KR20210020042A - A method for manufacturing an adhesive sheet, a method for manufacturing an integrated dicing/die-bonding tape, a method for manufacturing a semiconductor device, a method for treating an adhesive, a method for fixing an adherend, and a method for peeling an adherend - Google Patents
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Abstract
기재와 기재 상에 마련된 점착제층을 갖는 점착 시트 전구체를 준비하는 공정과, 점착 시트 전구체에 있어서의 점착제층의 기재와 반대 측의 면에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정을 구비하는, 점착 시트의 제조 방법이 개시된다.Preparation of a pressure-sensitive adhesive sheet comprising a step of preparing a pressure-sensitive adhesive sheet precursor having a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer provided on the substrate, and a step of performing plasma treatment on a surface of the pressure-sensitive adhesive layer in the pressure-sensitive adhesive sheet precursor opposite to the substrate The method is disclosed.
Description
본 발명은, 점착 시트의 제조 방법, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법, 반도체 장치의 제조 방법, 점착제의 처리 방법, 피착체의 고정화 방법, 및 피착체의 박리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a pressure-sensitive adhesive sheet, a method for manufacturing a dicing-die-bonding integrated tape, a method for manufacturing a semiconductor device, a method for treating an adhesive, a method for fixing an adherend, and a method for peeling an adherend.
점착제는, 공업 분야의 다양한 용도에 사용되고 있다. 공업적으로는 가교 밀도를 조정함으로써, 점착력(가교 밀도 등에 기인하는 점착제 자체의 벌크 특성)을 제어하는 것이 일반적이다.The pressure-sensitive adhesive is used in various applications in the industrial field. Industrially, it is common to control the adhesive strength (bulk characteristics of the pressure-sensitive adhesive itself due to the crosslinking density or the like) by adjusting the crosslinking density.
한편으로, 피착체에 표면 처리를 실시함으로써, 피착체와 점착제와의 점착성을 높이는 방법이 알려져 있다. 예를 들면, 특허문헌 1에는, 합성 수지 제품(피착체)에 대하여 플라즈마 처리를 실시함으로써, 합성 수지 제품과 도막(塗膜)과의 점착성이 향상되는 것이 기재되어 있다. 또, 특허문헌 2에는, 점착 시트에 있어서, 플라스틱 필름 기재(基材)(피착체)에 대하여 플라즈마 처리 등을 실시함으로써 점착제층에 대한 플라스틱 필름 기재 표면의 투묘성(投錨性)을 향상시킬 수 있는 것이 기재되어 있다. 이들 특허문헌에서는, 점착성을 높이는 관점에서, 모두 피착체에 대하여 표면 처리를 실시하는 것이 개시되어 있다.On the other hand, a method of improving the adhesion between the adherend and the pressure-sensitive adhesive is known by subjecting the adherend to a surface treatment. For example, Patent Document 1 describes that the adhesion between the synthetic resin product and the coating film is improved by performing plasma treatment on the synthetic resin product (adhered body). In addition, in Patent Document 2, in the adhesive sheet, it is possible to improve the seepage property of the surface of the plastic film substrate to the pressure-sensitive adhesive layer by performing plasma treatment or the like on the plastic film substrate (adherent). What is there is described. In these patent documents, it is disclosed that all of the to-be-adhered bodies are subjected to surface treatment from the viewpoint of enhancing the adhesiveness.
그러나, 종래의 점착제는, 점착력의 점에서 아직 개선의 여지가 있다. 그래서, 본 발명은, 점착력이 우수한 점착제층을 갖는 점착 시트를 제조하는 것이 가능한 점착 시트의 제조 방법을 제공하는 것을 주된 목적으로 한다.However, conventional pressure-sensitive adhesives still have room for improvement in terms of adhesive strength. Therefore, the main object of the present invention is to provide a method for producing a pressure-sensitive adhesive sheet capable of producing a pressure-sensitive adhesive sheet having a pressure-sensitive adhesive layer excellent in adhesive strength.
피착체와 점착제와의 점착성의 영향 인자로서는, 점착제의 점착력(점착제 자체의 벌크 특성) 외에, 피착체에 대한 점착제의 친화성(젖음성)이 있다. 그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 점착제의 가교 밀도를 조정하여 점착제의 점착력을 제어하는 방법에 있어서는, 점착력과 젖음성이 이른바 트레이드 오프의 관계에 있는 것이 판명되었다. 예를 들면, 점착력이 높아지도록 가교 밀도를 조정하면, 피착체에 대한 점착제의 젖음성은 저하되는 경향을 나타낸다. 그리고, 이러한 지견(知見)에 근거하여 더 검토한 결과, 피착체가 아니라, 점착제층에 대하여 플라즈마 처리를 실시함으로써, 피처리면의 접촉각을 저하시켜, 점착력을 향상시킬 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다.As factors influencing the adhesion between the adherend and the pressure-sensitive adhesive, in addition to the adhesion of the pressure-sensitive adhesive (bulk characteristics of the adhesive itself), there are also the affinity of the pressure-sensitive adhesive to the adherend (wetability). However, according to the studies of the present inventors, in the method of controlling the adhesive force of the adhesive by adjusting the crosslinking density of the adhesive, it has been found that the adhesive force and the wettability have a so-called trade-off relationship. For example, when the crosslinking density is adjusted so as to increase the adhesive force, the wettability of the adhesive to the adherend tends to decrease. And, as a result of further investigation based on these findings, it was found that by performing plasma treatment on the pressure-sensitive adhesive layer rather than the adherend, it was possible to decrease the contact angle of the surface to be treated and to improve the adhesive force. It came to completion.
본 발명의 일 측면은, 기재와 기재 상에 마련된 점착제층을 갖는 점착 시트 전구체를 준비하는 공정과, 점착 시트 전구체에 있어서의 점착제층의 기재와 반대 측의 면에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정을 구비하는, 점착 시트의 제조 방법을 제공한다.In one aspect of the present invention, a process of preparing a pressure-sensitive adhesive sheet precursor having a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer provided on the substrate, and a process of performing plasma treatment on the side opposite to the substrate of the pressure-sensitive adhesive layer in the pressure-sensitive adhesive sheet precursor It provides the manufacturing method of the adhesive sheet provided.
플라즈마 처리는, 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리여도 된다. 플라즈마 처리의 처리 온도는, 기재의 융점 또는 점착제층의 융점 중 어느 낮은 쪽의 온도 미만이어도 된다.Plasma treatment may be plasma treatment using atmospheric pressure plasma. The treatment temperature of the plasma treatment may be lower than the melting point of the base material or the melting point of the pressure-sensitive adhesive layer.
점착 시트의 제조 방법은, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층의 기재와 반대 측의 면 상에 보호재를 첩부하는 공정을 더 구비하고 있어도 된다. 보호재는, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층에 첩부하는 측의 면이 플라즈마 처리에 의하여 처리된 것이어도 된다.The manufacturing method of the pressure-sensitive adhesive sheet may further include a step of affixing a protective material on the side opposite to the substrate of the pressure-sensitive adhesive layer subjected to plasma treatment. As for the protective material, the surface on the side to be affixed to the plasma-treated pressure-sensitive adhesive layer may be treated by plasma treatment.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 상술한 제조 방법에 의하여 얻어지는 점착 시트를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a pressure-sensitive adhesive sheet obtained by the above-described manufacturing method.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 상술한 제조 방법에 의하여 얻어지는 점착 시트에 있어서, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층의 기재와 반대 측의 면 상에 접착제층을 형성하는 공정을 구비하는, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a step of forming an adhesive layer on the side opposite to the substrate of the plasma-treated adhesive layer in the adhesive sheet obtained by the above-described manufacturing method. It provides a method of manufacturing a die-bonding integral tape.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 상술한 제조 방법에 의하여 얻어지는 다이싱·다이본딩 일체형 테이프를 제공한다.In another aspect, the present invention provides a dicing-die-bonding integrated tape obtained by the above-described manufacturing method.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 상술한 제조 방법에 의하여 얻어지는 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 접착제층을 반도체 웨이퍼에 첩부하는 공정과, 반도체 웨이퍼, 접착제층, 및 플라즈마 처리가 실시된 점착제층을 개편화하는 공정과, 플라즈마 처리가 실시된 상기 점착제층으로부터 접착제층이 부착된 반도체 소자를 픽업하는 공정과, 접착제층을 개재하여, 반도체 소자를 반도체 소자 탑재용 지지 기판에 접착하는 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a step of attaching an adhesive layer of an integrated dicing and die-bonding tape obtained by the above-described manufacturing method to a semiconductor wafer, and a semiconductor wafer, an adhesive layer, and an adhesive layer subjected to plasma treatment. A step of separating, a step of picking up a semiconductor element with an adhesive layer attached from the pressure-sensitive adhesive layer subjected to plasma treatment, and a step of adhering the semiconductor element to a supporting substrate for mounting a semiconductor element through the adhesive layer. , To provide a method of manufacturing a semiconductor device.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 점착제에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정을 구비하는, 점착제의 처리 방법을 제공한다. 플라즈마 처리는, 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리여도 된다. 플라즈마 처리의 처리 온도는, 점착제의 융점 미만이어도 된다.In another aspect, the present invention provides a method for treating an adhesive, including a step of performing plasma treatment on the adhesive. Plasma treatment may be plasma treatment using atmospheric pressure plasma. The treatment temperature of the plasma treatment may be less than the melting point of the pressure-sensitive adhesive.
