KR20210158407A - 극자외선 마스크 흡수체 재료들 - Google Patents

극자외선 마스크 흡수체 재료들 Download PDF

Info

Publication number
KR20210158407A
KR20210158407A KR1020217041708A KR20217041708A KR20210158407A KR 20210158407 A KR20210158407 A KR 20210158407A KR 1020217041708 A KR1020217041708 A KR 1020217041708A KR 20217041708 A KR20217041708 A KR 20217041708A KR 20210158407 A KR20210158407 A KR 20210158407A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tellurium
germanium
alloy
euv
extreme ultraviolet
Prior art date
Application number
KR1020217041708A
Other languages
English (en)
Inventor
슈웨이 리우
비부 진달
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20210158407A publication Critical patent/KR20210158407A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48—Protective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/52—Reflectors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/80—Etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크들, 이들의 제조 방법들 및 이들을 위한 생산 시스템들이 개시된다. EUV 마스크 블랭크들은 기판; 기판 상의 반사성 층들의 다층 스택; 반사 층들의 다층 스택 상의 캡핑 층; 및 캡핑 층 상의 흡수체 층을 포함하며, 흡수체 층은 텔루륨 및 게르마늄으로 만들어진다.

Description

극자외선 마스크 흡수체 재료들
[0001] 본 개시내용은 일반적으로 극자외선 리소그래피에 관한 것으로, 더 구체적으로는 합금 흡수체를 갖는 극자외선 마스크 블랭크들 및 제조 방법들에 관한 것이다.
[0002] 소프트 x-선 투영 리소그래피로서 또한 알려진 극자외선(EUV; extreme ultraviolet) 리소그래피는 0.0135 미크론 이하의 최소 피처(feature) 사이즈 반도체 디바이스들의 제조를 위해 사용된다. 그러나, 일반적으로 5 내지 100 나노미터 파장 범위에 있는 극자외선 광은 사실상 모든 재료들에 강하게 흡수된다. 그러한 이유로, 극자외선 시스템들은 광의 투과에 의해서가 아닌 반사에 의해 작동한다. 일련의 미러들 또는 렌즈 엘리먼트들, 그리고 비-반사성 흡수체 마스크 패턴으로 코팅된 반사성 엘리먼트 또는 마스크 블랭크의 사용을 통해, 패터닝된 화학 광(actinic light)이 레지스트-코팅된 반도체 기판 상으로 반사된다.
[0003] 극자외선 리소그래피 시스템들의 렌즈 엘리먼트들 및 마스크 블랭크들은 몰리브데넘 및 실리콘과 같은 재료들의 반사성 다층 코팅들로 코팅된다. 렌즈 엘리먼트 또는 마스크 블랭크 당 대략 65%의 반사 값들은, 극도로 좁은 자외선 대역통과, 예컨대, 13.5 나노미터 자외선 광에 대해 12.5 내지 14.5 나노미터 대역통과 내에서 광을 강하게 반사하는 다층 코팅들로 코팅된 기판들을 사용함으로써 획득되었다.
[0004] 도 1은, 브래그 간섭에 의해 마스킹되지 않은 부분들에서 EUV 방사선을 반사하는 반사성 다층 스택(12)을 기판(14) 상에 포함하는, EUV 마스크 블랭크로 형성된 종래의 EUV 반사성 마스크(10)를 도시한다. 종래의 EUV 반사성 마스크(10)의 마스킹된(비-반사성) 영역들(16)은, 버퍼 층(18) 및 흡수 층(20)을 에칭함으로써 형성된다. 흡수 층은 통상적으로 51 nm 내지 77 nm 범위의 두께를 갖는다. 캡핑 층(22)이 반사성 다층 스택(12) 위에 형성되고, 에칭 프로세스 동안 반사성 다층 스택(12)을 보호한다. 아래에서 추가로 논의될 바와 같이, EUV 마스크 블랭크들은 다층들, 캡핑 층 및 흡수 층으로 코팅된 저 열 팽창 재료 기판 상에 만들어지며, 이어서, 이 흡수 층은 마스킹된(비-반사성) 영역들(16) 및 반사성 영역들(24)을 제공하도록 에칭된다.
[0005] ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)는 기술의 최소 하프-피치(half-pitch) 피처 사이즈의 어떤 퍼센트로서 노드의 오버레이 요건을 특정한다. 모든 반사성 리소그래피 시스템들에 내재된 이미지 배치 및 오버레이 에러들에 대한 영향으로 인해, EUV 반사성 마스크들은 향후 생산을 위해 더 정밀한 평탄도 규격(flatness specification)들을 준수할 필요가 있을 것이다. 추가적으로, EUV 블랭크들은 블랭크의 작동 영역 상의 결함들에 대해 매우 낮은 공차를 갖는다. 더욱이, 흡수 층의 역할은 광을 흡수하는 것이지만, 흡수체 층의 굴절률과 진공의 굴절률(n = 1) 사이의 차이로 인한 위상 시프트 효과가 또한 있으며, 이 위상 시프트는 3D 마스크 효과들을 설명한다. 3D 마스크 효과들을 완화시키기 위해 더 얇은 흡수체를 갖는 EUV 마스크 블랭크들을 제공할 필요가 있다.
[0006] 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들은 EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법에 관한 것으로, 방법은, 기판 상에, EUV 방사선을 반사하는 다층 스택을 형성하는 단계 ―다층 스택은 복수의 반사성 층 쌍들을 포함함―; 다층 스택 상에 캡핑 층을 형성하는 단계; 및 캡핑 층 상에 흡수체 층을 형성하는 단계를 포함하며, 흡수체 층은 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함한다.
[0007] 본 개시내용의 추가적인 실시예들은 EUV 마스크 블랭크에 관한 것으로, EUV 마스크 블랭크는, 기판; EUV 방사선을 반사하는 다층 스택 ―다층 스택은 복수의 반사성 층 쌍들을 포함함―; 반사 층들의 다층 스택 상의 캡핑 층; 및 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함하는 흡수체 층을 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 상세한 설명은 실시예들을 참조로 하여 이루어질 수 있으며, 이러한 실시예들 중 일부는 첨부된 도면들에 예시된다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 통상적인 실시예들을 예시하므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 종래의 흡수체를 이용하는 배경 기술 EUV 반사성 마스크를 개략적으로 예시하고;
[0010] 도 2는 극자외선 리소그래피 시스템의 실시예를 개략적으로 예시하고;
[0011] 도 3은 극자외선 반사성 엘리먼트 생산 시스템의 실시예를 예시하고;
[0012] 도 4는 극자외선 반사성 엘리먼트, 이를테면, EUV 마스크 블랭크의 실시예를 예시하고;
[0013] 도 5는 극자외선 반사성 엘리먼트, 이를테면, EUV 마스크 블랭크의 실시예를 예시하며; 그리고
[0014] 도 6은 멀티-캐소드 물리 증착 챔버의 실시예를 예시한다.
[0015] 본 개시내용의 여러 예시적인 실시예들을 설명하기 전에, 본 개시내용은 다음의 설명에서 제시되는 구성 또는 프로세스 단계들의 세부사항들로 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 본 개시내용은 다른 실시예들이 가능하고, 다양한 방식들로 실시 또는 수행될 수 있다.
[0016] 본원에서 사용되는 바와 같은 "수평"이라는 용어는, 마스크 블랭크의 배향에 관계 없이, 마스크 블랭크의 평면 또는 표면에 평행한 평면으로서 정의된다. "수직"이라는 용어는 방금 정의된 바와 같은 수평에 직각(perpendicular)인 방향을 지칭한다. "위(above)", "아래(below)", "최하부", "최상부", ("측벽"에서와 같이) "측면", "상위", "하위", "상부", "위(over)" 및 "아래(under)"와 같은 용어들은, 도면들에 도시된 바와 같이, 수평 평면에 대해 정의된다.
[0017] "상에"라는 용어는 엘리먼트들 사이에 직접적인 접촉이 있음을 표시한다. "바로 위에"라는 용어는 개재 엘리먼트들 없이 엘리먼트들 사이에 직접적인 접촉이 있음을 표시한다.
[0018] 당업자들은, 프로세스 구역들을 설명하기 위한 "제1" 및 "제2"와 같은 서수들의 사용이 프로세싱 챔버 내의 특정 위치 또는 프로세싱 챔버 내의 노출 순서를 암시하지 않는다는 것을 이해할 것이다.
[0019] 본 명세서 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, "기판"이라는 용어는 프로세스가 작용하는 표면 또는 표면의 부분을 지칭한다. 또한, 문맥이 명확하게 달리 표시하지 않는 한, 기판에 대한 언급은 기판의 일부분만을 지칭한다는 것이 당업자들에 의해 이해될 것이다. 추가적으로, 기판 상에 증착하는 것에 대한 언급은, 베어(bare) 기판, 그리고 하나 이상의 막들 또는 피처들이 상부에 증착 또는 형성되어 있는 기판 둘 모두를 의미한다.
[0020] 이제 도 2를 참조하면, 극자외선 리소그래피 시스템(100)의 예시적인 실시예가 도시된다. 극자외선 리소그래피 시스템(100)은 극자외선 광(112)을 생성하기 위한 극자외선 광원(102), 반사성 엘리먼트들의 세트, 및 타깃 웨이퍼(110)를 포함한다. 반사성 엘리먼트들은 콘덴서(104), EUV 반사성 마스크(106), 광학 감소 조립체(108), 마스크 블랭크, 미러, 또는 이들의 조합을 포함한다.
[0021] 극자외선 광원(102)은 극자외선 광(112)을 생성한다. 극자외선 광(112)은 5 내지 50 나노미터(nm; nanometer) 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선이다. 예컨대, 극자외선 광원(102)은 레이저, 레이저 생성 플라즈마, 방전 생성 플라즈마, 자유 전자 레이저, 싱크로트론 방사선(synchrotron radiation), 또는 이들의 조합을 포함한다.
[0022] 극자외선 광원(102)은 다양한 특성들을 갖는 극자외선 광(112)을 생성한다. 극자외선 광원(102)은 파장들의 범위에 걸쳐 광대역 극자외선 방사선을 생성한다. 예컨대, 극자외선 광원(102)은 5 내지 50 nm 범위의 파장들을 갖는 극자외선 광(112)을 생성한다.
[0023] 하나 이상의 실시예들에서, 극자외선 광원(102)은 좁은 대역폭을 갖는 극자외선 광(112)을 생성한다. 예컨대, 극자외선 광원(102)은 13.5 nm의 극자외선 광(112)을 생성한다. 파장 피크의 중심은 13.5 nm이다.
[0024] 콘덴서(104)는 극자외선 광(112)을 반사 및 포커싱하기 위한 광학 유닛이다. 콘덴서(104)는 극자외선 광원(102)으로부터의 극자외선 광(112)을 반사 및 집중시켜, EUV 반사성 마스크(106)를 조명(illuminate)한다.
[0025] 콘덴서(104)가 단일 엘리먼트로서 도시되지만, 일부 실시예들에서, 콘덴서(104)는 극자외선 광(112)을 반사 및 집중시키기 위한 오목 미러들, 볼록 미러들, 플랫 미러(flat mirror)들, 또는 이들의 조합과 같은 하나 이상의 반사성 엘리먼트들을 포함하는 것으로 이해된다. 예컨대, 일부 실시예들에서, 콘덴서(104)는 단일 오목 미러이거나, 또는 볼록, 오목 및 플랫 광학 엘리먼트들을 갖는 광학 조립체이다.
[0026] EUV 반사성 마스크(106)는 마스크 패턴(114)을 갖는 극자외선 반사성 엘리먼트이다. EUV 반사성 마스크(106)는 타깃 웨이퍼(110) 상에 형성될 회로소자 레이아웃을 형성하기 위해 리소그래피 패턴을 생성한다. EUV 반사성 마스크(106)는 극자외선 광(112)을 반사한다. 마스크 패턴(114)은 회로소자 레이아웃의 일부분을 정의한다.
[0027] 광학 감소 조립체(108)는 마스크 패턴(114)의 이미지를 감소시키기 위한 광학 유닛이다. EUV 반사성 마스크(106)로부터의 극자외선 광(112)의 반사는 광학 감소 조립체(108)에 의해 감소되어 타깃 웨이퍼(110) 상으로 반사된다. 일부 실시예들에서의 광학 감소 조립체(108)는 마스크 패턴(114)의 이미지의 사이즈를 감소시키기 위해 미러들 및 다른 광학 엘리먼트들을 포함한다. 예컨대, 일부 실시예들에서의 광학 감소 조립체(108)는 극자외선 광(112)을 반사 및 포커싱하기 위한 오목 미러들을 포함한다.
[0028] 광학 감소 조립체(108)는 타깃 웨이퍼(110) 상의, 마스크 패턴(114)의 이미지의 사이즈를 감소시킨다. 예컨대, 일부 실시예들에서의 마스크 패턴(114)은, 타깃 웨이퍼(110) 상에 마스크 패턴(114)에 의해 표현되는 회로소자를 형성하기 위해, 타깃 웨이퍼(110) 상에 광학 감소 조립체(108)에 의해 4:1 비(ratio)로 이미징된다. 일부 실시예들에서의 극자외선 광(112)은 타깃 웨이퍼(110) 상에 마스크 패턴(114)을 형성하기 위해 타깃 웨이퍼(110)와 동기적으로 EUV 반사성 마스크(106)를 스캐닝한다.
[0029] 이제 도 3을 참조하면, 극자외선 반사성 엘리먼트 생산 시스템(200)의 실시예가 도시된다. 극자외선 반사성 엘리먼트는 EUV 마스크 블랭크(204), 극자외선 미러(205), 또는 다른 반사성 엘리먼트, 이를테면, EUV 반사성 마스크(106)를 포함한다.
[0030] 극자외선 반사성 엘리먼트 생산 시스템(200)은 도 2의 극자외선 광(112)을 반사하는 마스크 블랭크들, 미러들 또는 다른 엘리먼트들을 생산한다. 극자외선 반사성 엘리먼트 생산 시스템(200)은 소스 기판들(203)에 얇은 코팅들을 적용함으로써 반사성 엘리먼트들을 제작한다.
[0031] EUV 마스크 블랭크(204)는 도 2의 EUV 반사성 마스크(106)를 형성하기 위한 다층화된 구조이다. 일부 실시예들에서의 EUV 마스크 블랭크(204)는 반도체 제작 기법들을 사용하여 형성된다. 일부 실시예들에서의 EUV 반사성 마스크(106)는 에칭 및 다른 프로세스들에 의해 EUV 마스크 블랭크(204) 상에 형성되는, 도 2의 마스크 패턴(114)을 갖는다.
[0032] 극자외선 미러(205)는 극자외선 광의 범위에서 반사성인 다층화된 구조이다. 일부 실시예들에서의 극자외선 미러(205)는 반도체 제작 기법들을 사용하여 형성된다. 일부 실시예들에서의 EUV 마스크 블랭크(204) 및 극자외선 미러(205)는, 각각의 엘리먼트 상에 형성된 층들에 대해 유사한 구조들이지만, 극자외선 미러(205)는 마스크 패턴(114)을 갖지 않는다.
[0033] 반사성 엘리먼트들은 극자외선 광(112)의 효율적인 반사기들이다. 실시예에서, EUV 마스크 블랭크(204) 및 극자외선 미러(205)는 60%를 초과하는 극자외선 반사율을 갖는다. 반사성 엘리먼트들은, 이들이 극자외선 광(112)의 60%를 초과하여 반사하는 경우 효율적이다.
[0034] 극자외선 반사성 엘리먼트 생산 시스템(200)은 웨이퍼 로딩 및 캐리어 핸들링 시스템(202)을 포함하며, 소스 기판들(203)이 웨이퍼 로딩 및 캐리어 핸들링 시스템(202) 내로 로딩되고 웨이퍼 로딩 및 캐리어 핸들링 시스템(202)으로부터 반사성 엘리먼트들이 언로딩된다. 대기 핸들링 시스템(206)은 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)로의 액세스를 제공한다. 일부 실시예들에서의 웨이퍼 로딩 및 캐리어 핸들링 시스템(202)은 기판 수송 박스들, 로드락들, 및 대기로부터 시스템 내부의 진공으로 기판을 이송하기 위한 다른 컴포넌트들을 포함한다. EUV 마스크 블랭크(204)가 매우 작은 스케일로 디바이스들을 형성하기 위해 사용되기 때문에, 소스 기판들(203) 및 EUV 마스크 블랭크(204)는 오염 및 다른 결함들을 방지하기 위해 진공 시스템에서 프로세싱된다.
[0035] 일부 실시예들에서의 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)는 2개의 진공 챔버들, 즉, 제1 진공 챔버(210) 및 제2 진공 챔버(212)를 포함한다. 제1 진공 챔버(210)는 제1 웨이퍼 핸들링 시스템(214)을 포함하고, 제2 진공 챔버(212)는 제2 웨이퍼 핸들링 시스템(216)을 포함한다. 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)가 2개의 진공 챔버들로 설명되지만, 일부 실시예들에서의 시스템은 임의의 수의 진공 챔버들을 갖는 것으로 이해된다.
[0036] 일부 실시예들에서의 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)는 다양한 다른 시스템들의 부착을 위해 자신의 주변부 주위에 복수의 포트들을 갖는다. 제1 진공 챔버(210)는 탈기 시스템(218), 제1 물리 기상 증착 시스템(220), 제2 물리 기상 증착 시스템(222) 및 사전-세정 시스템(224)을 갖는다. 탈기 시스템(218)은 기판들로부터 수분을 열적으로 탈착(desorbing)하기 위한 것이다. 사전-세정 시스템(224)은 웨이퍼들, 마스크 블랭크들, 미러들 또는 다른 광학 컴포넌트들의 표면들을 세정하기 위한 것이다.
[0037] 일부 실시예들에서의 제1 물리 기상 증착 시스템(220) 및 제2 물리 기상 증착 시스템(222)과 같은 물리 기상 증착 시스템들은 소스 기판들(203) 상에 전도성 재료들의 박막들을 형성하기 위해 사용된다. 예컨대, 일부 실시예들에서의 물리 기상 증착 시스템들은 진공 증착 시스템, 이를테면, 마그네트론 스퍼터링 시스템들, 이온 스퍼터링 시스템들, 펄스 레이저 증착, 캐소드 아크 증착, 또는 이들의 조합을 포함한다. 물리 기상 증착 시스템들, 이를테면, 마그네트론 스퍼터링 시스템은 소스 기판들(203) 상에 실리콘, 금속들, 합금들, 화합물들, 또는 이들의 조합의 층들을 포함하는 얇은 층들을 형성한다.
[0038] 물리 기상 증착 시스템은 반사성 층들, 캡핑 층들 및 흡수체 층들을 형성한다. 예컨대, 일부 실시예들에서의 물리 기상 증착 시스템들은 실리콘, 몰리브데넘, 티타늄 옥사이드, 티타늄 디옥사이드, 루테늄 옥사이드, 니오븀 옥사이드, 루테늄 텅스텐, 루테늄 몰리브데넘, 루테늄 니오븀, 크로뮴, 게르마늄, 나이트라이드들, 화합물들, 또는 이들의 조합의 층들을 형성한다. 일부 화합물들이 옥사이드로서 설명되지만, 일부 실시예들에서의 화합물들은 옥사이드들, 디옥사이드들, 산소 원자들을 갖는 원자 혼합물들, 또는 이들의 조합을 포함하는 것으로 이해된다.
[0039] 제2 진공 챔버(212)는 제2 진공 챔버(212)에 연결된, 제1 멀티-캐소드 소스(226), 화학 기상 증착 시스템(228), 경화 챔버(230) 및 초-평활(ultra-smooth) 증착 챔버(232)를 갖는다. 예컨대, 일부 실시예들에서의 화학 기상 증착 시스템(228)은 유동성 화학 기상 증착 시스템(FCVD; flowable chemical vapor deposition system), 플라즈마 보조 화학 기상 증착 시스템(CVD; plasma assisted chemical vapor deposition system), 에어로졸 보조 CVD, 고온 필라멘트 CVD 시스템, 또는 유사한 시스템을 포함한다. 다른 예에서, 일부 실시예들에서의 화학 기상 증착 시스템(228), 경화 챔버(230) 및 초-평활 증착 챔버(232)는 극자외선 반사성 엘리먼트 생산 시스템(200)과 별개의 시스템에 있다.
[0040] 일부 실시예들에서의 화학 기상 증착 시스템(228)은 소스 기판들(203) 상에 재료의 박막들을 형성한다. 예컨대, 일부 실시예들에서의 화학 기상 증착 시스템(228)은, 소스 기판들(203) 상에 단결정질 층들, 다결정질 층들, 비정질 층들, 에피택셜 층들, 또는 이들의 조합을 포함하는 재료들의 층들을 형성하기 위해 사용된다. 일부 실시예들에서의 화학 기상 증착 시스템(228)은 실리콘, 실리콘 옥사이드들, 실리콘 옥시카바이드, 탄탈럼, 텔루륨, 게르마늄, 텅스텐, 실리콘 카바이드, 실리콘 나이트라이드, 티타늄 나이트라이드, 금속들, 합금들, 및 화학 기상 증착에 적절한 다른 재료들의 층들을 형성한다. 예컨대, 일부 실시예들에서의 화학 기상 증착 시스템은 평탄화 층들을 형성한다.
[0041] 제1 웨이퍼 핸들링 시스템(214)은, 연속 진공으로, 제1 진공 챔버(210)의 주변부 주위의 다양한 시스템들과 대기 핸들링 시스템(206) 사이에서 소스 기판들(203)을 이동시킬 수 있다. 제2 웨이퍼 핸들링 시스템(216)은, 소스 기판들(203)을 연속 진공으로 유지하면서, 제2 진공 챔버(212) 주위로 소스 기판들(203)을 이동시킬 수 있다. 일부 실시예들에서의 극자외선 반사성 엘리먼트 생산 시스템(200)은, 연속 진공으로, 제1 웨이퍼 핸들링 시스템(214)과 제2 웨이퍼 핸들링 시스템(216) 사이에서 소스 기판들(203) 및 EUV 마스크 블랭크(204)를 이송한다.
[0042] 이제 도 4를 참조하면, 극자외선 반사성 엘리먼트(302)의 실시예가 도시된다. 하나 이상의 실시예들에서, 극자외선 반사성 엘리먼트(302)는 도 3의 EUV 마스크 블랭크(204) 또는 도 3의 극자외선 미러(205)이다. EUV 마스크 블랭크(204) 및 극자외선 미러(205)는 도 2의 극자외선 광(112)을 반사하기 위한 구조들이다. 일부 실시예들에서의 EUV 마스크 블랭크(204)는 도 2에 도시된 EUV 반사성 마스크(106)를 형성하기 위해 사용된다.
[0043] 극자외선 반사성 엘리먼트(302)는 기판(304), 반사성 층들의 다층 스택(306) 및 캡핑 층(308)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 극자외선 미러(205)는 도 2의 콘덴서(104) 또는 도 2의 광학 감소 조립체(108)에서 사용하기 위한 반사 구조들을 형성하기 위해 사용된다.
[0044] 일부 실시예들에서 EUV 마스크 블랭크(204)인 극자외선 반사성 엘리먼트(302)는 기판(304), 반사성 층들의 다층 스택(306), 캡핑 층(308) 및 흡수체 층(310)을 포함한다. 일부 실시예들에서의 극자외선 반사성 엘리먼트(302)는 EUV 마스크 블랭크(204)이며, EUV 마스크 블랭크(204)는, 요구되는 회로소자의 레이아웃으로 흡수체 층(310)을 패터닝함으로써 도 2의 EUV 반사성 마스크(106)를 형성하기 위해 사용된다.
[0045] 다음의 섹션들에서, EUV 마스크 블랭크(204)에 대한 용어는 단순화를 위해 극자외선 미러(205)의 용어와 상호교환 가능하게 사용된다. 하나 이상의 실시예들에서, EUV 마스크 블랭크(204)는 극자외선 미러(205)의 컴포넌트들을 포함하는데, 추가하여 도 2의 마스크 패턴(114)을 형성하기 위해 흡수체 층(310)이 추가된다.
[0046] EUV 마스크 블랭크(204)는 마스크 패턴(114)을 갖는 EUV 반사성 마스크(106)를 형성하기 위해 사용되는 광학적으로 평탄한 구조이다. 하나 이상의 실시예들에서, EUV 마스크 블랭크(204)의 반사성 표면은 도 2의 극자외선 광(112)과 같은 입사광을 반사하기 위한 평탄한 초점 평면을 형성한다.
[0047] 기판(304)은 극자외선 반사성 엘리먼트(302)에 대한 구조적 지지를 제공하기 위한 엘리먼트이다. 하나 이상의 실시예들에서, 기판(304)은 온도 변화들 동안 안정성을 제공하기 위해 저 열 팽창 계수(CTE; coefficient of thermal expansion)를 갖는 재료로 만들어진다. 하나 이상의 실시예들에서, 기판(304)은 기계적 사이클링, 열적 사이클링, 결정 형성, 또는 이들의 조합에 대비한 안정성과 같은 특성들을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에 따른 기판(304)은 실리콘, 유리, 옥사이드들, 세라믹들, 유리 세라믹들, 또는 이들의 조합과 같은 재료로 형성된다.
[0048] 다층 스택(306)은 극자외선 광(112)에 대해 반사성인 구조이다. 다층 스택(306)은 제1 반사성 층(312)과 제2 반사성 층(314)의 교번하는 반사성 층들을 포함한다.
[0049] 제1 반사성 층(312) 및 제2 반사성 층(314)은 도 4의 반사성 쌍(316)을 형성한다. 비-제한적인 실시예에서, 다층 스택(306)은 총 120개까지의 반사성 층들에 대해 20-60개 범위의 반사성 쌍들(316)을 포함한다.
[0050] 일부 실시예들에서의 제1 반사성 층(312) 및 제2 반사성 층(314)은 다양한 재료들로 형성된다. 실시예에서, 제1 반사성 층(312) 및 제2 반사성 층(314)은, 각각, 실리콘 및 몰리브데넘으로 형성된다. 층들이 실리콘 및 몰리브데넘으로서 도시되지만, 일부 실시예들에서의 교번하는 층들은 다른 재료들로 형성되거나 또는 다른 내부 구조들을 갖는 것으로 이해된다.
[0051] 일부 실시예들에서의 제1 반사성 층(312) 및 제2 반사성 층(314)은 다양한 구조들을 갖는다. 실시예에서, 제1 반사성 층(312) 및 제2 반사성 층(314) 둘 모두는 단일 층, 다수의 층들, 분할된 층 구조, 불균일한 구조들, 또는 이들의 조합으로 형성된다.
[0052] 대부분의 재료들이 극자외선 파장들의 광을 흡수하기 때문에, 사용되는 광학 엘리먼트들은 다른 리소그래피 시스템들에서 사용되는 바와 같이 투과성 대신에 반사성이다. 다층 스택(306)은 브래그 반사기 또는 미러를 생성하기 위해 상이한 광학 특성들을 갖는 재료들의 교번하는 얇은 층들을 가짐으로써 반사성 구조를 형성한다.
[0053] 실시예에서, 교번하는 층들 각각은 극자외선 광(112)에 대해 다른 광학 상수들을 갖는다. 교번하는 층들의 두께의 주기가 극자외선 광(112)의 파장의 절반일 때, 교번하는 층들은 공진 반사율을 제공한다. 실시예에서, 13 nm 파장의 극자외선 광(112)에 대해, 교번하는 층들은 약 6.5 nm 두께이다. 제공된 사이즈들 및 치수들은 통상적인 엘리먼트들에 대한 정상적인 엔지니어링 공차들 내에 있는 것으로 이해된다.
[0054] 일부 실시예들에서의 다층 스택(306)은 다양한 방식들로 형성된다. 실시예에서, 제1 반사성 층(312) 및 제2 반사성 층(314)은 마그네트론 스퍼터링, 이온 스퍼터링 시스템들, 펄스 레이저 증착, 캐소드 아크 증착, 또는 이들의 조합으로 형성된다.
[0055] 예시적인 실시예에서, 다층 스택(306)은 마그네트론 스퍼터링과 같은 물리 기상 증착 기법을 사용하여 형성된다. 실시예에서, 다층 스택(306)의 제1 반사성 층(312) 및 제2 반사성 층(314)은, 정밀한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 깨끗한 계면들을 포함하여, 마그네트론 스퍼터링 기법에 의해 형성되는 특성들을 갖는다. 실시예에서, 다층 스택(306)의 제1 반사성 층(312) 및 제2 반사성 층(314)은, 정밀한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 깨끗한 계면들을 포함하여, 물리 기상 증착에 의해 형성되는 특성들을 갖는다.
[0056] 일부 실시예들에서의 물리 기상 증착 기법을 사용하여 형성되는 다층 스택(306)의 층들의 물리적 치수들은 반사율을 증가시키기 위해 정밀하게 제어된다. 실시예에서, 제1 반사성 층(312), 이를테면, 실리콘 층은 4.1 nm의 두께를 갖는다. 제2 반사성 층(314), 이를테면, 몰리브덴 층은 2.8 nm의 두께를 갖는다. 층들의 두께는 극자외선 반사성 엘리먼트의 피크 반사율 파장에 영향을 준다(dictate). 층들의 두께가 부정확하면, 일부 실시예들에서의 원하는 파장 13.5 nm에서의 반사율이 감소된다.
[0057] 실시예에서, 다층 스택(306)은 60%를 초과하는 반사율을 갖는다. 실시예에서, 물리 기상 증착을 사용하여 형성되는 다층 스택(306)은 66% 내지 67% 범위의 반사율을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 더 단단한 재료들로 형성된 다층 스택(306) 위에 캡핑 층(308)을 형성하는 것은 반사율을 개선시킨다. 일부 실시예들에서, 70%를 초과하는 반사율은 낮은 거칠기 층들, 층들 사이의 깨끗한 계면들, 개선된 층 재료들, 또는 이들의 조합을 사용하여 달성된다.
[0058] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 극자외선 광(112)의 투과를 가능하게 하는 보호성 층이다. 실시예에서, 캡핑 층(308)은 다층 스택(306) 바로 위에 형성된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 오염물들 및 기계적 손상으로부터 다층 스택(306)을 보호한다. 일 실시예에서, 다층 스택(306)은 산소, 탄탈럼, 하이드로탄탈럼들, 또는 이들의 조합에 의한 오염에 민감하다. 실시예에 따른 캡핑 층(308)은 오염물들을 중화시키기 위해 오염물들과 상호작용한다.
[0059] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 극자외선 광(112)에 대해 투명한 광학적으로 균일한 구조이다. 극자외선 광(112)은 캡핑 층(308)을 통과하여 다층 스택(306)으로부터 반사된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 1% 내지 2%의 총 반사율 손실을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 상이한 재료들 각각은 두께에 따라 상이한 반사율 손실을 갖지만, 이들 전부는 1% 내지 2% 범위에 있을 것이다.
[0060] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 평활한 표면을 갖는다. 예컨대, 일부 실시예들에서의 캡핑 층(308)의 표면은 0.2 nm RMS(root mean square) 측정치 미만의 거칠기를 갖는다. 다른 예에서, 캡핑 층(308)의 표면은 1/100 nm 내지 1/1 ㎛ 범위의 길이에 대해 0.08 nm RMS의 거칠기를 갖는다. RMS 거칠기는 RMS 거칠기가 측정되는 범위에 따라 변할 것이다. 100 nm 내지 1 미크론의 특정 범위에 대해, 그 거칠기는 0.08 nm 이하이다. 더 큰 범위에 걸쳐 거칠기는 더 높을 것이다.
[0061] 일부 실시예들에서의 캡핑 층(308)은 다양한 방법들을 사용하여 형성된다. 실시예에서, 캡핑 층(308)은 마그네트론 스퍼터링, 이온 스퍼터링 시스템들, 이온 빔 증착, 전자 빔 증발, RF(radio frequency) 스퍼터링, ALD(atomic layer deposition), 펄스 레이저 증착, 캐소드 아크 증착, 또는 이들의 조합을 이용하여 다층 스택(306) 상에 또는 다층 스택(306) 바로 위에 형성된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은, 정밀한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 깨끗한 계면들을 포함하여, 마그네트론 스퍼터링 기법에 의해 형성되는 물리적 특성들을 갖는다. 실시예에서, 캡핑 층(308)은, 정밀한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 깨끗한 계면들을 포함하여, 물리 기상 증착에 의해 형성되는 물리적 특성들을 갖는다.
[0062] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 세정 동안 침식(erosion)에 저항하기에 충분한 경도를 갖는 다양한 재료들로 형성된다. 일 실시예에서, 루테늄은, 우수한 에칭 정지부(etch stop)이고 동작 조건들 하에서 비교적 불활성이기 때문에, 캡핑 층 재료로서 사용된다. 그러나, 일부 실시예들에서, 캡핑 층(308)을 형성하기 위해 다른 재료들이 사용된다는 것이 이해된다. 특정 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 2.5 내지 5.0 nm 범위의 두께를 갖는다.
[0063] 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층(310)은 극자외선 광(112)을 흡수하는 층이다. 실시예에서, 흡수체 층(310)은 극자외선 광(112)을 반사하지 않는 영역들을 제공함으로써 EUV 반사성 마스크(106) 상에 패턴을 형성하기 위해 사용된다. 하나 이상의 실시예들에 따른 흡수체 층(310)은 극자외선 광(112)의 특정 주파수, 이를테면, 약 13.5 nm에 대해 높은 흡수 계수를 갖는 재료를 포함한다. 실시예에서, 흡수체 층(310)은 캡핑 층(308) 바로 위에 형성되고, 흡수체 층(310)은 EUV 반사성 마스크(106)의 패턴을 형성하도록 포토리소그래피 프로세스를 사용하여 에칭된다.
[0064] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 극자외선 반사성 엘리먼트(302), 이를테면, 극자외선 미러(205)는 기판(304), 다층 스택(306) 및 캡핑 층(308)으로 형성된다. 극자외선 미러(205)는 광학적으로 평탄한 표면을 가지며, 일부 실시예들에서, 극자외선 광(112)을 효율적이고 균일하게 반사한다.
[0065] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 극자외선 반사성 엘리먼트(302), 이를테면, EUV 마스크 블랭크(204)는 기판(304), 다층 스택(306), 캡핑 층(308) 및 흡수체 층(310)으로 형성된다. 마스크 블랭크(204)는 광학적으로 평탄한 표면을 가지며, 일부 실시예들에서, 극자외선 광(112)을 효율적이고 균일하게 반사한다. 실시예에서, 마스크 패턴(114)은 EUV 마스크 블랭크(204)의 흡수체 층(310)으로 형성된다.
[0066] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 캡핑 층(308) 위에 흡수체 층(310)을 형성하는 것은 EUV 반사성 마스크(106)의 신뢰성을 증가시킨다. 캡핑 층(308)은 흡수체 층(310)에 대한 에칭 정지 층 역할을 한다. 도 2의 마스크 패턴(114)이 흡수체 층(310) 내로 에칭될 때, 흡수체 층(310) 아래의 캡핑 층(308)은 다층 스택(306)을 보호하기 위해 에칭 작용을 정지시킨다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층(310)은 캡핑 층(308)에 대해 에칭 선택적이다. 일부 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 루테늄을 포함하고, 흡수체 층(310)은 루테늄에 대해 에칭 선택적이다.
[0067] 실시예에서, 흡수체 층(310)은 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함한다. 일부 실시예들에서, 흡수체는 약 45 nm 미만의 두께를 갖는다. 일부 실시예들에서, 흡수체 층은, 약 40 nm 미만, 약 35 nm 미만, 약 30 nm 미만, 약 25 nm 미만, 약 20 nm 미만, 약 15 nm 미만, 약 10 nm 미만, 약 5 nm 미만, 약 1 nm 미만, 또는 약 0.5 nm 미만을 포함하여, 약 45 nm 미만의 두께를 갖는다. 다른 실시예들에서, 흡수체 층(310)은, 약 1 nm 내지 약 44 nm, 1 nm 내지 약 40 nm, 및 15 nm 내지 약 40 nm 범위를 포함하여, 약 0.5 nm 내지 약 45 nm 범위의 두께를 갖는다.
[0068] 이론에 의해 얽매이는 것으로 의도하지 않고, 약 45 nm 미만의 두께를 갖는 흡수체 층(310)은 유리하게, 약 2% 미만의 반사율을 갖는 흡수체 층을 야기하여서, EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크에서 3D 마스크 효과들을 감소 및 완화시키는 것으로 생각된다.
[0069] 실시예에서, 흡수체 층(310)은 텔루륨과 게르마늄의 합금으로 만들어진다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 63 wt.% 내지 약 93 wt.%의 텔루륨 및 약 7 wt.% 내지 약 37 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 68 wt.% 내지 약 88 wt.%의 텔루륨 및 약 22 wt.% 내지 약 32 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 73 wt.% 내지 약 83 wt.%의 텔루륨 및 약 17 wt.% 내지 약 27 wt.%의 게르마늄, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 75 wt.% 내지 약 80 wt.%의 텔루륨 및 약 20 wt.% 내지 약 25 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 비정질이다. 하나 이상의 실시예들에서, 합금은 단상(single phase) 합금이다.
[0070] 특정 실시예에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 텔루륨 풍부 합금(tellurium rich alloy)이다. 본원에서 사용되는 바와 같이, "텔루륨 풍부"라는 용어는 합금에 게르마늄보다 상당히 더 많은 텔루륨이 있다는 것을 의미한다. 예컨대, 특정 실시예에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 73 wt.% 내지 약 83 wt.%의 텔루륨 및 약 17 wt.% 내지 약 27 wt.%의 게르마늄, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 75 wt.% 내지 약 80 wt.%의 텔루륨 및 약 25 wt.% 내지 약 30 wt.%의 게르마늄을 포함하는 합금이다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 비정질이다. 하나 이상의 실시예들에서, 합금은 단상 합금이다.
[0071] 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 도펀트를 포함한다. 도펀트는 질소 또는 산소 중 하나 이상으로부터 선택될 수 있다. 실시예에서, 도펀트는 산소를 포함한다. 대안적인 실시예에서, 도펀트는 질소를 포함한다. 실시예에서, 도펀트는 합금의 중량에 기반하여 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 범위의 양(amount)으로 합금에 존재한다. 다른 실시예들에서, 도펀트는 약 0.1 wt.%, 0.2 wt.%, 0.3 wt.%, 0.4 wt.%, 0.5 wt.%, 0.6 wt.%, 0.7 wt.%, 0.8 wt.%, 0.9 wt.%, 1.0 wt.%, 1.1 wt.%, 1.2 wt.%, 1.3 wt.%, 1.4 wt.%, 1.5 wt.%, 1.6 wt.%, 1.7 wt.%, 1.8 wt.%, 1.9 wt.%, 2.0 wt.%, 2.1 wt.%, 2.2 wt.%, 2.3 wt.%, 2.4 wt.%, 2.5 wt.%, 2.6 wt.%, 2.7 wt.%, 2.8 wt.%, 2.9 wt.%, 3.0 wt.%, 3.1 wt.%, 3.2 wt.%, 3.3 wt.%, 3.4 wt.%, 3.5 wt.%, 3.6 wt.%, 3.7 wt.%, 3.8 wt.%, 3.9 wt.%, 4.0 wt.%, 4.1 wt.%, 4.2 wt.%, 4.3 wt.%, 4.4 wt.%, 4.5 wt.%, 4.6 wt.%, 4.7 wt.%, 4.8 wt.%, 4.9 wt.%, 또는 5.0 wt.%의 양으로 합금에 존재한다.
[0072] 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층의 합금은, 물리 증착 챔버에서 형성되는 공동-스퍼터링된 합금 흡수체 재료이며, 이는 일부 실시예들에서 2% 미만의 반사율 및 적절한 에칭 특성들을 달성하면서 훨씬 더 얇은 흡수체 층 두께(30 nm 미만)를 제공한다. 하나 이상의 실시예들에서, 일부 실시예들에서의 흡수체 층의 합금은 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스들에 의해 공동-스퍼터링된다. 실시예에서, 일부 실시예들에서의 흡수체 층의 합금은 아르곤 및 산소 가스들의 혼합물(Ar + O2)에 의해 공동-스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물에 의한 공동-스퍼터링은 텔루륨의 옥사이드 및/또는 게르마늄의 옥사이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물에 의한 공동-스퍼터링은 텔루륨 또는 게르마늄의 옥사이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 일부 실시예들에서의 흡수체 층의 합금은 아르곤 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + N2)에 의해 공동-스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물에 의한 공동-스퍼터링은 텔루륨의 나이트라이드 및/또는 게르마늄의 나이트라이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물에 의한 공동-스퍼터링은 텔루륨 또는 게르마늄의 나이트라이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 일부 실시예들에서의 흡수체 층의 합금은 아르곤 및 산소 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + O2 + N2)에 의해 공동-스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물에 의한 공동-스퍼터링은 텔루륨의 옥사이드 및/또는 나이트라이드 및/또는 게르마늄의 옥사이드 및/또는 나이트라이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물에 의한 공동-스퍼터링은 텔루륨 또는 게르마늄의 옥사이드 또는 나이트라이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 일부 실시예들에서의 흡수체 층의 에칭 특성들 및/또는 다른 특성들은 위에서 논의된 바와 같이 합금 퍼센티지(들)를 제어함으로써 규격에 맞춰진다. 실시예에서, 일부 실시예들에서의 합금 퍼센티지(들)는 물리 기상 증착 챔버의 전압, 압력, 유동 등과 같은 동작 파라미터들에 의해 정밀하게 제어된다. 실시예에서, 재료 특성들을 추가로 수정하기 위해 프로세스 가스가 사용되는데, 예컨대, 텔루륨 및 게르마늄의 나이트라이드들을 형성하기 위해 N2 가스가 사용된다.
[0073] 하나 이상의 실시예들에서, 본원에서 사용되는 바와 같이, "공동-스퍼터링"은, 2개의 타깃들, 즉, 텔루륨을 포함하는 하나의 타깃 및 게르마늄을 포함하는 제2 타깃이 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2)로부터 선택된 하나 이상의 가스를 사용하여 동시에 스퍼터링되어 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함하는 흡수체 층을 증착/형성하는 것을 의미한다.
[0074] 다른 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스들을 사용하여 텔루륨 및 게르마늄 층들의 라미네이트로서 층상으로(layer by layer) 증착된다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 아르곤 및 산소 가스들의 혼합물(Ar + O2)을 사용하여 텔루륨 및 게르마늄 층들의 라미네이트로서 층상으로 증착된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물을 사용한 층별 증착은 텔루륨의 옥사이드 및/또는 게르마늄의 옥사이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물을 사용한 층별 증착은 텔루륨 또는 게르마늄의 옥사이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 아르곤 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + N2)을 사용하여 텔루륨 및 게르마늄 층들의 라미네이트로서 층상으로 증착된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물을 사용한 층별 증착은 텔루륨의 나이트라이드 및/또는 게르마늄의 나이트라이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물을 사용한 층별 증착은 텔루륨 또는 게르마늄의 나이트라이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 아르곤 및 산소 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + O2 + N2)을 사용하여 텔루륨 및 게르마늄 층들의 라미네이트로서 층상으로 증착된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물을 사용한 층별 증착은 텔루륨의 옥사이드 및/또는 나이트라이드 및/또는 게르마늄의 옥사이드 및/또는 나이트라이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물을 사용한 층별 증착은 텔루륨 또는 게르마늄의 옥사이드 또는 나이트라이드를 형성하지 않는다.
[0075] 하나 이상의 실시예들에서, 본원에서 설명되는 합금 조성(composition)들의 벌크 타깃들은 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스들을 사용하여 정상 스퍼터링에 의해 만들어질 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 합금은, 흡수체 층을 형성하기 위해, 합금과 동일한 조성을 갖는 벌크 타깃을 사용하여 증착되고 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스를 사용하여 스퍼터링된다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 합금의 동일한 조성을 갖는 벌크 타깃을 사용하여 증착되고, 아르곤 및 산소 가스들의 혼합물(Ar + O2)을 사용하여 스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물을 사용한 벌크 타깃 증착은 텔루륨의 옥사이드 및/또는 게르마늄의 옥사이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소의 혼합물을 사용한 벌크 타깃 증착은 텔루륨 또는 게르마늄의 옥사이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 합금의 동일한 조성을 갖는 벌크 타깃을 사용하여 증착되고, 아르곤 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + N2)을 사용하여 스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물을 사용한 벌크 타깃 증착은 텔루륨의 나이트라이드 및/또는 게르마늄의 나이트라이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 질소의 혼합물을 사용한 벌크 타깃 증착은 텔루륨 또는 게르마늄의 나이트라이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 합금의 동일한 조성을 갖는 벌크 타깃을 사용하여 증착되고, 아르곤 및 산소 및 질소 가스들의 혼합물(Ar + O2 + N2)을 사용하여 스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물을 사용한 벌크 타깃 증착은 텔루륨의 옥사이드 및/또는 나이트라이드 및/또는 게르마늄의 옥사이드 및/또는 나이트라이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤과 산소와 질소의 혼합물을 사용한 벌크 타깃 증착은 텔루륨 또는 게르마늄의 옥사이드 또는 나이트라이드를 형성하지 않는다. 일부 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 0.1 wt.% 내지 5 wt.% 범위의 질소 또는 산소 중 하나 이상으로 도핑된다.
[0076] 일부 실시예들에서의 EUV 마스크 블랭크는, 제1 흡수체 재료를 포함하는 제1 캐소드, 제2 흡수체 재료를 포함하는 제2 캐소드, 제3 흡수체 재료를 포함하는 제3 캐소드, 제4 흡수체 재료를 포함하는 제4 캐소드, 및 제5 흡수체 재료를 포함하는 제5 캐소드를 갖는 물리 증착 챔버에서 만들어지며, 여기서, 제1 흡수체 재료, 제2 흡수체 재료, 제3 흡수체 재료, 제4 흡수체 재료 및 제5 흡수체 재료들은 서로 상이하고, 흡수체 재료들 각각은 다른 재료들과 상이한 흡광 계수(extinction coefficient)를 가지며, 흡수체 재료들 각각은 다른 흡수체 재료들과 상이한 굴절률을 갖는다.
[0077] 이제 도 5를 참조하면, 기판(414), 기판(414) 상의 반사성 층들(412)의 다층 스택을 포함하는 극자외선 마스크 블랭크(400)가 도시되며, 반사성 층들(412)의 다층 스택은 복수의 반사성 층 쌍들을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 복수의 반사성 층 쌍들은 몰리브데넘(Mo) 함유 재료 및 실리콘(Si) 함유 재료로부터 선택된 재료로 만들어진다. 일부 실시예들에서, 복수의 반사성 층 쌍들은 몰리브데넘과 실리콘의 교번하는 층들을 포함한다. 극자외선 마스크 블랭크(400)는 반사성 층들(412)의 다층 스택 상에 캡핑 층(422)을 더 포함하고, 캡핑 층(422) 상에 흡수체 층들의 다층 스택(420)이 있다. 하나 이상의 실시예에서, 복수의 반사성 층들(412)은 몰리브데넘(Mo) 함유 재료 및 실리콘(Si) 함유 재료로부터 선택되고, 캡핑 층(422)은 루테늄을 포함한다.
[0078] 흡수체 층들의 다층 스택(420)은 복수의 흡수체 층 쌍들(420a, 420b, 420c, 420d, 420e, 420f)을 포함하며, 각각의 쌍(420a/420b, 420c/420d, 420e/420f)은 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함한다. 일부 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 63 wt.% 내지 약 93 wt.%의 텔루륨 및 약 7 wt.% 내지 약 37 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 68 wt.% 내지 약 88 wt.%의 텔루륨 및 약 22 wt.% 내지 약 32 wt.%의 게르마늄을 포함한다.
[0079] 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 73 wt.% 내지 약 83 wt.%의 텔루륨 및 약 17 wt.% 내지 약 27 wt.%의 게르마늄, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 75 wt.% 내지 약 80 wt.%의 텔루륨 및 약 20 wt.% 내지 약 25 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 비정질이다. 하나 이상의 실시예들에서, 합금은 단상 합금이다. 일 예에서, 흡수체 층(420a)은 게르마늄으로 만들어지고, 흡수체 층(420b)을 형성하는 재료는 텔루륨이다. 마찬가지로, 흡수체 층(420c)은 게르마늄으로 만들어지고 흡수체 층(420d)을 형성하는 재료는 텔루륨이며, 흡수체 층(420e)은 게르마늄 재료로 만들어지고 흡수체 층(420f)을 형성하는 재료는 텔루륨이다.
[0080] 일 실시예에서, 극자외선 마스크 블랭크(400)는 몰리브데넘(Mo) 함유 재료 및 실리콘(Si) 함유 재료, 예컨대, 몰리브데넘(Mo) 및 실리콘(Si)으로부터 선택된 복수의 반사성 층들(412)을 포함한다. 흡수체 층들(420a, 420b, 420c, 420d, 420e 및 420f)을 형성하기 위해 사용되는 흡수체 재료들은 텔루륨과 게르마늄의 합금이다. 일부 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 63 wt.% 내지 약 93 wt.%의 텔루륨 및 약 7 wt.% 내지 약 37 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 68 wt.% 내지 약 88 wt.%의 텔루륨 및 약 22 wt.% 내지 약 32 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 73 wt.% 내지 약 83 wt.%의 텔루륨 및 약 17 wt.% 내지 약 27 wt.%의 게르마늄, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 75 wt.% 내지 약 80 wt.%의 텔루륨 및 약 20 wt.% 내지 약 25 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 비정질이다. 하나 이상의 실시예들에서, 합금은 단상 합금이다.
[0081] 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층 쌍들(420a/420b, 420c/420d, 420e/420f)은 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함하는 흡수체 재료를 포함하는 제1 층(420a, 420c, 420e) 및 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함하는 흡수체 재료를 포함하는 제2 흡수체 층(420b, 420d, 420f)을 포함한다. 특정 실시예들에서, 흡수체 층 쌍들은 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함하는 제1 층(420a, 420c, 420e) ―텔루륨과 게르마늄의 합금은, 대략 텔루륨과 게르마늄의 합금을 갖는 합금으로부터 선택됨―, 및 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함하는 흡수체 재료를 포함하는 제2 흡수체 층(420b, 420d, 420f)을 포함한다.
[0082] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 흡수체 층 쌍들은 제1 층(420a, 420c, 420e) 및 제2 흡수체 층(420b, 420d, 420f)을 포함하며, 제1 흡수체 층들(420a, 420c, 420e) 및 제2 흡수체 층(420b, 420d, 420f) 각각은 0.1 nm 내지 10 nm 범위, 예컨대, 1 nm 내지 5 nm 범위, 또는 1 nm 내지 3 nm 범위의 두께를 갖는다. 하나 이상의 특정 실시예들에서, 제1 층(420a)의 두께는 0.5 nm, 0.6 nm, 0.7 nm, 0.8 nm, 0.9 nm, 1 nm, 1.1 nm, 1.2 nm, 1.3 nm, 1.4 nm, 1.5 nm, 1.6 nm, 1.7 nm, 1.8 nm, 1.9 nm, 2 nm, 2.1 nm, 2.2 nm, 2.3 nm, 2.4 nm, 2.5 nm, 2.6 nm, 2.7 nm, 2.8 nm, 2.9 nm, 3 nm, 3.1 nm, 3.2 nm, 3.3 nm, 3.4 nm, 3.5 nm, 3.6 nm, 3.7 nm, 3.8 nm, 3.9 nm, 4 nm, 4.1 nm, 4.2 nm, 4.3 nm, 4.4 nm, 4.5 nm, 4.6 nm, 4.7 nm, 4.8 nm, 4.9 nm 및 5 nm이다. 하나 이상의 실시예들에서, 각각의 쌍의 제1 흡수체 층 및 제2 흡수체 층의 두께는 동일하거나 또는 상이하다. 예컨대, 제1 흡수체 층 및 제2 흡수체 층은 1:1, 1.5:1, 2:1, 2.5:1, 3:1, 3.5:1, 4:1, 4.5:1, 5:1, 6:1, 7:1, 8:1, 9:1, 10:1, 11:1, 12:1, 13:1, 14:1, 15:1, 16:1, 17:1, 18:1, 19:1 또는 20:1의 제1 흡수체 층 두께 대 제2 흡수체 층 두께의 비(ratio)가 되도록 하는 두께를 가지며, 이는 각각의 쌍에서 제1 흡수체 층이 제2 흡수체 층 두께 이상의 두께를 갖게 한다. 대안적으로, 제1 흡수체 층 및 제2 흡수체 층은 1.5:1, 2:1, 2.5:1, 3:1, 3.5:1, 4:1, 4.5:1, 5:1, 6:1, 7:1, 8:1, 9:1, 10:1, 11:1, 12:1, 13:1, 14:1, 15:1, 16:1, 17:1, 18:1, 19:1 또는 20:1의 제2 흡수체 층 두께 대 제1 흡수체 층 두께의 비가 되도록 하는 두께를 가지며, 이는 각각의 쌍에서 제2 흡수체 층이 제1 흡수체 층 두께 이상의 두께를 갖게 한다.
[0083] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 흡수체 층들의 상이한 흡수체 재료들 및 두께는, 반사성 층들의 다층 스택으로부터의 광에 대한 상쇄 간섭에 의해 유발되는 상 변화로 인해 그리고 흡광도로 인해 극자외선 광이 흡수되도록 선택된다. 도 5에 도시된 실시예가 3개의 흡수체 층 쌍들(420a/420b, 420c/420d 및 420e/420f)을 도시하지만, 청구항들은 특정 수의 흡수체 층 쌍들로 제한되지 않아야 한다. 하나 이상의 실시예들에 따르면, EUV 마스크 블랭크(400)는 5개 내지 60개의 흡수체 층 쌍들의 범위 또는 10개 내지 40개의 흡수체 층 쌍들의 범위를 포함할 수 있다.
[0084] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 흡수체 층들은 2% 미만의 반사율 및 다른 에칭 특성들을 제공하는 두께를 갖는다. 흡수체 층들의 재료 특성들을 추가로 수정하기 위해 일부 실시예들에서의 공급 가스가 사용되는데, 예컨대, 위에서 제공된 재료들의 나이트라이드들을 형성하기 위해 질소(N2) 가스가 사용된다. 하나 이상의 실시예들에 따른 흡수체 층들의 다층 스택은, EUV 광이 흡광도로 인해 흡수될 뿐만 아니라, 더 우수한 대비(contrast)를 제공하기 위해 아래의 반사성 재료들의 다층 스택으로부터의 광에 대해 상쇄 간섭할 다층 흡수체 스택에 의해 유발되는 상 변화에 의해서도 흡수되도록 하는 개별적인 두께의 상이한 재료들의 반복적인 패턴이다.
[0085] 본 개시내용의 다른 양상은 EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법에 관한 것으로, 방법은, 기판 상에 반사성 층들의 다층 스택을 형성하는 단계 ―다층 스택은 복수의 반사성 층 쌍들을 포함함―, 반사성 층들의 다층 스택 상에 캡핑 층을 형성하는 단계, 및 캡핑 층 상에 흡수체 층을 형성하는 단계를 포함하며, 흡수체 층은 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함하며, 텔루륨과 게르마늄의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 63 wt.% 내지 약 93 wt.%의 텔루륨 및 약 7 wt.% 내지 약 37 wt.%의 게르마늄을 포함하는, 대략 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 68 wt.% 내지 약 88 wt.%의 텔루륨 및 약 22 wt.% 내지 약 32 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 73 wt.% 내지 약 83 wt.%의 텔루륨 및 약 17 wt.% 내지 약 27 wt.%의 게르마늄, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 75 wt.% 내지 약 80 wt.%의 텔루륨 및 약 20 wt.% 내지 약 25 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 비정질이다. 하나 이상의 실시예들에서, 합금은 단상 합금이다.
[0086] 일부 실시예들에서의 EUV 마스크 블랭크는 도 4 및 도 5와 관련하여 위에서 설명된 실시예들의 특성들 중 임의의 특성을 가지며, 일부 실시예들에서의 방법은 도 3과 관련하여 설명된 시스템에서 수행된다.
[0087] 따라서, 실시예에서, 복수의 반사성 층들은 몰리브데넘(Mo) 함유 재료 및 실리콘(Si) 함유 재료로부터 선택되며, 흡수체 층은 텔루륨과 게르마늄의 합금이며, 여기서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 63 wt.% 내지 약 93 wt.%의 텔루륨 및 약 7 wt.% 내지 약 37 wt.%의 게르마늄을 포함하는, 대략 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 68 wt.% 내지 약 88 wt.%의 텔루륨 및 약 22 wt.% 내지 약 32 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 73 wt.% 내지 약 83 wt.%의 텔루륨 및 약 17 wt.% 내지 약 27 wt.%의 게르마늄, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 75 wt.% 내지 약 80 wt.%의 텔루륨 및 약 20 wt.% 내지 약 25 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 비정질이다. 하나 이상의 실시예들에서, 합금은 단상 합금이다.
[0088] 다른 특정 방법 실시예에서, 상이한 흡수체 층들은 제1 흡수체 재료를 포함하는 제1 캐소드 및 제2 흡수체 재료를 포함하는 제2 캐소드를 갖는 물리 증착 챔버에서 형성된다. 이제 도 6을 참조하면, 실시예에 따른 멀티-캐소드 챔버(500)의 상부 부분이 도시된다. 멀티-캐소드 챔버(500)는 최상부 어댑터(504)에 의해 캡핑된 원통형 바디 부분(502)을 갖는 베이스 구조(501)를 포함한다. 최상부 어댑터(504)는 최상부 어댑터(504) 주위에 포지셔닝된 다수의 캐소드 소스들, 이를테면, 캐소드 소스들(506, 508, 510, 512 및 514)을 위한 설비들을 갖는다.
[0089] 하나 이상의 실시예들에서, 방법은 5 nm 내지 60 nm 범위의 두께를 갖는 흡수체 층을 형성한다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층은 51 nm 내지 57 nm 범위의 두께를 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층을 형성하기 위해 사용되는 재료들은 흡수체 층의 에칭 특성들에 영향을 미치도록 선택된다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층의 합금은, 물리 증착 챔버에서 형성되는 합금 흡수체 재료를 공동-스퍼터링하고 ―이는 훨씬 더 얇은 흡수체 층 두께(30 nm 미만)를 제공함― 그리고 2% 미만의 반사율 및 원하는 에칭 특성들을 달성함으로써 형성된다. 실시예에서, 흡수체 층의 에칭 특성들 및 다른 원하는 특성들은 각각의 흡수체 재료의 합금 퍼센티지를 제어함으로써 규격에 맞춰진다. 실시예에서, 합금 퍼센티지는 물리 기상 증착 챔버의 전압, 압력, 유동 등과 같은 동작 파라미터들에 의해 정밀하게 제어된다. 실시예에서, 재료 특성들을 추가로 수정하기 위해 프로세스 가스가 사용되는데, 예컨대, 텔루륨 및 게르마늄의 나이트라이드들을 형성하기 위해 N2 가스가 사용된다. 일부 실시예들에서의 합금 흡수체 재료는, 합금의 총 중량에 기반하여 약 63 wt.% 내지 약 93 wt.%의 텔루륨 및 약 7 wt.% 내지 약 37 wt.%의 게르마늄을 포함하는, 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 68 wt.% 내지 약 88 wt.%의 텔루륨 및 약 22 wt.% 내지 약 32 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 73 wt.% 내지 약 83 wt.%의 텔루륨 및 약 17 wt.% 내지 약 27 wt.%의 게르마늄, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 75 wt.% 내지 약 80 wt.%의 텔루륨 및 약 20 wt.% 내지 약 25 wt.%의 게르마늄을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 텔루륨과 게르마늄의 합금은 비정질이다. 하나 이상의 실시예들에서, 합금은 단상 합금이다.
[0090] 일부 실시예들에서의 멀티-캐소드 소스 챔버(500)는 도 3에 도시된 시스템의 일부이다. 실시예에서, EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크 생산 시스템은, 진공을 생성하기 위한 기판 핸들링 진공 챔버, 진공에서, 기판 핸들링 진공 챔버에 로딩된 기판을 수송하기 위한 기판 핸들링 플랫폼, 및 기판 핸들링 플랫폼에 의해 액세스되는, EUV 마스크 블랭크를 형성하기 위한 다수의 서브-챔버들을 포함하며, EUV 마스크 블랭크는, 기판 상의 반사성 층들의 다층 스택 ―다층 스택은 복수의 반사성 층 쌍들을 포함함―, 반사성 층들의 다층 스택 상의 캡핑 층, 및 캡핑 층 상의 흡수체 층을 포함하며, 흡수체 층은 텔루륨과 게르마늄의 합금으로 만들어진다. 일부 실시예들에서의 시스템은, 도 4 또는 도 5와 관련하여 도시된 EUV 마스크 블랭크들을 만들며 위의 도 4 또는 도 5와 관련하여 설명된 EUV 마스크 블랭크들과 관련하여 설명된 특성들 중 임의의 특성을 갖도록 하는 데 사용된다.
[0091] 프로세스들은 일반적으로, 프로세서에 의해 실행될 때, 프로세스 챔버로 하여금 본 개시내용의 프로세스들을 수행하게 하는 소프트웨어 루틴으로서 메모리에 저장될 수 있다. 소프트웨어 루틴은 또한, 프로세서에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원격으로 위치된 제2 프로세서(미도시)에 의해 실행 및/또는 저장될 수 있다. 본 개시내용의 방법 중 일부 또는 전부는 또한 하드웨어로 수행될 수 있다. 따라서, 프로세스는 소프트웨어로 구현되어 컴퓨터 시스템을 사용하여 실행되거나, 예컨대 주문형 집적 회로 또는 다른 타입의 하드웨어 구현으로서 하드웨어로 구현되거나, 또는 소프트웨어와 하드웨어의 조합으로서 구현될 수 있다. 소프트웨어 루틴은, 프로세서에 의해 실행될 때, 범용 컴퓨터를, 프로세스들이 수행되도록 챔버 동작을 제어하는 특정 목적 컴퓨터(제어기)로 변환한다.
[0092] 본 명세서 전반에 걸쳐 "일 실시예", "특정 실시예들", "하나 이상의 실시예들" 또는 "실시예"에 대한 언급은, 실시예와 관련하여 설명된 특정 특징, 구조, 재료 또는 특성이 본 개시내용의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸쳐 다양한 위치들에서 "하나 이상의 실시예들에서", "특정 실시예들에서", "일 실시예에서" 또는 "실시예에서"와 같은 문구들의 출현들이 반드시 본 개시내용의 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 더욱이, 특정 특징들, 구조들, 재료들 또는 특성들은 하나 이상의 실시예들에서 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다.
[0093] 본원의 개시내용이 특정 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 이들 실시예들은 단지 본 개시내용의 원리들 및 애플리케이션들을 예시한다는 것이 이해되어야 한다. 본 개시내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않으면서 본 개시내용의 방법 및 장치에 대해 다양한 수정들 및 변형들이 행해질 수 있다는 것이 당업자들에게 자명할 것이다. 따라서, 본 개시내용은 첨부된 청구항들 및 이들의 등가물들의 범위 내에 있는 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (20)

  1. EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법으로서,
    기판 상에, EUV 방사선을 반사하는 다층 스택을 형성하는 단계 ―상기 다층 스택은 복수의 반사성 층 쌍들을 포함함―;
    상기 다층 스택 상에 캡핑 층을 형성하는 단계; 및
    상기 캡핑 층 상에 흡수체 층을 형성하는 단계
    를 포함하며,
    상기 흡수체 층은 텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 텔루륨과 게르마늄의 합금은 약 63 wt.% 내지 약 93 wt.%의 텔루륨 및 약 7 wt.% 내지 약 37 wt.%의 게르마늄을 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 텔루륨과 게르마늄의 합금은 약 68 wt.% 내지 약 88 wt.%의 텔루륨 및 약 22 wt.% 내지 약 32 wt.%의 게르마늄을 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 텔루륨과 게르마늄의 합금은 약 73 wt.% 내지 약 83 wt.%의 텔루륨 및 약 17 wt.% 내지 약 27 wt.%의 게르마늄을 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 텔루륨과 게르마늄의 합금은 비정질인,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 합금은, 상기 흡수체 층을 형성하기 위해, 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스와 함께 상기 텔루륨 및 상기 게르마늄을 공동-스퍼터링함으로써 형성되는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 합금은, 상기 흡수체 층을 형성하기 위해, 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스를 사용하여 텔루륨 및 게르마늄 층들의 라미네이트로서 층상으로(layer by layer) 증착되는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 합금은, 상기 흡수체 층을 형성하기 위해, 상기 합금과 동일한 조성(composition)을 갖는 벌크 타깃을 사용하여 증착되고 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스를 사용하여 스퍼터링되는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  9. 제2 항에 있어서,
    상기 텔루륨과 게르마늄의 합금은 0.1 wt.% 내지 5 wt.% 범위의 질소 또는 산소 중 하나 이상으로 도핑되는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  10. 제3 항에 있어서,
    상기 텔루륨과 게르마늄의 합금은 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 범위의 질소 또는 산소 중 하나 이상으로 도핑되는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  11. EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크로서,
    기판;
    EUV 방사선을 반사하는 다층 스택 ―상기 다층 스택은 복수의 반사성 층 쌍들을 포함함―;
    반사 층들의 상기 다층 스택 상의 캡핑 층; 및
    텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함하는 흡수체 층
    을 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 텔루륨과 게르마늄의 합금은 약 63 wt.% 내지 약 93 wt.%의 텔루륨 및 약 7 wt.% 내지 약 37 wt.%의 게르마늄을 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 텔루륨과 게르마늄의 합금은 약 68 wt.% 내지 약 88 wt.%의 텔루륨 및 약 12 wt.% 내지 약 32 wt.%의 게르마늄을 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 텔루륨과 게르마늄의 합금은 약 73 wt.% 내지 약 83 wt.%의 텔루륨 및 약 17 wt.% 내지 약 27 wt.%의 게르마늄을 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 텔루륨과 게르마늄의 합금은 비정질인,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  16. 제11 항에 있어서,
    상기 흡수체 층은 45 nm 미만의 두께를 갖는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  17. 제11 항에 있어서,
    상기 흡수체 층은 질소 또는 산소 중 하나 이상으로부터 선택된 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 범위의 도펀트를 더 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  18. 제11 항에 있어서,
    상기 흡수체 층은 45 nm 미만의 두께를 갖는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  19. 제11 항에 있어서,
    상기 흡수체 층은 상기 캡핑 층에 비해 에칭 선택적인,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  20. EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크로서,
    기판;
    EUV 방사선을 반사하는 다층 스택 ―상기 다층 스택은 몰리브데넘(Mo) 및 실리콘(Si)을 포함하는 복수의 반사성 층 쌍들을 포함함―;
    반사 층들의 상기 다층 스택 상의 캡핑 층; 및
    텔루륨과 게르마늄의 합금을 포함하는 흡수체 층
    을 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
KR1020217041708A 2019-05-22 2020-05-20 극자외선 마스크 흡수체 재료들 KR20210158407A (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962851389P 2019-05-22 2019-05-22
US62/851,389 2019-05-22
US16/877,732 US11275302B2 (en) 2019-05-22 2020-05-19 Extreme ultraviolet mask absorber materials
US16/877,732 2020-05-19
PCT/US2020/033718 WO2020236883A1 (en) 2019-05-22 2020-05-20 Extreme ultraviolet mask absorber materials

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210158407A true KR20210158407A (ko) 2021-12-30

Family

ID=73456907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217041708A KR20210158407A (ko) 2019-05-22 2020-05-20 극자외선 마스크 흡수체 재료들

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11275302B2 (ko)
JP (1) JP2022532915A (ko)
KR (1) KR20210158407A (ko)
TW (1) TW202104666A (ko)
WO (1) WO2020236883A1 (ko)

Family Cites Families (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4410407A (en) 1981-12-22 1983-10-18 Raytheon Company Sputtering apparatus and methods
JPS6376325A (ja) 1987-06-30 1988-04-06 Agency Of Ind Science & Technol Ｘ線リソグラフィ−用マスクのｘ線吸収体膜
JP3078163B2 (ja) 1993-10-15 2000-08-21 キヤノン株式会社 リソグラフィ用反射型マスクおよび縮小投影露光装置
DE19508405A1 (de) 1995-03-09 1996-09-12 Leybold Ag Kathodenanordnung für eine Vorrichtung zum Zerstäuben von einem Target-Paar
US6323131B1 (en) 1998-06-13 2001-11-27 Agere Systems Guardian Corp. Passivated copper surfaces
US6132566A (en) 1998-07-30 2000-10-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for sputtering ionized material in a plasma
US6013399A (en) 1998-12-04 2000-01-11 Advanced Micro Devices, Inc. Reworkable EUV mask materials
JP3529676B2 (ja) 1999-09-16 2004-05-24 株式会社東芝 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US6562522B1 (en) 1999-10-29 2003-05-13 Intel Corporation Photomasking
US6583068B2 (en) 2001-03-30 2003-06-24 Intel Corporation Enhanced inspection of extreme ultraviolet mask
US6396900B1 (en) 2001-05-01 2002-05-28 The Regents Of The University Of California Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application
DE10155112B4 (de) 2001-11-09 2006-02-02 Infineon Technologies Ag Reflexionsmaske für die EUV-Lithographie und Herstellungsverfahren dafür
EP1333323A3 (en) 2002-02-01 2004-10-06 Nikon Corporation Self-cleaning reflective optical elements for use in x-ray optical systems, and optical systems and microlithography systems comprising same
WO2003085709A1 (en) 2002-04-11 2003-10-16 Hoya Corporation Reflection type mask blank and reflection type mask and production methods for them
US6835503B2 (en) 2002-04-12 2004-12-28 Micron Technology, Inc. Use of a planarizing layer to improve multilayer performance in extreme ultra-violet masks
JP2003315977A (ja) 2002-04-25 2003-11-06 Hoya Corp リソグラフィーマスクブランクの製造方法及び製造装置
US6641899B1 (en) 2002-11-05 2003-11-04 International Business Machines Corporation Nonlithographic method to produce masks by selective reaction, articles produced, and composition for same
US6913706B2 (en) 2002-12-28 2005-07-05 Intel Corporation Double-metal EUV mask absorber
US6908713B2 (en) 2003-02-05 2005-06-21 Intel Corporation EUV mask blank defect mitigation
JP2004273794A (ja) 2003-03-10 2004-09-30 Mitsubishi Electric Corp Ｘ線マスクの製造方法およびそれにより製造されたｘ線マスクを用いた半導体装置の製造方法
US7033739B2 (en) 2003-04-24 2006-04-25 Intel Corporation Active hardmask for lithographic patterning
US7282307B2 (en) 2004-06-18 2007-10-16 Freescale Semiconductor, Inc. Reflective mask useful for transferring a pattern using extreme ultra violet (EUV) radiation and method of making the same
US20060024589A1 (en) 2004-07-28 2006-02-02 Siegfried Schwarzl Passivation of multi-layer mirror for extreme ultraviolet lithography
US7407729B2 (en) 2004-08-05 2008-08-05 Infineon Technologies Ag EUV magnetic contrast lithography mask and manufacture thereof
JPWO2006030627A1 (ja) 2004-09-17 2008-05-08 旭硝子株式会社 Ｅｕｖリソグラフィ用反射型マスクブランクスおよびその製造方法
US8575021B2 (en) 2004-11-22 2013-11-05 Intermolecular, Inc. Substrate processing including a masking layer
FR2884965B1 (fr) 2005-04-26 2007-06-08 Commissariat Energie Atomique Structure de blanc de masque ajustable pour masque euv a decalage de phase
US7432201B2 (en) 2005-07-19 2008-10-07 Applied Materials, Inc. Hybrid PVD-CVD system
KR20070036519A (ko) 2005-09-29 2007-04-03 주식회사 하이닉스반도체 반사형 마스크
JP4652946B2 (ja) 2005-10-19 2011-03-16 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク用基板の製造方法、反射型マスクブランクの製造方法、及び反射型マスクの製造方法
US20070090084A1 (en) 2005-10-20 2007-04-26 Pei-Yang Yan Reclaim method for extreme ultraviolet lithography mask blank and associated products
JP4926523B2 (ja) 2006-03-31 2012-05-09 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクス及び反射型マスク並びに半導体装置の製造方法
KR20080001023A (ko) 2006-06-29 2008-01-03 주식회사 에스앤에스텍 극자외선 반사형 블랭크 마스크와 포토마스크 및 그제조방법
TWI427334B (zh) 2007-02-05 2014-02-21 Zeiss Carl Smt Gmbh Ｅｕｖ蝕刻裝置反射光學元件
KR100879139B1 (ko) 2007-08-31 2009-01-19 한양대학교 산학협력단 위상 반전 마스크 및 이의 제조방법
JP5194888B2 (ja) 2007-09-27 2013-05-08 凸版印刷株式会社 反射型フォトマスクブランク及びその製造方法、反射型フォトマスク及びその製造方法並びに半導体素子の製造方法
EP2217539A4 (en) 2007-11-30 2015-07-01 Corning Inc LOW DILATION GLASS MATERIAL HAVING A LOW GRADIENT OF EXPANSION POWER
KR100972863B1 (ko) 2008-04-22 2010-07-28 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그라피 마스크 및 그 제조 방법
KR20110050427A (ko) 2008-07-14 2011-05-13 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크
DE102008042212A1 (de) 2008-09-19 2010-04-01 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2010050359A1 (ja) 2008-10-30 2010-05-06 キヤノンアネルバ株式会社 多層膜スパッタリング装置及び多層膜形成方法
US8587662B1 (en) 2008-11-06 2013-11-19 Target Brands, Inc. Theft trend analysis and response
KR101095681B1 (ko) 2008-12-26 2011-12-19 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그래피를 위한 포토마스크 및 그 제조방법
EP2264460A1 (en) 2009-06-18 2010-12-22 Nxp B.V. Device having self-assembled-monolayer
JP5766393B2 (ja) 2009-07-23 2015-08-19 株式会社東芝 反射型露光用マスクおよび半導体装置の製造方法
KR20130007537A (ko) 2010-03-02 2013-01-18 아사히 가라스 가부시키가이샤 Ｅｕｖ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법
KR101625382B1 (ko) 2010-04-29 2016-05-30 (주)에스앤에스텍 극자외선용 반사형 블랭크 마스크, 포토마스크 및 그의 제조방법
CN102947759B (zh) 2010-06-15 2016-03-02 卡尔蔡司Smt有限责任公司 用于euv光刻的掩模、euv光刻系统和用于优化掩模的成像的方法
TWI554630B (zh) 2010-07-02 2016-10-21 應用材料股份有限公司 減少沉積不對稱性的沉積設備及方法
US8764995B2 (en) 2010-08-17 2014-07-01 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
CN103210515B (zh) 2010-09-15 2015-06-03 株式会社理光 机电转换器件及其制造方法及液滴排出头和液滴排出设备
JP6013720B2 (ja) 2010-11-22 2016-10-25 芝浦メカトロニクス株式会社 反射型マスクの製造方法、および反射型マスクの製造装置
US8426085B2 (en) 2010-12-02 2013-04-23 Intermolecular, Inc. Method and apparatus for EUV mask having diffusion barrier
WO2013046627A1 (ja) 2011-09-28 2013-04-04 凸版印刷株式会社 反射型露光用マスクブランクおよび反射型露光用マスク
KR20140099226A (ko) 2011-11-25 2014-08-11 아사히 가라스 가부시키가이샤 Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법
JP2013120868A (ja) 2011-12-08 2013-06-17 Dainippon Printing Co Ltd 反射型マスクブランクス、反射型マスク、および、それらの製造方法
US8691476B2 (en) 2011-12-16 2014-04-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and method for forming the same
KR20130085774A (ko) 2012-01-20 2013-07-30 에스케이하이닉스 주식회사 Ｅｕｖ 마스크
WO2013152921A1 (en) 2012-04-12 2013-10-17 Asml Netherlands B.V. Pellicle, reticle assembly and lithographic apparatus
US8658333B2 (en) 2012-06-04 2014-02-25 Nanya Technology Corporation Reflective mask
US8765331B2 (en) 2012-08-17 2014-07-01 International Business Machines Corporation Reducing edge die reflectivity in extreme ultraviolet lithography
US8932785B2 (en) 2012-10-16 2015-01-13 Advanced Mask Technology Center Gmbh & Co. Kg EUV mask set and methods of manufacturing EUV masks and integrated circuits
US9146458B2 (en) 2013-01-09 2015-09-29 Kabushiki Kaisha Toshiba EUV mask
US9442387B2 (en) 2013-02-01 2016-09-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process
US9812303B2 (en) 2013-03-01 2017-11-07 Applied Materials, Inc. Configurable variable position closed track magnetron
US9135499B2 (en) 2013-03-05 2015-09-15 Tyco Fire & Security Gmbh Predictive theft notification for the prevention of theft
US20140254001A1 (en) 2013-03-07 2014-09-11 Globalfoundries Inc. Fabry-perot thin absorber for euv reticle and a method of making
US9298081B2 (en) 2013-03-08 2016-03-29 Globalfoundries Inc. Scattering enhanced thin absorber for EUV reticle and a method of making
US9354508B2 (en) 2013-03-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank, and manufacturing and lithography systems therefor
US20140272684A1 (en) 2013-03-12 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet lithography mask blank manufacturing system and method of operation therefor
US9310675B2 (en) 2013-03-15 2016-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks, and fabrication methods thereof
JP6408790B2 (ja) 2013-05-31 2018-10-17 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US9091947B2 (en) 2013-07-19 2015-07-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet light (EUV) photomasks and fabrication methods thereof
US9134604B2 (en) 2013-08-30 2015-09-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Extreme ultraviolet (EUV) mask and method of fabricating the EUV mask
KR101567057B1 (ko) 2013-11-15 2015-11-09 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
US9261774B2 (en) 2013-11-22 2016-02-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Extreme ultraviolet lithography process and mask with reduced shadow effect and enhanced intensity
JP6301127B2 (ja) 2013-12-25 2018-03-28 Hoya株式会社 反射型マスクブランク及び反射型マスク、並びに半導体装置の製造方法
US9329597B2 (en) 2014-01-17 2016-05-03 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US10279488B2 (en) 2014-01-17 2019-05-07 Knightscope, Inc. Autonomous data machines and systems
US9195132B2 (en) 2014-01-30 2015-11-24 Globalfoundries Inc. Mask structures and methods of manufacturing
US11183375B2 (en) 2014-03-31 2021-11-23 Applied Materials, Inc. Deposition system with multi-cathode and method of manufacture thereof
KR20160002332A (ko) 2014-06-30 2016-01-07 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
US9612522B2 (en) 2014-07-11 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet mask blank production system with thin absorber and manufacturing system therefor
US9581890B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with multilayer stack and method of manufacturing thereof
US9739913B2 (en) 2014-07-11 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet capping layer and method of manufacturing and lithography thereof
US9690016B2 (en) 2014-07-11 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Extreme ultraviolet reflective element with amorphous layers and method of manufacturing thereof
US9581889B2 (en) 2014-07-11 2017-02-28 Applied Materials, Inc. Planarized extreme ultraviolet lithography blank with absorber and manufacturing system therefor
KR102499220B1 (ko) 2014-09-17 2023-02-13 호야 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법, 반사형 마스크 및 그 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
US9709884B2 (en) 2014-11-26 2017-07-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. EUV mask and manufacturing method by using the same
US9471866B2 (en) 2015-01-05 2016-10-18 Tyco Fire and Securtiy GmbH Anti-theft system used for customer service
US9588440B2 (en) 2015-02-12 2017-03-07 International Business Machines Corporation Method for monitoring focus in EUV lithography
US9551924B2 (en) 2015-02-12 2017-01-24 International Business Machines Corporation Structure and method for fixing phase effects on EUV mask
KR101726045B1 (ko) 2015-06-04 2017-04-13 한양대학교 산학협력단 극자외선 노광 공정용 마스크, 및 그 제조 방법
TWI694304B (zh) 2015-06-08 2020-05-21 日商Ａｇｃ股份有限公司 Ｅｕｖ微影術用反射型光罩基底
KR101829604B1 (ko) 2015-08-17 2018-03-29 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 포토마스크 및 그 제조방법
TWI623805B (zh) 2015-08-17 2018-05-11 Ｓ＆Ｓ技術股份有限公司 用於極紫外線微影之空白遮罩及使用其之光罩
US9673042B2 (en) 2015-09-01 2017-06-06 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for in-situ cleaning of copper surfaces and deposition and removal of self-assembled monolayers
US20170092533A1 (en) 2015-09-29 2017-03-30 Applied Materials, Inc. Selective silicon dioxide deposition using phosphonic acid self assembled monolayers as nucleation inhibitor
US10163629B2 (en) 2015-11-16 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Low vapor pressure aerosol-assisted CVD
US10431440B2 (en) 2015-12-20 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for processing a substrate
US9791771B2 (en) 2016-02-11 2017-10-17 Globalfoundries Inc. Photomask structure with an etch stop layer that enables repairs of detected defects therein and extreme ultraviolet(EUV) photolithograpy methods using the photomask structure
CN109075021B (zh) 2016-03-03 2023-09-05 应用材料公司 利用间歇性空气-水暴露的改良自组装单层阻挡
JP6739960B2 (ja) 2016-03-28 2020-08-12 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び半導体装置の製造方法
US10061191B2 (en) 2016-06-01 2018-08-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High durability extreme ultraviolet photomask
TWI763686B (zh) 2016-07-27 2022-05-11 美商應用材料股份有限公司 具有合金吸收劑的極紫外線遮罩坯料、製造極紫外線遮罩坯料的方法以及極紫外線遮罩坯料生產系統
TWI774375B (zh) 2016-07-27 2022-08-11 美商應用材料股份有限公司 具多層吸收劑的極紫外遮罩坯料及製造方法
US11926894B2 (en) 2016-09-30 2024-03-12 Asm Ip Holding B.V. Reactant vaporizer and related systems and methods
US11011357B2 (en) 2017-02-21 2021-05-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for multi-cathode substrate processing
JP7082606B2 (ja) 2017-03-02 2022-06-08 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及びその製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US10847368B2 (en) 2017-04-07 2020-11-24 Applied Materials, Inc. EUV resist patterning using pulsed plasma
US10704139B2 (en) 2017-04-07 2020-07-07 Applied Materials, Inc. Plasma chamber target for reducing defects in workpiece during dielectric sputtering
KR20180127197A (ko) 2017-05-18 2018-11-28 주식회사 에스앤에스텍 극자외선용 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크
JP6729508B2 (ja) 2017-06-29 2020-07-22 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP6863169B2 (ja) 2017-08-15 2021-04-21 Ａｇｃ株式会社 反射型マスクブランク、および反射型マスク
EP3454119B1 (en) 2017-09-09 2023-12-27 IMEC vzw Euv absorbing alloys
US10504705B2 (en) 2017-09-15 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Physical vapor deposition chamber with static magnet assembly and methods of sputtering
US10890842B2 (en) 2017-09-21 2021-01-12 AGC Inc. Reflective mask blank, reflective mask, and process for producing reflective mask blank
US10802393B2 (en) 2017-10-16 2020-10-13 Globalfoundries Inc. Extreme ultraviolet (EUV) lithography mask
KR102402767B1 (ko) 2017-12-21 2022-05-26 삼성전자주식회사 극자외선 마스크 블랭크, 극자외선 마스크 블랭크를 이용하여 제조된 포토마스크, 포토마스크를 이용한 리소그래피 장치 및 포토마스크를 이용한 반도체 장치 제조 방법
KR20190141083A (ko) 2018-06-13 2019-12-23 에이지씨 가부시키가이샤 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반사형 마스크 블랭크의 제조 방법
TWI821300B (zh) 2018-06-19 2023-11-11 美商應用材料股份有限公司 具有護罩座的沉積系統
JP6636581B2 (ja) 2018-08-01 2020-01-29 Hoya株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP7376278B2 (ja) 2018-08-16 2023-11-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 固体原料昇華器
US11366379B2 (en) 2019-05-22 2022-06-21 Applied Materials Inc. Extreme ultraviolet mask with embedded absorber layer
TW202104617A (zh) 2019-05-22 2021-02-01 美商應用材料股份有限公司 極紫外光遮罩吸收材料

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020236883A1 (en) 2020-11-26
US20200371422A1 (en) 2020-11-26
JP2022532915A (ja) 2022-07-20
US11275302B2 (en) 2022-03-15
TW202104666A (zh) 2021-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200371429A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11249388B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
KR102537308B1 (ko) 극자외선 마스크 흡수체 물질들
US11609490B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11249390B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
KR20210066015A (ko) 극자외선 마스크 흡수체용 ta-cu 합금 재료
US11275304B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber matertals
US11644741B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11630385B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11249389B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11675263B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11275302B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US11275303B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber matertals
US11300872B2 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US20200371427A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials
US20200371423A1 (en) Extreme ultraviolet mask absorber materials

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination