KR20210058835A - 연마 패드 및 연마 가공물의 제조 방법 - Google Patents

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KR20210058835A
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류마 마츠오카
히로시 구리하라
사츠키 나루시마
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후지보 홀딩스 가부시키가이샤
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Abstract

스크래치의 발생을 저감할 수 있는 연마 패드 및 연마 가공물의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 연마층으로서 폴리우레탄 시트를 구비하고, 침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 상기 폴리우레탄 시트가, 40∼60℃의 범위에 손실 정접 tanδ의 피크를 갖는 연마 패드.

Description

연마 패드 및 연마 가공물의 제조 방법
본 발명은 연마 패드 및 연마 가공물의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스, 전자 부품 등의 재료, 특히, Si 기판(실리콘 웨이퍼), 하드 디스크용 기판, 유리나 LCD(액정 디스플레이)용 기판 등의 박형 기판(피연마물)의 표면(가공면)에서는, 연마 슬러리를 이용하여 연마 패드에 의한 화학 기계 연마 가공이 행해진다.
이러한 연마 가공에 이용되는 연마 패드로서, 예컨대, 디싱 저감을 목적으로 하여, 약 1∼3.6의 30℃∼90℃에서의 E'의 비를 갖는 연마층을 구비하는 연마 패드를 이용하는 것이나(특허문헌 1), 또한, 평탄화(planarization) 성능과 저결함 성능률의 양립을 목적으로 하여, 0.1 용량%의 기공률을 가지며, 40℃ 및 1 rad/sec에서 385∼750 l/㎩의 KEL 에너지 손실 계수 및 40℃ 및 1 rad/sec에서 100∼400 ㎫의 탄성률 E'를 갖는 폴리머 재료를 연마층으로서 구비하는 연마 패드를 이용하는 것이 알려져 있다(특허문헌 2).
특허문헌 1: 일본 특허 공표 제2004-507076호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2005-136400호 공보
그러나, 상기 특허문헌 1 및 2에 기재된 연마 패드를 이용한 경우에는, 얻어지는 피연마물의 면 품위가 높다고는 할 수 없고, 예컨대 스크래치 등이 발생하는 것을 알게 되었다.
본 발명은 상기한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 스크래치의 발생을 저감할 수 있는 연마 패드 및 연마 가공물의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
〔제1 실시형태〕
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 연구를 한 결과, 침수(수중) 조건하에 있어서 동적 점탄성 측정을 행한 경우에 있어서, 얻어지는 tanδ의 피크가 특정한 온도 범위에 있는 폴리우레탄 시트를 연마층으로서 이용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 제1 실시형태에 따른 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 제1 실시형태에 따른 본 발명은 이하와 같다.
〔1〕
연마층으로서 폴리우레탄 시트를 구비하고,
침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 상기 폴리우레탄 시트가, 40∼60℃의 범위에 손실 정접 tanδ의 피크를 갖는 연마 패드.
〔2〕
상기 손실 정접 tanδ의 피크의 값이, 0.15∼0.35인 〔1〕에 기재된 연마 패드.
〔3〕
침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 40℃에 있어서의 상기 폴리우레탄 시트의 손실 탄성률 E''의 값이, 21 ㎫ 이상인 〔1〕 또는 〔2〕에 기재된 연마 패드.
〔4〕
침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 상기 폴리우레탄 시트의 60℃와 70℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 차 A가, 50℃와 60℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 차 B와, 70℃와 80℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 차 C보다 작은 〔1〕∼〔3〕 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드.
〔5〕
상기 폴리우레탄 시트는, 폴리우레탄 수지와, 상기 폴리우레탄 수지 중에 분산된 중공 미립자를 포함하는 〔1〕∼〔4〕 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드.
〔6〕
연마 슬러리의 존재하, 〔1〕∼〔5〕 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드를 이용하여, 피연마물을 연마하는 연마 공정을 갖는 연마 가공물의 제조 방법.
〔제2 실시형태〕
또한, 본 발명자는, 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 연구를 한 결과, 침수(수중) 조건하와 건조 조건하에 있어서 동적 점탄성 측정을 행한 경우에 있어서, 얻어지는 tanδ의 피크의 온도차가 특정한 범위에 있는 폴리우레탄 시트를 연마층으로서 이용함으로써, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 제2 실시형태에 따른 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
즉, 제2 실시형태에 따른 본 발명은 이하와 같다.
〔1〕
연마층으로서 폴리우레탄 시트를 구비하고,
상기 폴리우레탄 시트는, 침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크 온도 A와, 건조 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크 온도 B의 차가, 25∼47℃인 연마 패드.
〔2〕
상기 피크 온도 B에 대한 상기 피크 온도 A의 변화율이, 0.45∼0.65인 청구항 1에 기재된 연마 패드.
〔3〕
상기 피크 온도 A가, 상기 피크 온도 B보다 낮은 청구항 1 또는 2에 기재된 연마 패드.
〔4〕
상기 피크 온도 A에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크값 α가, 0.15∼0.35인 청구항 1∼3 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드.
〔5〕
상기 피크 온도 B에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크값 β가, 0.15∼0.35인 청구항 1∼4 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드.
〔6〕
상기 피크 온도 A에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크값 α가, 상기 피크 온도 B에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크값 β 이상인 청구항 1∼5 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드.
〔7〕
상기 폴리우레탄 시트는, 폴리우레탄 수지와, 상기 폴리우레탄 수지 중에 분산된 중공 미립자를 포함하는 청구항 1∼6 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드.
〔8〕
연마 슬러리의 존재하, 청구항 1∼7 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드를 이용하여, 피연마물을 연마하는 연마 공정을 갖는 연마 가공물의 제조 방법.
본 발명에 의하면, 스크래치의 발생을 저감할 수 있는 연마 패드 및 연마 가공물의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예 A1 및 B1에 있어서의 동적 점탄성 측정의 결과를 도시한 도면이다.
도 2는 실시예 A2 및 B2에 있어서의 동적 점탄성 측정의 결과를 도시한 도면이다.
도 3은 비교예 A1 및 B1에 있어서의 동적 점탄성 측정의 결과를 도시한 도면이다.
도 4는 비교예 A2에 있어서의 동적 점탄성 측정의 결과를 도시한 도면이다.
도 5는 비교예 A3에 있어서의 동적 점탄성 측정의 결과를 도시한 도면이다.
도 6은 비교예 A4에 있어서의 동적 점탄성 측정의 결과를 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 대해 상세히 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형이 가능하다.
〔제1 실시형태: 연마 패드〕
제1 실시형태의 연마 패드는, 연마층으로서 폴리우레탄 시트를 구비하고, 침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 상기 폴리우레탄 시트가, 40∼60℃의 범위에 손실 정접 tanδ의 피크를 갖는다.
(손실 정접 tanδ)
손실 정접 tanδ는, 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대한 손실 탄성률 E''(점성 성분)의 비로 표시되는 값이고, 측정 조건하에 있어서, 측정 대상이 되는 물질이 나타내는 탄성과 점성의 밸런스를 나타내는 지표가 된다. 손실 정접 tanδ는, 측정 대상이 되는 물질이 건조 상태인지 침수 상태인지에 따라 상이한 것이나, 측정 시의 주파수에 따라서도 상이한 것이 알려져 있다. 제1 실시형태에 있어서는, 연마 중의 동적 프로세스에 있어서의 연마층의 동적 점탄성을 소정의 범위로 제어함으로써, 연마 시에 있어서의 피연마물(워크)에의 접촉 상태를 보다 양호한 것으로 하고, 또한, 연마에 의해 발생하는 연마 부스러기의 집요한 압박을 억제함으로써, 스크래치의 발생을 억제한다. 보다 구체적으로는, 연마 조건하에 있어서, 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대해 손실 탄성률 E''(점성 성분)가 보다 우위가 되는 상태가 발현되도록 함으로써, 스크래치의 발생을 억제할 수 있다.
연마 조건하에 있어서는, 폴리우레탄 시트의 표면인 연마면은 슬러리에 의해 젖은 상태이고, 소정의 온도하, 소정의 연마 동작에 의해, 피연마물과 접촉한다. 그 때문에, 제1 실시형태에 있어서는, 연마층이, 침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 연마 공정의 온도와 동등한 온도 범위(40∼60℃)에 있어서, 손실 정접 tanδ의 피크를 갖는 것을 규정한다.
손실 정접 tanδ의 피크 온도는, 40∼60℃이고, 바람직하게는 40∼56℃이며, 보다 바람직하게는 40∼52℃이다. 손실 정접 tanδ의 피크가 상기 온도 범위 내에 있음으로써, 연마 공정의 온도와 동등한 온도 범위에 있어서, 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대해 손실 탄성률 E''(점성 성분)가 보다 우위가 되는 상태가 발현되어, 스크래치의 발생이 억제된다.
또한, 여기서, 「20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 40∼60℃의 범위에 손실 정접 tanδ의 피크를 갖는다」란, 20∼100℃의 범위에 있어서의 손실 정접 tanδ의 극대값이 40∼60℃의 범위에 있는 것을 의미한다. 또한, 이에 더하여, 제1 실시형태에 있어서 「피크」란, 극대값이 되는 온도±5℃의 온도 범위에 있어서, 최대값과 최소값의 차가, 0.05 이상인 것을 말하고, 노이즈 등에서 유래하는 이 이상 미세한 상하 변동에 대해서는 피크라고는 해석하지 않는다.
손실 정접 tanδ의 피크값은, 바람직하게는 0.15∼0.35이고, 보다 바람직하게는 0.20∼0.35이며, 더욱 바람직하게는 0.22∼0.35이다. 손실 정접 tanδ의 피크값이 상기 범위 내임으로써, 연마 공정의 온도와 동등한 온도 범위에 있어서, 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대해 손실 탄성률 E''(점성 성분)가 보다 우위가 되는 상태가 보다 유효하게 발현되어, 스크래치의 발생이 보다 억제되는 경향이 있다.
또한, 침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 40℃에 있어서의 폴리우레탄 시트의 손실 탄성률 E''의 값은, 바람직하게는 21 ㎫ 이상이고, 보다 바람직하게는 22∼45 ㎫이며, 더욱 바람직하게는 23∼40 ㎫이다. 40℃에 있어서의 손실 탄성률 E''의 값이 상기 범위 내임으로써, 연마 공정의 온도와 동등한 온도 범위에 있어서, 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대해 손실 탄성률 E''(점성 성분)가 보다 우위가 되는 상태가 보다 유효하게 발현되어, 스크래치의 발생이 보다 억제되는 경향이 있다.
또한, 침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 폴리우레탄 시트의 60℃와 70℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 차 A가, 50℃와 60℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 차 B와, 70℃와 80℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 차 C보다 작은 것이 바람직하다. 즉, 후술하는 도 1과 같이, 손실 정접 tanδ의 차트가 피크보다 고온측에 숄더(shoulder)를 갖는 것이 바람직하다. 이와 같이 고온측에 숄더를 가짐으로써, 피크보다 고온측에서도 비교적 높은 tanδ(수중)가 유지된다. 따라서, 보다 넓은 온도 범위에 있어서, 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대해 손실 탄성률 E''(점성 성분)가 보다 우위가 되는 상태를 발현시킬 수 있다. 이에 의해, 연마 공정에 있어서, 마찰열 등에 의해 국소적으로 고온이 되는 부분이 발생했다고 해도, 상기 부분에 있어서 저장 탄성률 E'(탄성 성분)가 우위가 되는 것을 억제할 수 있고, 스크래치의 발생이 보다 억제되는 경향이 있다.
폴리우레탄 시트의 60℃와 70℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 차 A는, 바람직하게는 0.010∼0.035이고, 보다 바람직하게는 0.010∼0.030이며, 더욱 바람직하게는 0.012∼0.028이다. 또한, 50℃와 60℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 차 B는, 바람직하게는 0.035∼0.060이고, 보다 바람직하게는 0.038∼0.050이며, 더욱 바람직하게는 0.040∼0.045이다. 또한, 70℃와 80℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 차 C는, 바람직하게는 0.055∼0.095이고, 보다 바람직하게는 0.060∼0.090이며, 더욱 바람직하게는 0.065∼0.085이다.
또한, 60℃와 70℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 기울기를 나타내는 차 A와, 50℃와 60℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 기울기를 나타내는 차 B의 차는, 바람직하게는 0.010∼0.040이고, 보다 바람직하게는 0.014∼0.035이며, 더욱 바람직하게는 0.016∼0.030이다. 또한, 60℃와 70℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 기울기를 나타내는 차 A와, 70℃와 80℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 기울기를 나타내는 차 C의 차는, 바람직하게는 0.030∼0.080이고, 보다 바람직하게는 0.040∼0.070이며, 더욱 바람직하게는 0.050∼0.060이다.
제1 실시형태의 동적 점탄성 측정은, 통상적인 방법에 따라 행할 수 있으나, 침수 상태에 있어서의 동적 점탄성 측정에서는, 온도 23℃의 수중에 3일간 침지한 연마층을 샘플로서 이용하고, 또한, 물에 침지한 상태에서 샘플의 측정을 행한다. 이러한 측정이 가능한 동적 점탄성 측정 장치로서는, 예컨대, 퍼킨엘머 재팬사 제조의 DMA8000 등을 예시할 수 있다. 그 외의 조건에 대해서는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 실시예에 있어서 기재한 조건에 의해 측정할 수 있다.
〔제2 실시형태: 연마 패드〕
제2 실시형태의 연마 패드는, 연마층으로서 폴리우레탄 시트를 구비하고, 상기 폴리우레탄 시트는, 침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크 온도 A와, 건조 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크 온도 B의 차가, 25∼47℃이다.
(손실 정접 tanδ)
손실 정접 tanδ는, 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대한 손실 탄성률 E''(점성 성분)의 비로 표시되는 값이고, 측정 조건하에 있어서, 측정 대상이 되는 물질이 나타내는 탄성과 점성의 밸런스를 나타내는 지표가 된다. 손실 정접 tanδ는, 측정 대상이 되는 물질이 건조 상태인지 침수 상태인지에 따라 상이한 것이나, 측정 시의 주파수에 따라서도 상이한 것이 알려져 있다.
슬러리와 연마 패드가 접촉하는 연마 공정에서는, 폴리우레탄 시트의 표면인 연마면은 비교적 침수 쪽의 상태와 비교적 건조 쪽의 상태 사이 중 어느 하나의 상태에 있다. 이것으로부터, 제2 실시형태에 있어서는, 침수 상태와 건조 상태에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크 온도차를 소정의 범위로 함으로써, 면 전체에 있어서, 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대해 손실 탄성률 E''(점성 성분)가 보다 우위가 되는 상태가 발현되도록 한다. 이에 의해, 연마 시에 있어서의 피연마물(워크)에의 접촉 상태가 면 전체에서 보다 좋아지고, 또한, 연마 부스러기의 집요한 압박이 억제되어, 스크래치의 발생이 억제된다.
상기와 같은 관점에서, 제2 실시형태에 있어서는, 침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크 온도 A와, 건조 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크 온도 B의 차를 지표로서 기재한다. 상기 피크 온도 A와 피크 온도 B의 차는, 25∼47℃이고, 바람직하게는 25∼45℃이며, 보다 바람직하게는 27∼45℃이다. 피크 온도 A와 피크 온도 B의 차가 상기 범위 내임으로써, 면 전체에 있어서, 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대해 손실 탄성률 E''(점성 성분)가 보다 우위가 되는 상태가 발현되어, 면 전체에 있어서, 스크래치의 발생이 억제된다.
또한, 여기서, 「20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크」란, 20∼100℃의 범위에 있어서의 손실 정접 tanδ의 극대값을 의미한다. 또한, 이에 더하여, 제2 실시형태에 있어서 「피크」란, 극대값이 되는 온도±5℃의 온도 범위에 있어서, 최대값과 최소값의 차가, 0.05 이상인 것을 말하고, 노이즈 등에서 유래하는 이 이상 미세한 상하 변동에 대해서는 피크라고는 해석하지 않는다.
또한, 건조 상태에 있어서의 손실 정접 tanδ의 온도로부터, 침수 상태에 있어서의 손실 정접 tanδ의 온도로의 피크 시프트 정도, 즉, 피크 온도 B에 대한 피크 온도 A의 변화율은, 바람직하게는 0.45∼0.65이고, 보다 바람직하게는 0.475∼0.625이며, 더욱 바람직하게는 0.50∼0.60이다. 피크 온도 B에 대한 피크 온도 A의 변화율이 상기 범위 내임으로써, 면 전체에 있어서, 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대해 손실 탄성률 E''(점성 성분)가 보다 우위가 되는 상태가 발현되어, 스크래치의 발생이 억제되는 경향이 있다.
침수 상태에 있어서의 피크 온도 A는, 건조 상태에 있어서의 피크 온도 B보다 낮은 것이 바람직하다. 이에 의해, 연마 슬러리에 접촉하는 연마면의 많은 부분에서는, 보다 낮은 온도에 있어서 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대해 손실 탄성률 E''(점성 성분)가 보다 우위가 되는 상태를 발현할 수 있다. 그 때문에, 연마 시에 있어서의 피연마물(워크)에의 접촉 상태가 면 전체에서 보다 좋아지고, 스크래치의 발생이 억제되는 경향이 있다.
침수 상태에 있어서의 피크 온도 A는, 바람직하게는 30∼60℃이고, 보다 바람직하게는 35∼55℃이며, 더욱 바람직하게는 40∼50℃이다. 또한, 건조 상태에 있어서의 피크 온도 B는, 바람직하게는 55∼95℃이고, 보다 바람직하게는 65∼95℃이며, 더욱 바람직하게는 70∼95℃이다.
피크 온도 A에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크값 α는, 바람직하게는 0.15∼0.35이고, 보다 바람직하게는 0.18∼0.35이며, 더욱 바람직하게는 0.21∼0.35이다. 또한, 피크 온도 B에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크값 β는, 바람직하게는 0.15∼0.35이고, 보다 바람직하게는 0.18∼0.35이며, 더욱 바람직하게는 0.21∼0.35이다. 피크값 α 및 피크값 β가 각각 상기 범위 내임으로써, 면 전체에 있어서, 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대해 손실 탄성률 E''(점성 성분)가 보다 우위가 되는 상태가 발현되어, 스크래치의 발생이 억제되는 경향이 있다.
피크 온도 A에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크값 α는, 피크 온도 B에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크값 β 이상인 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는, 피크값 α와 피크값 β의 차는, 바람직하게는 0∼0.030이고, 보다 바람직하게는 0∼0.020이며, 더욱 바람직하게는 0∼0.010이다. 이에 의해, 연마 슬러리에 접촉하는 연마면의 많은 부분에서는, 보다 낮은 온도에 있어서 저장 탄성률 E'(탄성 성분)에 대해 손실 탄성률 E''(점성 성분)가 보다 우위가 되는 상태를 발현할 수 있다. 그 때문에, 연마 시에 있어서의 피연마물(워크)에의 접촉 상태가 면 전체에서 보다 좋아지고, 스크래치의 발생이 억제되는 경향이 있다.
제2 실시형태의 동적 점탄성 측정은, 통상적인 방법에 따라 행할 수 있으나, 침수 상태에 있어서의 동적 점탄성 측정에서는, 온도 23℃의 수중에 3일간 침지한 연마층을 샘플로서 이용하고, 또한, 물에 침지한 상태에서 샘플의 측정을 행한다. 또한, 건조 상태에 있어서의 동적 점탄성 측정에서는, 온도 23℃(±2℃), 상대 습도 50%(±5%)의 항온 항습조 중에서 40시간 유지한 연마층을 샘플로서 이용하고, 또한, 통상의 대기 분위기하(건조 상태)에서 샘플의 측정을 행한다. 이러한 측정이 가능한 동적 점탄성 측정 장치로서는, 예컨대, 퍼킨엘머 재팬사 제조의 DMA8000 등을 예시할 수 있다. 그 외의 조건에 대해서는, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 실시예에 있어서 기재한 조건에 의해 측정할 수 있다.
(폴리우레탄 시트)
제1 실시형태 및/또는 제2 실시형태의 상기 특성을 갖는 연마층으로서는, 폴리우레탄 시트를 이용한다. 폴리우레탄 시트를 구성하는 폴리우레탄 수지로서는, 특별히 제한되지 않으나, 예컨대, 폴리에스테르계 폴리우레탄 수지, 폴리에테르계 폴리우레탄 수지, 및 폴리카보네이트계 폴리우레탄 수지를 들 수 있다. 이들은 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 좋다.
이러한 폴리우레탄 수지로서는, 우레탄 프리폴리머와 경화제의 반응물이면 특별히 한정되지 않고, 여러 가지 공지된 것을 적용할 수 있다. 여기서, 우레탄 프리폴리머로서는, 특별히 한정되지 않으나, 예컨대, 헥사메틸렌디이소시아네이트와 헥산트리올의 부가물; 2,4-톨릴렌디이소시아네이트와 브렌츠 카테콜의 부가물; 톨릴렌디이소시아네이트와 헥산트리올의 부가물; 톨릴렌디이소시아네이트와 트리메틸올프로판의 부가물; 크실릴렌디이소시아네이트와 트리메틸올프로판의 부가물; 헥사메틸렌디이소시아네이트와 트리메틸올프로판의 부가물; 및 이소시아누르산과 헥사메틸렌디이소시아네이트의 부가물을 들 수 있다. 또한, 이 이외의, 폴리이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물의 반응에 의해 조제되는 이소시아네이트기 함유 화합물이나, 시판되어 있는 다양한 우레탄 프리폴리머를 사용해도 좋다. 우레탄 프리폴리머는 1종을 단독으로 이용해도, 2종 이상을 병용해도 좋다.
이소시아네이트기 함유 화합물에 이용되는 폴리이소시아네이트 화합물로서는, 분자 내에 2개 이상의 이소시아네이트기를 갖고 있으면 특별히 제한되는 것은 아니다. 예컨대, 분자 내에 2개의 이소시아네이트기를 갖는 디이소시아네이트 화합물로서는, m-페닐렌디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트(2,6-TDI), 2,4-톨릴렌디이소시아네이트(2,4-TDI), 나프탈렌-1,4-디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트(MDI), 4,4'-메틸렌-비스(시클로헥실이소시아네이트)(수소 첨가 MDI), 3,3'-디메톡시-4,4'-비페닐디이소시아네이트, 3,3'-디메틸디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 크실릴렌-1,4-디이소시아네이트, 4,4'-디페닐프로판디이소시아네이트, 트리메틸렌디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 프로필렌-1,2-디이소시아네이트, 부틸렌-1,2-디이소시아네이트, 시클로헥실렌-1,2-디이소시아네이트, 시클로헥실렌-1,4-디이소시아네이트, p-페닐렌디이소티오시아네이트, 크실릴렌-1,4-디이소티오시아네이트, 에틸리딘디이소티오시아네이트 등을 들 수 있다.
폴리이소시아네이트 화합물로서는, 디이소시아네이트 화합물이 바람직하고, 그 중에서도 2,4-TDI, 2,6-TDI, MDI가 보다 바람직하며, 2,4-TDI, 2,6-TDI가 특히 바람직하다.
이들의 폴리이소시아네이트 화합물은, 단독으로 이용해도 좋고, 복수의 폴리이소시아네이트 화합물을 조합하여 이용해도 좋다.
폴리이소시아네이트 화합물로서는, 2,4-TDI 및/또는 2,6-TDI를 포함하는 것이 바람직하고, 2,4-TDI 및 2,6-TDI를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 2,4-TDI 및 2,6-TDI만으로 이루어지는 것이 보다 더 바람직하다. 2,4-TDI 대 2,6-TDI의 질량비는, 100:0∼50:50인 것이 바람직하고, 90:10∼60:40인 것이 보다 바람직하며, 90:10∼70:30인 것이 보다 더 바람직하고 80:20인 것이 보다 더 바람직하다.
이소시아네이트기 함유 화합물에 이용되는 폴리올 화합물로서는, 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜(DEG), 부틸렌글리콜 등의 디올 화합물, 트리올 화합물 등; 폴리프로필렌글리콜(PPG), 폴리(옥시테트라메틸렌)글리콜(PTMG) 등의 폴리에테르폴리올 화합물; 에틸렌글리콜과 아디프산의 반응물이나 부틸렌글리콜과 아디프산의 반응물 등의 폴리에스테르폴리올 화합물; 폴리카보네이트폴리올 화합물, 폴리카프로락톤폴리올 화합물 등을 들 수 있다. 또한, 에틸렌옥사이드를 부가한 3작용성 프로필렌글리콜을 이용할 수도 있다. 이들 중에서도, PTMG가 바람직하고, PTMG와 DEG를 조합하여 이용하는 것도 바람직하다. PTMG의 수평균 분자량(Mn)은, 500∼2000인 것이 바람직하고, 500∼1300인 것이 보다 바람직하며, 500∼1000인 것이 더욱 바람직하고, 500∼800인 것이 보다 더 바람직하다. 폴리올 화합물의 분자량, 혹은, 이용하는 폴리올 화합물의 조합에 의해, 제1 실시형태에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크 온도를 조정할 수 있다. 또한, 폴리올 화합물의 분자량, 혹은, 이용하는 폴리올 화합물의 조합에 의해, 제2 실시형태에 있어서의 침수 상태 및 건조 상태의 손실 정접 tanδ를 조정할 수 있다. 수평균 분자량은, 겔 침투 크로마토그래피(Gel Permeation Chromatography: GPC)에 의해 측정할 수 있다. 또한, 폴리우레탄 수지로부터 폴리올 화합물의 수평균 분자량을 측정하는 경우에는, 아민 분해 등의 통상적인 방법에 의해 각 성분을 분해한 후, GPC에 의해 추정할 수도 있다. 폴리올 화합물은 단독으로 이용해도 좋고, 복수의 폴리올 화합물을 조합하여 이용해도 좋다.
우레탄 프리폴리머의 NCO 당량은, 바람직하게는 300∼700이고, 보다 바람직하게는 350∼600이며, 더욱 바람직하게는 400∼500이다. 또한, 「NCO 당량」은, "(폴리이소시아네이트 화합물의 질량부+폴리올 화합물의 질량부)/[(폴리이소시아네이트 화합물 1분자당의 작용기수×폴리이소시아네이트 화합물의 질량부/폴리이소시아네이트 화합물의 분자량)-(폴리올 화합물 1분자당의 작용기수×폴리올 화합물의 질량부/폴리올 화합물의 분자량)]"으로 구해지고, NCO기 1개당의 우레탄 프리폴리머의 분자량을 나타내는 수치이다.
또한, 경화제로서는, 특별히 한정되지 않으나, 예컨대, 에틸렌디아민, 프로필렌디아민, 헥사메틸렌디아민, 이소포론디아민, 디시클로헥실메탄-4,4'-디아민, 3,3'-디클로로-4,4'-디아미노디페닐메탄(MOCA), 4-메틸-2,6-비스(메틸티오)-1,3-벤젠디아민, 2-메틸-4,6-비스(메틸티오)-1,3-벤젠디아민, 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)프로판, 2,2-비스[3-(이소프로필아미노)-4-히드록시페닐]프로판, 2,2-비스[3-(1-메틸프로필아미노)-4-히드록시페닐]프로판, 2,2-비스[3-(1-메틸펜틸아미노)-4-히드록시페닐]프로판, 2,2-비스(3,5-디아미노-4-히드록시페닐)프로판, 2,6-디아미노-4-메틸페놀, 트리메틸에틸렌비스-4-아미노벤조에이트, 및 폴리테트라메틸렌옥사이드-di-p-아미노벤조에이트 등의 다가 아민 화합물; 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리메틸렌글리콜, 테트라에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 디프로필렌글리콜, 1,4-부탄디올, 1,3-부탄디올, 2,3-부탄디올, 1,2-부탄디올, 3-메틸-1,2-부탄디올, 1,2-펜탄디올, 1,4-펜탄디올, 2,4-펜탄디올, 2,3-디메틸트리메틸렌글리콜, 테트라메틸렌글리콜, 3-메틸-4,3-펜탄디올, 3-메틸-4,5-펜탄디올, 2,2,4-트리메틸-1,3-펜탄디올, 1,6-헥산디올, 1,5-헥산디올, 1,4-헥산디올, 2,5-헥산디올, 1,4-시클로헥산디메탄올, 네오펜틸글리콜, 글리세린, 트리메틸올프로판, 트리메틸올에탄, 트리메틸올메탄, 폴리(옥시테트라메틸렌)글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 및 폴리프로필렌글리콜 등의 다가 알코올 화합물을 들 수 있다. 또한, 다가 아민 화합물이 수산기를 갖고 있어도 좋고, 이러한 아민계 화합물로서, 예컨대, 2-히드록시에틸에틸렌디아민, 2-히드록시에틸프로필렌디아민, 디-2-히드록시에틸에틸렌디아민, 디-2-히드록시에틸프로필렌디아민, 2-히드록시프로필에틸렌디아민, 디-2-히드록시프로필에틸렌디아민 등을 들 수 있다.
다가 아민 화합물로서는, 디아민 화합물이 바람직하고, 특히 3,3'-디클로로-4,4'-디아미노디페닐메탄(MOCA)이 바람직하다. MOCA로서는, 예컨대, PANDEX E(DIC사 제조), 이하라큐아민 MT(구미아이 가가쿠사 제조) 등을 들 수 있다. 또한, 다가 알코올 화합물로서는, 이들 중에서도, 폴리프로필렌글리콜이 바람직하고, 수평균 분자량이 1000∼3000인 폴리프로필렌글리콜이 보다 바람직하며, 수평균 분자량이 1500∼2500인 폴리프로필렌글리콜이 보다 더 바람직하다. 경화제는 1종을 단독으로 이용해도, 2종 이상을 병용해도 좋다.
경화제는, 우레탄 프리폴리머 100 질량부에 대해, 10∼60 질량부 첨가되는 것이 바람직하고, 20∼50 질량부 첨가되는 것이 보다 바람직하며, 20∼40 질량부 첨가되는 것이 보다 더 바람직하다.
우레탄 프리폴리머의 분자량(중합도)이나, 우레탄 프리폴리머와 경화제의 조합에 의해, 제1 실시형태에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크 온도를 조정할 수 있다. 또한, 우레탄 프리폴리머의 분자량(중합도)이나, 우레탄 프리폴리머와 경화제의 조합에 의해, 제2 실시형태에 있어서의 침수 상태 및 건조 상태의 손실 정접 tanδ를 조정할 수 있다. 이러한 관점에서, 일례로서, 우레탄 프리폴리머로서의 이소시아네이트기 함유 화합물의 말단에 존재하는 이소시아네이트기에 대한, 경화제에 존재하는 활성 수소기(아미노기 및 수산기)의 당량비인 R값이, 0.70∼1.30이 되도록 각 성분을 혼합하는 것이 바람직하고, 0.75∼1.20이 보다 바람직하며, 0.80∼1.10이 보다 더 바람직하고, 0.80∼1.00이 보다 더 바람직하고 0.85∼0.95가 보다 더 바람직하다.
또한, 폴리우레탄 시트는, 기포를 갖는 발포 폴리우레탄 시트가 바람직하다. 또한, 발포 폴리우레탄 시트의 기포는, 그 양태에 따라, 복수의 기포가 독립적으로 존재하는 독립 기포와, 복수의 기포가 연통(連通) 구멍으로 이어져 있는 연속 기포로 분류된다. 이 중에서도, 제1 실시형태의 폴리우레탄 시트는 독립 기포를 갖는 것이 바람직하고, 폴리우레탄 수지와, 상기 폴리우레탄 수지 중에 분산된 중공 미립자를 포함하는 폴리우레탄 시트인 것이 보다 바람직하다. 중공 미립자를 이용함으로써, 손실 정접 tanδ의 피크 온도의 조정을 하기 쉬워지는 경향이 있다.
독립 기포를 갖는 폴리우레탄 시트는, 외각(外殼)을 갖고, 안이 중공 형상인 중공 미립자를 이용함으로써 성형할 수 있다. 중공 미립자는, 시판의 것을 사용해도 좋고, 통상적인 방법에 의해 합성함으로써 얻어진 것을 사용해도 좋다. 중공 미립자의 외각의 재질로서는, 특별히 제한되지 않으나, 예컨대, 폴리비닐알코올, 폴리비닐피롤리돈, 폴리(메트)아크릴산, 폴리아크릴아미드, 폴리에틸렌글리콜, 폴리히드록시에테르아크릴레이트, 말레산 공중합체, 폴리에틸렌옥사이드, 폴리우레탄, 폴리(메트)아크릴로니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리염화비닐 및 유기 실리콘계 수지, 및 이들의 수지를 구성하는 단량체를 2종 이상 조합한 공중합체를 들 수 있다. 또한, 시판품의 중공 미립자로서는, 이하에 한정되지 않으나, 예컨대, 엑스판셀 시리즈(아크조·노벨사 제조 상품명), 마쯔모토 마이크로스피어(마쯔모토 유시(주)사 제조 상품명) 등을 들 수 있다.
폴리우레탄 시트에 있어서의 중공 미립자의 형상은 특별히 한정되지 않고, 예컨대, 구(球)형 및 대략 구형이어도 좋다. 중공 미립자의 평균 입경은, 특별히 제한되지 않으나, 바람직하게는 5∼200 ㎛이고, 보다 바람직하게는 5∼80 ㎛이며, 더욱 바람직하게는 5∼50 ㎛이고, 특히 바람직하게는 5∼35 ㎛이다. 이러한 중공 미립자를 이용함으로써도, 제1 실시형태에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크 온도를 조정할 수 있다. 또한, 이러한 중공 미립자를 이용함으로써도, 제2 실시형태에 있어서의 침수 상태 및 건조 상태의 손실 정접 tanδ의 피크 온도를 조정할 수 있다. 또한, 평균 입경은, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치(예컨대 스펙트리스(주) 제조, 마스터사이저 2000) 등에 의해 측정할 수 있다.
중공 미립자는, 우레탄 프리폴리머 100 질량부에 대해, 바람직하게는 0.1∼10 질량부, 보다 바람직하게는 1∼5 질량부, 보다 더 바람직하게는 1∼3 질량부가 되도록 첨가한다.
또한, 상기한 성분 이외에, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위에 있어서, 종래 사용되고 있는 발포제를, 상기 중공 미립자와 병용해도 좋고, 하기 혼합 공정 중에 상기 각 성분에 대해 비반응성의 기체를 불어 넣어도 좋다. 상기 발포제로서는, 물이나, 탄소수 5 또는 6의 탄화수소를 주성분으로 하는 발포제를 들 수 있다. 상기 탄화수소로서는, 예컨대, n-펜탄, n-헥산 등의 쇄상 탄화수소나, 시클로펜탄, 시클로헥산 등의 지환식 탄화수소를 들 수 있다. 또한, 상기 각 성분에 더하여, 공지된 정포제(整泡劑), 난연제, 착색제, 가소제 등을 첨가해도 좋다.
폴리우레탄 시트의 제조 방법은, 특별히 제한되지 않으나, 예컨대, 우레탄 프리폴리머와 경화제를 반응시켜, 폴리우레탄 수지 블록을 형성하고, 얻어진 폴리우레탄 수지 블록으로부터 시트를 잘라내는 방법을 들 수 있다. 혼합 공정에서는, 우레탄 프리폴리머와 경화제를 혼합기 내에 공급하여 교반·혼합한다. 또한, 중공 미립자를 사용하는 경우에는, 우레탄 프리폴리머와 경화제와 중공 미립자를 혼합함으로써, 중공 미립자가 받아들여진 폴리우레탄 수지 블록을 얻을 수 있다. 혼합하는 순서에 특별히 제한은 없으나, 우레탄 프리폴리머와 중공 미립자를 먼저 혼합시켜 두고, 이것에 경화제를 혼합기 내에 공급하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하여, 폴리우레탄 수지 블록용의 혼합액이 조제된다. 혼합 공정은, 상기 각 성분의 유동성을 확보할 수 있는 온도로 가온한 상태에서 행해진다.
예컨대, 중공 미립자를 포함하는 30∼90℃로 가온한 우레탄 프리폴리머(예컨대 이소시아네이트기 함유 화합물)의 용액에, 경화제를 온도 조절 가능한 재킷 부착 혼합기에 투입하고, 30∼130℃에서 교반한다. 필요에 따라 교반기 부착 재킷을 갖는 탱크에 혼합액을 받아 숙성시켜도 좋다. 교반 시간은 혼합기의 치수(齒數)나 회전수, 클리어런스 등에 따라 적절히 조정하지만, 예컨대 0.1∼60초이다.
성형 공정에서는, 상기 혼합 공정에서 조제된 폴리우레탄 수지 블록용 혼합액을 30∼100℃로 예열한 형틀 내에 유입시키고, 100∼150℃ 정도에서 10분∼5시간 정도 가열하여 경화시킴으로써 폴리우레탄 수지 블록을 성형한다. 이때, 우레탄 프리폴리머와 경화제가 반응하여 폴리우레탄 수지를 형성함으로써, 기포 및/또는 중공 미립자가 상기 폴리우레탄 수지 중에 분산된 상태로 상기 혼합액은 경화한다. 이에 의해, 대략 구형의 기포를 다수 포함하는 폴리우레탄 수지 블록이 형성된다.
상기 성형 공정에 의해 얻어진 폴리우레탄 수지 블록은, 그 후 시트형으로 슬라이스되어 폴리우레탄 시트를 형성한다. 슬라이스됨으로써, 시트 표면에 개공이 형성되게 된다. 이때, 내마모성이 우수하고 클로깅(clogging)되기 어려운 연마층 표면의 개공을 형성하기 위해서, 30∼150℃에서 1시간∼24시간 정도 에이징해도 좋다.
이와 같이 하여 얻어진 폴리우레탄 시트를 갖는 연마층은, 그 후, 연마층의 연마면과는 반대측의 면에 양면 테이프가 접착되고, 소정 형상, 바람직하게는 원판형으로 커트되어, 제1 및 제2 실시형태의 연마 패드로서 완성된다. 양면 테이프에 특별히 제한은 없고, 당 기술 분야에 있어서 공지된 양면 테이프 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 실시형태의 연마 패드는, 연마층만으로 이루어진 단층 구조여도 좋고, 연마층의 연마면과는 반대측의 면에 다른 층(하층, 지지층)을 접합시킨 복층을 포함하고 있어도 좋다. 다른 층의 특성은 특별히 한정되는 것은 아니며, 연마층의 반대측의 면에 연마층보다 부드러운(A 경도 또는 D 경도가 작은) 층이 접합되어 있으면, 연마 평탄성이 더욱 향상된다. 한편, 연마층의 반대측의 면에 연마층보다 단단한(A 경도 또는 D 경도가 큰) 층이 접합되어 있으면, 연마 레이트가 더욱 향상된다.
복층 구조를 갖는 경우에는, 복수의 층끼리를 양면 테이프나 접착제 등을 이용하여, 필요에 따라 가압하면서 접착·고정하면 된다. 이때 이용되는 양면 테이프나 접착제에 특별히 제한은 없고, 당 기술 분야에 있어서 공지된 양면 테이프나 접착제 중에서 임의로 선택하여 사용할 수 있다.
또한, 제1 및 제2 실시형태의 연마 패드는, 필요에 따라, 연마층의 표면 및/또는 이면을 연삭 처리나, 홈 가공이나 엠보스 가공이나 구멍 가공(펀칭 가공)을 표면에 실시해도 좋고, 기재 및/또는 점착층을 연마층과 접합시켜도 좋으며, 광투과부를 구비해도 좋다. 연삭 처리의 방법에 특별히 제한은 없고, 공지된 방법에 의해 연삭할 수 있다. 구체적으로는, 샌드 페이퍼에 의한 연삭을 들 수 있다. 홈 가공 및 엠보스 가공의 형상에 특별히 제한은 없고, 예컨대, 격자형, 동심원형, 방사형 등의 형상을 들 수 있다.
〔연마 가공물의 제조 방법〕
제1 및 제2 실시형태의 연마 가공물의 제조 방법은, 연마 슬러리의 존재하, 상기 연마 패드를 이용하여, 피연마물을 연마하여, 연마 가공물을 얻는 연마 공정을 갖는다. 연마 공정은, 일차 연마(거친 연마)여도 좋고, 마무리 연마여도 좋으며, 이들 양방의 연마를 겸하는 것이어도 좋다. 이 중에서도, 제1 및 제2 실시형태의 연마 패드는 화학 기계 연마에 이용되는 것이 바람직하다. 이하, 화학 기계 연마를 예로 제1 및 제2 실시형태의 연마 가공물의 제조 방법을 설명하지만, 제1 및 제2 실시형태의 연마 가공물의 제조 방법은 이하에 한정되지 않는다.
이 제조 방법에 있어서는, 연마 슬러리의 공급과 함께, 유지 정반으로 피연마물을 연마 패드측에 압박하면서, 유지 정반과 연마용 정반을 상대적으로 회전시킴으로써, 피연마물의 가공면이 연마 패드로 화학 기계 연마(CMP)에 의해 연마 가공된다. 유지 정반과 연마용 정반은, 서로 상이한 회전 속도로 동일 방향으로 회전해도, 다른 방향으로 회전해도 좋다. 또한, 피연마물은, 연마 가공 중에, 프레임부의 내측에서 이동(자전)하면서 연마 가공되어도 좋다.
연마 슬러리는, 피연마물이나 연마 조건 등에 따라, 물, 과산화수소로 대표되는 산화제 등의 화학 성분, 첨가제, 지립(연마 입자; 예컨대, SiC, SiO2, Al2O3, CeO2) 등을 포함하고 있어도 좋다.
또한, 피연마물로서는, 특별히 한정되지 않으나, 예컨대, 반도체 디바이스, 전자 부품 등의 재료, 특히, Si 기판(실리콘 웨이퍼), 하드 디스크용 기판, 유리나 LCD(액정 디스플레이)용 기판 등의 박형 기판(피연마물)을 들 수 있다. 이 중에서도, 제1 및 제2 실시형태의 연마 가공물의 제조 방법은, 산화층, 구리 등의 금속층이 형성된 반도체 디바이스 등의 제조 방법으로서 적합하게 이용할 수 있다.
실시예
이하, 본 발명을 실시예 및 비교예를 이용하여 보다 구체적으로 설명한다. 본 발명은 이하의 실시예에 의해 조금도 한정되는 것이 아니다.
〔제1 실시형태〕
이하, 제1 실시형태에 따른 실시예 및 비교예를, 실시예 A 및 비교예 A로 한다.
〔실시예 A1〕
2,4-톨릴렌디이소시아네이트(TDI), 수평균 분자량 650의 폴리(옥시테트라메틸렌)글리콜(PTMG) 및 디에틸렌글리콜(DEG)을 반응시켜 이루어지는 NCO 당량 460의 우레탄 프리폴리머 100부에, 쉘(shell) 부분이 아크릴로니트릴-염화비닐리덴 공중합체를 포함하고, 쉘 내에 이소부탄 가스가 내포된 입자의 크기가 15∼25 ㎛(평균 입경: 20 ㎛)인 팽창시킨 중공 미립자 2.8부를 첨가 혼합하여, 우레탄 프리폴리머 혼합액을 얻었다. 얻어진 우레탄 프리폴리머 혼합액을 제1 액 탱크에 투입하고, 80℃에서 보온하였다. 또한, 제1 액 탱크와는 별도로, 경화제로서 3,3'-디클로로-4,4'-디아미노디페닐메탄(메틸렌비스-o-클로로아닐린)(MOCA)을 25.5부 및 폴리프로필렌글리콜 8.5부를 제2 액 탱크에 넣고, 120℃에서 가열 용융시켜 혼합하며, 또한 감압 탈포하여 경화제 용융액을 얻었다.
다음으로, 제1 액 탱크, 제2 액 탱크의 각각의 액체를, 주입구를 2개 구비한 혼합기의 각각의 주입구로부터 주입하고, 교반 혼합하여 혼합액을 얻었다. 또한, 이때에, 우레탄 프리폴리머 중의 말단에 존재하는 이소시아네이트기에 대한 경화제에 존재하는 아미노기 및 수산기의 당량비를 나타내는 R값이 0.90이 되도록, 혼합 비율을 조정하였다.
얻어진 혼합액을, 100℃로 예열한 형틀에 주형(注型)하고, 30분간, 110℃에서 일차 경화시켰다. 형성된 블록형의 성형물을 형틀로부터 발출하고, 오븐에서 130℃에서 2시간 이차 경화하여, 우레탄 수지 블록을 얻었다. 얻어진 우레탄 수지 블록을 25℃까지 방냉(放冷)한 후, 재차 오븐에서 120℃에서 5시간 가열하고 나서, 슬라이스 처리를 실시하여 발포 폴리우레탄 시트를 얻었다. 얻어진 폴리우레탄 시트의 이면에 양면 테이프를 접착하여, 연마 패드로서 이용하였다.
〔실시예 A2〕
실시예 A1과 동일한 우레탄 프리폴리머 100부에, 쉘 내에 이소부탄 가스가 내포된 입자의 크기가 5∼15 ㎛(평균 입경: 7 ㎛)이고 미팽창 타입의 중공 미립자 3.1부와, 4,4'-메틸렌-비스(시클로헥실이소시아네이트)(수소 첨가 MDI) 2부를 첨가 혼합하여, 우레탄 프리폴리머 혼합액을 얻었다. 또한, 경화제로서, MOCA 28부를 가열 용융시켜 혼합하여, 경화제 용융액을 얻었다. 우레탄 프리폴리머 혼합액 및 경화제 용융액을 이용하여 실시예 A1과 동일한 방법으로 제작하여, 연마 패드를 얻었다.
〔비교예 A1〕
비교예 A1로서, 닛타·하스사 제조의 IC1000 패드를 준비하였다.
〔비교예 A2〕
2,4-톨릴렌디이소시아네이트(TDI), 수평균 분자량 650의 폴리(옥시테트라메틸렌)글리콜(PTMG), 수평균 분자량 1000의 폴리(옥시테트라메틸렌)글리콜(PTMG), 및 디에틸렌글리콜(DEG)을 반응시켜 이루어지는 NCO 당량 460의 우레탄 프리폴리머 100부에, 쉘 부분이 아크릴로니트릴-염화비닐리덴 공중합체를 포함하고, 쉘 내에 이소부탄 가스가 내포된 입자의 크기가 30∼50 ㎛(평균 입경: 40 ㎛)인 팽창시킨 중공 미립자 2.1부를 첨가 혼합하여, 우레탄 프리폴리머 혼합액을 얻었다. 경화제로서 MOCA를 27부 및 폴리프로필렌글리콜 8.7부를 가열 용융시켜 혼합하고, 또한 감압 탈포하여 경화제 용융액을 얻었다. 우레탄 프리폴리머 혼합액 및 경화제 용융액을 이용하여 실시예 A1과 동일한 방법으로 제작하여, 연마 패드를 얻었다.
〔비교예 A3〕
비교예 A2의 우레탄 프리폴리머 100부에, 실시예 A1에서 이용한 것과 동일한 중공 미립자 3.0부를 첨가 혼합하여, 우레탄 프리폴리머 혼합액을 얻었다. 경화제로서 MOCA를 25.8부 및 폴리프로필렌글리콜 8.6부를 가열 용융시켜 혼합하고, 또한 감압 탈포하여 경화제 용융액을 얻었다. 우레탄 프리폴리머 혼합액 및 경화제 용융액을 이용하여 실시예 A1과 동일한 방법으로 제작하여, 연마 패드를 얻었다.
〔비교예 A4〕
비교예 A2의 우레탄 프리폴리머 100부에, 실시예 A2에서 이용한 것과 동일한 중공 미립자 3.0부를 첨가 혼합하여, 우레탄 프리폴리머 혼합액을 얻었다. 경화제로서 MOCA를 25.8부 및 폴리프로필렌글리콜 8.6부를 가열 용융시켜 혼합하고, 또한 감압 탈포하여 경화제 용융액을 얻었다. 우레탄 프리폴리머 혼합액 및 경화제 용융액을 이용하여 실시예 A1과 동일한 방법으로 제작하여, 연마 패드를 얻었다.
〔동적 점탄성 측정〕
하기 조건에 기초하여 폴리우레탄 시트의 동적 점탄성 측정을 행하였다. 먼저, 온도 23℃의 수중에 폴리우레탄 시트를 3일간 침지하였다. 얻어진 폴리우레탄 시트를 샘플로서 이용하여, 수중(침수 상태)에서 동적 점탄성 측정을 행하였다. 동적 점탄성 측정 장치로서는, DMA8000(퍼킨엘머 재팬사 제조)을 이용하였다.
(측정 조건)
측정 장치: DMA8000(퍼킨엘머 재팬사 제조)
샘플: 세로 4 ㎝×가로 0.5 ㎝×두께 0.125 ㎝
시험 길이: 1 ㎝
샘플의 전처리: 온도 23℃의 물에 3일간 유지
시험 모드: 인장
주파수: 1.6 ㎐(10 rad/sec)
온도 범위: 20∼100℃
승온 속도: 5℃/min
변형 범위: 0.10%
초기 하중: 148 g
측정 간격: 1 포인트/℃
또한, 참고로서, 온도 23℃(±2℃), 상대 습도 50%(±5%)의 항온 항습조 중에서 폴리우레탄 시트를 40시간 유지한 건조 상태의 폴리우레탄 시트를 샘플로서 이용하여, 통상의 대기 분위기하(건조 상태)에서 동적 점탄성 측정을 행하였다. 또한, 그 외에 장치로서 RSA3(TA 인스트루먼트사 제조)를 이용한 것 이외에는, 상기와 동일한 조건에 의해 측정을 행하였다. 실시예 A 및 비교예 A의 동적 점탄성 측정의 결과를 도 1∼6에 도시한다. 도면 중에 (수중)이라고 기재되어 있는 것이, 침수 상태에 있어서의 동적 점탄성 측정의 결과이고, (DRY)라고 기재되어 있는 것이, 건조 상태에 있어서의 동적 점탄성 측정의 결과이다.
〔면 품위 확인 시험〕
연마 패드를 연마 장치의 소정 위치에 아크릴계 접착제를 갖는 양면 테이프를 통해 설치하고, Cu막 기판에 대해, 하기 조건에서 연마 가공을 실시하였다.
(연마 조건)
연마기: F-REX300(에바라 세이사쿠쇼사 제조)
Disk: A188(3M사 제조)
회전수: (정반) 70 rpm, (톱 링) 71 rpm
연마 압력: 3.5 psi
연마제 온도 : 20℃
연마제 토출량: 200 ㎖/min
연마제: PLANERLITE7000(후지미 코포레이션사 제조)
피연마물: Cu막 기판
연마 시간: 60초
패드 브레이크: 35 N 10분
컨디셔닝: 계외, 35 N, 4 스캔
상기 연마 가공 후의 피연마물 10장째 이후 50장째까지에 대해, 피연마면의 155 ㎚보다 큰 직선형의 연마상(硏磨傷)(스크래치)을 eDR5210(KLA 텐콜사 제조)의 ReviewSEM으로 육안으로 확인하여, 평균값을 얻었다. 스크래치의 확인 결과에 기초하여, 면 품위를 평가하였다.
Figure pct00001
〔제2 실시형태〕
이하, 제2 실시형태에 따른 실시예 및 비교예를, 실시예 B 및 비교예 B로 한다.
〔실시예 B1〕
2,4-톨릴렌디이소시아네이트(TDI), 수평균 분자량 650의 폴리(옥시테트라메틸렌)글리콜(PTMG) 및 디에틸렌글리콜(DEG)을 반응시켜 이루어지는 NCO 당량 450의 우레탄 프리폴리머 100부에, 쉘 부분이 아크릴로니트릴-염화비닐리덴 공중합체를 포함하고, 쉘 내에 이소부탄 가스가 내포된 입자의 크기가 15∼25 ㎛(평균 입경: 20 ㎛)인 팽창시킨 중공 미립자 2.8부를 첨가 혼합하여, 우레탄 프리폴리머 혼합액을 얻었다. 얻어진 우레탄 프리폴리머 혼합액을 제1 액 탱크에 투입하고, 80℃에서 보온하였다. 또한, 제1 액 탱크와는 별도로, 경화제로서 3,3'-디클로로-4,4'-디아미노디페닐메탄(메틸렌비스-o-클로로아닐린)(MOCA)을 25.5부 및 폴리프로필렌글리콜(PPG) 8.5부를 제2 액 탱크에 넣고, 120℃에서 가열 용융시켜 혼합하며, 또한 감압 탈포하여 경화제 용융액을 얻었다.
다음으로, 제1 액 탱크, 제2 액 탱크의 각각의 액체를, 주입구를 2개 구비한 혼합기의 각각의 주입구로부터 주입하고, 교반 혼합하여 혼합액을 얻었다. 또한, 이때에, 우레탄 프리폴리머 중의 말단에 존재하는 이소시아네이트기에 대한 경화제에 존재하는 아미노기 및 수산기의 당량비를 나타내는 R값이 0.90이 되도록, 혼합 비율을 조정하였다.
얻어진 혼합액을, 100℃로 예열한 형틀에 주형하고, 30분간, 110℃에서 일차 경화시켰다. 형성된 블록형의 성형물을 형틀로부터 발출하고, 오븐에서 130℃에서 2시간 이차 경화하여, 우레탄 수지 블록을 얻었다. 얻어진 우레탄 수지 블록을 25℃까지 방냉한 후, 재차 오븐에서 120℃에서 5시간 가열하고 나서, 슬라이스 처리를 실시하여 발포 폴리우레탄 시트를 얻었다. 얻어진 폴리우레탄 시트의 이면에 양면 테이프를 접착하여, 연마 패드로서 이용하였다.
〔실시예 B2〕
실시예 B1과 동일한 우레탄 프리폴리머 100부에, 쉘 내에 이소부탄 가스가 내포된 입자의 크기가 5∼15 ㎛(평균 입경: 7 ㎛)이고 미팽창 타입의 중공 미립자 3.1부와, 4,4'-메틸렌-비스(시클로헥실이소시아네이트)(수소 첨가 MDI) 2부를 첨가 혼합하여, 우레탄 프리폴리머 혼합액을 얻었다. 또한, 경화제로서, MOCA 28부를 가열 용융시켜 혼합하여, 경화제 용융액을 얻었다. 우레탄 프리폴리머 혼합액 및 경화제 용융액을 이용하여 실시예 B1과 동일한 방법으로 제작하여, 연마 패드를 얻었다.
〔비교예 B1〕
비교예 B1로서, 닛타·하스사 제조의 IC1000 패드를 준비하였다.
〔동적 점탄성 측정〕
하기 조건에 기초하여 폴리우레탄 시트의 동적 점탄성 측정을 행하였다. 먼저, 온도 23℃의 수중에 폴리우레탄 시트를 3일간 침지하였다. 얻어진 폴리우레탄 시트를 샘플로서 이용하여, 수중(침수 상태)에서 동적 점탄성 측정을 행하였다. 동적 점탄성 측정 장치로서는, DMA8000(퍼킨엘머 재팬사 제조)을 이용하였다.
(측정 조건)
측정 장치: DMA8000(퍼킨엘머 재팬사 제조)
샘플: 세로 4 ㎝×가로 0.5 ㎝×두께 0.125 ㎝
시험 길이: 1 ㎝
샘플의 전처리: 온도 23℃의 물에 3일간 유지
시험 모드: 인장
주파수: 1.6 ㎐(10 rad/sec)
온도 범위: 20∼100℃
승온 속도: 5℃/min
변형 범위: 0.10%
초기 하중: 148 g
측정 간격: 1 포인트/℃
또한, 온도 23℃(±2℃), 상대 습도 50%(±5%)의 항온 항습조 중에서 폴리우레탄 시트를 40시간 유지한 건조 상태의 폴리우레탄 시트를 샘플로서 이용하여, 통상의 대기 분위기하(건조 상태)에서 동적 점탄성 측정을 행하였다. 또한, 그 외에 장치로서 RSA3(TA 인스트루먼트사 제조)를 이용한 것 이외에는, 상기와 동일한 조건에 의해 측정을 행하였다. 실시예 B 및 비교예 B의 동적 점탄성 측정의 결과를 도 1∼3에 도시한다. 도면 중에 (수중)이라고 기재되어 있는 것이, 침수 상태에 있어서의 동적 점탄성 측정의 결과이고, (DRY)라고 기재되어 있는 것이, 건조 상태에 있어서의 동적 점탄성 측정의 결과이다.
〔면 품위 확인 시험〕
연마 패드를 연마 장치의 소정 위치에 아크릴계 접착제를 갖는 양면 테이프를 통해 설치하고, Cu막 기판에 대해, 하기 조건에서 연마 가공을 실시하였다.
(연마 조건)
연마기: F-REX300(에바라 세이사쿠쇼사 제조)
Disk: A188(3M사 제조)
회전수: (정반) 70 rpm, (톱 링) 71 rpm
연마 압력: 3.5 psi
연마제 온도 : 20℃
연마제 토출량: 200 ㎖/min
연마제: PLANERLITE7000(후지미 코포레이션사 제조)
피연마물: Cu막 기판
연마 시간: 60초
패드 브레이크: 35 N 10분
컨디셔닝: 계외, 35 N, 4 스캔
상기 연마 가공 후의 피연마물 10장째 이후 50장째까지에 대해, 피연마면의 155 ㎚보다 큰 점형의 연마상(마이크로 스크래치)을 eDR5210(KLA 텐콜사 제조)의 ReviewSEM으로 육안으로 확인하여, 평균값을 얻었다. 스크래치의 확인 결과에 기초하여, 면 품위를 평가하였다.
Figure pct00002
또한, 실시예 A에 있어서 평가한 스크래치와, 실시예 B에 있어서 평가한 마이크로 스크래치는, 그 연마상이 직선형인지 점형인지에 따라 상이하다. 주로, 직선형의 연마상은, 연마 패드의 부스러기나 큰 슬러리 응집물에 의해 발생하기 쉽고, 점형의 연마상은, 연마 패드의 부스러기나 작은 슬러리 응집물에 의해 발생하기 쉬운 것이다.
본 발명의 연마 패드는, 광학 재료, 반도체　디바이스, 하드 디스크용 기판 등의 연마에 이용되고, 특히 반도체 웨이퍼 위에 산화물층, 구리 등의 금속층 등이 형성된 디바이스를 연마하는 데 적합하게 이용되는 연마 패드로서, 산업상의 이용 가능성을 갖는다.

Claims (13)

  1. 연마층으로서 폴리우레탄 시트를 구비하고,
    침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 상기 폴리우레탄 시트가, 40∼60℃의 범위에 손실 정접 tanδ의 피크를 갖는 연마 패드.
  2. 제1항에 있어서, 상기 손실 정접 tanδ의 피크의 값이, 0.15∼0.35인 연마 패드.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 40℃에 있어서의 상기 폴리우레탄 시트의 손실 탄성률 E''의 값이, 21 ㎫ 이상인 연마 패드.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서, 상기 폴리우레탄 시트의 60℃와 70℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 차 A가, 50℃와 60℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 차 B와, 70℃와 80℃에 있어서의 손실 정접 tanδ의 차 C보다 작은 연마 패드.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리우레탄 시트는, 폴리우레탄 수지와, 상기 폴리우레탄 수지 중에 분산된 중공 미립자를 포함하는 연마 패드.
  6. 연마층으로서 폴리우레탄 시트를 구비하고,
    상기 폴리우레탄 시트는, 침수 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크 온도 A와, 건조 상태에서, 주파수 1.6 ㎐, 20∼100℃의 조건에서 행하는 동적 점탄성 측정에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크 온도 B의 차가, 25∼47℃인 연마 패드.
  7. 제6항에 있어서, 상기 피크 온도 B에 대한 상기 피크 온도 A의 변화율이, 0.45∼0.65인 연마 패드.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 상기 피크 온도 A가, 상기 피크 온도 B보다 낮은 연마 패드.
  9. 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피크 온도 A에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크값 α가, 0.15∼0.35인 연마 패드.
  10. 제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피크 온도 B에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크값 β가, 0.15∼0.35인 연마 패드.
  11. 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피크 온도 A에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크값 α가, 상기 피크 온도 B에 있어서의 손실 정접 tanδ의 피크값 β 이상인 연마 패드.
  12. 제6항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 폴리우레탄 시트는, 폴리우레탄 수지와, 상기 폴리우레탄 수지 중에 분산된 중공 미립자를 포함하는 연마 패드.
  13. 연마 슬러리의 존재하, 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 기재된 연마 패드를 이용하여, 피연마물을 연마하는 연마 공정을 갖는 연마 가공물의 제조 방법.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004507076A (ja) 2000-05-27 2004-03-04 ロデール　ホールディングス　インコーポレイテッド 化学機械平坦化用の研磨パッド
JP2005136400A (ja) 2003-10-09 2005-05-26 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 研磨パッド

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101268111B (zh) * 2005-09-22 2012-07-18 可乐丽股份有限公司 高分子材料、由其得到的发泡体以及使用它们的研磨垫
JP5254728B2 (ja) * 2008-09-29 2013-08-07 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド
SG176151A1 (en) * 2009-05-27 2011-12-29 Rogers Corp Polishing pad, polyurethane layer therefor, and method of polishing a silicon wafer
JP5945874B2 (ja) * 2011-10-18 2016-07-05 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
JP6315246B2 (ja) * 2014-03-31 2018-04-25 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
JP6311183B2 (ja) * 2014-03-31 2018-04-18 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
US10625391B2 (en) * 2014-10-31 2020-04-21 Kuraray Co., Ltd. Non-porous molded article for polishing layer, polishing pad, and polishing method
JP6539910B2 (ja) * 2015-04-03 2019-07-10 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法
JP6600149B2 (ja) * 2015-04-03 2019-10-30 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッド及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004507076A (ja) 2000-05-27 2004-03-04 ロデール　ホールディングス　インコーポレイテッド 化学機械平坦化用の研磨パッド
JP2005136400A (ja) 2003-10-09 2005-05-26 Rohm & Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc 研磨パッド

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