JP6431343B2 - Adhesive sheet, adhesive sheet with dicing sheet, laminated sheet, and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、接着シート、ダイシングシート付き接着シート、積層シート及び半導体装置の製造方法に関する。   The present invention relates to an adhesive sheet, an adhesive sheet with a dicing sheet, a laminated sheet, and a method for manufacturing a semiconductor device.

近年、半導体装置の小型化の要求から、半導体チップの薄化が進んでいる。   In recent years, semiconductor chips have been made thinner due to demands for miniaturization of semiconductor devices.

半導体装置の方法に関して、例えば、半導体チップを接着シートでリードフレームなどの被着体に固定する工程と、接着シートを硬化させる工程と、接着シートを硬化させる工程の後にワイヤーボンディングする工程とを含む方法(以下、「方法(I)」という)が知られている(例えば、特許文献1参照)。   Regarding a method of a semiconductor device, for example, a step of fixing a semiconductor chip to an adherend such as a lead frame with an adhesive sheet, a step of curing the adhesive sheet, and a step of wire bonding after the step of curing the adhesive sheet A method (hereinafter referred to as “method (I)”) is known (see, for example, Patent Document 1).

一方、半導体チップを接着シートで被着体に固定する工程と、ワイヤーボンディングする工程(以下、「ワイヤーボンディング工程」という)と、ワイヤーボンディング工程の後に半導体チップを封止樹脂で覆いながら封止樹脂とともに接着シートを加熱することにより接着シートを硬化させる工程とを含む方法(以下、「方法(II)」という)も知られている。方法(II)は、封止樹脂とともに接着シートを加熱するため、方法(I)に比べて、プロセスコストに優れる。したがって、プロセスコストの観点から、方法(II)が望ましい。   On the other hand, a step of fixing a semiconductor chip to an adherend with an adhesive sheet, a step of wire bonding (hereinafter referred to as “wire bonding step”), and a sealing resin while covering the semiconductor chip with a sealing resin after the wire bonding step In addition, a method including the step of curing the adhesive sheet by heating the adhesive sheet (hereinafter referred to as “method (II)”) is also known. Since the method (II) heats the adhesive sheet together with the sealing resin, the process cost is superior to the method (I). Therefore, the method (II) is desirable from the viewpoint of process cost.

ところで、ワイヤーボンディング工程は、ワイヤーの一端を半導体チップのパッドに圧着しながらワイヤーに超音波を印加することにより、ワイヤーとパッドを接合するステップなどを含む。   By the way, a wire bonding process includes the step etc. which join a wire and a pad by applying an ultrasonic wave to a wire, pressing one end of a wire to a pad of a semiconductor chip.

特開2013−53190号公報JP2013-53190A

ワイヤーボンディング装置から出される超音波により半導体チップが振動するため、チップ割れ、ワイヤーとパッドの接合不良が生じることがある。方法(II)では、接着シートを硬化させる前にワイヤーボンディング工程を行うため、半導体チップが振動しやすく、チップ割れ、接合不良が生じやすい。半導体チップの厚みが50μm以下であると、チップ割れが一層生じやすい。   Since the semiconductor chip is vibrated by the ultrasonic wave emitted from the wire bonding apparatus, chip cracking and poor bonding between the wire and the pad may occur. In the method (II), since the wire bonding step is performed before the adhesive sheet is cured, the semiconductor chip is likely to vibrate, and chip cracking and poor bonding are likely to occur. When the thickness of the semiconductor chip is 50 μm or less, chip cracking is more likely to occur.

本発明は前記課題を解決し、半導体チップの振動を低減することが可能で、チップ割れ、ワイヤーとパッドの接合不良を低減できる接着シート、ダイシングシート付き接着シート及び積層シートを提供することを目的とする。本発明はまた、半導体チップの振動を低減することが可能で、チップ割れ、ワイヤーとパッドの接合不良を低減できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an adhesive sheet, an adhesive sheet with a dicing sheet, and a laminated sheet that can solve the above-described problems and can reduce vibration of a semiconductor chip and reduce chip cracking and bonding failure between wires and pads. And Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device that can reduce vibrations of a semiconductor chip and reduce chip cracks and poor bonding between wires and pads.

本発明は、130℃の引張貯蔵弾性率は1MPa〜20MPaであり、130℃のtanδは0.1〜0.3である接着シートに関する。本発明の接着シートで半導体チップを被着体に固定することにより、半導体チップの振動を低減することが可能で、チップ割れ、ワイヤーとパッドの接合不良を低減できる。   The present invention relates to an adhesive sheet having a tensile storage modulus at 130 ° C. of 1 MPa to 20 MPa and a tan δ of 130 ° C. of 0.1 to 0.3. By fixing the semiconductor chip to the adherend with the adhesive sheet of the present invention, the vibration of the semiconductor chip can be reduced, and chip cracking and poor bonding between the wire and the pad can be reduced.

本発明の接着シートは次の性質をさらに備えることが好ましい。すなわち、tanδの最大値は0.5〜1.4であることが好ましい。   The adhesive sheet of the present invention preferably further has the following properties. That is, the maximum value of tan δ is preferably 0.5 to 1.4.

本発明の接着シートは次の性質をさらに備えることが好ましい。すなわち、25℃〜300℃の範囲を毎分10℃で昇温する条件下のDSC測定により得られる反応熱量は0mJ/mg〜20mJ/mgであることが好ましい。20mJ/mg以下であると、標準的なワイヤーボンディング条件下で硬化反応がすすみ難いため、封止樹脂を加熱するときに接着シートを軟化させることが可能で被着体表面の凹凸を埋め込むことができる。   The adhesive sheet of the present invention preferably further has the following properties. That is, it is preferable that the reaction calorie | heat_amount obtained by DSC measurement on the conditions which heats up the range of 25 degreeC-300 degreeC at 10 degree-C per minute is 0mJ / mg-20mJ / mg. If it is 20 mJ / mg or less, the curing reaction is unlikely to proceed under standard wire bonding conditions, so that the adhesive sheet can be softened when the sealing resin is heated, and the unevenness of the adherend surface can be embedded. it can.

好ましくは、本発明の接着シートが樹脂成分を含む。好ましくは、樹脂成分がアクリル樹脂を含む。好ましくは、アクリル樹脂がエポキシ基及び/又はカルボキシル基を備える。好ましくは、樹脂成分100重量%中のアクリル樹脂の含有量は70重量%以上である。   Preferably, the adhesive sheet of the present invention contains a resin component. Preferably, the resin component includes an acrylic resin. Preferably, the acrylic resin has an epoxy group and / or a carboxyl group. Preferably, the content of the acrylic resin in 100% by weight of the resin component is 70% by weight or more.

好ましくは、本発明の接着シートがBET比表面積10m/g以上の無機フィラーを含む。好ましくは、無機フィラーの新モース硬度は5以上である。好ましくは、無機フィラーは、表面不活性化処理が施されている。好ましくは、無機フィラーの含有量は45重量%〜90重量%である。 Preferably, the adhesive sheet of the present invention contains an inorganic filler having a BET specific surface area of 10 m 2 / g or more. Preferably, the new Mohs hardness of the inorganic filler is 5 or more. Preferably, the inorganic filler is subjected to a surface inactivation treatment. Preferably, the content of the inorganic filler is 45% to 90% by weight.

本発明はまた、基材及び基材上に配置された粘着剤層を備えるダイシングシートと、粘着剤層上に配置された接着シートとを備えるダイシングシート付き接着シートに関する。   The present invention also relates to an adhesive sheet with a dicing sheet comprising a substrate and a dicing sheet comprising an adhesive layer disposed on the substrate and an adhesive sheet disposed on the adhesive layer.

本発明はまた、カバーフィルムと、カバーフィルム上に配置されたダイシングシート付き接着シートとを備える積層シートに関する。   The present invention also relates to a laminated sheet comprising a cover film and an adhesive sheet with a dicing sheet disposed on the cover film.

本発明はまた、ダイシングシート付き接着シートを準備する工程と、接着シートに半導体ウエハを圧着する工程と、接着シート上に配置された半導体ウエハをダイシングすることにより、パッドを備える半導体チップ及び半導体チップ上に配置された接着フィルムを備えるダイボンド用チップを形成する工程と、端子部を備える被着体にダイボンド用チップを圧着することによりチップ付き被着体を形成する工程と、ワイヤーの一端とパッドを接合するステップ及びワイヤーの他端と端子部を接合するステップを含むワイヤーボンディング工程と、ワイヤーボンディング工程の後にチップ付き被着体を加熱することにより接着フィルムを硬化させる工程とを含む半導体装置の製造方法に関する。   The present invention also provides a step of preparing an adhesive sheet with a dicing sheet, a step of pressure-bonding a semiconductor wafer to the adhesive sheet, a semiconductor chip having a pad by dicing the semiconductor wafer disposed on the adhesive sheet, and a semiconductor chip A step of forming a die-bonding chip having an adhesive film disposed thereon, a step of forming an adherend with a chip by crimping the die-bonding chip to an adherend having a terminal portion, and one end of a wire and a pad And a step of bonding the other end of the wire and a terminal portion, and a step of curing the adhesive film by heating the adherend with a chip after the wire bonding step. It relates to a manufacturing method.

接着シートの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of an adhesive sheet. ダイシングシート付き接着シートの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of an adhesive sheet with a dicing sheet. 変形例に係るダイシングシート付き接着シートの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the adhesive sheet with a dicing sheet which concerns on a modification. 積層シートの概略平面図である。It is a schematic plan view of a laminated sheet. 積層シートの断面を部分的に拡大して示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which expands and shows the section of a lamination sheet partially. ダイシングシート付き接着シート上に半導体ウエハを配置した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the semiconductor wafer has been arrange | positioned on the adhesive sheet with a dicing sheet. 半導体ウエハを個片化した様子の概略を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the outline of a mode that the semiconductor wafer was separated into pieces. 半導体チップ付き被着体の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a to-be-adhered body with a semiconductor chip. ワイヤーを有する半導体チップ付き被着体の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the to-be-adhered body with a semiconductor chip which has a wire. 半導体装置の概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of a semiconductor device.

以下に実施形態を掲げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態のみに限定されるものではない。   The present invention will be described in detail below with reference to embodiments, but the present invention is not limited only to these embodiments.

[実施形態1]
(接着シート3)
図1に示すように、接着シート3の形態はシート状である。接着シート3は熱硬化性を備える。
[Embodiment 1]
(Adhesive sheet 3)
As shown in FIG. 1, the form of the adhesive sheet 3 is a sheet form. The adhesive sheet 3 has thermosetting properties.

接着シート3は次の性質をさらに備える。すなわち、130℃の引張貯蔵弾性率は1MPa〜20MPaである。接着シート3は硬化前の状態で比較的硬いので、接着シート3で半導体チップを被着体に固定することにより、半導体チップの振動を低減することが可能で、チップ割れ、ワイヤーとパッドの接合不良を低減できる。20MPa以下であるので、被着体に対する密着力を確保することができる。   The adhesive sheet 3 further has the following properties. That is, the tensile storage elastic modulus at 130 ° C. is 1 MPa to 20 MPa. Since the adhesive sheet 3 is relatively hard before being cured, it is possible to reduce the vibration of the semiconductor chip by fixing the semiconductor chip to the adherend with the adhesive sheet 3, chip cracking, bonding of the wire and the pad Defects can be reduced. Since it is 20 MPa or less, the adhesive force with respect to a to-be-adhered body is securable.

130℃の引張貯蔵弾性率は、好ましくは3MPa以上、より好ましくは4MPa以上、さらに好ましくは5MPa以上である。一方、130℃の引張貯蔵弾性率は、好ましくは18MPa以下、より好ましくは15MPa以下である。   The tensile storage elastic modulus at 130 ° C. is preferably 3 MPa or more, more preferably 4 MPa or more, and further preferably 5 MPa or more. On the other hand, the tensile storage elastic modulus at 130 ° C. is preferably 18 MPa or less, more preferably 15 MPa or less.

130℃の引張貯蔵弾性率は、無機フィラーの種類、無機フィラーの含有量などによりコントロールできる。例えば、粒径が小さい無機フィラーを使用すること、新モース硬度が高い無機フィラーを使用することなどにより、130℃の引張貯蔵弾性率を高めることができる。   The tensile storage modulus at 130 ° C. can be controlled by the type of inorganic filler, the content of inorganic filler, and the like. For example, the tensile storage elastic modulus at 130 ° C. can be increased by using an inorganic filler having a small particle diameter or using an inorganic filler having a high new Mohs hardness.

130℃の引張貯蔵弾性率は実施例に記載の方法で測定する。   The tensile storage modulus at 130 ° C. is measured by the method described in the examples.

接着シート3は次の性質をさらに備える。すなわち、130℃のtanδは0.1〜0.3である。0.3以下であるので、半導体チップの振動を低減することが可能で、チップ割れ、ワイヤーとパッドの接合不良を低減できる。0.1以上であるので、被着体に対する密着力を確保することができる。   The adhesive sheet 3 further has the following properties. That is, tan δ at 130 ° C. is 0.1 to 0.3. Since it is 0.3 or less, it is possible to reduce the vibration of the semiconductor chip, and it is possible to reduce chip cracks and poor bonding between the wire and the pad. Since it is 0.1 or more, the adhesive force with respect to a to-be-adhered body is securable.

好ましくは、接着シート3は次の性質をさらに備える。すなわち、tanδの最大値は0.5〜1.4である。1.4以下であると、半導体チップの振動を低減できる。0.5以上であると、封止工程で基板の凹凸を埋め込むことができる。tanδの最大値は、より好ましくは1以下である。   Preferably, the adhesive sheet 3 further includes the following properties. That is, the maximum value of tan δ is 0.5 to 1.4. If it is 1.4 or less, vibration of the semiconductor chip can be reduced. When it is 0.5 or more, the unevenness of the substrate can be embedded in the sealing step. The maximum value of tan δ is more preferably 1 or less.

tanδの最大値を示す温度は、好ましくは5℃〜80℃である。   The temperature showing the maximum value of tan δ is preferably 5 ° C to 80 ° C.

tanδは実施例に記載の方法で測定する。   Tan δ is measured by the method described in the examples.

好ましくは、接着シート3は次の性質をさらに備える。すなわち、25℃〜300℃の範囲を毎分10℃で昇温する条件下のDSC測定により得られる反応熱量は0mJ/mg〜20mJ/mgである。20mJ/mg以下であると、標準的なワイヤーボンディング条件下で硬化反応がすすみ難いため、封止樹脂を加熱するときに接着シート3を軟化させることが可能で被着体表面の凹凸を埋め込むことができる。反応熱量の下限は、例えば、1mJ/mg、2mJ/mgなどでもかまわない。   Preferably, the adhesive sheet 3 further includes the following properties. That is, the amount of reaction heat obtained by DSC measurement under the condition of raising the temperature in the range of 25 ° C. to 300 ° C. at 10 ° C. per minute is 0 mJ / mg to 20 mJ / mg. If it is 20 mJ / mg or less, the curing reaction is difficult to proceed under standard wire bonding conditions, so that the adhesive sheet 3 can be softened when the sealing resin is heated, and the unevenness of the adherend surface is embedded. Can do. The lower limit of the reaction heat amount may be, for example, 1 mJ / mg, 2 mJ / mg, or the like.

反応熱量は、エポキシ樹脂の含有量、フェノール樹脂の含有量、触媒などによりコントロールできる。例えば、エポキシ樹脂の含有量を減らすこと、フェノール樹脂の含有量を減らすこと、触媒を添加しないことなどにより、反応熱量を下げることができる。   The amount of reaction heat can be controlled by the content of the epoxy resin, the content of the phenol resin, the catalyst, and the like. For example, the amount of reaction heat can be reduced by reducing the content of the epoxy resin, reducing the content of the phenol resin, or not adding a catalyst.

反応熱量とは、25℃〜300℃の範囲を毎分10℃で昇温する条件下のDSC測定により測定される熱量を試験片の重量で割ることにより算出される値である。   The amount of reaction heat is a value calculated by dividing the amount of heat measured by DSC measurement under the condition of raising the temperature in the range of 25 ° C. to 300 ° C. at 10 ° C. per minute by the weight of the test piece.

接着シート3は、樹脂成分を含む。樹脂成分としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などが挙げられる。   The adhesive sheet 3 includes a resin component. Examples of the resin component include acrylic resin, epoxy resin, and phenol resin.

アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数30以下、特に炭素数4〜18の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの1種又は2種以上を成分とする重合体(アクリル共重合体)などが挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、t−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基などが挙げられる。   The acrylic resin is not particularly limited, and includes one or more esters of acrylic acid or methacrylic acid ester having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms. And a polymer (acrylic copolymer). Examples of the alkyl group include a methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2- Examples include ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group, and dodecyl group.

また、重合体(アクリル共重合体)を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸などの様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸などの様な酸無水物モノマー、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル若しくは(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)−メチルアクリレートなどの様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート若しくは(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などの様なスルホン酸基含有モノマー、又は2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどの様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。   In addition, the other monomer forming the polymer (acrylic copolymer) is not particularly limited, and for example, acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid Or a carboxyl group-containing monomer such as crotonic acid, an acid anhydride monomer such as maleic anhydride or itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, (meth ) 4-hydroxybutyl acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4 -Hydroxymethylcyclo Hydroxyl group-containing monomers such as (xyl) -methyl acrylate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate Alternatively, a sulfonic acid group-containing monomer such as (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid or the like, or a phosphoric acid group-containing monomer such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate may be used.

アクリル樹脂のなかでも、重量平均分子量が10万以上のものが好ましく、30万〜300万のものがより好ましく、50万〜200万のものがさらに好ましい。かかる数値範囲内であると、接着性及び耐熱性に優れるからである。なお、重量平均分子量は、GPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー)により測定し、ポリスチレン換算により算出された値である。   Among the acrylic resins, those having a weight average molecular weight of 100,000 or more are preferable, those having 300,000 to 3,000,000 are more preferable, and those having 500,000 to 2,000,000 are more preferable. It is because it is excellent in adhesiveness and heat resistance in this numerical range. The weight average molecular weight is a value measured by GPC (gel permeation chromatography) and calculated in terms of polystyrene.

耐リフロー性を高められるという理由から、アクリル樹脂は、エポキシ基、カルボキシル基を備えることが好ましい。アクリル樹脂は、ヒドロキシル基などをさらに備えることができる。   The acrylic resin preferably has an epoxy group or a carboxyl group because the reflow resistance can be improved. The acrylic resin can further include a hydroxyl group and the like.

アクリル樹脂の酸価は、好ましくは1mgKOH/g以上、より好ましくは3mgKOH/g以上である。1mgKOH/g以上であると、耐リフロー性を高められる。一方、アクリル樹脂の酸価は、好ましくは30mgKOH/g以下、より好ましくは15mgKOH/g以下である。30mgKOH/g以下であると、反応性を抑えることができる。
なお、酸価は、JIS K 0070−1992に規定される中和滴定法で測定できる。
The acid value of the acrylic resin is preferably 1 mgKOH / g or more, more preferably 3 mgKOH / g or more. Reflow resistance can be improved as it is 1 mgKOH / g or more. On the other hand, the acid value of the acrylic resin is preferably 30 mgKOH / g or less, more preferably 15 mgKOH / g or less. The reactivity can be suppressed as it is 30 mgKOH / g or less.
In addition, an acid value can be measured by the neutralization titration method prescribed | regulated to JISK0070-1992.

樹脂成分100重量%中のアクリル樹脂の含有量は、好ましくは70重量%以上、より好ましくは75重量%以上である。70重量%以上であると、反応熱量を下げることができる。一方、樹脂成分100重量%中のアクリル樹脂の含有量は、好ましくは100重量%以下、より好ましくは98重量%以下、さらに好ましくは97重量%以下である。   The content of the acrylic resin in 100% by weight of the resin component is preferably 70% by weight or more, more preferably 75% by weight or more. When it is 70% by weight or more, the heat of reaction can be reduced. On the other hand, the content of the acrylic resin in 100% by weight of the resin component is preferably 100% by weight or less, more preferably 98% by weight or less, and still more preferably 97% by weight or less.

エポキシ樹脂としては特に限定されず、例えばビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビスフェノールS型、臭素化ビスフェノールA型、水添ビスフェノールA型、ビスフェノールAF型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型などのエポキシ樹脂が用いられる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性などに優れるからである。   The epoxy resin is not particularly limited. For example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, naphthalene type, fluorene type, phenol novolac type. Bifunctional epoxy resins such as ortho-cresol novolak type, trishydroxyphenylmethane type, tetraphenylolethane type, etc., and epoxy resins such as hydantoin type, trisglycidyl isocyanurate type, or glycidylamine type are used. Of these epoxy resins, novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylolethane type epoxy resins are particularly preferred. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance.

エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは120g/eq.以上、より好ましくは140g/eq.以上、さらに好ましくは150g/eq.以上である。一方、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは500g/eq.以下、より好ましくは300g/eq.以下である。
なお、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、JIS K 7236−2009に規定された方法で測定できる。
The epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 120 g / eq. Or more, more preferably 140 g / eq. Or more, more preferably 150 g / eq. That's it. On the other hand, the epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 500 g / eq. Or less, more preferably 300 g / eq. It is as follows.
In addition, the epoxy equivalent of an epoxy resin can be measured by the method prescribed | regulated to JISK7236-2009.

フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、tert−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンなどが挙げられる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。   The phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin. For example, a novolak type phenol resin such as a phenol novolak resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolak resin, a tert-butylphenol novolak resin, a nonylphenol novolak resin, or a resol type phenol resin. And polyoxystyrene such as polyparaoxystyrene. Of these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.

フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは150g/eq.以上、より好ましくは200g/eq.以上である。一方、フェノール樹脂の水酸基当量は、好ましくは400g/eq.以下、より好ましくは300g/eq.以下である。   The hydroxyl equivalent of the phenol resin is preferably 150 g / eq. Or more, more preferably 200 g / eq. That's it. On the other hand, the hydroxyl equivalent of the phenol resin is preferably 400 g / eq. Or less, more preferably 300 g / eq. It is as follows.

エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、エポキシ樹脂成分中のエポキシ基1当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が0.5〜2.0当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、0.8〜1.2当量である。即ち、両者の配合割合がかかる範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、硬化物の特性が劣化し易くなるからである。   The blending ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably blended so that the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of both is out of this range, the sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured product are likely to deteriorate.

樹脂成分100重量%中のエポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは30重量%以下、より好ましくは25重量%以下である。一方、エポキシ樹脂及びフェノール樹脂の合計含有量は、好ましくは2重量%以上、より好ましくは3重量%以上である。   The total content of epoxy resin and phenol resin in 100% by weight of the resin component is preferably 30% by weight or less, more preferably 25% by weight or less. On the other hand, the total content of the epoxy resin and the phenol resin is preferably 2% by weight or more, more preferably 3% by weight or more.

接着シート3が、BET比表面積10m/g以上の無機フィラーを含むことが好ましい。10m/g以上であると、130℃の引張貯蔵弾性率を効果的に高めることができる。 It is preferable that the adhesive sheet 3 contains an inorganic filler having a BET specific surface area of 10 m 2 / g or more. The tensile storage elastic modulus of 130 degreeC can be effectively improved as it is 10 m < 2 > / g or more.

無機フィラーのBET比表面積は、好ましくは20m/g以上である。一方、無機フィラーのBET比表面積は、好ましくは500m/g以下、より好ましくは400m/g以下である。
BET比表面積は、JIS K6430:2008に準拠して測定する。
The BET specific surface area of the inorganic filler is preferably 20 m 2 / g or more. On the other hand, the BET specific surface area of the inorganic filler is preferably 500 m 2 / g or less, more preferably 400 m 2 / g or less.
The BET specific surface area is measured according to JIS K6430: 2008.

無機フィラーの新モース硬度は好ましくは5以上である。5以上であると、130℃の引張貯蔵弾性率を効果的に高めることができる。無機フィラーの新モース硬度の上限は特に限定されないが、例えば、13である。   The new Mohs hardness of the inorganic filler is preferably 5 or more. When it is 5 or more, the tensile storage elastic modulus at 130 ° C. can be effectively increased. Although the upper limit of the new Mohs hardness of an inorganic filler is not specifically limited, For example, it is 13.

無機フィラーとしては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。   Examples of inorganic fillers include ceramics such as silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina oxide, beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, lead, tin And various inorganic powders made of metals such as zinc, palladium and solder, alloys, and other carbon.

無機フィラーは、通常、反応性基を有する。反応性基を不活性化することにより、硬化反応速度を遅くすることができるという理由から、無機フィラーは、表面不活性化処理が施されているものが好ましい。   The inorganic filler usually has a reactive group. The inorganic filler is preferably subjected to a surface inactivation treatment because the curing reaction rate can be slowed by inactivating the reactive group.

例えば、無機フィラーをシランカップリング剤で前処理することにより、反応性基を不活性化できる。シランカップリング剤としては、ビニル基を備えるシランカップリング剤、メタクリル基を備えるシランカップリング剤、フェニル基を備えるシランカップリング剤が好ましい。   For example, the reactive group can be inactivated by pretreating the inorganic filler with a silane coupling agent. As the silane coupling agent, a silane coupling agent having a vinyl group, a silane coupling agent having a methacryl group, and a silane coupling agent having a phenyl group are preferable.

接着シート3中の無機フィラーの含有量は、好ましくは40重量%以上、より好ましくは45重量%以上である。一方、無機フィラーの含有量は、好ましくは90重量%以下、より好ましくは80重量%以下である。   The content of the inorganic filler in the adhesive sheet 3 is preferably 40% by weight or more, more preferably 45% by weight or more. On the other hand, the content of the inorganic filler is preferably 90% by weight or less, more preferably 80% by weight or less.

好ましくは、接着シート3は硬化促進剤を含まない。硬化促進剤の含有量は、樹脂成分100重量部に対し、好ましくは0.2重量部以下、より好ましくは0.01重量部以下、特に好ましくは0重量部である。   Preferably, the adhesive sheet 3 does not contain a curing accelerator. The content of the curing accelerator is preferably 0.2 parts by weight or less, more preferably 0.01 parts by weight or less, and particularly preferably 0 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the resin component.

硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール系化合物、トリフェニルフォスフィン系化合物、アミン系化合物、トリフェニルボラン系化合物、トリハロゲンボラン系化合物等が挙げられる。   Examples of the curing accelerator include imidazole compounds, triphenylphosphine compounds, amine compounds, triphenylborane compounds, trihalogenborane compounds, and the like.

イミダゾール系化合物としては、2−メチルイミダゾール(商品名;2MZ)、2−ウンデシルイミダゾール(商品名;C11Z)、2−ヘプタデシルイミダゾール(商品名;C17Z)、1,2−ジメチルイミダゾール(商品名;1.2DMZ)、2−エチル−4−メチルイミダゾール(商品名;2E4MZ)、2−フェニルイミダゾール(商品名;2PZ)、2−フェニル−4−メチルイミダゾール(商品名;2P4MZ)、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール(商品名;1B2MZ)、1−ベンジル−2−フェニルイミダゾール(商品名;1B2PZ)、1−シアノエチル−2−メチルイミダゾール(商品名;2MZ−CN)、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール(商品名;C11Z−CN)、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト(商品名;2PZCNS−PW)、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン(商品名;2MZ−A)、2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン(商品名;C11Z−A)、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン(商品名;2E4MZ−A)、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物(商品名;2MA−OK)、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール(商品名;2PHZ−PW)、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール(商品名;2P4MHZ−PW)等が挙げられる(いずれも四国化成(株)製)。   Examples of imidazole compounds include 2-methylimidazole (trade name; 2MZ), 2-undecylimidazole (trade name; C11Z), 2-heptadecylimidazole (trade name; C17Z), and 1,2-dimethylimidazole (trade name). 1.2DMZ), 2-ethyl-4-methylimidazole (trade name; 2E4MZ), 2-phenylimidazole (trade name; 2PZ), 2-phenyl-4-methylimidazole (trade name; 2P4MZ), 1-benzyl 2-methylimidazole (trade name; 1B2MZ), 1-benzyl-2-phenylimidazole (trade name; 1B2PZ), 1-cyanoethyl-2-methylimidazole (trade name; 2MZ-CN), 1-cyanoethyl-2- Undecylimidazole (trade name; C11Z-CN), 1-cyanoethyl-2 Phenylimidazolium trimellitate (trade name; 2PZCNS-PW), 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine (trade name; 2MZ-A), 2,4-diamino-6- [2′-undecylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine (trade name; C11Z-A), 2,4-diamino-6- [2′-ethyl- 4′-Methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s-triazine (trade name; 2E4MZ-A), 2,4-diamino-6- [2′-methylimidazolyl- (1 ′)]-ethyl-s -Triazine isocyanuric acid adduct (trade name; 2MA-OK), 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (trade name; 2PHZ-PW), 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxy Methylimidazole (trade name; 2P4MHZ-PW), and the like (all made by Shikoku Kasei Co., Ltd.).

トリフェニルフォスフィン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ(p−メチルフェニル)フォスフィン、トリ(ノニルフェニル)フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィン等のトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド(商品名;TPP−PB)、メチルトリフェニルホスホニウム(商品名;TPP−MB)、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド(商品名;TPP−MC)、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム(商品名;TPP−MOC)、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド(商品名;TPP−ZC)等が挙げられる(いずれも北興化学社製)。   The triphenylphosphine compound is not particularly limited, and examples thereof include triorganophosphine such as triphenylphosphine, tributylphosphine, tri (p-methylphenyl) phosphine, tri (nonylphenyl) phosphine, diphenyltolylphosphine, and the like. , Tetraphenylphosphonium bromide (trade name; TPP-PB), methyltriphenylphosphonium (trade name; TPP-MB), methyltriphenylphosphonium chloride (trade name; TPP-MC), methoxymethyltriphenylphosphonium (trade name; TPP-MOC), benzyltriphenylphosphonium chloride (trade name; TPP-ZC), and the like (all manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd.).

トリフェニルボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリ(p−メチルフェニル)フォスフィン等が挙げられる。また、トリフェニルボラン系化合物としては、さらにトリフェニルフォスフィン構造を有するものも含まれる。トリフェニルフォスフィン構造及びトリフェニルボラン構造を有する化合物としては特に限定されず、例えば、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート(商品名;TPP−K)、テトラフェニルホスホニウムテトラ−p−トリボレート(商品名;TPP−MK)、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート(商品名;TPP−ZK)、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン(商品名;TPP−S)等が挙げられる(いずれも北興化学社製)。   The triphenylborane compound is not particularly limited, and examples thereof include tri (p-methylphenyl) phosphine. The triphenylborane compound further includes those having a triphenylphosphine structure. The compound having a triphenylphosphine structure and a triphenylborane structure is not particularly limited. For example, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name; TPP-K), tetraphenylphosphonium tetra-p-triborate (trade name; TPP) -MK), benzyltriphenylphosphonium tetraphenylborate (trade name; TPP-ZK), triphenylphosphine triphenylborane (trade name; TPP-S) and the like (all manufactured by Hokuko Chemical Co., Ltd.).

アミノ系化合物としては特に限定されず、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート(ステラケミファ(株)製)、ジシアンジアミド(ナカライテスク(株)製)等が挙げられる。   The amino compound is not particularly limited, and examples thereof include monoethanolamine trifluoroborate (manufactured by Stella Chemifa Corporation), dicyandiamide (manufactured by Nacalai Tesque Corporation), and the like.

トリハロゲンボラン系化合物としては特に限定されず、例えば、トリクロロボラン等が挙げられる。   It does not specifically limit as a trihalogen borane type compound, For example, a trichloroborane etc. are mentioned.

接着シート3は、前記成分以外にも、フィルム製造に一般に使用される配合剤、例えば、架橋剤などを適宜含有してよい。   In addition to the above components, the adhesive sheet 3 may appropriately contain a compounding agent generally used in film production, such as a crosslinking agent.

接着シート3は、通常の方法で製造できる。例えば、前記各成分を含有する接着剤組成物溶液を作製し、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、塗布膜を乾燥させることで、接着シート3を製造できる。   The adhesive sheet 3 can be manufactured by a normal method. For example, an adhesive composition solution containing each of the components described above is prepared, and the adhesive composition solution is applied on a base separator to a predetermined thickness to form a coating film, and then the coating film is dried. Thus, the adhesive sheet 3 can be manufactured.

接着剤組成物溶液に用いる溶媒としては特に限定されないが、前記各成分を均一に溶解、混練又は分散できる有機溶媒が好ましい。例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N-メチルピロリドン、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、トルエン、キシレンなどが挙げられる。塗布方法は特に限定されない。溶剤塗工の方法としては、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、ロールコーター、リバースコーター、コンマコーター、パイプドクターコーター、スクリーン印刷などが挙げられる。なかでも、塗布厚みの均一性が高いという点から、ダイコーターが好ましい。   Although it does not specifically limit as a solvent used for adhesive composition solution, The organic solvent which can melt | dissolve, knead | mix or disperse | distribute each said component uniformly is preferable. Examples thereof include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone, and cyclohexanone, toluene, xylene, and the like. The application method is not particularly limited. Examples of the solvent coating method include a die coater, a gravure coater, a roll coater, a reverse coater, a comma coater, a pipe doctor coater, and screen printing. Of these, a die coater is preferable in terms of high uniformity of coating thickness.

基材セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙などが使用可能である。接着剤組成物溶液の塗布方法としては、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。また、塗布膜の乾燥条件は特に限定されず、例えば、乾燥温度70〜160℃、乾燥時間1〜5分間で行うことができる。   As the base material separator, polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a plastic film or paper whose surface is coated with a release agent such as a fluorine-type release agent or a long-chain alkyl acrylate release agent can be used. Examples of the method for applying the adhesive composition solution include roll coating, screen coating, and gravure coating. Moreover, the drying conditions of a coating film are not specifically limited, For example, it can carry out in drying temperature 70-160 degreeC and drying time 1-5 minutes.

接着シート3の製造方法としては、例えば、前記各成分をミキサーにて混合し、得られた混合物をプレス成形して接着シート3を製造する方法なども好適である。ミキサーとしてはプラネタリーミキサーなどが挙げられる。   As a method for producing the adhesive sheet 3, for example, a method of producing the adhesive sheet 3 by mixing the respective components with a mixer and press-molding the obtained mixture is also suitable. A planetary mixer etc. are mentioned as a mixer.

接着シート3の厚みは特に限定されないが、3μm以上が好ましく、5μm以上がより好ましい。3μm未満であると、接着面積が不安定となる場合がある。また、接着シート3の厚みは100μm以下が好ましく、50μm以下がより好ましい。100μmを超えると、ダイアタッチの荷重によって接着シート3が過度にはみ出し、パッドを汚染する場合がある。   Although the thickness of the adhesive sheet 3 is not specifically limited, 3 micrometers or more are preferable and 5 micrometers or more are more preferable. If it is less than 3 μm, the adhesion area may become unstable. Further, the thickness of the adhesive sheet 3 is preferably 100 μm or less, and more preferably 50 μm or less. If it exceeds 100 μm, the adhesive sheet 3 may protrude excessively due to the load of die attachment, and the pad may be contaminated.

接着シート3は、半導体装置を製造するために使用される。具体的には、リードフレームなどの被着体と半導体チップとを接着するためのフィルム(以下、「ダイアタッチフィルム」という)として使用される。被着体としては、リードフレーム、インターポーザ、半導体チップなどが挙げられる。   The adhesive sheet 3 is used for manufacturing a semiconductor device. Specifically, it is used as a film for bonding an adherend such as a lead frame and a semiconductor chip (hereinafter referred to as “die attach film”). Examples of the adherend include a lead frame, an interposer, and a semiconductor chip.

接着シート3は、ダイシングシート付き接着シートの形態で使用することが好ましい。   The adhesive sheet 3 is preferably used in the form of an adhesive sheet with a dicing sheet.

(ダイシングシート付き接着シート10)
ダイシングシート付き接着シート10について説明する。
(Adhesive sheet with dicing sheet 10)
The adhesive sheet 10 with a dicing sheet will be described.

図2に示すように、ダイシングシート付き接着シート10は、ダイシングシート1及びダイシングシート1上に配置された接着シート3を備える。ダイシングシート1は、基材11及び基材11上に配置された粘着剤層12を備える。接着シート3は粘着剤層12上に配置されている。   As shown in FIG. 2, the adhesive sheet with dicing sheet 10 includes a dicing sheet 1 and an adhesive sheet 3 disposed on the dicing sheet 1. The dicing sheet 1 includes a base material 11 and an adhesive layer 12 arranged on the base material 11. The adhesive sheet 3 is disposed on the pressure-sensitive adhesive layer 12.

図3に示すように、ダイシングシート付き接着シート10は、ワーク(半導体ウエハ4など)貼り付け部分にのみ接着シート3を形成した構成であってもよい。   As shown in FIG. 3, the dicing sheet-attached adhesive sheet 10 may have a configuration in which the adhesive sheet 3 is formed only on a work (semiconductor wafer 4 or the like) attachment portion.

基材11は、ダイシングシート付き接着シート10の強度母体となるものであり、紫外線透過性を有するものが好ましい。基材11としては、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテンなどのポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−(メタ)アクリル酸共重合体、エチレン−(メタ)アクリル酸エステル(ランダム、交互)共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド(紙)、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属(箔)、紙などが挙げられる。   The base material 11 serves as a strength matrix of the adhesive sheet with a dicing sheet 10 and preferably has ultraviolet transparency. Examples of the base material 11 include low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, and polymethylpentene. Polyolefin, ethylene-vinyl acetate copolymer, ionomer resin, ethylene- (meth) acrylic acid copolymer, ethylene- (meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, ethylene-butene copolymer, ethylene -Hexene copolymers, polyesters such as polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamid , Polyphenyl sulphates id, aramid (paper), glass, glass cloth, fluorine resin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose resin, silicone resin, metal (foil), and paper.

基材11の表面は、隣接する層との密着性、保持性などを高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理などの化学的又は物理的処理、下塗剤(例えば、後述する粘着物質)によるコーティング処理を施すことができる。   The surface of the base material 11 is chemically treated by conventional surface treatments such as chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high piezoelectric impact exposure, ionizing radiation treatment, etc. in order to improve adhesion and retention with adjacent layers. Alternatively, a physical treatment or a coating treatment with a primer (for example, an adhesive substance described later) can be performed.

基材11の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には5〜200μm程度である。   The thickness of the substrate 11 is not particularly limited and can be determined as appropriate, but is generally about 5 to 200 μm.

粘着剤層12の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性接着剤を用いることができる。感圧性接着剤としては、半導体ウエハやガラスなどの汚染をきらう電子部品の超純水やアルコールなどの有機溶剤による清浄洗浄性などの点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。   It does not restrict | limit especially as an adhesive used for formation of the adhesive layer 12, For example, common pressure sensitive adhesives, such as an acrylic adhesive and a rubber adhesive, can be used. As pressure-sensitive adhesives, acrylic adhesives based on acrylic polymers are used as the base polymer from the standpoint of cleanability of electronic components that are difficult to contaminate such as semiconductor wafers and glass with organic solvents such as ultrapure water and alcohol. preferable.

アクリル系ポリマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル(例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、s−ブチルエステル、t−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、2−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステルなどのアルキル基の炭素数1〜30、特に炭素数4〜18の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステルなど)及び(メタ)アクリル酸シクロアルキルエステル(例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステルなど)の1種又は2種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマーなどが挙げられる。なお、(メタ)アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び/又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の(メタ)とは全て同様の意味である。   Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters (for example, methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, t-butyl ester, pentyl ester, isopropyl ester). Pentyl ester, hexyl ester, heptyl ester, octyl ester, 2-ethylhexyl ester, isooctyl ester, nonyl ester, decyl ester, isodecyl ester, undecyl ester, dodecyl ester, tridecyl ester, tetradecyl ester, hexadecyl ester, C1-C30, especially C4-C18 linear or branched alkyl esters of alkyl groups such as octadecyl ester and eicosyl ester) and Meth) acrylic acid cycloalkyl esters (e.g., cyclopentyl ester, etc. One or acrylic polymer using two or more of the monomer component cyclohexyl ester etc.). In addition, (meth) acrylic acid ester means acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth) of the present invention has the same meaning.

アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性などの改質を目的として、必要に応じ、前記(メタ)アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル(メタ)アクリレート、カルボキシペンチル(メタ)アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸などのカルボキシル基含有モノマー;無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー;(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸4−ヒドロキシブチル、(メタ)アクリル酸6−ヒドロキシヘキシル、(メタ)アクリル酸8−ヒドロキシオクチル、(メタ)アクリル酸10−ヒドロキシデシル、(メタ)アクリル酸12−ヒドロキシラウリル、(4−ヒドロキシメチルシクロヘキシル)メチル(メタ)アクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー;スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、2−(メタ)アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、(メタ)アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー;2−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなどのリン酸基含有モノマー;アクリルアミド、アクリロニトリルなどが挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、1種又は2種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の40重量%以下が好ましい。   The acrylic polymer contains units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying cohesive force, heat resistance and the like. May be. Examples of such monomer components include, for example, carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid; maleic anhydride Acid anhydride monomers such as itaconic anhydride; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate Hydroxyl group-containing monomers such as 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate, (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; Sti Contains sulfonic acid groups such as sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxynaphthalene sulfonic acid Monomers; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethylacryloyl phosphate; acrylamide, acrylonitrile and the like. One or more of these copolymerizable monomer components can be used. The amount of these copolymerizable monomers used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

更に、アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマーなども、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、(ポリ)プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メタ)アクリレート、ウレタン(メタ)アクリレートなどが挙げられる。これらの多官能性モノマーも1種又は2種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性などの点から、全モノマー成分の30重量%以下が好ましい。   Furthermore, since the acrylic polymer is cross-linked, a polyfunctional monomer or the like can be included as a monomer component for copolymerization as necessary. Examples of such polyfunctional monomers include hexanediol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Pentaerythritol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, polyester (meth) acrylate, urethane (meth) An acrylate etc. are mentioned. These polyfunctional monomers can also be used alone or in combination of two or more. The amount of the polyfunctional monomer used is preferably 30% by weight or less of the total monomer components from the viewpoint of adhesive properties and the like.

アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は2種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合などの何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止などの点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは30万以上、更に好ましくは40万〜300万程度である。   The acrylic polymer can be obtained by subjecting a single monomer or a mixture of two or more monomers to polymerization. The polymerization can be carried out by any method such as solution polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, suspension polymerization and the like. From the viewpoint of preventing contamination of a clean adherend, it is preferable that the content of the low molecular weight substance is small. From this point, the number average molecular weight of the acrylic polymer is preferably 300,000 or more, more preferably about 400,000 to 3,000,000.

また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマーなどの数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤などのいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー100重量部に対して、5重量部程度以下、更には0.1〜5重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤などの添加剤を用いてもよい。   In addition, an external cross-linking agent can be appropriately employed for the pressure-sensitive adhesive in order to increase the number average molecular weight of an acrylic polymer as a base polymer. Specific examples of the external crosslinking method include a method of adding a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent and reacting them. When using an external cross-linking agent, the amount used is appropriately determined depending on the balance with the base polymer to be cross-linked and further depending on the intended use as an adhesive. Generally, it is preferable to add about 5 parts by weight or less, and further 0.1 to 5 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Furthermore, additives such as various conventionally known tackifiers and anti-aging agents may be used for the pressure-sensitive adhesive, if necessary, in addition to the above components.

粘着剤層12は放射線硬化型粘着剤により形成することができる。放射線硬化型粘着剤は、紫外線などの放射線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができる。   The pressure-sensitive adhesive layer 12 can be formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive. The radiation curable pressure-sensitive adhesive can easily reduce its adhesive strength by increasing the degree of crosslinking by irradiation with radiation such as ultraviolet rays.

図2に示す粘着剤層12のワーク貼り付け部分に対応する部分12aのみを放射線照射することにより他の部分12bとの粘着力の差を設けることができる。この場合、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分12bは接着シート3と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。   By irradiating only the part 12a corresponding to the work pasting part of the pressure-sensitive adhesive layer 12 shown in FIG. 2, a difference in adhesive strength with the other part 12b can be provided. In this case, the portion 12b formed of the uncured radiation curable pressure-sensitive adhesive sticks to the adhesive sheet 3 and can secure a holding force when dicing.

また、図3に示す接着シート3に合わせて放射線硬化型の粘着剤層12を硬化させることにより、粘着力が著しく低下した前記部分12aを形成できる。この場合、未硬化の放射線硬化型粘着剤により形成されている前記部分12bにウエハリングを固定できる。   Further, by curing the radiation-curable pressure-sensitive adhesive layer 12 in accordance with the adhesive sheet 3 shown in FIG. 3, the portion 12a with significantly reduced adhesive strength can be formed. In this case, the wafer ring can be fixed to the portion 12b formed of an uncured radiation curable adhesive.

つまり、粘着剤層12を放射線硬化型粘着剤により形成する場合には、粘着剤層12における前記部分12aの粘着力<その他の部分12bの粘着力、となるように前記部分12aを放射線照射することが好ましい。   That is, when the pressure-sensitive adhesive layer 12 is formed of a radiation curable pressure-sensitive adhesive, the portion 12a is irradiated with radiation so that the pressure-sensitive adhesive force of the portion 12a in the pressure-sensitive adhesive layer 12 <the pressure-sensitive adhesive strength of the other portion 12b. It is preferable.

放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合などの放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤などの一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。   As the radiation curable pressure-sensitive adhesive, those having a radiation curable functional group such as a carbon-carbon double bond and exhibiting adhesiveness can be used without particular limitation. Examples of the radiation curable pressure-sensitive adhesive include an addition-type radiation curable pressure-sensitive adhesive in which a radiation-curable monomer component or oligomer component is blended with a general pressure-sensitive pressure-sensitive adhesive such as the acrylic pressure-sensitive adhesive or rubber-based pressure-sensitive adhesive. An agent can be illustrated.

配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリストールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系など種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が100〜30000程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー100重量部に対して、例えば5〜500重量部、好ましくは40〜150重量部程度である。   Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane oligomer, urethane (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and pentaerythritol. Examples include stall tetra (meth) acrylate, dipentaerystol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, and the like. Examples of the radiation curable oligomer component include various oligomers such as urethane, polyether, polyester, polycarbonate, and polybutadiene, and those having a molecular weight in the range of about 100 to 30000 are suitable. The compounding amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component can be appropriately determined in accordance with the type of the pressure-sensitive adhesive layer, and the amount capable of reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. Generally, the amount is, for example, about 5 to 500 parts by weight, preferably about 40 to 150 parts by weight with respect to 100 parts by weight of a base polymer such as an acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分などを含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分などが粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。   In addition to the additive-type radiation curable adhesive described above, the radiation curable pressure-sensitive adhesive has a carbon-carbon double bond in the polymer side chain or main chain or at the main chain terminal as a base polymer. Intrinsic radiation curable pressure sensitive adhesives using Intrinsic radiation curable adhesives do not need to contain oligomer components, which are low molecular components, or do not contain many, so the oligomer components do not move through the adhesive over time and are stable. It is preferable because an adhesive layer having a layered structure can be formed.

前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。   As the base polymer having a carbon-carbon double bond, those having a carbon-carbon double bond and having adhesiveness can be used without particular limitation. As such a base polymer, those having an acrylic polymer as a basic skeleton are preferable. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymers exemplified above.

前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。   The method for introducing the carbon-carbon double bond into the acrylic polymer is not particularly limited, and various methods can be adopted. However, the carbon-carbon double bond can be easily introduced into the polymer side chain for easy molecular design. . For example, after a monomer having a functional group is previously copolymerized with an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is converted into a radiation curable carbon-carbon double bond. A method of performing condensation or addition reaction while maintaining the above.

これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基などが挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、2−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、m−イソプロペニル−α,α−ジメチルベンジルイソシアネートなどが挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや2−ヒドロキシエチルビニルエーテル、4−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物などを共重合したものが用いられる。   Examples of combinations of these functional groups include carboxylic acid groups and epoxy groups, carboxylic acid groups and aziridyl groups, hydroxyl groups and isocyanate groups. Among these combinations of functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is preferable because of easy tracking of the reaction. Moreover, the functional group may be on either side of the acrylic polymer and the compound as long as the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is generated by a combination of these functional groups. In the preferable combination, it is preferable that the acrylic polymer has a hydroxyl group and the compound has an isocyanate group. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, α-dimethylbenzyl isocyanate, and the like. Further, as the acrylic polymer, those obtained by copolymerizing the above-exemplified hydroxy group-containing monomers, ether compounds of 2-hydroxyethyl vinyl ether, 4-hydroxybutyl vinyl ether, diethylene glycol monovinyl ether, or the like are used.

前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー(特にアクリル系ポリマー)を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分などは、通常ベースポリマー100重量部に対して30重量部の範囲内であり、好ましくは0〜10重量部の範囲である。   As the intrinsic radiation curable pressure-sensitive adhesive, the base polymer (particularly acrylic polymer) having the carbon-carbon double bond can be used alone, but the radiation curable monomer does not deteriorate the characteristics. Components and oligomer components can also be blended. The radiation-curable oligomer component or the like is usually in the range of 30 parts by weight, preferably in the range of 0 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer.

前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線などにより硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、4−(2−ヒドロキシエトキシ)フェニル(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、α−ヒドロキシ−α,α’−ジメチルアセトフェノン、2−メチル−2−ヒドロキシプロピオフェノン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなどのα−ケトール系化合物;メトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフエノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)−フェニル]−2−モルホリノプロパン−1などのアセトフェノン系化合物;ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテルなどのベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタールなどのケタール系化合物;2−ナフタレンスルホニルクロリドなどの芳香族スルホニルクロリド系化合物;1−フェノン−1,1―プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシムなどの光活性オキシム系化合物;ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、3,3’−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノンなどのベンゾフェノン系化合物;チオキサンソン、2−クロロチオキサンソン、2−メチルチオキサンソン、2,4−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、2,4−ジクロロチオキサンソン、2,4−ジエチルチオキサンソン、2,4−ジイソプロピルチオキサンソンなどのチオキサンソン系化合物;カンファーキノン;ハロゲン化ケトン;アシルホスフィノキシド;アシルホスフォナートなどが挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマーなどのベースポリマー100重量部に対して、例えば0.05〜20重量部程度である。   The radiation curable pressure-sensitive adhesive contains a photopolymerization initiator when cured by ultraviolet rays or the like. Examples of the photopolymerization initiator include 4- (2-hydroxyethoxy) phenyl (2-hydroxy-2-propyl) ketone, α-hydroxy-α, α′-dimethylacetophenone, 2-methyl-2-hydroxypropio Α-ketol compounds such as phenone and 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone; methoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2-methyl-1- [4- ( Acetophenone compounds such as methylthio) -phenyl] -2-morpholinopropane-1; benzoin ether compounds such as benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether and anisoin methyl ether; ketal compounds such as benzyldimethyl ketal; 2-naphthalenesulfo Aromatic sulfonyl chloride compounds such as luchloride; Photoactive oxime compounds such as 1-phenone-1,1-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime; benzophenone, benzoylbenzoic acid, 3,3′-dimethyl Benzophenone compounds such as -4-methoxybenzophenone; thioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2,4-dimethylthioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-dichlorothioxanthone, 2 Thioxanthone compounds such as 1,4-diethylthioxanthone and 2,4-diisopropylthioxanthone; camphorquinone; halogenated ketone; acyl phosphinoxide; acyl phosphonate. The compounding quantity of a photoinitiator is about 0.05-20 weight part with respect to 100 weight part of base polymers, such as an acryl-type polymer which comprises an adhesive.

また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭60−196956号公報に開示されている、不飽和結合を2個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシランなどの光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物などの光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤などが挙げられる。   Examples of the radiation curable pressure-sensitive adhesive include photopolymerizable compounds such as an addition polymerizable compound having two or more unsaturated bonds and an alkoxysilane having an epoxy group disclosed in JP-A-60-196956. And rubber-based pressure-sensitive adhesives and acrylic pressure-sensitive adhesives containing photopolymerization initiators such as carbonyl compounds, organic sulfur compounds, peroxides, amines, and onium salt-based compounds.

前記放射線硬化型の粘着剤層12中には、必要に応じて、放射線照射により着色する化合物を含有させることもできる。放射線照射により、着色する化合物を粘着剤層12に含ませることによって、放射線照射された部分のみを着色することができる。放射線照射により着色する化合物は、放射線照射前には無色又は淡色であるが、放射線照射により有色となる化合物であり、例えば、ロイコ染料などが挙げられる。放射線照射により着色する化合物の使用割合は、適宜設定できる。   The radiation curable pressure-sensitive adhesive layer 12 may contain a compound that is colored by radiation irradiation, if necessary. By including a compound to be colored in the pressure-sensitive adhesive layer 12 by irradiation with radiation, only the irradiated portion can be colored. The compound that is colored by irradiation with radiation is a colorless or light color compound before irradiation with radiation, but becomes a color by irradiation with radiation, and examples thereof include leuco dyes. The use ratio of the compound colored by radiation irradiation can be set as appropriate.

粘着剤層12の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着シート3の固定保持の両立性などの点よりは、1〜50μm程度であるのが好ましい。好ましくは2〜30μm、更には5〜25μmが好ましい。   The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not particularly limited, but is preferably about 1 to 50 μm from the viewpoint of preventing chipping of the chip cut surface and compatibility of fixing and holding the adhesive sheet 3. Preferably it is 2-30 micrometers, Furthermore, 5-25 micrometers is preferable.

ダイシングシート付き接着シート10は、カバーフィルムにより保護されていることが好ましい。すなわち、接着シート3上にカバーフィルムが配置されていることが好ましい。   The dicing sheet-attached adhesive sheet 10 is preferably protected by a cover film. That is, it is preferable that a cover film is disposed on the adhesive sheet 3.

ダイシングシート付き接着シート10は、通常の方法で製造できる。例えば、ダイシングシート1の粘着剤層12と接着シート3とを貼り合わせることで、ダイシングシート付き接着シート10を製造できる。   The adhesive sheet 10 with a dicing sheet can be manufactured by a normal method. For example, the adhesive sheet 10 with a dicing sheet can be manufactured by bonding the adhesive layer 12 of the dicing sheet 1 and the adhesive sheet 3 together.

(積層シート2)
図4〜図5に示すように、積層シート2は、カバーフィルム9と、カバーフィルム9上に配置されたダイシングシート付き接着シート10a、10b、10c、‥‥‥10mとを備える。ダイシングシート付き接着シート10a、ダイシングシート付き接着シート10bの間隔、ダイシングシート付き接着シート10b、ダイシングシート付き接着シート10cの間隔、‥‥‥ダイシングシート付き接着シート10l、ダイシングシート付き接着シート10mの間隔は一定である。
(Laminated sheet 2)
As shown in FIGS. 4 to 5, the laminated sheet 2 includes a cover film 9 and adhesive sheets 10 a, 10 b, 10 c,..., 10 m with a dicing sheet disposed on the cover film 9. Distance between adhesive sheet with dicing sheet 10a, adhesive sheet with dicing sheet 10b, distance between adhesive sheet with dicing sheet 10b, adhesive sheet with dicing sheet 10c, ... Distance between adhesive sheet with dicing sheet 10l, adhesive sheet with dicing sheet 10m Is constant.

図5に示すように、カバーフィルム9上に接着シート3が配置されている。   As shown in FIG. 5, the adhesive sheet 3 is disposed on the cover film 9.

カバーフィルム9は、実用に供するまで接着シート3を保護する保護材として機能できる。カバーフィルム9としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤などの剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルム、紙などを使用可能である。   The cover film 9 can function as a protective material that protects the adhesive sheet 3 until it is put into practical use. As the cover film 9, it is possible to use polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a plastic film surface-coated with a release agent such as a fluorine-type release agent or a long-chain alkyl acrylate release agent, paper, or the like.

(半導体装置の製造方法)
図6に示すように、ダイシングシート付き接着シート10に半導体ウエハ4を圧着する。半導体ウエハ4としては、シリコンウエハ、シリコンカーバイドウエハ、化合物半導体ウエハなどが挙げられる。化合物半導体ウエハとしては、窒化ガリウムウエハなどが挙げられる。
(Method for manufacturing semiconductor device)
As shown in FIG. 6, the semiconductor wafer 4 is pressure-bonded to the adhesive sheet 10 with a dicing sheet. Examples of the semiconductor wafer 4 include a silicon wafer, a silicon carbide wafer, and a compound semiconductor wafer. Examples of compound semiconductor wafers include gallium nitride wafers.

圧着方法としては、例えば、圧着ロールなどの押圧手段により押圧する方法などが挙げられる。   Examples of the crimping method include a method of pressing with a pressing means such as a crimping roll.

圧着温度(貼り付け温度)は、35℃以上が好ましく、37℃以上がより好ましい。圧着温度の上限は低い方が好ましく、好ましくは50℃以下、より好ましくは45℃以下である。低温で圧着することにより、半導体ウエハ4への熱影響を防止することが可能で、半導体ウエハ4の反りを抑制できる。また、圧力は、1×10Pa〜1×10Paであることが好ましく、2×10Pa〜8×10Paであることがより好ましい。 The pressing temperature (sticking temperature) is preferably 35 ° C. or higher, and more preferably 37 ° C. or higher. The upper limit of the pressure bonding temperature is preferably lower, preferably 50 ° C. or lower, more preferably 45 ° C. or lower. By crimping at a low temperature, it is possible to prevent the thermal effect on the semiconductor wafer 4 and to suppress warping of the semiconductor wafer 4. Moreover, it is preferable that it is 1 * 10 < 5 > Pa-1 * 10 < 7 > Pa, and it is more preferable that a pressure is 2 * 10 < 5 > Pa-8 * 10 < 6 > Pa.

図7に示すように、半導体ウエハ4をダイシングすることにより、ダイボンド用チップ41を形成する。ダイボンド用チップ41は、半導体チップ5及び半導体チップ5上に配置された接着フィルム31を備える。半導体チップ5は、チップ本体部502及びチップ本体部502上に配置されたパッド501を備える。パッド501は電極パッドである。パッド501の材料としては、アルミニウムなどが挙げられる。本工程では、ダイシングシート付き接着シート10まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式などを採用できる。ダイシング装置としては特に限定されず、従来公知のものを用いることができる。また、半導体ウエハ4は、ダイシングシート付き接着シート10により接着固定されているので、チップ欠けやチップ飛びを抑制できると共に、半導体ウエハ4の破損も抑制できる。   As shown in FIG. 7, die bonding chips 41 are formed by dicing the semiconductor wafer 4. The die bonding chip 41 includes a semiconductor chip 5 and an adhesive film 31 disposed on the semiconductor chip 5. The semiconductor chip 5 includes a chip body 502 and pads 501 disposed on the chip body 502. The pad 501 is an electrode pad. Examples of the material of the pad 501 include aluminum. In this step, it is possible to employ a cutting method called full cut that cuts up to the adhesive sheet with dicing sheet 10. The dicing apparatus is not particularly limited, and a conventionally known apparatus can be used. Moreover, since the semiconductor wafer 4 is bonded and fixed by the adhesive sheet 10 with a dicing sheet, chip chipping and chip jumping can be suppressed, and damage to the semiconductor wafer 4 can also be suppressed.

ダイボンド用チップ41をピックアップする。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ5をダイシングシート付き接着シート10側からニードルによって突き上げ、次いでダイボンド用チップ41をピックアップ装置によってピックアップする方法などが挙げられる。   The die bonding chip 41 is picked up. The pickup method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, there is a method in which each semiconductor chip 5 is pushed up by a needle from the dicing sheet-attached adhesive sheet 10 side, and then the die bonding chip 41 is picked up by a pickup device.

粘着剤層12が紫外線硬化型である場合、粘着剤層12に紫外線を照射した後にピックアップする。これにより、粘着剤層12のダイボンド用チップ41に対する粘着力が低下するので、ダイボンド用チップ41を容易にピックアップできる。紫外線照射の際の照射強度、照射時間などの条件は特に限定されず、適宜必要に応じて設定すればよい。   When the pressure-sensitive adhesive layer 12 is an ultraviolet curable type, the pressure-sensitive adhesive layer 12 is picked up after being irradiated with ultraviolet rays. Thereby, since the adhesive force with respect to the die-bonding chip | tip 41 of the adhesive layer 12 falls, the chip | tip 41 for die-bonding can be picked up easily. Conditions such as irradiation intensity and irradiation time at the time of ultraviolet irradiation are not particularly limited, and may be set as necessary.

図8に示すように、ダイボンド用チップ41を被着体6に圧着することにより半導体チップ付き被着体61を得る。半導体チップ付き被着体61は、被着体6、被着体6上に配置された接着フィルム31及び接着フィルム31上に配置された半導体チップ5を備える。被着体6は、本体部602及び本体部602上に配置された端子部601を備える。   As shown in FIG. 8, an adherend 61 with a semiconductor chip is obtained by pressure-bonding a die-bonding chip 41 to the adherend 6. The adherend 61 with a semiconductor chip includes an adherend 6, an adhesive film 31 disposed on the adherend 6, and a semiconductor chip 5 disposed on the adhesive film 31. The adherend 6 includes a main body portion 602 and a terminal portion 601 disposed on the main body portion 602.

ダイボンド用チップ41を被着体6に圧着する温度(以下、「ダイアタッチ温度」という)は、好ましくは80℃以上、より好ましくは90℃以上である。また、ダイアタッチ温度は、好ましくは150℃以下、より好ましくは130℃以下である。   The temperature at which the die bonding chip 41 is pressure-bonded to the adherend 6 (hereinafter referred to as “die attach temperature”) is preferably 80 ° C. or higher, more preferably 90 ° C. or higher. The die attach temperature is preferably 150 ° C. or lower, more preferably 130 ° C. or lower.

