JP6743930B2 - 製造システム - Google Patents
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Description
本発明は、ロール・ツー・ロール方式によって電子デバイスを製造する製造システムに関する。
下記特許文献１には、帯状の可撓性基板（可撓性の長尺のプラスチックフィルム）上に電子デバイス（有機ＥＬの表示パネル）を形成するために、ロール状に巻かれた可撓性基板を引き出して長尺方向に沿って搬送するとともに、長尺方向に沿って並べられた複数の形成工程の各々をつかさどる処理装置で可撓性基板を順次処理した後、ロール状に巻き取るロール・ツー・ロール（ＲＴＲ）方式の製造システムが開示されている。さらに下記特許文献１には、各形成工程（処理装置）の間の可撓性基板の速度調整のためのアキュームレータが設けられ、有機ＥＬの表示パネルが連続生産されることが開示されている。このようなＲＴＲ方式の製造ラインの場合、帯状につながった長尺の１枚の可撓性基板を長尺方向に連続搬送しているため、製造ラインを構成する複数の処理装置の各々は、連続搬送される可撓性基板の全長（ロール長）に渡って正常に稼働し続けることが望ましい。
しかしながら処理装置によっては、その装置の性能維持、或いは製造される電子デバイスの品質維持等のために、一定の時間に渡って可撓性基板の処理動作を中断させることがある。製造ライン中のどこか１つの処理装置に動作中断が生じると、例え僅かな中断時間であっても製造ライン全体の停止を引き起こす可能性があり、生産性を低下させることになる。成膜工程、パターニング工程、湿式処理工程といった異なる種類の処理を可撓性基板に施す複数の処理装置で製造ラインを構成する場合、処理装置毎に必要とされる動作中断の要因、中断のタイミング（インターバル）、中断時間が異なるため、製造ライン全体が停止する可能性はさらに高まり、生産性を著しく低下させるおそれがある。
本発明の一態様は、長尺の可撓性のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、複数の処理装置によって連続的に前記シート基板に処理を施す製造システムであって、前記シート基板を搬送しつつ、前記シート基板の表面に感光性薄膜を選択的または一様に形成する第１の処理装置と、前記感光性薄膜が形成された前記シート基板を搬送しつつ、前記シート基板の表面の前記感光性薄膜に所定のパターンに対応した光エネルギーを照射して、前記感光性薄膜に前記パターンに対応した潜像を形成する第２の処理装置と、前記潜像が形成された前記シート基板を搬送しつつ、前記潜像に応じた前記感光性薄膜の選択的な現像または前記潜像に応じた前記感光性薄膜への選択的なメッキによって、前記シート基板上に前記パターンを出現させる第３の処理装置と、前記第１の処理装置と前記第２の処理装置との間に設けられ、前記シート基板を所定長に亘って蓄積可能な第１の蓄積部と、前記第２の処理装置と前記第３の処理装置との間に設けられ、前記シート基板を所定長に亘って蓄積可能な第２の蓄積部と、前記第１の処理装置、前記第２の処理装置、および、前記第３の処理装置のうち少なくとも１つがその処理の一時停止を要求している場合は、処理の一時停止を要求している前記処理装置と隣接する前記蓄積部の蓄積状態が、予想される停止時間によって定まる必要蓄積状態を満たすか否かを判定する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記蓄積部の蓄積状態が前記必要蓄積状態を満たしていないと判定した場合は、前記第１の処理装置、前記第２の処理装置、および、前記第３の処理装置のうち少なくとも１つの前記シート基板の搬送速度を変更することで、処理の一時停止を要求している前記処理装置の処理を停止させるまでに待てる遅延可能時間内で、処理の一時停止を要求している前記処理装置と隣接する前記蓄積部の蓄積状態を前記必要蓄積状態にさせることができるか否かを判定する。
本発明の態様に係る製造システムについて、好適な実施の形態を掲げ、添付の図面を参照しながら以下、詳細に説明する。なお、本発明の態様は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、多様な変更または改良を加えたものも含まれる。つまり、以下に記載した構成要素には、実質的に同一のもの、または、当業者が容易に想定できるものが含まれ、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
［第１の実施の形態］
図１は、第１の実施の形態のデバイス製造システム（処理システム、製造システム）１０の概略的な構成を示す概略構成図である。図１に示すデバイス製造システム１０は、例えば、電子デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレイの一部のパターン層（薄膜トランジスタの電極層、バスライン配線層、絶縁層、透明電極層等のうちの１つの層構造）を製造するライン（フレキシブル・ディスプレイ製造ライン）である。フレキシブル・ディスプレイとしては、例えば、有機ＥＬディスプレイまたは液晶ディスプレイ等がある。このデバイス製造システム１０は、可撓性のシート基板（以下、基板）Ｐをロール状に巻回した供給用ロールＦＲ１から、該基板Ｐが送り出され、送り出された基板Ｐに対して各種処理を連続的に施した後、処理後の基板Ｐを回収用ロールＦＲ２で巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式となっている。この基板Ｐは、基板Ｐの移動方向（搬送方向）が長尺となり、幅方向が短尺となる帯状の形状を有する。第１の実施の形態のデバイス製造システム１０では、フィルム状のシートである基板Ｐが供給用ロールＦＲ１から送り出され、供給用ロールＦＲ１から送り出された基板Ｐが、少なくとも処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４、ＰＲ５を経て、回収用ロールＦＲ２に巻き取られるまでの例を示している。図１では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が直交する直交座標系となっている。Ｘ方向は、水平面内において、基板Ｐの搬送方向であり、供給用ロールＦＲ１および回収用ロールＦＲ２を結ぶ方向である。Ｙ方向は、水平面内においてＸ方向に直交する方向であり、基板Ｐの幅方向である。Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに直交する方向（鉛直方向）である。
図１は、第１の実施の形態のデバイス製造システム（処理システム、製造システム）１０の概略的な構成を示す概略構成図である。図１に示すデバイス製造システム１０は、例えば、電子デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレイの一部のパターン層（薄膜トランジスタの電極層、バスライン配線層、絶縁層、透明電極層等のうちの１つの層構造）を製造するライン（フレキシブル・ディスプレイ製造ライン）である。フレキシブル・ディスプレイとしては、例えば、有機ＥＬディスプレイまたは液晶ディスプレイ等がある。このデバイス製造システム１０は、可撓性のシート基板（以下、基板）Ｐをロール状に巻回した供給用ロールＦＲ１から、該基板Ｐが送り出され、送り出された基板Ｐに対して各種処理を連続的に施した後、処理後の基板Ｐを回収用ロールＦＲ２で巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式となっている。この基板Ｐは、基板Ｐの移動方向（搬送方向）が長尺となり、幅方向が短尺となる帯状の形状を有する。第１の実施の形態のデバイス製造システム１０では、フィルム状のシートである基板Ｐが供給用ロールＦＲ１から送り出され、供給用ロールＦＲ１から送り出された基板Ｐが、少なくとも処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４、ＰＲ５を経て、回収用ロールＦＲ２に巻き取られるまでの例を示している。図１では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が直交する直交座標系となっている。Ｘ方向は、水平面内において、基板Ｐの搬送方向であり、供給用ロールＦＲ１および回収用ロールＦＲ２を結ぶ方向である。Ｙ方向は、水平面内においてＸ方向に直交する方向であり、基板Ｐの幅方向である。Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに直交する方向（鉛直方向）である。
この処理装置ＰＲ１は、供給用ロールＦＲ１から搬送されてきた基板Ｐを長尺方向に沿った搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、基板Ｐに対してプラズマ表面処理の処理工程を行う表面処理装置である。この処理装置ＰＲ１によって、基板Ｐの表面が改質され、感光性機能層の接着性が向上する。処理装置（第１の処理装置）ＰＲ２は、処理装置ＰＲ１から搬送されてきた基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、感光性機能層の成膜処理の処理工程（第１処理工程）を行う成膜装置（塗布装置）である。処理装置ＰＲ２は、基板Ｐの表面に感光性機能液を選択的または一様にすることで、基板Ｐの表面に感光性機能層（感光性薄膜、被覆層、被膜層）を選択的または一様に形成する。また、処理装置（第２の処理装置）ＰＲ３は、処理装置ＰＲ２から送られてきた表面に感光性機能層が形成された基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、露光処理の処理工程（第２処理工程）を行う露光装置である。処理装置ＰＲ３は、基板Ｐの表面（感光面）にディスプレイパネル用の回路または配線等のパターンに応じた光パターンを照射する。これにより、感光性機能層に前記パターンに対応した潜像（改質部）が形成される。処理装置（第３の処理装置）ＰＲ４は、処理装置ＰＲ３から搬送されてきた基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、湿式による現像処理の処理工程（第３処理工程）を行う現像装置である。これにより、感光性機能層に潜像に応じた前記パターンのレジスト層等が出現する。処理装置ＰＲ５は、処理装置ＰＲ４から搬送されてきた基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、パターンが形成された感光性機能層をマスクとしてエッチング処理の処理工程を行うエッチング装置である。これにより、基板Ｐ上に電子デバイス用の配線や電極の導電材料、半導体材料、絶縁材料等によるパターンが出現する。
処理装置ＰＲ２と処理装置ＰＲ３との間には、基板Ｐを所定長に亘って蓄積可能な第１蓄積装置（第１蓄積部）ＢＦ１が設けられ、処理装置ＰＲ３と処理装置ＰＲ４との間には、基板Ｐを所定長に亘って蓄積可能な第２蓄積装置（第２蓄積部）ＢＦ２が設けられている。したがって、処理装置ＰＲ３には、第１蓄積装置ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から送られてきた基板Ｐが搬入し、処理装置ＰＲ３は、第２蓄積装置ＢＦ２を介して基板Ｐを処理装置ＰＲ４に搬出する。処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５は、製造工場の設置面に配置される。この設置面は、設置土台上の面であってもよく、床であってもよい。処理装置ＰＲ３、第１蓄積装置（蓄積装置、蓄積部）ＢＦ１、および、第２蓄積装置（蓄積装置、蓄積部）ＢＦ２は、パターン形成装置１２を構成する。
上位制御装置１４は、デバイス製造システム１０の各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５、第１蓄積装置ＢＦ１、および、第２蓄積装置ＢＦ２を制御する。この上位制御装置１４は、コンピュータと、プログラムが記憶された記憶媒体とを含み、該コンピュータが記憶媒体に記憶されたプログラムを実行することで、本第１の実施の形態の上位制御装置１４として機能する。なお、本第１の実施の形態のデバイス製造システム１０は、５つの処理装置ＰＲを備えるようにしたが、２以上の処理装置ＰＲを備えるものであればよい。例えば、本第１の実施の形態のデバイス製造システム１０は、処理装置ＰＲ２、ＰＲ３、または、処理装置ＰＲ３、ＰＲ４の計２つ処理装置ＰＲを備えるものであってもよいし、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の計３つの処理装置ＰＲを備えるものであってもよい。
次に、デバイス製造システム１０の処理対象となる基板Ｐについて説明する。基板Ｐは、例えば、樹脂フィルム、ステンレス鋼等の金属または合金からなる箔（フォイル）等が用いられる。樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂のうち１または２以上を含んだものを用いてもよい。また、基板Ｐの厚みや剛性（ヤング率）は、搬送される際に、基板Ｐに座屈による折れ目や非可逆的なシワが生じないような範囲であればよい。電子デバイスとして、フレキシブルなディスプレイパネル、タッチパネル、カラーフィルター、電磁波防止フィルタ等を作る場合、厚みが２５μｍ〜２００μｍ程度のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等の樹脂シートが使われる。
基板Ｐは、例えば、基板Ｐに施される各種処理において受ける熱による変形量が実質的に無視できるように、熱膨張係数が顕著に大きくないものを選定することが望ましい。また、ベースとなる樹脂フィルムに、例えば酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素等の無機フィラーを混合すると、熱膨張係数を小さくすることもできる。また、基板Ｐは、フロート法等で製造された厚さ１００μｍ程度の極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、またはアルミや銅等の金属層（箔）等をラミネートした積層体であってもよい。
ところで、基板Ｐの可撓性とは、基板Ｐに自重程度の力を加えてもせん断したり破断したりすることはなく、その基板Ｐを撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、基板Ｐの材質、大きさ、厚さ、基板Ｐ上に成膜される層構造、温度、湿度等の環境等に応じて、可撓性の程度は変わる。いずれにしろ、本実施の形態によるデバイス製造システム１０内の搬送路に設けられる各種の搬送用ローラ、回転ドラム等の搬送方向転換用の部材に基板Ｐを正しく巻き付けた場合に、座屈して折り目がついたり、破損（破れや割れが発生）したりせずに、基板Ｐを滑らかに搬送できれば、可撓性の範囲と言える。
このように構成された基板Ｐは、ロール状に巻回されることで供給用ロールＦＲ１となり、この供給用ロールＦＲ１が、デバイス製造システム１０に装着される。供給用ロールＦＲ１が装着されたデバイス製造システム１０は、電子デバイスを製造するための各種の処理を、供給用ロールＦＲ１から送り出される基板Ｐに対して順次実行する。このため、処理後の基板Ｐには、複数の電子デバイスの各々が形成されるデバイス形成領域Ｗが長尺方向に所定の余白領域（余白部）を挟んで連なった状態で配置される。つまり、供給用ロールＦＲ１から送り出される基板Ｐは、多面取り用の基板となっている。
電子デバイスは、複数のパターン層（パターンが積層された多層構造）が所定の誤差範囲内で重ね合わされることで構成される。図１の各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５で構成されるデバイス製造システム１０によって１つのパターン層が生成されるが、多層構造の電子デバイスを生成するためには、図１に示すようなデバイス製造システム１０を複数設けて、基板Ｐを複数のデバイス製造システム１０を通して順次処理することになる。
処理後の基板Ｐは、ロール状に巻回されることで回収用ロールＦＲ２として回収される。回収用ロールＦＲ２は、図示しないダイシング装置に装着されてもよい。回収用ロールＦＲ２が装着されたダイシング装置は、処理後の基板Ｐを、電子デバイスごとに分割（ダイシング）することで、複数個（枚葉）の電子デバイスにする。基板Ｐの寸法は、例えば、幅方向（短尺となる方向）の寸法が１０ｃｍ〜２ｍ程度であり、長さ方向（長尺となる方向）の寸法が１０ｍ以上である。なお、基板Ｐの寸法は、上記した寸法に限定されない。
〔処理装置ＰＲ２（成膜装置）の構成〕
図２は、処理装置ＰＲ２の構成を示す図である。処理装置ＰＲ２は、案内ローラＲ１、Ｒ２、エッジポジションコントローラＥＰＣ１、テンション調整ローラＲＴ１、ＲＴ２、回転ドラムＤＲ１、駆動ローラＮＲ１、ＮＲ２、アライメント顕微鏡ＡＵ、ダイコータヘッド（ダイコータ方式の塗布ヘッド部）ＤＣＨ、インクジェットヘッドＩＪＨ、乾燥装置１６、および、下位制御装置１８を備える。回転ドラムＤＲ１、および、駆動ローラＮＲ１、ＮＲ２によって基板Ｐが搬送される。
図２は、処理装置ＰＲ２の構成を示す図である。処理装置ＰＲ２は、案内ローラＲ１、Ｒ２、エッジポジションコントローラＥＰＣ１、テンション調整ローラＲＴ１、ＲＴ２、回転ドラムＤＲ１、駆動ローラＮＲ１、ＮＲ２、アライメント顕微鏡ＡＵ、ダイコータヘッド（ダイコータ方式の塗布ヘッド部）ＤＣＨ、インクジェットヘッドＩＪＨ、乾燥装置１６、および、下位制御装置１８を備える。回転ドラムＤＲ１、および、駆動ローラＮＲ１、ＮＲ２によって基板Ｐが搬送される。
案内ローラＲ１は、処理装置ＰＲ１から処理装置ＰＲ２に搬送された基板ＰをエッジポジションコントローラＥＰＣ１に案内する。エッジポジションコントローラＥＰＣ１は、複数のローラを有し、所定のテンションが掛けられた状態で搬送されている基板Ｐの幅方向の両端部（エッジ部）の位置が、基板Ｐの幅方向においてばらつかないように制御する。具体的には、エッジポジションコントローラＥＰＣ１は、エッジ部の位置が、エッジ部の幅方向の目標位置に対して±十数μｍ〜数十μｍ程度の範囲（許容範囲）に収まるように、エッジ部の位置を検出するセンサーからの信号に応答して、基板Ｐを支持するローラを幅方向に移動させて、基板Ｐの幅方向における位置を修正しながら、基板Ｐを案内ローラＲ２に向かって搬送する。案内ローラＲ２は、搬送されてきた基板Ｐを回転ドラムＤＲ１に案内する。エッジポジションコントローラＥＰＣ１は、回転ドラムＤＲ１に搬入する基板Ｐの長尺方向が、回転ドラムＤＲ１の中心軸ＡＸ１の軸方向と直交する（蛇行しない）ように、基板Ｐの幅方向における位置を調整する。
回転ドラムＤＲ１は、Ｙ方向に延びる中心軸ＡＸ１と、中心軸ＡＸ１から一定半径の円筒状の外周面とを有し、外周面（円周面）に倣って基板Ｐの一部を長尺方向に支持しつつ、中心軸ＡＸ１を中心に回転して基板Ｐを＋Ｘ方向に搬送する。回転ドラムＤＲ１は、アライメント顕微鏡ＡＵによって撮像される基板Ｐ上の領域（部分）、および、ダイコータ（ダイコート）ヘッドＤＣＨやインクジェットヘッドＩＪＨによって処理される基板Ｐ上の領域（部分）を円周面で支持する。
アライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）は、図５に示す基板Ｐ上に形成されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出するためのものであり、Ｙ方向に沿って３つ設けられている。このアライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）の検出領域は、回転ドラムＤＲ１の円周面上にＹ方向に並ぶように一列で配置されている。アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）は、電子デバイスが形成される基板Ｐ上の電子デバイスの形成領域（デバイス形成領域）Ｗと基板Ｐとを相対的に位置合わせする（アライメントする）ための基準マークである。アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）は、基板Ｐの幅方向の両端部に、基板Ｐの長尺方向に沿って一定間隔で形成されているとともに、基板Ｐの長尺方向に沿って並んだデバイス形成領域Ｗ間で、基板Ｐの幅方向中央に形成されている。なお、処理装置ＰＲ３によってこの基板Ｐ上のデバイス形成領域（パターン形成領域）Ｗにディスプレイパネル用の回路または配線等のパターンに応じた光パターンが照射（露光）される。
アライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）は、アライメント用の照明光を基板Ｐに投影して、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の撮像素子でその反射光を撮像することで、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出する。つまり、アライメント顕微鏡ＡＵ１は、アライメント顕微鏡ＡＵ１の検出領域（撮像領域）内に存在する基板Ｐの＋Ｙ方向側の端側に形成されたアライメントマークＫｓ１を撮像する。アライメント顕微鏡ＡＵ２は、アライメント顕微鏡ＡＵ２の検出領域内に存在する基板Ｐの−Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ２を撮像する。アライメント顕微鏡ＡＵ３は、アライメント顕微鏡ＡＵ３の検出領域内に存在する基板Ｐの幅方向中央に形成されたアライメントマークＫｓ３を撮像する。このアライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）が撮像した画像データは、下位制御装置１８に送られ、下位制御装置１８は、画像データに基づいてアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の基板Ｐ上の位置や位置誤差を算出（検出）することになる。このアライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）の検出領域の基板Ｐ上の大きさは、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の大きさやアライメント精度に応じて設定されるが、１００〜５００μｍ角程度の大きさである。
図５に示すように、基板Ｐの位置を精密に検出するためのアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）は、一般的にはデバイス形成領域（電子デバイスの形成領域）Ｗの外周部に設けられるが、必ずしも外周部である必要はなく、デバイス形成領域Ｗ内であってデバイス用の回路パターンが存在しない空白部分に設けられてもよい。さらに、デバイス形成領域Ｗ内に形成される回路パターンの一部のうち、特定の位置に形成されるパターン（画素領域、配線部、電極部、端子部、ビアホール部等の部分パターン）自体をアライメントマークとして画像認識して位置検出するようなアライメント系を用いてもよい。
ダイコータヘッド（ダイコータヘッド部、ダイコートヘッド部）ＤＣＨは、感光性機能液を基板Ｐに対して幅広く一様に塗布する。インクジェットヘッドＩＪＨは、感光性機能液を基板Ｐに対して選択的に塗布する。ダイコータヘッドＤＣＨおよびインクジェットヘッドＩＪＨは、アライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）を用いて検出されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の基板Ｐ上の位置に基づいて、感光性機能液を選択的に基板Ｐに塗布することが可能である。ダイコータヘッドＤＣＨおよびインクジェットヘッドＩＪＨは、電子デバイスの形成領域Ｗに感光性機能液を塗布する。ダイコータヘッドＤＣＨおよびインクジェットヘッドＩＪＨは、アライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）に対して基板Ｐの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に設けられており、インクジェットヘッドＩＪＨは、ダイコータヘッドＤＣＨに対して基板Ｐの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に設けられている。インクジェットヘッドＩＪＨは、基板Ｐの搬送方向（＋Ｘ方向）に沿って複数設けられている。ダイコータヘッドＤＣＨおよびインクジェットヘッドＩＪＨによって感光性機能液が塗布される基板Ｐ上の領域は、回転ドラムＤＲ１の円周面で支持されている。
乾燥装置１６は、ダイコータヘッドＤＣＨおよびインクジェットヘッドＩＪＨに対して基板Ｐの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に設けられており、ダイコータヘッドＤＣＨおよびインクジェットヘッドＩＪＨにより塗布された基板Ｐ上の感光性機能液を乾燥させることで、基板Ｐ上に感光性機能層を形成する。乾燥装置１６は、熱風またはドライエアー等の乾燥用エアーを吹き付けることで、感光性機能液に含まれる溶剤または水を除去して感光性機能液を乾燥させる。
感光性機能液の典型的なものはフォトレジストであるが、現像処理が不要な材料として、紫外線の照射を受けた部分の親撥液性が改質される感光性シランカップリング剤（ＳＡＭ）、或いは、紫外線の照射を受けた部分にメッキ還元基が露呈する感光性還元剤等がある。感光性機能液として感光性シランカップリング剤を用いる場合は、基板Ｐ上の紫外線で露光されたパターン部分が撥液性から親液性に改質される。そのため、親液性となった部分の上に導電性インク（銀や銅等の導電性ナノ粒子を含有するインク）や半導体材料を含有した液体等を選択塗布することで、パターン層を形成することができる。感光性機能液として、感光性還元剤を用いる場合は、基板Ｐ上の紫外線で露光されたパターン部分が改質されてメッキ還元基が露呈する。そのため、露光後、基板Ｐを直ちにパラジウムイオン等を含む無電解メッキ液中に一定時間浸漬することで、パラジウムによるパターン層が形成（析出）される。このようなメッキ処理はアディティブ（additive）なプロセスであるが、その他、サブトラクティブ（subtractive）なプロセスとしてのエッチング処理を前提にする場合は、処理装置ＰＲ３に送られる基板Ｐは、母材をＰＥＴやＰＥＮとし、その表面にアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属製薄膜を全面または選択的に蒸着し、さらにその上にフォトレジスト層を積層したものであってもよい。本第１の実施の形態では、感光性機能層としてフォトレジストが用いられる。
乾燥装置１６には、基板Ｐ上に形成された感光性機能層の膜厚や膜厚ムラ等の処理品質を計測する膜厚計測装置１６ａが設けられている。この膜厚計測装置１６ａは、電磁式、過電流式、過電流位相式、蛍光Ｘ線式、電気抵抗式、β線後方散乱式、磁気式、または、超音波式等によって接触または非接触に膜厚を計測する。乾燥装置１６によって、感光性機能層が形成された基板Ｐは、駆動ローラＮＲ１に導かれる。駆動ローラＮＲ１は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転することで、基板Ｐを駆動ローラＮＲ２に導く。駆動ローラＮＲ２は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転することで、駆動ローラＮＲ１によって搬送された基板Ｐを第１蓄積装置ＢＦ１に供給する。テンション調整ローラＲＴ１は、−Ｚ方向に付勢されており、回転ドラムＤＲ１に搬送される基板Ｐに対して所定のテンションを付与している。テンション調整ローラＲＴ２は、−Ｘ方向に付勢されており、駆動ローラＮＲ２に搬送される基板Ｐに対して所定のテンションを付与している。基板Ｐを搬送する駆動ローラＮＲ１、ＮＲ２、および、回転ドラムＤＲ１は、下位制御装置１８によって制御されるモータや減速機等を有する回転駆動源（図示略）からの回転トルクが与えられることで回転する。この駆動ローラＮＲ１、ＮＲ２、および、回転ドラムＤＲ１の回転速度によって、処理装置ＰＲ２内の基板Ｐの搬送速度が規定される。また、駆動ローラＮＲ１、ＮＲ２、および、回転ドラムＤＲ１等に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号（基板Ｐの搬送速度信号）は、下位制御装置１８に送られる。
下位制御装置１８は、上位制御装置１４の制御にしたがって、処理装置ＰＲ２の各部を制御する。例えば、下位制御装置１８は、処理装置ＰＲ２内で搬送される基板Ｐの搬送速度、エッジポジションコントローラＥＰＣ１、アライメント顕微鏡ＡＵ１〜ＡＵ３、ダイコータヘッドＤＣＨ、インクジェットヘッドＩＪＨ、および、乾燥装置１６を制御する。また、下位制御装置１８は、アライメント顕微鏡ＡＵ（ＡＵ１〜ＡＵ３）によって検出された基板Ｐ上のアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の位置情報、膜厚計測装置１６ａが検出した膜厚情報、回転速度情報（処理装置ＰＲ２内の基板Ｐの搬送速度情報）等を上位制御装置１４に出力する。下位制御装置１８は、コンピュータと、プログラムが記憶された記憶媒体とを含み、該コンピュータが記憶媒体に記憶されたプログラムを実行することで、本第１の実施の形態の下位制御装置１８として機能する。この下位制御装置１８は、上位制御装置１４の一部であってもよく、上位制御装置１４とは別の制御装置であってもよい。
図３は、ダイコータヘッドＤＣＨの具体的な構成の一例を示す部分断面図である。ダイコータヘッドＤＣＨは、感光性機能液としての塗布液ＬＱｃを蓄えるヘッド本体２００Ａ、ヘッド本体２００Ａの基板Ｐ側の先端に、Ｙ方向（基板Ｐの幅方向）に延びて形成されたスリット部２００Ｂ、ヘッド本体２００Ａ内の塗布液ＬＱｃをスリット部２００Ｂから押し出すために軸線ＡＫに沿って移動可能なピストン部２０１、ヘッド本体２００Ａの内壁とピストン部２０１との間で塗布液ＬＱｃが漏れないようにシールするパッキン部２０２、塗布時にピストン部２０１を軸線ＡＫに沿って押し下げる駆動部２０３、および、ヘッド本体２００Ａ内に塗布液ＬＱｃを供給するための供給口２０４で構成される。ダイコータヘッドＤＣＨの全体は、上下動駆動部２０６によって、塗布時に基板Ｐとスリット部２００Ｂとの間のギャップを調整したり、基板Ｐから大きく退避したりするために軸線ＡＫに沿って上下動される。
ヘッド本体２００Ａ内に溜められる塗布液ＬＱｃの容量には制限があるため、ピストン部２０１が許容位置まで押し下げられた後、ピストン部２０１を上昇させつつ、塗布液補充部２０７から供給口２０４を介して新たな塗布液ＬＱｃを補充する。この補充動作の際、基板Ｐに対する塗布作業は中断（基板Ｐの搬送の停止または減速）され、ダイコータヘッドＤＣＨは基板Ｐから少し離れるように上下動駆動部２０６によって移動される。また、駆動部２０３内には、ピストン部２０１の移動量を計測するセンサー（リニアエンコーダ等）が設けられ、その計測情報は図２中の下位制御装置１８に逐次送られる。
下位制御装置１８は、ピストン部２０１の移動量に基づいて、ヘッド本体２００Ａ内に残留する塗布液ＬＱｃの量を算定し、算定された塗布液ＬＱｃの残留量と設定された塗布条件（ピストン部２０１の押出し速度等）に基づいて、継続可能な塗布作業の時間（継続可能時間）や、次の塗布液ＬＱｃの補充動作開始までの時間（補充開始時間）を逐次予測する。塗布液ＬＱｃの補充動作が必要か否かは、一次的には下位制御装置１８によって判定されるが、予測された継続可能時間や補充開始時間の情報は図１中の上位制御装置１４にも送られ、ライン全体の稼働状態（特に基板Ｐの搬送状況）を考慮して、上位制御装置１４から下位制御装置１８に補充動作を指示することもできる。
また、本第１の実施の形態では、ヘッド本体２００Ａが上方に退避した状態のときに、ヘッド本体２００Ａと基板Ｐ（回転ドラムＤＲ１）との間の空間に挿入されて、ヘッド本体２００Ａの先端部（スリット部２００Ｂ）を洗浄するクリーニング部２１０が設けられる。クリーニング部２１０は、Ｙ軸と垂直なＸＺ面内での内壁の断面形状が、ヘッド本体２００Ａの先端の断面形状に合わせたＶ字状に形成され、駆動部２１１によってＹ方向に移動可能（挿脱可能）に設けられている。クリーニング部２１０には、洗浄液供給部２１２Ａからの洗浄液を流入する注入口ＣＰａと、ヘッド本体２００Ａの先端部とクリーニング部２１０のＶ字状の内壁との間の空隙を通った洗浄液を洗浄液回収部２１２Ｂに排出する排出口ＣＰｂとが設けられている。さらにクリーニング部２１０には、洗浄後にヘッド本体２００Ａの先端部を乾燥させるために、気体供給部２１３Ａからの気体を流入する注入口ＣＰｃと、ヘッド本体２００Ａの先端部とクリーニング部２１０のＶ字状の内壁との間の空隙を通った気体を気体回収部２１３Ｂに排出する排出口ＣＰｄとが設けられている。なお、洗浄液供給部２１２Ａと洗浄液回収部２１２Ｂは、クリーニング部２１０のＶ字状の内壁から洗浄液が溢れ出ないように、洗浄液の供給／排出の流量を調整する機能を備えている。
洗浄・乾燥動作は、塗布作業が一定時間経過するごとに、図２の下位制御装置１８の判断で指示される。しかしながら、ライン全体の稼働状態（特に基板Ｐの搬送状況）を考慮する必要があるため、塗布作業を所定の時間後に一時的に止められるか否かは、図１の上位制御装置１４によって判定され、塗布作業が一時的に停止可能と判定された場合は、指定された時刻に洗浄・乾燥動作を開始する。また、膜厚計測装置１６ａによって膜厚ムラ等が計測された場合は、直ちに洗浄・乾燥動作を実施することが望ましいが、その場合も、下位制御装置１８から図１の上位制御装置１４に不定期な洗浄・乾燥動作が必要である旨のリクエストを行う。
以上の構成により、本実施の形態のダイコータヘッドＤＣＨは、一時的に塗布作業を中断して、塗布液ＬＱｃを補充した後、引き続き塗布作業を継続することができる。塗布液ＬＱｃの補充動作は、比較的に短時間で行うことが可能であり、例えば３０秒程度である。また、補充動作の際に、クリーニング部２１０による洗浄・乾燥動作を併せて行ってもよい。洗浄・乾燥動作も比較的に短時間で可能であり、例えば６０秒〜１２０秒程度である。さらに、補充動作だけを行う場合であっても、ダイコータヘッドＤＣＨ全体を大きく引き上げて、ヘッド本体２００Ａの先端部と基板Ｐの間にクリーニング部２１０を挿入しておくと、補充動作中にスリット部２００Ｂから漏れだす（染み出す）塗布液ＬＱｃが基板Ｐに落下することを防止できる。その場合、クリーニング部２１０の挿脱動作に要する時間とダイコータヘッドＤＣＨの上下動の時間とが必要となるが、いずれも短時間の動作で済む。塗布液ＬＱｃの補充動作、クリーニング部２１０による洗浄・乾燥動作は、いずれも処理装置ＰＲ２での基板Ｐの処理品質の劣化を避けるための付加作業である。
〔処理装置ＰＲ３を含むパターン形成装置１２の構成〕
図４は、パターン形成装置１２の構成を示す図である。パターン形成装置１２の第１蓄積装置ＢＦ１は、駆動ローラＮＲ３、ＮＲ４と複数のダンサーローラ２０とを有している。駆動ローラＮＲ３は、処理装置ＰＲ２から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、基板Ｐを第１蓄積装置ＢＦ１内に搬入する。駆動ローラＮＲ４は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、第１蓄積装置ＢＦ１内の基板Ｐを処理装置ＰＲ３に搬出する。複数のダンサーローラ２０は、駆動ローラＮＲ３と駆動ローラＮＲ４との間に設けられ、基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。複数のダンサーローラ２０は、Ｚ方向に移動可能であり、上側（＋Ｚ方向側）のダンサーローラ２０（２０ａ）は、＋Ｚ方向側に付勢され、下側（−Ｚ方向側）のダンサーローラ２０（２０ｂ）は、−Ｚ方向側に付勢されている。このダンサーローラ２０ａとダンサーローラ２０ｂとはＸ方向に関して交互に配置されている。
図４は、パターン形成装置１２の構成を示す図である。パターン形成装置１２の第１蓄積装置ＢＦ１は、駆動ローラＮＲ３、ＮＲ４と複数のダンサーローラ２０とを有している。駆動ローラＮＲ３は、処理装置ＰＲ２から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、基板Ｐを第１蓄積装置ＢＦ１内に搬入する。駆動ローラＮＲ４は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、第１蓄積装置ＢＦ１内の基板Ｐを処理装置ＰＲ３に搬出する。複数のダンサーローラ２０は、駆動ローラＮＲ３と駆動ローラＮＲ４との間に設けられ、基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。複数のダンサーローラ２０は、Ｚ方向に移動可能であり、上側（＋Ｚ方向側）のダンサーローラ２０（２０ａ）は、＋Ｚ方向側に付勢され、下側（−Ｚ方向側）のダンサーローラ２０（２０ｂ）は、−Ｚ方向側に付勢されている。このダンサーローラ２０ａとダンサーローラ２０ｂとはＸ方向に関して交互に配置されている。
第１蓄積装置ＢＦ１に搬入する基板Ｐの搬送速度が、第１蓄積装置ＢＦ１から搬出する基板Ｐの搬送速度に対して相対的に速くなると、第１蓄積装置ＢＦ１に蓄積される基板Ｐの長さ（蓄積長）は増加する。第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積長が長くなると、付勢力によってダンサーローラ２０ａが＋Ｚ方向に、ダンサーローラ２０ｂが−Ｚ方向に移動する。これにより、第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積量が増加した場合であっても、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で、基板Ｐを所定長に亘って蓄積することができる。逆に、第１蓄積装置ＢＦ１に搬入する基板Ｐの搬送速度が、第１蓄積装置ＢＦ１から搬出する基板Ｐの搬送速度に対して相対的に遅くなると、第１蓄積装置ＢＦ１に蓄積される基板Ｐの長さ（蓄積長）は減少する。第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積長が減少すると、付勢力に抗してダンサーローラ２０ａが−Ｚ方向に、ダンサーローラ２０ｂが＋Ｚ方向に移動する。いずれにせよ、第１蓄積装置ＢＦ１は、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で基板Ｐを蓄積することができる。駆動ローラＮＲ３、ＮＲ４は、下位制御装置２４によって制御されるモータや減速機等を有する回転駆動源（図示略）からの回転トルクが与えられることで回転する。この駆動ローラＮＲ３の回転速度によって、第１蓄積装置ＢＦ１に搬入する基板Ｐの搬送速度が規定され、駆動ローラＮＲ４の回転速度によって、第１蓄積装置ＢＦ１から搬出する基板Ｐの搬送速度が規定される。また、駆動ローラＮＲ３、ＮＲ４に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号は、パターン形成装置１２の下位制御装置２４に送られる。
パターン形成装置１２の第２蓄積装置ＢＦ２は、駆動ローラＮＲ５、ＮＲ６と複数のダンサーローラ２２とを有している。駆動ローラＮＲ５は、処理装置ＰＲ３から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、基板Ｐを第２蓄積装置ＢＦ２内に搬入する。駆動ローラＮＲ６は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら、第２蓄積装置ＢＦ２内の基板Ｐを処理装置ＰＲ４に搬出する。複数のダンサーローラ２２は、駆動ローラＮＲ５と駆動ローラＮＲ６との間に設けられ、基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。複数のダンサーローラ２２は、Ｚ方向に移動可能であり、上側（＋Ｚ方向側）のダンサーローラ２２（２２ａ）は、＋Ｚ方向に付勢されており、下側（−Ｚ方向側）のダンサーローラ２２（２２ｂ）は、−Ｚ方向に付勢されている。このダンサーローラ２２ａとダンサーローラ２２ｂとはＸ方向に関して交互に配置されている。このような構成を有することにより、第２蓄積装置ＢＦ２は、第１蓄積装置ＢＦ１と同様に、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で、基板Ｐを蓄積することができる。なお、第１蓄積装置ＢＦ１と第２蓄積装置ＢＦ２の構成は同一とする。駆動ローラＮＲ５、ＮＲ６は、下位制御装置２４によって制御されるモータや減速機等を有する回転駆動源（図示略）からの回転トルクが与えられることで回転する。この駆動ローラＮＲ５の回転速度によって、第２蓄積装置ＢＦ２に搬入する基板Ｐの搬送速度が規定され、駆動ローラＮＲ６の回転速度によって、第２蓄積装置ＢＦ２から搬出する基板Ｐの搬送速度が規定される。また、駆動ローラＮＲ５、ＮＲ６に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号は、下位制御装置２４に送られる。
パターン形成装置１２の処理装置ＰＲ３は、本第１の実施の形態ではマスクを用いない直描方式の露光装置ＥＸ、いわゆるラスタースキャン方式の露光装置ＥＸであり、第１蓄積装置ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から供給された基板Ｐに対して、ディスプレイ（電子デバイス）用の回路や配線等のパターンに応じた光パターンを照射する。ディスプレイ用の回路や配線のパターンとしては、ディスプレイを構成するＴＦＴのソース電極およびドレイン電極とそれに付随する配線等のパターン、または、ＴＦＴのゲート電極とそれに付随する配線等のパターン等が挙げられる。処理装置ＰＲ３は、基板ＰをＸ方向に搬送しながら、露光用のレーザ光ＬＢのスポット光を基板Ｐ上で所定の走査方向（Ｙ方向）に１次元走査しつつ、スポット光の強度をパターンデータ（描画データ）に応じて高速に変調（オン／オフ）することによって、基板Ｐの表面（感光面）に光パターンを描画露光する。つまり、基板Ｐの＋Ｘ方向への搬送（副走査）と、スポット光の走査方向（Ｙ方向）への走査（主走査）とで、スポット光が基板Ｐ上で２次元走査されて、基板Ｐにパターンに対応した光エネルギー（エネルギー線）が照射される。これにより、感光性機能層に所定のパターンに対応した潜像（改質部）が形成される。このパターンデータは、パターン形成装置１２の下位制御装置２４の記憶媒体に記憶されていてもよいし、上位制御装置１４の記憶媒体に記憶されていてもよい。
処理装置ＰＲ３は、搬送部３０、光源装置３２、光導入光学系３４、および、露光ヘッド３６を備えている。搬送部３０は、第１蓄積装置ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から搬送される基板Ｐを、処理装置ＰＲ４に向けて搬送する。搬送部３０は、基板Ｐの搬送方向に沿って上流側（−Ｘ方向側）から順に、エッジポジションコントローラＥＰＣ２、案内ローラＲ３、テンション調整ローラＲＴ３、回転ドラムＤＲ２、テンション調整ローラＲＴ４、および、エッジポジションコントローラＥＰＣ３を有する。
エッジポジションコントローラＥＰＣ２は、エッジポジションコントローラＥＰＣ１と同様に、複数のローラを有し、基板Ｐの幅方向の両端部（エッジ）が、基板Ｐの幅方向においてばらつかないように目標位置に対して±十数μｍ〜数十μｍ程度の範囲（許容範囲）に収まるように、基板Ｐを幅方向に移動させて、基板Ｐの幅方向における位置を修正しながら、基板Ｐを回転ドラムＤＲ２に向かって搬送する。エッジポジションコントローラＥＰＣ２は、回転ドラムＤＲ２に搬入する基板Ｐの長尺方向が、回転ドラムＤＲ２の中心軸ＡＸ２の軸方向と直交する（蛇行しない）ように、基板Ｐの幅方向における位置を調整する。案内ローラＲ３は、エッジポジションコントローラＥＰＣ２から送られてきた基板Ｐを回転ドラムＤＲ２に案内する。
回転ドラムＤＲ２は、図５にも示すように、Ｙ方向に延びる中心軸ＡＸ２と、中心軸ＡＸ２から一定の半径の円筒状の外周面とを有し、外周面（円周面）に倣って基板Ｐの一部を長尺方向に支持しつつ、中心軸ＡＸ２を中心に回転して基板Ｐを＋Ｘ方向に搬送する。回転ドラムＤＲ２は、基板Ｐ上で光パターンが露光される部分（露光領域）をその円周面で支持する。
エッジポジションコントローラＥＰＣ３は、エッジポジションコントローラＥＰＣ１と同様に、複数のローラを有し、基板Ｐの幅方向の両端部（エッジ）が、基板Ｐの幅方向においてばらつかないように目標位置に対して±十数μｍ〜数十μｍ程度の範囲（許容範囲）に収まるように、基板Ｐを幅方向に移動させて、基板Ｐの幅方向における位置を修正しながら、基板Ｐを処理装置ＰＲ４に向かって搬送する。テンション調整ローラＲＴ３、ＲＴ４は、−Ｚ方向側に付勢されており、回転ドラムＤＲ２に巻き付けられて支持されている基板Ｐに所定のテンションを与えている。回転ドラムＤＲ２は、下位制御装置２４によって制御されるモータや減速機等を有する回転駆動源（図示略）からの回転トルクが与えられることで回転する。この回転ドラムＤＲ２の回転速度によって、処理装置ＰＲ３内の基板Ｐの搬送速度が規定される。また、回転ドラムＤＲ２等に設けられたエンコーダシステムから送られてくる回転速度信号（基板Ｐの搬送速度信号）や搬送移動量等の計測情報は、下位制御装置２４に送られる。
そのエンコーダシステムは、図５に示すように、回転ドラムＤＲ２の中心軸ＡＸ２の方向（Ｙ方向）の両端側に設けられて、回転ドラムＤＲ２の回転角度位置、或いは回転ドラムＤＲ２の外周面（基板Ｐの表面）の周方向の移動量を計測するためのスケール部（スケール円盤）ＥＳａ、ＥＳｂと、スケール部ＥＳａ、ＥＳｂに刻設された回折格子状の目盛を読み取る読取ヘッドＥＣ１ａ、ＥＣ１ｂ、ＥＣ２ａ、ＥＣ２ｂとで構成される。スケール部ＥＳａ、ＥＳｂと各読取ヘッドＥＣ１ａ、ＥＣ１ｂ、ＥＣ２ａ、ＥＣ２ｂの配置関係については、例えば国際公開第２０１３／１４６１８４号パンフレットに詳細に説明されているので、ここでは簡略化して示してある。
スケール部ＥＳａ、ＥＳｂと各読取ヘッドＥＣ１ａ、ＥＣ１ｂ、ＥＣ２ａ、ＥＣ２ｂで構成されるエンコーダシステムの計測結果から基板Ｐの搬送距離や搬送速度が求められる。また、エンコーダシステムは、アライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３による基板ＰのアライメントマークＫｓ１〜Ｋｓ３の検出位置から、基板Ｐ上のデバイス（パターン）のデバイス形成領域Ｗの露光位置や図５に示した余白部Ｓｗの位置を求めるのに使用される。さらに、エンコーダシステムは、キャリブレーション（較正）動作の際の回転ドラムＤＲ２の位置管理、或いは、基板Ｐの搬送を一時的に逆転させる際の回転ドラムＤＲ２の位置管理にも使われる。
光源装置３２は、レーザ光源を有し、露光に用いられる紫外線のレーザ光（照射光、露光ビーム）ＬＢを射出するものである。このレーザ光ＬＢは、３７０ｎｍ以下の波長帯域にピーク波長を有する紫外線光であってもよい。レーザ光ＬＢは、発光周波数Ｆｓで発光したパルス光であってもよい。光源装置３２が射出したレーザ光ＬＢは、光導入光学系３４に導かれて露光ヘッド３６に入射するとともに、強度センサ３７に入射する。この強度センサ３７は、レーザ光ＬＢの強度を検出するセンサである。
露光ヘッド３６は、光源装置３２からのレーザ光ＬＢがそれぞれ入射する複数の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）を備えている。つまり、光源装置３２からのレーザ光ＬＢは、反射ミラーやビームスプリッタ等を有する光導入光学系３４に導かれて複数の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）に入射する。露光ヘッド３６は、回転ドラムＤＲ２の円周面で支持されている基板Ｐの一部分に、複数の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）によって、パターンを描画露光する。露光ヘッド３６は、構成が同一の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）を複数有することで、いわゆるマルチビーム型の露光ヘッド３６となっている。描画ユニットＵ１、Ｕ３、Ｕ５は、回転ドラムＤＲ２の中心軸ＡＸ２に対して基板Ｐの搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）に配置され、描画ユニットＵ２、Ｕ４は、回転ドラムＤＲ２の中心軸ＡＸ２に対して基板Ｐの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に配置されている。
各描画ユニットＵは、入射したレーザ光ＬＢを基板Ｐ上で収斂させてスポット光にし、且つ、そのスポット光を走査ラインに沿って走査させる。図５に示すように、各描画ユニットＵの走査ラインＬは、Ｙ方向（基板Ｐの幅方向）に関して互いに分離することなく、繋ぎ合わされるように設定されている。図５では、描画ユニットＵ１の走査ラインＬをＬ１、描画ユニットＵ２の走査ラインＬをＬ２で表している。同様に、描画ユニットＵ３、Ｕ４、Ｕ５の走査ラインＬをＬ３、Ｌ４、Ｌ５で表している。このように、描画ユニットＵ１〜Ｕ５全部でデバイス形成領域Ｗの幅方向の全てをカバーするように、各描画ユニットＵは走査領域を分担している。なお、例えば、１つの描画ユニットＵによるＹ方向の描画幅（走査ラインＬの長さ）を２０〜５０ｍｍ程度とすると、奇数番の描画ユニットＵ１、Ｕ３、Ｕ５の３個と、偶数番の描画ユニットＵ２、Ｕ４の２個との計５個の描画ユニットＵをＹ方向に配置することによって、描画可能なＹ方向の幅を１００〜２５０ｍｍ程度に広げている。
次に、図６を用いて描画ユニットＵについて説明する。なお、各描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）は、同一の構成を有することから、描画ユニットＵ２についてのみ説明し、他の描画ユニットＵについては説明を省略する。
図６に示すように、描画ユニットＵ２は、例えば、集光レンズ５０、描画用光学素子（光変調素子）５２、吸収体５４、コリメート（コリメータ）レンズ５６、反射ミラー５８、シリンドリカルレンズ６０、反射ミラー６４、ポリゴンミラー（光走査部材）６６、反射ミラー６８、ｆ−θレンズ７０、および、シリンドリカルレンズ７２を有する。
描画ユニットＵ２に入射するレーザ光ＬＢは、鉛直方向の上方から下方（−Ｚ方向）に向けて進み、集光レンズ５０を介して描画用光学素子５２に入射する。集光レンズ５０は、描画用光学素子５２に入射するレーザ光ＬＢを描画用光学素子５２内でビームウェストとなるように集光（収斂）させる。描画用光学素子５２は、レーザ光ＬＢに対して透過性を有するものであり、例えば、音響光学変調素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）が用いられる。
描画用光学素子５２は、下位制御装置２４からの駆動信号（高周波信号）がオフの状態のときは、入射したレーザ光ＬＢを吸収体５４側に透過し、下位制御装置２４からの駆動信号（高周波信号）がオンの状態のときは、入射したレーザ光ＬＢを回折させて反射ミラー５８に向かわせる。吸収体５４は、レーザ光ＬＢの外部への漏れを抑制するためにレーザ光ＬＢを吸収する光トラップである。このように、描画用光学素子５２に印加すべき描画用の駆動信号（超音波の周波数）をパターンデータ（白黒）に応じて高速にオン／オフすることによって、レーザ光ＬＢが反射ミラー５８に向かうか、吸収体５４に向かうかがスイッチングされる。このことは、基板Ｐ上で見ると、感光面に達するレーザ光ＬＢ（スポット光ＳＰ）の強度が、パターンデータに応じて高レベルと低レベル（例えば、ゼロレベル）のいずれかに高速に変調されることを意味する。
コリメートレンズ５６は、描画用光学素子５２から反射ミラー５８に向かうレーザ光ＬＢを平行光にする。反射ミラー５８は、入射したレーザ光ＬＢを−Ｘ方向に反射させて、シリンドリカルレンズ６０を介して反射ミラー６４に照射する。反射ミラー６４は、入射したレーザ光ＬＢをポリゴンミラー６６に照射する。ポリゴンミラー（回転多面鏡）６６は、回転することでレーザ光ＬＢの反射角を連続的に変化させて、基板Ｐ上に照射されるレーザ光ＬＢの位置を走査方向（基板Ｐの幅方向）に走査する。ポリゴンミラー６６は、下位制御装置２４によって制御される図示しない回転駆動源（例えば、モータや減速機等）によって一定の速度で回転する。また、ポリゴンミラー６６に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号（スポット光ＳＰの走査速度信号）は、下位制御装置２４に送られる。
反射ミラー５８と反射ミラー６４との間に設けられたシリンドリカルレンズ６０は、前記走査方向と直交する非走査方向（Ｚ方向）に関してレーザ光ＬＢをポリゴンミラー６６の反射面上で集光（収斂）する。このシリンドリカルレンズ６０によって、前記反射面がＺ方向に対して傾いている場合（ＸＹ面の法線と前記反射面との平衡状態からの傾き）があっても、その影響を抑制することができ、基板Ｐ上に照射されるレーザ光ＬＢの照射位置がＸ方向にずれることを抑制する。
ポリゴンミラー６６で反射したレーザ光ＬＢは、反射ミラー６８によって−Ｚ方向に反射され、Ｚ軸と平行な光軸ＡＸｕを有するｆ−θレンズ７０に入射する。このｆ−θレンズ７０は、基板Ｐに投射されるレーザ光ＬＢの主光線が走査中は常に基板Ｐの表面の法線となるようなテレセントリック系の光学系であり、それによって、レーザ光ＬＢをＹ方向に正確に等速度で走査することが可能になる。ｆ−θレンズ７０から照射されたレーザ光ＬＢは、母線がＹ方向と平行となっているシリンドリカルレンズ７２を介して、基板Ｐ上に直径数μｍ程度（例えば、３μｍ）の略円形の微小なスポット光ＳＰとなって照射される。スポット光（走査スポット光）ＳＰは、ポリゴンミラー６６によって、Ｙ方向に延びる走査ラインＬ２に沿って一方向に１次元走査される。
図７は、図６の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）中に設けられる反射光モニター系の構成を示す図である。集光レンズ５０を通った直線偏光のレーザ光ＬＢは、集光レンズ５０によって描画用光学素子（ＡＯＭ）５２の内部の偏向部５２ａでビームウェストとなるように収斂され、駆動信号（高周波信号）がオフの状態のときに、偏向部５２ａを直進する０次光ＬＢ０は、吸収体（光トラップ）５４に吸収される。駆動信号（高周波信号）がオンの状態のときに、偏向部５２ａで１次回折光として偏向されたレーザ光ＬＢは、偏光ビームスプリッタ５５Ａと１／４波長板５５Ｂを透過して円偏光となってコリメートレンズ５６に入射し、再び平行光束に整形される。コリメートレンズ５６を通ったレーザ光ＬＢは、図６の反射ミラー５８、シリンドリカルレンズ６０、反射ミラー６４、ポリゴンミラー６６、反射ミラー６８、ｆ−θレンズ７０、およびシリンドリカルレンズ７２を通って、基板Ｐ（回転ドラムＤＲ２）上に照射される。
レーザ光ＬＢのスポット光ＳＰによって照射される基板Ｐ（または回転ドラムＤＲ２）の表面の反射率に応じて、スポット光ＳＰの照射位置からは、反射光（正反射光、散乱光等）が発生する。ｆ−θレンズ７０から射出するレーザ光ＬＢの主光線が基板Ｐ（回転ドラムＤＲ２）の表面と垂直となるように、ｆ−θレンズ７０をテレセントリック系としたので、その反射光のうちの正反射光は、シリンドリカルレンズ７２から入射してレーザ光ＬＢの光路を逆進して、コリメートレンズ５６まで戻ってくる。図７に示すように、コリメートレンズ５６まで戻ってきた正反射光ＬＲｆは、１／４波長板５５Ｂで円偏光から直線偏光に変換され、偏光ビームスプリッタ５５Ａで反射されて受光部６２に達する。受光部６２の受光面は基板Ｐの表面と光学的に共役になるように配置され、受光部６２は受光面での正反射光ＬＲｆの光強度に応じた光電信号ＳＤａを出力するＰＩＮフォトダイオード等の光電素子を備える。
偏光ビームスプリッタ５５Ａ（１／４波長板５５Ｂ）と受光部６２で構成される反射光モニター系は、回転ドラムＤＲ２上に形成された基準パターン（基準マーク）を横切るようにスポット光ＳＰで走査された際に、基準パターンから発生する正反射光の強度変化を光電検出して、回転ドラムＤＲ２の基準パターンを基準とした走査ラインＬ２（Ｌ）の傾き、スポット光ＳＰの走査位置をモニターする。これによって、描画ユニットＵ１〜Ｕ５の各々によるパターン描画位置の相対的な位置関係の変動（継ぎ精度の変動等）、および、図５に示すアライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３によるマーク検出位置（検出領域Ｖｗ１〜Ｖｗ３）と走査ラインＬ１〜Ｌ５の各位置との相対的な位置関係、いわゆるベースラインの変動を較正（キャリブレーション）することができる。回転ドラムＤＲ２に形成する基準パターンやキャリブレーションについては、国際公開第２０１４／０３４１６１号パンフレットに開示されているので、詳細説明は省略する。また、図７に示す反射光モニター系は、基準パターン（または回転ドラムＤＲ２の外周面）の反射率が既知の値である場合、反射光の光量（光電信号ＳＤａの強度）計測に基づいて、スポット光ＳＰの強度（照度）を推定することができるので、パターン描画時に描画ユニットＵ１〜Ｕ５の各々が基板Ｐに与える露光量、または描画ユニットＵ１〜Ｕ５間の露光量の差を求めることができる。以上のようなベースライン変動の較正動作（計測動作）、露光量の計測動作は、いずれも露光装置ＥＸとしての処理品質を劣化させないための付加作業と言える。
また、処理装置ＰＲ３には、図４および図５に示すように、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出するための３つのアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）が設けられている。このアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）の検出領域Ｖｗ（Ｖｗ１〜Ｖｗ３）は、回転ドラムＤＲ２の円周面上でＹ軸方向に一列に並ぶように配置されている。アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）は、アライメント用の照明光を基板Ｐに投影して、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の撮像素子でその反射光を撮像することで、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出する。つまり、アライメント顕微鏡ＡＭ１は、検出領域（撮像領域）Ｖｗ１内に存在する基板Ｐの＋Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ１を撮像する。アライメント顕微鏡ＡＭ２は、検出領域Ｖｗ２内に存在する基板Ｐの−Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ２を撮像する。アライメント顕微鏡ＡＭ３は、検出領域Ｖｗ３内に存在する基板Ｐの幅方向中央に形成されたアライメントマークＫｓ３を撮像する。
このアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）が撮像した画像データは、下位制御装置２４内に設けられる画像処理部に送られ、下位制御装置２４の画像処理部は、画像データに基づいてアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の位置や位置誤差を算出（検出）する。この検出領域Ｖｗ（Ｖｗ１〜Ｖｗ３）の基板Ｐ上の大きさは、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の大きさやアライメント精度に応じて設定されるが、１００〜５００μｍ角程度の大きさである。また、アライメント用の照明光は、基板Ｐ上の感光性機能層に対してほとんど感度を持たない波長域の光、例えば、波長幅５００〜８００ｎｍ程度のブロードバンド光、或いは紫外域の波長を含まない白色光等である。
下位制御装置２４は、上位制御装置１４の制御にしたがって、パターン形成装置１２を構成する第１蓄積装置ＢＦ１、第２蓄積装置ＢＦ２、および、処理装置ＰＲ３の各部を制御する。例えば、下位制御装置２４は、処理装置ＰＲ３内で搬送される基板Ｐの搬送速度、エッジポジションコントローラＥＰＣ２、ＥＰＣ３、アライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３、光源装置３２、ポリゴンミラー６６の回転、および、描画用光学素子５２等を制御する。また、下位制御装置２４は、アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）によって検出された基板Ｐ上のアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の位置情報、回転速度情報（処理装置ＰＲ３内の基板Ｐの搬送速度情報、スポット光ＳＰの走査速度情報）、強度センサ３７が検出したレーザ光ＬＢの強度情報等を上位制御装置１４に出力する。下位制御装置２４は、コンピュータと、プログラムが記憶された記憶媒体とを含み、該コンピュータが記憶媒体に記憶されたプログラムを実行することで、本第１の実施の形態の下位制御装置２４として機能する。この下位制御装置２４は、上位制御装置１４の一部であってもよく、上位制御装置１４とは別の制御装置であってもよい。
〔処理装置ＰＲ４（湿式処理装置）の構成〕
図８は、処理装置ＰＲ４の構成を示す図である。処理装置ＰＲ４は、現像液ＬＱが貯留される処理槽ＢＴと、基板Ｐが処理槽ＢＴに貯留された現像液ＬＱに浸されるように基板Ｐの搬送経路を形成する案内ローラＲ４〜Ｒ７と、駆動ローラＮＲ７、ＮＲ８と、下位制御装置８０とを有する。処理槽ＢＴの底部には、現像液ＬＱの温度を調整するためのヒータＨ１、Ｈ２が設けられており、ヒータＨ１、Ｈ２は、下位制御装置８０の制御の下、ヒータ駆動部８２によって駆動して発熱する。
図８は、処理装置ＰＲ４の構成を示す図である。処理装置ＰＲ４は、現像液ＬＱが貯留される処理槽ＢＴと、基板Ｐが処理槽ＢＴに貯留された現像液ＬＱに浸されるように基板Ｐの搬送経路を形成する案内ローラＲ４〜Ｒ７と、駆動ローラＮＲ７、ＮＲ８と、下位制御装置８０とを有する。処理槽ＢＴの底部には、現像液ＬＱの温度を調整するためのヒータＨ１、Ｈ２が設けられており、ヒータＨ１、Ｈ２は、下位制御装置８０の制御の下、ヒータ駆動部８２によって駆動して発熱する。
駆動ローラＮＲ７は、第２蓄積装置ＢＦ２を介して処理装置ＰＲ３から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して基板Ｐを案内ローラＲ４に導く。案内ローラＲ４は、＋Ｘ方向に搬送されてきた基板Ｐを−Ｚ方向側に折り曲げて案内ローラＲ５に導く。案内ローラＲ５は、−Ｚ方向に搬送されてきた基板Ｐを＋Ｘ方向側に折り曲げて案内ローラＲ６に導く。案内ローラＲ６は、＋Ｘ方向に搬送されてきた基板Ｐを＋Ｚ方向側に折り曲げて案内ローラＲ７に導く。案内ローラＲ７は、＋Ｚ方向に搬送されてきた基板Ｐを＋Ｘ方向側に折り曲げて駆動ローラＮＲ８に導く。駆動ローラＮＲ８は、送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら、基板Ｐを処理装置ＰＲ５に搬送する。この案内ローラＲ５、Ｒ６によって、基板Ｐが現像液ＬＱに浸漬される。駆動ローラＮＲ７、ＮＲ８は、下位制御装置８０によって制御されるモータや減速機等を有する回転駆動源（図示略）からの回転トルクが与えられることで回転する。この駆動ローラＮＲ７、ＮＲ８の回転速度によって、処理装置ＰＲ４内の基板Ｐの搬送速度が規定される。また、駆動ローラＮＲ７、ＮＲ８に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号（基板Ｐの搬送速度信号）は、下位制御装置８０に送られる。なお、処理装置ＰＲ４内には、現像された基板Ｐの表面を撮像する撮像装置（顕微鏡カメラ等）８３が設けられている。この撮像装置８３は、駆動ローラＮＲ８に対して基板Ｐの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に設けられている。撮像装置８３は、現像によって感光性機能層に形成されたデバイス用のパターンの一部を拡大して撮像する。
案内ローラＲ４、Ｒ５は、可動部材８４に設けられており、可動部材８４は、リニアモータ等の駆動部を有し、ガイドレール８６に沿ってＸ方向に移動可能である。可動部材８４には、可動部材８４のＸ方向における位置を検出する位置センサ８７が設けられており、位置センサ８７が検出した可動部材８４の位置情報は、下位制御装置８０に送られる。この可動部材８４がガイドレール８６に沿って−Ｘ方向側に移動すると、案内ローラＲ５、Ｒ６間の距離は長くなるので、基板Ｐが現像液ＬＱに浸漬する時間（浸液時間）は長くなる。また、可動部材８４が＋Ｘ方向側に移動すると、案内ローラＲ５、Ｒ６間の距離は短くなるので、基板Ｐが現像液ＬＱに浸漬する時間（浸漬時間）は短くなる。このようにして、基板Ｐが現像液ＬＱに浸漬する時間（接液長さ）を調整することができる。
また、処理装置ＰＲ４は、現像液ＬＱの温度を検出する温度センサＴｓ、現像液ＬＱの濃度を検出する濃度センサＣｓを有する。基板Ｐが現像液ＬＱに浸漬されることで、感光性機能層に形成された潜像（改質部）に応じたパターンが感光性機能層に形成される。感光性機能層がポジ型のフォトレジストの場合は、紫外線が照射された部分が改質され、改質部が現像液ＬＱによって溶解し除去される。また、感光性機能層がネガ型のフォトレジストの場合は、紫外線が照射された部分が改質され、紫外線が照射されていない非改質部が現像液ＬＱによって溶解し除去される。本第１の実施の形態では、感光性機能層はポジ型として説明する。なお、図示しないが処理装置ＰＲ４は、処理装置ＰＲ５に搬送される基板Ｐに対して、基板Ｐに付着している現像液ＬＱを純水等で除去する洗浄・乾燥機構を有している。
さらに、処理装置ＰＲ４の案内ローラＲ５、Ｒ６は、モータ駆動によってＺ方向に移動可能な機構を備え、基板Ｐを図８のように現像液ＬＱに浸した状態と、現像液ＬＱから引き上げた状態とに切り替えることができる。これにより、処理装置ＰＲ４の機能不全（故障）による製造ライン全体の停止、または処理装置ＰＲ４の調整のための短時間の一時停止の場合に、基板Ｐへの現像処理を速やかに中断できるとともに、基板Ｐが現像液ＬＱに長い時間浸ることによる現像液ＬＱの劣化等を低減できる。
下位制御装置８０は、上位制御装置１４の制御にしたがって、処理装置ＰＲ４の各部を制御する。例えば、下位制御装置８０は、処理装置ＰＲ４内で搬送される基板Ｐの搬送速度、ヒータ駆動部８２、および、可動部材８４、案内ローラＲ５、Ｒ６のＺ方向への移動等を制御する。また、下位制御装置８０は、温度センサＴｓおよび濃度センサＣｓによって検出された現像液ＬＱの温度情報、濃度情報、位置センサ８７が検出した可動部材８４の位置情報、撮像装置８３が検出した画像データ、および、回転速度情報（処理装置ＰＲ４内の基板Ｐの搬送速度情報）等を上位制御装置１４に出力する。下位制御装置８０は、コンピュータと、プログラムが記憶された記憶媒体とを含み、該コンピュータが記憶媒体に記憶されたプログラムを実行することで、本第１の実施の形態の下位制御装置８０として機能する。この下位制御装置８０は、上位制御装置１４の一部であってもよく、上位制御装置１４とは別の装置であってもよい。
なお、感光性機能層が感光性シランカップリング剤や感光性還元剤の場合は、処理装置ＰＲ４の処理槽ＢＴには、現像液ＬＱの代わりに、例えば、パラジウムイオン等の電子デバイス用の材料（金属）を含む無電解メッキ液（以下、メッキ液と呼ぶこともある）が貯留される。つまり、この場合は、処理装置ＰＲ４は、メッキ処理の処理工程（第３処理工程）を行うメッキ装置となる。基板Ｐをメッキ液に浸漬することで、感光性機能層に形成された潜像（改質部）に応じてメッキ核（金属パラジウム）が析出する。さらに、追加の電解または無電解のメッキ工程によって、そのメッキ核に電子デバイス用の金属材料（ＮｉＰ、Ｃｕ、Ａｕ等）を析出させると、基板Ｐに金属層（導電性）のパターンが形成される。
エッチングを行う処理装置ＰＲ５は、基本的に、処理装置ＰＲ４と同一の構成を有しているので図示しないが、処理槽ＢＴには、現像液ＬＱに代えてエッチング液（腐食液）を貯留している。したがって、処理装置ＰＲ５の可動部材８４が−Ｘ方向側に移動すると、基板Ｐがエッチング液に浸漬する時間（浸漬時間）は長くなり、可動部材８４が＋Ｘ方向側に移動すると、基板Ｐがエッチング液に浸漬する時間（浸漬時間）は短くなる。また、処理装置ＰＲ５の温度センサＴｓによってエッチング液の温度が検出され、濃度センサＣｓによってエッチング液の濃度が検出される。この処理装置ＰＲ５によって基板Ｐがエッチング液に浸漬することで、パターンが形成された感光性機能層をマスクとして、感光性機能層の下層に形成された金属性薄膜（ＡｌまたはＣｕ等）がエッチングされる。これにより、基板Ｐ上に金属層のパターンが出現する。処理装置ＰＲ５の撮像装置８３は、エッチングによって基板Ｐ上に形成された金属層のパターンを撮像する。処理装置ＰＲ５によって処理が行われた基板Ｐは、次の処理を行う処理装置ＰＲに送られてもよい。処理装置ＰＲ４で、メッキ処理が行われた場合は、エッチング処理は不要となるので、処理装置ＰＲ５の代わりに別の処理装置ＰＲ、例えば、洗浄・乾燥等を行う処理装置ＰＲが設けられる。
〔第１の実施の形態の動作〕
以上の各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の設定条件は、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５によって施される実処理（実際の処理）の状態が、目標の処理状態となるように予め設定されている。各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の設定条件は、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５に設けられた図示しない記憶媒体に記憶されていてもよく、上位制御装置１４の図示しない記憶媒体に記憶されていてもよい。また、デバイス製造システム１０内では、基板Ｐは一定の速度で搬送されるものとし、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の各々に設定されている設定条件のうち基板Ｐの搬送速度条件は、基本的には同一の規定速度Ｖｐｐ（例えば、５ｍｍ／秒〜５０ｍｍ／秒の範囲の一定速度）に設定される。基板Ｐ上に形成される電子デバイス用のパターンの品質を維持するために、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の各々に設定されている設定条件のうち、基板Ｐの処理条件だけを動的に調整することに加えて、基板Ｐの搬送速度条件を各処理装置毎に個別に調整可能とすることによって、パターンの品質を維持しつつ、製造ライン（デバイス製造システム１０）全体を極力止めないようなライン管理が可能である。そのようなライン管理については、後の実施の形態にて説明する。
以上の各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の設定条件は、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５によって施される実処理（実際の処理）の状態が、目標の処理状態となるように予め設定されている。各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の設定条件は、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５に設けられた図示しない記憶媒体に記憶されていてもよく、上位制御装置１４の図示しない記憶媒体に記憶されていてもよい。また、デバイス製造システム１０内では、基板Ｐは一定の速度で搬送されるものとし、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の各々に設定されている設定条件のうち基板Ｐの搬送速度条件は、基本的には同一の規定速度Ｖｐｐ（例えば、５ｍｍ／秒〜５０ｍｍ／秒の範囲の一定速度）に設定される。基板Ｐ上に形成される電子デバイス用のパターンの品質を維持するために、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の各々に設定されている設定条件のうち、基板Ｐの処理条件だけを動的に調整することに加えて、基板Ｐの搬送速度条件を各処理装置毎に個別に調整可能とすることによって、パターンの品質を維持しつつ、製造ライン（デバイス製造システム１０）全体を極力止めないようなライン管理が可能である。そのようなライン管理については、後の実施の形態にて説明する。
以上の図２、図４、図８に示す処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）の各々は、時々、基板Ｐに対する処理を中断して、処理品質の劣化防止（性能維持）のための付加作業（計測動作、調整動作、切替え動作、清掃動作、保守動作等）を行うことが望ましい場合がある。例えば、処理装置ＰＲ２としての成膜装置（塗布装置）では、ダイコータヘッドＤＣＨやインクジェットヘッドＩＪＨに供給される塗布液（感光性機能液）の補充動作、ヘッドＤＣＨ、ＩＪＨのノズル部や回転ドラムＤＲ１の清掃動作、或いはヘッドＤＣＨ、ＩＪＨの交換／切替え動作等を行うことがある。処理装置ＰＲ３としての露光装置ＥＸでは、パターンの露光位置（スポット光ＳＰの走査による走査ラインＬ１〜Ｌ５）と、アライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３の検出領域Ｖｗ１〜Ｖｗ３との相対的な位置関係（ベースライン長）の変動を計測したり、基板Ｐ（回転ドラムＤＲ２）に達するスポット光ＳＰの強度（照度）を計測したりするキャリブレーション（較正）動作、光源装置３２（レーザ光源、紫外線ランプ等）の劣化時の交換を想定して予め増設した予備光源装置への切替え動作等を行うことがある。さらに、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）としての湿式処理装置では、現像液ＬＱやメッキ液の濃度低下や酸化による劣化を抑えるためのリフレッシュや交換等の保守動作、或いは現像液ＬＱやメッキ液を溜める処理槽（液槽）ＢＴ中の微細なゴミを除去する清掃動作等を行うことがある。
これらの付加作業の動作が比較的に短時間に済ませることが可能である場合、各処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）は、適当なタイミングで基板Ｐの処理を一時的に中断して、その付加作業を実行し、付加作業完了後に基板Ｐの処理を再開して通常動作に復帰させることができる。その場合、付加作業を実行する処理装置では、基板Ｐの搬送が一時的に停止、或いは減速される。処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）のうちの２つ以上がともに付加作業を実行しないように制限してもよいが、同程度の停止時間の付加作業であれば、同時実行を許可してもよい。基板Ｐの搬送を一時的に停止する時間は、付加作業の内容によって異なるが、その付加作業の実行時間の間、他の処理装置が基板Ｐの処理を継続できるようにする。そのためには、図１、図４中の第１蓄積装置ＢＦ１、第２蓄積装置ＢＦ２の各々における基板Ｐの既蓄積長や新規蓄積可能長を、付加作業を実施する処理装置と前後の処理装置との各処理状況に応じて、付加作業の開始前に調整しておく必要が生じる場合もある。既蓄積長とは、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２が既に蓄積している基板Ｐの蓄積長を意味し、新規蓄積可能長とは、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２がこれから新たに蓄積することが可能な基板Ｐの蓄積長を意味する。
付加作業が実行される適当なタイミングは、例えば処理装置ＰＲ２（ダイコータ方式／インクジェット方式の塗布装置）や処理装置ＰＲ３（露光装置ＥＸ）においては、基板Ｐの長尺方向に沿って並ぶデバイス形成領域Ｗ（図５参照）の１つに対する処理（塗布、または露光）が終わった直後に設定できる。すなわち、次のデバイス形成領域Ｗに対する処理が始まる前の余白部Ｓｗが、処理位置である塗布位置（ヘッドＤＣＨ、ＩＪＨと対向する位置）や処理位置である露光位置（走査ラインＬ１〜Ｌ５が形成される位置）に来た時点に設定できる。
なお、余白部Ｓｗの上流側と下流側とで、基板Ｐ上に形成すべきデバイスの品種、デバイス形成領域Ｗの大きさや配列等を異ならせて、多品種・少量生産に対応するような製造ラインとすることも可能である。例えば、余白部Ｓｗの下流側には、第１の画面サイズ（３２インチ等）の表示パネル用の回路パターンを基板Ｐの長手方向に一列に並べて形成し、余白部Ｓｗの上流側には、第１の画面サイズよりも小さい第２の画面サイズの表示パネル用の回路パターンを基板Ｐの幅方向に２面取りにして長手方向に並べて形成するような場合、余白部Ｓｗの上流側と下流側とで、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）の各々における処理条件や設定条件を異ならせる場合がある。特に、処理装置ＰＲ３では、描画（露光）すべきパターンが変わるため、描画データの切替え作業が必要になる。図４、図６に示したような直描方式のマスクレス露光機では、描画データの切替え時のデータ転送時間とともに、各種パラメータ（描画倍率、走査ラインＬの傾き、露光量等）の変更／調整の時間を含むセットアップ操作の時間が必要となる。そのようなセットアップ操作は、処理装置ＰＲ３の通常動作を中断することになるので、付加作業の１つとして扱うことができる。もちろん、他の処理装置ＰＲ２、ＰＲ４（ＰＲ５）においても、処理条件を大きく異ならせる必要があれば、その調整作業がセットアップ操作となり、付加作業として扱える。処理装置ＰＲ３が円筒マスクを用いる投影露光装置である場合は、例えば、特許第５４９４６２１号公報に開示されているような円筒マスクの交換作業等がセットアップ操作に含まれる。
そこで、図１０、図１１のフローチャートに基づいて、第１の実施の形態の動作を説明するが、その前に、第１の実施の形態に好適な基板Ｐのデバイス形成領域Ｗ等の配置を、図９を用いて説明する。図９は、先の図５に示した基板Ｐ上に形成される複数のデバイス形成領域Ｗ１、Ｗ２・・・、アライメントマークＫｓ１〜Ｋｓ３の具体的な配置例を示す。さらに、基板Ｐ上には、デバイス形成領域Ｗ１、Ｗ２・・・の各々に付随して、基板Ｐの幅方向の両側部に形成された情報パターンＭｓａ、Ｍｓｂが設けられている。情報パターンＭｓａ、Ｍｓｂの位置は、デバイス形成領域Ｗ１、Ｗ２・・・の各々の処理開始位置、余白部Ｓｗの領域（範囲）を表す。情報パターンＭｓａ、Ｍｓｂは、図２の処理装置（塗布装置）ＰＲ２内の回転ドラムＤＲ１、および図４の処理装置（露光装置）ＰＲ３内の回転ドラムＤＲ２の周囲に配置されたリーダ部によって読み取られる。情報パターンＭｓａ、Ｍｓｂが１次元または２次元のバーコードで形成されている場合、バーコードは、余白部Ｓｗの基板Ｐの長手方向の寸法、デバイス形成領域Ｗ１、Ｗ２・・・の長手方向の寸法と短手方向の寸法、デバイス形成領域Ｗ１、Ｗ２・・・のロット番号等の情報を含ませることができる。
第１の実施の形態の場合、図２の処理装置（塗布装置）ＰＲ２は、情報パターンＭｓａ、Ｍｓｂをリーダ部で検出することで、基板Ｐ上の余白部Ｓｗ上に塗布液（感光性機能液）ＬＱｃを塗布しないように、選択的な塗布制御が可能である。したがって、基板Ｐの余白部Ｓｗが処理装置（露光装置）ＰＲ３内の回転ドラムＤＲ２上の露光領域（図５中の走査ラインＬ１〜Ｌ５を含む矩形領域）に位置した状態のとき、基板Ｐが透明なＰＥＴ、ＰＥＮである場合、基板Ｐの透明部を介して、描画ユニットＵ１〜Ｕ５の各々に設けられた反射光モニター系（図７の受光部６２）からの光電信号ＳＤａに基づいて、回転ドラムＤＲ２の表面の基準パターンＲＭＰを検出することができる。これにより、余白部Ｓｗ（感光性機能液の未塗布領域）が露光領域に入った状態で基板Ｐを一時的に停止させることで、キャリブレーション動作が可能となる。アライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３のキャリブレーション（ベースライン管理）が必要な場合は、基板Ｐの余白部Ｓｗ（透明部）がアライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３の各検出領域Ｖｗ１〜Ｖｗ３の位置にもたらされたときに、基板Ｐを一時停止、または搬送速度を減速させて、回転ドラムＤＲ２上の基準パターンＲＭＰを検出すればよい。
〔動作のフロー〕
図１０、図１１のフローチャートは、主に図１中の上位制御装置１４によって実行されるが、下位制御装置１８、２４、８０によって実行してもよい。また、図１０は、下位制御装置１８から上位制御装置１４に送られてくる処理装置ＰＲ２のステータス情報（割込み要求）、下位制御装置２４から上位制御装置１４に送られてくる処理装置ＰＲ３のステータス情報（割込み要求）、および下位制御装置８０から上位制御装置１４に送られてくる処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）のステータス情報（割込み要求）等に基づいて、処理装置ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４（ＰＲ５）を個別に短時間だけ停止させたり、製造ライン全体を停止させたりするためのフローである。図１１は、図１０中で判定される処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）の停止可能性をシミュレーションするフローチャートである。また、図１０のプログラムは、上位制御装置１４の判断で一定の時間間隔（インターバル）で実行されるが、下位制御装置１８、２４、８０の各々からの割込み要求（停止要求）によって実行してもよい。
図１０、図１１のフローチャートは、主に図１中の上位制御装置１４によって実行されるが、下位制御装置１８、２４、８０によって実行してもよい。また、図１０は、下位制御装置１８から上位制御装置１４に送られてくる処理装置ＰＲ２のステータス情報（割込み要求）、下位制御装置２４から上位制御装置１４に送られてくる処理装置ＰＲ３のステータス情報（割込み要求）、および下位制御装置８０から上位制御装置１４に送られてくる処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）のステータス情報（割込み要求）等に基づいて、処理装置ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４（ＰＲ５）を個別に短時間だけ停止させたり、製造ライン全体を停止させたりするためのフローである。図１１は、図１０中で判定される処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）の停止可能性をシミュレーションするフローチャートである。また、図１０のプログラムは、上位制御装置１４の判断で一定の時間間隔（インターバル）で実行されるが、下位制御装置１８、２４、８０の各々からの割込み要求（停止要求）によって実行してもよい。
図１０において、ステップＳ１は、処理装置ＰＲ２の下位制御装置１８からのステータス情報、処理装置ＰＲ３の下位制御装置２４からのステータス情報、或いは処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の下位制御装置８０からのステータス情報を受けて、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）のいずれかが長時間停止の割込み要求（リクエスト）を出しているか否かを判断する。長時間停止の要求は、主に処理装置に機能不全（突発的な故障等）が生じた場合の緊急停止の際にも発生する。ステップＳ１で、ステータス情報（割込み要求）が長時間停止の場合、当該処理装置の機能不全を復旧させるための部品交換等の保守作業が必要であることから、製造ライン全体を停止せざるを得ないことが多い。そのため、長時間停止の要求に対しては、ステップＳ９のライン停止を指示するルーチンに進む。
ステップＳ９では、図１の製造ラインの全体を安全に緊急停止させるように、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５（下位制御装置１８、２４、８０）の各々に対して、適切な停止タイミング、停止ルーチンを指示する。例えば、緊急停止が必要な処理装置が処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の場合で、他の処理装置ＰＲ２、ＰＲ３が正常に処理動作を継続可能であるとき、処理装置ＰＲ２は、図９に示した基板Ｐの余白部Ｓｗが、例えばダイコータヘッドＤＣＨのヘッド本体２００Ａと対向して塗布作業が中断可能となったときに緊急停止する。同様に処理装置ＰＲ３は、図９に示した基板Ｐの余白部Ｓｗが描画ユニットＵ１〜Ｕ５による露光領域と対向して、露光作業が中断可能となったときに緊急停止する。その場合、処理装置（露光装置）ＰＲ３の上流側の第１蓄積装置ＢＦ１と下流側の第２蓄積装置ＢＦ２の各々での基板Ｐの蓄積状況が、各処理装置の完全停止までの時間内で処理装置ＰＲ間の基板Ｐの搬送速度の大きな差（例えば、一方が速度ゼロ）を吸収して余裕を持つように設定されている。
処理装置ＰＲ２、ＰＲ３が処理を中断可能なタイミングは、図９に示すような余白部Ｓｗが塗布位置（ダイコータヘッド部）または露光位置（走査ラインＬ１〜Ｌ５）に対向したときであり、緊急停止の指示が発生されてから、実際に処理が中断（基板Ｐが停止）するまでの最大の遅延時間Ｔｄは、余白部Ｓｗの基板Ｐの長手方向の間隔距離Ｌｓｓ（略デバイス形成領域Ｗの長手方向の長さ）と基板Ｐの搬送速度Ｖｐｐから、Ｔｄ＝Ｌｓｓ／Ｖｐｐで決まる。したがって、緊急停止（長時間停止）の指示が発生した時点で、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２の一方は、最大の遅延時間Ｔｄに対応した長さの基板Ｐを既蓄積長として蓄積していればよく、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２の他方は、最大の遅延時間Ｔｄに対応した長さの基板Ｐを新規蓄積可能長として蓄積可能になっていればよい。このような蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２の蓄積状態は、上位制御装置１４によって管理される。また、緊急停止の場合、湿式処理を行う処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）は、余白部Ｓｗで丁度よく処理を中断させることが難しいので、直ちに基板Ｐの搬送を停止して、図８中の案内ローラＲ５、Ｒ６を＋Ｚ方向（上方）に移動させて基板Ｐを現像液ＬＱ（或いはメッキ液）から引き揚げた状態にする。
緊急停止状態の発生時期を、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）の各々が内部で取得している稼動ログ情報から予測することも不可能ではないが、一般的には予測し難い。そこで、製造ライン全体が正常に稼動して、基板Ｐが所定の規定速度Ｖｐｐで安定に搬送されている間、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２の各々が、少なくとも最大遅延時間Ｔｄに対応した長さＬｓｓの基板Ｐを蓄積し、且つ長さＬｓｓの基板Ｐを新たに蓄積できる余裕（新規蓄積可能長）を持つように、蓄積状態を管理しておくとよい。
ステップＳ１で、長時間停止ではないと判断されると、短時間の付加作業の要求が発生したと判断し、ステップＳ２に進む。ステップＳ２では、それ以前に発生した短時間の付加作業の要求に基づいて、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）のいずれかを停止状態に移行させるために既に調整中であるか否かが判定される。このステップＳ２で調整中であると判断されると、図１０のフローは終了する。また、ステップＳ２で、調整中でないと判断されると、ステップＳ３において、短時間の付加作業を要求してきた処理装置ＰＲ（以下、停止要求装置ＰＲｄとも呼ぶ）が処理装置ＰＲ２、ＰＲ３の場合は、処理している基板Ｐの現在の処理位置情報（図９中のデバイス形成領域Ｗ１、Ｗ２・・・、余白部Ｓｗ等の処理位置）、当該停止要求装置ＰＲｄの上流または下流における蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２の基板Ｐの蓄積状態（既蓄積長や新規蓄積可能長等）に関する蓄積情報、および停止要求装置ＰＲｄの下位制御装置（１８、２４、８０）から送られてくる付加作業の内容と作業時間（必要な停止時間）や、要求が発生してから付加作業を実際に開始するまでに待てる待機時間（遅延可能時間）に関する作業情報等を確認する。停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の場合は、ステップＳ３において、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積状態に関する蓄積情報（既蓄積長や新規蓄積可能長等）と作業情報（作業内容、作業時間、遅延可能時間）とが確認される。処理装置ＰＲ２のダイコータヘッドＤＣＨに充填されている塗布液ＬＱｃが無くなると塗布作業を継続することができないので、処理装置ＰＲ２における遅延可能時間とは、例えば、塗布液ＬＱｃが無くなるまでの時間等である。処理装置ＰＲ３における遅延可能時間とは、例えば、キャリブレーション動作を行うまでに待てる時間、予備光源装置への切替え動作を行うまでに待てる時間等である。処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）における遅延可能時間とは、例えば、現像液ＬＱやメッキ液のリフレッシュや交換等の保守動作を行うまでに待てる時間等である。
ここで、停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ２である場合、ステップＳ３では、基板Ｐの搬送速度Ｖｐｐと作業情報（停止時間、遅延可能時間）とに基づいて、特に蓄積情報を検証する。処理装置ＰＲ２が一時的に停止している間、製造ライン（デバイス製造システム１０）全体を止めないためには、他の処理装置ＰＲ３、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）が継続して基板Ｐを搬送できていればよい。そこで、処理装置ＰＲ２が停止要求装置ＰＲｄの際は、処理装置ＰＲ２の停止時間（中断時間）をＴＳ２とし、第１蓄積装置ＢＦ１の現在の既蓄積長Ｌｆ１が、基板Ｐの搬送速度Ｖｐｐとの関係から、Ｌｆ１＞Ｖｐｐ・ＴＳ２になっているかが検証される。つまり、第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積状態（現在の既蓄積長Ｌｆ１）が、必要蓄積状態を満たすか（Ｖｐｐ・ＴＳ２以上であるか）否かが検証される。第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積状態が必要蓄積状態を満たす場合は、停止要求装置ＰＲｄ（ＰＲ２）の停止時間中に第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積状況が正常に推移する。この場合は、停止要求装置ＰＲｄ（ＰＲ２）の停止時間中に第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積長が一定の速度（一定の割合）で徐々に短くなる。
また、停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ３の場合、ステップＳ３では、基板Ｐの搬送速度Ｖｐｐと作業情報（停止時間、遅延可能時間）とに基づいて、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２の両方の蓄積情報が検証（判定）される。この場合、処理装置ＰＲ２と処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）は稼動し続けるので、第１蓄積装置ＢＦ１に関しては、処理装置ＰＲ３の停止時間（中断時間）ＴＳ３と基板Ｐの搬送速度Ｖｐｐとの関係から、Ｖｐｐ・ＴＳ３で決まる長さ以上の新規蓄積可能長があるか否かが検証（判定）される。また、第２蓄積装置ＢＦ２に関しては、停止時間ＴＳ３と基板Ｐの搬送速度Ｖｐｐとの関係から、第２蓄積装置ＢＦ２の現在の既蓄積長Ｌｆ２が、基板Ｐの搬送速度Ｖｐｐとの関係から、Ｌｆ２＞Ｖｐｐ・ＴＳ３になっているかが検証（判定）される。つまり、第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積状態（新規蓄積可能長）が、必要蓄積状態を満たすか（Ｖｐｐ・ＴＳ３以上であるか）否かが検証され、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積状態（既蓄積長Ｌｆ２）が、必要蓄積状態を満たすか（Ｖｐｐ・ＴＳ３以上であるか）否かが判断される。蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２の蓄積状態が必要蓄積状態を満たす場合は、停止要求装置ＰＲｄ（ＰＲ３）の停止時間中に、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２の蓄積状況が正常に推移する。この場合は、停止要求装置ＰＲｄ（ＰＲ３）の停止時間中に、第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積長が一定の速度（一定の割合）で徐々に長くなり、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積長が一定の速度（一定の割合）で徐々に短くなる。
停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の場合は、第２蓄積装置ＢＦ２に関して、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の停止時間（中断時間）ＴＳ４（ＴＳ５）と基板Ｐの搬送速度Ｖｐｐとの関係から、Ｖｐｐ・ＴＳ４（ＴＳ５）で決まる長さ以上の新規蓄積可能長があるか否かが検証される。つまり、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積状態（新規蓄積可能長）が、必要蓄積状態を満たすか（Ｖｐｐ・ＴＳ４（ＴＳ５）以上であるか）否かが検証される。第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積状態が必要蓄積状態を満たす場合は、停止要求装置ＰＲｄ（ＰＲ４（ＰＲ５））の停止時間中に、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積状況が正常に推移する。この場合は、停止要求装置ＰＲｄ（ＰＲ４（ＰＲ５））の停止時間中に、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積長が一定の速度（一定の割合）で徐々に長くなる。なお、処理装置ＰＲ４と処理装置ＰＲ５との間には蓄積装置がないので、処理装置ＰＲ４と処理装置ＰＲ５との基板Ｐの搬送速度を略同一にする必要がある。したがって、停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ４の場合であって、処理装置ＰＲ４を停止時間ＴＳ４の間一時停止させる場合は処理装置ＰＲ５も停止時間ＴＳ４の間停止させる。また、停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ５の場合であって、処理装置ＰＲ５を停止時間ＴＳ５の間一時停止させる場合は処理装置ＰＲ４も停止時間ＴＳ５の間一時停止させる。また、停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ４、ＰＲ５の両方の場合であって、処理装置ＰＲ４、ＰＲ５をともに一時停止させる場合は、停止時間ＴＳ４、ＴＳ５のうち長い方の停止時間で処理装置ＰＲ４、ＰＲ５を停止させる。
次のステップＳ４では、ステップＳ３で検証された結果に基づいて、停止要求装置ＰＲｄを停止させることが可能であるか否かを判断する。つまり、停止要求装置ＰＲｄを付加作業のために停止（中断）させた場合に、その停止（中断）時間中に蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２の蓄積状況が正常に推移するか否かが判断される。停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ２またはＰＲ３の場合は、基板Ｐ上の直近の余白部Ｓｗが塗布位置（処理位置）または露光位置（処理位置）に至ったときに基板Ｐを停止可能か否かがステップＳ４で判断される。ステップＳ３で確認された第１蓄積装置ＢＦ１や第２蓄積装置ＢＦ２での既蓄積長や新規蓄積可能長等の蓄積状態が必要とされる状態（必要蓄積状態）になっている場合は、基板Ｐの余白部Ｓｗで処理装置ＰＲ２またはＰＲ３を停止させることが可能であるので、ステップＳ４でＹｅｓに分岐してステップＳ５に進み、停止要求装置ＰＲｄ（ＰＲ２またはＰＲ３）に停止指示（停止許可）を与える。停止指示を受けた処理装置ＰＲ２またはＰＲ３は、基板Ｐの直近の余白部Ｓｗがくるまで処理を続けた後、余白部Ｓｗが塗布位置または露光位置に至った時点で基板Ｐの搬送を停止させ、直ちに所定の付加作業を実行する。つまり、処理装置ＰＲ２および処理装置ＰＲ３は、余白部Ｓｗの基板Ｐの長尺方向の長さより短い範囲で処理を施すものであることから、停止要求装置ＰＲｄ（ＰＲ２またはＰＲ３）の処理位置（塗布位置または露光位置）が余白部Ｓｗにきた時点で、停止要求装置ＰＲｄにおける基板Ｐの搬送および処理を付加作業のために一時停止が可能である。また、停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）のときは、ステップＳ３で第２蓄積装置ＢＦ２での基板Ｐの蓄積状態（新規蓄積可能長）が必要とされる状態（必要蓄積状態）になっていると確認された場合は、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）を停止させることが可能であるので、ステップＳ４でＹｅｓに分岐してステップＳ５に進み、停止要求装置ＰＲｄ（ＰＲ４、ＰＲ５）に停止指示（停止許可）を与える。処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）は、余白部Ｓｗの基板Ｐの長尺方向の長さより長い範囲で処理を施すものであることから、停止要求装置ＰＲｄ（ＰＲ４（ＰＲ５））の処理位置にかかわらず、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積状態が必要蓄積状態になっていると確認された場合に、直ちに停止要求装置ＰＲｄにおける基板Ｐの搬送および処理を付加作業のために一時停止させる。
ステップＳ３で確認された蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２での蓄積状態（既蓄積長や新規蓄積可能長）が必要な状態（必要蓄積状態）になっていなかった場合は、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）のいずれかを付加作業のために停止させると、付加作業中に第１蓄積装置ＢＦ１または第２蓄積装置ＢＦ２における基板Ｐの既蓄積長や新規蓄積可能長が不足してしまい、結果的に製造ライン全体（全ての処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５）を停止させることになる。そこで、本第１の実施の形態では、ステップＳ４のタイミングで停止不可と判断して、ステップＳ６において停止可能条件（状態）のシミュレーションが実行される。このシミュレーションでは、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２の蓄積状態が、停止要求装置ＰＲｄの付加作業のために停止可能な状態に遷移できるか、すなわち、各処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）での基板Ｐに対する処理条件や基板Ｐの搬送速度Ｖｐｐを変えた場合に、必要とされる既蓄積長や新規蓄積可能長に改善できる適当な条件を見いだせるか否かが探索される。ステップＳ６のシミュレーションについては、図１１を参酌して後で説明する。
ステップＳ６のシミュレーションによって、必要とされる既蓄積長や新規蓄積可能長を確保するための各処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）の処理条件の変更例と基板Ｐの搬送速度Ｖｐｐの変更例との候補が少なくとも１つ以上挙げられると、次のステップＳ７において、処理条件の変更例と基板Ｐの搬送速度の変更例のいずれか一方、或いは両者の組み合せによって調整した状態で所定時間（調整時間とも呼ぶ）が経過すると、停止要求装置ＰＲｄが停止可能な状態に至るか否かが判断される。ステップＳ７では、停止要求装置ＰＲｄから提示される作業情報（作業内容、作業時間、遅延可能時間）のうち、特に遅延可能時間（待機時間）に着目し、調整時間が遅延可能時間よりも短いか否かが判断される。上述したように遅延可能時間（待機時間）は、付加作業を開始するまでに停止要求装置ＰＲｄが待てる最大時間であるため、調整時間が遅延可能時間より長い場合は、製造ライン全体（全ての処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５）を停止しなければならない。なお、ステップＳ６のシミュレーションにおいて、遅延可能時間よりも短い調整時間が得られるという制限条件を設定した上で、処理条件の変更例と搬送速度の変更例を探索してもよい。その場合は、ステップＳ７の段階で、各種条件を変更させながら基板Ｐを処理する調整時間後に、停止要求装置ＰＲｄを停止可能であることが判っている。
遅延可能時間（待機時間）は、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）の各々の付加作業の内容によって変わる場合もある。ステップＳ４で停止要求装置ＰＲｄをすぐに停止できないと判断されるような状況では、各処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）による基板Ｐの処理を続けながら、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２での基板Ｐの既蓄積長や新規蓄積可能長を改善させる調整時間が必要となる。その調整時間は、必要とされる既蓄積長や新規蓄積可能長が得られるまでの基板Ｐの搬送長の程度（改善度合い）によっても大きく変化する。一般に、処理装置ＰＲ３のような露光装置では、光源からのビーム強度が決まっているため、パターン露光時に基板Ｐの感光層に所定露光量を与えるための基板Ｐの搬送速度には上限がある。そのため、処理装置ＰＲ３では、光源の劣化によるビーム強度の低下を考慮して、規定の搬送速度Ｖｐｐを上限速度よりも低めに設定し、その規定の搬送速度Ｖｐｐにおいて適正露光量が得られるように、ビーム強度を調整（減光）したりしている。したがって、処理装置ＰＲ３のような露光装置では、基板Ｐの搬送速度を規定速度Ｖｐｐよりも低く設定することは容易でも、高く設定することは難しい。
一方、処理装置ＰＲ２のような塗布装置や、処理装置ＰＲ４のような湿式処理装置では、基板Ｐの搬送速度の調整範囲を比較的に広く設定できる。処理装置ＰＲ２がダイコータヘッドＤＣＨで塗布作業を行う場合、図３に示したヘッド本体２００Ａの先端のスリット部２００Ｂと基板Ｐとの間のギャップ、ピストン部２０１による塗布液ＬＱｃの押し出し流量といった処理条件（設定条件）を調整することで、基板Ｐの搬送速度が変化しても、塗布液ＬＱｃを適正な膜厚で基板Ｐ上に塗布することが可能である。また処理装置ＰＲ４では、図８中の案内ローラＲ５、Ｒ６のＸ方向（基板Ｐの搬送方向）の間隔（処理条件）を基板Ｐの搬送速度の変化に応じて調整することで、処理液（現像液ＬＱ）の基板Ｐとの接液長（処理条件）を変えられるので、適正な接液時間（現像時間）を保つことができる。このように、処理装置ＰＲ２、ＰＲ４は、基板Ｐの搬送速度の変化に比較的容易に対応できるが、基板Ｐの搬送速度の急激な変化は避けるのが好ましい。基板Ｐの搬送速度を規定速度Ｖｐｐから変化させる場合は、変化率を小さくして徐々に速度を変えつつ、処理条件（設定条件）を徐々に調整していくのがよい。
以上のような状況も踏まえて、ステップＳ６でのシミュレーションが行われ、ステップＳ７において、条件変更を行うことで遅延可能時間（待機時間）の経過前に停止要求装置ＰＲｄの付加作業が開始可能と判断されると、ステップＳ８において、処理（設定）条件や基板Ｐの搬送条件（速度の変化量等）を調整する指示を、対象となる処理装置（調整対象装置）の下位制御装置（１８、２４、８０）に送る。このステップＳ８によって、製造ラインを構成する処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）の少なくとも１つにおける基板Ｐの搬送速度の調整が始まり、第１蓄積装置ＢＦ１または第２蓄積装置ＢＦ２の既蓄積長や新規蓄積可能長の不足分が徐々に改善され、遅延可能時間（待機時間）の経過前に、停止要求装置ＰＲｄは付加作業を開始することができるとともに、その他の処理装置の各々は変更された処理（設定）条件や基板Ｐの搬送条件の下で、処理品質を低下させずに処理を継続することができる。なお、図１０では、ステップＳ８で調整対象となる処理装置に一度調整指示が出されると、ステップＳ２での判定によって、再度、ステップＳ３〜Ｓ７を実行しないフローになっているが、ステップＳ２を省略して、一定の時間インターバルごとに、ステップＳ３〜Ｓ８を実行してもよい。その場合、ステップＳ３で取得される処理位置情報、蓄積情報、および作業情報等は、時間インターバルごとに更新されていくので、一度ステップＳ８が実行された後は、時間インターバルごとのステップＳ４での判定に応答して、ステップＳ５（停止要求装置ＰＲｄに停止指示）が実行されるので、より正確な制御が可能となる。
しかしながら、ステップＳ６でのシミュレーションの結果、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々での処理（設定）条件や基板Ｐの搬送条件（速度）の好適な変更例（調整パターン）が見いだせない場合もある。その場合は、ステップＳ７において調整不可と判断され、先に説明した緊急停止時のシーケンスと同様のステップＳ９が実行される。
以上、図１０の動作フローのステップＳ１〜Ｓ８を実行することによって、付加作業のために処理装置を一時的に短時間だけ停止させても、他の処理装置の稼働を継続させることが可能となり、電子デバイスの生産性の著しい低下を抑制できる。なお、付加作業のために停止した処理装置を復帰させる場合は、いずれの処理装置においても基板Ｐの搬送速度が規定速度Ｖｐｐになるように、変更していた処理（設定）条件を徐々に元に戻せばよい。
次に、ステップＳ６で実行されるシミュレーションの一例を図１１のフローチャートに基づいて説明する。図１１において、ステップＳ２１は、停止要求装置ＰＲｄの上流側に基板Ｐの蓄積装置があるか否かを判定するものである。図１、図４に示したように、本実施の形態では処理装置ＰＲ２の上流側、および処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の下流側には蓄積装置が設けられていない。したがって、停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ２の場合は、ステップＳ２１の判定により、ステップＳ２６に進む。停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ３、または処理装置ＰＲ４の場合は、ステップＳ２１の判定により、ステップＳ２２に進む。以下、説明の重複を避けるため、停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ３である場合を最初に説明する。
停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ３のとき、ステップＳ２２が実行されるということは、処理装置ＰＲ３の上流側の第１蓄積装置ＢＦ１における基板Ｐの新規蓄積可能長と、下流側の第２蓄積装置ＢＦ２における基板Ｐの既蓄積長とのどちらか一方、または双方が不足していることを意味する。処理装置ＰＲ３を停止させる場合は、付加作業の開始時点で第１蓄積装置ＢＦ１によってこれから蓄積可能な新規蓄積可能長が、上流側の処理装置ＰＲ２での基板Ｐの搬送速度（規定速度Ｖｐｐ）と付加作業の作業時間（停止時間ＴＳ３）との積で決まる長さ以上になっている必要がある。新規蓄積可能長が不足している場合は、その不足分を停止要求装置ＰＲｄである処理装置ＰＲ３の遅延可能時間の経過前までに処理装置ＰＲ２（場合によっては処理装置ＰＲ３自体）等の処理条件や基板搬送速度の調整によって解消可能か否かをシミュレートする必要がある。そこで、ステップＳ２２では、上流側の第１蓄積装置ＢＦ１での新規蓄積可能長が不足している場合に、その不足を解消するような上流側の処理装置ＰＲ２と停止要求装置ＰＲｄである処理装置ＰＲ３（当該装置）との各種の条件変更の候補（組合せ）が、新規蓄積可能長の不足を解消するまでの待ち時間（調整時間）Ｔｗ１（秒）を停止要求装置ＰＲｄでの遅延可能時間よりも短くするという条件の下で選定される。なお、先のステップＳ２１では、上流側に蓄積装置があるかどうかを判定したが、上流側の蓄積装置での新規蓄積可能長が不足しているか否かを判定してもよい。
ステップＳ２２において選定される各種条件変更の候補（組合せ）は、処理装置ＰＲ３（停止要求装置ＰＲｄ）が付加作業を開始するまでに待てる遅延可能時間（待機時間）よりも待ち時間Ｔｗ１が短くなるように設定される。ここで、処理装置ＰＲ３（停止要求装置ＰＲｄ）が付加処理を開始するまでの遅延可能時間（待機時間）をＴｄｐ３（秒）、第１蓄積装置ＢＦ１での新規蓄積可能長の不足量をΔＬｓ１とし、処理装置ＰＲ３での基板Ｐの搬送速度を規定速度Ｖｐｐから上げられないとすると、上流側の処理装置ＰＲ２での基板Ｐの搬送速度を規定速度Ｖｐｐから下げる最適な速度変化特性Ｖ２（ｔ）が、
Ｔｄｐ３＞Ｔｗ１ ・・・ 式１
Ｔｗ１・Ｖ２（ｔ）≧ΔＬｓ１ ・・・ 式２
の両方を満たすようにシミュレートされる。その際、規定速度Ｖｐｐから下げられる搬送速度の値や、速度の低下率を幾通りか設定してシミュレーションが行われる。その結果、適正な候補として求められた速度変化特性Ｖ２（ｔ）のもとで、処理装置ＰＲ２のダイコータヘッドＤＣＨの処理条件（スリット部２００Ｂと基板Ｐのギャップ量、ピストン部２０１の押し下げ速度等）が連動して調整可能かが判断される。こうして求められた速度変化特性Ｖ２（ｔ）と処理条件（設定条件）の変更（調整）によって、処理装置ＰＲ２での塗布工程が処理品質を保って継続可能であるか否かが、次のステップＳ２３で判断される。なお、シミュレーションの結果、式１の条件を満たす待ち時間Ｔｗ１の値も再計算される。このステップＳ２２、Ｓ２３によって、処理の品質を保ちながら、処理装置ＰＲ２の処理条件および基板Ｐの搬送速度を変更することで、遅延可能時間Ｔｄｐ３内で、第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積状態を必要蓄積状態にさせることができるか否かを判断している。
Ｔｄｐ３＞Ｔｗ１ ・・・ 式１
Ｔｗ１・Ｖ２（ｔ）≧ΔＬｓ１ ・・・ 式２
の両方を満たすようにシミュレートされる。その際、規定速度Ｖｐｐから下げられる搬送速度の値や、速度の低下率を幾通りか設定してシミュレーションが行われる。その結果、適正な候補として求められた速度変化特性Ｖ２（ｔ）のもとで、処理装置ＰＲ２のダイコータヘッドＤＣＨの処理条件（スリット部２００Ｂと基板Ｐのギャップ量、ピストン部２０１の押し下げ速度等）が連動して調整可能かが判断される。こうして求められた速度変化特性Ｖ２（ｔ）と処理条件（設定条件）の変更（調整）によって、処理装置ＰＲ２での塗布工程が処理品質を保って継続可能であるか否かが、次のステップＳ２３で判断される。なお、シミュレーションの結果、式１の条件を満たす待ち時間Ｔｗ１の値も再計算される。このステップＳ２２、Ｓ２３によって、処理の品質を保ちながら、処理装置ＰＲ２の処理条件および基板Ｐの搬送速度を変更することで、遅延可能時間Ｔｄｐ３内で、第１蓄積装置ＢＦ１の蓄積状態を必要蓄積状態にさせることができるか否かを判断している。
ステップＳ２２のシミュレーションの結果、ダイコータヘッドＤＣＨの処理条件の変更が対応し切れない等の状況によって、適当な速度変化特性Ｖ２（ｔ）が見いだせなかった場合は、ステップＳ２３の判断により、ステップＳ２４に進み、停止要求装置ＰＲｄ（処理装置ＰＲ３）の付加作業のために、遅延可能時間Ｔｄｐ３の経過前に停止要求装置ＰＲｄ（処理装置ＰＲ３）を単独に停止させることが不可能であると判断し、シミュレーションを終了する。ステップＳ２４を経た場合は、先の図１０のステップＳ７において停止不可と判断され、ステップＳ９のライン停止指示が行われる。
一方、ステップＳ２２のシミュレーションの結果、ダイコータヘッドＤＣＨの処理条件の変更による対応が可能で、適当な速度変化特性Ｖ２（ｔ）が見いだせた場合は、ステップＳ２３の判断により、ステップＳ２５に進み、下流側の蓄積装置が有るか否かが判定される。処理装置ＰＲ３の場合、下流側に第２蓄積装置ＢＦ２があり、処理装置ＰＲ３を付加作業のために停止させる場合は、付加作業の開始時点で第２蓄積装置ＢＦ２に蓄積済みの基板Ｐの既蓄積長が、下流側の処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）での基板Ｐの搬送速度（規定速度Ｖｐｐ）と付加作業の作業時間（停止時間ＴＳ３）との積で決まる長さ以上になっている必要がある。しかしながら、図１０のステップＳ６（図１１のシミュレーション）が実行された時点で、第２蓄積装置ＢＦ２での既蓄積長は不足している。その不足分を、停止要求装置ＰＲｄ（処理装置ＰＲ３）が提示している遅延可能時間（待機時間）Ｔｄｐ３の経過前までに処理装置ＰＲ４等の処理条件（設定条件）や基板Ｐの搬送速度の調整によって解消可能か否かが、次のステップＳ２６でシミュレートされる。第２蓄積装置ＢＦ２での既蓄積長の不足を解消するためには、上流側の処理装置ＰＲ３での基板Ｐの搬送速度を上げるか、下流側の処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）での基板Ｐの搬送速度を下げるかの少なくとも一方を行う必要がある。先に説明したように、処理装置ＰＲ３が露光装置である場合は基板Ｐの搬送速度を上げることが難しいため、ここでは、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）での基板Ｐの搬送速度を徐々に低下させることで対応する。
ステップＳ２６においても、ステップＳ２２と同様に、第２蓄積装置ＢＦ２での既蓄積長の不足を解消するような下流側の処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）と処理装置ＰＲ３（当該装置）との各種の条件変更の候補（組合せ）が、既蓄積長の不足を解消するまでの待ち時間（調整時間）Ｔｗ２（秒）を遅延可能時間（待機時間）Ｔｄｐ３よりも短くするという条件の下で選定される。ここで、第２蓄積装置ＢＦ２での既蓄積長の不足量をΔＬｓ２とし、処理装置ＰＲ３での基板Ｐの搬送速度を規定速度Ｖｐｐから上げられないとすると、下流側の処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）での基板Ｐの搬送速度を規定速度Ｖｐｐから下げる最適な速度変化特性Ｖ４（ｔ）（Ｖ５（ｔ））が、
Ｔｄｐ３＞Ｔｗ２ ・・・ 式３
Ｔｗ２・Ｖ４（ｔ）（Ｖ５（ｔ））≧ΔＬｓ２ ・・・ 式４
の両方を満たすようにシミュレートされる。その際、規定速度Ｖｐｐから下げられる搬送速度の値や、速度の低下率を幾通りか設定してシミュレーションが行われる。その結果、適正な候補として求められた速度変化特性Ｖ４（ｔ）（Ｖ５（ｔ））のもとで、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の処理条件（案内ローラＲ５、Ｒ６の間隔調整による接液長の変更）が連動して可能か否かが判断される。こうして求められた速度変化特性Ｖ４（ｔ）（Ｖ５（ｔ））と処理条件（設定条件）の変更（調整）によって、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）での現像工程（湿式処理）が所定の品質を保って継続可能であるか否かが、次のステップＳ２７で判断される。なお、シミュレーションの結果、式３の条件を満たす待ち時間Ｔｗ２の値も再計算される。このステップＳ２６、Ｓ２７によって、処理の品質を保ちながら、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の処理条件および基板Ｐの搬送速度を変更することで、遅延可能時間Ｔｄｐ３内で、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積状態を必要蓄積状態にさせることができるか否かを判断している。
