KR20210076846A

KR20210076846A - 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법

Info

Publication number: KR20210076846A
Application number: KR1020200168055A
Authority: KR
Inventors: 신이치 슈도
Original assignee: 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 2019-12-16
Filing date: 2020-12-04
Publication date: 2021-06-24
Also published as: JP2021097116A; US11520229B2; JP7414508B2; US20210181624A1

Abstract

기판 상의 서로 인접하는 샷 영역 각각 상으로 임프린트재를 공급하는 공급 단계를 행하고, 공급 단계 후에, 샷 영역 각각에 대하여 접촉 단계, 경화 단계 및 이형 단계를 포함하는 임프린트 처리를 실행하는 임프린트 장치. 장치는, 경화 단계에서 샷 영역 상의 상기 임프린트재에 광을 조사하는 조사부, 및 조사부로부터의 광의 조사 영역을 규정하는 차광 부재를 포함하고, 차광 부재는, 제1 샷 영역에 인접하는 제2 샷 영역 측에 있는 제1 샷 영역의 단부 부분의 임프린트재가 제2 샷 영역에 대해 행해지는 경화 단계에서의 광 조사에 의해 상보적으로 경화되도록 조사 영역을 규정한다.

Description

임프린트 장치 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}

본 발명은 임프린트 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스를 제조하기 위한 새로운 패턴 형성 기술로서 임프린트 기술이 주목받고 있다. 임프린트 장치는, 실리콘 웨이퍼, 유리 플레이트 등의 기판 상의 임프린트재에 몰드를 접촉시킨 상태에서 임프린트재를 경화시키고, 경화된 임프린트재를 몰드로부터 분리함으로써 기판 상에 임프린트재 패턴을 형성한다. 임프린트재를 경화시키는 방법의 하나로서, 광(자외선)의 조사에 의해 임프린트재를 경화시키는 광경화법이 있다는 것에 유의한다.

임프린트 장치에서는, 임프린트재를 몰드와 접촉시킬 때에 패턴 영역으로부터 임프린트재가 압출될 수 있고, 이는 후속 임프린트 처리에 영향을 줄 수 있다. 대조적으로, 일본 특허 공개 공보 제2009-212449호는, 샷 영역의 외주의 임프린트재가 완전히 경화되지 않고 연성으로 유지되어, 임프린트재가 패턴 영역으로부터 압출되어 몰드에 부착되는 경우에도 임프린트 처리가 계속될 수 있다는 것을 기재하고 있다.

종래의 임프린트 장치에서는, 기판에 임프린트재를 공급(도포)하는 공급 단계, 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시키는 접촉 단계, 임프린트재를 경화시키는 경화 단계, 및 임프린트재로부터 몰드를 분리하는 이형 단계가 각각의 샷 영역에 대해 반복적으로 행해진다. 그러나, 최근에는, 스루풋을 향상시키기 위해서, 기판 상의 서로 인접하는 복수의 샷 영역 또는 기판 상의 모든 샷 영역에 대해서 공급 단계를 미리 행하고, 그 후에 각각의 샷 영역에 대해서 접촉 단계, 경화 단계 및 이형 단계를 행하는 시퀀스가 고려되고 있다. 본 명세서에서는, 이러한 시퀀스를 "다수-영역 선행 도포"이라고도 칭한다.

다수-영역 선행 도포에서는, 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역 상의 임프린트재를 경화시키는 광도 인접하는 샷 영역에 도달하여, 인접하는 샷 영역 상의 임프린트재를 부분적으로 경화시킨다. 따라서, 하나의 샷 영역에는 상이한 경화 상태의 임프린트재가 혼재한다. 이 경우, 접촉 단계에서는, 미노광 임프린트재가 불충분한 가압력으로 인해 적절한 힘으로 가압될 수 없기 때문에 패턴이 성공적으로 형성될 수 없을 뿐만 아니라, 몰드의 패턴 부분도 손상될 수 있다.

상술한 바와 같이, 일본 특허 공개 공보 제2009-212449호는, 샷 영역의 외주의 임프린트재가 완전히 경화되지 않고 연성으로 유지되는 것을 기재하고 있지만, 다수-영역 선행 도포와 같은 시퀀스가 상정되지 않기 때문에, 상술한 바와 같은 문제를 해결할 수 없다.

본 발명은, 예를 들어 몰드의 패턴 부분의 보호 성능과 스루풋의 양자 모두를 달성하는데 유리한 임프린트 장치를 제공한다.

본 발명은, 그 일 양태에서, 기판 상으로 임프린트재를 공급하는 공급 단계, 상기 기판 상의 상기 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시키는 접촉 단계, 상기 임프린트재와 상기 몰드가 서로 접촉하는 상태에서 광 조사에 의해 상기 임프린트재를 경화시키는 경화 단계, 및 경화된 상기 임프린트재로부터 상기 몰드를 분리하는 이형 단계를 행하는 임프린트 장치를 제공하며, 상기 임프린트 장치는, 상기 기판 상의 서로 인접하는 복수의 샷 영역의 각각에 대해서 상기 공급 단계를 행하고, 상기 공급 단계 후에, 상기 복수의 샷 영역의 각각의 샷 영역에 대해서 상기 접촉 단계, 상기 경화 단계 및 상기 이형 단계를 포함하는 임프린트 처리를 실행하도록 구성되고, 상기 임프린트 장치는, 상기 경화 단계에서 상기 샷 영역 상의 상기 임프린트재에 광을 조사하도록 구성되는 조사부; 및 상기 조사부로부터의 상기 광의 조사 영역을 규정하도록 구성되는 차광 부재를 포함하며, 상기 차광 부재는, 제1 샷 영역에 인접하는 제2 샷 영역 측에 있는, 상기 제1 샷 영역의 단부 부분의 상기 임프린트재가 상기 제2 샷 영역에 대해 행해지는 상기 경화 단계에서의 광 조사에 의해 상보적으로 경화되도록 상기 조사 영역을 규정한다.

본 발명의 다른 특징은 (첨부 도면을 참조하여) 이루어진 예시적인 실시형태들의 다음의 설명으로부터 분명해질 것이다.

도 1은 임프린트 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2a 내지 도 2d는 임프린트 시퀀스의 일 예를 도시하는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 샷 영역과 광 조사 영역 사이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 4a1 내지 도 4c3은 서로 인접하는 복수의 샷 영역과 광 조사 범위 사이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 샷 영역과 광 조사 영역 사이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 6a1 내지 도 6c3은 서로 인접하는 복수의 샷 영역과 광 조사 범위 사이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 7은 임프린트 장치의 배치를 도시하는 도면이다.
도 8a 내지 도 8d는 임프린트 시퀀스의 일 예를 도시하는 도면이다.
도 9a 및 도 9b는 샷 영역과 광 조사 영역 사이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 10a 내지 도 10f는 서로 인접하는 복수의 샷 영역과 광 조사 범위 사이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 11a 내지 도 11f는 서로 인접하는 복수의 샷 영역과 광 조사 범위 사이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 12는 일 실시형태에 따른 물품의 제조 방법을 설명하는 도면이다.

이하, 첨부 도면들을 참조하여 실시형태가 상세하게 설명될 것이다. 이하의 실시형태는 청구된 발명의 범위를 제한하려는 것이 아니라는 것에 유의한다. 실시형태들에는 다수의 특징이 설명되지만, 이러한 특징들 모두를 필요로 하는 발명으로 제한되지 않고, 이러한 다수의 특징은 적절히 조합될 수 있다. 또한, 첨부 도면들에서는, 동일 또는 유사한 구성들에 동일한 참조 번호들이 주어지고, 그 중복 설명은 생략된다.

<제1 실시형태>

먼저, 실시형태에 따른 임프린트 장치의 개요에 대해서 설명한다. 임프린트 장치는, 기판 상으로 공급된 임프린트재를 몰드와 접촉시키고, 임프린트재에 경화 에너지를 공급함으로써, 몰드의 오목-볼록 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다.

임프린트재로서는, 경화 에너지가 부여되는 것에 의해 경화되는 경화성 조성물(미경화 수지라 칭하기도 함)이 사용된다. 경화 에너지로서는, 전자기파, 열 등이 사용될 수 있다. 전자기파는, 예를 들어 10 nm 이상 1 mm 이하의 파장 범위로부터 선택되는 광, 예를 들어 적외선, 가시광선, 또는 자외선 등일 수 있다. 경화성 조성물은, 광의 조사에 의해 또는 가열에 의해 경화되는 조성물일 수 있다. 이들 조성물 중, 광의 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 더 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내부 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 폴리머 성분을 포함하는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 화합물이다. 임프린트재 공급 장치는, 액적, 또는 복수의 액적이 서로 연결되어 형성되는 섬 또는 막의 형태로 기판 상에 임프린트재를 배치할 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는, 예를 들어 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하일 수 있다. 기판의 재료로서는, 예를 들어 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 또는 수지가 사용될 수 있다. 필요에 따라, 기판의 표면에는, 기판의 것과 상이한 재료로 이루어지는 부재가 제공될 수 있다. 기판으로서는, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 실리카 유리 등이 사용될 수 있다.

도 1은 일 실시형태에 따른 임프린트 장치(100)의 배치를 도시하는 도면이다. 본 명세서 및 도면에서는, 수평면을 XY 평면으로 하는 XYZ 좌표계에서 방향을 나타낸다. 일반적으로, 기판(1)은 그 표면이 수평면(XY 평면)에 평행하도록 기판 스테이지(10)에 배치된다. 따라서, 이하에서는, 기판(1)의 표면을 따르는 평면 내에서 서로 직교하는 방향을 X축 및 Y축으로 규정하고, X축 및 Y축에 직교하는 방향을 Z축으로 규정한다. 또한, 이하에서는, XYZ 좌표계에서의 X축, Y축, 및 Z축에 평행한 방향을 각각 X 방향, Y 방향, 및 Z 방향이라 칭한다.

기판 스테이지(10)는, 기판(1)을 보유지지하고, 기판(1)을 위치결정하기 위해서 구동된다. 몰드(2)를 보유지지하는 몰드 보유지지부(20)는 몰드(2)를 구동하는 몰드 구동부(임프린트 헤드)로서 기능한다. 몰드 보유지지부(20)는 보정 유닛(21)을 통해서 몰드(2)를 보유지지한다. 보정 유닛(21)은 몰드(2)의 형상을 보정하는 형상 보정 기구를 포함한다. 몰드 보유지지부(20)의 구동에 의해, 몰드(2)와 기판(1) 상의 임프린트재(31)를 서로 접촉시킬 수 있고, 몰드(2)를 기판(1) 상의 임프린트재(31)로부터 분리(이형)할 수 있다. 공급 유닛(30)(디스펜서)은 기판(1) 상으로 임프린트재를 공급(토출)한다. 공급 유닛(30)은, 기판(1) 상에 배치되는 임프린트재를 도포하는 기능을 가질 수 있다. 조사부(40)는, 몰드(2)와 기판(1) 상의 임프린트재(31)가 서로 접촉하는 상태에서, 임프린트재(31)에 몰드(2)를 통해서 광(자외선)을 조사하여 임프린트재(31)를 경화시킨다. 조사부(40)는 i-선 및/또는 g-선을 발생시키는 할로겐 램프 또는 수은 램프 등의 광원을 포함할 수 있다. 차광 부재(41)는 조사부(40)로부터의 광의 샷 영역에의 조사 영역을 규정하는 개방부(개구)를 형성한다. 구동부(45)는 차광 부재(41)를 구동함으로써 개방부의 크기를 조정한다.

제어부(50)는, 임프린트 장치(100)의 각 유닛을 통괄적으로 제어함으로써 임프린트 처리의 실행을 관리한다. 제어부(50)는, CPU, 마이크로컨트롤러, 또는 마이크로프로세서 등의 처리 유닛을 포함한다. 처리 유닛은 제어부(50)의 내부 또는 외부의 메모리에 저장된 임프린트 처리에 관한 제어 프로그램을 실행한다.

임프린트 장치(100)의 구성은 대략 상술한 바와 같다. 다음으로, 임프린트 장치(100)에 의해 실행되는 임프린트 처리에 대해 설명한다.

임프린트 처리는, 기판 상으로 공급된 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시키는 접촉 단계, 임프린트재를 경화시키는 경화 단계, 및 임프린트재와 몰드를 서로 분리하는 이형 단계를 포함할 수 있다. 본 실시형태에서는, 기판 상으로 임프린트재를 공급하는 공급 단계가, 기판 상의 서로 인접하는 복수의 샷 영역 또는 모든 샷 영역에 대하여 미리 집합적으로 행해진다. 그 후, 각각의 샷 영역마다 임프린트 처리(접촉 단계, 경화 단계, 및 이형 단계)가 행해진다. 이러한 시퀀스(다수-영역 선행 도포)가 본 실시형태에서 채용된다. 이 시퀀스에 따른 동작들은 아래에 구체적으로 설명될 것이다. 동작들은 처리 유닛(50)이 제어 프로그램을 실행함으로써 수행된다.

공급 단계에서는, 기판 스테이지(10)를 공급 유닛(30)의 바로 아래에서 X 방향 또는 Y 방향으로 구동하면서 공급 유닛(30)으로부터 임프린트재를 토출함으로써, 기판(1) 상의 샷 영역(임프린트 영역)에 임프린트재(31)를 공급한다. 본 실시형태에서는, 임프린트재는 기판(1) 상의 서로 인접하는 복수의 샷 영역에 집합적으로 공급된다.

이어서, 접촉 단계에서, 기판 스테이지(10)는 몰드 보유지지부(20)의 바로 아래로 이동한다. 샷 영역이 몰드 보유지지부(20)의 바로 아래에 도달하면, 기판 스테이지(10)는 정지된다. 그리고, 몰드 보유지지부(20)가 몰드(2)를 하강시킴으로써, 몰드(2)와 기판(1) 상의 임프린트재(31)가 서로 접촉하기 시작한다. 이때, 보정 유닛(21)은, 몰드(2)의 패턴 부분이 미리결정된 형상이 되도록 몰드(2)를 보정한다. 몰드(2)가 기판(1) 상의 임프린트재(31)에 접촉할 때, 몰드(2)의 패턴 부분은 임프린트재(31)로 충전된다.

이어서, 경화 단계에서, 조사부(40)는 임프린트재에 광(자외선)을 조사하여 임프린트재를 경화시킨다. 그리고, 이형 단계에서는, 몰드 보유지지부(20)가 몰드(2)를 상승시키고, 경화된 임프린트재로부터 몰드(2)가 분리된다.

이형 동작이 완료된 후, 다음 샷 영역이 몰드 보유지지부(20)의 바로 아래에 오도록 기판 스테이지(10)를 구동한다. 기판(1) 상의 샷 영역이 몰드 보유지지부(20)의 바로 아래에 도달하면, 샷 영역에 접촉 단계, 경화 단계, 및 이형 단계가 행해진다. 일련의 동작은, 기판(1) 상으로 임프린트재가 공급된 모든 샷 영역에 대해서 반복된다. 모든 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 완료된 경우에는, 기판(1)은 임프린트 장치(100)의 외부로 반출된다.

도 2a 내지 도 2d를 참조하여, 임프린트 장치(100)에 의한 기판(1)에 대한 임프린트 시퀀스의 일 예를 설명한다. 도 2a 내지 도 2d에 나타내는 예에서는, 공급 단계에서 X 방향을 따라 1행의 각각의 샷 영역에 임프린트재를 공급하고, 그 후 이러한 행의 각각의 샷 영역에 대해 접촉 단계, 경화 단계 및 이형 단계를 행한다. 이러한 다수-영역 선행 도포에서는, 종래에는, 임프린트 처리가 행해진 샷 영역 상의 임프린트재를 경화시키는 광도 인접하는 샷 영역에 도달하여, 인접하는 샷 영역 상의 임프린트재를 부분적으로 경화시킨다. 따라서, 하나의 샷 영역에는 상이한 경화 상태의 임프린트재가 혼재한다. 이 경우, 접촉 단계에서는, 미노광 임프린트재가 불충분한 가압력으로 인해 적절한 힘으로 가압될 수 없기 때문에 패턴이 성공적으로 형성될 수 없을 뿐만 아니라, 몰드의 패턴 부분도 손상될 수 있다. 또한, 하나의 샷 영역에 상이한 경화 상태의 임프린트재가 혼재하는 경우, 몰드가 임프린트재와 접촉할 때 몰드가 미끄러지거나 기울어질 수 있고, 따라서 패턴이 성공적으로 형성될 수 없을 뿐만 아니라 몰드의 패턴 부분도 손상될 수 있다.

본 실시형태에서는, 차광 부재(41)는 제1 샷 영역에 인접하는 제2 샷 영역 측의 제1 샷 영역의 단부 부분의 임프린트재가 제2 샷 영역에 대한 경화 단계에서의 광 조사에 의해 상보적으로 경화되도록 조사 영역을 규정한다. 이는 전술한 바와 같은 문제를 해결한다. 이하에 구체적인 예를 설명한다.

도 2a는, 해칭된 샷 영역(sc)에서 임프린트 처리가 이미 완료되었고, 백색 배경으로 도시되는 샷 영역(ss)에 임프린트재가 공급되지 않은 상태를 도시한다. 도 2b는, 도 2a에 나타내는 상태로부터, 직전에 임프린트 처리가 완료된 행에 인접하는 행의 샷 영역인 도트 배경으로 나타내는 샷 영역(sa)에 임프린트재가 공급된 상태를 나타낸다. 본 예에서는, 1행의 모든 샷 영역에 임프린트재가 공급되지만, 하나의 샷 영역에만 임프린트재를 공급할 수 있거나, 또는 임프린트재를 2개의 샷 영역마다 복수회(plurality of every two shot regions) 공급할 수 있다는 것에 유의한다.

도 2c는, 몰드 보유지지부(20)가 몰드(2)를 하강시키는 것에 의해, 샷 영역(sb)에 대해 임프린트 처리가 실행되는, 즉 몰드(2)와 샷 영역(sb) 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨 상태를 나타낸다. 그 후, 조사부(40)는 임프린트재에 광을 조사해서 임프린트재를 경화시키고, 몰드 보유지지부(20)는 몰드(2)를 상승시켜서 경화된 임프린트재로부터 몰드(2)를 분리한다. 따라서, 새로운 패턴이 샷 영역(sb)에 형성된다.

도 2c에 나타내는 임프린트 처리 후에, 임프린트 처리가 행해진 샷 영역은 도 2d에 나타내는 바와 같이 인접하는 샷 영역으로 이동한다. 도 2d에서는, 도 2c의 임프린트 처리가 행해진 샷 영역을 해칭된 영역으로서 나타내어 임프린트 처리가 완료된 것을 나타낸다. 기판 스테이지(10)는, 다음 샷 영역이 몰드 보유지지부(20)의 바로 아래에 오도록 구동된다. 본 예에서는, 임프린트 처리는 -Y 방향으로부터 +Y 방향으로 그리고 -X 방향으로부터 +X 방향의 순서로 실행되지만, 임프린트 순서는 장치의 생산성 및 배치를 고려하여 임의로 선택될 수 있다는 것에 유의한다.

도 3a 및 도 3b는, 임프린트 장치(100)에서, -Y 방향으로부터 +Y 방향으로 그리고 -X 방향으로부터 +X 방향으로의 순서로 임프린트 처리를 실행할 때에 기판(1) 상의 샷 영역(s15)과 조사부(40)로부터 적용되는 광 빔 사이의 관계를 도시하는 도면이다. 도 3a는, 샷 영역(s15)과 조사부(40)로부터 샷 영역(s15)으로의 광 빔의 조사 영역 사이의 관계를 나타낸다. 도 3b는 샷 영역의 X 방향 위치와 노광량 사이의 관계를 나타낸다. 도 3b의 세로좌표는 임프린트재의 경화 임계값에 대한 노광량의 비율을 나타낸다. 도 3b는, 노광량이 X 방향의 샷 영역의 중앙 부분에서 임프린트재의 경화 임계값을 초과하지만, 노광량은 X 방향의 단부 부분에서 임프린트재의 경화 임계값에 도달하지 않는 것을 나타낸다.

도 3a에서, 제1 조사 영역(42a)은 임프린트재의 경화 임계값을 초과하는 제1 광량을 갖는 광이 조사되는 영역이며, 제1 조사 영역(42a)의 X 방향 폭 및 Y 방향 폭은 각각 Ix1 및 Iy1로 나타낸다. 제2 조사 영역(42b)은, 제1 조사 영역(42a)의 외부이며 제1 조사 영역(42a)을 둘러싸는 영역이다. 제2 조사 영역(42b)의 X 방향 폭 및 Y 방향 폭을 각각 Ix2 및 Iy2로 나타낸다. 제2 조사 영역(42b)은, 임프린트재의 경화 임계값을 초과하지 않지만, 이형 시에 임프린트재가 몰드(2)에 부착되지 않을 정도까지 임프린트재를 경화시킬 수 있는 제2 광량을 갖는 광이 조사되는 영역이다. 제1 조사 영역(42a) 및 제2 조사 영역(42b)은, 동일한 광원으로부터의 광 빔으로 조사되는 영역일 수 있거나 상이한 광원으로부터의 광 빔으로 동시에 조사되는 영역일 수 있다. 제1 조사 영역(42a)과 제2 조사 영역(42b) 사이의 위치 관계는, 예를 들어 X 및 Y 방향에서 동일한 중심을 갖는 위치 관계이다.

샷 영역(s15)은, 기판(1) 상의 임프린트재에 몰드(2)를 접촉시켜서 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행하는 샷 영역(제1 샷 영역)이며, X 방향 폭 및 Y 방향 폭을 각각 Sx 및 Sy로 나타낸다. Sx 및 Sy의 값은 장치의 생산성 및 제품의 용도에 따라 임의로 설정된다. 여기서, 임프린트 순서는 -Y 방향으로부터 +Y 방향으로 그리고 -X 방향으로부터 +X 방향으로의 순서로 설정된다. 이 경우, 샷 영역(s15)에 조사부(40)로부터의 노광 광이 조사될 때, 샷 영역(s15)에 인접하는 -X 측(도면 면에서 좌측) 및 -Y 측(도면 면에서 하측)의 영역에는 임프린트재가 존재하지 않거나 노광된 임프린트재가 존재한다. 샷 영역(s15)에 인접하는 +Y 측(도면 면의 상측)의 영역에는 임프린트재가 공급되어 있지 않다. +X 측(도면 면의 우측)에는 샷 영역(s15)에 인접하여 샷 영역(s15) 후에 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역(제2 샷 영역)이 존재하고, 미노광 상태(미경화 상태)의 임프린트재가 내부에 존재한다.

이 경우, 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역(s15)의 전체면을 포함하도록 광이 적용될 때, 샷 영역(s15)에 인접하는 샷 영역의 임프린트재의 일부도 경화된다. 임프린트재의 일부가 경화된 상태에서 임프린트 처리가 실행되는 경우, 몰드(2)는 손상될 수 있어 원하는 패턴이 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 본 실시형태에서는, 차광 부재(41)는 예를 들어 다음의 조건을 충족하도록 조사 영역을 규정한다:

(a) 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역(s15)에 인접하는 샷 영역 중, 임프린트 처리가 행해진 인접하는 샷 영역의, 샷 영역(s15) 측의 단부 부분에는 광이 조사되며,

(b) 임프린트 처리가 행해진 샷 영역(s15)에 인접하는 샷 영역 중, 임프린트 처리가 행해지지 않은 인접하는 샷 영역에는 광이 조사되지 않는다.

즉, 도 3a에 나타내는 예에서는, 노광 광이 +X 방향 측으로 돌출하지 않도록 제2 조사 영역(42b)이 조정된다. 따라서, 본 실시형태에서는, 제2 조사 영역(42b)은, +X 측의 그 단부가 +X 측의 샷 영역(s15)의 단부와 일치하도록 조정된다. 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역의 -X 방향 및 ±Y 방향에 대해서는, 노광 광이 인접하는 샷 영역으로 돌출해도 문제가 없기 때문에, 장치의 생산성의 관점에서, 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역으로부터 임프린트재의 경화 임계값을 초과하는 노광 광이 돌출하도록 조사 영역을 조정할 수 있다. 따라서, 제2 조사 영역(42b)은 Y 방향의 그 중심이 샷 영역(s15)의 중심과 일치하도록 조정된다. 제1 조사 영역(42a)의 Ix1 및 Iy1과 샷 영역(s15)의 Sx 및 Sy 사이의 관계는 다음의 부등식으로 표현된다:

Ix1 ≥ Sx ...(1)

Iy1 ≥ Sy ...(2)

또한, 제1 조사 영역(42a) 및 제2 조사 영역(42b)의 각각의 중심과 샷 영역(s15)의 중심 사이의 X 방향 거리(dx)는 다음의 식으로 표현된다:

dx = (Ix2 - Sx)/2 ...(3)

dx의 방향은 임프린트 순서에 의해 결정된다. 임프린트 순서가 -X 방향으로부터 +X 방향의 순서인 경우, dx의 방향은 샷 영역(s15)의 중심으로부터 임프린트 처리가 행해지는 다음 샷 영역을 향하는 방향(+X 방향)과 반대인 방향(-X 방향)이다. 차광 부재(41)는, 조사 영역으로서, 샷 영역(s15)의 중심으로부터 -X 방향으로 오프셋된 위치에 중심을 갖는 영역을 규정한다.

제1 조사 영역(42a) 및 제2 조사 영역(42b) 각각의 노광량 및 조사 영역은 광원의 조도를 조정함으로써 조정될 수 있거나, 조사부(40)의 차광 부재(41)를 조정함으로써 조정될 수 있다. 대안적으로, 이들은 차광막이 제공된 차광 몰드를 사용하여 조정될 수 있다. 노광량 및 조사 영역은 패턴 영역의 외부에 제공되는 차광막의 막 두께 등을 조정함으로써 조정될 수 있다.

도 4a1 내지 도 4c3은, 연속해서 임프린트 처리가 행해지는 서로 인접하는 샷 영역(s15) 및 샷 영역(s16 및 s17)과 조사부(40)로부터 적용되는 광 빔 사이의 관계를 나타낸다. 임프린트 처리는, -Y 방향으로부터 +Y 방향으로 그리고 -X 방향으로부터 +X 방향으로의 순서로 기판(1)에 대하여 실행된다. 도 4a1, 도 4b1, 및 도 4c1은 각각 샷 영역(s15, s16 및 s17)에 대하여 실행되는 임프린트 처리 동안의 기판(1)의 상태를 나타낸다. 도 4a2, 도 4b2 및 도 4c2는 각각 샷 영역(s15, s16 및 s17)에 대해 실행되는 임프린트 처리 동안의 샷 영역(s15, s16 및 s17) 상의 임프린트재의 상태를 나타낸다. 도 4a3, 도 4b3 및 도 4c3의 각각은, 샷 영역(s15, s16 및 s17)의 X 방향 위치와 노광량 사이의 관계를 나타낸다. 도 4a3, 도 4b3 및 도 4c3의 각각에서, 세로좌표는 임프린트재의 경화 임계값에 대한 노광량의 비율을 나타낸다. 실선은 각각의 샷 영역까지의 적산 노광량을 나타내고, 파선은 노광 동안의 각각의 샷 영역의 노광량을 나타내며, 점선은 각각의 샷 영역의 노광 직전까지의 노광 이력을 나타낸다.

샷 영역(s16) 측(제2 샷 영역 측)의 샷 영역(s15)의 단부 부분의 임프린트재(31d)는 그것이 반경화 상태에 있는 것을 나타낸다. 임프린트재(31a)에 경화 임계값 이하의 광량을 갖는 광이 조사될 때, 임프린트재(31a)는 반경화 상태의 임프린트재(31d)가 된다. 반경화 상태는 점도가 경화 상태에서보다 낮지만 몰드(2)로부터 전사되는 패턴이 유지되는 상태이다. 임프린트재(31d) 및 기판(1)은 이형 시에 발생하는 이형력 이상의 힘으로 서로 밀착하기 때문에, 몰드를 이형할 때에는 임프린트재(31d)가 몰드(2) 측에 부착되지 않는다. 임프린트재 자체의 부착력 및 임프린트재와 기판(1) 사이의 부착력은 임프린트재의 물성 및 상태, 기판(1)의 표면 상태, 및 주위 환경 분위기에 의해 결정된다. 도 4a1, 도 4b1 및 도 4c1의 각각에서 기판(1)의 에지 부분 근방의 샷은 생략되지만, 장치의 생산성을 향상시키는 관점에서는, 에지 부분의 영역에서 임프린트 처리가 실행될 수 있다는 것에 유의한다.

도 4a2에서는, 샷 영역(s15)의 경화 임계값을 초과하는 광량으로 노광된 제1 조사 영역(42a)의 임프린트재(31b)는 경화되며, 경화 임계값 이하의 광량으로 노광된 제2 조사 영역(42b)의 임프린트재(31d)는 반경화된다. 샷 영역(s15)의 반경화 상태의 임프린트재(31d)는, 인접하는 샷 영역(s16)에 대해 실행되는 임프린트 처리에서의 광 조사에 의해 상보적으로 노광 및 경화된다.

유사하게, 도 4b2에서는, 샷 영역(s16)의 경화 임계값을 초과하는 광량으로 노광된 제1 조사 영역(42a)의 임프린트재(31b)는 경화되며, 경화 임계값 이하의 광량으로 노광된 제2 조사 영역(42b)의 임프린트재는 반경화된다. 샷 영역(s16)의 반경화 상태의 임프린트재(31d)는, 인접하는 샷 영역(s17)으로의 광 조사에 의해 상보적으로 노광 및 경화된다.

경화 임계값을 초과하는 광량으로 노광된 임프린트재의 경화 상태는 그 후에 더 노광을 행해도 변화하지 않고, 따라서 양호한 패턴이 유지된다는 것에 유의한다. 그러나, 이는 사용되는 모든 임프린트재에 적용되지 않는 상황을 상정할 수 있다. 따라서, 샷 영역에서의 임프린트재의 적산 노광량 분포는 거의 균일한 것이 바람직하고, 하나의 기준으로서 8% 이하로 행하는 것이 바람직하다. 샷 영역(s24)에 인접하는 샷 영역에는 미노광 임프린트재가 없다. 이 경우, 제어부(50)는, 임프린트재의 경화 임계값을 초과하는 광량을 갖는 광이 샷 영역(s24)의 전체면에 조사되도록 구동부(45)를 제어할 수 있다. 따라서, 샷 영역(s24)에서 임프린트재가 집합적으로 경화된다. 대안적으로, 샷 영역(s24)의 노광 후에 조사부(40)의 차광 부재(41)를 구동하지 않고, 샷 영역(s24)으로부터 +X축 방향으로 하나의 샷 영역만큼 시프트된 위치에 광을 적용하여, 샷 영역(s24) 상의 임프린트재를 상보적으로 경화시킬 수 있다. 샷 영역(s24)이 기판(1)의 외주 부분을 포함하지만 미노광 임프린트재가 제1 조사 영역(42a) 내에 존재하는 경우에는, 차광 부재(41)의 조정 위치를 변경하지 않고 노광을 행하는 것이 바람직하다. 미노광 임프린트재가 제1 조사 영역(42a)의 외부에 존재하는 경우, 차광 부재(41)는 제1 조사 영역(42a) 및 제2 조사 영역(42b)을 연장하도록 구동되고 노광이 행해진다. 대안적으로, 샷 영역(s24)의 노광 후에, 샷 영역(s24) 상의 임프린트재를 상보적으로 경화시키기 위해서, 광이 샷 영역(s24)으로부터 +X축 방향으로 하나의 샷 영역만큼 시프트된 위치에 적용될 수 있다. 임프린트 장치(100)는, 기판(1)의 모든 샷 영역에 대하여 일련의 동작을 행하여, 모든 샷 영역의 각각에 몰드(2)의 패턴을 형성한다.

도 5a 및 도 5b는, 임프린트 장치(100)에서 -Y 방향으로부터 +Y 방향으로 그리고 -X 방향으로부터 +X 방향으로의 순서로 임프린트 처리를 실행할 때에 기판(1) 상의 샷 영역(s15)과 조사부(40)로부터 적용되는 광 빔 사이의 관계를 도시하는 도면이다. 도 5a는, 샷 영역(s15)과 조사부(40)로부터 샷 영역(s15)으로의 광 빔의 조사 영역 사이의 관계를 나타낸다. 도 5b는 샷 영역의 X 방향 위치와 노광량 사이의 관계를 나타낸다. 도 5b의 세로좌표는 임프린트재의 경화 임계값에 대한 노광량의 비율을 나타낸다.

도 5a에서, 제1 조사 영역(42a)은 임프린트재의 경화 임계값을 초과하는 제1 광량을 갖는 광이 조사되는 영역이며, 제1 조사 영역(42a)의 X 방향 폭 및 Y 방향 폭은 각각 Ix1 및 Iy1로 나타낸다. 제2 조사 영역(42b)은, 제1 조사 영역(42a)의 외부이며 제1 조사 영역(42a)을 둘러싸는 영역이다. 제2 조사 영역(42b)의 X 방향 폭 및 Y 방향 폭을 각각 Ix2 및 Iy2로 나타낸다. 제3 조사 영역(42c)은, 제2 조사 영역(42b)의 외부이며 제2 조사 영역(42b)을 둘러싸는 영역이다. 제3 조사 영역의 X 방향 폭 및 Y 방향 폭을 각각 Ix3 및 Iy3으로 나타낸다. 제2 조사 영역(42b)은, 임프린트재의 경화 임계값을 초과하지 않지만, 이형 시에 임프린트재가 몰드(2)에 부착되지 않을 정도까지 임프린트재를 경화시킬 수 있는 제2 광량을 갖는 광이 조사되는 영역이다. 제3 조사 영역(42c)은, 제2 광량보다 작지만, 몰드(2)를 손상시키지 않고 임프린트 처리를 실행할 수 있는 제3 광량을 갖는 광이 조사되는 영역이다. 제1 조사 영역(42a), 제2 조사 영역(42b), 및 제3 조사 영역(42c)은 동일한 광원으로부터의 광 빔이 조사되는 영역일 수 있거나, 상이한 광원으로부터의 광 빔이 동시에 조사되는 영역일 수 있다. 제1 조사 영역(42a), 제2 조사 영역(42b), 및 제3 조사 영역(42c) 사이의 위치 관계는, 예를 들어 이들이 X 및 Y 방향에서 동일한 중심을 갖는 위치 관계이다. 즉, 차광 부재(41)는 제1 조사 영역(42a), 제2 조사 영역(42b), 및 제3 조사 영역(42c)의 중심이 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역(s15)의 중심과 일치하도록 각각의 조사 영역을 규정한다.

샷 영역(s15)은, 몰드(2)가 기판(1) 상의 임프린트재와 접촉하여 패턴을 형성하는 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역이며, X 방향 폭 및 Y 방향 폭을 각각 Sx 및 Sy로 나타낸다. Sx 및 Sy의 값은 장치의 생산성 및 제품의 용도에 따라 임의로 설정된다. 임프린트 순서가 -Y 방향으로부터 +Y 방향으로 그리고 -X 방향으로부터 +X 방향으로의 순서로 설정되는 경우를 고려한다. 이 경우, 샷 영역(s15)에 조사부(40)로부터의 노광 광이 조사될 때, 샷 영역(s15)에 인접하는 -X 측 및 -Y 측의 영역에는 임프린트재가 존재하지 않거나 노광된 임프린트재가 존재한다. 샷 영역(s15)에 인접하는 +Y 측의 영역에는 임프린트재가 공급되어 있지 않다. +X 측의 샷 영역(s15)에 인접하는 영역에는 미노광 임프린트재가 존재한다. 이 경우, 노광될 샷 영역(s15)의 전체면을 포함하도록 노광 광이 적용될 때, 샷 영역(s15)에 인접하는 샷 영역의 임프린트재의 일부도 경화된다. 임프린트재의 일부가 경화된 상태에서 임프린트 처리가 실행되는 경우, 원하는 패턴이 형성될 수 없도록 몰드(2)를 손상시킬 가능성이 증가한다. 이러한 상황을 회피하기 위해서, 노광될 샷 영역의 외부로 돌출하는 노광 광의 광량은 임프린트재의 경화 임계값 이하로 설정된다. 또한, 샷 영역의 외부로 돌출하는 광의 광량은, 노광된 인접 샷 영역에 대한 임프린트 처리의 실행 시에 몰드(2)를 손상시키지 않고 임프린트 처리가 실행될 수 있도록 조정된다. 본 실시형태에서는, 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역(s15)(제1 샷 영역)의, 인접하는 샷 영역(제2 샷 영역) 측의 단부 부분은 제2 조사 영역(42b)에 포함된다. 인접하는 샷 영역(제2 샷 영역)의 샷 영역(s15)(제1 샷 영역) 측의 단부 부분은 제3 조사 영역(42c)에 포함된다. 제1 조사 영역(42a), 제2 조사 영역(42b), 제3 조사 영역(42c), 및 샷 영역(s15) 사이의 관계는 이하의 식으로 표현된다:

Ix1 < Sx = Ix2 < Ix3 ...(4)

Sy < Iy1 < Iy2 < Iy3 ...(5)

제1 조사 영역(42a), 제2 조사 영역(42b), 및 제3 조사 영역(42c) 각각의 노광량 및 조사 영역은 광원의 조도를 조정함으로써 조정될 수 있거나, 조사부(40)의 차광 부재(41)를 조정함으로써 조정될 수 있다. 대안적으로, 이들은 차광 몰드를 사용하여 조정될 수 있다.

도 6a1 내지 도 6c3은, 임프린트 처리가 연속적으로 행해지는 기판(1) 상의 서로 인접하는 샷 영역(s15, s16, 및 s17)과 조사부(40)로부터 적용되는 광 빔 사이의 관계를 나타낸다. 임프린트 처리는, -Y 방향으로부터 +Y 방향으로 그리고 -X 방향으로부터 +X 방향으로의 순서로 기판(1)에 대하여 실행된다. 도 6a1, 도 b1, 및 도 6c1은 각각 샷 영역(s15, s16 및 s17)에 대하여 실행되는 임프린트 처리 동안의 기판(1)의 상태를 나타낸다. 도 6a2, 도 6b2 및 도 6c2는 각각 샷 영역(s15, s16 및 s17)에 대해 실행되는 임프린트 처리 동안의 샷 영역(s15, s16 및 s17) 상의 임프린트재의 상태를 나타낸다. 도 6a3, 도 6b3, 및 도 6c3의 각각은 샷 영역(s15, s16 및 s17)의 X 방향 위치와 노광량 사이의 관계를 나타낸다. 도 6a3, 도 6b3 및 도 6c3의 각각에서, 세로좌표는 임프린트재의 경화 임계값에 대한 노광량의 비율을 나타낸다. 실선은 각각의 샷 영역까지의 적산 노광량을 나타내고, 파선은 노광 동안의 각각의 샷 영역의 노광량을 나타내며, 점선은 각각의 샷 영역의 직전까지의 노광 이력을 나타낸다.

제3 조사 영역(42c)에서, 임프린트재(31a)에 경화 임계값 이하의 광량을 갖는 광이 조사될 때, 임프린트재(31a)는 반경화 상태의 임프린트재(31e)가 된다. 임프린트재(31e)는, 몰드(2)를 손상시키지 않고 기판(1)에 패턴을 형성할 수 있는 정도까지 유동성을 유지하는 상태에 있다. 임프린트재(31e)의 상태는, 임프린트재의 물성, 기판(1)의 표면 상태, 주위 환경 분위기, 및 적산 노광량에 의해 결정된다. 도 6a1, 도 6b1, 및 도 6c1의 각각에서는 기판(1)의 에지 부분 부근의 샷이 생략되지만, 장치의 생산성을 향상시키는 관점에서, 에지 부분의 영역에서 임프린트 처리를 실행할 수 있다는 것에 유의한다.

도 6a2에서는, 샷 영역(s15)의 경화 임계값을 초과하는 광량으로 노광된 제1 조사 영역(42a)의 임프린트재(31b)는 경화되고, 경화 임계값 이하의 광량으로 노광된 제2 조사 영역(42b)의 임프린트재(31d)는 반경화된다. 인접하는 샷 영역(s16)의 제3 조사 영역(42c)의 임프린트재(31e)는, 경화 임계값 이하의 작은 광량으로 노광되어 반경화된다.

도 6b2에서는, 경화 임계값을 초과하는 광량으로 노광된 샷 영역(s16)의 제1 조사 영역(42a)의 임프린트재가 경화되어 임프린트재(31b)가 된다. 제2 조사 영역(42b)의 임프린트재는 샷 영역(s15)의 제3 조사 영역(42c)으로의 노광에 의해 반경화되어 있고, 경화 임계값 이하의 광량을 갖는 광으로 추가로 조사됨으로써 경화된다. 따라서, 샷 영역(s15)의 반경화 상태의 임프린트재(31d)는, 인접하는 샷 영역(s16)으로의 광 조사에 의해 상보적으로 노광되어 경화된다.

샷 영역(s16)에 대해 임프린트 처리가 실행될 때, 샷 영역(s16) 상의 임프린트재의 일부는 샷 영역(s15)에 대해 실행된 임프린트 처리에 의해 반경화되어 있다. 따라서, 몰드(2)와 임프린트재(31a 및 31d)가 서로 접촉될 때, 임프린트재(31d)의 점도는 임프린트재(31a)의 점도보다 높기 때문에, 불충분한 가압력으로 인해 원하는 패턴이 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 제어부(50)는, 샷 영역에 상이한 점도 상태의 임프린트재가 존재하는 경우에는, 미노광 임프린트재(31a)와 반경화 상태의 임프린트재(31d) 사이의 비율에 따라서 가압력을 결정한다. 접촉 단계에서는, 제어부(50)는, 샷 영역에 대한 몰드(2)의 가압력이 결정된 가압력으로 조정되도록 몰드 보유지지부(20)의 구동을 제어한다.

여기서, 미노광 임프린트재(31a)의 영역을 Ra로 하고, 반경화 상태의 임프린트재(31d)의 영역을 Rd로 한다. 또한, 샷 영역의 전역에 미노광 임프린트재(31a)가 존재하는 상태에서 필요한 가압력을 Fa로 하고, 샷 영역의 전역에 반경화 임프린트재(31d)가 존재하는 상태에서 필요한 가압력을 Fd로 한다. 이 경우, 상이한 점도를 갖는 임프린트재가 공존하는 샷 영역에 대한 임프린트 처리에서의 가압력(F1)은 다음의 식으로 표현된다:

Ra = Sx × Sy - (Ix3 - Ix2)/2 × Sy ...(6)

Rd = (Ix3 - Ix2)/2 × Sy ...(7)

F1 = (Fa × Ra + Fd × Rd)/(Sx × Sy) ...(8)

가압력(Fa) 및 가압력(Fd)은 사용되는 임프린트재의 종류에 따라 변화되므로, 실제로 임프린트 장치(100)를 사용하여 그들을 구하는 것이 바람직하다. 또한, 샷 영역에 상이한 점도 상태의 임프린트재(31a 및 31d)가 존재하는 경우, 몰드(2)가 기판(1) 상의 임프린트재(31a 및 31d)와 접촉할 때 몰드(2)가 미끄러지거나 기울어질 수 있고, 따라서 원하는 패턴이 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 제어부(50)는, 샷 영역(s16)에 대한 임프린트 처리를 실행할 때에, 몰드(2)의 자세를 보정하면서 몰드(2)를 임프린트재에 접촉시키도록 접촉 단계에서 몰드 보유지지부(20)를 제어한다. 몰드(2)의 자세의 보정은, 임프린트재(31a 및 31d)와의 접촉 전 또는 접촉 시의 몰드(2)의 자세와 접촉 후의 몰드(2)의 자세 사이의 차이에 기초한다. 보정에 사용되는 차이로서는, 몰드 보유지지부(20)의 구동 샤프트의 힘의 차이를 사용할 수 있거나, 리니어 스케일을 배치함으로써 얻어지는 몰드 보유지지부(20)의 구동량의 차이를 사용할 수 있다. 또한, 몰드(2)와 임프린트재(31a)만이 존재하는 샷 영역 사이의 접촉 시의 몰드(2)의 자세가 저장될 수 있고, 저장된 자세를 기준으로 사용하여 차이를 보정할 수 있다.

대안적으로, 임프린트 처리 시에 몰드(2)의 자세가 기울어지는 것을 방지하기 위해서, 샷 영역에서 점도 분포가 대칭이 되도록 노광을 행하는 방법을 채용할 수 있다. 이는, 예를 들어 임프린트재의 점도 분포가 샷 영역에서 대칭이 되는 순서로 복수의 샷 영역에 대해 임프린트 처리를 실행하는 순서를 설정함으로써 달성된다. 더 구체적으로는, 이것은, X 방향에서 2개의 샷 영역마다(every two shot regions) 임프린트 처리를 순차적으로 실행하고, +X 방향의 단부의 샷 영역 또는 단부의 샷 영역 직전의 샷 영역에 대해 임프린트 처리를 실행한 후 -X 방향 측의 미노광 샷 영역에 대해 임프린트 처리를 순차적으로 실행하는 순서로 임프린트 처리를 실행함으로써 달성된다.

또한, +X 방향의 단부의 샷 영역(s24)에 대해 임프린트 처리를 실행하는 경우를 생각한다. 샷 영역(s24)은, 하나의 행의 서로 인접하는 복수의 샷 영역 중, 단부에 위치하고 인접하는 샷 영역을 갖지 않는 샷 영역이다. 이 경우, 경화 단계는 샷 영역(s24)으로부터 +X 방향으로 하나의 샷 영역만큼 시프트된 영역에 대해 행해진다. 이 동작에 의해, 샷 영역(s24)의 X 방향의 양 측의 각각에 반경화 상태의 임프린트재(31e)가 형성되어, 임프린트재의 대칭적인 점도 분포가 초래된다. 그 후, 샷 영역(s24)에 대하여 임프린트 처리가 실행된다.

샷 영역(s15) 및 샷 영역(s24)에 대해서는, X 방향에서 인접하는 샷 영역이 없으면, 제1 조사 영역(42a)의 Ix1 및 Iy1를 각각 Sx 및 Sy로 연장시키면서 노광을 행할 수 있다. 조사부(40)의 차광 부재(41)를 구동함으로써 제1 조사 영역(42a)의 연장을 조정할 수 있다. 대안적으로, 하나의 샷 영역만큼 시프트된 노광은 샷 영역(s15 또는 s24)의 노광 전 또는 후에 행해질 수 있다. 샷 영역(s15 또는 s24)이 기판(1)의 외주 부분을 포함하지만 미노광 임프린트재가 제1 조사 영역(42a) 내에 존재하는 경우, 차광 부재(41)의 조정 위치를 변화시키지 않고 노광을 행할 수 있다. 미노광 임프린트재가 제1 조사 영역(42a)의 외부에 존재하는 경우, 차광 부재(41)는 제1 조사 영역(42a) 및 제2 조사 영역(42b)을 연장하도록 구동되고 노광이 행해진다. 대안적으로, 샷 영역(s15)의 노광 전에, 샷 영역(s15)으로부터 -X축 방향으로 하나의 샷 영역만큼 시프트된 위치에 노광 광을 적용하여 샷 영역(s15)을 경화시킬 수 있다. 또한, 샷 영역(s24)의 노광 후에, 샷 영역(s24)으로부터 +X축 방향으로 하나의 샷 영역만큼 시프트된 위치에 노광 광을 적용하여 샷 영역(s24)을 경화시킬 수 있다. 임프린트 장치(100)는, 기판(1)의 모든 샷 영역에 대하여 일련의 동작을 행하여, 모든 샷 영역의 각각에 몰드(2)의 패턴을 형성한다.

<제2 실시형태>

도 7은 제2 실시형태에서의 임프린트 장치(101)의 구성을 도시하는 도면이다. 제1 실시형태에서는 공급 유닛(30)에 의해 기판(1) 상으로 임프린트재(31)가 공급되지만(도 1), 본 실시형태에서는, 예를 들어 임프린트 장치(101)의 외부의 코터(coater)/디벨로퍼(developer) 등에 의해 기판(1)에 임프린트재(32)가 도포된다. 다른 구성요소는 제1 실시형태의 것과 거의 유사하다.

도 8a 내지 도 8d를 참조하여, 제2 실시형태에서의 임프린트 장치(101)에 의한 기판(1)에 대한 임프린트 시퀀스의 예를 설명한다. 먼저, 예를 들어 임프린트 장치(101)의 외부의 코터/디벨로퍼는 기판(1)의 전체면에 임프린트재(32a)를 도포한다. 이를 나타내기 위해서, 도 8a 내지 도 8d의 각각에서는 기판의 전체면을 옅은 도트 배경으로 나타낸다. 짙은 도트 배경으로 나타내는 샷 영역(sb)은 몰드(2)를 사용한 임프린트 처리가 실행되고 있는 상태를 나타낸다. 각각의 해칭된 샷 영역(sc)은 몰드(2)를 사용한 임프린트 처리가 완료된 상태를 나타낸다.

도 8a는, 복수의 샷 영역 중 하위 3개의 행의 샷 영역에 대하여 임프린트 처리가 완료된 상태를 나타낸다. 임프린트 장치(101)는, 임프린트 처리가 행해지는 다음 영역이 몰드(2)의 바로 아래에 배치되도록 기판 스테이지(10)를 구동한다. 도 8b는, 샷 영역(sb)에 대한 임프린트 처리가 실행되고 있고, 몰드 보유지지부(20)가 몰드(2)를 하강시킴으로써 몰드(2)와 샷 영역(sb) 상의 임프린트재를 서로 접촉시킨 상태를 나타낸다. 도 8c 및 도 8d의 각각은, 대상 샷 영역이 인접하는 샷으로 시프트되고(즉, 인접하는 샷 영역이 몰드(2)의 바로 아래에 오도록 기판 스테이지(10)를 구동하고), 샷 영역(sb)에 대해 임프린트 처리를 실행하는 상태를 나타낸다. 본 실시형태에서, 임프린트 처리는 -Y 측으로부터 +Y 측으로 그리고 -X 측으로부터 +X 측으로의 순서로 순차적으로 실행되지만, 임프린트 순서는 장치의 생산성 및 배열을 고려하여 임의로 선택된다.

도 9a 및 도 9b는, 임프린트 장치(101)에서, -Y 방향으로부터 +Y 방향으로 그리고 -X 방향으로부터 +X 방향으로의 순서로 임프린트 처리를 행할 때의 기판(1) 상의 샷 영역(s15)과 조사부(40)로부터 조사되는 광 빔 사이의 관계를 나타내는 도면이다. 도 9a는, 샷 영역(s15)과 조사부(40)로부터 샷 영역(s15)으로의 광 빔의 조사 영역 사이의 관계를 도시한다. 도 9b는 샷 영역의 X 방향 위치와 노광량 사이의 관계를 도시한다. 도 9b의 세로좌표는 임프린트재의 경화 임계값에 대한 노광량의 비율을 나타낸다. 도 9b는, 노광량이 X 방향의 샷 영역의 중앙 부분에서는 임프린트재의 경화 임계값을 초과하지만, 노광량이 X 방향의 단부 부분에서는 임프린트재의 경화 임계값에 도달하지 않는 것을 도시한다.

도 9a에서, 제1 조사 영역(43a)은 임프린트재의 경화 임계값을 초과하는 광량을 갖는 광이 조사되는 영역이며, 제1 조사 영역(43a)의 X 방향 폭 및 Y 방향 폭은 각각 Ix1 및 Iy1로 나타낸다. 제2 조사 영역(43b)은, 제1 조사 영역(43a)을 둘러싸는 제1 조사 영역(43a)보다 큰 영역이다. 제2 조사 영역(43b)의 X 방향 폭 및 Y 방향 폭은 각각 Ix2 및 Iy2로 나타낸다. 제1 조사 영역(43a)의 외부의 제2 조사 영역(43b)의 영역은, 임프린트재의 경화 임계값을 초과하지 않는 광량을 갖지만 이형 시에 임프린트재가 몰드(2)에 부착되지 않을 정도로 임프린트재를 경화시킬 수 있는 광이 조사되는 영역이다. 제1 조사 영역(43a) 및 제2 조사 영역(43b)은, 동일한 광원으로부터의 광 빔이 조사되는 영역일 수 있거나, 상이한 광원으로부터의 광 빔이 동시에 조사되는 영역일 수 있다. 제1 조사 영역(43a)과 제2 조사 영역(43b) 사이의 위치 관계는, 예를 들어 이들이 X 및 Y 방향에서 동일한 중심을 갖는 위치 관계이다.

샷 영역(s15)은 몰드(2)가 기판(1) 상의 임프린트재와 접촉하여 패턴을 형성하는 영역이며, X 방향 폭 및 Y 방향 폭을 각각 Sx 및 Sy로 나타낸다. Sx 및 Sy의 값은 장치의 생산성 및 제품의 용도에 따라 임의로 설정된다. 임프린트 순서가 -Y 방향으로부터 +Y 방향으로 그리고 -X 방향으로부터 +X 방향으로의 순서로 설정되는 경우를 고려한다. 이 경우, 샷 영역(s15)에 조사부(40)로부터의 노광 광이 조사될 때, 샷 영역(s15)에 인접하는 -X 측 및 -Y 측의 영역에는 임프린트재가 존재하지 않거나 노광된 임프린트재가 존재한다. 샷 영역(s15)에 인접하는 +X 측 및 +Y 측의 영역 각각에는 미노광 상태의 임프린트재가 있다. 노광되는 샷 영역(s15)의 전체면을 포함하도록 광이 적용되면, 샷 영역(s15)에 인접하는 샷 영역의 임프린트재의 일부도 경화된다. 임프린트재의 일부가 경화된 상태에서 임프린트 처리가 실행되는 경우, 몰드(2)는 손상될 수 있어 원하는 패턴이 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 예를 들어 노광 광이 노광될 샷 영역의 +X 방향 측 및+Y 방향 측으로 돌출하지 않도록 조사 영역을 조정한다. 따라서, 본 실시형태에서는, 제2 조사 영역(43b)은, +X 방향 및 +Y 방향의 그 단부 부분이 샷 영역(s15)의 단부 부분과 일치하도록 조정된다. 또한, 노광되는 샷 영역에 인접하는 -X 방향 및 -Y 방향의 샷 영역에 노광 광이 적용되어도 문제가 없기 때문에, 장치의 생산성의 관점에서, 임프린트재의 경화 임계값을 초과하는 노광 광이 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역으로부터 돌출하도록 조사 영역을 조정할 수 있다. 따라서, 제1 조사 영역(43a)의 Ix1 및 Iy1과 샷 영역(s15)의 Sx 및 Sy 사이의 관계는 다음의 부등식으로 표현된다:

Ix1 ≥ Sx ...(9)

Iy1 ≥ Sy ...(10)

또한, 제1 조사 영역(43a) 및 제2 조사 영역(43b)의 각각의 중심과 샷 영역(s15)의 중심 사이의 X 방향 거리(dx) 및 Y 방향 거리(dy)는 다음의 식으로 표현된다. dx 및 dy 각각의 방향은 임프린트 순서에 의해 결정된다. 임프린트 순서가 -Y 방향으로부터 +Y 방향으로 그리고 -X 방향으로부터 +X 방향으로의 순서인 경우, dx의 방향은 샷 영역(s15)의 중심으로부터 -X 방향이고, dy의 방향은 샷 영역(s15)의 중심으로부터 -Y 방향이다.

dx = (Ix2 - Sx)/2 ...(11)

dy = (Iy2 - Sy)/2 ...(12)

제1 조사 영역(43a) 및 제2 조사 영역(43b) 각각의 노광량 및 조사 영역은, 광원의 조도를 조정함으로써 조정될 수 있거나, 조사부(40)의 차광 부재(41)를 조정함으로써 조정될 수 있다. 대안적으로, 이들은 차광 몰드를 사용하여 조정될 수 있다.

도 10a 내지 도 10f는, 서로 인접하는 샷 영역(s15, s16, 및 s17) 및 샷 영역(s25, s26, 및 s27)에 관해서, 임프린트 처리를 연속적으로 실행할 때의 각각의 샷 영역에서의 임프린트재의 상태를 나타낸다. 도 10a 내지 도 10f는 각각 샷 영역(s15, s16, s17, s25, s26, 및 s27)의 노광 동안의 임프린트재의 상태를 나타낸다.

임프린트 처리는, -Y 방향으로부터 +Y 방향으로 그리고 -X 방향으로부터 +X 방향으로의 순서로 기판(1)에 대하여 실행된다. 도 10a에서, 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역(s15)에서는, 경화 임계값을 초과하는 광량으로 노광되는 영역의 임프린트재(32b)는 경화되고, 경화 임계값 이하의 광량으로 노광되는 영역의 임프린트재(32d)는 반경화된다. 샷 영역(s15)의 반경화 상태의 임프린트재(32d)는, 인접하는 샷 영역(s16, s25, 및 s26) 각각에 대해 실행되는 임프린트 처리에서의 광 조사에 의해 상보적으로 노광되어 경화된다. 샷 영역(s26)에 대해 실행되는 임프린트 처리에서의 광 조사 없이 샷 영역(s15)의 반경화 상태의 임프린트재(32d)가 경화되도록 광 강도를 증가시킬 수 있다는 것에 유의한다.

유사하게, 도 10b에서는, 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역(s16)에서, 경화 임계값을 초과하는 광량으로 노광되는 영역의 임프린트재(32b)는 경화되고, 경화 임계값 이하의 광량으로 노광되는 영역의 임프린트재(32d)는 반경화된다. 샷 영역(s16)의 반경화 상태의 임프린트재(32d)는, 인접하는 샷 영역(s17, s26, 및 s27) 각각에 대해 실행되는 임프린트 처리에서의 광 조사에 의해 상보적으로 노광되어 경화된다.

인접하는 샷 영역에 미노광 임프린트재가 없는 경우에는, 제1 조사 영역(43a) 및 제2 조사 영역(43b)을 확장할 수 있고, 임프린트재를 집합적으로 경화시킬 수 있다. 대안적으로, 제1 조사 영역(43a) 및 제2 조사 영역(43b)을 변경하지 않고, 하나의 샷 영역만큼 시프트된 위치에 광을 적용함으로써, 반경화 상태의 임프린트재를 경화시킬 수 있다. 임프린트 장치(101)는, 기판(1)의 모든 샷 영역에 대하여 일련의 동작을 행하여, 모든 샷 영역의 각각에 몰드(2)의 패턴을 형성한다.

도 11a 내지 도 11f는, 서로 인접하는 샷 영역(s25, s26, 및 s27) 및 샷 영역(s35, s36, 및 s37)에 관해서, 임프린트 처리를 연속적으로 실행할 때의 각각의 샷 영역에서의 임프린트재의 상태를 도시한다. 도 11a 내지 도 11f는 각각 샷 영역(s25, s26, s27, s35, s36, 및 s37)의 노광 동안의 임프린트재의 상태를 도시한다.

제3 조사 영역(42c)에서, 임프린트재(32a)에 경화 임계값 이하의 광량을 갖는 광이 조사될 때, 임프린트재(32a)는 반경화 상태의 임프린트재(32e)가 된다. 임프린트재(32e)는, 몰드(2)를 손상시키지 않고 기판(1)에 패턴을 형성할 수 있을 정도로 유동성을 유지하는 상태에 있다. 임프린트재(32e)의 상태는, 임프린트재의 물성, 기판(1)의 표면 상태, 주위 환경 분위기, 및 적산 노광량에 의해 결정된다.

각각의 샷 영역에서는, 제1 조사 영역(42a)의 임프린트재(32b)는 경화 임계값을 초과하는 광량으로 노광되어 경화된다. 제2 조사 영역(42b)의 임프린트재(32d) 및 제3 조사 영역(42c)의 임프린트재(32e)의 각각은 경화 임계값 이하의 광량으로 노광되어 반경화된다. 반경화 임프린트재(32d 및 32e)는, X 방향 및 Y 방향의 인접하는 샷 영역에 대한 임프린트 처리 동안 제2 조사 영역(42b) 및 제3 조사 영역(42c) 각각에 대한 광 조사에 의해 경화된다. 예를 들어, 도 11b에서는, 경화 임계값 미만의 광량으로 노광되는 샷 영역(s26)의 제2 조사 영역(42b)의 임프린트재는 반경화된다. 이 임프린트재는, 도 11c, 도 11d, 도 11e 및 도 11f의 각각에 도시되는 바와 같이, 샷 영역(s26)에 인접하는 샷 영역(s27, s35, s36, 및 s37) 각각에 대한 임프린트 처리 동안 제2 조사 영역(42b) 및 제3 조사 영역(42c) 각각에 대한 광 조사에 의해 경화된다.

샷 영역(s26)에 대해 임프린트 처리를 실행하는 경우, 샷 영역(s26)의 임프린트재의 일부는 반경화 상태에 있다. 따라서, 몰드(2)가 기판(1) 상의 임프린트재(32a 및 32d)와 접촉할 때, 임프린트재(32d)의 점도는 임프린트재(32a)의 점도보다 높기 때문에, 불충분한 가압력에 의해 원하는 패턴이 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 본 실시형태에서는, 샷 영역의 반경화 상태에서의 미노광 임프린트재(32a)와 임프린트재(32d) 사이의 비율에 따라서 가압력을 결정한다.

또한, 몰드(2)가 기판(1) 상의 상이한 점도 상태의 임프린트재(32a) 및 임프린트재(32d)와 접촉할 때, 몰드(2)는 미끄러지거나 기울어져서 원하는 패턴이 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 본 실시형태에서는, 몰드(2)의 자세를 보정하면서 접촉 동작을 행할 수 있다. 접촉 동작에서의 몰드(2)의 가압력 및 몰드(2)의 자세는 제1 실시형태에서 설명한 바와 같은 방법에 의해 보정된다.

제1 실시형태에서와 같이, 몰드(2)의 자세가 기울어지는 것을 방지하기 위해서, 샷 영역의 임프린트재의 배치가 대칭이 되도록 변경되는 임프린트 순서로 노광을 행할 수 있다. 임프린트 장치(101)는, 기판(1)의 모든 샷 영역에 대하여 일련의 동작을 행하여, 모든 샷 영역의 각각에 몰드(2)의 패턴을 형성한다.

상술한 다양한 실시형태에 따르면, 몰드의 패턴 부분의 보호 성능과 스루풋의 양자 모두의 달성에 유리한 임프린트 장치를 제공할 수 있다.

<물품 제조 방법의 실시형태>

임프린트 장치를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은, 다양한 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 다양한 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등일 수 있다. 전기 회로 소자의 예는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM과 같은 휘발성 또는 비휘발성 반도체 메모리와, LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA와 같은 반도체 소자를 포함한다. 몰드는 임프린트 몰드 등일 수 있다.

경화물의 패턴은, 상술한 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서 그대로 사용되거나 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용될 수 있다. 기판 가공 단계에서 에칭, 이온 주입 등이 행해진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.

이어서, 물품 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 12의 단계 SA에서는, 절연체 등의 피가공재(2z)가 표면에 형성된 실리콘 기판 등의 기판(1z)을 준비하고, 계속해서 잉크젯법 등에 의해 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 도포한다. 여기서, 복수의 액적 형태의 임프린트재(3z)가 기판 상에 부여된다.

도 12의 단계 SB에서는, 임프린트용 몰드(4z)의, 오목-볼록 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재(3z)에 대향시킨다. 도 12의 단계 SC에서는, 임프린트재(3z)가 도포된 기판(1z)과 몰드(4z)를 서로 접촉시키고, 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극에 충전된다. 이 상태에서, 경화 에너지로서 광을 몰드(4z)를 통해 조사하면, 임프린트재(3z)는 경화된다.

도 12의 단계 SD에서는, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후 몰드(4z)와 기판(1z)을 분리할 때, 기판(1z) 위에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 경화물의 패턴에서는, 몰드의 오목 부분이 경화물의 볼록 부분에 대응하고, 몰드의 볼록 부분이 경화물의 오목 부분에 대응하는데, 즉 임프린트재(3z) 상으로 몰드(4z)의 오목-볼록 패턴이 전사된다.

도 12의 단계 SE에서는, 경화물 패턴을 내에칭 마스크로서 사용하여 에칭을 행하면, 피가공재(2z)의 표면 중 경화물이 없거나 얇게 잔존하는 부분이 제거되어, 홈(5z)이 된다. 도 12의 단계 SF에서, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기에서는 경화물의 패턴을 제거했지만, 이것을 가공 후에도 제거하지 않고, 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용의 막, 즉 물품의 구성 부재로서 이용할 수 있다.

본 발명은 실시형태들을 참조하여 설명되었지만, 본 발명은 개시된 실시형태로 제한되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims

기판 상으로 임프린트재를 공급하는 공급 단계, 상기 기판 상의 상기 임프린트재와 몰드를 서로 접촉시키는 접촉 단계, 상기 임프린트재와 상기 몰드가 서로 접촉하는 상태에서 광 조사에 의해 상기 임프린트재를 경화시키는 경화 단계, 및 경화된 상기 임프린트재로부터 상기 몰드를 분리하는 이형 단계를 행하는 임프린트 장치이며, 상기 임프린트 장치는, 상기 기판 상의 서로 인접하는 복수의 샷 영역의 각각에 대해서 상기 공급 단계를 행하고, 상기 공급 단계 후에, 상기 복수의 샷 영역의 각각의 샷 영역에 대해서 상기 접촉 단계, 상기 경화 단계 및 상기 이형 단계를 포함하는 임프린트 처리를 실행하도록 구성되고, 상기 임프린트 장치는,
상기 경화 단계에서 상기 샷 영역 상의 상기 임프린트재에 광을 조사하도록 구성되는 조사부; 및
상기 조사부로부터의 광의 조사 영역을 규정하도록 구성되는 차광 부재를 포함하며,
상기 차광 부재는, 제1 샷 영역에 인접하는 제2 샷 영역 측에 있는, 상기 제1 샷 영역의 단부 부분의 상기 임프린트재가 상기 제2 샷 영역에 대해 행해지는 상기 경화 단계에서의 광 조사에 의해 상보적으로 경화되도록 상기 조사 영역을 규정하는 임프린트 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 샷 영역은 상기 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역이고,
상기 제2 샷 영역은, 상기 제1 샷 영역 후에 상기 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역이며,
상기 차광 부재는, 상기 제1 샷 영역 측에 있는, 상기 제1 샷 영역에 인접하고 상기 임프린트 처리가 행해진 샷 영역의 단부 부분에 광이 조사되고, 상기 임프린트 처리가 행해지지 않은 상기 제2 샷 영역에는 광이 조사되지 않도록 상기 조사 영역을 규정하는 임프린트 장치.
제2항에 있어서,
상기 차광 부재는, 상기 제1 샷 영역의 중심으로부터 상기 제2 샷 영역을 향하는 방향과 반대 방향으로 오프셋된 위치에 중심을 갖는 영역을 상기 조사 영역으로서 규정하는 임프린트 장치.
제2항에 있어서,
상기 조사 영역은,
상기 임프린트재의 경화 임계값을 초과하는 제1 광량을 갖는 광이 조사되는 제1 조사 영역, 및
상기 제1 조사 영역의 외부에 있고 상기 제1 조사 영역을 둘러싸는 영역이며, 상기 경화 임계값을 초과하지 않는 제2 광량을 갖는 광이 조사되는 제2 조사 영역을 포함하며,
상기 제2 샷 영역 측에 있는 상기 제1 샷 영역의 상기 단부 부분은 상기 제2 조사 영역에 포함되는 임프린트 장치.
제4항에 있어서,
상기 제2 샷 영역 측에 있는 상기 제1 샷 영역의 상기 단부 부분의 상기 임프린트재는, 상기 제2 광량을 갖는 광이 조사될 때, 점도가 경화 상태 미만이지만 상기 몰드로부터 전사된 패턴이 유지되는 점도 상태가 되고, 상기 임프린트재는 이형 시에 발생하는 이형력 이상의 힘으로 상기 기판과 밀착되며 이형 시에 상기 몰드에 부착되지 않는 임프린트 장치.
제1항에 있어서,
상기 차광 부재를 구동하도록 구성되는 구동부; 및
상기 구동부를 제어하도록 구성되는 제어부를 포함하며,
상기 제어부는, 상기 제1 샷 영역에 인접하는 샷 영역에 미노광 임프린트재가 존재하지 않는 경우, 상기 임프린트재의 상기 경화 임계값을 초과하는 광량을 갖는 광이 상기 제1 샷 영역의 전체면에 조사되도록 상기 구동부를 제어하는 임프린트 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 샷 영역은 상기 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역이고,
상기 제2 샷 영역은, 상기 제1 샷 영역 후에 상기 임프린트 처리가 행해지는 샷 영역이며,
상기 차광 부재는, 상기 제1 샷 영역 측에 있는, 상기 제1 샷 영역에 인접하고 상기 임프린트 처리가 행해진 샷 영역의 단부 부분, 및 상기 임프린트 처리가 행해지지 않은 상기 제2 샷 영역의, 상기 제1 샷 영역 측의 단부 부분에도 광이 조사되도록 상기 조사 영역을 규정하는 임프린트 장치.
제7항에 있어서,
상기 차광 부재는 상기 조사 영역의 중심이 상기 제1 샷 영역의 중심과 일치하도록 상기 조사 영역을 규정하는 임프린트 장치.
제7항에 있어서,
상기 조사 영역은,
상기 임프린트재의 경화 임계값을 초과하는 제1 광량을 갖는 광이 조사되는 제1 조사 영역,
상기 제1 조사 영역의 외부에 있고 상기 제1 조사 영역을 둘러싸는 영역이며, 상기 경화 임계값을 초과하지 않는 제2 광량을 갖는 광이 조사되는 제2 조사 영역, 및
상기 제2 조사 영역의 외부에 있고 상기 제2 조사 영역을 둘러싸는 영역이며, 상기 제2 광량 미만의 제3 광량을 갖는 광이 조사되는 제3 조사 영역을 포함하며,
상기 제2 샷 영역 측에 있는 상기 제1 샷 영역의 상기 단부 부분은 상기 제2 조사 영역에 포함되며, 상기 제1 샷 영역 측에 있는 상기 제2 샷 영역의 단부 부분은 상기 제3 조사 영역에 포함되는 임프린트 장치.
제7항에 있어서,
상기 몰드를 보유지지하면서 이동하도록 구성되는 몰드 보유지지부; 및
상기 몰드 보유지지부를 제어하도록 구성되는 제어부를 포함하며,
상기 접촉 단계에서는, 상기 제어부는, 상기 임프린트 처리가 행해지는 상기 샷 영역의 반경화 상태의 임프린트재와 미노광 임프린트재 사이의 비율에 따라서 상기 샷 영역에 대한 상기 몰드의 가압력을 조정하도록 상기 몰드 보유지지부의 구동을 제어하는 임프린트 장치.
제7항에 있어서,
상기 몰드를 보유지지하면서 이동하도록 구성되는 몰드 보유지지부; 및
상기 몰드 보유지지부를 제어하도록 구성되는 제어부를 포함하며,
상기 접촉 단계에서는, 상기 제어부는, 상기 임프린트 처리가 행해지는 상기 샷 영역에 대하여 상기 몰드가 기울어지지 않도록 상기 몰드의 자세를 보정하면서 상기 몰드와 상기 임프린트재를 서로 접촉시키도록 상기 몰드 보유지지부를 제어하는 임프린트 장치.
제7항에 있어서,
상기 복수의 샷 영역에 대해 상기 임프린트 처리를 실행하는 샷 영역의 순서가, 상기 임프린트재의 점도 분포가 상기 샷 영역에서 대칭이 되는 순서인 임프린트 장치.
제7항에 있어서,
상기 제1 샷 영역이, 상기 복수의 샷 영역 중, 단부에 위치하고 인접하는 제2 샷 영역을 갖지 않는 샷 영역인 경우, 상기 제1 샷 영역으로부터 하나의 샷 영역만큼 시프트된 영역에 대해 상기 경화 단계를 행함으로써 상기 제1 샷 영역에서의 상기 임프린트재의 점도 분포가 대칭이 되게 하고, 이어서 상기 제1 샷 영역에 대해 상기 임프린트 처리를 실행하는 임프린트 장치.
물품의 제조 방법이며,
제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에서 규정된 임프린트 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 단계를 포함하며,
상기 물품은 가공된 상기 기판으로부터 제조되는 물품의 제조 방법.