KR20230124144A - 전자 장치 - Google Patents

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KR20230124144A
KR20230124144A KR1020220020827A KR20220020827A KR20230124144A KR 20230124144 A KR20230124144 A KR 20230124144A KR 1020220020827 A KR1020220020827 A KR 1020220020827A KR 20220020827 A KR20220020827 A KR 20220020827A KR 20230124144 A KR20230124144 A KR 20230124144A
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sensing electrode
unit sensor
disposed
sensor
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KR1020220020827A
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방경남
정예리
김은영
한정윤
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삼성디스플레이 주식회사
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Abstract

일 실시예에 따른 전자 장치는 표시 패널 및 상기 표시 패널 상에 배치되고, 제1 유닛 센서, 상기 제1 유닛 센서와 제1 방향에서 인접한 제2 유닛 센서 및 상기 제1 유닛 센서와 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 인접한 제3 유닛 센서를 포함하는 복수의 유닛 센서들을 포함하는 입력 센서를 포함하고, 상기 복수의 유닛 센서들 각각은, 상기 제1 방향으로 연장된 제1 감지 전극, 상기 제2 방향으로 연장된 제2 감지 전극 및 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극의 사이에 배치되는 제1 더미 전극을 포함하고, 상기 제1 유닛 센서의 제1 감지 전극은 상기 제3 유닛 센서의 제1 더미 전극 중 상기 제1 유닛 센서와 인접한 제1 인접 더미 전극과 연결되고, 상기 제1 유닛 센서의 제2 감지 전극은 상기 제2 유닛 센서의 제1 더미 전극 중 상기 제1 유닛 센서와 인접한 제1 인접 더미 전극과 연결된다.

Description

전자 장치 {ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 감지 신뢰성이 향상된 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 전자 장치의 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다. 전자 장치는 전자기 공명(electromagnetic resonance, EMR) 방식을 이용하여 펜의 좌표를 인식하거나, 능동 정전기(active electrostatic, AES) 방식을 이용하여 펜의 좌표를 인식할 수 있다.
본 발명은 감지 신뢰성이 향상된 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 유닛 센서의 감지 전극을 인접한 유닛 센서까지 확장하여 펜 감지 신뢰성이 향상된 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 표시 패널 및 상기 표시 패널 상에 배치되고, 제1 유닛 센서, 상기 제1 유닛 센서와 제1 방향에서 인접한 제2 유닛 센서 및 상기 제1 유닛 센서와 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 인접한 제3 유닛 센서를 포함하는 복수의 유닛 센서들을 포함하는 입력 센서를 포함하고, 상기 복수의 유닛 센서들 각각은, 상기 제1 방향으로 연장된 제1 감지 전극, 상기 제2 방향으로 연장된 제2 감지 전극 및 상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극의 사이에 배치되는 제1 더미 전극을 포함하고, 상기 제1 유닛 센서의 제1 감지 전극은 상기 제3 유닛 센서의 제1 더미 전극 중 상기 제1 유닛 센서와 인접한 제1 인접 더미 전극과 연결되고, 상기 제1 유닛 센서의 제2 감지 전극은 상기 제2 유닛 센서의 제1 더미 전극 중 상기 제1 유닛 센서와 인접한 제1 인접 더미 전극과 연결된다.
상기 제1 감지 전극은 제1 감지부 및 제1 연결부를 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 제2 감지부 및 제2 연결부를 포함하며, 상기 제1 연결부는 인접한 제1 감지부를 연결하고, 상기 제2 연결부는 인접한 제2 감지부를 연결할 수 있다.
상기 제1 감지부, 상기 제2 감지부 및 상기 제1 연결부는 동일층 상에 배치되고, 상기 제2 연결부는 상기 제1 감지부, 상기 제2 감지부 및 상기 제1 연결부와 다른층 상에 배치되며 제1 브릿지 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극 각각과 상기 제1 인접 더미 전극은 제2 브릿지 패턴을 통해 연결되고, 상기 제2 브릿지 패턴은 상기 제1 브릿지 패턴과 동일층 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지부 및 상기 제2 감지부 각각에는 개구부가 정의되고, 상기 복수의 유닛 센서들 각각은 상기 개구부에 배치되고 플로팅된 제2 더미 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 유닛 센서의 상기 제1 감지 전극은 상기 제3 유닛 센서의 제2 더미 전극 중 상기 제1 유닛 센서와 인접한 제2 인접 더미 전극과 연결되고, 상기 제1 유닛 센서의 상기 제2 감지 전극은 상기 제2 유닛 센서의 제2 더미 전극 중 상기 제1 유닛 센서와 인접한 제2 인접 더미 전극과 연결될 수 있다.
상기 제2 인접 더미 전극은 상기 제1 인접 더미 전극과 연결되고, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 상기 제1 인접 더미 전극을 통해 상기 제2 인접 더미 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제1 인접 더미 전극과 상기 제2 인접 더미 전극은 제3 브릿지 패턴을 통해 연결되고, 상기 제3 브릿지 패턴은 상기 제1 브릿지 패턴 및 상기 제2 브릿지 패턴과 동일층 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극은 상기 제2 브릿지 패턴이 직접 연결되는 제1 연결 패턴을 포함하고, 제2 감지 전극은 상기 제2 브릿지 패턴이 직접 연결되는 제2 연결 패턴을 포함할 수 있다.
상기 표시 패널 상에 배치된 봉지층을 더 포함하고, 상기 입력 센서는 상기 봉지층 상에 직접 배치될 수 있다.
상기 입력 센서는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역에 인접한 주변 영역을 포함하고, 상기 액티브 영역은 복수의 유닛 센서 영역들을 포함하고, 상기 복수의 유닛 센서들은 상기 복수의 유닛 센서 영역들에 배치될 수 있다.
상기 복수의 유닛 센서 영역들은 상기 제1 유닛 센서가 배치된 제1 유닛 센서 영역, 상기 제2 유닛 센서가 배치된 제2 유닛 센서 영역 및 상기 제3 유닛 센서가 배치된 제3 유닛 센서 영역을 포함할 수 있다.
상기 복수의 유닛 센서 영역들은 상기 제1 유닛 센서의 일부 및 상기 제2 유닛 센서의 일부가 배치되는 제1 영역, 상기 제1 유닛 센서의 일부 및 상기 제3 유닛 센서의 일부가 배치되는 제2 영역을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 따른 전자 장치는 표시 패널 및 상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 유닛 센서들을 포함하는 입력 센서를 포함하고, 상기 복수의 유닛 센서들 각각은, 제1 방향으로 연장된 제1 감지 전극, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 감지 전극, 상기 제1 감지 전극과 전기적으로 연결된 제1 추가 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극과 전기적으로 연결된 제2 추가 감지 전극을 포함하고, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 제1 유닛 센서 영역에 배치되고, 상기 제2 추가 감지 전극은 상기 제1 유닛 센서 영역 및 상기 제1 유닛 센서 영역과 상기 제1 방향에서 인접한 제2 유닛 센서 영역에 배치되고, 상기 제1 추가 감지 전극은 상기 제1 유닛 센서 영역 및 상기 제1 유닛 센서 영역과 상기 제2 방향에서 인접한 제3 유닛 센서 영역에 배치된다.
