KR20220006497A

KR20220006497A - 프린트 배선판의 제조 방법 및 프린트 배선판

Info

Publication number: KR20220006497A
Application number: KR1020217028373A
Authority: KR
Inventors: 다카아키 오가시와; 요우이치 나카지마; 도모노리 아카이
Original assignee: 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤
Priority date: 2019-05-09
Filing date: 2020-04-30
Publication date: 2022-01-17
Also published as: JPWO2020226125A1; WO2020226125A1; TW202110295A; CN113796169A

Abstract

본 발명의 프린트 배선판의 제조 방법은, 3 ∼ 20 ㎛ 의 범위에서 임의의 두께 (D_b) 를 갖는 금속박과, 절연성 수지층이 적층된 금속박 피복 적층판을 준비하는 공정과, 상기 금속박의 표면에 레지스트층을 형성하는 공정과, 상기 레지스트층에 대해 노광 현상을 실시하여, 레지스트 패턴을 형성하는 공정과, 스프레이에 의해 에칭액을 분사함으로써, 상기 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 상기 금속박을 에칭하여, 금속 배선을 형성하는 공정과, 상기 레지스트층을 제거하는 공정을 포함하고, 상기 금속 배선을 형성하는 공정에서는, 상기 금속 배선간의 간극 (S) 이 15 ∼ 50 ㎛ 를 포함하고, 또한, 상기 금속박의 임의의 두께 (D_b) 와 상기 금속 배선간의 간극 (S) 의 비 (S/D_b) 가 1.6 을 넘도록 상기 금속 배선을 형성한다.

Description

프린트 배선판의 제조 방법 및 프린트 배선판

본 발명은, 프린트 배선판의 제조 방법 및 프린트 배선판에 관한 것이다.

전자 기기, 통신 기기 및 퍼스널 컴퓨터 등에 널리 사용되는 프린트 배선판 및 반도체 소자 탑재용 기판은, 통상, 절연성 수지층과, 절연성 수지층 상에 형성된 배선 패턴을 갖는 도체층을 갖는다. 전자 기기 등의 고기능화에 수반되는 배선수의 증가, 및 전자 기기 등의 소형화에 의해, 금속 배선 패턴의 미세화 (정밀화) 가 요구되고 있다. 금속 배선 패턴의 형성 방법으로는, 서브트랙티브법 등이 알려져 있고, 서브트랙티브법의 예로는, 에칭 레지스트를 사용하여 선택적으로 도체층을 제거함으로써, 금속 배선 패턴을 형성하는 수법을 들 수 있다. 서브트랙티브법에 있어서의 에칭의 수법으로는, 웨트 에칭이 있다. 웨트 에칭에서는, 에칭액이 레지스트 패턴의 개구로부터 도체층에 침입함으로써, 도체층의 에칭을 실시한다.

특허문헌 1 에는, 서브트랙티브법에 있어서의 웨트 에칭을 사용한, 배선 회로 기판의 제조 방법이 기재되어 있다.

또, 특허문헌 2 에서는, 다음의 전자 회로의 형성 방법에 대한 기재가 있다. 즉, 구리 피복 적층판을 에칭에 의해 전자 회로를 형성하는 방법에 있어서, 먼저, 압연 동박 또는 전해 동박으로 이루어지는 구리층의 에칭면측에, 니켈 또는 니켈 합금의 에칭 속도가 느린 층을 형성한다. 그 후, 상기 구리층의 비에칭측의 면을 수지 기판에 부착시켜 구리 피복 적층판으로 하고, 다음으로 구리층 및 니켈 또는 니켈 합금층을 형성한 후에 회로 형성용의 레지스트 패턴을 붙인다. 또 염화제2철 용액으로 이루어지는 에칭액을 사용하여, 상기 레지스트 패턴이 부착된 부분 이외의 구리 피복 적층판 상의 상기 구리층 및 니켈 또는 니켈 합금층의 불필요 부분을 제거한다. 그리고, 레지스트 제거를 실시하고, 다시 소프트 에칭에 의해, 잔부의 니켈층을 제거하여 회로를 형성하는, 전자 회로의 형성 방법에 대한 기재가 있다.

일본 공개특허공보 2013-125560호 일본 재공표 특허 2010-074054

그러나, 금속 배선 패턴의 형성에 있어서, 서브트랙티브법에 있어서의 에칭에서는, 에칭 후의 금속박 배선의 금속 부분이, 금속박의 표면으로부터 절연성 수지층을 향하여, 끝으로 갈수록 넓게 에칭되기 때문에, 이른바 「늘어짐」이 발생해, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 형성하는 것이 어렵다. 또, 「늘어짐」이 발생한 배선 회로 기판에서는, 절연성 수지층의 근방에서 배선이 단락되는 경우가 있다.

이 점에서, 특허문헌 1 에 기재된 배선 회로 기판의 제조 방법에 의하면, 미세한 배선의 형성이 가능해진다. 그러나, 특허문헌 1 에 기재된 방법에서는, 1 회째의 웨트 에칭에 의해 도체층으로부터 패턴상 도체층을 형성하고, 이어서, 2 회째의 웨트 에칭으로 배선 회로 기판을 얻기 때문에, 웨트 에칭을 2 회 실시할 필요가 있다. 그 때문에, 공정이 번잡하고, 배선 회로 기판의 제조 시간이 길어져, 생산성이 나쁘다.

또한, 특허문헌 2 에 기재된 전자 회로의 형성 방법에서는, 전자 회로를 형성하는 공정에 있어서, 레지스트층, 및 니켈 또는 니켈 합금으로 이루어지는 에칭 속도가 느린 층이, 소프트 에칭에 의해 완전하게 제거되지 못하고, 용해 잔류물이 생긴다. 그 때문에, 특허문헌 2 의 방법에 있어서도, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 형성하는 것이 어렵다. 또, 소프트 에칭액으로서 염화제2철 용액을 사용하는데, 염화제2철이 완전히 제거되지 못하고 잔존하여, 그 결과, 마이그레이션을 일으킨다는 문제도 갖는다.

본 발명은 이와 같은 과제를 감안하여 이루어진 것으로, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 갖는 프린트 배선판을 높은 생산성으로 제조하는 것이 가능한 프린트 배선판의 제조 방법, 및 프린트 배선판의 제공을 목적으로 한다.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 서브트랙티브법을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법에 있어서, 스프레이에 의해 에칭액을 분사함으로써, 금속 배선간의 간극 (S) 과, 금속 배선이 형성되는 금속박의 임의의 두께 (D_b) 와 금속 배선간의 간극 (S) 의 비 (S/D_b) 가, 각각 특정한 범위에 있도록, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 금속박을 에칭하여, 금속 배선을 형성하는 공정을 포함하는 제조 방법에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있음을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명은 다음과 같다.

〔1〕

3 ∼ 20 ㎛ 의 범위에서 임의의 두께 (D_b) 를 갖는 금속박과, 절연성 수지층이 적층된 금속박 피복 적층판을 준비하는 공정과,

상기 금속박의 표면에 레지스트층을 형성하는 공정과,

상기 레지스트층에 대해 노광 현상을 실시하여, 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,

스프레이에 의해 에칭액을 분사함으로써, 상기 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 상기 금속박을 에칭하여, 금속 배선을 형성하는 공정과,

상기 레지스트층을 제거하는 공정을 포함하고,

상기 금속 배선을 형성하는 공정에서는, 상기 금속 배선간의 간극 (S) 이 15 ∼ 50 ㎛ 를 포함하고, 또한, 상기 금속박의 임의의 두께 (D_b) 와 상기 금속 배선간의 간극 (S) 의 비 (S/D_b) 가 1.6 을 넘도록 상기 금속 배선을 형성하는, 프린트 배선판의 제조 방법.

〔2〕

상기 에칭이, 스프레이에 의해, 에칭액과 함께 공기를 분사함으로써 실시하는,〔1〕에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.

〔3〕

상기 레지스트 패턴을 형성하는 공정에 있어서, 상기 레지스트 패턴간의 간극 (R) 을 상기 금속 배선간의 간극 (S) 보다 1 ∼ 5 ㎛ 좁아지도록 형성하는,〔1〕또는〔2〕에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.

〔4〕

상기 프린트 배선판이, 상기 금속박에 형성된 금속 배선간의 간극 (U) 중, 상기 금속 배선간의 간극 (S) 과 동일한 폭을 갖는 간극 (US) 을 2 군데 이상 연속해서 갖는,〔1〕∼〔3〕중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.

〔5〕

상기 금속 배선을 형성하는 공정에 있어서, 상기 금속 배선의 폭 (W_b) 과 상기 금속 배선간의 간극 (S) 이, 동일 ((W_b) = (S)) 하도록 형성하는,〔1〕∼〔4〕중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.

〔6〕

상기 금속박 피복 적층판을 준비하는 공정에 있어서, 상기 금속박이, 3 ∼ 20 ㎛ 의 범위에서 임의의 두께 (D_b) 가 되도록, 상기 금속박의 두께를 조정하여 얻어진 금속박인,〔1〕∼〔5〕중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.

〔7〕

상기 금속박의 표면에 형성된 레지스트층의 두께가 15 ㎛ 이하인,〔1〕∼〔6〕중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.

〔8〕

상기 금속 배선을 형성하는 공정에 있어서, 상기 금속 배선의 길이 (L) 가, 100 ㎛ 이상이도록 형성하는,〔1〕∼〔7〕중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.

〔9〕

상기 금속박이 동박인,〔1〕∼〔8〕중 어느 하나에 기재된 프린트 배선판의 제조 방법.

〔10〕

절연성 수지층과, 상기 절연성 수지층에 적층된 금속 배선을 갖고,

상기 금속 배선의 두께 (D) 가 3 ∼ 20 ㎛ 이고,

상기 금속 배선간의 간극 (U) 이 12 ∼ 50 ㎛ 이고,

상기 금속 배선의 폭 (W) 이 12 ∼ 50 ㎛ 이고,

상기 금속 배선의 두께 (D) 와 상기 금속 배선간의 간극 (U) 의 비 (U/D) 가 1.0 이상이고,

상기 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 상기 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 의 비 (U_ave/D_ave) 가 1.60 ∼ 1.80 이고,

상기 금속 배선의 두께 (D) 와 상기 금속 배선의 폭 (W) 의 비 (W/D) 가 1.0 이상이며, 또한,

상기 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 상기 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 의 비 (W_ave/D_ave) 가 1.60 ∼ 1.80 인, 프린트 배선판.

본 발명의 제조 방법에 의하면, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 갖는 프린트 배선판을 높은 생산성으로 제조할 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 갖는 프린트 배선판을 제공할 수 있다.

도 1 은, 본 실시형태에 있어서의 프린트 배선판의 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
도 2 는, 본 실시형태의 레지스트 패턴을 형성하는 공정에 있어서, 레지스트 패턴간의 간극 (R) 을 나타내는 개략도이다.
도 3 은, 본 실시형태의 금속 배선을 형성하는 공정에 있어서, 금속 배선간의 간극 (S), 제 1 금속박의 임의의 두께 (D_b 및 D) 및 제 1 금속박의 금속 배선의 폭 (W_b 및 W) 을 나타내는 개략도이다.

이하, 필요에 따라 도면을 참조하면서, 본 발명을 실시하기 위한 형태 (이하, 간단히 「본 실시형태」라고 부른다) 에 대해 상세하게 설명하지만, 본 발명은 본 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명은, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형이 가능하다. 도면 중, 동일 요소에는 동일 부호를 붙이는 것으로 하고, 중복되는 설명은 생략한다. 또, 상하 좌우 등의 위치 관계는, 특별히 언급하지 않는 한, 도면에 나타내는 위치 관계에 기초하는 것으로 한다. 또한, 도면의 치수 비율은 도시된 비율에 한정되는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서, 적층체는, 각 층이 서로 접착한 것이지만, 그 각 층은, 필요에 따라 서로 박리 가능한 층이어도 된다.

프린트 배선판의 제조 방법 및 프린트 배선판에 대해서, 도 1 ∼ 3 에 기초하여 설명한다. 도 1 은, 본 실시형태에 있어서의 프린트 배선판의 제조 방법을 나타내는 개략도이다.

〔프린트 배선판의 제조 방법〕

본 실시형태의 프린트 배선판의 제조 방법은, 도 1 에 나타내는 바와 같이,

상기 금속박의 표면에 레지스트층을 형성하는 공정과,

상기 레지스트층을 제거하는 공정을 포함하고,

상기 금속 배선을 형성하는 공정에서는, 상기 금속 배선간의 간극 (S) 이 15 ∼ 50 ㎛ 를 포함하고, 또한, 상기 금속박의 임의의 두께 (D_b) 와 상기 금속 배선간의 간극 (S) 의 비 (S/D_b) 가 1.6 을 넘도록 상기 금속 배선을 형성한다.

프린트 배선판의 제조 방법에 의하면, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 갖는 프린트 배선판을 높은 생산성으로 제조할 수 있다.

(3 ∼ 20 ㎛ 의 범위에서 임의의 두께 (D_b) 를 갖는 금속박과, 절연성 수지층이 적층된 금속박 피복 적층판을 준비하는 공정)

도 1(a) 는, 제 1 금속박 (11) 과, 절연성 수지층 (10) 과, 제 2 금속박 (12) 이 이 순서로 적층된 금속박 피복 적층판을 나타내기 위한 개략도이다. 본 실시형태에서는, 3 ∼ 20 ㎛ 의 범위에서 임의의 두께 (D_b) 를 갖는 금속박과, 절연성 수지층이 적층된 금속박 피복 적층판을 준비한다.

(금속박 피복 적층판)

금속박 피복 적층판으로는, 도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 3 ∼ 20 ㎛ 의 범위에서 임의의 두께 (D_b) 를 갖는 제 1 금속박 (11) 과, 절연성 수지층 (10) 이 이 순서로 적층되어 있는 금속박 피복 적층판 (21) 을 사용할 수 있다. 금속박 피복 적층판 (21) 은, 도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 금속박 (11) 이 적층된 면과 반대의 절연성 수지층 (10) 의 면에 제 2 금속박 (12) 이 적층되어 있어도 된다.

·금속박

제 1 금속박 (11) 은, 가공성이 용이한 점에서, 3 ∼ 20 ㎛ 의 범위에서 임의의 두께 (D_b) 를 갖는다. 임의의 두께 (D_b) 는, 균일한 두께인 것이 바람직하다. 이 경우, 두께의 변동은, 제 1 금속박 (11) 의 평균 두께와, 최대 두께 및 최소 두께를 사용하여 산출하고, 임의의 두께 (D_b) 가, 평균 두께에 대해 0 ∼ 25 ％ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 임의의 두께 (D_b) 에 대해서는, 예를 들어, 금속박으로서 동박을 사용한 경우에는, 옥스포드·인스트루먼트사 제조 표면 구리 막두께 측정기 (Model 700 (상품명)) 로 측정할 수 있다. 또, 그 밖의 금속박에 대해서는, 예를 들어, 히타치 하이테크 사이언스 사 제조 형광 X 선 막후계 (SFT3400 (상품명)) 로 측정할 수 있다. 이와 같은 제 1 금속박 (11) 을 가짐으로써, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 갖는 프린트 배선판을 얻을 수 있다.

임의의 두께 (D_b) 는, 공지된 방법으로 조정할 수 있고, 예를 들어, 미츠비시 가스 화학 (주) 사 제조 SE-07 (상품명) 및 미츠비시 가스 화학 (주) 사 제조 CPE-700 (상품명) 등의 과수 황산계의 소프트 에칭액을 사용하여, 제 1 금속박 (11) 의 표면을 3 ∼ 20 ㎛ 의 범위에서 임의의 두께 (D_b) 를 갖도록 에칭함으로써 얻을 수도 있다.

또, 제 2 금속박 (12) 은, 3 ∼ 20 ㎛ 의 범위에서 임의의 두께 (d_b) 를 갖는 것이 바람직하다. 임의의 두께 (d_b) 는, 균일한 두께인 것이 보다 바람직하다. 이 경우, 두께의 변동은, 제 2 금속박 (12) 의 평균 두께의 0 ∼ 25 ％ 인 것이 더욱 바람직하다. 임의의 두께 (d_b) 의 측정은, 상기와 동일하다. 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 두께는, 양면에서 동일해도 되고 달라도 되지만, 동일한 것이 바람직하다. 또, 제 2 금속박 (12) 의 두께는, 상기의 제 1 금속박 (11) 의 두께의 조정과 동일한 방법에 의해 조정할 수 있다.

제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 으로는, 예를 들어, 금, 은, 구리, 알루미늄 및 이들 중의 2 종 이상의 금속으로 이루어지는 합금을 들 수 있다. 바람직하게는, 전기 전도도의 점에서 구리이다. 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 은, 동일해도 되고 달라도 되지만, 동일한 것이 바람직하다.

제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 으로는, 예를 들어, JX 금속 (주) 제조의 GHY5 (상품명, 12 ㎛ 두께 동박) 및 JXUT-1 (상품명, 1.5 ㎛ 두께 동박), 미츠이 금속 광업 (주) 제조의 3EC-M2S-VLP (상품명, 12 ㎛ 두께 동박), 3EC-VLP (상품명, 12 ㎛ 두께 동박) 및 3EC-III (상품명, 12 ㎛ 두께 동박), 및 후루카와 전기 공업 (주) 제조의 GTS-MP (상품명, 12 ㎛ 두께 동박) 등의 시판품을 사용할 수도 있다.

·절연성 수지층

절연성 수지층 (10) 은, 통상, 열경화성 수지와, 무기 충전재와, 필요에 따라서, 글라스 클로스를 포함한다. 절연성 수지층 (10) 의 두께는, 통상 1 ∼ 200 ㎛ 이고, 바람직하게는 기재의 취급 용이함의 점에서, 1 ∼ 100 ㎛ 이다.

열경화성 수지로는, 프린트 배선판 재료에 사용되는 열경화성 수지이면, 특별히 한정되지 않는다. 구체예로는, 시안산에스테르 화합물, 에폭시 수지, 말레이미드 화합물, 폴리이미드 수지 및 2 중 결합 부가 폴리페닐렌에테르 수지 등의 화합물을 들 수 있다. 이들은, 목적으로 하는 용도나 성능에 따라 적절히 선택할 수 있고, 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 바람직한 열경화성 수지로는, 시안산에스테르 화합물 및 에폭시 수지를 들 수 있다.

시안산에스테르 화합물은, 1 분자 중에 2 개 이상의 시아네이트기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 구체예로는, 비스페놀 A 형 시안산에스테르 화합물, 페놀 노볼락형 시안산에스테르 화합물, 비스페놀 E 형 시안산에스테르 화합물, 나프탈렌 골격 함유 시안산에스테르 화합물 및 비페닐 골격 함유 시안산에스테르 화합물 등을 들 수 있다. 이들은, 목적으로 하는 용도나 성능에 따라 적절히 선택할 수 있고, 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 바람직한 시안산에스테르 화합물로는, 2,2-비스(4-시아나토페닐)프로판, 비스(3,5-디메틸-4-시아나토페닐)메탄, 페놀 노볼락형의 시안산에스테르 화합물 및 나프톨아르알킬형의 시안산에스테르 화합물을 들 수 있다.

에폭시 수지는, 1 분자 중에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 구체예로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비페놀형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 다관능 페놀형 에폭시 수지, 나프탈렌 골격 함유 에폭시 수지, 비페닐 골격 함유 에폭시 수지 및 인 함유 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 목적으로 하는 용도나 성능에 따라 적절히 선택할 수 있고, 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 바람직한 에폭시 수지로는, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐아르알킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨아르알킬형 에폭시 수지 및 3 관능 페놀형 에폭시 수지를 들 수 있다.

말레이미드 화합물은, 1 분자 중에 2 개 이상의 말레이미드기를 갖는 화합물이면, 특별히 한정되지 않는다. 구체예로는, 비스(4-말레이미드페닐)메탄, 2,2-비스{4-(4-말레이미드페녹시)-페닐}프로판, 비스(3,5-디메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄, 비스(3,5-디에틸-4-말레이미드페닐)메탄, 폴리페닐메탄말레이미드를 들 수 있다. 또한, 이들 말레이미드 화합물의 프레폴리머, 혹은 말레이미드 화합물과 아민 화합물의 프레폴리머 등의 형태로 배합할 수도 있다. 이들은, 목적으로 하는 용도나 성능에 따라 적절히 선택할 수 있고, 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 바람직한 말레이미드 화합물로는, 비스(3-에틸-5-메틸-4-말레이미드페닐)메탄을 들 수 있다.

폴리이미드 수지로는, 일반적으로 공지된 것을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 다관능성 말레이미드류와 폴리아민류의 반응물, 일본 특허공보 소57-005406호에 기재된 말단 3 중 결합의 폴리이미드류를 들 수 있다. 이들 폴리이미드 수지는, 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

2 중 결합 부가 폴리페닐렌에테르 수지로는, 폴리(2,6-디메틸-1,4-페닐렌에테르), 또는 2,6-디메틸페놀과 2,3,6-트리메틸페놀의 랜덤 공중합체를, 불포화 지방산 카르복실산 혹은 그 산무수물로 반응시킨 것을 들 수 있다. 이들 2 중 결합 부가 폴리페닐렌에테르 수지는, 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

무기 충전재로는, 실리카, 질화붕소, 월라스토나이트, 탤크, 카올린, 클레이, 마이카, 알루미나, 지르코니아, 티타니아, 티탄산바륨 및 산화마그네슘 등의 금속 산화물, 질화물, 규화물 및 붕화물 등을 사용할 수 있다. 이들은, 목적으로 하는 용도나 성능에 따라 적절히 선택할 수 있고, 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 무기 충전재를 포함함으로써, 프린트 배선판에 있어서의 열팽창 계수의 저감 및 강성을 향상시킬 수 있다. 특히, 실리카, 질화붕소 및 티탄산바륨과 같은 저유전율의 무기 충전재를 첨가함으로써, 절연성 수지층 (10) 을 저유전율화시킬 수 있다.

글라스 클로스로는, E 글라스 클로스, NE 글라스 클로스, D 글라스 클로스, T 글라스 클로스, Q 글라스 클로스, 및 석영 글라스 클로스 등을 사용할 수 있다. 이들 글라스 클로스는, 1 종 또는 2 종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

절연성 수지층 (10) 으로는, 예를 들어, 미츠비시 가스 화학 (주) 사 제조 GHPL-830NX A-IT56 (상품명, 두께 : 100 ㎛)) 등의 시판품을 사용할 수도 있다.

금속박 피복 적층판 (21) 으로는, 예를 들어, 미츠비시 가스 화학 (주) 사 제조 HL-830NS (상품명), HL-830 NXA (상품명), HL-830 NSF (상품명) 등의 시판품을 사용할 수도 있다.

·접착층

본 실시형태에서는, 제 1 금속박 (11) 또는 제 2 금속박 (12) 과, 절연성 수지층 (10) 의 사이에 그것들을 접착하기 위한 접착층을 각각 형성해도 되고, 접착층이 부착된 금속박을 사용해도 된다. 접착층의 재질은, 예를 들어, 아크릴계 수지, 에폭시계 수지, 폴리이미드계 수지, 및 폴리에스테르계 수지를 사용할 수 있다.

·금속박이 부착된 수지 시트

본 실시형태에서는, 금속박과, 절연성 수지층이 이 순서로 적층된 금속박이 부착된 수지 시트를 사용해도 된다. 또, 이 수지 시트의 절연성 수지층의 표면에 금속박을 첩합하여, 절연성 수지층 (10) 의 양면에 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 이 적층되어 있는 금속박 피복 적층판 (21) 을 사용할 수도 있다. 금속박이 부착된 수지 시트로는, 예를 들어, 미츠비시 가스 화학 (주) 제 CRS-381NS1 (상품명, 동박 부착 수지 시트) 의 시판품을 사용할 수도 있다.

금속박 피복 적층판 (21) 의 두께는, 통상 3 ∼ 236 ㎛ 이고, 바람직하게는 3 ∼ 224 ㎛ 이고, 보다 바람직하게는 3 ∼ 136 ㎛ 이고, 더욱 바람직하게는 3 ∼ 124 ㎛ 이다.

(구멍내기 및 도금 공정)

도 1(b) 는, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 을 전기적으로 접속한 금속박 피복 적층판 (22) 을 나타내기 위한 개략도이다. 본 실시형태에서는, 금속박 피복 적층판 (21) 에 대해, 필요에 따라서, 비아홀 및/또는 스루홀의 구멍내기 가공을 실시하고, 예를 들어, 도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 을 전기적으로 접속하여, 임의의 두께 (D_b) 를 갖는 제 1 금속박 (11) 과, 필요에 따라 제 2 금속박 (12) 의 두께도 임의의 두께 (d_b) 로 조정된 금속박 피복 적층판 (22) 을 사용해도 된다. 본 실시형태에서는, 금속박 피복 적층판 (22) 을, 3 ∼ 20 ㎛ 의 범위에서 임의의 두께 (D_b) 를 갖는 금속박과, 절연성 수지층이 적층된 금속박 피복 적층판으로서 사용해도 된다.

금속박 피복 적층판 (21) 을 사용하는 경우, 금속 도금 처리를 실시한 후에, 제 1 금속박 (11) 을 임의의 두께 (D_b) 로 조정하고, 필요에 따라서 제 2 금속박 (12) 의 두께도 임의의 두께 (d_b) 로 조정하기 때문에, 두께를 조정하기 쉽도록, 예를 들어, 미츠비시 가스 화학사 제조 SE-07 (상품명) 및 미츠비시 가스 화학사 제조 CPE-700 (상품명) 등의 과수 황산계의 소프트 에칭액을 사용하여, 제 1 금속박 (11) 의 표면과, 필요에 따라 제 2 금속박 (12) 의 표면을 에칭해 두는 것이 바람직하다. 이 경우, 제 1 금속박 (11) 의 두께 및 제 2 금속박 (12) 의 두께 모두, 3 ∼ 20 ㎛ 의 범위가 되도록 미리 에칭하는 것이 보다 바람직하다.

구멍내기 가공은, 통상, 메커니컬 드릴, 탄산 가스 레이저, UV 레이저 및 YAG 레이저 등을 사용하여 실시한다.

구멍내기 가공이 실시된 경우, 그 후, 디스미어 처리를 포함하는 조화 (粗化) 처리를 실시해도 된다. 또한, 통상, 조화 처리는, 팽윤 공정, 표면 조화 및 스미어 용해 공정, 및 중화 공정으로 이루어진다.

팽윤 공정은, 팽윤제를 사용하여 절연성 수지층의 표면을 팽윤시킴으로써 실시한다. 팽윤제로는, 절연성 수지층의 표면의 젖음성이 향상되어, 다음의 표면 조화 및 스미어 용해 공정에 있어서 산화 분해가 촉진되는 정도까지 절연성 수지층의 표면을 팽윤시킬 수 있는 것이면, 특별히 한정되지 않는다. 예로는, 알칼리 용액, 및 계면 활성제 용액 등을 들 수 있다.

표면 조화 및 스미어 용해 공정은, 산화제를 사용하여 실시한다. 산화제로는, 예를 들어, 알칼리성의 과망간산염 용액 등을 들 수 있다. 바람직한 구체예로는, 과망간산칼륨 수용액, 과망간산나트륨 수용액 등을 들 수 있다. 이러한 산화제 처리는 웨트 디스미어로 불리지만, 당해 웨트 디스미어에 추가하여, 플라즈마 처리나 UV 처리에 의한 드라이 디스미어, 버프 등에 의한 기계 연마, 샌드 블라스트 등의 다른 공지된 조화 처리를, 적절히 조합하여 실시해도 된다.

중화 공정은, 전공정에서 사용한 산화제를 환원제로 중화하는 것이다. 환원제로는, 아민계 환원제를 들 수 있고, 바람직한 구체예로는, 하이드록실아민황산염 수용액, 에틸렌디아민사아세트산 수용액, 니트릴로삼아세트산 수용액 등의 산성 수용액을 들 수 있다.

비아홀 및/또는 스루홀을 형성한 후, 또는 비아홀 및/또는 스루홀 안을 디스미어 처리한 후에, 각 도체층을 전기적으로 접속하기 위해서 금속 도금 처리하는 것이 바람직하다. 또, 본 실시형태에서는, 비아홀 및/또는 스루홀을 형성하지 않고, 금속박 피복 적층판 (21) 에 적층된 제 1 금속박 (11), 및 필요에 따라 제 2 금속박 (12) (금속박 (11) 및 금속박 (12) 모두, 상기한 에칭 후의 금속박이어도 된다) 에 대해, 직접, 금속 도금 처리를 실시해도 된다.

금속 도금 처리의 방법으로는, 통상적인 다층 프린트 배선판의 제조에 있어서의 금속 도금 처리의 방법을 적절히 사용할 수 있다. 금속 도금 처리의 방법 및 도금에 사용되는 약액의 종류는, 통상적인 다층 프린트 배선판의 제조에 있어서의 금속 도금 처리의 방법 및 약액을 적절히 사용할 수 있다. 금속 도금 처리에 사용되는 약액은, 시판품이어도 된다.

금속 도금 처리 방법으로는, 예를 들어, 탈지액에 의한 처리, 소프트 에칭액에 의한 처리, 산 세정, 프리딥액에 의한 처리, 캐털리스트액에 의한 처리, 액셀러레이터액에 의한 처리, 화학 구리액에 의한 처리, 산 세정 및 황산구리액에 침지하여 전류를 흘리는 처리를 들 수 있다.

금속 도금 처리 방법의 구체예로는, 비아홀의 내벽 및/또는 스루홀의 내벽에 통상적인 무전해 도금 처리에 의해 무전해 도금막을 형성한 후, 도금액을 분류 (噴流) 로 하여 금속박 피복 적층판에 부딪히게 하는 스파저 도금 방법 등의 전해 도금 방법에 의해, 비아홀 및/또는 스루홀 내를 도금 충전하는 방법을 들 수 있다. 무전해 도금 또는 전해 도금으로는, 예를 들어, 구리, 주석, 은, 각종 땜납, 구리 및 주석, 구리 및 은 등의 금속 도금이 바람직하고, 무전해 구리 도금 또는 전해 구리 도금이 보다 바람직하다. 구체적인 방법은, 실시예를 참조할 수 있다.

금속 도금 처리하여 얻어진 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 두께는, 양면에서 동일해도 되고 달라도 되지만, 동일한 것이 바람직하다. 또, 금속 도금 처리하여 얻어진 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 두께는, 상기한 제 1 금속박 (11) 의 두께의 조정과 동일한 방법에 의해, 임의의 두께 (D_b) 및 임의의 두께 (d_b) 로 조정한다. 또한, 이 경우, 제 1 금속박 (11) 의 임의의 두께 (D_b) 는, 금속박 피복 적층판 (21) 에 적층된 금속박의 두께 (상기 에칭 후의 금속박의 두께여도 된다) 와, 금속 도금 처리된 도금층의 두께의 합산이 된다. 제 2 금속박 (12) 의 임의의 두께 (d_b) 에 있어서도 동일하다. 또, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 두께의 바람직한 범위는, 상기와 동일하다.

(금속박의 표면에 레지스트층을 형성하는 공정)

도 1(c) 는, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 이 형성된 금속박 피복 적층판 (23) 을 나타내기 위한 개략도이다. 본 실시형태에서는, 도 1(c) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 금속박 (11) 의 표면에 제 1 레지스트층 (13) 을 형성하는 공정을 포함한다. 이 공정을 거침으로써, 제 1 금속박 (11) 의 표면에 제 1 레지스트층 (13) 이 형성된 금속박 피복 적층판 (23) 을 얻을 수 있다.

제 1 레지스트층 (13) 은, 금속박 피복 적층판 (21) 또는 금속박 피복 적층판 (22) 에 있어서의 제 1 금속박 (11) 을 덮도록 금속박 피복 적층판 (21) 또는 금속박 피복 적층판 (22) 의 전체에 도포된다. 필요에 따라서, 제 1 레지스트층 (13) 과 같이, 제 2 금속박 (12) 의 표면에 제 2 레지스트층 (14) 을 형성해도 된다.

또, 본 실시형태에서는, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 의 형성 전에, 후술하는 위치 맞춤용 구멍을 형성해도 된다.

제 1 레지스트층 (13) 을 형성하기 위한 재료로는, 현상성이 우수한 레지스트를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 레지스트로는, 시판품을 사용할 수 있다. 예를 들어, 히타치 화성 (주) 사 제조 RD-1225 (상품명), RD-1215 (상품명), RY-5319 (상품명), RD-2010 (상품명) 및 RY-5115 (상품명) 등을 들 수 있다. 또한, 제 2 레지스트층 (14) 에 대해서도 동일한 재료를 사용할 수 있다.

제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 의 두께는, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 에 대해 에칭 가공을 실시하여 용해 제거할 수 있으면, 특별히 한정되지 않는다. 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 의 두께는, 보다 우수한 해상성이 얻어지는 점에서, 15 ㎛ 이하인 것이 바람직하고, 1 ∼ 13 ㎛ 인 것이 보다 바람직하고, 1 ∼ 10 ㎛ 인 것이 더욱 바람직하다. 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 의 두께는, 동일해도 되고 달라도 되지만, 동일한 것이 바람직하다.

제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 의 형성은, 프린트 배선판의 제조에 있어서 실시되는 공지된 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 후술하는 서브트랙티브법에 의해, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 형성할 수 있다.

(레지스트층에 대해 노광 현상을 실시하여, 레지스트 패턴을 형성하는 공정)

도 1(d) 는, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 의 각각에 레지스트 패턴이 형성된 금속박 피복 적층판 (24) 을 나타내기 위한 개략도이다. 본 실시형태에서는, 도 1(d) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 레지스트층 (13) 에 대해 노광 현상을 실시하여, 레지스트 패턴을 형성하는 공정을 포함한다. 이 공정을 거침으로써, 제 1 레지스트층 (13) 에 레지스트 패턴이 형성된 금속박 피복 적층판 (24) 을 얻을 수 있다. 레지스트 패턴은, 배선 패턴을 따른 적당한 위치에 형성된다.

본 실시형태에서는, 레지스트 패턴간의 간극 (R) 이, 금속 배선의 폭방향에 대한 에칭의 영향을 고려하여, 후술하는 금속 배선간의 간극 (S) 보다 1 ∼ 5 ㎛ 좁아지도록 형성하는 것이 바람직하고, 2 ∼ 4 ㎛ 좁아지도록 형성하는 것이 보다 바람직하다. 레지스트 패턴간의 간극 (R) 은, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 레지스트 패턴의 간극에 있어서의 폭 (41) 을 의미하고, 간극 (R) 을 갖도록 제 1 레지스트층 (13) 에 레지스트 패턴을 형성하는 것이 바람직하다.

또, 마찬가지로, 레지스트 패턴간의 간극 (r) 이, 금속 배선의 폭방향에 대한 에칭의 영향을 고려하여, 후술하는 금속 배선간의 간극 (s) 보다 1 ∼ 5 ㎛ 좁아지도록 형성하는 것이 바람직하고, 2 ∼ 4 ㎛ 좁아지도록 형성하는 것이 보다 바람직하다. 레지스트 패턴간의 간극 (r) 은, 레지스트 패턴간의 간극 (R) 과 마찬가지로, 레지스트 패턴의 간극에 있어서의 폭을 의미하고, 간극 (r) 을 갖도록 제 2 레지스트층 (14) 에 레지스트 패턴을 형성하는 것이 바람직하다. 레지스트 패턴간의 간극 (R) 및 (r) 의 측정 방법에 대해서는, 상기한 두께 (D_b) 및 (d_b) 그리고 실시예를 참조할 수 있다.

본 실시형태에서는, 필요에 따라서, 제 1 레지스트층 (13) 에 대한 레지스트 패턴과 동일하게, 제 2 레지스트층 (14) 에 대해 노광 현상을 실시하여, 레지스트 패턴을 형성해도 된다. 또, 이 경우, 레지스트 패턴은, 배선 패턴을 따른 적당한 위치에 형성된다.

서브트랙티브법에 의한 제 1 레지스트층 (13) 및 레지스트 패턴의 형성은, 예를 들어, 다음과 같이 하여 실시할 수 있다. 제 1 금속박 (11) 의 표면, 및 필요에 따라서 제 2 금속박 (12) 의 표면에, 온도 110±10 ℃, 압력 0.50±0.02 ㎫ 로 드라이 필름 레지스트 (예를 들어, 히타치 화성 (주) 제조 RD-1225 (상품명) 및 RD-2010 (상품명)) 를 적층 첩착 (라미네이트) 하여, 제 1 레지스트층 (13), 및 필요에 따라서 제 2 레지스트층 (14) 을 형성한다. 이어서, 제 1 레지스트층 (13) 의 회로 패턴을 따라서 노광하여, 마스킹을 실시한다. 또, 필요에 따라서, 제 2 레지스트층 (14) 에 있어서도, 회로 패턴을 따라 노광하여, 마스킹을 실시한다. 그 후, 1 ％ 탄산나트륨 수용액으로 드라이 필름 레지스트를 현상 처리함으로써, 제 1 레지스트층 (13) 에 레지스트 패턴을 형성한다. 또, 필요에 따라, 1 ％ 탄산나트륨 수용액으로 드라이 필름 레지스트를 현상 처리함으로써, 제 2 레지스트층 (14) 에도 레지스트 패턴을 형성한다. 이로써, 레지스트 패턴이 형성된 금속박 피복 적층판 (24) 을 형성할 수 있다.

본 실시형태에서는, 배선 회로 기판의 제조 시간을 단축할 수 있고, 양호한 생산성이 얻어지는 점에서, 도 1(d) 에 나타내는 바와 같이, 드라이 필름 레지스트에, 탄산나트륨 수용액 및 탄산칼륨 수용액 등의 현상액을 분무하는 스프레이법으로, 레지스트 패턴을 형성하는 것이 바람직하다.

스프레이는, 프린트 배선판의 제조에 있어서 사용되는 공지된 것을 사용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 갖는 프린트 배선판을 높은 생산성으로 제조할 수 있고, 세선의 레지스트 패턴이 형성 가능하다는 점에서, 스프레이에 의해, 현상액과 함께 공기를 분사하고, 레지스트 패턴을 형성하는 것이 보다 바람직하다. 스프레이는, 현상 장치의 스프레이압이 0.05 ∼ 1.5 ㎫ 이고, 10 ∼ 120 초의 분사 시간으로 실시하는 것이 바람직하다. 또, 현상 장치의 스프레이압은, 0.07 ∼ 1.2 ㎫ 인 것이 바람직하다. 분사 시간은, 20 ∼ 100 초인 것이 바람직하다.

현상액과 함께 공기를 분사하는 스프레이로는, 예를 들어, 2 유체 노즐을 갖는 스프레이가 바람직하다.

(스프레이에 의해 에칭액을 분사함으로써, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 금속박을 에칭하여, 금속 배선을 형성하는 공정)

도 1(e) 는, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 각각에 금속 배선이 형성된 금속박 피복 적층판 (25) 을 나타내기 위한 개략도이다. 본 실시형태에서는, 도 1(e) 에 나타내는 바와 같이, 스프레이에 의해 에칭액을 분사함으로써, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 제 1 금속박 (11) 을 에칭하여, 제 1 금속박 (11) 에 금속 배선을 형성하는 공정을 포함한다. 금속 배선을 형성하는 공정에서는, 금속 배선간의 간극 (S) 이 15 ∼ 50 ㎛ 를 포함하고, 또한, 제 1 금속박 (11) 의 임의의 두께 (D_b) 와 금속 배선간의 간극 (S) 의 비 (S/D_b) 가 1.6 을 넘도록 금속 배선을 형성한다. 이 공정을 거침으로써, 금속 배선이 형성된 금속박 피복 적층판 (25) 을 얻을 수 있다. 또, 이 공정을 가짐으로써, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 갖는 프린트 배선판을 얻을 수 있다.

금속 배선간의 간극 (S) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 금속 배선의 간극에 있어서의 폭 (42) 을 의미하고, 이 폭 (42) 은, 15 ∼ 50 ㎛ 의 범위에 있다. 본 실시형태에서는, 간극 (S) 을 갖도록 제 1 금속박 (11) 에 금속 배선이 형성된다. 본 실시형태에서는, 간극 (S) 이외의 폭을 갖는 금속 배선간의 간극, 즉, 15 ㎛ 미만 및/또는 50 ㎛ 를 초과하는 폭을 갖는 금속 배선간의 간극을 갖도록 형성해도 된다. 또한, 이 간극의 폭에 있어서의 하한 및 상한에 대해서는, 통상, 하한은 10.5 ㎛ 이고, 상한은 1,000 ㎛ 이다. 금속 배선간의 간극 (S) 은, 배선의 고밀도화의 점에서, 15 ∼ 35 ㎛ 이도록 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 15 ㎛ 미만 및/또는 35 ㎛ 를 초과하는 폭을 갖는 금속 배선간의 간극을 갖도록 형성해도 된다.

또, 본 실시형태에서는, 금속 배선간의 간극 (S) 과 동일하게, 간극 (s) 을 갖도록 제 2 금속박 (12) 에 금속 배선이 형성되어도 된다. 금속 배선간의 간극 (s) 은, 제 2 금속박 (12) 에 형성된 금속 배선의 간극에 있어서의 폭을 의미하고, 이 폭은, 통상 15 ∼ 50 ㎛ 인 것이 바람직하다. 본 실시형태에서는, 간극 (s) 이외의 폭을 갖는 금속 배선간의 간극, 즉, 15 ㎛ 미만 및/또는 50 ㎛ 를 초과하는 폭을 갖는 금속 배선간의 간극을 갖도록 형성해도 된다. 또한, 이 간극의 폭에 있어서의 하한 및 상한에 대해서는, 통상, 하한은 10.5 ㎛ 이고, 상한은 1000 ㎛ 이다. 금속 배선간의 간극 (s) 은, 배선의 고밀도화의 점에서, 15 ∼ 35 ㎛ 이도록 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 15 ㎛ 미만 및/또는 35 ㎛ 를 초과하는 폭을 갖는 금속 배선간의 간극을 갖도록 형성해도 된다. 금속 배선간의 간극 (S) 및 (s) 의 측정 방법에 대해서는, 상기의 두께 (D_b) 및 (d_b) 그리고 실시예를 참조할 수 있다.

제 1 금속박 (11) 의 임의의 두께 (D_b) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 절연성 수지층 (10) 의 표면으로부터 제 1 금속박 (11) 까지의 두께 (43) 을 의미한다. 임의의 두께 (D_b) 및 바람직한 범위에 대해서는, 상기와 같다.

또, 마찬가지로, 제 2 금속박 (12) 의 임의의 두께 (d_b) 는, 절연성 수지층 (10) 의 표면으로부터 제 2 금속박 (12) 까지의 두께를 의미한다. 임의의 두께 (d_b) 및 바람직한 범위에 대해서는, 상기와 같다.

제 1 금속박 (11) 의 임의의 두께 (D_b) 와 금속 배선간의 간극 (S) 의 비 (S/D_b) 는, 1.6 을 넘도록 금속 배선을 형성하며, 1.6 ∼ 3.0 이도록 금속 배선을 형성하는 것이 바람직하고, 1.6 ∼ 2.5 이도록 금속 배선을 형성하는 것이 보다 바람직하다. 비 (S/D_b) 가 상기 범위에 있도록 금속 배선을 형성함으로써, 배선간의 에칭이 충분해지기 때문에, 배선의 고밀도화가 가능해지고, 쇼트 등의 절연 불량이 생기기 어려워진다.

또, 마찬가지로, 제 2 금속박 (12) 의 임의의 두께 (d_b) 와, 금속 배선간의 간극 (s) 의 비 (s/d_b) 는, 1.6 을 넘도록 금속 배선을 형성하는 것이 바람직하고, 1.6 ∼ 3.0 이도록 금속 배선을 형성하는 것이 보다 바람직하고, 1.6 ∼ 2.5 이도록 금속 배선을 형성하는 것이 더욱 바람직하다. 비 (s/d_b) 가 상기 범위에 있도록 금속 배선을 형성함으로써, 배선간의 에칭이 충분해지기 때문에, 배선의 고밀도화가 가능해져, 쇼트 등의 절연 불량이 생기기 어려워진다.

금속 배선을 형성하는 공정에서는, 전기 신호를 전달하는 금속 배선의 고밀도화의 점에서, 제 1 금속박 (11) 에 형성되는 금속 배선의 폭 (W_b) 과, 금속 배선간의 간극 (S) 이, 동일 ((W_b) = (S)) 하도록 금속 배선을 형성하는 것이 바람직하고, 모두 동일하도록 금속 배선을 형성하는 것이 보다 바람직하다. 금속 배선의 폭 (W_b) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 금속 배선에 있어서의 폭 (44) 을 의미하고, 이 폭 (W_b) 을 갖도록 제 1 금속박 (11) 에 금속 배선이 형성되는 것이 바람직하다.

또, 마찬가지로, 제 2 금속박 (12) 에 형성되는 금속 배선의 폭 (w_b) 과, 금속 배선간의 간극 (s) 은, 전기 신호를 전달하는 금속 배선의 고밀도화의 점에서, 동일 ((w_b) = (s)) 하도록 금속 배선을 형성하는 것이 바람직하고, 모두 동일하도록 금속 배선을 형성하는 것이 보다 바람직하다. 금속 배선의 폭 (w_b) 은, 금속 배선의 폭 (W_b) 과 동일하게, 금속 배선에 있어서의 폭을 의미하고, 이 폭 (w_b) 을 갖도록 제 2 금속박 (12) 에 금속 배선이 형성되는 것이 바람직하다. 금속 배선의 폭 (W_b) 및 (w_b) 의 측정 방법에 대해서는, 상기한 두께 (D_b) 및 (d_b) 그리고 실시예를 참조할 수 있다.

금속 배선을 형성하는 공정에서는, 긴 배선을 형성할 수 있으면, 패드나 비아홀 등에 대한 배선 인회 (引回) 가 용이해져, 디자인의 자유도가 높아지는 점에서, 금속 배선의 길이 방향의 길이 (L) 가 100 ㎛ 이상이도록, 제 1 금속박 (11) 에 금속 배선을 형성하는 것이 바람직하다. 상한에 대해서는, 예를 들어, 10 ㎜ 이다.

또, 마찬가지로, 금속 배선의 길이 방향의 길이 (l) 는, 긴 배선을 형성할 수 있으면, 패드나 비아홀 등에 대한 배선 인회가 용이해져, 디자인의 자유도가 높아지는 점에서, 100 ㎛ 이상이도록, 제 2 금속박 (12) 에 금속 배선을 형성하는 것이 바람직하다. 상한에 대해서는, 예를 들어, 10 ㎜ 이다. 금속 배선의 길이 방향의 길이 (L) 및 (l) 의 측정 방법에 대해서는, 상기한 두께 (D_b) 및 (d_b) 그리고 실시예를 참조할 수 있다.

본 실시형태에서는, 필요에 따라, 제 2 금속박 (12) 에 있어서도, 제 1 금속박 (11) 과 동일하게 하여, 금속 배선을 형성해도 된다.

금속 배선의 형성은, 예를 들어, 다음과 같이 하여 실시할 수 있다. 도 1(e) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 레지스트층 (13), 및 필요에 따라서 제 2 레지스트층 (14) 에 있어서, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 을 에칭하여, 금속박을 제거한다. 에칭은, 스프레이에 의해 에칭액을 분사함으로써 실시한다. 스프레이로 에칭을 실시함으로써, 금속박으로부터 절연성 수지층을 향하여, 끝으로 갈수록 넓게 에칭되지 않아, 이른바 「늘어짐」이 발생하지 않기 때문에, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 형성하는 것이 가능해진다.

스프레이는, 프린트 배선판의 제조에 있어서 사용되는 공지된 것을 사용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 갖는 프린트 배선판을 높은 생산성으로 제조할 수 있는 점에서, 스프레이에 의해, 에칭액과 함께 공기를 분사하여, 에칭하는 것이 바람직하다. 스프레이는, 에칭 레이트가 0.05 ∼ 1.5 ㎛/sec. 이고, 20 ∼ 120 초의 분사 시간으로 실시하는 것이 바람직하다. 또한, 에칭 레이트는, 금속박을 스프레이로 에칭했을 때의, 두께 방향에 대한 단위 시간당의 에칭량으로서 기재한다.

에칭액과 함께 공기를 분사하는 스프레이로는, 예를 들어, 2 유체 노즐을 갖는 스프레이가 바람직하다. 2 유체 노즐에 있어서의 에칭액의 유량은, 0.5 ∼ 3.5 ℓ/min. 인 것이 바람직하고, 1.5 ∼ 2.5 ℓ/min. 인 것이 보다 바람직하다. 또, 공기의 유량은, 100 ∼ 400 ℓ/min. 인 것이 바람직하고, 200 ∼ 300 ℓ/min. 인 것이 보다 바람직하다.

에칭액으로는, 프린트 배선판의 제조에 있어서 사용되는 공지된 것을 사용할 수 있고, 예를 들어, 염화제2구리 수용액 (구리 농도 : 120 ∼ 180 g/ℓ 및 염산 농도 : 100 ∼ 150 g/ℓ 의 혼합액) 등을 들 수 있다.

(레지스트층을 제거하는 공정)

도 1(f) 는, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 이 제거된 금속박 피복 적층판 (26) 을 나타내기 위한 개략도이다. 본 실시형태에서는, 도 1(f) 에 나타내는 바와 같이, 제 1 레지스트층 (13) 을 제거하는 공정을 포함한다. 이 공정을 거침으로써, 제 1 레지스트층 (13) 이 제거된 금속박 피복 적층판 (26) 을 얻을 수 있다. 제 2 레지스트층 (14) 이 형성되어 있는 경우, 제 2 레지스트층 (14) 을 제거하고, 금속박 피복 적층판 (26) 을 얻는다.

제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 의 제거는, 프린트 배선판의 제조에 있어서 실시되는 공지된 방법을 사용할 수 있고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 수산화칼륨 수용액, 및 아민계의 레지스트 박리액 등으로 드라이 필름 레지스트를 박리하는 방법을 사용할 수 있다.

(비아홀 및/또는 스루홀을 형성하는 공정)

본 실시형태에서는, 필요에 따라서, 각 금속박 (도체층) 을 전기적으로 접속하기 위해, 비아홀 및/또는 스루홀의 구멍내기 가공을 실시하는 공정을 포함할 수 있다. 또, 구멍내기 가공이 실시된 경우, 그 후, 디스미어 처리를 포함하는 조화 처리를 실시해도 된다. 구멍내기 가공 및 조화 처리에 대해서는, 상기를 참조할 수 있다.

비아홀 및/또는 스루홀을 형성한 후, 또는 비아홀 및/또는 스루홀 안을 디스미어 처리한 후에, 각 도체층을 전기적으로 접속하기 위해서 금속 도금 처리하는 것이 바람직하다. 금속 도금 처리에 대해서는, 상기를 참조할 수 있다.

(위치 맞춤용 구멍을 형성하는 공정)

본 실시형태에서는, 배선 패턴을 형성하기 위한 노광용의 위치 맞춤의 목적으로, 적절히, 위치 맞춤용의 구멍을 형성하는 공정을 포함할 수 있다. 그 경우, 위치 맞춤용 구멍의 주위에 구멍을 추가로 형성하는 것이 바람직하다. 위치 맞춤용 구멍 및 위치 맞춤용 구멍의 주위의 구멍을 형성하는 방법은, 통상적인 프린트 배선판의 제조에 있어서의 공지된 구멍내기 방법을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 드릴로 구멍내기 가공하는 방법, 및 X 선 또는 레이저로 구멍내기 하는 방법을 사용할 수 있다.

〔프린트 배선판〕

본 실시형태에 의하면, 상기의 공정을 거침으로써, 제 1 금속박 (11) 으로부터 소정의 두께 (D) 및 폭 (W) 을 갖는 금속 배선이 형성되고, 필요에 따라서 제 2 금속박 (12) 으로부터 소정의 두께 (d) 와 폭 (w) 을 갖는 금속 배선이 형성된다. 그리고, 소정의 두께 (D) 및 폭 (W) 을 갖는 금속 배선과, 이 금속 배선간에 소정의 간극 (U) 을 갖는 소정의 배선 패턴을 갖고, 필요에 따라 소정의 두께 (d) 및 폭 (w) 을 갖는 금속 배선과, 이 금속 배선간에 소정의 간극 (u) 을 갖는 소정의 배선 패턴을 갖는 금속박 피복 적층판 (26), 및 금속박 피복 적층판 (26) 을 갖는 프린트 배선판을 얻을 수 있다. 금속박 피복 적층판 (26) 및 프린트 배선판은, 각각, 비어홀 및/또는 스루홀을 가져도 된다.

본 실시형태의 프린트 배선판은, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 갖는 점에서, 절연성 수지층과, 절연성 수지층에 적층된 금속 배선을 갖고, 금속 배선의 두께 (D) 가 3 ∼ 20 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (U) 이 12 ∼ 50 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (W) 이 12 ∼ 50 ㎛ 이고, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선간의 간극 (U) 의 비 (U/D) 가 1.0 이상이고, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 의 비 (U_ave/D_ave) 가 1.60 ∼ 1.80 이고, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선의 폭 (W) 의 비 (W/D) 가 1.0 이상이며, 또한, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 의 비 (W_ave/D_ave) 가 1.60 ∼ 1.80 인 것이 바람직하다. 프린트 배선판은, 제 1 금속박 (11) 의 면에, 소정의 금속 배선과, 이 금속 배선간에 소정의 간극을 갖는 소정의 배선 패턴을 갖지만, 필요에 따라서, 제 2 금속박 (12) 의 면에, 소정의 금속 배선과, 이 금속 배선간에 소정의 간극을 갖는 소정의 배선 패턴을 가져도 된다. 프린트 배선판은, 반도체 장치 등 각종 전자 부재에 사용할 수 있다.

절연성 수지층, 및 금속 배선에 대해서는, 상기를 참조할 수 있다.

금속 배선의 두께 (D) 및 (d) 은, 전기 신호를 전달하는 금속 배선의 고밀도화의 점에서, 각각 3 ∼ 20 ㎛ 의 범위이다. 두께 (D) 및 (d) 는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 절연성 수지층 (10) 의 표면으로부터 금속 배선까지의 두께 (43) 을 의미한다. 금속 배선의 두께 (D) 및 (d) 는, 각각, 균일한 두께인 것이 바람직하고, 제 1 금속박 (11) 에 있어서의 임의의 두께 (D_b), 및 제 2 금속박 (12) 에 있어서의 임의의 두께 (d_b) 와 동일한 것이 보다 바람직하다. 두께 (D) 의 변동은, 두께 (D) 의 평균 두께와, 최대 두께 및 최소 두께를 사용하여 산출하고, 두께 (D) 가, 평균 두께에 대해 0 ∼ 25 ％ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 두께 (d) 에 대해서도 동일하게, 평균 두께에 대해 0 ∼ 25 ％ 의 범위에 있는 것이 바람직하다. 금속 배선의 재료, 두께 및 그 변동의 측정 방법에 대해서는, 상기의 두께 (D_b) 및 (d_b) 그리고 실시예를 참조할 수 있다.

금속 배선간의 간극 (U) 및 (u) 은, 전기 신호를 전달하는 금속 배선의 고밀도화의 점에서, 각각 12 ∼ 50 ㎛ 의 범위이다. 금속 배선간의 간극 (U) 및 (u) 은, 각각 제 1 금속박 (11) 에 형성된 금속 배선간의 간극, 및 제 2 금속박 (12) 에 형성된 금속 배선간의 간극이다. 본 실시형태에 있어서, 간극 (U) 및 (u) 은, 도 3 에 나타내는 간극 (S) 및 (s) 과 같이, 절연성 수지층의 표면상의 폭으로 한다.

금속박 피복 적층판 (26) 및 프린트 배선판은, 전기 신호를 전달하는 금속 배선의 고밀도화의 점에서, 제 1 금속박 (11) 에 형성된 금속 배선간의 간극 (U) 중, 금속 배선간의 간극 (S) 과 동일한 폭을 갖는 간극 (US) 을 2 군데 이상 연속해서 갖는 것이 바람직하고, 3 군데 이상 연속해서 갖는 것이 보다 바람직하고, 4 군데 이상 연속해서 갖는 것이 더욱 바람직하다. 상한에 대해서는, 예를 들어, 100 군데이다.

또, 마찬가지로, 금속박 피복 적층판 (26) 및 프린트 배선판은, 전기 신호를 전달하는 금속 배선의 고밀도화의 점에서, 제 2 금속박 (12) 에 형성된 금속 배선간의 간극 (u) 중, 금속 배선간의 간극 (s) 과 동일한 폭을 갖는 간극 (us) 을 2 군데 이상 연속해서 갖는 것이 바람직하고, 3 군데 이상 연속해서 갖는 것이 보다 바람직하고, 4 군데 이상 연속해서 갖는 것이 더욱 바람직하다. 상한에 대해서는, 예를 들어, 100 군데이다.

금속 배선의 폭 (W) 및 (w) 은, 전기 신호를 전달하는 금속 배선의 고밀도화의 점에서, 각각 12 ∼ 50 ㎛ 의 범위이다. 금속 배선의 폭 (W) 및 (w) 은, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 금속 배선에 있어서의 폭 (44) 을 의미한다.

금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선간의 간극 (U) 의 비 (U/D), 및 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선간의 간극 (u) 의 비 (u/d) 는, 금속 배선간의 간극에 협폭의 지점이 있으면, 그 지점에 있어서 절연 불량을 일으키는 점에서, 각각 1.0 이상이고, 바람직하게는 1.2 이상이다. 상한은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 각각 2.4 이하이다. 또한, 비 (U/D) 는, 금속 배선의 두께 (D) 에 있어서 두께의 변동으로부터 산출되는 최대 두께와, 금속 배선간의 간극 (U) 에 있어서의 최소 간극의 비로부터 산출된다. 또, 비 (u/d) 에 있어서도, 동일하게 산출된다.

금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 의 비 (U_ave/D_ave), 및 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (u_ave) 의 비 (u_ave/d_ave) 는, 각각 1.60 ∼ 1.80 이다. 비 (U_ave/D_ave) 및 비 (u_ave/d_ave) 가 상기 범위에 있음으로써, 얻어지는 금속박 피복 적층판 (26) 및 프린트 배선판은, 금속 배선간의 간극이 균일하고 미세하여, 양호한 금속 배선을 갖는다.

금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선의 폭 (W) 의 비 (W/D), 및 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선의 폭 (w) 의 비 (w/d) 는, 금속 배선의 두께에 대해 금속 배선의 폭이 협폭이면 절연 불량을 일으키는 점에서, 각각 1.0 이상이고, 바람직하게는 1.2 이상이다. 상한은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 각각 2.4 이하이다. 또한, 비 (W/D) 는, 금속 배선의 두께 (D) 에 있어서 두께의 변동으로부터 산출되는 최대 두께와, 금속 배선간의 폭 (W) 에 있어서의 최소 폭의 비로부터 산출된다. 또, 비 (w/d) 에 있어서도, 동일하게 산출된다.

금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 의 비 (W_ave/D_ave), 및 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 의 비 (w_ave/d_ave) 는, 각각 1.60 ∼ 1.80 이다. 비 (U_ave/D_ave) 및 비 (w_ave/d_ave) 가 상기 범위에 있음으로써, 얻어지는 금속박 피복 적층판 (26) 및 프린트 배선판은, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세하여, 양호한 금속 배선을 갖는다.

금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 및 (d_ave), 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 및 (u_ave), 그리고 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 및 (w_ave) 은, 얻어지는 금속박 피복 적층판 (26) 및 프린트 배선판에 있어서의, 금속 배선의 두께 (D) 및 (d), 금속 배선간의 간극 (U) 및 (u), 그리고 금속 배선의 폭 (W) 및 (w) 의 각각의 평균치이다. 이들 두께, 간극 및 폭의 값, 그리고 평균치에 대해, 그것들의 구체적인 측정 방법 및 산출 방법은, 상기의 두께 (D_b) 및 (d_b) 그리고 실시예를 참조할 수 있다.

또, 얻어지는 금속박 피복 적층판 (26) 및 프린트 배선판에 있어서, 금속 배선의 두께 (D) 및 (d), 금속 배선간의 간극 (U) 및 (u), 금속 배선의 폭 (W) 및 (w), 비 (U/D) 및 비 (u/d), 비 (U_ave/D_ave) 및 비 (u_ave/d_ave), 비 (W/D) 및 비 (w/d), 그리고 비 (W_ave/D_ave) 및 비 (w_ave/d_ave) 는, 각각 동일해도 되고 달라도 되지만, 금속 배선의 도통 불량이나, 금속 배선간의 절연 불량의 발생을 보다 줄일 수 있는 점에서, 동일한 것이 바람직하다.

실시예

본 실시형태의 실시예에 대해, 도 1 을 사용하여 설명하지만, 본 실시형태는 이들 실시예에 의해 하등 한정되는 것은 아니다.

〔평가 방법〕

(1) 배선 형성 전의 금속박 피복 적층판에 있어서의, 금속박의 두께, 두께의 변동, 레지스트 패턴간의 간극, 금속 배선의 간극, 금속 배선의 길이, 그리고 금속 배선의 폭의 평가 방법

옥스포드·인스트루먼트사 제조 표면 구리 막두께 측정기 (Model 700 (상품명)) 를 사용하여, 배선 형성 전의 금속박 피복 적층판에 있어서의 제 1 금속박 (11) 의 두께 (D_b) 를 측정하고, 평균 두께를 산출하였다. 제 1 금속박 (11) 의 두께 (D_b) 에 있어서의, 최대 두께 및 최소 두께와, 평균 두께를 사용하여, 두께의 변동을 산출하였다. 또, 마찬가지로, 배선 형성 전의 금속박 피복 적층판에 있어서의 제 2 금속박 (12) 의 두께 (d_b) 를 측정하고, 두께의 변동을 산출하였다. 또, 배선 형성 후의 금속박 피복 적층판에 있어서의 제 2 금속 배선의 두께 (d_b) 를 측정하고, 평균 두께 및 두께의 변동을 산출하였다. 동일하게, 옥스포드·인스트루먼트사 제조 표면 구리 막두께 측정기 (Model 700 (상품명)) 를 사용하여, 레지스트 패턴간의 간극 (R) 및 (r), 금속 배선의 간극 (S) 및 (s), 금속 배선의 길이 (L) 및 (l), 그리고 금속 배선의 폭 (W_b) 및 (w_b) 을 측정하였다.

(2) 배선 형성 후의 금속박 피복 적층판에 있어서의, 금속 배선의 두께, 금속 배선간의 간극, 금속 배선의 폭, 금속 배선의 평균 두께, 금속 배선간의 평균 간극, 금속 배선의 평균 폭, 비 (U/D), 비 (W/D), 비 (U_ave/D_ave), 및 비 (W_ave/D_ave) 의 평가 방법

배선 형성 후의 금속박 피복 적층판에 대해 단면 연마를 실시한 후, 현미경 관찰 (배율 : 500 배) 에 의해, 제 1 금속박 (11) 에 형성된, 금속 배선의 두께 (D), 금속 배선간의 간극 (U), 및 금속 배선의 폭 (W) 을 각각 측정하고, 그들의 값으로부터, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave), 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave), 및 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 을 구하였다. 또, 금속 배선의 두께 (D) 에 있어서의 최대 두께, 최소 두께, 및 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 로부터, 두께의 변동을 산출하였다. 이들 값으로부터, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선간의 간극 (U) 의 비 (U/D), 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선의 폭 (W) 의 비 (W/D), 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 의 비 (U_ave/D_ave), 및 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 의 비 (W_ave/D_ave) 를 각각 산출하였다.

또, 마찬가지로, 제 2 금속박 (12) 에 형성된, 금속 배선의 두께 (d), 금속 배선간의 간극 (u), 및 금속 배선의 폭 (w) 을 각각 측정하고, 그들의 값으로부터, 금속 배선의 평균 두께 (d_ave), 금속 배선간의 평균 간극 (u_ave), 및 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 을 구하였다. 또, 금속 배선의 두께 (d) 에 있어서의 최대 두께, 최소 두께, 및 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 로부터, 두께의 변동을 산출하였다. 이들 값으로부터, 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선간의 간극 (u) 의 비 (u/d), 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선의 폭 (w) 의 비 (w/d), 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (u_ave) 의 비 (u_ave/d_ave), 및 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 의 비 (w_ave/d_ave) 를 각각 산출하였다.

(3) 금속 배선간의 간극 (U) 및 (u) 의 평가

상기 (2) 의 평가 방법에서 얻어진 금속 배선간의 간극 (U) 중, 설계치로부터 가장 떨어져 있는 간극을 이용하여, 그 간극이, 간극 (S) (설계치) 에 대해 30 ％ 이내인 경우를 양호로 판단하고, 30 ％ 를 초과하는 경우를 불량으로 판단하였다. 또, 상기 (2) 의 평가 방법에서 얻어진 금속 배선간의 간극 (u) 에 있어서도, 동일하게 평가하였다.

또한, 평균치가, 설계치의 30 ％ 를 초과하면, 인접하는 배선과 쇼트될 위험성, 혹은 금속 배선이 가늘어지는 것에 의한 도통 불량이 생길 위험성이 높아지기 때문에, 불량으로 판단하였다.

(4) 금속 배선간의 간극 (US) 및 (us) 의 연속성의 평가

상기 (2) 의 평가 방법에서 얻어진 금속 배선간의 간극 (U) 중, 간극 (S) 과 동일한 폭을 갖는 간극 (US) 을 카운트하여, 연속성을 평가하였다. 또, 상기 (2) 의 평가 방법에서 얻어진 금속 배선간의 간극 (u) 에 있어서도, 동일하게 연속성을 평가하였다.

〔실시예 1〕

도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 동박 (제 1 금속박 (11), 미츠이 금속 광업 (주) 사 제조 3EC-M2S-VLP, 두께 : 12 ㎛) 과, 절연성 수지층 (10) (미츠비시 가스 화학 (주) 사 제조 GHPL-830NX A-IT56 (상품명), 절연성 수지층 (10) 의 두께 : 100 ㎛) 과, 동박 (제 2 금속박 (12), 미츠이 금속 광업 (주) 사 제조 3EC-M2S-VLP, 두께 : 12 ㎛) 이 이 순서로 적층된 금속박 피복 적층판 (21) 을 준비하였다. 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 에 대해, 과수 황산계의 소프트 에칭액 (미츠비시 가스 화학사 제조 CPE-700 (상품명)) 을 사용하여, 제 1 금속박 (11) 의 표면 및 제 2 금속박 (12) 의 표면을 각각 3 ∼ 5 ㎛ 의 범위의 두께를 갖도록 에칭하였다.

이어서, 금속박 피복 적층판 (21) 에 대해, 스루홀의 구멍내기 가공을 탄산 가스 (CO₂) 레이저 가공기 (미츠비시 전기 (주) 사 제조 GTW-4 (상품명)) 를 사용하여 실시하였다. 스루홀을 갖는 금속박 피복 적층판에 대해, 무전해 도금으로, 두께 0.3 ∼ 0.5 ㎛ 의 도금층을 형성한 후, 황산구리 (농도 : 60 ∼ 80 g/ℓ) 및 황산 (농도 : 150 ∼ 200 g/ℓ) 을 사용한 황산구리 도금에 의해, 15 ∼ 20 ㎛ 의 도금층을 가공함으로써, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 을 전기적으로 접속한 금속박 피복 적층판을 얻었다. 금속박 피복 적층판에 있어서의 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 에 대해, 과수 황산계의 소프트 에칭액 (미츠비시 가스 화학사 제조 CPE-700 (상품명)) 을 사용하여, 제 1 금속박 (11) 의 표면 및 제 2 금속박 (12) 의 표면을 각각 15 ㎛ 의 균일한 두께 (D_b) 및 (d_b) (두께의 변동 : 각각 25 ％) 를 갖도록 에칭하여, 도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 금속박 피복 적층판 (22) 을 얻었다.

이어서, 라우터 가공기 (히타치 비아메카닉스 (주) 사 제조) 로, 금속박 피복 적층판 (22) 에 위치 맞춤용의 구멍을 형성하였다. 그 후, 금속박 피복 적층판 (22) 의 양면 (제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 각각의 표면) 에, 온도 110±10 ℃, 압력 0.50±0.02 ㎫ 로 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 (주) 사 제조 RD-2010 (상품명)) 를 라미네이트하여, 제 1 레지스트층 (13) (두께 : 10 ㎛) 및 제 2 레지스트층 (14) (두께 : 10 ㎛) 을 형성하고, 도 1(c) 에 나타내는 바와 같이, 금속박 피복 적층판 (23) 을 얻었다.

이어서, 위치 맞춤용의 구멍을 기준으로 하여, 평행 노광기 ((주) 아도텍 엔지니어링사 제조 IP3650HH (상품명)) 를 사용하여, 레지스트 패턴간의 간극 (R) 및 (r) 이 각각 22 ㎛ 가 되도록, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 회로 패턴을 따라 노광하여, 마스킹을 실시하였다. 그 후, 2 유체 노즐을 갖는 스프레이 장치 (도쿄 화공기 (주) 사 제조 하이브리드 현상 장치 (상품명)) 를 사용하여, 스프레이압이 0.11 ㎫ 이고, 25 초의 분사 시간으로, 1 ％ 탄산나트륨 수용액 (현상액) 과 함께 공기를 분사함으로써, 드라이 필름 레지스트를 현상 처리하여, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 의 각각에 레지스트 패턴을 형성하고, 도 1(d) 에 나타내는 바와 같이, 금속박 피복 적층판 (24) 을 얻었다. 또한, 얻어진 레지스트 패턴은, 평행한 선상으로 형성되었다.

이어서, 금속박 피복 적층판 (24) 에 있어서, 2 유체 노즐을 갖는 스프레이 장치 (도쿄 화공기 (주) 사 제조 하이브리드 에칭 장치 (상품명)) 를 사용하여, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의, 각각의 금속 배선간의 간극 (S) 및 (s) 이 각각 25 ㎛ (설계치) 이고, 제 1 금속박 (11) 의 임의의 두께 (D_b) 와 금속 배선간의 간극 (S) 의 비 (S/D_b) 가 1.67 (설계치) 이기 때문에 1.6 을 넘고, 제 2 금속박 (12) 의 임의의 두께 (d_b) 와 금속 배선간의 간극 (s) 의 비 (s/d_b) 가 1.67 (설계치) 이기 때문에 1.6 을 넘고, 제 1 금속박 (11) 에 있어서의 금속 배선의 길이 (L) 가 1000 ㎛ 이고, 제 2 금속박 (12) 에 있어서의 금속 배선의 길이 (l) 가 1000 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (W_b) 과 금속 배선간의 간극 (S) 이 모두 동일 ((W_b) = (S)) 하고, 금속 배선의 폭 (w_b) 과 금속 배선간의 간극 (s) 이 모두 동일 ((w_b) = (s)) 하도록, 에칭액의 유량이 2.0 ℓ/min. 와 공기의 유량이 200 ℓ/min. 하에서, 에칭 레이트가 0.7 ㎛ /sec. 로, 염화제2구리 수용액 (구리 농도가 120 ∼ 180 g/ℓ 와, 염산 농도가 100 ∼ 150 g/ℓ 의 혼합액) 의 에칭액을 40 초 분사하여, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 을 각각 에칭하여, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 각각에 금속 배선을 갖는 금속박 피복 적층판 (25) 을 얻었다 (도 1(e)).

이어서, 3 ％ 수산화칼륨 수용액을 사용하여, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 박리 제거하여, 금속박 피복 적층판 (26) 을 얻었다 (도 1(f)).

얻어진 금속박 피복 적층판 (26) 을 측정한 결과, 제 1 금속박 (11) 의 면에 있어서, 금속 배선의 두께 (D) 는 15 ㎛ (두께의 변동 : 25 ％), 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 는 15 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (U) 은 25±5 ㎛ 이고, 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 은 25 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (W) 은 25±5 ㎛ 이고, 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 은 25 ㎛ 이고, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선간의 간극 (U) 의 비 (U/D) 는 1.067 (= (25－5) ㎛/(15＋15×25 ％) ㎛) 이고, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 의 비 (U_ave/D_ave) 는 1.67 이고, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선의 폭 (W) 의 비 (W/D) 는 1.067 (= (25－5) ㎛/(15＋15×25 ％) ㎛) 이고, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 의 비 (W_ave/D_ave) 는, 1.67 이었다. 제 2 금속박 (12) 의 면에 있어서는, 금속 배선의 두께 (d) 는 15 ㎛ (두께의 변동 : 25 ％), 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 는 15 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (u) 은 25±5 ㎛ 이고, 금속 배선간의 평균 간극 (u_ave) 은 25 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (w) 은 25±5 ㎛ 이고, 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 은 25 ㎛ 이고, 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선간의 간극 (u) 의 비 (u/d) 는 1.067 (= (25－5) ㎛/(15＋15×25 ％) ㎛) 이고, 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (u_ave) 의 비 (u_ave/d_ave) 는 1.67 이고, 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선의 폭 (w) 의 비 (w/d) 는 1.067 (= (25－5) ㎛/(15＋15×25 ％) ㎛) 이고, 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 의 비 (w_ave/d_ave) 는, 1.67 이었다. 또, 금속 배선간의 간극 (U) 은 25±5 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (u) 은 25±5 ㎛ 이기 때문에, 간극 (U) 및 (u) 모두, 평균치가 설계치 (25 ㎛) 에 대해 30 ％ 이내였다. 그 때문에, 얻어진 금속박 피복 적층판 (26) 은, 양호한 금속 배선을 갖는 것이 확인되었다. 얻어진 금속박 피복 적층판 (26) 에 있어서, 제 1 금속박 (11) 에 형성된 금속 배선간의 간극 (U) 중, 간극 (S) (25 ㎛) 과 동일한 폭을 갖는 간극 (US) 을 4 군데 연속해서 갖고, 제 2 금속박 (12) 에 형성된 금속 배선간의 간극 (u) 중, 간극 (s) (25 ㎛) 과 동일한 폭을 갖는 간극 (us) 을 4 군데 연속해서 갖는 것이 확인되었다. 얻어진 금속박 피복 적층판에서는, 금속 배선의 폭의 최소치가 20 ㎛ 였다.

그러므로, 금속박 피복 적층판 (26) 은, 금속 배선간의 간극이 균일하고 미세하여, 양호한 금속 배선을 갖는 것이 확인되었다.

〔실시예 2〕

금속박 피복 적층판 (21) 에 대해, 무전해 도금으로, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 각각에 두께 0.3 ∼ 0.5 ㎛ 의 도금층을 형성한 후, 황산구리 (농도 : 60 ∼ 80 g/ℓ) 및 황산 (농도 : 150 ∼ 200 g/ℓ) 을 사용한 황산구리 도금에 의해, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 각각에 15 ∼ 20 ㎛ 의 도금층을 가공함으로써 금속박 피복 적층판을 얻었다. 금속박 피복 적층판에 있어서의 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 에 대해, 과수 황산계의 소프트 에칭액 (미츠비시 가스 화학사 제조 CPE-700 (상품명)) 을 사용하여, 제 1 금속박 (11) 의 표면 및 제 2 금속박 (12) 의 표면을 각각 9 ㎛ 의 균일한 두께 (D_b) 및 (d_b) (두께의 변동 : 각각 20 ％) 를 갖도록 에칭하여, 도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 금속박 피복 적층판 (22) 을 얻었다 (단, 스루홀 및 비아홀을 갖지 않는다).

이어서, 라우터 가공기 (히타치 비아메카닉스 (주) 사 제조) 로, 금속박 피복 적층판 (22) 에 위치 맞춤용의 구멍을 형성하였다. 그 후, 금속박 피복 적층판 (22) 의 양면 (제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 각각의 표면) 에, 온도 110±10 ℃, 압력 0.50±0.02 ㎫ 로 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 (주) 사 제조 RD-2010 (상품명)) 를 라미네이트하여, 제 1 레지스트층 (13) (두께 : 10 ㎛) 및 제 2 레지스트층 (14) (두께 : 10 ㎛) 을 형성하고, 도 1(c) 에 나타내는 바와 같이, 금속박 피복 적층판 (23) 을 얻었다 (단, 스루홀 및 비아홀을 갖지 않는다).

이어서, 위치 맞춤용의 구멍을 기준으로 하여, 평행 노광기 ((주) 아도텍 엔지니어링사 제조 IP3650HH (상품명)) 를 사용하여, 레지스트 패턴간의 간극 (R) 및 (r) 이 각각 11 ㎛ 가 되도록, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 회로 패턴을 따라 노광하여, 마스킹을 실시하였다. 그 후, 2 유체 노즐을 갖는 스프레이 장치 (도쿄 화공기 (주) 사 제조 하이브리드 현상 장치 (상품명)) 를 사용하여, 스프레이압이 0.11 ㎫ 이고, 25 초의 분사 시간으로, 1 ％ 탄산나트륨 수용액 (현상액) 과 함께 공기를 분사함으로써, 드라이 필름 레지스트를 현상 처리하여, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 의 각각에 레지스트 패턴을 형성하고, 도 1(d) 에 나타내는 바와 같이, 금속박 피복 적층판 (24) 을 얻었다 (단, 스루홀 및 비아홀을 갖지 않는다). 또한, 얻어진 레지스트 패턴은, 평행한 선상으로 형성되었다.

이어서, 금속박 피복 적층판 (24) 에 있어서, 2 유체 노즐을 갖는 스프레이 장치 (도쿄 화공기 (주) 사 제조 하이브리드 에칭 장치 (상품명)) 를 사용하여, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의, 각각의 금속 배선간의 간극 (S) 및 (s) 이 각각 15 ㎛ (설계치) 이고, 제 1 금속박 (11) 의 임의의 두께 (D_b) 와 금속 배선간의 간극 (S) 의 비 (S/D_b) 가 1.67 (설계치) 이기 때문에 1.6 을 넘고, 제 2 금속박 (12) 의 임의의 두께 (d_b) 와 금속 배선간의 간극 (s) 의 비 (s/d_b) 가 1.67 (설계치) 이기 때문에 1.6 을 넘고, 제 1 금속박 (11) 에 있어서의 금속 배선의 길이 (L) 가 800 ㎛ 이고, 제 2 금속박 (12) 에 있어서의 금속 배선의 길이 (l) 가 800 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (W_b) 과 금속 배선간의 간극 (S) 이 모두 동일 ((W_b) = (S)) 하고, 금속 배선의 폭 (w_b) 과 금속 배선간의 간극 (s) 이 모두 동일 ((w_b) = (s)) 하도록, 에칭액의 유량이 2.0 ℓ/min. 과 공기의 유량이 200 ℓ/min. 하에서, 에칭 레이트가 0.7 ㎛/sec. 로, 염화제2구리 수용액 (구리 농도가 120 ∼ 180 g/ℓ 와, 염산 농도가 100 ∼ 150 g/ℓ 의 혼합액) 의 에칭액을 26 초 분사하여, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 을 각각 에칭하여, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 각각에 금속 배선을 갖는 금속박 피복 적층판 (25) 을 얻었다 (도 1(e), 단, 스루홀 및 비아홀을 갖지 않는다).

이어서, 3 ％ 수산화칼륨 수용액을 사용하여, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 박리 제거하고, 금속박 피복 적층판 (26) 을 얻었다 (도 1(f), 단, 스루홀 및 비아홀을 갖지 않는다).

얻어진 금속박 피복 적층판 (26) 을 측정한 결과, 제 1 금속박 (11) 의 면에 있어서, 금속 배선의 두께 (D) 는 9 ㎛ (두께의 변동 : 20 ％), 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 는 9 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (U) 은 15±3 ㎛ 이고, 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 은 15 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (W) 은 15±3 ㎛ 이고, 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 은 15 ㎛ 이고, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선간의 간극 (U) 의 비 (U/D) 는 1.11 이고, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 의 비 (U_ave/D_ave) 는 1.67 이고, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선의 폭 (W) 의 비 (W/D) 는 1.11 이고, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 의 비 (W_ave/D_ave) 는, 1.67 이었다. 제 2 금속박 (12) 의 면에 있어서는, 금속 배선의 두께 (d) 는 9 ㎛ (두께의 변동 : 25 ％), 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 는 9 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (u) 은 15±3 ㎛ 이고, 금속 배선간의 평균 간극 (u_ave) 은 15 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (w) 은 15±3 ㎛ 이고, 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 은 15 ㎛ 이고, 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선간의 간극 (u) 의 비 (u/d) 는 1.11 이고, 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (u_ave) 의 비 (u_ave/d_ave) 는 1.67 이고, 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선의 폭 (w) 의 비 (w/d) 는 1.11 이고, 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 의 비 (w_ave/d_ave) 는, 1.67 이었다. 또, 금속 배선간의 간극 (U) 은 15±3 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (u) 은 15±3 ㎛ 이기 때문에, 간극 (U) 및 (u) 모두, 평균치가 설계치 (15 ㎛) 에 대해 30 ％ 이내였다. 그 때문에, 얻어진 금속박 피복 적층판 (26) 은, 양호한 금속 배선을 갖는 것이 확인되었다. 얻어진 금속박 피복 적층판 (26) 에 있어서, 제 1 금속박 (11) 에 형성된 금속 배선간의 간극 (U) 중, 간극 (S) (15 ㎛) 와 동일한 폭을 갖는 간극 (US) 을 4 군데 연속해서 갖고, 제 2 금속박 (12) 에 형성된 금속 배선간의 간극 (u) 중, 간극 (s) (15 ㎛) 과 동일한 폭을 갖는 간극 (us) 을 4 군데 연속해서 갖는 것이 확인되었다. 얻어진 금속박 피복 적층판에서는, 금속 배선의 폭의 최소치가 12 ㎛ 였다.

그러므로, 금속박 피복 적층판 (26) 은, 금속 배선간의 간극이 균일하고 미세해서, 양호한 금속 배선을 갖는 것이 확인되었다.

〔실시예 3〕

도 1(a) 에 나타내는 바와 같이, 동박 (제 1 금속박 (11), 미츠이 금속 광업 (주) 사 제조 3EC-M2S-VLP, 두께 : 12 ㎛) 과, 절연성 수지층 (10) (미츠비시 가스 화학 (주) 사 제조 GHPL-830NX A-IT56 (상품명), 절연성 수지층 (10) 의 두께 : 100 ㎛) 과, 동박 (제 2 금속박 (12), 미츠이 금속 광업 (주) 사 제조 3EC-M2S-VLP, 두께 : 12 ㎛) 이 이 순서로 적층된 금속박 피복 적층판 (21) 을 준비하였다. 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 에 대해, 과수 황산계의 소프트 에칭액 (미츠비시 가스 화학사 제조 CPE-700 (상품명)) 을 사용하여, 제 1 금속박 (11) 의 표면 및 제 2 금속박 (12) 의 표면을 각각 9 ㎛ 의 균일한 두께 (D_b) 및 (d_b) (두께의 변동 : 각각 15 ％) 를 갖도록 에칭하고, 도 1(b) 에 나타내는 바와 같이, 금속박 피복 적층판 (22) 을 얻었다 (단, 스루홀 및 비아홀을 갖지 않는다).

이어서, 위치 맞춤용의 구멍을 기준으로 하여, 평행 노광기 ((주) 아도텍 엔지니어링사 제조 IP3650HH (상품명)) 를 사용하여, 레지스트 패턴간의 간극 (R) 및 (r) 이 각각 12 ㎛ 가 되도록, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 회로 패턴을 따라 노광하여, 마스킹을 실시하였다. 그 후, 2 유체 노즐을 갖는 스프레이 장치 (도쿄 화공기 (주) 사 제조 하이브리드 현상 장치 (상품명)) 를 사용하여, 스프레이압이 0.11 ㎫ 이고, 25 초의 분사 시간으로, 1 ％ 탄산나트륨 수용액 (현상액) 과 함께 공기를 분사함으로써, 드라이 필름 레지스트를 현상 처리하여, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 의 각각에 레지스트 패턴을 형성하고, 도 1(d) 에 나타내는 바와 같이, 금속박 피복 적층판 (24) 을 얻었다 (단, 스루홀 및 비아홀을 갖지 않는다). 또한, 얻어진 레지스트 패턴은, 평행한 선상으로 형성되었다.

이어서, 금속박 피복 적층판 (24) 에 있어서, 2 유체 노즐을 갖는 스프레이 장치 (도쿄 화공기 (주) 사 제조 하이브리드 에칭 장치 (상품명)) 를 사용하여, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의, 각각의 금속 배선간의 간극 (S) 및 (s) 이 각각 15 ㎛ (설계치) 이고, 제 1 금속박 (11) 의 임의의 두께 (D_b) 와 금속 배선간의 간극 (S) 의 비 (S/D_b) 가 1.67 (설계치) 이기 때문에 1.6 을 넘고, 제 2 금속박 (12) 의 임의의 두께 (d_b) 와 금속 배선간의 간극 (s) 의 비 (s/d_b) 가 1.67 (설계치) 이기 때문에 1.6 을 넘고, 제 1 금속박 (11) 에 있어서의 금속 배선의 길이 (L) 가 500 ㎛ 이고, 제 2 금속박 (12) 에 있어서의 금속 배선의 길이 (l) 가 500 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (W_b) 과 금속 배선간의 간극 (S) 이 모두 동일 ((W_b) = (S)) 하고, 금속 배선의 폭 (w_b) 과 금속 배선간의 간극 (s) 이 모두 동일 ((w_b) = (s)) 하도록, 에칭액의 유량이 2.0 ℓ/min. 과 공기의 유량이 200 ℓ/min. 하에서, 에칭 레이트가 0.7 ㎛ /sec. 로, 염화제2구리 수용액 (구리 농도가 120 ∼ 180 g/ℓ 와 염산 농도가 100 ∼ 150 g/ℓ 의 혼합액) 의 에칭액을 22 초 분사하여, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 을 각각 에칭하여, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 각각에 금속 배선을 갖는 금속박 피복 적층판 (25) 을 얻었다 (도 1(e), 단, 스루홀 및 비아홀을 갖지 않는다).

이어서, 3 ％ 수산화칼륨 수용액을 사용하여, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 박리 제거하여, 금속박 피복 적층판 (26) 을 얻었다 (도 1(f), 단, 스루홀 및 비아홀을 갖지 않는다).

얻어진 금속박 피복 적층판 (26) 을 측정한 결과, 제 1 금속박 (11) 의 면에 있어서, 금속 배선의 두께 (D) 는 9 ㎛ (두께의 변동 : 15 ％), 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 는 9 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (U) 은 15±1.5 ㎛ 이고, 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 은 15 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (W) 은 15±1.5 ㎛ 이고, 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 은 15 ㎛ 이고, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선간의 간극 (U) 의 비 (U/D) 는 1.30 이고, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 의 비 (U_ave/D_ave) 는 1.67 이고, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선의 폭 (W) 의 비 (W/D) 는 1.30 이고, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 의 비 (W_ave/D_ave) 는, 1.67 이었다. 제 2 금속박 (12) 의 면에 있어서, 금속 배선의 두께 (d) 는 9 ㎛ (두께의 변동 : 15 ％), 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 는 9 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (u) 은 15±1.5 ㎛ 이고, 금속 배선간의 평균 간극 (d_ave) 은 15 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (w) 은 15±1.5 ㎛ 이고, 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 은 15 ㎛ 이고, 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선간의 간극 (u) 의 비 (u/d) 는 1.30 이고, 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (u_ave) 의 비 (u_ave/d_ave) 는 1.67 이고, 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선의 폭 (w) 의 비 (w/d) 는 1.30 이고, 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 의 비 (w_ave/d_ave) 는, 1.67 이었다. 또, 금속 배선간의 간극 (U) 은 15±1.5 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (u) 은 15±1.5 ㎛ 이기 때문에, 간극 (U) 및 (u) 모두, 평균치가 설계치 (15 ㎛) 에 대해 30 ％ 이내였다. 그 때문에, 얻어진 금속박 피복 적층판 (26) 은, 양호한 금속 배선을 갖는 것이 확인되었다. 얻어진 금속박 피복 적층판 (26) 에 있어서, 제 1 금속박 (11) 에 형성된 금속 배선간의 간극 (U) 중, 간극 (S) (15 ㎛) 와 동일한 폭을 갖는 간극 (US) 을 2 군데 연속해서 갖고, 제 2 금속박 (12) 에 형성된 금속 배선간의 간극 (u) 중, 간극 (s) (15 ㎛) 와 동일한 폭을 갖는 간극 (us) 을 2 군데 연속해서 갖는 것이 확인되었다. 얻어진 금속박 피복 적층판에서는, 금속 배선의 폭의 최소치가 13 ㎛ 였다.

〔비교예 1〕

동박 (제 1 금속박 (11), 미츠이 금속 광업 (주) 사 제조 3EC-M2S-VLP, 두께 : 12 ㎛) 과, 절연성 수지층 (10) (미츠비시 가스 화학 (주) 사 제조 GHPL-830NX A-IT56 (상품명), 절연성 수지층 (10) 의 두께 : 100 ㎛) 과, 동박 (제 2 금속박 (12), 미츠이 금속 광업 (주) 사 제조 3EC-M2S-VLP, 두께 : 12 ㎛) 이 이 순서로 적층된 금속박 피복 적층판 (21) 을 준비하였다. 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 에 대해, 과수 황산계의 소프트 에칭액 (미츠비시 가스 화학사 제조 CPE-700 (상품명)) 을 사용하여, 제 1 금속박 (11) 의 표면 및 제 2 금속박 (12) 의 표면을 각각 3 ∼ 5 ㎛ 의 범위의 두께를 갖도록 에칭하였다.

이어서, 금속박 피복 적층판 (21) 에 대해, 스루홀의 구멍내기 가공을 탄산 가스 (CO₂) 레이저 가공기 (미츠비시 전기 (주) 사 제조 GTW-4 (상품명)) 를 사용하여 실시하였다. 스루홀을 갖는 금속박 피복 적층판에 대해, 무전해 도금으로, 두께 0.3 ∼ 0.5 ㎛ 의 도금층을 형성한 후, 황산구리 (농도 : 60 ∼ 80 g/ℓ) 및 황산 (농도 : 150 ∼ 200 g/ℓ) 을 사용한 황산구리 도금에 의해, 15 ∼ 20 ㎛ 의 도금층을 가공함으로써, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 을 전기적으로 접속한 금속박 피복 적층판을 얻었다. 금속박 피복 적층판에 있어서의 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 에 대해, 과수 황산계의 소프트 에칭액 (미츠비시 가스 화학사 제조 CPE-700 (상품명)) 을 사용하여, 제 1 금속박 (11) 의 표면 및 제 2 금속박 (12) 의 표면을 각각 18 ㎛ 의 균일한 두께 (D_b) 및 (d_b) (두께의 변동 : 각각 25 ％) 를 갖도록 에칭하여, 금속박 피복 적층판 (22) 을 얻었다.

이어서, 라우터 가공기 (히타치 비아메카닉스 (주) 사 제조) 로, 금속박 피복 적층판 (22) 에 위치 맞춤용의 구멍을 형성하였다. 그 후, 금속박 피복 적층판 (22) 의 양면 (제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 각각의 표면) 에, 온도 110±10 ℃, 압력 0.50±0.02 ㎫ 로 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 (주) 사 제조 RD-2010 (상품명)) 를 라미네이트하여, 제 1 레지스트층 (13) (두께 : 10 ㎛) 및 제 2 레지스트층 (14) (두께 : 10 ㎛) 을 형성하고, 금속박 피복 적층판 (23) 을 얻었다.

이어서, 위치 맞춤용의 구멍을 기준으로 하여, 평행 노광기 ((주) 아도텍 엔지니어링사 제조 IP3650HH (상품명)) 를 사용하여, 레지스트 패턴간의 간극 (R) 및 (r) 이 각각 22 ㎛ 가 되도록, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 회로 패턴을 따라 노광하여, 마스킹을 실시하였다. 그 후, 2 유체 노즐을 갖는 스프레이 장치 (도쿄 화공기 (주) 사 제조 하이브리드 현상 장치 (상품명)) 를 사용하여, 스프레이압이 0.11 ㎫ 이고, 25 초의 분사 시간으로, 1 ％ 탄산나트륨 수용액 (현상액) 과 함께 공기를 분사함으로써, 드라이 필름 레지스트를 현상 처리하여, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 의 각각에 레지스트 패턴이 형성된 금속박 피복 적층판 (24) 을 얻었다. 또한, 얻어진 레지스트 패턴은, 평행한 선상으로 형성되었다.

이어서, 금속박 피복 적층판 (24) 에 있어서, 2 유체 노즐을 갖는 스프레이 장치 (도쿄 화공기 (주) 사 제조 하이브리드 에칭 장치 (상품명)) 를 사용하여, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의, 각각의 금속 배선간의 간극 (S) 및 (s) 이 각각 25 ㎛ (설계치) 이고, 제 1 금속박 (11) 의 임의의 두께 (D_b) 와 금속 배선간의 간극 (S) 의 비 (S/D_b) 가 1.39 (설계치) 이기 때문에 1.6 이하이고, 제 2 금속박 (12) 의 임의의 두께 (d_b) 와 금속 배선간의 간극 (s) 의 비 (s/d_b) 가 1.39 (설계치) 이기 때문에 1.6 이하이며, 제 1 금속박 (11) 에 있어서의 금속 배선의 길이 (L) 가 1000 ㎛ 이고, 제 2 금속박 (12) 에 있어서의 금속 배선의 길이 (l) 가 1000 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (W_b) 과 금속 배선간의 간극 (S) 이 모두 동일 ((W_b) = (S)) 하고, 금속 배선의 폭 (w_b) 과 금속 배선간의 간극 (s) 이 모두 동일 ((w_b) = (s)) 하도록, 에칭액의 유량이 2.0 ℓ/min. 과 공기의 유량이 200 ℓ/min. 하에서, 에칭 레이트가 0.7 ㎛ /sec. 로, 염화제2구리 수용액 (구리 농도가 120 ∼ 180 g/ℓ 와 염산 농도가 100 ∼ 150 g/ℓ 의 혼합액) 의 에칭액을 40 초 분사하여, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 을 각각 에칭하였다.

이어서, 3 ％ 수산화칼륨 수용액을 사용하여, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 박리 제거하여, 금속박 피복 적층판 A 를 얻었다.

얻어진 금속박 피복 적층판 A 에서는, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 모두, 금속 배선의 금속 부분이, 금속박의 표면으로부터 절연성 수지층을 향하여, 끝으로 갈수록 넓게 에칭되어, 이른바 「늘어짐」이 발생하여, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 형성하기가 어려웠다. 또, 「늘어짐」이 발생했기 때문에, 절연성 수지층의 근방에서 배선이 단락되었다.

〔비교예 2〕

비교예 1 에 있어서, 절연성 수지층의 근방에서 배선이 단락되었기 때문에, 염화제2구리 수용액과 공기에 의한 에칭 시간을 길게 하였다. 즉, 에칭액의 유량이 2.0 ℓ/min. 과 공기의 유량이 200 ℓ/min. 하에서, 에칭 레이트가 0.7 ㎛ /sec. 로, 염화제2구리 수용액 (구리 농도가 120 ∼ 180 g/ℓ 와 염산 농도가 100 ∼ 150 g/ℓ 의 혼합액) 의 에칭액을 50 초 분사하여, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 을 각각 에칭하였다. 이어서, 3 ％ 수산화칼륨 수용액을 사용하여, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 박리 제거하여, 금속박 피복 적층판 B 를 얻었다.

얻어진 금속박 피복 적층판 B 를 측정한 결과, 제 1 금속박 (11) 의 면에 있어서, 금속 배선의 두께 (D) 는 18 ㎛ (두께의 변동 : 25 ％), 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 는 18 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (U) 은 27±6 ㎛ 이고, 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 은 27 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (W) 은 23±6 ㎛ 이고, 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 은 23 ㎛ 이고, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선간의 간극 (U) 의 비 (U/D) 는 0.93 이고, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 의 비 (U_ave/D_ave) 는 1.50 이고, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선의 폭 (W) 의 비 (W/D) 는 0.76 이고, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 의 비 (W_ave/D_ave) 는, 1.28 이었다. 제 2 금속박 (12) 의 면에 있어서, 금속 배선의 두께 (d) 는 18 ㎛ (두께의 변동 : 25 ％), 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 는 18 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (u) 은 27±6 ㎛ 이고, 금속 배선간의 평균 간극 (u_ave) 은 27 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (w) 은 23±6 ㎛ 이고, 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 은 23 ㎛ 이고, 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선간의 간극 (u) 의 비 (u/d) 는 0.93 이고, 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (u_ave) 의 비 (u_ave/d_ave) 는 1.50 이고, 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선의 폭 (w) 의 비 (w/d) 는 0.76 이고, 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 의 비 (w_ave/d_ave) 는, 1.28 이었다. 또, 금속 배선간의 간극 (U) 은 27±6 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (u) 은 27±6 ㎛ 이기 때문에, 간극 (U) 및 (u) 모두, 평균치가 설계치 (25 ㎛) 에 대해 32 ％ 였다. 그 때문에, 금속 배선간의 간극은 불량이었다.

또, 얻어진 금속박 피복 적층판에서는, 금속 배선의 폭의 최소치가 17 ㎛ 가 되었다. 배선폭이 좁아지면 전기 신호의 전달 손실이 커지고, 단선의 위험성도 높아졌다.

〔비교예 3〕

금속박 피복 적층판 (21) 에 대해, 무전해 도금으로, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 각각에 두께 0.3 ∼ 0.5 ㎛ 의 도금층을 형성한 후, 황산구리 (농도 : 60 ∼ 80 g/ℓ) 및 황산 (농도 : 150 ∼ 200 g/ℓ) 을 사용한 황산구리 도금에 의해, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 각각에 15 ∼ 20 ㎛ 의 도금층을 가공함으로써 금속박 피복 적층판을 얻었다. 금속박 피복 적층판에 있어서의 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 에 대해, 과수 황산계의 소프트 에칭액 (미츠비시 가스 화학사 제조 CPE-700 (상품명)) 을 사용하여, 제 1 금속박 (11) 의 표면 및 제 2 금속박 (12) 의 표면을 각각 11 ㎛ 의 균일한 두께 (D_b) 및 (d_b) (두께의 변동 : 각각 20 ％) 를 갖도록 에칭하여, 금속박 피복 적층판 (22) 을 얻었다 (단, 스루홀 및 비아홀을 갖지 않는다).

이어서, 라우터 가공기 (히타치 비아메카닉스 (주) 사 제조) 로, 금속박 피복 적층판 (22) 에 위치 맞춤용의 구멍을 형성하였다. 그 후, 금속박 피복 적층판 (22) 의 양면 (제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의 각각의 표면) 에, 온도 110±10 ℃, 압력 0.50±0.02 ㎫ 로 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 (주) 사 제조 RD-2010 (상품명)) 을 라미네이트하여, 제 1 레지스트층 (13) (두께 : 10 ㎛) 및 제 2 레지스트층 (14) (두께 : 10 ㎛) 을 형성하고, 금속박 피복 적층판 (23) 을 얻었다 (단, 스루홀 및 비아홀을 갖지 않는다).

이어서, 위치 맞춤용의 구멍을 기준으로 하여, 평행 노광기 ((주) 아도텍 엔지니어링사 제조 IP-3650HH (상품명)) 를 사용하여, 레지스트 패턴간의 간극 (R) 및 (r) 이 각각 11 ㎛ 가 되도록, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 회로 패턴을 따라 노광하여, 마스킹을 실시하였다. 그 후, 2 유체 노즐을 갖는 스프레이 장치 (도쿄 화공기 (주) 사 제조 하이브리드 현상 장치 (상품명)) 를 사용하여, 스프레이압이 0.11 ㎫ 이고, 25 초의 분사 시간으로, 1 ％ 탄산나트륨 수용액 (현상액) 과 함께 공기를 분사함으로써, 드라이 필름 레지스트를 현상 처리하여, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 의 각각에 레지스트 패턴이 형성된 금속박 피복 적층판 (24) 을 얻었다 (단, 스루홀 및 비아홀을 갖지 않는다). 또한, 얻어진 레지스트 패턴은, 평행한 선상으로 형성되었다.

이어서, 금속박 피복 적층판 (24) 에 있어서, 2 유체 노즐을 갖는 스프레이 장치 (도쿄 화공기 (주) 사 제조 하이브리드 에칭 장치 (상품명)) 를 사용하여, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 의, 각각의 금속 배선간의 간극 (S) 및 (s) 이 각각 15 ㎛ (설계치) 이고, 제 1 금속박 (11) 의 임의의 두께 (D_b) 와 금속 배선간의 간극 (S) 의 비 (S/D_b) 가 1.36 (설계치) 이기 때문에 1.6 이하이고, 제 2 금속박 (12) 의 임의의 두께 (d_b) 와 금속 배선간의 간극 (s) 의 비 (s/d_b) 가 1.36 (설계치) 이기 때문에 1.6 이하이고, 제 1 금속박 (11) 에 있어서의 금속 배선의 길이 (L) 가 1000 ㎛ 이고, 제 2 금속박 (12) 에 있어서의 금속 배선의 길이 (l) 가 1000 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (W_b) 과 금속 배선간의 간극 (S) 이 모두 동일 ((W_b) = (S)) 하고, 금속 배선의 폭 (w_b) 과 금속 배선간의 간극 (s) 이 모두 동일 ((w_b) = (s)) 하도록, 에칭액의 유량이 2.0 ℓ/min. 과 공기의 유량이 200 ℓ/min. 하에서, 에칭 레이트가 0.7 ㎛ /sec. 로, 염화제2구리 수용액 (구리 농도가 120 ∼ 180 g/ℓ 와 염산 농도가 100 ∼ 150 g/ℓ 의 혼합액) 의 에칭액을 26 초 분사하여, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 을 각각 에칭하였다. 이어서, 3 ％ 수산화칼륨 수용액을 사용하여, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 박리 제거하여, 금속박 피복 적층판 C 를 얻었다.

얻어진 금속박 피복 적층판 C 에서는, 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 모두, 금속 배선의 금속 부분이, 금속박의 표면으로부터 절연성 수지층을 향하여, 끝으로 갈수록 넓게 에칭되어, 이른바 「늘어짐」이 발생하여, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 형성하기가 어려웠다. 또, 「늘어짐」이 발생했기 때문에, 절연성 수지층의 근방에서 배선이 단락되었다.

〔비교예 4〕

비교예 2 에 있어서, 절연성 수지층의 근방에서 배선이 단락되었기 때문에, 염화제2구리 수용액과 공기에 의한 에칭 시간을 길게 하였다. 즉, 에칭액의 유량이 2.0 ℓ/min. 과 공기의 유량이 200 ℓ/min. 하에서, 에칭 레이트가 0.7 ㎛ /sec. 로, 염화제2구리 수용액 (구리 농도가 120 ∼ 180 g/ℓ 와 염산 농도가 100 ∼ 150 g/ℓ 의 혼합액) 의 에칭액을 36 초 분사하여, 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 제 1 금속박 (11) 및 제 2 금속박 (12) 을 각각 에칭하였다. 이어서, 3 ％ 수산화칼륨 수용액을 사용하여, 제 1 레지스트층 (13) 및 제 2 레지스트층 (14) 을 박리 제거하여, 금속박 피복 적층판 D 를 얻었다.

얻어진 금속박 피복 적층판 D 를 측정한 결과, 제 1 금속박 (11) 의 면에 있어서, 금속 배선의 두께 (D) 는 11 ㎛ (두께의 변동 : 20 ％), 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 는 11 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (U) 은 20±3 ㎛ 이고, 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 은 20 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (W) 은 10±3 ㎛ 이고, 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 은 10 ㎛ 이고, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선간의 간극 (U) 의 비 (U/D) 는 1.28 이고, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 의 비 (U_ave/D_ave) 는 1.81 이고, 금속 배선의 두께 (D) 와 금속 배선의 폭 (W) 의 비 (W/D) 는 0.53 이고, 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (W_ave) 의 비 (W_ave/D_ave) 는, 0.91 이었다. 제 2 금속박 (12) 의 면에 있어서, 금속 배선의 두께 (d) 는 11 ㎛ (두께의 변동 : 20 ％), 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 는 11 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (u) 은 20±3 ㎛ 이고, 금속 배선간의 평균 간극 (u_ave) 은 20 ㎛ 이고, 금속 배선의 폭 (w) 은 10±3 ㎛ 이고, 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 은 10 ㎛ 이고, 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선간의 간극 (u) 의 비 (u/d) 는 1.28 이고, 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선간의 평균 간극 (u_ave) 의 비 (u_ave/d_ave) 는 1.81 이고, 금속 배선의 두께 (d) 와 금속 배선의 폭 (w) 의 비 (w/d) 는 0.53 이고, 금속 배선의 평균 두께 (d_ave) 와 금속 배선의 평균 폭 (w_ave) 의 비 (w_ave/d_ave) 는, 0.91 이었다. 또, 금속 배선간의 간극 (U) 은 20±3 ㎛ 이고, 금속 배선간의 간극 (u) 은 20±3 ㎛ 이기 때문에, 간극 (U) 및 (u) 모두, 평균치가 설계치 (15 ㎛) 에 대해 53 ％ 였다. 그 때문에, 금속 배선간의 간극은 불량이었다.

또, 얻어진 금속박 피복 적층판에서는, 금속 배선의 폭의 최소치가 9 ㎛ 가 되었다. 배선폭이 좁아지면 전기 신호의 전달 손실이 커지고, 단선의 위험성도 높아졌다.

본 출원은, 2019년 5월 9일 출원된 일본 특허출원 (특원 2019-88770) 에 기초하는 것으로, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.

산업상 이용가능성

본 발명에 의하면, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 갖는 프린트 배선판을 높은 생산성으로 제조할 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 금속 배선간의 간극이 균일하고, 미세한 배선을 갖는 프린트 배선판을 제공할 수 있다.

10 : 절연성 수지층
11 : 제 1 금속박
12 : 제 2 금속박
13 : 제 1 레지스트층
14 : 제 2 레지스트층
21 : 금속박 피복 적층판
22 : 구멍내기 및 도금 가공이 실시된 금속박 피복 적층판
23 : 제 1 레지스트층 및 제 2 레지스트층이 형성된 금속박 피복 적층판
24 : 레지스트 패턴이 형성된 금속박 피복 적층판
25 : 금속 배선이 형성된 금속박 피복 적층판
26 : 제 1 레지스트층 및 제 2 레지스트층이 제거된 금속박 피복 적층판
31 : 현상액을 분무하는 스프레이
32 : 에칭액을 분무하는 스프레이
41 : 레지스트 패턴간의 간극 (R)
42 : 금속 배선간의 간극 (S)
43 : 금속박의 임의의 두께 (D_b 및 D)
44 : 금속 배선의 폭 (W_b 및 W)

Claims

3 ∼ 20 ㎛ 의 범위에서 임의의 두께 (D_b) 를 갖는 금속박과, 절연성 수지층이 적층된 금속박 피복 적층판을 준비하는 공정과,
상기 금속박의 표면에 레지스트층을 형성하는 공정과,
상기 레지스트층에 대해 노광 현상을 실시하여, 레지스트 패턴을 형성하는 공정과,
스프레이에 의해 에칭액을 분사함으로써, 상기 레지스트 패턴이 형성되어 있지 않은 부분의 상기 금속박을 에칭하여, 금속 배선을 형성하는 공정과,
상기 레지스트층을 제거하는 공정을 포함하고,
상기 금속 배선을 형성하는 공정에서는, 상기 금속 배선간의 간극 (S) 이 15 ∼ 50 ㎛ 를 포함하고, 또한, 상기 금속박의 임의의 두께 (D_b) 와 상기 금속 배선간의 간극 (S) 의 비 (S/D_b) 가 1.6 을 넘도록 상기 금속 배선을 형성하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 에칭이, 스프레이에 의해, 에칭액과 함께 공기를 분사함으로써 실시하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 레지스트 패턴을 형성하는 공정에 있어서, 상기 레지스트 패턴간의 간극 (R) 을 상기 금속 배선간의 간극 (S) 보다 1 ∼ 5 ㎛ 좁아지도록 형성하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 프린트 배선판이, 상기 금속박에 형성된 금속 배선간의 간극 (U) 중, 상기 금속 배선간의 간극 (S) 과 동일한 폭을 갖는 간극 (US) 을 2 군데 이상 연속해서 갖는, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 배선을 형성하는 공정에 있어서, 상기 금속 배선의 폭 (W_b) 과 상기 금속 배선간의 간극 (S) 이, 동일 ((W_b) = (S)) 하도록 형성하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속박 피복 적층판을 준비하는 공정에 있어서, 상기 금속박이, 3 ∼ 20 ㎛ 의 범위에서 임의의 두께 (D_b) 가 되도록, 상기 금속박의 두께를 조정하여 얻어진 금속박인, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속박의 표면에 형성된 레지스트층의 두께가 15 ㎛ 이하인, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 배선을 형성하는 공정에 있어서, 상기 금속 배선의 길이 (L) 가 100 ㎛ 이상이도록 형성하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속박이 동박인, 프린트 배선판의 제조 방법.
절연성 수지층과, 상기 절연성 수지층에 적층된 금속 배선을 갖고,
상기 금속 배선의 두께 (D) 가 3 ∼ 20 ㎛ 이고,
상기 금속 배선간의 간극 (U) 이 12 ∼ 50 ㎛ 이고,
상기 금속 배선의 폭 (W) 이 12 ∼ 50 ㎛ 이고,
상기 금속 배선의 두께 (D) 와 상기 금속 배선간의 간극 (U) 의 비 (U/D) 가 1.0 이상이고,
상기 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 상기 금속 배선간의 평균 간극 (U_ave) 의 비 (U_ave/D_ave) 가 1.60 ∼ 1.80 이고,
상기 금속 배선의 두께 (D) 와 상기 금속 배선의 폭 (W) 의 비 (W/D) 가 1.0 이상이며, 또한,
상기 금속 배선의 평균 두께 (D_ave) 와 상기 금속 배선의 평균폭 (W_ave) 의 비 (W_ave/D_ave) 가 1.60 ∼ 1.80 인, 프린트 배선판.