KR20210015825A - 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 - Google Patents

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KR20210015825A
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사또미 와따베
히데꼬 요시즈미
히로미쓰 기도
도시끼 사사끼
아끼라 나가사까
유따 가와노
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

신규 유기 화합물인 벤조퓨로피리미딘 유도체 또는 벤조티에노피리미딘 유도체를 제공한다. 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물이다.
Figure pct00075

또한 일반식(G1)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 A는 총탄소수 12 내지 100의 기이고, 또한 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 플루오렌 고리, 페난트렌 고리, 트라이페닐렌 고리, 다이벤조싸이오펜 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 다이벤조퓨란 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 카바졸 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 벤즈이미다졸 고리, 트라이페닐아민 구조 중 어느 하나 또는 복수를 갖는다.

Description

유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
본 발명의 일 형태는 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치에 관한 것이다. 다만 본 발명의 일 형태는 상기 기술분야에 한정되지 않는다. 즉, 본 발명의 일 형태는 물건, 방법, 제조 방법, 또는 구동 방법에 관한 것이다. 또는 본 발명의 일 형태는 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 또한 구체적으로는 반도체 장치, 표시 장치, 액정 표시 장치 등을 일례로 들 수 있다.
한 쌍의 전극 사이에 EL층을 끼운 발광 소자(유기 EL 소자라고도 함)는, 박형, 경량, 입력 신호에 대한 고속 응답성, 저소비전력 등의 특성을 갖기 때문에, 이들이 적용된 디스플레이는 차세대 플랫 패널 디스플레이로서 주목을 받고 있다.
발광 소자는 한 쌍의 전극 사이에 전압을 인가함으로써, 각 전극으로부터 주입된 전자 및 정공이 EL층에서 재결합하여, EL층에 포함되는 발광 물질(유기 화합물)이 여기 상태가 되고, 그 여기 상태가 기저 상태로 되돌아갈 때 발광한다. 또한 여기 상태의 종류로서는, 단일항 여기 상태(S*)와 삼중항 여기 상태(T*)가 있고, 단일항 여기 상태로부터의 발광이 형광이라고, 그리고 삼중항 여기 상태로부터의 발광이 인광이라고 불리고 있다. 또한 발광 소자에서의 그들의 통계적인 생성 비율은 S*:T*=1:3인 것으로 생각된다. 발광 물질로부터 얻어지는 발광 스펙트럼은 그 발광 물질 특유의 것이고, 상이한 종류의 유기 화합물을 발광 물질로서 사용함으로써, 다양한 발광색의 발광 소자를 얻을 수 있다.
이와 같은 발광 소자에 관해서는, 그 소자 특성을 향상시키기 위하여 소자 구조의 개량이나 재료 개발 등이 활발하게 진행되고 있다(예를 들어 특허문헌 1 참조).
일본 공개특허공보 특개2010-182699호
그러므로 본 발명의 일 형태에서는 신규 유기 화합물을 제공한다. 또한 본 발명의 다른 일 형태에서는 신규 유기 화합물인 벤조퓨로피리미딘 유도체 또는 벤조티에노피리미딘 유도체를 제공한다. 또한 본 발명의 일 형태에서는 발광 소자에 사용할 수 있는 신규 유기 화합물을 제공한다. 또한 본 발명의 일 형태에서는 발광 소자의 EL층에 사용할 수 있는 신규 유기 화합물을 제공한다. 또한 본 발명의 일 형태인 신규 유기 화합물을 사용한 신뢰성이 높은 신규 발광 소자를 제공한다. 또한 신규 발광 장치, 신규 전자 기기, 또는 신규 조명 장치를 제공한다. 또한 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것이 아니다. 또한 본 발명의 일 형태는 이들 과제 모두를 반드시 해결할 필요는 없다. 또한 이들 외의 과제는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명백해지는 것이고, 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 이들 외의 과제를 추출할 수 있다.
본 발명의 일 형태는 벤조퓨로피리미딘 유도체 또는 벤조티에노피리미딘 유도체이고, 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물이다. 또한 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 바와 같이 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격의 8위에 방향족 탄화수소 고리가 복수로 연결(구체적으로는 2개 내지 4개의 방향족 탄화수소 고리가 연결)된 구조를 갖는다.
[화학식 1]
Figure pct00001
상기 일반식(G1)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 A는 총탄소수 12 내지 100의 기이고, 또한 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 플루오렌 고리, 페난트렌 고리, 트라이페닐렌 고리, 다이벤조싸이오펜 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 다이벤조퓨란 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 카바졸 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 벤즈이미다졸 고리, 트라이페닐아민 구조 중 어느 하나 또는 복수를 갖는다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.
또한 본 발명의 다른 일 형태는 벤조퓨로피리미딘 유도체 또는 벤조티에노피리미딘 유도체이고, 하기 일반식(G2)으로 나타내어지는 유기 화합물이다. 또한 하기 일반식(G2)으로 나타내어지는 바와 같이 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격의 8위에 방향족 탄화수소 고리가 복수로 연결(구체적으로는 2개 내지 4개의 방향족 탄화수소 고리가 연결)된 구조를 갖고, 4위에 적어도 정공 수송성을 갖는 골격을 갖는다.
[화학식 2]
Figure pct00002
상기 일반식(G2)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 동일한 기를 나타내고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 α는 치환 또는 비치환된 페닐렌기를 나타내고, t는 0 내지 4의 정수(整數)를 나타낸다. 또한 Htuni는 정공 수송성을 갖는 골격을 나타낸다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.
또한 본 발명의 다른 일 형태는 벤조퓨로피리미딘 유도체 또는 벤조티에노피리미딘 유도체이고, 하기 일반식(G3)으로 나타내어지는 유기 화합물이다. 또한 하기 일반식(G3)으로 나타내어지는 바와 같이 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격의 8위에 방향족 탄화수소 고리가 복수로 연결(구체적으로는 2개 내지 4개의 방향족 탄화수소 고리가 연결)된 구조를 갖고, 4위에 페닐렌기를 통하여 정공 수송성을 갖는 골격을 갖는다.
[화학식 3]
Figure pct00003
상기 일반식(G3)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 Htuni는 정공 수송성을 갖는 골격을 나타낸다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.
또한 본 발명의 다른 일 형태는 벤조퓨로피리미딘 유도체 또는 벤조티에노피리미딘 유도체이고, 하기 일반식(G4)으로 나타내어지는 유기 화합물이다. 또한 하기 일반식(G4)으로 나타내어지는 바와 같이 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격의 8위에 방향족 탄화수소 고리가 복수로 연결(구체적으로는 2개 내지 4개의 방향족 탄화수소 고리가 연결)된 구조를 갖고, 4위에 바이페닐다이일기를 통하여 정공 수송성을 갖는 골격을 갖는다.
[화학식 4]
Figure pct00004
상기 일반식(G4)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 Htuni는 정공 수송성을 갖는 골격을 나타낸다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.
또한 상기 각 구성에서, 상기 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 Htuni는 각각 독립적으로 피롤 고리 구조, 퓨란 고리 구조, 및 싸이오펜 고리 구조 중 어느 하나를 갖는다.
또한 상기 각 구성에서, 상기 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 Htuni는 각각 독립적으로 하기 일반식(Ht-1) 내지 일반식(Ht-26) 중 어느 하나이다.
[화학식 5]
Figure pct00005
또한 상기 일반식(Ht-1) 내지 일반식(Ht-26)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. 또한 R2 내지 R71은 각각 1 내지 4의 치환기를 나타내고, 또한 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한 Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기를 나타낸다.
상기 각 구성에서, 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리이다.
또한 상기 각 구성에서, 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가 동일하다.
또한 상기 각 구성에서, 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가 비치환이다.
또한 상기 각 구성에서, 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 부분 구조인 하기 일반식(G-X)은, 하기 구조식(G-X-p1) 내지 구조식(G-X-p12) 및 구조식(G-X-n1) 내지 구조식(G-X-n6) 중 어느 하나로 나타내어진다.
[화학식 6]
Figure pct00006
[화학식 7]
Figure pct00007
또한 본 발명의 다른 일 형태는 구조식(100), 구조식(101), 및 구조식(102) 중 어느 하나로 나타내어지는 유기 화합물이다.
[화학식 8]
Figure pct00008
또한 본 발명의 다른 일 형태는 상술한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물을 사용한 발광 소자이다. 또한 상기 유기 화합물에 더하여 게스트 재료를 포함하는 발광 소자도 본 발명에 포함한다. 또한 상기 유기 화합물에 더하여 인광 재료를 포함하는 발광 소자도 본 발명에 포함한다. 또한 상기 유기 화합물에 더하여 인광 재료와 카바졸 유도체를 포함하는 발광 소자도 본 발명에 포함한다. 또한 카바졸 유도체는 바이카바졸 유도체 또는 카바졸릴기를 갖는 방향족 아민을 포함한다.
본 발명의 다른 일 형태는 상술한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물을 사용한 발광 소자이다. 또한 한 쌍의 전극 사이에 갖는 EL층이나, EL층에 포함되는 발광층에 본 발명의 일 형태인 유기 화합물을 사용하여 형성된 발광 소자도 본 발명에 포함되는 것으로 한다. 또한 상기 발광 소자에 더하여, 전극과 접하여 유기 화합물을 갖는 층(예를 들어 캡층)을 갖는 경우도 발광 소자에 포함되고, 본 발명에 포함되는 것으로 한다. 또한 발광 소자에 더하여, 트랜지스터, 기판 등을 갖는 발광 장치도 발명의 범주에 포함된다. 또한 이들 발광 장치에 더하여, 마이크로폰, 카메라, 조작용 버튼, 외부 접속부, 하우징, 커버, 지지대, 또는 스피커 등을 갖는 전자 기기나 조명 장치도 발명의 범주에 포함된다.
또한 본 발명의 일 형태는 발광 소자를 갖는 발광 장치를 포함하고, 또한 발광 장치를 갖는 조명 장치도 범주에 포함한다. 따라서 본 명세서에서 발광 장치란, 화상 표시 디바이스 또는 광원(조명 장치를 포함함)을 가리킨다. 또한 발광 장치에 예를 들어 FPC(Flexible printed circuit) 또는 TCP(Tape Carrier Package) 등의 커넥터가 장착된 모듈, TCP 끝에 인쇄 배선판이 제공된 모듈, 또는 발광 소자에 COG(Chip On Glass) 방식으로 IC(집적 회로)가 직접 실장된 모듈도 모두 발광 장치에 포함되는 것으로 한다.
본 발명의 일 형태에서는 신규 유기 화합물을 제공할 수 있다. 또한 본 발명의 다른 일 형태에서는 신규 유기 화합물인 벤조퓨로피리미딘 유도체 또는 벤조티에노피리미딘 유도체를 제공할 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태에서는 발광 소자에 사용할 수 있는 신규 유기 화합물을 제공할 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태에서는 발광 소자의 EL층에 사용할 수 있는 신규 유기 화합물을 제공할 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태인 신규 유기 화합물을 사용함으로써 신뢰성이 높은 신규 발광 소자를 제공할 수 있다. 또한 신규 발광 장치, 신규 전자 기기, 또는 신규 조명 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 발광 소자의 구조에 대하여 설명하는 도면.
도 2는 발광 장치에 대하여 설명하는 도면.
도 3은 발광 장치에 대하여 설명하는 도면.
도 4는 전자 기기에 대하여 설명하는 도면.
도 5는 전자 기기에 대하여 설명하는 도면.
도 6은 자동차에 대하여 설명하는 도면.
도 7은 조명 장치에 대하여 설명하는 도면.
도 8은 구조식(100)으로 나타내어지는 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 9의 (A)는 구조식(100)으로 나타내어지는 유기 화합물의 톨루엔 용액 중의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼이고, 도 9의 (B)는 구조식(100)으로 나타내어지는 유기 화합물의 고체 박막의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 10은 구조식(101)으로 나타내어지는 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 11의 (A)는 구조식(101)으로 나타내어지는 유기 화합물의 톨루엔 용액 중의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼이고, 도 11의 (B)는 구조식(101)으로 나타내어지는 유기 화합물의 고체 박막의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 12는 구조식(102)으로 나타내어지는 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 13의 (A)는 구조식(102)으로 나타내어지는 유기 화합물의 톨루엔 용액 중의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼이고, 도 13의 (B)는 구조식(102)으로 나타내어지는 유기 화합물의 고체 박막의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 14는 발광 소자에 대하여 설명하는 도면.
도 15는 발광 소자 1, 비교 발광 소자 2, 및 비교 발광 소자 3의 전류 밀도-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 16은 발광 소자 1, 비교 발광 소자 2, 및 비교 발광 소자 3의 전압-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 17은 발광 소자 1, 비교 발광 소자 2, 및 비교 발광 소자 3의 휘도-전류 효율 특성을 나타낸 도면.
도 18은 발광 소자 1, 비교 발광 소자 2, 및 비교 발광 소자 3의 전압-전류 특성을 나타낸 도면.
도 19는 발광 소자 1, 비교 발광 소자 2, 및 비교 발광 소자 3의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 20은 발광 소자 1, 비교 발광 소자 2, 및 비교 발광 소자 3의 신뢰성을 나타낸 도면.
도 21은 발광 소자 4, 발광 소자 5, 비교 발광 소자 6, 및 비교 발광 소자 7의 전류 밀도-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 22는 발광 소자 4, 발광 소자 5, 비교 발광 소자 6, 및 비교 발광 소자 7의 전압-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 23은 발광 소자 4, 발광 소자 5, 비교 발광 소자 6, 및 비교 발광 소자 7의 휘도-전류 효율 특성을 나타낸 도면.
도 24는 발광 소자 4, 발광 소자 5, 비교 발광 소자 6, 및 비교 발광 소자 7의 전압-전류 특성을 나타낸 도면.
도 25는 발광 소자 4, 발광 소자 5, 비교 발광 소자 6, 및 비교 발광 소자 7의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 26은 발광 소자 4, 발광 소자 5, 비교 발광 소자 6, 및 비교 발광 소자 7의 신뢰성을 나타낸 도면.
도 27은 발광 소자 8, 발광 소자 9, 비교 발광 소자 10, 및 비교 발광 소자 11의 전류 밀도-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 28은 발광 소자 8, 발광 소자 9, 비교 발광 소자 10, 및 비교 발광 소자 11의 전압-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 29는 발광 소자 8, 발광 소자 9, 비교 발광 소자 10, 및 비교 발광 소자 11의 휘도-전류 효율 특성을 나타낸 도면.
도 30은 발광 소자 8, 발광 소자 9, 비교 발광 소자 10, 및 비교 발광 소자 11의 전압-전류 특성을 나타낸 도면.
도 31은 발광 소자 8, 발광 소자 9, 비교 발광 소자 10, 및 비교 발광 소자 11의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 32는 발광 소자 8, 발광 소자 9, 비교 발광 소자 10, 및 비교 발광 소자 11의 신뢰성을 나타낸 도면.
도 33은 구조식(103)으로 나타내어지는 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 34는 구조식(103)으로 나타내어지는 유기 화합물의 톨루엔 용액 중의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 35는 구조식(103)으로 나타내어지는 유기 화합물의 고체 박막의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 36은 구조식(105)으로 나타내어지는 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 37은 구조식(105)으로 나타내어지는 유기 화합물의 고체 박막의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 38은 구조식(126)으로 나타내어지는 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 39는 구조식(126)으로 나타내어지는 유기 화합물의 톨루엔 용액 중의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 40은 구조식(126)으로 나타내어지는 유기 화합물의 고체 박막의 자외·가시 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼.
도 41은 구조식(128)으로 나타내어지는 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 42는 구조식(143)으로 나타내어지는 유기 화합물의 1H-NMR 차트.
도 43은 발광 소자 12 및 발광 소자 13의 전류 밀도-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 44는 발광 소자 12 및 발광 소자 13의 전압-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 45는 발광 소자 12 및 발광 소자 13의 휘도-전류 효율 특성을 나타낸 도면.
도 46은 발광 소자 12 및 발광 소자 13의 전압-전류 특성을 나타낸 도면.
도 47은 발광 소자 12 및 발광 소자 13의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 48은 발광 소자 12 및 발광 소자 13의 신뢰성을 나타낸 도면.
도 49는 발광 소자 14 및 발광 소자 15의 전류 밀도-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 50은 발광 소자 14 및 발광 소자 15의 전압-휘도 특성을 나타낸 도면.
도 51은 발광 소자 14 및 발광 소자 15의 휘도-전류 효율 특성을 나타낸 도면.
도 52는 발광 소자 14 및 발광 소자 15의 전압-전류 특성을 나타낸 도면.
도 53은 발광 소자 14 및 발광 소자 15의 발광 스펙트럼을 나타낸 도면.
도 54는 발광 소자 14 및 발광 소자 15의 신뢰성을 나타낸 도면.
이하에서 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어나지 않고 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있다. 따라서 본 발명은 이하에 나타내는 실시형태의 기재 내용에 한정하여 해석되는 것은 아니다.
또한 도면 등에 나타낸 각 구성의 위치, 크기, 범위 등은 이해하기 쉽게 하기 위하여 실제의 위치, 크기, 범위 등을 나타내지 않은 경우가 있다. 따라서 개시(開示)하는 발명은 도면 등에 나타낸 위치, 크기, 범위 등에 반드시 한정되는 것은 아니다.
또한 본 명세서 등에서 도면을 사용하여 발명의 구성을 설명하는 데 있어서, 같은 것을 가리키는 부호는 상이한 도면 간에서도 공통적으로 사용한다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물에 대하여 설명한다. 또한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 벤조퓨로피리미딘 유도체 또는 벤조티에노피리미딘 유도체이다. 또한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 바와 같이 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격의 8위에 방향족 탄화수소 고리가 복수로 연결(구체적으로는 2개 내지 4개의 방향족 탄화수소 고리가 연결)된 구조를 갖는다.
[화학식 9]
Figure pct00009
또한 일반식(G1)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 A는 총탄소수 12 내지 100의 기이고, 또한 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 플루오렌 고리, 페난트렌 고리, 트라이페닐렌 고리, 다이벤조싸이오펜 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 다이벤조퓨란 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 카바졸 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 벤즈이미다졸 고리, 트라이페닐아민 구조 중 어느 하나 또는 복수를 갖는다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.
또한 본 발명의 다른 일 형태는 하기 일반식(G2)으로 나타내어지는 유기 화합물이다. 또한 하기 일반식(G2)으로 나타내어지는 유기 화합물은 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격의 8위에 방향족 탄화수소 고리가 복수로 연결(구체적으로는 2개 내지 4개의 방향족 탄화수소 고리가 연결)된 구조를 갖고, 4위에 적어도 정공 수송성을 갖는 골격을 갖는다.
[화학식 10]
Figure pct00010
상기 일반식(G2)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 동일한 기를 나타내고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 α는 치환 또는 비치환된 페닐렌기를 나타내고, t는 0 내지 4의 정수를 나타낸다. 또한 Htuni는 정공 수송성을 갖는 골격을 나타낸다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.
또한 본 발명의 다른 일 형태는 하기 일반식(G3)으로 나타내어지는 유기 화합물이다. 또한 하기 일반식(G3)으로 나타내어지는 유기 화합물은 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격의 8위에 방향족 탄화수소 고리가 복수로 연결(구체적으로는 2개 내지 4개의 방향족 탄화수소 고리가 연결)된 구조를 갖고, 4위에 페닐렌기를 통하여 정공 수송성을 갖는 골격을 갖는다.
[화학식 11]
Figure pct00011
상기 일반식(G3)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 Htuni는 정공 수송성을 갖는 골격을 나타낸다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.
또한 본 발명의 다른 일 형태는 하기 일반식(G4)으로 나타내어지는 유기 화합물이다. 또한 하기 일반식(G4)으로 나타내어지는 유기 화합물은 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격의 8위에 방향족 탄화수소 고리가 복수로 연결(구체적으로는 2개 내지 4개의 방향족 탄화수소 고리가 연결)된 구조를 갖고, 4위에 바이페닐다이일기를 통하여 정공 수송성을 갖는 골격을 갖는다.
[화학식 12]
Figure pct00012
상기 일반식(G4)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 Htuni는 정공 수송성을 갖는 골격을 나타낸다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.
또한 상기 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 Htuni는 정공 수송성을 갖는 골격을 나타내고, 각각 독립적으로 피롤 고리 구조, 퓨란 고리 구조, 싸이오펜 고리 구조 중 어느 하나를 갖는다.
또한 상기 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 Htuni는 정공 수송성을 갖는 골격을 나타내고, 각각 독립적으로 하기 일반식(Ht-1) 내지 일반식(Ht-26) 중 어느 하나이다.
[화학식 13]
Figure pct00013
또한 상기 일반식(Ht-1) 내지 일반식(Ht-26)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. 또한 R2 내지 R71은 각각 1 내지 4의 치환기를 나타내고, 또한 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한 Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기를 나타낸다.
또한 상기 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 Htuni는 정공 수송성을 갖는 골격이고, 이 골격을 가지면, 다른 물질(예를 들어 발광 물질)과 조합시켜 발광 소자에 사용한 경우에 소자 특성을 향상시킬 수 있다.
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리가 치환기를 갖는 경우, 상기 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, 펜틸기 등이다.
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 페닐렌기가 치환기를 갖는 경우, 상기 치환기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, sec-뷰틸기, tert-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기와 같은 탄소수 1 내지 7의 알킬기나, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 사이클로헵틸기, 8,9,10-트라이노보난일기와 같은 탄소수 5 내지 7의 사이클로알킬기나, 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기와 같은 탄소수 6 내지 12의 아릴기 등을 들 수 있다.
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 방향족 탄화수소 고리는 1가 또는 2가의 방향족 탄화수소기를 나타내고, 이를 형성하는 탄소수가 6 이상 25 이하인 경우의 구체적인 예로서는 페닐기, 페닐렌기, 나프틸기, 나프틸렌기, 플루오렌일기, 플루오렌다이일기, 스파이로플루오렌일기, 스파이로플루오렌다이일기, 트라이페닐렌기, 트라이페닐렌다이일기 등을 들 수 있다. 다만 필요 이상으로 T1 준위가 저하되지 않도록 방향족 탄화수소 고리를 구성하는 고리의 개수가 3고리 이상의 폴리아센이 아닌 것이 바람직하다. 또한 상기 플루오렌일기나 플루오렌다이일기는 9위에 알킬기나 페닐기와 같은 치환기를 갖는 것이 바람직하다.
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기가 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수가 6 이상 25 이하이면, 유기 화합물의 T1 준위를 원하는 값으로 할 수 있다. 또한 적절한 승화성을 유지할 수 있기 때문에, 승화 정제 시나 진공 증착 시의 분해를 억제할 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태에서 설명한 바와 같이, 상기 방향족 탄화수소 고리를 복수로 연결함으로써, 상기 방향족 탄화수소 고리가 하나인 경우에 비하여, 발광 소자에 사용한 경우의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 특히, 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격의 8위에 헤테로 방향족 고리를 포함하는 치환기를 도입한 경우에 비하여, 발광 소자의 초기 열화를 억제할 수 있다.
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리이어도 좋다.
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가 동일하여도 좋다.
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 부분 구조인 하기 일반식(G-X)은, 하기 구조식(G-X-p1) 내지 구조식(G-X-p12) 및 구조식(G-X-n1) 내지 구조식(G-X-n6) 중 어느 하나이어도 좋다.
[화학식 14]
Figure pct00014
[화학식 15]
Figure pct00015
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 R1이 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기를 나타내는 경우의 구체적인 예로서는, 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 1-메틸사이클로헥실기, 사이클로헵틸기 등을 들 수 있다.
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 R1이 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기를 나타내는 경우의 구체적인 예로서는, 노보닐기, 아다만틸기, 데칼린기, 트라이사이클로데실기 등을 들 수 있다.
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 R1이 탄소수 6 내지 13의 아릴기를 나타내는 경우의 구체적인 예로서는, 페닐기, o-톨릴기, m-톨릴기, p-톨릴기, 메시틸기, o-바이페닐기, m-바이페닐기, p-바이페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기, 플루오렌일기 등을 들 수 있다.
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 R1이 탄소수 1 내지 6의 알킬기를 나타내는 경우의 구체적인 예로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, sec-뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, 펜틸기, 아이소펜틸기, sec-펜틸기, tert-펜틸기, 네오펜틸기, 헥실기, 아이소헥실기, 3-메틸펜틸기, 2-메틸펜틸기, 2-에틸뷰틸기, 1,2-다이메틸뷰틸기, 2,3-다이메틸뷰틸기 등을 들 수 있다.
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 R1이 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타내는 경우의 구체적인 예로서는, 트라이아진일기, 피라진일기, 피리미딘일기, 피리딘일기, 퀴노린일기, 아이소퀴노린일기, 벤조싸이엔일기, 벤조퓨란일기, 인돌일기, 다이벤조싸이엔일기, 다이벤조퓨란일기, 또는 카바졸릴기 등을 들 수 있다.
또한 상기 일반식(G1), 일반식(G2), 일반식(G3), 및 일반식(G4)에서의 R1이 상술한 구체적인 예이면, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 높은 T1 준위를 갖는다.
다음으로, 상술한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물의 구체적인 구조식을 이하에 나타낸다. 다만 본 발명은 이들에 한정되지 않는다.
[화학식 16]
Figure pct00016
[화학식 17]
Figure pct00017
[화학식 18]
Figure pct00018
[화학식 19]
Figure pct00019
또한 상기 구조식(100) 내지 구조식(144)으로 나타내어지는 유기 화합물은, 상기 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물의 일례이지만, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 이에 한정되지 않는다.
다음으로, 본 발명의 일 형태이고, 하기 일반식(G1)으로 나타내어지는 벤조퓨로피리미딘 유도체 또는 벤조티에노피리미딘 유도체의 합성 방법에 대하여 설명한다.
[화학식 20]
Figure pct00020
일반식(G1)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 A는 총탄소수 12 내지 100의 기이고, 또한 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 플루오렌 고리, 페난트렌 고리, 트라이페닐렌 고리, 다이벤조싸이오펜 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 다이벤조퓨란 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 카바졸 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 벤즈이미다졸 고리, 트라이페닐아민 구조 중 어느 하나 또는 복수를 갖는다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.
<<일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물의 합성 방법>>
상기 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물의 합성에는, 다양한 반응을 적용할 수 있고, 예를 들어 이하의 합성 스킴으로 나타내는 간단한 방법에 의하여, 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물을 합성할 수 있다.
하기 스킴(A-1)에 나타낸 바와 같이, 8위에 치환기를 갖는 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격을 포함하는 할로젠 화합물(A1)과, A의 보론산 화합물(A2)을 반응시킴으로써, 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물을 얻을 수 있다.
[화학식 21]
Figure pct00021
또한 상기 합성 스킴(A-1)에서 X는 할로젠을 나타내고, Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 A는 총탄소수 12 내지 100의 기이고, 또한 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 플루오렌 고리, 페난트렌 고리, 트라이페닐렌 고리, 다이벤조싸이오펜 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 다이벤조퓨란 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 카바졸 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 벤즈이미다졸 고리, 트라이페닐아민 구조 중 어느 하나 또는 복수를 갖는다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.
또한 하기 합성 스킴(A-2)에 나타낸 바와 같이, 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격을 포함하는 다이할로젠 화합물(B1)과, A의 보론산 화합물(A2)의 반응을 통하여 중간체(B2)를 얻은 후, 보론산 화합물(B3)을 반응시킴으로써, 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물을 얻을 수도 있다.
[화학식 22]
Figure pct00022
또한 상기 합성 스킴(A-2)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 A는 총탄소수 12 내지 100의 기이고, 또한 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 플루오렌 고리, 페난트렌 고리, 트라이페닐렌 고리, 다이벤조싸이오펜 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 다이벤조퓨란 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 카바졸 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 벤즈이미다졸 고리, 트라이페닐아민 구조 중 어느 하나 또는 복수를 갖는다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.
또한 하기 합성 스킴(A-3)에 나타낸 바와 같이, 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격을 포함하는 트라이할로젠 화합물(C1)과, A의 보론산 화합물(A2)의 반응을 통하여 중간체(C2)를 얻고, R1의 보론산 화합물(C3)과의 반응을 통하여 중간체(C4)를 얻은 후, 보론산 화합물(B3)을 반응시킴으로써, 일반식(G1)으로 나타내어지는 유기 화합물을 얻을 수도 있다.
[화학식 23]
Figure pct00023
또한 상기 합성 스킴(A-3)에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 A는 총탄소수 12 내지 100의 기이고, 또한 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 플루오렌 고리, 페난트렌 고리, 트라이페닐렌 고리, 다이벤조싸이오펜 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 다이벤조퓨란 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 카바졸 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 벤즈이미다졸 고리, 트라이페닐아민 구조 중 어느 하나 또는 복수를 갖는다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다. 또한 B1은 보론산, 보론산 에스터, 또는 고리형 트라이올보레이트 염 등을 나타낸다. 또한 고리형 트라이올보레이트 염으로서는 리튬 염 외에 포타슘 염, 소듐 염을 사용하여도 좋다.
또한 상기 합성 스킴(A-1), 합성 스킴(A-2), 및 합성 스킴(A-3)에서 사용한, 8위에 치환기를 갖는 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격을 포함하는 할로젠 화합물(A1), A의 보론산 화합물(A2), 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격을 포함하는 다이할로젠 화합물(B1), 중간체(B2), 보론산 화합물(B3), 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격을 포함하는 트라이할로젠 화합물(C1), 중간체(C2), R1의 보론산 화합물(C3), 및 중간체(C4)는 다양한 종류가 시판되고 있거나, 또는 합성될 수 있기 때문에, 일반식(G1)으로 나타내어지는 벤조퓨로피리미딘 유도체 또는 벤조티에노피리미딘 유도체는 수많은 종류를 합성시킬 수 있다. 따라서 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 종류가 풍부하다는 특징이 있다.
여기까지 본 발명의 일 형태인 유기 화합물 및 그 합성 방법의 일례에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 다른 합성 방법을 사용하여 합성하여도 좋다.
본 실시형태에 기재된 구성은 다른 실시형태에 기재되는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 실시형태 1에서 설명한 유기 화합물을 사용한 발광 소자에 대하여 도 1을 사용하여 설명한다.
<<발광 소자의 기본적인 구조>>
우선, 발광 소자의 기본적인 구조에 대하여 설명한다. 도 1의 (A)에는 한 쌍의 전극 사이에 발광층을 포함하는 EL층을 갖는 발광 소자의 일례를 도시하였다. 구체적으로는, 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102) 사이에 EL층(103)이 끼워진 구조를 갖는다.
또한 도 1의 (B)에는 한 쌍의 전극 사이에 복수(도 1의 (B)에서는 2층)의 EL층(103a, 103b)을 갖고, EL층 사이에 전하 발생층(104)을 갖는 적층 구조(탠덤 구조)의 발광 소자의 일례를 도시하였다. 탠덤 구조의 발광 소자는 저전압 구동이 가능하고 소비전력이 낮은 발광 장치를 실현할 수 있다.
전하 발생층(104)은 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102)에 전압이 인가되었을 때에, 한쪽 EL층(103a 또는 103b)에 전자를 주입하고, 다른 쪽 EL층(103b 또는 103a)에 정공을 주입하는 기능을 갖는다. 따라서 도 1의 (B)에서 제 1 전극(101)에 제 2 전극(102)보다 전위가 높아지도록 전압을 인가하면, 전하 발생층(104)으로부터 EL층(103a)에 전자가 주입되고, EL층(103b)에 정공이 주입된다.
또한 전하 발생층(104)은 광 추출 효율의 관점에서 가시광에 대하여 투광성을 갖는(구체적으로는, 전하 발생층(104)에 대한 가시광의 투과율이 40% 이상) 것이 바람직하다. 또한 전하 발생층(104)은 제 1 전극(101)이나 제 2 전극(102)보다 도전율이 낮아도 기능한다.
또한 도 1의 (C)에는 도 1의 (A)에 도시된 EL층(103)(도 1의 (B)의 EL층(103a, 103b)이 적층 구조를 갖는 경우도 미찬가지임)이 적층 구조를 갖는 경우의 일례를 도시하였다. 다만 이 경우, 제 1 전극(101)은 양극으로서 기능하는 것으로 한다. EL층(103)은 제 1 전극(101) 위에 정공(홀) 주입층(111), 정공(홀) 수송층(112), 발광층(113), 전자 수송층(114), 전자 주입층(115)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다. 또한 도 1의 (B)에 도시된 탠덤 구조와 같이 복수의 EL층을 갖는 경우에도, 각 EL층은 양극 쪽에서 상술한 바와 같이 순차적으로 적층되는 구조를 갖는 것으로 한다. 또한 제 1 전극(101)이 음극이고, 제 2 전극(102)이 양극인 경우에는, EL층의 적층 순서는 반대가 된다.
EL층(103, 103a, 103b)에 포함되는 발광층(113)은 각각 발광 물질이나 복수의 물질을 적절히 조합하여 포함하기 때문에, 원하는 발광색을 나타내는 형광 발광이나 인광 발광을 얻을 수 있는 구성으로 할 수 있다. 또한 발광층(113)을 발광색이 다른 적층 구조로 하여도 좋다. 또한 이 경우, 적층된 각 발광층에 사용되는 발광 물질이나 기타 물질에는 각각 다른 재료를 사용하면 좋다. 또한 도 1의 (B)에 도시된 복수의 EL층(103a, 103b)으로부터 각각 다른 발광색이 얻어지는 구성으로 하여도 좋다. 이 경우에도 각 발광층에 사용되는 발광 물질이나 기타 물질을 다른 재료로 하면 좋다.
또한 본 발명의 일 형태인 발광 소자에서, EL층(103, 103a, 103b)으로부터 얻어진 발광을 양쪽 전극 사이에서 공진시킴으로써, 얻어지는 발광을 강하게 하는 구성으로 하여도 좋다. 예를 들어 도 1의 (C)에서 제 1 전극(101)을 반사 전극으로 하고, 제 2 전극(102)을 반투과·반반사 전극으로 함으로써 미소광 공진기(마이크로캐비티) 구조가 형성되어, EL층(103)으로부터 얻어지는 발광을 강하게 할 수 있다.
또한 발광 소자의 제 1 전극(101)이 반사성을 갖는 도전성 재료와 투광성을 갖는 도전성 재료(투명 도전막)의 적층 구조로 이루어지는 반사 전극인 경우, 투명 도전막의 막 두께를 제어함으로써 광학 조정을 할 수 있다. 구체적으로는, 발광층(113)으로부터 얻어지는 광의 파장 λ에 대하여 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102)의 전극 간 거리가 mλ/2(다만 m은 자연수) 근방이 되도록 조정하는 것이 바람직하다.
또한 발광층(113)으로부터 얻어지는 원하는 광(파장: λ)을 증폭시키기 위하여, 제 1 전극(101)으로부터 발광층(113)의 원하는 광이 얻어지는 영역(발광 영역)까지의 광학 거리와, 제 2 전극(102)으로부터 발광층(113)의 원하는 광이 얻어지는 영역(발광 영역)까지의 광학 거리를 각각 (2m'+1)λ/4(다만 m'은 자연수) 근방이 되도록 조절하는 것이 바람직하다. 또한 여기서 발광 영역이란 발광층(113)에서의 정공(홀)과 전자의 재결합 영역을 말한다.
이와 같은 광학 조정을 함으로써, 발광층(113)으로부터 얻어지는 특정한 단색광의 스펙트럼을 협선화(狹線化)하여 색 순도가 좋은 발광을 얻을 수 있다.
다만 상술한 경우, 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102) 사이의 광학 거리는 엄밀하게는 제 1 전극(101)에서의 반사 영역으로부터 제 2 전극(102)에서의 반사 영역까지의 총두께라고 할 수 있다. 그러나 제 1 전극(101)이나 제 2 전극(102)에서의 반사 영역을 엄밀하게 결정하는 것은 어렵기 때문에, 제 1 전극(101)과 제 2 전극(102)의 임의의 위치를 반사 영역으로 가정함으로써, 상술한 효과를 충분히 얻을 수 있는 것으로 한다. 또한 제 1 전극(101)과, 원하는 광이 얻어지는 발광층 사이의 광학 거리는, 엄밀하게는 제 1 전극(101)에서의 반사 영역과, 원하는 광이 얻어지는 발광층에서의 발광 영역 사이의 광학 거리라고 할 수 있다. 그러나 제 1 전극(101)에서의 반사 영역이나, 원하는 광이 얻어지는 발광층에서의 발광 영역을 엄밀하게 결정하는 것은 어렵기 때문에, 제 1 전극(101)의 임의의 위치를 반사 영역으로, 원하는 광이 얻어지는 발광층의 임의의 위치를 발광 영역으로 가정함으로써, 상술한 효과를 충분히 얻을 수 있는 것으로 한다.
도 1의 (C)에 도시된 발광 소자가 마이크로캐비티 구조를 갖는 경우, EL층이 공통의 것이어도 파장이 다른 광(단색광)을 추출할 수 있다. 따라서 다른 발광색을 얻기 위한 구분 착색(예를 들어 RGB)이 불필요하고, 고정세(高精細)화를 할 수 있다. 또한 착색층(컬러 필터)과 조합할 수도 있다. 또한 정면 방향에서의 특정 파장의 발광 강도를 높일 수 있기 때문에, 저소비전력화를 도모할 수 있다.
도 1의 (E)에 도시된 발광 소자는, 도 1의 (B)에 도시된 탠덤 구조의 발광 소자의 일례이며, 도면에 도시된 바와 같이 3개의 EL층(103a, 103b, 103c)이 전하 발생층(104a, 104b)을 개재(介在)하여 적층되는 구조를 갖는다. 또한 3개의 EL층(103a, 103b, 103c)은 각각 발광층(113a, 113b, 113c)을 갖고 있으며, 각 발광층의 발광색은 자유로이 조합할 수 있다. 예를 들어 발광층(113a)을 청색으로, 발광층(113b)을 적색, 녹색, 및 황색 중 어느 색으로, 발광층(113c)을 청색으로 할 수 있지만, 발광층(113a)을 적색으로, 발광층(113b)을 청색, 녹색, 및 황색 중 어느 색으로, 발광층(113c)을 적색으로 할 수도 있다.
또한 상술한 본 발명의 일 형태인 발광 소자에서, 제 1 전극(101) 및 제 2 전극(102) 중 적어도 한쪽을 투광성을 갖는 전극(투명 전극, 반투과·반반사 전극 등)으로 한다. 투광성을 갖는 전극이 투명 전극인 경우, 투명 전극의 가시광의 투과율은 40% 이상으로 한다. 또한 반투과·반반사 전극인 경우, 반투과·반반사 전극의 가시광의 반사율은 20% 이상 80% 이하, 바람직하게는 40% 이상 70% 이하로 한다. 또한 이들 전극은 저항률을 1Х10-2Ωcm 이하로 하는 것이 바람직하다.
또한 상술한 본 발명의 일 형태인 발광 소자에서, 제 1 전극(101) 및 제 2 전극(102) 중 한쪽이 반사성을 갖는 전극(반사 전극)인 경우, 반사성을 갖는 전극의 가시광의 반사율은 40% 이상 100% 이하, 바람직하게는 70% 이상 100% 이하로 한다. 또한 이 전극은 저항률을 1Х10-2Ωcm 이하로 하는 것이 바람직하다.
<<발광 소자의 구체적인 구조 및 제작 방법>>
다음으로, 본 발명의 일 형태이고, 도 1에 도시된 발광 소자의 구체적인 구조 및 제작 방법에 대하여 설명한다. 또한 여기서는 도 1의 (A)나 (C)에 도시된 바와 같이 EL층(103)이 단층 구조인 발광 소자뿐만 아니라, 도 1의 (B), (D), 및 (E)에 도시된 탠덤 구조의 발광 소자에 대해서도 함께 설명한다. 또한 도 1에 도시된 각 발광 소자가 마이크로캐비티 구조를 갖는 경우, 예를 들어 제 1 전극(101)을 반사 전극으로서 형성하고, 제 2 전극(102)을 반투과·반반사 전극으로서 형성하면 좋다. 또한 원하는 전극 재료를 하나 또는 복수로 사용하여 단층 또는 적층하여 형성할 수 있다. 또한 제 2 전극(102)은 EL층(103, 103b)을 형성한 후, 상술한 바와 같이 재료를 선택하여 형성된다. 또한 이들 전극의 제작에는 스퍼터링법이나 진공 증착법을 사용할 수 있다.
<제 1 전극 및 제 2 전극>
제 1 전극(101) 및 제 2 전극(102)을 형성하는 재료로서는, 상술한 양쪽 전극의 기능을 만족시킬 수 있다면 이하에 제시하는 재료를 적절히 조합하여 사용할 수 있다. 예를 들어 금속, 합금, 전기 전도성 화합물, 및 이들의 혼합물 등을 적절히 사용할 수 있다. 구체적으로는, In-Sn 산화물(ITO라고도 함), In-Si-Sn 산화물(ITSO라고도 함), In-Zn 산화물, In-W-Zn 산화물을 들 수 있다. 그 외에, 알루미늄(Al), 타이타늄(Ti), 크로뮴(Cr), 망가니즈(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 인듐(In), 주석(Sn), 몰리브데넘(Mo), 탄탈럼(Ta), 텅스텐(W), 팔라듐(Pd), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 이트륨(Y), 네오디뮴(Nd) 등의 금속, 및 이들을 적절히 조합하여 포함하는 합금을 사용할 수도 있다. 그 외에, 위에서 예시하지 않은 원소 주기율표의 1족 또는 2족에 속하는 원소(예를 들어 리튬(Li), 세슘(Cs), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr)), 유로퓸(Eu), 이터븀(Yb) 등의 희토류 금속 및 이들을 적절히 조합하여 포함하는 합금, 그리고 그래핀 등을 사용할 수 있다.
도 1에 도시된 발광 소자에서, 도 1의 (C)와 같이 적층 구조를 갖는 EL층(103)을 갖고, 제 1 전극(101)이 양극인 경우, 제 1 전극(101) 위에 EL층(103)의 정공 주입층(111), 정공 수송층(112)이 진공 증착법에 의하여 순차적으로 적층 형성된다. 또한 도 1의 (D)와 같이 적층 구조를 갖는 복수의 EL층(103a, 103b)이 전하 발생층(104)을 끼워 적층되고, 제 1 전극(101)이 양극인 경우에는, 제 1 전극(101) 위에 EL층(103a)의 정공 주입층(111a), 정공 수송층(112a)이 진공 증착법에 의하여 순차적으로 적층 형성될 뿐만 아니라 EL층(103a), 전하 발생층(104)이 순차적으로 적층 형성된 후, 전하 발생층(104) 위에 EL층(103b)의 정공 주입층(111b), 정공 수송층(112b)이 마찬가지로 순차적으로 적층 형성된다.
<정공 주입층 및 정공 수송층>
정공 주입층(111, 111a, 111b)은 양극인 제 1 전극(101)이나 전하 발생층(104)으로부터 EL층(103, 103a, 103b)에 정공(홀)을 주입하는 층이고, 정공 주입성이 높은 재료를 포함하는 층이다.
정공 주입성이 높은 재료로서는, 몰리브데넘 산화물이나 바나듐 산화물, 루테늄 산화물, 텅스텐 산화물, 망가니즈 산화물 등의 전이 금속 산화물을 들 수 있다. 그 외에, 프탈로사이아닌(약칭: H2Pc)이나 구리 프탈로사이아닌(약칭: CuPC) 등의 프탈로사이아닌계 화합물 등을 사용할 수 있다.
또한 저분자 화합물인 4,4',4''-트리스(N,N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: MTDATA), 4,4'-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DPAB), 4,4'-비스(N-{4-[N'-(3-메틸페닐)-N'-페닐아미노]페닐}-N-페닐아미노)바이페닐(약칭: DNTPD), 1,3,5-트리스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭: DPA3B), 3-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카바졸-3-일)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCN1) 등의 방향족 아민 화합물 등을 사용할 수 있다.
또한 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등)인 폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-다이페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아마이드](약칭: PTPDMA), 폴리[N,N'-비스(4-뷰틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등을 사용할 수 있다. 또는 폴리(3,4-에틸렌다이옥시싸이오펜)/폴리(스타이렌설폰산)(약칭: PEDOT/PSS), 폴리아닐린/폴리(스타이렌설폰산)(PAni/PSS) 등의 산을 첨가한 고분자계 화합물 등을 사용할 수도 있다.
또한 정공 주입성이 높은 재료로서는 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 포함하는 복합 재료를 사용할 수도 있다. 이 경우, 억셉터성 재료에 의하여 정공 수송성 재료로부터 전자가 추출되어 정공 주입층(111, 111a, 111b)에서 정공이 발생되고, 정공 수송층(112, 112a, 112b)을 통하여 발광층(113, 113a, 113b)에 정공이 주입된다. 또한 정공 주입층(111, 111a, 111b)은 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 포함하는 복합 재료로 이루어지는 단층으로 형성하여도 좋지만, 정공 수송성 재료와 억셉터성 재료(전자 수용성 재료)를 각각 다른 층으로 적층하여 형성하여도 좋다.
정공 수송층(112, 112a, 112b)은 정공 주입층(111, 111a, 111b)에 의하여 제 1 전극(101)으로부터 주입된 정공을 발광층(113, 113a, 113b)으로 수송하는 층이다. 또한 정공 수송층(112, 112a, 112b)은 정공 수송성 재료를 포함하는 층이다. 정공 수송층(112, 112a, 112b)에 사용되는 정공 수송성 재료로서는, 특히 정공 주입층(111, 111a, 111b)과 동일한 HOMO 준위 또는 가까운 HOMO 준위를 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다.
정공 주입층(111, 111a, 111b)에 사용되는 억셉터성 재료로서는, 원소 주기율표의 4족 내지 8족에 속하는 금속의 산화물을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 산화 몰리브데넘, 산화 바나듐, 산화 나이오븀, 산화 탄탈럼, 산화 크로뮴, 산화 텅스텐, 산화 망가니즈, 산화 레늄을 들 수 있다. 이 중에서도 특히, 산화 몰리브데넘은 대기 중에서도 안정적이고, 흡습성이 낮아 취급하기 쉽기 때문에 바람직하다. 그 외에, 퀴노다이메테인 유도체나 클로라닐 유도체, 헥사아자트라이페닐렌 유도체 등의 유기 억셉터를 사용할 수 있다. 전자 흡인기(할로젠기나 사이아노기)를 갖는 것으로서는, 7,7,8,8-테트라사이아노-2,3,5,6-테트라플루오로퀴노다이메테인(약칭: F4-TCNQ), 클로라닐, 2,3,6,7,10,11-헥사사이아노-1,4,5,8,9,12-헥사아자트라이페닐렌(약칭: HAT-CN), 1,3,4,5,7,8-헥사플루오로테트라사이아노-나프토퀴노다이메테인(약칭: F6-TCNNQ) 등을 들 수 있다. 특히 HAT-CN과 같이, 헤테로 원자를 복수로 갖는 축합 방향족 고리에 전자 흡인기가 결합된 화합물이 열적으로 안정적이므로 바람직하다. 또한 전자 흡인기(특히 플루오로기와 같은 할로젠기나 사이아노기)를 갖는 [3]라디알렌 유도체는 전자 수용성이 매우 높기 때문에 바람직하고, 구체적으로는 α,α',α''-1,2,3-사이클로프로페인트라이일리덴트리스[4-사이아노-2,3,5,6-테트라플루오로벤젠아세토나이트릴], α,α',α''-1,2,3-사이클로프로페인트라이일리덴트리스[2,6-다이클로로-3,5-다이플루오로-4-(트라이플루오로메틸)벤젠아세토나이트릴], α,α',α''-1,2,3-사이클로프로페인트라이일리덴트리스[2,3,4,5,6-펜타플루오로벤젠아세토나이트릴] 등을 들 수 있다.
정공 주입층(111, 111a, 111b) 및 정공 수송층(112, 112a, 112b)에 사용되는 정공 수송성 재료로서는 정공 이동도가 10-6cm2/Vs 이상인 물질이 바람직하다. 또한 전자보다 정공의 수송성이 높은 물질이면 이들 외의 물질을 사용할 수 있다.
정공 수송성 재료로서는, ð전자 과잉형 헤테로 방향족 화합물(예를 들어 카바졸 유도체, 퓨란 유도체, 및 싸이오펜 유도체)이나 방향족 아민(방향족 아민 골격을 갖는 화합물) 등 정공 수송성이 높은 재료가 바람직하다.
상기 카바졸 유도체(카바졸 골격을 갖는 화합물)로서는, 바이카바졸 유도체(예를 들어 3,3'-바이카바졸 유도체), 카바졸릴기를 갖는 방향족 아민 등을 들 수 있다.
또한 바이카바졸 유도체(예를 들어 3,3'-바이카바졸 유도체)로서는, 구체적으로 3,3'-비스(9-페닐-9H-카바졸)(약칭: PCCP), 9,9'-비스(1,1'-바이페닐-4-일)-3,3'-바이-9H-카바졸, 9,9'-비스(1,1'-바이페닐-3-일)-3,3'-바이-9H-카바졸, 9-(1,1'-바이페닐-3-일)-9'-(1,1'-바이페닐-4-일)-9H,9'H-3,3'-바이카바졸(약칭: mBPCCBP), 9-(2-나프틸)-9'-페닐-9H,9'H-3,3'-바이카바졸(약칭: βNCCP) 등을 들 수 있다.
또한 카바졸릴기를 갖는 방향족 아민으로서는, 구체적으로 4-페닐-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBA1BP), N-(4-바이페닐)-N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCBiF), N-(1,1'-바이페닐-4-일)-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-아민(약칭: PCBBiF), 4,4'-다이페닐-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBBi1BP), 4-(1-나프틸)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBANB), 4,4'-다이(1-나프틸)-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBNBB), 4-페닐다이페닐-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)아민(약칭: PCA1BP), N,N'-비스(9-페닐카바졸-3-일)-N,N'-다이페닐벤젠-1,3-다이아민(약칭: PCA2B), N,N',N''-트라이페닐-N,N',N''-트리스(9-페닐카바졸-3-일)벤젠-1,3,5-트라이아민(약칭: PCA3B), 9,9-다이메틸-N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]플루오렌-2-아민(약칭: PCBAF), N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-아민(약칭: PCBASF), 3-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA2), 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카바졸-3-일)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCN1), 3-[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzDPA1), 3,6-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzDPA2), 3,6-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-(1-나프틸)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzTPN2), 2-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]스파이로-9,9'-바이플루오렌(약칭: PCASF), N-[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N-(4-페닐)페닐아닐린(약칭: YGA1BP), N,N'-비스[4-(카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐-9,9-다이메틸플루오렌-2,7-다이아민(약칭: YGA2F), 4,4',4''-트리스(카바졸-9-일)트라이페닐아민(약칭: TCTA) 등을 들 수 있다.
카바졸 유도체로서는, 상술한 것에 더하여 3-[4-(9-페난트릴)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPPn), 3-[4-(1-나프틸)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPN), 1,3-비스(N-카바졸릴)벤젠(약칭: mCP), 4,4'-다이(N-카바졸릴)바이페닐(약칭: CBP), 3,6-비스(3,5-다이페닐페닐)-9-페닐카바졸(약칭: CzTP), 1,3,5-트리스[4-(N-카바졸릴)페닐]벤젠(약칭: TCPB), 9-[4-(10-페닐-9-안트라센일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA) 등을 들 수 있다.
상기 싸이오펜 유도체 및 퓨란 유도체로서는, 구체적으로 1,3,5-트라이(다이벤조싸이오펜-4-일)벤젠(약칭: DBT3P-II), 2,8-다이페닐-4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-III), 4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]-6-페닐다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-IV) 등의 싸이오펜 골격을 갖는 화합물, 4,4',4''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이(다이벤조퓨란)(약칭: DBF3P-II), 4-{3-[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]페닐}다이벤조퓨란(약칭: mmDBFFLBi-II) 등의 퓨란 골격을 갖는 화합물 등을 들 수 있다.
상기 방향족 아민으로서는, 구체적으로 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: NPB 또는 α-NPD), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(약칭: TPD), 4,4'-비스[N-(스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: BSPB), 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: BPAFLP), 4-페닐-3'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: mBPAFLP), N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)-N-{9,9-다이메틸-2-[N'-페닐-N'-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)아미노]-9H-플루오렌-7-일}페닐아민(약칭: DFLADFL), N-(9,9-다이메틸-2-다이페닐아미노-9H-플루오렌-7-일)다이페닐아민(약칭: DPNF), 2-[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]스파이로-9,9'-바이플루오렌(약칭: DPASF), 2,7-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]스파이로-9,9'-바이플루오렌(약칭: DPA2SF), 4,4',4''-트리스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: 1-TNATA), 4,4',4''-트리스(N,N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: m-MTDATA), N,N'-다이(p-톨릴)-N,N'-다이페닐-p-페닐렌다이아민(약칭: DTDPPA), 4,4'-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DPAB), N,N'-비스{4-[비스(3-메틸페닐)아미노]페닐}-N,N'-다이페닐-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(약칭: DNTPD), 1,3,5-트리스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭: DPA3B) 등을 들 수 있다.
정공 수송성 재료로서는, 폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-다이페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아마이드](약칭: PTPDMA), 폴리[N,N'-비스(4-뷰틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: Poly-TPD) 등의 고분자 화합물을 사용할 수도 있다.
다만 정공 수송성 재료는 상술한 것에 한정되지 않고, 공지의 다양한 재료를 한 종류 또는 복수 종류 조합하여 정공 수송성 재료로서 정공 주입층(111, 111a, 111b) 및 정공 수송층(112, 112a, 112b)에 사용할 수 있다. 또한 정공 수송층(112, 112a, 112b)은 각각 복수의 층으로 형성되어도 좋다. 즉, 예를 들어 제 1 정공 수송층과 제 2 정공 수송층이 적층되어도 좋다.
도 1에 도시된 발광 소자에서는, EL층(103, 103a)의 정공 수송층(112, 112a) 위에 발광층(113, 113a)이 진공 증착법에 의하여 형성된다. 또한 도 1의 (D)에 도시된 탠덤 구조의 발광 소자의 경우에는, EL층(103a) 및 전하 발생층(104)이 형성된 후, EL층(103b)의 정공 수송층(112b) 위에도 발광층(113b)이 진공 증착법에 의하여 형성된다.
<발광층>
발광층(113, 113a, 113b, 113c)은 발광 물질을 포함하는 층이다. 또한 발광 물질로서는 청색, 자색, 청자색, 녹색, 황록색, 황색, 주황색, 적색 등의 발광색을 나타내는 물질을 적절히 사용한다. 또한 복수의 발광층(113a, 113b, 113c)에 상이한 발광 물질을 사용함으로써, 상이한 발광색을 나타내는 구성(예를 들어 보색 관계에 있는 발광색을 조합하여 얻어지는 백색 발광)으로 할 수 있다. 또한 하나의 발광층이 상이한 발광 물질을 포함하는 적층 구조이어도 좋다.
또한 발광층(113, 113a, 113b, 113c)은 발광 물질(게스트 재료)에 더하여 한 종류 또는 복수 종류의 유기 화합물(호스트 재료 등)을 가져도 좋다. 또한 한 종류 또는 복수 종류의 유기 화합물로서는, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물이나, 본 실시형태에서 설명하는 정공 수송성 재료 및 전자 수송성 재료 중 한쪽 또는 양쪽을 사용할 수 있다.
발광층(113, 113a, 113b, 113c)에 사용할 수 있는 발광 물질에 특별한 제한은 없고, 단일항 여기 에너지를 가시광 영역의 발광으로 변환하는 발광 물질, 또는 삼중항 여기 에너지를 가시광 영역의 발광으로 변환하는 발광 물질을 사용할 수 있다.
또한 다른 발광 물질의 예를 이하에서 제시한다.
단일항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 발광 물질로서는, 형광을 발하는 물질(형광 재료)을 들 수 있고, 예를 들어 피렌 유도체, 안트라센 유도체, 트라이페닐렌 유도체, 플루오렌 유도체, 카바졸 유도체, 다이벤조싸이오펜 유도체, 다이벤조퓨란 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 페난트렌 유도체, 나프탈렌 유도체 등이 있다. 특히 피렌 유도체는 발광 양자 수율이 높아 바람직하다. 피렌 유도체의 구체적인 예로서는, N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6mMemFLPAPrn), N,N'-다이페닐-N,N'-비스[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6FLPAPrn), N,N'-비스(다이벤조퓨란-2-일)-N,N'-다이페닐피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6FrAPrn), N,N'-비스(다이벤조싸이오펜-2-일)-N,N'-다이페닐피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6ThAPrn), N,N'-(피렌-1,6-다이일)비스[(N-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란)-6-아민](약칭: 1,6BnfAPrn), N,N'-(피렌-1,6-다이일)비스[(N-페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란)-8-아민](약칭: 1,6BnfAPrn-02), N,N'-(피렌-1,6-다이일)비스[(6,N-다이페닐벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란)-8-아민](약칭: 1,6BnfAPrn-03) 등을 들 수 있다.
그 외에도, 5,6-비스[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-2,2'-바이피리딘(약칭: PAP2BPy), 5,6-비스[4'-(10-페닐-9-안트릴)바이페닐-4-일]-2,2'-바이피리딘(약칭: PAPP2BPy), N,N'-비스[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐스틸벤-4,4'-다이아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(9,10-다이페닐-2-안트릴)트라이페닐아민(약칭: 2YGAPPA), N,9-다이페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPA), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBAPA), 4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBAPBA), 페릴렌, 2,5,8,11-테트라-tert-뷰틸페릴렌(약칭: TBP), N,N''-(2-tert-뷰틸안트라센-9,10-다이일다이-4,1-페닐렌)비스[N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민](약칭: DPABPA), N,9-다이페닐-N-[4-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPPA), N-[4-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPAPPA) 등을 사용할 수 있다.
또한 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 발광 물질로서는, 예를 들어 인광을 발하는 물질(인광 재료)이나 열 활성화 지연 형광을 발하는 열 활성화 지연 형광(Thermally activated delayed fluorescence: TADF) 재료가 있다.
인광 재료로서는 유기 금속 착체, 금속 착체(백금 착체), 희토류 금속 착체 등을 들 수 있다. 이들은 물질마다 다른 발광색(발광 피크)을 나타내기 때문에 필요에 따라 적절히 선택하여 사용한다.
청색 또는 녹색을 나타내고 발광 스펙트럼의 피크 파장이 450nm 이상 570nm 이하인 인광 재료로서는 다음과 같은 물질을 들 수 있다.
예를 들어, 트리스{2-[5-(2-메틸페닐)-4-(2,6-다이메틸페닐)-4H-1,2,4-트라이아졸-3-일-κN2]페닐-κC}이리듐(III)(약칭: [Ir(mpptz-dmp)3]), 트리스(5-메틸-3,4-다이페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(Mptz)3]), 트리스[4-(3-바이페닐)-5-아이소프로필-3-페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(iPrptz-3b)3]), 트리스[3-(5-바이페닐)-5-아이소프로필-4-페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(iPr5btz)3]) 등의 4H-트라이아졸 골격을 갖는 유기 금속 착체, 트리스[3-메틸-1-(2-메틸페닐)-5-페닐-1H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(Mptz1-mp)3]), 트리스(1-메틸-5-페닐-3-프로필-1H-1,2,4-트라이아졸레이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(Prptz1-Me)3]) 등의 1H-트라이아졸 골격을 갖는 유기 금속 착체, fac-트리스[1-(2,6-다이아이소프로필페닐)-2-페닐-1H-이미다졸]이리듐(III)(약칭: [Ir(iPrpmi)3]), 트리스[3-(2,6-다이메틸페닐)-7-메틸이미다조[1,2-f]페난트리디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(dmpimpt-Me)3]) 등의 이미다졸 골격을 갖는 유기 금속 착체, 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III)테트라키스(1-피라졸릴)보레이트(약칭: FIr6), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III)피콜리네이트(약칭: FIrpic), 비스{2-[3',5'-비스(트라이플루오로메틸)페닐]피리디네이토-N,C2'}이리듐(III)피콜리네이트(약칭: [Ir(CF3ppy)2(pic)]), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C2']이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: FIr(acac)) 등의 전자 흡인기를 갖는 페닐피리딘 유도체를 배위자로 하는 유기 금속 착체 등이 있다.
녹색 또는 황색을 나타내고 발광 스펙트럼의 피크 파장이 495nm 이상 590nm 이하인 인광 재료로서는 다음과 같은 물질을 들 수 있다.
예를 들어, 트리스(4-메틸-6-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppm)3]), 트리스(4-t-뷰틸-6-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tBuppm)3]), (아세틸아세토네이토)비스(6-메틸-4-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppm)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스(6-tert-뷰틸-4-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tBuppm)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스[6-(2-노보닐)-4-페닐피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(nbppm)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스[5-메틸-6-(2-메틸페닐)-4-페닐피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(mpmppm)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스{4,6-다이메틸-2-[6-(2,6-다이메틸페닐)-4-피리미딘일-κN3]페닐-κC}이리듐(III)(약칭: [Ir(dmppm-dmp)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스(4,6-다이페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(dppm)2(acac)]) 등의 피리미딘 골격을 갖는 유기 금속 이리듐 착체, (아세틸아세토네이토)비스(3,5-다이메틸-2-페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppr-Me)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스(5-아이소프로필-3-메틸-2-페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(mppr-iPr)2(acac)]) 등의 피라진 골격을 갖는 유기 금속 이리듐 착체, 트리스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III)(약칭: [Ir(ppy)3]), 비스(2-페닐피리디네이토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(ppy)2(acac)]), 비스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(bzq)2(acac)]), 트리스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(bzq)3]), 트리스(2-페닐퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III)(약칭: [Ir(pq)3]), 비스(2-페닐퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(pq)2(acac)]), 비스[2-(2-피리딘일-κN)페닐-κC][2-(4-페닐-2-피리딘일-κN)페닐-κC]이리듐(III)(약칭: [Ir(ppy)2(4dppy)]), 비스[2-(2-피리딘일-κN)페닐-κC][2-(4-메틸-5-페닐-2-피리딘일-κN)페닐-κC] 등의 피리딘 골격을 갖는 유기 금속 이리듐 착체, 비스(2,4-다이페닐-1,3-옥사졸레이토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(dpo)2(acac)]), 비스{2-[4'-(퍼플루오로페닐)페닐]피리디네이토-N,C2'}이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(p-PF-ph)2(acac)]), 비스(2-페닐벤조싸이아졸레이토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(bt)2(acac)]) 등의 유기 금속 착체 외에 트리스(아세틸아세토네이토)(모노페난트롤린)터븀(III)(약칭: [Tb(acac)3(Phen)]) 등의 희토류 금속 착체가 있다.
황색 또는 적색을 나타내고, 발광 스펙트럼의 피크 파장이 570nm 이상 750nm 이하인 인광 재료로서는 다음과 같은 물질을 들 수 있다.
예를 들어, (다이아이소뷰티릴메타네이토)비스[4,6-비스(3-메틸페닐)피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(5mdppm)2(dibm)]), 비스[4,6-비스(3-메틸페닐)피리미디네이토](다이피발로일메타네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(5mdppm)2(dpm)]), (다이피발로일메타네이토)비스[4,6-다이(나프탈렌-1-일)피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(d1npm)2(dpm)]) 등의 피리미딘 골격을 갖는 유기 금속 착체, (아세틸아세토네이토)비스(2,3,5-트라이페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tppr)2(acac)]), 비스(2,3,5-트라이페닐피라지네이토)(다이피발로일메타네이토)이리듐(III)(약칭: [Ir(tppr)2(dpm)]), 비스{4,6-다이메틸-2-[3-(3,5-다이메틸페닐)-5-페닐-2-피라진일-κN]페닐-κC}(2,6-다이메틸-3,5-헵테인다이오네이토-κ2O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmdppr-P)2(dibm)]), 비스{4,6-다이메틸-2-[5-(4-사이아노-2,6-다이메틸페닐)-3-(3,5-다이메틸페닐)-2-피라진일-κN]페닐-κC}(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵테인다이오네이토-κ2O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmdppr-dmCP)2(dpm)]), (아세틸아세토네이토)비스[2-메틸-3-페닐퀴녹살리네이토-N,C2']이리듐(III)(약칭: [Ir(mpq)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스(2,3-다이페닐퀴녹살리네이토-N,C2')이리듐(III)(약칭: [Ir(dpq)2(acac)]), (아세틸아세토네이토)비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리네이토]이리듐(III)(약칭: [Ir(Fdpq)2(acac)]) 등의 피라진 골격을 갖는 유기 금속 착체나, 트리스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III)(약칭: [Ir(piq)3]), 비스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: [Ir(piq)2(acac)]), 비스[4,6-다이메틸-2-(2-퀴놀린일-κN)페닐-κC](2,4-펜테인다이오네이토-κ2O,O')이리듐(III) 등의 피리딘 골격을 갖는 유기 금속 착체, 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린백금(II)(약칭: [PtOEP]) 등의 백금 착체, 트리스(1,3-다이페닐-1,3-프로페인다이오네이토)(모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: [Eu(DBM)3(Phen)]), 트리스[1-(2-테노일)-3,3,3-트라이플루오로아세토네이토](모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: [Eu(TTA)3(Phen)]) 등의 희토류 금속 착체가 있다.
발광층(113, 113a, 113b, 113c)에 사용하는 유기 화합물(호스트 재료 등)로서는, 발광 물질(게스트 재료)의 에너지 갭보다 큰 에너지 갭을 갖는 물질을 한 종류 또는 복수 종류 선택하여 사용하면 좋다.
따라서 발광층(113, 113a, 113b, 113c)에 사용하는 발광 물질이 형광 재료인 경우, 발광 물질과 조합하여 사용하는 유기 화합물(호스트 재료)로서, 단일항 여기 상태의 에너지 준위가 크고, 삼중항 여기 상태의 에너지 준위가 작은 유기 화합물을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 발광 물질과 조합하여 사용하는 유기 화합물(호스트 재료)로서는, 본 실시형태에서 설명하는 정공 수송성 재료(상술함)나 전자 수송성 재료(후술함)에 더하여, 바이폴러성 재료 등을 사용할 수 있다.
앞에서 제시한 구체적인 예와 일부 중복되지만, 발광 물질(형광 재료, 인광 재료)과의 바람직한 조합이라는 관점에서, 이하에 유기 화합물의 구체적인 예를 제시한다.
발광 물질이 형광 재료인 경우, 발광 물질과 조합하여 사용할 수 있는 유기 화합물(호스트 재료)로서는, 안트라센 유도체, 테트라센 유도체, 페난트렌 유도체, 피렌 유도체, 크리센 유도체, 다이벤조[g,p]크리센 유도체 등의 축합 다환 방향족 화합물을 들 수 있다.
또한 형광성 발광 물질과 조합하여 사용하는 유기 화합물(호스트 재료)의 구체적인 예로서는, 9-페닐-3-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: PCzPA), 3,6-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸(약칭: DPCzPA), 3-[4-(1-나프틸)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPN), 9,10-다이페닐안트라센(약칭: DPAnth), N,N-다이페닐-9-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: CzA1PA), 4-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: DPhPA), YGAPA, PCAPA, N,9-다이페닐-N-{4-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]페닐}-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPBA), N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), 6,12-다이메톡시-5,11-다이페닐크리센, N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-옥타페닐다이벤조[g,p]크리센-2,7,10,15-테트라아민(약칭: DBC1), 9-[4-(10-페닐-9-안트라센일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA), 7-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-7H-다이벤조[c,g]카바졸(약칭: cgDBCzPA), 6-[3-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-벤조[b]나프토[1,2-d]퓨란(약칭: 2mBnfPPA), 9-페닐-10-{4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)-바이페닐-4'-일}-안트라센(약칭: FLPPA), 9,10-비스(3,5-다이페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 2-tert-뷰틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 9,9'-바이안트릴(약칭: BANT), 9,9'-(스틸벤-3,3'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS), 9,9'-(스틸벤-4,4'-다이일)다이페난트렌(약칭: DPNS2), 1,3,5-트라이(1-피렌일)벤젠(약칭: TPB3), 5,12-다이페닐테트라센, 5,12-비스(바이페닐-2-일)테트라센 등을 들 수 있다.
또한 발광 물질이 인광 재료인 경우, 발광 물질과 조합하여 사용하는 유기 화합물(호스트 재료)로서는, 발광 물질의 삼중항 여기 에너지(기저 상태와 삼중항 여기 상태의 에너지 차이)보다 삼중항 여기 에너지가 큰 유기 화합물을 선택하면 좋다. 또한 들뜬 복합체를 형성하기 위하여 복수의 유기 화합물(예를 들어 제 1 호스트 재료 및 제 2 호스트 재료(또는 어시스트 재료) 등)을 발광 물질과 조합하여 사용하는 경우에는, 이들 복수의 유기 화합물을 인광 재료와 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.
이와 같은 구성으로 함으로써, 들뜬 복합체로부터 발광 물질로의 에너지 이동인 ExTET(Exciplex-Triplet Energy Transfer)를 사용한 발광을 효율적으로 얻을 수 있다. 또한 복수의 유기 화합물의 조합으로서는, 들뜬 복합체가 형성되기 쉬운 것이 좋고, 정공을 받기 쉬운 화합물(정공 수송성 재료)과 전자를 받기 쉬운 화합물(전자 수송성 재료)을 조합하는 것이 특히 바람직하다. 또한 실시형태 1에서 설명한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 삼중항 여기 상태가 안정적이기 때문에, 발광 물질이 인광 재료인 경우의 호스트 재료로서 적합하다. 특히 그 삼중항 여기 에너지 준위 때문에, 녹색 발광을 나타내는 인광 재료와 조합하여 사용하는 경우에 적합하다.
또한 발광 물질이 인광 재료인 경우에 발광 물질과 조합하여 사용할 수 있는 유기 화합물(호스트 재료, 어시스트 재료)로서는, 방향족 아민, 카바졸 유도체, 다이벤조싸이오펜 유도체, 다이벤조퓨란 유도체, 아연이나 알루미늄계 금속 착체, 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 퀴녹살린 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 피리미딘 유도체, 트라이아진 유도체, 피리딘 유도체, 바이피리딘 유도체, 페난트롤린 유도체 등을 들 수 있다.
또한 상술한 것 중에서 정공 수송성이 높은 유기 화합물인 방향족 아민(방향족 아민 골격을 갖는 화합물)의 구체적인 예로서는, 상술한 정공 수송성 재료의 구체적인 예와 같은 것을 들 수 있다.
또한 정공 수송성이 높은 유기 화합물인 카바졸 유도체의 구체적인 예로서는, 상술한 정공 수송성 재료의 구체적인 예와 같은 것을 들 수 있다.
또한 정공 수송성이 높은 유기 화합물인 다이벤조싸이오펜 유도체, 다이벤조퓨란 유도체의 구체적인 예로서는, 4-{3-[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]페닐}다이벤조퓨란(약칭: mmDBFFLBi-II), 4,4',4''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이(다이벤조퓨란)(약칭: DBF3P-II), 1,3,5-트라이(다이벤조싸이오펜-4-일)벤젠(약칭: DBT3P-II), 2,8-다이페닐-4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-III), 4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]-6-페닐다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-IV), 4-[3-(트라이페닐렌-2-일)페닐]다이벤조싸이오펜(약칭: mDBTPTp-II) 등을 들 수 있다.
또한 전자 수송성이 높은 유기 화합물인 아연이나 알루미늄계 금속 착체의 구체적인 예로서는, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq) 등의 퀴놀린 골격 또는 벤조퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체 등을 들 수 있다.
그 외에, 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등의 옥사졸계, 싸이아졸계 배위자를 갖는 금속 착체 등을 사용할 수도 있다.
또한 전자 수송성이 높은 유기 화합물인 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 퀴녹살린 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 페난트롤린 유도체의 구체적인 예로서는, 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 9-[4-(5-페닐-1,3,4-옥사다이아졸-2-일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CO11), 3-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-4-페닐-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트라이일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(약칭: TPBI), 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(약칭: mDBTBIm-II), 4,4'-비스(5-메틸벤즈옥사졸-2-일)스틸벤(약칭: BzOS), 바소페난트롤린(약칭: Bphen), 바소큐프로인(약칭: BCP), 2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(약칭: NBphen), 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTBPDBq-II), 2-[3'-(9H-카바졸-9-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mCzBPDBq), 2-[4-(3,6-다이페닐-9H-카바졸-9-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2CzPDBq-III), 7-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 7mDBTPDBq-II), 및 6-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 6mDBTPDBq-II) 등을 들 수 있다.
또한 전자 수송성이 높은 유기 화합물인 다이아진 골격을 갖는 헤테로 고리 화합물, 트라이아진 골격을 갖는 헤테로 고리 화합물, 피리딘 골격을 갖는 헤테로 고리 화합물의 구체적인 예로서는, 4,6-비스[3-(페난트렌-9-일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mPnP2Pm), 4,6-비스[3-(4-다이벤조싸이엔일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mDBTP2Pm-II), 4,6-비스[3-(9H-카바졸-9-일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mCzP2Pm), 2-{4-[3-(N-페닐-9H-카바졸-3-일)-9H-카바졸-9-일]페닐}-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PCCzPTzn), 9-[3-(4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진-2-일)페닐]-9'-페닐-2,3'-바이-9H-카바졸(약칭: mPCCzPTzn-02), 3,5-비스[3-(9H-카바졸-9-일)페닐]피리딘(약칭: 35DCzPPy), 1,3,5-트라이[3-(3-피리딜)페닐]벤젠(약칭: TmPyPB) 등을 들 수 있다.
또한 전자 수송성이 높은 유기 화합물로서는, 폴리(2,5-피리딘다이일)(약칭: PPy), 폴리[(9,9-다이헥실플루오렌-2,7-다이일)-co-(피리딘-3,5-다이일)](약칭: PF-Py), 폴리[(9,9-다이옥틸플루오렌-2,7-다이일)-co-(2,2'-바이피리딘-6,6'-다이일)](약칭: PF-BPy) 등의 고분자 화합물을 사용할 수도 있다.
또한 발광층(113, 113a, 113b, 113c)에 유기 화합물을 복수로 사용하는 경우, 들뜬 복합체를 형성하는 2종류의 화합물(제 1 화합물 및 제 2 화합물)과, 유기 금속 착체를 혼합시켜 사용하여도 좋다. 이 경우, 다양한 유기 화합물을 적절히 조합하여 사용할 수 있지만, 들뜬 복합체를 효율적으로 형성하기 위해서는, 정공을 받기 쉬운 화합물(정공 수송성 재료)과, 전자를 받기 쉬운 화합물(전자 수송성 재료)을 조합하는 것이 특히 바람직하다. 또한 정공 수송성 재료 및 전자 수송성 재료로서는, 구체적으로 본 실시형태에서 제시하는 재료를 사용할 수 있다. 이 구성에 의하여, 고효율, 저전압, 장수명을 동시에 실현할 수 있다.
TADF 재료란, 삼중항 여기 상태를 미량의 열 에너지에 의하여 단일항 여기 상태로 업 컨버트(역 항간 교차)할 수 있고, 단일항 여기 상태로부터의 발광(형광)을 효율적으로 나타내는 재료를 말한다. 또한 열 활성화 지연 형광이 효율적으로 얻어지는 조건으로서는 삼중항 여기 준위와 단일항 여기 준위의 에너지 차이가 0eV 이상 0.2eV 이하, 바람직하게는 0eV 이상 0.1eV 이하인 것을 들 수 있다. 또한 TADF 재료에서의 지연 형광이란, 통상의 형광과 같은 스펙트럼을 가지면서도 수명이 현저히 긴 발광을 말한다. 그 수명은 10-6초 이상, 바람직하게는 10-3초 이상이다.
TADF 재료로서는, 예를 들어 풀러렌이나 그 유도체, 프로플라빈 등의 아크리딘 유도체, 에오신 등이 있다. 또한 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 주석(Sn), 백금(Pt), 인듐(In), 또는 팔라듐(Pd) 등을 포함하는 금속 함유 포르피린을 들 수 있다. 금속 함유 포르피린으로서는, 예를 들어 프로토포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF2(Proto IX)), 메소포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF2(Meso IX)), 헤마토포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF2(Hemato IX)), 코프로포르피린테트라메틸에스터-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF2(Copro III-4Me)), 옥타에틸포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF2(OEP)), 에티오포르피린-플루오린화 주석 착체(약칭: SnF2(Etio I)), 옥타에틸포르피린-염화 백금 착체(약칭: PtCl2OEP) 등이 있다.
그 외에도, 2-(바이페닐-4-일)-4,6-비스(12-페닐인돌로[2,3-a]카바졸-11-일)-1,3,5-트라이아진(약칭: PIC-TRZ), 2-{4-[3-(N-페닐-9H-카바졸-3-일)-9H-카바졸-9-일]페닐}-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PCCzPTzn), 2-[4-(10H-페녹사진-10-일)페닐]-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PXZ-TRZ), 3-[4-(5-페닐-5,10-다이하이드로페나진-10-일)페닐]-4,5-다이페닐-1,2,4-트라이아졸(약칭: PPZ-3TPT), 3-(9,9-다이메틸-9H-아크리딘-10-일)-9H-크산텐-9-온(약칭: ACRXTN), 비스[4-(9,9-다이메틸-9,10-다이하이드로아크리딘)페닐]설폰(약칭: DMAC-DPS), 10-페닐-10H,10'H-스파이로[아크리딘-9,9'-안트라센]-10'-온(약칭: ACRSA) 등의 π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리 및 π전자 부족형 헤테로 방향족 고리를 갖는 헤테로 고리 화합물을 사용할 수 있다. 또한 π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리와 π전자 부족형 헤테로 방향족 고리가 직접 결합된 물질은 π전자 과잉형 헤테로 방향족 고리의 도너성과 π전자 부족형 헤테로 방향족 고리의 억셉터성이 모두 강해져, 단일항 여기 상태와 삼중항 여기 상태의 에너지 차이가 작아지기 때문에 특히 바람직하다.
또한 TADF 재료를 사용하는 경우, 다른 유기 화합물과 조합하여 사용할 수도 있다. 특히, 상술한 호스트 재료, 정공 수송성 재료, 전자 수송성 재료와 조합할 수 있고, 실시형태 1에서 설명한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물을 TADF 재료에 대한 호스트 재료로서 사용하는 것이 바람직하다.
또한 상기 재료는 저분자 재료나 고분자 재료와 조합함으로써 발광층(113, 113a, 113b, 113c)의 형성에 사용할 수 있다. 또한 성막에는 공지의 방법(증착법이나 도포법이나 인쇄법 등)을 적절히 사용할 수 있다.
도 1에 도시된 발광 소자에서, EL층(103, 103a)의 발광층(113, 113a) 위에 전자 수송층(114, 114a)이 형성된다. 또한 도 1의 (D)에 도시된 탠덤 구조의 발광 소자의 경우에는, EL층(103a) 및 전하 발생층(104)이 형성된 후, EL층(103b)의 발광층(113b) 위에도 전자 수송층(114b)이 형성된다.
<전자 수송층>
전자 수송층(114, 114a, 114b)은 전자 주입층(115, 115a, 115b)에 의하여 제 2 전극(102)으로부터 주입된 전자를 발광층(113, 113a, 113b)으로 수송하는 층이다. 또한 전자 수송층(114, 114a, 114b)은 전자 수송성 재료를 포함하는 층이다. 전자 수송층(114, 114a, 114b)에 사용하는 전자 수송성 재료는 전자 이동도가 1Х10-6cm2/Vs 이상의 물질인 것이 바람직하다. 또한 정공보다 전자의 수송성이 높은 물질이면, 이들 외의 물질을 사용할 수 있다. 또한 실시형태 1에서 설명한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물은 전자 수송성이 우수하기 때문에, 전자 수송층으로서도 이용 가능하다.
전자 수송성 재료로서는, 퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체, 벤조퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체, 옥사졸 골격을 갖는 금속 착체, 싸이아졸 골격을 갖는 금속 착체 등 외에, 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 이미다졸 유도체, 옥사졸 유도체, 싸이아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 퀴놀린 배위자를 갖는 퀴놀린 유도체, 벤조퀴놀린 유도체, 퀴녹살린 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 피리딘 유도체, 바이피리딘 유도체, 피리미딘 유도체, 그 외에 질소 함유 헤테로 방향족 화합물을 포함하는 ð전자 부족형 헤테로 방향족 화합물 등의 전자 수송성이 높은 재료를 사용할 수 있다.
전자 수송성 재료의 구체적인 예로서는, 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Alq3), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq) 등의 퀴놀린 골격 또는 벤조퀴놀린 골격을 갖는 금속 착체, 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnPBO), 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ), 비스[2-(2-하이드록시페닐)벤조싸이아졸레이토] 아연(II)(약칭: Zn(BTZ)2) 등의 옥사졸 골격 또는 싸이아졸 골격을 갖는 금속 착체 등을 들 수 있다.
또한 금속 착체 외에도 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 9-[4-(5-페닐-1,3,4-옥사다이아졸-2-일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CO11) 등의 옥사다이아졸 유도체, 3-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-4-페닐-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 3-(4-tert-뷰틸페닐)-4-(4-에틸페닐)-5-(4-바이페닐릴)-1,2,4-트라이아졸(약칭: p-EtTAZ) 등의 트라이아졸 유도체, 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트라이일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(약칭: TPBI), 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(약칭: mDBTBIm-II) 등의 이미다졸 유도체(벤즈이미다졸 유도체를 포함함)나, 4,4'-비스(5-메틸벤즈옥사졸-2-일)스틸벤(약칭: BzOS) 등의 옥사졸 유도체, 바소페난트롤린(약칭: Bphen), 바소큐프로인(약칭: BCP), 2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(약칭: NBphen) 등의 페난트롤린 유도체, 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTBPDBq-II), 2-[3'-(9H-카바졸-9-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mCzBPDBq), 2-[4-(3,6-다이페닐-9H-카바졸-9-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2CzPDBq-III), 7-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 7mDBTPDBq-II), 및 6-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 6mDBTPDBq-II) 등의 퀴녹살린 유도체, 또는 다이벤조퀴녹살린 유도체, 3,5-비스[3-(9H-카바졸-9-일)페닐]피리딘(약칭: 35DCzPPy), 1,3,5-트라이[3-(3-피리딜)페닐]벤젠(약칭: TmPyPB) 등의 피리딘 유도체, 4,6-비스[3-(페난트렌-9-일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mPnP2Pm), 4,6-비스[3-(4-다이벤조싸이엔일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mDBTP2Pm-II), 4,6-비스[3-(9H-카바졸-9-일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mCzP2Pm) 등의 피리미딘 유도체, 2-{4-[3-(N-페닐-9H-카바졸-3-일)-9H-카바졸-9-일]페닐}-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PCCzPTzn) 등의 트라이아진 유도체를 사용할 수 있다.
또한 폴리(2,5-피리딘다이일)(약칭: PPy), 폴리[(9,9-다이헥실플루오렌-2,7-다이일)-co-(피리딘-3,5-다이일)](약칭: PF-Py), 폴리[(9,9-다이옥틸플루오렌-2,7-다이일)-co-(2,2'-바이피리딘-6,6'-다이일)](약칭: PF-BPy) 등의 고분자 화합물을 사용할 수도 있다.
또한 전자 수송층(114, 114a, 114b)은 단층뿐만 아니라, 상기 물질로 이루어지는 층이 2층 이상 적층된 구조이어도 좋다.
다음으로, 도 1의 (D)에 도시된 발광 소자에서, EL층(103a)의 전자 수송층(114a) 위에 전자 주입층(115a)이 진공 증착법에 의하여 형성된다. 그 후, EL층(103a) 및 전하 발생층(104)이 형성되고, EL층(103b)의 전자 수송층(114b)까지 형성된 후, 그 위에 전자 주입층(115b)이 진공 증착법에 의하여 형성된다.
<전자 주입층>
전자 주입층(115, 115a, 115b)은 전자 주입성이 높은 물질을 포함한 층이다. 전자 주입층(115, 115a, 115b)에는 플루오린화 리튬(LiF), 플루오린화 세슘(CsF), 플루오린화 칼슘(CaF2), 리튬 산화물(LiOx) 등의 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 이들의 화합물을 사용할 수 있다. 또한 플루오린화 어븀(ErF3) 등의 희토류 금속 화합물을 사용할 수 있다. 또한 전자 주입층(115, 115a, 115b)에 전자화물(electride)을 사용하여도 좋다. 전자화물로서는, 예를 들어 칼슘과 알루미늄의 혼합 산화물에 전자를 고농도로 첨가한 물질 등이 있다. 또한 상술한 전자 수송층(114, 114a, 114b)을 구성하는 물질을 사용할 수도 있다.
또한 전자 주입층(115, 115a, 115b)에, 유기 화합물과 전자 공여체(도너)를 혼합하여 이루어지는 복합 재료를 사용하여도 좋다. 이와 같은 복합 재료는, 전자 공여체에 의하여 유기 화합물에 전자가 발생하기 때문에, 전자 주입성 및 전자 수송성이 우수하다. 이 경우, 유기 화합물은 발생한 전자의 수송에 우수한 재료인 것이 바람직하고, 구체적으로는 예를 들어 상술한 전자 수송층(114, 114a, 114b)에 사용하는 전자 수송성 재료(금속 착체나 헤테로 방향족 화합물 등)를 사용할 수 있다. 전자 공여체로서는, 유기 화합물에 대하여 전자 공여성을 나타내는 물질이면 좋다. 구체적으로는, 알칼리 금속이나 알칼리 토금속이나 희토류 금속이 바람직하고, 리튬, 세슘, 마그네슘, 칼슘, 어븀, 이터븀 등을 들 수 있다. 또한 알칼리 금속 산화물이나 알칼리 토금속 산화물이 바람직하고, 리튬 산화물, 칼슘 산화물, 바륨 산화물 등을 들 수 있다. 또한 산화 마그네슘 등의 루이스 염기를 사용할 수도 있다. 또한 테트라싸이아풀발렌(약칭: TTF) 등의 유기 화합물을 사용할 수도 있다.
또한 도 1의 (D)에 도시된 발광 소자에서, 발광층(113b)으로부터 얻어지는 광을 증폭시키는 경우에는, 제 2 전극(102)과 발광층(113b) 사이의 광학 거리가, 발광층(113b)이 나타내는 광의 파장 λ의 1/4 미만이 되도록 하는 것이 바람직하다. 이 경우, 전자 수송층(114b) 또는 전자 주입층(115b)의 막 두께를 바꿈으로써 조정할 수 있다.
<전하 발생층>
도 1의 (D)에 도시된 발광 소자에서, 전하 발생층(104)은, 제 1 전극(양극)(101)과 제 2 전극(음극)(102) 사이에 전압을 인가하였을 때, EL층(103a)에 전자를 주입하고, EL층(103b)에 정공을 주입하는 기능을 갖는다. 또한 전하 발생층(104)은 정공 수송성 재료에 전자 수용체(억셉터)가 첨가된 구성이어도 좋고, 전자 수송성 재료에 전자 공여체(도너)가 첨가된 구성이어도 좋다. 또한 이들 양쪽 구성이 적층되어도 좋다. 또한 상술한 재료를 사용하여 전하 발생층(104)을 형성함으로써, EL층이 적층된 경우의 구동 전압의 상승을 억제할 수 있다.
전하 발생층(104)에서 정공 수송성 재료에 전자 수용체가 첨가된 구성으로 하는 경우, 정공 수송성 재료로서는 본 실시형태에서 설명한 재료를 사용할 수 있다. 또한 전자 수용체로서는, 7,7,8,8-테트라사이아노-2,3,5,6-테트라플루오로퀴노다이메테인(약칭: F4-TCNQ), 클로라닐 등을 들 수 있다. 또한 원소 주기율표의 4족 내지 8족에 속하는 금속의 산화물을 들 수 있다. 구체적으로는, 산화 바나듐, 산화 나이오븀, 산화 탄탈럼, 산화 크로뮴, 산화 몰리브데넘, 산화 텅스텐, 산화 망가니즈, 산화 레늄 등을 들 수 있다.
전하 발생층(104)에서 전자 수송성 재료에 전자 공여체가 첨가된 구성으로 하는 경우, 전자 수송성 재료로서는 본 실시형태에서 설명한 재료를 사용할 수 있다. 또한 전자 공여체로서는 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 희토류 금속, 또는 원소 주기율표의 2족, 13족에 속하는 금속 및 그 산화물, 탄산염을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 리튬(Li), 세슘(Cs), 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 이터븀(Yb), 인듐(In), 산화 리튬, 탄산 세슘 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한 테트라싸이아나프타센 등의 유기 화합물을 전자 공여체로서 사용하여도 좋다.
또한 도 1의 (E)의 EL층(103c)은 상술한 EL층(103, 103a, 103b)과 같은 구성으로 하면 좋다. 또한 전하 발생층(104a, 104b)도 상술한 전하 발생층(104)과 같은 구성으로 하면 좋다.
<기판>
본 실시형태에서 설명하는 발광 소자는 다양한 기판 위에 형성할 수 있다. 또한 기판의 종류는 특정한 것에 한정되지 않는다. 기판의 일례로서는 반도체 기판(예를 들어 단결정 기판 또는 실리콘 기판), SOI 기판, 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판, 금속 기판, 스테인리스강 기판, 스테인리스강 포일을 갖는 기판, 텅스텐 기판, 텅스텐 포일을 갖는 기판, 가요성 기판, 접합 필름, 섬유상의 재료를 포함하는 종이, 또는 기재 필름 등을 들 수 있다.
또한 유리 기판의 일례로서는 바륨보로실리케이트 유리, 알루미노보로실리케이트 유리, 또는 소다석회 유리 등을 들 수 있다. 또한 가요성 기판, 접합 필름, 기재 필름 등의 일례로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에터설폰(PES)으로 대표되는 플라스틱, 아크릴 수지 등의 합성 수지, 폴리프로필렌, 폴리에스터, 폴리플루오린화바이닐, 또는 폴리염화바이닐, 폴리아마이드, 폴리이미드, 아라미드 수지, 에폭시 수지, 무기 증착 필름, 또는 종이류 등을 들 수 있다.
또한 본 실시형태에서 설명하는 발광 소자의 제작에는 증착법 등의 진공 프로세스나, 스핀 코팅법, 잉크젯법 등의 용액 프로세스를 사용할 수 있다. 증착법을 사용하는 경우에는, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 이온 빔 증착법, 분자선 증착법, 진공 증착법 등의 물리 증착법(PVD법)이나, 화학 증착법(CVD법) 등을 사용할 수 있다. 특히, 발광 소자의 EL층에 포함되는 기능층(정공 주입층(111, 111a, 111b), 정공 수송층(112, 112a, 112b), 발광층(113, 113a, 113b, 113c), 전자 수송층(114, 114a, 114b), 전자 주입층(115, 115a, 115b), 및 전하 발생층(104, 104a, 104b))은 증착법(진공 증착법 등), 도포법(딥 코팅법, 다이 코팅법, 바 코팅법, 스핀 코팅법, 스프레이 코팅법 등), 인쇄법(잉크젯법, 스크린(공판 인쇄)법, 오프셋(평판 인쇄)법, 플렉소(철판 인쇄)법, 그라비어법, 마이크로 콘택트법, 나노임프린트법 등) 등의 방법으로 형성할 수 있다.
또한 본 실시형태에서 설명하는 발광 소자의 EL층(103, 103a, 103b)을 구성하는 각 기능층(정공 주입층(111, 111a, 111b), 정공 수송층(112, 112a, 112b), 발광층(113, 113a, 113b, 113c), 전자 수송층(114, 114a, 114b), 전자 주입층(115, 115a, 115b)이나, 전하 발생층(104, 104a, 104b))은 상술한 재료에 한정되지 않고, 그 외의 재료이어도 각 층의 기능을 만족시킬 수 있는 것이라면 조합하여 사용할 수 있다. 일례로서는, 고분자 화합물(올리고머, 덴드리머, 폴리머 등), 중분자 화합물(저분자와 고분자의 중간 영역의 화합물: 분자량 400 내지 4000), 무기 화합물(퀀텀닷(quantum dot) 재료 등) 등을 사용할 수 있다. 또한 퀀텀닷 재료로서는, 콜로이드상 퀀텀닷 재료, 합금형 퀀텀닷 재료, 코어·셸형 퀀텀닷 재료, 코어형 퀀텀닷 재료 등을 사용할 수 있다.
본 실시형태에 기재된 구성은 다른 실시형태에 기재되는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 발광 장치에 대하여 설명한다. 또한 도 2의 (A)에 도시된 발광 장치는 제 1 기판(201) 위의 트랜지스터(FET)(202)와 발광 소자(203R, 203G, 203B, 203W)가 전기적으로 접속되는 액티브 매트릭스형 발광 장치이고, 복수의 발광 소자(203R, 203G, 203B, 203W)는 공통의 EL층(204)을 갖고, 또한 각 발광 소자의 발광색에 따라 각 발광 소자의 전극 사이의 광학 거리가 조정된 마이크로캐비티 구조를 갖는다. 또한 EL층(204)으로부터 얻어진 발광이 제 2 기판(205)에 형성된 컬러 필터(206R, 206G, 206B)를 통하여 사출되는 톱 이미션형 발광 장치이다.
도 2의 (A)에 도시된 발광 장치는 제 1 전극(207)이 반사 전극으로서 기능하도록 형성된다. 또한 제 2 전극(208)이 반투과·반반사 전극으로서 기능하도록 형성된다. 또한 제 1 전극(207) 및 제 2 전극(208)을 형성하는 전극 재료로서는 다른 실시형태의 기재를 참조하여 적절히 사용하면 좋다.
또한 도 2의 (A)에서, 예를 들어 발광 소자(203R)를 적색 발광 소자로, 발광 소자(203G)를 녹색 발광 소자로, 발광 소자(203B)를 청색 발광 소자로, 발광 소자(203W)를 백색 발광 소자로 하는 경우, 도 2의 (B)에 도시된 바와 같이, 발광 소자(203R)는 제 1 전극(207)과 제 2 전극(208) 사이가 광학 거리(200R)가 되도록 조정되고, 발광 소자(203G)는 제 1 전극(207)과 제 2 전극(208) 사이가 광학 거리(200G)가 되도록 조정되고, 발광 소자(203B)는 제 1 전극(207)과 제 2 전극(208) 사이가 광학 거리(200B)가 되도록 조정된다. 또한 도 2의 (B)에 도시된 바와 같이, 발광 소자(203R)에서 도전층(210R)을 제 1 전극(207)에 적층하고, 발광 소자(203G)에서 도전층(210G)을 제 1 전극(207)에 적층함으로써 광학 조정을 할 수 있다.
제 2 기판(205)에는 컬러 필터(206R, 206G, 206B)가 형성되어 있다. 또한 컬러 필터는 가시광 중 특정 파장 영역의 광을 투과시키고 특정 파장 영역의 광을 차단하는 필터이다. 따라서 도 2의 (A)에 도시된 바와 같이, 발광 소자(203R)와 중첩되는 위치에 적색의 파장 영역의 광만을 투과시키는 컬러 필터(206R)를 제공함으로써, 발광 소자(203R)로부터 적색 발광을 얻을 수 있다. 또한 발광 소자(203G)와 중첩되는 위치에 녹색의 파장 영역의 광만을 투과시키는 컬러 필터(206G)를 제공함으로써, 발광 소자(203G)로부터 녹색 발광을 얻을 수 있다. 또한 발광 소자(203B)와 중첩되는 위치에 청색의 파장 영역의 광만을 투과시키는 컬러 필터(206B)를 제공함으로써, 발광 소자(203B)로부터 청색 발광을 얻을 수 있다. 다만 발광 소자(203W)는 컬러 필터를 제공하지 않아도 백색 발광을 얻을 수 있다. 또한 한 종류의 컬러 필터의 단부에는 흑색층(블랙 매트릭스)(209)이 제공되어도 좋다. 또한 컬러 필터(206R, 206G, 206B)나 흑색층(209)은 투명한 재료를 사용한 오버코트층으로 덮여 있어도 좋다.
도 2의 (A)에는 제 2 기판(205) 측으로 발광을 추출하는 구조(톱 이미션형)의 발광 장치를 도시하였지만, 도 2의 (C)에 도시된 바와 같이 FET(202)가 형성된 제 1 기판(201) 측으로 광을 추출하는 구조(보텀 이미션형)의 발광 장치로 하여도 좋다. 또한 보텀 이미션형 발광 장치의 경우에는, 제 1 전극(207)이 반투과·반반사 전극으로서 기능하도록 형성되고, 제 2 전극(208)이 반사 전극으로서 기능하도록 형성된다. 또한 제 1 기판(201)으로서는 적어도 투광성의 기판을 사용한다. 또한 컬러 필터(206R', 206G', 206B')는 도 2의 (C)에 도시된 바와 같이 발광 소자(203R, 203G, 203B)보다 제 1 기판(201) 측에 제공하면 좋다.
또한 도 2의 (A)에는 발광 소자가 적색 발광 소자, 녹색 발광 소자, 청색 발광 소자, 백색 발광 소자인 경우를 도시하였지만, 본 발명의 일 형태인 발광 소자는 그 구성에 한정되지 않고, 황색의 발광 소자나 주황색의 발광 소자를 갖는 구성이어도 좋다. 또한 이들 발광 소자를 제작하기 위하여 EL층(발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 발생층 등)에 사용하는 재료로서는, 다른 실시형태의 기재를 참조하여 적절히 사용하면 좋다. 또한 그 경우에는 발광 소자의 발광색에 따라 컬러 필터를 적절히 선택할 필요가 있다.
상술한 구성으로 함으로써, 복수의 발광색을 나타내는 발광 소자를 갖는 발광 장치를 얻을 수 있다.
또한 본 실시형태에 기재된 구성은 다른 실시형태에 기재되는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있는 것으로 한다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태인 발광 장치에 대하여 설명한다.
본 발명의 일 형태인 발광 소자의 소자 구성을 적용함으로써, 액티브 매트릭스형 발광 장치나 패시브 매트릭스형 발광 장치를 제작할 수 있다. 또한 액티브 매트릭스형 발광 장치는 발광 소자와 트랜지스터(FET)를 조합한 구성을 갖는다. 따라서 패시브 매트릭스형 발광 장치, 액티브 매트릭스형 발광 장치는 양쪽 모두 본 발명의 일 형태에 포함된다. 또한 본 실시형태에서 설명하는 발광 장치에는, 다른 실시형태에서 설명한 발광 소자를 적용할 수 있다.
본 실시형태에서는 액티브 매트릭스형 발광 장치에 대하여 도 3을 사용하여 설명한다.
또한 도 3의 (A)는 발광 장치를 도시한 상면도이고, 도 3의 (B)는 도 3의 (A)를 쇄선 A-A'를 따라 자른 단면도이다. 액티브 매트릭스형 발광 장치는 제 1 기판(301) 위에 제공된 화소부(302), 구동 회로부(소스선 구동 회로)(303), 및 구동 회로부(게이트선 구동 회로)(304a, 304b)를 갖는다. 화소부(302) 및 구동 회로부(303, 304a, 304b)는 실재(305)에 의하여 제 1 기판(301)과 제 2 기판(306) 사이에 밀봉된다.
또한 제 1 기판(301) 위에는 리드 배선(307)이 제공된다. 리드 배선(307)은 외부 입력 단자인 FPC(308)에 전기적으로 접속된다. 또한 FPC(308)는 구동 회로부(303, 304a, 304b)에 외부로부터의 신호(예를 들어 비디오 신호, 클럭 신호, 스타트 신호, 리셋 신호 등)나 전위를 전달한다. 또한 FPC(308)에는 인쇄 배선 기판(PWB)이 제공되어도 좋다. 또한 이들 FPC나 PWB가 제공된 상태는 발광 장치의 범주에 포함된다.
다음으로, 도 3의 (B)에 단면 구조를 도시하였다.
화소부(302)는 FET(스위칭용 FET)(311), FET(전류 제어용 FET)(312), 및 FET(312)에 전기적으로 접속된 제 1 전극(313)을 갖는 복수의 화소로 형성된다. 또한 각 화소가 갖는 FET의 개수는 특별히 한정되지 않고, 필요에 따라 적절히 제공할 수 있다.
FET(309, 310, 311, 312)는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 스태거형이나 역 스태거형 등의 트랜지스터를 적용할 수 있다. 또한 톱 게이트형이나 보텀 게이트형 등의 트랜지스터 구조이어도 좋다.
또한 이들 FET(309, 310, 311, 312)에 사용할 수 있는 반도체의 결정성에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 비정질 반도체, 결정성을 갖는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체, 또는 일부에 결정 영역을 갖는 반도체) 중 어느 것을 사용하여도 좋다. 또한 결정성을 갖는 반도체를 사용함으로써 트랜지스터 특성의 열화를 억제할 수 있어 바람직하다.
또한 이들 반도체로서는 예를 들어 14족 원소, 화합물 반도체, 산화물 반도체, 유기 반도체 등을 사용할 수 있다. 대표적으로는, 실리콘을 포함하는 반도체, 갈륨 비소를 포함하는 반도체, 인듐을 포함하는 산화물 반도체 등을 적용할 수 있다.
구동 회로부(303)는 FET(309)와 FET(310)를 갖는다. 또한 FET(309)와 FET(310)는 단극성(N형 및 P형 중 어느 한쪽만)의 트랜지스터를 포함하는 회로로 형성되어도 좋고, N형 트랜지스터와 P형 트랜지스터를 포함하는 CMOS 회로로 형성되어도 좋다. 또한 외부에 구동 회로를 갖는 구성으로 하여도 좋다.
제 1 전극(313)의 단부는 절연물(314)로 덮여 있다. 또한 절연물(314)에는 네거티브형 감광성 수지나 포지티브형 감광성 수지(아크릴 수지) 등의 유기 화합물이나, 산화 실리콘, 산화질화 실리콘, 질화 실리콘 등의 무기 화합물을 사용할 수 있다. 절연물(314)의 상단부 또는 하단부에는 곡률을 갖는 곡면을 갖는 것이 바람직하다. 이로써, 절연물(314) 위에 형성되는 막의 피복성을 양호한 것으로 할 수 있다.
제 1 전극(313) 위에는 EL층(315) 및 제 2 전극(316)이 적층 형성된다. EL층(315)은 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 전자 주입층, 전하 발생층 등을 갖는다.
또한 본 실시형태에서 설명하는 발광 소자(317)의 구성에는, 다른 실시형태에서 설명한 구성이나 재료를 적용할 수 있다. 또한 여기서는 도시하지 않았지만, 제 2 전극(316)은 외부 입력 단자인 FPC(308)에 전기적으로 접속되어 있다.
또한 도 3의 (B)에 도시된 단면도에서는 발광 소자(317)를 하나만 도시하였지만, 화소부(302)에서는 복수의 발광 소자가 매트릭스상으로 배치되어 있는 것으로 한다. 화소부(302)에 3종류(R, G, B)의 발광이 얻어지는 발광 소자를 각각 선택적으로 형성함으로써, 풀 컬러 표시가 가능한 발광 장치를 형성할 수 있다. 또한 3종류(R, G, B)의 발광이 얻어지는 발광 소자 외에, 예를 들어 백색(W), 황색(Y), 마젠타(M), 시안(C) 등의 발광이 얻어지는 발광 소자를 형성하여도 좋다. 예를 들어 3종류(R, G, B)의 발광이 얻어지는 발광 소자에 상술한 여러 종류의 발광이 얻어지는 발광 소자를 추가함으로써, 색 순도의 향상, 소비전력의 저감 등의 효과를 얻을 수 있다. 또한 컬러 필터와 조합함으로써 풀 컬러 표시가 가능한 발광 장치로 하여도 좋다. 또한 컬러 필터의 종류로서는 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 시안(C), 마젠타(M), 황색(Y) 등을 사용할 수 있다.
제 1 기판(301) 위의 FET(309, 310, 311, 312)나 발광 소자(317)는, 제 2 기판(306)과 제 1 기판(301)을 실재(305)에 의하여 접합함으로써, 제 1 기판(301), 제 2 기판(306), 및 실재(305)로 둘러싸인 공간(318)에 제공된다. 또한 공간(318)에는 불활성 가스(질소나 아르곤 등)나 유기물(실재(305)를 포함함)이 충전되어 있어도 좋다.
실재(305)에는 에폭시계 수지나 유리 프릿(glass frit)을 사용할 수 있다. 또한 실재(305)에는 수분이나 산소를 가능한 한 투과시키지 않는 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한 제 2 기판(306)에는 제 1 기판(301)에 사용할 수 있는 것을 마찬가지로 사용할 수 있다. 따라서 다른 실시형태에서 설명한 다양한 기판을 적절히 사용할 수 있는 것으로 한다. 기판으로서는, 유리 기판이나 석영 기판 외에, FRP(Fiber-Reinforced Plastics), PVF(Polyvinyl Fluoride), 폴리에스터, 또는 아크릴 수지 등으로 이루어지는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 실재로서 유리 프릿을 사용하는 경우에는, 접착성의 관점에서 제 1 기판(301) 및 제 2 기판(306)은 유리 기판인 것이 바람직하다.
이러한 식으로, 액티브 매트릭스형 발광 장치를 얻을 수 있다.
또한 액티브 매트릭스형 발광 장치를 가요성 기판에 형성하는 경우, 가요성 기판 위에 FET와 발광 소자를 직접 형성하여도 좋지만, 박리층을 갖는 다른 기판에 FET와 발광 소자를 형성한 후에, 열, 힘을 가하거나 레이저 조사 등을 수행함으로써 FET와 발광 소자를 박리층에서 박리하여 가요성 기판으로 전치하여 형성하여도 좋다. 또한 박리층으로서는, 예를 들어 텅스텐막과 산화 실리콘막의 무기막 적층이나, 폴리이미드 등의 유기 수지막 등을 사용할 수 있다. 또한 가요성 기판으로서는, 트랜지스터를 형성할 수 있는 기판 외에, 종이 기판, 셀로판 기판, 아라미드 필름 기판, 폴리이미드 필름 기판, 직물 기판(천연 섬유(비단, 솜, 삼), 합성 섬유(나일론, 폴리우레탄, 폴리에스터), 또는 재생 섬유(아세테이트, 큐프라, 레이온, 재생 폴리에스터) 등을 포함함), 피혁 기판, 또는 고무 기판 등을 들 수 있다. 이들 기판을 사용함으로써, 내구성이나 내열성이 우수해지고, 경량화 및 박형화를 도모할 수 있다.
또한 본 실시형태에 기재된 구성은 다른 실시형태에 기재되는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 소자, 본 발명의 일 형태인 발광 소자를 갖는 발광 장치를 적용하여 완성시킨 다양한 전자 기기나 자동차의 일례에 대하여 설명한다. 또한 발광 장치는 본 실시형태에서 설명하는 전자 기기에서 주로 표시부에 적용될 수 있다.
도 4의 (A) 내지 (C)에 도시된 전자 기기는 하우징(7000), 표시부(7001), 스피커(7003), LED 램프(7004), 조작 키(7005)(전원 스위치 또는 조작 스위치를 포함함), 접속 단자(7006), 센서(7007)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정하는 기능을 갖는 것), 마이크로폰(7008) 등을 가질 수 있다.
도 4의 (A)는 모바일 컴퓨터를 도시한 것이며, 상술한 것 외에 스위치(7009), 적외선 포트(7010) 등을 가질 수 있다.
도 4의 (B)는 기록 매체를 갖는 휴대형 화상 재생 장치(예를 들어 DVD 재생 장치)를 도시한 것이며, 상술한 것 외에 제 2 표시부(7002), 기록 매체 판독부(7011) 등을 가질 수 있다.
도 4의 (C)는 텔레비전 수상 기능을 갖는 디지털 카메라를 도시한 것이며, 상술한 것 외에 안테나(7014), 셔터 버튼(7015), 수상부(7016) 등을 가질 수 있다.
도 4의 (D)는 휴대 정보 단말기를 도시한 것이다. 휴대 정보 단말기는 표시부(7001)의 3개 이상의 면에 정보를 표시하는 기능을 갖는다. 여기서는 정보(7052), 정보(7053), 정보(7054)가 각각 상이한 면에 표시되는 예를 나타내었다. 예를 들어 사용자는 옷의 가슴 포켓에 휴대 정보 단말기를 넣은 채 휴대 정보 단말기 위쪽으로부터 관찰할 수 있는 위치에 표시된 정보(7053)를 확인할 수도 있다. 사용자는 휴대 정보 단말기를 포켓으로부터 꺼내지 않고 표시를 확인하고, 예를 들어 전화를 받을지 여부를 판단할 수 있다.
도 4의 (E)는 휴대 정보 단말기(스마트폰을 포함함)를 도시한 것이며, 하우징(7000)에 표시부(7001), 조작 키(7005) 등을 가질 수 있다. 또한 휴대 정보 단말기에는 스피커, 접속 단자, 센서 등을 제공하여도 좋다. 또한 휴대 정보 단말기는 문자나 화상 정보를 그 복수의 면에 표시할 수 있다. 여기서는 3개의 아이콘(7050)을 표시한 예를 나타내었다. 또한 파선의 직사각형으로 나타낸 정보(7051)를 표시부(7001)의 다른 면에 표시할 수도 있다. 정보(7051)의 일례로서는 전자 메일, SNS, 전화 등의 착신의 알림, 전자 메일이나 SNS 등의 제목, 송신자명, 일시, 시각, 배터리 잔량, 안테나의 수신 강도 등이 있다. 또는 정보(7051)가 표시되는 위치에는 아이콘(7050) 등을 표시하여도 좋다.
도 4의 (F)는 대형 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 함)를 도시한 것이며, 하우징(7000), 표시부(7001) 등을 가질 수 있다. 또한 여기서는 스탠드(7018)에 의하여 하우징(7000)을 지지한 구성을 나타내었다. 또한 텔레비전 장치의 조작은 별체의 리모트 컨트롤러(7111) 등에 의하여 수행할 수 있다. 또한 표시부(7001)에 터치 센서를 가져도 좋고, 손가락 등으로 표시부(7001)를 터치함으로써 조작하여도 좋다. 리모트 컨트롤러(7111)는 상기 리모트 컨트롤러(7111)로부터 출력되는 정보를 표시하는 표시부를 가져도 좋다. 리모트 컨트롤러(7111)가 갖는 조작 키 또는 터치 패널에 의하여 채널 및 음량을 조작할 수 있고, 표시부(7001)에 표시되는 화상을 조작할 수 있다.
도 4의 (A) 내지 (F)에 도시된 전자 기기는 다양한 기능을 가질 수 있다. 예를 들어 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 패널 기능, 달력, 날짜, 또는 시각 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능, 무선 통신 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 다양한 컴퓨터 네트워크에 접속하는 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 다양한 데이터를 송신 또는 수신하는 기능, 기록 매체에 저장되어 있는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한 복수의 표시부를 갖는 전자 기기에서는 하나의 표시부에 주로 화상 정보를 표시하고, 다른 하나의 표시부에 주로 문자 정보를 표시하는 기능, 또는 복수의 표시부에 시차(視差)를 고려한 화상을 표시함으로써 입체적인 화상을 표시하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한 수상부를 갖는 전자 기기에서는 정지 화상을 촬영하는 기능, 동영상을 촬영하는 기능, 촬영한 화상을 자동 또는 수동으로 보정하는 기능, 촬영한 화상을 기록 매체(외부 또는 카메라에 내장)에 저장하는 기능, 촬영한 화상을 표시부에 표시하는 기능 등을 가질 수 있다. 또한 도 4의 (A) 내지 (F)에 도시된 전자 기기가 가질 수 있는 기능은 이들에 한정되지 않고, 다양한 기능을 가질 수 있다.
도 4의 (G)는 손목시계형 휴대 정보 단말기를 도시한 것이며, 예를 들어 스마트워치로서 사용할 수 있다. 이 손목시계형 휴대 정보 단말기는 하우징(7000), 표시부(7001), 조작용 버튼(7022, 7023), 접속 단자(7024), 밴드(7025), 마이크로폰(7026), 센서(7029), 스피커(7030) 등을 갖는다. 표시부(7001)는 표시면이 만곡되어 있고, 만곡된 표시면을 따라 표시를 할 수 있다. 또한 이 휴대 정보 단말기는 예를 들어 무선 통신이 가능한 헤드세트와 상호 통신함으로써 핸즈프리로 통화할 수 있다. 또한 접속 단자(7024)에 의하여 다른 정보 단말기와 상호로 데이터를 주고받거나 충전을 할 수도 있다. 충전 동작은 무선 급전에 의하여 수행할 수도 있다.
베젤 부분을 겸하는 하우징(7000)에 탑재된 표시부(7001)는 비직사각형의 표시 영역을 갖는다. 표시부(7001)는 시각을 나타내는 아이콘, 기타 아이콘 등을 표시할 수 있다. 또한 표시부(7001)는 터치 센서(입력 장치)를 탑재한 터치 패널(입출력 장치)이어도 좋다.
또한 도 4의 (G)에 도시된 스마트워치는 다양한 기능을 가질 수 있다. 예를 들어 다양한 정보(정지 화상, 동영상, 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 패널 기능, 달력, 날짜, 또는 시각 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)에 의하여 처리를 제어하는 기능, 무선 통신 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 다양한 컴퓨터 네트워크에 접속하는 기능, 무선 통신 기능을 사용하여 다양한 데이터를 송신 또는 수신하는 기능, 기록 매체에 저장되어 있는 프로그램 또는 데이터를 판독하여 표시부에 표시하는 기능 등을 가질 수 있다.
또한 하우징(7000) 내부에 스피커, 센서(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 음성, 시간, 경도, 전기장, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 경사도, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정하는 기능을 갖는 것), 마이크로폰 등을 가질 수 있다.
또한 본 발명의 일 형태인 발광 장치 및 본 발명의 일 형태인 발광 소자를 갖는 표시 장치는, 본 실시형태에서 설명한 전자 기기의 각 표시부에 사용할 수 있어, 장수명의 전자 기기를 실현할 수 있다.
또한 발광 장치를 적용한 전자 기기로서, 도 5의 (A) 내지 (C)에 도시된 접을 수 있는 휴대 정보 단말기를 들 수 있다. 도 5의 (A)에는 펼친 상태의 휴대 정보 단말기(9310)를 도시하였다. 또한 도 5의 (B)에는 펼친 상태 및 접은 상태 중 한쪽으로부터 다른 쪽으로 변화하는 도중의 상태의 휴대 정보 단말기(9310)를 도시하였다. 또한 도 5의 (C)에는 접은 상태의 휴대 정보 단말기(9310)를 도시하였다. 휴대 정보 단말기(9310)는 접은 상태에서는 가반성(可搬性)이 우수하고, 펼친 상태에서는 이음매가 없고 넓은 표시 영역에 의하여 표시의 일람성(一覽性)이 우수하다.
표시부(9311)는 힌지(9313)로 연결된 3개의 하우징(9315)에 의하여 지지되어 있다. 또한 표시부(9311)는 터치 센서(입력 장치)가 탑재된 터치 패널(입출력 장치)이어도 좋다. 또한 표시부(9311)는 힌지(9313)를 이용하여 2개의 하우징(9315) 사이를 굴곡시킴으로써, 휴대 정보 단말기(9310)를 펼친 상태로부터 접은 상태로 가역적으로 변형시킬 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태의 발광 장치를 표시부(9311)에 사용할 수 있다. 또한 장수명의 전자 기기를 실현할 수 있다. 표시부(9311)의 표시 영역(9312)은, 접은 상태의 휴대 정보 단말기(9310)의 측면에 위치하는 표시 영역이다. 표시 영역(9312)에는 정보 아이콘이나, 사용 빈도가 높은 애플리케이션이나 프로그램의 바로가기 등을 표시할 수 있어, 정보의 확인이나 애플리케이션 등의 기동을 원활하게 수행할 수 있다.
또한 발광 장치를 적용한 자동차를 도 6의 (A), (B)에 도시하였다. 즉, 발광 장치를 자동차와 일체로 하여 제공할 수 있다. 구체적으로는, 도 6의 (A)에 도시된 자동차 외측의 라이트(5101)(차체 뒷부분도 포함함), 타이어의 휠(5102), 도어(5103)의 일부 또는 전체 등에 적용할 수 있다. 또한 도 6의 (B)에 도시된 자동차 내측의 표시부(5104), 핸들(5105), 시프트 레버(5106), 좌석 시트(5107), 백미러(inner rearview mirror)(5108) 등에 적용할 수 있다. 이 외에, 유리창의 일부에 적용하여도 좋다.
이러한 식으로, 본 발명의 일 형태인 발광 장치나 표시 장치를 적용한 전자 기기나 자동차를 얻을 수 있다. 또한 그 경우에는 장수명의 전자 기기를 실현할 수 있다. 또한 적용할 수 있는 전자 기기나 자동차는 본 실시형태에서 설명한 것에 한정되지 않고, 다양한 분야에서 적용할 수 있다.
또한 본 실시형태에 기재된 구성은 다른 실시형태에 기재되는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시형태 6)
본 실시형태에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 장치, 또는 그 일부인 발광 소자를 적용하여 제작되는 조명 장치의 구성에 대하여 도 7을 사용하여 설명한다.
도 7의 (A), (B)는 조명 장치의 단면도의 일례이다. 또한 도 7의 (A)는 기판 측으로 광을 추출하는 보텀 이미션형 조명 장치를 도시한 것이고, 도 7의 (B)는 밀봉 기판 측으로 광을 추출하는 톱 이미션형 조명 장치를 도시한 것이다.
도 7의 (A)에 도시된 조명 장치(4000)는 기판(4001) 위에 발광 소자(4002)를 갖는다. 또한 기판(4001) 외측에, 요철을 갖는 기판(4003)을 갖는다. 발광 소자(4002)는 제 1 전극(4004)과, EL층(4005)과, 제 2 전극(4006)을 갖는다.
제 1 전극(4004)은 전극(4007)에 전기적으로 접속되고, 제 2 전극(4006)은 전극(4008)에 전기적으로 접속된다. 또한 제 1 전극(4004)에 전기적으로 접속되는 보조 배선(4009)을 제공하여도 좋다. 또한 보조 배선(4009) 위에는 절연층(4010)이 형성된다.
또한 기판(4001)과 밀봉 기판(4011)은 실재(4012)로 접착되어 있다. 또한 밀봉 기판(4011)과 발광 소자(4002) 사이에는 건조제(4013)가 제공되는 것이 바람직하다. 또한 기판(4003)은 도 7의 (A)와 같은 요철을 갖기 때문에, 발광 소자(4002)에서 발생한 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
도 7의 (B)의 조명 장치(4200)는 기판(4201) 위에 발광 소자(4202)를 갖는다. 발광 소자(4202)는 제 1 전극(4204)과, EL층(4205)과, 제 2 전극(4206)을 갖는다.
제 1 전극(4204)은 전극(4207)에 전기적으로 접속되고, 제 2 전극(4206)은 전극(4208)에 전기적으로 접속된다. 또한 제 2 전극(4206)에 전기적으로 접속되는 보조 배선(4209)을 제공하여도 좋다. 또한 보조 배선(4209) 하부에 절연층(4210)을 제공하여도 좋다.
기판(4201)과, 요철을 갖는 밀봉 기판(4211)은 실재(4212)로 접착되어 있다. 또한 밀봉 기판(4211)과 발광 소자(4202) 사이에 배리어막(4213) 및 평탄화막(4214)을 제공하여도 좋다. 또한 밀봉 기판(4211)은 도 7의 (B)와 같은 요철을 갖기 때문에, 발광 소자(4202)에서 발생한 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 이들 조명 장치의 응용예로서는 실내의 조명용 천장등을 들 수 있다. 천장등에는 천장 직부형이나 천장 매립형 등이 있다. 또한 이와 같은 조명 장치는 발광 장치를 하우징이나 커버와 조합함으로써 구성된다.
그 외에도, 바닥에 빛을 조사하여 발밑의 안전성을 높일 수 있는 풋라이트 등으로의 응용도 가능하다. 풋라이트는, 예를 들어 침실, 계단, 또는 통로 등에 사용하는 것이 효과적이다. 그 경우, 방의 크기나 구조에 따라 크기나 형상을 적절히 변경할 수 있다. 또한 발광 장치와 지지대를 조합하여 구성되는 거치형 조명 장치로 할 수도 있다.
또한 시트형의 조명 장치(시트형 조명)로서 응용할 수도 있다. 시트형 조명은 벽면에 붙여서 사용하기 때문에, 장소를 크게 차지하지 않고 폭넓은 용도에 사용할 수 있다. 또한 대면적화도 용이하다. 또한 곡면을 갖는 벽면이나 하우징에 사용할 수도 있다.
또한 상기 외에도 실내에 설치된 가구의 일부에 본 발명의 일 형태인 발광 장치, 또는 그 일부인 발광 소자를 적용하여, 가구로서의 기능을 갖는 조명 장치로 할 수 있다.
이러한 식으로, 발광 장치를 적용한 다양한 조명 장치를 얻을 수 있다. 또한 이들 조명 장치는 본 발명의 일 형태에 포함되는 것으로 한다.
또한 본 실시형태에 기재된 구성은 다른 실시형태에 기재되는 구성과 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
(실시예 1)
<<합성예 1>>
본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(100)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8-(1,1'-바이페닐-4-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8BP-4mDBtPBfpm)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한 8BP-4mDBtPBfpm의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 24]
Figure pct00024
<8-(1,1'-바이페닐-4-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘의 합성>
8-클로로-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘 1.37g, 4-바이페닐보론산 0.657g, 제삼인산포타슘 1.91g, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터(diglyme) 30mL, t-뷰탄올 0.662g을 3구 플라스크에 넣고, 플라스크 내를 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 질소 치환하였다.
이 혼합물을 60℃까지 가열하고, 아세트산 팔라듐(II) 23.3mg, 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 66.4mg을 첨가하고, 120℃에서 27시간 동안 교반하였다. 이 반응액에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 잔류물을 물, 에탄올, 및 톨루엔으로 세정하였다. 이 잔류물을 가열된 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 셀라이트의 순서로 충전된 여과 보조제에 통과시켰다. 얻어진 용액을 농축, 건고하고, 톨루엔을 사용하여 재결정함으로써, 목적물인 백색 고체를 수량 1.28g, 수율 74%로 얻었다.
이 백색 고체 1.26g을 트레인 서블리메이션법에 의하여 승화 정제하였다. 승화 정제 조건으로서, 압력을 2.56Pa로 하고, 아르곤 가스를 유량 10mL/min으로 흘리면서, 310℃에서 고체를 가열하였다. 승화 정제 후, 목적물인 담황색 고체를 1.01g, 회수율 80%로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(a-1)에 나타낸다.
[화학식 25]
Figure pct00025
또한 상기 반응으로 얻어진 담황색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한 1H-NMR 차트를 도 8에 나타내었다. 이 결과로부터, 본 실시예에서는 상술한 구조식(100)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8BP-4mDBtPBfpm이 얻어진 것을 알 수 있었다.
1H-NMR.δ(CDCl3):7.39(t, 1H), 7.47-7.53(m, 4H), 7.63-7.67(m, 2H), 7.68(d, 2H), 7.75(d, 2H), 7.79-7.83(m, 4H), 7.87(d, 1H), 7.98(d, 1H), 8.02(d, 1H), 8.23-8.26(m, 2H), 8.57(s, 1H), 8.73(d, 1H), 9.05(s, 1H), 9.34(s, 1H).
<<8BP-4mDBtPBfpm의 물성에 대하여>>
다음으로, 8BP-4mDBtPBfpm의 톨루엔 용액 및 고체 박막의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하 단순히 "흡수 스펙트럼"이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다.
톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼의 측정에는, 자외 가시 분광 광도계(JASCO Corporation 제조, V550형)를 사용하였다. 또한 톨루엔 용액의 발광 스펙트럼의 측정에는, 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다. 얻어진 톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 9의 (A)에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 9의 (A)에 따르면, 8BP-4mDBtPBfpm의 톨루엔 용액은 332nm, 316nm, 및 281nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 발광 파장의 피크는 406nm(여기 파장 318nm)이었다.
고체 박막의 흡수 스펙트럼의 측정에는, 석영 기판 위에 진공 증착법에 의하여 제작한 고체 박막을 사용하고, 자외 가시 분광 광도계(Hitachi High-Technologies Corporation 제조, U4100형)를 사용하였다. 또한 고체 박막의 발광 스펙트럼의 측정에는, 상술한 바와 같이 제작한 고체 박막을 사용하고, 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다. 얻어진 고체 박막의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 9의 (B)에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다. 또한 상술한 바와 같이 제작한 고체 박막을 사용하고, 현미 PL 장치 LabRAM HR-PL(HORIBA, Ltd.)을 사용하고, 측정 온도는 10K로 하고, 여기광으로서 파장 325nm의 He-Cd 레이저를 사용하고, 검출기로서 CCD 검출기를 사용하여 저온(10K)의 발광 스펙트럼을 측정하였다.
도 9의 (B)에 따르면, 8BP-4mDBtPBfpm의 고체 박막에서는 341nm, 308nm, 286nm, 273nm, 및 243nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 428nm(여기 파장 340nm) 부근에 발광 파장의 피크가 확인되었다. 또한 저온(10K)의 발광 스펙트럼의 결과에 따르면, 8BP-4mDBtPBfpm의 발광 스펙트럼의 인광 성분의 가장 짧은 파장 측의 피크(숄더를 포함함)의 파장은 482nm이었다. 따라서 상기 피크 파장으로부터 8BP-4mDBtPBfpm의 T1 준위는 2.57eV로 산출되었다.
본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8BP-4mDBtPBfpm은 높은 T1 준위를 갖고, 녹색부터 적색 부근에서 발광하는 인광 재료(게스트 재료)에 적합한 호스트 재료라고 할 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8BP-4mDBtPBfpm은 가시 영역의 인광 발광 물질의 호스트 재료나 발광 물질로서도 이용할 수 있다.
(실시예 2)
<<합성예 2>>
본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(101)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8-(1,1'-바이페닐-3-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8mBP-4mDBtPBfpm)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한 8mBP-4mDBtPBfpm의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 26]
Figure pct00026
<8-(1,1'-바이페닐-3-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘의 합성>
8-클로로-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘 1.37g, 3-바이페닐보론산 0.664g, 제삼인산포타슘 1.90g, t-뷰탄올 0.663g, 다이글라임 30mL를 3구 플라스크에 넣고, 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 질소 치환하였다. 이 혼합물을 60℃까지 가열하고, 아세트산 팔라듐(II) 21.4mg 및 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 65.6mg을 첨가하고, 120℃에서 21시간 동안 교반하였다.
이 반응물에 아세트산 팔라듐(II) 23.5mg 및 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 66.4mg을 첨가하고, 120℃에서 8시간 동안 교반하였다. 이 반응물에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 잔류물을 물, 에탄올, 및 톨루엔으로 세정하였다. 이 잔류물을 가열된 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 셀라이트의 순서로 충전된 여과 보조제에 통과시켰다. 얻어진 용액을 농축, 건고하고, 톨루엔을 사용하여 재결정함으로써, 목적물인 백색 고체를 수량 1.10g, 수율 64%로 얻었다.
이 백색 고체 1.10g을 트레인 서블리메이션법에 의하여 승화 정제하였다. 승화 정제 조건으로서, 압력을 2.57Pa로 하고, 아르곤 가스를 유량 10mL/min으로 흘리면서, 300℃에서 고체를 가열하였다. 승화 정제 후, 목적물인 담황색 고체를 0.895g, 회수율 81%로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(b-1)에 나타낸다.
[화학식 27]
Figure pct00027
또한 상기 반응으로 얻어진 담황색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한 1H-NMR 차트를 도 10에 나타내었다. 이 결과로부터, 본 실시예에서는 상술한 구조식(101)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8mBP-4mDBtPBfpm이 얻어진 것을 알 수 있었다.
1H-NMR.δ(CDCl3):7.39(t, 1H), 7.47-7.50(m, 4H), 7.57(t, 1H), 7.62-7.64(m, 3H), 7.67-7.69(m, 3H), 7.77-7.80(m, 2H), 7.86(d, 1H), 7.92(s, 1H), 7.79(d, 1H), 8.00(d, 1H), 8.21-8.23(m, 2H), 8.57(s, 1H), 8.71(d, 1H), 9.03(s, 1H), 9.32(s, 1H).
<<8mBP-4mDBtPBfpm의 물성에 대하여>>
다음으로, 8mBP-4mDBtPBfpm의 톨루엔 용액 및 고체 박막의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하 단순히 "흡수 스펙트럼"이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다.
톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼의 측정에는, 자외 가시 분광 광도계(JASCO Corporation 제조, V550형)를 사용하였다. 또한 톨루엔 용액의 발광 스펙트럼의 측정에는, 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다. 얻어진 톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 11의 (A)에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 11의 (A)에 따르면, 8mBP-4mDBtPBfpm의 톨루엔 용액은 331nm, 315nm, 및 280nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 발광 파장의 피크는 389nm(여기 파장 320nm)이었다.
고체 박막의 흡수 스펙트럼의 측정에는, 석영 기판 위에 진공 증착법에 의하여 제작한 고체 박막을 사용하고, 자외 가시 분광 광도계(Hitachi High-Technologies Corporation 제조, U4100형)를 사용하였다. 또한 고체 박막의 발광 스펙트럼의 측정에는, 상술한 바와 같이 제작한 고체 박막을 사용하고, 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다. 얻어진 고체 박막의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 11의 (B)에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다. 또한 상술한 바와 같이 제작한 고체 박막을 사용하고, 현미 PL 장치 LabRAM HR-PL(HORIBA, Ltd.)을 사용하고, 측정 온도는 10K로 하고, 여기광으로서 파장 325nm의 He-Cd 레이저를 사용하고, 검출기로서 CCD 검출기를 사용하여 저온(10K)의 발광 스펙트럼을 측정하였다.
도 11의 (B)에 따르면, 8mBP-4mDBtPBfpm의 고체 박막에서는 343nm, 319nm, 및 245nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 411nm(여기 파장 320nm) 부근에 발광 파장의 피크가 확인되었다. 또한 저온(10K)의 발광 스펙트럼의 결과에 따르면, 8mBP-4mDBtPBfpm의 발광 스펙트럼의 인광 성분의 가장 짧은 파장 측의 피크(숄더를 포함함)의 파장은 456nm이었다. 따라서 상기 피크 파장으로부터 8mBP-4mDBtPBfpm의 T1 준위는 2.72eV로 산출되었다.
본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8mBP-4mDBtPBfpm은 높은 T1 준위를 갖고, 녹색부터 적색 부근에서 발광하는 인광 재료(게스트 재료)에 적합한 호스트 재료라고 할 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8mBP-4mDBtPBfpm은 가시 영역의 인광 발광 물질의 호스트 재료나 발광 물질로서도 이용할 수 있다.
(실시예 3)
<<합성예 3>>
본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(102)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8-[(2,2'-바이나프탈렌)-6-일]-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8(βN2)-4mDBtPBfpm)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한 8(βN2)-4mDBtPBfpm의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 28]
Figure pct00028
<8-[(2,2'-바이나프탈렌)-6-일]-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘의 합성>
8-클로로-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘 1.21g, [2,2'-바이나프탈렌]-6-일보론산 0.857g, 제삼인산포타슘 1.67g, 다이글라임 26mL, t-뷰탄올 0.583g을 3구 플라스크에 넣고, 플라스크 내를 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 질소 치환하였다.
이 혼합물을 60℃까지 가열하고, 아세트산 팔라듐(II) 18.9mg, 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 61.1mg을 첨가하고, 120℃에서 10시간 동안 교반하였다. 이 반응액에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 잔류물을 물, 에탄올, 및 톨루엔으로 세정하였다. 이 잔류물을 가열된 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 셀라이트의 순서로 충전된 여과 보조제에 통과시켰다. 얻어진 용액을 농축, 건고하여 백색 고체를 얻었다.
얻어진 고체 전량, [2,2'-바이나프탈렌]-6-일보론산 0.348g, 제삼인산포타슘 0.621g, 다이글라임 13mL, t-뷰탄올 0.239g을 3구 플라스크에 넣고, 플라스크 내를 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 질소 치환하였다. 이 혼합물을 60℃까지 가열하고, 아세트산 팔라듐(II) 8.7mg, 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 25.1mg을 첨가하고, 120℃에서 18.5시간 동안 교반하였다. 이 반응액에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 잔류물을 물, 에탄올, 및 톨루엔으로 세정하였다.
이 잔류물을 가열된 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 셀라이트의 순서로 충전된 여과 보조제에 통과시켰다. 얻어진 용액을 농축, 건고하고, 톨루엔을 사용하여 재결정함으로써, 목적물인 백색 고체를 수량 1.16g, 수율 65%로 얻었다. 얻어진 백색 고체 1.15g을 트레인 서블리메이션법에 의하여 승화 정제하였다. 승화 정제 조건으로서, 압력을 2.64Pa로 하고, 아르곤 가스를 유량 10mL/min으로 흘리면서, 365℃에서 고체를 가열하였다. 승화 정제 후, 본 발명인 8(βN2)-4mDBtPBfpm을 0.958g(회수율 83%, 백색 고체) 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(c-1)에 나타낸다.
[화학식 29]
Figure pct00029
또한 상기 반응으로 얻어진 백색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한 1H-NMR 차트를 도 12에 나타내었다. 이 결과로부터, 본 실시예에서는 상술한 구조식(102)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8(βN2)-4mDBtPBfpm이 얻어진 것을 알 수 있었다.
1H-NMR.δ(CDCl3):7.50-7.7.57(m, 4H), 7.64-7.67(m, 2H), 7.82(t, 1H), 7.86-8.00(m, 9H), 8.05-8.09(m, 2H), 8.14(d, 1H), 8.22-8.26(m, 5H), 8.69(s, 1H), 8.74(d, 1H), 9.07(s, 1H), 9.35(s, 1H).
<<8(βN2)-4mDBtPBfpm의 물성에 대하여>>
다음으로, 8(βN2)-4mDBtPBfpm의 톨루엔 용액 및 고체 박막의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하 단순히 "흡수 스펙트럼"이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다.
톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼의 측정에는, 자외 가시 분광 광도계(JASCO Corporation 제조, V550형)를 사용하였다. 또한 톨루엔 용액의 발광 스펙트럼의 측정에는, 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다. 얻어진 톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 13의 (A)에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 13의 (A)에 따르면, 8(βN2)-4mDBtPBfpm의 톨루엔 용액은 333nm, 325nm, 및 280nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 발광 파장의 피크는 414nm(여기 파장 329nm)이었다.
고체 박막의 흡수 스펙트럼의 측정에는, 석영 기판 위에 진공 증착법에 의하여 제작한 고체 박막을 사용하고, 자외 가시 분광 광도계(Hitachi High-Technologies Corporation 제조, U4100형)를 사용하였다. 또한 고체 박막의 발광 스펙트럼의 측정에는, 상술한 바와 같이 제작한 고체 박막을 사용하고, 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다. 얻어진 고체 박막의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 13의 (B)에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다. 또한 상술한 바와 같이 제작한 고체 박막을 사용하고, 현미 PL 장치 LabRAM HR-PL(HORIBA, Ltd.)을 사용하고, 측정 온도는 10K로 하고, 여기광으로서 파장 325nm의 He-Cd 레이저를 사용하고, 검출기로서 CCD 검출기를 사용하여 저온(10K)의 발광 스펙트럼을 측정하였다.
도 13의 (B)에 따르면, 8(βN2)-4mDBtPBfpm의 고체 박막에서는 328nm, 266nm, 및 245nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 451nm(여기 파장 340nm) 부근에 발광 파장의 피크가 확인되었다. 또한 저온(10K)의 발광 스펙트럼의 결과에 따르면, 8(βN2)-4mDBtPBfpm의 발광 스펙트럼의 인광 성분의 가장 짧은 파장 측의 피크(숄더를 포함함)의 파장은 543nm이었다. 따라서 상기 피크 파장으로부터 8(βN2)-4mDBtPBfpm의 T1 준위는 2.28eV로 산출되었다.
본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8(βN2)-4mDBtPBfpm은 높은 T1 준위를 갖고, 황색부터 적색 부근에서 발광하는 인광 재료(게스트 재료)에 적합한 호스트 재료라고 할 수 있다. 또한 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8(βN2)-4mDBtPBfpm은 가시 영역의 인광 발광 물질의 호스트 재료나 발광 물질로서도 이용할 수 있다.
(실시예 4)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 소자로서, 실시예 3에서 설명한 8-[(2,2'-바이나프탈렌)-6-일]-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8(βN2)-4mDBtPBfpm)(구조식(102))을 발광층에 사용한 발광 소자 1, 비교로서 4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-8-(나프탈렌-2-일)-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8βN-4mDBtPBfpm)(구조식(301))을 발광층에 사용한 비교 발광 소자 2, 비교로서 4,8-비스[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 4,8mDBtP2Bfpm)(구조식(302))을 발광층에 사용한 비교 발광 소자 3의 소자 구조, 제작 방법, 및 그 특성에 대하여 설명한다. 또한 본 실시예에서 사용하는 발광 소자의 소자 구조를 도 14에 도시하고, 구체적인 구성에 대하여 표 1에 나타내었다. 또한 본 실시예에서 사용하는 재료의 화학식을 이하에 나타낸다.
[표 1]
Figure pct00030
* 8(βN2)-4mDBtPBfpm:PCBBiF:Ir(dmpqn)2(acac) (0.75:0.25:0.1 40nm)
** 8βN-4mDBtPBfpm:PCBBiF:Ir(dmpqn)2(acac) (0.75:0.25:0.1 40nm)
*** 4,8mDBtP2Bfpm:PCBBiF:Ir(dmpqn)2(acac)(0.75:0.25:0.1 40nm)
[화학식 30]
Figure pct00031
<<발광 소자의 제작>>
본 실시예에서 설명하는 발광 소자는 도 14에 도시된 바와 같이, 기판(900) 위에 형성된 제 1 전극(901) 위에 정공 주입층(911), 정공 수송층(912), 발광층(913), 전자 수송층(914), 전자 주입층(915)이 순차적으로 적층되고, 전자 주입층(915) 위에 제 2 전극(903)이 적층된 구조를 갖는다.
우선, 기판(900) 위에 제 1 전극(901)을 형성하였다. 전극 면적은 4mm2(2mmХ2mm)로 하였다. 또한 기판(900)으로서는 유리 기판을 사용하였다. 또한 제 1 전극(901)은 산화 실리콘을 포함하는 인듐 주석 산화물(ITSO)을 스퍼터링법에 의하여 70nm의 막 두께로 성막하여 형성하였다.
여기서, 전처리로서 기판의 표면을 물로 세정하고, 200℃에서 1시간 동안 소성한 후, UV 오존 처리를 370초 동안 수행하였다. 그 후, 10-4Pa 정도까지 내부가 감압된 진공 증착 장치에 기판을 도입하고, 진공 증착 장치 내의 가열실에서 170℃에서 30분 동안 진공 소성을 수행한 후, 기판을 약 30분 동안 방랭하였다.
다음으로, 제 1 전극(901) 위에 정공 주입층(911)을 형성하였다. 정공 주입층(911)은 진공 증착 장치 내를 10-4Pa까지 감압한 후, 1,3,5-트라이(다이벤조싸이오펜-4-일)벤젠(약칭: DBT3P-II)과 산화 몰리브데넘을 DBT3P-II:산화 몰리브데넘=2:1(질량비)로 하고, 막 두께가 60nm가 되도록 공증착하여 형성하였다.
다음으로, 정공 주입층(911) 위에 정공 수송층(912)을 형성하였다. 정공 수송층(912)은 4,4'-다이페닐-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBBi1BP)을 사용하고, 막 두께가 20nm가 되도록 증착하여 형성하였다.
다음으로, 정공 수송층(912) 위에 발광층(913)을 형성하였다.
발광층(913)은, 발광 소자 1의 경우에는, 8(βN2)-4mDBtPBfpm 및 N-(1,1'-바이페닐-4-일)-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-아민(약칭: PCBBiF)에 더하여, 게스트 재료(인광 발광 재료)로서 비스[4,6-다이메틸-2-(2-퀴놀린일-κN)페닐-κC](2,4-펜테인다이오네이토-κ2O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmpqn)2(acac)])을 사용하고, 중량비가 8(βN2)-4mDBtPBfpm:PCBBiF:[Ir(dmpqn)2(acac)]=0.75:0.25:0.1이 되도록 공증착하였다. 또한 막 두께는 40nm로 하였다. 또한 비교 발광 소자 2의 경우에는, 8βN-4mDBtPBfpm 및 PCBBiF에 더하여, 게스트 재료(인광 발광 재료)로서 [Ir(dmpqn)2(acac)]를 사용하고, 중량비가 8βN-4mDBtPBfpm:PCBBiF:[Ir(dmpqn)2(acac)]=0.75:0.25:0.1이 되도록 공증착하였다. 또한 막 두께는 40nm로 하였다. 또한 비교 발광 소자 3의 경우에는, 4,8mDBtP2Bfpm 및 PCBBiF에 더하여, 게스트 재료(인광 발광 재료)로서 [Ir(dmpqn)2(acac)]를 사용하고, 중량비가 4,8mDBtP2Bfpm:PCBBiF:[Ir(dmpqn)2(acac)]=0.75:0.25:0.1이 되도록 공증착하였다. 또한 막 두께는 40nm로 하였다.
다음으로, 발광층(913) 위에 전자 수송층(914)을 형성하였다.
전자 수송층(914)은 발광 소자 1의 경우에는, 8(βN2)-4mDBtPBfpm의 막 두께가 25nm이고, 2,9-비스(나프탈렌-2-일)-4,7-다이페닐-1,10-페난트롤린(약칭: NBphen)의 막 두께가 15nm가 되도록 순차적으로 증착하여 형성하였다. 또한 비교 발광 소자 2의 경우에는, 8βN-4mDBtPBfpm의 막 두께가 25nm이고, NBphen의 막 두께가 15nm가 되도록 순차적으로 증착하여 형성하였다. 또한 비교 발광 소자 3의 경우에는, 4,8mDBtP2Bfpmm의 막 두께가 25nm이고, NBphen의 막 두께가 15nm가 되도록 순차적으로 증착하여 형성하였다.
다음으로, 전자 수송층(914) 위에 전자 주입층(915)을 형성하였다. 전자 주입층(915)은 플루오린화 리튬(LiF)을 사용하고, 막 두께가 1nm가 되도록 증착하여 형성하였다.
다음으로, 전자 주입층(915) 위에 제 2 전극(903)을 형성하였다. 제 2 전극(903)은, 알루미늄을 사용하여 증착법에 의하여 두께가 200nm가 되도록 형성하였다. 또한 본 실시예에서 제 2 전극(903)은 음극으로서 기능한다.
상술한 공정을 거쳐, 한 쌍의 전극 사이에 EL층(902)을 끼운 발광 소자를 기판(900) 위에 형성하였다. 또한 상기 공정에서 설명한 정공 주입층(911), 정공 수송층(912), 발광층(913), 전자 수송층(914), 전자 주입층(915)은 본 발명의 일 형태의 EL층을 구성하는 기능층이다. 또한 상술한 제작 방법에서의 증착 공정에서는 모두 저항 가열법에 의한 증착법을 사용하였다.
또한 상술한 바와 같이 제작한 발광 소자는 다른 기판(도시하지 않았음)으로 밀봉된다. 또한 다른 기판(도시하지 않았음)을 사용하여 밀봉할 때는, 질소 분위기의 글러브 박스 내에서 자외광에 의하여 고체화되는 실재가 도포된 다른 기판(도시하지 않았음)을 기판(900) 위에 고정하고, 기판(900) 위에 형성된 발광 소자의 주위에 실재가 부착되도록 기판들을 접착시켰다. 밀봉 시에는 365nm의 자외광을 6J/cm2 조사하여 실재를 고체화시키고, 80℃에서 1시간 동안 열처리함으로써 실재를 안정화시켰다.
<<발광 소자의 동작 특성>>
제작한 각 발광 소자의 동작 특성을 측정하였다. 또한 측정은 실온(25℃로 유지된 분위기)에서 수행하였다. 또한 각 발광 소자의 동작 특성의 결과로서 전류 밀도-휘도 특성을 도 15에, 전압-휘도 특성을 도 16에, 휘도-전류 효율 특성을 도 17에, 전압-전류 특성을 도 18에 각각 나타내었다.
또한 1000cd/m2 부근에서의 각 발광 소자의 주된 초기 특성값을 이하의 표 2에 나타내었다.
[표 2]
Figure pct00032
또한 발광 소자 1, 비교 발광 소자 2, 및 비교 발광 소자 3에 2.5mA/cm2의 전류 밀도로 전류를 흘렸을 때의 발광 스펙트럼을 도 19에 나타내었다. 도 19에 나타낸 바와 같이, 발광 소자 1, 비교 발광 소자 2, 및 비교 발광 소자 3의 발광 스펙트럼은 626nm 부근에 피크를 갖고, 모두 발광층(913)에 포함되는 [Ir(dmpqn)2(acac)]의 발광에서 유래하는 것이 시사된다.
다음으로, 발광 소자 1, 비교 발광 소자 2, 및 비교 발광 소자 3에 대하여 신뢰성 시험을 수행하였다. 신뢰성 시험의 결과를 도 20에 나타내었다. 도 20에서, 세로축은 초기 휘도를 100%로 하였을 때의 정규화 휘도(%)를 나타내고, 가로축은 소자의 구동 시간(h)을 나타낸다. 또한 신뢰성 시험으로서는, 75mA/cm2의 전류 밀도로 일정한 전류를 흘리는 정전류 구동 시험을 수행하였다.
신뢰성 시험의 결과로부터, 발광 소자 1은 비교 발광 소자 2 및 비교 발광 소자 3에 비하여 구동 초기에서의 열화가 적은 것을 알 수 있었다. 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8(βN2)-4mDBtPBfpm(구조식(102))을 사용하는 것은 발광 소자의 소자 특성을 향상시키는 데 유용하다고 할 수 있다. 또한 비교 발광 소자 2에 사용한 8βN-4mDBtPBfpm(구조식(301))은 벤조퓨로피리미딘 골격의 8위에 나프틸기가 결합된 구조를 갖고, 비교 발광 소자 3에 사용한 4,8mDBtP2Bfpm(구조식(302))은 벤조퓨로피리미딘 골격의 8위에 페닐기를 통하여 다이벤조싸이오펜이 결합된 구조를 갖지만, 발광 소자 1에 사용한 8(βN2)-4mDBtPBfpm은 벤조퓨로피리미딘 골격의 8위에 아릴렌기가 복수로 연결된 구조, 구체적으로는 같은 나프틸기가 2개 연결된 바이나프틸기를 갖는 분자 구조를 갖는다.
따라서 본 발명의 일 형태인 유기 화합물과 같이 벤조퓨로피리미딘 골격 또는 벤조티에노피리미딘 골격의 8위에 바이아릴렌기를 갖는 구조의 유기 화합물을 발광 소자에 사용하면, 발광 소자 1은 초기 휘도로부터 5% 저하하는 시간(LT95)이 173시간임에 대하여, 비교 발광 소자 2는 LT95가 86시간, 비교 발광 소자 3은 LT95가 32시간으로 발광 소자의 초기 열화를 억제하는 데 효과가 있고, 신뢰성이 높은 발광 소자를 제공 가능하다고 할 수 있다.
(실시예 5)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 소자로서, 실시예 1에서 설명한 8BP-4mDBtPBfpm(구조식(100))을 발광층에 사용한 발광 소자 4, 실시예 2에서 설명한 8mBP-4mDBtPBfpm(구조식(101))을 발광층에 사용한 발광 소자 5, 비교로서 8Ph-4mDBtPBfpm(구조식(300))을 발광층에 사용한 비교 발광 소자 6, 비교로서 8DBt-4mDBtPBfpm(구조식(303))을 발광층에 사용한 비교 발광 소자 7을 제작하고, 그 특성을 측정한 결과에 대하여 설명한다.
또한 본 실시예에서 제작한 발광 소자 4, 발광 소자 5, 비교 발광 소자 6, 및 비교 발광 소자 7의 소자 구조는, 실시예 4에서 설명한 도 14와 같은 구조를 갖지만, 소자 구조를 구성하는 각 층의 구체적인 구성에 대해서는 표 3에 나타낸 바와 같다. 또한 본 실시예에서 사용하는 재료의 화학식을 이하에 나타낸다.
[표 3]
Figure pct00033
* 8BP-4mDBtPBfpm:PCCP:[Ir(ppy)2(4dppy)] (0.6:0.4:0.1 40nm)
** 8mBP-4mDBtPBfpm:PCCP:[Ir(ppy)2(4dppy)] (0.6:0.4:0.1 40nm)
*** 8Ph-4mDBtPBfpm:PCCP:[Ir(ppy)2(4dppy)] (0.6:0.4:0.1 40nm)
**** 8DBt-4mDBtPBfpm:PCCP:[Ir(ppy)2(4dppy)] (0.6:0.4:0.1 40nm)
[화학식 31]
Figure pct00034
<<각 발광 소자의 동작 특성>>
제작한 발광 소자 4, 발광 소자 5, 비교 발광 소자 6, 및 비교 발광 소자 7의 동작 특성을 측정하였다. 또한 측정은 실온(25℃로 유지된 분위기)에서 수행하였다.
각 발광 소자의 전류 밀도-휘도 특성을 도 21에, 전압-휘도 특성을 도 22에, 휘도-전류 효율 특성을 도 23에, 전압-전류 특성을 도 24에 각각 나타내었다.
또한 1000cd/m2 부근에서의 각 발광 소자의 주된 초기 특성값을 이하의 표 4에 나타내었다.
[표 4]
Figure pct00035
또한 각 발광 소자에 2.5mA/cm2의 전류 밀도로 전류를 흘렸을 때의 발광 스펙트럼을 도 25에 나타내었다. 도 25에 나타낸 바와 같이, 각 발광 소자의 발광 스펙트럼은 560nm 부근에 피크를 갖고, 발광층(913)에 포함되는 [Ir(ppy)2(4dppy)]의 발광에서 유래하는 것이 시사된다.
다음으로, 각 발광 소자에 대하여 신뢰성 시험을 수행하였다. 신뢰성 시험의 결과를 도 26에 나타내었다. 도 26에서, 세로축은 초기 휘도를 100%로 하였을 때의 정규화 휘도(%)를 나타내고, 가로축은 소자의 구동 시간(h)을 나타낸다. 또한 신뢰성 시험으로서는, 50mA/cm2의 전류 밀도로 일정한 전류를 흘리는 정전류 구동 시험을 수행하였다.
신뢰성 시험의 결과에 따르면, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8BP-4mDBtPBfpm(구조식(100))을 발광층에 사용한 발광 소자 4는 초기 휘도로부터 5% 저하하는 시간(LT95)이 131시간이고, 8mBP-4mDBtPBfpm(구조식(101))을 발광층에 사용한 발광 소자 5는 LT95가 112시간이고, 비교의 유기 화합물, 8Ph-4mDBtPBfpm(구조식(300))을 발광층에 사용한 비교 발광 소자 6은 LT95가 98시간이고, 8DBt-4mDBtPBfpm(구조식(303))을 발광층에 사용한 비교 발광 소자 7은 LT95가 62시간으로 본 발명의 일 형태인 유기 화합물을 발광층에 사용한 발광 소자의 초기 열화가 억제되어 있었다. 이것은 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8BP-4mDBtPBfpm 및 8mBP-4mDBtPBfpm이 벤조퓨로피리미딘 골격의 8위에 아릴렌기가 복수로 연결된 구조, 더 바람직하게는 같은 페닐기가 2개 연결된 바이페닐기를 갖는 것에 의한 효과이다. 따라서 본 발명의 일 형태인 유기 화합물을 사용하는 것은 발광 소자의 신뢰성을 향상시키는 데 유용하다고 할 수 있다.
(실시예 6)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 소자로서, 실시예 1에서 설명한 8BP-4mDBtPBfpm(구조식(100))을 발광층에 사용한 발광 소자 8, 실시예 2에서 설명한 8mBP-4mDBtPBfpm(구조식(101))을 발광층에 사용한 발광 소자 9, 비교로서 8Ph-4mDBtPBfpm(구조식(300))을 발광층에 사용한 비교 발광 소자 10, 비교로서 8DBt-4mDBtPBfpm(구조식(303))을 발광층에 사용한 비교 발광 소자 11을 제작하고, 그 특성을 측정한 결과에 대하여 설명한다.
또한 본 실시예에서 제작한 발광 소자 8, 발광 소자 9, 비교 발광 소자 10, 및 비교 발광 소자 11의 소자 구조는, 실시예 4에서 설명한 도 14와 같은 구조를 갖지만, 소자 구조를 구성하는 각 층의 구체적인 구성에 대해서는 표 5에 나타낸 바와 같다. 또한 본 실시예에서 사용하는 재료의 화학식을 이하에 나타낸다.
[표 5]
Figure pct00036
* 8BP-4mDBtPBfpm:PCCP:[Ir(ppy)2(mdppy)] (0.5:0.5:0.1 40nm)
** 8mBP-4mDBtPBfpm:PCCP:[Ir(ppy)2(mdppy)] (0.5:0.5:0.1 40nm)
*** 8Ph-4mDBtPBfpm:PCCP:[Ir(ppy)2(mdppy)] (0.5:0.5:0.1 40nm)
**** 8DBt-4mDBtPBfpm:PCCP:[Ir(ppy)2(mdppy)] (0.5:0.5:0.1 40nm)
[화학식 32]
Figure pct00037
<<각 발광 소자의 동작 특성>>
제작한 발광 소자 8, 발광 소자 9, 비교 발광 소자 10, 및 비교 발광 소자 11의 동작 특성을 측정하였다. 또한 측정은 실온(25℃로 유지된 분위기)에서 수행하였다.
각 발광 소자의 전류 밀도-휘도 특성을 도 27에, 전압-휘도 특성을 도 28에, 휘도-전류 효율 특성을 도 29에, 전압-전류 특성을 도 30에 각각 나타내었다.
또한 1000cd/m2 부근에서의 각 발광 소자의 주된 초기 특성값을 이하의 표 6에 나타내었다.
[표 6]
Figure pct00038
또한 각 발광 소자에 2.5mA/cm2의 전류 밀도로 전류를 흘렸을 때의 발광 스펙트럼을 도 31에 나타내었다. 도 31에 나타낸 바와 같이, 발광 소자의 발광 스펙트럼은 524nm 부근에 피크를 갖고, 발광층(913)에 포함되는 [2-(4-메틸-5-페닐-2-피리딘일-κN)페닐-κC]비스[2-(2-피리딘일-κN)페닐-κC]이리듐(약칭: [Ir(ppy)2(mdppy)])의 발광에서 유래하는 것이 시사된다.
다음으로, 각 발광 소자에 대하여 신뢰성 시험을 수행하였다. 신뢰성 시험의 결과를 도 32에 나타내었다. 도 32에서, 세로축은 초기 휘도를 100%로 하였을 때의 정규화 휘도(%)를 나타내고, 가로축은 소자의 구동 시간(h)을 나타낸다. 또한 신뢰성 시험으로서는, 50mA/cm2의 전류 밀도로 일정한 전류를 흘리는 정전류 구동 시험을 수행하였다.
신뢰성 시험의 결과에 따르면, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8BP-4mDBtPBfpm(구조식(100))을 발광층에 사용한 발광 소자 8은 초기 휘도로부터 5% 저하하는 시간(LT95)이 30시간이고, 8mBP-4mDBtPBfpm(구조식(101))을 발광층에 사용한 발광 소자 9는 LT95가 28시간이고, 비교의 유기 화합물, 8DBt-4mDBtPBfpm(구조식(303))을 발광층에 사용한 비교 발광 소자 11은 LT95가 15시간으로 본 발명의 일 형태인 유기 화합물의 초기 열화가 억제되어 있었다. 또한 비교의 유기 화합물, 8Ph-4mDBtPBfpm(구조식(300))을 발광층에 사용한 비교 발광 소자 10은 LT95가 29시간으로 양호하지만, 장기 열화의 기울기는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물보다 급격하였다. 이들은 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8BP-4mDBtPBfpm 및 8mBP-4mDBtPBfpm이 벤조퓨로피리미딘 골격의 8위에 아릴렌기가 복수로 연결된 구조, 더 바람직하게는 같은 페닐기가 2개 연결된 바이페닐기를 갖는 것에 의한 효과이다. 따라서 본 발명의 일 형태인 유기 화합물을 사용하는 것은 발광 소자의 신뢰성을 향상시키는 데 유용하다고 할 수 있다.
<<참고 합성예 1>>
본 참고 합성예에서는, 실시예 5의 비교 발광 소자 6 및 실시예 6의 비교 발광 소자 10에 사용한, 하기 구조식으로 나타내어지는 유기 화합물, 4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-8-페닐-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8Ph-4mDBtPBfpm)(구조식(300))의 합성예에 대하여 구체적으로 예시한다.
[화학식 33]
Figure pct00039
<8Ph-4mDBtPBfpm의 합성>
8-클로로-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘 3.00g, 페닐보론산 0.95g, 제삼인산포타슘 4.12g, 다이글라임 65mL, t-뷰탄올 1.44g을 3구 플라스크에 넣고, 플라스크 내를 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 질소 치환하였다. 이 혼합물에 아세트산 팔라듐(II) 42.7mg, 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 140mg을 첨가하고, 120℃에서 15.5시간 동안 교반하였다.
이 반응액에 아세트산 팔라듐(II) 45.2mg, 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 140mg을 첨가하고, 120℃에서 6시간, 그리고 140℃에서 3시간 동안 교반하였다. 이 반응액에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 잔류물을 아세트산 에틸 및 헥세인으로 세정하였다. 이 잔류물을 가열된 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 셀라이트의 순서로 충전된 여과 보조제에 통과시켰다. 얻어진 용액을 농축, 건고하고, 톨루엔을 사용하여 재결정함으로써, 목적물을 포함하는 백색 고체를 수량 1.50g으로 얻었다.
얻어진 백색 고체 1.50g을 트레인 서블리메이션법에 의하여 승화 정제하였다. 승화 정제 조건으로서, 압력을 3.48Pa로 하고, 아르곤 가스를 유량 15mL/min으로 흘리면서, 280℃에서 고체를 가열하였다. 승화 정제 후, 목적물을 얻었다(백색 고체 1.02g, 회수율 68%). 합성 스킴을 하기 식(d-1)에 나타낸다.
[화학식 34]
Figure pct00040
또한 위에서 얻어진 백색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 이로부터 8Ph-4mDBtPBfpm이 얻어진 것을 알 수 있었다.
1H-NMR.δ(CDCl3):7.42(t, 1H), 7.49-7.53(m, 4H), 7.64-7.66(m, 2H), 7.71(d, 2H), 7.79-7.82(m, 2H), 7.87(d, 1H), 7.97(t, 2H), 8.23-8.25(m, 2H), 8.52(s, 1H), 8.72(d, 1H), 9.05(s, 1H), 9.33(s, 1H).
<<참고 합성예 2>>
본 참고 합성예에서는, 실시예 4의 비교 발광 소자 2에 사용한, 하기 구조식으로 나타내어지는 유기 화합물, 4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-8-(나프탈렌-2-일)-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8βN-4mDBtPBfpm)(구조식(301))의 합성예에 대하여 구체적으로 예시한다.
[화학식 35]
Figure pct00041
<8βN-4mDBtPBfpm의 합성>
먼저, 8-클로로-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘 1.5g과, 2-나프탈렌보론산 0.73g과, 플루오린화 세슘 1.5g과, 메시틸렌 32mL를 첨가하고, 100mL의 3구 플라스크 내를 질소 치환하고, 2'-(다이사이클로헥실포스피노)아세토페논에틸렌케탈 70mg과, 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0)(약칭: Pd2(dba)3) 89mg을 첨가하고, 질소 기류하에 있어서 120℃에서 5시간 동안 가열하였다. 얻어진 반응물에 물을 첨가하고, 여과하고, 물 및 에탄올을 순차적으로 사용하여 잔류물을 세정하였다.
이 잔류물을 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 셀라이트의 순서로 충전된 여과 보조제를 사용하여 여과하였다. 얻어진 용액의 용매를 농축하고 재결정함으로써, 목적물인 담황색 고체를 수량 1.5g, 수율 64%로 얻었다. 합성 스킴을 하기 식(e-1)에 나타낸다.
[화학식 36]
Figure pct00042
얻어진 담황색 고체 1.5g을 트레인 서블리메이션법에 의하여 승화 정제하였다. 승화 정제 조건으로서, 압력을 2.0Pa로 하고, 아르곤 가스를 유량 10mL/min으로 흘리면서, 290℃에서 고체를 가열하였다. 승화 정제 후, 목적물인 황색 고체를 0.60g, 회수율 39%로 얻었다.
얻어진 황색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 이 결과로부터, 8βN-4mDBtPBfpm이 얻어진 것을 알 수 있었다.
1H-NMR.δ(TCE-d2):7.45-7.50(m, 4H), 7.57-7.62(m, 2H), 7.72-7.93(m, 8H), 8.03(d, 1H), 8.10(s, 1H), 8.17(d, 2H), 8.60(s, 1H), 8.66(d, 1H), 8.98(s, 1H), 9.28(s, 1H).
(실시예 7)
<<합성예 4>>
본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(103)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8-(1,1'-바이페닐-4-일)-4-[3'-(다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8BP-4mDBtBPBfpm)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한 8BP-4mDBtBPBfpm의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 37]
Figure pct00043
<8BP-4mDBtBPBfpm의 합성>
8-클로로-4-[3'-(다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘 2.26g, 4-바이페닐보론산 0.915g, 플루오린화 세슘 1.27g, 메시틸렌 42mL를 3구 플라스크에 넣고, 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 질소 치환하였다. 이 혼합물을 60℃까지 가열하고, 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 0.116g, 2'-(다이사이클로헥실포스피노)아세토페논에틸렌케탈 90.2mg을 첨가하고, 100℃에서 13.5시간 동안 가열한 다음, 120℃에서 7.5시간 동안 교반하였다. 이 혼합물에 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 0.115g, 2'-(다이사이클로헥실포스피노)아세토페논에틸렌케탈 90.3mg을 첨가하고, 120℃에서 28시간 동안 교반하였다. 이 반응액에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 잔류물을 물, 에탄올, 및 톨루엔으로 세정하였다. 이 잔류물을 가열된 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 셀라이트의 순서로 충전된 여과 보조제에 통과시켰다. 얻어진 용액을 농축, 건고하고, 톨루엔을 사용하여 재결정함으로써, 목적물인 담황색 고체를 수량 1.93g, 수율 70%로 얻었다. 얻어진 담황색 고체 1.93g을 트레인 서블리메이션법에 의하여 승화 정제하였다. 승화 정제 조건으로서, 압력을 2.35Pa로 하고, 아르곤 가스를 유량 10mL/min으로 흘리면서, 355℃에서 고체를 가열하였다. 승화 정제 후, 목적물인 담황색 고체를 1.66g, 회수율 86%로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(f-1)에 나타낸다.
[화학식 38]
Figure pct00044
또한 상기 반응으로 얻어진 백색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한 1H-NMR 차트를 도 33에 나타내었다. 이 결과로부터, 본 실시예에서는 상술한 구조식(103)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8BP-4mDBtBPBfpm이 얻어진 것을 알 수 있었다.
1H-NMR.δ(CDCl3):7.37-7.40(m, 1H), 7.46-7.52(m, 4H), 7.60-7.85(m, 14H), 7.92-7.98(m, 2H), 8.19-8.23(m, 3H), 8.57(m, 1H), 8.64-8.66(m, 1H), 8.98-8.99(m, 1H), 9.33(s, 1H).
<<8BP-4mDBtBPBfpm의 물성에 대하여>>
다음으로, 8BP-4mDBtBPBfpm의 톨루엔 용액 및 고체 박막의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하 단순히 "흡수 스펙트럼"이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다.
톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼의 측정에는, 자외 가시 분광 광도계(JASCO Corporation 제조, V550형)를 사용하였다. 또한 톨루엔 용액의 발광 스펙트럼의 측정에는, 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다. 얻어진 톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 34에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 34에 따르면, 8BP-4mDBtBPBfpm의 톨루엔 용액은 332nm, 316nm, 및 281nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 발광 파장의 피크는 406nm(여기 파장 318nm)이었다.
고체 박막의 흡수 스펙트럼의 측정에는, 석영 기판 위에 진공 증착법에 의하여 제작한 고체 박막을 사용하고, 자외 가시 분광 광도계(Hitachi High-Technologies Corporation 제조, U4100형)를 사용하였다. 또한 고체 박막의 발광 스펙트럼의 측정에는, 상술한 바와 같이 제작한 고체 박막을 사용하고, 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다. 얻어진 고체 박막의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 35에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 35에 따르면, 8BP-4mDBtBPBfpm의 고체 박막에서는 340nm, 310nm, 290nm, 270nm, 및 245nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 426nm(여기 파장 330nm) 부근에 발광 파장의 피크가 확인되었다.
(실시예 8)
<<합성예 5>>
본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(105)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8-[(2,2'-바이나프탈렌)-6-일]-4-[3'-(다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8(βN2)-4mDBtBPBfpm)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한 8(βN2)-4mDBtBPBfpm의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 39]
Figure pct00045
<8(βN2)-4mDBtBPBfpm의 합성>
8-클로로-4-[3'-(다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘 2.11g, [2,2'-바이나프탈렌]-6-일보론산 1.26g, 제삼인산포타슘 2.55g, 다이글라임 40mL, t-뷰탄올 0.93g을 3구 플라스크에 넣고, 플라스크 내를 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 질소 치환하였다. 이 혼합물을 60℃까지 가열하고, 아세트산 팔라듐(II) 27.0mg, 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 77.8mg을 첨가하고, 120℃에서 14시간 동안 교반하였다. 아세트산 팔라듐(II) 27.5mg, 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 76.4mg을 첨가하고, 120℃에서 16시간 동안 교반하였다. 또한 이 반응물에 아세트산 팔라듐(II) 27.6mg, 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 77.9mg을 첨가하고, 120℃에서 14.5시간, 그리고 130℃에서 6.5시간 동안 교반하였다.
이 반응물에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 잔류물을 물 및 톨루엔으로 세정하였다. 이 잔류물을 가열된 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 셀라이트의 순서로 충전된 여과 보조제에 통과시켰다. 얻어진 용액을 농축, 건고하고, 톨루엔을 사용하여 재결정함으로써, 목적물인 백색 고체를 수량 1.56g, 수율 52%로 얻었다.
이 백색 고체 1.15g을 트레인 서블리메이션법에 의하여 승화 정제하였다. 승화 정제 조건으로서, 압력을 2.33Pa로 하고, 아르곤 가스를 유량 10mL/min으로 흘리면서, 375℃에서 고체를 가열하였다. 승화 정제 후, 목적물인 담황색 고체를 1.06g, 회수율 92%로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(g-1)에 나타낸다.
[화학식 40]
Figure pct00046
또한 상기 반응으로 얻어진 백색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한 1H-NMR 차트를 도 36에 나타내었다. 이 결과로부터, 본 실시예에서는 상술한 구조식(105)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8(βN2)-4mDBtBPBfpm이 얻어진 것을 알 수 있었다.
1H-NMR.δ(CDCl3):7.46-7.57(m, 4H), 7.62-7.63(m, 2H), 7.70(t, 1H), 7.75-7.87(m, 5H), 7.90-8.00(m, 7H), 8.06-8.10(m, 3H), 8.20-8.24(m, 6H), 8.66-8.68(m, 2H), 9.00(s, 1H), 9.34(s, 1H).
<<8(βN2)-4mDBtBPBfpm의 물성에 대하여>>
다음으로, 8(βN2)-4mDBtBPBfpm의 고체 박막의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하 단순히 "흡수 스펙트럼"이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다.
고체 박막의 흡수 스펙트럼의 측정에는, 석영 기판 위에 진공 증착법에 의하여 제작한 고체 박막을 사용하고, 자외 가시 분광 광도계(Hitachi High-Technologies Corporation 제조, U4100형)를 사용하였다. 또한 고체 박막의 발광 스펙트럼의 측정에는, 상술한 바와 같이 제작한 고체 박막을 사용하고, 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다. 얻어진 고체 박막의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 37에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 37에 따르면, 8(βN2)-4mDBtBPBfpm의 고체 박막에서는 328nm, 290nm, 267nm, 및 246nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 446nm(여기 파장 330nm) 부근에 발광 파장의 피크가 확인되었다.
(실시예 9)
<<합성예 6>>
본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(126)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8-(1,1':3',1''-터페닐-4-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8pmTP-4mDBtPBfpm)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한 8pmTP-4mDBtPBfpm의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 41]
Figure pct00047
<단계 1: 4-브로모-1,1':3',1''-터페닐의 합성>
3-바이페닐보론산 0.50g, 1-브로모-4-아이오도벤젠 1.06g, 탄산 소듐 0.80g, 톨루엔 17mL, 에탄올 4mL를 가지 달린 플라스크에 넣고, 플라스크 내를 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 질소 치환하였다. 이 혼합물에 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0) 86.7mg을 첨가하고, 120℃에서 26시간 동안 교반하였다. 이 반응물에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 여과액을 농축하여 갈색 고체를 얻었다. 이 고체를 톨루엔과 아세트산 에틸의 혼합액에 용해시키고, 얻어진 용액에 실리카 겔을 첨가하여 농축하였다. 얻어진 농축물을 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피에 의하여 전개 용매를 헥세인으로 하여 정제한 결과, 목적물인 백색 고체를 수량 0.30g, 수율 39%로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(h-1)에 나타낸다.
[화학식 42]
Figure pct00048
<단계 2: 1,1':3',1''-터페닐-4-보론산의 합성>
단계 1에서 합성한 4-브로모-1,1':3',1''-터페닐 2.94g을 3구 플라스크에 넣고, 플라스크 내를 질소 치환하고, 탈수 테트라하이드로퓨란 53mL를 첨가하여 -78℃까지 냉각하였다. 이 혼합물에 n-뷰틸리튬(1.6M-헥세인 용액) 8.9mL를 천천히 적하하고, -78℃의 조건하에서 1시간 동안 교반하였다. 이 반응물에 붕산 트라이메틸 1.6mL를 적하하고, 실온에서 하룻밤 교반하였다. 이 반응물에 염산을 첨가하고 아세트산 에틸로 추출을 수행하고, 얻어진 유기층을 물 및 포화 식염수로 세정하고, 황산 마그네슘으로 건조하였다. 이 혼합물을 자연 여과하고, 여과액을 농축하여 고체를 얻었다. 얻어진 고체를 아세트산 에틸과 헥세인의 혼합 용액으로 세정하여, 목적의 백색 고체를 수량 1.57g, 수율 60%로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(h-2)에 나타낸다.
[화학식 43]
Figure pct00049
<단계 3: 8pmTP-4mDBtPBfpm의 합성>
단계 2에서 합성한 1,1':3',1''-터페닐-4-보론산 1.12g, 8-클로로-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘 1.35g, 플루오린화 세슘 1.70g, 메시틸렌 26mL를 3구 플라스크에 넣고, 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 질소 치환하였다.
이 혼합물에 트리스(다이벤질리덴아세톤)다이팔라듐(0) 343mg, 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 127mg, 2'-(다이사이클로헥실포스피노)아세토페논에틸렌케탈 126mg을 첨가하고, 120℃에서 43.5시간 동안 교반하였다. 이 반응물에 물을 첨가하고 흡인 여과하였다. 얻어진 잔류물은 물, 에탄올, 및 톨루엔으로 세정한 후, 가열된 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 셀라이트의 순서로 충전된 여과 보조제에 통과시키고, 농축, 건고하고, 2상으로 분리하는 용매로서 톨루엔/에탄올을 사용한 확산법에 의하여 재결정함으로써, 목적물인 백색 고체를 수량 702mg, 수율 37%로 얻었다.
또한 상술한 반응물의 흡인 여과에 의하여 얻어진 여과액에 헥세인을 첨가하고, 석출한 고체를 흡인 여과하고, 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피(톨루엔:아세트산 에틸=50:1)로 정제하고, 톨루엔/에탄올을 사용하여 재결정하여, 목적물인 백색 고체를 수량 0.18g, 수율 9.5%로 얻었다. 이들 목적물을 혼합하고, 633mg의 백색 고체를 트레인 서블리메이션법에 의하여 승화 정제하였다. 승화 정제 조건으로서, 압력을 2.52Pa로 하고, 아르곤 가스를 유량 10mL/min으로 흘리면서, 330℃에서 고체를 가열하였다. 승화 정제 후, 목적물인 담황색 고체를 460mg, 회수율 73%로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(h-3)에 나타낸다.
[화학식 44]
Figure pct00050
또한 상기 반응으로 얻어진 담황색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한 1H-NMR 차트를 도 38에 나타내었다. 이 결과로부터, 본 실시예에서는 상술한 구조식(126)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8pmTP-4mDBtPBfpm이 얻어진 것을 알 수 있었다.
1H-NMR.δ(CDCl3):7.40(t, 1H), 7.47-7.70(m, 11H), 7.79-7.89(m, 8H), 7.98-8.04(m, 2H), 8.24-8.26(m, 2H), 8.59(d, 1H), 8.73(d, 1H), 9.05(t, 1H), 9.34(s, 1H).
<<8pmTP-4mDBtPBfpm의 물성에 대하여>>
다음으로, 8pmTP-4mDBtPBfpm의 톨루엔 용액 및 고체 박막의 자외 가시 흡수 스펙트럼(이하 단순히 "흡수 스펙트럼"이라고 함) 및 발광 스펙트럼을 측정하였다.
톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼의 측정에는, 자외 가시 분광 광도계(JASCO Corporation 제조, V550형)를 사용하였다. 또한 톨루엔 용액의 발광 스펙트럼의 측정에는, 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다. 얻어진 톨루엔 용액의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 39에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 39에 따르면, 8pmTP-4mDBtPBfpm의 톨루엔 용액은 315nm 및 282nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 발광 파장의 피크는 406nm(여기 파장 310nm)이었다.
고체 박막의 흡수 스펙트럼의 측정에는, 석영 기판 위에 진공 증착법에 의하여 제작한 고체 박막을 사용하고, 자외 가시 분광 광도계(Hitachi High-Technologies Corporation 제조, U4100형)를 사용하였다. 또한 고체 박막의 발광 스펙트럼의 측정에는, 상술한 바와 같이 제작한 고체 박막을 사용하고, 형광 광도계(Hamamatsu Photonics K.K. 제조, FS920)를 사용하였다. 얻어진 고체 박막의 흡수 스펙트럼 및 발광 스펙트럼의 측정 결과를 도 40에 나타내었다. 가로축은 파장을 나타내고, 세로축은 흡수 강도 및 발광 강도를 나타낸다.
도 40에 따르면, 8BP-4mDBtBPBfpm의 고체 박막에서는 340nm, 310nm, 288nm, 270nm, 및 243nm 부근에 흡수 피크가 확인되고, 426nm(여기 파장 330nm) 부근에 발광 파장의 피크가 확인되었다.
(실시예 10)
<<합성예 7>>
본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(128)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8-(1,1':4',1''-터페닐-3-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8mpTP-4mDBtPBfpm)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한 8mpTP-4mDBtPBfpm의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 45]
Figure pct00051
<단계 1: 2-하이드록시-5-(1,1':4',1''-터페닐-3-일)벤조나이트릴의 합성>
5-브로모-2-하이드록시벤조나이트릴 6.98g, β-[1,1':4',1''-터페닐]-3-일보론산 10.9g, 탄산 포타슘 11.0g, 톨루엔 370mL, 에탄올 40mL, 물 40mL를 3구 플라스크에 넣고, 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 질소 치환하였다. 이 혼합물에 아세트산 팔라듐(II) 467mg, 트리스(2-메틸페닐)포스핀 1.34g을 첨가하고, 80℃에서 4.0시간 동안 교반하였다. 이 반응물에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 잔류물을 물, 에탄올, 톨루엔, 및 아세트산 에틸로 세정하고, 목적물인 회색 고체를 수량 12.0g, 수율 98%로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(i-1)에 나타낸다.
[화학식 46]
Figure pct00052
<단계 2: 3-아미노-5-(1,1':4',1''-터페닐-3-일)벤조[b]퓨란-2-카본산에틸의 합성>
다음으로, 단계 1에서 합성한 2-하이드록시-5-(1,1':4',1''-터페닐-3-일)벤조나이트릴 12.0g, 브로모아세트산 에틸 7.05g, 탄산 포타슘 9.64g, 다이메틸폼아마이드 90mL를 3구 플라스크에 넣었다. 이 혼합물을 100℃에서 7.0시간 동안 교반하였다. 이 반응액에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 잔류물을 물 및 에탄올로 세정하였다. 이 잔류물을 가열된 아세트산 에틸에 용해시키고, 흡인 여과하였다. 얻어진 용액을 농축하고, 목적물인 회색 고체를 수량 11.9g, 수율 79%로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(i-2)에 나타낸다.
[화학식 47]
Figure pct00053
<단계 3: 8-(1,1':4',1''-터페닐-3-일)[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘-4(3H)-온의 합성>
다음으로, 단계 2에서 합성한 3-아미노-5-(1,1':4',1''-터페닐-3-일)벤조[b]퓨란-2-카본산에틸 11.9g, 폼아미딘아세트산염 5.81g, 폼아마이드 120mL를 3구 플라스크에 넣었다. 이 혼합물을 160℃에서 12.0시간 동안 교반하였다. 이 반응액에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 잔류물을 물 및 에탄올로 세정하고, 목적물인 갈색 고체를 수량 10.6g, 수율 93%로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(i-3)에 나타낸다.
[화학식 48]
Figure pct00054
<단계 4: 4-클로로-8-(1,1':4',1''-터페닐-3-일)[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘의 합성>
다음으로, 단계 3에서 합성한 8-(1,1':4',1''-터페닐-3-일)[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘-4(3H)-온 10.6g, 염화 포스포릴 40mL, 다이메틸폼아마이드 0.02mL를 3구 플라스크에 넣었다. 이 혼합물을 질소 기류하에 있어서 90℃에서 12.0시간 동안 교반하였다. 얻어진 반응물을 얼음물에 넣고, 이 용액을 수산화 소듐, 그리고 포화 중조수(重曹水)를 사용하여 중화시키고, 1시간 동안 교반하였다. 이 혼합물을 흡인 여과하고, 이 잔류물을 가열된 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 셀라이트의 순서로 충전된 여과 보조제에 통과시켰다. 얻어진 용액을 농축하고, 2상으로 분리하는 용매로서 톨루엔/에탄올을 사용한 확산법에 의하여 재결정함으로써, 목적물인 황색 고체를 수량 8.99g, 수율 81%로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(i-4)에 나타낸다.
[화학식 49]
Figure pct00055
<단계 5: 8-(1,1':4',1''-터페닐-3-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘의 합성>
다음으로, 단계 4에서 얻어진 4-클로로-8-(1,1':4',1''-터페닐-3-일)[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘 1.98g, 3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐보론산 1.69g, 탄산 포타슘 1.64g, 톨루엔 45mL, 에탄올 5.0mL, 및 물 5.0mL를 3구 플라스크에 넣고, 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 질소 치환하였다.
이 혼합물에 비스(트라이페닐포스핀)팔라듐(II)다이클로라이드(약칭: Pd(PPh3)2Cl2) 407mg을 첨가하고, 90℃에서 9.0시간 동안 교반하였다. 얻어진 반응물에 물을 첨가하고, 흡인 여과하였다. 얻어진 잔류물을 물, 에탄올, 및 톨루엔으로 세정하고, 가열된 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 셀라이트의 순서로 충전된 여과 보조제에 통과시켰다. 얻어진 용액을 농축, 건고하고, 2상으로 분리하는 용매로서 톨루엔/에탄올을 사용한 확산법에 의하여 재결정함으로써, 목적물인 백색 고체를 수량 2.57g, 수율 85%로 얻었다.
이 백색 고체 2.30g을 트레인 서블리메이션법에 의하여 승화 정제하였다. 승화 정제 조건으로서, 압력을 2.5Pa로 하고, 아르곤 가스를 유량 15mL/min으로 흘리면서, 350℃에서 고체를 가열하였다. 승화 정제 후, 목적물인 8-(1,1':4',1''-터페닐-3-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘을 수량 1.69g(회수율 74%, 백색 고체)로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(i-5)에 나타낸다.
[화학식 50]
Figure pct00056
또한 상기 반응으로 얻어진 담황색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한 1H-NMR 차트를 도 41에 나타내었다. 이 결과로부터, 본 실시예에서는 상술한 구조식(128)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8mpTP-4mDBtPBfpm이 얻어진 것을 알 수 있었다.
1H-NMR.δ(CDCl3):7.38(t, 1H), 7.47-7.53(m, 4H), 7.59-7.74(m, 9H), 7.77-7.88(m, 5H), 7.97-7.99(m, 2H), 8.03-8.05(m, 1H), 8.23-8.25(m, 2H), 8.61(d, 1H), 8.73(d, 1H), 9.05(t, 1H), 9.34(s, 1H).
(실시예 11)
<<합성예 8>>
본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(143)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8-(1,1':3'1''-터페닐-5'-일)-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8mTP-4mDBtPBfpm)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한 8mTP-4mDBtPBfpm의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 51]
Figure pct00057
<단계 1: 8mTP-4mDBtPBfpm의 합성>
8-클로로-4-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘 503mg, (3,5-다이페닐페닐)보론산 923mg, 제삼인산포타슘 1.23g, tert-뷰틸알코올 700mg, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터 36mL를 3구 플라스크에 넣고, 감압하에서 교반함으로써 탈기하고, 질소 치환하였다. 이 혼합물에 아세트산 팔라듐(II) 58.3mg, 다이(1-아다만틸)-n-뷰틸포스핀 166mg을 첨가하고, 120℃에서 7.5시간 동안 교반하였다.
이 반응물에 물을 첨가하고, 흡인 여과하고, 얻어진 잔류물을 물, 에탄올, 및 톨루엔으로 세정하였다. 이 잔류물을 가열된 톨루엔에 용해시키고, 셀라이트, 알루미나, 셀라이트의 순서로 충전된 여과 보조제에 통과시켰다. 얻어진 용액을 농축, 건고하고, 2상으로 분리하는 용매로서 톨루엔/에탄올을 사용한 확산법에 의하여 재결정함으로써, 목적물인 백색 고체를 수량 302mg, 수율 25%로 얻었다.
이 백색 고체 292mg을 트레인 서블리메이션법에 의하여 승화 정제하였다. 승화 정제 조건으로서, 압력을 2.6Pa로 하고, 아르곤 가스를 유량 10mL/min으로 흘리면서, 340℃에서 고체를 가열하였다. 승화 정제 후, 목적물인 8mTP-4mDBtPBfpm을 수량 161mg(회수율 55%, 백색 고체)로 얻었다. 이 합성 스킴을 하기 식(j-1)에 나타낸다.
[화학식 52]
Figure pct00058
또한 상기 반응으로 얻어진 담황색 고체의 핵자기 공명 분광법(1H-NMR)에 의한 분석 결과를 이하에 나타낸다. 또한 1H-NMR 차트를 도 42에 나타내었다. 이 결과로부터, 본 실시예에서는 상술한 구조식(143)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8mTP-4mDBtPbfpm이 얻어진 것을 알 수 있었다.
1H-NMR.δ(CDCl3):7.40-7.43(m, 2H), 7.47-7.53(m, 6H), 7.63-7.66(m, 2H), 7.74-7.76(m, 4H), 7.79-7.87(m, 4H), 7.91(m, 2H), 7.97-7.99(m, 1H), 8.08-8.09(m, 1H), 8.22-8.26(m, 2H), 8.66(m, 1H), 8.72-8.73(m, 1H), 9.05-9.06(m, 1H), 9.34(s, 1H).
(실시예 12)
<<합성예 9>>
본 실시예에서는, 실시형태 1의 구조식(144)으로 나타내어지는 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8-(1,1'-바이페닐-4-일)-4-[3-(9H-카바졸-9-일)페닐]-[1]벤조퓨로[3,2-d]피리미딘(약칭: 8BP-4mCzPBfpm)의 합성 방법에 대하여 설명한다. 또한 8BP-4mCzPBfpm의 구조를 이하에 나타낸다.
[화학식 53]
Figure pct00059
또한 상기 8BP-4mCzPBfpm은 하기 식(k-1)으로 나타내어지는 합성 스킴에 기초하여 합성될 수 있다.
[화학식 54]
Figure pct00060
(실시예 13)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 소자로서, 실시예 8에서 설명한 8(βN2)-4mDBtBPBfpm(구조식(105)), PCBBiF, 및 게스트 재료(인광 발광 재료)를 발광층에 사용하여 발광 소자를 제작하고, 그 특성을 측정한 결과에 대하여 설명한다. 또한 본 실시예에서는, 게스트 재료로서 [Ir(dmpqn)2(acac)]를 사용한 발광 소자를 발광 소자 12로, 게스트 재료로서 비스{4,6-다이메틸-2-[5-(5-사이아노-2-메틸페닐)-3-(3,5-다이메틸페닐)-2-피라진일-κN]페닐-κC}(2,2,6,6-테트라메틸-3,5-헵테인다이오네이토-κ2O,O')이리듐(III)(약칭: [Ir(dmdppr-m5CP)2(dpm)])을 사용한 발광 소자를 발광 소자 13으로한다.
또한 본 실시예에서 제작한 발광 소자 12 및 발광 소자 13의 소자 구조는, 실시예 4에서 설명한 도 14와 같은 구조를 갖지만, 소자 구조를 구성하는 각 층의 구체적인 구성에 대해서는 표 7에 나타낸 바와 같다. 또한 본 실시예에서 사용하는 재료의 화학식을 이하에 나타낸다.
[표 7]
Figure pct00061
* 8(βN2)-4mDBtBPBfpm:PCBBiF:[Ir(dmpqn)2(acac)] (0.85:0.15:0.1 40nm)
** 8(βN2)-4mDBtBPBfpm:PCBBiF:[Ir(dmdppr-m5CP)2(dpm)] (0.8:0.2:0.1 40nm)
[화학식 55]
Figure pct00062
<<각 발광 소자의 동작 특성>>
제작한 발광 소자 12 및 발광 소자 13의 동작 특성을 측정하였다. 또한 측정은 실온(25℃로 유지된 분위기)에서 수행하였다.
각 발광 소자의 전류 밀도-휘도 특성을 도 43에, 전압-휘도 특성을 도 44에, 휘도-전류 효율 특성을 도 45에, 전압-전류 특성을 도 46에 각각 나타내었다.
또한 1000cd/m2 부근에서의 각 발광 소자의 주된 초기 특성값을 이하의 표 8에 나타내었다.
[표 8]
Figure pct00063
또한 각 발광 소자에 2.5mA/cm2의 전류 밀도로 전류를 흘렸을 때의 발광 스펙트럼을 도 47에 나타내었다. 도 47에 나타낸 바와 같이, 발광 소자 12의 발광 스펙트럼은 628nm 부근에 피크를 갖고, 발광층(913)에 포함되는 [Ir(dmpqn)2(acac)]의 발광에서 유래하는 것이 시사된다. 또한 발광 소자 13의 발광 스펙트럼은 648nm 부근에 피크를 갖고, 발광층(913)에 포함되는 [Ir(dmdppr-m5CP)2(dpm)]의 발광에서 유래하는 것이 시사된다.
다음으로, 각 발광 소자에 대하여 신뢰성 시험을 수행하였다. 신뢰성 시험의 결과를 도 48에 나타내었다. 도 48에서, 세로축은 초기 휘도를 100%로 하였을 때의 정규화 휘도(%)를 나타내고, 가로축은 소자의 구동 시간(h)을 나타낸다. 또한 신뢰성 시험으로서는, 75mA/cm2의 전류 밀도로 일정한 전류를 흘리는 정전류 구동 시험을 수행하였다.
신뢰성 시험의 결과에 따르면, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8(βN2)-4mDBtBPBfpm(구조식(105))을 발광층에 사용한 발광 소자 12는 초기 휘도로부터 5% 저하하는 시간(LT95)이 115시간이고, 발광 소자 13은 LT95가 62시간이었다. 이것은 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8(βN2)-4mDBtBPBfpm이 벤조퓨로피리미딘 골격의 8위에 나프틸기가 복수로 연결된 구조를 갖는 것에 의한 효과이다. 따라서 본 발명의 일 형태인 유기 화합물을 사용하는 것은 발광 소자의 신뢰성을 향상시키는 데 유용하다고 할 수 있다.
(실시예 14)
본 실시예에서는, 본 발명의 일 형태인 발광 소자로서, 실시예 9에서 설명한 8pmTP-4mDBtPBfpm(구조식(126)), PCCP, 및 [Ir(ppy)2(mdppy)]를 발광층에 사용한 발광 소자 14, 실시예 7에서 설명한 8BP-4mDBtBPBfpm(구조식(103)), PCCP, 및 [Ir(ppy)2(mdppy)]를 발광층에 사용한 발광 소자 15를 제작하고, 그 특성을 측정한 결과에 대하여 설명한다.
또한 본 실시예에서 제작한 발광 소자 14 및 발광 소자 15의 소자 구조는, 실시예 4에서 설명한 도 14와 같은 구조를 갖지만, 소자 구조를 구성하는 각 층의 구체적인 구성에 대해서는 표 9에 나타낸 바와 같다. 또한 본 실시예에서 사용하는 재료의 화학식을 이하에 나타낸다.
[표 9]
Figure pct00064
* 8pmTP-4mDBtPBfpm:PCCP:[Ir(ppy)2(mdppy)] (0.5:0.5:0.1 40nm)
** 8BP-4mDBtBPBfpm:PCCP:[Ir(ppy)2(mdppy)] (0.5:0.5:0.1 40nm)
[화학식 56]
Figure pct00065
<<각 발광 소자의 동작 특성>>
제작한 발광 소자 14 및 발광 소자 15의 동작 특성을 측정하였다. 또한 측정은 실온(25℃로 유지된 분위기)에서 수행하였다.
각 발광 소자의 전류 밀도-휘도 특성을 도 49에, 전압-휘도 특성을 도 50에, 휘도-전류 효율 특성을 도 51에, 전압-전류 특성을 도 52에 각각 나타내었다.
또한 1000cd/m2 부근에서의 각 발광 소자의 주된 초기 특성값을 이하의 표 10에 나타내었다.
[표 10]
Figure pct00066
또한 각 발광 소자에 2.5mA/cm2의 전류 밀도로 전류를 흘렸을 때의 발광 스펙트럼을 도 53에 나타내었다. 도 53에 나타낸 바와 같이, 각 발광 소자의 발광 스펙트럼은 526nm 부근에 피크를 갖고, 발광층(913)에 포함되는 [Ir(ppy)2(mdppy)]의 발광에서 유래하는 것이 시사된다.
다음으로, 각 발광 소자에 대하여 신뢰성 시험을 수행하였다. 신뢰성 시험의 결과를 도 54에 나타내었다. 도 54에서, 세로축은 초기 휘도를 100%로 하였을 때의 정규화 휘도(%)를 나타내고, 가로축은 소자의 구동 시간(h)을 나타낸다. 또한 신뢰성 시험으로서는, 50mA/cm2의 전류 밀도로 일정한 전류를 흘리는 정전류 구동 시험을 수행하였다.
신뢰성 시험의 결과에 따르면, 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8pmTP-4mDBtPBfpm(구조식(126))을 발광층에 사용한 발광 소자 14는 초기 휘도로부터 5% 저하하는 시간(LT95)이 약 30시간이고, 8BP-4mDBtBPBfpm(구조식(103))을 발광층에 사용한 발광 소자 15는 LT95가 21시간었다. 이것은 본 발명의 일 형태인 유기 화합물, 8pmTP-4mDBtPBfpm 및 8BP-4mDBtBPBfpm이 벤조퓨로피리미딘 골격의 8위에 아릴렌기가 복수로 연결된 구조, 더 바람직하게는 같은 페닐기가 2개 연결된 바이페닐기를 갖는 것에 의한 효과이다. 따라서 본 발명의 일 형태인 유기 화합물을 사용하는 것은 발광 소자의 신뢰성을 향상시키는 데 유용하다고 할 수 있다.
101: 제 1 전극, 102: 제 2 전극, 103: EL층, 103a, 103b: EL층, 104, 104a, 104b: 전하 발생층, 111, 111a, 111b: 정공 주입층, 112, 112a, 112b: 정공 수송층, 113, 113a, 113b, 113c: 발광층, 114, 114a, 114b: 전자 수송층, 115, 115a, 115b: 전자 주입층, 200R, 200G, 200B: 광학 거리, 201: 제 1 기판, 202: 트랜지스터(FET), 203R, 203G, 203B, 203W: 발광 소자, 204: EL층, 205: 제 2 기판, 206R, 206G, 206B: 컬러 필터, 206R', 206G', 206B': 컬러 필터, 207: 제 1 전극, 208: 제 2 전극, 209: 흑색층(블랙 매트릭스), 210R, 210G: 도전층, 301: 제 1 기판, 302: 화소부, 303: 구동 회로부(소스선 구동 회로), 304a, 304b: 구동 회로부(게이트선 구동 회로), 305: 실재, 306: 제 2 기판, 307: 리드 배선, 308: FPC, 309: FET, 310: FET, 311: FET, 312: FET, 313: 제 1 전극, 314: 절연물, 315: EL층, 316: 제 2 전극, 317: 발광 소자, 318: 공간, 900: 기판, 901: 제 1 전극, 902: EL층, 903: 제 2 전극, 911: 정공 주입층, 912: 정공 수송층, 913: 발광층, 914: 전자 수송층, 915: 전자 주입층, 4000: 조명 장치, 4001: 기판, 4002: 발광 소자, 4003: 기판, 4004: 제 1 전극, 4005: EL층, 4006: 제 2 전극, 4007: 전극, 4008: 전극, 4009: 보조 배선, 4010: 절연층, 4011: 밀봉 기판, 4012: 실재, 4013: 건조제, 4200: 조명 장치, 4201: 기판, 4202: 발광 소자, 4204: 제 1 전극, 4205: EL층, 4206: 제 2 전극, 4207: 전극, 4208: 전극, 4209: 보조 배선, 4210: 절연층, 4211: 밀봉 기판, 4212: 실재, 4213: 배리어막, 4214: 평탄화막, 5101: 라이트, 5102: 휠, 5103: 도어, 5104: 표시부, 5105: 핸들, 5106: 시프트 레버, 5107: 좌석 시트, 5108: 백미러(inner rearview mirror), 7000: 하우징, 7001: 표시부, 7002: 제 2 표시부, 7003: 스피커, 7004: LED 램프, 7005: 조작 키, 7006: 접속 단자, 7007: 센서, 7008: 마이크로폰, 7009: 스위치, 7010: 적외선 포트, 7011: 기록 매체 판독부, 7014: 안테나, 7015: 셔터 버튼, 7016: 수상부, 7018: 스탠드, 7021: 외부 접속부, 7022, 7023: 조작용 버튼, 7024: 접속 단자, 7025: 밴드, 7026: 마이크로폰, 7027: 시각을 나타내는 아이콘, 7028: 기타 아이콘, 7029: 센서, 7030: 스피커, 7052, 7053, 7054: 정보, 9310: 휴대 정보 단말기, 9311: 표시부, 9312: 표시 영역, 9313: 힌지, 9315: 하우징

Claims (20)

  1. 일반식(G1)으로 나타내어지는, 유기 화합물.
    [화학식 1]
    Figure pct00067

    (식에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 A는 총탄소수 12 내지 100의 기이고, 또한 벤젠 고리, 나프탈렌 고리, 플루오렌 고리, 페난트렌 고리, 트라이페닐렌 고리, 다이벤조싸이오펜 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 다이벤조퓨란 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 카바졸 고리를 포함하는 헤테로 방향족 고리, 벤즈이미다졸 고리, 트라이페닐아민 구조 중 어느 하나 또는 복수를 갖는다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.)
  2. 일반식(G2)으로 나타내어지는, 유기 화합물.
    [화학식 2]
    Figure pct00068

    (식에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 동일한 기를 나타내고, 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 α는 치환 또는 비치환된 페닐렌기를 나타내고, t는 0 내지 4의 정수(整數)를 나타낸다. 또한 Htuni는 정공 수송성을 갖는 골격을 나타낸다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.)
  3. 일반식(G3)으로 나타내어지는, 유기 화합물.
    [화학식 3]
    Figure pct00069

    (식에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 Htuni는 정공 수송성을 갖는 골격을 나타낸다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.)
  4. 일반식(G4)으로 나타내어지는, 유기 화합물.
    [화학식 4]
    Figure pct00070

    (식에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 방향족 탄화수소 고리를 나타내고, 상기 방향족 탄화수소 고리의 치환기는 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 탄소수 1 내지 6의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 및 사이아노기 중 어느 하나이고, 상기 방향족 탄화수소 고리를 형성하는 탄소수는 6 이상 25 이하이다. 또한 m 및 n은 각각 0 또는 1이다. 또한 Htuni는 정공 수송성을 갖는 골격을 나타낸다. 또한 R1은 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 5 내지 7의 단환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7 내지 10의 다환식 포화 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기, 혹은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 12의 헤테로아릴기를 나타낸다.)
  5. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Htuni는 피롤 고리 구조, 퓨란 고리 구조, 및 싸이오펜 고리 구조 중 어느 하나를 갖는, 유기 화합물.
  6. 제 2 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 Htuni는 하기 일반식(Ht-1) 내지 일반식(Ht-26) 중 어느 하나로 나타내어지는, 유기 화합물.
    [화학식 5]
    Figure pct00071

    (식에서 Q는 산소 또는 황을 나타낸다. 또한 R2 내지 R71은 각각 1 내지 4의 치환기를 나타내고, 또한 각각 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 6의 알킬기, 치환 또는 비치환된 페닐기 중 어느 하나를 나타낸다. 또한 Ar1은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 13의 아릴기를 나타낸다.)
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 벤젠 고리 또는 나프탈렌 고리인, 유기 화합물.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가 동일한, 유기 화합물.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    Ar1, Ar2, Ar3, 및 Ar4가 비치환인, 유기 화합물.
  10. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 일반식(G1) 내지 일반식(G4)에서의 부분 구조인 하기 일반식(G-X)은, 하기 구조식(G-X-p1) 내지 구조식(G-X-p12) 및 구조식(G-X-n1) 내지 구조식(G-X-n6) 중 어느 하나로 나타내어지는, 유기 화합물.
    [화학식 6]
    Figure pct00072

    [화학식 7]
    Figure pct00073
  11. 구조식(100), 구조식(101), 또는 구조식(102)으로 나타내어지는, 유기 화합물.
    [화학식 8]
    Figure pct00074
  12. 발광 소자로서,
    제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 화합물을 사용한, 발광 소자.
  13. 발광 소자로서,
    한 쌍의 전극 사이에 EL층을 갖고,
    상기 EL층은 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 화합물을 갖는, 발광 소자.
  14. 발광 소자로서,
    한 쌍의 전극 사이에 EL층을 갖고,
    상기 EL층은 발광층을 갖고,
    상기 발광층은 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 화합물을 갖는, 발광 소자.
  15. 발광 소자로서,
    한 쌍의 전극 사이에 EL층을 갖고,
    상기 EL층은 발광층을 갖고,
    상기 발광층은 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 화합물과, 인광 재료를 포함하는, 발광 소자.
  16. 발광 소자로서,
    한 쌍의 전극 사이에 EL층을 갖고,
    상기 EL층은 발광층을 갖고,
    상기 발광층은 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 화합물과, 인광 재료와, 카바졸 유도체를 갖는, 발광 소자.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 카바졸 유도체는 바이카바졸 유도체 또는 카바졸릴기를 갖는 방향족 아민인, 발광 소자.
  18. 발광 장치로서,
    제 12 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자와,
    트랜지스터 및 기판 중 적어도 하나를 갖는, 발광 장치.
  19. 전자 기기로서,
    제 18 항에 기재된 발광 장치와,
    마이크로폰, 카메라, 조작용 버튼, 외부 접속부, 및 스피커 중 적어도 하나를 갖는, 전자 기기.
  20. 조명 장치로서,
    제 18 항에 기재된 발광 장치와,
    하우징, 커버, 및 지지대 중 적어도 하나를 갖는, 조명 장치.
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