KR20220066909A - 처리액 노즐 및 세정 장치 - Google Patents
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Abstract
본 개시의 일양태에 따른 처리액 노즐은, 초음파 부여부(60)와, 제1 공급 유로(71)와, 토출 유로(72), 그리고 제2 공급 유로(73)를 구비한다. 초음파 부여부(60)는, 초음파를 발생시키는 진동자(61)와, 진동자(61)에 접합되는 진동체(62)를 갖는다. 제1 공급 유로(71)는, 초음파 부여부(60)의 진동체(62)에 접하는 위치에 제1 액체(L1)를 공급한다. 토출 유로(72)는, 초음파 부여부(60)에 의해 초음파가 부여된 제1 액체(L1)를 토출구(74)에 공급한다. 제2 공급 유로(73)는, 토출 유로(72)의 초음파 부여부(60)보다 하류측에 접속되어, 토출 유로(72)에 제2 액체(L2)를 공급한다.
Description
개시된 실시형태는 처리액 노즐 및 세정 장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 호칭함) 등의 기판의 표면을, 처리액 노즐로부터 토출되는 초음파가 부여된 세정액으로 세정하는 기술이 알려져 있다(특허문헌 1 참조).
본 개시는 처리액 노즐 내에서 세정액에 초음파를 부여하는 진동체가 파손되는 것을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
본 개시의 일양태에 따른 처리액 노즐은, 초음파 부여부와, 제1 공급 유로와, 토출 유로, 그리고 제2 공급 유로를 구비한다. 초음파 부여부는, 초음파를 발생시키는 진동자와, 상기 진동자에 접합되는 진동체를 갖는다. 제1 공급 유로는, 상기 초음파 부여부의 상기 진동체에 접하는 위치에 제1 액체를 공급한다. 토출 유로는, 상기 초음파 부여부에 의해 초음파가 부여된 상기 제1 액체를 토출구에 공급한다. 제2 공급 유로는, 상기 토출 유로의 상기 초음파 부여부보다 하류측에 접속되어, 상기 토출 유로에 제2 액체를 공급한다.
본 개시에 따르면, 처리액 노즐 내에서 세정액에 초음파를 부여하는 진동체가 파손되는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 모식도이다.
도 2는 처리 유닛의 구체적인 구성예를 나타내는 모식도이다.
도 3은 실시형태에 따른 처리액 노즐의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 실시형태에 따른 처리액 노즐의 액체 드리핑 억제 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 실시형태에 따른 처리액 노즐의 액체 드리핑 억제 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 실시형태에 따른 처리액 노즐의 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 실시형태의 변형예에 따른 처리액 노즐의 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 실시형태에 따른 더미 디스펜스 버스의 구성을 나타내는 도면이다.
도 9는 실시형태의 다른 변형예에 따른 처리액 노즐의 구성을 나타내는 도면이다.
도 10은 실시형태의 변형예에 따른 더미 디스펜스 버스의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 처리 유닛의 구체적인 구성예를 나타내는 모식도이다.
도 3은 실시형태에 따른 처리액 노즐의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4는 실시형태에 따른 처리액 노즐의 액체 드리핑 억제 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 실시형태에 따른 처리액 노즐의 액체 드리핑 억제 처리를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 실시형태에 따른 처리액 노즐의 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 실시형태의 변형예에 따른 처리액 노즐의 구성을 나타내는 도면이다.
도 8은 실시형태에 따른 더미 디스펜스 버스의 구성을 나타내는 도면이다.
도 9는 실시형태의 다른 변형예에 따른 처리액 노즐의 구성을 나타내는 도면이다.
도 10은 실시형태의 변형예에 따른 더미 디스펜스 버스의 구성을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 처리액 노즐 및 세정 장치의 실시형태를 상세하게 설명한다. 또, 이하에 나타내는 실시형태에 의해 본 개시가 한정되는 것은 아니다. 또한, 도면은 모식적인 것이며, 각 요소의 치수의 관계, 각 요소의 비율 등은, 현실과 다른 경우가 있는 것에 유의해야 한다. 또한, 도면의 상호간에 있어서도, 서로의 치수의 관계나 비율이 다른 부분이 포함되어 있는 경우가 있다.
종래, 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고도 호칭함) 등의 기판의 표면을, 처리액 노즐로부터 토출되는 초음파가 부여된 세정액으로 세정하는 기술이 알려져 있다. 한편으로, 이러한 세정액에 발포성의 액체를 이용하는 경우, 부여되는 초음파에 의해 액체 내의 거품이 터지기 때문에, 거품이 터질 때의 충격력으로 초음파를 부여하는 진동체가 파손될 우려가 있었다.
그래서, 전술한 문제점을 극복하여, 처리액 노즐 내에서 세정액에 초음파를 부여하는 진동체가 파손되는 것을 억제할 수 있는 기술의 실현이 기대되고 있다.
<기판 처리 시스템의 개요>
가장 먼저, 도 1을 참조하면서, 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성에 대해서 설명한다. 도 1은 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 또한, 기판 처리 시스템(1)은, 세정 장치의 일례이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 실시형태에서는 반도체 웨이퍼(W)(이하, 웨이퍼(W)라고 호칭함)를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 나열되어 마련된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 소정의 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예컨대 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 판독하여 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예컨대 하드디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 먼저, 반입출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 꺼내고, 꺼낸 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 꺼내어져, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리 완료된 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.
<처리 유닛의 구성>
다음에, 처리 유닛(16)의 구성에 대해서, 도 2를 참조하면서 설명한다. 도 2는 처리 유닛(16)의 구체적인 구성예를 나타내는 모식도이다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 처리부(30)와, 액 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.
챔버(20)는, 기판 처리부(30)와, 액 공급부(40)와, 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.
기판 처리부(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비하고, 배치된 웨이퍼(W)에 액 처리를 실시한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이고, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되며, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 둘레로 회전시킨다.
이러한 기판 처리부(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
기판 처리부(30)가 구비하는 유지부(31)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(31a)가 마련된다. 웨이퍼(W)는, 이러한 유지 부재(31a)에 의해 유지부(31)의 상면으로부터 약간 이격한 상태로 수평 유지된다. 또한, 웨이퍼(W)는, 기판 처리가 행해지는 표면을 상방을 향하게 한 상태로 유지부(31)에 유지된다.
