KR20200136827A - 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판 상에 2차원적으로 배열된 샷 영역 각각에 원판의 패턴을 전사하는 처리를 행하는 리소그래피 장치로서, 상기 기판 및 상기 원판 중 하나를 보유지지하면서 이동하는 스테이지, 상기 처리를 행할 때에, 상기 원판에 제공된 마크와 상기 샷 영역 각각에 제공된 마크 사이의 위치 어긋남량을 계측하도록 구성되는 계측 유닛, 및 제1 행에 포함되는 복수의 제1 샷 영역에 대하여 상기 처리가 연속적으로 행하여진 후, 상기 제1 행에 인접하는 제2 행에 포함되는 복수의 제2 샷 영역에 대해 상기 처리가 연속적으로 행하여지도록 상기 샷 영역에 대한 상기 처리를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하는, 리소그래피 장치를 제공한다.

Description

리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법{LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은 리소그래피 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 미세패턴화가 진행됨에 따라, 미세가공 기술로서, 기판 상의 임프린트재와 몰드를 접촉시켜서, 몰드에 형성된 미세한 패턴에 대응하는 임프린트재의 패턴을 기판 상에 형성하는 임프린트 기술이 주목받고 있다. 이러한 임프린트 기술을 사용한 임프린트 장치는 수 nm의 미세한 패턴을 기판 상에 형성할 수 있다.
임프린트 장치는, 임프린트 처리의 단계로서, 공급 단계, 충전 단계, 얼라인먼트 단계, 경화 단계, 및 이형 단계를 포함한다. 공급 단계에서는, 기판 상에 임프린트재가 공급(도포)된다. 충전 단계에서는, 기판 상의 임프린트재에 몰드를 접촉시켜서 몰드의 패턴에 임프린트재를 충전한다. 얼라인먼트 단계에서는, 몰드 및 기판을 얼라인먼트(위치결정)한다. 경화 단계에서는, 기판 상의 임프린트재에 몰드가 접촉된 상태에서 임프린트재를 경화시킨다. 이형 단계에서는, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리한다.
임프린트 장치는, 얼라인먼트 단계에서, 몰드에 제공된 마크와 기판에 제공된 마크를 위치결정하기 위해서, 기판 상의 각 샷 영역마다, 몰드에 제공된 마크와 기판에 제공된 마크 사이의 어긋남량을 계측한다. 그리고, 어긋남량을 저감하도록 몰드와 기판 사이를 위치결정함으로써, 몰드와 기판을 정밀하게 얼라인먼트하는 것이 가능하다. 얼라인먼트 단계에 관한 기술이 일본 특허 공개 공보 제2016-76626호에 제안되어 있다.
임프린트 장치에서, 임프린트 처리의 속도를 향상시키기 위해서는, 기판을 보유지지하는 스테이지를 고속화(스테이지의 더 높은 속도 또는 더 높은 가속도를 얻는 것)할 필요가 있다. 스테이지를 고속화해서 연속적으로 구동하면, 스테이지의 모터의 발열량이 증가해서 스테이지 구조체가 변형되어, 스테이지 구조체에 제공되어 있는 스테이지의 위치 계측 시스템(인코더 등)이 변형된다. 그 결과, 스테이지의 위치 제어(구동 제어)의 정밀도가 저하되고, 얼라인먼트 단계에서 몰드(그 위에 제공된 마크)와 기판(그 위에 제공된 마크) 사이의 초기 어긋남량이 증가하고, 따라서 몰드 및 기판을 위치결정하는데 긴 시간이 걸린다. 미리결정된 시간 내에 몰드와 기판 사이의 위치결정이 완료되지 않는 경우에는, 몰드의 위치와 기판의 위치가 서로 어긋난 상태에서 패턴이 형성된다.
본 발명은 원판과 기판 사이의 얼라인먼트에 유리한 리소그래피 장치를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 기판 상에 2차원적으로 배열된 샷 영역 각각에 원판의 패턴을 전사하는 처리를 행하는 리소그래피 장치로서, 상기 기판 및 상기 원판 중 하나를 보유지지하면서 이동하는 스테이지; 상기 처리를 행할 때에, 상기 원판에 제공된 마크와 상기 샷 영역 각각에 제공된 마크 사이의 위치 어긋남량을 계측하도록 구성되는 계측 유닛; 및 제1 행에 포함되는 복수의 제1 샷 영역에 대해 상기 처리가 연속적으로 행하여진 후, 상기 제1 행에 인접하는 제2 행에 포함되는 복수의 제2 샷 영역에 대해 상기 처리가 연속적으로 행하여지도록 상기 샷 영역에 대한 상기 처리를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하며, 상기 제어 유닛은, 상기 복수의 제2 샷 영역 중 최초의 제2 샷 영역에 대해 상기 처리가 행하여질 때에, 상기 복수의 제1 샷 영역 중 상기 최초의 제2 샷 영역으로부터의 거리가 설정 거리 내에 있는 상기 제1 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에 상기 계측 유닛에 의해 계측된 상기 위치 어긋남량에 기초하여, 상기 최초의 제2 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때의 상기 스테이지의 목표 위치를 보정하는, 리소그래피 장치가 제공된다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 장치의 구성을 각각 도시하는 개략도이다.
도 2는 도 1a 내지 도 1c에 나타내는 임프린트 장치에서의 임프린트 처리를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3a 내지 도 3c는 X 스케일이 신장될 때 기판 스테이지의 위치 계측에 발생하는 오차를 설명하기 위한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 제1 실시형태에 따른 기판 스테이지의 목표 위치의 보정을 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 X 스케일이 서서히 변형되어서 신장된 상태를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 6a 내지 도 6c는 제1, 제2 및 제3 기판 각각의 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량을 각각 도시하는 도면이다.
도 7a 내지 도 7d는 제2 실시형태에 따른 기판 스테이지의 목표 위치의 보정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8a 내지 도 8i는 제3 실시형태에 따른 기판 스테이지의 목표 위치의 보정을 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 제2 실시형태에서 설명한 보정이 행해진 후에 제1 실시형태에서 설명한 보정이 행해진 경우의 보정 순서를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 10a 내지 도 10i는 제3 실시형태에 따른 기판 스테이지의 목표 위치의 보정을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 제1 실시형태에서 설명한 보정이 행해진 후에 제2 실시형태에서 설명한 보정이 행해진 경우의 보정 순서를 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 12a 내지 도 12f는 물품의 제조 방법을 설명하기 위한 도면이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 실시형태를 상세하게 설명한다. 이하의 실시형태는 청구된 발명의 범위를 한정하려는 것이 아니다. 실시형태에는 다수의 특징이 기재되어 있지만, 이러한 모든 특징이 필요한 발명으로 한정되지 않으며, 다수의 이러한 특징은 적절히 조합될 수 있다. 또한, 첨부 도면에서는, 동일하거나 또는 마찬가지의 구성에 동일한 참조 번호를 부여하고, 그에 대한 중복하는 설명은 생략한다.
<제1 실시형태>
도 1a, 도 1b 및 도 1c는 본 발명의 일 양태에 따른 임프린트 장치(100)의 구성을 각각 도시하는 개략도이다. 도 1a는 임프린트 장치(100)의 정면도이고, 도 1b는 임프린트 장치(100)의 상면도이며, 도 1c는 도 1b의 A-A 선을 따라 취한 임프린트 장치(100)의 단면도이다.
임프린트 장치(100)는, 반도체 디바이스 또는 액정 표시 소자의 제조 단계로서의 리소그래피 단계에 채용되고, 기판 상에 2차원적으로 배열된 샷 영역의 각각에 원판의 패턴을 전사(형성)하는 처리를 행하는 리소그래피 장치이다. 임프린트 장치(100)는, 원판으로서의 몰드를 사용해서 기판 상의 샷 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다. 본 실시형태에서는, 임프린트 장치(100)는, 기판 상에 공급된 임프린트재에 몰드를 접촉시키고, 임프린트재에 경화 에너지를 부여함으로써, 몰드의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성한다.
본 발명에 따르면, 리소그래피 장치는 임프린트 장치에 한정되는 것이 아니고, 다이-바이-다이 얼라인먼트를 채용하는 노광 장치에 적용될 수 있다는 것에 유의한다. 노광 장치는, 원판으로서의 마스크의 패턴의 상을 투영 광학계를 통하여 기판에 투영함으로써, 마스크의 패턴을 기판에 전사한다.
임프린트재로서는, 경화 에너지가 부여됨으로써 경화되는 경화성 조성물(미경화 상태의 수지라고도 칭함)이 사용된다. 경화 에너지의 예는 전자기파, 열 등이다. 전자기파로서는, 예를 들어 10 nm(포함) 내지 1 mm(포함)의 파장 범위로부터 선택되는 광이 사용된다. 전자기파의 예는 적외선, 가시광선, 및 자외선이다.
경화성 조성물은 광의 조사 또는 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 광의 조사에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 중합성 화합물과 광중합 개시제를 함유하고, 필요에 따라 비중합성 화합물 또는 용제를 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 및 폴리머 성분을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 재료이다.
임프린트재는 스핀 코터 또는 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막 형상으로 부여될 수 있다. 임프린트재는, 액체 분사 헤드를 사용하여 액적 형상 또는 복수의 액적이 연결되어서 형성되는 섬 또는 막 형상으로 기판 상에 부여될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는 예를 들어 1mPa·s(포함) 내지 100mPa·s(포함)이다.
기판으로서는, 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등이 사용된다. 필요에 따라, 기판의 표면에는 기판의 재료와는 상이한 재료로 이루어지는 부재가 형성될 수 있다. 더 구체적으로는, 기판의 예는 실리콘 웨이퍼, 반도체 화합물 웨이퍼, 및 실리카 유리이다.
기판(1)은 척(2)을 통해서 기판 스테이지(3)에 보유지지된다. 기판 스테이지(3)는, X 및 Y 방향으로 구동(이동)될 수 있는 XY 구동 유닛(4), Y 방향으로 구동될 수 있는 Y 구동 유닛(5), 및 XY 구동 유닛(4)과 Y 구동 유닛(5)을 지지하는 스테이지 정반(6)을 포함하며, 기판(1)을 보유지지하면서 이동하는 스테이지이다.
XY 구동 유닛(4)은, 그 상면에서 척(2)을 지지하고, 스테이지 정반(6)의 상면을 가이드면으로서 이용하여 XY 바닥 에어 가이드(21)에 의해 부상한다. 또한, XY 구동 유닛(4)은, Y 구동 유닛(5)에 대하여, XY 가로 에어 가이드(24) 및 X 리니어 모터 가동부(25)에 의해 X 방향으로 구동될 수 있다.
Y 구동 유닛(5)에는 X 스케일(30)이 배치되고, XY 구동 유닛(4)에는 X 스케일(30)에 대향하도록 X 검출 유닛(31)이 배치된다. X 검출 유닛(31)과 X 스케일(30)은, X 인코더를 형성하고, Y 구동 유닛(5)에 대하다 XY 구동 유닛(4)의 X 위치를 계측한다.
Y 구동 유닛(5)은, 상술한 바와 같이, XY 구동 유닛(4)을 X 방향으로 구동하기 위한 가이드면(36) 및 X 리니어 모터 고정부(26)를 형성한다. 또한, Y 구동 유닛(5)은, 스테이지 정반(6)에 대하여, Y 바닥 에어 가이드(22), Y 가로 에어 가이드(23) 및 2개의 Y 리니어 모터 가동부(27)에 의해 Y 방향으로 구동될 수 있다.
스테이지 정반(6)에는 Y 리니어 모터 고정부(28), Y 스케일(R)(32) 및 Y 스케일(L)(34)이 배치되고, Y 구동 유닛(5)에는 Y 스케일(32 및 34)에 대향하도록 Y 검출 유닛(R)(33) 및 Y 검출 유닛(L)(35)이 배치된다. Y 검출 유닛(33) 및 Y 스케일(32)은 Y 인코더(R)를 형성하며, Y 검출 유닛(35) 및 Y 스케일(34)은 Y 인코더(L)를 형성한다. Y 인코더(R) 및 Y 인코더(L)는, 스테이지 정반(6)에 대하여 Y 구동 유닛(5)의 Y 위치 및 θ 위치를 계측한다.
스테이지 정반(6)에 대한 Y 구동 유닛(5)의 Y 위치는, Y 인코더(R)의 계측값 또는 Y 인코더(L)의 계측값으로부터 구해질 수 있거나, 또는 Y 인코더(R)의 계측값과 Y 인코더(L)의 계측값의 평균값으로부터 구해질 수 있다. 대안적으로, 스테이지 정반(6)에 대한 Y 구동 유닛(5)의 Y 위치는, Y 인코더(R)의 계측값과 Y 인코더(L)의 계측값을 가산하여 구한 값과 X 인코더의 위치 사이의 비율로부터 구해질 수 있다. 스테이지 정반(6)에 대한 Y 구동 유닛(5)의 θ 위치는, Y 인코더(R)의 계측값과 Y 인코더(L)의 계측값 사이의 차분을, Y 인코더(R)와 Y 인코더(L) 사이의 거리로 나누어 구할 수 있다. 상술한 바와 같이, X 인코더, Y 인코더(R) 및 Y 인코더(L)에 의해, 스테이지 정반(6)에 대한 XY 구동 유닛(4)의 X, Y 및 θ 위치를 3축 방향으로 계측할 수 있다.
몰드(10)는, 기판(1)에 전사해야 할 패턴(요철 패턴)을 갖는 몰드(원판)이며, 몰드 척(11)에 보유지지(고정)된다. 몰드 척(11)은 몰드 스테이지(12)에 의해 지지된다. 몰드 스테이지(12)는, 몰드를 수직으로 이동시키기 위한 액추에이터(15)에 연결된다. 액추에이터(15)를 통해서 몰드 스테이지(12)를 Z 방향으로 구동함으로써, 몰드 척(11)에 의해 보유지지된 몰드(10)를 기판 상의 임프린트재에 접촉시키고, 기판 상의 임프린트재로부터 몰드(10)를 분리할 수 있다. 또한, 몰드 스테이지(12)는, 기판(1)(그 표면)에 대한 몰드(10)의 기울기를 보정하기 위한 기능을 갖는다.
몰드 척(11) 및 몰드 스테이지(12) 각각에는, 광원(도시되지 않음)으로부터 콜리메이터 렌즈(13)를 통해서 조사되는 광(예를 들어, 자외선)을 통과시키는 개구(도시되지 않음)가 형성된다. 몰드 스테이지(12)에는, 기판 상의 임프린트재에 몰드(10)를 접촉시켰을 때의 힘(몰드(10)를 가압할 때의 가압력)을 검출하기 위한 로드셀(도시되지 않음)이 배치된다. 또한, 몰드 스테이지(12)에는, 기판 스테이지(3)에 의해 보유지지된 기판(1)의 높이를 계측하기 위한 갭 센서(14)가 배치된다.
TTM(Through The Mold) 얼라인먼트 계측계(16)는, 예를 들어 몰드 스테이지(12)에 배치된다. TTM 얼라인먼트 계측계(16)는, 몰드(10)에 제공된 마크(얼라인먼트 마크), XY 구동 유닛(4)에 제공된 기준 마크, 기판(1)에 제공된 마크(얼라인먼트 마크) 등을 검출하기 위한 광학계 및 촬상계를 포함한다. TTM 얼라인먼트 계측계(16)는, 척(2)에 의해 보유지지된 기판(1)이 몰드(10)에 근접한 상태에서, 기판(1)에 제공된 마크와 몰드(10)에 제공된 마크 사이의 X 및 Y 방향의 상대적인 위치 어긋남량을 계측한다.
공급 유닛(17)은, 기판 상에 임프린트재(본 실시형태에서는, 광경화성 임프린트재)를 적하(토출)하는 노즐을 포함하는 디스펜서에 의해 형성되며, 기판(그 샷 영역) 상에 임프린트재를 공급(도포)한다. 공급 유닛(17)은, 예를 들어 압전 제트 방식, 마이크로 솔레노이드 방식 등을 채용하여 기판 상에 미소한 용적의 임프린트재의 액적을 공급한다. 공급 유닛(17)으로부터 임프린트재를 공급하면서 기판 스테이지(3)를 이동시킴으로써, 기판 상에 임프린트재를 도포하는 것이 가능하다. 공급 유닛(17)은, 몰드 스테이지(12)(몰드 척(11))로부터 X 방향으로 이격된 위치에 배치된다.
오프-액시스 계측계(18)는, 천장판(20)에 의해 지지되고, 몰드(10)를 통하지 않고, XY 구동 유닛(4)에 제공된 기준 마크 및 기판(1)에 제공된 마크(얼라인먼트 마크)를 검출하기 위한 광학계 및 촬상계를 포함한다. 오프-액시스 계측계(18)는, XY 구동 유닛(4)에 제공된 기준 마크에 대한 기판(1)의 XY 평면에서의 마크의 위치를 계측한다.
임프린트 장치(100)에서, TTM 얼라인먼트 계측계(16)는 몰드(10)와 기판 스테이지(3) 사이의 위치 관계를 구할 수 있으며, 오프-액시스 계측계(18)는 기판 스테이지(3)와 기판(1) 사이의 위치 관계를 구할 수 있다. 따라서, TTM 얼라인먼트 계측계(16) 및 오프-액시스 계측계(18)의 양쪽 모두를 사용함으로써 몰드(10)와 기판(1) 사이의 상대적인 얼라인먼트(위치결정)를 행할 수 있다.
제어 유닛(19)은, CPU 및 메모리를 포함하는 컴퓨터에 의해 형성되고, 임프린트 장치(100)에 제공된 저장 유닛, 예를 들어 저장 유닛(19A)에 저장된 프로그램에 따라서 임프린트 장치(100)의 각 유닛을 통괄적으로 제어해서 임프린트 장치(100)를 동작시킨다. 제어 유닛(19)은, 몰드(10)에 제공된 마크와 기판(1)에 제공된 마크 사이의 상대적인 위치 어긋남량을 저감하도록 몰드(10)와 기판(1) 사이의 위치 관계를 조정함으로써 임프린트 처리가 행해지도록, 기판(1)에 대한 임프린트 처리를 제어한다. 이때, 제어 유닛(19)은, 몰드(10)와 기판(1) 사이의 위치 어긋남량, 특히 공급 유닛(17) 아래의 위치로부터 몰드(10) 아래의 위치로 기판 스테이지(3)가 이동되었을 때의 초기 위치 어긋남량(플런징 오차(plunging error))을 저감하도록, 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정한다. 제어 유닛(19)은, 무선으로 또는 케이블을 통해 공장 내의 다른 장치와 통신하도록 구성될 수 있다. 제어 유닛(19)은 유저 인터페이스 또는 통신에 의해 레시피 정보를 취득할 수 있다.
본 실시형태에서는, 제어 유닛(19)은, 기판 상의 샷 영역 중 제1 행에 포함되는 복수의 제1 샷 영역에 대하여 연속적으로 임프린트 처리가 행해지도록 임프린트 처리를 제어한다. 또한, 제어 유닛(19)은, 복수의 제1 샷 영역에 대하여 임프린트 처리가 행하여진 후, 제1 행에 인접하는 제2 행에 포함되는 복수의 제2 샷 영역에 대하여 연속적으로 임프린트 처리가 행해지도록, 임프린트 처리를 제어한다.
저장 유닛(19A)은 RAM, ROM, 및 하드 디스크 드라이브 등의 저장 디바이스를 포함한다. 저장 유닛(19A)은, 임프린트 장치(100)를 동작시키기 위해서 필요한 프로그램, 정보 및 데이터, TTM 얼라인먼트 계측계(16), 오프-액시스 계측계(18), 인코더 등의 각종 계측값을 저장한다. 저장 유닛(19A)은, 본 실시형태에서는, TTM 얼라인먼트 계측계(16)가 계측한, 몰드(10)에 제공된 마크와 기판(1)에 제공된 마크 사이의 위치 어긋남량(특히, 초기 위치 어긋남량)을, 위치 어긋남량이 계측된 샷 영역에 연관지어서 저장한다.
도 2를 참조하여, 임프린트 장치(100)에서의 임프린트 처리에 대해서 설명한다. 임프린트 처리는, 상술한 바와 같이, 제어 유닛(19)이 임프린트 장치(100)의 각 유닛을 통괄적으로 제어할 때 행하여진다.
단계 S201에서는, 임프린트 장치(100) 내에 기판(1)을 반입한다. 더 구체적으로는, 기판(1)은, 기판 반송계(도시되지 않음)에 의해 임프린트 장치(100)의 외부로부터 기판 스테이지(3) 내로 반입되며, 척(2)으로 진공 흡착함으로써 기판 스테이지(3)에 보유지지된다.
단계 S202에서는, 기판 상에 임프린트재를 공급한다. 더 구체적으로는, 공급 유닛(17) 아래에 기판(1)이 위치하도록 기판 스테이지(3)가 위치결정되며, 공급 유닛(17)으로부터 임프린트재를 공급하면서 기판 스테이지(3)를 이동시킴으로써 기판 상에 임프린트재를 공급한다.
단계 S203에서는, 기판 상의 임프린트재에 몰드(10)를 접촉시킨다. 더 구체적으로는, 몰드(10) 아래에 기판(1)이 위치하도록 기판 스테이지(3)를 위치결정하고, 액추에이터(15)에 의해 몰드 스테이지(12)를 하강시킴으로써, 기판 상의 임프린트재에 몰드(10)를 접촉시킨다. 이에 의해, 기판 상의 임프린트재를 몰드(10)의 패턴에 충전한다.
단계 S204에서는, 몰드(10) 및 기판(1)은 얼라인먼트(위치결정)된다. 더 구체적으로는, 기판 상의 임프린트재에 몰드(10)가 접촉하는 상태에서, TTM 얼라인먼트 계측계(16)를 사용하여, 몰드(10)에 제공된 마크와 기판(1)에 제공된 마크 사이의 위치 어긋남량(초기 위치 어긋남량)을 계측한다. 이어서, TTM 얼라인먼트 계측계(16)에 의해 계측된 위치 어긋남량에 기초하여, 기판 스테이지(3)를 이동시켜서 몰드(10)와 기판(1)을 얼라인먼트한다.
단계 S205에서는, 기판 상의 임프린트재를 경화시킨다. 더 구체적으로는, 몰드(10)와 기판(1)을 얼라인먼트한 상태에서, 광원(콜리메이터 렌즈(13))으로부터의 광을 몰드(10)를 통해서 기판 상의 임프린트재에 조사함으로써, 임프린트재를 경화시킨다. 기판 상의 임프린트재에 몰드(10)가 접촉한 상태에서 임프린트재가 경화되기 때문에, 몰드(10)의 패턴이 임프린트재에 전사된다.
단계 S206에서는, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(10)를 분리한다. 더 구체적으로는, 액추에이터(15)에 의해 몰드 스테이지(12)를 상승시킴으로써, 기판 상의 경화된 임프린트재로부터 몰드(10)를 분리한다. 이에 의해, 기판 상에 임프린트재의 패턴(몰드(10)의 패턴을 전사함으로써 얻어지는 패턴)이 형성된다.
단계 S207에서는, 임프린트 장치(100)로부터 기판(1)을 반출한다. 더 구체적으로는, 기판 반송계에 의해, 기판 스테이지(3)로부터 임프린트 장치(100)의 외부로 기판(1)을 반출한다.
상술한 바와 같이, 임프린트 장치(100)에서의 임프린트 처리는 단계 S201 내지 S207를 포함한다. 단계 S204에서 계측되는 초기 위치 어긋남량이 크면, 몰드(10)와 기판(1)을 얼라인먼트하는데 장시간이 걸린다. 본 실시형태에서는, 상술한 바와 같이, 3개의 인코더에 의해 스테이지 정반(6)에 대한 기판 스테이지(3)(XY 구동 유닛(4))의 3축 방향의 위치를 계측한다. 따라서, 인코더의 위치가 변동하면, 스테이지를 기준으로 기판 스테이지(3)를 이동시켰을 때의 몰드(10)에 제공된 마크와 기판(1)에 제공된 마크 사이의 초기 위치 어긋남량이 원치 않게 커진다. 인코더의 위치는, 예를 들어 임프린트 처리를 연속적으로 행하는 것에 의해 기판 스테이지(3)의 3개의 리니어 모터의 발열이 커지면 급격하게 변동한다. 그리고, 리니어 모터의 발열에 의해 기판 스테이지(3)가 변형되고, 이에 수반하여 인코더를 형성하는 스케일 및 검출 유닛의 위치가 변동함으로써, 기판 스테이지(3)의 위치 계측(계측값)에 오차가 발생한다.
도 3a, 도 3b 및 도 3c를 참조하여, 예를 들어 X 스케일(30)이 신장(변형)되는 경우의 기판 스테이지(3)의 위치 계측에 발생하는 오차에 대해서 설명한다. 도 3a는, X 스케일(30)이 리니어 모터의 발열 등에 의해 변형되어서 신장된 상태(40)를 개략적으로 도시한다. 도 3b는, 기판 상의 복수의 샷 영역에 대하여 임프린트 처리를 행하는 순서를 나타낸다. 본 실시형태는, 제1 행(제1 내지 제7 샷)에 대하여 처리가 순차적으로 행해지는 방향이 제2 행(제8 내지 제14 샷)에 대하여 처리가 순차적으로 행해지는 방향과 동일한 예를 설명한다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 도 3c는, 기판 상의 각 샷 영역에서의 몰드(10)에 제공된 마크와 기판(1)에 제공된 마크 사이의 초기 위치 어긋남량을 나타내고 있다.
도 3a에 도시하는 바와 같이, X 스케일(30)이 신장된 상태(40)에서는, X 스케일(30)은 X 방향으로 신장되며, 따라서 기판 스테이지(3)의 위치 계측에서 X 방향의 오차가 원치 않게 발생한다. 기판 스테이지(3)의 위치 계측의 X 방향의 오차(위치 계측 오차)는, 기판 스테이지(3)의 X 좌표(X 위치)가 원점으로부터 멀어질수록(커질수록), 커진다. 예를 들어, MX가 X 스케일(30)의 신장 계수를 나타내고 L이 기판 스테이지(3)의 X 좌표를 나타낼 때, 기판 스테이지(3)의 X 방향의 위치 계측 오차는 MX×L에 의해 주어질 수 있다.
상술한 바와 같이, 기판 스테이지(3)의 X 좌표(L)가 커짐에 따라서, 기판 스테이지(3)의 X 방향의 위치 계측 오차도 커진다. 따라서, 도 3c에 도시하는 바와 같이, 제1 샷(제1 샷 영역)으로부터 제7 샷(제7 샷 영역)까지는 초기 위치 어긋남량이 서서히 커진다. 제8 샷(제8 샷 영역)에서는, 기판 스테이지(3)의 X 좌표(L)가 0으로 되돌아간다. 따라서, 초기 위치 어긋남량은 0이 되고, 제14 샷(제14 샷 영역)까지 초기 위치 어긋남량이 서서히 커진다.
본 실시형태에서는, X 스케일(30)이 리니어 모터의 발열 등에 의해 변형되어서 신장된 상태(40)에서도, 몰드(10)에 제공된 마크와 기판(1)에 제공된 마크 사이의 초기 위치 어긋남량을 저감하기 위해서 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정한다. 예를 들어, 각 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 행하여질 때에, 이전 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 행하여질 때 TTM 얼라인먼트 계측계(16)(계측 유닛)에 의해 계측된 위치 어긋남량을 사용하여 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정한다.
본 실시형태에서는, 몰드(10)와 기판(1)을 얼라인먼트할 때에, 몰드(10)에 대하여 기판(1), 즉 기판 스테이지(3)를 이동시키기 위해서 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정한다. 따라서, 몰드(10)와 기판(1)을 얼라인먼트할 때에, 기판(1)에 대하여 몰드(10), 즉 몰드 스테이지(12)가 이동되는 경우에는, 몰드 스테이지(12)의 목표 위치를 보정한다.
도 4a 및 도 4b를 참조하여, 본 실시형태에 따른 기판 스테이지(3)의 목표 위치의 보정에 대해서 설명한다. 도 4a는, 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량을 저감하기 위해서, 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정할 때에 참조하는 샷 영역을 화살표로 나타내고 있다. 도 4a에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 제2 샷(제2 샷 영역)에서 임프린트 처리를 행할 때에, 제2 샷에 가장 가까운 샷인 제1 샷(제1 샷 영역)을 참조한다. 마찬가지로, 제3 내지 제7 샷(제3 내지 제7 샷 영역)에서는, 각각 제3 내지 제7 샷(제3 내지 제7 샷 영역)에 가장 가까운 샷인 제2 내지 제6 샷(제2 내지 제6 샷 영역)을 참조한다. 제8 샷(제8 샷 영역)에서 임프린트 처리를 행할 때, 제8 샷에 가장 가까운 샷인 제1 샷(제1 샷 영역)을 참조한다. 즉, 제8 샷 영역에 대해서는, 제8 내지 제14 샷 영역이 배열되는 방향에 직교하는 방향에서 제8 샷 영역에 인접하는 제1 샷 영역을 참조한다.
본 실시형태에서는, 임프린트 처리가 행하여지는 각 샷 영역으로부터의 거리가 가장 짧은 샷 영역을, 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정할 때에 참조하는 샷 영역으로서 결정한다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 임프린트 처리가 행하여지는 각 샷 영역으로부터의 거리가 설정 거리 내에 있는 샷 영역을 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정할 때에 참조하는 샷 영역으로서 결정할 수 있다. 더 구체적으로는, 임프린트 처리가 행하여지는 샷 영역(예를 들어, 제8 샷 영역)과 복수의 나머지 샷 영역(예를 들어, 제1 내지 제7 샷 영역) 사이의 샷간 거리를 취득한다. 샷간 거리에 기초하여, 임프린트 처리가 행하여지는 각 샷 영역으로부터의 거리가 설정 거리 내에 있는 샷 영역을 결정한다.
본 실시형태에서는, 각 샷 영역에서 계측된 초기 위치 어긋남량과, 각 샷 영역에서 초기 위치 어긋남량을 보정하기 위해서 이동시킨 기판 스테이지(3)의 이동량(보정 구동량)을, 초기 위치 어긋남량이 계측된 샷 영역과 연관지어서 저장 유닛(19A)에 저장한다. "보정 구동량"은, 상술한 바와 같이, 초기 위치 어긋남량을 저감하기 위한 기판 스테이지의 목표 위치의 보정량을 의미한다. 따라서, "보정 구동량"은 단계 S203에서 설명한 최종적인 얼라인먼트를 의미하는 것이 아니다. 그리고, 각 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 행하여질 때에, 각 샷 영역의 최근방 샷인 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을, 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 가산한다. 이에 의해, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량(X 방향의 위치 계측 오차)을 MX×L1(1개의 샷 영역의 X 방향의 거리)로 저감할 수 있다.
본 실시형태에 따른 기판 스테이지(3)의 목표 위치의 보정에 대해서 구체적으로 설명한다. 예를 들어, 제1 샷에서의 몰드(10)에 제공된 마크와 기판(1)에 제공된 마크 사이의 X 방향의 초기 위치 어긋남량 및 제1 샷의 보정 구동량이 0인 것으로 상정한다. 실제로는, 구조체의 열변형과는 상이한 요인에 의해 유발되는 플런징 오차가 발생할 수 있다. 이러한 오차가 시간에 따라 변동하지 않는 상태로 유지되는 경우, 임프린트 장치를 사용해서 전사한 결과를 사전에 계측할 수 있고, 각 샷마다 테이블로서 오프셋량을 저장하고 보정할 수 있다. 본 실시형태에서는, 설명을 간이하게 하기 위해서 초기 위치 어긋남량을 0으로 설정하고 있지만, 0으로 한정되는 것은 아니다.
제2 샷에서는, 제1 샷의 초기 위치 어긋남량과 제1 샷의 보정 구동량이 0이기 때문에, 기판 스테이지(3)는 X 스케일(30)이 신장된 상태(40)로 인해 MX×L1만큼 어긋난다.
제3 샷에서는, 제2 샷의 초기 위치 어긋남량이 MX×L1이며 제2 샷의 보정 구동량이 0이기 때문에, 본 실시형태에서는 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 MX×L1을 가산한다. 종래 기술에 따르면, X 스케일(30)이 신장된 상태(40)로 인해, 기판 스테이지(3)는 MX×L2(2개의 샷 영역의 X 방향의 거리)만큼 어긋난다. 그러나, 본 실시형태에서는, 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 MX×L1이 가산되기 때문에, 제3 샷의 초기 위치 어긋남량은 MX×L1에 의해 주어진다.
제4 샷에서는, 제3 샷의 초기 위치 어긋남량이 MX×L1이며 제3 샷의 보정 구동량이 MX×L1이기 때문에, 본 실시형태에서는 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 MX×L2(=MX×L1+MX×L1)이 가산된다. 종래 기술에 따르면, X 스케일(30)이 신장된 상태(40)로 인해, 기판 스테이지(3)는 MX×L3 (3개의 샷 영역의 X 방향의 거리)만큼 어긋나게 된다. 그러나, 본 실시형태에서는, 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 MX×L2가 가산되기 때문에, 제4 샷의 초기 위치 어긋남량은 MX×L1에 의해 주어진다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 제7 샷까지는, 최근방 샷 영역으로서의 샷 영역의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을 가산하여 얻은 값을 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 가산함으로써, 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량을 MX×L1로 저감할 수 있다.
제8 샷에서는, 최근방 샷이 제1 샷이기 때문에, 본 실시형태에서는, 제1 샷의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 가산한다. 제1 샷의 초기 위치 어긋남량과 제1 샷의 보정 구동량이 0이기 때문에, 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 가산되는 값은 0이다. 그러나, X 스케일(30)이 신장된 상태(40)에서의 변형 역시 0이기 때문에, 제8 샷의 초기 위치 어긋남량은 0이다.
제9 샷 이후에는, 최근방 샷의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을 사용하여, 제9 샷 이후의 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정함으로써, 제9 샷 이후의 초기 위치 어긋남량을 저감할 수 있다.
본 실시형태에서는, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량을 저감할 수 있다. 최근방 샷의 초기 위치 어긋남량과 보정 구동량을 가산하여 얻은 값은, 최근방 샷에서 상술한 보정을 행하지 않은 경우의 초기 위치 어긋남량이며, 이하에서는 복귀 초기 위치 어긋남량이라 칭해진다는 것에 유의한다. 본 실시형태에서는, 최근방 샷의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량으로부터 복귀 초기 위치 어긋남량을 구하고 구해진 복귀 초기 위치 어긋남량을 기판 스테이지(3)의 목표 위치의 보정에 사용함으로써 초기 위치 어긋남량을 저감한다. 이에 의해, 임프린트 장치(100)는, 임프린트 처리의 속도의 향상과 임프린트 처리의 정밀도의 향상을 동시에 실현할 수 있다.
본 실시형태는, 최근방 샷의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량으로부터 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정할 경우를 예시했다. 그러나, 최근방 샷에 대한 임프린트 처리가 정상적으로 종료되지 않는 경우도 생각된다. 이러한 경우에는, 상술한 바와 같이, 임프린트 처리가 행하여지는 각 샷 영역으로부터의 거리가 설정 거리 내에 있는 샷 영역, 예를 들어 다음 최근방 샷의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량으로부터 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정한다. 즉, 임프린트 처리가 행하여지는 각 샷 영역으로부터의 거리가 설정 거리 내에 있는 샷 영역 중, 유효한 데이터로서 저장 유닛(19A)에 저장되어 있는 샷 영역의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량으로부터 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정한다. 임프린트 처리가 정상적으로 행하여지는 지의 여부의 판단에 관해서는, 예를 들어 TTM 얼라인먼트 계측계(16)에 의한 계측에서 오차가 발생한 샷 영역을 임프린트 처리가 정상적으로 행하여지지 않는 샷 영역으로서 판단될 수 있다. 또한, 제어 유닛(19)에 의해 취득된 레시피 정보에 저장되어 있는 샷 순서 및 샷 좌표 위치에 기초하여 샷 영역 사이의 거리를 구할 수 있다.
본 실시형태는 X 인코더에 대해서 설명하였다. 그러나, Y 인코더(R) 및 Y 인코더(L)에 관해서도, 상술한 바와 같이, 최근방 샷의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량으로부터 기판 스테이지(3)의 목표 위치가 마찬가지로 보정된다. Y 인코더(R) 및 Y 인코더(L)가 변형되어 신정되는 경우에도, 최근방 샷의 Y 방향의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량으로부터 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정함으로써, 각 샷 영역의 Y 방향의 초기 위치 어긋남량을 저감할 수 있다. 본 실시형태에서는, 공급 유닛(17)이 몰드 스테이지(12)로부터 X 방향으로 이격된 위치에 배치되어 있기 때문에, 1매의 기판의 복수의 샷 영역에 대해 임프린트 처리를 행하는 경우에는, X 방향의 이동 거리가 길어진다. 본 실시형태는, 공급 유닛(17)과 몰드 스테이지(12) 사이의 왕복 이동에 기인해서 크게 발열하는 X 인코더에 의한 위치 어긋남의 영향을 저감하는데 유리하다.
본 실시형태는 인코더에 의해 기판 스테이지(3)의 위치를 계측하는 경우를 예시하였다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것이 아니라, X 방향 및 Y 방향에 관해서 1축 방향의 계측을 행하는 어떠한 계측계도 사용할 수 있다. 예를 들어, 선형 변위 센서 또는 레이저 변위계가 채용될 수 있다.
본 실시형태는, X 인코더, Y 인코더(R) 및 Y 인코더(L) 각각이 1축 방향의 계측을 행하는 경우를 예시하였다. 2축 방향으로 계측(길이 계측)을 행할 수 있는 센서가 사용될 수 있다. 2축 방향의 계측을 행할 수 있는 센서가 사용되는 경우에는, 예를 들어 스케일의 신장의 변화뿐만 아니라 스케일의 기울기 변화도 기판 스테이지(3)의 위치 계측 오차를 유발하며, 이는 초기 위치 어긋남량의 오차를 초래한다. X 방향을 길이 방향으로서 그리고 Y 방향을 폭 방향으로서 설정함으로써 계측을 행할 수 있는 2축 센서를 고려한다. 스케일의 신장이 X 방향의 위치 계측 오차를 유발하고, 스케일의 기울기가 Y 방향의 위치 계측 오차를 유발한다. 이러한 경우에도, 최근방 샷의 Y 방향의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량으로부터 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정함으로써, 각 샷 영역의 Y 방향의 초기 위치 어긋남량을 저감할 수 있다. 2축 방향의 계측을 행하는 방법으로서는, 예를 들어 인코더에 의해 계측을 행하는 방법 및 인코더와 정전용량 센서를 조합하는 방법이 제공된다.
기판 스테이지(3)를 구동하는(이동시키는) 방법으로서, 본 실시형태는 에어 베어링과 리니어 모터의 조합을 채용한다. 그러나, 본 발명은 이것으로 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, X 방향 및 Y 방향으로 선형적으로 구동하는 방법을 조합하고, 1축 방향의 계측을 행할 수 있는 센서 또는 2축 방향의 계측을 행할 수 있는 센서에 의해 각 방향의 계측을 행하는 기판 스테이지(3)가 있을 수 있다. 또한, 기판 스테이지(3)는, 본 실시형태에서는, X 방향 및 Y 방향의 2축 방향으로 이동할 수 있는 스테이지이다. 그러나, 기판 스테이지(3)는 X 방향의 1축 방향으로 이동할 수 있는 스테이지 또는 선형 운동의 조합에 의해 1축 이상의 방향으로 이동할 수 있는 스테이지일 수 있다.
<제2 실시형태>
제1 실시형태에서는, 리니어 모터의 발열에 기인하는 각 인코더(스케일 및 검출 유닛)의 위치의 변동이 일정한 경우에 대해서 설명했다. 본 실시형태에서는, 리니어 모터의 발열에 기인하여 인코더의 위치가 서서히 변동하는 경우에 대해서 설명한다.
도 5는, X 스케일(30)이 리니어 모터의 발열 등에 의해 서서히 변형되어서 신장된 상태를 개략적으로 도시한다. 도 5를 참조하면, "30"은 X 스케일(30)의 초기 길이도 나타낸다. 제1 기판 상의 각 샷 영역에 대하여 임프린트 처리를 연속적으로 행하는 경우, 기판 스테이지(3)의 구동에 수반하는 리니어 모터의 발열에 기인하여 X 스케일(30)이 서서히 변형된다. 따라서, 제2 기판 상의 각 샷 영역에 대한 임프린트 처리를 개시할 때에는, X 스케일(30)은 변형되어서 신장된 상태(45)가 된다. 마찬가지로, 제2 기판 상의 각 샷 영역에 대하여 임프린트 처리를 연속적으로 행하면, 기판 스테이지(3)의 구동에 수반하는 리니어 모터의 발열에 기인하여 X 스케일(30)이 더 변형된다. 따라서, 제3 기판 상의 각 샷 영역에 대한 임프린트 처리를 개시할 때에는, X 스케일(30)이 더 신장된 상태(46)가 된다.
도 6a, 도 6b 및 도 6c는, 제1, 제2, 및 제3 기판 각각의 각 샷 영역에서의 몰드(10)에 제공된 마크와 기판(1)에 제공된 마크 사이의 초기 위치 어긋남량을 각각 도시하는 도면이다. 도 6a를 참조하면, 제1 기판 상의 제1 내지 제7 샷에 대해서는 X 스케일(30)의 신장량이 작기 때문에, 초기 위치 어긋남량도 작다. 단, 각 샷 영역에 대한 임프린트 처리가 진행됨에 따라서 X 스케일(30)의 신장량이 커지기 때문에, 제42 샷의 초기 위치 어긋남량은 제7 샷의 초기 위치 어긋남량보다 원치 않게 커진다. 상술한 바와 같이, 임프린트 처리가 진행됨에 따라서, 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량은 커진다.
도 6b 및 도 6c를 참조하면, 제2 기판 상의 각각의 샷 영역의 초기 위치 어긋남량 및 제3 기판 상의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량도, 임프린트 처리가 진행됨에 따라서, 마찬가지로 커진다. 제2 기판 상의 각각의 샷 영역의 초기 위치 어긋남량은 제1 기판 상의 각각의 샷 영역의 초기 위치 어긋남량보다 크다. 이것은, 제2 기판 상의 각각의 샷 영역에 대한 임프린트 처리를 개시할 때에, X 스케일(30)이 변형되어서 신장된 상태(45)가 되는 것에 기인한다. 마찬가지로, 제3 기판 상의 각각의 샷 영역의 초기 위치 어긋남량은 제2 기판 상의 각각의 샷 영역의 초기 위치 어긋남량보다 크다. 이것은, 제3 기판 상의 각각의 샷 영역에 대한 임프린트 처리를 개시할 때에, X 스케일(30)이 더 신장된 상태(46)가 되는 것에 기인한다.
도 7a, 도 7b, 도 7c 및 도 7d를 참조하여, 본 실시형태에 따른 기판 스테이지(3)의 목표 위치의 보정에 대해서 설명한다. 도 7a는, 제2 및 제3 기판 각각의 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량을 저감하기 위해서, 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정할 때에 참조하는, 제1 및 제2 기판 각각의 샷 영역을 화살표로 나타낸다. 도 7a에 도시되는 바와 같이, 본 실시형태에서는, 제2 기판 상의 각 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 행하여질 때에는, 제2 기판과는 상이한 제1 기판(직전 기판) 상의 동일 위치(동일한 샷 번호)의 각 샷 영역을 참조한다. 마찬가지로, 제3 기판 상의 각각의 샷 영역에 대해 임프린트 처리가 행하여질 때에는, 제3 기판과는 상이한 제2 기판 상의 동일 위치의 각 샷 영역을 참조한다.
본 실시형태에서는, 각 기판의 각 샷 영역에서 계측된 초기 위치 어긋남량과 각 기판의 각 샷 영역의 보정 구동량은 각 기판의 각 샷 영역과 연관지어져 저장 유닛(19A)에 저장된다. 그리고, 각 기판의 각 샷 영역에 대하여 임프린트 처리가 행하여지는 경우에는, 직전 기판의 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 가산한다. 이에 의해, 도 7c 및 도 7d에 도시하는 바와 같이, 제2 및 제3 기판 각각의 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량(X 방향의 위치 계측 오차)을 저감할 수 있다.
본 실시형태에 따른 기판 스테이지(3)의 목표 위치의 보정에 대해서 구체적으로 설명한다. 제1 기판 상의 각 샷 영역에서는, 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정하지 않고 임프린트 처리를 행한다. 따라서, 도 7b에 도시하는 바와 같이, 제1 기판 상의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량은 도 6a에 나타내는 초기 위치 어긋남량과 동일하다.
제2 기판 상의 각 샷 영역에 대하여 임프린트 처리를 행할 때에, 본 실시형태에서는, 제1 기판 상의 동일 위치의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 가산한다. 예를 들어, 제2 기판 상의 제7 샷에서는, 제1 기판 상의 제7 샷의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 가산한다. 이에 의해, 제2 기판 상의 제7 샷의 초기 위치 어긋남량을, 상술한 보정을 행하지 않는 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량으로부터 제1 기판 상의 제7 샷의 보정 구동량을 차감하여 얻은 값까지 저감할 수 있다. 마찬가지로, 제2 기판 상의 제N 샷의 초기 위치 어긋남량을, 상술한 보정을 행하지 않는 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량으로부터 제1 기판 상의 동일 위치의 제N 샷의 보정 구동량을 차감하여 얻은 값까지 저감할 수 있다. 따라서, 도 7c에 도시하는 바와 같이, 제2 기판 상의 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량은, 상술한 보정을 행하지 않는 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량(도 6b)보다 작아진다.
제3 기판 상의 각 샷 영역에 대하여 임프린트 처리를 행할 때에, 본 실시형태에서는, 제2 기판 상의 동일 위치의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 가산한다. 예를 들어, 제3 기판 상의 제7 샷에서는, 제2 기판 상의 제7 샷의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 가산한다. 제2 기판 상의 제7 샷의 초기 위치 어긋남량은, 상술한 보정을 행하지 않는 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량으로부터 제1 기판 상의 제7 샷의 보정 구동량을 차감하여 얻은 값이다. 또한, 제2 기판 상의 제7 샷의 보정 구동량은 제1 기판 상의 제7 샷의 보정 구동량이다. 따라서, 제3 기판 상의 제7 샷의 보정 구동량은 제2 기판 상의 제7 샷의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을 가산하여 얻은 값이기 때문에, 상술한 보정을 행하지 않는 경우의 제2 기판 상의 제7 샷의 보정 구동량이 얻어진다. 이에 의해, 제3 기판 상의 제7 샷의 초기 위치 어긋남량을, 상술한 보정을 행하지 않는 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량으로부터 제2 기판 상의 제7 샷의 보정 구동량을 차감하여 얻은 값까지 저감할 수 있다. 마찬가지로, 제3 기판 상의 제N 샷의 초기 위치 어긋남량을, 상술한 보정을 행하지 않는 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량으로부터 제2 기판 상의 동일 위치의 제N 샷의 보정 구동량을 차감하여 얻은 값까지 저감할 수 있다. 따라서, 도 7d에 도시하는 바와 같이, 제3 기판 상의 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량은, 상술한 보정을 행하지 않는 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량(도 6c)보다 작다.
상술한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 제2 이후의 기판 상의 각 샷 영역에 대하여 임프린트 처리를 행할 때에, 직전 기판 상의 동일 위치의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량에 기초하여 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정한다. 이에 의해, 도 7c 및 도 7d에 도시하는 바와 같이, 제2 이후의 기판 상의 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량을 저감할 수 있다. 직전 기판 상의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량과 보정 구동량을 가산하여 얻은 값은, 직전 기판 상의 각 샷 영역에서 상술한 보정을 행하지 않는 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량이며, 이하에서는 복귀 초기 위치 어긋남량이라고 칭해진다는 것에 유의한다. 본 실시형태에서는, 직전 기판 상의 동일 위치의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량으로부터 복귀 초기 위치 어긋남량을 구하고 구한 복귀 초기 위치 어긋남량을 기판 스테이지(3)의 목표 위치의 보정에 사용함으로써 초기 위치 어긋남량을 저감할 수 있다. 이에 의해, 임프린트 장치(100)는, 임프린트 처리의 속도의 향상과 임프린트 처리의 정밀도의 향상을 동시에 실현할 수 있다.
본 실시형태에서는, 직전 기판 상의 동일 위치의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량으로부터 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정하는 경우를 예시하였다. 단, 직전 기판 상의 동일 위치의 각 샷 영역에 대한 임프린트 처리가 정상적으로 종료되지 않는 경우도 생각된다. 이러한 경우에는, 직전 기판 상의 동일 위치의 샷 영역으로부터의 거리가 설정 거리 내에 있는 근방의 샷 영역 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량으로부터 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정한다. 즉, 직전 기판 상의 동일 위치의 샷 영역으로부터의 거리가 설정 거리 내에 있는 샷 영역 중, 유효한 데이터로서 저장 유닛(19A)에 저장되어 있는 샷 영역의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량으로부터 기판 스테이지(3)의 목표 위치를 보정한다.
본 실시형태에서는, 임프린트 처리가 진행됨에 따라서 X 스케일(30)이 균일하게 신장(계속해서 신장)되는 것을 상정하고 있기 때문에, 초기 위치 어긋남량은 도 7c 및 도 7d에 도시되는 바와 같이 동일한 경향을 나타낸다. 단, 실제로는, 일정한 발열에 대하여 X 스케일(30)의 신장량은 서서히 감소하고, 주어진 신장량에서 포화된다. 이것은, X 스케일(30)의 신장량이 온도에 의존하고, 일정한 발열량에 대한 물체의 온도는 방열과의 관계의 관점에서 주어진 온도에서 포화된다는 사실과 동등하다. X 스케일(30)의 신장량이 서서히 감소하는 경우에는, 임프린트 처리를 행할 때마다 직전 기판 상의 동일 위치의 샷 영역과의 초기 위치 어긋남량의 차가 작아지기 때문에, 보정 후의 초기 위치 어긋남량은 서서히 작아진다.
<제3 실시형태>
본 실시형태에서는, 제2 실시형태와 마찬가지로, 리니어 모터의 발열에 기인하여 인코더의 위치가 서서히 변동하는 경우에 대해서 설명한다. 본 실시형태에서는, 몰드(10)에 제공된 마크와 기판(1)에 제공된 마크 사이의 초기 위치 어긋남량을 더 저감하기 위해서, 제1 실시형태와 제2 실시형태를 조합하여 적용한다.
도 8a 내지 도 8i를 참조하여, 본 실시형태에 따른 기판 스테이지(3)의 목표 위치의 보정, 더 구체적으로는 제2 실시형태를 적용한 후에 제1 실시형태를 적용하는 경우에 대해서 설명한다. 도 8a, 도 8b 및 도 8c는, 제1 실시형태 또는 제2 실시형태에서 설명한 보정을 행하지 않는 경우의 제1, 제2 및 제3 기판 각각의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량을 각각 나타내고 있다(도 6a, 도 6b 및 도 6c와 마찬가지임). 도 8d, 도 8e 및 도 8f는, 제2 실시형태에서 설명한 보정을 행한 경우의 제1, 제2 및 제3 기판 각각의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량을 각각 나타내고 있다(도 7b, 도 7c 및 도 7d와 마찬가지임). 도 8g, 도 8h 및 도 8i는, 제2 실시형태에서 설명한 보정을 행한 후에 제1 실시형태에서 설명한 보정을 행한 경우의 제1, 제2 및 제3 기판 각각의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량을 각각 나타내고 있다.
제1 실시형태에서 설명한 보정에서는, 최근방 샷의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 가산한다. 따라서, 본 실시형태에서는, 도 8g 내지 도 8i에 도시하는 바와 같이, 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량을 제1 실시형태와 마찬가지로 1개의 샷 영역의 X 방향의 거리까지 저감할 수 있다.
더 구체적으로는, 제N 기판 상의 제M 샷에서는, 상술한 보정을 행하지 않는 경우의 제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 초기 위치 어긋남량을 구한다. 제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 후의 초기 위치 어긋남량에, 제N 기판의 직전(제(M-1)) 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량과 제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량을 가산한다. 이것은 제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 초기 위치 어긋남량(제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 복귀 초기 위치 어긋남량)을 제공한다. "제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 복귀 초기 위치 어긋남량"으로부터 "제N 기판의 직전 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량"을 차감한다. 이에 의해, "제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷에 제2 실시형태를 적용한 경우의 초기 위치 어긋남량"을 구할 수 있다. "제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷에 제2 실시형태를 적용한 경우의 초기 위치 어긋남량"을 "제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량"으로서 사용한다.
또한, "제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷에 제2 실시형태를 적용한 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량"은 "제(N+1) 기판의 직전 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량"으로서 사용된다. 따라서, "제(N-1) 기판 상의 제M 샷에 제2 실시형태를 적용한 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량"을 "제N 기판의 직전 기판 상의 제M 샷의 보정 구동량"으로서 사용한다.
"제(N-1) 기판 상의 제M 샷에 제2 실시형태를 적용한 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량"을 제N 기판의 직전 기판 상의 제M 샷의 보정 구동량으로서 사용한다. 또한, "제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷에 제2 실시형태를 적용한 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량"을 제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량으로서 사용한다. 이에 의해, 제2 실시형태와 제1 실시형태를 조합하여 적용하고, 초기 위치 어긋남량을 더 저감하는 것이 가능하다.
본 실시형태에서와 같이, 제2 실시형태와 제1 실시형태를 조합하여 적용하는 경우에는, "제N 기판 상의 제M 샷의 복귀 초기 위치 어긋남량"과 "제N 기판의 직전 기판 상의 제M 샷에 제2 실시형태를 적용한 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량"을 구한다. 그리고, "제N 기판 상의 제M 샷의 복귀 초기 위치 어긋남량"과 "제N 기판의 직전 기판 상의 제M 샷에 제2 실시형태를 적용하는 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량"을 저장 유닛(19A)에 저장할 필요가 있다.
도 9는 제2 실시형태에서 설명한 보정이 행해진 후에 제1 실시형태에서 설명한 보정이 행해진 경우의 보정 순서를 개략적으로 도시하는 도면이다. "직전 기판 상의 각 샷 영역의 보정 구동량", "제2 실시형태를 적용한 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량", "최근방 샷의 보정 구동량", "복귀 초기 위치 어긋남량" 및 "초기 위치 어긋남량"으로부터 제2 실시형태와 제1 실시형태를 조합하여 적용한다. 이들 값은 저장 유닛(19A)에 테이블로서 저장될 필요가 있다.
도 10a 내지 도 10i를 참조하여, 본 실시형태에 따른 기판 스테이지(3)의 목표 위치의 보정, 더 구체적으로는 제1 실시형태를 적용한 후에 제2 실시형태를 적용하는 경우에 대해서 설명한다. 도 10a, 도 10b 및 도 10c는, 제1 실시형태 또는 제2 실시형태에서 설명한 보정을 행하지 않은 경우의 제1, 제2 및 제3 기판 각각의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량을 각각 나타내고 있다(도 6a, 도 6b 및 도 6c과 마찬가지임). 도 10d, 도 10e 및 도 10f는, 제1 실시형태에서 설명한 보정을 행하는 경우의 제1, 제2 및 제3 기판 각각의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량을 각각 나타내고 있다. 제1 실시형태에서 설명한 보정에서는, 최근방 샷의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 가산한다. 따라서, 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량을, 제1 실시형태와 마찬가지로, 1개의 샷 영역의 X 방향의 거리까지 저감할 수 있다. 도 10g, 도 10h 및 도 10i는, 제1 실시형태에서 설명한 보정을 행한 후에 제2 실시형태에서 설명한 보정을 행하는 경우의 제1, 제2 및 제3 기판 각각의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량을 각각 나타내고 있다. 제2 실시형태에서 설명한 보정에서는, 직전 기판 상의 동일 위치의 각 샷 영역의 초기 위치 어긋남량 및 보정 구동량을 기판 스테이지(3)의 목표 위치에 가산한다. 따라서, 각 샷 영역에서의 초기 위치 어긋남량을, 제2 실시형태와 마찬가지로, 기판 사이의 초기 위치 어긋남량의 차분까지 저감할 수 있다.
더 구체적으로는, 제N 기판 상의 제M 샷에서는, 상술한 보정을 행하지 않는 경우의 제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 초기 위치 어긋남량을 구한다. 제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 후의 초기 위치 어긋남량에, 제N 기판의 직전 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량과 제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량을 가산한다. 이것은, 상술한 보정을 행하지 않는 경우의 제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 초기 위치 어긋남량(제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 복귀 초기 위치 어긋남량)을 제공한다. "제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 복귀 초기 위치 어긋남량"을 "제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량"으로서 사용한다.
"제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 복귀 초기 위치 어긋남량"으로부터 "제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량"을 차감한다. 이에 의해, "제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷에 제1 실시형태를 적용한 경우의 초기 위치 어긋남량"을 구할 수 있다. "제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷에 제1 실시형태를 적용한 경우의 초기 위치 어긋남량"을 "제(N+1) 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량"으로서 사용한다. 따라서, "제(N-1) 기판 상의 제M 샷에 제1 실시형태를 적용한 경우의 초기 위치 어긋남량"을 "제N 기판의 직전 기판 상의 제M 샷의 보정 구동량"으로서 사용한다.
"제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 복귀 초기 위치 어긋남량"을 "제N 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량"으로서 사용한다. "제(N-1) 기판 상의 제M 샷에 제1 실시형태를 적용한 경우의 초기 위치 어긋남량"을 직전 기판 상의 제M 샷의 최근방 샷의 보정 구동량으로서 사용한다. 이에 의해, 제1 실시형태와 제2 실시형태를 조합하여 적용하고, 초기 위치 어긋남량을 더 저감하는 것이 가능하다.
도 11은 제1 실시형태에서 설명한 보정이 행해진 후에 제2 실시형태에서 설명한 보정이 행해진 경우의 보정 순서를 개략적으로 도시하는 도면이다. "직전 기판 상의 각 샷 영역의 보정 구동량", "제1 실시형태를 적용한 경우에 얻어지는 초기 위치 어긋남량", "최근방 샷의 보정 구동량", "복귀 초기 위치 어긋남량" 및 "초기 위치 어긋남량"으로부터 제1 실시형태와 제2 실시형태를 조합하여 적용한다. 이들 값은 저장 유닛(19A)에 테이블로서 저장될 필요가 있다.
<제4 실시형태>
임프린트 장치(100)를 사용해서 형성한 경화물의 패턴은 각종 물품의 적어도 일부에 영구적으로 또는 각종 물품을 제조할 때에 일시적으로 사용된다. 물품은 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등이다. 전기 회로 소자의 예는, DRAM, SRAM, 플래시 메모리, 및 MRAM 등의 휘발성 또는 비휘발성 반도체 메모리와, LSI, CCD, 이미지 센서, 및 FPGA 등의 반도체 소자이다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드이다.
경화물의 패턴은, 상술한 물품의 적어도 일부의 구성 부재로서 그대로 사용되거나 또는 레지스트 마스크로서 일시적으로 사용된다. 기판 가공 단계에서 에칭 또는 이온 주입이 행하여진 후, 레지스트 마스크는 제거된다.
이어서, 물품의 구체적인 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 12a에 도시하는 바와 같이, 절연체 등의 피가공재가 표면에 형성된 실리콘 웨이퍼 등의 기판(1)을 준비한다. 계속해서, 잉크젯법 등에 의해 피가공재의 표면에 임프린트재를 부여한다. 여기에서는, 임프린트재가 복수의 액적으로서 기판 상에 부여된 상태를 나타낸다.
도 12b에 도시하는 바와 같이, 임프린트용의 몰드(10)를, 그 요철 패턴이 형성된 측을 기판 상의 임프린트재를 향해 대향시킨다. 도 12c에 도시하는 바와 같이, 임프린트재가 부여된 기판(1)을 몰드(10)에 접촉시키고, 압력을 가한다. 몰드(10)와 피가공재 사이의 간극에 임프린트재가 충전된다. 이 상태에서, 경화 에너지로서의 광을 몰드(10)를 통해서 임프린트재에 조사하면, 임프린트재는 경화된다.
도 12d에 도시하는 바와 같이, 임프린트재를 경화시킨 후, 몰드(10)를 기판(1)으로부터 분리한다. 따라서, 기판 상에 임프린트재의 경화물의 패턴이 형성된다. 경화물의 패턴에서, 몰드(10)의 오목부는 경화물의 볼록부에 대응하며, 몰드(10)의 볼록부는 경화물의 오목부에 대응한다. 즉, 임프린트재에 몰드(10)의 요철 패턴이 전사된다.
도 12e에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 내에칭 마스크로서 사용하여 에칭을 행하면, 피가공재의 표면 중 경화물이 존재하지 않거나 또는 얇게 잔존하는 부분이 제거되어 홈을 형성한다. 도 12f에 도시하는 바와 같이, 경화물의 패턴을 제거하면, 피가공재의 표면에 홈이 형성된 물품을 얻을 수 있다. 여기서, 경화물의 패턴을 제거한다. 그러나, 경화물의 패턴을 가공하거나 제거하는 대신에, 이를 예를 들어 반도체 소자 등에 포함되는 층간 절연막, 즉 물품의 구성 부재로서 이용할 수 있다.
본 발명은 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않는다는 것을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (14)

  1. 기판 상에 2차원적으로 배열된 샷 영역 각각에 원판의 패턴을 전사하는 처리를 행하는 리소그래피 장치이며,
    상기 기판과 상기 원판 중 하나를 보유지지하면서 이동하는 스테이지;
    상기 처리를 행할 때에, 상기 원판에 제공된 마크와 상기 샷 영역 각각에 제공된 마크 사이의 위치 어긋남량을 계측하도록 구성되는 계측 유닛; 및
    제1 행에 포함되는 복수의 제1 샷 영역에 대해 상기 처리가 연속적으로 행하여진 후, 상기 제1 행에 인접하는 제2 행에 포함되는 복수의 제2 샷 영역에 대해 상기 처리가 연속적으로 행해지게끔 상기 샷 영역에 대한 상기 처리를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하며,
    상기 제어 유닛은, 상기 복수의 제2 샷 영역 중 최초의 제2 샷 영역에 대해 상기 처리가 행하여질 때에, 상기 복수의 제1 샷 영역 중에서 상기 최초의 제2 샷 영역으로부터의 거리가 설정 거리 내에 있는 제1 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에 상기 계측 유닛에 의해 계측된 위치 어긋남량에 기초하여, 상기 최초의 제2 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때의 상기 스테이지의 목표 위치를 보정하는, 리소그래피 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 복수의 제1 샷 영역 각각과 상기 최초의 제2 샷 영역 사이의 샷간 거리를 취득하고, 상기 샷간 거리에 기초하여, 상기 최초의 제2 샷 영역으로부터의 거리가 상기 설정 거리 내에 있는 제1 샷 영역을 결정하는, 리소그래피 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 복수의 제1 샷 영역 중에서 상기 샷간 거리가 가장 짧은 제1 샷 영역을, 상기 최초의 제2 샷 영역으로부터의 거리가 상기 설정 거리 내에 있는 상기 제1 샷 영역으로서 결정하는, 리소그래피 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 최초의 제2 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에, 상기 복수의 제2 샷 영역이 배열되어 있는 방향에 직교하는 방향으로 상기 최초의 제2 샷 영역에 인접하는 제1 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에 상기 계측 유닛에 의해 계측된 위치 어긋남량에 기초하여, 상기 최초의 제2 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때의 상기 스테이지의 상기 목표 위치를 보정하는, 리소그래피 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 최초의 제2 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에, 상기 최초의 제2 샷 영역으로부터의 거리가 상기 설정 거리 내에 있는 제1 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에 이동된 상기 스테이지의 이동량에 기초하여, 상기 최초의 제2 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때의 상기 스테이지의 상기 목표 위치를 보정하는, 리소그래피 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 복수의 제1 샷 영역 중 최초의 제1 샷 영역을 제외하여 얻은 나머지 제1 샷 영역의 각각에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에, 해당 제1 샷 영역 전에 상기 처리가 행하여진 제1 샷 영역에 대한 상기 처리에서 상기 계측 유닛에 의해 계측된 위치 어긋남량에 기초하여, 상기 나머지 제1 샷 영역의 각각에 대하여 상기 처리가 행하여질 때의 상기 스테이지의 상기 목표 위치를 보정하며,
    상기 제어 유닛은, 상기 복수의 제2 샷 영역 중 상기 최초의 제2 샷 영역을 제외하여 얻은 나머지 제2 샷 영역의 각각에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에, 해당 제2 샷 영역 전에 상기 처리가 행하여진 제2 샷 영역에 대한 상기 처리에서 상기 계측 유닛에 의해 계측된 위치 어긋남량에 기초하여, 상기 나머지 제2 샷 영역의 각각에 대하여 상기 처리가 행하여질 때의 상기 스테이지의 상기 목표 위치를 보정하는, 리소그래피 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 나머지 제1 샷 영역의 각각에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에, 상기 제1 샷 영역에 인접하는 제1 샷 영역에 대한 상기 처리에서 상기 계측 유닛에 의해 계측된 위치 어긋남량에 기초하여, 상기 나머지 제1 샷 영역의 각각에 대하여 상기 처리가 행하여질 때의 상기 스테이지의 상기 목표 위치를 보정하며,
    상기 제어 유닛은, 상기 나머지 제2 샷 영역의 각각에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에, 상기 제2 샷 영역에 인접하는 제2 샷 영역에 대한 상기 처리에서 상기 계측 유닛에 의해 계측된 위치 어긋남량에 기초하여, 상기 나머지 제2 샷 영역의 각각에 대하여 상기 처리가 행하여질 때의 상기 스테이지의 상기 목표 위치를 보정하는, 리소그래피 장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 복수의 제1 샷 영역의 각각에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에, 상기 기판과는 상이한 기판 상에 2차원적으로 배열된 샷 영역 중, 해당 제1 샷 영역의 위치와 동일한 위치의 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에 상기 계측 유닛에 의해 계측된 위치 어긋남량에도 기초하여, 해당 제1 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때의 상기 스테이지의 상기 목표 위치를 보정하며,
    상기 제어 유닛은, 상기 복수의 제2 샷 영역의 각각에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에, 상기 기판과는 상이한 상기 기판 상에 2차원적으로 배열된 상기 샷 영역 중, 해당 제2 샷 영역의 위치와 동일한 위치의 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에 상기 계측 유닛에 의해 계측된 위치 어긋남량에도 기초하여, 해당 제2 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때의 상기 스테이지의 상기 목표 위치를 보정하는, 리소그래피 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판은 상기 상이한 기판에 이어 상기 처리가 행하여지는 기판을 포함하는, 리소그래피 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 계측 유닛에 의해 계측된 위치 어긋남량과 상기 위치 어긋남량이 계측된 샷 영역을 서로 연관지어 저장하도록 구성되는 저장 유닛을 더 포함하는, 리소그래피 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제어 유닛은, 상기 복수의 제2 샷 영역에 대하여 상기 처리가 순차적으로 행해지는 방향이 상기 복수의 제1 샷 영역에 대하여 상기 처리가 순차적으로 행해지는 방향과 동일한 경우에, 상기 복수의 제1 샷 영역 중 상기 최초의 제2 샷 영역으로부터의 거리가 상기 설정 거리 내에 있는 상기 제1 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여졌을 때에 상기 계측 유닛에 의해 계측된 위치 어긋남량에 기초하여, 상기 최초의 제2 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때의 상기 스테이지의 상기 목표 위치를 보정하는, 리소그래피 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 원판은 몰드를 포함하며,
    상기 처리는 상기 몰드를 사용하여 상기 기판 상의 샷 영역에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 포함하는, 리소그래피 장치.
  13. 기판 상에 2차원적으로 배열된 샷 영역 각각에 원판의 패턴을 전사하는 처리를 행하는 리소그래피 장치이며,
    상기 기판과 상기 원판 중 하나를 보유지지하면서 이동하도록 구성되는 스테이지;
    상기 처리를 행할 때에, 상기 원판에 제공된 마크와 상기 샷 영역 각각에 제공된 마크 사이의 위치 어긋남량을 계측하도록 구성되는 계측 유닛; 및
    상기 샷 영역 각각에 대한 상기 처리를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하며,
    상기 제어 유닛은, 상기 샷 영역 각각에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에, 상기 기판과는 상이한 기판 상에 2차원적으로 배열된 제1 샷 영역 중에서, 해당 샷 영역의 위치와 동일한 위치의 제1 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때에 상기 계측 유닛에 의해 계측된 위치 어긋남량에 기초하여, 해당 샷 영역에 대하여 상기 처리가 행하여질 때의 상기 스테이지의 목표 위치를 보정하는, 리소그래피 장치.
  14. 물품 제조 방법이며,
    제1항에서 규정된 리소그래피 장치를 사용하여 기판 상에 패턴을 형성하는 형성 단계;
    상기 형성 단계에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계; 및
    처리된 상기 기판으로부터 상기 물품을 제조하는 단계를 포함하는, 물품 제조 방법.
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