KR20210118445A - 다중-빔 입자 현미경을 포함하는 시스템 및 그 작동 방법 - Google Patents

다중-빔 입자 현미경을 포함하는 시스템 및 그 작동 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210118445A
KR20210118445A KR1020217026895A KR20217026895A KR20210118445A KR 20210118445 A KR20210118445 A KR 20210118445A KR 1020217026895 A KR1020217026895 A KR 1020217026895A KR 20217026895 A KR20217026895 A KR 20217026895A KR 20210118445 A KR20210118445 A KR 20210118445A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
data
processing
processing systems
detection
Prior art date
Application number
KR1020217026895A
Other languages
English (en)
Inventor
디르크 자이들러
니코 켐머
크리스티안 크뤼거
Original Assignee
칼 짜이스 멀티셈 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 칼 짜이스 멀티셈 게엠베하 filed Critical 칼 짜이스 멀티셈 게엠베하
Publication of KR20210118445A publication Critical patent/KR20210118445A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/22—Optical or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/222—Image processing arrangements associated with the tube
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/261—Details
    • H01J37/265—Controlling the tube; circuit arrangements adapted to a particular application not otherwise provided, e.g. bright-field-dark-field illumination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/22—Treatment of data
    • H01J2237/226—Image reconstruction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/2602—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2803—Scanning microscopes characterised by the imaging method

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

3D 샘플을 층별로 이미징하기 위한 다중-빔 입자 현미경과 다중-계층 아키텍쳐를 갖는 컴퓨터 시스템을 포함하는 시스템이 개시된다. 다중-계층 아키텍쳐는 상이한 처리 시스템 간의 데이터 교환 및/또는 상이한 검출 채널에서 발생하는 데이터가 발생할 때 병렬 처리 속도의 양을 점진적으로 줄여 최적화된 이미지 처리를 허용한다. 또한, 3D 샘플을 층별로 이미징하는 방법과, 개시된 방법을 수행하기 위한 프로그램 코드를 갖는 컴퓨터 프로그램 제품이 개시되어 있다.

Description

다중-빔 입자 현미경을 포함하는 시스템 및 그 작동 방법
본 발명은 하전 입자 빔 시스템 및 방법에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 3D 샘플 및 특정 컴퓨터 시스템 아키텍처를 이미징하기 위한 다중-빔 입자 현미경을 포함하는 시스템에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 3D 샘플을 층별로 이미징하는 방법 및 대응하는 컴퓨터 프로그램 제품에 관한 것이다. 본 발명은 집적 회로의 역 엔지니어링에 특히 적합하다.
단일 빔 입자 현미경은 오랫동안 알려져 왔다. 이들에서 단일 빔은 입자 옵틱스를 통해 검사할 오브젝트에 초점을 맞추고 오브젝트에 대해 스캔한다. 입자 빔은 이온 빔 또는 전자빔일 수 있다. 입자 빔이 입사되는 위치로부터 방출되는 전자와 같은 2차 입자가 검출되고 스캐닝 입자 빔이 현재 지향되는 오브젝트의 위치에 검출된 입자 강도가 할당된다. 따라서 오브젝트의 입자 광학 이미지를 생성할 수 있다. 입자 빔으로 입자 현미경의 시야를 스캔하려면 시간이 필요하다. 시야의 범위는 제한되어 있다. 오브젝트의 상대적으로 큰 부분을 스캔하려는 경우 더 많은 시야를 스캔하려면 입자 현미경에 대해 오브젝트를 움직여야 한다. 이것은 결국 시간을 요한다. 많은 오브젝트와 비교적 큰 오브젝트를 짧은 시간에 스캔할 수 있는 입자 현미경이 필요하다. 이러한 문제에 대해 더 많은 수의 단일 빔 입자 현미경을 제공하는 것이 가능하며, 현미경은 병렬로 작동하여 복수의 오브젝트를 동시에 스캔할 수 있다. 그러나 이것은 각 개별 입자 빔에 대해 입자 광학 장치가 있는 전용 입자 현미경이 제공되어야 하기 때문에 매우 고가의 솔루션이다.
여기서, 다중-빔 입자 현미경은 다수의 입자 빔이 입자 빔 번들로 검사 대상을 동시에 스캔하기 위해 단일 입자 광학 장치를 통해 공동으로 안내되기 때문에 유망한 접근 방식을 형성한다.
단일 빔 입자 현미경과 다중-빔 입자 현미경의 일반적인 적용은 3D 샘플의 구조 분석, 특히 역 엔지니어링이다. 3D 샘플의 구조 분석을 위해 이미징 프로세스와 디레이어링 프로세스를 결합할 수 있다. 그런 다음 3D 샘플의 이미징이 층별로 수행된다. 층의 전체 스택을 이미징하여 얻은 데이터를 통해 3D 샘플의 3D 데이터 세트를 재구성할 수 있다. 그러나 이미징에 고해상도가 필요한 경우, 예를 들어 나노미터 영역에서 복셀(voxel) 크기를 달성하려면 엄청난 양의 데이터를 수집하고 처리해야 한다. 이로 인해 처리 시간이 매우 길어진다. 특히 층별 이미징 프로세스와 파괴(destructive) 디레이어링 기술이 결합된 경우 이러한 긴 처리 시간이 재구성 속도의 병목 현상이 된다. 여기서 하나의 특정 층에 대해 수집된 데이터는 이 층이 되돌릴 수 없게 파괴되기 전에 유효성을 검사하는 것이 중요하다. 따라서 다음 디레이어링 단계 전에 데이터를 검증할 수 있도록 오버헤드 이미지 처리 시간을 줄이는 것이 과제이다.
US 2015/0348749 A1은 다량의 데이터가 처리되는 다중-빔 입자 현미경 및 이를 작동시키는 방법을 개시하고 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 3D 샘플을 층별로 이미징하기 위한 다중-빔 입자 현미경을 포함하는 보다 빠른 시스템 및 대응하는 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품을 제공하는 것이다. 이들은 특히 3D 샘플의 리버스 엔지니어링, 특히 집적 회로의 리버스 엔지니어링에 적합해야 한다.
상기 목적은 독립항에 의해 해결된다. 종속항은 유리한 실시예에 관한 것이다.
본 발명의 제1 측면에 따르면, 본 발명은 시스템에 관한 것이고, 상기 시스템은:
3D 샘플을 층별로 이미징하기 위한 다중-빔 입자 현미경, 및
다중-계층(multi-tier) 아키텍처를 갖는 컴퓨터 시스템을 포함하고;
상기 다중-빔 입자 현미경은:
- 복수의 제1 입자 빔의 제1 어레이를 생성하도록 구성된 다중-빔 소스;
- 상기 제1 입자 빔이 제2 어레이를 형성하는 오브젝트 상의 입사 위치들에 입사하도록 상기 제1 입자 빔을 상기 오브젝트 상으로 지향시키도록 구성된 제1 입자 옵틱스;
- 복수의 검출 영역을 포함하는 하나의 검출기 또는 적어도 하나의 검출 영역을 각각 갖는 복수의 검출기 - 상기 검출 영역은 제3 어레이에 배열되고, 상기 검출기 또는 상기 복수의 검출기는 복수의 변환기를 포함하고, 변환기는 각각 검출 영역에 할당되고 상기 검출 영역에 입사하는 입자 강도를 나타내는 전기 신호를 생성하도록 구성되고, 상기 복수의 검출 영역 및 할당된 상기 복수의 변환기는 개별적으로 복수의 검출 채널을 형성하며, 상기 검출 채널은 복수의 검출 채널 그룹에 할당됨 - ;
- 각각의 제2 입자 빔이 상기 제3 어레이에 배열된 상기 검출 영역들 중 적어도 하나의 검출 영역에 입사하도록 상기 제2 어레이의 입사 위치로부터 방출된 제2 입자 빔을 상기 검출 영역의 상기 제3 어레이로 지향시키도록 구성된 제2 입자 옵틱스; 및
- 상기 다중-빔 입자 현미경을 제어하기 위한 제어 컴퓨터 시스템을 포함하고;
상기 다중-계층 아키텍쳐를 갖는 상기 컴퓨터 시스템은:
- 데이터를 처리하기 위한 제1 복수의 처리 시스템을 포함하는 제1 계층; 및
- 데이터를 처리하기 위한 제2 복수의 처리 시스템을 포함하는 제2 계층을 포함하며;
- 상기 제1 복수의 처리 시스템의 각각의 처리 시스템은 할당된 검출 채널 그룹으로부터 독점적으로 검출 신호를 수신하도록 구성되고, 상기 제1 계층의 상기 제1 복수의 처리 시스템은 데이터의 처리를 기본적으로 또는 전체적으로 상기 제1 복수의 처리 시스템의 상이한 처리 시스템들 간의 임의의 데이터 교환 없이 수행하도록 구성되고; 그리고
- 상기 제2 계층의 상기 제2 복수의 처리 시스템은 상기 제1 계층의 상기 복수의 제1 처리 시스템 중 적어도 하나의 처리 시스템으로부터 데이터를 수신하도록 구성되며, 상기 제2 계층의 상이한 처리 시스템들 간의 특히 최근에 획득한 데이터에 대한 데이터 교환을 포함하는 데이터의 처리를 수행하도록 구성된다.
바람직하게는, 제2 입자 옵틱스는 상이한 제2 입자 빔이 상이한 검출 영역에 입사하도록 구성된다.
대안적으로 이 요건은 부분적으로만 충족될 수 있다.
따라서 빠른 시스템을 제공하기 위한 핵심 요소는 위의 특성을 포함하는 다중-계층 아키텍쳐를 컴퓨터 시스템에 제공하는 것이다. 컴퓨터 시스템이 여러 처리 시스템으로 구성된 경우 데이터 처리를 병렬화하여 전체 처리 속도를 높일 수 있다. 그러나 상이한 처리 시스템 간에도 데이터를 교환해야 하는 경우가 많으며 이러한 데이터 교환은 전체 처리 속도를 크게 저하시킨다. 따라서 상이한 처리 시스템 간의 데이터 교환은 가능한 한 줄여야 한다. 상기 데이터 교환을 피할 수 없는 경우, 다른 처리 시스템 간의 데이터 교환은 전체 처리 속도가 가능한 한 적게 영향을 받는 방식으로 구성되어야 한다. 본 발명에 따르면, 이것은 제1 계층의 처리 시스템들 간의 데이터 교환이 기본적으로 또는 완전히 회피되고 제2 계층의 상이한 처리 시스템들 간의 데이터 교환이 허용되는 다중-계층 아키텍쳐에 의해 달성된다.
본 발명에 따르면, 제1 계층의 제1 복수의 처리 시스템은 제1 복수의 처리 시스템의 상이한 처리 시스템 간의 데이터 교환 없이 기본적으로 또는 전체적으로 데이터의 처리를 수행하도록 구성된다. 이는 다른 처리 시스템 간의 데이터 교환이 처리되는 총 데이터 속도에 비해 작다는 것을 의미한다. 바람직하게는, 데이터 교환은 처리되는 총 데이터 속도의 10% 미만이다. 보다 바람직하게는, 데이터 교환은 전체 데이터 속도의 5% 미만 또는 1% 미만이다.
바람직하게는, 제1 계층의 제1 복수의 처리 시스템 또는/및 제2 계층의 제2 복수의 처리 시스템은 데이터의 실시간 처리를 수행하도록 구성된다. 바람직하게는, 실시간 데이터 처리는 데이터 처리가 매우 빨라서 비휘발성 메모리에 중간에 데이터를 저장할 필요가 없음을 의미한다. 따라서 데이터 처리는 기본적으로 이미지 획득 프로세스와 같거나 더 빠르다.
다중-빔 입자 현미경이 작동하는 하전 입자는 예를 들어 전자, 양전자, 뮤온, 이온 또는 기타 하전 입자일 수 있다. 개시된 시스템은 특히 층별로 3D 샘플을 이미징하는 데 특히 적합하되; 본 발명의 시스템을 사용하여 2D 샘플을 이미지화하는 것도 유리하다.
본 발명에 따르면, 상이한 검출 채널이 어떻게 규정되고, 각 검출 채널의 데이터가 어떻게 처리되는지가 중요한 측면이다. 복수의 검출 영역 및 할당된 복수의 변환기는 각각 복수의 검출 채널을 형성한다. 즉, 간단한 시나리오에서 단일 입자 빔으로 표면을 이미징하면 하나의 검출 채널에 대한 데이터가 생성된다. 그러나 더 복잡한 시나리오에서는 단일 입자 빔을 사용한 이미징이 여러 검출 채널에 대한 데이터를 생성할 수도 있다. 간단한 시나리오를 계속 진행하면서 m개의 제1 입자 빔(m은 자연수를 나타냄)으로 샘플을 이미징하면 최소 m개의 검출 채널에 대한 데이터가 생성된다. 하나의 단일 입자 빔으로 하나의 검출 채널을 통해 수집된 데이터는 소위 단일 시야(sFOV)에 대한 데이터를 제공한다. 복수의 제1 입자빔에 의해 생성된 데이터는 소위 mFOV(multiple field of view)의 데이터를 나타낸다. 그런 다음, 한편으로는 빔의 제2 어레이와 다른 한편으로는 3D 샘플 사이의 상대적인 이동에 의해 3D 샘플의 전체 층 데이터 세트를 최종적으로 모두 나타낼 수 있는 다중 mFOV가 생성된다. 본 발명에 따르면, 복수의 검출 채널은 복수의 검출 채널 그룹에 할당되고, 각각의 검출 채널 그룹의 데이터는 동일한 처리 시스템에 의해 처리된다. 바람직하게는, 그룹은 하나 이상의 검출 채널을 포함한다. 그러나 검출 채널 그룹이 하나의 검출 채널만 포함하는 것도 가능한다. 바람직한 실시예에 따르면, 그룹은 8개의 검출 채널을 포함한다. 각 그룹은 동일한 수의 검출 채널을 포함할 수 있되; 상이한 그룹이 상이한 수의 검출 채널을 포함하는 것도 가능하다.
본 발명에 따르면, 데이터의 처리는 기본적으로 또는 전체적으로 상이한 처리 시스템들 간의 어떠한 데이터 교환 없이, 따라서 기본적으로 또는 전체적으로 상이한 검출 채널들로부터 발생하는 데이터의 어떠한 교환도 없이 제1 계층에서 수행된다. 각각의 이미지 처리에는, 예를 들어, 히스토그램 분석 및/또는 히스토그램 보정; 과다 노출 및/또는 노출 부족 이미지 검출; (예를 들어, 푸리에 변환 또는 에지 검출에 의한) 이미지 선명도 계산; 예를 들어 이산 웨이블릿 변환(DWT)에 의한 신호 대 잡음비(SNR)의 계산 및/또는 잡음 대 잡음비(CNR)의 계산; 로컬 기능 및/또는 아티팩트 검출, 예를 들어, 슬러리 입자 또는 스크래치; 여러 sFOV를 결합하여 mFOV를 형성하기 위해 스티칭을 위한 이미지 상의 피쳐 검출; 예를 들어, 스플라인 보간법에 의한 이미지 왜곡 보정; 무손실 또는 손실 데이터 압축, 예를 들어, jpeg2000; 윤곽 검출를 수반한다. 위에 나열된 이미지 처리는 각 검출 채널에 대해 별도로 수행할 수 있고; 다른 검출 채널에서 정보나 입력이 필요하지 않다. 따라서 여기에서 상이한 검출 채널에서 발생하는 데이터의 데이터 교환 없이 기본적으로 또는 전체적으로 고도로 병렬화되고 매우 빠른 이미지 처리를 수행할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제2 계층의 데이터 처리는 특히 최근에 획득된 데이터에 대한 제2 계층의 상이한 처리 시스템 간의 데이터 교환을 포함하는 데이터 처리이다. 바람직하게는, 이는 이러한 유형의 성공적인 이미지 처리를 위해 제2 계층의 다른 처리 시스템 및/또는 다른 채널에서 발생하는 데이터 간의 데이터 교환이 필요함을 의미한다. 바람직하게는, 상이한 검출 채널로부터 유래하는 데이터의 필요한 데이터 교환은 인접 검출 채널로부터 (또는 보다 정확하게는 인접 sFOV 사이) 유래하는 데이터의 교환을 포함하지만, 데이터 교환이 서로 인접하지 않는 상이한 검출 채널로부터 유래하는 데이터의 데이터 교환을 포함하는 것도 가능하다. 계층 2에서의 데이터 처리, 특히 실시간 데이터 처리는 예를 들어 다음 종류의 데이터 처리 중 하나 이상을 포함한다:
- sFOV 간의 스티칭 및/또는 mFOV 간의 스티칭; 스티칭은 예를 들어 특징 검출 및/또는 위상 상관에 기초할 수 있음;
- 음영 및/또는 혼합;
- 많은 sFOV 및/또는 mFOV에 대한 장거리 위상 상관에 의해 한 층 내에서 주기성이 높은 3D 샘플에 대한 고급 스티칭;
- 층 내 밝기 보정;
- 결함과 같은 층 내의 특징 및/또는 아티팩트 검출;
- 윤곽 검출, 특히 층 내의 윤곽 검출 및/또는 윤곽 보정, 특히 층 내의 윤곽 보정;
- 예를 들어 위치 및/또는 히스토그램 및/또는 다른 파라미터와 관련하여 마지막 데이터 세트가 최근에 획득한 데이터 세트에 얼마나 잘 맞는지를 나타내는 핵심 성과 지표(KPI)의 계산;
- 로컬 데이터베이스 비교.
상이한 처리 시스템들 사이에서 교환되고 그리고/또는 제2 계층의 상이한 검출 채널들로부터 발생하는 데이터는 바람직하게는 그 자체의 이미지 데이터 및/또는 이미지, 특히 sFOV 및/또는 mFOV의 메타 데이터를 나타낸다. 상이한 검출 채널 및/또는 처리 시스템 간의 데이터 교환은 바람직하게는 최근에 획득된 데이터에 대한 각각의 데이터 교환을 포함한다. 바람직하게는, 이 최근 획득된 데이터는 현재 이미징되는 각 층에 대해 획득된 데이터이다. 다시 말해서, 바람직한 실시예에 따르면, 제2 계층 내의 데이터 교환은 특정 계층 내의 데이터에 관한 것이다. 하나의 층 데이터는 층 데이터 세트를 나타낸다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 다중-계층 아키텍처를 갖는 컴퓨터 시스템은 데이터를 처리하기 위한 제3 복수의 처리 시스템을 갖는 제3 계층을 더 포함하고, 제3 계층의 제3 복수의 처리 시스템은 제2 계층의 복수의 제2 처리 시스템 중 적어도 하나로부터의 데이터 처리를 수행하도록 구성되며, 바람직하게는 모든 기존 데이터에 대해 제3 계층의 상이한 처리 시스템 간의 데이터 교환을 포함하는 데이터 처리를 수행하도록 구성된다. 바람직하게는, 데이터 처리는 실시간 데이터 처리이다. 바람직하게는, 제3 계층 내의 데이터 교환은 상이한 계층의 계층 데이터 세트에 속하는 데이터의 데이터 교환을 포함한다. 따라서 제3 계층의 데이터 교환 복잡성은 일반적으로 제2 계층보다 높다. 그러나 바람직하게는, 제3 계층에서의 데이터 교환량은 데이터 교환량보다 적고, 따라서 제2 계층에서의 네트워크 부하보다 낮다.
바람직한 실시예에 따르면, 제3 계층에서의 데이터 처리, 바람직하게는 실시간 데이터 처리는 다음 유형의 데이터 처리 중 하나 이상을 포함한다:
- 층 간 스티칭 및/또는 이미지 위치 수정;
- 층 간 음영 및/또는 혼합;
- 전체 3D 데이터 세트에서 밝기가 수정되도록 전역 밝기 수정;
- 예를 들어, 3D로 전역 특징 및/또는 아티팩트 검출;
- 윤곽 검출, 특히 전역 윤곽 검출 및/또는 윤곽 보정, 특히 전역 윤곽 보정 및/또는 렌더링 준비;
- 예를 들어 위치 및/또는 히스토그램 및/또는 기타 파라미터와 관련하여 마지막 데이터 세트가 전체 데이터 세트에 얼마나 잘 맞는지를 나타내는 핵심 성과 지표(KPI)의 계산;
- 전체 3D 데이터 세트 또는 그 각 부분의 시각화, 바람직하게는 웨이버 맵 시각화; 및/또는
- 보고서 파일 생성.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 처리 시스템은 중앙 처리 장치(CPU), 그래픽 처리 장치(GPU), 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA) 및/또는 디지털 신호 프로세서(DSP) 또는 이들의 임의의 조합을 포함한다. 처리 시스템은 제1 계층, 제2 계층 또는 제 3 또는 다른 계층의 처리 시스템일 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 처리 시스템은 다중 처리 유닛을 포함한다. 바람직하게는, 다중 처리 유닛은 다중 CPU 및/또는 다중 GPU를 포함한다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 제1 계층의 제1 복수의 처리 시스템 중 적어도 하나의 처리 시스템은 복수의 변환기로부터 전기 신호를 수신하도록 구성되고 이미지 처리, 특히 실시간 이미지 처리를 수행하도록 구성되고, 복수의 검출 채널의 경우, 상기 복수의 검출 채널의 데이터는 적어도 하나의 처리 시스템의 동일한 메모리, 특히 동일한 RAM에 저장된다. 바람직하게는, 메모리는 고속 주 메모리이고 제1 계층의 적어도 하나의 처리 시스템의 하나 이상의 프로세서에 의해 주소지정 가능하다(addressable). 이 아키텍처는 전체 이미지 처리 속도를 높이는 데에도 기여한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 복수의 검출 채널은 복수의 검출 채널 그룹에 할당되고, 각각의 검출 채널 그룹의 데이터는 동일한 처리 시스템에 의해 처리되고, 개별적인 검출 채널 그룹에 대한 검출 채널들의 할당은 토폴로지 설계 고려 사항을 기반으로 상이한 처리 시스템 간의 이미지 처리 중 데이터 교환을 최소화하도록 구성된다. 이 실시예에 따르면, 탐지 채널은 구성 편의성 및 공간 고려 사항에 따라 그룹화될 뿐만 아니라, 상이한 처리 시스템 간의 데이터 교환을 최소화하여 데이터 처리 속도를 최적화하는 토폴로지 고려 사항에 따라 그룹화된다. 바람직한 실시예에 따르면, 상이한 검출 채널이 동일한 처리 시스템, 예를 들어 최신 기술에 따른 이미지 획득 시스템에 할당된다. 그런 다음 어떤 검출 채널이 함께 그룹화되는지가 중요하다. 처리 속도에 대한 결정적인 파라미터는 상이한 처리 시스템 간의 데이터 교환에 의해 생성되는 네트워크 부하라는 점을 반복해야 한다. 따라서, 바람직한 실시예에 따르면, 하나의 처리 시스템에 의해 처리되는 특정 검출 채널 그룹에 대한 특정 검출 채널의 최적화된 할당에 의해, 불필요한 네트워크 부하가 제거될 수 있다. 또한 다른 검출 채널에서 발생하는 데이터의 데이터 교환이 필요한 경우 이 데이터 교환이 동일한 처리 시스템 내에서, 바람직하게는 자동적으로(by default) 하나의 이미지 처리 시스템의 동일한 RAM에서 수행될 수 있으면 훨씬 더 빠르다. 전체 이미지 처리 속도를 높이는 측면에서 토폴로지 최적화에 대한 추가 예는 아래에 제공된다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제1 계층, 제2 계층 및/또는 제3 계층의 구현 및/또는 분배는 적어도 부분적으로 가상이다. 대안적으로, 제1 계층, 제2 계층 및/또는 제3 계층의 구현 및/또는 분배는 적어도 부분적으로 현실적이다. 물론, 하나 이상의 계층의 실현도 완전히 현실적일 수 있다.
