KR20210129171A - 노광 시스템, 노광 장치, 및 노광 방법 - Google Patents

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Abstract

(과제) 감광성 보호기를 갖는 화합물의 층을 노광하여 친발액 패턴을 형성한 후, 배선 패턴을 형성하기 전에, 보호기의 탈리가 충분한지의 여부를 판단한다.
(해결 수단) 기판 상의 감광성 보호기를 포함하는 층을 노광하여, 층에 친액 영역 및 발액 영역을 포함하는 친발액 패턴을 형성하는 노광 시스템으로서, 층을 노광하는 노광 장치와, 노광 장치로 노광된 영역을 비접촉으로 검사하는 검사 장치와, 검사 장치의 검사 결과에 기초하여, 노광 시스템에 포함되는 장치 중 어느 하나 이상의 장치를 제어하는 제어 장치를 구비한다.

Description

노광 시스템, 노광 장치, 및 노광 방법
본 발명은, 노광 시스템, 노광 장치, 및 노광 방법에 관한 것이다.
최근, 반도체 소자, 집적 회로, 유기 EL 디스플레이용 디바이스 등의 미세 디바이스 등의 제조에 있어서, 기판 상에, 표면 특성이 상이한 패턴을 형성하고, 그 표면 특성의 차이를 이용하여 미세 디바이스를 제조하는 방법이 제안되어 있다.
기판 상의 표면 특성의 차이를 이용한 패턴 형성 방법으로는, 예를 들어, 기판 상에 친수 영역과 발수 영역을 형성하고, 기능성 재료의 수용액을 친수 영역에 도포하는 방법이 있다. 이 방법은, 친수 영역에서만 기능성 재료의 수용액이 젖어 퍼지기 때문에, 기능성 재료의 패턴을 형성할 수 있다.
기판 상에 친수 영역과 발수 영역을 형성할 수 있는 재료로서, 예를 들어, 특허문헌 1 에는, 광 조사의 전후에서 접촉각을 변화시킬 수 있는 함불소 화합물이 기재되어 있다. 이와 같은 화합물에 광 조사한 후에는, 기능성 재료를 친수 영역에 양호하게 도포하기 위해, 당해 화합물에 충분한 광 조사가 실시되었는지의 여부를 판단할 수 있는 것이 바람직하다.
일본 특허공보 제4997765호
본 발명의 제 1 양태에 따르면, 기판 상의 감광성 보호기를 포함하는 층을 노광하여, 층에 친액 영역 및 발액 영역을 포함하는 친발액 패턴을 형성하는 노광 시스템으로서, 층을 노광하는 노광 장치와, 노광 장치로 노광된 영역을 비접촉으로 검사하는 검사 장치와, 검사 장치의 검사 결과에 기초하여, 노광 시스템에 포함되는 장치 중 어느 하나 이상의 장치를 제어하는 제어 장치를 구비하는 노광 시스템이 제공된다. 또, 기판 상에 형성된, 감광성 보호기를 갖는 화합물을 포함하는 층을 노광하여, 친액 영역 및 발액 영역을 포함하는 친발액 패턴을 형성하는 노광 시스템으로서, 감광성 보호기를 갖는 화합물을 포함하는 층을 노광하는 노광 장치와, 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보를 측정점마다 취득하는 검사 장치와, 노광 장치에 의해 노광된 영역에 포함되는 측정점의 정보에 기초하여 노광의 양부를 판단하는 판단부를 갖는 제어 장치를 구비하는, 노광 시스템이 제공된다.
본 발명의 제 2 양태에 따르면, 기판 상에 형성된, 감광성 보호기를 갖는 화합물을 포함하는 층을 노광하여, 친액 영역 및 발액 영역을 포함하는 친발액 패턴을 형성하는 노광 장치로서, 감광성 보호기를 갖는 화합물을 포함하는 층을 노광하는 노광부와, 노광부에 의해 노광된 영역에 있어서의 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보를 측정점마다 취득하는 검사부와, 노광부에 의해 노광된 영역에 포함되는 측정점의 정보에 기초하여 노광의 양부를 판단하는 판단부를 갖는 제어부를 구비하는, 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제 3 양태에 따르면, 기판 상에 형성된, 감광성 보호기를 갖는 화합물을 포함하는 층을 노광하여, 친액수 영역 및 발액 영역을 포함하는 친발액 패턴을 형성하는 노광 방법으로서, 감광성 보호기를 갖는 화합물을 포함하는 층을 노광하는 것과, 노광된 영역에 있어서의 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보를 측정점마다 취득하는 것과, 노광된 영역에 포함되는 측정점의 정보에 기초하여 노광의 양부를 판단하는 것을 포함하는, 노광 방법이 제공된다.
도 1 은, 제 1 실시형태에 관련된 노광 시스템의 일례를 나타내는 도면이다.
도 2(A) 및 도 2(B) 는, 원자간력 현미경에 의해 측정 결과의 일례를 나타내는 화상이다.
도 3(A) 및 도 3(B) 는, 탈리량 관련 정보에 기초하여 노광의 양부를 판단하는 순서의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 4 는, 제 1 실시형태에 관련된 노광 시스템에 의한 노광 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 5 는, 제 1 실시형태에 관련된 노광 시스템에 의한 노광 방법의 다른 예를 나타내는 플로 차트이다.
도 6 은, 제 1 실시형태에 관련된 노광 시스템에 의한 노광 방법의 다른 예를 나타내는 플로 차트이다.
도 7 은, 제 2 실시형태에 관련된 노광 시스템의 일례를 나타내는 도면이다.
도 8 은, 제 2 실시형태에 관련된 노광 시스템의 다른 예를 나타내고, 기판을 상방으로부터 본 도면이다.
도 9 는, 제 2 실시형태에 관련된 노광 시스템의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 10 은, 제 3 실시형태에 관련된 노광 시스템의 일례를 나타내는 도면이다.
도 11 은, 제 3 실시형태에 관련된 노광 시스템에 의한 노광 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 12 는, 제 4 실시형태에 관련된 노광 시스템의 일례를 나타내는 도면이다.
도 13 은, 제 4 실시형태에 관련된 노광 시스템에 의한 노광 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다.
도 14(A) 및 도 14(B) 는, 제 4 실시형태에 관련된 노광 시스템에 있어서, 도금 장치 내의 기판의 반송 경로의 길이를 제어하는 경우의 일례를 나타내는 도면이다.
도 15 는, 제 5 실시형태에 관련된 노광 시스템의 일례를 나타내는 도면이다.
도 16 은, 제 6 실시형태에 관련된 노광 장치의 일례를 나타내는 도면이다.
감광성 보호기를 갖는 화합물의 층은, 노광에 의해 보호기가 제거되어, 이 부분이 상대적으로 친액화됨으로써 친발액 패턴이 형성된다. 친발액 패턴이 형성된 후, 친액 부분에 도금 촉매를 부여하여 무전해 도금을 실시하거나, 또는 친수 부분에 배선 형성 재료를 도포함으로써, 배선 패턴을 형성한다. 이와 같은 감광성 보호기를 갖는 화합물의 층에 있어서, 노광에 의한 보호기의 탈리가 충분하지 않은 경우, 친액화의 정도가 작다. 이와 같은 상태에서 무전해 도금, 또는 배선 형성 재료의 도포를 실시해도, 양호한 배선 패턴을 얻는 것은 곤란하다. 본 실시형태에서는, 감광성 보호기를 갖는 화합물의 층을 노광하여 친발액 패턴을 형성한 후, 배선 패턴을 형성하기 전에, 보호기의 탈리가 충분한지의 여부를 판단하는 것이 가능한 노광 시스템, 노광 장치, 및 노광 방법을 제공한다.
이하, 본 발명의 각 실시형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 기재되는 실시형태에 한정되지 않는다. 또, 도면에 있어서는 실시형태를 설명하기 위해, 일부분을 크게 또는 강조하여 기재하는 등 적절히 축척을 변경하여 표현하고 있다. 본 실시형태에서는, 예를 들어, 전자 디바이스로서의 플렉시블·디스플레이, 플렉시블 배선, 플렉시블·센서 등의 회로 기판을 제조하는 경우를 예로 들어 설명한다. 플렉시블·디스플레이로는, 예를 들어, 유기 EL 디스플레이, 액정 디스플레이 등이 있다.
본 실시형태에 관련된 전자 디바이스를 제조하는 경우에는, 가요성의 시트상의 기판 (시트 기판) 을 롤상으로 감은 공급 롤로부터 기판이 송출되고, 송출된 기판에 대해 각종 처리를 연속적으로 실시한 후, 각종 처리 후의 기판을 회수 롤에서 권취하는, 이른바, 롤·투·롤 (Roll To Roll) 방식이 채용된다. 기판은, 기판의 반송 방향이 긴 방향 (장척) 이 되고, 폭 방향이 짧은 방향 (단척) 이 되는 띠상의 형상을 갖는다. 공급 롤로부터 이송된 기판은, 순차, 전처리, 노광 처리, 후처리 등의 각종 처리가 실시되고, 회수 롤에서 권취된다. 또한, 기판을 롤·투·롤로 반송하는 것에 한정되지 않고, 예를 들어, 직사각형상의 복수 장의 기판을 소정 방향으로 연속적으로 혹은 단속적으로 반송하고, 반송 도중에 있어서 각종 처리를 실시하는 형태여도 된다.
＜제 1 실시형태＞
도 1 은, 제 1 실시형태에 관련된 노광 시스템의 일례를 나타내는 도면이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 노광 시스템 (100) 은, 도포 장치 (CT) 와, 노광 장치 (EX) 와, 반송 장치 (TR) 와, 검사 장치 (DT) 와, 제어 장치 (CONT) 를 구비한다. 도포 장치 (CT), 노광 장치 (EX), 검사 장치 (DT) 는, 예를 들어, 반송 장치 (TR) 에 의한 기판 (FS) 의 반송 방향의 상류측에서 하류측으로 이 순서로 배치된다. 도포 장치 (CT) 는, 감광성 보호기를 갖는 화합물의 액적을 기판 (FS) 에 도포하고, 이 화합물의 층 (이하, 화합물층이라고 표기한다) 을 형성한다. 도포 장치 (CT) 는, 예를 들어, 잉크젯형 도포 장치, 스핀 코트형 도포 장치, 롤 코트형 도포 장치, 슬롯 코트형 도포 장치 등의 액적 도포 장치가 사용된다. 도포 장치 (CT) 는, 1 대 또는 복수 대가 배치된다. 도포 장치 (CT) 가 복수 대 배치되는 경우, 예를 들어, 기판 (FS) 의 반송 방향을 따라 배치되어도 되고, 기판 (FS) 의 폭 방향으로 배치되어도 된다.
감광성 보호기를 갖는 화합물로는, 예를 들어, 하기 일반 식 (1) 로 나타내는 함불소 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure pct00001
[일반 식 (1) 중, X 는 할로겐 원자 또는 알콕시기를 나타내고, R1 은 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형, 분기 사슬형 또는 고리형의 알킬기를 나타내고, Rf1, Rf2 는 각각 독립적으로 알콕시기, 실록시기, 또는 불소화알콕시기로서, n 은 0 이상의 정수를 나타낸다.]
상기 일반 식 (1) 중, X 는 할로겐 원자 또는 알콕시기이다. X 의 할로겐 원자는, 불소 원자, 염소 원자, 브롬 원자 또는 요오드 원자 등을 들 수 있다. X 의 알콕시기는, 탄소수가 1 ∼ 20 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 10 이 보다 바람직하고, 1 ∼ 5 가 더욱 바람직하고, 1 ∼ 3 이 특히 바람직하고, 1 또는 2 가 가장 바람직하다. X 는 할로겐 원자인 것보다 알콕시기인 것이 바람직하다.
n 은 0 이상의 정수를 나타내고, 출발 원료의 입수 용이성의 점에서, 1 ∼ 20 의 정수인 것이 바람직하고, 2 ∼ 15 의 정수인 것이 보다 바람직하다. 또, n 은 3 이상인 것도 바람직하고, 4 이상인 것이 보다 바람직하다.
상기 일반 식 (1) 중, R1 은 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형, 분기 사슬형 또는 고리형의 알킬기이다. R1 의 알킬기로는, 탄소수 1 ∼ 5 의 직사슬형 또는 분기 사슬형의 알킬기가 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기 등을 들 수 있다. 고리형의 알킬기로는, 모노시클로알칸, 비시클로알칸, 트리시클로알칸, 테트라시클로알칸 등의 폴리시클로알칸으로부터 1 개 이상의 수소 원자를 제외한 기 등을 들 수 있다. 본 실시형태에 있어서는, R1 은 수소 원자, 메틸기, 에틸기, n-프로필기 또는 이소프로필기인 것이 바람직하다.
상기 일반 식 (1) 중, Rf1, Rf2 는 각각 독립적으로 알콕시기, 실록시기, 또는 불소화알콕시기이다. 상기 일반 식 (1) 중, Rf1, Rf2 의 불소화알콕시기는, 바람직하게는 탄소수 3 이상의 알콕시기로서, 부분적으로 불소화된 것이어도 되고, 퍼플루오로알콕시기여도 된다. 본 실시형태에 있어서는, 부분적으로 불소화된 불소화알콕시기인 것이 바람직하다.
본 실시형태에 있어서, Rf1, Rf2 의 불소화알콕시기로는, 예를 들어, -O-(CH2)n f1-(Cn f2F2n f2 +1) 로 나타내는 기를 들 수 있다. 상기 nf1 은 0 이상의 정수이고, nf2 는 1 이상의 정수이다. 본 실시형태에 있어서, nf1 은 0 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 0 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 0 ∼ 5 인 것이 특히 바람직하다. 또, 본 실시형태에 있어서, nf2 는 1 ∼ 30 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 15 인 것이 보다 바람직하고, 1 ∼ 10 인 것이 더욱 바람직하고, 1 ∼ 6 인 것이 특히 바람직하다.
이하에 일반 식 (1) 로 나타내는 함불소 화합물의 구체예를 나타낸다.
[화학식 2]
Figure pct00002
감광성 보호기를 갖는 화합물로는, 예를 들어, 하기 일반 식 (2) 로 나타내는 함불소 화합물을 사용할 수 있다.
[화학식 3]
Figure pct00003
[일반 식 (2) 중, R1 은 수소 원자 또는 탄소수 1 ∼ 10 의 직사슬형, 분기 사슬형 또는 고리형의 알킬기를 나타내고, Rf1, Rf2 는 각각 독립적으로 알콕시기, 실록시기, 또는 불소화알콕시기이다.]
일반 식 (2) 중, R1, Rf1, Rf2 에 대한 설명은, 상기 일반 식 (1) 중의 R1, Rf1, Rf2 에 대한 설명과 동일하다.
＜함불소 화합물의 제조 방법＞
일반 식 (1) 로 나타내는 함불소 화합물은, 상기한 일반 식 (2) 로 나타내는 함불소 화합물을 원료 (중간체) 로서 제조하는 것이 바람직하다.
하기 공정에 있어서, 사용되는 용매로는, 예를 들어, 아세트산에틸, 아세트산부틸, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 시클로헥사논, 테트라하이드로푸란, 디옥산, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, 벤젠, 톨루엔, 아세토니트릴, 염화메틸렌, 클로로포름, 디클로로에탄, 메탄올, 에탄올, 1-프로판올, 2-프로판올, 1-부탄올 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다.
일반 식 (2) 로 나타내는 함불소 화합물은, 예를 들어, 이하의 각각의 공정을 거침으로써 얻을 수 있다.
[화학식 4]
Figure pct00004
상기 식 중, R1, Rf1 및 Rf2 는, 상기 일반 식 (1) 중의 R1, Rf1 및 Rf2 와 동일하고, I-Rf1', I-Rf2' 중의 Rf1', Rf2' 는 각각, 상기 Rf1, Rf2 와 동일하다.
[화학식 5]
Figure pct00005
상기 식 중, R1, Rf1 및 Rf2 는, 상기 일반 식 (1) 중의 R1, Rf1 및 Rf2 와 동일하다.
[화학식 6]
Figure pct00006
상기 식 중, R1, Rf1 및 Rf2 는, 상기 일반 식 (1) 중의 R1, Rf1 및 Rf2 와 동일하다.
[화학식 7]
Figure pct00007
상기 반응 식 중, R1, Rf1, Rf2 에 대한 설명은 상기 일반 식 (1) 중에 있어서의 R1, Rf1, Rf2 에 대한 설명과 동일하다.
일반 식 (1) 로 나타내는 함불소 화합물은, 예를 들어, 이하의 공정에 의해 얻을 수 있다. 이하의 식 중, X, R1, Rf1, Rf2, n 에 대한 설명은 상기 일반 식 (1) 중에 있어서의 X, R1, Rf1, Rf2, n 에 대한 설명과 동일하다.
[화학식 8]
Figure pct00008
또한, 감광성 보호기를 갖는 화합물은, 국제 공개 WO2015/029981 에 기재된 화합물을 적용 가능하다.
노광 장치 (EX) 는, 기판 (FS) 에 노광광 (SP) 을 조사함으로써, 기판 (FS) 에 형성된 화합물층을 노광하여, 친액 영역 및 발액 영역을 포함하는 친발액 패턴을 형성한다. 즉, 기판 (FS) 에 형성된 화합물층은, 발액성을 갖고 있다. 이 화합물층에 노광광 (SP) 이 조사됨으로써 감광성 보호기가 탈리되고, 이 감광성 보호기가 탈리된 부분 (영역) 은 발액성이 없어지고 친액성을 가지게 된다. 이와 같이, 발액성을 가지는 부분과 친액성을 가지는 부분을 형성함으로써 친발액 패턴을 형성한다. 노광 장치 (EX) 는, 예를 들어, 마스크를 사용하지 않는 직묘 방식의 노광 장치, 이른바 래스터 스캔 방식의 노광 장치를 사용할 수 있다. 노광 장치 (EX) 는, 렌즈 소자 (GL) 를 포함하는 광학계를 조정함으로써, 초점 위치를 조정 가능하다. 또한, 노광 장치의 구성에 대해서는 후술한다.
노광 장치 (EX) 로부터 조사하는 노광광 (SP) 은, 예를 들어, 자외선 등을 들 수 있다. 노광광 (SP) 은, 200 ∼ 450 ㎚ 의 범위에 포함되는 파장을 갖는 광을 포함하는 것이 바람직하고, 320 ∼ 450 ㎚ 의 범위에 포함되는 파장을 갖는 광을 포함하는 것이 보다 바람직하다. 또, 노광광 (SP) 은, 365 ㎚ 의 파장을 갖는 광인 것이 바람직하다. 이들의 파장을 갖는 광은, 상기 서술한 감광성 보호기를 효율적으로 탈리할 수 있다. 광원으로는, 저압 수은 램프, 고압 수은 램프, 초고압 수은 램프, 크세논 램프, 나트륨 램프 ; 질소 등의 기체 레이저, 유기 색소 용액의 액체 레이저, 무기 단결정에 희토류 이온을 함유시킨 고체 레이저 등을 들 수 있다.
또, 단색광이 얻어지는 레이저 이외의 광원으로는, 광대역의 선 스펙트럼, 연속 스펙트럼을 밴드 패스 필터, 컷오프 필터 등의 광학 필터를 사용하여 취출한 특정 파장의 광을 사용해도 된다. 한 번에 큰 면적을 조사할 수 있는 점에서, 광원으로는 고압 수은 램프 또는 초고압 수은 램프를 사용해도 된다.
반송 장치 (TR) 는, 기판 (FS) 을 반송한다. 반송 장치 (TR) 는, 송출 롤러 (RL1) 와, 권취 롤러 (RL2) 와, 구동 장치 (AC) 를 갖는다. 송출 롤러 (RL1) 는, 미처리의 기판 (FS) 이 감겨져 형성되어 있고, 기판 (FS) 의 반송 방향의 상류측에 배치된다. 권취 롤러 (RL2) 는, 송출 롤러 (RL1) 로부터 송출되어 처리된 기판 (FS) 을 권취하도록, 기판 (FS) 의 반송 방향의 하류측에 배치된다. 구동 장치 (AC) 는, 권취 롤러 (RL2) 를 회전 구동시킨다. 권취 롤러 (RL2) 가 회전하여 기판 (FS) 을 권취함에 따라, 기판 (FS) 을 반송 방향으로 이동시킬 수 있다. 또한, 구동 장치 (AC) 는, 권취 롤러 (RL2) 의 회전에 동기시키도록, 송출 롤러 (RL1) 를 회전시켜도 된다.
또, 이동하는 기판 (FS) 의 하방에는, 1 개 또는 복수의 반송 롤러가 배치되어, 기판 (FS) 의 이동을 가이드해도 된다. 예를 들어, 반송 롤러는, 도포 장치 (CT), 노광 장치 (EX), 검사 장치 (DT) 의 각각의 하방에 배치되어, 도포 장치 (CT) 와 기판 (FS) 의 갭, 노광 장치 (EX) 와 기판 (FS) 의 갭, 검사 장치 (DT) 와 기판 (FS) 의 갭을 규정해도 된다. 이 반송 롤러는, 기판 (FS) 의 법선 방향으로 이동 가능하게 형성되어, 상기한 갭을 조정 가능하게 해도 된다.
기판 (FS) 은, 예를 들어, 수지 필름, 혹은 스테인리스강 등의 금속 또는 합금으로 이루어지는 박 (포일) 등이 사용된다. 수지 필름의 재질로는, 예를 들어, 폴리올레핀 수지, 폴리실리콘 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지, 에틸렌비닐 공중합체 수지, 폴리염화비닐 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스티렌 수지, 및 아세트산비닐 수지 중, 적어도 1 개 이상을 포함한 것을 사용해도 된다. 또, 기판 (FS) 의 두께나 강성 (영률) 은, 예를 들어, 도포 장치 (CT) 에 대향하는 이동로를 통과할 때에, 기판 (FS) 에 좌굴에 의한 접힘이나 비가역적인 주름이 발생하지 않는 범위, 또는/및 노광 장치 (EX) 에 대향하는 이동로를 통과할 때에, 기판 (FS) 에 좌굴에 의한 접힘이나 비가역적인 주름이 발생하지 않는 범위이면 된다. 기판 (FS) 의 모재로서, 두께가 25 ㎛ ∼ 200 ㎛ 정도의 PET (폴리에틸렌테레프탈레이트) 나 PEN (폴리에틸렌나프탈레이트) 등의 필름은, 바람직한 시트 기판의 전형으로서 사용된다.
기판 (FS) 은, 각 공정에 있어서 열을 받는 경우가 있기 때문에, 열팽창 계수가 현저하게 크지 않은 재질의 기판 (FS) 을 선정하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 무기 필러를 수지 필름에 혼합함으로써 열팽창 계수를 억제할 수 있다. 무기 필러는, 예를 들어, 산화티탄, 산화아연, 알루미나, 또는 산화규소 등이어도 된다. 또, 기판 (FS) 은, 플로트법 등에 의해 제조된 두께 100 ㎛ 정도의 극박 유리의 단층체여도 되고, 이 극박 유리에 상기의 수지 필름, 박 등을 첩합한 적층체여도 된다.
기판 (FS) 의 가요성 (flexibility) 이란, 기판 (FS) 에 자중 정도의 힘을 가해도 전단되거나 파단되거나 하는 경우는 없고, 그 기판 (FS) 을 휘게 하는 것이 가능한 성질을 말한다. 또, 자중 정도의 힘에 의해 굴곡하는 성질도 가요성에 포함된다. 또, 기판 (FS) 의 재질, 크기, 두께, 기판 (FS) 상에 성막되는 층 구조, 온도, 습도 등의 환경 등에 따라, 가요성의 정도는 바뀐다. 기판 (FS) 은, 이동로에 형성되는 송출 롤러 (RL1), 권취 롤러 (RL2), 각종 반송 롤러, 회전 드럼 등의 반송 방향 전환용의 부재에 기판 (FS) 을 올바르게 감은 경우에, 좌굴되어 접힘이 발생하거나, 파손 (찢어짐이나 균열이 발생) 되거나 하지 않고, 매끄럽게 반송할 수 있으면, 가요성의 범위라고 할 수 있다.
검사 장치 (DT) 는, 노광 장치 (EX) 에 의해 노광된 영역 (이하, 노광 영역 (W) 이라고 칭한다) 에 있어서의 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보 (이하, 탈리량 관련 정보라고 표기한다) 를 측정점마다 취득한다. 검사 장치 (DT) 는, 노광 장치 (EX) 에 의해 노광된 영역의 막두께, 질량, 원자간력, 또는 소정 파장의 흡수 중 어느 하나 이상을 검사해도 된다. 또, 검사 장치 (DT) 는, 비접촉으로 표면 상태를 검사하는 것이 바람직하다. 또한, 노광 장치 (EX) 에 의해 노광되지 않는 영역을 비노광 영역 (N) 이라고 칭한다. 검사 장치 (DT) 는, 예를 들어, 기판 (FS) 의 반송 방향과 기판 (FS) 의 폭 방향에 좌표를 설정하고, 설정한 좌표마다 측정점을 설정할 수 있다. 검사 장치 (DT) 는, 계측 결과를 제어 장치 (CONT) 에 송신한다. 검사 장치 (DT) 로는, 예를 들어, 자외 가시 분광 광도계, 적외 분광 광도계, 원자간력 현미경 (AFM : Atomic Force Microscope), 촉진식 단차계, 광학식 검사 장치, 주사형 전자 현미경, 접촉각계, 질량 분석계, X 선 광전자 분광계 등의 각종 측정 기기를 사용할 수 있다.
검사 장치 (DT) 는, 기판 (FS) 의 표면 중, 노광 영역 (W) 의 위치에 관한 정보를 제어 장치 (CONT) 등으로부터 취득함으로써, 이 노광 영역 (W) 을 특정하여 탈리량 관련 정보를 취득하는 것이 가능하다. 단, 검사 장치 (DT) 는, 기판 (FS) 의 표면 중, 비노광 영역 (N) 에 대해 계측을 실시해도 된다.
검사 장치 (DT) 로서 자외선 가시 분광 광도계를 사용하는 경우에는, 노광 영역 (W) 에 있어서의 소정의 자외광의 흡수도의 변화로부터 탈리량 관련 정보를 취득할 수 있다. 노광 영역 (W) 은, 감광성 보호기가 탈리되어 있으므로, 비노광 영역 (N) 과 비교하여 감광성 보호기가 적다. 따라서, 감광성 보호기에서 기인하는 자외광의 흡수도의 변화로부터 탈리량 관련 정보를 취득할 수 있다. 검사 장치 (DT) 로서 적외 분광 광도계를 사용하는 경우에는, 노광 영역 (W) 에 있어서의 관능기 유래의 소정의 적외광의 흡수 변화로부터 탈리량 관련 정보를 취득할 수 있다. 노광 영역 (W) 은, 감광성 보호기가 탈리되어 있으므로, 비노광 영역 (N) 과 비교하여 감광성 보호기가 적다. 따라서, 감광성 보호기의 관능기에서 흡수 가능한 소정의 적외광을 조사하여, 그 적외광의 흡수량의 변화로부터 탈리량 관련 정보를 취득할 수 있다.
또, 검사 장치 (DT) 로서 원자간력 현미경을 사용하는 경우에는, 노광 영역 (W) 에 있어서의 부착력에 의해 탈리량 관련 정보를 취득할 수 있다. 기판 (FS) 에 형성되는 화합물층이 노광되어 보호기가 탈리된 경우, 부착력이 커진다. 따라서, 원자간력 현미경을 사용하는 경우에는, 노광 영역 (W) 에 있어서의 캔틸레버의 부착력의 변화로부터 탈리량 관련 정보를 취득할 수 있다. 또한, 원자간력 현미경의 캔틸레버는, 예를 들어, 노광 영역 (W) 에 접촉하는 부분이 스피어형 (구형, 곡면형) 으로 한 형태가 사용되며, 노광 영역 (W) 에 흠집이 생기는 것을 방지 (억제) 해도 된다.
도 2(A) 및 도 2(B) 는, 원자간력 현미경에 의해 측정 결과의 일례를 나타내는 화상이다. 또한, 도 2(A) 및 도 2(B) 는, 각각, 얻어진 4 개의 화상을 서로 연결하여 하나의 화상으로서 나타낸 것이다. 도 2(A) 에서는, 스피어형의 캔틸레버의 부착력이 2000 mJ/㎠ 인 경우의 측정 결과를 가시화한 화상을 나타낸다. 도 2(B) 에서는, 캔틸레버의 부착력이 500 mJ/㎠ 인 경우의 측정 결과를 가시화한 화상을 나타낸다. 기판 (FS) 에 형성된 화합물층이 노광되어 감광성 보호기가 탈리된 경우, 노광 영역 (W) 의 부착력은, 비노광 영역 (N) 의 부착력보다 커진다.
그 결과, 도 2(A) 및 도 2(B) 에 나타내는 바와 같이, 노광 영역 (W) 은, 비노광 영역 (N) 과는 상이하고, 감광성 보호기의 탈리량에 따른 양태로 가시화한 화상으로서 나타난다. 도 2(A) 및 도 2(B) 에 나타내는 예에서는, 비노광 영역 (N) 에 대해 노광 영역 (W) 이 하얗게 되어 나타나 있고, 노광 영역 (W) 내에 있어서 흰색이 상이한 부분을 포함하고 있는 것이 확인된다. 따라서, 이 화상에 기초하여 화상 처리 (예를 들어, 휘도, 색을 임계값과의 비교 처리) 를 실시함으로써, 노광 영역 (W) 과 비노광 영역 (N) 을 구별하면서, 노광 영역 (W) 에 있어서의 감광성 보호기의 탈리량 (즉 탈리량 관련 정보) 을 취득할 수 있다. 또한, 검사 장치 (DT) 로서 원자간력 현미경을 사용하는 경우에는, 노광 영역 (W) 의 막두께에 의해 노광 영역 (W) 에 있어서의 탈리량 관련 정보를 취득해도 된다. 또, 원자간력 현미경을 사용하는 경우에는, 노광 영역 (W) 에 캔틸레버가 접촉함으로써 취득한 막두께의 변화로부터 노광 영역 (W) 에 있어서의 탈리량 관련 정보를 취득해도 된다.
검사 장치 (DT) 로서 촉진식 단차계를 사용하는 경우에는, 노광 영역 (W) 에 접촉자가 접촉함으로써 취득한 막두께의 변화로부터 탈리량 관련 정보를 취득한다. 노광 영역 (W) 에서는 감광성 보호기가 탈리되어 있기 때문에, 약간 막두께가 감소하고 있다. 따라서, 노광 영역 (W) 에 있어서의 막두께의 변화를 검출함으로써, 탈리량 관련 정보를 취득할 수 있다. 검사 장치 (DT) 로서 광학식 검사 장치를 사용하는 경우에는, 노광 영역 (W) 에 소정 파장의 광을 조사함으로써 취득한 막두께의 변화로부터 탈리량 관련 정보를 취득한다. 상기와 같이 노광 영역 (W) 에서는 약간 막두께가 감소하고 있으므로, 소정 파장의 광을 조사하여 노광 영역 (W) 의 막두께를 검출함으로써, 탈리량 관련 정보를 취득할 수 있다.
검사 장치 (DT) 로서 주사형 전자 현미경 (SEM) 을 사용하는 경우에는, 노광 영역 (W) 에 전자선을 조사함으로써 발생하는 2 차 전자 또는 반사 전자의 변화로부터 탈리량 관련 정보를 취득한다. 노광 영역 (W) 에 있어서의 감광성 보호기의 탈리량에 따라, 전자선의 조사에 의해 발생하는 2 차 전자 또는 반사 전자가 상이하다. 따라서, 노광 영역 (W) 에 있어서의 2 차 전자 또는 반사 전자의 변화를 검출함으로써, 탈리량 관련 정보를 취득할 수 있다. 검사 장치 (DT) 로서 접촉각계를 사용하는 경우에는, 노광 영역 (W) 에 있어서의 접촉각 또는 표면 장력에 의해 탈리량 관련 정보를 취득한다. 노광 영역 (W) 에 있어서의 감광성 보호기의 탈리량에 따라, 소정의 액체 (시약) 에 있어서의 접촉각 (정적 접촉각, 동적 접촉각, 젖음성) 이 상이하다. 따라서, 노광 영역 (W) 에 있어서의 접촉각의 변화를 검출함으로써, 탈리량 관련 정보를 취득할 수 있다.
검사 장치 (DT) 로서 질량 분석계를 사용하는 경우에는, 노광 영역 (W) 에 있어서의 감광성 보호기의 질량 검출 강도의 변화로부터 탈리량 관련 정보를 취득한다. 노광 영역 (W) 에서는 감광성 보호기가 탈리되어 있기 때문에, 감광성 보호기의 질량 검출 강도가 변화된다. 따라서, 노광 영역 (W) 에 있어서의 질량 검출 강도의 변화를 검출함으로써, 탈리량 관련 정보를 취득할 수 있다. 검사 장치 (DT) 로서 X 선 광전자 분광계를 사용하는 경우에는, 노광 영역 (W) 에 있어서의 감광성 보호기에서 유래하는 소정 원소의 검출 강도의 변화로부터 탈리량 관련 정보를 취득한다. 노광 영역 (W) 에서는 감광성 보호기가 탈리되어 있기 때문에, 감광성 보호기에서 유래하는 소정 원소의 검출 강도가 변화된다. 따라서, 노광 영역 (W) 에 있어서의 소정 원소의 강도를 검출함으로써, 탈리량 관련 정보를 취득할 수 있다.
제어 장치 (CONT) 는, 검사 장치 (DT) 에 의한 검사 결과에 기초하여, 노광 시스템에 포함되는 장치 중 어느 하나 이상의 장치를 제어한다. 예를 들어, 도포 장치 (CT), 노광 장치 (EX), 반송 장치 (TR), 및 검사 장치 (DT) 를 통괄적으로 제어한다. 제어 장치 (CONT) 는, 도포 제어부 (61) 와, 노광 제어부 (62) 와, 반송 제어부 (63) 와, 판단부 (64) 를 갖는다. 도포 제어부 (61) 는, 도포 장치 (CT) 의 동작을 제어한다. 노광 제어부 (62) 는, 노광 장치 (EX) 의 동작을 제어한다. 반송 제어부 (63) 는, 반송 장치 (TR) 의 동작을 제어한다. 판단부 (64) 는, 검사 장치 (DT) 의 계측 결과에 기초하여 노광의 양부를 판단한다. 판단부 (64) 는, 노광 장치 (EX) 에 의해 노광된 영역 (노광 영역 (W)) 중 소정의 영역에 포함되는 측정점의 정보 (예를 들어, 탈리량 관련 정보) 에 기초하여 노광의 양부를 판단한다. 판단부 (64) 는, 예를 들어, 화합물층에 있어서의 단위 면적당의 탈리량 관련 정보에 기초하여, 노광의 양부를 판단한다. 도 3(A) 및 도 3(B) 는, 탈리량 관련 정보에 기초하여 노광의 양부를 판단하는 순서의 일례를 모식적으로 나타내는 도면이다. 도 3(A) 및 도 3(B) 에서는, 기판 (FS) 상의 화합물층의 일부가 노광되어, 노광 영역 (W) 과 비노광 영역 (N) 이 형성된 경우를 나타내고 있다.
판단부 (64) 는, 예를 들어, 도 2(A) 및 도 2(B) 에 나타내는 화상에 대해 화상 처리를 실시하는 등에 의해, 화합물층에 있어서의 노광 영역 (W) 과 비노광 영역 (N) 을 선정한다. 다음으로, 판단부 (64) 는, 도 3(A) 에 나타내는 바와 같이, 검출한 노광 영역 (W) 을 소정의 단위 영역 (Wa) 으로 구획한다. 본 실시형태에 있어서, 단위 영역 (Wa) 은 정방형상이지만, 이 형태에 한정되지 않고, 예를 들어, 장방형이어도 되고, 삼각형 등의 다른 다각형이어도 되고, 원형, 타원형, 장원형 등의 다른 형상이어도 된다. 도 3(A) 에 나타내는 예에 있어서는, 판단부 (64) 는, 각각의 면적이 동등해지도록 단위 영역 (Wa) 을 설정하고 있지만, 반드시 모든 단위 영역 (Wa) 의 면적을 동등하게 할 필요는 없다.
각 단위 영역 (Wa) 에는, 검사 장치 (DT) 에 있어서 검출된 복수의 측정점에 대한 측정 결과가 포함된다. 판단부 (64) 는, 노광 영역 (W) 을 면적이 동등한 단위 영역 (Wa) 으로 구획한 후, 단위 영역 (Wa) 마다, 복수의 측정점에 있어서의 측정 결과 (예를 들어, 자외선 가시 분광 광도계이면 흡광도, 원자간력 현미경이면 부착력) 에 기초하여, 탈리량 관련 정보를 산출한다. 판단부 (64) 는, 예를 들어, 복수의 측정점에 있어서의 측정 결과의 평균값에 기초하여 탈리량 관련 정보를 산출해도 된다. 도 3(B) 에서는, 탈리량 관련 정보로서, 단위 영역 (Wa) 마다의 측정 결과의 합계를 1 ∼ 5 의 5 단계로 표기한 예를 나타내고 있다. 「1」은 계측 결과의 합계가 가장 적고,「5」는 계측 결과의 합계가 가장 많다.
판단부 (64) 는, 산출한 탈리량 (5 단계 표기의 1 ∼ 5 의 수치) 과, 예를 들어, 검사 장치 (DT) 의 측정 기기마다 설정되는 임계값을 비교한다. 판단부 (64) 는, 비교 결과에 기초하여, 감광성 보호기가 충분히 탈리되어 있는지의 여부, 즉, 노광의 양부를 판단한다. 예를 들어, 검사 장치 (DT) 로서 자외선 가시 분광 광도계를 사용하는 경우, 판단부 (64) 는, 어느 단위 영역 (Wa) 의 흡광도가 임계값 이상이면, 그 단위 영역 (Wa) 이 노광 불량이라고 판단한다. 또, 검사 장치 (DT) 로서 원자간력 현미경을 사용하는 경우, 판단부 (64) 는, 어느 단위 영역 (Wa) 의 부착력이 임계값 이하이면, 그 단위 영역 (Wa) 이 노광 불량이라고 판단한다.
다음으로, 판단부 (64) 는, 단위 영역 (Wa) 마다의 평가에 기초하여, 노광 영역 (W) 에 있어서의 노광의 양부를 판단한다. 예를 들어, 판단부 (64) 는, 노광 불량이라고 판단된 단위 영역 (Wa) 의 수가 노광 영역 (W) 에 있어서의 소정의 비율 (예를 들어, 20 ％, 40 ％ 등) 을 초과하는 경우에, 그 노광 영역 (W) 이 노광 불량이라고 판단해도 되고, 노광 불량이라고 판단된 단위 영역 (Wa) 이 하나라도 있으면, 그 노광 영역 (W) 이 노광 불량이라고 판단해도 된다. 또한, 노광 영역 (W) 의 노광의 양부를 판단하는 구체적인 수법은, 상기의 수법에 한정되지 않는다. 또, 판단부 (64) 는, 단위 영역 (Wa) 마다 노광의 양부를 판단하고, 그 결과를, 노광 영역 (W) 의 노광에 관한 판단 결과로 해도 된다.
다음으로, 상기와 같이 구성된 노광 시스템 (100) 의 동작에 대해 설명한다. 도 4 는, 노광 시스템 (100) 에 의한 노광 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 노광 시스템 (100) 에서는, 반송 장치 (TR) 에 의해 기판 (FS) 을 반송 방향으로 반송시키면서, 도포 장치 (CT) 에 의해 기판 (FS) 상에, 감광성 보호기를 갖는 화합물의 층인 화합물층을 형성하기 위한 액체를 도포하고, 기판 (FS) 상에 화합물층을 형성시킨다. 또한, 도포 장치 (CT) 에 의한 기판 (FS) 상으로의 액체의 도포 후에, 기판 (FS) 상을 건조시키기 위한 건조 장치, 또는 가열하기 위한 가열 장치, 추가로 세정하기 위한 세정 장치가 배치되어도 된다.
기판 (FS) 에 형성된 화합물층은, 반송 장치 (TR) 에 의한 기판 (FS) 의 이동에 수반하여, 반송 방향의 하류측의 노광 장치 (EX) 에 도달한다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 노광 장치 (EX) 는, 화합물층이 도포된 기판 (FS) 에 대해 노광광 (SP) 을 조사하여, 화합물층의 소정의 영역을 노광한다 (스텝 S01). 스텝 S01 에서는, 반송 장치 (TR) 에 의해 기판 (FS) 을 반송 방향으로 반송시키면서, 노광 장치 (EX) 에 의해 기판 (FS) 의 폭 방향으로, 소정의 직경의 스폿광인 노광광 (SP) 을 주사시킨다. 이로써, 기판 (FS) 의 반송 방향 및 폭 방향에 걸친 소정의 영역에 노광광 (SP) 이 조사되어, 노광 영역 (W) 이 형성된다. 또한, 노광광 (SP) 의 주사 속도, 또는 노광광 (SP) 의 1 회의 주사당의 기판 (FS) 의 반송 속도를 조정함으로써, 노광광 (SP) 의 조사 영역의 일부가 중첩되도록 해도 된다.
또한, 노광 장치 (EX) 는, 노광광 (SP) 을 주사시키는 구성 대신에, 소정 영역에 일괄하여 노광광 (SP) 을 조사하는 구성이어도 된다. 또, 기판 (FS) 을 반송 방향으로 반송시키면서 노광광 (SP) 을 조사하는 형태에 한정되지 않고, 기판 (FS) 의 이동을 정지시킨 상태로 노광 장치 (EX) 로부터 노광광 (SP) 을 조사시키고, 다음의 노광 영역을 노광 장치 (EX) 까지 이동시킨다는 기판 (FS) 을 스텝 이동시키는 형태여도 된다.
화합물층에 형성된 노광 영역은, 반송 장치 (TR) 에 의한 기판 (FS) 의 이동에 수반하여, 반송 방향의 하류측의 검사 장치 (DT) 에 도달한다. 검사 장치 (DT) 는, 노광 장치 (EX) 에 의해 노광된 노광 영역 (W) 에 있어서의 감광성 보호기의 탈리량 관련 정보를 측정점마다 취득한다 (스텝 S02). 스텝 S02 에서는, 반송 장치 (TR) 에 의해 기판 (FS) 을 반송 방향으로 반송시키면서, 검사 장치 (DT) 가 노광 영역에 있어서의 탈리량 관련 정보를 취득한다. 검사 장치 (DT) 는, 계측 결과를 제어 장치 (CONT) 에 송신한다. 또한, 기판 (FS) 을 스텝 이동시켜 노광 영역 (W) 에 노광광 (SP) 을 조사하고 있는 경우에는, 기판 (FS) 이 정지하고 있는 타이밍에서 검사 장치 (DT) 에 의해 탈리량 관련 정보의 취득을 실시해도 된다.
제어 장치 (CONT) 는, 검사 장치 (DT) 로부터의 계측 결과에 기초하여, 기판 (FS) 에 대한 노광의 양부를 판단한다 (스텝 S03). 스텝 S03 에 있어서, 제어 장치 (CONT) 는, 먼저, 노광 장치 (EX) 에 의해 노광된 영역 (노광 영역 (W)) 중 소정의 영역에 포함되는 측정점의 정보 (예를 들어, 탈리량 관련 정보) 를 산출한다. 제어 장치 (CONT) 는, 예를 들어, 단위 면적당의 탈리량 관련 정보를 산출한다. 그리고, 산출된 탈리량 관련 정보에 기초하여, 제어 장치 (CONT) 의 판단부 (64) 는 노광의 양부를 판단한다. 제어 장치 (CONT) 는, 판단부 (64) 에 의한 판단 결과에 대하여, 도시 생략의 표시 장치 등에 출력해도 되고, 외부의 관리 장치 등에 출력해도 된다. 사용자는, 판단부 (64) 에 의한 판단 결과를 표시 장치 등에서 봄으로써, 노광 영역 (W) 에 있어서의 노광의 양부를 용이하게 확인할 수 있다.
도 5 는, 노광 시스템 (100) 에 의한 노광 방법의 다른 예를 나타내는 플로 차트이다. 도 5 에 나타내는 예에 있어서, 노광 시스템 (100) 은, 상기와 마찬가지로 스텝 S01 부터 스텝 S03 의 처리를 실시한다. 그 후, 제어 장치 (CONT) 는, 판단부 (64) 에 있어서 노광 불량이라고 판단되었는지의 여부를 검출한다 (스텝 S04).
스텝 S04 의 검출의 결과, 판단부 (64) 에 있어서 노광 불량이라고 판단된 경우 (스텝 S04 의 '예'), 노광 제어부 (62) 는, 산출된 탈리량 관련 정보에 기초하여, 노광 장치 (EX) 를 제어한다 (스텝 S05). 스텝 S05 에 있어서, 노광 제어부 (62) 는, 예를 들어, 노광 장치 (EX) 에 있어서의 노광 조건을 변경한다. 이 경우, 노광 조건으로는, 예를 들어, 노광 장치 (EX) 의 노광시에 있어서의 노광광 (SP) 의 강도를 변경하는 것, 노광광 (SP) 의 초점 위치를 변경하는 것, 노광광 (SP) 의 조사 시간을 변경하는 것, 및 노광광 (SP) 의 중첩량을 변경하는 것 중 적어도 하나를 포함한다. 노광광의 조사 시간은, 예를 들어, 노광광 (SP) 의 주사 속도를 변경함으로써 노광광의 조사 시간을 변경할 수 있다.
노광 제어부 (62) 는, 예를 들어, 노광 영역 (W) 에 있어서 노광 불량이 된 장소 및 노광 불량의 정도 (예를 들어, 노광량의 부족 정도) 에 따라, 그 장소에 대해 적절한 노광량이 되도록 노광광의 강도, 초점 위치, 조사 시간, 중첩량 등을 제어한다. 그 결과, 노광 장치 (EX) 에 있어서의 노광이 개선되어, 노광 영역 (W) 이 노광 불량이 되는 것을 해소할 수 있다. 또한, 스텝 S04 의 검출의 결과, 판단부 (64) 에 있어서 노광 불량이라고 판단되지 않는 경우 (스텝 S04 의 '아니오'), 제어 장치 (CONT) (노광 제어부 (62)) 는, 노광 장치 (EX) 의 제어를 실시하지 않아도 된다.
도 6 은, 노광 시스템 (100) 에 의한 노광 방법의 다른 예를 나타내는 플로 차트이다. 도 6 에 나타내는 예에 있어서, 노광 시스템 (100) 은, 상기와 동일하게 스텝 S01 부터 스텝 S03 의 처리를 실시하여, 판단부 (64) 에 있어서 노광 불량이라고 판단되었는지의 여부를 검출한다 (스텝 S04). 스텝 S04 의 검출의 결과, 판단부 (64) 에 있어서 노광 불량이라고 판단된 경우 (스텝 S04 의 '예'), 반송 제어부 (63) 는, 산출된 탈리량 관련 정보에 기초하여, 반송 장치 (TR) 에 의한 기판 (FS) 의 반송 속도를 제어한다 (스텝 S06). 스텝 S06 에 있어서, 반송 제어부 (63) 는, 예를 들어, 노광 장치 (EX) 에 있어서의 노광광 (SP) 의 조사 시간이 길어지도록, 기판 (FS) 의 반송 속도를 느리게 할 수 있다. 또한, 스텝 S04 의 검출의 결과, 판단부 (64) 에 있어서 노광 불량이라고 판단되지 않는 경우 (스텝 S04 의 '아니오'), 제어 장치 (CONT) (반송 제어부 (63)) 는, 반송 장치 (TR) 의 제어를 실시하지 않아도 된다.
또, 도 4 및 도 5 에 나타내는 플로 차트에 있어서, 스텝 S04 에서 노광 불량이라고 판단된 경우, 제어 장치 (CONT) 는, 노광 불량이라고 판단된 노광 영역 (W) 을 특정하는 정보 (예를 들어, 기판 (FS) 에 있어서의 위치 등) 를 검사 장치 (DT) 로부터 취득해도 된다. 노광 불량이라고 판단된 노광 영역 (W) 은, 그대로 권취 롤러 (RL2) 에서 권취되므로, 이후에 어느 부분이 노광 불량인지를 특정하는 것이 어렵다. 상기와 같이 노광 영역 (W) 을 특정하는 정보를 취득해 둠으로써, 이 부분에 대해서는 이후의 공정을 생략하는 등의 대응이 가능해져, 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 노광 영역 (W) 의 화상 등으로부터 노광 불량의 판단이 어려운 경우에도, 검사 장치 (DT) 의 계측 결과로부터 판단부 (64) 의 판단에 의해 노광 불량을 판단하므로, 사용자는, 판단부 (64) 의 판단을 확인함으로써, 노광 불량을 용이하게 확인할 수 있다.
＜제 2 실시형태＞
도 7 은, 제 2 실시형태에 관련된 노광 시스템 (200) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 7 에 나타내는 노광 시스템 (200) 은, 도포 장치 (CT), 노광 장치 (EX), 및 반송 장치 (TR) 를 갖는 점은 제 1 실시형태의 노광 시스템 (100) 과 동일하지만, 복수의 검사 장치 (DT) 가 형성되는 점에서, 상기한 실시형태와 상이하다. 또한, 상기한 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 그 설명을 생략 또는 간략화한다. 도 7 에 나타내는 노광 시스템 (200) 에 있어서, 복수의 검사 장치 (DT) 는, 기판 (FS) 의 반송 방향에 있어서, 노광 장치 (EX) 의 하류측에 배치된다. 또한, 도 7 에서는, 검사 장치 (DT) 가 2 대 배치된 구성이 나타나 있지만, 이 형태에 한정되지 않고, 3 대 이상 배치되어도 된다. 복수의 검사 장치 (DT) 는, 동일한 검사 장치 (DT) 가 사용되어도 되고, 상이한 검사 장치 (DT) 가 사용되어도 된다.
복수의 검사 장치 (DT) 는, 예를 들어, 기판 (FS) 의 반송 방향으로 나란히 배치된다. 이 경우, 기판 (FS) 의 반송 방향의 상류측에 배치되는 검사 장치 (DTa) 를 메인으로서 사용하고, 하류측에 배치되는 검사 장치 (DTb) 를 서브 또는 백업용으로 해도 되고, 검사하는 노광 영역 (W) 의 일부를 상류측의 검사 장치 (DTa) 로 계측하고, 노광 영역 (W) 의 나머지 부분을 하류측의 검사 장치 (DTb) 로 계측해도 된다.
도 8 은, 제 2 실시형태에 관련된 노광 시스템의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 8 은, 노광 시스템 (200A) 에 있어서 기판 (FS) 을 상방으로부터 본 상태를 나타내고 있다. 도 8 에 나타내는 노광 시스템 (200A) 에서는, 2 개의 검사 장치 (DT) 가, 기판 (FS) 의 폭 방향 (반송 방향과 직교하는 방향) 으로 나란히 배치된다. 일방의 검사 장치 (DTa) 는, 기판 (FS) 의 폭 방향의 중앙으로부터 일방의 단변에 걸친 영역을 계측한다. 타방의 검사 장치 (DTb) 는, 기판 (FS) 의 폭 방향의 중앙으로부터 타방의 단변에 걸친 영역을 계측한다. 검사 장치 (DTa, DTb) 는, 계측 결과를 제어 장치 (CONT) 에 송신한다. 제어 장치 (CONT) 는, 검사 장치 (DTa, DTb) 의 계측 결과에 기초하여 탈리량 관련 정보를 산출하고, 노광의 양부를 판단한다.
도 9 는, 제 2 실시형태에 관련된 노광 시스템의 다른 예를 나타내는 도면이다. 도 9 는, 노광 시스템 (200B) 에 있어서 기판 (FS) 을 상방으로부터 본 상태를 나타내고 있다. 도 9 에 나타내는 노광 시스템 (200B) 에서는, 노광 장치 (EX) 및 검사 장치 (DT) 가 각각 동수, 예를 들어, 3 대씩 형성되어 있고, 노광 장치 (EX) 와 검사 장치 (DT) 가 대응하여 배치되어 있다. 또한, 도 9 의 노광 시스템 (200B) 에서는, 제어 장치 (CONT) 의 기재를 생략하고 있다.
예를 들어, 1 대의 노광 장치 (EXa) 가 기판 (FS) 의 폭 방향의 중앙에 배치된다. 또, 그 노광 장치 (EXa) 에 대해 기판 (FS) 의 반송 방향의 상류측에는, 나머지 2 대의 노광 장치 (EXb, EXc) 가 기판 (FS) 의 폭 방향의 양 단에 각각 배치된다. 노광 장치 (EXa) 는, 기판 (FS) 의 폭 방향의 중앙의 영역에 대해 노광광 (SP) 을 조사한다. 노광 장치 (EXb, EXc) 는, 기판 (FS) 의 폭 방향의 양 단의 영역에 대해 노광광 (SP) 을 각각 조사한다. 따라서, 3 대의 노광 장치 (EXa ∼ EXc) 에 의해, 기판 (FS) 의 폭 방향의 중앙 및 양 단의 각 영역에 대해 분담하여 노광 영역 (W) 에 노광광 (SP) 을 조사한다.
또, 3 대의 노광 장치 (EXa ∼ EXc) 에 대해 기판 (FS) 의 반송 방향의 하류측에서는, 1 대의 검사 장치 (DTa) 가 기판 (FS) 의 폭 방향의 중앙에 배치된다. 또, 그 검사 장치 (DTa) 에 대해 기판 (FS) 의 반송 방향의 상류측에는, 나머지 2 대의 검사 장치 (DTb, DTc) 가 기판 (FS) 의 폭 방향의 양 단에 배치된다. 요컨대, 3 대의 검사 장치 (DTa ∼ DTc) 의 배치가, 3 대의 노광 장치 (EXa ∼ EXc) 의 배치와 동일하게 되어 있다. 검사 장치 (DTa) 는, 노광 영역 (W) 중 기판 (FS) 의 폭 방향의 중앙의 영역에 대해 계측을 실시한다. 검사 장치 (DTb, DTc) 는, 노광 영역 (W) 중 기판 (FS) 의 폭 방향의 양 단의 영역에 대해 각각 계측을 실시한다. 따라서, 3 대의 검사 장치 (DTa ∼ DTc) 에 의해, 기판 (FS) 의 폭 방향의 중앙 및 양 단의 각 영역에 대해 분담하여 노광 영역 (W) 의 계측을 실시한다.
3 대의 검사 장치 (DTa ∼ DTc) 는, 각각 계측 결과를 제어 장치 (CONT) 에 송신한다. 제어 장치 (CONT) 는, 검사 장치 (DTa ∼ DTc) 의 계측 결과에 기초하여 탈리량 관련 정보를 산출하고, 노광의 양부를 판단한다. 이 구성에 의해, 제어 장치 (CONT) 는, 3 대의 검사 장치 (DTa ∼ DTc) 에서 계측되는 기판 (FS) 의 폭 방향의 중앙의 영역 및 양 단의 영역의 3 개의 영역의 각각에 대하여, 별개로 노광의 양부를 판단한다.
제어 장치 (CONT) 는, 3 개의 영역 중, 어느 영역에 대해 노광 불량이라고 판단된 경우, 그 영역에 배치되어 있는 노광 장치 (EXa ∼ EXc) 에 대하여, 탈리량 관련 정보에 기초하여 제어를 실시할 수 있다. 예를 들어, 제어 장치 (CONT) 는, 검사 장치 (DTa) 의 계측 결과에 기초하여 노광 장치 (EXa) 의 제어를 실시하고, 검사 장치 (DTb) 의 계측 결과에 기초하여 노광 장치 (EXb) 의 제어를 실시하고, 검사 장치 (DTc) 의 계측 결과에 기초하여 노광 장치 (EXc) 의 제어를 실시해도 된다. 또, 제어 장치 (CONT) 는, 3 대의 검사 장치 (DTa ∼ DTc) 의 어느 하나에 있어서 노광 불량이라고 판단된 경우, 모든 노광 장치 (EXa ∼ EXc) 의 제어를 실시해도 되고, 노광 불량이라고 판단되어 있지 않은 영역에 배치되어 있는 노광 장치 (EXa ∼ EXc) 의 제어를 실시해도 된다.
본 실시형태에 의하면, 복수의 검사 장치 (DT) 에 의해 노광 영역 (W) 을 분할하여 계측하므로, 1 대의 검사 장치 (DT) 에 있어서의 처리 부담을 경감할 수 있다. 그 결과, 기판 (FS) 의 이동 속도를 빠르게 할 수 있어, 기판 (FS) 의 처리 효율을 향상시킬 수 있다.
＜제 3 실시형태＞
도 10 은, 제 3 실시형태에 관련된 노광 시스템 (300) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 10 에 나타내는 노광 시스템 (300) 은, 도포 장치 (CT), 반송 장치 (TR), 및 검사 장치 (DT) 를 갖는 점에서는 상기한 실시형태의 노광 시스템 (100, 200) 과 동일하지만, 복수의 노광 장치 (EX) 가 기판 (FS) 의 반송 방향에 대해 검사 장치 (DT) 의 상류측과 하류측에 형성되는 점에서, 상기의 실시형태와는 상이하다. 또한, 상기한 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 그 설명을 생략 또는 간략화한다.
도 10 에 나타내는 노광 시스템 (300) 에 있어서, 복수의 노광 장치 (EX) 는, 제 1 노광 장치 (EX1) 와, 제 2 노광 장치 (EX2) 를 포함한다. 제 1 노광 장치 (EX1) 는, 검사 장치 (DT) 에 대해 기판 (FS) 의 반송 방향의 상류측에 배치된다. 제 2 노광 장치 (EX2) 는, 검사 장치 (DT) 에 대해 기판 (FS) 의 반송 방향의 하류측에 배치된다. 제 1 노광 장치 (EX1) 및 제 2 노광 장치 (EX2) 는, 상기 서술한 노광 장치 (EX) 와 동일한 구성이다. 또한, 제 1 노광 장치 (EX1) 와 제 2 노광 장치 (EX2) 는, 동일한 구성이어도 되고, 상이한 구성이어도 된다. 또, 제어 장치 (CONT) 는, 제 1 노광 장치 (EX1) 를 제어하는 제 1 노광 제어부 (65) 와, 제 2 노광 장치 (EX2) 를 제어하는 제 2 노광 제어부 (66) 를 갖는다.
도 11 은, 노광 시스템 (300) 에 의한 노광 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 도 11 에 나타내는 예에 있어서, 노광 시스템 (300) 은, 상기의 실시형태와 마찬가지로 스텝 S01 부터 스텝 S03 의 처리를 실시한다. 또한, 스텝 S01 의 노광 처리는, 제 1 노광 장치 (EX1) 에 있어서 실시한다. 스텝 S03 후, 제어 장치 (CONT) 는, 판단부 (64) 에 있어서 노광 불량이라고 판단되었는지의 여부를 검출한다 (스텝 S04).
스텝 S04 에 있어서, 판단부 (64) 가 노광 불량이라고 판단한 경우 (스텝 S04 의 '예'), 제어 장치 (CONT) 는, 판단부 (64) 가 노광 불량이라고 판단한 노광 영역 (W) 에 대하여, 제 2 노광 장치 (EX2) 에 의해 재차의 노광을 실시하게 한다 (스텝 S07). 스텝 S07 에 있어서, 제 2 노광 제어부 (66) 는, 산출된 탈리량 관련 정보에 기초하여, 제 2 노광 장치 (EX2) 를 제어한다. 제 2 노광 제어부 (66) 는, 산출된 탈리량 관련 정보에 기초하여, 예를 들어, 제 2 노광 장치 (EX2) 의 노광시에 있어서의 노광광 (SP) 의 강도, 노광광 (SP) 의 초점 위치, 노광광 (SP) 의 조사 시간, 및 노광광 (SP) 의 중첩량을 조정한다. 노광 불량이라고 판단된 노광 영역 (W) 에 대해 제 2 노광 장치 (EX2) 에 의해 노광함으로써, 노광 영역 (W) 의 노광 불량의 전부 또는 일부를 해소할 수 있다.
또한, 제어 장치 (CONT) 는, 판단부 (64) 에 있어서 노광 불량이라고 판단된 경우 (스텝 S04 의 '예'), 제 2 노광 장치 (EX2) 에 의해 노광을 실시하게 하는 것에 더하여, 산출된 탈리량 관련 정보에 기초하여, 제 1 노광 제어부 (65) 에 의한 제 1 노광 장치 (EX1) 의 제어를 실시해도 되고, 반송 장치 (TR) 의 제어를 실시해도 된다. 또, 제어 장치 (CONT) 는, 노광 영역 (W) 중 노광 불량의 부분 (예를 들어, 도 3 에 나타내는 단위 영역 (Wa)) 에 대하여, 제 2 노광 장치 (EX2) 에 의해 노광광 (SP) 을 조사하는 제어를 실시해도 된다. 그 결과, 제 2 노광 장치 (EX2) 에 의한 재차의 노광이 불필요한 부분으로의 노광광 (SP) 의 조사를 회피할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 검사 장치 (DT) 에 의해 노광 영역 (W) 이 노광 불량이라고 판단된 경우에, 제 2 노광 장치 (EX2) 에 의해 노광 불량의 노광 영역 (W) 을 재차 노광하므로, 노광 영역 (W) 이 노광 불량인 채 후단의 처리로 이동하는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 기판 (FS) 에 있어서의 수율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 제 2 노광 장치 (EX2) 의 하류측에 검사 장치 (DT) 를 배치하고, 제 2 노광 장치 (EX2) 에 의한 노광 후에 있어서, 판단부 (64) 에 의해 노광 불량이 발생하였는지의 여부 (노광 불량이 남아 있는지의 여부) 를 판단해도 된다.
＜제 4 실시형태＞
도 12 는, 제 4 실시형태에 관련된 노광 시스템 (400) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 12 에 나타내는 노광 시스템 (400) 은, 도포 장치 (CT), 노광 장치 (EX), 반송 장치 (TR), 및 검사 장치 (DT) 에 더하여, 도금 장치 (MK) 를 구비하는 점에서, 상기한 제 1 ∼ 제 3 실시형태와는 상이하다. 도 12 에 나타내는 노광 시스템 (400) 에 있어서, 도금 장치 (MK) 는, 기판 (FS) 의 반송 방향에 있어서 검사 장치 (DT) 의 하류측에 배치된다. 도금 장치 (MK) 는, 노광 장치 (EX) 에 의해 친발액 패턴이 형성된 기판 (FS) 에 대해 도금 처리 (예를 들어, 무전해 도금 처리) 를 실시한다.
도금 장치 (MK) 는, 기판 (FS) 에 대해 도금 촉매욕을 실시하기 위한 도금 촉매조 (MKa) 와, 기판 (FS) 에 대해 도금을 실시하기 위한 도금조 (MKb) 와, 복수의 반송 롤러 (MKc) 를 갖는다. 도금 촉매조 (MKa) 는, 기판 (FS) 의 반송 방향의 상류측에 배치되고, 기판 (FS) 에 형성된 친발액 패턴의 친액 부분에 도금 촉매를 부여한다. 즉, 기판 (FS) 의 노광 영역 (W) 에서는 감광성 보호기가 탈리되어 친액성을 갖고 있고, 비노광 영역 (N) 에서는 감광성 보호기가 탈리되어 있지 않기 때문에 친액성을 갖고 있으므로, 노광 영역 (W) 에 도금 촉매액이 부착된다. 도금 촉매조 (MKa) 에 저류되는 도금 촉매액은, 예를 들어, 무전해 도금 처리에 필요한 임의의 것이 선택되어 저류되어 있다.
도금조 (MKb) 는, 기판 (FS) 의 반송 방향의 하류측에 배치되고, 도금 촉매가 부여된 기판 (FS) 의 친액 부분에 무전해 도금을 실시한다. 즉, 기판 (FS) 의 노광 영역 (W) 에 도금 촉매가 부여되어 있으므로, 이 노광 영역 (W) 도금 처리가 실시된다. 그 결과, 기판 (FS) 에는, 도금 처리에 의한 배선 패턴이 형성된다. 기판 (FS) 은, 권취 롤러 (RL2) 가 기판 (FS) 을 권취함으로써, 도금 장치 (MK) 에 있어서 이동한다. 복수의 반송 롤러 (MKc) 는, 도금 장치 (MK) 에 있어서 기판 (FS) 을 안내한다. 또한, 복수의 반송 롤러 (MKc) 중, 적어도 하나가 구동 롤러이고, 나머지가 종동 롤러여도 된다. 반송 롤러 (MKc) 중 하나를 구동 롤러로 함으로써, 도금 장치 (MK) 내에 있어서 기판 (FS) 의 반송 속도를 변경 가능하다.
또, 복수의 반송 롤러 (MKc) 중, 도금 촉매조 (MKa) 내에 배치되는 반송 롤러 (MKc), 또는 도금조 (MKb) 내에 배치되는 반송 롤러 (MKc) 는, 적어도 하나가 기판 (FS) 의 반송 방향으로 이동 가능해도 된다. 이 경우, 반송 롤러 (MKc) 가 도금 촉매조 (MKa) 내 또는 도금조 (MKb) 내에 있어서 기판 (FS) 의 반송 방향으로 이동함으로써, 도금 촉매조 (MKa) 에 있어서의 기판 (FS) 의 반송 거리, 또는 도금조 (MKb) 에 있어서의 기판 (FS) 의 반송 거리의 길이를 변경 가능하다.
제어 장치 (CONT) 는, 도금 장치 (MK) 를 제어하는 도금 제어부 (67) 를 갖는다. 복수의 반송 롤러 (MKc) 중 어느 것이 구동 롤러인 경우, 도금 제어부 (67) 는, 반송 롤러 (MKc) (구동 롤러) 의 회전 속도, 요컨대 도금 장치 (MK) 내에 있어서의 기판 (FS) 의 반송 속도를 제어 가능하다. 기판 (FS) 의 반송 속도의 변경은, 도금 촉매조 (MKa) 에 있어서의 기판 (FS) 의 침지 시간, 또는 도금조 (MKb) 내에 있어서의 기판 (FS) 의 침지 시간을 변경시킨다. 또, 도금 촉매조 (MKa) 내 또는 도금조 (MKb) 내의 반송 롤러 (MKc) 가 기판 (FS) 의 반송 방향으로 이동 가능한 경우, 도금 제어부 (67) 는, 이동 가능한 반송 롤러 (MKc) 의 위치, 요컨대, 도금 촉매조 (MKa) 내 또는 도금조 (MKb) 내에 있어서의 기판 (FS) 의 반송 거리를 제어 가능하다. 도금 촉매조 (MKa) 내 또는 도금조 (MKb) 내에 있어서의 기판 (FS) 의 반송 거리의 변경은, 도금 촉매조 (MKa) 에 있어서의 기판 (FS) 의 침지 시간, 또는 도금조 (MKb) 내에 있어서의 기판 (FS) 의 침지 시간을 변경시킨다.
도 13 은, 본 실시형태에 관련된 노광 시스템 (400) 에 의한 노광 방법의 일례를 나타내는 플로 차트이다. 도 13 에 나타내는 예에 있어서, 노광 시스템 (400) 은, 상기의 실시형태와 마찬가지로 스텝 S01 부터 스텝 S03 의 처리를 실시한다. 그 후, 제어 장치 (CONT) 는, 판단부 (64) 에 있어서 노광 영역 (W) 이 노광 불량이라고 판단되었는지의 여부를 검출한다 (스텝 S04). 스텝 S04 의 검출의 결과, 판단부 (64) 에 있어서 노광 불량이라고 판단된 경우 (스텝 S04 의 '예'), 반송 제어부 (63) 는, 산출된 탈리량 관련 정보에 기초하여, 도금 장치 (MK) 를 제어한다 (스텝 S08). 스텝 S08 에 있어서, 도금 제어부 (67) 는, 예를 들어, 반송 롤러 (MKc) 의 회전 속도, 위치를 조정함으로써, 도금 장치 (MK) 내에 있어서의 기판 (FS) 의 반송 속도, 기판 (FS) 의 반송 거리를 제어하고, 예를 들어, 도금 촉매조 (MKa) 내 또는 도금조 (MKb) 내에 있어서의 기판 (FS) 의 침지 시간을 길게 한다.
그 결과, 노광 불량이라고 판단되어 있는 노광 영역 (W) 은, 시간당의 도금 촉매의 부여율이 낮아져 있지만, 도금 촉매조 (MKa) 에 있어서의 기판 (FS) 의 침지 시간을 길게 함으로써, 노광 영역 (W) 에 대한 도금 촉매의 부여를 보충하는 것이 가능해진다. 또는, 노광 영역 (W) 에 대해 충분히 도금 촉매가 부여되어 있지 않을 때라도, 도금조 (MKb) 에 있어서의 기판 (FS) 의 침지 시간이 길어짐으로써, 노광 영역 (W) 에 대해 충분한 (배선 패턴으로서 충분한) 도금을 형성시키는 것이 가능해진다.
도 14(A) 및 도 14(B) 는, 노광 시스템 (400) 에 있어서, 도금 장치 (MK) 내의 기판 (FS) 의 반송 거리를 변경하는 경우의 일례를 나타내는 도면이다. 도 14(A) 에 나타내는 예에서는, 기판 (FS) 이 도금 촉매조 (MKa) 또는 도금조 (MKb) 에 침지된 상태에 있어서, 반송 경로의 길이가 최단이 되도록 반송 롤러 (MKc) 가 배치된다. 이 상태로부터, 도 14(B) 에 나타내는 바와 같이, 도금 촉매조 (MKa) 또는 도금조 (MKb) 내에 배치된 복수의 반송 롤러 (MKc) 중 반송 롤러 (MKc1) 를 상방으로 이동시킴으로써, 기판 (FS) 은, 도금 촉매조 (MKa) 내 또는 도금조 (MKb) 내에 있어서 상하 방향으로 사행 (蛇行) 한 상태로 이동한다. 즉, 기판 (FS) 은, 도금 촉매조 (MKa) 또는 도금조 (MKb) 에 있어서 반송 경로가 길어져, 도금 촉매조 (MKa) 또는 도금조 (MKb) 에 있어서의 침지 시간을 길게 할 수 있다.
본 실시형태에 의하면, 검사 장치 (DT) 에 의해 노광 영역 (W) 이 노광 불량이라고 판단된 경우에, 도금 장치 (MK) 를 제어하여 도금 촉매조 (MKa) 또는 도금조 (MKb) 에 있어서의 기판 (FS) 의 침지 시간을 조정 (길게) 하므로, 노광 불량이라고 판단된 노광 영역 (W) 에 대해 적절한 도금 처리를 실시할 수 있다. 그 결과, 노광 불량이라고 판단된 노광 영역 (W) 에 대해 원하는 배선 패턴을 형성시킴으로써, 기판 (FS) 에 있어서의 수율의 저하를 억제할 수 있다.
＜제 5 실시형태＞
도 15 는, 제 5 실시형태에 관련된 노광 시스템 (500) 의 일례를 나타내는 도면이다. 도 15 에 나타내는 노광 시스템 (500) 은, 노광 장치 (EX3) 와, 검사 장치 (DT) 를 구비한다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 특별히 언급이 없는 한, 중력 방향을 Z 방향으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 설정하고, 도면에 나타내는 화살표에 따라, X 방향, Y 방향, 및 Z 방향을 설명한다. 화살표가 가리키는 방향을 ＋ 방향 (예를 들어, ＋X 방향) 으로 하고, 반대의 방향을 - 방향 (예를 들어 -X 방향) 으로 하여 설명한다.
노광 시스템 (500) 은, 예를 들어, 전자 디바이스로서의 플렉시블·디스플레이, 플렉시블·센서 등을 제조하는 제조 라인이 구축된 제조 시스템의 일부이다. 이하, 전자 디바이스로서 플렉시블·디스플레이를 전제로 하여 설명한다.
노광 시스템 (500) 은, 가요성의 시트상의 기판 (시트 기판) (FS) 을 롤상으로 감은 송출 롤러 (도 1 의 송출 롤러 (RL1) 참조) 로부터 기판 (FS) 이 송출되고, 송출된 기판 (FS) 에 대해 각종 처리를 연속적으로 실시한 후, 각종 처리 후의 기판 (FS) 을 권취 롤러 (도 1 의 권취 롤러 (RL2) 참조) 에서 권취하는, 이른바, 롤·투·롤 (Roll To Roll) 방식의 구조를 갖는다. 기판 (FS) 은, 기판 (FS) 의 반송 방향이 긴 방향 (장척) 이 되고, 폭 방향이 짧은 방향 (단척) 이 되는 띠상의 형상을 갖는다. 송출 롤러로부터 이송된 기판 (FS) 은, 순차적으로 프로세스 장치 (PR1), 노광 장치 (묘화 장치, 빔 주사 장치) (EX4), 및 프로세스 장치 (PR2) 등에서 각종 처리가 실시되고, 권취 롤에서 권취된다.
또한, X 방향은, 수평면 내에 있어서, 프로세스 장치 (PR1) 로부터 노광 장치 (EX3) 를 거쳐 프로세스 장치 (PR2) 를 향하는 방향 (반송 방향) 이다. Y 방향은, 수평면 내에 있어서 X 방향에 직교하는 방향이고, 기판 (FS) 의 폭 방향 (단척 방향) 이다. Z 방향은, X 방향과 Y 방향에 직교하는 방향 (상측 방향) 이고, 중력이 작용하는 방향과 평행이다.
프로세스 장치 (PR1) 는, 노광 장치 (EX) 에서 노광 처리되는 기판 (FS) 에 대해 전공정의 처리를 실시한다. 프로세스 장치 (PR1) 는, 전공정의 처리를 실시한 기판 (FS) 을 노광 장치 (EX) 를 향하여 이송한다. 이 전공정의 처리에 의해, 노광 장치 (EX) 로 이송되는 기판 (FS) 은, 그 표면에 레지스트층 (R) 이 형성된 기판으로 되어 있다.
본 실시형태에 있어서는, 빔 주사 장치로서의 노광 장치 (EX3) 는, 마스크를 사용하지 않는 직묘 방식의 노광 장치, 이른바 래스터 스캔 방식의 노광 장치이다. 노광 장치 (EX3) 는, 프로세스 장치 (PR1) 로부터 공급된 기판 (FS) 의 피조사면 (노광 영역 (W)) 에 대하여, 디스플레이용의 전자 디바이스, 회로 또는 배선 등을 위한 소정의 패턴에 따른 광 패턴을 조사한다. 노광 장치 (EX3) 는, 기판 (FS) 을 ＋X 방향으로 반송하면서, 노광용의 빔 (LB) 의 노광광 (SP) 을, 기판 (FS) 의 피조사면 상에서 소정의 주사 방향 (Y 방향) 으로 1 차원으로 주사하면서, 노광광 (SP) 의 강도를 패턴 데이터 (묘화 데이터) 에 따라 고속으로 변조 (온/오프) 한다. 이 구성에 의해, 기판 (FS) 의 피조사면에 전자 디바이스, 회로 또는 배선 등의 소정의 패턴에 따른 광 패턴이 묘화 노광된다.
요컨대, 기판 (FS) 의 반송과, 노광광 (SP) 의 주사로, 노광광 (SP) 이 기판 (FS) 의 피조사면 상에서 상대적으로 2 차원 주사되어, 기판 (FS) 에 소정의 패턴이 묘화 노광된다. 또, 기판 (FS) 은, 반송 방향 (＋X 방향) 을 따라 반송되고 있으므로, 노광 장치 (EX) 에 의해 패턴이 노광되는 노광 영역 (W) 은, 기판 (FS) 의 장척 방향을 따라 소정의 간격을 두고 복수 형성되게 된다. 이 노광 영역 (W) 에 전자 디바이스가 형성되므로, 노광 영역 (W) 은, 전자 디바이스 형성 영역이기도 하다. 또한, 전자 디바이스는, 복수의 패턴층 (패턴이 형성된 층) 이 중첩됨으로써 구성되므로, 노광 장치 (EX3) 에 의해 각 층에 대응한 패턴이 노광되도록 해도 된다.
프로세스 장치 (PR2) 는, 노광 장치 (EX3) 에서 노광 처리된 기판 (FS) 에 대한 후공정의 처리 (예를 들어, 도금 처리나 현상·에칭 처리 등) 를 실시한다. 이 후공정의 처리에 의해, 기판 (FS) 상에 전자 디바이스의 패턴층 (예를 들어, 배선 패턴층) 이 형성된다.
전자 디바이스는, 복수의 패턴층이 중첩됨으로써 구성되므로, 노광 시스템 (500) 을 포함하는 디바이스 제조 시스템의 적어도 각 처리를 거쳐, 하나의 패턴층이 생성된다. 따라서, 전자 디바이스를 생성하기 위해, 도 15 에 나타내는 바와 같은 노광 시스템 (500) 을 포함하는 디바이스 제조 시스템의 각 처리를, 예를 들어, 2 회는 거쳐야 한다. 그 때문에, 예를 들어, 기판 (FS) 이 권취된 권취 롤러를 송출 롤러로 하여, 다른 디바이스 제조 시스템에 장착함으로써, 패턴층을 적층할 수 있다. 그러한 동작을 반복하여, 전자 디바이스가 형성된다. 처리 후의 기판 (FS) 은, 복수의 전자 디바이스 형성 영역이 소정의 간격을 두고 기판 (FS) 의 장척 방향을 따라 이어진 상태가 된다. 요컨대, 기판 (FS) 은, 다면취용의 기판으로 되어 있다.
노광 장치 (EX3) 는, 온도 조절 챔버 (ECV) 내에 격납되어 있다. 이 온도 조절 챔버 (ECV) 는, 내부를 소정의 온도에 유지함으로써, 내부에 있어서 반송되는 기판 (FS) 의 온도에 의한 형상 변화를 억제한다. 온도 조절 챔버 (ECV) 는, 패시브 또는 액티브한 방진 유닛 (SU1, SU2) 을 개재하여 제조 공장 등의 설치면 (E) 에 배치된다. 방진 유닛 (SU1, SU2) 은, 설치면 (E) 으로부터의 진동을 저감한다. 이 설치면 (E) 은, 공장의 플로어면 자체여도 되고, 수평면을 내기 위해 플로어면 상에 설치되는 설치 토대 상의 면이어도 된다. 노광 장치 (EX3) 는, 기판 반송 기구 (12) 와, 광원 장치 (14) 와, 빔 전환 부재 (16) 와, 노광 헤드 (18) 와, 제어 장치 (20) 와, 복수의 얼라인먼트 현미경 (AMm) (AM1 ∼ AM4) 을 구비하고 있다.
기판 반송 기구 (12) 는, 프로세스 장치 (PR1) 로부터 반송되는 기판 (FS) 을, 노광 장치 (EX3) 내에서 소정의 속도로 반송한 후, 프로세스 장치 (PR2) 에 소정의 속도로 송출한다. 이 기판 반송 기구 (12) 에 의해, 노광 장치 (EX3) 내에서 반송되는 기판 (FS) 의 이동로가 규정된다. 기판 반송 기구 (12) 는, 기판 (FS) 의 반송 방향의 상류측 (-X 방향측) 으로부터 순서대로, 에지 포지션 컨트롤러 (EPC), 구동 롤러 (R1), 텐션 조정 롤러 (RT1), 회전 드럼 (원통 드럼) (DR), 텐션 조정 롤러 (RT2), 구동 롤러 (R2), 및 구동 롤러 (R3) 를 갖고 있다.
기판 반송 기구 (12) 는, 프로세스 장치 (PR1) 로부터 반송되는 기판 (FS) 을, 노광 장치 (EX3) 내에서 소정의 속도로 반송한 후, 프로세스 장치 (PR2) 에 소정의 속도로 송출한다. 이 기판 반송 기구 (12) 에 의해, 노광 장치 (EX3) 내에서 반송되는 기판 (FS) 의 이동로가 규정된다. 기판 반송 기구 (12) 는, 기판 (FS) 의 반송 방향의 상류측 (-X 방향측) 으로부터 순서대로, 에지 포지션 컨트롤러 (EPC), 구동 롤러 (R1), 텐션 조정 롤러 (RT1), 회전 드럼 (DR), 텐션 조정 롤러 (RT2), 구동 롤러 (R2), 및 구동 롤러 (R3) 를 갖고 있다.
광원 장치 (14) 는, 광원 (펄스 광원) 을 갖고, 펄스상의 빔 (펄스광, 레이저) (LB) 을 사출하는 것이다. 이 빔 (LB) 은, 예를 들어, 370 ㎚ 이하의 파장 대역에 피크 파장을 갖는 자외선광이고, 빔 (LB) 의 발진 주파수 (발광 주파수) 를 Fs 로 한다. 광원 장치 (14) 가 사출한 빔 (LB) 은, 빔 전환 부재 (16) 를 개재하여 노광 헤드 (18) 에 입사한다. 광원 장치 (14) 는, 제어 장치 (20) 의 제어에 따라서, 발진 주파수 (Fs) 로 빔 (LB) 을 발광하여 사출한다. 이 광원 장치 (14) 는, 예를 들어, 적외 파장역의 펄스광을 발생시키는 반도체 레이저 소자, 파이버 증폭기, 증폭된 적외 파장역의 펄스광을 자외 파장역의 펄스광으로 변환하는 파장 변환 소자 (고조파 발생 소자) 등으로 구성되고, 발진 주파수 (Fs) 가 수백 ㎒ 에서, 1 펄스광의 발광 시간이 피코초 정도의 고휘도인 자외선의 펄스광이 얻어지는 파이버 앰프 레이저 광원을 사용함으로써 한다.
빔 전환 부재 (16) 는, 노광 헤드 (18) 를 구성하는 복수의 주사 유닛 (Un) (U1 ∼ U6) 중, 노광광 (SP) 의 1 차원 주사를 실시하는 1 개의 주사 유닛 (Un) 에, 광원 장치 (14) 로부터의 빔 (LB) 이 입사하도록, 빔 (LB) 의 광로를 전환한다.
노광 헤드 (18) 는, 빔 (LB) 이 각각 입사하는 복수의 주사 유닛 (Un) (U1 ∼ U6) 을 구비하고 있다. 노광 헤드 (18) 는, 회전 드럼 (DR) 의 원주면에서 지지되어 있는 기판 (FS) 의 일부분에, 복수의 주사 유닛 (Un) (U1 ∼ U6) 에 의해 패턴을 묘화한다. 노광 헤드 (18) 는, 동일 구성의 복수의 주사 유닛 (Un) (U1 ∼ U6) 을 배열한, 이른바 멀티 빔형의 노광 헤드로 되어 있다. 노광 헤드 (18) 는, 기판 (FS) 에 대해 전자 디바이스용의 패턴 노광을 반복하여 실시하는 점에서, 패턴이 노광되는 노광 영역 (W) (전자 디바이스 형성 영역) 은, 기판 (FS) 의 장척 방향을 따라 소정의 간격을 두고 복수 형성되어 있다. 홀수번의 주사 유닛 (U1, U3, U5) 은, 중심면 (Poc) 에 대해 기판 (FS) 의 반송 방향의 상류측 (-X 방향측) 에 배치되고, 또한, Y 방향을 따라 배치되어 있다. 짝수번의 주사 유닛 (U2, U4, U6) 은, 중심면 (Poc) 에 대해 기판 (FS) 의 반송 방향의 하류측 (＋X 방향측) 에 배치되고, 또한, Y 방향을 따라 배치되어 있다. 홀수번의 주사 유닛 (U1, U3, U5) 과 짝수번의 주사 유닛 (U2, U4, U6) 은, 중심면 (Poc) 에 대해 대칭으로 형성되어 있다.
주사 유닛 (Un) 은, 광원 장치 (14) 로부터의 빔 (LB) 을 기판 (FS) 의 피조사면 상에서 노광광 (SP) 에 수렴시키도록 투사하면서, 그 노광광 (SP) 을 기판 (FS) 의 피조사면 상에서 소정의 직선적인 묘화 라인 (주사선) (SLn) (SL1 ∼ SL6) 을 따라, 회전하는 폴리곤 미러에 의해 1 차원으로 주사한다. 또한, 주사 유닛 (Un) 의 하류측에는, 검사 장치 (DT) 가 배치된다. 검사 장치 (DT) 는, 회전 드럼 (DR) 의 외주면을 따라 이동하는 기판 (FS) 의 노광 영역 (W) 에 있어서의 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보를 측정점마다 계측한다. 검사 장치 (DT) 에 의한 계측 결과는, 제어 장치 (20) 로 이송된다.
본 실시형태에 의하면, 기판 (FS) 이 회전 드럼 (DR) 을 따라 이동하고 있는 경우에 있어서도, 검사 장치 (DT) 에 의해 노광 영역 (W) 에 있어서의 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보를 취득할 수 있다. 또한, 검사 장치 (DT) 는, 회전 드럼 (DR) 에서 이동하는 기판 (FS) 에 대향하여서 배치되는 것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 검사 장치 (DT) 는, 회전 드럼 (DR) 보다 하류측을 이동하는 기판 (FS) 에 대향시키도록 배치되어도 된다.
＜제 6 실시형태＞
도 16 은, 제 6 실시형태에 관련된 노광 장치 (EX4) 일례를 나타내는 도면이다. 또한, 본 실시형태에 있어서, 상기한 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 설명을 생략 또는 간략화한다. 도 16 에 나타내는 바와 같이, 노광 시스템 (600) 은, 노광 장치 (EX4) 를 구비한다. 이 노광 장치 (EX4) 는, 상기한 실시형태와 달리, 검사 장치 (DT) 를 구비한다.
검사 장치 (DT) 는, 노광 장치 (EX4) 에 있어서, 노광광 (SP) 을 조사하는 부분보다 기판 (FS) 의 반송 방향의 하류측에 형성되어 있다. 노광 장치 (EX4) 는, 노광광 (SP) 에 의해 노광 영역 (W) 의 노광을 실시함과 함께, 검사 장치 (DT) 에 의해 노광 영역 (W) 에 있어서의 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보를 취득한다. 즉, 노광광 (SP) 에 의해 노광 영역 (W) 의 노광을 실시한 직후에, 노광 영역 (W) 에 있어서의 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보를 취득하는 것이 가능하다.
검사 장치 (DT) 에 의해 취득한 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보는, 노광 장치 (EX4) 에 구비하는 도시 생략의 제어 장치, 또는 노광 장치 (EX4) 의 외부에 형성된 도시 생략의 제어 장치로 이송된다. 이 제어 장치는, 상기한 판단부 (64) 를 구비해도 된다. 판단부 (64) 에 의해 노광 영역 (W) 이 노광 불량이라고 판단된 경우, 제어 장치는, 노광 장치 (EX4) 에 있어서의 노광 조건 (예를 들어, 노광광 (SP) 의 강도, 기판 (FS) 의 이동 속도 등) 을 제어해도 된다.
본 실시형태에 의하면, 노광 장치 (EX4) 에 구비하는 검사 장치 (DT) 에 의해 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보를 취득하므로, 노광 장치 (EX4) 의 외부에 검사 장치 (DT) 를 배치할 필요가 없다. 그 결과, 기판 (FS) 의 반송 방향의 길이 (즉 기판 (FS) 에 있어서의 전자 디바이스의 제조 라인의 길이) 를 짧게 할 수 있다. 또, 노광 장치 (EX4) 에 구비하는 검사 장치 (DT) 의 측정 결과는, 노광 장치 (EX4) 이외의 장치 (예를 들어, 노광 장치 (EX4) 의 상류측, 하류측에 배치된 다른 노광 장치, 프로세스 장치 (PR1, PR2) 등) 를 제어하기 위한 정보로서 사용되어도 된다.
이상, 본 발명의 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명의 기술 범위는, 상기한 실시형태 혹은 변형예 등에서 설명한 양태에 한정되지 않는다. 상기한 실시형태 등에서 설명한 요건의 하나 이상은, 생략되는 경우가 있다. 또, 상기 서술한 실시형태 등에서 설명한 요건은, 적절히 조합할 수 있다. 또, 법령에서 허용되는 한에 있어서, 국제 출원인 PCT/JP2019/011101, 및 본 명세서에서 인용한 모든 문헌의 개시를 원용하여 본문의 기재된 일부로 한다.
CONT : 제어 장치
CT : 도포 장치
DT, DTa ∼ DTc : 검사 장치
EX, EXa ∼ EXc, EX3 : 노광 장치
EX1 : 제 1 노광 장치
EX2 : 제 2 노광 장치
FS : 기판
MK : 도금 장치
MKa : 도금 촉매욕
MKb : 도금욕
N : 비노광 영역
TR : 반송 장치
W : 노광 영역
Wa : 단위 영역
61 : 도포 제어부
62 : 노광 제어부
63 : 반송 제어부
64 : 판단부
65 : 제 1 노광 제어부
66 : 제 2 노광 제어부
67 : 도금 제어부
100, 200, 300, 400, 500 : 노광 시스템

Claims (32)

  1. 기판 상의 감광성 보호기를 포함하는 층을 노광하여, 상기 층에 친액 영역 및 발액 영역을 포함하는 친발액 패턴을 형성하는 노광 시스템으로서,
    상기 층을 노광하는 노광 장치와,
    상기 노광 장치로 노광된 영역을 비접촉으로 검사하는 검사 장치와,
    상기 검사 장치의 검사 결과에 기초하여, 상기 노광 시스템에 포함되는 장치 중 어느 하나 이상의 장치를 제어하는 제어 장치를 구비하는, 노광 시스템.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 영역은, 상기 노광에 의해 표면 상태가 변화된 영역인, 노광 시스템.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 상기 영역의 막두께, 질량, 원자간력, 또는 소정 파장의 흡수 중 어느 하나 이상을 검사하는, 노광 시스템.
  4. 기판 상에 형성된, 감광성 보호기를 갖는 화합물을 포함하는 층을 노광하여, 친액 영역 및 발액 영역을 포함하는 친발액 패턴을 형성하는 노광 시스템으로서,
    상기 감광성 보호기를 갖는 화합물을 포함하는 층을 노광하는 노광 장치와,
    상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 상기 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보를 측정점마다 취득하는 검사 장치와,
    상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 포함되는 상기 측정점의 상기 정보에 기초하여 상기 노광의 양부를 판단하는 판단부를 갖는 제어 장치를 구비하는, 노광 시스템.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 판단부는, 단위 면적당의 상기 정보에 기초하여 상기 노광의 양부를 판단하는, 노광 시스템.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 판단부가 노광 불량이라고 판단한 경우에, 상기 정보에 기초하여 상기 노광 장치를 제어하는, 노광 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제어 장치에 의한 상기 노광 장치의 제어는, 상기 노광 장치의 노광시에 있어서의 노광광의 강도를 변경하는 것, 상기 노광광의 초점 위치를 변경하는 것, 상기 노광광의 조사 시간을 변경하는 것, 및 상기 노광광의 중첩량을 변경하는 것 중 적어도 하나를 포함하는, 노광 시스템.
  8. 제 4 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노광 장치에 의한 노광시를 포함하여 상기 기판을 반송하는 반송 장치를 구비하는, 노광 시스템.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 상기 반송 장치에 의한 상기 기판의 반송 방향에 있어서 상기 노광 장치의 하류측에 배치되는, 노광 시스템.
  10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 판단부가 노광 불량이라고 판단한 경우에, 상기 정보에 기초하여 상기 반송 장치에 의한 상기 기판의 반송 속도를 제어하는, 노광 시스템.
  11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송 장치에 의한 상기 기판의 반송 방향에 있어서 상기 검사 장치의 하류측에 제 2 노광 장치를 구비하는, 노광 시스템.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 판단부가 노광 불량이라고 판단한 경우에, 상기 정보에 기초하여 상기 제 2 노광 장치에 의해 상기 층에 대해 재차의 노광을 실시하게 하는, 노광 시스템.
  13. 제 5 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반송 장치에 의한 상기 기판의 반송 방향에 있어서 상기 검사 장치의 하류측에, 상기 친발액 패턴이 형성된 상기 기판에 대해 도금 처리를 실시하는 도금 장치를 구비하는, 노광 시스템.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 판단부가 노광 불량이라고 판단한 경우에, 상기 정보에 기초하여 상기 도금 장치를 제어하는, 노광 시스템.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 판단부가 노광 불량이라고 판단한 경우에, 상기 정보에 기초하여 상기 도금 장치에 있어서의 도금 촉매욕 및 도금욕의 적어도 일방에 대한 상기 층의 침지 시간을 변경하는 것을 포함하는, 노광 시스템.
  16. 제 4 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 흡광도에 의해 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 자외 가시 분광 광도계이고, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 소정의 자외광의 흡수도의 변화로부터 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 적외 분광 광도계이고, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 관능기 유래의 소정의 적외광의 흡수 변화로부터 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  19. 제 4 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 부착력에 의해 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 원자간력 현미경이고, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 캔틸레버의 부착력의 변화로부터 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  21. 제 4 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 막두께에 의해 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 원자간력 현미경 또는 촉진식 단차계이고, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 캔틸레버 또는 접촉자가 접촉함으로써 취득한 막두께의 변화로부터 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 광학식 검사 장치이고, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 소정 파장의 광을 조사함으로써 취득한 막두께의 변화로부터 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  24. 제 4 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 2 차 전자 또는 반사 전자에 의해 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 주사형 전자 현미경이고, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 전자선을 조사함으로써 발생하는 2 차 전자 또는 반사 전자의 변화로부터 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  26. 제 4 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 접촉각 또는 표면 장력에 의해 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 접촉각계이고, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 소정의 액적을 공급하고, 그 액적의 형상의 변화로부터 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  28. 제 4 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 분자 구조에 의해 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, 질량 분석계이고, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 상기 감광성 보호기의 질량 검출 강도의 변화로부터 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  30. 제 28 항에 있어서,
    상기 검사 장치는, X 선 광전자 분광계이고, 상기 노광 장치에 의해 노광된 영역에 있어서의 상기 감광성 보호기에서 유래하는 소정 원소의 검출 강도의 변화로부터 상기 정보를 취득하는, 노광 시스템.
  31. 기판 상에 형성된, 감광성 보호기를 갖는 화합물을 포함하는 층을 노광하여, 친액 영역 및 발액 영역을 포함하는 친발액 패턴을 형성하는 노광 장치로서,
    상기 감광성 보호기를 갖는 화합물을 포함하는 층을 노광하는 노광부와,
    상기 노광부에 의해 노광된 영역에 있어서의 상기 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보를 측정점마다 취득하는 검사부와,
    상기 노광부에 의해 노광된 영역에 포함되는 상기 측정점의 상기 정보에 기초하여 상기 노광의 양부를 판단하는 판단부를 갖는 제어부를 구비하는, 노광 장치.
  32. 기판 상에 형성된, 감광성 보호기를 갖는 화합물을 포함하는 층을 노광하여, 친액수 영역 및 발액 영역을 포함하는 친발액 패턴을 형성하는 노광 방법으로서,
    상기 감광성 보호기를 갖는 화합물을 포함하는 층을 노광하는 것과,
    노광된 영역에 있어서의 상기 감광성 보호기의 탈리량에 관한 정보를 측정점마다 취득하는 것과,
    상기 노광된 영역에 포함되는 상기 측정점의 상기 정보에 기초하여 상기 노광의 양부를 판단하는 것을 포함하는, 노광 방법.
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