KR20200140119A - 반도체 디바이스를 테스트하기 위한 프로브 카드를 포함하는 테스트 장치 및 그의 동작 방법 - Google Patents

반도체 디바이스를 테스트하기 위한 프로브 카드를 포함하는 테스트 장치 및 그의 동작 방법 Download PDF

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Abstract

본 개시의 일 실시예는 프로브 장치를 개시한다. 상기 프로브 장치는, 전압 공급기 및 컨트롤러를 가진 테스터; 및 제1 프로브, 및 제1 센싱 핀을 가진 프로브 카드를 포함한다. 상기 제1 프로브는 상기 전압 공급기의 출력 포트 및 제1 반도체 디바이스의 전극 패드와 전기적으로 연결된다. 상기 제1 센싱 핀은 상기 제1 반도체 디바이스의 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결된다.

Description

반도체 디바이스를 테스트하기 위한 프로브 카드를 포함하는 테스트 장치 및 그의 동작 방법{TEST APPARATUS INCLUDING PROVE CARD FOR TEST SEMICONDUCTOR DEVICE AND OPERATION METHOD THEREOF}
본 개시는 반도체 디바이스를 테스트하기 위한 프로브 카드를 포함하는 테스트 장치 및 그의 동작 방법에 관한 것이다.
반도체 공정을 통해 웨이퍼(wafer) 상에 복수의 반도체 디바이스들이 형성될 수 있다. 프로브 카드는 복수의 반도체 디바이스들 각각의 전기적 특성에 대한 테스트를 수행할 수 있다. 프로브 카드는 복수의 반도체 디바이스들 각각으로 전기적 신호를 인가할 수 있다. 복수의 반도체 디바이스들 각각은 인가된 전기적 신호에 대응하는 피드백 신호를 프로브 카드로 출력할 수 있다. 프로브 카드는 피드백 신호를 테스트 장비로 전달할 수 있다. 테스트 장비는 피드백 신호에 기초하여 복수의 반도체 디바이스들을 테스트할 때 공급되는 전원을 보상할 수 있다.
본 개시는 반도체 디바이스를 테스트하기 위한 프로브 카드를 포함하는 테스트 장치 및 그의 동작 방법을 제공하고자 한다.
본 개시의 일 실시예는 프로브 장치를 개시한다. 상기 프로브 장치는, 전압 공급기를 가진 테스터; 및 제1 프로브, 및 제1 센싱 핀을 가진 프로브 카드를 포함한다. 상기 제1 프로브는 상기 전압 공급기의 출력 포트 및 제1 반도체 디바이스의 전극 패드와 전기적으로 연결된다. 상기 제1 센싱 핀은 상기 제1 반도체 디바이스의 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결된다.
본 개시의 일 실시예는 프로브 장치를 개시한다. 상기 프로브 장치는, 제1 전압 공급기, 제2 전압 공급기, 및 컨트롤러를 가진 테스터; 및 제1 프로브, 제2 프로브, 제1 센싱 핀, 및 제2 센싱 핀을 가진 프로브 카드를 포함한다. 상기 제1 프로브는 상기 제1 전압 공급기의 출력 포트 및 제1 반도체 디바이스의 제1 전극 패드와 전기적으로 연결된다. 상기 제1 센싱 핀은 상기 제1 반도체 디바이스의 제1 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결된다. 상기 제2 프로브는 상기 제2 전압 공급기의 출력 포트 및 제2 반도체 디바이스의 제1 전극 패드와 전기적으로 연결된다. 상기 제2 센싱 핀은 상기 제1 반도체 디바이스의 제2 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결된다.
본 개시의 일 실시예는 테스트 장치를 개시한다. 상기 테스트 장치는 전압 공급기 및 컨트롤러를 가진 테스터; 및 제1 프로브, 제1 센싱 핀, 및 제2 센싱 핀을 가진 프로브 카드를 포함한다. 상기 제1 프로브는 상기 전압 공급기의 출력 포트 및 제1 반도체 소자의 전극 패드와 전기적으로 연결된다. 상기 제1 센싱 핀은 상기 제1 반도체 디바이스의 제1 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결된다. 상기 제2 센싱 핀은 상기 제1 반도체 디바이스의 제2 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결된다.
본 개시의 일 실시예는 테스트 장치의 동작 방법을 개시한다. 상기 테스트 장치의 동작 방법은, 테스터의 제1 전압 공급기를 이용하여, 상기 테스터와 연결된 프로브 카드의 제1 프로브 유닛을 통해 반도체 디바이스의 제1 전극 패드로 제1 테스트 신호를 출력하고, 상기 프로브 카드의 제1 센싱 유닛을 이용하여, 상기 반도체 디바이스의 제1 센싱 패드로부터 상기 제1 테스트 신호에 대한 제1 센싱 신호를 수신하고, 상기 제1 전압 공급기와 연결된 컨트롤러를 이용하여, 상기 제1 센싱 유닛을 통해 수신된 상기 제1 센싱 신호에 기초하여 상기 제1 테스트 신호의 출력 값을 보정하고, 그리고, 상기 제1 전압 공급기를 이용하여 상기 보정된 출력 값을 갖는 제1 테스트 신호를 출력한다.
본 개시에 따르면, 반도체 디바이스를 테스트하기 위한 테스트 장치는, 반도체 디바이스에 인가되는 테스트에 필요한 반도체 디바이스 동작용 전원의 전위를 별도의 센싱 핀을 통해 측정함으로써, 프로브 카드 및 반도체 디바이스에서 발생하는 전원 노이즈로 인한 전압의 상승 또는 하강을 확인하여 전압의 변동분을 보상할 수 있다. 따라서, 테스트 장치는 반도체 디바이스에 대한 테스트의 정확성을 증가시킬 수 있다.
도 1a 및 도 1b는 본 개시의 일 실시예에 따른 프로브 카드 및 웨이퍼를 도시한 개념도이다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치의 동작 방법을 도시한 흐름도이다.
도 1a 및 도 1b는 본 개시의 일 실시예에 따른 프로브 카드 및 웨이퍼를 도시한 개념도이다.
도 1a를 참고하면, 프로브 카드(100)는 회로 기판(101)을 포함할 수 있다. 회로 기판(101) 상에는 복수의 컨택트 패드(contact pad)들(102)이 배치될 수 있다. 회로 기판(101)은 고정판(103)에 의해 프로브 카드(100)에 고정될 수 있다. 회로 기판(101) 상에는 복수의 프로브 블록(block)들(104)이 배치될 수 있다. 복수의 프로브 블록들(104)은 복수의 프로브 핀들(111 내지 114)을 포함할 수 있다.
복수의 컨택트 패드들(102)은 프로브 카드(100)를 테스터와 전기적으로 연결시킬 수 있다. 테스터는 도 2 내지 도 8의 테스터(300)와 동일 또는 유사할 수 있다. 복수의 컨택트 패드들(102)은 테스터로부터 반도체 디바이스(210)의 전기적 특성을 테스트하기 위한 전압 신호를 제공 받을 수 있다. 복수의 컨택트 패드들(102)은 반도체 디바이스(210)로부터 제공받은 피드백 신호를 테스터로 제공할 수 있다. 피드백 신호를 테스터로 제공하는 컨택트 패드는 센싱 컨택트 패드라 지칭될 수 있다. 예를 들어, 복수의 컨택트 패드들(102)은 적어도 하나의 센싱 컨택트 패드를 포함할 수 있다.
도 1b를 참고하면, 웨이퍼(200) 상에는 복수의 반도체 디바이스들(210)이 형성될 수 있다.
복수의 반도체 디바이스들(210)은 복수의 프로브 핀들(111 내지 114)과 접촉할 수 있다. 예를 들어, 반도체 디바이스(210)는 복수의 프로브 핀들(111 내지 114)을 통해 각종 전압을 제공 받을 수 있다. 복수의 프로브 핀들(111 내지 114)은 테스터로부터 복수의 컨택트 패드들(102)을 통해 제공되는 전압을 반도체 디바이스(210)로 제공할 수 있다. 예를 들어, 복수의 프로브 핀들(111 내지 114)은 외부 전압(VEXT), 데이터 전압(VDDQ), 명령 및 신호(command and address) 전압(VDDCA) 중 적어도 하나의 전압을 반도체 디바이스(210)로 제공할 수 있다.
예를 들어, 제1 프로브 핀들(111)은 전압을 반도체 디바이스(210)에 제공할 수 있다. 반도체 디바이스(210)는 제공된 전압에 대한 피드백 신호를 제1 프로브 핀들(111)로 제공할 수 있다. 제1 프로브 핀들(111)은 피드백 신호를 테스터로 전달할 수 있다. 테스터는 피드백 신호에 기초하여 반도체 디바이스(210)를 테스트할 수 있다.
도 2는 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 2를 참고하면, 테스트 장치는 프로브 카드(100) 및 테스터(300)를 포함할 수 있다.
프로브 카드(100)는 복수의 프로브 핀들(111 및 112), 복수의 센싱 핀(sensing pin)들(121 및 122), 및 복수의 중계기들(131 및 132)을 포함할 수 있다.
제1 프로브 핀들(111)은 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전극 패드들(211)과 연결될 수 있다. 제1 프로브 핀들(111)은 제1 중계기(131)와 연결될 수 있다.
제2 프로브 핀들(112)은 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 전극 패드들(211)과 연결될 수 있다. 제2 프로브 핀들(112)은 제2 중계기(132)와 연결될 수 있다.
제1 센싱 핀(121)은 제1 반도체 디바이스(110)의 제1 센싱 패드(212)와 연결될 수 있다. 제1 센싱 핀(121)은 제1 컨트롤러(311)와 연결될 수 있다.
제2 센싱 핀(122)은 제2 반도체 디바이스(120)의 제1 센싱 패드(222)와 연결될 수 있다. 제2 센싱 핀(122)은 제1 컨트롤러(311)와 연결될 수 있다.
제1 중계기(131)는 제1 프로브 핀들(111)과 연결될 수 있다. 제1 중계기(131)는 제1 전압 공급기(310)의 출력 포트와 연결될 수 있다.
제2 중계기(132)는 제2 프로브 핀들(112)과 연결될 수 있다. 제2 중계기(132)는 제1 전압 공급기(310)의 출력 포트와 연결될 수 있다.
테스터(300)는 제1 전압 공급기(310) 및 제1 컨트롤러(311)를 포함할 수 있다. 제1 전압 공급기(310)의 포지티브 입력 포트(+) 및 네거티브 입력 포트(-)는 제1 컨트롤러(311)와 연결될 수 있다. 제1 전압 공급기(310)의 출력 포트는 제1 중계기(131) 및 제2 중계기(132)와 연결될 수 있다.
제1 전압 공급기(310)는 프로그램 가능한 전압 공급기(programmable power supply; PPS)일 수 있다. 제1 전압 공급기(310)는 전압 증폭기(amplifier)를 포함할 수 있다. 제1 전압 공급기(310)는 비교기(comparator)를 포함할 수 있다.
제1 전압 공급기(310)는 제1 컨트롤러(311)로부터 외부 전압(VEXT), 데이터 전압(VDDQ), 또는 명령 및 신호 전압(VDDCA)과 같은 가변성 전압을 입력 받을 수 있다. 제1 전압 공급기(310)는 입력된 가변성 전압에 대응하는 전압을 출력할 수 있다. 제1 전압 공급기(310)는 출력 포트를 통해 제1 중계기(131) 및 제2 중계기(132)로 전압을 제공할 수 있다.
제1 컨트롤러(311)는 제1 전압 공급기(310), 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)과 연결될 수 있다.
제1 중계기(131) 및 제2 중계기(132)는 스위치(switch)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 중계기(131) 및 제2 중계기(132)는 온-오프(on-off) 동작을 통하여 제1 전압 공급기(310)의 출력 포트와 복수의 프로브 핀들(111 및 112) 간의 전기적인 연결을 제어할 수 있다.
예를 들어, 제1 중계기(131)는 제1 전압 공급기(310)로부터 제공되는 전압을 제1 프로브 핀들(111)로 제공할 수 있다. 제2 중계기(132)는 제1 전압 공급기(310)로부터 제공되는 전압을 제2 프로브 핀들(112)로 제공할 수 있다.
제1 프로브 핀들(111)은 제1 중계기(131)를 통해 제공되는 전압을 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전극 패드들(211)로 제공할 수 있다.
제2 프로브 핀들(112)은 제2 중계기(132)를 통해 제공되는 전압을 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 전극 패드들(221)로 제공할 수 있다.
제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전극 패드들(211)과 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 센싱 패드(212)는 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전극 패드들(211) 및 제1 센싱 패드(212)는 동일한 전압을 갖도록 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 센싱 패드(212)는 제1 전극 패드들(211)의 전압 또는 전위를 센싱할 수 있도록 제1 반도체 디바이스(210)의 내부의 별도의 회로를 통해 제1 전극 패드들(211)과 연결될 수 있다. 또는, 제1 센싱 패드(212)는 제1 전극 패드들(211)과 동일한 하나의 전극 패드로 구성될 수 있다. 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전극 패드들(211) 및 제1 센싱 패드(212)는 직접적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전극 패드들(211) 및 제1 센싱 패드(212) 사이에는 별도의 전기적인 소자가 배치되지 않을 수 있다.
제2 반도체 디바이스(220)의 제1 전극 패드들(221)과 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 센싱 패드(222)는 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 전극 패드들(221)과 제1 센싱 패드(222)는 동일한 전압을 갖도록 서로 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 센싱 패드(222)는 제1 전극 패드들(221)의 전압 또는 전위를 센싱할 수 있도록 제2 반도체 디바이스(220)의 내부의 별도의 회로를 통해 제1 전극 패드들(221)과 연결될 수 있다. 또는, 제1 센싱 패드(222)는 제1 전극 패드들(221)과 동일한 하나의 전극 패드로 구성될 수 있다. 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 전극 패드들(221) 및 제1 센싱 패드(222)는 직접적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 전극 패드들(221) 및 제1 센싱 패드(222) 사이에는 별도의 전기적인 소자가 배치되지 않을 수 있다.
제1 센싱 핀(121)은 제1 센싱 패드(212)를 통해 제1 반도체 디바이스(210)의 전압을 센싱할 수 있다. 센싱된 전압은 제1 컨트롤러(311)로 전달될 수 있다.
제2 센싱 핀(122)은 제1 센싱 패드(222)를 통해 제2 반도체 디바이스(220)의 전압을 센싱할 수 있다. 센싱된 전압은 제1 컨트롤러(311)로 전달될 수 있다.
제1 컨트롤러(311)는 제1 중계기(131)가 온 상태이고, 제2 중계기(132)가 오프 상태인 경우, 제1 반도체 디바이스(210)로부터 센싱된 전압을 제공 받을 수 있다. 제1 전압 공급기(310)는 제1 중계기(131)가 오프 상태이고, 제2 중계기(132)가 온 상태인 경우, 제2 반도체 디바이스(220)로부터 센싱된 전압을 제공 받을 수 있다.
예를 들어, 제1 컨트롤러(311)는 초기 전압을 제1 전압 공급기(310)로 제공할 수 있다. 제1 전압 공급기(310)는 제1 컨트롤러(311)로부터 제공받은 초기 전압을 제1 중계기(131) 및 제1 프로브 핀들(111)을 통해 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전극 패드들(211)로 제공할 수 있다. 제1 컨트롤러(311)는 제1 센싱 핀(121)을 통하여 제1 센싱 패드(212)로부터 센싱된 전압을 피드백 받을 수 있다. 제1 컨트롤러(311)는 센싱된 전압에 기초하여 초기 전압을 수정하여 출력할 수 있다. 예를 들어, 제1 컨트롤러(311)는 초기 전압 및 센싱된 전압의 차에 기초하여 초기 전압을 보상하여 출력할 수 있다. 제1 컨트롤러(311)는 수정된 초기 전압을 제1 전압 공급기(310)로 제공할 수 있다. 제1 전압 공급기(310)는 제1 컨트롤러(311)로부터 수정된 초기 전압을 제공 받을 수 있다. 제1 전압 공급기(310)는 수정된 초기 전압을 출력할 수 있다.
또한, 제1 전압 공급기(310)는 제1 컨트롤러(311)로부터 제공받은 초기 전압을 제2 중계기(132) 및 제2 프로브 핀들(112)을 통해 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 전극 패드들(221)로 제공할 수 있다. 제1 컨트롤러(311)는 제2 센싱 핀(122)을 통하여 제2 센싱 패드(222)로부터 센싱된 전압을 피드백 받을 수 있다. 제1 컨트롤러(311)는 센싱된 전압에 기초하여 초기 전압을 수정하여 출력할 수 있다. 예를 들어, 제1 컨트롤러(311)는 초기 전압 및 센싱된 전압의 차에 기초하여 초기 전압을 보상하여 출력할 수 있다. 제1 컨트롤러(311)는 수정된 초기 전압을 제1 전압 공급기(310)로 제공할 수 있다. 제1 전압 공급기(310)는 제1 컨트롤러(311)로부터 수정된 초기 전압을 제공 받을 수 있다. 제1 전압 공급기(310)는 수정된 초기 전압을 출력할 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)은 제1 전압 공급기(310)의 네거티브(-) 입력 포트와 직접적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)은 제1 컨트롤러(311)와 연결되지 않고, 제1 전압 공급기(310)의 네거티브(-) 입력 포트와 직접적으로 연결될 수 있다. 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)이 제1 전압 공급기(310)의 네거티브(-) 입력 포트와 직접적으로 연결된 경우, 제1 전압 공급기(310)는 제1 센싱 핀(121)을 통하여 제1 센싱 패드(212)로부터 센싱된 전압을 네거티브 입력 포트(-)로 피드백 받을 수 있다. 또한, 제1 전압 공급기(310)는 제2 센싱 핀(122)을 통하여 제2 센싱 패드(222)로부터 센싱된 전압을 네거티브 입력 포트(-)로 피드백 받을 수 있다. 제1 전압 공급기(310)는 센싱된 전압에 기초하여 초기 전압을 수정하여 출력할 수 있다. 예를 들어, 제1 전압 공급기(310)는 초기 전압 및 센싱된 전압의 차에 기초하여 초기 전압을 보상하여 출력할 수 있다.
제1 컨트롤러(311)는 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122) 중 적어도 하나의 센싱 핀을 통해 제1 반도체 디바이스(210)로부터 센싱되는 센싱 전압을 피드백 받음으로써, 출력된 전압과 제1 반도체 디바이스(210)로 입력된 전압의 차이를 확인할 수 있다. 제1 컨트롤러(311)는 출력된 전압과 제1 반도체 디바이스(210)로 입력된 전압의 차이를 확인함으로써, 전압 제어 효율을 증가시킬 수 있다.
일 실시예에 따른 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)의 각각의 굵기(thickness)는 제1 프로브 핀들(111) 및 제2 프로브 핀들(112)의 각각의 굵기와 다를 수 있다. 예를 들어, 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)의 각각의 굵기는 제1 프로브 핀들(111) 및 제2 프로브 핀들(112)의 각각의 굵기 보다 클 수 있다. 핀의 굵기 차이로 인해, 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)의 각각의 저항 값은 제1 프로브 핀들(111) 및 제2 프로브 핀들(112)의 각각의 저항 값 보다 작을 수 있다. 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)의 각각의 낮은 저항 값으로 인해, 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)의 각각을 통해 센싱되는 전압 값의 정확도는 증가될 수 있다.
제1 반도체 디바이스(210) 및 제2 반도체 디바이스(220) 각각은 하나의 반도체 웨이퍼일 수 있다. 또한, 제1 반도체 디바이스(210) 및 제2 반도체 디바이스(220)는 하나의 반도체 웨이퍼로 구성될 수 있다.
또한, 제1 반도체 디바이스(210) 및 제2 반도체 디바이스(220) 각각은 웨이퍼(100)상에 형성되는 반도체 칩(chip)일 수 있다. 또한, 제1 반도체 디바이스(210) 및 제2 반도체 디바이스(220) 각각은 웨이퍼(100)와 분리되는 개별적인 반도체 칩(chip)일 수 있다.
도 2는 설명의 편의를 위해, 2개의 세트의 프로브 핀들(111 및 112) 및 2개의 센싱 핀들(121 및 122)을 포함하는 프로브 카드(100)를 도시하고 있으나, 프로브 카드(100)는 3개의 세트 이상의 프로브 핀들 및 3개 이상의 센싱 핀들을 포함할 수 있다.
도 2는 설명의 편의를 위해, 2개의 반도체 디바이스들(210 및 220)을 테스트하는 프로브 카드(100)를 도시하고 있으나, 프로브 카드(100)는 3개 이상의 반도체 디바이스들에 대한 테스트를 수행할 수 있다.
도 3은 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 3을 참고하면, 일 실시예에 따른 테스트 장치의 프로브 카드(100)는 도 2에 도시된 프로브 카드(100)와 비교하여, 제3 중계기(133)를 더 포함할 수 있다.
제3 중계기(133)의 일단은 제1 컨트롤러(311)와 연결될 수 있다. 제3 중계기(133)의 타단은 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)과 연결될 수 있다. 제3 중계기(133)는 온-오프 동작을 통하여 제1 컨트롤러(311)와 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)간의 전기적인 연결을 제어할 수 있다. 제3 중계기(133)는 온 동작을 통해 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 센싱 패드(212)로부터 제1 센싱 핀(121)을 통해 센싱된 전압, 및 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 센싱 패드(222)로부터 제2 센싱 핀(122)을 통해 센싱된 전압을 제1 컨트롤러(311)로 제공할 수 있다.
도 4는 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 4를 참고하면, 일 실시예에 따른 테스트 장치의 프로브 카드(100)는 도 3에 도시된 프로브 카드(100)와 비교하여, 제3 중계기(133)의 위치가 다를 수 있다. 또한, 프로브 카드(100)는 제4 중계기(134)를 더 포함할 수 있다.
예를 들어, 제3 중계기(133)는 제1 컨트롤러(311) 및 제1 센싱 핀(121) 사이에 배치될 수 있다. 제3 중계기(133)의 일단은 제1 컨트롤러(311)와 연결될 수 있다. 제3 중계기(133)의 타단은 제1 센싱 핀(121)과 연결될 수 있다. 제3 중계기(133)는 온-오프 동작을 통하여 제1 컨트롤러(311)와 제1 센싱 핀(121)간의 전기적인 연결을 제어할 수 있다. 제3 중계기(133)는 온 동작을 통해 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 센싱 패드(212)로부터 제1 센싱 핀(121)을 통해 센싱된 전압을 제1 컨트롤러(311)로 제공할 수 있다.
제4 중계기(134)는 제1 컨트롤러(311) 및 제2 센싱 핀(122) 사이에 배치될 수 있다. 제4 중계기(134)의 일단은 제1 컨트롤러(311)와 연결될 수 있다. 제4 중계기(134)의 타단은 제2 센싱 핀(122)과 연결될 수 있다. 제4 중계기(134)는 온-오프 동작을 통하여 제1 컨트롤러(311)와 제2 센싱 핀(122)간의 전기적인 연결을 제어할 수 있다. 제4 중계기(134)는 온 동작을 통해 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 센싱 패드(222)로부터 제2 센싱 핀(122)을 통해 센싱된 전압을 제1 컨트롤러(311)로 제공할 수 있다.
제1 컨트롤러(311)는 제1 반도체 디바이스(210)로부터 센싱된 전압 및 제2 반도체 디바이스(220)로부터 센싱된 전압을 제3 중계기(133) 및 제4 중계기(134)를 통해 선택적으로 제공 받을 수 있다. 제1 컨트롤러(311)는 센싱된 전압을 선택적으로 제공 받음으로써, 출력되는 전압에 대한 제어 효율을 증가시킬 수 있다.
도 5는 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 5를 참고하면, 테스트 장치의 프로브 카드(100)는 도 4에 도시된 프로브 카드(100)와 비교하여, 복수의 캐패시터들(151 내지 154)을 더 포함할 수 있다. 제1 캐패시터(151)의 일단은 제1 전압 공급기(310)의 출력 포트 및 제1 중계기(131)와 연결될 수 있다. 제1 캐패시터(151)의 타단은 접지될 수 있다. 제2 캐패시터(152)의 일단은 제1 중계기(131) 및 제1 프로브 핀들(111)과 연결될 수 있다. 제2 캐패시터(152)의 타단은 접지될 수 있다.
제3 캐패시터(153)의 일단은 제1 전압 공급기(310)의 출력 포트 및 제2 중계기(132)와 연결될 수 있다. 제3 캐패시터(153)의 타단은 접지될 수 있다. 제4 캐패시터(154)는 제2 중계기(132) 및 제2 프로브 핀들(112)과 연결될 수 있다. 제4 캐패시터(154)의 타단은 접지될 수 있다.
프로브 카드(100)는 복수의 캐패시터들(151 내지 154)을 통해, 제1 전압 공급기(310)로부터 출력되는 전압이 제1 반도체 디바이스(210) 및 제2 반도체 디바이스(220)로 전달되는 동안, 프로브 카드(100) 내에서 전압 강하되는 폭을 감소시킬 수 있다.
도 6은 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
제1 전압 공급기(310)는 서로 다른 종류의 전압을 출력할 수 있다. 예를 들어, 제1 전압 공급기(310)는 외부 전압(VEXT), 데이터 전압(VDDQ), 명령 및 신호 전압(VDDCA) 중 적어도 2개의 전압을 출력할 수 있다.
예를 들어, 제1 전압 공급기(310)는 외부 전압(VEXT)을 제1 프로브 핀들(111)에게 제공할 수 있다. 또한, 제1 전압 공급기(310)는 데이터 전압(VDDQ)을 제1 프로브 핀들(111)에게 전달할 수 있다.
제1 프로브 핀들(111)은 제1 프로브 핀들(111) 중 일부 핀들을 통해 외부 전압(VEXT)에 대응하는 제1 전압을 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전극 패드들(211)에 제공할 수 있다. 제1 프로브 핀들(111)은 제1 프로브 핀들(111) 중 다른 일부 핀들을 통해 데이터 전압(VDDQ)에 대응하는 제2 전압을 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전극 패드들(211)에 제공할 수 있다.
제2 프로브 핀들(112)은 제2 프로브 핀들(112) 중 일부 핀들을 통해 외부 전압(VEXT)에 대응하는 제1 전압을 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 전극 패드들(221)에 제공할 수 있다. 제2 프로브 핀들(112)은 제2 프로브 핀들(112) 중 다른 일부 핀들을 통해 데이터 전압(VDDQ)에 대응하는 제2 전압을 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 전극 패드들(221)에 제공할 수 있다.
제1 전압의 크기 및 제2 전압의 크기는 동일할 수 있다. 또는 제1 전압의 크기 및 제2 전압의 크기는 다를 수 있다.
도 6을 참고하면, 일 실시예에 따른 테스트 장치의 프로브 카드(100)는 도 4의 프로브 카드(100)와 일부 상이할 수 있다.
예를 들어, 제1 센싱 핀(121a 및 121b)은 도 3의 제1 센싱 핀(121)과 비교하여, 제1a 센싱 핀(121a) 및 제1b 센싱 핀(121b)으로 분리될 수 있다.
제2 센싱 핀(122a 및 122b)은 도 3의 제2 센싱 핀(122)과 비교하여, 제2a 센싱 핀(121a) 및 제2b 센싱 핀(121b)으로 분리될 수 있다.
제3 중계기(133a 및 133b)는 도 3의 제3 중계기(133)와 비교하여, 제3a 중계기(133a) 및 제3b 중계기(133b)로 분리될 수 있다.
제4 중계기(134a 및 134b)는 도 3의 제4 중계기(134)와 비교하여, 제4a 중계기(134a) 및 제4b 중계기(134b)로 분리될 수 있다.
제1a 센싱 핀(121a)은 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 센싱 패드(212)를 통해 제1 전압을 센싱할 수 있다. 제1b 센싱 핀(121b)은 제1 반도체 디바이스(210)의 제2 센싱 패드(213)를 통해 제2 전압을 센싱할 수 있다.
프로브 카드(100)는 센싱된 제1 전압 및 제2 전압의 이동을 제3a 중계기(133a) 및 제3b 중계기(133b)를 통해 선택적으로 제어할 수 있다.
제3a 중계기(133a)는 제1a 센싱 핀(121a)을 통해 센싱되는 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전압의 이동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제3a 중계기(133a)는 온 동작을 통해 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전압을 제1 컨트롤러(311)로 제공할 수 있다.
제3b 중계기(133b)는 제1b 센싱 핀(121b)을 통해 센싱되는 제1 반도체 디바이스(210)의 제2 전압의 이동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제3b 중계기(133b)는 온 동작을 통해 제1 반도체 디바이스(210)의 제2 전압을 제1 컨트롤러(311)로 제공할 수 있다.
제2a 센싱 핀(122a)은 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 센싱 패드(222)를 통해 제1 전압을 센싱할 수 있다. 제2b 센싱 핀(122b)은 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 센싱 패드(223)를 통해 제2 전압을 센싱할 수 있다.
프로브 카드(100)는 센싱된 제1 전압 및 제2 전압의 이동을 제4a 중계기(134a) 및 제4b 중계기(134b)를 통해 선택적으로 제어할 수 있다.
예를 들어, 제4a 중계기(134a)는 제2a 센싱 핀(122a)을 통해 센싱되는 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 전압의 이동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제4a 중계기(134a)는 온 동작을 통해 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 전압을 제1 컨트롤러(311)로 제공할 수 있다.
제4b 중계기(134b)는 제2b 센싱 핀(122b)을 통해 센싱되는 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 전압의 이동을 제어할 수 있다. 예를 들어, 제4b 중계기(134b)는 온 동작을 통해 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 전압을 제1 컨트롤러(311)로 제공할 수 있다.
제1 전압 공급기(310)는 센싱된 제1 전압 및 제2 전압을 제3a 중계기(133a) 및 제3b 중계기(133b)를 통해 선택적으로 제공 받을 수 있다. 제1 전압 공급기(310)는 제1 전압 및 제2 전압을 선택적으로 제공 받음으로써, 출력되는 제1 전압 및 제2 전압에 대한 제어 효율을 증가시킬 수 있다.
도 7은 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 7을 참고하면, 일 실시에에 따른 테스트 장치의 프로브 카드(100)는 도 6의 프로브 카드(100)와 비교하여, 제3 프로브 핀들(113), 제4 프로브 핀들(114), 제3 센싱 핀(123), 제4 센싱 핀(124), 및 제5 내지 제8 중계기들(135 내지 138)을 더 포함할 수 있다. 테스터(300)는 도 6의 테스터(300)와 비교하여, 제2 전압 공급기(320) 및 제2 컨트롤러(321)를 더 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 제2 컨트롤러(321)는 제1 컨트롤러(311) 와 결합될 수 있다. 예를 들어, 제1 컨트롤러(311) 및 제2 컨트롤러(321)는 하나의 컨트롤러로 구성될 수 있다.
제3 프로브 핀들(113)은 제2 전압 공급기(320)와 연결될 수 있다. 예를 들어, 제3 프로브 핀들(113)은 제5 중계기(135)를 통해 제2 전압 공급기(320)와 연결될 수 있다. 제3 프로브 핀들(113)은 제1 반도체 디바이스(210)의 제2 전극 패드들(213)과 연결될 수 있다.
제5 중계기(135)는 제2 전압 공급기(320)와 연결될 수 있다. 제5 중계기(135)는 제3 프로브 핀들(113)과 연결될 수 있다.
제4 프로브 핀들(114)은 제2 전압 공급기(320)와 연결될 수 있다. 예를 들어, 제4 프로브 핀들(114)은 제6 중계기(136)를 통해 제2 전압 공급기(320)와 연결될 수 있다. 제4 프로브 핀들(114)은 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 전극 패드들(223)과 연결될 수 있다.
제6 중계기(136)는 제2 전압 공급기(320)와 연결될 수 있다. 제6 중계기(136)는 제4 프로브 핀들(114)과 연결될 수 있다.
제3 센싱 핀(123)은 제2 컨트롤러(321)와 연결될 수 있다. 예를 들어, 제3 센싱 핀(123)은 제7 중계기(137)를 통해 제2 컨트롤러(321)와 연결될 수 있다. 제3 센싱 핀(123)은 제1 반도체 디바이스(210)의 제2 센싱 패드(214)와 연결될 수 있다.
제7 중계기(137)는 제2 컨트롤러(321)와 연결될 수 있다. 제7 중계기(137)는 제3 센싱 핀(123)과 연결될 수 있다.
제4 센싱 핀(124)은 제2 컨트롤러(321)와 연결될 수 있다. 예를 들어, 제4 센싱 핀(124)은 제8 중계기(138)와 연결될 수 있다. 제4 센싱 핀(124)은 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 센싱 패드(224)와 연결될 수 있다.
제8 중계기(138)는 제2 컨트롤러(321)와 연결될 수 있다. 제8 중계기(138)는 제4 센싱 핀(124)과 연결될 수 있다.
제2 전압 공급기(320)의 포지티브 입력 포트(+) 및 네거티브 입력 포트(-)는 제2 컨트롤러(321)와 연결될 수 있다. 제2 컨트롤러(321)는 제2 전압 공급기(320)로 제2 전압을 제공할 수 있다. 제2 전압 공급기(320)는 제2 컨트롤러(321)로부터 제공받은 제2 전압을 출력할 수 있다. 제2 전압은 제1 전압과 다른 종류의 전압일 수 있다. 예를 들어, 제1 전압은 외부 전압(VEXT)에 대응할 수 있다. 제2 전압은 데이터 전압(VDDQ)에 대응할 수 있다.
테스터(300)는 복수의 전압 공급기(310 및 320)를 통해, 제1 반도체 디바이스(210)로 서로 다른 전압을 제공함으로써, 제1 반도체 디바이스(210)에 대한 테스트 효율을 증가시킬 수 있다.
도 8은 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치를 도시한 개념도이다.
도 8을 참고하면, 일 실시예에 따른 테스트 장치의 프로브 카드(100)는 도 7의 프로브 카드(100)와 비교하여, 제1 직류 프로브 핀들(141), 및 제2 직류 프로브 핀들(142)을 더 포함할 수 있다.
프로브 카드(100)는 테스터(300)로부터 직류 전압을 제공 받을 수 있다. 제1 직류 프로브 핀들(141)은 직류 전압을 제1 반도체 디바이스(210)의 제3 전극 패드들(215)에게 제공할 수 있다.
제2 직류 프로브 핀들(142)은 직류 전압을 제2 반도체 디바이스(220)의 제3 전극 패드들(225)에게 제공할 수 있다.
프로브 카드(100)는 제1 반도체 디바이스(210)로 복수의 프로브 핀들(111 및 113)을 통해 제1 전압 및 제2 전압을 제공하는 것에 더하여, 제1 직류 프로브 핀들(141)을 통해 직류 전압을 더 제공함으로써, 제1 반도체 디바이스(210)에 대한 테스트 효율을 증가시킬 수 있다.
도 9는 본 개시의 일 실시예에 따른 테스트 장치의 동작 방법을 도시한 개념도이다.
도 9를 참고하면, S901 단계에서, 테스트 장치는 복수의 반도체 디바이스들 각각의 전극 패드로 테스트 신호를 출력한다.
예를 들어, 테스트 장치는 테스터(100)의 제1 전압 공급기(310)를 이용하여, 프로브 카드(100)의 제1 프로브 유닛(unit)을 통해 복수의 반도체 디바이스들 각각의 제1 전극 패드로 제1 테스트 신호를 출력할 수 있다. 여기서, 제1 프로브 유닛은 제1 프로브 핀들(111) 및 제2 프로브 핀들(112)을 포함할 수 있다. 복수의 반도체 디바이스들은 제1 반도체 디바이스(210) 및 제2 반도체 디바이스(220)를 포함할 수 있다. 제1 전극 패드는 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전극 패드들(211) 및 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 전극 패드들(221)을 포함할 수 있다. 제1 테스트 신호는 제1 전압 공급기(310)로부터 출력되는 전압 신호일 수 있다.
예를 들어, 제1 테스트 신호는, 제1 전압 공급기(310)의 출력단 및 제1 프로브 유닛의 제1 프로브 핀들(111)과 연결된 제1 스위치(131)의 제어에 따라, 제1 프로브 핀들(111)을 통해 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 전극 패드들(211)로 출력될 수 있다.
제1 테스트 신호는, 제1 전압 공급기(310)의 출력단 및 제1 프로브 유닛의 제2 프로브 핀들(112)과 연결된 제2 스위치(132)의 온-오프 동작에 따라, 제2 프로브 핀들(112)을 통해 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 전극 패드들(221)로 전달될 수 있다.
테스트 장치는 테스터(300)의 제2 전압 공급기(320)를 이용하여, 프로브 카드(100)의 제2 프로브 유닛을 통해 복수의 반도체 디바이스들 각각의 제2 전극 패드로 제2 테스트 신호를 더 출력할 수 있다. 여기서, 제2 프로브 유닛은 프로브 카드(100)의 제3 프로브 핀들(113) 및 제4 프로브 핀들(114)을 포함할 수 있다. 제2 전극 패드는 제1 반도체 디바이스(210)의 제2 전극 패드들(213) 및 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 전극 패드들(223)을 포함할 수 있다. 제2 테스트 신호는 제2 전압 공급기(320)로부터 출력되는 전압 신호일 수 있다.
예를 들어, 제2 테스트 신호는, 제2 전압 공급기(320)의 출력단 및 제2 프로브 유닛의 제3 프로브 핀들(113)과 연결된 제5 스위치(135)의 온-오프 동작에 따라, 제3 프로브 핀들(113)을 통해 제1 반도체 디바이스(210)의 제2 전극 패드들(213)로 전달될 수 있다.
제2 테스트 신호는, 제2 전압 공급기(320)의 출력단 및 제2 프로브 유닛의 제4 프로브 핀들(114)과 연결된 제6 스위치(136)의 온-오프 동작에 따라, 제4 프로브 핀들(114)을 통해 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 전극 패드들(223)로 출력될 수 있다.
S902 단계에서, 테스트 장치는 프로브 카드(100)의 제1 센싱 유닛을 이용하여, 복수의 반도체 디바이스들 각각의 제1 센싱 패드로부터 제1 테스트 신호에 대한 제1 센싱 신호를 수신한다.
여기서, 제1 센싱 유닛은 프로브 카드(100)의 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)을 포함할 수 있다. 제1 센싱 패드는 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 센싱 패드(212) 및 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 센싱 패드(222)를 포함할 수 있다. 제1 센싱 패드는 제1 반도체 디바이스(210)의 제2 센싱 패드(213) 및 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 센싱 패드(223)를 포함할 수 있다. 제1 센싱 신호는 제1 센싱 핀(121)을 통해 센싱되는 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 센싱 패드(212)의 전압일 수 있다. 제1 센싱 신호는 제2 센싱 핀(122)을 통해 센싱되는 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 센싱 패드(222)의 전압일 수 있다.
예를 들어, 제1 센싱 신호는, 제1 컨트롤러(310) 및 제1 센싱 유닛의 제1 센싱 핀(121)과 연결된 제3 스위치(133)의 온-오프 동작에 따라, 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 센싱 패드(212)로부터 제1 센싱 핀(121)을 통해 수신될 수 있다.
제1 센싱 신호는, 제1 컨트롤러(310) 및 제1 센싱 유닛의 제2 센싱 핀(122)과 연결된 제4 스위치(134)의 온-오프 동작에 따라, 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 센싱 패드(222)로부터 제2 센싱 핀(122)을 통해 수신될 수 있다.
제1 센싱 신호는, 제1 컨트롤러(310), 및 제1 센싱 유닛의 제1 센싱 핀(121) 및 제2 센싱 핀(122)과 연결된 제3 스위치(133)의 온-오프 동작에 따라, 제1 반도체 디바이스(210)의 제1 센싱 패드(212)로부터 제1 센싱 핀(121)을 통해 수신되는 제1 신호, 및 제2 반도체 디바이스(220)의 제1 센싱 패드(222)로부터 제2 센싱 핀(122)을 통해 수신되는 제2 신호를 포함할 수 있다.
테스트 장치는 프로브 카드(100)의 제2 센싱 유닛을 이용하여, 복수의 반도체 디바이스들 각각의 제2 센싱 패드로부터 제2 테스트 신호에 대한 제2 센싱 신호를 더 수신할 수 있다. 여기서, 제2 센싱 패드는 제1 반도체 디바이스(210)의 제2 센싱 패드(214) 및 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 센싱 패드(224)를 포함할 수 있다. 제2 센싱 신호는 제3 센싱 핀(123)을 통해 센싱되는 제1 반도체 디바이스(210)의 제2 센싱 패드(214)의 전압일 수 있다. 제2 센싱 신호는 제4 센싱 핀(124)을 통해 센싱되는 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 센싱 패드(224)의 전압일 수 있다.
예를 들어, 제2 센싱 신호는, 제2 컨트롤러(320) 및 제2 센싱 유닛의 제3 센싱 핀(123)과 연결된 제7 스위치(137)의 온-오프 동작에 따라, 제1 반도체 디바이스(210)의 제2 센싱 패드(214)로부터 제3 센싱 핀(123)을 통해 수신될 수 있다.
