를 가지며, 그리고 불소화 1,3-디케톤 음이온, 불소화 β-케토 에스테르 음이온 및 불소화 이미드 음이온은 하기 식 (Xe)를 갖는 것인 포지티브형 레지스트 재료:
    Figure pat00179

    식 중,
    R4 및 R6은 각각 독립적으로 불소 또는 C1-C30 불소화 히드로카르빌기이고, 불소화 히드로카르빌기는 에스테르 결합, 락톤환, 에테르 결합, 카보네이트 결합, 티오에테르 결합, 히드록시, 아미노, 니트로, 시아노, 술포, 술폰산 에스테르 결합, 염소 및 브롬 중에서 선택된 적어도 1종의 모이어티를 함유하고 있어도 좋으며,
    Rf는 불소, 트리플루오로메틸 또는 1,1,1-트리플루오로-2-프로판올이고,
    R5는 염소, 브롬, 히드록시, C1-C6 포화 히드로카르빌옥시기, C2-C6 포화 히드로카르빌옥시카르보닐기, 아미노기 또는 니트로기이며,
    R7은 수소이거나, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C30 히드로카르빌기이고,
    R8은 트리플루오로메틸, C1-C20 히드로카르빌옥시기 또는 C2-C21 히드로카르빌옥시카르보닐기이며, 이 히드로카르빌옥시기 및 히드로카르빌옥시카르보닐기에서의 히드로카르빌 모이어티는 에테르 결합, 에스테르 결합, 티올, 시아노, 니트로, 히드록시, 술톤, 술폰산 에스테르 결합, 아미드 결합 및 할로겐에서 선택된 적어도 1종의 모이어티를 함유하고 있어도 좋고,
    R9 및 R10은 각각 독립적으로 C1-C10 알킬기 또는 페닐기이며, R9 및 R10의 한쪽 또는 양쪽에서 적어도 하나의 수소는 불소로 치환되어 있고,
    X는 -C(H)= 또는 -N=이며,
    m은 1∼5의 정수이고, n은 0∼3의 정수이며, m+n은 1∼5이다.
  4. 제1항에 있어서, 베이스 폴리머는, 수소가 산 불안정기로 치환된 카르복시기를 갖는 반복 단위 (b1), 또는 수소가 산 불안정기로 치환된 페놀성 히드록시기를 갖는 반복 단위 (b2), 또는 둘 다를 더 포함하는 것인 포지티브형 레지스트 재료.
  5. 제4항에 있어서, 반복 단위 (b1)은 하기 식 (b1)을 갖고, 반복 단위 (b2)는 하기 식 (b2)를 갖는 것인 포지티브형 레지스트 재료:
    Figure pat00180

    식 중, RA는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이고, Y1은 단일 결합, 페닐렌, 나프틸렌, 또는 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 락톤환을 함유하는 C1-C12 연결기이며, Y2는 단일 결합, 에스테르 결합 또는 아미드 결합이고, Y3은 단일 결합, 에테르 결합 또는 에스테르 결합이며, R11 및 R12는 각각 독립적으로 산 불안정기이고, R13은 불소, 트리플루오로메틸, 시아노 또는 C1-C6 포화 히드로카르빌기이며, R14는 단일 결합 또는 C1-C6 알칸디일기이고, 알칸디일기는 에테르 결합 또는 에스테르 결합을 함유하고 있어도 좋으며, a는 1 또는 2이고, b는 0∼4의 정수이며, a+b는 1∼5이다.
  6. 제1항에 있어서, 베이스 폴리머는, 히드록시, 카르복시, 락톤환, 카보네이트 결합, 티오카보네이트 결합, 카르보닐, 환형 아세탈, 에테르 결합, 에스테르 결합, 술폰산 에스테르 결합, 시아노, 아미드 결합, -O-C(=O)-S- 및 -O-C(=O)-NH-로 이루어진 군에서 선택된 밀착성 기를 함유하는 반복 단위 (c)를 더 포함하는 것인 포지티브형 레지스트 재료.
  7. 제1항에 있어서, 베이스 폴리머는 하기 식 (d1)∼(d3)을 갖는 반복 단위로부터 선택된 적어도 1종의 반복 단위를 더 포함하는 것인 포지티브형 레지스트 재료:
    Figure pat00181

    식 중,
    RA는 각각 독립적으로 수소 또는 메틸이고,
    Z1은 단일 결합, C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 나프틸렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기, 또는 -O-Z11-, -C(=O)-O-Z11- 또는 -C(=O)-NH-Z11-이며, Z11은 C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 나프틸렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기이고, 카르보닐 모이어티, 에스테르 결합, 에테르 결합 또는 히드록시 모이어티를 함유하고 있어도 좋으며,
    Z2는 단일 결합 또는 에스테르 결합이고,
    Z3은 단일 결합, -Z31-C(=O)-O-, -Z31-O- 또는 -Z31-O-C(=O)-이며, Z31은 C1-C12 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌 또는 이들을 조합하여 얻어지는 C7-C18 기이고, 카르보닐 모이어티, 에스테르 결합, 에테르 결합, 브롬 또는 요오드를 함유하고 있어도 좋으며,
    Z4는 메틸렌, 2,2,2-트리플루오로-1,1-에탄디일 또는 카르보닐이고,
    Z5는 단일 결합, 메틸렌, 에틸렌, 페닐렌, 불소화 페닐렌, 트리플루오로메틸-치환된 페닐렌, -O-Z51-, -C(=O)-O-Z51- 또는 -C(=O)-NH-Z51-이며, Z51은 C1-C6 지방족 히드로카르빌렌기, 페닐렌, 불소화 페닐렌 또는 트리플루오로메틸-치환된 페닐렌 기이고, 카르보닐 모이어티, 에스테르 결합, 에테르 결합, 할로겐 또는 히드록시 모이어티를 함유하고 있어도 좋으며,
    R21∼R28은 각각 독립적으로 할로겐이거나, 또는 헤테로 원자를 함유하고 있어도 좋은 C1-C20 히드로카르빌기이고, R23과 R24 또는 R26과 R27의 쌍은 상호 결합하여 이들이 결합하는 황 원자와 고리를 형성하고 있어도 좋으며,
    M-는 비구핵성 반대 이온이다.
  8. 제1항에 있어서, 산 발생제를 더 포함하는 포지티브형 레지스트 재료.
  9. 제1항에 있어서, 유기 용제를 더 포함하는 포지티브형 레지스트 재료.
  10. 제1항에 있어서, 켄처를 더 포함하는 포지티브형 레지스트 재료.
  11. 제1항에 있어서, 계면활성제를 더 포함하는 포지티브형 레지스트 재료.
  12. 제1항의 포지티브형 레지스트 재료를 기판 상에 적용하여 그 기판 상에 레지스트 막을 형성하는 단계, 레지스트 막을 고에너지선으로 노광하는 단계, 및 노광된 레지스트 막을 현상액에서 현상하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  13. 제12항에 있어서, 고에너지선은 i선, KrF 엑시머 레이저, ArF 엑시머 레이저, EB, 또는 파장 3∼15 nm의 EUV인 패턴 형성 방법.
KR1020220008754A 2021-01-22 2022-01-20 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 KR20220106706A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2021-008403 2021-01-22
JP2021008403 2021-01-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220106706A true KR20220106706A (ko) 2022-07-29

Family

ID=82606633

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220008754A KR20220106706A (ko) 2021-01-22 2022-01-20 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20220252983A1 (ko)
JP (1) JP2022113119A (ko)
KR (1) KR20220106706A (ko)
TW (1) TWI806371B (ko)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006045311A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 高分子化合物、酸発生剤、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
JP2006178317A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP2008133312A (ja) 2006-11-27 2008-06-12 Mitsubishi Rayon Co Ltd 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法
JP2009181062A (ja) 2008-01-31 2009-08-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2011039266A (ja) 2009-08-11 2011-02-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP2020098329A (ja) 2018-12-14 2020-06-25 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0113481B1 (en) * 1982-12-28 1988-03-16 Tosoh Corporation Fluorocarbon polymers and process for their preparation
JP4435196B2 (ja) * 2007-03-29 2010-03-17 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP5440515B2 (ja) * 2011-01-14 2014-03-12 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP6761386B2 (ja) * 2016-09-29 2020-09-23 信越化学工業株式会社 粘着剤組成物、生体電極、生体電極の製造方法、及び塩
EP3605228B1 (en) * 2017-03-30 2022-02-09 JSR Corporation Radiation sensitive composition and resist pattern forming method
JP7283372B2 (ja) * 2019-01-25 2023-05-30 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
JP7351256B2 (ja) * 2019-06-17 2023-09-27 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP2022019584A (ja) * 2020-07-17 2022-01-27 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法
JP2022113120A (ja) * 2021-01-22 2022-08-03 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP2023077401A (ja) * 2021-11-24 2023-06-05 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP2023077400A (ja) * 2021-11-24 2023-06-05 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006045311A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 高分子化合物、酸発生剤、ポジ型レジスト組成物、およびレジストパターン形成方法
JP2006178317A (ja) 2004-12-24 2006-07-06 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP2008133312A (ja) 2006-11-27 2008-06-12 Mitsubishi Rayon Co Ltd 重合体、レジスト組成物及びパターンが形成された基板の製造方法
JP2009181062A (ja) 2008-01-31 2009-08-13 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2011039266A (ja) 2009-08-11 2011-02-24 Shin-Etsu Chemical Co Ltd レジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法
JP2020098329A (ja) 2018-12-14 2020-06-25 信越化学工業株式会社 ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
비특허문헌 1: SPIE Vol. 6520 65203L-1 (2007)

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022113119A (ja) 2022-08-03
US20220252983A1 (en) 2022-08-11
TW202234163A (zh) 2022-09-01
TWI806371B (zh) 2023-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI723752B (zh) 正型光阻材料及圖案形成方法
KR102448708B1 (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20210047261A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR102389741B1 (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP2020098329A (ja) ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
KR20220030894A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20210099529A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP7351262B2 (ja) ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
TWI803155B (zh) 正型阻劑材料及圖案形成方法
KR20230076775A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20230076776A (ko) 포지티브형 레지스트 조성물 및 패턴 형성 방법
KR20220108732A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR102425324B1 (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20220021421A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
TWI806371B (zh) 正型阻劑材料及圖案形成方法
TWI797974B (zh) 正型阻劑材料及圖案形成方法
JP7468295B2 (ja) ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
TWI837959B (zh) 正型阻劑材料及圖案形成方法
TWI790899B (zh) 正型阻劑材料及圖案形成方法
KR20230050248A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20220117842A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR20230072421A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
CN116893576A (zh) 正型抗蚀剂材料及图案形成方法
KR20230141545A (ko) 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP2023152629A (ja) ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal