KR20220014866A - 금속 착물, 전계발광소자 및 이의 응용 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 금속 착물, 전계발광소자 및 이의 응용을 제공하며, 상기 금속 착물은 특정 구조의 리간드 La를 포함하며, 이는 식 I과 같은 구조를 구비한다. 상기 La에는 시아노 치환기가 함유되어 있으며, 리간드 구조에서 시아노 치환기의 접속부위와 접속 방식의 설계, 및 시아노기 치환기와 기타 치환기 사이의 상호 협력을 통해 금속 착물 발광 성능에 대한 효과적인 개선을 구현하였다. 상기 금속 착물은 전계발광소자의 인광 발광 재료로서, 발광 파장을 효과적으로 조절하여, 황색광, 주황색광 또는 백색광을 방사할 수 있으며, 전계발광소자의 발광 색상 및 발광 효율을 현저히 개량하고, 소자 수명을 현저히 향상시키며, 구동전압 및 전류밀도를 감소시켜, 더욱 높은 발광 전류 효율, 전력효율, 외부 양자 효율 및 더욱 긴 소자 수명을 획득할 수 있다.
Description
본 발명은 유기 전계발광재료의 기술분야에 관한 것이며, 구체적으로 금속 착물, 전계발광소자 및 이의 응용에 관한 것이다.
유기 전자소자는, 유기 발광다이오드(OLEDs), 유기 전계효과트랜지스터(O-FETs), 유기 발광트랜지스터(OLETs), 유기 광전소자(OPVs), 염료감응형 태양전지(DSSCs), 유기 광학검출기, 유기 광수용체, 유기 전계효과소자(OFQDs), 발광 전기화학전지(LECs), 유기 레이저 다이오드 및 유기 플라즈마(plasma) 발광소자를 포함하되 이에 한정되지 않는다.
1987년, Eastman Kodak의 Tang 및 Van Slyke는, 아릴아민의 정공 수송층 및 트리-8-히드록시퀴놀린-알루미늄(tris-8-hydroxyquinoline aluminum)의 전자 수송층과 발광층을 포함하는 2 층 유기 전계 발광소자를 보도하였다. 소자에 바이어스를 가하게 되면, 소자에서 녹색 빛이 방출된다. 상기 발명은 현대 유기 발광다이오드(OLED)의 발전에 토대를 마련하였다. 가장 선진적인 OLED는 전하 주입 및 수송층, 전하 및 엑시톤 차단층(exciton blocking layer), 및 캐소드(cathode)와 애노드(anode) 사이의 하나 또는 복수의 발광층과 같은 복수 층을 포함할 수 있다. OLED는 자가발광 고체소자이기 때문에, 디스플레이 및 조명 응용에 엄청난 잠재력을 제공해준다. 또한, 유기 자재의 고유특성(예를 들어 이들의 가요성)은 이들이 특수한 응용(예를 들어 가요성 기판상에서의 제조)에 적합하도록 한다.
OLED는 이의 발광 매거니즘에 따라 세 가지의 다른 유형으로 분류될 수 있다. Tang과 Van Slyke가 발명한 OLED는 형광 OLED이다. 이는 일중항 상태(singlet state) 발광만 사용한다. 소자에서 생성된 삼중항 상태(triplet state)는 비방사성 감쇠채널을 통해 낭비된다. 따라서, 형광 OLED의 내부 양자 효율(IQE)은 25%에 불과하다. 이러한 한정은 OLED의 상업화를 방해한다. 1997년, Forrest와 Thompson은, 착물을 함유하는 중금속으로부터의 삼중항 상태 발광을 발광체로 사용하는 인광 OLED를 리포트하였다. 따라서, 일중항 상태와 삼중항 상태를 획득할 수 있어 100%의 IQE를 달성할 수 있다. 이의 효율이 높기 때문에, 인광 OLED의 발견 및 발전은 액티브 매트릭스 OLED(AMOLED)의 상업화에 직접적인 공헌을 하였다. 최근에, Adachi는 유기 화합물의 열활성화지연형광(TADF)을 통해 고효율을 달성하였다. 이러한 발광체는 엑시톤(exciton)이 삼중항 상태에서 일중항 상태로 돌아갈 수 있도록 작은 일중항-삼중항 상태의 간격(gap)을 구비한다. TADF 소자에서, 삼중항 상태 엑시톤(triplet exciton)은 역항간교차(reverse intersystem crossing)를 통해 일중항 상태 엑시톤을 생성할 수 있어 높은 IQE를 달성할 수 있다.
OLED는 또한 사용되는 재료의 형태에 따라 저분자 및 고분자 OLED로 나눌 수 있다. 저분자는 고분자가 아닌 임의의 유기 또는 유기 금속재료를 지칭한다. 정확한 구조를 구비한다면 저분자의 분자량은 매우 클 수 있다. 명확한 구조를 구비하는 덴드리틱 고분자(dendritic polymer)는 소분자로 간주된다. 고분자 OLED는 공액 고분자(conjugated polymer) 및 펜던트 발광기(pendant emitting groups)를 구비하는 비공액 고분자를 포함한다. 제조과정에 포스트중합(post polymerization)이 발생하면, 저분자 OLED는 고분자 OLED로 변할 수 있다.
이미 다양한 OLED 제조방법이 존재한다. 저분자 OLED는 통상적으로 진공 열증착(vacuum thermal evaporation)을 통해 제조된다. 고분자 OLED는 용액공정, 예를 들어 스핀 코팅, 잉크젯 프린팅 및 노즐 프린팅에 의해 제조된다. 재료가 용매에 용해되거나 분산될 수 있으면 저분자 OLED도 용액공정에 의해 제조될 수 있다.
OLED의 발광색은 발광재료 구조설계에 의해 실현될 수 있다. OLED는 원하는 스펙트럼을 실현할 수 있도록 하나의 발광층 또는 복수의 발광층을 포함할 수 있다. 녹색, 황색 및 적색 인광 OLED는 이미 상업화를 성공적으로 실현하였다. 청색 인광소자는 여전히 청색 불포화, 짧은 소자수명 및 높은 작동전압 등 문제가 존재한다. 상업용 풀 컬러 OLED 디스플레이는 통상적으로 청색 형광과, 인광 황색 또는 적색과 녹색을 사용하는 혼합전략을 사용한다. 현재, 인광 OLED의 효율이 고휘도의 경우에 급격히 감소되는 문제가 여전히 존재한다. 이 외, OLED 소자 분야에서는 보다 포화된 발광 스펙트럼, 더 높은 효율 및 더 긴 소자수명을 구비하는 것을 원한다.
인광 이리듐 착물은 발광층의 인광 도핑 재료로서, 유기 전계 조명 또는 디스플레이 분야에 응용될 수 있다. 황색 인광 재료는 조명 응용에 있어서 불가결하며, 날로 증가되는 성능 수요를 충족시키기 위해, 황색 인광 재료의 성능을 더 향상시킬 필요가 있는바, 특히, 발광 색상을 개량하고, 구동 전압을 낮추며, 전류밀도를 감소시키고 재료의 양자 효율을 향상시킬 수 있는 방법을 제공해야 한다.
US20140252333A1에서는 
구조를 구비하는 이리듐 착물을 개시하였으며, 여기서, R111 내지 R134에서 적어도 하나는 
이고, X는 시아노기 또는 할로겐화 알킬기이며; 구체적인 예로는 
이 있다. 해당 출원에서는 치환기 
을 도입함으로써 인광 재료의 내구성을 향상시킬 있다는 것에 주목하였지만, 이의 모든 실시예에서, 외부 양자 효율(External Quantum Efficiency)은 모두 15% 미만이므로, 발광 효율은 고성능 소자의 요구에 도달할 수 없게 된다.
KR1020120032054A에서는 
구조를 구비하는 이리듐 착물을 개시하였으며, 이에 개시된 수많은 이리듐 착물에서는 
이 언급되었지만, 이는 주로 치환된 2,4-디페닐피리딘 리간드 및 치환된 2,5-디페닐피리딘 리간드를 구비하는 이리듐 착물의 성능에 주목하였으며, 페닐피리딘 리간드의 특정 위치에 시아노기 치환기를 갖는 특정된 아릴기 치환기를 도입하는 것 및 시아노기 치환기에서 치환기의 변화가 금속 착물에 가져다주는 영향에 대해 개시 또는 교시하지 않았다.
US20100102710A1에서는 구조가 
인 이리듐 착물을 개시하였으며, 해당 기술에서는 주로 치환된 아자안트라센 구조의 특수 골격 리간드를 갖는 이리듐 착물에 주목하였으며, 시아노기 치환기를 갖는 아릴기 피리딘 구조를 구비하는 리간드가 금속 착물에 가져다주는 영향에 대해 개시 또는 교시하지 않았다.
US20170294597A1에서는 
리간드 구조를 구비하는 화합물을 개시하였으며, 여기서, a가 0일 경우, R7、R8 및 고리 B에 인접한 R2에서 적어도 하나는 수소가 아니다. 구체적인 리간드 예로는 
이 있다. 이는 주로 바깥고리에서의 알킬기 치환이, 분자 전이 쌍극자 모멘트(Transition dipole moment)와 더욱 좋은 매칭을 가지므로 소자 효율이 향상되는 것에 주목하였고, 주변 고리에 시아노기 치환기를 갖는 리간드가 금속 착물에 주는 영향에 대해 개시 및 교시하지 않았다.
비록 문헌에서 일부 인광 금속 착물을 보고하였지만, 재료의 종류는 비교적 적으며, 발광 색상 포화도가 낮고, 구동 전압이 높으며, 발광 효율이 낮은 등 단점이 여전히 존재한다. 따라서, 더욱 많은 종류, 더욱 높은 성능의 전계발광재료 및 소자를 개발하는 것은 여전히 본 분야의 연구 중점이다.
더욱 많은 종류, 더욱 높은 성능의 전계발광재료를 개발하기 위해, 본 발명의 목적 중의 하나는 금속 착물을 제공하는 것이며, 상기 금속 착물의 구조 일반식은 M(La)m(Lb)n(Lc)q이며;
여기서, M은 상대 원자 질량이 40보다 큰 금속에서 선택되며;
La, Lb, Lc는 각각 상기 M와 배위되는 제1 리간드, 제2 리간드, 제3 리간드이고, 그 구조는 동일하거나 상이하며; La, Lb, Lc는 임의로 연결되어 4자리 리간드 또는 6자리 리간드를 형성하며;
M은 1~3의 정수(1, 2 또는 3)에서 선택되고, n, q는 각각 독립적으로 0~2의 정수(0, 1 또는 2)에서 선택되며; m, n, q의 합은 상기 M의 산화 상태와 같으며; m≥의 경우, 2개 또는 3개의 La는 동일하거나 상이할 수 있으며, n=2의 경우, 2개의 Lb는 동일하거나 상이할 수 있으며; q=2의 경우, 2개의 Lc는 동일하거나 상이할 수 있다;
상기 La는 식 I에서 나타낸 바와 같은 구조를 구비하며;
식 I에서, 점선은 리간드와 금속 원자의 결합 부위를 의미하며;
식 I에서, 고리 Q1, 고리 Q2는 각각 독립적으로 6-30개의 탄소원자를 갖는 방향족 고리 또는 3-30개의 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택되며;
식 I에서, X1, X2, X3, X4는 각각 독립적으로 C-Rx, C-Rx1 또는 N에서 선택되며;
식 I에서, Rq1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 치환, 다중 치환 또는 비치환을 나타내며;
식 I에서, Rq2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 치환 또는 다중 치환을 나타내며;
Rx, Rq1, Rq2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; 적어도 하나의 Rq2는 시아노기이며;
식 I에서, X2, X3, X4 중 적어도 하나는 C-Rx1이며, Rx1은 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
식 I에서, 인접한 치환기 Rq1, Rq2는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
Lb, Lc는 각각 독립적으로 일가 음이온 두자리 리간드(monovalent anionic bidentate ligand)로부터 선택된다.
본 발명에서 제공하는 금속 착물은 시아노기 치환을 포함하는 신규 인광 금속 착물이며, 이러한 시아노기 치환을 포함하는 신규 인광 금속 착물에서, 리간드 구조에서 시아노 치환기의 접속부위와 접속 방식의 설계, 및 시아노기 치환기와 기타 치환기 사이의 상호 협력을 통해 금속 착물 발광 성능에 대한 효과적인 개선을 구현하였다. 이미 보도된 인광 금속 착물에 비해, 상기 금속 착물은, 발광 색상을 개량하고, 구동전압을 감소시키며, 전류밀도를 감소하고, 재료의 양자 효율를 현저히 향상시키며, 소자 수명을 현저히 향상시키는 우세를 구비한다.
본 발명의 두 번째 목적은 전계발광소자를 제공하는 것이며, 상기 전계발광소자는 음극과 양극, 및 상기 음극과 양극 사이에 배치되는 유기층을 포함하며, 상기 유기층은 첫 번째 목적에 따른 금속 착물을 포함한다.
본 발명의 세 번째 목적은 전자 장치, 전자 소자 모듈, 디스플레이 장치 또는 조명 장치에서의 두번째 목적에 따른 전계발광소자의 응용을 제공하는 것이다.
본 발명의 네 번째 목적은 화합물 조합을 제공하는바, 상기 화합물 조합은 첫 번째 목적에 따른 금속 착물을 포함한다.
본 발명은 기존의 기술에 비해 아래와 같은 유익한 효과를 가진다:
본 발명에서는 특정된 리간드 La를 포함하는 금속 착물을 제공하며, 상기 리간드 La에는 시아노기 치환기가 함유되어 있으며, 리간드 구조에서 시아노기 치환기의 접속부위와 접속 방식의 설계, 및 시아노기 치환기와 기타 치환기 사이의 상호 협력을 통해 금속 착물 발광 성능에 대한 효과적인 개선을 구현하였다. 상기 금속 착물은 전계발광소자의 인광 발광 재료로서, 발광 파장을 효과적으로 조절하여, 황색광, 주황색광 또는 백색광을 방사할 수 있으며, 전계발광소자의 발광색상 및 발광 효율을 현저히 개량하고, 소자 수명을 현저히 향상시키며, 구동전압 및 전류밀도를 감소시켜, 더욱 높은 발광 전류 효율, 전력효율, 외부 양자 효율 및 더욱 긴 소자 수명을 획득할 수 있다.
도 1은 본 발명에서 제공된 금속 착물 및 화합물 조합을 포함하는 유기발광장치의 예시도이며;
도 2는 본 발명에서 제공된 금속 착물 및 화합물 조합을 포함하는 또 다른 유기발광장치의 예시도이다.
도 2는 본 발명에서 제공된 금속 착물 및 화합물 조합을 포함하는 또 다른 유기발광장치의 예시도이다.
이하, 구체적인 실시방안을 통해 본 발명의 기술발안에 대하여 구체적으로 설명한다. 본 분야의 기술자들은 하기 실시예들은 오직 본 발명의 이해를 돕기 위한 것이며, 본 발명에 대한 구체적인 한정으로 간주해서는 아니 된다는 것을 명확히 알 수 있다.
OLED는 여러 종류의 기판(예를 들어, 유리, 플라스틱 또는 금속)상에서 제조될 수 있다. 도 1은 유기 발광장치(100)를 개략적으로 비 한정적으로 나타낸다. 도면은 반드시 비율에 따라 그려진 것이 아니며, 도면에서의 일부 층구조는 필요에 따라 생략될 수도 있다. 장치(100)는 기판(101), 양극(110), 정공 주입층(120), 정공 수송층(130), 전자 차단층(140), 발광층(150), 정공 차단층(160), 전자 수송층(170), 전자 주입층(180) 및 음극(190)을 포함할 수 있다. 장치(100)는 설명된 층들을 순차적으로 증착하여 제조될 수 있다. 각 층의 성질과 기능 및 예시적인 재료는 미국 특허 US7,279,704B2 제6-10 칼럼에서 더 구체적으로 설명하였으며, 상기 특허의 전부 내용은 본 출원에 인용되어 결합된다.
이러한 층에서의 각 층은 더 많은 예시를 갖는다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제5844363호에 개시된 유연하고 투명한 기판-애노드 조합을 예로 들 수 있다. p-도핑된 정공 수송층의 예시로는, 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이 50:1의 몰비로 F4 -TCNQ가 도핑된 m-MTDATA이다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제6303238호(Thompson 등에게 수여됨)호스트 재료(host material)의 예시를 개시하였다. n-도핑된 전자 수송층의 예시로는, 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이 1:1의 몰비로 Li가 도핑된 BPhen이다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제5703436호 및 제5707745호에서는 음극의 예시를 개시하였으며, 이는 Mg:Ag와 같은 금속 박층, 오버라잉(overlying)된 투명하고 전도성을 가지며 스퍼터 증착(sputter-deposited)된 ITO층을 가지는 복합 음극을 포함한다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허 제6097147호 및 미국특허출원공개 제2003/0230980호에서는 차단층의 원리 및 사용에 대해 더 구체적으로 설명하였다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2004/0174116호에서는 주입층의 예시를 제공하였다. 전문을 인용하는 방식으로 결합된 미국특허출원공개 제2004/0174116호에서 보호층에 대한 설명을 찾을 수 있다.
비 한정적인 실시예를 통해 상기 계층구조를 제공한다. OLED의 기능은 상술한 여러 종류의 층을 조합함으로써 구현할 수 있고, 또는 일부 층을 완전히 생략할 수 있다. 이는 명확하게 설명되지 않은 다른 층을 더 포함할 수 있다. 각 층 내에는 단일 재료 또는 여러 종류의 재료의 혼합물을 사용함으로써 최적의 성능을 구현할 수 있다. 임의의 기능층은 여러 개의 서브 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광층은 원하는 발광 스펙트럼을 구현할 수 있도록 2층의 서로 다른 발광재료를 구비할 수 있다.
일 실시예에서, OLED는 음극과 양극 사이에 배치된 "유기층"을 구비하는 것으로 설명될 수 있다. 해당 유기층은 하나 또는 복수의 층을 포함할 수 있다.
OLED도 캡슐화층이 필요하며, 도 2에서는 유기 발광장치(200)를 개략적, 비한정적으로 도시하였다. 이와 도 1의 차이점은, 음극(190) 위에는 환경으로부터 유해물질(예를 들어, 수분 및 산소)을 방지하도록 캡슐화층(Encapsulation layer)(102)을 더 포함하는 것이다. 캡슐화 기능을 제공할 수 있는 임의의 재료는 모두 캡슐화층(예를 들어, 유리 또는 유기-무기 혼합층)으로 사용될 수 있다. 캡슐화층은 OLED소자의 외부에 직접적 또는 간접적으로 배치되어야 한다. 다중박막 캡슐화는 미국특허 US7968146B2에서 기술되었으며, 그 전부내용은 본 출원에 인용되어 결합된다.
본 발명의 실시예에 따라 제조된 소자는 해당 소자의 하나 또는 복수의 전자부재모듈(또는 유닛)을 구비하는 여러 종류의 소비재에 통합될 수 있다. 이러한 소비재의 일부 예시는 평판 디스플레이, 모니터, 의료 모니터, 텔레비전, 광고판, 실내 또는 실외용 조명등 및/또는 신호 발사등, 헤드업 디스플레이(head-up display), 전체적으로 투명하거나 부분적으로 투명한 디스플레이, 플렉시블 디스플레이, 스마트폰, 태블릿, 태블릿 폰, 웨어러블 장치(wearable device), 스마트 시계, 랩톱 컴퓨터(laptop computer), 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더(viewfinder), 마이크로 디스플레이, 3D 디스플레이, 차량 디스플레이 및 후미등을 포함한다.
본문에 기재된 재료 및 구조는 상기에 열거된 다른 유기 전자소자에 사용될 수도 있다.
본문에 사용된 "상단"은 기판과 가장 멀리 위치함을 의미하고, "하단"은 기판과 가장 가깝게 위치함을 의미한다. 제1 층이 제2 층 "상"에 "배치"된다고 설명되는 경우, 제1 층은 기판과 비교적 멀리 위치하도록 배치된다. 제1 층 "및" 제2 층이 "접촉"한다고 규정되지 않는 한, 제1 층과 제2 층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 음극과 양극 사이에 여러 종류의 유기층이 존재하더라도 여전히 음극이 양극 "상"에 "배치"된다고 설명할 수 있다.
본문에 사용된 "용액 처리 가능"은, 용액 또는 현탁액의 형태로 액체 매질에서 용해, 분산 또는 수송될 수 있음 및/또는 액체 매질로부터 침전될 수 있음을 의미한다.
리간드가 발광재료의 감광성능에 직접적으로 작용한다고 사료되는 경우, 리간드는 "감광성 리간드"라 할 수 있다. 리간드가 발광재료의 감광성능에 작용하지 않는다고 사료되는 경우, 리간드는 "보조 리간드"라 할 수 있는데, 보조 리간드는 감광성 리간드의 성질을 변경할 수 있다.
형광 OLED의 내부 양자 효율(IQE)은 지연 형광을 통해 25%의 스핀 통계(spin statistics) 한계를 초과할 수 있는 것으로 여겨진다. 지연 형광은 일반적으로 두 가지 유형, 즉 P형 지연 형광 및 E형 지연 형광으로 나뉠 수 있다. P형 지연 형광은 삼중항-삼중항 소멸(TTA)에 의해 생성된다.
다른 측면으로, E형 지연 형광은 2개의 삼중항 상태의 충돌에 의존하지 않고 삼중항 상태와 일중항 여기상태(singlet-excited state) 사이의 전이에 의존한다. E형 지연 형광을 생성할 수 있는 화합물은 에너지 상태 간의 전환을 진행할 수 있도록 매우 작은 일중항-삼중항 갭(gap)을 구비해야 한다. 열에너지는 삼중항 상태에서 일중항 상태로의 전이(transition)를 활성화할 수 있다. 이러한 유형의 지연 형광은 또한 열활성 지연 형광(TADF)이라 한다. TADF의 현저한 특징으로는 지연요소는 온도가 높아짐에 따라 증가하는 것이다. 역계간교차(reverse intersystem crossing)(RISC)의 속도가 충분히 빨라 삼중항 상태에 의한 비방사성감쇠를 최소화한다면, 백필링(back-filling)된 일중항 여기상태의 비율은 75%에 도달할 수 있다. 일중항 상태의 총 비율은 100%일 수 있으며 이는 전계가 생성한 엑시톤의 스핀 통계의 25%를 훨씬 초과한다.
E형 지연 형광의 특징은 들뜬 복합체(exciplex system) 시스템 또는 단일 화합물에서 발견될 수 있다. 이론에 구속되지 안고, E형 지연 형광은 발광재료가 일중항-삼중항의 작은 에너지 갭(energy gap)(△ES-T)을 구비해야 한다고 여겨진다. 비금속을 함유하는 유기 공예체-수용체 발광재료는 이러한 특징을 실현할 가능성이 있다. 이러한 물질의 방출은 일반적으로 공예체-수용체 전하이동(CT)형 방출로 표징된다. 이러한 공예체-수용체형 화합물에서 HOMO와 LUMO의 공간적 분리는 일반적으로 작은 △ES-T을 생성한다. 이러한 상태는 CT 상태를 포함할 수 있다. 일반적으로, 공예체-수용체 발광재료는 전자 공예체부분(예를 들어, 아미노기 또는 카바졸 유도체)과 전자 수용체부분(예를 들어, N을 함유하는 6원 방향족고리)을 연결함으로써 구성된다.
치환기 용어의 정의에 관하여,
할로겐 또는 할로젠화물-은 본문에 사용된 바와 같이 불소, 염소, 브롬 및 요오드를 포함한다.
알킬기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 알킬기 및 분지형 알킬기를 포함한다. 알킬기는 1 내지 20개 탄소 원자를 구비하는 알킬기일 수 있으며, 1 내지 12개 탄소 원자를 구비하는 알킬기가 바람직하며, 1 내지 6개 탄소 원자를 구비하는 알킬기가 더 바람직하다. 알킬기의 예시는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차부틸기(Sec-butyl), 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기, n-운데실기, n-도데실기, n-트리데실기, n-테트라데실기, n-펜타데실기, n-헥사데실기, n-헵타데실기, n-옥타데실기, 네오펜틸기, 1-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 1-펜틸헥실기, 1-부틸펜틸기, 1-헵틸옥틸기, 3-메틸펜틸기를 포함한다. 상기에서, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 2차부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, 네오펜틸기 및 n-헥실기가 바람직하다. 또한, 알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
시클로알킬기는 본문에 사용된 바와 같이 고리형 알킬기를 포함한다. 시클로알킬기는 3 내지 20개 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 구비하는 시클로알킬기일 수 있으며, 4 내지 10개 탄소 원자를 구비하는 시클로알킬기가 바람직하다. 시클로알킬기의 예시는 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4,4-디메틸시클로헥실기, 1-아다만틸기, 2-아다만틸기, 1-노르보르닐기(1-norbornyl), 2- 노르보르닐기 등을 포함한다. 상기에서 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 4-메틸시클로헥실기, 4,4-디메틸시클로헥실기가 바람직하다. 또한, 시클로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
헤테로알킬기는 본문에 사용된 바와 같으며, 헤테로알킬기는 알킬기 사슬 중의 하나 또는 복수의 탄소가 질소원자, 산소원자, 황원자, 셀레늄원자, 인원자, 규소원자, 게르마늄원자 및 붕소원자로 이루어진 군에서 선택된 헤테로 원자에 의해 치환되어 형성된 것을 포함한다. 헤테로알킬기는 1 내지 20개 탄소 원자를 구비하는 헤테로알킬기일 수 있으며, 1 내지 10개 탄소 원자를 구비하는 헤테로알킬기가 바람직하며, 1 내지 6개 탄소 원자를 구비하는 헤테로알킬기가 더 바람직하다. 헤테로알킬기의 실예는 메톡시메틸기, 에톡시메틸기, 에톡시에틸기, 메틸티오메틸기(methylthiomethyl), 에틸티오메틸기, 에틸티오에틸기, 메톡시메톡시메틸기, 에톡시메톡시메틸기, 에톡시에톡시에틸기, 히드록시메틸기, 히드록시에틸기, 히드록시프로필기, 술파닐메틸기, 술파닐에틸기, 술파닐프로필기, 아미노메틸기, 아미노에틸기, 아미노프로필기, 디메틸아미노메틸기, 트리메틸실릴기, 디메틸에틸실릴기, 디메틸이소프로필실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 트리이소프로필실릴기, 트리메틸실릴메틸기, 트리메틸실릴에틸기, 트리메틸실릴이소프로필기를 포함한다. 또한, 헤테로알킬기는 임의로 치환될 수 있다.
알케닐기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 올레핀기, 분지형 올레핀기 및 고리형 올레핀기를 포함한다. 알케닐기는 2 내지 20 개의 탄소원자를 함유하는 알케닐기일 수 있고, 바람직하게 2 내지 10 개의 탄소원자를 갖는 알케닐기일 수 있다. 알케닐기의 예로는 비닐기, 프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1,3-부타디에닐기(1,3-butadienyl), 1-메틸비닐기, 스티릴기, 2,2-디페닐비닐기, 1,2-디페닐비닐기, 1-메틸알릴기, 1,1-디메틸알릴기, 2-메틸알릴기, 1-페닐알릴기, 2-페닐알릴기, 3-페닐알릴기, 3,3-디페닐알릴기, 1,2-디메틸알릴기, 1-페닐-1-부테닐기, 3-페닐-1-부테닐기, 시클로펜테닐기, 시클로펜타디에닐기, 시클로헥세닐기, 시클로헵테닐기(cycloheptenyl), 시클로헵타트리에닐기, 시클로옥테닐기, 시클로옥타테트라에닐기(Cyclooctatetraenyl) 및 노르보네닐기(norbornenyl)를 포함한다. 또한, 알케닐기는 임의로 치환될 수 있다.
알키닐기는 본문에 사용된 바와 같이 직쇄형 알키닐기를 포함한다. 알키닐기는 2 내지 20 개의 탄소원자를 함유하는 알키닐기일 수 있고, 바람직하게 2 내지 10 개의 탄소원자를 갖는 알키닐기일 수 있다. 알키닐기의 실예는 에티닐기, 프로피닐기, 프로파길기, 1-부티닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 1-펜티닐기, 2-펜티닐기, 3,3-디메틸-1-부티닐기, 3-에틸-3-메틸-1-펜티닐기, 3,3-디이소프로필1-펜티닐기, 페닐에티닐기, 페닐프로피닐기 등을 포함한다. 상기에서, 에티닐기, 프로피닐기, 프로파길기, 1-부티닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 1-펜티닐기, 페닐에티닐기가 바람직하다. 또한, 알키닐기는 임의로 치환될 수 있다.
아릴기 또는 방향족기는 본문에 사용된 바와 같이 융합 시스템(condensed systems)과 비융합 시스템을 고려한다. 아릴기는 6 내지 30 개의 탄소원자를 갖는 아릴기일 수 있고, 바람직하게 6 내지 20 개의 탄소원자를 갖는 아릴기이며, 더 바람직하게는 6 내지 12 개의 탄소원자를 갖는 아릴기이다. 아릴기의 예시는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 트리페닐렌(triphenylene group)기, 테트라페닐렌기, 나프탈렌기, 안트라센기, 페날렌기(phenalene group), 페난트렌기, 플루오렌기, 피렌기, 크라이센기(chrysene group), 페릴렌기(perylene group) 및 아줄렌(azulene group)기를 포함하고, 바람직하게는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 트리페닐렌기, 플루오렌기및 나트탈렌기를 포함한다. 비융합 아릴기의 예시는 페닐기, 비페닐-2-일기(biphenyl-2-yl), 비페닐-3-일기, 비페닐-4-일기, p-터페닐-4-일기, p-터페닐-3-일기, p-터페닐-2-일기, m-터페닐-4-일기, m-터페닐-3-일기, m-터페닐-2-일기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, p-(2-페닐프로필)페닐기, 4'-메틸비페닐릴기, 4''-터트부틸기-p-터페닐-4-일기, o-쿠메닐기(o-cumenyl), m-쿠메닐기, p-쿠메닐기, 2,3-크실릴기, 3,4-크실릴기, 2,5-크실릴기, 메시틸레닐기(Mesitylenyl group) 및 m-쿼테르페닐기(m-quaterphenyl)를 포함한다. 또한, 아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
헤테로시클릭기 또는 헤테로 시클릴은 본문에 사용된 바와 같이, 비방향족 고리형 그룹을 고려한다. 비방향족 헤테로시클릭기는 3-20개의 고리원자를 갖는 포화 헤테로시클릭기 및 3-20개 고리원자를 갖는 불포화 비방향족 헤테로시클릭기를 포함하며, 여기서 적어도 하나의 고리원자는 질소원자, 산소원자, 황원자, 셀레늄원자, 규소원자, 인원자, 게르마늄원자 및 붕소원자로 이루어진 군에서 선택되며, 바람직한 비방향족 헤테로시클릭기는 3 내지 7개의 고리원자를 포함하는 것으로, 질소, 산소, 규소 또는 황과 같은 적어도 하나의 헤테로원자를 포함한다. 비방향족헤테로시클릭기는 3~7 개의 고리원자를 갖는 것으로, 질소, 산소, 규소 또는 황과 같은 적어도 하나의 헤테로원자를 포함한다. 비방향족헤테로시클릭기의 예시는옥시라닐기(oxiranyl group), 옥세타닐기(oxetanyl group), 테드라하이드로푸란기(tetrahydrofuran group), 테드라하이드로피란기(tetrahydropyran group), 디옥솔란기(dioxolane group), 다이옥산기(dioxane group), 아지리디닐기(aziridinyl group), 디히드로피롤기(dihydropyrrole group), 테트라히드로피롤기(Tetrahydropyrrole group), 피페리딘기(piperidine group), 옥사졸리디닐기(oxazolidinyl group), 모르폴리노기(morpholino group), 피페라지닐기(piperazinyl group), 옥세핀기(oxepine group), 티에핀기(thiepine group), 아제핀기(azepine group) 및 테드라히드로실롤기(tetrahydrosilole group)를 포함한다. 또한, 헤테로시클릭기는 임의로 치환될수 있다.
