KR20220101628A

KR20220101628A - 배선 회로 기판

Info

Publication number: KR20220101628A
Application number: KR1020227016155A
Authority: KR
Inventors: 리히토 후쿠시마; 슈사쿠 시바타; 유사쿠 다마키
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2019-11-20
Filing date: 2020-11-05
Publication date: 2022-07-19
Also published as: CN114642085A; TW202130233A; JP2021082720A; WO2021100471A1; US20220408556A1

Abstract

배선 회로 기판(X)은 절연층(11)과, 한쌍의 배선층(21, 21)과, 절연층(12)과, 배선층(22)을 구비한다. 한쌍의 배선층(21, 21)은 절연층(11) 상에 배치되며, 서로 이격되어 나란하게 연장된다. 절연층(12)은 절연층(11) 상에, 한쌍의 배선층(21, 21)을 덮도록 배치되어 있다. 배선층(22)은 절연층(12) 상에 배치되며, 한쌍의 배선층(21, 21)에 대해 배선층(21)의 두께방향에 있어서 대향하면서 한쌍의 배선층(21, 21)을 따라서 연장된다. 배선층(22)은 돌기부(22A)를 갖는다. 돌기부(22A)는 배선층(21, 21) 사이의 영역(G)을 향하여 절연층(12)에 돌입하고, 영역(G)을 따라서 연장된다.

Description

배선 회로 기판

본 발명은 배선 회로 기판에 관한 것이다.

배선 회로 기판에 실장되는 반도체 부품에는, 고기능화에 따라서 사이즈업이 진행되는 것이 있다. 또한, 배선 회로 기판에 대해서는, 그것이 조립되는 기기의 소형화의 관점에서, 사이즈에 제한이 있어, 축소가 요구되는 경우도 있다. 그 때문에, 배선 회로 기판에 있어서는, 배선을 형성 가능한 공간이 감소하는 경향이 있다.

이와 같은 경향에 따라서, 기판의 동일 평면 상에 끌어돌려지는 배선의 폭과 간격을 미세화하면, 배선 회로 기판의 신뢰성이나 제조 수율이 저하하기 쉽다. 그 때문에, 배선 형성 공간의 감소에 대응하기 위해서, 기판 상에 끌어돌려지는 배선을 2층화하는 것이 검토되고 있다. 이와 같은, 배선의 2층화에 관한 기술에 대해서는, 예를 들면 하기의 특허문헌 1에 기재되어 있다.

일본 특허 공개 제 2009-252816 호 공보

한편, 배선 기판에 있어서의 고밀도화가 진행되는 배선에 대해서는, 저저항화로의 요구도 있다.

본 발명은 배선의 저저항화를 도모하면서 고밀도화를 도모하는데 적합한 배선 회로 기판을 제공한다.

본 발명 [1]은, 제 1 절연층과, 상기 제 1 절연층 상에 배치되며, 서로 이격되어 나란하게 연장되는 한쌍의 제 1 배선층과, 상기 제 1 절연층 상에, 상기 한 쌍의 제 1 배선층을 덮도록 배치된 제 2 절연층과, 상기 제 2 절연층 상에 배치되며, 상기 한쌍의 제 1 배선층에 대해 상기 제 1 배선층의 두께방향에 있어서 대향하면서 상기 한쌍의 제 1 배선층을 따라서 연장되는 제 2 배선층을 구비하고, 상기 제 2 배선층은, 상기 한쌍의 제 1 배선층 사이의 영역을 향하여 상기 제 2 절연층에 돌입하며 또한 상기 영역을 따라서 연장되는 돌기부를 갖는, 배선 회로 기판을 포함한다.

본 발명의 배선 회로 기판은, 상술한 바와 같이, 한쌍의 제 1 배선층과, 이들에 대향함에 따라서 연장되는 제 2 배선층을 구비한다. 이와 같은 배선 회로 기판은, 배선의 고밀도화를 도모하는데 적합하다. 이와 함께, 제 2 배선층은, 상술한 바와 같이, 제 1 배선층 사이 영역을 향하여 제 2 절연층에 돌입하고 상기 영역을 따라서 연장되는 돌기부를 갖는다. 이와 같은 구성은, 제 2 배선층에 대해, 제 1 배선층 사이의 공간을 유효 활용하여 단면적의 증가를 도모하는데 적합하며, 따라서 전기 저항의 저감(저저항화)을 도모하는데 적합하다. 부가하여, 제 2 배선층의 돌기부는, 제 2 절연층에 대한 앵커 효과에 의해 상기 제 2 절연층으로의 제 2 배선층의 밀착성을 확보하는데 도움이 되며, 따라서 제 2 배선층의 신뢰성을 확보하는데 적합하다.

본 발명 [2]는, 상기 돌기부는 상기 제 2 배선층의 연장방향과 교차하는 폭방향의 단면에 있어서 비평탄인 정상부를 갖는, 상기 [1]에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.

돌기부가 이와 같은 정상부를 갖는 구성은, 제 2 절연층에 대한 돌기부의 앵커 효과에 의해 제 2 절연층에 대한 제 2 배선층의 밀착성을 확보하는데 도움이 되며, 따라서 제 2 배선층의 신뢰성을 확보하는데 적합하다.

본 발명 [3]은, 상기 돌기부는, 상기 폭방향에 있어서의 상기 정상부의 한쪽측에 배치되며 제 2 배선층 내부측으로 오목한 제 1 만곡 측면과, 상기 폭방향에 있어서의 상기 정상부의 다른쪽측에 배치되며 제 2 배선층 내부측으로 오목한 제 2 만곡 측면을 더 갖는, 상기 [2]에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.

돌기부가 이와 같은 제 1 및 제 2 만곡 측면을 이루는 구성은, 제 2 절연층에 대한 돌기부의 앵커 효과에 의해 제 2 절연층에 대한 제 2 배선층의 밀착성을 확보하는데 도움이 되며, 따라서 제 2 배선층의 신뢰성을 확보하는데 적합하다.

본 발명 [4]는, 상기 두께방향에 있어서의 상기 제 1 배선층과 상기 제 2 배선층 사이의 거리는 2㎛ 이상 20㎛ 이하인, 상기 [1] 내지 [3] 중 어느 하나에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.

이와 같은 구성은 제 1 배선층과 제 2 배선층 사이의 쇼트를 회피하면서 배선 회로 기판의 박형화를 도모하는데 적합하다.

본 발명 [5]는, 상기 한쌍의 제 1 배선층 사이의 거리는 5㎛ 이상 30㎛ 이하인, 상기 [1] 내지 [4] 중 어느 하나에 기재된 배선 회로 기판을 포함한다.

이와 같은 구성은, 제 1 배선층 사이의 쇼트를 회피하면서 배선의 고밀도화를 도모하는데 적합하다.

도 1은 본 발명의 배선 회로 기판의 일 실시형태의 개략 평면도이다.
도 2는 본 발명의 배선 회로 기판의 일 실시형태에 있어서의 다층 배선 구조부의 폭방향의 단면도이다.
도 3은 본 발명의 배선 회로 기판의 일 실시형태에 있어서의 다층 배선 구조부의 연장방향의 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 배선 회로 기판의 일 실시형태의 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을, 도 2에 상당하는 단면의 변화로 하여 도시한다. 도 4의 (A)는 준비 공정을 도시하며, 도 4의 (B)는 제 1 절연층 형성 공정을 도시하며, 도 4의 (C)는 제 1 도체부 형성 공정을 도시한다.
도 5는 도 4에 도시하는 공정 후에 계속되는 공정을 도시한다. 도 5의 (A)는 제 2 절연층 형성 공정을 도시하며, 도 5의 (B)는 제 2 도체부 형성 공정을 도시하며, 도 5의 (C)는 제 3 절연층 형성 공정을 도시한다.
도 6은 본 발명의 배선 회로 기판의 일 실시형태의 제조 방법에 있어서의 일부의 공정을, 도 3에 상당하는 단면의 변화로 하여 도시한다. 도 6의 (A)는 준비 공정을 도시하며, 도 6의 (B)는 제 1 절연층 형성 공정을 도시하며, 도 6의 (C)는 제 1 도체부 형성 공정을 도시한다.
도 7은 도 6에 도시하는 공정 후에 계속되는 공정을 도시한다. 도 7의 (A)는 제 2 절연층 형성 공정을 도시하며, 도 7의 (B)는 제 2 도체부 형성 공정을 도시하며, 도 7의 (C)는 제 3 절연층 형성 공정을 도시한다.
도 8은 배선 회로 기판의 변형예에 있어서의 다층 배선 구조부의 연장방향의 부분 단면도이다.

도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시형태인 배선 회로 기판(X)을 도시한다. 도 1은 배선 회로 기판(X)의 개략 평면도이다. 도 2는 배선 회로 기판(X)에 있어서의 다층 배선 구조부의 폭방향의 단면도이다. 도 3은 배선 회로 기판(X)에 있어서의 다층 배선 구조부의 연장방향의 부분 단면도이다.

배선 회로 기판(X)은, 도 1에 도시하는 바와 같이, 부품 실장 영역(R1)과, 그 주위의 배선 형성 영역(R2)을 갖는다. 부품 실장 영역(R1)은 반도체 칩 등의 실장 부품이 배치되는 영역이다. 부품 실장 영역(R1)에는, 실장 부품과의 전기적 접속을 위한 패드부(도시 생략)가 마련되어 있다. 배선 형성 영역(R2)에는, 복수의 배선(도시 생략)이 끌어돌려져 형성되어 있다. 복수의 배선에는, 예를 들면, 전원 배선, 신호 배선, 및 그라운드 배선이 포함된다. 복수의 배선의 적어도 일부는 배선 형성 영역(R2)에 마련되어 있는 외부 접속용의 단자부(도시 생략)와 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 배선 회로 기판(X)은 그 배선 형성 영역(R2)에서, 도 2 및 도 3에 도시하는 다층 배선 구조부를 포함한다.

다층 배선 구조부는 두께방향에 대향하여 서로 나란하게 연장되는 배선을 포함하는 배선 구조부로서, 제 1 절연층으로서의 절연층(11)과, 제 2 절연층으로서의 절연층(12)과, 제 3 절연층으로서의 절연층(13)과, 한쌍의 제 1 배선층으로서의 한쌍의 배선층(21)과, 제 2 배선층으로서의 배선층(22)을 구비한다. 도 2 및 도 3은 기재(S) 상에 배치되어 있는 다층 배선 구조부를 예시적으로 도시한다.

기재(S)는 배선 회로 기판(X)의 강성을 확보하기 위한 요소이며, 도 1에 도시하는 평면에서 보아 배선 회로 기판(X)의 전체 또는 일부의 영역에 마련되어 있다.

배선 회로 기판(X)이 플렉시블 배선 회로 기판으로서 구성되는 경우, 기재(S)는, 예를 들면 유연한 금속 지지층이다. 금속 지지층의 구성 재료로서는, 예를 들면 금속박을 들 수 있다. 금속박의 금속 재료로서는, 예를 들면, 스테인리스, 42 앨로이, 구리, 및 구리 합금을 들 수 있다. 스테인리스로서는, 예를 들면, AISI(미국 철강 협회)의 규격에 기초하는 SUS304를 들 수 있다. 금속 지지층으로서의 기재(S)의 두께는, 예를 들면 15㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면 500㎛ 이하, 바람직하게, 250㎛ 이하이다.

배선 회로 기판(X)이 리지드 배선 회로 기판으로서 구성되는 경우, 기재(S)는 리지드 기판이다. 리지드 기판으로서는, 예를 들면, 유리 에폭시 기판 및 금속 평판을 들 수 있다. 리지드 기판으로서의 기재(S)의 두께는, 예를 들면 0.1㎜ 이상이며, 또한, 예를 들면 2㎜ 이하, 바람직하게 1.6㎜ 이하이다.