상기 복수의 유닛 센서들 각각은 제1 브릿지 패턴을 더 포함하고, 상기 제1 브릿지 패턴은 상기 제1 감지 전극과 상기 제1 추가 감지 전극을 연결하고 상기 제2 감지 전극과 상기 제2 추가 감지 전극을 연결할 수 있다.
상기 제1 브릿지 패턴은 상기 제1 감지 전극, 상기 제1 추가 감지 전극, 상기 제2 감지 전극 및 상기 제2 추가 감지 전극과 다른 층 상에 배치될 수 있다.
상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극 중 어느 하나는 제2 브릿지 패턴을 포함하고, 상기 제1 브릿지 패턴과 상기 제2 브릿지 패턴은 동일층 상에 배치될 수 있다.
상기 복수의 유닛 센서들은 상기 제1 유닛 센서 영역에 배치된 제1 유닛 센서, 상기 제2 유닛 센서 영역에 배치된 제2 유닛 센서 및 상기 제3 유닛 센서 영역에 배치된 제3 유닛 센서를 포함할 수 있다.
상기 제1 유닛 센서 영역에는, 상기 제2 유닛 센서 영역과 중첩하는 제1 영역 및 상기 제3 유닛 센서 영역과 중첩하는 제2 영역이 정의되고, 상기 제1 유닛 센서의 상기 제2 추가 전극 및 상기 제2 유닛 센서의 제2 추가 전극은 상기 제1 영역에 배치되고, 상기 제1 유닛 센서의 상기 제1 추가 전극 및 상기 제3 유닛 센서의 제1 추가 전극은 상기 제2 영역에 배치될 수 있다.
상기 복수의 유닛 센서들 각각은 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극 각각에 정의된 복수의 개구부들을 포함하고, 상기 개구부들 중 일부에는 인접한 다른 유닛 센서의 상기 제1 추가 감지 전극 및 상기 제2 추가 감지 전극이 배치될 수 있다.
본 발명에 따르면, 일 실시예에 따른 전자 장치는 입력 센서의 유닛 센서의 감지 전극을 인접한 유닛 센서까지 확장시켜서 펜 입력의 선형성(linearity)을 증가시키고 감지 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 입력 장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층을 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유닛 센서를 보여주는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 일부 영역을 보여주는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 6의 일부 영역을 확대한 도면들이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 7b의 일부 영역을 확대한 도면이다.
도 8b는 도 8a의 A 내지 A'를 절단한 절단면을 도시한다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 일부 영역을 보여주는 도면이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 일부 영역을 보여주는 도면이다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 일 실시예에 따른 효과를 보여주는 그래프들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 “상에 있다”, “연결된다”, 또는 “결합된다”고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. “및/또는”은 연관된 구성요소들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, “아래에”, “하측에”, “위에”, “상측에” 등의 용어는 도면에 도시된 구성요소들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 갖는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 여기서 명시적으로 정의되지 않는 한 너무 이상적이거나 지나치게 형식적인 의미로 해석되어서는 안된다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 전자 장치(1000)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1000)는 휴대폰, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 또는 웨어러블 장치일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 1에서는 전자 장치(1000)가 휴대폰인 것을 예시적으로 도시하였다.
전자 장치(1000)는 액티브 영역(1000A)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 액티브 영역(1000A)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 면을 포함할 수 있다. 전자 장치(1000)의 두께 방향은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 교차하는 제3 방향(DR3)과 나란할 수 있다. 따라서, 전자 장치(1000)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다.
전자 장치(1000)는 전자 장치(1000)의 외부에서 인가되는 입력들을 감지할 수 있다. 상기 외부 입력들은 사용자의 입력일 수 있다. 상기 사용자의 입력은 사용자의 신체의 일부, 광, 열, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 전자 장치(1000)는 사용자의 터치에 의한 입력 및 입력 장치(2000)에 의한 입력을 감지할 수 있다. 입력 장치(2000)는 사용자의 신체 이외의 장치를 의미할 수 있다. 예를 들어, 입력 장치(2000)는 액티브 펜, 스타일러스 펜, 터치 펜, 또는 전자 펜일 수 있다. 이하에서는 입력 장치(2000)가 액티브 펜인 경우를 예로 들어 설명한다.
전자 장치(1000) 및 입력 장치(2000)는 양방향 통신이 가능할 수 있다. 전자 장치(1000)는 입력 장치(2000)으로 업 링크 신호를 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 업 링크 신호는 동기화 신호 또는 전자 장치(1000)의 정보를 포함할 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다. 입력 장치(2000)는 전자 장치(1000)로 다운 링크 신호를 제공할 수 있다. 다운 링크 신호는 동기화 신호 또는 입력 장치(2000)의 상태 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어, 다운 링크 신호는 입력 장치(2000)의 좌표 정보, 입력 장치(2000)의 배터리 정보, 입력 장치(2000)의 기울기 정보, 및/또는 입력 장치(2000)에 저장된 다양한 정보 등을 포함할 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 입력 장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2를 참조하면, 전자 장치(1000)는 표시 패널(100) 및 입력 센서(200)를 포함할 수 있다.
표시 패널(100)은 영상을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시 패널(100)은 발광형 표시층일 수 있으며, 예를 들어, 표시 패널(100)은 유기 발광 표시층, 퀀텀닷 표시층, 마이크로 엘이디 표시층, 또는 나노 엘이디 표시층일 수 있다.
입력 센서(200)는 표시 패널(100) 위에 배치될 수 있다. 입력 센서(200)는 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 입력 센서(200)는 사용자의 신체(3000)에 의한 입력 및 입력 장치(2000)에 의한 입력을 모두 센싱할 수 있다.
사용자의 신체(3000)의 입력 영역은 제1 폭(WE1)을 가질 수 있다.
입력 센서(200)는 시분할 구동되어 동작할 수 있다. 예를 들어, 입력 센서(200)는 제1 모드 및 제2 모드로 교대로 반복되어 구동될 수 있다. 상기 제1 모드는 사용자의 신체(3000)에 의한 입력을 감지하는 모드일 수 있고, 상기 제2 모드는 입력 장치(2000)에 의한 입력을 감지하는 모드일 수 있다.
상기 제2 모드가 시작될 때, 입력 센서(200)는 입력 장치(2000)으로 업 링크 신호(ULS)를 제공할 수 있다. 입력 장치(2000)가 업 링크 신호(ULS)를 수신하여 전자 장치(1000)와 동기화되는 경우, 입력 장치(2000)는 입력 센서(200)를 향해 다운 링크 신호(DLS)를 제공할 수 있다.
입력 장치(2000)는 전원(2100), 메모리(2200), 제어부(2300), 송신부(2400), 수신부(2500), 및 펜 전극(2600)을 포함할 수 있다. 다만 입력 장치(2000)를 구성하는 구성 요소들이 상기 나열된 구성 요소들에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 입력 장치(2000)는 펜 전극(2600)을 신호 송신 모드 또는 신호 수신 모드로 전환하는 전극 스위치, 압력을 감지하는 압력 센서, 또는 회전을 감지하는 회전 센서 등을 더 포함할 수 있다.
입력 센서(200) 펜 전극(2600)을 통해 입력 장치(2000)의 좌표를 획득할 수 있고, 입력 센서(200) 펜 전극(2600)을 통해 입력 장치(2000)의 기울기를 획득할 수 있다.
펜 전극(2600)의 입력 영역은 제2 폭(WE2)을 가질 수 있다. 펜 전극(2600)의 입력 영역의 제2 폭(WE2)은 사용자의 신체(3000)의 입력 영역의 제1 폭(WE1)보다 작을 수 있다.
