JP2021107386A - 化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置 - Google Patents

化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2021107386A
JP2021107386A JP2020213843A JP2020213843A JP2021107386A JP 2021107386 A JP2021107386 A JP 2021107386A JP 2020213843 A JP2020213843 A JP 2020213843A JP 2020213843 A JP2020213843 A JP 2020213843A JP 2021107386 A JP2021107386 A JP 2021107386A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
compound
carbon atoms
emitting device
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2020213843A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021107386A5 (ja
Inventor
拓哉 春山
Takuya Haruyama
拓哉 春山
信晴 大澤
Nobuharu Osawa
信晴 大澤
瀬尾　哲史
Tetsushi Seo
哲史 瀬尾
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2021107386A publication Critical patent/JP2021107386A/ja
Publication of JP2021107386A5 publication Critical patent/JP2021107386A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
    • C07D403/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/12—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains three hetero rings
    • C07D471/14—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C07D209/88—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C211/00—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton
    • C07C211/43—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton
    • C07C211/57—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton
    • C07C211/61—Compounds containing amino groups bound to a carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings of the carbon skeleton having amino groups bound to carbon atoms of six-membered aromatic rings being part of condensed ring systems of the carbon skeleton with at least one of the condensed ring systems formed by three or more rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C07D209/86—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/94—[b, c]- or [b, d]-condensed containing carbocyclic rings other than six-membered
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D307/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom
    • C07D307/77—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atom ortho- or peri-condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D307/91—Dibenzofurans; Hydrogenated dibenzofurans
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D407/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00
    • C07D407/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings
    • C07D407/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D405/00 containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D409/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D411/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D411/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D411/12—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having oxygen and sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D491/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00
    • C07D491/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed ring system both one or more rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms and one or more rings having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by groups C07D451/00 - C07D459/00, C07D463/00, C07D477/00 or C07D489/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D491/04—Ortho-condensed systems
    • C07D491/044—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring
    • C07D491/048—Ortho-condensed systems with only one oxygen atom as ring hetero atom in the oxygen-containing ring the oxygen-containing ring being five-membered
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D519/00—Heterocyclic compounds containing more than one system of two or more relevant hetero rings condensed among themselves or condensed with a common carbocyclic ring system not provided for in groups C07D453/00 or C07D455/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/0803—Compounds with Si-C or Si-Si linkages
    • C07F7/081—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te
    • C07F7/0812—Compounds with Si-C or Si-Si linkages comprising at least one atom selected from the elements N, O, halogen, S, Se or Te comprising a heterocyclic ring
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/626—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing more than one polycyclic condensed aromatic rings, e.g. bis-anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6574—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only oxygen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. cumarine dyes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6576—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only sulfur in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. benzothiophene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/04—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
    • C07C2603/06—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members
    • C07C2603/10—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members containing five-membered rings
    • C07C2603/12—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing at least one ring with less than six ring members containing five-membered rings only one five-membered ring
    • C07C2603/18—Fluorenes; Hydrogenated fluorenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
    • C07C2603/04—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
    • C07C2603/22—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing only six-membered rings
    • C07C2603/24—Anthracenes; Hydrogenated anthracenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
    • C07C2603/56—Ring systems containing bridged rings
    • C07C2603/58—Ring systems containing bridged rings containing three rings
    • C07C2603/70—Ring systems containing bridged rings containing three rings containing only six-membered rings
    • C07C2603/74—Adamantanes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1011—Condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014—Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/90—Multiple hosts in the emissive layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)

Abstract

【課題】発光デバイスのＥＬ層において、デクスター機構によるエネルギー移動が抑制可能な、新規の化合物を提供する。【解決手段】具体的には、例えば９，１０−ジ（ビフェニル−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アントラセン−２，６−ジアミン等のカルバゾール誘導体である。【選択図】なし

Description

本発明の一態様は、化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置に関する。但し、本発明の一態様は、それらに限定されない。すなわち、本発明の一態様は、物、方法、製造方法、または駆動方法に関する。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＥＬ）を利用した発光デバイスの研究が盛んに行われている。これらの発光デバイスは、一対の電極間にＥＬ層（発光物質を含む）を挟んだ構造を有する。発光デバイスは、一対の電極間に電圧を印加することにより、各電極から注入された電子およびホールがＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質（有機化合物）が励起状態となり、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。なお、励起状態の種類としては、一重項励起状態（Ｓ＊）と三重項励起状態（Ｔ＊）とがあり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼ばれている。また、発光デバイスにおけるそれらの統計的な生成比率は、Ｓ＊：Ｔ＊＝１：３であると考えられている。そのため、三重項励起状態のエネルギーを発光に変換できる燐光発光物質を用いた発光デバイスが高い効率が得られるとして、近年盛んに開発が行われている。
三重項励起状態のエネルギーの一部もしくは全てを発光に変換することが可能な材料として、燐光発光物質の他に、熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が知られている。ＴＡＤＦ材料は、逆項間交差により三重項励起状態から一重項励起状態を生成することができる。
ＴＡＤＦ材料を用いた発光デバイスとして、蛍光発光物質と組み合わせることにより、ＴＡＤＦ材料の一重項励起エネルギーを蛍光発光物質へ移動させ、蛍光発光物質を効率よく発光させる方法が提案されている（特許文献１および非特許文献１参照）。
また、発光デバイスの発光層におけるホスト材料からゲスト材料への励起エネルギーのエネルギー移動に関して、一般にフェルスター機構によるエネルギー移動効率を高める（エネルギー移動速度を向上させる）ために、ホスト材料に対するゲスト材料（蛍光発光物質）の濃度比を高めることが好ましいが、ゲスト材料の濃度比を高めると、デクスター機構によるエネルギー移動の移動速度が向上し、結果的に発光効率が低下するというトレードオフの関係を有することが知られている。従って、ゲスト材料の濃度比を高めることは発光効率を向上させるための有効な手段とは言えなかった。
特開２０１４−４５１７９号公報
Ｈｉｒｏｋｉ Ｎｏｄａ ｅｔ ａｌ．，"ＳＣＩＥＮＣＥ ＡＤＶＡＮＣＥＳ"， ２０１８， ｖｏｌ． ４，ｎｏ． ６， ｅａａｏ６９１０
本発明の一態様では、新規の化合物を提供する。また、発光デバイスのＥＬ層において、濃度比を高めても、ホスト材料の一重項励起状態（Ｓ＊）からのエネルギー（以下、一重項励起エネルギーという）を効率良く受け取り、ホスト材料の三重項励起状態（Ｔ＊）からのエネルギー（以下、三重項励起エネルギーという）移動が起こりにくい（デクスター機構によるエネルギー移動が抑制可能な）新規の化合物を提供する。
また、本発明の一態様では、発光デバイスに用いることができる新規な化合物を提供する。また、本発明の一態様では、発光デバイスのＥＬ層に用いることができる、新規な化合物を提供する。また、本発明の一態様である新規な化合物を用いた発光効率の高い新規な発光デバイスを提供する。また、新規な発光装置、新規な電子機器、または新規な照明装置を提供する。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、蛍光発光物質であり、下記一般式（Ｇ１）で表される化合物である。
Figure 2021107386
上記一般式（Ｇ１）において、Ａ１およびＡ２はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数１０乃至３０の縮合芳香環、または置換若しくは無置換の炭素数３乃至３０の縮合複素芳香環、または一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を表し、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ１６はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、または置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ２）で表される化合物である。
Figure 2021107386
上記一般式（Ｇ２）において、Ｂ１およびＢ２はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数３乃至３０の縮合複素芳香環を表し、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ１６はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、または置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。
なお、上記一般式（Ｇ１）および一般式（Ｇ２）における縮合複素芳香環は、ピロール環を含む。ピロール環を含む縮合複素芳香環としては、インドール環、カルバゾール環、インデノカルバゾール環、インドロカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環などが好ましい。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ３）で表される化合物である。
Figure 2021107386
上記一般式（Ｇ３）において、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ４２はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、または置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表し、Ｒ１７〜Ｒ２９のいずれか一は、Ｚ１と結合する窒素原子と結合し、かつＲ３０〜Ｒ４２のいずれか一は、Ｚ２と結合する窒素原子と結合する。
また、本発明の別の一態様は、一般式（Ｇ４）で表される化合物である。
Figure 2021107386
上記一般式（Ｇ４）において、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ１７、Ｒ１９〜Ｒ３０、およびＲ３２〜Ｒ４２はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。
また、本発明の別の一態様は、構造式（１００）で表される化合物である。
Figure 2021107386
本発明の別の一態様は、上述した本発明の一態様である化合物を用いた発光デバイスである。なお、一対の電極間に有するＥＬ層、またはＥＬ層に含まれる発光層に本発明の一態様である化合物を用いて形成された発光デバイスも本発明に含まれることとする。また、上記発光デバイスに加え、電極と接して有機化合物を有する層（例えばキャップ層）を有する場合も発光デバイスに含め、本発明に含まれることとする。また、発光デバイスに加えて、トランジスタ、基板などを有する発光装置も発明の範疇に含める。さらに、これらの発光装置に加えて、マイク、カメラ、操作用ボタン、外部接続部、筐体、カバー、支持台、スピーカ等を有する電子機器、または照明装置も発明の範疇に含める。
また、本発明の一態様は、発光デバイスを有する発光装置を含み、さらに発光装置を有する照明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、または光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）等のコネクターが取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光デバイスにＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
本発明の一態様により、新規の化合物を提供することができる。または、本発明の一態様では、発光デバイスに用いることができる新規な化合物を提供することができる。または、本発明の一態様では、発光デバイスのＥＬ層に用いることができる、新規な化合物を提供することができる。または、本発明の一態様により、発光効率が高い発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、信頼性が高い発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、新規な発光デバイスを提供することができる。または、本発明の一態様では、新規な発光装置、新規な電子機器、または新規な照明装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
