KR20200142611A - 전자 장치 - Google Patents

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KR20200142611A
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KR
South Korea
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sensing
pattern
strain
detection
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KR1020190069065A
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Inventor
복승룡
김기철
이동호
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

감지 영역을 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치된 감지 절연층, 복수의 제1 감지 전극들, 상기 제1 감지 전극들과 이격된 복수의 제2 감지 전극들을 포함하는 입력 감지 유닛 및 상기 감지 영역과 중첩하는 복수의 스트레인 감지 패턴들 및 상기 스트레인 감지 패턴들을 연결하는 스트레인 연결 패턴들을 포함하는 압력 감지 센서를 포함하고, 상기 제1 감지 전극들 각각은, 제1 감지 패턴들, 상기 감지 절연층을 사이에 두고 상기 제1 감지 패턴들과 연결된 제1 연결 패턴들을 포함하고, 상기 제2 감지 전극들 각각은, 제2 감지 패턴들, 제2 연결 패턴들을 포함하고, 상기 스트레인 감지 패턴들은, 상기 제1 연결 패턴들과 동일층 상에 배치되는 전자 장치.

Description

전자 장치{ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 압력 센싱 기능이 향상된 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 전기적 신호를 인가받아 활성화된다. 전자 장치는 외부에서 인가되는 다양한 형태의 입력을 감지하는 전자 패널을 포함할 수 있다. 전자 패널은 단독으로 사용되거나 영상을 표시하는 표시 유닛 등을 더 포함하여 사용자의 편의성을 향상시킬 수 있다.
전자 장치는 전기적 신호에 의해 활성화 되도록 다양한 전극 패턴들을 포함할 수 있다. 전극 패턴들이 활성화된 영역은 정보가 표시되거나 외부로부터 인가되는 터치에 반응한다.
본 발명은 입력 감지 유닛 내부에 배치된 압력 감지 센서를 포함하는 전자 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 감지 영역을 포함하는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역과 인접한 주변 영역으로 구분되는 베이스 기판, 상기 베이스 기판 상에 배치된 감지 절연층, 복수의 제1 감지 전극들, 상기 제1 감지 전극들과 이격된 복수의 제2 감지 전극들을 포함하는 입력 감지 유닛, 및 상기 감지 영역과 중첩하는 복수의 스트레인 감지 패턴들 및 상기 스트레인 감지 패턴들을 연결하는 스트레인 연결 패턴들을 포함하는 압력 감지 센서를 포함하고, 상기 제1 감지 전극들 각각은, 상기 액티브 영역과 중첩하는 복수의 제1 감지 패턴들, 상기 감지 절연층을 사이에 두고 상기 제1 감지 패턴들과 연결된 복수의 제1 연결 패턴들을 포함하고, 상기 제2 감지 전극들 각각은, 상기 액티브 영역과 중첩하고 상기 제1 감지 패턴들과 동일층 상에 배치된 복수의 제2 감지 패턴들, 상기 제2 감지 패턴들과 연결된 복수의 제2 연결 패턴들을 포함하고, 상기 스트레인 감지 패턴들은, 상기 제1 연결 패턴들과 동일층 상에 배치된다.
상기 스트레인 감지 패턴들은, 평면상에서 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 전자 장치는, 상기 스트레인 감지 패턴과 동일층 상에 배치되고, 평면상에서 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들로부터 에워싸인 더미 패턴들을 더 포함하고, 상기 더미 패턴들은, 상기 스트레인 감지 패턴들과 이격된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 더미 패턴들 중 적어도 어느 하나는, 상기 스트레인 감지 패턴들 중 하나의 스트레인 감지 패턴으로부터 에워싸인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 전자 장치는, 상기 스트레인 감지 패턴들과 동일층 상에 배치되고, 평면상에서 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 온도 감지 패턴들 및 상기 온도 감지 패턴들을 연결하는 온도 연결 패턴들을 포함하는 온도 감지 센서를 더 포함하고, 상기 온도 감지 패턴들은, 상기 더미 패턴들 및 상기 스트레인 감지 패턴들과 이격된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 스트레인 감지 패턴들은, 메쉬선들을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 전자 장치는, 상기 베이스 기판 및 상기 입력 감지 유닛 사이에 배치되고, 반도체 패턴을 포함하는 트랜지스터 및 상기 상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 반도체 패턴과 중첩하는 차광 패턴을 포함하는 표시 회로층, 및 상기 트랜지스터에 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 발광 패턴을 포함하는 표시 소자층을 포함하는 표시 유닛을 더 포함하고, 상기 발광 패턴은, 평면상에서 상기 메쉬선들과 이격된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 전자 장치는, 상기 차광 패턴과 동일층 상에 배치된 서브 스트레인 감지 패턴 및 상기 서브 스트레인 감지 패턴과 연결된 서브 스트레인 감지 라인을 포함하는 서브 압력 감지 센서를 더 포함하고, 상기 서브 스트레인 감지 패턴은, 상기 스트레인 감지 패턴과 중첩하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 전자 장치는, 상기 제1 감지 패턴들과 동일층 상에 배치되고, 상기 스트레인 감지 패턴들과 중첩하는 서브 더미 패턴들을 더 포함하고, 상기 서브 더미 패턴들 각각은, 평면상에서 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 스트레인 감지 패턴들 각각은, 평면상에서 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 중 적어도 어느 하나와 중첩하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 압력 감지 센서는, 상기 제1 감지 패턴들과 동일층 상에 배치되고, 상기 감지 절연층을 관통하여 상기 스트레인 감지 패턴들과 연결된 보조 스트레인 감지 패턴들을 더 포함하고, 상기 보조 스트레인 감지 패턴들은, 평면상에서 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 감지 영역은, 상기 액티브 영역과 상기 감지 영역의 경계로부터 에워싸이고, 폐 라인(closed-line) 형상을 갖는 홈 버튼 영역을 더 포함하고, 단면상에서 상기 홈 버튼 영역과 중첩하는 상기 스트레인 연결 패턴들의 일 방향에서의 폭은, 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 각각의 상기 일 방향에서의 폭보다 큰 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 스트레인 감지 패턴들 각각은, 선형(linear)인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 압력 감지 센서는, 상기 주변 영역에 배치되고 상기 스트레인 연결 패턴들 중 어느 하나의 일 단에 연결된 제1 스트레인 라인, 및 상기 주변 영역에 배치되고 상기 스트레인 연결 패턴들 중 다른 하나의 일 단에 연결된 제2 스트레인 라인을 포함하고, 상기 제1 스트레인 라인과 상기 제2 스트레인 라인은 서로 다른 신호를 인가 받는 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는, 감지 절연층, 상기 감지 절연층을 사이에 두고 이격된 제1 도전층 및 제2 도전층을 포함하고, 상기 제1 도전층은, 제1 연결 패턴, 평면상에서 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 더미 패턴, 및 상기 제1 연결 패턴, 상기 더미 패턴과 이격된 스트레인 감지 패턴 및 상기 스트레인 감지 패턴과 연결된 스트레인 연결 패턴을 포함하는 압력 감지 센서를 포함하고, 상기 제2 도전층은, 상기 감지 절연층을 관통하여 상기 제1 연결 패턴과 연결된 제1 감지 패턴, 상기 제1 감지 패턴과 이격된 제2 감지 패턴, 및 상기 제2 감지 패턴과 연결된 제2 연결 패턴을 포함하고, 상기 스트레인 감지 패턴은, 평면상에서 상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인다.
상기 제1 도전층은 상기 감지 절연층 하부에 배치되고, 상기 제2 도전층은 상기 감지 절연층 상에 배치되 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제2 도전층은, 상기 스트레인 감지 패턴과 중첩하는 서브 더미 패턴을 더 포함하고, 상기 서브 더미 패턴은, 평면상에서 상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 메쉬선들을 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 연결 패턴, 상기 제2 연결 패턴, 및 상기 스트레인 연결 패턴 각각은 평면상에서 서로 이격된 것을 특징으로 할 수 있다.
상기 제1 도전층은, 평면상에서 상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴 중 어느 하나로부터 에워싸인 온도 감지 패턴 및 상기 온도 감지 패턴을 연결하는 온도 연결 패턴을 더 포함하고, 상기 온도 감지 패턴은, 상기 스트레인 감지 패턴 및 상기 더미 패턴과 이격된 것을 특징으로 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 입력 감지 유닛 내부에 배치되는 압력 감지 센서를 포함함에 따라, 압력에 대한 저항변화를 감지하는 기능이 향상된 압력 감지 센서를 포함하는 전자 장치를 제공할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 결합 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈을 간략히 도시한 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 유닛의 평면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지 유닛 및 압력 감지 센서의 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 구성의 평면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 구성의 평면도이다.
도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 구성의 평면도이다.
도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 구성의 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다.
도 7은 도 6에 도시된 QQ' 영역을 도시한 확대도이다.
도 8은 도 7의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다.
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다.
도 11b는 도 11b 의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.
도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다.
도 12b는 도 12b 의 III-III'를 따라 절단한 단면도이다.
도 13a는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다.
도 13b는 도 13a의 IV-IV'를 따라 절단한 단면도이3다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다.
도 15a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 영역의 평면도이다.
도 15b는 도 15a 의 V-V'를 따라 절단한 단면도이다.
도 16a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 사시도이다.
도 16b는 도 16a의 VI-VI'를 따라 절단한 단면도이다.
도 16c는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 감지 센서의 평면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합 된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 결합 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 분해 사시도이다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈을 간략히 도시한 단면도이다. 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 유닛의 평면도이다. 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 화소의 등가 회로도이다.
도 1a 및 도 1b를 참조하면, 전자 장치(ED)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 전자 장치(ED)는 다양한 실시예들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(ED)는 태블릿, 노트북, 컴퓨터, 스마트 텔레비전 등을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 전자 장치(ED)는 스마트 폰으로 예시적으로 도시되었다.
전자 장치(ED)는 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2) 각각에 평행한 표시면(IS)에 제3 방향(D3)을 향해 영상(IM)을 표시할 수 있다. 영상(IM)이 표시되는 표시면(IS)은 전자 장치(ED)의 전면(front surface)과 대응될 수 있다. 영상(IM)은 동적인 영상은 물론 정지 영상을 포함할 수 있다. 도 1a에서 영상(IM)의 일 예로 인터넷 검색 창이 도시되었다
본 실시예에서는 영상(IM)이 표시되는 방향을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(D3)에서 서로 대향(opposing)되고, 전면과 배면 각각의 법선 방향은 제3 방향(D3)과 평행할 수 있다.