전원(2100)은 입력 장치(2000)에 전원을 공급하는 배터리 또는 고용량 커패시터를 포함할 수 있다. 메모리(2200)는 입력 장치(2000)의 기능 정보를 저장할 수 있다. 제어부(2300)는 입력 장치(2000)의 동작을 제어할 수 있다. 송신부(2400) 및 수신부(2500) 각각은 펜 전극(2600)을 통해 전자 장치(1000)와 통신할 수 있다. 송신부(2400)는 신호 발생기 또는 송신 회로로 지칭될 수 있고, 수신부(2500)는 신호 수신기 또는 수신 회로로 지칭될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 패널(100)은 베이스층(110), 회로층(120), 발광 소자층(130), 및 봉지층(140)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 회로층(120)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(110)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(110)은 무기층, 유기층, 또는 복합 재료층일 수 있다.
베이스층(110)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 상기 제1 합성 수지층 위에 배치된 실리콘 옥사이드(SiOx)층, 상기 실리콘 옥사이드층 위에 배치된 아몰퍼스 실리콘(a-Si)층, 및 상기 아몰퍼스 실리콘층 위에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 옥사이드층 및 상기 아몰퍼스 실리콘층은 베이스 배리어층이라 지칭될 수 있다. 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리아이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 “~~” 계 수지는 “~~” 의 작용기를 포함하는 것을 의미한다.
회로층(120)은 베이스층(110) 위에 배치될 수 있다. 회로층(120)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 베이스층(110) 위에 형성되고, 이후, 복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이 후, 회로층(120)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인이 형성될 수 있다.
베이스층(110)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 형성될 수 있다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 본 실시예에서 표시 패널(100)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었다.
버퍼층(BFL)은 베이스층(110)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있으며, 실리콘옥사이드층과 실리콘나이트라이드층은 교대로 적층될 수 있다.
반도체 패턴은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘 또는 금속 산화물을 포함할 수도 있다.
도 3은 일부의 반도체 패턴을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비도핑영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑될 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역보다 크고, 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
화소들 각각은 7개의 트랜지스터들, 하나의 커패시터, 및 발광 소자를 포함하는 등가회로를 가질 수 있으며, 화소의 등가회로도는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 도 3에서는 화소에 포함되는 하나의 트랜지스터(100PC) 및 발광 소자(100PE)를 예시적으로 도시하였다.
트랜지스터(100PC)의 소스(SC1), 액티브(A1), 및 드레인(D1)이 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스(SC1) 및 드레인(D1)은 단면 상에서 액티브(A1)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 도 3에는 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 라인(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 연결 신호 라인(SCL)은 평면 상에서 트랜지스터(100PC)의 드레인(D1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(120)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(100PC)의 게이트(G1)는 제1 절연층(10) 위에 배치된다. 게이트(G1)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(G1)는 액티브(A1)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(G1)는 마스크로 기능할 수 있다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 위에 배치되며, 게이트(G1)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 화소들에 공통으로 중첩할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서 제2 절연층(20)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 위에 배치될 수 있으며, 본 실시예에서 제3 절연층(30)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1, 제2, 및 제3 절연층(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 연결 신호 라인(SCL)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 단층의 실리콘 옥사이드층일 수 있다. 제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 위에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)은 유기층일 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 위에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제6 절연층(60)은 유기층일 수 있다. 발광 소자층(130)은 회로층(120) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자층(130)은 발광 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(130)은 유기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다. 발광 소자(100PE)는 제1 전극(AE), 발광층(EL), 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
제1 전극(AE)은 제6 절연층(60) 위에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(60)이 관통하는 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 연결될 수 있다.
화소 정의막(70)은 제6 절연층(60) 위에 배치되며, 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 화소 정의막(70)에는 개구부(70-OP)가 정의될 수 있다. 화소 정의막(70)의 개구부(70-OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킬 수 있다. 본 실시예에서 발광 영역(PXA)은 개구부(70-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다. 비발광 영역(NPXA)은 발광 영역(PXA)을 에워쌀 수 있다.
발광층(EL)은 제1 전극(AE) 위에 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 개구부(70-OP)에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EL)은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EL)이 화소들 각각에 분리되어 형성된 경우, 발광층들(EL) 각각은 청색, 적색, 및 녹색 중 적어도 하나의 색의 광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(EL)은 화소들에 연결되어 공통으로 제공될 수도 있다. 이 경우, 발광층(EL)은 청색 광을 제공하거나, 백색 광을 제공할 수도 있다.
제2 전극(CE)은 발광층(EL) 위에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수 개의 화소들에 공통적으로 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)에는 공통 전압이 제공될 수 있으며, 제2 전극(CE)은 공통 전극으로 지칭될 수 있다.
도시되지 않았으나, 제1 전극(AE)과 발광층(EL) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 발광 영역(PXA)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다.
봉지층(140)은 발광 소자층(130) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 순차적으로 적층된 무기층, 유기층, 및 무기층을 포함할 수 있으나, 봉지층(140)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(130)을 보호하고, 유기층은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다. 무기층들은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
입력 센서(200)는 연속된 공정을 통해 표시 패널(100) 위에 형성될 수 있다. 이 경우, 입력 센서(200)는 표시 패널(100) 위에 직접 배치된다고 표현될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 입력 센서(200)와 표시 패널(100) 사이에 제3 의 구성 요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 입력 센서(200)와 표시 패널(100) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다. 이 경우, 전자 장치(1000)의 두께는 더 얇아질 수 있다.
입력 센서(200)는 베이스 절연층(201), 제1 도전층(202), 감지 절연층(203), 제2 도전층(204), 및 커버 절연층(205)을 포함할 수 있다.
베이스 절연층(201)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 베이스 절연층(201)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 베이스 절연층(201)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204) 각각은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
단층 구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide, ZnO), 인듐아연주석산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층 구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층 구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
입력 센서(200)와 제2 전극(CE) 사이에는 기생 정전 용량(Cb)이 발생될 수 있다. 입력 센서(200)와 제2 전극(CE)의 거리가 가까워짐에 따라 기생 정전 용량(Cb) 값은 증가될 수 있다. 기생 정전 용량(Cb)이 커지면 커질수록 기준 값 대비 정전 용량의 변화량의 비율이 작아질 수 있다. 정전 용량의 변화량은 입력 수단, 예를 들어, 입력 장치(2000, 도 2 참조) 또는 사용자의 신체(3000, 도 3 참조)에 의한 입력 전과 입력 후 사이에 발생하는 정전 용량의 변화를 의미할 수 있다.
입력 센서(200)으로부터 감지된 신호를 처리하는 구동칩은 감지된 신호에서 기생 정전 용량(Cb)에 대응하는 값을 제거하는 레벨링 동작을 수행할 수 있다. 상기 레벨링 동작에 의해 기준 값 대비 정전 용량의 변화량의 비율은 증가되어 센싱 감도가 향상될 수 있다.
하지만, 구동칩의 스펙에 따라 기생 정전 용량(Cb)에 대응하는 값을 제거하는 능력에 차이가 있을 수 있다. 예를 들어, 최대 기생 정전 용량(Cb)이 500피코페럿이고, 상기 구동칩이 입력 센서(200)으로부터 감지된 신호로부터 제거할 수 있는 정전 용량 값이 200피코페럿이라면, 상기 구동칩에 의해 기준 값은 충분히 낮아지지 않을 수 있다. 이 경우, 기준 값에 비해 정전 용량의 변화량의 비율은 미미하여, 상기 구동칩이 정전 용량의 변화량을 노이즈로 인식하거나, 인식하지 못하여 터치 좌표를 감지하지 못하는 오동작이 발생될 수 있다. 본 발명에 따르면, 입력 센서(200)의 전극 구조를 변형하여, 기생 정전 용량(Cb)의 최대 값을 소정 값 이하로 제공할 수 있다. 이 경우, 상기 구동칩의 성능이 비교적 낮은 경우에도 좌표 인식 정확도가 향상될 수 있다. 상기 소정 값은 200피코페럿일 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층을 도시한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 입력 센서(200)는 액티브 영역(200A) 및 주변 영역(200N)을 포함할 수 있다. 액티브 영역(200A)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 액티브 영역(200A)은 입력을 감지하는 영역일 수 있다. 주변 영역(200N)은 액티브 영역(200A)을 에워쌀 수 있다.
입력 센서(200)는 베이스 절연층(201), 복수의 유닛 센서들(210), 및 복수의 배선들(220)을 포함할 수 있다. 복수의 유닛 센서들(210)은 액티브 영역(200A)에 배치될 수 있다. 복수의 배선들(220)은 주변 영역(200N)에 배치될 수 있다.
복수의 유닛 센서들(210)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)을 따라 배열될 수 있다. 복수의 배선들(220)은 복수의 유닛 센서들(210)에 전기적으로 연결될 수 있다.
복수의 유닛 센서들(210)은 제1 피치(PC1)를 가질 수 있다. 복수의 유닛 센서들(210)의 제1 피치(PC1)는 사용자의 신체(3000, 도 2 참조)의 입력 영역의 제1 폭(WE1, 도 2 참조)보다 작을 수 있다. 제1 피치(PC1)는 3.5mm(millimeter) 내지 4.5mm일 수 있다. 예를 들어, 제1 피치(PC1)는 4mm일 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 유닛 센서들(210) 각각의 면적은 사용자의 신체(3000, 도 2 참조)의 상기 입력 영역의 면적보다 작을 수 있다. 따라서, 입력 센서(200)는 사용자의 신체(3000, 도 2 참조)에 의해 입력된 좌표를 정확하게 감지할 수 있다.
복수의 유닛 센서들(210)은 제1 감지 전극 및 상기 제1 감지 전극과 교차하는 제2 감지 전극을 포함할 수 있다.
입력 센서(200)는 복수의 유닛 센서들(210)이 포함하는 감지 전극들 사이의 상호 정전 용량의 변화를 통해 외부 입력에 대한 정보를 획득하는 제1 모드 또는 복수의 유닛 센서들(210)이 포함하는 감지 전극들 각각의 정전 용량의 변화를 통해 입력 장치(2000, 도 2 참조)에 의한 입력을 감지하는 제2 모드로 동작할 수 있다.
일 실시예에서, 입력 장치(2000)가 입력 센서(200)에 근접하면, 입력 센서(200)는 입력 장치(2000)를 감지하기 위한 제2 모드로 진입할 수 있다. 입력 장치(2000)는 입력 센서(200)를 통해 센서 컨트롤러(미도시)와 데이터를 송수신할 수 있다.
제2 모드에서, 복수의 제1 감지 전극들(211, 도 5 참조) 및 복수의 제2 감지 전극들(212, 도 5 참조) 각각은 센서 컨트롤러로부터 제공된 업 링크 신호들(ULS)을 입력 장치(2000)에 제공하기 위한 전송 전극으로 활용될 수 있다. 제2 모드에서, 복수의 제1 감지 전극들(211) 및 복수의 제2 감지 전극들(212) 각각은 입력 장치(2000)로부터 제공된 다운 링크 신호들(DLS)을 입력 센서(200)의 센서 컨트롤러에 제공하기 위한 수신 전극으로 활용될 수 있다. 즉, 제2 모드에서 복수의 제1 감지 전극들(211) 및 복수의 제2 감지 전극들(212)은 모두 전송 전극으로 활용되거나, 모두 수신 전극으로 활용될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유닛 센서를 보여주는 도면이다.
도 5를 참조하면, 유닛 센서(210)는 제1 감지 전극(211), 제2 감지 전극(212), 제1 더미 전극(213) 및 제2 더미 전극(214)을 포함할 수 있다.
제1 감지 전극(211)은 바(bar) 형태로 제1 방향(DR1)으로 연장되고 복수 개로 제공될 수 있다. 제2 감지 전극(212)은 바 형태로 제2 방향(DR2)으로 연장되고 복수 개로 제공될 수 있다. 제1 감지 전극(211)과 제2 감지 전극(212)은 서로 교차할 수 있다. 복수의 제1 감지 전극들(211)은 제2 방향(DR2)으로 배열될 수 있다. 복수의 제2 감지 전극들(212)은 제1 방향(DR1)으로 배열될 수 있다.
도 5에서, 복수의 제1 감지 전극들(211) 및 제2 감지 전극들(212)은 하나의 유닛 센서(210)에 각각 3개씩 배치될 수 있다. 그러나 반드시 이에 제한되지 않는다.
제1 감지 전극들(211)은 입력 장치(2000)의 제2 방향(DR2)으로 이동을 감지할 수 있다. 제2 감지 전극들(212)은 입력 장치(2000)의 제1 방향(DR1)으로 이동을 감지할 수 있다.
제1 감지 전극(211)은 복수의 제1 감지부들(SP1) 및 복수의 제1 연결부들(CP1)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 연결부들(CP1) 각각은 복수의 제1 감지부들(SP1) 중 인접한 두 개의 제1 감지부들(SP1)을 연결할 수 있다.
제2 감지 전극(212)은 복수의 제2 감지부들(SP2) 및 복수의 제2 연결부들(CP2)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 연결부들(CP2) 각각은 복수의 제2 감지부들(SP2) 중 인접한 두 개의 제2 감지부들(SP2)을 연결할 수 있다.
제1 감지부들(SP1)과 제2 감지부들(SP2)의 사이에는 복수의 제1 개구부들(OP1)이 정의될 수 있다. 제1 감지부들(SP1) 및 제2 감지부들(SP2) 각각에는 제2 개구부(OP2)가 정의될 수 있다.
제1 감지부들(SP1), 제2 감지부들(SP2) 및 제1 연결부들(CP1)은 동일층 상에 배치될 수 있다. 제2 연결부들(CP2)은 제1 감지부들(SP1), 제2 감지부들(SP2) 및 제1 연결부들(CP1)과 다른층 상에 배치될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 감지부들(SP1), 제2 감지부들(SP2) 및 제1 연결부들(CP1)은 제2 도전층(204, 도 3 참조)에 배치될 수 있다. 제2 연결부들(CP2)은 제1 도전층(202) 상에 배치될 수 있다.
제2 연결부들(CP2) 각각은 제1 브릿지 패턴(BRP1)을 포함할 수 있다. 제1 브릿지 패턴(BRP1)은 복수 개로 제공될 수 있다. 도 5에서, 제1 브릿지 패턴(BRP1)은 2 개로 제공될 수 있다. 그러나, 이는 일 예에 불과하고, 제1 브릿지 패턴(BRP1)은 하나 또는 2 개 이상의 복수 개로 제공될 수도 있다.
제1 더미 전극(213)은 제1 개구부들(OP1)에 배치될 수 있다. 제2 더미 전극(214)은 제2 개구부들(OP2)에 배치될 수 있다. 제1 더미 전극(213) 및 제2 더미 전극(214)은 플로팅(floating)되어 제1 감지 전극(211) 및 제2 감지 전극(212)과 전기적으로 절연될 수 있다. 제1 더미 전극(213) 및 제2 더미 전극(214)은 제1 감지 전극(211) 및 제2 감지 전극(212)과 동일층 상에 같이 패터닝될 수 있다.
도 5에서, 입력 장치(2000)가 제2 방향(DR2)으로 이동하면, 제1 감지 전극들(211)에 의해서 이동이 감지될 수 있다. 이와 관련하여 자세한 내용은 후술한다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 일부 영역을 보여주는 도면이다. 도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 6의 일부 영역을 확대한 도면들이다. 도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 7b의 일부 영역을 확대한 도면이다. 도 8b는 도 8a의 A 내지 A'를 절단한 절단면을 도시한다.
도 6a는 도 4의 X1 영역을 확대하여 도시한 평면도이다. 도 6b는 도 6a의 영역들을 보여주는 도면이다. 도 7a는 도 6의 AA'를 확대하여 도시한 평면도이다. 도 7b는 도 6의 BB'를 확대하여 도시한 평면도이다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 입력 센서(200)는 인접하게 배치되는 복수의 유닛 센서들(210)을 포함할 수 있다. 복수의 유닛 센서들(210)은 복수의 유닛 센서 영역들(UA)에 배치될 수 있다. 도 6a에서, 인접한 유닛 센서 영역들에 각각 배치되는 9 개의 유닛 센서들(210)이 도시되었다.
일 실시예에서, 복수의 유닛 센서들(210)은 제1 유닛 센서(210a), 제2 유닛 센서(210b) 및 제3 유닛 센서(210c)를 포함할 수 있다. 제1 유닛 센서(210a)는 제1 유닛 센서 영역(UA1)에 배치되고, 제2 유닛 센서(210b)는 제2 유닛 센서 영역(UA2)에 배치되고, 제3 유닛 센서(210c)는 제3 유닛 센서 영역(UA3)에 배치될 수 있다.
제1 유닛 센서(210a)와 제2 유닛 센서(210b)는 제1 방향(DR1)에서 인접한다. 제1 유닛 센서(210a)와 제3 유닛 센서(210c)는 제2 방향(DR2)에서 인접한다.
도 6b, 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 복수의 유닛 센서 영역들(UA)은 제1 영역(OA1) 및 제2 영역(OA2)을 포함할 수 있다. 제1 영역(OA1)은 제1 유닛 센서 영역(UA1)과 제2 유닛 센서 영역(UA2)이 중첩하는 영역에 해당할 수 있다. 제2 영역(OA2)은 제1 유닛 센서 영역(UA1)과 제3 유닛 센서 영역(UA3)이 중첩하는 영역에 해당할 수 있다.
즉, 제1 영역(OA1)에는 제1 유닛 센서(210a)의 일부분 및 제2 유닛 센서(210b)의 일부분이 배치될 수 있다. 제2 영역(OA2)에는 제1 유닛 센서(210a)의 일부분 및 제3 유닛 센서(210c)의 일부분이 배치될 수 있다.
복수의 유닛 센서들(210) 각각은 제1 추가 감지 전극(ASE1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2)을 더 포함할 수 있다. 즉, 제1 유닛 센서(210a), 제2 유닛 센서(210b) 및 제3 유닛 센서(210c)는 제1 추가 감지 전극(ASE1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2)을 각각 포함할 수 있다.
제1 추가 감지 전극(ASE1)은 제1 감지 전극(211)과 연결될 수 있다. 제2 추가 감지 전극(ASE2)은 제2 감지 전극(212)과 연결될 수 있다. 제1 추가 감지 전극(ASE1)은 제2 영역(OA2)에 배치될 수 있다. 제2 추가 감지 전극(ASE2)은 제1 영역에 배치될 수 있다.
도 7a에서, 제1 유닛 센서(210a)의 제2 추가 감지 전극(ASE2a) 및 제2 유닛 센서(210b)의 제2 추가 감지 전극(ASE2b)은 제1 영역(OA1)에 배치될 수 있다. 제1 유닛 센서(210a)와 제2 유닛 센서(210b)는 센서 경계(BDR)를 기준으로 서로 대칭될 수 있다.
도 7b에서, 제1 유닛 센서(210a)의 제1 추가 감지 전극(ASE1a) 및 제3 유닛 센서(210c)의 제1 추가 감지 전극(ASE1c)은 제2 영역(OA2)에 배치될 수 있다. 제1 유닛 센서(210a)와 제3 유닛 센서(210c)는 센서 경계(BDR)를 기준으로 서로 대칭될 수 있다.
도 7a 및 도 7b에서, 제1 유닛 센서(210a)의 제1 감지 전극(211a)은 제3 유닛 센서(210c)의 제1 더미 전극(213c)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 유닛 센서(210a)의 제2 감지 전극(212a)은 제2 유닛 센서(210b)의 제1 더미 전극(213b)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 유닛 센서(210a)의 제1 감지 전극(211a)은 제3 유닛 센서(210c)의 제1 더미 전극(213c) 중 제1 유닛 센서(210a)와 인접한 제1 인접 더미 전극과 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 유닛 센서(210a)의 제2 감지 전극(212a)은 제2 유닛 센서(210b)의 제1 더미 전극(213b) 중 인접한 제1 인접 더미 전극과 전기적으로 연결될 수 있다.
여기에서, 제1 인접 더미 전극은 제1 추가 감지 전극(ASE1) 또는 제2 추가 감지 전극(ASE2)일 수 있다. 즉, 제1 유닛 센서(210a)의 제1 감지 전극(211a)과 전기적으로 연결된 제3 유닛 센서(210c)의 상기 제1 인접 더미 전극은 제1 유닛 센서(210a)의 제1 추가 감지 전극(ASE1a)일 수 있다. 제1 유닛 센서(210a)의 제2 감지 전극(212a)과 연결된 제2 유닛 센서(210b)의 상기 제1 인접 더미 전극은 제1 유닛 센서(210a)의 제2 추가 감지 전극(ASE2a)일 수 있다.
본 실시예에서, 유닛 센서(210)의 제1 감지 전극(211) 및 제2 감지 전극(212)은 인접한 다른 유닛 센서의 더미 전극과 전기적으로 연결되어 제1 추가 감지 전극(ASE1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2)을 형성할 수 있다. 즉, 제1 추가 감지 전극(ASE1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2)은 제1 개구부(OP1)에 배치될 수 있다.
도 8a는 도 7b의 XX' 영역을 확대한 도면이다. 도 8b는 도 8a의 A 내지 A'의 절단면을 도시하는 단면도이다.
도 8a 및 도 8b을 참고하면, 유닛 센서(210)는 제2 브릿지 패턴(BRP2)을 포함할 수 있다. 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 제1 감지 전극(211)과 제1 추가 감지 전극(ASE1)을 연결할 수 있다. 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 제2 감지 전극(212)과 제2 추가 감지 전극(ASE2)을 연결할 수 있다. 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 제1 브릿지 패턴(BRP1)과 동일층 상에 같이 패터닝될 수 있다.
