KR20200133612A - 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
에폭시 수지, 산무수물계 경화제, 무기 충전제 및 다가 알코올을 포함한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물, 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치가 개시된다.
Description
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 온셋(onset) 온도가 낮아져 저온 경화 가능하고 휨 문제를 개선할 수 있으며, 저장 안정성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용하여 밀봉된 반도체 장치에 관한 것이다.
전자 기기의 소형화에 따라 반도체 제품의 소형화, 박형화가 진행되고 있다. 이에 따라 반도체 웨이퍼 기판 상에 복수의 베어 반도체 칩(bare semiconductor chip)을 실장하고 반도체 밀봉재로 밀봉하는 웨이퍼-레벨-칩-사이즈 패키지(wafer-level-chip-size package) 기술이 주목받고 있다.
반도체 밀봉재는 주로 열경화성 수지를 포함하기 때문에 반도체 밀봉재 성형 공정에서 경화 반응 촉진을 위해 고온으로 가열되고, 이후 냉각되는데, 이때 베어 반도체 칩, 반도체 밀봉재 및 반도체 웨이퍼 기판 사이의 열팽창계수 및 탄성률 등의 차이로 인해 웨이퍼-레벨-칩-사이즈 패키지는 필연적으로 휨 문제가 발생한다.
이러한 문제를 해결하기 위하여 밀봉재의 열 팽창을 줄일 필요가 있다.
본 발명의 목적은 온셋 온도가 낮아 저온 경화 가능한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 휨 문제를 개선할 수 있는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 저장 안정성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 에폭시 수지 조성물을 포함하는 반도체 장치를 제공하는 것이다.
1. 일 측면에 따르면, 에폭시 수지, 산무수물계 경화제, 무기 충전제 및 다가 알코올을 포함한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물이 제공된다.
2. 상기 1에서, 상기 산무수물계 경화제는 메틸테트라히드로프탈산 무수물, 메틸 엔도메틸렌테트라히드로프탈산 무수물, 메틸부테닐테트라히드로프탈산 무수물, 도데세닐숙신산 무수물, 메틸헥사히드로프탈산 무수물, 메틸나딕산 무수물, 시클로헥산-1,2,4-트리카르복시산-1,2-무수물 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
3. 상기 1에서, 상기 산무수물계 경화제는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다:
<화학식 1>
상기 화학식 1 중,
R1은 C1-C10알킬기 중에서 선택되고,
a1은 0 내지 4의 정수 중에서 선택된다.
4. 상기 1 내지 3 중 어느 하나에서, 상기 다가 알코올은 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로판디올, 부탄디올, 1,4-부텐디올, 펜탄디올, 헥산디올, 헵탄디올, 네오펜틸글리콜, 시클로헥산디올, 시클로헥산디메탄올, 글리세린, 디글리세린, 트리글리세린, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 2-메틸프로판트리올, 부탄트리올, 펜탄트리올, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 소르비톨, 자일리톨, 만니톨, 2-히드록시메틸프로판-1,3-디올, 2-메틸-1,2,4-부탄트리올, 1,2,3,6-헥산테트라올, 자일렌글리콜, 1,3,5-벤젠트리메탄올, 비스페놀 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
5. 상기 1 내지 3 중 어느 하나에서, 상기 다가 알코올은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다:
<화학식 2>
상기 화학식 2 중,
L1은 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬렌기 및 에테르기 중에서 선택되고,
b1는 0 내지 20의 정수 중에서 선택되고,
R2 내지 R5는 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기 중에서 선택된다.
6. 상기 1 내지 5 중 어느 하나에서, 상기 산무수물계 경화제와 상기 다가 알코올의 중량비는 98 : 2 내지 60 : 40일 수 있다.
7. 상기 1 내지 6 중 어느 하나에서, 상기 에폭시 수지 조성물은
상기 에폭시 수지 0.5 내지 20 중량%,
상기 산무수물계 경화제 0.1 내지 20 중량%,
상기 무기 충전제 70 내지 95 중량%, 및
상기 다가 알코올 0.01 내지 5 중량%를 포함할 수 있다.
8. 다른 측면에 따르면, 상기 1 내지 7 중 어느 하나의 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 장치가 제공된다.
본 발명은 저온 경화 가능하고, 휨 문제를 개선할 수 있으며, 저장 안정성이 우수한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 포함하는 반도체 장치를 제공하는 효과를 갖는다.
본 명세서 중 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 명세서 중 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 범위를 나타내는 'a 내지 b'는 'a 이상 b 이하'를 의미한다.
일 측면에 따르면, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 에폭시 수지, 산무수물계 경화제, 무기 충전제 및 다가 알코올을 포함할 수 있다.
이하, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 구성 성분을 보다 상세히 설명한다.
에폭시 수지
에폭시 수지는 반도체 소자 밀봉용으로 일반적으로 사용되는 에폭시 수지들이 사용될 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로, 에폭시 수지는 분자 내에 2개 이상의 에폭시기를 함유하는 에폭시 화합물을 사용할 수 있다. 에폭시 수지의 예로는 페놀 또는 알킬 페놀류와 히드록시벤즈알데히드와의 축합물을 에폭시화함으로써 얻어지는 에폭시 수지, 페놀아랄킬형 에폭시 수지, 페놀노볼락형 에폭시 수지, 크레졸노볼락형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지, 나프톨노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD/비스페놀S의 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀A/비스페놀F/비스페놀AD/비스페놀S의 글리시딜에테르, 비스히드록시바이페닐계 에폭시 수지, 디시클로펜타디엔계 에폭시 수지, 바이페닐형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지(예를 들면, (3',4'-에폭시시클로헥산)메틸 3,4-에폭시시클로헥실카복실레이트, 비스(3,4-에폭시시클로헥실메틸)옥살레이트, 비스(3,4-에폭시시클로헥실메틸)아디페이트, 비스(3,4-에폭시-6-메틸시클로헥실메틸)아디페이트, 비스(3,4-에폭시시클로헥실메틸)피멜레이트, 비닐시클로헥센 디에폭시드, 리모넨 디에폭시드 등), 트리페놀알칸형 에폭시 수지(예를 들면, 트리페놀메탄형 에폭시수지, 트리페놀 프로판형 에폭시 수지 등), 플루오렌형 에폭시 수지, 바이페닐아랄킬형 에폭시 수지, 스틸벤형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜 아민형 에폭시 수지, 폴리에테르형 에폭시 수지, 실리콘 변성 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용될 수 있다. 일 구현예에 따르면, 에폭시 수지는 지환족 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 다관능형 에폭시 수지 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
에폭시 수지의 사용량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 에폭시 수지는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.5 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 조성물의 경화성이 저하되지 않을 수 있다. 일 구현예에 따르면, 에폭시 수지는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 1 내지 15 중량%, 다른 구현예에 따르면 2 내지 12 중량%, 또 다른 구현예에 따르면 3 내지 10 중량%로 포함될 수 있다.
경화제
본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 경화제로서 산무수물계 경화제를 포함할 수 있다.
산무수물계 경화제는 분자 중에 산무수물기를 갖고, 에폭시 수지를 경화시킬 수 있는 화합물이라면 그 종류가 특별히 한정되지 않는다. 이러한 산무수물계 경화제로는, 예를 들어 지환족 산무수물, 방향족 산무수물, 불포화카르복시산무수물 등을 들 수 있다. 산무수물계 경화제의 구체적인 예로는 메틸테트라히드로프탈산 무수물, 메틸 엔도메틸렌테트라히드로프탈산 무수물, 메틸부테닐테트라히드로프탈산 무수물, 도데세닐숙신산 무수물, 메틸헥사히드로프탈산 무수물, 메틸나딕산 무수물, 시클로헥산-1,2,4-트리카르복시산-1,2-무수물 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 산무수물계 경화제는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다:
<화학식 1>
상기 화학식 1 중, R1은 C1-C10알킬기 중에서 선택될 수 있다. 예를 들면, R1은 C1-C3알킬기, 즉 메틸기, 에틸기, n-프로필기 및 iso-프로필기 중에서 선택될 수 있다. 일 구현예에 따르면, R1은 메틸기일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 1 중, a1은 0 내지 4의 정수 중에서 선택될 수 있다. 여기서, a1은 R1의 개수를 나타내는 것으로, a1이 2 이상이면, 2 이상의 R1은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 일 구현예에 따르면, a1은 0 또는 1일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 산무수물계 경화제는 메틸헥사히드로프탈산 무수물, 구체적으로는 4-메틸헥사히드로프탈산 무수물을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
산무수물계 경화제의 사용량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 산무수물계 경화제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서 조성물의 경화성이 저하되지 않을 수 있다. 일 구현예에 따르면, 산무수물계 경화제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 내지 13 중량%, 다른 구현예에 따르면 0.1 내지 10 중량%, 또 다른 구현예에 따르면 1 내지 9 중량%, 또 다른 구현예에 따르면 2 내지 8 중량%로 포함될 수 있다.