Ｔｄｐ３＞Ｔｗ２ ・・・ 式３
Ｔｗ２・Ｖ４（ｔ）（Ｖ５（ｔ））≧ΔＬｓ２ ・・・ 式４
の両方を満たすようにシミュレートされる。その際、規定速度Ｖｐｐから下げられる搬送速度の値や、速度の低下率を幾通りか設定してシミュレーションが行われる。その結果、適正な候補として求められた速度変化特性Ｖ４（ｔ）（Ｖ５（ｔ））のもとで、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の処理条件（案内ローラＲ５、Ｒ６の間隔調整による接液長の変更）が連動して可能か否かが判断される。こうして求められた速度変化特性Ｖ４（ｔ）（Ｖ５（ｔ））と処理条件（設定条件）の変更（調整）によって、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）での現像工程（湿式処理）が所定の品質を保って継続可能であるか否かが、次のステップＳ２７で判断される。なお、シミュレーションの結果、式３の条件を満たす待ち時間Ｔｗ２の値も再計算される。このステップＳ２６、Ｓ２７によって、処理の品質を保ちながら、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の処理条件および基板Ｐの搬送速度を変更することで、遅延可能時間Ｔｄｐ３内で、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積状態を必要蓄積状態にさせることができるか否かを判断している。
ステップＳ２６のシミュレーションの結果、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の処理条件（接液長）の変更が対応し切れない等の状況によって、適当な速度変化特性Ｖ４（ｔ）（Ｖ５（ｔ））が見いだせなかった場合は、ステップＳ２７の判断により、ステップＳ２４に進み、停止要求装置ＰＲｄ（処理装置ＰＲ３）の付加作業のために、遅延可能時間（待機時間）Ｔｄｐ３の経過前に停止要求装置ＰＲｄ（処理装置ＰＲ３）を単独に停止させることが不可能であると判断し、シミュレーションを終了する。ステップＳ２４を経た場合は、先の図１０のステップＳ７において停止不可と判断され、ステップＳ９のライン停止指示が行われる。また、ステップＳ２６のシミュレーションの結果、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の処理条件（接液長等）の変更による対応が可能で、適当な速度変化特性Ｖ４（ｔ）（Ｖ５（ｔ））が見いだせた場合は、ステップＳ２７の判断により、ステップＳ２８に進み、遅延可能時間Ｔｄｐ３の経過前に停止要求装置ＰＲｄ（処理装置ＰＲ３）を単独に停止可能であると判断してシミュレーションを終了する。なお、先のステップＳ２５において、下流側に蓄積装置が無い場合は、ステップＳ２８に進む。ステップＳ２８を経た場合は、先の図１０のステップＳ７において、遅延可能時間（待機時間）の経過前に停止要求装置ＰＲｄを停止することが可能と判断され、ステップＳ８に進む。
以上の図１１のシミュレーションでは、処理装置ＰＲ３での基板Ｐの搬送速度を規定速度Ｖｐｐから変えない場合で説明したが、処理装置ＰＲ３（露光装置）の構成によっては、処理装置ＰＲ３を通る基板Ｐを規定速度Ｖｐｐよりも早く搬送させることが可能である。例えば、基板Ｐの搬送方向に複数の回転ドラムＤＲ２を並べ、各回転ドラムＤＲ２の位置で基板Ｐ上の長尺方向に分割された複数の領域を、複数の露光ヘッドや投影光学系の各々で個別に露光するような構成、いわゆるタンデム型の露光装置の場合、或いは、露光用の光源を複数搭載して、必要に応じて複数の光源からのビームを合成して照度アップさせる構成とした場合は、基板Ｐの搬送速度を規定速度Ｖｐｐに対して高めることも可能である。その場合は、ステップＳ２２、Ｓ２６でのシミュレーションにおいて、処理装置ＰＲ３での基板Ｐの搬送速度の調整を変更条件として加味すればよい。処理装置ＰＲ３での基板Ｐの搬送速度を高められると、ステップＳ２２、Ｓ２６のシミュレーション結果として求められる待ち時間Ｔｗ１、Ｔｗ２、すなわち、処理装置ＰＲ３の付加作業のための停止に備えた各処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）での調整時間を短縮することができる。
また、以上の説明では、停止要求装置ＰＲｄを処理装置ＰＲ３としたが、他の処理装置ＰＲ２、ＰＲ４（ＰＲ５）であっても、図１１のシミュレーションは同様に適用可能である。停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ２であって、図１０のステップＳ４での判断により、ステップＳ６（図１１）のシミュレーションを行う場合は、上流側に蓄積装置が無く、下流側に第１蓄積装置ＢＦ１が有るので、図１１のステップＳ２１、Ｓ２６、Ｓ２７の後、ステップＳ２４かＳ２８の一方が実行される。また、停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）であって、図１０のステップＳ４での判断により、ステップＳ６（図１１）のシミュレーションを行う場合は、下流側に蓄積装置が無く、上流側に第２蓄積装置ＢＦ２が有るので、図１１のステップＳ２１、Ｓ２２、Ｓ２３の後、ステップＳ２４とステップＳ２８のいずれか一方が実行される。さらに、停止要求装置ＰＲｄが処理装置ＰＲ２、またはＰＲ４（ＰＲ５）の場合、処理装置ＰＲ３での基板Ｐの搬送速度の調整を条件変更に加えることができる。その場合に、処理装置ＰＲ３での基板Ｐの搬送速度を規定速度Ｖｐｐから低下させる場合は、図６に示したポリゴンミラー６６の回転速度と、描画データ（パターンの画素データ）に応じて描画用光学素子（光変調素子）５２をＯｎ／Ｏｆｆするクロックパルスの周波数とを、同じ比率で低下させるようにすればよい。
また、本第１の実施の形態では、停止要求装置ＰＲｄの付加作業の際の停止時間が予め指定されており、その停止時間の間に規定速度Ｖｐｐで搬送され得る基板Ｐの搬送長に対して、各蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２での既蓄積長や新規蓄積可能長が長くなるように設定可能なので、基板Ｐの搬送速度を規定速度Ｖｐｐから変更していた処理装置は、停止要求装置ＰＲｄが付加作業を開始した直後から、基板Ｐの搬送速度を規定速度Ｖｐｐに戻すように制御することができる。
なお、第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積状態（既蓄積長、新規蓄積可能長）は、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２に搬入する基板Ｐの速度と、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２から搬出される基板Ｐの速度との差から求めるようにしてもよい。また、各ダンサーローラ２０、２２のＺ方向における位置を検出する位置センサを設け、各ダンサーローラ２０、２２のＺ方向における位置から蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２の蓄積長を求めるようにしてもよい。
また、図１０、図１１においては、処理装置ＰＲ１について説明しなかったが、処理装置ＰＲ１と処理装置ＰＲ２との間には蓄積装置がないので、処理装置ＰＲ１と処理装置ＰＲ２との基板Ｐの搬送速度を略同一にする必要がある。したがって、処理装置ＰＲ２を停止時間ＴＳ２の間一時停止させる場合は、処理装置ＰＲ１も停止時間ＴＳ２の間停止させる。つまり、処理装置ＰＲ１は、処理装置ＰＲ２における基板Ｐの搬送および処理と連動して、基板Ｐを搬送して処理を行う。
［第１の実施の形態の変形例］
上記第１の実施の形態は、以下のように変形してもよい。
上記第１の実施の形態は、以下のように変形してもよい。
（変形例１）ところで、処理装置ＰＲ３のようなパターニング装置（露光装置、インクジェット描画機）では、図５、図９で説明したように、アライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３の撮像素子等によって、基板Ｐの長尺方向の移動によって、各検出領域Ｖｗ１〜Ｖｗ３内を横切るアライメントマーク（マーク）Ｋｓ１〜Ｋｓ３の像を、エンコーダシステム（読取ヘッドＥＣ１ａ、ＥＣ１ｂ）による計測結果から捕捉して、高速に画像検出する必要がある。しかしながら、例えば、デバイス形成領域Ｗの露光（描画）開始位置を定める最初のアライメントマークＫｓ１〜Ｋｓ３に何らかの損傷が有ったり、消失したりしたミスアライメントの発生により、そのデバイス形成領域Ｗに対する露光が不良になる可能性がある。また、デバイス形成領域Ｗの全体の変形を精密に計測するために、回転ドラムＤＲ２を露光時の速度（規定速度Ｖｐｐ）よりも遅く回転させて、各アライメントマークＫｓ１〜Ｋｓ３の画像検出の精度（再現性等）を高める場合もある。
そのような場合、処理装置ＰＲ３は、１つのデバイス形成領域Ｗに対する露光動作を中断して飛ばすか、または、一定の距離だけ基板Ｐを逆方向に戻してから、再度順方向に搬送するリトライ動作を行うこともある。そのようなリトライ動作では、基板Ｐの逆転移動等の期間中に処理装置ＰＲ３による実質的な露光動作は停止していることになるので、リトライ動作も付加作業の１つに含ませることができる。そのリトライ動作の場合、図１０、図１１の動作フローでは規定速度Ｖｐｐの下で求められた各蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２での既蓄積長や新規蓄積可能長の不足分に対して、基板Ｐの一定距離に渡る逆送による長さ分を加味することになる。
（変形例２）以上の第１の実施の形態では、各処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）を通る基板Ｐの搬送速度は、規定速度Ｖｐｐに揃えることを前提としたが、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４（ＰＲ５）毎に、基板Ｐの搬送速度の規定値を少し異ならせてもよい。その場合、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２は、前後の処理装置での基板Ｐの搬送速度の差分によって生じる基板Ｐの余剰や不足を常時吸収するように動作するので、ステップＳ３で取得される情報に基づいて求められる各蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２での既蓄積長や新規蓄積可能長も、差分吸収のための基板蓄積や基板放出の分だけ、早く変化することになる。図１１のシミュレーションでは、そのような早い変化にも対応するように、図１０のプログラムの実行インターバルを短く設定すればよい。
以上の第１の実施の形態と変形例によれば、複数の処理装置の各々にシート状の基板を順次搬送して電子デバイス（電子回路）を製造するデバイス製造システムにおいて、複数の処理装置のうちの第１の処理装置において基板の搬送を一時的に停止させる付加作業の際は、予想される停止時間、または停止に至るまでの遅延可能時間（待機時間）Ｔｄｐと、隣接する第２の処理装置との間に設けられた蓄積装置での基板の蓄積状況（既蓄積長や新規蓄積可能長）とに基づいて、第２の処理装置の処理動作を継続させつつ、第１の処理装置を一時的に停止可能とする条件を設定することができるので、第１の処理装置の一時的な停止に引きずられて、他の処理装置（第２の処理装置）が停止するような可能性が低減され、製造ライン全体を止めるリスクが減少するとともに、付加作業による処理装置の性能維持等も可能となり、製造される電子デバイスの品質を高品位に保つことができる。
［第２の実施の形態］
以上の第１の実施の形態では、各処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４が付加作業のために一時的に停止させる場合であっても、製造ラインの全体を極力止めないようにしたものであるが、各処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４が、経時変化等によって、設定された条件に対して徐々に処理誤差を増していくこと、すなわち各処理装置での処理品質が徐々に低下することもある。複数の異なる処理装置に基板Ｐを通して連続処理する場合、どこか１つの処理装置での処理誤差が増加していくと、その誤差が最後まで累積して、製造されるデバイスの品質が劣化して、製造ライン全体の停止に至る可能性がある。第２の実施の形態では、複数の処理装置の各々が、製造されるデバイスの最終的な品質を維持するように、処理条件や基板Ｐの搬送条件を動的に調整して、製造ライン全体が極力止まらないように制御するものである。
以上の第１の実施の形態では、各処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４が付加作業のために一時的に停止させる場合であっても、製造ラインの全体を極力止めないようにしたものであるが、各処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４が、経時変化等によって、設定された条件に対して徐々に処理誤差を増していくこと、すなわち各処理装置での処理品質が徐々に低下することもある。複数の異なる処理装置に基板Ｐを通して連続処理する場合、どこか１つの処理装置での処理誤差が増加していくと、その誤差が最後まで累積して、製造されるデバイスの品質が劣化して、製造ライン全体の停止に至る可能性がある。第２の実施の形態では、複数の処理装置の各々が、製造されるデバイスの最終的な品質を維持するように、処理条件や基板Ｐの搬送条件を動的に調整して、製造ライン全体が極力止まらないように制御するものである。
上記第２の実施の形態においても、上記第１の実施の形態で説明したデバイス製造システム１０および基板Ｐ（図１〜図９）を用いるものとする。上述したように、デバイス製造システム１０によって、基板Ｐに所望する金属層のパターンを出現させるために、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５は、設定条件にしたがって基板Ｐに対して各処理を行う。例えば、処理装置ＰＲ１の設定条件として、プラズマを射出するための電圧およびプラズマを照射する照射時間等を規定する処理条件と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。処理装置ＰＲ１は、該設定条件にしたがって基板Ｐを搬送しつつ基板Ｐに対してプラズマ表面処理を行う。処理装置ＰＲ２の設定条件（第１の設定条件）として、感光性機能層を形成する領域を規定する領域条件および感光性機能層の膜厚を規定する膜厚条件等を含む処理条件（第１処理条件）と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。処理装置ＰＲ２は、該設定条件にしたがって基板Ｐを搬送しつつ感光性機能層の成膜処理を行う。
処理装置ＰＲ３の設定条件（第２の設定条件）として、レーザ光ＬＢの強度を規定する強度条件、スポット光ＳＰの走査速度（ポリゴンミラー６６の回転速度）を規定する走査速度条件、多重露光回数を規定する露光回数条件、および、描画するパターンを規定するパターン条件（パターンデータ）等を含む処理条件（第２処理条件）と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。処理装置ＰＲ３は、該設定条件にしたがって基板Ｐを搬送しつつ基板Ｐに対して露光処理を行う。処理装置ＰＲ４の設定条件（第３の設定条件）として、現像液ＬＱの温度を規定する温度条件、現像液ＬＱの濃度を規定する濃度条件、および、浸漬時間を規定する浸漬時間条件等を含む処理条件（第３処理条件）と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。処理装置ＰＲ４は、該設定条件にしたがって基板Ｐを搬送しつつ現像処理を行う。処理装置ＰＲ５の設定条件として、エッチング液の温度を規定する温度条件、濃度を規定する濃度条件、および、浸漬時間を規定する浸漬時間条件等を含む処理条件と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されており、処理装置ＰＲ５は、該設定条件にしたがって基板Ｐを搬送しつつエッチング処理を行う。なお、処理装置ＰＲ４がメッキ処理を行う場合は、処理装置ＰＲ４の設定条件（第３の設定条件）として、メッキ液の温度を規定する温度条件、メッキ液の濃度を規定する濃度条件、および、浸漬時間を規定する浸漬時間条件等を含む処理条件（第３処理条件）と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。したがって、処理装置ＰＲ４は、該設定条件にしたがって基板Ｐを搬送しつつ、メッキ処理を行うことになる。
この各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の設定条件は、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５によって施される実処理（実際の処理）の状態が、目標の処理状態となるように予め設定されている。各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の設定条件は、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５に設けられた図示しない記憶媒体に記憶されていてもよく、上位制御装置１４の図示しない記憶媒体に記憶されていてもよい。また、デバイス製造システム１０内では、基板Ｐは一定の速度で搬送されるので、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５で設定されている設定条件の搬送速度条件は、基本的には同一の速度（例えば、５ｍｍ／秒〜５０ｍｍ／秒の範囲の一定速度）となっている。
各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５は、設定条件にしたがって基板Ｐに対して処理を行っているが、実処理（実際の処理）の状態が、目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを生じる場合がある。例えば、経年劣化等によって光源装置３２のレーザ光源が発光するレーザ光ＬＢの強度が低下したり、現像液ＬＱ、エッチング液の温度・濃度が低下したりする場合があるため、実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを生じる場合がある。例えば、レーザ光ＬＢの強度が低下した場合は露光量が低下するので、フォトレジストの場合は、スポット光ＳＰを照射した領域の一部分、つまり、スポット光ＳＰを照射した領域の外周部分の感光性機能層（フォトレジスト層）が深部まで改質されない。そのため、現像処理によって感光性機能層に形成されるパターンの線幅が所望するパターンの線幅（目標線幅）に対して太くなってしまう。つまり、光が照射されて改質された部分が現像によって溶解し、残ったレジスト層の部分（非改質部）の領域がディスプレイパネル用の回路または配線等の金属層（導電性）のパターンとしてエッチング後に残留するので、露光量が低下するとパターンの線幅が太くなってしまう。その結果、基板Ｐに出現する金属層のパターンが所望のパターンとは異なってしまう。
現像液ＬＱの温度・濃度が低下した場合若しくは現像液ＬＱの浸漬時間が短くなった場合は、現像液ＬＱによる感光性機能層の改質部の除去を十分に行うことができない。そのため、処理装置ＰＲ４が感光性機能層に形成された潜像に応じて、感光性機能層に形成するパターンの線幅が目標線幅からずれてくる。その結果、基板Ｐに出現する金属層のパターンは所望のパターンとならない。
エッチング液の温度・濃度が低下した場合若しくはエッチング液の浸漬時間が短くなった場合は、パターンが形成された感光性機能層をマスクとして感光性機能層の下層に形成された金属性薄膜（導電性の薄膜）のエッチングを十分に行うことができない。そのため、処理装置ＰＲ５がエッチングにより形成する金属層のパターンの線幅が目標線幅からずれてくる。つまり、エッチングにより金属性薄膜が除去されなかった部分がディスプレイパネル用の回路または配線等のパターンとなるので、パターンが形成された感光性機能層をマスクとしてエッチングが十分に行われない場合は、パターンの線幅が太くなる。その結果、基板Ｐに出現する金属層のパターンは所望のパターンとはならない。
また、感光性機能層（フォトレジスト）の膜厚が厚くなると、スポット光ＳＰが照射された領域の感光性機能層の深部が改質され難くなるので、現像液ＬＱによる改質部の除去により、感光性機能層に形成されるパターンの線幅が目標値からずれてくる。その結果、基板Ｐに出現する金属層のパターンは所望のパターンとならない。
このように、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５が設定条件にしたがって基板Ｐに対して施した実処理の状態のいずれか１つが目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを有している場合には、基板Ｐに所望の金属層のパターンを出現させることはできず、パターンの形状または寸法が変動してしまう。そこで、本第２の実施の形態では、上位制御装置１４は、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の各々において基板Ｐに施される実処理の状態の少なくとも１つが、目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを呈する場合は、処理誤差Ｅを発生する処理装置ＰＲ以外の他の処理装置ＰＲの設定条件を処理誤差Ｅに応じて変化させる。この処理誤差Ｅは、基板Ｐに形成されるパターンの形状または寸法が目標のパターンの形状または寸法に対してどの程度変化しているかを示すものである。
処理誤差Ｅを呈する設定条件が、処理装置ＰＲ３の設定条件の場合は、まず、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、処理装置ＰＲ３の設定条件を変更する。そして、処理装置ＰＲ３の設定条件を変更しただけでは対応することができない場合は、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、他の処理装置ＰＲ（ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ５）の設定条件をさらに変更する。このとき、他の処理装置ＰＲの設定条件の変更完了後に、処理装置ＰＲ３の設定条件を元に戻してもよい。また、処理誤差Ｅを呈する設定条件が処理装置ＰＲ３以外の処理装置ＰＲの場合は、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、優先的に処理装置ＰＲ３の設定条件を変更させる。
図１に示した上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５毎に処理の目標値となるような設定条件（レシピ）を設定したり、それらの設定条件を修正したり、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の処理状況をモニターしたりするための操作装置を備えている。その操作装置は、データ、パラメータ、コマンド等を入力するキーボード、マウス、タッチパネル等の入力装置と、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５毎の設定条件、処理状態、処理誤差Ｅの発生状況、その処理誤差Ｅの補正のために設定条件の変更が可能な処理装置ＰＲの候補、その補正の規模（補正量、補正時間等）等を表す情報、および基板Ｐの搬送速度の調整に関する情報を表示するモニター装置（ディスプレイ）とで構成される。
〔第２の実施の形態の動作〕
以下、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５が設定条件にしたがって基板Ｐに対して施した実処理の状態のいずれか１つが目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを有した場合のデバイス製造システム１０の動作について詳しく説明する。図１２は、許容範囲を超えて処理誤差Ｅが発生している処理装置ＰＲを判定するためのデバイス製造システム１０の動作を示すフローチャートである。まず、上位制御装置１４は、感光性機能層の膜厚が許容範囲内であるか否かを判断する（ステップＳ３１）。つまり、実際に形成された感光性機能層の膜厚が、目標の処理状態となるように設定した膜厚条件（以下、目標の膜厚条件）に対して許容範囲内にあるか否かを判断する。この判断は、膜厚計測装置１６ａが計測した膜厚に基づいて行う。すなわち、ステップＳ３１では、処理装置ＰＲ２の設定条件に起因して基板Ｐに形成されるパターンの品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）が目標に対して許容範囲を超えて変化（低下）しているか否かを検知している。ステップＳ３１で、膜厚計測装置１６ａが計測した膜厚が目標の膜厚に対して許容範囲内にないと判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ２に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ（Ｅ２）が発生していると判定する（ステップＳ３２）。つまり、処理装置ＰＲ２が施した実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅ２を有していると判定する。
以下、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５が設定条件にしたがって基板Ｐに対して施した実処理の状態のいずれか１つが目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを有した場合のデバイス製造システム１０の動作について詳しく説明する。図１２は、許容範囲を超えて処理誤差Ｅが発生している処理装置ＰＲを判定するためのデバイス製造システム１０の動作を示すフローチャートである。まず、上位制御装置１４は、感光性機能層の膜厚が許容範囲内であるか否かを判断する（ステップＳ３１）。つまり、実際に形成された感光性機能層の膜厚が、目標の処理状態となるように設定した膜厚条件（以下、目標の膜厚条件）に対して許容範囲内にあるか否かを判断する。この判断は、膜厚計測装置１６ａが計測した膜厚に基づいて行う。すなわち、ステップＳ３１では、処理装置ＰＲ２の設定条件に起因して基板Ｐに形成されるパターンの品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）が目標に対して許容範囲を超えて変化（低下）しているか否かを検知している。ステップＳ３１で、膜厚計測装置１６ａが計測した膜厚が目標の膜厚に対して許容範囲内にないと判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ２に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ（Ｅ２）が発生していると判定する（ステップＳ３２）。つまり、処理装置ＰＲ２が施した実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅ２を有していると判定する。
一方、ステップＳ３１で、膜厚計測装置１６ａが計測した膜厚が許容範囲内にあると判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ３によって基板Ｐ上に照射されたレーザ光ＬＢの露光量が目標の露光量に対して許容範囲内にあるか否かを判断する（ステップＳ３３）。この判断は、強度センサ３７が検出したレーザ光ＬＢの強度が目標の処理状態となるように設定した強度条件（以下、目標の強度条件）に対して許容範囲内にあるか否かを判断することで行う。つまり、レーザ光ＬＢの強度に応じて感光性機能層に形成されるパターンの線幅も変わってくるので、露光量を示すレーザ光ＬＢの強度に基づいて、露光量が許容範囲内にあるか否かを判断する。なお、ステップＳ３３では、露光量を示す他の情報、例えば、スポット光ＳＰの走査速度等が目標の処理状態となるように設定した走査速度条件（以下、目標の走査速度条件）に対して許容範囲内にあるか否かを判断してもよい。また、複数の情報（レーザ光ＬＢの強度およびスポット光ＳＰの走査速度等）に基づいて露光量が許容範囲内にあるか否かを判断してもよい。すなわち、ステップＳ３３では、処理装置ＰＲ３の設定条件に起因して基板Ｐに形成されるパターンの品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）が目標に対して許容範囲を超えて変化（低下）しているか否かを検知している。ステップＳ３３で、露光量が目標の露光量（目標の処理状態となるように設定された処理条件）に対して許容範囲内にないと判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ３に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ（Ｅ３）が発生していると判定する（ステップＳ３４）。つまり、処理装置ＰＲ３が施した実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅ３を有していると判定する。
一方、ステップＳ３３で、露光量が許容範囲内にあると判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ４が現像処理を行うことによって感光性機能層に形成されたパターンの線幅が許容範囲内にあるか否かを判断する（ステップＳ３５）。上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ４内に設けられた撮像装置８３が撮像した画像データに基づいて感光性機能層に形成されたパターンの線幅を計測する。原則として感光性機能層に形成されるパターンの線幅が目標線幅となるように処理装置ＰＲ４の設定条件が定められているが、例えば、現像液ＬＱの温度、濃度、または、浸漬時間が目標の処理状態となるように設定した温度条件（以下、目標の温度条件）、濃度条件（以下、目標の濃度条件）、または、浸漬時間条件（以下、目標の浸漬時間条件）より低く若しくは短くなった場合は、形成されるパターンの線幅が目標線幅よりずれてしまう。すなわち、ステップＳ３５では、処理装置ＰＲ４の設定条件に起因して基板Ｐに形成されるパターンの品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）が目標に対して許容範囲を超えて変化（低下）しているか否かを検知している。ステップＳ３５で、感光性機能層に形成したパターンの線幅が目標線幅に対して許容範囲内にないと判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ４に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ（Ｅ４）が発生していると判定する（ステップＳ３６）。つまり、処理装置ＰＲ４が施した実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅ４を有していると判定する。
一方、ステップＳ３５で、感光性機能層に形成されたパターンの線幅が許容範囲内にあると判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ５がエッチングすることによって基板Ｐ上に出現した金属層のパターンの線幅が許容範囲内にあるか否かを判断する（ステップＳ３７）。上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ５内に設けられた撮像装置８３が撮像した画像データに基づいて金属層のパターンの線幅を計測する。原則として金属層のパターンの線幅が目標線幅となるように処理装置ＰＲ５の設定条件が定められているが、例えば、エッチング液の温度、濃度、または、浸漬時間が、目標の処理状態となるように設定した温度条件（以下、目標の温度条件）、濃度条件（以下、目標の濃度条件）、または、浸漬時間条件（以下、目標の浸漬時間条件）より低く若しくは短くなった場合は、形成される金属層のパターンの線幅は目標線幅よりずれてしまう。すなわち、ステップＳ３７では、処理装置ＰＲ５の設定条件に起因して基板Ｐに形成されるパターンの品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）が目標に対して許容範囲を超えて変化（低下）しているか否かを検知している。ステップＳ３７で、金属層のパターンの線幅が目標線幅に対して許容範囲内にないと判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ５に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ（Ｅ５）が発生していると判定する（ステップＳ３８）。つまり、処理装置ＰＲ５が施した実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅ５を有していると判定する。一方、ステップＳ３７で、金属層のパターンの線幅が許容範囲内にあると判断すると、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ５に処理誤差Ｅが発生していないと判定する（ステップＳ３９）。
図１２のステップＳ３４で、処理装置ＰＲ３に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ３が発生していると判定された場合のデバイス製造システム１０の動作を説明する。図１３は、処理装置ＰＲ３に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ３が発生している場合のデバイス製造システム１０の動作を示すフローチャートである。上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ３に処理誤差Ｅ３が発生している場合は、処理装置ＰＲ３の設定条件のうち、処理条件を変更することで該処理誤差Ｅ３をカバーすることができるか否かを判断する（ステップＳ４１）。つまり、処理条件を変更することで処理誤差Ｅ３を無くすことができるか若しくは処理誤差Ｅ３を許容範囲に収めることができるか否かを判断する。例えば、露光量が目標の露光量に対して許容範囲を超えて少ない場合には、露光量を目標の露光量まで多くする必要があり、処理条件を変えることで目標の露光量にすることができるか否かを判断する。この露光量は、レーザ光ＬＢの強度およびスポット光ＳＰの走査速度等によって決まるので、ステップＳ４１では、強度条件および走査速度条件等を変更することで、実際の露光量を目標の露光量まで上げることができるか否かを判断する。
ステップＳ４１で、処理条件を変更することでカバーすることができると判断すると、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅ３に応じて処理装置ＰＲ３の設定条件の処理条件（強度条件や走査速度条件、パターン条件等）を変更する（ステップＳ４２）。一方、ステップＳ４１で、処理条件を変更するだけではカバーできないと判断すると、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅ３に応じて処理装置ＰＲ３の処理条件と搬送速度条件とを変更する（ステップＳ４３）。例えば、実際の露光量が目標の露光量に対して許容範囲を超えて少ない場合は、処理条件を変更するとともに、基板Ｐの搬送速度が遅くなるように搬送速度条件を変更する。搬送速度条件を遅くすることで、露光量を増やすことができる。なお、処理誤差Ｅ３のうち、処理条件を変えることによってカバーできる処理誤差をＥ３ａとし、搬送速度条件を変えることによってカバーできる処理誤差をＥ３ｂとする。したがって、Ｅ３＝Ｅ３ａ＋Ｅ３ｂ、となる。処理条件のみを変えることによって処理誤差Ｅ３をカバーできる場合は、Ｅ３ａ＝Ｅ３となり、Ｅ３ｂ＝０となる。また、処理条件を変更することができない場合、例えば、現在設定されている強度条件が最大の強度となっている場合等は、処理誤差Ｅ３に応じて搬送速度条件のみを変えて対応することになる。この場合は、Ｅ３ａ＝０となり、Ｅ３ｂ＝Ｅ３となる。
ここで、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５は、基板Ｐを一定の速度で搬送しているが、処理装置ＰＲ３は、第１蓄積装置ＢＦ１と第２蓄積装置ＢＦ２との間に設けられているので、処理装置ＰＲ３内での基板Ｐの搬送速度を独立して変更することができる。つまり、処理装置ＰＲ３の搬送速度と処理装置ＰＲ３以外の処理装置ＰＲとの搬送速度の差を、第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２とで吸収することができる。処理装置ＰＲ３内の基板Ｐの搬送速度を一定の速度より遅く搬送させると、第１蓄積装置ＢＦ１の基板Ｐの蓄積量は徐々に増加し、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積量は徐々に低下する。逆に、処理装置ＰＲ３内の基板Ｐの搬送速度を一定の速度より速く搬送させると、第１蓄積装置ＢＦ１の基板Ｐの蓄積量は徐々に低下し、第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積量は徐々に増加する。第１蓄積装置ＢＦ１または第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積長が所定の蓄積長以下となると、第１蓄積装置ＢＦ１または第２蓄積装置ＢＦ２に基板Ｐが余分に蓄積されなくなるため、処理装置ＰＲ３内での基板Ｐの搬送速度を独立して変更することができなくなる。また、第１蓄積装置ＢＦ１または第２蓄積装置ＢＦ２は、所定長以上の長さの基板Ｐを蓄積することができない。そのため、一時的に処理装置ＰＲ３内での基板Ｐの搬送速度を変えることはできても、一定の時間以上、基板Ｐの搬送速度を変えることはできない。
そのため、第１蓄積装置ＢＦ１および前記第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積長を所定の範囲内に収めるために、処理装置ＰＲ３での基板Ｐの搬送速度を元に戻す必要がある。そのため、ステップＳ４３で、処理装置ＰＲ３の処理条件と搬送速度条件とを変更すると、上位制御装置１４は、いずれか１つの他の処理装置ＰＲの処理条件を変更することで、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂをカバー（補完）することができる否かを判断する（ステップＳ４４）。つまり、処理装置ＰＲ３の搬送速度を元に戻すと、露光量が減るので、それによって生じる不具合いを他の処理装置ＰＲで補うことで、パターンの線幅を目標線幅にすることができるか否かを判断する。
ステップＳ４４で、いずれか１つの他の処理装置ＰＲの処理条件を処理誤差Ｅ３ｂに応じて変更することでカバーできると判断すると、カバーできると判断された当該他の処理装置ＰＲの処理条件を、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂに応じて変更して（ステップＳ４５）、ステップＳ４７に進む。例えば、処理条件を変更することでカバーできると判断された他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ２の場合は、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂ（例えば、露光量不足）に応じて処理装置ＰＲ２の処理条件（膜厚条件等）を変更する。処理誤差Ｅ３が露光量不足の場合には、膜厚が薄くなるほど露光量が少なくても感光性機能層の深部まで改質されるので、膜厚条件の厚さを薄くすることで、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂ（露光量不足）をカバーすることができる。その結果、現像処理によって感光性機能層に形成されるパターンの線幅および出現する金属層のパターンの線幅を目標線幅にすることができる。
処理条件を変更することでカバーできると判断された他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ４の場合は、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂに応じて処理装置ＰＲ４の処理条件（温度条件、濃度条件、浸漬時間条件）を変更する。例えば、現像液ＬＱの温度・濃度が高いほど、また、基板Ｐが現像液ＬＱに浸漬する浸漬時間が長いほど、感光性機能層が溶解し除去される領域が広がるので、感光性機能層を深部まで除去することができる。したがって、処理誤差Ｅ３が露光量不足の場合には、温度条件、濃度条件、および、浸漬時間条件の少なくとも１つを高く若しくは長くすることで、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂ（露光量不足）をカバーすることができ、パターンの線幅を目標線幅にすることができる。処理装置ＰＲ４の下位制御装置８０は、温度条件にしたがって、処理装置ＰＲ４のヒータＨ１、Ｈ２を制御し、浸漬時間条件にしたがって、処理装置ＰＲ４の可動部材８４を移動させる。また、処理装置ＰＲ４の処理槽ＢＴには、処理槽ＢＴにある現像液ＬＱを回収するとともに、処理槽ＢＴに新たな現像液ＬＱを供給する循環系が設けられ、処理装置ＰＲ４の下位制御装置８０は、該処理槽ＢＴに供給する現像液ＬＱの濃度を濃度条件によって変更させる。
処理条件を変更することでカバーできると判断された他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ５の場合は、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂに応じて処理装置ＰＲ５の処理条件（温度条件、濃度条件、浸漬時間条件）を変更する。例えば、パターンが形成された感光性機能層をマスクとして感光性機能層の下層に形成された金属性薄膜がエッチングされるが、エッチング液の温度・濃度が高いほど、また、基板Ｐがエッチング液に浸漬する浸漬時間が長いほど、エッチングされる部分が広がる。したがって、処理誤差Ｅ３が露光量不足の場合には、エッチング液の温度条件、濃度条件、および、浸漬時間条件の少なくとも１つを高く若しくは長くすることで、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂ（露光量不足）をカバーすることができ、パターンの線幅を目標線幅にすることができる。処理装置ＰＲ５の下位制御装置８０は、温度条件にしたがって、処理装置ＰＲ５のヒータＨ１、Ｈ２を制御し、浸漬時間条件にしたがって、処理装置ＰＲ５の可動部材８４を移動させる。また、処理装置ＰＲ５の処理槽ＢＴには、処理槽ＢＴにあるエッチング液を回収するとともに、処理槽ＢＴに新たなエッチング液を供給する循環系が設けられ、処理装置ＰＲ５の下位制御装置８０は、該処理槽ＢＴに供給するエッチング液の濃度を濃度条件によって変更させる。
ここで、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を変更せずに、初めから処理装置ＰＲ３以外の他の処理装置ＰＲの処理条件を変更することで処理装置ＰＲ３に発生した処理誤差Ｅ３ｂをカバーすることも考えられる。しかしながら、処理装置ＰＲ３（露光装置ＥＸ等のパターニング装置）においては、処理条件が変わるとそれに応じて実処理の処理状態を瞬時に変えることが可能であるが、処理装置ＰＲ３以外の他の処理装置ＰＲ（主に湿式処理装置）においては、処理条件を変更しても実際に実処理の状態が変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態となるまでにはある程度の時間がかかり、処理装置ＰＲ３で発生した処理誤差Ｅ３ｂを迅速にカバーすることができない。例えば、処理装置ＰＲ２の処理条件（膜厚条件等）を変えても、基板Ｐに成膜される感光性機能層の膜厚は時間の経過とともに徐々に変わる。また、処理装置ＰＲ４、ＰＲ５の処理条件（温度条件、濃度条件、浸漬時間条件）を変えても、現像液ＬＱおよびエッチング液の温度・濃度、浸漬時間が時間の経過とともに徐々に変わる。そのため、他の処理装置ＰＲの実処理の状態が変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態となるまでは、処理装置ＰＲ３の基板Ｐの搬送速度を徐々に変えることで処理誤差Ｅ３ｂに対処している。他の処理装置ＰＲの処理条件の変更後は、当該他の処理装置ＰＲによる実処理の処理状態が変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態に徐々に近づいていくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３内での基板Ｐの搬送速度条件を徐々に戻す。上位制御装置１４は、膜厚計測装置１６ａ、温度センサＴｓ、濃度センサＣｓ、位置センサ８７等の検出結果に基づいて処理装置ＰＲ３内での基板Ｐの搬送速度条件を変更前の搬送速度条件に徐々に近づける。
なお、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂをカバーすることができる処理装置ＰＲが複数ある場合は、処理装置ＰＲ３に近い処理装置ＰＲの処理条件を変更させてもよい。例えば、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂをカバーすることができる処理装置ＰＲが、処理装置ＰＲ２と処理装置ＰＲ５の場合には、処理装置ＰＲ３に近い処理装置ＰＲ２の処理条件を変更してもよい。また、ステップＳ４４では、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂを、他の処理装置ＰＲでカバーできるか否かを判断したが、処理装置ＰＲ３に発生した処理誤差Ｅ３、つまり、処理装置ＰＲ３の処理条件と搬送速度条件とを元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３を、他の処理装置ＰＲでカバーできるか否かを判断してもよい。このときは、ステップＳ４５では、カバーできると判断された他の処理装置ＰＲの処理条件を変更することで、処理装置ＰＲ３に発生した処理誤差Ｅ３をカバーする。この場合は、他の処理装置ＰＲの処理条件の変更後は、当該他の処理装置ＰＲによる実処理の処理状態が変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態に徐々に近づいていくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３の搬送速度条件に加えて処理条件も徐々に戻すことになる。
一方、ステップＳ４４で、いずれか１つの他の処理装置ＰＲの処理条件を変更するだけでは、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂ（例えば、露光量不足）をカバーすることができないと判断すると、上位制御装置１４は、複数の他の処理装置ＰＲの処理条件を、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻した場合に発生する処理誤差Ｅ３ｂに応じて変更して（ステップＳ４６）、ステップＳ４７に進む。この場合は、複数の他の処理装置ＰＲの実処理の処理状態は、時間の経過とともに変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態に近づいていくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３内での基板Ｐの搬送速度条件を徐々に元に戻す。
なお、複数の他の処理装置ＰＲの処理条件を、処理装置ＰＲ３に発生した処理誤差Ｅ３に応じて変更してもよい。この場合は、複数の他の処理装置ＰＲの処理条件の変更後は、実処理の処理状態が変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態に徐々に近づいていくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３の搬送速度条件に加えて処理条件も徐々に戻すことになる。
ステップＳ４７に進むと、上位制御装置１４は、処理条件の変更が完了したか否かを判断する。つまり、ステップＳ４５またはＳ４６で処理条件が変更された処理装置ＰＲによる実処理の状態が、変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態になったか否かを判断する。この判断は、膜厚計測装置１６ａ、温度センサＴｓ、濃度センサＣｓ、位置センサ８７等の検出結果に基づいて行う。ステップＳ４７で、処理条件の変更が完了していないと判断すると、ステップＳ４７に留まり、処理条件の変更が完了したと判断すると、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件を元に戻す（ステップＳ４８）。なお、処理装置ＰＲ３に発生した処理誤差Ｅ３を他の処理装置ＰＲでカバーした場合は、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件に加えて処理条件も元に戻す。
なお、ステップＳ４６で、複数の他の処理装置ＰＲの処理条件を変更しても、処理装置ＰＲ３の処理誤差Ｅ３ｂをカバーすることができない場合は、複数の他の処理装置ＰＲの搬送速度条件を変更することができるか否かを判断し、変更できる場合は、全ての処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の搬送速度条件が同一となるように、変更してもよい。例えば、処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ５の搬送速度条件をステップＳ４３で変更した処理装置ＰＲ３の搬送速度条件と同一となるように変更してもよい。
次に、図１２のステップＳ３２、Ｓ３６、または、Ｓ３８で、処理装置ＰＲ３以外の処理装置ＰＲ（ＰＲ２、ＰＲ４、または、ＰＲ５）に許容範囲を超えて処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）が発生していると判定された場合のデバイス製造システム１０の動作を説明する。図１４は、処理装置ＰＲ３以外の処理装置ＰＲに許容範囲を超えて処理誤差Ｅが発生している場合のデバイス製造システム１０の動作を示すフローチャートである。上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ３以外の処理装置ＰＲに処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）が発生している場合は、処理装置ＰＲ３の処理条件を変更することでこの処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）をカバーすることできるか否かを判断する（ステップＳ５１）。例えば、処理誤差Ｅが発生した他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ２の場合であって、実際に形成されている感光性機能層の膜厚が目標の膜厚条件より厚い場合は、処理装置ＰＲ４で感光性機能層に形成されるパターンの線幅は太くなるので、処理装置ＰＲ３の処理条件を変更することで、露光量を増やして感光性機能層に形成されるパターンの線幅を目標線幅にできるか否かを判断する。また、処理誤差Ｅが発生した他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ４、ＰＲ５の場合であって、実際の現像液ＬＱ、エッチング液の温度、濃度、または、浸漬時間が、目標の温度条件、濃度条件、または、浸漬時間条件より低い若しくは短い場合は、感光性機能層に形成されるパターン、金属層のパターンの線幅は太くなるので、処理装置ＰＲ３の処理条件を変更することで、露光量を増やして感光性機能層に形成されるパターン、金属層のパターンの線幅を目標線幅にできるか否かを判断する。
ステップＳ５１で、処理装置ＰＲ３の処理条件を変更することで対応可能であると判断すると、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）に応じて処理装置ＰＲ３の処理条件（強度条件や走査速度条件、パターン条件等）を変更する（ステップＳ５２）。一方、ステップＳ５１で、処理条件を変更することで対応できないと判断すると、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）に応じて処理装置ＰＲ３の処理条件と搬送速度条件とを変更する（ステップＳ５３）。なお、処理条件を変更することができない場合、例えば、現在設定されている強度条件が最大の強度となっている場合等は、処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）に応じて搬送速度条件のみを変えて対応することになる。
次いで、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）が発生している処理装置ＰＲ（ＰＲ２、ＰＲ４、または、ＰＲ５）の処理条件を変更することで、処理装置ＰＲ３の設定条件を元に戻した場合でも処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）をカバーすることができるか判断する（ステップＳ５４）。つまり、処理誤差Ｅが発生している処理装置ＰＲの処理条件を変更することで、処理装置ＰＲ３の設定条件を元に戻した場合でも発生した処理誤差Ｅを無くすことができるか否かを判断する。例えば、処理誤差Ｅを発生した処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ２の場合であって、実際に形成されている感光性機能層の膜厚が目標の膜厚条件に対して処理誤差Ｅ２を呈する場合は、処理誤差Ｅ２に応じて膜厚条件を変えることができるか否かを判断する。また、処理誤差Ｅを発生した他の処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ４、ＰＲ５の場合であって、実際の現像液ＬＱ、エッチング液の温度、濃度、または、浸漬時間が、目標の温度条件、濃度条件、または、浸漬時間条件に対して処理誤差Ｅ４、Ｅ５を呈する場合は、処理誤差Ｅ４、Ｅ５に応じて、温度条件、濃度条件、または、浸漬時間条件を変えることができるか否かを判断する。
ステップＳ５４で、処理誤差Ｅが発生している処理装置ＰＲの処理条件を変更することで、処理装置ＰＲ３の設定条件を元に戻した場合でもこの処理誤差Ｅをカバーできると判断すると、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅを発生している処理装置ＰＲの処理条件を変更する（ステップＳ５５）。例えば、処理誤差Ｅを発生した処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ２の場合であって、実際に形成されている感光性機能層の膜厚が目標の膜厚条件に対して厚い場合は、処理誤差Ｅ２に応じて膜厚条件を薄くする。また、処理誤差Ｅを発生した処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ４またはＰＲ５の場合であって、実際の現像液ＬＱ、エッチング液の温度、濃度、および、浸漬時間の少なくとも１つの処理条件が、目標の温度条件、濃度条件、浸漬時間条件に対して低い若しくは短い場合は、処理誤差Ｅ４またはＥ５に応じて、温度条件、濃度条件、および、浸漬時間の少なくも１つの処理条件を高く若しくは長くする。この場合は、処理誤差Ｅを発生している処理装置ＰＲの実処理の処理状態は、時間の経過とともに変化していくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３の設定条件を徐々に元に戻す。
一方、ステップＳ５４で、処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）が発生している処理装置ＰＲ（ＰＲ２、ＰＲ４、または、ＰＲ５）の処理条件を変更しても処理誤差Ｅ（Ｅ２、Ｅ４、または、Ｅ５）を無くすことができないと判断すると、上位制御装置１４は、他の処理装置ＰＲ（処理装置ＰＲ３を除く）の処理条件を変更することでこの処理誤差Ｅをカバーすることができるかを判断する（ステップＳ５６）。例えば、処理誤差Ｅを発生した処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ２の場合であって、実際に形成されている感光性機能層の膜厚が目標の膜厚条件に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅ２を呈する場合は、処理装置ＰＲ４またはＰＲ５の処理条件を変更することで処理誤差Ｅ２をカバーできるか否かを判断する。実際に形成されている感光性機能層の膜厚が目標の膜厚条件より厚い場合は、パターンの線幅は太くなるので、現像液ＬＱまたはエッチング液の温度・濃度、浸漬時間を高く若しくは長くすることで、パターンの線幅を目標線幅にすることができるかどうかを判断する。
ステップＳ５６で、他の処理装置ＰＲの処理条件を変更することで対応可能であると判断すると、上位制御装置１４は、処理誤差Ｅに応じて当該他の処理装置ＰＲの処理条件を変更して（ステップＳ５７）、ステップＳ５９に進む。例えば、処理誤差Ｅを発生した処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ２の場合であって、実際に形成されている感光性機能層の膜厚が目標の膜厚条件に対して厚い場合は、処理誤差Ｅ２に応じて処理装置ＰＲ４またはＰＲ５の温度条件、濃度条件、および、浸漬時間の少なくとも１つの処理条件を高く若しくは長くする。この場合は、他の処理装置ＰＲの実処理の処理状態は、時間の経過とともに変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態に近づいていくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３の設定条件を徐々に元に戻す。