일 실시예에서, 제1 감지 전극(211)은 제1 연결 패턴(CPT1)을 포함하고, 제2 감지 전극(212)은 제2 연결 패턴(CPT2)을 포함할 수 있다. 제1 연결 패턴(CPT1)은 복수의 제1 감지 전극들(211) 중 제1 추가 감지 전극(ASE1)과 가장 인접한 제1 감지 전극(211)에서 연장될 수 있다. 제2 연결 패턴(CPT2)은 복수의 제2 감지 전극들(212) 중 제2 추가 감지 전극(ASE2)과 가장 인접한 제2 감지 전극(212)에서 연장될 수 있다.
제2 브릿지 패턴(BRP2)은 센서 경계(BDR)에 배치되는 제1 연결 패턴(CPT1)과 제1 추가 감지 전극(ASE1)을 연결한다. 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 제2 연결 패턴(CPT2)과 제2 추가 감지 전극(ASE2)을 연결한다.
제1 연결 패턴(CPT1)은 제1 추가 감지 전극(ASE1)과 직접 연결되어 제1 감지 전극(211)과 제1 추가 감지 전극(ASE1)을 전기적으로 연결할 수 있다. 제2 연결 패턴(CPT2)은 제2 추가 감지 전극(ASE2)과 직접 연결되어 제2 감지 전극(212)과 제2 추가 감지 전극(ASE2)을 전기적으로 연결할 수 있다. 제1 연결 패턴(CPT1) 및 제2 연결 패턴(CPT2)은 제1 감지 전극(211) 및 제2 감지 전극(212)과 동일층 상에 배치되고, 제2 브릿지 패턴(BRP2)과 다른 층 상에 배치될 수 있다.
예를 들어, 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 제1 감지 전극(211) 또는 제2 감지 전극(212)과 제1 연결 패턴(CPT1) 또는 제2 연결 패턴(CPT2)을 연결할 수 있다. 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 제1 또는 제2 연결 패턴(CPT1, CPT2)과 제1 추가 감지 전극(ASE1) 또는 제2 추가 감지 전극(ASE2)을 연결할 수 있다. 결과적으로, 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 제1 또는 제2 감지 전극(211, 212)과 제1 또는 제2 추가 감지 전극(ASE1, ASE2)을 연결할 수 있다. 도 8a에서, 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 제1 감지 전극(211a)과 제1 연결 패턴(CPT1)을 연결하고, 제1 연결 패턴(CPT1)과 제1 추가 감지 전극(ASE1a)을 연결한다.
도 8b에서, 제2 브릿지 패턴(BRP2)은 베이스 절연층(201) 상에 배치될 수 있다. 제1 감지 전극(211) 및 제2 연결 패턴(CPT2) 및 제1 추가 감지 전극(ASE1)은 감지 절연층(203) 상에 배치될 수 있다. 제2 브릿지 패턴(BRP2)과 제1 감지 전극, 제2 연결 패턴(CPT2) 및 제1 추가 감지 전극(ASE1)은 컨택홀을 통해서 전기적으로 연결될 수 있다. 다른 구성 관련 도 3과 중복된 설명은 생략한다.
도 5에서 설명한 것과 같이, 유닛 센서(210)는 제2 개구부(OP2)에 각각 배치되는 복수의 제2 더미 전극들(214)을 포함할 수 있다. 복수의 제2 더미 전극들(214)은 인접한 다른 유닛 센서와 인접하는 제2 인접 더미 전극을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 제1 추가 감지 전극(ASE1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2)은 제2 개구부(OP2)에 배치될 수 있다. 즉, 제1 개구부(OP1)에 배치된 제1 추가 감지 전극(ASE1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2)은 제2 개구부(OP2)까지 확장될 수 있다.
도 5 및 도 7a를 참조할 때, 제2 추가 감지 전극(ASE2a, ASE2b)은 제2 개구부(OP2)에 배치된 제2 더미 전극(214)과 연결될 수 있다. 제2 추가 감지 전극(ASE2a, ASE2b)은 복수의 제3 더미 전극들(214) 중 인접한 제2 인접 더미 전극들(214)과 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 추가 감지 전극(ASE2a, ASE2b)은 브릿지 패턴을 통해서 제2 인접 더미 전극과 연결되어 확장될 수 있다. 자세한 설명은 도 10을 참조한다.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 일부 영역을 보여주는 도면이다. 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서의 일부 영역을 보여주는 도면이다.
도 9는 X1 영역에서 제1 추가 감지 전극(ASE1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2)에 따라 유닛 센서가 확장된 모습을 보여준다. 도 10은 도 9의 X1 영역과 달리 확장된 제1 추가 감지 전극(ASE1-1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2-1)을 포함하는 유닛 센서들이 배치된 것을 보여준다.
도 9에서, 제1 추가 감지 전극(ASE1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2)은 제1 개구부(OP1, 도 5 참조)에만 배치될 수 있다. 도 10을 참조하면, 제1 추가 감지 전극(ASE1-1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2-1)은 제2 개구부(OP2, 도 5 참조)에도 배치될 수 있다. 즉, 제1 추가 감지 전극(ASE1-1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2-1)은 제1 개구부(OP1)에서 제2 개구부(OP2)까지 확장될 수 있다. 일 실시예에서, 제1 추가 감지 전극(ASE1-1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2-1)은 제2 개구부들(OP2) 중 제1 감지 전극(211) 및 제 감지 전극(212)과 각각 인접한 제2 개구부(OP2)에 배치될 수 있다. 제1 개구부(OP1)에 배치된 1 추가 감지 전극(ASE1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2)과 제2 개구부(OP2)에 배치된 제1 추가 감지 전극(ASE1-1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2-1)은 제3 브릿지 패턴(BRP3)을 통해서 연결될 수 있다. 제1 추가 감지 전극(ASE1, ASE1-1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2, ASE2-1)은 동일층 상에 배치되고, 제3 브릿지 패턴(BRP3)은 제1 추가 감지 전극(ASE1, ASE1-1) 및 제2 추가 감지 전극(ASE2, ASE2-1)과 다른층 상에 배치될 수 있다. 제3 브릿지 패턴(BRP3)은 제2 브릿지 패턴(BRP2, 도 8b 참조)과 동일층 상에 배치될 수 있다.
복수의 제2 개구부들(OP2, 도 5 참조) 중에서 인접한 유닛 센서와 인접한 제2 개구부들(OP2)에는 제1 또는 제2 추가 감지 전극(ASE1-1, ASE2-1)이 배치되고, 나머지 제2 개구부들(OP2)에는 제2 더미 전극(214, 도 5 참조)이 배치될 수 있다.
도 11a 내지 도 11c는 본 발명의 일 실시예에 따른 효과를 보여주는 그래프들이다.
도 11a는 일 실시예에 따른 입력 장치(2000)가 서로 인접한 복수의 유닛 센서들 상에서 움직이는 것을 보여준다. 도 11a에서, 입력 장치(2000)는 액티브 펜, 전자 펜을 포함하는 펜에 해당할 수 있다. 펜은 -6mm 에서 6mm의 임의의 거리를 지나도록 움직일 수 있다. 여기에서, -6mm 에서 6mm의 임의의 거리에는 복수의 유닛 센서들(210-1, 210, 210-2)이 배치된다. 펜은 복수의 유닛 센서들(210-1, 210, 210-2)을 순차적으로 지나갈 수 있다.
펜은, -6mm 부터 -2mm의 제1 구간에서 첫 번째 유닛 센서(210-1)를 지나고, -2mm 부터 2mm의 제2 구간에서 두 번째 유닛 센서(210)를 지나며, 2mm부터 6mm의 제3 구간에서 세 번째 유닛 센서(210-2)를 지날 수 있다.
도 11b 및 도 11c는 이 때에 펜의 감도 변화를 보여준다. 즉, 도 11b 및 도 11c는 서로 인접한 유닛 센서들(210-1, 210, 210-2)을 지나는 동안 입력 장치(2000)인 펜의 감도가 계속 유지될 수 있는지를 보여준다.
제1 비교예(ST1) 및 제2 비교예(ST2)는 기존 유닛 센서 구조에 따른 펜 감도를 보여준다. 실시예(ST3)는 본 발명의 일 실시예에 따른 입력 센서(200, 도 3 참조)의 유닛 센서(210, 도 6a 참조)에 따른 펜 감도를 보여준다.
도 11b에서, 제1 비교예(ST1), 제2 비교예(ST2) 및 실시예(ST3) 모두 제1 구간에서 첫번째 유닛 센서(210-1)의 펜 감도는 -3mm일 때 최대 감도를 보여준다. 이어지는 제2 구간에서도 제1 비교예(ST1), 제2 비교예(ST2) 및 실시예(ST3) 모두 동일하게 0mm일 때 최대 감도를 보여주고, 제3 구간에서는 약 4mm일 때 최대 감도를 보인다.
다만, 제1 비교예(ST1) 및 제2 비교예(ST2)의 경우, 펜 감도는 제1 구간과 제2 구간 사이 및 제2 구간과 제3 구간의 사이에서 연속적이지 못하다. 그러나, 본 발명의 실시예(ST3)의 경우 제1 비교예(ST1) 및 제2 비교예(ST2)와 비교했을 때 펜 감도는 제1 구간과 제2 구간 사이 및 제2 구간과 제3 구간의 사이에서도 연속적으로 나타나는 것을 알 수 있다. 제1 구간과 제2 구간 사이 및 제2 구간과 제3 구간의 사이에서 펜 감도가 연속적으로 나타나는 경우 입력의 선형성(linearity)이 크거나 좋은 것으로 나타날 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예는 인접하는 유닛 센서들간에 제1 및 제2 추가 전극을 포함하여, 펜이 이동하는 입력 센서들 사이의 구간에서도 높은 펜 감도를 가지고, 입력의 선형성을 증대시킬 수 있다.
도 11a, 도 11b 및 도 11c를 참조하여 이하 설명한다. 도 11b 및 도 11c에서, 펜 감도 기준선은, 유닛 센서들이 펜을 감지하기 위한 최소한의 펜 감도에 해당할 수 있다. 펜 감도 기준선은 임의의 설정값에 해당하고, 도 11b 및 도 11c에서는 5에 해당하나 반드시 이에 제한되지 않음은 자명하다.
제1 비교예(ST1)의 경우, 제1 구간에서 첫번째 유닛 센서(210-1)는 -3mm에서 펜을 감지하고 -1mm까지 감도가 떨어진다. 이후, 제2 구간에서 두번째 유닛 센서(210)는 -2mm부터 -1mm까지 펜을 감지하지 못하고 0mm에서 펜을 감지한다. 제3 구간에서 세번째 유닛 센서(210-2)는 0mm부터 2.4mm까지 펜을 감지하지 못하다가 약 2.5 내지 4mm에서 펜을 감지하는 것을 알 수 있다. 즉, 제1 비교예(ST1)에서 입력 센서는 복수의 유닛 센서들(210-1, 210, 210-2) 사이에 제1 죽은 구간(ST1-DZ)을 포함한다. 예를 들어, 제1 죽은 구간(ST1-DZ)은 제2 구간과 제3 구간 사이에서 0mm 이후부터 약 2.4mm까지 구간에 해당할 수 있다. 이 구간에서 제1 비교예(ST1)는 두번째 유닛 센서의 감도가 떨어지고 세번째 유닛 센서의 감도가 낮아 펜을 감지하지 못한다.
제2 비교예(ST2)의 경우, 제1 구간에서 첫번째 유닛 센서(210-1)는 -3mm에서 펜을 감지하고 제2 구간에서 두번째 유닛 센서(210)가 펜을 감지하기 시작하는 약 -1mm까지 펜 감도가 하락하여 펜을 잘 감지하지 못한다. 두번째 유닛 센서(210)는 0mm에서 펜을 감지하고 세번째 유닛 센서(210-2)가 펜을 감지하기 시작하는 2mm까지 펜 감도가 하락하여 펜을 감지하지 못한다. 즉, 제2 죽은 구간(ST2-DZ)은 0mm 내지 2mm까지 구간에 해당할 수 있다.
본 발명의 실시예(ST3)의 경우, 첫번째 유닛 센서(210-1)가 -3mm까지 펜을 감지하고 제2 구간에서 두번째 유닛 센서(210)는 약 -2mm 부터 0mm까지 펜을 감지한다. 제2 구간에서 두번째 유닛 센서(210)는 0mm부터 펜 감도가 하락한다. 제3 구간에서 세번재 유닛 센서(210-2)는 약 1mm부터 펜을 감지하기 시작한다. 즉, 제3 죽은 구간(ST3-DZ)은 0mm부터 약 1mm에 해당할 수 있다.
즉, 본 발명의 실시예(ST3)는 제1 및 제2 비교예들(ST1, ST2)에 비하여, 죽은 구간이 짧다. 따라서, 입력 장치(2000)에 의한 입력의 선형성이 높고 감지 신뢰성이 높다.
펜 감도 기준선이 5에 해당하는 경우에 제1 내지 제3 죽은 구간들(ST1-DZ, ST2-DZ, ST3-DZ)은 상기와 같다. 다른 일 실시예에서, 펜 감도 기준선이 없는 경우, 본 발명의 실시예(ST3)는 제1 구간의 첫번째 유닛 센서(210-1)가 -3mm에서 펜을 감지한 이후 곧바로 제2 구간에서 두번째 유닛 센서(210)가 -3mm에서부터 펜을 감지하기 시작한다. 제2 구간에서 두번째 유닛 센서(210)가 0mm에서 펜을 감지하고 이후 제3 구간에서 세번째 유닛 센서(210-2)가 0mm부터 곧바로 펜을 감지하기 시작한다. 따라서, 펜 감도 기준선이 없는 경우 본 발명의 실시예(ST3)는 죽은 구간이 존재하지 않고, 입력 장치(2000)의 의한 입력은 연속적이고 선형적으로 나타날 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 실시 예가 개시되었다. 여기서 특정한 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
1000: 전자 장치
2000: 입력 장치
100: 표시 패널
200: 입력 센서
210: 유닛 센서
211: 제1 감지 전극
212: 제2 감지 전극

Claims (20)

  1. 표시 패널; 및
    상기 표시 패널 상에 배치되고, 제1 유닛 센서, 상기 제1 유닛 센서와 제1 방향에서 인접한 제2 유닛 센서 및 상기 제1 유닛 센서와 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 인접한 제3 유닛 센서를 포함하는 복수의 유닛 센서들을 포함하는 입력 센서를 포함하고, 상기 복수의 유닛 센서들 각각은,
    상기 제1 방향으로 연장된 제1 감지 전극;
    상기 제2 방향으로 연장된 제2 감지 전극; 및
    상기 제1 감지 전극과 상기 제2 감지 전극의 사이에 배치되는 제1 더미 전극을 포함하고,
    상기 제1 유닛 센서의 제1 감지 전극은 상기 제3 유닛 센서의 제1 더미 전극 중 상기 제1 유닛 센서와 인접한 제1 인접 더미 전극과 연결되고,
    상기 제1 유닛 센서의 제2 감지 전극은 상기 제2 유닛 센서의 제1 더미 전극 중 상기 제1 유닛 센서와 인접한 제1 인접 더미 전극과 연결된 전자 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 감지 전극은 제1 감지부 및 제1 연결부를 포함하고, 상기 제2 감지 전극은 제2 감지부 및 제2 연결부를 포함하며,
    상기 제1 연결부는 인접한 제1 감지부를 연결하고, 상기 제2 연결부는 인접한 제2 감지부를 연결하는 전자 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 감지부, 상기 제2 감지부 및 상기 제1 연결부는 동일층 상에 배치되고,
    상기 제2 연결부는 상기 제1 감지부, 상기 제2 감지부 및 상기 제1 연결부와 다른층 상에 배치되며 제1 브릿지 패턴을 포함하는 전자 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극 각각과 상기 제1 인접 더미 전극은 제2 브릿지 패턴을 통해 연결되고,
    상기 제2 브릿지 패턴은 상기 제1 브릿지 패턴과 동일층 상에 배치된 전자 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 감지부 및 상기 제2 감지부 각각에는 개구부가 정의되고, 상기 복수의 유닛 센서들 각각은 상기 개구부에 배치되고 플로팅된 제2 더미 전극을 더 포함하는 전자 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 유닛 센서의 상기 제1 감지 전극은 상기 제3 유닛 센서의 제2 더미 전극 중 상기 제1 유닛 센서와 인접한 제2 인접 더미 전극과 연결되고,
    상기 제1 유닛 센서의 상기 제2 감지 전극은 상기 제2 유닛 센서의 제2 더미 전극 중 상기 제1 유닛 센서와 인접한 제2 인접 더미 전극과 연결된 전자 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제2 인접 더미 전극은 상기 제1 인접 더미 전극과 연결되고, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 상기 제1 인접 더미 전극을 통해 상기 제2 인접 더미 전극과 전기적으로 연결되는 전자 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 인접 더미 전극과 상기 제2 인접 더미 전극은 제3 브릿지 패턴을 통해 연결되고, 상기 제3 브릿지 패턴은 상기 제1 브릿지 패턴 및 상기 제2 브릿지 패턴과 동일층 상에 배치된 전자 장치.
  9. 제4항에 있어서, 상기 제1 감지 전극은 상기 제2 브릿지 패턴이 직접 연결되는 제1 연결 패턴을 포함하고, 제2 감지 전극은 상기 제2 브릿지 패턴이 직접 연결되는 제2 연결 패턴을 포함하는 전자 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 표시 패널 상에 배치된 봉지층을 더 포함하고, 상기 입력 센서는 상기 봉지층 상에 직접 배치된 전자 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 입력 센서는 액티브 영역 및 상기 액티브 영역에 인접한 주변 영역을 포함하고,
    상기 액티브 영역은 복수의 유닛 센서 영역들을 포함하고, 상기 복수의 유닛 센서들은 상기 복수의 유닛 센서 영역들에 배치되는 전자 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 복수의 유닛 센서 영역들은 상기 제1 유닛 센서가 배치된 제1 유닛 센서 영역, 상기 제2 유닛 센서가 배치된 제2 유닛 센서 영역 및 상기 제3 유닛 센서가 배치된 제3 유닛 센서 영역을 포함하는 전자 장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 복수의 유닛 센서 영역들은 상기 제1 유닛 센서의 일부 및 상기 제2 유닛 센서의 일부가 배치되는 제1 영역, 상기 제1 유닛 센서의 일부 및 상기 제3 유닛 센서의 일부가 배치되는 제2 영역을 더 포함하는 전자 장치.
  14. 표시 패널; 및
    상기 표시 패널 상에 배치되고, 복수의 유닛 센서들을 포함하는 입력 센서를 포함하고, 상기 복수의 유닛 센서들 각각은,
    제1 방향으로 연장된 제1 감지 전극;
    상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 연장된 제2 감지 전극;
    상기 제1 감지 전극과 전기적으로 연결된 제1 추가 감지 전극; 및
    상기 제2 감지 전극과 전기적으로 연결된 제2 추가 감지 전극을 포함하고,
    상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극은 제1 유닛 센서 영역에 배치되고,
    상기 제2 추가 감지 전극은 상기 제1 유닛 센서 영역 및 상기 제1 유닛 센서 영역과 상기 제1 방향에서 인접한 제2 유닛 센서 영역에 배치되고,
    상기 제1 추가 감지 전극은 상기 제1 유닛 센서 영역 및 상기 제1 유닛 센서 영역과 상기 제2 방향에서 인접한 제3 유닛 센서 영역에 배치되는 전자 장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 복수의 유닛 센서들 각각은 제1 브릿지 패턴을 더 포함하고,
    상기 제1 브릿지 패턴은 상기 제1 감지 전극과 상기 제1 추가 감지 전극을 연결하고 상기 제2 감지 전극과 상기 제2 추가 감지 전극을 연결하는 전자 장치.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1 브릿지 패턴은 상기 제1 감지 전극, 상기 제1 추가 감지 전극, 상기 제2 감지 전극 및 상기 제2 추가 감지 전극과 다른 층 상에 배치되는 전자 장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극 중 어느 하나는 제2 브릿지 패턴을 포함하고, 상기 제1 브릿지 패턴과 상기 제2 브릿지 패턴은 동일층 상에 배치된 전자 장치.
  18. 제14항에 있어서, 상기 복수의 유닛 센서들은 상기 제1 유닛 센서 영역에 배치된 제1 유닛 센서, 상기 제2 유닛 센서 영역에 배치된 제2 유닛 센서 및 상기 제3 유닛 센서 영역에 배치된 제3 유닛 센서를 포함하는 전자 장치.
  19. 제18항에 있어서, 상기 제1 유닛 센서 영역에는,
    상기 제2 유닛 센서 영역과 중첩하는 제1 영역 및 상기 제3 유닛 센서 영역과 중첩하는 제2 영역이 정의되고,
    상기 제1 유닛 센서의 상기 제2 추가 전극 및 상기 제2 유닛 센서의 제2 추가 전극은 상기 제1 영역에 배치되고, 상기 제1 유닛 센서의 상기 제1 추가 전극 및 상기 제3 유닛 센서의 제1 추가 전극은 상기 제2 영역에 배치되는 전자 장치.
  20. 제14항에 있어서, 상기 복수의 유닛 센서들 각각은 상기 제1 감지 전극 및 상기 제2 감지 전극 각각에 정의된 복수의 개구부들을 포함하고,상기 개구부들 중 일부에는 인접한 다른 유닛 센서의 상기 제1 추가 감지 전극 및 상기 제2 추가 감지 전극이 배치되는 전자 장치.
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