KR20230020051A - 표시 장치 - Google Patents

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KR20230020051A
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Abstract

표시 장치는, 각각이 제1 내지 제3 발광 영역들과 적어도 하나의 비발광 영역을 포함하는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고, 제1 내지 제3 발광 소자, 대응되는 상기 제1 내지 제3 발광 영역들과 중첩하는 개구부들이 정의된 화소 정의막, 및 적어도 일부의 개구부들 내부에 배치된 분할 패턴을 포함하는 표시 소자층을 포함한다. 상기 제2 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각은, 복수의 유닛 영역들을 포함하고, 상기 분할 패턴은, 상기 제2 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각을 상기 유닛 영역들로 분할한다. 상기 제2 영역의 비발광 영역은, 상기 제1 내지 제3 발광 영역들을 둘러싸는 제1 비발광 영역 및 제1 내지 제3 발광 영역들 각각의 유닛 영역들과 상기 제1 비발광 영역에 의해 둘러싸인 제2 비발광 영역을 포함하고, 상기 화소 정의막은, 상기 제1 영역의 상기 비발광 영역 및 상기 제2 영역의 상기 제1 비발광 영역과 중첩하고, 상기 분할 패턴과 서로 다른 투과율을 갖는다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 좀 더 상세히 2개의 모드로 동작할 수 있는 표시 장치에 관한 것이다.
스마트 폰, 태블릿, 노트북 컴퓨터, 자동차용 내비게이션 및 스마트 텔레비전 등과 같은 전자 장치들이 개발되고 있다. 이러한 전자 장치들은 정보제공을 위해 표시 장치를 구비한다.
사용자는 사용 상황에 부합하는 품질의 이미지를 요구한다. 예컨대, 자연광이 영향을 미치는 건물 밖에서 사용자는 좀 더 밝은 이미지를 요구한다. 예컨대, 개인 정보가 열람되는 전자 장치에서 사용자는 좁은 시야각의 이미지를 요구한다.
본 발명은 협소 시야각을 제공함과 동시에 반사율이 저감된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 분할된 화소 패턴들을 형성함에 있어, 공정 신뢰성이 개선된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명에 따른 표시 장치는, 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층; 및 상기 회로 소자층 상에 배치되고, 각각이 제1 내지 제3 발광 영역들과 적어도 하나의 비발광 영역을 포함하는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고, 대응되는 상기 제1 내지 제3 발광 영역으로 서로 다른 색의 광을 제공하는 제1 내지 제3 발광 소자, 대응되는 상기 제1 내지 제3 발광 영역들과 중첩하는 개구부들이 정의된 화소 정의막, 및 적어도 일부의 개구부들 내부에 배치된 분할 패턴을 포함하는 표시 소자층을 포함한다. 상기 제2 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각은, 복수의 유닛 영역들을 포함하고, 상기 분할 패턴은, 상기 제2 영역과 중첩하고, 상기 제2 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각을 상기 유닛 영역들로 분할하고, 상기 제2 영역의 비발광 영역은, 상기 제1 내지 제3 발광 영역들을 둘러싸는 제1 비발광 영역, 및 제1 내지 제3 발광 영역들 각각의 유닛 영역들과 상기 제1 비발광 영역에 의해 둘러싸인 제2 비발광 영역을 포함한다. 상기 화소 정의막은, 상기 제1 영역의 상기 비발광 영역 및 상기 제2 영역의 상기 제1 비발광 영역과 중첩하고, 상기 분할 패턴과 서로 다른 투과율을 갖는 갖는다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 화소 정의막은 차광 물질을 포함한 유기막으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 영역에서, 상기 제2 발광 영역의 면적은 상기 제1 발광 영역의 면적보다 크고, 상기 제3 발광 영역의 면적보다 작은 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 영역에서, 상기 유닛 영역들은, 상기 제1 발광 영역에 포함되는 제1 유닛 영역들, 상기 제2 발광 영역에 포함되는 제2 유닛 영역들, 및 상기 제3 발광 영역에 포함되는 제3 유닛 영역들을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 영역에서, 상기 제1 유닛 영역들 각각의 일 방향에서의 폭은 서로 동일하고, 상기 제2 유닛 영역들 각각의 일 방향에서의 폭은 서로 동일하고, 상기 제3 유닛 영역들 각각의 일 방향에서의 폭은 서로 동일한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 제1 내지 제3 발광 소자들 각각은, 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광층을 포함하고, 상기 화소 정의막의 상기 개구부들은, 상기 제1 전극들의 적어도 일부를 노출시키고, 상기 분할 패턴은, 상기 개구부들로부터 노출된 상기 제1 전극들 상에 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각은, 복수의 서브 유닛 영역들을 포함하고, 상기 서브 유닛 영역들은, 상기 제1 발광 영역에 포함된 제1 서브 유닛 영역들, 상기 제2 발광 영역에 포함된 제2 서브 유닛 영역들, 및 상기 제3 발광 영역에 포함된 제3 서브 유닛 영역들을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 영역에 중첩하고, 상기 개구부들로부터 노출된 제1 전극들 상에 배치되고, 상기 분할 패턴과 동일 물질을 포함하는 서브 분할 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 영역의 상기 제1 내지 제3 서브 유닛 영역들은, 상기 서브 분할 패턴에 의해 분할된 상기 개구부들의 면적에 의해 정의되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 서브 유닛 영역들 각각의 면적의 합은 상기 제2 영역의 상기 제1 유닛 영역들 각각의 면적의 합과 동일하고, 상기 제2 서브 유닛 영역들 각각의 면적의 합은 상기 제2 영역의 상기 제2 유닛 영역들 각각의 면적의 합과 동일하고, 상기 제3 서브 유닛 영역들 각각의 면적의 합은 상기 제2 영역의 상기 제3 유닛 영역들 각각의 면적의 합과 동일한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 표시 패널 상에 배치된 적어도 하나의 절연층, 상기 절연층 상에 배치되는 제1 평탄화층, 상기 제1 평탄화층 상에 배치되는 차광 패턴, 상기 제1 평탄화층 상에 배치되고 상기 차광 패턴을 커버하는 제2 평탄화층을 포함하고, 상기 차광 패턴은, 상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 각각에 배치된 상기 화소 정의막 및 상기 분할 패턴 상에 배치되고, 상기 서브 분할 패턴과 비 중첩하게 배치되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 영역에서, 상기 비발광 영역은, 상기 제1 내지 제3 발광 영역들을 둘러싸는 제1 주변 영역 및 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 및 상기 제1 주변 영역에 의해 둘러싸인 제1 중심 영역을 포함하고, 상기 제1 중심 영역과 중첩하게 배치되고, 상기 분할 패턴과 동일 물질을 포함하는 제1 중심 분할 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 영역에서, 상기 제1 비발광 영역은, 상기 제1 내지 제3 발광 영역들을 둘러싸는 제2 주변 영역 및 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 및 상기 제1 주변 영역에 의해 둘러싸인 제2 중심 영역을 포함하고, 상기 제2 중심 영역과 중첩하게 배치되고, 상기 분할 패턴과 동일 물질을 포함하는 제2 중심 분할 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제2 영역에서, 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각은 복수의 서브 유닛 영역들을 포함하고, 상기 표시 소자층은, 상기 제1 영역에 중첩하고, 상기 개구부들로부터 노출된 제1 전극들 상에 배치되는 서브 분할 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 영역의 상기 서브 유닛 영역들은, 상기 서브 분할 패턴에 의해 분할된 상기 개구부들의 면적에 의해 정의되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 표시 소자층은, 적어도 일부의 상기 화소 정의막 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 영역 중 적어도 하나의 상기 제1 내지 제3 발광 영역들로 둘러싸인 지지 패턴을 포함하고, 상기 지지 패턴 및 상기 분할 패턴은, 고분자 물질 및 실리콘 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 및 제2 영역 각각에서, 상기 제1 발광 영역들은 두 개로 제공되며, 상기 두 개의 제1 발광 영역들은 제1 방향으로 배열되고, 상기 제2 발광 영역 및 상기 제3 발광 영역은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격하여 배열되고, 상기 지지 패턴은, 상기 제1 발광 영역들 사이에 배치되어 상기 제1 발광 영역들과 상기 제1 방향으로 나열되고, 상기 제2 및 제3 발광 영역들 사이에 배치되어 상기 제2 및 제3 발광 영역들과 상기 제2 방향으로 나열되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 지지 패턴은, 상기 제1 방향으로 연장된 제1 장변 및 상기 제2 방향으로 연장된 제2 단변을 포함하는 직사각형 형상을 갖고, 상기 제1 장변의 길이는, 5 마이크로미터 이상 30 마이크로미터 이하이고, 상기 제1 단변의 길이는, 3 마이크로미터 이상 20 마이크로미터 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 표시 소자층은, 상기 제1 및 제2 영역 각각의 상기 제1 발광 영역들 사이에 배치되어 상기 제2 방향으로 나열되고, 상기 제1 영역의 상기 제3 발광 영역 및 상기 제2 영역의 상기 제2 발광 영역 사이에 배치되어 상기 제1 방향으로 나열되는 서브 지지 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 서브 지지 패턴은, 상기 제2 방향으로 연장된 제2 장변 및 상기 제1 방향으로 연장된 제2 단변을 포함하는 직사각형 형상을 갖고, 상기 제2 장변의 길이는, 5 마이크로미터 이상 30 마이크로미터 이하이고, 상기 제2 단변의 길이는, 3 마이크로미터 이상 15 마이크로미터 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 지지 패턴 및 상기 서브 지지 패턴 각각으로부터 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 중 가장 인접한 제1 내지 제3 발광 영역들까지의 이격 거리는, 3 마이크로미터 이상 15 마이크로미터 이하인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 표시 패널은, 제1 동작모드에서 상기 제1 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 소자들 및 상기 제2 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 소자들을 활성화시키고, 제2 동작모드에서 상기 제1 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 소자들을 비-활성화시키고, 상기 제2 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 소자들을 활성화시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 서로 다른 색의 광을 제공하는 발광 영역들을 정의하는 화소 정의막은 차광 물질을 포함함으로써, 반사율이 저감된 표시 장치를 제공할 수 있다.
본 발명은, 프라이빗 동작모드에서 활성화 되는 발광 영역들 각각을 분할하는 분할 패턴은 화소 정의막보다 패터닝의 공정 산포가 적은 물질을 포함함으로써, 공정 신뢰성이 개선된 표시 장치를 제공할 수 있다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다.
도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다.
도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다.
도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지 패널의 평면도이다.
도 5b는 도 5a의 TT' 영역을 확대한 평면도이다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 영역의 평면도이다.
도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 영역의 일 영역을 확대한 평면도이다.
도 6c는 도 6a의 I-I'를 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다.
도 6d는 도 6a의 II-II'를 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 영역의 평면도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 영역의 일 영역을 확대한 평면도이다.
도 7c는 도 7a의 III-III'를 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 영역의 평면도이다.
도 8b는 도 8a의 IV-IV'를 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다.
도 8c는 도 8a의 V-V'를 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 영역의 평면도이다.
도 9b는 도 9a의 VI-VI'를 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다.
도 10a는 본 발명의 일 실시예에 표시 모듈의 단면도이다.
도 10b는 본 발명의 일 실시예에 표시 모듈의 단면도이다.
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 액티브 영역의 평면도이다.
도 11b는 본 발명의 일 실시예에 액티브 영역의 평면도이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. "및/또는"은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안 된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 사시도이다. 도 1b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다. 도 2a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다. 도 2b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다.
도 1a를 참조하면, 표시 장치(DD)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 표시 장치(DD는 다양한 실시예들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표시 장치(DD)는 텔레비전, 모니터, 또는 외부 광고판과 같은 대형 표시 장치를 비롯하여, 퍼스널 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 개인 디지털 단말기, 자동차 내비게이션 유닛, 게임기, 휴대용 전자 기기, 또는 카메라와 같은 중소형 표시 장치 등에 사용될 수 있다. 본 실시예에서, 표시 장치(DD)는 스마트 폰으로 예시적으로 도시하였다.
표시 장치(DD)는 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 평행한 표시면(FS)에, 제3 방향(DR3)을 향해 영상(IM)을 표시할 수 있다. 영상(IM)은 동적인 영상은 물론 정지 영상을 포함할 수 있다. 도 1a에서 영상(IM)의 일 예로 시계 창 및 아이콘들이 도시 되었다. 영상(IM)이 표시되는 표시면(FS)은 표시 장치(DD)의 전면(front surface)과 대응될 수 있으며, 윈도우 패널(WP)의 전면과 대응될 수 있다.
본 실시예에서는 영상(IM)이 표시되는 방향을 기준으로 각 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)이 정의된다. 전면과 배면은 제3 방향(DR3)에서 서로 대향되고, 전면과 배면 각각의 법선 방향은 제3 방향(DR3)과 평행할 수 있다. 한편, 제1 내지 제3 방향들(DR1, DR2, DR3)이 지시하는 방향은 상대적인 개념으로서 다른 방향으로 변환될 수 있다. 본 명세서에서 "평면 상에서"는 제3 방향(DR3)에서 보았을 때를 의미할 수 있다.
도 1b를 참조하면, 표시 장치(DD)는 윈도우 패널(WP), 표시 모듈(DM), 및 하우징(HU)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 윈도우 패널(WP)과 하우징(HU)은 서로 결합되어 표시 장치(DD)의 외관을 구성할 수 있다.
윈도우 패널(WP)은 광학적으로 투명한 절연 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 윈도우 패널(WP)은 유리 또는 플라스틱을 포함할 수 있다. 윈도우 패널(WP)의 전면은 상술한 바와 같이, 표시 장치(DD)의 표시면(FS)을 정의할 수 있다. 표시면(FS)은 투과 영역(TA)과 베젤 영역(BZA)을 포함할 수 있다. 투과 영역(TA)은 광학적으로 투명한 영역일 수 있다. 예를 들어, 투과 영역(TA)은 약 90% 이상의 가시광선 투과율을 가진 영역일 수 있다.
베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 비해 상대적으로 광 투과율이 낮은 영역일 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)의 형상을 정의할 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 투과 영역(TA)에 인접하며, 투과 영역(TA)을 에워쌀 수 있다. 베젤 영역(BZA)은 표시 모듈(DM)의 주변 영역(NAA)을 커버하여 주변 영역(NAA)이 외부에서 시인되는 것을 차단할 수 있다. 한편. 이는 예시적으로 도시한 것으로 본 발명의 일 실시예에 따른 윈도우 패널(WP)에 있어서, 베젤 영역(BZA)은 생략될 수 있다.
표시 모듈(DM)은 영상(IM)을 표시하고 외부 입력을 감지할 수 있다. 표시 모듈(DM)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)을 포함하는 전면(IS)을 포함할 수 있다. 액티브 영역(AA)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다.
본 실시예에서, 액티브 영역(AA)은 영상(IM)이 표시되는 영역이며, 동시에 외부 입력이 감지되는 영역일 수 있다. 투과 영역(TA)은 액티브 영역(AA)의 적어도 일부와 중첩할 수 있다. 예를 들어, 투과 영역(TA)은 액티브 영역(AA)의 전 면 또는 적어도 일부와 중첩할 수 있다.
주변 영역(NAA)은 베젤 영역(BZA)에 의해 커버되는 영역일 수 있다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)에 인접할 수 있다. 주변 영역(NAA)은 액티브 영역(AA)을 에워쌀 수 있다. 주변 영역(NAA)에는 액티브 영역(AA)을 구동하기 위한 구동 회로나 구동 배선 등이 배치될 수 있다.
본 실시예에서, 표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP), 입력 센서(ISL), 및 구동 회로(DC)를 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 실질적으로 영상(IM)을 생성하는 구성일 수 있다. 표시 패널(DP)이 생성하는 영상(IM)은 투과 영역(TA)을 통해 외부에서 사용자에게 시인될 수 있다.
입력 센서(ISL)는 외부에서 인가되는 외부 입력을 센싱할 수 있다. 상술한 바와 같이, 입력 센서(ISL)는 윈도우 패널(WP)에 제공되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 표시 장치(DD)의 외부에서 제공되는 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 외부 입력은 사용자의 손 등 신체의 일부에 의한 접촉은 물론 표시 장치(DD)와 근접하거나, 소정의 거리로 인접하여 인가되는 외부 입력(예를 들어, 호버링)을 포함할 수 있다. 또한, 외부 입력은 힘, 압력, 광 등 다양한 형태의 입력들을 포함할 수 있으며, 어느 하나의 실시예로 한정되지 않는다.
구동 회로(DC)는 표시 패널(DP) 및 입력 센서(ISL)와 전기적으로 연결될 수 있다. 구동 회로(DC)는 메인 회로 기판(MB) 및 연성 회로 기판(CF)을 포함할 수 있다.
연성 회로 기판(CF)은 표시 패널(DP)과 전기적으로 연결될 수 있다. 연성 회로 기판(CF)은 표시 패널(DP)과 메인 회로 기판(MB)을 연결할 수 있다. 다만, 이는 예시적으로 도시한 것으로 본 발명에 따른 연성 회로 기판(CF)은 메인 회로 기판(MB)과 연결되지 않을 수 있고, 연성 회로 기판(CF)은 리지드한 기판일 수 있다.
연성 회로 기판(CF)은 주변 영역(NAA)에 배치된 표시 패널(DP)의 패드들(표시 패드들)에 접속될 수 있다. 연성 회로 기판(CF)은 표시 패널(DP)을 구동하기 위한 전기적 신호를 표시 패널(DP)에 제공할 수 있다. 전기적 신호는 연성 회로 기판(CF)에서 생성되거나 메인 회로 기판(MB)에서 생성된 것일 수 있다.
메인 회로 기판(MB)은 표시 모듈(DM)을 구동하기 위한 각종 구동 회로나 전원 공급을 위한 커넥터 등을 포함할 수 있다. 메인 회로 기판(MB)은 연성 회로 기판(CF)을 통해 표시 모듈(DM)에 접속될 수 있다.
일 실시예에 따른 표시 모듈(DM)는 하나의 메인 회로 기판(MB)을 통해 표시 모듈(DM)을 용이하게 제어할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로, 표시 패널(DP)과 입력 센서(ISL)는 서로 다른 메인 회로 기판에 연결될 수 있다.
하우징(HU)은 윈도우 패널(WP)과 결합될 수 있다. 하우징(HU)은 윈도우 패널(WP)과 결합되어 소정의 내부 공간을 제공할 수 있다. 표시 모듈(DM)은 내부 공간에 수용될 수 있다.
하우징(HU)은 상대적으로 강성이 높은 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 하우징(HU)은 유리, 플라스틱, 또는 금속을 포함하거나, 이들의 조합으로 구성된 복수 개의 프레임 및/또는 플레이트를 포함할 수 있다. 하우징(HU)은 내부 공간에 수용된 표시 장치(DD)의 구성들을 외부 충격으로부터 안정적으로 보호할 수 있다.
도 2a를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 모듈(DM)은 표시 패널(DP), 입력 센서(ISL), 차광층(PVL), 및 광학 부재(POL)를 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 베이스층(BL), 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 및 박막 봉지층(TFL)을 포함할 수 있다.
표시 패널(DP)은 복수 개의 절연층들 및 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식에 의해 절연층, 반도체층 및 도전층은 형성될 수 있다. 이후, 포토리소그래피 및 에칭에 의해 절연층, 반도체층 및 도전층은 선택적으로 패터닝 될 수 있다. 이러한 방식으로 회로 소자층(DP-CL) 및 표시 소자층(DP-OLED)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 신호 라인 등은 형성될 수 있다.
베이스층(BL)은 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 박막 봉지층(TFL), 입력 센서(ISL)가 적층될 수 있는 기저층일 수 있다. 베이스층(BL)은 플렉서블하거나 리지드 할 수 있으며, 단층으로 제공되거나 복층 구조를 가질 수 있으며 어느 하나로 한정되지 않는다.
회로 소자층(DP-CL)은 베이스층(BL) 상에 배치될 수 있다. 회로 소자층(DP-CL)은 복수의 절연층들, 복수의 도전층들 및 반도체층을 포함할 수 있다. 회로 소자층(DP-CL)의 복수의 도전층들은 신호 라인들 또는 화소(PX, 도 3a 참조)의 제어 회로를 구성할 수 있다.
표시 소자층(DP-OLED)은 회로 소자층(DP-CL) 상에 배치될 수 있다. 표시 소자층(DP-OLED)은 유기 발광 소자들을 포함할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 소자층(DP-OLED)은 무기 발광 소자들, 유기-무기 발광 소자들, 또는 액정층을 포함할 수 있다.
박막 봉지층(TFL)은 유기층 및 상기 유기층을 밀봉하는 복수의 무기층들을 포함할 수 있다. 박막 봉지층(TFL)은 표시 소자층(DP-OLED)을 밀봉하여 표시 소자층(DP-OLED)으로 유입되는 수분 및 산소를 차단할 수 있다.
입력 센서(ISL)는 박막 봉지층(TFL) 상에 배치된다. 입력 센서(ISL)는 연속 공정을 통해 박막 봉지층(TFL) 상에 형성될 수 있다. 이 경우, 입력 센서(ISL)는 표시 패널(DP) 상에 '직접 배치'된다고 표현될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 입력 센서(ISL)와 표시 패널(DP) 사이에 제3 의 구성요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 입력 센서(ISL)와 표시 패널(DP) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다.
입력 센서(ISL)는 자기 정전 용량식(self-capacitance type) 및 상호 정전 용량식(mutual capacitance type) 중 어느 한 방식에 의해 외부 입력을 감지할 수 있다. 입력 센서(ISL)에 포함된 감지 패턴들은 방식에 부합하게 다양하게 변형되어 배치 및 연결될 수 있다.
차광층(PVL)은 입력 센서(ISL) 상에 배치된다. 차광층(PVL)은 후술하는 제1 평탄화층(PVX1), 제2 평탄화층(PVX2), 및 제1 및 제2 평탄화층(PVX1, PVX2) 사이에 배치되는 차광 패턴(BM)을 포함할 수 있다. 차광층(PVL)은 본 발명의 표시 장치(DD)가 개인 모드(이하, 제1 동작모드)로 작동할 때 발광되는 일 영역 상에 배치되어 좁은 시야각으로 방출되는 광의 혼색을 방지하는 기능을 할 수 있다.
광학 부재(POL)는 차광층(PVL) 상에 배치되어 표시 패널(DP)에 입사되는 광에 대한 표시 패널(DP)의 외광 반사율을 감소시킬 수 있다. 예를 들어, 광학 부재(POL)는 반사 방지 필름, 편광 필름, 및 그레이 필터 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
도 2b를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 모듈(DM-1)은 표시 패널(DP), 입력 센서(ISL), 차광층(PVL), 및 광 필터 부재(OM)를 포함할 수 있다.
본 실시예에서, 광 필터 부재(OM)는 차광층(PVL) 상에 배치될 수 있다. 광 필터 부재(OM)는 표시 패널(DP)에서 제공된 광을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 광 필터 부재(OM)는 복수의 컬러 필터들 및 컬러 필터들 사이에 배치된 광 차단 패턴을 포함할 수 있다. 컬러 필터들은 적색, 녹색, 및 청색 광 중 대응되는 광을 선택적으로 투과시킬 수 있다. 이때, 컬러 필터들 각각은 고분자 감광 수지와 안료 또는 염료를 포함하는 것일 수 있다.
또한, 광 필터 부재(OM)는 컬러 필터들 상에 배치되는 평탄화층을 더 포함할 수 있다. 평탄화층은 컬러 필터들 상에 배치되어 컬러 필터들의 형성 과정에서 발생된 요철을 커버할 수 있다. 이에 따라, 광 필터 부재(OM) 상에 배치되는 구성이 안정적으로 광 필터 부재(OM)와 결합될 수 있다.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 평면도이다. 도 3b는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 3a를 참조하면, 표시 패널(DP)은 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)으로 구분될 수 있다. 표시 패널(DP)의 액티브 영역(AA)은 영상이 표시되는 영역이고, 주변 영역(NAA)은 구동 회로나 구동 배선 등이 배치된 영역일 수 있다. 액티브 영역(AA)에는 복수의 화소들(PX) 각각의 발광 소자들이 배치될 수 있다.
표시 패널(DP)은 구동 회로(GDC), 복수의 신호 라인들(SGL), 복수의 화소들(PX), 복수의 하부 컨택홀들(CTN1, CTN2, CTN3), 복수의 컨택 라인들(CTL1, CTL2, CTL3) 및 대응되는 컨택 라인에 연결된 복수의 패드들(PD)을 포함할 수 있다.
화소들(PX) 각각은 발광 소자와 그에 연결된 복수의 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 화소들(PX)은 인가되는 전기적 신호에 대응하여 광을 발광할 수 있다.
신호 라인들(SGL)은 스캔 라인들(GL), 데이터 라인들(DL), 전원 라인(PL), 및 제어 신호 라인(CSL)을 포함할 수 있다. 스캔 라인들(GL)은 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결될 수 있다. 데이터 라인들(DL)은 화소들(PX) 중 대응하는 화소(PX)에 각각 연결될 수 있다. 전원 라인(PL)은 화소들(PX)에 연결되어 전원 전압을 제공할 수 있다. 제어 신호 라인(CSL)은 주사 구동 회로에 제어 신호들을 제공할 수 있다.
구동 회로(GDC)는 주변 영역(NAA)에 배치될 수 있다. 구동 회로(GDC)는 주사 구동 회로를 포함할 수 있다. 주사 구동 회로는 스캔 신호들을 생성하고, 스캔 신호들을 스캔 라인들(GL)에 순차적으로 출력할 수 있다. 주사 구동 회로는 화소들(PX)의 구동 회로에 또 다른 제어 신호를 더 출력할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 표시 패널(DP)은 벤딩 영역(BA) 및 벤딩 영역(BA)과 인접한 비벤딩 영역(NBA)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP) 중 벤딩 영역(BA)은 도 1b에서 설명한 연성 회로 기판(CF)이 부착되어 표시 패널(DP)의 배면을 향해 벤딩되는 영역일 수 있다. 따라서, 연성 회로 기판(CF)과 메인 회로 기판(MB)은 표시 패널(DP)의 벤딩 영역(BA)에 부착된 상태에서 표시 패널(DP)의 배면 상에 배치될 수 있다. 데이터 라인들(DL) 및 신호 라인들(SGL)은 비벤딩 영역(NBA)에서 벤딩 영역(BA)으로 연장되어 대응되는 패드들(PD)에 연결될 수 있다.
표시 패널(DP)은 주변 영역(NAA)에 정의된 하부 컨택홀들(CTN1, CTN2, CTN3)을 포함할 수 있다. 하부 컨택홀들(CTN1, CTN2, CTN3)은 후술하는 입력 센서(ISL)의 상부 컨택홀들(CTN-1, CTN-2, CTN-3)과 중첩할 수 있다.
컨택 라인들(CTL1, CTL2, CTL3)은 하부 컨택홀들(CTN1, CTN2, CTN3)에서 벤딩 영역(BA)으로 연장되어 대응되는 패드들(PD)과 연결될 수 있다.
도 3a에는 3개의 하부 컨택홀들(CTN1, CTN2, CTN3)을 도시하였으나, 이는 하부 컨택홀들의 배치 관계를 예시적으로 도시한 것이고, 입력 센서(ISL)의 상부 컨택홀들과 중첩하는 것이면, 하부 컨택홀들의 배치 관계 및 개수는 어느 하나로 한정되지 않는다.
도 3b를 참조하면, 표시 패널(DP)은 베이스층(BL), 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 및 박막 봉지층(TFL)을 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)의 적층 구조는 특별히 제한되지 않는다.
베이스층(BL)은 합성수지 필름을 포함할 수 있다. 그밖에 베이스층(BL)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 유/무기 복합재료 기판 등을 포함할 수 있다. 베이스층(BL)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 배치된다. 버퍼층(BFL)은 베이스층(BL)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킨다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있다. 실리콘옥사이드층과 실리콘나이트라이드층은 교번하게 적층될 수 있다.
버퍼층(BFL) 상에 반도체 패턴이 배치된다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘 또는 금속 산화물을 포함할 수도 있다.
도 3b에 도시된 것과 같이, 트랜지스터(T1)의 소스(S1), 액티브(A1), 드레인(D1)이 반도체 패턴으로부터 형성된다. 도 3b에는 반도체 패턴으로부터 형성된 신호 전달영역(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 신호 전달영역(SCL)은 평면 상에서 트랜지스터(T1)의 드레인(D1)에 연결될 수 있다.
버퍼층(BFL) 상에 제1 절연층(10) 내지 제6 절연층(60)이 배치된다. 제1 절연층(10) 내지 제6 절연층(60)은 무기층 또는 유기층일 수 있다. 제1 절연층(10) 상에 게이트(G1)가 배치된다. 제2 절연층(20) 상에 상부전극(UE)이 배치될 수 있다. 제3 절연층(30) 상에 제1 연결전극(CNE1)이 배치될 수 있다. 제1 연결전극(CNE1)은 제1 내지 제3 절연층(10 내지 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 신호 전달영역(SCL)에 접속될 수 있다. 제5 절연층(50) 상에 제2 연결전극(CNE2)이 배치될 수 있다. 제2 연결전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(60) 상에 발광소자(OLED)가 배치된다. 제6 절연층(60) 상에 제1 전극(AE)이 배치된다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(60)을 관통하는 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결전극(CNE2)에 연결된다. 화소 정의막(PDL)에는 개구부(OP)가 정의된다. 개구부(OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킨다. 실질적으로 발광 영역(PXA)은 개구부(OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의될 수 있다. 비발광 영역(NPXA)은 액티브 영역(AA, 도 3a 참조) 내에서 발광 영역(PXA)을 제외한 영역에 해당한다.
정공 제어층(HCL)은 발광 영역(PXA)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층(HCL)은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층(HCL) 상에 발광층(EML)이 배치된다. 발광층(EML)은 개구부(OP)에 대응하는 영역에 배치될 수 있다. 발광층(EML) 상에 전자 제어층(ECL)이 배치된다. 전자 제어층(ECL)은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 전자 제어층(ECL) 상에 제2 전극(CE)이 배치된다.
제2 전극(CE) 상에 박막 절연층(TFL)이 배치된다. 박막 절연층(TFL)은 복수 개의 박막들을 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에서, 박막 절연층(TFL)의 하부에 캡핑층이 더 포함될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다. 도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 감지 패널의 평면도이다. 도 5b는 도 5a에 도시된 TT' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 표시 모듈(DM)의 입력 센서(ISL)는 표시 패널(DP) 상에 직접 배치될 수 있다. 도 4a의 표시 모듈(DM)은, 도 2a 및 도 2b에서 설명한 표시 모듈(DM, DM-1)의 구성들 중 입력 센서(ISL) 상에 배치된 구성들은 생략되어 도시 되었다. 도 3b를 통해 표시 패널(DP)의 적층 구조를 설명하였으므로, 이에 대한 설명은 생략하고, 입력 센서(ISL)의 적층 구조를 설명한다.
입력 센서(ISL)는 제1 감지 절연층(TIL1), 제1 도전층(TML1), 제2 감지 절연층(TIL2), 제2 도전층(TML2), 및 제3 감지 절연층(TIL3)을 포함할 수 있다. 입력 센서(ISL)의 제1 감지 절연층(TIL1)은 박막 봉지층(TFL) 상에 직접 배치될 수 있다.
제1 도전층(TML1) 및 제2 도전층(TML2) 각각은 단층 구조를 갖거나, 다층 구조를 가질 수 있다. 다층 구조의 도전층은 투명 도전층과 금속층 중 적어도 2 이상을 포함할 수 있다. 다층 구조의 도전층은 서로 다른 금속을 포함하는 금속층들을 포함할 수 있다.
제1 도전층(TML1) 및 제2 도전층(TML2)은 투명 도전층으로 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ZnO(zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide), PEDOT, 금속 나노 와이어, 및 그래핀 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1 도전층(TML1) 및 제2 도전층(TML2)은 금속층으로 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 및 이들의 합금을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 도전층(TML1) 및 제2 도전층(TML2) 각각은 티타늄/알루미늄/티타늄으로 구성된 3층 구조를 가질 수 있다. 상대적으로 내구성이 높고 반사율이 낮은 금속을 도전층의 외 층에 적용할 수 있고, 전기전도율이 높은 금속을 도전층의 내층에 적용할 수 있다.
제1 감지 절연층(TIL1) 내지 제3 감지 절연층(TIL3) 각각은 무기막 또는 유기막을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 감지 절연층(TIL1) 및 제2 감지 절연층(TIL2) 각각은 무기막을 포함할 수 있다. 제3 감지 절연층(TIL3)은 유기막을 포함할 수 있다.
도 5a을 참조하면, 본 실시예에서 입력 센서(ISL)는 복수의 감지 전극들(TE1, TE2) 및 복수의 감지 배선들(TL1, TL2, TL3)을 포함할 수 있다.
입력 센서(ISL)는 액티브 영역(AA-I) 및 액티브 영역(AA-I)에 인접한 주변 영역(NAA-I)으로 구분될 수 있다. 입력 센서(ISL)의 액티브 영역(AA-I) 및 주변 영역(NAA-I)은 표시 패널(DP)의 액티브 영역(AA) 및 주변 영역(NAA)과 대응될 수 있다.
복수의 감지 전극들(TE1, TE2)은 제1 감지 전극(TE1) 및 제2 감지 전극(TE2)을 포함할 수 있다.
제1 감지 전극(TE1)은 제1 방향(DR1)으로 연장되고, 복수로 제공되어 2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 제1 감지 전극(TE1)은 제1 감지 패턴들(TP1) 및 제1 도전 패턴들(BP1)을 포함할 수 있다. 제1 감지 패턴들(TP1)은 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 적어도 하나의 제1 도전 패턴(BP1)은 서로 인접한 두 개의 제1 감지 패턴들(TP1)에 연결될 수 있다.
제2 감지 전극(TE2)은 제2 방향(DR2)으로 연장되고, 복수로 제공되어 제1 방향(DR1)을 따라 배열될 수 있다. 제2 감지 전극(TE2)은 제2 감지 패턴들(TP2) 및 제2 도전 패턴들(BP2)을 포함할 수 있다. 제2 감지 패턴들(TP2) 및 제2 도전 패턴들(BP2)은 동일 공정에 의해 패터닝 되는 일체 형상의 패턴이나, 설명의 편의를 위하여 제2 감지 패턴들(TP2)와 제2 도전 패턴들(BP2)로 구분하여 설명한다.
제2 감지 패턴들(TP2)은 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 적어도 하나의 제2 도전 패턴(BP2)은 서로 인접한 두 개의 제2 감지 패턴들(TP2) 사이에 배치될 수 있다.
감지 배선들(TL1, TL2, TL3)은 제1 감지 배선(TL1), 제2 감지 배선(TL2), 및 제3 감지 배선(TL3)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 입력 센서(ISL)은 주변 영역(NAA-I)에 정의된 복수의 상부 컨택홀들(CTN-1, CTN-2, CTN-3)을 포함할 수 있다. 상부 컨택홀들(CTN-1, CTN-2, CTN-3)은 제1 감지 절연층(TIL1)과 제2 감지 절연층(TIL2)이 관통되어 형성될 수 있다. 상부 컨택홀들(CTN-1, CTN-2, CTN-3)은 대응되는 하부 컨택홀들(CTN1, CTN2, CTN3)과 서로 중첩할 수 있다.
제1 감지 배선(TL1)의 일단은 제2 감지 전극(TE2)에 연결되고, 제1 감지 배선(TL1)의 타단은 제3 상부 컨택홀(CTN-3)로 연장될 수 있다. 제1 감지 배선(TL1)의 타단은 서로 중첩하는 제3 하부 컨택홀(CTN3, 도 3a 참조)과 제3 상부 컨택홀(CTN-3)을 통해 제3 컨택 라인(CTL3, 도 3a 참조)과 접속될 수 있다.
제2 감지 배선(TL2)의 일단은 제1 감지 전극(TE1)의 일단에 연결되고 제2 감지 배선(TL2)의 타단은 제2 상부 컨택홀(CTN-2)로 연장될 수 있다. 제2 감지 배선(TL2)의 타단은 서로 중첩하는 제2 하부 컨택홀(CTN2, 도 3a 참조)과 제2 상부 컨택홀(CTN-2)을 통해 제2 컨택 라인(CTL2, 도 3a 참조)과 접속될 수 있다.
제3 감지 배선(TL3)의 일단은 제1 감지 전극(TE1)의 타단에 연결되고 제3 감지 배선(TL3)의 타단은 제1 상부 컨택홀(CTN-1)로 연장될 수 있다. 제3 감지 배선(TL3)의 타단은 서로 중첩하는 제1 하부 컨택홀(CTN1, 도 3a 참조)과 제1 상부 컨택홀(CTN-1)을 통해 제1 컨택 라인(CTL1, 도 3a 참조)과 접속될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 제1 감지 전극(TE1)은 제2 감지 배선(TL2) 및 제3 감지 배선(TL3)에 연결될 수 있다. 이에 따라, 제2 감지 전극(TE2)에 비해 상대적으로 긴 길이를 가진 제1 감지 전극(TE1)에 대하여 영역에 따른 감도를 균일하게 유지할 수 있다.
컨택 라인들(CTL1, CTL2, CTL3)은 대응되는 패드들(PD)과 연결되어 연성 회로 기판(CF, 도 1b 참조)의 패드들(미도시)과 접속될 수 있다. 따라서, 감지 전극들(TE1, TE2)은 표시 패널(DP)의 벤딩 영역(BA)에 접속된 연성 회로 기판(CF) 및 메인 회로 기판(MB)과 전기적으로 연결될 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 감지 전극(TE1)은 일단 및 타단 중 어느 하나에만 감지 배선이 연결될 수 있으며, 이때, 제1 및 제2 상부 컨택홀들(CTN-1, CTN-2) 중 어느 하나가 생략될 수 있다.
도 5b에는, 제1 감지 패턴들(TP1), 제1 도전 패턴들(BP1), 제2 감지 패턴들(TP2), 및 제2 도전 패턴들(BP2)의 배치 관계를 평면도로 도시하였다.
본 실시예에서, 제1 감지 전극(TE1)의 제1 감지 패턴들(TP1)과 제2 감지 전극(TE2)의 제2 감지 패턴들(TP2) 및 제2 도전 패턴들(BP2)은 매쉬선들(MSL)을 포함할 수 있다. 매쉬선들(MSL)은 제4 방향(DR4)으로 연장된 제1 매쉬선(MSL1) 및 제5 방향(DR5)으로 연장된 제2 매쉬선(MSL2)을 포함할 수 있다.
매쉬선들(MSL1, MSL2)은 후술하는 발광 영역들과 비중첩하고, 비발광 영역에 중첩한다. 매쉬선들(MSL1, MSL2)의 선폭은 수 마이크로미터 내지 수 나노미터일 수 있다. 매쉬선들(MSL1, MSL2)은 복수 개의 매쉬 개구부들(MSL-OP)을 정의한다. 매쉬 개구부들(MSL-OP)은 후술하는 발광 영역들 중 대응되는 발광 영역과 일대일 대응할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 감지 패턴(TP1) 및 제2 감지 전극(TE2)은 도 4에서 설명한 제2 도전층(TML2)을 구성할 수 있다.
제1 감지 패턴들(TP1)은 제2 감지 절연층(TIL2)에 정의된 감지 컨택홀(TNT)을 통해 대응되는 제1 도전 패턴(BP1)과 연결될 수 있다. 따라서, 제1 감지 패턴들(TP1)이 제2 감지 전극(TE2)과 동일층 상에 배치되더라도, 제1 감지 절연층(TIL1) 상에 배치된 제1 도전 패턴(BP1)을 통해 제2 감지 전극(TE2)과 절연되어 배치될 수 있다. 따라서, 서로 다른 층 상에 배치된 제1 도전 패턴(BP1)과 제2 도전 패턴(BP2)은 평면상에서 서로 중첩될 수 있다.
감지 배선들(TL1, TL2, TL3) 각각의 일부는 제1 도전층(TML1)에 포함될 수 있으며, 나머지 일부는 제2 도전층(TML2)에 포함될 수 있다. 서로 다른 층 상에 배치된 배선들은 제2 감지 절연층(TIL2)에 정의된 컨택홀을 통해 서로 연결될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 감지 배선들(TL1, TL2, TL3)은 제1 도전층(TML1) 및 제2 도전층(TML2) 중 어느 하나의 층에만 포함될 수 있다.
도 6a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 영역의 평면도이다. 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 영역의 일 영역을 확대한 평면도이다. 도 6c는 도 6a의 I-I'를 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다. 도 6d는 도 6a의 II-II'를 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다.
도 6a를 참조하면, 본 발명에 따른 표시 패널(DP, 도 3a 참조)의 액티브 영역(AA)은 제1 영역(UA-N) 및 제2 영역(UA-P)을 포함할 수 있다. 제1 영역(UA-N) 및 제2 영역(UA-P)은 서로 다른 색의 광을 제공하는 복수의 발광 영역들을 포함할 수 있다.
복수의 발광 영역들은 제2 방향(DR2)으로 연장된 복수 개의 화소행들(PXL-1 내지 PXL-8)을 정의할 수 있다. 복수 개의 화소행들(PXL-1 내지 PXL-8)은 제2 방향(DR2)으로 나열된다.
예를 들어, 제1 영역(UA-N)은 복수의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B) 중 가장 작은 면적을 갖는 제1 발광 영역(PN-G)은 제1 영역(UA-N) 내에서 복수로 제공될 수 있다.
제1 영역(UA-N)에서, 두 개의 제1 발광 영역들은 제1 방향(DR1)을 따라 이격되고, 제2 발광 영역(PN-R) 및 제3 발광 영역(PN-B)은 제2 방향(DR2)을 따라 이격될 수 있다. 제2 발광 영역(PN-R) 및 제3 발광 영역(PN-B)은 제1 발광 영역(PN-G)으로부터 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 교차하는 방향인 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 이격될 수 있다.
제2 영역(UA-P)은 복수의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)을 포함할 수 있다. 일 실시예에서 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 중 가장 작은 면적을 갖는 제1 발광 영역(PP-G)은 제2 영역(UA-P) 내에서 복수로 제공될 수 있다.
제2 영역(UA-P)에서, 두 개의 제1 발광 영역들은 제1 방향(DR1)을 따라 이격되고, 제2 발광 영역(PP-R) 및 제3 발광 영역(PP-B)은 제2 방향(DR2)을 따라 이격될 수 있다. 제2 발광 영역(PP-R) 및 제3 발광 영역(PP-B)은 제1 발광 영역(PP-G)으로부터 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2) 각각에 교차하는 방향인 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 이격될 수 있다.
본 발명에 따르면, 제2 영역(UA-P)에 포함된 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 각각은 적어도 하나의 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제2 영역(UA-P)에 포함된 제1 발광 영역들(PP-G) 각각은 두 개의 제1 유닛 영역들(PU-G)을 포함할 수 있다. 제2 영역(UA-P) 내에서, 좌측에 배치된 제1 발광 영역에 포함된 두 개의 제1 유닛 영역들은 제4 방향(DR4)으로 배열되고, 우측에 배치된 제1 발광 영역에 포함된 두 개의 제1 유닛 영역들은 제5 방향(DR5)으로 배열될 수 있다.
제2 발광 영역(PP-R)은 네 개의 제2 유닛 영역들(PU-R)을 포함할 수 있다. 네 개의 제2 유닛 영역들(PU-R)은 두 개의 제2 유닛 영역들이 각각 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 배열된 형태를 가질 수 있다.
제3 발광 영역(PP-B)은 네 개의 유닛 영역들(PU-B)을 포함할 수 있다. 네 개의 제3 유닛 영역들(PU-B)은 두 개의 제3 유닛 영역들이 각각 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 배열된 형태를 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 제1 영역(UA-N)의 제1 발광 영역(PN-G)은 제2 영역(UA-P)의 제1 발광 영역(PP-G)과 동일한 제1 색의 광을 제공할 수 있다. 따라서, 제2 영역(UA-P)의 제1 발광 영역(PP-G)에 포함된 제1 유닛 영역들(PU-G)은 제1 영역(UA-N)의 제1 발광 영역(PN-G)과 동일 색의 광을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 제1 색은 그린 색상일 수 있다.
제1 영역(UA-N)의 제2 발광 영역(PN-R)은 제2 영역(UA-P)의 제2 발광 영역(PP-R)과 동일한 제2 색의 광을 제공할 수 있다. 따라서, 제2 영역(UA-P)의 제2 발광 영역(PP-R)에 포함된 제2 유닛 영역들(PU-R)은 제1 영역(UA-N)의 제2 발광 영역(PN-R)과 동일 색의 광을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 제2 색은 레드 색상일 수 있다.
제1 영역(UA-N)의 제3 발광 영역(PN-B)은 제2 영역(UA-P)의 제3 발광 영역(PP-B)과 동일한 제3 색의 광을 제공할 수 있다. 따라서, 제2 영역(UA-P)의 제3 발광 영역(PP-B)에 포함된 제3 유닛 영역들(PU-B)은 제1 영역(UA-N)의 제3 발광 영역(PN-B)과 동일 색의 광을 제공할 수 있다. 일 실시예에서, 제3 색은 블루 색상일 수 있다.
다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 내지 제3 색의 광은 혼합되어 백색 광을 생성할 수 있는 3가지 컬러 광의 조합으로 선택될 수 있는 것이면, 어느 하나로 한정되지 않는다.
본 발명에서, 제1 영역(UA-N) 및 제2 영역(UA-P)에 포함된 각각의 발광 영역들에서 제공되는 광은 화소들(PX, 도 3a 참조) 중 대응되는 화소가 활성화 되어 화소로부터 제공된 것일 수 있다. 이하 명세서 상에는, 설명의 편의상, 제1 영역(UA-N)에 포함된 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)로부터 광이 제공될 때, 제1 화소(PU-N)가 활성화 되는 것으로 설명하고, 제2 영역(UA-P)에 포함된 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)로부터 광이 제공될 때 제2 화소(PU-P)가 활성화 되는 것으로 설명하도록 한다.
일 실시예에 따르면, 제1 영역(UA-N)은 지지 패턴들(SPP)을 포함할 수 있다. 지지 패턴들(SPP) 각각은 제1 영역(UA-N)의 중앙에 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)에 둘러싸여 배치될 수 있다. 예를 들어, 지지 패턴들(SPP) 각각은 제1 발광 영역들(PN-G) 사이에 제1 방향(DR1)으로 제1 발광 영역들(PN-G)과 이격되어 배치될 수 있고, 제2 및 제3 발광 영역들(PN-R, PN-B) 사이에 제2 방향(DR2)으로 제2 및 제3 발광 영역들(PN-R, PN-B)과 이격되어 배치될 수 있다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 지지 패턴들(SPP)은 제1 영역(UA-N)에만 중첩하여 배치될 수 있다. 제1 영역(UA-N)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B) 간의 이격 거리는 제2 영역(UA-P)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 간의 이격 거리보다 비교적 넓기 때문에, 지지 패턴들(SPP)이 배치될 공간이 제공될 수 있다.
다만, 지지 패턴들(SPP)의 배치는 이에 한정되는 것은 아니다. 지지 패턴들(SPP)은 제2 영역(UA-P)에도 배치될 수 있으며, 제1 및 제2 영역(UA-N, UA-P)의 경계 부근에서도 배치될 수 있다. 이에 대한 자세한 설명은 후술한다.
일 실시예에 따르면, 지지 패턴들(SPP)은 고분자 물질 및 실리콘 물질 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 고분자 물질로는 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제2 영역(UA-P)은 분할 패턴들(SP1)을 포함할 수 있다. 분할 패턴들(SP1)은 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B) 각각의 사이에 배치될 수 있다. 분할 패턴들(SP1)은 제1 분할 패턴들(SP1-G), 제2 분할 패턴들(SP1-R), 및 제3 분할 패턴들(SP1-B)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 분할 패턴들(SP1-G) 각각은 제1 유닛 영역들(PU-G) 중 대응되는 제1 유닛 영역의 내부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(UA-P) 내의 하나의 제1 분할 패턴은 제4 방향(DR4)으로 배열된 두 개의 제1 유닛 영역들 사이에 배치되고, 제5 방향(DR5)으로 연장된 직사각 형상을 가질 수 있다. 다른 하나의 제1 분할 패턴은 제5 방향(DR5)으로 배열된 두 개의 제1 유닛 영역들 사이에 배치되고, 제4 방향(DR4)으로 연장된 직사각형 형상을 가질 수 있다.
제2 분할 패턴들(SP1-R) 각각은 네 개의 제2 유닛 영역들(PU-R) 사이에 배치될 수 있다. 제2 분할 패턴들(SP1-R) 각각은 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 연장되어 서로 교차된 십자 형상을 가질 수 있다.
제3 분할 패턴들(SP1-B) 각각은 네 개의 제3 유닛 영역들(PU-B) 사이에 배치될 수 있다. 제3 분할 패턴들(SP1-B) 각각은 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 연장되어 서로 교차된 십자 형상을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 분할 패턴들(SP1)은 고분자 물질 및 실리콘 물질 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 고분자 물질로는 폴리이미드(PI, Polyimide)를 포함할 수 있다. 본 발명에서, 분할 패턴들(SP1)은 지지 패턴들(SPP)과 동일 물질을 포함할 수 있다.
도 6b을 참조하면, 본 발명에 따른 서로 다른 색의 광을 제공하는 발광 영역들의 면적은 상이할 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(UA-N)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B) 중 제1 발광 영역(PN-G)의 면적이 가장 작을 수 있다. 제2 발광 영역(PN-R)의 면적은 중간 크기를 가지고, 제3 발광 영역(PN-B)의 면적이 가장 클 수 있다. 가장 작은 면적을 갖는 제1 발광 영역(PN-G)은 제1 영역(UA-N) 내에서 복수로 제공될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제2 영역(UA-P)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B, 도 6a 참조)의 면적은, 제1 영역(UA-N)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)의 면적 비와 대응될 수 있다. 제2 영역(UA-P)에서 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 각각은 하나의 발광 영역 내에 포함된 유닛 영역들 각각의 면적의 합으로 정의할 수 있다.
예를 들어, 제2 영역(UA-P)의 제1 발광 영역(PP-G)의 면적은 하나의 제1 발광 영역 내에 포함된 두 개의 제1 유닛 영역들(PU-G) 각각의 면적의 합으로 정의될 수 있다. 제2 영역(UA-P)의 제2 발광 영역(PP-R)의 면적은 네 개의 제2 유닛 영역들(PU-R) 각각의 면적의 합으로 정의될 수 있다. 제2 영역(UA-P)의 제3 발광 영역(PP-B)의 면적은 네 개의 제3 유닛 영역들(PU-B) 각각의 면적의 합으로 정의될 수 있다.
일 실시에에 따르면, 제2 영역(UA-P)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 중 제1 발광 영역(PP-G)의 면적이 가장 작을 수 있다. 제2 발광 영역(PP-R)의 면적은 중간 크기를 가지고, 제3 발광 영역(PP-B)의 면적이 가장 클 수 있다. 가장 작은 면적을 갖는 제1 발광 영역(PP-G)은 제2 영역(UA-P) 내에서 복수로 제공될 수 있다.
제1 유닛 영역들(PU-G) 각각은 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 연장된 제1-1 유닛 변(T1-GP) 및 제1-2 유닛 변(T2-GP)을 포함할 수 있다. 제2 유닛 영역들(PU-R) 각각은 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 연장된 제1-3 유닛 변(T1-RP) 및 제1-4 유닛 변(T2-RP)을 포함할 수 있다. 제3 유닛 영역들(PU-B) 각각은 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 연장된 제1-5 유닛 변(T1-BP) 및 제1-6 유닛 변(T2-BP)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 유닛 영역들(PU-G) 각각의 제1-1 유닛 변(T1-GP) 및 제1-2 유닛 변(T2-GP)은 서로 상이한 폭을 가질 수 있다. 예를 들어, 제2 영역(UA-P)에서, 어느 하나의 제1 발광 영역(PP-G) 내에 포함된 제1 유닛 영역들(PU-G) 각각은 제1-1 유닛 변(T1-GP)의 길이가 제1-2 유닛 변(T2-GP)의 길이보다 짧을 수 있다. 제2 영역(UA-P)에서, 다른 하나의 제1 발광 영역(PP-G) 내에 포함된 제1 유닛 영역들(PU-G) 각각은 제1-1 유닛 변(T1-GP)의 길이가 제1-2 유닛 변(T2-GP)의 길이보다 길 수 있다.
제2 유닛 영역들(PU-R) 각각의 제1-3 유닛 변(T1-RP) 및 제1-4 유닛 변(T2-RP)은 서로 동일한 폭을 가질 수 있다. 제3 유닛 영역들(PU-B) 각각의 제1-5 유닛 변(T1-BP) 및 제1-6 유닛 변(T2-BP)은 서로 동일한 폭을 가질 수 있다.
다만, 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B)의 형상은 어느 하나의 실시예로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B) 모두 제4 방향(DR4)으로 연장된 변의 길이 및 제5 방향(DR5)으로 연장된 변의 길이가 동일한 정사각 형상을 가질 수도 있고, 제4 방향(DR4)으로 연장된 변의 길이 및 제5 방향(DR5)으로 연장된 변의 길이가 상이한 직사각 형상을 가질 수도 있다. 또한, 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B) 각각은 원의 형상을 가질 수도 있다.
제1 분할 패턴들(SP1-G)은 제4 방향(DR4)으로 연장된 단변 또는 제5 방향(DR5)으로 연장된 단변을 포함할 수 있으며, 제4 방향(DR4)으로 연장된 단변은 제1-1 분할 폭(W1-GP)을 가지고, 제5 방향(DR5)으로 연장된 단변은 제1-2 분할 폭(W2-GP)을 가질 수 있다.
제2 분할 패턴들(SP1-R) 각각은 제2 유닛 영역들(PU-R) 사이에서 제4 방향(DR4)으로 연장된 제1-3 분할 폭(W1-RP) 및 제2 유닛 영역들(PU-R) 사이에서 제5 방향(DR5)으로 연장된 제1-4 분할 폭(W2-RP)을 가질 수 있다.
제3 분할 패턴들(SP1-B) 각각은 제3 유닛 영역들(PU-B) 사이에서 제4 방향(DR4)으로 연장된 제1-5 분할 폭(W1-BP) 및 제3 유닛 영역들(PU-B) 사이에서 제5 방향(DR5)으로 연장된 제1-6 분할 폭(W2-BP)을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 분할 패턴들(SP1-G) 각각의 제1-1 및 제1-2 분할 폭들(W1-GP, W2-GP)은 제2 분할 패턴들(SP1-R) 각각의 제1-3 및 제1-4 분할 폭(W1-RP, W2-RP)과 제3 분할 패턴들(SP1-B) 각각의 제1-5 및 제1-6 분할 폭(W1-BP, W2-BP)과 동일할 수 있다.
다만, 이에 한정되지 않고, 제1-1 내지 제1-6 분할 폭들(W1-GP, W2-GP, W1-RP, W2-RP, W1-BP, W2-BP)은 서로 상이할 수 있으며, 이때, 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B)은 제1 내지 제3 분할 패턴들(SP1-G, SP1-R, SP1-B) 각각의 분할 폭에 의해 제어될 수 있다.
도 6c 및 도 6d에 도시된 표시 모듈(DM)의 단면 중 표시 패널(DP, 도 1b 참조)은 도 3b에서 설명한 표시 패널(DP)의 적층 구조와 대응될 수 있으며, 중복된 설명은 생략한다.
도 6c 및 도 6d에 도시된 것과 같이, 표시 모듈(DM)은 액티브 영역(AA)에서 표시 패널(DP), 입력 센서(ISL), 차광층(PVL), 및 광학 부재(POL)를 포함할 수 있다. 표시 패널(DP)은 베이스층(BL), 회로 소자층(DP-CL), 표시 소자층(DP-OLED), 및 박막 봉지층(TFL)을 포함할 수 있다.
도 6c 및 도 6d에는 발광 소자(OLED)의 구성 중 제1 전극(AE), 발광층(EML), 및 제2 전극(CE)만 도시하였고, 정공 제어층(HCL, 도 3b 참조) 및 전자 제어층(ECL, 도 3b 참조)은 생략하고 도시하였다. 제1 전극(AE) 및 발광층(EML)은 복수의 발광 소자들마다 개별적으로 제공될 수 있으며, 제2 전극(CE)은 하나의 패턴으로 형성되어 복수의 발광 소자들에 공통으로 제공될 수 있다. 다만, 이에 한정되는 것은 아니며, 발광층(EML)도 하나의 패턴으로 형성되어 복수의 발광 소자들에 공통으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 표시 소자층(DP-OLED)은 화소 정의막(PDL) 및 지지 패턴들(SPP)을 포함할 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 회로 소자층(DP-CL) 상에 배치될 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 제1 전극(AE)의 적어도 일부를 노출 시키는 표시 개구부(PD-OP)가 정의될 수 있다. 표시 개구부(PD-OP)는 발광 소자들마다 복수로 제공된 제1 전극들 각각에 대응되도록 복수로 제공될 수 있다.
제1 영역(UA-N)에서 발광 영역은 실질적으로 화소 정의막(PDL)에 정의된 표시 개구부(PD-OP)에 의해 정의된 것일 수 있다. 따라서, 제1 영역(UA-N)에 정의된 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B) 간의 면적 차이는, 화소 정의막(PDL)의 표시 개구부들(PD-OP)의 면적 차이에 따라 제공된 것일 수 있다.
도 6c에 도시된 것과 같이, 제1 영역(UA-N)에 포함된 복수의 표시 개구부들(DP-OP)은 서로 다른 면적을 갖는 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)을 정의할 수 있다. 제1 영역(UA-N)에서 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B) 사이는 비발광 영역(NPXA)으로 정의될 수 있다.
본 발명에서, 화소 정의막(PDL)은 차광 물질을 포함하는 유기막으로 이루어질 수 있다. 화소 정의막(PDL)은 표시 개구부(PD-OP) 부근에 형성되는 반사광을 흡수할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 지지 패턴들(SPP)은 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 방향(DR1)에서 바라본 단면상에서, 지지 패턴들(SPP) 각각은 제1 영역(UA-N)의 제2 발광 영역(PN-R1) 및 제3 발광 영역(PN-B1) 사이에 배치된 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다.
지지 패턴들(SPP)은 화소 정의막(PDL)을 제조한 후 별도의 패터닝 공정을 거쳐 국소적인 부위에 형성될 수 있다. 지지 패턴들(SPP)은 제1 전극(AE1) 및 화소 정의막(PDL) 상에 배치되는 발광층(EML)의 패터닝을 진행하는 과정 중, 발광층(EML)의 패터닝 영역을 정의하는 파인 메탈 마스크(FMM, Fine Metal Mask)를 지지할 수 있다.
도 6d를 참조하면, 제2 영역(UA-P)은 분할 패턴들(SP1)을 포함할 수 있다. 분할 패턴들(SP1)은 화소 정의막(PDL)에 의해 노출된 제1 전극(AE) 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 제1 분할 패턴들(SP1-G) 각각은 제1 발광 영역(PP-G, 도 6a 참조)을 정의하는 표시 개구부(PD-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE) 상에 배치된다. 제2 분할 패턴들(SP1-R) 각각은 제2 발광 영역(PP-R, 도 6a 참조)을 정의하는 표시 개구부(PD-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE) 상에 배치된다. 제3 분할 패턴들(SP1-B) 각각은 제3 발광 영역(PP-B, 도 6a 참조)을 정의하는 표시 개구부(PD-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE) 상에 배치된다.
분할 패턴들(SP1)은 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B, 도 6a 참조)을 각각 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B)로 구획할 수 있다. 예를 들어, 제1 발광 영역들(PP-G)은 제1 분할 패턴들(SP1-G)에 의해 제1 유닛 영역들(PU-G)로 구획되고, 제2 발광 영역들(PP-R)은 제2 분할 패턴들(SP1-R)에 의해 제2 유닛 영역들(PU-R)로 구획되고, 제3 발광 영역들(PP-B)은 제3 분할 패턴들(SP1-B)에 의해 제3 유닛 영역들(PU-B)로 구획될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 유닛 영역들(PU-G) 각각의 일 방향으로의 폭은 서로 동일할 수 있다. 즉, 제1 분할 패턴들(SP1-G) 각각은 화소 정의막(PDL)으로부터 노출된 제1 전극(AE)의 중앙에 배치되어, 제1 분할 패턴들(SP1-G) 각각의 양 측면과 화소 정의막(PDL)의 표시 개구부(PD-OP) 사이의 간격이 서로 동일할 수 있다.
제2 유닛 영역들(PU-R) 각각의 일 방향으로의 폭은 서로 동일할 수 있다. 즉, 제2 분할 패턴들(SP1-G) 각각은 화소 정의막(PDL)으로부터 노출된 제1 전극(AE)의 중앙에 배치되어, 제2 분할 패턴들(SP1-R) 각각의 양 측면과 화소 정의막(PDL)의 표시 개구부(PD-OP) 사이의 간격이 서로 동일할 수 있다.
제3 유닛 영역들(PU-B) 각각의 일 방향으로의 폭은 서로 동일할 수 있다. 즉, 제3 분할 패턴들(SP1-B) 각각은 화소 정의막(PDL)으로부터 노출된 제1 전극(AE)의 중앙에 배치되어, 제1-3 분할 패턴들(SP1-B) 각각의 양 측면과 화소 정의막(PDL)의 표시 개구부(PD-OP) 사이의 간격이 서로 동일할 수 있다.
제2 영역(UA-P)에서, 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 및 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)을 둘러싸는 비발광 영역(NPXA)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 제2 영역(UA-P)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)은 각각 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B)을 포함할 수 있다. 제2 영역(UA-P)의 비발광 영역(NPXA)은 제1 비발광 영역(N1) 및 제2 비발광 영역(N2)을 포함할 수 있다.
제1 비발광 영역(N1)은 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 사이의 영역으로 정의될 수 있다. 제2 비발광 영역(N2)은 발광 소자들(OLED)에 포함된 각각의 제1 전극(AE) 중 대응되는 분할 패턴들(SP1)에 의해 커버된 영역으로 정의될 수 있다. 즉, 제2 비발광 영역(NP2)은 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B) 각각의 사이의 영역으로 정의될 수 있다.
본 발명에 따르면, 표시 모듈(DM)의 액티브 영역(AA)에는 발광 소자들(OLED)에서 제공되는 광량이 제2 영역(UA-P)보다 상대적으로 많은 제1 영역(UA-N) 및 제1 영역(UA-N)보다 상대적으로 광량이 작은 제2 영역(UA-P)을 포함할 수 있다.
본 명세서에서, 제1 영역(UA-N)에 포함된 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B) 중 어느 하나를 '노말 영역'으로 정의하고, 제2 영역(UA-P)에 포함된 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 중 어느 하나를 '프라이빗 영역'으로 정의할 수 있다.
입력 센서(ISL)는 박막 봉지층(TFL) 상에 직접 배치될 수 있다. 입력 센서(ISL)의 제2 도전층(TML2)에 포함된 매쉬 라인들(도 5b 참조)은 매쉬 개구부들(MSL-OP)을 정의한다. 매쉬 개구부들(MSL-OP)은 대응되는 발광 영역들과 중첩함으로써, 도전층들(TML1, TML2)이 표시 패널(DP) 상에 직접 배치되더라도, 발광 소자들(OLED)에서 제공된 광과의 간섭을 최소화 할 수 있다.
차광층(PVL)은 입력 센서(ISL) 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에 따르면, 차광층(PVL)은 제1 평탄화층(PVX1), 차광 패턴(BM), 및 제2 평탄화층(PVX2)을 포함할 수 있다.
제1 평탄화층(PVX1)은 입력 센서(ISL)를 커버할 수 있다. 제1 평탄화층(PVX1)은 평탄면을 제공할 수 있다. 제1 평탄화층(PVX1)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 평탄화층(PVX1)은 아크릴 수지를 포함할 수 있다.
차광 패턴(BM)은 제1 평탄화층(PVX1) 상에 배치될 수 있다. 차광 패턴(BM)은 소정의 색을 가질 수 있다. 예를 들어, 차광 패턴(BM)은 검정 색을 가질 수 있다. 차광 패턴(BM)은 광을 흡수할 수 있는 차광 물질이면 어느 하나로 한정되지 않는다.
차광 패턴(BM)은 제1 영역(UA-N)에 배치된 화소 정의막(PDL) 및 제2 영역(UA-P)에 배치된 화소 정의막(PDL)과 중첩할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 차광 패턴(BM)은 제2 영역(UA-P)에서 분할 패턴들(SP1)과 중첩할 수 있다.
이에 따라, 제2 영역(UA-P)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)에서 제공된 광의 시야각은, 차광 패턴(BM)에 의해 제1 영역(UA-N)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)에서 제공된 광의 시야각보다 협소한 시야각으로 사용자에게 제공될 수 있다.
제2 평탄화층(PVX2)은 제1 평탄화층(PVX1) 상에 배치되어 차광 패턴(BM)을 커버할 수 있다. 제2 평탄화층(PVX2)은 제2 평탄화층(PVX2) 상에 배치되는 구성의 접착이 용이하도록 평탄면을 제공할 수 있다. 제2 평탄화층(PVX2)은 유기 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제2 평탄화층(PVX2)은 아크릴 수지를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 평탄화층(PVX2)은 제1 평탄화층(PVX1)과 동일 물질을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 표시 모듈(DM)은 두 가지의 모드로 동작할 수 있다. '제1 동작모드'는 표시 모듈(DM)의 액티브 영역(AA) 내에 포함된 제1 화소(PU-N) 및 제2 화소(PU-P)가 활성화된 상태로 정의되고, '제2 동작모드'는 제1 화소(PU-N)는 비-활성화되고, 제2 화소(PU-P)만이 활성화되는 것으로 정의될 수 있다.
즉, 제1 동작모드에서는 제1 영역(UA-N)에 포함된 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B) 및 제2 영역(UA-P)에 포함된 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)에서 광이 제공되고, 제2 동작모드에서는 제2 영역(UA-P)에 포함된 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)에서 광이 제공된다.
따라서, 제2 동작모드일 때는 활성화되는 발광 영역들의 면적이 제1 동작모드일 때보다 상대적으로 감소되어 낮은 화소의 이미지를 사용자에게 제공할 수 있다.
제1 동작모드는 일반적으로 표시 장치(DD, 도 1a 참조)가 작동되는 모드와 대응될 수 있다. 제2 동작모드는 특정한 목적으로 표시 장치(DD)를 사용할 때 이용될 수 있다. 예를 들어, 제2 동작모드는 프라이빗 모드로써, 제2 동작모드로 작동될 때, 표시 장치(DD)와 인접한 주변인들에게 액티브 영역(AA)이 시인되지 않고, 사용자에게만 시인됨에 따라, 개인 정보가 누설되는 것을 방지할 수 있다.
사용자가 표시 장치(DD)를 측면에서 바라볼 때, 제2 영역(UA-P)에 배치된 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)은 분할 패턴들(SP1)에 의해 일부 영역이 가려지게 되며, 화소(PX)를 통해 방출된 빛이 분할 패턴들(SP1) 상에 배치되는 차광 패턴들(BM)에 의해 차단됨으로써 협소 시야각을 가질 수 있다.
본 발명에 따르면, 화소 정의막(PDL)은 차광 물질을 포함한 유기막으로 이루어질 수 있다. 화소 정의막(PDL)이 별도의 차광 물질을 포함하지 않는 경우보다, 외부 광에 대한 반사율이 저감되는 효과를 가질 수 있다.
PDL(차광 물질 미포함)
+ POL Ref		 PDL(차광 물질 포함)
+ POL Ref
SCI 모드에서의반사율(%) 4.97 4.65
SCE 모드에서의반사율(%) 0.60 0.23
상기 표 1은, 화소 정의막(PDL)에 차광 물질이 포함된 본 실시예와 화소 정의막(PDL)에 별도의 차광 물질을 포함하지 않는 비교예에 대하여 반사율을 측정한 결과값을 나타낸 것이다. 본 측정에서 50 프로의 투과율을 갖는 편광 필름을 광학 부재(POL)로 사용하였다.
SCI(Specular Component Included) 모드는, 정반사광 및 난반사광을 모두 포함한 전체 반사광의 양에 대하여 측정을 진행한 것을 의미한다. 차광 물질을 포함하지 않은 화소 정의막(PDL)을 사용하는 경우, 4.97%의 반사율을 나타내고, 차광 물질을 포함한 화소 정의막(PDL)을 사용하는 경우, 4.65%의 반사율을 나타낸다. 따라서, 차광 물질을 포함한 화소 정의막(PDL)을 사용하는 경우, 차광 물질을 포함하지 않은 화소 정의막(PDL)에 비해 SCI 모드에서 측정한 반사율이 감소됨을 확인할 수 있다.
SCE(Specular Component Excluded) 모드는, 정반사광을 제거하여 난반사광의 양에 대하여 측정을 진행한 것이다. 차광 물질을 포함하지 않은 화소 정의막(PDL)을 사용하는 경우, 0.60%의 반사율을 나타내고, 차광 물질을 포함한 화소 정의막(PDL)을 사용하는 경우, 0.23%의 반사율을 나타낸다. 따라서, 차광 물질을 포함한 화소 정의막(PDL)을 사용하는 경우, 차광 물질을 포함하지 않은 화소 정의막(PDL)에 비해 SCE 모드에서 측정한 반사율이 감소됨을 확인할 수 있다.
즉, 상기 표 1의 측정 값을 통하여, 본 실시예에 따른 표시 장치(DD)는, 화소 정의막(PDL) 부근에 발생되는 반사광을 흡수함으로써, 외부 광에 대한 반사율이 감소됨을 확인할 수 있다. 또한, 본 실시예에 따른 표시 장치(DD)는 정반사광 및 난반사광 각각에 대하여 반사율의 저감 효과를 가질 수 있음을 확인할 수 있다.
본 발명에 따르면, 제2 영역(UA-P)에 배치되는 분할 패턴들(SP1)은 제1 영역(UA-N)에 배치되는 지지 패턴들(SPP)과 함께 형성될 수 있다. 즉, 지지 패턴들(SPP)을 패터닝하는 과정에서, 분할 패턴들(SP1)을 함께 패터닝함으로써, 제2 영역(UA-P)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)을 각각 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B)로 구획할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 차광 물질을 포함하는 화소 정의막(PDL)은 패터닝 공정 시 발생하는 산포가 높기 때문에, 본 발명의 화소 정의막(PDL)을 패터닝하여 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)을 각각 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B)로 분할하는 데에는 어려움이 있다.
본 발명에서는, 지지 패턴들(SPP)과 동시에 패터닝되어 형성되는 분할 패턴들(SP1)로 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B)을 정의할 수 있다. 지지 패턴들(SPP)은, 차광 물질을 포함하는 화소 정의막(PDL)에 비해 증착 정밀도가 높기 때문에, 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B)의 분할을 정밀하게 진행할 수 있다. 따라서, 본 발명은, 화소 영역에 대한 증착 신뢰도가 개선된 표시 장치(DD)를 제공할 수 있다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 영역의 평면도이다. 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 영역의 일 영역을 확대한 평면도이다. 도 7c는 도 7a의 III-III'를 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다. 도 7a 및 도 7b에서 제2 영역(UA-P)에 포함된 제2 화소(PU-P) 즉, 제2 영역(UA-P)에 포함된 복수의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B), 및 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B)에 관한 설명은 도 1 내지 도 6d와 동일하며, 제1 영역(UA-N1)에 배치된 1 내지 제3 발광 영역들(PN-G1, PN-R1, PN-B1)을 중점적으로 설명한다.
도 7a를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 모듈(DM, 도 1b 참조)의 액티브 영역(AA, 도 1b 참조)은 제1 영역(UA-N1) 및 제2 영역(UA-P)을 포함할 수 있다.
제1 영역(UA-N1)에 포함된 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G1, PN-R1, PN-B1) 각각은 적어도 하나의 서브 유닛 영역들(PZ-G, PZ-R, PZ-B)을 포함할 수 있다. 서브 유닛 영역들(PZ-G, PZ-R, PZ-B)은 제1 발광 영역(PN-G1)에 포함된 제1 서브 유닛 영역들(PZ-G), 제2 발광 영역(PN-R1)에 포함된 제2 서브 유닛 영역들(PZ-R), 및 제3 발광 영역(PN-B1)에 포함된 제3 서브 유닛 영역들(PZ-B)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 영역(UA-N1)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G1, PN-R1, PN-B1) 각각에 포함된 제1 내지 제3 서브 유닛 영역들(PZ-G, PZ-R, PZ-B)의 개수는, 제2 영역(UA-P)에 포함된 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 각각에 포함된 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B)의 개수에 대응될 수 있다.
예를 들어, 제1 영역(UA-N1)에 포함된 제1 발광 영역들(PN-G1) 각각은 두 개의 제1 서브 유닛 영역들(PZ-G)을 포함할 수 있다. 제1 영역(UA-N1) 내에서, 어느 하나의 제1 발광 영역에 포함된 두 개의 제1 서브 유닛 영역들은 제4 방향(DR4)으로 배열되고, 다른 하나의 제1 발광 영역에 포함된 두 개의 제1 서브 유닛 영역들은 제5 방향(DR5)으로 배열될 수 있다.
제2 발광 영역(PN-R1)은 네 개의 제2 서브 유닛 영역들(PZ-R)을 포함할 수 있다. 네 개의 제2 서브 유닛 영역들(PZ-R)은 두 개의 제2 유닛 영역들이 각각 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 배열된 형태를 가질 수 있다.
제3 발광 영역(PN-B1)은 네 개의 서브 유닛 영역들(PZ-B)을 포함할 수 있다. 네 개의 제3 서브 유닛 영역들(PZ-B)은 두 개의 제3 서브 유닛 영역들이 각각 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 배열된 형태를 가질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 영역(UA- N1)은 서브 분할 패턴들(SP2)을 포함할 수 있다. 서브 분할 패턴들(SP2)은 제1 내지 제3 서브 유닛 영역들(PZ-G, PZ-R, PZ-B) 사이에 배치될 수 있다. 서브 분할 패턴들(SP2)은 제1 서브 분할 패턴들(SP2-G), 제2 서브 분할 패턴들(SP2-R), 및 제3 서브 분할 패턴들(SP2-B)을 포함할 수 있다.
예를 들어, 제1 서브 분할 패턴들(SP2-G) 각각은 제1 서브 유닛 영역들(PZ-G) 중 대응되는 제1 서브 유닛 영역의 내부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 영역(UA-N1) 내의 하나의 제1 서브 분할 패턴은 제4 방향(DR4)으로 배열된 두 개의 제1 서브 유닛 영역들 사이에 배치되고, 제5 방향(DR5)으로 연장된 직사각형 형상을 가질 수 있다. 제1 영역(UA-N1) 내의 다른 하나의 제1-1 분할 패턴은 제5 방향(DR5)으로 배열된 두 개의 제1 서브 유닛 영역들 사이에 배치되고, 제4 방향(DR4)으로 연장된 직사각형 형상을 가질 수 있다.
제2 서브 분할 패턴들(SP2-R) 각각은 네 개의 제2 서브 유닛 영역들(PZ-R) 사이에 배치될 수 있다. 제2 서브 분할 패턴들(SP2-R) 각각은 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 연장되어 교차된 십자 형상을 가질 수 있다.
제3 서브 분할 패턴들(SP2-B) 각각은 네 개의 제3 서브 유닛 영역들(PZ-B) 사이에 배치될 수 있다. 제3 서브 분할 패턴들(SP2-B) 각각은 제4 방향(DR4) 및 제5 방향(DR5)으로 연장되어 교차된 십자 형상을 가질 수 있다.
도 7b를 참조하면, 제1 서브 유닛 영역들(PZ-G) 각각은 제4 방향(DR4)으로 연장된 제2-1 유닛 변(T1-GN) 및 제5 방향(DR5)으로 연장된 제2-2 유닛 변(T2-GN)을 포함할 수 있다. 제2 서브 유닛 영역들(PZ-R) 각각은 제4 방향(DR4)으로 연장된 연장된 제2-3 유닛 변(T1-RN) 및 제5 방향(DR5)으로 제2-4 유닛 변(T2-RN)을 포함할 수 있다. 제3 서브 유닛 영역들(PZ-B) 각각은 제4 방향(DR4)으로 연장된 제2-5 유닛 변(T1-BN) 및 제5 방향(DR5)으로 연장된 제2-6 유닛 변(T2-BN)을 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 영역(UA-N1)의 제1 내지 제3 서브 유닛 영역들(PZ-G, PZ-R, PZ-B) 각각의 일 방향으로의 폭은 제2 영역(UA-P)의 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B) 각각의 일 방향으로의 폭과 동일할 수 있다.