一方、ステップＳ５６で、他の処理装置ＰＲの処理条件を変更しても対応することができないと判断すると、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ３以外の複数の他の処理装置ＰＲの処理条件をこの処理誤差Ｅに応じて変更して（ステップＳ５８）、ステップＳ５９に進む。この場合は、複数の他の処理装置ＰＲの実処理の処理状態は、時間の経過とともに変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態に近づいていくので、上位制御装置１４は、それに応じて処理装置ＰＲ３の設定条件を徐々に元に戻す。
ステップＳ５９に進むと、上位制御装置１４は、処理条件の変更が完了したか否かを判断する。つまり、ステップＳ５５、Ｓ５７、または、Ｓ５８で処理条件が変更された処理装置ＰＲによる実処理の状態が、変更後の処理条件によって定められる目標の処理状態になったか否かを判断する。この判断は、膜厚計測装置１６ａ、温度センサＴｓ、濃度センサＣｓ、位置センサ８７等の検出結果に基づいて行う。ステップＳ５９で、処理条件の変更が完了していないと判断すると、ステップＳ５９に留まり、処理条件の変更が完了したと判断すると、処理装置ＰＲ３の設定条件を元に戻す（ステップＳ６０）。
なお、ステップＳ５２で、処理装置ＰＲ３の処理条件のみを変更した場合は、図１３に示す動作と同様に、図１４に示す動作を終了してもよい。つまり、この場合は、ステップＳ５４〜Ｓ６０の動作は不要となる。また、ステップＳ６０では、処理装置ＰＲ３の設定条件を元に戻すようにしたが、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件のみを元に戻すようにしてもよい。この場合は、ステップＳ５５、Ｓ５７、または、Ｓ５８では、処理装置ＰＲ３の搬送速度条件のみを元に戻した場合に発生する処理誤差に応じて処理条件が変更される。
このように、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ５のいずれかの処理装置ＰＲによる実処理の状態（実処理結果）が目標の処理状態（設計値）に対して処理誤差Ｅを有する場合は、処理誤差Ｅに応じた他の処理装置ＰＲの設定条件を動的に変更するので、製造ラインを止めることなく、継続して安定した品質の電子デバイスを製造することができる。また、処理装置ＰＲとして、露光装置（描画装置）ＥＸやインクジェット印刷機のようなパターニング装置では、基板Ｐ上に既に形成されている下地層のパターンに対して重ね合わせ露光や重ね合わせ印刷を行う。その重ね合わせの精度は、薄膜トランジスタの層構造（ゲート電極層、絶縁装置、半導体層、ソース／ドレイン電極層）等を作るときに特に重要である。例えば、薄膜トランジスタの層構造において、層間の相対的な重ね合わせ精度やパターン寸法の忠実度（線幅再現性）は、パターニング装置の性能（位置決め精度、露光量、インク吐出量等）に依存する。そのパターニング装置の性能は、何らかの重大なトラブルによって突然大きく劣化する場合を除き、一般的には徐々に劣化する。第２の実施の形態によれば、そのように徐々に性能劣化するパターニング装置の状態をモニターして、他の処理装置ＰＲの処理条件を調整したりするので、パターニング装置の性能が許容範囲内で変動する場合、または許容範囲外に至った場合であっても、最終的に基板Ｐ上に形成されるパターンの寸法（線幅）精度を目標とする範囲に収めることができる。
なお、本第２の実施の形態においては、処理装置ＰＲ３の前後に第１蓄積装置ＢＦ１と第２蓄積装置ＢＦ２とを配置することで、処理装置ＰＲ３の基板Ｐの搬送速度を自由に変更できるようにしたが、例えば、処理装置ＰＲ２または処理装置ＰＲ４の前後に第１蓄積装置ＢＦ１と第２蓄積装置ＢＦ２とを配置し、処理装置ＰＲ２または処理装置ＰＲ４の基板Ｐの搬送速度を自由に変更できるようにしてもよい。また、例えば、複数の処理装置ＰＲの前後に第１蓄積装置ＢＦ１と第２蓄積装置ＢＦ２とを配置することで、複数の処理装置ＰＲで基板Ｐの搬送速度を自由に変更できるようにしてもよい。このように、複数の処理装置ＰＲの各々での搬送速度条件を変えることは、各々の処理装置ＰＲの実処理の状態が変わることを意味する。例えば、処理装置ＰＲ２に関して、仮に膜厚条件を含む処理条件を変更しなくても、搬送速度条件を遅くすることで、形成される感光性機能層の膜厚を厚くすることができる。逆に、搬送速度条件を速くすることで、形成される感光性機能層の膜厚を薄くすることができる。また、処理装置ＰＲ４、ＰＲ５に関して、仮に、浸漬時間条件等の処理条件を変更しなくても、搬送速度条件を遅くすることで、結果的に、基板Ｐが現像液ＬＱまたはエッチング液に浸漬する時間が長くなる。逆に搬送速度条件を速くすることで、結果的に、基板Ｐが現像液ＬＱまたはエッチング液に浸漬する時間が短くなる。この場合も、各々の第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２の蓄積長が所定の範囲内に収まるように、各処理装置ＰＲの搬送速度条件の設定が変更される。
また、図１２のステップＳ３３では、露光量が許容範囲内にあるか否かを判断したが、感光性機能層に形成されたパターンの線幅が許容範囲内にあるか否かを判断してもよい。この場合は、パターンの線幅が許容範囲内にないと判断すると、ステップＳ３４で処理装置ＰＲ３に処理誤差Ｅ３が発生していると判断し、パターンの線幅が許容範囲内にあると判断するとステップＳ３５を飛ばしてステップＳ３７に進むようにしてもよい。したがって、この場合は、ステップＳ３５およびステップＳ３６の動作は不要となる。現像処理の条件によってパターンの線幅も変わるが、パターンの線幅は、処理装置ＰＲ３の実処理の状態によって大きく変わると考えられるため、感光性機能層に形成されたパターンの線幅に基づいて、処理装置ＰＲ３に処理誤差Ｅ３が発生しているか否かを判断する。
また、現像後のフォトレジスト層に形成されるパターンの線幅変化は、露光量の変化やレジスト層の厚み変化に対して比較的に敏感で線形性を持つ。それに対して、感光性シランカップリング材等による感光性機能層は、その厚みとはほとんど無関係に、一定の露光量（照度）が与えられたか否かで、非改質状態から改質状態に切り替わる。そのため、感光性機能層の厚み調整や露光量の調整による線幅の補正は実質的には難しい。ただし、必要以上の露光量を与えた場合は、改質すべき部分の線幅が若干太くなる傾向はある。したがって、感光性シランカップリング材等の感光性機能層を用いた場合は、例えばメッキ処理後に析出した金属性のパターンの線幅測定値に基づいて、メッキ処理の条件を修正したり、感光性機能層を露光する際のパターンの線幅自体を設計値に対して修正（描画データを修正）したりすることが有効である。
以上、本発明の第２の実施の形態によれば、複数の処理装置ＰＲのうち、実処理の状態が目標の処理状態に対して処理誤差Ｅを発生している処理装置ＰＲがある場合は、処理誤差Ｅに応じて他の処理装置ＰＲの設定条件を変更するので、製造ラインを止めることなく、継続して電子デバイスを製造することができる。すなわち、複数の処理装置ＰＲによってシート基板Ｐ上に電子デバイスの層構造やパターン形状を順次形成していく過程において、特定の処理装置ＰＲによる実処理結果が、予め設定される設定条件（設計値）に対して処理誤差を発生した場合でも、特定の処理装置ＰＲ自体がその処理誤差を抑えるように自己制御するだけでなく、特定の処理装置ＰＲに対して上流側または下流側に位置する他の処理装置ＰＲが、その処理誤差に起因する不具合を結果的に打ち消す、または抑制するように処理条件を動的に変更する。これによって、製造ライン中のどこかの工程で発生する処理誤差に起因した処理装置ＰＲの処理中断、および製造ライン全体の一時停止の確率を大幅に抑制することができる。
また、本発明の第２の実施の形態は、必ずしも３つの異なる処理装置ＰＲ（処理部）が基板Ｐの搬送方向（長尺方向）に並ぶ製造ラインに限られず、基板Ｐを順次処理する少なくとも２つの処理装置ＰＲ（処理部）が並んでいれば、適用可能である。その場合、２つの処理装置ＰＲ間で、予め設定される設定条件に対して発生した処理誤差に起因する不具合（線幅変化等）を結果的に打ち消す、または抑制するように２つの処理装置ＰＲの各処理条件の動的な調整、或いは２つの処理装置ＰＲの各々での基板Ｐの搬送速度の一時的な変更を行えばよい。この場合、第２の実施の形態が適用される２つの処理装置ＰＲ（処理部）は、必ずしも基板Ｐの搬送方向（長尺方向）に相前後して配置される必要はなく、第２の実施の形態が適用される２つの処理装置ＰＲ（処理部）の間に少なくとも１つの別の処理装置ＰＲ（処理部）を配置した構成であってもよい。例えば、露光処理の後に現像処理を行う場合、第２の実施の形態では基板Ｐを露光部を通して直ちに現像部に送るとしたが、露光後のフォトレジスト層を比較的に高い温度で加熱するポストベーク処理を施してから現像する場合、そのポストベーク処理用の加熱装置（加熱部）等が、その別の処理装置ＰＲに対応し得る。
なお、上記第２の実施の形態では、説明を簡単にするため、実処理の状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを呈する処理装置ＰＲが１つの場合を例に挙げて説明したが、実処理の処理状態が目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを呈する処理装置ＰＲが２つ以上であってもよい。この場合も、上述したように、処理誤差Ｅが生じた処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ３を含まない場合は、優先的に処理装置ＰＲ３の設定条件を変える。また、処理誤差Ｅを発生した処理装置ＰＲが処理装置ＰＲ３を含む場合は、まず、処理装置ＰＲ３の設定条件を変更する。
また、説明をわかり易くするために、本発明の態様にかかるデバイス製造システム１０を第１の実施の形態と第２の実施の形態とに分けて説明した。したがって、第２の実施の形態で説明したデバイス製造システム１０が有する構成、機能、特性、性能、性質等は、必要に応じて第１の実施の形態でも引用することができる。逆に、第１の実施の形態で説明したデバイス製造システム１０が有する構成、機能、特性、性能、性質等も、必要に応じて第２の実施の形態で引用することができる。したがって、第１の実施の形態と第２の実施の形態とをともに、デバイス製造システム１０（製造ライン）内で実施するように組み合わせてもよい。その組み合せによれば、各処理装置の性能や精度を長期間に渡って安定的に維持できるので、複数の処理工程中のどこかで生じるプロセス変動による処理誤差を正確にカバーすることが可能となり、製造ラインを長期に渡って稼動させることができる。
［第２の実施の形態の変形例］
上記第２の実施の形態は、以下のように変形してもよい。
上記第２の実施の形態は、以下のように変形してもよい。
（変形例１）以上の第２の実施の形態では、図１に示したデバイス製造システム（製造ライン）１０に設置される複数の処理装置ＰＲ（ＰＲ１〜ＰＲ５）の各々が、各処理装置ＰＲの処理条件や設定条件の調整に応じて、各処理装置を通るシート状の基板Ｐの搬送速度を処理動作中に調整可能とした。しかしながら、各処理装置ＰＲを通る基板Ｐの搬送速度は、その処理装置ＰＲ毎に一定とし、処理装置ＰＲ間での基板Ｐの搬送速度の差に起因する基板Ｐの搬送量（搬送長）の過不足は、処理装置ＰＲ間に設けた第１蓄積装置ＢＦ１、或いは第２蓄積装置ＢＦ２で吸収する構成としてもよい。このような構成の場合、処理装置ＰＲ間での基板Ｐの搬送速度の差の許容範囲は、概ね、連続処理すべき基板Ｐの全長Ｌｆと、第１蓄積装置ＢＦ１、または、第２蓄積装置ＢＦ２の最大の蓄積長とによって決まる。
例えば、第１蓄積装置ＢＦ１の上流側の処理装置ＰＲ２での基板Ｐの搬送速度をＶａ、第１蓄積装置ＢＦ１の下流側（すなわち、第２蓄積装置ＢＦ２の上流側）の処理装置ＰＲ３（露光装置ＥＸ等のパターニング装置）での基板Ｐの搬送速度をＶｂ、第２蓄積装置ＢＦ２の下流側の処理装置ＰＲ４（または処理装置ＰＲ５）での基板Ｐの搬送速度をＶｃとする。この場合、全長Ｌｆの基板Ｐの連続処理の間に必要な第１蓄積装置ＢＦ１の必要蓄積長Ｌａｃ１は、搬送速度Ｖａ、ＶｂがＶａ＞Ｖｂの関係の場合は、Ｌａｃ１＝Ｌｆ（１−Ｖｂ／Ｖａ）となり、Ｖｂ＞Ｖａの場合は、Ｌａｃ１＝Ｌｆ（１−Ｖａ／Ｖｂ）となる。同様に、全長Ｌｆの基板Ｐの連続処理の間に必要な第２蓄積装置ＢＦ２の必要蓄積長Ｌａｃ２は、搬送速度Ｖｂ、ＶｃがＶｂ＞Ｖｃの関係の場合は、Ｌａｃ２＝Ｌｆ（１−Ｖｃ／Ｖｂ）となり、Ｖｃ＞Ｖｂの場合は、Ｌａｃ２＝Ｌｆ（１−Ｖｂ／Ｖｃ）となる。
そこで、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々の処理条件の下で適切に設定される基板Ｐの目標となる搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃが決められたら、上記の計算により、第１蓄積装置ＢＦ１の必要蓄積長Ｌａｃ１と第２蓄積装置ＢＦ２の必要蓄積長Ｌａｃ２を求め、その必要蓄積長Ｌａｃ１、Ｌａｃ２が確保できるように、第１蓄積装置ＢＦ１と第２蓄積装置ＢＦ２の各々の最大の蓄積長を調整する。最大の蓄積長の調整は、図４中の第１蓄積装置ＢＦ１内の複数のダンサーローラ２０、および、第２蓄積装置ＢＦ２内の複数のダンサーローラ２２で基板Ｐを折り返す回数（基板Ｐを支持するダンサーローラ２０、２２の本数）を異ならせることで可能である。ダンサーローラ２０、２２による基板Ｐの折り返し回数を少なくすることは、基板Ｐに形成される薄膜層や電子デバイス用のパターンにダメージを与える可能性、異物（塵埃）の付着可能性を低減させるので望ましい。また、個々のダンサーローラ２０、２２の位置を、最大の蓄積長に応じて変えることができるようにしておく。つまり、ダンサーローラ２０、２２の各々を個別にＺ方向に移動して、その位置を調整することができるアクチュエータを第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２内に設ける。このアクチュエータは、上位制御装置１４または下位制御装置２４によって制御される。
なお、図４に示した第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２も同様）は、それ自体が単体のユニットとして取り外し可能、または、タンデム（直列）に増設可能な構成にすることができる。したがって、上記の計算で得られた必要蓄積長Ｌａｃ１（Ｌａｃ２）が長くなる場合は、第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２）の複数をタンデムに接続することで、基板Ｐの最大蓄積長を容易に増やせる。その後、供給用ロールＦＲ１から引き出された基板Ｐの先端を、順次、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５、および、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２に通して回収用ロールＦＲ２に巻き付け、蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２での基板Ｐの蓄積長を初期状態に設定してから、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５による処理動作（搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃによる基板Ｐの搬送）が開始される。本変形例１の場合も、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々が設定された一定の搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃで基板Ｐを搬送し続ける間、基板Ｐに形成されるパターンの品質が、例えば、図８中の撮像装置８３によるパターンの画像データ解析結果に基づいて、変化している（低下している）と検知されたときは、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々の搬送速度以外の処理条件（設定条件）の変更可否の判定、処理条件を変更可能な処理装置ＰＲの特定、変更する条件の程度の演算等が、例えば、上位制御装置１４によって適宜行われる。上位制御装置１４は、特定された処理装置ＰＲに設定条件の変更内容、変更タイミング等を指令する。これによって、基板Ｐ上に形成される電子デバイス用のパターン等の品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）を、基板Ｐの全長Ｌｆに渡って所定の許容範囲内に収めることができる。
（変形例２）第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２）を増設しない場合、１つの第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２）の最大蓄積長は有限であるため、連続処理する基板Ｐの全長Ｌｆが長かったり、搬送速度の比Ｖａ：Ｖｂ（Ｖｂ：Ｖｃ）が大きかったりすると、全長Ｌｆに渡る連続処理の途中で、第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２）での基板Ｐの蓄積長が満杯になったり、蓄積長がゼロになったりする。そこで、本変形例２では、予め定められる第１蓄積装置ＢＦ１、第２蓄積装置ＢＦ２の最大蓄積長Ｌｍ１、Ｌｍ２に基づいて、全長Ｌｆに渡る基板Ｐの連続処理を滞る（一時停止する）こと無く実施するように、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々での基板Ｐの搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃを予め設定する。すなわち、第１蓄積装置ＢＦ１の最大蓄積長Ｌｍ１が、Ｌｍ１≧Ｌｆ（１−Ｖｂ／Ｖａ）、または、Ｌｍ１≧Ｌｆ（１−Ｖａ／Ｖｂ）の条件を満たし、第２蓄積装置ＢＦ２の最大蓄積長Ｌｍ２が、Ｌｍ２≧Ｌｆ（１−Ｖｃ／Ｖｂ）、または、Ｌｍ２≧Ｌｆ（１−Ｖｂ／Ｖｃ）の条件を満たすように、各搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃを予め設定する。
そして、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々は、設定された基板Ｐの搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃにおいて最適な処理を施すように、各部の設定条件を予め調整しておく。少なくとも全長Ｌｆの基板Ｐを連続処理する間、すなわち処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々が設定された搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃで基板Ｐを搬送し続ける間、基板Ｐに形成されるパターンの品質が低下する傾向にあることが検知された場合は、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々の搬送速度以外の処理条件（設定条件）の変更可否の判定、処理条件を変更可能な処理装置ＰＲの特定、変更する条件の程度の演算等を、例えば、上位制御装置１４によって適宜行いながら、基板Ｐを処理することができる。これによって、基板Ｐ上に形成される電子デバイス用のパターン等の品質（形状や寸法の忠実度や均一性等）を、基板Ｐの全長Ｌｆに渡って所定の許容範囲内に収めることができる。
また、変形例１、変形例２のように、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々における基板Ｐの搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃを予め設定してから、基板Ｐの全長Ｌｆに渡る連続処理を開始した後に、例えば、処理装置ＰＲ２によって塗布されるレジスト層の厚み変動によって、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の後に出現するパターンの品質が目標値に対して変動してきた場合、処理装置ＰＲ３、処理装置ＰＲ４（ＰＲ５）の各々における各種処理条件（設定条件）を調整する。その際、上述の第２の実施の形態のように、処理装置ＰＲ３や処理装置ＰＲ４に予め設定された基板Ｐの搬送速度Ｖｂ、Ｖｃを微調整するモードを組み込んだ制御方法に移行することもできる。なお、変形例１や変形例２は、３つの処理装置ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４（ＰＲ５）と２つの蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２とを前提に説明したが、２つの処理装置ＰＲと、その間に設けられた１つの蓄積装置とで構成される製造システムの場合でも同様に適用可能である。また、変形例１、変形例２において、処理装置ＰＲ２〜ＰＲ４の各々における基板Ｐの搬送速度Ｖａ、Ｖｂ、Ｖｃは、可能であれば、所定の誤差範囲内（例えば、±数％以内）で互いに等しく設定するのが望ましい。
以上の変形例１、変形例２においては、長尺の可撓性のシート状の基板Ｐを長尺方向に沿って搬送しながら、基板Ｐに電子デバイス用のパターンを形成する際に、基板Ｐに対して互いに異なる処理を施す第１処理工程（例えば、処理装置ＰＲ２による成膜工程）、第２処理工程（例えば、処理装置ＰＲ３による露光工程と処理装置ＰＲ４、ＰＲ５による現像工程、メッキ工程等）の順番で基板Ｐを搬送する搬送工程と、第１処理工程の処理装置ＰＲに設定される第１処理条件の下で、基板Ｐの表面に被膜層（感光性機能層）を選択的または一様に成膜することと、第２処理工程の処理装置ＰＲに設定される第２処理条件の下で、被膜層にパターンに対応した改質部を生成し、改質部と非改質部のいずれか一方を除去する処理、または改質部と非改質部のいずれか一方に電子デバイス用の材料を析出する処理を施して基板Ｐ上にパターンを出現させることと、第２処理工程において出現したパターンが、目標となる形状または寸法に対して変動する傾向（品質が低下する傾向）を示す場合は、その傾向に応じて、第１処理条件と第２処理条件の少なくとも一方の条件の変更可否を判定することと、を行うことで、製造ライン全体を止める可能性を低減させたデバイス製造方法が実施できる。すなわち、第１処理条件と第２処理条件の少なくとも一方の条件の変更が可能であると判定された場合は、基板Ｐ上に形成されるパターンの品質を維持した製造ラインの稼働が継続可能であることを事前に通報できることを意味する。そのため、生産現場のオペレータが製造ラインを早計に止めることを回避できる。このことは、先の第２の実施の形態でも同様である。
［第１および第２の実施の形態の変形例］
上記第１および第２の実施の形態（変形例も含む）は、以下のように変形してもよい。
上記第１および第２の実施の形態（変形例も含む）は、以下のように変形してもよい。
（変形例１）変形例１では、処理装置ＰＲ３および処理装置ＰＲ４を、図１５のように、１つの処理ユニットＰＵ２として構成する。つまり、処理ユニットＰＵ２は、処理装置ＰＲ２から搬送されてきた基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、露光処理および現像処理の処理工程（第２処理工程）を行う装置である。この露光処理によって、感光性機能層にパターンに対応した潜像（改質部）が形成され、現像処理によって、改質部または非改質部のいずれか一方が溶解し除去されて、感光性機能層にパターンが出現する。なお、処理ユニットＰＵ２は、露光処理およびメッキ処理の処理工程を行う装置であってもよく、この場合は、メッキ処理によって、改質部または非改質部のいずれか一方にパラジウムイオン等の電子デバイス用の材料（金属）が析出される。
図１５の処理ユニットＰＵ２の構成において、上記第１および第２の実施の形態と同一の構成については同様の符号を付して、その説明を省略するとともに、本変形例１を説明するのに特に必要のない構成についてはその図示を省略している。処理ユニットＰＵ２は、搬送部１００、露光ヘッド３６、処理槽ＢＴ、および、乾燥部１０２を備える。なお、図示しないが、処理ユニットＰＵ２は、光源装置３２、光導入光学系３４、強度センサ３７、アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）、ヒータＨ１、Ｈ２、ヒータ駆動部８２、温度センサＴｓ、濃度センサＣｓ、および、撮像装置８３等も有している。また、処理ユニットＰＵ２は、図示しない下位制御装置によって制御される。第１蓄積装置ＢＦ１は、処理装置ＰＲ２と処理ユニットＰＵ２との間に設けられ、第２蓄積装置ＢＦ２は、処理ユニットＰＵ２と処理装置ＰＲ５との間に設けられている。
搬送部１００は、基板Ｐの搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）から順に、駆動ローラＮＲ１０、テンション調整ローラＲＴ１０、回転ドラムＤＲ２、案内ローラＲ１０、回転ドラムＤＲ３、案内ローラＲ１２、テンション調整ローラＲＴ１２、および、駆動ローラＮＲ１２を有する。駆動ローラＮＲ１０は、第１蓄積装置ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転することで、基板Ｐを回転ドラムＤＲ２に向かって搬送する。回転ドラムＤＲ２は、外周面に倣って基板Ｐの一部を長尺方向に支持しつつ、中心軸ＡＸ２を中心に回転して基板Ｐを案内ローラＲ１０に搬送する。案内ローラＲ１０は、回転ドラムＤＲ２から送られてきた基板Ｐを回転ドラムＤＲ３に導く。
回転ドラムＤＲ３は、Ｙ方向に延びる中心軸ＡＸ３と、中心軸ＡＸ３から一定半径の円筒状の円周面とを有し、外周面（円周面）に倣って基板Ｐの一部を長尺方向に支持しつつ、中心軸ＡＸ３を中心に回転して基板Ｐを案内ローラＲ１２に導く。回転ドラムＤＲ３は、下側（−Ｚ方向側、つまり、重力が働く方向側）の外周面の約半周面で基板Ｐを支持する。案内ローラＲ１２は、送られてきた基板Ｐを駆動ローラＮＲ１２に向かって搬送する。駆動ローラＮＲ１２は、送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転することで、基板Ｐを処理装置ＰＲ５側に搬送する。テンション調整ローラＲＴ１０、ＲＴ１２は、駆動ローラＮＲ１０と駆動ローラＮＲ１２との間で搬送される基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。テンション調整ローラＲＴ１０は、＋Ｚ方向に付勢されており、テンション調整ローラＲＴ１２は、−Ｚ方向に付勢されている。
駆動ローラＮＲ１０、ＮＲ１２、回転ドラムＤＲ２、ＤＲ３は、処理ユニットＰＵ２の前記下位制御装置によって制御される回転駆動源（モータや減速機等）からの回転トルクが与えられることで回転する。この駆動ローラＮＲ１０、ＮＲ１２、回転ドラムＤＲ２、ＤＲ３の回転速度によって処理ユニットＰＵ２内の基板Ｐの搬送速度が規定される。また、駆動ローラＮＲ１０、ＮＲ１２、回転ドラムＤＲ２、ＤＲ３に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号（基板Ｐの搬送速度情報）は、処理ユニットＰＵ２の前記下位制御装置を介して上位制御装置１４に送られる。
回転ドラムＤＲ３は、その円周面の一部が処理槽ＢＴに貯留されている現像液ＬＱに浸漬するように処理槽ＢＴの上方に設けられている。したがって、回転ドラムＤＲ３によって支持された基板Ｐを現像液ＬＱに浸漬することができる。また、回転ドラムＤＲ３（または処理槽ＢＴ）は、Ｚ方向に移動可能となっており、回転ドラムＤＲ３が＋Ｚ方向に移動（または処理槽ＢＴが−Ｚ方向に移動）すると、回転ドラムＤＲ３の円周面が処理槽ＢＴに貯留されている現像液ＬＱに浸漬する面積が減少し、回転ドラムＤＲ３が−Ｚ方向に移動（または処理槽ＢＴが＋Ｚ方向に移動）すると、回転ドラムＤＲ３の円周面が処理槽ＢＴに貯留されている現像液ＬＱに浸漬する面積が増加する。これにより、回転ドラムＤＲ３（または処理槽ＢＴ）をＺ方向に移動することで、基板Ｐが現像液ＬＱに浸漬する時間（浸漬時間）を変えることができる。この回転ドラムＤＲ３（または処理槽ＢＴ）には、図示しないが回転ドラムＤＲ３と処理槽ＢＴとのＺ方向の間隔（回転ドラムＤＲ３の中心軸ＡＸ３と処理槽ＢＴ内の現像液ＬＱの表面との間隔）を調整する駆動機構が設けられ、該駆動機構は、処理ユニットＰＵ２の前記下位制御装置の制御によって駆動する。案内ローラＲ１２は、乾燥部１０２に設けられ、乾燥部１０２は、回転ドラムＤＲ３から案内ローラＲ１２を介してテンション調整ローラＲＴ１２に搬送される基板Ｐに付着している現像液ＬＱを除去する。
なお、感光性機能層が感光性シランカップリング剤や感光性還元剤の場合は、処理ユニットＰＵ２の処理槽ＢＴには、現像液ＬＱの代わりに、例えば、パラジウムイオン等の電子デバイス用の材料（金属）を含むメッキ液が貯留される。つまり、この場合は、処理ユニットＰＵ２は、露光処理とメッキ処理を行う装置となる。基板Ｐをメッキ液に浸漬することで、感光性機能層に形成された潜像（改質部）に応じて電子デバイス用の材料が析出され、基板Ｐにパターンが形成される。ポジ型の場合は、紫外線が照射された部分が改質され、紫外線が照射されていない非改質部に電子デバイス用の材料が析出される。ネガ型の場合は、紫外線が照射された部分が改質され、改質部に電子デバイス用の材料が析出される。これにより、基板Ｐに金属層（導電性）のパターンが出現する。ここでも、回転ドラムＤＲ３と処理槽ＢＴのＺ方向の間隔を調整したり、処理槽ＢＴ内のメッキ液の量（液面高さ）を調整したりすることによって、基板Ｐのメッキ液への浸漬時間が調整でき、基板Ｐの表面に析出するパラジウムの金属核の濃度が調整できる。
処理ユニットＰＵ２は、設定条件（第２の設定条件）にしたがって露光処理と現像処理（またはメッキ処理）を行う。処理ユニットＰＵ２の設定条件として、レーザ光ＬＢの強度を規定する強度条件、スポット光ＳＰの走査速度（ポリゴンミラー６６の回転速度）を規定する走査速度条件、多重露光回数を規定する露光回数条件、描画するパターンを規定するパターン条件（パターンデータ）、現像液ＬＱ（またはメッキ液）の温度を規定する温度条件、現像液ＬＱ（またはメッキ液）の濃度を規定する濃度条件、および、浸漬時間を規定する浸漬時間条件等を含む処理条件（第２処理条件）と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。露光処理は、強度条件、走査速度条件、露光回数条件、および、パターン条件等にしたがって行われる。現像処理（またはメッキ処理）は、温度条件、濃度条件、浸漬時間条件等にしたがって行われる。この設定条件は、処理ユニットＰＵ２によって施される実処理の状態が、目標の処理状態となるように予め設定される。
設定条件の変更については、上記第２の実施の形態で説明したので詳しくは説明しないが、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ５、および、処理ユニットＰＵ２の各々において基板Ｐに施される実処理の状態の少なくとも１つが、目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを呈する場合は、処理誤差Ｅを発生する処理装置ＰＲまたは処理ユニットＰＵ２以外の他の装置の設定条件を処理誤差Ｅに応じて変化させる。その理由は、言うまでもないが、処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ５、および、処理ユニットＰＵ２が設定条件にしたがって基板Ｐに対して施した実処理の状態のいずれか１つが目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを有している場合には、基板Ｐに所望の金属層のパターンを出現させることはできないからである。
処理誤差Ｅを呈する設定条件が、処理ユニットＰＵ２の設定条件の場合は、まず、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、処理ユニットＰＵ２の設定条件を変更する。そして、処理ユニットＰＵ２の設定条件を変更しただけでは対応することができない場合は、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、他の処理装置ＰＲ（ＰＲ２、ＰＲ５）の設定条件をさらに変更する。このとき、他の処理装置ＰＲの設定条件の変更完了後に、少なくとも処理ユニットＰＵ２の搬送速度条件を元に戻す。また、処理誤差Ｅを呈する設定条件が処理ユニットＰＵ２以外の処理装置ＰＲの場合は、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、優先的に処理ユニットＰＵ２の設定条件を変更させる。なお、第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２を、処理ユニットＰＵ２の前後に設けるようにしたが、他の処理装置ＰＲの前後に設けるようにしてもよい。
なお、図１５のように、露光処理部（回転ドラムＤＲ２、露光ヘッド３６等）と湿式処理部（回転ドラムＤＲ３、処理槽ＢＴ等）とを一体的に設けた処理ユニットＰＵ２とした場合、処理ユニットＰＵ２内でのシート基板Ｐの搬送速度は一定であり、露光処理部と湿式処理部とでシート基板Ｐの搬送速度を一時的に異ならせることができない。そのため、シート基板Ｐの搬送速度を一時的に異ならせたい場合は、案内ローラＲ１０の位置に、図４で示したような蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２を設けることになる。つまり、処理ユニットＰＵ２の前後に第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２を設けるとともに、回転ドラムＤＲ２と回転ドラムＤＲ３との間に、第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２）と同様の構成を有する蓄積装置を１つ設ける。また、第１蓄積装置ＢＦ１を処理装置ＰＲ２と回転ドラムＤＲ２との間に、第２蓄積装置ＢＦ２を回転ドラムＤＲ２と回転ドラムＤＲ３との間に設けてもよい。また、第１蓄積装置ＢＦ１を回転ドラムＤＲ２と回転ドラムＤＲ３との間に、第２蓄積装置ＢＦ２を回転ドラムＤＲ３と処理装置ＰＲ５との間に設けてもよい。
（変形例２）変形例２では、処理装置ＰＲ２および処理装置ＰＲ３を１つの処理ユニットＰＵ１として構成する。つまり、処理ユニットＰＵ１は、処理装置ＰＲ１から搬送されてきた基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、成膜処理および露光処理の処理工程（第１処理工程）を行う装置である。この成膜処理によって、基板Ｐの表面に感光性機能液を選択的または一様に塗布することで、基板Ｐの表面に感光性機能層が選択的または一様に形成され、露光処理によって、感光性機能層にパターンに対応した潜像（改質部）が形成される。
図１６は、処理ユニットＰＵ１の構成を示す図である。上記第１および第２の実施の形態と同一の構成については同様の符号を付して、その説明を省略するとともに、本変形例２を説明するのに特に必要のない構成ついてはその図示を省略している。処理ユニットＰＵ１は、搬送部１１０、ダイコータヘッドＤＣＨ、インクジェットヘッドＩＪＨ、乾燥装置１１２、および、露光ヘッド３６を備える。なお、図示しないが、処理ユニットＰＵ１は、光源装置３２、光導入光学系３４、強度センサ３７、アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）、膜厚計測装置１６ａ等も有している。また、処理ユニットＰＵ１は、図示しない下位制御装置によって制御される。第１蓄積装置ＢＦ１は、処理装置ＰＲ１と処理ユニットＰＵ１との間に設けられ、第２蓄積装置ＢＦ２は、処理ユニットＰＵ１と処理装置ＰＲ４との間に設けられている。
搬送部１１０は、基板Ｐの搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）から順に、駆動ローラＮＲ１４、テンション調整ローラＲＴ１４、回転ドラムＤＲ１、案内ローラＲ１４、Ｒ１６、テンション調整ローラＲＴ１６、回転ドラムＤＲ２、案内ローラＲ１８、および、駆動ローラＮＲ１６を有する。駆動ローラＮＲ１４は、第１蓄積装置ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ１から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転することで、基板Ｐを回転ドラムＤＲ１に向かって搬送する。回転ドラムＤＲ１は、外周面（円周面）に倣って基板Ｐの一部を長尺方向に支持しつつ、中心軸ＡＸ１を中心に回転して基板Ｐを＋Ｘ方向側に搬送する。案内ローラＲ１４、Ｒ１６は、回転ドラムＤＲ１から送られてきた基板Ｐを回転ドラムＤＲ２に搬送する。
回転ドラムＤＲ２は、外周面に倣って基板Ｐの一部を長尺方向に支持しつつ、中心軸ＡＸ２を中心に回転して基板Ｐを案内ローラＲ１８に搬送する。案内ローラＲ１８は、回転ドラムＤＲ２から送られてきた基板Ｐを駆動ローラＮＲ１６に搬送する。駆動ローラＮＲ１６は、送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転することで、基板Ｐを処理装置ＰＲ４側に搬送する。テンション調整ローラＲＴ１４、ＲＴ１６は、駆動ローラＮＲ１４と駆動ローラＮＲ１６との間で搬送される基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。テンション調整ローラＲＴ１４、ＲＴ１６は、−Ｚ方向に付勢されている。
駆動ローラＮＲ１４、ＮＲ１６、回転ドラムＤＲ１、ＤＲ２は、処理ユニットＰＵ１の前記下位制御装置によって制御される回転駆動源（モータや減速機等）からの回転トルクが与えられることで回転する。この駆動ローラＮＲ１４、ＮＲ１６、回転ドラムＤＲ１、ＤＲ２の回転速度によって処理ユニットＰＵ１内の基板Ｐの搬送速度が規定される。また、駆動ローラＮＲ１４、ＮＲ１６、回転ドラムＤＲ１、ＤＲ２に設けられた図示しないエンコーダから送られてくる回転速度信号（基板Ｐの搬送速度情報）は、処理ユニットＰＵ１の前記下位制御装置を介して上位制御装置１４に送られる。
案内ローラＲ１４は、乾燥装置１１２に設けられ、乾燥装置１１２は、回転ドラムＤＲ１から案内ローラＲ１４を介して案内ローラＲ１６に搬送される基板Ｐに対して、熱風またはドライエアー等の乾燥用エアーを吹き付けることで、感光性機能液に含まれる溶質（溶剤または水）を除去して感光性機能液を乾燥させる。これにより、感光性機能層が形成される。
処理ユニットＰＵ１は、設定条件（第１の設定条件）にしたがって成膜処理と露光処理を行う。処理ユニットＰＵ１の設定条件として、感光性機能層を形成する領域を規定する領域条件、感光性機能層の膜厚を規定する膜厚条件、レーザ光ＬＢの強度を規定する強度条件、スポット光ＳＰの走査速度（ポリゴンミラー６６の回転速度）を規定する走査速度条件、多重露光回数を規定する露光回数条件、および、描画するパターンを規定するパターン条件（パターンデータ）等を含む処理条件（第１処理条件）と、基板Ｐの搬送速度条件とが設定されている。成膜処理は、領域条件および膜厚条件等にしたがって行われる。露光処理は、強度条件、走査速度条件、露光回数条件、および、パターン条件等にしたがって行われる。この設定条件は、処理ユニットＰＵ１によって施される実処理の状態が、目標とする状態となるように予め設定される。
設定条件の変更については、上記第２の実施の形態で説明したので詳しくは説明しないが、上位制御装置１４は、処理装置ＰＲ１、ＰＲ４、ＰＲ５、および、処理ユニットＰＵ１の各々において基板Ｐに施される実処理の状態の少なくとも１つが、目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを呈する場合は、処理誤差Ｅを発生する処理装置ＰＲまたは処理ユニットＰＵ１以外の他の装置の設定条件を処理誤差Ｅに応じて変化させる。その理由は、言うまでもないが、処理装置ＰＲ１、ＰＲ４、ＰＲ５、および、処理ユニットＰＵ１が設定条件にしたがって基板Ｐに対して施した実処理の状態のいずれか１つが目標の処理状態に対して許容範囲を超えて処理誤差Ｅを有している場合には、基板Ｐに所望の金属層のパターンを出現させることはできないからである。
処理誤差Ｅを呈する設定条件が、処理ユニットＰＵ１の設定条件の場合は、まず、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、処理ユニットＰＵ１の設定条件を変更する。そして、処理ユニットＰＵ１の設定条件を変更しただけでは対応することができない場合は、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、他の処理装置ＰＲ（ＰＲ４、ＰＲ５）の設定条件をさらに変更する。このとき、他の処理装置ＰＲの設定条件の変更完了後に、少なくとも処理ユニットＰＵ１の搬送速度条件を元に戻す。また、処理誤差Ｅを呈する設定条件が処理ユニットＰＵ１以外の処理装置ＰＲの場合は、処理誤差Ｅが生じないように若しくは処理誤差Ｅが許容範囲に収まるように、優先的に処理ユニットＰＵ１の設定条件を変更させる。なお、第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２を、処理ユニットＰＵ１の前後に設けるようにしたが、他の処理装置ＰＲの前後に設けるようにしてもよい。
以上の変形例２では、図１６のように、塗布処理部（回転ドラムＤＲ１、ダイコータヘッドＤＣＨ、インクジェットヘッドＩＪＨ等）、乾燥処理部（乾燥装置１１２等）、露光処理部（回転ドラムＤＲ２、露光ヘッド３６等）を一体的に設けた処理ユニットＰＵ１としたので、処理ユニットＰＵ１内での基板Ｐの搬送速度はどこでも同じである。しかしながら、塗布処理部、乾燥処理部、露光処理部の各々で、基板Ｐの搬送速度を一時的に異ならせる場合は、例えば乾燥処理部（乾燥装置１１２等）の位置に、図４で示したような蓄積装置ＢＦ１、ＢＦ２を設けることになる。つまり、処理ユニットＰＵ１の前後に第１蓄積装置ＢＦ１および第２蓄積装置ＢＦ２を設けるとともに、回転ドラムＤＲ１と回転ドラムＤＲ２との間に第１蓄積装置ＢＦ１（第２蓄積装置ＢＦ２）と同様の構成を有する蓄積装置を１つ設ける。また、第１蓄積装置ＢＦ１を回転ドラムＤＲ１と回転ドラムＤＲ２との間に、第２蓄積装置ＢＦ２を回転ドラムＤＲ２と処理装置ＰＲ４との間に設けてもよい。また、第１蓄積装置ＢＦ１を処理装置ＰＲ１と回転ドラムＤＲ１との間に、第２蓄積装置ＢＦ２を回転ドラムＤＲ１と回転ドラムＤＲ２との間に設けてもよい。
（変形例３）図１７は、先の第１および第２の実施の形態で前提となる図１のデバイス製造システム１０の変形例３によるデバイス製造システム１０’の概略構成を示す。本変形例３は、図１のデバイス製造システム１０における各処理装置の配置と基板Ｐの搬送経路を変えて、コンパクトな製造ラインを構築するものであり、図１７中の各処理装置および基板Ｐについて、先の図２〜図９に示した構成と同じものとして同様の符号を付し、その詳細説明を省略するとともに、本変形例３を説明するのに特に必要のない構成についてはその図示も省略している。
図１７に示すように、本変形例３では、基板Ｐの供給用ロールＦＲ１と回収用ロールＦＲ２とをデバイス製造システム１０’の一方側に並べて配置するように、デバイス製造システム１０’内での基板Ｐの搬送経路を折り返し、幾つかの処理装置を立体的（上下関係）に配置する。本変形例３のデバイス製造システム１０’は、ダイコータヘッドＤＣＨと回転ドラムＤＲ１による塗布装置として構成される処理装置ＰＲ２と、第１蓄積装置ＢＦ１を含み、塗布後の基板Ｐを乾燥させる乾燥装置（図２の乾燥装置１６に相当）として構成される処理装置ＰＲ２’と、光源装置３２、光導入光学系３４、露光ヘッド３６、および、回転ドラムＤＲ２等による露光装置として構成される処理装置ＰＲ３と、第２蓄積装置ＢＦ２と、現像液またはメッキ液を溜める縦型の液漕ＢＴ１と洗浄用の純水等を溜める縦型の洗浄漕ＢＴ２とを有して、湿式処理装置として構成される処理装置ＰＲ４’と、蓄積部としての機能も備えて湿式処理後の基板Ｐを乾燥する乾燥装置として構成される処理装置ＰＲ６とを備える。
供給用ロールＦＲ１から送り出されるシート状の基板Ｐは、処理装置ＰＲ２の回転ドラムＤＲ１で支持された状態で所定の速度で搬送され、ダイコータヘッドＤＣＨによって塗布液ＬＱｃが塗布される。塗布後の基板Ｐは略水平に＋Ｘ方向に送られ、デバイス製造システム１０’の上方に配置された処理装置ＰＲ２’内の乾燥装置（乾燥部）で乾燥されてから、第１蓄積装置ＢＦ１内の多数のダンサーローラＲｄを通って、処理装置ＰＲ２’の−Ｚ方向側に配置された処理装置ＰＲ３に送られる。第１蓄積装置ＢＦ１内の複数のダンサーローラＲｄは、基板ＰをＸＹ面（床面）と略平行になるようにテンションをかけて折り返すように配置される。処理装置ＰＲ３は、−Ｚ方向に送られる基板Ｐを回転ドラムＤＲ２の下半分程度に掛け回した後、＋Ｚ方向にリリースするように搬送する。そのため、基板Ｐにパターン露光を行う露光ヘッド３６は回転ドラムＤＲ２の下方（−Ｚ方向側）に設けられる。処理装置ＰＲ３で露光された基板Ｐは、処理装置ＰＲ３の−Ｘ方向側に配置された第２蓄積装置ＢＦ２に送られ、複数のダンサーローラＲｄを通って、第２蓄積装置ＢＦ２の−Ｘ方向側に配置された処理装置ＰＲ４’に送られる。処理装置ＰＲ４’は、送られてきた基板Ｐを現像液またはメッキ液を溜める液漕ＢＴ１、洗浄用の純水等を溜める洗浄漕ＢＴ２の順に通した後、処理装置ＰＲ４’の−Ｘ方向側に配置された処理装置ＰＲ６に送る。処理装置ＰＲ６内の複数のダンサーローラＲｄを通って乾燥された基板Ｐは、回収用ロールＦＲ２に巻き取られる。
図１７のように、処理装置（塗布装置）ＰＲ２、処理装置ＰＲ２’内の乾燥装置（乾燥部）、処理装置ＰＲ２’内の第１蓄積装置ＢＦ１、処理装置（露光装置）ＰＲ３、第２蓄積装置ＢＦ２、処理装置（湿式処理装置）ＰＲ４’、処理装置（乾燥部）ＰＲ６の各々を一列に並べるのではなく、上下（Ｚ方向）にも立体的に配置することによって、製造システム全体の長さを抑えて設置床面積（フットプリント）をコンパクトにすることができる。先に説明した第１の実施の形態および第２の実施の形態によるデバイス製造システム１０の管理方法、或いはデバイスの製造方法は、図１７の変形例３のようなデバイス製造システム１０’にも同様に適用できる。
なお、図１７の構成において、処理装置ＰＲ２’は空間的に乾燥装置（乾燥部）と第１蓄積装置ＢＦ１とに分けたが、両者を空間的に別けずに兼用したものにしてもよい。さらに、処理装置ＰＲ２’の乾燥部内と処理装置ＰＲ６内とに、基板Ｐを乾燥させる１００℃以下の温風を送る場合、その温風を作る温調装置（ヒータ、送風ファン、フィルタ等を含む）は、処理装置ＰＲ２’用と処理装置ＰＲ６用とで兼用してもよい。また、処理装置ＰＲ３による露光工程の後に、基板Ｐ上のレジスト層に１００℃以下の熱を与えるポストベーク（露光後ベイク）処理を行う場合は、処理装置ＰＲ３と第２蓄積装置ＢＦ２との間、或いは第２蓄積装置ＢＦ２内に乾燥部を設けることができる。
（変形例４）以上の第１の実施形態と第２の実施形態では、例えば、停止要求装置ＰＲｄが停止要求を発生する際に、その時点での上流側の第１蓄積装置ＢＦ１、または下流側の第２蓄積装置ＢＦ２における基板Ｐの新規蓄積可能長や既蓄積長に関する蓄積状態の情報を得て、露光装置ＥＸが付加作業するための一時停止が可能か否かを判定していたが、逆の判断を行っても良い。すなわち、停止要求装置ＰＲｄの上流側、または下流側の蓄積装置（ＢＦ１、ＢＦ２）における基板Ｐの新規蓄積可能長や既蓄積長に関する蓄積状態の情報を逐次更新して生成するようにし、逐次更新される蓄積状態の状態から、停止要求装置ＰＲｄが一時停止可能な時間を予測演算し、予測された停止時間の間に、停止要求装置ＰＲｄが必要とする付加作業が完了するか否かを判断しても良い。したがって、このような変形例では、第１処理装置と第２処理装置との間に設けられた蓄積部（ＢＦ１、ＢＦ２）における基板Ｐの蓄積状態に関する蓄積情報を逐次生成する情報生成部（上位制御装置１４等）を設け、第１処理装置と第２処理装置の少なくとも一方の停止対象となる処理装置で基板Ｐの処理動作を停止させた場合の停止可能な継続時間を、情報生成部からの蓄積情報に基づいて予測演算し、予測される停止可能な継続時間のうちに停止対象となる処理装置での付加的な作業が実施可能な場合は停止対象となる処理装置の処理動作を停止させるような制御装置（上位制御装置１４等）を設けた製造システムが構築できる。
１０、１０’…デバイス製造システム １２…パターン形成装置
１４…上位制御装置 １６、１１２…乾燥装置
１６ａ…膜厚計測装置 １８、２４、８０…下位制御装置
３０、１００、１１０…搬送部 ３２…光源装置
３４…光導入光学系 ３６…露光ヘッド
３７…強度センサ ５２…描画用光学素子
６６…ポリゴンミラー ８２…ヒータ駆動部
８３…撮像装置 ８４…可動部材
８６…ガイドレール ８７…位置センサ
ＡＭ１〜ＡＭ３、ＡＵ１〜ＡＵ３…アライメント顕微鏡
ＡＸ１〜ＡＸ３…中心軸 ＢＦ１…第１蓄積装置
ＢＦ２…第２蓄積装置 Ｃｓ…濃度センサ
ＤＣＨ…ダイコータヘッド ＤＲ１〜ＤＲ３…回転ドラム
ＥＰＣ１〜ＥＰＣ３…エッジポジションコントローラ
ＦＲ１…供給用ロール ＦＲ２…回収用ロール
Ｈ１、Ｈ２…ヒータ ＩＪＨ…インクジェットヘッド
Ｋｓ１〜Ｋｓ３…アライメントマーク Ｌ１〜Ｌ５…走査ライン
Ｐ…基板
ＰＲ１〜ＰＲ６、ＰＲ２’、ＰＲ４’…処理装置
ＰＵ１、ＰＵ２…処理ユニット ＳＰ…スポット光
Ｔｓ…温度センサ Ｕ１〜Ｕ５…描画ユニット
１４…上位制御装置 １６、１１２…乾燥装置
１６ａ…膜厚計測装置 １８、２４、８０…下位制御装置
３０、１００、１１０…搬送部 ３２…光源装置
３４…光導入光学系 ３６…露光ヘッド
３７…強度センサ ５２…描画用光学素子
６６…ポリゴンミラー ８２…ヒータ駆動部
８３…撮像装置 ８４…可動部材
８６…ガイドレール ８７…位置センサ
ＡＭ１〜ＡＭ３、ＡＵ１〜ＡＵ３…アライメント顕微鏡
ＡＸ１〜ＡＸ３…中心軸 ＢＦ１…第１蓄積装置
ＢＦ２…第２蓄積装置 Ｃｓ…濃度センサ
ＤＣＨ…ダイコータヘッド ＤＲ１〜ＤＲ３…回転ドラム
ＥＰＣ１〜ＥＰＣ３…エッジポジションコントローラ
ＦＲ１…供給用ロール ＦＲ２…回収用ロール
Ｈ１、Ｈ２…ヒータ ＩＪＨ…インクジェットヘッド
Ｋｓ１〜Ｋｓ３…アライメントマーク Ｌ１〜Ｌ５…走査ライン
Ｐ…基板
ＰＲ１〜ＰＲ６、ＰＲ２’、ＰＲ４’…処理装置
ＰＵ１、ＰＵ２…処理ユニット ＳＰ…スポット光
Ｔｓ…温度センサ Ｕ１〜Ｕ５…描画ユニット
Claims (14)
- 長尺の可撓性のシート基板を長尺方向に搬送しつつ、複数の処理装置によって連続的に前記シート基板に処理を施す製造システムであって、
前記シート基板を搬送しつつ、前記シート基板の表面に感光性薄膜を選択的または一様に形成する第１の処理装置と、
前記感光性薄膜が形成された前記シート基板を搬送しつつ、前記シート基板の表面の前記感光性薄膜に所定のパターンに対応した光エネルギーを照射して、前記感光性薄膜に前記パターンに対応した潜像を形成する第２の処理装置と、
前記潜像が形成された前記シート基板を搬送しつつ、前記潜像に応じた前記感光性薄膜の選択的な現像または前記潜像に応じた前記感光性薄膜への選択的なメッキによって、前記シート基板上に前記パターンを出現させる第３の処理装置と、
前記第１の処理装置と前記第２の処理装置との間に設けられ、前記シート基板を所定長に亘って蓄積可能な第１の蓄積部と、
前記第２の処理装置と前記第３の処理装置との間に設けられ、前記シート基板を所定長に亘って蓄積可能な第２の蓄積部と、
前記第１の処理装置、前記第２の処理装置、および、前記第３の処理装置のうち少なくとも１つがその処理の一時停止を要求している場合は、処理の一時停止を要求している前記処理装置と隣接する前記蓄積部の蓄積状態が、予想される停止時間によって定まる必要蓄積状態を満たすか否かを判定する制御装置と、
を備え、
前記制御装置は、前記蓄積部の蓄積状態が前記必要蓄積状態を満たしていないと判定した場合は、前記第１の処理装置、前記第２の処理装置、および、前記第３の処理装置のうち少なくとも１つの前記シート基板の搬送速度を変更することで、処理の一時停止を要求している前記処理装置の処理を停止させるまでに待てる遅延可能時間内で、処理の一時停止を要求している前記処理装置と隣接する前記蓄積部の蓄積状態を前記必要蓄積状態にさせることができるか否かを判定する、製造システム。 - 請求項１に記載の製造システムであって、
前記制御装置は、処理の一時停止を要求している前記処理装置が前記第２の処理装置の場合は、前記第２の処理装置が一時的に停止する前記停止時間の間に前記第１の蓄積部が前記第１の処理装置から送られてくる前記シート基板を蓄積可能な状態であって、且つ、前記停止時間の間に前記第３の処理装置に供給可能な長さの前記シート基板を前記第２の蓄積部が蓄積している状態であるときに、前記蓄積部の蓄積状態が前記必要蓄積状態を満たしていると判定する、製造システム。 - 請求項１または２に記載の製造システムであって、
前記制御装置は、処理の一時停止を要求している前記処理装置が前記第１の処理装置の場合は、前記第１の処理装置が一時的に停止する前記停止時間の間に前記第２の処理装置に供給可能な長さの前記シート基板を前記第１の蓄積部が蓄積している状態のときに、前記蓄積部の蓄積状態が前記必要蓄積状態を満たしていると判定する、製造システム。 - 請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造システムであって、
前記制御装置は、処理の一時停止を要求している前記処理装置が前記第３の処理装置の場合は、前記第３の処理装置が一時的に停止する前記停止時間の間に前記第２の蓄積部が前記第２の処理装置から送られてくる前記シート基板を蓄積可能な状態のときに、前記蓄積部の蓄積状態が前記必要蓄積状態を満たしていると判定する、製造システム。 - 請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造システムであって、
前記制御装置は、前記蓄積部の蓄積状態が前記必要蓄積状態を満たしていると判定した場合は、処理の一時停止を要求している前記処理装置における前記シート基板の搬送動作および処理動作を前記停止時間の間一時停止させつつ、それ以外の前記処理装置における前記シート基板の搬送動作および処理動作を継続させる、製造システム。 - 請求項１に記載の製造システムであって、
前記制御装置は、処理の品質低下を抑えるように、前記第１の処理装置、前記第２の処理装置、および前記第３の処理装置のうち少なくとも１つにおける処理条件を変更させつつ、前記第１の処理装置、前記第２の処理装置、および、前記第３の処理装置の少なくとも１つの搬送速度を高くするまたは低くすることで、前記遅延可能時間内で、処理の一時停止を要求している前記処理装置と隣接する前記蓄積部の蓄積状態を前記必要蓄積状態にさせることができるか否かを判定する、製造システム。 - 請求項１または６に記載の製造システムであって、
前記制御装置は、処理の一時停止を要求している前記処理装置が前記第２の処理装置の場合は、前記第１の蓄積部の蓄積状態を前記遅延可能時間内で、前記第２の処理装置を前記停止時間の間一時停止させても前記第１の処理装置から送られてくる前記シート基板を蓄積可能な状態にすることができ、且つ、前記第２の蓄積部の蓄積状態を前記遅延可能時間内で、前記第２の処理装置を前記停止時間の間一時停止させても前記第３の処理装置に供給可能な長さの前記シート基板を蓄積している状態にすることができるか否かを判定する、製造システム。 - 請求項１、６、７のいずれか１項に記載の製造システムであって、
前記制御装置は、処理の一時停止を要求している前記処理装置が前記第１の処理装置の場合は、前記第１の蓄積部の蓄積状態を前記遅延可能時間内で、前記第１の処理装置を前記停止時間の間一時停止させても前記第２の処理装置に供給可能な長さの前記シート基板を蓄積している状態にすることができるか否かを判定する、製造システム。 - 請求項１、６〜８のいずれか１項に記載の製造システムであって、
前記制御装置は、処理の一時停止を要求している前記処理装置が前記第３の処理装置の場合は、前記第２の蓄積部の蓄積状態を前記遅延可能時間内で、前記第３の処理装置を前記停止時間の間一時停止させても前記第２の処理装置から送られてくる前記シート基板を蓄積可能な状態にすることができるか否かを判定する、製造システム。 - 請求項１、６〜９のいずれか１項に記載の製造システムであって、
前記制御装置は、遅延可能時間内で、前記蓄積部の蓄積状態を前記必要蓄積状態にさせることができると判定した場合は、前記蓄積部の蓄積状態が前記必要蓄積状態になった段階で、処理の一時停止を要求している前記処理装置における前記シート基板の搬送動作および処理動作を前記停止時間の間一時停止させつつ、それ以外の前記処理装置における前記シート基板の搬送動作および処理動作を継続させる、製造システム。 - 請求項５または１０に記載の製造システムであって、
前記シート基板には、パターンが形成されるデバイス形成領域が前記長尺方向に沿って余白部を挟んで連なった状態で配置されており、
前記第１の処理装置および前記第２の処理装置は、前記余白部の前記長尺方向の長さより短い範囲で処理を施すものであり、
前記第３の処理装置は、前記余白部の前記長尺方向の長さより長い範囲で処理を施すものであり、
前記制御装置は、
処理の一時停止を要求している処理装置が、前記第３の処理装置の場合は、前記蓄積部の蓄積状態が前記必要蓄積状態を満たしていると判定した場合、または、前記蓄積部の蓄積状態が前記必要蓄積状態になった段階で、前記第３の処理装置における前記シート基板の搬送動作および処理動作の一時停止を実行し、
処理の一時停止を要求している処理装置が、前記第１の処理装置または前記第２の処理装置の場合は、処理の一時停止を要求している処理装置が前記シート基板に対して処理を施す処理位置に前記余白部がもたらされたときに、処理の一時停止を要求している処理装置における前記シート基板の搬送動作および処理動作の一時停止を実行する、製造システム。 - 請求項１〜１１のいずれか１項に記載の製造システムであって、
前記制御装置は、遅延可能時間内で、前記蓄積部の蓄積状態を前記必要蓄積状態にさせることができないと判定した場合は、前記第１の処理装置、前記第２の処理装置、および前記第３の処理装置を流れる前記シート基板の搬送を全て停止させつつ、前記複数の処理装置による処理動作を停止させる、製造システム。 - 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の製造システムであって、
前記第１の処理装置は、前記シート基板上に前記感光性薄膜となる液体を塗布するダイコータヘッド部を含み、前記第１の処理装置は、前記ダイコータヘッド部への前記液体の補充動作が必要になるときに、前記一時停止の要求を行う、製造システム。 - 請求項１〜１２のいずれか１項に記載の製造システムであって、
前記第２の処理装置は、前記シート基板の表面に前記光エネルギーを照射する際の位置誤差を較正するためのキャリブレーション機構を含み、前記第２の処理装置は、前記キャリブレーション機構による較正動作が必要になるときに、前記一時停止の要求を行う、製造システム。
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