KR20200115179A - 반송 장치, 반송 방법, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템, 및 물품 제조 방법 - Google Patents

반송 장치, 반송 방법, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템, 및 물품 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20200115179A
KR20200115179A KR1020200032544A KR20200032544A KR20200115179A KR 20200115179 A KR20200115179 A KR 20200115179A KR 1020200032544 A KR1020200032544 A KR 1020200032544A KR 20200032544 A KR20200032544 A KR 20200032544A KR 20200115179 A KR20200115179 A KR 20200115179A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
holding unit
unit
discharge port
gas
Prior art date
Application number
KR1020200032544A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102590769B1 (ko
Inventor
오사무 야스노베
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20200115179A publication Critical patent/KR20200115179A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102590769B1 publication Critical patent/KR102590769B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075—Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933—Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

생산성의 점에서 유리한 반송 장치를 제공한다. 반송 장치는, 기판을 보유지지해서 반송하도록 구성되는 보유지지 유닛, 및 보유지지 유닛에 배치되고, 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 기판의 제1 면을 향해서, 제1 면에 대하여 기울어진 방향인 제1 방향으로 기체를 분출하도록 구성되는 제1 배출 포트를 포함하는 배출 유닛을 포함한다.

Description

반송 장치, 반송 방법, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템, 및 물품 제조 방법{CONVEYANCE APPARATUS, CONVEYANCE METHOD, LITHOGRAPHY APPARATUS, LITHOGRAPHY SYSTEM, AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 반송 장치, 반송 방법, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 또는 마이크로 전자 기계 시스템(MEMS) 등의 물품의 제조 공정에 포함되는 리소그래피 공정에서는, 임프린트 장치가 기판 상에 공급된 미경화 수지를 몰드에 의해 성형하고, 수지의 패턴을 기판 상에 형성한다. 예를 들어, 광경화법을 채용하는 임프린트 장치에서는, 먼저, 기판 상의 임프린트 영역인 샷에 미경화 수지(임프린트재, 광경화성 수지, 또는 자외선 경화성 수지)를 공급(도포)한다. 이어서, 몰드를 사용하여 수지를 성형한다. 그리고, 광(자외선)을 조사해서 수지를 경화시킨 후에 몰드를 분리함으로써, 수지의 패턴이 기판 상에 형성한다. 이러한 임프린트 장치에서, 생산성을 향상시키기 위해서, 복수의 임프린트 장치, 및 상기 복수의 임프린트 장치 사이에서 이동해서 기판을 공급하는 기판 반송 장치를 포함하는 클러스터형 리소그래피 시스템이 있다.
근년의 반도체 디바이스에서는, 집적 회로의 고집적화에 의해 패턴이 미세화됨에 따라, 이러한 클러스터형 리소그래피 시스템은 또한 파티클 및 화학적 오염의 더 엄격한 제어를 요구한다. 일본 특허 공개 공보 제2006-216710호는 기판의 표면에 대하여 실질적으로 평행하게 기체를 유동시킴으로써 반송 중의 기판에 파티클이 부착되는 것을 방지하는 기술을 개시하고 있다.
일본 특허 공개 공보 제2006-216710호에서는, 기체가 기판의 표면에 대하여 실질적으로 평행하게 유동하기 때문에, 기판을 따른 층류가 용이하게 형성되지 않으며, 기판의 피처리면에서 난류가 발생하며, 이는 주위의 분위기를 그 내부로 말려들게 할 수 있다. 이 경우, 난류에 동반된 파티클 등이 기판의 피처리면 위로 부착될 수 있고, 이는 그후의 임프린트 처리에서 기판 상의 형성되는 패턴의 정밀도를 저하시켜, 생산성을 저하시킬 수 있다.
예를 들어, 본 발명의 목적은 생산성 향상의 점에서 유리한 반송 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 양태에 따른 반송 장치는, 기판을 보유지지해서 반송하도록 구성되는 보유지지 유닛, 및 상기 보유지지 유닛에 배치되고, 상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 제1 면을 향해서, 상기 제1 면에 대하여 기울어진 방향인 제1 방향으로 기체를 분출하도록 구성되는 제1 배출 포트를 포함하는 배출 유닛을 포함한다.
본 발명의 추가적인 특징은 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 제1 실시형태에 따른 클러스터형 처리 장치를 포함하는 처리 시스템의 구성을 도시하는 개략 평면도이다.
도 2는 1개의 처리 유닛의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 3a 및 도 3b는 제1 실시형태에 따른 보유지지 유닛의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 4a 및 도 4b는 기판의 표면에 대하여 평행하게 기체를 분출할 경우의 기류 상태를 설명하는 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 제1 실시형태에 따른 기판의 표면에 분출되는 기류의 상태를 설명하는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 제2 실시형태에 따른 보유지지 유닛의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 7a 및 도 7b는 제3 실시형태에 따른 보유지지 유닛의 구성을 도시하는 개략도이다.
도 8은 제3 실시형태에 따른 메인 처리의 일례를 도시하는 흐름도이다.
이하, 본 발명의 예시적인 실시형태를 첨부의 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 각 도면에서, 동일한 부재 또는 요소는 동일한 참조 번호로 나타내고, 반복되는 설명은 생략한다. 또한, 이하의 실시형태에서는 처리 장치로서 몰드를 사용해서 기판 상에 임프린트재의 패턴을 형성하는 임프린트 장치를 설명하지만, 처리 장치는 그에 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명은 기판을 노광해서 마스크의 패턴을 기판에 전사하는 노광 장치, 및 하전 입자선을 기판에 조사해서 당해 기판에 패턴을 형성하는 묘화 장치 등의 리소그래피 장치에 적용될 수 있다.
임프린트 장치는, 기판 상에 공급된 임프린트재를 몰드에 접촉시키고, 임프린트재에 경화용의 에너지를 부여함으로써, 몰드의 요철 패턴이 전사된 경화물의 패턴을 형성하는 장치이다. 즉, 임프린트 장치는, 반도체 디바이스 등의 제조에 사용되며, 요철 패턴이 형성된 몰드를 사용하여, 기판 상에 공급된 임프린트재에 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다. 예를 들어, 임프린트 장치는, 패턴이 형성된 몰드를 기판 상의 임프린트재에 접촉시킨 상태에서 당해 임프린트재를 경화시킨다. 그리고, 임프린트 장치는, 몰드와 기판 사이의 간격을 넓히고, 경화된 임프린트재로부터 몰드를 분리(이형)함으로써, 임프린트재에 패턴을 형성할 수 있다.
임프린트재로서는, 경화용의 에너지가 부여되는 것에 의해 경화되는 경화성 조성물(미경화 수지라 칭할 수 있음)이 사용된다. 경화용의 에너지로서는, 전자기파, 열 등이 사용된다. 전자기파는, 예를 들어 그 파장이 10nm 이상 1mm 이하의 범위로부터 선택되는, 적외선, 가시광선, 및 자외선 등의 광이다.
경화성 조성물은 광의 조사에 의해 또는 가열에 의해 경화되는 조성물이다. 이 중, 광에 의해 경화되는 광경화성 조성물은, 적어도 폴리신테틱 화합물(polysynthetic compound)과 광중합 개시제를 함유하며, 필요에 따라 비-폴리신테틱 화합물 또는 용제를 함유할 수 있다. 비중합성 화합물은, 증감제, 수소 공여체, 내첨형 이형제, 계면활성제, 산화방지제, 폴리머 성분 등을 포함하는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이다.
임프린트재는, 스핀 코터나 슬릿 코터에 의해 기판 상에 막 형상으로 부여된다. 대안적으로, 임프린트재는, 액체 분사 헤드를 사용하여, 액적 형상, 또는 복수의 액적이 연결되어 형성되는 섬 형상 또는 막 형상으로 기판에 부여될 수 있다. 임프린트재의 점도(25℃에서의 점도)는 예를 들어 1mPa·s 이상 100mPa·s 이하이다.
(제1 실시형태)
먼저, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 리소그래피 장치에 대해서 설명한다. 본 실시형태에 따른 리소그래피 장치는 복수의 처리 유닛을 갖는 소위 클러스터형 처리 장치를 사용해서 설명되지만, 본 발명은 1개의 처리 유닛만을 갖는 임프린트 장치, 노광 장치, 및 묘화 장치 등의 리소그래피 장치에도 적용될 수 있다. 또한, 도 1은, 제1 실시형태에 따른 클러스터형 처리 장치(200)(리소그래피 장치)를 포함하는 처리 시스템(100)(리소그래피 시스템)의 구성을 도시하는 개략 평면도이다. 또한, 이하의 설명에서는, 임프린트재(215)가 공급되는 기판(1)의 표면을 따르는 평면 내에서 서로 직교하는 방향을 X축 및 Y축으로서 규정하고, X축 및 Y축에 수직인 방향(예를 들어, 임프린트재에 조사되는 자외선의 광축에 평행한 방향)을 Z축으로서 규정한다.
처리 시스템(100)은, 클러스터형 처리 장치(200), 전처리 장치(300), 및 제어부(400)를 포함한다. 클러스터형 처리 장치(200)는, 복수(본 실시형태에서는 일례로서 6개)의 처리 유닛(210)(210A 내지 210F) 및 반송 유닛(220)을 포함한다.
복수의 처리 유닛(210)의 각각은, 몰드(2)를 사용해서 기판(1) 위로 임프린트재(215)의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다. 처리 유닛(210)이 상세한 구성에 대해서는 후술한다.
반송 유닛(220)은, 전처리 장치(300)에 의해 전처리가 행하여진 기판(1)을 복수의 처리 유닛(210)의 각각에 반송한다. 반송 유닛(220)은, 예를 들어 기판(1)을 보유지지하는 보유지지 유닛(10) 및 보유지지 유닛(10)이 이동하는 반송로(30)를 포함할 수 있다.
전처리 장치(300)는 임프린트 처리가 행하여지는 기판(1)에 대하여 전처리를 행한다. 전처리 장치(300)에 의해 행해지는 전처리는, 예를 들어 기판(1)과 그 위에 공급되는 임프린트재(215) 사이의 부착성을 향상시키기 위한 부착층을 기판(1) 상에 형성하는 처리를 포함할 수 있다.
제어부(400)는, 예를 들어 CPU, 메모리 등을 갖는 컴퓨터로 구성되며, 처리 시스템(100)의 각 유닛을 제어한다.
이어서, 처리 유닛(210)의 구성에 대해서 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는 1개의 처리 유닛(210)의 구성을 도시하는 개략도이다. 처리 유닛(210)은, 예를 들어 경화 유닛(202), 몰드(2)를 보유지지하는 임프린트 헤드(206), 기판(1)을 보유지지하는 기판 스테이지(213), 공급 유닛(214), 및 얼라인먼트 계측 유닛(216)을 포함한다. 처리 유닛(210)은, 몰드(2)를 사용해서 기판 상에 임프린트재(215)의 패턴을 형성하는 임프린트 처리를 행한다.
경화 유닛(202)은, 예를 들어 광원(204)과 광원(204)으로부터 조사된 자외선(203)을 임프린트에 적절한 광으로 조정하기 위한 복수의 광학계(205)를 포함한다.
몰드(2)는, 예를 들어, 직사각형의 외주부를 갖고, 기판(1)에 대면하는 대향면에, 기판(1) 위로 공급된 임프린트재(215)에 형성될 요철 패턴이 3차원 형상으로 형성된 패턴 영역을 포함하는 몰드이다. 또한, 몰드(2)는 석영 등의 자외선을 투과시키는 재료로 구성된다.
임프린트 헤드(206)는, 예를 들어 몰드 척(207), 몰드 스테이지(208), 및 몰드 형상 보정 기구(209)를 포함한다. 몰드 척(207)은, 진공 흡착력 및 정전 흡착력 등의 기계적 보유지지 수단(도시되지 않음)을 사용하여 몰드(2)를 보유지지한다. 또한, 몰드 척(207)은, 기계적 보유지지 수단(도시되지 않음)을 사용하여, 몰드 스테이지(208)에 보유지지된다. 몰드 스테이지(208)는, 몰드(2)가 기판(1)에 접촉될 때 몰드(2)와 기판(1) 사이의 간격을 위치결정하기 위한 구동계를 포함하며, 몰드(2)를 Z축 방향으로 이동시킨다. 또한, 몰드 스테이지(208)의 구동계는, 예를 들어, Z축 방향뿐만 아니라, X축 방향, Y축 방향 및 θ 방향(X축 둘레, Y축 둘레, 및 Z축 둘레의 회전 방향)으로 몰드(2)를 이동시키는 기능을 가질 수 있다. 몰드 형상 보정 기구(209)는, 몰드(2)의 형상을 보정하기 위한 기구이며, 몰드의 외주부를 둘러싸도록 복수의 위치에 설치되어 있다.
기판 스테이지(213)는, 기판(1)을 보유지지하고, 몰드(2)가 기판(1)에 접촉할 때, 몰드(2)와 기판(1) 사이의 병진 시프트를 보정(정렬)한다. 기판 스테이지(213)는 기판 척(212)을 포함한다. 기판 척(212)은 기판(1)을 기판 흡착 패드(기판 흡착 유닛)을 사용하여 보유지지한다. 또한, 흡착 방식으로서, 진공 흡착, 정전 흡착, 또는 다른 흡착 방식을 이용할 수 있다. 기판 스테이지(213)는, 몰드(2)와 기판(1) 사이의 병진 시프트를 보정(정렬)하기 위해 X축 방향 및 Y축 방향으로 구동되는 구동계를 포함한다. 또한, X축 방향과 Y축 방향의 구동계는 조동 구동계 및 미동 구동계 등 복수의 구동계를 포함할 수 있다. 또한, Z축 방향의 위치를 조정하기 위한 구동계, 기판(1)의 θ 방향(Z축 둘레의 회전)의 위치를 조정하는 기능, 및 기판(1)의 기울기를 보정하기 위한 틸트 기능이 있을 수 있다. 기판 스테이지(213)는 복수의 보유지지 유닛 중 하나이다.
기판(1)은 유리, 세라믹, 금속, 반도체 또는 수지 등으로 구성되는 부재일 수 있다. 필요에 따라, 해당 부재의 표면에 해당 부재와는 상이한 재료로 이루어지는 층이 형성될 수 있다. 기판(1)은, 예를 들어 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 또는 석영 유리 플레이트이다. 기판(1)에는 복수의 샷 영역이 형성되어 있고, 임프린트 처리를 각 샷 영역마다 반복함으로써 기판(1)의 샷 영역 위로 패턴을 형성할 수 있다. 처리 유닛(210)은, 기판 스테이지(213)를 보유지지하기 위한 베이스 정반(219), 임프린트 헤드(206)를 보유지지하기 위한 브리지 정반(217), 및 브리지 정반(217)을 지지하기 위한 지주(221)를 더 포함할 수 있다.
공급 유닛(214)(디스펜서)은 기판(1) 위로 임프린트재(215)를 공급한다. 공급 유닛(214)은, 예를 들어 토출 노즐(도시되지 않음)을 갖고 있으며, 토출 노즐로부터 기판(1) 위로 임프린트재(215)를 공급한다. 또한, 본 실시형태에서, 임프린트재(215)로서는 자외선에 의해 경화되는 성질을 갖는 수지를 일례로서 사용한다. 또한, 공급되는 임프린트재(215)의 양은, 필요한 임프린트재의 두께, 형성되는 패턴의 밀도 등에 의해 결정될 수 있다.
얼라인먼트 계측 유닛(216)은, 몰드(2) 및 기판(1)에 형성된 얼라인먼트 마크를 검출해서, 기판(1) 상에 형성된 패턴과 몰드(2)의 패턴 영역 사이의 X축 방향 및 Y축 방향으로의 위치 어긋남 및 형상 차를 계측하기 위한 계측 유닛이다.
처리 유닛(210)은, 반송 유닛(220)에 의해 반송된 기판(1)에 대하여 임프린트 처리를 행한다. 반송 유닛(220)은, 기판(1)을 반송하고, 처리 유닛(210) 내부와 외부 사이에서 기판(1)의 전달을 행한다. 반송 유닛(220)은, 예를 들어 전처리 장치(300)에 의해 전처리가 행하여진 기판(1)을 보유지지 유닛(10)에 의해 보유지지되게 하고, 보유지지 유닛(10)을 반송로(30)를 따라 이동시킴으로써, 기판(1)을 반송(반입)해야 할 처리 유닛(210)의 전방 위치로 이동시킨다. 그리고, 반송 유닛(220)은, 기판(1)을 보유지지하는 보유지지 유닛(10)을 처리 유닛(210)의 내부로 삽입하고, 기판 스테이지(213) 위로 기판(1)을 전달한다.
여기서, 보유지지 유닛(10)의 구성에 대해서 도 3a 및 도 3b를 참조하여 설명한다. 도 3a 및 도 3b는 제1 실시형태에 따른 보유지지 유닛(10)의 구성을 도시하는 개략도이다. 도 3a는 보유지지 유닛(10)을 +Z 방향으로부터 본 경우의 평면도이며, 도 3b는 보유지지 유닛(10)을 -Y 방향으로부터 본 경우의 측면도이다. 보유지지 유닛(10)은, 예를 들어 핸드(11) 및 배출 유닛(13)을 포함한다.
핸드(11)는 기판(1)을 보유지지한다. 기판(1)은, 피처리면(제1 면)이 +Z 방향을 향하는 상태에서 실질적으로 수평하게 핸드(11)에 적재된다. 핸드(11)는, 예를 들어 진공 흡착, 전압을 인가한 쿨롱 힘 고정(Coulomb force fixation) 또는 기타 수단을 사용하여 기판(1)을 보유지지한다. 핸드(11)는, 예를 들어 제1 지지부(16)의 선단에 고정된다. 제1 지지부(16)는, 예를 들어 회전 축(18)을 통해서 제2 지지부(17)에 연결된다. 이에 의해, 제1 지지부(16)의 선단에 고정된 핸드(11)는 제2 지지부(17)에 대하여 회전할 수 있다.
배출 유닛(13)은, 예를 들어 배출 포트(12), 기체 공급원(14) 및 제어 밸브(20)를 포함한다. 배출 포트(12)는, 기체 공급원(14)으로부터 공급되는 청정한 기체를, 보유지지 유닛(10)에 의해 보유지지된 기판(1)의 외주측으로부터, 보유지지 유닛(10)에 의해 보유지지된 기판(1)의 표면을 향해서 분출한다. 또한, 본 명세서에서, 기판(1)의 표면은 기판(1)의 피처리면과 피처리면의 반대측의 면(제2 면)을 포함할 수 있다. 배출 포트(12)는, 기체 공급원(14)으로부터 공급되는 기체가 기판(1)의 전체면에 공급되도록, 기판(1)에 대하여 기체를 방사상으로 분출할 수 있는 형상을 갖는다. 이와 같이 함으로써, 배출 포트(12)를 크기 및 중량 감소를 달성할 수 있다. 또한, 배출 포트(12)의 형상은 이러한 형상으로 제한되지 않으며, 기판(1)의 전체면에 기체를 분출할 수 있는 어떠한 형상도 적절하다. 예를 들어, 배출 포트(12)는, Y축 방향에서, 기판(1)의 직경과 동등한 폭을 가질 수 있으며, 배출 포트(12)로부터 기판(1)을 향해서 평행하게(X 방향으로) 기체를 분출할 수 있다.
배출 포트(12)는, 예를 들어 회전 축(18)보다 핸드(11)에 더 가까운 위치인 제1 지지부(16)에 배치된다. 이와 같이 배출 포트(12)를 배치함으로써, 핸드(11)가 제2 지지부(17)에 대하여 회전함에 따라, 배출 포트(12)도 회전하게 된다. 이로 인해, 핸드(11)가 제2 지지부(17)에 대하여 회전하는 경우에도, 배출 포트(12)로부터 분출되는 기체의 분출 방향과 기판(1) 사이의 관계는 변하지 않는다. 배출 포트(12)는, 핸드(11)가 반송로(30)에 대하여 회전할 수 있는 경우에, 핸드(11)의 회전에 수반하여 배출 포트(12)가 회전하여, 배출 포트(12)로부터 분출되는 기체의 분출 방향과 기판(1) 사이의 관계가 변하지 않는 위치에 배치되는 것이 바람직하다.
기체 공급원(14)은 배출 포트(12)에 청정한 기체를 공급한다. 기체 공급원(14)으로부터 공급되는 기체의 양은 제어부(400)에 의해 제어될 수 있다. 이에 의해, 배출 포트(12)로부터 분출되는 기체의 양이 제어된다. 제어부(400)는, 예를 들어 기판의 반송로 및 반송 속도에 기초하여 분출량을 제어할 수 있다. 예를 들어, 분출량은, 기판이 처리 유닛 사이에서 반송되는 경우에는 증가될 수 있고, 처리 유닛 내에서는 적어질 수 있다. 여기서, 분출량은, 배출 포트(12)로부터 분출되는 기체의 단위 시간당의 양이다.
기체 공급원(14)으로부터 공급되는 청정한 기체는 제어 밸브(20)에 의해 분출 및 정지되도록 제어된다.
본 실시형태에서는, 일례로서, 도 3b에 도시하는 바와 같이, 제1 배출 포트(12U)와 제2 배출 포트(12L)의 2개의 배출 포트가 배치된다. 제1 배출 포트(12U)는, 기판(1)의 피처리면의 상방(+Z 방향측)에 배치되고, 기판(1)의 피처리면을 향해서, 피처리면에 대하여 기울어진 제1 방향으로 기체를 분출한다.
제1 배출 포트(12U)는, 제1 방향으로 기체를 분출하여, 제1 방향의 기류(15U)를 형성한다. 제1 배출 포트(12U)로부터 분출되는 기류(15U)는, 예를 들어 정류된 기류이다. 여기서, 기류의 정류는 정류기(도시되지 않음)를 통해서 기체를 분출함으로써 실현될 수 있다. 정류기로서는, 예를 들어 세관의 집합체, 망체, 필터 등을 사용할 수 있다.
제2 배출 포트(12L)는, 기판(1)의 피처리면의 반대측의 면으로부터 하방측(-Z 방향측)에 배치되고, 기판(1)의 제2 면을 향해서 제2 면에 대하여 기울어진 제2 방향으로 기체를 분출한다. 제2 배출 포트(12L)도, 제1 배출 포트(12U)와 마찬가지로, 제2 방향으로 기체를 분출하여, 제2 방향의 기류(15L)를 형성한다. 제2 배출 포트(12L)로부터 분출되는 기류(15L)는, 예를 들어 정류된 기류이다.
여기서, 기판(1)의 표면에 대하여 평행하게 기체를 분출하는 경우의 기류의 상태에 대해서 설명한다. 도 4a 및 도 4b는, 기판(1)의 표면에 대하여 평행하게 기체를 분출하는 경우의 기류의 상태를 설명하는 도면이다. 도 4a는, 기판(1)의 피처리면 상을 유동하는 기류의 상태를 +Z 방향으로부터 본 경우의 평면도이다. 도 4b는, 기판(1)의 표면을 유동하는 기류의 상태를 -Y 방향으로부터 본 경우의 측면도이다. 기판(1)의 피처리면에 대하여 평행하게 기체를 분출하는 경우, 도 4a 및 도 4b에 도시되는 바와 같이, 기판(1)의 피처리면 및 피처리면의 반대측의 면을 따른 기류는 특정 위치로부터 난류가 되고, 확산하면서 주위의 분위기를 그 안으로 말려들게 한다. 결과적으로, 반송 공간 내에 존재하는 파티클 등이 그 안으로 말려들 수 있고, 이는 기판(1)의 반송 중에 기판(1)의 피처리면 및 피처리면의 반대측의 면에 파티클 등의 부착을 초래할 수 있다.
도 5a 및 도 5b는, 제1 실시형태에 따른 기판(1)의 표면에 분출되는 기류의 상태를 설명하는 도면이다. 도 5a는, 제1 실시형태에 따른 기판(1)의 피처리면 상을 유동하는 기류의 상태를 +Z 방향으로부터 본 경우의 평면도이다. 도 5b는, 제1 실시형태에 따른 기판(1)의 표면 상을 유동하는 기류의 상태를 -Y 방향으로부터 본 경우의 측면도이다.
먼저, 제1 배출 포트(12U)의 분출 방향(제1 방향)에 대해서 설명한다. 제1 배출 포트(12U)는, 정류된 기류(15U)를, 기판(1)의 피처리면에 대하여, 분출 각도(θ1)로 분출하는 것에 의해, 더 많은 공기를 기판(1)의 피처리면을 따라 유동시킬 수 있다. 이 때문에, 기류는 쉽게 확산되어 감쇠되지 않고, 주위의 파티클 등이 기판(1)에 부착되는 것을 저감시킬 수 있다.
도 3으로 되돌아가면, 제1 배출 포트(12U)의 분출 방향으로서는, 도 3b에 도시하는 바와 같이, 먼저, 제1 배출 포트(12U)의 분출 방향의 각도를 θ1로서 규정한다. 이어서, 기판(1)의 피처리면에 수직이고 제1 배출 포트(12U)의 분출 방향을 포함하는 면 내에서 제1 배출 포트(12U)의 분출 방향에 수직인 방향에서의 제1 배출 포트(12U)의 두께를 T1로서 규정하고, 기판(1)의 직경을 D로서 규정한다. 여기서, T1≥D·sinθ1의 조건식을 충족하는 것이 바람직하다. 이 경우, 제1 배출 포트(12U)는 보유지지 유닛(10)에 의해 보유지지된 기판(1)의 피처리면의 전체면에 정류된 기체를 분출할 수 있기 때문에, 피처리면 상에 파티클 등이 부착되는 것을 저감시킬 수 있다.
또한, 제1 배출 포트(12U)는, 적어도 보유지지 유닛(10)에 의해 보유지지된 기판(1)의 외주 내의, 제1 배출 포트(12U)와 가장 먼 위치의 기판(1)의 외주에 대하여 기체를 분출하는 것이 바람직하다. 제1 배출 포트(12U)로부터 가장 먼 위치의 외주에 대하여 분출되는 기류(151U)는, 기판(1)의 피처리면 상에서 난류가 발생하는 경우에도, 이 난류가 주위의 분위기를 말려들게 하는 것을 억제한다. 이 때문에, 피처리면에 파티클 등이 부착되는 것을 저감시킬 수 있다.
또한, 제1 배출 포트(12U)의 분출 방향은, 제1 배출 포트(12U)의 중심을 통과하며 제1 방향으로 연장되는 직선(152U)이 기판(1)의 중심(C)을 향하는 방향인 것이 바람직하다. 더 바람직하게는, 직선(152U)이 기판(1)의 중심(C)과 교차하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 기판(1)의 크기가 변경된 경우에 대응하는 것이 가능하게 된다.
이어서, 제2 배출 포트(12L)의 분출 방향(제2 방향)에 대해서 설명한다. 제2 배출 포트(12L)의 분출 방향은 제1 배출 포트(12U)와 마찬가지 방식으로 설정될 수 있다. 먼저, 제2 배출 포트(12L)의 분출 방향의 각도를 θ2로서 규정한다. 이어서, 기판(1)의 피처리면과 반대측의 면에 수직이고 제2 배출 포트(12L)의 분출 방향을 포함하는 면 내에서 제2 배출 포트(12L)의 분출 방향에 수직인 방향에서의 제2 배출 포트(12L)의 두께를 T2로서 규정하고, 기판(1)의 직경을 D로서 규정한다. 여기서, T2≥D·sinθ2의 조건식을 충족하는 것이 바람직하다. 이 경우, 제2 배출 포트(12L)는, 보유지지 유닛(10)에 의해 보유지지된 기판(1)의 피처리면과 반대측의 전체면에 걸쳐 정류된 기체를 분출할 수 있기 때문에, 피처리면과 반대측의 면 상에 파티클 등이 부착되는 것을 저감시킬 수 있다.
또한, 제2 배출 포트(12L)는, 적어도 보유지지 유닛(10)에 의해 보유지지된 기판(1)의 외주 내의, 제2 배출 포트(12L)와 가장 먼 위치의 기판(1)의 외주에 대하여 기체를 분출하는 것이 바람직하다. 제2 배출 포트(12L)로부터 가장 먼 위치의 외주에 대하여 분출되는 기류(151L)는, 기판(1)의 피처리면과 반대측의 면 상에서 난류가 발생하는 경우에도, 이 난류가 주위의 분위기를 말려들게 하는 것을 억제한다. 이 때문에, 피처리면과 반대측의 면에 파티클 등이 부착되는 것을 저감시킬 수 있다.
또한, 제2 배출 포트(12L)의 분출 방향은, 제2 배출 포트(12L)의 중심을 통과하며 제2 방향으로 연장되는 직선(152L)이 기판(1)의 중심(C)을 향하는 방향인 것이 바람직하다. 더 바람직하게는, 직선(152L)이 기판(1)의 중심(C)과 교차하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써, 기판(1)의 크기가 변경되는 경우에 대응하는 것이 가능하게 된다.
또한, 본 실시형태에서는, 배출 포트(12)로서, 2개의 배출 포트, 즉 제1 배출 포트(12U)와 제2 배출 포트(12L)가 배치되는 예를 설명했지만, 본 발명은 이 예에 한정되는 것이 아니고, 그 중 어느 한 쪽만이 제공될 수 있거나, 더 많은 수의 배출 포트가 제공될 수 있다. 또한, 배출 포트(12)로부터 분출되는 기체는 기판(1)의 측면(19)에 대하여 분출되지 않는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 기체가 기판(1)의 측면(19)에 대하여 분출되는 것에 의해 발생하는 난류를 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서, 반송 유닛(220)은 처리 시스템(100)의 제어부(400)에 의해 제어되는 것으로서 설명했지만, 반송 유닛(220)은 그 독자적인 제어부를 가질 수 있다.
(제2 실시형태)
이어서, 제2 실시형태에 대해서 설명한다. 제2 실시형태에서 언급하지 않는 사항은 전술한 실시형태에 대응한다. 도 6a 및 도 6b는, 제2 실시형태에 따른 보유지지 유닛(60)의 구성을 도시하는 개략도이다. 도 6a는 제2 실시형태에 따른 보유지지 유닛(60)을 +Z 방향으로부터 본 경우의 평면도이며, 도 6b는 제2 실시형태에 따른 보유지지 유닛(60)을 -Y 방향으로부터 본 경우의 측면도이다. 보유지지 유닛(60)은 온도 조정 유닛(25)을 포함한다.
온도 조정 유닛(25)은, 기체 공급원(14)으로부터 제공되는 기체의 온도를 원하는 온도로 제어한다. 온도 조정 유닛(25)에 의해 조정되는 기체의 온도는, 예를 들어 제어부(400)에 의해 제어될 수 있다. 이에 의해, 배출 포트(12)로부터 분출되는 기체의 온도가 제어된다. 제어부(400)은, 예를 들어 기판의 반송로 및 반송 속도에 기초하여 기체의 온도를 제어할 수 있다. 예를 들어, 전처리 장치(300)에 의해 행해지는 전처리에 의해 기판(1)이 고온이 되는 경우에는, 제어부(400)는 기체의 온도를 기판(1)의 온도가 원하는 온도인 경우에 분출되는 기체의 온도보다 낮아지도록 제어할 수 있다.
본 실시형태에 따르면, 기판은 기판의 반송 중에 원하는 온도로 설정될 수 있기 때문에, 생산성을 향상시킬 수 있다.
(제3 실시형태)
이어서, 제3 실시형태에 대해서 설명한다. 제3 실시형태에서 언급되지 않은 사항은 전술한 실시형태의 사항에 대응한다. 도 7a 및 도 7b는, 제3 실시형태에 따른 보유지지 유닛(70)의 구성을 도시하는 개략도이다. 도 7a는 제2 실시형태에 따른 보유지지 유닛(70)을 +Z 방향으로부터 본 경우의 평면도이며, 도 7b는 제2 실시형태에 따른 보유지지 유닛(70)을 -Y 방향으로부터 본 경우의 측면도이다. 보유지지 유닛(70)은 제1 구동 유닛(71U) 및 제2 구동 유닛(71L)을 포함한다.
제1 구동 유닛(71U)은, 기판(1)의 크기에 따라서 제1 배출 포트(12U)를 구동하고, 제1 배출 포트(12U)의 분출 방향을 변경한다. 제2 구동 유닛(71L)은, 기판(1)의 크기에 따라서 제2 배출 포트(12L)를 구동하고, 제2 배출 포트(12L)의 분출 방향을 변경한다.
도 8은 제3 실시형태에 따른 메인 처리의 일례를 도시하는 흐름도이다. 각 플로우는 주로 각 유닛에 대한 제어부(400)의 제어에 의해 시행된다. 먼저, S801에서, 보유지지 유닛(10)은 기판(1)을 보유지지한다. 이어서, S802에서, 예를 들어 처리 시스템(100)에 포함되는 계측 유닛(도시되지 않음)에 의해, 기판(1)의 크기, 예를 들어 기판(1)의 직경을 계측한다. 또한, 이 경우에, 미리 계측된 기판(1)의 크기가 사용될 수 있다.
S803에서, 제어부(400)는, 기판(1)의 크기에 따라, 배출 포트(12)의 각도를 설정한다. 제어부(400)는, 예를 들어 제1 실시형태에 기재된 조건식을 충족하는 분출 각도(θ1) 및 분출 각도(θ2)를 산출하고, 산출된 각도를 분출 각도로서 설정한다. 또한, 예를 들어, 제어부(400)는, 기판(1)의 크기에 대응하는 분출 각도를 저장하는 저장 유닛을 가질 수 있으며, 저장 유닛에 저장된 정보를 사용하여 분출 각도를 설정할 수 있다. 또한, 저장 유닛에 저장된 분출 각도를 유저가 미리 선택하고, 선택된 각도를 분출 각도로서 설정하는 것이 바람직하다.
S804에서, 보유지지 유닛(10)은 기판(1)을 전처리 장치(300)에 반송한다. 전처리 장치(300)가 기판(1)에 대한 전처리를 완료하면, S805에서, 보유지지 유닛(10)은, 복수의 처리 유닛(210) 중, 보유지지 유닛(10)이 보유지지하는 기판(1)을 처리하는 처리 유닛(대상 처리 유닛)에 기판(1)을 반송한다. 그후, S806에서, 대상 처리 유닛에서 기판(1)에 임프린트 처리를 행한다. 기판(1)에 대한 임프린트 처리가 완료되면(S807, 예), S808에서 보유지지 유닛(10)은 다시 기판(1)을 보유지지하고 기판(1)을 반출(반송)한다. 또한, 대상 처리 유닛에서 임프린트 처리가 완료된 후에, 기판은 다른 처리 유닛에 반송될 수 있고, 임프린트 처리를 더 행할 수 있다.
본 실시형태에서는, 배출 포트의 분출 방향을 기판의 크기 따라서 변경할 수 있기 때문에, 다양한 크기의 기판(1)에 더 유연하게 대응하는 것이 가능하게 된다.
(물품 제조 방법의 실시형태)
본 실시형태에 따른 물품 제조 방법은, 반도체 디바이스, 표시 장치, 또는 미세 구조를 갖는 소자 등의 물품을 제조하기에 적합하다. 물품의 예는 전기 회로 소자, 광학 소자, MEMS, 기록 소자, 센서, 몰드 등을 포함한다. 전기 회로 소자의 예는, 동적 랜덤 액세스 메모리(DRAM), 정적 랜덤 액세스 메모리(SRAM), 플래시 메모리, 및 자기 랜덤 액세스 메모리(MRAM) 등의 휘발성 또는 비휘발성 반도체 메모리, 및 대규모 집적회로(LSI), 전하 결합 디바이스(CCD), 이미지 센서, 및 필드 프로그램가능 게이트 어레이(FPGA)와 같은 반도체 소자를 포함한다. 몰드의 예는 임프린트용 몰드 등을 포함한다. 본 실시형태의 물품 제조 방법은 기판에 도포된 감광제에 리소그래피 장치(노광 장치, 임프린트 장치, 묘화 장치 등)를 사용해서 기판에 원판 패턴을 전사하는 단계, 및 상기 단계에서 패턴이 전사된 기판을 처리하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 제조 방법은 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 기판은 유리, 세라믹, 금속, 반도체, 수지 등으로 이루어진다. 필요에 따라, 그 표면에 기판과는 상이한 재료로 이루어지는 부재가 형성될 수 있다. 구체적으로, 기판의 예는 실리콘 웨이퍼, 화합물 반도체 웨이퍼, 석영 유리 등을 포함한다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 다음의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.
본 출원은 전체가 본원에 참조로 통합되는 2019년 3월 26일에 출원된 일본 특허 출원 제2019-058566호의 이점을 청구한다.

Claims (17)

  1. 반송 장치이며,
    기판을 보유지지해서 반송하도록 구성되는 보유지지 유닛; 및
    상기 보유지지 유닛에 배치되고, 상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 제1 면을 향해서, 상기 제1 면에 대하여 기울어진 방향인 제1 방향으로 기체를 분출하도록 구성되는 제1 배출 포트를 포함하는 배출 유닛을 포함하는, 반송 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 면에 대한 상기 제1 방향의 각도가 θ1로서 규정되고, 상기 제1 면에 대해 수직이고, 상기 제1 방향을 포함하는 면 내에서 상기 제1 방향에 대해 수직인 방향에서의 상기 제1 배출 포트의 두께가 T1로서 규정되며, 상기 기판의 직경이 D로서 규정되는 경우, T1≥D·sinθ1의 조건식이 충족되는, 반송 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 보유지지 유닛은 회전가능하며,
    상기 제1 배출 포트는, 상기 보유지지 유닛의 회전에 수반하여 회전하고, 상기 제1 면을 향해서 상기 기체를 분출하도록 배치되는, 반송 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 배출 유닛은, 상기 제1 면의 반대측의 제2 면을 향해서, 상기 제2 면에 대하여 기울어진 제2 방향으로 상기 기체를 분출하는 제2 배출 포트를 포함하는, 반송 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 면에 대한 상기 제2 방향의 각도가 θ2로서 규정되고, 상기 제2 면에 대해 수직이고, 상기 제2 방향을 포함하는 면 내에서 상기 제2 방향에 대해 수직인 방향에서의 상기 제2 배출 포트의 두께가 T2로서 규정되며, 상기 기판의 직경이 D로서 규정되는 경우, T2≥D·sinθ2의 조건식이 충족되는, 반송 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배출 포트는, 적어도 상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 외주 내의, 상기 제1 배출 포트로부터 가장 먼 위치의 외주에 대하여 상기 기체를 분출하는, 반송 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기판의 크기에 따라, 상기 제1 방향의 각도를 변경하도록 구성되는 구동 유닛을 더 포함하는, 반송 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 기판의 크기에 대응하는 상기 제1 방향의 상기 각도를 저장하도록 구성되는 저장 유닛을 더 포함하며,
    상기 구동 유닛은 상기 기판의 크기에 따라 상기 각도를 상기 저장 유닛에 저장된 각도로 설정하도록 제어되는, 반송 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 배출 유닛은 상기 제1 배출 포트로부터 분출되는 상기 기체의 양을 제어하도록 구성되는 제어부를 포함하는, 반송 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 배출 유닛은, 상기 제1 배출 포트로부터 분출되는 상기 기체의 온도를 조정하도록 구성되는 조정 유닛을 포함하는, 반송 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 기판을 반송하기 위한 반송로에 기초하여 상기 분출의 양 또는 상기 온도를 제어하는, 반송 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 제1 방향은, 상기 제1 배출 포트의 중심으로부터 상기 보유지지 유닛에 보유지지된 상기 기판의 중심을 향하는 방향인, 반송 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 제1 배출 포트는 상기 기체의 유동을 조절하는 정류기를 통해 상기 기체를 분출하는, 반송 장치.
  14. 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 기판을 반송하는 반송 방법이며,
    상기 기판을 반송하는 반송 단계; 및
    상기 반송 단계에서, 상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 제1 면을 향해서, 상기 제1 면에 대하여 기울어진 방향인 제1 방향으로 기체를 분출하는 분출 단계를 포함하는, 반송 방법.
  15. 기판을 보유지지해서 반송하도록 구성되는 보유지지 유닛, 및 상기 보유지지 유닛에 배치되고, 상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 제1 면을 향해서, 상기 제1 면에 대하여 기울어진 방향인 제1 방향으로 기체를 분출하도록 구성되는 제1 배출 포트를 포함하는 배출 유닛을 포함하는 반송 장치에 의해 반송된 기판에 패턴을 형성하도록 구성되는 처리 유닛을 포함하는, 리소그래피 장치.