예를 들어, 제1 서브 유닛 영역(PZ-G)의 제2-1 유닛 변(T1-GN)은 제2 영역(UA-P)의 제1-1 유닛 변(T1-GP)과 동일한 폭을 가지고, 제5 방향(DR5)에서의 제2-2 유닛 변(T2-GN)은 제2 영역(UA-P)의 제1-2 유닛 변(T2-GP)과 동일한 폭을 가질 수 있다.
제2 서브 유닛 영역(PZ-R)의 제2-3 유닛 변(T1-RN)은 제2 영역(UA-P)의 제1-3 유닛 변(T1-RP)과 동일한 폭을 가지고, 제2-4 유닛 변(T2-RN)은 제2 영역(UA-P)의 제1-4 유닛 변(T2-RP)과 동일한 폭을 가질 수 있다.
제3 서브 유닛 영역(PZ-B)의 제2-5 유닛 변(T1-BN)은 제2 영역(UA-P)의 제1-5 유닛 변(T1-BP)과 동일한 폭을 가지고, 제2-6 유닛 변(T2-BN)은 제2 영역(UA-P)의 제1-6 유닛 변(T2-BP)과 동일한 폭을 가질 수 있다.
따라서, 일 실시예에 따르면, 제1 서브 유닛 영역들(PZ-G) 각각의 면적은 제1 유닛 영역들(PU-G) 각각의 면적과 동일하고, 제2 서브 유닛 영역들(PZ-R) 각각의 면적은 제2 유닛 영역들(PU-R) 각각의 면적과 동일하며, 제3 서브 유닛 영역들(PZ-B) 각각의 면적은 제3 유닛 영역들(PU-B) 각각의 면적과 동일할 수 있다.
제1 서브 분할 패턴들(SP2-G)은 제4 방향(DR4)으로 연장된 단변 또는 제5 방향(DR5)으로 연장된 단변을 포함할 수 있으며, 제4 방향(DR4)으로 연장된 단변은 제2-1 분할 폭(W1-GN)을 가지고, 제5 방향(DR5)으로 연장된 단변은 제2-2 분할 폭(W2-GN)을 가질 수 있다.
제2 서브 분할 패턴들(SP2-R) 각각은 제2 서브 유닛 영역들(PZ-R) 사이에서 제4 방향(DR4)으로 연장된 제2-3 분할 폭(W1-RP) 및 제2 서브 유닛 영역들(PZ-R) 사이에서 제5 방향(DR5)으로 연장된 제2-4 분할 폭(W2-RN)을 가질 수 있다.
제3 서브 분할 패턴들(SP2-B) 각각은 제3 서브 유닛 영역들(PZ-B) 사이에서 제4 방향(DR4)으로 연장된 제2-5 분할 폭(W1-BN) 및 제3 서브 유닛 영역들(PZ-B) 사이에서 제5 방향(DR5)으로 연장된 제2-6 분할 폭(W2-BN)을 가질 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 서브 분할 패턴들(SP2-G) 각각의 제2-1 및 제2-2 분할 폭들(W1-GN, W2-GN)은 제2 서브 분할 패턴들(SP2-R) 각각의 제2-3 및 제2-4 분할 폭(W1-RN, W2-RN)과 제3 서브 분할 패턴들(SP2-B) 각각의 제2-5 및 제2-6 분할 폭(W1-BN, W2-BN)과 동일할 수 있다.
다만, 이에 한정하지 않고, 서브 분할 패턴들(SP2)의 상기 폭들을 발광 영역 별로 상이하게 설정함으로써, 서브 유닛 영역들의 면적을 제어할 수 있다.
제1 영역(UA-N1)에서, 제1 발광 영역(PN-G1)의 면적을 제1 서브 유닛 영역들(PZ-G)의 면적의 합으로 정의하고, 제2 발광 영역(PN-R1)의 면적을 제2 서브 유닛 영역들(PZ-R)의 면적의 합으로 정의하며, 제3 발광 영역들(PN-B1) 각각의 면적을 제3 서브 유닛 영역들(PZ-B)의 면적의 합으로 정의할 수 있다.
본 실시예에서, 제1 영역(UA-N1)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)의 면적은 각각 제2 영역(UA-P)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)의 면적과 동일할 수 있다. 따라서, 제1 영역(UA-N1)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)을 발광하기 위해 필요한 구동 전압과 제2 영역(UA-P)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)을 발광하기 위해 필요한 구동 전압은 동일할 수 있다.
도 7c를 참조하면, 제1 영역(UA-N1)은 서브 분할 패턴들(SP2)을 포함할 수 있다. 서브 분할 패턴들(SP2)은 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G1, PN-R1, PN-B1, 도 7a 참조)을 제1 내지 제3 서브 유닛 영역들(PZ-G, PZ-R, PZ-B)로 구획할 수 있다.
예를 들어, 제1 발광 영역들(PN-G1, 도 7a 참조)은 제1 서브 분할 패턴들(SP2-G)에 의해 제1 서브 유닛 영역들(PZ-G)로 구획되고, 제2 발광 영역들(PN-B1, 도 7a 참조)은 제2 서브 분할 패턴들(SP2-R)에 의해 제2 서브 유닛 영역들(PZ-R)로 구획되고, 제3 발광 영역들(PN-B1, 도 7a 참조)은 제3 서브 분할 패턴들(SP2-B)에 의해 제3 서브 유닛 영역들(PZ-B)로 구획 될 수 있다.
제1 영역(UA-N1)에서, 제1 서브 분할 패턴들(SP2-G) 각각은 제1 발광 영역(PN-G1)을 정의하는 표시 개구부(PD-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE) 상에 배치된다. 제2 서브 분할 패턴들(SP2-R) 각각은 제2 발광 영역(PN-R1)을 정의하는 표시 개구부(PD-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE) 상에 배치된다. 제3 서브 분할 패턴들(SP2-B) 각각은 제3 발광 영역(PN-B1)을 정의하는 표시 개구부(PD-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE) 상에 배치된다.
본 실시예에서, 서브 분할 패턴들(SP2)은 지지 패턴들(SPP)과 함께 형성될 수 있다. 즉, 지지 패턴들(SPP)을 패터닝하는 과정에서, 제1 영역(UA-N1)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G1, PP-R1, PP-B1) 각각을 제1 내지 제3 서브 유닛 영역들(PZ-G, PZ-R, PZ-B)로 분할시키기 위한 서브 분할 패턴들(SP2)을 함께 패터닝할 수 있다. 서브 분할 패턴들(SP2)은 공정 산포가 낮은 물질로 형성됨으로써, 제1 내지 제3 서브 유닛 영역들(PZ-G, PZ-R, PZ-B)이 정밀하게 분할될 수 있고, 이를 통해, 공정 신뢰도가 향상된 표시 장치(DD)가 제공될 수 있다.
본 실시예에서, 차광 패턴(BM)은 제1 영역(UA-N1)에서 서브 분할 패턴들(SP2-G, SP2-R, SP2-B)을 제외한 화소 정의막(PDL)에만 중첩할 수 있다. 이에 따라, 제1 영역(UA-N1)에서 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G1, PN-R1, PN-B1)이 대응되는 서브 분할 패턴들(SP2-G, SP2-R, SP2-B)로 구획되더라도, 서브 분할 패턴들(SP2-G, SP2-R, SP2-B) 상에 차광 패턴(BM)이 미-배치됨에 따라, 제1 영역(UA-N1)의 시야각을 감소시키지 않을 수 있다.
도시되지 않았으나, 제2 영역(UA-P)에 관한 단면도는 도 6c에서 설명한 단면도와 대응될 수 있다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 영역의 평면도이다. 도 8b는 도 8a의 IV-IV'를 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다. 도 8c는 도 8a의 V-V'를 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다. 도 8a 내지 도 8c에 도시한 표시 모듈(DM, 도 1b 참조)은, 도 6a에서 설명한 표시 모듈(DM)과 비교하면, 제1 영역(UA-N2)에 배치된 제1 중심 분할 패턴(MSP-N) 및 제2 영역(UA-P2)에 배치된 제2 중심 분할 패턴(MSP-P)을 더 포함할 수 있다.
도 8a를 참조하면, 제1 영역(UA-N2)은, 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B) 및 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)을 둘러싸는 비발광 영역(NPXA, 도 3b 참조)을 포함할 수 있다. 제1 영역(UA-G)의 비발광 영역(NPXA)은, 제1 주변 영역들(S1), 및 제1 중심 영역들(C1)을 포함할 수 있다.
제1 주변 영역들(S1) 각각은 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)을 둘러싸는 영역으로 정의할 수 있다. 예를 들어, 제1 주변 영역들(S1) 각각은 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B) 각각의 변들 중 인접한 제2 영역(UA-P2)과 마주하는 변을 둘러싸는 영역일 수 있다. 제1 중심 영역들(C1) 각각은 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B) 및 제1 주변 영역들(S1)에 의해 둘러싸인 영역으로 정의할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 영역(UA-N2)은 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)을 포함할 수 있다. 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)은 제1 중심 영역들(C1)의 전 영역과 중첩하여 배치될 수 있다.
도 8a에는 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)의 경계가 제2 발광 영역들(PN-R) 각각의 지지 패턴(SPP)과 인접하는 장변 및 단변의 일부에 정렬되고, 제3 발광 영역들(PN-B) 각각의 지지 패턴(SPP)과 인접하는 장변 및 단변의 일부에 정렬되는 것을 예시적으로 도시한 것이다. 다만, 이에 한정되지 않고, 제1 중심 분할 패턴(MSP-N)의 경계는 제2 및 제3 발광 영역들(PN-R, PN-B) 각각의 상기 장변 및 상기 단변 전부에 정렬되어 배치될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제2 영역(UA-P2)은, 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B), 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)을 둘러싸는 제1 비발광 영역(N1, 도 6d 참조), 및 제1 내지 제3 유닛 영역들(PZ-G, PZ-R, PZ-B) 사이에 배치된 제2 비발광 영역(N2, 도 6d 참조)을 포함할 수 있다.
제1 비발광 영역(N1)은 제2 주변 영역들(S2) 및 제2 중심 영역들(C2)을 포함할 수 있다. 제2 주변 영역들(S2) 각각은 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)들을 둘러싸는 영역으로 정의할 수 있다. 예를 들어, 제2 주변 영역들(S2) 각각은 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 각각의 변들 중 인접한 제1 영역(UA-N2)과 마주하는 변을 둘러싸는 영역으로 정의할 수 있다. 제2 중심 영역들(C2) 각각은 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 및 제2 주변 영역들(S2)에 의해 둘러싸인 영역으로 정의할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제2 영역(UA-P2)은 제2 중심 분할 패턴들(MSP-P)을 포함할 수 있다. 제2 중심 분할 패턴들(MSP-P)은 제2 중심 영역(C2)의 전 영역에 중첩하여 배치될 수 있다.
도 8a에는 제2 중심 분할 패턴들(MSP-P) 각각의 경계는 제2 발광 영역들(PP-R) 각각의 장변들 및 단변들 중 지지 패턴과 인접하는 장변 및 단변의 일부에 정렬되고, 제3 발광 영역들(PP-B) 각각의 지지 패턴과 인접하는 장변 및 단변의 일부에 정렬되는 것을 예시적으로 도시한 것이다. 다만, 이에 한정되지 않고, 제2 중심 분할 패턴들(MSP-P)의 경계는 제2 및 제3 발광 영역들(PP-R, PP-B) 각각의 상기 장변 및 상기 단변 전부에 정렬되어 배치될 수 있다.
본 명세서에서는, 제2 영역(UA-P2)에서, 제2 중심 분할 패턴들(MSP-P)과 분할 패턴들(SP1)을 나누어 도시하였으나, 실시예들 간의 차이를 설명하기 위해 설명의 편의 상 나누어 도시한 것으로, 실질적으로는 동시에 형성된 일체의 구성에 해당한다.
도 8b를 참조하면, 제1 영역(UA-N2)에서, 제2 및 제3 발광 영역들(PN-R2, PN-B2) 각각은 화소 정의막(PDL) 및 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)에 의해 정의될 수 있다. 도 8b에는 제2 및 제3 발광 영역들(PN-R2, PN-B2)의 단면만 도시하였으나, 제1 발광 영역(PN-G2)에도 마찬가지로 적용될 수 있다. 즉, 제1 발광 영역들(PN-G2) 또한, 화소 정의막(PDL) 및 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)에 의해 정의될 수 있다.
예를 들어, 제1 방향(DR1)에서 바라본 단면상에서, 제2 발광 영역(PN-R2)을 정의하는 제1 전극(AE)의 일단은 화소 정의막(PDL)에 의해 노출되며, 제1 전극(AE)의 타단은 제1 중심 분할 패턴(MSP-N)에 의해 노출될 수 있다. 제3 발광 영역(PP-B2)을 정의하는 제1 전극(AE1)의 일단은 화소 정의막(PDL)에 의해 노출되며, 제1 전극(AE)의 타단은 제1 중심 분할 패턴(MSP-N)에 의해 노출될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 지지 패턴들(SPP)은 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N) 상에 배치될 수 있다. 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)은 지지 패턴들(SPP)과 함께 형성될 수 있다. 즉, 지지 패턴들(SPP)을 패터닝하는 과정에서, 제1 영역(UA-N2)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G2, PN-R2, PN-B2)의 일부를 정의하기 위한 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)을 함께 패터닝할 수 있다.
따라서, 본 실시예에 따른 지지 패턴들(SPP) 각각은 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)과 단차를 가지며, 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)로부터 높이가 높아지는 부분일 수 있다. 본 명세서에서는, 지지 패턴들(SPP)과 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)을 설명의 편의를 위해 나누어 도시하였으나, 실질적으로 일체의 구성에 해당한다.
본 실시예에 따르면, 제1 영역(UA-N2)에서 차광 패턴(BM)은 화소 정의막(PDL) 및 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)과 중첩하여 배치될 수 있다. 즉, 차광 패턴(BM)은 제1 영역(UA-N2)의 제1 주변 영역(S1) 및 제1 중심 영역(C1)에 중첩하여 배치될 수 있다.
도 8c를 참조하면, 제2 영역(UA-P2)에서, 제2 및 제3 발광 영역들(PP-R, PP-B) 각각은 화소 정의막(PDL) 및 제2 중심 분할 패턴(MSP-P)에 의해 정의될 수 있다. 도 8c에는 제2 및 제3 발광 영역들(PP-R, PP-B)의 단면만 도시하였으나, 제1 발광 영역(PP-G)에도 마찬가지로 적용될 수 있다. 즉, 제2 영역(UA-P2)에서, 제1 발광 영역들(PP-G) 또한, 화소 정의막(PDL) 및 제2 중심 분할 패턴(MSP-P)에 의해 정의될 수 있다.
예를 들어, 제1 방향(DR1)에서 바라본 단면상에서, 제2 발광 영역(PP-R)을 정의하는 제1 전극(AE)의 일단은 화소 정의막(PDL)에 의해 노출되며, 제1 전극(AE)의 타단은 제2 중심 분할 패턴(MSP-P)에 의해 노출될 수 있다. 제3 발광 영역(PP-B)을 정의하는 제1 전극(AE1)의 일단은 화소 정의막(PDL)에 의해 노출되며, 제1 전극(AE)의 타단은 제2 중심 분할 패턴(MSP-P)에 의해 노출될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 제2 영역(UA-P2)에서, 차광 패턴(BM)은 화소 정의막(PDL), 제2 중심 분할 패턴(MSP-P), 및 분할 패턴들(SP1)과 중첩하여 배치될 수 있다. 즉, 차광 패턴(BM)은 제2 영역(UA-P2)의 제2 주변 영역들(S2), 제2 중심 영역들(C2), 및 제2 비발광 영역(N2)과 중첩하여 배치될 수 있다.
이에 따라, 제2 영역(UA-P2)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)에서 제공된 광의 시야각은, 분할 패턴들(SP1)에 중첩하여 배치된 차광 패턴(BM)에 의해 제1 영역(UA-N2)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)에서 제공된 광의 시야각보다 협소한 시야각으로 사용자에게 제공될 수 있다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 액티브 영역의 평면도이다. 도 9b는 도 9a의 VI-VI'를 따라 절단한 표시 모듈의 단면도이다. 도 9a 및 도 9b에서 제2 영역(UA-P2)에 포함된 제2 화소(PU-P)의 복수의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 및 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B)에 관한 설명은 도 8a 및 도 8c와 동일하다. 따라서, 도 9a 및 도 9b에서는, 제1 영역(UA-N2A)에 포함된 제1 화소(PU-N2)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G2, PN-R2, PN-B2)을 중점적으로 설명한다.
도 9a를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 모듈(DM)의 액티브 영역(AA, 도 1b 참조)은 제1 영역(UA-N2A) 및 제2 영역(UA-P2)을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 영역(UA-N2A)에 포함된 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G2, PN-R2, PN-B2)은 각각 제1 내지 제3 서브 유닛 영역들(PZ-G, PZ-R, PZ-B)을 포함할 수 있다. 또한, 제1 영역(UA-N2A)은 제1 내지 제3 서브 유닛 영역들(PZ-G, PZ-R, PZ-B) 사이에 배치되는 서브 분할 패턴들(SP2, 도 7a 참조)을 포함할 수 있다. 서브 분할 패턴들(SP2)은 제1 서브 분할 패턴들(SP2-G), 제2 서브 분할 패턴들(SP2-R), 및 제3 서브 분할 패턴들(SP2-B)을 포함할 수 있다.
제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G2, PN-R2, PN-B2) 및 제1 내지 제3 서브 분할 패턴들(SP2-G, SP2-R, SP2-B)의 배치 및 형상은, 각각 도 7a 및 7b에서 설명한 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G1, PN-R1, PN-B1) 및 제1 내지 제3 서브 분할 패턴들(SP2-G, SP2-R, SP2-B)과 동일하므로, 이에 대한 자세한 설명은 도 7a 및 도 7b를 참고한다.
본 실시예에 따르면, 제1 영역(UA-N2A)의 비발광 영역(NPXA, 도 3b 참조)은, 제1 주변 영역들(S1) 및 제1 중심 영역들(C1)을 포함할 수 있다. 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)은 제1 중심 영역들(C1)의 전 영역에 중첩하여 배치될 수 있다. 즉, 제1 영역(UA-N2A)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)의 적어도 일부는 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)에 의해 정의될 수 있다.
본 명세서에서는, 제1 영역(UA-N2)에서, 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)과 서브 분할 패턴들(SP2)을 나누어 도시하였으나, 실시예들 간의 차이를 설명하기 위해 설명의 편의 상 나누어 도시한 것으로, 실질적으로는 동시에 형성된 일체의 구성에 해당한다.
도 9b를 참조하면, 제1 영역(UA-N2A)에서, 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B, 도 9a 참조) 각각은 화소 정의막(PDL) 및 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)에 의해 정의될 수 있다.
예를 들어, 제1 방향(DR1)에서 바라본 단면상에서, 제2 발광 영역(PN-R)을 정의하는 제1 전극(AE)의 일단은 화소 정의막(PDL)에 의해 커버되고, 제1 전극(AE)의 타단은 제1 중심 분할 패턴(MSP-N)에 의해 커버될 수 있다. 즉, 제2 발광 영역(PN-R)의 경계의 일부는 화소 정의막(PDL)에 의해 정의되며, 나머지 일부는 제1 중심 분할 패턴(MSP-N)에 의해 정의될 수 있다.
제3 발광 영역(PN-B)을 정의하는 제1 전극(AE1)의 일단은 화소 정의막(PDL)에 의해 커버되고, 제1 전극(AE)의 타단은 제1 중심 분할 패턴(MSP-N)에 의해 커버될 수 있다. 즉, 제3 발광 영역(PN-B)의 경계의 일부는 화소 정의막(PDL)에 의해 정의되며, 나머지 일부는 제1 중심 분할 패턴(MSP-N)에 의해 정의될 수 있다. 도 9b에는 제2 및 제3 발광 영역들(PP-R, PP-B)의 단면만 도시하였으나, 제1 발광 영역(PP-G)에도 마찬가지로 적용될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 서브 분할 패턴들(SP2) 각각은 화소 정의막(PDL) 및 제1 중심 분할 패턴(MSP-N)에 의해 노출된 제1 전극(AE) 상에 배치될 수 있다. 제1 내지 제3 서브 분할 패턴들(SP2-G, SP2-R, SP2-B)은 각각 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G2, PN-R2, PN-B2)을 제1 내지 제3 서브 유닛 영역들(PZ-G, PZ-R, PZ-B)로 구획할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 차광 패턴(BM)은 제1 영역(UA-N)에서 화소 정의막(PDL) 및 제1 중심 분할 패턴들(MSP-N)에 중첩하고, 서브 분할 패턴들(SP2-G, SP2-R, SP2-B)에는 비-중첩하게 배치될 수 있다. 이에 따라, 제1 영역(UA-N2A)의 발광 영역들을 분할하더라도, 시야각을 감소시키지 않을 수 있다.
제2 영역(UA-P2)에 관한 단면도는, 별도로 도시하지 않았으나, 도 8c에서 설명한 단면도와 대응될 수 있다.
도 10a는 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다. 도 10b는 일 실시예에 따른 표시 모듈의 단면도이다. 도 10a는 표시 모듈(DM)의 제1 영역(UA-N3)에 대한 단면을 도시한 것으로, 도 6a에 도시한 제1 영역(UA-N)의 다른 실시예를 도시한 것이다. 도 10b는 표시 모듈(DM)의 제2 영역(UA-P3)에 대한 단면을 도시한 것으로, 도 6a에 도시한 제2 영역(UA-P)의 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 10a를 참조하면, 일 실시예에 따른 제1 영역(UA-N3)은 제1 커버 패턴들(CSP-N)을 더 포함할 수 있다. 제1 커버 패턴들(CSP-N)은 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 제1 커버 패턴들(CSP-N)은 얇은 막의 형태로 화소 정의막(PDL)을 커버할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 영역(UA-N3)에 포함된 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)은 화소 정의막(PDL)을 커버하는 제1 커버 패턴들(CSP-N)에 의해 정의될 수 있다. 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B) 각각은 대응되는 화소 정의막(PDL)의 표시 개구부(PD-OP) 상에 배치된 제1 커버 패턴(CSP-N)에 의해 정의된 것일 수 있다.
그러나, 제1 커버 패턴들(CSP-N)은 균일한 두께로 화소 정의막(PDL)을 커버하는 막의 형태로 배치되는 것이므로, 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)은 실질적으로 화소 정의막(PDL)에 포함된 표시 개구부(PD-OP)에 의해 제어될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 지지 패턴들(SPP)은 제1 커버 패턴들(CSP-N) 상에 배치될 수 있다. 지지 패턴들(SPP) 및 제1 커버 패턴들(SCP-N)은 동시에 패터닝 되어 형성될 수 있다. 따라서, 단면상에서, 지지 패턴들(SPP)은 제2 발광 영역(PN-R) 및 제3 발광 영역(PN-B) 사이에 배치된 화소 정의막(PDL)의 중앙 부분에서, 제1 커버 패턴(CSP-N)의 일부의 두께가 증가하며 단차를 갖는 부분에 해당할 수 있다.
도 10b를 참조하면, 일 실시예에 따른 제2 영역(UA-P3)은 분할 패턴들(SP1-G, SP1-R, SP1-B) 및 제2 커버 패턴들(CSP-P)을 포함할 수 있다. 분할 패턴들(SP1-G, SP1-R, SP1-B)에 대한 자세한 설명은 도 6c를 참조한다.
제2 커버 패턴들(CSP-P)은 화소 정의막(PDL) 상에 배치될 수 있다. 제2 커버 패턴들(CSP-P)은 얇은 막의 형태로 화소 정의막(PDL)을 커버할 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제2 영역(UA-P3)에 포함된 제1 내지 제3 유닛 영역들(PU-G, PU-R, PU-B) 각각은, 대응되는 화소 정의막(PDL)의 표시 개구부(PD-OP) 상에 배치된 제2 커버 패턴(CSP-P) 및 분할 패턴들(SP1-G, SP1-R, SP1-B)에 의해 정의될 수 있다.
그러나, 제2 커버 패턴들(CSP-P) 각각은 균일한 두께로 화소 정의막(PDL)을 커버하는 막의 형태로 배치되는 것이므로, 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)은 실질적으로 화소 정의막(PDL)에 포함된 표시 개구부(PD-OP)에 의해 제어될 수 있다.
본 실시예에서, 화소 정의막(PDL)을 얇은 막의 형태를 갖는 제1 및 제2 커버 패턴들(CSP-N, CSP-P)로 커버함으로써, 화소 정의막(PDL)의 강성을 다소 높일 수 있다. 화소 정의막(PDL)의 내구성을 높임으로써, 화소 정의막(PDL)에 포함되어 실질적으로 발광 영역들의 면적을 정의하는 표시 개구부(PD-OP)의 공정 오차를 감소시킬 수 있고, 이를 통해, 발광 면적에 대한 공정 신뢰도를 개선할 수 있다.
도 11a는 본 발명의 일 실시예에 액티브 영역의 평면도이다. 도 11b는 본 발명의 일 실시예에 액티브 영역의 평면도이다. 도 11a 및 도 11b 각각은, 도 7a에 도시한 액티브 영역의 다른 실시예를 도시한 것으로, 도 1 내지 도 7c 에서 설명한 구성과 동일/유사한 구성에 대해 동일/유사한 참조 부호를 사용하며, 중복된 설명은 생략한다.
도 11a를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 소자층(DP-OLED, 도 4 참조)은, 지지 패턴들(SPP) 및 추가 지지 패턴들(SPP-P)을 포함할 수 있다. 지지 패턴들(SPP)은 제1 영역(UA-N4A)과 중첩하여 배치되고, 추가 지지 패턴들(SPP-P)은 제2 영역(UA-P4A)과 중첩하여 배치될 수 있다.
추가 지지 패턴들(SPP-P) 각각은, 제2 영역(UA-P4A)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B) 사이에 배치되어 제1 내지 제3 발광 영역들(PP-G, PP-R, PP-B)에 의해 둘러싸일 수 있다. 예를 들어, 추가 지지 패턴들(SPP-P) 각각은, 제1 방향(DR1)으로 나열된 제1 발광 영역들(PP-G) 사이에 배치되고, 제2 방향(DR2)으로 나열된 제2 및 제3 발광 영역들(PP-R, PP-B) 사이에 배치될 수 있다.
추가 지지 패턴들(SPP-P) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장된 장변 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 단변을 포함하는 직사각 형상을 가질 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 영역(UA-N4A)뿐만 아니라 제2 영역(UA-P4A)에도 마스크를 지지하는 패턴들을 포함함으로써, 제1 및 제2 영역(UA-N4A, UA-P4A) 모두에서 마스크의 처짐 현상이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 이를 통해, 마스크의 처짐 현상에 의해 발생되는 표시 패널의 찍힘 현상이 방지되어, 표시 패널(DP, 도 1b 참조)의 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있고, 공정 신뢰도가 개선된 표시 장치(DP)를 제공할 수 있다.
도 11a에는, 제1 영역(UA-N4A)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)이 서브 분할 패턴들(SP2-G, SP2-R, SP2-B)에 의해 구획된 것을 예시적으로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 추가 지지 패턴들(SPP-P)은 제1 영역(UA-N4A)의 제1 내지 제3 발광 영역들(PN-G, PN-R, PN-B)이 별도의 분할 패턴들에 의해 구획되지 않은 경우에도 배치될 수 있다.
도 11b를 참조하면, 일 실시예에 따른 표시 소자층(DP-OLED, 도 4 참조)은, 지지 패턴들(SPP), 추가 지지 패턴들(SPP-P), 및 서브 지지 패턴들(SPP-S)을 포함할 수 있다. 도 11a에 도시한 표시 모듈(DM, 도 1b 참조)과 비교하였을 때, 도 11b에 도시한 표시 모듈(DM)은 서브 지지 패턴들(SPP-S)을 더 포함할 수 있다.
지지 패턴들(SPP)은 제1 영역(UA-N4B)에 중첩하여 배치되고, 추가 지지 패턴들(SPP-P)은 제2 영역(UA-P4B)에 중첩하여 배치될 수 있다. 본 실시예에 따르면, 서브 지지 패턴들(SPP-S)은 제1 및 제2 영역(UA-N4B, UA-P4B)의 경계 부근에 배치될 수 있다.
예를 들어, 서브 지지 패턴들(SPP-S) 각각은 제1 영역(UA-N4A) 또는 제2 영역(UA-P4A)의 제3 발광 영역(PN-B) 및 이로부터 제1 방향(DR1)으로 이격된 제2 영역(UA-P4A) 또는 제1 영역(UA-N4A)의 제2 발광 영역(PN-R) 사이에 배치될 수 있다. 서브 지지 패턴들(SPP-S) 각각은 제1 영역(UA-N4B) 또는 제2 영역(UA-P4B)의 제1 발광 영역(PN-G) 및 이로부터 제2 방향(DR2)으로 이격된 제2 영역(UA-P4B) 또는 제1 영역(UA-N4B)의 제1 발광 영역(PN-G)사이에 배치될 수 있다.
즉, 서브 지지 패턴들(SPP-S) 중 일부는 제1 영역(UA-N4B)의 제1 및 제3 발광 영역들(PN-G, PN-B) 및 이에 인접한 제2 영역(UA-P4B)의 제1 및 제2 발광 영역들(PP-G, PP-R)에 의해 둘러싸일 수 있다. 또한, 서브 지지 패턴들(SPP-S)의 나머지 일부는 제1 영역(UA-N4B)의 제1 및 제2 발광 영역들(PN-G, PN-R) 및 이에 인접한 제2 영역(UA-P4B)의 제1 및 제3 발광 영역들(PP-G, PP-B)에 의해 둘러싸일 수 있다.
서브 지지 패턴들(SPP-S) 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장된 장변 및 제1 방향(DR1)으로 연장된 단변을 갖는 직사각의 형상을 가질 수 있다.
지지 패턴들(SPP) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장된 제1 장변(a) 및 제2 방향(DR2)으로 연장된 제1 단변(b)을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 장변(a)의 길이는 5 마이크로미터 이상 30 마이크로미터 이하일 수 있다. 제1 단변(b)의 길이는 3 마이크로미터 이상 20 마이크로미터 이하일 수 있다.
지지 패턴들(SPP)의 제1 장변(a)의 폭이 5 마이크로미터 미만이거나 제1 단변(b)의 폭이 3 마이크로미터 미만인 경우, 마스크를 지지하기에 부족하여 마스크의 쳐짐 현상이 발생할 수 있다. 지지 패턴들(SPP)의 제1 장변(a)의 폭이 30 마이크로미터 초과이거나 제1 단변(b)의 폭이 20 마이크로미터 초과인 경우, 지지 패턴(SPP)이 발광 영역의 일부를 커버할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 추가 지지 패턴들(SPP-P)은 지지 패턴들(SPP)과 동일한 폭을 가질 수 있다. 즉, 추가 지지 패턴들(SPP-P) 각각의 제1 방향(DR1)으로 연장된 장변의 폭은 5 마이크로미터 이상 30 마이크로미터 이하일 수 있고, 추가 지지 패턴들(SPP-P) 각각의 제2 방향(DR2)으로 연장된 단변의 폭은 3 마이크로미터 이상 20 마이크로미터 이하일 수 있다.
본 실시예에서, 서브 지지 패턴들(SPP-S) 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장된 제2 장변(a') 및 제1 방향(DR1)으로 연장된 제2 단변(b')을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제2 장변(a')의 폭은 5 마이크로미터 이상 30 마이크로미터 이하일 수 있다. 제2 단변(b')의 폭은 3 마이크로미터 이상 15 마이크로미터 이하일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 서브 지지 패턴들(SPP-S)의 제2 장변(a')은 지지 패턴들(SPP)의 제1 장변(a)과 동일할 수 있고, 서브 지지 패턴들(SPP-S)의 제2 단변(b')은 지지 패턴들(SPP)의 제1 단변(b)과 동일할 수 있다.
다만, 이에 한정되지 않고, 서브 지지 패턴들(SPP-S)의 제2 장변(a')은 지지 패턴들(SPP)의 제1 장변(a)보다 짧을 수 있고, 서브 지지 패턴들(SPP-S)의 제2 단변(b')은 지지 패턴들(SPP)의 제1 단변(b)보다 짧을 수 있다.
본 실시예에서, 표시 패널(DP)의 전체 면적에서 지지 패턴들(SPP), 추가 지지 패턴들(SPP-P), 및 서브 지지 패턴들(SPP-S)이 차지하는 면적의 비율은 0.5% 이상 10% 이하일 수 있다. 특히, 상기 면적의 비율은 1.0% 이상 3.0% 이하일 수 있다.
본 실시예에서, 어느 하나의 지지 패턴(SPP)의 제1 장변들(a)로부터 제1 방향(DR1)으로 이격된 제1 발광 영역들(PN-G) 사이의 최소 이격 거리를 각각 제1 및 제2 거리(d1, d2)로 정의할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1 및 제2 거리(d1, d2)는 서로 동일할 수 있다.
어느 하나의 지지 패턴(SPP)의 제1 단변들(b)로부터 제2 방향(DR2)으로 이격된 제2 발광 영역(PN-R) 및 제3 발광 영역(PN-B) 사이의 최소 이격 거리를 각각 제3 및 제4 거리(d3, d4)로 정의할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제3 및 제4 거리(d3, d4)는 서로 동일할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 내지 제4 거리(d1, d2, d3, d4) 각각은 3 마이크로미터 이상 15 마이크로미터 이하일 수 있다. 이때, 제1 및 제2 거리(d1, d2) 각각은 제3 및 제4 거리(d3, d4)보다 짧을 수 있다.
본 실시예에서, 어느 하나의 서브 지지 패턴(SPP-S)의 제2 단변들(b')로부터 제1 방향(DR1)으로 이격된 제1 영역(UA-N4B)의 제1 발광 영역(PN-G) 및 제2 영역(UA-P4B)의 제1 발광 영역(PP-G)까지의 최소 이격 거리를 각각 제1' 및 제2' 거리(d1', d2')로 정의할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제1' 및 제2' 거리(d1', d2')는 서로 동일할 수 있다.
어느 하나의 서브 지지 패턴(SPP-S)의 제2 장변들(a')로부터 제2 방향(DR2)으로 이격된 제1 영역(UA-N4B)의 제3 발광 영역(PN-B) 및 제2 영역(UA-P4B)의 제2 발광 영역(PP-R)까지의 최소 이격 거리를 각각 제3' 거리 및 제4' 거리(d3', d4')로 정의할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 제3' 및 제4' 거리(d3', d4')는 서로 동일할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1' 내지 제4' 거리(d1', d2', d3', d4')는 각각 3 마이크로미터 이상 15 마이크로미터 이하일 수 있다. 이때, 제1' 및 제2' 거리(d1', d2') 각각은 제3' 및 제4' 거리(d3', d4')보다 길 수 있다.
본 실시예에 따르면, 제1 영역(UA-N4B) 및 제2 영역(UA-P4B) 사이에도 마스크를 지지하는 패턴들을 형성하여, 마스크의 쳐짐 현상이 발생되는 것을 최소화할 수 있다. 이를 통해, 표시 패널(DP)에 마스크의 찍힘 현상이 발생하는 것을 최소화할 수 있고, 공정 신뢰도가 개선된 표시 패널(DP)을 제공할 수 있다.
도 11b는 서브 지지 패턴들(SPP-S)이 적용된 실시예를 예시적으로 도시한 것으로, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 서브 지지 패턴들(SPP-S)은 도 6a, 도 8a, 및 도 9a에 도시된 표시 모듈(DM)에도 배치될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
DD: 표시 장치
UA-N: 제1 영역
UA-P: 제2 영역
PN-G, PN-R, PN-B, PP-G, PP-R, PP-B: 제1 내지 제3 발광 영역들
SP1-G, SP1-R, SP1-B: 제1 내지 제3 분할 패턴들
SP2-G, SP2-R, SP2-B: 제1 내지 제3 서브 분할 패턴들
PU-G, PU-R, PU-B: 제1 내지 제3 유닛 영역들
PZ-G, PZ-R, PZ-B: 제1 내지 제3 서브 유닛 영역들
C1: 제1 중심 영역
C2: 제2 중심 영역
S1: 제1 주변 영역
S2: 제2 주변 영역
MSP-N: 제1 중심 분할 패턴들
MSP-P: 제2 중심 분할 패턴들
CSP-N: 제1 커버 패턴들
CSP-P: 제2 커버 패턴들
SPP: 지지 패턴들
SPP-P: 추가 지지 패턴들
SPP-S : 서브 지지 패턴들

Claims (20)

  1. 적어도 하나의 트랜지스터를 포함하는 회로 소자층; 및
    상기 회로 소자층 상에 배치되고, 각각이 제1 내지 제3 발광 영역들과 적어도 하나의 비발광 영역을 포함하는 제1 영역 및 제2 영역을 포함하고, 대응되는 상기 제1 내지 제3 발광 영역으로 서로 다른 색의 광을 제공하는 제1 내지 제3 발광 소자, 대응되는 상기 제1 내지 제3 발광 영역들과 중첩하는 개구부들이 정의된 화소 정의막, 및 적어도 일부의 개구부들 내부에 배치된 분할 패턴을 포함하는 표시 소자층을 포함하고,
    상기 제2 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각은, 복수의 유닛 영역들을 포함하고,
    상기 분할 패턴은, 상기 제2 영역과 중첩하고, 상기 제2 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각을 상기 유닛 영역들로 분할하고,
    상기 제2 영역의 상기 비발광 영역은, 상기 제1 내지 제3 발광 영역들을 둘러싸는 제1 비발광 영역, 및 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각의 상기 유닛 영역들과 상기 제1 비발광 영역에 의해 둘러싸인 제2 비발광 영역을 포함하고,
    상기 화소 정의막은,
    상기 제1 영역의 상기 비발광 영역 및 상기 제2 영역의 상기 제1 비발광 영역과 중첩하고, 상기 분할 패턴과 서로 다른 투과율을 갖는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 화소 정의막은 차광 물질을 포함한 유기막으로 이루어진 표시 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 영역에서,
    상기 제2 발광 영역의 면적은 상기 제1 발광 영역의 면적보다 크고, 상기 제3 발광 영역의 면적보다 작은 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 제2 영역에서, 상기 유닛 영역들은,
    상기 제1 발광 영역에 포함되는 제1 유닛 영역들, 상기 제2 발광 영역에 포함되는 제2 유닛 영역들, 및 상기 제3 발광 영역에 포함되는 제3 유닛 영역들을 포함하는 표시 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 제2 영역에서,
    상기 제1 유닛 영역들 각각의 일 방향에서의 폭은 서로 동일하고,
    상기 제2 유닛 영역들 각각의 상기 일 방향에서의 폭은 서로 동일하고,
    상기 제3 유닛 영역들 각각의 상기 일 방향에서의 폭은 서로 동일한 표시 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 발광 소자들 각각은,
    제1 전극, 상기 제1 전극 상에 배치된 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 배치된 발광층을 포함하고,
    상기 화소 정의막의 상기 개구부들 각각은, 상기 제1 전극의 적어도 일부를 노출시키고,
    상기 분할 패턴은, 상기 개구부들로부터 노출된 상기 제1 전극들 상에 배치되는 표시 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각은, 복수의 서브 유닛 영역들을 포함하고,
    상기 서브 유닛 영역들은,
    상기 제1 발광 영역에 포함된 제1 서브 유닛 영역들, 상기 제2 발광 영역에 포함된 제2 서브 유닛 영역들, 및 상기 제3 발광 영역에 포함된 제3 서브 유닛 영역들을 포함하는 표시 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 제1 영역에 중첩하고, 상기 개구부들로부터 노출된 상기 제1 전극들 상에 배치되고, 상기 분할 패턴과 동일 물질을 포함하는 서브 분할 패턴을 더 포함하고,
    상기 제1 영역의 상기 제1 내지 제3 서브 유닛 영역들은, 상기 서브 분할 패턴에 의해 분할된 상기 개구부들의 면적에 의해 정의되는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 제1 서브 유닛 영역들 각각의 면적의 합은 상기 제2 영역의 상기 제1 유닛 영역들 각각의 면적의 합과 동일하고,
    상기 제2 서브 유닛 영역들 각각의 면적의 합은 상기 제2 영역의 상기 제2 유닛 영역들 각각의 면적의 합과 동일하고,
    상기 제3 서브 유닛 영역들 각각의 면적의 합은 상기 제2 영역의 상기 제3 유닛 영역들 각각의 면적의 합과 동일한 표시 장치.
  10. 제8 항에 있어서,
    상기 표시 패널 상에 배치된 적어도 하나의 절연층, 상기 절연층 상에 배치되는 제1 평탄화층, 상기 제1 평탄화층 상에 배치되는 차광 패턴, 상기 제1 평탄화층 상에 배치되고 상기 차광 패턴을 커버하는 제2 평탄화층을 포함하고,
    상기 차광 패턴은,
    상기 제1 영역 및 상기 제2 영역 각각에 배치된 상기 화소 정의막 및 상기 분할 패턴 상에 배치되고, 상기 서브 분할 패턴과 비 중첩하게 배치되는 표시 장치.
  11. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 영역에서,
    상기 비발광 영역은,
    상기 제1 내지 제3 발광 영역들을 둘러싸는 제1 주변 영역 및 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 및 상기 제1 주변 영역에 의해 둘러싸인 제1 중심 영역을 포함하고,
    상기 제1 중심 영역과 중첩하게 배치되고, 상기 분할 패턴과 동일 물질을 포함하는 제1 중심 분할 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제2 영역에서,
    상기 제1 비발광 영역은,
    상기 제1 내지 제3 발광 영역들을 둘러싸는 제2 주변 영역 및 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 및 상기 제2 주변 영역에 의해 둘러싸인 제2 중심 영역을 포함하고,
    상기 제2 중심 영역과 중첩하게 배치되고, 상기 분할 패턴과 동일 물질을 포함하는 제2 중심 분할 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 제2 영역에서,
    상기 제1 내지 제3 발광 영역들 각각은 복수의 서브 유닛 영역들을 포함하고,
    상기 표시 소자층은,
    상기 제1 영역에 중첩하고, 상기 개구부들로부터 노출된 상기 제1 전극들 상에 배치되는 서브 분할 패턴을 더 포함하고,
    상기 제1 영역의 상기 서브 유닛 영역들은, 상기 서브 분할 패턴에 의해 분할된 상기 개구부들의 면적에 의해 정의되는 표시 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 소자층은,
    적어도 일부의 상기 화소 정의막 상에 배치되고, 상기 제1 및 제2 영역들 중 적어도 하나의 상기 제1 내지 제3 발광 영역들로 둘러싸인 지지 패턴을 포함하고,
    상기 지지 패턴 및 상기 분할 패턴은,
    고분자 물질 및 실리콘 중 어느 하나를 포함하는 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 영역 각각에서,
    상기 제1 발광 영역은 두 개로 제공되며, 상기 두 개의 제1 발광 영역들은 제1 방향으로 배열되고,
    상기 제2 발광 영역 및 상기 제3 발광 영역은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 이격하여 배열되고,
    상기 지지 패턴은,
    상기 제1 발광 영역들 사이에 배치되어 상기 제1 발광 영역들과 상기 제1 방향으로 나열되고, 상기 제2 및 제3 발광 영역들 사이에 배치되어 상기 제2 및 제3 발광 영역들과 상기 제2 방향으로 나열되는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 지지 패턴은,
    상기 제1 방향으로 연장된 제1 장변 및 상기 제2 방향으로 연장된 제2 단변을 포함하는 직사각 형상을 갖고,
    상기 제1 장변의 길이는, 5 마이크로미터 이상 30 마이크로미터 이하이고,
    상기 제1 단변의 길이는, 3 마이크로미터 이상 20 마이크로미터 이하인 표시 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 표시 소자층은,
    상기 제1 및 제2 영역 각각의 상기 제1 발광 영역들 사이에 배치되어 상기 제2 방향으로 나열되고, 상기 제1 영역의 상기 제3 발광 영역 및 상기 제2 영역의 상기 제2 발광 영역 사이 및 상기 제1 영역의 상기 제2 발광 영역 및 상기 제2 영역의 상기 제3 발광 영역 사이 중 어느 하나에 배치되어 상기 제1 방향으로 나열되는 서브 지지 패턴을 더 포함하는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 서브 지지 패턴은,
    상기 제2 방향으로 연장된 제2 장변 및 상기 제1 방향으로 연장된 제2 단변을 포함하는 직사각 형상을 갖고,
    상기 제2 장변의 길이는, 5 마이크로미터 이상 30 마이크로미터 이하이고,
    상기 제2 단변의 길이는, 3 마이크로미터 이상 15 마이크로미터 이하인 표시 장치.
  19. 제17 항에 있어서,
    상기 지지 패턴 및 상기 서브 지지 패턴 각각으로부터 상기 제1 내지 제3 발광 영역들 중 가장 인접한 제1 내지 제3 발광 영역들까지의 이격 거리는, 3 마이크로미터 이상 15 마이크로미터 이하인 표시 장치.
  20. 제1 항에 있어서,
    상기 표시 패널은,
    제1 동작모드에서 상기 제1 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 소자들 및 상기 제2 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 소자들을 활성화시키고,
    제2 동작모드에서 상기 제1 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 소자들을 비-활성화시키고, 상기 제2 영역의 상기 제1 내지 제3 발광 소자들을 활성화시키는 표시 장치.
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