KR20220089082A - 방향성 전기강판 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 중량%로, Si: 2.0 내지 4.0%, Mn: 0.04 내지 0.2%, N:0.010% 이하(0%를 제외함), C: 0.005% 이하(0%를 제외함), Sn: 0.03 내지 0.08% 및 Cr: 0.01 내지 0.2%를 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하고, AlN, (Al,Si)N, (Al,Si,Mn)N, MnS, CuS, Al2O3 중 1종 이상을 포함하는 개재물을 포함하고, 상기 개재물의 평균 입경이 0.5 내지 6.0㎛이고, 상기 개재물 중 입경이 6.0㎛ 이하인 개재물을 40 내지 130 개/mm2 포함할 수 있다.

Description

방향성 전기강판 및 그의 제조방법{GRAIN ORIENTED ELECTRICAL STEEL SHEET AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME}
본 발명의 일 실시예는 방향성 전기강판 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시예는 Si, C, N, Cr, Sn 등의 함량을 적절히 제어하고, 열간압연 단계에서 권취온도를 적절히 조절하여, 열연판 소둔 단계를 생략하더라도 자성 열화를 억제할 수 있는 방향성 전기강판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다.
방향성 전기강판은 압연방향에 대해 강편의 집합조직이 {110}<001>인 고스집합조직(Goss texture)을 나타내고 있어 일방향 혹은 압연방향으로 자기적 특성이 우수한 연자성 재료이다. 이러한 집합조직을 발현시켜 방향성 전기강판의 자성 특성을 개선하기 위해서는 제강에서의 성분제어, 열간압연에서의 슬라브 재가열 및 열간압연 공정인자 제어, 열연판소둔 열처리, 냉간압연, 1차재결정 소둔, 2차재결정 소둔 등의 복잡한 공정들이 요구되며 매우 정밀하고 엄격하게 관리되어야 한다.
이 중 열연판 소둔 공정은 열간 압연 후 열연판의 불균일한 미세조직 및 개재물을 균일하게 제어함으로써 2차 재결정 소둔 중 Goss 방위 결정립이 안정적으로 2차 재결정이 일어나는 데 필수적인 공정이다. 그러나 열연판 소둔은 방향성 전기강판의 생산 원가를 증가시키는 요인이므로, 열연판 소둔을 생략하면서 동시에 열연판의 미세조직 및 개재물을 균일하게 만들 수 있다면 열연판 소둔 공정에 따른 제조 원가도 절감할 수 있고 생산성도 향상시킬 수 있다.
슬라브 가열시 스키드 (skid)에서의 열적 편차가 필연적으로 발생하게 되며 이로 인해 열연판 개재물 및 미세조직 불균일이 발생하게 된다. 열연판 소둔을 생략할 경우 전술한 열적 편차를 저감할 수가 없게 되며, 이는 궁극적으로 최종 제조되는 방향성 전기강판의 자성 편차의 심화와 심각할 경우 자성 열화로 이어지게 된다.
열연판 소둔을 생략하기 위해 다양한 시도가 있어 왔으나, 슬라브 가열 시 가열로내 스키드 (skid)에서의 열적 편차를 줄이기 위한 기술, 개재물 및 미세조직 불균일을 해소할 수 있는 기술에 대해서 직접적으로 해결 방안을 제안한 기술은 없었다.
본 발명의 일 실시예에서는 방향성 전기강판 및 그의 제조방법을 제공한다. 구체적으로, 본 발명의 일 실시예에서는 Si, C, N, Cr, Sn 등의 함량을 적절히 제어하고, 열간압연 단계에서 권취온도를 적절히 조절하여, 열연판 소둔 단계를 생략하더라도 자성 열화를 억제할 수 있는 방향성 전기강판 및 그의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 중량%로, Si: 2.0 내지 4.0%, Mn: 0.04 내지 0.2%, N:0.010% 이하(0%를 제외함), C: 0.005% 이하(0%를 제외함), Sn: 0.03 내지 0.08% 및 Cr: 0.01 내지 0.2%를 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하고,
AlN, (Al,Si)N, (Al,Si,Mn)N, MnS, CuS, Al2O3 중 1종 이상을 포함하는 개재물을 포함하고, 개재물의 평균입경이 0.5 내지 6.0㎛ 이고, 개재물 중 입경이 6.0㎛ 이하인 개재물을 40 내지 130 개/mm2 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 결정립 입경이 1mm 이하인 결정립의 면적 분율이 10%이하일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 Al: 0.005 내지 0.030 중량% 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 S:0.010 중량% 이하 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 P: 0.0005 내지 0.045 중량% 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 Sb: 0.1 중량% 이하 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 Co:0.1 중량% 이하, Ni: 0.1 중량% 이하 및 Mo: 0.1 중량% 이하 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판의 제조방법은 중량%로, Si: 2.0 내지 4.0%, Mn: 0.04 내지 0.2%, N:0.010% 이하(0%를 제외함), C: 0.001 내지 0.04%, Sn: 0.03 내지 0.08% 및 Cr: 0.01 내지 0.2%를 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하고, 하기 식 1을 만족하는 슬라브를 열간 압연하여 열연강판을 제조하는 단계; 열연강판을 권취하는 단계; 권취된 열연강판을 그대로 냉각하고, 냉간압연하여 냉연강판을 제조하는 단계; 냉연강판을 1차 재결정 소둔하는 단계; 및 1차 재결정 소둔한 냉연강판을 2차 재결정소둔하는 단계;를 포함한다.
[식 1]
0.038 × [Si] - 0.069 - [N] ≤ [C] ≤ 0.038 × [Si] - 0.069 + [N]
(식 1에서, [Si], [N] 및 [C]는 각각 슬라브 내 Si, N 및 C의 함량(중량%)를 나타낸다.)
권취하는 단계에서 권취온도는 700 내지 850℃이고, 하기 식 2를 만족할 수 있다.
[식 2]
90 ≤ (0.038 × [Si] + [N] + [C]) × [CT] ≤ 130
(식 2에서, [Si], [N] 및 [C]는 각각 슬라브 내 Si, N 및 C의 함량(중량%)를 나타내고, [CT]는 권취 온도(℃)를 나타낸다.)
열연강판을 제조하는 단계 이전에 슬라브를 1300℃ 이하로 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다.
권취하는 단계 이후 및 냉연강판을 제조하는 단계 이전에 강판 외부에서 열을 가하는 열처리가 없을 수 있다.
냉연강판을 제조하는 단계는 열연강판을 1회 냉간압연하는 단계로 이루어질 수 있다.
1차 재결정 소둔하는 단계는 탈탄 단계 및 침질 단계를 포함하고, 탈탄 단계 이후, 상기 침질 단계를 수행하거나, 침질 단계 이후, 상기 탈탄 단계를 수행하거나, 또는 탈탄 단계 및 침질 단계를 동시에 수행할 수 있다.
1차 재결정 소둔하는 단계 이후, 소둔 분리제를 도포하는 단계를 더 포함할 수 있다.
2차 재결정 소둔하는 단계는 900 내지 1210℃의 온도에서 2차 재결정이 완료될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 슬라브 가열 시 가열로내 스키드 (skid)에서의 열적 편차가 줄어들어, 열연판 소둔을 생략하더라도 개재물 및 미세조직 불균일을 해소할 수 있다.
궁극적으로, 열연판 소둔을 생략하더라도 방향성 전기강판의 자성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 발명재 1에서 개재물을 분석한 사진이다.
도 2는 비교재 1에서 개재물을 분석한 사진이다.
도 3은 발명재 7에서 제조한 최종 방향성 전기강판의 사진이다.
도 4는 비교재 31에서 제조한 최종 방향성 전기강판의 사진이다.
도 5는 비교재 21에서 제조한 최종 방향성 전기강판의 사진이다.
도 6는 비교재 22에서 제조한 최종 방향성 전기강판의 사진이다.
제1, 제2 및 제3 등의 용어들은 다양한 부분, 성분, 영역, 층 및/또는 섹션들을 설명하기 위해 사용되나 이들에 한정되지 않는다. 이들 용어들은 어느 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션을 다른 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션과 구별하기 위해서만 사용된다. 따라서, 이하에서 서술하는 제1 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션은 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 범위 내에서 제2 부분, 성분, 영역, 층 또는 섹션으로 언급될 수 있다.
여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하는 것을 의도하지 않는다. 여기서 사용되는 단수 형태들은 문구들이 이와 명백히 반대의 의미를 나타내지 않는 한 복수 형태들도 포함한다. 명세서에서 사용되는 “포함하는”의 의미는 특정 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분을 구체화하며, 다른 특성, 영역, 정수, 단계, 동작, 요소 및/또는 성분의 존재나 부가를 제외시키는 것은 아니다.
어느 부분이 다른 부분의 "위에" 또는 "상에" 있다고 언급하는 경우, 이는 바로 다른 부분의 위에 또는 상에 있을 수 있거나 그 사이에 다른 부분이 수반될 수 있다. 대조적으로 어느 부분이 다른 부분의 "바로 위에" 있다고 언급하는 경우, 그 사이에 다른 부분이 개재되지 않는다.
다르게 정의하지는 않았지만, 여기에 사용되는 기술용어 및 과학용어를 포함하는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 일반적으로 이해하는 의미와 동일한 의미를 가진다. 보통 사용되는 사전에 정의된 용어들은 관련기술문헌과 현재 개시된 내용에 부합하는 의미를 가지는 것으로 추가 해석되고, 정의되지 않는 한 이상적이거나 매우 공식적인 의미로 해석되지 않는다.
또한, 특별히 언급하지 않는 한 %는 중량%를 의미하며, 1ppm 은 0.0001중량%이다.
본 발명의 일 실시예에서 추가 원소를 더 포함하는 것의 의미는 추가 원소의 추가량 만큼 잔부인 철(Fe)을 대체하여 포함하는 것을 의미한다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 중량%로, Si: 2.0 내지 4.0%, Mn: 0.04 내지 0.2%, N:0.010% 이하(0%를 제외함), C: 0.005% 이하(0%를 제외함), Sn: 0.03 내지 0.08% 및 Cr: 0.01 내지 0.2%를 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함한다.
하기에서는 합금 성분 한정 이유를 설명한다.
Si : 2.0 내지 4.0 중량%
실리콘(Si)은 전기강판의 기본 조성으로 소재의 비저항을 증가시켜 철손(core loss)을 낮추는 역할을 한다. Si함량이 너무 적은 경우 비저항이 감소하게 되어 와전류손이 증가하여 철손특성이 열화되고, 1차 재결정 소둔시 페라이트와 오스테나이트간 상변태가 활발하게 되어 1차재결정 집합조직이 심하게 훼손된다. 또한 2차 재결정 소둔시 페라이트와 오스테나트간 상변태가 발생하게 되어 2차 재결정이 불안정해 질 뿐만 아니라 {110} 고스집합조직이 심하게 훼손된다. 한편 Si함량이 과잉 함유시에는 1차 재결정 소둔시 SiO2 및 Fe2SiO4 산화층이 과하고 치밀하게 형성되어 탈탄 거동을 지연시켜 페라이트와 오스테나이트간 상변태가 1차 재결정 소둔 처리 동안 지속적으로 일어나게 되어 1차 재결정 집합조직이 심하게 훼손될 수 있다. 또한 상술한 치밀한 산화층 형성에 따른 탈탄 거동 지연효과로 질화 거동 또한 지연되어 (Al,Si,Mn)N 및 AlN 등의 질화물이 충분히 형성되지 못하여, 고온소둔시 2차재결정에 필요한 충분한 결정립 억제력을 확보할 수 없게 될 수 있다.
또한, Si가 과량 포함되면, 기계적 특성인 취성이 증가하고 인성이 감소하여 압연 과정 중 판파단 발생율이 심화되고, 판간 용접성이 열위하게 되어 용이한 작업성을 확보할 수 없게 된다. 결과적으로 Si함량을 상기 소정의 범위로 제어하지 않으면 2차재결정 형성이 불안정해져 자기적 특성이 심각하게 훼손되고, 작업성 또한 악화된다. 그러므로 Si은 2.0 내지 4.0 중량%로 포함할 수 있다. 보다 구체적으로는 2.1 내지 3.5 중량% 포함할 수 있다.
Mn : 0.04 내지 0.2 중량%
망간(Mn)은 Si과 동일하게 비저항을 증가시켜 와전류손을 감소시킴으로써 전체 철손을 감소시키는 효과도 있으며, 소강상태에서 S와 반응하여 Mn계 황화물을 만들뿐만 아니라 Si과 함께 질화처리에 의해서 도입되는 질소와 반응하여 (Al,Si,Mn)N의 개재물을 형성함으로써 1차재결정립의 성장을 억제하여 2차재결정을 일으킬 뿐만 아니라 최종 제품의 표면품질에 영향을 미치는 중요한 원소이다. Mn이 너무 적게 포함될 경우 최종 제품의 표면 품질이 나빠질 수 있다. Mn이 너무 많이 포함될 경우 오스테나이트 상분율이 매우 증가하여 Goss 집합조직이 훼손되고 자속밀도가 감소하며 탈탄소둔시 산화층이 너무 과하게 형성되어 탈탄을 방해할 수 있다. 따라서, Mn을 0.04 내지 0.20 중량% 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 Mn을 0.07 내지 0.15 중량% 포함할 수 있다.
N : 0.010 중량 %이하
질소(N)은 Al과 반응하여 Al계 질화물을 형성하는 중요한 원소로서 슬라브 내에는 0.010 중량%이하로 첨가할 수 있다. 슬라브 내에 N이 너무 많으면 열연이후의 공정에서 질소확산에 의한 Blister라는 표면결함을 초래하고, 슬라브 상태에서 질화물이 너무 많이 형성되기 때문에 압연이 어려워져 이후 공정이 복잡해지고 제조단가가 상승하는 원인이 된다. 더욱 구체적으로 N을 0.005 중량% 이하로 포함할 수 있다. 한편 (Al,Si,Mn)N, AlN, (Si,Mn)N 등의 질화물을 형성하기 위해 추가로 필요한 N은 냉간압연이후의 소둔공정에서 암모니아가스를 이용하여 강중에 침질처리를 실시하여 보강할 수 있다. 단 2차 재결정 소둔 과정에서 N이 다시 제거되기 때문에, 최종 전기강판 내에 잔존하는 N은 0.010 중량% 이하가 될 수 있다.
C: 0.005 중량% 이하
탄소(C)는 페라이트 및 오스테나이트간 상변태를 일으켜 결정립을 미세화시키고 연신율을 향상시키는데 기여하는 원소로서, 취성이 강해 압연성이 좋지 않은 전기강판의 압연성 향상을 위해 필수적인 원소이다. 이러한 C는 최종제품에 잔존하게 될 경우 자기적 시효효과로 인해 형성되는 탄화물을 제품판 내에 석출시켜 자기적 특성을 악화시키는 원소이기 때문에 적정한 함량으로 제어되어야 함이 바람직하다. 슬라브 내에 C가 너무 적게 함유되게 되면 페라이트 및 오스테나이트간 상변태가 충분히 일어나지 않아 슬라브 및 열간압연 미세조직의 불균일화를 야기하게 될 수 있다. 이로 인하여 개재물이 조대하고 불균일하게 석출되어 2차 재결정이 불안정 해질 뿐 만 아니라 열간압연 이후 행하게 되는 냉간압연성까지 해치게 될 수 있다. 또한, 슬라브 가열 시 가열로내 스키드 (skid)에서의 열적 편차에 의해 개재물 및 미세조직 불균일이 발생할 수 있다. 슬라브 내에 C를 너무 많이 포함하면, 탄화물이 너무 조대해지고 석출량이 과도하게 증가하기 때문에 탈탄이 충분히 이루어지지 않아 Goss집합조직의 집적도가 저하되어 2차재결정 집합조직이 심하게 훼손되게 되고, 나아가 최종제품에 자기시효에 의한 자기적 특성의 열화현상을 초래할 수 있다. 따라서 슬라브 C 함유량은 0.0010 내지 0.0400 중량%로 포함한다. 더욱 구체적으로 슬라브 내 C 함유량은 0.0200 내지 0.0380 중량%가 될 수 있다. 한편 최종제품 즉 방향성 전기강판의 사용 중 자기시효 발생을 최소화하기 위해, 2차 재결정 소둔 후 최종 방향성 전기강판 제품의 C 함유량은 0.005 중량%이하가 된다.
Sn : 0.03 내지 0.08 중량%
주석(Sn)은 결정립계 편석원소로서 결정립계의 이동을 방해하는 원소이기 때문에 결정립 성장 억제제로서 알려져 있다. 본 발명의 일 실시예에서의 Si함량 범위에서는 원활한 2차 재결정 거동을 위한 결정립 성장 억제력이 부족하기 때문에, 결정립계에 편석함으로써 결정립계의 이동을 방해하는 Sn이 반드시 필요하다. Sn이 너무 적게 포함되면, 전술한 효과를 적절히 발휘하기 어렵다. 반대로, Sn을 과량 첨가할 경우 1차 재결정 소둔 구간에서 승온속도를 조절하거나 일정시간 유지하지 않으면 결정립 성장 억제력이 너무 강하여 안정적인 2차 재결정을 얻을 수 없다. 따라서 Sn의 함량은 0.03 내지 0.08 중량% 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 0.03 내지 0.07 중량% 포함할 수 있다.
Cr: 0.01 내지 0.2 중량%
크롬(Cr)은 열연판 내 경질상의 형성을 촉진하여 냉간압연시 Goss집합조직의 {110}<001>의 형성을 촉진하고, 1차 재결정 소둔 과정 중 탈탄을 촉진함으로써 오스테나이트 상변태 유지시간이 길어져 집합조직이 훼손되는 현상을 방지할 수 있도록 오스테나이트 상변태 유지시간을 감소시키는 효과를 발현한다. 또한, 1차 재결정 소둔 과정 중 형성되는 표면의 산화층 형성을 촉진시킴으로써 결정립 성장 보조 억제제로 사용되는 합금 원소 중 Sn으로 인해 산화층 형성이 저해되는 단점을 해결할 수 있는 효과가 있다. Cr이 적게 포함되는 경우, 전술한 효과를 적절히 발휘하기 어렵다. 반대로, Cr이 과량 첨가될 경우 1차 재결정 소둔 과정중 산화층 형성시 보다 치밀한 산화층이 형성되도록 조장하여 오히려 산화층 형성이 열위하게 되고 탈탄 및 침질까지 방해할 수 있다. 따라서, Cr은 0.01 내지 0.2 중량% 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 0.03 내지 0.1 중량% 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 슬라브는 하기 식 1을 만족한다.
[식 1]
0.038 × [Si] - 0.069 - [N] ≤ [C] ≤ 0.038 × [Si] - 0.069 + [N]
(식 1에서, [Si], [N] 및 [C]는 각각 슬라브 내 Si, N 및 C의 함량(중량%)를 나타낸다.)
식 1과 같이 슬라브 내의 Si 및 N 함유량에 따라 C 함유량을 제어하게 되면 슬라브 가열 및 열간 압연 단계에서 개재물이 거의 또는 완전히 용체화 된 후 매우 균일하게 형성되어 열연판 소둔을 생략하더라도 슬라브 가열 시 가열로내 스키드 (skid)에서의 열적 편차에 의한 악영향을 저감하거나 방지할 수 있으며, 2차 재결정 소둔 후 자성을 열위하게 하는 잔류 개재물의 평균 입경이 0.5 내지 6.0㎛가 되어 안정적인 자기적 특성을 확보하는 데 매우 효과적이다. 한편 잔류 개재물의 평균 입경 측정은 2차 재결정 소둔 후 표면의 산화층을 모두 제거한 후 표면을 50 내지 100㎛가량 연마하여 replica 시편을 제작하고, TEM을 통해 촬영된 사진으로부터 이미지 분석을 실시하여 측정할 수 있다. 측정 기준면은 압연면과 평행한 면이다.
본 발명의 일 실시예에서 개재물은 Al계, Mg계, Ca계 등의 산화물 및 각종 석출물을 의미한다. 개재물은 석출물을 포함하며, 석출물은 개재물과는 달리 산화물이 아닌 (Al,Si)N, (Al,Si,Mn)N, MnS, CuS 등의 질화물과 황화물을 의미한다. 개재물은 AlN, (Al,Si)N, (Al,Si,Mn)N, MnS, CuS, Al2O3 중 1종 이상을 포함한다. (Al,Si)N이란 Al 및 Si의 복합 질화물, (Al,Si,Mn)N은 Al, Si 및 Mn의 복합 질화물을 의미한다.
전술하였듯이, 슬라브 내의 C함량 및 식 1을 통해, 슬라브 가열 시 가열로내 스키드 (skid)에서의 열적 편차를 줄일 수 있다. 이후 공정에서 열연판 소둔 공정을 생략하여 스키드에서의 열적 편차에 의한 개재물의 성장을 억제할 수 있다. 더욱 구체적으로 개재물의 평균 입경이 1.0 내지 5.0㎛가 될 수 있다.
개재물이 너무 작은 경우는 열연판 소둔을 수행한 경우로서, 본 발명의 일 실시예에 의한 목적에 부합하지 않는 경우이다. 개재물이 너무 큰 경우, 자성이 열위해질 수 있다.
개재물의 밀도는 40 내지 130 개/mm2가 될 수 있다. 이 때, 개재물의 기준 입경은 6.0㎛ 이하일 수 있다. 6.0㎛를 초과하는 개재물은 본 발명의 일 실시예에서는 실질적으로 생성되지 않으므로, 상한을 위와 같이 한정할 수 있다. 개재물 기준 입경의 하한은 특별히 제한되지 아니하나, 측정의 관점에서 1nm가 될 수 있다. 개재물이 너무 적게 생성된 경우는 6.0㎛ 초과의 개재물이 다량 생성된 경우로서, 이는 자성에 치명적인 영향을 미친다. 개재물이 너무 다수 존재하는 경우, 자성이 열위해질 수 있다. 더욱 구체적으로 개재물의 밀도는 45 내지 125개/mm2가 될 수 있다.
이처럼 개재물을 적절히 형성함으로써, 열연판 소둔을 생략하더라도 2차 재결정 소둔 과정에서 2차 재결정을 완전하게 발생시킬 수 있다. 구체적으로 결정립 입경이 1mm 이하인 결정립의 면적 분율이 10%이하일 수 있다. 결정립 입경 및 분율은 압연면(ND면)과 평행한 면을 기준으로 한다. 입경은 결정립과 동일한 면적의 가상의 원을 가정하여 그 원의 입경으로 계산한다.
결정립 평균 입경은 0.1 내지 5cm일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 Al: 0.005 내지 0.030중량% 더 포함할 수 있다. 전술하였듯이, 추가 원소를 더 포함하는 경우, 잔부인 Fe를 대체하여 첨가한다.
Al : 0.005 내지 0.030 중량%
알루미늄(Al)은 열간압연에서 석출된 Al계 질화물 외에도 냉간압연 이후의 소둔공정에서 암모니아가스에 의해 도입된 질소이온이 강중에 고용상태로 존재하는 Al, Si, Mn과 결합하여 (Al,Si,Mn)N 및 AlN형태의 질화물을 형성함으로써 강력한 결정립 성장 억제제의 역할을 수행하게 된다. 그 함량이 너무 적은 경우에는 형성되는 개수와 부피가 상당히 낮은 수준이기 때문에 억제제로써의 충분한 효과를 기대할 수 없다. 반대로 함량이 너무 높게되면 Al계 질화물이 너무 조대해져 결정립 성장 억제력이 떨어지게 된다. 또한 슬라브 재가열시 Al계 질화물이 완전히 용체화되지 않아 슬라브 재가열 후 크기와 분포가 매우 불균일하게 석출되어 2차 재결정 거동이 불안정해 되어 최종 제품의 자기적 특성이 나빠지거나 편차가 증가할 수 있다. 그러므로 Al을 더 포함하는 경우, 그 함량을 0.005 내지 0.030 중량%로 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 Al을 0.015 내지 0.030 중량% 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 S:0.010 중량% 이하 더 포함할 수 있다.
S : 0.010 중량%이하
황(S)은 너무 많이 첨가하게 되면 슬라브 중심부에 편석하여 MnS, CuS 등의 황화물의 개재물들이 불균일하게 석출되어 1차재결정 미세조직을 불균일하게 유도하여 2차 재결정을 불안정하게 한다. 따라서 S를 더 포함하는 경우, 그 함량은 0.010 중량% 이하가 될 수 있다. 또한 제강 작업시 탈황을 극저로 제어하는 데 막대한 시간과 금액이 소요되므로 하한은 0%를 초과할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서는 특별히 하한을 설정하지 않는다.
P : 0.005 내지 0.045 중량%
인(P)는 결정립계에 편석하여 결정립계의 이동을 방해하고 동시에 결정립 성장을 억제하는 보조적인 역할이 가능하며, 미세조직측면에서 {110}<001>집합조직을 개선하는 효과가 있다. P가 첨가되는 경우, 첨가량이 너무 작으면, 첨가효과가 없다. 반대로 첨가량이 너무 많으면, 취성이 증가하여 압연성이 크게 나빠진다. 따라서, P를 더 포함하는 경우, P는 0.005 내지 0.045 중량% 더 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 0.01 내지 0.035 중량% 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 Sb: 0.1 중량% 이하 더 포함할 수 있다.
Sb: 0.1 중량% 이하
안티몬(Sb)는 결정립계에 편석하여 결정립의 성장을 억제하는 효과가 있고, 2차 재결정을 안정화시키는 효과가 있다. 그러나 융점이 낮아서 1차재결정 소둔중 표면으로의 확산이 용이하여 탈탄이나 산화층형성 및 질화에 의한 침질을 방해하는 효과가 있다. 따라서, 필요에 따라 Sb를 더 첨가할 수 있다. Sb를 과량 첨가하면 탈탄을 방해하고 베이스코팅의 기초가 되는 산화층 형성을 억제할 수 있다. 따라서, Sb를 0.1 중량% 이하로 더 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 0.01 내지 0.05 중량% 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 Co:0.1 중량% 이하 Ni: 0.1 중량% 이하 및 Mo: 0.1 중량% 이하 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
Co : 0.1 중량% 이하
코발트(Co)는 철의 자화를 증가시켜 자속밀도를 향상시키는데 효과적인 합금원소임과 동시에 비저항을 증가시켜 철손을 감소시키는 합금원소이다. Co를 적절히 추가할 경우, 상기 효과를 추가로 얻을 수 있다. Co를 너무 많이 첨가할 경우, 오스테나이트 상변태량이 증가하여 미세조직, 개재물 및 집합조직에 부정정인 영향을 미칠수 있다. 따라서, Co를 첨가하는 경우, 0.1 중량% 이하로 더 포함할 수 있다. 더욱 구체적으로 0.005 내지 0.05 중량% 더 포함할 수 있다.
Ni, Mo 또한 그 상한을 0.1 중량%로 추가가 가능하다.
잔부로 철(Fe)를 포함한다. 또한, 불가피한 불순물을 포함할 수 있다. 불가피한 불순물은 제강 및 방향성 전기강판의 제조 과정에서 불가피하게 혼입되는 불순물을 의미한다. 불가피한 불순물에 대해서는 널리 알려져 있으므로, 구체적인 설명은 생략한다. 본 발명의 일 실시예예서 전술한 합금 성분 외에 원소의 추가를 배제하는 것은 아니며, 본 발명의 기술 사상을 해치지 않는 범위 내에서 다양하게 포함될 수 있다. 추가 원소를 더 포함하는 경우 잔부인 Fe를 대체하여 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판의 제조방법은 슬라브를 열간 압연하여 열연강판을 제조하는 단계; 열연강판을 권취하는 단계; 권취된 열연강판을 그대로 냉각하고, 냉간압연하여 냉연강판을 제조하는 단계; 냉연강판을 1차 재결정 소둔하는 단계; 및 1차 재결정 소둔한 냉연강판을 2차 재결정소둔하는 단계;를 포함한다.
이하에서는 각 단계별로 구체적으로 설명한다.
먼저, 슬라브를 열간 압연하여 열연강판을 제조한다. 슬라브의 합금 조성에 대해서는 방향성 전기강판의 합금 조성과 관련하여 설명하였으므로, 중복되는 설명은 생략한다. 구체적으로 슬라브는 중량%로, Si: 2.0 내지 4.0%, Mn: 0.04 내지 0.2%, N:0.010% 이하(0%를 제외함), C: 0.001 내지 0.04%, Sn: 0.03 내지 0.08% 및 Cr: 0.01 내지 0.2%를 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하고 하기 식 1을 만족할 수 있다.
[식 1]
0.038 × [Si] - 0.069 - [N] ≤ [C] ≤ 0.038 × [Si] - 0.069 + [N]
(식 1에서, [Si], [N] 및 [C]는 각각 슬라브 내 Si, N 및 C의 함량(중량%)를 나타낸다.)
다시 제조 방법에 대한 설명으로 돌아오면, 열연강판을 제조하는 단계 이전에 슬라브를 1300℃ 이하로 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다.
다음으로, 슬라브를 열간 압연하여 열연강판을 제조한다. 열연강판의 두께는 5mm 이하가 될 수 있다.
이후, 열연강판을 권취한다. 이 때, 권취온도를 700 내지 850℃로 할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서 권취 이후, 열연판 소둔을 생략하기 때문에, 권취온도가 너무 낮은 경우, 열연판 개재물의 크기가 너무 작고 많아져서 1차재결정 미세조직 제어가 어려워져 2차재결정이 불안정하게 발생하여 자성이 열위해질 수 있다. 권취온도가 너무 높은 경우, 개재물이 너무 조대화되고 양이 적어져 1차재결정 미세조직 제어가 다시 어려워져 2차재결정이 불안정하게 발생하여 자성이 열위해질 수 있다. 더욱 구체적으로 권취온도를 740 내지 830℃로 할 수 있다. 권취온도란 열간압연이 종료된 열연판을 코일상으로 권취를 시작한 후 완료 될 때 까지의 평균 강판 온도를 의미한다.
이 때, 하기 식 2를 만족할 수 있다.
하기 식 2를 만족할 수 있다.
[식 2]
90 ≤ (0.038 × [Si] + [N] + [C]) × [CT] ≤ 130
(식 2에서, [Si], [N] 및 [C]는 각각 슬라브 내 Si, N 및 C의 함량(중량%)를 나타내고, [CT]는 권취 온도(℃)를 나타낸다.)
식 2의 값이 너무 낮으면, 개재물이 불균일하게 발생할 수 있다. 식 2의 값이 너무 크면, Si, N, C의 함량이 높으며, 또한 개재물이 불균일하게 발생할 수 있다.
다음으로, 권취된 열연강판을 그대로 냉각하고, 냉간압연하여 냉연강판을 제조한다.
본 발명의 일 실시예에서 그대로 냉각한다는 의미하는 열연강판 권취 이후, 외부에서 열을 가하는 열처리가 없는 것을 의미한다. 즉, 열연판 소둔 공정이 생략된 것을 의미한다. 열간압연 이후, 열연 스케일 제거를 위해 산세처리를 한다. 산세처리를 할 때 산세처리 전 또는 후에 shot blasting을 실시해도 되고 실시하지 않아도 된다.
냉연강판을 제조하는 단계는 1회의 냉간압연 또는 중간소둔을 포함한 2회 이상의 냉간압연을 실시할 수 있다. 구체적으로 열연강판을 1회 냉간압연하는 단계로 이루어질 수 있다.
냉연강판의 두께는 0.65mm이하가 되도록 한다. 한편 냉간압연을 실시할 때 냉간압하율이 87%이상으로 압연할 수 있다. 냉간압하율이 증가할수록 고스집합조직의 집적도가 증가하기 때문이다. 다만 이보다 낮은 냉간압하율을 적용하는 것도 가능하다.
다음으로, 냉연판을 1차 재결정 소둔한다. 이 때, 1차 재결정 소둔하는 단계는 탈탄 단계 및 침질 단계를 포함할 수 있다. 탈탄 단계 및 침질 단계는 순서와 무관하게 수행할 수 있다. 즉, 탈탄 단계 이후, 침질 단계를 수행하거나, 침질 단계 이후, 탈탄 단계를 수행하거나, 또는 탈탄 단계 및 침질 단계를 동시에 수행할 수 있다. 탈탄 단계에서 C를 0.005 중량% 이하로 탈탄할 수 있다. 더욱 구체적으로 C를 0.003 중량% 이하로 탈탄할 수 있다. 침질 과정에서 N을 0.015 중량% 이상으로 침질할 수 있다.
1차 재결정 소둔하는 단계의 균열 온도는 840℃ 내지 900℃일 수 있다. 840℃보다 낮은 온도 또는 900℃보다 높은 온도에서 1차 재결정 소둔을 실시하더라도 본 발명에서 제시하는 기능을 발휘하는 데 문제가 없다.
1차 재결정 소둔하는 단계 이후, 강판에 소둔 분리제를 도포할 수 있다. 소둔 분리제에 대해서는 널리 알려져 있으므로, 자세한 설명은 생략한다. 일 예로 MgO를 주성분으로 하는 소둔 분리제를 사용할 수 있다.
다음으로, 1차 재결정 소둔한 냉연판을 2차 재결정 소둔 한다.
2차 재결정 소둔의 목적은 크게 보면 2차 재결정에 의한 {110}<001> 집합조직 형성, 1차 재결정 소둔 시 형성된 산화층과 MgO의 반응에 의한 유리질 피막형성으로 절연성 부여, 자기특성을 해치는 불순물의 제거이다. 2차 재결정 소둔의 방법으로는 2차 재결정이 일어나기 전의 승온구간에서는 질소와 수소의 혼합가스로 유지하여 입자성장 억제제인 질화물을 보호함으로써 2차 재결정이 잘 발달할 수 있도록 하고, 2차 재결정이 완료된 후 균열 단계에서는 100% 수소분위기에서 장시간 유지하여 불순물을 제거한다.
2차 재결정 소둔하는 단계는 900 내지 1210℃의 온도에서 2차 재결정이 완료될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 철손 및 자속밀도 특성이 특히 우수하다. 본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 자속밀도(B8)이 1.87T 이상이고, 철손(W17/50)이 1.10W/kg 이하일 수 있다. 이 때, 자속밀도 B8은 800A/m의 자기장하에서 유도되는 자속밀도의 크기(Tesla)이고, 철손 W17/50은 1.7Tesla 및 50Hz 조건에서 유도되는 철손의 크기(W/kg)이다. 더욱 구체적으로 본 발명의 일 실시예에 의한 방향성 전기강판은 자속밀도(B8)이 1.89T 이상이고, 철손(W17/50)이 1.00W/kg 이하일 수 있다. 측정 기준이 되는 두께는 0.30mm일 수 있다.
이하 본 발명의 구체적인 실시예를 기재한다. 그러나 하기 실시예는 본 발명의 구체적인 일 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
중량%로, Si : 2.85%, Mn : 0.092%, Al : 0.025%, N : 0.0032%, S : 0.004%, Sn : 0.045%, P : 0.028%, Cr : 0.032% 및 C 함유량을 표 1과 같이 변화시키고, 나머지 성분은 잔부 Fe와 기타 불가피하게 함유되는 불순물을 함유하는 강 조성을 진공용해한 후 잉곳을 만들고, 이어서 1240℃의 온도로 가열한 다음 2.8mm 두께로 열간압연한 후 하기 표 1에 정리된 온도로 권취하였다. 이후 산세처리를 하고, 열처리 없이, 0.28mmt 두께로 1회 냉간압연하고, 냉간압연한 판은 870℃의 온도로 습한 수소와 질소 및 암모니아 혼합가스 분위기 속에서 탄소 함유량이 30ppm, 질소함유량이 200ppm이 되도록 동시 탈탄질화 소둔열처리를 행하였다. 후속으로 강판에 소둔분리제인 MgO를 도포한후 최종소둔열처리를 행하였고, 최종소둔열처리는 25 vol% 질소와 75 vol% 수소인 혼합 가스분위기에서 1200℃까지 가열한 다음, 1200℃ 도달 후에는 100% 수소 분위기에서 10시간 이상 유지후 노냉하였다. C 함유량에 따른 자기적 특성을 측정한 값은 표 1과 같다.
개재물의 평균 입경 및 밀도 측정은 2차 재결정 소둔 후 표면의 산화층을 모두 제거한 후 표면을 100㎛가량 연마하여 replica 시편을 제작하고, TEM을 통해 촬영된 사진으로부터 이미지 분석을 실시하여 측정하였다.
2차 재결정 발생 여부는 결정립 입경이 1mm 이하인 결정립의 면적 분율이 10%를 초과하는 경우, 2차 재결정이 불안정하게 발생 또는 미발생한 것으로 판단하고, X로 표시하였다.
C (wt%) 권취온도 (℃) 개재물 평균입경
(㎛)		 개재물 밀도
(개/mm2)		 2차 재결정 발생 여부 W17/50 (W/kg) B8 (Tesla) 비고
0.0363 741 2.6 125 O 1.00 1.91 발명재1
0.0369 578 9.9 20 X 1.38 1.83 비교재1
0.0355 874 3.7 163 X 1.42 1.84 비교재2
0.0365 797 4.9 123 O 0.97 1.91 발명재2
0.0396 566 11.0 12 X 1.35 1.84 비교재3
0.0346 856 1.7 187 X 1.31 1.86 비교재4
0.0377 795 3.5 125 O 0.95 1.91 발명재3
0.0366 640 10.0 16 X 1.39 1.84 비교재5
0.0345 883 4.7 178 X 1.35 1.85 비교재6
0.0369 816 1.0 47 O 0.98 1.92 발명재4
0.0346 525 10.9 37 X 1.42 1.84 비교재7
0.0353 886 3.1 139 X 1.35 1.83 비교재8
0.0568 816 4.9 131 X 1.47 1.85 비교재9
0.0199 828 4.8 30 X 1.42 1.82 비교재10
0.0517 675 8.4 20 X 1.38 1.85 비교재11
0.0186 546 10.3 39 X 1.31 1.85 비교재12
0.0429 885 4.7 141 X 1.43 1.84 비교재13
0.0206 860 1.8 174 X 1.47 1.82 비교재14
표 1에서 나타나듯이, 발명재는 합금 성분 및 권취온도가 적절한 범위에 해당하고, 아울러 식 1 및 식 2를 모두 만족하여 개재물이 작게 형성되고, 아울러 밀도가 적게 형성됨을 확인할 수 있다. 궁극적으로 2차 재결정이 적절히 형성되어, 철손 및 자속밀도가 모두 우수함을 확인할 수 있다.
반면, 비교재는 합금 성분 및 권취온도가 적절히 조절되지 못하여, 개재물이 불균일하게 형성되고, 2차 재결정이 적절히 형성되지 못하여, 철손 및 자속밀도가 열위함을 확인할 수 있다.
도 1 및 도 2에서는 발명재 1 및 비교재 1에서 개재물을 분석한 사진이다. 발명재 1은 개재물이 미세하고, 적은량 석출됨을 확인할 수 있고, 반대로 비교재 1은 개재물이 크고 다량 석출됨을 확인할 수 있다.
분석결과, 개재물은 AlN, (Al,Si,Mn)N와 MnS, CuS를 포함하였다.
실시예 2
중량%로, Al : 0.022%, S : 0.003%, Sb : 0.02%, Sn : 0.06%, P : 0.02%, Cr : 0.05% 및 Si, C, N 함유량을 하기 표 2와 같이 변화시키고, 나머지 성분은 잔부 Fe와 기타 불가피하게 함유되는 불순물을 함유하는 강 성분을 진공용해한 후 잉곳을 만들고, 이어서 1200℃의 온도로 가열한 다음 2.3mm두께로 열간압연하였고 권취온도는 하기 표 2와 같이 실시하였다. 이후 산세처리 및 0.30mmt 두께로 1회 냉간압연하고, 냉간압연한 판은 870℃의 온도로 습한 수소와 질소 및 암모니아 혼합가스 분위기 속에서 탄소함유량이 30ppm, 질소함유량이 180ppm이 되도록 동시 탈탄질화 소둔열처리를 행하였다. 후속으로 강판에 소둔분리제인 MgO를 도포한후 최종소둔열처리를 행하였고, 최종소둔열처리는 25v%질소와 75v%수소인 혼합가스분위기에서 1200℃까지 가열한 다음, 1200℃ 도달 후에는 100% 수소분위기에서 10시간 이상 유지후 노냉하였다. Si, C, N 함유량에 따른 고온소둔 후 자기적 특성 및 1mm2당 잔류 개재물의 입경을 측정한 값은 표 2와 같다.
Si
(wt%)		 C
(wt%)		 N
(wt%)		 권취온도
(℃)		 W17/50
(W/kg)		 B8
(Tesla)		 개재물평균입경(㎛) 개재물 밀도
(개/mm2)		 2차 재결정 발생 여부 비고
2.8 0.0366 0.0095 759 0.99 1.89 2.9 120 O 발명재5
2.9 0.0342 0.0022 763 1.35 1.85 10.7 18 X 비교재15
2.8 0.0508 0.0059 760 1.33 1.82 2.0 32 X 비교재16
2.7 0.0353 0.0037 765 0.95 1.91 3.6 52 O 발명재6
3.1 0.0328 0.0074 760 1.38 1.84 9.5 12 X 비교재17
2.9 0.0547 0.0071 764 1.33 1.85 5.6 35 X 비교재18
2.7 0.0324 0.0048 758 0.99 1.89 3.3 65 O 발명재7
3.1 0.0379 0.0066 760 1.39 1.83 8.5 25 X 비교재19
3.1 0.0529 0.0020 762 1.38 1.82 5.8 34 X 비교재20
2.9 0.0412 0.0034 549 1.43 1.86 5.6 34 X 비교재21
2.6 0.0176 0.0065 547 1.31 1.86 9.9 14 X 비교재22
2.9 0.0558 0.0085 554 1.45 1.83 5.7 29 X 비교재23
2.9 0.0398 0.0029 545 1.38 1.85 8.9 16 X 비교재24
2.7 0.0206 0.0089 544 1.32 1.82 10.3 13 X 비교재25
2.9 0.0485 0.0060 552 1.43 1.84 2.5 38 X 비교재26
3 0.0463 0.0021 556 1.39 1.82 3.6 38 X 비교재27
2.7 0.0208 0.0096 557 1.35 1.83 7.9 35 X 비교재28
3.1 0.0591 0.0086 544 1.42 1.82 4.9 33 X 비교재29
3.1 0.0391 0.0098 762 0.99 1.91 2.3 66 O 발명재8
3.1 0.0389 0.007 761 1.45 1.85 2.6 16 X 비교재30
표 2에서 나타나듯이, 발명재는 합금 성분 및 권취온도가 적절한 범위에 해당하고, 아울러 식 1 및 식 2를 모두 만족하여 개재물이 작게 형성되고, 아울러 밀도가 적게 형성됨을 확인할 수 있다. 궁극적으로 2차 재결정이 적절히 형성되어, 철손 및 자속밀도가 모두 우수함을 확인할 수 있다.
반면, 비교재는 합금 성분 및 권취온도가 적절히 조절되지 못하여, 개재물이 불균일하게 형성되고, 2차 재결정이 적절히 형성되지 못하여, 철손 및 자속밀도가 열위함을 확인할 수 있다.
실시예 3
발명재 7과 동일하게 실시하되, 열간압연 이후, 열연판 소둔을 생략 또는 실시하는 경우를 비교하였다.
열연판 소둔 W17/50 (W/kg) B8 (Tesla) 2차 재결정 발생 여부 비고
생략 0.99 1.89 O 발명재7
수행 0.99 1.89 O 비교재31
표 3에서 나타나듯이, 열연판 소둔을 생략하더라도, 열연판 소둔을 수행한 경우와 대응하게 자성이 나타남을 확인할 수 있다.
도 3 및 도 4에서 나타나듯이, 발명재 7 및 비교재 31은 2차 재결정이 완벽하게 발생함을 확인할 수 있다. 특히 발명재 7의 경우, 열연판 소둔을 생략했음에도 2차 재결정이 완벽하게 발생함을 확인할 수 있다.
반면, 도 5 및 도 6에서 나타나듯이, 합금 성분이 적절히 제어되지 않거나, 권취 온도가 낮은 비교재 21 및 비교재 22에서는 2차 재결정이 완벽하게 발생하지 않음을 확인할 수 있다. 즉, 입경이 1mm 이하인 결정립이 다수 존재하는 것을 확인할 수 있다.
본 발명은 상기 구현예 및/또는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 구현예 및/또는 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims (14)

  1. 중량%로, Si: 2.0 내지 4.0%, Mn: 0.04 내지 0.2%, N:0.010% 이하(0%를 제외함), C: 0.005% 이하(0%를 제외함), Sn: 0.03 내지 0.08% 및 Cr: 0.01 내지 0.2%를 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하고,
    AlN, (Al,Si)N, (Al,Si,Mn)N, MnS, CuS, Al2O3 중 1종 이상을 포함하는 개재물을 포함하고,
    상기 개재물의 평균 입경이 0.5 내지 6.0㎛이고,
    상기 개재물 중 입경이 6.0㎛ 이하인 개재물을 40 내지 130 개/mm2 포함하는 방향성 전기강판.
  2. 제1항에 있어서,
    결정립 입경이 1mm 이하인 결정립의 면적 분율이 10%이하인 방향성 전기강판.
  3. 제1항에 있어서,
    Al: 0.005 내지 0.030 중량% 더 포함하는 방향성 전기강판.
  4. 제1항에 있어서,
    S:0.010 중량% 이하 더 포함하는 방향성 전기강판.
  5. 제1항에 있어서,
    P: 0.0005 내지 0.045 중량% 더 포함하는 방향성 전기강판.
  6. 제1항에 있어서,
    Sb: 0.1중량% 이하 더 포함하는 방향성 전기강판.
  7. 제1항에 있어서,
    Co:0.1 중량% 이하, Ni: 0.1 중량% 이하 및 Mo: 0.1 중량% 이하 중 1종 이상을 더 포함하는 방향성 전기강판.
  8. 중량%로, Si: 2.0 내지 4.0%, Mn: 0.04 내지 0.2%, N:0.010% 이하(0%를 제외함), C: 0.001 내지 0.04%, Sn: 0.03 내지 0.08% 및 Cr: 0.01 내지 0.2%를 포함하고, 잔부 Fe 및 불가피한 불순물을 포함하고, 하기 식 1을 만족하는 슬라브를 열간 압연하여 열연강판을 제조하는 단계;
    상기 열연강판을 권취하는 단계;
    권취된 상기 열연강판을 그대로 냉각하고, 냉간압연하여 냉연강판을 제조하는 단계;
    상기 냉연강판을 1차 재결정 소둔하는 단계; 및
    상기 1차 재결정 소둔한 냉연강판을 2차 재결정소둔하는 단계;를 포함하고,
    상기 권취하는 단계에서 권취온도는 700 내지 850℃이고, 하기 식 2를 만족하는 방향성 전기강판의 제조방법.
    [식 1]
    0.038 × [Si] - 0.069 - [N] ≤ [C] ≤ 0.038 × [Si] - 0.069 + [N]
    (식 1에서, [Si], [N] 및 [C]는 각각 슬라브 내 Si, N 및 C의 함량(중량%)를 나타낸다.)
    [식 2]
    90 ≤ (0.038 × [Si] + [N] + [C]) × [CT] ≤ 130
    (식 2에서, [Si], [N] 및 [C]는 각각 슬라브 내 Si, N 및 C의 함량(중량%)를 나타내고, [CT]는 권취 온도(℃)를 나타낸다.)
  9. 제8항에 있어서,
    상기 열연강판을 제조하는 단계 이전에 슬라브를 1300℃ 이하로 가열하는 단계를 더 포함하는 방향성 전기강판의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 권취하는 단계 이후 및 냉연강판을 제조하는 단계 이전에 강판 외부에서 열을 가하는 열처리가 없는 방향성 전기강판의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 냉연강판을 제조하는 단계는 상기 열연강판을 1회 냉간압연하는 단계로 이루어지는 방향성 전기강판의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 1차 재결정 소둔하는 단계는 탈탄 단계 및 침질 단계를 포함하고,
    상기 탈탄 단계 이후, 상기 침질 단계를 수행하거나,
    상기 침질 단계 이후, 상기 탈탄 단계를 수행하거나, 또는
    상기 탈탄 단계 및 상기 침질 단계를 동시에 수행하는 방향성 전기강판의 제조방법.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 1차 재결정 소둔하는 단계 이후, 소둔 분리제를 도포하는 단계를 더 포함하는 방향성 전기강판의 제조방법.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 2차 재결정 소둔하는 단계는 900 내지 1210℃의 온도에서 2차 재결정이 완료되는 방향성 전기강판의 제조방법.
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