KR20220010280A - 전자부품 내장기판 - Google Patents

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KR20220010280A
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layer
electronic component
core
disposed
wiring
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KR1020200088970A
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박창화
김치성
이은혜
송요한
형건휘
이재흔
강덕만
박진오
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삼성전기주식회사
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    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
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    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
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    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
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    • H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29116—Lead [Pb] as principal constituent
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    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/29124—Aluminium [Al] as principal constituent
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    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29139—Silver [Ag] as principal constituent
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    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29144—Gold [Au] as principal constituent
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    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29147—Copper [Cu] as principal constituent
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    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29155—Nickel [Ni] as principal constituent
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    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/29166—Titanium [Ti] as principal constituent
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    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/2919—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/8038—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/80399—Material
    • H01L2224/804—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/80401—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/80411—Tin [Sn] as principal constituent
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    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/8038—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/80399—Material
    • H01L2224/804—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/80401—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/80416—Lead [Pb] as principal constituent
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    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/8038—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/80399—Material
    • H01L2224/804—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/80417—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/80424—Aluminium [Al] as principal constituent
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    • H01L2224/80001—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by connecting a bonding area directly to another bonding area, i.e. connectorless bonding, e.g. bumpless bonding
    • H01L2224/8038—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
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    • H01L2224/80438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/80439—Silver [Ag] as principal constituent
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Abstract

본 개시는 캐비티를 갖는 코어 구조체, 코어 구조체의 캐비티의 바닥면에 배치된 금속층, 및 코어 구조체의 캐비티 내의 금속층 상에 배치된 전자부품을 포함하며, 방열 효과가 우수한, 전자부품 내장기판에 관한 것이다.

Description

전자부품 내장기판{SUBSTRATE WITH ELECTRONIC COMPONENT EMBEDDED THEREIN}
본 개시는 전자부품 내장기판에 관한 것이다.
휴대폰을 비롯한 IT(Information Technology) 분야의 전자기기들이 경박 단소화 되면서, 이에 대한 기술적 요구에 부응하여 IC(Integrated Circuit) 등의 전자부품이 인쇄회로기판 내에 삽입되는 기술이 요구되고 있으며, 최근에는 다양한 방식으로 인쇄회로기판 내에 전자부품이 내장되는 기술이 개발되고 있다.
한편, 전자부품의 성능이 올라가고 부품간 신호 전달의 양이 증가할수록 전자부품에서 발열이 높아지고 있으며, 이에 이러한 전자부품이 내장된 인쇄회로기판의 방열 설계에 대하여 많은 연구와 개발이 진행되고 있다.
본 개시의 여러 목적 중 하나는 방열 효과가 우수한 전자부품 내장기판을 제공하는 것이다.
본 개시의 여러 목적 중 다른 하나는 배선 설계의 효율이 우수한 전자부품 내장기판을 제공하는 것이다.
본 개시를 통하여 제안하는 여러 해결 수단 중 하나는 전자부품이 배치되는 캐비티의 바닥면에 제1금속층을 배치하고, 또한 전자부품의 측면에 제2금속층을 배치하여, 방열 경로를 다향화 하면서 동시에 방열 면적을 넓히는 것이다.
예를 들면, 일례에 따른 전자부품 내장기판은 제1절연바디, 상기 제1절연바디 상에 또는 내에 각각 배치된 복수 층의 제1배선층, 및 상기 제1절연바디 내에 배치된 한층 이상의 제1비아층을 포함하며, 상기 제1절연바디의 적어도 일부를 관통하는 캐비티를 갖는 코어 구조체; 상기 캐비티의 바닥면에 배치된 제1금속층; 상기 캐비티 내의 상기 제1금속층 상에 배치된 전자부품; 및 상기 전자부품의 측면에 배치된 제2금속층; 을 포함할 수 있다.
본 개시를 통하여 제안하는 여러 해결 수단 중 다른 하나는 전자부품이 배치되는 캐비티의 바닥면에 금속층을 배치하되, 금속층에 패턴홀을 형성하여, 캐비티 형성을 위한 배리어 금속의 일부를 방열 비아로 이용하되, 다른 일부는 신호 경로로 이용하는 것이다.
예를 들면, 일례에 따른 전자부품 내장기판은 절연바디, 상기 절연바디 상에 또는 내에 각각 배치된 복수 층의 배선층, 및 상기 절연바디 내에 배치된 한층 이상의 비아층을 포함하며, 상기 절연바디의 적어도 일부를 관통하는 캐비티를 갖는 코어 구조체; 상기 캐비티의 바닥면에 배치되며, 패턴홀을 갖는 금속층; 및 상기 캐비티 내의 상기 금속층 상에 배치된 전자부품; 을 포함할 수도 있다.
본 개시의 여러 효과 중 하나로서 방열 효과가 우수한 전자부품 내장기판을 제공할 수 있다.
본 개시의 여러 효과 중 다른 하나로서 배선 설계 효율이 우수한 전자부품 내장기판을 제공할 수 있다.
도 1은 전자기기 시스템의 예를 개략적으로 나타내는 블록도다.
도 2는 전자기기의 일례를 개략적으로 나타낸 사시도다.
도 3은 전자부품 내장기판의 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 4는 도 3의 전자부품 내장기판의 개략적인 Ⅰ-Ⅰ' 절단 평면도다.
도 5는 도 3의 전자부품 내장기판의 개략적인 Ⅱ-Ⅱ' 절단 평면도다.
도 6 내지 도 17은 도 3의 전자부품 내장기판의 제조 일례를 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 18은 전자부품 내장기판의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 19는 전자부품 내장기판의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 20은 전자부품 내장기판의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 대해 설명한다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장되거나 축소될 수 있다.
도 1은 전자기기 시스템의 예를 개략적으로 나타내는 블록도다.
도면을 참조하면, 전자기기(1000)는 메인보드(1010)를 수용한다. 메인보드(1010)에는 칩 관련부품(1020), 네트워크 관련부품(1030), 및 기타부품(1040) 등이 물리적 및/또는 전기적으로 연결되어 있다. 이들은 후술하는 다른 전자부품과도 결합되어 다양한 신호라인(1090)을 형성한다.
칩 관련부품(1020)으로는 휘발성 메모리(예컨대, DRAM), 비-휘발성 메모리(예컨대, ROM), 플래시 메모리 등의 메모리 칩; 센트랄 프로세서(예컨대, CPU), 그래픽 프로세서(예컨대, GPU), 디지털 신호 프로세서, 암호화 프로세서, 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 등의 어플리케이션 프로세서 칩; 아날로그-디지털 컨버터, ASIC(application-specific IC) 등의 로직 칩 등이 포함된다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 이러한 칩 외에도 기타 다른 형태의 칩 관련부품이 포함될 수도 있다. 또한, 이들 칩 관련부품이 서로 조합될 수도 있다. 칩 관련부품(1020)은 상술한 칩을 포함하는 패키지 형태일 수도 있다.
네트워크 관련부품(1030)으로는, Wi-Fi(IEEE 802.11 패밀리 등), WiMAX(IEEE 802.16 패밀리 등), IEEE 802.20, LTE(long term evolution), Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, EDGE, GSM, GPS, GPRS, CDMA, TDMA, DECT, Bluetooth, 3G, 4G, 5G 및 그 이후의 것으로 지정된 임의의 다른 무선 및 유선 프로토콜들이 포함되며, 이에 한정되는 것은 아니고, 이 외에도 기타 다른 다수의 무선 또는 유선 표준들이나 프로토콜들 중의 임의의 것이 포함될 수 있다. 또한, 네트워크 관련부품(1030)이 칩 관련부품(1020)과 조합되어 패키지 형태로 제공될 수도 있다.
기타부품(1040)으로는, 고주파 인덕터, 페라이트 인덕터, 파워 인덕터, 페라이트 비즈, LTCC(low Temperature Co-Firing Ceramics), EMI(Electro Magnetic Interference) filter, MLCC(Multi-Layer Ceramic Condenser) 등이 포함된다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 이 외에도 기타 다른 다양한 용도를 위하여 사용되는 칩 부품 형태의 수동소자 등이 포함될 수 있다. 또한, 기타부품(1040)이 칩 관련부품(1020) 및/또는 네트워크 관련부품(1030)과 조합되어 패키지 형태로 제공될 수도 있다.
전자기기(1000)의 종류에 따라, 전자기기(1000)는 메인보드(1010)에 물리적 및/또는 전기적으로 연결되거나 그렇지 않을 수도 있는 다른 전자부품을 포함할 수 있다. 다른 전자부품의 예를 들면, 카메라 모듈(1050), 안테나 모듈(1060), 디스플레이(1070), 배터리(1080) 등이 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니고, 오디오 코덱, 비디오 코덱, 전력 증폭기, 나침반, 가속도계, 자이로스코프, 스피커, 대량 저장 장치(예컨대, 하드디스크 드라이브), CD(compact disk), DVD(digital versatile disk) 등일 수도 있다. 이 외에도 전자기기(1000)의 종류에 따라 다양한 용도를 위하여 사용되는 기타 전자부품 등이 포함될 수 있음은 물론이다.
전자기기(1000)는, 스마트폰(smart phone), 개인용 정보 단말기(personal digital assistant), 디지털 비디오 카메라(digital video camera), 디지털 스틸 카메라(digital still camera), 네트워크 시스템(network system), 컴퓨터(computer), 모니터(monitor), 태블릿(tablet), 랩탑(laptop), 넷북(netbook), 텔레비전(television), 비디오 게임(video game), 스마트 워치(smart watch), 오토모티브(Automotive) 등일 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 이들 외에도 데이터를 처리하는 임의의 다른 전자기기일 수 있음은 물론이다.
도 2는 전자기기의 일례를 개략적으로 나타낸 사시도다.
도면을 참조하면, 전자기기는, 예를 들면, 스마트폰(1100)일 수 있다. 스마트폰(1100)의 내부에는 마더보드(1110)가 수용되어 있으며, 이러한 마더보드(1110)에는 다양한 전자부품(1120)들이 물리적 및/또는 전기적으로 연결되어 있다. 또한, 카메라 모듈(1130) 및/또는 스피커(1140) 등이 내부에 수용되어 있다. 전자부품(1120) 중 일부는 상술한 칩 관련부품일 수 있으며, 예를 들면, 전자부품 내장기판 (1121)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 전자부품 내장기판(1121)은 다층 인쇄회로기판 내에 전자부품이 내장된 형태일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 전자기기는 반드시 스마트폰(1100)에 한정되는 것은 아니며, 상술한 바와 같이 다른 전자기기일 수도 있음은 물론이다.
도 3은 전자부품 내장기판의 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도 4는 도 3의 전자부품 내장기판의 개략적인 Ⅰ-Ⅰ' 절단 평면도다.
도 5는 도 3의 전자부품 내장기판의 개략적인 Ⅱ-Ⅱ' 절단 평면도다.
도면을 참조하면, 일례에 따른 전자부품 내장기판(100A)은 제1절연층(111)과 복수 층의 제1배선층(112a, 112b)과 한층 이상의 제1비아층(113)을 포함하며 제1절연층(111)을 관통하는 캐비티(110H)를 갖는 코어 구조체(110), 캐비티(110H)의 바닥면에 배치된 제1금속층(M), 캐비티(110H) 내의 제1금속층(M) 상에 배치된 전자부품(120), 및 전자부품(120)의 측면에 배치된 제2금속층(N)을 포함한다.
이와 같이, 일례에 따른 전자부품 내장기판(100A)은 전자부품(120)이 배치되는 캐비티(110H)의 바닥면에 제1금속층(M)이 배치되며, 전자부품(120)의 측면에 제2금속층(N)이 배치된다. 따라서, 전자부품(120)으로부터 발생하는 열을 방출시키기 위한 방열 경로를 다양하게 제공할 수 있으며, 또한 방열 면적을 넓힐 수 있다. 따라서, 우수한 방열 효과를 가질 수 있다.
한편, 제2금속층(N)은 전자부품(120)의 측면과 물리적으로 접할 수 있다. 이 경우, 전자부품(120)으로부터 발생하는 열을 보다 효과적으로 방출시킬 수 있다. 제2금속층(N)은 평면 상에서 전자부품(120)의 네 측면을 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 전자부품(120)의 네 측면을 연속적으로 둘러쌀 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 특정 영역에 부분적으로 불연속 지점이 있을 수도 있다.
한편, 제2금속층(N)은 제1금속층(M)과 물리적으로 접할 수 있다. 이 경우, 보다 효과적으로 제1금속층(M)으로 열을 전달할 수 있으며, 결과적으로 전자부품(120)으로부터 발생하는 열을 보다 효과적으로 방출시킬 수 있다. 제1금속층(M)은 홈부(h1)를 가질 수 있으며, 제2금속층(N)은 홈부(h1)를 채울 수 있다. 이때, 홈부(h1)는 평면 상에서 전자부품(120)의 네 측면을 따라서 형성될 수 있다. 예를 들면, 전자부품(120)의 네 측면을 따라서 연속적으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 특정 영역에 부분적으로 불연속 지점이 있을 수도 있다.
더불어, 일례에 따른 전자부품 내장기판(100A)은 제1금속층(M)이 패턴홀(h2)을 가진다. 그 결과, 제1금속층(M)은 홈부(h1)를 갖는 제1금속패턴(M1)과 제1금속패턴(M1)에 의하여 둘러싸이며 서로 이격된 복수의 제2금속패턴(M2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2금속패턴(M2) 중 일부는 직접 방열 경로로 이용될 수 있으며, 다른 일부는 신호 경로로 이용될 수 있다. 따라서, 전자부품(120)의 백면으로부터 발생한 열을 제1금속층(M)을 통하여 최단 경로로 외부로 효과적으로 방출시킬 수 있으며, 동시에 제1금속층(M)의 일부를 신호 경로로 이용하여 배선 설계의 효율성도 높일 수 있다. 패턴홀(h2)은 하나일 수도 있고, 서로 구분되는 다수 개일 수도 있으며, 패턴홀(h2)의 형성에 따라서 복수의 제2금속패턴(M2)의 개수와 형태 등이 다양하게 달라질 수 있다.
한편, 복수의 제2금속패턴(M2) 중 적어도 일부는 복수 층의 제1배선층(112a, 112b) 중 적어도 하나의 접지패턴과 전기적으로 연결될 수 있으며, 다른 적어도 일부는 복수 층의 제1배선층(112a, 112b) 중 적어도 하나의 신호패턴과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1금속패턴(M1)도 복수 층의 제1배선층(112a, 112b) 중 적어도 하나의 접지패턴과 전기적으로 연결될 수 있으며, 따라서 복수의 제2금속패턴(M2) 중 적어도 일부는 제1금속패턴(M1)과 연결되어 이를 통하여 복수 층의 제1배선층(112a, 112b) 중 적어도 하나의 접지패턴과 전기적으로 연결될 수도 있다.
필요에 따라서는, 제1금속층(M)에 패턴홀(h2)의 형성 없이 제2금속층(N)만 배치될 수 있고, 또는 반대로 제2금속층(N)의 배치 없이 제1금속층(M)에 패턴홀(h2)만 형성할 수도 있으나, 양자를 모두 만족하는 것이 우수한 방열 효과와 우수한 배선 설계를 위하여 보다 바람직할 수 있다.
도면을 참조하면, 일례에 따른 전자부품 내장기판(100A)은 코어 구조체(110) 상에 배치되어 캐비티(110H)의 적어도 일부를 채우며 전자부품(120)의 적어도 일부를 매립하는 봉합재(130), 봉합재(130) 상에 배치된 제2배선층(132), 봉합재(130)를 관통하는 제2비아층(133), 코어 구조체(110)의 하측에 배치된 제1패시베이션층(150), 및/또는 봉합재(130) 상에 배치된 제2패시베이션층(160)을 더 포함할 수 있다. 이때, 제1패시베이션층(150)은 최하측에 배치된 제1-1배선층(112a)의 적어도 일부와 제1금속층(M)의 적어도 일부를 각각 노출시키는 복수의 제1개구(151)를 가질 수 있다. 이 경우, 제1금속층(M)이 직접 방열 비아로 효과적으로 이용될 수 있는바, 방열 경로를 최소화하여 방열 효과를 높일 수 있다.
도면을 참조하면, 일례에 따른 전자부품 내장기판(100A)은 제1패시베이션층(150)의 복수의 제1개구(151)에 각각 배치된 복수의 제1전기연결금속(155), 제2패시베이션층(160)의 복수의 제2개구(161)에 각각 배치된 복수의 제2전기연결금속(165), 및/또는 복수의 제2전기연결금속(165)을 통하여 제2패시베이션층(160) 상에 표면실장 배치된 복수의 표면실장 부품(170)을 더 포함할 수 있다. 이와 같이, 일례에 따른 전자부품 내장기판(100A)은 패키지 기판으로 이용될 수 있으며, 표면실장 부품(170)의 배치로 패키지 모듈 형태를 가질 수도 있다.
이하에서는, 도면을 참조하여 일례에 따른 전자부품 내장기판(100A)의 구성요소에 대하여 보다 자세히 설명한다.
코어 구조체(110)는 제1절연층(111)을 포함하는 절연바디와, 절연바디 상에 또는 내에 각각 배치된 복수 층의 제1배선층(112a, 112b)과, 절연바디 내에 배치된 한층 이상의 제1비아층(113)을 포함한다. 또한, 절연바디의 적어도 일부를 관통하는 캐비티(110H)를 가진다. 예를 들면, 코어 구조체(110)는 제1절연층(111), 제1절연층(111)의 하측에 매립된 제1-1배선층(112a), 제1절연층(111)의 상면 상에 배치된 제1-2배선층(112b), 및 제1절연층(111)을 관통하며 제1-1배선층(112a)과 제1-2배선층(112b)을 전기적으로 연결하는 제1비아층(113)을 포함할 수 있으며, 제1절연층(111)을 관통하는 캐비티(110H)를 가질 수 있다.
제1절연층(111)의 재료로는 절연물질이 사용될 수 있으며, 절연물질로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지나 폴리이미드와 같은 열가소성 수지를 이용할 수 있다. 또한, 이들 수지에 실리카 등의 무기필러와 유리섬유 등의 보강재가 포함된 것을 이용할 수도 있다. 예를 들면, 제1절연층(111)의 재료로는 프리프레그(prepreg)가 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1배선층(112a, 112b)의 재료로는 금속물질이 사용될 수 있으며, 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등을 이용할 수 있다. 제1배선층(112a, 112b)은 각각 설계 디자인에 따라 다양한 기능을 수행할 수 있다. 예를 들면, 그라운드 패턴, 파워 패턴, 신호 패턴 등을 포함할 수 있다. 이들 패턴은 각각 라인(line), 플레인(plane), 또는 패드(pad) 형태를 가질 수 있다. 제1배선층(112a, 112b)은 각각 AP(Additive Process), SAP(Semi AP), MSAP(Modified SAP), TT(Tenting) 등의 도금 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 각각 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다.
제1-1배선층(112a)의 하면은 제1절연층(111)의 하면과 제1단차(d1)을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1-1배선층(112a)은 ETS(Embedded Trace Substrate) 공법으로 형성될 수 있으며, 후술하는 바와 같이 시드층의 역할을 수행한 금속박이 제거되어 제1단차(d1)가 형성될 수 있다. 이러한 제1-1배선층(112a)은 별도의 무전해 도금층인 시드층이 존재하지 않고, 단일의 전해 도금층만 포함할 수 있다. 반면, 제1-2배선층(112b)은 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있으며, 제1절연층(111)으로 RCC(Resin Coated Copper)를 이용하는 경우에는, 최하측에 동박 등의 금속박을 더 포함할 수 있다. 필요에 따라서는, 동박의 표면에 형성된 프라이머 수지를 더 포함할 수도 있다.
제1비아층(113)의 재료로는 금속물질이 사용될 수 있으며, 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등을 이용할 수 있다. 제1비아층(113)은 설계 디자인에 따라서 신호용 접속비아, 그라운드용 접속비아, 파워용 접속비아 등을 포함할 수 있다. 제1비아층(113)의 배선비아는 각각 비아홀이 금속물질로 완전히 충전된 것일 수 있고, 또는 금속물질이 비아홀의 벽면을 따라 형성된 것일 수도 있다. 각각의 배선비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 큰 테이퍼 형태를 가질 수 있다. 제1비아층(113)도 도금 공정, 예를 들면, AP, SAP, MSAP, TT 등의 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 제1-2배선층(112b)와 유사하게 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다.
제1금속층(M)의 재료로는 금속물질이 사용될 수 있으며, 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등을 이용할 수 있다. 제1금속층(M)의 중심 영역은 캐비티(110H)에 의하여 노출될 수 있으며, 테두리 영역은 제1절연층(111)에 매립될 수 있다. 이때, 중심 영역에서의 제1금속층(M)의 상면과 테두리 영역에서의 제1금속층(M)의 상면은 제2단차(d2)를 가질 수 있다. 예를 들면, 샌드 블라스트 공정을 이용한 캐비티(110H) 형성 과정에서 스타퍼 역할을 하는 제1금속층(M)의 중심 영역의 일부가 미립자의 공격에 의하여 제거되어 제2단차(d2)가 형성될 수 있다.
제1금속층(M)의 하면은 제1절연층(111)의 하면과 제1단차(d1)을 가질 수 있다. 예를 들면, 제1-1배선층(112a)을 형성할 때 제1금속층(M)도 ETS 공법으로 형성될 수 있으며, 따라서 시드층의 역할을 수행한 금속박이 제거되어 제1단차(d1)가 형성될 수 있다. 이러한 제1금속층(M)은 별도의 무전해 도금층인 시드층이 존재하지 않고, 단일의 전해 도금층만 포함할 수 있다.
제1금속층(M)은 홈부(h1)를 가질 수 있으며, 홈부(h1)는 제2금속층(N)으로 채워질 수 있다. 홈부(h1)는 평면 상에서 전자부품(120)의 네 측면을 따라서 형성될 수 있다. 예를 들면, 전자부품(120)의 네 측면을 따라서 연속적으로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 특정 영역에 부분적으로 불연속 지점이 있을 수도 있다. 또한, 제1금속층(M)은 패턴홀(h2)을 가질 수 있으며, 제1금속층(M)은 패턴홀(h2)에 의하여 캐비티(110H)의 테두리를 따라서 배치되며 홈부(h1)를 갖는 제1금속패턴(M1)과, 제1금속패턴(M1)으로 둘러싸이며 서로 이격된 복수의 제2금속패턴(M2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2금속패턴(M2) 각각의 형상은 특별히 제한되지 않으며, 라인, 플레인, 및/또는 패드 형태를 가질 수 있다. 패턴홀(h2)은 제1패시베이션층(150)으로 채워질 수 있다.
제2금속층(N)의 재료로는 금속물질이 사용될 수 있으며, 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등을 이용할 수 있다. 제2금속층(N)은 전자부품(120)의 측면과 물리적으로 접할 수 있다. 제2금속층(N)은 평면 상에서 전자부품(120)의 네 측면을 둘러쌀 수 있다. 예를 들면, 전자부품(120)의 네 측면을 연속적으로 둘러쌀 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 특정 영역에 부분적으로 불연속 지점이 있을 수도 있다. 제2금속층(N)은 제1금속층(M)과 물리적으로 접할 수 있다. 예를 들면, 제2금속층(N)은 제1금속층(M)의 홈부(h1)를 채울 수 있다. 제2금속층(N)은 도금 공정, 예를 들면, AP, SAP, MSAP, TT 등의 공정으로 형성될 수 있다. 이에, 후술하는 딥(deep) 비아의 바닥면과 벽면에 형성되는 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 딥 비아를 채우도록 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다.
전자부품(120)은 소자 수백 내지 수백만 개 이상이 하나의 칩 안에 집적화된 IC(Integrated Circuit)일 수 있다. 예를 들면, 전자부품(120)은 센트랄 프로세서(예컨대, CPU), 그래픽 프로세서(예컨대, GPU), 필드 프로그램어블 게이트 어레이(FPGA), 디지털 신호 프로세서, 암호화 프로세서, 마이크로 프로세서, 마이크로 컨트롤러 등의 프로세서칩, 구체적으로는 어플리케이션 프로세서(AP: Application Processor)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 그 외에도 기타 휘발성 메모리(예컨대, DRAM), 비-휘발성 메모리(예컨대, ROM), 플래시 메모리 등의 메모리나, 아날로그-디지털 컨버터, 또는 ASIC(application-specific IC) 등의 로직 등일 수도 있다. 전자부품(120)은 접속패드(120P)가 배치된 면이 상부를 향하도록, 그리고 그 반대측 면이 DAF(Die Attach Film) 등의 접착필름(125)을 통하여 제1금속층(M)에 부착되도록, 페이스-업 형태로 배치될 수 있다. 접착필름(125)으로는 방열 특성이 우수한 접착제, 예컨대 방열 특성이 우수한 DAF를 이용할 수 있다. 전자부품(120)은 칩 형태의 수동부품, 예를 들면, 칩 형태의 인덕터나 칩 형태의 커패시터 등일 수도 있다. 전자부품(120)은 IC와 칩 형태의 수동부품의 조합일 수도 있으며, 이 경우 캐비티(110H)가 복수 개로 형성될 수도 있다.
봉합재(130)는 코어 구조체(110) 상에 배치되어 캐비티(110H)의 적어도 일부를 채울 수 있으며, 전자부품(120)의 적어도 일부를 매립할 수 있다. 봉합재(130)의 재료로는 절연물질이 사용될 수 있으며, 절연물질로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지나 폴리이미드와 같은 열가소성 수지를 이용할 수 있다. 또한, 이들 수지에 실리카 등의 무기필러가 포함된 것을 이용할 수도 있다. 예를 들면, 봉합재(130)의 재료로는 ABF(Ajinomoto Build-up Film)가 이용될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 그 외에도 PIE(Photo Image-able Encapsulant)이 이용될 수도 있으며, 또한 프리프레그 등이 이용될 수도 있다.
제2배선층(132)은 봉합재(130)의 상면 상에 배치될 수 있다. 제2배선층(132)의 재료로는 금속물질이 사용될 수 있으며, 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등을 이용할 수 있다. 제2배선층(132)은 설계 디자인에 따라 다양한 기능을 수행할 수 있다. 예를 들면, 그라운드 패턴, 파워 패턴, 신호 패턴 등을 포함할 수 있다. 이들 패턴은 각각 라인, 플레인, 또는 패드 형태를 가질 수 있다. 제2배선층(132)은 AP, SAP, MSAP, TT 등의 도금 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 각각 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 봉합재(130)로 RCC를 이용하는 경우에는, 최하측에 동박 등의 금속박을 더 포함할 수 있으며, 동박의 표면에 형성된 프라이머 수지를 더 포함할 수도 있다.
제2비아층(133)은 봉합재(130)를 관통하며, 제2배선층(132)을 제1-2배선층(112b) 및 접속패드(120P) 각각과 전기적으로 연결할 수 있다. 제2비아층(133)의 재료로는 금속물질이 사용될 수 있으며, 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등을 이용할 수 있다. 제2비아층(133)은 설계 디자인에 따라서 신호용 접속비아, 그라운드용 접속비아, 파워용 접속비아 등을 포함할 수 있다. 제2비아층(133)의 배선비아는 각각 비아홀이 금속물질로 완전히 충전된 것일 수 있고, 또는 금속물질이 비아홀의 벽면을 따라 형성된 것일 수도 있다. 각각의 배선비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 큰 테이퍼 형태를 가질 수 있다. 제2비아층(133)도 도금 공정, 예를 들면, AP, SAP, MSAP, TT 등의 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 제2배선층(132)와 유사하게 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다.
제1 및 제2패시베이션층(150, 160)은 내부 구성요소를 외부의 물리적 화학적 손상 등으로부터 보호할 수 있다. 제1 및 제2패시베이션층(150, 160)은 각각 복수의 제1 및 제2개구(151, 161)를 가질 수 있다. 복수의 제1개구(151)는 각각 제1-1배선층(112a) 및 제1금속층(M) 각각의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 복수의 제2개구(161)는 각각 제2배선층(132)의 적어도 일부를 노출시킬 수 있다. 제1 및 제2패시베이션층(150, 160)의 재료는 절연물질이 사용될 수 있는데, 이때 절연물질로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지, 폴리이미드와 같은 열가소성 수지, 또는 이들 수지가 무기필러와 혼합된 재료, 예를 들면, ABF가 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 및 제2전기연결금속(155, 165)은 제1 및 제2패시베이션층(150, 160)의 복수의 제1 및 제2개구(151, 161) 상에 각각 배치된다. 제1전기연결금속(155)은 노출된 제1-1배선층(112a) 및 제1금속층(M)과 연결된다. 제2전기연결금속(165)은 노출된 제2배선층(132)과 연결된다. 제1전기연결금속(155)은 전자부품 내장기판(100A)을 외부와 물리적 및/또는 전기적으로 연결시킬 수 있다. 예를 들면, 전자부품 내장기판(100A)은 이를 통하여 전자기기의 메인보드나 다른 BGA(Ball Grid Array) 기판 등에 실장 될 수 있다. 제2전기연결금속(165)은 전자부품 내장기판(100A)을 이에 표면실장 배치되는 부품(170)과 물리적 및/또는 전기적으로 연결시킬 수 있다. 제1 및 제2전기연결금속(155, 165)은 주석(Sn) 또는 주석(Sn)을 포함하는 합금, 예를 들면, 솔더 등으로 형성될 수 있으나, 이는 일례에 불과하며 재질이 특별히 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 및 제2전기연결금속(155, 165)은 각각 랜드(land), 볼(ball), 핀(pin) 등일 수 있다.
표면실장 부품(170)은 각각 능동부품 및/또는 수동부품일 수 있다. 능동부품으로는 전자부품(120)에 대하여 설명한 상술한 IC 등을 그 예로 들 수 있다. 수동부품으로는 MLCC(Multi-Layer Ceramic Capacitor)와 같은 칩 형태의 커패시터, PI(Power Inductor)와 같은 칩 형태의 인덕터 등을 그 예로 들 수 있다. 필요에 따라서, 제2패시베이션층(160) 상에는 표면실장 부품(170)을 덮는 몰딩재가 더 배치될 수 있으며, 몰딩재는 공지의 EMC(Epoxy Molding Compound)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 표면실장 부품(170)이 더 배치되는 경우, 전자부품 내장기판(100A)은 패키지 모듈, 예컨대 SiP(System in Package)로 활용될 수 있다.
도 6 내지 도 17은 도 3의 전자부품 내장기판의 제조 일례를 개략적으로 나타낸 단면도들이다.
도 6을 참조하면, 캐리어(210)을 준비한다. 캐리어(210)의 양면에는 동박 등의 금속박(m1)이 배치될 수 있다.
도 7을 참조하면, 금속박(m1)을 기초 시드층으로 이용하는 ETS 도금 공정으로 캐리어(210) 상에 제1-1배선층(112a)과 제1금속층(M)을 형성한다.
도 8을 참조하면, 프리프레그의 상면에 동박 등의 금속박(m2)이 배치된 RCC 자재를 이용하여 제1절연층(111)을 형성한다. 그 후, 제1절연층(111)에 레이저 가공 등으로 비아홀(113h)을 형성한다.
도 9를 참조하면, 도금 공정으로 제1-2배선층(112b)과 제1비아층(113)을 형성한다. 이를 통하여 코어 구조체(110)가 형성된다. 그 후, 캐비티(110H) 형성을 위하여 코어 구조체(110) 상에 패턴화된 드라이 필름(220)을 적층한다.
도 10을 참조하면, 샌드 블라스트 가공 등으로 캐비티(110H)를 형성한다. 이 과정에서, 제1금속층(M)은 스타퍼 역할을 수행할 수 있으며, 캐비티(110H)에 의하여 노출된 영역에서 제1금속층(M)의 일부가 제거될 수 있다.
도 11을 참조하면, 드라이 필름(220)을 제거하고, 접착필름(125)을 이용하여 전자부품(120)을 페이스-업 형태로 캐비티(110H) 내의 제1금속층(M)에 부착한다.
도 12를 참조하면, 코어 구조체(110) 상에 ABF 적층 등으로 봉합재(130)를 형성하고, 레이저 가공 등으로 비아홀(133h)을 형성한다.
도 13을 참조하면, 도금 공정으로 제2배선층(132)과 제2비아층(133)을 형성한다. 일련의 과정을 통하여 캐리어 양측에 적층체가 제조된다.
도 14를 참조하면, 캐리어(210)으로부터 제조된 적층체를 분리한다.
도 15를 참조하면, 분리된 적층체의 양측에 드라이 필름(230, 240)을 부착하고, 레이저 가공 등으로 제1금속층(M)과 봉합재(130)를 관통하는 딥 비아(V), 및 제1금속층(M)을 관통하는 패턴홀(h2)을 형성한다. 딥 비아(V)의 제1금속층(M)을 관통하는 영역은 상술한 홈부(h1)가 된다.
도 16을 참조하면, 도금 공정으로 딥 비아(V)를 채워 제2금속층(N)을 형성한다. 또한, 드라이 필름(230, 240)을 제거한다.
도 17을 참조하면, ABF 적층 등으로 제1 및 제2패시베이션층(150, 160)을 형성하고, 레이저 가공 등으로 복수의 제1 및 제2개구(151, 161)를 형성한다. 그 후, 필요에 따라서, 제1 및 제2전기연결금속(155, 165)를 형성한다.
일련의 과정을 통하여 상술한 일례에 따른 전자부품 내장기판(100A)이 제조될 수 있으며, 그 외에 중복되는 내용은 생략한다.
도 18은 전자부품 내장기판의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도면을 참조하면, 다른 일례에 따른 전자부품 내장기판(100B)은, 상술한 일례에 따른 전자부품 내장기판(100A)에 있어서, 코어 구조체(110)가 보다 다층을 형성된다. 예를 들면, 코어 구조체(110)는 제1-1절연층(111a), 제1-1절연층(111a)의 하측에 매립된 제1-1배선층(112a), 제1-1절연층(111a)의 상면 상에 배치된 제1-2배선층(112b), 제1-1절연층(111a)을 관통하며 제1-1배선층(112a)과 제1-2배선층(112b)을 전기적으로 연결하는 제1-1비아층(113a), 제1-1절연층(111a)의 상면 상에 배치되어 제1-2배선층(112b)을 덮는 제1-2절연층(111b), 제1-2절연층(111b)의 상면 상에 배치된 제1-3배선층(112c), 및 제1-2절연층(111b)을 관통하며 제1-2배선층(112b)과 제1-3배선층(112c)을 전기적으로 연결하는 제1-2비아층(113b)을 포함할 수 있으며, 캐비티(110H)는 제1-1절연층(111a)과 제1-2절연층(111b)을 관통할 수 있다.
이와 같이, 코어 구조체(110)의 층 수는 특별히 한정되지 않으며, 설계에 따라 다층으로 형성될 수 있다. 필요에 따라서는, 도면에 도시한 것 보다 다층으로도 형성할 수 있다. 그 외에 다른 중복되는 내용은 생략한다.
도 19는 전자부품 내장기판의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도면을 참조하면, 다른 일례에 따른 전자부품 내장기판(100C)은, 상술한 일례에 따른 전자부품 내장기판(100A)에 있어서, 봉합재(130) 상에 빌드업 구조체(140)가 더 배치된다. 빌드업 구조체(140)는 제2절연층(141)을 포함하는 제2절연바디와 제2절연바디 상에 또는 내에 배치된 한층 이상의 제3배선층(142)과 제2절연바디 내에 배치된 한층 이상의 제3비아층(143)을 포함한다. 제2패시베이션층(160)은 빌드업 구조체(140) 상에 배치될 수 있다. 제2패시베이션층(160)은 제3배선층(142)의 적어도 일부를 각각 노출시키는 복수의 제2개구(161)를 가질 수 있다.
제2절연층(141)의 재료로는 절연물질이 사용될 수 있으며, 절연물질로는 에폭시 수지와 같은 열경화성 수지나 폴리이미드와 같은 열가소성 수지를 이용할 수 있다. 또한, 이들 수지에 실리카 등의 무기필러와 유리섬유 등의 보강재가 포함된 것을 이용할 수도 있다. 예를 들면, 제2절연층(141)의 재료로는 프리프레그가 이용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 유리섬유 등의 보강재는 포함하지 않는 재료, 예를 들면, ABF 등이 이용될 수도 있다. 또는, PID(Photo Image-able Dielectric)과 같은 감광성 절연재료가 이용될 수도 있다.
제3배선층(142)은 제2절연층(141)의 상면 상에 배치될 수 있다. 제3배선층(142)의 재료로는 금속물질이 사용될 수 있으며, 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등을 이용할 수 있다. 제3배선층(142)은 설계 디자인에 따라 다양한 기능을 수행할 수 있다. 예를 들면, 그라운드 패턴, 파워 패턴, 신호 패턴 등을 포함할 수 있다. 이들 패턴은 각각 라인, 플레인, 또는 패드 형태를 가질 수 있다. 제3배선층(142)은 AP, SAP, MSAP, TT 등의 도금 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 각각 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다. 제2절연층(141)으로 RCC를 이용하는 경우, 최하측에 동박 등의 금속박을 더 포함할 수 있으며, 동박 표면에 형성된 프라이머 수지를 더 포함할 수도 있다.
제3비아층(143)은 제2절연층(141)을 관통하며, 제3배선층(142)을 제2배선층(132)과 전기적으로 연결할 수 있다. 제3비아층(143)의 재료로는 금속물질이 사용될 수 있으며, 금속물질로는 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 주석(Sn), 금(Au), 니켈(Ni), 납(Pb), 티타늄(Ti), 또는 이들의 합금 등을 이용할 수 있다. 제3비아층(143)은 설계 디자인에 따라서 신호용 접속비아, 그라운드용 접속비아, 파워용 접속비아 등을 포함할 수 있다. 제3비아층(143)의 배선비아는 각각 비아홀이 금속물질로 완전히 충전된 것일 수 있고, 또는 금속물질이 비아홀의 벽면을 따라 형성된 것일 수도 있다. 각각의 배선비아는 상면의 폭이 하면의 폭보다 큰 테이퍼 형태를 가질 수 있다. 제3비아층(143)도 도금 공정, 예를 들면, AP, SAP, MSAP, TT 등의 공정으로 형성될 수 있으며, 그 결과 제3배선층(142)와 유사하게 무전해 도금층인 시드층과 이러한 시드층을 기초로 형성되는 전해 도금층을 포함할 수 있다.
이와 같이, 봉합재(130) 상에는 빌드업 구조체(140)가 더 배치될 수 있으며, 빌드업 구조체(140)의 층 수는 특별히 한정되지 않으며, 설계에 따라 다층으로 형성될 수 있다. 필요에 따라서는, 도면에 도시한 것 보다 다층으로도 형성할 수 있다. 그 외에 다른 중복되는 내용은 생략한다.
도 20은 전자부품 내장기판의 다른 일례를 개략적으로 나타낸 단면도다.
도면을 참조하면, 다른 일례에 따른 전자부품 내장기판(100D)은, 상술한 일례에 따른 전자부품 내장기판(100A)에 있어서, 코어 구조체(110)가 보다 다층을 형성된다. 예를 들면, 코어 구조체(110)는 제1-1절연층(111a), 제1-1절연층(111a)의 하측에 매립된 제1-1배선층(112a), 제1-1절연층(111a)의 상면 상에 배치된 제1-2배선층(112b), 제1-1절연층(111a)을 관통하며 제1-1배선층(112a)과 제1-2배선층(112b)을 전기적으로 연결하는 제1-1비아층(113a), 제1-1절연층(111a)의 상면 상에 배치되어 제1-2배선층(112b)을 덮는 제1-2절연층(111b), 제1-2절연층(111b)의 상면 상에 배치된 제1-3배선층(112c), 및 제1-2절연층(111b)을 관통하며 제1-2배선층(112b)과 제1-3배선층(112c)을 전기적으로 연결하는 제1-2비아층(113b)을 포함할 수 있으며, 캐비티(110H)는 제1-1절연층(111a)과 제1-2절연층(111b)을 관통할 수 있다.
또한, 다른 일례에 따른 전자부품 내장기판(100D)은, 상술한 일례에 따른 전자부품 내장기판(100A)에 있어서, 봉합재(130) 상에 빌드업 구조체(140)가 더 배치된다. 빌드업 구조체(140)는 제2절연층(141)을 포함하는 제2절연바디와 제2절연바디 상에 또는 내에 배치된 한층 이상의 제3배선층(142)과 제2절연바디 내에 배치된 한층 이상의 제3비아층(143)을 포함한다. 제2패시베이션층(160)은 빌드업 구조체(140) 상에 배치될 수 있다. 제2패시베이션층(160)은 제3배선층(142)의 적어도 일부를 각각 노출시키는 복수의 제2개구(161)를 가질 수 있다.
이와 같이, 코어 구조체(110)의 층 수는 특별히 한정되지 않는다. 또한, 이와 동시에 봉합재(130) 상에는 빌드업 구조체(140)가 더 배치될 수 있으며, 빌드업 구조체(140)의 층 수 역시 특별히 한정되지 않는다. 그 외에 다른 중복되는 내용은 생략한다. 한편, 코어 구조체(110)의 절연층(111a, 111b), 배선층(112a, 112b), 비아층(113a, 113b)은 각각 코어 절연층, 코어 배선층, 코어 비아층으로 명명될 수 있다. 유사하게, 빌드업 구조체(140)의 절연층(141), 배선층(142), 비아층(143)은 각각 빌드업 절연층, 빌드업 배선층, 빌드업 비아층으로 명명될 수 있다.
본 개시에서 측부, 측면 등의 표현은 편의상 도면을 기준으로 좌/우 방향 또는 그 방향에서의 면을 의미하는 것으로 사용하였고, 상측, 상부, 상면 등의 표현은 편의상 도면을 기준으로 위 방향 또는 그 방향에서의 면을 의미하는 것으로 사용하였으며, 하측, 하부, 하면 등은 편의상 아래 방향 또는 그 방향에서의 면을 의미하는 것으로 사용하였다. 더불어, 측부, 상측, 상부, 하측, 또는 하부에 위치한다는 것은 대상 구성요소가 기준이 되는 구성요소와 해당 방향으로 직접 접촉하는 것뿐만 아니라, 해당 방향으로 위치하되 직접 접촉하지는 않는 경우도 포함하는 개념으로 사용하였다. 다만, 이는 설명의 편의상 방향을 정의한 것으로, 특허청구범위의 권리범위가 이러한 방향에 대한 기재에 의하여 특별히 한정되는 것이 아니며, 상/하의 개념 등은 언제든지 바뀔 수 있다.
본 개시에서 연결된다는 의미는 직접 연결된 것뿐만 아니라, 접착제 층 등을 통하여 간접적으로 연결된 것을 포함하는 개념이다. 또한, 전기적으로 연결된다는 의미는 물리적으로 연결된 경우와 연결되지 않은 경우를 모두 포함하는 개념이다. 또한, 제1, 제2 등의 표현은 한 구성요소와 다른 구성요소를 구분 짓기 위해 사용되는 것으로, 해당 구성요소들의 순서 및/또는 중요도 등을 한정하지 않는다. 경우에 따라서는 권리범위를 벗어나지 않으면서, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수도 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로 명명될 수도 있다.
본 개시에서 사용된 일례 라는 표현은 서로 동일한 실시 예를 의미하지 않으며, 각각 서로 다른 고유한 특징을 강조하여 설명하기 위해서 제공된 것이다. 그러나, 상기 제시된 일례들은 다른 일례의 특징과 결합되어 구현되는 것을 배제하지 않는다. 예를 들어, 특정한 일례에서 설명된 사항이 다른 일례에서 설명되어 있지 않더라도, 다른 일례에서 그 사항과 반대되거나 모순되는 설명이 없는 한, 다른 일례에 관련된 설명으로 이해될 수 있다.
본 개시에서 사용된 용어는 단지 일례를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 개시를 한정하려는 의도가 아니다. 이때, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

Claims (16)

  1. 제1절연바디, 상기 제1절연바디 상에 또는 내에 각각 배치된 복수 층의 제1배선층, 및 상기 제1절연바디 내에 배치된 한층 이상의 제1비아층을 포함하며, 상기 제1절연바디의 적어도 일부를 관통하는 캐비티를 갖는 코어 구조체;
    상기 캐비티의 바닥면에 배치된 제1금속층;
    상기 캐비티 내의 상기 제1금속층 상에 배치된 전자부품; 및
    상기 전자부품의 측면에 배치된 제2금속층; 을 포함하는,
    전자부품 내장기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2금속층은 상기 전자부품의 측면과 물리적으로 접하는,
    전자부품 내장기판.
  3. 제 2 항에 있어서,
    평면 상에서,
    상기 제2금속층은 상기 전자부품의 네 측면을 둘러싸는,
    전자부품 내장기판.

  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제2금속층은 상기 제1금속층과 물리적으로 접하는,
    전자부품 내장기판.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제1금속층은 홈부를 가지며,
    상기 홈부는 상기 제2금속층으로 채워진,
    전자부품 내장기판.
  6. 제 5 항에 있어서,
    평면 상에서,
    상기 홈부는 상기 전자부품의 네 측면을 따라서 형성된,
    전자부품 내장기판.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 코어 구조체의 하측에 배치되며, 상기 복수 층의 제1배선층 중 최하측에 배치된 제1배선층의 적어도 일부 및 상기 제1금속층의 적어도 일부를 각각 노출시키는 복수의 제1개구를 갖는 제1패시베이션층; 을 더 포함하는,
    전자부품 내장기판.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 코어 구조체 상에 배치되며, 상기 캐비티의 적어도 일부를 채우며, 상기 전자부품의 적어도 일부를 매립하는 봉합재;
    상기 봉합재 상에 배치된 제2배선층; 및
    상기 봉합재를 관통하며, 상기 제2배선층을 상기 제1배선층 및 상기 전자부품 각각과 전기적으로 연결하는 제2비아층; 을 더 포함하는,
    전자부품 내장기판.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 봉합재 상에 배치되며, 상기 제2배선층의 적어도 일부를 각각 노출시키는 복수의 제2개구를 갖는 제2패시베이션층; 을 더 포함하는,
    전자부품 내장기판.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 봉합재 상에 배치된 제2절연바디, 상기 제2절연바디 상에 또는 내에 배치된 한층 이상의 제3배선층, 및 상기 제2절연바디 내에 배치된 한층 이상의 제3비아층을 포함하는 빌드업 구조체; 및
    상기 빌드업 구조체 상에 배치되며, 상기 한층 이상의 제3배선층 중 최상측에 배치된 제3배선층의 적어도 일부를 각각 노출시키는 복수의 제2개구를 갖는 제2패시베이션층; 을 더 포함하는,
    전자부품 내장기판.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자부품은 접속패드가 배치된 제1면 및 상기 제1면의 반대측인 제2면을 가지며, 접착필름을 통하여 상기 제2면이 상기 제1금속층에 부착된,
    전자부품 내장기판.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 코어 구조체는 제1코어 절연층, 상기 제1코어 절연층의 하측에 매립된 제1코어 배선층, 상기 제1코어 절연층의 상면 상에 배치된 제2코어 배선층, 및 상기 제1코어 절연층을 관통하며 상기 제1 및 제2코어 배선층을 전기적으로 연결하는 제1코어 비아층을 포함하며,
    상기 캐비티는 상기 제1코어 절연층을 관통하고,
    상기 제1절연바디는 상기 제1코어 절연층을 포함하고,
    상기 제1배선층은 상기 제1 및 제2코어 배선층을 포함하고,
    상기 제1비아층은 상기 제1코어 비아층을 포함하며,
    상기 제1금속층은 상기 제1코어 배선층과 동일 레벨에 위치하고,
    상기 제1금속층의 적어도 일부는 상기 제1코어 절연층에 매립된,
    전자부품 내장기판.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 코어 구조체는 상기 제1코어 절연층의 상면 상에 배치되어 상기 제2코어 배선층을 덮는 제2코어 절연층, 상기 제2코어 절연층의 상면 상에 배치된 제2코어 배선층, 및 상기 제2코어 절연층을 관통하며 상기 제2 및 제3코어 배선층을 전기적으로 연결하는 제2코어 비아층을 더 포함하며,
    상기 캐비티는 상기 제2코어 절연층을 더 관통하고,
    상기 제1절연바디는 상기 제2코어 절연층을 더 포함하고,
    상기 제1배선층은 상기 제3코어 배선층을 더 포함하고,
    상기 제1비아층은 상기 제2코어 비아층을 더 포함하는,
    전자부품 내장기판.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 제1코어 절연층 및 상기 제1코어 배선층 각각의 하면은 제1단차를 갖고,
    상기 제1금속층의 상기 캐비티에 의하여 노출되는 영역에서의 상면 및 상기 제1금속층의 상기 제1코어 절연층에 매립된 영역에서의 상면은 제2단차를 갖는,
    전자부품 내장기판.
  15. 절연바디, 상기 절연바디 상에 또는 내에 각각 배치된 복수 층의 배선층, 및 상기 절연바디 내에 배치된 한층 이상의 비아층을 포함하며, 상기 절연바디의 적어도 일부를 관통하는 캐비티를 갖는 코어 구조체;
    상기 캐비티의 바닥면에 배치되며, 패턴홀을 갖는 금속층; 및
    상기 캐비티 내의 상기 금속층 상에 배치된 전자부품; 을 포함하는,
    전자부품 내장기판.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 금속층은 서로 이격된 복수의 금속패턴을 포함하며,
    상기 복수의 금속패턴 중 적어도 일부는 상기 복수 층의 배선층 중 적어도 하나의 접지패턴과 전기적으로 연결되며,
    상기 복수의 금속패턴 중 적어도 다른 일부는 상기 복수 층의 배선층 중 적어도 하나의 신호패턴과 전기적으로 연결된,
    전자부품 내장기판.
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