제2 센싱 신호는, 제2 컨트롤러(320) 및 제2 센싱 유닛의 제4 센싱 핀(124)과 연결된 제8 스위치(138)의 온-오프 동작에 따라, 제2 반도체 디바이스(220)의 제2 센싱 패드(224)로부터 제4 센싱 핀(124)을 통해 수신될 수 있다.
S903 단계에서, 테스트 장치는 센싱 신호에 기초하여 테스트 신호의 출력 값을 보정한다.
예를 들어, 테스트 장치는 테스터(300)의 제1 컨트롤러(311)를 이용하여, 제1 센싱 유닛을 통해 수신된 제1 센싱 신호에 기초하여 제1 테스트 신호의 출력 값을 보정할 수 있다. 테스트 장치는 테스터(300)의 제2 컨트롤러(321)를 이용하여, 제2 센싱 유닛을 통해 수신된 상기 제2 센싱 신호에 기초하여 제2 전압 공급기(320)로부터 출력되는 제2 테스트 신호의 출력 값을 더 보정할 수 있다.
S904 단계에서, 테스트 장치는 보정된 출력 값을 갖는 테스트 신호를 출력한다.
예를 들어, 테스트 장치는 보정된 출력 값을 갖는 제1 테스트 신호를 제1 전압 공급기(310)를 이용하여 출력할 수 있다. 테스트 장치는 보정된 출력 값을 갖는 제2 테스트 신호를 제2 전압 공급기(320)를 이용하여 더 출력할 수 있다.
당업자에 의해 인지될 수 있는 바와 같이, 본 개시에서 설명된 혁신적인 개념들은 응용 분야의 넓은 범위에 걸쳐 수정 및 변경될 수 있다. 따라서, 청구된 주제의 범위는 위에서 논의된 특정한 예시적인 교시들의 어떤 것으로 제한되어서는 안되고, 아래의 청구항들에 의해 정의된다.
100: 프로브 카드
111, 112, 113, 114: 프로브 핀들
121, 122, 123, 124: 센싱 핀
131, 133, 134, 135, 136, 137, 138: 중계기
141, 142: 직류 프로브 핀들
151, 152, 153, 154: 캐패시터
210, 220: 반도체 디바이스
300: 테스터
310, 320: 전압 공급기
311, 321: 컨트롤러

Claims (27)

  1. 전압 공급기 및 컨트롤러를 가진 테스터; 및
    제1 프로브, 및 제1 센싱 핀을 가진 프로브 카드를 포함하고,
    상기 제1 프로브는 상기 전압 공급기의 출력 포트 및 제1 반도체 소자의 전극 패드와 전기적으로 연결되고,
    상기 제1 센싱 핀은 상기 제1 반도체 디바이스의 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되는 테스트 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 전압 공급기의 상기 출력 포트와 상기 제1 프로브 사이에 배치된 제1 스위치를 더 포함하고,
    상기 제1 스위치는 상기 전압 공급기의 상기 출력 포트와 상기 제1 프로브 사이의 전기적 연결을 제어하는 테스트 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 컨트롤러와 상기 제1 센싱 핀 사이에 배치된 제2 스위치를 더 포함하고,
    상기 제2 스위치는 상기 컨트롤러와 상기 제1 센싱 핀 사이의 전기적 연결을 제어하는 테스트 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 전압 공급기의 포지티브 입력 포트 및 네거티브 입력 포트는 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되는 테스트 장치.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 반도체 소자의 상기 전극 패드와 상기 센싱 패드는 상호간에 직접적으로 연결되는 테스트 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 센싱 핀의 굵기(thickness)는 상기 제1 프로브의 복수의 핀들 각각의 굵기 보다 큰 테스트 장치.
  7. 청구항 1에 있어서,
    상기 프로브 카드는 제2 프로브 및 제2 센싱 핀을 더 포함하고,
    상기 제2 프로브는 상기 전압 공급기의 상기 출력 포트 및 제2 반도체 디바이스의 전극 패드와 전기적으로 연결되고,
    상기 제2 센싱 핀은 상기 제2 반도체 디바이스의 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되는 테스트 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 컨트롤러, 상기 제1 센싱 핀 및 상기 제2 센싱 핀 사이에 배치되는 제3 스위치를 더 포함하고,
    상기 제3 스위치의 일단은 상기 컨트롤러와 연결되고, 상기 제3 스위치의 타단은 상기 제1 센싱 핀 및 상기 제2 센싱 핀과 연결되고,
    상기 제3 스위치는 상기 컨트롤러와 상기 제1 센싱 핀 및 상기 제2 센싱 핀 사이의 전기적 연결을 제어하는 테스트 장치.
  9. 제1 전압 공급기, 제2 전압 공급기, 및 컨트롤러를 가진 테스터; 및
    제1 프로브, 제2 프로브, 제1 센싱 핀, 및 제2 센싱 핀을 가진 프로브 카드를 포함하고,
    상기 제1 프로브는 상기 제1 전압 공급기의 출력 포트 및 제1 반도체 디바이스의 제1 전극 패드와 전기적으로 연결되고,
    상기 제1 센싱 핀은 상기 제1 반도체 디바이스의 제1 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되고,
    상기 제2 프로브는 상기 제2 전압 공급기의 출력 포트 및 상기 제1 반도체 디바이스의 제2 전극 패드와 전기적으로 연결되고,
    상기 제2 센싱 핀은 상기 제1 반도체 디바이스의 제2 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되는, 테스트 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 프로브 카드는 제3 프로브, 제4 프로브, 제3 센싱 핀, 및 제4 센싱 핀을 더 포함하고,
    상기 제3 프로브는 상기 제1 전압 공급기의 출력 포트 및 상기 제2 반도체 디바이스의 제3 전극 패드와 전기적으로 연결되고,
    상기 제3 센싱 핀은 상기 제2 반도체 디바이스의 제3 센싱 패드 및 상기 제1 컨트롤러와 전기적으로 연결되고,
    상기 제4 프로브은 상기 제2 전압 공급기의 출력 포트 및 상기 제2 반도체 디바이스의 제4 전극 패드와 전기적으로 연결되고,
    상기 제4 센싱 핀은 상기 제2 반도체 디바이스의 제4 센싱 패드 및 상기 제2 컨트롤러와 전기적으로 연결되는, 테스트 장치.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 제1 전압 공급기의 상기 출력 포트와 상기 제1 프로브 사이에 배치된 제1 스위치, 및 상기 제1 센싱 핀과 상기 컨트롤러 사이에 배치된 제2 스위치를 더 포함하는 테스트 장치.
  12. 청구항 9에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 전압 공급기의 상기 출력 포트와 연결된 제1 접지 캐패시터, 및 상기 제1 프로브와 연결된 제2 접지 캐패시터를 더 포함하는 테스트 장치.