  16. 패턴을 기판에 형성하는 리소그래피 시스템이며,
    상기 기판을 처리하도록 구성되는 제1 처리 장치와 제2 처리 장치; 및
    상기 기판을 상기 제1 처리 장치로부터 상기 제2 처리 장치로 반송하도록 구성되는 반송 장치를 포함하고,
    상기 반송 장치는, 상기 기판을 보유지지해서 반송하도록 구성되는 보유지지 유닛, 및 상기 보유지지 유닛에 배치되고, 상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 제1 면을 향해서, 상기 제1 면에 대하여 기울어진 방향인 제1 방향으로 기체를 분출하도록 구성되는 제1 배출 포트를 포함하는 배출 유닛을 포함하는, 리소그래피 시스템.
  17. 물품 제조 방법이며,
    패턴을 기판에 형성하는 리소그래피 장치를 사용해서 상기 패턴을 상기 기판에 형성하는 단계;
    상기 단계에서 상기 패턴이 형성된 상기 기판을 처리하는 단계; 및
    처리된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하며,
    상기 리소그래피 장치는, 상기 기판을 보유지지해서 반송하는 보유지지 유닛, 및 상기 보유지지 유닛에 배치되고, 상기 보유지지 유닛에 의해 보유지지된 상기 기판의 제1 면을 향해서, 상기 제1 면에 대하여 기울어진 방향인 제1 방향으로 기체를 분출하기 위한 제1 배출 포트를 포함하는 배출 유닛을 포함하는 반송 장치에 의해 반송된 상기 기판에 상기 패턴을 형성하는 처리 유닛을 포함하는, 물품 제조 방법.
KR1020200032544A 2019-03-26 2020-03-17 반송 장치, 반송 방법, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템, 및 물품 제조 방법 KR102590769B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-058566 2019-03-26
JP2019058566A JP7341694B2 (ja) 2019-03-26 2019-03-26 搬送装置、搬送方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステム、および物品製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200115179A true KR20200115179A (ko) 2020-10-07
KR102590769B1 KR102590769B1 (ko) 2023-10-18

Family

ID=72604165

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200032544A KR102590769B1 (ko) 2019-03-26 2020-03-17 반송 장치, 반송 방법, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템, 및 물품 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11073769B2 (ko)
JP (1) JP7341694B2 (ko)
KR (1) KR102590769B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0955418A (ja) * 1995-08-11 1997-02-25 Toshiba Microelectron Corp ウェーハ搬送装置
JP2006216710A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造装置
US20080218712A1 (en) * 2004-10-05 2008-09-11 Asml Netherlands B. V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3104745B2 (ja) * 1997-10-07 2000-10-30 日本電気株式会社 レチクルハンドラー
US5916374A (en) * 1998-02-09 1999-06-29 International Business Machines Corporation Optimized in-line mask cleaning system
JPH11307610A (ja) * 1998-04-22 1999-11-05 Nikon Corp 基板搬送装置及び露光装置
JP3682170B2 (ja) 1998-09-09 2005-08-10 株式会社東芝 カセット搬送システム、半導体露光装置、及びレチクル運搬方法
JP2003140322A (ja) 2001-11-01 2003-05-14 Nec Kyushu Ltd レチクル清浄化装置
US10515834B2 (en) 2015-10-12 2019-12-24 Lam Research Corporation Multi-station tool with wafer transfer microclimate systems

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0955418A (ja) * 1995-08-11 1997-02-25 Toshiba Microelectron Corp ウェーハ搬送装置
US20080218712A1 (en) * 2004-10-05 2008-09-11 Asml Netherlands B. V. Lithographic apparatus, cleaning system and cleaning method for in situ removing contamination from a component in a lithographic apparatus
JP2006216710A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Hitachi High-Technologies Corp 半導体製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR102590769B1 (ko) 2023-10-18
JP2020161601A (ja) 2020-10-01
JP7341694B2 (ja) 2023-09-11
US11073769B2 (en) 2021-07-27
US20200310257A1 (en) 2020-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10488752B2 (en) Imprint apparatus and article manufacturing method
TWI603376B (zh) 壓印設備及製造物品的方法
JP2017208424A (ja) インプリント装置、及び物品の製造方法
JP7373334B2 (ja) インプリント装置及び物品の製造方法
JP6898785B2 (ja) インプリント装置および物品製造方法
KR102590769B1 (ko) 반송 장치, 반송 방법, 리소그래피 장치, 리소그래피 시스템, 및 물품 제조 방법
KR102317410B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법, 임프린트재의 배치 패턴의 결정 방법 및 물품의 제조 방법
JP7058951B2 (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
KR102537179B1 (ko) 임프린트 장치, 임프린트 방법 및 물품의 제조 방법
WO2016059745A1 (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
JP2017199731A (ja) インプリント装置および物品製造方法
KR102240226B1 (ko) 임프린트 장치 및 물품 제조 방법
JP6700983B2 (ja) 計測装置、搬送システム、リソグラフィ装置、および物品の製造方法
JP2019220526A (ja) 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、成形方法、および、物品の製造方法
US20230073885A1 (en) Molding apparatus for molding composition on substrate using mold, molding method, and method for manufacturing article
JP2015023151A (ja) インプリント装置、インプリント方法、プログラム、インプリントシステム、それらを用いた物品の製造方法
US20240091825A1 (en) Cleaning apparatus, cleaning method, imprint apparatus, and method for manufacturing an article
US20230112924A1 (en) Substrate conveyance method, substrate conveyance apparatus, molding method, and article manufacturing method
JP2021163819A (ja) 搬送装置、搬送方法、リソグラフィ装置、リソグラフィシステム、および物品製造方法
JP2021174858A (ja) 温度調整装置、リソグラフィ装置、温度調整方法、および物品製造方法
JP2021068849A (ja) モールド、成形装置、および物品の製造方法
JP2015177123A (ja) インプリント装置、および物品の製造方法
JP2019161020A (ja) モールド、インプリント装置、および物品の製造方法
JP2019036572A (ja) インプリント装置、インプリント方法および、物品製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right