図9に示すように、パッド501と端子部601をボンディングワイヤー7(以下、「ワイヤー7」という)で電気的に接続するワイヤーボンディング工程を行う。ワイヤー7の材料としては、例えば金、アルミニウム、銅などが挙げられる。   As shown in FIG. 9, a wire bonding step of electrically connecting the pad 501 and the terminal portion 601 with a bonding wire 7 (hereinafter referred to as “wire 7”) is performed. Examples of the material of the wire 7 include gold, aluminum, and copper.

ワイヤーボンディング工程は、ワイヤー7の一端とパッド501を接合するステップ、ワイヤー7の他端と端子部601を接合するステップなどを含む。   The wire bonding process includes a step of bonding one end of the wire 7 and the pad 501, a step of bonding the other end of the wire 7 and the terminal portion 601, and the like.

ワイヤー7の一端とパッド501を接合するステップは、具体的には、ワイヤー7の一端をパッド501に圧着しながらワイヤー7に超音波を印加することにより、ワイヤー7とパッド501を接合するステップである。   Specifically, the step of bonding one end of the wire 7 and the pad 501 is a step of bonding the wire 7 and the pad 501 by applying an ultrasonic wave to the wire 7 while pressing one end of the wire 7 on the pad 501. is there.

好ましくは、ワイヤー7とパッド501を120℃〜250℃で接合する。   Preferably, the wire 7 and the pad 501 are joined at 120 to 250 ° C.

ワイヤー7の他端と端子部601を接合するステップは、具体的には、ワイヤー7の他端を端子部601に圧着しながら、ワイヤー7に超音波を印加することによりワイヤー7と端子部601を接合するステップである。   Specifically, the step of joining the other end of the wire 7 and the terminal portion 601 is performed by applying ultrasonic waves to the wire 7 while crimping the other end of the wire 7 to the terminal portion 601. Is a step of joining.

好ましくは、ワイヤー7と端子部601を120℃〜250℃で接合する。   Preferably, the wire 7 and the terminal part 601 are joined at 120 ° C to 250 ° C.

図10に示すように、ワイヤーボンディング工程を行った後、封止樹脂8により半導体チップ5を封止する封止工程を行う。本工程は、被着体6に搭載された半導体チップ5やワイヤー7を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂8としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、好ましくは165℃以上、より好ましくは170℃以上であり、加熱温度は、好ましくは185℃以下、より好ましくは180℃以下である。加熱時間は、好ましくは30秒以上、より好ましくは60秒以上、さらに好ましくは90秒以上である。一方、加熱時間は、好ましくは600秒以下、より好ましくは400秒以下、さらに好ましくは200秒以下である。かかる加熱により接着フィルム31を硬化させることができる。   As shown in FIG. 10, after performing a wire bonding process, the sealing process which seals the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 is performed. This step is performed to protect the semiconductor chip 5 and the wire 7 mounted on the adherend 6. This step is performed by molding a sealing resin with a mold. As the sealing resin 8, for example, an epoxy resin is used. The heating temperature at the time of resin sealing is preferably 165 ° C. or higher, more preferably 170 ° C. or higher, and the heating temperature is preferably 185 ° C. or lower, more preferably 180 ° C. or lower. The heating time is preferably 30 seconds or longer, more preferably 60 seconds or longer, and even more preferably 90 seconds or longer. On the other hand, the heating time is preferably 600 seconds or less, more preferably 400 seconds or less, and even more preferably 200 seconds or less. The adhesive film 31 can be cured by such heating.

必要に応じて、封止後に更に加熱をしてもよい(後硬化工程)。これにより、封止工程で硬化不足の封止樹脂8を完全に硬化できる。加熱温度は適宜設定できる。   If necessary, further heating may be performed after sealing (post-curing step). Thereby, the sealing resin 8 which is insufficiently cured in the sealing process can be completely cured. The heating temperature can be set as appropriate.

以上のとおり、ダイシングシート付き接着シート10を準備する工程と、接着シート3に半導体ウエハ4を圧着する工程と、接着シート3上に配置された半導体ウエハ4をダイシングすることにより、パッド501を備える半導体チップ5及び半導体チップ5上に配置された接着フィルム31を備えるダイボンド用チップ41を形成する工程と、端子部601を備える被着体6にダイボンド用チップ41を圧着することによりチップ付き被着体61を形成する工程と、ワイヤー7の一端とパッド501を接合するステップ及びワイヤー7の他端と端子部601を接合するステップを含むワイヤーボンディング工程と、ワイヤーボンディング工程の後にチップ付き被着体61を加熱することにより接着フィルム31を硬化させる工程とを含む方法などにより、半導体装置を製造できる。   As described above, the pad 501 is provided by preparing the adhesive sheet 10 with a dicing sheet, crimping the semiconductor wafer 4 to the adhesive sheet 3, and dicing the semiconductor wafer 4 disposed on the adhesive sheet 3. A step of forming a die bonding chip 41 including a semiconductor chip 5 and an adhesive film 31 disposed on the semiconductor chip 5, and an adhesion with a chip by pressing the die bonding chip 41 to an adherend 6 including a terminal portion 601 A wire bonding step including a step of forming the body 61, a step of bonding one end of the wire 7 and the pad 501, a step of bonding the other end of the wire 7 and the terminal portion 601, and an adherend with a chip after the wire bonding step. Including the step of curing the adhesive film 31 by heating 61 Due, it can be manufactured semiconductor device.

接着フィルム31を硬化させる工程は、例えば、半導体チップ5、接着フィルム31及びワイヤー7を封止樹脂8で覆うステップと、封止樹脂8で覆うステップの後にチップ付き被着体61を加熱するステップなどを含む。   The step of curing the adhesive film 31 includes, for example, a step of covering the semiconductor chip 5, the adhesive film 31 and the wire 7 with the sealing resin 8 and a step of heating the adherend 61 with the chip after the step of covering with the sealing resin 8. Etc.

以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated in detail using an Example, this invention is not limited to a following example, unless the summary is exceeded.

実施例で使用した成分について説明する。
アクリルゴム:ナガセケムテックス社製のテイサンレジンSG−708−6(カルボキシル基及びヒドロキシル基を含むアクリル酸エステル共重合体、Mw:70万、酸価:9mgKOH/g、ガラス転移温度:4℃)
エポキシ樹脂:日本化薬社製のEPPN−501HY(エポキシ当量169g/eq.のエポキシ樹脂)
フェノール樹脂:明和化成社製のMEH−7851S(水酸基当量209g/eq.のフェノール樹脂)
シリカフィラー1:アドマテックス社製のYA010C−SV1(ビニルシランにより表面処理された、BET比表面積300m/g、新モース硬度7のシリカ)
シリカフィラー2:アドマテックス社製のYA050C−SV2(ビニルシランにより表面処理された、BET比表面積60m/g、新モース硬度7のシリカ)
シリカフィラー3:アドマテックス社製のYA010C(BET比表面積300m/g、新モース硬度7のシリカ)
シリカフィラー4:アドマテックス社製のSO−25R(BET比表面積6m/g、新モース硬度7のシリカ)
The components used in the examples will be described.
Acrylic rubber: Teisan Resin SG-708-6 manufactured by Nagase ChemteX Corporation (acrylic ester copolymer containing carboxyl group and hydroxyl group, Mw: 700,000, acid value: 9 mgKOH / g, glass transition temperature: 4 ° C.)
Epoxy resin: Nippon Kayaku Co., Ltd. EPPN-501HY (epoxy resin having an epoxy equivalent of 169 g / eq.)
Phenol resin: MEH-7851S manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd. (phenol resin having a hydroxyl group equivalent of 209 g / eq.)
Silica filler 1: YA010C-SV1 manufactured by Admatechs (silica with a BET specific surface area of 300 m 2 / g and a new Mohs hardness of 7 and surface-treated with vinylsilane)
Silica filler 2: YA050C-SV2 manufactured by Admatechs (silica with a BET specific surface area of 60 m 2 / g and a new Mohs hardness of 7 and surface-treated with vinylsilane)
Silica filler 3: YA010C manufactured by Admatechs (silica with a BET specific surface area of 300 m 2 / g and a new Mohs hardness of 7)
Silica filler 4: SO-25R manufactured by Admatechs (silica having a BET specific surface area of 6 m 2 / g and a new Mohs hardness of 7)

[接着シート及びダイシングシート付き接着シートの作製]
表1に記載の配合比に従い、表1に記載の各成分及び溶媒(メチルエチルケトン)を、ハイブリッドミキサー(キーエンス製 HM−500)の攪拌釜に入れ、攪拌モード、3分で攪拌・混合した。得られたワニスを、離型処理フィルム(三菱樹脂(株)製のMRA50)にダイコーターにて塗布した後、乾燥させて、厚み10μmの接着シートを得た。接着シートから直径230mmの円形状の接着シートを切り出し、円形状の接着シートを基材及び基材上に配置された粘着剤層からなるダイシングシート(日東電工(株)製のP2130G)に25℃で貼り付けて、ダイシングシート付き接着シートを作製した。
[Preparation of adhesive sheet and adhesive sheet with dicing sheet]
According to the mixing ratio shown in Table 1, each component and solvent (methyl ethyl ketone) shown in Table 1 were placed in a stirring vessel of a hybrid mixer (HM-500 manufactured by Keyence), and stirred and mixed in a stirring mode for 3 minutes. The obtained varnish was applied to a release treatment film (MRA50 manufactured by Mitsubishi Resin Co., Ltd.) with a die coater and then dried to obtain an adhesive sheet having a thickness of 10 μm. A circular adhesive sheet having a diameter of 230 mm is cut out from the adhesive sheet, and the circular adhesive sheet is applied to a dicing sheet (P2130G manufactured by Nitto Denko Corporation) made of a base material and an adhesive layer disposed on the base material at 25 ° C. The adhesive sheet with a dicing sheet was produced.

[評価]
接着シート、ダイシングシート付き接着シートを用いて以下の評価を行った。結果を表1に示す。
[Evaluation]
The following evaluation was performed using an adhesive sheet and an adhesive sheet with a dicing sheet. The results are shown in Table 1.

(貯蔵弾性率およびtanδの測定)
接着シートを60℃で貼り合せて厚み200μmの積層物を得た。積層物を10mm×30mm×200μmのサイズに加工することにより加工品を得た。加工品の粘弾性を動的粘弾性系測定装置(TAインスツルメンツ社製のRSA III)を用いて測定した。測定条件は、温度範囲−10℃〜285℃、昇温速度10℃/min、チャック間距離22.5mm、1Hzで行った。得られた貯蔵弾性率データから、130℃の貯蔵弾性率、tanδ、tanδの最大値を読み取った。
(Measurement of storage modulus and tan δ)
The adhesive sheet was bonded at 60 ° C. to obtain a laminate having a thickness of 200 μm. A processed product was obtained by processing the laminate into a size of 10 mm × 30 mm × 200 μm. The viscoelasticity of the processed product was measured using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus (RSA III manufactured by TA Instruments). The measurement conditions were a temperature range of −10 ° C. to 285 ° C., a temperature rising rate of 10 ° C./min, a distance between chucks of 22.5 mm, and 1 Hz. From the obtained storage elastic modulus data, the storage elastic modulus at 130 ° C., the maximum values of tan δ and tan δ were read.

(反応熱量の測定)
接着シートから10mgの試験片を切り出した。試験片をアルミパンで挟むことにより、測定用サンプルを用意した。アルミパンのみからなるリファレンス用サンプルも用意した。示唆走査熱量測定装置(セイコーインスツルメンツ社製のDSC6220)を用いて、昇温速度10℃/min、温度範囲25℃〜300℃で測定を行った。得られた発熱反応ピークの熱量をサンプルの重量で割ることにより反応熱量を算出した。
(Measurement of reaction heat)
A 10 mg test piece was cut out from the adhesive sheet. A measurement sample was prepared by sandwiching the test piece with an aluminum pan. A reference sample consisting only of an aluminum pan was also prepared. Measurement was performed at a temperature rising rate of 10 ° C./min and a temperature range of 25 ° C. to 300 ° C. using an suggested scanning calorimeter (DSC 6220 manufactured by Seiko Instruments Inc.). The heat of reaction was calculated by dividing the heat of the obtained exothermic reaction peak by the weight of the sample.

(ワイヤーボンド性)
片面をアルミ蒸着したウェハを研削することにより、厚み40μmのダイシング用ウェハを得た。ダイシング用ウェハをダイシングシート付き接着シートに貼りつけ、次いで10mm角にダイシングすることにより、接着シート付きのチップを得た。接着シート付きのチップをCuリードフレーム上に120℃、0.1MPa、1secの条件でダイアタッチした。ワイヤーボンディング装置(K&S社製のMaxum Plus)を用いて、ひとつのチップに線径18μmのAuワイヤーを5本ボンディングした。出力80Amp、時間10ms及び荷重50gの条件でAuワイヤーをCuリードフレームに打った。出力125Amp、時間10ms及び荷重80gの条件でAuワイヤーをチップに打った。5本のAuワイヤーのうち1本以上をチップに接合できなかった場合を×と判定し、5本のAuワイヤーのうち5本をチップに接合できた場合を○と判定した。
(Wire bond property)
By grinding a wafer having aluminum deposited on one side, a wafer for dicing having a thickness of 40 μm was obtained. The dicing wafer was attached to an adhesive sheet with a dicing sheet, and then diced to 10 mm square to obtain a chip with an adhesive sheet. A chip with an adhesive sheet was die-attached on a Cu lead frame at 120 ° C., 0.1 MPa, and 1 sec. Using a wire bonding apparatus (Maxum Plus manufactured by K & S), five Au wires having a wire diameter of 18 μm were bonded to one chip. An Au wire was struck onto a Cu lead frame under the conditions of an output of 80 Amp, a time of 10 ms, and a load of 50 g. An Au wire was struck on the chip under the conditions of an output of 125 Amp, a time of 10 ms, and a load of 80 g. The case where one or more of the five Au wires could not be bonded to the chip was determined as x, and the case where five of the five Au wires could be bonded to the chip was determined as ◯.

(凹凸埋め込み性)
接着シートを9.5mm角のミラーチップに60℃で貼り付け、チップ付きシートを形成した。チップ付きシートを温度120℃、圧力0.1MPa、時間1秒の条件でBGA基板にボンディングすることによりチップ実装基板を得た。乾燥機を用いてチップ実装基板を150℃、1時間の条件で加熱した。次いで、モールドマシン(TOWAプレス社製、マニュアルプレスY−1)を用いて、成形温度175℃、クランプ圧力184kN、トランスファー圧力5kN、時間120秒の条件下でチップを封止樹脂で封止した。接着シートとミラーチップとの間のボイドを、超音波映像装置(日立ファインテック社製、FS200II)を用いて観察した。観察画像においてボイドが占める面積を、二値化ソフト(WinRoof ver.5.6)を用いて算出した。ボイドの占める面積が接着シートの表面積に対して10%未満であった場合を「○」と判定し、10%以上の場合を「×」と判定した。
(Unevenness embedding)
The adhesive sheet was bonded to a 9.5 mm square mirror chip at 60 ° C. to form a chip-attached sheet. The chip mounting substrate was obtained by bonding the chip-attached sheet to the BGA substrate under the conditions of a temperature of 120 ° C., a pressure of 0.1 MPa, and a time of 1 second. The chip mounting substrate was heated at 150 ° C. for 1 hour using a dryer. Next, using a mold machine (manufactured by TOWA Press, manual press Y-1), the chip was sealed with a sealing resin under conditions of a molding temperature of 175 ° C., a clamp pressure of 184 kN, a transfer pressure of 5 kN, and a time of 120 seconds. A void between the adhesive sheet and the mirror chip was observed using an ultrasonic imaging apparatus (manufactured by Hitachi Finetech Co., Ltd., FS200II). The area occupied by voids in the observed image was calculated using binarization software (WinRoof ver. 5.6). The case where the void occupied area was less than 10% with respect to the surface area of the adhesive sheet was determined as “◯”, and the case where it was 10% or more was determined as “x”.

Figure 0006431343
Figure 0006431343

10 ダイシングシート付き接着シート
1 ダイシングシート
11 基材
12 粘着剤層
3 接着シート
2 積層シート
9 カバーフィルム
4 半導体ウエハ
5 半導体チップ
501 パッド
502 チップ本体部
41 ダイボンド用チップ
6 被着体
601 端子部
602 本体部
61 半導体チップ付き被着体
7 ボンディングワイヤー
8 封止樹脂
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Adhesive sheet with dicing sheet 1 Dicing sheet 11 Base material 12 Adhesive layer 3 Adhesive sheet 2 Laminated sheet 9 Cover film 4 Semiconductor wafer 5 Semiconductor chip 501 Pad 502 Chip body part 41 Die-bonding chip 6 Substrate 601 Terminal part 602 Body Part 61 Substrate with semiconductor chip 7 Bonding wire 8 Sealing resin

Claims (9)

樹脂成分及びBET比表面積10m /g以上の無機フィラーを含み、
前記樹脂成分がアクリル樹脂を含み、
前記無機フィラーの含有量は45重量%〜90重量%であり、
130℃の引張貯蔵弾性率は1MPa〜20MPaであり、
130℃のtanδは0.1〜0.3である
熱硬化性を備える接着シート。
Including an inorganic filler having a resin component and a BET specific surface area of 10 m 2 / g or more,
The resin component includes an acrylic resin;
The content of the inorganic filler is 45 wt% to 90 wt%,
The tensile storage modulus at 130 ° C. is 1 MPa to 20 MPa,
The tan δ at 130 ° C. is 0.1 to 0.3 .
Adhesive sheet with thermosetting properties .
tanδの最大値は0.5〜1.4である請求項1に記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 1, wherein the maximum value of tan δ is 0.5 to 1.4. 25℃〜300℃の範囲を毎分10℃で昇温する条件下のDSC測定により得られる反応熱量は0mJ/mg〜20mJ/mgである請求項1又は2に記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 1 or 2, wherein a reaction calorie obtained by DSC measurement under the condition of raising the temperature in the range of 25 ° C to 300 ° C at 10 ° C per minute is 0 mJ / mg to 20 mJ / mg. 前記無機フィラーの新モース硬度は5以上である請求項1〜3のいずれかに記載の接着シート。   The adhesive sheet according to claim 1, wherein the inorganic filler has a new Mohs hardness of 5 or more. 前記無機フィラーは、表面不活性化処理が施されている請求項1〜4のいずれかに記載の接着シート。   The adhesive sheet according to any one of claims 1 to 4, wherein the inorganic filler is subjected to a surface inactivation treatment. 前記アクリル樹脂がエポキシ基及び/又はカルボキシル基を備え、
前記樹脂成分100重量%中の前記アクリル樹脂の含有量は70重量%以上である請求項1〜5のいずれかに記載の接着シート。
The acrylic resin has an epoxy group and / or a carboxyl group,
The adhesive sheet according to any one of claims 1 to 5, wherein a content of the acrylic resin in 100% by weight of the resin component is 70% by weight or more.
基材及び前記基材上に配置された粘着剤層を備えるダイシングシートと、
前記粘着剤層上に配置された請求項1〜6のいずれかに記載の接着シートとを備えるダイシングシート付き接着シート。
A dicing sheet comprising a base material and an adhesive layer disposed on the base material;
An adhesive sheet with a dicing sheet comprising the adhesive sheet according to any one of claims 1 to 6 disposed on the pressure-sensitive adhesive layer.
カバーフィルムと、
前記カバーフィルム上に配置された請求項7に記載のダイシングシート付き接着シートとを備える積層シート。
A cover film;
A laminated sheet comprising: the adhesive sheet with a dicing sheet according to claim 7 disposed on the cover film.
請求項7に記載のダイシングシート付き接着シートを準備する工程と、
前記接着シートに半導体ウエハを圧着する工程と、
前記接着シート上に配置された前記半導体ウエハをダイシングすることにより、パッドを備える半導体チップ及び前記半導体チップ上に配置された接着フィルムを備えるダイボンド用チップを形成する工程と、
端子部を備える被着体に前記ダイボンド用チップを圧着することによりチップ付き被着体を形成する工程と、
ワイヤーの一端と前記パッドを接合するステップ及び前記ワイヤーの他端と前記端子部を接合するステップを含むワイヤーボンディング工程と、
前記ワイヤーボンディング工程の後に前記チップ付き被着体を加熱することにより前記接着フィルムを硬化させる工程と
を含む半導体装置の製造方法。
Preparing an adhesive sheet with a dicing sheet according to claim 7;
Crimping a semiconductor wafer to the adhesive sheet;
Forming a die bonding chip including a semiconductor chip including a pad and an adhesive film disposed on the semiconductor chip by dicing the semiconductor wafer disposed on the adhesive sheet; and
Forming a chip-attached adherend by crimping the die-bonding chip to an adherend having a terminal portion;
A wire bonding step including a step of bonding one end of a wire and the pad, and a step of bonding the other end of the wire and the terminal portion;
And a step of curing the adhesive film by heating the adherend with the chip after the wire bonding step.
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