무기 충전제
무기 충전제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물의 기계적 물성의 향상과 저응력화를 달성하기 위해 사용될 수 있다. 무기 충전제는 반도체 소자 밀봉에 사용되는 일반적인 무기 충전제들이 제한 없이 사용될 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 무기 충전제로서 용융 실리카, 결정성 실리카, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 알루미나, 마그네시아, 클레이(clay), 탈크(talc), 규산칼슘, 산화티탄, 산화안티몬, 유리섬유 등을 사용할 수 있다.
일 구현예에 따르면, 저응력화를 위하여 선팽창계수가 낮은 용융 실리카를 사용할 수 있다. 용융 실리카는 진비중이 2.3 이하인 비결정성 실리카를 의미하는 것으로, 결정성 실리카를 용융하여 만들거나 다양한 원료로부터 합성한 비결정성 실리카도 포함될 수 있다. 용융 실리카의 형상 및 입경은 특별히 한정되지 않으나, 평균 입경(D50) 1 초과 내지 30㎛의 구상 용융 실리카를 50 내지 99 중량%, 평균 입경(D50) 0.001 내지 1㎛의 구상 용융 실리카를 1 내지 50 중량%를 포함한 용융 실리카 혼합물을 전체 충전제에 대하여 40 내지 100 중량%가 되도록 포함할 수 있다. 여기서, 평균 입경(D50)은 particle size analyzer 장비를 사용하여 측정될 수 있다. 또한, 용도에 맞춰 그 최대 입경을 10㎛, 15㎛, 20㎛, 45㎛, 55㎛ 및 75㎛ 중 어느 하나로 조정해서 사용할 수 있다.
무기 충전제의 사용량은 성형성, 저응력성, 및 고온 강도 등의 요구 물성에 따라 달라질 수 있다. 예를 들어, 무기 충전제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 70 내지 95 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 조성물의 난연성, 유동성 및 신뢰성을 확보할 수 있다. 일 구현예에 따르면, 무기 충전제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 80 내지 95 중량%, 다른 구현예에 따르면 83 내지 95 중량%, 또 다른 구현예에 따르면 85 내지 95 중량%로 포함될 수 있다.
다가 알코올
본 발명의 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 다가 알코올을 포함할 수 있다. 다가 알코올은 산무수물계 경화제와의 에스테르화(esterification)를 통하여 산무수물계 경화제의 활성화 에너지를 낮춰 줌으로써 에폭시 수지 조성물의 온셋 온도를 낮추어 저온 경화를 가능케 할 수 있다.
다가 알코올은 하나의 분자에 히드록시기를 2개 이상(예를 들면, 2 내지 10개, 다른 예를 들면 2 내지 6개) 함유한 화합물이라면 제한 없이 사용될 수 있다. 예를 들어, 다가 알코올은 지방족 다가 알코올(예를 들면, C2-C30, 다른 예를 들면 C2-C20의 지방족 다가 알코올), 지환족 다가 알코올(예를 들면, C3-C20의 지환족 다가 알코올), 방향족 다가 알코올(예를 들면, C6-C30의 방향족 다가 알코올) 등을 포함할 수 있으며, 이러한 다가 알코올의 예로는 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로판디올(예를 들면, 1,2-프로판디올 등), 부탄디올(예를 들면, 1,4-부탄디올, 2,3-부탄디올 등), 1,4-부텐디올, 펜탄디올(예를 들면, 1,5-펜탄디올, 2,3-펜탄디올 등), 헥산디올(예를 들면, 1,6-헥산디올, 2,3-헥산디올, 3,4-헥산디올 등), 헵탄디올(예를 들면, 1,7-헵탄디올 등), 네오펜틸글리콜, 시클로헥산디올(예를 들면, 1,2-시클로헥산디올, 1,4-시클로헥산디올 등), 시클로헥산디메탄올(예를 들면, 1,2-시클로헥산디메탄올, 1,3-시클로헥산디메탄올, 1,4-시클로헥산디메탄올 등), 글리세린, 디글리세린, 트리글리세린, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 2-메틸프로판트리올, 부탄트리올(예를 들면, 1,2,4-부탄트리올 등), 펜탄트리올(예를 들면, 1,2,5-펜탄트리올 등), 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 소르비톨, 자일리톨, 만니톨, 2-히드록시메틸프로판-1,3-디올, 2-메틸-1,2,4-부탄트리올, 1,2,3,6-헥산테트라올, 자일렌글리콜, 1,3,5-벤젠트리메탄올, 비스페놀 등을 들 수 있다. 이들은 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용될 수 있다.
일 구현예에 따르면, 다가 알코올은 하기 화학식 2로 표시될 수 있다:
<화학식 2>
상기 화학식 2 중, L1은 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬렌기 및 에테르기 중에서 선택될 수 있다. 예를 들어, L1은 히드록시기, C1-C20알킬기 및 C1-C20히드록시알킬기 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기 및 에테르기 중에서 선택될 수 있다. 여기서, "C1-C20히드록시알킬기"란 히드록시기로 치환된 C1-C20알킬기를 의미할 수 있다. 일 구현예에 따르면, L1은 히드록시기, C1-C10알킬기 및 C1-C10히드록시알킬기 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬렌기 및 에테르기 중에서 선택될 수 있다. 다른 구현예에 따르면, L1은 히드록시기, C1-C5알킬기 및 C1-C5히드록시알킬기 중 적어도 하나로 치환 또는 비치환된 C1-C5알킬렌기 및 에테르기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 2 중, b1은 0 내지 20의 정수 중에서 선택될 수 있다. b1은 L1의 개수를 나타낸 것으로, b1이 0이면, *-L1-*'은 단일결합이 되고, b1이 2 이상이면, 2개 이상의 L1은 서로 동일하거나 상이할 수 있다. 여기서, * 및 *'은 이웃한 원자와의 결합 사이트를 나타낸다. 일 구현예에 따르면, b1은 0 내지 10의 정수 중에서 선택될 수 있다. 다른 구현예에 따르면, b1은 0 내지 5의 정수 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 화학식 2 중, R2 내지 R5는 서로 독립적으로, 수소, 및 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기 중에서 선택될 수 있다. 예를 들어, R2 내지 R5는 서로 독립적으로, 수소, 및 히드록시기로 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기 중에서 선택될 수 있다. 일 구현예에 따르면, R2 내지 R5는 서로 독립적으로, 수소, 및 히드록시기로 치환 또는 비치환된 C1-C10알킬기 중에서 선택될 수 있다. 다른 구현예에 따르면, R2 내지 R5는 서로 독립적으로, 수소, 및 히드록시기로 치환 또는 비치환된 C1-C5알킬기 중에서 선택될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 다가 알코올은 에틸렌글리콜 및/또는 글리세린을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
일 구현예에 따르면, 산무수물계 경화제와 다가 알코올의 중량비는 98 : 2 내지 60 : 40일 수 있다. 상기 범위에서, 저온 경화에 따른 휨 저감 효과가 있을 수 있다. 산무수물계 경화제와 다가 알코올의 중량비는, 예를 들어 96 : 4 내지 60 : 40, 다른 예를 들면 93 : 7 내지 60 : 40일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다가 알코올의 사용량은 특별히 한정되지 않으나, 예를 들면 다가 알코올은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 내지 5 중량%로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 저온 경화에 따른 휨 저감 효과가 있을 수 있다. 일 구현예에 따르면, 다가 알코올은 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.1 내지 4 중량%, 다른 구현예에 따르면 0.2 내지 3 중량%, 또 다른 구현예에 따르면 0.5 내지 2 중량%로 포함될 수 있다.
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 경화 촉진제를 더 포함할 수 있다.
경화 촉진제
경화 촉진제는 에폭시 수지와 경화제의 반응을 촉진하는 물질을 일컬을 수 있다. 경화 촉진제로는 공지의 경화 촉진제를 제한 없이 사용할 수 있다. 경화 촉진제의 예로는, 1,8-디아자-비시클로(5.4.0)운데센-7,1,5-디아자-비시클로(4.3.0)노넨-5,6-디부틸아미노-1,8-디아자-비시클로(5.4.0)운데센-7 등의 시클로아미딘 화합물, 트리에틸렌디아민, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 디메틸아미노에탄올, 트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 3급 아민 화합물, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸, 2,4-디아미노-6-(2'-메틸이미다졸릴-(1'))-에틸-s-트리아진, 2-헵타데실이미다졸 등의 이미다졸 화합물, 트리부틸포스핀 등의 트리알킬포스핀, 디메틸페닐포스핀 등의 디알킬아릴 포스핀, 메틸디페닐포스핀 등의 알킬디아릴포스핀, 트리페닐포스핀, 알킬기 치환 트리페닐포스핀 등의 유기 포스핀류 및 이들 화합물에 무수 말레산, 1,4-벤조퀴논, 2,5-톨루퀴논, 1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸벤조퀴논, 2,6-디메틸벤조퀴논, 2,3-디메톡시-5-메틸-1,4-벤조퀴논, 2,3-디메톡시-1,4-벤조퀴논, 페닐-1,4-벤조퀴논 등의 퀴논 화합물, 디아조페닐메탄, 페놀 수지 등의 π 결합을 갖는 화합물을 부가하여 이루어지는 분자 내 분극을 갖는 화합물 및 이들 화합물의 유도체, 2-에틸-4-메틸이미다졸테트라페닐보레이트, N-메틸모르폴린테트라페닐보레이트 등의 페닐보론염 등을 들 수 있다. 또한, 잠재성을 갖는 경화 촉진제로서, 상온에서 고체의 아미노기를 갖는 화합물을 코어로 하고, 상온에서 고체의 에폭시 화합물의 쉘을 피복하여 이루어지는 코어-쉘 입자를 들 수 있다. 이러한 코어-쉘 입자의 시판품으로는 Ajinomoto社의 Ajicure 등을 들 수 있다. 이들 경화 촉진제는 단독으로 사용할 수 있으며 병용해서 사용할 수도 있다.
경화 촉진제의 사용량은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 경화 촉진제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 내지 2 중량%(예를 들면, 0.02 내지 1.5 중량%)로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 조성물의 경화를 촉진하고, 경화도도 좋은 장점이 있을 수 있다.
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 커플링제, 이형제 및 착색제 중 1종 이상을 더 포함할 수 있다.
커플링제
커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여 계면 강도를 향상시키기 위한 것으로, 커플링제의 예로는 실란 커플링제를 들 수 있다. 실란 커플링제는 에폭시 수지와 무기 충전제 사이에서 반응하여, 에폭시 수지와 무기 충전제의 계면 강도를 향상시키는 것이면 되고, 그 종류는 특별히 한정되지 않는다. 실란 커플링제의 예로는 에폭시 실란, 아미노 실란, 우레이도 실란, 머캅토 실란, 및 알킬 실란 등을 들 수 있다. 커플링제는 단독으로 사용할 수 있으며 병용해서 사용할 수도 있다.
커플링제의 사용량은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 커플링제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 내지 5 중량%(예를 들면, 0.05 내지 3 중량%)로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 경화물의 강도가 향상될 수 있다.
이형제
이형제로는 파라핀계 왁스, 에스테르계 왁스, 고급 지방산, 고급 지방산 금속염, 천연 지방산 및 천연 지방산 금속염 중 1종 이상을 사용할 수 있다.
이형제의 사용량은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 이형제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 내지 1 중량%로 포함될 수 있다.
착색제
착색제는 반도체 소자 밀봉재의 레이저 마킹을 위한 것으로, 당해 기술 분야에 잘 알려져 있는 착색제들이 사용될 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 착색제는 카본블랙, 티탄블랙, 티탄질화물, 인산수산화구리(dicopper hydroxide phosphate), 철산화물 및 운모 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
착색제의 사용량은 특별히 제한되는 것은 아니나, 예를 들어 착색제는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 중 0.01 내지 5 중량%(예를 들면, 0.05 내지 3 중량%)로 포함될 수 있다.
이외에도, 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 본 발명의 목적을 해하지 않는 범위에서 Tetrakis[methylene-3-(3,5-di-tertbutyl-4-hydroxyphenyl)propionate]methane 등의 산화방지제; 수산화알루미늄 등의 난연제 등을 필요에 따라 추가로 함유할 수 있다.
반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 상기와 같은 성분들을 동시에 또는 별도로 필요에 따라 가열 처리를 행하면서 교반, 용해, 혼합, 분산하여 얻을 수 있다. 이 경우, 혼합, 교반, 분산 등의 장치는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 교반 및 가열 장치를 구비한 분쇄기, 2축 롤, 3축 롤, 볼밀, 플라네터리 믹서, 마스콜로이더, 진공유발기, 유성형 혼합기 등을 단독으로 또는 적절히 조합하여 사용할 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물은 반도체 소자, 특히 모바일 디스플레이 또는 자동차의 지문 인식 센서에 장착되는 반도체 소자에 유용하게 적용될 수 있다. 상기 에폭시 수지 조성물을 사용하여 반도체 소자를 밀봉하는 방법으로는 컴프레션 성형법이 일반적으로 사용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 측면에 따르면, 본 발명의 일 구현예에 따른 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 장치가 개시된다.
이하, 실시예를 들어 본 발명의 일 구현예를 따르는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물에 대하여 보다 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며, 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
실시예
하기 실시예와 비교예에서 사용된 성분의 구체적인 사양은 다음과 같다.
(A) 에폭시수지
(a1) Celloxide 2021P(Diacel社)
(a2) KDS-8128(Kukdo Chemical社)
(a3) EPPN 501H(Nippon Kayaku社)
(B) 산무수물계 경화제: Rikacid-MH(New Japan Chemical社)
(C) 무기 충전제: 평균 입경(D50) 18㎛의 구상 용융실리카와 평균 입경(D50) 0.5㎛의 구상 용융실리카의 9:1(중량비) 혼합물
(D) 다가 알코올
(d1) 에틸렌글리콜
(d2) 글리세린
(E) 1가 알코올
(e1) 페놀
(e2) 에탄올
(e3) 펜탄올
(F) 경화촉진제: Ajicure PN-23(Ajinomoto社)
(G) 착색제: MA-600(Mitsubishi Chemical社)
(H) 페놀계 경화제: MEH-7800S(Meiwa社)
실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 5
상기 각 성분들을 하기 표 1의 조성에 따라 평량한 후 혼합하여 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물을 제조하였다. 하기 표 1에서 각 조성물의 사용량 단위는 중량%이다.
| 실시예 | 비교예 | |||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | ||
| (A) | (a1) | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 | 3.0 |
| (a2) | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | |
| (a3) | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | 2.0 | |
| (B) | 5.0 | 5.0 | 4.5 | 4.0 | 6.0 | 5.5 | 5.5 | 5.5 | - | |
| (C) | 86 | 86 | 86 | 86 | 86 | 86 | 86 | 86 | 86 | |
| (D) | (d1) | 1.0 | - | 1.5 | 2.0 | - | - | - | - | - |
| (d2) | - | 1.0 | - | - | - | - | - | - | - | |
| (E) | (e1) | - | - | - | - | - | 0.5 | - | - | - |
| (e2) | - | - | - | - | - | - | 0.5 | - | - | |
| (e3) | - | - | - | - | - | - | - | 0.5 | - | |
| (F) | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.4 | 0.4 | |
| (G) | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 | |
| (H) | - | - | - | - | - | - | - | - | 6.0 | |
상기와 같이 제조된 실시예 및 비교예의 에폭시 수지 조성물의 물성을 하기 물성 평가 방법에 따라 측정하였다. 측정 결과는 표 2에 나타내었다.
물성 평가 방법
(1) 열시차주사열량계(DSC) 상 개시 온도(onset point) 및 발열 피크 온도(℃): 실시예 및 비교예의 에폭시 수지 조성물에 대해 열시차주사열량계(DSC)(Q20, TA instruments社)를 이용하여 질소 가스 분위기 하에서 10℃/min의 속도로 -50 내지 250℃의 범위에서 열시차주사열량계 상 개시 온도 및 발열 피크 온도를 측정하였다. 열시차주사열량계 상 개시 온도란 열시차주사열량계 측정 시 발열에 의해 그래프의 기울기가 최초로 증가하게 되는 시점의 온도를 말하며, 열시차주사열량계 상 발열 피크 온도란 그래프에서 발열량이 최고 피크를 나타내는 시점의 온도를 말한다.
(2) 경화율(%): 실시예 및 비교예의 에폭시 수지 조성물 에 대하여 열시차주사열량계(DSC)(Q20, TA instruments社)를 이용하여 10℃/min의 속도로 300℃까지 승온 시의 발열량(A)를 측정하고, 실시예 및 비교예의 에폭시 수지 조성물을 110℃에서 10분간 열처리한 후의, 10℃/min의 속도로 300℃까지 승온 시의 발열랑(B)를 측정한 후, 하기 식 1에 따라 계산하였다.
<식 1>
경화율(%) = |1-(B/A)| × 100
(3) 증점률(%): 실시예 및 비교예의 에폭시 수지 조성물에 대하여 Brookfield 점도계를 이용하여 상온에서 10rpm에서 5분간 측정된 점도의 평균값(C)을 구하고, 실시예 및 비교예의 에폭시 수지 조성물을 상온에서 8시간 동안 방치한 후 상온에서 10rpm으로 5분간 측정된 점도의 평균값(D)을 구한 뒤, 하기 식 2에 따라 계산하였다.
<식 2>
증점률(%) = {(D-C)/C} × 100
| 실시예 | 비교예 | ||||||||
| 1 | 2 | 3 | 4 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | |
| 개시 온도(℃) | 88 | 95 | 87 | 88 | 115 | 120 | 123 | 112 | 145 |
| 발열 피크(℃) | 118 | 123 | 113 | 113 | 157 | 167 | 165 | 158 | 180 |
| 경화율@110℃, 10min(%) | 88 | 85 | 89 | 91 | 68 | 53 | 51 | 65 | 18 |
| 증점률(%) | 22 | 22 | 23 | 22 | 38 | 32 | 40 | 45 | - |
상기 표 2를 통해 확인할 수 있는 바와 같이, 산무수물계 경화제 및 다가 알코올을 함께 포함한 실시예 1 내지 4의 조성물의 경우 개시 온도가 낮아 저온(110℃)에서 충분히 경화가 가능하였고, 증점률이 낮아 저장 안정성 또한 우수한 것을 알 수 있다.
반면, 다가 알코올을 비포함하거나 다가 알코올 대신 1가 알코올을 포함한 비교예 1 내지 4의 조성물의 경우 실시예 조성물에 비해 높은 개시 온도 및 증점률을 보였으며, 산무수물계 경화제 대신 페놀계 경화제를 포함한 비교예 5의 조성물의 경우 실시예에 비해 개시 온도가 매우 높아 저온 경화가 불가능한 것을 알 수 있다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 이 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 용이하게 실시될 수 있으며, 이러한 변형이나 변경은 모두 본 발명의 영역에 포함되는 것으로 볼 수 있다.
Claims (8)
- 에폭시 수지, 산무수물계 경화제, 무기 충전제 및 다가 알코올을 포함한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 산무수물계 경화제는 메틸테트라히드로프탈산 무수물, 메틸 엔도메틸렌테트라히드로프탈산 무수물, 메틸부테닐테트라히드로프탈산 무수물, 도데세닐숙신산 무수물, 메틸헥사히드로프탈산 무수물, 메틸나딕산 무수물, 시클로헥산-1,2,4-트리카르복시산-1,2-무수물 또는 이들의 조합을 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 산무수물계 경화제는 하기 화학식 1로 표시되는 것인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물:
<화학식 1>
상기 화학식 1 중,
R1은 C1-C10알킬기 중에서 선택되고,
a1은 0 내지 4의 정수 중에서 선택된다.
- 제1항에 있어서,
상기 다가 알코올은 에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜, 트리에틸렌글리콜, 프로판디올, 부탄디올, 1,4-부텐디올, 펜탄디올, 헥산디올, 헵탄디올, 네오펜틸글리콜, 시클로헥산디올, 시클로헥산디메탄올, 글리세린, 디글리세린, 트리글리세린, 트리메틸올에탄, 트리메틸올프로판, 2-메틸프로판트리올, 부탄트리올, 펜탄트리올, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨, 트리펜타에리트리톨, 소르비톨, 자일리톨, 만니톨, 2-히드록시메틸프로판-1,3-디올, 2-메틸-1,2,4-부탄트리올, 1,2,3,6-헥산테트라올, 자일렌글리콜, 1,3,5-벤젠트리메탄올, 비스페놀 또는 이들의 조합을 포함하는 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 다가 알코올은 하기 화학식 2로 표시되는 것인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물:
<화학식 2>
상기 화학식 2 중,
L1은 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬렌기 및 에테르기 중에서 선택되고,
b1는 0 내지 20의 정수 중에서 선택되고,
R2 내지 R5는 서로 독립적으로, 수소, 치환 또는 비치환된 C1-C20알킬기 중에서 선택된다.
- 제1항에 있어서,
상기 산무수물계 경화제와 상기 다가 알코올의 중량비가 98 : 2 내지 60 : 40인 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 에폭시 수지 0.5 내지 20 중량%,
상기 산무수물계 경화제 0.1 내지 20 중량%,
상기 무기 충전제 70 내지 95 중량%, 및
상기 다가 알코올 0.01 내지 5 중량%를 포함한 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물.
- 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 에폭시 수지 조성물을 이용하여 밀봉된 반도체 장치.
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10139980A (ja) * | 1996-11-06 | 1998-05-26 | Toshiba Chem Corp | 熱硬化性樹脂組成物、その製造方法及び樹脂封止型半導体装置 |
| CN103497318A (zh) * | 2013-10-21 | 2014-01-08 | 肇庆福田化学工业有限公司 | 一种甲基六氢苯酐型高固低粘树脂 |
| JP2014015586A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 樹脂組成物、その硬化物及びそれを用いた光半導体装置。 |
| JP2014172990A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Nippon Zeon Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、封止材、および光半導体装置 |
| JP2016141799A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | 日本化薬株式会社 | 多価アルコール化合物、酸無水物化合物及び熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物、およびその熱硬化性樹脂組成物を封止材あるいは反射材として使用した光半導体装置 |
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2019
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Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10139980A (ja) * | 1996-11-06 | 1998-05-26 | Toshiba Chem Corp | 熱硬化性樹脂組成物、その製造方法及び樹脂封止型半導体装置 |
| JP2014015586A (ja) * | 2012-07-11 | 2014-01-30 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 樹脂組成物、その硬化物及びそれを用いた光半導体装置。 |
| JP2014172990A (ja) * | 2013-03-08 | 2014-09-22 | Nippon Zeon Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、封止材、および光半導体装置 |
| CN103497318A (zh) * | 2013-10-21 | 2014-01-08 | 肇庆福田化学工业有限公司 | 一种甲基六氢苯酐型高固低粘树脂 |
| JP2016141799A (ja) * | 2015-02-05 | 2016-08-08 | 日本化薬株式会社 | 多価アルコール化合物、酸無水物化合物及び熱硬化性樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物、およびその熱硬化性樹脂組成物を封止材あるいは反射材として使用した光半導体装置 |
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