KR20210007905A

KR20210007905A - 탄소 복합 부재

Info

Publication number: KR20210007905A
Application number: KR1020200085239A
Authority: KR
Inventors: 토모야 고바야시; 히로 기타구치
Original assignee: 이비덴 가부시키가이샤
Priority date: 2019-07-12
Filing date: 2020-07-10
Publication date: 2021-01-20
Also published as: JP2021014383A; CN112209716A; CN112209716B; JP7364375B2; KR102406281B1

Abstract

흑연 기재(2) 상에 열분해 탄소층(3)이 형성된 탄소 복합 부재(1)이며, 열분해 탄소층(3)에 있어서의 적어도 일부의 표면에, 열분해 탄소의 클러스터(4)가 복수 형성되어 있다.

Description

탄소 복합 부재 {CARBON COMPOSITE MATERIAL}

본 발명은 탄소 복합 부재에 관한 것이다.

흑연 등의 탄소 재료는, 화학적 안정성, 내열성, 기계 특성이 우수하다는 점에서, 반도체 제조, 화학 공업, 기계, 원자력 등, 많은 분야에 걸쳐 사용되고 있다. 또한, 흑연 자체는 다공체이기 때문에, 세공의 내부에 가스, 수분, 불순물 등을 흡착시키기 쉽기 때문에, 세공 내부가 오염되기 쉽다. 그 때문에, 이들 오염 물질이 세공으로부터 재방출되지 않도록 열분해 탄소의 코팅을 실시함으로써, 흑연의 악영향을 경감하는 기술이 알려져 있다.

열분해 탄소는, 단단하고, 기체 불침투로 치밀한 막을 형성하기 때문에, 특히 고순도의 환경 하에서의 사용에 적합하다. 또한, 근년, 반도체 제조 장치가 대형화되고, 장치용 부품도 대형화되고 있다. 여기서 특허문헌 1에는, 열분해 탄소를 피복한 대형의 흑연 재료가 취급 시에 낙하하기 쉬운 것을 과제로 하며, 그 대책으로서, 탄소 기재 상에 열분해 탄소층을 형성하고, 또한 그 표면에, 탄소계 분말을 핵으로 하여 그 주변에 열분해 탄소를 결정 성장시킨 돌기를 복수 형성함으로써, 미끄럼 방지 가공을 실시하여 낙하를 방지하고, 작업성을 개선한 탄소 복합 부재가 제안되어 있다.

일본 특허 공개 제2008-222456호 공보

그러나, 특허문헌 1에 기재된 탄소 복합 부재는, 탄소계 분말을 핵으로 하여 열분해 탄소를 결정 성장시킨 돌기를 형성하고 있으므로, 탄소 복합 부재에 충격이 가해져 돌기가 파손된 경우, 핵으로 된 탄소계 분말에까지 크랙이 도달하기 쉬워진다. 또한, 탄소계 분말은 기재 상에 놓여 있기 때문에, 해당 크랙은 열분해 탄소층을 관통하여, 누설의 원인이 된다.

본 발명에서는, 상기 과제를 감안하여, 흑연 기재 상에 열분해 탄소층이 형성된 탄소 복합 부재이며, 미끄럼 방지 기능을 구비함과 함께, 충격이 가해져도 크랙이 열분해 탄소층을 관통하기 어려운 탄소 복합 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 관한 탄소 복합 부재는, 이하와 같다.

(1) 흑연 기재 상에 열분해 탄소층이 형성된 탄소 복합 부재이며,

상기 열분해 탄소층에 있어서의 적어도 일부의 표면에, 열분해 탄소의 클러스터가 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소 복합 부재.

본 발명에 관한 탄소 복합 부재에 따르면, 열분해 탄소층에 있어서의 적어도 일부의 표면에, 열분해 탄소의 클러스터가 복수 형성되어 있고, 해당 클러스터의 존재에 의해 열분해 탄소층의 표면에 돌기가 형성되어, 조면으로 되기 때문에, 높은 미끄럼 방지 효과가 있다. 또한, 열분해 탄소의 클러스터는, 열분해 탄소층의 표면에 부착되어 있을 뿐이기 때문에, 클러스터가 박리되어도 열분해 탄소층을 관통하는 크랙이 생기기 어렵다.

또한, 본 발명에 관한 탄소 복합 부재는, 그 사용 시에 다른 부재와 고착되어도, 고착되는 것은, 열분해 탄소층 표면에 있어서의 열분해 탄소의 클러스터뿐이므로, 다른 부재로부터 용이하게 분리 가능하며, 열분해 탄소층에 대한 손상이 작아진다.

또한, 본 발명에 관한 탄소 복합 부재는, 하기 (2) 내지 (5)의 양태인 것이 바람직하다.

(2) 상기 클러스터는, CVD법에 의해 얻어진 침적물이다.

열분해 탄소의 클러스터가 CVD법에 의해 얻어진 침적물임으로써, 열분해 탄소층과 동질 재료이므로 내부 응력이 생기기 어려워 크랙의 발생원으로 되기 어렵다.

(3) 상기 클러스터는, 최대 직경이 10 내지 50㎛이다.

열분해 탄소의 클러스터의 최대 직경이 상기 범위임으로써, 탄소 복합 부재의 치수 정밀도가 높고, 고착 방지나 미끄럼 방지 효과가 양호하게 발휘된다.

(4) 상기 열분해 탄소층의 표면에 있어서의 산술 평균 조도 Ra가 1 내지 3㎛이다.

열분해 탄소층의 표면에 있어서의 산술 표면 조도 Ra가 상기 범위임으로써, 클러스터가 열분해 탄소층 내에 매몰되기 어려워, 고착의 방지나 미끄럼 방지 효과가 발휘되기 쉽다. 또한, 탄소 복합 부재의 치수에 끼치는 영향이 작아, 치수 정밀도가 높은 탄소 복합 부재로서 사용할 수 있다.

(5) 상기 열분해 탄소층의 두께가 5 내지 200㎛이다.

열분해 탄소층의 두께가 5㎛ 이상임으로써, 다공체인 흑연 기재의 요철을 충분히 덮을 수 있어, 기체의 불침투성을 확보할 수 있다. 또한, 열분해 탄소층의 두께가 200㎛ 이하임으로써, 흑연 기재와 열분해 탄소층의 열변형에 의한 휨이나 박리를 방지할 수 있다.

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 탄소 복합 부재의 단면 모식도이다.
도 2는, 실시예 1에서 얻어진 탄소 복합 부재의 표면을 촬영한 주사 전자 현미경 사진이다.
도 3은, 비교예 1에서 얻어진 탄소 복합 부재의 표면을 촬영한 주사 전자 현미경 사진이다.

(발명의 상세한 설명)

도 1은, 본 발명의 실시 형태에 관한 탄소 복합 부재의 단면 모식도이다. 본 실시 형태에 관한 탄소 복합 부재(1)는, 흑연 기재(2) 상에 열분해 탄소층(3)이 형성되고, 또한 열분해 탄소층(3)에 있어서의 적어도 일부의 표면에, 열분해 탄소의 클러스터(4), 즉 열분해 탄소를 원료로 하는 파티클의 침적물이 복수 형성되어 있다.

그 때문에, 본 실시 형태에 관한 탄소 복합 부재(1)의 최표면은, 열분해 탄소의 클러스터(4)의 존재에 의해 열분해 탄소층(3)의 표면에 돌기가 형성되어, 조면으로 되기 때문에, 높은 미끄럼 방지 효과가 있다. 또한, 열분해 탄소의 클러스터(4)는, 열분해 탄소층(3)의 표면에 부착되어 있을 뿐이기 때문에, 클러스터(4)가 박리되어도 열분해 탄소층(3)을 관통하는 크랙이 생기기 어렵다.

나아가, 본 실시 형태에 관한 탄소 복합 부재(1)는, 그 사용 시에 다른 부재와 고착되어도, 고착되는 것은, 열분해 탄소층(3)의 표면에 있어서의 열분해 탄소의 클러스터(4)뿐이기 때문에, 다른 부재로부터 용이하게 분리 가능하며, 열분해 탄소층(3)에 대한 손상이 작아진다.

열분해 탄소의 클러스터(4)는, CVD법에 의해 얻어진 침적물인 것이 바람직하다. 열분해 탄소의 클러스터(4)가 CVD법에 의해 얻어진 침적물임으로써, 열분해 탄소층(3)과 동질 재료이므로 내부 응력이 생기기 어려워 크랙의 발생원으로 되기 어렵다.

열분해 탄소의 클러스터(4)는, 그 최대 직경이 10 내지 50㎛인 것이 바람직하다. 열분해 탄소의 클러스터(4)의 최대 직경이 10㎛ 이상이면, 해당 클러스터(4)가 열분해 탄소층(3) 내에 매몰되기 어려워지고, 고착의 방지나 미끄럼 방지 효과가 발휘되기 쉽다. 한편, 열분해 탄소의 클러스터(4)의 최대 직경이 50㎛ 이하이면, 탄소 복합 부재(1)의 치수에 끼치는 영향이 작아, 치수 정밀도가 높은 부재로서 사용할 수 있다.

이 때문에, 열분해 탄소의 클러스터(4)의 최대 직경이 10 내지 50㎛임으로써, 치수 정밀도가 높고, 고착 방지나 미끄럼 방지 효과를 양호하게 발휘하는 탄소 복합 부재(1)를 제공할 수 있다. 또한, 이들 효과를 보다 양호하게 발휘시키기 위해서는, 열분해 탄소의 클러스터(4)의 최대 직경은 20 내지 40㎛인 것이 보다 바람직하다.

또한, 열분해 탄소의 클러스터(4)의 크기(사이즈)는, 다음과 같이 하여 측정할 수 있다.

열분해 탄소의 클러스터(4)의 크기는, 열분해 탄소층(3)의 표면에 부착된 클러스터(4)를 그대로 측정해도 되고, 수가 많아 개개의 클러스터(4)의 판별이 가지 않는 경우에는, 클러스터(4)를 벗겨내 확인한다. 클러스터(4)를 벗겨내 확인하는 경우에는, 점착 테이프의 표면에 고정하여 전자 현미경으로 확대하여, 사이즈를 측정할 수 있다.

벗겨낸 클러스터(4)를 점착 테이프의 표면에 고정하여 측정하는 경우, 도전성 양면 테이프를 사용하거나, 금 증착을 하거나 하여 시료의 도전성을 확보함으로써, 선명한 화상을 얻을 수 있다.

또한, 열분해 탄소의 클러스터(4)는, 평판형으로 성장하기 때문에, 열분해 탄소층(3)의 표면에 면형으로 부착된다. 그 때문에, 벗겨낸 열분해 탄소의 클러스터(4)는, 도전 테이프의 표면에 면형으로 부착된다. 그리고, 열분해 탄소의 클러스터(4)의 사이즈를 측정하는 경우에는, 가장 긴 방향의 사이즈, 예를 들어 타원이면 장경을 최대 직경으로 한다.

계속해서, 열분해 탄소의 클러스터(4)가 복수 형성되어 있는 상태, 즉 해당 클러스터(4)가 점재해 있는 상태를 나타내는 지표로서, 열분해 탄소층(3)의 표면에 있어서의 산술 평균 조도 Ra로 나타낼 수 있다. 본 실시 형태에 관한 탄소 복합 부재(1)에 있어서는, 산술 평균 조도 Ra=1 내지 3㎛인 것이 바람직하다.

산술 표면 조도 Ra가 1㎛ 이상이면, 클러스터(4)가 열분해 탄소층(3) 내에 매몰되기 어려워지고, 고착의 방지나 미끄럼 방지 효과가 발휘되기 쉽다. 한편, 산술 평균 조도 Ra가 3㎛ 이하이면, 탄소 복합 부재(1)의 치수에 끼치는 영향이 작아, 치수 정밀도가 높은 부재로서 사용할 수 있다.

또한, 산술 평균 조도 Ra는, JIS B 0031에 준거하여 측정할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 있어서, 상기 산술 평균 조도 Ra를 구함에 있어서는, 기준 길이를 0.5mm로 하고, 열분해 탄소층(3)의 표면에 있어서의 임의의 3개소에서 측정한 산술 평균 조도 Ra의 평균값을 갖고 판단하기로 한다.

열분해 탄소층(3)의 두께는, 5 내지 200㎛인 것이 바람직하다. 열분해 탄소층(3)의 두께가 5㎛ 이상이면, 다공체인 흑연 기재(2)의 요철을 충분히 덮을 수 있고, 가스, 수분, 불순물 등을 세공 내부에 흡착시키기 어려워져, 이들 기체나 불순물의 불침투성을 확보할 수 있다. 한편, 열분해 탄소층(3)의 두께가 200㎛ 이하이면, 열분해 탄소층(3)의 열변형에 의한 휨, 박리를 방지할 수 있다.

이들 효과를 보다 양호하게 발휘시키기 위해서는, 열분해 탄소층(3)의 두께는 10 내지 100㎛가 보다 바람직하고, 20 내지 50㎛가 더욱 바람직하다.

또한, 열분해 탄소층(3)의 두께는, 편광 현미경, 주사 전자 현미경 등을 사용하여, 표준 스케일과의 비교로부터 측정할 수 있다. 주사 전자 현미경 등으로 이미 표준 스케일이 표시되어 있는 경우, 그것을 사용하여 두께를 산출할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 관한 탄소 복합 부재(1)에 있어서의 흑연 기재(2)로서는, 등방성 흑연재인 것이 바람직하다. 등방성 흑연은, 특성의 이방성이 작기 때문에, 열분해 탄소층(3)과의 열팽창 계수차가 장소, 방향에 따른 차이가 작아 벗겨지기 어렵게 할 수 있다.

계속해서, 본 실시 형태에 관한 탄소 복합 부재(1)는, 예를 들어 다음과 같이 하여 얻을 수 있다.

우선, 목적의 형상의 흑연 기재(2)를 준비한다. 흑연 기재(2)에 열분해 탄소층(3)을 형성하면, 두께분만큼 커지므로, 탄소 복합 부재(1)로서의 최종 두께나, 형성하는 열분해 탄소층(3)의 두께에 따라 비교적 얇게 가공하는 것이 바람직하다. 또한, 열분해 탄소층(3)과의 밀착성을 높이기 위해, 흑연 기재(2)의 표면을 조면으로 가공해도 된다.

그리고, 흑연 기재(2)를 CVD로 내에 두고, 성막 온도까지 상승시킨 후, 원료 가스를 도입한다. 성막 온도는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 800 내지 2000℃로 할 수 있다. 열분해 탄소층(3)을 얻기 위한 원료 가스는, 탄화수소라면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어 메탄, 에탄, 프로판, 부탄 등의 알칸, 에틸렌, 프로필렌 등의 알켄, 아세틸렌 등의 알킨 외에, 벤젠, 톨루엔 등의 방향족계 원료 가스를 사용해도 된다.

그리고, 성막 온도를 유지하고, 일정 시간 원료 가스를 도입함으로써, 열분해 탄소층(3)을 흑연 기재(2)의 표면에 성막한다. 또한, 캐리어 가스로서는, Ar 등의 불활성 가스를 사용할 수 있다.

계속해서, 열분해 탄소층(3)이 소정의 두께로 된 단계에서, 해당 열분해 탄소층(3)의 표면에 열분해 탄소의 클러스터(4)를 생성시킨다. 열분해 탄소의 클러스터(4)는, 공중에서 생성된 열분해 탄소의 파티클(작은 덩어리)이, 열분해 탄소층(3)의 표면에 침강하여 퇴적됨으로써(즉, 침적) 생성된다.

이 클러스터(4)를 생성시키는 방법은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 CVD로 내의 압력을 상승시키거나, 온도를 상승시키거나, 탄화수소의 분압을 높이거나 함으로써, 일시적으로 열분해 반응의 밸런스를 무너뜨리고, 열분해를 촉진시켜, 공중에서 열분해 탄소의 파티클을 생성시키고, 그것들을 침적시킴으로써, 열분해 탄소층(3)의 표면에 열분해 탄소의 클러스터(4)를 복수 형성시킬 수 있다.

또한, 열분해 탄소의 파티클은, 열분해 탄소층(3)의 상부 공간에서 생길 뿐만 아니라, 열분해 탄소층(3)의 표면에 낙하한 후에도 성장하기 때문에, 열분해 탄소의 파티클은 열분해 탄소층(3)의 표면에 침적함과 함께 열분해 탄소층(3)과 일체화된다. 즉, 열분해 탄소층(3)과, 그 표면에 형성된 열분해 탄소의 클러스터(4)는 일체화된다.

이 열분해 탄소의 파티클을 생성하고, 침적시키기 위한 조건의 일례로서는, CVD로 내의 압력을 10 내지 10000Pa, 온도를 800 내지 2000℃로 하는 것을 들 수 있다.

또한, 보다 많은 열분해 탄소의 파티클을 열분해 탄소층(3)의 표면에 침적시키기 위해서는, CVD로에 있어서, 열분해 탄소층(3)의 상부 공간이 넓어지도록 한다. 상부 공간이 넓으면, 생성되는 열분해 탄소의 파티클의 양이 많아져, 보다 많은 열분해 탄소의 파티클을 열분해 탄소층(3)의 표면에 침적시켜, 일체화시킬 수 있다.

나아가, 흑연 기재(2)에 전하를 걸거나, CVD로 내에서 흑연 기재(2)를 반전시키거나 함으로써, 열분해 탄소층(3)의 상면뿐만 아니라, 흑연 기재(2)의 측면이나 하면에도 열분해 탄소층(3)을 형성하고, 클러스터(4)를 점재시킬 수도 있다.

이와 같이 하여 얻어진 열분해 탄소층(3)의 표면에 부착되어 일체화된 클러스터(4)는, 열분해 탄소층(3)의 성막 마지막에 부착된 것이므로, 열분해 탄소층(3)의 결정 방향의 흐트러짐은 극히 표면에 한정되고, 내부의 구조에는 큰 영향을 주지 않는다. 그 때문에, 열분해 탄소의 클러스터(4)가 박리되는 힘이 가해져도, 열분해 탄소층(3)이 받는 손상이 작고, 열분해 탄소층(3)에 의한 기밀성이 확보되어, 흑연 기재(2)에 대한 가스나 불순물의 흡착 및 방출을 방지할 수 있다.

(발명을 실시하기 위한 형태)

이하, 본 발명에 관한 탄소 복합 부재의 특징이 명확하게 되도록, 실시예 및 비교예를 들어 더 설명한다.

(실시예 1)

등방성 흑연 재료를, 50×50×5mm의 사이즈로 되도록 가공하고, 흑연 기재로 하였다. 얻어진 흑연 기재를 CVD로 내에 두고, 진공 펌프로 감압하면서 1200℃ 이상으로 가열하고, 탄화수소를 포함하는 원료 가스를, CVD로 내의 가스압이 1kPa 이하로 되도록 공급하여, 열분해 탄소층의 형성을 개시시켰다.

계속해서, 열분해 탄소층의 두께가 20㎛로 성장하는 시간에 달한 시점에서, 원료 가스의 공급을 급격하게 정지하였다.

또한, 원료 가스는 노 내에 공급하는 시점에서, 고압의 봄베로부터 감압의 노 내로 공급되므로 급격하게 열을 빼앗아 팽창하여 노 내를 냉각하는 작용이 있다. 이 때문에, 원료 가스의 공급을 급격하게 정지하면, 냉각 능력이 저하되고, 감압 하에서 열용량이 작은 노 내 분위기는, 일시적으로 가열되어 돌기를 형성하는 클러스터가 발생하기 쉬운 환경으로 된다. 일시적으로 생긴 클러스터가 열분해 탄소층 상에 침적된다.

이와 같이 하여, 공중에서 형성된 열분해 탄소의 파티클을 열분해 탄소층의 표면에 침적시켰다. 또한, 이러한 희박한 분위기 가스의 순간적인 온도의 변동의 유무는, 열전대 방사 온도계로 검출하기 어려워, 열분해 탄소의 클러스터의 생성의 유무로 확인할 수 있다.

이와 같이 하여 얻어진 탄소 복합 부재의 표면을, 주사 전자 현미경(SEM)에 의해 확인하였다. 촬영한 주사 전자 현미경 사진(배율: 500배)을 도 2에 도시한다. 도 2에 있어서, 도면 중의 작은 덩어리가 열분해 탄소의 클러스터이며, 도면 중에 대경의 반구형으로 보이는 열분해 탄소층의 표면에 열분해 탄소의 클러스터가 점재하여 복수 형성되어 있음을 알 수 있다. 또한, 이 열분해 탄소의 파티클은, 상기한 세정으로는 제거되지 않고, 열분해 탄소층과 일체화되어 있음을 알 수 있다. 또한, 동일 사진(좌측 하단의 스케일을 참조)으로부터, 해당 클러스터의 최대 직경은 10 내지 50㎛의 범위에 들어 있음을 읽어낼 수 있다.

또한, JIS B 0031에 준거하는 표면 조도계를 사용하여, 열분해 탄소층의 표면에 있어서의 임의의 3개소에서 산술 평균 조도 Ra를 측정한바, 각각 1.438㎛, 1.642㎛, 1.770㎛이며, 그의 평균으로 1.62㎛였다.

이 탄소 복합 부재를 라텍스로 이루어지는 방진 장갑을 착용하여, 표면의 마찰을 확인하였지만, 강한 힘이 가해져도 충분히 보유 지지할 수 있음이 확인되었다.

(비교예 1)

실시예 1과 마찬가지로 탄소 복합 부재를 형성하였다. 단, 열분해 탄소층의 형성 후, 원료 가스의 공급을 10분간에 걸쳐 서서히 좁혔다. 이 때문에, 원료 가스의 공급 스톱에 의한 급격한 온도 상승은 평준화되고, 클러스터의 생성은 일어나지 않았다고 생각된다.

이와 같이 하여 얻어진 탄소 복합 부재의 표면을, 주사 전자 현미경(SEM)에 의해 확인하였다. 촬영한 주사 전자 현미경 사진(배율: 500배)을 도 3에 도시한다. 도 3에 있어서, 탄소 복합 부재의 표면은 기재측의 핵으로부터 부채형으로 성장한 평활한 성장면이 보이고, 열분해 탄소의 클러스터는 관찰되지 않았다.

또한, JIS B 0031에 준거하는 표면 조도계를 사용하여, 열분해 탄소층의 표면에 있어서의 임의의 3개소에서 산술 평균 조도 Ra를 측정한바, 각각 0.795㎛, 1.049㎛, 0.753㎛이며, 그의 평균으로 0.87㎛였다.

이 탄소 복합 부재를 라텍스로 이루어지는 방진 장갑을 착용하고, 열분해 탄소층이 형성된 면을 파지하여 들어올렸지만, 표면의 마찰력만으로는 미끄러지기 쉬워 강한 힘이 가해지면 충분히 보유 지지할 수 없음이 확인되었다.

또한, 본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 적절하게 변형, 개량 등이 가능하다. 그 밖에, 상술한 실시 형태에 있어서의 각 구성 요소의 재질, 형상, 치수, 수치, 형태, 수, 배치 개소 등은, 본 발명을 달성할 수 있는 것이면 임의적이며, 한정되지 않는다.

본 발명에 관한 탄소 복합 부재는, 미끄럼 방지 기능을 구비하기 때문에, 대형의 장치용 부품으로 해도 낙하하기 어렵고, 취급성이 양호하고, 나아가 충격이 가해져도 크랙이 열분해 탄소 피막을 관통시키기 어렵기 때문에, 반도체 제조, 화학 공업, 기계, 원자력 등, 많은 분야에 걸쳐 유효하다.

1: 탄소 복합 부재
2: 흑연 기재
3: 열분해 탄소층
4: 클러스터

Claims

흑연 기재 상에 열분해 탄소층이 형성된 탄소 복합 부재이며,
상기 열분해 탄소층에 있어서의 적어도 일부의 표면에, 열분해 탄소의 클러스터가 복수 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소 복합 부재.
제1항에 있어서, 상기 클러스터는, CVD법에 의해 얻어진 침적물인 것을 특징으로 하는 탄소 복합 부재.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 클러스터는, 최대 직경이 10 내지 50㎛인 것을 특징으로 하는 탄소 복합 부재.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열분해 탄소층의 표면에 있어서의 산술 평균 조도 Ra가 1 내지 3㎛인 것을 특징으로 하는 탄소 복합 부재.
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열분해 탄소층의 두께가 5 내지 200㎛인 것을 특징으로 하는 탄소 복합 부재.