KR20210042102A - Method for manufacturing a semiconductor device having a terminal protective tape and an electromagnetic shielding film - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 단자를 가지는 반도체 장치에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정에 이용되는 단자 보호용 테이프(1)로서, 점탄성층(12)을 가지고, 점탄성층(12)의 동적점탄성 측정에서, 50℃에서의 tanδ의 값이 0.2 이상이고, 점탄성층(12)에 대하여, 원주 형상의 평가용 시료를 50℃에서 10%(36°)의 일정한 비틀림 변형을 가하여 완화 탄성률을 측정한 경우의, [logG(t)max－logG(t)min］로 구한 완화 탄성률 변동값 X2가, 0.12 이상인 단자 보호용 테이프에 관한 것이다. The present invention is a tape for protecting a terminal used in a process of forming an electromagnetic shielding film on a semiconductor device having a terminal, having a viscoelastic layer 12, and measuring the dynamic viscoelasticity of the viscoelastic layer 12 at 50°C. When the value of tanδ is 0.2 or more and the relaxation modulus is measured by applying a constant torsional deformation of 10% (36°) at 50°C to the viscoelastic layer 12, a sample for evaluation in a cylindrical shape is [logG(t ) max -logG(t) min ], the relaxation modulus fluctuation value X2 is 0.12 or more.

Description

단자 보호용 테이프 및 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법Method for manufacturing a semiconductor device having a terminal protective tape and an electromagnetic shielding film

본 발명은, 단자 보호용 테이프 및 이것을 이용하는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a terminal protective tape and a method for manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film using the tape.

본원은, 2018년 8월 8일에, 일본에 출원된 특허출원 2018－149700호에 기초해 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.This application claims priority based on patent application 2018-149700 for which it applied to Japan on August 8, 2018, and uses the content here.

종래, MPU나 게이트어레이 등에 이용하는 다핀의 LSI 패키지를 프린트 배선 기판에 실장하는 경우에는, 복수의 전자 부품을 구비하는 반도체 장치로서 그 접속 패드부에 공정 땜납, 고온 땜납, 금 등으로 이루어지는 볼록한 형상의 전극(이하, 본 명세서에는 「단자」라고 칭한다)이 형성된 것을 이용하고 있다. 그리고, 이러한 단자를 칩 탑재용 기판 상의 상대응하는 단자부에 대면, 접촉시켜, 용융/확산 접합하는 실장 방법이 채용되고 있다.Conventionally, when a multi-pin LSI package used for MPU or gate array is mounted on a printed wiring board, as a semiconductor device including a plurality of electronic components, a convex shape made of eutectic solder, high temperature solder, gold, etc. An electrode (hereinafter referred to as "terminal" in this specification) is used. Further, a mounting method in which such a terminal is brought into contact with a relative terminal portion on a chip mounting board is brought into contact with each other and melt/diffusion bonding is employed.

퍼스널 컴퓨터의 보급과 함께 인터넷이 일반적으로 되어 있고, 현재는, 스마트 폰이나 테블릿 단말도 인터넷에 접속되어 디지털화된 영상, 음악, 사진, 문자 정보 등을 무선통신 기술에 의해 인터넷을 통해 전달되는 장면이 더욱더 증가하고 있다. 또한, IoT(Internet　of　Things)가 보급되어, 가전, 자동차 등의 여러가지 어플리케이션 분야에서 센서, RFID(Radio　frequency　identifier), MEMS(Micro　Electro　Mechanical　Systems), 와이어레스 컴퍼넌트 등의 반도체 디바이스를 보다 스마트하게 사용하기 위한 패키지 기술에 혁신적인 변혁이 초래되려 하고 있다.With the spread of personal computers, the Internet has become common, and now, smartphones and tablet terminals are also connected to the Internet, and digitized images, music, photos, text information, etc. are transmitted through the Internet by wireless communication technology. This is increasing more and more. In addition, IoT (Internet 　of 　Things) has spread, and semiconductor devices such as sensors, RFID (Radio 　 frequency 　identifier), MEMS (Micro 　 Electro 　 Mechanical 　 Systems), and wireless components are used smarter in various application fields such as home appliances and automobiles. Innovative transformation is about to be brought about in the packaging technology to be used.

이와 같이 전자기기의 진화가 계속되는 가운데, 반도체 디바이스에의 요구 수준은 해마다 높아지고 있다. 특히, 고성능화, 소형화, 고집적화, 저소비 전력화, 저비용화에의 요구에 답하기 위해서는, 열 대책, 노이즈 대책의 2개가 중요한 포인트가 된다.As the evolution of electronic devices continues in this way, the level of demand for semiconductor devices is increasing year by year. In particular, in order to answer the demands for high performance, miniaturization, high integration, low power consumption, and low cost, two measures of heat and noise are important points.

이러한 열 대책, 노이즈 대책에 대응하여, 예를 들면 특허문헌 1에 개시된 바와 같이, 전자 부품 모듈을 도전재료로 피복해 쉴드층을 형성하는 방법이 채용되고 있다. 특허문헌 1에서는, 개편화된 전자 부품 모듈의 천면(天面) 및 측면에 도포된 도전성 수지를 가열해 경화시켜, 쉴드층을 형성한다.In response to such measures against heat and noise, for example, as disclosed in Patent Document 1, a method of forming a shield layer by covering an electronic component module with a conductive material is adopted. In Patent Literature 1, a shield layer is formed by heating and curing a conductive resin applied to the top and side surfaces of an electronic component module that has been reorganized.

단자를 가지는 반도체 장치를, 도전재료로 피복해 쉴드층을 형성하는 방법으로는, 스퍼터링, 이온 도금, 스프레이 코트 등의 방법도 알려져 있다.As a method of forming a shield layer by covering a semiconductor device having a terminal with a conductive material, methods such as sputtering, ion plating, and spray coating are also known.

특허문헌 1:일본 특허공개 2011－151372호 공보Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2011-151372

특허문헌 1에서 개시되어 있는 전자 부품의 제조 방법에서는, 집합 기판의 이면에 설치된 외부 단자 전극은, 점착성 시트에 매립된 상태로 도전성 수지가 도포된다. 점착성 시트의 소정의 위치에 마스킹부가 설치되어 있으므로, 외부 단자 전극과 전자파 쉴드막이 전기적으로 쇼트하는 것을 방지할 수 있다.In the method for manufacturing an electronic component disclosed in Patent Document 1, a conductive resin is applied to the external terminal electrode provided on the rear surface of the assembly substrate while being embedded in an adhesive sheet. Since the masking part is provided at a predetermined position of the adhesive sheet, it is possible to prevent the external terminal electrode and the electromagnetic wave shielding film from being electrically shorted.

그러나, 외부 단자 전극이 점착성 시트에 충분히 매립할 수 없는 경우가 있고, 또한, 매립할 수 있어도, 시간이 경과함에 따라 들뜸이 생기고, 외부 단자 전극과 전자파 쉴드막이 전기적으로 쇼트할 우려가 있다. 또한, 점착성 시트의 소정의 위치에 마스킹부를 설치하는 것은 공정상 번잡하다.However, there is a case where the external terminal electrode cannot be sufficiently embedded in the adhesive sheet, and even if it can be embedded, there is a possibility that the external terminal electrode and the electromagnetic wave shielding film are electrically shorted due to the lapse of time. In addition, it is cumbersome in the process to provide the masking portion at a predetermined position on the pressure-sensitive adhesive sheet.

그래서, 본 발명은, 단자를 가지는 반도체 장치에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정에 이용되는 단자 보호용 테이프로서, 땜납 볼 등의 요철을 가져, 들뜸 발생이 쉬운 단자 전극이어도 매립할 수 있고, 또한 들뜸이 생기지 않는 단자 보호용 테이프, 및 이것을 이용하는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.Therefore, the present invention is a terminal protection tape used in the process of forming an electromagnetic shielding film on a semiconductor device having a terminal, and it is possible to embed even a terminal electrode that has irregularities such as solder balls and is easily lifted, and does not cause lift. It is an object of the present invention to provide a tape for protecting a non-removable terminal, and a method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film using the same.

즉, 본 발명은, 이하의 단자 보호용 테이프 및 이것을 이용하는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.That is, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device having the following tape for terminal protection and an electromagnetic shielding film using the same.

［1］　단자를 가지는 반도체 장치에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정에 이용되는 단자 보호용 테이프로서,[1] 　As a terminal protection tape used in the process of forming an electromagnetic shielding film on a semiconductor device having a terminal,

점탄성층을 가지고,Have a viscoelastic layer,

상기 점탄성층의 동적점탄성 측정에서, 50℃에서의 tanδ의 값이 0.2 이상이고,In the measurement of the dynamic viscoelasticity of the viscoelastic layer, the value of tan δ at 50°C is 0.2 or more,

상기 점탄성층에 대하여, 직경 8 mm, 두께 약 1 mm의 원주 형상의 평가용 시료를 50℃에서 10%(36°)의 일정한 비틀림 변형을 가하여 완화 탄성률을 측정한 경우의, 최대 완화 탄성률 G(t)max(MPa) 및 상기 최대 완화 탄성률 G(t)max가 측정되고 나서 1초 후에 측정된 최소 완화 탄성률 G(t)min(MPa)로부터 하기 식(1)에 기초해서 구한 완화 탄성률 변동값 X2가, 하기 식(2)을 충족하는 단자 보호용 테이프.For the viscoelastic layer, the maximum relaxation modulus G( t) The variation value of the relaxation modulus obtained based on the following equation (1) from the minimum relaxation modulus G(t) min (MPa) measured 1 second after the max (MPa) and the maximum relaxation modulus G(t) max are measured. The tape for terminal protection in which X2 satisfies the following formula (2).

X2=logG(t)max　－　logG(t)min　　···(1)X2=logG(t) max － logG(t) min ···(1)

0.12　≤　X2　 ···(2)0.12　≤　X2 ···(2)

［2］　상기 점탄성층이, 매립층 및 점착제층을 가지는, 상기 [1］에 기재된 단자 보호용 테이프.[2] 　 The tape for terminal protection according to [1], wherein the viscoelastic layer has a buried layer and an adhesive layer.

［3］　상기 점착제층, 상기 매립층, 및 기재를 이 순서로 가지는, 상기 [2］에 기재된 단자 보호용 테이프.[3] 　 The tape for terminal protection according to [2], having the pressure-sensitive adhesive layer, the buried layer, and the base material in this order.

［4］　상기 점착제층, 상기 매립층, 상기 기재, 및 제2의 점착제층을 이 순서로 가지는 양면 테이프인, 상기 [3］에 기재된 단자 보호용 테이프.[4] The tape for terminal protection according to [3], which is a double-sided tape having the pressure-sensitive adhesive layer, the buried layer, the base material, and the second pressure-sensitive adhesive layer in this order.

［5］　상기 [1］ ~ ［4］의 어느 한 항에 기재된 단자 보호용 테이프의 점탄성층에, 상기 단자를 가지는 반도체 장치의 단자를 매설시키는 공정, 및[5] 　 A step of embedding a terminal of a semiconductor device having the terminal in the viscoelastic layer of the terminal protection tape according to any one of [1] to [4], and

상기 단자 보호용 테이프의 점탄성층에 매설되어 있지 않은 상기 단자를 가지는 반도체 장치의 노출면에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정Step of forming an electromagnetic shielding film on the exposed surface of a semiconductor device having the terminal not buried in the viscoelastic layer of the terminal protection tape

을 포함하는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법.Method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film comprising a.

［6］　상기 [1］ ~ ［4］의 어느 한 항에 기재된 단자 보호용 테이프의 점탄성층에, 단자를 가지는 반도체 장치 집합체의 단자를 매설시키는 공정,[6] 　 A step of embedding a terminal of a semiconductor device assembly having a terminal in the viscoelastic layer of the terminal protection tape according to any one of [1] to [4] above,

상기 단자를 가지는 반도체 장치 집합체를 다이싱하여, 상기 단자를 가지는 반도체 장치 집합체를, 상기 단자 보호용 테이프의 점탄성층에 단자가 매설된 단자를 가지는 반도체 장치로 하는 공정, 및Dicing the semiconductor device assembly having the terminal to obtain a semiconductor device assembly having the terminal as a semiconductor device having a terminal embedded in the viscoelastic layer of the terminal protection tape, and

상기 단자 보호용 테이프의 점탄성층에 매설되어 있지 않은 상기 단자를 가지는 반도체 장치의 노출면에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정Step of forming an electromagnetic shielding film on the exposed surface of a semiconductor device having the terminal not buried in the viscoelastic layer of the terminal protection tape

을 포함하는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법.Method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film comprising a.

본 발명에 따르면, 단자를 가지는 반도체 장치에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정에 이용되는 단자 보호용 테이프로서, 땜납 볼 등의 들뜸이 생기기 쉬운 단자 전극이어도 매립할 수 있고 들뜸이 생기지 않는 단자 보호용 테이프, 및 이것을 이용하는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.According to the present invention, as a terminal protection tape used in the process of forming an electromagnetic shielding film on a semiconductor device having a terminal, a terminal protection tape that can be buried even with a terminal electrode that is liable to be lifted, such as a solder ball, and does not cause lift, and this A method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film to be used is provided.

도 1은 본 발명의 단자 보호용 테이프의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 단자 보호용 테이프의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은 본 발명의 단자 보호용 테이프의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 본 발명의 단자 보호용 테이프의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명의 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 7은 비교예와 관련되는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법의 예를 모식적으로 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a tape for protecting a terminal according to the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the tape for terminal protection of the present invention.
3 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the tape for terminal protection of the present invention.
4 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the tape for terminal protection of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film of the present invention.
6 is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film of the present invention.
7 is a cross-sectional view schematically showing an example of a method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film according to a comparative example.

도 1은, 본 발명의 단자 보호용 테이프의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 또한 이하의 설명에 이용하는 도면은, 본 발명의 특징을 알기 쉽게 하기 위해서, 편의상, 주요부가 되는 부분을 확대해 나타내는 경우가 있어, 각 구성요소의 치수 비율 등이 실제와 같다라고는 한정되지 않는다.1 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a tape for protecting a terminal according to the present invention. In addition, in the drawings used in the following description, for convenience, in order to make the features of the present invention easier to understand, there is a case where parts that become main parts are enlarged and shown, and it is not limited that the dimensional ratio of each component is the same as the actual one.

도 1에 나타내는 단자 보호용 테이프(1)는, 단자를 가지는 반도체 장치에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정에 이용되는 단자 보호용 테이프(1)로서, 매립층(13) 및 점착제층(14)으로 이루어지는 점탄성층(12)을 가진다. 점탄성층(12)의 동적점탄성 측정에서, 50℃에서의 tanδ의 값이 0.2 이상이다.The terminal protection tape 1 shown in FIG. 1 is a terminal protection tape 1 used in a step of forming an electromagnetic shield film on a semiconductor device having a terminal, and is a viscoelastic layer comprising a buried layer 13 and an adhesive layer 14 ( 12). In the measurement of the dynamic viscoelasticity of the viscoelastic layer 12, the value of tan δ at 50°C is 0.2 or more.

또한, 상기 점탄성층에 대하여, 직경 8 mm, 두께 약 1 mm(0.9 mm ~ 1.1 mm를 의미한다)의 원주 형상의 평가용 시료를 50℃에서 10%(즉, 36°)의 일정한 비틀림 변형을 가하여 완화 탄성률을 측정한 경우의, 최대 완화 탄성률 G(t)max(MPa) 및 상기 최대 완화 탄성률 G(t)max가 측정되고 나서 1초 후에 측정된 최소 완화 탄성률 G(t)min(MPa)로부터 하기 식(1)에 기초해서 구한 완화 탄성률 변동값 X2가, 하기 식(2)을 충족한다.In addition, for the viscoelastic layer, a sample for evaluation of a cylindrical shape having a diameter of 8 mm and a thickness of about 1 mm (meaning 0.9 mm to 1.1 mm) was subjected to a constant torsional deformation of 10% (ie, 36°) at 50°C. The maximum relaxation modulus G(t) max (MPa) and the minimum relaxation modulus G(t) min (MPa) measured 1 second after the maximum relaxation modulus G(t) max are measured when the relaxation modulus is measured The relaxation modulus variation value X2 calculated based on the following equation (1) from, satisfies the following equation (2).

X2=logG(t)max　－　logG(t)min　　···(1)X2=logG(t) max － logG(t) min ···(1)

0.12　≤　X2　···(2)0.12　≤　X2　···(2)

본 실시형태의 단자 보호용 테이프는, 점탄성층이, 매립층만으로 이루어지는 것이어도 좋고, 매립층 및 점착제층을 가지는 것이어도 좋다.In the tape for terminal protection of the present embodiment, the viscoelastic layer may consist of only a buried layer, or may have a buried layer and an adhesive layer.

본 실시형태의 단자 보호용 테이프는, 도 1에 나타낸 바와 같이, 점탄성층(12)의 매립층(13)의 측의 최표층에 박리 필름(21)을 구비해도 좋고, 점탄성층(12)의 점착제층(14) 측의 최표층에 박리 필름(20)을 구비해도 좋다.As shown in FIG. 1, the tape for terminal protection of this embodiment may include a release film 21 on the outermost layer on the side of the buried layer 13 of the viscoelastic layer 12, and the pressure-sensitive adhesive layer of the viscoelastic layer 12 You may provide the release film 20 on the outermost layer of the (14) side.

실시형태의 단자 보호용 테이프(1)에서, 점탄성층(12)은 매립층(13) 및 점착제층(14)으로 이루어지지만, 점탄성층(12)은 매립층(13)의 기능을 가지고, 또한 50℃에서의 tanδ의 값 및 완화 탄성률 변동값 X2가 소정의 값의 범위 내에 있으면, 점탄성층(12)은 매립층(13)만으로 이루어지는 것이어도 좋고, 본 실시형태의 단자 보호용 테이프는, 도 1에 나타내는 것에 한정되지 않고, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서, 도 1에 나타내는 것에서, 일부의 구성이 변경, 삭제 또는 추가된 것이어도 좋다.In the terminal protection tape 1 of the embodiment, the viscoelastic layer 12 is composed of the buried layer 13 and the pressure-sensitive adhesive layer 14, but the viscoelastic layer 12 has the function of the buried layer 13, and at 50°C. When the value of tan δ and the relaxation modulus fluctuation value X2 are within a range of a predetermined value, the viscoelastic layer 12 may consist of only the buried layer 13, and the terminal protection tape of this embodiment is limited to those shown in FIG. In addition, within the range not impairing the effects of the present invention, some of the configurations shown in Fig. 1 may be changed, deleted, or added.

도 1에 나타내는 단자 보호용 테이프(1)는, 양쪽 모두의 박리 필름(20, 21)을 박리하여, 지지체 상에 놓고, 그 상에 단자를 가지는 반도체 장치를, 단자 측을 아래로 하여 누르고, 점탄성층(12)에 단자를 매설하고, 또한 그 상에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정에 사용할 수 있다. 상기 점탄성층의 동적점탄성 측정에서, 50℃에서의 tanδ의 값이 0.2 이상이므로, 단자를 가지는 반도체 장치의 단자를 점탄성층(12)에 매설할 때에, 땜납 볼 등의 요철을 가져, 들뜸 발생이 쉬운 단자 전극이어도 매설할 수 있고, 대상으로 하는 단자를 가지는 반도체 장치의 단자 형성면을 점탄성층(12)에 밀착시킬 수 있다. 또한 점탄성층(12)의 완화 탄성률 변동값 X2가 상기 식(2)으로 나타내는 소정의 값의 범위 내에 있으므로, 단자가 매설된 채로 유지되어, 들뜸이 생기지 않고, 단자 전극과 전자파 쉴드막이 전기적으로 쇼트하는 것을 방지할 수 있어 공정상 번잡한 마스킹부 등을 설치할 필요도 없다.The terminal protection tape 1 shown in FIG. 1 peels both the release films 20 and 21, is placed on a support, and a semiconductor device having a terminal thereon is pressed down on the terminal side, and is viscoelastic. It can be used in a process of embedding a terminal in the layer 12 and forming an electromagnetic shielding film thereon. In the measurement of the dynamic viscoelasticity of the viscoelastic layer, since the value of tan δ at 50° C. is 0.2 or more, when the terminal of a semiconductor device having the terminal is embedded in the viscoelastic layer 12, it has irregularities such as solder balls, so that the occurrence of lifting occurs. Even an easy terminal electrode can be embedded, and the terminal formation surface of the semiconductor device having the target terminal can be brought into close contact with the viscoelastic layer 12. In addition, since the variation value X2 of the relaxation modulus of the viscoelastic layer 12 is within the range of the predetermined value represented by the above equation (2), the terminal remains buried, no lift occurs, and the terminal electrode and the electromagnetic shielding film are electrically shorted. As it can be prevented, there is no need to install a masking part, which is cumbersome in the process.

본 실시형태의 단자 보호용 테이프는, 도 2의 단자 보호용 테이프(2)에 나타낸 바와 같이, 점착제층(14), 매립층(13), 및 기재(11)를 이 순서로 가지는 구성이어도 좋고, 점탄성층(12)의 점착제층(14) 측의 최표층에 박리 필름(20)을 구비해도 좋다.As shown in the terminal protection tape 2 in FIG. 2, the terminal protection tape of this embodiment may have a pressure-sensitive adhesive layer 14, a buried layer 13, and a base material 11 in this order, or a viscoelastic layer. The release film 20 may be provided on the outermost layer on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 14 of (12).

도 2에 나타내는 단자 보호용 테이프(2)는, 박리 필름(20)을 박리하여, 지지체로서 기재(11) 상의 점탄성층(12)에, 단자를 가지는 반도체 장치를, 단자 측을 아래로 하여 누르고, 점탄성층(12)에 단자를 매설하고, 또한 그 상에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정에 사용할 수 있다. 상기 점탄성층의 동적점탄성 측정에서, 50℃에서의 tanδ의 값이 0.2 이상이므로, 단자를 가지는 반도체 장치의 단자를 점탄성층(12)에 매설할 때에, 땜납 볼 등의 요철을 가져, 들뜸 발생이 쉬운 단자 전극이어도 매설할 수 있고, 대상으로 하는 단자를 가지는 반도체 장치의 단자 형성면을 점탄성층(12)에 밀착시킬 수 있다. 또한 점탄성층(12)의 완화 탄성률 변동값 X2가 상기 식(2)으로 나타내는 소정의 값의 범위 내에 있으므로, 단자가 매설된 채로 유지되고, 들뜸이 생기지 않고, 단자 전극과 전자파 쉴드막이 전기적으로 쇼트하는 것을 방지할 수 있어 공정상 번잡한 마스킹부 등을 설치할 필요가 없다.The terminal protective tape 2 shown in FIG. 2 peels the release film 20, and presses the semiconductor device having the terminal to the viscoelastic layer 12 on the substrate 11 as a support with the terminal side down, It can be used in a process of embedding a terminal in the viscoelastic layer 12 and forming an electromagnetic shielding film thereon. In the measurement of the dynamic viscoelasticity of the viscoelastic layer, since the value of tan δ at 50° C. is 0.2 or more, when the terminal of a semiconductor device having the terminal is embedded in the viscoelastic layer 12, it has irregularities such as solder balls, so that the occurrence of lifting occurs. Even an easy terminal electrode can be embedded, and the terminal formation surface of the semiconductor device having the target terminal can be brought into close contact with the viscoelastic layer 12. In addition, since the fluctuation value X2 of the relaxation modulus of the viscoelastic layer 12 is within the range of the predetermined value represented by the above equation (2), the terminal remains buried and no lift occurs, and the terminal electrode and the electromagnetic shielding film are electrically shorted. As it can be prevented, there is no need to install a masking part, which is cumbersome in the process.

본 실시형태의 단자 보호용 테이프는, 도 3의 단자 보호용 테이프(3)에 나타낸 바와 같이, 점착제층(14), 매립층(13), 및 기재(11)를 이 순서로 가지는 구성이고, 점탄성층(12)의 점착제층(14) 측의 최표층에 박리 필름(20)을 구비해도 좋고, 기재(11)의, 점탄성층(12)과는 반대의 측에, 지지체에 첩합하기 위한 제2점착제층(15)(즉, 첩합점착제층)를 구비해도 좋고, 제2점착제층(15)의 측의 최표층에 박리 필름(22)을 구비하는 양면 테이프이어도 좋다.As shown in the terminal protection tape 3 of FIG. 3, the terminal protection tape of this embodiment has the structure which has the adhesive layer 14, the buried layer 13, and the base material 11 in this order, and the viscoelastic layer ( A release film 20 may be provided on the outermost layer on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 14 of 12), and a second adhesive layer for bonding to the support on the side opposite to the viscoelastic layer 12 of the substrate 11 (15) (that is, a bonding adhesive layer) may be provided, and a double-sided tape including a release film 22 on the outermost layer on the side of the second adhesive layer 15 may be used.

도 3에 나타내는 단자 보호용 테이프(3)는, 박리 필름(22)을 박리하여, 도 4에 나타낸 바와 같이, 지지체(30)에 고정하고, 또한, 박리 필름(20)을 박리하여, 점탄성층(12)에, 단자를 가지는 반도체 장치를, 단자 측을 아래로 하여 누르고, 점탄성층(12)에 단자를 매설하고, 또한 그 상에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정에 사용할 수 있다. 상기 점탄성층의 동적점탄성 측정에서, 50℃에서의 tanδ의 값이 0.2 이상이므로, 단자를 가지는 반도체 장치의 단자가 점탄성층(12)에 매설될 때에, 땜납 볼 등의 요철을 가져, 들뜸 발생이 쉬운 단자 전극이어도 매설할 수 있고, 대상으로 하는 단자를 가지는 반도체 장치의 단자 형성면을 점탄성층(12)에 밀착시킬 수 있다. 또한 점탄성층(12)의 완화 탄성률 변동값 X2가 상기 식(2)으로 나타내는 소정의 값의 범위 내에 있으므로, 단자가 매설된 채로 유지되고, 들뜸이 생기지 않고, 단자 전극과 전자파 쉴드막이 전기적으로 쇼트하는 것을 방지할 수 있어 공정상 번잡한 마스킹부 등을 설치할 필요도 없다.The tape 3 for terminal protection shown in FIG. 3 peels the release film 22, and as shown in FIG. 4, it is fixed to the support body 30, and the release film 20 is peeled off, and the viscoelastic layer ( In 12), the semiconductor device having a terminal is pressed with the terminal side down, the terminal is embedded in the viscoelastic layer 12, and can be used in a step of forming an electromagnetic wave shield film thereon. In the measurement of the dynamic viscoelasticity of the viscoelastic layer, since the value of tan δ at 50°C is 0.2 or more, when the terminal of the semiconductor device having the terminal is buried in the viscoelastic layer 12, it has irregularities such as solder balls, and the occurrence of lifting occurs. Even an easy terminal electrode can be embedded, and the terminal formation surface of the semiconductor device having the target terminal can be brought into close contact with the viscoelastic layer 12. In addition, since the fluctuation value X2 of the relaxation modulus of the viscoelastic layer 12 is within the range of the predetermined value represented by the above equation (2), the terminal remains buried and no lift occurs, and the terminal electrode and the electromagnetic shielding film are electrically shorted. As it can be prevented, there is no need to install a masking part, which is cumbersome in the process.

이어서, 본 실시형태의 단자 보호용 테이프를 구성하는 각 층에 대해 설명한다.Next, each layer constituting the terminal protection tape of the present embodiment will be described.

◎점탄성층◎ Viscoelastic layer

본 실시형태의 단자 보호용 테이프에서, 점탄성층은, 단자를 가지는 반도체 장치의 단자 형성면(환언하면 회로면), 및 이 단자 형성면 상에 설치된 단자를 보호하기 위해서 이용되는 것이고, 점탄성층의 동적점탄성 측정에서, 50℃에서의 tanδ의 값은 0.2 이상이고, 상기 점탄성층에 대하여, 직경 8 mm, 두께 약 1 mm의 원주 형상의 평가용 시료를 50℃에서 10%(즉, 36°)의 일정한 비틀림 변형을 가하여 완화 탄성률을 측정한 경우의, 최대 완화 탄성률 G(t)max(MPa) 및 상기 최대 완화 탄성률 G(t)max가 측정되고 나서 1초 후에 측정된 최소 완화 탄성률 G(t)min(MPa)로부터 하기 식(1)에 기초해서 구한 완화 탄성률 변동값 X2가, 하기 식(2)을 충족한다.In the terminal protection tape of this embodiment, the viscoelastic layer is used to protect the terminal formation surface (in other words, the circuit surface) of the semiconductor device having the terminal, and the terminals provided on the terminal formation surface, and the viscoelastic layer is dynamic. In the viscoelasticity measurement, the value of tan δ at 50° C. is 0.2 or more, and for the viscoelastic layer, a sample for evaluation of a cylindrical shape having a diameter of 8 mm and a thickness of about 1 mm was prepared at 50° C. of 10% (ie, 36°). When the relaxation modulus is measured by applying a constant torsional deformation, the maximum relaxation modulus G(t) max (MPa) and the minimum relaxation modulus G(t) measured 1 second after the maximum relaxation modulus G(t) max are measured. The relaxation modulus variation value X2 calculated based on the following equation (1) from min (MPa) satisfies the following equation (2).

X2=logG(t)max　－　logG(t)min　　···(1)X2=logG(t) max － logG(t) min ···(1)

0.12　≤　X2　···(2)0.12　≤　X2　···(2)

본 명세서에서, 「50℃에서의 점탄성층의 tanδ」는, 50℃에서의 점탄성층의 손실 탄성률 G"(50℃)를 저장 탄성률 G＇(50℃)로 나눠 얻을 수 있다. 또한, 후술의 「25℃에서의 점탄성층의 tanδ」는, 25℃에서의 점탄성층의 손실 탄성률 G"(25℃)를 저장 탄성률 G＇(25℃)로 나눠 얻을 수 있다.In the present specification, "tanδ of the viscoelastic layer at 50°C" can be obtained by dividing the loss modulus G" (50°C) of the viscoelastic layer at 50°C by the storage modulus G'(50°C), which will be described later. "Tan δ of the viscoelastic layer at 25°C" can be obtained by dividing the loss modulus G" (25°C) of the viscoelastic layer at 25°C by the storage modulus G'(25°C).

또한, 본 명세서에서, 점탄성층의 「손실 탄성률 G"」및 「저장 탄성률 G＇」는, 전단 점도 측정 장치에 두께 310㎛의 점탄성층을 설치하고, 주파수：1 Hz, 승온 속도：10℃／min의 측정 조건에서, 실온으로부터 100℃까지 승온시켜 측정하여 얻을 수 있다.In the present specification, the "loss modulus G" and "storage modulus G'" of the viscoelastic layer are obtained by providing a viscoelastic layer having a thickness of 310 µm in a shear viscosity measuring device, frequency: 1 Hz, temperature increase rate: 10°C/ It can be obtained by raising the temperature from room temperature to 100°C under the measurement conditions of min.

본 명세서에서, 「최대 완화 탄성률 G(t)max」는, 점탄성층에 대하여, 직경 8 mm, 두께 약 1 mm의 원주 형상의 평가용 시료를 준비하고, 점탄성 측정 장치(예를 들면, Anton　paar 사 제, 제품명 「MCR302」)에 설치하고, JIS　K7244－7을 참고로, 50℃에서 치구를 회전시켜 상기 시료를 비틀어, 10%(즉, 36°)의 일정한 비틀림 변형을 장치 제어에 의해 계속 가해 완화 탄성률 G(t)를 측정한 결과로부터 도출할 수 있다. 또한, 본 명세서에서, 「최소 완화 탄성률 G(t)min」는, 상기 최대 완화 탄성률 G(t)max가 측정되고 나서 1초 후에 측정된 완화 탄성률 G(t)로부터 도출할 수 있다.In the present specification, the "maximum relaxation modulus G(t) max " is, for the viscoelastic layer, a cylindrical evaluation sample having a diameter of 8 mm and a thickness of about 1 mm is prepared, and a viscoelasticity measuring device (for example, Anton paar Co., Ltd., product name "MCR302"), and referring to JIS K7244-7, rotate the jig at 50°C to twist the sample, and continue a constant torsional deformation of 10% (i.e., 36°) by device control. It can be derived from the result of measuring the applied relaxation modulus G(t). In addition, in this specification, the "minimum relaxation modulus G(t) min " can be derived from the relaxation modulus G(t) measured 1 second after the maximum relaxation modulus G(t) max is measured.

점탄성층(12)의 한쪽의 면은, 반도체 장치의 단자 형성면에 점착된다. 점탄성층(12)의 상기 한쪽의 면은, 점착제층인 것이 바람직하다. 이로 인해, 단자를 가지는 반도체 장치를 점착제층(14)에 첩착시켰을 때의 점착력이 양호해진다.One surface of the viscoelastic layer 12 is adhered to the terminal formation surface of the semiconductor device. It is preferable that the said one surface of the viscoelastic layer 12 is a pressure-sensitive adhesive layer. For this reason, the adhesive strength when a semiconductor device having a terminal is attached to the pressure-sensitive adhesive layer 14 is improved.

또한, 완화 탄성률 변동값 X2는, 0.12 이상일 필요가 있고, 0.13 이상인 것이 바람직하고, 0.14 이상인 것이 보다 바람직하다. 완화 탄성률 변동값 X2가 상기 하한치 이상인 것으로, 단자를 가지는 반도체 장치를 점착제층(14)에 첩착시켰을 때에 단자가 매설된 채로 유지되어, 들뜸이 생기지 않는다. 또한, 완화 탄성률 변동값 X2는, 0.42 이하인 것이 바람직하고, 0.35 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.30 이하인 것이 특히 바람직하다. 완화 탄성률 변동값 X2가 상기 상한치 이하인 것으로, 매설이 과잉이 될 우려가 없고, 최적인 매설성(이하, 매립성이라고도 한다.)이 얻어진다.In addition, the relaxation modulus variation value X2 needs to be 0.12 or more, preferably 0.13 or more, and more preferably 0.14 or more. When the relaxation modulus fluctuation value X2 is equal to or more than the above lower limit, when the semiconductor device having a terminal is attached to the pressure-sensitive adhesive layer 14, the terminal remains embedded and no lift occurs. In addition, the relaxation modulus variation value X2 is preferably 0.42 or less, more preferably 0.35 or less, and particularly preferably 0.30 or less. When the relaxation elastic modulus fluctuation value X2 is less than or equal to the above upper limit, there is no fear of excessive embedding, and optimum embedding property (hereinafter, also referred to as embedding property) is obtained.

완화 탄성률 변동값 X2의 상한치와 하한치는 임의로 조합할 수 있다.The upper and lower limits of the relaxation modulus variation value X2 can be arbitrarily combined.

예를 들면, 완화 탄성률 변동값 X2는 0.12 이상 0.42 이하인 것이 바람직하고, 0.13 이상 0.35 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.14 이상 0.30 이하인 것이 더 바람직하다.For example, the relaxation modulus variation value X2 is preferably 0.12 or more and 0.42 or less, more preferably 0.13 or more and 0.35 or less, and still more preferably 0.14 or more and 0.30 or less.

점탄성층의 동적점탄성 측정에서, 50℃에서의 tanδ의 값은 0.2 이상이고, 0.3 이상인 것이 바람직하고, 0.5 이상인 것이 보다 바람직하다. 50℃에서의 tanδ의 값이 상기 하한치 이상인 것으로, 단자 전극에의 추종성과 점탄성층의 유동성을 확보할 수 있기 때문에, 단자 전극의 매립성이 향상한다. 50℃에서의 tanδ의 값은, 6.5 이하로 할 수 있고, 6.0 이하로 할 수 있고, 5.4 이하로 할 수 있다.In the measurement of the dynamic viscoelasticity of the viscoelastic layer, the value of tan δ at 50° C. is 0.2 or more, preferably 0.3 or more, and more preferably 0.5 or more. Since the value of tan δ at 50° C. is equal to or greater than the lower limit, it is possible to ensure conformability to the terminal electrode and fluidity of the viscoelastic layer, thereby improving the embedding property of the terminal electrode. The value of tan δ at 50°C can be 6.5 or less, 6.0 or less, and 5.4 or less.

50℃에서의 tanδ의 상한치와 하한치는 임의로 조합할 수 있다.The upper and lower limits of tan δ at 50° C. can be arbitrarily combined.

예를 들면, 50℃에서의 tanδ는 0.2 이상 6.5 이하인 것이 바람직하고, 0.3 이상 6.0 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.5 이상 5.4 이하인 것이 더 바람직하다.For example, tan δ at 50°C is preferably 0.2 or more and 6.5 or less, more preferably 0.3 or more and 6.0 or less, and still more preferably 0.5 or more and 5.4 or less.

상기 점탄성층의 50℃에서의 저장 탄성률 G＇(50℃)(MPa)가 하기 식(3)을 충족하는 것이 바람직하다.It is preferable that the storage modulus G'(50°C) (MPa) of the viscoelastic layer at 50° C. satisfies the following equation (3).

0.01MPa　≤　G＇(50℃)　 ≤　15MPa　　···(3)0.01MPa　≤　G'(50℃)　 ≤　15MPa　　···(3)

식(3)을 충족함으로써, 땜납 볼 등의, 여러가지 형상·크기의 들뜸 발생이 쉬운 단자 전극이어도 보다 매설하기 쉬워진다.By satisfying the equation (3), even terminal electrodes of various shapes and sizes, such as solder balls, are more easily buried.

G＇(50℃)는 0.01 ~ 15 MPa인 것이 바람직하고, 0.02 ~ 12.5 MPa인 것이 보다 바람직하고, 0.03 ~ 10 MPa인 것이 더 바람직하다.G'(50°C) is preferably 0.01 to 15 MPa, more preferably 0.02 to 12.5 MPa, and still more preferably 0.03 to 10 MPa.

본 실시형태의 단자 보호용 테이프는, 상기 점탄성층의 25℃에서의 저장 탄성률 G＇(25℃)(MPa)가 하기 식(4)을 충족하는 것이 바람직하다.In the tape for terminal protection of the present embodiment, it is preferable that the viscoelastic layer has a storage elastic modulus G'(25°C) (MPa) at 25°C that satisfies the following formula (4).

0.05MPa　≤　G＇(25℃)　 ≤　20MPa　　···(4)0.05MPa　≤　G'(25℃)　 ≤　20MPa　　···(4)

식(4)을 충족함으로써, 상온에서의 단자 보호용 테이프의 형상이 유지되기 쉽고, 매립층의 단부에의 침투를 억제하기 쉬워진다.By satisfying the formula (4), it is easy to maintain the shape of the terminal protection tape at room temperature, and it is easy to suppress penetration into the end of the buried layer.

G＇(25℃)는 0.05 ~ 20 MPa인 것이 바람직하고, 0.06 ~ 15 MPa인 것이 보다 바람직하고, 0.07 ~ 10 MPa인 것이 더 바람직하다.G'(25°C) is preferably 0.05 to 20 MPa, more preferably 0.06 to 15 MPa, and still more preferably 0.07 to 10 MPa.

점탄성층의 두께 d1는, 적용하는 반도체 장치의 단자의 높이 h0에 따라 조정할 수 있다. 점탄성층의 두께는 80 ~ 800㎛인 것이 바람직하고, 100 ~ 790㎛인 것이 보다 바람직하고, 130 ~ 780㎛인 것이 특히 바람직하다.The thickness d1 of the viscoelastic layer can be adjusted according to the height h0 of the terminal of the semiconductor device to be applied. The thickness of the viscoelastic layer is preferably 80 to 800 µm, more preferably 100 to 790 µm, and particularly preferably 130 to 780 µm.

점탄성층의 두께가 상기 하한치 이상인 것으로, 땜납 볼 등의 단자 전극이어도 매설할 수 있다. 또한, 매립층의 두께가 상기 상한치 이하인 것으로, 단자 보호용 테이프가 과잉인 두께가 되는 것이 억제된다.Since the thickness of the viscoelastic layer is more than the above lower limit, terminal electrodes such as solder balls can also be embedded. Further, when the thickness of the buried layer is less than or equal to the above upper limit, it is suppressed that the terminal protective tape becomes excessively thick.

여기서, 「점탄성층의 두께」란, 점탄성층 전체의 두께를 의미하고, 매립층 및 점착제층의 복수층으로 이루어지는 점탄성층의 두께는, 매립층 및 점착제층의 합계의 두께를 의미한다.Here, the "thickness of the viscoelastic layer" means the thickness of the entire viscoelastic layer, and the thickness of the viscoelastic layer comprising a plurality of layers of a buried layer and an adhesive layer means the total thickness of the buried layer and the adhesive layer.

본 명세서에서, 「층의 두께」는, 무작위로 선택한 5개소에서 두께를 측정한 평균으로 나타내는 값으로서 JIS　K77130에 준하고, 정압두께 측정기를 이용하여 측정할 수 있다.In this specification, the "thickness of a layer" is a value expressed as an average of measuring the thickness at five randomly selected locations, according to JIS K77130, and can be measured using a static pressure thickness meter.

상기 점탄성층의 두께 d1(㎛)는, 상기 단자의 높이 h0(㎛)와의 사이에, 하기 식(5)을 충족하는 것이 바람직하다.It is preferable that the thickness d1 (µm) of the viscoelastic layer satisfies the following formula (5) between the height h0 (µm) of the terminal.

1.2≤　d1/h0　≤5.0　　···(5)1.2≤　d1/h0　≤5.0　　···(5)

식(5)을 충족함으로써, 땜납 볼 등의, 여러가지 형상·크기의 들뜸 발생이 쉬운 단자 전극이어도 보다 매설하기 쉬워진다.By satisfying the equation (5), even terminal electrodes of various shapes and sizes, such as solder balls, are more easily buried.

d1/h0는 1.2 ~ 5.0인 것이 바람직하고, 1.3 ~ 5.0인 것이 보다 바람직하고, 1.4 ~ 5.0인 것이 더 바람직하다.It is preferable that it is 1.2-5.0, as for d1/h0, it is more preferable that it is 1.3-5.0, and it is still more preferable that it is 1.4-5.0.

점탄성층의 동적점탄성 측정에서, 25℃에서의 tanδ의 값은 0.2 이상이어도 좋고, 0.10 ~ 1.4이어도 좋고, 0.20 ~ 1.0인 것이 바람직하고, 0.30 ~ 0.8인 것이 보다 바람직하다.In the measurement of the dynamic viscoelasticity of the viscoelastic layer, the value of tan δ at 25° C. may be 0.2 or more, may be 0.10 to 1.4, preferably 0.20 to 1.0, and more preferably 0.30 to 0.8.

단자를 가지는 반도체 장치의 단자 형성면을 점탄성층(12)에 밀착시킬 때에는, 단자를 가지는 반도체 장치의 단자 형성면을 점탄성층(12)의 점착제층(14)에 직접 밀착시키는 것이 바람직하다.When the terminal formation surface of the semiconductor device having terminals is brought into close contact with the viscoelastic layer 12, it is preferable that the terminal formation surface of the semiconductor device having terminals is directly brought into close contact with the pressure-sensitive adhesive layer 14 of the viscoelastic layer 12.

이 때, 단자 형성면 및 단자에 점착 잔사를 막기 위해서, 점착제층(14)은, 매립층(13)보다도 딱딱하게 설정하는 것이 바람직하다.At this time, in order to prevent adhesive residue on the terminal formation surface and the terminal, the pressure-sensitive adhesive layer 14 is preferably set harder than the buried layer 13.

○ 매립층 ○ Reclaimed floor

본 실시형태의 단자 보호용 테이프에서, 매립층은, 점탄성층 중 단자를 가지는 반도체 장치의 단자를 매설해 보호하는 층을 말한다.In the terminal protection tape of the present embodiment, the buried layer refers to a layer in which a terminal of a semiconductor device having a terminal is embedded among viscoelastic layers and protected.

매립층은, 시트 형상 또는 필름 형상이고, 상기 조건의 관계를 만족하는 한, 그 구성 재료는, 특별히 한정되지 않는다. 본 명세서에서, 「시트 형상 또는 필름 형상」이란, 얇은 막 형상으로, 면 내의 두께의 편차가 작고, 플렉서블성을 가지는 것을 의미한다.The buried layer is in the form of a sheet or a film, and the constituent material is not particularly limited as long as the relationship between the above conditions is satisfied. In the present specification, the term "sheet shape or film shape" means that it is in the shape of a thin film, and has a small variation in thickness in a plane and has flexibility.

예를 들면, 보호 대상이 되는 단자를 가지는 반도체 장치의 단자 형성면을 덮는 점탄성층에, 반도체 표면에 존재하는 단자의 형상이 반영되는 것에 의해서, 점탄성층이 변형되는 것을 억제할 목적으로 하는 경우, 상기 매립층의 바람직한 구성 재료로는, 매립층의 첩부성(貼付性)이 보다 향상하는 점에서, 우레탄 (메타)아크릴레이트 수지, 아크릴계 수지 등을 들 수 있다.For example, in the case of suppressing deformation of the viscoelastic layer by reflecting the shape of the terminal present on the semiconductor surface to the viscoelastic layer covering the terminal formation surface of a semiconductor device having a terminal to be protected, As a preferable constituent material of the said buried layer, a urethane (meth)acrylate resin, acrylic resin, etc. are mentioned from the point which the sticking property of the buried layer further improves.

매립층은 1층(단층)만이어도 좋고, 2층 이상의 복수층이어도 좋고, 복수층인 경우, 이들 복수층은, 서로 동일하거나 달라도 좋고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.The buried layer may be only one layer (single layer), may be a plurality of layers of two or more layers, and in the case of a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other, and the combination of the plurality of layers is not particularly limited.

또한 본 명세서에서는, 매립층의 경우에 한정되지 않고, 「복수층이 서로 동일하거나 달라도 좋다」는 것은, 「모든 층이 동일해도 좋고, 모든 층이 달라도 좋고, 일부의 층만이 동일해도 좋다」는 것을 의미하고, 또한 「복수층이 서로 다르다」는 것은, 「각 층의 구성 재료 및 두께의 적어도 한쪽이 서로 다르다」는 것을 의미한다.In addition, in the present specification, it is not limited to the case of the buried layer, and "the multiple layers may be the same or different from each other" means that "all the layers may be the same, all layers may be different, and only some of the layers may be the same." In addition, "the multiple layers are different from each other" means that "at least one of the constituent materials and thicknesses of each layer is different from each other".

매립층의 두께는, 보호 대상이 되는 단자를 가지는 반도체 장치의 단자 형성면의 단자의 높이에 따라 적절히 조절할 수 있지만, 비교적 높이가 높은 단자의 영향도 용이하게 흡수할 수 있는 점에서, 점탄성층의 두께가 80 ~ 800㎛가 되는 범위에서, 점착제층보다 두껍게 하는 것이 바람직하고, 50 ~ 600㎛인 것이 바람직하고, 70 ~ 550㎛인 것이 보다 바람직하고, 80 ~ 500㎛인 것이 특히 바람직하다. 매립층의 두께가 상기 하한치 이상인 것으로, 단자의 보호 성능이 보다 높은 점탄성층을 형성할 수 있다. 또한, 매립층의 두께가 상기 상한치 이하인 것으로, 생산성과 롤 형상으로의 감기 적합성이 향상한다.The thickness of the buried layer can be appropriately adjusted according to the height of the terminal on the terminal formation surface of the semiconductor device having the terminal to be protected, but the thickness of the viscoelastic layer can be easily absorbed from the influence of relatively high terminals. Is preferably 80 to 800 µm, thicker than the pressure-sensitive adhesive layer, preferably 50 to 600 µm, more preferably 70 to 550 µm, and particularly preferably 80 to 500 µm. When the thickness of the buried layer is greater than or equal to the lower limit, a viscoelastic layer having a higher terminal protective performance can be formed. In addition, when the thickness of the buried layer is less than or equal to the above upper limit, productivity and suitability for winding into a roll shape are improved.

여기서, 「매립층의 두께」란, 매립층 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 매립층의 두께란, 매립층을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.Here, the "thickness of the buried layer" means the thickness of the entire buried layer, and for example, the thickness of the buried layer composed of a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the buried layer.

매립층은, 단자를 매설하는 데에 상응한, 부드러운 성질을 가지는 것이 바람직하고, 점착제층보다도 부드러운 것이 바람직하다.It is preferable that the buried layer has a soft property corresponding to embedding the terminal, and it is preferable that it is softer than the pressure-sensitive adhesive layer.

(매립층 형성용 조성물)(Composition for forming a buried layer)

매립층은, 그 구성 재료를 함유하는 매립층 형성용 조성물을 이용하여 형성할 수 있다.The buried layer can be formed using a buried layer-forming composition containing the constituent material.

예를 들면, 매립층의 형성 대상면에 매립층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라서 건조시키고, 에너지선의 조사에 의해서 경화시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 매립층을 형성할 수 있다. 또한, 박리 필름에 매립층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라서 건조시키고, 에너지선의 조사에 의해서 경화시킴으로써, 목적으로 하는 두께의 매립층을 형성할 수 있고, 목적으로 하는 부위에 매립층을 전사할 수도 있다. 매립층의 보다 구체적인 형성 방법은, 다른 층의 형성 방법과 함께, 뒤에 상세하게 설명한다. 매립층 형성용 조성물 중의, 상온에서 기화하지 않은 성분끼리의 함유량의 비율은, 통상, 매립층의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일하게 된다. 여기서, 「상온」이란, 특별히 냉각하거나 가열하지 않은 온도, 즉 평상의 온도를 의미하고, 예를 들면, 15 ~ 30℃의 온도 등을 들 수 있다.For example, by coating the composition for forming a buried layer on the surface to be formed of the buried layer, drying as necessary, and curing by irradiation with energy rays, a buried layer can be formed at a target site. In addition, by coating the composition for forming a buried layer on the release film, drying as necessary, and curing by irradiation with energy rays, a buried layer having a desired thickness can be formed, and the buried layer can be transferred to a target site. . A more specific method of forming the buried layer will be described later in detail together with a method of forming other layers. In the composition for forming a buried layer, the ratio of the content between the components not vaporized at room temperature is usually the same as the ratio of the content between the components of the buried layer. Here, "normal temperature" means a temperature that is not particularly cooled or heated, that is, a normal temperature, and examples thereof include a temperature of 15 to 30°C.

매립층 형성용 조성물의 도공은, 공지의 방법으로 행하면 좋고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 마이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.The coating of the composition for forming the buried layer may be performed by a known method, for example, an air knife coater, a blade coater, a bar coater, a gravure coater, a roll coater, a roll knife coater, a curtain coater, a die coater, a knife coater, a screen coater. , A method of using various coaters such as a Meyer bar coater and a kiss coater.

매립층 형성용 조성물의 건조 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 매립층 형성용 조성물은, 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 70 ~ 130℃에서 10초간 ~ 5분간의 조건에서 건조시키는 것이 바람직하다.Drying conditions of the composition for forming the buried layer are not particularly limited, but when the composition for forming the buried layer contains a solvent to be described later, it is preferable to heat-dry. In this case, for example, at 70 to 130°C for 10 seconds. It is preferable to dry it under the conditions of ~ 5 minutes.

매립층 형성용 조성물은, 에너지선 경화성을 가지는 경우, 에너지선의 조사에 의해 경화시키는 것이 바람직하다.When the composition for forming a buried layer has energy ray curability, it is preferable to cure it by irradiation with energy rays.

매립층 형성용 조성물로는, 예를 들면, 아크릴계 수지를 함유하는 매립층 형성용 조성물(I) 등을 들 수 있다.Examples of the composition for forming a buried layer include the composition (I) for forming a buried layer containing an acrylic resin.

｛매립층 형성용 조성물(I)｝｛Buried layer formation composition (I)｝

매립층 형성용 조성물(I)은, 아크릴계 수지를 함유한다.The composition (I) for buried layer formation contains an acrylic resin.

매립층 형성용 조성물(I)로는, 후술하는, 제1 점착제 조성물(I－1) 가운데, 아크릴계 수지인 점착성 수지(I－1a) 및 에너지선 경화성 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 일종을 함유하는 조성물, 제1 점착제 조성물(I－2) 가운데, 아크릴계 수지인 점착성 수지(I－1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성의 점착성 수지(1－2a)를 함유하는 조성물을 매립층 형성용 조성물(I)로서 이용할 수 있다.As the buried layer forming composition (I), a composition containing at least one selected from the group consisting of an acrylic resin adhesive resin (I-1a) and an energy ray-curable compound among the first adhesive compositions (I-1) described later. , Among the first adhesive compositions (I-2), a composition containing an energy ray-curable adhesive resin (1-2a) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of an acrylic resin adhesive resin (I-1a) is used as a composition for forming a buried layer ( It can be used as I).

매립층 형성용 조성물(I)에서 이용하는 점착성 수지(I－1a) 및 에너지선 경화성 화합물은, 후술하는 제1 점착제 조성물(I－1)에서 이용하는 점착성 수지(I－1a) 및 에너지선 경화성 화합물의 설명과 같다.The adhesive resin (I-1a) and the energy ray-curable compound used in the buried layer-forming composition (I) are described below for the adhesive resin (I-1a) and the energy ray-curable compound used in the first adhesive composition (I-1) described later. Is the same as

매립층 형성용 조성물(I)에서 이용하는 점착성 수지(I－2a)는, 후술하는 제1 점착제 조성물(I－2)에서 이용하는 점착성 수지(I－2a)의 설명과 같다.The adhesive resin (I-2a) used in the buried layer forming composition (I) is the same as the description of the adhesive resin (I-2a) used in the first adhesive composition (I-2) described later.

매립층 형성용 조성물(I)은, 가교제를 더 함유하는 것이 바람직하다. 매립층 형성용 조성물(I)에서 이용하는 가교제는, 후술하는 제1 점착제 조성물(I－1), 제1 점착제 조성물(I－2)에서 이용하는 가교제의 설명과 같다.It is preferable that the composition (I) for buried layer formation further contains a crosslinking agent. The crosslinking agent used in the buried layer forming composition (I) is the same as the description of the crosslinking agent used in the first adhesive composition (I-1) and the first adhesive composition (I-2) described later.

매립층 형성용 조성물(I)은, 광중합개시제, 그 외의 첨가제를 더 함유하고 있어도 좋다. 매립층 형성용 조성물(I)에서 이용하는 광중합개시제, 그 외의 첨가제는, 후술하는 제1 점착제 조성물(I－1), 제1 점착제 조성물(I－2)에서 이용하는 광중합개시제, 그 외의 첨가제의 설명과 같다.The composition (I) for forming a buried layer may further contain a photoinitiator and other additives. The photopolymerization initiator and other additives used in the buried layer-forming composition (I) are the same as the description of the photopolymerization initiator used in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2), and other additives described later. .

매립층 형성용 조성물(I)은, 용매를 함유하고 있어도 좋다. 매립층 형성용 조성물(I), 제1 점착제 조성물(I－2)에서 이용하는 용매는, 후술하는 제1 점착제 조성물(I－1)에서 이용하는 용매의 설명과 같다.The composition (I) for forming a buried layer may contain a solvent. The solvent used in the composition for buried layer formation (I) and the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is the same as the description of the solvent used in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) described later.

매립층 형성용 조성물(I) 가운데, 점착성 수지(I－1a)의 분자량 및 에너지선 경화성 화합물의 분자량의 어느 하나 또는 양쪽 모두를 조정함으로써 매립층이, 단자를 매설하는 데에 상응한, 부드러운 성질을 가지도록 설계할 수 있다.In the composition (I) for forming the buried layer, by adjusting either or both of the molecular weight of the pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) and the molecular weight of the energy ray-curable compound, the buried layer has a soft property corresponding to embedding the terminal. Can be designed to be

또한, 매립층 형성용 조성물(I) 가운데, 가교제의 함유량을 조정함으로써 매립층이, 단자를 매설하는 데에 상응한, 부드러운 성질을 가지도록 설계할 수 있다.In addition, in the composition (I) for forming the buried layer, by adjusting the content of the crosslinking agent, the buried layer can be designed to have a soft property corresponding to embedding a terminal.

＜＜매립층 형성용 조성물의 제조 방법＞＞<<The manufacturing method of the composition for buried layer formation>>

매립층 형성용 조성물(I) 등의 매립층 형성용 조성물은, 이것을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.The buried layer-forming composition, such as the buried layer-forming composition (I), is obtained by blending each component for constituting this.

각 성분의 배합 시에, 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 좋다.At the time of blending each component, the order of addition is not particularly limited, and two or more components may be added at the same time.

용매를 이용하는 경우에는, 용매를 용매 이외의 몇개의 배합 성분과 혼합해 이 배합 성분을 미리 희석해 이용해도 좋고, 용매 이외의 몇개의 배합 성분을 미리 희석하지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합하는 것으로 이용해도 좋다.In the case of using a solvent, the solvent may be mixed with some of the compounded components other than the solvent, and the compounded component may be diluted beforehand, and the solvent is mixed with these compounded components without pre-diluting some of the compounded components other than the solvent. It can also be used.

배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가해 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 좋다.The method of mixing each component at the time of mixing is not particularly limited, and the method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade, etc. Mixing using a mixer; What is necessary is just to select suitably from known methods, such as a method of applying ultrasonic waves and mixing.

각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도 및 시간은, 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 좋지만, 온도는 15 ~ 30℃인 것이 바람직하다.The temperature and time at the time of addition and mixing of each component are not particularly limited as long as each compounding component does not deteriorate, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30°C.

｛매립층의 조성｝｛Composition of the buried layer｝

본 실시형태에서의, 매립층의 조성은, 상술의 매립층 형성용 조성물(I)로부터 용매를 제외한 것이다.In the present embodiment, the composition of the buried layer is obtained by excluding the solvent from the composition (I) for forming the buried layer described above.

매립층 형성용 조성물(I)이, 후술하는, 제1 점착제 조성물(I－1) 가운데, 아크릴계 수지인 점착성 수지(I－1a)와 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 조성물인 경우의 매립층(1)에서의, 매립층(1)의 총질량에 대한 아크릴계 수지인 점착성 수지(I－1a)의 함유 비율은 55 ~ 99 질량%인 것이 바람직하고, 55 ~ 95 질량%인 것이 보다 바람직하고, 60 ~ 90 질량%인 것이 더 바람직하다. 본 발명의 다른 측면으로는, 매립층(1)의 총질량에 대한 아크릴계 수지인 점착성 수지(I－1a)의 함유 비율은 45 ~ 90 질량%이어도 좋고, 50 ~ 85 질량%이어도 좋다. 또한, 매립층(1)의 총질량에 대한 에너지선 경화성 화합물의 함유 비율은 1 ~ 50 질량%인 것이 바람직하고, 5 ~ 45 질량%인 것이 더 바람직하다. 매립층(1)이 가교제를 함유하는 경우, 매립층(1)의 총질량에 대한 가교제의 함유 비율은 0.1 ~ 10 질량%인 것이 바람직하고, 0.2 ~ 9 질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ~ 8 질량%인 것이 더 바람직하다.In the buried layer (1) in the case where the composition (I) for buried layer formation is a composition containing an acrylic resin (I-1a) and an energy ray-curable compound in the first adhesive composition (I-1) described later The content ratio of the adhesive resin (I-1a) which is an acrylic resin to the total mass of the buried layer 1 is preferably 55 to 99 mass%, more preferably 55 to 95 mass%, and 60 to 90 mass It is more preferable that it is %. In another aspect of the present invention, the content ratio of the adhesive resin (I-1a), which is an acrylic resin to the total mass of the buried layer 1, may be 45 to 90 mass% or 50 to 85 mass%. In addition, the content ratio of the energy ray-curable compound to the total mass of the buried layer 1 is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 5 to 45% by mass. When the buried layer 1 contains a crosslinking agent, the content ratio of the crosslinking agent to the total mass of the buried layer 1 is preferably 0.1 to 10 mass%, more preferably 0.2 to 9 mass%, and 0.3 to 8 mass. It is more preferable that it is %.

매립층 형성용 조성물(I)이, 아크릴계 수지인 점착성 수지(I－1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성의 점착성 수지(1－2a)를 함유하는 조성물인 경우의 매립층(2)에서의, 매립층의 총질량에 대한 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성의 점착성 수지(1－2a)의 함유 비율은 10 ~ 70 질량%인 것이 바람직하고, 15 ~ 65 질량%인 것이 보다 바람직하고, 20 ~ 60 질량%인 것이 더 바람직하다. 또한, 본 발명의 다른 측면으로는, 매립층(2)의 총질량에 대한 아크릴계 수지인 점착성 수지(I－1a)의 함유 비율은, 10 ~ 60 질량%이어도 좋고, 15 ~ 55 질량%이어도 좋고, 20 ~ 55 질량%이어도 좋다. 매립층(2)이 가교제를 함유하는 경우, 매립층(2)의 총질량에 대한 가교제의 함유 비율은 0.1 ~ 10 질량%인 것이 바람직하고, 0.2 ~ 9 질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ~ 7.8 질량%인 것이 더 바람직하다. 또한, 본 실시형태의 매립층(2)은 상기 아크릴계 수지인 점착성 수지(I－1a)를 더 함유하고 있어도 좋다. 이 경우, 매립층(2)의 총질량에 대한 아크릴계 수지인 점착성 수지(I－1a)의 함유 비율은, 35 ~ 85 질량%인 것이 바람직하고, 40 ~ 80 질량%인 것이 보다 바람직하고, 35 ~ 75 질량%인 것이 더 바람직하다. 또한, 본 실시형태의 매립층(2)이 상기 아크릴계 수지인 점착성 수지(I－1a)를 더 함유하는 경우, 상기 점착성 수지(1－2a) 100 질량부에 대한, 상기 점착성 수지(1－1a)의 함유량은, 40 ~ 150 질량부인 것이 바람직하고, 50 ~ 140 질량부인 것이 보다 바람직하고, 60 ~ 130 질량부인 것이 더 바람직하다.In the case where the composition for forming the buried layer (I) is a composition containing an energy ray-curable adhesive resin (1-2a) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of an acrylic resin adhesive resin (I-1a) , The content ratio of the energy ray-curable adhesive resin (1-2a) in which an unsaturated group is introduced into the side chain relative to the total mass of the buried layer is preferably 10 to 70% by mass, more preferably 15 to 65% by mass, and 20 It is more preferably ~ 60% by mass. Further, in another aspect of the present invention, the content ratio of the adhesive resin (I-1a) as an acrylic resin to the total mass of the buried layer 2 may be 10 to 60 mass%, or 15 to 55 mass%, It may be 20 to 55% by mass. When the buried layer 2 contains a crosslinking agent, the content ratio of the crosslinking agent to the total mass of the buried layer 2 is preferably 0.1 to 10 mass%, more preferably 0.2 to 9 mass%, and 0.3 to 7.8 mass. It is more preferable that it is %. Moreover, the buried layer 2 of this embodiment may further contain the adhesive resin (I-1a) which is the said acrylic resin. In this case, the content ratio of the adhesive resin (I-1a) as an acrylic resin to the total mass of the buried layer 2 is preferably 35 to 85% by mass, more preferably 40 to 80% by mass, and 35 to It is more preferably 75% by mass. In addition, when the buried layer 2 of the present embodiment further contains an adhesive resin (I-1a) which is the acrylic resin, the adhesive resin (1-1a) with respect to 100 parts by mass of the adhesive resin (1-2a) The content of is preferably 40 to 150 parts by mass, more preferably 50 to 140 parts by mass, and still more preferably 60 to 130 parts by mass.

매립층(1)에 포함되는 아크릴계 수지인 점착성 수지(I－1a), 에너지선 경화성 화합물, 매립층(2)에 포함되는 점착성 수지(I－1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성의 점착성 수지(1－2a)의 조성 등은, 후술하는 제1 점착제 조성물(I－1)에서 이용하는 아크릴계 수지인 점착성 수지(I－1a), 에너지선 경화성 화합물, 점착성 수지(I－1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성의 점착성 수지(1－2a)의 설명과 같아도 좋다.An energy ray-curable adhesive resin in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the adhesive resin (I-1a), which is an acrylic resin contained in the buried layer (1), an energy ray-curable compound, and the adhesive resin (I-1a) contained in the buried layer (2). The composition of (1-2a) is unsaturated in the side chain of the adhesive resin (I-1a) which is an acrylic resin used in the first adhesive composition (I-1) described later, an energy ray-curable compound, and the adhesive resin (I-1a). It may be the same as the description of the energy ray-curable adhesive resin (1-2a) into which the group was introduced.

본 실시형태에서는, 점착성 수지(1－2a), 점착성 수지(1－1a), 및 가교제를 포함하는 매립층(2)인 것이 바람직하다. 이 경우, 점착성 수지(1－1a)는, (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위와 카르복시기 함유 모노머 유래의 단위를 가지는 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다. 또한, 점착성 수지(1－2a)는, (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위, 수산기 함유 모노머 유래의 단위를 가지는 아크릴계 중합체에, 이소시아네이트기 및 에너지선 중합성 불포화기를 가지는 불포화기 함유 화합물을 반응시켜 얻어진 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다. 가교제는, 후술의 제1 점착제 조성물(I－1)에서 예시되는 화합물을 사용할 수 있고, 톨릴렌 디이소시아네이트를 사용하는 것이 특히 바람직하다.In this embodiment, it is preferable that it is the buried layer 2 containing an adhesive resin (1-2a), an adhesive resin (1-1a), and a crosslinking agent. In this case, the adhesive resin (1-1a) is preferably an acrylic polymer having a structural unit derived from a (meth)acrylic acid alkyl ester and a unit derived from a carboxyl group-containing monomer. In addition, the adhesive resin (1-2a) reacts with an unsaturated group-containing compound having an isocyanate group and an energy ray-polymerizable unsaturated group with an acrylic polymer having a structural unit derived from a (meth)acrylic acid alkyl ester and a unit derived from a hydroxyl group-containing monomer. It is preferable that it is an acrylic polymer obtained by making it. As a crosslinking agent, the compound illustrated by the 1st adhesive composition (I-1) mentioned later can be used, and it is especially preferable to use tolylene diisocyanate.

점착성 수지(1－1a)의 총질량에 대한 (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 75 ~ 99 질량%인 것이 바람직하고, 80 ~ 98 질량%인 것이 보다 바람직하고, 85 ~ 97 질량%인 것이 더 바람직하다. 본 발명의 다른 측면으로는, 점착성 수지(1－1a)의 총질량에 대한 (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 70 ~ 95 질량%이어도 좋고, 80 ~ 95 질량%이어도 좋다. 점착성 수지(1－1a)의 총질량에 대한 카르복시기 함유 모노머의 구성 단위의 함유 비율은, 1.0 ~ 30 질량%인 것이 바람직하고, 2.0 ~ 25 질량%인 것이 보다 바람직하고, 3.0 ~ 20 질량%인 것이 더 바람직하다. 본 발명의 다른 측면으로는, 점착성 수지(1－1a)의 총질량에 대한 카르복시기 함유 모노머의 구성 단위의 함유 비율은, 3.0 ~ 20 질량%이어도 좋고, 5.0 ~ 15 질량%이어도 좋다. 점착성 수지(1－1a)에서의 (메타)아크릴산 알킬 에스테르는, 알킬기의 탄소수가 4 ~ 12인 것이 바람직하고, 4 ~ 8인 것이 보다 바람직하다. 또한, 점착성 수지(1－1a)에서는, 아크릴산 알킬 에스테르인 것이 바람직하다. 그 중에서도 상기 (메타)아크릴산 알킬 에스테르는, 아크릴산 n－부틸인 것이 특히 바람직하다. 또한, 점착성 수지(1－1a)에서의 카르복시 함유 모노머로는, 에틸렌성 불포화 모노카르복실산, 에틸렌성 불포화 디카르복실산, 에틸렌성 불포화 디카르복실산의 무수물 등을 들 수 있고, 그 중에서도 에틸렌성 불포화 모노카르복실산이 바람직하고, (메타)아크릴산이 보다 바람직하고, 아크릴산이 특히 바람직하다.The content ratio of the structural unit derived from the (meth)acrylic acid alkyl ester with respect to the total mass of the adhesive resin (1-1a) is preferably 75 to 99 mass%, more preferably 80 to 98 mass%, and 85 to It is more preferably 97% by mass. In another aspect of the present invention, the content ratio of the structural unit derived from the (meth)acrylic acid alkyl ester relative to the total mass of the adhesive resin (1-1a) may be 70 to 95% by mass, or 80 to 95% by mass. . The content ratio of the structural unit of the carboxy group-containing monomer to the total mass of the adhesive resin (1-1a) is preferably 1.0 to 30% by mass, more preferably 2.0 to 25% by mass, and 3.0 to 20% by mass. It is more preferable. In another aspect of the present invention, the content ratio of the constituent unit of the carboxy group-containing monomer to the total mass of the adhesive resin (1-1a) may be 3.0 to 20% by mass or 5.0 to 15% by mass. The (meth)acrylic acid alkyl ester in the adhesive resin (1-1a) preferably has 4 to 12 carbon atoms in the alkyl group, and more preferably 4 to 8 carbon atoms. Moreover, in the adhesive resin (1-1a), it is preferable that it is an acrylic acid alkyl ester. Especially, it is especially preferable that the said (meth)acrylic acid alkyl ester is n-butyl acrylate. In addition, examples of the carboxy-containing monomer in the adhesive resin (1-1a) include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids, ethylenically unsaturated dicarboxylic acids, and anhydrides of ethylenically unsaturated dicarboxylic acids. Ethylenically unsaturated monocarboxylic acid is preferable, (meth)acrylic acid is more preferable, and acrylic acid is particularly preferable.

본 실시형태의 점착성 수지(1－1a)의 중량 평균 분자량은, 100,000 ~ 800,000인 것이 바람직하고, 150,000 ~ 700,000인 것이 보다 바람직하고, 200,000 ~ 600,000인 것이 더 바람직하다.The weight average molecular weight of the adhesive resin (1-1a) of the present embodiment is preferably 100,000 to 800,000, more preferably 150,000 to 700,000, and still more preferably 200,000 to 600,000.

또한 본 명세서에서, 「중량 평균 분자량」이란, 특별히 명시되지 않는 한, 겔·퍼미션·크로마토그래피(GPC) 법에 따라 측정되는 폴리스티렌 환산치이다.In addition, in this specification, a "weight average molecular weight" is a polystyrene conversion value measured according to a gel permission chromatography (GPC) method, unless otherwise specified.

점착성 수지(1－2a)의 총질량에 대한 (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 1.0 ~ 95 질량%인 것이 바람직하고, 2.0 ~ 90 질량%인 것이 보다 바람직하고, 3.0 ~ 85 질량%인 것이 더 바람직하다. 점착성 수지(1－2a)의 총질량에 대한 수산기 함유 모노머 유래의 단위의 함유 비율은, 1.0 ~ 50 질량%인 것이 바람직하고, 2.0 ~ 45 질량%인 것이 보다 바람직하고, 3.0 ~ 40 질량%인 것이 더 바람직하다. 점착성 수지(1－2a)에서의 (메타)아크릴산 알킬 에스테르는, 알킬기의 탄소수가 1 ~ 12인 것이 바람직하고, 1 ~ 4인 것이 보다 바람직하다. 점착성 수지(1－2a)는, 2종 이상의 (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위를 가지는 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 메틸 및 (메타)아크릴산 n－부틸 유래의 구성 단위를 가지는 것이 보다 바람직하고, 메타크릴산 메틸 및 아크릴산 n－부틸 유래의 구성 단위를 가지는 것이 더 바람직하다. 점착성 수지(1－2a)에서의 수산기 함유 모노머로는, 후술의 제1 점착제 조성물(I－1)에서 예시되는 것을 사용할 수 있고, 아크릴산 2－히드록시 에틸을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 이소시아네이트기 및 에너지선 중합성 불포화기를 가지는 불포화기 함유 화합물로는, 후술의 제1 점착제 조성물(I－2)에서 예시되는 화합물을 사용할 수 있고, 2－메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트를 사용하는 것이 특히 바람직하다. 상기 수산기 함유 모노머로부터 유래하는 전체 수산기를 100 mol로 한 경우의, 상기 이소시아네이트기 및 에너지선 중합성 불포화기를 가지는 불포화기 함유 화합물의 사용량은, 10 ~ 150 mol이 바람직하고, 20 ~ 140 mol이 보다 바람직하고, 30 ~ 130 mol이 더 바람직하다.The content ratio of the structural unit derived from the (meth)acrylic acid alkyl ester with respect to the total mass of the adhesive resin (1-2a) is preferably 1.0 to 95% by mass, more preferably 2.0 to 90% by mass, and 3.0 to It is more preferably 85% by mass. The content ratio of the unit derived from the hydroxyl-containing monomer to the total mass of the adhesive resin (1-2a) is preferably 1.0 to 50% by mass, more preferably 2.0 to 45% by mass, and 3.0 to 40% by mass. It is more preferable. The (meth)acrylic acid alkyl ester in the adhesive resin (1-2a) preferably has 1 to 12 carbon atoms in the alkyl group, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. It is preferable that the adhesive resin (1-2a) has structural units derived from two or more (meth)acrylate alkyl esters, and more preferably has structural units derived from methyl (meth)acrylate and n-butyl (meth)acrylate. And it is more preferable to have structural units derived from methyl methacrylate and n-butyl acrylate. As the hydroxyl group-containing monomer in the adhesive resin (1-2a), those exemplified in the first adhesive composition (I-1) described later can be used, and it is particularly preferable to use 2-hydroxyethyl acrylate. As the unsaturated group-containing compound having an isocyanate group and an energy ray-polymerizable unsaturated group, a compound exemplified in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) described later can be used, and 2-methacryloyloxyethyl isocyanate is used. It is particularly preferred. When the total hydroxyl groups derived from the hydroxyl group-containing monomer are 100 mol, the amount of the unsaturated group-containing compound having an isocyanate group and an energy ray-polymerizable unsaturated group is preferably 10 to 150 mol, more preferably 20 to 140 mol. It is preferable, and 30-130 mol is more preferable.

본 실시형태의 점착성 수지(1－2a)의 중량 평균 분자량은, 10,000 ~ 500,000인 것이 바람직하고, 20,000 ~ 400,000인 것이 보다 바람직하고, 30,000 ~ 300,000인 것이 더 바람직하다.The weight average molecular weight of the adhesive resin (1-2a) of the present embodiment is preferably 10,000 to 500,000, more preferably 20,000 to 400,000, and still more preferably 30,000 to 300,000.

○ 점착제층○ Adhesive layer

이하, 점탄성층을 구성하는 점착제층을, 후술의, 지지체에 첩합하기 위한 제2점착제층과 구별하여, 「제1점착제층」이라고 칭하는 경우가 있다.Hereinafter, the pressure-sensitive adhesive layer constituting the viscoelastic layer is sometimes referred to as a "first adhesive layer" by distinguishing it from a second adhesive layer for bonding to a support, which will be described later.

제1점착제층은, 시트 형상 또는 필름 형상이고, 점착제를 함유한다.The first adhesive layer is in the shape of a sheet or a film, and contains an adhesive.

상기 점착제로는, 예를 들면, 아크릴계 수지((메타)아크릴로일기를 가지는 수지로 이루어지는 점착제), 우레탄계 수지(우레탄 결합을 가지는 수지로 이루어지는 점착제), 고무계 수지(고무 구조를 가지는 수지로 이루어지는 점착제), 실리콘계 수지(실록산 결합을 가지는 수지로 이루어지는 점착제), 에폭시계 수지(에폭시기를 가지는 수지로 이루어지는 점착제), 폴리비닐 에테르, 폴리카보네이트 등의 점착성 수지를 들 수 있고, 아크릴계 수지가 바람직하다.Examples of the pressure-sensitive adhesive include acrylic resin (a pressure-sensitive adhesive made of a resin having a (meth)acryloyl group), urethane resin (a pressure-sensitive adhesive made of a resin having a urethane bond), and a rubber-based resin (a pressure-sensitive adhesive made of a resin having a rubber structure). ), a silicone resin (a pressure-sensitive adhesive made of a resin having a siloxane bond), an epoxy resin (a pressure-sensitive adhesive made of a resin having an epoxy group), a pressure-sensitive adhesive resin such as polyvinyl ether and polycarbonate, and an acrylic resin is preferred.

또한 본 발명에서, 「점착성 수지」란, 점착성을 가지는 수지와 접착성을 가지는 수지의 양쪽 모두를 포함하는 개념이고, 예를 들면, 수지 자체가 점착성을 가지는 것뿐만 아니라, 첨가제 등의 다른 성분과의 병용에 의해 점착성을 나타내는 수지나, 열 또는 물 등의 트리거의 존재에 의해서 접착성을 나타내는 수지 등도 포함한다.In addition, in the present invention, "adhesive resin" is a concept including both a resin having adhesiveness and a resin having adhesiveness. For example, not only the resin itself has adhesiveness, but also other components such as additives and Resins exhibiting adhesiveness by combined use of, and resins exhibiting adhesiveness by the presence of a trigger such as heat or water are also included.

제1점착제층은 1층(단층)만이어도 좋고, 2층 이상의 복수층이어도 좋고, 복수층인 경우, 이들 복수층은, 서로 동일하거나 달라도 좋고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.The first adhesive layer may be only one layer (single layer), may be a plurality of layers of two or more layers, and in the case of a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other, and the combination of the plurality of layers is not particularly limited.

제1점착제층 두께는 1 ~ 1000㎛인 것이 바람직하고, 2 ~ 100㎛인 것이 보다 바람직하고, 8 ~ 20㎛인 것이 특히 바람직하다.The thickness of the first adhesive layer is preferably 1 to 1000 µm, more preferably 2 to 100 µm, and particularly preferably 8 to 20 µm.

여기서, 「제1점착제층 두께」란, 제1점착제층 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 제1점착제층 두께란, 제1점착제층을 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.Here, "the first adhesive layer thickness" means the total thickness of the first adhesive layer, and for example, the first adhesive layer thickness consisting of a plurality of layers means the total thickness of all layers constituting the first adhesive layer. Means.

제1점착제층은, 에너지선 경화성 점착제를 이용하여 형성된 것이어도 좋고, 비에너지선 경화성 점착제를 이용하여 형성된 것이어도 좋다. 에너지선 경화성의 점착제를 이용하여 형성된 제1점착제층은, 경화 전 및 경화 후의 물성을, 용이하게 조절할 수 있다.The first adhesive layer may be formed using an energy ray-curable adhesive, or may be formed using a non-energy ray-curable adhesive. The first adhesive layer formed using an energy ray-curable adhesive can easily adjust physical properties before and after curing.

본 발명에서, 「에너지선」이란, 전자파 또는 하전 입자선 중에서 에너지 양자를 가지는 것을 의미하고, 그 예로서 자외선, 전자선 등을 들 수 있다.In the present invention, the term "energy ray" means having both energy among electromagnetic waves or charged particle rays, and examples thereof include ultraviolet rays and electron rays.

자외선은, 예를 들면, 자외선원으로서 고압 수은 램프, 퓨젼 H 램프 또는 크세논 램프 등을 이용함으로써 조사할 수 있다. 전자선은, 전자선 가속기 등에 의해서 발생시킨 것을 조사할 수 있다.Ultraviolet rays can be irradiated by using, for example, a high-pressure mercury lamp, a fusion H lamp, or a xenon lamp as an ultraviolet source. The electron beam can be irradiated with what is generated by an electron beam accelerator or the like.

본 발명에서, 「에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사함으로써 경화하는 성질을 의미하고, 「비에너지선 경화성」이란, 에너지선을 조사해도 경화하지 않는 성질을 의미한다.In the present invention, "energy ray curability" means a property that is hardened by irradiation with energy rays, and "non-energy ray curability" means a property that does not cure even when irradiated with energy rays.

｛｛제1 점착제 조성물｝｝｛｛The first adhesive composition｝｝

제1점착제층은, 점착제를 함유하는 제1 점착제 조성물을 이용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 제1점착제층의 형성 대상면에 제1 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라서 건조시킴으로써, 목적으로 하는 부위에 제1점착제층을 형성할 수 있다. 또한, 박리 필름에 제1 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라서 건조시킴으로써, 목적으로 하는 두께의 제1점착제층을 형성할 수 있고, 목적으로 하는 부위에 제1점착제층을 전사할 수도 있다. 제1점착제층의 보다 구체적인 형성 방법은, 다른 층의 형성 방법과 함께, 다음에 상세하게 설명한다. 제1 점착제 조성물 중의, 상온에서 기화하지 않은 성분끼리의 함유량의 비율은, 통상, 제1점착제층의 상기 성분끼리의 함유량의 비율과 동일하게 된다. 또한 본 실시형태에서, 「상온」이란, 특별히 냉각하거나 가열하지 않은 온도, 즉 평상의 온도를 의미하고, 예를 들면, 15 ~ 25℃의 온도 등을 들 수 있다.The first adhesive layer can be formed using a first adhesive composition containing an adhesive. For example, by coating the first adhesive composition on the surface to be formed of the first adhesive layer and drying as necessary, the first adhesive layer can be formed on a target site. Further, by coating the first adhesive composition on the release film and drying as necessary, a first adhesive layer having a target thickness can be formed, and the first adhesive layer may be transferred to a target site. A more specific method of forming the first adhesive layer will be described in detail next, together with a method of forming other layers. In the first pressure-sensitive adhesive composition, the ratio of the content of the components not vaporized at room temperature is usually the same as the ratio of the content of the components of the first adhesive layer. In addition, in this embodiment, the "room temperature" means a temperature that is not particularly cooled or heated, that is, a normal temperature, and examples thereof include a temperature of 15 to 25°C.

제1 점착제 조성물의 도공은, 공지의 방법으로 행하면 좋고, 예를 들면, 에어 나이프 코터, 블레이드 코터, 바 코터, 그라비아 코터, 롤 코터, 롤 나이프 코터, 커텐 코터, 다이 코터, 나이프 코터, 스크린 코터, 마이어 바 코터, 키스 코터 등의 각종 코터를 이용하는 방법을 들 수 있다.Coating of the first pressure-sensitive adhesive composition may be performed by a known method, for example, air knife coater, blade coater, bar coater, gravure coater, roll coater, roll knife coater, curtain coater, die coater, knife coater, screen coater , A method of using various coaters such as a Meyer bar coater and a kiss coater.

제1 점착제 조성물의 건조 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 제1 점착제 조성물은, 후술하는 용매를 함유하고 있는 경우, 가열 건조시키는 것이 바람직하고, 이 경우, 예를 들면, 70 ~ 130℃에서 10초간 ~ 5분간의 조건에서 건조시키는 것이 바람직하다. The drying conditions of the first pressure-sensitive adhesive composition are not particularly limited, but when the first pressure-sensitive adhesive composition contains a solvent described later, it is preferable to heat-dry, in this case, for example, at 70 to 130°C for 10 seconds. It is preferable to dry it under the conditions of ~ 5 minutes.

　　제1점착제층이 에너지선 경화성인 경우, 에너지선 경화성 점착제를 함유하는 제1 점착제 조성물, 즉, 에너지선 경화성의 제1 점착제 조성물로는, 예를 들면, 비에너지선 경화성의 점착성 수지(I－1a)(이하, 「점착성 수지(I－1a)」라고 약기하는 경우가 있다)와 에너지선 경화성 화합물을 함유하는 제1 점착제 조성물(I－1); 비에너지선 경화성의 점착성 수지(I－1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성의 점착성 수지(I－2a)(이하, 「점착성 수지(I－2a)」라고 약기하는 경우가 있다)를 함유하는 제1 점착제 조성물(I－2); 상기 점착성 수지(I－2a)와 에너지선 경화성 저분자 화합물을 함유하는 제1 점착제 조성물(I－3) 등을 들 수 있다.When the first adhesive layer is energy ray-curable, as the first adhesive composition containing the energy ray-curable adhesive, that is, the energy ray-curable first adhesive composition, for example, a non-energy ray-curable adhesive resin (I- 1a) (hereinafter, sometimes abbreviated as “adhesive resin (I-1a)”) and a first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) containing an energy ray-curable compound; An energy ray-curable adhesive resin (I-2a) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy ray-curable adhesive resin (I-1a) (hereinafter, it may be abbreviated as “adhesive resin (I-2a)”). 1st pressure-sensitive adhesive composition (I-2) to contain; First adhesive composition (I-3) containing the said adhesive resin (I-2a) and an energy ray-curable low molecular compound, etc. are mentioned.

｛제1 점착제 조성물(I－1)｝｛The first adhesive composition (I-1)｝

제1 점착제 조성물(I－1)은, 상술과 같이, 비에너지선 경화성의 점착성 수지(I－1a)와 에너지선 경화성 화합물을 함유한다.The first adhesive composition (I-1) contains a non-energy ray-curable adhesive resin (I-1a) and an energy ray-curable compound as described above.

(점착성 수지(I－1a))(Adhesive resin (I-1a))

상기 점착성 수지(I－1a)는, 아크릴계 수지인 것이 바람직하다.It is preferable that the said adhesive resin (I-1a) is an acrylic resin.

상기 아크릴계 수지로는, 예를 들면, 적어도 (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위를 가지는 아크릴계 중합체를 들 수 있다.Examples of the acrylic resin include an acrylic polymer having at least a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate.

상기 아크릴계 수지가 가지는 구성 단위는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The structural units of the acrylic resin may be only one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

상기 (메타)아크릴산 알킬 에스테르로는, 예를 들면, 알킬 에스테르를 구성하는 알킬기의 탄소수가 1 ~ 20인 것을 들 수 있고, 상기 알킬기는, 직쇄상 또는 분기쇄상인 것이 바람직하다.Examples of the (meth)acrylic acid alkyl ester include those having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group constituting the alkyl ester, and the alkyl group is preferably linear or branched.

(메타)아크릴산 알킬 에스테르로서 보다 구체적으로는, (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 n－프로필, (메타)아크릴산 이소프로필, (메타)아크릴산 n－부틸, (메타)아크릴산 이소부틸, (메타)아크릴산 sec－부틸, (메타)아크릴산 tert－부틸, (메타)아크릴산 펜틸, (메타)아크릴산 헥실, (메타)아크릴산 헵틸, (메타)아크릴산 2－에틸헥실, (메타)아크릴산 이소옥틸, (메타)아크릴산 n－옥틸, (메타)아크릴산 n－노닐, (메타)아크릴산 이소노닐, (메타)아크릴산 데실, (메타)아크릴산 운데실, (메타)아크릴산 도데실((메타)아크릴산 라우릴이라고도 한다.), (메타)아크릴산 트리데실, (메타)아크릴산 테트라데실((메타)아크릴산 미리스틸이라고도 한다.), (메타)아크릴산 펜타데실, (메타)아크릴산 헥사데실((메타)아크릴산 팔미틸이라고도 한다.), (메타)아크릴산 헵타데실, (메타)아크릴산 옥타데실((메타)아크릴산 스테아릴이라고도 한다.), (메타)아크릴산노나데실, (메타)아크릴산이코실 등을 들 수 있다.More specifically as (meth)acrylic acid alkyl ester, (meth) acrylate methyl, (meth) acrylate ethyl, (meth) acrylate n-propyl, (meth) acrylate isopropyl, (meth) acrylate n-butyl, (meth) Isobutyl acrylate, sec-butyl (meth)acrylate, tert-butyl (meth)acrylate, pentyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, (meth) Isooctyl acrylate, n-octyl (meth)acrylate, n-nonyl (meth)acrylate, isononyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, dodecyl (meth)acrylate ((meth) Also referred to as lauryl acrylate), tridecyl (meth)acrylate, tetradecyl (meth)acrylate (also referred to as myristyl ((meth)acrylate)), pentadecyl (meth)acrylate, hexadecyl (meth)acrylate ((meth) Also referred to as palmityl acrylate), heptadecyl (meth)acrylate, octadecyl (meth)acrylate (also referred to as stearyl (meth)acrylate), nonadecyl (meth)acrylate, icosyl (meth)acrylate, and the like. have.

제1점착제층의 점착력이 향상하는 점에서, 상기 아크릴계 중합체는, 상기 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위를 가지는 것이 바람직하다. 그리고, 제1점착제층의 점착력이 보다 향상하는 점에서, 상기 알킬기의 탄소수는, 4 ~ 12인 것이 바람직하고, 4 ~ 8인 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 알킬기의 탄소수가 4 이상인 (메타)아크릴산 알킬 에스테르는, 아크릴산 알킬 에스테르인 것이 바람직하다.From the viewpoint of improving the adhesive strength of the first adhesive layer, the acrylic polymer preferably has a constitutional unit derived from a (meth)acrylic acid alkyl ester having 4 or more carbon atoms in the alkyl group. And, from the viewpoint of further improving the adhesive strength of the first adhesive layer, the alkyl group preferably has 4 to 12 carbon atoms, and more preferably 4 to 8 carbon atoms. In addition, it is preferable that the (meth)acrylic acid alkyl ester having 4 or more carbon atoms in the alkyl group is an acrylic acid alkyl ester.

상기 아크릴계 중합체는, (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 또한 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 가지는 것이 바람직하다.It is preferable that the said acrylic polymer has a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from (meth)acrylic acid alkyl ester.

상기 관능기 함유 모노머로는, 예를 들면, 상기 관능기가 후술하는 가교제와 반응하는 것으로 가교의 기점이 되거나 상기 관능기가 불포화기 함유 화합물 중의 불포화기와 반응함으로써 아크릴계 중합체의 측쇄에 불포화기를 도입할 수 있게 하는 것을 들 수 있다.As the functional group-containing monomer, for example, the functional group reacts with a crosslinking agent described later to become a starting point for crosslinking, or the functional group reacts with an unsaturated group in an unsaturated group-containing compound to allow the introduction of an unsaturated group into the side chain of the acrylic polymer Can be mentioned.

관능기 함유 모노머 중의 상기 관능기로는, 예를 들면, 수산기, 카르복시기, 아미노기, 에폭시기 등을 들 수 있다.Examples of the functional group in the functional group-containing monomer include a hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, and an epoxy group.

즉, 관능기 함유 모노머로는, 예를 들면, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머, 아미노기 함유 모노머, 에폭시기 함유 모노머 등을 들 수 있다.That is, as a functional group-containing monomer, a hydroxyl group-containing monomer, a carboxy group-containing monomer, an amino group-containing monomer, an epoxy group-containing monomer, etc. are mentioned, for example.

상기 수산기 함유 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산 히드록시 메틸, (메타)아크릴산 2－히드록시 에틸, (메타)아크릴산 2－히드록시 프로필, (메타)아크릴산 3－히드록시 프로필, (메타)아크릴산 2－히드록시 부틸, (메타)아크릴산 3－히드록시 부틸, (메타)아크릴산 4－히드록시 부틸 등의 (메타)아크릴산 히드록시알킬; 비닐 알코올, 알릴 알코올 등의 비(메타)아크릴계 불포화 알코올(즉, (메타)아크릴로일 골격을 가지지 않은 불포화 알코올) 등을 들 수 있다.Examples of the hydroxyl group-containing monomer include hydroxymethyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 3-hydroxypropyl (meth)acrylate, and ( Hydroxyalkyl (meth)acrylates such as 2-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-hydroxybutyl (meth)acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth)acrylate; Non-(meth)acrylic unsaturated alcohols such as vinyl alcohol and allyl alcohol (that is, unsaturated alcohols having no (meth)acryloyl skeleton), and the like.

상기 카르복시기 함유 모노머로는, 예를 들면, (메타)아크릴산, 크로톤산 등의 에틸렌성 불포화 모노카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 가지는 모노카르복실산); 푸말산, 이타콘산, 말레인산, 시트라콘산 등의 에틸렌성 불포화 디카르복실산(에틸렌성 불포화 결합을 가지는 디카르복실산); 상기 에틸렌성 불포화 디카르복실산의 무수물; 2－카르복시에틸메타크릴레이트 등의 (메타)아크릴산카르복시알킬에스테르 등을 들 수 있다.Examples of the carboxy group-containing monomer include ethylenically unsaturated monocarboxylic acids (monocarboxylic acids having ethylenically unsaturated bonds) such as (meth)acrylic acid and crotonic acid; Ethylenically unsaturated dicarboxylic acids (dicarboxylic acids having an ethylenically unsaturated bond) such as fumaric acid, itaconic acid, maleic acid, and citraconic acid; Anhydrides of the ethylenically unsaturated dicarboxylic acids; (Meth)acrylic acid carboxyalkyl esters, such as 2-carboxyethyl methacrylate, etc. are mentioned.

관능기 함유 모노머는, 수산기 함유 모노머, 카르복시기 함유 모노머가 바람직하고, 수산기 함유 모노머가 보다 바람직하다.As for the functional group-containing monomer, a hydroxyl group-containing monomer and a carboxy group-containing monomer are preferable, and a hydroxyl group-containing monomer is more preferable.

상기 아크릴계 중합체를 구성하는 관능기 함유 모노머는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The functional group-containing monomer constituting the acrylic polymer may be only one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

상기 아크릴계 중합체에서, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위의 함유량은, 구성 단위의 전량에 대해서, 1 ~ 35 질량%인 것이 바람직하고, 3 ~ 32 질량%인 것이 보다 바람직하고, 5 ~ 30 질량%인 것이 특히 바람직하다.In the acrylic polymer, the content of the structural unit derived from the functional group-containing monomer is preferably 1 to 35% by mass, more preferably 3 to 32% by mass, and 5 to 30% by mass with respect to the total amount of the structural unit. It is particularly preferred.

상기 아크릴계 중합체는, (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위, 및 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위 이외에, 다른 모노머 유래의 구성 단위를 더 가지고 있어도 좋다.In addition to the structural units derived from the (meth)acrylic acid alkyl ester and the structural units derived from the functional group-containing monomer, the acrylic polymer may further have a structural unit derived from another monomer.

상기 다른 모노머는, (메타)아크릴산 알킬 에스테르 등과 공중합할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다.The other monomer is not particularly limited as long as it can be copolymerized with an alkyl (meth)acrylate or the like.

상기 다른 모노머로는, 예를 들면, 스티렌,α－메틸 스티렌, 비닐 톨루엔, 포름산 비닐, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 아크릴아미드 등을 들 수 있다.Examples of the other monomers include styrene, α-methyl styrene, vinyl toluene, vinyl formate, vinyl acetate, acrylonitrile, and acrylamide.

상기 아크릴계 중합체를 구성하는 상기 다른 모노머는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The other monomers constituting the acrylic polymer may be only one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof may be arbitrarily selected.

상기 아크릴계 중합체는, 상술의 비에너지선 경화성의 점착성 수지(I－1a)로서 사용할 수 있다.The acrylic polymer can be used as the above-described non-energy ray-curable adhesive resin (I-1a).

한편, 상기 아크릴계 중합체 중의 관능기에, 에너지선 중합성 불포화기 (에너지선 중합성기)를 가지는 불포화기 함유 화합물을 반응시킨 것은, 상술의 에너지선 경화성의 점착성 수지(I－2a)로서 사용할 수 있다.On the other hand, what made an unsaturated group-containing compound which has an energy ray-polymerizable unsaturated group (energy ray-polymerizable group) react with the functional group in the said acrylic polymer can be used as the above-mentioned energy ray-curable adhesive resin (I-2a).

또한 본 발명에서, 「에너지선 중합성」이란, 에너지선을 조사함으로써 중합하는 성질을 의미한다.In addition, in the present invention, "energy ray polymerization" means a property of polymerization by irradiation with energy rays.

제1 점착제 조성물(I－1)이 함유하는 점착성 수지(I－1a)는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The adhesive resin (I-1a) contained in the first adhesive composition (I-1) may be one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－1)에서, 점착성 수지(I－1a)의 함유량은, 제1 점착제 조성물(I－1)의 총질량에 대해서, 5 ~ 99 질량%인 것이 바람직하고, 10 ~ 95 질량%인 것이 보다 바람직하고, 15 ~ 90 질량%인 것이 특히 바람직하다.In the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the content of the pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) is preferably 5 to 99 mass%, and 10 to 95 with respect to the total mass of the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1). It is more preferable that it is mass %, and it is especially preferable that it is 15 to 90 mass %.

(에너지선 경화성 화합물)(Energy ray-curable compound)

제1 점착제 조성물(I－1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 가져, 에너지선의 조사에 의해 경화할 수 있는 모노머 또는 올리고머를 들 수 있다.As the energy ray-curable compound contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1), a monomer or oligomer that has an energy ray-polymerizable unsaturated group and can be cured by irradiation with energy ray is exemplified.

에너지선 경화성 화합물 가운데, 모노머로는, 예를 들면, 트리메티롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 (메타)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리스리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 1, 4-부티렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 1, 6-헥산디올 (메타)아크릴레이트 등의 다가 (메타)아크릴레이트; 우레탄 (메타)아크릴레이트; 폴리에스테르 (메타)아크릴레이트; 폴리에테르 (메타)아크릴레이트; 에폭시 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있다.Among the energy ray-curable compounds, monomers include, for example, trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylic. Polyhydric (meth)acrylates such as rate, 1,4-butylene glycol di(meth)acrylate, and 1,6-hexanediol (meth)acrylate; Urethane (meth)acrylate; Polyester (meth)acrylate; Polyether (meth)acrylate; Epoxy (meth)acrylate, etc. are mentioned.

에너지선 경화성 화합물 가운데, 올리고머로는, 예를 들면, 상기에서 예시한 모노머가 중합한 올리고머 등을 들 수 있다.Among the energy ray-curable compounds, examples of the oligomer include oligomers obtained by polymerization of the monomers exemplified above.

에너지선 경화성 화합물은, 분자량이 비교적 크고, 제1점착제층의 저장 탄성률을 저하시키기 어렵다는 점에서는, 우레탄 (메타)아크릴레이트, 우레탄 (메타)아크릴레이트 올리고머가 바람직하다.The energy ray-curable compound is preferably a urethane (meth)acrylate and a urethane (meth)acrylate oligomer from the viewpoint that the molecular weight is relatively large and it is difficult to lower the storage modulus of the first adhesive layer.

본 명세서에서, 「올리고머」란, 중량 평균 분자량 또는 식량(式量)이 5,000 이하의 물질을 의미한다.In this specification, the "oligomer" means a substance having a weight average molecular weight or food of 5,000 or less.

제1 점착제 조성물(I－1)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 화합물은, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The energy ray-curable compounds contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－1)에서, 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량은, 제1 점착제 조성물(I－1)의 총질량에 대해서, 1 ~ 95 질량%인 것이 바람직하고, 5 ~ 90 질량%인 것이 보다 바람직하고, 10 ~ 85 질량%인 것이 특히 바람직하다.In the first adhesive composition (I-1), the content of the energy ray-curable compound is preferably 1 to 95 mass%, and 5 to 90 mass% with respect to the total mass of the first adhesive composition (I-1). It is more preferable that it is, and it is especially preferable that it is 10 to 85 mass %.

(가교제)(Crosslinking agent)

점착성 수지(I－1a)로서 (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위 이외에, 또한 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 가지는 상기 아크릴계 중합체를 이용하는 경우, 제1 점착제 조성물(I－1)은, 가교제를 더 함유하는 것이 바람직하다.In the case of using the acrylic polymer having a structural unit derived from a functional group-containing monomer in addition to the structural unit derived from the (meth)acrylate alkyl ester as the adhesive resin (I-1a), the first adhesive composition (I-1) contains a crosslinking agent. It is preferable to contain it further.

상기 가교제는, 예를 들면, 상기 관능기와 반응하여, 점착성 수지(I－1a)끼리 가교하는 것이다.The crosslinking agent reacts with the functional group and crosslinks the adhesive resins (I-1a).

가교제로는, 예를 들면, 톨릴렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 크실렌 디이소시아네이트, 이러한 디이소시아네이트의 어덕트체 등의 이소시아네이트계 가교제(이소시아네이트기를 가지는 가교제); N,N'－(시클로헥산-1, 3-디일비스메틸렌) 비스(디글리시딜아민), 에틸렌글리콜글리시딜에테르 등의 에폭시계 가교제(글리시딜기를 가지는 가교제); 헥사［1－(2－메틸)－아지리디닐］트리포스파트리아진 등의 아지리딘계 가교제(아지리디닐기를 가지는 가교제); 알루미늄 킬레이트 등의 금속 킬레이트계 가교제(금속 킬레이트 구조를 가지는 가교제); 이소시아누레이트계 가교제(이소시아눌산 골격을 가지는 가교제) 등을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent include isocyanate-based crosslinking agents (crosslinking agents having an isocyanate group) such as tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, xylene diisocyanate, and adducts of such diisocyanates; Epoxy crosslinking agents (crosslinking agents having a glycidyl group) such as N,N'-(cyclohexane-1, 3-diylbismethylene) bis(diglycidylamine) and ethylene glycol glycidyl ether; Aziridine-based crosslinking agents (crosslinking agents having an aziridinyl group) such as hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl] triphosphatriazine; Metal chelate-based crosslinking agents such as aluminum chelate (crosslinking agents having a metal chelate structure); Isocyanurate-based crosslinking agents (crosslinking agents having an isocyanuric acid skeleton), and the like.

점착제의 응집력을 향상시켜 제1점착제층의 점착력을 향상시키는 점, 및 입수가 용이하다는 등의 점에서, 가교제는 이소시아네이트계 가교제인 것이 바람직하다.It is preferable that the crosslinking agent is an isocyanate-based crosslinking agent from the viewpoint of improving the cohesiveness of the pressure-sensitive adhesive to improve the adhesive force of the first pressure-sensitive adhesive layer, and being easily available.

제1 점착제 조성물(I－1)이 함유하는 가교제는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The crosslinking agent contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－1)에서, 가교제의 함유량은, 점착성 수지(I－1a)의 함유량 100 질량부에 대해서, 0.01 ~ 50 질량부인 것이 바람직하고, 0.1 ~ 20 질량부인 것이 보다 바람직하고, 1 ~ 10 질량부인 것이 특히 바람직하다.In the first adhesive composition (I-1), the content of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 20 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-1a), It is particularly preferably 1 to 10 parts by mass.

(광중합개시제)(Photopolymerization initiator)

제1 점착제 조성물(I－1)은, 광중합개시제를 더 함유하고 있어도 좋다. 광중합개시제를 함유하는 제1 점착제 조성물(I－1)은, 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행한다.The 1st adhesive composition (I-1) may further contain a photoinitiator. Even if the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) containing a photopolymerization initiator is irradiated with relatively low energy energy rays such as ultraviolet rays, the curing reaction sufficiently proceeds.

상기 광중합개시제로는, 예를 들면, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인 안식향산, 벤조인 안식향산메틸, 벤조인디메틸케탈 등의 벤조인 화합물; 아세토페논, 2－히드록시-2－메틸-1－페닐-프로판-1－온, 2,2－디메톡시-1,2-디페닐 에탄-1－온 등의 아세토페논 화합물; 비스(2, 4, 6－트리메틸 벤조일) 페닐 포스핀 옥시드, 2, 4, 6－트리메틸 벤조일 디페닐 포스핀 옥시드 등의 아실 포스핀 옥시드 화합물; 벤질 페닐 설피드, 테트라메틸 티우람 모노설피드 등의 설피드 화합물; 1－히드록시 시클로헥실페닐 케톤 등의α－케톨 화합물; , 아조비스 이소부티로니트릴 등의 아조 화합물; 티타노센 등의 티타노센 화합물; 티옥산톤 등의 티옥산톤 화합물; 퍼옥시드 화합물; 디아세틸 등의 디케톤 화합물; 벤질, 디벤질, 벤조페논, 2, 4－디에틸티옥산톤, 1,2-디페닐 메탄, 2－히드록시-2－메틸-1－［4－(1－메틸 비닐) 페닐］프로파논, 2－클로로안트라퀴논 등을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator include benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, benzoin dimethyl ketal, and the like. Benzoin compounds; Acetophenone compounds such as acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, and 2,2-dimethoxy-1,2-diphenyl ethan-1-one; Acyl phosphine oxide compounds such as bis(2, 4, 6-trimethyl benzoyl) phenyl phosphine oxide and 2, 4, 6-trimethyl benzoyl diphenyl phosphine oxide; Sulfide compounds such as benzyl phenyl sulfide and tetramethyl thiuram monosulfide; Α-ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone; And azo compounds such as azobis isobutyronitrile; Titanocene compounds such as titanocene; Thioxanthone compounds such as thioxanthone; Peroxide compounds; Diketone compounds such as diacetyl; Benzyl, dibenzyl, benzophenone, 2,4-diethylthioxanthone, 1,2-diphenyl methane, 2-hydroxy-2-methyl-1-[4-(1-methyl vinyl) phenyl] propanone And 2-chloroanthraquinone.

또한, 상기 광중합개시제로는, 예를 들면, 1－클로로안트라퀴논 등의 퀴논 화합물; 아민 등의 광증감제 등을 이용할 수도 있다.Further, examples of the photopolymerization initiator include quinone compounds such as 1-chloroanthraquinone; A photosensitizer such as amine can also be used.

제1 점착제 조성물(I－1)이 함유하는 광중합개시제는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The photopolymerization initiators contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－1)에서, 광중합개시제의 함유량은, 상기 에너지선 경화성 화합물의 함유량 100 질량부에 대해서, 0.01 ~ 20 질량부인 것이 바람직하고, 0.03 ~ 10 질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.05 ~ 5량부인 것이 특히 바람직하다.In the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the content of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.03 to 10 parts by mass, and more preferably 0.05 parts by mass, based on 100 parts by mass of the content of the energy ray-curable compound. It is particularly preferable that it is ~ 5 parts by weight.

(그 외의 첨가제)(Other additives)

제1 점착제 조성물(I－1)은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서, 상술의 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 외의 첨가제를 함유하고 있어도 좋다.The first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may contain other additives which do not correspond to any of the above-described components within a range not impairing the effects of the present invention.

상기 그 외의 첨가제로는, 예를 들면, 대전 방지제, 산화 방지제, 연화제(가소제), 충전제(필러), 방청제, 착색제(안료, 염료), 증감제, 점착 부여제, 반응 지연제, 가교 촉진제(촉매) 등의 공지의 첨가제를 들 수 있다.Examples of the above other additives include antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers (fillers), rust inhibitors, colorants (pigments, dyes), sensitizers, tackifiers, reaction retardants, and crosslinking accelerators ( Known additives such as catalyst).

또한 반응 지연제란, 예를 들면, 제1 점착제 조성물(I－1) 중에 혼입되어 있는 촉매의 작용에 의해서, 보존 중의 제1 점착제 조성물(I－1)에서, 목적으로 하지 않는 가교 반응이 진행하는 것을 억제하는 것이다. 반응 지연제로는, 예를 들면, 촉매에 대한 킬레이트에 의해서 킬레이트 착체를 형성하는 것을 들 수 있고 보다 구체적으로는, 1 분자 중에 카르보닐기 (－C(=O)－)를 2개 이상 가지는 것을 들 수 있다.In addition, the reaction retarder means, for example, by the action of a catalyst incorporated in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1), an untargeted crosslinking reaction proceeds in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) during storage. It is to suppress that. Examples of the reaction retarding agent include forming a chelate complex by chelate to a catalyst, and more specifically, one having two or more carbonyl groups (-C(=O)-) in one molecule. have.

제1 점착제 조성물(I－1)이 함유하는 그 외의 첨가제는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The other additives contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－1)에서, 그 외의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 좋다.In the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the content of other additives is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type.

(용매)(menstruum)

제1 점착제 조성물(I－1)은, 용매를 함유하고 있어도 좋다. 제1 점착제 조성물(I－1)은, 용매를 함유하고 있는 것으로, 도공 대상면에의 도공 적합성이 향상한다.The 1st adhesive composition (I-1) may contain a solvent. The 1st adhesive composition (I-1) contains a solvent, and the coating suitability to a coating target surface improves.

상기 용매는 유기용매인 것이 바람직하고, 상기 유기용매로는, 예를 들면, 메틸 에틸 케톤, 아세톤 등의 케톤; 아세트산에틸 등의 에스테르(카르복실산에스테르); 테트라히드로푸란, 디옥산 등의 에테르; 시클로헥산, n－헥산 등의 지방족 탄화수소; 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화수소; 1－프로판올, 2－프로판올 등의 알코올 등을 들 수 있다.The solvent is preferably an organic solvent. Examples of the organic solvent include ketones such as methyl ethyl ketone and acetone; Esters such as ethyl acetate (carboxylic acid ester); Ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; Aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane and n-hexane; Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene; Alcohol, such as 1-propanol and 2-propanol, etc. are mentioned.

상기 용매로는, 예를 들면, 점착성 수지(I－1a)의 제조시에 이용한 것을 점착성 수지(I－1a)로부터 제거하지 않고, 그대로 제1 점착제 조성물(I－1)에서 이용해도 좋고, 점착성 수지(I－1a)의 제조시에 이용한 것과 동일 또는 다른 종류의 용매를, 제1 점착제 조성물(I－1)의 제조시에 별도 첨가해도 좋다.As the solvent, for example, the one used in the production of the adhesive resin (I-1a) may be used as it is in the first adhesive composition (I-1) without removing it from the adhesive resin (I-1a). A solvent of the same or different type as that used in the production of the resin (I-1a) may be added separately at the time of production of the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).

제1 점착제 조성물(I－1)이 함유하는 용매는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The solvent contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－1)에서, 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 좋다.In the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1), the content of the solvent is not particularly limited and may be appropriately adjusted.

｛제1 점착제 조성물(I－2)｝｛The first adhesive composition (I-2)｝

제1 점착제 조성물(I－2)은, 상술과 같이, 비에너지선 경화성의 점착성 수지(I－1a)의 측쇄에 불포화기가 도입된 에너지선 경화성의 점착성 수지(I－2a)를 함유한다.The first adhesive composition (I-2) contains an energy ray-curable adhesive resin (I-2a) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy ray-curable adhesive resin (I-1a) as described above.

(점착성 수지(I－2a))(Adhesive resin (I-2a))

상기 점착성 수지(I－2a)는, 예를 들면, 점착성 수지(I－1a) 중의 관능기에, 에너지선 중합성 불포화기를 가지는 불포화기 함유 화합물을 반응시킴으로써 얻어진다.The adhesive resin (I-2a) is obtained, for example, by reacting a functional group in the adhesive resin (I-1a) with an unsaturated group-containing compound having an energy ray-polymerizable unsaturated group.

상기 불포화기 함유 화합물은, 상기 에너지선 중합성 불포화기 이외에, 점착성 수지(I－1a) 중의 관능기와 반응함으로써 점착성 수지(I－1a)와 결합할 수 있는 기를 더 가지는 화합물이다.The said unsaturated group-containing compound is a compound which further has a group which can bond with the adhesive resin (I-1a) by reacting with the functional group in the adhesive resin (I-1a) other than the said energy ray polymerizable unsaturated group.

상기 에너지선 중합성 불포화기로는, 예를 들면, (메타)아크릴로일기, 비닐기 (에테닐기라고도 한다.), 알릴기 (2－프로페닐기라고도 한다.) 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일기가 바람직하다.Examples of the energy ray-polymerizable unsaturated group include a (meth)acryloyl group, a vinyl group (also referred to as an ethenyl group), an allyl group (also referred to as a 2-propenyl group), and the like, and (meth) Acryloyl groups are preferred.

점착성 수지(I－1a) 중의 관능기와 결합할 수 있는 기로는, 예를 들면, 수산기 또는 아미노기와 결합할 수 있는 이소시아네이트기 및 글리시딜기, 및 카르복시기 또는 에폭시기와 결합할 수 있는 수산기 및 아미노기 등을 들 수 있다.As a group capable of bonding with a functional group in the adhesive resin (I-1a), for example, an isocyanate group and a glycidyl group capable of bonding with a hydroxyl group or an amino group, and a hydroxyl group and an amino group capable of bonding with a carboxy group or an epoxy group. Can be lifted.

상기 불포화기 함유 화합물로는, 예를 들면, (메타)아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트, (메타)아크릴로일 이소시아네이트, 글리시딜 (메타)아크릴레이트 등을 들 수 있고, (메타)아크릴로일옥시에틸 이소시아네이트가 바람직하고, 그 중에서도 2－메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트가 특히 바람직하다.Examples of the unsaturated group-containing compound include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, glycidyl (meth)acrylate, and the like, and (meth)acryloyl Oxyethyl isocyanate is preferred, and 2-methacryloyloxyethyl isocyanate is particularly preferred.

상기 이소시아네이트 화합물은, 점착성 수지(I－1a) 중의 수산기와 결합할 수 있고, 점착성 수지(I－1a) 중의 전체 수산기를 100 mol로 한 경우의, 상기 이소시아네이트 화합물의 사용량은, 10 ~ 150 mol이 바람직하고, 20 ~ 140 mol이 보다 바람직하고, 30 ~ 130 mol이 더 바람직하다.The isocyanate compound can be bonded to a hydroxyl group in the adhesive resin (I-1a), and when the total hydroxyl groups in the adhesive resin (I-1a) are 100 mol, the amount of the isocyanate compound used is 10 to 150 mol. It is preferable, and 20-140 mol is more preferable, and 30-130 mol is still more preferable.

제1 점착제 조성물(I－2)이 함유하는 점착성 수지(I－2a)는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The number of adhesive resins (I-2a) contained in the first adhesive composition (I-2) may be one type, or may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－2)에서, 점착성 수지(I－2a)의 함유량은, 제1 점착제 조성물(I－2)의 총질량에 대해서, 5 ~ 99 질량%인 것이 바람직하고, 10 ~ 95 질량%인 것이 보다 바람직하고, 10 ~ 90 질량%인 것이 특히 바람직하다.In the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2), the content of the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) is preferably 5 to 99 mass%, and 10 to 95 with respect to the total mass of the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2). It is more preferable that it is mass %, and it is especially preferable that it is 10 to 90 mass %.

(가교제)(Crosslinking agent)

점착성 수지(I－2a)로서 예를 들면, 점착성 수지(I－1a)에서의 것과 마찬가지의, 관능기 함유 모노머 유래의 구성 단위를 가지는 상기 아크릴계 중합체를 이용하는 경우, 제1 점착제 조성물(I－2)은, 가교제를 더 함유하고 있어도 좋다.When using the acrylic polymer having a structural unit derived from a functional group-containing monomer similar to that in the adhesive resin (I-1a), for example, as the adhesive resin (I-2a), the first adhesive composition (I-2) You may further contain silver and a crosslinking agent.

제1 점착제 조성물(I－2)에서의 상기 가교제로는, 제1 점착제 조성물(I－1)에서의 가교제와 같은 것을 들 수 있다.Examples of the crosslinking agent in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) include the same as the crosslinking agent in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).

제1 점착제 조성물(I－2)이 함유하는 가교제는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The crosslinking agent contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－2)에서, 가교제의 함유량은, 점착성 수지(I－2a)의 함유량 100 질량부에 대해서, 0.01 ~ 50 질량부인 것이 바람직하고, 0.1 ~ 20 질량부인 것이 보다 바람직하고, 1 ~ 10 질량부인 것이 특히 바람직하다.In the first adhesive composition (I-2), the content of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 50 parts by mass, more preferably 0.1 to 20 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-2a), It is particularly preferably 1 to 10 parts by mass.

(광중합개시제)(Photopolymerization initiator)

제1 점착제 조성물(I－2)은, 광중합개시제를 더 함유하고 있어도 좋다. 광중합개시제를 함유하는 제1 점착제 조성물(I－2)은, 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행한다.The 1st adhesive composition (I-2) may further contain a photoinitiator. Even if the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) containing a photopolymerization initiator is irradiated with relatively low energy energy rays such as ultraviolet rays, the curing reaction sufficiently proceeds.

제1 점착제 조성물(I－2)에서의 상기 광중합개시제로는, 제1 점착제 조성물(I－1)에서의 광중합개시제와 같은 것을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) include the same as those of the photopolymerization initiator in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).

제1 점착제 조성물(I－2)이 함유하는 광중합개시제는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The photopolymerization initiators contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－2)에서, 광중합개시제의 함유량은, 점착성 수지(I－2a)의 함유량 100 질량부에 대해서, 0.01 ~ 20 질량부인 것이 바람직하고, 0.03 ~ 10 질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.05 ~ 5 질량부인 것이 특히 바람직하다.In the first adhesive composition (I-2), the content of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.03 to 10 parts by mass, based on 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-2a). , It is particularly preferably 0.05 to 5 parts by mass.

(그 외의 첨가제)(Other additives)

제1 점착제 조성물(I－2)은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서, 상술의 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 외의 첨가제를 함유하고 있어도 좋다.The first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may contain other additives which do not correspond to any of the above-described components within a range not impairing the effects of the present invention.

제1 점착제 조성물(I－2)에서의 상기 그 외의 첨가제로는, 제1 점착제 조성물(I－1)에서의 그 외의 첨가제와 같은 것을 들 수 있다.Examples of the other additives described above in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) include the same additives as other additives in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).

제1 점착제 조성물(I－2)이 함유하는 그 외의 첨가제는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The other additives contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－2)에서, 그 외의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 좋다.In the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2), the content of other additives is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type.

(용매)(menstruum)

제1 점착제 조성물(I－2)은, 제1 점착제 조성물(I－1)의 경우와 마찬가지의 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 좋다.The first adhesive composition (I-2) may contain a solvent for the same purpose as in the case of the first adhesive composition (I-1).

제1 점착제 조성물(I－2)에서의 상기 용매로는, 제1 점착제 조성물(I－1)에서의 용매와 같은 것을 들 수 있다.Examples of the solvent in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) include the same solvent as the solvent in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).

제1 점착제 조성물(I－2)이 함유하는 용매는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The solvent contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－2)에서, 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 좋다.In the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2), the content of the solvent is not particularly limited and may be appropriately adjusted.

｛제1 점착제 조성물(I－3)｝｛The first adhesive composition (I-3)｝

제1 점착제 조성물(I－3)은, 상술과 같이, 상기 점착성 수지(I－2a)와 에너지선 경화성 저분자 화합물을 함유한다.The 1st adhesive composition (I-3) contains the said adhesive resin (I-2a) and an energy ray-curable low molecular weight compound as mentioned above.

제1 점착제 조성물(I－3)에서, 점착성 수지(I－2a)의 함유량은, 제1 점착제 조성물(I－3)의 총질량에 대해서, 5 ~ 99 질량%인 것이 바람직하고, 10 ~ 95 질량%인 것이 보다 바람직하고, 15 ~ 90 질량%인 것이 특히 바람직하다.In the first adhesive composition (I-3), the content of the adhesive resin (I-2a) is preferably 5 to 99% by mass, and 10 to 95, with respect to the total mass of the first adhesive composition (I-3). It is more preferable that it is mass %, and it is especially preferable that it is 15 to 90 mass %.

(에너지선 경화성 저분자 화합물)(Energy ray-curable low molecular weight compound)

제1 점착제 조성물(I－3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 저분자 화합물로는, 에너지선 중합성 불포화기를 가져, 에너지선의 조사에 의해 경화할 수 있는 모노머 및 올리고머를 들 수 있고, 제1 점착제 조성물(I－1)이 함유하는 에너지선 경화성 화합물과 같은 것을 들 수 있다.Examples of the energy ray-curable low-molecular compound contained in the first adhesive composition (I-3) include monomers and oligomers that have an energy ray-polymerizable unsaturated group and can be cured by irradiation with energy rays, and the first adhesive composition The same thing as the energy ray-curable compound contained in (I-1) is mentioned.

제1 점착제 조성물(I－3)이 함유하는 상기 에너지선 경화성 저분자 화합물은, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The energy ray-curable low-molecular compounds contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－3)에서, 상기 에너지선 경화성 저분자 화합물의 함유량은, 점착성 수지(I－2a)의 함유량 100 질량부에 대해서, 0.01 ~ 300 질량부인 것이 바람직하고, 0.03 ~ 200 질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.05 ~ 100 질량부인 것이 특히 바람직하다.In the first adhesive composition (I-3), the content of the energy ray-curable low-molecular compound is preferably 0.01 to 300 parts by mass, and 0.03 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-2a). It is more preferable and it is especially preferable that it is 0.05-100 mass parts.

(광중합개시제)(Photopolymerization initiator)

제1 점착제 조성물(I－3)은, 광중합개시제를 더 함유하고 있어도 좋다. 광중합개시제를 함유하는 제1 점착제 조성물(I－3)은, 자외선 등의 비교적 저에너지의 에너지선을 조사해도, 충분히 경화 반응이 진행한다.The 1st adhesive composition (I-3) may further contain a photoinitiator. Even if the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) containing a photopolymerization initiator is irradiated with relatively low energy energy rays such as ultraviolet rays, the curing reaction sufficiently proceeds.

제1 점착제 조성물(I－3)에서의 상기 광중합개시제로는, 제1 점착제 조성물(I－1)에서의 광중합개시제와 같은 것을 들 수 있다.Examples of the photopolymerization initiator in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) include the same as those of the photopolymerization initiator in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).

제1 점착제 조성물(I－3)이 함유하는 광중합개시제는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The photopolymerization initiators contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－3)에서, 광중합개시제의 함유량은, 점착성 수지(I－2a) 및 상기 에너지선 경화성 저분자 화합물의 총함유량 100 질량부에 대해서, 0.01 ~ 20 질량부인 것이 바람직하고, 0.03 ~ 10 질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.05 ~ 5량부인 것이 특히 바람직하다.In the first adhesive composition (I-3), the content of the photopolymerization initiator is preferably 0.01 to 20 parts by mass, and 0.03 parts by mass based on 100 parts by mass of the total content of the adhesive resin (I-2a) and the energy ray-curable low molecular compound. It is more preferable that it is-10 mass parts, and it is especially preferable that it is 0.05-5 mass parts.

(그 외의 첨가제)(Other additives)

제1 점착제 조성물(I－3)은, 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 범위 내에서, 상술의 어느 성분에도 해당하지 않는, 그 외의 첨가제를 함유하고 있어도 좋다.The first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may contain other additives which do not correspond to any of the above-described components within a range not impairing the effects of the present invention.

상기 그 외의 첨가제로는, 제1 점착제 조성물(I－1)에서의 그 외의 첨가제와 같은 것을 들 수 있다.As said other additive, the same thing as other additives in 1st adhesive composition (I-1) is mentioned.

제1 점착제 조성물(I－3)이 함유하는 그 외의 첨가제는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The other additives contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－3)에서, 그 외의 첨가제의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 그 종류에 따라 적절히 선택하면 좋다.In the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3), the content of other additives is not particularly limited, and may be appropriately selected according to the type.

(용매)(menstruum)

제1 점착제 조성물(I－3)은, 제1 점착제 조성물(I－1)의 경우와 마찬가지의 목적으로, 용매를 함유하고 있어도 좋다.The first adhesive composition (I-3) may contain a solvent for the same purpose as in the case of the first adhesive composition (I-1).

제1 점착제 조성물(I－3)에서의 상기 용매로는, 제1 점착제 조성물(I－1)에서의 용매와 같은 것을 들 수 있다.Examples of the solvent in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) include the same solvent as the solvent in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1).

제1 점착제 조성물(I－3)이 함유하는 용매는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The solvent contained in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

제1 점착제 조성물(I－3)에서, 용매의 함유량은 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 좋다.In the first pressure-sensitive adhesive composition (I-3), the content of the solvent is not particularly limited and may be appropriately adjusted.

｛제1 점착제 조성물(I－1) ~ (I－3) 이외의 제1 점착제 조성물｝｛First adhesive compositions other than the first adhesive composition (I-1) to (I-3)｝

여기까지는, 제1 점착제 조성물(I－1), 제1 점착제 조성물(I－2) 및 제1 점착제 조성물(I－3)에 대해 주로 설명했지만, 이러한 함유 성분으로서 설명한 것은, 이들 3종의 제1 점착제 조성물 이외의 전반적인 제1 점착제 조성물(본 실시형태에서는, 「제1 점착제 조성물(I－1) ~ (I－3) 이외의 제1 점착제 조성물」이라고 칭한다)이어도, 마찬가지로 이용할 수 있다.Up to this point, the first adhesive composition (I-1), the first adhesive composition (I-2), and the first adhesive composition (I-3) have been mainly described. Even if it is an overall 1st adhesive composition other than 1 adhesive composition (in this embodiment, it is called "the 1st adhesive composition other than 1st adhesive composition (I-1)-(I-3)"), it can use similarly.

제1 점착제 조성물(I－1) ~ (I－3) 이외의 제1 점착제 조성물로는, 에너지선 경화성의 제1 점착제 조성물 이외에, 비에너지선 경화성의 제1 점착제 조성물도 들 수 있다.As the 1st adhesive composition other than 1st adhesive composition (I-1)-(I-3), in addition to an energy ray-curable 1st adhesive composition, the non-energy ray-curable 1st adhesive composition is also mentioned.

비에너지선 경화성의 제1 점착제 조성물로는, 예를 들면, 아크릴계 수지((메타)아크릴로일기를 가지는 수지), 우레탄계 수지(우레탄 결합을 가지는 수지), 고무계 수지(고무 구조를 가지는 수지), 실리콘계 수지(실록산 결합을 가지는 수지), 에폭시계 수지(에폭시기를 가지는 수지), 폴리비닐 에테르, 또는 폴리카보네이트 등의 점착성 수지를 함유하는 것을 들 수 있고, 아크릴계 수지를 함유하는 것이 바람직하다.Examples of the non-energy ray-curable first pressure-sensitive adhesive composition include acrylic resins (resins having (meth)acryloyl groups), urethane resins (resins having urethane bonds), rubber resins (resins having rubber structures), Examples include those containing adhesive resins such as silicone resins (resins having siloxane bonds), epoxy resins (resins having epoxy groups), polyvinyl ethers, or polycarbonates, and those containing acrylic resins are preferred.

제1 점착제 조성물(I－1) ~ (I－3) 이외의 제1 점착제 조성물은, 1종 또는 2종 이상의 가교제를 함유하는 것이 바람직하고, 그 함유량은, 상술의 제1 점착제 조성물(I－1) 등의 경우와 마찬가지로 할 수 있다.It is preferable that the 1st adhesive composition other than 1st adhesive composition (I-1)-(I-3) contains 1 type or 2 or more types of crosslinking agents, and the content is the above-mentioned 1st adhesive composition (I- It can be done in the same way as in 1).

＜제1 점착제 조성물의 제조 방법＞<The manufacturing method of the 1st adhesive composition>

제1 점착제 조성물(I－1) ~ (I－3) 등의 상기 제1 점착제 조성물은, 상기 점착제와, 필요에 따라서 상기 점착제 이외의 성분 등의, 제1 점착제 조성물을 구성하기 위한 각 성분을 배합함으로써 얻어진다.The first pressure-sensitive adhesive composition, such as the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) to (I-3), contains the pressure-sensitive adhesive and, if necessary, each component for constituting the first pressure-sensitive adhesive composition, such as components other than the pressure-sensitive adhesive. It is obtained by blending.

각 성분의 배합 시에, 첨가 순서는 특별히 한정되지 않고, 2종 이상의 성분을 동시에 첨가해도 좋다.At the time of blending each component, the order of addition is not particularly limited, and two or more components may be added at the same time.

용매를 이용하는 경우에는, 용매를 용매 이외의 몇개의 배합 성분과 혼합해 이 배합 성분을 미리 희석해 이용해도 좋고, 용매 이외의 몇개의 배합 성분을 미리 희석하지 않고, 용매를 이들 배합 성분과 혼합하는 것으로 이용해도 좋다.In the case of using a solvent, the solvent may be mixed with some of the compounded components other than the solvent, and the compounded component may be diluted beforehand, and the solvent is mixed with these compounded components without pre-diluting some of the compounded components other than the solvent. It can also be used.

배합시에 각 성분을 혼합하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 교반자 또는 교반 날개 등을 회전시켜 혼합하는 방법; 믹서를 이용하여 혼합하는 방법; 초음파를 가해 혼합하는 방법 등, 공지의 방법으로부터 적절히 선택하면 좋다.The method of mixing each component at the time of mixing is not particularly limited, and the method of mixing by rotating a stirrer or a stirring blade, etc. Mixing using a mixer; What is necessary is just to select suitably from known methods, such as a method of applying ultrasonic waves and mixing.

각 성분의 첨가 및 혼합시의 온도 및 시간은, 각 배합 성분이 열화하지 않는 한 특별히 한정되지 않고, 적절히 조절하면 좋지만, 온도는 15 ~ 30℃인 것이 바람직하다.The temperature and time at the time of addition and mixing of each component are not particularly limited as long as each compounding component does not deteriorate, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30°C.

｛제1점착제층의 조성｝｛Composition of the first adhesive layer｝

본 실시형태에서의, 제1점착제층의 조성은, 상술의 제1점착제층 조성물로부터 용매를 제외한 것이다.In this embodiment, the composition of the first adhesive layer is obtained by excluding the solvent from the first adhesive layer composition described above.

제1점착제층 조성물이, 상기 제1 점착제 조성물(I－1)인 경우의 제1점착제층(I－1)에서, 제1점착제층(I－1)의 총질량에 대한 점착성 수지(I－1a)의 함유 비율은, 50 ~ 99 질량%인 것이 바람직하고, 55 ~ 95 질량%인 것이 보다 바람직하고, 60 ~ 90 질량%인 것이 더 바람직하다. 또한, 본 발명의 다른 측면으로는, 제1점착제층(I－1)의 총질량에 대한 점착성 수지(I－1a)의 함유 비율은, 25 ~ 80 질량%이어도 좋고, 30 ~ 75 질량%이어도 좋고, 35 ~ 70 질량%이어도 좋다. 또한, 제1점착제층(I－1)의 총질량에 대한 에너지선 경화성 화합물의 함유 비율은, 1 ~ 50 질량%인 것이 바람직하고, 2 ~ 48 질량%인 것이 보다 바람직하고, 5 ~ 45 질량%인 것이 더 바람직하다. 제1점착제층(I－1)이 가교제를 함유하는 경우, 제1점착제층(I－1)의 총질량에 대한 가교제의 함유 비율은 0.1 ~ 10 질량%인 것이 바람직하고, 0.2 ~ 9 질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ~ 8 질량%인 것이 더 바람직하다.In the case where the first adhesive layer composition is the first adhesive composition (I-1), in the first adhesive layer (I-1), the adhesive resin (I-) with respect to the total mass of the first adhesive layer (I-1) The content ratio of 1a) is preferably 50 to 99% by mass, more preferably 55 to 95% by mass, and still more preferably 60 to 90% by mass. Further, in another aspect of the present invention, the content ratio of the adhesive resin (I-1a) to the total mass of the first adhesive layer (I-1) may be 25 to 80 mass%, or 30 to 75 mass%. It is good, and 35 to 70 mass% may be sufficient. In addition, the content ratio of the energy ray-curable compound to the total mass of the first adhesive layer (I-1) is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 2 to 48% by mass, and 5 to 45% by mass. It is more preferable that it is %. When the first adhesive layer (I-1) contains a crosslinking agent, the content ratio of the crosslinking agent to the total mass of the first adhesive layer (I-1) is preferably 0.1 to 10% by mass, and 0.2 to 9% by mass. It is more preferable that it is, and it is more preferable that it is 0.3-8 mass %.

제1점착제층 조성물이, 상기 제1 점착제 조성물(I－2)인 경우의 제1점착제층(I－2)에서, 제1점착제층(I－2)의 총질량에 대한 점착성 수지(I－2a)의 함유 비율은, 50 ~ 99 질량%인 것이 바람직하고, 60 ~ 98 질량%인 것이 보다 바람직하고, 70 ~ 97 질량%인 것이 더 바람직하다. 제1점착제층(I－2)이 가교제를 함유하는 경우, 제1점착제층(I－2)의 총질량에 대한 가교제의 함유 비율은, 0.1 ~ 10 질량%인 것이 바람직하고, 0.2 ~ 9 질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ~ 8 질량%인 것이 더 바람직하다.In the case where the first adhesive layer composition is the first adhesive composition (I-2), in the first adhesive layer (I-2), the adhesive resin (I-) with respect to the total mass of the first adhesive layer (I-2) The content ratio of 2a) is preferably 50 to 99% by mass, more preferably 60 to 98% by mass, and still more preferably 70 to 97% by mass. When the first adhesive layer (I-2) contains a crosslinking agent, the content ratio of the crosslinking agent to the total mass of the first adhesive layer (I-2) is preferably 0.1 to 10 mass%, and 0.2 to 9 mass. It is more preferable that it is %, and it is more preferable that it is 0.3-8 mass %.

제1점착제층 조성물이, 상기 제1 점착제 조성물(I－3)인 경우의 제1점착제층(I－3)에서, 제1점착제층(I－3)의 총질량에 대한 점착성 수지(I－2a)의 함유 비율은, 50 ~ 99 질량%인 것이 바람직하고, 55 ~ 95 질량%인 것이 보다 바람직하고, 60 ~ 90 질량%인 것이 더 바람직하다. 또한, 제1점착제층(I－3)의 총질량에 대한 에너지선 경화성 저분자 화합물의 함유 비율은, 1 ~ 50 질량%인 것이 바람직하고, 2 ~ 48 질량%인 것이 보다 바람직하고, 5 ~ 45 질량%인 것이 더 바람직하다. 제1점착제층(I－3)이 가교제를 함유하는 경우, 제1점착제층(I－3)의 총질량에 대한 가교제의 함유 비율은 0.1 ~ 10 질량%인 것이 바람직하고, 0.2 ~ 9 질량%인 것이 보다 바람직하고, 0.3 ~ 8 질량%인 것이 더 바람직하다.In the case where the first adhesive layer composition is the first adhesive composition (I-3), in the first adhesive layer (I-3), the adhesive resin (I-) with respect to the total mass of the first adhesive layer (I-3) The content ratio of 2a) is preferably 50 to 99% by mass, more preferably 55 to 95% by mass, and still more preferably 60 to 90% by mass. In addition, the content ratio of the energy ray-curable low-molecular compound to the total mass of the first adhesive layer (I-3) is preferably 1 to 50% by mass, more preferably 2 to 48% by mass, and 5 to 45 It is more preferable that it is mass %. When the first adhesive layer (I-3) contains a crosslinking agent, the content ratio of the crosslinking agent to the total mass of the first adhesive layer (I-3) is preferably 0.1 to 10% by mass, and 0.2 to 9% by mass. It is more preferable that it is, and it is more preferable that it is 0.3-8 mass %.

본 실시형태에서는, 점착성 수지(1－2a), 및 가교제를 포함하는 제1점착제층(I－2)인 것이 바람직하다. 이 경우, 점착성 수지(1－2a)는, (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위, 수산기 함유 모노머 유래의 단위를 가지는 아크릴계 중합체에, 이소시아네이트기 및 에너지선 중합성 불포화기를 가지는 불포화기 함유 화합물을 반응시켜 얻어진 아크릴계 중합체인 것이 바람직하다. 가교제는, 제1 점착제 조성물(I－1)에서 예시한 화합물을 사용할 수 있고, 톨릴렌 디이소시아네이트를 사용하는 것이 특히 바람직하다.In this embodiment, it is preferable that it is a 1st adhesive agent layer (I-2) containing an adhesive resin (1-2a) and a crosslinking agent. In this case, the adhesive resin (1-2a) contains an unsaturated group-containing compound having an isocyanate group and an energy ray-polymerizable unsaturated group in an acrylic polymer having a structural unit derived from a (meth)acrylic acid alkyl ester and a unit derived from a hydroxyl group-containing monomer. It is preferable that it is an acrylic polymer obtained by reaction. As the crosslinking agent, the compound illustrated in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) can be used, and it is particularly preferable to use tolylene diisocyanate.

점착성 수지(1－2a)의 총질량에 대한 (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위의 함유 비율은, 50 ~ 99 질량%인 것이 바람직하고, 60 ~ 98 질량%인 것이 보다 바람직하고, 70 ~ 97 질량%인 것이 더 바람직하다. 점착성 수지(1－2a)의 총질량에 대한 수산기 함유 모노머 유래의 단위의 함유 비율은, 0.5 ~ 15 질량%인 것이 바람직하고, 1.0 ~ 10 질량%인 것이 보다 바람직하고, 2.0 ~ 10 질량%인 것이 더 바람직하다. 점착성 수지(1－2a)에서의 (메타)아크릴산 알킬 에스테르는, 알킬기의 탄소수가 1 ~ 12인 것이 바람직하고, 1 ~ 4인 것이 보다 바람직하다. 점착성 수지(1－2a)는, 2종 이상의 (메타)아크릴산 알킬 에스테르 유래의 구성 단위를 가지는 것이 바람직하고, (메타)아크릴산 메틸 및 (메타)아크릴산 n－부틸 유래의 구성 단위를 가지는 것이 보다 바람직하고, 메타크릴산 메틸 및 아크릴산 n－부틸 유래의 구성 단위를 가지는 것이 더 바람직하다. 점착성 수지(1－2a)에서의 수산기 함유 모노머로는, 전술의 제1 점착제 조성물(I－1)에서 예시되는 것을 사용할 수 있고, 아크릴산 2－히드록시 에틸을 사용하는 것이 특히 바람직하다. 이소시아네이트기 및 에너지선 중합성 불포화기를 가지는 불포화기 함유 화합물로는, 제1 점착제 조성물(I－2)에서 예시한 화합물을 사용할 수 있고, 2－메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트를 사용하는 것이 특히 바람직하다. 상기 수산기 함유 모노머로부터 유래하는 전체 수산기를 100 mol로 한 경우의, 상기 이소시아네이트기 및 에너지선 중합성 불포화기를 가지는 불포화기 함유 화합물의 사용량은, 20 ~ 80 mol이 바람직하고, 25 ~ 75 mol이 보다 바람직하고, 30 ~ 70 mol이 더 바람직하다.The content ratio of the structural unit derived from the (meth)acrylic acid alkyl ester relative to the total mass of the adhesive resin (1-2a) is preferably 50 to 99% by mass, more preferably 60 to 98% by mass, and 70 to It is more preferably 97% by mass. The content ratio of the unit derived from the hydroxyl group-containing monomer to the total mass of the adhesive resin (1-2a) is preferably 0.5 to 15% by mass, more preferably 1.0 to 10% by mass, and 2.0 to 10% by mass. It is more preferable. The (meth)acrylic acid alkyl ester in the adhesive resin (1-2a) preferably has 1 to 12 carbon atoms in the alkyl group, and more preferably 1 to 4 carbon atoms. It is preferable that the adhesive resin (1-2a) has structural units derived from two or more (meth)acrylate alkyl esters, and more preferably has structural units derived from methyl (meth)acrylate and n-butyl (meth)acrylate. And it is more preferable to have structural units derived from methyl methacrylate and n-butyl acrylate. As the hydroxyl group-containing monomer in the pressure-sensitive adhesive resin (1-2a), those exemplified in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-1) described above can be used, and it is particularly preferable to use 2-hydroxyethyl acrylate. As the unsaturated group-containing compound having an isocyanate group and an energy ray-polymerizable unsaturated group, the compound exemplified in the first pressure-sensitive adhesive composition (I-2) can be used, and it is particularly preferable to use 2-methacryloyloxyethyl isocyanate. Do. When the total hydroxyl groups derived from the hydroxyl group-containing monomer is 100 mol, the amount of the unsaturated group-containing compound having an isocyanate group and an energy ray-polymerizable unsaturated group is preferably 20 to 80 mol, and more preferably 25 to 75 mol. It is preferable, and 30 to 70 mol is more preferable.

◎기재◎ Description

기재는, 시트 형상 또는 필름 형상이고, 그 구성 재료로는, 예를 들면, 각종 수지를 들 수 있다.The substrate is in the shape of a sheet or a film, and examples of the material for constituting the substrate include various resins.

상기 수지로는, 예를 들면, 저밀도 폴리에틸렌(LDPE라고도 한다.), 직쇄 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE라고도 한다.), 고밀도 폴리에틸렌(HDPE라고도 한다.) 등의 폴리에틸렌; 폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리부타디엔, 폴리메틸펜텐, 노르보르넨 수지 등의 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀; 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA라고도 한다.), 에틸렌-(메타)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메타)아크릴산 에스테르 공중합체, 에틸렌-노르보르넨 공중합체 등의 에틸렌계 공중합체(즉, 모노머로서 에틸렌을 이용하여 얻어진 공중합체); 폴리염화비닐, 염화비닐 공중합체 등의 염화비닐계 수지(즉, 모노머로서 염화비닐을 이용하여 얻어진 수지); 폴리스티렌; 폴리시클로올레핀; 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET라고도 한다.), 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 이소프탈레이트, 폴리에틸렌-2, 6－나프탈렌디카르복실레이트, 모든 구성 단위가 방향족환식기를 가지는 전체 방향족 폴리에스테르 등의 폴리에스테르; 2종 이상의 상기 폴리에스테르의 공중합체; 폴리(메타)아크릴산 에스테르; 폴리우레탄; 폴리우레탄 아크릴레이트; 폴리이미드; 폴리아미드; 폴리카보네이트; 불소 수지; 폴리아세탈; 변성 폴리페닐렌옥시드; 폴리페닐렌설피드; 폴리설폰; 폴리에테르케톤 등을 들 수 있다. Examples of the resin include polyethylene such as low-density polyethylene (also referred to as LDPE), linear low-density polyethylene (also referred to as LLDPE), and high-density polyethylene (also referred to as HDPE); Polyolefins other than polyethylene such as polypropylene, polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, norbornene resin; Ethylene-based copolymers such as ethylene-vinyl acetate copolymer (also referred to as EVA), ethylene-(meth)acrylic acid copolymer, ethylene-(meth)acrylic acid ester copolymer, and ethylene-norbornene copolymer (that is, as a monomer) Copolymer obtained using ethylene); Vinyl chloride resins such as polyvinyl chloride and vinyl chloride copolymers (that is, resins obtained using vinyl chloride as a monomer); polystyrene; Polycycloolefin; Polyethylene terephthalate (also known as PET), polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, polyethylene isophthalate, polyethylene-2, 6-naphthalenedicarboxylate, all aromatic polyesters in which all constituent units have aromatic cyclic groups, etc. Polyester; A copolymer of two or more of the above polyesters; Poly(meth)acrylic acid ester; Polyurethane; Polyurethane acrylate; Polyimide; Polyamide; Polycarbonate; Fluororesin; Polyacetal; Modified polyphenylene oxide; Polyphenylene sulfide; Polysulfone; Polyether ketone, etc. are mentioned.

또한, 상기 수지로는, 예를 들면, 상기 폴리에스테르와 그 외의 수지의 혼합물 등의 폴리머 알로이도 들 수 있다. 상기 폴리에스테르와 그 외의 수지의 폴리머 알로이는, 폴리에스테르 이외의 수지의 양이 비교적 소량인 것이 바람직하다.Further, examples of the resin include polymer alloys such as a mixture of the polyester and other resins. It is preferable that the polymer alloy of the polyester and other resins has a relatively small amount of resin other than polyester.

또한, 상기 수지로는, 예를 들면, 여기까지에 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상이 가교한 가교 수지; 여기까지에 예시한 상기 수지의 1종 또는 2종 이상을 이용한 아이오노머 등의 변성 수지도 들 수 있다.Further, as the resin, for example, a crosslinked resin obtained by crosslinking one or two or more of the resins exemplified so far; Modified resins such as ionomers using one or two or more of the resins exemplified so far can also be mentioned.

또한 본 명세서에서, 「(메타)아크릴산」이란, 「아크릴산」및 「메타크릴산」의 양쪽 모두를 포함하는 개념으로 한다. (메타)아크릴산과 유사한 용어에 대해서도 마찬가지이고, 예를 들면, 「(메타)아크릴레이트」란, 「아크릴레이트」및 「메타크릴레이트」의 양쪽 모두를 포함하는 개념이고, 「(메타)아크릴로일기」란, 「아크릴로일기」및 「메타크릴로일기」의 양쪽 모두를 포함하는 개념이다.In addition, in this specification, "(meth)acrylic acid" shall be a concept including both "acrylic acid" and "methacrylic acid". The same applies to terms similar to (meth)acrylic acid, for example, "(meth)acrylate" is a concept including both "acrylate" and "methacrylate", and "(meth)acrylic "Diary" is a concept including both "acryloyl group" and "methacryloyl group".

기재를 구성하는 수지는, 1종만이어도 좋고, 2종 이상이어도 좋고, 2종 이상인 경우, 이들의 조합 및 비율은 임의로 선택할 수 있다.The number of resins constituting the substrate may be only one type, may be two or more types, and in the case of two or more types, combinations and ratios thereof can be arbitrarily selected.

기재는 1층(단층)만이어도 좋고, 2층 이상의 복수층이어도 좋고, 복수층인 경우, 이들 복수층은, 서로 동일하거나 달라도 좋고, 이들 복수층의 조합은 특별히 한정되지 않는다.The base material may be only one layer (single layer), may be a plurality of layers of two or more layers, and in the case of a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other, and the combination of the plurality of layers is not particularly limited.

기재의 두께는, 5 ~ 1000㎛인 것이 바람직하고, 10 ~ 500㎛인 것이 보다 바람직하고, 15 ~ 300㎛인 것이 더 바람직하고, 20 ~ 150㎛인 것이 특히 바람직하다.The thickness of the substrate is preferably 5 to 1000 µm, more preferably 10 to 500 µm, more preferably 15 to 300 µm, and particularly preferably 20 to 150 µm.

여기서, 「기재의 두께」란, 기재 전체의 두께를 의미하고, 예를 들면, 복수층으로 이루어지는 기재의 두께란, 기재를 구성하는 모든 층의 합계의 두께를 의미한다.Here, the "thickness of a base material" means the thickness of the entire base material, and, for example, the thickness of a base material comprising a plurality of layers means the total thickness of all layers constituting the base material.

기재는, 두께의 정밀도가 높은 것, 즉, 부위에 의존하지 않고 두께의 편차가 억제된 것이 바람직하다. 상술의 구성 재료 가운데, 이러한 두께의 정밀도가 높은 기재를 구성하는데 사용할 수 있는 재료로는, 예를 들면, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 이외의 폴리올레핀, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체(EVA) 등을 들 수 있다.It is preferable that the base material has high accuracy in thickness, that is, the variation in thickness is suppressed without depending on the portion. Among the above-described constituent materials, materials that can be used to construct a substrate with such a high precision of thickness include, for example, polyethylene, polyolefins other than polyethylene, polyethylene terephthalate, and ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA). I can.

기재는, 상기 수지 등의 주된 구성 재료 이외에, 충전재, 착색제, 대전 방지제, 산화 방지제, 유기 윤활제, 촉매, 연화제(가소제) 등의 공지의 각종 첨가제를 함유하고 있어도 좋다.The substrate may contain various known additives such as fillers, colorants, antistatic agents, antioxidants, organic lubricants, catalysts, softeners (plasticizers), in addition to the main constituent materials such as the resin.

기재는, 투명해도 좋고, 불투명해도 좋고, 목적에 따라 착색되어 있어도 좋고, 다른 층이 증착되어 있어도 좋다.The substrate may be transparent or opaque, may be colored depending on the purpose, or may be deposited with another layer.

상기 점탄성층이 에너지선 경화성인 경우, 기재는 에너지선을 투과시키는 것이 바람직하다.When the viscoelastic layer is energy ray-curable, it is preferable that the substrate transmits energy rays.

기재는, 공지의 방법으로 제조할 수 있다. 예를 들면, 수지를 함유하는 기재는, 상기 수지를 함유하는 수지 조성물을 성형함으로써 제조할 수 있다.The substrate can be produced by a known method. For example, the base material containing a resin can be manufactured by molding the resin composition containing the said resin.

◎박리 필름◎ Peeling film

상기 박리 필름은, 상기 분야에서 공지의 것이어도 좋다.The release film may be known in the above field.

바람직한 상기 박리 필름으로는, 예를 들면, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 수지제 필름의 적어도 한쪽의 표면이, 실리콘 처리 등에 의해서 박리 처리된 것; 필름의 적어도 한쪽의 표면이, 폴리올레핀으로 구성된 박리면이 되어 있는 것 등을 들 수 있다.As the preferable release film, for example, at least one surface of a resin film such as polyethylene terephthalate is subjected to a release treatment by silicone treatment or the like; At least one surface of the film is a peeling surface composed of polyolefin, and the like.

박리 필름의 두께는, 기재의 두께와 마찬가지인 것이 바람직하다.It is preferable that the thickness of the release film is the same as the thickness of the substrate.

◎제2점착제층◎Second adhesive layer

제2점착제층(즉, 첩합점착제층)은, 본 실시형태의 단자 보호용 테이프를 지지체에 첩합하기 위한 점착제층이다.The 2nd adhesive layer (that is, the adhesive bonding agent layer) is an adhesive layer for bonding the tape for terminal protection of this embodiment to a support body.

상기 제2점착제층은, 상기 분야에서 공지의 것이어도 좋고, 상술의 제1점착제층에서 설명한 것으로부터, 지지체에 맞추어 적절히 선택할 수 있다.The second adhesive layer may be known in the above field, or may be appropriately selected according to the support from the ones described in the above first adhesive layer.

제2점착제층을 형성하기 위한 제2 점착제 조성물은, 상기 제1 점착제 조성물과 마찬가지이고, 제2 점착제 조성물의 제조 방법도, 상기 제1 점착제 조성물의 제조 방법과 마찬가지이다.The second pressure-sensitive adhesive composition for forming the second pressure-sensitive adhesive layer is the same as the first pressure-sensitive adhesive composition, and the method for producing the second pressure-sensitive adhesive composition is also the same as the method for producing the first pressure-sensitive adhesive composition.

◇단자 보호용 테이프의 제조 방법◇Method of manufacturing tape for terminal protection

상기 단자 보호용 테이프는, 상술의 각 층을 대응하는 위치 관계가 되도록 순차 적층함으로써 제조할 수 있다. 각 층의 형성 방법은, 앞서 설명했던 바와 같다.The terminal protection tape can be manufactured by sequentially laminating each of the above-described layers so as to have a corresponding positional relationship. The method of forming each layer is as described above.

예를 들면, 박리 필름의 박리 처리면 상에, 상술의 매립층 형성용 조성물을 도공하고, 필요에 따라서 건조시킴으로써, 매립층을 적층한다. 다른 박리 필름의 박리 처리면 상에, 상술의 제1 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라서 건조시킴으로써, 제1점착제층을 적층한다. 박리 필름 상의 매립층을, 다른 박리 필름 상의 제1점착제층과 첩합함으로써, 박리 필름, 매립층, 제1점착제층 및 박리 필름이 이 순서로 적층된 단자 보호용 테이프를 얻는다. 박리 필름은, 단자 보호용 테이프의 사용 시에 제거하면 좋다.For example, a buried layer is laminated by coating the above-described composition for forming a buried layer on the peeling-treated surface of the peeling film and drying as necessary. On the peeling-treated surface of another peeling film, the 1st adhesive composition mentioned above is coated and dried as needed, and the 1st adhesive layer is laminated|stacked. By bonding the buried layer on the peeling film with the first adhesive layer on the other peeling film, a terminal protective tape in which the peeling film, the buried layer, the first adhesive layer and the peeling film are laminated in this order is obtained. The peeling film may be removed at the time of use of the terminal protection tape.

또한, 기재 상에 매립층 및 제1점착제층이 이 순서대로, 이들의 두께 방향으로 적층된 단자 보호용 테이프는, 이하에 나타내는 방법으로 제조할 수 있다.In addition, the terminal protection tape in which the buried layer and the first adhesive layer are laminated in this order in the thickness direction on the substrate can be produced by the method shown below.

예를 들면, 상술의, 박리 필름, 매립층, 제1점착제층 및 박리 필름이 이 순서로 적층된 단자 보호용 테이프의 매립층의 측의 박리 필름을 박리하고, 이것을 기재와 첩합함으로써, 기재 상에 매립층, 제1점착제층 및 박리 필름이 이 순서로 적층된 단자 보호용 테이프를 얻을 수 있다. 박리 필름은, 단자 보호용 테이프의 사용 시에 제거하면 좋다.For example, by peeling the release film on the side of the buried layer of the terminal protective tape in which the above-described release film, buried layer, first adhesive layer, and peeling film are laminated in this order, and bonding this to the substrate, the buried layer on the substrate, A terminal protective tape in which the first adhesive layer and the release film are laminated in this order can be obtained. The peeling film may be removed at the time of use of the terminal protection tape.

또한, 예를 들면, 기재에 대해서, 매립층 형성용 조성물을 압출 성형함으로써, 기재 상에 매립층을 적층한다. 박리 필름의 박리 처리면 상에, 상술의 제1 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라서 건조시킴으로써, 제1점착제층을 적층한다. 그리고, 이 박리 필름 상의 제1점착제층을 기재 상의 매립층과 첩합하는 것으로도, 기재 상에 매립층, 제1점착제층 및 박리 필름이 이 순서로 적층된 단자 보호용 테이프를 얻을 수 있다. 박리 필름은, 단자 보호용 테이프의 사용 시에 제거하면 좋다.Further, for example, a buried layer is laminated on the substrate by extrusion molding the composition for forming a buried layer with respect to the substrate. On the peeling-treated surface of the peeling film, the first pressure-sensitive adhesive composition is applied and dried as necessary to laminate the first pressure-sensitive adhesive layer. And also by bonding the 1st adhesive layer on this release film with the buried layer on a base material, the buried layer, the 1st adhesive layer, and the peeling film on the base material can be laminated|stacked in this order, and the tape for terminal protection can be obtained. The peeling film may be removed at the time of use of the terminal protection tape.

또한, 제2점착제층, 기재, 매립층 및 제1점착제층이 이 순서대로, 이들의 두께 방향으로 적층된 양면 테이프의 형태의 단자 보호용 테이프는, 이하에 나타내는 방법으로 제조할 수 있다.In addition, a terminal protection tape in the form of a double-sided tape in which the second adhesive layer, the substrate, the buried layer, and the first adhesive layer are stacked in this order in the thickness direction thereof can be produced by the method shown below.

예를 들면, 상술의, 기재 상에 매립층, 제1점착제층 및 박리 필름이 이 순서로 적층된 단자 보호용 테이프를 준비한다. 다른 박리 필름의 박리 처리면 상에, 상술의 제2 점착제 조성물을 도공하고, 필요에 따라서 건조시킴으로써, 제2점착제층을 적층한다. 그리고, 이 박리 필름 상의 제2점착제층을 상기 단자 보호용 테이프의 기재와 첩합함으로써, 박리 필름, 제2점착제층, 기재, 매립층, 제1점착제층 및 박리 필름이 이 순서로 적층된 단자 보호용 테이프를 얻을 수 있다. 박리 필름은, 단자 보호용 테이프의 사용 시에 제거하면 좋다.For example, a terminal protection tape in which a buried layer, a first adhesive layer, and a release film are laminated on a base material in this order described above is prepared. On the peeling-treated surface of another peeling film, the 2nd adhesive composition mentioned above is coated and dried as needed, and the 2nd adhesive layer is laminated|stacked. And, by bonding the second adhesive layer on the release film with the base material of the terminal protection tape, a release film, a second adhesive layer, a substrate, a buried layer, a first adhesive layer, and a release film are laminated in this order to obtain a terminal protection tape. You can get it. The peeling film may be removed at the time of use of the terminal protection tape.

상술의 각 층 이외의 다른 층을 구비한 단자 보호용 테이프는, 상술의 제조 방법에서, 상기 다른 층의 적층 위치가 적절한 위치가 되도록, 상기 다른 층의 형성 공정 및 적층 공정의 어느 하나 또는 양쪽 모두를 적절히 추가해 행함으로써 제조할 수 있다.In the above-described manufacturing method, the terminal protective tape having a layer other than each of the above-described layers may perform any one or both of the other layer forming step and the stacking step so that the stacking position of the other layer is an appropriate position. It can be manufactured by adding appropriately.

◇전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법◇Method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film

본 실시형태의 단자 보호용 테이프는, 예를 들면, 이하의 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법에 사용할 수 있다.The tape for terminal protection of the present embodiment can be used, for example, in a method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic wave shielding film described below.

도 5는, 본 실시형태의 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 점착제층(14), 매립층(13), 및 기재(11)를 이 순서로 가지는 단자 보호용 테이프(3)를, 도 4에 나타낸 바와 같이 지지체(30)에 고정해 행하는, 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법의, 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.FIG. 5 is a method for manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film according to the present embodiment, showing a tape 3 for terminal protection having an adhesive layer 14, a buried layer 13, and a substrate 11 in this order. It is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film, which is fixed to the support 30 as shown in FIG.

우선, 도 5(a), (b)에 나타내는 바와 같이, 단자 보호용 테이프의 점탄성층(12)에, 단자를 가지는 반도체 장치(65)를, 단자(91) 측, 즉 회로 기판(63)의 단자 형성면(63a)을 아래로 하여 누르고, 점탄성층(12)에 단자(91)를 매설시킨다.First, as shown in Figs. 5(a) and (b), a semiconductor device 65 having a terminal is placed on the viscoelastic layer 12 of the terminal protection tape, on the terminal 91 side, that is, on the circuit board 63. The terminal formation surface 63a is pressed down, and the terminal 91 is embedded in the viscoelastic layer 12.

이 때, 단자를 가지는 반도체 장치(65)의 단자(91)에 점탄성층(12)을 접촉시키고, 단자 보호용 테이프에 단자를 가지는 반도체 장치(65)를 꽉 누른다. 이로 인해, 점탄성층(12)의 점착제층(14) 측의 최표면을, 단자(91)의 표면 및 회로 기판(63)의 단자 형성면(63a)에, 순차 압착시킨다. 이 때, 점탄성층(12)을 가열함으로써, 점탄성층(12)은 연화해, 단자(91)를 덮도록 단자(91) 사이에 퍼지고, 단자 형성면(63a)에 밀착하는 동시에, 단자(91)의 표면, 특히 단자 형성면(63a)의 근방 부위의 표면을 덮어, 단자(91)를 매설시킨다.At this time, the viscoelastic layer 12 is brought into contact with the terminal 91 of the semiconductor device 65 having the terminal, and the semiconductor device 65 having the terminal is pressed against the terminal protection tape. For this reason, the outermost surface of the viscoelastic layer 12 on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 14 is sequentially press-bonded to the surface of the terminal 91 and the terminal formation surface 63a of the circuit board 63. At this time, by heating the viscoelastic layer 12, the viscoelastic layer 12 softens and spreads between the terminals 91 so as to cover the terminals 91, and at the same time in close contact with the terminal formation surface 63a, the terminal 91 ), in particular, the surface of a portion in the vicinity of the terminal formation surface 63a is covered, and the terminal 91 is buried.

단자 보호용 테이프에 단자를 가지는 반도체 장치(65)를 압착시키는 방법으로는, 각종 시트를 대상물에 압착시켜 첩부하는 공지의 방법을 적용할 수 있고, 예를 들면, 라미네이트 롤러나 진공 라미네이터를 이용하는 방법 등을 들 수 있다.As a method of crimping the semiconductor device 65 having terminals to the terminal protection tape, a known method in which various sheets are crimped to an object and affixed can be applied. For example, a method using a lamination roller or a vacuum laminator, etc. Can be mentioned.

단자를 가지는 반도체 장치(65)를, 단자 보호용 테이프에 압착시킬 때의 압력은, 특별히 한정되지 않지만, 0.1 ~ 1.5 MPa인 것이 바람직하고, 0.3 ~ 1.3 MPa인 것이 보다 바람직하다. 가열 온도는, 30 ~ 70℃이 바람직하고, 35 ~ 65℃가 보다 바람직하고, 40 ~ 60℃이 특히 바람직하다. 또한, 점탄성층(12)의 제1점착제층(14)을 단자 형성면(63a)에 첩합하는 것이 바람직하다.The pressure when the semiconductor device 65 having a terminal is pressed against the terminal protection tape is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 1.5 MPa, and more preferably 0.3 to 1.3 MPa. The heating temperature is preferably 30 to 70°C, more preferably 35 to 65°C, and particularly preferably 40 to 60°C. Further, it is preferable to bond the first adhesive layer 14 of the viscoelastic layer 12 to the terminal formation surface 63a.

단자를 가지는 반도체 장치(65)의 노출면에 도전성 수지(101)를 도포하고(도 5(c)), 또한, 열경화시킴으로써, 도전재료로 이루어지는 전자파 쉴드막(10)을 형성한다(도 5(d)). 도전재료로 피복해 전자파 쉴드막(10)을 형성하는 방법으로는, 스퍼터링, 이온 도금, 스프레이 코트 등의 방법을 이용할 수도 있다.An electromagnetic wave shielding film 10 made of a conductive material is formed by applying a conductive resin 101 to the exposed surface of the semiconductor device 65 having a terminal (Fig. 5(c)) and further thermally curing it (Fig. 5). (d)). As a method of forming the electromagnetic wave shielding film 10 by coating with a conductive material, methods such as sputtering, ion plating, and spray coating may also be used.

상기 단자 보호용 테이프는, 점탄성층(12)의 완화 탄성률 변동값 X2가 상기 식(2)으로 나타내는 소정의 값의 범위 내에 있으므로, 단자를 가지는 반도체 장치의 단자가 점탄성층(12)에 매설될 때에, 땜납 볼 등의 요철을 가져, 들뜸 발생이 쉬운 단자 전극이어도, 들뜸이 생기지 않고 매설할 수 있고, 회로 기판(63)의 단자 형성면(63a)을 점탄성층(12)에 밀착시킬 수 있다. 또한 단자가 매설된 채로 유지됨으로써, 단자 전극인 단자(91)와 전자파 쉴드막(10)이 전기적으로 쇼트하는 것을 방지할 수 있어 공정상 번잡한 마스킹부 등을 설치할 필요도 없다.In the terminal protection tape, since the relaxation modulus variation value X2 of the viscoelastic layer 12 is within the range of a predetermined value represented by the above equation (2), when the terminal of the semiconductor device having the terminal is embedded in the viscoelastic layer 12 Even if the terminal electrode has irregularities such as solder balls and is easily lifted, it can be embedded without being lifted, and the terminal formation surface 63a of the circuit board 63 can be brought into close contact with the viscoelastic layer 12. In addition, since the terminal is kept buried, it is possible to prevent the terminal 91 as the terminal electrode and the electromagnetic wave shielding film 10 from being electrically shorted, and thus there is no need to provide a complicated masking portion or the like in the process.

점탄성층(12)을 가지는 단자 보호용 테이프(3)로부터, 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치(66)를 픽업함으로써, 전자파 쉴드막(10)으로 피복된 단자를 가지는 반도체 장치(65)를 꺼낼 수 있다(도 5(e)).By picking up the semiconductor device 66 having the electromagnetic wave shielding film from the terminal protection tape 3 having the viscoelastic layer 12, the semiconductor device 65 having the terminal covered with the electromagnetic wave shielding film 10 can be taken out ( Fig. 5(e)).

도 5에 나타내는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법으로, 전자파 쉴드의 대상이 되는 단자를 가지는 반도체 장치(65)는, 개별적으로 제조된 단자를 가지는 반도체 장치(65)이어도 좋고, 다이싱법에 따라 개편화된 단자를 가지는 반도체 장치(65)이어도 좋다.In the method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film shown in Fig. 5, the semiconductor device 65 having a terminal as an object of the electromagnetic shielding may be a semiconductor device 65 having an individually manufactured terminal, or according to a dicing method. A semiconductor device 65 having individualized terminals may be used.

도 5에 나타내는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법에서는, 개편화되어 개개의 전자 부품(61, 62)이 봉지 수지(64)로 봉지된 단자를 가지는 반도체 장치(65)를, 단자 보호용 테이프(3)를 이용하여, 전자파 쉴드하는 방법을 나타냈지만, 다음과 같이, 개편화하기 전의 단자를 가지는 반도체 장치 집합체(6)로부터, 단자 보호용 테이프(2)를 이용하여, 단자를 가지는 반도체 장치(65)를 전자파 쉴드할 수도 있다.In the method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film shown in FIG. 5, a semiconductor device 65 having a terminal in which the individual electronic components 61 and 62 are sealed with an encapsulating resin 64 is provided with a terminal protection tape ( 3) was used to show a method of shielding electromagnetic waves, but as follows, from the semiconductor device assembly 6 having the terminals before being reorganized, the semiconductor device 65 having the terminals using the terminal protection tape 2 ) Can be shielded from electromagnetic waves.

도 6은, 본 실시형태의 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법으로서, 점착제층(14), 매립층(13), 및 기재(11)를 이 순서로 가지는 단자 보호용 테이프(2)를 이용하여, 단자를 가지는 반도체 장치(65)를 전자파 쉴드하는 방법의 다른 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.6 is a method for manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film of the present embodiment, using a terminal protective tape 2 having an adhesive layer 14, a buried layer 13, and a substrate 11 in this order, It is a cross-sectional view schematically showing another embodiment of the method of shielding the semiconductor device 65 having a terminal with electromagnetic waves.

우선, 도 6(a), (b)에 나타내는 바와 같이, 단자 보호용 테이프의 점탄성층(12)에, 회로 기판(63)에 의해서 연결된 단자를 가지는 반도체 장치 집합체(6)를, 단자(91) 측, 즉 회로 기판(63)의 단자 형성면(63a)을 아래로 하여 누르고, 상기 도면 5(a), (b)의 경우와 마찬가지로, 점탄성층(12)에 단자(91)를 매설시킨다.First, as shown in Figs. 6(a) and (b), a semiconductor device assembly 6 having terminals connected by a circuit board 63 to the viscoelastic layer 12 of a terminal protection tape is provided, and a terminal 91 The side, that is, the terminal formation surface 63a of the circuit board 63 is pressed down, and the terminal 91 is embedded in the viscoelastic layer 12 as in the case of Figs. 5A and 5B.

이 때, 단자를 가지는 반도체 장치 집합체(6)에 상측으로부터 압력을 가하면서, 상기 도면 5(a), (b) 경우와 마찬가지로, 단자 보호용 테이프의 점탄성층(12)에, 단자(91)를 매설시킨다.At this time, while applying pressure from the upper side to the semiconductor device assembly 6 having the terminal, the terminal 91 is attached to the viscoelastic layer 12 of the terminal protection tape as in the cases of Figs. 5(a) and (b) above. To be buried.

또한, 점탄성층(12)을 가열하면서 첩합함으로써, 점탄성층(12)을 연화시켜, 점탄성층(12)을 회로 기판(63)의 단자 형성면(63a)에 밀착시킬 수 있다. 단자를 가지는 반도체 장치 집합체(6)를, 단자 보호용 테이프에 압착시킬 때의 압력은, 특별히 한정되지 않지만, 0.1 ~ 1.5 MPa인 것이 바람직하고, 0.3 ~ 1.3 MPa인 것이 보다 바람직하다. 가열 온도는, 30 ~ 70℃이 바람직하고, 35 ~ 65℃가 보다 바람직하고, 40 ~ 60℃이 특히 바람직하다. 또한, 점탄성층(12)의 제1점착제층(14)을 단자 형성면(63a)에 첩합하는 것이 바람직하다.Further, by bonding the viscoelastic layer 12 while heating, the viscoelastic layer 12 is softened and the viscoelastic layer 12 can be brought into close contact with the terminal formation surface 63a of the circuit board 63. The pressure when the semiconductor device assembly 6 having terminals is pressed against the terminal protection tape is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 1.5 MPa, and more preferably 0.3 to 1.3 MPa. The heating temperature is preferably 30 to 70°C, more preferably 35 to 65°C, and particularly preferably 40 to 60°C. Further, it is preferable to bond the first adhesive layer 14 of the viscoelastic layer 12 to the terminal formation surface 63a.

이어서, 단자를 가지는 반도체 장치 집합체(6)를 다이싱하여, 단자를 가지는 반도체 장치(65)로 한다(도 6(c)). 전자파 쉴드막을 형성하는 공정에 이용되는 본 실시형태의 단자 보호용 테이프는, 단자를 가지는 반도체 장치 집합체(6)의 다이싱 테이프를 겸하게 된다. 그리고, 도 5에 나타내는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법에서, 전자파 쉴드의 대상이 되는 단자를 가지는 반도체 장치(65)가, 다이싱법에 따라 개편화된 단자를 가지는 반도체 장치(65)일 때는, 다이싱 테이프 상의 단자를 가지는 반도체 장치를 픽업하고, 단자 보호용 테이프에 붙여 바꾸는 작업(도 5(a))이 필요하게 된다. 한편, 도 6에 나타내는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법에서는, 다이싱 테이프 상의 단자를 가지는 반도체 장치(65)를 단자 보호용 테이프에 붙여 바꾸는 작업을 생략할 수 있다.Next, the semiconductor device assembly 6 having terminals is diced to obtain a semiconductor device 65 having terminals (Fig. 6(c)). The terminal protection tape of the present embodiment used in the step of forming the electromagnetic shielding film also serves as a dicing tape for the semiconductor device assembly 6 having terminals. And, in the method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film shown in FIG. 5, when the semiconductor device 65 having a terminal as an object of the electromagnetic shielding is a semiconductor device 65 having terminals divided according to the dicing method, , It is necessary to pick up a semiconductor device having a terminal on a dicing tape and attach it to the terminal protection tape (Fig. 5(a)). On the other hand, in the method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film shown in Fig. 6, the operation of attaching the semiconductor device 65 having a terminal on a dicing tape to the terminal protection tape can be omitted.

단자를 가지는 반도체 장치(65)의 노출면에 도전성 수지(101)를 도포한다(도 6(d)). 이 때, 단자를 가지는 반도체 장치 집합체(6)의 각 단자를 가지는 반도체 장치(65)의 경계 부분에서 도전성 수지(101)의 분리가 불충분한 경우에는, 확장 장치 등을 이용하여 단자 보호용 테이프를 연신해도 좋다. 개편화된 단자를 가지는 반도체 장치(65)의 각각의 측면에 도전성 수지(101)가 도포된 상태로, 개개의 단자를 가지는 반도체 장치(65)를 개편화할 수 있다. 또한, 개편화된 단자를 가지는 반도체 장치(65)의 천면 및 측면에 도포된 도전성 수지(101)를 가열해 경화시키고, 단자를 가지는 반도체 장치(65)의 노출면에, 도전재료로 이루어지는 전자파 쉴드막(10)을 형성시킨다(도 6(e)). 단자를 가지는 반도체 장치(65)(도 6(c))에 직접 도전재료를 스퍼터링하여, 전자파 쉴드막(10)을 형성시켜도 좋다(도 6(e)).A conductive resin 101 is applied to the exposed surface of the semiconductor device 65 having a terminal (Fig. 6(d)). At this time, when the separation of the conductive resin 101 is insufficient at the boundary of the semiconductor device 65 having each terminal of the semiconductor device assembly 6 having a terminal, a tape for protecting the terminal is stretched using an extension device or the like. You can do it. With the conductive resin 101 coated on each side surface of the semiconductor device 65 having the individualized terminals, the semiconductor device 65 having individual terminals can be divided. In addition, the conductive resin 101 applied to the top and side surfaces of the semiconductor device 65 having the reorganized terminal is heated and cured, and the exposed surface of the semiconductor device 65 having the terminal is provided with an electromagnetic shield made of a conductive material. A film 10 is formed (Fig. 6(e)). A conductive material may be directly sputtered on the semiconductor device 65 having a terminal (Fig. 6(c)) to form the electromagnetic wave shielding film 10 (Fig. 6(e)).

점탄성층(12)의 완화 탄성률 변동값 X2가 상기 식(2)으로 나타내는 소정의 값의 범위 내에 있으므로, 단자를 가지는 반도체 장치 집합체(6)의 단자를 점탄성층(12)에 매설할 때에, 땜납 볼 등의 들뜸 발생이 쉬운 단자 전극이어도, 들뜸이 생기지 않고 매설할 수 있어, 회로 기판(63)의 단자 형성면(63a)을 점탄성층(12)에 밀착시킬 수 있다. 결과적으로, 단자 전극인 단자(91)와 전자파 쉴드막(10)이 전기적으로 쇼트하는 것을 방지할 수 있어 공정상 번잡한 마스킹부 등을 설치할 필요도 없다.Since the fluctuation value X2 of the relaxation modulus of the viscoelastic layer 12 is within the range of the predetermined value represented by the above formula (2), when the terminals of the semiconductor device assembly 6 having the terminals are embedded in the viscoelastic layer 12, solder Even if a terminal electrode such as a ball is easily lifted, it can be embedded without being lifted, and the terminal formation surface 63a of the circuit board 63 can be brought into close contact with the viscoelastic layer 12. As a result, it is possible to prevent the terminal 91, which is the terminal electrode, and the electromagnetic wave shielding film 10 from being electrically shorted, so that there is no need to provide a complicated masking portion or the like in the process.

점탄성층(12)을 가지는 단자 보호용 테이프로부터, 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치(66)를 픽업함으로써, 전자파 쉴드막(10)으로 피복된 단자를 가지는 반도체 장치(65)를 꺼낼 수 있다(도 6(f)).By picking up the semiconductor device 66 having the electromagnetic shielding film from the terminal protection tape having the viscoelastic layer 12, the semiconductor device 65 having the terminal covered with the electromagnetic shielding film 10 can be taken out (Fig. 6 ( f)).

본 실시형태의 단자 보호용 테이프에서, 단자(91)의 높이 h0는, 점탄성층(12)의 두께 d1보다도 낮은 것이 바람직하고, 1.2≤　d1/h0　≤5.0인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 50 ~ 300㎛인 것이 바람직하고, 60 ~ 270㎛인 것이 보다 바람직하고, 80 ~ 240㎛인 것이 특히 바람직하다. 단자(91)의 높이가 상기 하한치 이상인 것으로, 단자(91)의 기능을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 단자(91)의 높이가 상기 상한치 이하인 것으로, 단자(91) 상부에서의 점탄성층(12)의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.In the terminal protection tape of the present embodiment, the height h0 of the terminal 91 is preferably lower than the thickness d1 of the viscoelastic layer 12, and it is preferable that it is 1.2≤　d1/h0　≤5.0. Specifically, it is preferably 50 to 300 µm, more preferably 60 to 270 µm, and particularly preferably 80 to 240 µm. When the height of the terminal 91 is greater than or equal to the lower limit, the function of the terminal 91 can be further improved. In addition, since the height of the terminal 91 is less than or equal to the upper limit, the effect of suppressing the remaining of the viscoelastic layer 12 on the terminal 91 is increased.

또한 본 명세서에서, 「단자의 높이」란, 단자 가운데, 단자 형성면에서 가장 높은 위치에 존재하는 부위에서의 높이를 의미한다. 단자를 가지는 반도체 장치 집합체(6) 및 단자를 가지는 반도체 장치 반도체 장치(65)가 복수의 단자(91)를 가지는 경우, 단자(91)의 높이 h0는 이들의 평균으로 할 수 있다. 단자의 높이는 예를 들면, 비접촉형 3 차원 광간섭식 표면 조도계(일본 Veeco 사 제, 상품명：Wyko　NT1100)에 의해서 측정할 수 있다.In addition, in this specification, the "height of a terminal" means a height at a portion of the terminal that is located at the highest position on the terminal formation surface. When the semiconductor device assembly 6 having terminals and the semiconductor device semiconductor device 65 having terminals have a plurality of terminals 91, the height h0 of the terminals 91 can be the average of these. The height of the terminal can be measured by, for example, a non-contact type three-dimensional optical interference type surface roughness meter (manufactured by Veeco, Japan, brand name: Wyko 　 NT1100).

단자(91)의 폭은 특별히 한정되지 않지만, 170 ~ 350㎛인 것이 바람직하고, 200 ~ 320㎛인 것이 보다 바람직하고, 230 ~ 290㎛인 것이 특히 바람직하다. 단자(91)의 폭이 상기 하한치 이상인 것으로, 단자(91)의 기능을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 단자(91)의 높이가 상기 상한치 이하인 것으로, 단자(91) 상부에서의 점탄성층(12)의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The width of the terminal 91 is not particularly limited, but it is preferably 170 to 350 µm, more preferably 200 to 320 µm, and particularly preferably 230 to 290 µm. When the width of the terminal 91 is greater than or equal to the lower limit, the function of the terminal 91 can be further improved. In addition, since the height of the terminal 91 is less than or equal to the upper limit, the effect of suppressing the remaining of the viscoelastic layer 12 on the terminal 91 is increased.

또한 본 명세서에서, 「단자의 폭」이란, 단자 형성면에 대해서 수직인 방향으로 단자를 내려다 평면에서 볼 때에, 단자 표면 상의 다른 2점간을 직선으로 연결하여 얻어지는 선분의 최대치를 의미한다. 단자가 구형, 또는 반구형일 때는, 「단자의 폭」이란, 단자를 내려다 평면에서 볼 때의 그 단자의 최대 직경(단자경)을 말한다.In addition, in this specification, "the width of a terminal" means the maximum value of a line segment obtained by connecting the other two points on the terminal surface in a straight line when viewing the terminal in a direction perpendicular to the terminal formation surface in a plan view. When the terminal is spherical or hemispherical, "the width of the terminal" refers to the maximum diameter (terminal diameter) of the terminal when viewed in a plan view overlooking the terminal.

서로 이웃하는 단자(91) 간의 거리(즉, 단자간 피치)는, 특별히 한정되지 않지만, 250 ~ 800㎛인 것이 바람직하고, 300 ~ 600㎛인 것이 보다 바람직하고, 350 ~ 500㎛인 것이 특히 바람직하다. 상기 거리가 상기 하한치 이상인 것으로, 단자(91)의 매립성을 보다 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 거리가 상기 상한치 이하인 것으로, 단자(91) 상부에서의 점탄성층(12)의 잔존을 억제하는 효과가 보다 높아진다.The distance between adjacent terminals 91 (that is, the pitch between terminals) is not particularly limited, but is preferably 250 to 800 µm, more preferably 300 to 600 µm, and particularly preferably 350 to 500 µm. Do. When the distance is greater than or equal to the lower limit, the embedding property of the terminal 91 can be further improved. In addition, as the distance is less than the upper limit, the effect of suppressing the remaining of the viscoelastic layer 12 on the terminal 91 becomes higher.

또한 본 명세서에서, 「서로 이웃하는 단자간의 거리」란, 서로 이웃하는 단자끼리의 표면 간의 거리의 최소치를 의미한다.In addition, in this specification, the "distance between mutually adjacent terminals" means the minimum value of the distance between the surfaces of the mutually adjacent terminals.

실시예Example

이하, 구체적 실시예에 의해, 본 발명에 대해 보다 상세하게 설명한다. 다만, 본 발명은, 이하에 나타내는 실시예에, 아무런 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by specific examples. However, the present invention is not limited at all to the examples shown below.

＜모노머＞<Monomer>

약기하고 있는 모노머의 정식명칭을, 이하에 나타낸다.The official names of the abbreviated monomers are shown below.

HEA：아크릴산 2－히드록시 에틸HEA: 2-hydroxyethyl acrylic acid

BA：아크릴산 n－부틸BA: n-butyl acrylate

MMA：메타크릴산 메틸MMA: methyl methacrylate

AAc：아크릴산AAc: Acrylic acid

(첩합점착제층 형성용 조성물 A의 제조)(Preparation of composition A for forming a bonding adhesive layer)

BA 91 질량부 및 AAc 9 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체(중량 평균 분자량(Mw) 400,000) 33.6 질량부와, 용매로서 에틸 메틸 케톤 66.4 질량부와, 가교제로서 다가 에폭시 화합물(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제, 제품명 「TETRAD－C」, 농도 5%의 N,N'－(시클로헥산-1, 3-디일비스메틸렌) 비스(디글리시딜아민)) 0.2 질량부를 첨가하고, 30분간 교반을 행해 첩합점착제층 형성용 조성물 A를 조제하였다.33.6 parts by mass of an acrylic copolymer (weight average molecular weight (Mw) 400,000) consisting of 91 parts by mass of BA and 9 parts by mass of AAc, 66.4 parts by mass of ethyl methyl ketone as a solvent, and a polyvalent epoxy compound (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. Second, product name "TETRAD-C", N,N'-(cyclohexane-1, 3-diylbismethylene) bis(diglycidylamine)) 0.2 parts by mass of 5% concentration was added, and stirred for 30 minutes. The composition A for forming a bonding adhesive layer was prepared.

(첩합점착제층 A의 제조)(Preparation of bonding adhesive layer A)

폴리에틸렌 테레프탈레이트제 필름의 한 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(LINTEC Corporation 제 「SP－PET381031」, 두께 38㎛)의 박리 처리면에, 상기 첩합점착제층 형성용 조성물 A를 도공하고, 100℃에서 1분간 가열 건조시킴으로써, 두께 20㎛의 첩합점착제층 A를 제조하였다.The above-mentioned composition A for forming a bonding adhesive layer was coated on the peeling surface of the peeling film ("SP-PET381031" manufactured by LINTEC Corporation, 38 μm in thickness) in which one side of the polyethylene terephthalate film was peeled off by silicone treatment, By heating and drying at 100° C. for 1 minute, a 20 μm-thick adhesive layer A was prepared.

(점착제층 형성용 조성물 B의 제조)(Preparation of composition B for forming an adhesive layer)

BA 74 질량부, MMA 20 질량부 및 HEA 6 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체에 대해서, 2－메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트(이하, 「MOI」라고 약기한다)(HEA에 대해서 약 50 몰%)를 부가한 수지의 용액(점착제 주제(主劑), 고형분 35 질량%)을 조제하였다. 이 점착제 주제 100 질량부에 대해서, 가교제로서 톨릴렌 디이소시아네이트(TOYOCHEM CO., LTD. 제, 제품명 「BHS－8515」, 고형분 농도：37.5%)를 0.5 질량부 첨가하고, 30분간 교반을 행해 점착제층 형성용 조성물 B를 조제하였다.With respect to the acrylic copolymer consisting of 74 parts by mass of BA, 20 parts by mass of MMA, and 6 parts by mass of HEA, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (hereinafter abbreviated as "MOI") (about 50 mol% with respect to HEA) was added. A solution of the added resin (adhesive main agent, solid content 35% by mass) was prepared. 0.5 parts by mass of tolylene diisocyanate (manufactured by TOYOCHEM CO., LTD., product name "BHS-8515", solid content concentration: 37.5%) was added as a crosslinking agent to 100 parts by mass of the main body of this pressure-sensitive adhesive, followed by stirring for 30 minutes. The composition B for layer formation was prepared.

(점착제층(14)의 제조)(Production of adhesive layer 14)

폴리에틸렌 테레프탈레이트제 필름의 한 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(LINTEC Corporation 제 「SP－PET381031」, 두께 38㎛)의 박리 처리면에, 상기 점착제층 형성용 조성물 B를 도공하고, 100℃에서 1분간 가열 건조시킴으로써, 두께 10㎛의 점착제층(14)을 제조하였다.One side of a polyethylene terephthalate film was coated with the adhesive layer-forming composition B on the peeling-treated side of a peeling film (“SP-PET381031” manufactured by Lintec Corporation, 38 μm in thickness) subjected to a peeling treatment by a silicone treatment, and 100 By heating and drying at °C for 1 minute, a pressure-sensitive adhesive layer 14 having a thickness of 10 μm was prepared.

(매립층 형성용 조성물 A의 제조)(Preparation of the composition A for forming a buried layer)

BA 91 질량부 및 AAc 9 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체(중량 평균 분자량(Mw) 400,000)의 용액(고형분 33.6 질량%) 100 질량부와, BA 62 질량부, MMA 10 질량부 및 HEA 28 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체에 2－메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트를 HEA 100mol%에 대해서 부가율이 80 mol%가 되도록 부가한 수지(평균 중량 분자량(Mw) 100,000)의 용액(고형분 45 질량%) 93.5 질량부와, 가교제로서 톨릴렌 디이소시아네이트(TOYOCHEM CO., LTD. 제, 제품명 「BHS－8515」, 고형분 농도：37.5%) 2.5 질량부, 다가 에폭시 화합물(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제, 제품명 「TETRAD－C」, 농도 5%의 N,N'－(시클로헥산-1, 3-디일비스메틸렌) 비스(디글리시딜아민)) 2.5 질량부를 첨가하고, 30분간 교반해 매립층 형성용 조성물 A를 조제하였다.100 parts by mass of a solution (solid content 33.6% by mass) of an acrylic copolymer (weight average molecular weight (Mw) 400,000) consisting of 91 parts by mass of BA and 9 parts by mass of AAc, and 62 parts by mass of BA, 10 parts by mass of MMA, and 28 parts by mass of HEA. 93.5 parts by mass of a solution (solid content 45% by mass) of a resin (average weight molecular weight (Mw) 100,000) in which 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was added to the acrylic copolymer so that the addition rate was 80 mol% with respect to 100 mol% of HEA, and , As a crosslinking agent, tolylene diisocyanate (manufactured by TOYOCHEM CO., LTD., product name "BHS-8515", solid content concentration: 37.5%) 2.5 parts by mass, polyvalent epoxy compound (manufactured by MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC., product name "TETRAD-" C”, 2.5 parts by mass of N,N'-(cyclohexane-1, 3-diylbismethylene) bis(diglycidylamine)) having a concentration of 5% was added and stirred for 30 minutes to prepare a composition A for forming a buried layer. I did.

(매립층 형성용 조성물 B의 제조)(Preparation of the composition B for forming a buried layer)

BA 91 질량부 및 AAc 9 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체(중량 평균 분자량(Mw) 400,000)의 용액(고형분 33.6 질량%) 100 질량부와, BA 62 질량부, MMA 10 질량부 및 HEA 28 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체에 2－메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트를 HEA 100mol%에 대해서 부가율이 80 mol%가 되도록 부가한 수지(평균 중량 분자량(Mw) 100,000)의 용액(고형분 45 질량%) 75 질량부와, 가교제로서 톨릴렌 디이소시아네이트(TOYOCHEM CO., LTD. 제, 제품명 「BHS－8515」, 고형분 농도：37.5%) 15 질량부를 첨가하고, 30분간 교반을 행해 매립층 형성용 조성물 B를 조제하였다.100 parts by mass of a solution (solid content 33.6% by mass) of an acrylic copolymer (weight average molecular weight (Mw) 400,000) consisting of 91 parts by mass of BA and 9 parts by mass of AAc, and 62 parts by mass of BA, 10 parts by mass of MMA, and 28 parts by mass of HEA. 75 parts by mass of a solution (solid content 45% by mass) of a resin (average weight molecular weight (Mw) 100,000) in which 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was added to the acrylic copolymer so that the addition rate was 80 mol% with respect to 100 mol% of HEA, and , 15 parts by mass of tolylene diisocyanate (manufactured by TOYOCHEM CO., LTD., product name "BHS-8515", solid content concentration: 37.5%) was added as a crosslinking agent, and stirred for 30 minutes to prepare a buried layer-forming composition B.

(매립층 형성용 조성물 C의 제조)(Preparation of the composition C for forming a buried layer)

BA 91 질량부 및 AAc 9 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체(중량 평균 분자량(Mw) 400,000)의 용액(고형분 33.6 질량%) 100 질량부와, BA 62 질량부, MMA 10 질량부 및 HEA 28 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체에 2－메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트를 HEA 100mol%에 대해서 부가율이 80 mol%가 되도록 부가한 수지(평균 중량 분자량(Mw) 100,000)의 용액(고형분 45 질량%) 75 질량부와, 가교제로서 톨릴렌 디이소시아네이트(TOYOCHEM CO., LTD. 제, 제품명 「BHS－8515」, 고형분 농도：37.5%) 2.5 질량부를 첨가하고, 30분간 교반을 행해 매립층 형성용 조성물 C를 조제하였다.100 parts by mass of a solution (solid content 33.6% by mass) of an acrylic copolymer (weight average molecular weight (Mw) 400,000) consisting of 91 parts by mass of BA and 9 parts by mass of AAc, and 62 parts by mass of BA, 10 parts by mass of MMA, and 28 parts by mass of HEA. 75 parts by mass of a solution (solid content 45% by mass) of a resin (average weight molecular weight (Mw) 100,000) in which 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was added to the acrylic copolymer so that the addition rate was 80 mol% with respect to 100 mol% of HEA, and , As a crosslinking agent, 2.5 parts by mass of tolylene diisocyanate (manufactured by TOYOCHEM CO., LTD., product name "BHS-8515", solid content concentration: 37.5%) was added, followed by stirring for 30 minutes to prepare a buried layer-forming composition C.

(매립층 형성용 조성물 D의 제조)(Preparation of composition D for forming a buried layer)

BA 91 질량부 및 AAc 9 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체(중량 평균 분자량(Mw) 400,000)의 용액(고형분 33.6 질량%) 100 질량부와, BA 62 질량부, MMA 10 질량부 및 HEA 28 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체에 2－메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트를 HEA 100mol%에 대해서 부가율이 80 mol%가 되도록 부가한 수지(평균 중량 분자량(Mw) 100,000)의 용액(고형분 45 질량%) 75 질량부와, 가교제로서 톨릴렌 디이소시아네이트(TOYOCHEM CO., LTD. 제, 제품명 「BHS－8515」, 고형분 농도：37.5%) 8.75 질량부, 다가 에폭시 화합물(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제, 제품명 「TETRAD－C」, 농도 5%의 N,N'－(시클로헥산-1, 3-디일비스메틸렌) 비스(디글리시딜아민)) 2.5 질량부를 첨가하고, 30분간 교반해 매립층 형성용 조성물 D를 조제하였다.100 parts by mass of a solution (solid content 33.6% by mass) of an acrylic copolymer (weight average molecular weight (Mw) 400,000) consisting of 91 parts by mass of BA and 9 parts by mass of AAc, and 62 parts by mass of BA, 10 parts by mass of MMA, and 28 parts by mass of HEA. 75 parts by mass of a solution (solid content 45% by mass) of a resin (average weight molecular weight (Mw) 100,000) in which 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was added to the acrylic copolymer so that the addition rate was 80 mol% with respect to 100 mol% of HEA, and As a crosslinking agent, tolylene diisocyanate (TOYOCHEM CO., LTD. product, product name "BHS-8515", solid content concentration: 37.5%) 8.75 parts by mass, polyvalent epoxy compound (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. product, product name "TETRAD-" C”, 2.5 parts by mass of N,N'-(cyclohexane-1, 3-diylbismethylene) bis(diglycidylamine)) having a concentration of 5% were added and stirred for 30 minutes to prepare a composition D for forming a buried layer. I did.

(매립층 형성용 조성물 E의 제조)(Preparation of composition E for forming a buried layer)

BA 91 질량부 및 AAc 9 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체(중량 평균 분자량(Mw) 400,000)의 용액(고형분 33.6 질량%) 100 질량부와, BA 62 질량부, MMA 10 질량부 및 HEA 28 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체에 2－메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트를 HEA 100mol%에 대해서 부가율이 80 mol%가 되도록 부가한 수지(평균 중량 분자량(Mw) 100,000)의 용액(고형분 45 질량%) 75 질량부와, 가교제로서 톨릴렌 디이소시아네이트(TOYOCHEM CO., LTD. 제, 제품명 「BHS－8515」, 고형분 농도：37.5%) 15 질량부, 다가 에폭시 화합물(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제, 제품명 「TETRAD－C」, 농도 5%의 N,N'－(시클로헥산-1, 3-디일비스메틸렌) 비스(디글리시딜아민)) 5.0 질량부를 첨가하고, 30분간 교반해 매립층 형성용 조성물 E를 조제하였다.100 parts by mass of a solution (solid content 33.6% by mass) of an acrylic copolymer (weight average molecular weight (Mw) 400,000) consisting of 91 parts by mass of BA and 9 parts by mass of AAc, and 62 parts by mass of BA, 10 parts by mass of MMA, and 28 parts by mass of HEA. 75 parts by mass of a solution (solid content 45% by mass) of a resin (average weight molecular weight (Mw) 100,000) in which 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was added to the acrylic copolymer so that the addition rate was 80 mol% with respect to 100 mol% of HEA, and , 15 parts by mass of tolylene diisocyanate (manufactured by TOYOCHEM CO., LTD., product name "BHS-8515", solid content concentration: 37.5%) as a crosslinking agent, polyhydric epoxy compound (manufactured by MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC., product name "TETRAD-" C", N,N'-(cyclohexane-1, 3-diylbismethylene) bis(diglycidylamine)) 5.0 parts by mass of a concentration of 5% were added, and stirred for 30 minutes to prepare a composition E for forming a buried layer. I did.

(매립층 형성용 조성물 F의 제조)(Preparation of the composition F for forming a buried layer)

BA 91 질량부 및 AAc 9 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체(중량 평균 분자량(Mw) 400,000)의 용액(고형분 33.6 질량%) 100 질량부와, BA 62 질량부, MMA 10 질량부 및 HEA 28 질량부로 이루어지는 아크릴계 공중합체에 2－메타크릴로일옥시에틸 이소시아네이트를 HEA 100mol%에 대해서 부가율이 80 mol%가 되도록 부가한 수지(평균 중량 분자량(Mw) 100,000)의 용액(고형분 45 질량%) 75 질량부와, 가교제로서 톨릴렌 디이소시아네이트(TOYOCHEM CO., LTD. 제, 제품명 「BHS－8515」, 고형분 농도：37.5%) 2.5 질량부, 다가 에폭시 화합물(MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. 제, 제품명 「TETRAD－C」, 농도 5%의 N,N'－(시클로헥산-1, 3-디일비스메틸렌) 비스(디글리시딜아민)) 5.0 질량부를 첨가하고, 30분간 교반해 매립층 형성용 조성물 E를 조제하였다.100 parts by mass of a solution (solid content 33.6% by mass) of an acrylic copolymer (weight average molecular weight (Mw) 400,000) consisting of 91 parts by mass of BA and 9 parts by mass of AAc, and 62 parts by mass of BA, 10 parts by mass of MMA, and 28 parts by mass of HEA. 75 parts by mass of a solution (solid content 45% by mass) of a resin (average weight molecular weight (Mw) 100,000) in which 2-methacryloyloxyethyl isocyanate was added to the acrylic copolymer so that the addition rate was 80 mol% with respect to 100 mol% of HEA, and , As a crosslinking agent, tolylene diisocyanate (manufactured by TOYOCHEM CO., LTD., product name "BHS-8515", solid content concentration: 37.5%) 2.5 parts by mass, polyvalent epoxy compound (manufactured by MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC., product name "TETRAD-" C", N,N'-(cyclohexane-1, 3-diylbismethylene) bis(diglycidylamine)) 5.0 parts by mass of a concentration of 5% were added, and stirred for 30 minutes to prepare a composition E for forming a buried layer. I did.

(기재)(materials)

폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름(제품명 「Cosmo Shine A4100」, 두께 50㎛, TOYOBO CO., LTD.제)을 기재(11)에 이용하였다.A polyethylene terephthalate (PET) film (product name "Cosmo Shine A4100", thickness 50 µm, manufactured by TOYOBO CO., LTD.) was used for the base material 11.

(단자를 가지는 반도체 장치의 준비)(Preparation of a semiconductor device having a terminal)

실시예 및 비교예의 단자 보호용 테이프의 매립성을 평가할 때에, 다음의 단자를 가지는 반도체 장치를 준비하였다.When evaluating the embedding property of the terminal protection tapes of Examples and Comparative Examples, a semiconductor device having the following terminals was prepared.

·단자를 가지는 반도체 장치(1)·Semiconductor device with terminals (1)

반도체 장치의 크기：10mm×10mmSemiconductor device size: 10mm×10mm

단자의 높이：200㎛Terminal height: 200㎛

단자경：250㎛Terminal diameter: 250㎛

단자간 피치：400㎛Pitch between terminals: 400㎛

단자의 수：10×10=100개Number of terminals: 10×10=100

＜동적점탄성(전단 저장 탄성률) 측정 방법＞<Method of measuring dynamic viscoelasticity (shear storage modulus)>

점탄성층에 대하여, 동적 기계 분석 장치(TA 인스트루먼트 사 제, 제품명 「DMA　Q800」)을 이용하여 승온 속도 10℃／분의 조건에서 150℃까지 승온해, 저장 탄성률 G＇와 손실 탄성률 G"를 측정하고, 이들의 50℃에서의 비(G"/G＇)인 tanδ의 값을 구하였다.For the viscoelastic layer, a dynamic mechanical analysis device (manufactured by TA Instruments, product name “DMA　Q800”) is used to increase the temperature to 150°C at a temperature increase rate of 10°C/min, and the storage modulus G'and the loss modulus G" are measured. Then, the value of tan δ, which is the ratio (G"/G') at 50°C, was calculated.

＜응력 완화성의 측정 방법＞<Measurement method of stress relaxation property>

도 1에 나타내는 형태의 단자 보호용 테이프(1) 가운데, 양쪽 모두의 박리 필름을 박리하고, 점탄성층(12)을 복수층 적층함으로써, 두께 약 1 mm의 점탄성층을 형성하였다. 이것으로부터 직경 8 mm, 두께 약 1 mm의 원주 형상의 평가용 시료를 제작하였다.In the terminal protection tape 1 of the form shown in FIG. 1, both release films were peeled off and a plurality of viscoelastic layers 12 were laminated to form a viscoelastic layer having a thickness of about 1 mm. From this, a sample for evaluation of a cylindrical shape having a diameter of 8 mm and a thickness of about 1 mm was prepared.

상기 샘플에 대해서, JIS　K7244－7을 참고로 하고, 점탄성 측정 장치(Anton　paar 사 제, 제품명 「MCR302」)을 이용하여, 50℃에서, 치구를 회전시켜 평가용 시료를 비틀고, 10%(즉, 36°)의 일정한 비틀림 변형을 장치 제어에 의해 계속 가해 완화 탄성률 G(t)(MPa)를 측정하였다. 그 측정 결과로부터, 최대 완화 탄성률 G(t)max(MPa)를 도출하는 동시에, 상기 최대 완화 탄성률 G(t)max가 측정되고 나서 1초 후에 측정된 최소 완화 탄성률 G(t)min(MPa)를 도출하였다.For the above sample, referring to JIS K7244-7, using a viscoelasticity measuring device (manufactured by Anton Paar, product name “MCR302”), rotate the jig at 50° C. to twist the sample for evaluation, and 10% (i.e. , 36°) was continuously applied by the device control to measure the relaxation modulus G(t)(MPa). From the measurement result, the maximum relaxation modulus G(t) max (MPa) is derived, and the minimum relaxation modulus G(t) min (MPa) measured 1 second after the maximum relaxation modulus G(t) max is measured. Was derived.

측정 온도：50℃Measurement temperature: 50℃

얻어진 최대 완화 탄성률 G(t)max(MPa) 및 최소 완화 탄성률 G(t)min(MPa)로부터, 하기 식(1)에 기초하여, 완화 탄성률 변동값 X2=ΔlogG(t)를 산출하였다.From the obtained maximum relaxation modulus G(t) max (MPa) and minimum relaxation modulus G(t) min (MPa), the relaxation modulus fluctuation value X2=ΔlogG(t) was calculated based on the following formula (1).

X2=logG(t)max　－　logG(t)min　　···(1)X2=logG(t) max － logG(t) min ···(1)

＜프레스 직후의 매립성 평가방법＞<Method of evaluating landfill property immediately after pressing>

도 3의 형태의 단자 보호용 테이프(3)의, 첩합점착제층(15) 측의 박리 필름(22)을 박리하고, SUS판(30) 상에 접착시켜, 도 4의 형태의 매립성 평가용의 시료를 제작하고, 점착제층(14) 측의 박리 필름(20)을 박리하여, 이 SUS판(30) 측을 아래로 하여 50℃로 온도 조절한 핫 플레이트 상에 설치하였다. 이어서, 도 5의 (a)와 같이, 상기 단자를 가지는 반도체 장치의 단자 측을 아래로 하여, 진공 라미네이터를 이용하고, 이 점탄성층(12)에, 프레스 압력(하중 1.1 MPa), 프레스 시간 40 s, 가열 시간 50℃에서 꽉 눌렀다. 이 매립성 평가를 9개의 단자를 가지는 반도체 장치에 대해 실시하였다.The release film 22 on the side of the adhesive bonding agent layer 15 of the terminal protection tape 3 of the form of FIG. 3 is peeled off, and adhered to the SUS plate 30, for evaluating the embedding property of the form of FIG. 4. A sample was prepared, the release film 20 on the side of the pressure-sensitive adhesive layer 14 was peeled off, and the SUS plate 30 side was placed on a hot plate controlled at 50°C with the side down. Subsequently, as shown in Fig. 5A, the terminal side of the semiconductor device having the terminal is turned down, a vacuum laminator is used, and the viscoelastic layer 12 is subjected to a press pressure (load of 1.1 MPa) and a press time of 40. s, it pressed firmly at 50 degreeC of heating time. This embedding property evaluation was performed for a semiconductor device having nine terminals.

프레스 직후에, 옆에서 관찰해 매립성을 확인하고, 모든 단자를 가지는 반도체 장치의 하측면이 단자 보호용 테이프에 접착되어 있어, 단자가 단자 보호용 테이프에 숨어 관찰할 수 없었던 것을, 프레스 직후의 매립성 양호(5)라고 평가하였다. 반도체 장치의 내측에서는 일부의 단자에 들뜸을 확인할 수 있지만, 반도체 장치 외주부가 단자 보호용 테이프에 숨어 단자를 관찰할 수 없었던 것을, 프레스 직후의 매립성 좋음(4)이라고 평가하였다. 반도체 장치 외주부의 일부가 단자 보호용 테이프로부터 박리되어 단자를 관찰할 수 있는 비율이 50% 이하인 것을, 프레스 직후의 매립성 보통(3)이라고 평가하였다. 반도체 장치 외주부의 일부가 단자 보호용 테이프로부터 박리되어 단자를 관찰할 수 있는 비율이 50% 이상인 것을, 프레스 직후의 매립성(2)이라고 평가하였다. 적어도 1개의 단자를 가지는 반도체 장치의 하측면이 단자 보호용 테이프로부터 들떠 있어 단자가 단자 보호용 테이프와 반도체 장치 본체의 사이에 모두 관찰할 수 있던 것을, 프레스 직후의 매립성 불량(1)이라고 평가하였다.Immediately after pressing, the embedding property was confirmed by observing from the side, and that the lower side of the semiconductor device with all terminals was adhered to the terminal protection tape, and that the terminals were hidden in the terminal protection tape and could not be observed. It was evaluated as good (5). In the inside of the semiconductor device, some of the terminals could be lifted, but the fact that the outer peripheral portion of the semiconductor device was hidden in the terminal protection tape and the terminal could not be observed was evaluated as good embedding property immediately after pressing (4). A part of the outer periphery of the semiconductor device peeled off from the terminal protection tape and the ratio at which the terminal could be observed was 50% or less was evaluated as having a normal embedding property immediately after pressing (3). A part of the outer periphery of the semiconductor device peeled off from the terminal protection tape and the ratio at which the terminal could be observed was 50% or more, was evaluated as the embedding property (2) immediately after pressing. It was evaluated that the lower side of the semiconductor device having at least one terminal was lifted from the terminal protective tape, and that the terminal was observed both between the terminal protective tape and the semiconductor device main body as the embedding defect (1) immediately after pressing.

＜프레스 1일 후의 들뜸의 평가방법＞<Evaluation method of lifting 1 day after press>

그 후, 상온으로 방냉하고 1일 후의 단자를 가지는 반도체 장치에 대해서, 옆에서 관찰해 들뜸을 확인하고, 모든 단자를 가지는 반도체 장치의 하측면이 단자 보호용 테이프에 접착되어 있어, 단자가 단자 보호용 테이프에 숨어 관찰할 수 없었던 것을, 들뜸 양호(5)라고 평가하였다. 반도체 장치의 내측에서는 일부의 단자에 들뜸을 확인할 수 있지만, 반도체 장치 외주부가 단자 보호용 테이프에 숨어 단자를 관찰할 수 없었던 것을, 들뜸 좋음(4)이라고 평가하였다. 반도체 장치 외주부의 일부가 단자 보호용 테이프로부터 박리되어 단자를 관찰할 수 있는 비율이 50% 이하인 것을, 들뜸 보통(3)이라고 평가하였다. 반도체 장치 외주부의 일부가 단자 보호용 테이프로부터 박리되어 단자를 관찰할 수 있는 비율이 50% 이상인 것을, 들뜸 약간 불량(2)이라고 평가하였다. 단자를 가지는 반도체 장치의 하측면이 단자 보호용 테이프로부터 들떠 있어 단자가 단자 보호용 테이프와 반도체 장치 본체의 사이에 모두 관찰할 수 있던 것을, 들뜸 불량(1)이라고 평가하였다.After that, for a semiconductor device having a terminal 1 day after being cooled to room temperature, observe from the side to confirm the lifting, and the lower side of the semiconductor device having all terminals is adhered to the terminal protection tape, and the terminal is a terminal protection tape. What could not be observed hiding in was evaluated as lifting good (5). In the inside of the semiconductor device, some of the terminals could be lifted, but the fact that the outer peripheral portion of the semiconductor device was hidden in the terminal protection tape and the terminal could not be observed was evaluated as good lift (4). A part of the outer periphery of the semiconductor device peeled off from the terminal protection tape and the ratio at which the terminal could be observed was 50% or less, evaluated as being lifted as normal (3). A part of the outer circumference of the semiconductor device peeled off from the terminal protection tape and the ratio at which the terminal can be observed was 50% or more, evaluated as slightly poorly lifted (2). It was evaluated as a lifting failure (1) that the lower side of the semiconductor device having a terminal was lifted from the terminal protection tape and that the terminal was observed both between the terminal protection tape and the semiconductor device main body.

［실시예 1］[Example 1]

＜단자 보호용 테이프의 제조＞<Production of terminal protection tape>

매립층 형성용 조성물 A를 폴리에틸렌 테레프탈레이트제 필름의 한 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(LINTEC Corporation 제 「SP－PET381031」, 두께 38㎛)의 박리 처리면에 도공하고, 100℃에서 1분간 가열 건조시킨 후, 매립층 형성용 조성물 A 상에 폴리에틸렌 테레프탈레이트제 필름의 한 면이 실리콘 처리에 의해 박리 처리된 박리 필름(LINTEC Corporation 제 「SP－PET382150」, 두께 38㎛)의 박리 처리면을 라미네이트하고, 두께 50㎛의 매립층을 제조하였다.The composition A for forming a buried layer was coated on the peeling-treated surface of a peeling film (“SP-PET381031” manufactured by LINTEC Corporation, thickness 38 μm) in which one surface of a polyethylene terephthalate film was peeled off by a silicone treatment, and 1 at 100°C. After heating and drying for a minute, on the buried layer-forming composition A, one side of a polyethylene terephthalate film was peeled off by a silicone treatment, and the peeling-treated side of a release film (“SP-PET382150” manufactured by Lintec Corporation, a thickness of 38 μm) was removed. Laminated, and a buried layer having a thickness of 50 μm was prepared.

상기 매립층의 라미네이트 한 박리 필름을 떼어낸 면끼리 첩합하고, 두께 100㎛의 매립층을 제작하였다. 이와 마찬가지로 하여 매립층을 첩합하고 적층하여, 두께 300㎛의 매립층 A를 제작하였다.The surfaces from which the laminated release film of the buried layer was removed were bonded to each other to prepare a buried layer having a thickness of 100 µm. In the same manner, the buried layers were bonded and laminated to prepare a buried layer A having a thickness of 300 µm.

두께 10㎛의 점착제층(14)에 두께 300㎛의 매립층 A를 첩합하여, 도 1에 나타내는 형태의 두께 310㎛의 점탄성층(12)을 가지는 실시예 1의 단자 보호용 테이프(1)를 제조하였다.A 300 µm thick buried layer A was bonded to a 10 µm-thick adhesive layer 14 to prepare a terminal protective tape 1 of Example 1 having a viscoelastic layer 12 having a thickness of 310 µm in the form shown in FIG. 1. .

＜응력 완화성의 측정＞<Measurement of stress relaxation property>

실시예 1의 단자 보호용 테이프(1)에 대해서, 완화 탄성률 변동값 X2=ΔlogG(t)를 산출하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.For the terminal protection tape 1 of Example 1, the relaxation modulus variation value X2 = ΔlogG(t) was calculated. Table 1 shows the results.

＜점탄성층의 전단 저장 탄성률 측정＞<Measurement of shear storage modulus of viscoelastic layer>

실시예 1의 단자 보호용 테이프(1)에 대해서, 50℃에서의 tanδ(손실 탄성률 G"/저장 탄성률 G＇)를 구하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.For the terminal protective tape 1 of Example 1, tan δ (loss elastic modulus G"/storage elastic modulus G') at 50° C. was determined. Table 1 shows the results.

＜매립성의 평가＞<Evaluation of landfill property>

실시예 1의 단자 보호용 테이프(1)의, 매립층 A의 측의 박리 필름을 박리하여, 기재인 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET) 필름(제품명 「Cosmo Shine A4100」, 두께 50㎛, TOYOBO CO., LTD. 제)의 이접착 처리측과 첩합하여 도 2에 나타내는, 기재(11)/매립층(13)/점착제층(14)의 형태의 점탄성층(12)을 가지는 실시예 1의 단자 보호용 테이프(2)를 제조하였다.The release film on the side of the buried layer A of the terminal protection tape 1 of Example 1 was peeled off, and a polyethylene terephthalate (PET) film as a base material (product name "Cosmo Shine A4100", thickness 50 µm, TOYOBO CO., LTD. Terminal protection tape (2) of Example 1 having a viscoelastic layer 12 in the form of a base material 11 / buried layer 13 / adhesive layer 14 shown in Fig. 2 by bonding with the easily adhesive treatment side of the first) Was prepared.

또한, 실시예 1의 단자 보호용 테이프(2)의 기재의 매립층 A와는 반대측에, 상기 첩합점착제층 A를 적층하여, 도 3에 나타내는 형태의 점탄성층(12)을 가지는 실시예 1의 단자 보호용 테이프(3)를 제조하였다.In addition, the terminal protection tape of Example 1 having a viscoelastic layer 12 of the form shown in Fig. 3 by laminating the above-described adhesive adhesive layer A on the side opposite to the buried layer A of the base material of the terminal protection tape 2 of Example 1 (3) was prepared.

실시예 1의 단자 보호용 테이프(3)에 대해 프레스 직후의 매립성을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.With respect to the tape 3 for terminal protection of Example 1, the embedding property immediately after pressing was evaluated. Table 1 shows the results.

＜들뜸의 평가＞<Evaluation of excitement>

그 후, 상온으로 방냉하고 1일 후의 단자를 가지는 반도체 장치에 대해서, 들뜸을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.After that, about the semiconductor device having a terminal after standing to cool to room temperature 1 day, lifting was evaluated. Table 1 shows the results.

［실시예 2］[Example 2]

＜단자 보호용 테이프의 제조＞<Production of terminal protection tape>

실시예 1에서, 매립층 형성용 조성물 A를 매립층 형성용 조성물 B로 변경하고, 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도 1에 나타내는 형태의 두께 310㎛의 점탄성층(12)을 가지는 실시예 1의 단자 보호용 테이프(1)를 제조하였다.In Example 1, the composition A for forming the buried layer was changed to the composition B for forming the buried layer, except in the same manner as in Example 1, except that the terminal of Example 1 having a viscoelastic layer 12 having a thickness of 310 μm in the shape shown in FIG. A protective tape 1 was prepared.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 단자 보호용 테이프(1) 가운데 점탄성층(12)에 대하여, 50℃에서의 tanδ(손실 탄성률 G"/저장 탄성률 G＇)를 구하였다. 또한, 50℃에서의 완화 탄성률 변동값 X2=ΔlogG(t)를 산출하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.In the same manner as in Example 1, for the viscoelastic layer 12 in the terminal protective tape 1 of Example 2, tan δ (loss modulus G"/storage elastic modulus G') at 50°C was determined. The relaxation modulus variation value X2 = ΔlogG(t) was calculated in Table 1. Table 1 shows the results.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 2의 단자 보호용 테이프(1)를 이용하여, 도 2에 나타내는 형태의 점탄성층(12)을 가지는 실시예 2의 단자 보호용 테이프(2), 및 도 3에 나타내는 형태의 점탄성층(12)을 가지는 실시예 2의 단자 보호용 테이프(3)를 제조하였다.In the same manner as in Example 1, using the terminal protection tape 1 of Example 2, the terminal protection tape 2 of Example 2 having the viscoelastic layer 12 of the form shown in FIG. 2, and the terminal protection tape 2 shown in FIG. A tape 3 for terminal protection of Example 2 having a viscoelastic layer 12 of the form was prepared.

실시예 2의 단자 보호용 테이프(3)에 대해서, 실시예 1과 마찬가지로, 프레스 직후의 매립성, 및 들뜸을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.About the tape 3 for terminal protection of Example 2, similarly to Example 1, the embedding property immediately after pressing, and lifting were evaluated. Table 1 shows the results.

［실시예 3］[Example 3]

＜단자 보호용 테이프의 제조＞<Production of terminal protection tape>

실시예 1에서, 매립층 형성용 조성물 A를 매립층 형성용 조성물 C로 변경하고, 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도 1에 나타내는 형태의 두께 310㎛의 점탄성층(12)을 가지는 실시예 3의 단자 보호용 테이프(1)를 제조하였다.In Example 1, the terminal of Example 3 having a viscoelastic layer 12 having a thickness of 310 μm in the form shown in FIG. 1 in the same manner as in Example 1 except that the composition A for forming the buried layer was changed to the composition C for forming the buried layer. A protective tape 1 was prepared.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 단자 보호용 테이프(1) 가운데 점탄성층(12)에 대하여, 50℃에서의 tanδ(손실 탄성률 G"/저장 탄성률 G＇)를 구하였다. 또한, 50℃에서의 완화 탄성률 변동값 X2=ΔlogG(t)를 산출하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.In the same manner as in Example 1, for the viscoelastic layer 12 of the terminal protective tape 1 of Example 3, tan δ (loss modulus G"/storage elastic modulus G') at 50°C was determined. The relaxation modulus variation value X2 = ΔlogG(t) was calculated in Table 1. Table 1 shows the results.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 실시예 3의 단자 보호용 테이프(1)를 이용하여, 도 2에 나타내는 형태의 점탄성층(12)을 가지는 실시예 3의 단자 보호용 테이프(2), 및 도 3에 나타내는 형태의 점탄성층(12)을 가지는 실시예 3의 단자 보호용 테이프(3)를 제조하였다.In the same manner as in Example 1, using the terminal protection tape 1 of Example 3, the terminal protection tape 2 of Example 3 having the viscoelastic layer 12 of the form shown in FIG. 2, and the terminal protection tape 2 shown in FIG. A tape 3 for terminal protection of Example 3 having a viscoelastic layer 12 in the form of was prepared.

실시예 3의 단자 보호용 테이프(3)에 대해서, 실시예 1과 마찬가지로, 프레스 직후의 매립성, 및 들뜸을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.About the tape 3 for terminal protection of Example 3, similarly to Example 1, the embedding property immediately after pressing, and lifting were evaluated. Table 1 shows the results.

［비교예 1］[Comparative Example 1]

＜단자 보호용 테이프의 제조＞<Production of terminal protection tape>

실시예 1에서, 매립층 형성용 조성물 A를 매립층 형성용 조성물 D로 변경하고, 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도 1에 나타내는 형태의 두께 310㎛의 점탄성층(12)을 가지는 비교예 1의 단자 보호용 테이프(1)를 제조하였다.In Example 1, a terminal of Comparative Example 1 having a viscoelastic layer 12 having a thickness of 310 μm in the form shown in FIG. 1 in the same manner as in Example 1 except that the composition A for forming the buried layer was changed to the composition D for forming the buried layer. A protective tape 1 was prepared.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1의 단자 보호용 테이프(1) 가운데 점탄성층(12)에 대하여, 50℃에서의 tanδ(손실 탄성률 G"/저장 탄성률 G＇)를 구하였다. 또한, 50℃에서의 완화 탄성률 변동값 X2=ΔlogG(t)를 산출하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.In the same manner as in Example 1, tan δ (loss modulus G"/storage modulus G') at 50° C. was determined for the viscoelastic layer 12 in the terminal protection tape 1 of Comparative Example 1. In addition, at 50° C. The relaxation modulus variation value X2 = ΔlogG(t) was calculated in Table 1. Table 1 shows the results.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 1의 단자 보호용 테이프(1)를 이용하여, 도 2에 나타내는 형태의 점탄성층(12)을 가지는 비교예 1의 단자 보호용 테이프(2), 및 도 3에 나타내는 형태의 점탄성층(12)을 가지는 비교예 1의 단자 보호용 테이프(3)를 제조하였다.In the same manner as in Example 1, using the terminal protection tape 1 of Comparative Example 1, the terminal protection tape 2 of Comparative Example 1 having a viscoelastic layer 12 of the form shown in FIG. 2, and the terminal protection tape 2 shown in FIG. A tape for protecting a terminal of Comparative Example 1 having a viscoelastic layer 12 in the form of 12 was prepared.

비교예 1의 단자 보호용 테이프(3)에 대해서, 실시예 1과 마찬가지로, 프레스 직후의 매립성, 및 들뜸을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.About the tape 3 for terminal protection of Comparative Example 1, similarly to Example 1, the embedding property immediately after pressing, and lifting were evaluated. Table 1 shows the results.

［비교예 2］[Comparative Example 2]

＜단자 보호용 테이프의 제조＞<Production of terminal protection tape>

실시예 1에서, 매립층 형성용 조성물 A를 매립층 형성용 조성물 E로 변경하고, 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도 1에 나타내는 형태의 두께 310㎛의 점탄성층(12)을 가지는 비교예 2의 단자 보호용 테이프(1)를 제조하였다.In Example 1, a terminal of Comparative Example 2 having a viscoelastic layer 12 having a thickness of 310 μm in the form shown in FIG. A protective tape 1 was prepared.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 단자 보호용 테이프(1) 가운데 점탄성층(12)에 대하여, 50℃에서의 tanδ(손실 탄성률 G"/저장 탄성률 G＇)를 구하였다. 또한, 50℃에서의 완화 탄성률 변동값 X2=ΔlogG(t)를 산출하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.In the same manner as in Example 1, tan δ (loss modulus G"/storage modulus G') at 50° C. was determined for the viscoelastic layer 12 of the terminal protective tape 1 of Comparative Example 2. In addition, 50° C. The relaxation modulus variation value X2 = ΔlogG(t) was calculated in Table 1. Table 1 shows the results.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 2의 단자 보호용 테이프(1)를 이용하여, 도 2에 나타내는 형태의 점탄성층(12)을 가지는 비교예 2의 단자 보호용 테이프(2), 및 도 3에 나타내는 형태의 점탄성층(12)을 가지는 비교예 2의 단자 보호용 테이프(3)를 제조하였다.In the same manner as in Example 1, using the terminal protection tape 1 of Comparative Example 2, the terminal protection tape 2 of Comparative Example 2 having a viscoelastic layer 12 of the form shown in FIG. 2, and the terminal protection tape 2 shown in FIG. A tape 3 for protecting a terminal of Comparative Example 2 having a viscoelastic layer 12 in the form of a viscoelastic layer 12 was prepared.

비교예 2의 단자 보호용 테이프(3)에 대해서, 실시예 1과 마찬가지로, 프레스 직후의 매립성, 및 들뜸을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.About the tape 3 for terminal protection of Comparative Example 2, similarly to Example 1, the embedding property immediately after pressing, and lifting were evaluated. Table 1 shows the results.

［비교예 3］[Comparative Example 3]

＜단자 보호용 테이프의 제조＞<Production of terminal protection tape>

실시예 1에서, 매립층 형성용 조성물 A를 매립층 형성용 조성물 F로 변경하고, 이외에는 실시예 1과 마찬가지로 하여, 도 1에 나타내는 형태의 두께 310㎛의 점탄성층(12)을 가지는 비교예 3의 단자 보호용 테이프(1)를 제조하였다.In Example 1, the terminal of Comparative Example 3 having a viscoelastic layer 12 having a thickness of 310 μm in the form shown in FIG. 1 in the same manner as in Example 1 except that the composition A for forming the buried layer was changed to the composition F for forming the buried layer. A protective tape 1 was prepared.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 단자 보호용 테이프(1) 가운데 점탄성층(12)에 대하여, 50℃에서의 tanδ(손실 탄성률 G"/저장 탄성률 G＇)를 구하였다. 또한, 50℃에서의 완화 탄성률 변동값 X2=ΔlogG(t)를 산출하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.In the same manner as in Example 1, for the viscoelastic layer 12 of the terminal protective tape 1 of Comparative Example 3, tan δ (loss modulus G"/storage modulus G') at 50°C was determined. The relaxation modulus fluctuation value X2 = Δlog G(t) was calculated in Table 1. Table 1 shows the results.

실시예 1과 마찬가지로 하여, 비교예 3의 단자 보호용 테이프(1)를 이용하여, 도 2에 나타내는 형태의 점탄성층(12)을 가지는 비교예 3의 단자 보호용 테이프(2), 및 도 3에 나타내는 형태의 점탄성층(12)을 가지는 비교예 3의 단자 보호용 테이프(3)를 제조하였다.In the same manner as in Example 1, using the terminal protection tape 1 of Comparative Example 3, the terminal protection tape 2 of Comparative Example 3 having a viscoelastic layer 12 of the form shown in FIG. 2, and the terminal protection tape 2 shown in FIG. A tape 3 for terminal protection of Comparative Example 3 having a viscoelastic layer 12 in the form of a viscoelastic layer 12 was prepared.

비교예 3의 단자 보호용 테이프(3)에 대해서, 실시예 1과 마찬가지로, 프레스 직후의 매립성, 및 들뜸을 평가하였다. 결과를 표 1에 나타낸다.About the tape 3 for terminal protection of the comparative example 3, similarly to Example 1, the embedding property immediately after pressing, and lifting were evaluated. Table 1 shows the results.

Figure pct00001
Figure pct00001

표 1에 나타낸 결과로부터 나타낸 바와 같이, 비교예와 관련되는 단자 보호용 테이프에서는, 매립성이 불량(비교예 2)이거나, 또는, 프레스 1일 후에 들뜸이 생겨 버려(도 7(c)), 단자를 가지는 반도체 장치를 전자파 쉴드할 때에, 전자파 쉴드막을 형성한 경우에, 단자 전극과 전자파 쉴드막이 전기적으로 쇼트할 우려가 있는 것이었다(도 7(f)).As shown from the results shown in Table 1, in the terminal protection tape according to the comparative example, the embedding property is poor (Comparative Example 2), or lift occurs one day after pressing (Fig. 7(c)), the terminal In the case of electromagnetic shielding of a semiconductor device having an electromagnetic wave shielding film, there is a fear that the terminal electrode and the electromagnetic wave shielding film may be electrically shorted (Fig. 7(f)).

본 실시형태의 실시예와 관련되는 단자 보호용 테이프에서는, 들뜸 발생이 쉬운 범프를 점탄성층(12)에 매설할 수 있고, 반도체 장치의 단자 형성면을 점탄성층에 밀착시킬 수 있어 1일 후에도 들뜸이 생기지 않는다. 따라서, 본 실시형태의 단자 보호용 테이프를 이용하고, 단자를 가지는 반도체 장치를 전자파 쉴드할 때에, 전자파 쉴드막을 형성한 경우에, 단자 전극인 범프와 전자파 쉴드막이 전기적으로 쇼트하는 것을 방지할 수 있어 공정상 번잡한 마스킹부 등을 설치할 필요도 없는 것으로 할 수 있다.In the terminal protection tape according to the embodiment of the present embodiment, bumps that are liable to be lifted can be embedded in the viscoelastic layer 12, and the terminal formation surface of the semiconductor device can be brought into close contact with the viscoelastic layer. Does not occur. Therefore, when using the terminal protection tape of the present embodiment to electromagnetic wave shielding a semiconductor device having a terminal, when the electromagnetic wave shield film is formed, it is possible to prevent electrical short between the bump and the electromagnetic wave shield film as the terminal electrode. In addition, it is possible to eliminate the need to provide a cumbersome masking part or the like.

본 발명의 단자 보호용 테이프는, 단자를 가지는 반도체 장치를 전자파 쉴드할 때에, 단자를 가지는 반도체 장치의 단자를 보호하는 용도에 이용할 수 있다. 본 발명의 단자 보호용 테이프를 이용하여, 단자를 가지는 반도체 장치를 전자파 쉴드할 수 있어 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치를 제조할 수 있다.The terminal protection tape of the present invention can be used for an application of protecting a terminal of a semiconductor device having a terminal when electromagnetic wave shielding a semiconductor device having a terminal. Using the tape for terminal protection of the present invention, a semiconductor device having a terminal can be electromagnetically shielded, and a semiconductor device having an electromagnetic shielding film can be manufactured.

1, 2, 3···단자 보호용 테이프,
10···전자파 쉴드막,
11···기재,
12···점탄성층,
13···매립층,
14···점착제층,
15···제2점착제층(첩합점착제층),
30···지지체,
6···단자를 가지는 반도체 장치 집합체,
60···반도체 장치 집합체,
60a···단자 형성면,
61, 62···전자 부품,
63···회로 기판,
63a···단자 형성면,
64···봉지 수지층,
65···단자를 가지는 반도체 장치,
66···전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치,
91···단자,
101···도전성 수지,
20, 21, 22···박리 필름1, 2, 3... terminal protection tape,
10...electromagnetic shielding film,
11... description,
12... viscoelastic layer,
13...reclaimed floor,
14...adhesive layer,
15... second adhesive layer (bonded adhesive layer),
30...support,
6... an assembly of semiconductor devices with terminals,
60...semiconductor device assembly,
60a...terminal formation surface,
61, 62...electronic components,
63...circuit board,
63a...terminal formation surface,
64...encapsulation resin layer,
65...a semiconductor device having a terminal,
66...a semiconductor device having an electromagnetic shielding film,
91...terminal,
101...conductive resin,
20, 21, 22... peeling film

Claims (6)

단자를 가지는 반도체 장치에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정에 이용되는 단자 보호용 테이프로서,
점탄성층을 가지고,
상기 점탄성층의 동적점탄성 측정에서, 50℃에서의 tanδ의 값이 0.2 이상이고,
상기 점탄성층에 대하여, 직경 8 mm, 두께 약 1 mm의 원주 형상의 평가용 시료를 50℃에서 10%(36°)의 일정한 비틀림 변형을 가하여 완화 탄성률을 측정한 경우의, 최대 완화 탄성률 G(t)max(MPa) 및 상기 최대 완화 탄성률 G(t)max가 측정되고 나서 1초 후에 측정된 최소 완화 탄성률 G(t)min(MPa)로부터 하기 식(1)에 기초해서 구한 완화 탄성률 변동값 X2가, 하기 식(2)을 충족하는 단자 보호용 테이프.
X2=logG(t)max　－　logG(t)min　　···(1)
0.12　≤　X2　···(2)As a terminal protection tape used in a process of forming an electromagnetic shielding film on a semiconductor device having a terminal,
Have a viscoelastic layer,
In the measurement of the dynamic viscoelasticity of the viscoelastic layer, the value of tanδ at 50°C is 0.2 or more
For the viscoelastic layer, the maximum relaxation modulus G( t) The variation value of the relaxation modulus obtained based on the following equation (1) from the minimum relaxation modulus G(t) min (MPa) measured 1 second after the max (MPa) and the maximum relaxation modulus G(t) max are measured. The tape for terminal protection in which X2 satisfies the following formula (2).
X2=logG(t) max － logG(t) min ···(1)
0.12 ≤ X2 ···(2) 제1항에 있어서,
상기 점탄성층이, 매립층 및 점착제층을 가지는, 단자 보호용 테이프.The method of claim 1,
The tape for terminal protection, wherein the viscoelastic layer has a buried layer and an adhesive layer. 제2항에 있어서,
상기 점착제층, 상기 매립층, 및 기재를 이 순서로 가지는, 단자 보호용 테이프.The method of claim 2,
A tape for terminal protection, having the pressure-sensitive adhesive layer, the buried layer, and a base material in this order. 제3항에 있어서,
상기 점착제층, 상기 매립층, 상기 기재, 및 제2의 점착제층을 이 순서로 가지는 양면 테이프인, 단자 보호용 테이프.The method of claim 3,
A tape for terminal protection, which is a double-sided tape having the pressure-sensitive adhesive layer, the buried layer, the base material, and the second pressure-sensitive adhesive layer in this order. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 단자 보호용 테이프의 점탄성층에, 상기 단자를 가지는 반도체 장치의 단자를 매설시키는 공정, 및
상기 단자 보호용 테이프의 점탄성층에 매설되어 있지 않은 상기 단자를 가지는 반도체 장치의 노출면에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정
을 포함하는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법.A step of embedding a terminal of a semiconductor device having the terminal in the viscoelastic layer of the terminal protection tape according to any one of claims 1 to 4, and
Step of forming an electromagnetic shielding film on the exposed surface of a semiconductor device having the terminal not buried in the viscoelastic layer of the terminal protection tape
Method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film comprising a. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 단자 보호용 테이프의 점탄성층에, 단자를 가지는 반도체 장치 집합체의 단자를 매설시키는 공정,
상기 단자를 가지는 반도체 장치 집합체를 다이싱하여, 상기 단자를 가지는 반도체 장치 집합체를, 상기 단자 보호용 테이프의 점탄성층에 단자가 매설된 단자를 가지는 반도체 장치로 하는 공정, 및
상기 단자 보호용 테이프의 점탄성층에 매설되어 있지 않은 상기 단자를 가지는 반도체 장치의 노출면에 전자파 쉴드막을 형성하는 공정
을 포함하는 전자파 쉴드막을 가지는 반도체 장치의 제조 방법.A step of embedding a terminal of a semiconductor device assembly having a terminal in the viscoelastic layer of the terminal protection tape according to any one of claims 1 to 4,
Dicing the semiconductor device assembly having the terminal to obtain a semiconductor device assembly having the terminal as a semiconductor device having a terminal in which a terminal is embedded in the viscoelastic layer of the terminal protection tape, and
Step of forming an electromagnetic shielding film on the exposed surface of a semiconductor device having the terminal not buried in the viscoelastic layer of the terminal protection tape
Method of manufacturing a semiconductor device having an electromagnetic shielding film comprising a.
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