바람직하게는, 다중-계층 아키텍쳐를 갖는 컴퓨터 시스템은 파이프라이닝을 수행하도록 구성된다. 이를 통해 이미지 처리 속도를 더욱 높일 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 제1 계층은 다중-빔 입자 현미경의 제어 컴퓨터 시스템에 피드백 신호를 전송하도록 구성된다. 여러 피드백 신호가 전송되는 것도 가능하다. 피드백 신호 또는 피드백 신호들은 예를 들어 다중-빔 입자 현미경의 특정 작동을 트리거할 수 있다. 대안적으로, 피드백 신호 또는 피드백 신호들은 다른 계층에서 나중의 데이터 검사를 위한 플래그를 나타낼 수 있다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 제2 계층은 다중-빔 입자 현미경의 제어 컴퓨터 시스템 및/또는 제1 계층에 피드백 신호를 전송하도록 구성된다. 다시 한번, 적어도 하나의 피드백 신호는 다중-빔 입자 현미경의 특정 작동을 유발할 수 있고/또는 적어도 하나의 피드백 신호는 이후 데이터 검사를 위한 플래그를 설정할 수 있다. 이 실시예에 따르면, 데이터 정확도가 향상될 수 있다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 제어 컴퓨터 시스템에 전송된 피드백 신호는 다중-빔 입자 현미경으로 3D 샘플의 층의 적어도 일부의 즉각적인 리이미징을 야기한다. 즉각적인 리이미징을 유발하는 피드백 신호는 3D 샘플의 이미징과 3D 샘플의 파괴 디레이어링을 결합할 수 있는 시스템에서 특히 중요하다. 층 데이터 세트의 데이터 정확도에 필요한 품질이 없으면 필요한 충분한 품질을 가진 각 층의 다른 데이터 세트를 가져오기 전에 3D 샘플의 각 층이 파괴되는 것을 피해야 한다. 따라서, 3D 샘플 층의 적어도 일부의 즉각적인 리이미징을 유발하는 피드백 신호는 3D 데이터 세트의 모든 부분이 필요한 데이터 정확도를 갖는 3D 데이터 세트를 생성하는 데 중요하다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 제3 계층은 다중-빔 입자 현미경의 제어 컴퓨터 시스템 및/또는 제2 계층에 적어도 하나의 피드백 신호를 보내도록 구성된다. 제3 계층에서 발생하는 피드백 신호는 다른 트리거 동작을 유발할 수 있다. 그러나, 제3 계층 내에서 처리된 데이터는 바람직하게는 3D 데이터 세트의 여러 계층, 특히 이미 파괴된 계층과 관련되기 때문에 특정 계층의 리이미징은 이 피드백 신호에 의해 트리거되지 않는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 청구된 시스템은 3D 샘플을 디레이어링하기 위한 디레이어링 유닛을 더 포함한다. 바람직하게는, 디레이어링 유닛은 이온 빔 밀링에 의해 작동한다. 그러나 디레이어링 장치에 의해 다른 디레이어링 방법도 적용될 수 있다. 바람직하게는, 3D 샘플을 디레이어링하는 것은 3D 샘플의 파괴 디레이어링을 포함한다. 따라서 바람직하게는 3D 샘플의 층은 이미징할 다음 층을 생성하기 위해 표면이 디레이어링되기 전에 정확하게 이미징되어야 한다. 대안적인 실시예에 따르면, 디레이어링 유닛은 비파괴 디레이어링 방법에 따라 동작한다.
본 발명의 제2 측면에 따르면, 본 발명은 특히 위에서 설명한 시스템을 사용하여 3D 샘플을 층별로 이미징하는 방법에 관한 것으로, 하기 단계를 포함한다:
a. 3D 샘플을 디레이어링시켜 이미징될 3D 샘플의 층을 생성하는 단계;
b. 다중-빔 하전 입자 현미경으로 3D 샘플의 층을 이미징하여 층 데이터 세트를 얻는 단계;
c. 층 데이터 세트의 유효성을 실시간으로 검사하는 단계; 그리고
유효성이 긍정일 경우, 단계 a. 내지 단계 c.를 반복하여 수행하는 단계.
본 발명에 따른 방법은 특히 3D 샘플을 이미징하기 위한 다중-빔 입자 현미경을 포함하는 시스템과 본 발명의 제1 측면과 관련하여 전술한 다중-계층 아키텍쳐를 갖는 컴퓨터 시스템이 적용될 경우 매우 빠르고 안전하다. 또한 층 데이터 세트의 유효성을 검사하면, 이미 얻은 층 데이터 세트가 필요한 데이터 정확도를 나타내는 경우에만 3D 샘플을 추가로 디레이어링하는 작업이 수행된다. 바람직하게는, 층 데이터 세트의 유효성을 검사하는 것은 제1 계층 및/또는 제2 계층에 의해 제어 컴퓨터 시스템 또는 계층적으로 더 높은 계층으로 전송된 적어도 하나의 피드백 신호에 기초한다. 제3 계층의 피드백 신호는 일반적으로 현재 계층이 다음 계층을 생성하기 위해 디레이어링될 수 있는지를 결정하는 데 선호되지 않는다. 그러나 시스템 및 운영 체제의 대체 시나리오가 가능하다.
실시간으로 층 데이터 세트의 유효성을 검사하는 것은 유효성 검사가 빠르게 수행되고 전체 디레이어링 프로세스가 크게 느려지지 않는다는 것을 의미한다. 바람직하게는 유효성을 검사하는 데 데이터 수집/샘플 이미징에 필요한 시간의 10% 미만이 소요된다. 보다 바람직하게는, 유효성을 검사하는 데 데이터 수집/샘플 이미징에 필요한 시간의 5% 미만 또는 1% 미만이 걸린다. 또는 실시간으로 유효성을 검사하는 것은 5분 이내, 보다 바람직하게는 3분 이내 또는 1분 이내로 유효성을 검사하는 것으로 정의할 수 있다. 대안적인 실시예에 따르면, 실시간으로 층 데이터 세트의 유효성을 검사하는 것은 실시간 이미지 처리를 포함하며, 여기서 실시간 이미징은 시스템 컴퓨터 아키텍처와 관련하여 위에서 규정된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 층 데이터 세트의 유효성을 검사하는 것은 다음 디레이어링 단계가 수행되기 전에 유효성이 없는 경우 3D 샘플의 현재 층의 즉각적인 리이미징을 트리거한다. 이것은 필요한 유효성/정확도를 가진 층 데이터 세트가 얻어지기 전에 층을 파괴하는 것을 방지한다.
다른 바람직한 실시예에 따르면, 층 데이터 세트의 유효성을 검사하는 것은 다음 디레이어링 단계가 수행되기 전에 3D 샘플의 리-디레이어링(re-delayering)을 트리거한다. 예를 들어 실제 디레이어링이 충분히 정확하게 수행되지 않아 필요한 정확도로 각 층을 이미징하는 것이 복잡해질 수 있다. 이러한 경우에, 리-디레이어링은 바람직하게는 현재 디레이어링을 개선하여 필요한 품질을 갖는 물리적 층이 다중-빔 입자 현미경에 제시될 수 있도록 하는 것을 포함한다. 일반적으로 리-디레이어링에서 샘플의 더 얇은 층이 디레이어링에서 제거되어 원래 층과 여전히 동일한 구조를 나타내는 물리적 층이 디레이어링 후 다중-빔 입자 현미경에 표시될 수 있다. 따라서, 리-디레이어링 동안 제거될 층의 두께는 디레이어링 프로세스 동안 일반적으로 제거되는 층의 두께의 최대 50%, 디레이어링 프로세스 동안 일반적으로 제거되는 층의 두께의 보다 바람직하게는 20% 미만, 또는 심지어 10% 미만이다. 대안적으로, 3D 샘플의 리-디레이어링은 정확히 동일한 유형의 다른 3D 샘플이 새로 디레이어링되어야 한다는 점에서 3D 샘플의 완전한 디레이어링을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 층 데이터 세트의 유효성을 검사하는 것은 다음 디레이어링 단계가 수행되기 전에 유효성이 없는 경우 다중-빔 입자 현미경을 재교정(recalibrate)을 트리거한다. 여기서 재교정은 향후 이미징 작업이 필요한 정확도로 수행되도록 한다. 이미 수집된 데이터 세트를 다시 가져올 필요는 없다. 그러나 이 작업도 수행할 수 있다.
본 발명의 다른 바람직한 실시예에 따르면, 층 데이터 세트의 유효성을 검사하는 것은 추후 검사를 위한 플래그 설정을 트리거한다. 추후 검사는 자동 추후 검사 또는 수동 추후 검사 또는 이들의 조합일 수 있다.
본 발명의 제3 측면에 따르면, 본 발명은 전술한 바와 같은 방법을 수행하기 위한 프로그램 코드를 갖는 컴퓨터 프로그램 제품에 관한 것이다. 프로그램 코드는 여러 부분으로 구성될 수 있으며 적절한 프로그램 언어로 프로그래밍할 수 있다.
기술적인 모순이 발생하지 않는 한 본 발명의 설명된 실시예를 서로 결합하는 것이 가능하다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조하여 보다 완전하게 이해될 것이다.
도 1: 다중-빔 전하 입자 시스템의 실시예의 스케치;
도 2: 3D 샘플을 층별로 이미징하기 위한 다중-빔 입자 현미경과 제1 실시예에 따른 다중-계층 아키텍쳐를 갖는 컴퓨터 시스템을 포함하는 시스템의 스케치;
도 3: 일 실시예에 따른 피드백 루프의 구현을 예시하는 스케치.
도 4: 3D 샘플을 층별로 이미징하기 위한 다중-빔 입자 현미경 및 본 발명의 제2 실시예에 따른 다중-계층 아키텍쳐를 가진 컴퓨터 시스템을 포함하는 시스템을 나타내는 스케치.
도 5: 검출 채널 그룹화를 설명하는 스케치;
도 6: 91개의 단일 시야(sFOV)가 있는 다중 시야(mFOV)를 보여주는 스케치;
도 7: 하나의 mFOV 내에서 최적화된 검출 채널 그룹을 보여주는 스케치;
도 8: mFOV 간의 최적화된 검출 채널 그룹을 보여주는 스케치.
도 1은 다중 입자 빔을 사용하는 입자 빔 시스템(1)의 스케치이다. 입자 빔 시스템(1)은 전자가 오브젝트로부터 방출되도록 하고 후속적으로 이들을 검출하기 위해 검사될 오브젝트에 입사하는 다중 입자 빔을 생성한다. 입자 빔 시스템(1)은 복수의 전자빔 스폿을 생성하는 오브젝트(7)의 표면상의 위치(5)에 입사하는 복수의 1차 전자빔(3)을 사용하는 주사형 전자 현미경 유형(SEM)이다. 검사될 오브젝트(7)는 임의의 원하는 종류일 수 있으며, 예를 들어 반도체 웨이퍼, 생물학적 또는 재료 샘플 및 소형화된 요소의 배열 등을 포함할 수 있다. 오브젝트(7)의 표면은 오브젝티브 렌즈 시스템(100)의 오브젝티브 렌즈(102)의 오브젝트 평면(101)에 배열된다.
도 1의 확대 단면 I1은 평면(101)에 형성된 입사 위치(5)의 규칙적인 직사각형 어레이(103)를 갖는 오브젝트 평면(101)의 평면도를 도시한다. 도 1의 입사 위치의 숫자는 25이며, 5x5 어레이(103)를 형성한다. 입사 위치의 숫자 25는 단순화된 표현을 위해 선택된 소수이다. 실제로, 빔의 수 및/또는 입사 위치는 예를 들어, 20×30, 100×100로 훨씬 더 크게 선택될 수 있다.
도시된 실시예에서, 입사 위치(5)의 어레이(103)는 인접한 입사 위치 사이에 일정한 거리(P1)를 갖는 실질적으로 규칙적인 직사각형 어레이이다. 거리(P1)의 예시적인 값은 1 마이크로미터, 10 마이크로미터 및 40 마이크로미터이다. 그러나, 어레이(103)가 예를 들어 육각 대칭과 같은 다른 대칭을 갖는 것도 가능하다.
오브젝트 평면(101)에 형성되는 빔 스폿의 직경은 작을 수 있다. 직경 값의 예는 1 나노미터, 5 나노미터, 100 나노미터 및 200 나노미터이다. 빔 스폿 형성을 위한 입자 빔(3)의 집속은 오브젝티브 렌즈 시스템(100)에 의해 수행된다.
오브젝트에 입사하는 입자는 오브젝트(7)의 표면에서 방출되는 전자를 생성한다. 오브젝트(7)의 표면에서 방출된 전자는 오브젝티브 렌즈(102)에 의해 전자빔(9)으로 형성된다. 검사 시스템(1)은 검출 시스템(200)에 다수의 전자빔(9)을 공급하기 위한 전자빔 경로(11)를 제공한다. 검출 시스템(200)은 전자 다중 검출기(209) 상으로 전자빔(9)을 지향시키기 위한 투영 렌즈(205)를 갖는 전자 옵틱스를 포함한다.
도 1의 섹션 I2는 전자빔(9)이 특정 위치(213)에 입사되는 개별 검출 영역이 놓여 있는 평면(211)의 평면도를 도시한다. 입사 위치(213)는 서로로부터 일정한 거리(P2)로 어레이(217)에 놓여 있다. 거리(P2)의 예시적인 값은 10 마이크로미터, 100 마이크로미터 및 200 마이크로미터이다.
1차 전자빔(3)은 적어도 하나의 전자 소스(301), 적어도 하나의 시준 렌즈(303), 다중 어퍼쳐 장치(305) 및 필드 렌즈(307)를 포함하는 빔 생성 장치(300)에서 생성된다. 전자 소스(301)는 다중 어퍼쳐 배열(305)을 조명하는 빔(311)을 형성하기 위해 시준 렌즈(303)에 의해 시준되는 발산 전자 빔(309)을 생성한다.
도 1의 섹션 I3은 다중-어퍼쳐 장치(305)의 평면도를 도시한다. 다중-어퍼쳐 장치(305)는 내부에 형성된 복수의 개구 또는 어퍼쳐(315)를 갖는 다중-개구 플레이트(313)를 포함한다. 개구(315)의 중심(317)은 오브젝트 평면(101)의 빔 스폿(5)에 의해 형성되는 어레이(103)에 대응하는 어레이(319)에 배열된다. 어퍼쳐(315)의 중심(317)의 서로로부터의 거리(P3)는 예를 들어 5마이크로미터, 100마이크로미터 및 200마이크로미터를 가질 수 있다. 어퍼쳐(315)의 직경(D)은 어퍼쳐의 중심의 거리(P3)보다 작다. 직경(D)의 예시적인 값은 0.2×P3, 0.4×P3 및 0.8×P3이다.
조명빔(311)의 전자는 어퍼쳐(315)를 관통하여 전자빔(3)을 형성한다. 조명빔(311)의 전자는 플레이트(313)에 입사되어 플레이트(313)에 의해 포획되어 전자빔(3)의 형성에 기여하지 않는다.
임포징된(imposed) 정전기장으로 인해, 다중-어퍼쳐 배열(305)은 빔 초점(323)이 평면(325)에 형성되는 방식으로 전자빔(3)을 포커싱한다. 대안적으로, 빔 초점(323)은 가상 초점일 수 있다. 초점(323)의 직경은 예를 들어 10 나노미터, 100 나노미터 및 1 마이크로미터일 수 있다. 필드 렌즈(307) 및 오브젝티브 렌즈(102)는 오브젝트(7)의 표면상의 빔 스팟 또는 입사의 위치(5)의 어레이(103)를 형성하도록 초점이 형성되는 평면(325)을 오브젝트 평면(101) 상에 이미징하려는 목적으로 제1 이미징 입자 옵틱스를 제공한다. 오브젝티브 렌즈(102) 및 투영 렌즈(205)는 오브젝트 평면(101)을 검출 평면(211) 상에 이미징하기 위한 목적으로 제2 이미징 입자 광학계를 제공한다. 따라서 오브젝티브 렌즈(102), 필드 렌즈(307)는 제1 및 제2 입자 옵틱스의 양쪽 부분인 렌즈이며, 제1 입자 옵틱스와 제2 입자 옵틱스에만 속하고, 투영 렌즈(205)는 제2 입자 옵틱스에만 속한다.
빔 스위치(400)는 다중-어퍼쳐 배열(305)과 오브젝티브 렌즈 시스템(100) 사이의 제1 입자 광학계의 빔 경로에 배열된다. 빔 스위치(400)는 또한 오브젝티브 렌즈 시스템(100)과 검출 시스템(200) 사이의 빔 경로에 있는 제2 입자 광학계의 일부이다.
예를 들어 입자 소스, 다중 어퍼쳐 플레이트 및 렌즈와 같은 다중-빔 검사 시스템 및 여기에 사용되는 구성 요소에 관한 추가 정보는 국제 특허 출원 WO 2005/024881, WO 2007/028595, WO 2007/028596 및 WO 2007/060017 및 출원 번호 DE 10 2013 016 113.4 및 DE 10 2013 014 976.2의 독일 특허 출원에서 얻을 수 있으며, 이의 개시 내용은 참조에 의해 본 출원에 전체가 포함된다.
도시된 다중-빔 입자 현미경(1)은 제어 컴퓨터 시스템(10)에 의해 제어될 수 있다. 제어 컴퓨터 시스템(10)은 하나 이상의 컴퓨터 및/또는 부품을 포함할 수 있다. 제어 컴퓨터 시스템(1)은 또한 예를 들어 이미지 획득 시스템(미도시)을 포함하는 본 발명에 따른 다층 아키텍처를 갖는 컴퓨터 시스템에 연결될 수 있다.
도 2는 3D 샘플을 층별로 이미징하기 위한 다중-빔 입자 현미경(1)과 다층 아키텍처를 가진 컴퓨터 시스템을 포함하는 시스템의 스케치이다. 다중-빔 입자 현미경(1)은 도 1과 관련하여 설명된 유형일 수 있다. 그러나 다른 유형일 수도 있다. 도시된 예에서 다중-계층 아키텍쳐를 갖는 컴퓨터 시스템은 컨트롤러(미도시)에 의해 제어되는 3개의 상이한 계층을 포함한다. 다중-빔 입자 현미경(1)으로 측정하여 생성된 데이터가 먼저 계층 1에 들어간다. 이어서, 계층 1에서 처리된 데이터의 적어도 일부가 계층 2에서 추가로 처리된다. 후속적으로, 계층 2에서 처리된 데이터는 적어도 부분적으로 계층 3으로 전송되고 추가 처리된다. 계층 1, 계층 2, 계층 3에서 수행되는 데이터 처리 순서는 데이터 흐름을 나타낸다. 단, 계층 1, 계층 2, 계층 3의 데이터 처리가 상이한 데이터에 대해 동시에 수행되는 것을 명시적으로 배제하지는 않다. 계층 3에서 처리된 데이터는 사용자 인터페이스(520)를 통해 액세스할 수 있다.
보다 구체적으로, 복수의 검출 채널로부터의 데이터가 계층 1에 진입한다. 계층 1은 4개의 처리 시스템(5001, 5002, 5003, 5004)으로 구성된다. 그러나, 계층 1에 있는 4개의 처리 시스템의 수는 예시일 뿐이다. 바람직하게는, 제1 계층의 처리 시스템의 수는 더 많고, 예를 들어 7, 8, 10, 15, 20, 50, 100 또는 그 이상의 처리 시스템일 수 있다. 그러나 묘사된 예에서 검출 채널의 수는 4이고 제1 계층의 처리 시스템 수도 마찬가지이다. 4개의 검출 채널은 다중-빔 입자 현미경(1)에서 시작하여 제1 계층의 복수의 프로세서(5001, 5002, 5003, 5004)로 들어가는 화살표로 표시된다. 처리 시스템(5001, 5002, 5003, 5004) 각각은 하나의 검출 채널의 데이터만을 처리한다. 여기서, 이 간단하게 개략적으로 도시된 실시예에서, 검출 채널 그룹은 또한 단 하나의 검출 채널을 포함한다. 상이한 검출 채널에서 발생하는 데이터를 처리하는 상이한 처리 시스템 사이의 계층 1에서는 데이터 교환이 거의 없거나 거의 없다.
계층 2는 제1 계층의 처리 시스템(5001, 5002, 5003, 5004)으로부터 데이터를 수신하는 4개의 처리 시스템(5005, 5006, 5007, 5008)을 포함한다. 그러나 제1 계층의 처리 시스템(5001, 5002, 5003, 5004)과 제2 계층의 처리 시스템(5005, 5006, 5007, 5008) 사이의 데이터 연결에 대한 고정 할당은 없다. 이것은 이미 계층 2의 박스에서 끝나는 화살표로 표시된다. 표시된 예에서 각 계층의 처리 시스템 수는 4이고 그 수는 동일하다. 그러나 반드시 그런 것은 아니다. 바람직하게는, 제2 계층의 처리 시스템의 수는 제1 계층의 처리 시스템의 수보다 적다. 이는 계층 1에서 수행해야 하는 데이터 처리량에 비해 계층 2에서 수행되는 데이터 처리량 때문이다. 자세한 내용은 후술한다. 계층 2에서는 상이한 처리 시스템(5005, 5006, 5007, 5008) 간의 데이터 교환을 포함하여 실시간 데이터 처리가 수행된다. 계층 2에서 수행되는 이러한 데이터 교환에는 상이한 검출 채널 간의 데이터 교환도 포함된다. 바람직하게는, 상이한 검출 채널로부터 유래하는 데이터도 포함할 수 있는 제2 계층의 상이한 처리 시스템(5005, 5006, 5007, 5008) 사이의 이러한 데이터 교환은 바람직하게는 특정 층과 관련된 데이터인 최근 획득된 데이터에 대해 수행된다. 바람직하게는, 계층 1 및 2에서 수행되는 이미지 처리로 특정 층과 관련된 모든 데이터가 처리될 수 있다.
다중-계층 아키텍쳐를 갖는 컴퓨터 시스템의 제3 계층은 데이터를 처리하기 위한 제3 복수의 처리 시스템(5009, 50010, 50011)을 포함한다. 계층 3은 계층 2로부터 데이터를 수신한다. 바람직하게는 한 계층에서 다음 계층으로의 데이터 흐름은 계층 1에서 계층 3으로 감소한다. 계층 3 내에서 처리 시스템(5009, 50010 및 50011)은 서로 데이터를 교환할 수 있다. 따라서 계층 3에서는 상이한 검출 채널에서 발생하는 데이터가 교환될 수 있다. 또한, 이것은 특정 단일 층에 관한 데이터뿐만 아니라, 복수의 층에 관한 데이터, 특히 모든 층에 관한 데이터에 대해서도 마찬가지이다. 바람직하게는, 데이터 교환은 수집된 3D 데이터 세트의 모든 기존 데이터에 대해 허용된다.
상이한 처리 시스템 간의 데이터 교환으로 인한 네트워크 로드의 양은 계층 1에서 계층 3으로 점차 증가한다. 처리 속도의 감소는 적어도 부분적으로 이러한 증가된 데이터 교환의 결과이다. 도시된 실시예에서, 가장 빠른 데이터 처리는 상이한 채널들 간의 데이터 교환이 전혀 또는 거의 없는 제1 계층에서 수행된다. 그런 다음, 계층 2에서 상이한 처리 시스템 간의 및/또는 한 층 내의 상이한 검출 채널에서 발생하는 데이터의 비교적 간단한 데이터 교환이 허용된다. 마지막으로, 계층 3 내에서 상이한 처리 시스템 사이 및/또는 상이한 검출 채널에서 발생하는 데이터 및 상이한 층에 속하는 데이터의 더 큰 데이터 교환이 수행된다. 처리 속도의 감소는 또한 예를 들어 더 복잡한 계산의 결과일 수 있는 계층 1에서 계층 3으로 증가된 계산 부하로 인해 발생할 수 있다. 따라서 이러한 3 계층 아키텍처는 3D 샘플을 층별로 이미징할 때 기본 측면을 반영한다. 그러나 특정 이미지 처리를 수행하는 다중-계층 아키텍쳐에 제4 계층, 제5 계층 등을 포함하는 것도 가능하다.