  13. 전압 공급기 및 컨트롤러를 가진 테스터; 및
    제1 프로브, 제1 센싱 핀, 및 제2 센싱 핀을 가진 프로브 카드를 포함하고,
    상기 제1 프로브는 상기 전압 공급기의 출력 포트 및 제1 반도체 소자의 전극 패드와 전기적으로 연결되고,
    상기 제1 센싱 핀은 상기 제1 반도체 디바이스의 제1 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되고,
    상기 제2 센싱 핀은 상기 제1 반도체 디바이스의 제2 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되는 테스트 장치.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 전압 공급기의 상기 출력 포트와 상기 제1 프로브 핀들 사이에 배치된 제1 중계기를 더 포함하는 테스트 장치.
  15. 청구항 13에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 제1 반도체 디바이스의 상기 제1 센싱 패드와 상기 컨트롤러 사이에 배치된 제2 중계기를 더 포함하는 테스트 장치.
  16. 청구항 13에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 제1 반도체 디바이스의 상기 제2 센싱 패드와 상기 컨트롤러 사이에 배치된 제3 중계기를 더 포함하는 테스트 장치.
  17. 청구항 13에 있어서,
    상기 프로브 카드는 제2 프로브, 제3 센싱 핀, 및 제4 센싱 핀을 더 포함하고,
    상기 제2 프로브는 상기 전압 공급기의 상기 출력 포트 및 제2 반도체 디바이스의 전극 패드와 전기적으로 연결되고,
    상기 제3 센싱 핀은 상기 제2 반도체 디바이스의 제3 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되고,
    상기 제4 센싱 핀은 상기 제2 반도체 디바이스의 제4 센싱 패드 및 상기 컨트롤러와 전기적으로 연결되는 테스트 장치.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 전압 공급기의 상기 출력 포트와 상기 제2 프로브 핀들 사이에 배치된 제4 중계기를 더 포함하는 테스트 장치.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 제2 반도체 디바이스의 상기 제3 센싱 패드와 상기 컨트롤러 사이에 배치된 제5 중계기를 더 포함하는 테스트 장치.
  20. 청구항 17에 있어서,
    상기 프로브 카드는 상기 제2 반도체 디바이스의 상기 제4 센싱 패드와 상기 컨트롤러 사이에 배치된 제6 중계기를 더 포함하는 테스트 장치.
  21. 테스터의 제1 전압 공급기를 이용하여, 상기 테스터와 연결된 프로브 카드의 제1 프로브 유닛을 통해 반도체 디바이스의 전극 패드로 제1 테스트 신호를 출력하고,
    상기 프로브 카드의 제1 센싱 유닛을 이용하여, 상기 반도체 디바이스의 센싱 패드로부터 상기 제1 테스트 신호에 대한 제1 센싱 신호를 수신하고,
    상기 제1 전압 공급기와 연결된 컨트롤러를 이용하여, 상기 제1 센싱 유닛을 통해 수신된 상기 제1 센싱 신호에 기초하여 상기 제1 테스트 신호의 출력 값을 보정하고, 그리고,
    상기 제1 전압 공급기를 이용하여 상기 보정된 출력 값을 갖는 제1 테스트 신호를 출력하는 테스트 장치의 동작 방법.
  22. 청구항 21에 있어서,
    상기 반도체 디바이스는 제1 반도체 디바이스 및 제2 반도체 디바이스를 포함하고,
    상기 제1 테스트 신호는, 상기 제1 전압 공급기의 출력단 및 상기 프로브 유닛의 제1 프로브와 연결된 제1 스위치의 온(on) 동작에 따라, 상기 제1 프로브를 통해 상기 제1 반도체 디바이스의 제1 전극 패드로 전달되는 테스트 장치의 동작 방법.
  23. 청구항 21에 있어서,
    상기 반도체 디바이스는 제1 반도체 디바이스 및 제2 반도체 디바이스를 포함하고,
    상기 제1 테스트 신호는, 상기 제1 전압 공급기의 출력단 및 상기 제1 프로브 유닛의 제2 프로브와 연결된 제2 스위치의 온 동작에 따라, 상기 제2 프로브를 통해 상기 제2 반도체 디바이스의 제2 전극 패드로 전달되는 테스트 장치의 동작 방법.
  24. 청구항 21에 있어서,
    상기 반도체 디바이스는 제1 반도체 디바이스 및 제2 반도체 디바이스를 포함하고,
    상기 제1 센싱 신호는, 상기 컨트롤러 및 상기 제1 센싱 유닛의 제1 센싱 핀과 연결된 제3 스위치의 온 동작에 따라, 상기 제1 반도체 디바이스의 제1 센싱 패드로부터 상기 제1 센싱 핀을 통해 수신되는 테스트 장치의 동작 방법.
  25. 청구항 21에 있어서,
    상기 반도체 디바이스는 제1 반도체 디바이스 및 제2 반도체 디바이스를 포함하고,
    상기 제1 센싱 신호는, 상기 컨트롤러 및 상기 제1 센싱 유닛의 제2 센싱 핀과 연결된 제4 스위치의 온 동작에 따라, 상기 제2 반도체 디바이스의 제2 센싱 패드로부터 상기 제2 센싱 핀을 통해 수신되는 테스트 장치의 동작 방법.
  26. 청구항 21에 있어서,
    상기 반도체 디바이스는 제1 반도체 디바이스 및 제2 반도체 디바이스를 포함하고,
    상기 제1 센싱 신호는, 상기 컨트롤러, 및 상기 제1 센싱 유닛의 제1 센싱 핀 및 제2 센싱 핀과 연결된 제3 스위치의 온 동작에 따라, 상기 제1 반도체 디바이스의 제1 센싱 패드로부터 상기 제1 센싱 핀을 통해 수신되는 제1 신호, 및 상기 제2 반도체 디바이스의 제2 센싱 패드로부터 상기 제2 센싱 핀을 통해 수신되는 제2 신호를 포함하는 테스트 장치의 동작 방법.
  27. 청구항 21에 있어서,
    상기 테스터의 제2 전압 공급기 이용하여, 상기 테스트 장치와 연결된 프로브 카드의 제2 프로브 유닛을 통해 상기 반도체 디바이스의 제2 전극 패드로 제2 테스트 신호를 출력하고,
    상기 프로브 카드의 제2 센싱 유닛을 이용하여, 상기 반도체 디바이스의 제2 센싱 패드로부터 상기 제2 테스트 신호에 대한 제2 센싱 신호를 수신하고,
    상기 제2 전압 공급기와 연결된 상기 컨트롤러를 이용하여, 상기 제2 센싱 유닛을 통해 수신된 상기 제2 센싱 신호에 기초하여 상기 제2 전압 공급기로부터 출력되는 제2 테스트 신호의 출력 값을 보정하고, 그리고,
    상기 제2 전압 공급기를 이용하여 상기 보정된 출력 값을 갖는 제2 테스트 신호를 출력하고,
    상기 제2 테스트 신호는 상기 제1 테스트 신호와 다른 신호인 테스트 장치의 동작 방법.
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