KR20200118760A - 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

몰드를 사용하여 기판 상에 경화성 조성물을 성형하는 임프린트 장치는 상기 몰드와 상기 경화성 조성물이 서로 접촉되는 접촉 위치에서의 상기 기판의 높이 분포를 계측하도록 구성되는 제1 계측 유닛을 포함한다. 상기 제1 계측 유닛은 프로브를 상기 기판의 표면에 접촉시킴으로써 상기 기판의 높이를 계측하며, 상기 프로브는 상기 몰드의 접촉면 면적보다 작은 접촉면 면적을 갖는다.

Description

임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법{IMPRINT APPARATUS, IMPRINT METHOD, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 개시내용은 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
최근의 반도체 디바이스의 미세화의 진행에 수반하여, 반도체 디바이스 제조 방법으로서 임프린트 기술이 사용되고 있다. 임프린트 기술은, 실리콘 웨이퍼 등의 기판 상에 임프린트재를 도포하고, 몰드를 경화성 조성물에 가압한 상태에서 경화성 조성물을 경화시키는 기술이다.
수지 또는 레지스트라고도 불리는 임프린트재는 이하에서는 경화성 조성물이라 칭한다. 원판 또는 마스크라고도 불리는 몰드는 이하에서는 몰드라 칭한다.
임프린트 기술의 하나의 예는 일본 특허 제4185941호에 기재되는 광경화법이다.
광경화법을 적용한 임프린트 장치는, 웨이퍼 기판 상에 몰드 접촉 처리를 실행함으로써 형성되는 패턴 형성 영역(이하, 샷 영역이라 칭함)에 광경화성 조성물을 도포한다. 이어서, 경화성 조성물에 몰드를 가압한다. 또한, 몰드에 자외선을 조사하고, 광경화성 조성물을 경화시킨 다음 몰드로부터 분리한다. 이에 의해, 기판 상에 경화물의 패턴이 형성된다.
나노임프린트 장치에서는, 몰드와 기판을 서로 평행하게 정밀하게 접촉시키는 것이 중요하다.
일본 특허 공개 공보 제2005-101201호는, 몰드 표면 및 기판 표면을 센서에 의해 계측하고, 몰드의 기울기 및 기판 표면의 기울기를 기판 스테이지의 이동 방향(면)에 기초해서 구하고, 이어서 몰드와 기판을 평행하게 가압하는 임프린트 방법을 설명하고 있다.
그러나, 기판 스테이지의 베이스면이 조금이라도 변형되는 경우, 각 기울기의 기준이 상이해지고, 이는 몰드 및 기판을 평행하게 가압하는 것을 어렵게 만든다.
이와 관련하여, 일본 특허 출원 공개 공보 제2016-127167호는, 기판 상의 복수의 위치에서 몰드를 기판에 실제로 접촉시켜서, 몰드 접촉 처리 동안에 얻어진 높이에 기초하여 기판의 기울기를 계측하는 방법을 설명하고 있다.
임프린트 위치(기판 상의 경화성 조성물과 몰드 사이의 접촉 위치)에서의 기판 표면에 대한 정확한 오목-볼록 정보를 취득하여, 당해 취득된 오목-볼록 정보와 다른 위치에서 취득된 기판 표면에 대한 오목-볼록 정보 사이의 상관관계를 얻는다. 결과적으로, 기판의 기울기에 대한 정확한 정보를 얻을 수 있다.
그러나, 일본 특허 출원 공개 공보 제2016-127167호에 설명된 몰드를 사용해서 접촉 위치의 높이에 대한 정보를 얻는 방법에서는, 몰드와 접촉하는 볼록부 사이에 존재하는 오목부에 대한 정보는 얻을 수 없다.
이 때문에, 기판의 표면은, 몰드와 평행해져야 하는 기판의 상정된 면과 반드시 일치하는 것은 아니고, 볼록부의 분포에 따라 상정된 면으로부터 경사질 수 있다.
또한, 광학 유닛 등의 표면 계측 유닛이 임프린트 위치에 제공될 수 있다. 그러나, 다수의 경우에 임프린트 위치의 근방에는 이미 기판 이동 유닛, 몰드 이동 유닛, 자외선 조사 유닛, 분위기 가스 도입 유닛, 및 얼라인먼트 유닛 등의 복수의 기구가 배치되어 있어, 장치 설계상 광학 계측 유닛을 추가로 배치하는 것을 상당히 어렵게 만든다. 즉, 상술한 접촉 위치에 배치된 기판 표면에 대한 정보, 특히 상정된 면으로부터의 기울기를 간단하고 정밀하게 추정할 수 있게 하는 기술에 대한 요구가 있다.
본 개시내용은, 상술한 상황을 감안하여, 계측 광학계를 임프린트 위치 근방에 추가할 필요없이, 기판 표면의 기울기에 대한 정보를 간단하고 정밀하게 얻는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명의 양태에 따르면, 몰드를 사용하여 기판 상의 경화성 조성물을 형성하는 임프린트 장치는 몰드와 경화성 조성물을 서로 접촉시키는 접촉 위치에서 기판의 높이 분포를 계측하도록 구성되는 제1 계측 유닛을 포함한다. 상기 제1 계측 유닛은 프로브를 상기 기판의 표면에 접촉시킴으로써 상기 기판의 높이를 계측하며, 상기 프로브는 상기 몰드의 접촉면 면적보다 작은 접촉면 면적을 갖는다.
본 개시내용의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시예에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 다른 임프린트 장치를 도시한다.
도 2a 및 도 2b는 몰드와 기판이 서로 평행하지 않은 상태에서 임프린트가 행해지는 상태를 각각 도시하는 개념도이다.
도 3은 몰드를 기판에 가압함으로써 기판 표면을 계측하는 경우를 도시한다.
도 4는 프로브를 기판에 가압함으로써 기판 표면을 계측하는 예시적인 실시예를 도시한다.
도 5는 예시적인 실시예에 따른 몰드와 기판을 서로 평행하게 하는 처리 플로우를 도시하는 흐름도이다.
도 6a 내지 도 6e는 예시적인 실시예에 따른 장치 조정 처리를 각각 도시하는 개념도이다.
도 7은 예시적인 실시예에 따른 기판 처리를 도시하는 개념도이다.
도 8a, 도 8b, 및 도 8c는 샷 부분의 기울기를 보정하는 처리를 각각 도시한다.
도 9a 내지 도 9f는 물품 제조 방법을 각각 도시한다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 개시내용의 예시적인 실시예에 대해서 설명한다.
이제 제1 예시적인 실시예에 대해서 설명한다. 도 1은 제1 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치의 구성의 일례를 도시한다.
제1 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치는, 반도체 디바이스 제조 단계에 사용되며, 피처리 기판인 실리콘 웨이퍼 기판 상에 몰드의 오목-볼록 패턴을 전사하는 형성 장치이다. 임프린트 장치는 임프린트 기술의 일례인 광경화법을 채용한다.
이하에서 설명되는 도면에서, 몰드에 대한 자외선 조사 축과 평행하게 Z축을 설정하고, Z축에 수직한 평면 내에서 기판이 이동하는 방향으로 X축을 설정하며, X축에 직교하는 방향으로 Y축을 설정한다.
제1 예시적인 실시예에 따른 임프린트 장치(1)는 조명계 유닛(2), 몰드(3), 임프린트 헤드(4), 기판(5), 기판 스테이지(6), 경화성 조성물 도포 장치(7), 몰드 반송 장치(11), 기판 반송 장치(12), 및 제어 장치(10)를 포함한다.
조명계 유닛(2)은 임프린트 처리 시에 몰드(3)에 자외선(17)을 조사하는 조명 유닛이다. 조명계 유닛(2)은, 광원과, 해당 광원으로부터 사출된 자외선을 임프린트에 적절한 광으로 조정하기 위한 복수의 광학 소자를 포함한다.
몰드(3)는, 기판(5)에 대향하는 면에 미리결정된 오목-볼록 패턴이 3차원적으로 형성된 구성을 갖는 몰드이다.
임프린트 헤드(4)는 몰드(3)를 보유지지 및 고정하기 위한 몰드 보유지지 유닛이다. 임프린트 헤드(4)는 몰드(3)가 보유지지된 상태에서 몰드(3)를 기판(5)에 가압하기 위한 Z 구동 기구를 포함한다. 이 경우, 임프린트 헤드(4)는 또한 기판(5)의 기울기 및 몰드(3)의 기울기에 따라 몰드(3) 전체가 기울어지게 하는 기울기 보정 구동 기구도 포함한다.
임프린트 헤드(4) 내의 몰드(3)의 상부에는, 얼라인먼트 유닛으로서의 TTM(Through The Mask) 스코프(13)가 제공된다. TTM 스코프(13)는, 기판(5)에 제공된 얼라인먼트 마크와 몰드(3)에 제공된 얼라인먼트 마크를 관찰하기 위한 광학계와 촬상계를 포함하는 얼라인먼트 스코프이다.
TTM 스코프(13)에 의해, 기판(5) 상의 샷 부분과 몰드(3) 사이의 X축 및 Y축의 어긋남양을 계측할 수 있다.
기판 스테이지(6)는, 기판(5)을 진공 흡착에 의해 보유지지하는, XY 평면 내를 자유롭게 이동할 수 있는 기판 보유지지 유닛이다. 기판 스테이지(6)에는 Z축 둘레의 회전 구동 기구가 제공되는 것이 바람직하다. 임프린트 헤드(4)의 Z 구동 또는 기울기 보정 구동 기구는 Z 방향 또는 XY축 둘레의 회전 기구로 대체될 수 있다.
기판 스테이지(6)에는, 몰드(3)의 표면을 계측할 수 있는 몰드 높이 센서(9)가 제공될 수 있다. 몰드 높이 센서(9)의 제공에 의해, 기판 스테이지(6)를 XY 평면을 따라 구동하면서, 몰드(3)의 표면의 각 위치에서 계측을 행할 수 한다.
기판 스테이지(6)는, 기판 스테이지 베이스(15)를 따라 구동된다. 이 경우에는, 기판 스테이지(6)가 XY 방향으로 구동될 때 사용되는 Z 방향 또는 기울기의 기준면은, 기판 스테이지 베이스(15)의 표면에 대응한다. 기판 스테이지 베이스(15)는, 기판 스테이지 베이스(15)가 기판 스테이지 베이스 마운트(16)에 의해 바닥으로부터의 진동으로부터 절연되는 구조를 갖는다. 도 1에 도시된 임프린트 장치(1)의 예에서는, 임프린트 장치(1) 전체가 기판 스테이지 베이스 마운트(16) 상에 형성됨으로써, 임프린트 장치(1)가 바닥으로부터의 진동에 의해 영향을 받는 것을 방지한다.
본 예시적인 실시예에서는, 몰드(3)와 경화성 조성물이 서로 접촉되는 접촉 위치에서 기판(5)의 높이 분포를 계측하는 제1 계측 유닛으로서, 몰드(3)의 접촉면 면적보다 작은 접촉면 면적을 갖는 프로브를 기판(5)의 표면에 접촉시킴으로써 기판(5)의 높이를 계측하는 유닛이 제공된다. 제1 계측 유닛의 상세에 대해서는 후술한다.
접촉 위치와는 다른 비접촉 위치에서 기판(5)의 높이 분포를 계측하는 제2 계측 유닛으로서, 기판(5)의 높이를 계측할 수 있는 기판 높이 센서(8)가 제공된다. 기판 높이 센서(8)는 기판(5)의 표면을 계측함으로써 기판(5)의 높이를 계측할 수 있는 센서이다. 기판 높이 센서(8)로서, 예를 들어 비접촉 방식으로 기판 높이를 계측하는 광학식 높이 계측 센서를 사용하는 것이 바람직하다.
제2 계측을 실행하는 비접촉 위치는, 비접촉 위치가 기구에 광학적 또는 물리적으로 간섭하는 것을 방지하도록, 몰드(3)와 경화성 조성물을 서로 접촉시키는, 상술한 임프린트 헤드(4) 등의 기구로부터 떨어진 위치에 위치되는 것이 바람직하다.
기판 스테이지(6)는 XY 방향으로 구동됨으로써, 기판(5)의 기준면으로부터의 각 위치의 높이 분포를 계측하는 것을 가능하게 한다.
경화성 조성물 도포 장치(7)는, 기판(5) 위에 미경화 경화성 조성물(14)을 도포하는 도포 유닛이다. 경화성 조성물(14)은, 조명계 유닛(2)으로부터의 자외선(17)을 수광함으로써 경화되는 광경화성 조성물이다.
몰드 반송 장치(11)는, 몰드(3)를 반송하고 몰드(3)를 임프린트 헤드(4) 상에 설치하는 반송 유닛이다.
기판 반송 장치(12)는, 기판(5)을 반송하고 기판(5)을 기판 스테이지(6)에 설치하는 반송 유닛이다.
제어 장치(10)는, 임프린트 장치(1)의 각 구성 유닛의 동작을 제어하고 센서 값 등을 취득하는 제어 유닛이다. 제어 장치(10)는, 예를 들어, 임프린트 장치(1)의 각 유닛에 회선에 의해 연결되고, 저장 유닛을 포함하는, 컴퓨터(도시되지 않음) 또는 시퀀서를 포함한다.
일본 특허 출원 공개 공보 제2016-127167호는, 임프린트 장치가, 기판 스테이지의 베이스면을 기준면으로서 사용하여 몰드의 기울기와 기판의 기울기를 계측하며, 몰드의 기울기와 기판의 기울기를 사용하여 기판 표면이 몰드와 평행해지도록 기판 표면을 조정하는 방법을 설명한다.
도 2a 및 도 2b는 몰드(3)와 기판(5)이 서로 평행하지 않은 상태에서 임프린트를 행한 효과를 도시한다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 몰드(3)와 기판(5)이 서로 평행하지 않은 경우, 샷 부분 내의 소정 위치(도 2b에서 위치(21)로 나타냄)에서 샷 부분에 미충전 부분이 발생한다. 한편, 반대쪽 위치(도 2b에서 위치(22)로 나타냄)에서는, 경화성 조성물이 샷 부분의 외부로 침투하여, 인접하는 샷 부분에 결함을 유발한다. 또한, 샷 부분에서 경화성 조성물의 두께의 불균일성이 발생하여, 이후의 프로세스의 영향에 의해 패턴의 선 폭의 균일성 등에 악영향을 미친다.
상술한 바와 같이, 비접촉 위치에서 행해지는 제2 계측을 위해 사용되는 기판 높이 센서(8)는, 기판 높이 센서(8)가 몰드(3) 및 몰드 보유지지 기구(임프린트 헤드라 칭함)에 간섭하는 것을 방지하도록, 임프린트 위치로부터 떨어진 위치에 배치될 수 있다.
이 경우, 기판(5)은 기판 스테이지(6)에 탑재되며, 기판(5)의 기울기는 임프린트 위치와는 상이한 위치에서 계측된다.
한편, 본 예시적인 실시예에 따른 프로브를 사용한 계측은 접촉 위치(임프린트 위치) 또는 접촉 위치 근방의 위치에서 이루어질 수 있다.
근년, 패턴의 미세화, 샷 부분 근방의 충전성에 따른 생산성의 증가, 샷 부분의 주변 영역으로부터의 경화성 조성물 침투에 의한 결함의 저감 등에 대한 요구가 증가하고 있다. 그 결과, 기판과 몰드를 서로 접촉시킬 때 평행도의 증가에 대한 요구가 증가하고 있다.
구체적으로는, 일본 특허 출원 공개 공보 제2016-127167호에 설명된 방식에서는, 기판 표면의 형상이 실질적으로 평평하고 기판 표면의 기울기만이 기판 스테이지(6)의 이동의 영향에 의해 정확하게 계측될 수 없는 경우, 또는 기판 표면의 형상이 낮은 차수의 함수 형상(예를 들어, 2차 함수 형상 또는 3차 함수 형상)인 경우에는, 문제가 되지 않는다. 그러나, 계측 정밀도는 기판 표면의 오목-볼록 패턴의 상태에 따라 악화될 수 있다.
일본 특허 공개 공보 제2016-127167호에 설명된 구성에서는, 기판 스테이지의 위치에 따라 기판 스테이지의 베이스의 기준면이 상이할 경우, 기울기의 기준이 상이하므로, 몰드와 기판을 평행하게 가압하는 것을 어렵게 만든다.
따라서, 본 예시적인 실시예에서는, 실제로 기판(5) 상의 복수의 위치에서 기판(5)에 프로브를 접촉시키고, 몰드 접촉 처리 동안 획득된 높이에 기초하여 기판(5)의 기울기를 계측한다.
결과적으로, 임프린트 위치에서의 기판(5)과 몰드(3) 사이의 평행도를 기판 스테이지(6)의 베이스의 표면의 영향을 받지 않고 계측할 수 있다.
그 개념을 도 3을 참조하여 설명한다. 도 3의 도시는 설명의 용이성을 위해 어느 정도 과장되어 있다.
도 3은, 기판 높이 센서(8)에 의한 계측을 행하는 처리와 몰드(3)를 기판(5)에 가압하는 처리의 양쪽 모두를 도시한다. 그러나, 실제로는, 양 처리는 기판 스테이지(6) 상의 상이한 위치에서 실행된다. 도 3은 단지 기판(5) 상의 동일한 지점에서 계측이 이루어지는 예를 도시하는 개념도이다.
도 3에 도시된 예에서는, 기판(5)의 상의 2개의 위치, 즉 위치 A 및 위치 B에서 기판 높이가 계측되며, 기판(5)의 기울기가 획득된다.
이 처리는 기판 높이 센서(8) 및 임프린트 위치에서 몰드(3)를 가압함으로써 높이를 계측하는 유닛의 양쪽 모두에 의해 실행된다. 양 경우에, 기판 스테이지 베이스의 표면은 이상적(도 3에서 표면(18)이 나타내는 바와 같이 지면에 대해 수평)이라고 가정한다.
기판 높이 센서(8)는 극도로 작은 계측 영역(약 수십 ㎛ 스퀘어(square) 내지 수백 ㎛ 스퀘어)을 갖는다. 도 3에 도시된 위치 A에서는, 기판(5)의 오목-볼록 패턴의 볼록 부분이 계측되며, 도 3에 도시된 위치 B에서는, 기판(5)의 오목-볼록 부분의 오목 부분이 계측된다.
이 결과, 2개의 지점 A 및 B에서 계측된 기판(5)의 기울기는 도 3의 기울기(24)에 의해 나타낸 바와 같이 산출된다.
임프린트 위치에서는, 몰드(3)의 메사면(경화성 조성물과 접촉하는 돌출면)은 어느 정도의 크기를 갖는다. 따라서, 위치 A에서는, 기판 높이 센서(8)에 의해 획득된 높이와 실질적으로 동일한 높이가 계측되지만, 위치 B에서는, 기판 높이 센서(8)에 의해 획득된 높이와 상이한 높이가 계측된다.
이 결과, 기판(5)의 기울기는 도 3의 기울기(23)에 의해 나타낸 바와 같이 산출된다.
이 결과, 도 3에 도시된 기울기(23)와 기울기(24) 사이의 차이는, 기판 높이 계측 위치에서의 기판 스테이지 베이스의 표면과 임프린트 위치에서의 기판 스테이지 베이스의 표면 사이의 차이에 대응하는 것으로 판단된다.
상술한 바와 같이, 도 3은 개념의 더 양호한 이해를 위해 도시된 개념도이다. 실제로는, 몰드(3) 역시 기판 표면을 따라 약간 변형된다.
따라서, 더 엄밀하게는, 임프린트 위치에서의 높이 계측의 결과(3)는 몰드의 메사 부분의 면적을 평균화함으로써 취득된다.
도 3에 도시된 예에서는, 기판 스테이지 베이스의 표면의 차이가 선형적임을 가정하여 기판(5) 상의 2개의 위치에서 계측을 행한다. 그러나, 기판 스테이지 베이스의 표면의 영향을 더 정밀하게 계측하기 위해서는, 계측은 기판(5) 상의 더 많은 지점에서 더 미세한 피치로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 이 경우에도, 기판(5) 상의 미세한 오목-볼록 패턴은 임프린트 위치에서의 높이 계측에서는 정밀하게 계측될 수 없다. 따라서, 기판 스테이지 베이스의 표면의 차이는 정확하게 산출될 수 없다.
본 발명은, 임프린트 위치에서의 기판 표면의 오목-볼록 부분의 분포를 계측함으로써 임프린트시의 기판 표면과 몰드(3) 사이의 평행도를 더 정밀하게 계측하는 유닛을 제공하는 것을 목적으로 한다.
그러므로, 몰드(3)의 접촉 면적보다 작은 접촉 면적을 갖는 접촉면을 갖는 프로브가 임프린트 위치에서의 기판 표면의 형상을 계측하기 위해서 사용된다.
기판(5)과 접촉하는 프로브의 접촉면의 크기는 기판 표면의 오목-볼록 패턴에 비해서 각각의 오목 부분에 접촉하도록 충분히 작은 것이 바람직하다. 몰드(3)의 접촉면의 면적(A)에 대한 프로브의 접촉면의 크기는 0.2A 이하, 바람직하게는 0.1A 이하, 더 바람직하게는 0.01A 이하이다.
더 바람직하게는, 프로브의 접촉면은 제2 계측 유닛(기판 높이 센서(8))에 의해 계측되는 기판 상의 영역과 동일한 표면적 및 형상을 갖는다. 구체적으로는, 몰드(3) 및 기판(5)의 크기에 따라, 예를 들어 프로브(1)의 접촉면은 1 cm 스퀘어 이하, 바람직하게는 5 mm 스퀘어 이하, 더 바람직하게는 1 mm 스퀘어 이하이다.
또한, 몰드(3)의 형상과 유사한 형상을 갖는 프로브를 사용하는 것이 바람직하다. 프로브의 형상이 몰드(3)의 메사 부분의 형상과 유사하며 프로브의 크기가 모드(3)의 메사 부분의 크기보다 작은 구성을 갖는 프로브를 사용하는 것이 바람직한데, 이러한 구성에 의해 동일한 몰드 보유지지 유닛이 프로브를 용이하게 보유지지할 수 있기 때문이다. 이 경우, 접촉 위치에서의 기판(5)의 높이 분포의 계측 동안에는 몰드 보유지지 유닛이 프로브를 보유지지하게 하는 것이 바람직하며, 경화성 조성물에의 접촉 처리 동안에는 몰드 보유지지 유닛이 몰드(3)를 보유지지하게 하는 것이 바람직하다. 더 바람직하게는, 임프린트 장치(1)는 타이밍에 따라 몰드 보유지지 유닛에 의해 보유지지될 몰드와 프로브를 전환하기 위한 기구를 포함한다.
임프린트에 사용되는 몰드(3)의 형상과 유사한 형상을 가지며 메사 부분을 포함하는 평면형 프로브를 사용하여 임프린트 위치(접촉 위치)에서 기판(5)의 높이 분포를 계측하는 제1 계측 처리, 접촉 위치로부터 떨어진 비접촉 위치에서 높이 분포를 계측하는 제2 계측 처리, 및 계측 결과를 사용하여 몰드(3) 및 기판(5)이 평행한 상태에서 임프린트를 행하는 방법에 대해서 이하에서 설명한다.
이들 처리의 단계를 도 5에 도시된 흐름도를 참고하여 설명한다. 각 단계에 대응하는 동작을 도시하는 개념도를 도 6a 내지 도 6e, 도 7, 및 도 8을 참고하여 설명한다. 이해를 용이하게 하기 위해서, 도 6a 내지 도 6e 및 도 7은, 기판 스테이지(6)가 기울기 보정 구동 기구를 포함한다는 전제에 기초한다.
도 5에 도시된 단계는, 장치 조정 동안 실행되는 단계 및 실제 생산 동안, 즉 생산용 기판에 대해 임프린트가 행해지는 동안 실행되는 단계를 포함한다.
구체적으로는, 도 5에 도시된 단계 B1 내지 B3는 장치 조정 동안 실행된다.
임프린트 장치(1)의 상태가 변화되지 않는 경우, 즉 기판 스테이지 베이스의 표면이 변화되지 않는 경우, 이 조정 동작은 오직 한 번만 실행될 수 있다.
실제로는, 임프린트 장치(1)의 형상은 시간과 함께 기계적으로 변형된다. 따라서, 조정 동작은 일정 기간마다, 예를 들어 수개월마다, 또는 수년마다 실행될 수 있다.
도 5에 도시된 단계 A1 내지 A9는 실제의 생산 기판 처리 동안 실행된다.
이 경우, 상술한 조정 동작 동안 얻어진 정보만을 사용하며, 따라서 본 제안을 실행함으로써 생산성(스루풋, 즉 단위 시간당의 기판 처리 매수)이 저하되지 않는다.
각각의 단계는 이하에서 상세하게 설명한다.
이제 장치 조정 동안 실행되는 단계를 설명한다.
단계 B1에서, 기판의 높이 분포가 기판 높이 센서(8)를 사용해서 계측된다. 단계 B1에서 실행되는 동작을 도 6a를 참고하여 설명한다.
기판 스테이지(6)는 임프린트 장치(1)에 고정된 기판 높이 센서(8)의 위치로 구동된다. 기판(5)의 전체 표면을 계측하기 위해서, 기판 스테이지(6)를 구동하면서 스캔 계측을 행하는 방식이 채용될 수 있다.
이때 계측되는 기판(5)의 높이 분포는, 이 위치, 즉 기판 높이 계측 위치에서의 기판 스테이지 베이스의 표면에 의해 영향을 받는다.
도 6b는 계측 결과를 도시한다. 도 6a에 도시된 예에서, 기판 스테이지(6)는 지면의 우측을 향해 아래로 이동된다.
기판 스테이지(6)가 지면의 우측을 향해서 이동되면, 기판의 좌측이 계측된다.
기판(5)의 좌측은 낮은 위치로서 계측된다.
구체적으로는, 기판 표면 형상은 도 6b에 도시된 바와 같이 상향 경사 형상으로서 계측된다.
단계 B2에서는, 단계 B1에서 사용한 것과 동일한 기판(5)을 사용하여, 임프린트 위치에서의 기판 높이 분포를 구한다.
경화성 조성물과 접촉하는 작은 접촉면을 갖는 프로브(25)를 사용하는 것이 본 발명의 하나의 특징이다. 도 6c는 이 경우에 실행되는 동작을 도시한다.
프로브(25)의 단자(메사 부분에 대응)의 접촉면(메사 표면에 대응)은, 접촉면이 기판(5)에 접촉하도록 기판 표면에 접촉되는데, 즉 프로브(25)는 기판(5)에 가압되어, 이때의 임프린트 헤드(4)의 Z 방향의 구동량에 기초하여 기판 높이를 계측한다.
단계 B1에서와 마찬가지로, 이 처리는 기판 스테이지(6)를 구동시키면서 기판(5)의 전체 표면에 대해 실행되며, 기판(5)의 높이 분포가 계측된다.
이 경우에 계측되는 기판(5)의 높이 분포는, 이 위치, 즉 임프린트 위치에서의 기판 스테이지 베이스의 기준면의 영향을 받는다. 도 6d는 계측 결과를 도시한다.
도 6c에 도시된 예에서는, 기판 스테이지(6)는 지면의 우측을 향해 위로 이동된다. 기판 스테이지가 지면의 우측을 향해 이동될 때, 기판(5)의 좌측이 계측된다.
기판(5)의 좌측은 높은 위치로서 계측된다. 구체적으로는, 기판(5)의 높이 분포는 도 6d에 도시된 바와 같이 하향 경사 형상으로서 계측된다.
도 6c는, 임프린트 헤드(4)가 하향으로 구동됨으로써 기판(5)과 프로브를 서로 접촉시키는 예를 도시한다. 그러나, 본 예시적인 실시예는 이 예로 한정되지 않는다. 기판 스테이지(6)는 상향으로 이동될 수 있다.
기판(5)과 프로브(25)를 서로 직접 접촉시킬 때, 기판(5) 및 프로브(25)는 손상될 수 있다. 따라서, 통상, 보호막을 미리 기판(5) 상에 형성할 수 있거나, 또는 임프린트 처리에서 사용되는 경화성 조성물을 기판(5) 상에 도포할 수 있다.
상술한 접촉 처리는 동일한 조건하에서 기판(5) 상의 복수의 위치에서 반복될 수 있다.
이하, 설명의 편의상, 프로브(25)가 기판(5)의 보호막 또는 경화성 조성물에 접촉하고 있는 상태를 프로브(25)와 기판(5)이 서로 접촉하고 있는 상태로서 표현한다.
프로브(25)와 기판(5)이 서로 접촉하고 있는 상태는, 예를 들어 임프린트 헤드(4)를 통해 흐르는 전류값에 기초하여 임프린트 헤드(4)에 가해지는 힘을 산출하고, 그 힘의 변화에 기초하여 상태를 검출함으로써 검출될 수 있거나, 또는 미리 임프린트 헤드(4)에 통합되어 있는 힘 센서에 의해 검출될 수 있다.
프로브(25)와 기판(5)이 서로 접촉하고 있는 상태를 검출했을 때의 임프린트 헤드(4)의 Z 방향의 구동량이 저장된다. 임프린트 헤드(4)의 Z 방향의 구동량은 기판 높이에 대응한다.
도 4는 얻어진 본 발명의 유리한 효과를 설명하기 위해 도 3과 비교되는 상세한 계측 결과를 도시한다.
도 4에서는, 도 3에 도시된 기판 높이 센서(8)의 도시가 생략되어 있지만, 기판 높이 센서(8)의 계측 위치와 동일한 위치인 기판 위치에서 계측이 이루어진다.
도 3에서는, 기판(5)의 오목-볼록 패턴 및 메사 부분의 크기의 영향에 의해 기판 높이 센서(8)에 의해 얻어진 것과 동일한 계측 결과를 얻을 수 없다. 한편, 도 4에서는, 작은 접촉 면적을 갖는 프로브(25)의 사용에 의해 기판 높이 센서(8)에 의해 얻어진 것과 실질적으로 동일한 계측 결과를 얻을 수 있다.
그 결과, 도 4에 도시된 임프린트 위치에서의 기판 기울기(23)와 도 4에 도시된 기판 높이 센서 위치에서의 기판 기울기(24)는 동일한 결과를 나타내며, 기판 스테이지 베이스의 표면의 차이(도 4에서는 이상적, 즉 양자 사이에 차이가 없는 것으로 가정함)를 정확하게 산출할 수 있다.
도 4는, 기판(5) 상의 2개의 점에서만 계측을 행한 예를 도시한다. 도 4로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 예시적인 실시예에 따른 프로브(25)를 사용한 기판(5)의 전체 표면의 계측은 기판 표면의 형상을 나타내는 높이 분포를 더 정확하게 계측할 수 있게 한다.
단계 B3에서는, 도 6b에 도시된 바와 같은 단계 B1에서 얻어진 기판 높이 계측 위치에서의 기판(5)의 높이 분포와 도 6d에 도시된 바와 같은 단계 B2에서 얻어진 임프린트 위치에서의 기판(5)의 높이 분포 사이의 차이가 산출된다.
도 6a 내지 도 6e에 도시된 예에서는, 도 6b에 도시된 기판 형상은 도 6d에 도시된 것과 동일하며, 도 6b에 도시된 기판 스테이지(6)의 베이스의 표면의 방향(1차 성분)만이 도 6d와 상이하다.
구체적으로는, 도 6b는 기판 스테이지(6)의 베이스의 표면에 관해서 도 6d와 상이하며, 도 6e에 도시된 바와 같은 기울기(1차) 성분만이 남는다.
도 6e는 상형 경사 형상을 도시한다. 이 형상은, 기판 스테이지(6)의 이동의 기준으로서 임프린트 위치가 설정되었기 때문, 즉 계산식 [도 6b의 그래프] - [도 6d의 그래프]이 산출되었기 때문이다.
사용되는 기준은 아래에서 설명되는 단계 A4와 정합하는 경우 임의로 선택될 수 있다.
위에서 설명된 단계 B1 및 B2는 동일한 기판(5)에서 실행된다는 것에 유의한다.
구체적으로는, 기판 높이 계측 위치에서의 기판(5)의 높이 분포 및 임프린트 위치에서의 기판(5)의 높이 분포를 동일한 기판을 사용하여 구해지지만, 높이 분포 사이에 차이가 있다. 이는 기판 스테이지(6)의 베이스의 표면이 변화된다는 것을 나타낸다.
슈퍼 플랫 기판 같은 원래부터 양호한 기판이 사용되는 경우, 단계 B1 및 B2에서 동일한 기판(5)을 사용할 필요는 없다.
단계 B1 및 B2에서, 계측은 기판(5) 상의 동일한 지점에서 이루어지는 것이 바람직할 수 있다.
이는, 단계 B3에서 차이를 산출하는 경우에, 산출이 용이하기 때문이다.
그러나, 상술한 슈퍼 플랫 기판 같은 원래부터 양호한 기판을 사용하는 경우, 기판의 높이 분포는 어느 정도 함수 근사에 의해 표현될 수 있다.
이러한 경우에는, 단계 B1 및 B2에서 높이 분포는 반드시 기판(5) 상의 동일한 위치에서 계측될 필요는 없다.
도 6a 내지 도 6e에 도시된 예에서는, 이해를 용이하게 하기 위해서, 기판 스테이지(6)의 베이스의 표면은 1차 함수에 의해, 즉 기울기만을 사용하여 표현된다. 그러나, 본 예시적인 실시예는 이 예로 한정되지 않는다.
기판 스테이지(6)의 베이스의 표면이 더 높은 차원의 함수 또는 높은 공간 주파수 성분을 갖는 경우, 단계 B1 및 단계 B2에서의 기판 표면의 계측은 충분히 미세한 피치로 행하면 된다.
이어서, 생산 기판 처리에서의 임프린트 동안 실행되는 단계를 도 5 및 도 7에 도시된 흐름도를 참고하여 설명한다. 이들 단계는 기본적으로 일본 특허 출원 공개 공보 제2016-127167호의 단계와 동일하므로, 일본 특허 출원 공개 공보 제2016-127167호의 단계를 참조할 수 있다.
일본 특허 출원 공개 공보 제2016-127167호는 기판의 전체 표면의 기울기만을 설명한다. 한편, 본 예시적인 실시예에서는, 높은 정밀도로 기판 표면과 몰드(3)를 서로 평행하게 하기 위해서, 기판 표면의 오목-볼록 패턴의 각 샷 부분에 대한 기울기를 고려한다.
도 7은, 설명의 간략화를 위해, 기판(5)이 평평한 예를 도시한다. 도 8a 내지 도 8c는 기판 표면의 오목-볼록 패턴이 고려되는 보충적인 설명 도면이다.
먼저, 임프린트를 위한 몰드(3)가 임프린트 헤드(4)에 탑재되면, 단계 A1에서 몰드 표면의 기울기가 계측된다. 몰드(3)의 표면의 높이는 기판 스테이지(6)에 탑재된 몰드 높이 센서(9)에 의해 계측될 수 있다.
이 처리는 기판 스테이지(6)를 구동시켜 몰드 표면 상의 복수의 지점에서 반복됨으로써 몰드(3)의 높이 분포를 계측한다. 이 경우, 기판(5)의 높이 분포의 기준면은 임프린트 위치에서의 기판 스테이지 베이스의 표면에 대응한다.
이어서, 단계 A2에서는, 단계 A1에서 구한 몰드(3)의 기울기에 기초하여 몰드(3)의 기울기의 보정을 구동한다.
도 7에 도시된 예에서는, 화살표 19로 나타낸 바와 같이 임프린트 헤드(4)를 기울임으로써 보정을 실현한다.
이 결과, 몰드 표면은 임프린트 위치에서의 기판 스테이지 베이스의 표면과 평행해진다.
계속해서, 단계 A3에서, 기판(5)은 기판 스테이지(6)에 탑재되며, 기판(5)의 높이 분포가 계측된다.
기판 스테이지(6)는 기판 높이 계측 위치로 구동된다.
기판(5) 상의 계측 위치에서의 기판 높이는 기판 높이 센서(8)에 의해 계측된다.
기판 높이를 기판(5) 상의 복수의 위치에서 계측함으로써, 전체 기판(5)의 높이 분포를 계측한다.
이 경우에 사용되는 높이 분포의 기준은 기판 높이 계측 위치에서의 기판 스테이지 베이스의 표면에 대응한다.
몰드(3) 및 기판(5)을 임프린트 장치(1) 내로 반입하는 동작이 각 계측이 개시되기 전에 완료되는 한, 몰드(3) 및 기판(5)은 어떠한 타이밍에도 임프린트 장치(1) 내로 반입될 수 있다. 따라서, 몰드(3) 및 기판(5)을 임프린트 장치(1) 내로 반입하는 타이밍은 여기에 기재된 타이밍으로 한정되지 않는다.
이어서, 단계 A4에서, 단계 B3에서 구한 기판 높이 계측 위치에서의 기판 표면 형상(높이 분포)와 임프린트 위치에서의 표면 형상(높이 분포) 사이의 차이가 단계 A3에서 구한 기판 높이 계측 위치(비접촉 위치)에서의 기판 표면 형상(높이 분포)에 가산되거나 그로부터 감산된다.
그 결과, 접촉 위치(임프린트 위치)에서의 현재의 기판 높이 분포를 구할 수 있다.
단계 A5에서는, 임프린트될 샷 부분에서의 기판 표면의 기울기가 도 8a에 도시된 바와 같이 산출된다.
단계 A4에서 얻어진 임프린트 위치에서의 기판(5)의 높이 분포에 기초하여 임프린트될 샷 부분(20)을 잘라내고, 각 부분(20)에 대해 1차 평면 근사 등을 실행하여 샷 부분(20)의 기울기를 산출한다. 도 8a는 이 처리를 개념적으로 도시한다.
단계 A6에서는, 단계 A5에서 얻어진 샷 부분(20)의 기울기의 보정을 구동하여 기판(5) 상의 샷 부분(20)을 몰드(3)와 평행하게 한다.
도 8b는 기판 스테이지(6)가 기울어지도록 구동되는 예를 도시한다. 직관적인 이해를 용이하게 하기 위해서, 도 7도 이 예를 도시한다.
도 8c에 도시된 바와 같이, 단계 A6은 임프린트 헤드(4)를 기울임으로써 실현될 수 있다. 이 경우에는, 기판 스테이지(6)에 틸트 구동 기구가 제공될 필요가 없기 때문에, 임프린트 장치(1)를 저렴하게 제조할 수 있는 장점이 있다.
단계 A7에서는, 기판 표면에 경화성 조성물이 도포된다.
이 단계에서는, 임프린트될 샷 부분에 경화성 조성물이 도포된다.
단계 A8에서는, 임프린트 헤드(4)를 아래로 이동시킴으로써 몰드 표면이 기판(5)에 도포된 경화성 조성물에 가압된다. 경화성 조성물은 몰드(3)의 패턴에 경화성 조성물이 충전되는 기간의 경과 후에 노광광, 열 등에 의해 경화된다.
통상, 이 처리 동안에는, 몰드(3)와 기판(5)이 얼라인먼트 스코프에 의해 정렬되는 다이-바이-다이 얼라인먼트가 실행된다.
또한, 임프린트 헤드(4)를 아래로 이동시키는 대신, 기판 스테이지(6)를 이동시키면서 임프린트를 행함으로써 상술한 것과 동일한 유리한 효과를 얻을 수 있다.
단계 A9에서는, 몰드(3)는 기판(5) 상의 경화성 조성물로부터 분리된다. 이 결과, 기판(5) 상에는, 몰드(3)의 패턴이 전사된 경화성 조성물이 남겨진다.
단계 A5 내지 A9는 기판(5) 상의 모든 샷 부분에 대해 반복되는 것이 바람직할 수 있다. 모든 샷 부분에 대한 임프린트의 완료 후에, 기판(5)을 교환하여 단계 A3로부터의 처리를 반복한다.
상술한 바와 같이, 기판 높이 계측 위치에서의 기판 스테이지 베이스의 표면이 임프린트 위치에서의 기판 스테이지 베이스의 표면과 상이한 경우에도, 볼 발명을 적용함으로써 몰드(3)와 기판(5)을 평행하게 가압할 수 있게 된다.
본 예시적인 실시예에서는, 도 5에 도시된 흐름도의 단계의 순서는 고정되는 것이 아니고, 모순이 발생하지 않는 한 변경될 수 있다. 각 단계의 단계 번호는 단계의 순서를 고정하려는 것이 아니라, 단계 번호는 단지 참조 번호를 나타낸다.
다른 예시적인 실시예에서는, 기판 높이 센서(8)를 사용하여 기판(5)의 높이 분포를 계측하는 대신, 본 예시적인 실시예에 따른 프로브를 사용하여 임프린트 위치에서의 기판(5)의 높이 분포를 직접 계측하는 유닛을 제공할 수 있다.
본 처리에서는, 도 5의 흐름도에 도시된 단계 A3 및 A4가 단계 B2로 치환된다.
이 경우, 기판(5)이 처리될 때마다 몰드(3)를 교체하는 것은 시간 및 노력이 필요하다. 그러나, 이 경우, 기판 높이 센서(8)가 불필요하고, 기판 스테이지(6)를 기판 높이 센서(8)의 위치까지 구동할 필요가 없어, 임프린트 장치(1)를 저렴하게 콤팩트하게 할 수 있는 장점이 있다.
혹은, 본 예시적인 실시예는, 예를 들어 기판 표면, 경화성 조성물의 침투, 미충전 부분 등의 사이의 상관관계를 취하기 위한 실험에도 사용될 수 있다.
이상과 같이, 본 예시적인 실시예에서는, 작은 메사 부분을 갖는 몰드를 조정을 위한 몰드로서 사용함으로써, 기판과 몰드가 평행한 상태에서 임프린트를 더 정밀하게 행할 수 있게 된다.
이상적으로는, 조정을 위한 몰드의 메사 부분은 기판 높이 센서(8)의 것과 동일한 면적 및 동일한 형상을 갖는다. 그러나, 조정을 위한 몰드의 메사 부분의 크기가 기판 표면의 오목-볼록 패턴 또는 스테이지 베이스의 표면의 공간 주파수 성분에 비해 충분히 작은 경우, 본 발명의 유리한 효과를 충분히 얻을 수 있다.
기판(5)과 접촉하는 부분이 평평한 표면인 경우, 조정을 위한 기판의 메사 부분은 원 형상 또는 다각형 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 그 부분의 선단부는 원통 형상 또는 각기둥 형상을 갖는다. 형상의 면적은 대략 수 mm 스퀘어 또는 대략 수 cm 스퀘어인 것이 바람직하다. 혹은, 단자의 선단부는 단자의 선단부가 기판(5)과 점 접촉하도록 반구 형상, 원추 형상, 또는 각뿔 형상을 가질 수 있다.
<물품 제조 방법 예시적인 실시예>
본 발명의 실본 발명의 예시적인 실시예에 따른 물품의 제조 방법은 예를 들어 반도체 디바이스 등의 마이크로디바이스 또는 미세구조를 포함하는 소자 등의 물품을 제조하는데 적합하다. 본 예시적인 실시예에 따른 물품 제조 방법은, 기판에 공급(도포)된 임프린트재에 상술한 임프린트 장치(1)(임프린트 방법)를 사용해서 패턴을 형성하는 단계와 이전 단계에서 패턴이 형성된 기판을 가공하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 제조 방법은 다른 공지의 단계(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 예시적인 실시예의 물품 제조 방법은, 종래의 방법에 비하여, 물품의 성능, 품질, 생산성, 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
임프린트 장치(1)를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로 사용되거나 또는 각종 물품을 제조하기 위해서 일시적으로 사용된다. 물품의 예는 전기 회로 소자, 광학 소자, 미세 전자 기계 시스템(MEMS), 기록 소자, 센서, 및 몰드를 포함한다. 전기 회로 소자의 예는 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM), 정적 RAM(SRAM), 플래시 메모리, 및 자기저항 RAM(MRAM)과 같은 휘발성 또는 비휘발성 반도체 메모리와, 대규모 집적 소자(LSI), 전하 결합 디바이스(CCD), 이미지 센서, 및 필드 프로그램가능 게이트 어레이(FPGA)와 같은 반도체 소자를 포함한다. 몰드의 예는 임프린트용의 몰드를 포함한다.
경화물의 패턴은, 상기 물품의 적어도 일부의 구성요소로서 그대로 사용되거나 또는 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 레지스트 마스크는 기판 가공 단계에서 에칭, 이온 주입 등이 행하여진 후 제거된다.
이어서, 물품의 구체적인 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 9a에 도시되는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재(2z)가 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1z)을 준비한다. 계속해서, 잉크젯법 등에 의해 피가공재(2z)의 표면에 임프린트재(3z)를 부여한다. 도 9a는 복수의 액적 형태로 된 임프린트재(3z)가 기판(1z) 상에 부여된 상태를 도시하고 있다.
도 9b에 도시된 바와 같이, 임프린트용 몰드(4z)를 그 오목-볼록 패턴이 형성된 표면이 기판(1z) 상의 임프린트재(3z)를 향하게 하는 상태에서 임프린트재(3z)에 대향하도록 배치한다. 도 9c에 도시된 바와 같이, 임프린트재(3z)가 부여된 기판(1z)을 몰드(4z)에 접촉시키고, 그후 기판(1z) 및 몰드(4z)에 압력을 가한다. 임프린트재(3z)는 몰드(4z)와 피가공재(2z) 사이의 간극에 충전된다. 이 상태에서, 경화용의 에너지로서의 광을 몰드(4z)를 통해서 임프린트재(3z)에 조사하여, 임프린트재(3z)를 경화시킨다.
도 9d에 도시하는 바와 같이, 임프린트재(3z)를 경화시킨 후, 몰드(4z)를 기판(1z)으로부터 분리하면, 기판(1z) 위에 임프린트재(3z)의 경화물의 패턴이 형성된다. 경화물의 패턴은, 몰드(4z)의 오목부가 경화물의 볼록부에 대응하며, 몰드(4z)의 볼록부가 경화물의 오목부에 대응하는 형상을 갖는다. 즉, 몰드(4z)의 오목-볼록 패턴이 임프린트재(3z)에 전사된다.
도 9e에 도시되는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내에칭 마스크로서 에칭에 사용하면, 피가공재(2z)의 표면 상의 경화물이 없는 부분 또는 경화물이 얇은 부분이 제거되고, 제거된 부분은 각각의 홈(5z)에 대응한다. 도 9f에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재(2z)의 표면에 홈(5z)이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 이 경우, 경화물의 패턴은 제거된다. 그러나, 가공 후에 경화물의 패턴을 제거하는 대신, 경화물의 패턴을 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연용의 막 또는 물품의 구성요소로서 이용할 수 있다.
위에서 본 발명의 바람직한 예시적인 실시예를 설명하였다. 그러나, 본 발명은 상술한 예시적인 실시예로 한정되지 않으며 본 발명의 범위 내에서 다양하게 변형 또는 변경될 수 있다.
본 발명의 양태에 따르면, 접촉 위치에서의 기판의 표면의 오목-볼록 부분의 분포를 더 정밀하게 취득할 수 있다. 이에 의해, 기판 표면과 몰드를 서로 더 정밀하게 평행하게 할 수 있다. 그 결과, 수율의 향상 및 생산성의 향상이 얻어질 수 있다.
본 발명을 예시적인 실시예를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시예로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (17)

  1. 몰드를 사용해서 기판 상의 경화성 조성물을 성형하는 임프린트 장치이며,
    상기 몰드와 상기 경화성 조성물을 서로 접촉시키는 접촉 위치에서 상기 기판의 높이 분포를 계측하도록 구성되는 제1 계측 유닛을 포함하며,
    상기 제1 계측 유닛은 프로브를 상기 기판의 표면에 접촉시킴으로써 상기 기판의 높이를 계측하며, 상기 프로브는 상기 몰드의 접촉면 면적보다 작은 접촉면 면적을 갖는, 임프린트 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 접촉 위치와는 상이한 비접촉 위치에서 상기 기판의 높이 분포를 계측하도록 구성되는 제2 계측 유닛을 더 포함하는, 임프린트 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 비접촉 위치는, 상기 비접촉 위치가 상기 몰드와 상기 경화성 조성물을 서로 접촉시키도록 구성되는 기구와 간섭하는 것을 방지하기 위해서 상기 기구로부터 떨어진 위치에 위치되는, 임프린트 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 몰드를 보유지지하도록 구성되는 몰드 보유지지 유닛을 더 포함하며,
    상기 몰드 보유지지 유닛이 상기 프로브를 보유지지하게 하는, 임프린트 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 몰드 보유지지 유닛은 상기 접촉 위치에서의 상기 기판의 높이 분포가 계측되는 경우에는 상기 프로브를 보유지지하게 되며, 상기 몰드 보유지지 유닛은 상기 몰드와 상기 경화성 조성물이 서로 접촉되는 경우에는 상기 몰드를 보유지지하게 되는, 임프린트 장치.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 제1 계측 유닛에 의해 얻어진 높이 분포 및 제2 계측 유닛에 의해 얻어진 높이 분포에 기초하여 상기 접촉 위치에서의 상기 기판의 기울기를 보정하도록 구성되는 보정 유닛을 더 포함하는, 임프린트 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 보정 유닛은, 상기 비접촉 위치에서의 상기 기판의 높이 분포와 상기 접촉 위치에서의 상기 기판의 높이 분포 사이의 차이를 산출하는, 임프린트 장치.
  8. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 프로브의 선단부가 반구 형상, 원통 형상, 원추 형상, 각뿔 형상, 및 각기둥 형상 중 하나를 갖는, 임프린트 장치.
  9. 제2항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 계측 유닛은 광학식 높이 계측 센서인, 임프린트 장치.
  10. 몰드를 사용해서 기판 상의 경화성 조성물을 성형하는 임프린트 방법이며,
    상기 몰드와 상기 경화성 조성물을 서로 접촉시키는 접촉 위치에서 상기 기판의 표면의 높이 분포를 계측하는 단계를 포함하며,
    상기 기판의 표면에 프로브를 접촉시킴으로써 상기 기판의 높이가 계측되며, 상기 프로브는 상기 몰드의 접촉면 면적보다 작은 접촉면 면적을 갖는, 임프린트 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 접촉 위치와는 상이한 비접촉 위치에서 상기 기판의 표면의 높이 분포를 계측하는 단계를 더 포함하는, 임프린트 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 비접촉 위치는, 상기 비접촉 위치가 상기 몰드와 상기 경화성 조성물을 서로 접촉시키도록 구성되는 기구와 간섭하는 것을 방지하기 위해서 상기 기구로부터 떨어진 위치에 위치되는, 임프린트 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 접촉 위치에서의 상기 기판의 표면의 높이 분포는 몰드 보유지지 유닛이 상기 프로브를 보유지지하게 함으로써 계측되며, 상기 몰드 보유지지 유닛은 상기 몰드를 보유지지하도록 구성되는, 임프린트 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 몰드 보유지지 유닛은 상기 접촉 위치에서의 상기 기판의 높이 분포가 계측되는 경우에는 상기 프로브를 보유지지하게 되며, 상기 몰드 보유지지 유닛은 상기 몰드와 상기 경화성 조성물이 서로 접촉되는 경우에는 상기 몰드를 보유지지하게 되는, 임프린트 방법.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 접촉 위치에서의 상기 기판의 높이 분포의 계측에서 얻어진 높이 분포 및 상기 비접촉 위치에서의 상기 기판의 표면의 높이 분포의 계측에서 얻어진 높이 분포에 기초하여 상기 접촉 위치에서의 상기 기판의 기울기를 보정하는 단계를 더 포함하는, 임프린트 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 접촉 위치에서의 상기 기판의 기울기의 보정은 상기 비접촉 위치에서의 상기 기판의 높이 분포와 상기 접촉 위치에서의 상기 기판의 높이 분포 사이의 차이를 산출하는 단계를 포함하는, 임프린트 방법.
  17. 물품의 제조 방법이며,
    제10항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 임프린트 방법을 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 패턴이 형성된 상기 기판을 가공하는 단계를 포함하며,
    상기 물품은 가공된 상기 기판을 사용하여 제조되는, 물품의 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR890004157B1 (ko) 1987-06-24 1989-10-21 삼성전자 주식회사 탄성표면파 지연선을 이용한 fm복조기 구성방식
JPH0545925Y2 (ko) * 1987-07-31 1993-11-30
JP2002350128A (ja) * 2001-05-30 2002-12-04 Canon Inc 立体形状計測装置並びに立体形状計測方法および位置合わせ方法
JP2005101201A (ja) 2003-09-24 2005-04-14 Canon Inc ナノインプリント装置
JP2007163333A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Hitachi Kenki Fine Tech Co Ltd 走査型プローブ顕微鏡
JP5032031B2 (ja) * 2006-02-03 2012-09-26 株式会社ミツトヨ 接触プローブおよび形状測定装置
JP5196622B2 (ja) * 2006-02-07 2013-05-15 国立大学法人 香川大学 触針式表面測定装置
JP4185941B2 (ja) 2006-04-04 2008-11-26 キヤノン株式会社 ナノインプリント方法及びナノインプリント装置
WO2007121208A2 (en) * 2006-04-11 2007-10-25 Massachusetts Institute Of Technology Nanometer-precision tip-to-substrate control and pattern registration for scanning-probe lithography
JP2007299994A (ja) * 2006-05-01 2007-11-15 Canon Inc 加工装置及び方法、並びに、デバイス製造方法
JP5517423B2 (ja) * 2008-08-26 2014-06-11 キヤノン株式会社 インプリント装置及びインプリント方法
JP2011119447A (ja) * 2009-12-03 2011-06-16 Dainippon Printing Co Ltd ナノインプリント用転写材料の離型力測定方法
JP2011153906A (ja) * 2010-01-27 2011-08-11 Toppan Printing Co Ltd 測定物保持装置及び方法並びに平面度測定装置
US10274838B2 (en) * 2013-03-14 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for performing lithography process in semiconductor device fabrication
JP6497938B2 (ja) * 2015-01-05 2019-04-10 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法。
JP2017129848A (ja) * 2016-01-18 2017-07-27 Hoya株式会社 基板保持装置、描画装置、フォトマスク検査装置、および、フォトマスクの製造方法
JP2017157639A (ja) * 2016-02-29 2017-09-07 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
US10580659B2 (en) * 2017-09-14 2020-03-03 Canon Kabushiki Kaisha Planarization process and apparatus
JP7241548B2 (ja) * 2018-02-19 2023-03-17 キヤノン株式会社 インプリント装置、平坦化層形成装置、形成装置、制御方法、および、物品製造方法

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