KR20210036935A - 각도 필터 및 그 제조 방법 - Google Patents

각도 필터 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210036935A
KR20210036935A KR1020217004795A KR20217004795A KR20210036935A KR 20210036935 A KR20210036935 A KR 20210036935A KR 1020217004795 A KR1020217004795 A KR 1020217004795A KR 20217004795 A KR20217004795 A KR 20217004795A KR 20210036935 A KR20210036935 A KR 20210036935A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
angular filter
filter
radiation
optical system
Prior art date
Application number
KR1020217004795A
Other languages
English (en)
Inventor
아가트 푸스카
윌프리드 슈워츠
틴다라 베르두치
벤자민 바우티넌
Original Assignee
이쏘그
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이쏘그 filed Critical 이쏘그
Publication of KR20210036935A publication Critical patent/KR20210036935A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0012—Arrays characterised by the manufacturing method
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G02B3/0006—Arrays
    • G02B3/0037—Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0056—Arrays characterized by the distribution or form of lenses arranged along two different directions in a plane, e.g. honeycomb arrangement of lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/30—Collimators
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/003—Light absorbing elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/005—Diaphragms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/201—Filters in the form of arrays
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10—Image acquisition
    • G06V10/12—Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
    • G06V10/14—Optical characteristics of the device performing the acquisition or on the illumination arrangements
    • G06V10/143—Sensing or illuminating at different wavelengths
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10—Image acquisition
    • G06V10/12—Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
    • G06V10/14—Optical characteristics of the device performing the acquisition or on the illumination arrangements
    • G06V10/147—Details of sensors, e.g. sensor lenses
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V40/00—Recognition of biometric, human-related or animal-related patterns in image or video data
    • G06V40/10—Human or animal bodies, e.g. vehicle occupants or pedestrians; Body parts, e.g. hands
    • G06V40/12—Fingerprints or palmprints
    • G06V40/13—Sensors therefor
    • G06V40/1318—Sensors therefor using electro-optical elements or layers, e.g. electroluminescent sensing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627—Microlenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/14—Protective coatings, e.g. hard coatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B2207/00—Coding scheme for general features or characteristics of optical elements and systems of subclass G02B, but not including elements and systems which would be classified in G02B6/00 and subgroups
    • G02B2207/123—Optical louvre elements, e.g. for directional light blocking
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Vascular Medicine (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)

Abstract

본 개시는 제 1 기본 각도 필터 및 제 2 기본 각도 필터의 스택을 포함하는 각도 필터(22)를 포함하는 광학 시스템(20)을 제조하는 방법에 관한 것이다. 이 방법은 제 1 기본 각도 필터를 통해 포지티브 레지스트의 층(40)을 노광시키고, 층의 노광된 부분(46)을 제거하여 상기 층을 관통하여 구멍(42)을 형성하고, 상기 구멍이 관통하는 상기 층은 제 2 기본 각도 필터를 형성한다.

Description

각도 필터 및 그 제조 방법
본 특허 출원은 원용에 의해 본원에 포함되는 프랑스 특허 출원 FR18/56709의 우선권을 주장한다.
본 개시는 각도 필터 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
이미지 획득 시스템은 일반적으로 이미지 센서, 및 이미지 센서의 감지 부분과 이미지화될 물체 사이에 개재되어 이미지 센서의 감지 부분 상에 이미지화될 물체의 선명한 이미지를 형성할 수 있는 광학 시스템을 포함한다. 광학 시스템은 특히 복수의 레벨의 렌즈를 포함할 수 있다.
그러나, 어떤 경우에는, 이미지 센서의 감지 부분과 이미지화될 물체 사이에 이러한 광학 시스템을 갖는 것이 불가능하다. 이는 특히 이미지 센서가 1 제곱 센티미터를 초과하는 상당한 표면적으로 차지하고, 이미지화될 물체와 이미지 센서의 감지 부분 사이의 거리가 1 센티미터보다 작을 때 그러하다.
그러면 이미지화될 물체는 이미지 센서의 감지 부분 상에 형성되는 이미지가 충분히 선명하도록 이미지 센서에 가장 가까운 곳에 배치되어야 한다. 그러나, 물체와 이미지 센서 사이에 거리가 있을 수 있으므로 특정 용도의 경우, 예를 들면, 지문 캡처의 경우, 이미지 센서의 감지 부분 상에 형성되는 이미지의 선명도가 불충분할 수 있다.
복잡한 광학 시스템이 없는 상태에서 이미지 획득 시스템의 이미지 센서에 의해 획득된 이미지의 선명도를 높이기 위해, 구멍이 교차하는 불투명 필름에 의해 형성된 각도 필터를 포함하는 단순 구조의 광학 시스템으로 이미지 센서를 덮는 것이 가능하다. 그러나, 특정 용도의 경우, 적절한 각도 필터링을 얻으려면, 필터 개구부의 종횡비, 즉 각 개구부의 횡방향 치수에 대한 필름의 두께의 비를 1보다 크게 해야 한다.
산업적 규모로 사용될 수 있는 착색 재료, 예를 들면, 착색 수지의 직접 성형 방법으로 이러한 종횡비를 얻는 것은 어렵다.
일 실시형태의 목적은 각도 필터 및 이것의 전술한 제조 방법의 결점 중 적어도 일부를 완전히 또는 부분적으로 극복하는 것이다.
일 실시형태의 목적은 1보다 큰 각각의 개구부의 횡방향 치수에 대한 개구부의 깊이의 비를 얻을 수 있는 개구부를 포함하는 각도 필터를 제조하는 방법이다.
일 실시형태의 다른 목적은 산업적 규모로 각도 필터 제조 방법을 구현할 수 있도록 하는 것이다.
이 목적을 위해, 일 실시형태는 제 1 기본 각도 필터 및 제 2 기본 각도 필터의 스택을 포함하는 각도 필터를 포함하는 광학 시스템을 제조하는 방법으로서, 이 방법은 제 1 기본 각도 필터를 통해 포지티브 레지스트(positive resist)의 층을 노광시키고, 층의 노광된 부분을 제거하여 층을 관통하는 구멍을 형성하고, 구멍이 관통하는 층은 제 2 기본 각도 필터를 형성하는, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템의 제조 방법을 제공한다.
일 실시형태에 따르면, 이 광학 시스템은 제 1 방사선을 수광하기 위한 표면을 포함하고, 층은 제 1 방사선에 대해 불투명하고, 각도 필터는 표면에 직교하는 방향에 대해 임계값보다 크게 입사하는 제 1 방사선의 광선을 차단하도록, 그리고 표면에 직교하는 방향에 대해 임계값보다 작게 입사하는 제 1 방사선의 광선에 경로를 제공하도록 구성된다.
일 실시형태에 따르면, 노광 단계는 층을 제 1 기본 각도 필터를 통해 제 2 방사선에 노광시키는 것을 포함하고, 포지티브 레지스트는 제 2 방사선에 대해 감광성이다.
일 실시형태에 따르면, 제 1 방사선은 가시 범위 및/또는 적외선 범위에 있다.
일 실시형태에 따르면, 제 1 기본 각도 필터 및 제 2 기본 각도 필터는 각각 구멍이 관통하는 층을 포함한다.
일 실시형태는 또한 제 1 기본 각도 필터(F1) 및 제 2 기본 각도 필터(F2)의 스택을 포함하는 각도 필터를 포함하는 광학 시스템으로서, 제 2 기본 각도 필터는 포지티브 레지스트의 층 및 층을 관통하는 구멍을 포함하는, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템을 제공한다.
일 실시형태에 따르면, 이 시스템은 제 1 방사선을 수광하기 위한 표면을 포함하고, 층은 제 1 방사선에 대해 불투명하고, 각도 필터는 표면에 직교하는 방향에 대해 임계값보다 크게 입사하는 제 1 방사선의 광선을 차단하도록, 그리고 제 1 표면에 직교하는 방향에 대해 임계값보다 작게 입사하는 제 1 방사선의 광선에 경로를 제공하도록 구성된다.
일 실시형태에 따르면, 포지티브 레지스트는 제 2 방사선에 대하여 감광성이다.
일 실시형태에 따르면, 이 광학 시스템은 제 1 기본 각도 필터와 제 2 기본 각도 필터 사이에 제 1 방사선에 대하여 적어도 부분적으로 투명한 추가의 층을 포함한다.
일 실시형태에 따르면, 각각의 구멍에 대해, 표면에 평행하게 측정된 구멍의 폭에 대한 표면에 대해 수직으로 측정된 제 1 기본 각도 필터, 추가의 층, 및 제 2 기본 각도 필터의 두께의 합계의 비는 1보다 크고, 바람직하게는 1 내지 10이다.
일 실시형태에 따르면, 구멍은 횡렬 및 종렬로 배치되고, 동일한 횡렬 또는 동일한 종렬의 인접한 구멍들 사이의 피치는 1 μm 내지 100 μm이다.
일 실시형태에 따르면, 표면에 직교하는 방향을 따라 측정된 각각의 구멍의 높이는 1 μm 내지 50 μm이다.
일 실시형태에 따르면, 표면에 직교하는 방향을 따라 측정된 각각의 구멍의 폭은 1 μm 내지 100 μm이다.
전술한 특징 및 이점뿐만 아니라 기타의 것은 첨부한 도면을 참조하여 예시로서 주어진 비제한적인 특정 실시형태의 이하의 설명에서 상세히 설명된다.
도 1은 각도 필터를 포함하는 이미지 획득 시스템의 일 실시형태를 예시하는 단순화된 부분 단면도이고;
도 2는 도 1에 도시된 각도 필터의 단면도이고;
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 각도 필터를 제조하는 방법의 일 실시형태의 일 단계에서 얻어진 구조의 단순화된 부분 단면도이고;
도 4는 도 1 및 도 2에 도시된 각도 필터를 제조하는 방법의 다른 실시형태의 일 단계에서 얻어진 구조의 단순화된 부분 단면도이고;
도 5는 도 1 및 도 2에 도시된 각도 필터를 제조하는 방법의 다른 실시형태의 일 단계에서 얻어진 구조의 단순화된 부분 단면도이고;
도 6은 도 1 및 도 2에 도시된 각도 필터를 제조하는 방법의 다른 실시형태의 일 단계에서 얻어진 구조의 단순화된 부분 단면도이고;
도 7는 도 1 및 도 2에 도시된 각도 필터를 제조하는 방법의 다른 실시형태의 일 단계에서 얻어진 구조의 단순화된 부분 단면도이다.
유사한 특징은 다양한 도면에서 유사한 참조부호로 표시하였다. 특히, 다양한 실시형태에서 공통적인 구조적 및/또는 기능적 특징은 동일한 참조부호를 가질 수 있으며, 동일한 구조적, 치수적 및 재료적 특성을 배치할 수 있다.
명료함을 위해, 본 명세서에서 설명된 실시형태의 이해를 위해 유용한 단계 및 요소만을 자세히 예시하고 설명하였다. 특히, 이미지 센서의 구조는 당업자에게 잘 알려져 있으며 이하에서 자세히 설명하지 않는다.
다음의 설명에서, "전방", "후방", "상면", "저면", "왼쪽", "오른쪽" 등의 용어와 같은 절대 위치를 기술하는 용어, 또는 "위", "아래", "상부", "하부" 등의 용어와 같은 상대 위치를 기술하는 용어, 또는 "수평", "수직" 등의 용어와 같은 방향을 기술하는 용어가 언급되는 경우, 달리 명시되지 않는 한, 이것은 도면의 배향이나 정상 사용 위치에서의 광학 시스템에 대해 언급되는 것이다.
달리 명시되지 않는 한, "약", "실질적으로" 및 "의 정도"라는 표현은 10% 이내, 바람직하게는 5% 이내를 의미한다.
이하의 설명에서, 층 또는 필름을 통한 방사선의 투과율이 10%보다 작은 경우에 이 층 또는 필름은 방사선에 대해 불투명하다고 말한다. 이하의 설명에서, 층 또는 필름을 통한 방사선의 투과율이 10%를 초과하는 경우에 이 층 또는 필름은 방사선에 대해 투명하다고 말한다.
도 1 및 도 2는 방사선(6)을 수광하는 이미지 획득 시스템(5)의 일 실시형태의 수직 단면을 따른 간략화된 부분 단면도이다. 이미지 획득 시스템(5)은 도 1에서 저면으로부터 상면까지 다음을 포함한다:
상면(15)을 갖는 이미지 센서(10); 및
상면(15)을 덮는 광학 시스템(20).
이미지 센서(10)는 지지체(12), 및 지지체(12)와 광학 시스템(20) 사이에 배치되는 광검출기라고도 하는 광자 센서(14)의 어레이를 포함한다. 광검출기(14)는 도시되지 않은 투명 보호 코팅으로 피복될 수 있다. 이미지 센서(10)는 전도성 트랙, 및 광검출기(14)를 선택할 수 있는 스위칭 요소, 특히 트랜지스터(미도시)를 더 포함한다. 광검출기(14)는 유기 물질로 제조될 수 있다. 광검출기(14)는 유기 포토다이오드(OPD) 또는 유기 포토레지스터에 대응할 수 있다. 광학 시스템(20)의 반대측에 있고 광검출기(14)를 포함하는 이미지 센서(10)의 표면은 1 cm2보다 크고, 바람직하게는 5 cm2보다 크고, 더 바람직하게는 10 cm2보다 크고, 특히 20 cm2보다 크다. 이미지 센서(10)의 상면(15)은 실질적으로 평면일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 각각의 광검출기(14)는 400 nm 내지 1,100 nm의 파장 범위의 전자기 방사선을 검출할 수 있다. 모든 광검출기(14)는 동일한 파장 범위의 전자기 방사선을 검출할 수 있다. 변형례로서, 광검출기(14)는 상이한 파장 범위의 전자기 방사선을 검출할 수 있다.
광학 시스템(20)은 도 1에서 저면으로부터 상면까지 다음을 포함한다:
각도 필터(22); 및
각도 필터(22)를 피복하고, 상면(26)을 포함하는 코팅(24).
이미지 획득 시스템(5)은, 예를 들면, 마이크로프로세서를 포함하는, 이미지 센서(10)로부터 출력된 신호를 처리하기 위한 수단(미도시)을 더 포함한다.
이미지 센서(10)를 피복하는 각도 필터(22)는 특히 각 광검출기(14)가 상면(26)에 수직인 축에 대해서 45°보다 작은, 바람직하게는 30°보다 작은, 더 바람직하게는 20°보다 작은, 더 바람직하게는 10°보다 작은 최대 입사 각도보다 작게 입사하는 광선만을 수광하도록 상면(26)에 대해 방사선의 입사에 따라 입사 방사선을 필터링할 수 있다. 각도 필터(22)는 상면(26)에 수직인 축에 대해 최대 입사 각도로 입사하는 입사 방사선의 광선을 차단할 수 있다.
본 실시형태에서, 각도 필터(22)는 중간층(35)에 의해 분리된 2 개의 불투명 층(30, 40)을 포함한다. 불투명 층(30)은 구멍(32)가 관통하고, 불투명 층(40)은 구멍(42)가 관통한다. 도 2의 단면은 각도 필터(22)의 불투명 층(40)의 레벨에 위치되어 있다. 각각의 층(30, 40)은 광검출기(14)에 의해 검출된 방사선에 대해 불투명하며, 예를 들면, 광검출기(14)에 의해 검출된 방사선에 대해 흡수성 및/또는 반사성이다. 일 실시형태에 따르면, 각각의 층(30, 40)은 가시 범위 및/또는 근적외선, 및/또는 적외선을 흡수한다. 이하, 층(30)의 두께는 "h1"이라 하고, 층(40)의 두께는 "h2"라 하고, 중간층(35)의 두께는 "H"라 한다. 불투명 층(30, 40)의 두께 "h1" 및 "h2"는 동일하거나 상이할 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 구멍(32)의 수는 구멍(42)의 수와 동일하다. 각각의 구멍(32)은 그와 관련된 구멍(42) 중 하나를 갖는다. 일 실시형태에 따르면, 각각의 구멍(32)은 주어진 방향을 따라, 바람직하게는 표면(26)에 수직인 구멍(42) 중 하나와 정렬된다. 도 2에서는, 원형 단면의 구멍(42)이 도시되어 있다. 일반적으로, 구멍(32, 42)의 단면은 평면도에서 원형, 타원형, 또는 다각형, 예를 들면, 삼각형, 정사각형, 또는 직사각형일 수 있다. 일 실시형태에 따르면, 각각의 구멍(32)은 이것이 정렬되는 구멍(42)과 동일한 단면을 갖는다. 또한, 도 1에서, 구멍(32, 42)은 불투명 층(30, 40)의 두께 전체를 통해 일정한 단면을 갖는 것으로 도시되어 있다. 그러나, 각각의 구멍(32, 42)의 단면은 불투명 층(30, 40)의 두께를 통해 변할 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 구멍(32)은 횡렬 및 종렬로 배치되어 있고, 구멍(42)은 횡렬 및 종렬로 배치되어 있다. 구멍(32)은 실질적으로 동일한 치수를 가질 수 있고, 구멍(42)은 실질적으로 동일한 치수를 가질 수 있다. 횡렬 또는 종렬 방향을 따라 측정된 구멍(32, 42)의 폭을 "w"라고 한다. 폭 w는 원형 단면을 갖는 구멍의 경우에 구멍(32, 42)의 직경에 대응한다. 일 실시형태에 따르면, 구멍(32, 42)은 횡렬 및 종렬을 따라 규칙적으로 배치되어 있다. 구멍(32 또는 42)의 피치, 즉 평면도에서 횡렬 또는 종렬의 2 개의 연속 구멍(32 또는 42)의 중심간 거리를 "p"라고 한다. 구멍(32 또는 42)은 모두 동일한 폭(w)을 가질 수 있다. 변형례로서, 구멍(32, 42)은 상이한 폭(w)을 가질 수 있다. 일 실시형태에 따르면, 구멍(32)의 폭(w)은 구멍(42)의 폭(w)과 실질적으로 동일하다. 일 실시형태에 따르면, 구멍(32)의 피치(p)는 구멍(42)의 피치(p)와 실질적으로 동일하다.
구멍(32)을 포함하는 층(30)은 제 1 기본 각도 필터(F1)를 형성하고, 구멍(42)을 포함하는 층(40)은 제 2 기본 각도 필터(F2)를 형성한다. 제 1 기본 각도 필터(F1)의 구멍(32)의 종횡비는 h1/w이고, 제 2 기본 각도 필터(F2)의 구멍(42)의 종횡비는 h2/w이다. 중간층(35)을 사이에 두고 제 1 기본 각도 필터(F1)과 제 2 기본 각도 필터(F2)을 적층하여 얻어지는 구조는 그 구멍의 종횡비가 (h1 + h2 + H)/w인 일반적인 각도 필터(22)와 동등하다. 따라서 각도 필터(22)는 상면(26)에 대해 다음의 관계식 (1)에 의해 정의되는 최대 입사각(α)보다 작게 입사하는 입사 방사선의 광선에 대해서만 경로를 제공한다:
tan α = w(h1 + h2 + H) (1)
일 실시형태에 따르면, 광검출기(14)는 횡렬 및 종렬로 분포될 수 있다. 일 실시형태에 따르면, 구멍(42)의 피치(p)는 이미지 센서(10)의 광검출기(14)의 피치보다 작다. 이 경우, 복수의 구멍(42)이 동일한 광검출기(14)의 반대측에 배치될 수 있다. 일 실시형태에 따르면, 구멍(42)의 피치(p)는 이미지 센서(10)의 광검출기(14)와 동일하다. 그러면 각도 필터(22)는 바람직하게는 각각의 구멍(42)이 광검출기(14)의 반대측에 있도록 이미지 센서(10)와 정렬된다. 일 실시형태에 따르면, 구멍(42)의 피치(p)는 이미지 센서(10)의 광검출기(14)의 피치보다 크다. 이 경우, 복수의 광검출기(14)가 동일한 구멍(42)의 반대측에 배치될 수 있다.
(h1 + h2 + H)/w 비는 1 내지 10이거나 또는 심지어 10을 초과할 수 있다. 피치(p)는 1 μm 내지 100 μm, 예를 들면, 약 15 μm일 수 있다. 높이(h1 + H + h2)는 1 μm 내지 1 mm, 바람직하게는 10 μm 내지 100 μm일 수 있다. 각각의 높이(h1 또는 h2)는 1 μm 내지 50 μm일 수 있다. 각각의 높이(H)는 1 μm 내지 100 μm일 수 있다. 폭(w)은 1 μm 내지 100 μm, 예를 들면, 약 10 μm일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 각각의 불투명 층(30, 40)은 전적으로 파장이 각도 필터링되도록 적어도 흡수하는 재료로 제작된다. 일 실시형태에 따르면, 불투명 층(30, 40) 중 적어도 하나는 포지티브 레지스트, 즉 방사선에 노광된 레지스트 층의 일부가 현상액에 용해성으로 되고 방사선에 노광되지 않는 레지스트 층의 일부는 현상액에 비용해성인 상태로 유지되는 레지스트로 제작된다. 불투명 층(30, 40) 중 적어도 하나는 착색된 수지, 예를 들면, 착색된 또는 흑색의 DNQ-Novolack 수지 또는 DUV(Deep 자외선) 레지스트로 제작될 수 있다. DNQ-Novolack 수지는 DNQ(diazonaphtoquinone)과 novolack 수지(페놀포름알데히드 수지)의 혼합물을 기반으로 한다. DUV 레지스트는 폴리히드록시스티렌을 기반으로 하는 폴리머를 포함할 수 있다. 또한, 일 실시례에 따르면, 각각의 불투명 층(30, 40)은 가시 범위 또는 이 가시 범위와 근적외선의 일부를 흡수하는 흑색 수지로 제작될 수 있다. 다른 실시례에 따르면, 이미지 센서(10)가 특정 색의 광만을 감지하는 경우에 또는 이미지 센서(10)가 가시광을 감지하고 이 특정 색의 필터가 각도 필터(22)와 검출될 물체 사이에 개재된 경우에, 각각의 불투명 층(30, 40)은 또한, 예를 들면, 청색광과 같은 특정 색의 가시광을 흡수하는 착색된 수지일 수 있다.
구멍(32 또는 42)은 공기, 또는 광검출기(14)에 의해 검출되는 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투명한 재료, 예를 들면, PDMS(polydimethylsiloxane)로 채워질 수 있다. 변형례로서, 구멍(32 또는 42)은 각도 필터(22)에 의해 각도 필터링되는 광선을 색채 필터링하기 위해 부분적으로 흡수성인 재료로 채워질 수 있다. 그러면 각도 필터(22)는 컬러 필터의 역할을 추가로 할 수 있다. 이로 인해 각도 필터(22)와 구별되는 컬러 필터가 존재하는 경우에 비해 시스템(5)의 두께를 감소시킬 수 있다. 부분적으로 흡수성인 충전 재료는 착색된 수지 또는 착색된 플라스틱 재료(예를 들면, PDMS)일 수 있다.
구멍(32)의 충전 재료는 각도 필터(22)와 접촉하는 코팅(24)과 일치하는 굴절률을 갖도록, 또는 구조를 강성화하고 각도 필터(22)의 기계적 저항을 개선하도록 선택될 수 있다.
다른 실시형태에 따르면, 제 1 기본 각도 필터(F1)의 경우, 층(30)은 광검출기(14)에 의해 검출되는 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투명한 제 1 재료로 제작된 그리고 광검출기(14)에 의해 검출되는 방사선에 대해 불투명한, 예를 들면, 광검출기(14)에 의해 검출되는 방사선에 대해 흡수성 및/또는 반사성인 코팅으로 피복된 코어를 포함한다. 제 1 재료는 수지일 수 있다. 제 2 재료는 금속, 예를 들면, 알루미늄(Al) 또는 크로뮴(Cr), a 금속 합금, 또는 유기 재료일 수 있다.
중간층(35)은 광검출기(14)에 의해 캡처되는 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투명하다. 중간층(35)은 투명 폴리머, 특히, PET(poly ethylene terephthalate), PMMA(poly methyl methacrylate), COP(cyclo olefin polymer)로 제작될 수 있다. 층(35)은 가시 스펙트럼 및/또는 적외선 스펙트럼의 일부를 필터링하기 위해 착색된 재료로 제작될 수도 있다.
코팅(24)은 광검출기(14)에 의해 캡처되는 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투명하다. 코팅(24)은 수지, 표면을 강성화하기 위한 경질 코팅, 또는 필터(20)를 상층과 조립할 수 있는 OCA(optically clear adhesive)일 수 있다. 코팅(24)은 0.1 μm 내지 10 mm 범위의 두께를 가질 수 있다. 상면(26)은 실질적으로 평면일 수 있다.
일 실시형태에 따르면, 시스템(5)은, 예를 들면, 각도 필터(22)와 코팅(24) 사이에 개재된 각도 필터(22)를 피복하는 마이크로렌즈의 어레이를 더 포함할 수 있다.
도 3 내지 도 7은 도 1 및 도 2에 도시된 광학 시스템(20)을 제조하는 방법의 일 실시형태의 연속 단계에서 얻어진 구조의 단순화된 부분 단면도이다.
도 3은 중간층(35) 상에 제 1 기본 각도 필터(F1)를 형성한 후에 얻어진 구조를 보여준다. 변형례로서, 제 1 기본 각도 필터(F1)는 중간층(35)과 다른 지지체 상에 형성된 다음에 중간층(35) 상으로 이동될 수 있다.
층(30)이 전적으로 불투명 재료로 제작된 경우, 제 1 기본 각도 필터(F1)을 제조하는 방법의 일 실시형태는 다음의 단계를 포함한다:
두께 h1의 중간층(35) 상에 불투명 수지층(30)을 퇴적시키는 단계;
포토리소그래피에 의해 수지층(30)에 구멍(42)의 패턴을 인쇄하는 단계; 및
수지층을 현상하여 구멍(42)을 형성하는 단계.
층(30)이 전적으로 불투명 재료로 제작된 경우, 제 1 기본 각도 필터(F1)을 제조하는 방법의 다른 실시형태는 다음의 단계를 포함한다:
포토리소그래피에 의해 구멍(32)의 원하는 형상에 상보적인 형상을 갖는 몰드를 형성하는 단계,
상기 몰드를 구멍(30)을 형성하는 재료로 채우는 단계; 및
얻어진 구조를 상기 몰드로부터 취출하는 단계.
층(30)이 전적으로 불투명 재료로 제작된 경우, 제 1 기본 각도 필터(F1)를 제조하는 방법의 다른 실시형태는 두께 h1의 불투명 필름, 예를 들면, PDMS, PMMA, PEC, COP 필름을 천공하는 단계를 포함한다. 천공은, 예를 들면, 구멍(32)의 치수 및 원하는 구멍(32)의 피치를 얻기 위해 마이크로 니들(micro-needle)을 포함하는 미세천공 공구를 사용하여 수행될 수 있다.
제 1 기본 각도 필터(F1)가 광검출기(14)에 의해 검출되는 방사선에 대해 적어도 부분적으로 투명한 제 1 재료로 제작된 그리고 광검출기(14)에 의해 검출되는 방사선에 대해 불투명한 코팅으로 피복된 코어를 포함하는 경우, 제 1 각도 필터(F1)를 제조하는 방법의 일 실시형태는 다음의 단계를 포함한다:
층(30)의 코어를 형성하는 중간층(35) 상에, 예를 들면, 스핀 코팅(spin coating)에 의해 또는 슬롯 다이 코팅(slot die coating)에 의해 투명 수지층을 퇴적하는 단계;
포토리소그래피에 의해 수지 코어에 구멍(32)의 패턴을 인쇄하는 단계;
수지 코어를 현상하여 구멍(32)을 형성하는 단계; 및
특히 투명 수지 코어 및 특히 구멍(32)의 측벽 상에만 선택 퇴적, 예를 들면, 증착에 의해, 또는 투명 수지 코어 상 및 구멍(32)의 저면에 있는 중간층(35) 상에 제 2 재료의 층을 퇴적시키고 중간층(35) 상에 존재하는 제 2 재료를 제거함으로써 투명 수지 코어 상에 코팅을 형성하는 단계.
도 4는 제 1 기본 각도 필터(F1) 상에 코팅(24)을 형성한 후에 얻어지는 구조를 보여준다. 일 실시형태에 따르면, 코팅(24)의 형성은 제 1 기본 각도 필터(F1) 상에 필름의 적층을 포함할 수 있다. 이 경우, 구멍(32)은 미리 충전 재료로 채워질 수 있다. 변형례로서, 코팅(24)은 제 1 기본 각도 필터(F1) 상에 코팅(24)을 형성하는 재료의 액체 층 또는 점성 층을 퇴적함으로써 형성될 수 있다. 따라서 액체 층은 구멍(32)을 채운다. 이 층은 바람직하게는 자기 평탄화 층이며, 즉 이것은 실질적으로 평탄한 자유 표면을 자동적으로 형성한다. 다음에 이 액체 층은 경화되어 코팅(24)을 형성한다. 이는 코팅(24)을 형성하는 재료의 가교 단계를 포함할 수 있다.
도 5는 제 1 기본 각도 필터(F1)의 반대측의 중간층(35) 상에 불투명 층(40)을 형성한 후에 얻어지는 구조를 보여준다. 불투명 층(40)은 액체 퇴적, 캐소드 스퍼터링, 또는 증착에 의해 퇴적될 수 있다. 특히, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 헬리오그래피, 슬롯다이 코팅, 블레이드 코팅, 플렉소그래피, 또는 실크스크리닝과 같은 방법을 사용할 수 있다. 구현된 퇴적 방법에 따르면, 퇴적된 재료의 건조 단계가 제공될 수 있다.
도 6은, 방사선(44)에의 노광 단계 중에 얻어지는, 구멍(42)의 원하는 위치에서 불투명 층(40)의 부분(46)의 제 1 기본 각도 필터(F1)를 관통하는 구조를 보여준다. 불투명 층(40)을 노광하는 데 사용되는 방사선은 사용되는 레지스트에 따라 달라진다. 일 실시례로서, 방사선(44)은 DNQ-Novolack 수지의 경우에는 대략 300 nm 내지 450 nm 범위의 파장을 갖는 방사선이고, 또는 DUV 레지스트의 경우에는 자외선 방사선이다. 불투명 층(40)의 방사선(44)에의 노광의 지속시간은 특히 사용되는 포지티브 레지스트의 유형에 따라 달라지며, 불투명 층(40)의 노광된 부분(46)이 불투명 층(40)의 두께 전체를 관통하여 연장하는 데 충분한 지속시간이다.
불투명 층(40)의 노광은 제 1 기본 각도 필터(F1)를 통해 수행된다. 일 실시형태에 따르면, 제 1 기본 각도 필터(F1)에 도달하는 입사 방사선(44)은 실질적으로 콜리메이팅(collimating)된 방사선이다. 바람직하게는, 상면(26)에 대한 방사선(44)의 경사는 이미지 획득 시스템(5)의 정상 사용 중에 광검출기(14)에 의해 캡처되는 방사선(6)과 상면(26)이 형성하는 평균 경사와 실질적으로 일치한다. 다른 실시형태에 따르면, 표면(26)의 방사선(44)에의 노광 조건은 실질적으로 정상 사용 시에 방사선(6)에 의한 표면(26)의 조명 조건과 일치하고, 방사선(44)의 경사는 표면(26) 전체에 걸쳐 균일하지 않을 수 있다. 이 경우, 노광된 부분(46)은 서로에 관한 치수에 관하여 변할 수 있고, 노광된 부분(46)과 관련된 구멍(32) 사이의 상대적 위치는 하나의 구멍(32)으로부터 다른 구멍까지 변화될 수 있다.
도 7은 현상액 중에서 입사 방사선(44)에 노광된 불투명 층(40)의 부분(46)의 용해를 일으켜 구멍(42)을 형성하는 불투명 층(40)의 현상 단계 중에 얻어지는 구조를 보여준다. 따라서 제 2 기본 각도 필터(F2)가 얻어진다. 현상액의 조성은 사용된 포지티브 레지스트의 특성에 따라 달라진다.
이 방법은 구멍(42)을 충전 재료로 채우는 단계 및 이렇게 얻어진 광학 시스템(20)을 이미지 센서(10)에 결합하는 단계를 포함하는 후속 단계를 포함할 수 있다.
유리하게는, 마이크로렌즈(42)에 대한 구멍(32)의 정렬은 구멍(42)을 형성하는 바로 그 방법에 의해 자동적으로 얻어진다.
다양한 실시형태 및 변형례가 설명되었다. 당업자는 이들 실시형태의 특정의 특징들을 조합할 수 있고, 당업자가 다른 변형례를 쉽게 실행할 수 있다는 것을 이해할 것이다.
마지막으로, 본 명세서에 기재된 실시형태 및 변형례의 실제적인 구현은 위에서 제공된 기능적 지시에 기초하여 당업자의 능력의 범위 내에 있다.

Claims (13)

  1. 제 1 기본 각도 필터(F1) 및 제 2 기본 각도 필터(F2)의 스택을 포함하는 각도 필터(22)를 포함하는 광학 시스템(20)을 제조하는 방법으로서,
    상기 방법은 상기 제 1 기본 각도 필터(F1)를 통해 포지티브 레지스트(positive resist)의 층을 노광시키는 단계 및, 상기 층의 노광된 부분(46)을 제거하여 상기 층을 가로지르는 구멍(42)을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 구멍이 가로지르는 층은 상기 제 2 기본 각도 필터(F2)를 형성하는, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학 시스템은 제 1 방사선(6)을 수광하기 위한 표면(26)을 포함하고, 상기 층(40)은 상기 제 1 방사선(6)에 대해 불투명하고, 상기 각도 필터(22)는 상기 표면에 직교하는 방향에 대해 임계값보다 크게 입사하는 상기 제 1 방사선의 광선을 차단하도록, 그리고 상기 표면에 직교하는 방향에 대해 상기 임계값보다 작게 입사하는 상기 제 1 방사선의 광선에 경로를 제공하도록 구성된, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템의 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 노광 단계는 상기 층(40)을 상기 제 1 기본 각도 필터(F1)를 통해 제 2 방사선(44)에 노광시키는 단계를 포함하고, 상기 포지티브 레지스트는 상기 제 2 방사선에 대해 감광성인, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템의 제조 방법.
  4. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 방사선(6)은 가시 범위 및/또는 적외선 범위에 있는, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템의 제조 방법.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    제 1 기본 각도 필터(F1) 및 제 2 기본 각도 필터(F2)는 각각 구멍(32, 34)이 가로지르는 층(30, 40)을 포함하는, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템의 제조 방법.
  6. 제 1 기본 각도 필터(F1) 및 제 2 기본 각도 필터(F2)의 스택을 포함하는 각도 필터(22)를 포함하는 광학 시스템(20)으로서,
    상기 제 2 기본 각도 필터(F2)는 포지티브 레지스트의 층(40) 및 상기 층을 가로지르는 구멍(42)을 포함하는, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 광학 시스템은 제 1 방사선(6)을 수광하기 위한 표면(26)을 포함하고, 상기 층(40)은 상기 제 1 방사선(6)에 대해 불투명하고, 상기 각도 필터(22)는 상기 표면에 직교하는 방향에 대해 임계값보다 크게 입사하는 상기 제 1 방사선의 광선을 차단하도록, 그리고 상기 표면에 직교하는 방향에 대해 상기 임계값보다 작게 입사하는 상기 제 1 방사선의 광선에 경로를 제공하도록 구성된, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 포지티브 레지스트는 상기 제 2 방사선(44)에 대하여 감광성인, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템.
  9. 제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 광학 시스템은 상기 제 1 기본 각도 필터(F1)와 상기 제 2 기본 각도 필터(F2) 사이에 개재된, 상기 제 1 방사선(6)에 대하여 적어도 부분적으로 투명한 추가의 층(35)을 포함하는, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템.
  10. 제 9 항에 있어서,
    각각의 구멍(42)에 대해, 상기 표면에 평행하게 측정된 상기 구멍의 폭(w)에 대한 상기 표면(26)에 대해 수직으로 측정된 상기 제 1 기본 각도 필터(F1), 상기 추가의 층(35), 및 상기 제 2 기본 각도 필터(F2)의 두께의 합계의 비는 1보다 크고, 바람직하게는 1 내지 10인, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템.
  11. 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 구멍(42)은 횡렬 및 종렬로 배치되고, 동일한 횡렬 또는 동일한 종렬의 인접한 구멍들 사이의 피치(p)는 1 μm 내지 100 μm인, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템.
  12. 제 7 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    표면(35)에 직교하는 방향을 따라 측정된 각각의 구멍(42)의 높이(h1)는 1 μm 내지 50 μm인, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템.
  13. 제 7 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    표면(35)에 평행하게 측정된 각각의 구멍(42)의 폭(w)은 1 μm 내지 100 μm인, 각도 필터를 포함하는 광학 시스템.
KR1020217004795A 2018-07-19 2019-07-18 각도 필터 및 그 제조 방법 KR20210036935A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1856709A FR3084207B1 (fr) 2018-07-19 2018-07-19 Systeme optique et son procede de fabrication
FR1856709 2018-07-19
PCT/EP2019/069454 WO2020016392A1 (fr) 2018-07-19 2019-07-18 Filtre angulaire et son procede de fabrication

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210036935A true KR20210036935A (ko) 2021-04-05

Family

ID=65031474

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217004796A KR20210036936A (ko) 2018-07-19 2019-07-18 광학 시스템 및 그의 제조 방법
KR1020217004787A KR20210037680A (ko) 2018-07-19 2019-07-18 광학 시스템 및 그의 제조방법
KR1020217004795A KR20210036935A (ko) 2018-07-19 2019-07-18 각도 필터 및 그 제조 방법

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217004796A KR20210036936A (ko) 2018-07-19 2019-07-18 광학 시스템 및 그의 제조 방법
KR1020217004787A KR20210037680A (ko) 2018-07-19 2019-07-18 광학 시스템 및 그의 제조방법

Country Status (7)

Country Link
US (3) US20210325576A1 (ko)
EP (4) EP4235601A3 (ko)
JP (3) JP7411630B2 (ko)
KR (3) KR20210036936A (ko)
CN (3) CN112437892B (ko)
FR (1) FR3084207B1 (ko)
WO (3) WO2020016391A1 (ko)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11626441B2 (en) * 2020-01-16 2023-04-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Optical module
CN113161432A (zh) * 2020-01-23 2021-07-23 群创光电股份有限公司 电子装置
KR20210138184A (ko) * 2020-05-11 2021-11-19 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서, 및 그를 포함한 표시 장치
US11876108B2 (en) * 2020-11-17 2024-01-16 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor packages with an array of single-photon avalanche diodes split between multiple semiconductor dice
FR3117612A1 (fr) * 2020-12-14 2022-06-17 Isorg Filtre optique
FR3117611B1 (fr) * 2020-12-14 2023-08-04 Isorg Filtre angulaire optique
FR3117613A1 (fr) * 2020-12-14 2022-06-17 Isorg Filtre angulaire optique
FR3117614B1 (fr) * 2020-12-15 2023-08-25 Isorg Filtre angulaire optique
CN116635759A (zh) * 2020-12-18 2023-08-22 3M创新有限公司 包括透镜膜和掩模的光学构造体
JP2023553690A (ja) * 2020-12-18 2023-12-25 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー レンズフィルム及び多層マスクを含む光学構造体
KR20220089180A (ko) * 2020-12-21 2022-06-28 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
US11574496B2 (en) * 2021-05-18 2023-02-07 Au Optronics Corporation Fingerprint recognition device
WO2023275748A1 (en) * 2021-06-30 2023-01-05 3M Innovative Properties Company Optical stacks for detection systems
CN113419301A (zh) * 2021-07-21 2021-09-21 上海芯物科技有限公司 一种微透镜阵列的制备方法及晶圆
CN113419300A (zh) * 2021-07-21 2021-09-21 上海芯物科技有限公司 一种微透镜阵列
TWI771149B (zh) * 2021-08-13 2022-07-11 友達光電股份有限公司 指紋感測裝置
CN115881738A (zh) * 2021-09-26 2023-03-31 群创光电股份有限公司 光学感测装置
FR3129247B1 (fr) * 2021-11-18 2024-03-08 Isorg Filtre angulaire optique et procédé de fabrication d'un tel filtre
WO2023111738A1 (en) * 2021-12-14 2023-06-22 3M Innovative Properties Company Optical construction including lens film and mask layer
CN218825596U (zh) * 2022-05-11 2023-04-07 指纹卡安娜卡敦知识产权有限公司 光学指纹传感器和电子设备
US12057060B1 (en) * 2023-05-08 2024-08-06 AUO Corporation Display device

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8503526A (nl) * 1985-12-20 1987-07-16 Philips Nv Doorzichtprojektiescherm.
DE69320113T2 (de) * 1992-05-22 1999-03-11 Matsushita Electronics Corp., Kadoma, Osaka Festkörper-Bildsensor und Verfahren zu seiner Herstellung
JPH0645569A (ja) * 1992-05-22 1994-02-18 Matsushita Electron Corp 固体撮像装置およびその製造方法
US6788460B2 (en) * 1998-04-15 2004-09-07 Duke University Projection screen apparatus
JPH10270672A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Sony Corp 固体撮像素子
US6967779B2 (en) * 1998-04-15 2005-11-22 Bright View Technologies, Inc. Micro-lens array with precisely aligned aperture mask and methods of producing same
JPH11354763A (ja) * 1998-06-04 1999-12-24 Toshiba Corp 固体撮像装置およびカラーフィルタアレイの製造方法
JP2000131506A (ja) * 1998-10-26 2000-05-12 Toshiba Corp マイクロレンズアレイシート
US6171885B1 (en) * 1999-10-12 2001-01-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High efficiency color filter process for semiconductor array imaging devices
US6897911B2 (en) * 2000-02-14 2005-05-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light diffusing plate, liquid crystal display apparatus and rear projection apparatus
US6821810B1 (en) * 2000-08-07 2004-11-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company High transmittance overcoat for optimization of long focal length microlens arrays in semiconductor color imagers
KR100870800B1 (ko) * 2001-02-07 2008-11-27 코닝 인코포레이티드 고정밀도 구경을 갖는 자기 정합 구경 마스크
WO2002077672A2 (en) * 2001-02-07 2002-10-03 Corning Incorporated High-contrast screen with random microlens array
ATE408850T1 (de) 2001-04-10 2008-10-15 Harvard College Mikrolinse zur projektionslithographie und ihr herstellungsverfahren
JP2002350981A (ja) 2001-05-28 2002-12-04 Dainippon Printing Co Ltd 遮光性層を有するレンチキュラーレンズシートおよびその製造方法
JP2003004905A (ja) * 2001-06-18 2003-01-08 Toppan Printing Co Ltd 両面レンズシートとそれを用いたリア型プロジェクションスクリーンおよび表示装置
JP4161602B2 (ja) * 2002-03-27 2008-10-08 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズアレイおよびその製造方法並びに光学装置
JP3465705B2 (ja) * 2002-04-02 2003-11-10 ソニー株式会社 冷陰極電界電子放出素子の製造方法、及び、冷陰極電界電子放出表示装置の製造方法
JP3888223B2 (ja) * 2002-05-13 2007-02-28 ソニー株式会社 液晶表示素子の製造方法
JP2004134933A (ja) * 2002-10-09 2004-04-30 Konica Minolta Holdings Inc デジタルスチルカメラ及びその作製方法
JP4097508B2 (ja) * 2002-11-19 2008-06-11 シャープ株式会社 マイクロレンズ基板の作製方法およびマイクロレンズ露光光学系
JP4096877B2 (ja) 2003-02-07 2008-06-04 松下電器産業株式会社 情報読み取り素子及びそれを用いた情報読み取り装置
US7102819B2 (en) * 2003-04-24 2006-09-05 Delta Electronics, Inc. Projection optics apparatus and thereof display device and thereof manufacturing method
JP2005010336A (ja) * 2003-06-18 2005-01-13 Fuji Photo Film Co Ltd 露光装置及び露光方法
JP3731592B2 (ja) * 2003-09-08 2006-01-05 セイコーエプソン株式会社 透過型スクリーン用部材、透過型スクリーンおよびリア型プロジェクタ
GB2406730A (en) * 2003-09-30 2005-04-06 Ocuity Ltd Directional display.
US7476562B2 (en) * 2003-10-09 2009-01-13 Aptina Imaging Corporation Gapless microlens array and method of fabrication
US7227692B2 (en) * 2003-10-09 2007-06-05 Micron Technology, Inc Method and apparatus for balancing color response of imagers
KR20060108618A (ko) * 2003-10-27 2006-10-18 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 광학 이미지를 형성하기 위한 장치 및 방법
KR100629866B1 (ko) * 2003-12-23 2006-09-29 엘지전자 주식회사 제어된 비구면 계수를 갖는 마이크로렌즈 배열 시트의 제조 방법
US7808706B2 (en) * 2004-02-12 2010-10-05 Tredegar Newco, Inc. Light management films for displays
JP2006010868A (ja) * 2004-06-23 2006-01-12 Sony Corp マイクロレンズアレイ、液晶表示装置、投射型表示装置
US7068432B2 (en) * 2004-07-27 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Controlling lens shape in a microlens array
JP4365743B2 (ja) * 2004-07-27 2009-11-18 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 撮像装置
US20060061861A1 (en) * 2004-09-23 2006-03-23 Reflexite Corporation High performance rear-projection screen
KR20060133484A (ko) * 2005-06-20 2006-12-26 히다치 막셀 가부시키가이샤 조명장치, 표시장치, 광학시트 및 그 제조방법
CN101405637A (zh) * 2005-06-29 2009-04-08 瑞弗莱克塞特公司 校准显微透镜阵列
DE102006004802B4 (de) * 2006-01-23 2008-09-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Bilderfassungssystem und Verfahren zur Herstellung mindestens eines Bilderfassungssystems
DE102006005000B4 (de) * 2006-02-01 2016-05-04 Ovd Kinegram Ag Mehrschichtkörper mit Mikrolinsen-Anordnung
WO2009081534A1 (ja) * 2007-12-21 2009-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示パネル、液晶表示装置、及び液晶表示パネルの製造方法
US7981592B2 (en) * 2008-04-11 2011-07-19 Sandisk 3D Llc Double patterning method
EP2302456B1 (en) * 2008-07-16 2015-09-02 Nissan Chemical Industries, Ltd. Positive resist composition;patttern forming method; microlens and planarization film therefrom; solid-state imaging device, liquid crystal display device and led display device comprising the same
JP2010094499A (ja) * 2008-09-16 2010-04-30 Hitachi Maxell Ltd 画像取得装置及び生体情報取得装置
JP2010098055A (ja) * 2008-10-15 2010-04-30 Hitachi Maxell Ltd 遮光構造、撮像装置及びその製造方法、並びに生体情報取得装置
DE102009016234B4 (de) * 2009-04-03 2014-03-13 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Strahlformer
CN102341740B (zh) * 2009-06-22 2015-09-16 财团法人工业技术研究院 发光单元阵列、其制造方法和投影设备
US8648948B2 (en) * 2009-09-30 2014-02-11 Infrared Newco, Inc. Imaging systems with multiple imaging pixel types and related methods
DE102009049387B4 (de) * 2009-10-14 2016-05-25 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung, Bildverarbeitungsvorrichtung und Verfahren zur optischen Abbildung
JP2011203792A (ja) 2010-03-24 2011-10-13 Hitachi Displays Ltd 撮像装置
CN102338895B (zh) * 2011-09-28 2013-11-06 电子科技大学 一种焦距可调的双焦点非球面微透镜
JP6035744B2 (ja) * 2012-01-10 2016-11-30 凸版印刷株式会社 固体撮像素子
JP5863215B2 (ja) * 2012-03-28 2016-02-16 シャープ株式会社 光拡散部材およびその製造方法、表示装置
US10502870B2 (en) * 2012-10-04 2019-12-10 North Inc. Optical assembly
EP2989375B1 (en) * 2013-03-12 2019-12-11 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Thin luminaire
US9215430B2 (en) * 2013-03-15 2015-12-15 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with pixels having increased optical crosstalk
FR3007148B1 (fr) * 2013-06-17 2016-11-25 Centre Nat De La Rech Scient - Cnrs Element de filtrage optique angulaire pour le filtrage angulaire a selectivite angulaire controlee
EP2873953A1 (en) * 2013-11-13 2015-05-20 ams AG Light sensor arrangement and spectrometer
JP2015138180A (ja) 2014-01-23 2015-07-30 凸版印刷株式会社 カラーフィルタ、液晶表示パネルおよび液晶表示装置
CN104156131B (zh) * 2014-08-20 2017-07-28 深圳市华星光电技术有限公司 触摸屏的制造方法
WO2016057588A2 (en) * 2014-10-07 2016-04-14 Corning Incorporated Direct view display device and light unit for direct view display device
FR3037723B1 (fr) * 2015-06-16 2019-07-12 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de realisation d'un empilement du type premiere electrode / couche active / deuxieme electrode.
TWI598782B (zh) * 2015-09-01 2017-09-11 凌巨科技股份有限公司 觸控面板模組
US9977152B2 (en) * 2016-02-24 2018-05-22 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Display panels with integrated micro lens array
DE102016109193A1 (de) 2016-05-19 2017-11-23 Ovd Kinegram Ag Verfahren zur Herstellung von Sicherheitselementen mit einem Lenticular Flip
CN107437047A (zh) * 2016-05-25 2017-12-05 深圳印象认知技术有限公司 感光像元、图像采集器、指纹采集设备及显示设备
US10331932B2 (en) * 2016-06-08 2019-06-25 Novatek Microelectronics Corp. Optical sensor device and a fingerprint sensor apparatus
US10270947B2 (en) * 2016-09-15 2019-04-23 Microsoft Technology Licensing, Llc Flat digital image sensor
US10304375B2 (en) * 2016-09-23 2019-05-28 Hong Kong Beida Jade Bird Display Limited Micro display panels with integrated micro-reflectors
CN208298199U (zh) * 2017-12-18 2018-12-28 深圳市为通博科技有限责任公司 光学通路调制器、图像识别传感器和电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210037680A (ko) 2021-04-06
KR20210036936A (ko) 2021-04-05
JP2021530745A (ja) 2021-11-11
JP2022536426A (ja) 2022-08-17
EP3824328A1 (fr) 2021-05-26
EP3824326B1 (fr) 2023-09-06
US20210325576A1 (en) 2021-10-21
EP3824327A1 (fr) 2021-05-26
FR3084207B1 (fr) 2021-02-19
EP3824326A1 (fr) 2021-05-26
US20210333441A1 (en) 2021-10-28
WO2020016391A1 (fr) 2020-01-23
CN112437891A (zh) 2021-03-02
JP7348263B2 (ja) 2023-09-20
EP4235601A3 (fr) 2023-10-25
CN112714879A (zh) 2021-04-27
JP7411630B2 (ja) 2024-01-11
US20210318475A1 (en) 2021-10-14
JP2022536215A (ja) 2022-08-15
CN112437892B (zh) 2023-02-28
CN112437891B (zh) 2022-09-27
FR3084207A1 (fr) 2020-01-24
CN112437892A (zh) 2021-03-02
WO2020016393A1 (fr) 2020-01-23
EP4235601A2 (fr) 2023-08-30
WO2020016392A1 (fr) 2020-01-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20210036935A (ko) 각도 필터 및 그 제조 방법
US10838221B2 (en) Collimating structure, method for fabricating the same and display device
KR102164725B1 (ko) 디스플레이용 스크린
FR3063596A1 (fr) Systeme d'acquisition d'images
US20200026903A1 (en) Light collimator, manufacturing method thereof and optical fingerprint identification device
CN218383360U (zh) 角度滤光器
CN111914605A (zh) 准直器的制作方法、准直器、光学指纹模组及电子设备
CN108873119A (zh) 一种晶圆级光学元件及其制备方法
CN217034782U (zh) 高分辨率图像采集系统
CN214586079U (zh) 用于图像传感器的光学滤波器、系统和指纹传感器
JPH049803A (ja) 回折格子
CN114424097A (zh) 角度滤光器
KR20220133181A (ko) 위상 정렬된 이미지 층들을 갖는 마이크로 광학 보안 디바이스
JP6760835B2 (ja) マーカ
CN102084273A (zh) 具有防反射构造的光学部件及上述光学部件的制造方法
KR20190019880A (ko) 지문인식센서가 결합된 디스플레이 장치
KR102517586B1 (ko) 광 경로 제어를 위한 광학 필름
CN110603424A (zh) 标记单元
CN220509162U (zh) 光学滤波器、图像采集设备和图像采集系统
US20230400606A1 (en) Undulating Metal Layer and Optical Construction Including Same

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal