CN112083824A - 电子装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 53
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 190
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 21
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 20
- 230000008859 change Effects 0.000 description 19
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 17
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 101100499944 Arabidopsis thaliana POL2A gene Proteins 0.000 description 12
- 101100028962 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PDR1 gene Proteins 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 101500020766 Sus scrofa FS-303 Proteins 0.000 description 7
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 101100224485 Arabidopsis thaliana POL2B gene Proteins 0.000 description 4
- 101100256651 Homo sapiens SENP6 gene Proteins 0.000 description 4
- 101150038317 SSP1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100125020 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) pss1 gene Proteins 0.000 description 4
- 101100018019 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) ssc1 gene Proteins 0.000 description 4
- 102100023713 Sentrin-specific protease 6 Human genes 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- 101001027791 Homo sapiens E3 ubiquitin-protein ligase MSL2 Proteins 0.000 description 3
- 101001027796 Homo sapiens Male-specific lethal 1 homolog Proteins 0.000 description 3
- 101000639802 Homo sapiens U2 small nuclear ribonucleoprotein B'' Proteins 0.000 description 3
- 102000002391 MSL2 Human genes 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100034461 U2 small nuclear ribonucleoprotein B'' Human genes 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 101100532584 Clostridium perfringens (strain 13 / Type A) sspC1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100095550 Homo sapiens SENP7 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150098865 SSP2 gene Proteins 0.000 description 2
- 102100031406 Sentrin-specific protease 7 Human genes 0.000 description 2
- 101100218648 Toxoplasma gondii (strain ATCC 50611 / Me49) BFD1 gene Proteins 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 101100238646 Drosophila melanogaster msl-1 gene Proteins 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 229910003471 inorganic composite material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
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- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
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- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
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- G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
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- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
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- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
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- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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Abstract
提供了一种电子装置。所述电子装置包括:基体基底,包括包含感测区域的有效区域和与有效区域相邻的外围区域;输入传感器,包括感测绝缘层、多个第一感测电极、多个第二感测电极,第二感测电极与第一感测电极间隔开;以及压力感测传感器,包括与感测区域叠置的多个应变感测图案和将应变感测图案彼此连接的应变连接图案,其中,第一感测电极中的每个包括与有效区域叠置的多个第一感测图案,第二感测电极中的每个包括与有效区域叠置并且与第一感测图案位于同一层上的多个第二感测图案和连接第二感测图案的多个第二连接图案。
Description
本申请要求于2019年6月12日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0069065号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的一些示例实施例的方面涉及一种电子装置。
背景技术
电子装置可以响应于电信号而被激活。电子装置可以包括电子面板,该电子面板被构造为感测要从外部(例如,外部源)施加的各种输入信号。电子面板可以单独地使用,或者可以与用于显示图像的显示装置一起使用,以提高用户的便利。
电子装置包括被用于传送用于激活电子装置的电信号的各种电极图案或迹线图案。在特定区域中的电极图案被激活的情况下,该区域可以被用于显示图像信息或者被用于感测外部触摸事件。
本背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对背景技术的理解,因此本背景技术部分中讨论的信息不必构成现有技术。
发明内容
本公开的一些示例实施例的方面涉及一种电子装置,并且例如涉及一种具有改善的压力感测功能的电子装置。
发明构思的一些示例实施例的方面包括包含其中布置有压力感测传感器的输入感测单元(或输入传感器)的电子装置。
根据发明构思的一些示例实施例,电子装置可以包括:基体基底,包括包含感测区域的有效区域和与有效区域相邻的外围区域;输入传感器,包括位于基体基底上的感测绝缘层、多个第一感测电极、多个第二感测电极,第二感测电极与第一感测电极间隔开;以及压力感测传感器,包括与感测区域叠置的多个应变感测图案和将应变感测图案彼此连接的应变连接图案。第一感测电极中的每个可以包括与有效区域叠置的多个第一感测图案以及连接第一感测图案的多个第一连接图案,感测绝缘层置于多个第一感测图案与多个第一连接图案之间。第二感测电极中的每个可以包括与有效区域叠置并且与第一感测图案位于同一层上的多个第二感测图案以及连接第二感测图案的多个第二连接图案。应变感测图案和第一连接图案可以位于同一层上。
根据一些示例实施例,当在平面图中观看时,应变感测图案中的每个可以被第一感测图案和第二感测图案中的至少一者围绕。
根据一些示例实施例,电子装置还可以包括虚设图案,虚设图案与应变感测图案位于同一层上并且当在平面图中观看时被第一感测图案和第二感测图案中的至少一者围绕。虚设图案可以与应变感测图案中的每个间隔开。
根据一些示例实施例,虚设图案中的至少一个可以被应变感测图案中的至少一个围绕。
根据一些示例实施例,电子装置还可以包括温度感测传感器,温度感测传感器包括温度感测图案和连接温度感测图案的温度连接图案。温度感测图案可以与应变感测图案位于同一层上,当在平面图中观看时温度感测图案可以被第一感测图案和第二感测图案中的至少一者围绕,并且温度感测图案可以与应变感测图案中的每个和虚设图案间隔开。
根据一些示例实施例,应变感测图案中的每个可以包括网格线。
根据一些示例实施例,电子装置还可以包括显示电路层和显示器件层。显示电路层可以包括晶体管和光阻挡图案,晶体管在基体基底与输入传感器之间并且包括半导体图案,光阻挡图案位于基体基底上并且与半导体图案叠置。显示器件层包括连接到晶体管的第一电极、与第一电极相对的第二电极以及在第一电极与第二电极之间的发光图案。当在平面图中观看时,发光图案可以与网格线间隔开。
根据一些示例实施例,电子装置还可以包括子压力感测传感器,子压力感测传感器包括与光阻挡图案位于同一层上的子应变感测图案和连接到子应变感测图案的子应变感测线。子应变感测图案可以与应变感测图案叠置。
根据一些示例实施例,电子装置还可以包括子虚设图案,子虚设图案与第一感测图案位于同一层上并且与应变感测图案叠置。当在平面图中观看时,子虚设图案中的每个可以被第一感测图案和第二感测图案中的至少一者围绕。
根据一些示例实施例,电子装置还可以包括与第一感测图案位于同一层上的子虚设图案。当在平面图中观看时,子虚设图案中的每个被第一感测图案和第二感测图案中的至少一者围绕。当在剖面图中观看时,应变感测图案中的每个可以与第一感测图案和第二感测图案中的至少一者叠置。
根据一些示例实施例,压力感测传感器还可以包括辅助应变感测图案,辅助应变感测图案与第一感测图案位于同一层上并且穿过感测绝缘层连接到应变感测图案。当在平面图中观看时,辅助应变感测图案可以被第一感测图案和第二感测图案中的至少一者围绕。
根据一些示例实施例,感测区域可以包括被有效区域与感测区域之间的边界围绕并且具有闭合线形状的主页按钮区域。当在剖面图中在特定的方向上测量时,与主页按钮区域叠置的每个应变感测图案的宽度可以大于第一感测图案和第二感测图案中的每个的宽度。
根据一些示例实施例,应变感测图案中的每个可以是线型的。
根据一些示例实施例,压力感测传感器可以包括第一应变线和第二应变线,第一应变线在外围区域中并且连接到应变连接图案中的一个应变连接图案的一端,第二应变线在外围区域中并且连接到应变连接图案中的另一个应变连接图案的一端。第一应变线和第二应变线可以被施加有彼此不同的信号。
根据发明构思的一些示例实施例,电子装置可以包括感测绝缘层、第一导电层以及第二导电层,第一导电层和第二导电层彼此间隔开,感测绝缘层置于第一导电层与第二导电层之间。第一导电层可以包括压力感测传感器,所述第一导电层包括第一连接图案、在平面图中被第一感测图案和第二感测图案中的至少一者围绕的虚设图案、与第一连接图案和虚设图案间隔开的应变感测图案以及连接应变感测图案的应变连接图案。第二导电层可以包括穿过感测绝缘层连接到第一连接图案的第一感测图案、与第一感测图案间隔开的第二感测图案以及连接第二感测图案的第二连接图案。当在平面图中观看时,应变感测图案可以被第一感测图案和第二感测图案中的至少一者围绕。
根据一些示例实施例,第一导电层可以位于感测绝缘层下方,第二导电层可以位于感测绝缘层上。
根据一些示例实施例,第二导电层还可以包括子虚设图案,当在平面图中观看时,子虚设图案与应变感测图案叠置并且被第一感测图案和第二感测图案中的至少一者围绕。
根据一些示例实施例,第一导电层和第二导电层可以包括网格线。
根据一些示例实施例,当在平面图中观看时,第一连接图案、第二连接图案和应变连接图案可以彼此间隔开。
根据一些示例实施例,第一导电层还可以包括温度感测图案和温度连接图案,当在平面图中观看时,温度感测图案被第一感测图案和第二感测图案中的一者围绕,温度连接图案连接温度感测图案。温度感测图案可以与应变感测图案和虚设图案间隔开。
附图说明
通过以下结合附图的简要描述,一些示例实施例的方面将更清楚地被理解。附图代表如在此描述的非限制性的示例实施例。
图1A是示出根据发明构思的一些示例实施例的电子装置的组合结构的透视图。
图1B是示出根据发明构思的一些示例实施例的电子装置的分解透视图。
图2是示意性地示出根据发明构思的一些示例实施例的显示模块的剖面图。
图3A是示出根据发明构思的一些示例实施例的显示单元的平面图。
图3B是示出根据发明构思的一些示例实施例的像素的等效电路图。
图4是示出根据发明构思的一些示例实施例的输入传感器和压力感测传感器的平面图。
图5A是示出根据发明构思的一些示例实施例的电子装置的一部分的平面图。
图5B是示出根据发明构思的一些示例实施例的电子装置的一部分的平面图。
图5C是示出根据发明构思的一些示例实施例的电子装置的一部分的平面图。
图5D是示出根据发明构思的一些示例实施例的电子装置的一部分的平面图。
图6是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。
图7是示出图6的区域QQ'的放大图。
图8是沿着图7的线I-I'截取的剖面图。
图9是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。
图10是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。
图11A是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。
图11B是沿着图11A的线II-II'截取的剖面图。
图12A是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。
图12B是沿着图12A的线III-III'截取的剖面图。
图13A是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。
图13B是沿着图13A的线IV-IV'截取的剖面图。
图14是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。
图15A是示出根据发明构思的一些示例实施例的电子装置的区域的平面图。
图15B是沿着图15A的线V-V'截取的剖面图。
图16A是示出根据发明构思的一些示例实施例的显示模块的透视图。
图16B是沿着图16A的线VI-VI'截取的剖面图。
图16C是示出根据发明构思的一些示例实施例的压力感测传感器的平面图。
应该注意的是,这些附图旨在示出在某些示例实施例中使用的方法、结构和/或材料的一般特性,并且旨在对下面提供的书面描述进行补充。然而,这些附图不是按比例的,并且可能不精确地反映任何给出的实施例的精确的结构特性或精确的性能特性,并且不应该被解释为限定或限制示例实施例所包含的值或性质的范围。例如,为了清楚起见,可以减小或夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和定位。在不同附图中使用相似或相同的附图标记旨在指示存在相似或相同的元件或特征。
具体实施方式
现在将参照附图更充分地描述发明构思的一些示例实施例的方面,在附图中示出了示例实施例。然而,发明构思的一些示例实施例可以以许多不同的形式实施,并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例,相反,提供这些实施例使得本公开将更透彻且更完整,并且将向本领域普通技术人员更充分地传达示例实施例的构思。在附图中,为了清楚起见,夸大了层和区域的厚度。在附图中同样的附图标记表示同样的元件,因此将省略它们的描述。
将理解的是,当元件被称为“连接”或“结合”到另一元件时,该元件可以直接连接到或结合到所述另一元件,或者可以存在中间元件。相反地,当元件被称为“直接连接”或“直接结合”到另一元件时,不存在中间元件。同样的标号始终指示同样的元件。如在此使用的,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。用于描述元件或层之间的关系的其它词语应该以同样的方式(例如,“在……之间”与“直接在……之间”、“与……相邻”与“直接与……相邻”、“在……上”与“直接在……上”)来解释。
将理解的是,尽管在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分,但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此,在不脱离示例实施例的教导的情况下,下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述,在此可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示出的一个元件或特征与另一(另一些)元件或特征的关系。将理解的是,空间相对术语旨在包含装置在使用或操作中的除了附图中所描绘的方位之外的不同方位。例如,如果附图中的装置被翻转,则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此,示例术语“在……下方”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(旋转90度或在其它方位处),并且在此使用的空间相对描述语被相应地解释。
在此使用的术语仅用于描述具体实施例的目的,而不旨在成为示例实施例的限制。如在此使用的,除非上下文另外清楚地指示,否则单数形式“一个(种/者)”、“所述(该)”也旨在包括复数形式。还将理解的是,如果在此使用术语“包含”及其变型和/或“包括”及其变型,说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件,但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在此参照剖面图示来描述发明构思的一些示例实施例的方面,该剖面图示是示例实施例的理想化实施例(和中间结构)的示意性图示。如此,将预期例如由制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化。因此,发明构思的示例实施例不应该被解释为限于在此示出的区域的具体形状,而是将包括例如由制造导致的形状的偏差。
除非另有定义,否则在此使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与发明构思的示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是,除非在此明确地如此定义,否则术语(诸如在通用词典中定义的那些术语)应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释。
图1A是示出根据发明构思的一些示例实施例的电子装置的组合结构的透视图。图1B是示出根据发明构思的一些示例实施例的电子装置的分解透视图。图2是示意性地示出根据发明构思的一些示例实施例的显示模块的剖面图。图3A是示出根据发明构思的一些示例实施例的显示单元的平面图。图3B是示出根据发明构思的一些示例实施例的像素的等效电路图。
参照图1A和图1B,电子装置ED可以通过施加到其的电信号而被选择性地激活。电子装置ED可以以各种形式设置。例如,电子装置ED可以是平板电脑、笔记本电脑、计算机、智能电视等中的一种。根据一些示例实施例,如图1A中所示出的,电子装置ED可以是智能电话。
电子装置ED可以在显示表面IS上朝向第三方向D3显示图像IM,该显示表面IS与第一方向D1和第二方向D2平行。在其上显示图像IM的显示表面IS可以对应于电子装置ED的前表面。图像IM可以是视频图像或静止(例如,静态)图像。图1A示出了静止图像(诸如图标)作为图像IM的示例。
根据一些示例实施例,可以基于图像IM的显示方向来区分每个元件的前表面(或顶表面)和后表面(或底表面)。前表面和后表面可以在第三方向D3上彼此相对,并且垂直于前表面和后表面中的每个的方向可以平行于第三方向D3。
前表面与后表面之间在第三方向D3上的分隔距离可以对应于电子装置ED在第三方向D3上的厚度或高度。另外,由第一方向D1、第二方向D2和第三方向D3指示的方向是相对概念,并且根据一些示例实施例,它们可以被改变为指示其它方向。在下文中,第一方向至第三方向可以是分别由第一方向D1、第二方向D2和第三方向D3指示的方向,并且将用相同的附图标记来标记。
电子装置ED可以感测从外部(例如,从外部源或物体)提供的外部输入TC。外部输入TC可以包括从电子装置ED的外部提供的各种类型的输入信号。
例如,外部输入TC可以是利用用户的身体或手(或手指、触笔等)的触摸型输入和诸如到电子装置ED的距离的减小(例如,外部物体的紧密接近的感测)或者靠近电子装置ED(例如,在电子装置ED的设定的或预定的阈值距离内)的悬停事件的非触摸型输入。此外,外部输入TC可以以各种形式(诸如力、压力、温度和光)来设置。
在图1A中,由虚线描绘被用于感测与压力和温度中的至少一者的变化相关的外部输入TC的感测区域FA。在图1A中,感测区域FA被示出为单个矩形区域,但是根据发明构思的实施例不限于该示例。例如,感测区域FA的形状或数量可以根据技术要求进行各种改变,只要下面将描述的压力感测传感器和温度感测传感器定位在感测区域FA中即可。
电子装置ED的前表面可以被划分为透射区域TA和边框区域BZA。透射区域TA可以是在其中显示图像IM的区域。在透射区域TA中显示的图像IM可以被提供给用户。根据一些示例实施例,透射区域TA被示出为具有圆角的矩形形状。然而,可以对透射区域TA的形状进行各种改变,因此根据发明构思的实施例不限于上面的示例或特定的实施例。
边框区域BZA可以定位为与透射区域TA相邻。边框区域BZA可以具有颜色(例如,设定的或预定的颜色)。边框区域BZA可以围绕透射区域TA。因此,透射区域TA的形状可以基本上由边框区域BZA限定。然而,根据发明构思的实施例不限于该示例,根据一些示例实施例,边框区域BZA可以定位在透射区域TA的侧区域中的仅一个侧区域附近,或者可以省略边框区域BZA。电子装置ED可以被实现为各种实施例,并且根据发明构思的实施例不限于特定的实施例。
参照图1A和图1B,电子装置ED可以包括窗构件WM、外壳EDC、显示模块DM、主电路基底MF以及柔性电路基底FF和TF。显示模块DM可以包括显示单元DU、输入感测单元(或输入传感器)TU以及压力感测传感器FPS(例如,在图4中所示),该压力感测传感器FPS定位在感测区域FA中。下面将更详细地描述压力感测传感器FPS。
窗构件WM可以由允许图像光发射到外部的任何合适的透明材料形成。例如,窗构件WM可以由玻璃、蓝宝石、塑料等形成或者包括玻璃、蓝宝石、塑料等。尽管窗构件WM被示出为单层,但是根据发明构思的实施例不限于该示例,并且根据一些示例实施例,窗构件WM可以包括多个层。根据一些示例实施例,电子装置ED的边框区域BZA可以基本上是窗构件WM的区域,在该区域中印刷有特定颜色的材料。
外壳EDC可以容纳显示模块DM。外壳EDC可以与窗构件WM结合以限定电子装置ED的外观。外壳EDC可以吸收从外部施加的冲击,并且可以防止或减少污染材料或湿气进入显示模块DM的情况,因此,可以保护容纳在外壳EDC中的内部元件免受污染材料或湿气的影响。根据一些示例实施例,外壳EDC可以包括彼此结合的多个容器构件。
参照图2,根据发明构思的一些示例实施例的显示模块DM可以包括显示单元(或显示器)DU和输入感测单元TU。
显示模块DM可以响应于施加到其的电信号来显示图像IM并且可以传递或接收关于外部输入TC的信息。显示模块DM可以包括有效区域AA和外围区域NAA。有效区域AA可以被定义为用于发射从显示模块DM提供的图像光的区域。
根据一些示例实施例,感测区域FA可以被包括在有效区域AA中。例如,感测区域FA可以被有效区域AA围绕。因此,根据一些示例实施例,与压力和温度中的至少一者相关的外部输入TC可以被定位在有效区域AA中的感测区域FA感测。
外围区域NAA可以与有效区域AA相邻。例如,外围区域NAA可以围绕有效区域AA。然而,根据发明构思的实施例不限于该示例或特定的实施例,并且可以对外围区域NAA的形状进行各种改变。根据一些示例实施例,显示模块DM的有效区域AA可以对应于透射区域TA的至少一部分。
参照图2,显示单元DU可以包括基体基底SUB、显示电路层CL、显示器件层EDL和封装层TFE。
基体基底SUB可以是柔性基底,并且可以包括塑料基底、玻璃基底、金属基底或者由有机/无机复合材料形成的基底。根据一些示例实施例,基体基底SUB可以包括至少一个塑料膜。
显示电路层CL可以定位在基体基底SUB上。显示电路层CL可以包括多个绝缘层、多条信号线、控制电路和半导体层。
显示器件层EDL可以包括有机发光器件OLED(见图3B)和像素限定层PDL(见图16B)。封装层TFE可以密封或封装显示器件层EDL。
封装层TFE可以包括至少一个有机层和至少一个无机层。无机层可以保护显示器件层EDL免受湿气或氧的影响。无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层、氧化铝层等,但是根据发明构思的实施例不限于这些示例。
参照图3A和图3B,显示单元DU可以包括驱动电路GDC、多条信号线SGL和多个像素PX。显示单元DU还可以包括像素垫(“pad”又称为“焊盘”或“焊垫”)部分PLD,该像素垫部分PLD定位在外围区域NAA中并且包括连接到信号线SGL中的对应的信号线SGL的像素垫D-PD。
像素PX可以定位在有效区域AA中。像素PX中的每个可以包括有机发光器件OLED和连接到其的像素驱动电路。驱动电路GDC、信号线SGL、像素垫部分PLD和像素驱动电路可以被包括在图2中所示的显示电路层CL中。
驱动电路GDC可以包括栅极驱动电路。栅极驱动电路可以产生多个栅极信号,然后可以将栅极信号顺序地输出到下面将描述的多条栅极线GL。栅极驱动电路还可以向像素驱动电路输出其它控制信号。
信号线SGL可以包括栅极线GL、数据线DL、电力线PL和控制信号线CSL。栅极线GL中的一条栅极线GL可以连接到像素PX中的对应的像素PX,数据线DL中的一条数据线DL可以连接到像素PX中的对应的像素PX。电力线PL可以连接到像素PX。控制信号线CSL可以向栅极驱动电路提供控制信号。信号线SGL可以与有效区域AA和外围区域NAA叠置。
像素垫部分PLD可以是主电路基底MF连接到其的部分,像素垫部分PLD的像素垫D-PD可以连接到主电路基底MF的对应的垫。像素垫D-PD可以连接到显示电路层CL中的线的暴露的部分。
像素垫D-PD可以通过信号线SGL连接到像素PX中的对应的像素PX。此外,驱动电路GDC可以连接到像素垫D-PD中的一个。
像素PX可以从栅极线GL接收栅极信号,并且可以从数据线DL接收数据信号。此外,像素PX可以从电力线PL接收第一电力电压ELVDD。像素PX可以包括第一薄膜晶体管TR1、第二薄膜晶体管TR2、电容器Cst和有机发光器件OLED。
第一薄膜晶体管TR1可以响应于施加到栅极线GL的栅极信号而输出施加到数据线DL的数据信号。电容器Cst可以被充电以具有与从第一薄膜晶体管TR1传递的数据信号对应的电压。
第二薄膜晶体管TR2可以连接到有机发光器件OLED。第二薄膜晶体管TR2可以根据存储在电容器Cst中的电荷的量来控制流过有机发光器件OLED的驱动电流。
有机发光器件OLED可以包括连接到第二薄膜晶体管TR2的第一电极、接收第二电力电压ELVSS的第二电极以及定位在第一电极与第二电极之间的发光图案。根据发明构思的一些示例实施例的有机发光器件OLED可以包括其中第一电极、发光图案和第二电极顺序地堆叠的结构。第二电力电压ELVSS可以具有低于第一电力电压ELVDD的电压电平的电压电平。
当第二薄膜晶体管TR2处于导通时段时,有机发光器件OLED可以发射光。像素PX的结构不限于特定的结构,并且可以对像素PX的结构进行各种改变。
输入感测单元TU可以直接位于显示单元DU上。根据一些示例实施例,输入感测单元TU可以直接位于封装层TFE上。输入感测单元TU可以包括感测电极,感测电极中的每个包括感测图案和感测线。感测电极和感测线可以具有单层结构或多层结构。
在某些实施例中,输入感测单元TU可以通过定位在封装层TFE上的粘合构件结合到封装层TFE,但是根据发明构思的实施例不限于该示例或特定的实施例。
主电路基底MF可以包括基体电路基底MP和驱动器件MC。基体电路基底MP可以通过第一柔性电路基底FF电连接到显示单元DU,并且基体电路基底MP可以通过第二柔性电路基底TF电连接到输入感测单元TU。基体电路基底MP可以以柔性印刷电路板(FPCB)的形式设置。
驱动器件MC可以包括信号控制单元(或信号控制器)(例如,时序控制器)。信号控制单元可以接收输入图像信号,然后可以将输入图像信号转换为适合于像素PX的操作的图像数据。此外,信号控制单元还可以接收各种控制信号(例如,垂直同步信号、水平同步信号、主时钟信号和数据使能信号),然后可以输出与控制信号对应的信号。
根据一些示例实施例,驱动器件MC还可以包括被用于控制输入感测单元TU和压力感测传感器FPS(例如,见图4)的电路单元(或电路组件),但是根据发明构思的实施例不限于该示例或特定的实施例。
第一柔性电路基底FF可以结合到显示单元DU的像素垫部分PLD,以将显示单元DU电连接到主电路基底MF。第一柔性电路基底FF可以包括基体膜FP和驱动芯片FC。
基体膜FP可以是柔性的并且可以包括多条电路线。因此,可以根据显示单元DU的目的和形状对基体膜FP的形状进行各种改变。
驱动芯片FC可以以膜上芯片(COF)的形式安装在基体膜FP上。驱动芯片FC可以包括驱动器件(例如,数据驱动电路)以驱动像素PX。尽管第一柔性电路基底FF被示出为单个元件或组件,但是根据发明构思的实施例不限于该示例,并且根据一些示例实施例,可以设置结合到显示单元DU的多个第一柔性电路基底FF。
第二柔性电路基底TF可以结合到输入感测单元TU的一部分,以将输入感测单元TU电连接到主电路基底MF。第二柔性电路基底TF可以是柔性的并且可以包括多条电路线。第二柔性电路基底TF可以用于将从主电路基底MF提供的输入感测信号传递到输入感测单元TU。
根据一些示例实施例,电子装置ED还可以包括电子模块、电源模块和支架,所述电子模块包括被用于操作电子装置ED的各种功能模块,所述电源模块供应电子装置ED的整体操作所需的电力,所述支架与显示模块DM和/或外壳EDC结合并且划分电子装置ED的内部空间。
图4是示出根据发明构思的一些示例实施例的输入感测单元和压力感测传感器的平面图。图5A至图5D是均示出根据发明构思的一些示例实施例的电子装置的一部分的平面图。图6是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。图7是示出图6的区域QQ'的放大图。图8是沿着图7的线I-I'截取的剖面图。
根据一些示例实施例,输入感测单元TU可以直接定位在显示单元DU上。此外,压力感测传感器FPS可以定位在输入感测单元TU中。压力感测传感器FPS可以感测与压力的变化相关的外部输入TC。
输入感测单元TU可以感测外部输入TC(例如,见图1A),从而获得关于外部输入TC的位置的信息。输入感测单元TU可以包括多个第一感测电极TE1、多个第二感测电极TE2、多个虚设图案DP、多条感测线TL1、TL2和TL3以及多个感测垫T1、T2和T3。
第一感测电极TE1和第二感测电极TE2可以定位在有效区域AA中。输入感测单元TU可以从第一感测电极TE1与第二感测电极TE2之间的电容的变化来获得关于外部输入TC的信息。
第一感测电极TE1可以沿第二方向D2延伸并且可以在第一方向D1上布置。第一感测电极TE1中的每个可以包括第一感测图案SP1和第一连接图案BP1。第二感测电极TE2可以沿第一方向D1延伸并且可以在第二方向D2上布置。同样地,第二感测电极TE2中的每个可以包括第二感测图案SP2和第二连接图案BP2。
第一感测图案SP1可以在第一方向D1上布置。第一感测图案SP1可以彼此间隔开。第一感测图案SP1中的每个可以具有菱形形状。然而,根据发明构思的实施例不限于该示例,可以对第一感测图案SP1的形状进行各种改变,并且第一感测图案SP1的形状可以不限于特定的形状。
第一连接图案BP1可以将在第二方向D2上彼此间隔开的第一感测图案SP1彼此连接。例如,第一连接图案BP1中的每个可以定位在彼此间隔开的第一感测图案SP1之间,以将第一感测图案SP1连接。
第二感测图案SP2可以在第二方向D2上布置。第二感测图案SP2可以彼此间隔开。此外,第二感测图案SP2可以与第一感测图案SP1间隔开。第二感测图案SP2中的每个可以具有菱形形状。然而,根据发明构思的实施例不限于该示例。例如,根据一些示例实施例,可以对第二感测图案SP2的形状进行各种改变,并且第二感测图案SP2的形状不限于特定的形状。
第二连接图案BP2可以将在第一方向D1上彼此间隔开的第二感测图案SP2彼此连接。例如,第二连接图案BP2中的每个可以定位在彼此间隔开的第二感测图案SP2之间,以将第二感测图案SP2彼此连接。第二连接图案BP2和第二感测图案SP2可以连接以形成单个物体。
感测线TL1、TL2和TL3可以定位在外围区域NAA中并且沿着外围区域NAA延伸。感测线TL1、TL2和TL3可以包括第一感测线TL1、第二感测线TL2和第三感测线TL3。
第一感测线TL1可以连接到第一感测电极TE1中的对应的第一感测电极TE1。例如,第一感测线TL1可以分别连接到第一感测电极TE1的下端,第一感测电极TE1的下端与感测垫T1、T2和T3相邻。
第二感测线TL2可以连接到第一感测电极TE1中的对应的第一感测电极TE1。例如,第二感测线TL2可以分别连接到第一感测电极TE1的与下端相对的上端。
第一感测电极TE1可以连接到第一感测线TL1和第二感测线TL2。因此,即使第一感测电极TE1比第二感测电极TE2长,也可以能够减小区域之间的灵敏度的变化。然而,根据发明构思的实施例不限于该示例或特定的实施例,例如,根据一些示例实施例,可以从输入感测单元TU省略第二感测线TL2。
第三感测线TL3可以连接到第二感测电极TE2中的对应的第二感测电极TE2的一侧的端部。例如,第三感测线TL3可以连接到第二感测电极TE2的左端。
感测垫T1、T2和T3可以定位在外围区域NAA中。感测垫T1、T2和T3可以包括第一感测垫T1、第二感测垫T2和第三感测垫T3。第一感测垫T1可以连接到第一感测线TL1中的对应的第一感测线TL1。第二感测垫T2可以连接到第二感测线TL2中的对应的第二感测线TL2。第一感测垫T1和第二感测垫T2可以分别连接到第一感测线TL1和第二感测线TL2,并且可以用于向第一感测电极TE1提供外部信号。第三感测垫T3可以连接到第三感测线TL3,从而电连接到第二感测电极TE2。
因此,例如,如图4中所示出的,根据一些示例实施例,多个感测垫(例如,T1、T2和T3)可以定位在外围区域NAA中(例如,在输入感测单元TU的一侧或边缘处)。对应的感测线(例如,TL1、TL2和TL3)可以连接到对应的感测垫(例如,T1、T2和T3),并且在外围区域NAA中沿着有效区域AA的边缘延伸,并且连接到对应的感测电极(例如,TE1和TE2)。根据一些示例实施例,感测垫(例如,T1、T2和T3)中的每者可以包括多个子感测垫,并且感测线(例如,TL1、TL2和TL3)中的每者可以包括多条子感测线。
虚设图案DP可以与第一感测电极TE1、第二感测电极TE2和压力感测传感器FPS间隔开。因此,虚设图案DP可以与第一感测电极TE1、第二感测电极TE2和压力感测传感器FPS电分离。
虚设图案DP可以与第一感测图案SP1和第二感测图案SP2电浮置。当在平面图中观看时,虚设图案DP中的每个可以被第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的至少一者围绕。例如,第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的每个可以具有其中心区域是空区域的菱形形状。在此,虚设图案DP可以定位在空区域中,并且可以与第一感测图案SP1和第二感测图案SP2电分离。
因为虚设图案DP定位在形成在第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的空区域中,所以可以能够防止第一感测图案SP1和第二感测图案SP2被外部用户识别。此外,虚设图案DP可以防止在第一感测图案SP1和第二感测图案SP2与有机发光器件OLED(例如,见图3B)中的电极之间形成寄生电容。也就是说,因为设置了虚设图案DP,所以可以能够实现具有改善的可靠性的输入感测单元TU。
根据一些示例实施例,压力感测传感器FPS可以定位在输入感测单元TU中。压力感测传感器FPS可以感测外部输入TC(例如,见图1A),所述外部输入TC与由压力引起的电阻的变化相关。压力感测传感器FPS可以包括应变感测图案FS、应变连接图案FB以及应变线FL1和FL2。
应变感测图案FS可以定位在感测区域FA中。应变感测图案FS可以彼此间隔开。此外,应变感测图案FS可以与第一感测电极TE1、第二感测电极TE2以及虚设图案DP间隔开。
图4示出了其中应变感测图案FS彼此间隔开并且布置为在感测区域FA中形成为两行三列的示例。在图4中,用与第一感测图案SP1、第二感测图案SP2和虚设图案DP不同的阴影图案来描绘应变感测图案FS。
根据一些示例实施例,当在平面图中观看时,应变感测图案FS中的每个可以被第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的至少一者围绕。此外,应变感测图案FS可以与虚设图案DP间隔开。
应变感测图案FS可以与第一感测图案SP1和第二感测图案SP2电浮置。例如,第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的每个可以具有其中心区域是空区域的菱形形状。在此,应变感测图案FS可以分别定位在空区域中,并且可以与第一感测图案SP1和第二感测图案SP2电分离。
应变感测图案FS可以具有与虚设图案DP相同的布置。换句话说,当在平面图中观看时,应变感测图案FS中的每个可以被第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的至少一者围绕,虚设图案DP中的每个可以被第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的未围绕应变感测图案FS的其它感测图案围绕。
因此,在可见性的方面,应变感测图案FS可以具有与虚设图案DP相同的功能。因为应变感测图案FS以与虚设图案DP相似的方式布置,所以可以能够防止第一感测图案SP1和第二感测图案SP2被外部用户识别。
应变连接图案FB可以将在第一方向D1上和在第二方向D2上彼此间隔开的应变感测图案FS彼此连接。例如,应变连接图案FB中的每个可以定位在彼此间隔开的应变感测图案FS之间,以将应变感测图案FS彼此连接。应变连接图案FB可以与第一连接图案BP1和第二连接图案BP2间隔开。
从感测区域FA向有效区域AA(即,在第一方向D1上)延伸的应变连接图案FB由虚线描绘。
应变线FL1和FL2可以定位在外围区域NAA中。应变线FL1和FL2可以包括第一应变线FL1和第二应变线FL2。第一应变线FL1可以连接到压力感测传感器FPS的一端,第二应变线FL2可以连接到压力感测传感器FPS的相对端。因此,第一应变线FL1和第二应变线FL2可以连接到应变连接图案FB中的不同的应变连接图案FB。
应变垫F1和F2可以包括第一应变垫F1和第二应变垫F2。第一应变垫F1可以连接到第一应变线FL1,第二应变垫F2可以连接到第二应变线FL2。应变垫F1和F2可以结合到图1B中所示的第二柔性电路基底TF。
因此,压力感测传感器FPS的两个相对端中的一个可以被施加有从驱动器件MC(例如,见图1B)传递的驱动信号,而另一个可以将通过由压力引起的电阻的变化而获得的测量数据传递到主电路基底MF。
根据发明构思的一些示例实施例的电子装置ED(例如,见图1A)可以包括多个导电层CL-1和CL-2以及多个感测绝缘层TIL1和TIL2。在图5A至图5D中,基于感测绝缘层TIL1和TIL2,针对每个层示出了输入感测单元TU和压力感测传感器FPS。导电层CL-1和CL-2中包括的元件可以是输入感测单元TU和压力感测传感器FPS的元件。根据一些示例实施例,感测绝缘层TIL1和TIL2可以是包括在输入感测单元TU中的元件。
参照图5A,根据发明构思的一些示例实施例的第一导电层CL-1可以定位在显示单元DU上。例如,第一导电层CL-1可以被定义为直接布置在显示单元DU的封装层TFE(例如,见图2)上的层。
根据一些示例实施例,第一导电层CL-1可以包括输入感测单元TU的第一连接图案BP1、虚设图案DP、应变感测图案FS和应变连接图案FB。第一连接图案BP1、虚设图案DP、应变感测图案FS和应变连接图案FB可以定位在有效区域AA中。
虚设图案DP可以与应变感测图案FS间隔开。虚设图案DP中的一些可以定位在感测区域FA中。换句话说,虚设图案DP可以定位在感测区域FA的其中未定位有应变感测图案FS的区域中。应变感测图案FS和虚设图案DP可以具有相同的布置。因此,在感测区域FA中,应变感测图案FS可以具有与虚设图案DP相同的功能。因此,可以能够实现具有改善的可见性的电子装置ED。
从感测区域FA到有效区域AA(即,在第一方向D1上)延伸的应变连接图案FB由虚线描绘。
参照图5B,根据发明构思的一些示例实施例的第一感测绝缘层TIL1可以定位在显示单元DU的前表面上以覆盖第一导电层CL-1。第一感测绝缘层TIL1可以包括多个开口OP1和OP2。
开口OP1和OP2可以形成为穿透第一感测绝缘层TIL1。第一开口OP1可以与第一连接图案BP1叠置。下面将描述的第一感测图案SP1可以通过限定在第一感测绝缘层TIL1中的第一开口OP1连接到第一连接图案BP1。第二开口OP2可以与应变连接图案FB叠置。下面将描述的应变线FL1和FL2可以通过限定在第一感测绝缘层TIL1中的第二开口OP2连接到应变连接图案FB。
第一感测绝缘层TIL1可以包括氮化硅、氧化硅和它们的混合物中的至少一种。第一感测绝缘层TIL1可以通过沉积工艺来形成。
参照图5C,根据发明构思的一些示例实施例的第二导电层CL-2可以定位在第一感测绝缘层TIL1上。
根据一些示例实施例,第二导电层CL-2可以包括输入感测单元TU的第一感测图案SP1、第二感测图案SP2和第二连接图案BP2、感测线TL1、TL2和TL3、应变线FL1和FL2以及多个垫T1、T2、T3、F1和F2。
第一感测图案SP1、第二感测图案SP2和第二连接图案BP2可以定位在有效区域AA中,感测线TL1、TL2和TL3、应变线FL1和FL2以及多个垫T1、T2、T3、F1和F2可以定位在外围区域NAA中。
第一感测图案SP1和第二感测图案SP2可以彼此间隔开,第二连接图案BP2可以将彼此间隔开的第二感测图案SP2连接。
第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的每个可以具有其中心区域是空区域的菱形形状。在此,定位在第一导电层CL-1中的应变感测图案FS和虚设图案DP可以与空区域中的不同的空区域叠置。因此,当在平面图中观看时,第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的每个可以围绕与空区域叠置的一个应变感测图案FS或一个虚设图案DP。
参照图5D,根据发明构思的一些示例实施例的第二感测绝缘层TIL2可以定位在第一感测绝缘层TIL1的前表面上以覆盖第二导电层CL-2。
第二感测绝缘层TIL2可以包括氮化硅、氧化硅和它们的混合物中的至少一种。第二感测绝缘层TIL2可以通过沉积工艺来形成。
图6示出了包括在第一导电层CL-1和第二导电层CL-2中并且定位在感测区域FA中的元件的放大图,图7示出了图6的区域QQ'的放大图。
参照图6和图7,第一导电层CL-1和第二导电层CL-2可以包括多条网格线MSL。网格线MSL可以包括第一网格线MSL1和第二网格线MSL2,第一网格线MSL1沿第四方向D4延伸,第二网格线MSL2沿第五方向D5延伸并与第一网格线MSL1交叉。第一网格线MSL1和第二网格线MSL2可以形成网格开口MSL-OP1、MSL-OP2、MSL-OP3和MSL-OP4。
第一网格开口MSL-OP1可以由感测图案SP1和SP2的网格线MSL形成。图6示出了包括在感测图案SP1和SP2之中的第一感测图案SP1中的第一网格开口MSL-OP1。
第二网格开口MSL-OP2可以由虚设图案DP的网格线MSL形成。此外,可以通过应变感测图案FS的网格线MSL形成第三网格开口MSL-OP3和第四网格开口MSL-OP4。例如,第三网格开口MSL-OP3可以由应变感测图案FS的网格线MSL的部分切割的部分形成,第四网格开口MSL-OP4可以由应变感测图案FS和虚设图案DP的网格线MSL的部分切割的部分形成。
当在平面图中观看时,网格开口MSL-OP1、MSL-OP2、MSL-OP3和MSL-OP4可以与发光区域PXL(例如,见图16B)间隔开,由有机发光器件OLED(例如,见图3B)产生的光被提供到发光区域PXL。因此,从显示单元DU(例如,见图1B)发射的光可以被提供到窗构件WM(例如,见图1B),而不受网格线MSL干扰。
在图6和图7中,阴影区域描绘了感测区域FA的应变感测区域AF,在感测区域FA的应变感测区域AF中感测由压力引起的电阻的变化。压力感测传感器FPS的应变感测图案FS中的一个可以定位在应变感测区域AF中。
如图7中所示,包括在应变感测区域AF中的一个应变感测图案FS可以是线型的。为了实现线型的应变感测图案FS,与应变感测图案FS浮置的虚设图案DP可以定位在应变感测区域AF中。在图7中,用粗线描绘了线型的应变感测图案FS。
根据一些示例实施例,连接到压力感测传感器FPS(例如,见图4)的主电路基底MF(例如,见图1B)可以包括诸如惠斯通电桥的电阻变化测量电路。应变感测图案FS可以被包括在具有三个不同的电阻的惠斯通电桥中,以感测由施加到其的压力引起的电阻的变化。
彼此间隔开的应变感测图案FS可以通过应变连接图案FB彼此连接。第一导电层CL-1中的应变连接图案FB和第一连接图案BP1可以彼此间隔开,并且当在平面图中观看时,应变连接图案FB可以与第二导电层CL-2中的第二连接图案BP2间隔开。
此外,定位在不同的层上的第一连接图案BP1和第二连接图案BP2可以彼此间隔开。根据一些示例实施例,因为连接图案BP1、BP2和FB在平面图中彼此间隔开,所以可以能够减轻诸如寄生电容的发生的电干扰问题。
参照图8,应变感测图案FS、应变连接图案FB、虚设图案DP和第一连接图案BP1可以定位在显示单元DU上,第一感测图案SP1、第二感测图案SP2和第二连接图案BP2可以定位在第一感测绝缘层TIL1上。根据一些示例实施例,应变感测图案FS可以不与第一感测图案SP1和第二感测图案SP2叠置。
图9是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。为了简明描述,先前参照图1A至图8描述的元件可以由相同或相似的附图标记来标识,而不重复其重复的描述。
图9是示出与图7对应的区域的放大平面图。参照图9,根据发明构思的一些示例实施例的压力感测传感器FPS-A可以包括应变感测图案FS-A、应变连接图案FB-A以及应变添加图案BFD1和BFD2。
与图7中所示的线型的应变感测图案FS不同,根据发明构思的一些示例实施例的应变感测图案FS-A可以由彼此连接的矩形图案和线型图案构成,或者由彼此连接的正方形图案和线型图案构成。例如,应变添加图案BFD1和BFD2可以定位在应变感测图案FS-A之间,以将应变感测图案FS-A中的相邻的应变感测图案FS-A彼此连接。因此,应变感测图案FS-A中的每个可以是其中线型图案和矩形(或正方形)图案混合的结构。
根据一些示例实施例,压力感测传感器FPS-A可以包括其中包括不同的宽度的矩形图案和线型图案的应变感测图案FS-A,因此,可以能够更容易地感测由压力引起的电阻的变化。
图10是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。为了简明描述,先前参照图1A至图8描述的元件可以由相同或相似的附图标记来标识,而不重复其重复的描述。
图10是对应于图6中所示的区域的感测区域FA的放大平面图。根据一些示例实施例的电子装置ED(例如,见图1A)还可以包括温度感测传感器TPS。温度感测传感器TPS可以包括温度感测图案TS和温度连接图案TB。温度感测传感器TPS可以定位在第一导电层CL-1(例如,见图5A)上。因此,温度感测传感器TPS和压力感测传感器FPS可以定位在同一层上。
温度感测图案TS和温度连接图案TB可以定位在感测区域FA中。当在平面图中观看时,温度感测图案TS可以与应变感测图案FS、第一感测图案SP1、第二感测图案SP2和虚设图案DP间隔开。
当在平面图中观看时,温度感测图案TS中的每个可以被第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的至少一者围绕。
温度感测图案TS可以是线型的。因此,虚设图案DP可以定位在线型的温度感测图案TS中。在图10中,用粗线描绘了线型的温度感测图案TS。
温度连接图案TB可以将彼此间隔开的温度感测图案TS连接。温度连接图案TB和应变连接图案FB可以定位在同一层上并且可以具有相同的形状。
其中温度感测图案TS和温度连接图案TB彼此连接的温度感测传感器TPS可以是线型的。根据一些示例实施例,温度感测传感器TPS的两个相对端中的一个可以被施加有从驱动器件MC(例如,见图1B)传递的驱动信号,而另一个可以将从由温度引起的温度的变化获得的测量数据传递到主电路基底MF。
根据一些示例实施例,连接到温度感测传感器TPS的主电路基底MF(例如,见图1B)可以包括诸如惠斯通电桥的温度变化测量电路。温度感测图案TS可以被包括在具有三个不同的电阻的惠斯通电桥中,以感测由温度引起的电阻的变化。
根据一些示例实施例,可以不设置附加的温度感测模块,但是电子装置ED(例如,见图1B)可以被设置为包括压力感测传感器FPS和温度感测传感器TPS,压力感测传感器FPS和温度感测传感器TPS定位在输入感测单元TU(例如,见图1B)中。
图11A是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。图11B是沿着图11A的线II-II'截取的剖面图。为了简明描述,先前参照图1A至图8描述的元件可以由相同或相似的附图标记来标识,而不重复其重复的描述。
图11A是示出与图7对应的区域的放大平面图。参照图11A,根据发明构思的一些示例实施例的电子装置ED(例如,见图1A)还可以包括子虚设图案DP-S。当在平面图中观看时,子虚设图案DP-S可以定位为与应变感测区域AF叠置。子虚设图案DP-S可以包括网格线MSL(例如,见图6)。
包括在压力感测传感器FPS-B中的应变感测图案FS-B可以定位在应变感测区域AF中。本实施例中的压力感测传感器FPS-B的应变感测图案FS-B和应变连接图案FB-B可以是与图7中所示的压力感测传感器FPS的应变感测图案FS和应变连接图案FB相同的元件。
参照图11B,子虚设图案DP-S可以与应变感测图案FS-B间隔开,并且第一感测绝缘层TIL1置于子虚设图案DP-S与应变感测图案FS-B之间。子虚设图案DP-S可以与应变感测图案FS-B叠置。子虚设图案DP-S与第一感测图案SP1和第二感测图案SP2可以定位在同一层上。
当在平面图中观看时,子虚设图案DP-S中的每个可以被第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的至少一者围绕。
根据一些示例实施例,因为设置了与应变感测图案FS-B叠置的子虚设图案DP-S,所以可以能够防止或减小应变感测图案FS-B与感测图案SP1和SP2之间的寄生电容。也就是说,因为设置了子虚设图案DP-S,所以输入感测单元TU(例如,见图1B)可以被设置为具有改善的可靠性。
图12A是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。图12B是沿着图12A的线III-III'截取的剖面图。为了简明描述,先前参照图1A至图8描述的元件可以由相同或相似的附图标记来标识,而不重复其重复的描述。
图12A是示出与图7对应的区域的放大平面图。参照图12A,根据发明构思的一些示例实施例的电子装置ED(例如,见图1A)还可以包括压力感测传感器FPS-C和子虚设图案DP-C。
在图12A中,阴影区域描绘了其中感测由压力引起的电阻的变化的应变感测区域AF。压力感测传感器FPS-C可以包括应变感测图案FS-C和应变连接图案FB-C。压力感测传感器FPS-C的应变感测图案FS-C中的一个可以定位在应变感测区域AF中。根据一些示例实施例,应变感测图案FS-C可以是线型的。
参照图12B,应变感测图案FS-C可以与感测图案SP1和SP2中的至少一者叠置。图12A和图12B示出了其中应变感测图案FS-C被布置为与第二感测图案SP2叠置的示例。
应变感测图案FS-C可以与感测图案SP1和SP2间隔开,并且第一感测绝缘层TIL1置于应变感测图案FS-C与感测图案SP1和SP2之间。应变感测图案FS-C可以与第二感测图案SP2叠置。
当在平面图中观看时,子虚设图案DP-C中的每个可以被第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的至少一者围绕。子虚设图案DP-C可以是与图11A和图11B中所示的子虚设图案DP-S相同的元件。
图13A是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。图13B是沿着图13A的线IV-IV'截取的剖面图。为了简明描述,先前参照图1A至图8描述的元件可以由相同或相似的附图标记来标识,而不重复其重复的描述。
图13A是示出与图7对应的区域的放大平面图。参照图13A和图13B,根据发明构思的一些示例实施例的电子装置ED(例如,见图1A)还可以包括压力感测传感器FPS-D,所述压力感测传感器FPS-D包括应变连接图案FB-D和具有双层结构的应变感测图案FS-D。
具有双层结构的应变感测图案FS-D可以定位在应变感测区域AF中。应变感测图案FS-D中的每个可以包括第一应变感测图案FS-1和辅助应变感测图案FS-2。
根据一些示例实施例,第一应变感测图案FS-1和应变连接图案FB-D可以是与图6和图7中所示的应变感测图案FS和应变连接图案FB相同的元件。
当在剖面图中观看时,辅助应变感测图案FS-2的至少一部分可以与第一应变感测图案FS-1叠置。辅助应变感测图案FS-2可以通过接触孔CNT连接到第一应变感测图案FS-1,接触孔CNT限定在第一感测绝缘层TIL1中,第一感测绝缘层TIL1置于辅助应变感测图案FS-2与第一应变感测图案FS-1之间。辅助应变感测图案FS-2以及感测图案SP1和SP2可以定位在同一层上。
当在平面图中观看时,辅助应变感测图案FS-2中的每个可以被第一感测图案SP1和第二感测图案SP2中的至少一者围绕。
根据一些示例实施例,因为压力感测传感器FPS-D包括具有双层结构的应变感测图案FS-D,所以可以能够提供被构造为更精确地感测由压力引起的电阻的变化的压力感测传感器FPS-D。
图14是示出根据发明构思的一些示例实施例的感测区域的放大图。为了简明描述,先前参照图1A至图8描述的元件可以由相同或相似的附图标记来标识,而不重复其重复的描述。
参照图14,根据发明构思的一些示例实施例的压力感测传感器FPS-E可以包括具有不同的面积的应变感测区域AF1和AF2。在图14中,应变感测区域AF1和AF2被描绘为阴影区域。
应变感测区域AF1和AF2可以被定义为用于感测电阻的变化的区域。线型的应变感测图案FS-E1和FS-E2可以定位在应变感测区域AF1和AF2中。例如,线型的第一应变感测图案FS-E1可以定位在第一应变感测区域AF1中,线型的第二应变感测图案FS-E2可以定位在第二应变感测区域AF2中。应变感测图案FS-E1和FS-E2可以通过应变连接图案FB-E彼此连接。
根据一些示例实施例,定位在应变感测区域AF1和AF2中的应变感测图案FS-E1和FS-E2可以不限于特定的形状,只要它们具有线型形状即可。
第二应变感测区域AF2中的每个可以具有带有空区域的菱形形状。第一应变感测区域AF1中的每个可以具有菱形形状,其不具有空区域。因此,第二应变感测区域AF2中的每个的面积可以小于第一应变感测区域AF1中的每个的面积。
根据一些示例实施例,因为压力感测传感器FPS-E被设置为具有不同的面积的应变感测区域AF1和AF2,所以可以能够提供被构造为更精确地感测由压力引起的电阻的变化的压力感测传感器FPS-E。
图15A是示出根据发明构思的一些示例实施例的电子装置的区域的平面图。图15B是沿着图15A的线V-V'截取的剖面图。为了简明描述,先前参照图1A至图8描述的元件可以由相同或相似的附图标记来标识,而不重复其重复的描述。
参照图15A至图15B,根据发明构思的一些示例实施例的感测区域FA还可以包括主页按钮区域H-FA。
主页按钮区域H-FA可以是由有效区域AA与感测区域FA之间的边界围绕的闭合线形状的区域。由于存在定位在主页按钮区域H-FA中的应变感测图案FS-F,主页按钮区域H-FA可以被外部用户识别。因此,即使当没有附加的电气操作时,用户也可以识别主页按钮区域H-FA。
与主页按钮区域H-FA叠置的应变感测图案FS-F可以在特定的方向上具有第一宽度W1。定位在与主页按钮区域H-FA相邻的区域中并且与应变感测图案FS-F间隔开的感测图案SP1和SP2中的每个可以在所述特定的方向上具有第二宽度W2和第三宽度W3。
第一宽度W1可以大于第二宽度W2和第三宽度W3。例如,第一宽度W1可以在4μm至5μm的范围内。第二宽度W2和第三宽度W3中的每个可以在2μm至3μm的范围内。
根据一些示例实施例,因为定位在主页按钮区域H-FA中的应变感测图案FS-F的第一宽度W1大于与应变感测图案FS-F间隔开的感测图案SP1和SP2的宽度W2和W3,所以用户可以容易地识别感测区域FA。
图16A是示出根据发明构思的一些示例实施例的显示模块的透视图。图16B是沿着图16A的线VI-VI'截取的剖面图。图16C是示出根据发明构思的一些示例实施例的压力感测传感器的平面图。
参照图16A至图16C,根据发明构思的一些示例实施例的显示模块DM-A可以包括显示单元DU-A、输入感测单元TU-A和子压力感测传感器SSP。根据一些示例实施例,显示模块DM-A可以包括参照图4至图8描述的压力感测传感器FPS。
子压力感测传感器SSP可以包括子应变感测图案SGP、子应变感测线SPL以及子应变感测垫SSP1和SSP2。子应变感测线SPL可以连接到具有线型形状的子应变感测图案SGP的两个相对端,并且可以从有效区域AA向外围区域NAA延伸。子应变感测线SPL可以连接到子应变感测垫SSP1和SSP2中的对应的子应变感测垫SSP1和SSP2。
子应变感测垫SSP1和SSP2可以通过第一柔性电路基底FF(例如,见图1B)连接到主电路基底MF,并且可以用于接收用于驱动子应变感测图案SGP的驱动信号或者向主电路基底MF提供由子应变感测图案SGP测量到的电阻的变化。
显示单元DU-A可以包括定位在基体基底SUB上的显示电路层CL、显示器件层EDL和封装层TFE。
显示电路层CL和显示器件层EDL可以包括像素PX和多个绝缘层10、20、30、40、50和PDL。此外,子压力感测传感器SSP的元件可以定位在显示电路层CL中。
绝缘层10、20、30、40、50和PDL可以包括在第三方向D3上顺序堆叠的第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40、第五绝缘层50和像素限定层PDL。
根据发明构思的一些示例实施例的像素PX可以包括多个薄膜晶体管TR1和TR2(例如,见图3B)以及有机发光器件OLED。薄膜晶体管TR1和TR2中的用作驱动晶体管的一个晶体管(例如,第二薄膜晶体管TR2)在本实施例中被示出为薄膜晶体管TR。
薄膜晶体管TR可以定位在基体基底SUB上。薄膜晶体管TR可以包括半导体图案SP、控制电极CE、输入电极IE、输出电极OE、上电极UE和光阻挡图案BP。
半导体图案SP可以定位在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间。控制电极CE可以定位在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。当在剖面图中观看时,控制电极CE可以与半导体图案SP叠置。输入电极IE和输出电极OE可以定位在第四绝缘层40与第五绝缘层50之间。输入电极IE和输出电极OE可以定位在同一层上并彼此间隔开。输入电极IE和输出电极OE可以设置为穿透第二绝缘层20、第三绝缘层30和第四绝缘层40并且可以分别结合到半导体图案SP的两个相对端。
上电极UE可以定位在第三绝缘层30与第四绝缘层40之间。当在剖面图中观看时,上电极UE可以与控制电极CE叠置。上电极UE可以接收各种电压。作为示例,上电极UE和控制电极CE可以构成电容器,并且在这种情况下,上电极UE可以接收与施加到控制电极CE的电压不同的电压。
作为另一示例,上电极UE可以连接到控制电极CE以接收与控制电极CE相同的电压。根据一些示例实施例,可以从薄膜晶体管TR省略上电极UE。
光阻挡图案BP可以定位在基体基底SUB与第一绝缘层10之间。当在朝向基体基底SUB的后表面的方向上观看时,光阻挡图案BP可以至少与半导体图案SP的整体叠置。光阻挡图案BP可以阻挡光入射到半导体图案SP中。
根据一些示例实施例,光阻挡图案BP可以包括导电材料。例如,光阻挡图案BP可以包括金属、合金、导电氧化物和导电聚合物中的至少一种。
子压力感测传感器SSP的子应变感测图案SGP和光阻挡图案BP可以定位在同一层上。子应变感测图案SGP可以与光阻挡图案BP间隔开。
有机发光器件OLED可以定位在第五绝缘层50上。有机发光器件OLED可以包括在第三方向D3上顺序堆叠的第一电极E1、发光图案EL和第二电极E2。
第一电极E1可以设置为穿透第五绝缘层50并且可以结合到薄膜晶体管TR。像素限定层PDL可以定位在第五绝缘层50上。可以在像素限定层PDL中限定开口。开口可以形成为暴露第一电极E1的至少一部分。根据一些示例实施例,其中形成有像素限定层PDL的开口的区域可以被定义为发光区域PXL,并且除了开口之外的剩余区域可以被定义为非发光区域NPXL。
发光图案EL可以定位在第一电极E1上。当在剖面图中观看时,发光图案EL的至少一部分可以与第一电极E1叠置。发光图案EL可以包括发光材料。例如,发光图案EL可以包括能够发射红光、绿光和蓝光的材料中的至少一种并且可以包括荧光材料或磷光材料。此外,发光图案EL可以包括有机发光材料或诸如量子点的无机发光材料。发光图案EL可以响应于第一电极E1与第二电极E2之间的电势差而发射光。
第二电极E2可以定位在发光图案EL上。第二电极E2可以布置为面对第一电极E1。第二电极E2可以连接到电力端子并且可以接收电力电压。有机发光器件OLED可以通过第二电极E2接收与第一电力电压ELVDD(例如,见图3B)不同的第二电力电压ELVSS(例如,见图3B)。
第二电极E2可以与多个发光图案EL叠置。例如,第二电极E2可以布置在像素限定层PDL的整个顶表面上(或延伸跨越像素限定层PDL的整个顶表面),以覆盖像素限定层PDL和发光图案EL,所述发光图案EL通过限定在像素限定层PDL中的开口而暴露。
因此,第一电极E1、发光图案EL和第二电极E2的与发光图案EL对应的部分可以在第三方向D3上顺序堆叠。然而,根据发明构思的实施例不限于该示例或特定的实施例。例如,根据一些示例实施例,第二电极E2可以包括分别局部地定位在发光图案EL上的多个图案。
第二电极E2可以由透明导电材料或透反射导电材料形成,或者包括透明导电材料或透反射导电材料。因此,由发光图案EL产生的光可以容易地穿过第二电极E2并且可以在第三方向D3上传播。然而,根据发明构思的实施例不限于该示例或特定的实施例,在实施例中,有机发光器件OLED可以被设计为具有其中第一电极E1包括透明材料或透反射材料的背面发射结构或被构造为允许光通过其前表面和后表面两者发射的双面发射结构。
另外,根据一些示例实施例,有机发光器件OLED还可以包括至少一个有机层或至少一个无机层,所述至少一个有机层或所述至少一个无机层定位在发光图案EL与第一电极E1之间的区域以及发光图案EL与第二电极E2之间的区域中的至少一个区域中。有机层或无机层可以用于控制从第一电极E1和第二电极E2供应到发光图案EL的电荷的流动,这可以使得改善有机发光器件OLED的光学效率和寿命成为可能。
封装层TFE可以定位在显示器件层EDL上。封装层TFE可以定位在有机发光器件OLED上以封装有机发光器件OLED。根据一些示例实施例,盖层可以进一步定位在第二电极E2与封装层TFE之间以覆盖第二电极E2。
封装层TFE可以包括在第三方向D3上顺序堆叠的第一无机层IOL1、有机层OL和第二无机层IOL2。然而,根据发明构思的实施例不限于该示例,封装层TFE还可以包括多个无机层和多个有机层。
第一无机层IOL1可以覆盖第二电极E2。第一无机层IOL1可以防止外部湿气或氧进入有机发光器件OLED。例如,第一无机层IOL1可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和它们的混合物中的至少一种。第一无机层IOL1可以通过沉积工艺来形成。
有机层OL可以定位在第一无机层IOL1上,并且可以与第一无机层IOL1接触。与在有机层OL下面的第一无机层IOL1相比,有机层OL可以具有相对平坦的顶表面。因为在第一无机层IOL1上存在的不均匀的结构、颗粒等被有机层OL覆盖,所以可以能够防止有机层OL上的元件受到第一无机层IOL1的顶表面的不均匀的轮廓的影响。此外,有机层OL可以减轻彼此接触的层之间的应力。有机层OL可以包括有机材料并且可以通过诸如旋涂工艺、狭缝涂覆工艺和喷墨工艺的溶液工艺来形成。
第二无机层IOL2可以定位在有机层OL上以覆盖有机层OL。与第二无机层IOL2直接形成在第一无机层IOL1上的情况相比,由于有机层OL具有相对平坦的顶表面的优点,所以可以能够更稳定地形成第二无机层IOL2。第二无机层IOL2可以封装有机层OL并防止湿气从外部泄漏到有机层OL。第二无机层IOL2可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和它们的混合物中的至少一种。第二无机层IOL2可以通过沉积工艺来形成。
根据一些示例实施例,封装层TFE可以包括玻璃基底。在此,封装层TFE可以通过玻璃料密封件结合到基体基底SUB。根据一些示例实施例,如果封装层TFE可以用于封装或密封有机发光器件OLED,则可以对封装层TFE的形状进行各种改变,并且根据发明构思的实施例不限于特定的实施例。
输入感测单元TU-A可以直接布置在封装层TFE上。图16B示出了分别包括在输入感测单元TU-A和压力感测传感器FPS中的第一感测电极TE1和应变感测图案FS中的一些的示例。
第一连接图案BP1和应变感测图案FS可以定位在封装层TFE上。第一连接图案BP1和应变感测图案FS可以与非发光区域NPXL叠置。当在剖面图中观看时,彼此面对的第一连接图案BP1的端部和应变感测图案FS的端部可以被定义为网格开口MSL-OP。网格开口MSL-OP可以对应于参照图6描述的网格开口MSL-OP1、MSL-OP2、MSL-OP3和MSL-OP4中的一种。因为网格开口MSL-OP与发光区域PXL叠置,所以可以传递从显示单元DU-A提供的光,而不受输入感测单元TU-A和压力感测传感器FPS干扰。
根据发明构思的一些示例实施例,定位在显示电路层CL中的子应变感测图案SGP的至少一部分可以与定位在封装层TFE上的应变感测图案FS叠置。根据一些示例实施例,因为显示模块DM-A包括分别定位在输入感测单元TU-A和显示单元DU-A中的压力感测传感器FPS和子压力感测传感器SSP,所以可以能够实现被构造为更精确地感测由压力引起的电阻的变化的显示模块DM-A。
根据发明构思的一些示例实施例,因为压力感测传感器定位在输入感测单元中,所以可以能够提供包括压力感测传感器的电子装置,该压力感测传感器被构造为更精确地感测由压力引起的电阻的变化。
尽管已经具体地示出和描述了发明构思的示例实施例,但是本领域普通技术人员将理解的是,在不脱离权利要求及其等同物的精神和范围的情况下,可以在此进行形式上和细节上的变化。
Claims (14)
1.一种电子装置,所述电子装置包括:
基体基底,包括包含感测区域的有效区域和与所述有效区域相邻的外围区域;
输入传感器,包括感测绝缘层、多个第一感测电极、多个第二感测电极,所述感测绝缘层、所述多个第一感测电极、所述多个第二感测电极位于所述基体基底上,所述多个第二感测电极与所述多个第一感测电极间隔开;以及