제3 방향(D3)에서의 전면과 배면 사이의 이격 거리는, 전자 장치(ED)의 제3 방향(D3)에서의 두께/높이와 대응될 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 방향들(D1, D2, D3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 이하, 제1 내지 제3 방향들은 제1 내지 제3 방향들(D1, D2, D3)이 각각 지시하는 방향으로 동일한 도면 부호를 참조한다.
전자 장치(ED)는 외부에서 인가되는 외부 입력(TC)을 감지할 수 있다. 외부 입력(TC)은 전자 장치(ED)의 외부에서 제공되는 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있다. 외부 입력(TC)은 외부에서 인가되는 입력은 다양한 형태로 제공될 수 있다.
예를 들어, 외부 입력(TC)은 사용자의 손 등 신체의 일부에 의한 접촉은 물론 전자 장치(ED)와 근접하거나, 소정의 거리로 인접하여 인가되는 외부 입력(예를 들어, 호버링)을 포함할 수 있다. 또한, 힘, 압력, 온도, 광 등 다양한 형태를 가질 수 있다.
도 1a에는 외부 입력(TC) 중 압력 및 온도 중 적어도 어느 하나의 외부 입력(TC)을 감지하는 감지 영역(FA)을 점선으로 도시하였다. 도 1a의 감지 영역(FA) 사각형 형상을 가지고 하나의 영역만을 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 후술하는 압력 감지 센서 및 온도 감지 센서가 배치되는 곳이면, 목적에 따라 형상 및 개수는 다양하게 변할 수 있다.
전자 장치(ED)의 전면은 투과 영역(TA) 및 베젤 영역(BZA)으로 구분될 수 있다. 투과 영역(TA)은 영상(IM)이 표시되는 영역일 수 있다. 사용자는 투과 영역(TA)을 통해 영상(IM)을 시인한다. 본 실시예에서, 투과 영역(TA)은 꼭지점들이 둥근 사각 형상으로 도시되었다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 투과 영역(TA)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접한다. 베젤 영역(BZA)은 소정의 컬러를 가질 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다. 이에 따라, 투과 영역(TA)의 형상은 실질적으로 베젤 영역(BA)에 의해 정의될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 일 측에만 인접하여 배치될 수도 있고, 생략될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 다양한 실시예들을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
전자 장치(ED)는 윈도우 부재(WM), 외부 케이스(EDC), 표시 모듈(DM), 메인 회로 기판(MF), 및 연성 회로 기판들(FF, TF)을 포함할 수 있다. 표시 모듈(DM)은 표시 유닛(DU), 입력 감지 유닛(DU), 및 감지 영역(FA)에 배치된 압력 감지 센서(FPS)를 포함할 수 있다. 압력 감지 센서(FPS)에 관해서는 후술하도록 한다.
윈도우 부재(WM)는 영상을 출사할 수 있는 투명한 물질로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 유리, 사파이어, 플라스틱 등으로 구성될 수 있다. 윈도우 부재(WM)는 단일층으로 도시되었으나, 이에 한정하는 것은 아니며 복수 개의 층들을 포함할 수 있다. 한편, 도시되지 않았으나, 상술한 전자 장치(ED)의 베젤 영역(BZA)은 실질적으로 윈도우 부재(WM)의 일 영역에 소정의 컬러를 포함하는 물질이 인쇄된 영역으로 제공될 수 있다.
외부 케이스(EDC)는 표시 모듈(DM)을 수용한다. 외부 케이스(EDC)는 윈도우 부재(WM)와 결합되어 전자 장치(ED)의 외관을 정의할 수 있다. 외부 케이스(EDC)는 외부로부터 가해지는 충격을 흡수하며 표시 모듈(DM)으로 침투되는 이물질/수분 등을 방지하여 외부 케이스(EDC)에 수용된 구성들을 보호한다. 한편, 도시 되지 않았으나, 외부 케이스(EDC)는 복수의 수납 부재들이 결합된 형태로 제공될 수 있다.
도2 를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 모듈(DM)은 표시 유닛(DU) 및 입력 감지 유닛(TU)을 포함할 수 있다.
표시 모듈(DM)은 전기적 신호에 따라 영상을 표시하고, 외부 입력(TC)에 대한 정보를 송/수신할 수 있다. 표시 모듈(DM)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)으로 정의될 수 있다. 액티브 영역(AA)은 표시 모듈(DM)에서 제공되는 영상을 출사하는 영역으로 정의될 수 있다.
본 발명에 따르면, 감지 영역(FA)은 액티브 영역(AA)에 포함될 수 있다. 예를 들어, 감지 영역(FA)은 액티브 영역(AA)에 의해 에워싸일 수 있다. 따라서, 본 발명에 따르면, 외부 입력(TC) 중 압력 및 온도 중 적어도 어느 하나의 외부 입력(TC)을 액티브 영역(AA) 내에서 감지할 수 있다.
주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)에 인접한다. 예를 들어, 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)을 에워싸을 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 주변 영역(NAA)은 다양한 형상으로 정의될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다. 일 실시예에 따르면, 표시 모듈(DU)의 액티브 영역(AA)은 투과 영역(TA)의 적어도 일부와 대응될 수 있다.
도 2를 참조하면, 표시 유닛(DU)은 베이스 기판(SUB), 표시 회로층(CL), 표시 소자층(ED), 및 봉지층(TFE)를 포함한다.
베이스 기판(SUB)은 플렉서블한 기판으로 플라스틱 기판, 유리 기판, 메탈 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다. 본 발명의 실시예에 따르면, 베이스 기판(SUB)은 적어도 하나의 플라스틱 필름을 포함할 수 있다.
표시 회로층(CL)은 베이스 기판(SUB)상에 배치된다. 표시 회로층(CL)은 복수의 절연층들, 신호라인들, 제어 회로, 및 반도체층을 포함한다.
표시 소자층(ED)은 유기발광소자(OLED) 및 화소 정의막을 포함할 수 있다. 봉지층(TFE)은 표시 소자층(ED)을 밀봉한다.
봉지층(TFE)은 적어도 하나의 유기막 및 적어도 하나의 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 수분/산소로부터 표시 소자층(ED)을 보호할 수 있다. 무기막은 실리콘 나이트라이드층, 실리콘 옥시 나이트라이드층, 실리콘 옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있고, 이에 특별히 제한되지 않는다.
도 3a 및 3b를 참조하면, 표시 유닛(DU)은 구동회로(GDC), 복수 개의 신호라인들(SGL), 및 복수 개의 화소들(PX)을 포함할 수 있다. 표시 유닛(DU)은 주변 영역(NAA)에 배치되고, 복수 개의 신호라인들(SGL) 중 대응되는 신호라인과 연결된 화소 패드들(D-PD)을 포함하는 화소 패드부(PLD)를 더 포함할 수 있다.
화소들(PX)은 액티브 영역(AA)에 배치된다. 화소들(PX) 각각은 유기발광소자(OLED)와 그에 연결된 화소 구동회로를 포함한다. 구동회로(GDC), 신호라인들(SGL), 화소 패드부(PLD), 및 화소 구동회로는 도 1b에 도시된 표시 회로층(CL)에 포함될 수 있다.
구동회로(GDC)는 게이트 구동회로를 포함할 수 있다. 게이트 구동회로는 복수 개의 게이트 신호들(이하, 게이트 신호들)을 생성하고, 게이트 신호들을 후술하는 복수 개의 게이트 라인들(GL, 이하 게이트 라인들)에 순차적으로 출력한다.　게이트 구동회로는 화소 구동회로에 또 다른 제어 신호를 더 출력할 수 있다.
신호라인들(SGL)은 게이트 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어신호라인(CSL)을 포함한다. 게이트 라인들(GL) 중 일 게이트 라인은 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결되고, 데이터 라인들(DL) 중 일 데이터 라인은 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결된다. 전원 라인(PL)은 화소들(PX)에 연결된다. 제어신호라인(CSL)은 게이트 구동회로에 제어신호들을 제공할 수 있다. 신호라인들(SGL)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)에 중첩한다.
화소 패드부(PLD)는 메인 회로 기판(MF)이 연결되는 부분으로써, 화소 패드부(PLD)의 화소 패드들(D-PD)은 메인 회로 기판(MF)의 대응되는 패드들(미도시)과 연결된다. 화소 패드들(D-PD)은 표시 회로층(CL)에 배치된 배선들 중 일부가 표시 회로층(CL)에 포함된 절연층으로부터 노출됨으로써 제공될 수 있다.
화소 패드들(D-PD)은 신호 라인들(SGL)을 통해 대응되는 화소들(PX)에 연결된다. 또한, 화소 패드들(D-PD) 중 어느 하나의 화소 패드에는 구동회로(GDC)가 연결될 수 있다.
화소(PX)는 게이트 라인(GL) 으로부터 게이트 신호를 수신하고, 데이터 라인(DL)으로부터 데이터 신호를 수신한다. 또한, 화소(PX)는 전원 라인(PL)으로부터 제1 전원전압(ELVDD)을 수신한다. 화소(PX)는 제1 박막 트랜지스터(TR1), 제2 박막 트랜지스터(TR2), 커패시터(Cst), 및 유기발광소자(OLED)를 포함한다.
제1 박막 트랜지스터(TR1)는 게이트 라인(GL)에 인가된 게이트 신호에 응답하여 데이터 라인(DL)에 인가된 데이터 신호를 출력한다. 커패시터(Cst)는 상기 제1 박막 트랜지스터(TR1)로부터 수신한 상기 데이터 신호에 대응하는 전압을 충전한다.
제2 박막 트랜지스터(TR2)는 유기발광소자(OLED)에 연결된다. 제2 박막 트랜지스터(TR2)는 커패시터(Cst)에 저장된 전하량에 대응하여 유기발광소자(OLED)에 흐르는 구동전류를 제어한다.
유기발광소자(OLED)는 제2 박막 트랜지스터(TR2)에 연결된 제1 전극(미 도시), 제2 전원전압(ELVSS)을 수신하는 제2 전극(미 도시), 및 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 발광 패턴을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 유기발광소자(OLED)는 제1 전극, 발광 패턴, 제2 전극이 순차적으로 적층된 구조를 가질 수 있다. 제2 전원전압(ELVSS)은 제1 전원전압(ELVDD)보다 낮은 레벨을 갖는다.
유기발광소자(OLED)는 제2 박막 트랜지스터(TR2)의 턴-온 구간 동안 발광한다. 화소(PX)의 구성은 다양한 실시예를 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예에 한정되지 않는다.
입력 감지 유닛(TU)은 표시 유닛(DU) 상에 직접 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 입력 감지 유닛(TU)은 봉지층(TFE) 상에 직접 배치될 수 있다. 입력 감지 유닛(TU)은 각각이 감지 패턴들과 감지 라인들을 포함하는 감지 전극들을 포함한다. 감지 전극들과 감지 라인들은 단층 또는 다층구조를 가질 수 있다.
또한, 다른 실시 예에 따르면, 입력 감지 유닛(TU)은 봉지층(TFE) 상에 배치된 접착 부재(미도시)를 통해 봉지층(TFE)에 결합될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
메인 회로 기판(MF)은 베이스 회로 기판(MP) 및 구동 소자(MC)를 포함한다. 베이스 회로 기판(MP)은 제1 연성 회로 기판(FF)과 접속되어 표시 유닛(DU)과 전기적으로 연결되며, 베이스 회로 기판(MP)은 제2 연성 회로 기판(TF)과 접속하여 입력 감지 유닛(TU)과 전기적으로 연결된다. 베이스 회로 기판(MP)은 연성 회로 기판(flexible printed circuit board, FPCB)으로 구성될 수 있다.
구동 소자(MC)는 신호 제어부(Timing controller)를 포함할 수 있다. 신호 제어부는 입력 영상신호들을 수신하고 입력 영상 신호들을 화소들의 동작에 부합하는 영상 데이터들로 변환한다. 또한, 신호 제어부는 각종 제어신호, 예를 들어 수직동기신호, 수평동기신호, 메인 클럭신호, 및 데이터 인에이블신호 등을 입력 받고, 상기 신호들 각각의 대응되는 신호들을 출력할 수 있다.
한편, 구동 소자(MC)는 입력 감지 유닛(TU) 및 압력 감지 센서(FPS, 도 4 참조)을 제어하는 회로부들을 더 포함할 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 연성 회로 기판(FF)은 표시 유닛(DU)의 화소 패드부(PLD)에 접속되어 표시 유닛(DU)과 메인 회로 기판(MF)을 전기적으로 연결 한다. 제1 연성 회로 기판(FF)은 베이스 필름(FP) 및 구동칩(FC)을 포함한다.
베이스 필름(FP)은 연성을 가지며 복수의 회로 배선들(미도시)을 포함할 수 있다. 따라서, 베이스 필름(FP)은 표시 유닛(DU)의 목적 및 형태에 대응하여 다양한 형태로 제공될 수 있다.
구동칩(FC)은 COF(Chip On Flim) 형태로 베이스 필름(FP) 상에 실장될 수 있다. 구동칩(FC)은 화소를 구동하기 위한 구동 소자들 예를 들어, 데이터 구동회로를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 연성 회로 기판(FF)은 하나로 도시되어 있으나, 이에 한정하는 것은 아니며 복수 개로 제공되어 표시 유닛(DU)에 접속될 수 있다.
제2 연성 회로 기판(TF)은 입력 감지 유닛(DU)의 일 측에 접속되어 입력 감지 유닛(DU)과 메인 회로 기판(MF)을 전기적으로 연결 한다. 제2 연성 회로 기판(TF)은 연성을 가지며 복수의 회로 배선들(미도시)을 포함할 수 있다. 제2 연성 회로 기판(TF)은 메인 회로 기판(MF)에서 제공되는 입력 감지 신호들을 입력 감지 유닛(DU)에 전달한다.
일 실시예에 따른 전자 장치(ED)는 전자 장치(ED)를 동작시키기 위한 다양한 기능성 모듈을 포함하는 전자 모듈, 전자 장치(ED)의 전반적인 동작에 필요한 전원을 공급하는 전원공급 모듈, 표시 모듈(DU) 및/또는 외부 케이스(EDC)와 결합되어 전자 장치(ED)의 내부 공간을 분할하는 브라켓 등을 더 포함할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지 유닛 및 압력 감지 센서의 평면도이다. 도 5a 내지 도 5d는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일부 구성의 평면도들이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다. 도 7은 도 6에 도시된 QQ' 영역을 도시한 확대도이다. 도 8은 도 7의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다.
본 발명에 따른 입력 감지 유닛(TU)은 표시 유닛(DU) 상에 직접 배치될 수 있다. 또한, 압력 감지 센서(FPS)는 입력 감지 유닛(TU)의 내부에 배치될 수 있다. 압력 감지 센서(FPS)는 외부 입력(TC) 중 압력을 감지할 수 있다.
입력 감지 유닛(TU)은 외부 입력(TC: 도 1a 참조)을 감지하여 외부 입력(TC)의 위치 정보를 얻을 수 있다. 입력 감지 유닛(TU)은 복수의 제1 감지 전극들(TE1), 복수의 제2 감지 전극들(TE2), 복수의 더미 패턴들(DP), 복수의 라인들(TL1, TL2, TL3), 및 복수의 감지 패드들(T1, T2, T3)을 포함한다.
제1 감지 전극들(TE1) 및 제2 감지 전극들(TE2)은 액티브 영역(AA)에 배치된다. 입력 감지 유닛(TU)은 제1 감지 전극들(TE1) 및 제2 감지 전극들(TE2) 사이의 정전 용량의 변화를 통해 외부 입력(TC)에 대한 정보를 얻을 수 있다.
제1 감지 전극들(TE1)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장되고, 제2 방향(D2)을 따라 배열될 수 있다. 제1 감지 전극들(TE1) 각각은, 제1 감지 패턴들(SP1), 제1 연결 패턴들(BP1)을 포함할 수 있다.
제1 감지 패턴들(SP1)은 제1 방향(D1)을 따라 배열된다. 제1 감지 패턴들(SP1) 각각은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 제1 감지 패턴들(SP1) 각각은 마름모 형상을 가질 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제1 감지 패턴들(SP1)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제1 연결 패턴들(BP1)은 제1 방향(D1)을 따라 이격되어 배치된 제1 감지 패턴들(SP1)을 연결할 수 있다. 예를 들어, 서로 이격된 제1 감지 패턴들(SP1) 사이에 배치되어 제1 감지 패턴들(SP1)을 연결할 수 있다.
제2 감지 패턴들(SP2)은 제2 방향(D2)을 따라 배열된다. 제2 감지 패턴들(SP2) 각각은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 제2 감지 패턴들(SP2)은 제1 감지 패턴들(SP1)과 이격되어 배치될 수 있다. 제2 감지 패턴들(SP2) 각각은 마름모 형상을 가질 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 제2 감지 패턴들(SP2)은 다양한 형상을 가질 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제2 연결 패턴들(BP2)은 제2 방향(D2)을 따라 이격되어 배치된 제2 감지 패턴들(SP2)을 연결할 수 있다. 예를 들어, 서로 이격된 제2 감지 패턴들(SP2) 사이에 배치되어 제1 감지 패턴들(SP2)을 연결할 수 있다. 제2 연결 패턴들(BP2)은 제2 감지 패턴들(SP2)와 일체의 형상으로 제공될 수 있다.
감지 라인들(TL1, TL2, TL3)은 주변 영역(NAA)에 배치된다. 감지 라인들(TL1, TL2, TL3)은 제1 감지 라인들(TL1), 제2 감지 라인들(TL2), 및 제3 감지 라인들(TL3)을 포함할 수 있다.
제1 감지 라인들(TL1)은 대응되는 제1 감지 전극들(TE1)에 연결된다. 예를 들어, 제1 감지 라인들(TL1)은 제1 감지 전극들(TE1)의 양단들 중 상대적으로 감지 패드들(T1, T2, T3)과 인접한 하측 단들에 각각 연결된다.
제2 감지 라인들(TL2)은 대응되는 제1 감지 전극들(TE1)에 연결된다. 예를 들어, 제2 감지 라인들(TL2)은 제1 감지 전극들(TE1)의 양단들 중 상기 하측 단들과 마주하는 상측 단들에 연결된다.
제1 감지 전극들(TE1)은 제1 감지 라인들(TL1) 및 제2 감지 라인들(TL2)에 각각 연결될 수 있다. 이에 따라, 제2 감지 전극들(TE2)에 비해 상대적으로 긴 길이를 가진 제1 감지 전극들(TE1)에 대하여, 영역에 따른 감도를 균일하게 유지시킬 수 있다. 한편, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지 유닛(TU)에 있어서 제2 감지 라인들(TL2)은 생략될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제3 감지 라인들(TL3)은 대응되는 제2 감지 전극들(TE2) 각각의 일 단에 연결된다. 예를 들어, 제2 감지 라인들(TL2)은 제2 감지 전극들(TE2)의 양단들 중 좌측 단들에 각각 연결된다.
감지 패드들(T1, T2, T3)은 주변 영역(NAA)에 배치된다. 감지 패드들(T1, T2, T3)은 제1 감지 패드들(T1), 제2 감지 패드들(T2), 및 제3 감지 패드들(T3)을 포함할 수 있다. 제1 감지 패드들(T1)은 대응되는 제1 감지 라인들(TL1)에 연결된다. 제2 감지 패드들(T2)는 대응되는 제2 감지 라인들(T2)에 연결된다. 제1 감지 패드들(T1) 및 제2 감지 패드들(T2)은 제1 감지 라인들(TL1)에 연결되어 외부 신호를 제1 감지 전극들(TE1)에 제공한다. 제3 감지 패드들(T3)은 제3 감지 라인들(TL3)에 연결되어 제2 감지 전극들(TE2)과 전기적으로 연결된다.
더미 패턴들(DP)은 제1 감지 전극들(TE1), 제2 감지 전극들(TE2), 및 압력 감지 센서(FPS)와 이격되어 배치된다. 따라서, 더미 패턴들(DP)은 제1 감지 전극들(TE1), 제2 감지 전극들(TE2), 및 압력 감지 센서(FPS)와 전기적으로 분리될 수 있다.
더미 패턴들(DP)은 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제2 감지 패턴들(SP2)로부터 플로팅(floating)될 수 있다. 더미 패턴들(DP) 각각은, 평면상에서 하나의 제1 감지 패턴(SP1), 하나의 제2 감지 패턴(SP2) 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸일 수 있다. 예를 들어, 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제2 감지 패턴들(SP2) 각각은, 마름모 형상을 가지고, 상기 마름모의 중심 영역에 빈 공간이 형성될 수 있다. 이때, 더미 패턴들(DP)이 상기 빈 공간에 배치되고, 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제2 감지 패턴들(SP2)과 전기적으로 분리될 수 있다.
더미 패턴들(DP)은 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제2 감지 패턴들(SP2)에 형성된 빈 공간에 배치됨에 따라, 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제2 감지 패턴들(SP2)의 형상이 외부로 시인되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 더미 패턴들(DP)은 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제2 감지 패턴들(SP2)과 유기발광소자(OLED, 도 3b)에 포함된 전극들 간에 발생되는 기생 캡을 방지할 수 있다. 따라서, 더미 패턴들(DP)을 포함함에 따라, 신뢰성이 확보된 입력 감지 유닛(TU)을 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, 압력 감지 센서(FPS)는 입력 감지 유닛(TU) 내부에 배치될 수 있다. 압력 감지 센서(FPS)는 외부 입력(TC, 도 1a 참조) 중 압력에 대한 저항 변화를 감지할 수 있다. 압력 감지 센서(FPS)는 스트레인 감지 패턴들(FS), 스트레인 연결 패턴들(FB), 스트레인 라인들(FL1, FL2)을 포함한다.
스트레인 감지 패턴들(FS)은 감지 영역(FA)에 배치될 수 있다. 스트레인 감지 패턴들(FS) 각각은 서로 이격되어 배치될 수 있다. 또한, 스트레인 감지 패턴들(FS)은 제1 감지 전극들(TE1), 제2 감지 전극들(TE2), 및 더미 패턴들(DP)과 이격될 수 있다.
도 4에는 감지 영역(FA) 내에서 서로 이격되어 배열된 2행 x 3열의 스트레인 감지 패턴들(FS)를 예시적으로 도시하였으며, 스트레인 감지 패턴들(FS)을 제1 감지 패턴들(SP1), 제2 감지 패턴들(SP2), 및 더미 패턴들(DP)과 다른 음영으로 표시하였다.
본 실시예에서, 스트레인 감지 패턴들(FS) 각각은, 평면상에서 하나의 제1 감지 패턴(SP1), 하나의 제2 감지 패턴(SP2) 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸일 수 있다. 또한, 스트레인 감지 패턴들(FS)은 더미 패턴들(DP)과 이격될 수 있다.
스트레인 감지 패턴들(FS)은 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제2 감지 패턴들(SP2)로부터 플로팅(floating)될 수 있다. 예를 들어, 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제2 감지 패턴들(SP2) 각각은, 마름모 형상을 가지고, 상기 마름모의 중심 영역에 빈 공간이 형성될 수 있다. 이때, 스트레인 감지 패턴들(FS)은 상기 빈 공간에 배치되어 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제2 감지 패턴들(SP2)과 전기적으로 분리될 수 있다.
스트레인 감지 패턴들(FS)은 더미 패턴들(DP)과 동일한 배열을 가질 수 있다. 즉, 스트레인 감지 패턴들(FS) 각각은, 평면상에서 어느 하나의 제1 감지 패턴(SP1), 어느 하나의 제2 감지 패턴(SP2) 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸일 수 있으며, 더미 패턴들(DP) 각각은, 평면상에서 스트레인 감지 패턴들(FS)을 에워싸지 않은 다른 하나의 제1 감지 패턴(SP1) 및 다른 제2 감지 패턴(SP2)으로부터 에워싸일 수 있다.
이에 따라, 스트레인 감지 패턴들(FS)은 시인성 측면에서 더미 패턴들(DP)과 동일한 기능을 가질 수 있다. 스트레인 감지 패턴들(FS)이 더미 패터들(DP)과 유사한 배열을 가짐에 따라, 제1 감지 패턴들(SP1) 및 제2 감지 패턴들(SP2)의 형상이 외부로 시인되는 것을 방지할 수 있다.
스트레인 연결 패턴들(FB)은 제2 방향(D2)을 따라 이격되어 배치된 스트레인 감지 패턴들(FS)을 연결할 수 있다. 예를 들어, 서로 이격된 스트레인 감지 패턴들(FS) 사이에 배치되어 스트레인 감지 패턴들(FS)을 연결할 수 있다. 스트레인 연결 패턴들(FB)은 제1 연결 패턴들(BP1) 및 제2 연결 패턴들(BP2)과 이격될 수 있다.
스트레인 연결 패턴들(FB) 중 제2 방향(D2)을 따라 감지 영역(FA)에서 액티브 영역(AA)으로 연장된 스트레인 연결 패턴들(FB)은 설명의 편의를 위해 점선으로 표시하였다.
스트레인 라인들(FL1, FL2)은 주변 영역(NAA)에 배치된다. 스트레인 라인들(FL1, FL2)은 제1 스트레인 라인(FL1) 및 제2 스트레인 라인(FL2)을 포함할 수 있다. 제1 스트레인 라인(FL1)은 압력 감지 센서(FPS)의 일 단에 연결되고, 제2 스트레인 라인(FL2)은 압력 감지 센서(FPS)의 타 단에 연결될 수 있다. 따라서, 제1 스트레인 라인(FL1)과 제2 스트레인 라인(FL2)은 서로 다른 스트레인 연결 패턴들(FB)에 연결된다.
스트레인 패드들(F1, F2)은 제1 스트레인 패드(F1) 및 제2 스트레인 패드(F2)를 포함한다. 제1 스트레인 패드(F1)은 제1 스트레인 라인(FL1)과 연결되고, 제2 스트레인 패드(F2)는 제2 스트레인 라인(FL2)과 연결된다. 스트레인 패드들(F1, F2)은 도 1b에 도시된 제2 연성 회로 기판(TF)이 접속될 수 있다.
따라서, 압력 감지 센서(FPS)의 일 단 및 타 단 중 어느 하나는 구동 소자(MC, 도 1b 참조)로부터 전달된 구동 신호를 인가 받을 수 있으며, 다른 하나는 압력에 의해 측정된 저항 변화를 메인 회로 기판(MF)에 전달할 수 있다.
본 발명에 따른 전자 장치(ED, 도 1a 참조)는 복수의 도전층들(CL-1, CL-2) 및 감지 절연층들(TIL1, TIL2)을 포함할 수 있다. 도 5a 내지 도 5d에는 입력 감지 유닛(TU) 및 압력 감지 센서(FPS)를 감지 절연층들(TIL1, TIL2)을 기준으로 층 별로 도시하였다. 도전층들(CL-1, CL-2)에 포함된 구성들은 입력 감지 유닛(TU) 및 압력 감지 센서(FPS)의 일 구성들일 수 있다. 본 실시예에서, 감지 절연층들(TIL1, TIL2)은 입력 감지 유닛(TU)에 포함된 구성일 수 있다.
도 5a를 참조하면, 본 발명에 따른 제1 도전층(CL-1)은 표시 유닛(DU) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 도전층(CL-1)은 표시 유닛(DU) 중 봉지층(TFE, 도 2 참조) 상에 직접 배치되는 층으로 정의될 수 있다.
본 실시예에서, 제1 도전층(CL-1)은 입력 감지 유닛(TU)의 제1 연결 패턴들(BP1), 더미 패턴들(DP), 스트레인 감지 패턴들(FS), 및 스트레인 연결 패턴들(FB)을 포함할 수 있다. 제1 연결 패턴들(BP1), 더미 패턴들(DP), 스트레인 감지 패턴들(FS), 및 스트레인 연결 패턴들(FB)은 액티브 영역(AA)에 배치될 수 있다.
더미 패턴들(DP)은 스트레인 감지 패턴들(FS)과 이격된다. 더미 패턴들(DP) 중 일부는 감지 영역(FA) 내에 배치될 수 있다. 즉, 감지 영역(FA) 내에서 스트레인 감지 패턴들(FS)이 배치되지 않은 영역에 더미 패턴들(DP)이 배치될 수 있다. 스트레인 감지 패턴들(FS)과 더미 패턴들(DP)은 동일한 배열을 가질 수 있다. 이에 따라, 스트레인 감지 패턴들(FS)은 감지 영역(FA) 내에서 더미 패턴들(DP)과 동일한 기능을 가질 수 있다. 이에 따라, 시인성이 향상된 전자 장치(ED)를 제공할 수 있다.
스트레인 연결 패턴들(FB) 중 제2 방향(D2)을 따라 감지 영역(FA)에서 액티브 영역(AA)으로 연장된 스트레인 연결 패턴들(FB)은 설명의 편의를 위해 점선으로 표시하였다.
도 5b를 참조하면, 본 발명에 따른 제1 감지 절연층(TIL1)은 표시 유닛(DU)의 전 면 상에 배치되어 제1 도전층(CL-1)을 커버한다. 제1 감지 절연층(TIL1)은 복수의 개구부들(OP1, OP2)을 포함한다.
개구부들(OP1, OP2)은 제1 감지 절연층(TIL1)을 관통하여 형성될 수 있다. 제1 개구부들(OP1)은 제1 연결 패턴들(BP1)과 중첩할 수 있다. 후술할 제1 감지 패턴들(SP1)은 제1 감지 절연층(TIL1)에 정의된 제1 개구부들(OP1)을 통해 제1 연결 패턴들(BP1)과 연결될 수 있다. 제2 개구부들(OP2)은 스트레인 연결 패턴들(FB)과 중첩할 수 있다. 후술할 스트레인 라인들(FL1, FL2)은 제1 감지 절연층(TIL1)에 정의된 제2 개구부들(OP2)을 통해 스트레인 연결 패턴들(FB)과 연결될 수 있다.
제1 감지 절연층(TIL1)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제1 감지 절연층(TIL1)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 5c를 참조하면, 본 발명에 따른 제2 도전층(CL-2)은 제1 감지 절연층(TIL1) 상에 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 제2 도전층(CL-2)은 입력 감지 유닛(TU)의 제1 감지 패턴들(SP1), 제2 감지 패턴들(SP2), 및 제2 연결 패턴들(BP2), 감지 라인들(TL1, TL2, TL3), 스트레인 라인들(FL1, FL2), 및 복수의 패드들(T1, T2, T3, F1, F2)을 포함할 수 있다.
제1 감지 패턴들(SP1), 제2 감지 패턴들(SP2), 및 제2 연결 패턴들(BP2)은 액티브 영역(AA)에 배치되고, 감지 라인들(TL1, TL2, TL3), 스트레인 라인들(FL1, FL2), 및 복수의 패드들(T1, T2, T3, F1, F2)은 주변 영역(NAA)에 배치된다.
제1 감지 패턴들(SP1) 및 제2 감지 패턴들(SP2)은 서로 이격되고, 제2 연결 패턴들(BP2)는 서로 이격된 제2 감지 패턴들(SP2) 사이를 연결한다.
제1 감지 패턴들(SP1) 및 제2 감지 패턴들(SP2) 각각은 마름모 형상을 가지고, 상기 마름모의 중심 영역에 빈 공간이 형성될 수 있다. 이때, 제1 도전층(CL-1)에 배치된 스트레인 감지 패턴들(FS) 및 더미 패턴들(DP)은 서로 다른 상기 빈 공간과 중첩할 수 있다. 이에 따라, 하나의 제1 감지 패턴(SP1) 및 하나의 제2 감지 패턴(SP2) 각각은 평면상에서 중첩하는 하나의 스트레인 감지 패턴(FS) 또는 하나의 더미 패턴(DP)을 에워쌀 수 있다.
도 5d를 참조하면, 본 발명에 따른 제2 감지 절연층(TIL2)은 제1 절연층(TIL1)의 전 면 상에 배치되어 제2 도전층(CL-2)을 커버한다.
제2 감지 절연층(TIL2)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제2 감지 절연층(TIL2)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
도 6에는 제1 도전층(CL-1) 및 제2 도전층(CL-2) 중 감지 영역(FA)에 포함된 구성들을 확대하여 도시하였으며, 도 7에는 도 6의 QQ' 영역을 확대하여 도시하였다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제1 도전층(CL-1) 및 제2 도전층(CL-2)은 복수의 메쉬선들(MSL)을 포함할 수 있다. 메쉬선들(MSL)은 제4 방향(D4)으로 연장된 제1 메쉬선(MSL1) 및 제5 방향(R5)으로 연장되어 제1 메쉬선(MSL1)과 교차하는 제2 메쉬선(MSL2)을 포함한다. 제1 메쉬선(MSL1)과 제2 메쉬선(MSL2)은 소정의 메쉬 개구부들(MSL-OP1, MSL-OP2, MSL-OP3, MSL-OP4)을 형성할 수 있다.
제1 메쉬 개구부(MLS-OP1)는 감지 패턴들(SP1, SP2)이 갖는 메쉬선들(MSL)로 이루어질 수 있다. 도 6에는 일 예시로서 감지 패턴들(SP1, SP2) 중 제1 감지 패턴들(SP1)에 포함된 제1 메쉬 개구부(MLS-OP1)를 도시하였다.
제2 메쉬 개구부(MLS-OP2)는 더미 패턴들(DP)이 갖는 메쉬선들(MSL)로 이루어질 수 있다. 또한, 제3 메쉬 개구부(MLS-OP3) 및 제4 메쉬 개구부(MLS-OP4)는 스트레인 감지 패턴들(FS)이 갖는 메쉬선들(MSL)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 제2 메쉬 개구부(MSL-OP3)는 스트레인 감지 패턴들(FS)이 갖는 메쉬선들(MSL) 중 일부가 절단된 메쉬선들(MSL)로 이루어질 수 있으며, 제4 메쉬 개구부(MSL-OP4)는 스트레인 감지 패턴들(FS) 및 더미 패턴들(DP)이 갖는 메쉬선들(MSL) 중 일부가 절단된 메쉬선들(MSL)로 이루어질 수 있다.
메쉬 개구부들(MSL-OP1, MSL-OP2, MSL-OP3, MSL-OP4)은 유기발광소자(OLED, 도 3b 참조)에 의해 생성된 광이 제공되는 발광 영역들(PXL, 도 16b 참조)과 평면상에서 이격될 수 있다. 이에 따라, 표시 유닛(DU, 도 1b 참조)에서 제공되는 광은 메쉬선들(MSL)과 간섭되지 않고 윈도우 부재(WM, 도 1b 참조)로 제공될 수 있다.
도 6 및 도 7에는 감지 영역(FA) 중 압력에 따른 저항 변화가 감지되는 스트레인 감지 영역(AF)을 음영으로 도시하였다. 스트레인 감지 영역(AF)에는 압력 감지 센서(FPS)의 스트레인 감지 패턴들(FS) 중 하나의 스트레인 감지 패턴(FS)이 배치될 수 있다.
도 7에 도시된 것과 같이, 스트레인 감지 영역(AF)에 포함된 하나의 스트레인 감지 패턴(FS)은 선형(linear)일 수 있다. 스트레인 감지 영역(AF)에는 스트레인 감지 패턴(FS)이 선형을 이루기 위해 스트레인 감지 패턴들(FS)로부터 플로팅된 더미 패턴들(DP)이 배치될 수 있다. 도 7에 선형의 스트레인 감지 패턴(FS)을 굵은 선으로 표시하였다.
도시되지 않았으나, 압력 감지 센서(FPS, 도 4 참조)에 연결된 메인 회로 기판(MF, 도 1b 참조)은 휘스톤 브릿지(wheatstone bridge)와 같은 저항 변화 측정하는 회로를 포함할 수 있다. 스트레인 감지 패턴들(FS)은 세 개의 다른 저항들을 갖는 휘트스톤 브리지(wheatstone bridge)에 포함되어 가해진 압력에 의해 변환된 저항을 감지할 수 있다.
서로 이격된 스트레인 감지 패턴들(FS)은 스트레인 연결 패턴들(FB)에 의해 연결될 수 있다. 제1 도전층(CL-1)에 포함된 스트레인 연결 패턴들(FB)과 제1 연결 패턴들(BP1)은 서로 이격되며, 스트레인 연결 패턴들(FB)은 제2 도전층(CL-2)에 포함된 제2 연결 패턴들(BP2)과 평면상에서 서로 이격된다.
또한, 서로 다른층 상에 배치된 제1 연결 패턴들(BP1)과 제2 연결 패턴들(BP2)은 서로 이격된다. 본 발명에 따르면, 각각의 연결패턴들(BP1, BP2, FB)이 평면상에서 서로 이격됨에 따라, 기생 캡 발생 등 전기적인 간섭을 완화할 수 있다.
도 8을 참조하면, 스트레인 감지 패턴들(FS), 스트레인 연결 패턴들(FB), 더미 패턴들(DP), 및 제1 연결 패턴들(BP1)은 표시 유닛(DU) 상에 배치되고, 제1 감지 패턴들(SP1), 제2 감지 패턴들(SP2), 및 제2 연결 패턴들(BP2)은 제1 감지 절연층(TIL1) 상에 배치될 수 있다. 본 실시예에서, 스트레인 감지 패턴들(FS)은 제1 감지 패턴들(SP1), 제2 감지 패턴들(SP2)과 비 중첩 할 수 있다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다. 도 1a 내지 도 8에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 9는 도 7과 대응되는 영역을 확대한 평면도이다. 도 9를 참조하면, 일 실시에에 따른 압력 감지 센서(FPS-A)는 스트레인 감지 패턴들(FS-A), 스트레인 연결 패턴들(FB-A), 및 스트레인 추가 패턴들(BFD1, BFD2)를 포함한다.
도 7에 도시된 선형의 스트레인 감지 패턴들(FS)과 달리 일 실시예에 따른 스트레인 감지 패턴들(FS-A)은 사각 형상 및 선형이 연결되어 이루어질 수 있다. 예를 들어, 스트레인 추가 패턴들(BFD1, BFD2) 스트레인 감지 패턴들(FS-A) 사이에 배치되어 인접한 스트레인 감지 패턴들(FS-A)을 연결할 수 있다. 이에 따라, 선형과 사각 형상이 혼합되어 하나의 의 스트레인 감지 패턴(FS-A)을 형성할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 압력 감지 센서(FPS-A)는 스트레인 감지 패턴들(FS-A)은 상이한 너비를 가진 사각 형상 및 선형 형상의 스트레인 감지 패턴들(FS-A)을 포함함으로써, 압력에 의한 저항 변화를 보다 용이하게 감지할 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다. 도 1a 내지 도 8에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 10은 도 6에 도시된 영역과 대응되는 감지 영역(FA)을 확대한 평면도이다. 본 실시예에 따른 전자 장치(ED, 도 1a 참조) 온도 감지 센서(TPS)를 더 포함할 수 있다. 온도 감지 센서(TPS)는 온도 감지 패턴들(TS) 및 온도 연결 패턴들(TB)를 포함한다. 온도 감지 센서(TPS)는 제1 도전층(CL-1, 도 5a 참조)에 배치될 수 있다. 따라서, 온도 감지 센서(TPS)는 압력 감지 센서(FPS)와 동일층 상에 배치될 수 있다.
온도 감지 패턴들(TS) 및 온도 연결 패턴들(TB)은 감지 영역(FA)에 배치될 수 있다. 온도 감지 패턴들(TS)은 스트레인 감지 패턴들(FS), 제1 감지 패턴들(SP1), 제2 감지 패턴들(SP2), 및 더미 패턴들(DP)과 평면상에서 이격될 수 있다.
온도 감지 패턴들(TS) 각각은 평면상에서 어느 하나의 제1 감지 패턴(SP1), 어느 하나의 제2 감지 패턴(SP2) 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸일 수 있다.
온도 감지 패턴들(TS)은 선형일 수 있다. 따라서, 선형의 온도 감지 패턴들(TS) 내에는 더미 패턴들(DP)이 배치될 수 있다. 도 10에는 선형의 온도 감지 패턴들(TS)를 굵은 선으로 도시하였다.
온도 연결 패턴들(TB)은 서로 이격된 온도 감지 패턴들(TS)을 연결한다. 온도 연결 패턴들(TB)은 스트레인 연결 패턴들(FB)과 동일 층 상에 배치되고, 동일 형상을 가질 수 있다.
온도 감지 패턴들(TS)과 온도 연결 패턴들(TB)이 연결된 온도 감지 센서(TPS)는 선형일 수 있다. 도시 되지 않았으나, 온도 감지 센서(TPS)의 일 단 및 타 단 중 어느 하나는 구동 소자(MC, 도 1b 참조)로부터 전달된 구동 신호를 인가 받을 수 있으며, 다른 하나는 온도에 의해 측정된 온도 변화를 메인 회로 기판(MF)에 전달할 수 있다.
도시되지 않았으나, 온도 감지 센서(TPS, 도 4 참조)에 연결된 메인 회로 기판(MF, 도 1b 참조)은 휘스톤 브릿지(wheatstone bridge)와 같은 온도 변화를 측정하는 회로를 포함할 수 있다. 온도 감지 패턴들(TS)은 세 개의 다른 저항들을 갖는 휘트스톤 브리지(wheatstone bridge)에 포함되어 온도에 의해 변환된 저항을 감지할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 온도를 감지하는 별도의 모듈을 구비하지 않고, 입력 감지 유닛(TU, 도 1b 참조) 내에 배치된 압력 감지 센서(FPS) 및 온도 감지 센서(TPS)가 포함된 전자 장치(ED, 도 1b 참조)를 제공할 수 있다.
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다. 도 11b는 도 11b 의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다. 도 1a 내지 도 8에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 11a는 도 7과 대응되는 영역을 확대한 평면도이다. 도 11a를 참조하면, 일 실시에에 따른 전자 장치(ED, 도 1a 참조)는 서브 더미 패턴들(DP-S) 더 포함할 수 있다. 서브 더미 패턴들(DP-S)은 평면상에서 스트레인 감지 영역(AF)과 중첩하여 배치될 수 있다. 서브 더미 패턴들(DP-S)은 메쉬선들(MSL, 도 6 참조)을 포함할 수 있다.
스트레인 감지 영역(AF)에는 압력 감지 센서(FPS-B)에 포함된 스트레인 감지 패턴들(FS-B)이 배치될 수 있다. 본 실시예에 따른 압력 감지 센서(FPS-B)의 스트레인 감지 패턴들(FS-B) 및 스트레인 연결 패턴들(FB-B)은 도 7에 도시된 압력 감지 센서(FPS)의 스트레인 감지 패턴들(FS) 및 스트레인 연결 패턴들(FB)과 동일한 구성일 수 있다.
도 11b를 참조하면, 서브 더미 패턴들(DP-S)은 제1 감지 절연층(TIL1)을 사이에 두고 스트레인 감지 패턴들(FS-B)과 이격되어 배치된다. 서브 더미 패턴들(DP-S)은 스트레인 감지 패턴들(FS-B)과 중첩할 수 있다. 서브 더미 패턴들(DP-S)은 제1 감지 패턴들(SP1)및 제2 감지 패턴들(SP2)과 동일층 상에 배치될 수 있다.
서브 더미 패턴들(DP-S) 각각은 평면상에서 어느 하나의 제1 감지 패턴(SP1), 어느 하나의 제2 감지 패턴(SP2) 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸일 수 있다.
본 실시예에 따르면, 스트레인 감지 패턴들(FS-B)과 중첩하는 서브 더미 패턴들(DP-S)을 포함함으로써, 스트레인 감지 패턴들(FS-B)과 감지 패턴들(SP1, SP2) 간에 발생하는 기생 캡을 방지할 수 있다. 따라서, 서브 더미 패턴들(DP-S)을 포함함에 따라, 신뢰성이 향상된 입력 감지 유닛(TU, 도 1b 참조)을 제공할 수 있다.
도 12a는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다. 도 12b는 도 12b 의 III-III'를 따라 절단한 단면도이다. 도 1a 내지 도 8에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 12a는 도 7과 대응되는 영역을 확대한 평면도이다. 도 12a를 참조하면, 일 실시에에 따른 전자 장치(ED, 도 1a 참조)는 압력 감지 센서(FPS-C) 및 서브 더미 패턴들(DP-C)를 더 포함할 수 있다.
도 12a는 압력에 따른 저항 변화가 감지되는 스트레인 감지 영역(AF)을 음영으로 도시하였다. 스트레인 감지 영역(AF)에는 압력 감지 센서(FPS-C)의 스트레인 감지 패턴들(FS-C) 중 하나의 스트레인 감지 패턴(FS-C)이 배치될 수 있다. 도시되지 않았으나, 일 실시예에 따른 스트레인 감지 패턴들(FS-C)은 선형 일 수 있다.
도 12b를 참조하면, 스트레인 감지 패턴들(FS-C)은 감지 패턴들(SP1, SP2) 중 적어도 어느 하나와 중첩할 수 있다. 도 12a 및 12b에는 일 예시로서 제2 감지 패턴들(SP2)과 중첩하는 스트레인 감지 패턴들(FS-C)을 도시하였다.
스트레인 감지 패턴들(FS-C)은 제1 감지 절연층(TIL1)을 사이에 두고 감지 패턴들(SP1, SP2)과 이격되어 배치된다. 스트레인 감지 패턴들(FS-C)은 제2 감지 패턴들(SP2)과 중첩할 수 있다.
서브 더미 패턴들(DP-C) 각각은 평면상에서 어느 하나의 제1 감지 패턴(SP1), 어느 하나의 제2 감지 패턴(SP2) 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸일 수 있다. 서브 더미 패턴들(DP-C)은 도 11a 및 도 11b에 도시된 서브 더미 패턴들(DP-S)와 동일한 구성일 수 있다.
도 13a는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다. 도 13b는 도 13a의 IV-IV'를 따라 절단한 단면도이다. 도 1a 내지 도 8에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 13a는 도 7과 대응되는 영역을 확대한 평면도이다. 도 13a 및 도 13b를 참조하면, 일 실시에에 따른 전자 장치(ED, 도 1a 참조)는 복 층으로 된 스트레인 감지 패턴들(FS-D) 및 스트레인 연결 패턴들(FB-D)을 포함하는 압력 감지 센서(FPS-D)를 더 포함할 수 있다.
스트레인 감지 영역(AF)에는 복 층으로 된 감지 패턴들(FS-D)이 배치될 수 있다. 감지 패턴들(FS-D) 각각은 스트레인 감지 패턴들(FS-1) 및 보조 스트레인 감지 패턴들(FS-2)를 포함한다.
본 실시예에 따른 스트레인 감지 패턴들(FS-1) 및 스트레인 연결 패턴들(FB-D)은 도 6 및 7에 도시된 스트레인 감지 패턴들(FS) 및 스트레인 연결 패턴들(FB) 동일한 구성일 수 있다.
보조 스트레인 감지 패턴들(FS-2)의 적어도 일부는 평면상에서 스트레인 감지 패턴들(FS-1)과 중첩할 수 있다. 보조 스트레인 감지 패턴들(FS-2)은 제1 감지 절연층(TIL1)을 사이에 두고 제1 감지 절연층(TIL1)에 정의된 컨택홀들(CNT)을 통해 스트레인 감지 패턴들(FS-1)과 연결될 수 있다. 보조 스트레인 감지 패턴들(FS-2)은 감지 패턴들(SP1, SP2)과 동일층 상에 배치된다.
보조 스트레인 감지 패턴들(FS-2) 각각은 평면상에서 하나의 제1 감지 패턴(SP1), 하나의 제2 감지 패턴(SP2) 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸일 수 있다.
일 실시예에 따르면 복 층으로 된 스트레인 감지 패턴들(FS-D)을 포함하는 압력 감지 센서(FPS-D)를 포함함으로써, 압력에 대한 저항 변화를 감지하는 기능이 향상된 압력 감지 센서(FPS-D)를 제공할 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 감지 영역의 확대도이다. 도 1a 내지 도 8에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 14를 참조하면, 일 실시예에 따른 압력 감지 센서(FPS-E)는 면적이 상이한 스트레인 감지 영역들(AF1, AF2)을 포함할 수 있다. 도 14에는 스트레인 감지 영역들(AF1, AF2)을 음영으로 도시하였다.
스트레인 감지 영역들(AF1, AF2)은 저항 변화가 감지되는 영역으로 정의될 수 있다. 스트레인 감지 영역들(AF1, AF2) 선형의 스트레인 감지 패턴들(FS-E1, FS-E1)이 배치된다. 예를 들어, 제1 스트레인 감지 영역(AF1)은 선형의 제1 스트레인 감지 패턴들(FS-E1)이 배치되고, 제2 스트레인 감지 영역(AF2)은 선형의 제2 스트레인 감지 패턴들(FS-E2)이 배치될 수 있다. 스트레인 감지 패턴들(FS-E1, FS-E1)은 스트레인 연결 패턴들(FB-E)에 의해 연결될 수 있다.
도시되지 않았으나, 선형의 형상을 가지는 것이면 스트레인 감지 영역들(AF1, AF2) 내에 배치되는 스트레인 감지 패턴들(FS-E1, FS-E1)의 형상은 어느 하나에 한정되지 않는다.
제1 스트레인 감지 영역들(AF1) 각각은 빈 공간을 포함하는 마름모 형상일 수 있다. 제2 스트레인 감지 영역들(AF2) 각각은 빈 공간을 포함하지 않은 마름모 형상일 수 있다. 따라서, 하나의 제1 스트레인 감지 영역(AF1)의 면적은 하나의 제2 스트레인 감지 영역(AF2) 보다 작은 면적을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 서로 다른 면적의 스트레인 감지 영역들(AF1, AF2)을 갖는 압력 감지 센서(FPS-E)를 포함으로써, 압력에 대한 저항 변화를 감지하는 기능이 향상된 압력 감지 센서(FPS-E)를 제공할 수 있다.
도 15a는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 일 영역의 평면도이다. 도 15b는 도 15a 의 V-V'를 따라 절단한 단면도이다. 도 1a 내지 도 8에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 15a 내지 도 15c를 참조하면, 일 실시예에 따른 감지 영역(FA)은 홈 버튼 영역(H-FA)을 더 포함할 수 있다.
홈 버튼 영역(H-FA)은 액티브 영역(AA)과 감지 영역(FA)의 경계로부터 에워싸이고, 폐 라인(closed-line) 형상을 가질 수 있다. 홈 버튼 영역(H-FA)은 홈 버튼 영역(H-FA)에 배치된 스트레인 감지 패턴들(FS-F)에 의해 외부로 시인될 수 있다. 따라서, 별도의 전기적인 작동이 없이도 홈 버튼 영역(H-FA)을 인식할 수 있다.
홈 버튼 영역(H-FA)에 중첩하는 스트레인 감지 패턴들(FS-F)은 일 방향에서 제1 폭(W1)을 갖는다. 홈 버튼 영역(H-FA)과 인접한 영역에 배치되고, 스트레인 감지 패턴들(FS-F)과 이격된 감지 패턴들(SP1, SP2) 각각은 상기 일 방향에서 제2 폭(W2) 및 제3 폭(W3)을 갖는다.
제1 폭(W1)은 제2 폭(W2) 및 제3 폭(W3) 보다 클 수 있다. 예를 들어, 제1 폭(W1)은 4 micrometer(이하, um) 내지 5um일 수 있다. 제2 폭(W2) 및 제3 폭(W3)은 각각 2um 내지 3um 일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 홈 버튼 영역(H-FA)에 배치된 스트레인 감지 패턴들(FS-F)의 제1 폭(W1)이 이격된 감지 패턴들(SP1, SP2)이 갖는 폭(W2, W3)보다 큼에 따라, 용이하게 감지 영역(FA)이 사용자로부터 인식될 수 있다.
도 16a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 사시도이다. 도 16b는 도 16a의 VI-VI'를 따라 절단한 단면도이다. 도 16c는 본 발명의 일 실시예에 따른 압력 감지 센서의 평면도이다.
도 16a 내지 도 16c를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 모듈(DM-A)은 표시 유닛(DU-A), 입력 감지 유닛(TU-A), 및 서브 압력 감지 센서(SSP)를 포함한다. 도시되지 않았으나, 표시 모듈(DM-A)은 도 4 내지 도 8에서 설명한 압력 감지 센서(FPS)를 포함할 수 있다.
서브 압력 감지 센서(SSP)는 서브 스트레인 감지 패턴(SGP), 서브 스트레인 감지 라인들(SPL), 및 서브 스트레인 감지 패드들(SSP1, SSP2)을 포함한다. 스트레인 감지 라인(SGL)들은 선형으로 이루어진 서브 스트레인 감지 패턴(SGP)의 일 단 및 타 단에 연결되어 액티브 영역(AA)에서부터 주변 영역(NAA)으로 연장될 수 있다. 스트레인 감지 라인들(SPL)은 대응되는 서브 스트레인 감지 패드들(SSP1, SSP2)에 연결된다.
서브 스트레인 감지 패드들(SSP1, SSP2)은 제1 연성 회로 기판(FF, 도 1b 참조)을 통해 메인 회로 기판(MF)에 연결되어 서브 스트레인 감지 패턴(SGP)을 구동하기 위한 구동 신호를 수신하거나, 서브 스트레인 감지 패턴(SGP)에서 측정된 저항 변화를 메인 회로 기판(MF)에 제공할 수 있다.
표시 유닛(DU-A)은 베이스 기판(SUB) 상에 배치된 표시 회로층(CL), 표시 소자층(ED), 및 봉지층(TFE)을 포함할 수 있다.
표시 회로층(CL)은, 화소(PX), 및 복수의 절연층들(10, 20, 30, 40, 50, 60, PDL)을 포함할 수 있다. 또한, 표시 회로층(CL)에는 서브 압력 감지 센서(SSP)의 구성들이 배치될 수 있다. 표시 회로층(CL)에는 서브 압력 감지 센서(SSP)의 구성들이 배치될 수 있다.
절연층들(10, 20, 30, 40, 50, 60, PDL)은 제3 방향(D3)을 따라 순차적으로 적층된 제1 절연층(10), 제2 절연층(20), 제3 절연층(30), 제4 절연층(40), 제5 절연층(50), 제5 절연층(50), 및 화소 정의막(PDL)을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 화소(PX)는 복수의 박막 트랜지스터들(T1, T2, 도 3B 참조) 및 유기발광소자(OLED)를 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 박막 트랜지스터들(T1, T2) 중 구동 박막 트랜지스터(TR2)에 대응되는 박막 트랜지스터(TR)를 도시하였다.
박막 트랜지스터(TR)는 베이스 기판(BS) 상에 배치된다. 박막 트랜지스터(TR)는 반도체 패턴(SP), 제어 전극(CE), 입력 전극(IE), 출력 전극(OE), 상부 전극(UE), 및 차광 패턴(BP)을 포함할 수 있다.
반도체 패턴(SP)은 제1 절연층(10) 및 제2 절연층(20) 사이에 배치된다. 제어 전극(CE)은 제2 절연층(20) 및 제3 절연층(30) 사이에 배치될 수 있다. 제어 전극(CE)은 평면상에서 반도체 패턴(SP)에 중첩한다. 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50) 사이에 배치될 수 있다. 입력 전극(IE)은 동일한 층 상에 서로 이격되어 배치된다. 입력 전극(IE) 및 출력 전극(OE)은 제2 절연층(20), 제3 절연층(30), 및 제4 절연층(40)을 관통하여 반도체 패턴(SP)의 일 단 및 타 단에 각각 접속될 수 있다.
상부 전극(UE)은 제3 절연층(30) 및 제4 절연층(40) 사이에 배치될 수 있다. 상부 전극(UE)은 평면상에서 제어 전극(CE)과 중첩할 수 있다. 상부 전극(UE)은 다양한 전압을 수신할 수 있다. 예를 들어, 상부 전극(UE)은 제어 전극(CE)과 소정의 커패시턴스를 형성하도록 제어 전극(CE)과 상이한 전압을 수신할 수 있다.
또는, 상부 전극(UE)은 제어 전극(CE)과 연결되어 제어 전극(CE)과 동일한 전압을 수신할 수도 있다. 한편, 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 패널(EP)에 있어서, 상부 전극(UE)은 생략될 수도 있다.
차광 패턴(BP)은 베이스 기판(BS)과 제1 절연층(10) 사이에 배치될 수 있다. 차광 패턴(BP)은 베이스 기판(BS)의 배면에서 볼 때, 적어도 반도체 패턴(SP)과 전면적으로 중첩할 수 있다. 차광 패턴(BP)은 반도체 패턴(SP)에 입사되는 광을 차단할 수 있다.
본 실시예에서, 차광 패턴(BP)은 도전성 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 차광 패턴(BP)은 금속, 합금, 도전성 산화물, 및 도전성 폴리머 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
서브 압력 감지 센서(SSP)의 서브 스트레인 감지 패턴(SGP)은 차광 패턴(BP)과 동일 층 상에 배치될 수 있다. 서브 스트레인 감지 패턴(SGP)은 차광 패턴(BP)과 이격되어 배치된다.
유기발광소자(OLED)는 제5 절연층(50) 상에 배치된다. 유기발광소자(OLED)는 제3 방향(D3)을 따라 순차적으로 적층된 제1 전극(E1), 발광 패턴(EL), 및 제2 전극(E2)을 포함한다.
제1 전극(E1)은 제5 절연층(50)을 관통하여 박막 트랜지스터(TR)에 접속될 수도 있다. 화소 정의막(PDL)은 제4 절연층(40) 상에 배치된다. 화소 정의막(PDL)에는 개구부가 정의될 수 있다. 개구부는 제1 전극(E1)의 적어도 일부를 노출시킨다. 본 발명에 있어서, 화소 정의막(PDL) 중 제거되어 개구부가 형성된 영역은 발광 영역(PXL)으로 정의되고, 개구부 이외의 잔존하는 영역은 비 발광 영역(NPXL)으로 정의될 수 있다.
발광 패턴(EL)은 제1 전극(E1) 상에 배치된다. 발광 패턴(EL)의 적어도 일부는 제1 전극(E1)과 평면상에서 중첩할 수 있다. 발광 패턴(EL)은 발광 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 패턴(EL)은 적색, 녹색, 및 청색을 발광하는 물질들 중 적어도 어느 하나의 물질로 구성될 수 있으며, 형광 물질 또는 인광 물질을 포함할 수 있다. 또한, 발광 패턴(EL)은 유기 발광 물질, 또는 양자점과 같은 무기 발광 물질을 포함할 수 있다. 발광 패턴(EL)은 제1 전극(E1) 및 제2 전극(E2) 사이의 전위 차이에 응답하여 광을 발광할 수 있다.
제2 전극(E2)은 발광 패턴(EL) 상에 배치된다. 제2 전극(E2)은 제1 전극(E1)과 대향될 수 있다. 제2 전극(E2)은 미 도시된 전원 단자와 연결되어 전원 전압을 수신할 수 있다. 유기발광소자(OLED)는 제2 전극(E2)을 통해 제1 전원 전압과 상이한 제2 전원 전압을 수신한다.
제2 전극(E2)은 복수로 제공된 발광 패턴들 각각에 중첩할 수 있다. 예를 들어, 제2 전극(E2)는 화소 정의막(PDL) 및 화소 정의막(PDL)에 정의된 개구부로부터 노출된 발광 패턴들이 커버되도록 화소 정의막(PDL)의 전 면 상에 배치될 수 있다.
따라서, 제1 전극(E1), 발광 패턴(EL) 및 상기 발광 패턴(EL)과 대응되는 제2 전극(E2)의 일부는 제3 방향(D3)을 따라 순차적으로 적층될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제2 전극(E2)는 복수로 제공되어 발광 패턴들 중 대응되는 발광 패턴 상에 만 배치되는 패턴 형상으로 제공될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
제2 전극(E2)은 투과형 도전 물질 또는 반 투과형 도전 물질을 포함할 수 있다. 이에 따라, 발광 패턴(EL)에서 생성된 광은 제2 전극(E2)을 통해 제3 방향(D3)을 향해 용이하게 출사될 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것이고, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광소자(OLED)는 설계에 따라, 제1 전극(E1)이 투과형 또는 반 투과형 물질을 포함하는 배면 발광 방식으로 구동되거나, 전면과 배면 모두를 향해 발광하는 양면 발광 방식으로 구동될 수도 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
한편, 도시되지 않았으나, 유기발광소자(OLED)는 발광 패턴(EL)과 제1 전극(E1) 사이 및 발광 패턴(EL)과 제2 전극(E2) 사이 중 적어도 어느 하나에 배치되는 적어도 하나의 유기층 또는 적어도 하나의 무기층을 더 포함할 수 있다. 유기층 또는 무기층은 제1 전극(E1)과 제2 전극(E2)으로부터 발광 패턴(EL)에 유입되는 전하들의 이동을 제어하여 유기발광소자(OLED)의 광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.
봉지층(TFE)은 표시 소자층(ED) 상에 배치될 수 있다. 봉지층(TFE)은 유기발광소자(OLED) 상에 배치되어 유기발광소자(OLED)를 봉지한다. 도시되지 않았으나, 제2 전극(E2)과 봉지층(TFE) 사이에는 제2 전극(E2)을 커버하는 캡핑층이 더 배치될 수도 있다.
봉지층(TFE)은 제3 방향(D3)을 따라 순차적으로 적층된 제1 무기층(IOL1), 유기층(OL) 및 제2 무기층(IOL2)을 포함할 수 있다. 다만 이에 한정되지 않고, 봉지층(TFE)은 복수의 무기층들 및 유기층들을 더 포함할 수 있다.
제1 무기층(IOL1)은 제2 전극(E2)을 커버할 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 외부 수분이나 산소가 유기발광소자(OLED)에 침투하는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 제1 무기층(IOL1)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제1 무기층(IOL1)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1) 상에 배치되어 제1 무기층(IOL1)에 접촉할 수 있다. 유기층(OL)은 제1 무기층(IOL1) 상부를 평탄화시킬 수 있다. 제1 무기층(IOL1) 상면에 형성된 굴곡이나 제1 무기층(IOL1) 상에 존재하는 파티클(particle) 등은 유기층(OL)에 의해 커버되어 유기층(OL) 상에 형성되는 구성들에 미치는 영향을 차단할 수 있다. 또한, 유기층(OL)은 접촉하는 층들 사이의 응력을 완화시킬 수 있다. 유기층(OL)은 유기물을 포함할 수 있고, 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 공정과 같은 용액 공정을 통해 형성될 수 있다.
제2 무기층(IOL2)은 유기층(OL) 상에 배치되어 유기층(OL)을 커버한다. 제2 무기층(IOL2)은 제1 무기층(IOL1) 상에 배치되는 것보다 상대적으로 평탄한 면에 안정적으로 형성될 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 유기층(OL)으로부터 방출되는 수분 등을 봉지하여 외부로 유입되는 것을 방지한다. 제2 무기층(IOL2)은 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 실리콘 산질화물, 또는 이들이 조합된 화합물을 포함할 수 있다. 제2 무기층(IOL2)은 증착 공정을 통해 형성될 수 있다.
한편, 도시되지 않았으나, 봉지층(TFE)은 유리 기판을 포함할 수 있다. 이때, 봉지층(TFE)은 프릿 실(frit seal)을 통해 베이스 기판(BS) 상에 결합될 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 봉지층(TFE)은 발광소자(EMD)를 봉지할 수 있다면 다양한 형태로 제공될 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
입력 감지 유닛(TU-A)은 봉지층(TFE) 상에 직접 배치될 수 있다. 도 16b에는 일 예시로, 입력 감지 유닛(TU-A)에 포함된 제1 감지 전극들(TE1)과 압력 감지 센서(FPS)에 포함된 스트레인 감지 패턴들(FS)의 일부를 도시하였다.
봉지층(TFE) 상에는 제1 연결 패턴들(BP1) 및 스트레인 감지 패턴들(FS)이 배치된다. 제1 연결 패턴들(BP1) 및 스트레인 감지 패턴들(FS)은 비 발광 영역(NPXL)과 중첩한다. 단면상에서 제1 연결 패턴(BP1)의 끝 단 및 상기 끝 단과 마주하는 스트레인 감지 패턴(FS)의 끝 단 사이는 메쉬 개구부(MSL-OP)로 정의될 수 있다. 메쉬 개구부(MSL-OP)는 도 6에 설명한 메쉬 개구부들(MSL-OP1, MSL-OP2, MSL-OP3, MSL-OP4) 중 어느 하나와 대응될 수 있다. 메쉬 개구부(MSL-OP)는 발광 영역(PXL)과 비 중첩 함에 따라, 표시 유닛(DU-A)에서 제공되는 광은 입력 감지 유닛(TU-A) 및 압력 감지 센서(FPS)과 간섭되지 않고 전달될 수 있다.
본 발명에 따르면, 표시 회로층(CL)에 배치된 서브 스트레인 감지 패턴(SGP)의 적어도 일부는 봉지층(TFE) 상에 배치된 스트레인 감지 패턴(FS)과 중첩할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 입력 감지 유닛(TU-A)에 배치된 압력 감지 센서(FPS) 및 표시 유닛(DU-A)에 배치된 서브 압력 감지 센서(SSP)를 포함함에 따라, 압력에 대한 저항 변화를 감지하는 기능이 향상된 표시 모듈(DM-A)을 제공할 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
ED: 전자 장치
DM: 표시 모듈
DU: 표시 유닛
TU: 입력 감지 유닛
FA: 감지 영역
FPS: 압력 감지 센서
FS: 스트레인 감지 패턴들
FB: 스트레인 연결 패턴들
CL-1: 제1 도전층
CL-2: 제2 도전층
AF: 스트레인 감지 영역
DP: 더미 패턴들

Claims (20)

  1. 감지 영역을 포함하는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역과 인접한 주변 영역으로 구분되는 베이스 기판;
    상기 베이스 기판 상에 배치된 감지 절연층, 복수의 제1 감지 전극들, 상기 제1 감지 전극들과 이격된 복수의 제2 감지 전극들을 포함하는 입력 감지 유닛; 및
    상기 감지 영역과 중첩하는 복수의 스트레인 감지 패턴들 및 상기 스트레인 감지 패턴들을 연결하는 스트레인 연결 패턴들을 포함하는 압력 감지 센서를 포함하고,
    상기 제1 감지 전극들 각각은, 상기 액티브 영역과 중첩하는 복수의 제1 감지 패턴들, 상기 감지 절연층을 사이에 두고 상기 제1 감지 패턴들과 연결된 복수의 제1 연결 패턴들을 포함하고,
    상기 제2 감지 전극들 각각은, 상기 액티브 영역과 중첩하고 상기 제1 감지 패턴들과 동일층 상에 배치된 복수의 제2 감지 패턴들, 상기 제2 감지 패턴들과 연결된 복수의 제2 연결 패턴들을 포함하고,
    상기 스트레인 감지 패턴들은,
    상기 제1 연결 패턴들과 동일층 상에 배치되는 전자 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 스트레인 감지 패턴들은,
    평면상에서 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 전자 장치는,
    상기 스트레인 감지 패턴과 동일층 상에 배치되고, 평면상에서 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들로부터 에워싸인 더미 패턴들을 더 포함하고,
    상기 더미 패턴들은,
    상기 스트레인 감지 패턴들과 이격된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 더미 패턴들 중 적어도 어느 하나는,
    상기 스트레인 감지 패턴들 중 하나의 스트레인 감지 패턴으로부터 에워싸인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 전자 장치는,
    상기 스트레인 감지 패턴들과 동일층 상에 배치되고, 평면상에서 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 온도 감지 패턴들 및 상기 온도 감지 패턴들을 연결하는 온도 연결 패턴들을 포함하는 온도 감지 센서를 더 포함하고,
    상기 온도 감지 패턴들은,
    상기 더미 패턴들 및 상기 스트레인 감지 패턴들과 이격된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 스트레인 감지 패턴들은,
    메쉬선들을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 전자 장치는,
    상기 베이스 기판 및 상기 입력 감지 유닛 사이에 배치되고, 반도체 패턴을 포함하는 트랜지스터 및 상기 상기 베이스 기판 상에 배치되고 상기 반도체 패턴과 중첩하는 차광 패턴을 포함하는 표시 회로층; 및
    상기 트랜지스터에 연결되는 제1 전극, 상기 제1 전극과 대향하는 제2 전극, 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 사이에 배치되는 발광 패턴을 포함하는 표시 소자층을 포함하는 표시 유닛을 더 포함하고,
    상기 발광 패턴은,
    평면상에서 상기 메쉬선들과 이격된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 전자 장치는,
    상기 차광 패턴과 동일층 상에 배치된 서브 스트레인 감지 패턴 및 상기 서브 스트레인 감지 패턴과 연결된 서브 스트레인 감지 라인을 포함하는 서브 압력 감지 센서를 더 포함하고,
    상기 서브 스트레인 감지 패턴은,
    상기 스트레인 감지 패턴과 중첩하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 전자 장치는,
    상기 제1 감지 패턴들과 동일층 상에 배치되고, 상기 스트레인 감지 패턴들과 중첩하는 서브 더미 패턴들을 더 포함하고,
    상기 서브 더미 패턴들 각각은,
    평면상에서 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 스트레인 감지 패턴들 각각은,
    평면상에서 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 중 적어도 어느 하나와 중첩하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 압력 감지 센서는,
    상기 제1 감지 패턴들과 동일층 상에 배치되고, 상기 감지 절연층을 관통하여 상기 스트레인 감지 패턴들과 연결된 보조 스트레인 감지 패턴들을 더 포함하고,
    상기 보조 스트레인 감지 패턴들은,
    평면상에서 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    상기 감지 영역은,
    상기 액티브 영역과 상기 감지 영역의 경계로부터 에워싸이고, 폐 라인(closed-line) 형상을 갖는 홈 버튼 영역을 더 포함하고,
    단면상에서 상기 홈 버튼 영역과 중첩하는 상기 스트레인 연결 패턴들의 일 방향에서의 폭은, 상기 제1 감지 패턴들 및 상기 제2 감지 패턴들 각각의 상기 일 방향에서의 폭보다 큰 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  13. 제1 항에 있어서,
    상기 스트레인 감지 패턴들 각각은,
    선형(linear)인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 압력 감지 센서는,
    상기 주변 영역에 배치되고 상기 스트레인 연결 패턴들 중 어느 하나의 일 단에 연결된 제1 스트레인 라인, 및
    상기 주변 영역에 배치되고 상기 스트레인 연결 패턴들 중 다른 하나의 일 단에 연결된 제2 스트레인 라인을 포함하고,
    상기 제1 스트레인 라인과 상기 제2 스트레인 라인은 서로 다른 신호를 인가 받는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  15. 감지 절연층;
    상기 감지 절연층을 사이에 두고 이격된 제1 도전층 및 제2 도전층을 포함하고,
    상기 제1 도전층은,
    제1 연결 패턴, 평면상에서 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 더미 패턴, 및 상기 제1 연결 패턴, 상기 더미 패턴과 이격된 스트레인 감지 패턴 및 상기 스트레인 감지 패턴과 연결된 스트레인 연결 패턴을 포함하는 압력 감지 센서를 포함하고,
    상기 제2 도전층은,
    상기 감지 절연층을 관통하여 상기 제1 연결 패턴과 연결된 제1 감지 패턴, 상기 제1 감지 패턴과 이격된 제2 감지 패턴, 및 상기 제2 감지 패턴과 연결된 제2 연결 패턴을 포함하고,
    상기 스트레인 감지 패턴은,
    평면상에서 상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 전자 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 도전층은 상기 감지 절연층 하부에 배치되고, 상기 제2 도전층은 상기 감지 절연층 상에 배치되 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  17. 제16 항에 있어서,
    상기 제2 도전층은,
    상기 스트레인 감지 패턴과 중첩하는 서브 더미 패턴을 더 포함하고,
    상기 서브 더미 패턴은,
    평면상에서 상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴 중 적어도 어느 하나로부터 에워싸인 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 도전층 및 상기 제2 도전층은 메쉬선들을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 연결 패턴, 상기 제2 연결 패턴, 및 상기 스트레인 연결 패턴 각각은 평면상에서 서로 이격된 것을 특징으로 하는 전자 장치.
  20. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 도전층은,
    평면상에서 상기 제1 감지 패턴 및 상기 제2 감지 패턴 중 어느 하나로부터 에워싸인 온도 감지 패턴 및 상기 온도 감지 패턴을 연결하는 온도 연결 패턴을 더 포함하고,
    상기 온도 감지 패턴은,
    상기 스트레인 감지 패턴 및 상기 더미 패턴과 이격된 것을 특징으로 하는 전자 장치.

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