액 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 액 공급부(40)는, 복수(여기서는 2개)의 노즐(41a, 41b)과, 이러한 노즐(41a, 41b)을 각각 수평으로 지지하는 아암(42a, 42b)과, 아암(42a, 42b)을 각각 선회 및 승강시키는 선회 승강 기구(43a, 43b)를 구비한다. 노즐(41a)은, 처리액 노즐의 일례이다.
노즐(41a)은, 밸브(44a) 및 유량 조정기(45a)를 통해 제1 액체 공급부(46a)에 접속되며, 밸브(44b) 및 유량 조정기(45b)를 통해 제2 액체 공급부(46b)에 접속된다.
제1 액체 공급부(46a)로부터 공급되는 제1 액체(L1)(도 3 참조)는, 강산성 또는 강알칼리성을 갖는 약액이며, 예컨대, 농황산이나 암모니아 등이다. 제2 액체 공급부(46b)로부터 공급되는 제2 액체(L2)(도 3 참조)는, 발포성을 갖는 약액이며, 예컨대, 과산화수소수나 DIW(DeIonized Water: 탈이온수) 등이다.
또한, 본 개시에 있어서 「제2 액체(L2)는 발포성을 갖는다」란, 제2 액체(L2)가 단체로 발포하는 경우에 한정되지 않고, 제2 액체(L2)가 다른 액체(예컨대, 제1 액체(L1))와 섞임으로써 비로소 발포하는 경우도 포함된다.
노즐(41b)은, 밸브(44c) 및 유량 조정기(45c)를 통해 DIW 공급원(46c)에 접속된다. DIW는, 예컨대 린스 처리에 이용된다. 또한, 린스 처리에 이용하는 처리액은 DIW에 한정되지 않는다.
노즐(41a)로부터는, 제1 액체 공급부(46a)로부터 공급되는 제1 액체(L1)와, 제2 액체 공급부(46b)로부터 공급되는 제2 액체(L2)가 혼합된 혼합액(M)(도 3 참조)이 토출된다. 이러한 노즐(41a)의 상세에 대해서는 후술한다. 노즐(41b)로부터는, DIW 공급원(46c)으로부터 공급되는 DIW가 토출된다.
회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되며, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부에 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다.
또한, 실시형태의 처리 유닛(16)에서는, 노즐이 2개 마련되는 예에 대해서 나타내었지만, 처리 유닛(16)에 마련되는 노즐의 수는 2개에 한정되지 않는다.
<처리액 노즐의 상세>
다음에, 실시형태에 따른 처리액 노즐의 일례인 노즐(41a)의 상세에 대해서, 도 3을 참조하면서 설명한다. 도 3은 실시형태에 따른 처리액 노즐의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 노즐(41a)은, 초음파 부여부(60)와, 제1 공급 유로(71)와, 토출 유로(72)와, 제2 공급 유로(73)를 구비한다. 노즐(41a)은, 제1 공급 유로(71)로부터 공급되는 제1 액체(L1)와 제2 공급 유로(73)로부터 공급되는 제2 액체(L2)를 혼합하여 혼합액(M)을 생성하고, 이러한 혼합액(M)에 초음파(S)를 부여하여, 토출구(74)로부터 웨이퍼(W)에 토출한다.
여기서, 도 3에 나타내는 바와 같이, 토출구(74)로부터 토출되는 혼합액(M)이 웨이퍼(W)까지 도중에 끊기는 일없이 토출됨으로써, 초음파 부여부(60)에서 부여된 초음파(S)를 웨이퍼(W) 상에 착액(着液)한 혼합액(M)까지 전달할 수 있다.
즉, 실시형태에 따른 노즐(41a)은, 웨이퍼(W)를 혼합액(M)으로 세정할 때에, 초음파(S)에 의한 물리력을 이용하여 세정할 수 있다. 따라서, 실시형태에 따르면, 화학적 안정성이 높은 막(예컨대, 희생막 등)이 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 경우라도, 높은 세정력으로 이 화학적 안정성이 높은 막을 제거할 수 있다.
다음에, 노즐(41a)에 있어서의 각부(各部)의 상세에 대해서 설명한다. 초음파 부여부(60)는, 진동자(61)와, 진동체(62)를 갖는다.
진동자(61)는, PZT(티탄산지르콘산납) 등의 압전 세라믹스로 형성된다. 진동자(61)는, 외부로부터 소여의 발진 주파수를 갖는 구동 신호가 입력됨으로써, 이러한 소여의 발신 주파수를 갖는 초음파(S)를 발생시킨다. 진동자(61)는, 예컨대, 200 ㎑ 이상의 비교적 높은 주파수의 초음파(S)를 발생시킬 수 있다.
진동체(62)는, 진동자(61)에 강고하게 접합된다. 즉, 초음파 부여부(60)에서는, 진동체(62)와 진동자(61)가 일체로 진동하도록 구성되기 때문에, 진동체(62)는, 진동 시에 있어서의 부하로서의 기능을 갖는다.
따라서, 실시형태에 따르면, 진동체(62)를 제1 액체(L1)에 직접 접촉시켜 초음파(S)를 부여함으로써, 진동자(61)를 제1 액체(L1)에 직접 접촉시켜 초음파(S)를 부여하는 경우에 비해서, 임피던스의 변동을 작게 할 수 있다.
진동체(62)는, 내약품성 및 내열성을 갖는 무기 재료로 형성된다. 진동체(62)는, 예컨대, 석영, 사파이어 등의 광물계 재료나, 알루미나, 티타니아, 실리카, 탄화규소 등의 세라믹 재료 등으로 형성된다.
제1 공급 유로(71)는, 초음파 부여부(60)의 진동체(62)에 접하는 위치에 제1 액체(L1)를 공급한다. 제1 공급 유로(71)는, 진동체(62)가 마련되는 토출 유로(72)의 상류측에 접속된다. 그리고, 제1 공급 유로(71)는, 제1 액체 공급부(46a), 밸브(44a) 및 유량 조정기(45a)를 통해, 제1 액체(L1)를 토출 유로(72)의 상류측에 공급한다.
토출 유로(72)는, 하방에 직선형으로 연장되도록 노즐(41a)의 내부에 형성된다. 토출 유로(72)는, 상류측에 초음파 부여부(60)의 진동체(62)가 마련되고, 하류측에 노즐(41a)의 토출구(74)가 형성된다. 그리고, 토출 유로(72)는, 초음파 부여부(60)에 의해 초음파(S)가 부여된 제1 액체(L1)나, 이러한 제1 액체(L1)를 이용하여 생성되는 혼합액(M)을 토출구(74)에 공급한다.
실시형태에서는, 토출 유로(72)가 직선형으로 형성되기 때문에, 초음파 부여부(60)에서 부여된 초음파(S)를 웨이퍼(W)의 표면까지 원활하게 전달할 수 있다.
제2 공급 유로(73)는, 토출 유로(72)에 제2 액체(L2)를 공급한다. 제2 공급 유로(73)는, 토출 유로(72)의 초음파 부여부(60)보다 하류측에 접속된다. 그리고, 제2 공급 유로(73)는, 제2 액체 공급부(46b), 밸브(44b) 및 유량 조정기(45b)를 통해, 제2 액체(L2)를 토출 유로(72)의 초음파 부여부(60)보다 하류측에 공급한다.
그리고, 제2 공급 유로(73)로부터 토출 유로(72)에 제2 액체(L2)가 공급됨으로써, 토출 유로(72)의 내부에서 제1 액체(L1)와 제2 액체(L2)의 혼합액(M)이 생성된다. 그리고, 실시형태에서는, 제2 액체(L2)가 발포성을 갖기 때문에, 적어도 혼합액(M)에는 거품(B)이 포함된다.
또한, 제2 액체(L2)로서 과산화수소수를 이용한 경우, 제2 액체(L2) 자체가 발포성을 갖기 때문에, 도 3에 나타내는 바와 같이, 혼합액(M) 외에 제2 액체(L2)에도 거품(B)이 포함된다.
여기서, 실시형태에서는, 제2 공급 유로(73)를 초음파 부여부(60)보다 하류측에 접속함으로써, 거품(B)이 포함되는 혼합액(M)을 초음파 부여부(60)보다 하류측에서 생성할 수 있다.
즉, 실시형태에서는, 거품(B)이 포함되는 혼합액(M)을 초음파 부여부(60)로부터 떨어진 위치에서 생성할 수 있기 때문에, 초음파(S)에 의해 혼합액(M) 내의 거품(B)이 터졌다고 해도, 이러한 거품(B)이 터질 때의 충격력을 진동체(62)까지 전달하기 어렵게 할 수 있다.
따라서, 실시형태에 따르면, 혼합액(M)에 부여되는 초음파(S) 및 혼합액(M)에 포함되는 거품(B)에 기인하여, 노즐(41a)의 내부에서 진동체(62)가 파손되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 발포성을 갖는 혼합액(M)이 토출 유로(72)의 하류측에만 위치하고 있기 때문에, 세정 처리가 끝나 혼합액(M)의 토출이 정지된 경우에, 노즐(41a)의 내부에 남은 혼합액(M)의 양을 최소한으로 억제할 수 있다.
이에 의해, 혼합액(M)의 내부에서 발포가 계속되어 혼합액(M)의 체적이 팽창할 때에, 이러한 체적의 팽창을 최소한으로 억제할 수 있다. 따라서, 실시형태에 따르면, 혼합액(M)의 토출이 정지된 경우에, 이러한 혼합액(M)이 팽창하여 토출구(74)로부터 드리핑되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 제1 액체(L1)가 강산성 또는 강알칼리성을 갖고, 제2 액체(L2)가 발포성을 가지면 좋다. 이에 의해, 희생막 등의 화학적 안정성이 높은 막이 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 경우라도, 높은 세정력으로 이 화학적 안정성이 높은 막을 제거할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 토출구(74)로부터 토출되는 혼합액(M)을 제전(除電)하는 제전부(도시하지 않음)를 더 구비하면 좋다. 이러한 제전부는, 예컨대, 노즐(41a)의 본체부나 초음파 부여부(60) 사이와, 접지 전위의 사이를 접속하는 배선에 의해 구성된다.
이에 의해, 웨이퍼(W)의 대전이나 아킹(arcing)이 문제가 되는 경우에 있어서, 혼합액(M)으로 세정 처리를 실시할 때에 웨이퍼(W)의 대전이나 아킹의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 제2 공급 유로(73)의 상류측은, 밸브(81)를 통해 드레인부(DR)에 접속된다. 또한, 이러한 밸브(81) 및 드레인부(DR)는, 제2 공급 유로(73)보다 아래에 위치한다. 이어서, 이러한 밸브(81)를 이용한 액체 드리핑 억제 처리의 상세에 대해서, 도 4 및 도 5를 참조하면서 설명한다.
도 4 및 도 5는 실시형태에 따른 처리액 노즐의 액체 드리핑 억제 처리를 설명하기 위한 도면이다. 또한, 도 4는 노즐(41a)로부터 초음파(S)가 부여된 혼합액(M)을 토출하여, 웨이퍼(W)의 세정 처리를 실시하고 있는 경우를 나타내고 있다.
노즐(41a)을 이용하여 웨이퍼(W)의 세정 처리를 실시하고 있는 경우, 제1 공급 유로(71)에 접속되는 밸브(44a) 및 제2 공급 유로(73)에 접속되는 밸브(44b)는 모두 개방 상태(또한, 이후의 도면에서는 「O」라고 기재함)이다.
또한, 이 경우, 밸브(81)는 폐쇄 상태(또한, 이후의 도면에서는 「C」라고 기재함)이며, 초음파 부여부(60)로부터는 초음파(S)가 출력된다. 이에 의해, 노즐(41a)의 토출구(74)로부터 초음파(S)가 부여된 혼합액(M)을 토출할 수 있다.
그리고, 웨이퍼(W)의 세정 처리가 끝나 혼합액(M)의 토출을 종료하는 경우, 제어부(18)(도 1 참조)는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 먼저 초음파 부여부(60)에 의한 초음파(S)의 출력을 정지한다(단계 S01). 다음에, 제어부(18)는, 밸브(44a)를 폐쇄 상태로 하여, 토출 유로(72)에의 제1 액체(L1)의 공급을 정지한다(단계 S02).
이와 같이, 초음파(S)의 출력을 정지한 후에 제1 액체(L1)의 공급을 정지함으로써, 초음파 부여부(60)가 초음파(S)를 공가열하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 실시형태에 따르면, 이러한 공가열에 의해 초음파 부여부(60)가 파손되는 것을 억제할 수 있다.
다음에, 제어부(18)는, 밸브(44b)를 폐쇄 상태로 하여, 토출 유로(72)에의 제2 액체(L2)의 공급을 정지한다(단계 S03). 또한, 이러한 단계 S03은, 전술의 단계 S02와 동시에 실시하여도 좋다.
그리고, 제어부(18)는, 밸브(81)를 개방 상태로 하여, 제2 공급 유로(73)에 남은 제2 액체(L2)를 드레인부(DR)에 배출한다(단계 S04). 이에 의해, 토출구(74)의 근방에 남은 혼합액(M)을 토출 유로(72)의 상류측에 복귀시킬 수 있다.
여기까지 설명한 처리에 의해, 실시형태에서는, 토출구(74)의 근방에 남은 혼합액(M)이 외부에 드리핑되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 세정 처리를 재차 개시할 때에는, 제1 공급 유로(71)로부터 제1 액체(L1)가 토출 유로(72)에 공급된 후에, 초음파 부여부(60)로부터 초음파(S)를 출력하면 좋다. 이에 의해, 초음파 부여부(60)가 초음파(S)를 공가열하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 이러한 공가열에 의해 초음파 부여부(60)가 파손되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 4 및 도 5의 예에서는, 제2 공급 유로(73)보다 하방에 마련되는 밸브(81)를 이용하여, 자기 중량에 의해 제2 공급 유로(73)에 남은 제2 액체(L2)를 드레인부(DR)에 배출하는 예에 대해서 나타내었다. 그러나, 실시형태에서는, 제2 공급 유로(73)에 남은 제2 액체(L2)를 강제적으로 드레인부(DR)에 배출하여도 좋다.
예컨대, 밸브(81)와 제2 공급 유로(73) 사이에 아스피레이터나 이젝터 등을 추가하고, 이러한 아스피레이터나 이젝터 등을 동작시킴으로써, 제2 공급 유로(73)에 남은 제2 액체(L2)를 드레인부(DR)에 강제적으로 배출할 수 있다.
이어서, 노즐(41a)에 있어서의 각부의 적합한 치수에 대해서, 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 6은 실시형태에 따른 처리액 노즐의 구성을 나타내는 도면이다.
이후의 설명에서는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 공급 유로(71)의 내경을 Da로 하고, 토출 유로(72)의 내경을 Db로 하고, 제2 공급 유로(73)의 내경을 Dc로 하고, 토출구(74)의 구경을 Dd로 한다. 또한, 토출 유로(72)에 있어서, 제1 공급 유로(71)와의 접속부에 있어서 제2 공급 유로(73)와의 접속부까지의 길이를 La로 하고, 제2 공급 유로(73)와의 접속부에서 토출구(74)까지의 길이를 Lb로 한다.
실시형태에서는, 제1 공급 유로(71)와의 접속부에서 제2 공급 유로(73)와의 접속부까지의 길이(La)가, 토출구(74)의 구경(Dd) 이상의 길이이면 좋다. 이에 의해, 제2 액체(L2)나 혼합액(M)에 포함되는 거품(B)이, 진동체(62)의 근방까지 역류하는 것을 억제할 수 있다.
따라서, 실시형태에 따르면, 거품(B)에 기인하여 노즐(41a)의 내부에서 진동체(62)가 파손되는 것을 더욱 억제할 수 있다. 또한, 토출구(74)의 구경(Dd) 자체는, 특별히 한정되는 일은 없으며, 웨이퍼(W)의 세정 처리에 필요로 되는 혼합액(M)의 토출 유량에 맞추어 적절하게 설정할 수 있다.
또한, 제1 공급 유로(71)의 내경(Da)이나 제2 공급 유로(73)의 내경(Dc)도 특별히 한정되는 일은 없고, 웨이퍼(W)의 세정 처리에 필요로 되는 제1 액체(L1) 및 제2 액체(L2)의 공급 유량에 맞추어 적절하게 설정할 수 있다.
예컨대, 제1 액체(L1)와 제2 액체(L2)의 혼합비가 2:1인 경우, 내경(Da)과 내경(Dc)의 비를 2:1로 설정하여도 좋고, 내경(Da)과 내경(Dc)을 동일한 값으로 설정하여도 좋다.
또한, 실시형태에서는, 제2 공급 유로(73)와의 접속부에서 토출구(74)까지의 길이(Lb)가, 토출구(74)의 구경(Dd) 이상의 길이이면 좋다. 이에 의해, 제1 액체(L1)와 제2 액체(L2)를 혼합하기 위해 충분한 유로의 길이를 확보할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 제1 액체(L1)의 점도가 제2 액체(L2)의 점도보다 큰 경우, 제2 공급 유로(73)와의 접속부에서 토출구(74)까지의 길이(Lb)가, 제1 공급 유로(71)와의 접속부에서 제2 공급 유로(73)와의 접속부까지의 길이(La)보다 길면 좋다.
이와 같이, 제2 액체(L2)가 저점도인 경우에, 길이(Lb)의 값을 크게 설정함으로써, 토출구(74) 근방에 있어서의 혼합액(M)이 충분한 표면 장력을 확보할 수 있다. 따라서, 실시형태에 따르면, 혼합액(M)이 토출구(74)로부터 드리핑되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제2 액체(L2)가 고점도인 경우에는, 길이(Lb)의 값을 작게 설정하여도 좋다.
또한, 실시형태에서는, 제1 액체(L1)의 유량이 제2 액체(L2)의 유량보다 작은 경우, 제1 공급 유로(71)와의 접속부에서 제2 공급 유로(73)와의 접속부까지의 길이(La)가, 제2 공급 유로(73)와의 접속부에서 토출구(74)까지의 길이(Lb)보다 길면 좋다.
이와 같이, 제2 액체(L2)의 유량보다 제1 액체(L1)의 유량 쪽이 작은 경우에, 길이(La)의 값을 크게 설정함으로써, 제2 액체(L2)가 제1 공급 유로(71)까지 역류하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제2 액체(L2)의 유량보다 제1 액체(L1)의 유량 쪽이 큰 경우에는, 제2 액체(L2)가 제1 공급 유로(71)까지 역류할 가능성은 작다.
또한, 실시형태에서는, 제1 액체(L1)의 공급 압력이, 제2 액체(L2)의 공급 압력보다 크면 좋다. 이에 의해, 제1 공급 유로(71)와의 접속부에서 제2 공급 유로(73)와의 접속부까지의 길이(La)가 짧게 설정되어 있는 경우라도, 제2 액체(L2)가 제1 공급 유로(71)까지 역류하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 제1 액체(L1)와 제2 액체(L2)를 혼합하면 반응열이 발생하는 경우, 제1 공급 유로(71)와의 접속부에서 제2 공급 유로(73)와의 접속부까지의 길이(La)가, 제2 공급 유로(73)와의 접속부에서 토출구(74)까지의 길이(Lb)보다 길면 좋다.
이와 같이, 제1 액체(L1)와 제2 액체(L2)를 혼합하면 반응열이 발생하는 경우, 길이(La)의 값을 크게 설정함으로써, 혼합액(M)으로 생긴 반응열이 진동체(62)에 전해지는 것을 억제할 수 있다.
따라서, 실시형태에 따르면, 혼합액(M)으로 생기는 반응열에 기인하여, 진동체(62)와 진동자(61)의 접합면 등에 손상이 가해지는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 진동체(62)와 직접 접촉하는 제1 액체(L1)의 온도 자체도 저온(예컨대, 실온 이하)인 편이 좋다. 이에 의해, 진동체(62)와 진동자(61)의 접합면 등에 손상이 가해지는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에서는, 토출 유로(72)의 내경(Db)이, 토출구(74)의 구경(Dd)과 같으면 좋다. 이에 의해, 토출 유로(72)를 흐르는 제1 액체(L1)나 혼합액(M)의 압력 손실을 최소한으로 할 수 있기 때문에, 혼합액(M)을 효율적으로 토출할 수 있다.
또한, 토출 유로(72)의 내경(Db)은, 토출구(74)의 구경(Dd)과 같은 경우에 한정되지 않는다. 도 7은 실시형태의 변형예에 따른 처리액 노즐의 구성을 나타내는 도면이다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 이 변형예에서는, 토출 유로(72)에 있어서의 상류측의 내경(Db1)이 토출구(74)의 구경(Dd)보다 크다. 즉, 이 변형예에서는, 토출 유로(72)에 있어서의 상류측의 내경(Db1)이, 토출구(74)에 연결되는 하류측의 내경(Db2)보다 크다.
이에 의해, 웨이퍼(W)의 세정 처리에 필요로 되는 혼합액(M)(도 3 참조)의 토출 유량에 맞추어, 토출구(74)의 구경(Dd)을 적절하게 설정할 수 있으며, 이러한 구경(Dd)보다 큰 사이즈의 진동체(62)를 토출 유로(72)의 상류측에 마련할 수 있다.
따라서, 변형예에 따르면, 더욱 고출력의 초음파(S)(도 3 참조)를 혼합액(M)에 부여할 수 있기 때문에, 더욱 높은 세정력으로 웨이퍼(W)를 세정할 수 있다.
또한, 변형예에서는, 토출 유로(72)에 있어서 내경이 Db에서 Dc로 변화하는 부위에, 테이퍼(72a)를 마련하면 좋다. 이에 의해, 진동체(62)로부터 전달되는 초음파(S)가 토출 유로(72)의 내벽에 닿아, 진동체(62)에 직접 튀어 오르는 것을 억제할 수 있다.
또한, 여기까지 설명한 실시형태에서는, 2종류의 액체를 혼합하여 혼합액(M)을 생성하는 예에 대해서 나타내었지만, 3종류 이상의 액체를 혼합하여 혼합액(M)을 생성하여도 좋다. 예컨대, 제1 액체(L1)로서 암모니아를 이용하고, 제2 액체(L2)로서 과산화수소수를 이용하고, 제3 액체로서 DIW를 이용하여 혼합액(M)을 생성하여도 좋다.
그리고, 제3 액체를 더 혼합하여 혼합액(M)을 생성하는 경우, 이러한 제3 액체를 공급하는 제3 공급 유로는, 제1 공급 유로(71)에 접속되거나, 또는 토출 유로(72)에 있어서의 제2 공급 유로(73)와의 접속부보다 상류측에 접속되면 좋다.
또한, 도 3의 예에서는, 토출 유로(62)를 대략 연직을 향하여 웨이퍼(W)에 혼합액(M)을 토출하는 예에 대해서 나타내었지만, 토출 유로(62)를 비스듬하게 향하여 웨이퍼(W)에 혼합액을 토출하여도 좋다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상에서 튀어 오른 혼합액(M)이 노즐(41a)에 부착되어, 노즐(41a)이 오염되는 것을 억제할 수 있다.
또한 이 경우, 제어부(18)는, 노즐(41a)의 위치를 제어하여, 웨이퍼(W)의 세정 처리의 전반 부분에서 웨이퍼(W)의 회전 방향을 향하여 마주보는 방향에 혼합액(M)을 토출하며, 세정 처리의 후반 부분에서는 웨이퍼(W)의 회전 방향을 따른 방향에 혼합액(M)을 토출하면 좋다.
이에 의해, 세정 처리의 전반 부분에서는, 웨이퍼(W) 상에서의 초음파(S)의 체재 시간을 더욱 연장시킬 수 있기 때문에, 화학적 안정성이 높은 막을 효율적으로 제거할 수 있다. 또한, 세정 처리의 후반 부분에서는, 웨이퍼(W) 상에서의 초음파(S)의 체재 시간을 짧게 할 수 있기 때문에, 막이 박리된 웨이퍼(W)의 표면에의 손상을 억제할 수 있다.
<액체 드리핑 억제 기구의 상세>
이어서, 실시형태에 따른 각종 액체 드리핑 억제 기구의 상세에 대해서, 도 8∼도 10을 참조하면서 설명한다. 도 8은 실시형태에 따른 더미 디스펜스 버스(82)의 구성을 나타내는 도면이다. 이하에 설명하는 더미 디스펜스 버스(82)는, 액체 드리핑 억제 기구의 일례이다.
더미 디스펜스 버스(82)는, 처리 유닛(16)(도 2 참조)에 있어서의 챔버(20)(도 2)의 내부에 마련되고, 노즐(41a)의 대기 위치의 하방에 배치된다. 더미 디스펜스 버스(82)는, 노즐(41a)에 접속되는 각 유로 내의 기포나 이물 등의 배제를 목적으로 한 더미 디스펜스 처리 시에, 노즐(41a)로부터 토출되는 혼합액(M)을 받아들이고, 받아들인 혼합액(M)을 드레인부(DR)에 배출한다.
또한, 실시형태에 따른 더미 디스펜스 버스(82)는, 노즐(41a)로부터 토출되는 혼합액(M)을 받아들이는 기능에 더하여, 노즐(41a)의 토출구(74)에 부착된 혼합액(M)의 액적을 흡인하는 흡인 노즐(83)을 구비한다.
그리고, 이러한 흡인 노즐(83)을 동작시켜, 노즐(41a)의 토출구(74)에 부착된 혼합액(M)의 액적을 흡인함으로써, 혼합액(M)이 토출구(74)로부터 드리핑되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제어부(18)는, 웨이퍼(W)를 기판 처리부(30)에서 세정 처리하기 전에, 더미 디스펜스 버스(82)에서 대기하는 노즐(41a)의 토출구(74)에 부착된 혼합액(M)을 흡인 노즐(83)로 흡인하면 좋다.
이에 의해, 세정 처리되기 전의 웨이퍼(W)의 상방으로 노즐(41a)을 이동시킬 때에, 잘못하여 웨이퍼(W) 상에 혼합액(M)이 드리핑되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 도 8의 예에서는, 흡인 노즐(83)이 더미 디스펜스 버스(82)에 마련되는 예에 대해서 나타내었지만, 흡인 노즐(83)이 마련되는 개소는 더미 디스펜스 버스(82)에 한정되지 않는다. 도 9는 실시형태의 다른 변형예에 따른 처리액 노즐의 구성을 나타내는 도면이다.
도 9에 나타내는 바와 같이, 노즐(41a)의 토출구(74) 근방에 흡인구가 마련되도록, 전술한 흡인 노즐(83)을 아암(42a)에 마련하여도 좋다. 이에 의해, 노즐(41a)이 대기 위치에 대기하지 않는 상태라도, 혼합액(M)이 토출구(74)로부터 드리핑되는 것을 억제할 수 있다.
예컨대, 도 9의 예에서는, 세정 처리가 끝나 노즐(41a)이 대기 위치로 되돌아갈 때에 흡인 노즐(83)을 동작시켜, 노즐(41a)의 토출구(74)에 부착된 혼합액(M)의 액적을 흡인하면 좋다.
도 10은 실시형태의 변형예에 따른 더미 디스펜스 버스(82)의 구성을 나타내는 도면이다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 변형예에 따른 더미 디스펜스 버스(82)는, 노즐(41a)로부터 토출되는 혼합액(M)을 받아들이는 기능에 더하여, 노즐(41a)의 토출구(74)에 부착된 혼합액(M)의 액적을 에어 블로우하는 에어 블로우부(84)를 구비한다.
그리고, 이러한 에어 블로우부(84)를 동작시켜, 노즐(41a)의 토출구(74)에 부착된 혼합액(M)의 액적을 에어 블로우함으로써, 혼합액(M)이 토출구(74)로부터 드리핑되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 제어부(18)는, 웨이퍼(W)를 기판 처리부(30)에서 세정 처리하기 전에, 더미 디스펜스 버스(82)에서 대기하는 노즐(41a)의 토출구(74)에 부착된 혼합액(M)을 에어 블로우부(84)로 에어 블로우하면 좋다.
이에 의해, 세정 처리되기 전의 웨이퍼(W)의 상방으로 노즐(41a)을 이동시킬 때에, 잘못하여 웨이퍼(W) 상에 혼합액(M)이 드리핑되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 에어 블로우부(84)로 에어 블로우된 혼합액(M)의 액적은, 더미 디스펜스 버스(82)로 받아내어져, 드레인부(DR)로 배출된다.
실시형태에 따른 처리액 노즐(노즐(41a))은, 초음파 부여부(60)와, 제1 공급 유로(71)와, 토출 유로(72), 그리고 제2 공급 유로(73)를 구비한다. 초음파 부여부(60)는, 초음파(S)를 발생시키는 진동자(61)와, 진동자(61)에 접합되는 진동체(62)를 갖는다. 제1 공급 유로(71)는, 초음파 부여부(60)의 진동체(62)에 접하는 위치에 제1 액체(L1)를 공급한다. 토출 유로(72)는, 초음파 부여부(60)에 의해 초음파(S)가 부여된 제1 액체(L1)를 토출구(74)에 공급한다. 제2 공급 유로(73)는, 토출 유로(72)의 초음파 부여부(60)보다 하류측에 접속되어, 토출 유로(72)에 제2 액체(L2)를 공급한다. 이에 의해, 혼합액(M)에 부여되는 초음파(S) 및 혼합액(M)에 포함되는 거품(B)에 기인하여, 노즐(41a)의 내부에서 진동체(62)가 파손되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 처리액 노즐(노즐(41a))에 있어서, 제1 액체(L1)는, 강산성 또는 강알칼리성을 갖고, 제2 액체(L2)는, 발포성을 갖는다. 이에 의해, 희생막 등의 화학적 안정성이 높은 막이 웨이퍼(W)에 형성되어 있는 경우라도, 높은 세정력으로 이 화학적 안정성이 높은 막을 제거할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 처리액 노즐(노즐(41a))에 있어서, 토출 유로(72)에 있어서, 제1 공급 유로(71)와의 접속부에서 제2 공급 유로(73)와의 접속부까지의 길이(La)는, 토출구(74)의 구경(Dd) 이상의 길이이다. 이에 의해, 거품(B)에 기인하여 노즐(41a)의 내부에서 진동체(62)가 파손되는 것을 더욱 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 처리액 노즐(노즐(41a))에 있어서, 토출 유로(72)에 있어서, 제2 공급 유로(73)와의 접속부에서 토출구(74)까지의 길이(Lb)는, 토출구(74)의 구경(Dd) 이상의 길이이다. 이에 의해, 제1 액체(L1)와 제2 액체(L2)를 혼합하기 위해 충분한 유로의 길이를 확보할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 처리액 노즐(노즐(41a))에 있어서, 토출 유로(72)의 내경(Db)은, 토출구(74)의 구경(Dd)과 같다. 이에 의해, 토출 유로(72)를 흐르는 제1 액체(L1)나 혼합액(M)의 압력 손실을 최소한으로 할 수 있기 때문에, 혼합액(M)을 효율적으로 토출할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 처리액 노즐(노즐(41a))에 있어서, 토출 유로(72)에 있어서의 상류측의 내경(Db1)은, 토출구(74)의 구경(Dd)보다 크다. 이에 의해, 더욱 고출력의 초음파(S)를 혼합액(M)에 부여할 수 있기 때문에, 더욱 높은 세정력으로 웨이퍼(W)를 세정할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 처리액 노즐(노즐(41a))에 있어서, 제1 액체(L1)의 점도가 제2 액체(L2)의 점도보다 큰 경우, 길이(Lb)는 길이(La)보다 길다. 이러한 길이(Lb)는, 토출 유로(72)에 있어서의 제2 공급 유로(73)와의 접속부에서 토출구(74)까지의 길이이고, 길이(La)는, 토출 유로(72)에 있어서의 제1 공급 유로(71)와의 접속부에서 제2 공급 유로(73)와의 접속부까지의 길이이다. 이에 의해, 혼합액(M)이 토출구(74)로부터 드리핑되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 처리액 노즐(노즐(41a))에 있어서, 제1 액체(L1)의 유량이 제2 액체(L2)의 유량보다 작은 경우, 길이(La)는 길이(Lb)보다 길다. 이에 의해, 제2 액체(L2)가 제1 공급 유로(71)까지 역류하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 처리액 노즐(노즐(41a))에 있어서, 제1 액체(L1)의 공급 압력은, 제2 액체(L2)의 공급 압력보다 크다. 이에 의해, 제1 공급 유로(71)와의 접속부에서 제2 공급 유로(73)와의 접속부까지의 길이(La)가 짧게 설정되어 있는 경우라도, 제2 액체(L2)가 제1 공급 유로(71)까지 역류하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 처리액 노즐(노즐(41a))에 있어서, 제1 액체(L1)와 제2 액체(L2)를 혼합하면 반응열이 발생하는 경우, 길이(La)는 길이(Lb)보다 길다. 이에 의해, 혼합액(M)에서 발생되는 반응열에 기인하여, 진동체(62)와 진동자(61)의 접합면 등에 손상이 가해지는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 처리액 노즐(노즐(41a))은, 제1 공급 유로(71), 또는 토출 유로(72)에 있어서의 제2 공급 유로(73)와의 접속부보다 상류측에 접속되어, 제3 액체를 공급하는 제3 공급 유로를 더 구비한다. 이에 의해, 3종류의 액체를 혼합한 혼합액(M)으로 세정 처리를 실시할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 처리액 노즐(노즐(41a))은, 토출구(74)로부터 토출되는 혼합액(M)을 제전하는 제전부를 더 구비한다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 대전이나 아킹이 문제가 되는 경우에 있어서, 혼합액(M)으로 세정 처리를 실시할 때에 웨이퍼(W)의 대전이나 아킹의 발생을 억제할 수 있다.
실시형태에 따른 세정 장치(기판 처리 시스템(1))는, 상기에 기재된 처리액 노즐(노즐(41a))과, 기판(웨이퍼(W))을 유지하여 회전시키는 기판 처리부(30)를 구비한다. 이에 의해, 노즐(41a)의 내부에서 진동체(62)의 파손이 억제된 세정 장치를 실현할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 세정 장치(기판 처리 시스템(1))는, 처리액 노즐(노즐(41a))의 대기 위치에 마련되는 더미 디스펜스 버스(82)를 더 구비한다. 그리고, 더미 디스펜스 버스(82)는, 토출구(74)에 부착된 액체(혼합액(M))를 흡인하는 흡인 노즐(83)을 갖는다. 이에 의해, 혼합액(M)이 토출구(74)로부터 드리핑되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 세정 장치(기판 처리 시스템(1))는, 각부를 제어하는 제어부(18)를 더 구비한다. 그리고, 제어부(18)는, 기판(웨이퍼(W))을 기판 처리부(30)에서 처리하기 전에, 더미 디스펜스 버스(82)에서 대기하는 처리액 노즐(노즐(41a))의 토출구(74)에 부착된 액체(혼합액(M))를 흡인 노즐(83)로 흡인한다. 이에 의해, 세정 처리되기 전의 웨이퍼(W)의 상방으로 노즐(41a)을 이동시킬 때에, 잘못하여 웨이퍼(W) 상에 혼합액(M)이 드리핑되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 세정 장치(기판 처리 시스템(1))는, 처리액 노즐(노즐(41a))의 대기 위치에 마련되는 더미 디스펜스 버스(82)를 더 구비한다. 그리고, 더미 디스펜스 버스(82)는, 토출구(74)에 부착된 액체(혼합액(M))를 에어 블로우하는 에어 블로우부(84)를 갖는다. 이에 의해, 혼합액(M)이 토출구(74)로부터 드리핑되는 것을 억제할 수 있다.
또한, 실시형태에 따른 세정 장치(기판 처리 시스템(1))는, 각부를 제어하는 제어부(18)를 더 구비한다. 그리고, 제어부(18)는, 기판(웨이퍼(W))을 기판 처리부(30)에서 처리하기 전에, 더미 디스펜스 버스(82)에서 대기하는 처리액 노즐(노즐(41a))의 토출구(74)에 부착된 액체(혼합액(M))를 에어 블로우부(84)로 에어 블로우한다. 이에 의해, 세정 처리되기 전의 웨이퍼(W)의 상방으로 노즐(41a)를 이동시킬 때에, 잘못하여 웨이퍼(W) 상에 혼합액(M)이 드리핑되는 것을 억제할 수 있다.
이상, 본 개시의 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 개시는 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 그 취지를 일탈하지 않는 한에 있어서 여러 가지 변경이 가능하다. 예컨대, 상기 실시형태에서는, 웨이퍼(W)의 세정 처리에 노즐(41a)을 적용한 예에 대해서 나타내었지만, 노즐(41a)이 적용되는 처리는 웨이퍼(W)의 세정 처리에 한정되지 않고, 각종 액 처리에 노즐(41a)을 적용할 수 있다.
이번에 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시로서 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 실제로, 상기한 실시형태는 다양한 형태로 구현될 수 있다. 또한, 상기 실시형태는, 첨부된 청구범위 및 그 취지를 일탈하는 일없이, 여러 가지 형태로 생략, 치환, 변경되어도 좋다.
W : 웨이퍼 1 : 기판 처리 시스템(세정 장치의 일례)
16 : 처리 유닛 18 : 제어부
30 : 기판 처리부 41a : 노즐(처리액 노즐의 일례)
60 : 초음파 부여부 61 : 진동자
62 : 진동체 71 : 제1 공급 유로
72 : 토출 유로 73 : 제2 공급 유로
74 : 토출구 82 : 더미 디스펜스 버스
83 : 흡인 노즐 84 : 에어 블로우부
Da, Db, Dc : 내경 Dd : 구경
L1 : 제1 액체 L2 : 제2 액체
La, Lb : 길이
16 : 처리 유닛 18 : 제어부
30 : 기판 처리부 41a : 노즐(처리액 노즐의 일례)
60 : 초음파 부여부 61 : 진동자
62 : 진동체 71 : 제1 공급 유로
72 : 토출 유로 73 : 제2 공급 유로
74 : 토출구 82 : 더미 디스펜스 버스
83 : 흡인 노즐 84 : 에어 블로우부
Da, Db, Dc : 내경 Dd : 구경
L1 : 제1 액체 L2 : 제2 액체
La, Lb : 길이
Claims (17)
- 초음파를 발생시키는 진동자와, 상기 진동자에 접합되는 진동체를 갖는 초음파 부여부와,
상기 초음파 부여부의 상기 진동체에 접하는 위치에 제1 액체를 공급하는 제1 공급 유로와,
상기 초음파 부여부에 의해 초음파가 부여된 상기 제1 액체를 토출구에 공급하는 토출 유로, 그리고
상기 토출 유로의 상기 초음파 부여부보다 하류측에 접속되며, 상기 토출 유로에 제2 액체를 공급하는 제2 공급 유로
를 구비하는 처리액 노즐. - 제1항에 있어서, 상기 제1 액체는 강산성 또는 강알칼리성을 갖고,
상기 제2 액체는 발포성을 갖는 것인 처리액 노즐. - 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 토출 유로에 있어서, 상기 제1 공급 유로와의 접속부에서 상기 제2 공급 유로와의 접속부까지의 길이는, 상기 토출구의 구경 이상의 길이인 것인 처리액 노즐.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 토출 유로에 있어서, 상기 제2 공급 유로와의 접속부에서 상기 토출구까지의 길이는, 상기 토출구의 구경 이상의 길이인 것인 처리액 노즐.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 토출 유로의 내경은 상기 토출구의 구경과 같은 것인 처리액 노즐.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 토출 유로에 있어서의 상류측의 내경은 상기 토출구의 구경보다 큰 것인 처리액 노즐.
- 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 액체의 점도가 상기 제2 액체의 점도보다 큰 경우,
상기 토출 유로에 있어서의 상기 제2 공급 유로와의 접속부에서 상기 토출구까지의 길이는, 상기 토출 유로에 있어서의 상기 제1 공급 유로와의 접속부에서 상기 제2 공급 유로와의 접속부까지의 길이보다 긴 것인 처리액 노즐. - 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 액체의 유량이 상기 제2 액체의 유량보다 작은 경우,
상기 토출 유로에 있어서의 상기 제1 공급 유로와의 접속부에서 상기 제2 공급 유로와의 접속부까지의 길이는, 상기 토출 유로에 있어서의 상기 제2 공급 유로와의 접속부에서 상기 토출구까지의 길이보다 긴 것인 처리액 노즐. - 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 액체의 공급 압력은, 상기 제2 액체의 공급 압력보다 큰 것인 처리액 노즐.
- 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 액체와 상기 제2 액체를 혼합하면 반응열이 발생하는 경우, 상기 토출 유로에 있어서의 상기 제1 공급 유로와의 접속부에서 상기 제2 공급 유로와의 접속부까지의 길이는, 상기 토출 유로에 있어서의 상기 제2 공급 유로와의 접속부에서 상기 토출구까지의 길이보다 긴 것인 처리액 노즐.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 공급 유로, 또는 상기 토출 유로에 있어서의 상기 제2 공급 유로와의 접속부보다 상류측에 접속되어, 제3 액체를 공급하는 제3 공급 유로를 더 구비하는 처리액 노즐.
- 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 토출구로부터 토출되는 혼합액을 제전(除電)하는 제전부를 더 구비하는 처리액 노즐.
- 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 처리액 노즐과,
기판을 유지하여 회전시키는 기판 처리부를 구비하는 세정 장치. - 제13항에 있어서, 상기 처리액 노즐의 대기 위치에 마련되는 더미 디스펜스 버스를 더 구비하고,
상기 더미 디스펜스 버스는, 상기 토출구에 부착된 액체를 흡인하는 흡인 노즐을 갖는 것인 세정 장치. - 제14항에 있어서, 각부(各部)를 제어하는 제어부를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판을 상기 기판 처리부에서 처리하기 전에, 상기 더미 디스펜스 버스에서 대기하는 상기 처리액 노즐의 상기 토출구에 부착된 액체를 상기 흡인 노즐로 흡인하는 것인 세정 장치. - 제13항에 있어서, 상기 처리액 노즐의 대기 위치에 마련되는 더미 디스펜스 버스를 더 구비하고,
상기 더미 디스펜스 버스는, 상기 토출구에 부착된 액체를 에어 블로우하는 에어 블로우부를 갖는 것인 세정 장치. - 제16항에 있어서, 각부를 제어하는 제어부를 더 구비하고,
상기 제어부는, 상기 기판을 상기 기판 처리부에서 처리하기 전에, 상기 더미 디스펜스 버스에서 대기하는 상기 처리액 노즐의 상기 토출구에 부착된 액체를 상기 에어 블로우부로 에어 블로우하는 것인 세정 장치.
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