KR20210109671A - 극자외선 마스크 흡수체 재료들 - Google Patents

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Abstract

EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크들, 그 제조 방법들 및 그 생산 시스템들이 개시된다. EUV 마스크 블랭크들은 기판; 기판 상의 반사 층들의 다층 스택; 반사 층들의 다층 스택 상의 캡핑 층; 및 캡핑 층 상의 흡수체 층을 포함하고, 흡수체 층은 탄탈럼 및 안티모니로 만들어진다.

Description

극자외선 마스크 흡수체 재료들
[0001] 본 개시내용은 일반적으로 극자외선 리소그래피에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는 합금 흡수체를 갖는 극자외선 마스크 블랭크들 및 제조 방법들에 관한 것이다.
[0002] 소프트 x-선 투영 리소그래피로서 또한 알려져 있는 극자외선(EUV; extreme ultraviolet) 리소그래피는 0.0135 미크론 이하의 최소 피처(feature) 사이즈 반도체 디바이스들의 제조에 사용될 수 있다. 그러나, 일반적으로 5 내지 100 나노미터 파장 범위에 있는 극자외선 광은 거의 모든 재료들에 강하게 흡수된다. 그러한 이유로, 극자외선 시스템들은 광의 투과에 의해서가 아닌 반사에 의해 작동된다. 일련의 미러들 또는 렌즈 엘리먼트들, 그리고 비반사 흡수체 마스크 패턴으로 코팅된 반사 엘리먼트 또는 마스크 블랭크의 사용을 통해, 패터닝된 활성 광선(actinic light)은 레지스트 코팅된 반도체 기판 상으로 반사된다.
[0003] 극자외선 리소그래피 시스템들의 렌즈 엘리먼트들 및 마스크 블랭크들은 몰리브데넘 및 실리콘과 같은 재료들의 반사 다층 코팅들로 코팅된다. 렌즈 엘리먼트 또는 마스크 블랭크당 대략 65%의 반사 값들은 극도로 좁은 자외선 통과대역, 예컨대, 13.5 나노미터 자외선 광의 경우 12.5 내지 14.5 나노미터 통과대역 내의 광을 강하게 반사하는 다층 코팅들로 코팅된 기판들을 사용함으로써 획득되어왔다.
[0004] 도 1은, 브래그 간섭에 의해 마스킹되지 않은 부분들에서 EUV 방사선을 반사하는, 기판(14) 상의 반사 다층 스택(12)을 포함하는 EUV 마스크 블랭크로부터 형성되는 종래의 EUV 반사 마스크(10)를 도시한다. 종래의 EUV 반사 마스크(10)의 마스킹된(비반사) 영역들(16)은, 버퍼 층(18) 및 흡수 층(20)을 에칭함으로써 형성된다. 흡수 층은 통상적으로, 51 nm 내지 77 nm 범위의 두께를 갖는다. 캡핑 층(22)이 반사 다층 스택(12) 위에 형성되고, 에칭 프로세스 동안 반사 다층 스택(12)을 보호한다. 아래에서 추가로 논의될 바와 같이, EUV 마스크 블랭크들은 다층들, 캡핑 층 및 흡수 층으로 코팅된 낮은 열 팽창 재료 기판으로 만들어지며, 그 다음, 이러한 흡수 층이 에칭되어, 마스킹된(비반사) 영역들(16) 및 반사 영역들(24)이 제공된다.
[0005] ITRS(International Technology Roadmap for Semiconductors)는 노드의 오버레이 요건을 기술의 최소 하프 피치 피처 사이즈의 일정 비율(percentage)로서 지정한다. 모든 반사 리소그래피 시스템들에 고유한 이미지 배치 및 오버레이 에러들에 대한 영향으로 인해, EUV 반사 마스크들은 미래의 생산을 위해 더욱 정밀한 평탄도 사양(specification)들을 준수할 필요가 있을 것이다. 추가적으로, EUV 블랭크들은 블랭크의 작동 영역 상의 결함들에 대해 매우 낮은 공차를 갖는다. 더욱이, 흡수 층의 역할은 광을 흡수하는 것이지만, 흡수체 층의 굴절률과 진공의 굴절률(n=1) 사이의 차이로 인한 위상 시프트 효과가 또한 있으며, 이러한 위상 시프트는 3D 마스크 효과들의 원인이 된다. 3D 마스크 효과들을 완화시키기 위해 더 얇은 흡수체를 갖는 EUV 마스크 블랭크들을 제공할 필요가 있다.
[0006] 본 개시내용의 하나 이상의 실시예들은 EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법에 관한 것이고, 방법은, EUV 방사선을 반사하는 다층 스택을 기판 상에 형성하는 단계 ―다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함함―; 다층 스택 상에 캡핑 층을 형성하는 단계; 및 캡핑 층 상에 흡수체 층을 형성하는 단계를 포함하고, 흡수체 층은 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함한다.
[0007] 본 개시내용의 추가적인 실시예들은 EUV 마스크 블랭크에 관한 것이고, EUV 마스크 블랭크는, 기판; EUV 방사선을 반사하는 다층 스택 ―다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함함―; 반사 층들의 다층 스택 상의 캡핑 층; 및 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함하는 흡수체 층을 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 위에서 언급된 특징들이 상세히 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략히 요약된 본 개시내용의 더욱 상세한 설명이 실시예들을 참조함으로써 이루어질 수 있으며, 이러한 실시예들 중 일부는 첨부된 도면들에 예시된다. 그러나, 첨부된 도면들이 본 개시내용의 통상적인 실시예들만을 예시하며 이에 따라 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 한다는 것이 주목되어야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 동일하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 종래의 흡수체를 사용한 배경기술의 EUV 반사 마스크를 개략적으로 예시하고;
[0010] 도 2는 극자외선 리소그래피 시스템의 실시예를 개략적으로 예시하고;
[0011] 도 3은 극자외선 반사 엘리먼트 생산 시스템의 실시예를 예시하고;
[0012] 도 4는 EUV 마스크 블랭크와 같은 극자외선 반사 엘리먼트의 실시예를 예시하고;
[0013] 도 5는 EUV 마스크 블랭크와 같은 극자외선 반사 엘리먼트의 실시예를 예시하며; 그리고
[0014] 도 6은 멀티-캐소드 물리 증착 챔버의 실시예를 예시한다.
[0015] 본 개시내용의 여러 예시적인 실시예들을 설명하기 전에, 본 개시내용이 다음의 설명에서 제시되는 구성 또는 프로세스 단계들의 세부사항들로 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 본 개시내용은 다른 실시예들이 가능하며, 다양한 방식들로 수행되거나 또는 실시될 수 있다.
[0016] 본원에서 사용되는 바와 같은 "수평"이란 용어는, 마스크 블랭크의 배향에 관계없이 마스크 블랭크의 평면 또는 표면에 평행한 평면으로서 정의된다. "수직(vertical)"이란 용어는, 방금 정의된 바와 같은 수평에 직각(perpendicular)인 방향을 지칭한다. "위(above)", "아래(below)", "최하부", "최상부", ("측면벽"에서와 같이) "측면", "위쪽", "하부", "상부", "위(over)" 및 "아래(under)"와 같은 용어들은 도면들에 도시된 바와 같이 수평 평면에 대하여 정의된다.
[0017] "상에"란 용어는 엘리먼트들 사이에 직접적인 접촉이 있다는 것을 표시한다. "바로 위에"란 용어는 중간 엘리먼트들 없이 엘리먼트들 사이에 직접적인 접촉이 있다는 것을 표시한다.
[0018] 당업자들은, 프로세스 구역들을 설명하기 위한 "제1" 및 "제2"와 같은 서수들의 사용이 프로세싱 챔버 내의 특정 위치 또는 프로세싱 챔버 내의 노출 순서를 암시하지 않는다는 것을 이해할 것이다.
[0019] 본 명세서 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, "기판"이란 용어는 프로세스가 작용하는 표면 또는 표면의 부분을 지칭한다. 또한, 문맥이 명확하게 달리 표시하지 않는 한, 기판에 대한 언급은 기판의 일부분만을 지칭할 수 있다는 것이 당업자들에 의해 이해될 것이다. 추가적으로, 기판 상에 증착하는 것에 대한 언급은 베어(bare) 기판, 그리고 하나 이상의 막들 또는 피처들이 상부에 증착되어 있거나 또는 형성되어 있는 기판 둘 모두를 의미할 수 있다.
[0020] 이제 도 2를 참조하면, 극자외선 리소그래피 시스템(100)의 예시적인 실시예가 도시된다. 극자외선 리소그래피 시스템(100)은 극자외선 광(112)을 생성하기 위한 극자외선 광원(102), 한 세트의 반사 엘리먼트들, 및 타겟 웨이퍼(110)를 포함한다. 반사 엘리먼트들은 콘덴서(104), EUV 반사 마스크(106), 광학 축소 조립체(108), 마스크 블랭크, 미러, 또는 이들의 조합을 포함한다.
[0021] 극자외선 광원(102)은 극자외선 광(112)을 생성한다. 극자외선 광(112)은 5 내지 50 나노미터(㎚) 범위의 파장을 갖는 전자기 방사선이다. 예컨대, 극자외선 광원(102)은 레이저, 레이저 생성 플라즈마, 방전 생성 플라즈마, 자유 전자 레이저, 싱크로트론 방사선, 또는 이들의 조합을 포함한다.
[0022] 극자외선 광원(102)은 다양한 특성들을 갖는 극자외선 광(112)을 생성한다. 극자외선 광원(102)은 파장들의 범위에 걸쳐 광대역 극자외선 방사선을 생성한다. 예컨대, 극자외선 광원(102)은 5 내지 50 nm 범위의 파장들을 갖는 극자외선 광(112)을 생성한다.
[0023] 하나 이상의 실시예들에서, 극자외선 광원(102)은 좁은 대역폭을 갖는 극자외선 광(112)을 생성한다. 예컨대, 극자외선 광원(102)은 13.5 nm의 극자외선 광(112)을 생성한다. 파장 피크의 중심은 13.5 nm이다.
[0024] 콘덴서(104)는 극자외선 광(112)을 반사 및 포커싱하기 위한 광학 유닛이다. 콘덴서(104)는 극자외선 광원(102)으로부터의 극자외선 광(112)을 반사 및 집중시켜, EUV 반사 마스크(106)를 조명한다.
[0025] 콘덴서(104)가 단일 엘리먼트로서 도시되지만, 콘덴서(104)는 극자외선 광(112)을 반사 및 집중시키기 위해 오목 미러들, 볼록 미러들, 평탄한 미러들, 또는 이들의 조합과 같은 하나 이상의 반사 엘리먼트들을 포함할 수 있다는 것이 이해된다. 예컨대, 콘덴서(104)는 단일 오목 미러이거나, 또는 볼록한, 오목한 그리고 평탄한 광학 엘리먼트들을 갖는 광학 조립체일 수 있다.
[0026] EUV 반사 마스크(106)는 마스크 패턴(114)을 갖는 극자외선 반사 엘리먼트이다. EUV 반사 마스크(106)는 타겟 웨이퍼(110) 상에 형성될 회로 레이아웃을 형성하기 위해 리소그래피 패턴을 생성한다. EUV 반사 마스크(106)는 극자외선 광(112)을 반사한다. 마스크 패턴(114)은 회로 레이아웃의 일부분을 정의한다.
[0027] 광학 축소 조립체(108)는 마스크 패턴(114)의 이미지를 축소시키기 위한 광학 유닛이다. EUV 반사 마스크(106)로부터 극자외선 광(112)의 반사는 광학 축소 조립체(108)에 의해 축소되고, 타겟 웨이퍼(110) 상으로 반사된다. 광학 축소 조립체(108)는 마스크 패턴(114)의 이미지의 사이즈를 축소시키기 위해 미러들 및 다른 광학 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 예컨대, 광학 축소 조립체(108)는 극자외선 광(112)을 반사 및 포커싱하기 위한 오목 미러들을 포함할 수 있다.
[0028] 광학 축소 조립체(108)는 타겟 웨이퍼(110) 상에서의 마스크 패턴(114)의 이미지의 사이즈를 축소시킨다. 예컨대, 마스크 패턴(114)에 의해 표현되는 회로를 타겟 웨이퍼(110) 상에 형성하기 위해, 마스크 패턴(114)은 광학 축소 조립체(108)에 의해 타겟 웨이퍼(110) 상에 4:1 비(ratio)로 이미징될 수 있다. 극자외선 광(112)은 타겟 웨이퍼(110) 상에 마스크 패턴(114)을 형성하기 위해 타겟 웨이퍼(110)와 동시에 EUV 반사 마스크(106)를 스캔할 수 있다.
[0029] 이제 도 3을 참조하면, 극자외선 반사 엘리먼트 생산 시스템(200)의 실시예가 도시된다. 극자외선 반사 엘리먼트는 EUV 마스크 블랭크(204), 극자외선 미러(205), 또는 다른 반사 엘리먼트, 이를테면, EUV 반사 마스크(106)를 포함한다.
[0030] 극자외선 반사 엘리먼트 생산 시스템(200)은 마스크 블랭크들, 미러들, 또는 도 2의 극자외선 광(112)을 반사하는 다른 엘리먼트들을 생산할 수 있다. 극자외선 반사 엘리먼트 생산 시스템(200)은 소스 기판들(203)에 얇은 코팅들을 적용함으로써 반사 엘리먼트들을 제작한다.
[0031] EUV 마스크 블랭크(204)는 도 2의 EUV 반사 마스크(106)를 형성하기 위한 다층 구조이다. EUV 마스크 블랭크(204)는 반도체 제작 기법들을 사용하여 형성될 수 있다. EUV 반사 마스크(106)는 에칭 및 다른 프로세스들에 의해 EUV 마스크 블랭크(204) 상에 형성된 도 2의 마스크 패턴(114)을 가질 수 있다.
[0032] 극자외선 미러(205)는 극자외선 광의 범위에서 반사적인 다층 구조이다. 극자외선 미러(205)는 반도체 제작 기법들을 사용하여 형성될 수 있다. EUV 마스크 블랭크(204) 및 극자외선 미러(205)는 각각의 엘리먼트 상에 형성되는 층들에 대하여 유사한 구조들일 수 있지만, 극자외선 미러(205)는 마스크 패턴(114)을 갖지 않는다.
[0033] 반사 엘리먼트들은 극자외선 광(112)의 효율적인 반사기들이다. 실시예에서, EUV 마스크 블랭크(204) 및 극자외선 미러(205)는 60%를 초과하는 극자외선 반사율을 갖는다. 반사 엘리먼트들은, 극자외선 광(112)의 60%보다 더 많이 반사하는 경우 효율적이다.
[0034] 극자외선 반사 엘리먼트 생산 시스템(200)은 웨이퍼 로딩 및 캐리어 핸들링 시스템(202)을 포함하고, 이러한 웨이퍼 로딩 및 캐리어 핸들링 시스템(202) 내로 소스 기판들(203)이 로딩되고 이러한 웨이퍼 로딩 및 캐리어 핸들링 시스템(202)으로부터 반사 엘리먼트들이 언로딩된다. 대기 핸들링 시스템(206)이 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)로의 액세스를 제공한다. 웨이퍼 로딩 및 캐리어 핸들링 시스템(202)은 기판 수송 박스들, 로드록들, 및 대기로부터 시스템 내부의 진공으로 기판을 이송하기 위한 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다. EUV 마스크 블랭크(204)가 매우 작은 스케일로 디바이스들을 형성하기 위해 사용되기 때문에, 소스 기판들(203) 및 EUV 마스크 블랭크(204)는 오염 및 다른 결함들을 방지하기 위해 진공 시스템에서 프로세싱된다.
[0035] 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)는 2 개의 진공 챔버들, 즉, 제1 진공 챔버(210) 및 제2 진공 챔버(212)를 포함할 수 있다. 제1 진공 챔버(210)는 제1 웨이퍼 핸들링 시스템(214)을 포함하고, 제2 진공 챔버(212)는 제2 웨이퍼 핸들링 시스템(216)을 포함한다. 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)가 2 개의 진공 챔버들로 설명되지만, 시스템은 임의의 수의 진공 챔버들을 가질 수 있다는 것이 이해된다.
[0036] 웨이퍼 핸들링 진공 챔버(208)는 다양한 다른 시스템들의 부착을 위해 자신의 주변부 주위에 복수의 포트들을 가질 수 있다. 제1 진공 챔버(210)는 탈기 시스템(218), 제1 물리 기상 증착 시스템(220), 제2 물리 기상 증착 시스템(222) 및 사전-세정 시스템(224)을 갖는다. 탈기 시스템(218)은 기판들로부터 수분을 열적으로 탈착(desorb)하기 위한 것이다. 사전-세정 시스템(224)은 웨이퍼들, 마스크 블랭크들, 미러들 또는 다른 광학 컴포넌트들의 표면들을 세정하기 위한 것이다.
[0037] 제1 물리 기상 증착 시스템(220) 및 제2 물리 기상 증착 시스템(222)과 같은 물리 기상 증착 시스템들은 소스 기판들(203) 상에 전도성 재료들의 박막들을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 예컨대, 물리 기상 증착 시스템들은 마그네트론 스퍼터링 시스템들, 이온 스퍼터링 시스템들, 펄스 레이저 증착, 캐소드 아크 증착, 또는 이들의 조합과 같은 진공 증착 시스템을 포함할 수 있다. 마그네트론 스퍼터링 시스템과 같은 물리 기상 증착 시스템들은, 소스 기판들(203) 상에 실리콘, 금속들, 합금들, 화합물들, 또는 이들의 조합의 층들을 포함하는 얇은 층들을 형성한다.
[0038] 물리 기상 증착 시스템은 반사 층들, 캡핑 층들 및 흡수체 층들을 형성한다. 예컨대, 물리 기상 증착 시스템들은 실리콘, 몰리브데넘, 티타늄 옥사이드, 티타늄 디옥사이드, 루테늄 옥사이드, 니오븀 옥사이드, 루테늄 텅스텐, 루테늄 몰리브데넘, 루테늄 니오븀, 크로뮴, 안티모니, 나이트라이드들, 화합물들, 또는 이들의 조합의 층들을 형성할 수 있다. 일부 화합물들이 옥사이드로서 설명되지만, 화합물들은 옥사이드들, 디옥사이드들, 산소 원자들를 갖는 원자 혼합물들, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다는 것이 이해된다.
[0039] 제2 진공 챔버(212)는 제2 진공 챔버(212)에 연결된 제1 멀티-캐소드 소스(226), 화학 기상 증착 시스템(228), 경화 챔버(230) 및 초평활(ultra-smooth) 증착 챔버(232)를 갖는다. 예컨대, 화학 기상 증착 시스템(228)은 유동성 화학 기상 증착(FCVD; flowable chemical vapor deposition) 시스템, 플라즈마 보조 CVD(chemical vapor deposition) 시스템, 에어로졸 보조 CVD, 핫 필라멘트 CVD 시스템 또는 유사한 시스템을 포함할 수 있다. 다른 예에서, 화학 기상 증착 시스템(228), 경화 챔버(230) 및 초평활 증착 챔버(232)는 극자외선 반사 엘리먼트 생산 시스템(200)과 별개의 시스템에 있을 수 있다.
[0040] 화학 기상 증착 시스템(228)은 소스 기판들(203) 상에 재료의 박막들을 형성할 수 있다. 예컨대, 화학 기상 증착 시스템(228)은, 소스 기판들(203) 상에 단결정질 층들, 다결정질 층들, 비정질 층들, 에피택셜 층들, 또는 이들의 조합을 포함하는 재료들의 층들을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 화학 기상 증착 시스템(228)은 실리콘, 실리콘 옥사이드들, 실리콘 옥시카바이드, 탄탈럼, 텅스텐, 실리콘 카바이드, 실리콘 나이트라이드, 티타늄 나이트라이드, 금속들, 합금들, 및 화학 기상 증착에 적절한 다른 재료들의 층들을 형성할 수 있다. 예컨대, 화학 기상 증착 시스템은 평탄화(planarization) 층들을 형성할 수 있다.
[0041] 제1 웨이퍼 핸들링 시스템(214)은 대기 핸들링 시스템(206)과 제1 진공 챔버(210)의 주변부 주위의 다양한 시스템들 사이에서 연속적인 진공으로 소스 기판들(203)을 이동시킬 수 있다. 제2 웨이퍼 핸들링 시스템(216)은, 소스 기판들(203)을 연속적인 진공으로 유지하면서, 소스 기판들(203)을 제2 진공 챔버(212) 주위로 이동시킬 수 있다. 극자외선 반사 엘리먼트 생산 시스템(200)은 제1 웨이퍼 핸들링 시스템(214)과 제2 웨이퍼 핸들링 시스템(216) 사이에서 연속적인 진공으로 소스 기판들(203) 및 EUV 마스크 블랭크(204)를 이송할 수 있다.
[0042] 이제 도 4를 참조하면, 극자외선 반사 엘리먼트(302)의 실시예가 도시된다. 하나 이상의 실시예들에서, 극자외선 반사 엘리먼트(302)는 도 3의 EUV 마스크 블랭크(204) 또는 도 3의 극자외선 미러(205)이다. EUV 마스크 블랭크(204) 및 극자외선 미러(205)는 도 2의 극자외선 광(112)을 반사하기 위한 구조들이다. EUV 마스크 블랭크(204)는 도 2에 도시된 EUV 반사 마스크(106)를 형성하기 위해 사용될 수 있다.
[0043] 극자외선 반사 엘리먼트(302)는 기판(304), 반사 층들의 다층 스택(306), 및 캡핑 층(308)을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 극자외선 미러(205)는 도 2의 콘덴서(104) 또는 도 2의 광학 축소 조립체(108)에 사용하기 위한 반사 구조들을 형성하기 위해 사용된다.
[0044] EUV 마스크 블랭크(204)일 수 있는 극자외선 반사 엘리먼트(302)는 기판(304), 반사 층들의 다층 스택(306), 캡핑 층(308) 및 흡수체 층(310)을 포함한다. 극자외선 반사 엘리먼트(302)는, 필요한 회로의 레이아웃으로 흡수체 층(310)을 패터닝함으로써 도 2의 EUV 반사 마스크(106)를 형성하기 위해 사용되는 EUV 마스크 블랭크(204)일 수 있다.
[0045] 다음의 섹션들에서, EUV 마스크 블랭크(204)에 대한 용어는 단순화를 위해 극자외선 미러(205)의 용어와 상호교환적으로 사용된다. 하나 이상의 실시예들에서, EUV 마스크 블랭크(204)는, 도 2의 마스크 패턴(114)을 형성하기 위해 흡수체 층(310)이 부가적으로 추가된 극자외선 미러(205)의 컴포넌트들을 포함한다.
[0046] EUV 마스크 블랭크(204)는, 마스크 패턴(114)을 갖는 EUV 반사 마스크(106)를 형성하기 위해 사용되는 광학적으로 평탄한 구조이다. 하나 이상의 실시예들에서, EUV 마스크 블랭크(204)의 반사 표면은 도 2의 극자외선 광(112)과 같은 입사 광을 반사하기 위한 평탄한 초점 평면을 형성한다.
[0047] 기판(304)은 극자외선 반사 엘리먼트(302)에 구조적 지지를 제공하기 위한 엘리먼트이다. 하나 이상의 실시예들에서, 기판(304)은 온도 변화들 동안 안정성을 제공하기 위해 낮은 열 팽창 계수(CTE; coefficient of thermal expansion)를 갖는 재료로 만들어진다. 하나 이상의 실시예들에서, 기판(304)은 기계적 사이클링, 열적 사이클링, 결정 형성, 또는 이들의 조합에 대한 안정성과 같은 특성들을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에 따른 기판(304)은 실리콘, 유리, 옥사이드들, 세라믹들, 유리 세라믹들, 또는 이들의 조합과 같은 재료로 형성된다.
[0048] 다층 스택(306)은 극자외선 광(112)에 반사적인 구조이다. 다층 스택(306)은 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)의 교대 반사 층들을 포함한다.
[0049] 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은 도 4의 반사 쌍(316)을 형성한다. 비-제한적인 실시예에서, 다층 스택(306)은 총 120 개까지의 반사 층들의 경우 20-60 개 범위의 반사 쌍들(316)을 포함한다.
[0050] 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은 다양한 재료들로 형성될 수 있다. 실시예에서, 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은, 각각, 실리콘 및 몰리브데넘으로 형성된다. 층들이 실리콘 및 몰리브데넘으로서 도시되지만, 교대 층들은 다른 재료들로 형성되거나 또는 다른 내부 구조들을 가질 수 있다는 것이 이해된다.
[0051] 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은 다양한 구조들을 가질 수 있다. 실시예에서, 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314) 둘 모두는 단일 층, 다수의 층들, 분할된 층 구조, 불균일한 구조들, 또는 이들의 조합으로 형성된다.
[0052] 대부분의 재료들이 극자외선 파장들의 광을 흡수하기 때문에, 사용되는 광학 엘리먼트들은, 다른 리소그래피 시스템들에서 사용되는 바와 같이 투과적인 대신에 반사적이다. 다층 스택(306)은, 브래그 반사체 또는 미러를 생성하기 위해 상이한 광학 특성들을 갖는 재료들의 얇은 교대 층들을 가짐으로써 반사 구조를 형성한다.
[0053] 실시예에서, 교대 층들 각각은 극자외선 광(112)에 대해 다른 광학 상수들을 갖는다. 교대 층들의 두께의 주기가 극자외선 광(112)의 반파장(one half the wavelength)일 때, 교대 층들은 공진 반사율을 제공한다. 실시예에서, 13 nm 파장의 극자외선 광(112)의 경우, 교대 층들은 약 6.5 nm 두께이다. 제공된 사이즈들 및 치수들은 통상적인 엘리먼트들에 대한 일반적인 엔지니어링 공차들 내에 있다는 것이 이해된다.
[0054] 다층 스택(306)은 다양한 방식들로 형성될 수 있다. 실시예에서, 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은 마그네트론 스퍼터링, 이온 스퍼터링 시스템들, 펄스 레이저 증착, 캐소드 아크 증착, 또는 이들의 조합으로 형성된다.
[0055] 예시적인 실시예에서, 다층 스택(306)은 마그네트론 스퍼터링과 같은 물리 기상 증착 기법을 사용하여 형성된다. 실시예에서, 다층 스택(306)의 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은, 정밀한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 깨끗한 계면들을 포함하는 마그네트론 스퍼터링 기법에 의해 형성되는 특성들을 갖는다. 실시예에서, 다층 스택(306)의 제1 반사 층(312) 및 제2 반사 층(314)은, 정밀한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 깨끗한 계면들을 포함하는 물리 기상 증착에 의해 형성되는 특성들을 갖는다.
[0056] 물리 기상 증착 기법을 사용하여 형성된 다층 스택(306)의 층들의 물리적 치수들은, 반사율을 증가시키기 위해 정밀하게 제어될 수 있다. 실시예에서, 실리콘 층과 같은 제1 반사 층(312)은 4.1 nm의 두께를 갖는다. 몰리브데넘 층과 같은 제2 반사 층(314)은 2.8 nm의 두께를 갖는다. 층들의 두께는 극자외선 반사 엘리먼트의 피크 반사율 파장을 나타낸다. 층들의 두께가 정확하지 않으면, 원하는 파장 13.5 nm에서의 반사율은 감소될 수 있다.
[0057] 실시예에서, 다층 스택(306)은 60%를 초과하는 반사율을 갖는다. 실시예에서, 물리 기상 증착을 사용하여 형성된 다층 스택(306)은 66%-67% 범위의 반사율을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 더 단단한 재료들로 형성된 다층 스택(306) 위에 캡핑 층(308)을 형성하는 것은 반사율을 개선시킨다. 일부 실시예들에서, 70%를 초과하는 반사율은, 낮은 거칠기 층들, 층들 사이의 깨끗한 계면들, 개선된 층 재료들, 또는 이들의 조합을 사용하여 달성된다.
[0058] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 극자외선 광(112)의 투과를 가능하게 하는 보호 층이다. 실시예에서, 캡핑 층(308)은 다층 스택(306) 바로 위에 형성된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 오염물질들 및 기계적 손상으로부터 다층 스택(306)을 보호한다. 일 실시예에서, 다층 스택(306)은 산소, 탄탈럼, 하이드로탄탈럼들, 또는 이들의 조합에 의한 오염에 민감하다. 실시예에 따른 캡핑 층(308)은 오염물질들과 상호작용하여, 오염물질들을 중화시킨다.
[0059] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 극자외선 광(112)에 대해 투명한 광학적으로 균일한 구조이다. 극자외선 광(112)은 캡핑 층(308)을 통과하여 다층 스택(306)에서 반사된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 1% 내지 2%의 총 반사율 손실을 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 상이한 재료들 각각은 두께에 따라 상이한 반사율 손실을 갖지만, 이들 전부는 1% 내지 2%의 범위에 있을 것이다.
[0060] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 매끄러운 표면을 갖는다. 예컨대, 캡핑 층(308)의 표면은 0.2 nm RMS(root mean square) 측정치 미만의 거칠기를 가질 수 있다. 다른 예에서, 캡핑 층(308)의 표면은 1/100 nm 내지 1/1 ㎛ 범위의 길이의 경우 0.08 nm RMS의 거칠기를 갖는다. RMS 거칠기는 캡핑 층(308)의 표면이 측정되는 범위에 따라 변할 것이다. 100 nm 내지 1 미크론의 특정 범위의 경우, 그러한 거칠기는 0.08 nm 이하이다. 더 큰 범위에 걸칠수록, 거칠기는 더 클 것이다.
[0061] 캡핑 층(308)은 다양한 방법들로 형성될 수 있다. 실시예에서, 캡핑 층(308)은 마그네트론 스퍼터링, 이온 스퍼터링 시스템들, 이온 빔 증착, 전자 빔 증발 증착, RF(radio frequency) 스퍼터링, ALD(atomic layer deposition), 펄스 레이저 증착, 캐소드 아크 증착, 또는 이들의 조합으로 다층 스택(306) 상에 또는 다층 스택(306) 바로 위에 형성된다. 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은, 정밀한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 깨끗한 계면들을 포함하는 마그네트론 스퍼터링 기법에 의해 형성되는 물리 특성들을 갖는다. 실시예에서, 캡핑 층(308)은, 정밀한 두께, 낮은 거칠기, 및 층들 사이의 깨끗한 계면들을 포함하는 물리 기상 증착에 의해 형성되는 물리 특성들을 갖는다.
[0062] 하나 이상의 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 세정 동안 부식에 저항하기에 충분한 경도를 갖는 다양한 재료들로 형성된다. 일 실시예에서, 루테늄은, 우수한 에칭 정지부(stop)이고 동작 조건들 하에서 비교적 불활성이기 때문에, 캡핑 층 재료로서 사용된다. 그러나, 다른 재료들이 캡핑 층(308)을 형성하기 위해 사용될 수 있다는 것이 이해된다. 특정 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 2.5 내지 5.0 nm 범위의 두께를 갖는다.
[0063] 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층(310)은 극자외선 광(112)을 흡수하는 층이다. 실시예에서, 흡수체 층(310)은, 극자외선 광(112)을 반사하지 않는 영역들을 제공함으로써 EUV 반사 마스크(106) 상에 패턴을 형성하기 위해 사용된다. 하나 이상의 실시예들에 따른 흡수체 층(310)은 극자외선 광(112)의 특정 주파수, 이를테면, 약 13.5 nm에 대해 높은 흡수 계수를 갖는 재료를 포함한다. 실시예에서, 흡수체 층(310)은 캡핑 층(308) 바로 위에 형성되고, 흡수체 층(310)은, EUV 반사 마스크(106)의 패턴을 형성하기 위해 포토리소그래피 프로세스를 사용하여 에칭된다.
[0064] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 극자외선 미러(205)와 같은 극자외선 반사 엘리먼트(302)는 기판(304), 다층 스택(306) 및 캡핑 층(308)으로 형성된다. 극자외선 미러(205)는 광학적으로 평탄한 표면을 갖고, 극자외선 광(112)을 효율적이고 균일하게 반사할 수 있다.
[0065] 하나 이상의 실시예들에 따르면, EUV 마스크 블랭크(204)와 같은 극자외선 반사 엘리먼트(302)는 기판(304), 다층 스택(306), 캡핑 층(308) 및 흡수체 층(310)으로 형성된다. 마스크 블랭크(204)는 광학적으로 평탄한 표면을 갖고, 극자외선 광(112)을 효율적이고 균일하게 반사할 수 있다. 실시예에서, 마스크 패턴(114)은 EUV 마스크 블랭크(204)의 흡수체 층(310)으로 형성된다.
[0066] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 캡핑 층(308) 위에 흡수체 층(310)을 형성하는 것은 EUV 반사 마스크(106)의 신뢰성을 증가시킨다. 캡핑 층(308)은 흡수체 층(310)에 대한 에칭 정지 층 역할을 한다. 도 2의 마스크 패턴(114)이 흡수체 층(310) 내로 에칭될 때, 흡수체 층(310) 아래의 캡핑 층(308)은 다층 스택(306)을 보호하기 위해 에칭 액션을 정지시킨다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층(310)은 캡핑 층(308)에 대해 에칭 선택적이다. 일부 실시예들에서, 캡핑 층(308)은 루테늄을 포함하고, 흡수체 층(310)은 루테늄에 대해 에칭 선택적이다.
[0067] 실시예에서, 흡수체 층(310)은 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함한다. 일부 실시예들에서, 흡수체는 약 45 nm 미만의 두께를 갖는다. 일부 실시예들에서, 흡수체 층은, 약 40 nm 미만, 약 35 nm 미만, 약 30 nm 미만, 약 25 nm 미만, 약 20 nm 미만, 약 15 nm 미만, 약 10 nm 미만, 약 5 nm 미만, 약 1 nm 미만 또는 약 0.5 nm 미만을 포함하는 약 45 nm 미만의 두께를 갖는다. 다른 실시예들에서, 흡수체 층(310)은, 약 1 nm 내지 약 44 nm, 1 nm 내지 약 40 nm, 그리고 15 nm 내지 약 40 nm 범위를 포함하는 약 0.5 nm 내지 약 45 nm 범위의 두께를 갖는다.
[0068] 이론에 얽매이는 것으로 의도하지 않고, 약 45 nm 미만의 두께를 갖는 흡수체 층(310)은 유리하게는, 약 2% 미만의 반사율을 갖는 흡수체 층을 야기하여서, EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크에서의 3D 마스크 효과들을 감소 및 완화시키는 것으로 생각된다.
[0069] 실시예에서, 흡수체 층(310)은 탄탈럼 및 안티모니의 합금으로 만들어진다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 33.7 wt.% 내지 약 57.8 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 42.2 wt.% 내지 약 63.3 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 45 wt.% 내지 약 55 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 45 wt.% 내지 약 55 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 57.8 wt.% 내지 약 78.2 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 21.8 wt.% 내지 약 42.2 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 65 wt.% 내지 약 75 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 25 wt.% 내지 약 35 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 21.9 wt.% 내지 약 33.7 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 66.3 wt.% 내지 약 78.1 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 22 wt.% 내지 약 30 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 70 wt.% 내지 약 78 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 비정질이다.
[0070] 특정 실시예에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 안티모니 풍부 합금이다. 본원에서 사용되는 바와 같이, "안티모니 풍부"란 용어는, 합금에 탄탈럼보다 훨씬 더 많은 안티모니가 있다는 것을 의미한다. 예컨대, 특정 실시예에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 21.9 wt.% 내지 약 33.7 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 66.3 wt.% 내지 약 78.1 wt.%의 안티모니를 포함하는, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 22 wt.% 내지 약 30 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 70 wt.% 내지 약 80 wt.%의 안티모니를 포함하는 합금이다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 비정질이다.
[0071] 본원에서 사용되는 바와 같이, "탈탈럼 풍부"란 용어는, 합금에 안티모니보다 훨씬 더 많은 탄탈럼이 있다는 것을 의미한다. 예컨대, 특정 실시예에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 57.8 wt.% 내지 약 78.2 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 21.8 wt.% 내지 약 42.2 wt.%의 안티모니를 포함하는, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 65 wt.% 내지 약 75 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 25 wt.% 내지 약 35 wt.%의 안티모니를 포함하는 합금이다.
[0072] 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 도펀트를 포함한다. 도펀트는 질소 또는 산소 중 하나 이상으로부터 선택될 수 있다. 실시예에서, 도펀트는 산소를 포함한다. 대안적인 실시예에서, 도펀트는 질소를 포함한다. 실시예에서, 도펀트는 합금의 중량에 기반하여 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 범위의 양(amount)으로 합금에 존재한다. 다른 실시예들에서, 도펀트는 약 0.1 wt.%, 0.2 wt.%, 0.3 wt.%, 0.4 wt.%, 0.5 wt.%, 0.6 wt.%, 0.7 wt.%, 0.8 wt.%, 0.9 wt.%, 1.0 wt.%, 1.1 wt.%, 1.2 wt.%, 1.3 wt.%, 1.4 wt.%, 1.5 wt.%, 1.6 wt.%, 1.7 wt.%, 1.8 wt.%, 1.9 wt.%, 2.0 wt.%, 2.1 wt.%, 2.2 wt.%, 2.3 wt.%, 2.4 wt.%, 2.5 wt.%, 2.6 wt.%, 2.7 wt.%, 2.8 wt.%, 2.9 wt.%, 3.0 wt.%, 3.1 wt.%, 3.2 wt.%, 3.3 wt.%, 3.4 wt.%, 3.5 wt.%, 3.6 wt.%, 3.7 wt.%, 3.8 wt.%, 3.9 wt.%, 4.0 wt.%, 4.1 wt.%, 4.2 wt.%, 4.3 wt.%, 4.4 wt.%, 4.5 wt.%, 4.6 wt.%, 4.7 wt.%, 4.8 wt.%, 4.9 wt.% 또는 5.0 wt.%의 양으로 합금에 존재한다.
[0073] 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층의 합금은 물리 증착 챔버에서 형성되는 코-스퍼터링된 합금 흡수체 재료이며, 이는, 2% 미만의 반사율 및 적절한 에칭 특성들을 달성하면서, 훨씬 더 얇은 흡수체 층 두께(30 nm 미만)를 제공할 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층의 합금은 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스들에 의해 코-스퍼터링될 수 있다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 아르곤 및 산소 가스들(Ar + O2)의 혼합물에 의해 코-스퍼터링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 아르곤 및 산소의 혼합물에 의한 코-스퍼터링은 탄탈럼의 옥사이드 및/또는 안티모니의 옥사이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤 및 산소의 혼합물에 의한 코-스퍼터링은 탄탈럼 또는 안티모니의 옥사이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 아르곤 및 질소 가스들(Ar + N2)의 혼합물에 의해 코-스퍼터링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 아르곤 및 질소의 혼합물에 의한 코-스퍼터링은 탄탈럼의 나이트라이드 및/또는 안티모니의 나이트라이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤 및 질소의 혼합물에 의한 코-스퍼터링은 탄탈럼 또는 안티모니의 나이트라이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은 아르곤 및 산소 및 질소 가스들(Ar + O2 + N2)의 혼합물에 의해 코-스퍼터링될 수 있다. 일부 실시예들에서, 아르곤 및 산소 및 질소의 혼합물에 의한 코-스퍼터링은 탄탈럼의 옥사이드 및/또는 나이트라이드 및/또는 안티모니의 옥사이드 및/또는 나이트라이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤 및 산소 및 질소의 혼합물에 의한 코-스퍼터링은 탄탈럼 또는 안티모니의 옥사이드 또는 나이트라이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 에칭 특성들 및/또는 다른 특성들은 위에서 논의된 바와 같이 합금 비율(들)을 제어함으로써 사양에 맞춰질 수 있다. 실시예에서, 합금 비율(들)은, 물리 기상 증착 챔버의 전압, 압력, 유동 등과 같은 동작 파라미터들에 의해 정밀하게 제어될 수 있다. 실시예에서, 프로세스 가스가 재료 특성들을 추가로 변형시키기 위해 사용되는데, 예컨대, N2 가스가 탄탈럼 및 안티모니의 나이트라이드들을 형성하기 위해 사용된다.
[0074] 하나 이상의 실시예들에서, 본원에서 사용되는 바와 같이, "코-스퍼터링"은, 2 개의 타겟들, 즉, 탄탈럼을 포함하는 하나의 타겟 및 안티모니를 포함하는 제2 타겟이 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함하는 흡수체 층을 증착/형성하기 위해 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2)로부터 선택된 하나 이상의 가스를 사용하여 동시에 스퍼터링되는 것을 의미한다.
[0075] 다른 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은, 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스들을 사용하여 탄탈럼 및 안티모니 층들의 라미네이트로서 층별로 증착될 수 있다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은, 아르곤 및 산소 가스들(Ar + O2)의 혼합물을 사용하여 탄탈럼 및 안티모니 층들의 라미네이트로서 층별로 증착될 수 있다. 일부 실시예들에서, 아르곤 및 산소의 혼합물을 사용한 층별 증착은 탄탈럼의 옥사이드 및/또는 안티모니의 옥사이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤 및 산소의 혼합물을 사용한 층별 증착은 탄탈럼 또는 안티모니의 옥사이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은, 아르곤 및 질소 가스들(Ar + N2)의 혼합물을 사용하여 탄탈럼 및 안티모니 층들의 라미네이트로서 층별로 증착될 수 있다. 일부 실시예들에서, 아르곤 및 질소의 혼합물을 사용한 층별 증착은 탄탈럼의 나이트라이드 및/또는 안티모니의 나이트라이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤 및 질소의 혼합물을 사용한 층별 증착은 탄탈럼 또는 안티모니의 나이트라이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은, 아르곤 및 산소 및 질소 가스들(Ar + O2 + N2)의 혼합물을 사용하여 탄탈럼 및 안티모니 층들의 라미네이트로서 층별로 증착될 수 있다. 일부 실시예들에서, 아르곤 및 산소 및 질소의 혼합물을 사용하여 층별로 증착하는 것은 탄탈럼의 옥사이드 및/또는 나이트라이드 및/또는 안티모니의 옥사이드 및/또는 나이트라이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤 및 산소 및 질소의 혼합물을 사용한 층별 증착은 탄탈럼 또는 안티모니의 옥사이드 또는 나이트라이드를 형성하지 않는다.
[0076] 하나 이상의 실시예들에서, 본원에서 설명되는 합금 조성(composition)들의 벌크 타겟들이 만들어질 수 있고, 이러한 벌크 타겟들은, 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스들을 사용하여 일반적인 스퍼터링에 의해 스퍼터링될 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 합금이 합금과 동일한 조성을 갖는 벌크 타겟을 사용하여 증착되고 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스를 사용하여 스퍼터링되어, 흡수체 층이 형성된다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은, 합금과 동일한 조성을 갖는 벌크 타겟을 사용하여 증착될 수 있으며, 아르곤 및 산소 가스들(Ar + O2)의 혼합물을 사용하여 스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤 및 산소의 혼합물을 사용한 벌크 타겟 증착은 탄탈럼의 옥사이드 및/또는 안티모니의 옥사이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤 및 산소의 혼합물을 사용한 벌크 타겟 증착은 탄탈럼 또는 안티모니의 옥사이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은, 합금과 동일한 조성을 갖는 벌크 타겟을 사용하여 증착될 수 있으며, 아르곤 및 질소 가스들(Ar + N2)의 혼합물을 사용하여 스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤 및 질소의 혼합물을 사용한 벌크 타겟 증착은 탄탈럼의 나이트라이드 및/또는 안티모니의 나이트라이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤 및 질소의 혼합물을 사용한 벌크 타겟 증착은 탄탈럼 또는 안티모니의 나이트라이드를 형성하지 않는다. 실시예에서, 흡수체 층의 합금은, 합금과 동일한 조성을 갖는 벌크 타겟을 사용하여 증착될 수 있으며, 아르곤 및 산소 및 질소 가스들(Ar + O2 + N2)의 혼합물을 사용하여 스퍼터링된다. 일부 실시예들에서, 아르곤 및 산소 및 질소의 혼합물을 사용하여 벌크 타겟 증착하는 것은 탄탈럼의 옥사이드 및/또는 나이트라이드 및/또는 안티모니의 옥사이드 및/또는 나이트라이드를 형성한다. 다른 실시예들에서, 아르곤 및 산소 및 질소의 혼합물을 사용한 벌크 타겟 증착은 탄탈럼 또는 안티모니의 옥사이드 또는 나이트라이드를 형성하지 않는다. 일부 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 0.1 wt.% 내지 5 wt.% 범위의 질소 또는 산소 중 하나 이상으로 도핑된다.
[0077] EUV 마스크 블랭크는 제1 흡수체 재료를 포함하는 제1 캐소드, 제2 흡수체 재료를 포함하는 제2 캐소드, 제3 흡수체 재료를 포함하는 제3 캐소드, 제4 흡수체 재료를 포함하는 제4 캐소드, 및 제5 흡수체 재료를 포함하는 제5 캐소드를 갖는 물리 증착 챔버에서 만들어질 수 있으며, 여기서, 제1 흡수체 재료, 제2 흡수체 재료, 제3 흡수체 재료, 제4 흡수체 재료 및 제5 흡수체 재료들은 서로 상이하고, 흡수체 재료들 각각은 다른 재료들과 상이한 흡광 계수(extinction coefficient)를 가지며, 흡수체 재료들 각각은 다른 흡수체 재료들과 상이한 굴절률을 갖는다.
[0078] 이제 도 5를 참조하면, 극자외선 마스크 블랭크(400)는 기판(414), 기판(414) 상의 반사 층들(412)의 다층 스택을 포함하는 것으로 도시되고, 반사 층들(412)의 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 복수의 반사 층 쌍들은 몰리브데넘(Mo) 함유 재료 및 실리콘(Si) 함유 재료로부터 선택된 재료로 만들어진다. 일부 실시예들에서, 복수의 반사 층 쌍들은 몰리브데넘 및 실리콘의 교대 층들을 포함한다. 극자외선 마스크 블랭크(400)는 반사 층들(412)의 다층 스택 상에 캡핑 층(422)을 더 포함하고, 캡핑 층(422) 상에 흡수체 층들의 다층 스택(420)이 있다. 하나 이상의 실시예에서, 복수의 반사 층들(412)은 몰리브데넘(Mo) 함유 재료 및 실리콘(Si) 함유 재료로부터 선택되고, 캡핑 층(422)은 루테늄을 포함한다.
[0079] 흡수체 층들의 다층 스택(420)은 복수의 흡수체 층 쌍들(420a, 420b, 420c, 420d, 420e, 420f)을 포함하고, 각각의 쌍(420a/420b, 420c/420d, 420e/420f)은 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함한다. 일부 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 33.7 wt.% 내지 약 57.8 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 42.2 wt.% 내지 약 63.3 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 45 wt.% 내지 약 55 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 45 wt.% 내지 약 55 wt.%의 안티모니, 예컨대, 51.5 wt.%의 탄탈럼 그리고 48.9 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 57.8 wt.% 내지 약 78.2 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 21.8 wt.% 내지 약 42.2 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 65 wt.% 내지 약 75 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 25 wt.% 내지 약 35 wt.%의 안티모니, 예컨대, 약 70.3 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 29.7 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 21.9 wt.% 내지 약 33.7 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 66.3 wt.% 내지 약 78.1 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 22 wt.% 내지 약 30 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 70 wt.% 내지 약 78 wt.%의 안티모니, 예컨대, 약 26.5 wt.%의 탄탈럼 그리고 73.5 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 비정질이다.
[0080] 일 예에서, 흡수체 층(420a)은 안티모니로 만들어지고, 흡수체 층(420b)을 형성하는 재료는 탄탈럼이다. 마찬가지로, 흡수체 층(420c)은 안티모니로 만들어지고, 흡수체 층(420d)을 형성하는 재료는 탄탈럼이며, 흡수체 층(420e)은 안티모니 재료로 만들어지고, 흡수체 층(420f)을 형성하는 재료는 탄탈럼이다.
[0081] 일 실시예에서, 극자외선 마스크 블랭크(400)는 몰리브데넘(Mo) 함유 재료 및 실리콘(Si) 함유 재료, 예컨대, 몰리브데넘(Mo) 및 실리콘(Si)으로부터 선택된 복수의 반사 층들(412)을 포함한다. 흡수체 층들(420a, 420b, 420c, 420d, 420e 및 420f)을 형성하기 위해 사용되는 흡수체 재료들은 탄탈럼 및 안티모니의 합금이다. 일부 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 33.7 wt.% 내지 약 57.8 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 42.2 wt.% 내지 약 63.3 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 45 wt.% 내지 약 55 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 45 wt.% 내지 약 55 wt.%의 안티모니, 예컨대, 51.5 wt.%의 탄탈럼 그리고 48.9 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 57.8 wt.% 내지 약 78.2 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 21.8 wt.% 내지 약 42.2 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 65 wt.% 내지 약 75 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 25 wt.% 내지 약 35 wt.%의 안티모니, 예컨대, 약 70.3 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 29.7 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 21.9 wt.% 내지 약 33.7 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 66.3 wt.% 내지 약 78.1 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 22 wt.% 내지 약 30 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 70 wt.% 내지 약 78 wt.%의 안티모니, 예컨대, 약 26.5 wt.%의 탄탈럼 그리고 73.5 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 비정질이다.
[0082] 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층 쌍들(420a/420b, 420c/420d, 420e/420f)은 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함하는 흡수체 재료를 포함하는 제1 층(420a, 420c, 420e), 그리고 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함하는 흡수체 재료를 포함하는 제2 흡수체 층(420b, 420d, 420f)을 포함한다. 특정 실시예들에서, 흡수체 층 쌍들은 탄탈럼 및 안티모니의 합금 ―탄탈럼 및 안티모니의 합금은, 대략적 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 갖는 합금으로부터 선택됨― 을 포함하는 제1 층(420a, 420c, 420e), 그리고 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함하는 흡수체 재료를 포함하는 제2 흡수체 층(420b, 420d, 420f)을 포함한다.
[0083] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 흡수체 층 쌍들은 제1 층(420a, 420c, 420e) 및 제2 흡수체 층(420b, 420d, 420f)을 포함하고, 제1 흡수체 층들(420a, 420c, 420e) 및 제2 흡수체 층(420b, 420d, 420f) 각각은 0.1 nm 내지 10 nm 범위, 예컨대, 1 nm 내지 5 nm 범위, 또는 1 nm 내지 3 nm 범위의 두께를 갖는다. 하나 이상의 특정 실시예들에서, 제1 층(420a)의 두께는 0.5 nm, 0.6 nm, 0.7 nm, 0.8 nm, 0.9 nm, 1 nm, 1.1 nm, 1.2 nm, 1.3 nm, 1.4 nm, 1.5 nm, 1.6 nm, 1.7 nm, 1.8 nm, 1.9 nm, 2 nm, 2.1 nm, 2.2 nm, 2.3 nm, 2.4 nm, 2.5 nm, 2.6 nm, 2.7 nm, 2.8 nm, 2.9 nm, 3 nm, 3.1 nm, 3.2 nm, 3.3 nm, 3.4 nm, 3.5 nm, 3.6 nm, 3.7 nm, 3.8 nm, 3.9 nm, 4 nm, 4.1 nm, 4.2 nm, 4.3 nm, 4.4 nm, 4.5 nm, 4.6 nm, 4.7 nm, 4.8 nm, 4.9 nm 그리고 5 nm이다. 하나 이상의 실시예들에서, 각각의 쌍의 제1 흡수체 층 및 제2 흡수체 층의 두께는 동일하거나 또는 상이하다. 예컨대, 제1 흡수체 층 및 제2 흡수체 층은, 1:1, 1.5:1, 2:1, 2.5:1, 3:1, 3.5:1, 4:1, 4.5:1, 5:1, 6:1, 7:1, 8:1, 9:1, 10:1, 11:1, 12:1, 13:1, 14:1, 15:1, 16:1, 17:1, 18:1, 19:1 또는 20:1의 제1 흡수체 층 두께 대 제2 흡수체 층 두께의 비(ratio)가 되도록 하는 두께 ―이는 각각의 쌍에서 제2 흡수체 층 두께 이상의 두께를 갖는 제1 흡수체 층을 야기함― 를 갖는다. 대안적으로, 제1 흡수체 층 및 제2 흡수체 층은, 1.5:1, 2:1, 2.5:1, 3:1, 3.5:1, 4:1, 4.5:1, 5:1, 6:1, 7:1, 8:1, 9:1, 10:1, 11:1, 12:1, 13:1, 14:1, 15:1, 16:1, 17:1, 18:1, 19:1 또는 20:1의 제2 흡수체 층 두께 대 제1 흡수체 층 두께의 비가 되도록 하는 두께 ―이는 각각의 쌍에서 제1 흡수체 층 두께 이상의 두께를 갖는 제2 흡수체 층을 야기함― 를 갖는다.
[0084] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 극자외선 광이 흡광도로 인해 그리고 반사 층들의 다층 스택으로부터의 광과의 상쇄 간섭에 의해 유발되는 위상 변화(phase change)로 인해 흡수되도록, 상이한 흡수체 재료들 및 흡수체 층들의 두께가 선택된다. 도 5에 도시된 실시예가 3 개의 흡수체 층 쌍들(420a/420b, 420c/420d 및 420e/420f)을 도시하지만, 청구항들은 특정 수의 흡수체 층 쌍들로 제한되지 않아야 한다. 하나 이상의 실시예들에 따르면, EUV 마스크 블랭크(400)는 5 개 내지 60 개의 흡수체 층 쌍들의 범위에서 또는 10 개 내지 40 개의 흡수체 층 쌍들의 범위에서 포함할 수 있다.
[0085] 하나 이상의 실시예들에 따르면, 흡수체 층들은 2% 미만의 반사율 및 다른 에칭 특성들을 제공하는 두께를 갖는다. 공급 가스가 흡수체 층들의 재료 특성들을 추가로 변형시키기 위해 사용될 수 있는데, 예컨대, 질소(N2) 가스가 위에서 제공된 재료들의 나이트라이드들을 형성하기 위해 사용될 수 있다. 하나 이상의 실시예들에 따른 흡수체 층들의 다층 스택은, EUV 광이 흡광도로 인해 흡수될 뿐만 아니라 다층 흡수체 스택에 의해 유발되는 위상 변화에 의해서도 흡수되도록 ―이는 더 나은 대비(contrast)를 제공하기 위해 아래의 반사 재료들의 다층 스택으로부터의 광과 상쇄 간섭할 것임―, 개별적인 두께의 상이한 재료들의 반복적인 패턴이다.
[0086] 본 개시내용의 다른 양상은 EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법에 관한 것이고, 방법은, 기판 상의 반사 층들의 다층 스택을 기판 상에 형성하는 단계 ―다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함함―, 반사 층들의 다층 스택 상에 캡핑 층을 형성하는 단계, 및 캡핑 층 상에 흡수체 층을 형성하는 단계를 포함하고, 흡수체 층은 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함하며, 여기서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 33.7 wt.% 내지 약 57.8 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 42.2 wt.% 내지 약 63.3 wt.%의 안티모니, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 45 wt.% 내지 약 55 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 45 wt.% 내지 약 55 wt.%의 안티모니, 예컨대, 51.5 wt.%의 탄탈럼 그리고 48.9 wt.%의 안티모니를 포함하는 대략적 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 57.8 wt.% 내지 약 78.2 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 21.8 wt.% 내지 약 42.2 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 65 wt.% 내지 약 75 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 25 wt.% 내지 약 35 wt.%의 안티모니, 예컨대, 약 70.3 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 29.7 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 21.9 wt.% 내지 약 33.7 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 66.3 wt.% 내지 약 78.1 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 22 wt.% 내지 약 30 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 70 wt.% 내지 약 78 wt.%의 안티모니, 예컨대, 약 26.5 wt.%의 탄탈럼 그리고 73.5 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 비정질이다.
[0087] EUV 마스크 블랭크는 도 4 및 도 5와 관련하여 위에서 설명된 실시예들의 특성들 중 임의의 특성을 가질 수 있고, 방법은 도 3과 관련하여 설명된 시스템에서 수행될 수 있다.
[0088] 따라서, 실시예에서, 복수의 반사 층들은 몰리브데넘(Mo) 함유 재료 및 실리콘(Si) 함유 재료로부터 선택되고, 흡수체 층은 탄탈럼 및 안티모니의 합금이며, 여기서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은, 합금의 총 중량에 기반하여 약 33.7 wt.% 내지 약 57.8 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 42.2 wt.% 내지 약 63.3 wt.%의 안티모니, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 45 wt.% 내지 약 55 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 45 wt.% 내지 약 55 wt.%의 안티모니, 예컨대, 51.5 wt.%의 탄탈럼 그리고 48.9 wt.%의 안티모니를 포함하는 대략적 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 57.8 wt.% 내지 약 78.2 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 21.8 wt.% 내지 약 42.2 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 65 wt.% 내지 약 75 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 25 wt.% 내지 약 35 wt.%의 안티모니, 예컨대, 약 70.3 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 29.7 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 21.9 wt.% 내지 약 33.7 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 66.3 wt.% 내지 약 78.1 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 22 wt.% 내지 약 30 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 70 wt.% 내지 약 78 wt.%의 안티모니, 예컨대, 약 26.5 wt.%의 탄탈럼 그리고 73.5 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 비정질이다.
[0089] 다른 특정 방법 실시예에서, 상이한 흡수체 층들은 제1 흡수체 재료를 포함하는 제1 캐소드 및 제2 흡수체 재료를 포함하는 제2 캐소드를 갖는 물리 증착 챔버에서 형성된다. 이제 도 6을 참조하면, 멀티-캐소드 챔버(500)의 상부 부분이 실시예에 따라 도시된다. 멀티-캐소드 챔버(500)는 최상부 어댑터(504)에 의해 캡핑된 원통형 바디 부분(502)을 갖는 베이스 구조(501)를 포함한다. 최상부 어댑터(504)는 최상부 어댑터(504) 주위에 포지셔닝된 다수의 캐소드 소스들, 이를테면, 캐소드 소스들(506, 508, 510, 512 및 514)에 대한 프로비전들을 갖는다.
[0090] 하나 이상의 실시예들에서, 방법은 5 nm 내지 60 nm 범위의 두께를 갖는 흡수체 층을 형성한다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층은 51 nm 내지 57 nm 범위의 두께를 갖는다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층을 형성하기 위해 사용되는 재료들은 흡수체 층의 에칭 특성들에 영향을 주도록 선택된다. 하나 이상의 실시예들에서, 흡수체 층의 합금은, 물리 증착 챔버에서 형성되는 합금 흡수체 재료를 코-스퍼터링함으로써 형성되며, 이는, 2% 미만의 반사율 및 원하는 에칭 특성들을 달성하며 훨씬 더 얇은 흡수체 층 두께(30 nm 미만)를 제공할 수 있다. 실시예에서, 흡수체 층의 에칭 특성들 및 다른 원하는 특성들은 각각의 흡수체 재료의 합금 비율을 제어함으로써 사양에 맞춰질 수 있다. 실시예에서, 합금 비율은, 물리 기상 증착 챔버의 전압, 압력, 유동 등과 같은 동작 파라미터들에 의해 정밀하게 제어될 수 있다. 실시예에서, 프로세스 가스가 재료 특성들을 추가로 변형시키기 위해 사용되는데, 예컨대, N2 가스가 탄탈럼 및 안티모니의 나이트라이드들을 형성하기 위해 사용된다. 합금 흡수체 재료는, 합금의 총 중량에 기반하여 약 33.7 wt.% 내지 약 57.8 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 42.2 wt.% 내지 약 63.3 wt.%의 안티모니를 포함하는, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 45 wt.% 내지 약 55 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 45 wt.% 내지 약 55 wt.%의 안티모니를 포함하는, 예컨대, 51.5 wt.%의 탄탈럼 그리고 48.9 wt.%의 안티모니를 포함하는, 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함할 수 있다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 57.8 wt.% 내지 약 78.2 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 21.8 wt.% 내지 약 42.2 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 65 wt.% 내지 약 75 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 25 wt.% 내지 약 35 wt.%의 안티모니, 예컨대, 약 70.3 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 29.7 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 합금의 총 중량에 기반하여 약 21.9 wt.% 내지 약 33.7 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 66.3 wt.% 내지 약 78.1 wt.%의 안티모니를 포함하는데, 예컨대, 합금의 총 중량에 기반하여 약 22 wt.% 내지 약 30 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 70 wt.% 내지 약 78 wt.%의 안티모니, 예컨대, 약 26.5 wt.%의 탄탈럼 그리고 73.5 wt.%의 안티모니를 포함한다. 하나 이상의 실시예들에서, 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 비정질이다.
[0091] 멀티-캐소드 소스 챔버(500)는 도 3에 도시된 시스템의 일부일 수 있다. 실시예에서, EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크 생산 시스템은 진공을 생성하기 위한 기판 핸들링 진공 챔버, 기판 핸들링 진공 챔버에 로딩되는 기판을 수송하기 위한, 진공 내의 기판 핸들링 플랫폼, 그리고 기판 상에 반사 층들의 다층 스택을 포함하는 EUV 마스크 블랭크를 형성하기 위한, 기판 핸들링 플랫폼에 의해 액세스되는 다수의 서브-챔버들을 포함하고, 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들, 반사 층들의 다층 스택 상의 캡핑 층, 및 캡핑 층 상의 흡수체 층을 포함하며, 흡수체 층은 탄탈럼 및 안티모니의 합금으로 만들어진다. 시스템은, 도 4 또는 도 5와 관련하여 도시된 EUV 마스크 블랭크들을 만들고 위에서 도 4 또는 도 5와 관련하여 설명된 EUV 마스크 블랭크들과 관련하여 설명된 특성들 중 임의의 특성을 갖기 위해 사용될 수 있다.
[0092] 프로세스들은 일반적으로, 프로세서에 의해 실행될 때 프로세스 챔버로 하여금 본 개시내용의 프로세스들을 수행하게 하는 소프트웨어 루틴으로서 메모리에 저장될 수 있다. 소프트웨어 루틴은 또한, 프로세서에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원격으로 위치되는 제2 프로세서(미도시)에 의해 저장 및/또는 실행될 수 있다. 본 개시내용의 방법의 일부 또는 전부는 또한, 하드웨어로 수행될 수 있다. 따라서, 프로세스는 소프트웨어로 구현되어 컴퓨터 시스템을 사용하여 실행될 수 있거나, 예컨대 주문형 집적 회로 또는 다른 타입의 하드웨어 구현으로서 하드웨어로 구현될 수 있거나, 또는 소프트웨어와 하드웨어의 조합으로서 구현될 수 있다. 소프트웨어 루틴은, 프로세서에 의해 실행될 때, 범용 컴퓨터를, 프로세스들이 수행되도록 챔버 동작을 제어하는 특수 목적 컴퓨터(제어기)로 변환한다.
[0093] 본 명세서 전체에 걸쳐 "일 실시예", "특정 실시예들", "하나 이상의 실시예들" 또는 "실시예"에 대한 언급은, 실시예와 관련하여 설명된 특정 특징, 구조, 재료 또는 특성이 본 개시내용의 적어도 하나의 실시예에 포함됨을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전체에 걸쳐 다양한 곳들에서 "하나 이상의 실시예들에서", "특정 실시예들에서", "일 실시예에서" 또는 "실시예에서"와 같은 문구들의 출현들이 반드시 본 개시내용의 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 더욱이, 특정 특징들, 구조들, 재료들 또는 특성들은 하나 이상의 실시예들에서 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다.
[0094] 본원의 개시내용이 특정 실시예들을 참조하여 설명되었지만, 이들 실시예들이 단지 본 개시내용의 원리들 및 애플리케이션들을 예시한다는 것이 이해되어야 한다. 본 개시내용의 사상 및 범위를 벗어나지 않고, 본 개시내용의 방법 및 장치에 대해 다양한 수정들 및 변형들이 행해질 수 있다는 것이 당업자들에게 자명할 것이다. 따라서, 본 개시내용은 첨부된 청구항들 및 이들의 등가물들의 범위 내에 있는 수정들 및 변화들을 포함하는 것으로 의도된다.

Claims (15)

  1. EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법으로서,
    EUV 방사선을 반사하는 다층 스택을 기판 상에 형성하는 단계 ―상기 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함함―;
    상기 다층 스택 상에 캡핑 층을 형성하는 단계; 및
    상기 캡핑 층 상에 흡수체 층을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 흡수체 층은 탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 약 33.7 wt.% 내지 약 57.8 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 42.2 wt.% 내지 약 63.3 wt.%의 안티모니를 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 약 57.8 wt.% 내지 약 78.2 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 21.8 wt.% 내지 약 42.2 wt.%의 안티모니를 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 약 21.9 wt.% 내지 약 33.7 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 66.3 wt.% 내지 약 78.1 wt.%의 안티모니를 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 비정질인,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스로 상기 탄탈럼 및 안티모니를 코-스퍼터링(co-sputter)함으로써 상기 합금이 형성되어, 상기 흡수체 층이 형성되는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스를 사용하여 탄탈럼 및 안티모니 층들의 라미네이트로서 층별로 상기 합금이 증착되어, 상기 흡수체 층이 형성되는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 합금이 상기 합금과 동일한 조성(composition)을 갖는 벌크 타겟을 사용하여 증착되고 아르곤(Ar), 산소(O2) 또는 질소(N2) 중 하나 이상으로부터 선택된 가스를 사용하여 스퍼터링되어, 상기 흡수체 층이 형성되는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  9. 제2 항에 있어서,
    상기 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 0.1 wt.% 내지 5 wt.% 범위의 질소 또는 산소 중 하나 이상으로 도핑되는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  10. 제3 항에 있어서,
    상기 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 약 0.1 wt.% 내지 약 5 wt.% 범위의 질소 또는 산소 중 하나 이상으로 도핑되는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크를 제조하는 방법.
  11. EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크로서,
    기판;
    EUV 방사선을 반사하는 다층 스택 ―상기 다층 스택은 복수의 반사 층 쌍들을 포함함―;
    반사 층들의 상기 다층 스택 상의 캡핑 층; 및
    탄탈럼 및 안티모니의 합금을 포함하는 흡수체 층
    을 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 약 33.7 wt.% 내지 약 57.8 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 42.2 wt.% 내지 약 63.3 wt.%의 안티모니를 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 약 57.8 wt.% 내지 약 78.2 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 21.8 wt.% 내지 약 42.2 wt.%의 안티모니를 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  14. 제12 항에 있어서,
    상기 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 약 21.9 wt.% 내지 약 33.7 wt.%의 탄탈럼 그리고 약 66.3 wt.% 내지 약 78.1 wt.%의 안티모니를 포함하는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
  15. 제13 항에 있어서,
    상기 탄탈럼 및 안티모니의 합금은 비정질이고, 상기 흡수체 층은 45 nm 미만의 두께를 갖는,
    EUV(extreme ultraviolet) 마스크 블랭크.
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