헤테로아릴기는 본문에 사용된 바와 같이, 1~5 개의 헤테로원자를 함유할 수 있는 비융합 및 융합된 헤테로방향족 그룹을 포함한다. 여기서, 적어도 하나의 헤테로원자는 질소원자, 산소원자, 황원자, 셀레늄원자, 규소원자, 인원자, 게르마늄원자 및 붕소원자로 이루어진 군에서 선택된다. 이소아릴기도 헤테로아릴기를 의미한다. 헤테로아릴기는 3~30 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기일 수 있고, 바람직하게 3~20 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기이며, 더 바람직하게는 3~12 개의 탄소원자를 갖는 헤테로아릴기이다. 적합한 헤테로아릴기는 디벤조티오펜기(dibenzothiophene group), 디벤조푸란기(dibenzofuran group), 디벤조셀레노펜기(dibenzoselenophene group), 푸란기, 티오펜기, 벤조푸란기, 벤조티오펜기, 벤조셀레노펜기(benzoselenophene group), 카바졸기(carbazole group), 인돌로카르바졸기(indolocarbazole group), 피리딘인돌로기(pyridine indole group), 피롤로피리딘기(Pyrrolopyridine group), 피라졸기, 이미다졸기, 트리아졸기(Triazole group), 옥사졸기(oxazole group), 티아졸기, 옥사디아졸기, 옥사트리아졸기, 디옥사졸기, 티아디아졸기, 피리딘기, 피리다진기(pyridazine group), 피리미딘기, 피라진기(pyrazine group), 트리아진기(triazine group), 옥사진기(oxazine group), 옥사티아진기(oxathiazine group), 옥사디아진기(oxadiazine group), 인돌기(Indole group), 벤즈이미다졸기(benzimidazole group), 인다졸기, 인독사진기(indoxazine group), 벤조옥사졸기, 벤지스옥사졸기(benzisoxazole group), 벤조티아졸기, 퀴놀린기(quinoline group), 이소퀴놀린기, 신놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 나프티리딘기, 프탈라진기(phthalazine group), 프테리딘기(pteridine group), 크산텐기(xanthene group), 아크리딘기, 페나진기, 페노티아진기, 벤조푸라노피리딘기(Benzofuranopyridine group), 푸라노디피리딘기(Furanodipyridine group), 벤조티에노피리딘기(Benzothienopyridine group), 티에노디피리딘기(Thienodipyridine group), 벤조셀레노페노피리딘기(benzoselenophenopyridine group), 셀레노페노디피리딘기(selenophenodipyridine group)를 포함하고, 바람직하게는 디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 디벤조셀레노펜기, 카바졸기, 인돌로카르바졸기, 이미다졸기, 피리딘기, 트리아진기, 벤즈이미다졸기, 1,2-아자보란기(1,2-azaborane group), 1,3-아자보란기, 1,4-아자보란기, 보라진기(borazine group) 및 이들의 아자 유사체를 포함한다. 또한, 헤테로아릴기는 임의로 치환될 수 있다.
알콕시기는 본문에 사용된 바와 같이 -O-알킬기, -O-시클로알킬기, -O-헤테로알킬기 또는 -O-헤테로시클릭기로 표시된다. 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로알킬기 및 헤테로시클릭기의 예와 바람직한 예는 상기와 같다. 알콕시기는 1~20 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기일 수 있고, 바람직하게 1~6 개의 탄소원자를 갖는 알콕시기이다. 알콕시기의 예시는 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 부톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 시클로프로필옥시기, 시클로부틸옥시기, 시클로펜틸옥시기, 시클로헥실옥시기, 테트라히드로퓨라닐옥시기, 테트라히드로피라닐옥시기, 메톡시프로필옥시기, 에톡시에틸옥시기, 메톡시메틸옥시기 및 에톡시메틸옥시기를 포함한다. 또한, 알콕시기는 임의로 치환될 수 있다.
아릴옥시기는 본문에 사용된 바와 같이 -O-아릴기 또는 -O-헤테로아릴기로 표시된다. 아릴기 및 헤테로아릴기의 예시와 바람직한 예는 상기와 같다. 아릴옥시기는 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴옥시기일 수 있고, 바람직하게 6~20 개의 탄소원자를 갖는 아릴옥시기이다. 아릴옥시기의 예시는 페녹시기 및 비페닐옥시기를 포함한다. 또한, 아릴옥시기는 임의로 치환될 수 있다.
아랄킬기(Arylalkyl group)는 본문에 사용된 바와 같이 아릴기로 치환된 알킬기를 포함한다. 아랄킬기는 7~30 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기일 수 있고, 바람직하게 7~20 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기이며, 더 바람직하게는 7~13 개의 탄소원자를 갖는 아랄킬기이다. 아랄킬기의 예시는 벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기, 2-페닐이소프로필기, 페닐t-부틸기, α-나프틸메틸기, 1-α-나프틸-에틸기, 2-α-나프틸에틸기, 1-α-나프틸이소프로필기, 2-α-나프틸이소프로필기, β-나프틸메틸기, 1-β-나프틸-에틸기, 2-β-나프틸-에틸기, 1-β-나프틸이소프로필기, 2-β-나프틸이소프로필기, p-메틸벤질기, m-메틸벤질기, o-메틸벤질기, p-클로로벤질기(p-chlorobenzyl), m-클로로벤질기, o-클로로벤질기, p-브로모벤질기(p-bromobenzyl), m-브로모벤질기, o-브로모벤질기, p-요오드벤질기 (p-iodobenzyl), m-요오드벤질기, o-요오드벤질기, p-하이드록시벤질기(p-hydroxybenzyl), m-하이드록시벤질기, o-하이드록시벤질기, p-아미노벤질기, m-아미노벤질기, o-아미노벤질기, p-니트로벤질기, m-니트로벤질기, o-니트로벤질기, p-시아노벤질기, m-시아노벤질기, o-시아노벤질기, 1-2-하이드록시-2-페닐이소프로필기 및 1-클로로-2-페닐이소프로필기를 포함한다. 상기에서, 벤질기, p-시아노벤질기, m-시아노벤질기, o-시아노벤질기, 1-페닐에틸기, 2-페닐에틸기, 1-페닐이소프로필기 및 2-페닐이소프로필기가 바람직하다. 또한, 아랄킬기는 임의로 치환될 수 있다.
알킬실릴기(alkylsilyl group)는 본문에 사용된 바와 같이 알킬기로 치환된 실릴기를 포함한다. 알킬실릴기는 3~20 개의 탄소원자를 갖는 알킬실릴기일 수 있고, 바람직하게 3~10 개의 탄소원자를 갖는 알킬실릴기이다. 알킬실릴기의 예시는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, 메틸디에틸실릴기, 에틸디메틸실릴기, 트리프로필실릴기, 트리부틸실릴기, 트리이소프로필실릴기, 메틸디이소프로필실릴기, 디메틸이소프로필실릴기, 트리-t-부틸실릴기, 트리이소부틸실릴기, 디메틸-t-부틸실릴기, 메틸-di-t-부틸실릴기를 포함한다. 또한, 알킬실릴기는 임의로 치환될 수 있다.
아릴실릴기(arylsilyl group)는 본문에 사용된 바와 같이 적어도 하나의 아릴로 치환된 실릴기를 포함한다. 아릴실릴기는 6~30 개의 탄소원자를 갖는 아릴실릴기일 수 있고, 바람직하게는 8~20 개의 탄소원자를 갖는 아릴실릴기이다. 아릴실릴기의 예시는 트리페닐실릴기, 페닐디비페닐실릴기(phenyldibiphenylsilyl group), 디페닐비페닐실릴기, 페닐디에틸실릴기, 디페닐에틸실릴기, 페닐디메틸실릴기, 디페닐메틸실릴기, 페닐디이소프로필실릴기, 디페닐이소프로필실릴기, 디페닐부틸실릴기, 디페닐이소부틸실릴기, 디페닐-t-부틸실릴기를 포함한다. 또한, 아릴실릴기는 임의로 치환될 수 있다.
아자디벤조푸란(azadibenzofuran), 아자디벤조티오펜 등에서의 용어 "아자"는 상응하는 방향족 단편에서의 하나 또는 복수의 C-H 그룹이 질소원자로 대체됨을 의미한다. 예를 들어, 아자트리페닐렌(azatriphenylene)은 디벤조[f, h]퀴녹살린, 디벤조[f, h]퀴놀린 및 고리계에 2 개 또는 그 이상의 질소를 갖는 기타 유사체를 포함한다. 본 분야 당업자는 상술한 아자 유도체의 기타 질소 유사체를 쉽게 생각해낼 수 있으며, 이러한 모든 유사체는 본문에 기재된 용어에 포함되는 것으로 확정된다.
본 발명에서, 달리 정의되지 않는 한, 치환된 알킬기, 치환된 시클로알킬기, 치환된 헤테로알킬기, 치환된 헤테로시클릭기, 치환된 아랄킬기, 치환된 알콕시기, 치환된 아릴옥시기, 치환된 알케닐기, 치환된 알키닐기, 치환된 아릴기, 치환된 헤테로아릴기, 치환된 알킬실릴기, 치환된 아릴실릴기, 치환된 아미노기, 치환된 아실기, 치환된 카르보닐기, 치환된 카르복실산기, 치환된 에스테르기, 치환된 술피닐기, 치환된 술포닐기, 치환된 포스피노기로 이루어진 군 중의 임의의 하나의 용어가 사용되는 경우, 이는 알킬기, 시클로알킬기, 헤테로알킬기, 헤테로시클릭기, 아랄킬기, 알콕시기, 아릴옥시기, 알케닐기, 알키닐기, 아릴기, 헤테로아릴기, 알킬실릴기, 아릴실릴기, 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 술피닐기, 술포닐기 및 포스피노기 중의 임의의 하나의 그룹이, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자(ring carbon atoms)를 갖는 비치환된 시클로알킬기(cycloalkyl group), 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로알킬기, 3~20 개의 고리원자를 갖는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자 수를 갖는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알케닐기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알키닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 0~20 개의 탄소원자를 갖는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실산기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록시기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들 조합에서 선택된 하나 또는 복수 개에 의해 치환될 수 있음을 의미한다.
이해해야 할 것은, 분자 단편이 치환기로 설명되거나 기타 형태로 기타 부분에 연결되는 경우, 그것이 단편(예를 들어, 페닐기, 페닐렌기, 나프틸기, 디벤조푸란기)인지 또는 그것이 전체 분자(예를 들어, 벤젠, 나프탈렌기(naphthalene group), 디벤조푸란기)인지에 따라 명명된다. 본문에 사용된 바와 같이, 치환기 또는 단편연결을 지정하는 이러한 상이한 방식은 동일한 것으로 간주한다.
본문에 언급된 화합물에서, 수소원자는 부분적 또는 전체적으로 듀테륨으로 대체될 수 있다. 탄소 및 질소와 같은 다른 원소도 이들의 기타 안정적인 동위원소로 대체될 수 있다. 이는 소자의 효율 및 안정성을 향상시키므로, 화합물에서 기타 안정적인 동위원소를 대체하는 것은 바람직할 수 있다.
본문에 언급된 화합물에서, 다중치환은 이중치환을 포함한 최대 사용가능한 치환까지의 범위를 나타낸다. 본문에서 언급된 화합물에서, 어느 치환기가 다중치환(이치환, 삼치환, 사치환 등을 포함)을 나타낼 경우, 해당 치환기가 그 연결 구조에서의 복수의 사용가능한 치환 위치에 존재할 수 있음을 나타내고, 복수의 사용가능한 치환 위치에 존재하는 치환기는 동일한 구조일 수 있고 상이한 구조일 수도 있다.
본문에 언급된 화합물에서, 예를 들어 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다고 명확하게 한정하지 않는 한, 상기 화합물에서 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 없다. 본문에 언급된 화합물에서, 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 인접한 치환기가 연결되어 고리를 형성할 수 있는 경우를 포함하고, 또한 인접한 치환기가 연결되지 않아 고리를 형성하지 않는 경우도 포함한다. 인접한 치환기가 임의로 연결되어 고리를 연결할 수 있는 경우, 형성된 고리는 단환식 고리, 다환식 고리, 지환식(alicyclic) 고리, 헤테로지환식(heteroalicyclic) 고리, 방향족 고리 또는 헤테로방향족 고리일 수 있다. 이러한 표현에서, 인접한 치환기는 동일한 원자에 결합된 치환기, 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 치환기, 또는 더 멀리 떨어진 탄소원자에 결합된 치환기를 지칭할 수 있다. 바람직하게는, 인접한 치환기는 동일한 탄소원자에 결합된 치환기 및 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 치환기를 지칭한다.
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 동일한 탄소원자에 결합된 2개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:
인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기가 화학결합에 의해 서로 연결되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이며, 이는 하기 식을 통해 예시된다:
이외, 인접한 치환기는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 표현의 의도는 또한 서로 직접 결합된 탄소원자에 결합된 2 개의 치환기 중 하나가 수소를 나타낼 경우, 두 번째 치환기는 수소원자가 결합된 위치 측에 결합되어 고리를 형성하였음을 간주하려는 것이다. 이는 하기 식을 통해 예시된다:
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 본 발명은 금속 착물을 제공하며, 상기 금속 착물의 구조 일반식은 M(La)m(Lb)n(Lc)q이며;
여기서, M은 상대 원자 질량이 40보다 큰 금속에서 선택되며;
La, Lb, Lc는 각각 상기 M와 배위되는 제1 리간드, 제2 리간드, 제3 리간드이고, 그 구조는 동일하거나 상이하며; La, Lb, Lc는 임의로 연결되어 4자리 리간드 또는 6자리 리간드를 형성하며;
M은 1~3의 정수(예를 들어 1, 2 또는 3)에서 선택되고, n, q는 각각 독립적으로 0~2의 정수(예를 들어 0, 1 또는 2)에서 선택되며; m, n, q의 합은 상기 M의 산화 상태와 같으며; m≥2의 경우, 2개 또는 3개의 La는 동일하거나 상이할 수 있으며, n=2의 경우, 2개의 Lb는 동일하거나 상이할 수 있으며; q=2의 경우, 2개의 Lc는 동일하거나 상이할 수 있다;
상기 La는 식 I에서 나타낸 바와 같은 구조를 구비하며;
식 I에서, 점선은 리간드와 금속 원자의 결합 부위를 의미하며;
식 I에서, 고리 Q1, 고리 Q2는 각각 독립적으로 6-30개의 탄소원자를 갖는 방향족 고리 또는 3-30개의 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택되며;
식 I에서, X1, X2, X3, X4는 각각 독립적으로 C-Rx, C-Rx1 또는 N에서 선택되며;
식 I에서, Rq1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 치환, 다중 치환 또는 비치환을 나타내며;
식 I에서, Rq2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 치환 또는 다중 치환을 나타내며;
Rx, Rq1, Rq2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; 적어도 하나의 Rq2는 시아노기이며;
식 I에서, X2, X3, X4 중 적어도 하나는 C-Rx1이며, Rx1은 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
식 I에서, 인접한 치환기 Rq1, Rq2는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
Lb, Lc는 각각 독립적으로 일가 음이온 두자리 리간드로부터 선택된다.
본 실시예에서, 인접한 치환기 Rq1, Rq2는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 치환기 Rq1, Rq2가 존재할 경우, 그 중 인접한 치환기 군에 있어서, 예를 들어 인접한 치환기 Rq1사이, 인접한 치환기 Rq2 사이는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 이러한 인접한 치환기 군은 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 M은 Cu, Ag, Au, Ru, Rh, Pd, Os, Ir 또는 Pt에서 선택된다.
하나의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 M은 Pt 또는 Ir이다.
하나의 바람직한 실시형태에서 상기 M은 Ir이다.
하나의 구체적인 실시형태에서, 상기 고리 Q1, 고리 Q2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6-30개 탄소 원자를 갖는 방향족 고리에서 선택된다.
하나의 바람직한 실시형태에서, 상기 고리 Q1, 고리 Q2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6-18개 탄소 원자를 갖는 방향족 고리에서 선택된다.
하나의 바람직한 실시형태에서, 상기 고리 Q1, 고리 Q2는 벤젠고리이다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 X1은 C-Rx로부터 선택되며; 상기 X2, X3, X4는 각각 독립적으로 C-Rx 또는 C-Rx1에서 선택되고, X2, X3, X4 중 적어도 하나는 C-Rx1이다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 X1은 C-Rx로부터 선택되며; 상기 X2, X3, X4는 각각 독립적으로 N, C-Rx 또는C-Rx1에서 선택되고, X2, X3, X4 중 적어도 하나는 C-Rx1이다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 X2는 N 로부터 선택되며; 상기 X3, X4는 각각 독립적으로 C-Rx 또는 C-Rx1에서 선택되고, X3, X4 중 적어도 하나는 C-Rx1이다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 X2, X3, X4 중 적어도 하나는 C-Rx1이며, 상기 Rx1은 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된다.
하나의 구체적인 실시형태에서, 상기 X2, X3 중 적어도 하나는 C-Rx1 이고, 및/또는 상기 X4는 C-Rx1이며, 상기 Rx1은 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된다.
하나의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 Rx1은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 및 부분적 또는 완전히 듀테로화된 상기 그룹으로 이루어진 군에서 선택된다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 Lb, Lc는 각각 독립적으로 아래와 같은 구조에서 선택되는 임의의 1종이다:
여기서, 점선은 리간드와 금속 원자의 결합 부위를 의미하며;
Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 단일 치환, 다중 치환 또는 비치환을 나타내며;
Xa는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S, Se, N-RN1 및 CRC1RC2로 이루어진 군에서 선택되며;
Xb, Xc는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S, Se, N-RN2로 이루어진 군에서 선택되며;
Ra, Rb, Rc, RN1, RN2, RC1, RC2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, RN1, RN2, RC1 및 RC2는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 실시예에서, 인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, RN1, RN2, RC1, RC2가 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 그 중 인접한 치환기 군에 있어서, 예를 들어, 두 개의 치환기 Ra 사이, 두 개의 치환기 Rb 사이, 두 개의 치환기 Rc 사이, 치환기 Ra와 Rb 사이, 치환기 Ra와 Rc 사이, 치환기 Rb와 Rc 사이, 치환기 Ra와 RN1 사이, 치환기 Rb와 RN1 사이, 치환기 Ra와 RC1 사이, 치환기 Ra와 RC2 사이, 치환기 Rb와 RC1 사이, 치환기 Rb와 RC2 사이, 치환기 Ra와 RN2 사이, 치환기 Rb와 RN2 사이 및 RC1과 RC2 사이, 이러한 치환기 군 중 임의의 하나 또는 복수 개는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 이러한 치환기 사이는 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 금속 착물은 Ir(La)m(Lb)3-m의 일반식을 구비하며, 식 I-1, 식 I-2, 식 I-3, 식 I-4 또는 식 I-5로 나타낸 임의의 1종으로 나타내는 구조를 구비한다.
여기서, m은 1 또는 2이고; m=2일 경우, 2 개의 La는 동일하거나 상이할 수 있으며; m=1일 경우, 2 개의 Lb는 동일하거나 상이할 수 있으며;
Rq1, Rx은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 치환, 다중 치환 또는 비치환을 나타내며;
Rq2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 치환 또는 다중 치환을 나타내며;
Rx, Rq1, Rq2, R1~R8은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; 적어도 하나의 Rq2는 시아노기이며;
Rx1은 듀테륨, 할로겐, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 치환기 Rq1, Rq2, R1-R8은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 실시예에서, 인접한 치환기 Rq1, Rq2, R1-R8은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 그 중 인접한 치환기 군에 있어서, 예를 들어, 인접한 치환기 Rq1 사이, 인접한 치환기 Rq2 사이, 치환기 R1과 R2사이, 치환기 R2와 R3 사이, 치환기 R3과 R4 사이, 치환기 R4와 R5 사이, 치환기 R5와 R6 사이, 치환기 R6과 R7 사이 및 치환기 R7과 R8 사이, 이러한 인접한 치환기 군 중의 임의의 하나 또는 복수 개는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 이러한 인접한 치환기 군은 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 Rq1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며;
상기 Rq2 중 적어도 하나는 시아노기이며, 나머지 Rq2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 1-20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3-20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된다.
하나의 바람직한 실시형태에서, 상기 Rq1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 치환 또는 비치환된 페닐기 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
상기 Rq2 중 적어도 하나는 시아노기이며, 나머지 Rq2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 치환 또는 비치환된 페닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 식 I-1, 식 I-2, 식 I-3, 식 I-4, 식 I-5에서, R1~R8 중 적어도 하나 또는 두 개는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 0~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
하나의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R1~R8 중 적어도 하나는 듀테륨, 할로겐, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 시아노기 및 이들의 조합으로 이루어준 군에서 선택된다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 식 I-1, 식 I-2, 식 I-3, 식 I-4, 식 I-5에서, R2, R3, R6, R7 중의 하나, 두 개, 세 개 또는 전부는 듀테륨, 불소, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
하나의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R2, R3, R6, R7 중 하나 또는 두 개, 세 개 또는 전부는 듀테륨, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다.
하나의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 R2, R3, R6, R7 중의 하나, 두 개, 세 개 또는 전부는 듀테륨, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; 선택적으로 상기 그룹은 부분적 듀테로화 또는 완전히 듀테로화될 수 있다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 La는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 La1 내지 La771로 이루어진 군에서 선택되며, 상기 La1 내지 La771는 숫자의 번호 순서에 따라 순차적으로 배열되며, 이의 구체적인 구조는 청구항 12를 참조한다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 리간드 Lb는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 Lb1 내지 Lb78로 이루어진 군에서 선택되며, Lb1 내지 Lb78는 숫자의 번호 순서에 따라 순차적으로 배열되며, 이의 구체적인 구조는 청구항 13를 참조한다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 Lc는 아래와 같은 구조를 갖는다:
여기서, 점선은 리간드와 금속 원자의 결합 부위를 의미하며;
RLc1, RLc2, RLc3, RLc4, RLc5, RLc6, RLc7은 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 치환기 RLc1, RLc2, RLc3, RLc4, RLc5, RLc6 및 RLc7는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다.
본 실시예에서, 인접한 치환기 RLc1, RLc2, RLc3, RLc4, RLc5, RLc6, RLc7가 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있다는 것은, 그 중 인접한 치환기 군에 있어서, 예를 들어, 치환기 RLc1과 RLc2사이, 치환기 RLc1과 RLc3사이, 치환기 RLc2와 RLc3사이, 치환기 RLc4과 RLc5사이, 치환기 RLc5와 RLc6사이, 치환기 RLc4와 RLc6사이, 치환기 RLc1과 RLc7사이, 치환기 RLc2와 RLc7사이, 치환기 RLc3과 RLc7사이, 치환기 RLc4와 RLc7사이, 치환기 RLc5와 RLc7 사이 및 치환기 RLc6과 RLc7사이, 이러한 치환기 군 중 임의의 하나 또는 복수 개는 연결되어 고리를 형성할 수 있음을 나타내는 의미이다. 자명한 것은, 이러한 치환기 군은 모두 연결되지 않아 고리를 형성하지 않을 수도 있다.
하나의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 RLc1, RLc2, RLc3 중 적어도 하나는 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 및 이들의 조합에서 선택되며; 및/또는 상기 RLc4, RLc5, RLc6 중 적어도 하나는 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 및 이들의 조합에서 선택된다.
하나의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 RLc1, RLc2, RLc3 중 적어도 2 개는 2~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 및 이들의 조합에서 선택되며; 및/또는 상기 RLc4, RLc5, RLc6 중 적어도 2 개는 2~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 및 이들의 조합에서 선택된다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 Lc는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 Lc1 내지 Lc360로 이루어진 군에서 선택되며, Lc1 내지 Lc360은 숫자의 번호 순서에 따라 순차적으로 배열되며, 이들의 구체적인 구조는 청구항 15를 참조한다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 금속 착물은 Ir(La)2(Lb), Ir(La)(Lb)2, Ir(La)(Lb)(Lc) 또는 Ir(La)2(Lc) 중 임의의 1종으로 나타내는 구조를 구비하며;
상기 금속 착물이 Ir(La)2(Lb)의 구조를 구비할 경우, La는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 La1 내지 La771로 조성된 군 중 임의의 1종 또는 임의의 2종에서 선택되며, Lb는 Lb1 내지 Lb78로 조성된 군 중의 임의의 1종에서 선택되며;
상기 금속 착물이 Ir(La)(Lb)2의 구조를 구비할 경우, La는 La1 내지 La771로 조성된 군 중 임의의 1종에서 선택되며, Lb는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 Lb1 내지 Lb78로 조성된 군 중의 임의의 1종 또는 임의의 2종에서 선택되며;
상기 금속 착물이 Ir(La)(Lb)(Lc)의 구조를 구비할 경우, La는 La1 내지 La771로 조성된 군 중 임의의 1종에서 선택되며, Lb는 Lb1 내지 Lb78로 조성된 군 중의 임의의 1종에서 선택되며, Lc는 Lc1 내지 Lc360로 조성된 군 중의 임의의 1종에서 선택되며;
상기 금속 착물이 Ir(La)2(Lc)의 구조를 구비할 경우, La는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 La1 내지 La771로 조성된 군 중 임의의 1종 또는 임의의 2종에서 선택되며, Lc는 Lc1 내지 Lc360로 조성된 군 중의 임의의 1종에서 선택된다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 금속 착물은 화합물 1~2848로 조성된 군에서 선택되며; 여기서, 화합물 1~2784는 Ir(La)(Lb)2의 구조를 구비하며, 그 중 2개의 Lb는 동일하며; 화합물 2785~2848은 Ir(La)2(Lc)의 구조를 구비하며, 그 중 2개의 La는 동일하며; 화합물 1~2848의 구체적인 구조는 청구항 16을 참조한다.
본 발명에서 제공되는 금속 착물은 기존의 기술에서 개시된 합성방법을 통해 제조하여 얻을 수 있으며, 본 발명의 간략화를 위해, 본 발명에서는 이들을 하나씩 열거하지 않는다. 예시적으로, 상기 금속 착물의 합성 경로는 다음과 같다:
상기 합성 경로에서, OTf는 트리플루오로메탄설포네이트 이온(trifluoromethanesulfonate ion, CF3SO3 -)을 의미하며, Rx, Rx1, Rq1, Rq2는 각각 독립적으로 식 I에서의 범위와 동일한 한정 범위를 구비하며, R1~R8은 식 I-1에서의 범위와 동일한 한정 범위를 구비한다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 본 발명은 전계발광소자를 제공하며, 상기 전계발광소자는 음극과 양극, 및 상기 음극과 양극 사이에 배치되는 유기층을 포함하며, 상기 유기층은 상기에 따른 금속 착물을 포함한다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 유기층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층의 발광재료는 상기에 따른 금속 착물을 포함한다.
하나의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 전계발광소자는 황색광, 주황색광 또는 백색광을 방사한다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 상기 발광층은 적어도 1종의 호스트 재료를 포함한다.
하나의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 발광층은 적어도 2종의 호스트 재료를 포함한다.
하나의 바람직한 실시형태에 있어서, 상기 호스트 재료 중의 적어도 1종은 페닐기, 피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 카바졸기, 아자카바졸기, 인돌로카바졸기(indolocarbazole group), 디벤조티오펜기, 아자디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 아자디벤조푸란기, 디벤조셀레노펜기(dibenzoselenophene group), 트리페닐렌기(triphenylene group), 아자트리페닐렌기, 플루오렌기, 실라플로오렌기, 나프탈렌기, 퀴놀린기(quinoline group), 이소퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페난트렌기, 아자페난트렌기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 화학 그룹을 포함한다.
하나의 구체적인 실시형태네 있어서, 본 발명은 전자 장치, 전자 소자 모듈, 디스플레이 장치 또는 조명 장치에서의 상기에 따른 전계발광소자의 응용을 제공한다.
하나의 구체적인 실시형태에 있어서, 본 발명은 화합물 조합을 제공하는바, 상기 화합물 조합은 상기에 따른 금속 착물을 포함한다.
기타 재료와의 조합
본 발명에 기재된 유기 발광소자에서의 특정층에 사용되는 재료는, 소자에 존재하는 다양한 기타 재료와 조합되어 사용될 수 있다. 이러한 재료의 조합은 미국특허출원 US2016/0359122A1의 제0132~0161 단락에 상세하게 기술되었으며, 그 전부 내용은 본문에 인용되어 결합된다. 여기서, 기술되거나 언급된 재료는, 본문에 개시된 화합물과 조합되어 사용될 수 있는 재료의 비한정적인 예시이고, 본 분야 당업자는 조합 및 사용가능한 기타 재료를 식별할 수 있도록 문헌을 용이하게 참고할 수 있다.
본문에서는, 유기 발광소자에서의 구체적인 층에 사용가능한 재료는 상기 소자에 존재하는 여러 종류의 기타 재료와 조합되어 사용될 수 있는 것으로 설명된다. 예를 들어, 본문에 개시된 재료는 여러 종류의 발광 도판트(dopant), 호스트, 수송층, 차단층, 주입층, 전극 및 존재할 수 있는 기타 층과 결합되어 사용될 수 있다. 이러한 재료의 조합은 특허출원 US2015/0349273A1의 제0080-0101 단락에 상세하게 기술되었으며, 그 전부 내용은 본문에 인용되어 결합된다. 여기서, 기술되거나 언급된 재료는, 본문에 개시된 화합물과 조합되어 사용될 수 있는 재료의 비한정적인 예시이고, 본 분야 당업자는 조합 및 사용가능한 기타 재료를 식별할 수 있도록 문헌을 용이하게 참고할 수 있다.
재료합성의 실시예에서, 별도로 언급되지 않는 한 모든 반응은 질소 가스 보호하에서 진행된다. 모든 반응용매는 무수(anhydrous)이고 상업적 공급원으로부터 받은 그대로 사용된다. 합성된 생성물은 본 분야 상규적인 하나 또는 여러 종류의 설비(BRUKER의 핵자기공명분광기, SHIMADZU의 액체 크로마토그래피(liquid chromatography), 크로마토그래프 질량 분석계(liquid chromatograph-mass spectrometry), 가스 크로마토그래프 질량 분석계(gas chromatograph-mass spectrometry), 시차주사 열량계(differential scanning calorimeter), 상해 LENGGUANG TECH.의 형광분광광도계, 우한 CORRTEST의 전기화학 워크스테이션 및 안후이 BEQ의 승화장치(sublimation apparatus) 등을 포함하나 이에 한정되지 않음)를 사용하여, 본 분야 당업자에게 잘 알려진 방법에 의해 구조가 확인되고 특성이 테스트된다. 소자의 실시예에서, 소자의 특성도 본 분야 상규적인 설비(ANGSTROM ENGINEERING에서 생산한 증착기, 소주 FATAR에서 생산한 광학 테스트시스템 및 수명테스트 시스템 또는 북경 ELLITOP에서 생산한 타원계측기(ellipsometer) 등을 포함하나 이에 한정되지 않음)를 사용하여, 본 분야 당업자에게 잘 알려진 방법에 의해 테스트된다. 본 분야 당업자는 상기 설비의 사용, 테스트 방법 등 관련내용을 잘 알고 있어 시료의 고유 데이터를 확실하면서도 영향을 받지 않고 얻을 수 있으므로, 본편 특허에서는 상기 관련내용을 더이상 설명하지 않는다.
재료 합성 실시예:
본 발명의 화합물의 제조방법은 한정하지 않으며, 전형적인 예시로는 하기 화합물이 있으나 이에 한정되지 않으며, 그 합성경로 및 제조방법은 아래와 같다:
합성 실시예 1
본 합성 실시예에서는 금속 착물 Ir(La1)(Lb1)2(화합물 1)을 제공하며, 구체적인 구조는 다음과 같다:
제조 방법은 다음과 같은 단계를 포함한다:
(1): 중간물 1의 합성
2,4-디브로모-5-메틸피리딘(10.0g, 39.9mmol), 페닐보론산(4.9g, 39.9mmol), 테트라키스(트리페닐포스핀)팔라듐 Pd(PPh3)4(2.3g, 2.0mmol) 및 탄산칼륨(16.6g, 120.0mmol)을 300mL 아세토니트릴(MeCN) 및 100mL 물의 혼합 용액에 용해시키고, N2로 3회 교체하고 N2로 보호하며, 반응장치를 85℃의 가열용 맨틀(heating mantle)에 배치하고, 밤새 가열 교반한다. 반응이 종료된 후, 실온으로 냉각하고, 에틸아세테이트로 추출하며, 포화 식염수로 세척하고, 무수 황산마그네슘으로 건조하며, 칼럼크로마토그래피로 분리 정제하여, 중간물 1(8.0g, 수율 81%)을 얻는다.
(2): 중간물 2의 합성
단계 (1)에서 얻은 중간물 1(8.0g, 32.3mmol), 4-시아노페닐보론산(6.2g, 42.0mmol), 아세트산팔라듐 Pd(OAc)2(0.2g, 1.0mmol), 2-디시클로 헥실포스피노-2,4,6-트리이소프로필비페닐(2-Dicyclohexylphosphino-2,4,6-triisopropylbiphenyl)(X-Phos, 0.9g, 2.0mmol) 및 인산칼륨(21.0g, 96.9mmol)을 240mL 디옥산(dioxane) 및 80mL 물의 혼합 용액에 용해시키고, N2로 3회 교체하고 N2로 보호하며, 반응장치를 100℃의 가열용 맨틀(heating mantle)에 배치하고, 밤새 가열 교반한다. 에틸아세테이트로 추출하며, 포화 식염수로 세척하고, 무수 황산마그네슘으로 건조하며, 칼럼크로마토그래피로 분리 정제하여, 중간물 2(4.2 g, 수율 48%)을 얻는다.
(3): 화합물 1의 합성
단계 (2)에서 얻은 중간물 2(3.6g, 13.5mmol), 이리듐 착물(6.4g, 9.0mmol)을 250mL 에탄올(EtOH) 용액에 용해시키고, N2로 3회 교체하고 N2로 보호하며, 100℃의 가열용 맨틀(heating mantle)에 넣고 밤새 교반하고 가열 환류시킨다. 반응이 완전히 냉각된 후, 규조토(Diatomite)로 여과시키고; 메탄올, n-헥산으로 각각 2회 세척하며, 상부의 황색고체를 디클로로메탄으로 세척하여 유기상을 수집하고, 칼럼크로마토그래피로 분리시켜, 최종 생성물인 황색고체 화합물 1(0.6g, 수율 9%)을 얻는바, 해당 생성물 구조는 질량 스펙트럼 LCMS을 통해 확인하였는바, 분자량이 770인 목표 생성물인 것으로 확인되었다.
본 분야 당업자에 있어서, 상기 제조 방법은 단지 하나의 예시적인 예일뿐이라는 것을 알 수 있을 것이며, 본 분야 당업자는 이를 개진함으로써 본 발명의 기타 화합물의 구조를 얻을 수 있음을 알 수 있을 것이다.
소자 실시예 1
본 소자 실시예에서는 전계발광소자를 제공하는바, 해당 전계발광소자는 기판, 80nm ITO양극, 정공 주입층 100Å, 정공 수송층 350Å, 발광층(400Å), 정공 차단층 100Å, 전자 수송층 350Å, 1nm 전자 주입층, 120nm 음극(알루미늄)을 순차적으로 포함하며, 그 제조방법은 다음과 같다:
(1) 80nm 두께의 인듐주석산화물(ITO) 양극을 구비하는 유리기판을 세척한 후, 산소 플라즈마 및 UV 오존으로 처리하며, 처리 후, 기판을 글로브 박스에서 드라이하여 수분을 제거한다. 그리고 기판을 기판 프레임에 장착하고 진공 챔버에 넣은 후, 하기에서 지정된 유기층을 약 10-8토르(Torr)의 진공도에서 0.2~2Å/s의 속도로 열진공 증착을 통해 ITO 양극 상에 순차적으로 증착시키며;
(2) 양극에 화합물 HI를 증착하여 정공 주입층(HIL)으로 사용하며;
(3) 정공 주입층에 화합물 HT를 증착하여 정공 수송층(HTL)으로 사용하며;
(4) 정공 수송층에 발광층을 증착하되, 본 발명의 합성 실시예 1에서 제공하는 화합물1이 호스트 화합물 H1 및 화합물 H2에 도핑되어 발광층(EML)으로 사용하며; 화합물 H1, 화합물 H2 및 상기 화합물 1의 비율은 46:46:8이며;
(5) 발광층에 화합물 H2를 증착하여 정공 차단층(HBL)으로 사용하며;
(6)HBL에, 화합물 ET와 8-히드록시퀴놀린-리튬(Liq)을 공증착시켜 전자 수송층(ETL)으로 사용하며;
(7) 전자 수송층에 1nm의 Liq를 증착시켜 전자 주입층(EIL)로 하고, 120nm의 Al를 증착하여 음극으로 하며;
다음, 해당 소자를 글로브 박스로 다시 옮기고 유리 뚜껑(glass lid) 및 흡습제를 사용하여 봉입(encapsulate)함으로써 해당 소자를 완성시킨다.
소자 비교예 1
소자 비교예 1과 소자 실시예 1의 차이점은 단지 단계 (4)의 화합물 1 대신 비교 화합물 1을 사용하는 것이다.
소자 비교예 2
소자 비교예 1과 소자 실시예 1의 차이점은 단지 단계 (4)의 화합물 1 대신 비교 화합물 2를 사용하는 것이다.
소자 비교예 3
소자 비교예 1과 소자 실시예 1의 차이점은 단지 단계 (4)의 화합물 1 대신 비교 화합물 3를 사용하는 것이다.
상세한 소자 층 구조와 두께는 하기 표와 같다. 여기서, 사용된 재료는 2종 이상의 층이되, 상이한 화합물을 이에 기재된 중량비로 도핑함으로써 얻어진다.
[표 1]
소자 실시예와 비교예의 소자 구조
소자에 사용되는 재료 구조는 아래와 같다:
본 발명에서 제공한 화합물 1 
소자 성능 테스트 및 토론:
상이한 전류밀도 및 전압에서 소자의 IVL 및 수명 특성을 측정한다.
1000 니트(nit)에서 소자 실시예 1 및 소자 비교예 1의 외부 양자 효율(EQE), 최대 방출 파장(λmax), 전류밀도(CD), 전류 효율(CE), 전력 효율(PE), 전압(V) 및 CIE 색좌표 데이터를 측정하고, 10000 cd/m2의 일정한 휘도(Constant brightness)에서 소자 실시예 1 및 소자 비교예 1의 수명(LT97)을 측정하였으며, 테스트 데이터는 표 2와 같다.
[표 2]
소자 데이터
표 2에서 볼 수 있다시피, 본 발명에 따른 금속 착물을 사용하는 소자 실시예는 비교 화합물보다 우수한 약간의 장점을 나타낸다. 소자 비교예 1(비교 화합물 1)에 비해, 소자 실시예 1의 CE, PE 및 EQE는 비교예 1에 비해 대폭도로 향상되었고, 전압은 알킬기 치환이 없는 비교 화합물 1을 사용하는 비교예 1에 비해 0.35V 낮으며, 감소 폭은 10%를 초과한다. 소자 실시예 1의 전류밀도는 1.82mA/cm2이며, 비교예 1의 4.63mA/cm2보다 현저히 낮다. 아울러, CIE 데이터에 따르면, 본 발명에서 제공하는 화합물 A에서, 리간드 La는 피리딘 5번 위치에 알킬기를 도입함으로써, 시아노 아릴 치환기가 비틀림이 발생되어 피리딘 고리와 동일평면 상에 놓이지 않도록 하여, 발광 파장을 효과적으로 조절할 수 있다. 또한 10000cd/m2에서, 소자 실시예 1의 Lt97 수명은 626시간이지만, 소자 비교예 1에서는 단지 192시간이기 때문에 소자 실시예 1의 우세는 아주 명백하다는 것을 강조할 필요가 있다.
1000 니트(nit)에서 소자 실시예 1, 소자 비교예 2 및 소자 비교예 3의 CIE 색좌표, 최대 방출 파장(λmax), 전압(V), 외부 양자 효율(EQE)을 측정하고, 10000 cd/m2의 일정한 휘도(Constant brightness)에서 소자 실시예 1, 소자 비교예 2 및 소자 비교예 3의 소자 수명(LT97)을 측정하였으며, 테스트 데이터는 표 3과 같다.
[표 3]
소자 데이터
표 3으로부터 볼 수 있다시피, 마찬가지로 피리딘 5번 위치에 알킬 치환기를 갖는 비교 화합물을 사용한 소자 비교예 2 및 소자 비교예 3에 비해, 본 발명에 개시된, 리간드의 방향족 고리에 시아노기 치환기를 더 구비하는 화합물을 사용한 소자 실시예 1의 최대 방출 파장은 577nm이며, 이는 주황색광 재료이다. 방향족 고리에 치환이 없고, 방향족 고리에 메틸기 치환을 갖는 소자 비교예 2와 소자 비교예 3의 최대 방출 파장은 각각 537nm 및 525nm이며, 녹색광 재료이다. 또한, 소자 실시예 1의 구동전압은 소자 비교예 2 및 소자 비교예 3 모두에 비해 감소되었는바, 각각 0.15v 및 0.08v 낮은 구동전압을 나타낸다. 이외에, 소자 실시예 1의 EQE는 소자 비교예 2와 소자 비교예 3에 비해 각각 2.37% 및 3.09% 높으며, 소자 실시예 1의 EQE는 소자 비교예 2의 EQE에 비해 13% 향상하였고, 소자 실시예 1의 EQE는 소자 비교예 3의 EQE에 비해 17.7% 향상하였다. 이러한 결과로부터 보면, 소자 실시예 1, 소자 비교예 2 및 소자 비교예 3에서는 동일하게 리간드의 피리딘 5번 위치에 알킬 치환기를 구비하지만, 외부 양자 효율 EQE 측면에서 소자 실시예 1은 여전히 현저한 우세를 가진다. 더욱 중요한 것은, 10000cd/m2에서, 소자 실시예 1의 LT97 수명은 626시간이므로, 소자 비교예 2의 247시간 및 소자 비교예 3의 165시간에 비해 압도적인 우세를 가진다.
상기 내용을 종합하면, 본 발명에 개시된 금속 착물은 구조 설계 및 리간드의 특정위치에 특정된 치환기를 도입하는 것을 통해 명확히 향상된 고효율 및 저전압의 우수한 효과를 가져올 수 있으며; 발광 파장을 효과적으로 조절할 수 있고 소자 수명을 효과적으로 향상시킬 수 있는 우수한 효과를 구비하는바, 이는 본 발명에 개시된 금속 착물이 산업 응용에 있어서 거대한 우세 및 넓은 전망을 구비한다는 것을 나타낸다.
출원인은, 본 발명은 상기 실시예를 통해 본 발명의 금속 착물, 전계발광소자 및 이의 응용을 설명했으나, 본 발명은 상기 공정단계에 한정되지 않음을 선언하는바, 즉 본 발명은 상기 공정단계에 의존해야만 실시할 수 있음을 의미하지 않는다. 해당 기술 분야의 기술자들은, 본 발명에 대한 그 어떤 개량, 본 발명에서 선택한 원료의 등가적 교체 및 보조 성분의 첨가, 구체적인 방식의 선택 등은 모두 본 발명의 보호 범위와 공개 범위에 속함을 알 수 있다. 본문에 기재된 재료 및 구조에서의 다수는 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 한, 기타 재료 및 구조로 대체하여 사용할 수 있다. 본 발명이 작용되는 이유에 대한 다양한 이론은 한정적인 것이 아님을 이해해야 한다.
Claims (21)
- 금속 착물에 있어서, 상기 금속 착물의 구조 일반식은 M(La)m(Lb)n(Lc)q이며;
여기서, M은 상대 원자 질량이 40보다 큰 금속에서 선택되며;
La, Lb, Lc는 각각 상기 M와 배위되는 제1 리간드, 제2 리간드, 제3 리간드이고, 그 구조는 동일하거나 상이하며; La, Lb, Lc는 임의로 연결되어 4자리 리간드 또는 6자리 리간드를 형성하며;
M은 1, 2 또는 3에서 선택되고, n, q는 각각 독립적으로 0, 1 또는 2에서 선택되며; m, n, q의 합은 상기 M의 산화 상태와 같으며; m≥2의 경우, 2개 또는 3개의 La는 동일하거나 상이할 수 있으며, n=2의 경우, 2개의 Lb는 동일하거나 상이할 수 있으며; q=2의 경우, 2개의 Lc는 동일하거나 상이할 수 있으며;
상기 La는 식 I에서 나타낸 바와 같은 구조를 구비하며;
여기서, 점선은 리간드와 금속 원자의 결합 부위를 의미하며;
고리 Q1, 고리 Q2는 각각 독립적으로 6-30개의 탄소원자를 갖는 방향족 고리 또는 3-30개의 탄소원자를 갖는 헤테로방향족 고리에서 선택되며;
X1, X2, X3, X4는 각각 독립적으로 C-Rx, C-Rx1 또는 N에서 선택되며;
Rq1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 치환, 다중 치환 또는 비치환을 나타내며;
Rq2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 치환 또는 다중 치환을 나타내며;
Rx, Rq1, Rq2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; 적어도 하나의 Rq2는 시아노기이며;
X2, X3, X4 중 적어도 하나는 C-Rx1이며, Rx1은 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 치환기 Rq1, Rq2는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
Lb, Lc는 각각 독립적으로 일가 음이온 두자리 리간드로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 제 1 항에 있어서,
상기 M은 Cu, Ag, Au, Ru, Rh, Pd, Os, Ir 또는 Pt에서 선택되며, 바람직하게는 Pt 또는 Ir이며, 더 바람직하게는 Ir인 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 고리 Q1, 고리 Q2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 6-30개 탄소 원자를 갖는 방향족 고리에서 선택되며;
바람직하게, 상기 고리 Q1, 고리 Q2는 각각 독립적으로 6-18개의 탄소원자를 갖는 방향족 고리에서 선택되며;
더욱 바람직하게, 상기 고리 Q1, 고리 Q2는 벤젠고리인 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 X1은 C-Rx로부터 선택되며; 상기 X2, X3, X4는 각각 독립적으로 C-Rx 또는 C-Rx1에서 선택되고, X2, X3, X4 중 적어도 하나는 C-Rx1인 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 X1은 C-Rx로부터 선택되며; 상기 X2, X3, X4는 각각 독립적으로 N, C-Rx 또는 C-Rx1에서 선택되고, X2, X3, X4 중 적어도 하나는 C-Rx1에서 선택되며;
바람직하게, 상기 X2는 N로부터 선택되며; 상기 X3, X4는 각각 독립적으로 C-Rx 또는 C-Rx1에서 선택되고, X3, X4 중 적어도 하나는 C-Rx1인 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 X2, X3, X4 중 적어도 하나는 C-Rx1로 부터 선택되며; 상기 Rx1은 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며;
바람직하게, 상기 X2, X3 중 적어도 하나는 C-Rx1에서 선택되며, 및/또는 상기 X4는 C-Rx1로부터 선택되며, 상기 Rx1은 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며;
더욱 바람직하게, 상기 Rx1은 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 및 부분적 또는 완전히 듀테로화된 상기 그룹으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 Lb 및 Lc는 각각 독립적으로 아래와 같은 구조에서 선택되는 임의의 1종이며:
여기서, 점선은 리간드와 금속 원자의 결합 부위를 의미하며;
Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 단일 치환, 다중 치환 또는 비치환을 나타내며;
Xa는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S, Se, N-RN1 및 CRC1RC2로 이루어진 군에서 선택되며;
Xb, Xc는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 O, S, Se, N-RN2로 이루어진 군에서 선택되며;
Ra, Rb, Rc, RN1, RN2, RC1, RC2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 치환기 Ra, Rb, Rc, RN1, RN2, RC1 및 RC2는 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 착물은 Ir(La)m(Lb)3-m의 일반식을 구비하며, 식 I-1, 식 I-2, 식 I-3, 식 I-4 또는 식 I-5로 나타낸 임의의 1종으로 나타내는 구조를 구비하며:
여기서, m은 1 또는 2이고; m=2일 경우, 2 개의 La는 동일하거나 상이할 수 있으며; m=1일 경우, 2 개의 Lb는 동일하거나 상이할 수 있으며; Rq1, Rx은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 치환, 다중 치환 또는 비치환을 나타내며;
Rq2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 단일 치환 또는 다중 치환을 나타내며;
Rx, Rq1, Rq2, R1~R8은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기(alkylsilyl group), 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기(arylsilyl group), 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; 적어도 하나의 Rq2는 시아노기이며;
Rx1은 듀테륨, 할로겐, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 치환기 Rq1, Rq2, R1~ R8은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 Rq1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기 및 이들의 조합에서 선택되며;
상기 Rq2 중 적어도 하나는 시아노기이며, 나머지 Rq2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 1-20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3-20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3-30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택되며;
바람직하게, 상기 Rq1은 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 치환 또는 비치환된 페닐기 및 그 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
상기 Rq2 중 적어도 하나는 시아노기이며, 나머지 Rq2는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 수소, 듀테륨, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 네오펜틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기, 치환 또는 비치환된 페닐기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
식 I-1, 식 I-2, 식 I-3, 식 I-4, 식 I-5에서, 상기 R1~R8 중 적어도 하나 또는 2 개는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 듀테륨, 할로겐, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 0~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 하이드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
바람직하게, 상기 R1~R8 중 적어도 하나는 듀테륨, 할로겐, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 시아노기 및 이들의 조합으로 이루어준 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
식 I-1, 식 I-2, 식 I-3, 식 I-4, 식 I-5에서, 상기 R2, R3, R6, R7 중의 하나, 두 개, 세 개 또는 전부는 듀테륨, 불소, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
바람직하게, 상기 R2、R3、R6、R7 중 하나 또는 두 개, 세 개 또는 전부는 듀테륨, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
더욱 바람직하게, 상기 R2、R3、R6、R7 중의 하나, 두 개, 세 개 또는 전부는 듀테륨, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며; 선택적으로 상기 그룹은 부분적 듀테로화 또는 완전히 듀테로화될 수 있는 것을 특징으로 하는 금속 착물.
- 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 La는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래와 같은 구조로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며:
여기서, 점선은 리간드와 금속 원자의 결합 부위를 의미하는 것인 금속 착물.
- 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 Lb는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래와 같은 구조로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며:
여기서, 점선은 리간드와 금속 원자의 결합 부위를 의미하는 것인 금속 착물.
- 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 Lc는 아래와 같은 구조를 갖는 것을 특징으로 하며:
여기서, 점선은 리간드와 금속 원자의 결합 부위를 의미하며;
RLc1, RLc2, RLc3, RLc4, RLc5, RLc6, RLc7은 각각 독립적으로 수소, 듀테륨, 할로겐, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20 개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 3-20 개의 고리원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로시클릭기, 7~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아랄킬기, 1~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알콕시기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴옥시기, 2~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알케닐기, 6~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴기, 3~30 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로아릴기, 3~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬실릴기, 6~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아릴실릴기, 0~20 개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 아미노기, 아실기, 카르보닐기, 카르복실기, 에스테르기, 시아노기, 이소시아노기, 히드록실기, 술파닐기, 술피닐기, 술포닐기, 포스피노기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되며;
인접한 치환기 RLc1, RLc2, RLc3, RLc4, RLc5, RLc6, RLc7은 임의로 연결되어 고리를 형성할 수 있으며;
바람직하게, 상기 RLc1, RLc2, RLc3 중 적어도 하나는 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 및 이들의 조합에서 선택되며; 및/또는 상기 RLc4, RLc5, RLc6 중 적어도 하나는 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 1~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 및 이들의 조합에서 선택되며;
더욱 바람직하게, 상기 RLc1, RLc2, RLc3 중 적어도 2 개는 2~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 및 이들의 조합에서 선택되며; 및/또는 상기 RLc4, RLc5, RLc6 중 적어도 2 개는 2~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 알킬기, 3~20개의 고리탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 시클로알킬기, 2~20개의 탄소원자를 갖는 치환 또는 비치환된 헤테로알킬기, 및 이들의 조합에서 선택되는 것인 금속 착물.
- 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 Lc는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 아래와 같은 구조로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며:
여기서, 점선은 리간드와 금속 원자의 결합 부위를 의미하는 것인 금속 착물.
- 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 착물은 Ir(La)2(Lb), Ir(La)(Lb)2, Ir(La)(Lb)(Lc) 또는 Ir(La)2(Lc) 중 임의의 1종으로 나타내는 구조를 구비하며;
상기 금속 착물이 Ir(La)2(Lb)의 구조를 구비할 경우, La는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 La1 내지 La771로 조성된 군 중 임의의 1종 또는 임의의 2종에서 선택되며, Lb는 Lb1 내지 Lb78로 조성된 군 중의 임의의 1종에서 선택되며;
상기 금속 착물이 Ir(La)(Lb)2의 구조를 구비할 경우, La는 La1 내지 La771로 조성된 군 중 임의의 1종에서 선택되며, Lb는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 Lb1 내지 Lb78로 조성된 군 중의 임의의 1종 또는 임의의 2종에서 선택되며;
상기 금속 착물이 Ir(La)(Lb)(Lc)의 구조를 구비할 경우, La는 La1 내지 La771로 조성된 군 중 임의의 1종에서 선택되며, Lb는 Lb1 내지 Lb78로 조성된 군 중의 임의의 1종에서 선택되며, Lc는 Lc1 내지 Lc360로 조성된 군 중의 임의의 1종에서 선택되며;
상기 금속 착물이 Ir(La)2(Lc)의 구조를 구비할 경우, La는 나타날 때마다 동일하거나 상이하게 La1 내지 La771로 조성된 군 중 임의의 1종 또는 임의의 2종에서 선택되며, Lc는 Lc1 내지 Lc360로 조성된 군 중의 임의의 1종에서 선택되며;
바람직하게, 상기 금속 착물은 화합물 1~2848로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하며:
상기 화합물 1~2784는 Ir(La)(Lb)2의 구조를 구비하며, 여기서, 2 개의 Lb는 동일하며, La 및 Lb는 각각 하기 표에 표시된 구조와 대응되며:
상기 화합물 2785~2848는 Ir(La)2(Lc)의 구조를 구비하며, 여기서, 2 개의 La는 동일하며, La 및 Lc는 각각 하기 표에 표시된 구조와 대응되는 것인 금속 착물:
.
- 음극과 양극, 및 상기 음극과 양극 사이에 배치되는 유기층을 포함하며, 상기 유기층은 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 따른 금속 착물을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 17 항에 있어서,
상기 유기층은 발광층을 포함하며, 상기 발광층의 발광 재료는 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 따른 금속 착물을 포함하며;
바람직하게, 상기 전계발광소자는 황색광, 주황색광 또는 백색광을 방사하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 제 18 항에 있어서,
상기 발광층은 적어도 1종의 호스트 재료를 더 포함하며;
바람직하게, 상기 발광층은 적어도 2종의 호스트 재료를 더 포함하며;
바람직하게, 상기 호스트 재료 중의 적어도 1종은 페닐기, 피리딘기, 피리미딘기, 트리아진기, 카바졸기, 아자카바졸기, 인돌로카바졸기(indolocarbazole group), 디벤조티오펜기, 아자디벤조티오펜기, 디벤조푸란기, 아자디벤조푸란기, 디벤조셀레노펜기(dibenzoselenophene group), 트리페닐렌기(triphenylene group), 아자트리페닐렌기, 플루오렌기, 실라플로오렌기, 나프탈렌기, 퀴놀린기(quinoline group), 이소퀴놀린기, 퀴나졸린기, 퀴녹살린기, 페난트렌기, 아자페난트렌기 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 화학 그룹을 포함하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
- 전자 장치, 전자 소자 모듈, 디스플레이 장치 또는 조명 장치에서 제 17 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 따른 전계발광소자의 응용.
- 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 따른 금속 착물을 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 조합.
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |