KR20210054830A - 터치표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예들은, 터치표시장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 오목부를 포함하는 절연막 및 마이크로렌즈부를 포함하는 평탄화층을 포함함으로써, 휘도가 향상된 터치표시장치를 제공할 수 있다.

Description

터치표시장치{TOUCH DISPLAY DEVICE}
본 발명의 실시예들은 터치표시장치에 관한 것이다.
정보화 사회가 발전함에 따라 화상을 표시하기 위한 표시장치에 대한 요구가 다양한 형태로 증가하고 있으며, 근래에는 액정표시장치, 플라즈마 표시장치, 유기발광표시장치 등과 같은 여러 가지 표시장치가 활용되고 있다.
이러한 표시장치 중에는, 버튼, 키보드, 마우스 등의 통상적인 입력방식에서 탈피하여, 사용자가 손쉽게 정보 혹은 명령을 직관적이고 편리하게 입력할 수 있도록 해주는 터치 기반의 입력방식을 제공하는 터치표시장치가 있다.
터치표시장치는 터치방식에 의한 입력이 가능하면서도, 화상을 표시할 수 있다는 장점이 있다. 그러나, 종래의 터치표시장치는 화상 표시를 위한 발광영역을 확보하고 휘도를 향상시키는데 어려움이 있다.
본 발명의 실시예들은 휘도가 향상된 터치표시장치를 제공할 수 있다.
일 측면에서, 본 발명의 실시예들은 다수의 서브픽셀을 포함하는 터치표시장치에 있어서, 기판과, 절연막과, 제1 전극과, 뱅크와, 발광층과, 제2 전극과, 봉지층과, 터치 버퍼층과, 다수의 터치 전극과, 평탄화층을 포함하는 터치표시장치를 제공할 수 있다.
전술한 절연막은, 전술한 기판 상에 위치한다. 또한, 절연막은, 하나의 전술한 서브픽셀 내에서 평탄부와 평탄부를 둘러싸는 경사부로 이루어진 적어도 하나의 오목부를 포함한다.
전술한 제1 전극은, 전술한 하나의 서브픽셀 내에서 전술한 절연막의 오목부 상부 및 전술한 오목부의 주변부 상에 위치한다.
전술한 뱅크는, 전술한 제1 전극 상부 및 전술한 절연막 상부에 위치한다. 또한, 뱅크는 전술한 평탄부의 일부에 대응되는 개구영역을 갖는다.
전술한 발광층은, 전술한 뱅크의 개구영역에 위치한다. 또한, 발광층은 전술한 제1 전극 상에 위치한다.
전술한 제2 전극은, 전술한 발광층 상에 위치하고, 전술한 뱅크 상에 위치한다.
전술한 봉지층은, 전술한 제2 전극 상에 위치한다.
전술한 터치 버퍼층은, 전술한 봉지층 상에 위치한다.
전술한 다수의 터치 전극은, 전술한 터치 버퍼층 상에 위치한다.
전술한 평탄화층은, 전술한 터치 전극 상에 위치한다. 또한, 전술한 평탄화층은, 전술한 오목부에 대응되는 영역에 위치하는 마이크로렌즈부를 포함한다.
본 발명의 실시예들에 의하면, 하나의 서브픽셀 내에서 평탄부 및 평탄부를 둘러싸는 경사부로 이루어진 적어도 하나의 오목부를 포함하는 절연막을 포함하고, 오목부에 대응되는 영역에 위치하는 마이크로렌즈부를 포함하는 평탄화층을 포함하여 휘도가 향상된 터치표시장치를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 의하면, 일부가 오목부의 경사부에 대응되는 영역에 위치하고, 오목부의 경사부에 대응되는 영역보다 큰 직경을 가지는 마이크로렌즈를 포함하여 휘도가 향상된 터치표시장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치의 시스템 구성도이다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치가 뮤추얼-커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱하는 경우, 터치패널(TSP)의 예시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치가 셀프-커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱하는 경우, 터치패널(TSP)의 예시도이다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 플렉서블 터치표시장치에서, 터치패널(TSP)에 배치된 메쉬 타입(Mesh type)의 터치 전극을 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 플렉서블 터치표시장치에서, 터치패널(TSP)에 배치된 메쉬 타입의 터치 전극과 서브픽셀(Sub Pixel) 간의 대응 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 서브픽셀 회로를 나타낸 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널에서 터치 전극의 위치를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 액티브영역에 포함된 서브픽셀 및 발광영역을 도시한 평면도이다.
도 11은 도 10의 A-B를 따라 절단한 영역과 넌-액티브 영역의 일부를 도시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치에 있어서, 마이크로렌즈부가 도 11에서 도시한 실시예들과는 상이한 마이크로렌즈로 이루어진 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 도 11 및 도 12의 Y 영역을 확대한 도면이다.
도 14는 액티브 영역 및 액티브 영역으로부터 연장된 넌-액티브 영역의 일부를 도시한 도면이다.
도 15 내지 도 17은 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치의 단면도이다.
이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성 요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가질 수 있다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 수 있다. 본 명세서 상에서 언급된 "포함한다", "갖는다", "이루어진다" 등이 사용되는 경우 "~만"이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별한 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질, 차례, 순서 또는 개수 등이 한정되지 않는다.
구성 요소들의 위치 관계에 대한 설명에 있어서, 둘 이상의 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속" 등이 된다고 기재된 경우, 둘 이상의 구성 요소가 직접적으로 "연결", "결합" 또는 "접속" 될 수 있지만, 둘 이상의 구성 요소와 다른 구성 요소가 더 "개재"되어 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 여기서, 다른 구성 요소는 서로 "연결", "결합" 또는 "접속" 되는 둘 이상의 구성 요소 중 하나 이상에 포함될 수도 있다.
구성 요소들이나, 동작 방법이나 제작 방법 등과 관련한 시간적 흐름 관계에 대한 설명에 있어서, 예를 들어, "~후에", "~에 이어서", "~다음에", "~전에" 등으로 시간적 선후 관계 또는 흐름적 선후 관계가 설명되는 경우, "바로" 또는 "직접"이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.
한편, 구성 요소에 대한 수치 또는 그 대응 정보(예: 레벨 등)가 언급된 경우, 별도의 명시적 기재가 없더라도, 수치 또는 그 대응 정보는 각종 요인(예: 공정상의 요인, 내부 또는 외부 충격, 노이즈 등)에 의해 발생할 수 있는 오차 범위를 포함하는 것으로 해석될 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치의 시스템 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치는 영상을 표시하기 위한 영상 표시 기능과, 사용자의 터치를 센싱하는 터치 센싱 기능을 제공할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치는, 영상 표시를 위해, 데이터 라인들과 게이트 라인들이 배치되는 표시패널(DISP)과, 표시패널(DISP)을 구동하기 위한 디스플레이 구동 회로 등을 포함할 수 있다.
디스플레이 구동 회로는, 데이터 라인들을 구동하기 위한 데이터 구동 회로(DDC)와, 게이트 라인들을 구동하기 위한 게이트 구동 회로(GDC)와, 데이터 구동 회로(DDC) 및 게이트 구동 회로(GDC)를 제어하기 위한 디스플레이 컨트롤러(D-CTR) 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치는, 터치 센싱을 위해, 터치 센서(Touch Sensor)로서 다수의 터치 전극들(320)이 배치된 터치패널(TSP)과, 터치패널(TSP)의 구동 및 센싱 처리를 수행하는 터치 센싱 회로(TSC) 등을 포함할 수 있다.
터치 센싱 회로(TSC)는 터치패널(TSP)을 구동하기 위하여 터치패널(TSP)로 구동 신호를 공급하고, 터치패널(TSP)로부터 센싱 신호를 검출하고, 이를 토대로, 터치유무 및/또는 터치위치(터치좌표)를 센싱한다.
이러한 터치 센싱 회로(TSC)는 구동 신호를 공급하고 센싱 신호를 수신하는 터치 구동 회로(TDC)와, 터치유무 및/또는 터치위치(터치좌표)를 산출하는 터치 컨트롤러(T-CTR) 등을 포함하여 구현될 수도 있다.
터치 센싱 회로(TSC)는 하나 또는 둘 이상의 부품(예: 집적회로)으로 구현될 수 있으며, 디스플레이 구동 회로와 별도로 구현될 수도 있다.
또한, 터치 센싱 회로(TSC)의 전체 또는 일부는, 디스플레이 구동 회로 또는 그 내부 회로 중 하나 이상과 통합되어 구현될 수 있다. 예를 들어, 터치 센싱 회로(TSC)의 터치 구동 회로(TDC)는 디스플레이 구동 회로의 데이터 구동 회로(DDC)와 함께 집적회로로 구현될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치는 터치 전극들(TE, 터치센서들)에 형성되는 커패시턴스(Capacitance)에 기반하여 터치를 센싱할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치는 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로서, 뮤추얼-커패시턴스(Mutual-capacitance) 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 셀프-커패시턴스(Self-capacitance) 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 터치패널(TSP)의 3가지 예시도로서, 도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치가 뮤추얼-커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱하는 경우, 터치패널(TSP)의 예시도이고, 도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치가 셀프-커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱하는 경우, 터치패널(TSP)의 예시도이다.
도 2를 참조하면, 뮤추얼-커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 터치패널(TSP)에 배치되는 다수의 터치 전극들은 구동 신호가 인가되는 구동 터치 전극(구동전극, 송신전극, 또는 구동라인이라고도 함)과, 센싱 신호가 센싱되고 구동전극과 커패시턴스를 형성하는 센싱 터치 전극(센싱전극, 수신전극, 또는 센싱라인이라고도 함)으로 분류될 수 있다.
그리고, 터치 전극들의 구동 터치 전극들 중에서, 동일한 행 (또는 동일한 열)에 배치된 구동 터치 전극들은 일체화 방식에 의해 (또는 브리지 패턴에 의한 연결 방식에 의해) 전기적으로 서로 연결되어 하나의 구동 터치 전극 라인(DEL)을 형성한다.
도 2를 참조하면, 터치 전극들의 센싱 터치 전극들 중에서, 동일한 열 (또는 동일한 행)에 배치된 센싱 터치 전극들은 브리지 패턴에 의해 (또는 일체화 방식에 의해) 전기적으로 서로 연결되어 하나의 센싱 터치 전극 라인(SEL)을 형성한다.
이러한 뮤추얼-커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 터치 센싱 회로(TSC)는, 하나 이상의 구동 터치 전극 라인(DEL)으로 구동 신호를 인가하고, 하나 이상의 센싱 터치 전극 라인(SEL)으로부터 센싱 신호를 수신하고, 수신된 센싱 신호를 토대로, 손가락, 펜 등의 포인터의 유무에 따른 구동 터치 전극 라인(DEL)과 센싱 터치 전극 라인(SEL) 간의 커패시턴스(뮤추얼-커패시턴스)의 변화를 토대로 터치 유무 및/또는 터치 좌표 등을 검출한다.
도 2를 참조하면, 구동 신호 및 센싱 신호 전달을 위해, 다수의 구동 터치 전극 라인(DEL) 및 다수의 센싱 터치 전극 라인(SEL) 각각은 하나 이상의 터치 라인(230)을 통해 터치 구동 회로(TDC)와 전기적으로 연결된다.
구체적으로, 구동 신호 전달을 위해, 다수의 구동 터치 전극 라인(DEL) 각각은 하나 이상의 구동 터치 라인(TLd)을 통해, 터치 구동 회로(TDC)와 전기적으로 연결된다. 그리고, 센싱 신호 전달을 위해, 다수의 센싱 터치 전극 라인(SEL) 각각은 하나 이상의 센싱 터치 라인(TLs)을 통해, 터치 구동 회로(TDC)와 전기적으로 연결된다.
또한, 뮤추얼 커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 터치표시장치(100)는 도 3으로 나타낼 수도 있다.
도 3을 참조하면, 터치패널(TSP)에는 다수의 터치전극들(320)이 배치되며, 이러한 터치전극들(320)과 터치회로를 전기적으로 연결해주는 터치라인들(230)이 배치될 수 있다.
또한, 터치패널(TSP)에는, 터치라인들(230)과 터치 구동 회로(TDC)를 전기적으로 연결해주기 위하여, 터치 구동 회로(TDC)가 접촉하는 터치패드들이 존재할 수도 있다.
터치전극들(320) 및 터치라인들(230)은 동일한 층에 존재할 수도 있고 서로 다른 층에 존재할 수도 있다.
하나의 구동 터치전극 라인(Driving TE Line)을 형성하는 둘 이상의 터치전극은 구동 터치전극(Driving TE)이라고 한다. 하나의 센싱 터치전극 라인(Sensing TE Line)을 형성하는 둘 이상의 터치전극(320)을 센싱 터치전극(Sensing TE)이라고 한다.
하나의 구동 터치전극 라인마다 적어도 하나의 터치라인(220)이 연결되고, 하나의 센싱 터치전극 라인마다 적어도 하나의 터치라인(230)이 연결될 수 있다.
하나의 구동 터치전극 라인마다 연결되는 적어도 하나의 터치라인(220)을 구동 터치라인(Driving TL)이라고 한다. 하나의 센싱 터치전극 라인마다 연결되는 적어도 하나의 터치라인(230)을 센싱 터치라인(Sensing TL)이라고 한다.
하나의 터치라인(230)마다 하나의 터치패드(TP)가 연결될 수 있다.
도 3을 참조하면, 다수의 터치전극들(320) 각각은, 일 예로, 외곽의 윤곽을 볼 때, 마름모형일 수 있으며, 경우에 따라서는, 직사각형 (정사각형을 포함할 수 있음)일 수도 있으며, 이뿐만 아니라 다양한 모양으로 되어 있을 수도 있다.
또한, 2개의 터치전극(320)들 간의 연결을 위한 브리지 구성은 1개 또는 2개 이상의 브리지 패턴(396)을 포함할 수 있다.
실시예들에 따른 터치패널(TSP)은 표시영역(A/A)과 비 표시영역(N/A)을 갖는 표시패널의 내부에 존재할 수 있다(내장형).
터치패널(TSP)이 내장형인 경우, 터치패널(TSP)과 표시패널은 한번의 패널 제작 공정을 통해 함께 만들어질 수 있다.
터치패널(TSP)이 내장형인 경우, 터치패널(TSP)은 다수의 터치전극들(320)의 집합체로 볼 수 있다. 여기서, 다수의 터치전극들(320)이 놓이는 판(Plate)은 전용 기판일 수도 있고, 표시패널에 이미 존재하는 층(예: 봉지층)일 수도 있다.
도 4를 참조하면, 셀프-커패시턴스(Self-capacitance) 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 터치패널(TSP)에 배치되는 각 터치 전극(320)은 구동 터치 전극의 역할 (구동 신호 인가)과 센싱 터치 전극의 역할(센싱 신호 검출)을 모두 갖는다.
즉, 각 터치 전극(320)으로 구동 신호가 인가되고, 구동 신호가 인가된 터치 전극(320)을 통해 센싱 신호를 수신한다. 따라서, 셀프-커패시턴스(Self-capacitance) 기반의 터치 센싱 방식에서는, 구동전극과 센싱전극의 구분이 따로 없다.
이러한 셀프-커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식의 경우, 터치 센싱 회로(TSC)는, 하나 이상의 터치 전극(320)으로 구동 신호를 인가하고, 구동 신호가 인가된 터치 전극(320)으로부터 센싱 신호를 수신하며, 수신된 센싱 신호를 토대로, 손가락, 펜 등의 포인터와 터치 전극(320) 간의 커패시턴스의 변화를 토대로 터치 유무 및/또는 터치 좌표 등을 검출한다.
도 4를 참조하면, 구동 신호 및 센싱 신호 전달을 위해, 다수의 터치 전극(320) 각각은 하나 이상의 터치 라인(230)을 통해 터치 구동 회로(TDC)와 전기적으로 연결된다.
이와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치는, 뮤추얼-커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있고, 셀프-커패시턴스 기반의 터치 센싱 방식으로 터치를 센싱할 수도 있다.
한편, 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치에서, 터치패널(TSP)은 표시패널(DISP)의 제작 시 함께 제작되어 표시패널(DISP)의 내부에 존재하는 내장형 타입일 수도 있다. 즉, 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널(DISP)은 터치패널(TSP)를 내장할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에서 터치 전극들(320) 및 터치 라인들(230)은 표시패널(DISP)의 내부에 존재하는 전극 및 신호배선이다.
또 한편, 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치의 표시패널(DISP)은, 유기발광소자 패널(OLED Panel) 타입, 퀀텀닷 패널(Quantum Dot Panel) 타입 및 마이크로 LED 패널(Micro Light Emitting Diode Panel) 타입 등의 자발광 표시패널일 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따른 플렉서블 터치표시장치에서, 터치패널(TSP)에 배치된 메쉬 타입(Mesh type)의 터치 전극을 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 플렉서블 터치표시장치에서, 터치패널(TSP)에 배치된 다수의 터치 전극(320) 각각은 비 메쉬 타입일 수 있다.
메쉬 타입(Mesh type)의 터치 전극(320)은 메쉬 타입으로 패터닝 된 전극메탈(EM)로 되어 있을 수 있다.
이에 따라, 메쉬 타입(Mesh type)의 터치 전극(320)의 영역에는 다수의 오픈 영역(OA)이 존재할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 플렉서블 터치표시장치에서, 터치패널(TSP)에 배치된 메쉬 타입의 터치 전극과 서브픽셀(Sub Pixel) 간의 대응 관계를 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참조하면, 메쉬 타입으로 패터닝 된 전극메탈(EM)로 되어 있는 터치 전극(320)의 영역 내 존재하는 다수의 오픈 영역(OA) 각각은 하나 이상의 서브픽셀의 발광 영역과 대응될 수 있다.
예를 들어, 하나의 터치 전극(320)의 영역 내 존재하는 다수의 오픈 영역(OA) 각각은 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀 및 청색 서브픽셀 등 중 하나 이상의 발광 영역과 대응될 수 있다.
다른 예로, 하나의 터치 전극(320)의 영역 내 존재하는 다수의 오픈 영역(OA) 각각은 적색 서브픽셀, 녹색 서브픽셀, 청색 서브픽셀 및 흰색 서브픽셀 등 중 하나 이상의 발광 영역과 대응될 수 있다.
전술한 바와 같이, 평면에서 볼 때, 각 터치 전극(320)의 오픈 영역들(OA) 각각에 하나 이상의 서브픽셀의 발광 영역이 존재함으로써, 터치 센싱을 가능하게 하면서도, 표시패널(DISP)의 개구율 및 발광 효율을 더욱 높여줄 수 있다.
위에서 전술한 바와 같이, 하나의 터치 전극(320)의 외곽의 대략적인 윤곽은 마름모형 또는 직사각형(정사각형 포함 가능) 등일 수 있으며, 하나의 터치 전극(320)에서의 구멍에 해당하는 오픈 영역(OA) 또한, 마름모형 또는 직사각형(정사각형 포함 가능) 등일 수 있다.
하지만, 이러한 터치 전극(320)의 형상과 오픈 영역(OA)의 형상은, 서브픽셀의 형상, 서브픽셀들의 배열 구조, 터치 감도 등을 고려하여, 다양하게 변형되어 설계될 수 있을 것이다.
이에, 아래에서는, 유기발광소자(OLED: Organic Light Emitting Diode)를 이용하여 영상을 표시하기 위한 표시패널에서의 서브픽셀 구조(서브픽셀 회로)를 살펴본다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 서브픽셀 회로를 나타낸 도면이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 각 서브픽셀(SP)은, 기본적으로, 유기발광소자(OLED)와, 유기발광소자(OLED)를 구동하는 구동 트랜지스터(DRT)를 포함할 수 있다.
도 7을 참조하면, 각 서브픽셀(SP)은, 구동 트랜지스터(DRT)의 게이트 노드에 해당하는 제1 노드(N1)로 데이터 전압(VDATA)을 전달해주기 위한 제1 트랜지스터(T1)와, 영상 신호 전압에 해당하는 데이터 전압(VDATA) 또는 이에 대응되는 전압을 한 프레임 시간 동안 유지하는 스토리지 캐패시터(C1)를 더 포함하여 구성될 수 있다.
유기발광소자(OLED)는 제1전극(E1, 애노드 전극 또는 캐소드 전극), 발광층(760) 및 제2전극(E2, 캐소드 전극 또는 애노드 전극) 등으로 이루어질 수 있다.
일 예로, 유기발광소자(OLED)의 제2전극(770)에는 기저 전압(EVSS)이 인가될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)는 유기발광소자(OLED)로 구동 전류를 공급해줌으로써 유기발광소자(OLED)를 구동해준다.
구동 트랜지스터(DRT)는 제1 노드(N1), 제2 노드(N2) 및 제3노드(N3)를 갖는다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)는 게이트 노드에 해당하는 노드로서, 제1 트랜지스터(T1)의 소스 노드 또는 드레인 노드와 전기적으로 연결될 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)는 유기발광소자(OLED)의 제1전극(750)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 소스 노드 또는 드레인 노드일 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)의 제3노드(N3)는 구동 전압(EVDD)이 인가되는 노드로서, 구동 전압(EVDD)을 공급하는 구동전압 라인(DVL: Driving Voltage Line)과 전기적으로 연결될 수 있으며, 드레인 노드 또는 소스 노드일 수 있다.
구동 트랜지스터(DRT)와 제1 트랜지스터(T1)는, n 타입으로 구현될 수도 있고, p 타입으로도 구현될 수도 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 데이터 라인(DL)과 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 라인을 통해 스캔 신호(SCAN)를 게이트 노드로 인가 받아 제어될 수 있다.
이러한 제1 트랜지스터(T1)는 스캔 신호(SCAN)에 의해 턴-온 되어 데이터 라인(DL)으로부터 공급된 데이터 전압(VDATA)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)로 전달해줄 수 있다.
스토리지 캐패시터(C1)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 전기적으로 연결될 수 있다.
이러한 스토리지 캐패시터(C1)는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이에 존재하는 내부 캐패시터(Internal Capacitor)인 기생 캐패시터(예: Cgs, Cgd)가 아니라, 구동 트랜지스터(DRT)의 외부에 의도적으로 설계한 외부 캐패시터(External Capacitor)이다.
도 8을 참조하면, 본 실시예들에 따른 표시패널에 배치된 각 서브픽셀은, 유기발광소자(OLED), 구동 트랜지스터(DRT), 제1 트랜지스터(T1) 및 스토리지 캐패시터(C1) 이외에, 제2 트랜지스터(T2)를 더 포함할 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)와 기준 전압(VREF: Reference Voltage)을 공급하는 기준 전압 라인(RVL: Reference Voltage Line) 사이에 전기적으로 연결되고, 게이트 노드로 스캔 신호의 일종인 센싱 신호(SENSE)를 인가 받아 제어될 수 있다.
전술한 제2 트랜지스터(T2)를 더 포함함으로써, 서브픽셀(SP) 내 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 상태를 효과적으로 제어해줄 수 있다.
이러한 제2 트랜지스터(T2)는 센싱 신호(SENSE)에 의해 턴-온 되어 기준 전압 라인(RVL)을 통해 공급되는 기준 전압(VREF)을 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)에 인가해준다.
도 8의 서브픽셀 구조는, 구동 트랜지스터(DRT)의 제2 노드(N2)의 전압 초기화를 정확하게 해주는데 유리하고, 구동 트랜지스터(DRT)의 고유 특성치(문턱전압 또는 이동도), 유기발광소자(OLED)의 고유 특성치(예: 문턱전압)을 센싱하기 위해 유리한 구조이다.
한편, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 별개의 게이트 신호일 수 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는, 서로 다른 게이트 라인을 통해, 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드로 각각 인가될 수도 있다.
경우에 따라서는, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 신호일 수도 있다. 이 경우, 스캔 신호(SCAN) 및 센싱 신호(SENSE)는 동일한 게이트 라인을 통해 제1 트랜지스터(T1)의 게이트 노드 및 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 노드에 공통으로 인가될 수도 있다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널에서 터치 전극의 위치를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널에서 터치 전극(320)는, 유기발광소자(OLED) 상에 위치하는 봉지층(990) 상에 배치될 수 있다.
여기서, 봉지층(990)은 발광층(760)에 포함된 유기물질을 수분, 공기 등으로부터 보호하기 위한 층으로서, 캐소드 전극일 수 있는 유기발광소자(OLED)의 제2전극(770) 상에 위치할 수 있다.
한편, 봉지층(990)은 메탈 금속일 수도 있고, 무기물로 되어 있을 수도 있고, 하나 이상의 유기절연층과 하나 이상의 무기절연층이 적층 되어 구성될 수도 있다.
이와 같이, 터치 전극(320)이 봉지층(990) 상에 형성된 터치구조를 TOE (Touch On Encapsulation Layer)라고 한다.
한편, 봉지층(990)과 터치 전극(320) 사이에 컬러필터 층이 추가로 존재하거나, 터치 전극(320) 상에 컬러필터 층이 추가로 존재할 수도 있다.
이에 따라, 제2전극(770)과 터치센서(TS) 사이에 전위치가 발생하여 커패시턴스(Cp)가 형성될 수 있다.
터치센싱에 필요한 커패시턴스는, 터치 전극(320) 간의 커패시턴스거나, 터치 전극(320)와 터치 오브젝트(예: 손가락, 펜 등) 간의 커패시턴스다.
터치전극(320) 상에는 평탄화층(950)이 위치할 수 있다. 평탄화층(950)은 터치전극(320)에 의해 형성된 요철을 평탄화할 수 있다. 평탄화층(950) 상에는, 예를 들면, 유리기판 또는 플라스틱 기판 등의 터치 기판이 위치할 수 있다.
한편, 본 발명의 표시패널(DISP)은 액티브 영역(A/A)에 배치된 유기발광소자로부터 발광된 광이 외부로 추출되는 양에 따라 휘도가 달라질 수 있다. 다시 말해, 유기발광소자로부터 발광된 광의 추출량이 많을수록 표시패널(DISP)의 휘도는 향상될 수 있다.
도 10은 본 발명의 실시예들에 따른 표시패널의 액티브영역에 포함된 서브픽셀 및 발광영역을 도시한 평면도이다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치의 액티브 영역(A/A)에는 다수의 서브픽셀이 포함된다. 서브픽셀 각각은 적어도 하나의 발광영역(1010)을 포함할 수 있다.
발광영역(1010)은, 제1 영역(1011), 제2 영역(1012) 및 제3 영역(1013)을 포함할 수 있다.
제1 영역(1011)은, 발광영역(1010)의 중심부에 위치할 수 있다. 발광영역(1010)의 중심부란, 하나의 서브픽셀에 포함되는 전체 발광영역(1010)에 있어서 발광영역(1010)의 중심을 포함하는 일부 영역을 지칭할 수 있다.
제2 영역(1012)은, 발광영역(1010)의 주변부에 위치할 수 있다. 발광영역(1010)의 주변부란, 하나의 서브픽셀에 포함되는 전체 발광영역(1010)에 있어서 중심이 제외되고 발광영역(1010)의 최외곽부를 포함하는 일부 영역을 지칭할 수 있다.
제3 영역(1013)은, 제1 영역(1011)과 제2 영역(1012)의 사이에 위치하면서, 제1 영역(1011)과 제2 영역(1012)보다 휘도가 낮은 영역일 수 있다.
제1 영역(1011)은 발광영역(1010)의 주요 발광영역일 수 있다. 제1 영역(1011)이 발광영역(1010)의 주요 발광영역이라는 것은, 제1 영역(1011)의 면적이 제2 영역(1012)의 면적보다 넓고, 제3 영역(1013)의 면적보다 넓은 것을 의미할 수 있다. 따라서, 제1 영역(1011), 제2 영역(1012) 및 제3 영역(1013)에 있어서, 제1 영역(1011)의 면적이 가장 넓을 수 있다.
설명을 위하여 발광영역(1010)을 제1 영역(1011), 제2 영역(1012) 및 제3 영역(1013)으로 구분하여 설명하였으나, 제1 영역(1011), 제2 영역(1012) 및 제3 영역(1013)은 서로 이격되어 위치함으로써 명확히 구분되지 않을 수 있다. 제1 영역(1011), 제2 영역(1012) 및 제3 영역(1013)은, 각 영역들이 상술한 특징을 가지면서 서로 연속적으로 연결되어 있을 수 있다. 따라서, 발광영역(1010)은, 전체로서 하나의 영역으로 관찰되되, 중심부(제1 영역)와 주변부(제2 영역)의 휘도가 중심부와 주변부의 중간부(제3 영역)의 휘도보다 높을 수 있다.
도 11은 도 10의 A-B를 따라 절단한 영역과 넌-액티브 영역의 일부를 도시한 도면이다. 도 11은 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치에 있어서 하나의 서브픽셀(SP) 영역을 도시한 도면일 수 있으며, 넌-액티브 영역의 일부를 도시한 도면일 수 있다.
도 11을 참조하면, 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치는, 기판(1110)과, 기판 상에 위치하는 절연막(1140)과, 절연막(1140) 상에 위치하는 제1 전극(750)과, 제1 전극(750) 상부 및 절연막(1140) 상부에 위치하는 뱅크(1180)와, 제1 전극(750) 상에 위치하는 발광층(760)과, 발광층(760) 및 뱅크(1180) 상에 위치하는 제2 전극(770)과, 제2 전극(770) 상에 위치하는 봉지층(990)과, 봉지층(990) 상에 위치하는 터치 버퍼층(1190)과, 터치 버퍼층(1190) 상에 위치하는 다수의 터치 전극(320)과, 터치 전극(320) 상에 위치하는 평탄화층(950)을 포함한다.
터치표시장치는 액티브영역(A/A, A-B 절단 영역)에서, 기판(1110) 상에 위치한 트랜지스터(TR) 및 트랜지스터(TR)와 전기적으로 연결된 유기발광소자(OLED)를 포함할 수 있다.
트랜지스터(TR)는, 액티브층(1121), 게이트 전극(1123), 소스 전극(1124) 및 드레인 전극(1125)을 포함할 수 있다.
유기발광소자(OLED)는 제1 전극(750), 발광층을 포함하는 발광층(760) 및 제2 전극(770)을 포함한다. 여기서, 제1 전극(750)은 애노드 전극일 수 있고, 제2 전극(770)은 캐소드 전극일 수 있으나, 본 발명의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
구체적으로, 기판(1110) 상에 버퍼층(1111)이 배치될 수 있다. 버퍼층(1111) 상에는 트랜지스터(TR)의 액티브층(1121)이 배치될 수 있다. 액티브층(1121) 상에는 게이트 절연막(1122)이 배치되고, 게이트 절연막(1122) 상에는 게이트 전극(1123)이 배치될 수 있다.
한편, 도 11에는 도시하지 않았으나, 본 발명의 실시예들에 따른 액티브층(1121)은 채널영역을 포함하고, 액티브층(1121)의 채널영역은 게이트 절연막(1122) 및 게이트 전극(1123)과 중첩될 수 있다. 게이트 절연막(1122)과 게이트 전극(1123)은 액티브층(1121)의 채널영역 상에 배치될 수 있다.
게이트 전극(1123) 상에는 층간 절연막(1112)이 배치될 수 있다. 층간 절연막(1112) 상에는 소스 전극(1124)과 드레인 전극(1125)이 배치될 수 있다. 소스 전극(1124)과 드레인 전극(1125)은 층간 절연막(1112) 상에서 서로 이격하여 배치될 수 있다. 소스 전극(1124)과 드레인 전극(1125) 각각은 층간 절연막(1112)에 형성된 홀을 통해 액티브층(1121)과 컨택될 수 있다.
상술한 것과 같이 기판(1110) 상에 트랜지스터(TR)가 배치될 수 있으나, 본 발명의 트랜지스터 구조가 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 기판(1110) 상에 게이트 전극(1123)이 배치되고, 게이트 전극(1123) 상에 액티브층(1121)이 배치되며, 액티브층(1121) 상에서 액티브층(1121)의 일 단과 중첩하도록 소스 전극(1124)이 배치되고, 액티브층(1121)의 타 단과 중첩하도록 드레인 전극(1125)이 배치될 수도 있다.
트랜지스터(TR)를 덮으면서 보호막(1113)이 배치될 수 있다.
보호막(1113) 상에는 절연막(1140)이 배치될 수 있다.
절연막(1140)은 유기물질로 이루어질 수 있으나, 본 발명의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 절연막(1140)은 하나의 서브픽셀 영역에서 적어도 하나의 오목부(1143)를 포함한다. 절연막(1140)은 오목부(1143)를 둘러싸고, 오목부(1143) 주변에 위치하는 주변부(1144)를 포함할 수 있다. 오목부(1143)는 평탄부(1141)와 평탄부(1141)를 둘러싸는 경사부(1142)으로 이루어질 수 있다.
오목부(1143)의 평탄부(1141)는 표면이 기판(1110) 표면과 평행한 부분일 수 있고, 경사부(1142)는 평탄부(1141)를 둘러싸면서, 경사부(1142)의 표면이 기판(1110)의 표면으로부터 소정의 각도를 갖는 부분일 수 있다. 즉, 경사부(1142)의 표면은 기판(1110)의 표면과 평행하지 않을 수 있다.
또한, 절연막(1140)은 오목부(1143)와 이격하는 컨택홀을 구비할 수 있다.
그리고, 적어도 하나의 서브픽셀 영역 내에서 절연막(1140)의 주변부(1144)와 오목부(1143) 상에 제1 전극(750)이 배치된다.
한편, 제1 전극(750)은 오목부(1143)와 중첩되는 영역에서, 제1 전극(750)의 상면이 기판(1110)의 표면과 평행한 제1 영역(751)과, 제1 영역(751)에서 연장되어 제1 전극(750)의 상면이 기판(1110)으로부터 소정의 각도를 갖는 부분인 제2 영역(752)을 포함한다. 즉, 제2 영역(752)의 표면은 기판(1110)의 표면과 평행하지 않을 수 있다. 그리고, 제1 전극(750)은 제2 영역(752)에서 연장되어, 제1 전극(750)의 상면이 기판(1110)의 표면과 평행한 제3 영역(753)을 포함한다. 제3 영역(753)은 오목부(1143)의 주변부(1144)와 중첩된 영역일 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 적어도 하나의 서브픽셀 영역 내에서, 절연막(1140)은 오목부(1143)와 이격된 적어도 하나의 컨택홀을 포함할 수 있고, 절연막(1140)의 컨택홀을 통해 트랜지스터(TR)와 유기발광소자(OLED)의 제1 전극(750)이 전기적으로 연결될 수 있다.
구체적으로, 제1 전극(750)은 트랜지스터(TR)의 소스 전극(1124) 또는 드레인 전극(1125)과 전기적으로 연결될 수 있다.
절연막(1140)과 제1 전극(750)의 일부 상에는 도 11에 도시된 바와 같이, 뱅크(1180)가 배치될 수 있다.
뱅크(1180)는 절연막(1140)에 구비된 오목부(1143)의 일부와 대응되는 영역에서 제1 전극(750) 상에 배치된 제1 부분(1181)과 절연막(1140)에 구비된 주변부(1144)와 대응되는 영역에서 제1 전극(750) 및 절연막(1140) 상에 배치된 제2 부분(1182)을 포함할 수 있다.
이러한 뱅크(1180)는 오목부(1143)와 중첩되는 영역에서 제1 전극(750)의 상면의 일부를 노출하도록 하는 개구영역을 가진다. 개구영역은, 평탄부(1141)의 일부에 대응될 수 있다. 개구영역이 평탄부(1141)의 일부에 대응된다는 것은, 개구영역이 서브픽셀에서 평탄부(1141)의 일부와 중첩되는 것을 의미할 수 있다. 따라서, 적어도 하나의 서브픽셀은 제1 전극(750)이 뱅크(1180)와 미 중첩된 영역을 가질 수 있다.
뱅크(1180)와 미 중첩된 제1 전극(750) 상에는 유기발광소자(OLED)의 발광층(760)이 배치될 수 있다. 이러한 발광층(760)은 제1 전극(750)과 뱅크 상에 배치될 수 있다.
발광층(760) 상에는 유기발광소자(OLED)의 제2 전극(770)이 배치될 수 있다.
한편, 유기발광소자(OLED)의 발광층(760)은 직진성을 갖는 증착 또는 코팅 방법으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 발광층(760)은 Evaporation 공정과 같은 물리적 증착 방법(Physical Vapor Deposition: PVD)으로 형성될 수 있다.
이와 같은 방법으로 형성된 발광층(760)은, 기판(1110) 에 대해 소정의 각도를 갖는 영역에서의 두께가 기판(1110)과 평행한 영역에서의 두께보다 얇을 수 있다.
예를 들면, 오목부(1143)의 경사부(1142)와 대응된 영역에 배치된 발광층(760)의 두께는 뱅크(1180)에 의해 노출된 제1 전극(750) 상면에 배치된 발광층(760)의 두께보다 얇을 수 있다. 또한, 오목부(1143)의 경사부(1142)와 대응된 영역에 배치된 발광층(760)의 두께는 오목부(1143)의 주변부(1144) 상에 배치된 발광층(760)의 두께보다 얇을 수 있다.
이에, 유기발광소자(OLED)가 구동되면, 발광층(760)의 두께가 상대적으로 얇게 형성된 영역, 즉, 오목부(1143)의 경사부(1142)와 대응된 영역에서 전류밀도가 가장 높게 걸리고, 오목부(1143)의 경사부(1142)와 대응된 영역에서 전기장이 강하게 걸릴 수 있다.
따라서, 오목부(1143)의 경사부(1142)과 대응된 영역에서의 유기발광소자(OLED)의 발광 특성과 오목부(1143)의 평탄부(1141)와 대응된 영역에서의 유기발광소자(OLED)의 발광 특성이 상이해질 수 있고, 소자의 열화가 발생할 수 있다.
본 발명의 실시예에서는, 뱅크(1180)가 오목부(1143)의 경사부(1142)를 덮도록 배치됨으로써, 오목부(1143)의 경사부(1142)와 대응되는 영역에서 소자의 열화가 발생하는 것을 방지하고, 영역별로 발광 특성이 상이한 현상을 방지할 수 있다.
다만, 본 발명의 발광층(760)의 두께 조건이 이에 한정되는 것은 아니며, 발광층(760)의 두께는 위치마다 대응되는 두께를 가질 수도 있다.
한편, 제1 전극(750)은 반사성 금속을 포함할 수 있다. 도 11에서는 제1 전극(750)이 단일층인 구성을 도시하였으나, 본 발명의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니며, 다중층으로 이루어질 수 있다. 제1 전극(750)이 다중층으로 이루어지는 경우, 적어도 하나의 층은 반사성 금속을 포함할 수 있다.
예를 들면, 제1 전극(750)은 알루미늄(Alumium), 네오듐(Neodium), 니켈(Nickel), 티타늄(Titanium), 탄탈륨(Tantalium), 구리(Cu), 은(Ag), 그리고, 알루미늄 합금 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있으나, 본 발명의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
제2 전극(770)은 광이 투과되거나 반투과되는 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 인듐 주석 산화물(Indium Tin Oxide, ITO), 인듐 아연 산화물(Indium Zinc Oxide, IZO), 인듐 주석 아연 산화물(Indium Tin Zinc Oxide, ITZO), 아연 산화물(Zinc Oxide) 주석 산화물(Tin Oxide) 등과 같은 투명 전도성 산화물을 적어도 한 종류 포함하거나, 마그네슘(Magnesium), 은(Ag) 또는 마그네슘과 은의 합금 등과 같은 반투과 금속을 포함할 수 있다.
여기서, 제2 전극(770)이 반투과 금속을 포함할 경우, 제2 전극(770)의 두께는 제1 전극(750)의 두께보다 얇을 수 있다.
또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 액티브 영역(A/A)에서 비발광영역(1020)과 대응되는 영역에는 제2 전극(770)과 컨택되는 보조 전극(1130, 또는 보조 배선이라 지칭할 수 있음)이 더 배치될 수 있다.
구체적으로, 보조 전극(1130)은 층간 절연막(1112) 상에 배치될 수 있다. 그리고, 보호막(1113), 절연막(1140) 및 뱅크(1180)는 보조 전극(1130)을 노출하는 홀을 구비할 수 있다. 제2 전극(770)은 보조 전극(1130)을 노출하는 보호막(1113), 절연막(1140) 및 뱅크(1180)의 홀을 통해 보조 전극(1130)과 컨택될 수 있다.
유기발광 표시패널이 대면적의 표시패널일 경우, 제2 전극(770)의 저항에 의한 전압 강하가 일어나 패널 외곽부와 중심부의 휘도 차이가 발생할 수 있다. 그러나, 본 발명의 유기발광 표시패널에서는 제2 전극(770)과 컨택되는 보조 전극(1130)을 통해 전압 강하가 발생되는 것을 방지할 수 있다. 이에, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시패널이 대면적의 패널일 경우, 패널의 휘도 차이 발생을 방지할 수 있는 효과가 있다.
도 11에서는 하나의 서브 픽셀(SP)에 하나의 보조 전극(1130)이 배치된 구성을 도시하였으나, 본 발명의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다수의 서브픽셀(SP) 당 하나의 보조 전극(1130)이 배치될 수도 있다.
또한, 도 11에 도시된 보조 전극(1130)의 위치는 일 예일 뿐, 보조 전극(1130)의 위치가 도 11에 도시된 위치에 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시패널이 대면적의 패널의 아닐 경우, 보조 전극(1130)을 포함하지 않을 수도 있다.
또한, 도 11에 도시된 바와 같이, 액티브 영역(A/A)에는 스토리지 캐패시터(Cst)가 배치될 수 있다. 스토리지 캐패시터(Cst)는 게이트 전극(1123)과 동일층에 배치된 제1 스토리지 캐패시터 전극(1131)과 소스 전극(1124) 및 드레인 전극(1125)과 동일층에 배치된 제2 스토리지 캐패시터 전극(1132)을 포함할 수 있으나, 본 발명의 스토리지 캐패시터(Cst)의 구조가 이에 한정되는 것은 아니다.
유기발광소자(OLED)의 제2 전극(770) 상에는 적어도 1층의 봉지층(990)이 배치될 수 있다.
예를 들면, 봉지층(990)은 제2 전극(770) 상에 배치된 제1 봉지층(1191), 제1 봉지층(1191) 상에 배치된 제2 봉지층(1192) 및 제2 봉지층(1192) 상에 배치된 제3 봉지층(1193)을 포함할 수 있다.
이와 같이, 봉지층(990)이 다중층으로 이루어질 경우, 적어도 한 층은 무기 절연물질을 포함하고, 적어도 다른 한 층은 유기 절연물질을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서는, 제1 봉지층(1191)과 제3 봉지층(1193)은 무기 절연물질을 포함하고, 제2 봉지층(1192)은 유기 절연물질을 포함할 수 있으나, 본 발명의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니다.
이러한 봉지층(990)은 유기발광소자(OLED) 상에 배치되어 유기발광소자(OLED)에 수분 또는 이물 등이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 도 11에서는 봉지층(990)이 액티브 영역(A/A)에 배치된 구성을 개시하였으나, 본 발명의 실시예들이 이에 한정되는 것은 아니며, 봉지층(990)은 넌 액티브 영역(N/A)의 일부까지 연장되어 배치될 수 있다.
제3 봉지층(1193) 상에는 제1 터치 버퍼층(1194)이 배치될 수 있다.
제1 터치 버퍼층(1194) 상에는 다수의 브리지 패턴(396)이 배치되고, 브리지 패턴(396) 상에는 제2 터치 버퍼층(1195)이 배치될 수 있다.
그리고, 제2 터치 버퍼층(1195) 상에는 다수의 터치 전극(320)이 배치될 수 있다. 다수의 터치 전극(320)은 제2 터치 버퍼층(1195)에 구비된 홀을 통해 브리지 패턴(396)과 컨택될 수 있다.
한편, 다수의 터치 전극(320)은 투명 전극이거나 불투명 전극일 수 있다.
제1 전극(750)이 뱅크(1180)의 개구영역을 통해 그 상면이 노출된 영역은 터치표시장치의 제1 영역(1011)과 대응되는 영역일 수 있다.
도 10에서 설명한 바와 같이, 터치전극(320)은 발광 영역(1010)을 둘러싸는 비발광영역(1020)에 위치할 수 있다. 터치전극(320)이 비발광영역(1020)에 위치함으로써, 터치전극(320)에 의한 휘도저하를 예방할 수 있다.
터치전극(320)은, 서브픽셀(SP) 내에서 평탄부(1141)에 대응되는 영역에는 위치하지 않고, 서브픽셀(SP) 내에서 경사부(1142)에 대응되는 영역에는 위치하지 않을 수 있다. 즉, 터치전극(320)은, 서브픽셀(SP) 내에서 오목부(1143)에 대응되는 영역에는 위치하지 않을 수 있다.
터치전극(320)이 서브픽셀(SP) 내에서 평탄부(1141)에 대응되는 영역에 위치하지 않는다는 것은, 서브픽셀(SP) 내에서 터치전극(320)이 평탄부(1141)와 중첩되지 않는 것을 의미할 수 있다.
터치전극(320)이 서브픽셀(SP) 내에서 경사부(1142)에 대응되는 영역에 위치하지 않는다는 것은, 서브픽셀(SP) 내에서 터치전극(320)이 경사부(1142)와 중첩되지 않는 것을 의미할 수 있다.
터치전극(320)이 서브픽셀(SP) 내에서 오목부(1143)에 대응되는 영역에 위치하지 않는다는 것은, 서브픽셀(SP) 내에서 터치전극(320)이 오목부(1143)와 중첩되지 않는 것을 의미할 수 있다.
터치전극(320)이 상술한 것과 같이 오목부(1143)와 중첩되지 않도록 위치함으로써, 발광층(760)에서 방출된 빛이 터치전극(320)에 의해 차단되거나, 터치전극(320)을 투과함으로서 강도가 약해지는 것을 예방할 수 있으므로, 터치표시장치의 휘도가 향상될 수 있다.
터치전극(320) 상에는 평탄화층(950)이 위치한다. 평탄화층(950)은, 터치전극(320)에 의해 형성된 요철을 평탄화하는 층으로서, 예를 들면, 유기물질로 이루어질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 표시장치는, 평탄화층(950)이 마이크로렌즈부(1151)를 포함함으로써, 전반사 등에 의하여 터치기판에 갇히는 빛을 추출할 수 있어 휘도가 우수한 터치표시장치를 제공할 수 있다.
마이크로렌즈부(1151)는, 오목부(1143)에 대응되는 영역에 위치할 수 있다. 마이크로렌즈부(1151)가 오목부(1143)에 대응되는 영역에 위치한다는 것은, 예를 들면, 하나의 서브픽셀에 있어서 마이크로렌즈부(1151)가 오목부(1143)와 실질적으로 동일한 영역만큼 위치한다는 것을 의미할 수 있다. 마이크로렌즈부(1151)가 오목부(1143)에 대응되는 영역에 위치함으로써, 예를 들면, 유기층(760)에서 발광되어 터치표시장치의 외부로 방출되는 빛과, 유기층(760)에서 발광되어 오목부(1143)의 경사부(1142)에 위치하는 제1 전극(750)에 포함된 반사성 금속에 의해 반사되어 터치표시장치의 외부로 방출되는 빛을 효과적으로 분산시킬 수 있다. 마이크로렌즈부(1151)에 의해 분산된 빛은, 터치표시장치와 외부 공기와의 계면에서 전반사되지 않고 터치표시장치 외부로 추출될 수 있으므로, 마이크로렌즈부(1151)에 의하여 터치표시장치의 휘도가 향상될 수 있다.
마이크로렌즈부(1151)는, 다수의 마이크로렌즈(1152)로 이루어질 수 있다. 다수의 마이크로렌즈(1152)는, 터치표시장치의 액티브영역(A/A)의 단면(A-B)에서 원형일 수 있다. 이러한 마이크로렌즈(1152)는, 마이크로렌즈(1152)의 중심부가 주변부보다 오목한 반구형 형상일 수 있다. 마이크로렌즈(1152)가 전술한 형상을 가질 경우, 발광층(760)에서 방출된 빛을 효과적으로 분산시켜 터치표시장치의 휘도를 향상시킬 수 있다.
마이크로렌즈부(1151)는, 서브픽셀(SP) 내에서 중심이 오목부(1143)의 경사부(1142)에 대응되는 영역에 위치하는 마이크로렌즈(1152)를 포함할 수 있다.
마이크로렌즈부(1151)는, 서브픽셀(SP) 내에서 일부가 오목부(1143)의 경사부(1142)에 대응되는 영역에 위치하는 마이크로렌즈(1152)를 포함할 수 있다. 이러한 마이크로렌즈는, 경사부(1142) 상에 위치하는 제1 전극(750)의 제2 영역(752)에 중첩되는 영역에 위치할 수 있다.
본 명세서에서는, 전술한 마이크로렌즈(1152)를 "제1 주변부 마이크로렌즈"로 지칭할 수 있다. 발광층(760)에서 방출되어 제1 전극(750)의 제2 영역(752)에 반사된 빛은 전술한 주변부 마이크로 렌즈에 의하여 분산될 수 있다. 주변부 마이크로 렌즈에 의한 빛의 분산에 의하여, 전술한 발광영역(1010)의 제1 영역(1011), 제2 영역(1012) 및 제3 영역(1013) 간의 휘도 차이가 줄어들 수 있다.
전술한 제1 영역(1011)은, 오목부(1143)의 평탄부(1141)에 대응될 수 있다. 제1 영역(1011)이 평탄부(1141)에 대응된다는 것은, 서브픽셀(SP) 내에서 제1 영역(1011)이 평탄부(1141)와 중첩되는 것을 의미할 수 있다.
발광영역(1010)의 제1 영역(1011)은, 평탄부(1141) 상에 위치하는 발광층(760)에서 방출된 빛이 경사부(1142) 상에 위치하는 제1 전극(750)에 반사된 후 터치표시장치 외부로 추출된 빛보다, 발광층(760)으로부터 방출되어 경사부(1142) 상에 위치하는 제1 전극(750)에 반사되지 않고 바로 터치표시장치 외부로 추출된 빛이 주요 광원일 수 있다.
전술한 제2 영역(1012)은, 오목부(1143)의 경사부(1142)에 대응될 수 있다. 제2 영역(1012)이 경사부(1142)에 대응된다는 것은, 서브픽셀(SP) 내에서 제2 영역(1012)이 경사부(1142)와 중첩되는 것을 의미할 수 있다.
발광영역(1010)의 제2 영역(1012)은, 발광층(760)으로부터 방출되어 경사부(1142) 상에 위치하는 제1 전극(750)에 반사되지 않고 터치표시장치 외부로 바로 추출된 빛보다, 발광층(760)으로부터 방출되어 경사부(1142) 상에 위치하는 제1 전극(750)에 반사되어 터치표시장치 외부로 추출된 빛이 주요 광원일 수 있다.
마이크로렌즈부(1151)는, 터치표시장치의 휘도를 향상시킬 수 있는 다른 구조를 가질 수 있다.
평탄화층(950) 상부에는 도 11에는 도시하지 않았으나, 마이크로렌즈부(1151)를 포함하는 평탄화층(950)을 평탄화하는 제2 평탄화층(미도시)이 위치할 수 있다.
전술한 제2 평탄화층은, 예를 들면, 유기물로 구성될 수 있으며 광학적으로 투명한 점착 또는 접착 물질로 형성될 수 있다. 제2 평탄화층은, 예를 들면, 에폭시계 고분자 및 아크릴계 고분자 등에서 선택된 하나 이상의 고분자를 포함할 수 있다.
제2 평전술한 탄화층 상부에는 편광판(미도시)이 위치할 수 있다. 편광판은 터치표시장치의 외부에서 터치표시장치에 조사된 빛이 터치표시장치의 표시패널에 의하여 반사되어 터치표시장치의 시인성이 떨어지는 것을 개선할 수 있다.
전술한 편광판 상부에는 커버글래스가 위치할 수 있다. 전술한 커버글래스는, 예를 들면, 유리 기판일 수 있으나 고분자 플라스틱 기판일 수도 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치는, 광추출을 최대화하기 위하여 터치표시장치에 포함되는 각 층이 특정한 굴절률 관계를 만족할 수 있다.
예를 들면, 뱅크(1180)의 굴절률은 발광층(760)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 뱅크(1180)의 굴절률이 발광층(760)의 굴절률보다 낮을 경우, 표시패널이 우수한 광추출 효율을 가질 수 있다.
예를 들면, 제2 전극(770)의 굴절률은 발광층(760)의 굴절률보다 낮고, 제1 봉지층(1191)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 제2 전극(770)의 굴절률이 발광층(760) 및 제1 봉지층(1191)의 굴절률보다 낮을 경우, 표시패널이 우수한 광추출 효율을 가질 수 있다.
예를 들면, 제2 봉지층(1192)의 굴절률은 제1 봉지층(1191)의 굴절률보다 낮고, 제3 봉지층(1193)의 굴절률보다 낮을 수 있다. 제2 봉지층(1192)의 굴절률이 제1 봉지층(1191) 및 제3 봉지층(1193)의 굴절률보다 낮을 경우, 표시패널이 우수한 광추출 효율을 가질 수 있다.
예를 들면, 제2 터치 버퍼층(1195)의 굴절률은 제3 봉지층(1193)의 굴절률보다 낮고, 평탄화층(950)의 굴절률보다 높을 수 있다. 제2 터치 버퍼층(1195)의 굴절률이 제3 봉지층(1193)의 굴절률보다 낮고, 평탄화층(950)의 굴절률보다 높을 경우, 표시패널이 우수한 광추출 효율을 가질 수 있다.
예를 들면, 터치표시패널에 포함되는 각 층의 굴절률은 상술한 굴절률 관계를 만족하는 범위 내에서, 발광층(760)의 굴절률은 1.6 내지 1.9 또는 1.7 내지 1.8일 수 있으며, 뱅크(1180)의 굴절률은 1.40 내지 1.57 또는 1.45 내지 1.55일 수 있고, 제2 전극(770)의 굴절률은 0.2 내지 0.4 또는 0.25 내지 0.35일 수 있으며, 제1 봉지층(1191)의 굴절률은 1.63 내지 1.85 또는 1.64 내지 1.82일 수 있고, 제2 봉지층(1192)의 굴절률은 1.4 내지 1.7 또는 1.55 내지 1.65일 수 있으며, 제3 봉지층(1193)의 굴절률은 1.82 내지 1.9 또는 1.85 내지 1.88일 수 있고, 제2 터치 버퍼층(1195)의 굴절률은 1.7 내지 1.82 또는 1.75 내지 1.81 일 수 있으며, 평탄화층(950)의 굴절률은 1.45 내지 1.69 또는 1.5 내지 1.6일 수 있다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치에 있어서, 마이크로렌즈부(1151)가 도 11에서 도시한 실시예들과는 상이한 마이크로렌즈(1153, 1154)로 이루어진 것을 설명하기 위한 도면이다.
도 12에 도시한 실시예들에 대한 설명에 있어서, 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.
도 12를 참조하면, 마이크로렌즈부(1151)는, 서브픽셀(SP) 내에서 경사부(1142)에 대응되는 영역의 두께에 대응되는 직경을 가지고, 경사부(1142)에 대응되는 영역에 위치하는 마이크로렌즈(1154)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서는, 이러한 마이크로렌즈(1154)를, "제2 주변부 마이크로렌즈"로 지칭할 수 있다.
전술한 서브픽셀(SP) 내에서 경사부(1142)에 대응되는 영역은, 도 12에서 점선으로 표시하여 경사부(1142)와 대응시킨 영역을 의미할 수 있다. 즉, 서브픽셀(SP) 내에서 경사부(1142)에 대응되는 영역은, 서브픽셀(SP) 에서 관찰되는 영역에 있어서, 경사부(1142)와 중첩되는 영역을 의미할 수 있다.
전술한 서브픽셀(SP) 내에서 경사부(1142)에 대응되는 영역의 두께에 대응되는 직경은, 전술한 서브픽셀(SP) 내에서 경사부(1142)에 대응되는 영역의 두께와 실질적으로 동일한 직경을 의미할 수 있다.
마이크로렌즈부(1151)가 전술한 제2 주변부 마이크로렌즈를 포함함으로써, 전술한 발광영역(1010)의 제1 영역(1011), 제2 영역(1012) 및 제3 영역(1013) 간의 휘도 차이가 줄어들 수 있으며, 터치표시장치가 우수한 휘도를 가질 수 있다.
마이크로렌즈부(1151)는, 서브픽셀(SP) 내에서 평탄부(1141)에 대응되는 영역의 두께에 대응되는 직경을 가지고, 평탄부(1141)에 대응되는 영역에 위치하는 마이크로렌즈(1153)를 포함할 수 있다. 본 명세서에서는, 이러한 마이크로렌즈(1153)를, "중앙부 마이크로렌즈"로 지칭할 수 있다.
전술한 서브픽셀(SP) 내에서 평탄부(1141)에 대응되는 영역은, 도 12에서 점선으로 표시하여 평탄부(1141)와 대응시킨 영역을 의미할 수 있다. 즉, 서브픽셀(SP) 내에서 평탄부(1141)에 대응되는 영역은, 서브픽셀(SP)에서 관찰되는 영역에 있어서, 평탄부(1141)와 중첩되는 영역을 의미할 수 있다.
전술한 서브픽셀(SP) 내에서 평탄부(1141)에 대응되는 영역의 두께에 대응되는 직경은, 전술한 서브픽셀(SP) 내에서 평탄부(1141)에 대응되는 영역의 두께와 실질적으로 동일한 직경을 의미할 수 있다.
마이크로렌즈부(1151)가 전술한 중앙부 마이크로렌즈를 포함함으로써, 발광층(760)에서 방출되어 중앙부 마이크로렌즈에 도달한 빛이 분산될 수 있으므로, 전반사에 의하여 터치표시장치 내부에 갇히는 빛이 줄어들어 터치표시장치가 우수한 휘도를 가질 수 있다.
도 13은 도 11 및 도 12의 Y 영역을 확대한 도면이다.
도 13을 참조하면, 절연막(1140)의 경사부(1142)의 높이(H1, 또는 오목부의 깊이)는 0.7㎛ 이상일 수 있다. 여기서, 경사부(1142)의 높이(H1)는 오목부(1143)의 평탄부(1141)의 표면에서 기판(1110)의 표면과 평행하게 연장된 선으로부터 주변부(1144)까지의 최단 거리를 의미한다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 오목부(1143)의 경사부(1142)가 위치하는 절연막(1140) 높이(H1)가 상술한 수치에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 높이 H1은 절연막(1140)의 오목부(443)가 절연막(1140) 하부에 배치된 구성들을 노출시키지 않는 정도의 높이로 이루어지는 구성이면 충분하다.
경사부(1142)의 높이(H1)는 오목부(1143)의 주변부(1144) 상에 배치된 뱅크(1180)의 높이 보다 높을 수 있다. 다른 측면으로, 경사부(1142)의 높이(H1)는 뱅크(1180)의 제2 부분(1182)의 높이보다 높을 수 있다.
이와 같이, 경사부(1142)의 높이(H1)가 높게 형성될수록 제1 전극(750)의 제2 영역(1152)에서 반사되는 광량이 증가되므로, 광 추출 효율이 향상될 수 있다.
또한, 오목부(1143)의 경사부(1142)이 수평면과 이루는 각도(a)는 27o 이상 내지 80o 미만일 수 있다.
각도 a가 27o 미만일 경우, 발광층(760)으로부터 발광된 광은 경사부(1142)에 배치된 제1 전극(750)에 도달하지 못하고, 인접한 다른 서브픽셀로 전달되어 혼색 현상이 나타나거나, 표시장치 안에 갇혀서 외부로 추출되지 못할 수 있다.
각도 a가 80o를 초과할 경우, 절연막(1140)의 경사부에 배치되는 제1 전극(750) 등의 구성에 단선이 발생할 수 있다.
또한, 오목부(1143)의 경사부(1142)와 대응되는 영역에서 제1 전극(750)의 표면과 뱅크(1180) 사이의 거리(W)는 3.2㎛ 이하, 2.6㎛이하 또는 2.0㎛이하일 수 있다
다른 측면으로, 제1 전극(750)의 제2 영역(752)에서 제1 전극(750)의 표면과 뱅크(1180) 사이의 거리(W)는 3.2㎛ 이하, 2.6㎛이하 또는 2.0㎛이하일 수 있다.
W가 작을수록, 제1 영역(1011) 면적이 확장될 수 있고, 제1 전극(750)의 제2 영역(752)에서 반사되어 추출되는 광의 광로를 줄여줌으로써 광 추출 효율이 향상될 수 있으므로, W 값의 하한은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들면, d의 하한은 0.1㎛ 이상, 0.3㎛ 이상 또는 0.5㎛ 이상일 수 있다.
W의 범위를 상술한 바와 같이 조절함으로써, 제1 발광부(1011)의 면적을 넓히면서 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 유기발광 표시패널을 제공할 수 있는 효과가 있다.
한편, 제1 영역(1011)의 색좌표와 제2 영역(1012)의 색좌표는 상이하거나, 서로 대응될 수 있다.
다수의 터치 전극(320) 및 터치 라인의 배치구조를 도 14를 참조하여 설명한다.
도 14는 액티브 영역 및 액티브 영역으로부터 연장된 넌 액티브 영역의 일부를 도시한 도면이다.
후술하는 설명에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.
도 14를 참조하면, 제2 터치 버퍼층(1195) 상에는 다수의 터치 전극(320) 및 터치 라인(1450)이 배치될 수 있다.
동일한 행 (또는 동일한 열)에 배치된 터치 전극(320)들은 브리지 패턴(396)을 통해 전기적으로 연결되어 하나의 구동 터치 전극 라인을 형성하거나, 하나의 센싱 터치 전극 라인을 형성할 수 있다.
도 14에서는 터치 전극(320)과 터치 라인(1450)이 동일층에 위치한 구성을 도시하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 터치 전극(320)과 터치 라인(1450)이 서로 다른 층에 위치할 수도 있다.
한편, 터치 라인(1450)은 브리지 패턴(396)과 동일층에 배치된 보조 라인(1460)과 전기적으로 연결될 수 있다. 구체적으로, 도 14에 도시된 바와 같이, 터치 라인(1450)은 제2 터치 버퍼층(1195) 에 구비된 컨택홀을 통해 제2 터치 버퍼층(1195) 하부에 배치된 보조 라인(1460)과 컨택될 수 있다.
터치 라인(1450)이 보조 라인(1460)과 전기적으로 연결됨으로써, 터치 라인(1450)의 저항을 감소시킬 수 있다.
이러한 터치 라인(1450)과 터치 전극(320)은 전기적으로 연결될 수 있다. 그리고, 터치 라인(1450)은 댐(1420) 상에 위치하고, 댐(1420)의 외곽에 위치하는 패드부(PAD)까지 연장된다. 이러한 터치 라인(1450)은 패드부(PAD)와 전기적으로 연결된다.
구체적으로, 터치 라인(1450)은 넌 액티브 영역(N/A)에 구비된 패드부(PAD)에 위치한 패드(1440)와 전기적으로 연결될 수 있다. 터치 라인(1450)은 도 14에 도시된 바와 같이 패드 연결 전극(1130)을 통해 패드(1440)와 전기적으로 연결되는 구조를 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 패드(1440)와 터치 라인(1450)이 직접적으로 연결될 수도 있다.
터치 라인(1450)이 연결된 패드(1440)는 터치 센싱 회로(TSC)와 연결될 수 있다. 터치 센싱 회로(TSC)는 다수의 터치 전극(320) 중 적어도 하나로 터치 구동 신호를 공급하고, 터치 구동 신호에 응답하여 터치 유무 및 터치 위치 중 적어도 하나를 감지할 수 있다.
터치 라인(1450)과 제3 봉지층(1193)과 제1 및 제2 터치 버퍼층(1194, 1195)은 댐(1420) 상에 중첩하도록 배치될 수 있다. 다만, 이러한 구조는 일 예에 지나지 않으며, 터치 라인(1450)은 댐(1420) 상에서 제3 봉지층(1193)과 제1 및 제2 터치 버퍼층(1194, 1195) 중 적어도 하나의 구성과 중첩될 수 있다.
도 14에서는 댐(1420)이 제1 댐(1421) 및 제1 댐(1421) 외곽에 배치된 제2 댐(1422)을 포함하는 구성이 도시되어 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서는 표시장치의 크기에 따라 댐(1420)의 수가 적절히 변경될 수 있다.
도 15는 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치를 도시한 단면도이다.
후술하는 설명에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.
도 15에 도시한 실시예들은, 평탄화층(950)에 포함된 마이크로렌즈부(1151)가 도 14에서 설명한 실시예들과 달리 도 12를 통해 설명한 마이크로렌즈부(1151)에 해당한다는 점을 제외하고, 터치 전극(320) 및 터치 라인의 구조 등은 도 14에 도시한 실시예들과 동일하다.
도 11 내지 도 15에서 터치 전극(320)이 브리지 패턴(396)을 통해 연결되는 구조를 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
도 16은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시장치를 도시한 단면도이다.
후술하는 설명에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.
도 16을 참조하면, 터치 전극(1520)은 제1 터치 버퍼층(1194) 상에 배치될 수 있다. 즉, 터치 전극(1520) 하부에는 브리지 패턴이 존재하지 않을 수 있다.
또한, 본 발명에서는 유기층의 배치 구조에 따라, 유기발광소자(OLED)의 제2 전극과 보조 전극의 컨택을 위해 절연막의 구조가 변경될 수 있다.
이를 도 17을 참조하여 검토하면 다음과 같다.
도 17은 본 발명의 실시예들에 따른 터치표시장치를 도시한 단면도이다.
후술하는 설명에서는 앞서 설명한 실시예들과 중복되는 내용(구성, 효과 등)은 생략할 수 있다.
도 17을 참조하면, 유기발광소자(OLED)의 발광층(1760)은 액티브 영역(A/A)에서 뱅크(1180) 및 제1 전극(1750)과 중첩하도록 배치되되, 보조 전극(1130)의 상면을 노출하도록 배치될 수 있다.
이러한 구조에서, 제2 전극(1770)과 보조 전극(1130)의 컨택을 위해, 뱅크(1180)는 발광층(1760)을 형성하는 공정에서 발광층(1760) 물질이 보조 전극(1130) 상에 증착되지 못하도록 하는 구조를 가질 수 있다.
구체적으로, 도 17에 도시된 바와 같이, 뱅크(1180)는 보조 전극(1130)을 노출하도록 홀을 둘러싸는 영역에서, 기판(1110)으로부터 멀어질수록 폭이 넓어지는 형상을 가질 수 있다. 즉, 뱅크(1180)가 기판(1110)으로부터 멀어질수록 보조 전극(1130)을 노출하는 뱅크(1180)의 홀의 입구가 좁아질 수 있다.
한편, 발광층(1660)을 형성하는 공정은, 원료물질이 직전성을 갖는 증착 또는 코팅 방법이 이용될 수 있다. 예를 들면 Evaporation 방법이 이용될 수 있다. 그리고, 제2 전극(1770)을 형성하는 공정은, 원료 물질의 방향성이 일정하지 않은 증착 또는 코팅 방법이 이용될 수 있다. 예를 들면, 스퍼터링(Sputtering) 방법이 이용될 수 있다.
보조 전극(1130)을 노출하는 뱅크(1180)의 홀의 입구가 좁기 때문에, 유기층(1760)의 공정 특성으로 인하여, 유기층(1760)이 보조 전극(1130) 상에 배치되지 않을 수 있다. 그리고, 제2 전극(1770) 역시 공정 특성으로 인하여, 뱅크(1180)의 홀이 입구가 좁더라도 홀 안으로 제2 전극(1770)의 원료 물질이 들어가게 될 수 있으므로, 보조 전극(1130) 상에도 제2 전극(1770)이 형성될 수 있다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 또한, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이므로 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 터치표시장치
220, 230: 터치라인
320: 터치전극
396: 브리지 패턴
750: 제1 전극
760: 발광층
770: 제2 전극
950: 평탄화층
990: 봉지층
1110: 기판
1140: 절연막
1151: 마이크로렌즈부
1180: 뱅크

Claims (15)

  1. 다수의 서브픽셀을 포함하는 터치표시장치에 있어서,
    기판;
    상기 기판 상에 위치하고, 하나의 상기 서브픽셀 내에서 평탄부 및 상기 평탄부를 둘러싸는 경사부로 이루어진 적어도 하나의 오목부를 포함하는 절연막;
    상기 하나의 서브픽셀 내에서, 상기 오목부 상부 및 상기 오목부의 주변부 상에 위치하는 제1 전극;
    상기 제1 전극 상부 및 상기 절연막 상부에 위치하고, 상기 평탄부의 일부에 대응되는 개구영역을 갖는 뱅크;
    상기 뱅크의 개구영역에 위치하며, 상기 제1 전극 상에 위치하하는 발광층;
    상기 발광층 및 상기 뱅크 상에 위치하는 제2 전극;
    상기 제2 전극 상에 위치하는 봉지층;
    상기 봉지층 상에 위치하는 터치 버퍼층;
    상기 터치 버퍼층 상에 위치하는 다수의 터치 전극; 및
    상기 터치 전극 상에 위치하고, 상기 오목부에 대응되는 영역에 위치하는 마이크로렌즈부를 포함하는 평탄화층;을 포함하는 터치표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 마이크로렌즈부는,
    상기 서브픽셀 내에서 원형인 다수의 마이크로 렌즈로 이루어지는 터치표시장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 마이크로렌즈부는,
    상기 서브픽셀 내에서 일부가 상기 오목부의 경사부에 대응되는 영역에 위치하고, 상기 오목부의 경사부에 대응되는 영역보다 큰 직경을 가지는 마이크로렌즈를 포함하는 터치표시장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 마이크로렌즈부는,
    상기 서브픽셀 내에서 중심이 상기 오목부의 경사부에 대응되는 영역에 위치하는 마이크로렌즈를 포함하는 터치표시장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 다수의 마이크로렌즈는
    중심부가 주변부보다 오목한 반구형 형상인 터치표시장치.
  6. 제 2항에 있어서,
    상기 마이크로렌즈부는,
    상기 서브픽셀 내에서 상기 경사부에 대응되는 영역의 두께에 대응되는 직경을 가지고, 상기 경사부에 대응되는 영역에 위치하는 마이크로렌즈; 및
    상기 서브픽셀 내에서 상기 평탄부에 대응되는 영역의 두께에 대응되는 직경을 가지고, 상기 평탄부에 대응되는 영역에 위치하는 마이크로렌즈를 포함하는 터치표시장치.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 다수의 터치전극은,
    상기 서브픽셀 내에서 상기 평탄부에 대응되는 영역 및 상기 경사부에 대응되는 영역에는 위치하지 않는 터치표시장치.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 전극은 반사성 금속을 포함하는 터치표시장치.
  9. 제 1항에 있어서,
    상기 서브픽셀은 각각 적어도 하나의 발광영역을 포함하고,
    상기 발광영역은, 상기 발광영역의 중심부에 위치하는 제1 영역, 상기 발광영역의 주변부에 위치하는 제2 영역 및 상기 제1 영역과 상기 제2 영역의 사이에 위치하고, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역보다 휘도가 낮은 제3 영역을 포함하는 터치표시장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역은 서로 이격되지 않고 연결되어 있는 터치표시장치.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 영역, 상기 제2 영역 및 상기 제3 영역에 있어서, 상기 제1 영역의 면적이 가장 넓은 터치표시장치.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 제1 영역은 상기 오목부의 평면부에 대응되는 터치표시장치.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 제2 영역은 상기 오목부의 경사부에 대응되는 터치표시장치.
  14. 제 9항에 있어서,
    상기 마이크로렌즈부는,
    상기 서브픽셀 내에서 일부가 상기 제2 영역에 대응되는 영역에 위치하고, 상기 제2 영역보다 큰 직경을 가지는 마이크로렌즈를 포함하는 터치표시장치.
  15. 제 9항에 있어서,
    상기 마이크로렌즈부는,
    상기 서브픽셀 내에서 상기 제2 영역에 대응되는 영역의 두께에 대응되는 직경을 가지고, 상기 제2 영역에 대응되는 영역에 위치하는 마이크로렌즈; 및
    상기 서브픽셀 내에서 상기 제1 영역에 대응되는 영역의 두께에 대응되는 직경을 가지고, 상기 제1 영역에 대응되는 영역에 위치하는 마이크로렌즈를 포함하는 터치표시장치.
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