压力感测传感器,包括与所述感测区域叠置的多个应变感测图案和将所述多个应变感测图案彼此连接的应变连接图案,
其中,所述多个第一感测电极中的每个包括多个第一感测图案和多个第一连接图案,所述多个第一感测图案与所述有效区域叠置,所述多个第一连接图案连接所述多个第一感测图案,所述感测绝缘层置于所述多个第一感测图案与所述多个第一连接图案之间,
所述多个第二感测电极中的每个包括多个第二感测图案和多个第二连接图案,所述多个第二感测图案与所述有效区域叠置并且与所述多个第一感测图案位于同一层上,所述多个第二连接图案连接所述多个第二感测图案,并且
所述多个应变感测图案和所述多个第一连接图案位于同一层上。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其中,当在平面图中观看时,所述多个应变感测图案中的每个被所述多个第一感测图案和所述多个第二感测图案中的至少一者围绕。
3.根据权利要求2所述的电子装置,所述电子装置还包括:虚设图案,与所述多个应变感测图案位于同一层上并且当在平面图中观看时被所述多个第一感测图案和所述多个第二感测图案中的至少一者围绕,
其中,所述虚设图案与所述多个应变感测图案中的每个间隔开。
4.根据权利要求3所述的电子装置,其中,所述虚设图案中的至少一个被所述多个应变感测图案中的至少一个围绕。
5.根据权利要求3所述的电子装置,所述电子装置还包括:温度感测传感器,包括温度感测图案和连接所述温度感测图案的温度连接图案,
其中,所述温度感测图案与所述多个应变感测图案位于同一层上,当在平面图中观看时所述温度感测图案被所述多个第一感测图案和所述多个第二感测图案中的至少一者围绕,并且所述温度感测图案与所述多个应变感测图案中的每个和所述虚设图案间隔开。
6.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述多个应变感测图案中的每个包括网格线。
7.根据权利要求6所述的电子装置,所述电子装置还包括:
显示电路层,包括位于所述基体基底与所述输入传感器之间的晶体管,并且包括半导体图案和位于所述基体基底上并与所述半导体图案叠置的光阻挡图案;以及
显示器件层,包括连接到所述晶体管的第一电极、与所述第一电极相对的第二电极以及在所述第一电极与所述第二电极之间的发光图案,
其中,当在平面图中观看时,所述发光图案与所述网格线间隔开。
8.根据权利要求7所述的电子装置,所述电子装置还包括:子压力感测传感器,包括与所述光阻挡图案位于同一层上的子应变感测图案和连接到所述子应变感测图案的子应变感测线,
其中,所述子应变感测图案与所述应变感测图案叠置。
9.根据权利要求1所述的电子装置,所述电子装置还包括:子虚设图案,与所述多个第一感测图案位于同一层上并且与所述多个应变感测图案叠置,
其中,当在平面图中观看时,所述子虚设图案中的每个被所述多个第一感测图案和所述多个第二感测图案中的至少一者围绕。
10.根据权利要求1所述的电子装置,所述电子装置还包括:子虚设图案,与所述多个第一感测图案位于同一层上,
其中,当在平面图中观看时,所述子虚设图案中的每个被所述多个第一感测图案和所述多个第二感测图案中的至少一者围绕,并且
其中,当在剖面图中观看时,所述多个应变感测图案中的每个与所述多个第一感测图案和所述多个第二感测图案中的至少一者叠置。
11.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述压力感测传感器还包括:辅助应变感测图案,与所述多个第一感测图案位于同一层上并且穿过所述感测绝缘层连接到所述多个应变感测图案,并且
当在平面图中观看时,所述辅助应变感测图案被所述多个第一感测图案和所述多个第二感测图案中的至少一者围绕。
12.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述感测区域包括:主页按钮区域,被所述有效区域与所述感测区域之间的边界围绕并且具有闭合线形状,并且
当在剖面图中在特定的方向上测量时,与所述主页按钮区域叠置的每个应变感测图案的宽度大于所述多个第一感测图案和所述多个第二感测图案中的每个的宽度。
13.根据权利要求1所述的电子装置,其中,所述多个应变感测图案中的每个是线型的。
14.根据权利要求13所述的电子装置,其中,所述压力感测传感器包括:
第一应变线,在所述外围区域中并且连接到所述应变连接图案中的一个应变连接图案的一端;以及
第二应变线,在所述外围区域中并且连接到所述应变连接图案中的另一个应变连接图案的一端,
其中,所述第一应变线和所述第二应变线被施加有彼此不同的信号。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020190069065A KR20200142611A (ko) | 2019-06-12 | 2019-06-12 | 전자 장치 |
KR10-2019-0069065 | 2019-06-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112083824A true CN112083824A (zh) | 2020-12-15 |
CN112083824B CN112083824B (zh) | 2023-12-29 |
Family
ID=73736186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010512963.5A Active CN112083824B (zh) | 2019-06-12 | 2020-06-08 | 电子装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11515364B2 (zh) |
KR (1) | KR20200142611A (zh) |
CN (1) | CN112083824B (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20200142611A (ko) * | 2019-06-12 | 2020-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
KR20220021945A (ko) * | 2020-08-13 | 2022-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치와 그의 제조 방법 |
KR20230124144A (ko) | 2022-02-17 | 2023-08-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2741580C (en) | 2008-11-26 | 2016-10-18 | Research In Motion Limited | Touch-sensitive display method and apparatus |
US9246486B2 (en) | 2011-12-16 | 2016-01-26 | Apple Inc. | Electronic device with noise-cancelling force sensor |
KR102660200B1 (ko) | 2016-06-22 | 2024-04-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 |
US10691245B2 (en) * | 2016-06-22 | 2020-06-23 | Samsung Display Co., Ltd. | Touch sensor |
KR101932650B1 (ko) | 2017-05-15 | 2018-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 및 이를 구비한 디스플레이 장치 |
KR102360850B1 (ko) | 2017-06-30 | 2022-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102357420B1 (ko) | 2017-07-06 | 2022-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치 |
KR102506427B1 (ko) | 2018-09-04 | 2023-03-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
KR20200142611A (ko) * | 2019-06-12 | 2020-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
-
2019
- 2019-06-12 KR KR1020190069065A patent/KR20200142611A/ko not_active Application Discontinuation
-
2020
- 2020-05-29 US US16/888,416 patent/US11515364B2/en active Active
- 2020-06-08 CN CN202010512963.5A patent/CN112083824B/zh active Active
-
2022
- 2022-11-28 US US18/059,385 patent/US11903246B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200142611A (ko) | 2020-12-23 |
US20230086786A1 (en) | 2023-03-23 |
US11515364B2 (en) | 2022-11-29 |
CN112083824B (zh) | 2023-12-29 |
US20200395420A1 (en) | 2020-12-17 |
US11903246B2 (en) | 2024-02-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |