KR20200136743A - 저장 장치 및 그 동작 방법 - Google Patents

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Abstract

본 기술은 전자 장치에 관한 것으로, 프로그램 동작 시 리드 동작을 함께 수행하는 저장 장치는, 데이터를 저장하는 메모리 장치 및 상기 메모리 장치를 제어하는 메모리 컨트롤러를 포함하는 저장 장치에 있어서, 상기 메모리 장치는, 리드 동작 시, 리드된 데이터에 포함된 페일 비트와 비교되는 허용 비트를 저장하는 허용 비트 설정 레지스터 및 상기 메모리 장치가 프로그램 동작 후 바로 리드 동작을 수행하도록 제어하는 리드 동작 제어부를 포함하고, 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 메모리 장치에 동작을 지시하는 커맨드를 생성하는 커맨드 생성부, 상기 메모리 장치에서 수행된 리드 동작의 결과를 기초로 배드 블록을 설정하는 배드 블록 처리부 및 상기 메모리 장치에서 수행된 리드 동작의 결과를 기초로 다음 리드 동작의 동작 모드를 설정하는 페일 정보 제어부를 포함한다.

Description

저장 장치 및 그 동작 방법{STORAGE DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF}
본 발명은 전자 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 본 발명은 저장 장치 및 그 동작 방법에 관한 것이다.
저장 장치는 컴퓨터, 스마트폰, 스마트패드 등과 같은 호스트 장치의 제어에 따라 데이터를 저장하는 장치이다. 저장 장치는 데이터를 저장하는 장치에 따라, 하드 디스크 드라이브(HDD, Hard Disk Drive)와 같이 자기 디스크에 데이터를 저장하는 장치와 솔리드 스테이트 드라이브(SSD, Solid State Drive), 메모리 카드 등과 같이 반도체 메모리, 특히 불휘발성 메모리에 데이터를 저장하는 장치를 포함한다.
저장 장치는 데이터가 저장되는 메모리 장치와 메모리 장치에 데이터를 저장하는 메모리 컨트롤러를 포함할 수 있다. 메모리 장치는 휘발성 메모리와 불휘발성 메모리로 구분될 수 있다. 여기서 불휘발성 메모리는 ROM (Read Only Memory), PROM (Programmable ROM), EPROM (Electrically Programmable ROM), EEPROM (Electrically Erasable and Programmable ROM), 플래시 메모리, PRAM (Phase-change RAM), MRAM (Magnetic RAM), RRAM (Resistive RAM), FRAM (Ferroelectric RAM) 등을 포함한다.
본 발명의 실시 예는 프로그램 동작 시 리드 동작을 함께 수행하는 저장 장치 및 그 동작 방법을 제공한다.
본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치는, 데이터를 저장하는 메모리 장치 및 상기 메모리 장치를 제어하는 메모리 컨트롤러를 포함하는 저장 장치에 있어서, 상기 메모리 장치는, 리드 동작 시, 리드된 데이터에 포함된 페일 비트와 비교되는 허용 비트를 저장하는 허용 비트 설정 레지스터 및 상기 메모리 장치가 프로그램 동작 후 바로 리드 동작을 수행하도록 제어하는 리드 동작 제어부를 포함하고, 상기 메모리 컨트롤러는, 상기 메모리 장치에 동작을 지시하는 커맨드를 생성하는 커맨드 생성부, 상기 메모리 장치에서 수행된 리드 동작의 결과를 기초로 배드 블록을 설정하는 배드 블록 처리부 및 상기 메모리 장치에서 수행된 리드 동작의 결과를 기초로 다음 리드 동작의 동작 모드를 설정하는 페일 정보 제어부를 포함한다.
본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치의 동작 방법은, 데이터를 저장하는 메모리 장치 및 상기 메모리 장치를 제어하는 메모리 컨트롤러를 포함하는 저장 장치의 동작 방법에 있어서, 상기 메모리 장치가 프로그램 동작 후 프로그램 검증 동작을 수행하는 단계, 상기 프로그램 검증 동작이 패스되면, 상기 메모리 장치에 프로그램된 데이터를 리드하는 단계, 상기 메모리 장치에 프로그램된 데이터를 리드한 리드된 데이터를 기초로, 상기 메모리 장치가 상기 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단하는 단계 및 상기 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단한 결과를 기초로, 프로그램 패스 정보 또는 프로그램 페일 정보를 상기 메모리 컨트롤러로 출력하는 단계를 포함한다.
본 기술에 따르면, 프로그램 동작 시 리드 동작을 함께 수행하는 저장 장치 및 그 동작 방법이 제공된다.
도 1은 저장 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 2는 도 1의 메모리 컨트롤러의 구조 및 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 페일 정보를 수신한 후 메모리 컨트롤러의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 페일 정보 수신 횟수를 카운트한 카운트값이 기준값을 초과할 때 메모리 컨트롤러의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 도 1의 메모리 장치의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 도 5의 메모리 셀 어레이의 일 실시 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 도 6의 메모리 블록들(BLK1~BLKz) 중 어느 하나의 메모리 블록(BLKa)을 보여주는 회로도이다.
도 8은 도 6의 메모리 블록들(BLK1~BLKz) 중 어느 하나의 메모리 블록(BLKb)의 다른 실시 예를 보여주는 회로도이다.
도 9는 트리플 레벨 셀의 프로그램 방식에서 리드되는 논리 페이지를 나타낸다.
도 10은 쿼드러플 레벨 셀의 프로그램 방식에서 리드되는 논리 페이지를 나타낸다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 메모리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 메모리 컨트롤러의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 메모리 컨트롤러의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 도 1의 메모리 컨트롤러의 다른 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치가 적용된 메모리 카드 시스템을 보여주는 블록도이다.
도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치가 적용된 SSD(Solid State Drive) 시스템을 예시적으로 보여주는 블록도이다.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치가 적용된 사용자 시스템을 보여주는 블록도이다.
본 명세서 또는 출원에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서 또는 출원에 설명된 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니 된다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서 또는 출원에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 서술된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
실시 예를 설명함에 있어서 본 발명이 속하는 기술 분야에 익히 알려져 있고 본 발명과 직접적으로 관련이 없는 기술 내용에 대해서는 설명을 생략한다. 이는 불필요한 설명을 생략함으로써 본 발명의 요지를 흐리지 않고 더욱 명확히 전달하기 위함이다.
이하에서, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 저장 장치를 설명하기 위한 블록도이다.
도 1을 참조하면, 저장 장치(50)는 메모리 장치(100) 및 메모리 컨트롤러(200)를 포함할 수 있다.
저장 장치(50)는 휴대폰, 스마트폰, MP3 플레이어, 랩탑 컴퓨터, 데스크탑 컴퓨터, 게임기, TV, 태블릿 PC 또는 차량용 인포테인먼트(in-vehicle infotainment) 시스템 등과 같이 호스트(300)의 제어에 따라 데이터를 저장하는 장치일 수 있다.
저장 장치(50)는 호스트(300)와의 통신 방식인 호스트 인터페이스에 따라서 다양한 종류의 저장 장치들 중 어느 하나로 제조될 수 있다. 예를 들면, 저장 장치(50)는 SSD, MMC, eMMC, RS-MMC, micro-MMC 형태의 멀티 미디어 카드(multimedia card), SD, mini-SD, micro-SD 형태의 시큐어 디지털(secure digital) 카드, USB(universal storage bus) 저장 장치, UFS(universal flash storage) 장치, PCMCIA(personal computer memory card international association) 카드 형태의 저장 장치, PCI(peripheral component interconnection) 카드 형태의 저장 장치, PCI-E(PCI express) 카드 형태의 저장 장치, CF(compact flash) 카드, 스마트 미디어(smart media) 카드, 메모리 스틱(memory stick) 등과 같은 다양한 종류의 저장 장치들 중 어느 하나로 구성될 수 있다.
저장 장치(50)는 다양한 종류의 패키지(package) 형태들 중 어느 하나로 제조될 수 있다. 예를 들면, 저장 장치(50)는 POP(package on package), SIP(system in package), SOC(system on chip), MCP(multi chip package), COB(chip on board), WFP(wafer-level fabricated package), WSP(wafer-level stack package) 등과 같은 다양한 종류의 패키지 형태들 중 어느 하나로 제조될 수 있다.
메모리 장치(100)는 데이터를 저장할 수 있다. 메모리 장치(100)는 메모리 컨트롤러(200)의 제어에 응답하여 동작한다. 메모리 장치(100)는 데이터를 저장하는 복수의 메모리 셀들을 포함하는 메모리 셀 어레이를 포함할 수 있다. 메모리 셀 어레이는 복수의 메모리 블록들을 포함할 수 있다. 각 메모리 블록은 복수의 메모리 셀들을 포함할 수 있으며, 복수의 메모리 셀들은 복수의 페이지들을 구성할 수 있다. 실시 예에서, 페이지는 메모리 장치(100)에 데이터를 저장하거나, 메모리 장치(100)에 저장된 데이터를 리드하는 단위일 수 있다. 메모리 블록은 데이터를 지우는 단위일 수 있다.
메모리 장치(100)는 허용 비트 설정 레지스터(150)를 포함할 수 있다. 허용 비트 설정 레지스터(150)는 허용 비트를 저장할 수 있다. 허용 비트는 프로그램 동작 후 프로그램된 데이터를 리드한 리드된 데이터에 포함된 페일 비트와 비교되는 비트일 수 있다. 예를 들면, 허용 비트 설정 레지스터(150)에 저장된 허용 비트의 개수에 따라 리드된 데이터에 대한 패스 또는 페일 결과가 달라질 수 있다.
메모리 장치(100)가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 수신하면, 허용 비트 설정 레지스터(150)에 저장된 허용 비트는 센싱 회로에 제공될 수 있다. 프로그램 다이렉트 리드 커맨드는 메모리 장치(100)에서 프로그램 검증 동작이 패스되면, 프로그램 검증 동작이 패스된 페이지의 리드 동작을 메모리 장치(100)가 자체적으로 수행하도록 하고, 이때 리드된 데이터를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 최종적으로 판단하도록 지시하는 커맨드일 수 있다.
따라서, 센싱 회로는 리드된 데이터에 포함된 페일 비트와 허용 비트의 개수를 비교하여 프로그램 동작이 페일 또는 패스한 것으로 판단할 수 있다. 즉, 센싱 회로는 리드된 데이터에 포함된 페일 비트와 허용 비트의 개수를 비교하여 프로그램 패스 신호 또는 프로그램 페일 신호를 출력할 수 있다.
실시 예에서, 프로그램 동작이 페일되는 횟수가 증가하면, 허용 비트 설정 레지스터(150)에 저장된 허용 비트는 변경될 수 있다.
메모리 장치(100)는 리드 동작 제어부(170)를 포함할 수 있다. 리드 동작 제어부(170)는 메모리 장치(100)의 리드 동작을 제어할 수 있다. 구체적으로, 메모리 장치(100)가 본 발명에 따른 프로그램 다이렉트 리드 커맨드 수행 시 프로그램 검증 동작을 패스하면, 리드 동작 제어부(170)는 메모리 장치(100)가 바로 리드 동작을 수행하도록 메모리 장치(100)를 제어할 수 있다. 즉, 메모리 장치(100)는 프로그램 검증 동작에 따른 신호를 메모리 컨트롤러(200)로 출력하지 않고 프로그램된 데이터를 리드할 수 있다. 본 발명에서, 리드된 데이터를 기초로 프로그램 패스 또는 페일이 결정될 수 있다.
실시 예에서, 메모리 장치(100)는 DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory), LPDDR4(Low Power Double Data Rate4) SDRAM, GDDR(Graphics Double Data Rate) SDRAM, LPDDR(Low Power DDR), RDRAM(Rambus Dynamic Random Access Memory), 낸드 플래시 메모리(NAND flash memory), 수직형 낸드 플래시 메모리(Vertical NAND), 노아 플래시 메모리(NOR flash memory), 저항성 램(resistive random access memory: RRAM), 상변화 메모리(phase-change memory: PRAM), 자기저항 메모리(magnetoresistive random access memory: MRAM), 강유전체 메모리(ferroelectric random access memory: FRAM), 스핀주입 자화반전 메모리(spin transfer torque random access memory: STT-RAM) 등이 될 수 있다. 본 명세서에서는 설명의 편의를 위해, 메모리 장치(100)가 낸드 플래시 메모리인 경우를 가정하여 설명한다.
메모리 장치(100)는 2차원 어레이 구조(two-dimensional array structure) 또는 3차원 어레이 구조(three-dimensional array structure)로 구현될 수 있다. 이하에서는, 3차원 어레이 구조가 실시 예로써 설명되지만, 본 발명이 3차원 어레이 구조에 제한되는 것은 아니다. 본 발명은 전하 저장층이 전도성 부유 게이트(floating gate; FG)로 구성된 플래시 메모리 장치는 물론, 전하 저장층이 절연막으로 구성된 차지 트랩형 플래시(charge trap flash; CTF)에도 적용될 수 있다.
실시 예에서, 메모리 장치(100)는 하나의 메모리 셀에 하나의 데이터 비트를 저장하는 싱글 레벨 셀(Single Level Cell; SLC) 방식으로 동작할 수 있다. 또는 메모리 장치(100)는 하나의 메모리 셀에 적어도 두 개의 데이터 비트들을 저장하는 방식으로 동작할 수도 있다. 예를 들면, 메모리 장치(100)는 하나의 메모리 셀에 두 개의 데이터 비트들을 저장하는 멀티 레벨 셀(Multi Level Cell; MLC), 세 개의 데이터 비트들을 저장하는 트리플 레벨 셀(Triple Level Cell; TLC) 또는 네 개의 데이터 비트들을 저장할 수 있는 쿼드러플 레벨 셀(Quadruple Level Cell; QLC) 방식으로 동작할 수 있다.
메모리 장치(100)는 메모리 컨트롤러(200)로부터 커맨드 및 어드레스를 수신하고, 메모리 셀 어레이 중 어드레스에 의해 선택된 영역을 액세스하도록 구성된다. 즉, 메모리 장치(100)는 어드레스에 의해 선택된 영역에 대해 커맨드에 해당하는 동작을 수행할 수 있다. 예를 들면, 메모리 장치(100)는 수신된 커맨드에 따라 쓰기 동작 (프로그램 동작), 리드 동작 또는 소거 동작을 수행할 수 있다. 예를 들면, 프로그램 커맨드가 수신되면, 메모리 장치(100)는 어드레스에 의해 선택된 영역에 데이터를 프로그램할 것이다. 리드 커맨드가 수신되면, 메모리 장치(100)는 어드레스에 의해 선택된 영역으로부터 데이터를 읽을 것이다. 소거 커맨드가 수신되면, 메모리 장치(100)는 어드레스에 의해 선택된 영역에 저장된 데이터를 소거할 것이다.
메모리 컨트롤러(200)는 커맨드 생성부(210)를 포함할 수 있다. 커맨드 생성부(210)는 호스트(300)로부터 요청을 수신할 수 있다. 호스트(300)로부터 수신된 요청은 프로그램(쓰기) 요청, 리드 요청 또는 소거 요청일 수 있다. 커맨드 생성부(210)는 호스트(300)로부터 수신된 요청에 대응하는 커맨드를 생성할 수 있다.
본 발명에서, 호스트(300)는 메모리 장치(100)가 프로그램 검증 동작을 패스한 후 바로 프로그램된 데이터를 리드하기 위한 프로그램 다이렉트 리드 요청을 메모리 컨트롤러(200)로 출력할 수 있다. 메모리 컨트롤러(200)는 프로그램 다이렉트 리드 요청을 수신한 후 프로그램 다이렉트 리드 요청에 대응하는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 생성할 수 있다.
메모리 컨트롤러(200)는 배드 블록 처리부(220)를 포함할 수 있다. 배드 블록 처리부(220)는 메모리 장치(100)로부터 프로그램 패스 정보 또는 프로그램 페일 정보를 수신할 수 있다. 프로그램 패스 정보 또는 프로그램 페일 정보는 메모리 장치(100)가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대한 응답일 수 있다. 배드 블록 처리부(220)가 프로그램 페일 정보를 수신하면, 배드 블록 처리부(220)는 프로그램 페일 정보에 대응하는 프로그램 페일된 메모리 셀들을 포함하는 메모리 블록을 배드 블록 처리할 수 있다.
실시 예에서, 배드 블록 처리부(220)는 프로그램 페일된 메모리 셀들을 포함하는 메모리 블록을 배드 블록 처리한 후, 배드 블록 처리한 메모리 블록에 대한 배드 블록 정보를 생성할 수 있다. 생성된 배드 블록 정보는 커맨드 생성부(210)에 제공될 수 있다. 여기서, 배드 블록 정보는 배드 블록 처리된 메모리 블록의 어드레스를 포함할 수 있다.
메모리 컨트롤러(200)는 페일 정보 제어부(230)를 포함할 수 있다. 페일 정보 제어부(230)는 메모리 장치(100)로부터 프로그램 패스 정보 또는 프로그램 페일 정보를 수신할 수 있다. 페일 정보 제어부(230)는 프로그램 페일 정보를 수신할 때마다 프로그램 페일 정보를 수신한 횟수를 누적하여 카운트할 수 있다. 카운트값이 기준값을 초과하면, 페일 정보 제어부(230)는 허용 비트의 개수를 재설정하거나 센싱 회로에 포함된 다른 회로를 선택하거나 또는 리드할 페이지를 변경할 수 있다. 카운트값이 기준값을 초과하면, 페일 정보 제어부(230)는 다시 '1'부터 프로그램 페일 정보를 수신한 횟수를 카운트할 수 있다.
메모리 컨트롤러(200)는 저장 장치(50)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다.
저장 장치(50)에 전원 전압이 인가되면, 메모리 컨트롤러(200)는 펌웨어(firmware, FW)를 실행할 수 있다. 메모리 장치(100)가 플래시 메모리 장치(100)인 경우, 메모리 컨트롤러(200)는 호스트(300)와 메모리 장치(100)간의 통신을 제어하기 위한 플래시 변환 계층(Flash Translation Layer, FTL)과 같은 펌웨어를 실행할 수 있다.
실시 예에서, 메모리 컨트롤러(200)는 호스트(300)로부터 데이터와 논리 블록 어드레스(logical block address, LBA)를 입력 받고, 논리 블록 어드레스(LBA)를 메모리 장치(100)에 포함된 데이터가 저장될 메모리 셀들의 주소를 나타내는 물리 블록 어드레스(physical block address, PBA)로 변환할 수 있다. 또한 메모리 컨트롤러(200)는 논리 블록 어드레스(LBA)와 물리 블록 어드레스(PBA) 간의 맵핑(mapping) 관계를 구성하는 물리-논리 어드레스 맵핑 테이블(logical-physical address mapping table)을 버퍼 메모리에 저장할 수 있다.
메모리 컨트롤러(200)는 호스트(300)의 요청(request)에 따라 프로그램 동작, 리드 동작 또는 소거 동작 등을 수행하도록 메모리 장치(100)를 제어할 수 있다. 예를 들면, 호스트(300)로부터 프로그램 요청이 수신되면, 메모리 컨트롤러(200)는 프로그램 요청을 프로그램 커맨드로 변경하고, 프로그램 커맨드, 물리 블록 어드레스(physical block address, PBA) 및 데이터를 메모리 장치(100)에 제공할 수 있다. 호스트(300)로부터 논리 블록 어드레스와 함께 리드 요청이 수신되면, 메모리 컨트롤러(200)는 리드 요청을 리드 커맨드로 변경하고, 논리 블록 어드레스에 대응되는 물리 블록 어드레스를 선택한 후, 리드 커맨드 및 물리 블록 어드레스(PBA)를 메모리 장치(100)에 제공할 수 있다. 호스트(300)로부터 논리 블록 어드레스와 함께 소거 요청이 수신되면, 메모리 컨트롤러(200)는 소거 요청을 소거 커맨드로 변경하고, 논리 블록 어드레스에 대응되는 물리 블록 어드레스를 선택한 후, 소거 커맨드 및 물리 블록 어드레스(PBA)를 메모리 장치(100)에 제공할 수 있다.
실시 예에서, 메모리 컨트롤러(200)는 호스트(300)로부터의 요청 없이, 자체적으로 프로그램 커맨드, 어드레스 및 데이터를 생성하고, 메모리 장치(100)에 전송할 수 있다. 예를 들면, 메모리 컨트롤러(200)는 웨어 레벨링(wear leveling)을 위한 프로그램 동작, 가비지 컬렉션(garbage collection)을 위한 프로그램 동작과 같은 배경(background) 동작들을 수행하기 위해 커맨드, 어드레스 및 데이터를 메모리 장치(100)로 제공할 수 있다.
실시 예에서, 저장 장치(50)는 버퍼 메모리(미도시)를 더 포함할 수 있다. 메모리 컨트롤러(200)는 호스트(300)와 버퍼 메모리(미도시) 사이의 데이터 교환을 제어할 수 있다. 또는 메모리 컨트롤러(200)는 메모리 장치(100)의 제어를 위한 시스템 데이터를 일시적으로 버퍼 메모리에 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(200)는 호스트(300)로부터 입력된 데이터를 버퍼 메모리에 임시로 저장하고, 이후 버퍼 메모리에 임시 저장된 데이터를 메모리 장치(100)로 전송할 수 있다.
다양한 실시 예에서, 버퍼 메모리는 메모리 컨트롤러(200)의 동작 메모리, 캐시 메모리로 사용될 수 있다. 버퍼 메모리는 메모리 컨트롤러(200)가 실행하는 코드들 또는 커맨드들을 저장할 수 있다. 또는 버퍼 메모리는 메모리 컨트롤러(200)에 의해 처리되는 데이터를 저장할 수 있다.
실시 예에서, 버퍼 메모리는 DDR SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory), DDR4 SDRAM, LPDDR4(Low Power Double Data Rate4) SDRAM, GDDR(Graphics Double Data Rate) SDRAM, LPDDR(Low Power DDR) 또는 RDRAM(Rambus Dynamic Random Access Memory)과 같은 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM) 또는 정적 랜덤 액세스 메모리(SRAM)로 구현될 수 있다.
다양한 실시 예에서, 버퍼 메모리는 저장 장치(50)의 외부에서 연결될 수 있다. 이 경우, 저장 장치(50) 외부에 연결된 휘발성 메모리 장치(100)들이 버퍼 메모리의 역할을 수행할 수 있을 것이다.
실시 예에서, 메모리 컨트롤러(200)가 적어도 둘 이상의 메모리 장치(100)들을 제어할 수 있다. 이 경우, 메모리 컨트롤러(200)는 동작 성능의 향상을 위해 메모리 장치(100)들을 인터리빙 방식에 따라 제어할 수 있다.
호스트(300)는 USB (Universal Serial Bus), SATA (Serial AT Attachment), SAS (Serial Attached SCSI), HSIC (High Speed Interchip), SCSI (Small Computer System Interface), PCI (Peripheral Component Interconnection), PCIe (PCI express), NVMe (NonVolatile Memory express), UFS (Universal Flash Storage), SD (Secure Digital), MMC (Multi-Media Card), eMMC (embedded MMC), DIMM (Dual In-line Memory Module), RDIMM (Registered DIMM), LRDIMM (Load Reduced DIMM) 등과 같은 다양한 통신 방식들 중 적어도 하나를 이용하여 저장 장치(50)와 통신할 수 있다.
도 2는 도 1의 메모리 컨트롤러의 구조 및 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 메모리 장치(100)는 커맨드 생성부(210), 배드 블록 처리부(220) 및 페일 정보 제어부(230)를 포함할 수 있다.
실시 예에서, 메모리 컨트롤러(200)는 호스트(300)로부터 요청(REQUEST)을 수신할 수 있다. 호스트(300)로부터 수신되는 요청(REQUEST)은 프로그램 요청, 리드 요청, 소거 요청 등 다양할 수 있다.
본 발명에서, 커맨드 생성부(210)는 호스트(300)로부터 새로운 요청을 수신할 수 있다. 새로운 요청은 메모리 장치(100)가 프로그램 검증 동작을 패스하면 프로그램된 데이터를 바로 리드하도록 요청하는 프로그램 다이렉트 리드 요청일 수 있다. 커맨드 생성부(210)가 호스트(300)로부터 프로그램 다이렉트 리드 요청을 수신하면, 커맨드 생성부(210)는 프로그램 다이렉트 리드 요청에 대응하는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드(PDR_CMD)를 생성하여 메모리 장치(100)에 출력할 수 있다.
프로그램 다이렉트 리드 커맨드(PDR_CMD)는 메모리 장치(100)가 프로그램 동작 수행 후 프로그램 검증 동작을 패스하면, 프로그램된 데이터를 리드한 리드된 데이터를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단하도록 지시하는 커맨드일 수 있다.
실시 예에서, 메모리 장치(100)가 커맨드 생성부(210)로부터 프로그램 다이렉트 리드 커맨드(PDR_CMD)를 수신하면, 메모리 장치(100)는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드(PDR_CMD)에 대응하는 동작을 수행할 수 있다.
구체적으로, 메모리 장치(100)는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드(PDR_CMD)에 응답하여 리드된 데이터에 포함된 페일 비트와 비교될 허용 비트의 개수를 설정하고, 리드된 데이터에 포함된 페일 비트와 허용 비트의 개수를 비교하여 프로그램 패스 정보(PASS_INF) 또는 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 출력할 수 있다.
실시 예에서, 배드 블록 처리부(220)는 프로그램 패스 정보(PASS_INF) 또는 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 수신할 수 있다. 프로그램 패스 정보(PASS_INF)는 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수보다 이하일 때 메모리 장치(100)로부터 출력될 수 있다. 반대로 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)는 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수를 초과할 때 메모리 장치(100)로부터 출력될 수 있다.
배드 블록 처리부(220)가 프로그램 패스 정보(PASS_INF)를 수신하면, 배드 블록 처리부(220)는 동작하지 않을 수 있다. 그러나, 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 수신하면, 배드 블록 처리부(220)는 프로그램 페일된 메모리 셀들을 포함하는 메모리 블록을 배드 블록 처리할 수 있다. 실시 예에서, 배드 블록 처리부(220)가 메모리 컨트롤러(200) 내 배드 블록 관리 테이블(미도시)에 해당 메모리 블록이 배드 블록임을 기록하면, 메모리 컨트롤러(200)는 배드 블록 관리 테이블에 기록된 메모리 블록에 대응하는 어드레스를 출력하지 않을 수 있다.
실시 예에서, 페일 정보 제어부(230)는 프로그램 패스 정보(PASS_INF) 또는 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 수신할 수 있다. 페일 정보 제어부(230)는 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 수신할 때마다 수신된 횟수를 누적하여 카운트할 수 있다. 페일 정보 제어부(230)가 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 수신한 횟수가 기준 횟수를 초과하면, 페일 정보 제어부(230)는 메모리 장치(100)의 동작 모드를 변경할 수 있다.
구체적으로, 페일 정보 제어부(230)는 메모리 장치(100)에 포함된 허용 비트 설정 레지스터(도 1의 150)에 저장된 허용 비트의 개수를 변경하도록 제어할 수 있다. 또는, 메모리 장치(100)의 센싱 회로에 포함된 전류 센싱 회로(Current Sensing Circuit, CSC) 및 페일 비트 카운터 회로(Fail Bit Counter, FBC) 중 전류 센싱 회로(CSC)를 선택하도록 제어할 수 있다. 또는, 메모리 장치(100)가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드(PDR_CMD)에 대응하는 동작 시, 리드할 페이지를 선택하도록 제어할 수 있다.
도 3은 페일 정보를 수신한 후 메모리 컨트롤러의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 도 3의 메모리 컨트롤러(200)는 커맨드 생성부(210) 및 배드 블록 처리부(220)를 포함할 수 있다. 도 3의 메모리 컨트롤러(200)의 구성 중 페일 정보 제어부(도 2의 230)는 생략된 것으로 가정한다.
도 3은 메모리 컨트롤러(200)가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 응답하는 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 수신한 이후의 동작을 도시한다. 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)는 메모리 장치(100)가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대응하는 동작을 수행한 후 메모리 장치(100)로부터 출력될 수 있다.
실시 예에서, 메모리 장치(100)가 프로그램 동작을 수행하고 프로그램 검증 동작이 패스될 수 있다. 프로그램 검증 동작이 패스된 후 프로그램된 데이터가 리드되고, 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 설정된 허용 비트의 개수를 초과하면, 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)가 출력될 수 있다. 즉, 프로그램 검증 동작이 패스되면, 메모리 장치(100)는 프로그램 동작이 완료되었다는 응답을 출력하지 않고 바로 프로그램된 데이터를 리드할 수 있다. 또, 메모리 장치(100)는 리드된 데이터를 메모리 컨트롤러(200)로 출력하지 않고 프로그램 패스 정보 또는 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 출력할 수 있다.
실시 예에서, 배드 블록 처리부(220)는 메모리 장치(100)로부터 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 수신할 수 있다. 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)는 프로그램된 데이터를 리드한 리드 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수를 초과함을 나타내는 정보를 포함할 수 있다.
배드 블록 처리부(220)는 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 기초로 리드된 페이지를 포함하는 메모리 블록을 배드 블록 처리하기 위한 동작을 수행할 수 있다. 즉, 배드 블록 처리부(220)는 해당 메모리 블록을 배드 블록 관리 테이블(미도시) 등에 기록하고, 해당 메모리 블록에 대응하는 어드레스가 출력되지 않도록 할 수 있다.
실시 예에서, 배드 블록 처리부(220)는 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 기초로 배드 블록 정보(BB_INF)를 생성할 수 있다. 배드 블록 정보(BB_INF)는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 따라 리드된 페이지를 포함하는 메모리 블록에 관한 정보를 포함할 수 있다. 즉, 배드 블록 처리부(220)는 리드된 페이지를 포함하는 메모리 블록을 배드 블록 처리하고, 배드 블록 처리된 메모리 블록에 관한 정보를 포함하는 배드 블록 정보(BB_INF)를 생성할 수 있다. 생성된 배드 블록 정보(BB_INF)는 커맨드 생성부(210)에 제공될 수 있다.
커맨드 생성부(210)가 배드 블록 처리부(220)로부터 배드 블록 정보(BB_INF)를 수신하면, 커맨드 생성부(210)는 재프로그램 커맨드(REPGM_CMD)를 메모리 장치(100)로 출력할 수 있다. 즉, 메모리 장치(100)가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 기초로 프로그램 동작을 수행했으나, 프로그램 동작이 수행된 페이지를 포함하는 메모리 블록을 배드 블록 처리함에 따라 프로그램 동작이 완료되지 않았기 때문에, 커맨드 생성부(210)는 데이터를 다시 프로그램하기 위한 재프로그램 커맨드(REPGM_CMD)를 메모리 장치(100)로 출력할 수 있다.
메모리 장치(100)는 메모리 컨트롤러(200)로부터 재프로그램 커맨드(REPGM_CMD)를 수신하면, 재프로그램 커맨드(REPGM_CMD)에 따라 페이지 버퍼 그룹에 포함된 래치에 저장된 프로그램 데이터를 기초로 다시 프로그램 동작을 수행할 수 있다.
도 4는 페일 정보 수신 횟수를 카운트한 카운트값이 기준값을 초과할 때 메모리 컨트롤러의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 4를 참조하면, 도 4의 페일 정보 제어부(230)는 페일 정보 카운터(231), 허용 비트 설정부(233), 센싱 회로 선택부(235) 및 리드 동작 설정부(237)를 포함할 수 있다.
실시 예에서, 페일 정보 카운터(231)는 메모리 장치(100)로부터 프로그램 패스 정보(PASS_INF) 또는 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 수신할 수 있다. 프로그램 패스 정보(PASS_INF) 또는 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)는 메모리 장치(100)가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대한 응답일 수 있다. 프로그램 패스 정보(PASS_INF)는 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트 개수 이하일 때 메모리 장치(100)로부터 출력될 수 있다. 반대로 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)는 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수를 초과할 때 메모리 장치(100)로부터 출력될 수 있다.
실시 예에서, 페일 정보 카운터(231)는 메모리 장치(100)로부터 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 수신할 때마다 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 수신한 횟수를 카운트할 수 있다. 즉, 페일 정보 카운터(231)는 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 수신한 횟수를 누적하여 카운트할 수 있다.
페일 정보 카운터(231)는 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 수신한 횟수를 카운트하여 카운트값(COUNT_VAL)을 생성할 수 있다. 생성된 카운트값(COUNT_VAL)이 기준값을 초과하면, 페일 정보 카운터(231)는 카운트값(COUNT_VAL)을 허용 비트 설정부(233), 센싱 회로 선택부(235) 및 리드 동작 설정부(237) 중 적어도 하나에 출력할 수 있다.
실시 예에서, 허용 비트 설정부(233)는 페일 정보 카운터(231)로부터 카운트값(COUNT_VAL)을 수신할 수 있다. 허용 비트 설정부(233)는 수신된 카운트값(COUNT_VAL)을 기초로 메모리 장치(100)에 포함된 허용 비트 설정 레지스터(도 1의 150)에 저장된 허용 비트를 변경하기 위한 허용 비트 설정 커맨드(ABSET_CMD)를 출력할 수 있다.
구체적으로, 메모리 장치(100)가 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 출력하는 횟수가 증가할수록, 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 설정된 개수를 초과하는 경우가 증가할 수 있다. 이러한 상황에서, 프로그램 동작이 종료되지 않고, 반복적으로 재프로그램 동작이 수행될 수 있으므로, 허용 비트의 개수를 더 크게 설정할 필요가 있다.
따라서, 허용 비트 설정부(233)는 허용 비트의 개수를 설정하기 위한 허용 비트 설정 커맨드(ABSET_CMD)를 출력하고, 메모리 장치(100)는 허용 비트 설정 커맨드(ABSET_CMD)에 응답하여 허용 비트 설정 레지스터에 저장된 허용 비트의 개수를 증가시킬 수 있다.
실시 예에서, 센싱 회로 선택부(235)는 페일 정보 카운터(231)로부터 카운트값(COUNT_VAL)을 수신할 수 있다. 센싱 회로 선택부(235)는 수신된 카운트값(COUNT_VAL)을 기초로 센싱 회로에 포함된 회로들 중 전류 센싱 회로(Current Sensing Circuit, CSC)로 센싱 동작을 수행하도록 제어할 수 있다.
실시 예에서, 센싱 회로는 전류 센싱 회로(CSC) 및/또는 페일 비트 카운터 회로(Fail Bit Counter, FBC)를 포함할 수 있다. 센싱 회로에 포함된 전류 센싱 회로 또는 페일 비트 카운터는 센싱된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수를 초과하는지 판단할 수 있다. 실시 예에서, 전류 센싱 회로는 기준 전류를 기초로, 페일 비트 카운터는 기준 전류를 기초로 생성된 기준 전압을 기초로 센싱 동작을 수행할 수 있다.
결과적으로, 센싱 회로 선택부(235)는 페일 비트 카운터보다 센싱된 데이터에 대한 정확도가 높은 전류 센싱 회로를 선택할 수 있다. 전류 센싱 회로에 의해 센싱 동작이 수행되도록, 센싱 회로 선택부(235)는 센싱 회로 선택 정보(SCS_INF)를 메모리 장치(100)에 출력할 수 있다. 메모리 장치(100)가 센싱 회로 선택 정보(SCS_INF)를 수신하면, 메모리 장치(100)는 전류 센싱 회로를 통해 센싱 동작을 수행할 수 있다.
실시 예에서, 리드 동작 설정부(237)는 페일 정보 카운터(231)로부터 카운트값(COUNT_VAL)을 수신할 수 있다. 리드 동작 설정부(237)는 수신된 카운트값(COUNT_VAL)을 기초로 프로그램 다이렉트 리드 커맨드 수행 시, 리드할 페이지 및/또는 리드 전압을 설정할 수 있다.
구체적으로, 메모리 장치(100)가 프로그램 페일 정보(FAIL_INF)를 출력하는 횟수가 많아질수록, 리드 동작의 정확도를 높일 필요가 있다. 따라서, 리드 동작 설정부(237)는 메모리 장치(100)가 하위 페이지뿐만 아니라 다른 페이지도 함께 리드 하도록 설정할 수 있다. 또, 리드 동작 설정부(237)는 리드 전압의 오프셋을 설정할 수 있다. 즉, 리드 동작 설정부(237)는 리드 전압을 변경할 수 있다.
결과적으로, 메모리 장치(100)가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드 수행 시 리드할 페이지 및/또는 리드 전압의 설정을 위해, 리드 동작 제어부는 리드 동작 설정 정보(ROS_INF)를 메모리 장치(100)에 출력할 수 있다.
리드 동작 설정 정보(ROS_INF)를 기초로 결정되는 리드 페이지는 도 9 및 도 10을 통해 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 5는 도 1의 메모리 장치의 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참조하면, 메모리 장치(100)는 메모리 셀 어레이(110), 주변 회로(120), 제어 로직(130) 및 허용 비트 설정 레지스터(150)를 포함할 수 있다.
메모리 셀 어레이(110)는 복수의 메모리 블록들(BLK1~BLKz)을 포함한다. 복수의 메모리 블록들(BLK1~BLKz)은 행 라인들(RL)을 통해 로우 디코더(121)에 연결된다. 복수의 메모리 블록들(BLK1~BLKz)은 비트 라인들(BL1 내지 BLn)을 통해 페이지 버퍼 그룹(123)에 연결될 수 있다. 복수의 메모리 블록들(BLK1~BLKz) 각각은 복수의 메모리 셀들을 포함한다. 실시 예로서, 복수의 메모리 셀들은 불휘발성 메모리 셀들이다. 같은 워드 라인에 연결된 메모리 셀들은 하나의 페이지로 정의될 수 있다. 따라서, 하나의 메모리 블록은 복수의 페이지들을 포함할 수 있다.
행 라인들(RL)은 적어도 하나 이상의 소스 선택 라인, 복수의 워드 라인들 및 적어도 하나 이상의 드레인 선택 라인을 포함할 수 있다.
메모리 셀 어레이(110)에 포함된 메모리 셀들은 각각 하나의 데이터 비트를 저장하는 싱글 레벨 셀(Single Level Cell; SLC), 두 개의 데이터 비트들을 저장하는 멀티 레벨 셀(Multi Level Cell; MLC), 세 개의 데이터 비트들을 저장하는 트리플 레벨 셀(Triple Level Cell; TLC) 또는 네 개의 데이터 비트를 저장할 수 있는 쿼드러플 레벨 셀(Quadruple Level Cell; QLC)로 구성될 수 있다.
주변 회로(120)는 제어 로직(130)의 제어에 따라 메모리 셀 어레이(110)의 선택된 영역에 프로그램 동작, 리드 동작 또는 소거 동작을 수행하도록 구성될 수 있다. 주변 회로(120)는 메모리 셀 어레이(110)를 구동할 수 있다. 예를 들어, 주변 회로(120)는 제어 로직(130)의 제어에 따라 행 라인들(RL) 및 비트 라인들(BL1~BLn)에 다양한 동작 전압들을 인가하거나, 인가된 전압들을 디스차지 할 수 있다.
주변 회로(120)는 로우 디코더(121), 전압 생성부(122), 페이지 버퍼 그룹(123), 컬럼 디코더(124), 입출력 회로(125), 센싱 회로(126) 및 허용 비트 설정 레지스터(150)를 포함할 수 있다.
로우 디코더(121)는 행 라인들(RL)을 통해 메모리 셀 어레이(110)에 연결된다. 행 라인들(RL)은 적어도 하나 이상의 소스 선택 라인, 복수의 워드 라인들 및 적어도 하나 이상의 드레인 선택 라인을 포함할 수 있다. 실시 예에서, 워드 라인들은 노멀 워드 라인들과 더미 워드 라인들을 포함할 수 있다. 실시 예에서, 행 라인들(RL)은 파이프 선택 라인을 더 포함할 수 있다.
로우 디코더(121)는 제어 로직(130)으로부터 수신된 로우 어드레스(RADD)를 디코딩하도록 구성된다. 로우 디코더(121)는 디코딩된 어드레스에 따라 메모리 블록들(BLK1~BLKz) 중 적어도 하나의 메모리 블록을 선택한다. 또한, 로우 디코더(121)는 디코딩된 어드레스에 따라 전압 생성부(122)가 생성한 전압들을 적어도 하나의 워드 라인(WL)에 인가하도록 선택된 메모리 블록의 적어도 하나의 워드 라인을 선택할 수 있다.
예를 들어, 프로그램 동작 시에, 로우 디코더(121)는 선택된 워드 라인에 프로그램 전압을 인가하고 비선택된 워드 라인들에 프로그램 전압보다 낮은 레벨의 프로그램 패스 전압을 인가할 것이다. 프로그램 검증 동작 시에, 로우 디코더(121)는 선택된 워드 라인에 검증 전압을 인가하고 비선택된 워드 라인들에 검증 전압보다 높은 검증 패스 전압을 인가할 것이다. 리드 동작 시에, 로우 디코더(121)는 선택된 워드 라인에 리드 전압을 인가하고, 비선택된 워드 라인들에 리드 전압보다 높은 리드 패스 전압을 인가할 것이다.
실시 예에서, 메모리 장치(100)의 소거 동작은 메모리 블록 단위로 수행된다. 소거 동작 시에 로우 디코더(121)는 디코딩된 어드레스에 따라 하나의 메모리 블록을 선택할 수 있다. 소거 동작 시, 로우 디코더(121)는 선택된 메모리 블록에 연결되는 워드 라인들에 접지 전압을 인가할 수 있다.
전압 생성부(122)는 제어 로직(130)의 제어에 응답하여 동작한다. 전압 생성부(122)는 메모리 장치(100)에 공급되는 외부 전원 전압을 이용하여 복수의 전압들을 발생하도록 구성된다. 구체적으로, 전압 생성부(122)는 동작 신호(OPSIG)에 응답하여 프로그램, 리드 및 소거 동작들에 사용되는 다양한 동작 전압들(Vop)을 생성할 수 있다. 예를 들어, 전압 생성부(122)는 제어 로직(130)의 제어에 응답하여 프로그램 전압, 검증 전압, 패스 전압, 리드 전압 및 소거 전압 등을 생성할 수 있다.
실시 예로서, 전압 생성부(122)는 외부 전원 전압을 레귤레이팅하여 내부 전원 전압을 생성할 수 있다. 전압 생성부(122)에서 생성된 내부 전원 전압은 메모리 장치(100)의 동작 전압으로서 사용된다.
실시 예로서, 전압 생성부(122)는 외부 전원 전압 또는 내부 전원 전압을 이용하여 복수의 전압들을 생성할 수 있다.
예를 들면, 전압 생성부(122)는 내부 전원 전압을 수신하는 복수의 펌핑 커패시터들을 포함하고, 제어 로직(130)의 제어에 응답하여 복수의 펌핑 커패시터들을 선택적으로 활성화하여 복수의 전압들을 생성할 것이다.
생성된 복수의 전압들은 로우 디코더(121)에 의해 메모리 셀 어레이(110)에 공급될 수 있다.
페이지 버퍼 그룹(123)은 제 1 내지 제 n 페이지 버퍼들(PB1~PBn)을 포함한다. 제 1 내지 제 n 페이지 버퍼들(PB1~PBn)은 각각 제 1 내지 제 n 비트 라인들(BL1~BLn)을 통해 메모리 셀 어레이(110)에 연결된다. 제 1 내지 제 n 페이지 버퍼들(PB1~PBn)은 제어 로직(130)의 제어에 응답하여 동작한다. 구체적으로 제 1 내지 제 n 페이지 버퍼들(PB1~PBn)은 페이지 버퍼 제어 신호들(PBSIGNALS)에 응답하여 동작할 수 있다. 예를 들면, 제 1 내지 제 n 페이지 버퍼들(PB1~PBn)은 제 1 내지 제 n 비트 라인들(BL1~BLn)을 통해 수신된 데이터를 임시로 저장하거나, 리드 또는 검증 동작 시, 비트 라인들(BL1~BLn)의 전압 또는 전류를 센싱(sensing)할 수 있다.
구체적으로, 프로그램 동작 시, 제 1 내지 제 n 페이지 버퍼들(PB1~PBn)은 선택된 워드 라인에 프로그램 전압이 인가될 때, 입출력 회로(125)를 통해 수신한 데이터(DATA)를 제 1 내지 제 n 비트 라인들(BL1~BLn)을 통해 선택된 메모리 셀들에 전달할 것이다. 전달된 데이터(DATA)에 따라 선택된 페이지의 메모리 셀들은 프로그램 된다. 프로그램 검증 동작 시에, 제 1 내지 제 n 페이지 버퍼들(PB1~PBn)은 선택된 메모리 셀들로부터 제 1 내지 제 n 비트 라인들(BL1~BLn)을 통해 수신된 전압 또는 전류를 센싱하여 페이지 데이터를 읽는다.
리드 동작 시, 제 1 내지 제 n 페이지 버퍼들(PB1~PBn)은 선택된 페이지의 메모리 셀들로부터 제 1 내지 제 n 비트 라인들(BL1~BLn)을 통해 데이터(DATA)를 읽고, 읽어진 데이터(DATA)를 컬럼 디코더(124)의 제어에 따라 입출력 회로(125)로 출력한다.
소거 동작 시에, 제 1 내지 제 n 페이지 버퍼들(PB1~PBn)은 제 1 내지 제 n 비트 라인들(BL1~BLn)을 플로팅(floating) 시키거나 소거 전압을 인가할 수 있다.
컬럼 디코더(124)는 컬럼 어드레스(CADD)에 응답하여 입출력 회로(125)와 페이지 버퍼 그룹(123) 사이에서 데이터를 전달할 수 있다. 예를 들면, 컬럼 디코더(124)는 데이터 라인들(DL)을 통해 제 1 내지 제 n 페이지 버퍼들(PB1~PBn)과 데이터를 주고받거나, 컬럼 라인들(CL)을 통해 입출력 회로(125)와 데이터를 주고받을 수 있다.
입출력 회로(125)는 도 1을 참조하여 설명된 메모리 컨트롤러(도 1의 200)로부터 전달받은 커맨드(CMD) 및 어드레스(ADDR)를 제어 로직(130)에 전달하거나, 데이터(DATA)를 컬럼 디코더(124)와 주고받을 수 있다.
센싱 회로(126)는 리드 동작(read operation) 또는 검증 동작(verify operation)시, 허용 비트 신호(VRYBIT)에 응답하여 기준 전류를 생성하고, 페이지 버퍼 그룹(123)으로부터 수신된 센싱 전압(VPB)과 기준 전류에 의해 생성된 기준 전압을 비교하여 패스 신호(PASS) 또는 페일 신호(FAIL)를 출력할 수 있다.
제어 로직(130)은 커맨드(CMD) 및 어드레스(ADDR)에 응답하여 동작 신호(OPSIG), 로우 어드레스(RADD), 페이지 버퍼 제어 신호들(PBSIGNALS) 및 허용 비트(VRYBIT)를 출력하여 주변 회로(120)를 제어할 수 있다. 또한, 제어 로직(130)은 패스 또는 페일 신호(PASS 또는 FAIL)에 응답하여 검증 동작이 패스 또는 페일 되었는지를 판단할 수 있다.
메모리 셀 어레이(110)에 포함된 메모리 셀들은 각 메모리 셀에 저장되는 데이터에 따라 복수의 프로그램 상태들 중 어느 하나의 프로그램 상태로 프로그램 될 수 있다. 메모리 셀의 목표 프로그램 상태는 저장되는 데이터에 따라 복수의 프로그램 상태들 중 어느 하나로 결정될 수 있다.
실시 예에서, 제어 로직(130)은 리드 동작 제어부(170)를 포함할 수 있다. 리드 동작 제어부(170)는 메모리 장치(100)가 프로그램 동작 시, 프로그램 검증 동작을 패스한 후 리드 동작이 수행되도록 제어할 수 있다.
구체적으로, 메모리 장치(100)가 본 발명의 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대응하는 동작 수행 시, 프로그램 동작이 수행될 수 있다. 프로그램 동작 수행 후, 프로그램 검증 동작이 패스되면, 제어 로직(130)은 프로그램 검증 동작이 패스 되었음을 나타내는 정보를 메모리 컨트롤러(도 1의 200)로 출력하는 대신, 메모리 장치(100)가 리드 동작을 수행하도록 제어할 수 있다. 즉, 리드 동작 제어부(170)는 프로그램 검증 동작 패스 후, 프로그램된 데이터를 리드하도록 제어할 수 있다.
프로그램된 데이터가 리드되고, 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수를 초과하는지에 따라 제어 로직(130)은 패스 신호 또는 페일 신호를 수신할 수 있다. 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수를 초과하면, 제어 로직(130)은 프로그램 동작이 페일되었음을 나타내는 프로그램 페일 정보를 출력할 수 있다. 반대로, 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수보다 적으면, 제어 로직(130)은 프로그램 동작이 패스되었음을 나타내는 프로그램 패스 정보를 출력할 수 있다.
프로그램된 데이터를 리드하는 리드 동작이 수행되었음에도 불구하고, 제어 로직(130)은 프로그램 페일 정보를 출력할 수 있다. 즉, 제어 로직(130)은 리드된 데이터를 메모리 컨트롤러로 출력하는 대신, 프로그램 페일 정보 또는 프로그램 패스 정보를 메모리 컨트롤러로 출력할 수 있다.
실시 예에서, 리드된 데이터에 포함된 페일 비트와 비교되는 허용 비트(ALW_BIT)는 허용 비트 설정 레지스터(150)로부터 수신될 수 있다.
허용 비트 설정 레지스터(150)는 리드된 데이터에 포함된 페일 비트와 비교되는 허용 비트(ALW_BIT)를 저장할 수 있다.
실시 예에서, 허용 비트 설정 레지스터(150)는 입출력 회로(125)로부터 커맨드(CMD)를 수신할 수 있다. 입출력 회로(125)로부터 수신된 커맨드(CMD)가 본 발명의 프로그램 다이렉트 리드 커맨드인 경우, 허용 비트 설정 레지스터(150)에 저장된 허용 비트(ALW_BIT)가 센싱 회로(126)에 출력될 수 있다.
실시 예에서, 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 응답하여, 허용 비트 설정 레지스터(150)에 저장된 허용 비트(ALW_BIT)가 센싱 회로(126)로 출력될 수 있다. 센싱 회로(126)로 출력된 허용 비트(ALW_BIT)를 기초로, 센싱 동작 시 프로그램 페일로 처리되는 비트가 변경될 수 있다.
구체적으로, 제어 로직(130)은 리드된 데이터를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단하므로, 일반적인 리드 동작을 수행할 때 보다 허용 비트(ALW_BIT)를 크게 설정할 필요가 있다. 즉, 프로그램 동작이 완료되지 못하고 반복되어 수행되는 것을 방지하기 위해, 허용 비트(ALW_BIT)가 크게 설정될 필요가 있다. 따라서, 허용 비트 설정 레지스터(150)에 저장된 허용 비트(ALW_BIT)를 기초로, 센싱 회로(126)는 리드된 데이터에 포함된 페일 비트가 허용 비트(ALW_BIT)를 초과했는지를 판단할 수 있다.
실시 예에서, 메모리 컨트롤러로부터 수신된 허용 비트 설정 커맨드를 기초로, 허용 비트 설정 레지스터(150)에 저장된 허용 비트(ALW_BIT)가 변경될 수 있다. 즉, 메모리 장치(100)가 출력하는 프로그램 페일 정보의 횟수가 증가할수록, 허용 비트(ALW_BIT)를 크게 설정하기 위해, 허용 비트 설정 레지스터(150)는 허용 비트 설정 커맨드를 수신할 수 있다. 허용 비트 설정 레지스터(150)는 허용 비트의 개수를 종전 허용 비트의 개수보다 크게 설정하고, 이 후 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대응하는 동작 수행 시, 센싱 회로로 변경된 허용 비트(ALW_BIT)를 출력할 수 있다.
도 6은 도 5의 메모리 셀 어레이의 일 실시 예를 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 메모리 셀 어레이(110)는 복수의 메모리 블록들(BLK1~BLKz)을 포함한다. 각 메모리 블록은 3차원 구조를 가질 수 있다. 각 메모리 블록은 기판 위에 적층된 복수의 메모리 셀들을 포함한다. 이러한 복수의 메모리 셀들은 +X 방향, +Y 방향 및 +Z 방향을 따라 배열된다. 각 메모리 블록의 구조는 도 7 및 도 8을 참조하여 더 상세히 설명된다.
도 7은 도 6의 메모리 블록들(BLK1~BLKz) 중 어느 하나의 메모리 블록(BLKa)을 보여주는 회로도이다.
도 7을 참조하면, 메모리 블록(BLKa)은 복수의 셀 스트링들(CS11~CS1m, CS21~CS2m)을 포함한다. 실시 예로서, 복수의 셀 스트링들(CS11~CS1m, CS21~CS2m) 각각은 'U'자형으로 형성될 수 있다. 메모리 블록(BLKa) 내에서, 행 방향(즉 +X 방향)으로 m개의 셀 스트링들이 배열된다. 도 7에서, 열 방향(즉 +Y 방향)으로 2개의 셀 스트링들이 배열되는 것으로 도시되었다. 하지만 이는 설명의 편의를 위한 것으로서 열 방향으로 3개 이상의 셀 스트링들이 배열될 수 있음이 이해될 것이다.
복수의 셀 스트링들(CS11~CS1m, CS21~CS2m) 각각은 적어도 하나의 소스 선택 트랜지스터(SST), 제 1 내지 제 n 메모리 셀들(MC1~MCn), 파이프 트랜지스터(PT), 그리고 적어도 하나의 드레인 선택 트랜지스터(DST)를 포함한다.
각 셀 스트링의 소스 선택 트랜지스터(SST)는 공통 소스 라인(CSL)과 메모리 셀들(MC1~MCp) 사이에 연결된다.
실시 예로서, 동일한 행에 배열된 셀 스트링들의 소스 선택 트랜지스터들은 행 방향으로 신장되는 소스 선택 라인에 연결되고, 상이한 행에 배열된 셀 스트링들의 소스 선택 트랜지스터들은 상이한 소스 선택 라인들에 연결된다. 도 7에서, 제 1 행의 셀 스트링들(CS11~CS1m)의 소스 선택 트랜지스터들은 제 1 소스 선택 라인(SSL1)에 연결되어 있다. 제 2 행의 셀 스트링들(CS21~CS2m)의 소스 선택 트랜지스터들은 제 2 소스 선택 라인(SSL2)에 연결되어 있다.
다른 실시 예로서, 셀 스트링들(CS11~CS1m, CS21~CS2m)의 소스 선택 트랜지스터들은 하나의 소스 선택 라인에 공통 연결될 수 있다.
각 셀 스트링의 제 1 내지 제 n 메모리 셀들(MC1~MCn)은 소스 선택 트랜지스터(SST)와 드레인 선택 트랜지스터(DST) 사이에 연결된다.
제 1 내지 제 n 메모리 셀들(MC1~MCn)은 제 1 내지 제 p 메모리 셀들(MC1~MCp)과 제 p+1 내지 제 n 메모리 셀들(MCp+1~MCn)로 구분될 수 있다. 제 1 내지 제 p 메모리 셀들(MC1~MCp)은 +Z 방향과 역방향으로 순차적으로 배열되며, 소스 선택 트랜지스터(SST)와 파이프 트랜지스터(PT) 사이에서 직렬 연결된다. 제 p+1 내지 제 n 메모리 셀들(MCp+1~MCn)은 +Z 방향으로 순차적으로 배열되며, 파이프 트랜지스터(PT)와 드레인 선택 트랜지스터(DST) 사이에서 직렬 연결된다. 제 1 내지 제 p 메모리 셀들(MC1~MCp)과 제 p+1 내지 제 n 메모리 셀들(MCp+1~MCn)은 파이프 트랜지스터(PT)를 통해 연결된다. 각 셀 스트링의 제 1 내지 제 n 메모리 셀들(MC1~MCn)의 게이트들은 각각 제 1 내지 제 n 워드 라인들(WL1~WLn)에 연결된다.
각 셀 스트링의 파이프 트랜지스터(PT)의 게이트는 파이프 라인(PL)에 연결된다.
각 셀 스트링의 드레인 선택 트랜지스터(DST)는 해당 비트 라인과 메모리 셀들(MCp+1~MCn) 사이에 연결된다. 행 방향으로 배열되는 셀 스트링들은 행 방향으로 신장되는 드레인 선택 라인에 연결된다. 제 1 행의 셀 스트링들(CS11~CS1m)의 드레인 선택 트랜지스터들은 제 1 드레인 선택 라인(DSL1)에 연결된다. 제 2 행의 셀 스트링들(CS21~CS2m)의 드레인 선택 트랜지스터들은 제 2 드레인 선택 라인(DSL2)에 연결된다.
열 방향으로 배열되는 셀 스트링들은 열 방향으로 신장되는 비트 라인에 연결된다. 도 7에서, 제 1 열의 셀 스트링들(CS11, CS21)은 제 1 비트 라인(BL1)에 연결되어 있다. 제 m 열의 셀 스트링들(CS1m, CS2m)은 제 m 비트 라인(BLm)에 연결되어 있다.
행 방향으로 배열되는 셀 스트링들 내에서 동일한 워드 라인에 연결되는 메모리 셀들은 하나의 페이지를 구성한다. 예를 들면, 제 1 행의 셀 스트링들(CS11~CS1m) 중 제 1 워드 라인(WL1)과 연결된 메모리 셀들은 하나의 페이지를 구성한다. 제 2 행의 셀 스트링들(CS21~CS2m) 중 제 1 워드 라인(WL1)과 연결된 메모리 셀들은 다른 하나의 페이지를 구성한다. 드레인 선택 라인들(DSL1, DSL2) 중 어느 하나가 선택됨으로써 하나의 행 방향으로 배열되는 셀 스트링들이 선택될 것이다. 워드 라인들(WL1~WLn) 중 어느 하나가 선택됨으로써 선택된 셀 스트링들 중 하나의 페이지가 선택될 것이다.
다른 실시 예로서, 제 1 내지 제 m 비트 라인들(BL1~BLm) 대신 이븐 비트 라인들 및 오드 비트 라인들이 제공될 수 있다. 그리고 행 방향으로 배열되는 셀 스트링들(CS11~CS1m 또는 CS21~CS2m) 중 짝수 번째 셀 스트링들은 이븐 비트 라인들에 각각 연결되고, 행 방향으로 배열되는 셀 스트링들(CS11~CS1m 또는 CS21~CS2m) 중 홀수 번째 셀 스트링들은 오드 비트 라인들에 각각 연결될 수 있다.
실시 예로서, 제 1 내지 제 n 메모리 셀들(MC1~MCn) 중 적어도 하나 이상은 더미 메모리 셀로서 이용될 수 있다. 예를 들어, 적어도 하나 이상의 더미 메모리 셀들은 소스 선택 트랜지스터(SST)와 메모리 셀들(MC1~MCp) 사이의 전계(electric field)를 감소시키기 위해 제공된다. 또는, 적어도 하나 이상의 더미 메모리 셀들은 드레인 선택 트랜지스터(DST)와 메모리 셀들(MCp+1~MCn) 사이의 전계를 감소시키기 위해 제공된다. 더 많은 더미 메모리 셀들이 제공될수록, 메모리 블록(BLKa)에 대한 동작의 신뢰성이 향상되는 반면, 메모리 블록(BLKa)의 크기는 증가한다. 더 적은 메모리 셀들이 제공될수록, 메모리 블록(BLKa)의 크기는 감소하는 반면 메모리 블록(BLKa)에 대한 동작의 신뢰성은 저하될 수 있다.
적어도 하나 이상의 더미 메모리 셀들을 효율적으로 제어하기 위해, 더미 메모리 셀들 각각은 요구되는 문턱 전압을 가질 수 있다. 메모리 블록(BLKa)에 대한 소거 동작 이전 또는 이후에, 더미 메모리 셀들 중 전부 혹은 일부에 대한 프로그램 동작들이 수행될 수 있다. 프로그램 동작이 수행된 뒤에 소거 동작이 수행되는 경우, 더미 메모리 셀들의 문턱 전압은 각각의 더미 메모리 셀들에 연결된 더미 워드 라인들에 인가되는 전압을 제어함으로써, 더미 메모리 셀들은 요구되는 문턱 전압을 가질 수 있다.
도 8은 도 6의 메모리 블록들(BLK1~BLKz) 중 어느 하나의 메모리 블록(BLKb)의 다른 실시 예를 보여주는 회로도이다.
도 8을 참조하면 메모리 블록(BLKb)은 복수의 셀 스트링들(CS11'~CS1m', CS21'~CS2m')을 포함한다. 복수의 셀 스트링들(CS11'~CS1m', CS21'~CS2m') 각각은 +Z 방향을 따라 신장된다. 복수의 셀 스트링들(CS11'~CS1m', CS21'~CS2m') 각각은, 메모리 블록(BLK1') 하부의 기판(미도시) 위에 적층된, 적어도 하나의 소스 선택 트랜지스터(SST), 제 1 내지 제 n 메모리 셀들(MC1~MCn) 그리고 적어도 하나의 드레인 선택 트랜지스터(DST)를 포함한다.
각 셀 스트링의 소스 선택 트랜지스터(SST)는 공통 소스 라인(CSL)과 메모리 셀들(MC1~MCn) 사이에 연결된다. 동일한 행에 배열된 셀 스트링들의 소스 선택 트랜지스터들은 동일한 소스 선택 라인에 연결된다. 제 1 행에 배열된 셀 스트링들(CS11'~CS1m')의 소스 선택 트랜지스터들은 제 1 소스 선택 라인(SSL1)에 연결된다. 제 2 행에 배열된 셀 스트링들(CS21'~CS2m')의 소스 선택 트랜지스터들은 제 2 소스 선택 라인(SSL2)에 연결된다. 다른 실시 예로서, 셀 스트링들(CS11'~CS1m', CS21'~CS2m')의 소스 선택 트랜지스터들은 하나의 소스 선택 라인에 공통 연결될 수 있다.
각 셀 스트링의 제 1 내지 제 n 메모리 셀들(MC1~MCn)은 소스 선택 트랜지스터(SST)와 드레인 선택 트랜지스터(DST) 사이에서 직렬 연결된다. 제 1 내지 제 n 메모리 셀들(MC1~MCn)의 게이트들은 각각 제 1 내지 제 n 워드 라인들(WL1~WLn)에 연결된다.
각 셀 스트링의 드레인 선택 트랜지스터(DST)는 해당 비트 라인과 메모리 셀들(MC1~MCn) 사이에 연결된다. 행 방향으로 배열되는 셀 스트링들의 드레인 선택 트랜지스터들은 행 방향으로 신장되는 드레인 선택 라인에 연결된다. 제 1 행의 셀 스트링들(CS11'~CS1m')의 드레인 선택 트랜지스터들은 제 1 드레인 선택 라인(DSL1)에 연결된다. 제 2 행의 셀 스트링들(CS21'~CS2m')의 드레인 선택 트랜지스터들은 제 2 드레인 선택 라인(DSL2)에 연결된다.
결과적으로, 각 셀 스트링에 파이프 트랜지스터(PT)가 제외된 것을 제외하면 도 8의 메모리 블록(BLKb)은 도 7의 메모리 블록(BLKa)과 유사한 등가 회로를 갖는다.
다른 실시 예로서, 제 1 내지 제 m 비트 라인들(BL1~BLm) 대신 이븐 비트 라인들 및 오드 비트 라인들이 제공될 수 있다. 그리고 행 방향으로 배열되는 셀 스트링들(CS11'~CS1m' 또는 CS21'~CS2m') 중 짝수 번째 셀 스트링들은 이븐 비트 라인들에 각각 연결되고, 행 방향으로 배열되는 셀 스트링들(CS11'~CS1m' 또는 CS21'~CS2m') 중 홀수 번째 셀 스트링들은 오드 비트 라인들에 각각 연결될 수 있다.
또한, 소스 선택 트랜지스터(SST)와 메모리 셀들(MC1~MCn) 사이의 전계(electric field)를 감소시키기 위해 제 1 내지 제 n 메모리 셀들(MC1~MCn) 중 적어도 하나 이상이 더미 메모리 셀로서 이용될 수도 있다.
도 9는 트리플 레벨 셀의 프로그램 방식에서 리드되는 논리 페이지를 나타낸다.
도 9를 참조하면, 도 9의 (a)는 메모리 장치(도 1의 100)가 트리플 레벨 셀(Triple Level Cell; TLC) 방식으로 프로그램 동작을 수행할 때의 소거 상태(E) 및 제1 내지 제7 프로그램 상태(P1~P7)를 나타내고, 도 9의 (b)는 메모리 장치(도 1의 100)가 트리플 레벨 셀(TLC) 방식으로 프로그램 동작을 수행한 후 리드되는 논리 페이지(Logical Page)를 나타낸다. 논리 페이지는 메모리 장치가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 수행할 때 리드되는 페이지일 수 있다.
도 9의 (a)는 메모리 셀이 3 비트에 해당하는 데이터를 저장하는 경우를 도시한다. 도 9의 (a)에서, 가로축은 메모리 셀들의 상태에 따른 문턱 전압(Vth)을 나타내고, 세로축은 메모리 셀의 개수를 나타낸다.
도 9의 (a)에서, 하나의 메모리 셀이 3 비트에 해당하는 데이터를 저장하는 트리플 레벨 셀(Triple Level Cell; TLC) 방식의 프로그램 동작을 예를 들어 설명하면, 메모리 셀은 소거 상태(E) 및 제1 내지 제7 프로그램 상태(P1~P7) 중 어느 하나에 해당하는 문턱 전압을 갖도록 프로그램 될 수 있다. 즉, 메모리 셀은 소거 상태(E), 제1 프로그램 상태(P1), 제2 프로그램 상태(P2), 제3 프로그램 상태(P3), 제4 프로그램 상태(P4), 제5 프로그램 상태(P5), 제6 프로그램 상태(P6) 및 제7 프로그램 상태(P7) 중 어느 하나에 해당하는 문턱 전압을 갖도록 프로그램 될 수 있다. 메모리 셀들은 프로그램 동작이 수행되기 전에 소거 상태(E)에 해당하는 문턱 전압 분포를 가질 수 있다.
소거 상태(E)는 데이터 '111'과 대응되고, 제1 프로그램 상태(P1)는 데이터 '110'과 대응되고, 제2 프로그램 상태(P2)는 데이터 '100'과 대응되고, 제3 프로그램 상태(P3)는 데이터 '000'과 대응되고, 제4 프로그램 상태(P4)는 데이터 '010'과 대응되고, 제5 프로그램 상태(P5)는 데이터 '011'과 대응되고, 제6 프로그램 상태(P6)는 데이터 '001'과 대응되고, 제7 프로그램 상태(P7)는 데이터 '101'과 대응될 수 있다. 다만, 각각의 프로그램 상태에 대응하는 데이터는 예시적인 것이며, 다양하게 변형될 수 있다.
메모리 장치는 제1 리드 전압(R1) 내지 제7 리드 전압(R7)을 이용한 리드 동작을 수행함으로써 선택된 메모리 셀들에 저장된 데이터를 리드할 수 있다.
제1 리드 전압(R1)은 소거 상태(E)와 제1 프로그램 상태(P1)를 구분하는 리드 전압이고, 제2 리드 전압(R2)은 제1 프로그램 상태(P1)와 제2 프로그램 상태(P2)를 구분하는 리드 전압이고, 제3 리드 전압(R3)은 제2 프로그램 상태(P2)와 제3 프로그램 상태(P3)를 구분하는 리드 전압이고, 제4 리드 전압(R4)은 제3 프로그램 상태(P3)와 제4 프로그램 상태(P4)를 구분하는 리드 전압이고, 제5 리드 전압(R5)은 제4 프로그램 상태(P4)와 제5 프로그램 상태(P5)를 구분하는 리드 전압이고, 제6 리드 전압(R6)은 제5 프로그램 상태(P5)와 제6 프로그램 상태(P6)를 구분하는 리드 전압이고, 제7 리드 전압(R7)은 제6 프로그램 상태(P6)와 제7 프로그램 상태(P7)를 구분하는 리드 전압일 수 있다.
도 9의 (b)는 메모리 장치(도 1의 100)가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드 동작 시, 메모리 셀들의 상태에 따라 리드되는 페이지를 도시한다.
구체적으로, 메모리 장치가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드 동작 시, 메모리 장치는 프로그램 검증 동작이 패스된 후 프로그램된 데이터를 리드할 수 있다.
트리플 레벨 셀(TLC) 방식의 프로그램 동작에서, 메모리 셀에 저장되는 3 비트에 해당되는 데이터는 하위 페이지(Least Significant Bit page; LSB page), 중간 페이지(Central Significant Bit page; CSB page) 및 상위 페이지(Most Significant Bit page; MSB page)의 논리 데이터로 구분될 수 있다. 따라서, 메모리 장치는 하위 페이지(LSB page), 중간 페이지(CSB page) 또는 상위 페이지(MSB page)의 데이터에 따라 리드 동작을 각각 수행할 수 있다.
예를 들면, 메모리 장치는 프로그램된 데이터 중 하위 페이지(LSB Page)를 리드할 수 있다. 메모리 장치가 하위 페이지(LSB Page)를 리드하는 경우, 소거 상태(E) 및 제5 내지 제7 프로그램 상태(P5~P7)의 메모리 셀은 '1', 제1 내지 제4 프로그램 상태(P1~P4)의 메모리 셀은 '0'으로 리드될 수 있다.
실시 예에서, 메모리 컨트롤러(도 1의 200)가 카운트한 프로그램 페일 정보 수신 횟수가 기준값을 초과하면 상위 페이지(MSB Page) 및 중간 페이지(CSB Page) 중 적어도 하나를 추가적으로 리드할 수 있다. 즉, 리드된 데이터에 대한 신뢰성 확보를 위해, 하위 페이지뿐만 아니라 다른 페이지도 리드될 수 있다.
상위 페이지(MSB Page)가 리드되는 경우, 소거 상태(E), 제1, 제2 및 제7 프로그램 상태(P1, P2, P7)의 메모리 셀은 '1', 제3 내지 제6 프로그램 상태(P3~P6)의 메모리 셀은 '0'으로 리드될 수 있다. 중간 페이지(CSB Page)가 리드되는 경우, 소거 상태(E), 제1, 제4 및 제5 프로그램 상태(P1, P4, P5)의 메모리 셀은 '1', 제2, 제3, 제6 및 제7 프로그램 상태(P2, P3, P6, P7)의 메모리 셀은 '0'으로 리드될 수 있다.
메모리 장치는 리드된 페이지들에 각각 포함된 페일 비트를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단할 수 있다. 실시 예에서, 하위 페이지(LSB Page) 및 추가적으로 리드된 페이지를 통해 프로그램 동작의 패스 또는 페일이 판단되지 않는 경우, 다른 페이지가 리드될 수 있다. 즉, 리드된 페이지들 중 어느 하나에 포함된 페일 비트의 개수는 허용 비트의 개수를 초과하고 다른 하나에 포함된 페일 비트의 개수는 허용 비트의 개수를 초과하지 않는 경우, 다른 페이지가 추가적으로 리드될 수 있다. 추가적으로 리드된 페이지에 포함된 페일 비트의 개수를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일이 판단될 수 있다.
도 10은 쿼드러플 레벨 셀의 프로그램 방식에서 리드되는 논리 페이지를 나타낸다.
도 10을 참조하면, 도 10의 (a)는 메모리 장치(도 1의 100)가 쿼드러플 레벨 셀(Quadruple Level Cell; QLC) 방식으로 프로그램 동작을 수행할 때의 소거 상태(E) 및 제1 내지 제15 프로그램 상태(P1~P15)를 나타내고, 도 10의 (b)는 메모리 장치(도 1의 100)가 쿼드러플 레벨 셀(QLC) 방식으로 프로그램 동작을 수행한 후 리드되는 논리 페이지(Logical Page)를 나타낸다. 논리 페이지는 메모리 장치가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 수행할 때 리드되는 페이지일 수 있다.
도 10의 (a)는 메모리 셀이 4 비트에 해당하는 데이터를 저장하는 경우를 도시한다. 도 10의 (a)에서, 가로축은 메모리 셀들의 상태에 따른 문턱 전압(Vth)을 나타내고, 세로축은 메모리 셀의 개수를 나타낸다.
도 10의 (a)에서, 하나의 메모리 셀이 4 비트에 해당하는 데이터를 저장하는 쿼드러플 레벨 셀(Quadruple Level Cell; QLC) 방식의 프로그램 동작을 예를 들어 설명하면, 메모리 셀은 소거 상태(E) 및 제1 내지 제15 프로그램 상태(P1~P15) 중 어느 하나에 해당하는 문턱 전압을 갖도록 프로그램 될 수 있다. 즉, 메모리 셀은 소거 상태(E), 제1 프로그램 상태(P1), 제2 프로그램 상태(P2), 제3 프로그램 상태(P3), 제4 프로그램 상태(P4), 제5 프로그램 상태(P5), 제6 프로그램 상태(P6), 제7 프로그램 상태(P7), 제8 프로그램 상태(P8), 제9 프로그램 상태(P9), 제10 프로그램 상태(P10), 제11 프로그램 상태(P11), 제12 프로그램 상태(P12), 제13 프로그램 상태(P13), 제14 프로그램 상태(P14) 및 제15 프로그램 상태(P15) 중 어느 하나에 해당하는 문턱 전압을 갖도록 프로그램 될 수 있다. 메모리 셀들은 프로그램 동작이 수행되기 전에 소거 상태(E)에 해당하는 문턱 전압 분포를 가질 수 있다.
소거 상태(E)는 데이터 '1111'과 대응되고, 제1 프로그램 상태(P1)는 데이터 '1110'과 대응되고, 제2 프로그램 상태(P2)는 데이터 '1100'과 대응되고, 제3 프로그램 상태(P3)는 데이터 '1000'과 대응되고, 제4 프로그램 상태(P4)는 데이터 '0000'과 대응되고, 제5 프로그램 상태(P5)는 데이터 '0100'과 대응되고, 제6 프로그램 상태(P6)는 데이터 '0101'과 대응되고, 제7 프로그램 상태(P7)는 데이터 '0111'과 대응되고, 제8 프로그램 상태(P8)는 데이터 '0110'과 대응되고, 제9 프로그램 상태(P9)는 데이터 '0010'과 대응되고, 제10 프로그램 상태(P10)는 데이터 '1010'과 대응되고, 제11 프로그램 상태(P11)는 데이터 '1011'과 대응되고, 제12 프로그램 상태(P12)는 데이터 '0011'과 대응되고, 제13 프로그램 상태(P13)는 데이터 '0001'과 대응되고, 제14 프로그램 상태(P14)는 데이터 '1001'과 대응되고, 제15 프로그램 상태(P15)는 데이터 '1101'과 대응될 수 있다. 다만, 각각의 프로그램 상태에 대응하는 데이터는 예시적인 것이며, 다양하게 변형될 수 있다.
메모리 장치는 제1 리드 전압(R1) 내지 제7 리드 전압(R7)을 이용한 리드 동작을 수행함으로써 선택된 메모리 셀들에 저장된 데이터를 리드할 수 있다.
제1 리드 전압(R1)은 소거 상태(E)와 제1 프로그램 상태(P1)를 구분하는 리드 전압이고, 제2 리드 전압(R2)은 제1 프로그램 상태(P1)와 제2 프로그램 상태(P2)를 구분하는 리드 전압이고, 제3 리드 전압(R3)은 제2 프로그램 상태(P2)와 제3 프로그램 상태(P3)를 구분하는 리드 전압이고, 제4 리드 전압(R4)은 제3 프로그램 상태(P3)와 제4 프로그램 상태(P4)를 구분하는 리드 전압이고, 제5 리드 전압(R5)은 제4 프로그램 상태(P4)와 제5 프로그램 상태(P5)를 구분하는 리드 전압이고, 제6 리드 전압(R6)은 제5 프로그램 상태(P5)와 제6 프로그램 상태(P6)를 구분하는 리드 전압이고, 제7 리드 전압(R7)은 제6 프로그램 상태(P6)와 제7 프로그램 상태(P7)를 구분하는 리드 전압이고, 제8 리드 전압(R8)은 제7 프로그램 상태(P7)와 제8 프로그램 상태(P8)를 구분하는 리드 전압이고, 제9 리드 전압(R9)은 제8 프로그램 상태(P8)와 제9 프로그램 상태(P9)를 구분하는 리드 전압이고, 제10 리드 전압(R10)은 제9 프로그램 상태(P9)와 제10 프로그램 상태(P10)를 구분하는 리드 전압이고, 제11 리드 전압(R11)은 제10 프로그램 상태(P10)와 제11 프로그램 상태(P11)를 구분하는 리드 전압이고, 제12 리드 전압(R12)은 제11 프로그램 상태(P11)와 제12 프로그램 상태(P12)를 구분하는 리드 전압이고, 제13 리드 전압(R13)은 제12 프로그램 상태(P12)와 제13 프로그램 상태(P13)를 구분하는 리드 전압이고, 제14 리드 전압(R14)은 제13 프로그램 상태(P13)와 제14 프로그램 상태(P14)를 구분하는 리드 전압이고, 제15 리드 전압(R15)은 제14 프로그램 상태(P14)와 제15 프로그램 상태(P15)를 구분하는 리드 전압일 수 있다.
도 10의 (b)는 메모리 장치(도 1의 100)가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 응답하여 동작 시, 메모리 셀들의 상태에 따라 리드되는 페이지를 도시한다.
구체적으로, 메모리 장치가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드 동작 시, 메모리 장치는 프로그램 검증 동작이 패스된 후 프로그램된 데이터를 리드할 수 있다.
쿼드러플 레벨 셀(QLC) 방식의 프로그램 동작에서, 메모리 셀에 저장되는 4 비트에 해당되는 데이터는 하위 페이지(Least Significant Bit page; LSB page), 중간 페이지(Central Significant Bit page; CSB page), 상위 페이지(Most Significant Bit page; MSB page) 및 최상위 페이지(Quad Significant Bit page; QSB page)의 논리 데이터로 구분될 수 있다. 따라서, 메모리 장치는 하위 페이지(LSB page), 중간 페이지(CSB page), 상위 페이지(MSB page) 또는 최상위 페이지(QSB Page)의 데이터에 따라 리드 동작을 각각 수행할 수 있다.
예를 들면, 메모리 장치는 프로그램된 데이터 중 하위 페이지(LSB Page)를 리드할 수 있다. 메모리 장치가 하위 페이지(LSB Page)를 리드하는 경우, 소거 상태(E), 제6, 제7, 제11 내지 제15 프로그램 상태(P6, P7, P11~P15)의 메모리 셀은 '1', 제1 내지 제5, 제8 내지 제10 프로그램 상태(P1~P5, P8~P10)의 메모리 셀은 '0'으로 리드될 수 있다.
실시 예에서, 메모리 컨트롤러(도 1의 200)가 카운트한 프로그램 페일 정보 수신 횟수가 기준값을 초과하면 최상위 페이지(QSB Page), 상위 페이지(MSB Page) 및 중간 페이지(CSB Page) 중 적어도 하나를 추가적으로 리드할 수 있다. 즉, 리드된 데이터에 대한 신뢰성 확보를 위해, 하위 페이지뿐만 아니라 다른 페이지도 리드될 수 있다.
최상위 페이지(QSB Page)가 리드되는 경우, 소거 상태(E), 제1 내지 제3, 제10, 제11, 제14 및 제15 프로그램 상태(P1~P3, P10, P11, P14, P15)의 메모리 셀은 '1', 제4 내지 제9, 제12 및 제13 프로그램 상태(P4~P9, P12, P13)의 메모리 셀은 '0'으로 리드될 수 있다. 상위 페이지(MSB Page)가 리드되는 경우, 소거 상태(E), 제1, 제2, 제5 내지 제8 및 제15 프로그램 상태(P1, P2, P5~P8, P15)의 메모리 셀은 '1', 제3, 제4, 제9 내지 제14 프로그램 상태(P3, P4, P9~P14)의 메모리 셀은 '0'으로 리드될 수 있다. 중간 페이지(CSB Page)가 리드되는 경우, 소거 상태(E), 제1, 제7 내지 제12 프로그램 상태(P1, P7~P12)의 메모리 셀은 '1', 제2 내지 제6, 제13 내지 제15 프로그램 상태(P2~P6, P13~P15)의 메모리 셀은 '0'으로 리드될 수 있다.
메모리 장치는 리드된 페이지들에 각각 포함된 페일 비트를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단할 수 있다. 실시 예에서, 하위 페이지(LSB Page) 및 추가적으로 리드된 페이지를 통해 프로그램 동작의 패스 또는 페일이 판단되지 않는 경우, 다른 페이지가 리드될 수 있다. 즉, 리드된 페이지들 중 어느 하나에 포함된 페일 비트의 개수는 허용 비트의 개수를 초과하고 다른 하나에 포함된 페일 비트의 개수는 허용 비트의 개수를 초과하지 않는 경우, 다른 페이지가 추가적으로 리드될 수 있다. 추가적으로 리드된 페이지에 포함된 페일 비트의 개수를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일이 판단될 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시 예에 따른 메모리 장치의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 11을 참조하면, S1101 단계에서, 메모리 장치는 메모리 컨트롤러로부터 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 수신할 수 있다. 프로그램 다이렉트 리드 커맨드는 메모리 장치가 프로그램 동작 수행 후 프로그램 검증 동작을 패스하면, 프로그램된 데이터를 리드한 리드된 데이터를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단하도록 지시하는 커맨드일 수 있다.
메모리 장치가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 수신하면, 메모리 장치는 허용 비트의 개수를 설정할 수 있다(S1103). 허용 비트의 개수는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 응답하여 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수와 비교되는 개수의 비트일 수 있다. 허용 비트는 허용 비트 설정 레지스터에 저장될 수 있다. 허용 비트 설정 레지스터에 저장된 허용 비트는 센싱 회로에 제공될 수 있다.
S1105 단계에서, 메모리 장치는 프로그램 검증 동작을 패스했는지 판단할 수 있다. 즉, 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대응하는 프로그램 동작 수행 후 프로그램 검증 동작이 수행되면, 메모리 장치는 프로그램 검증 동작을 패스했는지 판단할 수 있다.
프로그램 검증 동작이 페일된 경우(N), 메모리 장치는 프로그램 페일 정보를 메모리 컨트롤러로 출력할 수 있다(S1113). 메모리 장치가 설정된 프로그램 루프들을 모두 수행했지만 프로그램 검증 동작을 패스하지 못하면, 프로그램 페일 정보가 출력될 수 있다.
프로그램 검증 동작이 패스된 경우(Y), 메모리 장치는 프로그램된 데이터를 리드하는 리드 동작을 수행할 수 있다(S1107). 즉, 메모리 장치가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대응하는 동작을 수행하는 경우, 메모리 장치는 프로그램 검증 동작을 패스한 후 프로그램된 데이터에 대한 리드 동작을 수행할 수 있다. 이 때, 메모리 장치는 하위 페이지를 리드할 수 있다. 실시 예에서, 메모리 장치는 하위 페이지뿐만 아니라 다른 페이지도 리드할 수 있다.
프로그램된 데이터를 리드하는 리드 동작이 수행되면, 메모리 장치는 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수를 초과하는지 판단할 수 있다(S1109). 즉, 메모리 장치는 리드된 데이터를 메모리 컨트롤러로 출력하지 않고, 리드된 데이터에 포함된 페일 비트와 허용 비트 설정 레지스터로부터 제공받은 허용 비트를 비교할 수 있다. 메모리 장치는 리드된 데이터에 포함된 페일 비트 및 허용 비트를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단할 수 있다.
리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수를 초과하지 않는 경우(N), 메모리 장치는 프로그램 패스 정보를 메모리 컨트롤러로 출력할 수 있다(S1111). 즉, 리드된 데이터 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수보다 적으면, 메모리 장치는 프로그램 검증 동작이 아닌 리드된 데이터를 기초로 프로그램 동작이 패스되었음을 판단할 수 있다.
리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수를 초과하는 경우(Y), 메모리 장치는 프로그램 페일 정보를 메모리 컨트롤러로 출력할 수 있다(S1113). 즉, 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수를 초과하면, 메모리 장치는 프로그램 검증 동작이 아닌 리드된 데이터를 기초로 프로그램 동작이 페일되었음을 판단할 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시 예에 따른 메모리 컨트롤러의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 12를 참조하면, S1201 단계에서, 메모리 컨트롤러는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 메모리 장치로 출력할 수 있다. 프로그램 다이렉트 리드 커맨드는 호스트로부터 수신된 요청에 대응하는 커맨드일 수 있다. 메모리 컨트롤러가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 메모리 장치로 출력한 후, 메모리 컨트롤러는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대한 응답을 수신할 수 있다. 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대한 응답은 프로그램 패스 정보 또는 프로그램 페일 정보일 수 있다.
S1203 단계에서, 메모리 컨트롤러가 프로그램 페일 정보를 수신했는지를 판단할 수 있다. 즉, 메모리 컨트롤러가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대한 응답으로, 메모리 장치로부터 프로그램 페일 정보를 수신했는지를 판단할 수 있다.
메모리 컨트롤러가 프로그램 페일 정보를 수신한 경우(Y), 메모리 컨트롤러는 프로그램 페일 정보를 기초로 프로그램 페일이 발생한 메모리 셀을 포함하는 메모리 블록을 배드 블록 처리 및 배드 블록 정보를 생성할 수 있다(S1205).
실시 예에서, 메모리 컨트롤러는 프로그램 페일 정보를 기초로 프로그램 페일된 메모리 셀들을 포함하는 메모리 블록을 배드 블록 처리할 수 있다. 즉, 메모리 컨트롤러는 메모리 컨트롤러 내 배드 블록 관리 테이블에 해당 메모리 블록이 배드 블록임을 기록하고, 배드 블록 관리 테이블에 기록된 메모리 블록에 대응하는 어드레스가 출력되지 않도록 제어할 수 있다.
또, 메모리 컨트롤러는 프로그램 페일된 메모리 셀들을 포함하는 메모리 블록을 배드 블록 처리한 후, 배드 블록이 발생했음을 나타내는 배드 블록 정보를 생성할 수 있다. 즉, 메모리 장치가 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대응하는 동작을 수행하였으나, 프로그램 동작이 페일되었고, 프로그램 페일이 발생한 메모리 블록임을 나타내는 배드 블록 정보가 생성될 수 있다.
배드 블록 정보가 생성되면, 메모리 컨트롤러는 배드 블록 정보를 기초로 재프로그램 커맨드를 메모리 장치로 출력할 수 있다(S1207). 구체적으로, 프로그램 동작이 페일되었기 때문에, 메모리 장치 내 래치에 저장된 데이터를 다시 프로그램할 필요가 있다. 따라서, 메모리 컨트롤러는 메모리 장치가 다시 프로그램 동작을 수행하도록 재프로그램 커맨드를 메모리 장치로 출력할 수 있다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 메모리 컨트롤러의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 13을 참조하면, S1301 단계에서, 메모리 컨트롤러는 메모리 장치로부터 프로그램 페일 정보를 수신하고, 페일 정보를 수신한 횟수를 카운트하여 카운트값을 생성할 수 있다. 프로그램 페일 정보는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대한 응답일 수 있다. 프로그램 페일 정보는 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수가 허용 비트의 개수를 초과할 때 메모리 장치로부터 출력될 수 있다.
메모리 컨트롤러는 페일 정보를 수신한 횟수를 카운트하여 생성한 카운트값이 기준값을 초과하는지 판단할 수 있다(S1303). 즉, 메모리 장치가 메모리 컨트롤러로부터 수신된 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대응하는 동작을 수행했으나, 프로그램 페일 발생 횟수가 증가되었는지 판단될 수 있다.
메모리 컨트롤러가 생성한 카운트값이 기준값을 초과하지 않는 경우(N), 메모리 컨트롤러는 다시 프로그램 페일 정보를 수신한 횟수를 카운트하여 카운트값을 생성할 수 있다(S1301).
메모리 컨트롤러가 생성한 카운트값이 기준값을 초과하면(Y), 메모리 컨트롤러는 카운트값을 허용 비트 설정부, 센싱 회로 선택부 및 리드 동작 설정부 중 적어도 하나에 출력할 수 있다(S1305). 허용 비트 설정부, 센싱 회로 선택부 및 리드 동작 설정부 중 적어도 하나가 카운트값을 수신하면, 수신된 카운트값을 기초로 메모리 장치의 동작 모드를 설정할 수 있다(S1307).
구체적으로, 허용 비트 설정부는 수신된 카운트값을 기초로 메모리 장치에 포함된 허용 비트 설정 레지스터에 저장된 허용 비트를 변경하기 위한 허용 비트 설정 커맨드를 출력할 수 있다. 센싱 회로 선택부는 수신된 카운트값을 기초로 센싱 회로에 포함된 회로들 중 전류 센싱 회로로 센싱 동작을 수행하도록 제어할 수 있다. 리드 동작 설정부는 수신된 카운트값을 기초로 프로그램 다이렉트 리드 커맨드 수행 시, 리드할 페이지 및/또는 리드 전압을 설정할 수 있다.
도 14는 도 1의 메모리 컨트롤러의 다른 실시 예를 설명하기 위한 도면이다.
메모리 컨트롤러(1000)는 호스트(Host) 및 메모리 장치에 연결된다. 호스트(Host)로부터의 요청에 응답하여, 메모리 컨트롤러(1000)는 메모리 장치를 액세스하도록 구성된다. 예를 들면, 메모리 컨트롤러(1000)는 메모리 장치의 쓰기, 읽기, 소거, 그리고 배경(background) 동작을 제어하도록 구성된다. 메모리 컨트롤러(1000)는 메모리 장치 및 호스트(Host) 사이에 인터페이스를 제공하도록 구성된다. 메모리 컨트롤러(1000)는 메모리 장치를 제어하기 위한 펌웨어(firmware)를 구동하도록 구성된다.
도 14를 참조하면, 메모리 컨트롤러(1000)는 프로세서부(Processor; 1010), 메모리 버퍼부(Memory Buffer; 1020), 에러 정정부(ECC; 1030), 호스트 인터페이스(Host Interface; 1040), 버퍼 제어부(Buffer Control Circuit; 1050), 메모리 인터페이스(Memory Interface; 1060) 그리고 버스(Bus; 1070)를 포함할 수 있다.
버스(1070)는 메모리 컨트롤러(1000)의 구성 요소들 사이에 채널(channel)을 제공하도록 구성될 수 있다.
프로세서부(1010)는 메모리 컨트롤러(1000)의 제반 동작을 제어하고, 논리 연산을 수행할 수 있다. 프로세서부(1010)는 호스트 인터페이스(1040)를 통해 외부의 호스트와 통신하고, 메모리 인터페이스(1060)를 통해 메모리 장치와 통신할 수 있다. 또한 프로세서부(1010)는 버퍼 제어부(1050)를 통해 메모리 버퍼부(1020)와 통신할 수 있다. 프로세서부(1010)는 메모리 버퍼부(1020)를 동작 메모리, 캐시 메모리(cache memory) 또는 버퍼 메모리(buffer memory)로 사용하여 저장 장치의 동작을 제어할 수 있다.
프로세서부(1010)는 플래시 변환 계층(FTL)의 기능을 수행할 수 있다. 프로세서부(1010)는 플래시 변환 계층(FTL)을 통해 호스트가 제공한 논리 블록 어드레스(logical block address, LBA)를 물리 블록 어드레스(physical block address, PBA)로 변환할 수 있다. 플래시 변환 계층(FTL)은 맵핑 테이블을 이용하여 논리 블록 어드레스(LBA)를 입력 받아, 물리 블록 어드레스(PBA)로 변환시킬 수 있다. 플래시 변환 계층의 주소 맵핑 방법에는 맵핑 단위에 따라 여러 가지가 있다. 대표적인 어드레스 맵핑 방법에는 페이지 맵핑 방법(Page mapping method), 블록 맵핑 방법(Block mapping method), 그리고 혼합 맵핑 방법(Hybrid mapping method)이 있다.
프로세서부(1010)는 호스트(Host)로부터 수신된 데이터를 랜더마이즈하도록 구성된다. 예를 들면, 프로세서부(1010)는 랜더마이징 시드(seed)를 이용하여 호스트(Host)로부터 수신된 데이터를 랜더마이즈할 것이다. 랜더마이즈된 데이터는 저장될 데이터로서 메모리 장치에 제공되어 메모리 셀 어레이에 프로그램된다.
프로세서부(1010)는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 메모리 장치(도 1의 100)로 출력할 수 있다. 프로그램 다이렉트 리드 커맨드는 메모리 장치가 프로그램 동작 수행 후 프로그램 검증 동작을 패스하면, 프로그램된 데이터를 리드한 리드된 데이터를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단하도록 지시하는 커맨드일 수 있다.
이 후, 프로세서부(1010)는 메모리 장치로부터 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대응하는 프로그램 페일 정보를 수신하여 배드 블록을 관리하고, 프로그램 동작이 다시 수행되도록 재프로그램 커맨드를 메모리 장치로 출력할 수 있다.
프로세서부(1010)는 소프트웨어(software) 또는 펌웨어(firmware)를 구동함으로써 랜더마이즈 및 디랜더마이즈를 수행할 수 있다.
메모리 버퍼부(1020)는 프로세서부(1010)의 동작 메모리, 캐시 메모리 또는 버퍼 메모리로 사용될 수 있다. 메모리 버퍼부(1020)는 프로세서부(1010)가 실행하는 코드들 및 커맨드들을 저장할 수 있다. 메모리 버퍼부(1020)는 프로세서부(1010)에 의해 처리되는 데이터를 저장할 수 있다. 메모리 버퍼부(1020)는 SRAM(Static RAM), 또는 DRAM(Dynamic RAM)을 포함할 수 있다.
에러 정정부(1030)는 에러 정정을 수행할 수 있다. 에러 정정부(1030)는 메모리 인터페이스(1060)를 통해 메모리 장치에 기입될 데이터에 기반하여 에러 정정 인코딩(ECC encoding)을 수행할 수 있다. 에러 정정 인코딩 된 데이터는 메모리 인터페이스(1060)를 통해 메모리 장치로 전달될 수 있다. 에러 정정부(1030)는 메모리 장치로부터 메모리 인터페이스(1060)를 통해 수신되는 데이터에 대해 에러 정정 디코딩(ECC decoding)을 수행할 수 있다. 예시적으로, 에러 정정부(1030)는 메모리 인터페이스(1060)의 구성 요소로서 메모리 인터페이스(1060)에 포함될 수 있다.
호스트 인터페이스(1040)는 프로세서부(1010)의 제어에 따라, 외부의 호스트와 통신하도록 구성된다. 호스트 인터페이스(1040)는 USB (Universal Serial Bus), SATA (Serial AT Attachment), SAS (Serial Attached SCSI), HSIC (High Speed Interchip), SCSI (Small Computer System Interface), PCI (Peripheral Component Interconnection), PCIe (PCI express), NVMe (NonVolatile Memory express), UFS (Universal Flash Storage), SD (Secure Digital), MMC (Multi-Media Card), eMMC (embedded MMC), DIMM (Dual In-line Memory Module), RDIMM (Registered DIMM), LRDIMM (Load Reduced DIMM) 등과 같은 다양한 통신 방식들 중 적어도 하나를 이용하여 통신하도록 구성될 수 있다.
버퍼 제어부(1050)는 프로세서부(1010)의 제어에 따라, 메모리 버퍼부(1020)를 제어하도록 구성된다.
메모리 인터페이스(1060)는 프로세서부(1010)의 제어에 따라, 메모리 장치와 통신하도록 구성된다. 메모리 인터페이스(1060)는 채널을 통해 커맨드, 어드레스 및 데이터를 메모리 장치와 통신할 수 있다.
예시적으로, 메모리 컨트롤러(1000)는 메모리 버퍼부(1020) 및 버퍼 제어부(1050)를 포함하지 않을 수 있다.
예시적으로, 프로세서부(1010)는 코드들을 이용하여 메모리 컨트롤러(1000)의 동작을 제어할 수 있다. 프로세서부(1010)는 메모리 컨트롤러(1000)의 내부에 제공되는 불휘발성 메모리 장치(예를 들어, Read Only Memory)로부터 코드들을 로드할 수 있다. 다른 예로서, 프로세서부(1010)는 메모리 장치로부터 메모리 인터페이스(1060)를 통해 코드들을 로드(load)할 수 있다.
예시적으로, 메모리 컨트롤러(1000)의 버스(1070)는 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus)로 구분될 수 있다. 데이터 버스는 메모리 컨트롤러(1000) 내에서 데이터를 전송하고, 제어 버스는 메모리 컨트롤러(1000) 내에서 커맨드, 어드레스와 같은 제어 정보를 전송하도록 구성될 수 있다. 데이터 버스와 제어 버스는 서로 분리되며, 상호간에 간섭하거나 영향을 주지 않을 수 있다. 데이터 버스는 호스트 인터페이스(1040), 버퍼 제어부(1050), 에러 정정부(1030) 및 메모리 인터페이스(1060)에 연결될 수 있다. 제어 버스는 호스트 인터페이스(1040), 프로세서부(1010), 버퍼 제어부(1050), 메모리 버퍼부(1020) 및 메모리 인터페이스(1060)에 연결될 수 있다.
도 15는 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치가 적용된 메모리 카드 시스템을 보여주는 블록도이다.
도 15를 참조하면, 메모리 카드 시스템(2000)은 메모리 컨트롤러(2100), 메모리 장치(2200), 및 커넥터(2300)를 포함한다.
메모리 컨트롤러(2100)는 메모리 장치(2200)와 연결된다. 메모리 컨트롤러(2100)는 메모리 장치(2200)를 액세스하도록 구성된다. 예를 들어, 메모리 컨트롤러(2100)는 메모리 장치(2200)의 읽기, 쓰기, 소거, 그리고 배경(background) 동작을 제어하도록 구성된다. 메모리 컨트롤러(2100)는 메모리 장치(2200) 및 호스트(Host) 사이에 인터페이스를 제공하도록 구성된다. 메모리 컨트롤러(2100)는 메모리 장치(2200)를 제어하기 위한 펌웨어(firmware)를 구동하도록 구성된다. 메모리 장치(2200)는 도 5를 참조하여 설명된 메모리 장치(100)와 동일하게 구현될 수 있다.
메모리 컨트롤러(2100)는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 메모리 장치(도 1의 100)로 출력할 수 있다. 프로그램 다이렉트 리드 커맨드는 메모리 장치가 프로그램 동작 수행 후 프로그램 검증 동작을 패스하면, 프로그램된 데이터를 리드한 리드된 데이터를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단하도록 지시하는 커맨드일 수 있다.
이 후, 메모리 컨트롤러(2100)는 메모리 장치로부터 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대응하는 프로그램 페일 정보를 수신하여 배드 블록을 관리하고, 프로그램 동작이 다시 수행되도록 재프로그램 커맨드를 메모리 장치로 출력할 수 있다.
예시적으로, 메모리 컨트롤러(2100)는 램(RAM, Random Access Memory), 프로세싱 유닛(processing unit), 호스트 인터페이스(host interface), 메모리 인터페이스(memory interface), 에러 정정부와 같은 구성 요소들을 포함할 수 있다.
메모리 컨트롤러(2100)는 커넥터(2300)를 통해 외부 장치와 통신할 수 있다. 메모리 컨트롤러(2100)는 특정한 통신 규격에 따라 외부 장치(예를 들어, 호스트)와 통신할 수 있다. 예시적으로, 메모리 컨트롤러(2100)는 USB (Universal Serial Bus), MMC (Multi-Media Card), eMMC(embeded MMC), PCI (peripheral component interconnection), PCI-E (PCI-express), ATA (Advanced Technology Attachment), Serial-ATA, Parallel-ATA, SCSI (small computer small interface), ESDI (enhanced small disk interface), IDE (Integrated Drive Electronics), 파이어와이어(Firewire), UFS(Universal Flash Storage), WIFI, Bluetooth, NVMe 등과 같은 다양한 통신 규격들 중 적어도 하나를 통해 외부 장치와 통신하도록 구성된다. 예시적으로, 커넥터(2300)는 상술된 다양한 통신 규격들 중 적어도 하나에 의해 정의될 수 있다.
예시적으로, 메모리 장치(2200)는 EEPROM (Electrically Erasable and Programmable ROM), 낸드 플래시 메모리, 노어 플래시 메모리, PRAM (Phase-change RAM), ReRAM (Resistive RAM), FRAM (Ferroelectric RAM), STT-MRAM(Spin-Torque Magnetic RAM) 등과 같은 다양한 불휘발성 메모리 소자들로 구현될 수 있다.
메모리 컨트롤러(2100) 및 메모리 장치(2200)는 하나의 반도체 장치로 집적되어, 메모리 카드를 구성할 수 있다. 예를 들면, 메모리 컨트롤러(2100) 및 메모리 장치(2200)는 하나의 반도체 장치로 집적되어 PC 카드(PCMCIA, personal computer memory card international association), 컴팩트 플래시 카드(CF), 스마트 미디어 카드(SM, SMC), 메모리 스틱, 멀티미디어 카드(MMC, RS-MMC, MMCmicro, eMMC), SD 카드(SD, miniSD, microSD, SDHC), 범용 플래시 기억장치(UFS) 등과 같은 메모리 카드를 구성할 수 있다.
도 16은 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치가 적용된 SSD(Solid State Drive) 시스템을 예시적으로 보여주는 블록도이다.
도 16을 참조하면, SSD 시스템(3000)은 호스트(3100) 및 SSD(3200)를 포함한다. SSD(3200)는 신호 커넥터(3001)를 통해 호스트(3100)와 신호(SIG)를 주고 받고, 전원 커넥터(3002)를 통해 전원(PWR)을 입력 받는다. SSD(3200)는 SSD 컨트롤러(3210), 복수의 플래시 메모리들(3221~322n), 보조 전원 장치(3230), 및 버퍼 메모리(3240)를 포함한다.
실시 예에서, SSD 컨트롤러(3210)는 도 1을 참조하여 설명된 메모리 컨트롤러(200)의 기능을 수행할 수 있다.
SSD 컨트롤러(3210)는 호스트(3100)로부터 수신된 신호(SIG)에 응답하여 복수의 플래시 메모리들(3221~322n)을 제어할 수 있다. 예시적으로, 신호(SIG)는 호스트(3100) 및 SSD(3200)의 인터페이스에 기반된 신호들일 수 있다. 예를 들어, 신호(SIG)는 USB (Universal Serial Bus), MMC (Multi-Media Card), eMMC(embeded MMC), PCI (peripheral component interconnection), PCI-E (PCI-express), ATA (Advanced Technology Attachment), Serial-ATA, Parallel-ATA, SCSI (small computer small interface), ESDI (enhanced small disk interface), IDE (Integrated Drive Electronics), 파이어와이어(Firewire), UFS(Universal Flash Storage), WIFI, Bluetooth, NVMe 등과 같은 인터페이스들 중 적어도 하나에 의해 정의된 신호일 수 있다.
SSD 컨트롤러(3210)는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 복수의 플래시 메모리들(3221~322n)로 출력할 수 있다. 프로그램 다이렉트 리드 커맨드는 복수의 플래시 메모리들(3221~322n)이 프로그램 동작 수행 후 프로그램 검증 동작을 패스하면, 프로그램된 데이터를 리드한 리드된 데이터를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단하도록 지시하는 커맨드일 수 있다.
이 후, SSD 컨트롤러(3210)는 복수의 플래시 메모리들(3221~322n)로부터 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대응하는 프로그램 페일 정보를 수신하여 배드 블록을 관리하고, 프로그램 동작이 다시 수행되도록 재프로그램 커맨드를 복수의 플래시 메모리들(3221~322n)로 출력할 수 있다.
보조 전원 장치(3230)는 전원 커넥터(3002)를 통해 호스트(3100)와 연결된다. 보조 전원 장치(3230)는 호스트(3100)로부터 전원(PWR)을 입력받고, 충전할 수 있다. 보조 전원 장치(3230)는 호스트(3100)로부터의 전원 공급이 원활하지 않을 경우, SSD(3200)의 전원을 제공할 수 있다. 예시적으로, 보조 전원 장치(3230)는 SSD(3200) 내에 위치할 수도 있고, SSD(3200) 밖에 위치할 수도 있다. 예를 들면, 보조 전원 장치(3230)는 메인 보드에 위치하며, SSD(3200)에 보조 전원을 제공할 수도 있다.
버퍼 메모리(3240)는 SSD(3200)의 버퍼 메모리로 동작한다. 예를 들어, 버퍼 메모리(3240)는 호스트(3100)로부터 수신된 데이터 또는 복수의 플래시 메모리들(3221~322n)로부터 수신된 데이터를 임시 저장하거나, 플래시 메모리들(3221~322n)의 메타 데이터(예를 들어, 매핑 테이블)를 임시 저장할 수 있다. 버퍼 메모리(3240)는 DRAM, SDRAM, DDR SDRAM, LPDDR SDRAM, GRAM 등과 같은 휘발성 메모리 또는 FRAM, ReRAM, STT-MRAM, PRAM 등과 같은 불휘발성 메모리들을 포함할 수 있다.
도 17은 본 발명의 실시 예에 따른 저장 장치가 적용된 사용자 시스템을 보여주는 블록도이다.
도 17을 참조하면, 사용자 시스템(4000)은 애플리케이션 프로세서(4100), 메모리 모듈(4200), 네트워크 모듈(4300), 스토리지 모듈(4400), 및 사용자 인터페이스(4500)를 포함한다.
애플리케이션 프로세서(4100)는 사용자 시스템(4000)에 포함된 구성 요소들, 운영체제(OS; Operating System), 또는 사용자 프로그램 등을 구동시킬 수 있다. 예시적으로, 애플리케이션 프로세서(4100)는 사용자 시스템(4000)에 포함된 구성 요소들을 제어하는 컨트롤러들, 인터페이스들, 그래픽 엔진 등을 포함할 수 있다. 애플리케이션 프로세서(4100)는 시스템-온-칩(SoC; System-on-Chip)으로 제공될 수 있다.
애플리케이션 프로세서(4100)는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 스토리지 모듈(4400)로 출력할 수 있다. 프로그램 다이렉트 리드 커맨드는 스토리지 모듈(4400)이 프로그램 동작 수행 후 프로그램 검증 동작을 패스하면, 프로그램된 데이터를 리드한 리드된 데이터를 기초로 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단하도록 지시하는 커맨드일 수 있다.
이 후, 애플리케이션 프로세서(4100)는 스토리지 모듈(4400)로부터 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대응하는 프로그램 페일 정보를 수신하여 배드 블록을 관리하고, 프로그램 동작이 다시 수행되도록 재프로그램 커맨드를 스토리지 모듈(4400)로 출력할 수 있다.
메모리 모듈(4200)은 사용자 시스템(4000)의 주 메모리, 동작 메모리, 버퍼 메모리, 또는 캐쉬 메모리로 동작할 수 있다. 메모리 모듈(4200)은 DRAM, SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, LPDDR SDARM, LPDDR2 SDRAM, LPDDR3 SDRAM 등과 같은 휘발성 랜덤 액세스 메모리 또는 PRAM, ReRAM, MRAM, FRAM 등과 같은 불휘발성 랜덤 액세스 메모리를 포함할 수 있다. 예시적으로 애플리케이션 프로세서(4100) 및 메모리 모듈(4200)은 POP(Package on Package)를 기반으로 패키지화되어 하나의 반도체 패키지로 제공될 수 있다.
네트워크 모듈(4300)은 외부 장치들과 통신을 수행할 수 있다. 예시적으로, 네트워크 모듈(4300)은 CDMA(Code Division Multiple Access), GSM(Global System for Mobile communication), WCDMA(wideband CDMA), CDMA-2000, TDMA(TIME Dvision Multiple Access), LTE(Long Term Evolution), Wimax, WLAN, UWB, 블루투스, Wi-Fi 등과 같은 무선 통신을 지원할 수 있다. 예시적으로, 네트워크 모듈(4300)은 애플리케이션 프로세서(4100)에 포함될 수 있다.
스토리지 모듈(4400)은 데이터를 저장할 수 있다. 예를 들어, 스토리지 모듈(4400)은 애플리케이션 프로세서(4100)로부터 수신한 데이터를 저장할 수 있다. 또는 스토리지 모듈(4400)은 스토리지 모듈(4400)에 저장된 데이터를 애플리케이션 프로세서(4100)로 전송할 수 있다. 예시적으로, 스토리지 모듈(4400)은 PRAM(Phase-change RAM), MRAM(Magnetic RAM), RRAM(Resistive RAM), NAND flash, NOR flash, 3차원 구조의 NAND 플래시 등과 같은 불휘발성 반도체 메모리 소자로 구현될 수 있다. 예시적으로, 스토리지 모듈(4400)은 사용자 시스템(4000)의 메모리 카드, 외장형 드라이브 등과 같은 탈착식 저장 매체(removable drive)로 제공될 수 있다.
예시적으로, 스토리지 모듈(4400)은 복수의 불휘발성 메모리 장치들을 포함할 수 있고, 복수의 불휘발성 메모리 장치들은 도 5 내지 도 8을 참조하여 설명된 메모리 장치와 동일하게 동작할 수 있다. 스토리지 모듈(4400)은 도 1을 참조하여 설명된 저장 장치(50)와 동일하게 동작할 수 있다.
사용자 인터페이스(4500)는 애플리케이션 프로세서(4100)에 데이터 또는 명령어를 입력하거나 또는 외부 장치로 데이터를 출력하는 인터페이스들을 포함할 수 있다. 예시적으로, 사용자 인터페이스(4500)는 키보드, 키패드, 버튼, 터치 패널, 터치 스크린, 터치 패드, 터치 볼, 카메라, 마이크, 자이로스코프 센서, 진동 센서, 압전 소자 등과 같은 사용자 입력 인터페이스들을 포함할 수 있다. 사용자 인터페이스(4500)는 LCD (Liquid Crystal Display), OLED (Organic Light Emitting Diode) 표시 장치, AMOLED (Active Matrix OLED) 표시 장치, LED, 스피커, 모니터 등과 같은 사용자 출력 인터페이스들을 포함할 수 있다.
본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시 예에 관하여 설명하였으나, 본 발명의 범위와 기술적 사상에서 벗어나지 않는 한도 내에서 여러 가지 변형이 가능하다. 그러므로 본 발명의 범위는 상술한 실시 예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 발명의 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다.
그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
상술한 실시 예들에서, 모든 단계는 선택적으로 수행의 대상이 되거나 생략의 대상이 될 수 있다. 또한 각 실시 예에서 단계들은 반드시 순서대로 일어날 필요는 없으며, 뒤바뀔 수 있다. 한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 명세서의 실시 예들은 본 명세서의 기술 내용을 쉽게 설명하고 본 명세서의 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것일 뿐이며, 본 명세서의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 즉 본 명세서의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은 본 명세서가 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
한편, 본 명세서와 도면에는 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 개시하였으며, 비록 특정 용어들이 사용되었으나, 이는 단지 본 발명의 기술 내용을 쉽게 설명하고 발명의 이해를 돕기 위한 일반적인 의미에서 사용된 것이지, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예 외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
50: 저장 장치
100: 메모리 장치
150: 허용 비트 설정 레지스터
170: 리드 동작 제어부
200: 메모리 컨트롤러
210: 커맨드 생성부
220: 배드 블록 처리부
230: 페일 정보 제어부
300: 호스트

Claims (20)

  1. 데이터를 저장하는 메모리 장치 및 상기 메모리 장치를 제어하는 메모리 컨트롤러를 포함하는 저장 장치에 있어서,
    상기 메모리 장치는:
    리드 동작 시, 리드된 데이터에 포함된 페일 비트와 비교되는 허용 비트를 저장하는 허용 비트 설정 레지스터; 및
    상기 메모리 장치가 프로그램 동작 후 바로 리드 동작을 수행하도록 제어하는 리드 동작 제어부;를 포함하고,
    상기 메모리 컨트롤러는:
    상기 메모리 장치에 동작을 지시하는 커맨드를 생성하는 커맨드 생성부;
    상기 메모리 장치에서 수행된 리드 동작의 결과를 기초로 배드 블록을 설정하는 배드 블록 처리부; 및
    상기 메모리 장치에서 수행된 리드 동작의 결과를 기초로 다음 리드 동작의 동작 모드를 설정하는 페일 정보 제어부;를 포함하는 저장 장치.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 커맨드 생성부는,
    상기 메모리 장치가 상기 프로그램 동작 후 프로그램 검증 동작을 패스하면 상기 메모리 장치에 프로그램된 데이터를 리드하여 상기 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단하도록 지시하는 프로그램 다이렉트 리드 커맨드를 생성하는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 메모리 장치가 상기 프로그램 다이렉트 리드 커맨드에 대응하는 동작을 수행할 때 상기 프로그램 검증 동작을 패스하면, 상기 리드 동작 제어부는 상기 프로그램된 데이터를 리드하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
  4. 제 2항에 있어서, 상기 메모리 장치는,
    상기 프로그램된 데이터를 리드한 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수 및 상기 허용 비트의 개수를 서로 비교하고, 비교 결과를 기초로 프로그램 패스 정보 또는 프로그램 페일 정보를 출력하는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 메모리 장치는,
    상기 페일 비트의 개수가 상기 허용 비트의 개수를 초과하면, 상기 프로그램 페일 정보를 출력하고,
    상기 페일 비트의 개수가 상기 허용 비트의 개수를 초과하지 않으면, 상기 프로그램 패스 정보를 출력하는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
  6. 제 4항에 있어서, 상기 배드 블록 처리부는,
    상기 프로그램 페일 정보를 기초로, 상기 프로그램 동작이 수행된 메모리 셀을 포함하는 메모리 블록을 배드 블록 처리하는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 배드 블록 처리부는,
    상기 배드 블록 처리한 메모리 블록에 관한 정보인 배드 블록 정보를 생성하는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
  8. 제 7항에 있어서, 상기 커맨드 생성부는,
    상기 배드 블록 정보를 기초로, 상기 배드 블록 처리한 메모리 블록을 제외한 다른 메모리 블록에 상기 프로그램 동작이 다시 수행되기 위한 재프로그램 커맨드를 생성하는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
  9. 제 4항에 있어서, 상기 페일 정보 제어부는,
    상기 프로그램 페일 정보를 수신한 횟수를 카운트하여 카운트값을 생성하는 페일 정보 카운터;
    상기 카운트값을 기초로 상기 허용 비트 설정 레지스터에 저장된 허용 비트를 변경하기 위한 허용 비트 설정 커맨드 출력하는 허용 비트 설정부;
    상기 카운트값을 기초로 센싱 동작이 수행되는 회로를 선택하기 위한 센싱 회로 선택 정보 출력하는 센싱 회로 선택부; 및
    상기 카운트값을 기초로 리드할 페이지를 결정하거나, 리드 전압을 변경하기 위한 리드 동작 설정 정보를 출력하는 리드 동작 설정부;를 포함하는 저장 장치.
  10. 제 9항에 있어서, 상기 페일 정보 카운터는,
    상기 카운트값이 기준값 초과하는 경우, 상기 허용 비트 설정부, 상기 센싱 회로 선택부 및 상기 리드 동작 설정부 중 적어도 하나에 상기 카운트값을 출력하는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 허용 비트 설정부가 상기 카운트값을 수신하면,
    상기 허용 비트 설정부는 상기 허용 비트의 개수를 기존 비트의 개수보다 크게 변경하기 위한 상기 허용 비트 설정 커맨드를 출력하는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
  12. 제 9항에 있어서,
    상기 센싱 회로 선택부가 상기 카운트값을 수신하면,
    상기 센싱 회로 선택부는 전류 센싱 회로로 센싱 동작이 수행되도록 하는 상기 센싱 회로 선택 정보 출력하는 것을 특징으로 하는 저장 장치.
  13. 데이터를 저장하는 메모리 장치 및 상기 메모리 장치를 제어하는 메모리 컨트롤러를 포함하는 저장 장치의 동작 방법에 있어서,
    상기 메모리 장치가 프로그램 동작 후 프로그램 검증 동작을 수행하는 단계;
    상기 프로그램 검증 동작이 패스되면, 상기 메모리 장치에 프로그램된 데이터를 리드하는 단계;
    상기 메모리 장치에 프로그램된 데이터를 리드한 리드된 데이터를 기초로, 상기 메모리 장치가 상기 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단하는 단계; 및
    상기 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단한 결과를 기초로, 프로그램 패스 정보 또는 프로그램 페일 정보를 상기 메모리 컨트롤러로 출력하는 단계;를 포함하는 저장 장치의 동작 방법.
  14. 제 13항에 있어서, 상기 메모리 장치에 프로그램된 데이터를 리드하는 단계에서는,
    상기 프로그램 검증 동작이 패스되었음 나타내는 응답을 상기 메모리 컨트롤러로 출력하지 않고, 바로 리드 동작을 수행하는 것을 특징으로 하는 저장 장치의 동작 방법.
  15. 제 13항에 있어서, 상기 프로그램 동작의 패스 또는 페일을 판단하는 단계는,
    상기 리드된 데이터에 포함된 페일 비트의 개수 및 상기 메모리 장치에 저장된 허용 비트를 비교하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저장 장치의 동작 방법.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 프로그램 패스 정보 또는 프로그램 페일 정보를 상기 메모리 컨트롤러로 출력하는 단계에서는,
    상기 페일 비트의 개수가 상기 허용 비트의 개수를 초과하면, 상기 프로그램 페일 정보를 출력하고,
    상기 페일 비트의 개수가 상기 허용 비트의 개수를 초과하지 않으면, 상기 프로그램 패스 정보를 출력하는 것을 특징으로 하는 저장 장치의 동작 방법.
  17. 제 13항에 있어서,
    상기 프로그램 페일 정보를 기초로, 상기 프로그램 동작이 수행된 메모리 셀을 포함하는 메모리 블록을 배드 블록으로 처리하는 단계를 더 포함하는 저장 장치의 동작 방법.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 배드 블록으로 처리된 상기 메모리 블록을 제외한 다른 메모리 블록에 상기 프로그램 동작을 다시 수행하는 단계를 더 포함하는 저장 장치의 동작 방법.
  19. 제 13항에 있어서,
    상기 프로그램 페일 정보를 수신한 횟수를 카운트하여 카운트값을 생성하는 단계; 및
    상기 카운트값을 기초로 상기 프로그램 검증 동작이 패스된 후 상기 메모리 장치에 프로그램된 데이터를 리드 하기 위한 동작 모드를 설정하는 단계;를 더 포함하는 저장 장치의 동작 방법.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 동작 모드를 설정하는 단계에서는,
    상기 카운트값이 기준값을 초과하면, 상기 카운트값을 기초로 상기 메모리 장치에 저장된 허용 비트의 개수를 변경하는 것을 특징으로 하는 저장 장치의 동작 방법.
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