KR20180059904A - 제조 시스템 - Google Patents

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Abstract

장척의 가요성의 시트 기판(P)을 장척 방향으로 반송하면서, 복수의 처리 장치(PR)에 의해서 연속적으로 시트 기판에 처리를 실시하는 제조 시스템(10)으로서, 복수의 처리 장치(PR) 중 제1 처리 장치(PR2)와 인접하는 제2 처리 장치(PR3)와의 사이에 마련된 축적부(BF1)와, 제1 처리 장치(PR2)에서, 시트 기판(P)에 대한 처리, 또는 시트 기판(P)의 반송을 일시 정지시킬 때에는, 축적부(BF1)의 시트 기판(P)의 축적 상태가, 예상되는 제1 처리 장치(PR2)의 정지 시간에 의해서 정해지는 필요 축적 상태를 만족하는지 아닌지를 판정하는 제어 장치(14, 18)를 구비한다.

Description

제조 시스템
본 발명은, 롤·투·롤 방식에 의해서 전자 디바이스를 제조하는 제조 시스템에 관한 것이다.
일본특허공개 제2009－146746호 공보에는, 띠 모양의 가요성(可撓性) 기판(가요성의 장척(長尺)의 플라스틱 필름) 상에 전자 디바이스(유기 EL의 표시 패널)를 형성하기 위해서, 롤 모양으로 감겨진 가요성 기판을 인출하여 장척 방향을 따라서 반송함과 아울러, 장척 방향을 따라서 늘어놓여진 복수의 형성 공정의 각각을 맡은 처리 장치에서 가요성 기판을 순차적으로 처리한 후, 롤 모양으로 권취하는 롤·투·롤(RTR) 방식의 제조 시스템이 개시되어 있다. 게다가 일본특허공개 제2009－146746호 공보에는, 각 형성 공정(처리 장치) 사이의 가요성 기판의 속도 조정을 위한 어큐뮬레이터(accumulator)가 마련되고, 유기 EL의 표시 패널이 연속 생산되는 것이 개시되어 있다. 이러한 RTR 방식의 제조 라인의 경우, 띠 모양으로 연결된 장척의 1매의 가요성 기판을 장척 방향으로 연속 반송하고 있기 때문에, 제조 라인을 구성하는 복수의 처리 장치의 각각은, 연속 반송되는 가요성 기판의 전체 길이(롤 길이)에 걸쳐서 정상적으로 계속 가동하는 것이 바람직하다.
그렇지만 처리 장치에 따라서는, 그 장치의 성능 유지, 혹은 제조되는 전자 디바이스의 품질 유지 등을 위해서, 일정한 시간에 걸쳐 가요성 기판의 처리 동작을 중단시키는 경우가 있다. 제조 라인 중 어느 1개의 처리 장치에 동작 중단이 생기면, 예로 약간의 중단 시간이라도 제조 라인 전체의 정지를 일으킬 가능성이 있어, 생산성을 저하시키게 된다. 성막(成膜) 공정, 패터닝 공정, 습식 처리 공정과 같은 다른 종류의 처리를 가요성 기판에 실시하는 복수의 처리 장치로 제조 라인을 구성하는 경우, 처리 장치마다 필요하게 되는 동작 중단의 요인, 중단의 타이밍(인터벌), 중단 시간이 다르기 때문에, 제조 라인 전체가 정지할 가능성은 더 높아져, 생산성을 현저하게 저하시킬 우려가 있다.
본 발명의 제1 형태는, 장척(長尺)의 가요성의 시트 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 복수의 처리 장치에 의해서 연속적으로 상기 시트 기판에 처리를 실시하는 제조 시스템으로서, 상기 복수의 처리 장치 중 제1 처리 장치와 인접하는 제2 처리 장치와의 사이에 마련된 축적부와, 상기 제1 처리 장치에서, 상기 시트 기판에 대한 처리, 또는 상기 시트 기판의 반송을 일시 정지시킬 때에는, 상기 축적부의 상기 시트 기판의 축적 상태가, 예상되는 상기 제1 처리 장치의 정지 시간에 의해서 정해지는 필요 축적 상태를 만족하는지 아닌지를 판정하는 제어 장치를 구비한다.
본 발명의 제2 형태는, 장척의 가요성의 시트 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 복수의 처리 장치에 의해서 연속적으로 상기 시트 기판에 처리를 실시하는 제조 시스템으로서, 상기 시트 기판을 반송하면서, 상기 시트 기판의 표면에 감광성 박막을 선택적으로 또는 균일하게 형성하는 제1 처리 장치와, 상기 감광성 박막이 형성된 상기 시트 기판을 반송하면서, 상기 시트 기판의 표면의 상기 감광성 박막에 소정의 패턴에 대응한 광 에너지를 조사하여, 상기 감광성 박막에 상기 패턴에 대응한 잠상(潛像)을 형성하는 제2 처리 장치와, 상기 잠상이 형성된 상기 시트 기판을 반송하면서, 상기 잠상에 따른 상기 감광성 박막의 선택적인 현상 또는 상기 잠상에 따른 상기 감광성 박막으로의 선택적인 도금에 의해서, 상기 시트 기판 상에 상기 패턴을 출현시키는 제3 처리 장치와, 상기 제1 처리 장치와 상기 제2 처리 장치와의 사이에 마련되고, 상기 시트 기판을 소정 길이에 걸쳐서 축적할 수 있는 제1 축적부와, 상기 제2 처리 장치와 상기 제3 처리 장치와의 사이에 마련되고, 상기 시트 기판을 소정 길이에 걸쳐서 축적할 수 있는 제2 축적부와, 상기 제1 처리 장치, 상기 제2 처리 장치, 및 상기 제3 처리 장치 중 적어도 하나가 그 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 경우에는, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치와 인접하는 상기 축적부의 축적 상태가, 예상되는 정지 시간에 의해서 정해지는 필요 축적 상태를 만족하는지 아닌지를 판정하는 제어 장치를 구비한다.
본 발명의 제3 형태는, 장척의 가요성의 시트 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 복수의 처리 장치의 각각에 의해서, 순차적으로 상기 시트 기판에 처리를 실시하는 제조 시스템으로서, 상기 복수의 처리 장치 중, 소정의 처리 품질이 얻어지도록 설정된 처리 조건하에서 상기 시트 기판을 처리하는 통상 동작 외에, 상기 통상 동작을 일시적으로 중단한 상태에서, 상기 처리 품질의 열화를 막기 위한 부가(付加) 작업을 실행할 수 있는 제1 처리 장치와, 상기 복수의 처리 장치 중, 상기 제1 처리 장치와 인접하여 배치되고, 상기 제1 처리 장치와는 다른 처리를, 소정의 처리 조건하에서 상기 시트 기판에 실시하는 제2 처리 장치와, 상기 제1 처리 장치와 상기 제2 처리 장치와의 사이에 마련되고, 상기 시트 기판을 소정 길이에 걸쳐서 축적할 수 있는 축적 장치와, 상기 제1 처리 장치의 상기 통상 동작이 상기 부가 작업에 의해서 중단되는 중단 시간 동안, 상기 제2 처리 장치의 처리의 계속에 의해서, 상기 축적 장치에서의 상기 시트 기판의 축적 상황이 정상적으로 추이되는지 아닌지를 판정하고, 정상적으로 추이되고 있지 않다고 판정된 경우에는, 판정시로부터 상기 부가 작업이 개시될 때까지의 대기 시간 동안에, 상기 제1 처리 장치와 상기 제2 처리 장치 중 적어도 일방에서의 상기 시트 기판의 반송 속도를 변경하도록 지시하는 제어 장치를 구비한다.
도 1은 제1 실시 형태의 디바이스 제조 시스템의 개략적인 구성을 나타내는 개략 구성도이다.
도 2는 도 1의 디바이스 제조 시스템 중, 시트 기판에 감광성 기능층을 성막하는 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2의 처리 장치에 마련되는 다이 코터(die coater) 방식의 도포 헤드부의 구성을 나타내는 부분 단면도이다.
도 4는 도 1의 디바이스 제조 시스템 중, 시트 기판의 축적 및 노광을 행하는 패턴 형성 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 4의 패턴 형성 장치에 의해서 시트 기판 상에서 주사되는 스폿광의 주사(走査) 라인 및 기판 상에 형성된 얼라이먼트 마크를 검출하는 얼라이먼트 현미경의 각 배치를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 4의 패턴 형성 장치의 노광 헤드를 구성하는 묘화 유닛의 구성을 나타내는 도면이다.
도 7은 도 6의 묘화 유닛에 마련되는 반사광 모니터계의 배치를 나타내는 도면이다.
도 8은 도 1의 디바이스 제조 시스템 중, 현상(現像) 처리를 행하는 처리 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 9는 도 1의 디바이스 제조 시스템에 의해서 처리되는 시트 기판 상의 디바이스 형성 영역과 얼라이먼트 마크의 배치를 나타내는 도면이다.
도 10은 도 1의 디바이스 제조 시스템 중의 각 처리 장치에서 발생하는 스테이터스(status) 정보(정지 요구)에 대한 처리 동작을 나타내는 플로우차트이다.
도 11은 도 10의 플로우차트 중에서 실행되는 정지 가능성의 시뮬레이션의 처리 동작을 나타내는 플로우차트이다.
도 12는 제2 실시 형태에서의 허용 범위를 넘어 처리 오차가 발생하고 있는 처리 장치를 판정하기 위한 디바이스 제조 시스템의 동작을 나타내는 플로우차트이다.
도 13은 제2 실시 형태에서의 노광 장치인 처리 장치에 처리 오차가 발생하고 있는 경우의 디바이스 제조 시스템의 동작을 나타내는 플로우차트이다.
도 14는 제2 실시 형태에서의 노광 장치인 처리 장치 이외의 처리 장치에 처리 오차가 발생하고 있는 경우의 디바이스 제조 시스템의 동작을 나타내는 플로우차트이다.
도 15는 제1 및 제2 실시 형태의 변형예 1의 처리 유닛의 구성을 나타내는 도면이다.
도 16은 제1 및 제2 실시 형태의 변형예 2의 처리 유닛의 구성을 나타내는 도면이다.
도 17은 제1 및 제2 실시 형태의 변형예 3에서의 디바이스 제조 시스템의 개략 구성도이다.
본 발명의 형태에 관한 제조 시스템에 대해서, 바람직한 실시 형태를 들어, 첨부의 도면을 참조하면서 이하, 상세하게 설명한다. 또, 본 발명의 형태는, 이들 실시 형태에 한정되는 것이 아니라, 다양한 변경 또는 개량을 가한 것도 포함된다. 즉, 이하에 기재한 구성요소에는, 실질적으로 동일한 것, 또는, 당업자가 용이하게 상정(想定)할 수 있는 것이 포함되며, 이하에 기재한 구성요소는 적절히 조합시키는 것이 가능하다. 또, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 구성요소의 여러 가지의 생략, 치환 또는 변경을 행할 수 있다.
[제1 실시 형태]
도 1은, 제1 실시 형태의 디바이스 제조 시스템(처리 시스템, 제조 시스템)(10)의 개략적인 구성을 나타내는 개략 구성도이다. 도 1에 나타내는 디바이스 제조 시스템(10)은, 예를 들면, 전자 디바이스로서의 플렉시블·디스플레이의 일부의 패턴층(박막 트랜지스터의 전극층, 버스 라인 배선층, 절연층, 투명 전극층 등 중 1개의 층 구조)을 제조하는 라인(플렉서블·디스플레이 제조 라인)이다. 플렉시블·디스플레이로서는, 예를 들면, 유기 EL디스플레이 또는 액정 디스플레이 등이 있다. 이 디바이스 제조 시스템(10)은, 가요성의 시트 기판(이하, 기판)(P)을 롤 모양으로 권회(卷回)한 공급용 롤(FR1)로부터, 상기 기판(P)이 송출되고, 송출된 기판(P)에 대해서 각종 처리를 연속적으로 실시한 후, 처리 후의 기판(P)을 회수용 롤(FR2)에 의해 권취하는, 이른바 롤·투·롤(Roll　to　Roll) 방식으로 되어 있다. 이 기판(P)은, 기판(P)의 이동 방향(반송 방향)이 장척(長尺)이 되고, 폭방향이 단척(短尺)이 되는 띠 모양의 형상을 가진다. 제1 실시 형태의 디바이스 제조 시스템(10)에서는, 필름 모양의 시트인 기판(P)이 공급용 롤(FR1)로부터 송출되고, 공급용 롤(FR1)로부터 송출된 기판(P)이, 적어도 처리 장치(PR1, PR2, PR3, PR4, PR5)를 거쳐, 회수용 롤(FR2)에 권취될 때까지의 예를 나타내고 있다. 도 1에서는, X방향, Y방향 및 Z방향이 직교하는 직교 좌표계로 되어 있다. X방향은, 수평면내에서, 기판(P)의 반송 방향이며, 공급용 롤(FR1) 및 회수용 롤(FR2)을 연결하는 방향이다. Y방향은, 수평면내에서 X방향에 직교하는 방향이며, 기판(P)의 폭방향이다. Z방향은, X방향과 Y방향에 직교하는 방향(연직 방향)이다.
이 처리 장치(PR1)는, 공급용 롤(FR1)로부터 반송되어 온 기판(P)을 장척 방향을 따른 반송 방향(＋X방향)으로 반송하면서, 기판(P)에 대해서 플라즈마 표면 처리의 처리 공정을 행하는 표면 처리 장치이다. 이 처리 장치(PR1)에 의해서, 기판(P)의 표면이 개질되고, 감광성 기능층의 접착성이 향상된다. 처리 장치(제1 처리 장치)(PR2)는, 처리 장치(PR1)로부터 반송되어 온 기판(P)을 반송 방향(＋X방향)으로 반송하면서, 감광성 기능층의 성막 처리의 처리 공정(제1 처리 공정)을 행하는 성막 장치(도포 장치)이다. 처리 장치(PR2)는, 기판(P)의 표면에 감광성 기능액을 선택적으로 또는 균일하게 함으로써, 기판(P)의 표면에 감광성 기능층(감광성 박막, 피복층, 피막층)을 선택적으로 또는 균일하게 형성한다. 또, 처리 장치(제2 처리 장치)(PR3)는, 처리 장치(PR2)로부터 보내어져 온 표면에 감광성 기능층이 형성된 기판(P)을 반송 방향(＋X방향)으로 반송하면서, 노광 처리의 처리 공정(제2 처리 공정)을 행하는 노광 장치이다. 처리 장치(PR3)는, 기판(P)의 표면(감광면)에 디스플레이 패널용 회로 또는 배선 등의 패턴에 따른 광 패턴을 조사한다. 이것에 의해, 감광성 기능층에 상기 패턴에 대응한 잠상(개질부)이 형성된다. 처리 장치(제3 처리 장치)(PR4)는, 처리 장치(PR3)로부터 반송되어 온 기판(P)을 반송 방향(＋X방향)으로 반송하면서, 습식에 의한 현상 처리의 처리 공정(제3 처리 공정)을 행하는 현상 장치이다. 이것에 의해, 감광성 기능층에 잠상에 따른 상기 패턴의 레지스트층(resist層) 등이 출현한다. 처리 장치(PR5)는, 처리 장치(PR4)로부터 반송되어 온 기판(P)을 반송 방향(＋X방향)으로 반송하면서, 패턴이 형성된 감광성 기능층을 마스크로 하여 에칭 처리의 처리 공정을 행하는 에칭 장치이다. 이것에 의해, 기판(P) 상에 전자 디바이스용 배선이나 전극의 도전 재료, 반도체 재료, 절연 재료 등에 의한 패턴이 출현한다.
처리 장치(PR2)와 처리 장치(PR3)와의 사이에는, 기판(P)을 소정 길이에 걸쳐서 축적할 수 있는 제1 축적 장치(제1 축적부)(BF1)가 마련되고, 처리 장치(PR3)와 처리 장치(PR4)와의 사이에는, 기판(P)을 소정 길이에 걸쳐서 축적할 수 있는 제2 축적 장치(제2 축적부)(BF2)가 마련되어 있다. 따라서, 처리 장치(PR3)에는, 제1 축적 장치(BF1)를 거쳐 처리 장치(PR2)로부터 보내어져 온 기판(P)이 반입되고, 처리 장치(PR3)는, 제2 축적 장치(BF2)를 거쳐 기판(P)을 처리 장치(PR4)로 반출한다. 처리 장치(PR1~PR5)는, 제조 공장의 설치면에 배치된다. 이 설치면은, 설치 토대(土台) 상의 면이라도 좋고, 바닥이라도 좋다. 처리 장치(PR3), 제1 축적 장치(축적 장치, 축적부)(BF1), 및, 제2 축적 장치(축적 장치, 축적부)(BF2)는, 패턴 형성 장치(12)를 구성한다.
상위 제어 장치(14)는, 디바이스 제조 시스템(10)의 각 처리 장치(PR1~PR5), 제1 축적 장치(BF1), 및 제2 축적 장치(BF2)를 제어한다. 이 상위 제어 장치(14)는, 컴퓨터와, 프로그램이 기억된 기억 매체를 포함하며, 상기 컴퓨터가 기억 매체에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 본 제1 실시 형태의 상위 제어 장치(14)로서 기능한다. 또, 본 제1 실시 형태의 디바이스 제조 시스템(10)은, 5개의 처리 장치(PR)를 구비하도록 했지만, 2개 이상의 처리 장치(PR)를 구비하는 것이면 좋다. 예를 들면, 본 제1 실시 형태의 디바이스 제조 시스템(10)은, 처리 장치(PR2, PR3), 또는, 처리 장치(PR3, PR4)의 합계 2개의 처리 장치(PR)를 구비하는 것이라도 좋고, 처리 장치(PR2~PR4)의 합계 3개의 처리 장치(PR)를 구비하는 것이라도 좋다.
다음으로, 디바이스 제조 시스템(10)의 처리 대상이 되는 기판(P)에 대해 설명한다. 기판(P)은, 예를 들면, 수지(樹脂) 필름, 스테인리스강 등의 금속 또는 합금으로 이루어지는 박(箔)(포일(foil)) 등이 이용된다. 수지 필름의 재질로서는, 예를 들면, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리에스테르 수지, 에틸렌 비닐 공중합체 수지, 폴리염화비닐 수지, 셀룰로오스 수지, 폴리아미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리스틸렌 수지, 아세트산 비닐 수지 중 하나 또는 둘 이상을 포함한 것을 이용해도 괜찮다. 또, 기판(P)의 두께나 강성(영률(Young's率))은, 반송될 때에, 기판(P)에 좌굴(座屈)에 의한 접힘금이나 비가역적인 주름이 생기지 않는 범위라면 좋다. 전자 디바이스로서, 플렉시블한 디스플레이 패널, 터치 패널, 칼라 필터, 전자파 방지 필터 등을 만드는 경우, 두께가 25μm~200μm 정도의 PET(폴리에틸렌 테레프탈레이트)나 PEN(폴리에틸렌 나프탈레이트) 등의 수지 시트가 사용된다.
기판(P)은, 예를 들면, 기판(P)에 실시되는 각종 처리에서 받는 열에 의한 변형량을 실질적으로 무시할 수 있도록, 열팽창 계수가 현저하게 크지 않은 것을 선정하는 것이 바람직하다. 또, 베이스가 되는 수지 필름에, 예를 들면 산화 티탄, 산화 아연, 알루미나, 산화 규소 등의 무기 필러를 혼합하면, 열팽창 계수를 작게 할 수도 있다. 또, 기판(P)은, 플로트법(float法) 등에 의해 제조된 두께 100μm 정도의 매우 얇은 유리의 단층체라도 좋고, 이 매우 얇은 유리에 상기의 수지 필름, 또는 알루미늄이나 동 등의 금속층(박) 등을 라미네이트한 적층체라도 괜찮다.
그런데, 기판(P)의 가요성이란, 기판(P)에 자중 정도의 힘을 가해도 전단(剪斷)하거나 파단(破斷)하거나 하지는 않고, 그 기판(P)을 휘게 하는 것이 가능한 성질을 말한다. 또, 자중 정도의 힘에 의해서 굴곡하는 성질도 가요성에 포함된다. 또, 기판(P)의 재질, 크기, 두께, 기판(P) 상에 성막되는 층 구조, 온도, 습도 등의 환경 등에 따라서, 가요성의 정도는 바뀐다. 결국, 본 실시 형태에 의한 디바이스 제조 시스템(10) 내의 반송로에 마련되는 각종의 반송용 롤러, 회전 드럼 등의 반송 방향 전환용 부재에 기판(P)을 바르게 감는 경우에, 좌굴하여 접힘금이 생기거나, 파손(찢어짐이나 갈라짐이 발생)되거나 하지 않고, 기판(P)을 매끄럽게 반송할 수 있으면, 가요성의 범위라고 말할 수 있다.
이와 같이 구성된 기판(P)은, 롤 모양으로 권회됨으로써 공급용 롤(FR1)이 되고, 이 공급용 롤(FR1)이, 디바이스 제조 시스템(10)에 장착된다. 공급용 롤(FR1)이 장착된 디바이스 제조 시스템(10)은, 전자 디바이스를 제조하기 위한 각종의 처리를, 공급용 롤(FR1)로부터 송출되는 기판(P)에 대해서 순차적으로 실행한다. 이 때문에, 처리 후의 기판(P)에는, 복수의 전자 디바이스의 각각이 형성되는 디바이스 형성 영역(W)이 장척 방향으로 소정의 여백 영역(여백부)을 사이에 두고 늘어선 상태로 배치된다. 즉, 공급용 롤(FR1)로부터 송출되는 기판(P)은, 다면취용(多面取用) 기판으로 되어 있다.
전자 디바이스는, 복수의 패턴층(패턴이 적층된 다층 구조)이 소정의 오차 범위 내에서 서로 겹쳐짐으로써 구성된다. 도 1의 각 처리 장치(PR1~PR5)로 구성되는 디바이스 제조 시스템(10)에 의해서 1개의 패턴층이 생성되지만, 다층 구조의 전자 디바이스를 생성하기 위해서는, 도 1에 나타내는 바와 같은 디바이스 제조 시스템(10)을 복수 마련하고, 기판(P)을 복수의 디바이스 제조 시스템(10)을 통과시켜 순차적으로 처리하게 된다.
처리 후의 기판(P)은, 롤 모양으로 권회됨으로써 회수용 롤(FR2)로서 회수된다. 회수용 롤(FR2)은, 도시하지 않은 다이싱 장치에 장착되어도 괜찮다. 회수용 롤(FR2)이 장착된 다이싱 장치는, 처리후의 기판(P)을, 전자 디바이스마다로 분할(다이싱)함으로써, 복수개(매엽(枚葉))의 전자 디바이스로 한다. 기판(P)의 치수는, 예를 들면, 폭방향(단척이 되는 방향)의 치수가 10cm~2m 정도이며, 길이 방향(장척이 되는 방향)의 치수가 10m 이상이다. 또, 기판(P)의 치수는, 상기한 치수에 한정되지 않는다.
[처리 장치(PR2)(성막 장치)의 구성〕
도 2는, 처리 장치(PR2)의 구성을 나타내는 도면이다. 처리 장치(PR2)는, 안내 롤러(R1, R2), 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1), 텐션 조정 롤러(RT1, RT2), 회전 드럼(DR1), 구동 롤러(NR1, NR2), 얼라이먼트 현미경(AU), 다이 코터 헤드(다이 코터 방식의 도포 헤드부)(DCH), 잉크젯 헤드(IJH), 건조 장치(16), 및 하위 제어 장치(18)를 구비한다. 회전 드럼(DR1), 및 구동 롤러(NR1, NR2)에 의해서 기판(P)이 반송된다.
안내 롤러(R1)는, 처리 장치(PR1)로부터 처리 장치(PR2)로 반송된 기판(P)을 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)로 안내한다. 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)는, 복수의 롤러를 가지며, 소정의 텐션이 걸려진 상태로 반송되고 있는 기판(P)의 폭방향의 양단부(엣지부)의 위치가, 기판(P)의 폭방향에서 불규칙하지 않도록 제어한다. 구체적으로는, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)는, 엣지부의 위치가, 엣지부의 폭방향의 목표 위치에 대해서 ±십수μm~수십μm 정도의 범위(허용 범위)에 들어가도록, 엣지부의 위치를 검출하는 센서로부터의 신호에 응답하여, 기판(P)을 지지하는 롤러를 폭방향으로 이동시키고, 기판(P)의 폭방향으로서의 위치를 수정하면서, 기판(P)을 안내 롤러(R2)를 향해 반송한다. 안내 롤러(R2)는, 반송되어 온 기판(P)을 회전 드럼(DR1)으로 안내한다. 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)는, 회전 드럼(DR1)에 반입하는 기판(P)의 장척 방향이, 회전 드럼(DR1)의 중심축(AX1)의 축방향과 직교하도록(사행(蛇行)하지 않도록), 기판(P)의 폭방향으로서의 위치를 조정한다.
회전 드럼(DR1)은, Y방향으로 연장되는 중심축(AX1)과, 중심축(AX1)으로부터 일정 반경의 원통 모양의 외주면을 가지며, 외주면(원주면)을 따라서 기판(P)의 일부를 장척 방향으로 지지하면서, 중심축(AX1)을 중심으로 회전하여 기판(P)을 ＋X방향으로 반송한다. 회전 드럼(DR1)은, 얼라이먼트 현미경(AU)에 의해서 촬상되는 기판(P) 상의 영역(부분), 및 다이 코터(다이 코트) 헤드(DCH)나 잉크젯 헤드(IJH)에 의해서 처리되는 기판(P) 상의 영역(부분)을 원주면에 의해 지지한다.
얼라이먼트 현미경(AU(AU1~AU3))은, 도 5에 나타내는 기판(P) 상에 형성된 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))를 검출하기 위한 것이며, Y방향을 따라서 3개 마련되어 있다. 이 얼라이먼트 현미경(AU(AU1~AU3))의 검출 영역은, 회전 드럼(DR1)의 원주면 상에 Y방향으로 늘어서도록 일렬로 배치되어 있다. 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))는, 전자 디바이스가 형성되는 기판(P) 상의 전자 디바이스의 형성 영역(디바이스 형성 영역)(W)과 기판(P)을 상대적으로 위치 맞춤하기 위한(얼라이먼트하기 위한) 기준 마크이다. 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))는, 기판(P)의 폭방향의 양단부에, 기판(P)의 장척 방향을 따라서 일정 간격으로 형성되어 있음과 아울러, 기판(P)의 장척 방향을 따라서 늘어선 디바이스 형성 영역(W) 사이에서, 기판(P)의 폭방향 중앙에 형성되어 있다. 또, 처리 장치(PR3)에 의해서 이 기판(P) 상의 디바이스 형성 영역(패턴 형성 영역)(W)에 디스플레이 패널용 회로 또는 배선 등의 패턴에 따른 광 패턴이 조사(노광)된다.
얼라이먼트 현미경(AU(AU1~AU3))은, 얼라이먼트용 조명광을 기판(P)에 투영 하고, CCD,CMOS 등의 촬상 소자에 의해 그 반사광을 촬상함으로써, 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))를 검출한다. 즉, 얼라이먼트 현미경(AU1)은, 얼라이먼트 현미경(AU1)의 검출 영역(촬상 영역) 내에 존재하는 기판(P)의 ＋Y방향측의 단부측에 형성된 얼라이먼트 마크(Ks1)를 촬상한다. 얼라이먼트 현미경(AU2)은, 얼라이먼트 현미경(AU2)의 검출 영역 내에 존재하는 기판(P)의 -Y방향측의 단부에 형성된 얼라이먼트 마크(Ks2)를 촬상한다. 얼라이먼트 현미경(AU3)은, 얼라이먼트 현미경(AU3)의 검출 영역 내에 존재하는 기판(P)의 폭방향 중앙에 형성된 얼라이먼트 마크(Ks3)를 촬상한다. 이 얼라이먼트 현미경(AU(AU1~AU3))가 촬상한 화상 데이터는, 하위 제어 장치(18)에 보내어지고, 하위 제어 장치(18)는, 화상 데이터에 근거하여 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))의 기판(P) 상의 위치나 위치 오차를 산출(검출)하게 된다. 이 얼라이먼트 현미경(AU(AU1~AU3))의 검출 영역의 기판(P) 상의 크기는, 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))의 크기나 얼라이먼트 정밀도에 따라 설정되지만, 100~500μm각(角) 정도의 크기이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 기판(P)의 위치를 정밀하게 검출하기 위한 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))는, 일반적으로는 디바이스 형성 영역(전자 디바이스의 형성 영역)(W)의 외주부에 마련되지만, 반드시 외주부일 필요는 없고, 디바이스 형성 영역(W) 내이고 디바이스용 회로 패턴이 존재하지 않는 공백 부분에 마련되어도 괜찮다. 게다가, 디바이스 형성 영역(W) 내에 형성되는 회로 패턴의 일부 중, 특정의 위치에 형성되는 패턴(화소 영역, 배선부, 전극부, 단자부, 비어 홀(via hole)부 등의 부분 패턴) 자체를 얼라이먼트 마크로서 화상 인식하여 위치 검출하는 얼라이먼트계를 이용해도 괜찮다.
다이 코터 헤드(다이 코터 헤드부, 다이 코트 헤드부)(DCH)는, 감광성 기능액을 기판(P)에 대해서 폭넓고 균일하게 도포한다. 잉크젯 헤드(IJH)는, 감광성 기능액을 기판(P)에 대해서 선택적으로 도포한다. 다이 코터 헤드(DCH) 및 잉크젯 헤드(IJH)는, 얼라이먼트 현미경(AU(AU1~AU3))을 이용하여 검출된 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))의 기판(P) 상의 위치에 근거하여, 감광성 기능액을 선택적으로 기판(P)에 도포하는 것이 가능하다. 다이 코터 헤드(DCH) 및 잉크젯 헤드(IJH)는, 전자 디바이스의 형성 영역(W)에 감광성 기능액을 도포한다. 다이 코터 헤드(DCH) 및 잉크젯 헤드(IJH)는, 얼라이먼트 현미경(AU(AU1~AU3))에 대해서 기판(P)의 반송 방향의 하류측(＋X방향측)에 마련되어 있고, 잉크젯 헤드(IJH)는, 다이 코터 헤드(DCH)에 대해서 기판(P)의 반송 방향의 하류측(＋X방향측)에 마련되어 있다. 잉크젯 헤드(IJH)는, 기판(P)의 반송 방향(＋X방향)을 따라서 복수 마련되어 있다. 다이 코터 헤드(DCH) 및 잉크젯 헤드(IJH)에 의해서 감광성 기능액이 도포되는 기판(P) 상의 영역은, 회전 드럼(DR1)의 원주면에 의해 지지되어 있다.
건조 장치(16)는, 다이 코터 헤드(DCH) 및 잉크젯 헤드(IJH)에 대해서 기판(P)의 반송 방향의 하류측(＋X방향측)에 마련되어 있고, 다이 코터 헤드(DCH) 및 잉크젯 헤드(IJH)에 의해 도포된 기판(P) 상의 감광성 기능액을 건조시킴으로써, 기판(P) 상에 감광성 기능층을 형성한다. 건조 장치(16)는, 열풍 또는 드라이 에어등의 건조용 에어를 내뿜음으로써, 감광성 기능액에 포함되는 용제(溶劑) 또는 물을 제거하여 감광성 기능액을 건조시킨다.
감광성 기능액의 전형적인 것은 포토레지스트이지만, 현상 처리가 불필요한 재료로서, 자외선의 조사를 받는 부분의 친발액성이 개질되는 감광성 실란 커플링제(SAM), 혹은, 자외선의 조사를 받는 부분에 도금 환원기가 드러나는 감광성 환원제 등이 있다. 감광성 기능액으로서 감광성 실란 커플링제를 이용하는 경우는, 기판(P) 상의 자외선에 의해 노광된 패턴 부분이 발액성으로부터 친액성으로 개질된다. 그 때문에, 친액성이 된 부분 위에 도전성 잉크(은이나 동 등의 도전성 나노 입자를 함유하는 잉크)나 반도체 재료를 함유한 액체 등을 선택 도포함으로써, 패턴층을 형성할 수 있다. 감광성 기능액으로서, 감광성 환원제를 이용하는 경우는, 기판(P) 상의 자외선에 의해 노광된 패턴 부분이 개질되어 도금 환원기가 드러난다. 그 때문에, 노광 후, 기판(P)을 즉시 팔라듐 이온 등을 포함하는 무전해 도금액 중에 일정 시간 침지함으로써, 팔라듐에 의한 패턴층이 형성(석출)된다. 이러한 도금 처리는 애더티브(additive)한 프로세스이지만, 그 외, 서브트랙티브(subtractive)한 프로세스로서의 에칭 처리를 전제로 하는 경우는, 처리 장치(PR3)로 보내어지는 기판(P)은, 모재(母材)를 PET나 PEN로 하고, 그 표면에 알루미늄(Al)이나 동(Cu) 등의 금속제 박막을 전면(全面)에 또는 선택적으로 증착하고, 게다가 그 위에 포토레지스트층을 적층한 것이라도 좋다. 본 제1 실시 형태에서는, 감광성 기능층으로서 포토레지스트가 이용된다.
건조 장치(16)에는, 기판(P) 상에 형성된 감광성 기능층의 막 두께나 막 두께 불균일 등의 처리 품질을 계측하는 막 두께 계측 장치(16a)가 마련되어 있다. 이 막 두께 계측 장치(16a)는, 전자식, 과전류식, 과전류 위상식, 형광 X선식, 전기 저항식, β선 후방 산란식, 자기식, 또는, 초음파식 등에 의해서 접촉 또는 비접촉으로 막 두께를 계측한다. 건조 장치(16)에 의해서, 감광성 기능층이 형성된 기판(P)은, 구동 롤러(NR1)로 안내된다. 구동 롤러(NR1)는, 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전함으로써, 기판(P)을 구동 롤러(NR2)로 안내한다. 구동 롤러(NR2)는, 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전함으로써, 구동 롤러(NR1)에 의해서 반송된 기판(P)을 제1 축적 장치(BF1)에 공급한다. 텐션 조정 롤러(RT1)는, －Z방향으로 가압되어 있고, 회전 드럼(DR1)으로 반송되는 기판(P)에 대해서 소정의 텐션을 부여하고 있다. 텐션 조정 롤러(RT2)는, －X방향으로 가압되어 있고, 구동 롤러(NR2)로 반송되는 기판(P)에 대해서 소정의 텐션을 부여하고 있다. 기판(P)을 반송하는 구동 롤러(NR1, NR2), 및 회전 드럼(DR1)은, 하위 제어 장치(18)에 의해서 제어되는 모터나 감속기 등을 가지는 회전 구동원(도시 생략)으로부터의 회전 토크가 부여됨으로써 회전한다. 이 구동 롤러(NR1, NR2), 및 회전 드럼(DR1)의 회전 속도에 의해서, 처리 장치(PR2) 내의 기판(P)의 반송 속도가 규정된다. 또, 구동 롤러(NR1, NR2), 및 회전 드럼(DR1) 등에 마련된 도시하지 않은 엔코더로부터 보내어져 오는 회전 속도 신호(기판(P)의 반송 속도 신호)는, 하위 제어 장치(18)로 보내어진다.
하위 제어 장치(18)는, 상위 제어 장치(14)의 제어에 따라서, 처리 장치(PR2)의 각 부를 제어한다. 예를 들면, 하위 제어 장치(18)는, 처리 장치(PR2) 내에서 반송되는 기판(P)의 반송 속도, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1), 얼라이먼트 현미경(AU1~AU3), 다이 코터 헤드(DCH), 잉크젯 헤드(IJH), 및, 건조 장치(16)를 제어한다. 또, 하위 제어 장치(18)는, 얼라이먼트 현미경(AU(AU1~AU3))에 의해서 검출된 기판(P) 상의 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))의 위치 정보, 막 두께 계측 장치(16a)가 검출한 막 두께 정보, 회전 속도 정보(처리 장치(PR2) 내의 기판(P)의 반송 속도 정보) 등을 상위 제어 장치(14)에 출력한다. 하위 제어 장치(18)는, 컴퓨터와, 프로그램이 기억된 기억 매체를 포함하며, 상기 컴퓨터가 기억 매체에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 본 제1 실시 형태의 하위 제어 장치(18)로서 기능한다. 이 하위 제어 장치(18)는, 상위 제어 장치(14)의 일부라도 좋고, 상위 제어 장치(14)와는 다른 제어 장치라도 괜찮다.
도 3은, 다이 코터 헤드(DCH)의 구체적인 구성의 일례를 나타내는 부분 단면도이다. 다이 코터 헤드(DCH)는, 감광성 기능액으로서의 도포액(LQc)을 저장하는 헤드 본체(200A), 헤드 본체(200A)의 기판(P)측의 선단에, Y방향(기판(P)의 폭방향)으로 연장하여 형성된 슬릿부(200B), 헤드 본체(200A) 내의 도포액(LQc)을 슬릿부(200B)로부터 압출하기 위해 축선(AK)을 따라서 이동 가능한 피스톤부(201), 헤드 본체(200A)의 내벽과 피스톤부(201)와의 사이에서 도포액(LQc)이 누출되지 않도록 씰링하는 패킹부(202), 도포시에 피스톤부(201)를 축선(AK)을 따라서 밀어내리는 구동부(203), 및, 헤드 본체(200A) 내에 도포액(LQc)을 공급하기 위한 공급구(204)로 구성된다. 다이 코터 헤드(DCH) 전체는, 상하 이동 구동부(206)에 의해서, 도포시에 기판(P)과 슬릿부(200B)와의 사이의 갭을 조정하거나, 기판(P)으로부터 크게 퇴피하거나 하기 위해서 축선(AK)을 따라서 상하 이동된다.
헤드 본체(200A) 내에 담기는 도포액(LQc)의 용량에는 제한이 있기 때문에, 피스톤부(201)가 허용 위치까지 밀어 내려진 후, 피스톤부(201)를 상승시키면서, 도포액 보충부(207)로부터 공급구(204)를 거쳐 새로운 도포액(LQc)을 보충한다. 이 보충 동작시, 기판(P)에 대한 도포 작업은 중단(기판(P)의 반송의 정지 또는 감속)되어, 다이 코터 헤드(DCH)는 기판(P)으로부터 조금 떨어지도록 상하 이동 구동부(206)에 의해서 이동된다. 또, 구동부(203) 내에는, 피스톤부(201)의 이동량을 계측하는 센서(리니어 엔코더 등)가 마련되고, 그 계측 정보는 도 2 중의 하위 제어 장치(18)로 순차적으로 보내어진다.
하위 제어 장치(18)는, 피스톤부(201)의 이동량에 근거하여, 헤드 본체(200A) 내에 잔류하는 도포액(LQc)의 양을 산정하고, 산정된 도포액(LQc)의 잔류량과 설정된 도포 조건(피스톤부(201)의 압출 속도 등)에 근거하여, 계속 가능한 도포 작업의 시간(계속 가능 시간)이나, 다음의 도포액(LQc)의 보충 동작 개시까지의 시간(보충 개시 시간)을 순서대로 예측한다. 도포액(LQc)의 보충 동작이 필요한지 아닌지는, 일차적으로는 하위 제어 장치(18)에 의해서 판정되지만, 예측된 계속 가능 시간이나 보충 개시 시간의 정보는 도 1 중의 상위 제어 장치(14)로 보내어지고, 라인 전체의 가동 상태(특히 기판(P)의 반송 상황)를 고려하여, 상위 제어 장치(14)로부터 하위 제어 장치(18)로 보충 동작을 지시할 수도 있다.
또, 본 제1 실시 형태에서는, 헤드 본체(200A)가 상부로 퇴피(退避)한 상태일 때에, 헤드 본체(200A)와 기판(P)(회전 드럼(DR1))과의 사이의 공간에 삽입되어, 헤드 본체(200A)의 선단부(슬릿부(200B))를 세정하는 클리닝부(210)가 마련된다. 클리닝부(210)는, Y축과 수직인 XZ면내에서의 내벽의 단면 형상이, 헤드 본체(200A)의 선단의 단면 형상에 맞춘 V자 모양으로 형성되고, 구동부(211)에 의해서 Y방향으로 이동 가능(삽탈(揷脫) 가능)하게 마련되어 있다. 클리닝부(210)에는, 세정액 공급부(212A)로부터의 세정액을 유입(流入)하는 주입구(注入口)(CPa)와, 헤드 본체(200A)의 선단부와 클리닝부(210)의 V자 모양의 내벽과의 사이의 공극을 통과한 세정액을 세정액 회수부(212B)로 배출하는 배출구(CPb)가 마련되어 있다. 게다가, 클리닝부(210)에는, 세정 후에 헤드 본체(200A)의 선단부를 건조시키기 위해서, 기체 공급부(213A)로부터의 기체를 유입하는 주입구(CPc)와, 헤드 본체(200A)의 선단부와 클리닝부(210)의 V자 모양의 내벽과의 사이의 공극을 통과한 기체를 기체 회수부(213B)로 배출하는 배출구(CPd)가 마련되어 있다. 또, 세정액 공급부(212A)와 세정액 회수부(212B)는, 클리닝부(210)의 V자 모양의 내벽으로부터 세정액이 넘쳐 나오지 않도록, 세정액의 공급/배출의 유량을 조정하는 기능을 구비하고 있다.
세정·건조 동작은, 도포 작업이 일정 시간 경과할 때마다, 도 2의 하위 제어 장치(18)의 판단에 의해 지시된다. 그렇지만, 라인 전체의 가동 상태(특히 기판(P)의 반송 상황)를 고려할 필요가 있기 때문에, 도포 작업을 소정의 시간 후에 일시적으로 멈추어지는지 아닌지는, 도 1의 상위 제어 장치(14)에 의해서 판정되고, 도포 작업이 일시적으로 정지 가능이라고 판정된 경우는, 지정된 시각에 세정·건조 동작을 개시한다. 또, 막 두께 계측 장치(16a)에 의해서 막 두께 불균일 등이 계측된 경우는, 즉시 세정·건조 동작을 실시하는 것이 바람직하지만, 그 경우도, 하위 제어 장치(18)로부터 도 1의 상위 제어 장치(14)에 부(不)정기적인 세정·건조 동작이 필요한 취지의 리퀘스트를 행한다.
이상의 구성에 의해, 본 실시 형태의 다이 코터 헤드(DCH)는, 일시적으로 도포 작업을 중단하여, 도포액(LQc)을 보충한 후, 이어서 도포 작업을 계속할 수 있다. 도포액(LQc)의 보충 동작은, 비교적으로 단시간에 행하는 것이 가능하고, 예를 들면 30초 정도이다. 또, 보충 동작시에, 클리닝부(210)에 의한 세정·건조 동작을 함께 행해도 괜찮다. 세정·건조 동작도 비교적으로 단시간에 가능하고, 예를 들면 60초~120초 정도이다. 게다가, 보충 동작만을 행하는 경우라도, 다이 코터 헤드(DCH) 전체를 크게 끌어올려, 헤드 본체(200A)의 선단부와 기판(P)의 사이에 클리닝부(210)를 삽입해 두면, 보충 동작 중에 슬릿부(200B)로부터 누출되는(배어나오는) 도포액(LQc)이 기판(P)에 낙하하는 것을 방지할 수 있다. 그 경우, 클리닝부(210)의 삽탈 동작에 필요로 하는 시간과 다이 코터 헤드(DCH)의 상하 이동의 시간이 필요하게 되지만, 모두 단시간의 동작으로 끝난다. 도포액(LQc)의 보충 동작, 클리닝부(210)에 의한 세정·건조 동작은, 모두 처리 장치(PR2)에서의 기판(P)의 처리 품질의 열화를 피하기 위한 부가(付加) 작업이다.
(처리 장치(PR3)를 포함하는 패턴 형성 장치(12)의 구성)
도 4는, 패턴 형성 장치(12)의 구성을 나타내는 도면이다. 패턴 형성 장치(12)의 제1 축적 장치(BF1)는, 구동 롤러(NR3, NR4)와 복수의 댄서(dancer) 롤러(20)를 가지고 있다. 구동 롤러(NR3)는, 처리 장치(PR2)로부터 보내어져 온 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전하여, 기판(P)을 제1 축적 장치(BF1) 내에 반입한다. 구동 롤러(NR4)는, 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전하여, 제1 축적 장치(BF1) 내의 기판(P)을 처리 장치(PR3)로 반출한다. 복수의 댄서 롤러(20)는, 구동 롤러(NR3)와 구동 롤러(NR4)와의 사이에 마련되고, 기판(P)에 대해서 소정의 텐션을 부여하는 것이다. 복수의 댄서 롤러(20)는, Z방향으로 이동 가능하고, 상측(＋Z방향측)의 댄서 롤러(20(20a))는, ＋Z방향측으로 가압되고, 하측(－Z방향측)의 댄서 롤러(20(20b))는, －Z방향측으로 가압되어 있다. 이 댄서 롤러(20a)와 댄서 롤러(20b)는 X방향에 관해서 교호로 배치되어 있다.
제1 축적 장치(BF1)에 반입하는 기판(P)의 반송 속도가, 제1 축적 장치(BF1)로부터 반출하는 기판(P)의 반송 속도에 대해서 상대적으로 빠르게 되면, 제1 축적 장치(BF1)에 축적되는 기판(P)의 길이(축적 길이)는 증가한다. 제1 축적 장치(BF1)의 축적 길이가 길게 되면, 가압력에 의해서 댄서 롤러(20a)가 ＋Z방향으로, 댄서 롤러(20b)가 -Z방향으로 이동한다. 이것에 의해, 제1 축적 장치(BF1)의 축적량이 증가한 경우라도, 기판(P)에 소정의 텐션을 부여한 상태에서, 기판(P)을 소정 길이에 걸쳐서 축적할 수 있다. 반대로, 제1 축적 장치(BF1)에 반입하는 기판(P)의 반송 속도가, 제1 축적 장치(BF1)로부터 반출하는 기판(P)의 반송 속도에 대해서 상대적으로 느리게 되면, 제1 축적 장치(BF1)에 축적되는 기판(P)의 길이(축적 길이)는 감소한다. 제1 축적 장치(BF1)의 축적 길이가 감소하면, 가압력에 저항하여 댄서 롤러(20a)가 -Z방향으로, 댄서 롤러(20b)가 ＋Z방향으로 이동한다. 결국, 제1 축적 장치(BF1)는, 기판(P)에 소정의 텐션을 부여한 상태에서 기판(P)을 축적할 수 있다. 구동 롤러(NR3, NR4)는, 하위 제어 장치(24)에 의해서 제어되는 모터나 감속기 등을 가지는 회전 구동원(도시 생략)으로부터의 회전 토크가 부여됨으로써 회전한다. 이 구동 롤러(NR3)의 회전 속도에 의해서, 제1 축적 장치(BF1)에 반입하는 기판(P)의 반송 속도가 규정되고, 구동 롤러(NR4)의 회전 속도에 의해서, 제1 축적 장치(BF1)로부터 반출하는 기판(P)의 반송 속도가 규정된다. 또, 구동 롤러(NR3, NR4)에 마련된 도시하지 않은 엔코더로부터 보내어져 오는 회전 속도 신호는, 패턴 형성 장치(12)의 하위 제어 장치(24)로 보내어진다.
패턴 형성 장치(12)의 제2 축적 장치(BF2)는, 구동 롤러(NR5, NR6)와 복수의 댄서 롤러(22)를 가지고 있다. 구동 롤러(NR5)는, 처리 장치(PR3)로부터 보내어져 온 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전하여, 기판(P)을 제2 축적 장치(BF2) 내에 반입한다. 구동 롤러(NR6)는, 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서, 제2 축적 장치(BF2) 내의 기판(P)을 처리 장치(PR4)로 반출한다. 복수의 댄서 롤러(22)는, 구동 롤러(NR5)와 구동 롤러(NR6)와의 사이에 마련되고, 기판(P)에 대해서 소정의 텐션을 부여하는 것이다. 복수의 댄서 롤러(22)는, Z방향으로 이동 가능하며, 상측(＋Z방향측)의 댄서 롤러(22(22a))는, ＋Z방향으로 가압되어 있고, 하측(－Z방향측)의 댄서 롤러(22(22b))는, －Z방향으로 가압되어 있다. 이 댄서 롤러(20a)와 댄서 롤러(20b)는 X방향에 관해서 교호로 배치되어 있다. 이러한 구성을 가지는 것에 의해, 제2 축적 장치(BF2)는, 제1 축적 장치(BF1)와 마찬가지로, 기판(P)에 소정의 텐션을 부여한 상태에서, 기판(P)을 축적할 수 있다. 또, 제1 축적 장치(BF1)와 제2 축적 장치(BF2)의 구성은 동일하게 한다. 구동 롤러(NR5, NR6)는, 하위 제어 장치(24)에 의해서 제어되는 모터나 감속기 등을 가지는 회전 구동원(도시 생략)으로부터의 회전 토크가 부여됨으로써 회전한다. 이 구동 롤러(NR5)의 회전 속도에 의해서, 제2 축적 장치(BF2)에 반입하는 기판(P)의 반송 속도가 규정되고, 구동 롤러(NR6)의 회전 속도에 의해서, 제2 축적 장치(BF2)로부터 반출하는 기판(P)의 반송 속도가 규정된다. 또, 구동 롤러(NR5, NR6)에 마련된 도시하지 않은 엔코더로부터 보내어져 오는 회전 속도 신호는, 하위 제어 장치(24)로 보내어진다.
패턴 형성 장치(12)의 처리 장치(PR3)는, 본 제1 실시 형태에서는 마스크를 이용하지 않는 직묘(直描) 방식의 노광 장치(EX), 이른바 래스터 스캔(raster scan) 방식의 노광 장치(EX)이며, 제1 축적 장치(BF1)를 거쳐 처리 장치(PR2)로부터 공급된 기판(P)에 대해서, 디스플레이(전자 디바이스)용 회로나 배선 등의 패턴에 따른 광 패턴을 조사한다. 디스플레이용 회로나 배선의 패턴으로서는, 디스플레이를 구성하는 TFT의 소스 전극 및 드레인 전극과 그것에 부수하는 배선 등의 패턴, 또는, TFT의 게이트 전극과 그것에 부수하는 배선 등의 패턴 등을 들 수 있다. 처리 장치(PR3)는, 기판(P)을 X방향으로 반송하면서, 노광용 레이저광(LB)의 스폿광을 기판(P) 상에서 소정의 주사 방향(Y방향)으로 1차원 주사하면서, 스폿광의 강도를 패턴 데이터(묘화 데이터)에 따라 고속으로 변조(온/오프)하는 것에 의해서, 기판(P)의 표면(감광면)에 광 패턴을 묘화 노광한다. 즉, 기판(P)의 ＋X방향으로의 반송(부주사(副走査))과, 스폿광의 주사 방향(Y방향)으로의 주사(주주사(主走査))에 의해, 스폿광이 기판(P) 상에서 2차원 주사되어, 기판(P)에 패턴에 대응한 광 에너지(에너지선)가 조사된다. 이것에 의해, 감광성 기능층에 소정의 패턴에 대응한 잠상(潛像)(개질부)이 형성된다. 이 패턴 데이터는, 패턴 형성 장치(12)의 하위 제어 장치(24)의 기억 매체에 기억되어 있어도 괜찮고, 상위 제어 장치(14)의 기억 매체에 기억되어 있어도 괜찮다.
처리 장치(PR3)는, 반송부(30), 광원 장치(32), 광 도입 광학계(34), 및 노광 헤드(36)를 구비하고 있다. 반송부(30)는, 제1 축적 장치(BF1)를 매개로 하여 처리 장치(PR2)로부터 반송되는 기판(P)을, 처리 장치(PR4)를 향해서 반송한다. 반송부(30)는, 기판(P)의 반송 방향을 따라서 상류측(－X방향측)으로부터 순서대로, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC2), 안내 롤러(R3), 텐션 조정 롤러(RT3), 회전 드럼(DR2), 텐션 조정 롤러(RT4), 및 엣지 포지션 컨트롤러(EPC3)를 가진다.
엣지 포지션 컨트롤러(EPC2)는, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)와 마찬가지로, 복수의 롤러를 가지며, 기판(P)의 폭방향의 양단부(엣지)가, 기판(P)의 폭방향에서 불규칙하지 않도록 목표 위치에 대해서 ±십수μm~수십μm 정도의 범위(허용 범위)에 들어가도록, 기판(P)을 폭방향으로 이동시켜, 기판(P)의 폭방향에서의 위치를 수정하면서, 기판(P)을 회전 드럼(DR2)을 향해 반송한다. 엣지 포지션 컨트롤러(EPC2)는, 회전 드럼(DR2)에 반입하는 기판(P)의 장척 방향이, 회전 드럼(DR2)의 중심축(AX2)의 축방향과 직교하도록(사행하지 않도록), 기판(P)의 폭방향에서의 위치를 조정한다. 안내 롤러(R3)는, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC2)로부터 보내어져 온 기판(P)을 회전 드럼(DR2)으로 안내한다.
회전 드럼(DR2)은, 도 5에도 나타내는 바와 같이, Y방향으로 연장되는 중심축(AX2)과, 중심축(AX2)으로부터 일정한 반경의 원통 모양의 외주면을 가지며, 외주면(원주면)을 따라서 기판(P)의 일부를 장척 방향으로 지지하면서, 중심축(AX2)을 중심으로 회전하여 기판(P)을 ＋X방향으로 반송한다. 회전 드럼(DR2)은, 기판(P) 상에서 광 패턴이 노광되는 부분(노광 영역)을 그 원주면에 의해 지지한다.
엣지 포지션 컨트롤러(EPC3)는, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC1)와 마찬가지로, 복수의 롤러를 가지며, 기판(P)의 폭방향의 양단부(엣지)가, 기판(P)의 폭방향에서 불규칙하지 않도록 목표 위치에 대해서 ±십수μm~수십μm 정도의 범위(허용 범위)에 들어가도록, 기판(P)을 폭방향으로 이동시켜, 기판(P)의 폭방향에서의 위치를 수정하면서, 기판(P)을 처리 장치(PR4)를 향해 반송한다. 텐션 조정 롤러(RT3, RT4)는, －Z방향측으로 가압되어 있고, 회전 드럼(DR2)에 감겨져 지지되어 있는 기판(P)에 소정의 텐션을 부여하고 있다. 회전 드럼(DR2)은, 하위 제어 장치(24)에 의해서 제어되는 모터나 감속기 등을 가지는 회전 구동원(도시 생략)으로부터의 회전 토크가 부여됨으로써 회전한다. 이 회전 드럼(DR2)의 회전 속도에 의해서, 처리 장치(PR3) 내의 기판(P)의 반송 속도가 규정된다. 또, 회전 드럼(DR2) 등에 마련된 엔코더 시스템으로부터 보내어져 오는 회전 속도 신호(기판(P)의 반송 속도 신호)나 반송 이동량 등의 계측 정보는, 하위 제어 장치(24)에 보내어진다.
그 엔코더 시스템은, 도 5에 나타내는 바와 같이, 회전 드럼(DR2)의 중심축(AX2)의 방향(Y방향)의 양단측에 마련되어, 회전 드럼(DR2)의 회전 각도 위치, 혹은 회전 드럼(DR2)의 외주면(기판(P)의 표면)의 원주 방향의 이동량을 계측하기 위한 스케일부(스케일 원반(圓盤))(ESa, ESb)와, 스케일부(ESa, ESb)에 새겨 마련된 회절 격자 모양의 눈금을 읽어내는 독해 헤드(EC1a, EC1b, EC2a, EC2b)로 구성된다. 스케일부(ESa, ESb)와 각 독해 헤드(EC1a, EC1b, EC2a, EC2b)의 배치 관계에 대해서는, 예를 들면 국제공개 제2013/146184호 팜플렛에 상세하게 설명되어 있으므로, 여기에서는 간략화하여 나타내고 있다.
스케일부(ESa, ESb)와 각 독해 헤드(EC1a, EC1b, EC2a, EC2b)로 구성되는 엔코더 시스템의 계측 결과로부터 기판(P)의 반송 거리나 반송 속도가 구하여진다. 또, 엔코더 시스템은, 얼라이먼트 현미경(AM1~AM3)에 의한 기판(P)의 얼라이먼트 마크(Ks1~Ks3)의 검출 위치로부터, 기판(P) 상의 디바이스(패턴)의 디바이스 형성 영역(W)의 노광 위치나 도 5에 나타낸 여백부(Sw)의 위치를 구하는데 사용된다. 게다가, 엔코더 시스템은, 캘리브레이션(교정) 동작시의 회전 드럼(DR2)의 위치 관리, 혹은, 기판(P)의 반송을 일시적으로 역전시킬 때의 회전 드럼(DR2)의 위치 관리에도 사용된다.
광원 장치(32)는, 레이저 광원을 가지며, 노광에 이용되는 자외선의 레이저광(조사 광, 노광 빔)(LB)을 사출하는 것이다. 이 레이저광(LB)은, 370nm 이하의 파장 대역에 피크 파장을 가지는 자외선 광이라도 좋다. 레이저광(LB)은, 발광 주파수 Fs로 발광한 펄스 광이라도 좋다. 광원 장치(32)가 사출한 레이저광(LB)은, 광 도입 광학계(34)로 안내되어 노광 헤드(36)에 입사함과 아울러, 강도 센서(37)에 입사한다. 이 강도 센서(37)는, 레이저광(LB)의 강도를 검출하는 센서이다.
노광 헤드(36)는, 광원 장치(32)로부터의 레이저광(LB)이 각각 입사하는 복수의 묘화 유닛(U(U1~U5))을 구비하고 있다. 즉, 광원 장치(32)로부터의 레이저광(LB)은, 반사 미러나 빔 스플리터 등을 가지는 광 도입 광학계(34)로 안내되어 복수의 묘화 유닛(U(U1~U5))에 입사한다. 노광 헤드(36)는, 회전 드럼(DR2)의 원주면에 의해 지지되어 있는 기판(P)의 일부분에, 복수의 묘화 유닛(U(U1~U5))에 의해서, 패턴을 묘화 노광한다. 노광 헤드(36)는, 구성이 동일한 묘화 유닛(U(U1~U5))을 복수 가짐으로써, 이른바 멀티 빔형 노광 헤드(36)로 되어 있다. 묘화 유닛(U1, U3, U5)은, 회전 드럼(DR2)의 중심축(AX2)에 대해서 기판(P)의 반송 방향의 상류측(－X방향측)에 배치되고, 묘화 유닛(U2, U4)은, 회전 드럼(DR2)의 중심축(AX2)에 대해서 기판(P)의 반송 방향의 하류측(＋X방향측)에 배치되어 있다.
각 묘화 유닛(U)은, 입사한 레이저광(LB)을 기판(P) 상에서 수렴시켜 스폿광으로 하고, 또한, 그 스폿광을 주사 라인을 따라서 주사시킨다. 도 5에 나타내는 바와 같이, 각 묘화 유닛(U)의 주사 라인(L)은, Y방향(기판(P)의 폭방향)에 관해서 서로 분리되지 않고, 서로 연결되도록 설정되어 있다. 도 5에서는, 묘화 유닛(U1)의 주사 라인(L)을 L1, 묘화 유닛(U2)의 주사 라인(L)을 L2로 나타내고 있다. 마찬가지로, 묘화 유닛(U3, U4, U5)의 주사 라인(L)을 L3, L4, L5로 나타내고 있다. 이와 같이, 묘화 유닛(U1~U5) 전부에 의해 디바이스 형성 영역(W)의 폭방향 전부를 커버하도록, 각 묘화 유닛(U)은 주사 영역을 분담하고 있다. 또, 예를 들면, 1개의 묘화 유닛(U)에 의한 Y방향의 묘화폭(주사 라인(L)의 길이)을 20~50mm 정도로 하면, 홀수번째의 묘화 유닛(U1, U3, U5) 3개와, 짝수번째의 묘화 유닛(U2, U4) 2개와의 합계 5개의 묘화 유닛(U)을 Y방향으로 배치하는 것에 의해서, 묘화 가능한 Y방향의 폭을 100~250mm 정도로 넓히고 있다.
다음으로, 도 6을 이용하여 묘화 유닛(U)에 대해 설명한다. 또, 각 묘화 유닛(U(U1~U5))은, 동일한 구성을 가지기 때문에, 묘화 유닛(U2)에 대해서만 설명하고, 다른 묘화 유닛(U)에 대해서는 설명을 생략한다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 묘화 유닛(U2)은, 예를 들면, 집광 렌즈(50), 묘화용 광학 소자(광 변조 소자)(52), 흡수체(54), 콜리메이트(콜리메이터) 렌즈(56), 반사 미러(58), 실린드리칼 렌즈(60), 반사 미러(64), 폴리곤 미러(광 주사 부재)(66), 반사 미러(68), f－θ렌즈(70), 및 실린드리칼 렌즈(72)를 가진다.
묘화 유닛(U2)에 입사하는 레이저광(LB)은, 연직 방향의 상부로부터 하부(－Z방향)를 향해 진행하고, 집광 렌즈(50)를 거쳐 묘화용 광학 소자(52)에 입사한다. 집광 렌즈(50)는, 묘화용 광학 소자(52)에 입사하는 레이저광(LB)을 묘화용 광학 소자(52) 내에서 빔 웨이스트(waist)가 되도록 집광(수렴)시킨다. 묘화용 광학 소자(52)는, 레이저광(LB)에 대해서 투과성을 가지는 것이며, 예를 들면, 음향 광학 변조 소자(AOM：Acousto-Opticmodulator)가 이용된다.
묘화용 광학 소자(52)는, 하위 제어 장치(24)로부터의 구동 신호(고주파 신호)가 오프인 상태일 때에는, 입사한 레이저광(LB)을 흡수체(54)측으로 투과시키고, 하위 제어 장치(24)로부터의 구동 신호(고주파 신호)가 온인 상태일 때에는, 입사한 레이저광(LB)을 회절시켜 반사 미러(58)를 향하게 한다. 흡수체(54)는, 레이저광(LB)의 외부로의 누출을 억제하기 위해서 레이저광(LB)을 흡수하는 광 트랩이다. 이와 같이, 묘화용 광학 소자(52)에 인가해야 할 묘화용 구동 신호(초음파의 주파수)를 패턴 데이터(흑백)에 따라 고속으로 온/오프하는 것에 의해서, 레이저광(LB)이 반사 미러(58)를 향하던지, 흡수체(54)를 향하던지 스위칭된다. 이것은, 기판(P) 상에서 보면, 감광면에 이르는 레이저광(LB)(스폿광(SP))의 강도가, 패턴 데이터에 따라 고레벨과 저레벨(예를 들면, 제로 레벨) 중 어느 하나로 고속으로 변조되는 것을 의미한다.
콜리메이트 렌즈(56)는, 묘화용 광학 소자(52)로부터 반사 미러(58)를 향하는 레이저광(LB)을 평행광으로 한다. 반사 미러(58)는, 입사한 레이저광(LB)을 -X방향으로 반사시키고, 실린드리칼 렌즈(60)를 거쳐 반사 미러(64)에 조사한다. 반사 미러(64)는, 입사한 레이저광(LB)을 폴리곤 미러(66)에 조사한다. 폴리곤 미러(회전 다면경)(66)는, 회전함으로써 레이저광(LB)의 반사각을 연속적으로 변화시키고, 기판(P) 상에 조사되는 레이저광(LB)의 위치를 주사 방향(기판(P)의 폭방향)으로 주사한다. 폴리곤 미러(66)는, 하위 제어 장치(24)에 의해서 제어되는 도시하지 않은 회전 구동원(예를 들면, 모터나 감속기 등)에 의해서 일정한 속도로 회전한다. 또, 폴리곤 미러(66)에 마련된 도시하지 않은 엔코더로부터 보내어져 오는 회전 속도 신호(스폿광(SP)의 주사 속도 신호)는, 하위 제어 장치(24)로 보내어진다.
반사 미러(58)와 반사 미러(64)와의 사이에 마련된 실린드리칼 렌즈(60)는, 상기 주사 방향과 직교하는 비(非)주사 방향(Z방향)에 관해서 레이저광(LB)을 폴리곤 미러(66)의 반사면 상에서 집광(수렴)한다. 이 실린드리칼 렌즈(60)에 의해서, 상기 반사면이 Z방향에 대해서 경사져 있는 경우(XY면의 법선과 상기 반사면과의 평형 상태로부터의 기울어짐)가 있어도, 그 영향을 억제할 수 있어, 기판(P) 상에 조사되는 레이저광(LB)의 조사 위치가 X방향으로 시트프되는 것을 억제한다.
폴리곤 미러(66)에서 반사한 레이저광(LB)은, 반사 미러(68)에 의해서 -Z방향으로 반사되고, Z축과 평행한 광축(AXu)을 가지는 f－θ 렌즈(70)에 입사한다. 이 f－θ 렌즈(70)는, 기판(P)에 투사되는 레이저광(LB)의 주광선이 주사 중(中)에는 항상 기판(P)의 표면의 법선이 되는 텔레센트릭계 광학계이며, 그것에 의해서, 레이저광(LB)을 Y방향으로 정확하게 등속도로 주사하는 것이 가능하게 된다. f－θ 렌즈(70)로부터 조사된 레이저광(LB)은, 모선이 Y방향과 평행하게 되어 있는 실린드리칼 렌즈(72)를 거쳐, 기판(P) 상에 직경(直徑) 수μm 정도(예를 들면, 3μm)의 대략 원형의 미소(微小)한 스폿광(SP)이 되어 조사된다. 스폿광(주사 스폿광)(SP)은, 폴리곤 미러(66)에 의해서, Y방향으로 연장되는 주사 라인(L2)을 따라서 일방향으로 1차원 주사된다.
도 7은, 도 6의 묘화 유닛(U(U1~U5)) 중에 마련되는 반사광 모니터계의 구성을 나타내는 도면이다. 집광 렌즈(50)를 통과한 직선 편광의 레이저광(LB)은, 집광 렌즈(50)에 의해서 묘화용 광학 소자(AOM)(52)의 내부의 편향부(52a)에서 빔 웨이스트(waist)가 되도록 수렴되고, 구동 신호(고주파 신호)가 오프인 상태일 때에, 편향부(52a)를 직진하는 0차 광(LB0)은, 흡수체(광 트랩)(54)에 흡수된다. 구동 신호(고주파 신호)가 온인 상태일 때에, 편향부(52a)에서 1차 회절광으로서 편향된 레이저광(LB)은, 편광 빔 스플리터(55A)와 1/4 파장판(55B)을 투과하여 원편광이 되어 콜리메이트 렌즈(56)에 입사하고, 다시 평행 광속으로 정형(整形)된다. 콜리메이트 렌즈(56)를 통과한 레이저광(LB)은, 도 6의 반사 미러(58), 실린드리칼 렌즈(60), 반사 미러(64), 폴리곤 미러(66), 반사 미러(68), f－θ 렌즈(70), 및 실린드리칼 렌즈(72)를 통과하여, 기판(P)(회전 드럼(DR2)) 상에 조사된다.
레이저광(LB)의 스폿광(SP)에 의해서 조사되는 기판(P)(또는 회전 드럼(DR2))의 표면의 반사율에 따라서, 스폿광(SP)의 조사 위치로부터는, 반사광(정반사광, 산란광 등)이 발생한다. f－θ 렌즈(70)로부터 사출하는 레이저광(LB)의 주광선이 기판(P)(회전 드럼(DR2))의 표면과 수직이 되도록, f－θ 렌즈(70)를 텔레센트릭계로 했으므로, 그 반사광 중 정(正)반사광은, 실린드리칼 렌즈(72)로부터 입사하여 레이저광(LB)의 광로를 역진(逆進)하여, 콜리메이트 렌즈(56)까지 되돌아온다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 콜리메이트 렌즈(56)까지 되돌아온 정반사광(LRf)은, 1/4 파장판(55B)에서 원편광으로부터 직선 편광으로 변환되고, 편광 빔 스플리터(55A)에서 반사되어 수광부(62)에 이른다. 수광부(62)의 수광면은 기판(P)의 표면과 광학적으로 공역(公役)이 되도록 배치되고, 수광부(62)는 수광면에서의 정반사광(LRf)의 광 강도에 따른 광전 신호(SDa)를 출력하는 PIN 포토 다이오드 등의 광전 소자를 구비한다.
편광 빔 스플리터(55A)(1/4 파장판(55B))와 수광부(62)로 구성되는 반사광 모니터계는, 회전 드럼(DR2) 상에 형성된 기준 패턴(기준 마크)을 횡단하도록 스폿광(SP)으로 주사되었을 때에, 기준 패턴으로부터 발생하는 정(正)반사광의 강도 변화를 광전(光電) 검출하여, 회전 드럼(DR2)의 기준 패턴을 기준으로 한 주사 라인(L2(L))의 기울기, 스폿광(SP)의 주사 위치를 모니터한다. 이것에 의해서, 묘화 유닛(U1~U5)의 각각에 의한 패턴 묘화 위치의 상대적인 위치 관계의 변동(이음 정밀도의 변동 등), 및 도 5에 나타내는 얼라이먼트 현미경(AM1~AM3)에 의한 마크 검출 위치(검출 영역(Vw1~Vw3))와 주사 라인(L1~L5)의 각 위치와의 상대적인 위치 관계, 이른바 베이스 라인(baseline)의 변동을 교정(캘리브레이션)할 수 있다. 회전 드럼(DR2)에 형성하는 기준 패턴이나 캘리브레이션에 대해서는, 국제공개 제2014/034161호 팜플렛에 개시되어 있으므로, 상세 설명은 생략한다. 또, 도 7에 나타내는 반사광 모니터계는, 기준 패턴(또는 회전 드럼(DR2)의 외주면)의 반사율이 기지(旣知)의 값인 경우, 반사광의 광량(광전 신호(SDa)의 강도) 계측에 근거하여, 스폿광(SP)의 강도(조도)를 추정할 수 있으므로, 패턴 묘화시에 묘화 유닛(U1~U5)의 각각이 기판(P)에 부여하는 노광량, 또는 묘화 유닛(U1~U5) 사이의 노광량의 차이를 구할 수 있다. 이상과 같은 베이스라인 변동의 교정 동작(계측 동작), 노광량의 계측 동작은, 모두 노광 장치(EX)로서의 처리 품질을 열화시키지 않기 위한 부가(付加) 작업이라고 말할 수 있다.
또, 처리 장치(PR3)에는, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))를 검출하기 위한 3개의 얼라이먼트 현미경(AM(AM1~AM3))이 마련되어 있다. 이 얼라이먼트 현미경(AM(AM1~AM3))의 검출 영역(Vw(Vw1~Vw3))은, 회전 드럼(DR2)의 원주면 상에서 Y축방향으로 일렬로 늘어서도록 배치되어 있다. 얼라이먼트 현미경(AM(AM1~AM3))은, 얼라이먼트용 조명광을 기판(P)에 투영하여, CCD,CMOS 등의 촬상 소자에 의해 그 반사광을 촬상함으로써, 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))를 검출한다. 즉, 얼라이먼트 현미경(AM1)은, 검출 영역(촬상 영역)(Vw1) 내에 존재하는 기판(P)의 ＋Y방향측의 단부에 형성된 얼라이먼트 마크(Ks1)를 촬상한다. 얼라이먼트 현미경(AM2)은, 검출 영역(Vw2) 내에 존재하는 기판(P)의 -Y방향측의 단부에 형성된 얼라이먼트 마크(Ks2)를 촬상한다. 얼라이먼트 현미경(AM3)은, 검출 영역(Vw3) 내에 존재하는 기판(P)의 폭방향 중앙에 형성된 얼라이먼트 마크(Ks3)를 촬상한다.
이 얼라이먼트 현미경(AM(AM1~AM3))이 촬상한 화상 데이터는, 하위 제어 장치(24) 내에 마련되는 화상 처리부에 보내어지고, 하위 제어 장치(24)의 화상 처리부는, 화상 데이터에 근거하여 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))의 위치나 위치 오차를 산출(검출)한다. 이 검출 영역(Vw(Vw1~Vw3))의 기판(P) 상의 크기는, 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))의 크기나 얼라이먼트 정밀도에 따라 설정되지만, 100~500μm각(角) 정도의 크기이다. 또, 얼라이먼트용 조명광은, 기판(P) 상의 감광성 기능층에 대해서 거의 감도를 가지지 않는 파장역의 광, 예를 들면, 파장폭 500~800nm 정도의 브로드밴드 광, 혹은 자외역의 파장을 포함하지 않는 백색광 등이다.
하위 제어 장치(24)는, 상위 제어 장치(14)의 제어에 따라서, 패턴 형성 장치(12)를 구성하는 제1 축적 장치(BF1), 제2 축적 장치(BF2), 및 처리 장치(PR3)의 각 부를 제어한다. 예를 들면, 하위 제어 장치(24)는, 처리 장치(PR3) 내에서 반송되는 기판(P)의 반송 속도, 엣지 포지션 컨트롤러(EPC2, EPC3), 얼라이먼트 현미경(AM1~AM3), 광원 장치(32), 폴리곤 미러(66)의 회전, 및 묘화용 광학 소자(52) 등을 제어한다. 또, 하위 제어 장치(24)는, 얼라이먼트 현미경(AM(AM1~AM3))에 의해서 검출된 기판(P) 상의 얼라이먼트 마크(Ks(Ks1~Ks3))의 위치 정보, 회전 속도 정보(처리 장치(PR3) 내의 기판(P)의 반송 속도 정보, 스폿광(SP)의 주사 속도 정보), 강도 센서(37)가 검출한 레이저광(LB)의 강도 정보 등을 상위 제어 장치(14)에 출력한다. 하위 제어 장치(24)는, 컴퓨터와 프로그램이 기억된 기억 매체를 포함하며, 상기 컴퓨터가 기억 매체에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 본 제1 실시 형태의 하위 제어 장치(24)로서 기능한다. 이 하위 제어 장치(24)는, 상위 제어 장치(14)의 일부라도 좋고, 상위 제어 장치(14)와는 다른 제어 장치라도 좋다.
(처리 장치(PR4)(습식 처리 장치)의 구성)
도 8은, 처리 장치(PR4)의 구성을 나타내는 도면이다. 처리 장치(PR4)는, 현상액(LQ)이 저류되는 처리조(處理槽)(BT)와, 기판(P)이 처리조(BT)에 저류된 현상액(LQ)에 담그어지도록 기판(P)의 반송 경로를 형성하는 안내 롤러(R4~R7)와, 구동 롤러(NR7, NR8)와, 하위 제어 장치(80)를 가진다. 처리조(BT)의 저부에는, 현상액(LQ)의 온도를 조정하기 위한 히터(H1, H2)가 마련되어 있고, 히터(H1, H2)는, 하위 제어 장치(80)의 제어 아래, 히터 구동부(82)에 의해서 구동하여 발열한다.
구동 롤러(NR7)는, 제2 축적 장치(BF2)를 거쳐 처리 장치(PR3)로부터 보내어져 온 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전하여 기판(P)을 안내 롤러(R4)로 안내한다. 안내 롤러(R4)는, ＋X방향으로 반송되어 온 기판(P)을 -Z방향측으로 절곡하여 안내 롤러(R5)로 안내한다. 안내 롤러(R5)는, －Z방향으로 반송되어 온 기판(P)을 ＋X방향측으로 절곡하여 안내 롤러(R6)로 안내한다. 안내 롤러(R6)는, ＋X방향으로 반송되어 온 기판(P)을 ＋Z방향측으로 절곡하여 안내 롤러(R7)로 안내한다. 안내 롤러(R7)는, ＋Z방향으로 반송되어 온 기판(P)을 ＋X방향측으로 절곡하여 구동 롤러(NR8)로 안내한다. 구동 롤러(NR8)는, 보내어져 온 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서, 기판(P)을 처리 장치(PR5)로 반송한다. 이 안내 롤러(R5, R6)에 의해서, 기판(P)이 현상액(LQ)에 침지된다. 구동 롤러(NR7, NR8)는, 하위 제어 장치(80)에 의해서 제어되는 모터나 감속기 등을 가지는 회전 구동원(도시 생략)으로부터의 회전 토크가 부여됨으로써 회전한다. 이 구동 롤러(NR7, NR8)의 회전 속도에 의해서, 처리 장치(PR4) 내의 기판(P)의 반송 속도가 규정된다. 또, 구동 롤러(NR7, NR8)에 마련된 도시하지 않은 엔코더로부터 보내어져 오는 회전 속도 신호(기판(P)의 반송 속도 신호)는, 하위 제어 장치(80)에 보내어진다. 또, 처리 장치(PR4) 내에는, 현상된 기판(P)의 표면을 촬상하는 촬상 장치(현미경 카메라 등)(83)가 마련되어 있다. 이 촬상 장치(83)는, 구동 롤러(NR8)에 대해서 기판(P)의 반송 방향의 하류측(＋X방향측)에 마련되어 있다. 촬상 장치(83)는, 현상에 의해서 감광성 기능층에 형성된 디바이스용 패턴의 일부를 확대하여 촬상한다.
안내 롤러(R4, R5)는, 가동 부재(84)에 마련되어 있고, 가동 부재(84)는, 리니어 모터 등의 구동부를 가지며, 가이드 레일(86)을 따라서 X방향으로 이동 가능하다. 가동 부재(84)에는, 가동 부재(84)의 X방향에서의 위치를 검출하는 위치 센서(87)가 마련되어 있고, 위치 센서(87)가 검출한 가동 부재(84)의 위치 정보는, 하위 제어 장치(80)에 보내어진다. 이 가동 부재(84)가 가이드 레일(86)을 따라서 -X방향측으로 이동하면, 안내 롤러(R5, R6) 사이의 거리는 길어지므로, 기판(P)이 현상액(LQ)에 침지되는 시간(침액 시간)은 길어진다. 또, 가동 부재(84)가 ＋X방향측으로 이동하면, 안내 롤러(R5, R6) 사이의 거리는 짧아지므로, 기판(P)이 현상액(LQ)에 침지되는 시간(침지 시간)은 짧아진다. 이와 같이 하여, 기판(P)이 현상액(LQ)에 침지되는 시간(접액 길이)을 조정할 수 있다.
또, 처리 장치(PR4)는, 현상액(LQ)의 온도를 검출하는 온도 센서(Ts), 현상액(LQ)의 농도를 검출하는 농도 센서(Cs)를 가진다. 기판(P)이 현상액(LQ)에 침지됨으로써, 감광성 기능층에 형성된 잠상(개질부)에 따른 패턴이 감광성 기능층에 형성된다. 감광성 기능층이 포지티브형 포토레지스트인 경우는, 자외선이 조사된 부분이 개질되고, 개질부가 현상액(LQ)에 의해서 용해하여 제거된다. 또, 감광성 기능층이 네거티브형 포토레지스트인 경우는, 자외선이 조사된 부분이 개질되고, 자외선이 조사되어 있지 않은 비개질부가 현상액(LQ)에 의해서 용해되어 제거된다. 본 제1 실시 형태에서는, 감광성 기능층은 포지티브형으로서 설명한다. 또, 도시하지 않지만 처리 장치(PR4)는, 처리 장치(PR5)로 반송되는 기판(P)에 대해서, 기판(P)에 부착하고 있는 현상액(LQ)을 순수한 물 등에 의해 제거하는 세정·건조기구를 가지고 있다.
게다가, 처리 장치(PR4)의 안내 롤러(R5, R6)는, 모터 구동에 의해서 Z방향으로 이동 가능한 기구를 구비하며, 기판(P)을 도 8과 같이 현상액(LQ)에 담근 상태와, 현상액(LQ)으로부터 끌어올려진 상태로 전환할 수 있다. 이것에 의해, 처리 장치(PR4)의 기능 부전(不全)(고장)에 의한 제조 라인 전체의 정지, 또는 처리 장치(PR4)의 조정을 위한 단시간의 일시 정지의 경우에, 기판(P)으로의 현상 처리를 신속하게 중단할 수 있음과 아울러, 기판(P)이 현상액(LQ)에 긴 시간 잠기는 것에 의한 현상액(LQ)의 열화(劣化) 등을 저감할 수 있다.
하위 제어 장치(80)는, 상위 제어 장치(14)의 제어에 따라서, 처리 장치(PR4)의 각 부를 제어한다. 예를 들면, 하위 제어 장치(80)는, 처리 장치(PR4) 내에서 반송되는 기판(P)의 반송 속도, 히터 구동부(82), 및 가동 부재(84), 안내 롤러(R5, R6)의 Z방향으로의 이동 등을 제어한다. 또, 하위 제어 장치(80)는, 온도 센서(Ts) 및 농도 센서(Cs)에 의해서 검출된 현상액(LQ)의 온도 정보, 농도 정보, 위치 센서(87)가 검출한 가동 부재(84)의 위치 정보, 촬상 장치(83)가 검출한 화상 데이터, 및 회전 속도 정보(처리 장치(PR4) 내의 기판(P)의 반송 속도 정보) 등을 상위 제어 장치(14)에 출력한다. 하위 제어 장치(80)는, 컴퓨터와, 프로그램이 기억된 기억 매체를 포함하며, 상기 컴퓨터가 기억 매체에 기억된 프로그램을 실행함으로써, 본 제1 실시 형태의 하위 제어 장치(80)로서 기능한다. 이 하위 제어 장치(80)는, 상위 제어 장치(14)의 일부라도 좋고, 상위 제어 장치(14)와는 다른 장치라도 좋다.
또, 감광성 기능층이 감광성 실란 커플링제나 감광성 환원제인 경우는, 처리 장치(PR4)의 처리조(BT)에는, 현상액(LQ)을 대신하여, 예를 들면, 팔라듐 이온 등의 전자 디바이스용 재료(금속)를 포함하는 무전해 도금액(이하, '도금액'이라고 부르기도 함)이 저류된다. 즉, 이 경우는, 처리 장치(PR4)는, 도금 처리의 처리 공정(제3 처리 공정)을 행하는 도금 장치가 된다. 기판(P)을 도금액에 침지함으로써, 감광성 기능층에 형성된 잠상(개질부)에 따라 도금핵(核)(금속 팔라듐)이 석출된다. 게다가, 추가의 전해 또는 무전해의 도금 공정에 의해서, 그 도금핵에 전자 디바이스용의 금속 재료(NiP, Cu, Au 등)를 석출시키면, 기판(P)에 금속층(도전성)의 패턴이 형성된다.
에칭을 행하는 처리 장치(PR5)는, 기본적으로, 처리 장치(PR4)와 동일한 구성을 가지고 있으므로 도시하지 않지만, 처리조(BT)에는, 현상액(LQ)을 대신하여 에칭액(부식액)을 저류하고 있다. 따라서, 처리 장치(PR5)의 가동 부재(84)가 -X방향측으로 이동하면, 기판(P)이 에칭액에 침지되는 시간(침지 시간)은 길어지고, 가동 부재(84)가 ＋X방향측으로 이동하면, 기판(P)이 에칭액에 침지되는 시간(침지 시간)은 짧아진다. 또, 처리 장치(PR5)의 온도 센서(Ts)에 의해서 에칭액의 온도가 검출되고, 농도 센서(Cs)에 의해서 에칭액의 농도가 검출된다. 이 처리 장치(PR5)에 의해서 기판(P)이 에칭액에 침지됨으로써, 패턴이 형성된 감광성 기능층을 마스크로 하여, 감광성 기능층의 하층에 형성된 금속성 박막(Al 또는 Cu 등)이 에칭된다. 이것에 의해, 기판(P) 상에 금속층의 패턴이 출현한다. 처리 장치(PR5)의 촬상 장치(83)는, 에칭에 의해서 기판(P) 상에 형성된 금속층의 패턴을 촬상한다. 처리 장치(PR5)에 의해서 처리가 행하여진 기판(P)은, 다음의 처리를 행하는 처리 장치(PR)로 보내어져도 괜찮다. 처리 장치(PR4)에서, 도금 처리가 행하여진 경우는, 에칭 처리는 불필요하게 되므로, 처리 장치(PR5)를 대신하여 다른 처리 장치(PR), 예를 들면, 세정·건조 등을 행하는 처리 장치(PR)가 마련된다.
(제1 실시 형태의 동작)
이상의 각 처리 장치(PR1~PR5)의 설정 조건은, 각 처리 장치(PR1~PR5)에 의해서 실시되는 실처리(實處理)(실제의 처리)의 상태가, 목표의 처리 상태가 되도록 미리 설정되어 있다. 각 처리 장치(PR1~PR5)의 설정 조건은, 각 처리 장치(PR1~PR5)에 마련된 도시하지 않은 기억 매체에 기억되어 있어도 좋고, 상위 제어 장치(14)의 도시하지 않은 기억 매체에 기억되어 있어도 괜찮다. 또, 디바이스 제조 시스템(10) 내에서는, 기판(P)은 일정한 속도로 반송되는 것으로 하며, 처리 장치(PR1~PR5)의 각각에 설정되어 있는 설정 조건 중 기판(P)의 반송 속도 조건은, 기본적으로는 동일한 규정 속도(Vpp)(예를 들면, 5mm/초~50mm/초의 범위의 일정 속도)로 설정된다. 기판(P) 상에 형성되는 전자 디바이스용 패턴의 품질을 유지하기 위해서, 처리 장치(PR1~PR5)의 각각에 설정되어 있는 설정 조건 중, 기판(P)의 처리 조건만을 동적으로 조정하는 것에 더하여, 기판(P)의 반송 속도 조건을 각 처리 장치마다 개별로 조정 가능하게 하는 것에 의해서, 패턴의 품질을 유지하면서, 제조 라인(디바이스 제조 시스템(10)) 전체를 최대한 멈추지 않는 라인 관리가 가능하다. 그러한 라인 관리에 대해서는, 나중의 실시 형태에서 설명한다.
이상의 도 2, 도 4, 도 8에 나타내는 처리 장치(PR2~PR4(PR5))의 각각은, 가끔, 기판(P)에 대한 처리를 중단하여, 처리 품질의 열화 방지(성능 유지)를 위한 부가 작업(계측 동작, 조정 동작, 전환 동작, 청소 동작, 보수 동작 등)을 행하는 것이 바람직한 경우가 있다. 예를 들면, 처리 장치(PR2)로서의 성막 장치(도포 장치)에서는, 다이 코터 헤드(DCH)나 잉크젯 헤드(IJH)에 공급되는 도포액(감광성 기능액)의 보충 동작, 헤드(DCH, IJH)의 노즐부나 회전 드럼(DR1)의 청소 동작, 혹은 헤드(DCH, IJH)의 교환/전환 동작 등을 행하는 경우가 있다. 처리 장치(PR3)로서의 노광 장치(EX)에서는, 패턴의 노광 위치(스폿광(SP)의 주사에 의한 주사 라인(L1~L5))과, 얼라이먼트 현미경(AM1~AM3)의 검출 영역(Vw1~Vw3)과의 상대적인 위치 관계(베이스라인 길이)의 변동을 계측하거나, 기판(P)(회전 드럼(DR2))에 이르는 스폿광(SP)의 강도(조도)를 계측하거나 하는 캘리브레이션(교정) 동작, 광원 장치(32)(레이저 광원, 자외선 램프 등)의 열화시의 교환을 상정(想定)하여 미리 증설한 예비 광원 장치로의 전환 동작 등을 행하는 경우가 있다. 게다가, 처리 장치(PR4(PR5))로서의 습식 처리 장치에서는, 현상액(LQ)이나 도금액의 농도 저하나 산화에 의한 열화를 억제하기 위한 리프레시(refresh)나 교환 등의 보수 동작, 혹은 현상액(LQ)이나 도금액을 담아두는 처리조(액조(液槽))(BT) 중의 미세한 티끌을 제거하는 청소 동작 등을 행하는 경우가 있다.
이들 부가 작업의 동작이 비교적으로 단시간에 끝내는 것이 가능한 경우, 각 처리 장치(PR2~PR4(PR5))는, 적당한 타이밍에 기판(P)의 처리를 일시적으로 중단하여, 그 부가 작업을 실행하고, 부가 작업 완료후에 기판(P)의 처리를 재개하여 통상 동작으로 복귀시킬 수 있다. 그 경우, 부가 작업을 실행하는 처리 장치에서는, 기판(P)의 반송이 일시적으로 정지, 혹은 감속된다. 처리 장치(PR2~PR4(PR5)) 중 2개 이상이 함께 부가 작업을 실행하지 않도록 제한해도 괜찮지만, 동일한 정도의 정지 시간의 부가 작업이면, 동시 실행을 허가해도 괜찮다. 기판(P)의 반송을 일시적으로 정지하는 시간은, 부가 작업의 내용에 따라서 다르지만, 그 부가 작업의 실행 시간 동안, 다른 처리 장치가 기판(P)의 처리를 계속할 수 있도록 한다. 그러기 위해서는, 도 1, 도 4 중의 제1 축적 장치(BF1), 제2 축적 장치(BF2)의 각각에서의 기판(P)의 기(旣)축적 길이나 신규 축적 가능 길이를, 부가 작업을 실시하는 처리 장치와 전후의 처리 장치와의 각 처리 상황에 따라서, 부가 작업의 개시전에 조정해 둘 필요가 생기는 경우도 있다. 기축적 길이는, 축적 장치(BF1, BF2)가 이미 축적하고 있는 기판(P)의 축적 길이를 의미하고, 신규 축적 가능 길이는, 축적 장치(BF1, BF2)가 지금부터 새롭게 축적할 수 있는 기판(P)의 축적 길이를 의미한다.
부가 작업이 실행되는 적당한 타이밍은, 예를 들면 처리 장치(PR2)(다이 코터 방식/잉크젯 방식의 도포 장치)나 처리 장치(PR3)(노광 장치(EX))에서는, 기판(P)의 장척 방향을 따라서 늘어서는 디바이스 형성 영역(W)(도 5 참조) 중 1개에 대한 처리(도포, 또는 노광)가 끝난 직후로 설정할 수 있다. 즉, 다음의 디바이스 형성 영역(W)에 대한 처리가 시작되기 전의 여백부(Sw)가, 처리 위치인 도포 위치(헤드(DCH, IJH)와 대향하는 위치)나 처리 위치인 노광 위치(주사 라인(L1~L5)이 형성되는 위치)에 온 시점으로 설정할 수 있다.
또, 여백부(Sw)의 상류측과 하류측에서, 기판(P) 상에 형성해야 할 디바이스의 품종, 디바이스 형성 영역(W)의 크기나 배열 등을 다르게 하여, 다품종·소량 생산에 대응하는 제조 라인으로 하는 것도 가능하다. 예를 들면, 여백부(Sw)의 하류측에는, 제1 화면 사이즈(32인치 등)의 표시 패널용 회로 패턴을 기판(P)의 길이 방향으로 일렬로 늘어놓아 형성하고, 여백부(Sw)의 상류측에는, 제1 화면 사이즈 보다도 작은 제2 화면 사이즈의 표시 패널용 회로 패턴을 기판(P)의 폭방향으로 2면취(面取)로 하여 길이 방향으로 늘어놓아 형성하는 경우, 여백부(Sw)의 상류측과 하류측에서, 처리 장치(PR2~PR4(PR5))의 각각에서의 처리 조건이나 설정 조건을 다르게 하는 경우가 있다. 특히, 처리 장치(PR3)에서는, 묘화(노광)해야 할 패턴이 변하기 때문에, 묘화 데이터의 전환 작업이 필요하게 된다. 도 4, 도 6에 나타낸 바와 같은 직묘 방식의 마스크가 없는 노광기에서는, 묘화 데이터의 전환시의 데이터 전송 시간과 함께, 각종 파라미터(묘화 배율, 주사 라인(L)의 기울기, 노광량 등)의 변경/조정의 시간을 포함하는 셋업(set up) 조작의 시간이 필요하다. 그러한 셋업 조작은, 처리 장치(PR3)의 통상 동작을 중단하게 되므로, 부가 작업 중 하나로서 취급할 수 있다. 물론, 다른 처리 장치(PR2, PR4)(PR5)에서도, 처리 조건을 크게 다르게 할 필요가 있으면, 그 조정 작업이 셋업 조작이 되어, 부가 작업으로서 취급할 수 있다. 처리 장치(PR3)가 원통 마스크를 이용하는 투영 노광 장치인 경우는, 예를 들면, 일본특허 제5494621호 공보에 개시되어 있는 원통 마스크의 교환 작업 등이 셋업 조작에 포함된다.
그래서, 도 10, 도 11의 플로우차트에 근거하여, 제1 실시 형태의 동작을 설명하지만, 그 전에, 제1 실시 형태에 바람직한 기판(P)의 디바이스 형성 영역(W) 등의 배치를, 도 9를 이용하여 설명한다. 도 9는, 앞의 도 5에 나타낸 기판(P) 상에 형성되는 복수의 디바이스 형성 영역(W1, W2 …), 얼라이먼트 마크(Ks1~Ks3)의 구체적인 배치예를 나타낸다. 게다가, 기판(P) 상에는, 디바이스 형성 영역(W1, W2 …)의 각각에 부수하여, 기판(P)의 폭방향의 양측부에 형성된 정보 패턴(Msa, Msb)이 마련되어 있다. 정보 패턴(Msa, Msb)의 위치는, 디바이스 형성 영역(W1, W2 …)의 각각의 처리 개시 위치, 여백부(Sw)의 영역(범위)을 나타낸다. 정보 패턴(Msa, Msb)은, 도 2의 처리 장치(도포 장치)(PR2) 내의 회전 드럼(DR1), 및 도 4의 처리 장치(노광 장치)(PR3) 내의 회전 드럼(DR2)의 주위에 배치된 리더부에 의해서 읽어내어진다. 정보 패턴(Msa, Msb)이 1차원 또는 2차원의 바코드로 형성되어 있는 경우, 바코드는, 여백부(Sw)의 기판(P)의 길이 방향의 치수, 디바이스 형성 영역(W1, W2 …)의 길이 방향의 치수와 짧은 길이 방향의 치수, 디바이스 형성 영역(W1, W2 …)의 로트(lot) 번호 등의 정보를 포함시킬 수 있다.
제1 실시 형태의 경우, 도 2의 처리 장치(도포 장치)(PR2)는, 정보 패턴(Msa, Msb)을 리더부에서 검출함으로써, 기판(P) 상의 여백부(Sw) 상에 도포액(감광성 기능액)(LQc)을 도포하지 않도록, 선택적인 도포 제어가 가능하다. 따라서, 기판(P)의 여백부(Sw)가 처리 장치(노광 장치)(PR3) 내의 회전 드럼(DR2) 상의 노광 영역(도 5 중의 주사 라인(L1~L5)을 포함하는 직사각형 영역)에 위치한 상태일 때, 기판(P)이 투명한 PET, PEN인 경우, 기판(P)의 투명부를 매개로 하여, 묘화 유닛(U1~U5)의 각각에 마련된 반사광 모니터계(도 7의 수광부(62))로부터의 광전 신호(SDa)에 근거하여, 회전 드럼(DR2)의 표면의 기준 패턴(RMP)을 검출할 수 있다. 이것에 의해, 여백부(Sw)(감광성 기능액의 미도포 영역)가 노광 영역에 들어간 상태로 기판(P)을 일시적으로 정지시키는 것에 의해, 캘리브레이션 동작이 가능해진다. 얼라이먼트 현미경(AM1~AM3)의 캘리브레이션(베이스라인 관리)이 필요한 경우는, 기판(P)의 여백부(Sw)(투명부)가 얼라이먼트 현미경(AM1~AM3)의 각 검출 영역(Vw1~Vw3)의 위치로 가져와졌을 때에, 기판(P)을 일시 정지, 또는 반송 속도를 감속시켜, 회전 드럼(DR2) 상의 기준 패턴(RMP)을 검출하면 된다.
(동작의 플로우)
도 10, 도 11의 플로우차트는, 주로 도 1 중의 상위 제어 장치(14)에 의해서 실행되지만, 하위 제어 장치(18, 24, 80)에 의해서 실행해도 괜찮다. 또, 도 10은, 하위 제어 장치(18)로부터 상위 제어 장치(14)로 보내어져 오는 처리 장치(PR2)의 스테이터스 정보(인터럽트(interrupt) 요구), 하위 제어 장치(24)로부터 상위 제어 장치(14)로 보내어져 오는 처리 장치(PR3)의 스테이터스 정보(인터럽트 요구), 및 하위 제어 장치(80)로부터 상위 제어 장치(14)로 보내어져 오는 처리 장치(PR4(PR5))의 스테이터스 정보(인터럽트 요구) 등에 근거하여, 처리 장치(PR2, PR3, PR4(PR5))를 개별로 단시간만큼 정지시키거나, 제조 라인 전체를 정지시키거나 하기 위한 플로우이다. 도 11은, 도 10 중에서 판정되는 처리 장치(PR2~PR4(PR5))의 정지 가능성을 시뮬레이션하는 플로우차트이다. 또, 도 10의 프로그램은, 상위 제어 장치(14)의 판단으로 일정한 시간 간격(인터벌)으로 실행되지만, 하위 제어 장치(18, 24, 80)의 각각으로부터의 인터럽트 요구(정지 요구)에 의해서 실행해도 괜찮다.
도 10에서, 스텝 S1은, 처리 장치(PR2)의 하위 제어 장치(18)로부터의 스테이터스 정보, 처리 장치(PR3)의 하위 제어 장치(24)로부터의 스테이터스 정보, 혹은 처리 장치(PR4(PR5))의 하위 제어 장치(80)로부터의 스테이터스 정보를 받아, 처리 장치(PR2~PR4(PR5)) 중 어느 하나가 장시간 정지의 인터럽트 요구(리퀘스트)를 내고 있는지 아닌지를 판단한다. 장시간 정지의 요구는, 주로 처리 장치에 기능 부전(돌발적인 고장 등)이 생긴 경우의 긴급 정지시에도 발생한다. 스텝 S1에서, 스테이터스 정보(인터럽트 요구)가 장시간 정지인 경우, 상기 처리 장치의 기능 부전을 복구시키기 위한 부품 교환 등의 보수 작업이 필요하기 때문에, 제조 라인 전체를 정지시키지 않을 수 없는 경우가 많다. 그 때문에, 장시간 정지의 요구에 대해서는, 스텝 S9의 라인 정지를 지시하는 루틴으로 진행된다.
스텝 S9에서는, 도 1의 제조 라인의 전체를 안전하게 긴급 정지시키도록, 처리 장치(PR1~PR5)(하위 제어 장치(18, 24, 80))의 각각에 대해서, 적절한 정지 타이밍, 정지 루틴을 지시한다. 예를 들면, 긴급 정지가 필요한 처리 장치가 처리 장치(PR4(PR5))인 경우에, 다른 처리 장치(PR2, PR3)가 정상적으로 처리 동작을 계속 가능할 때, 처리 장치(PR2)는, 도 9에 나타낸 기판(P)의 여백부(Sw)가, 예를 들면 다이 코터 헤드(DCH)의 헤드 본체(200A)와 대향하여 도포 작업이 중단 가능하게 되었을 때에 긴급 정지한다. 마찬가지로 처리 장치(PR3)는, 도 9에 나타낸 기판(P)의 여백부(Sw)가 묘화 유닛(U1~U5)에 의한 노광 영역과 대향하여, 노광 작업이 중단 가능하게 되었을 때에 긴급 정지한다. 그 경우, 처리 장치(노광 장치)(PR3)의 상류측의 제1 축적 장치(BF1)와 하류측의 제2 축적 장치(BF2)의 각각에서의 기판(P)의 축적 상황이, 각 처리 장치의 완전 정지까지의 시간 내에 처리 장치(PR)사이의 기판(P)의 반송 속도의 큰 차이(예를 들면, 일방이 속도 제로)를 흡수하여 여유를 가지도록 설정되어 있다.
처리 장치(PR2, PR3)가 처리를 중단할 수 있는 타이밍은, 도 9에 나타내는 바와 같은 여백부(Sw)가 도포 위치(다이 코터 헤드부) 또는 노광 위치(주사 라인(L1~L5))에 대향했을 때이며, 긴급 정지의 지시가 발생되고 나서, 실제로 처리가 중단(기판(P)이 정지)할 때까지의 최대의 지연 시간 Td는, 여백부(Sw)의 기판(P)의 길이 방향의 간격 거리 Lss(대략 디바이스 형성 영역(W)의 길이 방향의 길이)와 기판(P)의 반송 속도(Vpp)로부터, Td=Lss/Vpp로 정해진다. 따라서, 긴급 정지(장시간 정지)의 지시가 발생한 시점에서, 축적 장치(BF1, BF2)의 일방은, 최대의 지연 시간 Td에 대응한 길이의 기판(P)을 기축적 길이로서 축적하고 있으면 좋고, 축적 장치(BF1, BF2)의 타방은, 최대의 지연 시간 Td에 대응한 길이의 기판(P)을 신규 축적 가능 길이로 하여 축적 가능하게 되어 있으면 좋다. 이러한 축적 장치(BF1, BF2)의 축적 상태는, 상위 제어 장치(14)에 의해서 관리된다. 또, 긴급 정지의 경우, 습식 처리를 행하는 처리 장치(PR4(PR5))는, 여백부(Sw)에서 정확히 처리를 중단시키는 것이 어렵기 때문에, 즉시 기판(P)의 반송을 정지하여, 도 8 중의 안내 롤러(R5, R6)를 ＋Z방향(상부)으로 이동시켜 기판(P)을 현상액(LQ)(혹은 도금액)으로부터 끌어올린 상태로 한다.
긴급 정지 상태의 발생 시기를, 처리 장치(PR2~PR4(PR5))의 각각이 내부에서 취득하고 있는 가동 로그 정보로부터 예측하는 것도 불가능하지 않지만, 일반적으로는 예측하기 어렵다. 그래서, 제조 라인 전체가 정상적으로 가동하여, 기판(P)이 소정의 규정 속도(Vpp)로 안정적으로 반송되고 있는 동안, 축적 장치(BF1, BF2)의 각각이, 적어도 최대 지연 시간 Td에 대응한 길이 Lss의 기판(P)을 축적하고, 또한 길이 Lss의 기판(P)을 새롭게 축적할 수 있는 여유(신규 축적 가능 길이)를 가지도록, 축적 상태를 관리해 두면 좋다.
스텝 S1에서, 장시간 정지는 아니라고 판단되면, 단시간의 부가 작업의 요구가 발생했다고 판단하고, 스텝 S2로 진행된다. 스텝 S2에서는, 그것 이전에 발생한 단시간의 부가 작업의 요구에 근거하여, 처리 장치(PR2~PR4(PR5)) 중 어느 하나를 정지 상태로 이행시키기 위해서 이미 조정 중인지 아닌지가 판정된다. 이 스텝 S2에서 조정 중이라고 판단되면, 도 10의 플로우는 종료한다. 또, 스텝 S2에서, 조정 중이 아니라고 판단되면, 스텝 S3에서, 단시간의 부가 작업을 요구해 온 처리 장치(PR)(이하, '정지 요구 장치(PRd)'라고도 부름)가 처리 장치(PR2, PR3)인 경우는, 처리하고 있는 기판(P)의 현재의 처리 위치 정보(도 9 중의 디바이스 형성 영역(W1, W2 …), 여백부(Sw) 등의 처리 위치), 상기 정지 요구 장치(PRd)의 상류 또는 하류에서의 축적 장치(BF1, BF2)의 기판(P)의 축적 상태(기축적 길이나 신규 축적 가능 시간)에 관한 축적 정보, 및 정지 요구 장치(PRd)의 하위 제어 장치(18, 24, 80)로부터 보내어져 오는 부가 작업의 내용과 작업 시간(필요한 정지 시간)이나, 요구가 발생하고 나서 부가 작업을 실제로 개시하기까지 기다릴 수 있는 대기 시간(지연 가능 시간)에 관한 작업 정보 등을 확인한다. 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR4(PR5))인 경우는, 스텝 S3에서, 제2 축적 장치(BF2)의 축적 상태에 관한 축적 정보(기축적 길이나 신규 축적 가능 길이 등)와 작업 정보(작업 내용, 작업 시간, 지연 가능 시간)가 확인된다. 처리 장치(PR2)의 다이 코터 헤드(DCH)에 충전되어 있는 도포액(LQc)이 없어지면 도포 작업을 계속할 수 없으므로, 처리 장치(PR2)에서의 지연 가능 시간은, 예를 들면, 도포액(LQc)이 없어질 때까지의 시간 등이다. 처리 장치(PR3)에서의 지연 가능 시간은, 예를 들면, 캘리브레이션 동작을 행하기까지 기다릴 수 있는 시간, 예비 광원 장치로의 전환 동작을 행하기까지 기다릴 수 있는 시간 등이다. 처리 장치(PR4(PR5))에서의 지연 가능 시간은, 예를 들면, 현상액(LQ)이나 도금액의 리프레시나 교환 등의 보수 동작을 행하기까지 기다릴 수 있는 시간 등이다.
여기서, 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR2)인 경우, 스텝 S3에서는, 기판(P)의 반송 속도(Vpp)와 작업 정보(정지 시간, 지연 가능 시간)에 근거하여, 특히 축적 정보를 검증한다. 처리 장치(PR2)가 일시적으로 정지하고 있는 동안, 제조 라인(디바이스 제조 시스템(10)) 전체를 멈추지 않기 위해서는, 다른 처리 장치(PR3), 처리 장치(PR4(PR5))가 계속하여 기판(P)을 반송할 수 있으면 좋다. 그래서, 처리 장치(PR2)가 정지 요구 장치(PRd)일 때에는, 처리 장치(PR2)의 정지 시간(중단 시간)을 TS2로 하고, 제1 축적 장치(BF1)의 현재의 기축적 길이(Lf1)가, 기판(P)의 반송 속도(Vpp)와의 관계로부터, Lf1＞Vpp·TS2로 되어 있는지가 검증된다. 즉, 제1 축적 장치(BF1)의 축적 상태(현재의 기축적 길이(Lf1))가, 필요 축적 상태를 만족하는지(Vpp·TS2 이상인지) 아닌지가 검증된다. 제1 축적 장치(BF1)의 축적 상태가 필요 축적 상태를 만족하는 경우는, 정지 요구 장치(PRd(PR2))의 정지시간 중에 제1 축적 장치(BF1)의 축적 상황이 정상적으로 추이된다. 이 경우는, 정지 요구 장치(PRd(PR2))의 정지 시간 중에 제1 축적 장치(BF1)의 축적 길이가 일정한 속도(일정한 비율)로 서서히 짧아진다.
또, 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR3)인 경우, 스텝 S3에서는, 기판(P)의 반송 속도(Vpp)와 작업 정보(정지 시간, 지연 가능 시간)에 근거하여, 축적 장치(BF1, BF2) 양쪽 모두의 축적 정보가 검증(판정)된다. 이 경우, 처리 장치(PR2)와 처리 장치(PR4(PR5))는 계속 가동하므로, 제1 축적 장치(BF1)에 관해서는, 처리 장치(PR3)의 정지 시간(중단 시간)(TS3)과 기판(P)의 반송 속도(Vpp)와의 관계로부터, Vpp·TS3로 정해지는 길이 이상의 신규 축적 가능 길이인지 아닌지가 검증(판정)된다. 또, 제2 축적 장치(BF2)에 관해서는, 정지 시간(TS3)과 기판(P)의 반송 속도(Vpp)와의 관계로부터, 제2 축적 장치(BF2)의 현재의 기축적 길이(Lf2)가, 기판(P)의 반송 속도(Vpp)와의 관계로부터, Lf2＞Vpp·TS3로 되어 있는지가 검증(판정)된다. 즉, 제1 축적 장치(BF1)의 축적 상태(신규 축적 가능 길이)가, 필요 축적 상태를 만족하는지(Vpp·TS3 이상인지) 아닌지가 검증되며, 제2 축적 장치(BF)의 축적 상태(기축적 길이(Lf2))가, 필요 축적 상태를 만족하는지(Vpp·TS3 이상인지) 아닌지가 판단된다. 축적 장치(BF1, BF2)의 축적 상태가 필요 축적 상태를 만족하는 경우는, 정지 요구 장치(PRd(PR3))의 정지 시간 중에, 축적 장치(BF1, BF2)의 축적 상황이 정상적으로 추이된다. 이 경우는, 정지 요구 장치(PRd(PR3))의 정지 시간 중에, 제1 축적 장치(BF1)의 축적 길이가 일정한 속도(일정한 비율)로 서서히 길어지고, 제2 축적 장치(BF2)의 축적 길이가 일정한 속도(일정한 비율)로 서서히 짧아진다.
정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR4(PR5))인 경우는, 제2 축적 장치(BF2)에 관해서, 처리 장치(PR4(PR5))의 정지 시간(중단 시간)(TS4(TS5))과 기판(P)의 반송 속도(Vpp)와의 관계로부터, Vpp·TS4(TS5)로 정해지는 길이 이상의 신규 축적 가능 길이인지 아닌지가 검증된다. 즉, 제2 축적 장치(BF2)의 축적 상태(신규 축적 가능 길이)가, 필요 축적 상태를 만족하는지(Vpp·TS4(TS5) 이상인지) 아닌지가 검증된다. 제2 축적 장치(BF2)의 축적 상태가 필요 축적 상태를 만족하는 경우는, 정지 요구 장치(PRd(PR4(PR5))의 정지 시간 중에, 제2 축적 장치(BF2)의 축적 상황이 정상적으로 추이된다. 이 경우는, 정지 요구 장치(PRd(PR4(PR5))의 정지 시간 중에, 제2 축적 장치(BF2)의 축적 길이가 일정한 속도(일정한 비율)로 서서히 길어진다. 또, 처리 장치(PR4)와 처리 장치(PR5)와의 사이에는 축적 장치가 없으므로, 처리 장치(PR4)와 처리 장치(PR5)와의 기판(P)의 반송 속도를 대략 동일하게 할 필요가 있다. 따라서, 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR4)인 경우이며, 처리 장치(PR4)를 정지 시간(TS4) 동안 일시 정지시키는 경우는 처리 장치(PR5)도 정지 시간(TS4) 동안 정지시킨다. 또, 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR5)인 경우로서, 처리 장치(PR5)를 정지 시간(TS5) 동안 일시 정지시키는 경우는 처리 장치(PR4)도 정지 시간(TS5) 동안 일시 정지시킨다. 또, 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR4, PR5) 양쪽 모두의 경우로서, 처리 장치(PR4, PR5)를 함께 일시 정지시키는 경우는, 정지 시간(TS4, TS5) 중 긴 쪽의 정지 시간으로 처리 장치(PR4, PR5)를 정지시킨다.
다음의 스텝 S4에서는, 스텝 S3에서 검증된 결과에 근거하여, 정지 요구 장치(PRd)를 정지시키는 것이 가능한지 아닌지를 판단한다. 즉, 정지 요구 장치(PRd)를 부가 작업을 위해서 정지(중단)시킨 경우에, 그 정지(중단) 시간 중에 축적 장치(BF1, BF2)의 축적 상황이 정상적으로 추이되는지 아닌지가 판단된다. 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR2 또는 PR3)인 경우는, 기판(P) 상의 바로 옆의 여백부(Sw)가 도포 위치(처리 위치) 또는 노광 위치(처리 위치)에 이르렀을 때에 기판(P)의 정지 가능 여부가 스텝 S4에서 판단된다. 스텝 S3에서 확인된 제1 축적 장치(BF1)나 제2 축적 장치(BF2)에서의 기축적 길이나 신규 축적 가능 길이 등의 축적 상태가 필요하게 되는 상태(필요 축적 상태)로 되어 있는 경우는, 기판(P)의 여백부(Sw)에서 처리 장치(PR2 또는 PR3)를 정지시키는 것이 가능하므로, 스텝 S4에서 Yes로 분기하여 스텝 S5로 진행되고, 정지 요구 장치(PRd(PR2 또는 PR3))에 정지 지시(정지 허가)를 부여한다. 정지 지시를 받은 처리 장치(PR2 또는 PR3)는, 기판(P)의 바로 옆의 여백부(Sw)가 올 때까지 처리를 계속한 후, 여백부(Sw)가 도포 위치 또는 노광 위치에 이른 시점에서 기판(P)의 반송을 정지시키고, 즉시 소정의 부가 작업을 실행한다. 즉, 처리 장치(PR2) 및 처리 장치(PR3)는, 여백부(Sw)의 기판(P)의 장척 방향의 길이보다 짧은 범위에서 처리를 실시하기 때문에, 정지 요구 장치(PRd(PR2 또는 PR3))의 처리 위치(도포 위치 또는 노광 위치)가 여백부(Sw)에 온 시점에서, 정지 요구 장치(PRd)에서의 기판(P)의 반송 및 처리를 부가 작업을 위해서 일시 정지가 가능하다. 또, 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR4(PR5))일 때에는, 스텝 S3에서 제2 축적 장치(BF2)에서의 기판(P)의 축적 상태(신규 축적 가능 길이)가 필요하게 되는 상태(필요 축적 상태)로 되어 있다고 확인된 경우는, 처리 장치(PR4(PR5))를 정지시키는 것이 가능하므로, 스텝 S4에서 Yes로 분기하여 스텝 S5로 진행되어, 정지 요구 장치(PRd(PR4, PR5))에 정지 지시(정지 허가)를 부여한다. 처리 장치(PR4(PR5))는, 여백부(Sw)의 기판(P)의 장척 방향의 길이보다 긴 범위에서 처리를 실시하기 때문에, 정지 요구 장치(PRd(PR4(PR5))의 처리 위치에 관계없이, 제2 축적 장치(BF2)의 축적 상태가 필요 축적 상태로 되어 있다고 확인된 경우에, 즉시 정지 요구 장치(PRd)에서의 기판(P)의 반송 및 처리를 부가 작업을 위해서 일시 정지시킨다.
스텝 S3에서 확인된 축적 장치(BF1, BF2)에서의 축적 상태(기축적 길이나 신규 축적 가능 길이)가 필요한 상태(필요 축적 상태)로 되어 있지 않았던 경우는, 처리 장치(PR2~PR4(PR5)) 중 어느 하나를 부가 작업을 위해서 정지시키면, 부가 작업 중에 제1 축적 장치(BF1) 또는 제2 축적 장치(BF2)에서의 기판(P)의 기축적 길이나 신규 축적 가능 길이가 부족해 버려, 결과적으로 제조 라인 전체(모든 처리 장치(PR1~PR5))를 정지시키게 된다. 그래서, 본 제1 실시 형태에서는, 스텝 S4의 타이밍에 정지 불가라고 판단하여, 스텝 S6에서 정지 가능 조건(상태)의 시뮬레이션이 실행된다. 이 시뮬레이션에서는, 축적 장치(BF1, BF2)의 축적 상태가, 정지 요구 장치(PRd)의 부가 작업을 위해서 정지 가능한 상태로 천이 가능한지, 즉, 각 처리 장치(PR2~PR4(PR5))에서의 기판(P)에 대한 처리 조건이나 기판(P)의 반송 속도(Vpp)를 바꾸었을 경우에, 필요하게 되는 기축적 길이나 신규 축적 가능 길이로 개선할 수 있는 적당한 조건을 찾아낼 수 있는지 아닌지가 탐색된다. 스텝 S6의 시뮬레이션에 대해서는, 도 11을 참작하여 나중에 설명한다.
스텝 S6의 시뮬레이션에 의해서, 필요하게 되는 기축적 길이나 신규 축적 가능 길이를 확보하기 위한 각 처리 장치(PR2~PR4(PR5))의 처리 조건의 변경예와 기판(P)의 반송 속도(Vpp)의 변경예 중 후보를 적어도 하나 이상 들 수 있으면, 다음의 스텝 S7에서, 처리 조건의 변경예와 기판(P)의 반송 속도의 변경예 중 어느 일방, 혹은 양자의 조합에 의해서 조정한 상태에서 소정 시간('조정 시간'으로도 부름)이 경과하면, 정지 요구 장치(PRd)가 정지 가능한 상태에 이르는지 아닌지가 판단된다. 스텝 S7에서는, 정지 요구 장치(PRd)로부터 제시되는 작업 정보(작업 내용, 작업 시간, 지연 가능 시간) 중, 특히 지연 가능 시간(대기 시간)에 주목하고, 조정 시간이 지연 가능 시간보다도 짧은지 아닌지가 판단된다. 상술한 바와 같이 지연 가능 시간(대기 시간)은, 부가 작업을 개시하기까지 정지 요구 장치(PRd)가 기다릴 수 있는 최대 시간이기 때문에, 조정 시간이 지연 가능 시간보다 긴 경우는, 제조 라인 전체(모든 처리 장치(PR1~PR5))를 정지해야 한다. 또, 스텝 S6의 시뮬레이션에서, 지연 가능 시간보다도 짧은 조정 시간이 얻어진다고 하는 제한 조건을 설정한 다음에, 처리 조건의 변경예와 반송 속도의 변경예를 탐색해도 괜찮다. 그 경우는, 스텝 S7의 단계에서, 각종 조건을 변경시키면서 기판(P)을 처리하는 조정 시간 후에, 정지 요구 장치(PRd)를 정지할 수 있는 것을 알 수 있다.
지연 가능 시간(대기 시간)은, 처리 장치(PR2~PR4(PR5))의 각각의 부가 작업의 내용에 의해서 바뀌는 경우도 있다. 스텝 S4에서 정지 요구 장치(PRd)를 빨리 정지할 수 없다고 판단되는 상황에서는, 각 처리 장치(PR2~PR4(PR5))에 의한 기판(P)의 처리를 계속하면서, 축적 장치(BF1, BF2)에서의 기판(P)의 기축적 길이나 신규 축적 가능 길이를 개선시키는 조정 시간이 필요하다. 그 조정 시간은, 필요하게 되는 기축적 길이나 신규 축적 가능 길이가 얻어질 때까지의 기판(P)의 반송 길이의 정도(개선 정도)에 의해서도 크게 변화한다. 일반적으로, 처리 장치(PR3)와 같은 노광 장치에서는, 광원으로부터의 빔 강도가 정해져 있기 때문에, 패턴 노광시에 기판(P)의 감광층에 소정 노광량을 부여하기 위한 기판(P)의 반송 속도에는 상한이 있다. 그 때문에, 처리 장치(PR3)에서는, 광원의 열화에 의한 빔 강도의 저하를 고려하여, 규정의 반송 속도(Vpp)를 상한 속도보다도 낮게 설정하고, 그 규정의 반송 속도(Vpp)에서 적정 노광량이 얻어지도록, 빔 강도를 조정(감광)하거나 하고 있다. 따라서, 처리 장치(PR3)와 같은 노광 장치에서는, 기판(P)의 반송 속도를 규정 속도(Vpp)보다도 낮게 설정하는 것은 용이해도, 높게 설정하는 것은 어렵다.
한편, 처리 장치(PR2)와 같은 도포 장치나, 처리 장치(PR4)와 같은 습식 처리 장치에서는, 기판(P)의 반송 속도의 조정 범위를 비교적으로 넓게 설정할 수 있다. 처리 장치(PR2)가 다이 코터 헤드(DCH)로 도포 작업을 행하는 경우, 도 3에 나타낸 헤드 본체(200A)의 선단의 슬릿부(200B)와 기판(P)과의 사이의 갭, 피스톤부(201)에 의한 도포액(LQc)의 압출 유량과 같은 처리 조건(설정 조건)을 조정함으로써, 기판(P)의 반송 속도가 변화해도, 도포액(LQc)을 적정한 막 두께로 기판(P) 상에 도포하는 것이 가능하다. 또 처리 장치(PR4)에서는, 도 8 중의 안내 롤러(R5, R6)의 X방향(기판(P)의 반송 방향)의 간격(처리 조건)을 기판(P)의 반송 속도의 변화에 따라 조정함으로써, 처리액(현상액(LQ))의 기판(P)과의 접액(接液) 길이(처리 조건)를 바꿀 수 있으므로, 적정한 접액 시간(현상 시간)을 유지할 수 있다. 이와 같이, 처리 장치(PR2, PR4)는, 기판(P)의 반송 속도의 변화에 비교적 용이에 대응할 수 있지만, 기판(P)의 반송 속도의 급격한 변화는 피하는 것이 바람직하다. 기판(P)의 반송 속도를 규정 속도(Vpp)로부터 변화시키는 경우는, 변화율을 작게 하여 서서히 속도를 바꾸면서, 처리 조건(설정 조건)을 서서히 조정해 가는 것이 좋다.
이상과 같은 상황도 근거로 하여, 스텝 S6에서의 시뮬레이션이 행하여지고, 스텝 S7에서, 조건 변경을 행함으로써 지연 가능 시간(대기 시간)의 경과전에 정지 요구 장치(PRd)의 부가 작업이 개시 가능하다고 판단되면, 스텝 S8에서, 처리(설정) 조건이나 기판(P)의 반송 조건(속도의 변화량 등)을 조정하는 지시를, 대상이 되는 처리 장치(조정 대상 장치)의 하위 제어 장치(18, 24, 80)에 보낸다. 이 스텝 S8에 의해서, 제조 라인을 구성하는 처리 장치(PR2~PR4(PR5)) 중 적어도 하나에서의 기판(P)의 반송 속도의 조정이 시작되어, 제1 축적 장치(BF1) 또는 제2 축적 장치(BF2)의 기축적 길이나 신규 축적 가능 길이의 부족분이 서서히 개선되어, 지연 가능 시간(대기 시간)의 경과전에, 정지 요구 장치(PRd)는 부가 작업을 개시할 수 있음과 아울러, 그 외의 처리 장치의 각각은 변경된 처리(설정) 조건이나 기판(P)의 반송 조건하에서, 처리 품질을 저하시키지 않고 처리를 계속할 수 있다. 또, 도 10에서는, 스텝 S8에서 조정 대상이 되는 처리 장치에 한 번 조정 지시가 나오면, 스텝 S2에서의 판정에 의해서, 재차, 스텝 S3~S7를 실행하지 않는 플로우로 되어 있지만, 스텝 S2를 생략하여, 일정한 시간 인터벌마다, 스텝 S3~S8을 실행해도 괜찮다. 그 경우, 스텝 S3에서 취득되는 처리 위치 정보, 축적 정보, 및 작업 정보 등은, 시간 인터벌마다 갱신되어 가므로, 한 번 스텝 S8가 실행된 다음은, 시간 인터벌마다의 스텝 S4에서의 판정에 응답하여, 스텝 S5(정지 요구 장치(PRd)에 정지 지시)가 실행되므로, 보다 정확한 제어가 가능해진다.
그렇지만, 스텝 S6에서의 시뮬레이션의 결과, 처리 장치(PR2~PR4)의 각각에서의 처리(설정) 조건이나 기판(P)의 반송 조건(속도)의 바람직한 변경예(조정 패턴)를 발견할 수 없는 경우도 있다. 그 경우는, 스텝 S7에서 조정 불가하다고 판단되어, 먼저 설명한 긴급 정지시의 시퀀스와 동일한 스텝 S9가 실행된다.
이상, 도 10의 동작 플로우의 스텝 S1~S8를 실행하는 것에 의해서, 부가 작업을 위해서 처리 장치를 일시적으로 단시간만큼 정지시켜도, 다른 처리 장치의 가동을 계속시키는 것이 가능해져, 전자 디바이스의 생산성의 현저한 저하를 억제할 수 있다. 또, 부가 작업을 위해서 정지한 처리 장치를 복귀시키는 경우는, 모든 장치에서도 기판(P)의 반송 속도가 규정 속도(Vpp)가 되도록, 변경되어 있던 처리(설정) 조건을 서서히 원래대로 되돌리면 된다.
다음으로, 스텝 S6에서 실행되는 시뮬레이션의 일례를 도 11의 플로우차트에 근거하여 설명한다. 도 11에서, 스텝 S21은, 정지 요구 장치(PRd)의 상류측에 기판(P)의 축적 장치가 있는지 아닌지를 판정하는 것이다. 도 1, 도 4에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에서는 처리 장치(PR2)의 상류측, 및 처리 장치(PR4(PR5))의 하류측에는 축적 장치가 마련되어 있지 않다. 따라서, 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR2)인 경우는, 스텝 S21의 판정에 의해, 스텝 S26으로 진행된다. 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR3), 또는 처리 장치(PR4)인 경우는, 스텝 S21의 판정에 의해, 스텝 S22로 진행된다. 이하, 설명의 중복을 피하기 위해, 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR3)인 경우를 먼저 설명한다.
정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR3)일 때, 스텝 S22가 실행된다고 하는 것은, 처리 장치(PR3)의 상류측의 제1 축적 장치(BF1)에서의 기판(P)의 신규 축적 가능 길이와, 하류측의 제2 축적 장치(BF2)에서의 기판(P)의 기축적 길이 중 어느 일방, 또는 쌍방이 부족한 것을 의미한다. 처리 장치(PR3)를 정지시키는 경우는, 부가 작업의 개시 시점에서 제1 축적 장치(BF1)에 의해서 지금부터 축적 가능한 신규 축적 가능 길이가, 상류측의 처리 장치(PR2)에서의 기판(P)의 반송 속도(규정 속도(Vpp))와 부가 작업의 작업 시간(정지 시간(TS3))과의 곱으로 정해지는 길이 이상이 되어 있을 필요가 있다. 신규 축적 가능 길이가 부족한 경우는, 그 부족분을 정지 요구 장치(PRd)인 처리 장치(PR3)의 지연 가능 시간의 경과전까지 처리 장치(PR2)(경우에 따라서는 처리 장치(PR3) 자체) 등의 처리 조건이나 기판 반송 속도의 조정에 의해서 해소 가능한지 아닌지를 시뮬레이트할 필요가 있다. 그래서, 스텝 S22에서는, 상류측의 제1 축적 장치(BF1)에서의 신규 축적 가능 길이가 부족한 경우에, 그 부족을 해소하는 상류측의 처리 장치(PR2)와 정지 요구 장치(PRd)인 처리 장치(PR3)(상기 장치)와의 각종의 조건 변경의 후보(조합)가, 신규 축적 가능 길이의 부족을 해소할 때까지의 대기 시간(조정 시간)(Tw1)(초)을 정지 요구 장치(PRd)에서의 지연 가능 시간보다도 짧게 한다고 하는 조건하에서 선정된다. 또, 앞의 스텝 S21에서는, 상류측에 축적 장치의 유무를 판정했지만, 상류측의 축적 장치에서의 신규 축적 가능 길이가 부족한지 아닌지를 판정해도 괜찮다.
스텝 S22에서 선정되는 각종 조건 변경의 후보(조합)는, 처리 장치(PR3)(정지 요구 장치(PRd))가 부가 작업을 개시하기까지 기다릴 수 있는 지연 가능 시간(대기 시간)보다도 대기 시간(Tw1)이 짧게 되도록 설정된다. 여기서, 처리 장치(PR3)(정지 요구 장치(PRd))가 부가 처리를 개시할 때까지의 지연 가능 시간(대기 시간)을 Tdp3(초), 제1 축적 장치(BF1)에서의 신규 축적 가능 길이의 부족량을ΔLs1로 하고, 처리 장치(PR3)에서의 기판(P)의 반송 속도를 규정 속도(Vpp)로부터 올려지지 않는다고 하면, 상류측의 처리 장치(PR2)에서의 기판(P)의 반송 속도를 규정 속도(Vpp)로부터 내리는 최적인 속도 변화 특성 V2(t)가,
Tdp3＞Tw1　…　식 1
Tw1·V2(t)≥ΔLs1　…　식 2
양쪽 모두를 만족하도록 시뮬레이트된다. 그 때, 규정 속도(Vpp)로부터 내려지는 반송 속도의 값이나, 속도의 저하율을 몇가지 설정하여 시뮬레이션이 행하여진다. 그 결과, 적정한 후보로서 구하여진 속도 변화 특성 V2(t)을 기초로, 처리 장치(PR2)의 다이 코터 헤드(DCH)의 처리 조건(슬릿부(200B)와 기판(P)의 갭량(gap量), 피스톤부(201)의 압하(押下) 속도 등)이 연동하여 조정 가능한지 판단된다. 그렇게 하여 구하여진 속도 변화 특성 V2(t)와 처리 조건(설정 조건)의 변경(조정)에 의해서, 처리 장치(PR2)에서의 도포 공정이 처리 품질을 유지하면서 계속 가능한지 아닌지가, 다음의 스텝 S23에서 판단된다. 또, 시뮬레이션의 결과, 식 1의 조건을 만족하는 대기 시간(Tw1)의 값도 재계산된다. 이 스텝 S22, S23에 의해서, 처리의 품질을 유지하면서, 처리 장치(PR2)의 처리 조건 및 기판(P)의 반송 속도를 변경함으로써, 지연 가능 시간(Tdp3) 내에, 제1 축적 장치(BF1)의 축적 상태를 필요 축적 상태로 하게 하는 것이 가능한지 아닌지를 판단하고 있다.
스텝 S22의 시뮬레이션의 결과, 다이 코터 헤드(DCH)의 처리 조건의 변경을 대응할 수 없는 등의 상황에 의해서, 적당한 속도 변화 특성 V2(t)를 발견할 수 없었던 경우는, 스텝 S23의 판단에 의해, 스텝 S24로 진행되고, 정지 요구 장치(PRd)(처리 장치(PR3))의 부가 작업을 위해서, 지연 가능 시간(Tdp3)의 경과전에 정지 요구 장치(PRd)(처리 장치(PR3))를 단독으로 정지시키는 것이 불가능하다라고 판단하여, 시뮬레이션을 종료한다. 스텝 S24를 얻은 경우는, 앞의 도 10의 스텝 S7에서 정지 불가하다고 판단되어, 스텝 S9의 라인 정지 지시가 행하여진다.
한편, 스텝 S22의 시뮬레이션의 결과, 다이 코터 헤드(DCH)의 처리 조건의 변경에 의한 대응이 가능하고, 적당한 속도 변화 특성 V2(t)를 찾아낼 수 있던 경우는, 스텝 S23의 판단에 의해, 스텝 S25로 진행되어, 하류측의 축적 장치가 있는지 아닌지가 판정된다. 처리 장치(PR3)의 경우, 하류측에 제2 축적 장치(BF2)가 있고, 처리 장치(PR3)를 부가 작업을 위해서 정지시키는 경우는, 부가 작업의 개시시점에서 제2 축적 장치(BF2)에 축적 완료인 기판(P)의 기축적 길이가, 하류측의 처리 장치(PR4(PR5))에서의 기판(P)의 반송 속도(규정 속도(Vpp))와 부가 작업의 작업 시간(정지 시간(TS3))과의 곱으로 정해지는 길이 이상으로 되어 있을 필요가 있다. 그렇지만, 도 10의 스텝 S6(도 11의 시뮬레이션)이 실행된 시점에서, 제2 축적 장치(BF2)에서의 기축적 길이는 부족하다. 그 부족분을, 정지 요구 장치(PRd)(처리 장치(PR3))가 제시하고 있는 지연 가능 시간(대기 시간)(Tdp3)의 경과전까지 처리 장치(PR4) 등의 처리 조건(설정 조건)이나 기판(P)의 반송 속도의 조정에 의해서 해소 가능한지 아닌지가, 다음의 스텝 S26에서 시뮬레이트된다. 제2 축적 장치(BF2)에서의 기축적 길이의 부족을 해소하기 위해서는, 상류측의 처리 장치(PR3)에서의 기판(P)의 반송 속도를 올릴지, 하류측의 처리 장치(PR4(PR5))에서의 기판(P)의 반송 속도를 내릴지 중 적어도 일방을 행할 필요가 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 처리 장치(PR3)가 노광 장치인 경우는 기판(P)의 반송 속도를 올리는 것이 어렵기 때문에, 여기에서는, 처리 장치(PR4(PR5))에서의 기판(P)의 반송 속도를 서서히 저하시킴으로써 대응한다.
스텝 S26에서도, 스텝 S22와 마찬가지로, 제2 축적 장치(BF2)에서의 기축적 길이의 부족을 해소하는 하류측의 처리 장치(PR4(PR5))와 처리 장치(PR3)(상기 장치)와의 각종의 조건 변경의 후보(조합)가, 기축적 길이의 부족을 해소할 때까지의 대기 시간(조정 시간)(Tw2)(초)을 지연 가능 시간(대기 시간)(Tdp3)보다도 짧게 한다고 하는 조건하에서 선정된다. 여기서, 제2 축적 장치(BF2)에서의 기축적 길이의 부족량을 ΔLs2로 하고, 처리 장치(PR3)에서의 기판(P)의 반송 속도를 규정 속도(Vpp)로부터 올릴 수 없다고 하면, 하류측의 처리 장치(PR4(PR5))에서의 기판(P)의 반송 속도를 규정 속도(Vpp)로부터 내리는 최적인 속도 변화 특성 V4(t)(V5(t))가,
Tdp3＞Tw2　…　식 3
Tw2·V4(t)(V5(t))≥ΔLs2　…　식 4
양쪽 모두를 만족하도록 시뮬레이트된다. 그 때, 규정 속도(Vpp)로부터 내려지는 반송 속도의 값이나, 속도의 저하율을 몇가지 설정하여 시뮬레이션이 행하여진다. 그 결과, 적정한 후보로서 구하여진 속도 변화 특성 V4(t)(V5(t))을 기초로, 처리 장치(PR4(PR5))의 처리 조건(안내 롤러(R5, R6)의 간격 조정에 의한 접액(接液) 길이의 변경)이 연동하여 조정 가능한지 아닌지가 판단된다. 이렇게 하여 구하여진 속도 변화 특성 V4(t)(V5(t))과 처리 조건(설정 조건)의 변경(조정)에 의해서, 처리 장치(PR4(PR5))에서의 현상 공정(습식 처리)이 소정의 품질을 유지하면서 계속 가능한지 아닌지가, 다음의 스텝 S27에서 판단된다. 또, 시뮬레이션의 결과, 식 3의 조건을 만족하는 대기 시간 Tw2의 값도 재계산된다. 이 스텝 S26, S27에 의해서, 처리의 품질을 유지하면서, 처리 장치(PR4(PR5))의 처리 조건 및 기판(P)의 반송 속도를 변경함으로써, 지연 가능 시간(Tdp3) 내에, 제2 축적 장치(BF2)의 축적 상태를 필요 축적 상태로 하게 하는 것이 가능한지 아닌지를 판단하고 있다.
스텝 S26의 시뮬레이션의 결과, 처리 장치(PR4(PR5))의 처리 조건(접액 길이)의 변경을 대응할 수 없는 등의 상황에 의해서, 적당한 속도 변화 특성 V4(t)(V5(t))을 발견할 수 없었던 경우는, 스텝 S27의 판단에 의해, 스텝 S24로 진행되고, 정지 요구 장치(PRd)(처리 장치(PR3))의 부가 작업을 위해서, 지연 가능 시간(대기 시간) Tdp3의 경과전에 정지 요구 장치(PRd)(처리 장치(PR3))를 단독으로 정지시키는 것이 불가능하다라고 판단하여, 시뮬레이션을 종료한다. 스텝 S24를 거친 경우는, 앞의 도 10의 스텝 S7에서 정지 불가라고 판단되어, 스텝 S9의 라인 정지 지시가 행하여진다. 또, 스텝 S26의 시뮬레이션의 결과, 처리 장치(PR4(PR5))의 처리 조건(접액 길이 등)의 변경에 의한 대응이 가능하고, 적당한 속도 변화 특성 V4(t)(V5(t))를 찾아낼 수 있었던 경우는, 스텝 S27의 판단에 의해, 스텝 S28로 진행되어, 지연 가능 시간(Tdp3)의 경과전에 정지 요구 장치(PRd)(처리 장치(PR3))를 단독으로 정지 가능하다고 판단하여 시뮬레이션을 종료한다. 또, 앞의 스텝 S25에서, 하류측에 축적 장치가 없는 경우는, 스텝 S28로 진행된다. 스텝 S28를 거친 경우는, 앞의 도 10의 스텝 S7에서, 지연 가능 시간(대기 시간)의 경과전에 정지 요구 장치(PRd)를 정지하는 것이 가능하다고 판단되어, 스텝 S8로 진행된다.
이상의 도 11의 시뮬레이션에서는, 처리 장치(PR3)에서의 기판(P)의 반송 속도를 규정 속도(Vpp)로부터 바꾸지 않는 경우로 설명했지만, 처리 장치(PR3)(노광 장치)의 구성에 따라서는, 처리 장치(PR3)를 통과하는 기판(P)을 규정 속도(Vpp)보다도 빨리 반송시키는 것이 가능하다. 예를 들면, 기판(P)의 반송 방향으로 복수의 회전 드럼(DR2)을 늘어놓아, 각 회전 드럼(DR2)의 위치에서 기판(P) 상의 장척 방향으로 분할된 복수의 영역을, 복수의 노광 헤드나 투영 광학계 각각에 의해 개별로 노광하는 구성, 이른바 탠덤형(tandem型)의 노광 장치의 경우, 혹은, 노광용 광원을 복수 탑재하여, 필요에 따라서 복수의 광원으로부터의 빔을 합성하여 조도 업 시키는 구성으로 한 경우는, 기판(P)의 반송 속도를 규정 속도(Vpp)에 대해서 높이는 것도 가능하다. 그 경우는, 스텝 S22, S26에서의 시뮬레이션에서, 처리 장치(PR3)에서의 기판(P)의 반송 속도의 조정을 변경 조건으로 하여 가미하면 좋다. 처리 장치(PR3)에서의 기판(P)의 반송 속도를 높일 수 있으면, 스텝 S22, S26의 시뮬레이션 결과로서 구하여지는 대기 시간(Tw1, Tw2), 즉, 처리 장치(PR3)의 부가 작업을 위한 정지에 구비한 각 처리 장치(PR2~PR4(PR5))에서의 조정 시간을 단축할 수 있다.
또, 이상의 설명에서는, 정지 요구 장치(PRd)를 처리 장치(PR3)로 했지만, 다른 처리 장치(PR2, PR4)(PR5)라도, 도 11의 시뮬레이션은 동일하게 적용 가능하다. 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR2)로서, 도 10의 스텝 S4에서의 판단에 의해, 스텝 S6(도 11)의 시뮬레이션을 행하는 경우는, 상류측에 축적 장치가 없고, 하류측에 제1 축적 장치(BF1)가 있으므로, 도 11의 스텝 S21, S26, S27 후, 스텝 S24나 S28 중 일방이 실행된다. 또, 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR4(PR5))로서, 도 10의 스텝 S4에서의 판단에 의해, 스텝 S6(도 11)의 시뮬레이션을 행하는 경우는, 하류측에 축적 장치가 없고, 상류측에 제2 축적 장치(BF2)가 있으므로, 도 11의 스텝 S21, S22, S23 후, 스텝 S24, 스텝 S24, S28 중 어느 일방이 실행된다. 게다가, 정지 요구 장치(PRd)가 처리 장치(PR2, 또는 PR4(PR5))인 경우, 처리 장치(PR3)에서의 기판(P)의 반송 속도의 조정을 조건 변경으로 가할 수 있다. 그 경우에, 처리 장치(PR3)에서의 기판(P)의 반송 속도를 규정 속도(Vpp)로부터 저하시키는 경우는, 도 6에 나타낸 폴리곤 미러(66)의 회전 속도와, 묘화 데이터(패턴의 화소 데이터)에 따라 묘화용 광학 소자(광 변조 소자)(52)를 On/Off하는 클록 펄스의 주파수를, 동일 비율로 저하시키도록 하면 좋다.
또, 본 제1 실시 형태에서는, 정지 요구 장치(PRd)의 부가 작업시의 정지 시간이 미리 지정되어 있고, 그 정지 시간 동안에 규정 속도(Vpp)로 반송될 수 있는 기판(P)의 반송 길이에 대해서, 각 축적 장치(BF1, BF2)에서의 기축적 길이나 신규 축적 가능 길이가 길어지도록 설정 가능하므로, 기판(P)의 반송 속도를 규정 속도(Vpp)로부터 변경하고 있었던 처리 장치는, 정지 요구 장치(PRd)가 부가 작업을 개시한 직후부터, 기판(P)의 반송 속도를 규정 속도(Vpp)로 되돌리도록 제어할 수 있다.
또, 제1 축적 장치(BF1) 및 제2 축적 장치(BF2)의 축적 상태(기축적 길이, 신규 축적 가능 길이)는, 축적 장치(BF1, BF2)에 반입하는 기판(P)의 속도와, 축적 장치(BF1, BF2)로부터 반출되는 기판(P)의 속도와의 차이로부터 구하도록 해도 괜찮다. 또, 각 댄서 롤러(20, 22)의 Z방향에서의 위치를 검출하는 위치 센서를 마련하고, 각 댄서 롤러(20, 22)의 Z방향에서의 위치로부터 축적 장치(BF1, BF2)의 축적 길이를 구하도록 해도 괜찮다.
또, 도 10, 도 11에서는, 처리 장치(PR1)에 대해 설명하지 않았지만, 처리 장치(PR1)와 처리 장치(PR2)와의 사이에는 축적 장치가 없으므로, 처리 장치(PR1)와 처리 장치(PR2)와의 기판(P)의 반송 속도를 대략 동일하게 할 필요가 있다. 따라서, 처리 장치(PR2)를 정지 시간(TS2) 동안 일시 정지시키는 경우는, 처리 장치(PR1)도 정지 시간(TS2) 동안 정지시킨다. 즉, 처리 장치(PR1)는, 처리 장치(PR2)에서의 기판(P)의 반송 및 처리와 연동하여, 기판(P)을 반송하여 처리를 행한다.
[제1 실시 형태의 변형예]
상기 제1 실시 형태는, 이하와 같이 변형해도 괜찮다.
(변형예 1)
그런데, 처리 장치(PR3)와 같은 패터닝 장치(노광 장치, 잉크젯 묘화기)에서는, 도 5, 도 9에서 설명한 바와 같이, 얼라이먼트 현미경(AM1~AM3)의 촬상 소자 등에 의해서, 기판(P)의 장척 방향의 이동에 의해서, 각 검출 영역(Vw1~Vw3) 내를 횡단하는 얼라이먼트 마크(마크)(Ks1~Ks3)의 상(像)을, 엔코더 시스템(독해 헤드(EC1a, EC1b))에 의한 계측 결과로부터 포착하여, 고속으로 화상 검출할 필요가 있다. 그렇지만, 예를 들면, 디바이스 형성 영역(W)의 노광(묘화) 개시 위치를 정하는 최초의 얼라이먼트 마크(Ks1~Ks3)에 어떠한 손상이 있거나, 소실되거나 한 미스(miss) 얼라이먼트의 발생에 의해, 그 디바이스 형성 영역(W)에 대한 노광이 불량이 될 가능성이 있다. 또, 디바이스 형성 영역(W)의 전체의 변형을 정밀하게 계측하기 위해서, 회전 드럼(DR2)을 노광시의 속도(규정 속도(Vpp))보다도 느리게 회전시켜, 각 얼라이먼트 마크(Ks1~Ks3)의 화상 검출의 정밀도(재현성 등)를 높이는 경우도 있다.
그러한 경우, 처리 장치(PR3)는, 1개의 디바이스 형성 영역(W)에 대한 노광 동작을 중단하고 건너뛰거나, 또는, 일정한 거리만큼 기판(P)을 역방향으로 되돌리고 나서, 재차 순(順)방향으로 반송하는 리트라이(retry) 동작을 행하는 경우도 있다. 그러한 리트라이 동작에서는, 기판(P)의 역전(逆轉) 이동 등의 기간 중에 처리 장치(PR3)에 의한 실질적인 노광 동작은 정지하고 있게 되므로, 리트라이 동작도 부가 작업 중 하나에 포함시킬 수 있다. 그 리트라이 동작의 경우, 도 10, 도 11의 동작 플로우에서는 규정 속도(Vpp) 하에서 구하여진 각 축적 장치(BF1, BF2)에서의 기축적 길이나 신규 축적 가능 길이의 부족분에 대해서, 기판(P)의 일정 거리에 걸치는 반대 이송에 의한 길이분을 가미하게 된다.
(변형예 2)
이상의 제1 실시 형태에서는, 각 처리 장치(PR2~PR4(PR5))를 통과하는 기판(P)의 반송 속도는, 규정 속도(Vpp)에 일치하는 것을 전제로 했지만, 처리 장치(PR2~PR4(PR5))마다, 기판(P)의 반송 속도의 규정치를 조금 다르게 해도 괜찮다. 그 경우, 축적 장치(BF1, BF2)는, 전후의 처리 장치에서의 기판(P)의 반송 속도의 차분(差分)에 의해서 생기는 기판(P)의 초과나 부족을 상시 흡수하도록 동작하므로, 스텝 S3에서 취득되는 정보에 근거하여 구하여지는 각 축적 장치(BF1, BF2)에서의 기축적 길이나 신규 축적 가능 길이도, 차분 흡수를 위한 기판 축적이나 기판 방출분(分)만큼, 빨리 변화하게 된다. 도 11의 시뮬레이션에서는, 그러한 빠른 변화에도 대응하도록, 도 10의 프로그램의 실행 인터벌을 짧게 설정하면 좋다.
이상의 제1 실시 형태와 변형예에 의하면, 복수의 처리 장치의 각각에 시트모양의 기판을 순차적으로 반송하여 전자 디바이스(전자 회로)를 제조하는 디바이스 제조 시스템에서, 복수의 처리 장치 중 제1 처리 장치에서 기판의 반송을 일시적으로 정지시키는 부가 작업시에는, 예상되는 정지 시간, 또는 정지에 이르기까지의 지연 가능 시간(대기 시간)(Tdp)과, 인접하는 제2 처리 장치와의 사이에 마련된 축적 장치에서의 기판의 축적 상황(기축적 길이나 신규 축적 가능 길이)에 근거하여, 제2 처리 장치의 처리 동작을 계속시키면서, 제1 처리 장치를 일시적으로 정지 가능하게 하는 조건을 설정할 수 있으므로, 제1 처리 장치의 일시적인 정지로 지연되어, 다른 처리 장치(제2 처리 장치)가 정지할 가능성이 저감되어, 제조 라인 전체를 멈추는 리스크가 감소됨과 아울러, 부가 작업에 의한 처리 장치의 성능 유지 등도 가능해져, 제조되는 전자 디바이스의 품질을 고품위로 유지할 수 있다.
[제2 실시 형태]
이상의 제1 실시 형태에서는, 각 처리 장치(PR2~PR4)가 부가 작업을 위해서 일시적으로 정지시키는 경우라도, 제조 라인의 전체를 최대한 멈추지 않도록 한 것이지만, 각 처리 장치(PR2~PR4)가, 경시(經時) 변화 등에 의해서, 설정된 조건에 대해서 서서히 처리 오차를 늘려 가는 경우, 즉 각 처리 장치에서의 처리 품질이 서서히 저하되는 경우도 있다. 복수의 다른 처리 장치에 기판(P)을 통과시켜 연속 처리하는 경우, 어느 하나의 처리 장치에서의 처리 오차가 증가해 가면, 그 오차가 최후까지 누적되고, 제조되는 디바이스의 품질이 열화되어, 제조 라인 전체의 정지에 이를 가능성이 있다. 제2 실시 형태에서는, 복수의 처리 장치 각각이, 제조되는 디바이스의 최종적인 품질을 유지하도록, 처리 조건이나 기판(P)의 반송 조건을 동적으로 조정하여, 제조 라인 전체가 최대한 멈추지 않도록 제어하는 것이다.
상기 제2 실시 형태에서도, 상기 제1 실시 형태에서 설명한 디바이스 제조 시스템(10) 및 기판(P)(도 1~도 9)을 이용하는 것으로 한다. 상술한 바와 같이, 디바이스 제조 시스템(10)에 의해서, 기판(P)에 소망하는 금속층의 패턴을 출현시키기 위해서, 각 처리 장치(PR1~PR5)는, 설정 조건에 따라서 기판(P)에 대해서 각 처리를 행한다. 예를 들면, 처리 장치(PR1)의 설정 조건으로서, 플라즈마를 사출하기 위한 전압 및 플라즈마를 조사하는 조사 시간 등을 규정하는 처리 조건과, 기판(P)의 반송 속도 조건이 설정되어 있다. 처리 장치(PR1)는, 상기 설정 조건에 따라서 기판(P)을 반송하면서 기판(P)에 대해서 플라즈마 표면 처리를 행한다. 처리 장치(PR2)의 설정 조건(제1 설정 조건)으로서, 감광성 기능층을 형성하는 영역을 규정하는 영역 조건 및 감광성 기능층의 막 두께를 규정하는 막 두께 조건 등을 포함하는 처리 조건(제1 처리 조건)과, 기판(P)의 반송 속도 조건이 설정되어 있다. 처리 장치(PR2)는, 상기 설정 조건에 따라서 기판(P)을 반송하면서 감광성 기능층의 성막 처리를 행한다.
처리 장치(PR3)의 설정 조건(제2 설정 조건)으로서, 레이저광(LB)의 강도를 규정하는 강도 조건, 스폿광(SP)의 주사 속도(폴리곤 미러(66)의 회전 속도)를 규정하는 주사 속도 조건, 다중 노광 횟수를 규정하는 노광 횟수 조건, 및 묘화할 패턴을 규정하는 패턴 조건(패턴 데이터) 등을 포함하는 처리 조건(제2 처리 조건)과, 기판(P)의 반송 속도 조건이 설정되어 있다. 처리 장치(PR3)는, 상기 설정 조건에 따라서 기판(P)을 반송하면서 기판(P)에 대해서 노광 처리를 행한다. 처리 장치(PR4)의 설정 조건(제3 설정 조건)으로서, 현상액(LQ)의 온도를 규정하는 온도 조건, 현상액(LQ)의 농도를 규정하는 농도 조건, 및 침지 시간을 규정하는 침지 시간 조건 등을 포함하는 처리 조건(제3 처리 조건)과, 기판(P)의 반송 속도 조건이 설정되어 있다. 처리 장치(PR4)는, 상기 설정 조건에 따라서 기판(P)을 반송하면서 현상 처리를 행한다. 처리 장치(PR5)의 설정 조건으로서, 에칭액의 온도를 규정하는 온도 조건, 농도를 규정하는 농도 조건, 및 침지 시간을 규정하는 침지 시간 조건 등을 포함하는 처리 조건과, 기판(P)의 반송 속도 조건이 설정되어 있으며, 처리 장치(PR5)는, 상기 설정 조건에 따라서 기판(P)을 반송하면서 에칭 처리를 행한다. 또, 처리 장치(PR4)가 도금 처리를 행하는 경우는, 처리 장치(PR4)의 설정 조건(제3 설정 조건)으로서, 도금액의 온도를 규정하는 온도 조건, 도금액의 농도를 규정하는 농도 조건, 및 침지 시간을 규정하는 침지 시간 조건 등을 포함하는 처리 조건(제3 처리 조건)과, 기판(P)의 반송 속도 조건이 설정되어 있다. 따라서, 처리 장치(PR4)는, 상기 설정 조건에 따라서 기판(P)을 반송하면서, 도금 처리를 행하게 된다.
이 각 처리 장치(PR1~PR5)의 설정 조건은, 각 처리 장치(PR1~PR5)에 의해서 실시되는 실처리(실제의 처리)의 상태가, 목표의 처리 상태가 되도록 미리 설정되어 있다. 각 처리 장치(PR1~PR5)의 설정 조건은, 각 처리 장치(PR1~PR5)에 마련된 도시하지 않은 기억 매체에 기억되어 있어도 좋고, 상위 제어 장치(14)의 도시하지 않은 기억 매체에 기억되어 있어도 괜찮다. 또, 디바이스 제조 시스템(10) 내에서는, 기판(P)은 일정한 속도로 반송되므로, 각 처리 장치(PR1~PR5)에서 설정되어 있는 설정 조건의 반송 속도 조건은, 기본적으로는 동일한 속도(예를 들면, 5mm/초~50mm/초의 범위의 일정 속도)로 되어 있다.
각 처리 장치(PR1~PR5)는, 설정 조건에 따라서 기판(P)에 대해서 처리를 행하고 있지만, 실처리(실제의 처리)의 상태가, 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)를 일으키는 경우가 있다. 예를 들면, 경년(經年) 열화(劣化) 등에 의해서 광원 장치(32)의 레이저 광원이 발광하는 레이저광(LB)의 강도가 저하되거나, 현상액(LQ), 에칭액의 온도·농도가 저하되거나 하는 경우가 있기 때문에, 실처리의 상태가 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)가 생기는 경우가 있다. 예를 들면, 레이저광(LB)의 강도가 저하된 경우는 노광량이 저하되므로, 포토레지스트의 경우는, 스폿광(SP)을 조사한 영역의 일부분, 즉, 스폿광(SP)을 조사한 영역의 외주 부분의 감광성 기능층(포토레지스트층)이 심부까지 개질되지 않는다. 그 때문에, 현상 처리에 의해서 감광성 기능층에 형성되는 패턴의 선폭이 소망하는 패턴의 선폭(목표 선폭)에 비해서 굵어져 버린다. 즉, 광이 조사되어 개질된 부분이 현상에 의해서 용해되고, 남은 레지스트층의 부분(비개질부)의 영역이 디스플레이 패널용 회로 또는 배선 등의 금속층(도전성)의 패턴으로서 에칭 후에 잔류하므로, 노광량이 저하되면 패턴의 선폭이 굵어져 버린다. 그 결과, 기판(P)에 출현하는 금속층의 패턴이 소망의 패턴과는 달라져 버린다.
현상액(LQ)의 온도·농도가 저하된 경우 혹은 현상액(LQ)의 침지 시간이 짧아진 경우는, 현상액(LQ)에 의한 감광성 기능층의 개질부의 제거를 충분히 행할 수 없다. 그 때문에, 처리 장치(PR4)가 감광성 기능층에 형성된 잠상에 따라서, 감광성 기능층에 형성하는 패턴의 선폭이 목표 선폭으로부터 어긋나게 된다. 그 결과, 기판(P)에 출현하는 금속층의 패턴은 소망의 패턴이 되지 않는다.
에칭액의 온도·농도가 저하된 경우 혹은 에칭액의 침지 시간이 짧아진 경우는, 패턴이 형성된 감광성 기능층을 마스크로서 감광성 기능층의 하층에 형성된 금속성 박막(도전성의 박막)의 에칭을 충분히 행할 수 없다. 그 때문에, 처리 장치(PR5)가 에칭에 의해 형성하는 금속층의 패턴의 선폭이 목표 선폭으로부터 어긋나게 된다. 즉, 에칭에 의해 금속성 박막이 제거되지 않았던 부분이 디스플레이 패널용 회로 또는 배선 등의 패턴이 되므로, 패턴이 형성된 감광성 기능층을 마스크로 하여 에칭이 충분히 행해지지 않은 경우는, 패턴의 선폭이 굵어진다. 그 결과, 기판(P)에 출현하는 금속층의 패턴은 소망의 패턴은 되지 않는다.
또, 감광성 기능층(포토레지스트)의 막 두께가 두꺼워지면, 스폿광(SP)이 조사된 영역의 감광성 기능층의 심부(深部)가 개질되기 어려워지므로, 현상액(LQ)에 의한 개질부의 제거에 의해, 감광성 기능층에 형성되는 패턴의 선폭이 목표치로부터 어긋나게 된다. 그 결과, 기판(P)에 출현하는 금속층의 패턴은 원하는 패턴이 되지 않는다.
이와 같이, 각 처리 장치(PR1~PR5)가 설정 조건에 따라서 기판(P)에 대해서 실시한 실처리의 상태 중 어느 하나가 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)를 가지고 있는 경우에는, 기판(P)에 소망의 금속층의 패턴을 출현시킬 수 없어, 패턴의 형상 또는 치수가 변동해 버린다. 그래서, 본 제2 실시 형태에서는, 상위 제어 장치(14)는, 각 처리 장치(PR1~PR5)의 각각에서 기판(P)에 실시되는 실처리의 상태 중 적어도 하나가, 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)를 나타내는 경우는, 처리 오차(E)를 발생하는 처리 장치(PR) 이외의 다른 처리 장치(PR)의 설정 조건을 처리 오차(E)에 따라 변화시킨다. 이 처리 오차(E)는, 기판(P)에 형성되는 패턴의 형상 또는 치수가 목표의 패턴의 형상 또는 치수에 대해서 어느 정도 변화하고 있는지를 나타내는 것이다.
처리 오차(E)를 나타내는 설정 조건이, 처리 장치(PR3)의 설정 조건인 경우는, 먼저, 처리 오차(E)가 생기지 않도록 혹은 처리 오차(E)가 허용 범위에 들어가도록, 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 변경한다. 그리고, 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 변경한 것만으로는 대응할 수 없는 경우는, 처리 오차(E)가 생기지 않도록 혹은 처리 오차(E)가 허용 범위에 들어가도록, 다른 처리 장치(PR(PR1, PR2, PR4, PR5))의 설정 조건을 추가로 변경한다. 이 때, 다른 처리 장치(PR)의 설정 조건의 변경 완료후에, 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 원래대로 되돌려도 괜찮다. 또, 처리 오차(E)를 나타내는 설정 조건이 처리 장치(PR3) 이외의 처리 장치(PR)인 경우는, 처리 오차(E)가 생기지 않도록 혹은 처리 오차(E)가 허용 범위에 들어가도록, 우선적으로 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 변경시킨다.
도 1에 나타낸 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR1~PR5)마다 처리의 목표치가 되는 설정 조건(레시피)을 설정하거나, 그들 설정 조건을 수정하거나, 각 처리 장치(PR1~PR5)의 처리 상황을 모니터하거나 하기 위한 조작 장치를 구비하고 있다. 그 조작 장치는, 데이터, 파라미터, 커맨드(command) 등을 입력하는 키보드, 마우스, 터치 패널 등의 입력 장치와, 처리 장치(PR1~PR5)마다의 설정 조건, 처리 상태, 처리 오차(E)의 발생 상황, 그 처리 오차(E)의 보정을 위해서 설정 조건의 변경이 가능한 처리 장치(PR)의 후보, 그 보정의 규모(보정량, 보정 시간 등) 등을 나타내는 정보, 및 기판(P)의 반송 속도의 조정에 관한 정보를 표시하는 모니터 장치(디스플레이)로 구성된다.
[제2 실시 형태의 동작]
이하, 각 처리 장치(PR1~PR5)가 설정 조건에 따라서 기판(P)에 대해서 실시한 실처리의 상태 중 어느 하나가 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)를 가진 경우의 디바이스 제조 시스템(10)의 동작에 대해 자세하게 설명한다. 도 12는, 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)가 발생하고 있는 처리 장치(PR)를 판정하기 위한 디바이스 제조 시스템(10)의 동작을 나타내는 플로우차트이다. 먼저, 상위 제어 장치(14)는, 감광성 기능층의 막 두께가 허용 범위 내인지 아닌지를 판단한다(스텝 S31). 즉, 실제로 형성된 감광성 기능층의 막 두께가, 목표의 처리 상태가 되도록 설정한 막 두께 조건(이하, 목표의 막 두께 조건)에 대해서 허용 범위 내에 있는지 아닌지를 판단한다. 이 판단은, 막 두께 계측 장치(16a)가 계측한 막 두께에 근거하여 행한다. 즉, 스텝 S31에서는, 처리 장치(PR2)의 설정 조건에 기인하여 기판(P)에 형성되는 패턴의 품질(형상이나 치수의 충실도나 균일성 등)이 목표에 대해서 허용 범위를 넘어 변화(저하)하고 있는지 아닌지를 검지하고 있다. 스텝 S31에서, 막 두께 계측 장치(16a)가 계측한 막 두께가 목표의 막 두께에 대해서 허용 범위 내에 없다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR2)에 허용 범위를 넘어 처리 오차(E(E2))가 발생하고 있다고 판정한다(스텝 S32). 즉, 처리 장치(PR2)가 실시한 실처리의 상태가 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E2)를 가지고 있다고 판정한다.
한편, 스텝 S31에서, 막 두께 계측 장치(16a)가 계측한 막 두께가 허용 범위 내에 있다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR3)에 의해서 기판(P) 상에 조사된 레이저광(LB)의 노광량이 목표의 노광량에 대해서 허용 범위 내에 있는지 아닌지를 판단한다(스텝 S33). 이 판단은, 강도 센서(37)가 검출한 레이저광(LB)의 강도가 목표의 처리 상태가 되도록 설정한 강도 조건(이하, 목표의 강도 조건)에 대해서 허용 범위 내에 있는지 아닌지를 판단함으로써 행한다. 즉, 레이저광(LB)의 강도에 따라 감광성 기능층에 형성되는 패턴의 선폭도 바뀌므로, 노광량을 나타내는 레이저광(LB)의 강도에 근거하여, 노광량이 허용 범위 내에 있는지 아닌지를 판단한다. 또, 스텝 S33에서는, 노광량을 나타내는 다른 정보, 예를 들면, 스폿광(SP)의 주사 속도 등이 목표의 처리 상태가 되도록 설정한 주사 속도 조건(이하, 목표의 주사 속도 조건)에 대해서 허용 범위 내에 있는지 아닌지를 판단해도 괜찮다. 또, 복수의 정보(레이저광(LB)의 강도 및 스폿광(SP)의 주사 속도 등)에 근거하여 노광량이 허용 범위 내에 있는지 아닌지를 판단해도 괜찮다. 즉, 스텝 S33에서는, 처리 장치(PR3)의 설정 조건에 기인하여 기판(P)에 형성되는 패턴의 품질(형상이나 치수의 충실도나 균일성 등)이 목표에 대해서 허용 범위를 넘어 변화(저하)하고 있는지 아닌지를 검지하고 있다. 스텝 S33에서, 노광량이 목표의 노광량(목표의 처리 상태가 되도록 설정된 처리 조건)에 대해서 허용 범위 내에 없다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR3)에 허용 범위를 넘어 처리 오차(E(E3))가 발생하고 있다고 판정한다(스텝 S34). 즉, 처리 장치(PR3)가 실시한 실처리의 상태가 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E3)를 가지고 있다고 판정한다.
한편, 스텝 S33에서, 노광량이 허용 범위 내에 있다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR4)가 현상 처리를 행하는 것에 의해서 감광성 기능층에 형성된 패턴의 선폭이 허용 범위 내에 있는지 아닌지를 판단한다(스텝 S35). 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR4) 내에 마련된 촬상 장치(83)가 촬상한 화상 데이터에 근거하여 감광성 기능층에 형성된 패턴의 선폭을 계측한다. 원칙으로서 감광성 기능층에 형성되는 패턴의 선폭이 목표 선폭이 되도록 처리 장치(PR4)의 설정 조건이 정해져 있지만, 예를 들면, 현상액(LQ)의 온도, 농도, 또는, 침지 시간이 목표의 처리 상태가 되도록 설정한 온도 조건(이하, 목표의 온도 조건), 농도 조건(이하, 목표의 농도 조건), 또는, 침지 시간 조건(이하, 목표의 침지 시간 조건)보다 낮게 혹은 짧게 된 경우는, 형성되는 패턴의 선폭이 목표 선폭으로부터 어긋나 버린다. 즉, 스텝 S35에서는, 처리 장치(PR4)의 설정 조건에 기인하여 기판(P)에 형성되는 패턴의 품질(형상이나 치수의 충실도나 균일성 등)이 목표에 대해서 허용 범위를 넘어 변화(저하)하고 있는지 아닌지를 검지하고 있다. 스텝 S35에서, 감광성 기능층에 형성한 패턴의 선폭이 목표 선폭에 대해서 허용 범위 내에 없다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR4)에 허용 범위를 넘어 처리 오차(E(E4))가 발생하고 있다고 판정한다(스텝 S36). 즉, 처리 장치(PR4)가 실시한 실처리의 상태가 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E4)를 가지고 있다고 판정한다.
한편, 스텝 S35에서, 감광성 기능층에 형성된 패턴의 선폭이 허용 범위 내에 있다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR5)가 에칭하는 것에 의해서 기판(P) 상에 출현한 금속층의 패턴의 선폭이 허용 범위 내에 있는지 아닌지를 판단한다(스텝 S37). 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR5) 내에 마련된 촬상 장치(83)가 촬상한 화상 데이터에 근거하여 금속층의 패턴의 선폭을 계측한다. 원칙으로서 금속층의 패턴의 선폭이 목표 선폭이 되도록 처리 장치(PR5)의 설정 조건이 정해져 있지만, 예를 들면, 에칭액의 온도, 농도, 또는, 침지 시간이, 목표의 처리 상태가 되도록 설정한 온도 조건(이하, 목표의 온도 조건), 농도 조건(이하, 목표의 농도 조건), 또는, 침지 시간 조건(이하, 목표의 침지 시간 조건)보다 낮게 혹은 짧게 된 경우는, 형성되는 금속층의 패턴의 선폭은 목표 선폭으로부터 어긋나 버린다. 즉, 스텝 S37에서는, 처리 장치(PR5)의 설정 조건에 기인하여 기판(P)에 형성되는 패턴의 품질(형상이나 치수의 충실도나 균일성 등)이 목표에 대해서 허용 범위를 넘어 변화(저하)하고 있는지 아닌지를 검지하고 있다. 스텝 S37에서, 금속층의 패턴의 선폭이 목표 선폭에 대해서 허용 범위 내에 없다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR5)에 허용 범위를 넘어 처리 오차(E(E5))가 발생하고 있다고 판정한다(스텝 S38). 즉, 처리 장치(PR5)가 실시한 실처리의 상태가 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E5)를 가지고 있다고 판정한다. 한편, 스텝 S37에서, 금속층의 패턴의 선폭이 허용 범위 내에 있다고 판단하면, 처리 장치(PR2~PR5)에 처리 오차(E)가 발생하고 있지 않다고 판정한다(스텝 S39).
도 12의 스텝 S34에서, 처리 장치(PR3)에 허용 범위를 넘어 처리 오차(E3)가 발생하고 있다고 판정된 경우의 디바이스 제조 시스템(10)의 동작을 설명한다. 도 13은, 처리 장치(PR3)에 허용 범위를 넘어 처리 오차(E3)가 발생하고 있는 경우의 디바이스 제조 시스템(10)의 동작을 나타내는 플로우차트이다. 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR3)에 처리 오차(E3)가 발생하고 있는 경우는, 처리 장치(PR3)의 설정 조건 중, 처리 조건을 변경함으로써 상기 처리 오차(E3)를 커버하는 것이 가능한지 아닌지를 판단한다(스텝 S41). 즉, 처리 조건을 변경함으로써 처리 오차(E3)를 없애는 것이 가능하거나 혹은 처리 오차(E3)를 허용 범위에 들어가게 하는 것이 가능한지 아닌지를 판단한다. 예를 들면, 노광량이 목표의 노광량에 대해서 허용 범위를 넘어 적은 경우에는, 노광량을 목표의 노광량까지 많게 할 필요가 있어, 처리 조건을 바꿈으로써 목표의 노광량으로 하는 것이 가능한지 아닌지를 판단한다. 이 노광량은, 레이저광(LB)의 강도 및 스폿광(SP)의 주사 속도 등에 의해서 정해지므로, 스텝 S41에서는, 강도 조건 및 주사 속도 조건 등을 변경함으로써, 실제의 노광량을 목표의 노광량까지 올리는 것이 가능한지 아닌지를 판단한다.
스텝 S41에서, 처리 조건을 변경함으로써 커버할 수 있다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 오차(E3)에 따라 처리 장치(PR3)의 설정 조건의 처리 조건(강도 조건이나 주사 속도 조건, 패턴 조건 등)을 변경한다(스텝 S42). 한편, 스텝 S41에서, 처리 조건을 변경하는 것만으로는 커버할 수 없다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 오차(E3)에 따라 처리 장치(PR3)의 처리 조건과 반송 속도 조건을 변경한다(스텝 S43). 예를 들면, 실제의 노광량이 목표의 노광량에 대해서 허용 범위를 넘어 적은 경우는, 처리 조건을 변경함과 아울러, 기판(P)의 반송 속도가 느려지도록 반송 속도 조건을 변경한다. 반송 속도 조건을 느리게 함으로써, 노광량을 늘릴 수 있다. 또, 처리 오차(E3) 중, 처리 조건을 바꾸는 것에 의해 커버할 수 있는 처리 오차를 E3a로 하고, 반송 속도 조건을 바꾸는 것에 의해 커버할 수 있는 처리 오차를 E3b로 한다. 따라서, E3=E3a＋E3b가 된다. 처리 조건만을 바꾸는 것에 의해 처리 오차(E3)를 커버할 수 있는 경우는, E3a=E3가 되고, E3b=0이 된다. 또, 처리 조건을 변경할 수 없는 경우, 예를 들면, 현재 설정되어 있는 강도 조건이 최대의 강도로 되어 있는 경우 등은, 처리 오차(E3)에 따라 반송 속도 조건만을 바꾸어 대응하게 된다. 이 경우는, E3a=0이 되고, E3b=E3가 된다.
여기서, 처리 장치(PR1~PR5)는, 기판(P)을 일정한 속도로 반송하고 있지만, 처리 장치(PR3)는, 제1 축적 장치(BF1)와 제2 축적 장치(BF2)와의 사이에 마련되어 있으므로, 처리 장치(PR3) 내에서의 기판(P)의 반송 속도를 독립하여 변경할 수 있다. 즉, 처리 장치(PR3)의 반송 속도와 처리 장치(PR3) 이외의 처리 장치(PR)와의 반송 속도의 차이를, 제1 축적 장치(BF1) 및 제2 축적 장치(BF2)에서 흡수할 수 있다. 처리 장치(PR3) 내의 기판(P)의 반송 속도를 일정한 속도보다 느리게 반송시키면, 제1 축적 장치(BF1)의 기판(P)의 축적량은 서서히 증가하고, 제2 축적 장치(BF2)의 축적량은 서서히 저하된다. 반대로, 처리 장치(PR3) 내의 기판(P)의 반송 속도를 일정한 속도보다 빠르게 반송시키면, 제1 축적 장치(BF1)의 기판(P)의 축적량은 서서히 저하되고, 제2 축적 장치(BF2)의 축적량은 서서히 증가한다. 제1 축적 장치(BF1) 또는 제2 축적 장치(BF2)의 축적 길이가 소정의 축적 길이 이하가 되면, 제1 축적 장치(BF1) 또는 제2 축적 장치(BF2)에 기판(P)이 여분으로 축적되지 않게 되기 때문에, 처리 장치(PR3) 내에서의 기판(P)의 반송 속도를 독립하여 변경할 수 없게 된다. 또, 제1 축적 장치(BF1) 또는 제2 축적 장치(BF2)는, 소정 길이 이상의 길이의 기판(P)을 축적할 수 없다. 그 때문에, 일시적으로 처리 장치(PR3) 내에서의 기판(P)의 반송 속도를 바꿀 수는 있어도, 일정 시간 이상, 기판(P)의 반송 속도를 바꿀 수는 없다.
그 때문에, 제1 축적 장치(BF1) 및 상기 제2 축적 장치(BF2)의 축적 길이를 소정의 범위 내에 들어가도록 하기 위해서, 처리 장치(PR3)에서의 기판(P)의 반송 속도를 원래대로 되돌릴 필요가 있다. 그 때문에, 스텝 S43에서, 처리 장치(PR3)의 처리 조건과 반송 속도 조건을 변경하면, 상위 제어 장치(14)는, 어느 하나의 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을 변경함으로써, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)를 커버(보간(補間))하는 것이 가능한지 아닌지를 판단한다(스텝 S44). 즉, 처리 장치(PR3)의 반송 속도를 원래대로 되돌리면, 노광량이 줄어들므로, 그것에 따라 생기는 문제점을 다른 처리 장치(PR)에서 보완함으로써, 패턴의 선폭을 목표 선폭으로 하는 것이 가능한지 아닌지를 판단한다.
스텝 S44에서, 어느 하나의 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을 처리 오차(E3b)에 따라 변경함으로써 커버할 수 있다고 판단하면, 커버할 수 있다고 판단된 상기 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)에 따라 변경하여(스텝 S45), 스텝 S47로 진행된다. 예를 들면, 처리 조건을 변경함으로써 커버할 수 있다고 판단된 다른 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR2)인 경우는, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)(예를 들면, 노광량 부족)에 따라 처리 장치(PR2)의 처리 조건(막 두께 조건 등)을 변경한다. 처리 오차(E3)가 노광량 부족인 경우에는, 막 두께가 얇아질수록 노광량이 적어도 감광성 기능층의 심부까지 개질되므로, 막 두께 조건의 두께를 얇게 함으로써, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)(노광량 부족)를 커버할 수 있다. 그 결과, 현상 처리에 의해서 감광성 기능층에 형성되는 패턴의 선폭 및 출현하는 금속층의 패턴의 선폭을 목표 선폭으로 할 수 있다.
처리 조건을 변경함으로써 커버할 수 있다고 판단된 다른 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR4)인 경우는, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)에 따라 처리 장치(PR4)의 처리 조건(온도 조건, 농도 조건, 침지 시간 조건)을 변경한다. 예를 들면, 현상액(LQ)의 온도·농도가 높을수록, 또, 기판(P)이 현상액(LQ)에 침지되는 침지 시간이 길수록, 감광성 기능층이 용해되어 제거되는 영역이 넓어지므로, 감광성 기능층을 심부까지 제거할 수 있다. 따라서, 처리 오차(E3)가 노광량 부족인 경우에는, 온도 조건, 농도 조건, 및 침지 시간 조건 중 적어도 하나를 높게 혹은 길게 함으로써, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)(노광량 부족)를 커버할 수 있어, 패턴의 선폭을 목표 선폭으로 할 수 있다. 처리 장치(PR4)의 하위 제어 장치(80)는, 온도 조건에 따라서, 처리 장치(PR4)의 히터(H1, H2)를 제어하고, 침지 시간 조건에 따라서, 처리 장치(PR4)의 가동 부재(84)를 이동시킨다. 또, 처리 장치(PR4)의 처리조(BT)에는, 처리조(BT)에 있는 현상액(LQ)을 회수함과 아울러, 처리조(BT)에 새로운 현상액(LQ)을 공급하는 순환계가 마련되고, 처리 장치(PR4)의 하위 제어 장치(80)는, 상기 처리조(BT)에 공급하는 현상액(LQ)의 농도를 농도 조건에 의해서 변경시킨다.
처리 조건을 변경함으로써 커버할 수 있다고 판단된 다른 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR5)인 경우는, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)에 따라 처리 장치(PR5)의 처리 조건(온도 조건, 농도 조건, 침지 시간 조건)을 변경한다. 예를 들면, 패턴이 형성된 감광성 기능층을 마스크로 하여 감광성 기능층의 하층에 형성된 금속성 박막이 에칭되지만, 에칭액의 온도·농도가 높을수록, 또, 기판(P)이 에칭액에 침지하는 침지 시간이 길수록, 에칭되는 부분이 넓어진다. 따라서, 처리 오차(E3)가 노광량 부족인 경우에는, 에칭액의 온도 조건, 농도 조건, 및, 침지 시간 조건 중 적어도 하나를 높게 혹은 길게 함으로써, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)(노광량 부족)를 커버할 수 있어, 패턴의 선폭을 목표 선폭으로 할 수 있다. 처리 장치(PR5)의 하위 제어 장치(80)는, 온도 조건에 따라서, 처리 장치(PR5)의 히터(H1, H2)를 제어하고, 침지 시간 조건에 따라서, 처리 장치(PR5)의 가동 부재(84)를 이동시킨다. 또, 처리 장치(PR5)의 처리조(BT)에는, 처리조(BT)에 있는 에칭액을 회수함과 아울러, 처리조(BT)에 새로운 에칭액을 공급하는 순환계가 마련되고, 처리 장치(PR5)의 하위 제어 장치(80)는, 상기 처리조(BT)에 공급하는 에칭액의 농도를 농도 조건에 의해서 변경시킨다.
여기서, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 변경하지 않고, 처음부터 처리 장치(PR3) 이외의 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을 변경함으로써 처리 장치(PR3)에 발생한 처리 오차(E3b)를 커버하는 것도 고려된다. 그렇지만, 처리 장치(PR3)(노광 장치(EX) 등의 패터닝 장치)에서는, 처리 조건이 바뀌면 그것에 따라서 실처리의 처리 상태를 순간적으로 바꾸는 것이 가능하지만, 처리 장치(PR3) 이외의 다른 처리 장치(PR)(주로 습식 처리 장치)에서는, 처리 조건을 변경해도 실제로 실처리의 상태가 변경 후의 처리 조건에 의해서 정해지는 목표의 처리 상태가 되기까지는 어느 정도의 시간이 걸려, 처리 장치(PR3)에서 발생한 처리 오차(E3b)를 신속히 커버할 수 없다. 예를 들면, 처리 장치(PR2)의 처리 조건(막 두께 조건 등)을 바꾸어도, 기판(P)에 성막되는 감광성 기능층의 막 두께는 시간의 경과와 함께 서서히 바뀐다. 또, 처리 장치(PR4, PR5)의 처리 조건(온도 조건, 농도 조건, 침지 시간 조건)을 바꾸어도, 현상액(LQ) 및 에칭액의 온도·농도, 침지 시간이 시간의 경과와 함께 서서히 바뀐다. 그 때문에, 다른 처리 장치(PR)의 실처리의 상태가 변경 후의 처리 조건에 의해서 정해지는 목표의 처리 상태가 될 때까지는, 처리 장치(PR3)의 기판(P)의 반송 속도를 서서히 바꿈으로써 처리 오차(E3b)에 대처하고 있다. 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건의 변경 후는, 상기 다른 처리 장치(PR)에 의한 실처리의 처리 상태가 변경 후의 처리 조건에 의해서 정해지는 목표의 처리 상태에 서서히 가까워져 가므로, 상위 제어 장치(14)는, 그것에 따라서 처리 장치(PR3) 내에서의 기판(P)의 반송 속도 조건을 서서히 되돌린다. 상위 제어 장치(14)는, 막 두께 계측 장치(16a), 온도 센서(Ts), 농도 센서(Cs), 위치 센서(87)등의 검출 결과에 근거하여 처리 장치(PR3) 내에서의 기판(P)의 반송 속도 조건을 변경전의 반송 속도 조건에 서서히 근접시키다.
또, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)를 커버할 수 있는 처리 장치(PR)가 다수 있는 경우는, 처리 장치(PR3)에 가까운 처리 장치(PR)의 처리 조건을 변경시켜도 괜찮다. 예를 들면, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)를 커버할 수 있는 처리 장치(PR)가, 처리 장치(PR2)와 처리 장치(PR5)인 경우에는, 처리 장치(PR3)에 가까운 처리 장치(PR2)의 처리 조건을 변경해도 좋다. 또, 스텝 S44에서는, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)를, 다른 처리 장치(PR)에서 커버할 수 있는지 아닌지를 판단했지만, 처리 장치(PR3)에 발생한 처리 오차(E3), 즉, 처리 장치(PR3)의 처리 조건과 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3)를, 다른 처리 장치(PR)에서 커버할 수 있는지 아닌지를 판단해도 괜찮다. 이 때에는, 스텝 S45에서는, 커버할 수 있다고 판단된 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을 변경함으로써, 처리 장치(PR3)에 발생한 처리 오차(E3)를 커버한다. 이 경우는, 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건의 변경 후는, 상기 다른 처리 장치(PR)에 의한 실처리의 처리 상태가 변경 후의 처리 조건에 의해서 정해지는 목표의 처리 상태에 서서히 가까워져 가므로, 상위 제어 장치(14)는, 그것에 따라서 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건에 더하여 처리 조건도 서서히 되돌리게 된다.
한편, 스텝 S44에서, 어느 하나의 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을 변경하는 것만으로는, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)(예를 들면, 노광량 부족)를 커버할 수 없다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 복수의 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차(E3b)에 따라 변경하여(스텝 S46), 스텝 S47으로 진행된다. 이 경우는, 복수의 다른 처리 장치(PR)의 실처리의 처리 상태는, 시간의 경과와 함께 변경 후의 처리 조건에 의해서 정해지는 목표의 처리 상태에 가까워져 가므로, 상위 제어 장치(14)는, 그것에 따라서 처리 장치(PR3) 내에서의 기판(P)의 반송 속도 조건을 서서히 원래대로 되돌린다.
또, 복수의 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을, 처리 장치(PR3)에 발생한 처리 오차(E3)에 따라 변경해도 좋다. 이 경우는, 복수의 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건의 변경 후는, 실처리의 처리 상태가 변경 후의 처리 조건에 의해서 정해지는 목표의 처리 상태에 서서히 가까워져 가므로, 상위 제어 장치(14)는, 그것에 따라서 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건에 더하여 처리 조건도 서서히 되돌리게 된다.
스텝 S47로 진행되면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 조건의 변경이 완료되었는지 아닌지를 판단한다. 즉, 스텝 S45 또는 S46에서 처리 조건이 변경된 처리 장치(PR)에 의한 실처리의 상태가, 변경 후의 처리 조건에 의해서 정해지는 목표의 처리 상태가 되었는지 아닌지를 판단한다. 이 판단은, 막 두께 계측 장치(16a), 온도 센서(Ts), 농도 센서(Cs), 위치 센서(87) 등의 검출 결과에 근거하여 행한다. 스텝 S47에서, 처리 조건의 변경이 완료되어 있지 않다고 판단하면, 스텝 S47에 머무르고, 처리 조건의 변경이 완료되었다고 판단하면, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린다(스텝 S48). 또, 처리 장치(PR3)에 발생한 처리 오차(E3)를 다른 처리 장치(PR)에서 커버한 경우는, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건에 더하여 처리 조건도 원래대로 되돌린다.
또, 스텝 S46에서, 복수의 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을 변경해도, 처리 장치(PR3)의 처리 오차(E3b)를 커버할 수 없는 경우는, 복수의 다른 처리 장치(PR)의 반송 속도 조건을 변경하는 것이 가능한지 아닌지를 판단하여, 변경할 수 있는 경우는, 모든 처리 장치(PR1~PR5)의 반송 속도 조건이 동일하게 되도록, 변경해도 좋다. 예를 들면, 처리 장치(PR1, PR2, PR4, PR5)의 반송 속도 조건을 스텝 S43에서 변경한 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건과 동일하게 되도록 변경해도 좋다.
다음으로, 도 12의 스텝 S32, S36, 또는, S38에서, 처리 장치(PR3) 이외의 처리 장치(PR(PR2, PR4, 또는, PR5))에 허용 범위를 넘어 처리 오차(E(E2, E4, 또는, E5))가 발생하고 있다고 판정된 경우의 디바이스 제조 시스템(10)의 동작을 설명한다. 도 14는, 처리 장치(PR3) 이외의 처리 장치(PR)에 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)가 발생하고 있는 경우의 디바이스 제조 시스템(10)의 동작을 나타내는 플로우차트이다. 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR3) 이외의 처리 장치(PR)에 처리 오차(E(E2, E4, 또는, E5))가 발생하고 있는 경우는, 처리 장치(PR3)의 처리 조건을 변경함으로써 이 처리 오차(E(E2, E4, 또는, E5))를 커버하는 것이 가능한지아닌지를 판단한다(스텝 S51). 예를 들면, 처리 오차(E)가 발생한 다른 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR2)인 경우로서, 실제로 형성되어 있는 감광성 기능층의 막 두께가 목표의 막 두께 조건보다 두꺼운 경우는, 처리 장치(PR4)에서 감광성 기능층에 형성되는 패턴의 선폭은 굵어지므로, 처리 장치(PR3)의 처리 조건을 변경함으로써, 노광량을 늘려 감광성 기능층에 형성되는 패턴의 선폭을 목표 선폭으로 가능한지 아닌지를 판단한다. 또, 처리 오차(E)가 발생한 다른 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR4, PR5)인 경우로서, 실제의 현상액(LQ), 에칭액의 온도, 농도, 또는, 침지 시간이, 목표의 온도 조건, 농도 조건, 또는, 침지 시간 조건보다 낮거나 혹은 짧은 경우는, 감광성 기능층에 형성되는 패턴, 금속층의 패턴의 선폭은 굵어지므로, 처리 장치(PR3)의 처리 조건을 변경함으로써, 노광량을 늘려 감광성 기능층에 형성되는 패턴, 금속층의 패턴의 선폭을 목표 선폭으로 하는 것이 가능한지 아닌지를 판단한다.
스텝 S51에서, 처리 장치(PR3)의 처리 조건을 변경함으로써 대응 가능하다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 오차(E(E2, E4, 또는, E5))에 따라 처리 장치(PR3)의 처리 조건(강도 조건이나 주사 속도 조건, 패턴 조건 등)을 변경한다(스텝 S52). 한편, 스텝 S51에서, 처리 조건을 변경함으로써 대응할 수 없다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 오차(E(E2, E4, 또는, E5))에 따라 처리 장치(PR3)의 처리 조건과 반송 속도 조건을 변경한다(스텝 S53). 또, 처리 조건을 변경할 수 없는 경우, 예를 들면, 현재 설정되어 있는 강도 조건이 최대의 강도로 되어 있는 경우 등은, 처리 오차(E(E2, E4, 또는, E5))에 따라 반송 속도 조건만을 바꾸어 대응하게 된다.
다음으로, 상위 제어 장치(14)는, 처리 오차(E(E2, E4, 또는, E5))가 발생하고 있는 처리 장치(PR(PR2, PR4, 또는, PR5))의 처리 조건을 변경함으로써, 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 원래대로 되돌린 경우에도 처리 오차(E(E2, E4, 또는, E5))를 커버하는 것이 가능한지 판단한다(스텝 S54). 즉, 처리 오차(E)가 발생하고 있는 처리 장치(PR)의 처리 조건을 변경함으로써, 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 원래대로 되돌린 경우에도 발생한 처리 오차(E)를 없애는 것이 가능한지 아닌지를 판단한다. 예를 들면, 처리 오차(E)를 발생한 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR2)인 경우로서, 실제로 형성되어 있는 감광성 기능층의 막 두께가 목표의 막 두께 조건에 대해서 처리 오차(E2)를 나타내는 경우는, 처리 오차(E2)에 따라 막 두께 조건을 바꾸는 것이 가능한지 아닌지를 판단한다. 또, 처리 오차(E)를 발생한 다른 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR4, PR5)인 경우로서, 실제의 현상액(LQ), 에칭액의 온도, 농도, 또는, 침지 시간이, 목표의 온도 조건, 농도 조건, 또는, 침지 시간 조건에 대해서 처리 오차(E4, E5)를 나타내는 경우는, 처리 오차(E4, E5)에 따라서, 온도 조건, 농도 조건, 또는, 침지 시간 조건을 바꾸는 것이 가능한지 아닌지를 판단한다.
스텝 S54에서, 처리 오차(E)가 발생하고 있는 처리 장치(PR)의 처리 조건을 변경함으로써, 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 원래대로 되돌린 경우에도 이 처리 오차(E)를 커버할 수 있다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 오차(E)를 발생시키고 있는 처리 장치(PR)의 처리 조건을 변경한다(스텝 S55). 예를 들면, 처리 오차(E)를 발생한 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR2)인 경우로서, 실제로 형성되어 있는 감광성 기능층의 막 두께가 목표의 막 두께 조건에 비해서 두꺼운 경우는, 처리 오차(E2)에 따라 막 두께 조건을 얇게 한다. 또, 처리 오차(E)를 발생한 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR4 또는 PR5)인 경우로서, 실제의 현상액(LQ), 에칭액의 온도, 농도, 및, 침지 시간 중 적어도 하나의 처리 조건이, 목표의 온도 조건, 농도 조건, 침지 시간 조건에 비해서 낮거나 혹은 짧은 경우는, 처리 오차(E4 또는 E5)에 따라서, 온도 조건, 농도 조건, 및, 침지 시간 중 적어도 하나의 처리 조건을 높게 혹은 길게 한다. 이 경우는, 처리 오차(E)를 발생시키고 있는 처리 장치(PR)의 실처리의 처리 상태는, 시간의 경과와 함께 변화하여 가므로, 상위 제어 장치(14)는, 그것에 따라서 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 서서히 원래대로 되돌린다.
한편, 스텝 S54에서, 처리 오차(E(E2, E4, 또는, E5))가 발생하고 있는 처리 장치(PR(PR2, PR4, 또는, PR5))의 처리 조건을 변경해도 처리 오차(E(E2, E4, 또는, E5))를 없애는 것이 가능하지 않다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 다른 처리 장치(PR)(처리 장치(PR3)를 제외함)의 처리 조건을 변경함으로써 이 처리 오차(E)를 커버하는 것이 가능한지를 판단한다(스텝 S56). 예를 들면, 처리 오차(E)를 발생시킨 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR2)인 경우로서, 실제로 형성되어 있는 감광성 기능층의 막 두께가 목표의 막 두께 조건에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E2)를 나타내는 경우는, 처리 장치(PR4 또는 PR5)의 처리 조건을 변경함으로써 처리 오차(E2)를 커버 가능한지 아닌지를 판단한다. 실제로 형성되어 있는 감광성 기능층의 막 두께가 목표의 막 두께 조건보다 두꺼운 경우는, 패턴의 선폭은 굵어지므로, 현상액(LQ) 또는 에칭액의 온도·농도, 침지 시간을 높게 혹은 길게 함으로써, 패턴의 선폭을 목표 선폭으로 하는 것이 가능한지 아닌지를 판단한다.
스텝 S56에서, 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을 변경함으로써 대응 가능하다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 오차(E)에 따라 상기 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을 변경하여(스텝 S57), 스텝 S59로 진행된다. 예를 들면, 처리 오차(E)가 발생한 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR2)인 경우로서, 실제로 형성되어 있는 감광성 기능층의 막 두께가 목표의 막 두께 조건에 비해서 두꺼운 경우는, 처리 오차(E2)에 따라 처리 장치(PR4 또는 PR5)의 온도 조건, 농도 조건, 및, 침지 시간 중 적어도 하나의 처리 조건을 높게 혹은 길게 한다. 이 경우는, 다른 처리 장치(PR)의 실처리의 처리 상태는, 시간의 경과와 함께 변경 후의 처리 조건에 의해서 정해지는 목표의 처리 상태에 가까워져 가므로, 상위 제어 장치(14)는, 그것에 따라서 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 서서히 원래대로 되돌린다.
한편, 스텝 S56에서, 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을 변경해도 대응하는 것이 불가능하다고 판단하면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR3) 이외의 복수의 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을 이 처리 오차(E)에 따라 변경하여(스텝 S58), 스텝 S59로 진행된다. 이 경우는, 복수의 다른 처리 장치(PR)의 실처리의 처리 상태는, 시간의 경과와 함께 변경 후의 처리 조건에 의해서 정해지는 목표의 처리 상태에 가까워져 가므로, 상위 제어 장치(14)는, 그것에 따라서 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 서서히 원래대로 되돌린다.
스텝 S59로 진행되면, 상위 제어 장치(14)는, 처리 조건의 변경이 완료되었지 아닌지를 판단한다. 즉, 스텝 S55, S57, 또는, S58에서 처리 조건이 변경된 처리 장치(PR)에 의한 실처리의 상태가, 변경 후의 처리 조건에 의해서 정해지는 목표의 처리 상태가 되었는지 아닌지를 판단한다. 이 판단은, 막 두께 계측 장치(16a), 온도 센서(Ts), 농도 센서(Cs), 위치 센서(87) 등의 검출 결과에 근거하여 행한다. 스텝 S59에서, 처리 조건의 변경이 완료되어 있지 않다고 판단하면, 스텝 S59에 머무르고, 처리 조건의 변경이 완료되었다고 판단하면, 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 원래대로 되돌린다(스텝 S60).
또, 스텝 S52에서, 처리 장치(PR3)의 처리 조건만을 변경한 경우는, 도 13에 나타내는 동작과 마찬가지로, 도 14에 나타내는 동작을 종료해도 괜찮다. 즉, 이 경우는, 스텝 S54~S60의 동작은 불필요해진다. 또, 스텝 S60에서는, 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 원래대로 되돌리도록 했지만, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건만을 원래대로 되돌리도록 해도 괜찮다. 이 경우는, 스텝 S55, S57, 또는, S58에서는, 처리 장치(PR3)의 반송 속도 조건만을 원래대로 되돌린 경우에 발생하는 처리 오차에 따라 처리 조건이 변경된다.
이와 같이, 처리 장치(PR2~PR5) 중 어느 하나의 처리 장치(PR)에 의한 실처리의 상태(실처리 결과)가 목표의 처리 상태(설계치)에 대해서 처리 오차(E)를 가지는 경우는, 처리 오차(E)에 따른 다른 처리 장치(PR)의 설정 조건을 동적으로 변경하므로, 제조 라인을 멈추지 않고, 계속해서 안정된 품질의 전자 디바이스를 제조할 수 있다. 또, 처리 장치(PR)로서, 노광 장치(묘화 장치)(EX)나 잉크젯 인쇄기와 같은 패터닝 장치에서는, 기판(P) 상에 이미 형성되어 있는 기초층의 패턴에 대해서 겹침 노광이나 겹침 인쇄를 행한다. 그 겹침의 정밀도는, 박막 트랜지스터의 층 구조(게이트 전극층, 절연 장치, 반도체층, 소스/드레인 전극층) 등을 만들 때 특히 중요하다. 예를 들면, 박막 트랜지스터의 층 구조에서, 층간의 상대적인 서로 맞춤 정밀도나 패턴 치수의 충실도(선폭 재현성)는, 패터닝 장치의 성능(위치 결정 정밀도, 노광량, 잉크 토출량 등)에 의존한다. 그 패터닝 장치의 성능은, 어떠한 중대한 트러블에 의해서 돌연 크게 열화하는 경우를 제외하고, 일반적으로는 서서히 열화한다. 제2 실시 형태에 의하면, 그와 같이 서서히 성능 열화하는 패터닝 장치의 상태를 모니터하여, 다른 처리 장치(PR)의 처리 조건을 조정하거나 하므로, 패터닝 장치의 성능이 허용 범위 내에서 변동하는 경우, 또는 허용 범위 밖에 이른 경우라도, 최종적으로 기판(P) 상에 형성되는 패턴의 치수(선폭) 정밀도를 목표로 하는 범위에 들게 할 수 있다.
또, 본 제2 실시 형태에서는, 처리 장치(PR3)의 전후에 제1 축적 장치(BF1)와 제2 축적 장치(BF2)를 배치함으로써, 처리 장치(PR3)의 기판(P)의 반송 속도를 자유롭게 변경할 수 있도록 했지만, 예를 들면, 처리 장치(PR2) 또는 처리 장치(PR4)의 전후에 제1 축적 장치(BF1)와 제2 축적 장치(BF2)를 배치하고, 처리 장치(PR2) 또는 처리 장치(PR4)의 기판(P)의 반송 속도를 자유롭게 변경할 수 있도록 해도 괜찮다. 또, 예를 들면, 복수의 처리 장치(PR)의 전후에 제1 축적 장치(BF1)와 제2 축적 장치(BF2)를 배치함으로써, 복수의 처리 장치(PR)에서 기판(P)의 반송 속도를 자유롭게 변경할 수 있도록 해도 괜찮다. 이와 같이, 복수의 처리 장치(PR)의 각각에서의 반송 속도 조건을 바꾸는 것은, 각각의 처리 장치(PR)의 실처리의 상태가 바뀌는 것을 의미한다. 예를 들면, 처리 장치(PR2)에 관해서, 만일 막 두께 조건을 포함하는 처리 조건을 변경하지 않아도, 반송 속도 조건을 느리게 함으로써, 형성되는 감광성 기능층의 막 두께를 두껍게 할 수 있다. 반대로, 반송 속도 조건을 빠르게 함으로써, 형성되는 감광성 기능층의 막 두께를 얇게 할 수 있다. 또, 처리 장치(PR4, PR5)에 관해서, 만일, 침지 시간 조건 등의 처리 조건을 변경하지 않아도, 반송 속도 조건을 느리게 함으로써, 결과적으로, 기판(P)이 현상액(LQ) 또는 에칭액에 침지되는 시간이 길어진다. 반대로 반송 속도 조건을 빠르게 함으로써, 결과적으로, 기판(P)이 현상액(LQ) 또는 에칭액에 침지되는 시간이 짧아진다. 이 경우도, 각각의 제1 축적 장치(BF1) 및 제2 축적 장치(BF2)의 축적 길이가 소정의 범위 내에 들어가도록, 각 처리 장치(PR)의 반송 속도 조건의 설정이 변경된다.
또, 도 12의 스텝 S33에서는, 노광량이 허용 범위 내에 있는지 아닌지를 판단했지만, 감광성 기능층에 형성된 패턴의 선폭이 허용 범위 내에 있는지 아닌지를 판단해도 괜찮다. 이 경우는, 패턴의 선폭이 허용 범위 내에 없다고 판단하면, 스텝 S34에서 처리 장치(PR3)에 처리 오차(E3)가 발생하고 있다고 판단하고, 패턴의 선폭이 허용 범위 내에 있다고 판단하면 스텝 S35를 빼고 스텝 S37로 진행되도록 해도 괜찮다. 따라서, 이 경우는, 스텝 S35 및 스텝 S36의 동작은 불필요해진다. 현상 처리의 조건에 의해서 패턴의 선폭도 바뀌지만, 패턴의 선폭은, 처리 장치(PR3)의 실처리의 상태에 의해서 크게 바뀐다고 생각되기 때문에, 감광성 기능층에 형성된 패턴의 선폭에 근거하여, 처리 장치(PR3)에 처리 오차(E3)가 발생하고 있는지 아닌지를 판단한다.
또, 현상 후의 포토레지스트층에 형성되는 패턴의 선폭 변화는, 노광량의 변화나 레지스트층의 두께 변화에 대해서 비교적으로 민감하여 선형성을 가진다. 그것에 대해서, 감광성 실란커플링재 등에 의한 감광성 기능층은, 그 두께와는 거의 관계없이, 일정한 노광량(조도)이 부여되었는지 아닌지에 의해, 비개질 상태로부터 개질 상태로 전환된다. 그 때문에, 감광성 기능층의 두께 조정이나 노광량의 조정에 의한 선폭의 보정은 실질적으로는 어렵다. 다만, 필요 이상의 노광량을 부여한 경우는, 개질해야 할 부분의 선폭이 약간 굵어지는 경향은 있다. 따라서, 감광성 실란커플링재 등의 감광성 기능층을 이용한 경우는, 예를 들면 도금 처리 후에 석출한 금속성의 패턴의 선폭 측정치에 근거하여, 도금 처리의 조건을 수정하거나, 감광성 기능층을 노광할 때의 패턴의 선폭 자체를 설계치에 대해서 수정(묘화 데이터를 수정)하거나 하는 것이 유효하다.
이상, 본 발명의 제2 실시 형태에 의하면, 복수의 처리 장치(PR) 중, 실처리의 상태가 목표의 처리 상태에 대해서 처리 오차(E)를 발생하고 있는 처리 장치(PR)가 있는 경우는, 처리 오차(E)에 따라 다른 처리 장치(PR)의 설정 조건을 변경하므로, 제조 라인을 멈추지 않고, 계속해서 전자 디바이스를 제조할 수 있다. 즉, 복수의 처리 장치(PR)에 의해서 시트 기판(P) 상에 전자 디바이스의 층 구조나 패턴 형상을 순차적으로 형성해 가는 과정에서, 특정의 처리 장치(PR)에 의한 실처리 결과가, 미리 설정되는 설정 조건(설계치)에 대해서 처리 오차를 발생한 경우에도, 특정의 처리 장치(PR) 자체가 그 처리 오차를 억제하도록 자기 제어할 뿐만 아니라, 특정의 처리 장치(PR)에 대해서 상류측 또는 하류측에 위치하는 다른 처리 장치(PR)가, 그 처리 오차에 기인하는 결함을 결과적으로 없애거나, 또는 억제하도록 처리 조건을 동적으로 변경한다. 이것에 의해서, 제조 라인 중의 어떤 공정에서 발생하는 처리 오차에 기인한 처리 장치(PR)의 처리 중단, 및 제조 라인 전체의 일시 정지의 확률을 큰 폭으로 억제할 수 있다.
또, 본 발명의 제2 실시 형태는, 반드시 3개의 다른 처리 장치(PR)(처리부)가 기판(P)의 반송 방향(장척 방향)으로 늘어서는 제조 라인에 한정되지 않고, 기판(P)을 순차적으로 처리하는 적어도 2개의 처리 장치(PR)(처리부)가 늘어서 있으면, 적용 가능하다. 그 경우, 2개의 처리 장치(PR) 사이에서, 미리 설정되는 설정 조건에 대해서 발생한 처리 오차에 기인하는 문제점(선폭 변화 등)을 결과적으로 없애거나, 또는 억제하도록 2개의 처리 장치(PR)의 각 처리 조건의 동적인 조정, 혹은 2개의 처리 장치(PR)의 각각에서의 기판(P)의 반송 속도의 일시적인 변경을 행하면 좋다. 이 경우, 제2 실시 형태가 적용되는 2개의 처리 장치(PR)(처리부)는, 반드시 기판(P)의 반송 방향(장척 방향)으로 서로 전후하여 배치될 필요는 없고, 제2 실시 형태가 적용되는 2개의 처리 장치(PR)(처리부) 사이에 적어도 하나의 다른 처리 장치(PR)(처리부)를 배치한 구성이라도 좋다. 예를 들면, 노광 처리 후에 현상 처리를 행하는 경우, 제2 실시 형태에서는 기판(P)을 노광부를 통과하여 즉시 현상부로 보낸다고 했지만, 노광 후의 포토레지스트층을 비교적으로 높은 온도로 가열하는 포스트베이크(postbake) 처리를 실시하고나서 현상하는 경우, 그 포스트베이크 처리용 가열 장치(가열부) 등이, 그 다른 처리 장치(PR)에 대응할 수 있다.
또, 상기 제2 실시 형태에서는, 설명을 간단하게 하기 위해, 실처리의 상태가 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)를 나타내는 처리 장치(PR)가 1개인 경우를 예로 들어 설명했지만, 실처리의 처리 상태가 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)를 나타내는 처리 장치(PR)가 2개 이상이라도 좋다. 이 경우도, 상술한 바와 같이, 처리 오차(E)가 생긴 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR3)를 포함하지 않는 경우는, 우선적으로 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 바꾼다. 또, 처리 오차(E)를 발생한 처리 장치(PR)가 처리 장치(PR3)를 포함하는 경우는, 먼저, 처리 장치(PR3)의 설정 조건을 변경한다.
또, 설명을 알기 쉽게 하기 위해서, 본 발명의 형태에 관한 디바이스 제조 시스템(10)을 제1 실시 형태와 제2 실시 형태로 나누어 설명했다. 따라서, 제2 실시 형태에서 설명한 디바이스 제조 시스템(10)이 가지는 구성, 기능, 특성, 성능, 성질 등은, 필요에 따라서 제1 실시 형태에서도 인용할 수 있다. 반대로, 제1 실시 형태에서 설명한 디바이스 제조 시스템(10)이 가지는 구성, 기능, 특성, 성능, 성질 등도, 필요에 따라서 제2 실시 형태에서 인용할 수 있다. 따라서, 제1 실시 형태와 제2 실시 형태를 함께, 디바이스 제조 시스템(10)(제조 라인) 내에서 실시하도록 조합시켜도 괜찮다. 그 조합에 의하면, 각 처리 장치의 성능이나 정밀도를 장기간에 걸쳐 안정적으로 유지할 수 있으므로, 복수의 처리 공정 중 어딘가에서 생기는 프로세스 변동에 의한 처리 오차를 정확하게 리커버(recover)하는 것이 가능해져, 제조 라인을 장기에 걸쳐 가동시킬 수 있다.
[제2 실시 형태의 변형예]
상기 제2 실시 형태는, 이하와 같이 변형해도 괜찮다.
(변형예 1)
이상의 제2 실시 형태에서는, 도 1에 나타낸 디바이스 제조 시스템(제조 라인)(10)에 설치되는 복수의 처리 장치(PR(PR1~PR5))의 각각이, 각 처리 장치(PR)의 처리 조건이나 설정 조건의 조정에 따라서, 각 처리 장치를 통과하는 시트 모양의 기판(P)의 반송 속도를 처리 동작 중에 조정 가능하게 했다. 그렇지만, 각 처리 장치(PR)를 통과하는 기판(P)의 반송 속도는, 그 처리 장치(PR)마다 일정하게 하고, 처리 장치(PR) 사이에서의 기판(P)의 반송 속도의 차이에 기인하는 기판(P)의 반송량(반송 길이)의 과부족은, 처리 장치(PR) 사이에 마련한 제1 축적 장치(BF1), 혹은 제2 축적 장치(BF2)에서 흡수하는 구성으로 해도 좋다. 이러한 구성의 경우, 처리 장치(PR) 사이에서의 기판(P)의 반송 속도의 차이의 허용 범위는, 대체로, 연속 처리해야 할 기판(P)의 전체 길이(Lf)와, 제1 축적 장치(BF1), 또는, 제2 축적 장치(BF2)의 최대의 축적 길이에 의해서 정해진다.
예를 들면, 제1 축적 장치(BF1)의 상류측의 처리 장치(PR2)에서의 기판(P)의 반송 속도를 Va, 제1 축적 장치(BF1)의 하류측(즉, 제2 축적 장치(BF2)의 상류측)의 처리 장치(PR3)(노광 장치(EX)등의 패터닝 장치)에서의 기판(P)의 반송 속도를 Vb, 제2 축적 장치(BF2)의 하류측의 처리 장치(PR4)(또는 처리 장치(PR5))에서의 기판(P)의 반송 속도를 Vc로 한다. 이 경우, 전체 길이(Lf)의 기판(P)의 연속 처리동안에 필요한 제1 축적 장치(BF1)의 필요 축적 길이 Lac1는, 반송 속도 Va, Vb가 Va＞Vb의 관계인 경우는, Lac1=Lf(1－Vb/Va)가 되고, Vb＞Va인 경우는, Lac1=Lf(1－Va/Vb)가 된다. 마찬가지로, 전체 길이(Lf)의 기판(P)의 연속 처리 동안에 필요한 제2 축적 장치(BF2)의 필요 축적 길이 Lac2는, 반송 속도 Vb, Vc가 Vb＞Vc의 관계인 경우는, Lac2=Lf(1－Vc/Vb)가 되고, Vc＞Vb인 경우는, Lac2=Lf(1－Vb/Vc)가 된다.
그래서, 처리 장치(PR2~PR4)의 각각의 처리 조건하에서 적절히 설정되는 기판(P)의 목표가 되는 반송 속도 Va, Vb, Vc가 결정되면, 상기의 계산에 의해, 제1 축적 장치(BF1)의 필요 축적 길이 Lac1와 제2 축적 장치(BF2)의 필요 축적 길이 Lac2를 구하고, 그 필요 축적 길이 Lac1, Lac2를 확보할 수 있도록, 제1 축적 장치(BF1)와 제2 축적 장치(BF2)의 각각의 최대의 축적 길이를 조정한다. 최대의 축적 길이의 조정은, 도 4 중의 제1 축적 장치(BF1) 내의 복수의 댄서 롤러(20), 및 제2 축적 장치(BF2) 내의 복수의 댄서 롤러(22)에 의해 기판(P)을 접는 횟수(기판(P)을 지지하는 댄서 롤러(20, 22)의 갯수)를 다르게 하는 것에 의해 가능하다. 댄서 롤러(20, 22)에 의한 기판(P)의 접힘 횟수를 줄이는 것은, 기판(P)에 형성되는 박막층이나 전자 디바이스용의 패턴에 데미지를 부여할 가능성, 이물(먼지)의 부착 가능성을 저감시키므로 바람직하다. 또, 개개의 댄서 롤러(20, 22)의 위치를, 최대의 축적 길이에 따라 바꿀 수 있도록 해 둔다. 즉, 댄서 롤러(20, 22) 각각을 개별적으로 Z방향으로 이동시켜, 그 위치를 조정할 수 있는 액추에이터를 제1 축적 장치(BF1) 및 제2 축적 장치(BF2) 내에 마련한다. 이 액추에이터는, 상위 제어 장치(14) 또는 하위 제어 장치(24)에 의해서 제어된다.
또, 도 4에 나타낸 제1 축적 장치(BF1)(제2 축적 장치(BF2)도 동일함)는, 그것 자체가 단체의 유닛으로서 떼어냄 가능, 또는, 탠덤(직렬)으로 증설 가능한 구성으로 할 수 있다. 따라서, 상기의 계산에 의해 얻어진 필요 축적 길이 Lac1(Lac2)가 길어지는 경우는, 제1 축적 장치(BF1)(제2 축적 장치(BF2))의 복수를 탠덤으로 접속함으로써, 기판(P)의 최대 축적 길이를 용이하게 늘릴 수 있다. 그 후, 공급용 롤(FR1)로부터 인출된 기판(P)의 선단을, 순차적으로, 처리 장치(PR1~PR5), 및, 축적 장치(BF1, BF2)에 통과하여 회수용 롤(FR2)에 감고, 축적 장치(BF1, BF2)에서의 기판(P)의 축적 길이를 초기 상태로 설정하고 나서, 각 처리 장치(PR1~PR5)에 의한 처리 동작(반송 속도 Va, Vb, Vc에 의한 기판(P)의 반송)이 개시된다. 본 변형예 1의 경우도, 처리 장치(PR2~PR4)의 각각이 설정된 일정한 반송 속도 Va, Vb, Vc로 기판(P)을 계속 반송하는 동안, 기판(P)에 형성되는 패턴의 품질이, 예를 들면, 도 8 중의 촬상 장치(83)에 의한 패턴의 화상 데이터 해석 결과에 근거하여, 변화하고 있다(저하되고 있다)고 검지되었을 때에는, 처리 장치(PR2~PR4)의 각각의 반송 속도 이외의 처리 조건(설정 조건)의 변경 가부의 판정, 처리 조건을 변경할 수 있는 처리 장치(PR)의 특정, 변경할 조건의 정도의 연산 등이, 예를 들면, 상위 제어 장치(14)에 의해서 적절히 행하여진다. 상위 제어 장치(14)는, 특정된 처리 장치(PR)에 설정 조건의 변경 내용, 변경 타이밍 등을 지령한다. 이것에 의해서, 기판(P) 상에 형성되는 전자 디바이스용 패턴 등의 품질(형상이나 치수의 충실도나 균일성 등)을, 기판(P)의 전체 길이(Lf)에 걸쳐서 소정의 허용 범위 내에 들어가게 할 수 있다.
(변형예 2)
제1 축적 장치(BF1)(제2 축적 장치(BF2))를 증설하지 않은 경우, 1개의 제1 축적 장치(BF1)(제2 축적 장치(BF2))의 최대 축적 길이는 유한하기 때문에, 연속 처리하는 기판(P)의 전체 길이(Lf)가 길거나, 반송 속도의 비 Va：Vb(Vb：Vc)가 크거나 하면, 전체 길이(Lf)에 걸치는 연속 처리의 도중에, 제1 축적 장치(BF1)(제2 축적 장치(BF2))에서의 기판(P)의 축적 길이가 가득차게 되거나, 축적 길이가 제로가 되거나 한다. 그래서, 본 변형예 2에서는, 미리 정해지는 제1 축적 장치(BF1), 제2 축적 장치(BF2)의 최대 축적 길이 Lm1, Lm2에 근거하여, 전체 길이(Lf)에 걸치는 기판(P)의 연속 처리를 밀리지(일시 정지하지) 않게 실시하도록, 처리 장치(PR2~PR4)의 각각에서의 기판(P)의 반송 속도 Va, Vb, Vc를 미리 설정한다. 즉, 제1 축적 장치(BF1)의 최대 축적 길이 Lm1가, Lm1≥Lf(1－Vb/Va), 또는, Lm1≥Lf(1－Va/Vb)의 조건을 만족하고, 제2 축적 장치(BF2)의 최대 축적 길이 Lm2가, Lm2≥Lf(1－Vc/Vb), 또는, Lm2≥Lf(1－Vb/Vc)의 조건을 만족하도록, 각 반송 속도 Va, Vb, Vc를 미리 설정한다.
그리고, 처리 장치(PR2~PR4)의 각각은, 설정된 기판(P)의 반송 속도 Va, Vb, Vc에서 최적인 처리를 실시하도록, 각 부의 설정 조건을 미리 조정해 둔다. 적어도 전체 길이(Lf)의 기판(P)을 연속 처리하는 동안, 즉 처리 장치(PR2~PR4)의 각각이 설정된 반송 속도 Va, Vb, Vc로 기판(P)을 계속 반송하는 동안, 기판(P)에 형성되는 패턴의 품질이 저하되는 경향이 있는 것이 검지된 경우는, 처리 장치(PR2~PR4)의 각각의 반송 속도 이외의 처리 조건(설정 조건)의 변경 가부의 판정, 처리 조건을 변경할 수 있는 처리 장치(PR)의 특정, 변경할 조건의 정도의 연산 등을, 예를 들면, 상위 제어 장치(14)에 의해서 적절히 행하면서, 기판(P)을 처리할 수 있다. 이것에 의해서, 기판(P) 상에 형성되는 전자 디바이스용 패턴 등의 품질(형상이나 치수의 충실도나 균일성 등)을, 기판(P)의 전체 길이(Lf)에 걸쳐서 소정의 허용 범위 내에 들어가게 할 수 있다.
또, 변형예 1, 변형예 2와 같이, 처리 장치(PR2~PR4)의 각각에서의 기판(P)의 반송 속도 Va, Vb, Vc를 미리 설정하고 나서, 기판(P)의 전체 길이(Lf)에 걸치는 연속 처리를 개시한 후에, 예를 들면, 처리 장치(PR2)에 의해서 도포되는 레지스트층의 두께 변동에 의해서, 처리 장치(PR4(PR5)) 후에 출현하는 패턴의 품질이 목표치에 대해서 변동해 온 경우, 처리 장치(PR3), 처리 장치(PR4(PR5))의 각각에서의 각종 처리 조건(설정 조건)을 조정한다. 그 때, 상술의 제2 실시 형태와 같이, 처리 장치(PR3)나 처리 장치(PR4)에 미리 설정된 기판(P)의 반송 속도 Vb, Vc를 미세 조정하는 모드를 포함한 제어 방법으로 이행할 수도 있다. 또, 변형예 1이나 변형예 2는, 3개의 처리 장치(PR2, PR3, PR4(PR5))와 2개의 축적 장치(BF1, BF2)를 전제로 설명했지만, 2개의 처리 장치(PR)와, 그 사이에 마련된 1개의 축적 장치로 구성되는 제조 시스템의 경우에도 마찬가지로 적용 가능하다. 또, 변형예 1, 변형예 2에서, 처리 장치(PR2~PR4)의 각각에서의 기판(P)의 반송 속도 Va, Vb, Vc는, 가능하면, 소정의 오차 범위 내(예를 들면,±수% 이내)에서 서로 동일하게 설정하는 것이 바람직하다.
이상의 변형예 1, 변형예 2에서는, 장척의 가요성의 시트 모양의 기판(P)을 장척 방향을 따라서 반송하면서, 기판(P)에 전자 디바이스용 패턴을 형성할 때에, 기판(P)에 대해서 서로 다른 처리를 실시하는 제1 처리 공정(예를 들면, 처리 장치(PR2)에 의한 성막 공정), 제2 처리 공정(예를 들면, 처리 장치(PR3)에 의한 노광 공정과 처리 장치(PR4, PR5)에 의한 현상 공정, 도금 공정 등)의 순서대로 기판(P)을 반송하는 반송 공정과, 제1 처리 공정의 처리 장치(PR)에 설정되는 제1 처리 조건하에서, 기판(P)의 표면에 피막층(감광성 기능층)을 선택적으로 또는 균일하게성막하는 것과, 제2 처리 공정의 처리 장치(PR)에 설정되는 제2 처리 조건하에서, 피막층에 패턴에 대응한 개질부를 생성하고, 개질부와 비개질부 중 어느 일방을 제거하는 처리, 또는 개질부와 비개질부 중 어느 일방에 전자 디바이스용 재료를 석출하는 처리를 실시하여 기판(P) 상에 패턴을 출현시키는 것과, 제2 처리 공정에서 출현한 패턴이, 목표가 되는 형상 또는 치수에 대해서 변동하는 경향(품질이 저하되는 경향)을 나타내는 경우는, 그 경향에 따라서, 제1 처리 조건과 제2 처리 조건 중 적어도 일방의 조건의 변경 가부를 판정하는 것을 행함으로써, 제조 라인 전체를 멈출 가능성을 저감시킨 디바이스 제조 방법을 실시할 수 있다. 즉, 제1 처리 조건과 제2 처리 조건 중 적어도 일방의 조건의 변경이 가능하다라고 판정된 경우는, 기판(P) 상에 형성되는 패턴의 품질을 유지한 제조 라인의 가동이 계속 가능한 것을 사전에 통보할 수 있는 것을 의미한다. 그 때문에, 생산 현장의 오퍼레이터가 제조 라인을 경솔하게 멈추는 것을 회피할 수 있다. 이것은, 앞의 제2 실시 형태에서도 동일하다.
[제1 및 제2 실시 형태의 변형예]
상기 제1 및 제2 실시 형태(변형예도 포함함)는, 이하와 같이 변형해도 괜찮다.
(변형예 1)
변형예 1에서는, 처리 장치(PR3) 및 처리 장치(PR4)를, 도 15와 같이, 1개의 처리 유닛(PU2)으로서 구성한다. 즉, 처리 유닛(PU2)은, 처리 장치(PR2)로부터 반송되어 온 기판(P)을 반송 방향(＋X방향)으로 반송하면서, 노광 처리 및 현상 처리의 처리 공정(제2 처리 공정)을 행하는 장치이다. 이 노광 처리에 의해서, 감광성 기능층에 패턴에 대응한 잠상(개질부)이 형성되고, 현상 처리에 의해서, 개질부 또는 비개질부 중 어느 일방이 용해되고 제거되어, 감광성 기능층에 패턴이 출현한다. 또, 처리 유닛(PU2)은, 노광 처리 및 도금 처리의 처리 공정을 행하는 장치라도 좋고, 이 경우는, 도금 처리에 의해서, 개질부 또는 비개질부 중 어느 일방에 팔라듐 이온 등의 전자 디바이스용의 재료(금속)가 석출된다.
도 15의 처리 유닛(PU2)의 구성에서, 상기 제 1 및 제2 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 부여하여, 그 설명을 생략함과 아울러, 본 변형예 1을 설명하는데 특별히 필요가 없는 구성에 대해서는 그 도시를 생략하고 있다. 처리 유닛(PU2)은, 반송부(100), 노광 헤드(36), 처리조(BT), 및, 건조부(102)를 구비한다. 또, 도시하지 않지만, 처리 유닛(PU2)은, 광원 장치(32), 광 도입 광학계(34), 강도 센서(37), 얼라이먼트 현미경(AM(AM1~AM3)), 히터(H1, H2), 히터 구동부(82), 온도 센서(Ts), 농도 센서(Cs), 및, 촬상 장치(83) 등도 가지고 있다. 또, 처리 유닛(PU2)은, 도시하지 않은 하위 제어 장치에 의해서 제어된다. 제1 축적 장치(BF1)는, 처리 장치(PR2)와 처리 유닛(PU2)과의 사이에 마련되고, 제2 축적 장치(BF2)는, 처리 유닛(PU2)과 처리 장치(PR5)와의 사이에 마련되어 있다.
반송부(100)는, 기판(P)의 반송 방향의 상류측(－X방향측)으로부터 순서대로, 구동 롤러(NR10), 텐션 조정 롤러(RT10), 회전 드럼(DR2), 안내 롤러(R10), 회전 드럼(DR3), 안내 롤러(R12), 텐션 조정 롤러(RT12), 및, 구동 롤러(NR12)를 가진다. 구동 롤러(NR10)는, 제1 축적 장치(BF1)를 거쳐 처리 장치(PR2)로부터 보내어져 온 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전함으로써, 기판(P)을 회전 드럼(DR2)을 향해 반송한다. 회전 드럼(DR2)은, 외주면을 따라서 기판(P)의 일부를 장척 방향으로 지지하면서, 중심축(AX2)을 중심으로 회전하여 기판(P)을 안내 롤러(R10)로 반송한다. 안내 롤러(R10)는, 회전 드럼(DR2)으로부터 보내어져 온 기판(P)을 회전 드럼(DR3)으로 안내한다.
회전 드럼(DR3)은, Y방향으로 연장되는 중심축(AX3)과, 중심축(AX3)으로부터 일정 반경의 원통 모양의 원주면을 가지며, 외주면(원주면)을 따라서 기판(P)의 일부를 장척 방향으로 지지하면서, 중심축(AX3)을 중심으로 회전하여 기판(P)을 안내 롤러(R12)로 안내한다. 회전 드럼(DR3)은, 하측(－Z방향측, 즉, 중력이 작용하는 방향측)의 외주면의 약 반주면(半周面)에 의해 기판(P)을 지지한다. 안내 롤러(R12)는, 보내어져 온 기판(P)을 구동 롤러(NR12)를 향해 반송한다. 구동 롤러(NR12)는, 보내어져 온 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전함으로써, 기판(P)을 처리 장치(PR5)측으로 반송한다. 텐션 조정 롤러(RT10, RT12)는, 구동 롤러(NR10)와 구동 롤러(NR12)와의 사이에서 반송되는 기판(P)에 대해서 소정의 텐션을 부여하는 것이다. 텐션 조정 롤러(RT10)는, ＋Z방향으로 가압되어 있고, 텐션 조정 롤러(RT12)는, －Z방향으로 가압되어 있다.
구동 롤러(NR10, NR12), 회전 드럼(DR2, DR3)은, 처리 유닛(PU2)의 상기 하위 제어 장치에 의해서 제어되는 회전 구동원(모터나 감속기 등)으로부터의 회전 토크가 부여됨으로써 회전한다. 이 구동 롤러(NR10, NR12), 회전 드럼(DR2, DR3)의 회전 속도에 의해서 처리 유닛(PU2) 내의 기판(P)의 반송 속도가 규정된다. 또, 구동 롤러(NR10, NR12), 회전 드럼(DR2, DR3)에 마련된 도시하지 않은 엔코더로부터 보내어져 오는 회전 속도 신호(기판(P)의 반송 속도 정보)는, 처리 유닛(PU2)의 상기 하위 제어 장치를 거쳐 상위 제어 장치(14)에 보내어진다.
회전 드럼(DR3)은, 그 원주면의 일부가 처리조(BT)에 저류되어 있는 현상액(LQ)에 침지되도록 처리조(BT)의 상부에 마련되어 있다. 따라서, 회전 드럼(DR3)에 의해서 지지된 기판(P)을 현상액(LQ)에 침지할 수 있다. 또, 회전 드럼(DR3)(또는 처리조(BT))은, Z방향으로 이동 가능하게 되어 있고, 회전 드럼(DR3)이 ＋Z방향으로 이동(또는 처리조(BT)가 -Z방향으로 이동)하면, 회전 드럼(DR3)의 원주면이 처리조(BT)에 저류되어 있는 현상액(LQ)에 침지되는 면적이 감소하고, 회전 드럼(DR3)이 -Z방향으로 이동(또는 처리조(BT)가 ＋Z방향으로 이동)하면, 회전 드럼(DR3)의 원주면이 처리조(BT)에 저류되어 있는 현상액(LQ)에 침지되는 면적이 증가한다. 이것에 의해, 회전 드럼(DR3)(또는 처리조(BT))을 Z방향으로 이동시키는 것에 의해, 기판(P)이 현상액(LQ)에 침지되는 시간(침지 시간)을 바꿀 수 있다. 이 회전 드럼(DR3)(또는 처리조(BT))에는, 도시하지 않지만 회전 드럼(DR3)과 처리조(BT)와의 Z방향의 간격(회전 드럼(DR3)의 중심축(AX3)과 처리조(BT) 내의 현상액(LQ)의 표면과의 간격)을 조정하는 구동 기구가 마련되고, 상기 구동 기구는, 처리 유닛(PU2)의 상기 하위 제어 장치의 제어에 의해서 구동된다. 안내 롤러(R12)는, 건조부(102)에 마련되고, 건조부(102)는, 회전 드럼(DR3)으로부터 안내 롤러(R12)를 거쳐 텐션 조정 롤러(RT12)로 반송되는 기판(P)에 부착되어 있는 현상액(LQ)을 제거한다.
또, 감광성 기능층이 감광성 실란 커플링제나 감광성 환원제인 경우는, 처리 유닛(PU2)의 처리조(BT)에는, 현상액(LQ) 대신에, 예를 들면, 팔라듐 이온 등의 전자 디바이스용 재료(금속)를 포함하는 도금액이 저류된다. 즉, 이 경우는, 처리 유닛(PU2)은, 노광 처리와 도금 처리를 행하는 장치가 된다. 기판(P)을 도금액에 침지함으로써, 감광성 기능층에 형성된 잠상(개질부)에 따라 전자 디바이스용 재료가 석출되어, 기판(P)에 패턴이 형성된다. 포지티브형의 경우는, 자외선이 조사된 부분이 개질되고, 자외선이 조사되어 있지 않은 비개질부에 전자 디바이스용 재료가 석출된다. 네거티브형의 경우는, 자외선이 조사된 부분이 개질되고, 개질부에 전자 디바이스용 재료가 석출된다. 이것에 의해, 기판(P)에 금속층(도전성)의 패턴이 출현한다. 여기에서도, 회전 드럼(DR3)과 처리조(BT)의 Z방향의 간격을 조정하거나, 처리조(BT) 내의 도금액의 양(액면(液面) 높이)을 조정하거나 하는 것에 의해서, 기판(P)의 도금액으로의 침지 시간을 조정할 수 있어, 기판(P)의 표면에 석출하는 팔라듐의 금속핵의 농도를 조정할 수 있다.
처리 유닛(PU2)은, 설정 조건(제2 설정 조건)에 따라서 노광 처리와 현상 처리(또는 도금 처리)를 행한다. 처리 유닛(PU2)의 설정 조건으로서, 레이저광(LB)의 강도를 규정하는 강도 조건, 스폿광(SP)의 주사 속도(폴리곤 미러(66)의 회전 속도)를 규정하는 주사 속도 조건, 다중 노광 횟수를 규정하는 노광 횟수 조건, 묘화할 패턴을 규정하는 패턴 조건(패턴 데이터), 현상액(LQ)(또는 도금액)의 온도를 규정하는 온도 조건, 현상액(LQ)(또는 도금액)의 농도를 규정하는 농도 조건, 및, 침지 시간을 규정하는 침지 시간 조건 등을 포함하는 처리 조건(제2 처리 조건)과, 기판(P)의 반송 속도 조건이 설정되어 있다. 노광 처리는, 강도 조건, 주사 속도 조건, 노광 횟수 조건, 및, 패턴 조건 등에 따라서 행해진다. 현상 처리(또는 도금 처리)는, 온도 조건, 농도 조건, 침지 시간 조건 등에 따라서 행해진다. 이 설정 조건은, 처리 유닛(PU2)에 의해서 실시되는 실처리의 상태가, 목표의 처리 상태가 되도록 미리 설정된다.
설정 조건의 변경에 대해서는, 상기 제2 실시 형태에서 설명했으므로 상세하게는 설명하지 않지만, 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR1, PR2, PR5), 및, 처리 유닛(PU2)의 각각에서 기판(P)에 실시되는 실처리의 상태 중 적어도 하나가, 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)를 나타내는 경우는, 처리 오차(E)를 발생시키는 처리 장치(PR) 또는 처리 유닛(PU2) 이외의 다른 장치의 설정 조건을 처리 오차(E)에 따라 변화시킨다. 그 이유는, 말할 필요도 없지만, 처리 장치(PR1, PR2, PR5), 및, 처리 유닛(PU2)가 설정 조건에 따라서 기판(P)에 대해서 실시한 실처리의 상태 중 어느 하나가 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)를 가지고 있는 경우에는, 기판(P)에 소망의 금속층의 패턴을 출현시킬 수 없기 때문이다.
처리 오차(E)를 나타내는 설정 조건이, 처리 유닛(PU2)의 설정 조건인 경우는, 먼저, 처리 오차(E)가 생기지 않도록 혹은 처리 오차(E)가 허용 범위에 들어가도록, 처리 유닛(PU2)의 설정 조건을 변경한다. 그리고, 처리 유닛(PU2)의 설정 조건을 변경한 것만으로는 대응할 수 없는 경우는, 처리 오차(E)가 생기지 않도록 혹은 처리 오차(E)가 허용 범위에 들어가도록, 다른 처리 장치(PR(PR2, PR5))의 설정 조건을 추가로 변경한다. 이 때, 다른 처리 장치(PR)의 설정 조건의 변경 완료후에, 적어도 처리 유닛(PU2)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린다. 또, 처리 오차(E)를 나타내는 설정 조건이 처리 유닛(PU2) 이외의 처리 장치(PR)인 경우는, 처리 오차(E)가 생기지 않도록 혹은 처리 오차(E)가 허용 범위에 들어가도록, 우선적으로 처리 유닛(PU2)의 설정 조건을 변경시킨다. 또, 제1 축적 장치(BF1) 및 제2 축적 장치(BF2)를, 처리 유닛(PU2)의 전후에 마련하도록 했지만, 다른 처리 장치(PR)의 전후에 마련하도록 해도 괜찮다.
또, 도 15와 같이, 노광 처리부(회전 드럼(DR2), 노광 헤드(36) 등)와 습식 처리부(회전 드럼(DR3), 처리조(BT) 등)를 일체적으로 마련한 처리 유닛(PU2)으로 한 경우, 처리 유닛(PU2) 내에서의 시트 기판(P)의 반송 속도는 일정하게 하고, 노광 처리부와 습식 처리부에서 시트 기판(P)의 반송 속도를 일시적으로 다르게 할 수 없다. 그 때문에, 시트 기판(P)의 반송 속도를 일시적으로 다르게 하고 싶은 경우에는, 안내 롤러(R10)의 위치에, 도 4에서 나타낸 바와 같은 축적 장치(BF1, BF2)를 마련하게 된다. 즉, 처리 유닛(PU2)의 전후에 제1 축적 장치(BF1) 및 제2 축적 장치(BF2)를 마련함과 아울러, 회전 드럼(DR2)과 회전 드럼(DR3)과의 사이에, 제1 축적 장치(BF1)(제2 축적 장치(BF2))와 동일한 구성을 가지는 축적 장치를 1개 마련한다. 또, 제1 축적 장치(BF1)를 처리 장치(PR2)와 회전 드럼(DR2)과의 사이에, 제2 축적 장치(BF2)를 회전 드럼(DR2)과 회전 드럼(DR3)과의 사이에 마련해도 좋다. 또, 제1 축적 장치(BF1)를 회전 드럼(DR2)과 회전 드럼(DR3)과의 사이에, 제2 축적 장치(BF2)를 회전 드럼(DR3)과 처리 장치(PR5)와의 사이에 마련해도 좋다.
(변형예 2)
변형예 2에서는, 처리 장치(PR2) 및 처리 장치(PR3)를 1개의 처리 유닛(PU1)로서 구성한다. 즉, 처리 유닛(PU1)은, 처리 장치(PR1)로부터 반송되어 온 기판(P)을 반송 방향(＋X방향)으로 반송하면서, 성막 처리 및 노광 처리의 처리 공정(제1 처리 공정)을 행하는 장치이다. 이 성막 처리에 의해서, 기판(P)의 표면에 감광성 기능액을 선택적으로 또는 균일하게 도포함으로써, 기판(P)의 표면에 감광성 기능층이 선택적으로 또는 균일하게 형성되고, 노광 처리에 의해서, 감광성 기능층에 패턴에 대응한 잠상(개질부)이 형성된다.
도 16은, 처리 유닛(PU1)의 구성을 나타내는 도면이다. 상기 제 1 및 제2 실시 형태와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 부여하여, 그 설명을 생략함과 아울러, 본 변형예 2를 설명하는데 특별히 필요가 없는 구성에 대해서는 그 도시를 생략하고 있다. 처리 유닛(PU1)은, 반송부(110), 다이 코터 헤드(DCH), 잉크젯 헤드(IJH), 건조 장치(112), 및, 노광 헤드(36)를 구비한다. 또, 도시하지 않지만, 처리 유닛(PU1)은, 광원 장치(32), 광 도입 광학계(34), 강도 센서(37), 얼라이먼트 현미경(AM(AM1~AM3)), 막 두께 계측 장치(16a) 등도 가지고 있다. 또, 처리 유닛(PU1)은, 도시하지 않은 하위 제어 장치에 의해서 제어된다. 제1 축적 장치(BF1)는, 처리 장치(PR1)와 처리 유닛(PU1)과의 사이에 마련되고, 제2 축적 장치(BF2)는, 처리 유닛(PU1)과 처리 장치(PR4)와의 사이에 마련되어 있다.
반송부(110)는, 기판(P)의 반송 방향의 상류측(－X방향측)으로부터 순서대로, 구동 롤러(NR14), 텐션 조정 롤러(RT14), 회전 드럼(DR1), 안내 롤러(R14, R16), 텐션 조정 롤러(RT16), 회전 드럼(DR2), 안내 롤러(R18), 및, 구동 롤러(NR16)를 가진다. 구동 롤러(NR14)는, 제1 축적 장치(BF1)를 거쳐 처리 장치(PR1)로부터 보내어져 온 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전함으로써, 기판(P)을 회전 드럼(DR1)을 향해 반송한다. 회전 드럼(DR1)은, 외주면(원주면)을 따라서 기판(P)의 일부를 장척 방향으로 지지하면서, 중심축(AX1)을 중심으로 회전하여 기판(P)을 ＋X방향측으로 반송한다. 안내 롤러(R14, R16)는, 회전 드럼(DR1)으로부터 보내어져 온 기판(P)을 회전 드럼(DR2)으로 반송한다.
회전 드럼(DR2)은, 외주면을 따라서 기판(P)의 일부를 장척 방향으로 지지하면서, 중심축(AX2)을 중심으로 회전하여 기판(P)을 안내 롤러(R18)로 반송한다. 안내 롤러(R18)는, 회전 드럼(DR2)으로부터 보내어져 온 기판(P)을 구동 롤러(NR16)로 반송한다. 구동 롤러(NR16)는, 보내어져 온 기판(P)의 표리 양면을 사이에 끼워 지지하면서 회전함으로써, 기판(P)을 처리 장치(PR4)측으로 반송한다. 텐션 조정 롤러(RT14, RT16)는, 구동 롤러(NR14)와 구동 롤러(NR16)와의 사이에서 반송되는 기판(P)에 대해서 소정의 텐션을 부여하는 것이다. 텐션 조정 롤러(RT14, RT16)는, －Z방향으로 가압되어 있다.
구동 롤러(NR14, NR16), 회전 드럼(DR1, DR2)은, 처리 유닛(PU1)의 상기 하위 제어 장치에 의해서 제어되는 회전 구동원(모터나 감속기 등)으로부터의 회전 토크가 부여됨으로써 회전한다. 이 구동 롤러(NR14, NR16), 회전 드럼(DR1, DR2)의 회전 속도에 의해서 처리 유닛(PU1) 내의 기판(P)의 반송 속도가 규정된다. 또, 구동 롤러(NR14, NR16), 회전 드럼(DR1, DR2)에 마련된 도시하지 않은 엔코더로부터 보내어져 오는 회전 속도 신호(기판(P)의 반송 속도 정보)는, 처리 유닛(PU1)의 상기 하위 제어 장치를 거쳐 상위 제어 장치(14)로 보내어진다.
안내 롤러(R14)는, 건조 장치(112)에 마련되고, 건조 장치(112)는, 회전 드럼(DR1)으로부터 안내 롤러(R14)를 거쳐 안내 롤러(R16)로 반송되는 기판(P)에 대해서, 열풍 또는 드라이 에어 등의 건조용 에어를 내뿜으로써, 감광성 기능액에 포함되는 용질(용제 또는 물)을 제거하여 감광성 기능액을 건조시킨다. 이것에 의해, 감광성 기능층이 형성된다.
처리 유닛(PU1)은, 설정 조건(제1 설정 조건)에 따라서 성막 처리와 노광 처리를 행한다. 처리 유닛(PU1)의 설정 조건으로서, 감광성 기능층을 형성하는 영역을 규정하는 영역 조건, 감광성 기능층의 막 두께를 규정하는 막 두께 조건, 레이저광(LB)의 강도를 규정하는 강도 조건, 스폿광(SP)의 주사 속도(폴리곤 미러(66)의 회전 속도)를 규정하는 주사 속도 조건, 다중 노광 횟수를 규정하는 노광 횟수 조건, 및, 묘화할 패턴을 규정하는 패턴 조건(패턴 데이터) 등을 포함하는 처리 조건(제1 처리 조건)과, 기판(P)의 반송 속도 조건이 설정되어 있다. 성막 처리는, 영역 조건 및 막 두께 조건 등에 따라서 행해진다. 노광 처리는, 강도 조건, 주사 속도 조건, 노광 횟수 조건, 및, 패턴 조건 등에 따라서 행해진다. 이 설정 조건은, 처리 유닛(PU1)에 의해서 실시되는 실처리의 상태가, 목표로 하는 상태가 되도록 미리 설정된다.
설정 조건의 변경에 대해서는, 상기 제2 실시 형태에서 설명했으므로 상세하게는 설명하지 않지만, 상위 제어 장치(14)는, 처리 장치(PR1, PR4, PR5), 및 처리 유닛(PU1)의 각각에서 기판(P)에 실시되는 실처리의 상태 중 적어도 하나가, 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)를 나타내는 경우는, 처리 오차(E)를 발생하는 처리 장치(PR) 또는 처리 유닛(PU1) 이외의 다른 장치의 설정 조건을 처리 오차(E)에 따라 변화시킨다. 그 이유는, 말할 필요도 없지만, 처리 장치(PR1, PR4, PR5), 및 처리 유닛(PU1)가 설정 조건에 따라서 기판(P)에 대해서 실시한 실처리의 상태 중 어느 하나가 목표의 처리 상태에 대해서 허용 범위를 넘어 처리 오차(E)를 가지고 있는 경우에는, 기판(P)에 소망의 금속층의 패턴을 출현시킬 수 없기 때문이다.
처리 오차(E)를 나타내는 설정 조건이, 처리 유닛(PU1)의 설정 조건인 경우는, 먼저, 처리 오차(E)가 생기지 않도록 혹은 처리 오차(E)가 허용 범위에 들어가도록, 처리 유닛(PU1)의 설정 조건을 변경한다. 그리고, 처리 유닛(PU1)의 설정 조건을 변경한 것 만으로는 대응할 수 없는 경우는, 처리 오차(E)가 생기지 않도록 혹은 처리 오차(E)가 허용 범위에 들어가도록, 다른 처리 장치(PR(PR4, PR5))의 설정 조건을 추가로 변경한다. 이 때, 다른 처리 장치(PR)의 설정 조건의 변경 완료후에, 적어도 처리 유닛(PU1)의 반송 속도 조건을 원래대로 되돌린다. 또, 처리 오차(E)를 나타내는 설정 조건이 처리 유닛(PU1) 이외의 처리 장치(PR)의 경우는, 처리 오차(E)가 생기지 않도록 혹은 처리 오차(E)가 허용 범위에 들어가도록, 우선적으로 처리 유닛(PU1)의 설정 조건을 변경시킨다. 또, 제1 축적 장치(BF1) 및 제2 축적 장치(BF2)를, 처리 유닛(PU1)의 전후에 마련하도록 했지만, 다른 처리 장치(PR)의 전후에 마련하도록 해도 괜찮다.
이상의 변형예 2에서는, 도 16과 같이, 도포 처리부(회전 드럼(DR1), 다이 코터 헤드(DCH), 잉크젯 헤드(IJH) 등), 건조 처리부(건조 장치(112) 등), 노광 처리부(회전 드럼(DR2), 노광 헤드(36) 등)를 일체적으로 마련한 처리 유닛(PU1)으로 했으므로, 처리 유닛(PU1) 내에서의 기판(P)의 반송 속도는 어디라도 동일하다. 그렇지만, 도포 처리부, 건조 처리부, 노광 처리부의 각각에서, 기판(P)의 반송 속도를 일시적으로 다르게 하는 경우는, 예를 들면 건조 처리부(건조 장치(112) 등)의 위치에, 도 4에서 나타낸 바와 같은 축적 장치(BF1, BF2)를 마련하게 된다. 즉, 처리 유닛(PU1)의 전후에 제1 축적 장치(BF1) 및 제2 축적 장치(BF2)를 마련함과 아울러, 회전 드럼(DR1)과 회전 드럼(DR2)과의 사이에 제1 축적 장치(BF1)(제2 축적 장치(BF2))와 동일한 구성을 가지는 축적 장치를 1개 마련한다. 또, 제1 축적 장치(BF1)를 회전 드럼(DR1)과 회전 드럼(DR2)과의 사이에, 제2 축적 장치(BF2)를 회전 드럼(DR2)과 처리 장치(PR4)와의 사이에 마련해도 좋다. 또, 제1 축적 장치(BF1)를 처리 장치(PR1)와 회전 드럼(DR1)과의 사이에, 제2 축적 장치(BF2)를 회전 드럼(DR1)과 회전 드럼(DR2)과의 사이에 마련해도 좋다.
(변형예 3)
도 17은, 앞의 제1 및 제2 실시 형태에서 전제가 되는 도 1의 디바이스 제조 시스템(10)의 변형예 3에 의한 디바이스 제조 시스템(10')의 개략 구성을 나타낸다. 본 변형예 3은, 도 1의 디바이스 제조 시스템(10)에서의 각 처리 장치의 배치와 기판(P)의 반송 경로를 바꾸어, 컴팩트한 제조 라인을 구축하는 것이며, 도 17중의 각 처리 장치 및 기판(P)에 대해서, 앞의 도 2~도 9에 나타낸 구성과 동일한 것으로 하여 동일한 부호를 부여하며, 그 상세 설명을 생략함과 아울러, 본 변형예 3을 설명하는데 특별히 필요가 없는 구성에 대해서는 그 도시도 생략하고 있다.
도 17에 나타내는 바와 같이, 본 변형예 3에서는, 기판(P)의 공급용 롤(FR1)과 회수용 롤(FR2)을 디바이스 제조 시스템(10')의 일방측으로 늘어놓아 배치하도록, 디바이스 제조 시스템(10') 내에서의 기판(P)의 반송 경로를 꺾어, 몇 개의 처리 장치를 입체적(상하 관계)으로 배치한다. 본 변형예 3의 디바이스 제조 시스템(10')은, 다이 코터 헤드(DCH)와 회전 드럼(DR1)에 의한 도포 장치로서 구성되는 처리 장치(PR2)와, 제1 축적 장치(BF1)를 포함하며, 도포 후의 기판(P)을 건조시키는 건조 장치(도 2의 건조 장치(16)에 상당)로서 구성되는 처리 장치(PR2')와, 광원 장치(32), 광 도입 광학계(34), 노광 헤드(36), 및 회전 드럼(DR2) 등에 의한 노광 장치로서 구성되는 처리 장치(PR3)와, 제2 축적 장치(BF2)와, 현상액 또는 도금액을 담아두는 종형(縱型)의 액조(液槽)(BT1)와 세정용 순수한 물 등을 담아두는 종형의 세정조(BT2)를 가지며, 습식 처리 장치로서 구성되는 처리 장치(PR4')와, 축적부로서의 기능도 구비하여 습식 처리 후의 기판(P)을 건조하는 건조 장치로서 구성되는 처리 장치(PR6)를 구비한다.
공급용 롤(FR1)로부터 송출되는 시트 모양의 기판(P)은, 처리 장치(PR2)의 회전 드럼(DR1)에 의해 지지된 상태에서 소정의 속도로 반송되고, 다이 코터 헤드(DCH)에 의해서 도포액(LQc)이 도포된다. 도포 후의 기판(P)은 대략 수평하게 ＋X방향으로 보내어지고, 디바이스 제조 시스템(10')의 상부에 배치된 처리 장치(PR2') 내의 건조 장치(건조부)에서 건조되고 나서, 제1 축적 장치(BF1) 내의 다수의 댄서 롤러(Rd)를 통과하여, 처리 장치(PR2')의 -Z방향측에 배치된 처리 장치(PR3)로 보내어진다. 제1 축적 장치(BF1) 내의 복수의 댄서 롤러(Rd)는, 기판(P)을 XY면(바닥면)과 대략 평행하게 되도록 텐션을 걸어 꺾이도록 배치된다. 처리 장치(PR3)는, －Z방향으로 보내어지는 기판(P)을 회전 드럼(DR2)의 하반분(下半分) 정도로 걸어 돌린 후, ＋Z방향으로 릴리스하도록 반송한다. 그 때문에, 기판(P)에 패턴 노광을 행하는 노광 헤드(36)는 회전 드럼(DR2)의 하부(－Z방향측)에 마련된다. 처리 장치(PR3)에서 노광된 기판(P)은, 처리 장치(PR3)의 -X방향측에 배치된 제2 축적 장치(BF2)로 보내어지고, 복수의 댄서 롤러(Rd)를 통과하여, －X방향측에 배치된 처리 장치(PR4')에 보내어진다. 처리 장치(PR4')는, 보내어져 온 기판(P)을 현상액 또는 도금액을 담아두는 액조(BT1), 세정용 순수한 물 등을 담아두는 세정조(BT2)의 순서대로 통과한 후, －X방향측에 배치된 처리 장치(PR6)로 보낸다. 처리 장치(PR6) 내의 복수의 댄서 롤러(Rd)를 통과하여 건조된 기판(P)은, 회수용 롤(FR2)에 권취된다.
도 17과 같이, 처리 장치(도포 장치)(PR2), 처리 장치(PR2') 내의 건조 장치(건조부), 처리 장치(PR2') 내의 제1 축적 장치(BF1), 처리 장치(노광 장치)(PR3), 제2 축적 장치(BF2), 처리 장치(습식 처리 장치)(PR4'), 처리 장치(건조부)(PR6)의 각각을 일렬로 늘어놓는 것이 아니라, 상하(Z방향)로도 입체적으로 배치하는 것에 의해서, 제조 시스템 전체의 길이를 억제하여 설치 바닥 면적(풋프린트(footprint))을 컴팩트하게 할 수 있다. 먼저 설명한 제1 실시 형태 및 제2 실시 형태에 의한 디바이스 제조 시스템(10)의 관리 방법, 혹은 디바이스의 제조 방법은, 도 17의 변형예 3과 같은 디바이스 제조 시스템(10')에도 마찬가지로 적용할 수 있다.
또, 도 17의 구성에서, 처리 장치(PR2')는 공간적으로 건조 장치(건조부)와 제1 축적 장치(BF1)로 나누었지만, 양자를 공간적으로 별도로 하지 않고 겸용한 것으로 해도 괜찮다. 게다가, 처리 장치(PR2')의 건조부 내와 처리 장치(PR6) 내에, 기판(P)을 건조시키는 100℃ 이하의 온풍을 보내는 경우, 그 온풍을 만드는 온조 장치(히터, 송풍 팬, 필터 등을 포함함)는, 처리 장치(PR2')용과 처리 장치(PR6)용으로 겸용해도 괜찮다. 또, 처리 장치(PR3)에 의한 노광 공정 후에, 기판(P) 상의 레지스트층에 100℃ 이하의 열을 부여하는 포스트베이크(노광 후 베이크) 처리를 행하는 경우는, 처리 장치(PR3)와 제2 축적 장치(BF2)와의 사이, 혹은 제2 축적 장치(BF2) 내에 건조부를 마련하는 것이 가능하다.
(변형예 4)
이상의 제1 실시 형태와 제2 실시 형태에서는, 예를 들면, 정지 요구 장치(PRd)가 정지 요구를 발생할 때에, 그 시점에서의 상류측의 제1 축적 장치(BF1), 또는 하류측의 제2 축적 장치(BF2)에서의 기판(P)의 신규 축적 가능 길이나 기축적 길이에 관한 축적 상태의 정보를 얻어, 노광 장치(EX)가 부가 작업하기 위한 일시 정지가 가능한지 아닌지를 판정하고 있었지만, 반대의 판단을 행해도 좋다. 즉, 정지 요구 장치(PRd)의 상류측, 또는 하류측의 축적 장치(BF1, BF2)에서의 기판(P)의 신규 축적 가능 길이나 기축적 길이에 관한 축적 상태의 정보를 순서대로 갱신하여 생성하도록 하고, 순서대로 갱신되는 축적 상태의 상태로부터, 정지 요구 장치(PRd)가 일시 정지 가능한 시간을 예측 연산하며, 예측된 정지 시간 동안에, 정지 요구 장치(PRd)가 필요로 하는 부가 작업이 완료되는지 아닌지를 판단해도 좋다. 따라서, 이러한 변형예에서는, 제1 처리 장치와 제2 처리 장치와의 사이에 마련된 축적부(BF1, BF2)에서의 기판(P)의 축적 상태에 관한 축적 정보를 순서대로 생성하는 정보 생성부(상위 제어 장치(14) 등)를 마련하고, 제1 처리 장치와 제2 처리 장치 중 적어도 일방의 정지 대상이 되는 처리 장치에서 기판(P)의 처리 동작을 정지시킨 경우의 정지 가능한 계속 시간을, 정보 생성부로부터의 축적 정보에 근거하여 예측 연산하며, 예측되는 정지 가능한 계속 시간 중에 정지 대상이 되는 처리 장치에서의 부가적인 작업이 실시 가능한 경우는 정지 대상이 되는 처리 장치의 처리 동작을 정지시키는 제어 장치(상위 제어 장치(14) 등)를 마련한 제조 시스템을 구축할 수 있다.

Claims (32)

  1. 장척(長尺)의 가요성의 시트 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 복수의 처리 장치에 의해서 연속적으로 상기 시트 기판에 처리를 실시하는 제조 시스템으로서,
    상기 복수의 처리 장치 중 제1 처리 장치와 인접하는 제2 처리 장치와의 사이에 마련된 축적부와,
    상기 제1 처리 장치에서, 상기 시트 기판에 대한 처리, 또는 상기 시트 기판의 반송을 일시 정지시킬 때에는, 상기 축적부의 상기 시트 기판의 축적 상태가, 예상되는 상기 제1 처리 장치의 정지 시간에 의해서 정해지는 필요 축적 상태를 만족하는지 아닌지를 판정하는 제어 장치를 구비하는 제조 시스템.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 처리 장치 및 상기 축적부는, 상기 시트 기판의 반송 방향을 따라서 상기 제1 처리 장치보다 상류측에 배치되어 있으며,
    상기 제어 장치는, 상기 제1 처리 장치를 상기 정지 시간 동안 일시 정지시켜도, 그 동안에 상기 축적부가 상기 제2 처리 장치로부터 보내어져 오는 상기 시트 기판을 축적할 수 있는 경우에는, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태를 만족하고 있다고 판정하는 제조 시스템.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 처리 장치 및 상기 축적부는, 상기 시트 기판의 반송 방향을 따라서 상기 제1 처리 장치보다 하류측에 배치되어 있고,
    상기 제어 장치는, 상기 제1 처리 장치를 상기 정지 시간 동안 일시 정지시켜도, 그 동안에 상기 제2 처리 장치에 공급할 수 있는 길이의 상기 시트 기판을 상기 축적부가 축적하고 있는 경우에는, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태를 만족하고 있다고 판정하는 제조 시스템.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태를 만족하고 있다고 판정한 경우는, 상기 제1 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 및 처리를 상기 정지 시간 동안 일시 정지시키면서, 상기 제2 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 및 처리를 계속시키는 제조 시스템.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태를 만족하고 있지 않다고 판정한 경우는, 상기 제1 처리 장치 및 상기 제2 처리 장치 중 적어도 일방의 상기 시트 기판의 반송 속도를 변경함으로써, 상기 제1 처리 장치의 상기 시트 기판의 반송을 정지시키기까지 기다릴 수 있는 지연 가능 시간 내에, 상기 축적부의 축적 상태를 상기 필요 축적 상태로 되게 할 수 있는지 아닌지를 판정하는 제조 시스템.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제어 장치는, 처리의 품질 저하를 억제하도록, 상기 제1 처리 장치 및 상기 제2 처리 장치 중 적어도 일방의 처리 조건을 변경시키면서, 상기 제1 처리 장치의 반송 속도를 높게 하거나, 또는, 상기 제2 처리 장치의 반송 속도를 낮게 함으로써, 상기 지연 가능 시간 내에, 상기 축적부의 축적 상태를 상기 필요 축적 상태로 되게 할 수 있는지 아닌지를 판정하는 제조 시스템.
  7. 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,
    상기 제2 처리 장치 및 상기 축적부는, 상기 시트 기판의 반송 방향을 따라서 제1 처리 장치보다 상류측에 배치되어 있고,
    상기 제어 장치는, 상기 지연 가능 시간 내에, 상기 축적부의 축적 상태를, 상기 제1 처리 장치가 일시 정지한 경우의 상기 정지 시간 동안에 상기 제2 처리 장치로부터 보내어져 오는 상기 시트 기판을 축적 가능한 상태로 할 수 있는지 아닌지를 판정하는 제조 시스템.
  8. 청구항 5 또는 청구항 6에 있어서,
    상기 제2 처리 장치 및 상기 축적부는, 상기 시트 기판의 반송 방향을 따라서 상기 제1 처리 장치보다 하류측에 배치되어 있고,
    상기 제어 장치는, 상기 지연 가능 시간 내에, 상기 축적부의 축적 상태를, 상기 제1 처리 장치가 일시 정지한 경우의 상기 정지 시간 동안에 상기 제2 처리 장치에 공급할 수 있는 길이의 상기 시트 기판을 축적하고 있는 상태로 할 수 있는지 아닌지를 판정하는 제조 시스템.
  9. 청구항 5 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 지연 가능 시간 내에, 상기 축적부의 축적 상태를 상기 필요 축적 상태로 되게 할 수 있다고 판정한 경우는, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태가 된 단계에서, 상기 제1 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 및 처리를 상기 정지 시간 동안 일시 정지시키면서, 상기 제2 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 및 처리를 계속시키는 제조 시스템.
  10. 청구항 4 또는 청구항 9에 있어서,
    상기 시트 기판에는, 패턴이 형성되는 디바이스 형성 영역이 상기 장척 방향을 따라서 여백부를 사이에 두고 늘어선 상태로 배치되어 있으며,
    상기 제1 처리 장치는, 상기 여백부의 상기 장척 방향의 길이보다 짧은 범위에서 처리를 행하는 것이며,
    상기 제어 장치는, 상기 제1 처리 장치가 상기 시트 기판에 대해서 처리를 행하는 처리 위치에 상기 여백부가 오게 되었을 때에, 상기 제1 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 및 처리의 일시 정지를 실행하는 제조 시스템.
  11. 청구항 4 또는 청구항 9에 있어서,
    상기 시트 기판에는, 패턴이 형성되는 디바이스 형성 영역이 상기 장척 방향을 따라서 여백부를 사이에 두고 늘어선 상태로 배치되어 있으며,
    상기 제2 처리 장치는, 상기 여백부의 상기 장척 방향의 길이보다 긴 범위에서 처리를 행하는 것이고,
    상기 제어 장치는, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태를 만족하고 있다고 판정한 경우, 또는, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태가 된 단계에서, 상기 제1 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 및 처리의 일시 정지를 즉시 실행하는 제조 시스템.
  12. 청구항 5 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 지연 가능 시간 내에, 상기 축적부의 축적 상태를 상기 필요 축적 상태로 되게 할 수 없다고 판정한 경우는, 상기 복수의 처리 장치를 흐르는 상기 시트 기판의 반송을 모두 정지시키면서, 상기 복수의 처리 장치에 의한 처리를 정지시키는 제조 시스템.
  13. 장척의 가요성의 시트 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 복수의 처리 장치에 의해서 연속적으로 상기 시트 기판에 처리를 실시하는 제조 시스템으로서,
    상기 시트 기판을 반송하면서, 상기 시트 기판의 표면에 감광성 박막을 선택적으로 또는 균일하게 형성하는 제1 처리 장치와,
    상기 감광성 박막이 형성된 상기 시트 기판을 반송하면서, 상기 시트 기판의 표면의 상기 감광성 박막에 소정의 패턴에 대응한 광 에너지를 조사하여, 상기 감광성 박막에 상기 패턴에 대응한 잠상(潛像)을 형성하는 제2 처리 장치와,
    상기 잠상이 형성된 상기 시트 기판을 반송하면서, 상기 잠상에 따른 상기 감광성 박막의 선택적인 현상(現象) 또는 상기 잠상에 따른 상기 감광성 박막으로의 선택적인 도금에 의해서, 상기 시트 기판 상에 상기 패턴을 출현시키는 제3 처리 장치와,
    상기 제1 처리 장치와 상기 제2 처리 장치와의 사이에 마련되고, 상기 시트 기판을 소정 길이에 걸쳐서 축적할 수 있는 제1 축적부와,
    상기 제2 처리 장치와 상기 제3 처리 장치와의 사이에 마련되고, 상기 시트 기판을 소정 길이에 걸쳐서 축적할 수 있는 제2 축적부와,
    상기 제1 처리 장치, 상기 제2 처리 장치, 및, 상기 제3 처리 장치 중 적어도 하나가 그 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 경우는, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치와 인접하는 상기 축적부의 축적 상태가, 예상되는 정지 시간에 의해서 정해지는 필요 축적 상태를 만족하는지 아닌지를 판정하는 제어 장치를 구비하는 제조 시스템.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 제어 장치는, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치가 상기 제2 처리 장치인 경우는, 상기 제2 처리 장치가 일시적으로 정지하는 상기 정지 시간 동안에 상기 제1 축적부가 상기 제1 처리 장치로부터 보내어져 오는 상기 시트 기판을 축적할 수 있는 상태이고, 또한, 상기 정지 시간 동안에 상기 제3 처리 장치에 공급할 수 있는 길이의 상기 시트 기판을 상기 제2 축적부가 축적하고 있는 상태일 때에, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태를 만족하고 있다고 판정하는 제조 시스템.
  15. 청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
    상기 제어 장치는, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치가 상기 제1 처리 장치인 경우는, 상기 제1 처리 장치가 일시적으로 정지하는 상기 정지 시간 동안에 상기 제2 처리 장치에 공급할 수 있는 길이의 상기 시트 기판을 상기 제1 축적부가 축적하고 있는 상태일 때에, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태를 만족하고 있다고 판정하는 제조 시스템.
  16. 청구항 13 내지 청구항 15 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치가 상기 제3 처리 장치인 경우는, 상기 제3 처리 장치가 일시적으로 정지하는 상기 정지 시간 동안에 상기 제2 축적부가 상기 제2 처리 장치로부터 보내어져 오는 상기 시트 기판을 축적할 수 있는 상태일 때에, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태를 만족하고 있다고 판정하는 제조 시스템.
  17. 청구항 13 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태를 만족하고 있다고 판정한 경우는, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 및 처리를 상기 정지 시간 동안 일시 정지시키면서, 그것 이외의 상기 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 및 처리를 계속시키는 제조 시스템.
  18. 청구항 13 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태를 만족하고 있지 않다고 판정한 경우는, 상기 제1 처리 장치, 상기 제2 처리 장치, 및 상기 제3 처리 장치 중 적어도 하나의 상기 시트 기판의 반송 속도를 변경함으로써, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치의 처리를 정지시키기까지 기다릴 수 있는 지연 가능 시간 내에, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치와 인접하는 상기 축적부의 축적 상태를 상기 필요 축적 상태로 되게 할 수 있는지 아닌지를 판정하는 제조 시스템.
  19. 청구항 18에 있어서,
    상기 제어 장치는, 처리의 품질 저하를 억제하도록, 상기 제1 처리 장치, 상기 제2 처리 장치, 및 상기 제3 처리 장치 중 적어도 하나에서의 처리 조건을 변경시키면서, 상기 제1 처리 장치, 상기 제2 처리 장치, 및 상기 제3 처리 장치 중 적어도 하나의 반송 속도를 높게 또는 낮게 함으로써, 상기 지연 가능 시간 내에, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치와 인접하는 상기 축적부의 축적 상태를 상기 필요 축적 상태로 되게 할 수 있는지 아닌지를 판정하는 제조 시스템.
  20. 청구항 18 또는 청구항 19에 있어서,
    상기 제어 장치는, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치가 상기 제2 처리 장치인 경우는, 상기 제1 축적부의 축적 상태를 상기 지연 가능 시간 내에, 상기 제2 처리 장치를 상기 정지 시간 동안 일시 정지시켜도 상기 제1 처리 장치로부터 보내어져 오는 상기 시트 기판을 축적할 수 있는 상태로 할 수 있고, 또한, 상기 제2 축적부의 축적 상태를 상기 지연 가능 시간 내에서, 상기 제2 처리 장치를 상기 정지 시간 동안 일시 정지시켜도 상기 제3 처리 장치에 공급할 수 있는 길이의 상기 시트 기판을 축적하고 있는 상태로 할 수 있는지 아닌지를 판정하는 제조 시스템.
  21. 청구항 18 내지 청구항 20 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치가 상기 제1 처리 장치인 경우는, 상기 제1 축적부의 축적 상태를 상기 지연 가능 시간 내에, 상기 제1 처리 장치를 상기 정지 시간 동안 일시 정지시켜도 상기 제2 처리 장치에 공급할 수 있는 길이의 상기 시트 기판을 축적하고 있는 상태로 할 수 있는지 아닌지를 판정하는 제조 시스템.
  22. 청구항 18 내지 청구항 21 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치가 상기 제3 처리 장치인 경우는, 상기 제2 축적부의 축적 상태를 상기 지연 가능 시간 내에, 상기 제3 처리 장치를 상기 정지 시간 동안 일시 정지시켜도 상기 제2 처리 장치로부터 보내어져 오는 상기 시트 기판을 축적할 수 있는 상태로 할 수 있는지 아닌지를 판정하는 제조 시스템.
  23. 청구항 18 내지 청구항 22 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 지연 가능 시간 내에, 상기 축적부의 축적 상태를 상기 필요 축적 상태로 되게 할 수 있다고 판정한 경우는, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태가 된 단계에서, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 상기 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 및 처리를 상기 정지 시간 동안 일시 정지시키면서, 그것 이외의 상기 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 및 처리를 계속시키는 제조 시스템.
  24. 청구항 17 또는 청구항 23에 있어서,
    상기 시트 기판에는, 패턴이 형성되는 디바이스 형성 영역이 상기 장척 방향을 따라서 여백부를 사이에 두고 늘어선 상태로 배치되어 있으며,
    상기 제1 처리 장치 및 상기 제2 처리 장치는, 상기 여백부의 상기 장척 방향의 길이보다 짧은 범위에서 처리를 실시하는 것이고,
    상기 제3 처리 장치는, 상기 여백부의 상기 장척 방향의 길이보다 긴 범위에서 처리를 행하는 것이며,
    상기 제어 장치는,
    처리의 일시 정지를 요구하고 있는 처리 장치가, 상기 제3 처리 장치인 경우는, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태를 만족하고 있다고 판정한 경우, 또는, 상기 축적부의 축적 상태가 상기 필요 축적 상태가 된 단계에서, 상기 제3 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 및 처리의 일시 정지를 실행하고,
    처리의 일시 정지를 요구하고 있는 처리 장치가, 상기 제1 처리 장치 또는 상기 제2 처리 장치인 경우는, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 처리 장치가 상기 시트 기판에 대해서 처리를 행하는 처리 위치에 상기 여백부가 오게 되었을 때에, 처리의 일시 정지를 요구하고 있는 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 및 처리의 일시 정지를 실행하는 제조 시스템.
  25. 청구항 18 내지 청구항 24 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 지연 가능 시간 내에, 상기 축적부의 축적 상태를 상기 필요 축적 상태로 되게 할 수 없다고 판정한 경우는, 상기 제1 처리 장치, 상기 제2 처리 장치, 및 상기 제3 처리 장치를 흐르는 상기 시트 기판의 반송을 모두 정지시키면서, 상기 복수의 처리 장치에 의한 처리를 정지시키는 제조 시스템.
  26. 청구항 13 내지 청구항 25 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 처리 장치는, 상기 시트 기판 상에 상기 감광성 박막이 되는 액체를 도포하는 다이 코터(die coater) 헤드부를 포함하며, 상기 제1 처리 장치는, 상기 다이 코터 헤드부로의 상기 액체의 보충 동작이 필요하게 될 때에, 상기 일시 정지의 요구를 행하는 제조 시스템.
  27. 청구항 13 내지 청구항 25 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 처리 장치는, 상기 시트 기판의 표면에 상기 광 에너지를 조사할 때의 위치 오차를 교정하기 위한 캘리브레이션 기구를 포함하며, 상기 제2 처리 장치는, 상기 캘리브레이션 기구에 의한 교정 동작이 필요하게 될 때에, 상기 일시 정지의 요구를 행하는 제조 시스템.
  28. 장척의 가요성의 시트 기판을 장척 방향으로 반송하면서, 복수의 처리 장치의 각각에 의해서, 순차적으로 상기 시트 기판에 처리를 실시하는 제조 시스템으로서,
    상기 복수의 처리 장치 중, 소정의 처리 품질이 얻어지도록 설정된 처리 조건하(下)에서 상기 시트 기판을 처리하는 통상 동작 외에, 상기 통상 동작을 일시적으로 중단한 상태에서, 상기 처리 품질의 열화를 막기 위한 부가(付加) 작업을 실행할 수 있는 제1 처리 장치와,
    상기 복수의 처리 장치 중, 상기 제1 처리 장치와 인접하게 배치되고, 상기 제1 처리 장치와는 다른 처리를, 소정의 처리 조건하에서 상기 시트 기판에 실시하는 제2 처리 장치와,
    상기 제1 처리 장치와 상기 제2 처리 장치와의 사이에 마련되고, 상기 시트 기판을 소정 길이에 걸쳐서 축적할 수 있는 축적 장치와,
    상기 제1 처리 장치의 상기 통상 동작이 상기 부가 작업에 의해서 중단되는 중단 시간 동안, 상기 제2 처리 장치의 처리의 계속에 의해서, 상기 축적 장치에서의 상기 시트 기판의 축적 상황이 정상적으로 추이되는지 아닌지를 판정하고, 정상적으로 추이되고 있지 않다고 판정된 경우는, 판정시로부터 상기 부가 작업이 개시될 때까지의 대기 시간 동안에, 상기 제1 처리 장치와 상기 제2 처리 장치 중 적어도 일방에서의 상기 시트 기판의 반송 속도를 변경하도록 지시하는 제어 장치를 구비하는 제조 시스템.
  29. 청구항 28에 있어서,
    상기 시트 기판의 반송 방향을 따라서, 상기 제1 처리 장치가 상기 제2 처리 장치의 상류측에 배치되는 경우, 상기 제어 장치는, 상기 판정시에 상기 축적 장치에 이미 축적되어 있는 상기 시트 기판의 길이가, 상기 제2 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 속도와 상기 중단 시간과의 곱에 의해 구해지는 길이 이하일 때에, 상기 축적 상황이 정상적으로 추이되지 않는다고 판정하는 제조 시스템.
  30. 청구항 28에 있어서,
    상기 시트 기판의 반송 방향을 따라서, 상기 제1 처리 장치가 상기 제2 처리 장치의 하류측에 배치되는 경우, 상기 제어 장치는, 상기 판정시에 상기 축적 장치에 새롭게 축적할 수 있는 상기 시트 기판의 길이가, 상기 제2 처리 장치에서의 상기 시트 기판의 반송 속도와 상기 중단 시간과의 곱에 의해 구해지는 길이 이하일 때에, 상기 축적 상황이 정상적으로 추이되지 않는다고 판정하는 제조 시스템.
  31. 청구항 29 또는 청구항 30에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 시트 기판의 반송 속도의 변경을 지시한 상기 제1 처리 장치 또는 상기 제2 처리 장치에 설정되는 상기 처리 조건을, 변경된 반송 속도에 따라 조정하도록 지시하는 제조 시스템.
  32. 청구항 28 내지 청구항 31 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 판정을, 상기 제1 처리 장치로부터 상기 부가 작업의 실행 요구를 받은 후, 또는, 소정의 시간 인터벌마다 실시하는 제조 시스템.
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