JP7310879B2 - 露光システム、露光装置及び露光方法 - Google Patents

露光システム、露光装置及び露光方法 Download PDF

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Description

本発明は、露光システム、露光装置及び露光方法に関する。
近年、半導体素子、集積回路、有機ＥＬディスプレイ用デバイス等の微細デバイス等の製造において、基板上に、表面特性の異なるパターンを形成し、その表面特性の違いを利用して微細デバイスを作成する方法が提案されている。
基板上の表面特性の違いを利用したパターン形成方法としては、例えば、基板上に親水領域と撥水領域とを形成し、機能性材料の水溶液を親水領域に塗布する方法がある。この方法は、親水領域でのみ機能性材料の水溶液が濡れ広がるため、機能性材料のパターンを形成できる。
基板上に親水領域と撥水領域とを形成することができる材料として、例えば、特許文献１には、光照射の前後で接触角を変化させることができる含フッ素化合物が記載されている。このような化合物に光照射した後は、機能性材料を親水領域に良好に塗布するため、当該化合物に十分な光照射が行われたか否かを判断できることが好ましい。
特許第４９９７７６５号公報
本発明の第１態様においては、基板上に形成された、感光性保護基を有する化合物を含む層を露光し、親液領域及び撥液領域を含む親撥液パターンを形成する露光システムを提供する。露光システムは、感光性保護基を有する化合物を含む層を露光する露光装置を備える。露光システムは、露光装置により露光された領域における感光性保護基の脱離量に関する情報を取得する検査装置を備える。露光システムは、情報に基づいて露光された領域の露光の良否を判断する判断部を有する制御装置を備える。判断部は、露光された領域に設定される複数の単位領域それぞれの露光の良否を判断し、露光不良と判断される単位領域の数が所定の割合を超える場合に、露光された領域が露光不良であると判断する。
本発明の第２態様においては、基板上に形成された、感光性保護基を有する化合物を含む層を露光し、親液領域及び撥液領域を含む親撥液パターンを形成する露光装置を提供する。露光装置は、感光性保護基を有する化合物を含む層を露光する露光部を備える。露光装置は、露光部により露光された領域における感光性保護基の脱離量に関する情報を取得する検査部を備える。露光装置は、情報に基づいて露光された領域の露光の良否を判断する判断部を有する制御部を備える。判断部は、露光された領域に設定される複数の単位領域それぞれの露光の良否を判断し、露光不良と判断される単位領域の数が所定の割合を超える場合に、露光された領域が露光不良であると判断する。
本発明の第３態様においては、基板上に形成された、感光性保護基を有する化合物を含む層を露光し、親液水領域及び撥液領域を含む親撥液パターンを形成する露光方法を提供する。露光方法は、感光性保護基を有する化合物を含む層を露光することを含む。露光方法は、露光された領域における感光性保護基の脱離量に関する情報を取得することを含む。露光方法は、情報に基づいて露光された領域に設定される複数の単位領域それぞれの露光の良否を判断し、露光不良と判断される単位領域の数が所定の割合を超える場合に、露光された領域が露光不良であると判断することを含む。
第１実施形態に係る露光システムの一例を示す図である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、原子間力顕微鏡により測定結果の一例を示す画像である。 （Ａ）及び（Ｂ）は、脱離量関連情報に基づいて露光の良否を判断する手順の一例を模式的に示す図である。 第１実施形態に係る露光システムによる露光方法の一例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る露光システムによる露光方法の他の例を示すフローチャートである。 第１実施形態に係る露光システムによる露光方法の他の例を示すフローチャートである。 第２実施形態に係る露光システムの一例を示す図である。 第２実施形態に係る露光システムの他の例を示し、基板を上方から見た図である。 第２実施形態に係る露光システムの他の例を示す図である。 第３実施形態に係る露光システムの一例を示す図である。 第３実施形態に係る露光システムによる露光方法の一例を示すフローチャートである。 第４実施形態に係る露光システムの一例を示す図である。 第４実施形態に係る露光システムによる露光方法の一例を示すフローチャートである。 （Ａ）及び（Ｂ）は、第４実施形態に係る露光システムにおいて、めっき装置内の基板の搬送経路の長さを制御する場合の一例を示す図である。 第５実施形態に係る露光システムの一例を示す図である。 第６実施形態に係る露光装置の一例を示す図である。
感光性保護基を有する化合物の層は、露光により保護基が外れ、この部分が相対的に親液化することで親撥液パターンが形成される。親撥液パターンが形成された後、親液部分にめっき触媒を付与して無電解めっきを行う、又は親水部分に配線形成材料を塗布することで、配線パターンを形成する。このような感光性保護基を有する化合物の層において、露光による保護基の脱離が十分でない場合、親液化の度合いが小さい。このような状態で無電解めっき、又は配線形成材料の塗布を行っても、良好な配線パターンを得ることは困難である。本実施形態では、感光性保護基を有する化合物の層を露光して親撥液パターンを形成した後、配線パターンを形成する前に、保護基の脱離が十分であるか否かを判断することが可能な露光システム、露光装置、及び露光方法を提供する。
以下、本発明の各実施形態について図面を参照しながら説明する。ただし、本発明は以下に記載される実施形態に限定されない。また、図面においては実施形態を説明するため、一部分を大きく又は強調して記載するなど適宜縮尺を変更して表現している。本実施形態では、例えば、電子デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレイ、フレキシブル配線、フレキシブル・センサ等の回路基板を製造する場合を例に挙げて説明する。フレキシブル・ディスプレイとしては、例えば、有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ等がある。
本実施形態に係る電子デバイスを製造する場合には、可撓性のシート状の基板（シート基板）をロール状に巻いた供給ロールから基板が送り出され、送り出された基板に対して各種処理を連続的に施した後、各種処理後の基板を回収ロールで巻き取る、いわゆる、ロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ Ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式が採用される。基板は、基板の搬送方向が長手方向（長尺）となり、幅方向が短手方向（短尺）となる帯状の形状を有する。供給ロールから送られた基板は、順次、前処理、露光処理、後処理等の各種処理が施され、回収ロールで巻き取られる。なお、基板をロール・ツー・ロールで搬送することに限定されず、例えば、矩形状の複数枚の基板を所定方向に連続的にあるいは断続的に搬送し、搬送途中において各種処理を行う形態であってもよい。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態に係る露光システムの一例を示す図である。図１に示すように、露光システム１００は、塗布装置ＣＴと、露光装置ＥＸと、搬送装置ＴＲと、検査装置ＤＴと、制御装置ＣＯＮＴと、を備える。塗布装置ＣＴ、露光装置ＥＸ、検査装置ＤＴは、例えば搬送装置ＴＲによる基板ＦＳの搬送方向の上流側から下流側にこの順で配置される。塗布装置ＣＴは、感光性保護基を有する化合物の液滴を基板ＦＳに塗布し、この化合物の層（以下、化合物層と表記する）を形成する。塗布装置ＣＴは、例えばインクジェット型塗布装置、スピンコート型塗布装置、ロールコート型塗布装置、スロットコート型塗布装置などの液滴塗布装置が用いられる。塗布装置ＣＴは、１台又は複数台が配置される。塗布装置ＣＴが複数台配置される場合、例えば、基板ＦＳの搬送方向に沿って配置されてもよいし、基板ＦＳの幅方向に配置されてもよい。
感光性保護基を有する化合物としては、例えば下記一般式（１）で表される含フッ素化合物を用いることができる。
Figure 0007310879000001
［一般式（１）中、Ｘはハロゲン原子又はアルコキシ基を表し、Ｒ１は水素原子又は炭素数１～１０の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基を表し、Ｒｆ１、Ｒｆ２はそれぞれ独立にアルコキシ基、シロキシ基、又はフッ素化アルコキシ基であって、ｎは０以上の整数を表す。］
前記一般式（１）中、Ｘはハロゲン原子又はアルコキシ基である。Ｘのハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子等を挙げることができる。Ｘのアルコキシ基は、炭素数が１～２０であることが好ましく、１～１０がより好ましく、１～５がさらに好ましく、１～３が特に好ましく、１又は２が最も好ましい。Ｘはハロゲン原子であるよりもアルコキシ基であることが好ましい。
ｎは０以上の整数を表し、出発原料の入手の容易さの点から、１～２０の整数であることが好ましく、２～１５の整数であることがより好ましい。また、ｎは３以上であることも好ましく、４以上であることがより好ましい。
前記一般式（１）中、Ｒ１は水素原子、又は炭素数１～１０の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基である。Ｒ１のアルキル基としては、炭素数１～５の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基等が挙げられる。環状のアルキル基としては、モノシクロアルカン、ビシクロアルカン、トリシクロアルカン、テトラシクロアルカンなどのポリシクロアルカンから１個以上の水素原子を除いた基などが挙げられる。本実施形態においては、Ｒ１は水素原子、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基又はイソプロピル基であることが好ましい。
前記一般式（１）中、Ｒｆ１、Ｒｆ２はそれぞれ独立にアルコキシ基、シロキシ基、又はフッ素化アルコキシ基である。前記一般式（１）中、Ｒｆ１、Ｒｆ２のフッ素化アルコキシ基は、好ましくは炭素数３以上のアルコキシ基であって、部分的にフッ素化されたものであってもよく、パーフルオロアルコキシ基であってもよい。本実施形態においては、部分的にフッ素化されたフッ素化アルコキシ基であることが好ましい。
本実施形態において、Ｒｆ１、Ｒｆ２のフッ素化アルコキシ基としては、例えば、－Ｏ－（ＣＨ２）ｎ ｆ１－（Ｃｎ ｆ２Ｆ２ｎ ｆ２ ＋１）で表される基が挙げられる。前記ｎｆ１は０以上の整数であり、ｎｆ２は１以上の整数である。本実施形態において、ｎｆ１は０～３０であることが好ましく、０～１５であることがより好ましく、０～５であることが特に好ましい。また、本実施形態において、ｎｆ２は１～３０であることが好ましく、１～１５であることがより好ましく、１～１０であることがさらに好ましく、１～６であることが特に好ましい。
以下に一般式（１）で表される含フッ素化合物の具体例を示す。
Figure 0007310879000002
感光性保護基を有する化合物としては、例えば下記一般式（２）で表される含フッ素化合物を用いることができる。
Figure 0007310879000003
［一般式（２）中、Ｒ１は水素原子又は炭素数１～１０の直鎖状、分岐鎖状又は環状のアルキル基を表し、Ｒｆ１、Ｒｆ２はそれぞれ独立にアルコキシ基、シロキシ基、又はフッ素化アルコキシ基である。］
一般式（２）中、Ｒ１、Ｒｆ１、Ｒｆ２についての説明は、前記一般式（１）中のＲ１、Ｒｆ１、Ｒｆ２についての説明と同様である。
＜含フッ素化合物の製造方法＞
一般式（１）で表される含フッ素化合物は、上記した一般式（２）で表される含フッ素化合物を原料（中間体）として製造することが好ましい。
下記工程において、用いられる溶媒としては、例えば酢酸エチル、酢酸ブチル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、Ｎ、Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ－ジメチルアセトアミド、ベンゼン、トルエン、アセトニトリル、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエタン、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノールなどが挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上混合して用いてもよい。
一般式（２）で表される含フッ素化合物は、例えば、以下のそれぞれの工程を経ることにより、得ることができる。
Figure 0007310879000004
上記式中、Ｒ１、Ｒｆ１及びＲｆ２は、前記一般式（１）中のＲ１、Ｒｆ１及びＲｆ２と同様であり、Ｉ－Ｒｆ１’、Ｉ－Ｒｆ２’中のＲｆ１’、Ｒｆ２’はそれぞれ、前記Ｒｆ１、Ｒｆ２と同様である。
Figure 0007310879000005
上記式中、Ｒ１、Ｒｆ１及びＲｆ２は、前記一般式（１）中のＲ１、Ｒｆ１及びＲｆ２と同様である。
Figure 0007310879000006
上記式中、Ｒ１、Ｒｆ１及びＲｆ２は、前記一般式（１）中のＲ１、Ｒｆ１及びＲｆ２と同様である。
Figure 0007310879000007
上記反応式中、Ｒ１、Ｒｆ１、Ｒｆ２についての説明は前記一般式（１）中におけるＲ１、Ｒｆ１、Ｒｆ２についての説明と同様である。
一般式（１）で表される含フッ素化合物は、例えば、以下の工程により、得ることができる。以下の式中、Ｘ、Ｒ１、Ｒｆ１、Ｒｆ２、ｎについての説明は前記一般式（１）中におけるＸ、Ｒ１、Ｒｆ１、Ｒｆ２、ｎについての説明と同様である。
Figure 0007310879000008
なお、感光性保護基を有する化合物は、国際公開ＷＯ２０１５／０２９９８１に記載の化合物を適用可能である。
露光装置ＥＸは、基板ＦＳに露光光ＳＰを照射することで、基板ＦＳに形成された化合物層を露光し、親液領域及び撥液領域を含む親撥液パターンを形成する。すなわち、基板ＦＳに形成された化合物層は、撥液性を有している。この化合物層に露光光ＳＰが照射されることにより感光性保護基が脱離し、この感光性保護基が脱離した部分（領域）は撥液性が失われて親液性を持つことになる。このように、撥液性を持つ部分と親液性を持つ部分とを形成することにより親撥液パターンを形成する。露光装置ＥＸは、例えばマスクを用いない直描方式の露光装置、いわゆるラスタースキャン方式の露光装置を用いることができる。露光装置ＥＸは、レンズ素子ＧＬを含む光学系を調整することにより、焦点位置を調整可能である。なお、露光装置の構成については後述する。
露光装置ＥＸから照射する露光光ＳＰは、例えば紫外線等が挙げられる。露光光ＳＰは、２００～４５０ｎｍの範囲に含まれる波長を有する光を含むことが好ましく、３２０～４５０ｎｍの範囲に含まれる波長を有する光を含むことがより好ましい。また、露光光ＳＰは、３６５ｎｍの波長を有する光であることが好ましい。これらの波長を有する光は、上述の感光性保護基を効率よく脱離することができる。光源としては、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプ、ナトリウムランプ；窒素等の気体レーザ、有機色素溶液の液体レーザ、無機単結晶に希土類イオンを含有させた固体レーザ等が挙げられる。
また、単色光が得られるレーザ以外の光源としては、広帯域の線スペクトル、連続スペクトルをバンドパスフィルター、カットオフフィルター等の光学フィルターを使用して取出した特定波長の光を使用してもよい。一度に大きな面積を照射することができることから、光源としては高圧水銀ランプ又は超高圧水銀ランプを用いてもよい。
搬送装置ＴＲは、基板ＦＳを搬送する。搬送装置ＴＲは、送り出しローラＲＬ１と、巻き取りローラＲＬ２と、駆動装置ＡＣとを有する。送り出しローラＲＬ１は、未処理の基板ＦＳが巻かれて形成されており、基板ＦＳの搬送方向の上流側に配置される。巻き取りローラＲＬ２は、送り出しローラＲＬ１から送り出されて処理された基板ＦＳを巻き取るように、基板ＦＳの搬送方向の下流側に配置される。駆動装置ＡＣは、巻き取りローラＲＬ２を回転駆動させる。巻き取りローラＲＬ２が回転して基板ＦＳを巻き取ることにより、基板ＦＳを搬送方向に移動させることができる。なお、駆動装置ＡＣは、巻き取りローラＲＬ２の回転に同期させるように、送り出しローラＲＬ１を回転させてもよい。
また、移動する基板ＦＳの下方には、１つ又は複数の搬送ローラが配置され、基板ＦＳの移動をガイドしてもよい。例えば、搬送ローラは、塗布装置ＣＴ、露光装置ＥＸ、検査装置ＤＴのそれぞれの下方に配置されて、塗布装置ＣＴと基板ＦＳとのギャップ、露光装置ＥＸと基板ＦＳとのギャップ、検査装置ＤＴと基板ＦＳとのギャップを規定してもよい。この搬送ローラは、基板ＦＳの法線方向に移動可能に設けられて、上記したギャップを調整可能としてもよい。
基板ＦＳは、例えば、樹脂フィルム、若しくは、ステンレス鋼等の金属又は合金からなる箔（フォイル）等が用いられる。樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリオレフィン樹脂、ポリシリコーン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、及び酢酸ビニル樹脂のうち、少なくとも１つ以上を含んだものを用いてもよい。また、基板ＦＳの厚みや剛性（ヤング率）は、例えば、塗布装置ＣＴに対向する移動路を通る際に、基板ＦＳに座屈による折れ目や非可逆的なシワが生じないような範囲、又は／及び露光装置ＥＸに対向する移動路を通る際に、基板ＦＳに座屈による折れ目や非可逆的なシワが生じないような範囲であればよい。基板ＦＳの母材として、厚みが２５μｍ～２００μｍ程度のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等のフィルムは、好適なシート基板の典型として用いられる。
基板ＦＳは、各工程において熱を受ける場合があるため、熱膨張係数が顕著に大きくない材質の基板ＦＳを選定することが好ましい。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合することによって熱膨張係数を抑えることができる。無機フィラーは、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、又は酸化ケイ素等でもよい。また、基板ＦＳは、フロート法等で製造された厚さ１００μｍ程度の極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、箔等を貼り合わせた積層体であってもよい。
基板ＦＳの可撓性（ｆｌｅｘｉｂｉｌｉｔｙ）とは、基板ＦＳに自重程度の力を加えてもせん断したり破断したりすることはなく、その基板ＦＳを撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、基板ＦＳの材質、大きさ、厚さ、基板ＦＳ上に成膜される層構造、温度、湿度等の環境等に応じて、可撓性の程度は変わる。基板ＦＳは、移動路に設けられる送り出しローラＲＬ１、巻き取りローラＲＬ２、各種の搬送ローラ、回転ドラム等の搬送方向転換用の部材に基板ＦＳを正しく巻き付けた場合に、座屈して折り目がついたり、破損（破れや割れが発生）したりせずに、滑らかに搬送できれば、可撓性の範囲といえる。
検査装置ＤＴは、露光装置ＥＸにより露光された領域（以下、露光領域Ｗと称する）における感光性保護基の脱離量に関する情報（以下、脱離量関連情報と表記する）を測定点毎に取得する。検査装置ＤＴは、露光装置ＥＸにより露光された領域の膜厚、質量、原子間力、または所定波長の吸収のいずれか１つ以上を検査してよい。また、検査装置ＤＴは、非接触で表面状態を検査することが好ましい。なお、露光装置ＥＸにより露光されない領域を非露光領域Ｎと称する。検査装置ＤＴは、例えば基板ＦＳの搬送方向と基板ＦＳの幅方向とに座標を設定し、設定した座標毎に測定点を設定することができる。検査装置ＤＴは、計測結果を制御装置ＣＯＮＴに送信する。検査装置ＤＴとしては、例えば、紫外可視分光光度計、赤外分光光度計、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Atomic Force Microscope）、触診式段差計、光学式検査装置、走査型電子顕微鏡、接触角計、質量分析計、Ｘ線光電子分光計等の各種測定機器を用いることができる。
検査装置ＤＴは、基板ＦＳの表面のうち、露光領域Ｗの位置に関する情報を制御装置ＣＯＮＴ等から取得することにより、この露光領域Ｗを特定して脱離量関連情報を取得することが可能である。ただし、検査装置ＤＴは、基板ＦＳの表面のうち、非露光領域Ｎについて計測を行ってもよい。
検査装置ＤＴとして紫外線可視分光光度計を用いる場合には、露光領域Ｗにおける所定の紫外光の吸収度の変化から脱離量関連情報を取得できる。露光領域Ｗは、感光性保護基が脱離しているので、非露光領域Ｎと比べて感光性保護基が少ない。従って、感光性保護基に起因する紫外光の吸収度の変化から脱離量関連情報を取得することができる。検査装置ＤＴとして赤外分光光度計を用いる場合には、露光領域Ｗにおける官能基由来の所定の赤外光の吸収変化から脱離量関連情報を取得できる。露光領域Ｗは、感光性保護基が脱離しているので、非露光領域Ｎと比べて感光性保護基が少ない。従って、感光性保護基の官能基で吸収可能な所定の赤外光を照射して、その赤外光の吸収量の変化から脱離量関連情報を取得することができる。
また、検査装置ＤＴとして原子間力顕微鏡を用いる場合には、露光領域Ｗにおける付着力により脱離量関連情報を取得できる。基板ＦＳに形成される化合物層が露光されて保護基が脱離した場合、付着力が大きくなる。従って、原子間力顕微鏡を用いる場合には、露光領域Ｗにおけるカンチレバーの付着力の変化から脱離量関連情報を取得することができる。なお、原子間力顕微鏡のカンチレバーは、例えば、露光領域Ｗに接触する部分がスフィア型（球型、曲面型）とした形態が用いられ、露光領域Ｗに傷がつくのを防止（抑制）してもよい。
図２（Ａ）及び（Ｂ）は、原子間力顕微鏡により測定結果の一例を示す画像である。なお、図２（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、得られた４つの画像を繋ぎ合わせて１つの画像として表したものである。図２（Ａ）では、スフィア型のカンチレバーの付着力が２０００ｍＪ／ｃｍ２である場合の測定結果を可視化した画像を示す。図２（Ｂ）では、カンチレバーの付着力が５００ｍＪ／ｃｍ２である場合の測定結果を可視化した画像を示す。基板ＦＳに形成された化合物層が露光されて感光性保護基が脱離した場合、露光領域Ｗの付着力は、非露光領域Ｎの付着力よりも大きくなる。
その結果、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、露光領域Ｗは、非露光領域Ｎとは異なり、感光性保護基の脱離量に応じた態様で可視化した画像として現れる。図２（Ａ）及び（Ｂ）に示す例では、非露光領域Ｎに対して露光領域Ｗが白くなって現れており、露光領域Ｗ内において白さが異なる部分を含んでいることが確認される。従って、この画像に基づいて画像処理（例えば、輝度、色を閾値との比較処理）を行うことで、露光領域Ｗと非露光領域Ｎとを区別しつつ、露光領域Ｗにおける感光性保護基の脱離量（すなわち脱離量関連情報）を取得することができる。なお、検査装置ＤＴとして原子間力顕微鏡を用いる場合には、露光領域Ｗの膜厚により露光領域Ｗにおける脱離量関連情報を取得してもよい。また、原子間力顕微鏡を用いる場合には、露光領域Ｗにカンチレバーが接触することにより取得した膜厚の変化から露光領域Ｗにおける脱離量関連情報を取得してもよい。
検査装置ＤＴとして触診式段差計を用いる場合には、露光領域Ｗに接触子が接触することにより取得した膜厚の変化から脱離量関連情報を取得する。露光領域Ｗでは感光性保護基が脱離しているため、わずかに膜厚が減少している。従って、露光領域Ｗにおける膜厚の変化を検出することで、脱離量関連情報を取得することができる。検査装置ＤＴとして光学式検査装置を用いる場合には、露光領域Ｗに所定波長の光を照射することにより取得した膜厚の変化から脱離量関連情報を取得する。上記のように露光領域Ｗではわずかに膜厚が減少しているので、所定波長の光を照射して露光領域Ｗの膜厚を検出することで、脱離量関連情報を取得することができる。
検査装置ＤＴとして走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いる場合には、露光領域Ｗに電子線を照射することにより生じる二次電子又は反射電子の変化から脱離量関連情報を取得する。露光領域Ｗにおける感光性保護基の脱離量に応じて、電子線の照射により生じる二次電子又は反射電子が異なる。従って、露光領域Ｗにおける二次電子又は反射電子の変化を検出することで、脱離量関連情報を取得することができる。検査装置ＤＴとして接触角計を用いる場合には、露光領域Ｗにおける接触角又は表面張力により脱離量関連情報を取得する。露光領域Ｗにおける感光性保護基の脱離量に応じて、所定の液体（試薬）における接触角（静的接触角、動的接触角、ねれ性）が異なる。従って、露光領域Ｗにおける接触角の変化を検出することで、脱離量関連情報を取得することができる。
検査装置ＤＴとして質量分析計を用いる場合には、露光領域Ｗにおける感光性保護基の質量検出強度の変化から脱離量関連情報を取得する。露光領域Ｗでは感光性保護基が脱離しているため、感光性保護基の質量検出強度が変化する。従って、露光領域Ｗにおける質量検出強度の変化を検出することで、脱離量関連情報を取得することができる。検査装置ＤＴとしてＸ線光電子分光計を用いる場合には、露光領域Ｗにおける感光性保護基に由来する所定元素の検出強度の変化から脱離量関連情報を取得する。露光領域Ｗでは感光性保護基が脱離しているため、感光性保護基に由来する所定元素の検出強度が変化する。従って、露光領域Ｗにおける所定元素の強度を検出することで、脱離量関連情報を取得することができる。
制御装置ＣＯＮＴは、検査装置ＤＴによる検査結果に基づいて、露光システムに含まれる装置のいずれか１つ以上の装置を制御する。例えば、塗布装置ＣＴ、露光装置ＥＸ、搬送装置ＴＲ、及び検査装置ＤＴを統括的に制御する。制御装置ＣＯＮＴは、塗布制御部６１と、露光制御部６２と、搬送制御部６３と、判断部６４とを有する。塗布制御部６１は、塗布装置ＣＴの動作を制御する。露光制御部６２は、露光装置ＥＸの動作を制御する。搬送制御部６３は、搬送装置ＴＲの動作を制御する。判断部６４は、検査装置ＤＴの計測結果に基づいて露光の良否を判断する。判断部６４は、露光装置ＥＸにより露光された領域（露光領域Ｗ）のうちの所定の領域に含まれる測定点の情報（例えば脱離量関連情報）に基づいて露光の良否を判断する。判断部６４は、例えば、化合物層における単位面積あたりの脱離量関連情報に基づいて、露光の良否を判断する。図３（Ａ）及び（Ｂ）は、脱離量関連情報に基づいて露光の良否を判断する手順の一例を模式的に示す図である。図３（Ａ）及び（Ｂ）では、基板ＦＳ上の化合物層の一部が露光され、露光領域Ｗと非露光領域Ｎとが形成された場合を示している。
判断部６４は、例えば、図２（Ａ）及び（Ｂ）に示す画像に対して画像処理を行う等により、化合物層における露光領域Ｗと非露光領域Ｎとを選定する。次に、判断部６４は、図３（Ａ）に示すように、検出した露光領域Ｗを所定の単位領域Ｗａに区画する。本実施形態において、単位領域Ｗａは正方形状であるが、この形態に限定されず、例えば、長方形であってもよいし、三角形等の他の多角形であってもよいし、円形、楕円形、長円形等の他の形状であってもよい。図３（Ａ）に示す例においては、判断部６４は、それぞれの面積が等しくなるように単位領域Ｗａを設定しているが、必ずしも全ての単位領域Ｗａの面積を等しくする必要はない。
各単位領域Ｗａには、検査装置ＤＴにおいて検出された複数の測定点についての測定結果が含まれる。判断部６４は、露光領域Ｗを面積の等しい単位領域Ｗａに区画した後、単位領域Ｗａごとに、複数の測定点における測定結果（例えば、紫外線可視分光光度計であれば吸光度、原子間力顕微鏡であれば付着力）に基づいて、脱離量関連情報を算出する。判断部６４は、例えば、複数の測定点における測定結果の平均値に基づいて脱離量関連情報を算出してもよい。図３（Ｂ）では、脱離量関連情報として、単位領域Ｗａごとの測定結果の合計を１～５の５段階で表記した例を示している。「１」は計測結果の合計が最も少なく、「５」は計測結果の合計が最も多い。
判断部６４は、算出した脱離量（５段階表記の１～５の数値）と、例えば、検査装置ＤＴの測定機器ごとに設定される閾値とを比較する。判断部６４は、比較結果に基づいて、感光性保護基が十分に脱離しているか否か、すなわち、露光の良否を判断する。例えば、検査装置ＤＴとして紫外線可視分光光度計を用いる場合、判断部６４は、ある単位領域Ｗａの吸光度が閾値以上であれば、その単位領域Ｗａが露光不良と判断する。また、検査装置ＤＴとして原子間力顕微鏡を用いる場合、判断部６４は、ある単位領域Ｗａの付着力が閾値以下であれば、その単位領域Ｗａが露光不良と判断する。
次に、判断部６４は、単位領域Ｗａごとの評価に基づいて、露光領域Ｗにおける露光の良否を判断する。例えば、判断部６４は、露光不良と判断された単位領域Ｗａの数が露光領域Ｗにおける所定の割合（例えば、２０％、４０％など）を超える場合に、その露光領域Ｗが露光不良であると判断してもよいし、露光不良と判断された単位領域Ｗａが１つでもあれば、その露光領域Ｗが露光不良であると判断してもよい。なお、露光領域Ｗの露光の良否を判断する具体的な手法は、上記の手法に限定されない。また、判断部６４は、単位領域Ｗａごとに露光の良否を判断し、その結果を、露光領域Ｗの露光に関する判断結果としてもよい。
次に、上記のように構成された露光システム１００の動作について説明する。図４は、露光システム１００による露光方法の一例を示すフローチャートである。露光システム１００では、搬送装置ＴＲによって基板ＦＳを搬送方向に搬送させながら、塗布装置ＣＴにより基板ＦＳ上に、感光性保護基を有する化合物の層である化合物層を形成するための液体を塗布し、基板ＦＳ上に化合物層を形成させる。なお、塗布装置ＣＴによる基板ＦＳ上への液体の塗布後に、基板ＦＳ上を乾燥させるための乾燥装置、又は加熱するための加熱装置、さらに洗浄するための洗浄装置が配置されてもよい。
基板ＦＳに形成された化合物層は、搬送装置ＴＲによる基板ＦＳの移動に伴い、搬送方向の下流側の露光装置ＥＸに到達する。図４に示すように、露光装置ＥＸは、化合物層が塗布された基板ＦＳに対して露光光ＳＰを照射し、化合物層の所定の領域を露光する（ステップＳ０１）。ステップＳ０１では、搬送装置ＴＲによって基板ＦＳを搬送方向に搬送させながら、露光装置ＥＸによって基板ＦＳの幅方向に、所定の径のスポット光である露光光ＳＰを走査させる。これにより、基板ＦＳの搬送方向及び幅方向に亘る所定の領域に露光光ＳＰが照射され、露光領域Ｗが形成される。なお、露光光ＳＰの走査速度、又は露光光ＳＰの１回の走査あたりの基板ＦＳの搬送速度を調整することにより、露光光ＳＰの照射領域の一部が重なるようにしてもよい。
なお、露光装置ＥＸは、露光光ＳＰを走査させる構成に代えて、所定領域に一括して露光光ＳＰを照射する構成であってもよい。また、基板ＦＳを搬送方向に搬送させながら露光光ＳＰを照射する形態に限定されず、基板ＦＳの移動を停止させた状態で露光装置ＥＸから露光光ＳＰを照射させ、次の露光領域を露光装置ＥＸまで移動させるといった基板ＦＳをステップ移動させる形態であってもよい。
化合物層に形成された露光領域は、搬送装置ＴＲによる基板ＦＳの移動に伴い、搬送方向の下流側の検査装置ＤＴに到達する。検査装置ＤＴは、露光装置ＥＸにより露光された露光領域Ｗにおける感光性保護基の脱離量関連情報を測定点毎に取得する（ステップＳ０２）。ステップＳ０２では、搬送装置ＴＲによって基板ＦＳを搬送方向に搬送させながら、検査装置ＤＴが露光領域における脱離量関連情報を取得する。検査装置ＤＴは、計測結果を制御装置ＣＯＮＴに送信する。なお、基板ＦＳをステップ移動させて露光領域Ｗに露光光ＳＰを照射している場合は、基板ＦＳが停止しているタイミングで検査装置ＤＴにより脱離量関連情報の取得を行ってもよい
制御装置ＣＯＮＴは、検査装置ＤＴからの計測結果に基づいて、基板ＦＳに対する露光の良否を判断する（ステップＳ０３）。ステップＳ０３において、制御装置ＣＯＮＴは、まず、露光装置ＥＸにより露光された領域（露光領域Ｗ）のうちの所定の領域に含まれる測定点の情報（例えば脱離量関連情報）を算出する。制御装置ＣＯＮＴは、例えば、単位面積あたりの脱離量関連情報を算出する。そして、算出された脱離量関連情報に基づいて、制御装置ＣＯＮＴの判断部６４は露光の良否を判断する。制御装置ＣＯＮＴは、判断部６４による判断結果について、不図示の表示装置等に出力してもよいし、外部の管理装置等に出力してもよい。ユーザは、判断部６４による判断結果を表示装置等で見ることにより、露光領域Ｗにおける露光の良否を容易に確認できる。
図５は、露光システム１００による露光方法の他の例を示すフローチャートである。図５に示す例において、露光システム１００は、上記と同様にステップＳ０１からステップＳ０３の処理を行う。その後、制御装置ＣＯＮＴは、判断部６４において露光不良と判断されたか否かを検出する（ステップＳ０４）。
ステップＳ０４の検出の結果、判断部６４において露光不良と判断された場合（ステップＳ０４のＹＥＳ）、露光制御部６２は、算出された脱離量関連情報に基づいて、露光装置ＥＸを制御する（ステップＳ０５）。ステップＳ０５において、露光制御部６２は、例えば露光装置ＥＸにおける露光条件を変更する。この場合、露光条件としては、例えば、露光装置ＥＸの露光時における露光光ＳＰの強度を変更すること、露光光ＳＰの焦点位置を変更すること、露光光ＳＰの照射時間を変更すること、及び露光光ＳＰの重ね量を変更すること、の少なくとも１つを含む。露光光の照射時間は、例えば、露光光ＳＰの走査速度を変更することで露光光の照射時間を変更できる。
露光制御部６２は、例えば、露光領域Ｗにおいて露光不良とされた場所及び露光不良の程度（例えば、露光量の不足の程度）に応じて、その場所に対して適切な露光量となるように露光光の強度、焦点位置、照射時間、重ね量等を制御する。その結果、露光装置ＥＸにおける露光が改善され、露光領域Ｗが露光不良となることを解消することができる。なお、ステップＳ０４の検出の結果、判断部６４において露光不良と判断されない場合（ステップＳ０４のＮＯ）、制御装置ＣＯＮＴ（露光制御部６２）は、露光装置ＥＸの制御を行わなくてもよい。
図６は、露光システム１００による露光方法の他の例を示すフローチャートである。図６に示す例において、露光システム１００は、上記同様にステップＳ０１からステップＳ０３の処理を行い、判断部６４において露光不良と判断されたか否かを検出する（ステップＳ０４）。ステップＳ０４の検出の結果、判断部６４において露光不良と判断された場合（ステップＳ０４のＹＥＳ）、搬送制御部６３は、算出された脱離量関連情報に基づいて、搬送装置ＴＲによる基板ＦＳの搬送速度を制御する（ステップＳ０６）。ステップＳ０６において、搬送制御部６３は、例えば、露光装置ＥＸにおける露光光ＳＰの照射時間が長くなるように、基板ＦＳの搬送速度を遅くすることができる。なお、ステップＳ０４の検出の結果、判断部６４において露光不良と判断されない場合（ステップＳ０４のＮＯ）、制御装置ＣＯＮＴ（搬送制御部６３）は、搬送装置ＴＲの制御を行わなくてもよい。
また、図４及び図５に示すフローチャートにおいて、ステップＳ０４で露光不良と判断された場合、制御装置ＣＯＮＴは、露光不良と判断された露光領域Ｗを特定する情報（例えば、基板ＦＳにおける位置など）を検査装置ＤＴから取得してもよい。露光不良と判断された露光領域Ｗは、そのまま巻き取りローラＲＬ２で巻き取られるので、後にどの部分が露光不良であるかを特定することが難しい。上記のように露光領域Ｗを特定する情報を取得しておくことにより、この部分については後の工程を省略するなどの対応が可能となり、処理効率を向上させることができる。
本実施形態によれば、露光領域Ｗの画像等から露光不良の判断が難しい場合でも、検査装置ＤＴの計測結果から判断部６４の判断により露光不良を判断するので、ユーザは、判断部６４の判断を確認することにより、露光不良を容易に確認することができる。
＜第２実施形態＞
図７は、第２実施形態に係る露光システム２００の一例を示す図である。図７に示す露光システム２００は、塗布装置ＣＴ、露光装置ＥＸ、及び搬送装置ＴＲを有する点は第１実施形態の露光システム１００と同様であるが、複数の検査装置ＤＴが設けられる点で、上記した実施形態と異なっている。なお、上記した実施形態と同一の構成については同一の符号を付してその説明を省略又は簡略化する。図７に示す露光システム２００において、複数の検査装置ＤＴは、基板ＦＳの搬送方向において、露光装置ＥＸの下流側に配置される。なお、図７では、検査装置ＤＴが２台配置された構成が示されているが、この形態に限定されず、３台以上配置されてもよい。複数の検査装置ＤＴは、同一の検査装置ＤＴが用いられてもよいし、異なる検査装置ＤＴが用いられてもよい。
複数の検査装置ＤＴは、例えば基板ＦＳの搬送方向に並んで配置される。この場合、基板ＦＳの搬送方向の上流側に配置される検査装置ＤＴａをメインとして用い、下流側に配置される検査装置ＤＴｂをサブ又はバックアップ用としてもよいし、検査する露光領域Ｗの一部を上流側の検査装置ＤＴａで計測し、露光領域Ｗの残りの部分を下流側の検査装置ＤＴｂで計測してもよい。
図８は、第２実施形態に係る露光システムの他の例を示図である。図８は、露光システム２００Ａにおいて基板ＦＳを上方から見た状態を示している。図８に示す露光システム２００Ａでは、２つの検査装置ＤＴが、基板ＦＳの幅方向（搬送方向と直交する方向）に並んで配置される。一方の検査装置ＤＴａは、基板ＦＳの幅方向の中央から一方の端辺にかけての領域を計測する。他方の検査装置ＤＴｂは、基板ＦＳの幅方向の中央から他方の端辺にかけての領域を計測する。検査装置ＤＴａ、ＤＴｂは、計測結果を制御装置ＣＯＮＴに送信する。制御装置ＣＯＮＴは、検査装置ＤＴａ、ＤＴｂの計測結果に基づいて脱離量関連情報を算出し、露光の良否を判断する。
図９は、第２実施形態に係る露光システムの他の例を示す図である。図９は、露光システム２００Ｂにおいて基板ＦＳを上方から見た状態を示している。図９に示す露光システム２００Ｂでは、露光装置ＥＸ及び検査装置ＤＴがそれぞれ同数、例えば３台ずつ設けられており、露光装置ＥＸと検査装置ＤＴとが対応して配置されている。なお、図９の露光システム２００Ｂでは、制御装置ＣＯＮＴの記載を省略している。
例えば、１台の露光装置ＥＸａが基板ＦＳの幅方向の中央に配置される。また、その露光装置ＥＸａに対して基板ＦＳの搬送方向の上流側には、残り２台の露光装置ＥＸｂ、ＥＸｃが基板ＦＳの幅方向の両端にそれぞれ配置される。露光装置ＥＸａは、基板ＦＳの幅方向の中央の領域に対して露光光ＳＰを照射する。露光装置ＥＸｂ、ＥＸｃは、基板ＦＳの幅方向の両端の領域に対して露光光ＳＰをそれぞれ照射する。従って、３台の露光装置ＥＸａ～ＥＸｃにより、基板ＦＳの幅方向の中央及び両端の各領域について分担して露光領域Ｗに露光光ＳＰを照射する。
また、３台の露光装置ＥＸａ～ＥＸｃに対して基板ＦＳの搬送方向の下流側では、１台の検査装置ＤＴａが基板ＦＳの幅方向の中央に配置される。また、その検査装置ＤＴａに対して基板ＦＳの搬送方向の上流側には、残り２台の検査装置ＤＴｂ、ＤＴｃが基板ＦＳの幅方向の両端に配置される。つまり、３台の検査装置ＤＴａ～ＤＴｃの配置が、３台の露光装置ＥＸａ～ＥＸｃの配置と同様になっている。検査装置ＤＴａは、露光領域Ｗのうち基板ＦＳの幅方向の中央の領域に対して計測を行う。検査装置ＤＴｂ、ＤＴｃは、露光領域Ｗのうち基板ＦＳの幅方向の両端の領域に対してそれぞれ計測を行う。従って、３台の検査装置ＤＴａ～ＤＴｃにより、基板ＦＳの幅方向の中央及び両端の各領域について分担して露光領域Ｗの計測を行う。
３台の検査装置ＤＴａ～ＤＴｃは、それぞれ計測結果を制御装置ＣＯＮＴに送信する。制御装置ＣＯＮＴは、検査装置ＤＴａ～ＤＴｃの計測結果に基づいて脱離量関連情報を算出し、露光の良否を判断する。この構成により、制御装置ＣＯＮＴは、３台の検査装置ＤＴａ～ＤＴｃで計測される基板ＦＳの幅方向の中央の領域及び両端の領域の３つの領域のそれぞれについて、別個に露光の良否を判断する。
制御装置ＣＯＮＴは、３つの領域のうち、いずれかの領域について露光不良であると判断された場合、その領域に配置されている露光装置ＥＸａ～ＥＸｃについて、脱離量関連情報に基づいて制御を行うことができる。例えば、制御装置ＣＯＮＴは、検査装置ＤＴａの計測結果に基づいて露光装置ＥＸａの制御を行い、検査装置ＤＴｂの計測結果に基づいて露光装置ＥＸｂの制御を行い、検査装置ＤＴｃの計測結果に基づいて露光装置ＥＸｃの制御を行ってもよい。また、制御装置ＣＯＮＴは、３台の検査装置ＤＴａ～ＤＴｃのいずれか１において露光不良と判断された場合、全ての露光装置ＥＸａ～ＥＸｃの制御を行ってもよいし、露光不良であると判断されていない領域に配置されている露光装置ＥＸａ～ＥＸｃの制御を行ってもよい。
本実施形態によれば、複数の検査装置ＤＴにより露光領域Ｗを分割して計測するので、１台の検査装置ＤＴにおける処理負担を軽減することができる。その結果、基板ＦＳの移動速度を早くすることができ、基板ＦＳの処理効率を向上させることができる。
＜第３実施形態＞
図１０は、第３実施形態に係る露光システム３００の一例を示す図である。図１０に示す露光システム３００は、塗布装置ＣＴ、搬送装置ＴＲ、及び検査装置ＤＴを有する点では上記した実施形態の露光システム１００、２００と同様であるが、複数の露光装置ＥＸが基板ＦＳの搬送方向について検査装置ＤＴの上流側と下流側とに設けられる点で、上記の実施形態とは異なっている。なお、上記した実施形態と同一の構成については同一の符号を付してその説明を省略又は簡略化する。
図１０に示す露光システム３００において、複数の露光装置ＥＸは、第１露光装置ＥＸ１と、第２露光装置ＥＸ２とを含む。第１露光装置ＥＸ１は、検査装置ＤＴに対して基板ＦＳの搬送方向の上流側に配置される。第２露光装置ＥＸ２は、検査装置ＤＴに対して基板ＦＳの搬送方向の下流側に配置される。第１露光装置ＥＸ１及び第２露光装置ＥＸ２は、上述した露光装置ＥＸと同様の構成である。なお、第１露光装置ＥＸ１と第２露光装置ＥＸ２とは、同一の構成であってもよいし、異なる構成であってもよい。また、制御装置ＣＯＮＴは、第１露光装置ＥＸ１を制御する第１露光制御部６５と、第２露光装置ＥＸ２を制御する第２露光制御部６６とを有する。
図１１は、露光システム３００による露光方法の一例を示すフローチャートである。図１１に示す例において、露光システム３００は、上記の実施形態と同様にステップＳ０１からステップＳ０３の処理を行う。なお、ステップＳ０１の露光処理は、第１露光装置ＥＸ１において行う。ステップＳ０３の後、制御装置ＣＯＮＴは、判断部６４において露光不良と判断されたか否かを検出する（ステップＳ０４）。
ステップＳ０４において、判断部６４が露光不良と判断した場合（ステップＳ０４のＹＥＳ）、制御装置ＣＯＮＴは、判断部６４が露光不良と判断した露光領域Ｗに対して、第２露光装置ＥＸ２により再度の露光を行わせる（ステップＳ０７）。ステップＳ０７において、第２露光制御部６６は、算出された脱離量関連情報に基づいて、第２露光装置ＥＸ２を制御する。第２露光制御部６６は、算出された脱離量関連情報に基づいて、例えば、第２露光装置ＥＸ２の露光時における露光光ＳＰの強度、露光光ＳＰの焦点位置、露光光ＳＰの照射時間、及び露光光ＳＰの重ね量を調整する。露光不良と判断された露光領域Ｗに対して第２露光装置ＥＸ２により露光することで、露光領域Ｗの露光不良の全部又は一部を解消することができる。
なお、制御装置ＣＯＮＴは、判断部６４において露光不良と判断された場合（ステップＳ０４のＹＥＳ）、第２露光装置ＥＸ２により露光を行わせることに加えて、算出された脱離量関連情報に基づいて、第１露光制御部６５による第１露光装置ＥＸ１の制御を行ってもよいし、搬送装置ＴＲの制御を行ってもよい。また、制御装置ＣＯＮＴは、露光領域Ｗのうち露光不良の部分（例えば、図３に示す単位領域Ｗａ）に対して、第２露光装置ＥＸ２により露光光ＳＰを照射するような制御を行ってもよい。その結果、第２露光装置ＥＸ２による再度の露光が不要な部分への露光光ＳＰの照射を回避できる。
本実施形態によれば、検査装置ＤＴにより露光領域Ｗが露光不良と判断された場合に、第２露光装置ＥＸ２により露光不良の露光領域Ｗを再度露光するので、露光領域Ｗが露光不良のまま後段の処理に移動することを防止できる。その結果、基板ＦＳにおける歩留まりの低下を抑制できる。なお、本実施形態において、第２露光装置ＥＸ２の下流側に検査装置ＤＴを配置し、第２露光装置ＥＸ２による露光後において、判断部６４により露光不良が生じているか否か（露光不良が残っているか否か）を判断してもよい。
＜第４実施形態＞
図１２は、第４実施形態に係る露光システム４００の一例を示す図である。図１２に示す露光システム４００は、塗布装置ＣＴ、露光装置ＥＸ、搬送装置ＴＲ、及び検査装置ＤＴに加えて、めっき装置ＭＫを備える点で、上記した第１～第３実施形態とは異なっている。図１２に示す露光システム４００において、めっき装置ＭＫは、基板ＦＳの搬送方向において検査装置ＤＴの下流側に配置される。めっき装置ＭＫは、露光装置ＥＸにより親撥液パターンが形成された基板ＦＳに対してめっき処理（例えば、無電解めっき処理）を行う。
めっき装置ＭＫは、基板ＦＳに対してめっき触媒浴を行うためのめっき触媒槽ＭＫａと、基板ＦＳに対してめっきを行うためのめっき槽ＭＫｂと、複数の搬送ローラＭＫｃとを有する。めっき触媒槽ＭＫａは、基板ＦＳの搬送方向の上流側に配置され、基板ＦＳに形成された親撥液パターンの親液部分にめっき触媒を付与する。すなわち、基板ＦＳの露光領域Ｗでは感光性保護基が脱離して親液性を有しており、非露光領域Ｎでは感光性保護基が脱離していないので親液性を有しているので、露光領域Ｗにめっき触媒液が付着する。めっき触媒槽ＭＫａに貯留されるめっき触媒液は、例えば、無電解めっき処理に必要な任意のもの選択されて貯留されている。
めっき槽ＭＫｂは、基板ＦＳの搬送方向の下流側に配置され、めっき触媒が付与された基板ＦＳの親液部分に無電解めっきを行う。すなわち、基板ＦＳの露光領域Ｗにめっき触媒が付与されているので、この露光領域Ｗめっき処理が施される。その結果、基板ＦＳには、めっき処理による配線パターンが形成される。基板ＦＳは、巻き取りローラＲＬ２が基板ＦＳを巻き取ることにより、めっき装置ＭＫにおいて移動する。複数の搬送ローラＭＫｃは、めっき装置ＭＫにおいて基板ＦＳを案内する。なお、複数の搬送ローラＭＫｃのうち、少なくとも１つが駆動ローラであり、残りが従動ローラであってもよい。搬送ローラＭＫｃのうち１つを駆動ローラとすることにより、めっき装置ＭＫ内において基板ＦＳの搬送速度を変更可能である。
また、複数の搬送ローラＭＫｃのうち、めっき触媒槽ＭＫａ内に配置される搬送ローラＭＫｃ、又はめっき槽ＭＫｂ内に配置される搬送ローラＭＫｃは、少なくとも１つが基板ＦＳの搬送方向に移動可能であってもよい。この場合、搬送ローラＭＫｃがめっき触媒槽ＭＫａ内又はめっき槽ＭＫｂ内において基板ＦＳの搬送方向に移動することで、めっき触媒槽ＭＫａにおける基板ＦＳの搬送距離、又はめっき槽ＭＫｂにおける基板ＦＳの搬送距離の長さを変更可能である。
制御装置ＣＯＮＴは、めっき装置ＭＫを制御するめっき制御部６７を有する。複数の搬送ローラＭＫｃいずれかが駆動ローラである場合、めっき制御部６７は、搬送ローラＭＫｃ（駆動ローラ）の回転速度、つまりめっき装置ＭＫ内における基板ＦＳの搬送速度を制御可能である。基板ＦＳの搬送速度の変更は、めっき触媒槽ＭＫａにおける基板ＦＳの浸漬時間、又はめっき槽ＭＫｂ内における基板ＦＳの浸漬時間を変更させる。また、めっき触媒槽ＭＫａ内又はめっき槽ＭＫｂ内の搬送ローラＭＫｃが基板ＦＳの搬送方向に移動可能である場合、めっき制御部６７は、移動可能な搬送ローラＭＫｃの位置、つまり、めっき触媒槽ＭＫａ内又はめっき槽ＭＫｂ内における基板ＦＳの搬送距離を制御可能である。めっき触媒槽ＭＫａ内又はめっき槽ＭＫｂ内における基板ＦＳの搬送距離の変更は、めっき触媒槽ＭＫａにおける基板ＦＳの浸漬時間、又はめっき槽ＭＫｂ内における基板ＦＳの浸漬時間を変更させる。
図１３は、本実施形態に係る露光システム４００による露光方法の一例を示すフローチャートである。図１３に示す例において、露光システム４００は、上記の実施形態と同様にステップＳ０１からステップＳ０３の処理を行う。その後、制御装置ＣＯＮＴは、判断部６４において露光領域Ｗが露光不良と判断されたか否かを検出する（ステップＳ０４）。ステップＳ０４の検出の結果、判断部６４において露光不良と判断された場合（ステップＳ０４のＹＥＳ）、搬送制御部６３は、算出された脱離量関連情報に基づいて、めっき装置ＭＫを制御する（ステップＳ０８）。ステップＳ０８において、めっき制御部６７は、例えば、搬送ローラＭＫｃの回転速度、位置を調整することにより、めっき装置ＭＫ内における基板ＦＳの搬送速度、基板ＦＳの搬送距離を制御し、例えば、めっき触媒槽ＭＫａ内又はめっき槽ＭＫｂ内における基板ＦＳの浸漬時間を長くする。
その結果、露光不良と判断されている露光領域Ｗは、時間あたりのめっき触媒の付与率が低くなっているが、めっき触媒槽ＭＫａにおける基板ＦＳの浸漬時間を長くすることで、露光領域Ｗに対するめっき触媒の付与を補うことが可能となる。又は、露光領域Ｗに対して十分にめっき触媒が付与されていないときでも、めっき槽ＭＫｂにおける基板ＦＳの浸漬時間を長くなることで、露光領域Ｗに対して十分な（配線パターンとして十分な）めっきを形成させることが可能となる。
図１４（Ａ）及び（Ｂ）は、露光システム４００において、めっき装置ＭＫ内の基板ＦＳの搬送距離を変更する場合の一例を示す図である。図１４（Ａ）に示す例では、基板ＦＳがめっき触媒槽ＭＫａ又はめっき槽ＭＫｂに浸漬された状態において、搬送経路の長さが最短となるように搬送ローラＭＫｃが配置される。この状態から、図１４（Ｂ）に示すように、めっき触媒槽ＭＫａ又はめっき槽ＭＫｂ内に配置された複数の搬送ローラＭＫｃのうちの搬送ローラＭＫｃ１を上方に移動させることにより、基板ＦＳは、めっき触媒槽ＭＫａ内又はめっき槽ＭＫｂ内において上下方向に蛇行した状態で移動する。すなわち、基板ＦＳは、めっき触媒槽ＭＫａ又はめっき槽ＭＫｂにおいて搬送経路が長くなり、めっき触媒槽ＭＫａ又はめっき槽ＭＫｂにおける浸漬時間を長くすることができる。
本実施形態によれば、検査装置ＤＴにより露光領域Ｗが露光不良と判断された場合に、めっき装置ＭＫを制御してめっき触媒槽ＭＫａ又はめっき槽ＭＫｂにおける基板ＦＳの浸漬時間を調整（長く）するので、露光不良と判断された露光領域Ｗに対して適切なめっき処理を施すことができる。その結果、露光不良と判断された露光領域Ｗに対して所望の配線パターンを形成させることで、基板ＦＳにおける歩留まりの低下を抑制できる。
＜第５実施形態＞
図１５は、第５実施形態に係る露光システム５００の一例を示す図である。図１５に示す露光システム５００は、露光装置ＥＸ３と、検査装置ＤＴとを備える。なお、以下の説明において、特に断わりのない限り、重力方向をＺ方向とするＸＹＺ直交座標系を設定し、図に示す矢印に従って、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向を説明する。矢印の指す方向を＋方向（例えば＋Ｘ方向）とし、反対の方向を－方向（例えば－Ｘ方向）として説明する。
露光システム５００は、例えば、電子デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレイ、フレキシブル・センサ等を製造する製造ラインが構築された製造システムの一部である。以下、電子デバイスとしてフレキシブル・ディスプレイを前提として説明する。
露光システム５００は、可撓性のシート状の基板（シート基板）ＦＳをロール状に巻いた送り出しローラ（図１の送り出しローラＲＬ１参照）から基板ＦＳが送り出され、送り出された基板ＦＳに対して各種処理を連続的に施した後、各種処理後の基板ＦＳを巻き取りローラ（図１の巻き取りローラＲＬ２参照）で巻き取る、いわゆる、ロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ Ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式の構造を有する。基板ＦＳは、基板ＦＳの搬送方向が長手方向（長尺）となり、幅方向が短手方向（短尺）となる帯状の形状を有する。送り出しローラから送られた基板ＦＳは、順次、プロセス装置ＰＲ１、露光装置（描画装置、ビーム走査装置）ＥＸ４、及び、プロセス装置ＰＲ２等で各種処理が施され、巻き取りロールで巻き取られる。
なお、Ｘ方向は、水平面内において、プロセス装置ＰＲ１から露光装置ＥＸ３を経てプロセス装置ＰＲ２に向かう方向（搬送方向）である。Ｙ方向は、水平面内においてＸ方向に直交する方向であり、基板ＦＳの幅方向（短尺方向）である。Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに直交する方向（上方向）であり、重力が働く方向と平行である。
プロセス装置ＰＲ１は、露光装置ＥＸで露光処理される基板ＦＳに対して前工程の処理を行う。プロセス装置ＰＲ１は、前工程の処理を行った基板ＦＳを露光装置ＥＸへ向けて送る。この前工程の処理により、露光装置ＥＸへ送られる基板ＦＳは、その表面にレジスト層Ｒが形成された基板となっている。
本実施形態においては、ビーム走査装置としての露光装置ＥＸ３は、マスクを用いない直描方式の露光装置、いわゆるラスタースキャン方式の露光装置である。露光装置ＥＸ３は、プロセス装置ＰＲ１から供給された基板ＦＳの被照射面（露光領域Ｗ）に対して、ディスプレイ用の電子デバイス、回路又は配線等のための所定のパターンに応じた光パターンを照射する。露光装置ＥＸ３は、基板ＦＳを＋Ｘ方向に搬送しながら、露光用のビームＬＢの露光光ＳＰを、基板ＦＳの被照射面上で所定の走査方向（Ｙ方向）に１次元に走査しつつ、露光光ＳＰの強度をパターンデータ（描画データ）に応じて高速に変調（オン／オフ）する。この構成により、基板ＦＳの被照射面に電子デバイス、回路又は配線等の所定のパターンに応じた光パターンが描画露光される。
つまり、基板ＦＳの搬送と、露光光ＳＰの走査とで、露光光ＳＰが基板ＦＳの被照射面上で相対的に２次元走査されて、基板ＦＳに所定のパターンが描画露光される。また、基板ＦＳは、搬送方向（＋Ｘ方向）に沿って搬送されているので、露光装置ＥＸによってパターンが露光される露光領域Ｗは、基板ＦＳの長尺方向に沿って所定の間隔をあけて複数設けられることになる。この露光領域Ｗに電子デバイスが形成されるので、露光領域Ｗは、電子デバイス形成領域でもある。なお、電子デバイスは、複数のパターン層（パターンが形成された層）が重ね合わされることで構成されるので、露光装置ＥＸ３によって各層に対応したパターンが露光されるようにしてもよい。
プロセス装置ＰＲ２は、露光装置ＥＸ３で露光処理された基板ＦＳに対しての後工程の処理（例えばめっき処理や現像・エッチング処理等）を行う。この後工程の処理により、基板ＦＳ上に電子デバイスのパターン層（例えば、配線パターン層）が形成される。
電子デバイスは、複数のパターン層が重ね合わされることで構成されるので、露光システム５００を含むデバイス製造システムの少なくとも各処理を経て、１つのパターン層が生成される。従って、電子デバイスを生成するために、図１５に示すような露光システム５００を含むデバイス製造システムの各処理を、例えば２回は経なければならない。そのため、例えば、基板ＦＳが巻き取られた巻き取りローラを送り出しローラとして、別のデバイス製造システムに装着することで、パターン層を積層することができる。そのような動作を繰り返して、電子デバイスが形成される。処理後の基板ＦＳは、複数の電子デバイス形成領域が所定の間隔をあけて基板ＦＳの長尺方向に沿って連なった状態となる。つまり、基板ＦＳは、多面取り用の基板となっている。
露光装置ＥＸ３は、温調チャンバーＥＣＶ内に格納されている。この温調チャンバーＥＣＶは、内部を所定の温度に保つことで、内部において搬送される基板ＦＳの温度による形状変化を抑制する。温調チャンバーＥＣＶは、パッシブ又はアクティブな防振ユニットＳＵ１、ＳＵ２を介して製造工場等の設置面Ｅに配置される。防振ユニットＳＵ１、ＳＵ２は、設置面Ｅからの振動を低減する。この設置面Ｅは、工場の床面自体であってもよいし、水平面を出すために床面上に設置される設置土台上の面であってもよい。露光装置ＥＸ３は、基板搬送機構１２と、光源装置１４と、ビーム切換部材１６と、露光ヘッド１８と、制御装置２０と、複数のアライメント顕微鏡ＡＭｍ（ＡＭ１～ＡＭ４）とを備えている。
基板搬送機構１２は、プロセス装置ＰＲ１から搬送される基板ＦＳを、露光装置ＥＸ３内で所定の速度で搬送した後、プロセス装置ＰＲ２に所定の速度で送り出す。この基板搬送機構１２によって、露光装置ＥＸ３内で搬送される基板ＦＳの移動路が規定される。基板搬送機構１２は、基板ＦＳの搬送方向の上流側（－Ｘ方向側）から順に、エッジポジションコントローラＥＰＣ、駆動ローラＲ１、テンション調整ローラＲＴ１、回転ドラム（円筒ドラム）ＤＲ、テンション調整ローラＲＴ２、駆動ローラＲ２、及び、駆動ローラＲ３を有している。
基板搬送機構１２は、プロセス装置ＰＲ１から搬送される基板ＦＳを、露光装置ＥＸ３内で所定の速度で搬送した後、プロセス装置ＰＲ２に所定の速度で送り出す。この基板搬送機構１２によって、露光装置ＥＸ３内で搬送される基板ＦＳの移動路が規定される。基板搬送機構１２は、基板ＦＳの搬送方向の上流側（－Ｘ方向側）から順に、エッジポジションコントローラＥＰＣ、駆動ローラＲ１、テンション調整ローラＲＴ１、回転ドラムＤＲ、テンション調整ローラＲＴ２、駆動ローラＲ２、及び、駆動ローラＲ３を有している。
光源装置１４は、光源（パルス光源）を有し、パルス状のビーム（パルス光、レーザ）ＬＢを射出するものである。このビームＬＢは、例えば、３７０ｎｍ以下の波長帯域にピーク波長を有する紫外線光であり、ビームＬＢの発振周波数（発光周波数）をＦｓとする。光源装置１４が射出したビームＬＢは、ビーム切換部材１６を介して露光ヘッド１８に入射する。光源装置１４は、制御装置２０の制御に従って、発振周波数ＦｓでビームＬＢを発光して射出する。この光源装置１４は、例えば、赤外波長域のパルス光を発生する半導体レーザ素子、ファイバー増幅器、増幅された赤外波長域のパルス光を紫外波長域のパルス光に変換する波長変換素子（高調波発生素子）等で構成され、発振周波数Ｆｓが数百ＭＨｚで、１パルス光の発光時間がピコ秒程度の高輝度な紫外線のパルス光が得られるファイバーアンプレーザ光源を用いるものとする。
ビーム切換部材１６は、露光ヘッド１８を構成する複数の走査ユニットＵｎ（Ｕ１～Ｕ６）のうち、露光光ＳＰの１次元走査を行う１つの走査ユニットＵｎに、光源装置１４からのビームＬＢが入射するように、ビームＬＢの光路を切り換える。
露光ヘッド１８は、ビームＬＢがそれぞれ入射する複数の走査ユニットＵｎ（Ｕ１～Ｕ６）を備えている。露光ヘッド１８は、回転ドラムＤＲの円周面で支持されている基板ＦＳの一部分に、複数の走査ユニットＵｎ（Ｕ１～Ｕ６）によってパターンを描画する。露光ヘッド１８は、同一構成の複数の走査ユニットＵｎ（Ｕ１～Ｕ６）を配列した、いわゆるマルチビーム型の露光ヘッドとなっている。露光ヘッド１８は、基板ＦＳに対して電子デバイス用のパターン露光を繰り返して行うことから、パターンが露光される露光領域Ｗ（電子デバイス形成領域）は、基板ＦＳの長尺方向に沿って所定の間隔をあけて複数設けられている。奇数番の走査ユニットＵ１、Ｕ３、Ｕ５は、中心面Ｐｏｃに対して基板ＦＳの搬送方向の上流側（－Ｘ方向側）に配置され、かつ、Ｙ方向に沿って配置されている。偶数番の走査ユニットＵ２、Ｕ４、Ｕ６は、中心面Ｐｏｃに対して基板ＦＳの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に配置され、かつ、Ｙ方向に沿って配置されている。奇数番の走査ユニットＵ１、Ｕ３、Ｕ５と、偶数番の走査ユニットＵ２、Ｕ４、Ｕ６とは、中心面Ｐｏｃに対して対称に設けられている。
走査ユニットＵｎは、光源装置１４からのビームＬＢを基板ＦＳの被照射面上で露光光ＳＰに収斂させるように投射しつつ、その露光光ＳＰを基板ＦＳの被照射面上で所定の直線的な描画ライン（走査線）ＳＬｎ（ＳＬ１～ＳＬ６）に沿って、回転するポリゴンミラーによって１次元に走査する。なお、走査ユニットＵｎの下流側には、検査装置ＤＴが配置される。検査装置ＤＴは、回転ドラムＤＲの外周面に沿って移動する基板ＦＳの露光領域Ｗにおける感光性保護基の脱離量に関する情報を測定点毎に計測する。検査装置ＤＴによる計測結果は、制御装置２０に送られる。
本実施形態によれば、基板ＦＳが回転ドラムＤＲに沿って移動している場合においても、検査装置ＤＴによって露光領域Ｗにおける感光性保護基の脱離量に関する情報を取得することができる。なお、検査装置ＤＴは、回転ドラムＤＲで移動する基板ＦＳに対向して配置されることに限定されない。例えば、検査装置ＤＴは、回転ドラムＤＲより下流側を移動する基板ＦＳに対向させるように配置されてもよい。
＜第６実施形態＞
図１６は、第６実施形態に係る露光装置ＥＸ４一例を示す図である。なお、本実施形態において、上記した実施形態と同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略又は簡略化する。図１６に示すように、露光システム６００は、露光装置ＥＸ４を備える。この露光装置ＥＸ４は、上記した実施形態と異なり、検査装置ＤＴを備える。
検査装置ＤＴは、露光装置ＥＸ４において、露光光ＳＰを照射する部分よりも基板ＦＳの搬送方向の下流側に設けられている。露光装置ＥＸ４は、露光光ＳＰにより露光領域Ｗの露光を行うとともに、検査装置ＤＴにより露光領域Ｗにおける感光性保護基の脱離量に関する情報を取得する。すなわち、露光光ＳＰにより露光領域Ｗの露光を行った直後に、露光領域Ｗにおける感光性保護基の脱離量に関する情報を取得することが可能である。
検査装置ＤＴにより取得した感光性保護基の脱離量に関する情報は、露光装置ＥＸ４に備える不図示の制御装置、又は露光装置ＥＸ４の外部に設けられた不図示の制御装置に送られる。この制御装置は、上記した判断部６４を備えてもよい。判断部６４により露光領域Ｗが露光不良であると判断された場合、制御装置は、露光装置ＥＸ４における露光条件（例えば、露光光ＳＰの強度、基板ＦＳの移動速度など）を制御してもよい。
本実施形態によれば、露光装置ＥＸ４に備える検査装置ＤＴにより感光性保護基の脱離量に関する情報を取得するので、露光装置ＥＸ４の外部に検査装置ＤＴを配置する必要がない。その結果、基板ＦＳの搬送方向の長さ（すなわち基板ＦＳにおける電子デバイスの製造ラインの長さ）を短くすることができる。また、露光装置ＥＸ４に備える検査装置ＤＴの測定結果は、露光装置ＥＸ４以外の装置（例えば、露光装置ＥＸ４の上流側、下流側に配置された別の露光装置、プロセス装置ＰＲ１、ＰＲ２など）を制御するための情報として用いられてもよい。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の技術範囲は、上記した実施形態あるいは変形例などで説明した態様に限定されない。上記した実施形態などで説明した要件の１つ以上は、省略されることがある。また、上述の実施形態などで説明した要件は、適宜組み合わせることができる。また、法令で許容される限りにおいて、国際出願であるＰＣＴ／ＪＰ２０１９／０１１１０１、及び本明細書で引用した全ての文献の開示を援用して本文の記載の一部とする。
ＣＯＮＴ・・・制御装置 ＣＴ・・・塗布装置 ＤＴ、ＤＴａ～ＤＴｃ・・・検査装置 ＥＸ、ＥＸａ～ＥＸｃ、ＥＸ３・・・露光装置 ＥＸ１・・・第１露光装置 ＥＸ２・・・第２露光装置 ＦＳ・・・基板 ＭＫ・・・めっき装置 ＭＫａ・・・めっき触媒浴 ＭＫｂ・・・めっき浴 Ｎ・・・非露光領域 ＴＲ・・・搬送装置 Ｗ・・・露光領域 Ｗａ・・・単位領域 ６１・・・塗布制御部 ６２・・・露光制御部 ６３・・・搬送制御部 ６４・・・判断部 ６５・・・第１露光制御部 ６６・・・第２露光制御部 ６７・・・めっき制御部 １００、２００、３００、４００、５００・・・露光システム

Claims (28)

  1. 基板上に形成された、感光性保護基を有する化合物を含む層を露光し、親液領域及び撥液領域を含む親撥液パターンを形成する露光システムであって、
    前記感光性保護基を有する化合物を含む層を露光する露光装置と、
    前記露光装置により露光された領域における前記感光性保護基の脱離量に関する情報を取得する検査装置と、
    前記情報に基づいて前記露光された領域の前記露光の良否を判断する判断部を有する制御装置と、を備え、
    前記判断部は、前記露光された領域に設定される複数の単位領域それぞれの露光の良否を判断し、露光不良と判断される前記単位領域の数が所定の割合を超える場合に、前記露光された領域が露光不良であると判断する露光システム。
  2. 前記制御装置は、前記判断部が、前記露光された領域が露光不良であると判断した場合に、前記情報に基づいて前記露光装置を制御する、請求項１に記載の露光システム。
  3. 前記制御装置による前記露光装置の制御は、前記露光装置の露光時における露光光の強度を変更すること、前記露光光の焦点位置を変更すること、前記露光光の照射時間を変更すること、及び前記露光光の重ね量を変更すること、の少なくとも１つを含む、請求項２に記載の露光システム。
  4. 前記露光装置による露光時を含めて前記基板を搬送する搬送装置を備える、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の露光システム。
  5. 前記検査装置は、前記搬送装置による前記基板の搬送方向において前記露光装置の下流側に配置される、請求項４に記載の露光システム。
  6. 前記制御装置は、前記判断部が、前記露光された領域が露光不良であると判断した場合に、前記情報に基づいて前記搬送装置による前記基板の搬送速度を制御する、請求項４又は請求項５に記載の露光システム。
  7. 前記搬送装置による前記基板の搬送方向において前記検査装置の下流側に第２露光装置を備える、請求項４から請求項６のいずれか一項に記載の露光システム。
  8. 前記制御装置は、前記判断部が、前記露光された領域が露光不良であると判断した場合に、前記情報に基づいて前記第２露光装置により前記層に対して再度の露光を行わせる、請求項７に記載の露光システム。
  9. 前記搬送装置による前記基板の搬送方向において前記検査装置の下流側に、前記親撥液パターンが形成された前記基板に対してめっき処理を行うめっき装置を備える、請求項４から請求項８のいずれか一項に記載の露光システム。
  10. 前記制御装置は、前記判断部が、前記露光された領域が露光不良であると判断した場合に、前記情報に基づいて前記めっき装置を制御する、請求項９に記載の露光システム。
  11. 前記制御装置は、前記判断部が、前記露光された領域が露光不良であると判断した場合に、前記情報に基づいて前記めっき装置におけるめっき触媒浴及びめっき浴の少なくとも一方に対する前記層の浸漬時間を変更することを含む、請求項１０に記載の露光システム。
  12. 前記検査装置は、前記露光された領域における吸光度により前記情報を取得する、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の露光システム。
  13. 前記検査装置は、紫外可視分光光度計であり、前記露光された領域における所定の紫外光の吸収度の変化から前記情報を取得する、請求項１２に記載の露光システム。
  14. 前記検査装置は、赤外分光光度計であり、前記露光された領域における官能基由来の所定の赤外光の吸収変化から前記情報を取得する、請求項１２に記載の露光システム。
  15. 前記検査装置は、前記露光された領域における付着力により前記情報を取得する、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の露光システム。
  16. 前記検査装置は、原子間力顕微鏡であり、前記露光された領域におけるカンチレバーの付着力の変化から前記情報を取得する、請求項１５に記載の露光システム。
  17. 前記検査装置は、前記露光された領域における膜厚により前記情報を取得する、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の露光システム。
  18. 前記検査装置は、原子間力顕微鏡又は触診式段差計であり、前記露光された領域にカンチレバー又は接触子が接触することにより取得した膜厚の変化から前記情報を取得する、請求項１７に記載の露光システム。
  19. 前記検査装置は、光学式検査装置であり、前記露光された領域に所定波長の光を照射することにより取得した膜厚の変化から前記情報を取得する、請求項１７に記載の露光システム。
  20. 前記検査装置は、前記露光された領域における二次電子又は反射電子により前記情報を取得する、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の露光システム。
  21. 前記検査装置は、走査型電子顕微鏡であり、前記露光された領域に電子線を照射することにより生じる二次電子又は反射電子の変化から前記情報を取得する、請求項２０に記載の露光システム。
  22. 前記検査装置は、前記露光された領域における接触角又は表面張力により前記情報を取得する、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の露光システム。
  23. 前記検査装置は、接触角計であり、前記露光された領域に所定の液滴を供給し、その液滴の形状の変化から前記情報を取得する、請求項２２に記載の露光システム。
  24. 前記検査装置は、前記露光された領域における分子構造により前記情報を取得する、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の露光システム。
  25. 前記検査装置は、質量分析計であり、前記露光された領域における前記感光性保護基の質量検出強度の変化から前記情報を取得する、請求項２４に記載の露光システム。
  26. 前記検査装置は、Ｘ線光電子分光計であり、前記露光された領域における前記感光性保護基に由来する所定元素の検出強度の変化から前記情報を取得する、請求項２４に記載の露光システム。
  27. 基板上に形成された、感光性保護基を有する化合物を含む層を露光し、親液領域及び撥液領域を含む親撥液パターンを形成する露光装置であって、
    前記感光性保護基を有する化合物を含む層を露光する露光部と、
    前記露光部により露光された領域における前記感光性保護基の脱離量に関する情報を取得する検査部と、
    前記情報に基づいて前記露光された領域の前記露光の良否を判断する判断部を有する制御部と、を備え、
    前記判断部は、前記露光された領域に設定される複数の単位領域それぞれの露光の良否を判断し、露光不良と判断される前記単位領域の数が所定の割合を超える場合に、前記露光された領域が露光不良であると判断する露光装置。
  28. 基板上に形成された、感光性保護基を有する化合物を含む層を露光し、親液水領域及び撥液領域を含む親撥液パターンを形成する露光方法であって、
    前記感光性保護基を有する化合物を含む層を露光することと、
    露光された領域における前記感光性保護基の脱離量に関する情報を取得することと、
    前記情報に基づいて前記露光された領域に設定される複数の単位領域それぞれの露光の良否を判断し、露光不良と判断される前記単位領域の数が所定の割合を超える場合に、前記露光された領域が露光不良であると判断することと、を含む露光方法。
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