KR20220045913A - 성막 장치 - Google Patents

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KR20220045913A
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cooling
film forming
forming apparatus
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KR1020210131867A
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유키오 마츠모토
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캐논 톡키 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 장치의 대형화를 억제하면서, 성막원에 공급하는 냉각액의 유량 증가를 가능하게 하는 성막 장치를 제공한다.
[해결 수단] 챔버(10)와, 챔버(10) 내에 배치되는 기판(P) 상에 박막을 형성하기 위한 성막원(100)과, 성막원(100)을 지지하여 왕복 이동하는 대기 박스(210)와, 챔버(10)와 대기 박스(210)를 연결하도록 설치되는 연결 기구(240)와, 대기 박스(210)의 내부에 배치되어, 성막원(100)에 냉각액을 공급하기 위한 제1 냉각관(51)과, 연결 기구(240)의 내부에 배치되며, 제1 냉각관(51)에 대해 다기관(54)을 통해 접속되고, 그리고 그 모두가 제1 냉각관(51)보다 가는 복수의 제2 냉각관(52)을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

성막 장치{FILM FORMING APPARATUS}
본 발명은, 기판 상에 박막을 형성하는 성막 장치에 관한 것이다.
성막 장치에 있어서, 면적이 넓은 기판에 박막을 형성하기 위해서, 성막원이 왕복 이동하도록 구성되는 기술이 알려져 있다. 이러한 기술에 있어서는, 성막원을 지지하는 지지대로서의 대기 박스와, 대기 박스를 왕복 이동시키는 이동 기구와, 대기 박스의 이동에 따라 종동하는 복수의 대기 아암을 구비하고 있다. 대기 박스와 복수의 대기 아암은, 모두 내부가 대기에 노출된 상태로 되어 있고, 챔버의 외부로부터 전기 배선이나 냉각액을 공급하는 냉각관이 대기 박스 및 복수의 대기 아암의 내부를 통해 성막원에 접속되도록 구성되어 있다. 냉각관은, 유연성을 갖는 배관에 의해 구성되어 있고, 복수의 대기 아암의 동작에 수반하여, 냉각관 자체도 변형함으로써, 배관으로서의 기능을 유지하고 있다. 특히, 대기 아암끼리를 접속하는 부분에 있어서는, 냉각관은 만곡된 상태를 유지하면서 변형 가능하도록 구성되어 있다.
성막원에 공급하는 냉각액의 유량을 증가시킬 필요가 있는 경우에는, 더 굵은 냉각관을 사용할 필요가 있다. 냉각관이 굵으면 굵을 만큼, 만곡시킬 때의 곡률 반경을 크게 하여야만 한다. 따라서, 대기 아암끼리를 접속하는 부분에 있어서, 굵은 냉각관을 만곡된 상태로 유지하기 위해서는, 대기 아암을 크게 하여야만 하고, 대기 아암의 설치 스페이스도 넓어져, 장치 전체가 대형화된다.
[특허문헌1] 일본특허공개공보 특개2009-299176호 공보
본 발명의 목적은, 장치의 대형화를 억제하면서, 성막원에 공급하는 냉각액의 유량 증가를 가능하게 하는 성막 장치를 제공하는 것에 있다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 성막 장치는,
챔버와,
상기 챔버 내에 배치되는 기판 상에 박막을 형성하기 위한 성막원과,
내부가 대기 환경으로 유지되며, 상기 성막원을 지지하여 왕복 이동하는 지지대와,
상기 챔버와 상기 지지대를 연결하도록 설치됨과 함께, 상기 챔버의 외부와 상기 지지대의 내부를 연통시키고, 상기 지지대의 이동에 수반하여 이동하는 연결 기구와,
상기 지지대의 내부에 배치되며, 상기 성막원에 냉각액을 공급하기 위한 제1 냉각관과,
상기 연결 기구의 내부에 배치되며, 상기 제1 냉각관에 대해 다기관을 통해 접속되고, 그리고 그 모두가 상기 제1 냉각관보다 가는 복수의 제2 냉각관
을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 성막원에 공급하는 냉각액의 유량을 증가시키기 위해 제1 냉각관을 굵게 하여도, 복수의 제2 냉각관은 곡률 반경을 작은 상태로 만곡시킬 수 있다. 따라서, 연결 기구를 크게 하지 않더라도, 복수의 제2 냉각관을 연결 기구의 내부에 배치하는 것이 가능하게 된다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 장치의 대형화를 억제하면서, 성막원에 공급하는 냉각액의 유량 증가를 도모할 수 있다.
[도 1] 본 발명의 실시예에 관한 성막 장치의 내부 구성을 상방으로부터 본 개략 구성도이다.
[도 2] 본 발명의 실시예에 관한 성막 장치의 내부 구성을 단면적으로 본 개략 구성도이다.
[도 3] 본 발명의 실시예에 관한 성막 장치의 내부 구성을 단면적으로 본 개략 구성도이다.
[도 4] 본 발명의 실시예에 관한 성막원의 개략 구성도이다.
[도 5] 본 발명의 실시예에 관한 연결 기구의 일부를 나타내는 모식적 단면도이다.
[도 6] 본 발명의 실시예에 관한 제2 냉각관의 동작 설명도이다.
[도 7] 전자 디바이스의 일례를 나타내는 모식적 단면도이다.
이하 도면을 참조하여, 본 발명을 실시하기 위한 형태를, 실시예에 기초하여 예시적으로 상세히 설명한다. 다만, 이 실시예에 기재되어 있는 구성 부품의 치수, 재질, 형상, 그 상대 배치 등은, 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이들에 한정하는 취지의 것은 아니다.
(실시예)
 도 1∼도 6을 참조하여, 본 발명의 실시예에 관한 성막 장치에 대해서 설명한다. 한편, 본 실시예에 있어서는, 성막 장치의 일 예로서, 스퍼터 장치의 경우를 예로 들어 설명한다. 도 1은 본 발명의 실시예에 관한 성막 장치의 내부 구성을 상방으로부터 본 개략 구성도이다. 도 2는, 도 1에 있어서, 화살표 V1방향으로 본 단면도이다. 도 3은, 도 1에 있어서, 화살표 V2방향으로 본 단면도이다. 도 4는 본 발명의 실시예에 관한 성막원의 개략 구성도로서, 도 4(a)는 성막원의 부근을 정면에서 본 개략 구성도이고, 도 4(b)는 도 4(a) 중의 AA 단면도이다. 한편, 도 4(a)에서는, 대기 박스에 대해서는 단면도로 나타내고 있다. 도 5는 본 발명의 실시예에 관한 연결 기구의 일부를 나타내는 모식적 단면도이며, 대기 아암의 일부의 부근을 단면도로 나타내고 있다. 도 6은 본 발명의 실시예에 관한 제2 냉각관의 동작 설명도이다.
<성막 장치의 전체 구성>
도 1∼도 3을 참조하여, 본 실시예에 관한 성막 장치(1)의 전체 구성에 대해서 설명한다. 성막 장치(1)은, 내부가 진공 분위기로 되는 챔버(10)와, 챔버(10) 내에 구비되는 성막원(100)과, 성막원(100)을 이동시키기 위한 구동 장치(200)를 구비하고 있다.
챔버(10) 내에는, 기판(P)을 보유지지하는 기판 보유지지 기구(11)와, 마스크(M)를 보유지지하는 마스크 보유지지 기구(12)가 구비되어 있다. 이들 보유지지기구에 의해, 기판(P)과 마스크(M)는, 성막 동작 중(스퍼터링 동작 중)에는 정지한 상태가 유지된다. 챔버(10)는 기밀 용기이며, 배기 펌프(20)에 의해, 그 내부는 진공 상태(또는 감압 상태)로 유지된다. 가스 공급밸브(30)를 열고, 챔버(10) 내로 가스를 공급함으로써, 처리에 대한 적절한 가스 분위기(또는 압력대)에 적절히 변경할 수 있다. 챔버(10) 전체는 접지 회로(40)에 의해 전기적으로 접지되고 있다.
구동 장치(200)는, 성막원(100)을 지지하는 지지대로서의 대기 박스(210)와, 대기 박스(210)의 이동을 안내하는 한 쌍의 가이드 레일(221, 222)과, 대기 박스(210)을 왕복 이동시키는 이동 기구(230)를 구비하고 있다. 또한, 구동 장치(200)에는, 챔버(10)와 대기 박스(210)를 연결하도록 설치되고, 대기 박스(210)의 이동에 수반하여 종동하여 이동하는 연결 기구(240)도 구비되어 있다. 대기 박스(210)는, 그 내부가 공동으로 되어 있고, 연결 기구(240)에 의해, 챔버(10)의 외부와 대기 박스(210)의 내부를 연통시킴으로써, 대기 박스(210)의 내부는 대기 환경으로 유지되도록 구성되어 있다. 이러한 구성이 채용됨으로써, 챔버(10)의 외부에 설치된 냉각액 공급장치(50)에 접속되는 냉각관과, 마찬가지로 챔버(10)의 외부에 설치된 전원(60)에 접속되는 배선(61)을 성막원(100)에 접속할 수 있다.
대기 박스(210)은, 이동 기구(230)에 의해, 한 쌍의 가이드 레일(221, 222)을 따라, 왕복 이동하도록 구성되어 있다. 이동 기구(230)은, 볼나사 기구를 채용하고 있고, 볼나사(231)와, 볼나사(231)를 회전시키는 모터 등의 구동원(232)을 구비하고 있다. 단, 대기 박스(210)을 왕복 이동시키기 위한 이동 기구에 대해서는, 볼나사 기구에 한정되는 것은 아니고, 랙과 피니언 기구 등의 각종 공지 기술을 채용할 수 있다. 이동 기구(230)에 랙과 피니언 기구를 채용할 경우는, 반송 가이드 부분에 설치할 수 있다.
<성막원>
도 4을 참조하여, 성막원(100)에 대해서 보다 상세하게 설명한다. 성막원(100)은, 타겟(110)과, 타겟(110)의 양단을 지지하는 서포트 블록(120) 및 엔드 블록(130)을 구비하고 있다. 한편, 본 실시예에 있어서는, 타겟(110)은 2개 설치되어 있고, 서포트 블록(120) 및 엔드 블록(130)도, 2개의 타겟(110)에 각각 하나씩 설치되어 있다. 타겟(110)은, 스퍼터링 시에 회전하는 원통 형상의 부재이며, 로타리 캐소드라고도 불린다. 서포트 블록(120) 및 엔드 블록(130)은, 대기 박스(210)의 상면에 고정되어 있다. 타겟(110)은, 원통 형상의 타겟 본체(111)와, 그 내주에 배치되는 전극인 캐소드(112)를 구비하고 있다. 또한, 타겟(110)은, 서포트 블록(120) 및 엔드 블록(130)에 의해 회전 가능하게 지지되어 있고, 엔드 블록(130) 내에 구비된 도시하지 않은 모터 등의 구동원에 의해, 스퍼터링 시에 회전하도록 구성되어 있다. 한편, 마그네트론 스퍼터링 방식의 스퍼터 장치의 경우에는, 타겟(110)과 기판(P)의 사이에 자장(누설 자장)을 발생시키기 위해, 캐소드(112)의 내부에 자석이 설치된다.
이상과 같이 구성되는 성막원(100)에 있어서는, 타겟(110)과 애노드인 챔버(10)의 사이에 일정 이상의 전압을 인가함으로써, 이들 사이에 플라스마가 발생한다. 그리고, 플라스마 중의 양이온이 타겟(110)에 충돌함으로써, 타겟(110)(타겟 본체(111))로부터 타겟 재료의 입자가 방출된다. 타겟(110)으로부터 방출된 입자는, 충돌을 반복하면서, 방출된 입자 중 타겟 물질의 중성 원자가 기판(P)에 퇴적되어 간다. 이에 의해, 기판(P)에는, 타겟(110)의 구성 원자에 의한 박막이 형성된다. 또한, 마그네트론 스퍼터링 방식의 경우에는, 전술한 누설 자장에 의해, 타겟(110)과 기판(P)의 사이의 소정 영역에 플라스마를 집중시킬 수 있다. 이에 의해, 효율적으로 스퍼터링이 행해지기 때문에, 기판(P)에의 타겟 물질의 퇴적 속도를 향상시킬 수 있다. 나아가, 본 실시예에 관한 성막원(100)에 있어서는, 스퍼터링 도중에 타겟(110)이 회전하도록 구성되어 있다. 이에 의해, 타겟(110)의 소모 영역(이로젼에 의한 침식 영역)이 일부에 집중되지 않고, 타겟(110)의 이용 효율을 높일 수 있다.
<연결 기구>
연결 기구(240)에 대해서, 보다 상세하게 설명한다. 연결 기구(240)은, 양단이 모두 회동 가능하도록 축지지되고, 내부가 공동인 복수의 대기 아암에 의해 구성된다. 보다 구체적으로는, 연결 기구(240)은, 제1 대기 아암(241)과 제2 대기 아암(242)을 구비하고 있다. 제1 대기 아암(241)은, 제1 단부가 챔버(10)의 바닥판에 대하여 회동 가능하도록 구성되어 있다. 그리고, 제2 대기 아암(242)은, 제1 단부가 제1 대기 아암(241)의 제2 단부에 대해 회동 가능하도록 축지지된다. 제2 대기 아암(242)의 제2 단부가 대기 박스(210)에 대해 회동 가능하도록 축지지되어 있다.
도 5에는 제1 대기 아암(241)의 제1 단부 부근의 구조를 모식적 단면도로 나타내고 있다. 도시한 바와 같이, 챔버(10)의 바닥판에는 관통 구멍(10a)이 설치되고, 제1 대기 아암(241)에는 원통 형상의 돌출부(241a)가 설치되어 있다. 그리고, 대기 박스(210)의 바닥판과 제1 대기 아암(241)의 사이에는, 이들을 회동 가능하게 접속하기 위한 단차가 있는 원통 형상 부재(24lb)가 설치되어 있다. 이 원통 형상 부재(24lb)의 일단은, 챔버(10)의 바닥판에 설치된 관통 구멍(10a) 내에 삽입되어 있다. 또한, 제1 대기 아암(241)에 설치된 돌출부(241a)가, 원통 형상 부재(24lb)의 타단측에서부터 삽입되어 있다. 한편, 관통 구멍(10a)와 원통 형상 부재(24lb)의 사이의 환상 간극과, 돌출부(241a)와 원통 형상 부재(24lb)의 사이의 환상 간극은, 각각 시일링(241c, 241d)에 의해 봉지되어 있다.
이상과 같은 구성에 의해, 제1 대기 아암(241)은 챔버(10)의 바닥판에 대하여 회동 가능하게 지지되면서, 제1 대기 아암(241) 내의 공동부와, 제1 대기 아암(241)의 외측의 공간(챔버(10)의 내부 공간)은 구획되어진다. 즉, 챔버(10)의 내부를 진공 상태(또는 감압 상태)로 유지할 수 있다. 한편, 제1 대기 아암(241)과 제2 대기 아암(242)이 회동 가능하도록 축지지되는 기구와, 제2 대기 아암(242)과 대기 박스(210)가 회동 가능하도록 축지지되는 기구도, 마찬가지의 기구이므로 그 설명은 생략한다. 또한, 본 실시예에 있어서는, 2개의 아암에 의해 구성되는 경우를 나타냈지만, 대기 박스(210)의 이동 거리를 길게 하고 싶은 경우에는, 3개 이상의 아암을 연결할 수도 있다.
이상과 같이 구성되는 연결 기구(240)을 구비하는 구동 장치(200)에 의해, 대기 박스(210)에 고정된 성막원(100)을, 대기 박스(210)와 함께 왕복 이동시키는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 왕로 및 귀로 중 적어도 어느 일방의 이동 중에 성막원(100)을 가동시킴으로써, 기판(P)에 대하여, 성막 동작(스퍼터링)을 행할 수 있다. 따라서, 면적이 넓은 기판(P)에 성막을 형성하는 경우에도, 구동 장치(200)에 의해, 성막원(100)을 이동시키면서 성막 동작을 행함으로써, 기판(P)의 일단 측에서부터 타단 측을 향해 연속적으로 박막을 형성할 수 있다.
<냉각관>
냉각관에 대해서, 보다 상세하게 설명한다. 본 실시예에 관한 냉각관은, 대기 박스(210)의 내부에 배치되어 성막원(100)에 접속되는 제1 냉각관(51)과, 연결 기구(240)의 내부에 배치되는 복수의 제2 냉각관(52)과, 냉각액 공급장치(50)에 접속되는 제3 냉각관(53)을 구비하고 있다. 또한, 냉각관은, 대기 박스(210)의 내부에 배치되어 제1 냉각관(51)과 복수의 제2 냉각관(52)을 접속하는 다기관(54)과, 챔버(10)의 외부에 배치되어 복수의 제2 냉각관(52)과 제3 냉각관(53)을 접속하는 외부 다기관(55)을 구비하고 있다.
복수의 제2 냉각관(52)은, 모두 제1 냉각관(51)보다 가늘고, 또한 제3 냉각관(53)보다 가늘다. 그리고, 복수의 제2 냉각관(52)은, 다발로 하여 비틀린 상태로 연결 기구(240)의 내부에 배치되어 있다. 도 2, 3, 6에 있어서, 도면 중의 부호(52a)는, 복수의 제2 냉각관(52)이 다발로 되어 비틀린 상태의 부위를 나타내고 있다. 이러한 구성을 채용함으로써, 제1 대기 아암(241)과 제2 대기 아암(242)이 이루는 각이 커져 직선에 가까운 상태에 근접하면, 다발로 된 복수의 제2 냉각관(52)은 비틀림이 심해지고, 서로의 간격이 좁은 상태로 된다(도 6(a) 참조). 이에 대하여, 제1 대기 아암(241)과 제2 대기 아암(242)이 이루는 각이 작아져 굴곡된 상태가 되면, 다발로 된 복수의 제2 냉각관(52)은 비틀림이 느슨하게 되어, 서로의 간격이 넓은 상태로 된다(도 6(b) 참조). 그러나, 제2 냉각관(52)끼리는 어느 정도 구속되기 때문에 불필요하게 느슨해지는 것을 억제할 수 있고, 제2 냉각관(52)끼리, 및 제2 냉각관(52)과 아암 내벽면과의 사이에서 습동 마찰이 생기는 것을 억제할 수 있다. 한편, 복수의 제2 냉각관(52)을 다발로 하여 비틀린 상태로 하지 않고 연결 기구(240)의 내부에 배치한 경우에는, 각각의 제2 냉각관(52)은 구속되지 않고 개별적으로 동작하기 때문에, 국소적으로 습동 마찰이 생겨 내구성이 저하되는 우려가 있다.
<본 실시예에 관한 성막 장치가 우수한 점>
본 실시예에 관한 성막 장치(1)에 의하면, 성막원(100)에 공급하는 냉각액의 유량을 증가시키기 위해 제1 냉각관(51)을 굵게 하더라도, 복수의 제2 냉각관(52)은 모두 제1 냉각관(51)보다 가늘다. 그 때문에, 각각의 제2 냉각관(52)에 대해서는, 곡률 반경을 작은 상태로 만곡시킬 수 있다. 따라서, 연결 기구(240)를 크게 하지 않더라도, 복수의 제2 냉각관(52)을 연결 기구(240)의 내부에 배치하는 것이 가능하게 된다. 이에 의해, 장치의 대형화를 억제하면서, 성막원(100)에 공급하는 냉각액의 유량 증가를 도모할 수 있다. 또한, 대기 박스(210) 내에서는, 1개의 제1 냉각관(51)에 의해 냉각액을 공급하는 구성을 채용함으로써, 대기 박스(210) 내의 용적을 유용하게 이용할 수 있다. 즉, 만일, 대기 박스(210)내에서, 복수의 제2 냉각관(52)을 배치하는 구성을 채용한 경우에는, 관의 피복만큼, 냉각관의 점유 용적이 커지게 된다. 다만, 본 발명에 있어서는, 반드시 제1 냉각관이 하나만 설치되는 구성에 한정되는 것은 아니다. 제3 냉각관에 대해서도 마찬가지로, 2개 이상 설치되는 경우도 포함한다.
<전자 디바이스의 제조 장치>
상기 실시예에서 나타낸 성막 장치(1)는, 전자 디바이스를 제조하기 위한 제조 장치로서 이용 가능하다. 이하, 전자 디바이스의 제조 장치 및 전자 디바이스의 제조 장치에 의해 제조되는 전자 디바이스에 대해서, 도 7을 참조하여 설명한다. 성막 장치(1)는, 반도체 디바이스, 자기 디바이스, 전자 부품 등의 각종 전자 디바이스나, 광학 부품 등의 제조에 있어서 기판(P) 상(기판(P)의 표면에 적층체가 형성되어 있는 것도 포함함)에 박막(유기막, 금속막, 금속 산화물막 등)을 퇴적 형성하기 위하여 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 성막 장치(1)는, 발광 소자나 광전 변환 소자, 터치 패널 등의 전자 디바이스의 제조에 있어서 바람직하게 사용된다. 그 중에서도, 본 실시예에 관한 성막 장치(1)는, 유기 EL(Electro Luminescence) 소자 등의 유기 발광 소자나, 유기 박막 태양 전지 등의 유기 광전 변환 소자의 제조에 있어서 특히 바람직하게 적용 가능하다. 한편, 전자 디바이스는, 발광 소자를 구비한 표시 장치(예를 들면, 유기 EL 표시 장치)나 조명 장치(예를 들면, 유기 EL 조명 장치), 광전 변환 소자를 구비한 센서(예를 들면, 유기 CMOS 이미지 센서)도 포함하는 것이다.
전자 디바이스의 제조 장치에 의해 제조되는 유기 EL 소자의 일 예를 도 7에 나타내고 있다. 도시한 유기 EL 소자는, 기판(P) 상에, 양극(F1), 정공주입층(F2), 정공수송층(F3), 유기 발광층(F4), 전자수송층(F5), 전자주입층(F6), 음극(F7)의 순으로 성막되어 있다. 본 실시예에 관한 성막 장치(1)는, 특히, 유기막 상에 스퍼터링에 의해 전자주입층이나 전극(음극, 양극)에 사용되는 금속막이나 금속 산화물 등의 적층 피막을 성막할 때 바람직하게 사용된다. 또한, 유기막 상으로의 성막에 한정되지 않고, 금속 재료나 산화물 재료 등의 스퍼터로 성막 가능한 재료의 조합이라면, 다양한 면에 적층 성막이 가능하다.
(기타)
상기 실시예에 있어서는, 성막 장치(1)가 스퍼터 장치이고, 성막원(100)이 타겟(110) 등을 구비하는 구성의 경우를 나타냈다. 그러나, 본 발명에 있어서는, 예를 들면, 성막 장치가 진공 증착 장치이고, 성막원이 증발원인 경우에도 적용 가능하다.
1: 성막 장치
 10: 챔버
 51: 제1 냉각관
 52: 제2 냉각관
 53: 제3 냉각관
 54: 다기관
 55: 외부 다기관
 100: 성막원
 200: 구동 장치
 210: 대기 박스
 230: 이동 기구
 240: 연결 기구
 241: 제1 대기 아암
 242: 제2 대기 아암

Claims (6)

  1. 챔버와,
    상기 챔버 내에 배치되는 기판 상에 박막을 형성하기 위한 성막원과,
    내부가 대기 환경으로 유지되며, 상기 성막원을 지지하여 왕복 이동하는 지지대와,
    상기 챔버와 상기 지지대를 연결하도록 설치됨과 함께, 상기 챔버의 외부와 상기 지지대의 내부를 연통시키고, 상기 지지대의 이동에 수반하여 이동하는 연결 기구와,
    상기 지지대의 내부에 배치되며, 상기 성막원에 냉각액을 공급하기 위한 제1 냉각관과,
    상기 연결 기구의 내부에 배치되며, 상기 제1 냉각관에 대해 다기관을 통해 접속되고, 그리고 그 모두가 상기 제1 냉각관보다 가는 복수의 제2 냉각관
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 외부에 배치되며, 상기 챔버의 외부에 배치된 외부 다기관을 통해 상기 복수의 제2 냉각관에 접속되고, 그리고, 상기 제2 냉각관보다 굵은 제3 냉각관을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 
    상기 연결 기구는, 양단이 모두 회동 가능하게 축지지되는 복수의 대기 아암에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    제1 단부가 상기 챔버에 회동 가능하게 축지지되는 제1 대기 아암과,
    제1 단부가 상기 제1 대기 아암의 제2 단부에 회동 가능하게 축지지되고, 제2 단부가 상기 지지대에 회동 가능하게 축지지되는 제2 대기 아암
    을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 복수의 제2 냉각관은, 다발로 하여 비틀린 상태로 상기 연결 기구의 내부에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 성막원은, 스퍼터링에 의해 기판 상에 박막을 형성하기 위한 입자를 방출하고, 스퍼터링 시 회전하도록 구성되는 적어도 하나의 원통 형상의 타겟을 구비하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
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