절연층(11)은 기재(S)의 두께방향 한쪽면 상에 형성되어 있다. 절연층(11)의 구성 재료로서는, 예를 들면, 폴리이미드, 폴리에테르니트릴, 폴리에테르설폰, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 및 폴리염화비닐 등의 합성 수지를 들 수 있다(후술의 절연층(12, 13)의 구성 재료로서도, 마찬가지의 합성 수지를 들 수 있다). 절연층(11)의 두께는, 예를 들면 1㎛ 이상, 바람직하게 3㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면 35㎛ 이하, 바람직하게 15㎛ 이하이다.

한쌍의 배선층(21, 21)은, 절연층(11)의 두께방향 한쪽면 상에 배치되어 있다. 한쌍의 배선층(21, 21)은 서로 이격되어 나란하게 연장된다. 이와 같은 태양에 있어서, 한쌍의 배선층(21, 21)은 절연층(11) 상에서 소정의 패턴 형상을 갖는다.

배선층(21)의 두께는, 예를 들면 3㎛ 이상, 바람직하게 5㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면 50㎛ 이하, 바람직하게 30㎛ 이하이다. 배선층(21)의 폭(배선층(21)의 연장방향과 직교하는 방향의 치수)은 예를 들면 5㎛ 이상, 바람직하게 8㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면 100㎛ 이하, 바람직하게 50㎛ 이하이다. 한쌍의 배선층(21, 21) 사이의 이격방향에 있어서의 거리(L1)는, 바람직하게 5㎛ 이상, 보다 바람직하게 8㎛ 이상이며, 또한, 바람직하게 30㎛ 이하, 보다 바람직하게 20㎛ 이하이다.

배선층(21)의 구성 재료로서는, 예를 들면, 구리, 니켈, 금, 땜납, 또는 그들 합금 등의 금속 재료를 들 수 있으며, 바람직하게, 구리를 들 수 있다(후술의 배선층(22)의 구성 재료에 대해서도 마찬가지이다).

절연층(12)은 절연층(11)의 두께방향 한쪽면 상에, 한쌍의 배선층(21, 21)을 덮도록 배치되어 있다. 절연층(12)의 두께(절연층(11)으로부터의 최대 높이)는 배선층(21)의 두께보다 크다.

배선층(22)은, 도 2에 도시하는 바와 같이, 절연층(12)의 두께방향 한쪽면 상에 배치되며, 두께방향에 있어서, 한쌍의 배선층(21, 21)에 대해 절연층(12)을 개재하고 대향하고 있다. 이와 함께, 배선층(22)은 도 3에 도시하는 바와 같이, 한쌍의 배선층(21, 21)의 각각을 따라서 연장된다. 이와 같은 배선층(22)은, 예를 들면 절연층(11) 상에 마련된 도면 외의 도전 패드부와 접속되어 있다.

배선층(22)의 폭(배선층(22)의 연장방향과 직교하는 방향의 치수)은, 한쌍의 배선층(21, 21)과 상술한 바와 같이 대향하는 한에 있어서, 예를 들면, 8㎛ 이상, 바람직하게, 10㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면 100㎛ 이하, 바람직하게 80㎛ 이하이다.

배선층(22)은 돌기부(22A)를 갖는다. 돌기부(22A)는 도 2에 도시하는 바와 같이, 한쌍의 배선층(21, 21) 사이의 영역(G)을 향하여 절연층(12)에 돌입하며, 또한, 영역(G)을 따라서 연장된다. 돌기부(22A)는 정상부(22a)를 갖는다. 정상부(22a)는 배선층(22)의 연장방향과 교차(본 실시형태에서는 직교)하는 폭방향의 단면(도 2에 도시하는 단면)에 있어서, 비평탄이며, 외측으로 부풀어 오르는 반경을 갖는다.

돌기부(22A)는 도 2에 도시하는 바와 같이, 만곡 측면(22b)(제 1 만곡 측면) 및 만곡 측면(22c)(제 2 만곡 측면)을 갖는다. 만곡 측면(22b)은 폭방향에 있어서의 정상부(22a)의 한쪽측에 배치되며, 배선층(22) 내부측으로 오목하다. 만곡 측면(22c)은 폭방향에 있어서의 정상부(22a)의 다른쪽측에 배치되며 배선층(22) 내부 측으로 오목하다.

또한, 배선층(22)은 이격방향에 있어서의 한쌍의 배선층(21, 21) 사이의 위치(구체적으로는 돌기부(22A) 형성 위치)에 있어서, 배선층(21)에 대향하는 부위(22E)보다 두꺼운 부위(22F)를 갖는다. 부위(22E)의 두께는, 바람직하게, 3㎛ 이상, 보다 바람직하게, 5㎛ 이상이며, 또한, 바람직하게, 50㎛ 이하, 보다 바람직하게, 30㎛ 이하이다. 부위(22F)의 두께는, 부위(22E)보다 두꺼운 한에 있어서, 바람직하게, 3㎛ 이상, 보다 바람직하게, 5㎛ 이상이며, 또한, 바람직하게, 60㎛ 이하, 보다 바람직하게, 40㎛ 이하이다.

두께방향에 있어서의 배선층(21)과 배선층(22) 내지 그 부위(22E) 사이의 거리(L2)는 바람직하게, 2㎛ 이상, 보다 바람직하게, 5㎛ 이상이며, 또한, 바람직하게, 20㎛ 이하, 보다 바람직하게, 15㎛ 이하이다.

절연층(13)은 절연층(12)의 두께방향 한쪽면 상에, 배선층(22)을 덮도록 배치되어 있다. 절연층(13)의 두께(절연층(12)으로부터의 높이)는 배선층(22)의 두께보다 크다. 절연층(13)의 두께는, 배선층(22)보다 두꺼운 한에 있어서, 예를 들면 4㎛ 이상, 바람직하게, 6㎛ 이상이며, 또한, 예를 들면 60㎛ 이하, 바람직하게, 40㎛ 이하이다.

배선 회로 기판(X)의 다층 배선 구조부에 있어서의 배선층(21) 및 배선층(22)은 신호 배선, 또는 전원 배선(즉, 전력 공급용의 배선)이다. 전원 배선은, 저저항인 것으로의 요구가 강한 경우가 많으며, 배선 회로 기판(X)은, 그와 같은 전원 배선에 있어서 저저항화를 도모하면서 고밀도화를 도모하는데 적합하다.

도 4 내지 도 7은 배선 회로 기판(X)의 제조 방법의 일 예를 도시한다. 도 4 및 도 5는 본 제조 방법을, 도 2에 상당하는 단면의 변화로 하여 도시하며, 도 6 및 도 7은 본 제조 방법을, 도 3에 상당하는 단면의 변화로 하여 도시한다.

본 제조 방법에서는, 우선, 도 4의 (A) 및 도 6의 (A)에 도시하는 바와 같이, 기재(S)를 준비한다(준비 공정).

다음에, 도 4의 (B) 및 도 6의 (B)에 도시하는 바와 같이, 기재(S) 상에 절연층(11)을 형성한다(제 1 절연층 형성 공정). 본 공정에서는, 예를 들면, 절연층(11) 형성용의 수지의 용액(바니시)을 기재(S) 상에 도포하고 건조시키는 것에 의해, 절연층(11)을 형성한다. 절연층(11)이 평면에서 보아 소정의 패턴 형상을 갖는 경우에는, 예를 들면, 절연층(11) 형성용의 감광성 수지의 용액(바니시)을 기재(S) 상에 도포하고 건조시킨 후, 이에 의해 형성된 도막에 대해, 소정 마스크를 거친 노광 처리와, 그 후의 현상 처리와, 그 후에 필요에 따라서 베이크 처리를 실시한다. 이와 같이 하여, 소정 패턴의 절연층(11)을 기재(S) 상에 형성한다.

다음에, 도 4의 (C) 및 도 6의 (C)에 도시하는 바와 같이, 절연층(11) 상에 배선층(21)을 패턴 형성한다(제 1 도체부 형성 공정). 배선층(21)의 형성 수법으로서는, 예를 들면, 애더티브법 및 서브트랙티브법을 들 수 있다. 본 공정에 있어서, 애더티브법을 채용하는 경우에는, 예를 들면 다음과 같이 하여 배선층(21)을 형성한다.

우선, 절연층(11)의 노출면에, 예를 들면 스패터링법에 의해, 전해 도금막 형성용의 통전층인 얇은 시드층(도시 생략)을 형성한다. 시드층의 구성 재료로서는, 구리, 크롬, 니켈, 및 이들 합금을 들 수 있다. 다음에, 시드층 상에 레지스트 패턴을 형성한다. 레지스트 패턴은 배선층(21)의 패턴 형상에 상당하는 패턴 형상의 개구부를 갖는다. 레지스트 패턴의 형성에 있어서는, 예를 들면, 감광성의 레지스트 필름을 시드층 상에 접합하여 레지스트막을 형성한 후, 상기 레지스트막에 대해, 소정 마스크를 거친 노광 처리와, 그 후의 현상 처리와, 그 후에 필요에 따라서 베이크 처리를 실시한다. 배선층(21)의 형성에 있어서는, 다음에, 전해 도금법에 의해, 레지스트 패턴의 개구부 내의 영역에서 시드층 상에 금속 재료를 성장시킨다. 금속 재료로서는, 바람직하게, 구리가 이용된다. 다음에, 레지스트 패턴을 에칭에 의해 제거한다. 다음에, 시드층에 있어서, 레지스트 패턴 제거에 의해 노출된 부분을 에칭에 의해 제거한다. 예를 들면 이상과 같이 하여, 소정 패턴의 배선층(21)을 절연층(11) 상에 형성할 수 있다.

본 제조 방법에서는, 다음에, 도 5의 (A) 및 도 7의 (A)에 도시하는 바와 같이, 절연층(11) 상에, 배선층(21, 21)을 덮도록 절연층(12)을 형성한다(제 2 절연층 형성 공정). 본 공정에서는, 예를 들면, 절연층(12) 형성용의 감광성 수지의 용액(바니시)을 절연층(11) 상 및 배선층(21, 21) 상에 도포하고 건조시킨 후, 이것에 의해 형성된 도막에 대해서, 소정 마스크를 거친 노광 처리와, 그 후의 현상 처리와, 그 후에 필요에 따라서 베이크 처리를 실시한다. 이와 같이 하여, 소정 패턴의 배선층(21, 21)을 덮는 소정 패턴의 절연층(12)을, 절연층(11) 상에 형성한다. 절연층(12)은 한쌍의 배선층(21, 21)의 이격방향에 있어서의 배선층(21, 21)사이의 위치에, 도 5의 (A)에 도시하는 바와 같이 오목부(12a)를 생기게 하도록(즉, 오목부(12a)를 생기게 하는 얇기로) 형성된다.

다음에, 도 5의 (B) 및 도 7의 (B)에 도시하는 바와 같이, 절연층(12) 상에 배선층(22)을 패턴 형성한다(제 2 도체부 형성 공정). 배선층(22)의 형성 수법으로서는, 예를 들면, 애더티브법 및 서브트랙티브법을 들 수 있다. 본 공정에 있어서, 애더티브법을 채용하는 경우에는, 예를 들면, 다음과 같이 하여 배선층(22)을 형성한다.

우선, 절연층(12)에 있어서의 노출면에, 예를 들면 스패터링법에 의해, 전해 도금막 형성용의 통전층인 얇은 시드층(도시 생략)을 형성한다. 시드층의 구성 재료로서는, 구리, 크롬, 니켈, 및 이들 합금을 들 수 있다. 다음에, 시드층 상에 레지스트 패턴을 형성한다. 레지스트 패턴은 배선층(22)의 패턴 형상에 상당하는 패턴 형상의 개구부를 갖는다. 레지스트 패턴의 형성에 있어서는, 예를 들면, 감광성의 레지스트 필름을 시드층 상에 접합하여 레지스트막을 형성한 후, 상기 레지스트막에 대해, 소정 마스크를 거친 노광 처리와, 그 후의 현상 처리와, 그 후에 필요에 따라서 베이크 처리를 실시한다. 배선층(22)의 형성에 있어서는, 다음에, 전해 도금법에 의해, 레지스트 패턴의 개구부 내의 영역에서 시드층 상에 금속 재료를 성장시킨다. 금속 재료로서는, 바람직하게, 구리가 이용된다. 다음에, 레지스트 패턴을 에칭에 의해 제거한다. 다음에, 시드층에 있어서 레지스트 패턴 제거에 의해 노출된 부분을, 에칭에 의해 제거한다. 예를 들면 이상과 같이 하여, 소정 패턴의 배선층(22)을 형성할 수 있다.

본 제조 방법에서는, 다음에, 도 5의 (C) 및 도 7의 (C)에 도시하는 바와 같이, 절연층(12) 상에, 배선층(22)을 덮도록 절연층(13)을 형성한다(제 3 절연층 형성 공정). 본 공정에서는, 예를 들면, 절연층(13) 형성용의 감광성 수지의 용액(바니시)을 절연층(12) 상 및 배선층(22) 상에 도포하고 건조시킨 후, 이에 의해 형성된 도막에 대해서, 소정 마스크를 거친 노광 처리와, 그 후의 현상 처리와, 그 후에 필요에 따라서 베이크 처리를 실시한다. 이와 같이 하여, 소정 패턴의 배선층(22)을 덮는 소정 패턴의 절연층(13)을, 절연층(12) 상에 형성한다.

예를 들면, 이상과 같은 공정을 거치는 것에 의해, 다층 배선 구조부를 갖는 배선 회로 기판(X)을 제조할 수 있다.

배선 회로 기판(X)은, 상술한 바와 같이, 한쌍의 배선층(21, 21)과, 이들에 대향하면서 따라서 연장되는 배선층(22)의, 다층 배선 구조를 취하고 끌어돌려지는 배선을 구비한다. 이와 같은 배선 회로 기판(X)은, 배선의 고밀도화를 도모하는데 적합하다.

또한, 배선층(22)은 상술한 바와 같이, 배선층(21, 21) 사이의 영역(G)을 향하여 절연층(12)에 돌입하여 영역(G)을 따라서 연장되는 돌기부(22A)를 갖는다. 와 같은 구성은, 배선층(22)에 대해, 배선층(21, 21) 사이의 공간을 유효 활용하여 단면적(배선 연장방향에 예를 들면 직교하는 횡단면적)의 증가를 도모하고, 따라서 직류 저항 등 전기 저항의 저감(저저항화)을 도모하는데 적합하다.

이상과 같이, 배선 회로 기판(X)은 배선의 저저항화를 도모하면서 고밀도화를 도모하는데 적합하다.

또한, 배선층(22)의 돌기부(22A)는, 절연층(12)에 대한 앵커 효과에 의해 절연층(12)으로의 배선층(22)의 밀착성을 확보하는데 도움이 되며, 따라서 배선층(22)의 신뢰성을 확보하는데 적합하다.

배선 회로 기판(X)에 있어서, 돌기부(22A)는 상술한 바와 같이, 배선층(22)의 연장방향과 교차하는 폭방향의 단면(예를 들면, 도 2에 도시하는 단면)에 있어서 비평탄인, 정상부(22a)를 갖는다. 돌기부(22A)가 이와 같은 정상부(22a)를 갖는 구성은, 절연층(12)에 대한 돌기부(22A)의 앵커 효과에 의해 절연층(12)에 대한 배선층(22)의 밀착성을 확보하는데 도움이 되며, 따라서 배선층(22)의 신뢰성을 확보하는데 적합하다.

돌기부(22A)는 상술한 바와 같이, 정상부(22a)의 폭방향 한쪽측에 배치되며 배선층(22) 내부측으로 오목한 만곡 측면(22b)과, 정상부(22a)의 폭방향 다른쪽측에 배치되며, 배선층(22) 내부측으로 오목한 만곡 측면(22c)을 더 갖는다. 돌기부(22A)가 정상부(22a)에 부가하여 이들 만곡 측면(22b, 22c)을 갖는 구성은, 절연층(12)에 대한 돌기부(22A)의 앵커 효과에 의해 절연층(12)에 대한 배선층(22)의 밀착성을 확보하는데 도움이 되며, 따라서 배선층(22)의 신뢰성을 확보하는데 적합하다.

한쌍의 배선층(21, 21) 사이의 거리(L1)는, 상술한 바와 같이, 바람직하게, 5㎛ 이상, 보다 바람직하게, 8㎛ 이상이며, 또한, 바람직하게, 30㎛ 이하, 보다 바람직하게, 20㎛ 이하이다. 이와 같은 구성은, 배선층(21, 21) 사이의 쇼트를 회피하면서 배선의 고밀도화를 도모하는데 적합하다.

두께방향에 있어서의 배선층(21)과 배선층(22) 사이의 거리(L2)는, 상술한 바와 같이, 바람직하게, 2㎛ 이상, 보다 바람직하게, 5㎛ 이상이며, 또한, 바람직하게, 20㎛ 이하, 보다 바람직하게, 15㎛ 이하이다. 이와 같은 구성은, 배선층(21)과 배선층(22) 사이의 쇼트를 회피하면서 배선 회로 기판(X)의 박형화를 도모하는데 적합하다.

배선 회로 기판(X)에 있어서는, 도 8에 도시하는 바와 같이, 배선층(21)과 배선층(22)이 비아(23)를 거쳐서 전기적으로 접속되는 구성을 채용하여도 좋다. 상기 구성에서는, 구체적으로는, 한쌍의 배선층(21)의 각각과 배선층(22)은, 절연층(12)을 관통하는 비아(23)(각 배선층(21)과 배선층(22) 사이의 예를 들면 복수의 비아(23))를 거쳐서 전기적으로 접속되어 있다.

본 발명의 배선 회로 기판은, 각종 플렉시블 배선 회로 기판 및 리지드 배선 회로 기판에 적용할 수 있다.

X: 배선 회로 기판
R1: 부품 실장 영역
R2: 배선 형성 영역
S: 기재
11: 절연층(제 1 절연층)
12: 절연층(제 2 절연층)
13: 절연층(제 3 절연층)
21: 배선층(제 1 배선층)
22: 배선층(제 2 배선층)
22A: 돌기부
22a: 정상부
22b: 만곡 측면(제 1 만곡 측면)
22c: 만곡 측면(제 2 만곡 측면)
23: 비아
G: 영역(제 1 배선층 사이의 영역)

Claims

제 1 절연층과,
상기 제 1 절연층 상에 배치되며, 서로 이격되어 나란하게 연장되는 한쌍의 제 1 배선층과,
상기 제 1 절연층 상에, 상기 한쌍의 제 1 배선층을 덮도록 배치된 제 2 절연층과,
상기 제 2 절연층 상에 배치되며, 상기 한쌍의 제 1 배선층에 대해 상기 제 1 배선층의 두께방향에 있어서 대향하면서 상기 한쌍의 제 1 배선층을 따라서 연장되는 제 2 배선층을 구비하고,
상기 제 2 배선층은, 상기 한쌍의 제 1 배선층 사이의 영역을 향하여 상기 제 2 절연층에 돌입하며 또한 상기 영역을 따라서 연장되는 돌기부를 갖는 것을 특징으로 하는
배선 회로 기판.
제 1 항에 있어서,
상기 돌기부는 상기 제 2 배선층이 연장방향과 교차하는 폭방향의 단면에 있어서 비평탄인 정상부를 갖는 것을 특징으로 하는
배선 회로 기판.
제 2 항에 있어서,
상기 돌기부는, 상기 정상부의 상기 폭방향 한쪽측에 배치되며 제 2 배선층 내부측으로 오목한 제 1 만곡 측면과, 상기 정상부의 상기 폭방향 다른쪽측에 배치되며 제 2 배선층 내부측으로 오목한 제 2 만곡 측면을 더 갖는 것을 특징으로 하는
배선 회로 기판.
제 1 항에 있어서,
상기 두께방향에 있어서의 상기 제 1 배선층과 상기 제 2 배선층 사이의 거리는 2㎛ 이상 20㎛ 이하인 것을 특징으로 하는
배선 회로 기판.
제 1 항에 있어서,
상기 한쌍의 제 1 배선층 사이의 거리는 5㎛ 이상 30㎛ 이하인 것을 특징으로 하는
배선 회로 기판.