다른 측면에 있어서, 본 발명은, 제1 피착체에, 상술한 방법으로 처리된 점착제를 개재하여, 제2 피착체를 첩부하는 공정을 구비하는, 피착체의 고정화 방법을 제공한다. 또한, 또 다른 측면에 있어서, 본 발명은, 상술한 방법으로 고정화된 피착체의 제1 피착체와 점착제와의 계면 또는 제2 피착체와 점착제와의 계면 중 적어도 일방을 물로 처리하여, 제1 피착체와 제2 피착체를 박리하는 공정을 구비하는, 피착체의 박리 방법을 제공한다.In another aspect, the present invention provides a method for immobilizing an adherend, comprising a step of attaching a second adherend to a first adherend through the pressure-sensitive adhesive treated by the above-described method. Further, in another aspect, the present invention is to treat at least one of the interface between the first adherend and the adhesive or the interface between the second adherend and the adhesive of the adherend fixed by the above-described method with water, It provides a method for peeling an adherend, including the step of peeling the adherend and the second adherend.
본 발명에 의하면, 점착력이 우수한 점착제층을 갖는 점착 시트를 제조하는 것이 가능한 제조 방법을 제공할 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 이와 같은 제조 방법에 의하여 얻어지는 점착 시트를 이용한 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또, 본 발명에 의하면, 이와 같은 제조 방법에 의하여 얻어지는 다이싱·다이본딩 일체형 테이프를 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 점착제의 처리 방법, 피착체의 고정화 방법, 및 피착체의 박리 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a manufacturing method capable of manufacturing an adhesive sheet having an adhesive layer excellent in adhesive strength. Further, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a dicing-die-bonding integrated tape using an adhesive sheet obtained by such a manufacturing method. Further, according to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a semiconductor device using a dicing-die-bonding integrated tape obtained by such a manufacturing method. Further, according to the present invention, a method for treating an adhesive, a method for immobilizing an adherend, and a method for peeling an adherend can be provided.
도 1은, 점착 시트의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 1의 (a), (b), (c), 및 (d)는, 각 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 2의 (a), (b), 및 (c)는, 각 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 3은, 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 3의 (a), (b), (c), (d), (e), 및 (f)는, 각 공정을 모식적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는, 반도체 장치의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다.1 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a method for manufacturing an adhesive sheet. 1(a), (b), (c), and (d) are cross-sectional views schematically showing each step.
2 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a method for manufacturing a dicing-die-bonding integrated tape. 2(a), (b), and (c) are cross-sectional views schematically showing each step.
3 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device. 3(a), (b), (c), (d), (e), and (f) are cross-sectional views schematically showing each step.
4 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a semiconductor device.
이하, 도면을 적절히 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대하여 설명한다. 단, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 이하의 실시형태에 있어서, 그 구성 요소(스텝 등도 포함함)는, 특별히 명시한 경우를 제외하고, 필수는 아니다. 각 도면에 있어서의 구성 요소의 크기는 개념적인 것이며, 구성 요소 간의 크기의 상대적인 관계는 각 도면에 나타난 것에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with appropriate reference to the drawings. However, this invention is not limited to the following embodiment. In the following embodiments, the constituent elements (steps, etc. are also included) are not essential except when specifically indicated. The sizes of constituent elements in each drawing are conceptual, and the relative relationship between the sizes of constituent elements is not limited to those shown in each drawing.
본 명세서에 있어서의 수치 및 그 범위에 대해서도 동일하며, 본 발명을 제한하는 것은 아니다. 본 명세서에 있어서 "~"를 이용하여 나타난 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 각각 최솟값 및 최댓값으로서 포함하는 범위를 나타낸다. 본 명세서 중에 단계적으로 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 하나의 수치 범위에서 기재된 상한값 또는 하한값은, 다른 단계적인 기재의 수치 범위의 상한값 또는 하한값으로 치환해도 된다. 또, 본 명세서 중에 기재되어 있는 수치 범위에 있어서, 그 수치 범위의 상한값 또는 하한값은, 실시예에 나타나 있는 값으로 치환해도 된다.The same applies to the numerical values and ranges in the present specification, and does not limit the present invention. In the present specification, the numerical range indicated by using "~" represents a range including the numerical values described before and after "~" as a minimum value and a maximum value, respectively. In the numerical range described stepwise in the present specification, the upper limit value or the lower limit value described in one numerical range may be substituted with the upper limit value or the lower limit value of the numerical range described in another stepwise manner. In addition, in the numerical range described in the present specification, the upper limit or lower limit of the numerical range may be substituted with a value shown in Examples.
본 명세서에 있어서, (메트)아크릴레이트는, 아크릴레이트 또는 그에 대응하는 메타크릴레이트를 의미한다.In this specification, (meth)acrylate means an acrylate or a methacrylate corresponding thereto.
[점착 시트의 제조 방법][Method of manufacturing adhesive sheet]
도 1은, 점착 시트의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에 관한 점착 시트의 제조 방법은, 기재와 기재 상에 마련된 점착제층을 갖는 점착 시트 전구체를 준비하는 공정(점착 시트 전구체의 준비 공정)과, 점착 시트 전구체에 있어서의 점착제층의 기재와 반대 측의 면에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정(플라즈마 처리의 실시 공정)을 구비한다. 본 실시형태에 관한 점착 시트의 제조 방법은, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층의 기재와 반대 측의 면 상에 보호재를 첩부하는 공정(보호재의 배치 공정)을 더 구비하고 있어도 된다.1 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a method for manufacturing an adhesive sheet. The manufacturing method of the pressure-sensitive adhesive sheet according to the present embodiment includes a step of preparing a pressure-sensitive adhesive sheet precursor having a substrate and a pressure-sensitive adhesive layer provided on the substrate (preparation step of the pressure-sensitive adhesive sheet precursor), and the substrate of the pressure-sensitive adhesive layer in the pressure-sensitive adhesive sheet precursor. A process of performing plasma treatment on the opposite surface (a process of performing plasma treatment) is provided. The manufacturing method of the pressure-sensitive adhesive sheet according to the present embodiment may further include a step of affixing a protective material on the side opposite to the substrate of the pressure-sensitive adhesive layer subjected to plasma treatment (a step of disposing a protective material).
<점착 시트 전구체의 준비 공정><Preparation process of adhesive sheet precursor>
본 공정에서는, 플라즈마 처리의 대상이 되는 점착 시트 전구체(100)를 준비한다(도 1의 (a) 참조). 점착 시트 전구체(100)는, 기재(10)와 기재(10) 상에 마련된 점착제층(20)을 갖는다.In this step, the pressure-sensitive
기재(10)는, 플라즈마 처리에서 발생하는 열보다 높은 융점(또는 분해점 혹은 연화점)을 갖는 것이면 특별히 제한되지 않고, 점착제의 분야에서 사용되는 기재 필름을 이용할 수 있다. 기재 필름은, 다이본딩 공정에 있어서, 익스팬딩하는 것이 가능한 것이 바람직하다. 이와 같은 기재 필름으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스터계 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리바이닐아세테이트 필름 등의 폴리올레핀계 필름, 폴리 염화 바이닐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 기재(10)는, 점착제층(20)이 형성되는 면에 대하여, 코로나 처리 등의 표면 처리가 실시되어 있어도 된다.The
점착제층(20)은, 점착제 성분에 의하여 구성되는 층이다. 점착제층(20)을 구성하는 점착제 성분은, 플라즈마 처리에서 발생하는 열보다 높은 융점(또는 분해점 혹은 연화점)을 갖는 것이면 특별히 제한되지 않지만, 실온(25℃)에서 점착력을 갖고, 점착제층(20) 상에 적층되는 층(예를 들면, 후술하는 접착제층)에 대하여 밀착력을 갖는 것인 것이 바람직하다. 점착제층(20)을 구성하는 점착제 성분은, 베이스 수지를 함유하고 있어도 된다. 베이스 수지로서는, 예를 들면 아크릴계 수지, 합성 고무, 천연 고무, 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 베이스 수지는, 점착제 성분의 잔류물을 감소시키는 관점에서, 후술하는 가교제 등과 반응할 수 있는 수산기, 카복시기 등의 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 베이스 수지는, 자외선, 방사선 등의 고에너지선에 의하여 경화되는 수지 또는 열에 의하여 경화되는 수지여도 된다. 베이스 수지는, 고에너지선에 의하여 경화되는 것이 바람직하고, 자외선에 의하여 경화되는 것(자외선 경화형 베이스 수지)이 보다 바람직하다.The pressure-
베이스 수지로서 고에너지선에 의하여 경화되는 수지를 이용하는 경우, 필요에 따라 광중합 개시제를 병용해도 된다. 광중합 개시제는, 예를 들면 방향족 케톤 화합물, 벤조인에터 화합물, 벤질 화합물, 에스터 화합물, 아크리딘 화합물, 2,4,5-트라이아릴이미다졸 이량체 등이어도 된다.When using a resin cured by high energy rays as the base resin, a photopolymerization initiator may be used in combination as necessary. The photoinitiator may be, for example, an aromatic ketone compound, a benzoin ether compound, a benzyl compound, an ester compound, an acridine compound, a 2,4,5-triarylimidazole dimer, or the like.
점착제 성분은, 점착력을 조정하기 위하여, 베이스 수지의 관능기와 가교 구조를 형성 가능한 가교제를 함유하고 있어도 된다. 가교제는, 에폭시기, 아이소사이아네이트기, 아지리딘기, 및 트라이아진일기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 관능기를 갖는 것이 바람직하다. 가교제는, 1종을 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다.The pressure-sensitive adhesive component may contain a crosslinking agent capable of forming a functional group and a crosslinked structure of the base resin in order to adjust the adhesive force. The crosslinking agent preferably has at least one functional group selected from the group consisting of an epoxy group, an isocyanate group, an aziridine group, and a triazineyl group. The crosslinking agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.
가교제의 함유량의 조정은, 플라즈마 처리에 의한 효과를 유지하기 위하여 효과적이다. 가교제의 함유량은, 베이스 수지 100질량부에 대하여, 바람직하게는 5질량부 이상, 보다 바람직하게는 7질량부 이상, 더 바람직하게는 10질량부 이상이다. 가교제의 함유량이, 베이스 수지 100질량부에 대하여, 5질량부 이상이면, 플라즈마 처리에 의한 효과의 감쇠를 억제할 수 있는 경향이 있다. 가교제의 함유량은, 베이스 수지 100질량부에 대하여, 30질량부 이하여도 된다. 가교제의 함유량이, 베이스 수지 100질량부에 대하여, 30질량부 이하이면, 플라즈마 처리에 의한 효과가 유지되기 쉬워지는 경향이 있으며, 점착제층과 보호재와의 밀착성의 저하를 억제할 수 있는 경향이 있다.Adjustment of the content of the crosslinking agent is effective in order to maintain the effect of the plasma treatment. The content of the crosslinking agent is preferably 5 parts by mass or more, more preferably 7 parts by mass or more, and still more preferably 10 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the base resin. If the content of the crosslinking agent is 5 parts by mass or more with respect to 100 parts by mass of the base resin, there is a tendency that attenuation of the effect due to the plasma treatment can be suppressed. The content of the crosslinking agent may be 30 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the base resin. If the content of the crosslinking agent is 30 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the base resin, the effect of the plasma treatment tends to be easily maintained, and there is a tendency that a decrease in the adhesion between the pressure-sensitive adhesive layer and the protective material can be suppressed. .
점착제 성분은, 그 외의 성분을 함유하고 있어도 된다. 그 외의 성분으로서는, 예를 들면 베이스 수지와 광중합 개시제와의 가교 반응을 촉진시킬 목적으로 첨가하는 아민, 주석 등의 촉매; 점착 특성을 적절히 조정할 목적으로 첨가하는 로진계, 터펜 수지계 등의 태키파이어; 각종 계면활성제 등을 들 수 있다.The pressure-sensitive adhesive component may contain other components. Examples of the other components include catalysts such as amine and tin added for the purpose of accelerating the crosslinking reaction between the base resin and the photopolymerization initiator; Tackifiers such as rosin-based and terpene-based resins added for the purpose of appropriately adjusting adhesive properties; Various surfactants, etc. are mentioned.
점착제층(20)은, 일 실시형태에 있어서, 수산기를 갖는 아크릴계 수지와 아이소사이아네이트기를 갖는 가교제를 함유하는 점착제 성분에 의하여 구성되는 층이어도 된다.In one embodiment, the pressure-
베이스 수지로서의 수산기를 갖는 아크릴계 수지는, 수산기를 갖는 (메트)아크릴레이트를 포함하는 단량체 성분을 중합시킴으로써 얻어진다. 중합 방법은, 각종 라디칼 중합 등의 공지의 중합 방법으로부터 적절히 선택할 수 있고, 예를 들면 현탁 중합법, 용액 중합법, 괴상(塊狀) 중합법 등이어도 된다.The acrylic resin having a hydroxyl group as the base resin is obtained by polymerizing a monomer component containing a (meth)acrylate having a hydroxyl group. The polymerization method can be appropriately selected from known polymerization methods such as various radical polymerizations, and may be, for example, a suspension polymerization method, a solution polymerization method, or a bulk polymerization method.
상기 중합 방법에 있어서 단량체 성분을 중합시키는 경우, 필요에 따라 중합 개시제를 이용해도 된다. 이와 같은 중합 개시제로서는, 예를 들면 케톤퍼옥사이드, 퍼옥시케탈, 하이드로퍼옥사이드, 다이알킬퍼옥사이드, 다이아실퍼옥사이드, 퍼옥시카보네이트, 퍼옥시에스터, 2,2'-아조비스아이소뷰티로나이트릴, 2,2'-아조비스(2,4-다이메틸발레로나이트릴), 2,2'-아조비스(4-메톡시-2'-다이메틸발레로나이트릴) 등을 들 수 있다.When polymerizing the monomer component in the above polymerization method, a polymerization initiator may be used as necessary. Examples of such polymerization initiators include ketone peroxide, peroxy ketal, hydroperoxide, dialkyl peroxide, diacylic peroxide, peroxy carbonate, peroxy ester, 2,2'-azobisisobutyronitrile. , 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 2,2'-azobis (4-methoxy-2'-dimethylvaleronitrile), and the like.
점착제층(20)을 갖는 점착 시트 전구체(100)는, 공지의 방법을 이용하여 제조할 수 있다. 점착 시트 전구체(100)는, 예를 들면 점착제층용 재료를 분산매로 희석하여, 바니시를 조제하는 공정과, 얻어진 바니시를 상술한 기재(10) 상에 도공(塗工)하는 공정과, 도공된 바니시로부터 분산매를 제거하는 공정을 포함하는 제조 방법에 의하여 얻을 수 있다.The
점착 시트 전구체(100)에 있어서의 점착제층(20)의 두께는, 0.1~30μm여도 된다. 점착제층(20)의 두께가 0.1μm 이상이면, 충분한 점착력을 확보할 수 있는 경향이 있다. 점착제층(20)의 두께가 30μm 이하이면, 경제적으로 유리한 경향이 있다.The thickness of the pressure-
점착 시트 전구체(100)의 전체의 두께(기재(10) 및 점착제층(20)의 합계의 두께)는, 5~150μm, 50~150μm, 또는 100~150μm여도 된다.The overall thickness of the pressure-sensitive adhesive sheet precursor 100 (the total thickness of the
점착 시트 전구체(100)는, 플라즈마 처리를 실시하기 전에 있어서, 점착제층(20)의 기재(10)와 반대 측의 면 상에 보호재가 첩부되어 있어도 된다. 보호재는, 후술하는 보호재(30)에서 예시한 것과 동일한 것을 이용할 수 있다.Before the pressure-sensitive
<플라즈마 처리의 실시 공정><Plasma treatment implementation process>
본 공정에서는, 점착 시트 전구체(100)에 있어서의 점착제층(20)의 기재(10)와 반대 측의 면에 대하여 플라즈마 처리(도 1의 (b)의 A)를 실시한다(도 1의 (b) 참조). 이로써, 플라즈마 처리 A가 실시된 점착제층(플라즈마 처리 후의 점착제층(20A))을 갖는 점착 시트(110)를 제조할 수 있다(도 1의 (c) 참조).In this step, plasma treatment (A in FIG. 1B) is performed on the surface of the pressure-
플라즈마는, 기체를 구성하는 분자가 부분적으로 또는 완전히 전리(電離)되어, 양이온과 전자로 나누어져 자유롭게 운동하고 있는 상태이다. 플라즈마 상태의 기체를 이용하여 점착제층의 기재와 반대 측의 면을 처리함으로써, 점착제층의 표면에 있어서 화학 반응이 진행되고, 산소를 포함하는 친수성기가 부여되어 피처리면의 접촉각이 저하되어, 젖음성이 향상될 수 있다. 이 반응을 이용하여, 점착 시트 전구체의 점착제층(20)의 점착력을 향상시키는 것이 가능해진다.Plasma is a state in which molecules constituting a gas are partially or completely ionized, divided into cations and electrons, and are moving freely. By treating the side opposite to the substrate of the pressure-sensitive adhesive layer using plasma gas, a chemical reaction proceeds on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer, and a hydrophilic group containing oxygen is imparted to decrease the contact angle of the surface to be treated, resulting in wettability. It can be improved. Using this reaction, it becomes possible to improve the adhesive force of the
플라즈마 처리는, 특별히 제한되지 않지만, 비용, 처리 능력, 및 대미지 저감의 관점에서 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리여도 된다. 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리는, 예를 들면 초고밀도 대기압 플라즈마 유닛(후지 기카이 세이조 주식회사제, 상품명: FPB-20 TYPE II)을 이용하여 실시할 수 있다.The plasma treatment is not particularly limited, but may be plasma treatment using atmospheric pressure plasma from the viewpoint of cost, processing capability, and damage reduction. Plasma treatment using atmospheric pressure plasma can be carried out, for example, using an ultra-high density atmospheric pressure plasma unit (manufactured by Fuji Kikai Seizo, brand name: FPB-20 TYPE II).
플라즈마 처리의 처리 온도는, 플라즈마 처리에 의한 기재(10) 및 점착제층(20)으로의 대미지를 피하는 관점에서, 기재(10)의 융점 또는 점착제층(20)의 융점 중 어느 낮은 쪽의 온도 미만에서 행하는 것이 바람직하다. 플라즈마 처리는, 처리되는 시간 내에 점착 시트 전구체(100)(기재(10) 및 점착제층(20))에 주름, 휨 등이 발생하지 않도록, 즉 점착 시트가 현저한 열변형을 하지 않도록, 처리 온도, 처리 속도 등의 조건을 조정하면서 행하는 것이 바람직하다. 주름, 휨 등이 발생하면, 플라즈마 처리 시의 장치 가동에 장애가 될 우려가 있다. 플라즈마 처리의 온도 조건은, 예를 들면 300℃ 이하, 250℃ 이하, 또는 200℃ 이하여도 된다.The treatment temperature of the plasma treatment is lower than the melting point of the
플라즈마 처리는, 처리 면적을 조정할 수 있다. 그 때문에, 플라즈마 처리는, 점착 시트 전구체(100)에 있어서의 점착제층(20)의 기재(10)와 반대 측의 면의 일부 또는 전부에 실시할 수 있다. 플라즈마 처리를 점착제층(20)의 면의 일부에 대하여 실시하면, 피처리면의 접촉각을 조정할 수 있는 점에서, 동일 면에 있어서, 접촉각이 낮은 부분(즉, 점착제층의 점착력이 높은 부분)과 접촉각이 높은 부분(즉, 점착제층의 점착력이 낮은 부분)을 용이하게 나누어 만들 수 있다.Plasma treatment can adjust the treatment area. Therefore, the plasma treatment can be performed on a part or all of the surface of the pressure-
<보호재의 배치 공정><Placement process of protective material>
본 공정에서는, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층(플라즈마 처리 후의 점착제층(20A))의 기재(10)와 반대 측의 면 상에 보호재(30)를 첩부한다(도 1의 (d) 참조). 이로써, 보호재 포함 점착 시트(120)를 얻을 수 있다. 보호재(30)를 첩부하는 방법은, 공지의 방법을 이용하여 첩부할 수 있다.In this step, the
보호재(30)는, 특별히 제한되지 않고, 점착제의 분야에서 사용되는 보호 필름을 이용할 수 있다. 보호 필름으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스터계 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리바이닐아세테이트 필름 등의 폴리올레핀계 필름, 폴리 염화 바이닐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 또, 보호 필름은, 종이, 부직포, 금속박 등을 사용할 수 있다. 보호재(30)의 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A) 측의 면은, 실리콘계 박리제, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 이형제에 의하여, 처리되어 있어도 된다.The
보호재(30)는, 보호재(30)의 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)에 첩부하는 측의 면이 플라즈마 처리에 의하여 처리된 것이어도 된다. 보호재(30)로서 플라즈마 처리에 의하여 처리된 것을 이용함으로써, 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)의 젖음성이 향상되어 있는 상태를 장기간 유지할 수 있는 경향이 있다.As for the
보호재(30)의 두께는, 특별히 제한되지 않지만, 5~500μm, 10~200μm, 또는 15~100μm여도 된다.The thickness of the
[다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법][Method of manufacturing integrated dicing and die-bonding tape]
도 2는, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에 관한 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)의 제조 방법은, 상술한 제조 방법에 의하여 얻어지는 점착 시트(110)에 있어서, 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)의 기재(10)와 반대 측의 면(플라즈마 처리가 실시된 면) 상에 접착제층(40)을 형성하는 공정을 구비한다(도 2의 (a), (b) 참조).2 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a method for manufacturing a dicing-die-bonding integrated tape. The manufacturing method of the integrated dicing-die-
접착제층(40)은, 접착제 성분에 의하여 구성되는 층이다. 접착제층(40)을 구성하는 접착제 성분으로서는, 예를 들면 열경화성 접착제 성분, 광경화성 접착제 성분, 열가소성 접착제 성분, 산소 반응성 접착제 성분 등을 들 수 있다. 접착제층은, 접착성의 관점에서, 열경화성 접착제 성분을 포함하는 것이 바람직하다.The
열경화성 접착제 성분은, 접착성의 관점에서, 에폭시 수지 및 에폭시 수지의 경화제가 될 수 있는 페놀 수지를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the thermosetting adhesive component contains an epoxy resin and a phenolic resin that can serve as a curing agent for the epoxy resin from the viewpoint of adhesiveness.
에폭시 수지는, 분자 내에 에폭시기를 갖는 것이면, 특별히 제한 없이 이용할 수 있다. 에폭시 수지로서는, 예를 들면 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 F 노볼락형 에폭시 수지, 다이사이클로펜타다이엔 골격 함유 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 트라이아진 골격 함유 에폭시 수지, 플루오렌 골격 함유 에폭시 수지, 트라이페놀메테인형 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 자일릴렌형 에폭시 수지, 바이페닐아랄킬형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 다관능 페놀류, 안트라센 등의 다환 방향족류의 다이글리시딜에터 화합물 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 에폭시 수지의 함유량은, 접착제층 전체량을 기준으로 하여, 2~50질량%여도 된다.The epoxy resin can be used without particular limitation as long as it has an epoxy group in its molecule. Examples of the epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, bisphenol F no Rock-type epoxy resin, dicyclopentadiene skeleton-containing epoxy resin, stilbene-type epoxy resin, triazine skeleton-containing epoxy resin, fluorene skeleton-containing epoxy resin, triphenolmethane-type epoxy resin, biphenyl-type epoxy resin, xylylene-type Epoxy resin, biphenyl aralkyl type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, polyfunctional phenols, diglycidyl ether compounds of polycyclic aromatics such as anthracene, etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. The content of the epoxy resin may be 2 to 50% by mass based on the total amount of the adhesive layer.
페놀 수지는, 분자 내에 페놀성 수산기를 갖는 것이면 특별히 제한 없이 이용할 수 있다. 페놀 수지로서는, 예를 들면 페놀, 크레졸, 레조신, 카테콜, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 페닐페놀, 아미노페놀 등의 페놀류 및/또는 α-나프톨, β-나프톨, 다이하이드록시나프탈렌 등의 나프톨류와 폼알데하이드 등의 알데하이드기를 갖는 화합물을 산성 촉매하에서 축합 또는 공축합시켜 얻어지는 노볼락형 페놀 수지, 알릴화 비스페놀 A, 알릴화 비스페놀 F, 알릴화 나프탈렌다이올, 페놀 노볼락, 페놀 등의 페놀류 및/또는 나프톨류와 다이메톡시파라자일렌 또는 비스(메톡시메틸)바이페닐로부터 합성되는 페놀아랄킬 수지, 나프톨아랄킬 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 1종을 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용해도 된다. 페놀 수지의 함유량은, 접착제층 전체량을 기준으로 하여, 2~50질량%여도 된다.A phenolic resin can be used without particular limitation as long as it has a phenolic hydroxyl group in its molecule. As a phenol resin, for example, phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol, and aminophenol, and/or naphthols such as α-naphthol, β-naphthol, and dihydroxynaphthalene. And phenols such as novolac-type phenol resin, allylated bisphenol A, allylated bisphenol F, allylated naphthalenediol, phenol novolac, phenol, etc. obtained by condensing or co-condensing a compound having an aldehyde group such as formaldehyde under an acidic catalyst, and/ Or phenol aralkyl resin, naphthol aralkyl resin, etc. synthesized from naphthol and dimethoxyparaxylene or bis(methoxymethyl)biphenyl may be mentioned. These may be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. The content of the phenol resin may be 2 to 50% by mass based on the total amount of the adhesive layer.
접착제층(40)은, 그 외의 성분으로서, 제3급 아민, 이미다졸류, 제4급 암모늄염류 등의 경화 촉진제; 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 규산 칼슘, 규산 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 마그네슘, 산화 알루미늄, 질화 알루미늄, 붕화 알루미늄 위스커, 질화 붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 등의 무기 필러 등을 포함하고 있어도 된다. 그 외의 성분의 함유량은, 접착제층 전체량을 기준으로 하여, 0~20질량%여도 된다.The
점착 시트(110)에 있어서, 플라즈마 처리는, 점착제층(20)의 기재(10)와 반대 측의 면의 일부 또는 전부에 실시되어 있다. 플라즈마 처리가 점착제층(20)의 기재(10)와 반대 측의 면의 일부에 실시되어 있는 경우, 접착제층(40)은, 점착제층(20)의 플라즈마 처리가 실시된 면의 일부 또는 전부를 덮도록 형성되어 있어도 되고, 점착제층(20)의 플라즈마 처리가 실시되어 있지 않은 면의 일부 또는 전부를 덮도록 형성되어 있어도 된다. 또, 접착제층(40)은, 점착제층(20)의 플라즈마 처리가 실시된 면 및 점착제층(20)의 플라즈마 처리가 실시되어 있지 않은 면의 양방의 면의 일부 또는 전부를 덮도록 형성되어 있어도 된다. 플라즈마 처리가 점착제층(20)의 전부에 실시되어 있는 경우, 접착제층(40)은, 점착제층(20)의 플라즈마 처리가 실시된 면의 일부 또는 전부를 덮도록 형성되어 있어도 된다.In the pressure-
플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)의 기재(10)와 반대 측의 면 상에 접착제층(40)을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면 공지의 방법을 이용하여, 접착제 성분을 필름상으로 성형하고, 얻어진 필름상 접착제를, 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)의 기재(10)와 반대 측의 면에 첩합하는 방법을 들 수 있다. 이와 같이 하여, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)를 얻을 수 있다(도 2의 (b) 참조).As a method of forming the
다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)는, 접착제층(40)의 점착제층(20A)과 반대 측의 면 상에 보호재(50)를 구비하고 있어도 된다. 보호재(50)는, 특별히 제한되지 않으며, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프에서 사용되는 보호 필름을 이용할 수 있다. 보호 필름으로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등의 폴리에스터계 필름, 폴리테트라플루오로에틸렌 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리바이닐아세테이트 필름 등의 폴리올레핀계 필름, 폴리 염화 바이닐 필름, 폴리이미드 필름 등의 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 이와 같이 하여, 보호재 포함 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(140)를 얻을 수 있다(도 2의 (c) 참조).The dicing die-bonding
[반도체 장치(반도체 패키지)의 제조 방법][Method of manufacturing semiconductor device (semiconductor package)]
도 3은, 반도체 장치의 제조 방법의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 본 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 상술한 제조 방법에 의하여 얻어지는 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)의 접착제층(40)을 반도체 웨이퍼(W)에 첩부하는 공정(웨이퍼 래미네이트 공정, 도 3의 (a), (b) 참조)과, 반도체 웨이퍼(W), 접착제층(40), 및 플라즈마 처리가 실시된 점착제층(플라즈마 처리 후의 점착제층(20A))을 개편화하는 공정(다이싱 공정, 도 3의 (c) 참조)과, 필요에 따라 플라즈마 처리가 실시된 점착제층(플라즈마 처리 후의 점착제층(20A))에 대하여 (기재(10)를 개재하여) 자외선을 조사하는 공정(자외선 조사 공정, 도 3의 (d) 참조)과, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층(점착제층(20Aa))으로부터 접착제층(40a)이 부착된 반도체 소자(Wa)(접착제층 포함 반도체 소자(60))를 픽업하는 공정(픽업 공정, 도 3의 (e) 참조)과, 접착제층(40a)을 개재하여, 접착제층 포함 반도체 소자(60)를 반도체 소자 탑재용 지지 기판(80)에 접착하는 공정(반도체 소자 접착 공정, 도 3의 (f) 참조))을 구비한다.3 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device. The manufacturing method of the semiconductor device according to the present embodiment is a step of attaching the
<웨이퍼 래미네이트 공정><Wafer laminating process>
먼저, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)를 소정의 장치에 배치한다. 계속해서, 반도체 웨이퍼(W)의 주면(主面)(Ws)에, 접착제층(40)을 개재하여 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)를 첩부한다(도 3의 (a), (b) 참조). 반도체 웨이퍼(W)의 회로면은, 주면(Ws)과는 반대 측의 면에 마련되어 있는 것이 바람직하다.First, the dicing-die-bonding
<다이싱 공정><Dicing process>
다음으로, 반도체 웨이퍼(W), 접착제층(40), 및 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)을 다이싱한다(도 3의 (c) 참조). 이때, 기재(10)의 일부가 다이싱되어 있어도 된다. 이와 같이, 다이싱·다이본딩 일체형 테이프(130)는, 다이싱 시트로서도 기능한다.Next, the semiconductor wafer W, the
<자외선 조사 공정><UV irradiation process>
플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)에 대해서는, 필요에 따라, (기재(10)를 개재하여) 자외선을 조사해도 된다(도 3의 (d) 참조). 점착제 성분에 있어서의 베이스 수지가 자외선으로 경화되는 것(자외선 경화형 베이스 수지)인 경우, 당해 점착제층(20A)이 경화되어, 점착제층(20A)과 접착제층(40)의 사이의 접착력을 저하시킬 수 있다. 자외선 조사에 있어서는, 파장 200~400nm의 자외선을 이용하는 것이 바람직하다. 자외선 조사 조건은, 조도 및 조사량을 각각 30~240mW/cm2의 범위 및 200~500mJ/cm2의 범위로 조정하는 것이 바람직하다.With respect to the pressure-
<픽업 공정><Pick-up process>
다음으로, 기재(10)를 익스팬딩함으로써, 다이싱된 접착제층 포함 반도체 소자(60)를 서로 이간시키면서, 기재(10) 측으로부터 니들(72)로 밀어 올려진 접착제층 포함 반도체 소자(60)를 흡인 콜릿(74)으로 흡인하여 점착제층(20Aa)으로부터 픽업한다(도 3의 (e) 참조). 플라즈마 처리가 점착제층(20)의 기재(10)와 반대 측의 면의 일부에 실시되어 있는 경우, 점착제층(20Aa)의 접착제층(40a) 측의 면은, 플라즈마 처리가 실시된 면이어도 되고, 플라즈마 처리가 실시되어 있지 않은 면이어도 되며, 플라즈마 처리가 실시된 면 및 플라즈마 처리가 실시되어 있지 않은 면의 양방을 포함하는 면이어도 된다. 또한, 접착제층 포함 반도체 소자(60)는, 반도체 소자(Wa)와 접착제층(40a)을 갖는다. 반도체 소자(Wa)는 반도체 웨이퍼(W)가 다이싱에 의하여 분할된 것이며, 접착제층(40a)은 접착제층(40)이 다이싱에 의하여 분할된 것이다. 점착제층(20Aa)은 플라즈마 처리 후의 점착제층(20A)이 다이싱에 의하여 분할된 것이다. 점착제층(20Aa)은 접착제층 포함 반도체 소자(60)를 픽업할 때에 기재(10) 상에 잔존할 수 있다. 픽업 공정에서는, 반드시 기재(10)를 익스팬딩할 필요는 없지만, 기재(10)를 익스팬딩함으로써 픽업성을 보다 향상시킬 수 있다.Next, by expanding the
니들(72)에 의한 밀어 올림량은, 적절히 설정할 수 있다. 또한, 극박 웨이퍼에 대해서도 충분한 픽업성을 확보하는 관점에서, 예를 들면 2단 또는 3단의 밀어 올림을 행해도 된다. 또, 흡인 콜릿(74)을 이용하는 방법 이외의 방법으로 접착제층 포함 반도체 소자(60)를 픽업해도 된다.The amount of pushing up by the needle 72 can be set suitably. Further, from the viewpoint of securing sufficient pick-up properties even for ultrathin wafers, for example, two-stage or three-stage push-up may be performed. Further, the
<반도체 소자 접착 공정><Semiconductor element adhesion process>
접착제층 포함 반도체 소자(60)를 픽업한 후, 접착제층 포함 반도체 소자(60)를, 열압착에 의하여, 접착제층(40a)을 개재하여 반도체 소자 탑재용 지지 기판(80)에 접착한다(도 3의 (f) 참조). 반도체 소자 탑재용 지지 기판(80)에는, 복수의 접착제층 포함 반도체 소자(60)를 접착해도 된다.After picking up the adhesive layer-containing
본 실시형태에 관한 반도체 장치의 제조 방법은, 필요에 따라, 반도체 소자(Wa)와 반도체 소자 탑재용 지지 기판(80)을 와이어 본드(70)에 의하여 전기적으로 접속하는 공정과, 반도체 소자 탑재용 지지 기판(80)의 표면(80a) 상에, 수지 밀봉재(92)를 이용하여 반도체 소자(Wa)를 수지 밀봉하는 공정을 더 구비하고 있어도 된다.The method of manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment includes a step of electrically connecting the semiconductor element Wa and the supporting
도 4는, 반도체 장치의 일 실시형태를 모식적으로 나타내는 단면도이다. 도 4에 나타내는 반도체 장치(200)는, 상술한 공정을 거침으로써 제조할 수 있다. 반도체 장치(200)는, 반도체 소자 탑재용 지지 기판(80)의 표면(80a)과 반대 측의 면에, 외부 기판(메인보드)과의 전기적인 접속용으로서, 땜납 볼(94)이 형성되어 있어도 된다.4 is a cross-sectional view schematically showing an embodiment of a semiconductor device. The
[점착제의 처리 방법][Adhesive treatment method]
일 실시형태에 관한 점착제의 처리 방법은, 점착제에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정을 구비한다. 점착제는, 상술한 점착 시트의 제조 방법에서 예시한 점착제와 동일해도 된다. 플라즈마 처리는, 상술한 점착 시트의 제조 방법에서 예시한 플라즈마 처리와 동일해도 된다. 플라즈마 처리는, 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리여도 된다. 플라즈마 처리의 처리 온도는, 점착제의 융점 미만이어도 된다.A method of treating an adhesive according to an embodiment includes a step of performing plasma treatment on the adhesive. The pressure-sensitive adhesive may be the same as the pressure-sensitive adhesive exemplified in the manufacturing method of the pressure-sensitive adhesive sheet described above. The plasma treatment may be the same as the plasma treatment exemplified in the above-described method for producing an adhesive sheet. Plasma treatment may be plasma treatment using atmospheric pressure plasma. The treatment temperature of the plasma treatment may be less than the melting point of the pressure-sensitive adhesive.
[피착체의 고정화 방법][Method of immobilizing adherend]
일 실시형태에 관한 피착체의 고정화 방법은, 제1 피착체에, 상술한 방법으로 처리된 점착제를 개재하여, 제2 피착체를 첩부하는 공정을 구비한다. 제1 피착체 및 제2 피착체로서는, 특별히 제한되지 않지만, 금속 피착체(SUS, 알루미늄 등), 비금속 피착체(폴리카보네이트, 유리 등) 등을 들 수 있다. 피착체의 고정화 조건은, 점착제의 종류, 및 제1 피착체와 제2 피착체의 종류에 맞추어 적절히 설정할 수 있다.A method of immobilizing an adherend according to an embodiment includes a step of attaching a second adherend to the first adherend via the pressure-sensitive adhesive treated by the above-described method. Although it does not specifically limit as a 1st adherend and a 2nd adherend, A metal adherend (SUS, aluminum, etc.), a non-metallic adherend (polycarbonate, glass, etc.), etc. are mentioned. The conditions for immobilizing the adherend can be appropriately set according to the type of the pressure-sensitive adhesive and the types of the first adherend and the second adherend.
[피착체의 박리 방법][Method of peeling the adherend]
일 실시형태에 관한 피착체의 박리 방법은, 상술한 방법으로 고정화된 피착체의 제1 피착체와 점착제와의 계면 또는 제2 피착체와 점착제와의 계면 중 적어도 일방을 물로 처리하여(물과 접촉시켜), 제1 피착체와 제2 피착체를 박리하는 공정을 구비한다. 플라즈마 처리가 실시된 점착제는, 플라즈마 처리가 실시예되어 있지 않은 점착제보다 친수성기가 많아, 물로 처리함(물과 접촉시킴)으로써, 용이하게 박리되는 경향이 있다. 또한, 제1 피착체와 제2 피착체를 박리했을 때, 점착제는, 제1 피착체 또는 제2 피착체 중 어느 일방에 부착되어 있어도 되고, 제1 피착체 및 제2 피착체로부터 탈리되어 있어도 된다.In the method for peeling an adherend according to an embodiment, at least one of the interface between the first adherend and the adhesive or the interface between the second adherend and the pressure-sensitive adhesive of the adherend fixed by the above-described method is treated with water (water and Contact), and a step of peeling the first adherend and the second adherend. The pressure-sensitive adhesive subjected to the plasma treatment has more hydrophilic groups than the pressure-sensitive adhesive for which the plasma treatment has not been embodied, and tends to be easily peeled off by treatment with water (contact with water). In addition, when the first adherend and the second adherend are peeled off, the pressure-sensitive adhesive may adhere to either the first adherend or the second adherend, and even if it is detached from the first adherend and the second adherend. do.
실시예Example
이하에, 본 발명을 실시예에 근거하여 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be specifically described based on examples, but the present invention is not limited thereto.
(실시예 1)(Example 1)
[점착 시트의 제작][Production of adhesive sheet]
<점착 시트 전구체의 준비><Preparation of adhesive sheet precursor>
단량체로서, 2-에틸헥실아크릴레이트와 메틸메타크릴레이트, 및 관능기를 포함하는 단량체로서, 하이드록시에틸아크릴레이트 및 아크릴산을 용액 중합법에 따라 중합시킴으로써, 수산기를 갖는 아크릴계 수지를 얻었다. 수산기를 갖는 아크릴계 수지의 중량 평균 분자량은 40만, 유리 전이점은 -38℃였다.As a monomer, 2-ethylhexyl acrylate and methyl methacrylate, and as a monomer containing a functional group, hydroxyethyl acrylate and acrylic acid were polymerized according to a solution polymerization method to obtain an acrylic resin having a hydroxyl group. The weight average molecular weight of the acrylic resin having a hydroxyl group was 400,000 and the glass transition point was -38°C.
중량 평균 분자량은, GPC 장치로서 도소 주식회사제 SD-8022/DP-8020/RI-8020, 칼럼으로서 히타치 가세이 주식회사제 Gelpack GL-A150-S/GL-A160-S, 및 용리액으로서 테트라하이드로퓨란을 이용하여, 폴리스타이렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)을 측정했다.The weight average molecular weight is SD-8022/DP-8020/RI-8020 manufactured by Tosoh Corporation as a GPC device, Gelpack GL-A150-S/GL-A160-S manufactured by Hitachi Kasei Corporation as a column, and tetrahydrofuran as an eluent. Then, the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene was measured.
유리 전이점은, 이하의 관계식(FOX식)에 의하여 산출했다.The glass transition point was calculated by the following relational formula (FOX formula).
1/Tg=Σ(Xi/Tgi)1/Tg=Σ(X i /Tg i )
[상기 식 중, Tg는, 공중합체의 유리 전이점(K)을 나타낸다. Xi는, 각 단량체의 질량분율을 나타내고, X1+X2+…+Xi+…+Xn=1이다. Tgi는, 각 단량체의 단독 중합체의 유리 전이점(K)을 나타낸다.][In the above formula, Tg represents the glass transition point (K) of the copolymer. X i represents the mass fraction of each monomer, and X 1 +X 2 +... +X i +… +X n =1. Tg i represents the glass transition point (K) of the homopolymer of each monomer.]
스리 원 모터 및 교반 날개를 이용하여, 수산기를 갖는 아크릴계 수지 100질량부에 대하여, 다관능 아이소사이아네이트 가교제(미쓰비시 가가쿠 주식회사제, 상품명 "마이텍 NY730A-T")를 12질량부 배합하여 교반함으로써, 점착제층 형성용 바니시를 얻었다.Using a three-one motor and a stirring blade, 12 parts by mass of a polyfunctional isocyanate crosslinking agent (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd., brand name "Mytec NY730A-T") was mixed with 100 parts by mass of an acrylic resin having a hydroxyl group. By stirring, a varnish for forming an adhesive layer was obtained.
얻어진 점착제층 형성용 바니시를, 기재 필름 A(두께 38μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름) 상에 애플리케이터를 이용하여, 점착제층의 두께가 10μm가 되도록, 갭을 조정하면서 도공했다. 도공된 점착제층 형성용 바니시를 80℃에서 5분간 건조시킨 후, 표면에 코로나 처리가 실시된 기재 필름 B(두께 80μm의 폴리올레핀계 필름)를 점착제층 상에 래미네이팅하고, 실온(25℃)에서 2주간 방치하여, 충분히 에이징을 행함으로써, 기재 필름 A/점착제층/기재 필름 B의 구성을 갖는 점착 시트 전구체를 얻었다.The obtained varnish for forming a pressure-sensitive adhesive layer was applied on the base film A (a polyethylene terephthalate film having a thickness of 38 μm) using an applicator, adjusting the gap so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer was 10 μm. After drying the coated pressure-sensitive adhesive layer-forming varnish at 80° C. for 5 minutes, a corona-treated substrate film B (polyolefin-based film having a thickness of 80 μm) on the surface was laminated on the pressure-sensitive adhesive layer, and room temperature (25° C.) By allowing it to stand for 2 weeks at and sufficiently aging, an adhesive sheet precursor having a configuration of a base film A/adhesive layer/base film B was obtained.
<플라즈마 처리의 실시><Implementation of plasma treatment>
점착 시트 전구체의 기재 필름 A를 박리하고, 초고밀도 대기압 플라즈마 유닛(후지 기카이 세이조 주식회사제, 상품명: FPB-20 TYPE II)을 이용하여, 점착 시트 전구체에 있어서의 점착제층의 기재 필름 B와 반대 측의 면에 대하여 플라즈마 처리를 실시하여, 점착 시트를 제작했다. 그 후, 플라즈마 처리가 실시된 점착제층의 면 상에, 보호재(폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름)를 배치하여, 실시예 1의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.The base film A of the adhesive sheet precursor was peeled off, and the base film B of the adhesive layer in the adhesive sheet precursor and the base film B of the adhesive layer in the adhesive sheet precursor using an ultra-high density atmospheric pressure plasma unit (manufactured by Fuji Kikai Seizo Corporation, brand name: FPB-20 TYPE II). Plasma treatment was performed on the surface on the opposite side to prepare an adhesive sheet. Thereafter, a protective material (polyethylene terephthalate (PET) film) was disposed on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer subjected to plasma treatment to obtain a pressure-sensitive adhesive sheet containing a protective material of Example 1.
(플라즈마 처리의 조건)(Conditions of plasma treatment)
히터의 사용: 사용하지 않음Use of heater: not used
조사 속도: 500mm/초Irradiation speed: 500mm/s
조사 거리: 5mmIrradiation distance: 5mm
슬릿 노즐: 20mm 폭Slit nozzle: 20mm width
사용 가스: 질소 및 공기Gas used: nitrogen and air
가스 유량: 질소 60L/분, 공기 21L/분Gas flow: nitrogen 60L/min, air 21L/min
반복수: 1회(조사 방법: 20mm 폭×8라인)Number of repetitions: 1 time (irradiation method: 20mm width x 8 lines)
샘플 사이즈: 150mm×150mmSample size: 150mm×150mm
또한, 조사 거리, 조사 속도, 히터 설정 등을 조정하고, 처리되는 시간 내에 점착 시트 전구체(100)(기재(10) 및 점착제층(20))에 주름, 휨 등이 발생하지 않게 처리 온도가 100℃ 이하가 되도록 설정했다.In addition, the irradiation distance, irradiation speed, heater setting, etc. are adjusted, and the processing temperature is 100 so that wrinkles, warping, etc. do not occur in the adhesive sheet precursor 100 (
(실시예 2)(Example 2)
보호재의 점착제층 측의 면에 대하여, 점착제층에 실시한 플라즈마 처리와 동일한 플라즈마 처리(반복수: 1회)를 실시한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실시예 2의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.A pressure-sensitive adhesive sheet containing a protective material of Example 2 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the same plasma treatment as the plasma treatment applied to the pressure-sensitive adhesive layer (number of repetitions: once) was applied to the surface of the protective material on the side of the pressure-sensitive adhesive layer. .
(실시예 3)(Example 3)
보호재의 플라즈마 처리의 반복수를 1회에서 4회로 변경한 것 이외에는, 실시예 2와 동일하게 하여, 실시예 3의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.A protective material-containing adhesive sheet of Example 3 was obtained in the same manner as in Example 2, except that the number of repetitions of the plasma treatment of the protective material was changed from one time to four times.
(실시예 4)(Example 4)
점착제층의 플라즈마 처리의 반복수를 1회에서 4회로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 실시예 2의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.Except having changed the number of repetitions of the plasma treatment of the pressure-sensitive adhesive layer from one time to four times, it was carried out in the same manner as in Example 1 to obtain a pressure-sensitive adhesive sheet containing a protective material of Example 2.
(실시예 5)(Example 5)
보호재의 점착제층 측의 면에 대하여, 점착제층에 실시한 플라즈마 처리와 동일한 플라즈마 처리(반복수: 1회)를 실시한 것 이외에는, 실시예 4와 동일하게 하여, 실시예 5의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.A pressure-sensitive adhesive sheet containing a protective material of Example 5 was obtained in the same manner as in Example 4, except that the same plasma treatment as the plasma treatment applied to the pressure-sensitive adhesive layer (number of repetitions: once) was applied to the surface of the protective material on the side of the pressure-sensitive adhesive layer. .
(실시예 6)(Example 6)
보호재의 플라즈마 처리의 반복수를 1회에서 4회로 변경한 것 이외에는, 실시예 5와 동일하게 하여, 실시예 6의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.A protective material-containing adhesive sheet of Example 6 was obtained in the same manner as in Example 5, except that the number of repetitions of the plasma treatment of the protective material was changed from one time to four times.
(비교예 1)(Comparative Example 1)
점착제층에 대하여 플라즈마 처리를 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여, 비교예 1의 보호재 포함 점착 시트를 얻었다.Except having not performed plasma treatment with respect to the adhesive layer, it carried out similarly to Example 1, and obtained the adhesive sheet containing the protective material of Comparative Example 1.
[평가][evaluation]
<점착제층의 플라즈마 처리가 실시된 면에 대한 물의 접촉각의 측정><Measurement of water contact angle with the plasma-treated surface of the adhesive layer>
실시예 1~6 및 비교예 1의 보호재 포함 점착 시트에 대하여, 플라즈마 처리가 실시된 면에 대한 물의 접촉각을 측정했다. 측정에는, 접촉각계(교와 가이멘 가가쿠 주식회사제, 상품명: Drop Master300)를 이용했다. 측정은, 보호재 포함 점착 시트의 보호재를 박리하고, 점착제층의 플라즈마 처리가 실시된 면에 프로브 액체로서 물을 적하함으로써 행했다. 측정 조건은, 온도를 23~28℃로 하고, 프로브 액체의 액적량을 1.5μL로 하며, 측정 타이밍을 프로브의 액 적하 후 5초로 했다. 측정의 시행수를 10회로 하여, 얻어진 수치의 중앙값을 접촉각 θ로서 구했다. 결과를 표 1에 나타낸다.For the pressure-sensitive adhesive sheets containing the protective material of Examples 1 to 6 and Comparative Example 1, the contact angle of water with respect to the surface subjected to the plasma treatment was measured. For the measurement, a contact angle meter (Kyowa Gaimen Chemical Co., Ltd. make, brand name: Drop Master300) was used. The measurement was performed by peeling the protective material of the pressure-sensitive adhesive sheet containing the protective material, and dropping water as a probe liquid on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer on which the plasma treatment was performed. As for the measurement conditions, the temperature was set to 23 to 28°C, the amount of the droplet of the probe liquid was set to 1.5 μL, and the measurement timing was set to 5 seconds after dropping of the probe. The number of trials of the measurement was taken as 10, and the median value of the obtained numerical value was determined as the contact angle θ. Table 1 shows the results.
[표 1][Table 1]
<SUS 기판에 대한 점착제층의 필 강도의 측정><Measurement of peel strength of pressure-sensitive adhesive layer on SUS substrate>
실시예 1, 2 및 비교예 1의 보호재 포함 점착 시트를 폭 10mm, 길이 70mm 이상이 되도록 잘라내고, 보호재 포함 점착 시트로부터 보호재를 박리하고 나서 SUS판(SUS430BA)에 첩부한 것을 초기의 측정 샘플로 했다. SUS판에 첩부할 때에는, 3kg의 추 롤러로 샘플 상을 3회 왕복시켰다. 박리 유도 테이프(오지택사제, EC 테이프)를 폭 10mm로 잘라내어 샘플의 선단(先端)에 10mm 정도 붙이고, 로드 셀의 선단에 고정했다. 박리의 진전이 테이프 폭과 평행이 되도록 로드 셀의 위치를 미세 조정했다. 또, 초기의 측정 샘플을 3개월 냉장(5℃) 보관한 것을 3개월 경시의 측정 샘플로 했다. 이들의 측정 샘플에 대하여, 박리 각도 30도, 박리 속도 50mm/분에서 SUS 기판과 점착제층과의 박리를 행하여, 필 강도를 구했다. 또한, SUS 기판은 사용 전에 아세톤으로 세정하고 나서 사용했다. 결과를 표 2에 나타낸다. 또한, 표 2 중의 수치는, 비교예 1의 필 강도의 수치를 기준으로 한 상댓값이다.The adhesive sheet including the protective material of Examples 1 and 2 and Comparative Example 1 was cut to be 10 mm in width and 70 mm in length or more, peeled off the protective material from the adhesive sheet including the protective material, and then affixed to the SUS plate (SUS430BA) as an initial measurement sample. did. When affixed to the SUS plate, the sample phase was reciprocated three times with a 3 kg weight roller. A peeling guidance tape (manufactured by Ojitaek, EC tape) was cut to a width of 10 mm, and was attached to the tip of the sample by about 10 mm, and fixed to the tip of the load cell. The position of the load cell was finely adjusted so that the progress of peeling was parallel to the tape width. Moreover, what was stored in the refrigerator (5 degreeC) for 3 months of the initial measurement sample was made into the measurement sample over 3 months. With respect to these measurement samples, peeling was performed between the SUS substrate and the pressure-sensitive adhesive layer at a peeling angle of 30 degrees and a peeling rate of 50 mm/min, to determine the peel strength. In addition, the SUS substrate was used after washing with acetone before use. The results are shown in Table 2. In addition, the numerical value in Table 2 is a relative value based on the numerical value of the peeling strength of Comparative Example 1.
[표 2][Table 2]
실시예 1~6의 보호재 포함 점착 시트에 있어서의 점착제층 대신에, 예를 들면 다른 아크릴계 수지, 합성 고무, 천연 고무, 폴리이미드 수지 등을 베이스 수지로 한 것을 이용한 경우에 있어서도, 동일한 효과가 얻어지는 것이 추측된다.In the case of using, for example, another acrylic resin, synthetic rubber, natural rubber, polyimide resin, etc. as a base resin instead of the pressure-sensitive adhesive layer in the pressure-sensitive adhesive sheet containing the protective material of Examples 1 to 6, the same effect is obtained. I guess.
실시예 1~6의 보호재 포함 점착 시트는, 비교예 1의 보호재 포함 점착 시트에 비하여, 점착제층의 플라즈마 처리가 실시된 면의 접촉각이 저하되어 있고, 점착제층의 젖음성이 향상되어 있었다. 또, 실시예 1, 2의 보호재 포함 점착 시트는, 비교예 1의 보호재 포함 점착 시트에 비하여, 필 강도가 향상되어 있으며, 점착력이 향상되어 있었다. 또, 실시예 1과 실시예 2와의 대비로부터, 보호재에 대해서도 플라즈마 처리를 실시함으로써, 장기간에 걸쳐, 플라즈마 처리를 실시한 효과가 유지되고 있는 것이 판명되었다. 이들 결과로부터, 본 발명의 제조 방법이, 점착력이 우수한 점착 시트를 제조하는 것이 가능하다는 것이 확인되었다.Compared to the protective material-containing adhesive sheet of Examples 1 to 6, the contact angle of the plasma-treated surface of the pressure-sensitive adhesive layer was lowered, and the wettability of the pressure-sensitive adhesive layer was improved, compared to the pressure-sensitive adhesive sheet including the protective material of Comparative Example 1. Moreover, compared with the adhesive sheet containing a protective material of Example 1 and 2, the peeling strength was improved and the adhesive force was improved as compared with the adhesive sheet containing a protective material of Comparative Example 1. Further, from the contrast between Example 1 and Example 2, it was found that the effect of plasma treatment was maintained over a long period of time by performing plasma treatment also on the protective material. From these results, it was confirmed that the production method of the present invention could produce a pressure-sensitive adhesive sheet having excellent adhesive strength.
10…기재
20…점착제층
20A…플라즈마 처리 후의 점착제층
30…보호재
40…접착제층
50…보호재
60…접착제층 포함 반도체 소자
70…와이어 본드
72…니들
74…흡인 콜릿
80…반도체 소자 탑재용 지지 기판
92…수지 밀봉재
94…땜납 볼
W…반도체 웨이퍼
100…점착 시트 전구체
110…점착 시트
120…보호재 포함 점착 시트
130…다이싱·다이본딩 일체형 테이프
140…보호재 포함 다이싱·다이본딩 일체형 테이프10… materials
20… Adhesive layer
20A... Adhesive layer after plasma treatment
30... Protective material
40… Adhesive layer
50… Protective material
60… Semiconductor device including adhesive layer
70... Wire bond
72... You guys
74... Suction collet
80... Support substrate for mounting semiconductor elements
92... Resin sealant
94... Solder ball
W… Semiconductor wafer
100… Adhesive sheet precursor
110... Adhesive sheet
120... Adhesive sheet with protective material
130... Dicing/die bonding integrated tape
140... Dicing/die bonding integrated tape with protective material
Claims (12)
상기 점착 시트 전구체에 있어서의 상기 점착제층의 상기 기재와 반대 측의 면에 대하여 플라즈마 처리를 실시하는 공정을 구비하는, 점착 시트의 제조 방법.A step of preparing an adhesive sheet precursor having a substrate and an adhesive layer provided on the substrate,
A method for producing a pressure-sensitive adhesive sheet, comprising a step of performing plasma treatment on a surface of the pressure-sensitive adhesive layer in the pressure-sensitive adhesive sheet precursor opposite to the substrate.
상기 플라즈마 처리가, 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리인, 점착 시트의 제조 방법.The method according to claim 1,
The method for manufacturing an adhesive sheet, wherein the plasma treatment is plasma treatment using atmospheric plasma.
상기 플라즈마 처리의 처리 온도가, 상기 기재의 융점 또는 상기 점착제층의 융점 중 어느 낮은 쪽의 온도 미만인, 점착 시트의 제조 방법.The method according to claim 1 or 2,
The processing temperature of the plasma treatment is lower than the melting point of the base material or the melting point of the pressure-sensitive adhesive layer.
플라즈마 처리가 실시된 상기 점착제층의 상기 기재와 반대 측의 면 상에 보호재를 첩부하는 공정을 더 구비하는, 점착 시트의 제조 방법.The method according to any one of claims 1 to 3,
A method for producing a pressure-sensitive adhesive sheet, further comprising a step of attaching a protective material on a surface of the pressure-sensitive adhesive layer subjected to plasma treatment on the side opposite to the substrate.
상기 보호재는, 플라즈마 처리가 실시된 상기 점착제층에 첩부하는 측의 면이 플라즈마 처리에 의하여 처리된 것인, 점착 시트의 제조 방법.The method of claim 4,
The protective material is a method for producing a pressure-sensitive adhesive sheet, wherein a surface on the side to be adhered to the pressure-sensitive adhesive layer subjected to plasma treatment is treated by plasma treatment.
상기 반도체 웨이퍼, 상기 접착제층, 및 플라즈마 처리가 실시된 상기 점착제층을 개편화하는 공정과,
플라즈마 처리가 실시된 상기 점착제층으로부터 상기 접착제층이 부착된 반도체 소자를 픽업하는 공정과,
상기 접착제층을 개재하여, 상기 반도체 소자를 반도체 소자 탑재용 지지 기판에 접착하는 공정을 구비하는, 반도체 장치의 제조 방법.A step of affixing the adhesive layer of the integrated dicing and die-bonding tape obtained by the manufacturing method according to claim 6 to a semiconductor wafer,
A step of separating the semiconductor wafer, the adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer subjected to plasma treatment;
A step of picking up a semiconductor device to which the adhesive layer is attached from the adhesive layer subjected to plasma treatment, and
A method of manufacturing a semiconductor device comprising a step of adhering the semiconductor element to a supporting substrate for mounting a semiconductor element via the adhesive layer.
상기 플라즈마 처리가, 대기압 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리인, 점착제의 처리 방법.The method of claim 8,
The plasma treatment is a plasma treatment using atmospheric pressure plasma.
상기 플라즈마 처리의 처리 온도가, 상기 점착제의 융점 미만인, 점착제의 처리 방법.The method according to claim 8 or 9,
The processing temperature of the plasma treatment is less than the melting point of the pressure-sensitive adhesive.
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Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59100143A (en) | 1982-11-30 | 1984-06-09 | Toyota Motor Corp | Apparatus for plasma treatment of synthetic resin article |
JP2000073029A (en) * | 1998-08-26 | 2000-03-07 | Nitto Denko Corp | Adhesive member and its production |
CN101230177A (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-30 | 第一毛织株式会社 | Composition for pressure sensitive adhesive film, pressure sensitive adhesive film, and dicing die bonding film including the same |
JP2009086452A (en) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Nitto Denko Corp | Method for manufacturing adhesive optical film, adhesive optical film and image display device |
JP2011068718A (en) | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Nitto Denko Corp | Double-sided adhesive sheet |
JP2012084784A (en) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Hitachi Chem Co Ltd | Semiconductor device manufacturing method, die-bonding film used therefor and semiconductor device using die-bonding film |
WO2013035792A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | 株式会社タイカ | Method for producing transparent adhesive sheet for optical applications, transparent adhesive sheet for optical applications, and display device using same |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52114632A (en) * | 1976-03-22 | 1977-09-26 | Sekisui Chem Co Ltd | Pressure sensitive adhesive tape or sheet |
JPS5715627A (en) * | 1980-06-27 | 1982-01-27 | Toshiba Corp | Hand tap tool |
JP3591596B2 (en) * | 1993-12-17 | 2004-11-24 | 藤森工業株式会社 | Laminated body and method for producing the same |
JPH07294585A (en) * | 1994-04-21 | 1995-11-10 | Hitachi Chem Co Ltd | Electric continuity inspection method of electronic parts |
JP2859847B2 (en) * | 1996-05-20 | 1999-02-24 | 日本カーバイド工業株式会社 | Adhesive sheet peeling method |
JP3068472B2 (en) * | 1996-10-21 | 2000-07-24 | 山形日本電気株式会社 | Protective tape peeling device and its peeling method |
JP2005148638A (en) * | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Nitto Denko Corp | Peeling method for adhesive type optical film |
JP5028248B2 (en) * | 2007-12-21 | 2012-09-19 | 日本ポリエチレン株式会社 | Surface protection film |
JP5314439B2 (en) * | 2008-01-25 | 2013-10-16 | 日東電工株式会社 | Adhesive optical film peeling method and adhesive optical film |
JP5641634B2 (en) * | 2008-03-13 | 2014-12-17 | 日東電工株式会社 | Pressure-sensitive adhesive composition, pressure-sensitive adhesive layer, pressure-sensitive adhesive member, image display device, method for removing optical film from image display device, and method for taking out display panel |
JP2013117004A (en) * | 2011-12-05 | 2013-06-13 | Nitto Denko Corp | Method of peeling adhesive sheet, and double-sided adhesive sheet |
JP6112893B2 (en) * | 2013-02-13 | 2017-04-12 | リンテック株式会社 | Adhesive composition, adhesive and adhesive sheet |
CN103956363B (en) * | 2014-03-03 | 2016-09-21 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | Composite base plate and manufacture method, flexible display apparatus and manufacture method thereof |
JP2017034117A (en) * | 2015-08-03 | 2017-02-09 | 日立化成株式会社 | Dicing/die-bonding integrated tape |
JP6721341B2 (en) * | 2016-01-13 | 2020-07-15 | 住友化学株式会社 | Adhesive composition |
WO2017188216A1 (en) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | リンテック株式会社 | Film for forming protective coat and composite sheet for forming protective coat |
CN206242599U (en) * | 2016-08-31 | 2017-06-13 | 绍兴旭源新材料科技有限公司 | A kind of Anti-static release liner |
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59100143A (en) | 1982-11-30 | 1984-06-09 | Toyota Motor Corp | Apparatus for plasma treatment of synthetic resin article |
JP2000073029A (en) * | 1998-08-26 | 2000-03-07 | Nitto Denko Corp | Adhesive member and its production |
CN101230177A (en) * | 2006-12-27 | 2008-07-30 | 第一毛织株式会社 | Composition for pressure sensitive adhesive film, pressure sensitive adhesive film, and dicing die bonding film including the same |
JP2009086452A (en) * | 2007-10-01 | 2009-04-23 | Nitto Denko Corp | Method for manufacturing adhesive optical film, adhesive optical film and image display device |
JP2011068718A (en) | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Nitto Denko Corp | Double-sided adhesive sheet |
JP2012084784A (en) * | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Hitachi Chem Co Ltd | Semiconductor device manufacturing method, die-bonding film used therefor and semiconductor device using die-bonding film |
WO2013035792A1 (en) * | 2011-09-09 | 2013-03-14 | 株式会社タイカ | Method for producing transparent adhesive sheet for optical applications, transparent adhesive sheet for optical applications, and display device using same |
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