원칙적으로, 처리 시스템(5001 내지 50011)은 임의의 유형일 수 있고, 유형은 상이한 처리 시스템(5001 내지 50011)에 대해 동일하거나 부분적으로 동일하거나 완전히 다를 수 있다. 바람직하게는, 처리 시스템(5001 내지 50011)은 중앙 처리 장치(CPU), 그래픽 처리 장치(GPU), 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA) 및/또는 디지털 신호 프로세서(DSP) 또는 이들의 임의의 조합을 포함한다. 제1 계층, 제2 계층, 제3 계층 또는 임의의 다른 계층의 구현 및/또는 배포는 적어도 부분적으로 가상일 수 있다. 대안으로 또는 추가로, 다중-계층 아키텍쳐를 갖는 컴퓨터 시스템은 파이프라이닝을 수행하도록 구성될 수 있다. 특히, 각 계층은 바람직하게는 파이프라이닝을 구현하기 위해 하위 계층으로 세분화될 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 피드백 루프의 구현을 도시하는 스케치이다. 피드백 신호는 도 3의 하단에 화살표로 표시되어 있다. 기본적으로 각 계층의 피드백 신호(계층 1, 계층 2 및 계층 3)는 계층적으로 다음 상위 계층과 다중-빔 입자 현미경(1)으로 보낼 수 있다. 따라서 계층 1은 다중-빔 입자 현미경(1)에만 피드백 신호를 다시 전달할 수 있다. 계층 2는 계층 1 및/또는 다중-빔 입자 현미경(1)에 피드백 신호를 다시 전달할 수 있다. 계층 3은 계층 2와 다중-빔 입자 현미경(1)에 피드백 신호를 전달할 수 있다.
피드백 신호는 도 3의 하단에 화살표로 표시되어 있다.
계층 1에서 다중-빔 입자 현미경(1)으로 다시 전달되는 피드백은 다음 주제 중 하나 이상을 다룰 수 있다:
- 단일 빔 또는 모든 빔의 밝기 및/또는 콘트라스트를 재조정해야 한다.
- 초점 및/또는 스티그메이션(stigmation) 재조정이 필요하다.
- 이미징의 콘트라스트가 부족하다.
- 윤곽 및/또는 아티팩트 검출에 결함이 있다.
따라서, 다음 동작이 계층 1의 피드백 신호에 의해 트리거될 수 있다. 바람직한 실시예에 따르면 이미지의 즉각적인 재촬영(retake)이 트리거될 수 있다. 예를 들어, 스테이지가 이미지 데이터가 플래그 신호를 발생시킨 현재 위치에 있을 때 즉시 이미지를 재촬영하는 것이 바람직하다. 나중에 재촬영하는 것은 스테이지를 다시 옮겨야 하고 또한 재촬영하기 위한 정확한 위치를 찾아야 하기 때문에 시간이 더 많이 걸린다. 계층 2 또는/및 계층 3에서 나중에 검사하기 위해 이미지에 플래그가 지정될 수도 있다. 이미지에 아티팩트가 너무 많으면 리-디레이어링을 고려하거나 자동으로 수행해야 한다. 데이터가 컨텍스트에 잘 맞지 않는 경우, 예를 들어 불량한 스티칭 결과가 검출되면 피드백 신호는 다중-빔 입자 현미경(1)을 재보정해야 할 필요성을 나타낼 수 있다.
계층 2는 계층 1 및/또는 다중-빔 입자 현미경(1)에 피드백을 보낼 수 있다. 피드백은 예를 들어 다음 측면 중 하나 이상에 대한 정보와 관련될 수 있다:
- 단일 빔, 여러 빔 또는 모든 빔의 밝기 및/또는 대비를 다시 조정해야 한다.
- 초점 및/또는 스티그메이션 재조정이 필요하다.
피드백 신호가 작업을 트리거하는 경우 이러한 작업은 다음 중 하나 이상을 포함할 수 있다:
- 하나 이상의 이미지를 즉시 재촬영;
- 계층 3에서 또는 사용자를 통한 추후 검사를 위한 플래그 영역;
- 계층 3에서의 추후 검사를 위한 플래그 이미지 또는 플래그 이미지들;
- 과다한 아티팩트가 존재하기 때문에 리-디레이어링이 고려되어야 한다;
- 데이터가 데이터 컨텍스트 및/또는 데이터 베이스에 잘 맞지 않음 - 사용자에게 플래그;
- 스티칭이 불완전함 - 다중-빔 입자 현미경(1)을 재조정;
- 컨투어 검출가 불완전함 - 다중-빔 입자 현미경을 재조정하고 그리고/또는 디레이어링 파라미터를 변경;
- 디레이어링 아티팩트가 보임 - 디레이어링 하고 그리고/또는 디레이어링 파라미터를 변경.
계층 3은 계층 2에 그리고/또는 다중-빔 입자 현미경(1)에 피드백을 전송할 수 있다. 다른 피드백 신호 및/또는 트리거 동작도 가능하다:
- 이미지 위치 교정은 재조정이 필요하다;
- 사용자에 의한 추후 검사를 위한 플래그 이미지 또는 플래그 이미지들;
- 과다한 아티팩트의 경우 리-디레이어링이 고려되어야 한다;
- 데이터가 데이터 컨텍스트 및/또는 데이터 베이스에 잘 맞지 않음 - 사용자에게 플래그;
- 3D 스티칭이 불완전함 - 다중-빔 입자 현미경(1)을 재조정;
- 컨투어 검출 및/또는 렌더링(rendering)이 불완전함 - 다중-빔 입자 현미경(1)을 재조정하고 그리고/또는 디레이어링 파라미터를 변경;
- 디레이어링 아티팩트가 보임 - 리-디레이어링하고 그리고/또는 디레이어링 파라미터를 변경.
다른 피드백 신호 및/또는 트리거 동작이 또한 가능하다.
계층 1, 계층 2 및 계층 3과 해당 처리 시스템은 컨트롤러 CTRL에 의해 제어된다. 컨트롤러는 데이터 처리 작업, 특히 계층 1, 계층 2 및/또는 계층 3에서 수행되는 데이터 수정을 제어한다. 특히 데이터 수정은 개별적으로 켜고 끌 수 있다. 별도의 컨트롤러를 제공하는 대신 계층 1, 2 또는/및 3에 대한 제어 기능을 다른 컴퓨터 또는 처리 시스템, 예를 들어 계층 1의 처리 시스템에 통합할 수 있다. 대안적으로 제어 기능은 다중-빔 입자 현미경(1)을 제어하기 위한 제어 컴퓨터 시스템(10)에 통합된다(도 4 참조).
도 4는 다중-빔 입자 현미경(1) 및 3개의 계층을 포함하는 다중 계층 구조를 갖는 컴퓨터 시스템을 포함하는 시스템의 실시예의 스케치이다. 도 4에 도시된 실시예는 도 2(다층 아키텍처) 및 도 3(피드백 신호)와 관련하여 이미 도시되고 설명된 본 발명의 측면들의 조합이다. 추가로, 도 4는 전체 시스템에서 네트워크 부하/데이터 흐름의 양을 나타낸다. 데이터의 양은 도 4에서 화살표의 굵기로 표시된다. 굵은 화살표는 많은 양의 데이터를 나타내고, 좁은 화살표는 적은 양의 데이터를 나타낸다. 완성도를 위해 최종 처리된 데이터를 위한 스토리지(530)도 함께 도시하였다.
다중-빔 입자 현미경(1)으로부터 계층 1의 처리 시스템(5001 내지 5007)으로 전달되는 데이터의 양은 많다. 계층 1에서 데이터의 병렬 처리는 상이한 처리 시스템 및/또는 검출 채널 간의 데이터 교환 없이 수행된다. 계층 1에서 처리된 대부분의 데이터는 스토리지(530)로 직접 간다. 스토리지(530)에 기록하기 위한 데이터 속도는 초당 10기가바이트 이상에 도달할 수 있다. 이 스토리지(530)에 있는 데이터의 양은 이에 상응하게 크고: 수십 페타바이트 정도의 크기일 수 있다.
계층 1의 데이터 일부는 계층 2 및 해당 처리 시스템(5008 내지 50011)으로 전송된다. 여기서 상이한 검출 채널에서 발생하는 데이터 교환을 포함하여 상이한 처리 시스템(5008 내지 50011) 간의 데이터 교환이 수행된다. 그런 다음 다시 한 번 계층 2에서 처리된 데이터의 일부는 스토리지(530)로 직접 이동한다. 데이터의 나머지 부분은 3개의 처리 시스템(50012 내지 50014)을 통해 계층 3으로 전달된다. 여기서 상이한 처리 시스템 간의 데이터 교환이 허용되고, 또한 3D 샘플을 나타내는 3D 데이터 세트의 상이한 층에 속하는 층 데이터 세트 간의 탑 데이터(top data) 교환 및 상이한 검출 채널로부터 발생하는 데이터의 처리를 포함한다. 계층 3에서 처리된 나머지 데이터는 스토리지(530)에 입력된다. 사용자 인터페이스(520)는 저장소(530)에 액세스할 수 있으며 데이터를 추가로 조사할 수 있다.
부가적으로, 피드백 루프는 이전 계층으로 돌아가고 그리고/또는 다중-빔 입자 현미경(1)으로 직접 돌아가며, 여기서 더 정확하게는 다중-빔 입자 현미경(1)을 제어하기 위한 제어 컴퓨터 시스템(10)으로 돌아가는 도 4에 도시된다. 또한 제어 컴퓨터 시스템(10)은 다중-빔 입자 현미경(1)에서 멀리 떨어져 제공되고 그리고/또는 계층 1, 2 및 3에서 수행되는 이미지 처리에 사용되는 하드웨어에 포함될 수 있다. 다시 말하지만, 계층 1, 2 및 3의 구현도 적어도 부분적으로는 가상일 수 있다.
도 5는 검출 채널 그룹화를 예시하는 스케치를 도시한다. 여기서, 계층 1의 각 처리 시스템(5001 내지 500n)은 복수의 검출 채널로부터 각각 데이터를 수신한다. 표시된 예에서 8개의 검출 채널이 함께 그룹화되어 각각 1개의 처리 시스템(5001 내지 500n)에 대한 입력을 전달한다. 완전성을 위해, 검출 채널의 데이터의 기원이 또한 개략적으로 도시되어 있다: 다중-빔 입자 현미경(1)의 검출 시스템(200)은 광 검출기뿐만 아니라 입자 검출기를 포함할 수 있다. 입자 검출기의 신호를 광으로 변환하여 검출 채널별로 각각의 광 검출기로 광을 검출하는 것은 매우 일반적이다. 도 5는 검출 영역에 할당된 각각의 광 검출기(241)를 나타낸다. 광 검출기(241)는 예를 들어 애벌랜치 포토다이오드(Avalanche photo diode; APD)에 의해 구현될 수 있다. 광 검출기(241)는 프레임 그래버(507)에 연결된 신호 라인(245)을 통해 전기 신호를 방출한다. 프레임 그래버(507)는 각각 검출된 입자 강도를 이미지의 그레이 값으로 변환하고 이를 이미지의 위치에 할당함으로써 이미지 정보를 생성한다. 이미지 정보는 2차원이며 후속적으로 주소 지정이 가능하도록 선형 데이터 저장 수단에 열 단위 또는 행 단위 방식으로 저장될 수 있다. 검출된 각각의 이미지에 대한 이미지 정보는 프레임 그래버(507)로부터 처리 시스템(5001, 500n)으로 전송되고 그곳에서 메인 메모리에 직접 기록된다. 광 검출기(241) 및 프레임 그래버(507)는 변환기에 대한 예를 제공한다. 변환기는 각각의 검출 영역에 할당되고 검출 영역에 입사하는 입자 강도를 나타내는 전기 신호를 생성하도록 구성된다. 다른 종류의 변환기를 포함하는 다른 검출 시스템, 예를 들어 전자/홀 쌍(electron/ hole pairs)이 생성되는 장벽 층을 포함하는 검출기도 가능하다.
따라서, 계층 1의 복수의 처리 시스템(5001, 500n)은 이미지 기록 컴퓨터 시스템을 제공한다. 도시된 예에서, 제1 계층의 처리 시스템(5001, 500n) 각각에 연결된 프레임 그래버(507)의 수는 복수의 프레임 그래버(507)에 의해 생성된 이미지 데이터가 처리 시스템(5001, 500n)에 의해 실시간으로 처리될 수 있도록 하는 것이다. 도시된 예시적인 실시예에서, 최대 8개의 프레임 그래버(507)가 하나의 처리 시스템(500)에 연결된다. 각각의 처리 시스템(5001, 500n)은 고속 메모리를 갖고, 프레임 그래버(507)에 의해 생성된 이미지 데이터는 추가 처리를 위해 저장된다. 바람직하게는, 이미지 프로세서(5001, 500n)는 멀티 처리 유닛을 포함하고, 하나의 처리 시스템(5001, 500n)의 모든 멀티 처리 유닛은 각각의 처리 시스템(5001, 500n) 내의 메인 메모리를 주소 지정할 수 있다. 동일한 처리 시스템 내의 이미지 처리가 상당히 빠르며 상이한 검출 채널들 간의 데이터 교환이 필수적이더라도, 이러한 교환은 동일한 메모리, 특히 처리 시스템(500)의 동일한 RAM에 개별적인 검출 채널들을 표시하는 데이터가 저장될 경우 비교적 빠르게 수행될 수 있다. 따라서, 상이한 검출 채널이 함께 그룹화되는 방법 및 특정 처리 시스템(500)에 할당되는 방법이 가능한 처리 속도에 영향을 미친다. 본 발명에 따르면, 이러한 발견은 다층 아키텍처가 적어도 부분적으로 가상으로 실현될 때 특히 중요하다. 이는 하드웨어 처리 시스템(500)이 계층 1의 부분과 계층 2의 부분을 동시에 나타낼 수 있음을 의미한다. 공통 이미지 처리 시스템의 데이터 처리는 가상 계층 아키텍처에서 수행할 수 있고; 여전히 하드웨어 처리 시스템에 대한 검출 채널의 물리적 할당은 처리 속도를 최적화하기 위해 중요하다. 채널을 함께 그룹화하는 개념은 도 6 내지 도 8을 참조하여 더 설명될 것이다.
도 6은 91개의 단일 시야(sFOV)를 갖는 다중 시야(mFOV)를 예시하는 간단한 스케치이다. 원칙적으로 이러한 sFOV의 번호는 임의적이다. 묘사된 예에서 중앙 sFOV는 1로 표시된다. 이 중앙 sFOV 1번 주변에는 6개의 sFOV 2 내지 7이 있는 쉘이 표시된다. 다음 쉘은 sFOV 8 내지 19 등으로 구성된다. 전체적으로 91개의 sFOV가 있는 육각형 구조가 하나의 mFOV를 생성하는 것으로 표시된다.
도 7은 91 sFOV를 갖는 하나의 mFOV 내에서 최적화된 검출 채널 그룹화를 예시하는 스케치이다. 검출 채널의 다른 그룹은 다른 문자로 레이블이 지정된다. 91개의 sFOV가 있는 본 예에서는 12개의 그룹 A에서 L이 표시된다. 각 검출 채널 그룹의 데이터는 계층 1 및/또는 계층 2의 동일한 처리 시스템(500)에 의해 처리된다. 각 검출 채널 그룹 A 내지 L에 대한 검출 채널 할당은 토폴로지 설계 고려 사항을 기반으로 하는 시스템을 기초로 상이한 이미지 처리 간의 이미지 처리 동안 데이터 교환을 줄이도록 구성된다. 바람직하게는 그룹화를 최적화하기 위한 규칙은 다음과 같다:
- 하나의 처리 시스템/획득 시스템(500) 내에서 두 개 이상의 검출 채널 사이에서 가능한 한 많은 데이터 전송이 발생하도록 다중 시야 mFOV에서 검출기를 그룹화한다.
- 상이한 검출 채널 사이에서 가능한 한 적은 데이터 전송이 임의의 2개의 처리 시스템/이미지 획득 시스템(500) 사이에서 발생한다.
- 토폴로지 최적화: "영역"(하나의 프로세서/이미지 획득 시스템(500)에 있는 검출기의 수) 대 "둘레"(다른 처리 시스템/이미지 획득 시스템(500)에 이웃 검출기가 있는 검출기의 수)의 비율을 가능한 한 크게 한다.
도 7에 도시된 그룹화는 최대 8개의 검출 채널이 제1 계층 및/또는 제2 계층에서 하나의 처리 시스템(500)에 의해 처리될 수 있는 경우 바람직하다. 다른 솔루션도 존재한다.
3D 샘플의 전체 층의 이미지가 복수의 mFOV에 의해 구축된다는 점을 고려할 때 추가적인 토폴로지 설계 고려 사항도 고려하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 층 내의 스티칭 절차와 같이 데이터 교환을 위해 상이한 mFOV의 검출 채널이 쌍을 이루어야 하는 것은 중요한 측면이다. 페어링은 상이한 처리 시스템 간의 데이터 교환을 줄이기 위해 토폴로지 설계 고려 사항을 기반으로 할 수 있으므로 네트워크 부하를 줄여 전체 이미지 처리 속도를 높일 수 있다.
이러한 시나리오에 대한 바람직한 솔루션이 도 8에 도시되어 있다. 도 8은 mFOV의 검출 채널 그룹을 도시한 스케치이다. 4개의 mFOV 1 내지 4가 도시되어 있으며 스테이지 이동 시 sFOV의 인접 관계가 표시된다. mFOV1과 mFOV2 사이의 경계에서 mFOV1의 검출 채널 그룹 L은 가장 바깥쪽 위치에 3개의 검출 채널이 있으며 각각은 mFOV2의 검출 채널 그룹 J에 속하는 검출 채널을 마주하고 있다. 이 그룹화는 박스(601)로 표시된다. 유사하게, 검출 채널 그룹 F에 속하는 mFOV1의 2개의 검출 채널은 박스(602)로 표시된 mFOV2의 검출 채널 그룹 I에 속하는 2개의 검출 채널과 면한다. 또한, mFOV3의 경계에 위치한 mFOV1의 채널 그룹 H에 속하는 3개의 검출 채널은 박스(610)로 표시된 mFOV3의 검출 채널 그룹 L에 속하는 3개의 검출 채널을 면한다. mFOV1의 검출 채널 그룹 I에 속하는 3개의 검출 채널은 박스(609)로 표시된 mFOV3 상의 검출 채널 그룹 K에 속하는 2개의 검출 채널을 면한다. 참조 부호(603 내지 608)는 또한 상이한 mFOV 간의 검출 채널 그룹의 페어링을 예시하기 위한 박스를 나타낸다. 따라서 상이한 처리 시스템 간의 데이터 교환은 최대 하나 또는 두 개의 상이한 검출 채널 그룹에 속하는 인접 검출 채널 쌍을 포함하는 박스를 가능한 한 크게 만들어 감소될 수 있다.
묘사된 예에서 91개의 sFOV와 페어링하는 측면에서 더 복잡한 영역은 영역(608) 주변이다. 여기서, mFOV4에서, 검출 채널(70 및 71)(도 6에 표시된 번호 지정 사용)은 상이한 검출 채널 그룹 D 및 K에 속한다. 여전히 인접 mFOV1에서 검출 채널(83 및 84)는 모두 검출 채널 그룹 G에 속한다.

Claims (19)

  1. 시스템으로서,
    3D 샘플을 이미징하기 위한 다중-빔 입자 현미경, 및
    다중-계층(multi-tier) 아키텍처를 갖는 컴퓨터 시스템을 포함하고;
    상기 다중-빔 입자 현미경은:
    복수의 제1 입자 빔의 제1 어레이를 생성하도록 구성된 다중-빔 소스;
    상기 제1 입자 빔이 제2 어레이를 형성하는 오브젝트 상의 입사 위치들에 입사하도록 상기 제1 입자 빔을 상기 오브젝트 상으로 지향시키도록 구성된 제1 입자 옵틱스;
    복수의 검출 영역을 포함하는 하나의 검출기 또는 적어도 하나의 검출 영역을 각각 갖는 복수의 검출기 - 상기 검출 영역은 제3 어레이에 배열되고, 상기 검출기 또는 상기 복수의 검출기는 복수의 변환기를 포함하고, 변환기는 각각 검출 영역에 할당되고 상기 검출 영역에 입사하는 입자 강도를 나타내는 전기 신호를 생성하도록 구성되고, 상기 복수의 검출 영역 및 할당된 상기 복수의 변환기는 개별적으로 복수의 검출 채널을 형성하며, 상기 검출 채널은 복수의 검출 채널 그룹에 할당됨 - ;
    각각의 제2 입자 빔이 상기 제3 어레이에 배열된 상기 검출 영역들 중 적어도 하나의 검출 영역에 입사하도록 상기 제2 어레이의 입사 위치로부터 방출된 제2 입자 빔을 상기 검출 영역의 상기 제3 어레이로 지향시키도록 구성된 제2 입자 옵틱스; 및
    상기 다중-빔 입자 현미경을 제어하기 위한 제어 컴퓨터 시스템을 포함하고;
    상기 다중-계층 아키텍쳐를 갖는 상기 컴퓨터 시스템은:
    데이터를 처리하기 위한 제1 복수의 처리 시스템을 포함하는 제1 계층; 및
    데이터를 처리하기 위한 제2 복수의 처리 시스템을 포함하는 제2 계층을 포함하며;
    상기 제1 복수의 처리 시스템의 각각의 처리 시스템은 할당된 검출 채널 그룹으로부터 독점적으로 검출 신호를 수신하도록 구성되고, 상기 제1 계층의 상기 제1 복수의 처리 시스템은 데이터의 처리를 기본적으로 또는 전체적으로 상기 제1 복수의 처리 시스템의 상이한 처리 시스템들 간의 임의의 데이터 교환 없이 수행하도록 구성되고; 그리고
    상기 제2 계층의 상기 제2 복수의 처리 시스템은 상기 제1 계층의 상기 복수의 제1 처리 시스템 중 적어도 하나의 처리 시스템으로부터 데이터를 수신하도록 구성되며, 상기 제2 계층의 상이한 처리 시스템들 간의, 특히 최근에 획득한 데이터에 대한, 데이터 교환을 포함하는 데이터의 처리를 수행하도록 구성되는, 시스템.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 다중-계층 아키텍처를 갖는 상기 컴퓨터 시스템은 데이터를 처리하기 위한 제3 복수의 처리 시스템을 갖는 제3 계층을 더 포함하고;
    상기 제3 계층의 상기 제3 복수의 처리 시스템은 상기 제2 계층의 상기 복수의 제2 처리 시스템 중 적어도 하나의 처리 시스템으로부터 데이터를 수신하도록 구성되고, 상기 제3 계층의 상이한 처리 시스템들 간의, 특히 모든 기존 데이터에 대한, 데이터 교환을 포함하는 데이터의 처리를 수행하도록 구성되는, 시스템.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 처리 시스템은 중앙 처리 장치(CPU), 전역 처리 장치(GPU), 필드 프로그래머블 게이트 어레이(FPGA) 및/또는 디지털 신호 프로세서(DSP) 또는 이들의 조합을 포함하는, 시스템.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 처리 시스템은 다중 처리 유닛을 포함하는, 시스템.
  5. 청구항 1 내지 청구항 4 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 계층의 제1 복수의 처리 시스템 중 적어도 하나의 처리 시스템은 복수의 변환기로부터 전기 신호를 수신하도록 구성되고, 복수의 검출 채널에 대해 이미지 처리를 수행하도록 구성되며, 상기 복수의 검출 채널의 데이터는 적어도 하나의 처리 시스템의 동일한 메모리, 특히 동일한 RAM에 저장되는, 시스템.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서,
    검출 채널들의 개별적인 검출 채널 그룹들에 대한 할당은 토폴로지 설계 고려사항에 기초한 이미지 처리 동안 상이한 처리 시스템들 간의 데이터 교환을 최소화하도록 구성되는, 시스템.
  7. 청구항 2 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 계층, 상기 제2 계층 및/또는 상기 제3 계층의 구현 및/또는 배포는 적어도 부분적으로 가상인, 시스템.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 다층 아키텍처를 갖는 상기 컴퓨터 시스템은 파이프라이닝(pipelining)을 수행하도록 구성되는, 시스템.
  9. 청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 계층은 상기 다중-빔 입자 현미경의 상기 제어 컴퓨터 시스템에 피드백 신호를 전송하도록 구성되는, 시스템.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2 계층은 상기 다중-빔 입자 현미경의 상기 제어 컴퓨터 시스템 및/또는 상기 제1 계층에 피드백 신호를 전송하도록 구성되는, 시스템.
  11. 청구항 9 또는 청구항 10에 있어서, 상기 제어 컴퓨터 시스템으로 전송된 피드백 신호는 상기 다중-빔 입자 현미경으로 상기 3D 샘플의 층의 적어도 일부를 즉시 리이미징(re-imaging)하도록 하는, 시스템.
  12. 청구항 2 내지 청구항 11 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제3 계층은 다중-빔 입자 현미경의 상기 제어 컴퓨터 시스템 및/또는 상기 제2 계층에 피드백 신호를 전송하도록 구성되는, 시스템.
  13. 청구항 1 내지 청구항 12 중 어느 한 항에 있어서, 상기 3D 샘플을 디레이어링하기(delayering) 위한 디레이어링 유닛을 더 포함하는, 시스템.
  14. 특히 시스템 청구항 1 내지 청구항 13 중 어느 한 항에 기재된 시스템에 의해 3D 샘플을 층별로 이미징하는 방법으로서,
    a. 3D 샘플을 디레이어링하여 이미징될 상기 3D 샘플의 층을 생성하는 단계;
    b. 다중-빔 입자 현미경에 의해 상기 3D 샘플의 층을 이미징하여 층 데이터 세트를 얻는 단계;
    c. 상기 층 데이터 세트의 유효성을 실시간으로 검사하는 단계; 및
    유효성이 긍정일 경우, 단계 a. 내지 단계 c.를 반복하여 수행하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 층 데이터 세트의 유효성을 검사하는 단계는 유효성이 없는 경우 다음 디레이어링 단계가 수행되기 전에 상기 3D 샘플의 현재 층의 즉각적인 리이미징을 트리거하는, 방법.
  16. 청구항 14 또는 청구항 15에 있어서, 상기 층 데이터 세트의 유효성을 검사하는 단계는 다음 디레이어링 단계가 수행되기 전에 상기 3D 샘플의 리-디레이어링(re-delayering)을 트리거하는, 방법.
  17. 청구항 14 내지 청구항 16 중 어느 한 항에 있어서, 상기 층 데이터 세트의 유효성을 검사하는 단계는 유효성이 없는 경우 다음 디레이어링 단계가 수행되기 전에 다중-빔 입자 현미경의 재교정(recalibrate)을 트리거하는, 방법.
  18. 청구항 14 내지 청구항 17 중 어느 한 항에 있어서, 상기 층 데이터 세트의 유효성을 검사하는 단계는 추후 점검을 위한 플래그 설정을 트리거하는, 방법.
  19. 청구항 14 내지 청구항 18 중 어느 한 항에 기재된 방법을 수행하기 위한 프로그램 코드를 갖는 컴퓨터 프로그램 제품.
KR1020217026895A 2019-01-24 2020-01-14 다중-빔 입자 현미경을 포함하는 시스템 및 그 작동 방법 KR20210118445A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102019000470 2019-01-24
DE102019000470.1 2019-01-24
PCT/EP2020/000012 WO2020151904A2 (en) 2019-01-24 2020-01-14 System comprising a multi-beam particle microscope and method for operating the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210118445A true KR20210118445A (ko) 2021-09-30

Family

ID=69232815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217026895A KR20210118445A (ko) 2019-01-24 2020-01-14 다중-빔 입자 현미경을 포함하는 시스템 및 그 작동 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US11935721B2 (ko)
EP (1) EP3915131A2 (ko)
JP (1) JP7498719B2 (ko)
KR (1) KR20210118445A (ko)
CN (1) CN113424292A (ko)
TW (1) TWI743626B (ko)
WO (1) WO2020151904A2 (ko)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015202172B4 (de) 2015-02-06 2017-01-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts
DE102018202428B3 (de) 2018-02-16 2019-05-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop
DE102018202421B3 (de) 2018-02-16 2019-07-11 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
CN112055886A (zh) 2018-02-27 2020-12-08 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 带电粒子多束系统及方法
US10811215B2 (en) 2018-05-21 2020-10-20 Carl Zeiss Multisem Gmbh Charged particle beam system
DE102018007455B4 (de) 2018-09-21 2020-07-09 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt
DE102018007652B4 (de) 2018-09-27 2021-03-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen
DE102018124044B3 (de) 2018-09-28 2020-02-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
TWI743626B (zh) 2019-01-24 2021-10-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品
CN111477530B (zh) 2019-01-24 2023-05-05 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法
DE102021200799B3 (de) 2021-01-29 2022-03-31 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren mit verbesserter Fokuseinstellung unter Berücksichtigung eines Bildebenenkipps in einem Vielzahl-Teilchenstrahlmikroskop
KR20240042652A (ko) 2021-08-10 2024-04-02 칼 짜이스 멀티셈 게엠베하 증가한 집속 파워를 갖는 멀티-빔 생성 유닛
WO2023143858A1 (en) 2022-01-25 2023-08-03 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multiple charged particle beam system with a mirror mode of operation, method for operating a multi-beam charged particle microscope system with a mirror mode of operation and associated computer program product
WO2024008329A1 (en) 2022-07-07 2024-01-11 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle microscope design with mirror for field curvature correction
US20240128051A1 (en) 2022-10-14 2024-04-18 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle beam system with anisotropic filtering for improved image contrast

Family Cites Families (122)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52119178A (en) 1976-03-31 1977-10-06 Toshiba Corp Electron beam exposure device
CA1100237A (en) 1977-03-23 1981-04-28 Roger F.W. Pease Multiple electron beam exposure system
US4200794A (en) 1978-11-08 1980-04-29 Control Data Corporation Micro lens array and micro deflector assembly for fly's eye electron beam tubes using silicon components and techniques of fabrication and assembly
US4338548A (en) 1980-01-30 1982-07-06 Control Data Corporation Unipotential lens assembly for charged particle beam tubes and method for applying correction potentials thereto
JPS59184524A (ja) 1983-04-04 1984-10-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電子ビ−ム露光装置
JPS6042825A (ja) 1983-08-19 1985-03-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電ビ−ム露光装置
JPS60105229A (ja) 1983-11-14 1985-06-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 荷電ビ−ム露光装置
JPH0789530B2 (ja) 1985-05-17 1995-09-27 日本電信電話株式会社 荷電ビ−ム露光装置
US4742234A (en) 1985-09-27 1988-05-03 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Charged-particle-beam lithography
JP2523931B2 (ja) 1990-04-16 1996-08-14 富士通株式会社 ブランキングアパ―チャアレ―の製造方法
EP0794552B1 (en) 1996-03-04 2007-11-14 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus and method, and device manufacturing method
US5892224A (en) * 1996-05-13 1999-04-06 Nikon Corporation Apparatus and methods for inspecting wafers and masks using multiple charged-particle beams
JP3728015B2 (ja) 1996-06-12 2005-12-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光システム及びそれを用いたデバイス製造方法
JP3927620B2 (ja) 1996-06-12 2007-06-13 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
JP3796317B2 (ja) 1996-06-12 2006-07-12 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
US5981954A (en) 1997-01-16 1999-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus
US6107636A (en) 1997-02-07 2000-08-22 Canon Kabushiki Kaisha Electron beam exposure apparatus and its control method
JP3787417B2 (ja) 1997-06-11 2006-06-21 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及び電子ビーム露光装置
US6333508B1 (en) 1999-10-07 2001-12-25 Lucent Technologies, Inc. Illumination system for electron beam lithography tool
JP3763446B2 (ja) 1999-10-18 2006-04-05 キヤノン株式会社 静電レンズ、電子ビーム描画装置、荷電ビーム応用装置、および、デバイス製造方法
JP4947841B2 (ja) 2000-03-31 2012-06-06 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置
JP4585661B2 (ja) 2000-03-31 2010-11-24 キヤノン株式会社 電子光学系アレイ、荷電粒子線露光装置およびデバイス製造方法
JP2001284230A (ja) 2000-03-31 2001-10-12 Canon Inc 電子光学系アレイ、これを用いた荷電粒子線露光装置ならびにデバイス製造方法
US6787780B2 (en) 2000-04-04 2004-09-07 Advantest Corporation Multi-beam exposure apparatus using a multi-axis electron lens, fabrication method of a semiconductor device
EP1150327B1 (en) 2000-04-27 2018-02-14 ICT, Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Multi beam charged particle device
EP1296351A4 (en) 2000-06-27 2009-09-23 Ebara Corp INVESTIGATION DEVICE FOR LOADED PARTICLE RAYS AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT ELEVATED WITH THIS INSPECTION DEVICE
US7241993B2 (en) 2000-06-27 2007-07-10 Ebara Corporation Inspection system by charged particle beam and method of manufacturing devices using the system
DE60134922D1 (de) 2000-08-14 2008-09-04 Elith Llc Lithographischer Apparat
EP1271604A4 (en) 2001-01-10 2005-05-25 Ebara Corp EXAMINATION DEVICE AND INVESTIGATION METHOD WITH ELECTRON BEAM AND COMPONENT MANUFACTURING METHODS WITH THE INVESTIGATION DEVICE
JP4246401B2 (ja) 2001-01-18 2009-04-02 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置及び電子ビーム偏向装置
JP4647820B2 (ja) 2001-04-23 2011-03-09 キヤノン株式会社 荷電粒子線描画装置、および、デバイスの製造方法
JP4756776B2 (ja) 2001-05-25 2011-08-24 キヤノン株式会社 荷電粒子線露光装置、荷電粒子線露光方法およびデバイス製造方法
DE10127217B4 (de) 2001-06-05 2005-09-15 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung lagegenauer großflächiger Membranmasken
DE10138882B4 (de) 2001-08-08 2005-09-08 Infineon Technologies Ag Großflächige Membranmaske und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6818911B2 (en) 2002-04-10 2004-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Array structure and method of manufacturing the same, charged particle beam exposure apparatus, and device manufacturing method
JP4220209B2 (ja) 2002-09-27 2009-02-04 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置、偏向装置、及び電子ビーム露光方法
JP4025613B2 (ja) 2002-09-27 2007-12-26 株式会社アドバンテスト 電子ビーム露光装置、電子ビーム露光装置校正方法、及び半導体素子製造方法
US6953938B2 (en) 2002-10-03 2005-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Deflector, method of manufacturing deflector, and charged particle beam exposure apparatus
US7015467B2 (en) 2002-10-10 2006-03-21 Applied Materials, Inc. Generating electrons with an activated photocathode
EP3671804A1 (en) 2002-10-30 2020-06-24 ASML Netherlands B.V. Electron beam exposure system
JP2004282038A (ja) 2003-02-28 2004-10-07 Canon Inc 偏向器、偏向器を製造する方法、偏向器を適用した荷電粒子線露光装置
EP1602121B1 (en) 2003-03-10 2012-06-27 Mapper Lithography Ip B.V. Apparatus for generating a plurality of beamlets
JP4459568B2 (ja) 2003-08-06 2010-04-28 キヤノン株式会社 マルチ荷電ビームレンズおよびそれを用いた荷電ビーム露光装置
JP4794444B2 (ja) 2003-09-05 2011-10-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 粒子光学システム及び装置、並びに、かかるシステム及び装置用の粒子光学部品
GB2408383B (en) 2003-10-28 2006-05-10 Ims Nanofabrication Gmbh Pattern-definition device for maskless particle-beam exposure apparatus
WO2005074002A2 (en) 2004-01-29 2005-08-11 Applied Materials Israel, Ltd. Focusing system and method for a charged particle imaging system
US7326901B2 (en) 2004-04-15 2008-02-05 Applied Materials, Israel, Ltd. High throughput multi beam system and method
US7420164B2 (en) 2004-05-26 2008-09-02 Ebara Corporation Objective lens, electron beam system and method of inspecting defect
US7285779B2 (en) 2004-06-21 2007-10-23 Applied Materials Israel, Ltd. Methods of scanning an object that includes multiple regions of interest using an array of scanning beams
US7375326B2 (en) 2004-06-21 2008-05-20 Applied Materials, Israel, Ltd. Method and system for focusing a charged particle beam
US7468507B2 (en) 2005-01-26 2008-12-23 Applied Materials, Israel, Ltd. Optical spot grid array scanning system
WO2006093268A1 (ja) 2005-03-03 2006-09-08 Ebara Corporation 写像投影型電子線装置及び該装置を用いた欠陥検査システム
WO2006101116A1 (ja) 2005-03-22 2006-09-28 Ebara Corporation 電子線装置
JP5663717B2 (ja) 2005-09-06 2015-02-04 カール ツァイス マイクロスコピー ゲーエムベーハーＣａｒｌ Ｚｅｉｓｓ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ Ｇｍｂｈ 荷電粒子システム
CN101379584B (zh) 2005-11-28 2010-12-22 卡尔蔡司Smt股份有限公司 粒子光学组件
US7504622B2 (en) 2006-04-03 2009-03-17 Applied Materials, Israel, Ltd. High throughput multi beam detection system and method
US8134135B2 (en) 2006-07-25 2012-03-13 Mapper Lithography Ip B.V. Multiple beam charged particle optical system
EP2132763B1 (en) 2007-02-22 2014-05-07 Applied Materials Israel Ltd. High throughput sem tool
WO2010082451A1 (ja) 2009-01-15 2010-07-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置
US8552373B2 (en) * 2009-05-27 2013-10-08 Hitachi High-Technologies Corporation Charged particle beam device and sample observation method
EP2556527B1 (en) 2010-04-09 2017-03-22 Carl Zeiss Microscopy GmbH Charged particle detection system and multi-beamlet inspection system
DE102010026169B4 (de) 2010-07-06 2014-09-04 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Partikelstrahlsystem
WO2012018800A2 (en) * 2010-08-02 2012-02-09 Omniprobe, Inc. Method for acquiring simultaneous and overlapping optical and charged particle beam images
CN103238202B (zh) 2010-09-28 2016-11-09 以色列实用材料有限公司 粒子光学系统及布置，以及用于这种系统及布置的粒子光学组件
JP5683227B2 (ja) 2010-11-19 2015-03-11 キヤノン株式会社 電子ビーム描画装置、およびそれを用いた物品の製造方法
EP2676285B1 (en) 2011-02-18 2015-05-20 Applied Materials Israel Ltd. Focusing a charged particle imaging system
JP2012195097A (ja) 2011-03-15 2012-10-11 Canon Inc 荷電粒子線レンズおよびそれを用いた露光装置
US8362425B2 (en) 2011-03-23 2013-01-29 Kla-Tencor Corporation Multiple-beam system for high-speed electron-beam inspection
NL2007604C2 (en) 2011-10-14 2013-05-01 Mapper Lithography Ip Bv Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams.
EP2705354B1 (en) 2011-05-03 2016-01-20 Applied Materials Israel, Ltd. Multi-spot collection optics
WO2012155267A1 (en) * 2011-05-13 2012-11-22 Fibics Incorporated Microscopy imaging method and system
JP5822535B2 (ja) 2011-05-16 2015-11-24 キヤノン株式会社 描画装置、および、物品の製造方法
JP2013004216A (ja) 2011-06-14 2013-01-07 Canon Inc 荷電粒子線レンズ
GB2494118A (en) 2011-08-28 2013-03-06 Applied Materials Israel Ltd Test object for testing an array of beams
JP5886663B2 (ja) * 2012-03-21 2016-03-16 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子線応用装置およびレンズアレイ
JP2013239667A (ja) 2012-05-17 2013-11-28 Canon Inc 荷電粒子線静電レンズにおける電極とその製造方法、荷電粒子線静電レンズ、及び荷電粒子線露光装置
JP2014007013A (ja) 2012-06-22 2014-01-16 Canon Inc 静電レンズアレイ、マルチ荷電粒子光学系、及びフォーカス調整方法
JP2014007261A (ja) 2012-06-22 2014-01-16 Canon Inc 静電偏向器、描画装置およびデバイスの製造方法
DE102012017950A1 (de) * 2012-09-11 2014-03-13 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Partikelstrahlmikroskop zur Erzeugung von Materialbestandteilen
GB201308436D0 (en) * 2013-05-10 2013-06-19 Oxford Instr Nanotechnology Tools Ltd Metrology for preparation of thin samples
JP2014229481A (ja) 2013-05-22 2014-12-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線応用装置
JP2014235883A (ja) * 2013-06-03 2014-12-15 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 電子線装置
EP2835817B1 (en) * 2013-08-09 2017-12-20 Carl Zeiss Microscopy Ltd. Method for semi-automated particle analysis using a charged particle beam
DE102013014976A1 (de) 2013-09-09 2015-03-12 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenoptisches System
DE102013016113B4 (de) 2013-09-26 2018-11-29 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Detektieren von Elektronen, Elektronendetektor und Inspektionssystem
GB2519511A (en) 2013-09-27 2015-04-29 Zeiss Carl Microscopy Gmbh Particle optical system having a liner tube and/or compensating coils
US9263233B2 (en) 2013-09-29 2016-02-16 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle multi-beam inspection system and method of operating the same
US10121635B2 (en) 2013-09-30 2018-11-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle beam system and method of operating the same
GB2521819A (en) 2013-11-22 2015-07-08 Zeiss Carl Microscopy Gmbh Particle optical arrangement for a charged particle optical system
NL2012780B1 (en) 2014-05-08 2016-02-23 Univ Delft Tech Apparatus and method for inspecting a sample using a plurality of charged particle beams.
DE102014008105B4 (de) 2014-05-30 2021-11-11 Carl Zeiss Multisem Gmbh Mehrstrahl-Teilchenmikroskop
DE102014008083B9 (de) 2014-05-30 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem
US9218940B1 (en) * 2014-05-30 2015-12-22 Fei Company Method and apparatus for slice and view sample imaging
DE102014008383B9 (de) 2014-06-06 2018-03-22 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben einer Teilchenoptik
JP6689602B2 (ja) * 2014-12-22 2020-04-28 カール ツァイス マイクロスコーピー エルエルシー 荷電粒子ビームシステム及び方法
DE102015202172B4 (de) * 2015-02-06 2017-01-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Teilchenstrahlsystem und Verfahren zur teilchenoptischen Untersuchung eines Objekts
US9691588B2 (en) 2015-03-10 2017-06-27 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US9607805B2 (en) 2015-05-12 2017-03-28 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
US9922799B2 (en) 2015-07-21 2018-03-20 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
IL294759B1 (en) 2015-07-22 2024-05-01 Asml Netherlands Bv Device for multiple charged particle beams
US10325753B2 (en) * 2015-09-23 2019-06-18 Kla Tencor Corporation Method and system for focus adjustment of a multi-beam scanning electron microscopy system
DE102015013698B9 (de) * 2015-10-22 2017-12-21 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenmikroskops
KR102068206B1 (ko) 2015-11-30 2020-01-20 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 복수의 하전된 입자 빔의 장치
US10062541B2 (en) 2016-01-27 2018-08-28 Hermes Microvision Inc. Apparatus of plural charged-particle beams
JP6946432B2 (ja) 2016-12-30 2021-10-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 回転防止レンズ及びその調整方法並びにマルチビーム装置
EP3580773B1 (en) * 2017-02-07 2023-05-31 ASML Netherlands B.V. Apparatus for charged particle detection
WO2018172186A1 (en) 2017-03-20 2018-09-27 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Charged particle beam system and method
DE102018202428B3 (de) 2018-02-16 2019-05-09 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenmikroskop
DE102018202421B3 (de) 2018-02-16 2019-07-11 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
CN112055886A (zh) 2018-02-27 2020-12-08 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 带电粒子多束系统及方法
US10811215B2 (en) 2018-05-21 2020-10-20 Carl Zeiss Multisem Gmbh Charged particle beam system
JP7030663B2 (ja) 2018-09-12 2022-03-07 株式会社東芝 半導体装置及び荷電粒子線露光装置
DE102018007455B4 (de) 2018-09-21 2020-07-09 Carl Zeiss Multisem Gmbh Verfahren zum Detektorabgleich bei der Abbildung von Objekten mittels eines Mehrstrahl-Teilchenmikroskops, System sowie Computerprogrammprodukt
DE102018007652B4 (de) 2018-09-27 2021-03-25 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System sowie Verfahren zur Stromregulierung von Einzel-Teilchenstrahlen
DE102018124044B3 (de) 2018-09-28 2020-02-06 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betreiben eines Vielstrahl-Teilchenstrahlmikroskops und Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem
DE102018124219A1 (de) 2018-10-01 2020-04-02 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Vielstrahl-Teilchenstrahlsystem und Verfahren zum Betreiben eines solchen
DE102018133703B4 (de) 2018-12-29 2020-08-06 Carl Zeiss Multisem Gmbh Vorrichtung zur Erzeugung einer Vielzahl von Teilchenstrahlen und Vielstrahl-Teilchenstrahlsysteme
CN111477530B (zh) 2019-01-24 2023-05-05 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司 利用多束粒子显微镜对3d样本成像的方法
TWI743626B (zh) 2019-01-24 2021-10-21 德商卡爾蔡司多重掃描電子顯微鏡有限公司 包含多束粒子顯微鏡的系統、對3d樣本逐層成像之方法及電腦程式產品
US10741355B1 (en) 2019-02-04 2020-08-11 Carl Zeiss Multisem Gmbh Multi-beam charged particle system
DE102019004124B4 (de) 2019-06-13 2024-03-21 Carl Zeiss Multisem Gmbh Teilchenstrahl-System zur azimutalen Ablenkung von Einzel-Teilchenstrahlen sowie seine Verwendung und Verfahren zur Azimut-Korrektur bei einem Teilchenstrahl-System
DE102019005364B3 (de) 2019-07-31 2020-10-08 Carl Zeiss Multisem Gmbh System-Kombination eines Teilchenstrahlsystem und eines lichtoptischen Systems mit kollinearer Strahlführung sowie Verwendung der System-Kombination

Also Published As

Publication number Publication date
TW202029265A (zh) 2020-08-01
CN113424292A (zh) 2021-09-21
US20210343499A1 (en) 2021-11-04
WO2020151904A3 (en) 2020-09-03
EP3915131A2 (en) 2021-12-01
TWI743626B (zh) 2021-10-21
JP7498719B2 (ja) 2024-06-12
US11935721B2 (en) 2024-03-19
WO2020151904A2 (en) 2020-07-30
JP2022517848A (ja) 2022-03-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210118445A (ko) 다중-빔 입자 현미경을 포함하는 시스템 및 그 작동 방법
US11521827B2 (en) Method of imaging a 2D sample with a multi-beam particle microscope
TWI731198B (zh) 用於以迴旋神經網路為基礎之缺陷檢測之資料擴增
US9816940B2 (en) Wafer inspection with focus volumetric method
KR20210107149A (ko) 자동으로 생성된 결함 피처를 가진 반도체 구조의 검사를 위한 방법 및 시스템
US20150348749A1 (en) Multi-beam particle microscope and method for operating same
US9552961B2 (en) Scanning transmission electron microscope having multiple beams and post-detection image correction
US20150131148A1 (en) Spinning disk confocal using paired microlens disks
CN114113020A (zh) 一种基于多重信号分类算法的激光扫描超分辨显微成像装置、方法、设备及存储介质
TW202041850A (zh) 使用疊層去除雜訊自動編碼器之影像雜訊降低
JP2017198588A (ja) パターン検査装置
TW201941327A (zh) 用於新穎缺陷發現之損害探勘
KR102538268B1 (ko) 웨이퍼 상의 로직 영역에서의 결함들의 검출
US11308606B2 (en) Design-assisted inspection for DRAM and 3D NAND devices
US20240212977A1 (en) System comprising a multi-beam particle microscope and method for operating the same
JP2022512244A (ja) システム応答のリアルタイム検出及び補正
JP2006284482A (ja) エネルギー損失分光装置の分析方法及びエネルギー損失分光装置を備えた透過電子顕微鏡
US11988618B2 (en) Method and system to determine crystal structure
KR20230153453A (ko) 결함을 검출하는 시스템 및 컴퓨터 가독 매체
US10755892B2 (en) Reflection-mode electron-beam inspection using ptychographic imaging
CN112805803B (zh) 具有远心照明的多束电子特性工具
JP2017536551A (ja) Ｘ線ナノラジオグラフィ及びナノトモグラフィの方法及び装置
CN112805803A (zh) 具有远心照明的多束电子特性工具
TW202201455A (zh) 用於多射束檢測系統之射束陣列幾何優化器