KR20210034115A - 가스 홀에 애퍼쳐-감소 플러그가 있는 고 전력 정전 척 - Google Patents

가스 홀에 애퍼쳐-감소 플러그가 있는 고 전력 정전 척 Download PDF

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Abstract

고전력 플라즈마 프로세싱과 같은 프로세싱을 위해 작업부재를 지지하기 위한 정전 척이 설명된다. 실시예들에서, 척은, 작업부재를 지지하기 위한 최상부 플레이트 ― 최상부 플레이트는 작업부재를 파지하기 위한 전극을 가짐 ―; 최상부 플레이트를 냉각시키기 위한, 최상부 플레이트 아래에 있는 냉각 플레이트; 최상부 플레이트를 통해 작업부재에 가스를 피딩하기 위한, 냉각 플레이트 및 최상부 플레이트를 관통하는 가스 홀; 및 홀을 통해 가스 유동을 안내하기 위한, 냉각 플레이트 가스 홀에 있는 애퍼쳐-감소 플러그를 포함한다.

Description

가스 홀에 애퍼쳐-감소 플러그가 있는 고 전력 정전 척{HIGH POWER ELECTROSTATIC CHUCK WITH APERTURE-REDUCING PLUG IN A GAS HOLE}
[0001] 본 출원은, 본원에 의해 우선권이 주장되는 HIGH POWER ESC DESIGN WITH POROUS THROUGH HOLE IN A COOLING PLATE라는 명칭으로 2016년 6월 21일자로 출원된 선행 미국 가출원 일련번호 제62/352,717호, 및 본원에 의해 우선권이 주장되는 HIGH POWER ESC DESIGN WITH POROUS THROUGH HOLE IN A COOLING PLATE라는 명칭으로 2016년 6월 7일자로 출원된 선행 미국 가출원 일련번호 62/346,802호를 우선권으로 주장한다.
[0002] 본 설명은 반도체 및 미세 기계가공 프로세싱을 위한 작업부재(workpiece)를 지지하기 위한 정전 척(electrostatic chuck)에 관한 것으로, 특히, 척에서의 내부 다공성 관통 홀(internal porous through hole)에 관한 것이다.
[0003] 반도체 칩들의 제조에서, 실리콘 웨이퍼 또는 다른 기판은 상이한 프로세싱 챔버들에서 다양한 상이한 프로세스들에 노출된다. 챔버들은 다수의 상이한 화학적 및 물리적 프로세스들에 웨이퍼를 노출시킬 수 있고, 그에 의해, 미소(minute) 집적 회로들이 기판 상에 생성된다. 집적 회로를 구성하는 재료들의 층들은, 화학 기상 증착, 물리 기상 증착, 에피택셜(epitaxial) 성장 등을 포함하는 프로세스들에 의해 생성된다. 재료의 층들 중 일부는, 포토레지스트 마스크들 및 습식 또는 건식 에칭 기법들을 사용하여 패터닝(pattern)된다. 기판들은 실리콘, 갈륨 비소, 인듐 인화물, 유리, 또는 다른 적절한 재료들일 수 있다.
[0004] 이러한 제조 프로세스들에서, 플라즈마는 다양한 재료 층들을 증착하거나 또는 에칭하기 위해 사용될 수 있다. 플라즈마 프로세싱은, 열적 프로세싱에 비해 많은 이점들을 제공한다. 예컨대, 플라즈마 강화 화학 기상 증착(PECVD; plasma enhanced chemical vapor deposition)은, 증착 프로세스들이 유사한 열적 프로세스들에서보다 더 낮은 온도들 및 더 높은 증착 레이트들로 수행될 수 있게 한다. 따라서, PECVD는 재료가 더 낮은 온도들에서 증착될 수 있게 한다.
[0005] 이러한 프로세스들에서 사용되는 프로세싱 챔버들은 전형적으로, 프로세싱 동안 기판을 지지하기 위해 내부에 배치되는 기판 지지부, 페디스털(pedestal), 또는 척을 포함한다. 일부 프로세스들에서, 페디스털은, 기판의 온도를 제어하고 그리고/또는 프로세스에서 사용될 수 있는 상승된 온도들을 제공하도록 적응되는 매립(embed)된 가열기를 포함할 수 있다.
[0006] HAR(High Aspect Ratio) 플라즈마 에칭은 굽힘 없는 프로파일들을 달성하기 위해 상당히 더 높은 바이어스 전력을 사용한다. 유전체 에칭을 위해 HAR을 지원하기 위해, 전력은 20 KW로 증가될 수 있고, 이는 ESC(Electrostatic Chuck)에 상당한 영향들을 준다. 많은 현재의 ESC 설계들은 고 바이어스 전력의 직접적인 결과로서 비롯되는 그러한 고 전압을 견딜 수 없다. 특히, ESC 내에 설계된 홀들이 악영향을 받을 수 있다. 더욱이, ESC는, 과도한 라디칼들이 본드들을 부식시킬 때, 리프트 핀(lift pin) 영역에서 본드 장애들을 겪을 수 있다. 다른 영향은, ESC 표면 온도가 더 높은 레이트로 변한다는 것이다. ESC 표면의 가열은 인가되는 RF 플라즈마 전력에 정비례한다. 열은 또한, 본드 장애의 결과일 수 있다. 부가하여, ESC 상에서 지지되는 웨이퍼의 휨 및 웨이퍼 상의 전하 축적은 또한, 웨이퍼 디-척킹(de-chucking)을 더 어렵게 한다.
[0007] 일반적인 프로세스들은 웨이퍼(에칭 애플리케이션들을 위해 웨이퍼에 2 MHz 6.5 KW 플라즈마 전력이 인가됨)를 홀딩(hold)하기 위해 ESC를 사용한다. 고 종횡비(예컨대, 100:1) 애플리케이션들은 훨씬 더 높은 플라즈마 전력들을 사용한다. 높은 웨이퍼 바이어스를 생성하기 위해 저 주파수 고 전력 플라즈마 전압으로 동작하는 ESC가 본원에 설명된다. 더 높은 전력은, 유전체 파괴로 인한, 그리고 ESC 내에 설계된 가스 홀들에서의 플라즈마 점화로 인한 ESC의 장애들을 증가시킬 것이다.
[0008] 고 전력 플라즈마 프로세싱과 같은 프로세싱을 위해 작업부재를 지지하기 위한 정전 척이 설명된다. 실시예들에서, 척은, 작업부재를 지지하기 위한 최상부 플레이트 ― 최상부 플레이트는 작업부재를 파지(grip)하기 위한 전극을 가짐 ―; 최상부 플레이트를 냉각시키기 위한, 최상부 플레이트 아래에 있는 냉각 플레이트; 최상부 플레이트를 통해 작업부재에 가스를 피딩(feed)하기 위한, 냉각 플레이트 및 최상부 플레이트를 관통하는 가스 홀; 및 홀을 통해 가스 유동을 안내(conduct)하기 위한, 냉각 플레이트 가스 홀에 있는 애퍼쳐-감소 플러그(aperture-reducing plug)를 포함한다.
[0009] 본 발명의 실시예들은 첨부된 도면들의 도해들에서 제한으로서가 아니라 예로서 예시된다.
[0010] 도 1은 본 발명의 실시예에 따른, 플라즈마 프로세싱 챔버에서 프로세스 동안의 ESC의 열 화상도이다.
[0011] 도 2는 본 발명의 실시예에 따른, ESC의 최상부 플레이트 상의 퍽(puck)의 평면도이다.
[0012] 도 3은 본 발명의 실시예에 따른, 최상부 층 및 퍽을 도시하는 ESC의 부분 측단면도이다.
[0013] 도 4는 본 발명의 실시예에 따른, 베이스 플레이트 및 최상부 플레이트에 있는 가스 홀과 함께 베이스 플레이트 홀에 있는 플러그의 부분 측단면도이다.
[0014] 도 5는 본 발명의 실시예에 따른, 베이스 플레이트 및 최상부 플레이트에 있는 가스 홀과 함께 베이스 플레이트 홀에 있는 대안적인 플러그의 부분 측단면도이다.
[0015] 도 6은 본 발명의 실시예에 따른, 냉각 플레이트에 전압이 인가되는 정전 척의 측단면도이다.
[0016] 도 7은 본 발명의 실시예에 따른, 작업부재 캐리어(carrier)를 포함하는 플라즈마 에칭 시스템의 도면이다.
[0017] 설명된 ESC는 고 전력 및 고 바이어스 전압들을 견딘다. 설명된 본 발명의 ESC는, 헬륨(He) 홀에서의 플라즈마 라이트 업(light-up)을 방지하기 위한, 냉각 플레이트에 있는 다공성 플러그를 사용한다. 헬륨 홀은, 후면측 웨이퍼 냉각을 위해 헬륨을 전달한다. 많은 ESC들은, 냉각을 위해 웨이퍼의 후면측에 헬륨을 전달하기 위해서, 최상부 퍽의 중앙 근처의 별개의 채널을 사용한다. He는 ESC의 최하부에서의 압력으로 가해지며, ESC의 최상부 플레이트 또는 퍽을 통해 퍽과 웨이퍼 후면측 사이의 공간으로 밀어 올려진다. He 홀들은, 고 전압(RF 전력) 하에서 아킹(arcing)을 겪을 수 있다. 본원에 설명된 바와 같이, ESC의 He 홀들에서의 아킹이 감소되거나 제거될 수 있다.
[0018] 도 1은 플라즈마 프로세싱 챔버에서 프로세스 동안의 ESC(10)의 열 화상도이다. 중앙 스폿(12)은 헬륨 냉각 가스 홀의 위치에 대응하고, 3개의 주변 스폿들(14)은 리프트 핀 홀들의 위치에 대응한다. 도시된 바와 같이, 본드가 국부적으로 침식되기 때문에 3개의 리프트 핀 영역들이 더 뜨거워진다. 이러한 고온 스폿들에서의 웨이퍼 프로세스들에서 문제들이 존재하며, 퍽과 지지 플레이트 사이의 본드가 고온 스폿들(리프트 핀들) 주위에서 침식된다. 중앙 가스 홀을 통해 He를 펌핑하는 것은 웨이퍼의 후면측을 가로질러 주변부로 가스를 밀어내어, 이러한 위치들 및 다른 위치들에서의 온도 차이들을 감소시킨다. 펌핑된 가스는 또한, ESC의 나머지에 최상부 플레이트를 홀딩하는 본딩 재료들을 침식시키는 경향이 있는, 웨이퍼의 후면측 근처의 라디칼들의 존재를 감소시킨다. He는, He의 전기적 특성들 및 열 전도율 때문에, 중앙 가스 홀(12)을 통해 적용될 적절한 가스이다.
[0019] 도 2는 ESC의 최상부 플레이트 상의 퍽(206)의 평면도이다. 퍽은, 웨이퍼(도시되지 않음)를 홀딩하기 위한 내측 전극들을 가질 수 있다. 전극은 유전체 층 아래에 있고, 그가 홀딩할 웨이퍼와 거의 동일한 사이즈이도록 사이즈가 정해진다. 전극은 DC 전압 소스에 전기적으로 연결된다.
[0020] 중앙 가스 홀(212)은, 주변 가스 홀들(213)의 추가적인 어레이 및 리프트 핀 홀들(214)의 어레이에 의해 결합될 수 있다. 가스 홀들은, 부가적인 냉각 가스가 웨이퍼와 퍽 사이의 공간으로 밀려 나올 수 있게 한다. 리프트 핀 홀들은, 웨이퍼가 다른 또는 부가적인 프로세싱을 위해 제거될 수 있도록, 리프트 핀들이 홀들을 통해 연장되어 척으로부터 웨이퍼를 밀어낼 수 있게 한다(디-척킹). 부가적인 홀들, 및 다른 기능들을 수행하기 위한 다른 구조들이 존재할 수 있다. 도시된 도면을 불명료하게 하지 않기 위해 가열기들, 냉각 채널들, 플라즈마 프로세스 구조들, 및 다른 컴포넌트들은 도시되어 있지 않다.
[0021] 도 3은, 도 2의 최상부 층(208) 및 퍽(206)을 도시하는 ESC의 부분 측단면도이다. 최상부 플레이트는, 실리콘 웨이퍼 또는 다른 아이템과 같은 작업부재(202)를 지지하도록 구성된다. 작업부재는, 이러한 예에서, 최상부 플레이트에 있는 전극들(210)에 의해 생성되는 정전기력에 의해 홀딩된다. 최상부 플레이트는, 세라믹(예컨대, 알루미늄 질화물)과 같은 유전체 재료로 형성되며, 예컨대, 접착제를 사용하여 베이스 플레이트(220)에 장착된다. 베이스 또는 냉각 플레이트는, 최상부 플레이트를 지지하기 위한 임의의 적절한 재료(이를테면, 알루미늄)로 형성될 수 있다. 베이스 플레이트는, 냉각 채널들(230), 배선 층들, 파이프들, 튜브들, 그리고 퍽 및 퍽에 부착되어 퍽에 의해 지지되는 웨이퍼(202)를 지지하기 위한 다른 구조들(도시되지 않음)을 포함할 수 있다.
[0022] 베이스 플레이트는, 지지 플레이트(226)에 의해 지탱되는 접지 플레이트(224)에 의해 지지된다. 절연 플레이트(222)는, 베이스 냉각 플레이트를 하부 접지 및 지지 플레이트들로부터 격리시키기 위해, 전기 및 열 격리기, 이를테면, Rexolite®, 또는 다른 플라스틱 또는 폴리스티렌, 내열성 재료로 형성된다. 최하부 지지 플레이트는 전기 및 가스 연결부들을 위한 피팅(fitting)들을 제공하고, 캐리어들 및 다른 피팅들을 위한 부착 포인트들을 제공한다.
[0023] 가스 홀(213)은, 압축된(under pressure) 가스를 공급하는 가스 라인(232)에 연결되기 위해, 최상부 플레이트(208), 베이스 플레이트(220), 절연 플레이트(222), 접지 플레이트(224), 및 지지 플레이트(226)를 통해 연장된다. 가스는, 탱크 및 펌프 또는 임의의 다른 타입의 소스와 같은 조절식 냉각 가스 소스(236)에 의해 가스 라인에 공급된다. 위에 언급된 바와 같이, 냉각 가스는, 헬륨, 질소, 또는 높은 열 전도율을 갖는 임의의 다른 적절한 불활성 가스일 수 있다. 가스 홀들 중 임의의 가스 홀은, 중앙에 있든 주변부에 있든 동일하거나 유사한 외관(appearance)을 가질 수 있으며, 예시된 홀은 어느 하나의 타입을 표현한다.
[0024] 도 4는, 베이스 플레이트(222) 또는 냉각 플레이트 및 최상부 플레이트(208)에 있는 가스 홀(213)의 확대된 부분 측단면도이다. 유전체 퍽(208)은 접착제(252)를 사용하여 전도성 냉각 플레이트(220)에 부착된다. 베이스 플레이트는, 유전체 코팅을, 그 유전체 코팅과 접착제 사이의 최상부 표면 상에 갖는다. 이는, 베이스 플레이트와 최상부 플레이트 사이의 임의의 아킹을 감소시킨다. 퍽은, 플라즈마 프로세싱 및 다른 프로세스들 동안 웨이퍼와 같은 작업부재(도시되지 않음)를 지지한다. 일부 실시예들에서, 냉각 플레이트에는, 퍽과 냉각 플레이트 사이의 전압 전위를 감소시키기 위해 DC 전압이 인가된다. 냉각 플레이트의 중심은 냉각 플레이트에 있는 홀(233)을 통해 연장되는 가스 라인(232)을 위한 피팅을 가지며, 홀(233)을 통해, 냉각 플레이트 아래로부터 냉각 플레이트에 있는 가스 채널(240) 내로 냉각 가스가 제공된다. 가스 채널은, 채널 위에 부착되는 중실형(solid) 커버(260)에 의해 커버된다. 커버는, 적소에 e-빔 용접된 냉각 플레이트와 같은 알루미늄일 수 있다. 채널은, 냉각 채널에 있는 제1 다공성 플러그(242) 내로 가스를 피딩하는, 커버(260)를 관통하는 홀(258)에 개방된다. 냉각 채널에 있는 다공성 플러그는, 퍽에 있는 제2 다공성 플러그(246) 내로 가스를 안내한다. 퍽에 있는 다공성 플러그는, 웨이퍼 후면측을 향하여 퍽의 최상부를 통해 중앙 홀(250) 내로 압축된 가스를 커플링시킨다. 더 많은 냉각 가스 홀들이 존재한다면, 채널은, 대응하는 다공성 플러그들에 가스를 통과시키기 위해, 커버에 있는 대응하는 홀들을 갖는 그러한 더 많은 홀들로 연장될 수 있다.
[0025] 베이스 플레이트 및 퍽에 있는 이러한 캐비티(cavity)들은 모두 아킹에 취약하다. 증기 또는 플라즈마로부터 웨이퍼 상으로의 이온 충격을 야기하기 위해, 네거티브(negative) 전압이 웨이퍼에 커플링된다. 네거티브 전압은, 헬륨이 도입되는 캐비티들을 포함하는 냉각 플레이트와 웨이퍼 사이에 강한 e-필드를 생성한다. 이러한 높은 e-필드로 인해, 헬륨 중 일부가 점화될 수 있고, ESC에 인가되는 RF 전력은 헬륨이 점화되는 곳으로 집중된다. 이는, 그러한 곳에서 심각한 아킹 이벤트들을 야기할 수 있다. 헬륨 이외에 질소, 아르곤 등과 같은 다른 타입들의 열적 커플링(thermal coupling) 가스들과 함께 동일한 현상이 발생한다.
[0026] 냉각 플레이트에 있는 플러그(242)는 애퍼쳐(애퍼쳐를 통해 가스가 유동함)를 감소시킨다. 이는, 냉각 플레이트에서의 아킹을 감소시키거나 제거한다. 냉각을 제공하기 위해, 냉각 플레이트(220)는 전형적으로 알루미늄과 같은 열 전도성 재료로 만들어진다. 이는, 냉각 플레이트가 퍽으로부터 열을 흡수하여 그 열을 냉각제 채널들(230)로 보낼 수 있게 한다. 또한, 열 전도성 재료들은 종종 전기 전도성이며, 이는, 작업부재 및 퍽 상의 전압이 냉각 플레이트로 전도될 수 있게 한다. 이어서, 이러한 전압은 가스 캐비티들에서 아킹을 유도할 수 있다.
[0027] 냉각 플레이트에 있는 가스 채널 및 홀 및 가스 라인 측벽들은, 알루미늄 질화물 또는 이트리어와 같은 유전체 코팅으로 커버될 수 있다. 이는, 가스 아킹으로부터 보호하는 것을 도우며, 전도성 냉각 플레이트로부터 애퍼쳐-감소 플러그로의 전기적 트랜지션(transition)을 제공한다. 유전체의 증가가 없다면 열을 전도하는 냉각 플레이트에서의 유전체의 증가는, 냉각 플레이트의 홀들에서의 아킹 없이 더 높은 외부 플라즈마 및 바이어스 전압들을 허용하는 것을 돕는다. 플러그(242)가 또한 유전체이면, 이는, 냉각 플레이트의 전기 전도율을 극복한다. 유동을 허용하기 위해 다공성인 것에 부가하여, 애퍼쳐-감소 플러그는 선택적으로, 더 높은 가스 유동을 허용하기 위해 중앙 수직 튜브(도시되지 않음)를 가질 수 있다. 플러그의 다공성은 중앙 튜브 주위에서의 부가적인 가스 유동을 허용하여, 냉각 플레이트 홀을 통해 퍽으로 가스 유동을 안내한다. 더 구체적으로, 중앙 튜브 및 다공성 재료는, 헬륨과 같은 열적 가스가, 냉각 플레이트(220)로부터 최상부 플레이트(208)의 다공성 플러그(246) 내로 다공성 플러그를 통해 유동할 수 있게 한다. 일부 실시예들에서, 중앙 튜브 및 헬륨이 존재하지 않거나, 임의의 다른 열 전도 가스가 플러그의 다공성 영역들을 통해 유동한다.
[0028] 냉각 플레이트에 있는 이러한 부가적인 애퍼쳐-감소 플러그(242)는, 웨이퍼와 ESC 최상부 표면 사이의 열 전달을 위해 헬륨이 도입되는, 냉각 플레이트와 웨이퍼 사이에 생성되는 e-필드 밀도를 감소시킨다.
[0029] 최상부 플레이트에 있는 다공성 플러그는, 가스를 가스 홀(213)로 가이드하기 위해, 테이퍼링(taper)된 형상을 갖는다. 최상부 플레이트 플러그(246)의 베이스(248)는, 냉각 플레이트에 있는 플러그(242)의 최상부와 거의 동일한 사이즈이거나 그보다 좁다. 최상부 플레이트 플러그의 최상부(244)는 베이스보다 좁고, 가스 홀(213)로 이어지는 최상부 플레이트의 최상부를 통해 상부 중앙 홀(250) 내로 가스를 가이드한다. 가스 홀은, 작업부재와 최상부 플레이트 사이의 열 전도를 촉진시키기 위해, 작업부재의 후면측에 가깝게 배치된다. 플러그(246)가 단차 후에 직경이 더 좁아지는 단차식 형상을 갖는 것으로 도시되지만, 플러그는, 다수의 단차들, 좁아지는 원뿔형 직경, 또는 이들의 조합 또는 상이한 테이퍼링 효과들을 가질 수 있다.
[0030] 도시된 바와 같이, 냉각 플레이트 애퍼쳐-감소 플러그(242)는 더 큰 채널(240) 내에 배치된다. 이들 둘 모두가 원통형인 것으로 도시되지만, 원하는 가스 유동 및 가스 유동의 방향 및 전파에 따라 임의의 원하는 형상을 취할 수 있다. 플러그는 채널의 직경의 약 절반이며, 최상부 플레이트에 가장 가까운 채널의 최상부에 맞닿게 배치된다. 플러그는 적절한 접착제로 채널 벽들에 부착될 수 있다. 냉각 플레이트 플러그로부터 최상부 플레이트 플러그(246) 내로 가스가 유동할 수 있게 하기 위해, 채널(240)에서 플러그(242) 위에 개구(254)가 존재한다. 이러한 개구는, 도시된 바와 같이 최상부 플레이트 플러그만큼 크거나 더 작을 수 있다.
[0031] 2개의 다공성 플러그들은 동일한 다공성 유전체 재료 또는 상이한 다공성 유전체 재료로 만들어질 수 있다. 다양한 상이한 세라믹들이 사용될 수 있지만, 다른 적절한 재료들이 또한 존재할 수 있다. 예들로서, 플러그들은, 다공성 세라믹 재료들, 이를테면, 알루미늄 질화물(AlN), 알루미늄 산화물(Al2O3), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), VELSEL®, 또는 임의의 다른 적절한 재료로 만들어질 수 있다. 재료의 다공성은, 사용 동안 원하는 가스 유량을 허용하도록 선택된다. 다공성이 충분한 가스 유량을 제공하기에 충분하지 않으면, 하나 이상의 작은 수직 튜브들이 플러그를 관통하여 드릴링(drill)될 수 있다.
[0032] 도 5는, 베이스 플레이트(222) 및 최상부 플레이트(208)에 있는 가스 홀(213)과 함께 냉각 플레이트에서의 대안적인 유동 및 공간-제한적 애퍼쳐-감소 플러그의 확대된 부분 측단면도이다. 냉각 플레이트에 있는 도 4의 최하부 다공성 플러그(242)는 알루미나, AlN, 또는 플라스틱들과 같은 임의의 유전체 인서트(insert)로 대체될 수 있다. 플러그에 적어도 하나의 튜브가 있거나, 냉각 가스가 기공(pore)들을 통해 유동한다. 플러그는 가스 항복 전압을 감소시키지만, 가스 유동 안내를 개선하여 가스 안정화 시간 및 가스 덤핑(dumping) 시간을 단축시킨다.
[0033] 그러나, 도 5의 예에서, 다공성 플러그(242)는, 알루미나 또는 다른 유전체 중실형 애퍼쳐-감소 플러그(262)로 대체된다. 다양한 세라믹들을 비롯하여 임의의 다른 유전체 비정질, 폴리머, 또는 다른 비-다공성 재료가 사용될 수 있다. 플러그는, 냉각 가스의 유동을 허용하기 위해 중앙 튜브(264)를 갖는다. 플러그는 또한, 더 높은 총 유량을 허용하기 위해, 중앙 튜브 옆에 부가적인 수직 튜브들(266)을 또한 가질 수 있다. 튜브들의 사이즈들은, 상이한 온도 및 플라즈마 전압 조건들에 적합할 뿐만 아니라 상이한 가스 유량들에 적합하도록 선택될 수 있다. 더 높은 전압은, 가스 항복 전압을 효과적으로 감소시키기 위해 더 작은 튜브를 요구할 수 있다.
[0034] 도 4의 예에서와 같이, 유전체 퍽(208)은 접착제(252)를 사용하여 전도성 냉각 플레이트(220)에 부착된다. 냉각 플레이트의 중심은 가스 라인(232)을 위한 피팅을 가지며, 가스 라인(232)을 통해, 냉각 플레이트 아래로부터 냉각 플레이트의 통로(233)를 통해 냉각 플레이트의 채널(240) 내로 냉각 가스가 제공된다. 채널은, 채널 커버(260)에 있는 홀(258)을 통해 냉각 채널의 하부 중실형 애퍼쳐-감소 플러그(262) 내로 가스를 피딩한다. 냉각 채널에 있는 중실형 플러그는, 하나 초과의 튜브들을 통해 퍽의 상부 다공성 플러그(246) 내로 가스를 커플링시킨다. 퍽에 있는 다공성 플러그는, 웨이퍼 후면측을 향하여 퍽의 최상부를 통해 중앙 홀(250) 내로 압축된 가스를 커플링시킨다. 대안들로서, 상부 플러그는 제거되거나 다양한 상이한 형태들 중 임의의 형태를 취할 수 있다.
[0035] 도 6은 최상부 퍽에 전극이 있는 정전 척의 측단면도이다. 예시된 예에서, 척은, Al 냉각 또는 베이스 플레이트(302)를 갖는 ESC이다. 도 3의 다른 플레이트들은 도면을 간략화하기 위해 도시되어 있지 않다. 대안적으로, 이러한 다른 플레이트들은 특정 애플리케이션들에 더 양호하게 적합하도록 삭제될 수 있다. 퍽(306)이 유전체 접착제(304)의 층을 이용하여 베이스 플레이트에 본딩된다. 접착제는 퍽과 베이스 플레이트 사이의 전기 및 열 전도를 감쇠시킨다. 퍽은 세라믹 또는 다른 유전체로 만들어진다. 퍽은 정전기력을 사용하여 웨이퍼(308)와 같은 작업부재를 홀딩한다. 본원에서 작업부재가 웨이퍼로 지칭되지만, 척은 다양한 상이한 제품들 및 프로세스들을 위한 다른 작업부재들을 지지할 수 있다. 도면은 본 발명의 특징들을 불명료하게 하지 않도록 간략화된다.
[0036] 베이스 플레이트는, 도 3 및 도 7에 도시된 것들을 포함하는, 많은 다른 컴포넌트들, 피쳐(feature)들, 및 열 유체, 가스 유동, 가열기 전력, 센서들 및 다른 컴포넌트들을 위한 외부 연결들을 포함할 수 있다. 유사하게, 퍽은 베이스 플레이트를 통해 외부 컴포넌트들에 연결된, 가열기들, 센서들, 액체 및 가스 유동 채널들, 및 다른 피쳐들을 포함할 수 있다. 이러한 다른 컴포넌트들 중 일부의 지지 및 물리적 지지를 위한 부가적인 플레이트들이, 예시된 베이스 플레이트 아래에 존재할 수 있다. 많은 다른 부가적인 피쳐들이 존재할 수 있지만, 웨이퍼의 후면측으로부터 척을 통해 냉각 및 열 전도 가스, 이를테면 헬륨을 운반하기 위해, 척 베이스 플레이트 및 최상부 플레이트를 관통하는 단일 중앙 튜브(330)가 존재할 수 있다. 부가적인 가스 홀들 및 다른 홀들이 존재할 수 있다. 웨이퍼 및 베이스 플레이트를 관통하는 부가적인 홀들(332)이, 예컨대, 디-척킹을 위해 척으로부터 웨이퍼를 밀어내기 위한 리프트 핀들을 제공할 수 있다. 홀들은, 중실형 또는 다공성인 것으로 위에서 설명된 애퍼쳐 제한 플러그들(도시되지 않음)을 가질 수 있다.
[0037] 웨이퍼(308)를 홀딩하기 위한 정전기력은 퍽의 최상부 표면 근처의 전극(312), 이를테면 와이어들의 메쉬(mesh) 또는 플레이트를 사용하여 생성되며, 그 전극(312)은 베이스 플레이트 및 퍽을 통하는 전기 커넥터 또는 로드(320)를 통해 외부 전력 공급부(322)로부터 와이어 메쉬에 전압을 인가함으로써 대전된다. 하나의 커넥터만이 도시되지만, 다수의 커넥터들이 존재할 수 있고, 전극의 상이한 섹션들에 상이한 극성들이 존재할 수 있다. 외부 전력 공급부는 AC(교류) 또는 DC(직류) 전력 소스 또는 둘 모두일 수 있다. 일부 실시예들에서, DC는, 전극 상에 정전하를 생성하여 웨이퍼를 파지하기 위해 인가된다. AC는 동일한 목적을 위해 사용될 수 있지만, 웨이퍼 상에 바이어스 전압을 유도하고 플라즈마로부터 웨이퍼 상으로의 이온 충격을 유도하는 데 또한 사용될 수 있다.
[0038] 본 측단면도에서, 와이어 메쉬(312)는 웨이퍼 근처의 라인으로서 나타난다. 평면 시점에서, 메쉬는 퍽의 최상부 표면 근처의 영역 대부분을 커버하는, 일반적으로 직교로 교차하는 와이어들의 웹(web)이다. 와이어들은 구리, 알루미늄, 또는 몰리브덴일 수 있다. 대안적으로, 와이어 메쉬는 퍽에 매립된 중실형 또는 주로 중실형인 전도 플레이트일 수 있다. 플레이트는 상이한 정전기 극성들 또는 전하량들을 인가하기 위해 여러 부분들로 이루어질 수 있다. 메쉬(312)는 스크린 프린팅, 증착, 또는 스피닝(spinning)에 의해 형성될 수 있다. 대안적으로, 전도성 플레이트는 개별적으로 주조 또는 기계가공될 수 있고, 그 후, 최상부 플레이트가 형성될 때, 최상부 플레이트 내에 배치될 수 있다.
[0039] 베이스 플레이트(302)는 또한 전기 커넥터(326)를 통해 DC 전력 공급부(324)에 커플링된다. RF 전력 공급부(328)가 또한 전기 커넥터(326)를 사용하여 베이스 플레이트(302)에 커플링될 수 있다. RF 전력 공급부(328)는, DC 전압 소스(322, 324) 중 어느 하나 또는 둘 모두와 동일할 수 있거나 상이할 수 있다. 냉각 플레이트에 공급되는 전력은, 냉각 플레이트에 전압을 인가함으로써, 냉각 플레이트에 있는 냉각 가스 홀(330, 332)에서의 플라즈마 라이트 업 전위를 추가로 감소시키는 역할을 한다.
[0040] 냉각 플레이트 상의 전압은, 웨이퍼 상의 전압에 대응하도록 선택될 수 있다. 웨이퍼 상의 전압이 네거티브이면, 냉각 플레이트에 인가되는 전압은 네거티브일 수 있다. 네거티브 전압은, 웨이퍼와 냉각 플레이트 사이의 전위차를 감소시킨다. 이는, 가스 홀에서의 e-필드 밀도를 감소시킨다.
[0041] 예로서, RF 플라즈마에 의해 웨이퍼 상에 유도되는 -4 kV의 DC 전압 바이어스로 인해, 웨이퍼와 베이스 플레이트 사이에 4 kV 또는 그 초과의 전위차가 존재할 것이다. 베이스 플레이트의 전압이 부동(float)하게 허용되는 경우, 차이가 더 클 수 있다. 다른 한편으로는, 베이스 플레이트에 약 -2 kV의 전압을 인가함으로써, 전위차는 약 2 kV로 절반만큼 감소될 수 있다. 임의의 다른 네거티브 전압이 사용될 수 있으며, 일 예로서, -2 kV가 제공된다. 전형적인 RF 플라즈마 프로세스들의 경우, 웨이퍼는, 냉각 플레이트에 인가되는 바이어스 RF 전력에 대해 네거티브로 바이어싱된다. 이러한 인가된 DC 전압은 또한, 베이스 플레이트와 웨이퍼 사이의 퍽에서의 e-필드를 감소시킨다.
[0042] 도 7은 본원에 설명된 실시예들에 따른, 페디스털(128)을 갖는 플라즈마 시스템(100)의 부분 단면도이다. 페디스털(128)은, 기판이 다수의 프로세스 및 챔버 조건들에 영향을 받는 동안, 넓은 온도 범위에 걸친, 페디스털 상에 포지셔닝(position)된 기판의 온도의 능동 제어를 허용하는 능동 냉각 시스템을 갖는다. 플라즈마 시스템(100)은, 프로세싱 구역(120)을 정의하는 측벽들(112) 및 최하부 벽(116)을 갖는 프로세싱 챔버 바디(102)를 포함한다.
[0043] 페디스털, 캐리어, 척, 또는 ESC(128)가 시스템(100)에서 최하부 벽(116)에 형성되는 통로(122)를 통해 프로세싱 구역(120)에 배치된다. 페디스털(128)은 페디스털(128)의 상부 표면 상에 기판(도시되지 않음)을 지지하도록 적응된다. 기판은, 다양한 상이한 재료들 중 임의의 재료로 만들어진, 챔버(100)에 의해 적용되는 프로세싱을 위한 다양한 상이한 작업부재들 중 임의의 작업부재일 수 있다. 페디스털(128)은, 원하는 프로세스 온도로 기판 온도를 가열하고 제어하기 위해, 가열 엘리먼트들(도시되지 않음), 예컨대 저항성 엘리먼트들을 선택적으로 포함할 수 있다. 대안적으로, 페디스털(128)은, 램프(lamp) 어셈블리와 같은 원격 가열 엘리먼트에 의해 가열될 수 있다.
[0044] 페디스털(128)은, 프로세싱 구역(120) 내의 페디스털(128)의 상승 및 이동을 제어하는 드라이브 시스템을 포함할 수 있는 전력 아웃렛(outlet) 또는 전력 박스(103)에 샤프트(126)에 의해 커플링된다. 샤프트(126)는 또한, 페디스털(128)에 전력을 제공하기 위해 전력 인터페이스들을 포함한다. 전력 박스(103)는 또한, 전력 및 온도 표시기들을 위한 인터페이스들, 이를테면 열전대(thermocouple) 인터페이스를 포함한다. 샤프트(126)는 또한, 전력 박스(103)에 분리가능하게 커플링되도록 적응되는 베이스 어셈블리(129)를 포함한다. 원주방향 링(circumferential ring)(135)이 전력 박스(103) 위에 도시된다. 일 실시예에서, 원주방향 링(135)은, 전력 박스(103)의 상부 표면과 베이스 어셈블리(129) 사이에 기계적 인터페이스를 제공하도록 구성되는 기계적 스톱(stop) 또는 랜드(land)로서 적응되는 숄더(shoulder)이다.
[0045] 로드(130)가 최하부 벽(116)에 형성된 통로(124)를 통해 배치되고, 페디스털(128)을 통해 배치된 기판 리프트 핀들(161)을 활성화하기 위해 사용된다. 기판 리프트 핀들(161)은, 전형적으로, 기판 이송 포트(160)를 통해 로봇(도시되지 않음)을 사용하여, 작업부재가 제거되고 챔버 내로 인입되고 챔버 밖으로 인출될 수 있게 하기 위해, 페디스털 최상부 표면으로부터 작업부재를 리프팅한다.
[0046] 챔버 바디(102)의 최상부 부분에 챔버 덮개(lid)(104)가 커플링된다. 덮개(104)는, 덮개(104)에 커플링되는 하나 이상의 가스 분배 시스템들(108)을 수용한다. 가스 분배 시스템(108)은, 샤워헤드 어셈블리(142)를 통해 프로세싱 구역(120B) 내에 반응물 및 세정 가스들을 전달하는 가스 인렛(inlet) 통로(140)를 포함한다. 샤워헤드 어셈블리(142)는, 면판(146)에 대해 중간에 배치되는 차단 플레이트(blocker plate)(144)를 갖는 환형 베이스 플레이트(148)를 포함한다.
[0047] 라디오 주파수(RF; radio frequency) 소스(165)가 샤워헤드 어셈블리(142)에 커플링된다. RF 소스(165)는, 가열된 페디스털(128)과 샤워헤드 어셈블리(142)의 면판(146) 사이에서의 플라즈마의 생성을 가능하게 하기 위해 샤워헤드 어셈블리(142)에 전력을 공급한다. 일 실시예에서, RF 소스(165)는 HFRF(high frequency radio frequency) 전력 소스, 이를테면 13.56 MHz RF 생성기일 수 있다. 다른 실시예에서, RF 소스(165)는 HFRF 전력 소스 및 LFRF(low frequency radio frequency) 전력 소스, 이를테면 300 kHz RF 생성기를 포함할 수 있다. 대안적으로, RF 소스는, 플라즈마 생성을 가능하게 하기 위해, 프로세싱 챔버 바디(102)의 다른 부분들, 이를테면 페디스털(128)에 커플링될 수 있다. RF 전력이 덮개(104)로 전도되는 것을 방지하기 위해, 유전체 격리기(isolator)(158)가 덮개(104)와 샤워헤드 어셈블리(142) 사이에 배치된다. 페디스털(128)의 원하는 높이에서 기판에 맞물리는 섀도우 링(shadow ring)(106)이 페디스털(128)의 주변부 상에 배치될 수 있다.
[0048] 선택적으로, 동작 동안 환형 베이스 플레이트(148)를 냉각시키기 위해, 냉각 채널(147)이 가스 분배 시스템(108)의 환형 베이스 플레이트(148)에 형성된다. 물, 에틸렌 글리콜, 가스 등과 같은 열 전달 유체가 냉각 채널(147)을 통해 순환될 수 있으며, 이로써, 베이스 플레이트(148)는 미리 정의된 온도로 유지된다.
[0049] 챔버 라이너(liner) 어셈블리(127)는, 프로세싱 구역(120) 내의 프로세싱 환경에 대한 측벽들(101, 112)의 노출을 방지하기 위해, 챔버 바디(102)의 측벽들(101, 112)에 매우 가까이 근접하게 프로세싱 구역(120) 내에 배치된다. 라이너 어셈블리(127)는, 프로세싱 구역(120)으로부터 가스들 및 부산물들을 배기하고 그리고 프로세싱 구역(120) 내의 압력을 제어하도록 구성되는 펌핑 시스템(164)에 커플링된 원주방향 펌핑 캐비티(125)를 포함한다. 복수의 배기 포트들(131)이 챔버 라이너 어셈블리(127) 상에 형성될 수 있다. 배기 포트들(131)은, 시스템(100) 내의 프로세싱을 촉진시키는 방식으로, 프로세싱 구역(120)으로부터 원주방향 펌핑 캐비티(125)로의 가스들의 유동을 허용하도록 구성된다.
[0050] 시스템 제어기(170)가 챔버에서의 제조 프로세스를 제어하기 위해 다양한 상이한 시스템들에 커플링된다. 제어기(170)는 온도 제어 알고리즘들(예컨대, 온도 피드백 제어)을 실행하기 위해 온도 제어기(175)를 포함할 수 있고, 소프트웨어 또는 하드웨어 또는 소프트웨어와 하드웨어 둘 모두의 결합일 수 있다. 시스템 제어기(170)는 또한, 중앙 프로세싱 유닛(172), 메모리(173), 및 입력/출력 인터페이스(174)를 포함한다. 온도 제어기는 페디스털 상의 센서(도시되지 않음)로부터 온도 판독(143)을 수신한다. 온도 센서는 냉각제 채널 근처에 있을 수 있거나, 웨이퍼 근처에 있을 수 있거나, 또는 페디스털의 유전체 재료에 배치될 수 있다. 온도 제어기(175)는, 열 교환기(177)와 같은, 플라즈마 챔버(105) 외부의 열 싱크 및/또는 열 소스와 페디스털 어셈블리(142) 사이의 열 전달의 레이트에 영향을 미치는 제어 신호들을 출력하기 위해, 감지된 온도 또는 온도들을 사용한다.
[0051] 시스템은 또한, 온도 피드백 루프에 기반하여 유동이 제어되는, 제어된 열 전달 유체 루프(141)를 포함할 수 있다. 예시적인 실시예에서, 온도 제어기(175)는 열 교환기(HTX)/칠러(chiller)(177)에 커플링된다. 열 전달 유체는, 열 전달 유체 루프(141)를 통해 밸브에 의해 제어되는 레이트로 밸브(도시되지 않음)를 통해 유동한다. 밸브는, 열 유체의 유량을 제어하기 위해, 열 교환기 내부 또는 외부의 펌프 내에 또는 열 교환기 내에 포함될 수 있다. 열 전달 유체는 페디스털 어셈블리(142)에 있는 도관들을 통해 유동하고, 그 후, HTX(177)로 복귀한다. 열 전달 유체의 온도는 HTX에 의해 증가 또는 감소되고, 그 후, 유체는 루프를 통해 다시 페디스털 어셈블리로 복귀된다.
[0052] HTX는, 열 전달 유체를 가열하여 그에 의해 기판을 가열하기 위해 가열기(186)를 포함한다. 가열기는, 열 교환기 내의 파이프 주위의 저항성 코일들을 사용하여 형성될 수 있거나, 또는 가열된 유체가 교환기를 통해, 열 유체를 수용하는 도관으로 열을 전도하는 열 교환기로 형성될 수 있다. HTX는 또한, 열 유체로부터 열을 흡수하는 냉각기(188)를 포함한다. 이는, 주변 공기 내로 또는 냉각제 유체 내로 또는 다양한 다른 방식들 중 임의의 방식으로 열을 덤핑하기 위해 라디에이터를 사용하여 행해질 수 있다. 온도 제어되는 유체가 먼저 가열 또는 냉각되고, 그 후, 열 전달 유체 루프에서 제어 유체의 열이 열 유체의 열과 교환되도록, 가열기와 냉각기가 결합될 수 있다.
[0053] 페디스털 어셈블리(142)에 있는 유체 도관들과 HTX(177) 사이의 밸브(또는 다른 유동 제어 디바이스들)는 유체 루프로의 열 전달 유체의 유량을 제어하기 위해 온도 제어기(175)에 의해 제어될 수 있다. 온도 제어기(175), 온도 센서, 및 밸브는 구성 및 동작을 간략화하기 위해 결합될 수 있다. 실시예들에서, 열 교환기는, 열 전달 유체가 유체 도관으로부터 복귀한 후에 열 전달 유체의 온도를 감지하고, 유체의 온도 및 챔버(102)의 동작 상태에 대한 요구되는 온도에 기반하여 열 전달 유체를 가열 또는 냉각시킨다.
[0054] 전기 가열기들(도시되지 않음)이 또한, 페디스털 어셈블리에 열을 가하기 위해, 페디스털 어셈블리에서 사용될 수 있다. 전형적으로 저항성 엘리먼트들의 형태인 전기 가열기들은, 원하는 온도를 획득하기 위해 가열기 엘리먼트들을 에너자이징(energize)하도록 온도 제어 시스템(175)에 의해 제어되는 전력 공급부(179)에 커플링된다.
[0055] 열 전달 유체는, 액체, 이를테면(그러나 제한적이지 않게) 탈이온수/에틸렌 글리콜, 3M으로부터의 Fluorinert® 또는 Solvay Solexis, Inc.로부터의 Galden®과 같은 불화계 냉각제, 또는 과불소화 불활성 폴리에테르들을 함유하는 것들과 같은 임의의 다른 적합한 유전체 유체일 수 있다. 본 설명이 PECVD 프로세싱 챔버의 맥락에서 페디스털을 설명하지만, 본원에 설명된 페디스털은 다양한 상이한 챔버들에서 그리고 다양한 상이한 프로세스들에 사용될 수 있다.
[0056] 가압 가스 공급부 또는 펌프 및 가스 저장소(reservoir)와 같은 후면측 가스 소스(178)가 질량 유량계(185) 또는 다른 타입의 밸브를 통해 척 어셈블리(142)에 커플링된다. 후면측 가스는 헬륨, 아르곤, 또는 챔버의 프로세스들에 영향을 미치지 않으면서 웨이퍼와 퍽 사이에 열 대류 및/또는 냉각을 제공하는 임의의 가스일 수 있다. 가스 소스는, 시스템이 연결된 시스템 제어기(170)의 제어 하에서, 아래에서 더 상세히 설명되는 페디스털 어셈블리의 가스 아웃렛을 통해 웨이퍼의 후면측으로 가스를 펌핑한다.
[0057] 본원에 설명된 바와 같이, 가스는, 웨이퍼와 페디스털 사이의 열 대류를 개선하기 위해, 페디스털의 최상부 표면과 웨이퍼 사이에서 웨이퍼의 후면측으로 전달될 수 있다. 효과적인 반경반향 가스 유동은 웨이퍼의 후면측에 걸친 가스 유동을 개선한다. 가스는, 페디스털 어셈블리의 베이스에 있는 채널을 통해 페디스털의 최상부로 펌핑될 수 있다. 채널은 리프트 핀 홀들을 포함할 수 있다. 질량 유동 제어기는, 페디스털을 통한 유동을 제어하는 데 사용될 수 있다. 진공 또는 화학 증착 챔버에서, 후면측 가스는, 프로세싱 동안 웨이퍼를 가열 및 냉각시키기 위한 열 전달을 위한 매체를 제공한다.
[0058] 프로세싱 시스템(100)은 또한, 도 1에서 구체적으로 도시되지 않은 다른 시스템들, 이를테면, 특히, 플라즈마 소스들, 진공 펌프 시스템들, 액세스 도어들, 미세 기계가공, 레이저 시스템들, 및 자동화된 핸들링 시스템들을 포함할 수 있다. 예시된 챔버는 예로서 제공되고, 작업부재 및 원하는 프로세스들의 성질에 따라, 다양한 다른 챔버들 중 임의의 챔버가 본 발명과 함께 사용될 수 있다. 설명된 페디스털 및 열 유체 제어 시스템은 상이한 물리적 챔버들 및 프로세스들에 사용하기 위해 적응될 수 있다.
[0059] 본 설명에서, 다수의 세부사항들이 기재되지만, 본 발명이 이러한 특정한 세부사항들 없이도 실시될 수 있다는 것이 당업자에게 명백할 것이다. 일부 예시들에서, 본 발명을 불명료하게 하는 것을 피하기 위해, 잘-알려진 방법들 및 디바이스들은 상세히 도시되지 않고 블록도 형태로 도시된다. 본 명세서 전반에 걸친 "실시예" 또는 "일 실시예"에 대한 언급은, 실시예와 관련하여 설명된 특정한 특징, 구조, 기능 또는 특성이 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함된다는 것을 의미한다. 따라서, 본 명세서 전반에 걸친 다양한 위치들에서의 "실시예에서" 또는 "일 실시예에서"라는 문구의 출현들이 반드시 본 발명의 동일한 실시예를 지칭하는 것은 아니다. 또한, 특정한 특징들, 구조들, 기능들, 또는 특성들은 하나 이상의 실시예들에서 임의의 적절한 방식으로 조합될 수 있다. 예컨대, 제1 실시예 및 제2 실시예와 연관된 특정한 특징들, 구조들, 기능들, 또는 특성들이 상호 배타적이지 않은 어떠한 부분에서도 제1 실시예가 제2 실시예와 조합될 수 있다.
[0060] 본 발명의 설명 및 첨부된 청구항들에서 사용되는 바와 같이, 맥락이 명확하게 달리 표시하지 않으면, 단수 형태들은 복수 형태들을 또한 포함하도록 의도된다. 또한, 본원에서 사용되는 바와 같은 "및/또는"이라는 용어는 연관된 열거된 아이템들 중 하나 이상의 임의의 그리고 모든 가능한 조합들을 지칭하고 포괄한다는 것이 이해될 것이다.
[0061] "커플링된" 및 "연결된"이라는 용어들은, 이들의 파생어들과 함께, 컴포넌트들 사이의 기능적인 또는 구조적인 관계들을 설명하기 위해 본원에서 사용될 수 있다. 이러한 용어들이 서로에 대한 동의어들로서 의도되지 않는다는 것이 이해되어야 한다. 오히려, 특정 실시예들에서, "연결된"은 2개 이상의 엘리먼트들이 서로 직접적으로 물리적으로, 광학적으로, 또는 전기적으로 접촉하는 것을 표시하기 위해 사용될 수 있다. "커플링된"은 2개 이상의 엘리먼트들이 서로 직접적으로 또는 간접적으로(이들 사이에 다른 개재하는 엘리먼트들을 가지면서) 물리적으로, 광학적으로, 전기적으로 접촉하는 것을 표시하기 위해, 그리고/또는 2개 이상의 엘리먼트들이 (예컨대, 인과 관계에서와 같이) 서로 협력하거나 또는 상호작용하는 것을 표시하기 위해 사용될 수 있다.
[0062] 본원에서 사용되는 바와 같은 "위", "아래", "사이", 및 "상"이라는 용어들은 그러한 물리적인 관계들이 주의되어야 하는 경우에 하나의 컴포넌트 또는 재료 층의, 다른 컴포넌트들 또는 층들에 대한 상대적인 포지션을 지칭한다. 예컨대, 재료 층들의 상황에서, 다른 층 위에 또는 아래에 배치된 하나의 층은 다른 층과 직접적으로 접촉할 수 있거나, 또는 하나 이상의 개재하는 층들을 가질 수 있다. 더욱이, 2개의 층들 사이에 배치된 하나의 층은 2개의 층들과 직접적으로 접촉할 수 있거나, 또는 하나 이상의 개재하는 층들을 가질 수 있다. 대조적으로, 제2 층 "상"의 제1 층은 제2 층과 직접적으로 접촉한다. 유사한 구별들이 컴포넌트 어셈블리들의 상황에서 이루어질 것이다.
[0063] ESC 설계의 상이한 실시예들의 예들은, 헬륨 홀에서의 플라즈마 라이트 업을 방지하기 위한, 냉각 플레이트에 있는 다공성 플러그를 포함한다.
[0064] 실시예들은, 유전체 플러그가 냉각 플레이트의 가스 홀에 배치되는 위의 설계를 포함한다.
[0065] 실시예들은, 냉각 플레이트가 전도성인 위의 설계를 포함한다.
[0066] 실시예들은, 유전체 플러그가 관통 홀을 갖거나 다공성이어서 그를 통해 냉각 플레이트로부터 최상부 플레이트의 다공성 플러그 내로 헬륨이 지나갈 수 있게 하는 위의 설계를 포함한다.
[0067] 실시예들은, 냉각 플레이트가, 냉각 플레이트 아래에서 채널 내로 그리고 이어서 냉각 플레이트에 있는 다공성 플러그 내로 가스가 제공되는 가스 홀을 위한 피팅을 갖는 위의 설계를 포함한다.
[0068] 실시예들은, 냉각 플레이트에 있는 채널이 퍽에 있는 다공성 플러그 내로 가스를 피딩하는 위의 설계를 포함한다.
[0069] 실시예들은, 다공성 플러그가 웨이퍼 후면측을 향하여 퍽의 최상부를 통해 홀 내로 압축된 가스를 커플링시키는 위의 설계를 포함한다.
[0070] 실시예들은, 다공성 플러그가 다공성 유전체 재료로 만들어지는 위의 설계를 포함한다.
[0071] 실시예들은, 다공성 플러그가 다공성 세라믹 재료, 예컨대, 알루미늄 질화물(AlN), 알루미늄 산화물(Al2O3), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), VELSEL®, 또는 임의의 다른 적절한 재료로 만들어지는 위의 설계를 포함한다.
[0072] 실시예들은, 냉각 플레이트에 있는 가스 채널 및 가스 홀 측벽들이 알루미늄 질화물 또는 이트리어와 같은 유전체 코팅으로 커버되는 위의 설계를 포함한다.
[0073] 실시예들은, 냉각 플레이트의 최상부가 알루미늄 질화물 또는 이트리어와 같은 유전체 코팅으로 커버되는 위의 설계를 포함한다.
[0074] 실시예들은, 작업부재를 파지하기 위한 수단을 갖는, 정전하를 사용하여 작업부재를 지지하기 위한 수단; 파지하기 위한 수단을 냉각시키기 위한 수단; 및 작업부재의 후면측에 냉각 가스를 전달하기 위한 수단을 포함하며, 그 전달하기 위한 수단은, 냉각시키기 위한 수단에 있는 다공성 유전체 수단을 포함한다.
[0075] 실시예들은, 최상부 플레이트 및 냉각 플레이트를 갖는 정전 척을 사용하여 작업부재를 프로세싱하기 위한 방법을 포함하며, 방법은, 냉각 플레이트로부터 최상부 플레이트를 거쳐 최상부 플레이트에 있는 가스 홀을 통해 작업부재의 후면측으로 냉각 가스를 전달하는 단계를 포함하고, 그 전달하는 단계는, 냉각 플레이트에 있는 유전체 다공성 플러그를 통해 냉각 가스를 전달하는 단계를 포함한다.

Claims (16)

  1. 정전 척으로서,
    베이스 플레이트;
    상기 베이스 플레이트에 커플링되는 퍽(puck) ― 상기 퍽은 그 위에 작업부재(workpiece)를 지지하기 위한 것임 ―;
    하나 또는 그 초과의 가스 홀(gas hole)들 ― 각각의 가스 홀은 상기 베이스 플레이트 및 상기 퍽을 통해 연장됨 ―;
    전기 커넥터에 의해 상기 베이스 플레이트에 결합되는 DC 전력 공급부 ― 상기 DC 전력 공급부는 상기 하나 또는 그 초과의 가스 홀들 내의 플라즈마 라이트 업(light up) 전위를 감소시키기 위한 것임 ―; 및
    상기 베이스 플레이트에 커플링되는 RF 전력 공급부
    를 포함하는,
    정전 척.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 가스 홀들은 헬륨 가스의 소스에 커플링되는,
    정전 척.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 RF 전력 공급부는 상기 전기 커넥터에 의해 상기 베이스 플레이트에 결합되는,
    정전 척.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 퍽은 전극을 포함하는,
    정전 척.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 전극은, 상기 퍽 상의 상기 작업부재를 홀딩하기 위한 정전기력을 제공하기 위해 외부 전력 공급부에 결합되는,
    정전 척.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 퍽은 유전체 접착제에 의해 상기 베이스 플레이트에 커플링되는,
    정전 척.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 퍽은 세라믹 재료를 포함하는,
    정전 척.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 가스 홀들의 적어도 일부는 그 내부에 애퍼쳐 제한 플러그를 포함하는,
    정전 척.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 애퍼쳐 제한 플러그는 중실형(solid) 플러그인,
    정전 척.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 애퍼쳐 제한 플러그는 다공성 플러그인,
    정전 척.
  11. 방법으로서,
    정전 척의 퍽 상에 작업부재를 위치시키는 단계 ― 상기 정전 척은 베이스 플레이트에 커플링되는 상기 퍽, 하나 또는 그 초과의 가스 홀들, 전기 커넥터에 의해 상기 베이스 플레이트에 커플링되는 DC 전력 공급부를 포함하고, 각각의 가스 홀은 상기 베이스 플레이트 및 상기 퍽을 통해 연장함 ―;
    상기 하나 또는 그 초과의 가스 홀들을 통해 가스를 공급하는 단계; 및
    상기 하나 또는 그 초과의 가스 홀들 내의 플라즈마 라이트 업 전위를 감소시키기 위해 상기 DC 전력 공급부로부터 전압을 인가하는 단계
    를 포함하는,
    방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 가스 홀들을 통해 가스를 공급하는 단계는 헬륨 가스를 공급하는 단계를 포함하는,
    방법.
  13. 제11항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 가스 홀들을 통해 가스를 공급하는 단계는 중실형 플러그를 통해 상기 가스를 유동시키는 단계를 포함하는,
    방법.
  14. 제11항에 있어서,
    상기 하나 또는 그 초과의 가스 홀들을 통해 가스를 공급하는 단계는 다공성 플러그를 통해 상기 가스를 유동시키는 단계를 포함하는,
    방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 퍽은 전극을 포함하고, 상기 방법은:
    상기 퍽 상의 상기 작업부재를 홀딩하기 위한 정전기력을 제공하기 위해 외부 전력 공급부로부터의 전압을 상기 전극에 인가하는 단계
    를 더 포함하는,
    방법.
  16. 제11항에 있어서,
    상기 커넥터에 커플링된 RF 전력 공급부로부터의 RF 전력을 상기 베이스 플레이트에 인가하는 단계를 더 포함하는,
    방법.
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