図１（Ａ）は、発光デバイスの構造を示す図である。図１（Ｂ）は、発光層を説明する図である。 図２（Ａ）は、一般のゲスト材料とホスト材料とのエネルギー移動の概念図である。図２（Ｂ）は、本発明の一態様である化合物（ゲスト材料）とホスト材料とのエネルギー移動の概念図である。 図３（Ａ）は、発光層における化合物間のエネルギー移動の概念図である。図３（Ｂ）は、発光層における化合物間のエネルギー移動の概念図である。図３（Ｃ）は、発光層における化合物間のエネルギー移動の概念図である。 図４（Ａ）は、発光層における化合物間のエネルギー移動の概念図である。図４（Ｂ）は、発光層における化合物間のエネルギー移動の概念図である。図４（Ｃ）は、発光層における化合物間のエネルギー移動の概念図である。 図５（Ａ）は、発光層における化合物間のエネルギー移動の概念図である。図５（Ｂ）は、発光層における化合物間のエネルギー移動の概念図である。 図６（Ａ）および図６（Ｂ）は、発光デバイスの構造について説明する図である。 図７（Ａ）、図７（Ｂ）、および図７（Ｃ）は、発光装置について説明する図である。 図８（Ａ）は、発光装置について説明する上面図である。図８（Ｂ）は、発光装置について説明する断面図である。 図９（Ａ）は、モバイルコンピュータについて説明する図である。図９（Ｂ）は、携帯型の画像再生装置について説明する図である。図９（Ｃ）は、デジタルカメラについて説明する図である。図９（Ｄ）は、携帯情報端末について説明する図である。図９（Ｅ）は、携帯情報端末について説明する図である。図９（Ｆ）は、テレビジョン装置について説明する図である。図９（Ｇ）は、携帯情報端末について説明する図である。 図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）、および図１０（Ｃ）は、折りたたみ可能な携帯情報端末について説明する図である。 図１１（Ａ）、および図１１（Ｂ）は、自動車について説明する図である。 照明装置について説明する図である。 照明装置について説明する図である。 図１４は、構造式（１００）に示す有機化合物の１Ｈ−ＮＭＲチャートである。 図１５は、構造式（１００）に示す有機化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトルである。 図１６は、発光デバイスについて説明する図である。 図１７は、発光デバイス１−１、発光デバイス１−２、比較発光デバイス１−ａ、および比較発光デバイス１−ｂの電流密度−輝度特性を示す図である。 図１８は、発光デバイス１−１、発光デバイス１−２、比較発光デバイス１−ａ、および比較発光デバイス１−ｂの電圧−輝度特性を示す図である。 図１９は、発光デバイス１−１、発光デバイス１−２、比較発光デバイス１−ａ、および比較発光デバイス１−ｂの輝度−電流効率特性を示す図である。 図２０は、発光デバイス１−１、発光デバイス１−２、比較発光デバイス１−ａ、および比較発光デバイス１−ｂの電圧−電流密度特性を示す図である。 図２１は、発光デバイス１−１、発光デバイス１−２、比較発光デバイス１−ａ、および比較発光デバイス１−ｂの輝度−外部量子効率特性を示す図である。 図２２は、発光デバイス１−１、発光デバイス１−２、比較発光デバイス１−ａ、および比較発光デバイス１−ｂの電界発光スペクトルを示す図である。 図２３は、発光デバイス１−１、発光デバイス１−２、および比較発光デバイス１−ｂの信頼性測定結果を説明する図である。
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
また、本明細書等において、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。
また、本明細書等において、一重項励起状態（Ｓ＊）は、励起エネルギーを有する一重項状態のことである。また、Ｓ１準位は一重項励起エネルギー準位の最も低い準位であり、最も低い一重項励起状態（Ｓ１状態）の励起エネルギー準位のことである。また、三重項励起状態（Ｔ＊）は、励起エネルギーを有する三重項状態のことである。また、Ｔ１準位は、三重項励起エネルギー準位の最も低い準位であり、最も低い三重項励起状態（Ｔ１状態）の励起エネルギー準位のことである。なお、本明細書等において、単に一重項励起状態および一重項励起エネルギー準位と表記した場合であっても、Ｓ１状態およびＳ１準位を表す場合がある。また、三重項励起状態および三重項励起エネルギー準位と表記した場合であっても、Ｔ１状態およびＴ１準位を表す場合がある。
また、本明細書等において蛍光発光物質とは、一重項励起状態から基底状態へ緩和する際に可視光領域または近赤外領域に発光を与える化合物である。燐光発光物質とは、三重項励起状態から基底状態へ緩和する際に、室温において可視光領域または近赤外領域に発光を与える化合物である。換言すると燐光発光物質とは、三重項励起エネルギーを発光へ変換可能な化合物の一つである。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である化合物について説明する。なお、本発明の一態様である化合物は、下記一般式（Ｇ１）で表される化合物である。
Figure 2021107386
なお、一般式（Ｇ１）において、Ａ１およびＡ２はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数１０乃至３０の縮合芳香環、または置換若しくは無置換の炭素数３乃至３０の縮合複素芳香環、または一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を表し、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ１６はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、または置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ２）で表される化合物である。
Figure 2021107386
なお、一般式（Ｇ２）において、Ｂ１およびＢ２はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数３乃至３０の縮合複素芳香環を表し、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ１６はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、または置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。
なお、上記一般式（Ｇ１）中のＡ１およびＡ２、一般式（Ｇ２）中のＢ１およびＢ２で表される縮合複素芳香環は、ピロール環を含む縮合複素芳香環であることが好ましい。
また、上記一般式（Ｇ１）中のＡ１およびＡ２、一般式（Ｇ２）中のＢ１およびＢ２で表される縮合複素芳香環は、インドール環、カルバゾール環、インデノカルバゾール環、インドロカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環であることが好ましい。
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ３）で表される化合物である。
Figure 2021107386
なお、一般式（Ｇ３）において、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ４２はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、または置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表し、Ｒ１７〜Ｒ２９のいずれか一は、Ｚ１と結合する窒素原子と結合し、かつＲ３０〜Ｒ４２のいずれか一は、Ｚ２と結合する窒素原子と結合する。
また、本発明の別の一態様は、一般式（Ｇ４）で表される化合物である。
Figure 2021107386
なお、一般式（Ｇ４）において、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ１７、Ｒ１９〜Ｒ３０、およびＲ３２〜Ｒ４２はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。
本発明の一態様である化合物は、一重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料（蛍光発光物質）であるため、ゲスト材料として、発光デバイスの発光層において、ホスト材料と共に用いることができる。本発明の一態様である化合物は、発光に寄与する発光団と、ホスト材料から該化合物へのデクスター機構による三重項励起エネルギー移動を抑制する保護基を有する。なお、本発明の一態様である化合物が有する発光団は、縮合芳香環または縮合複素芳香環であり、また、本発明の一態様である化合物が有する保護基は、本発明の一態様である化合物が有する２つ以上のジアリールアミノ基において、アリール基のそれぞれが少なくとも２つずつ有する基であり、具体的には、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、及び炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれかである。
なお、本発明の一態様である化合物は、発光団に対して、保護基を有する２つ以上のジアリールアミノ基が対称の位置に結合する構造とすることにより、量子収率を高めることができる。また、本発明の一態様である化合物において、ジアリールアミノ基を用いることにより、分子量の増大を抑制し、昇華性を保つことができる。
また、本発明の一態様である化合物において、保護基は、発光団と結合するジアリールアミノ基のアリール基と結合する構造を有するため、発光団を覆うように保護基を配置することができ、ホスト材料から発光団へのデクスター機構に基づくエネルギー移動が起こりにくい程度の距離を持たせて、両者を遠ざけることができる。
なお、上記一般式（Ｇ１）、一般式（Ｇ２）、一般式（Ｇ３）、および一般式（Ｇ４）において、炭素数１０乃至３０の縮合芳香環、または炭素数３乃至３０の縮合複素芳香環としては、例えばフェナントレン環、スチルベン環、アクリドン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環等が挙げられる。また、蛍光量子収率をより高めることができる、ナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラセン環、ピレン環、ペリレン環、キノリン環、ベンゾイミダゾール環、キナゾリン環、カルバゾール環、アクリジン環、クマリン環、キナクリドン環、ナフトビスベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インデノカルバゾール環、インドロカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環等が挙げられる。
なお、上記一般式（Ｇ１）、一般式（Ｇ２）、一般式（Ｇ３）、および一般式（Ｇ４）において、炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、フルオレニル基等が挙げられる。
なお、上記一般式（Ｇ１）、一般式（Ｇ２）、一般式（Ｇ３）、および一般式（Ｇ４）において、炭素数３乃至１０のアルキル基の具体例としては、例えば、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｇ１）、一般式（Ｇ２）、一般式（Ｇ３）、および一般式（Ｇ４）において、炭素数３乃至１０のシクロアルキル基の具体例としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロヘキシル基、等が挙げられる。なお、上記シクロアルキル基が置換基を有する場合の置換基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基のような炭素数１乃至７のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、８，９，１０−トリノルボルナニル基のような炭素数５乃至７のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基のような炭素数６乃至１２のアリール基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｇ１）、一般式（Ｇ２）、一般式（Ｇ３）、および一般式（Ｇ４）において、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基の具体例としては、例えば、アダマンチル基、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル基、トリシクロ［５．２．１．０２，６］デカニル基、ノルアダマンチル基等が挙げられる。
また、上記一般式（Ｇ１）、一般式（Ｇ２）、一般式（Ｇ３）、および一般式（Ｇ４）において、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基の具体例としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基等が挙げられる。
上記一般式（Ｇ１）、一般式（Ｇ２）、一般式（Ｇ３）、および一般式（Ｇ４）において、縮合芳香環、縮合複素芳香環、炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基、炭素数３以上１０以下のシクロアルキル基、または炭素数６乃至２５のアリール基のいずれかが置換基を有する場合、該置換基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基のような炭素数１乃至７のアルキル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、８，９，１０−トリノルボルナニル基のような炭素数５乃至７のシクロアルキル基、またはフェニル基、ナフチル基、ビフェニル基のような炭素数６乃至１２のアリール基等が挙げられる。
上記一般式（Ｇ１）、一般式（Ｇ２）、一般式（Ｇ３）、および一般式（Ｇ４）において、炭素数６乃至２５のアリール基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、フルオレニル基、スピロフルオレニル基等が挙げられる。なお、該アリール基が置換基を有する場合、該置換基としては上述の炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基が挙げられる。
次に、上記一般式（Ｇ１）〜一般式（Ｇ４）で示される化合物の具体例を、以下の構造式（１００）〜構造式（１３９）に示す。なお、一般式（Ｇ１）〜一般式（Ｇ４）で示される化合物の具体例は、これらに限定されない。
Figure 2021107386
Figure 2021107386
Figure 2021107386
Figure 2021107386
Figure 2021107386
Figure 2021107386
Figure 2021107386
Figure 2021107386
Figure 2021107386
Figure 2021107386
＜一般式（Ｇ１）で表される有機化合物の合成方法＞
次に、下記一般式（Ｇ１）で表される化合物の合成方法について説明する。
Figure 2021107386
上記一般式（Ｇ１）中、Ａ１およびＡ２はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数１０乃至３０の縮合芳香環、または置換若しくは無置換の炭素数３乃至３０の縮合複素芳香環、または一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を表し、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ１６はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、または置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。
上記一般式（Ｇ１）で表される化合物は、例えば、下記合成スキーム（Ｓ−１）および合成スキーム（Ｓ−２）に示す方法により合成することができる。
まず、化合物１、化合物２（アニリン化合物）、および化合物３（アニリン化合物）をカップリングさせることにより、化合物４（ジアミン化合物）を得ることができる（合成スキーム（Ｓ−１））。
Figure 2021107386
続いて、化合物４（ジアミン化合物）、化合物５（ハロゲン化アリール）、および化合物６（ハロゲン化アリール）をカップリングさせることにより、一般式（Ｇ１）で表される化合物を得ることができる（合成スキーム（Ｓ−２））。
Figure 2021107386
また、上記一般式（Ｇ１）で表される化合物は、下記合成スキーム（Ｓ−３）、合成スキーム（Ｓ−４）、および合成スキーム（Ｓ−５）に示す方法により合成することもできる。
まず、化合物２（アニリン化合物）と、化合物５（ハロゲン化アリール）とをカップリングすることにより、化合物７（アミン化合物）を得ることができる（合成スキーム（Ｓ−３））。
Figure 2021107386
また、化合物３（アニリン化合物）と、化合物６（ハロゲン化アリール）とをカップリングすることにより、化合物８（アミン化合物）を得ることができる（合成スキーム（Ｓ−４））。
Figure 2021107386
続いて、化合物１、化合物７（アミン化合物）、および化合物８（アミン化合物）をカップリングさせることにより、一般式（Ｇ１）で表される化合物を得ることができる（合成スキーム（Ｓ−５））。
Figure 2021107386
なお、上記合成スキーム（Ｓ−１）〜（Ｓ−５）において、Ａ１およびＡ２はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数１０乃至３０の縮合芳香環、または置換若しくは無置換の炭素数３乃至３０の縮合複素芳香環、または一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を表し、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ１６はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、または置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。
なお、上記合成スキーム（Ｓ−１）〜（Ｓ−５）において、パラジウム触媒を用いたブッフバルト・ハートウィッグ反応を行う場合、Ｘ１０〜Ｘ１３はハロゲン基又はトリフラート基を表し、ハロゲンとしては、ヨウ素又は臭素又は塩素が好ましい。当該反応では、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等のパラジウム化合物と、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリ（ｎ−ヘキシル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ジ（１−アダマンチル）−ｎ−ブチルホスフィン、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシ−１，１’−ビフェニル等の配位子を用いることができる。また、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基、炭酸カリウム、炭酸セシウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等を用いることができる。また、溶媒として、トルエン、キシレン、メシチレン、ベンゼン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等を用いることができる。なお、当該反応で用いることができる試薬類は、これらの試薬類に限られるものではない。
また、上記合成スキーム（Ｓ−１）〜（Ｓ−５）において行う反応は、ブッフバルト・ハートウィッグ反応に限られるものではなく、有機錫化合物を用いた右田・小杉・スティルカップリング反応、グリニヤール試薬を用いたカップリング反応、銅、又は銅化合物を用いたウルマン反応等を用いることができる。
上記合成スキーム（Ｓ−１）において、化合物２と化合物３とが異なる構造である場合、化合物１と化合物２とを反応させてカップリング体とした後、得られたカップリング体と、化合物３とを反応させることが好ましい。なお、化合物１に対して、化合物２及び化合物３を段階的に反応させる場合は、化合物１は、ジハロゲン体であることが好ましく、Ｘ１０及びＸ１１は異なるハロゲンを用いて選択的に１つずつアミノ化反応を行うことが好ましい。
さらに合成スキーム（Ｓ−２）において、化合物４と化合物５とを反応させてカップリング体を得た後、得られたカップリング体と化合物６とを反応させることが好ましい。
また、合成スキーム（Ｓ−５）において、化合物１と化合物７とを反応させてカップリング体を得た後、得られたカップリング体と化合物８とを反応させることが好ましい。
以上、本発明の一態様である化合物の合成法について示したが、本発明はこれに限定されることはなく、他の合成方法によって合成してもよい。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様である化合物を用いることが好ましい発光デバイスの一例について説明する。なお、発光デバイスは、図１（Ａ）に示すように、第１の電極１０１（図１（Ａ）では、陽極の場合を示す）、および第２の電極１０２（図１（Ａ）では、陰極の場合を示す）からなる、一対の電極間に、ＥＬ層１０３が挟まれた構造を有し、ＥＬ層１０３は、少なくとも発光層１１３を有し、その他に正孔（ホール）注入層１１１、正孔（ホール）輸送層１１２、電子輸送層１１４、電子注入層１１５、等の機能層を設けることができる。
また、発光層１１３は、発光物質（ゲスト材料）およびホスト材料を有する。発光デバイスにおいて、一対の電極間に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔（ホール）が、それぞれＥＬ層１０３に注入され、電流が流れる。このとき発光層１１３にてキャリア（電子及び正孔）が再結合することで励起子が生じ、励起子の励起エネルギーが発光に変換されることで、発光デバイスから発光が得られる。なお、本実施の形態で示す発光層１１３は、図１（Ｂ）に示すように、エネルギーアクセプターであり、発光物質（ゲスト材料）として機能する化合物１３２、およびエネルギードナーであり、ホスト材料として機能する化合物１３１を有する。したがって、本実施の形態では、本発明の一態様である化合物を発光物質（ゲスト材料）として用いる場合について説明する。なお、発光層１１３において、ホスト材料として機能する化合物は複数であっても良い。
キャリアの再結合によって生じる励起子のうち、一重項励起子が生成する割合は２５％であり、三重項励起子が生成する割合は７５％であるため、一重項励起子に加えて三重項励起子を発光に寄与させることが、発光デバイスの発光効率を向上させるためには好ましい。ここで、発光層１１３において、ゲスト材料とホスト材料との間で生じるエネルギー移動の概念について、図２を用いて説明する。なお、図２（Ａ）には、通常のゲスト材料（蛍光発光物質）の構成を示し、これを用いた場合における、ゲスト材料とホスト材料との間のエネルギー移動の概念を示す。また、図２（Ｂ）には、本発明の一態様である化合物１３２の構成を示し、これをゲスト材料として用いた場合における、ゲスト材料とホスト材料との間のエネルギー移動の概念を示す。
図２（Ａ）は、ホスト材料である化合物１３１と、ゲスト材料である蛍光発光物質１２４が存在する様子を示す。なお、蛍光発光物質１２４は、一般的な蛍光発光物質であり、発光団１２４ａを有するが、保護基を有さない蛍光発光物質である。
また、図２（Ｂ）は、ホスト材料である化合物１３１と、ゲスト材料である、本発明の一態様である化合物（蛍光発光物質）１３２が存在する様子を示す。なお、化合物１３２は、発光デバイスにおいて、エネルギーアクセプターとして機能する蛍光発光物質であり、発光団１３２ａと保護基１３２ｂを有する。なお、保護基１３２ｂは、化合物（ホスト材料）１３１から発光団１３２ａへのデクスター機構に基づくエネルギー移動が起こりにくい程度の距離を持たせて、両者を遠ざける機能を有する。
図２（Ａ）（Ｂ）に示すように、発光層１１３において、ホスト材料である化合物１３１と、ゲスト材料である蛍光発光物質１２４および化合物（蛍光発光物質）１３２は、いずれも近い位置に存在する。そのため、図２（Ａ）に示すように、蛍光発光物質１２４が保護基を有さない場合は、発光団１２４ａと化合物１３１との距離が近くなるため、化合物１３１から蛍光発光物質１２４へのエネルギー移動として、フェルスター機構によるエネルギー移動（図２（Ａ）中、ルートＡ６）とデクスター機構によるエネルギー移動（図２（Ａ）中、ルートＡ７）の両方が生じうる。デクスター機構によるホスト材料からゲスト材料への三重項励起エネルギーのエネルギー移動が生じ、ゲスト材料の三重項励起状態が生成してもゲスト材料が蛍光発光物質である場合には、三重項励起エネルギーが無放射（非放射）失活してしまうため、発光デバイスの発光効率低下の一因となる。
一方、図２（Ｂ）では、ゲスト材料である化合物（蛍光発光物質）１３２が、保護基１３２ｂを有するため、発光団１３２ａとホスト材料である化合物１３１との距離を長くすることができる。これにより、デクスター機構によるエネルギー移動（ルートＡ７）を抑制することができる。
ここで、図２（Ａ）に示す蛍光発光物質１２４が有する発光団１２４ａ、および図２（Ｂ）に示す化合物（蛍光発光物質）１３２が有する発光団１３２ａについて説明する。発光団（１２４ａ、１３２ａ）とは、蛍光発光物質において、発光の原因となる原子団（骨格）を指す。発光団（１２４ａ、１３２ａ）は一般的にπ結合を有しており、芳香環を含むことが好ましく、縮合芳香環または縮合複素芳香環を有すると好ましい。なお、発光団（１２４ａ、１３２ａ）が有する縮合芳香環または縮合複素芳香環としては、例えば、フェナントレン環、スチルベン環、アクリドン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環等が挙げられる。特にナフタレン環、アントラセン環、フルオレン環、クリセン環、トリフェニレン環、テトラセン環、ピレン環、ペリレン環、キノリン環、ベンゾイミダゾール環、キナゾリン環、カルバゾール環、アクリジン環、クマリン環、キナクリドン環、ナフトビスベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、インデノカルバゾール環、インドロカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環等が挙げられる。なお、本発明の一態様である化合物１３２が有する発光団１３２ａとしては、特にアントラセン骨格が好ましい。
また、図２（Ｂ）に示す化合物（蛍光発光物質）１３２が有する保護基１３２ｂとしては、発光団１３２ａ、およびホスト材料である化合物１３１が有するＴ１準位よりも高いＴ１準位を有することが好ましい。なお、本発明の一態様である化合物１３２が有する保護基１３２ｂの具体例としては架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基が好ましい。また、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基等が挙げられる。このような保護基１３２ｂを有することで、嵩高い構造とすることができるので、ゲスト材料である化合物１３２の発光団１３２ａと、ホスト材料である化合物１３１との距離を長くすることができる。
次に、本発明の一態様である発光デバイスの発光層の構成について説明する。
＜発光層の構成例１＞
本構成例において、発光デバイス中の発光層１１３は、ホスト材料として機能する化合物１３１と、発光物質（ゲスト材料）として機能する化合物１３２を有し、化合物１３１としてＴＡＤＦ材料を用い、発光物質（ゲスト材料）として機能する化合物１３２として、蛍光発光物質を用いる場合について示す。したがって、本発明の一態様である化合物を蛍光発光物質である化合物１３２として、用いることが好ましい。なお、本構成例における発光層１１３でのエネルギー準位の相関の一例は、図３（Ａ）に示す通りである。なお、図３（Ａ）に示す表記及び符号は、以下の通りである。
・Ｈｏｓｔ（１３１）：化合物１３１
・Ｇｕｅｓｔ（１３２）：化合物１３２
・ＴＣ１：化合物１３１のＴ１準位
・ＳＣ１：化合物１３１のＳ１準位
・ＳＧ：化合物１３２のＳ１準位
・ＴＧ：化合物１３２のＴ１準位
本構成例において、化合物１３１はＴＡＤＦを有する材料であるため、三重項励起エネルギーをアップコンバージョンによって一重項励起エネルギーに変換する機能を有する（図３（Ａ）中のルートＡ１）。化合物１３１が有する一重項励起エネルギーは、速やかに化合物１３２へ移動する（図３（Ａ）中のルートＡ２）。このとき、化合物１３１のＳＣ１と化合物１３２のＳＧとの関係は、ＳＣ１≧ＳＧであると好ましい。但し、ＳＣ１は化合物１３１の蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーとする。また、ＳＧは、化合物１３２の吸収スペクトルの吸収端の波長のエネルギーとする。
このように、化合物１３１で生じた三重項励起エネルギーをルートＡ１及びルートＡ２を経て、ゲスト材料である化合物１３２のＳ１準位へエネルギー移動させることにより、化合物１３２を効率よく発光させ、発光デバイスの発光効率を高めることができる。なお、ルートＡ２において、化合物１３１はエネルギードナーとして機能し、化合物１３２はエネルギーアクセプターとして機能する。但し、本構成例に示す発光デバイスの発光層１１３では、上記の他に、化合物１３１で生じた三重項励起エネルギーが、化合物１３２のＴ１準位に移動する経路（図３（Ａ）中のルートＡ３）とも競合し得る。このようなエネルギー移動（ルートＡ３）が生じる場合、蛍光発光物質である化合物１３２は、三重項励起エネルギーを発光に寄与させることができないため、発光デバイスの発光効率が低下する。
一般に、分子間のエネルギー移動機構として、フェルスター機構（双極子−双極子相互作用）と、デクスター機構（電子交換相互作用）が知られている。また、デクスター機構はエネルギードナーである化合物とエネルギーアクセプターである化合物との距離が１ｎｍ以下である場合に優位に生じる。そのため、エネルギーアクセプターである化合物の濃度が高くなるとデクスター機構が生じやすくなる。したがって、本構成例のように、エネルギーアクセプターである化合物１３２が、三重項励起エネルギー準位の低い蛍光性材料であり、その濃度が高くなると、エネルギードナーである化合物１３１の三重項励起エネルギーはデクスター機構によるルートＡ３のエネルギー移動と、その後の無放射失活が支配的になる。そのため、ルートＡ３を抑制するためには、デクスター機構によるエネルギー移動が起こりにくい程度に化合物１３１と化合物１３２の距離を長くすることが重要である。
また、エネルギーアクセプターである化合物１３２のＴ１準位（ＴＧ）は、化合物１３２が有する発光団に由来するエネルギー準位であることが多い。そのため、発光層１１３におけるルートＡ３を抑制するために、化合物１３１と化合物１３２が有する発光団との距離を長くすることが重要となる。
エネルギードナーと、エネルギーアクセプターが有する発光団との距離を長くするための手法として一般には、その混合膜中のエネルギーアクセプターの濃度を低くすることが挙げられる。しかし、エネルギーアクセプターの濃度を低くすると、エネルギードナーからエネルギーアクセプターへのデクスター機構に基づくエネルギー移動だけでなく、フェルスター機構に基づくエネルギー移動も抑制されてしまう。その場合、ルートＡ２がフェルスター機構に基づくため、発光デバイスの発光効率の低下、または信頼性の低下といった問題が生じる。一方、本発明の一態様である化合物は、その構造の一部に発光団と保護基を有しており、発光層１１３でエネルギーアクセプターとして機能する場合において、保護基は、他のエネルギードナーと、該発光団との距離を長くする機能を有する。したがって、本発明の一態様である化合物を、本構成の化合物１３２として用いた場合、化合物１３２と化合物１３１との距離を長くすることができる。また、エネルギードナーとエネルギーアクセプターの距離が１ｎｍ以下ではデクスター機構が優勢となり、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下ではフェルスター機構が優勢となる。そのため、保護基は発光団から１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の範囲で広がる嵩高い置換基が好ましく、本発明の一態様の化合物が有する保護基としては、先に挙げた保護基を有することが好ましい。したがって、本発明の一態様である化合物を、化合物１３２として用いることにより、化合物１３２の濃度を高めてもデクスター機構によるエネルギー移動を抑制しつつ、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることができる。すなわち、化合物１３１のＳ１準位（ＳＣ１）から化合物１３２のＳ１準位（ＳＧ）への一重項励起エネルギーのエネルギー移動（ルートＡ２）が起こりやすくなる一方、化合物１３１から化合物１３２のＴ１準位（ＴＧ）への三重項励起エネルギーの移動（ルートＡ３：デクスター機構によるエネルギー移動）を起こりにくくすることができ、ルートＡ３のエネルギー移動に伴う発光効率の低下を抑制しつつ、発光デバイスの発光効率を高めることができる。また、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることによって、発光層中のエネルギーアクセプターの励起寿命が短くなるため、発光デバイスの信頼性を向上させることができる。具体的には、発光層１１３における化合物１３２の濃度は、エネルギードナーである化合物１３１に対して、２ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下が好ましく、より好ましくは５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下、さらに好ましくは５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下とする。
＜発光層の構成例２＞
本構成例において、発光デバイス中の発光層１１３は、化合物１３１、化合物１３２、および化合物１３３を有し、化合物１３１および化合物１３３は励起錯体を形成する組み合わせであり、発光物質（ゲスト材料）として機能する化合物１３２として、蛍光発光物質を用いる場合（ＥｘＥＦを利用する場合）について示す。したがって、本発明の一態様である化合物は、蛍光発光物質である化合物１３２として、用いることが好ましい。なお、本構成例における発光層１１３でのエネルギー準位の相関の一例は、図３（Ｂ）に示す通りである。なお、図３（Ｂ）に示す表記及び符号は、以下の通りである。
・Ｃｏｍｐ（１３１）：化合物１３１
・Ｃｏｍｐ（１３３）：化合物１３３
・Ｇｕｅｓｔ（１３２）：化合物１３２
・ＳＣ１：化合物１３１のＳ１準位
・ＴＣ１：化合物１３１のＴ１準位
・ＳＣ３：化合物１３３のＳ１準位
・ＴＣ３：化合物１３３のＴ１準位
・ＳＧ：化合物１３２のＳ１準位
・ＴＧ：化合物１３２のＴ１準位
・ＳＥ：励起錯体のＳ１準位
・ＴＥ：励起錯体のＴ１準位
なお、化合物１３１と化合物１３３との組み合わせは、励起錯体を形成することが可能な組み合わせであればよいが、一方が正孔を輸送する機能（正孔輸送性）を有する化合物であり、他方が電子を輸送する機能（電子輸送性）を有する化合物であることが、より好ましい。この場合、ドナー−アクセプター型の励起錯体を形成しやすくなり、効率よく励起錯体を形成することができる。また、化合物１３１と化合物１３３との組み合わせが、正孔輸送性を有する化合物と電子輸送性を有する化合物との組み合わせである場合、その混合比によってキャリアバランスを容易に制御することが可能となる。具体的には、正孔輸送性を有する化合物：電子輸送性を有する化合物＝１：９から９：１（重量比）の範囲が好ましい。また、該構成を有することで、容易にキャリアバランスを制御することができることから、キャリア再結合領域の制御も簡便に行うことができる。
また、効率よく励起錯体を形成するホスト材料の組み合わせとしては、化合物１３１及び化合物１３３のうち一方のＨＯＭＯ準位が他方のＨＯＭＯ準位より高く、一方のＬＵＭＯ準位が他方のＬＵＭＯ準位より高いことが好ましい。なお、化合物１３１のＨＯＭＯ準位が化合物１３３のＨＯＭＯ準位と同等、または化合物１３１のＬＵＭＯ準位が化合物１３３のＬＵＭＯ準位と同等であってもよい。
なお、化合物のＬＵＭＯ準位およびＨＯＭＯ準位は、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定によって測定される化合物の電気化学特性（還元電位および酸化電位）から導出することができる。
図３（Ｂ）に示すように、化合物１３１と化合物１３３により形成される、励起錯体のＳ１準位（ＳＥ）およびＴ１準位（ＴＥ）は、互いに隣接したエネルギー準位となる（図３（Ｂ）中のルートＡ６参照）。
励起錯体の励起エネルギー準位（ＳＥおよびＴＥ）は、励起錯体を形成する各物質（化合物１３１および化合物１３３）のＳ１準位（ＳＣ１およびＳＣ３）より低くなるため、より低い励起エネルギーで励起状態を形成することが可能となる。これにより、発光デバイスの駆動電圧を低減することができる。
なお、励起錯体のＳ１準位（ＳＥ）とＴ１準位（ＴＥ）は、互いに隣接したエネルギー準位であるため、逆項間交差しやすく、ＴＡＤＦ性を有する。そのため、励起錯体は三重項励起エネルギーをアップコンバージョンによって一重項励起エネルギーに変換する機能を有する（図３（Ｂ）中のルートＡ７）。励起錯体が有する一重項励起エネルギーは、速やかに化合物１３２へ移動することができる（図３（Ｂ）中のルートＡ８）。このとき、ＳＥ≧ＳＧであると好ましい。ルートＡ８において、励起錯体がエネルギードナーであり、化合物１３２がエネルギーアクセプターとして機能する。具体的には、励起錯体の蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳＥとし、化合物１３２の吸収スペクトルの吸収端の波長のエネルギーをＳＧとした際に、ＳＥ≧ＳＧであることが好ましい。
なお、ＴＡＤＦ性を高めるには、化合物１３１および化合物１３３の双方のＴ１準位、すなわちＴＣ１およびＴＣ３が、ＴＥ以上であることが好ましい。その指標としては、化合物１３１および化合物１３３の燐光スペクトルの最も短波長側の発光ピーク波長が、いずれも励起錯体の最大発光ピーク波長以下であることが好ましい。あるいは、励起錯体の蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳＥとし、化合物１３１および化合物１３３の燐光スペクトルの短波長側の裾において各々接線を引き、それらの外挿線の波長のエネルギーを各化合物のＴＣ１およびＴＣ３とした際に、ＳＥ−ＴＣ１≦０．２ｅＶ、かつ、ＳＥ−ＴＣ３≦０．２ｅＶであることが好ましい。
発光層１１３で生じた三重項励起エネルギーをルートＡ６及びルートＡ８を経て、ゲスト材料である化合物１３２のＳ１準位へエネルギー移動させることにより、化合物１３２を発光させることができる。よって、発光層１１３に励起錯体を形成する組み合わせの材料を用いることで、蛍光発光デバイスの発光効率を高めることができる。しかし、発光層１１３で生じた三重項励起エネルギーが、化合物１３２のＴ１準位にエネルギー移動する経路（図３（Ｂ）中のルートＡ９）と競合して起こり得る。このようなエネルギー移動（ルートＡ９）が生じた場合、蛍光発光物質である化合物１３２は、三重項励起エネルギーを発光に寄与させることができないため、発光デバイスの発光効率が低下してしまう。
このようなエネルギー移動（図３（Ｂ）中のルートＡ９）を抑制するためには、上記構成例１で説明した通り、化合物１３１および化合物１３３により形成された励起錯体と、化合物１３２との距離、および励起錯体と、化合物１３２が有する発光団との距離が長いことが重要となる。
本発明の一態様である化合物は、その構造の一部に発光団と保護基を有しており、発光層１１３でエネルギーアクセプターとして機能する場合において、保護基は、他のエネルギードナーと、該発光団との距離を長くする機能を有する。したがって、本発明の一態様である化合物を、本構成の化合物１３２として用いた場合、化合物１３２の濃度を高めても、化合物１３１および化合物１３３により形成された励起錯体と、化合物１３２との距離を長くすることができ、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制しつつ、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることができる。したがって、本発明の一態様である化合物を、化合物１３２として用いることにより、励起錯体から化合物１３２のＳ１準位（ＳＧ）への三重項励起エネルギーのエネルギー移動（図３（Ｂ）中のルートＡ６及びルートＡ８）が起こりやすくなる一方、励起錯体から化合物１３２のＴ１準位（ＴＧ）への三重項励起エネルギーの移動（ルートＡ９：デクスター機構によるエネルギー移動）を起こりにくくすることができ、ルートＡ９のエネルギー移動に伴う発光効率の低下を抑制しつつ、発光デバイスの発光効率を高めることができる。また、発光デバイスの信頼性を向上させることができる。
なお、本明細書中では、上述したルートＡ６、ルートＡ７、およびルートＡ８の経路について、ＥｘＳＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｓｉｎｇｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）またはＥｘＥＦ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）ともいう。すなわち、本明細書中の発光層１１３において、励起錯体から蛍光性材料への励起エネルギーの供与があることを示す。
＜発光層の構成例３＞
本構成例において、発光デバイス中の発光層１１３は、化合物１３１、化合物１３２、および化合物１３３を有し、化合物１３１および化合物１３３は励起錯体を形成する組み合わせであり、発光物質（ゲスト材料）として機能する化合物１３２として、蛍光発光物質を用いる場合（ＥｘＥＦを利用する場合）について示す。また、上記構成例２とは、化合物１３３が、燐光性材料である点で異なる。また、本発明の一態様である化合物は、蛍光発光物質である化合物１３２として、用いることが好ましい。なお、本構成例における発光層１１３でのエネルギー準位の相関の一例は、図３（Ｃ）に示す通りである。なお、図３（Ｃ）に示す表記及び符号は、図３（Ｂ）と共通するため、記載を省略する。
本構成例では励起錯体を形成する一方の化合物に重原子を有する化合物を用いる。そのため、一重項状態と三重項状態との間の項間交差が促進される。よって、三重項励起状態から一重項基底状態への遷移が可能な（すなわち燐光を呈することが可能な）励起錯体を形成することができる。この場合、通常の励起錯体とは異なり、励起錯体の三重項励起エネルギー準位（ＴＥ）がエネルギードナーの準位となるため、ＴＥが発光材料である化合物１３２の一重項励起エネルギー準位（ＳＧ）以上であることが好ましい。具体的には、重原子を用いた励起錯体の発光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴＥとし、化合物１３２の吸収スペクトルの吸収端の波長のエネルギーをＳＧとした際に、ＴＥ≧ＳＧであることが好ましい。
このようなエネルギー準位の相関とすることで、生成した励起錯体の三重項励起エネルギーは、励起錯体の三重項励起エネルギー準位（ＴＥ）から化合物１３２の一重項励起エネルギー準位（ＳＧ）へエネルギー移動することができる。なお、励起錯体のＳ１準位（ＳＥ）とＴ１準位（ＴＥ）は、互いに隣接したエネルギー準位であるため、発光スペクトルにおいて、蛍光と燐光とを明確に区別することが困難な場合がある。その場合、発光寿命によって、蛍光または燐光を区別することが可能な場合がある。
なお、上記構成で用いる燐光性材料はＩｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｐｄ等の重原子を含んでいることが好ましい。一方、本構成例では燐光性材料はエネルギードナーとして作用するため、量子収率は高くても低くても構わない。すなわち、励起錯体が有する三重項励起エネルギー準位からゲスト材料の一重項励起エネルギー準位へのエネルギー移動が許容遷移となれば良い。上述のような燐光性材料から構成される励起錯体、または燐光性材料からゲスト材料へのエネルギー移動は、エネルギードナーの三重項励起エネルギー準位からゲスト材料（エネルギーアクセプター）の一重項励起エネルギー準位へのエネルギー移動が許容遷移となるため好ましい構成である。
よって、図３（Ｃ）に示すように、本構成例に示す発光デバイスの発光層１１３において、励起錯体の三重項励起エネルギーは、ルートＡ８の経路（図３（Ｃ）中のルートＡ７の経路を経ることなく）でゲスト材料のＳ１準位（ＳＧ）へ移動する。すなわち、ルートＡ６及びルートＡ８の経路を経て、ゲスト材料のＳ１準位へ三重項励起エネルギー及び一重項励起エネルギーを移動させることができる。なお、ルートＡ８において、励起錯体はエネルギードナーであり、化合物１３２はエネルギーアクセプターとして機能する。但し、本構成例に示す発光デバイスの発光層１１３では、上記の他に、励起錯体の三重項励起エネルギーが、化合物１３２のＴ１準位に移動する経路（図３（Ｃ）中のルートＡ９）とも競合し得る。このようなエネルギー移動（ルートＡ９）が生じる場合、蛍光発光物質である化合物１３２は、三重項励起エネルギーを発光に寄与させることができないため、発光デバイスの発光効率が低下する。
このようなエネルギー移動（ルートＡ９）を抑制するためには、上記構成例１で説明した通り、化合物１３１と化合物１３２の距離、および化合物１３１と化合物１３２が有する発光団との距離が長いことが重要となる。
本発明の一態様である化合物は、その構造の一部に発光団と保護基を有しており、発光層１１３でエネルギーアクセプターとして機能する場合において、保護基は、他のエネルギードナーと、該発光団との距離を長くする機能を有する。したがって、本発明の一態様である化合物を、本構成の化合物１３２として用いた場合、化合物１３２の濃度を高めても、化合物１３１および化合物１３３により形成された励起錯体と、化合物１３２との距離を長くすることができ、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制しつつ、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることができる。したがって、本発明の一態様である化合物を、化合物１３２として用いることにより、励起錯体から化合物１３２のＳ１準位（ＳＧ）への三重項励起エネルギーのエネルギー移動（ルートＡ６及びルートＡ８）が起こりやすくなる一方、励起錯体から化合物１３２のＴ１準位（ＴＧ）への三重項励起エネルギーの移動（ルートＡ９：デクスター機構によるエネルギー移動）を起こりにくくすることができ、ルートＡ９のエネルギー移動に伴う発光効率の低下を抑制しつつ、発光デバイスの発光効率を高めることができる。また、発光デバイスの信頼性を向上させることができる。
＜発光層の構成例４＞
本構成例において、発光デバイス中の発光層１１３は、３種類の物質、すなわち、化合物１３１、化合物１３２、および化合物１３３を有する。なお、化合物１３１および化合物１３３は励起錯体を形成する組み合わせであり、発光物質（ゲスト材料）として機能する化合物１３２として、蛍光発光物質を用いる場合（ＥｘＥＦを利用する場合）について示す。したがって、本発明の一態様である化合物は、蛍光発光物質である化合物１３２として、用いることが好ましい。なお、本構成例は、化合物１３３が、ＴＡＤＦ性を有する材料である点で上記構成例３とは異なる。また、本構成例における発光層１１３でのエネルギー準位の相関の一例は、図４（Ａ）に示す通りである。なお、図４（Ａ）に示す表記及び符号は、図３（Ｂ）と共通するため、記載を省略する。
本構成例において、化合物１３３はＴＡＤＦ材料であるため、励起錯体を形成していない化合物１３３は、三重項励起エネルギーをアップコンバージョンによって一重項励起エネルギーに変換する機能を有する（図４（Ａ）中のルートＡ１０）。したがって、化合物１３３が有する一重項励起エネルギーは、速やかに化合物１３２へ移動する（図４（Ａ）中のルートＡ１１）。このとき、ＳＣ３≧ＳＧであると好ましい。
したがって、本構成例に示す発光デバイスの発光層１１３において、上記の構成例３と同様に、図４（Ａ）中のルートＡ６乃至ルートＡ８を経て、三重項励起エネルギーがゲスト材料である化合物１３２へ移動する経路と、図４（Ａ）中のルートＡ１０及びルートＡ１１を経て化合物１３２へ移動する経路とが存在する。このように、三重項励起エネルギーが、蛍光発光物質である化合物１３２へ移動する経路が複数存在することで、発光効率をより高めることができる。ルートＡ８において、励起錯体がエネルギードナーであり、化合物１３２がエネルギーアクセプターとして機能する。ルートＡ１１において、化合物１３３がエネルギードナーであり、化合物１３２がエネルギーアクセプターとして機能する。但し、本構成例に示す発光デバイスの発光層１１３では、上記の他に、励起錯体の三重項励起エネルギーが、化合物１３２のＴ１準位に移動する経路（図４（Ａ）中のルートＡ９）とも競合し得る。このようなエネルギー移動（ルートＡ９）が生じる場合、蛍光発光物質である化合物１３２は、三重項励起エネルギーを発光に寄与させることができないため、発光デバイスの発光効率が低下する。
このようなエネルギー移動（ルートＡ９）を抑制するためには、上記構成例１で説明した通り、化合物１３１および化合物１３３により形成される励起錯体と、化合物１３２との距離、すなわち化合物１３１および化合物１３３により形成される励起錯体と、化合物１３２が有する発光団との距離が長いことが重要となる。
本発明の一態様である化合物は、その構造の一部に発光団と保護基を有しており、発光層１１３でエネルギーアクセプターとして機能する場合において、保護基は、他のエネルギードナーと、該発光団との距離を長くする機能を有する。したがって、本発明の一態様である化合物を、本構成の化合物１３２として用いた場合、化合物１３２の濃度を高めても、化合物１３１および化合物１３３により形成された励起錯体と、化合物１３２との距離を長くすることができ、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制しつつ、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることができる。したがって、本発明の一態様である化合物を、化合物１３２として用いることにより、励起錯体から化合物１３２のＳ１準位（ＳＧ）への三重項励起エネルギーのエネルギー移動（ルートＡ６及びルートＡ８）と、励起錯体から化合物１３２のＳ１準位（ＳＧ）への三重項励起エネルギーの移動（ルートＡ１０及びルートＡ１１）の両方が起こりやすくなる一方、励起錯体から化合物１３２のＴ１準位（ＴＧ）への三重項励起エネルギーの移動（ルートＡ９：デクスター機構によるエネルギー移動）を起こりにくくすることができ、ルートＡ９のエネルギー移動に伴う発光効率の低下を抑制しつつ、発光デバイスの発光効率を高めることができる。また、発光デバイスの信頼性を向上させることができる。
＜発光層の構成例５＞
本構成例において、発光デバイス中の発光層１１３は、４種類の物質、すなわち、化合物１３１、化合物１３２、化合物１３３、および化合物１３４を有する。なお、化合物１３３は、三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する物質として、燐光発光物質を用いる場合について説明する。また、化合物１３１および化合物１３４は励起錯体を形成する組み合わせであり、発光物質（ゲスト材料）として機能する化合物１３２として、蛍光発光物質を用いる場合について示す。したがって、本発明の一態様である化合物は、蛍光発光物質である化合物１３２として、用いることが好ましい。なお、本構成例における発光層１１３でのエネルギー準位の相関の一例は、図４（Ｂ）に示す通りである。なお、図４（Ｂ）における表記及び符号は、図３（Ｂ）に示す表記及び符号と同様であり、それ以外は、以下に示す通りである。
・ＳＣ４：化合物１３４のＳ１準位
・ＴＣ４：化合物１３４のＴ１準位
本構成例において、化合物１３１と化合物１３４は、励起錯体を形成する。なお、励起錯体のＳ１準位（ＳＥ）と励起錯体のＴ１準位（ＴＥ）は、互いに隣接したエネルギー準位となる（図４（Ｂ）中のルートＡ１２参照）。但し、上記の経路で２種類の物質により生成した励起錯体が励起エネルギーを失うと、２種類の物質は、元の別々の物質として存在する。
励起錯体の励起エネルギー準位（ＳＥおよびＴＥ）は、励起錯体を形成する各物質（化合物１３１および化合物１３４）のＳ１準位（ＳＣ１およびＳＣ４）より低くなるため、より低い励起エネルギーで励起状態を形成することが可能となる。これにより、発光デバイスの駆動電圧を低減することができる。
また、化合物１３３は燐光性材料であるため、一重項状態と三重項状態との間の項間交差が許容される。そのため、励起錯体から一重項励起エネルギー及び三重項励起エネルギーの双方が速やかに化合物１３３へと移動する（ルートＡ１３）。このとき、ＴＥ≧ＴＣ３であると好ましい。
また、化合物１３３が有する三重項励起エネルギーは、化合物１３２の一重項励起エネルギーへと変換される（ルートＡ１４）。この時、図４（Ｂ）に示すように、ＴＥ≧ＴＣ３≧ＳＧであると、化合物１３３から化合物１３２へのエネルギー移動が効率良く行われるため好ましい。より具体的には、化合物１３３の燐光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴＣ３とし、化合物１３２の吸収スペクトルの吸収端の波長のエネルギーをＳＧとした際に、ＴＣ３≧ＳＧであることが好ましい。なお、ルートＡ１４において、化合物１３３はエネルギードナー、化合物１３２はエネルギーアクセプターとして機能する。
本構成例において、化合物１３１と化合物１３４との組み合わせは、励起錯体を形成することが可能な組み合わせであればよいが、一方が正孔輸送性有する化合物であり、他方が電子輸送性を有する化合物であることが、より好ましい。
また、効率よく励起錯体を形成する材料の組み合わせとしては、化合物１３１及び化合物１３４のうち一方のＨＯＭＯ準位が他方のＨＯＭＯ準位より高く、一方のＬＵＭＯ準位が他方のＬＵＭＯ準位より高いことが好ましい。
また、化合物１３１と化合物１３４とのエネルギー準位の相関は、図４（Ｂ）に限定されない。すなわち、化合物１３１の一重項励起エネルギー準位（ＳＣ１）は、化合物１３４の一重項励起エネルギー準位（ＳＣ４）より高くても低くてもよい。また、化合物１３１の三重項励起エネルギー準位（ＴＣ１）は、化合物１３４の三重項励起エネルギー準位（ＴＣ４）より高くても低くてもよい。
また、本構成の発光デバイスにおいて、化合物１３１はπ電子不足骨格を有すると好ましい。該構成とすることで、化合物１３１のＬＵＭＯ準位が低くなり、励起錯体の形成に好適となる。
また、本構成の発光デバイスにおいて、化合物１３１はπ電子過剰骨格を有すると好ましい。該構成とすることで、化合物１３１のＨＯＭＯ準位が高くなり、励起錯体の形成に好適となる。
本発明の一態様である化合物は、その構造の一部に発光団と保護基を有しており、発光層１１３でエネルギーアクセプターとして機能する場合において、保護基は、他のエネルギードナーと、該発光団との距離を長くする機能を有する。したがって、本発明の一態様である化合物を、本構成の化合物１３２として用いた場合、化合物１３３と、化合物１３２との距離を長くすることができる。したがって、本発明の一態様である化合物を、化合物１３２として用いることにより、化合物１３３から化合物１３２のＳ１準位（ＳＧ）への三重項励起エネルギーのエネルギー移動（ルートＡ１４）が起こりやすくなる一方、化合物１３３から化合物１３２のＴ１準位（ＴＧ）への三重項励起エネルギーの移動（ルートＡ１５：デクスター機構によるエネルギー移動）を起こりにくくすることができ、ルートＡ１５のエネルギー移動に伴う発光効率の低下を抑制しつつ、発光デバイスの発光効率を高めることができる。
また、本構成例において、エネルギーアクセプターである化合物１３２の濃度を高めることにより、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制しつつ、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることができる。なお、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることによって、発光層中のエネルギーアクセプターの励起寿命が短くなるため、発光デバイスの信頼性を向上させることができる。具体的には、発光層１１３における化合物１３２の濃度は、エネルギードナーである化合物１３３に対して、２ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下が好ましく、より好ましくは５ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下、さらに好ましくは５ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下とする。
なお、本明細書中では、上述したルートＡ１２及びルートＡ１３の経路について、ＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ Ｅｎｅｒｇｙ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）ともいう。すなわち、本明細書中の発光層１１３において、励起錯体から化合物１３３への励起エネルギーの供与があることを示す。
＜発光層の構成例６＞
本構成例において、発光デバイス中の発光層１１３は、４種類の物質、すなわち、化合物１３１、化合物１３２、化合物１３３、および化合物１３４を有する。なお、化合物１３３は、三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する物質として、燐光発光物質を用いる場合について説明する。また、化合物１３１および化合物１３４は励起錯体を形成する組み合わせであり、発光物質（ゲスト材料）として機能する化合物１３２として、蛍光発光物質を用いる場合について示す。したがって、本発明の一態様である化合物は、蛍光発光物質である化合物１３２として、用いることが好ましい。なお、本構成例は、化合物１３４が、ＴＡＤＦ性を有する材料である点で上記構成例５とは異なる。また、本構成例における発光層１１３でのエネルギー準位の相関の一例は、図４（Ｃ）に示す通りである。なお、図４（Ｃ）に示す表記及び符号は、図３（Ｂ）および図４（Ｂ）と共通するため、記載を省略する。
本構成例において、化合物１３４はＴＡＤＦ材料であるため、励起錯体を形成していない化合物１３４は、三重項励起エネルギーをアップコンバージョンによって一重項励起エネルギーに変換する機能を有する（図４（Ｃ）中のルートＡ１６）。したがって、化合物１３４が有する一重項励起エネルギーは、速やかに化合物１３２へ移動する（図４（Ｃ）中のルートＡ１７）。このとき、ＳＣ４≧ＳＧであると好ましい。より具体的には、化合物１３４の蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳＣ４とし、化合物１３２の吸収スペクトルの吸収端の波長のエネルギーをＳＧとした際に、ＳＣ４≧ＳＧであることが好ましい。
したがって、本構成例に示す発光デバイスの発光層１１３において、上記の構成例５と同様に、図４（Ｃ）中のルートＡ１２、ルートＡ１３、およびルートＡ１４を経て、三重項励起エネルギーがゲスト材料である化合物１３２へ移動する経路と、図４（Ｃ）中のルートＡ１６及びルートＡ１７を経て化合物１３２へ移動する経路とが存在する。このように、三重項励起エネルギーが、蛍光発光物質である化合物１３２へ移動する経路が複数存在することで、発光効率をより高めることができる。ルートＡ１４において、化合物１３３はエネルギードナー、化合物１３２はエネルギーアクセプターとして機能する。また、ルートＡ１７において、化合物１３４はエネルギードナー、化合物１３２はエネルギーアクセプターとして機能する。但し、本構成例に示す発光デバイスの発光層１１３では、上記の他に、化合物１３３の三重項励起エネルギーが、化合物１３２のＴ１準位に移動する経路（図４（Ｃ）中のルートＡ１５）とも競合し得る。このようなエネルギー移動（ルートＡ１５）が生じる場合、蛍光発光物質である化合物１３２は、三重項励起エネルギーを発光に寄与させることができないため、発光デバイスの発光効率が低下する。
このようなエネルギー移動（ルートＡ１５）を抑制するためには、上記構成例１で説明した通り、化合物１３３と化合物１３２との距離、すなわち化合物１３３と化合物１３２が有する発光団との距離が長いことが重要となる。
本発明の一態様である化合物は、その構造の一部に発光団と保護基を有しており、発光層１１３でエネルギーアクセプターとして機能する場合において、保護基は、他のエネルギードナーと、該発光団との距離を長くする機能を有する。したがって、本発明の一態様である化合物を、本構成の化合物１３２として用いた場合、化合物１３２の濃度を高めても、化合物１３３と化合物１３２との距離を長くすることができ、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制しつつ、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることができる。したがって、本発明の一態様である化合物を、化合物１３２として用いることにより、励起錯体から化合物１３２のＳ１準位（ＳＧ）への三重項励起エネルギーのエネルギー移動（ルートＡ１２及びルートＡ１３およびルートＡ１４）と、励起錯体から化合物１３２のＳ１準位（ＳＧ）への三重項励起エネルギーの移動（ルートＡ１６及びルートＡ１７）の両方が起こりやすくなる一方、化合物１３３から化合物１３２のＴ１準位（ＴＧ）への三重項励起エネルギーの移動（ルートＡ１５：デクスター機構によるエネルギー移動）を起こりにくくすることができ、ルートＡ１５のエネルギー移動に伴う発光効率の低下を抑制しつつ、発光デバイスの発光効率を高めることができる。また、発光デバイスの信頼性を向上させることができる。
＜発光層の構成例７＞
本構成例において、発光デバイス中の発光層１１３は、化合物１３１、化合物１３２、および化合物１３３を有する。なお、化合物１３３は、三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する物質として、燐光発光物質を用いる場合について説明する。また、発光物質（ゲスト材料）として機能する化合物１３２として、蛍光発光物質を用いる場合について示す。したがって、本発明の一態様である化合物は、蛍光発光物質である化合物１３２として、用いることが好ましい。なお、本構成例における発光層１１３でのエネルギー準位の相関の一例は、図５（Ａ）に示す通りである。なお、図５（Ａ）における表記及び符号は、以下に示す通りである。
・Ｃｏｍｐ（１３１）：化合物１３１
・Ｃｏｍｐ（１３３）：化合物１３３
・Ｇｕｅｓｔ（１３２）：化合物１３２
・ＳＣ１：化合物１３１のＳ１準位
・ＴＣ１：化合物１３１のＴ１準位
・ＴＣ３：化合物１３３のＴ１準位
・ＴＧ：化合物１３２のＴ１準位
・ＳＧ：化合物１３２のＳ１準位
本構成例において、化合物１３１で主としてキャリアの再結合が生じることにより、一重項励起子及び三重項励起子が生じる。なお、化合物１３３として、ＴＣ３≦ＴＣ１という関係を有する燐光発光物質を選択することで、化合物１３１で生じた一重項励起エネルギー及び三重項励起エネルギーの双方を化合物１３３のＴＣ３準位へ移動させることができる（図５（Ａ）中のルートＡ１８）。なお、一部のキャリアは、化合物１３３でも再結合し得る。
なお、上記構成で用いる燐光発光物質はＩｒ、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｒｕ、Ｐｄ等の重原子を含んでいることが好ましい。燐光発光物質を化合物１３３として用いた場合、エネルギードナーの三重項励起エネルギー準位からゲスト材料（エネルギーアクセプター）の一重項励起エネルギー準位へのエネルギー移動は許容遷移となるため好ましい。よって、化合物１３３の三重項励起エネルギーをルートＡ１９の経路によってゲスト材料のＳ１準位（ＳＧ）へ移動させることができる。ルートＡ１９において、化合物１３３はエネルギードナー、化合物１３２はエネルギーアクセプターとして機能する。この場合、ＴＣ３≧ＳＧであると、化合物１３３の励起エネルギーが効率良くゲスト材料である化合物１３２の一重項励起状態へ移動するため好ましい。具体的には、化合物１３３の燐光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＴＣ３とし、化合物１３２の吸収スペクトルの吸収端の波長のエネルギーをＳＧとした際に、ＴＣ３≧ＳＧであることが好ましい。但し、本構成例に示す発光デバイスの発光層１１３では、上記の他に、化合物１３３の三重項励起エネルギーが、化合物１３２のＴ１準位に移動する経路（図５（Ａ）中のルートＡ２０）とも競合し得る。このようなエネルギー移動（ルートＡ２０）が生じる場合、蛍光発光物質である化合物１３２は、三重項励起エネルギーを発光に寄与させることができないため、発光デバイスの発光効率が低下する。
このようなエネルギー移動（ルートＡ２０）を抑制するためには、上記構成例１で説明した通り、化合物１３３と化合物１３２との距離、すなわち化合物１３３と化合物１３２が有する発光団との距離が長いことが重要となる。
本発明の一態様である化合物は、その構造の一部に発光団と保護基を有しており、発光層１１３でエネルギーアクセプターとして機能する場合において、保護基は、他のエネルギードナーと、該発光団との距離を長くする機能を有する。したがって、本発明の一態様である化合物を、本構成の化合物１３２として用いた場合、化合物１３２の濃度を高めても、化合物１３３と、化合物１３２との距離を長くすることができ、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制しつつ、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることができる。したがって、本発明の一態様である化合物を、化合物１３２として用いることにより、化合物１３３から化合物１３２のＳ１準位（ＳＧ）への三重項励起エネルギーのエネルギー移動（ルートＡ１９）が起こりやすくなる一方、化合物１３３から化合物１３２のＴ１準位（ＴＧ）への三重項励起エネルギーの移動（ルートＡ２０：デクスター機構によるエネルギー移動）を起こりにくくすることができ、ルートＡ２０のエネルギー移動に伴う発光効率の低下を抑制しつつ、発光デバイスの発光効率を高めることができる。また、発光デバイスの信頼性を向上させることができる。
＜発光層の構成例８＞
本構成例において、発光デバイス中の発光層１１３は、化合物１３１、化合物１３２、および化合物１３３を有する。なお、化合物１３３は、三重項励起エネルギーを発光に変換できる機能を有する物質として、ＴＡＤＦ性を有する材料を用いる場合について説明する。また、発光物質（ゲスト材料）として機能する化合物１３２として、蛍光発光物質を用いる場合について示す。したがって、本発明の一態様である化合物は、蛍光発光物質である化合物１３２として、用いることが好ましい。なお、本構成例における発光層１１３でのエネルギー準位の相関の一例は、図５（Ｂ）に示す通りである。なお、図５（Ｂ）における表記及び符号は、図５（Ａ）に示す表記及び符号と同様であり、それ以外は、以下に示す通りである。
・ＳＣ３：化合物１３３のＳ１準位
本構成例において、化合物１３１で主としてキャリアの再結合が生じることにより、一重項励起子及び三重項励起子が生じる。なお、化合物１３３として、ＳＣ３≦ＳＣ１かつＴＣ３≦ＴＣ１という関係を有するＴＡＤＦ性を有する材料を選択することで、化合物１３１で生じた一重項励起エネルギー及び三重項励起エネルギーの双方を化合物１３３のＳＣ３及びＴＣ３準位へ移動することができる（図５（Ｂ）中のルートＡ２１）。なお、一部のキャリアは、化合物１３３でも再結合し得る。
なお、化合物１３３はＴＡＤＦ性を有する材料であるため、三重項励起エネルギーをアップコンバージョンによって一重項励起エネルギーに変換する機能を有する（図５（Ｂ）中のルートＡ２２）。また、化合物１３３が有する一重項励起エネルギーは、速やかに化合物１３２へ移動することができる（図５（Ｂ）中のルートＡ２３）。このとき、ＳＣ３≧ＳＧであると好ましい。より具体的には、化合物１３３の蛍光スペクトルの短波長側の裾において接線を引き、その外挿線の波長のエネルギーをＳＣ３とし、化合物１３２の吸収スペクトルの吸収端の波長のエネルギーをＳＧとした際に、ＳＣ３≧ＳＧであることが好ましい。
したがって、本構成例に示す発光デバイスの発光層１１３において、図５（Ｂ）中のルートＡ２１、ルートＡ２２、およびルートＡ２３の経路を経ることで、化合物１３３で生じた三重項励起エネルギーを化合物１３２の蛍光発光へ変換することができる。ルートＡ２３において、化合物１３３はエネルギードナー、化合物１３２はエネルギーアクセプターとして機能する。但し、本構成例に示す発光デバイスの発光層１１３では、上記の他に、化合物１３３の三重項励起エネルギーが、化合物１３２のＴ１準位に移動する経路（図５（Ｂ）中のルートＡ２４）とも競合し得る。このようなエネルギー移動（ルートＡ２４）が生じる場合、蛍光発光物質である化合物１３２は、三重項励起エネルギーを発光に寄与させることができないため、発光デバイスの発光効率が低下する。
このようなエネルギー移動（ルートＡ２４）を抑制するためには、上記構成例１で説明した通り、化合物１３３と化合物１３２との距離、すなわち化合物１３３と化合物１３２が有する発光団との距離が長いことが重要となる。
本発明の一態様である化合物は、その構造の一部に発光団と保護基を有しており、発光層１１３でエネルギーアクセプターとして機能する場合において、保護基は、他のエネルギードナーと、該発光団との距離を長くする機能を有する。したがって、本発明の一態様である化合物を、本構成の化合物１３２として用いた場合、化合物１３２の濃度を高めても、化合物１３３と化合物１３２との距離を長くすることができ、デクスター機構によるエネルギー移動を抑制しつつ、フェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることができる。したがって、本発明の一態様である化合物を、化合物１３２として用いることにより、化合物１３３から化合物１３２のＳ１準位（ＳＧ）への三重項励起エネルギーのエネルギー移動（ルートＡ２３）が起こりやすくなる一方、化合物１３３から化合物１３２のＴ１準位（ＴＧ）への三重項励起エネルギーの移動（ルートＡ２４：デクスター機構によるエネルギー移動）を起こりにくくすることができるため、ルートＡ２４のエネルギー移動に伴う発光効率の低下を抑制しつつ、発光デバイスの発光効率を高めることができる。また、発光デバイスの信頼性を向上させることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光デバイスについて説明する。
＜発光デバイスの構成例＞
図６（Ａ）には、一対の電極間に発光層を含むＥＬ層を有する発光デバイスの一例を示す。具体的には、第１の電極１０１と第２の電極１０２との間にＥＬ層１０３が挟まれた構造を有する。なお、ＥＬ層１０３は、例えば、第１の電極１０１を陽極とした場合、正孔（ホール）注入層１１１、正孔（ホール）輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５が機能層として、順次積層された構造を有する。また、発光層１１３は、ホスト材料と、ゲスト材料を有し、ホスト材料として、第３の有機化合物１２３を用い、ゲスト材料として、一重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料（蛍光発光物質）である第１の有機化合物１２１と、三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料（燐光発光物質またはＴＡＤＦ材料）である第２の有機化合物１２２を用いる。
また、その他の発光デバイスの構造として、一対の電極間に電荷発生層を挟んで形成される複数のＥＬ層を有する構成（タンデム構造）とすることにより低電圧駆動を可能とする発光デバイス、または一対の電極間に微小光共振器（マイクロキャビティ）構造を形成することにより光学特性を向上させた発光デバイス等も本発明の一態様に含めることとする。なお、電荷発生層は、第１の電極１０１と第２の電極１０２に電圧を印加したときに、隣り合う一方のＥＬ層に電子を注入し、他方のＥＬ層に正孔を注入する機能を有する。
なお、上記発光デバイスの第１の電極１０１と第２の電極１０２の少なくとも一方は、透光性を有する電極（透明電極、半透過・半反射電極など）とする。透光性を有する電極が透明電極の場合、透明電極の可視光の透過率は、４０％以上とする。また、半透過・半反射電極の場合、半透過・半反射電極の可視光の反射率は、２０％以上８０％以下、好ましくは４０％以上７０％以下とする。また、これらの電極は、抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
また、上述した本発明の一態様である発光デバイスにおいて、第１の電極１０１と第２の電極１０２の一方が、反射性を有する電極（反射電極）である場合、反射性を有する電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、この電極は、抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下とするのが好ましい。
＜第１の電極および第２の電極＞
第１の電極１０１および第２の電極１０２を形成する材料としては、上述した両電極の機能が満たせるのであれば、以下に示す材料を適宜組み合わせて用いることができる。例えば、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、およびこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属およびこれらを適宜組み合わせて含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。
なお、これらの電極の作製には、スパッタ法、または真空蒸着法を用いることができる。
＜正孔注入層＞
正孔注入層１１１は、陽極である第１の電極１０１からＥＬ層１０３に正孔（ホール）を注入する層であり、有機アクセプター材料、または正孔注入性の高い材料を含む層である。
有機アクセプター材料は、そのＬＵＭＯ準位の値とＨＯＭＯ準位の値が近い他の有機化合物との間で電荷分離させることにより、当該有機化合物に正孔（ホール）を発生させることができる材料である。従って、有機アクセプター材料としては、キノジメタン誘導体、クロラニル誘導体、ヘキサアザトリフェニレン誘導体などの電子吸引基（ハロゲン基またはシアノ基）を有する化合物を用いることができる。例えば、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、３，６−ジフルオロ−２，５，７，７，８，８−ヘキサシアノキノジメタン、クロラニル、２，３，６，７，１０，１１−ヘキサシアノ−１，４，５，８，９，１２−ヘキサアザトリフェニレン（略称：ＨＡＴ−ＣＮ）、１，３，４，５，７，８−ヘキサフルオロテトラシアノ−ナフトキノジメタン（略称：Ｆ６−ＴＣＮＮＱ）等を用いることができる。なお、有機アクセプター材料の中でも特にＨＡＴ−ＣＮは、アクセプター性が高く、熱に対して膜質が安定であるため好適である。その他にも、［３］ラジアレン誘導体は、電子受容性が非常に高いため好ましく、具体的にはα，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［４−シアノ−２，３，５，６−テトラフルオロベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，６−ジクロロ−３，５−ジフルオロ−４−（トリフルオロメチル）ベンゼンアセトニトリル］、α，α’，α’’−１，２，３−シクロプロパントリイリデントリス［２，３，４，５，６−ペンタフルオロベンゼンアセトニトリル］などを用いることができる。
また、正孔注入性の高い材料としては、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等の遷移金属酸化物が挙げられる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）、または銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、等を用いることができる。
また、上記材料に加えて低分子化合物である、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等の芳香族アミン化合物、等を用いることができる。
また、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）である、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等を用いることができる。または、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（略称：ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等の酸を添加した高分子系化合物、等を用いることもできる。
また、正孔注入性の高い材料としては、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）を含む複合材料を用いることもできる。この場合、アクセプター性材料により正孔輸送性材料から電子が引き抜かれて正孔注入層１１１で正孔が発生し、正孔輸送層１１２を介して発光層１１３に正孔が注入される。なお、正孔注入層１１１は、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）を含む複合材料からなる単層で形成しても良いが、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とをそれぞれ別の層で積層して形成しても良い。
なお、正孔輸送性材料としては、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における正孔移動度が１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。
正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体またはフラン誘導体）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。
なお、上記カルバゾール誘導体（カルバゾール骨格を有する化合物）としては、ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’−ビカルバゾール誘導体）、カルバゾリル基を有する芳香族アミン等が挙げられる。
また、上記ビカルバゾール誘導体（例えば、３，３’−ビカルバゾール誘導体）としては、具体的には、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）、９，９’−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール、９，９’−ビス（１，１’−ビフェニル−３−イル）−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール、９−（１，１’−ビフェニル−３−イル）−９’−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：ｍＢＰＣＣＢＰ）、９−（２−ナフチル）−９’−フェニル−９Ｈ，９’Ｈ−３，３’−ビカルバゾール（略称：βＮＣＣＰ）などが挙げられる。
また、上記カルバゾリル基を有する芳香族アミンとしては、具体的には、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、Ｎ−（４−ビフェニル）−Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＢｉＦ）、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４，４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、４−フェニルジフェニル−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−（４−フェニル）フェニルアニリン（略称：ＹＧＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）などが挙げられる。
なお、カルバゾール誘導体としては、上記に加えて、３−［４−（９−フェナントリル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＰｎ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等が挙げられる。
また、上記フラン誘導体（フラン骨格を有する化合物）としては、具体的には、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）等が挙げられる。
また、上記芳香族アミンとしては、具体的には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス｛４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ）等が挙げられる。
正孔輸送性材料としては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。
但し、正孔輸送性材料は、上記に限られることなく公知の様々な材料を１種または複数種組み合わせて正孔輸送性材料として用いてもよい。
正孔注入層１１１に用いるアクセプター性材料としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を用いることができる。具体的には、酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムが挙げられる。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。その他、上述した有機アクセプターを用いることもできる。
なお、正孔注入層１１１は、公知の様々な成膜方法を用いて形成することができるが、例えば、真空蒸着法を用いて形成することができる。
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層１１２は、正孔注入層１１１によって、第１の電極１０１から注入された正孔を発光層１１３に輸送する層である。なお、正孔輸送層１１２は、正孔輸送性材料を含む層である。従って、正孔輸送層１１２には、正孔注入層１１１に用いることができる正孔輸送性材料を用いることができる。
なお、本発明の一態様である発光デバイスにおいて、正孔輸送層１１２と同じ有機化合物を発光層１１３に用いることが好ましい。正孔輸送層１１２と発光層１１３に同じ有機化合物を用いることで、正孔輸送層１１２から発光層１１３へのホールの輸送が効率よく行えるためである。
＜発光層＞
発光層１１３は、発光物質を含む層である。本発明の一態様である、発光デバイスにおける発光層１１３は、ホスト材料と、ゲスト材料を有し、ホスト材料として、第３の有機化合物１２３を用い、ゲスト材料として、一重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料（蛍光発光物質）である第１の有機化合物１２１と、三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料（燐光発光物質またはＴＡＤＦ材料）である第２の有機化合物１２２を用いる。なお、発光層１１３に用いることができる発光物質としては、上記を満たせば、特に限定は無く、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いることができる。
但し、発光層１１３に用いるホスト材料としては、複数種の有機化合物を用いても良く、またこれらにより形成される励起錯体であっても良い。また、ホスト材料として用いる第３の有機化合物１２３は、ゲスト材料として用いる、第１の有機化合物１２１および第２の有機化合物１２２のエネルギーギャップよりも大きなエネルギーギャップを有する物質を用いるのが好ましい。また、第３の有機化合物１２３の最低一重項励起エネルギー準位（Ｓ１準位）は、第１の有機化合物１２１のＳ１準位よりも高く、第３の有機化合物１２３の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、第１の有機化合物１２１のＴ１準位よりも高いことが好ましい。また、第３の有機化合物１２３の最低三重項励起エネルギー準位（Ｔ１準位）は、第２の有機化合物１２２のＴ１準位よりも高いことが好ましい。
なお、ホスト材料として用いる一種または複数種の有機化合物としては、発光層に用いるホスト材料としての条件を満たせば、前述の正孔輸送層１１２に用いることができる正孔輸送性材料、後述の電子輸送層１１４に用いることができる電子輸送性材料、等の有機化合物が挙げられ、複数種の有機化合物からなる励起錯体であっても良い。なお、複数種の有機化合物で励起状態を形成する励起錯体（エキサイプレックス、エキシプレックスまたはＥｘｃｉｐｌｅｘともいう）は、Ｓ１準位とＴ１準位との差が極めて小さく、三重項励起エネルギーを一重項励起エネルギーに変換することが可能なＴＡＤＦ材料としての機能を有する。また、励起錯体を形成する複数種の有機化合物の組み合わせとしては、例えば一方がπ電子不足型複素芳香環を有し、他方がπ電子過剰型複素芳香環を有すると好ましい。なお、励起錯体を形成する組み合わせとして、一方にイリジウム、ロジウム、または白金系の有機金属錯体、あるいは金属錯体等の燐光発光物質を用いても良い。
なお、発光層１１３のゲスト材料として用いる、第１の有機化合物１２１、および第２の有機化合物１２２は、それぞれ異なる発光色を呈する構成とするのが好ましい。また、補色の関係にある発光色を組み合わせて得られる白色発光としても良い。
なお、発光層１１３の１つ目のゲスト材料であり、一重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料である、第１の有機化合物１２１は、発光層に用いるゲスト材料としての条件を満たす組み合わせにおいて、実施の形態２に示した材料を用いることができる。また、発光層１１３の２つ目のゲスト材料であり、三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料である第２の有機化合物１２２としては、例えば、燐光を発する物質（燐光発光物質）、または熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ ａｃｔｉｖａｔｅｄ ｄｅｌａｙｅｄ ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料が挙げられる。これらも同様に発光層に用いるゲスト材料としての条件を満たす組み合わせにおいて用いることができる。また、第１の有機化合物１２１の最低一重項励起エネルギー準位（Ｓ１準位）は、第２の有機化合物１２２のＴ１準位よりも高い。すなわち、第２の有機化合物１２２から得られる発光は、第１の有機化合物１２１から得られる発光よりも発光スペクトルのピーク波長が長波長である。
燐光発光物質とは、低温（例えば７７Ｋ）以上室温以下の温度範囲（すなわち、７７Ｋ以上３１３Ｋ以下）のいずれかにおいて、燐光を呈し、且つ蛍光を呈さない化合物のことをいう。該燐光発光物質としては、スピン軌道相互作用の大きい金属元素を有すると好ましく、有機金属錯体、金属錯体（白金錯体）、希土類金属錯体等が挙げられる。具体的には遷移金属元素が好ましく、特に白金族元素（ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、または白金（Ｐｔ））を有することが好ましく、中でもイリジウムを有することで、一重項基底状態と三重項励起状態との間の直接遷移に係わる遷移確率を高めることができ好ましい。
青色または緑色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４５０ｎｍ以上５７０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。
例えば、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）３］）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）３］）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）３］）、トリス［３−（５−ビフェニル）−５−イソプロピル−４−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒ５ｂｔｚ）３］）、のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）３］）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属錯体、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）３］）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）３］）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属錯体、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｆｉｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：［Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ）］）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のように電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体等が挙げられる。
緑色または黄色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が４９５ｎｍ以上５９０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。
例えば、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［６−（２−ノルボルニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス｛４，６−ジメチル−２−［６−（２，６−ジメチルフェニル）−４−ピリミジニル−κＮ３］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｐｍ−ｄｍｐ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（４−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）２（４ｄｐｐｙ）］）、ビス［２−（２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］［２−（４−メチル−５−フェニル−２−ピリジニル−κＮ）フェニル−κＣ］のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ）］）、ビス｛２−［４’−（パーフルオロフェニル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ）］）などの有機金属錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。
黄色または赤色を呈し、発光スペクトルのピーク波長が５７０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下である燐光発光物質としては、以下のような物質が挙げられる。
例えば、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）２（ｄｐｍ）］）、（ジピバロイルメタナト）ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属錯体、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ｄｐｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［３−（３，５−ジメチルフェニル）−５−フェニル−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−Ｐ）２（ｄｉｂｍ）］）、ビス｛４，６−ジメチル−２−［５−（４−シアノ−２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ］フェニル−κＣ｝（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍＣＰ）２（ｄｐｍ）］）、ビス［２−（５−（２，６−ジメチルフェニル）−３−（３，５−ジメチルフェニル）−２−ピラジニル−κＮ）−４，６−ジメチルフェニル−κＣ］（２，２’，６，６’−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｄｐｐｒ−ｄｍｐ）２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２−メチル−３−フェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（２，３−ジフェニルキノキサリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属錯体、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ）］）、ビス［４，６−ジメチル−２−（２−キノリニル−κＮ）フェニル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｍｐｑｎ）２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属錯体、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：［ＰｔＯＥＰ］）のような白金錯体、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。
また、ＴＡＤＦ材料としては、以下に示す材料を用いることができる。ＴＡＤＦ材料とは、Ｓ１準位とＴ１準位との差が小さく（好ましくは、０．２ｅＶ以下）、三重項励起状態をわずかな熱エネルギーによって一重項励起状態にアップコンバート（逆項間交差）が可能で、一重項励起状態からの発光（蛍光）を効率よく呈する材料のことである。また、熱活性化遅延蛍光が効率良く得られる条件としては、三重項励起エネルギー準位と一重項励起エネルギー準位のエネルギー差が０ｅＶ以上０．２ｅＶ以下、好ましくは０ｅＶ以上０．１ｅＶ以下であることが挙げられる。また、ＴＡＤＦ材料における遅延蛍光とは、通常の蛍光と同様のスペクトルを持ちながら、寿命が著しく長い発光をいう。その寿命は、１×１０−６秒以上、好ましくは１×１０−３秒以上である。
ＴＡＤＦ材料としては、例えば、フラーレン、またはその誘導体、プロフラビン等のアクリジン誘導体、エオシン等が挙げられる。また、マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドミウム（Ｃｄ）、スズ（Ｓｎ）、白金（Ｐｔ）、インジウム（Ｉｎ）、もしくはパラジウム（Ｐｄ）等を含む金属含有ポルフィリンが挙げられる。金属含有ポルフィリンとしては、例えば、プロトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｐｒｏｔｏ ＩＸ））、メソポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｍｅｓｏ ＩＸ））、ヘマトポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｈｅｍａｔｏ ＩＸ））、コプロポルフィリンテトラメチルエステル−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｃｏｐｒｏ ＩＩＩ−４Ｍｅ））、オクタエチルポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（ＯＥＰ））、エチオポルフィリン−フッ化スズ錯体（略称：ＳｎＦ２（Ｅｔｉｏ Ｉ））、オクタエチルポルフィリン−塩化白金錯体（略称：ＰｔＣｌ２ＯＥＰ）等が挙げられる。
Figure 2021107386
その他にも、２−（ビフェニル−４−イル）−４，６−ビス（１２−フェニルインドロ［２，３−ａ］カルバゾール−１１−イル）−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＩＣ−ＴＲＺ）、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、２−［４−（１０Ｈ−フェノキサジン−１０−イル）フェニル］−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＸＺ−ＴＲＺ）、３−［４−（５−フェニル−５，１０−ジヒドロフェナジン−１０−イル）フェニル］−４，５−ジフェニル−１，２，４−トリアゾール（略称：ＰＰＺ−３ＴＰＴ）、３−（９，９−ジメチル−９Ｈ−アクリジン−１０−イル）−９Ｈ−キサンテン−９−オン（略称：ＡＣＲＸＴＮ）、ビス［４−（９，９−ジメチル−９，１０−ジヒドロアクリジン）フェニル］スルホン（略称：ＤＭＡＣ−ＤＰＳ）、１０−フェニル−１０Ｈ，１０’Ｈ−スピロ［アクリジン−９，９’−アントラセン］−１０’−オン（略称：ＡＣＲＳＡ）、４−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＢｆｐｍ）、４−［４−（９’−フェニル−３，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４ＰＣＣｚＰＢｆｐｍ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）等のπ電子過剰型複素芳香環及びπ電子不足型複素芳香環を有する複素環化合物を用いてもよい。
なお、π電子過剰型複素芳香環とπ電子不足型複素芳香環とが直接結合した物質は、π電子過剰型複素芳香環のドナー性とπ電子不足型複素芳香環のアクセプター性が共に強くなり、一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギー差が小さくなるため、特に好ましい。
Figure 2021107386
また、上記の他に、三重項励起エネルギーを発光に変換する機能を有する材料である第２の有機化合物１２２としては、ペロブスカイト構造を有する遷移金属化合物のナノ構造体が挙げられる。特に金属ハロゲンペロブスカイト類のナノ構造体がこのましい。該ナノ構造体としては、ナノ粒子、ナノロッドが好ましい。
上記以外にも、発光層１１３に用いることのできる一重項励起エネルギーを発光に変える発光物質としては、以下に示す蛍光を発する物質（蛍光発光物質）が挙げられる。例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。特にピレン誘導体は発光量子収率が高いので好ましい。ピレン誘導体の具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ｍＭｅｍＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦＬＰＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＦｒＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾチオフェン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルピレン−１，６−ジアミン（略称：１，６ＴｈＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−６−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（Ｎ−フェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０２）、Ｎ，Ｎ’−（ピレン−１，６−ジイル）ビス［（６，Ｎ−ジフェニルベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン）−８−アミン］（略称：１，６ＢｎｆＡＰｒｎ−０３）などが挙げられる。
その他にも、５，６−ビス［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰ２ＢＰｙ）、５，６−ビス［４’−（１０−フェニル−９−アントリル）ビフェニル−４−イル］−２，２’−ビピリジン（略称：ＰＡＰＰ２ＢＰｙ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＢＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）等を用いることができる。
次に、発光層１１３のホスト材料である第３の有機化合物１２３として、例えば、アントラセン誘導体、テトラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられる。
上記の具体例としては、９−フェニル−３−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、３−［４−（１−ナフチル）−フェニル］−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＰＣＰＮ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、ＹＧＡＰＡ、ＰＣＡＰＡ、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、７−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−７Ｈ−ジベンゾ［ｃ，ｇ］カルバゾール（略称：ｃｇＤＢＣｚＰＡ）、６−［３−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−ベンゾ［ｂ］ナフト［１，２−ｄ］フラン（略称：２ｍＢｎｆＰＰＡ）、９−フェニル−１０−｛４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−ビフェニル−４’−イル｝−アントラセン（略称：ＦＬＰＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、１，３，５−トリ（１−ピレニル）ベンゼン（略称：ＴＰＢ３）、５，１２−ジフェニルテトラセン、５，１２−ビス（ビフェニル−２−イル）テトラセンなどが挙げられる。
その他にも、発光層１１３のホスト材料である第３の有機化合物１２３として、例えば、芳香族アミン、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、亜鉛またはアルミニウム系の金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、フェナントロリン誘導体等、を用いることができる。
また、これらの具体例としては、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢｐｈｅｎ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）等のキノキサリン誘導体、またはジベンゾキノキサリン誘導体などが挙げられる。
さらに、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）、９，９’−（ピリミジン−４，６−ジイルジ−３，１−フェニレン）ビス（９Ｈ−カルバゾール）（略称：４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ）等のピリミジン誘導体、２−｛４−［３−（Ｎ−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）−９Ｈ−カルバゾール−９−イル］フェニル｝−４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン（略称：ＰＣＣｚＰＴｚｎ）、９−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）フェニル］−９’−フェニル−２，３’−ビ−９Ｈ−カルバゾール（略称：ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２）等のトリアジン誘導体、３，５−ビス［３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）等のピリジン誘導体、などが挙げられる。
また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。
＜電子輸送層＞
電子輸送層１１４は、後述する電子注入層１１５によって第２の電極１０２から注入された電子を発光層１１３に輸送する層である。なお、電子輸送層１１４は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送層１１４に用いる電子輸送性材料は、電界強度［Ｖ／ｃｍ］の平方根が６００における電子移動度が１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いることができる。また、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）は、単層でも機能するが、必要に応じて２層以上の積層構造とすることにより、デバイス特性を向上させることもできる。
電子輸送層１１４に用いることができる有機化合物としては、フロジアジン骨格のフラン環に芳香環が縮合した構造を有する有機化合物、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料（電子輸送性材料）を用いることができる。
なお、電子輸送性材料の具体例としては、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、５−［３−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２イル）フェニル］−７，７−ジメチル−５Ｈ，７Ｈ−インデノ［２，１−ｂ］カルバゾール（略称：ｍＩＮｃ（ＩＩ）ＰＴｚｎ）、４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−８−（ナフタレン−２−イル）−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８βＮ−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、３，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ベンゾフロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：３，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｒ）、４，８−ビス［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：４，８ｍＤＢｔＰ２Ｂｆｐｍ）、９−［（３’−ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［２，３−ｂ］ピラジン（略称：９ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｒ）、８−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）（１，１’−ビフェニル−３−イル）］ナフト［１’，２’：４，５］フロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８ｍＤＢｔＢＰＮｆｐｍ）、８−［（２，２’−ビナフタレン）−６−イル］−４−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル−［１］ベンゾフロ［３，２−ｄ］ピリミジン（略称：８（βＮ２）−４ｍＤＢｔＰＢｆｐｍ）、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）等のキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）等のオキサゾール骨格またはチアゾール骨格を有する金属錯体等が挙げられる。
また、金属錯体以外にもＰＢＤ、ＯＸＤ−７、ＣＯ１１等のオキサジアゾール誘導体、ＴＡＺ、ｐ−ＥｔＴＡＺ等のトリアゾール誘導体、ＴＰＢＩ、ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ等のイミダゾール誘導体（ベンゾイミダゾール誘導体を含む）、ＢｚＯｓなどのオキサゾール誘導体、Ｂｐｈｅｎ、ＢＣＰ、ＮＢｐｈｅｎなどのフェナントロリン誘導体、２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、２ｍＣｚＢＰＤＢｑ、２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ、７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ、及び、６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ等のキノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、３５ＤＣｚＰＰｙ、ＴｍＰｙＰＢ等のピリジン誘導体、４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ、４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ、４，６ｍＣｚＰ２Ｐｍ等のピリミジン誘導体、またはＰＣＣｚＰＴｚｎ、ｍＰＣＣｚＰＴｚｎ−０２等のトリアジン誘導体を用いることができる。
また、ＰＰｙ、ＰＦ−Ｐｙ、ＰＦ−ＢＰｙのような高分子化合物を用いることもできる。
＜電子注入層＞
電子注入層１１５は、第２の電極（陰極）１０２からの電子の注入効率を高めるための層であり、第２の電極（陰極）１０２に用いる材料の仕事関数の値と、電子注入層１１５に用いる材料のＬＵＭＯ準位の値とを比較した際、その差が小さい（０．５ｅＶ以下）材料を用いることが好ましい。従って、電子注入層１１５には、リチウム、セシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。
また、図６（Ｂ）に示す発光デバイスのように、２つのＥＬ層（１０３ａ、１０３ｂ）の間に電荷発生層１０４を設けることにより、複数のＥＬ層が一対の電極間に積層された構造（タンデム構造ともいう）とすることもできる。なお、本実施の形態において図６（Ａ）で説明する、正孔注入層（１１１）、正孔輸送層（１１２）、発光層（１１３）、電子輸送層（１１４）、電子注入層（１１５）のそれぞれは、図６（Ｂ）で説明する、正孔注入層（１１１ａ、１１１ｂ）、正孔輸送層（１１２ａ、１１２ｂ）、発光層（１１３ａ、１１３ｂ）、電子輸送層（１１４ａ、１１４ｂ）、電子注入層（１１５ａ、１１５ｂ）のそれぞれと、機能および用いる材料は共通である。
＜電荷発生層＞
なお、図６（Ｂ）の発光デバイスにおける電荷発生層１０４は、第１の電極（陽極）１０１と第２の電極（陰極）１０２との間に電圧を印加したときに、ＥＬ層１０３ａに電子を注入し、ＥＬ層１０３ｂに正孔を注入する機能を有する。なお、電荷発生層１０４は、正孔輸送性材料に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性材料に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。なお、上述した材料を用いて電荷発生層１０４を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
電荷発生層１０４において、正孔輸送性材料に電子受容体が添加された構成とする場合、正孔輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムなどが挙げられる。
また、電荷発生層１０４において、電子輸送性材料に電子供与体が添加された構成とする場合、電子輸送性材料としては、本実施の形態で示した材料を用いることができる。また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
なお、図６（Ｂ）では、ＥＬ層１０３が２層積層された構成を示したが、異なるＥＬ層の間に電荷発生層を設けることにより３層以上のＥＬ層の積層構造としてもよい。
＜基板＞
本実施の形態で示した発光デバイスは、様々な基板上に形成することができる。なお、基板の種類は、特定のものに限定されることはない。基板の一例としては、半導体基板（例えば単結晶基板又はシリコン基板）、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、金属基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板、タングステン基板、タングステン・ホイルを有する基板、可撓性基板、貼り合わせフィルム、繊維状の材料を含む紙、又は基材フィルムなどが挙げられる。
なお、ガラス基板の一例としては、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、又はソーダライムガラスなどが挙げられる。また、可撓性基板、貼り合わせフィルム、基材フィルムなどの一例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチック、アクリル樹脂等の合成樹脂、ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、又はポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリイミド、アラミド樹脂、エポキシ樹脂、無機蒸着フィルム、又は紙類などが挙げられる。
なお、本実施の形態で示す発光デバイスの作製には、蒸着法などの真空プロセス、スピンコート法またはインクジェット法などの溶液プロセスを用いることができる。蒸着法を用いる場合には、スパッタ法、イオンプレーティング法、イオンビーム蒸着法、分子線蒸着法、真空蒸着法などの物理蒸着法（ＰＶＤ法）または、化学蒸着法（ＣＶＤ法）等を用いることができる。特に発光デバイスのＥＬ層に含まれる機能層（正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ））、および電荷発生層（１０４、１０４ａ、１０４ｂ）については、蒸着法（真空蒸着法等）、塗布法（ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、スピンコート法、スプレーコート法等）、印刷法（インクジェット法、スクリーン（孔版印刷）法、オフセット（平版印刷）法、フレキソ（凸版印刷）法、グラビア法、マイクロコンタクト法、ナノインプリント法等）などの方法により形成することができる。
なお、本実施の形態で示す発光デバイスのＥＬ層（１０３、１０３ａ、１０３ｂ）を構成する各機能層（正孔注入層（１１１、１１１ａ、１１１ｂ）、正孔輸送層（１１２、１１２ａ、１１２ｂ）、発光層（１１３、１１３ａ、１１３ｂ）、電子輸送層（１１４、１１４ａ、１１４ｂ）、電子注入層（１１５、１１５ａ、１１５ｂ））、および電荷発生層（１０４、１０４ａ、１０４ｂ）は、上述した材料に限られることはなく、それ以外の材料であっても各層の機能を満たせるものであれば組み合わせて用いることができる。一例としては、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）、中分子化合物（低分子と高分子の中間領域の化合物：分子量４００乃至４０００）、無機化合物（量子ドット材料等）等を用いることができる。なお、量子ドット材料としては、コロイド状量子ドット材料、合金型量子ドット材料、コア・シェル型量子ドット材料、コア型量子ドット材料などを用いることができる。
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について説明する。なお、図７（Ａ）に示す発光装置は、第１の基板２０１上のトランジスタ（ＦＥＴ）２０２と発光デバイス（２０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂ、２０３Ｗ）が電気的に接続されてなるアクティブマトリクス型の発光装置であり、複数の発光デバイス（２０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂ、２０３Ｗ）は、共通のＥＬ層２０４を有し、また、各発光デバイスの発光色に応じて、各発光デバイスの電極間の光学距離が調整されたマイクロキャビティ構造を有する。また、ＥＬ層２０４から得られた発光が第２の基板２０５に形成されたカラーフィルタ（２０６Ｒ、２０６Ｇ、２０６Ｂ）を介して射出されるトップエミッション型の発光装置である。
図７（Ａ）に示す発光装置において、第１の電極２０７は、反射電極として機能するように形成する。また、第２の電極２０８は、光（可視光または近赤外光）に対する透過性および反射性の両機能を有する、半透過・半反射電極として機能するように形成する。なお、第１の電極２０７および第２の電極２０８を形成する電極材料としては、他の実施形態の記載を参照し、適宜用いることができる。
また、図７（Ａ）において、例えば、発光デバイス２０３Ｒを赤色発光デバイス、発光デバイス２０３Ｇを緑色発光デバイス、発光デバイス２０３Ｂを青色発光デバイス、発光デバイス２０３Ｗを白色発光デバイスとする場合、図７（Ｂ）に示すように発光デバイス２０３Ｒは、第１の電極２０７と第２の電極２０８との間が光学距離２００Ｒとなるように調整し、発光デバイス２０３Ｇは、第１の電極２０７と第２の電極２０８との間が光学距離２００Ｇとなるように調整し、発光デバイス２０３Ｂは、第１の電極２０７と第２の電極２０８との間が光学距離２００Ｂとなるように調整する。なお、図７（Ｂ）に示すように、発光デバイス２０３Ｒにおいて導電層２１０Ｒを第１の電極２０７に積層し、発光デバイス２０３Ｇにおいて導電層２１０Ｇを積層することにより、光学調整を行うことができる。
第２の基板２０５には、カラーフィルタ（２０６Ｒ、２０６Ｇ、２０６Ｂ）が形成されている。なお、カラーフィルタは、可視光のうち特定の波長域を通過させ、特定の波長域を阻止するフィルタである。従って、図７（Ａ）に示すように、発光デバイス２０３Ｒと重なる位置に赤の波長域のみを通過させるカラーフィルタ２０６Ｒを設けることにより、発光デバイス２０３Ｒから赤色発光を得ることができる。また、発光デバイス２０３Ｇと重なる位置に緑の波長域のみを通過させるカラーフィルタ２０６Ｇを設けることにより、発光デバイス２０３Ｇから緑色発光を得ることができる。また、発光デバイス２０３Ｂと重なる位置に青の波長域のみを通過させるカラーフィルタ２０６Ｂを設けることにより、発光デバイス２０３Ｂから青色発光を得ることができる。但し、発光デバイス２０３Ｗは、カラーフィルタを設けることなく白色発光を得ることができる。なお、１種のカラーフィルタの端部には、黒色層（ブラックマトリックス）２０９が設けられていてもよい。さらに、カラーフィルタ（２０６Ｒ、２０６Ｇ、２０６Ｂ）、および黒色層２０９は、透明な材料を用いたオーバーコート層で覆われていても良い。
図７（Ａ）では、第２の基板２０５側に発光を取り出す構造（トップエミッション型）の発光装置を示したが、図７（Ｃ）に示すようにＦＥＴ２０２が形成されている第１の基板２０１側に光を取り出す構造（ボトムエミッション型）の発光装置としても良い。なお、ボトムエミッション型の発光装置の場合には、第１の電極２０７を半透過・半反射電極として機能するように形成し、第２の電極２０８を反射電極として機能するように形成する。また、第１の基板２０１は、少なくとも透光性の基板を用いる。また、カラーフィルタ（２０６Ｒ’、２０６Ｇ’、２０６Ｂ’）は、図７（Ｃ）に示すように発光デバイス（２０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂ）よりも第１の基板２０１側に設ければよい。
また、図７（Ａ）において、発光デバイスが、赤色発光デバイス、緑色発光デバイス、青色発光デバイス、白色発光デバイスの場合について示したが、本発明の一態様である発光デバイスはその構成に限られることはなく、黄色の発光デバイス、または橙色の発光デバイスを有する構成であっても良い。なお、これらの発光デバイスを作製するためにＥＬ層（発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層など）に用いる材料としては、他の実施形態の記載を参照し、適宜用いればよい。なお、その場合には、また、発光デバイスの発光色に応じてカラーフィルタを適宜選択する必要がある。
以上のような構成とすることにより、複数の発光色を呈する発光デバイスを備えた発光装置を得ることができる。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について説明する。
本発明の一態様である発光デバイスのデバイス構成を適用することで、アクティブマトリクス型の発光装置、またはパッシブマトリクス型の発光装置を作製することができる。なお、アクティブマトリクス型の発光装置は、発光デバイスとトランジスタ（ＦＥＴ）とを組み合わせた構成を有する。従って、パッシブマトリクス型の発光装置、アクティブマトリクス型の発光装置は、いずれも本発明の一態様に含まれる。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施形態で説明した発光デバイスを適用することが可能である。
本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について図８を用いて説明する。
なお、図８（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。アクティブマトリクス型の発光装置は、第１の基板３０１上に設けられた画素部３０２、駆動回路部（ソース線駆動回路）３０３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）（３０４ａ、３０４ｂ）を有する。画素部３０２および駆動回路部（３０３、３０４ａ、３０４ｂ）は、シール材３０５によって、第１の基板３０１と第２の基板３０６との間に封止される。
また、第１の基板３０１上には、引き回し配線３０７が設けられる。引き回し配線３０７は、外部入力端子であるＦＰＣ３０８と電気的に接続される。なお、ＦＰＣ３０８は、駆動回路部（３０３、３０４ａ、３０４ｂ）に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等）、または電位を伝達する。また、ＦＰＣ３０８にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。なお、これらＦＰＣおよびＰＷＢが取り付けられた状態は、発光装置に含まれる。
次に、図８（Ｂ）に断面構造を示す。
画素部３０２は、ＦＥＴ（スイッチング用ＦＥＴ）３１１、ＦＥＴ（電流制御用ＦＥＴ）３１２、およびＦＥＴ３１２と電気的に接続された第１の電極３１３を有する複数の画素により形成される。なお、各画素が有するＦＥＴの数は、特に限定されることはなく、必要に応じて適宜設けることができる。
ＦＥＴ３０９、３１０、３１１、３１２は、特に限定されることはなく、例えば、スタガ型または逆スタガ型などのトランジスタを適用することができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型などのトランジスタ構造であってもよい。
なお、これらのＦＥＴ３０９、３１０、３１１、３１２に用いることのできる半導体の結晶性については特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。なお、結晶性を有する半導体を用いることで、トランジスタ特性の劣化を抑制することができるため好ましい。
また、これらの半導体としては、例えば、第１４族の元素、化合物半導体、酸化物半導体、有機半導体などを用いることができる。代表的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体、インジウムを含む酸化物半導体などを適用することができる。
駆動回路部３０３は、ＦＥＴ３０９とＦＥＴ３１０とを有する。なお、駆動回路部３０３は、単極性（Ｎ型またはＰ型のいずれか一方のみ）のトランジスタを含む回路で形成されても良いし、Ｎ型のトランジスタとＰ型のトランジスタを含むＣＭＯＳ回路で形成されても良い。また、外部に駆動回路を有する構成としても良い。
第１の電極３１３の端部は、絶縁物３１４により覆われている。なお、絶縁物３１４には、ネガ型の感光性樹脂、またはポジ型の感光性樹脂（アクリル樹脂）などの有機化合物、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化シリコン等の無機化合物を用いることができる。絶縁物３１４の上端部または下端部には、曲率を有する曲面を有するのが好ましい。これにより、絶縁物３１４の上層に形成される膜の被覆性を良好なものとすることができる。
第１の電極３１３上には、ＥＬ層３１５及び第２の電極３１６が積層形成される。ＥＬ層３１５は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を有する。
なお、本実施の形態で示す発光デバイス３１７の構成は、他の実施の形態で説明した構成または材料を適用することができる。なお、ここでは図示しないが、第２の電極３１６は外部入力端子であるＦＰＣ３０８に電気的に接続されている。
また、図８（Ｂ）に示す断面図では発光デバイス３１７を１つのみ図示しているが、画素部３０２において、複数の発光デバイスがマトリクス状に配置されているものとする。画素部３０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光デバイスをそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光デバイスの他に、例えば、ホワイト（Ｗ）、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）等の発光が得られる発光デバイスを形成してもよい。例えば、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光デバイスに上述の数種類の発光が得られる発光デバイスを追加することにより、色純度の向上、消費電力の低減等の効果が得ることができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。なお、カラーフィルタの種類としては、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、イエロー（Ｙ）等を用いることができる。
第１の基板３０１上のＦＥＴ（３０９、３１０、３１１、３１２）、および発光デバイス３１７は、第２の基板３０６と第１の基板３０１とをシール材３０５により貼り合わせることにより、第１の基板３０１、第２の基板３０６、およびシール材３０５で囲まれた空間３１８に備えられた構造を有する。なお、空間３１８は、不活性気体（窒素またはアルゴン等）、または有機物（シール材３０５を含む）で充填されていてもよい。
シール材３０５には、エポキシ樹脂、またはガラスフリットを用いることができる。なお、シール材３０５には、できるだけ水分、または酸素を透過しない材料を用いることが好ましい。また、第２の基板３０６は、第１の基板３０１に用いることができるものを同様に用いることができる。従って、他の実施形態で説明した様々な基板を適宜用いることができるものとする。基板としてガラス基板、石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル樹脂等からなるプラスチック基板を用いることができる。シール材としてガラスフリットを用いる場合には、接着性の観点から第１の基板３０１及び第２の基板３０６はガラス基板であることが好ましい。
以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
また、アクティブマトリクス型の発光装置を可撓性基板に形成する場合、可撓性基板上にＦＥＴと発光デバイスとを直接形成しても良いが、剥離層を有する別の基板にＦＥＴと発光デバイスを形成した後、熱、力、レーザ照射などを与えることによりＦＥＴと発光デバイスを剥離層で剥離し、さらに可撓性基板に転載して作製しても良い。なお、剥離層としては、例えば、タングステン膜と酸化シリコン膜との無機膜の積層、またはポリイミド等の有機樹脂膜等を用いることができる。また可撓性基板としては、トランジスタを形成することが可能な基板に加え、紙基板、セロファン基板、アラミドフィルム基板、ポリイミドフィルム基板、布基板（天然繊維（絹、綿、麻）、合成繊維（ナイロン、ポリウレタン、ポリエステル）若しくは再生繊維（アセテート、キュプラ、レーヨン、再生ポリエステル）などを含む）、皮革基板、又はゴム基板などが挙げられる。これらの基板を用いることにより、耐久性および耐熱性に優れ、軽量化および薄型化を図ることができる。
また、アクティブマトリクス型の発光装置が有する発光デバイスの駆動は、発光デバイスをパルス状（例えば、ｋＨｚ、ＭＨｚ等の周波数を用いる）に発光させ、表示に用いる構成としても良い。上記有機化合物を用いて形成される発光デバイスは、優れた周波数特性を備えるため、発光デバイスを駆動する時間を短縮し、消費電力を低減することができる。また、駆動時間の短縮に伴い発熱が抑制されるため、発光デバイスの劣化を軽減することも可能である。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光デバイス、本発明の一態様である発光デバイスを有する発光装置を適用して完成させた様々な電子機器または自動車の一例について、説明する。なお、発光装置は、本実施の形態で説明する電子機器において、主に表示部に適用することができる。
図９（Ａ）乃至図９（Ｅ）に示す電子機器は、筐体７０００、表示部７００１、スピーカ７００３、ＬＥＤランプ７００４、操作キー７００５（電源スイッチ、又は操作スイッチを含む）、接続端子７００６、センサ７００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい、又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７００８、等を有することができる。
図９（Ａ）はモバイルコンピュータであり、上述したものの他に、スイッチ７００９、赤外線ポート７０１０、等を有することができる。
図９（Ｂ）は記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置（たとえば、ＤＶＤ再生装置）であり、上述したものの他に、第２表示部７００２、記録媒体読込部７０１１、等を有することができる。
図９（Ｃ）はテレビ受像機能付きデジタルカメラであり、上述したものの他に、アンテナ７０１４、シャッターボタン７０１５、受像部７０１６、等を有することができる。
図９（Ｄ）は携帯情報端末である。携帯情報端末は、表示部７００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報７０５２、情報７０５３、情報７０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末を収納した状態で、携帯情報端末の上方から観察できる位置に表示された情報７０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。
図９（Ｅ）は携帯情報端末（スマートフォンを含む）であり、筐体７０００に、表示部７００１、操作キー７００５、等を有することができる。なお、携帯情報端末は、スピーカ、接続端子、センサ等を設けてもよい。また、携帯情報端末は、文字または画像情報をその複数の面に表示することができる。ここでは３つのアイコン７０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報７０５１を表示部７００１の他の面に表示することもできる。情報７０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メールまたはＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリーの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報７０５１が表示されている位置にはアイコン７０５０などを表示してもよい。
図９（Ｆ）は、大型のテレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）であり、筐体７０００、表示部７００１、等を有することができる。また、ここでは、スタンド７０１８により筐体７０００を支持した構成を示している。また、テレビジョン装置の操作は、別体のリモコン操作機７１１１、等により行うことができる。なお、表示部７００１にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７００１に表示される画像を操作することができる。
図９（Ａ）乃至図９（Ｆ）に示す電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または、複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能、等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部又はカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有することができる。なお、図９（Ａ）乃至図９（Ｆ）に示す電子機器が有することのできる機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。
図９（Ｇ）は、腕時計型の携帯情報端末であり、例えば時計型電子デバイスとして用いることができる。この腕時計型の携帯情報端末は、筐体７０００、表示部７００１、操作用ボタン７０２２、７０２３、接続端子７０２４、バンド７０２５、マイクロフォン７０２６、センサ７０２９、スピーカ７０３０等を有している。表示部７００１は、表示面が湾曲しており、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、この携帯情報端末は、例えば無線通信可能なヘッドセットとの相互通信によりハンズフリーでの通話が可能である。なお、接続端子７０２４により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、または充電を行うこともできる。充電動作は無線給電により行うこともできる。
ベゼル部分を兼ねる筐体７０００に搭載された表示部７００１は、非矩形状の表示領域を有している。表示部７００１は、時刻を表すアイコン、その他のアイコン等を表示することができる。また、表示部７００１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。
なお、図９（Ｇ）に示す時計型電子デバイスは、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示する機能、様々なソフトウエア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、無線通信機能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、無線通信機能を用いて様々なデータの送信又は受信を行う機能、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能、等を有することができる。
また、筐体７０００の内部に、スピーカ、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン等を有することができる。
なお、本発明の一態様である発光装置は、本実施の形態に示す電子機器の各表示部に用いることができ、長寿命な電子機器を実現できる。
また、発光装置を適用した電子機器として、図１０（Ａ）乃至（Ｃ）に示すような折りたたみ可能な携帯情報端末が挙げられる。図１０（Ａ）には、展開した状態の携帯情報端末９３１０を示す。また、図１０（Ｂ）には、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末９３１０を示す。さらに、図１０（Ｃ）には、折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０を示す。携帯情報端末９３１０は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。
表示部９３１１はヒンジ９３１３によって連結された３つの筐体９３１５に支持されている。なお、表示部９３１１は、タッチセンサ（入力装置）を搭載したタッチパネル（入出力装置）であってもよい。また、表示部９３１１は、ヒンジ９３１３を介して２つの筐体９３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末９３１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。なお、本発明の一態様の発光装置は、表示部９３１１に用いることができる。また、長寿命な電子機器を実現できる。表示部９３１１における表示領域９３１２は折りたたんだ状態の携帯情報端末９３１０の側面に位置する表示領域である。表示領域９３１２には、情報アイコン、使用頻度の高いアプリ、またはプログラムのショートカットなどを表示させることができ、情報の確認、またはアプリなどの起動をスムーズに行うことができる。
また、発光装置を適用した自動車について、図１１（Ａ）（Ｂ）に示す。すなわち、発光装置を、自動車と一体にして設けることができる。具体的には、図１１（Ａ）に示す自動車の外側のライト５１０１（車体後部も含む）、タイヤのホイール５１０２、ドア５１０３の一部または全体などに適用することができる。また、図１１（Ｂ）に示す自動車の内側の表示部５１０４、ハンドル５１０５、シフトレバー５１０６、座席シート５１０７、インナーリアビューミラー５１０８、フロントガラス５１０９等に適用することができる。その他のガラス窓の一部に適用してもよい。
以上のようにして、本発明の一態様である発光装置を適用した電子機器、または自動車を得ることができる。なお、その場合には、長寿命な電子機器を実現できる。また、適用できる電子機器、または自動車は、本実施の形態に示したものに限らず、あらゆる分野において適用することが可能である。
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光デバイスを適用して作製される照明装置の構成について図１２および図１３を用いて説明する。
図１２および図１３は、照明装置の断面図の一例を示す。なお、図１２は基板側に光を取り出すボトムエミッション型の照明装置であり、図１３は、封止基板側に光を取り出すトップエミッション型の照明装置である。
図１２に示す照明装置４０００は、基板４００１上に発光デバイス４００２を有する。また、基板４００１の外側に凹凸を有する基板４００３を有する。発光デバイス４００２は、第１の電極４００４と、ＥＬ層４００５と、第２の電極４００６を有する。
第１の電極４００４は、電極４００７と電気的に接続され、第２の電極４００６は電極４００８と電気的に接続される。また、第１の電極４００４と電気的に接続される補助配線４００９を設けてもよい。なお、補助配線４００９上には、絶縁層４０１０が形成されている。
また、基板４００１と封止基板４０１１は、シール材４０１２で接着されている。また、封止基板４０１１と発光デバイス４００２の間には、乾燥剤４０１３が設けられていることが好ましい。なお、基板４００３は、図１２のような凹凸を有するため、発光デバイス４００２で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。
図１３の照明装置４２００は、基板４２０１上に発光デバイス４２０２を有する。発光デバイス４２０２は第１の電極４２０４と、ＥＬ層４２０５と、第２の電極４２０６とを有する。
第１の電極４２０４は、電極４２０７と電気的に接続され、第２の電極４２０６は電極４２０８と電気的に接続される。また第２の電極４２０６と電気的に接続される補助配線４２０９を設けてもよい。また、補助配線４２０９の下部に、絶縁層４２１０を設けてもよい。
基板４２０１と凹凸のある封止基板４２１１は、シール材４２１２で接着されている。また、封止基板４２１１と発光デバイス４２０２の間にバリア膜４２１３および平坦化膜４２１４を設けてもよい。なお、封止基板４２１１は、図１３のような凹凸を有するため、発光デバイス４２０２で生じた光の取り出し効率を向上させることができる。
また、これらの照明装置の応用例としては、室内の照明用であるシーリングライトが挙げられる。シーリングライトには、天井直付型、または天井埋め込み型等がある。なお、このような照明装置は、発光装置を筐体、またはカバーと組み合わせることにより構成される。
その他にも床面に灯りを照射し、足元の安全性を高めることができる足元灯などへの応用も可能である。足元灯は、例えば、寝室、階段、または通路などに使用するのが有効である。その場合、部屋の広さ、または構造に応じて、適宜サイズ、または形状を変えることができる。また、発光装置と支持台とを組み合わせて構成される据え置き型の照明装置とすることも可能である。
また、シート状の照明装置（シート状照明）として応用することも可能である。シート状照明は、壁面に張り付けて使用するため、場所を取らず幅広い用途に用いることができる。なお、大面積化も容易である。なお、曲面を有する壁面、または筐体に用いることもできる。
なお、上記以外にも室内に備えられた家具の一部に本発明の一態様である発光装置、またはその一部である発光デバイスを適用し、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
≪合成例１≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１００）で表される本発明の一態様である化合物、９，１０−ジ（ビフェニル−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アントラセン−２，６−ジアミン（略称：２，６ＰＣＡＰＡ−０３）の合成方法について説明する。なお、２，６ＰＣＡＰＡ−０３の構造を以下に示す。
Figure 2021107386
＜ステップ１：Ｎ−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミンの合成＞
３．７ｇ（１０ｍｍｏｌ）の３−ヨード−９−フェニルカルバゾールと、２．２ｇ（１１ｍｍｏｌ）の３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルアニリンと２．１ｇ（２２ｍｍｏｌ）のナトリウム−ｔ−ブトキシドを２００ｍＬ三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に１００ｍＬのトルエンを加え、減圧下で撹拌することにより脱気した。この混合物に０．５ｍＬ（０．１６ｍｍｏｌ）のトリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）と９０ｍｇ（０．１６ｍｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を加え、窒素気流下、９０℃で３時間攪拌した。
撹拌後、得られた混合物にトルエン５００ｍＬを加えてから、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：０６６−０５２６５）、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３７−０２３０５）、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、褐色固体を得た。
得られた固体をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン：トルエン＝７：３）で精製し、白色固体を３．９ｇ、収率８７％で得た。ステップ１の合成スキームを下記（ａ−１）に示す。
Figure 2021107386
また、上記ステップ１で得られた白色固体の１Ｈ ＮＭＲによる測定結果を以下に示す。この結果から、Ｎ−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミンが得られたことがわかった。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：σ＝８．０５−８．０２（ｍ、１Ｈ）、７．９２（ｄ、Ｊ＝２．１Ｈｚ、１Ｈ）、７．６６−７．５８（ｍ、４Ｈ）、７．５０−７．３５（ｍ、４Ｈ）、７．２７−７．１９（ｍ、２Ｈ）、６．９８−６．９４（ｍ、３Ｈ）、５．８３（ｂｓ、１Ｈ）、１．３１（ｓ、１８Ｈ）。
＜ステップ２：２，６ＰＣＡＰＡ−０３の合成＞
１．０ｇ（１．６ｍｍｏｌ）の９，１０−ジ（ビフェニル−２−イル）−２，６−ジブロモアントラセンと１．４ｇ（３．２ｍｍｏｌ）のＮ−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミンと０．６０ｇ（６．２ｍｍｏｌ）のナトリウム−ｔ−ブトキシドと６０ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）の２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，６’−ジメトキシビフェニル（略称：ＳＰｈｏｓ）を２００ｍＬ三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に２０ｍＬのキシレンを加え、減圧下で撹拌することにより脱気した。この混合物に４０ｍｇ（７０μｍｏｌ）のビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を加え、窒素気流下、１５０℃で６時間攪拌した。
撹拌後、得られた混合物にトルエン５００ｍＬを加えてから、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：０６６−０５２６５）、セライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３７−０２３０５）、アルミナを通して吸引ろ過し、ろ液を得た。得られたろ液を濃縮し、褐色固体を得た。
この固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘキサン：トルエン＝３：２）により精製したところ、目的物の黄色固体を得た。得られた黄色固体をトルエンにて再結晶したところ、目的物の黄色固体を０．９６ｇ、収率４５％で得た。ステップ２の合成スキームを下記（ａ−２）に示す。
Figure 2021107386
得られた黄色固体０．９６ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力３．２Ｐａの条件で、黄色固体を３４５℃で１５時間加熱して行った。昇華精製後、目的物の黄色固体を収量０．９１ｇ、回収率９５％で得た。
また、上記ステップ２で得られた黄色固体の１Ｈ ＮＭＲによる測定結果を以下に示す。また、１Ｈ ＮＭＲチャートを図１４に示す。この結果から、２，６ＰＣＡＰＡ−０３（構造式（１００））が得られたことがわかった。
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２，３００ＭＨｚ）：σ＝７．９９−７．９４（ｍ，２Ｈ），７．８３−７．７４（ｍ，２Ｈ），７．６７−７．５９（ｍ，８Ｈ），７．５２−７．３７（ｍ，６Ｈ），７．３２−７．１４（ｍ，１４Ｈ），７．１２−６．７４（ｍ，２２Ｈ），１．１９（ｓ，３６Ｈ）。
次に、２，６ＰＣＡＰＡ−０３のトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルを測定した。紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、分光蛍光光度計（（株）日本分光製 ＦＰ−８６００ＤＳ）を用いた。得られたトルエン溶液の吸収スペクトルおよび発光スペクトルの測定結果を図１５に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度を表す。
図１５より、２，６ＰＣＡＰＡ−０３のトルエン溶液は、４９３ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、発光波長のピークは５３４ｎｍ（励起波長４８０ｎｍ）であった。
本実施例では、本発明の一態様である化合物を用いて発光デバイスを作製し、動作特性について測定した。本実施例で示す発光デバイスは、発光デバイス１−１、発光デバイス１−２、比較発光デバイス１−ａ、および比較発光デバイス１−ｂであり、これらの発光デバイスは、図１６に示すデバイス構造を有し、本実施例の発光層９１３は、実施の形態１の発光層の構成例７で説明した構成を有し、具体的には表１に示す構成を有する。なお、発光デバイス１−１および発光デバイス１−２は、発光デバイスの発光層において、３，５−ビス（３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）およびｆａｃ−トリス［（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）３］）に加えて、本発明の一態様である化合物、９，１０−ジ（ビフェニル−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アントラセン−２，６−ジアミン（略称：２，６ＰＣＡＰＡ−０３）を有し、２，６ＰＣＡＰＡ−０３の含有量がそれぞれ異なる。また、比較例として示す、比較発光素子１−ａは、発光デバイス１−１および発光デバイス１−２の発光層に用いた、２，６ＰＣＡＰＡ−０３の代わりに、９，１０−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アントラセン−２，６−ジアミン（略称：２，６ＰＣＡＰＡ）を用いた発光デバイスである。また、比較発光デバイス１−ｂは、発光層に３５ＤＣｚＰＰｙおよび［Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）３］のみを有する発光デバイスである。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
Figure 2021107386
Figure 2021107386
≪発光デバイスの構成≫
本実施例で示す発光デバイスは、図１６に示すように基板９００上に形成された第１の電極９０１上に正孔注入層９１１、正孔輸送層９１２、発光層９１３、電子輸送層９１４、電子注入層９１５が順次積層され、電子注入層９１５上に第２の電極９０３が積層された構造を有する。
なお、基板９００には、ガラス基板を用いた。また、第１の電極９０１は、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）膜を用い、膜厚を７０ｎｍとした。なお、第１の電極９０１の電極面積は、４ｍｍ２（２ｍｍ×２ｍｍ）である。
正孔注入層９１１には、１，３，５−トリ（ジベンゾチオフェン−４−イル）ベンゼン（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と酸化モリブデンとの共蒸着膜（ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン＝１：０．５（質量比））とし、膜厚を４０ｎｍとした。
正孔輸送層９１２には、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）を用い、膜厚を２０ｎｍとした。
発光デバイス１−１および発光デバイス１−２の発光層９１３には、３５ＤＣｚＰＰｙ、［Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）３］、および２，６ＰＣＡＰＡ−０３を有する膜を用い、膜厚を４０ｎｍとした。また、比較発光デバイス１−ａの発光層９１３には、３５ＤＣｚＰＰｙ、［Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）３］、および２，６ＰＣＡＰＡを有する膜を用い、膜厚を４０ｎｍとした。また、比較発光デバイス１−ｂの発光層９１３には、３５ＤＣｚＰＰｙおよび［Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）３］を有する膜を用い、膜厚を３０ｎｍとした。なお、各発光デバイスで異なる発光層９１３中の重量比は、表１に示す通りである。
電子輸送層９１４には、膜厚が１０ｎｍの３５ＤＣｚＰＰｙと、膜厚が２０ｎｍの１，３，５−トリ［（３−ピリジル）−フェニル−３−イル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）との積層膜を用いた。
電子注入層９１５には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を用い、膜厚を１ｎｍとした。
また、第２の電極９０３には、アルミニウムを用い、膜厚を２００ｎｍとした。なお、本実施例において、第２の電極９０３は、陰極として機能する。
≪発光デバイスの動作特性≫
作製した発光デバイスの動作特性について測定した。輝度、色度（ＣＩＥ色度）、および電界発光（ＥＬ）スペクトルの測定には分光放射計（トプコン社製、ＳＲ−ＵＬ１Ｒ）を用いた。なお、測定は室温（２３℃に保たれた雰囲気）で行った。
本実施例で作製した、発光デバイス１−１、発光デバイス１−２、比較発光デバイス１−ａ、および比較発光デバイス１−ｂの動作特性の結果として、電流密度−輝度特性を図１７、電圧−輝度特性を図１８、輝度−電流効率特性を図１９、電圧−電流密度特性を図２０、輝度−外部量子効率特性を図２１にそれぞれ示す。
また、各発光デバイスに２．５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の電界発光スペクトル（ＥＬスペクトル）を、図２２に示す。
次に、１０００ｃｄ／ｍ２付近における各発光デバイスの主な初期特性値を以下の表２に示す。
Figure 2021107386
発光デバイス１−１および発光デバイス１−２は、比較発光デバイス１−ｂの発光層に本発明の一態様の化合物である２，６ＰＣＡＰＡ−０３を加えた素子である。図２２に示すように、比較発光デバイス１−ｂのＥＬスペクトルは、ピーク波長が４７２ｎｍである、燐光発光物質、［Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）３］に由来する水色発光を示した。また、発光デバイス１−１のＥＬスペクトルは、ピーク波長が５３０ｎｍ付近の２，６ＰＣＡＰＡ−０３に由来する発光と、ピーク波長が４７２ｎｍ付近の［Ｉｒ（ｉＰｒｐｉｍ）３］に由来する発光の双方を示した。発光デバイス１−２のＥＬスペクトルは、ピーク波長が５３０ｎｍ付近である、２，６ＰＣＡＰＡ−０３に由来する緑色発光を示した。このことから、発光デバイス１−１および発光デバイス１−２では、蛍光発光物質である２，６ＰＣＡＰＡ−０３が励起エネルギーを受け取り発光していることがわかる。また、蛍光発光物質の濃度が高い発光デバイス１−２のＥＬスペクトルは、ほとんど２，６ＰＣＡＰＡ−０３に由来する発光を示している。このことから、蛍光発光物質の濃度が高い方が、蛍光発光物質が励起エネルギーを受け取りやすく発光しやすいことが分かる。また、上記の結果から、発光デバイス１−２は蛍光発光物質に由来する発光にも関わらず最大で２０％以上の高い外部量子効率を示すことがわかる。一対の電極から注入されたキャリア（正孔及び電子）の再結合によって生成する一重項励起子の生成確率が最大で２５％であるため、外部への光取り出し効率を３０％とした場合、蛍光発光素子の外部量子効率は、最大で７．５％となる。しかし、発光デバイス１−２においては、外部量子効率が７．５％より高い効率が得られている。これは、一対の電極から注入されたキャリア（正孔及び電子）の再結合によって生成した一重項励起子に由来する発光に加えて、三重項励起子からのエネルギー移動に由来する発光が蛍光発光物質より得られているためである。
したがって、本発明の一態様である化合物、２，６ＰＣＡＰＡ−０３は、発光デバイスの発光層において、高濃度の場合に特に問題となる三重項励起エネルギーの失活を抑制でき、効率よく発光していることが示された。また、発光デバイス１−２と、比較発光デバイス１−ａとの比較では、発光デバイスの発光層に同濃度の２，６ＰＣＡＰＡを含む比較発光デバイス１−ａは、発光デバイス１−２に比べて低い外部量子効率を示した。このことは、発光デバイス１−２に用いた、２，６ＰＣＡＰＡ−０３が保護基を有することで、比較発光デバイス１−ａに用いた保護基を有さない２，６ＰＣＡＰＡよりも、ホストからのデクスター機構に伴う三重項励起エネルギーの移動を抑制することができ、一重項励起エネルギーと三重項励起エネルギーの双方を効率よく発光に変換することができるため、外部量子効率に大きな影響を与えることが示されていることを意味する。
また、発光デバイス１−１、発光デバイス１−２、および比較発光デバイス１−ｂについて、１２．５ｍＡ／ｃｍ２における定電流密度駆動試験を行った。その結果を図２３に示す。この結果からゲストである、２，６ＰＣＡＰＡ−０３の濃度を高めると、高い発光効率を示しつつ信頼性が良好になることが分かった。これは、発光層におけるゲストの濃度を高めることで、発光層内の励起エネルギーを効率良くゲストの発光に変換でき、非放射失活を抑制できることを示すものである。すなわち、ゲストの濃度を高めることで、ホストからゲストへのデクスター機構に伴うエネルギー移動を抑制すると共にホストからゲストへのフェルスター機構によるエネルギー移動速度を高めることができていることが示唆される。よって、本発明の一態様である化合物を用いた発光デバイスは、発光効率及び信頼性が良好な発光デバイスであるといえる。
≪合成例２≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１１２）で表される本発明の一態様である化合物、９，１０−ジ（ビフェニル−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス［３，５−ビス−（２−アダマンチル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ビス（ジベンゾフラン−３−イル）アントラセン−２，６−ジアミン（略称：２，６ＦｒＡＰＡ）の合成方法について説明する。なお、２，６ＦｒＡＰＡの構造を以下に示す。
Figure 2021107386
上記の２，６ＦｒＡＰＡは、実施例１のステップ１において用いた、３−ヨード−９−フェニルカルバゾールと、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルアニリンの代わりに、３，５−ビス（２−アダマンチル）フェニルトリフルオロメタンスルホン酸と、ジベンゾ［ｂ，ｄ］フラン−３−アミンを用い、合成スキーム（ｂ−１）、合成スキーム（ｂ−２）に示す方法を用いることにより、同様に合成することができる。また、上記の化合物は緑色の発光を示す。
Figure 2021107386
Figure 2021107386
以上により、構造式（１１２）で表される本発明の一態様である化合物、２，６ＦｒＡＰＡを得ることができる。
１０１ 第１の電極
１０２ 第２の電極
１０３ ＥＬ層
１０３ａ、１０３ｂ ＥＬ層
１０４ 電荷発生層
１１１、１１１ａ、１１１ｂ 正孔注入層
１１２、１１２ａ、１１２ｂ 正孔輸送層
１１３、１１３ａ、１１３ｂ 発光層
１１４、１１４ａ、１１４ｂ 電子輸送層
１１５、１１５ａ、１１５ｂ 電子注入層
１２４ 蛍光発光物質
１２４ａ 発光団
１３１ 化合物
１３２ 化合物（蛍光発光物質）
１３２ａ 発光団
１３２ｂ 保護基
２００Ｒ、２００Ｇ、２００Ｂ 光学距離
２０１ 第１の基板
２０２ トランジスタ（ＦＥＴ）
２０３Ｒ、２０３Ｇ、２０３Ｂ、２０３Ｗ 発光デバイス
２０４ ＥＬ層
２０５ 第２の基板
２０６Ｒ、２０６Ｇ、２０６Ｂ カラーフィルタ
２０６Ｒ’、２０６Ｇ’、２０６Ｂ’ カラーフィルタ
２０７ 第１の電極
２０８ 第２の電極
２０９ 黒色層（ブラックマトリックス）
２１０Ｒ、２１０Ｇ 導電層
３０１ 第１の基板
３０２ 画素部
３０３ 駆動回路部（ソース線駆動回路）
３０４ａ、３０４ｂ 駆動回路部（ゲート線駆動回路）
３０５ シール材
３０６ 第２の基板
３０７ 引き回し配線
３０８ ＦＰＣ
３０９ ＦＥＴ
３１０ ＦＥＴ
３１１ ＦＥＴ
３１２ ＦＥＴ
３１３ 第１の電極
３１４ 絶縁物
３１５ ＥＬ層
３１６ 第２の電極
３１７ 発光デバイス
３１８ 空間
９００ 基板
９０１ 第１の電極
９０２ ＥＬ層
９０３ 第２の電極
９１１ 正孔注入層
９１２ 正孔輸送層
９１３ 発光層
９１４ 電子輸送層
９１５ 電子注入層
４０００ 照明装置
４００１ 基板
４００２ 発光デバイス
４００３ 基板
４００４ 第１の電極
４００５ ＥＬ層
４００６ 第２の電極
４００７ 電極
４００８ 電極
４００９ 補助配線
４０１０ 絶縁層
４０１１ 封止基板
４０１２ シール材
４０１３ 乾燥剤
４０１５ 拡散板
４２００ 照明装置
４２０１ 基板
４２０２ 発光デバイス
４２０４ 第１の電極
４２０５ ＥＬ層
４２０６ 第２の電極
４２０７ 電極
４２０８ 電極
４２０９ 補助配線
４２１０ 絶縁層
４２１１ 封止基板
４２１２ シール材
４２１３ バリア膜
４２１４ 平坦化膜
４２１５ 拡散板
５１０１ ライト
５１０２ ホイール
５１０３ ドア
５１０４ 表示部
５１０５ ハンドル
５１０６ シフトレバー
５１０７ 座席シート
５１０８ インナーリアビューミラー
５１０９ フロントガラス
７０００ 筐体
７００１ 表示部
７００２ 第２表示部
７００３ スピーカ
７００４ ＬＥＤランプ
７００５ 操作キー
７００６ 接続端子
７００７ センサ
７００８ マイクロフォン
７００９ スイッチ
７０１０ 赤外線ポート
７０１１ 記録媒体読込部
７０１２ 支持部
７０１３ イヤホン
７０１４ アンテナ
７０１５ シャッターボタン
７０１６ 受像部
７０１８ スタンド
７０２０ カメラ
７０２１ 外部接続部
７０２２、７０２３ 操作用ボタン
７０２４ 接続端子
７０２５ バンド
７０２６ マイクロフォン
７０２７ 時刻を表すアイコン
７０２８ その他のアイコン
７０２９ センサ
７０３０ スピーカ
７０５２、７０５３、７０５４ 情報
９３１０ 携帯情報端末
９３１１ 表示部
９３１２ 表示領域
９３１３ ヒンジ
９３１５ 筐体

Claims (13)

  1. 一般式（Ｇ１）で表される化合物。
    Figure 2021107386
    （式中、Ａ１およびＡ２はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数１０乃至３０の縮合芳香環、または置換若しくは無置換の炭素数３乃至３０の縮合複素芳香環、または一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を表し、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ１６はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、または置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。）
  2. 一般式（Ｇ２）で表される化合物。
    Figure 2021107386
    （式中、Ｂ１およびＢ２はそれぞれ独立に、置換若しくは無置換の炭素数３乃至３０の縮合複素芳香環を表し、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ１６はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、または置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。）
  3. 一般式（Ｇ３）で表される化合物。
    Figure 2021107386
    （式中、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ４２はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、または置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表し、Ｒ１７〜Ｒ２９のいずれか一は、Ｚ１と結合する窒素原子と結合し、かつＲ３０〜Ｒ４２のいずれか一は、Ｚ２と結合する窒素原子と結合する。）
  4. 一般式（Ｇ４）で表される化合物。
    Figure 2021107386
    （式中、Ｚ１およびＺ２はそれぞれ独立に、一般式（Ｚ−１）または一般式（Ｚ−２）で表される構造を有する。一般式（Ｚ−１）中、Ｘ１およびＸ２はそれぞれ独立に、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、架橋構造を有する炭素数７乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基のいずれか一を表す。また、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立に置換若しくは無置換の炭素数６乃至１３の芳香族炭化水素基を表し、かつＡｒ１およびＡｒ２の少なくとも一は、Ｘ１と同じ置換基を有する。また、Ｒ１〜Ｒ１７、Ｒ１９〜Ｒ３０、およびＲ３２〜Ｒ４２はそれぞれ独立に、水素、炭素数３乃至１０のアルキル基、置換若しくは無置換の炭素数３乃至１０のシクロアルキル基、炭素数３乃至１２のトリアルキルシリル基、置換若しくは無置換の炭素数６乃至２５のアリール基のいずれか一を表す。）
  5. 構造式（１００）で表される化合物。
    Figure 2021107386
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の化合物を用いた発光デバイス。
  7. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
    前記ＥＬ層は、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の化合物を有する発光デバイス。
  8. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
    前記ＥＬ層は、発光層を有し、
    前記発光層は、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の化合物を有する発光デバイス。
  9. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
    前記ＥＬ層は、発光層を有し、
    前記発光層は、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の化合物と、燐光材料とを有する発光デバイス。
  10. 一対の電極間にＥＬ層を有し、
    前記ＥＬ層は、発光層を有し、
    前記発光層は、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の化合物と、ＴＡＤＦ材料とを有する発光デバイス。
  11. 請求項６乃至請求項１０のいずれか一に記載の発光デバイスと、
    トランジスタ、または基板の少なくとも一と、
    を有する発光装置。
  12. 請求項１１に記載の発光装置と、
    マイク、カメラ、操作用ボタン、外部接続部、または、スピーカの少なくとも一と、
    を有する電子機器。
  13. 請求項６乃至請求項１０のいずれか一に記載の発光デバイスと、
    筐体、カバー、または、支持台の少なくとも一と、
    を有する照明装置。
JP2020213843A 2019-12-27 2020-12-23 化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置 Pending JP2021107386A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019239346 2019-12-27
JP2019239346 2019-12-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021107386A true JP2021107386A (ja) 2021-07-29
JP2021107386A5 JP2021107386A5 (ja) 2023-12-18

Family

ID=76310552

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020213843A Pending JP2021107386A (ja) 2019-12-27 2020-12-23 化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20210206767A1 (ja)
JP (1) JP2021107386A (ja)
KR (1) KR20210086513A (ja)
CN (1) CN113045482A (ja)
DE (1) DE102020134845A1 (ja)
TW (1) TW202134233A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11930701B2 (en) * 2019-08-29 2024-03-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Compound, light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8647753B2 (en) * 2005-10-12 2014-02-11 Lg Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device
TWI679790B (zh) 2012-08-03 2019-12-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件
KR102293436B1 (ko) * 2014-11-19 2021-08-25 덕산네오룩스 주식회사 유기전기소자용 조성물을 이용한 디스플레이 장치 및 유기전기소자

Also Published As

Publication number Publication date
CN113045482A (zh) 2021-06-29
TW202134233A (zh) 2021-09-16
DE102020134845A1 (de) 2021-07-01
KR20210086513A (ko) 2021-07-08
US20210206767A1 (en) 2021-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7440219B2 (ja) 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置
JP7330176B2 (ja) 発光素子、発光装置、電子機器および照明装置
JP7441297B2 (ja) 混合材料
JPWO2020095141A1 (ja) 発光デバイス、発光機器、表示装置、電子機器及び照明装置
JP7354100B2 (ja) 有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP2020205412A (ja) 発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置
WO2020026088A1 (ja) 発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
WO2022003502A1 (ja) 化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置
WO2020217129A1 (ja) 発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置
JP2021107386A (ja) 化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置
JP2021038211A (ja) 化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置
JP7066499B2 (ja) 有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
JP2021095397A (ja) 有機化合物、光デバイス、発光デバイス、発光装置、電子機器および照明装置
WO2020136496A1 (ja) 有機化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置
JP2021024863A (ja) 有機化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置
WO2021191720A1 (ja) 発光デバイス用組成物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置
JP2021038208A (ja) 化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置
WO2020058811A1 (ja) 有機化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置
WO2020109922A1 (ja) 発光デバイス用組成物
JPWO2019207409A1 (ja) 有機化合物、発光デバイス、発光装置、電子機器、および照明装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231208

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20231208